JP2003529199A - 差動vgmrセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
ープドライブ、ディスクドライブなどのコンピュータ大規模記憶装置における記
録ヘッド技術に利用されている。磁気抵抗効果型記録ヘッドは、ディスクドライ
ブや磁気テープドライブなどの大規模磁気媒体記憶装置からのデータ読取りに有
用であることがよく知られている。磁気抵抗効果(MR)センサは、磁気材料で
作られたMR素子の抵抗変化を測定することによって磁場信号を検出する。MR
素子の抵抗は、その素子によって感知される磁束の強さと方向の関数として変化
する。その抵抗変化は、磁気媒体からの磁束を求めるために変換される。この測
定によって、媒体に格納されている信号が求められる。
Rでは、素子抵抗の成分が、MR素子の磁化ベクトルと素子を流れるバイアス電
流またはセンス電流ベクトルとで形成される角度の余弦の平方に比例して変化す
る。 ここで、 は対象の抵抗成分であり、ρoはMR素子のベース抵抗である。
。この効果は巨大磁気抵抗効果(GMR)として知られている。GMR効果に基
づくタイプのセンサの一つに、垂直GMR(VGMR)センサと呼ばれるものが
ある。
る電子のスピンに由来する散乱によって生じる。
サイズの減少に従って、有効な磁束は減少する。また、熱雑音によって感度が下
がる場合もある。例えば、ヘッドはディスクの表面上を浮上している間に粒子(
汚染物質)と衝突することがある。この衝突のエネルギーは放熱として消散して
ヘッド温度の上昇を招き、それによってヘッド抵抗が増加し、最終的にトランジ
ションからの磁気信号よりも高い信号が発生することがある。これらの小信号を
感知して、面密度を増加させるためには、高感度の読取りヘッドが必要である。
気抵抗効果素子に対して実質的に平行に形成された第2の磁気抵抗効果素子と、
第1および第2の磁気抵抗効果素子の間に挾持される非磁性体スペーサとを含む
データ読取り装置に関するものであって、第1および第2の磁気抵抗効果素子が
第1の磁気層と、第1の磁気層に対して実質的に並行に形成された第2の磁気層
と第1および第2の磁気層の間で挾持される導電体スペーサとを含み、第1の磁
気抵抗効果素子の導電体スペーサに供給されるバイアス電流と、第2の磁気抵抗
効果素子の導電体スペーサに供給されるバイアス電流が実質的に等しい大きさで
、方向が互いに逆であることを特徴とする。
性体スペーサに隣接して形成される永久磁石と、第1および第2の磁気抵抗効果
素子間で非磁性体スペーサと永久磁石の間に形成された電流ストリップと、第1
および第2の磁気抵抗効果素子間で非磁性体スペーサに隣接して形成された電流
ストリップとを含む。
1磁気層は、第1の磁気材料と、第2の磁気材料と、第1および第2の磁気材料
の間に挾持されるスペーサ材料とを含む。
ペーサ材料はルテニウムである。
の磁気層は、第1の磁気材料と、第2の磁気材料と、第1および第2の磁気材料
の間で挾持されるスペーサ材料とを含む。
の少なくとも1つで形成される単層(single layer)である。
ilayer)である。
る第1の薄層と、第2の磁気層と導電体スペーサの間で挾持される第2の薄層を
含み、第1および第2の薄層はCoとCoFeの少なくとも一方で形成すること
ができる。
Rスタックを含むVGMRセンサを特徴とすると共に、第1および第2のVGM
Rスタックの間で挾持される非磁性絶縁体スペーサと含むことを特徴とする。
ックと、第2のSAFスタックと、第1および第2のSAFスタックの間で挾持
される導電体スペーサとを含む。
2のSAF層と、第1および第2のSAF層の間で挾持されるスペーサ層を含み
、導電体スペーサは銅で形成することができる。
2のVGMRスタックに第2のバイアス電流を供給するための電流源が含まれる
。
る差動増幅器と、第1および第2の磁化変化を検出する検出器とを含むことがで
きる。
動GMRセンサを特徴とすると共に、1つのスタックで抵抗を増加させ、隣接ス
タックで抵抗を減少させることによって外部磁場に反応するように各スタックの
磁化をバイアスするための手段を特徴とする。
例する差分信号を生成する差動VGMRセンサを提供する。このセンサは、標準
のVGMRセンサより良好なSN比を示す。SN比の向上により、センサの読取
り密度が増加する。
いる。発明に関する他の特徴、目的、利点は添付図面、下記の説明、請求項にお
いて明らかにされる。
10の互換的斜視側面図である。図1Aに示すように、従来のサンドイッチ型G
MR10は通常、NiFe、CoFe、NiFeCo等からなる2つの磁気層ま
たは2重層12、13の間に挟まれた銅などの導電体スペーサ材料11を含んで
いる。ベクトル14で表されるバイアス電流または電流密度Jbが、導電体スペ
ーサ11を介してGMRスタック10を通る。図1A、図1Bにおいて、磁気層
12、13には、ベクトル15Aおよび15Bで表される磁化M1、M2が現れる
。磁化ベクトルの15Aおよび15Bは、実線と破線によって表される2つの方
向で示される。バイアス電流密度14が存在しないとき、磁化ベクトル15Aお
よび15Bは、記録媒体16に面するヘッド表面である空気ベアリング面16A
(ABS)に垂直な方向を向く。この垂直方向は、磁気層12,13に固有の異
方性特性によるものである。
ベクトル14の周囲を「巻く」ベクトル17が生じる。この磁場Bは2つの磁気
層12,13に対してそれぞれ反対方向に作用する。その結果、磁気層12,1
3の磁化ベクトル15A,15Bは、磁場ベクトル17の方向、すなわち、磁場
Bによる磁束の方向を向く。その結果、磁化ベクトル15Aおよび15Bは、A
BS16Aに対して垂直なベクトル18との間に角度θ1,θ2を形成する。更に
、磁化ベクトル15Aおよび15Bは、図1Cに示されるように互いに交差する
方向を向く結果となる。
に対するバイアス印加を補助することである。抵抗は磁気層における磁化方向間
の角度に依存する。記録媒体から磁束を感知したときに磁気層の磁化方向が変化
して、磁気層の抵抗が変化する。したがって、ベクトルHによって表される磁場
密度Hが磁気媒体16から広がると、磁化ベクトルは、その磁場方向に整列しよ
うとする。その結果、ベクトル18の強度変化に従って、磁化ベクトル15Aお
よび15Bの方向が変化する。GMR効果による抵抗変化も対応して現れ、これ
はバイアス電流密度14の変化によって表される。これらの抵抗変化を測定して
信号が得られる。この実施例はGMR検出に関して記述する。
MRセンサ200,201は、それぞれ線205および210を介してバイアス
電流密度Jb1、Jb2によってそれぞれバイアスされる。一方のVGMRセンサ2
00の抵抗増加(減少)によるバイアス電流変化と、他方のVGMRセンサ20
1の抵抗減少(増加)によるバイアス電流変化とが、差動増幅器220で結合さ
れることにより、差分信号225が発生する。
のVGMRセンサVGMR1 21Aと第2のVGMRセンサVGMR2 21
Bの磁化方向は互いに逆向きである。記録媒体からの外部磁場がABSに対して
垂直に印加されると、VGMR1の磁気層における磁化方向間の角度が増加/減
少し、それに対応して、VGMR2の磁気層における磁化方向間の角度が減少/
増加する。
タック21B(VGMR2)の間に挟まれた永久磁石22および非磁性体スペー
サ24を含む差動VGMRセンサ20を示す。分かりやすくするために図にデカ
ルト座標系が付加されている。非磁性体スペーサ24は、隣接する磁気層VGM
R1およびVGMR2の間で強磁性オレンジピールカップリング(orange
peel coupling)が生じない程度に厚く形成される。オレンジピ
ールカップリングは、GMRスタックの磁気層間でパラレルカップリングをもた
らすGMRスタック自体のトポロジーに起因する。非磁性体スペーサは、一般に
10〜40オングストロームであるが、この厚みに限定するものではない。スペ
ーサ24は、VGMR1 21Aと、VGMR2 21BのABS縁部16Aの
近くに配置される。記録媒体16の破損を防ぐと共にセンサ20の感度低下を防
ぐために、永久磁石22はABS縁部16Aから離れたところに配置される。永
久磁石22の磁化方向はABSに平行で、VGMR21Aおよび21B層に対し
て垂直である。永久磁石22は、VGMR1 21AとVGMR2 21Bの磁
化方向を逆向きにする働きをする。永久磁石22からの磁場ベクトル23は、V
GMR1 21Aの磁化ベクトル15A、15B(図2B参照)と、VGMR2
21Bのベクトル15C、15D(図2B参照)を互いに反対方向に向ける。
図2Aで見られるように、一般に、永久磁石23からの磁束は、VGMR1 2
1Aに関してy方向を向き、VGMR2 21Bに関して−y方向を向く。した
がって、VGMR1 21Aの磁化ベクトル15A,15Bは、ベクトル23の
磁場線に沿ってy方向を向く。それと対照的に、VGMR2 21Bの磁化ベク
トル15C、15Dは、ベクトル23の磁場線に沿って−y方向を向く。そして
、VGMR1 21AおよびVGMR2 21Bにそれぞれバイアス電流25,
26が流れているとき、VGMR1 21AおよびVGMR2 21Bの各層の
磁化方向は、互いに交差する向きになる(すなわち、M1 15AとM2 15B
が交差し、M3 15CとM4 15Dが交差する)。
18で表される磁場密度Hにおけるすべての磁化方向がy方向のベクトル18に
沿って記録媒体磁束の方向に整列しようとする。図2Dにおいて、すべての磁化
ベクトルがy方向に整列しようとすると、M1 15AとM2 15Bとの間の角
度φ1は減少し、M2とM4の間の角度φ2は増加する。
れに対応して、VGMR1 21AとVGMR2 21Bに抵抗変化が現れる。
上述のように、磁化ベクトル15A,15B,15C,15Dの方向が互いに逆
平行になると、スタックの抵抗が増加する。磁化ベクトルの方向が互いに平行に
なると、抵抗は減少する。VGMRスタック21A,21Bの磁化方向が永久磁
石22によって互いに逆平行になるので、GMR効果によるベクトル18の磁場
強度の変化に従って一方のスタックの抵抗は増加し、他方のスタックの抵抗は減
少する。その結果、スタックから差分信号が生成される。層の抵抗が互いに逆に
増減するので、抵抗が同じ方向に変化するスタックと比較して、差分信号の値は
大きくなる。その結果、出力信号はノイズフロアから更に高くなるので、VGM
Rセンサ20の感度が増加する。
リップ31および非磁性体スペーサ24を含む差動VGMRセンサ30の別の実
施例を示す。発明の実施例では、電流ストリップ31を使用することにより、永
久磁石による磁束と同様の効果をもたらすベクトル32で表される磁場Bから磁
束が得られる(図2A,2B,2C参照)。電流密度ベクトル33によって示さ
れるように、ストリップ31中を−z方向に電流密度Jsが通る。電流ストリッ
プ31は図示されるように、それ自体の周囲を巻く磁場32を生成する。電流ス
トリップ31から発生する磁場Bにより、VGMR2 21Bに関して一方向(
一般に−y方向)の磁束が現れると共に、VGMR1 21Aに関して逆方向(
一般にy方向)の磁束が現れる。したがって、VGMR1とVGMR2のそれぞ
れの磁化方向は互いに逆方向、すなわち、M1 15AとM2 15B(図3B)
はy方向を向き、M3 15CとM4 15D(図3B)は−y方向を向く。この
実施例において、電流ストリップは、VGMR1 21Aの磁化方向15A,1
5Bと、VGMR2 21Bの磁化方向15C,15Dを互いに逆並行に向けて
、永久磁石を使用する場合(図2A,2B,2C)と同じ効果をもたらす。ベク
トル25,26によって表されるバイアス電流密度については、前述と同じであ
る。電流密度25,26は、磁化ベクトル15A,15Bと、15C,15Dの
それぞれの向きを変える。
ル18によって表される磁場密度Hが存在するとき、すべての磁化は、y方向の
ベクトル18に沿った記録媒体磁束の方向に整列しようとする。図2Dにおいて
、すべての磁化ベクトルがy方向に整列しようとすると、M1 15AとM2 1
5Bとの間の角度φ1は減少し、M2とM4との間の角度φ2は増加する。磁気媒体
16からの磁場Hのベクトル18によってVGMRスタック21A,21Bの磁
気抵抗効果に変化が生じ、最終的に差分信号が発生する。
ップ31、永久磁石22および非磁性体スペーサ24を含む差動VGMRセンサ
40を示す。電流密度ベクトル33で示されるように、電流密度Jsがストリッ
プ31を通る。ベクトル32で表されるように、電流31ストリップから、それ
自体の周囲を巻く磁場が発生する。電流ストリップ31から発生する磁場Bによ
り、VGMR1 21Aに関して一方向の磁束が現れると共に、VGMR2 2
1Bに関して逆方向の磁束が現れる。このように、VGMR1 21AとVGM
R2 21Bの磁化方向は互いに逆方向を向く。永久磁石はABS縁部から離れ
た位置に置かれる。永久磁石22の磁化方向は、ABS 16Aに対して平行で
、かつVGMRの層21A、21Bに対して垂直である。永久磁石22層からの
磁束により、VGMR1 21AとVGMR2 21Bにおける磁化は互いに逆
向きにされる。本発明の実施例において、ベクトル23および32によってそれ
ぞれ表される永久磁石22および電流ストリップ31の各B磁場からの磁束を合
成すると、永久磁石22あるいは電流ストリップ31が単独で磁化15A,15
B,15C,15Dの方向が決まる場合と同様に、VGMR1 21Aの磁化1
5A,15B(図4B)とVGMR2 21Bの磁化15C,15D(図4B)
の磁化は互いに逆向きになる。
ル18によって表される磁場密度Hが存在するとき、すべての磁化は、y方向の
ベクトル18に沿った記録媒体磁束の方向に整列しようとする。図2Dにおいて
、すべての磁化ベクトルがy方向に整列しようとすると、M1 15AとM2 1
5Bとの間の角度φ1は減少し、M2とM4との間の角度φ2は増加する。磁気媒体
16からの磁場Hのベクトル18によってVGMRスタック21A,21Bの磁
気抵抗効果に変化が生じ、最終的に差分信号が発生する。この場合も、VGMR
21A,21Bのスタックを流れるバイアス電流は、媒体16からの磁場強度
Hのベクトル18の変化に伴うスタックの抵抗変化を感知する。
性体スペーサ24を含む差動VGMRセンサ50を示す。薄いスペーサ24はA
BS 16Aの近くに配置される。スペーサ24がある厚さ、一般に7〜9Åの
とき、VGMRセンサ21A,21Bの磁気層12,13の間で交換結合が生じ
る。交換結合は、非磁性体スペーサで分離された磁気層間における平行または逆
平行の磁気結合である。スペーサ24に隣接したVGMR1 21AおよびVG
MR2 21Bの磁気層12,13間におけるこの交換結合は負の値をとる。磁
気層間における負の交換結合により、各センサ21A,21Bの磁化ベクトル1
5A,15B,15C,15Dは互いに逆方向を向く。実施例では、ABSから
離れた位置での磁気ピンホールおよび磁気カップリングを避けるために、スペー
サ24を7〜9オングストロームから約100〜400オングストロームに広く
する。
て、薄いスペーサを用いた負の交換結合を利用することができる。
2つのVGMRセンサの磁化は逆方向になる。この実施例では、材料の固有の磁
気的性質で磁化方向が決まるので、永久磁石や電流ストリップなどを付加する必
要はない。この実施例では、差動センサにおける少なくとも一方のスタックに合
成反強磁性体(SAF)層が含まれる。
れた導電体スペーサ11を含む拡張型差動VGMRセンサ60を示す。SAF構
成61A,61Bはともに、導電体スペーサ11に隣接して配置した第1のSA
F層62A,62Bとより厚いSAF層64A,64Bとの間に挟まれた薄い非
磁性体スペーサ63A,63Bを含む。非磁性体スペーサ63A,63Bは適切
な非磁性材料、たとえばルテニウムなどで形成することができる。永久磁石22
(例えば図2A参照)、電流ストリップ(例えば図3A参照)、負の交換結合(
例えば図5A参照)、またはそれらの組み合わせによる磁場が存在しない場合は
、スペーサ63A,63Bを介して反強磁性的に結合された層62A,62B,
64A,64Bに使用される強磁性材料によって磁場方向が決まる。一実施例で
は、厚い外側層64A,64Bの磁化M1、M2は、ベクトル65A,65B(図
6B)でそれぞれ表される第1の方向になる。薄い内側層62A,62Bは外側
層65A,65Bと結合され、ベクトル66A,66B(図6B)で表されるよ
うに、その磁化M1’,M2’は外側層64A,64Bの磁化ベクトル65A,6
5Bとはそれぞれ逆向きになる。
VGMRスタックの周囲に磁場(図示せず)が現れる。したがって、外側層64
A,64Bの磁化ベクトル65A,65Bは、磁束(図示せず)の方向を向く。
内側SAF層62A,62Bが逆平行に向くので、磁化ベクトル66A,66B
はそれぞれベクトル65A,65Bの逆方向に向く。外側層64A,64Bの方
が厚いSAF層で形成されているため、内側層62A,62Bより磁化が大きい
。したがって、M1とM1’の正味の磁化は、M1ベクトル65Aの方向を向く。
同様に、M2とM2’の正味の磁化はM2ベクトル65Bの方向を向く。
の側面図である。正味磁化Mnet1、Mnet2は、ベクトル67A,67Bで示され
ている。
側層62A,62Bは外側層64A,64Bより厚く形成される。この構成では
、内側層62A,62Bの方が厚いので、磁化ベクトル66A,66Bは外側層
64A,64B(図7B)の磁気ベクトル65A,65B(図7B)よりも大き
くなり、正味磁化はそれぞれM1’,M2’(図7B)の方向になる。
実施例を示す。キャップ層68は一般にTaであり、厚さは約35Åである。バ
ッファ層は一般に30〜40ÅのTaか、25〜50ÅのNiFeCrである。
磁気層64A,64Bは、一般に40〜60ÅのNiFeCoまたはNiFeで
ある。非磁性体スペーサ層63A,63Bは一般にRuであり、厚さは7〜10
Åである。内側磁気層62A,62Bは、一般に15〜40ÅのNiFeCo、
NiFe、CoFe、あるいはそれらの組み合わせである。Cuの導電体スペー
サ11は、一般に25〜40Åである。
0の側面図である。正味磁化Mnet1、Mnet2は、ベクトル67A,67Bで示さ
れる。図6A,6B,6Cと比較すると、正味磁化67A,67Bは逆向である
。
A,7Aに示されるスタックと同様のVGMRスタックの組み合わせとして示さ
れている。第1のVGMRスタック81と第2のVGMRスタック83で非磁性
体スペーサ82が挾持される。第1のスタック81の磁化が一方向を向き、第2
のスタック83の磁化が逆方向を向くことにより、差分信号が得られる。VGM
Rスタック81,83は、それぞれ2つのSAF層81a,81bと、83a,
83bを含む。SAF層は非磁性体スペーサ91a,91b,94a,94bを
含み、それらは個々のSAF層90a,92a,90b,92b,93a,95
a,93b,95bによって挾持される。それぞれのSAFペア90aと92a
、90bと92b、93aと95a、93bと95bは、強く逆平行結合される
。図8Aおよび8Bに示されるように、磁化ベクトルM1とM1’、M2とM2’、
M3とM3’、M4とM4’は逆平行に配される。
にバイアス電流Jb1およびJb2が流れると、磁化ベクトルが整列しようとする磁
場が形成され、後述のように正味磁化が現れる。
の図は、バイアス電流(図示せず)が流れているときの磁化ベクトル84A,8
4B,84C,84D,85A,85B,85C,85Dの相対的な向きを示す
。また、正味磁化ベクトルは、それぞれMnet1、Mnet2、Mnet3、Mnet4、86
A、86B、86C、86Dで示される。図示されるように、磁化ベクトルは交
差する。
センサの側面図を示す。磁気媒体(図示せず)のABS(図示せず)に対して磁
場ベクトル18が直角な場合、第1のセンサのMnet1とMnet2の間の交差角度は
減少し、第2のスタックのMnet3とMnet4の間の交差角度は増加する。第1のス
タックでは、第2のセンサの磁化ベクトル86C,86Dの間の角度φ2は増加
するが、2つの磁化ベクトル86A,86Bの間の角度φ1は減少する。図で示
される実施例では、磁化ベクトル86A,86Bが磁気ベクトル18に整列する
と、第1のVGMRセンサ81の抵抗が増加する。対照的に、第2のVGMRス
タック83の磁化ベクトル86C,86Dは、磁気ベクトル18の方向に整列し
ようとするが、実際にはそれを通り越して、抵抗が減少する。その結果、スタッ
クから差分信号が発生する。各層は反対方向の抵抗変化を経ているので、同方向
の抵抗変化を経たスタックと比較して、差分信号は大きくなる。したがって、信
号がノイズフロアから更に離れて、VGMRスタックの感度が増加する。
することなく様々な変更が可能であろう。他の実施例は請求項の範囲に包含され
る。
図である。
ある。
の実施例の斜視図である。
別の実施例の斜視図である。
Claims (20)
- 【請求項1】 第1の磁気抵抗効果素子と、 第1の磁気抵抗効果素子に対して実質的に平行に形成された第2の磁気抵抗効
果素子と、 第1および第2の磁気抵抗効果素子の間に挾持される非磁性体スペーサとを含
むデータ読取り装置であって、 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子が 第1の磁気層と、 第1の磁気層に対して実質的に平行に形成された第2の磁気層と、 第1および第2の磁気層の間で挾持される導電性体スペーサとを含み、 前記第1の磁気抵抗効果素子の導電体スペーサに供給されるバイアス電流と、
前記第2の磁気抵抗効果素子の導電体スペーサに供給されるバイアス電流とが、
実質的に等しい大きさで、方向が互いに逆である装置。 - 【請求項2】 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子間で非磁性体スペー
サに隣接して形成される永久磁石を更に含む請求項1記載の装置。 - 【請求項3】 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子間で非磁性体スペー
サと永久磁石の間に形成された電流ストリップを更に含む請求項2記載の装置。 - 【請求項4】 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子間で非磁性体スペー
サに隣接して形成された電流ストリップを更に含む請求項1記載の装置。 - 【請求項5】 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子の少なくとも一方の
第1の磁気層が、 第1の磁気材料と、 第2の磁気材料と、 前記第1および第2の磁気材料間に挾持されるスペーサ材とを含む請求項1記
載の装置。 - 【請求項6】 前記第1および第2の磁気材料が合成反強磁性体を含む請求
項5記載の装置。 - 【請求項7】 前記スペーサ材がルテニウムである請求項5記載の装置。
- 【請求項8】 前記第1および第2の磁気抵抗効果素子の少なくとも一方の
第2の磁気層が 第1の磁気材料と、 第2の磁気材料と、 前記第1および第2の磁気材料の間に挾持されるスペーサ材とを含む請求項5
記載の装置。 - 【請求項9】 前記第1の磁気層が単層(single layer)であ
る請求項1記載の装置。 - 【請求項10】 前記単層がNiFe、CoFeおよびNiFeCoの少な
くとも1つを含む請求項9記載の装置。 - 【請求項11】 前記第1の磁気層が二重層(bilayer)である請求
項1記載の装置。 - 【請求項12】 前記第1の磁気層と前記導電体スペーサとの間に隣接して
挾持される第1の薄層と、 前記第2の磁気層と前記導電体スペーサとの間に挾持される第2の薄層とを更
に含む請求項1記載の装置。 - 【請求項13】 前記第1および第2の薄層がCoおよびCoFeの少なく
とも一方を含む請求項12記載の装置。 - 【請求項14】 第1のVGMRスタックと、 第2のVGMRスタックと、 前記第1および第2のVGMRスタックの間に挾持される非磁性絶縁体スペー
サとを含むVGMRセンサ。 - 【請求項15】 前記第1および第2のVGMRスタックが、 第1のSAFスタックと、 第2のSAFスタックと、 前記第1および第2のSAFスタックの間に挾持される導電体スペーサとを含
む請求項14記載のVGMRセンサ。 - 【請求項16】 前記第1および第2のSAFスタックがそれぞれ 第1のSAF層と、 第2のSAF層と、 前記第1および第2のSAF層の間に挾持されるスペーサ層とを含む請求項1
5記載のVGMRセンサ。 - 【請求項17】 前記導電体スペーサが銅である請求項15記載のVGMR
センサ。 - 【請求項18】 第1のバイアス電流を前記第1のVGMRスタックに供給
し、第2のバイアス電流を前記第2のVGMRスタックに供給するため電流源を
更に含む請求項14記載のVGMRセンサ。 - 【請求項19】 第1および第2のバイアス電流を加算するための差動増幅
器と、 第1および第2の磁化の変化を検出するための検出器とを更に含む請求項18
記載のVGMRセンサ。 - 【請求項20】 互いに離間した複数のGMRスタックと、 1つのスタックの抵抗を増加させ、それに隣接するスタックの抵抗を減少させ
ることによって、外部磁場に応答するために各スタックの磁化をバイアスするた
めの手段とを含む差動GMRセンサ。
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