JP2003524705A - 薄膜材料の堆積及び/又は表面改質用電子ビーム/マイクロ波ガス噴射pecvd方法並びに装置 - Google Patents
薄膜材料の堆積及び/又は表面改質用電子ビーム/マイクロ波ガス噴射pecvd方法並びに装置Info
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000012986 modification Methods 0.000 title claims description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title abstract description 31
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 98
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000003517 fume Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 2
- 238000002258 plasma jet deposition Methods 0.000 claims 16
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 claims 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 51
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 28
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 21
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 11
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 10
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000878 H alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012685 gas phase polymerization Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910021483 silicon-carbon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006681 Combes synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001061788 Homo sapiens Ras-related protein Rab-35 Proteins 0.000 description 1
- 102100029568 Ras-related protein Rab-35 Human genes 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000001967 indiganyl group Chemical group [H][In]([H])[*] 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229940127554 medical product Drugs 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000399 orthopedic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
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Abstract
(57)【要約】
新規な高速、高品質プラズマ強化表面改質又はCVD薄膜堆積方法及び装置。発明は、基板(2)の表面を改質し、又は基板上に堆積して所望の薄膜を形成する、励起種のプラズマを生成するために、マイクロ波(5)と電子ビームエネルギー(6)の両者を採用する。発明は、プラズマに反応種を導入するためのガス噴射装置(3)を更に採用する。このガス噴射装置(3)は、堆積材料の所望の高品質を保持しつつ、従来のPECVD法より高い堆積速度を可能とするものである。
Description
【0001】
(技術分野)
本発明は、一般的にはPECVD薄膜堆積/表面改質方法及びそれに用いる装
置に関し、より厳密には薄膜の気体噴射PECVD堆積に関する。特に、本発明
は、薄膜材料の堆積/表面改質用の電子ビーム/マイクロ波を結合した気体噴射
PECVD方法及び装置に関する。
置に関し、より厳密には薄膜の気体噴射PECVD堆積に関する。特に、本発明
は、薄膜材料の堆積/表面改質用の電子ビーム/マイクロ波を結合した気体噴射
PECVD方法及び装置に関する。
【0002】
(発明の背景)
プラズマ強化化学蒸着(PECVD)などの薄膜堆積技術およびそれ用の装置
は、多年にわたってよく知られてきたものである。これらは多くの製品の生産に
有用である。
は、多年にわたってよく知られてきたものである。これらは多くの製品の生産に
有用である。
【0003】
これらの用途の一つは硬質被覆の堆積である。その発端から、切削工具、ボー
ル・ベアリング、及び兵器産業における用途向けの硬質薄膜被覆に対する需要が
存在してきた。我々が今日住んでいる高度技術の世界においては、この型の膜に
対する需要は、広範な従来にない分野にわたる用途を持ち、更に大きいものがあ
る。例えば、コンピュータ分野では、磁気テープ・ヘッドやハード・CDディス
ク用の保護被覆に対する需要がある。また、成長を続ける遠距離通信の分野にお
いても光ファイバを保護する硬質膜が要求されている。近年、整形外科用考案物
や耐磨耗歯などの応用への硬質薄被覆の利用に対する、医療産業からの大きな需
要がある。こういった型の膜の広範な応用に関しては、これら薄膜被覆の磨耗特
性の改善が上述した多数の製品の寿命を徹底して延ばし、数十億ドルの節約とな
っている。このように、過去数十年にわたり硬質薄膜被覆の分野において多くの
進歩があったが、一方で、この材料の摩擦学的特性の更なる改善に対する要求が
常に存在する。
ル・ベアリング、及び兵器産業における用途向けの硬質薄膜被覆に対する需要が
存在してきた。我々が今日住んでいる高度技術の世界においては、この型の膜に
対する需要は、広範な従来にない分野にわたる用途を持ち、更に大きいものがあ
る。例えば、コンピュータ分野では、磁気テープ・ヘッドやハード・CDディス
ク用の保護被覆に対する需要がある。また、成長を続ける遠距離通信の分野にお
いても光ファイバを保護する硬質膜が要求されている。近年、整形外科用考案物
や耐磨耗歯などの応用への硬質薄被覆の利用に対する、医療産業からの大きな需
要がある。こういった型の膜の広範な応用に関しては、これら薄膜被覆の磨耗特
性の改善が上述した多数の製品の寿命を徹底して延ばし、数十億ドルの節約とな
っている。このように、過去数十年にわたり硬質薄膜被覆の分野において多くの
進歩があったが、一方で、この材料の摩擦学的特性の更なる改善に対する要求が
常に存在する。
【0004】
この型の膜が成長する時に低エネルギー粒子衝突処理を使用することは、得ら
れる膜の磨耗特性に強い影響を及ぼすことが見出された。特に、ダイヤモンド状
被覆の微小硬度は、成長時に膜面に粒子衝突するイオンの線束密度の増加と共に
実質的に増加することが見出されている。窒化硼素、窒化チタン、タングステン
及び銅の摩擦学的特性が、イオン粒子衝突処理の増加とともに同様に改善される
ことが報告されている。しかし、標準化学蒸着法を用いてこの高線束条件を得る
ためには、望ましくない膜特性をもたらす高印加電力及び高室内圧力を使用しな
ければならない。ダイヤモンド状炭素膜に関しては、この条件下では気相重合が
起こり、膜中に黒鉛状構造が形成されて、劣悪な摩擦学的特性へと導かれる。窒
化硼素膜に関しては、この条件下において、有害な水素化された非晶質相が膜中
に現れる。加えて、高電力条件下でのこの方法におけるイオン・エネルギーは、
容認できないほど高く、スパッタリング、点欠陥又は欠陥群の形成及びその他の
望ましくない効果をもたらす。代りに、従来のイオン・ビーム源が膜堆積法と協
力して用いられ、所望のイオン線束及び粒子衝突処理条件をもたらした。しかし
、この型のイオン源の表面積被覆率には限界があり、イオン源そのものもかなり
高価である。
れる膜の磨耗特性に強い影響を及ぼすことが見出された。特に、ダイヤモンド状
被覆の微小硬度は、成長時に膜面に粒子衝突するイオンの線束密度の増加と共に
実質的に増加することが見出されている。窒化硼素、窒化チタン、タングステン
及び銅の摩擦学的特性が、イオン粒子衝突処理の増加とともに同様に改善される
ことが報告されている。しかし、標準化学蒸着法を用いてこの高線束条件を得る
ためには、望ましくない膜特性をもたらす高印加電力及び高室内圧力を使用しな
ければならない。ダイヤモンド状炭素膜に関しては、この条件下では気相重合が
起こり、膜中に黒鉛状構造が形成されて、劣悪な摩擦学的特性へと導かれる。窒
化硼素膜に関しては、この条件下において、有害な水素化された非晶質相が膜中
に現れる。加えて、高電力条件下でのこの方法におけるイオン・エネルギーは、
容認できないほど高く、スパッタリング、点欠陥又は欠陥群の形成及びその他の
望ましくない効果をもたらす。代りに、従来のイオン・ビーム源が膜堆積法と協
力して用いられ、所望のイオン線束及び粒子衝突処理条件をもたらした。しかし
、この型のイオン源の表面積被覆率には限界があり、イオン源そのものもかなり
高価である。
【0005】
耐磨耗薄膜においてこのような広範囲にわたる関心が存在するので、これらの
膜に対する改善された摩擦学的特性、及び調製に用いられる工程上の進歩の恩恵
は計り知れないであろう。上に挙げたコンピュータ、遠距離通信及び医療用製品
における改善は明白である。その性能が保護薄膜被覆の特性に依存する、微細加
工したセンサー及びアクチュエータ、切削及び加工工具及び通常のボール・ベア
リングなどの多量生産品が改善されるかもしれない。加えて、透明にできる膜に
ついては、改善された被覆が、航空機フロントガラス及び円蓋などの要求が厳し
い応用品に使用する、既に硬度を有するガラスやセラミックスの補強に用いられ
るかもしれない。優れた品質の膜を生産する新しい方法は、単に耐磨耗性だけに
関心がある分野以外にも影響を与えることができるかもしれない。例えば、高い
熱伝導度と強い絶縁特性のために半導体装置や印刷回路板の熱だめとして用いら
れる、ダイヤモンド膜の作製は、同様に新しい技術から恩恵を受けることができ
るかもしれない。
膜に対する改善された摩擦学的特性、及び調製に用いられる工程上の進歩の恩恵
は計り知れないであろう。上に挙げたコンピュータ、遠距離通信及び医療用製品
における改善は明白である。その性能が保護薄膜被覆の特性に依存する、微細加
工したセンサー及びアクチュエータ、切削及び加工工具及び通常のボール・ベア
リングなどの多量生産品が改善されるかもしれない。加えて、透明にできる膜に
ついては、改善された被覆が、航空機フロントガラス及び円蓋などの要求が厳し
い応用品に使用する、既に硬度を有するガラスやセラミックスの補強に用いられ
るかもしれない。優れた品質の膜を生産する新しい方法は、単に耐磨耗性だけに
関心がある分野以外にも影響を与えることができるかもしれない。例えば、高い
熱伝導度と強い絶縁特性のために半導体装置や印刷回路板の熱だめとして用いら
れる、ダイヤモンド膜の作製は、同様に新しい技術から恩恵を受けることができ
るかもしれない。
【0006】
このように、産業が先端生産技術に依存している国に及ぼす経済的衝撃は莫大
である。この改善された技術から恩恵を受けると思れる連邦政府の特定の部局は
、さもないと壊れやすく、且つ戦場の過酷さを生き延びねばならないセンサーを
入手できる国防省である。
である。この改善された技術から恩恵を受けると思れる連邦政府の特定の部局は
、さもないと壊れやすく、且つ戦場の過酷さを生き延びねばならないセンサーを
入手できる国防省である。
【0007】
もう一つの薄膜堆積が有用な分野は光電池である。光電池(PV)、太陽光の
電気への変換は、宇宙応用品での利用の場合は永らく主な電気エネルギー源であ
った。地上での実用は、大規模な利用は費用がかかり過ぎるため、伝統的に小領
域の応用に限られてきた。しかし、伝統的な化石燃料や核エネルギーの環境への
影響ついての認識と関心、並びに輸入石油への依存を低減するという要望が、実
用的で生産的且つ再生可能なエネルギーに対する必要性を増加させた。PVの研
究開発において、標準的結晶シリコン・モジュールを凌駕する低温且つ低い材料
費で大面積モジュールを用意できる潜在能力があるため、薄膜太陽電池技術に焦
点の多くが当てられてきた。太陽モジュール生産に用いる比較的簡単で費用のか
からない堆積工程、最終製品における環境的に安全な材料、並びにモジュール生
産に際しての軽量可撓性基板使用可能性の点から、非晶質シリコン(a−Si:
H)技術が薄膜分野で際立っている。
電気への変換は、宇宙応用品での利用の場合は永らく主な電気エネルギー源であ
った。地上での実用は、大規模な利用は費用がかかり過ぎるため、伝統的に小領
域の応用に限られてきた。しかし、伝統的な化石燃料や核エネルギーの環境への
影響ついての認識と関心、並びに輸入石油への依存を低減するという要望が、実
用的で生産的且つ再生可能なエネルギーに対する必要性を増加させた。PVの研
究開発において、標準的結晶シリコン・モジュールを凌駕する低温且つ低い材料
費で大面積モジュールを用意できる潜在能力があるため、薄膜太陽電池技術に焦
点の多くが当てられてきた。太陽モジュール生産に用いる比較的簡単で費用のか
からない堆積工程、最終製品における環境的に安全な材料、並びにモジュール生
産に際しての軽量可撓性基板使用可能性の点から、非晶質シリコン(a−Si:
H)技術が薄膜分野で際立っている。
【0008】
ミシガン州トロイのエネルギー・コンバージョン・デバイシズ社(ECD)そ
の他の研究グループによりA−Si:H PV 技術において多くの進歩がなされてい
るが、小面積(0.25cm2)三重接合電池の場合における現在最高の安定し
た効率は、4ft2 に対して得られたおよそ15%から10%の効率である。
その他のa−Si:H基装置(薄膜トランジスタ、フォトセンサ、など)の効率
及び性能を改善するために、a−Si:H材料に関する幾つかの課題に焦点を当
てなければならない。
の他の研究グループによりA−Si:H PV 技術において多くの進歩がなされてい
るが、小面積(0.25cm2)三重接合電池の場合における現在最高の安定し
た効率は、4ft2 に対して得られたおよそ15%から10%の効率である。
その他のa−Si:H基装置(薄膜トランジスタ、フォトセンサ、など)の効率
及び性能を改善するために、a−Si:H材料に関する幾つかの課題に焦点を当
てなければならない。
【0009】
低いキャリヤ移動度及び不十分なキャリヤ捕集
a−Si:Hのキャリヤ移動度は結晶性材料に比べてかなり低い。装置用品質
の材料で、電子移動度は0.5から1.5cm2Vsの間で結晶シリコンより二
桁以上低く、この低い値がa−Si:Hの特に薄膜トランジスタでの利用を制限
する。この材料における太陽電池特性を表すホール移動度は、電子移動度よりも
更に低い。これらの低い移動度は、非晶質材料における局所化された「テール状
態」の存在に帰せられて来た。レーザ焼鈍などの技術を使ってa−Si:H材料
を結晶化することによって、100〜400cm2Vsという高い移動度が得ら
れている。しかし、堆積後の処理を省いて高い移動度を得られることが望ましい
し、費用効率も良い。
の材料で、電子移動度は0.5から1.5cm2Vsの間で結晶シリコンより二
桁以上低く、この低い値がa−Si:Hの特に薄膜トランジスタでの利用を制限
する。この材料における太陽電池特性を表すホール移動度は、電子移動度よりも
更に低い。これらの低い移動度は、非晶質材料における局所化された「テール状
態」の存在に帰せられて来た。レーザ焼鈍などの技術を使ってa−Si:H材料
を結晶化することによって、100〜400cm2Vsという高い移動度が得ら
れている。しかし、堆積後の処理を省いて高い移動度を得られることが望ましい
し、費用効率も良い。
【0010】
このa−Si:H基材料は、結晶性材料と比較してキャリヤ捕集を妨げる欠陥
の数がかなり多い。数年以上に亘るPECVD法の堆積条件の最適化により、欠
陥密度の水準が最善の材料に対して1015〜1016cm−3まで低下している。
この水準が更に低下すれば、他のa−Si:H基装置特性と同様に太陽電池での
改良が見られるはずである。
の数がかなり多い。数年以上に亘るPECVD法の堆積条件の最適化により、欠
陥密度の水準が最善の材料に対して1015〜1016cm−3まで低下している。
この水準が更に低下すれば、他のa−Si:H基装置特性と同様に太陽電池での
改良が見られるはずである。
【0011】
当然のことながら、装置での高いキャリヤ移動度、低い欠陥密度及び更に良い
キャリヤ捕集の観点からの、a−Si:H基材料の電子的品質の改善はa−Si
:H技術の利用を劇的に前進させるであろう。
キャリヤ捕集の観点からの、a−Si:H基材料の電子的品質の改善はa−Si
:H技術の利用を劇的に前進させるであろう。
【0012】
不十分な品質のバンドギャップの低い材料
バンドギャップを変化させるために、一般的にa−Si:Hは結晶性材料に為
されているように種々の材料で合金化される。しかし、一般的にa−Si:Hが
他の元素で合金化されるとキャリヤ捕集は劣化する。光電池の分野に関しては、
a−Si:Hはバンドギャップを低くするために普通Geで合金化され、太陽ス
ペクトルの赤色部のより大きな部分を捕集する。20%以上のGe含有量を有す
るa−SiGe:H合金の場合、弱いゲルマニウム−水素結合の存在、Geの凝
集体の形成、ダングリングボンドの形成及び低密度微細組織相の発現、を含む多
くの因子に帰せられる諸特性の劣化を伴っており、光伝導性及び太陽電池特性は
a−Si:Hの場合よりも劣っている。非晶質シリコン−ゲルマニウム合金(a
−SiGe:H)材料の品質の改善は、三重接合太陽電池及び赤色光センサーの
著しい改善をもたらすであろう。a−SiGe:H層及び電池の特性を改善する
ために幾つかの試みが、PECVD堆積条件を変化させて行なわれてきた。高基
板温度で、十分な量の水素希釈を利用し、適度のイオン粒子衝突のもとで調製さ
れた高品質材料を用いて、幾らかの進歩が為されている。しかし、a−Si:H
合金の場合のオプトエレクトロニクス的及び太陽電池的特性は、それでもなおa
−SiGe:H合金のものに比べて著しく優れている。
されているように種々の材料で合金化される。しかし、一般的にa−Si:Hが
他の元素で合金化されるとキャリヤ捕集は劣化する。光電池の分野に関しては、
a−Si:Hはバンドギャップを低くするために普通Geで合金化され、太陽ス
ペクトルの赤色部のより大きな部分を捕集する。20%以上のGe含有量を有す
るa−SiGe:H合金の場合、弱いゲルマニウム−水素結合の存在、Geの凝
集体の形成、ダングリングボンドの形成及び低密度微細組織相の発現、を含む多
くの因子に帰せられる諸特性の劣化を伴っており、光伝導性及び太陽電池特性は
a−Si:Hの場合よりも劣っている。非晶質シリコン−ゲルマニウム合金(a
−SiGe:H)材料の品質の改善は、三重接合太陽電池及び赤色光センサーの
著しい改善をもたらすであろう。a−SiGe:H層及び電池の特性を改善する
ために幾つかの試みが、PECVD堆積条件を変化させて行なわれてきた。高基
板温度で、十分な量の水素希釈を利用し、適度のイオン粒子衝突のもとで調製さ
れた高品質材料を用いて、幾らかの進歩が為されている。しかし、a−Si:H
合金の場合のオプトエレクトロニクス的及び太陽電池的特性は、それでもなおa
−SiGe:H合金のものに比べて著しく優れている。
【0013】
多接合太陽電池構造における低いバンドギャップ層としてのa−SiGe:H
の代替として、微結晶性シリコン材料に対する関心が増大している。特に、超短
波(VHF)技術が、単一接合及び多接合太陽電池構造におけるi層用の新規な
微結晶性シリコン材料を調製するのに近年用いられてきた。この微結晶性材料を
魅力的な代替物にする重要な特性は、この材料が非晶質材料の場合の初期特性と
同程度の光伝導性特性を有するが、その特性が長期間の光曝露(>1000hr
s)によって非晶質材料の場合のようには劣化しないということである。この安
定性の程度は、i層は微結晶性でp層は非晶質の、単一接合電池において検証さ
れている。この電池は、7.7%の効率を有し、1000hrsの光浸漬の後で
も変化しなかった。この型の電池を薄いa−Si:H青色光吸収表面電池と組み
合わせて多接合電池を形成したところ、この多接合電池を調製するための一回の
試作において13.1%の効率が得られた。多数の異なった研究所を巻き込んだ
電池構造を最適化するための更に大きな努力が、更に高い効率をもたらすであろ
う。
の代替として、微結晶性シリコン材料に対する関心が増大している。特に、超短
波(VHF)技術が、単一接合及び多接合太陽電池構造におけるi層用の新規な
微結晶性シリコン材料を調製するのに近年用いられてきた。この微結晶性材料を
魅力的な代替物にする重要な特性は、この材料が非晶質材料の場合の初期特性と
同程度の光伝導性特性を有するが、その特性が長期間の光曝露(>1000hr
s)によって非晶質材料の場合のようには劣化しないということである。この安
定性の程度は、i層は微結晶性でp層は非晶質の、単一接合電池において検証さ
れている。この電池は、7.7%の効率を有し、1000hrsの光浸漬の後で
も変化しなかった。この型の電池を薄いa−Si:H青色光吸収表面電池と組み
合わせて多接合電池を形成したところ、この多接合電池を調製するための一回の
試作において13.1%の効率が得られた。多数の異なった研究所を巻き込んだ
電池構造を最適化するための更に大きな努力が、更に高い効率をもたらすであろ
う。
【0014】
これらの結果は勇気付けられるものであるが、現在太陽電池に対して微結晶性
i層を調製するのに用いられるVHF法には限界がある。a−Si:H及びa−
SiGe:Hと比較すると、微結晶性シリコンi層が標準的a−SiGe:H赤
色光吸収層のそれより10倍厚いことが要求されるので、微結晶性シリコンにお
ける光吸収効率は低い。VHF法を用いれば、高品質微結晶性シリコンは約1Å
/sの堆積速度に抑制される。この技術をロール送り機械を利用して大面積パネ
ルに用いるためには、巻取紙状基板は機械を10倍遅く通過するか、又は機械が
現在の機械のおよそ10倍長くなければならないであろう。非連続式反応器の場
合は、処理時間が10倍永くなければならない。これらの選択肢は経済的には実
行不可能である。また、現在の13%の効率は、大部分がどちらかといえば微結
晶性シリコンの低いバンドギャップに起因する、低い開路電圧(VOC)によって
制限されている。炭素などの他の元素を用いて合金化してこのバンドギャップを
大きくすることは、装置性能の著しい改善をもたらす。しかし、高品質の微結晶
性シリコン炭素材料の調製が、標準的PECVD又はVHF堆積技術を用いて行
なわれたことは未だない。即ち、10Å/s又はそれ以上の堆積速度で、現状の
微結晶性シリコン材料よりも大きなバンドギャップを有する、微結晶性材料を生
産するのに使えるような堆積技術に対する需要がある。
i層を調製するのに用いられるVHF法には限界がある。a−Si:H及びa−
SiGe:Hと比較すると、微結晶性シリコンi層が標準的a−SiGe:H赤
色光吸収層のそれより10倍厚いことが要求されるので、微結晶性シリコンにお
ける光吸収効率は低い。VHF法を用いれば、高品質微結晶性シリコンは約1Å
/sの堆積速度に抑制される。この技術をロール送り機械を利用して大面積パネ
ルに用いるためには、巻取紙状基板は機械を10倍遅く通過するか、又は機械が
現在の機械のおよそ10倍長くなければならないであろう。非連続式反応器の場
合は、処理時間が10倍永くなければならない。これらの選択肢は経済的には実
行不可能である。また、現在の13%の効率は、大部分がどちらかといえば微結
晶性シリコンの低いバンドギャップに起因する、低い開路電圧(VOC)によって
制限されている。炭素などの他の元素を用いて合金化してこのバンドギャップを
大きくすることは、装置性能の著しい改善をもたらす。しかし、高品質の微結晶
性シリコン炭素材料の調製が、標準的PECVD又はVHF堆積技術を用いて行
なわれたことは未だない。即ち、10Å/s又はそれ以上の堆積速度で、現状の
微結晶性シリコン材料よりも大きなバンドギャップを有する、微結晶性材料を生
産するのに使えるような堆積技術に対する需要がある。
【0015】
代替物として、多結晶シリコン薄膜が多接合太陽電池構造における赤色光吸収
層として用いられてきた。今までの所11.5%の安定した効率が得られている
。しかし、多結晶材料の使用は高速堆積技術の欠落によって妨げられている。
層として用いられてきた。今までの所11.5%の安定した効率が得られている
。しかし、多結晶材料の使用は高速堆積技術の欠落によって妨げられている。
【0016】
電子/キャリヤ特性の光劣化
装置内の高品質a−Si:H材料が太陽光に曝されると、材料は更に欠陥が多
くなり装置特性は劣化する。例えば材料がnip又はpin型太陽電池設計に取
り入れられると、この劣化は電池が光に曝された時に充填因子、開路電圧及び電
池効率の減少の形で現れる。ECDを含めて多くの研究グループが、標準的PE
CVD堆積法で用いられる堆積条件の変更によって、劣化の量を極小化する幾つ
かの試みを行なった。装置の劣化の程度を軽減するために、気体プラズマ中での
水素希釈の利用を含めて幾つかの進歩が為された。ミシガン州トロイのユナイテ
ッド・ソーラー・システムズ社は、最近、単一接合a−Si:Hのnip型装置
の場合、装置特性の劣化量はi層成長時に気体プラズマを強く水素希釈すること
で2分の1に低減出来ることを示した。しかし、この改善にもかかわらず、装置
特性はそれでも光浸漬前の初期値から10〜15%も劣化する。
くなり装置特性は劣化する。例えば材料がnip又はpin型太陽電池設計に取
り入れられると、この劣化は電池が光に曝された時に充填因子、開路電圧及び電
池効率の減少の形で現れる。ECDを含めて多くの研究グループが、標準的PE
CVD堆積法で用いられる堆積条件の変更によって、劣化の量を極小化する幾つ
かの試みを行なった。装置の劣化の程度を軽減するために、気体プラズマ中での
水素希釈の利用を含めて幾つかの進歩が為された。ミシガン州トロイのユナイテ
ッド・ソーラー・システムズ社は、最近、単一接合a−Si:Hのnip型装置
の場合、装置特性の劣化量はi層成長時に気体プラズマを強く水素希釈すること
で2分の1に低減出来ることを示した。しかし、この改善にもかかわらず、装置
特性はそれでも光浸漬前の初期値から10〜15%も劣化する。
【0017】
薄膜トランジスタ産業において、この材料不安定性が表示装置の寿命を最大で
も数千時間の稼動に制限する。従って、a−Si:H材料が光浸漬に敏感でなく
なった場合に、装置効率の観点から見た実質的な利益が得られるであろう。
も数千時間の稼動に制限する。従って、a−Si:H材料が光浸漬に敏感でなく
なった場合に、装置効率の観点から見た実質的な利益が得られるであろう。
【0018】
材料特性を改善する試みには、PECVD法で用いられる堆積状件の大きな変
更を含んでいる。しかし、最近の研究からの利益はむしろ少なく、進歩はゆっく
りした動きであった。このa−Si:H技術の欠点を解決するために、PECV
Dに代る堆積技術を用いて調製されたa−Si:H材料についての幾つかの研究
が為された。多様な堆積技術は、電子サイクロトロン共鳴、遠隔RFプラズマ及
び熱線堆積法を含んでいる。多くの場合、材料及び/又は太陽電池の特性がPE
CVDの場合よりも良い特性を示すことが証明されたことはない。材料特性とは
別に、PECVD技術は、何平方インチにもわたる比較的均一な堆積を有する大
規模堆積に簡単に適用できる。これらの代替堆積法は多くの場合、小さい研究開
発の規模から大型モジュール生産の水準まで一定基準で決めることは、簡単なも
のではなく、均一な大面積堆積の要求に合わせることさえも出来ない。
更を含んでいる。しかし、最近の研究からの利益はむしろ少なく、進歩はゆっく
りした動きであった。このa−Si:H技術の欠点を解決するために、PECV
Dに代る堆積技術を用いて調製されたa−Si:H材料についての幾つかの研究
が為された。多様な堆積技術は、電子サイクロトロン共鳴、遠隔RFプラズマ及
び熱線堆積法を含んでいる。多くの場合、材料及び/又は太陽電池の特性がPE
CVDの場合よりも良い特性を示すことが証明されたことはない。材料特性とは
別に、PECVD技術は、何平方インチにもわたる比較的均一な堆積を有する大
規模堆積に簡単に適用できる。これらの代替堆積法は多くの場合、小さい研究開
発の規模から大型モジュール生産の水準まで一定基準で決めることは、簡単なも
のではなく、均一な大面積堆積の要求に合わせることさえも出来ない。
【0019】
a−Si:H用の代替堆積技術の代って所望の更に高い効率を得るためには、
a−Si:Hに置き換えるために他の薄膜PV材料(CuInSe2、CdTe
、薄膜PolySi、など)と同様の代替PV材料を開発しなければならないと
いう認識が、PV社会において高まっている。その材料は高い安定効率を有する
一方、a−Si:Hの多くの有益な特性(低温調製、可撓性基板、単純な堆積工
程、大面積堆積能力、など)を具備しなければならない。この高い効率によって
、PV製品及び技術の著しい費用削減が実現し、品質、費用効率及び米国のエネ
ルギー供給維持能力を改善する主役をPVが演じることを可能にするであろう。
この改善された太陽モジュールは、重要な輸出機会をも提供し、電気が不足して
いる世界中の二十億の人々に、清浄な環境を保ちながら電力を供給する。今日ま
でのPVの大規模な商業化に対する主な障害は、相対的に高い価格であり、PV
モジュールの価格低減が産業界の直面する主な挑戦である。結晶性シリコンのよ
うな他の成熟したPV技術は飽和状態に達し、更なる実質的な価格低減は起こり
そうにない。a−Si:H又は同等の薄膜技術は、大きな価格障害を打破する可
能性が最も高い技術と成り、PV産業の加速的成長をもたらすであろう。それ故
、この技術の優位性は、数十億ドルの市場における米国の指導的立場に対して重
要なことである。
a−Si:Hに置き換えるために他の薄膜PV材料(CuInSe2、CdTe
、薄膜PolySi、など)と同様の代替PV材料を開発しなければならないと
いう認識が、PV社会において高まっている。その材料は高い安定効率を有する
一方、a−Si:Hの多くの有益な特性(低温調製、可撓性基板、単純な堆積工
程、大面積堆積能力、など)を具備しなければならない。この高い効率によって
、PV製品及び技術の著しい費用削減が実現し、品質、費用効率及び米国のエネ
ルギー供給維持能力を改善する主役をPVが演じることを可能にするであろう。
この改善された太陽モジュールは、重要な輸出機会をも提供し、電気が不足して
いる世界中の二十億の人々に、清浄な環境を保ちながら電力を供給する。今日ま
でのPVの大規模な商業化に対する主な障害は、相対的に高い価格であり、PV
モジュールの価格低減が産業界の直面する主な挑戦である。結晶性シリコンのよ
うな他の成熟したPV技術は飽和状態に達し、更なる実質的な価格低減は起こり
そうにない。a−Si:H又は同等の薄膜技術は、大きな価格障害を打破する可
能性が最も高い技術と成り、PV産業の加速的成長をもたらすであろう。それ故
、この技術の優位性は、数十億ドルの市場における米国の指導的立場に対して重
要なことである。
【0020】
この代替材料の開発は、a−Si:Hの特性によって制限される、PV以外の
薄膜トランジスタ、線形画像アレイ及びその他の粒子検知器を含む他の幾つかの
a−Si:H技術に、強い影響を与えるであろう。
薄膜トランジスタ、線形画像アレイ及びその他の粒子検知器を含む他の幾つかの
a−Si:H技術に、強い影響を与えるであろう。
【0021】
これらの材料を開発するためには、高速で薄膜材料を堆積する新しい方法が必
要である。好ましくは、新しい方法が高速で材料を堆積させ、堆積した材料が高
品質のものと成ることである。その方法は、成長しつつある膜にマイクロ波と制
御されたイオン粒子衝突処理とを採用した、PECVDであることが好ましいで
あろう。
要である。好ましくは、新しい方法が高速で材料を堆積させ、堆積した材料が高
品質のものと成ることである。その方法は、成長しつつある膜にマイクロ波と制
御されたイオン粒子衝突処理とを採用した、PECVDであることが好ましいで
あろう。
【0022】
(発明の要約)
此処に開示されているのは、プラズマ噴射表面改質又は薄膜堆積装置及び方法
である。装置は、基板をその中に配置する排気可能な堆積室を備える。遷音速ガ
ス源が室内に導入され、次いで電子ビーム及びマイクロ波に衝突されて、活性種
の高速プラズマを生成する。高速プラズマは基板に向かう噴煙体を形成し、活性
種は基板の表面又は基板上の堆積物を改質する。遷音速原料ガス源は、ガス配送
装置、及び室内に置かれるガス噴射ノズルを備える。好ましくは、ガス噴射ノズ
ルは回転可能で、高速ブラズマ中の活性種の運動方向を変えられるようにする。
である。装置は、基板をその中に配置する排気可能な堆積室を備える。遷音速ガ
ス源が室内に導入され、次いで電子ビーム及びマイクロ波に衝突されて、活性種
の高速プラズマを生成する。高速プラズマは基板に向かう噴煙体を形成し、活性
種は基板の表面又は基板上の堆積物を改質する。遷音速原料ガス源は、ガス配送
装置、及び室内に置かれるガス噴射ノズルを備える。好ましくは、ガス噴射ノズ
ルは回転可能で、高速ブラズマ中の活性種の運動方向を変えられるようにする。
【0023】
基板は、排気可能堆積室を出入りする、基板材料の展延され且つ移動するウェ
ブであっても、又は個別の固定基板であってもよい。基板は、ステンレス鋼から
又は重合体材料から形成されてもよく、加熱及び/又は電気的にバイアスされる
こともある。
ブであっても、又は個別の固定基板であってもよい。基板は、ステンレス鋼から
又は重合体材料から形成されてもよく、加熱及び/又は電気的にバイアスされる
こともある。
【0024】
原料ガスは、プラズマ中に、表面改質又は堆積する種を生成する材料を提供す
る。選択自由であるが、原料ガスは前記プラズマ中に非堆積種も供給する。原料
ガスは前記プラズマ中の他の種と反応性が有ることも無いこともある。
る。選択自由であるが、原料ガスは前記プラズマ中に非堆積種も供給する。原料
ガスは前記プラズマ中の他の種と反応性が有ることも無いこともある。
【0025】
電子ビームエネルギーは、一般的に約15keVであり、約1000〜500
0ワットの電力を有する。マイクロ波エネルギーは、一般的に約500〜500
0ワットの電力において約2.45GHzの周波数を有する。
0ワットの電力を有する。マイクロ波エネルギーは、一般的に約500〜500
0ワットの電力において約2.45GHzの周波数を有する。
【0026】
装置は第二ガス源を備えることが有り、非遷音速であってもよい。第二ガス源
は、遷音速原料ガスにより生成されるプラズマに隣接した、排気可能室中に導入
されてもよい。装置は亦、前記第二ガス源から第二プラズマを生成する、第二マ
イクロ波エネルギー源を備えることもある。この第二プラズマは、強化エッチン
グやイオン粒子衝突処理などの処理を通じて、薄膜表面特性を改質するのに用い
られてもよい。装置は更に高速プラズマと基板との間に磁界を備えて、プラズマ
噴煙体から異なる種を分離することもある。
は、遷音速原料ガスにより生成されるプラズマに隣接した、排気可能室中に導入
されてもよい。装置は亦、前記第二ガス源から第二プラズマを生成する、第二マ
イクロ波エネルギー源を備えることもある。この第二プラズマは、強化エッチン
グやイオン粒子衝突処理などの処理を通じて、薄膜表面特性を改質するのに用い
られてもよい。装置は更に高速プラズマと基板との間に磁界を備えて、プラズマ
噴煙体から異なる種を分離することもある。
【0027】
(発明の詳細な説明)
本発明は、新規な高速、高品質プラズマ強化表面改質又はCVD堆積方法並び
に装置である。本発明は、基板の表面を改質するか又は基板上に堆積して薄膜を
形成する励起種のプラズマ生成のために、マイクロ波及び電子ビームエネルギー
の両者を採用する。本発明は、亦プラズマに反応種を導入するのにガス噴射装置
を採用する。このガス噴射装置は、堆積材料の所望の高品質性を保ちつつ、従来
のPECVD法より速い堆積速度を可能にする。
に装置である。本発明は、基板の表面を改質するか又は基板上に堆積して薄膜を
形成する励起種のプラズマ生成のために、マイクロ波及び電子ビームエネルギー
の両者を採用する。本発明は、亦プラズマに反応種を導入するのにガス噴射装置
を採用する。このガス噴射装置は、堆積材料の所望の高品質性を保ちつつ、従来
のPECVD法より速い堆積速度を可能にする。
【0028】
本発明の方法は、電子ビーム及びマイクロ波源の組み合わせにより励起された
超音速ガス噴射プラズマを利用する。この二元励起技術は、現在の技術水準での
薄膜調製法から得られるものよりも更に高いイオン線束密度を生成できる、相対
的に高い圧力において安定した高エネルギー化プラズマを生み出す。更に、基板
はプラズマから分離されているので、イオンを粒子衝突させるエネルギーは電気
的に基板をバイアスすることで独立に制御することが出来、それにより表面構造
及び化学的性質を制御することを可能にする。イオン線束の厳密な制御は、ガス
流と励起の因子を変化させることにより可能である。制御可能な高イオン線束密
度を生成する能力も亦、原料ガスの適切な選択により、基板エッチング技術とし
てこの技術を理想的なものとする。
超音速ガス噴射プラズマを利用する。この二元励起技術は、現在の技術水準での
薄膜調製法から得られるものよりも更に高いイオン線束密度を生成できる、相対
的に高い圧力において安定した高エネルギー化プラズマを生み出す。更に、基板
はプラズマから分離されているので、イオンを粒子衝突させるエネルギーは電気
的に基板をバイアスすることで独立に制御することが出来、それにより表面構造
及び化学的性質を制御することを可能にする。イオン線束の厳密な制御は、ガス
流と励起の因子を変化させることにより可能である。制御可能な高イオン線束密
度を生成する能力も亦、原料ガスの適切な選択により、基板エッチング技術とし
てこの技術を理想的なものとする。
【0029】
本発明は、ポリサン氏他並びにデーラー氏他により独立に開発された二つの薄
膜堆積法を組み合わせている。ポリサン氏及び彼の同僚のロシア人協力者達によ
り開発された技術において、シリコン原料ガス流(SiH4、Si2H6、など)
は、加熱された基板表面を狙った噴射ノズルを通して押し込まれる。基板表面に
達する前に、ガスは電子ビームに曝されて、気体プラズマ及び基板表面に堆積し
て薄膜を形成する反応基を生成する。この堆積法を用いて、ポリサン氏他は、光
伝導度対暗伝導度の比が105を超えるa−Si材料を堆積速度20Å/sで調
製した。この光伝導度対暗伝導度の比は、高品質PECVD堆積a−Siに対し
て得られる比と同等であるが、ガス噴射膜の場合の堆積速度はPECVD膜の場
合のそれよりも十倍大きかった。高品質膜が高速度で調製できるという事実は、
この技術が、曝露面に最少の構造的損害を与えつつ励起種の高い線束を発生させ
ることが可能であることを、証明している。
膜堆積法を組み合わせている。ポリサン氏及び彼の同僚のロシア人協力者達によ
り開発された技術において、シリコン原料ガス流(SiH4、Si2H6、など)
は、加熱された基板表面を狙った噴射ノズルを通して押し込まれる。基板表面に
達する前に、ガスは電子ビームに曝されて、気体プラズマ及び基板表面に堆積し
て薄膜を形成する反応基を生成する。この堆積法を用いて、ポリサン氏他は、光
伝導度対暗伝導度の比が105を超えるa−Si材料を堆積速度20Å/sで調
製した。この光伝導度対暗伝導度の比は、高品質PECVD堆積a−Siに対し
て得られる比と同等であるが、ガス噴射膜の場合の堆積速度はPECVD膜の場
合のそれよりも十倍大きかった。高品質膜が高速度で調製できるという事実は、
この技術が、曝露面に最少の構造的損害を与えつつ励起種の高い線束を発生させ
ることが可能であることを、証明している。
【0030】
ECDにおいてデーラー氏及び彼の同僚により独立に開発された技術は、ガス
が電子ビームよりはむしろマイクロ波によって励起されるということにおいての
み、ロシアにおいて開発された技術と異なっている。マイクロ波励起を利用する
時の主要な利点は、潜在的に大きなイオン線束並びに高ガス解離速度であり、両
者とも実現可能である。
が電子ビームよりはむしろマイクロ波によって励起されるということにおいての
み、ロシアにおいて開発された技術と異なっている。マイクロ波励起を利用する
時の主要な利点は、潜在的に大きなイオン線束並びに高ガス解離速度であり、両
者とも実現可能である。
【0031】
本発明のガス噴射プラズマ法/装置が、図1に示されている。装置は、所望の
稼動圧に排気できる排気可能室1から成る。薄膜が堆積される又は基板表面が改
質される基板2は、室1内に置かれる。原料(反応性又は非反応性)及び搬送ガ
ス(使用される場合は)8は、ガス噴射注入口3を通り室1内へ導入される。原
料ガス8は噴射口3を超音速で出る。ガス噴射注入口3を出た後で、電子ビーム
6がガスを叩き、急速に膨張する原料ガス8内にプラズマを生成する。一度ガス
が電子ビームにより点火されると、マイクロ波5が貫流しているマイクロ波空洞
4を通過する。マイクロ波は、更に高いエネルギー及び高密度のプラズマを生成
する。プラズマ噴煙体7は膨張し、基板2の表面に薄膜を堆積するか又は表面を
改質する。基板2は移動する基板材料のウェブであっても、又は個別の離散的基
板であってもよい。
稼動圧に排気できる排気可能室1から成る。薄膜が堆積される又は基板表面が改
質される基板2は、室1内に置かれる。原料(反応性又は非反応性)及び搬送ガ
ス(使用される場合は)8は、ガス噴射注入口3を通り室1内へ導入される。原
料ガス8は噴射口3を超音速で出る。ガス噴射注入口3を出た後で、電子ビーム
6がガスを叩き、急速に膨張する原料ガス8内にプラズマを生成する。一度ガス
が電子ビームにより点火されると、マイクロ波5が貫流しているマイクロ波空洞
4を通過する。マイクロ波は、更に高いエネルギー及び高密度のプラズマを生成
する。プラズマ噴煙体7は膨張し、基板2の表面に薄膜を堆積するか又は表面を
改質する。基板2は移動する基板材料のウェブであっても、又は個別の離散的基
板であってもよい。
【0032】
図2に示した代りの実施例において、原料ガスの一部8aがガス噴射口3を通
って導入され、一方追加のガス8bは通常のガス入口から導入される。ガス入口
と基板との距離及び位置取りは、堆積又はエッチングの必要条件に応じて変える
ことができる。他の全ての点については、装置及び方法は図1と同じである。
って導入され、一方追加のガス8bは通常のガス入口から導入される。ガス入口
と基板との距離及び位置取りは、堆積又はエッチングの必要条件に応じて変える
ことができる。他の全ての点については、装置及び方法は図1と同じである。
【0033】
この方法において、超音速ガス噴流は最初に電子ビームにより励起され、次い
でマイクロ波空洞により又は同時に両者によって励起される。マイクロ波を用い
た先行する研究において、マイクロ波励起と超音速ガス噴射との組み合わせは、
望み通りの安定性ではないプラズマをもたらした。本発明における電子ビームの
役割は、マイクロ波が多量のガスを解離させ高いイオン線束を生成するのに対し
て、プラズマを安定させるための制御可能な励起源としての役を果たすことであ
る。
でマイクロ波空洞により又は同時に両者によって励起される。マイクロ波を用い
た先行する研究において、マイクロ波励起と超音速ガス噴射との組み合わせは、
望み通りの安定性ではないプラズマをもたらした。本発明における電子ビームの
役割は、マイクロ波が多量のガスを解離させ高いイオン線束を生成するのに対し
て、プラズマを安定させるための制御可能な励起源としての役を果たすことであ
る。
【0034】
此処で用いられているように、「表面改質」なる用語及びその変化形は、それ
によって基板の表面又は堆積した薄膜が改質される如何なる方法(エッチング、
酸化、窒化、イオン粒子衝突、など)をも包含できる。貴ガス又は原料ガスを選
択することにより、この技術はイオン支援堆積法のイオン源(例えばArの使用
)、基板エッチング処理(例えばNF3の使用)、又は独立薄膜堆積法(例えば
CH4+H2混合物の使用)として利用できるであろう。電磁石が、清浄なイオン
・ビームから離れた中性基を分離する、又は異なった膜生成種を分離するのに利
用できる。マイクロ波プラズマ電位は相対的に低いので、基板バイアスの変動が
成長しつつある膜表面をイオン粒子衝突するエネルギーを支配することになる。
プラズマと基板間の距離の変動が、基板及び/又は成長しつつある薄膜表面にお
ける化学的諸条件を変化させることも出来る。
によって基板の表面又は堆積した薄膜が改質される如何なる方法(エッチング、
酸化、窒化、イオン粒子衝突、など)をも包含できる。貴ガス又は原料ガスを選
択することにより、この技術はイオン支援堆積法のイオン源(例えばArの使用
)、基板エッチング処理(例えばNF3の使用)、又は独立薄膜堆積法(例えば
CH4+H2混合物の使用)として利用できるであろう。電磁石が、清浄なイオン
・ビームから離れた中性基を分離する、又は異なった膜生成種を分離するのに利
用できる。マイクロ波プラズマ電位は相対的に低いので、基板バイアスの変動が
成長しつつある膜表面をイオン粒子衝突するエネルギーを支配することになる。
プラズマと基板間の距離の変動が、基板及び/又は成長しつつある薄膜表面にお
ける化学的諸条件を変化させることも出来る。
【0035】
本発明の装置で可能な堆積の型の実例は、高品質シリコン材料の高速堆積であ
る。このような堆積においては、SiH4及びH2などのその他のガス及びHeが
室1内へガス噴射注入口3を通して導入される。これらのガスの流量は、SiH 4 の場合5〜100sccm(一般に40sccm)、H2の場合0〜2000s
ccm(一般に2000sccm)、及びHeの場合0〜1500sccm(一
般に0sccm)の範囲に及んでよい。Ar及びSi−F又はSi−F−H混合
ガス又は原子状弗素などの弗素ガス源のような他のガスが使用される。室内の背
圧は一般的に約4〜5mTで、ガスノズル近傍の圧力はもっと高い。基板は加熱
されても及び/又は電気的にバイアスされてもよい。一般的な基板温度は約25
0℃である。
る。このような堆積においては、SiH4及びH2などのその他のガス及びHeが
室1内へガス噴射注入口3を通して導入される。これらのガスの流量は、SiH 4 の場合5〜100sccm(一般に40sccm)、H2の場合0〜2000s
ccm(一般に2000sccm)、及びHeの場合0〜1500sccm(一
般に0sccm)の範囲に及んでよい。Ar及びSi−F又はSi−F−H混合
ガス又は原子状弗素などの弗素ガス源のような他のガスが使用される。室内の背
圧は一般的に約4〜5mTで、ガスノズル近傍の圧力はもっと高い。基板は加熱
されても及び/又は電気的にバイアスされてもよい。一般的な基板温度は約25
0℃である。
【0036】
電子ビームエネルギーは、一般的に、約1000〜5000Wの電力水準にお
いて約15keVである。電子ビームは、ガス注入噴射口を出る時の急速に膨張
するガスに焦点を合わせられる。マイクロ波エネルギーは一般に約500〜50
00Wの電力で供給され、一般に約2.45GHzの周波数を有する。明らかに
他の電子ビーム及びマイクロ波エネルギー、電力及び周波数を用いてもよく、本
発明の範囲内であると考えられる。
いて約15keVである。電子ビームは、ガス注入噴射口を出る時の急速に膨張
するガスに焦点を合わせられる。マイクロ波エネルギーは一般に約500〜50
00Wの電力で供給され、一般に約2.45GHzの周波数を有する。明らかに
他の電子ビーム及びマイクロ波エネルギー、電力及び周波数を用いてもよく、本
発明の範囲内であると考えられる。
【0037】
シリコン材料は一般に、ガス流量と電子ビーム/マイクロ波エネルギーに応じ
て、基板上に5〜200Å/sの間の何れかの速度で堆積する。SiH4及びH2 だけを用いて、非晶質シリコン材料はもっと高い堆積速度で形成されるが、多結
晶又は微結晶質シリコン材料は約20Å/sの堆積速度で形成された。非晶質シ
リコン材料が単一接合太陽電池に形成されると、電池は概して、約5.4%の効
率:約0.69の充填因子;約8.5mÅ/cm2の短絡電流;及び約0.92
Vの開路電圧を有する。勿論、これらの特性は堆積の因子に応じて変化するであ
ろう。
て、基板上に5〜200Å/sの間の何れかの速度で堆積する。SiH4及びH2 だけを用いて、非晶質シリコン材料はもっと高い堆積速度で形成されるが、多結
晶又は微結晶質シリコン材料は約20Å/sの堆積速度で形成された。非晶質シ
リコン材料が単一接合太陽電池に形成されると、電池は概して、約5.4%の効
率:約0.69の充填因子;約8.5mÅ/cm2の短絡電流;及び約0.92
Vの開路電圧を有する。勿論、これらの特性は堆積の因子に応じて変化するであ
ろう。
【0038】
本発明のガス噴射プラズマ法を、分離されたイオンビーム源、プラズマエッチ
ング法又は薄膜堆積技術にとって理想的なものとする幾つかの一般的な特性が存
在する。これらの特性が以下に記録されている。
ング法又は薄膜堆積技術にとって理想的なものとする幾つかの一般的な特性が存
在する。これらの特性が以下に記録されている。
【0039】
第一に、マイクロ波プラズマはイオン及び中性の高密度線束を生成することが
知られている。上で述べたように、中性基をイオンから分離して清浄な高イオン
線束ビームを生成できる。イオン源支援用途及び薄膜堆積の両者において、イオ
ン線束は、ガス流量、並びに電子ビーム及びマイクロ波励起電力の変動に支配さ
れうる。薄膜堆積の場合は、イオン線束/吸着原子比は、原料ガス(例えばCH 4 )流量対希釈剤ガス(例えばH2)流量の比の変動により変化しうる。この高い
線束及び/又はエネルギーが、効率的なプラズマエッチング源を生成するのに利
用できる。
知られている。上で述べたように、中性基をイオンから分離して清浄な高イオン
線束ビームを生成できる。イオン源支援用途及び薄膜堆積の両者において、イオ
ン線束は、ガス流量、並びに電子ビーム及びマイクロ波励起電力の変動に支配さ
れうる。薄膜堆積の場合は、イオン線束/吸着原子比は、原料ガス(例えばCH 4 )流量対希釈剤ガス(例えばH2)流量の比の変動により変化しうる。この高い
線束及び/又はエネルギーが、効率的なプラズマエッチング源を生成するのに利
用できる。
【0040】
第二に、マイクロ波プラズマの電位が相対的に低いので、イオンビームエネル
ギーを厳密に制御するのに基板にバイアスを加えることが利用できる。
ギーを厳密に制御するのに基板にバイアスを加えることが利用できる。
【0041】
第三に、ガス噴射を用い、ガス噴射オリフィスの寸法又は基板とガス噴射口の
距離を変動させて、種々の表面被覆面積を得ることができる。ポリサン氏他は、
彼等の電子ビーム励起ガス噴射の研究において、高品質a−Si材料を70平方
インチを超える面積に、その面積を横切る膜厚の変動が僅かに5%の状態で堆積
させることが出来た。膜厚均一性はマイクロ波空洞を追加すると更によい。
距離を変動させて、種々の表面被覆面積を得ることができる。ポリサン氏他は、
彼等の電子ビーム励起ガス噴射の研究において、高品質a−Si材料を70平方
インチを超える面積に、その面積を横切る膜厚の変動が僅かに5%の状態で堆積
させることが出来た。膜厚均一性はマイクロ波空洞を追加すると更によい。
【0042】
我々は、この構成で200Å/sという高い堆積速度を得ている。加えて、マ
イクロ波に対するガス利用率は、一般に100%に近い。このように、両者の高
速堆積法の利点を組み合わせると高い堆積速度が得られる。
イクロ波に対するガス利用率は、一般に100%に近い。このように、両者の高
速堆積法の利点を組み合わせると高い堆積速度が得られる。
【0043】
加えて、本発明の方法を、薄膜シリコン材料の堆積に対して非常に望ましいも
のとする、多くの特性が存在する。第一に、適切な装置設計の下において、原料
ガス(SiH4)の100%利用がマイクロ波源を利用することにより得られた
。SiH4に対するこの高い解離速度と大きなH線束により、多結晶及び微結晶
性シリコン膜の場合に24Å/sという高い堆積速度が得られ、一般的にシリコ
ン材料に対して5〜200Å/sが得られた。好ましくは、高品質非晶質材料に
対する堆積速度は、本発明の堆積技術を用いて10Å/s以上である。
のとする、多くの特性が存在する。第一に、適切な装置設計の下において、原料
ガス(SiH4)の100%利用がマイクロ波源を利用することにより得られた
。SiH4に対するこの高い解離速度と大きなH線束により、多結晶及び微結晶
性シリコン膜の場合に24Å/sという高い堆積速度が得られ、一般的にシリコ
ン材料に対して5〜200Å/sが得られた。好ましくは、高品質非晶質材料に
対する堆積速度は、本発明の堆積技術を用いて10Å/s以上である。
【0044】
第二に、マイクロ波プラズマの高い解離効率は、大量のH2でプラズマを希釈
することで基板表面近傍に原子水素に富んだ領域を調製するのに利用することが
できる。原子水素の大きな線束の成長しつつある膜表面近傍での存在が、高品質
微結晶性シリコンの成長に対して鍵となる要素あるということは、幾度となく証
明されてきた。しかし、従来のPECVD技術を用いてこのように大きな線束を
得るためには、1Å/s以下の成長速度をもたらすような堆積条件を用いなけれ
ばならない。注目している領域に大流量のガスを供給する本発明のガス噴射、並
びに同時に多量の原子状水素及びシリコン基の種を生成するマイクロ波プラズマ
を利用することにより、成長しつつある表面に大量の堆積吸着原子と大線束の原
子状水素の両方を得ることができる。この特徴の組み合わせが、我々に24Å/
sという高い速度での微結晶性成長を獲得させた。
することで基板表面近傍に原子水素に富んだ領域を調製するのに利用することが
できる。原子水素の大きな線束の成長しつつある膜表面近傍での存在が、高品質
微結晶性シリコンの成長に対して鍵となる要素あるということは、幾度となく証
明されてきた。しかし、従来のPECVD技術を用いてこのように大きな線束を
得るためには、1Å/s以下の成長速度をもたらすような堆積条件を用いなけれ
ばならない。注目している領域に大流量のガスを供給する本発明のガス噴射、並
びに同時に多量の原子状水素及びシリコン基の種を生成するマイクロ波プラズマ
を利用することにより、成長しつつある表面に大量の堆積吸着原子と大線束の原
子状水素の両方を得ることができる。この特徴の組み合わせが、我々に24Å/
sという高い速度での微結晶性成長を獲得させた。
【0045】
第三に、注目している領域に大供給量のガスを提供することにより、ガス噴射
の利用が、基板近傍に低圧領域を維持したまま、ノズル孔に高ガス密度領域を生
成することを可能とする。高圧領域9がガス噴射口3に近接して存在する図3参
照のこと。低圧領域は、低い背圧、及びガス噴射口近傍を離れた後のガスの急速
な分散が原因で形成される。低圧領域10が基板に隣接して存在する図3参照の
こと。この装置設計においては、マイクロ波及び電子ビームは高密度領域9に焦
点を合わせている。このように、速いガス速度により高密度領域9内に種が形成
されるが、基板2に達する前に急速に低圧領域10に移動する。このことは、異
なる種間の相互作用時間がほとんど無く、膜成長に有害なことが知られている気
相重合が起こる機会は制限された状態にさせる。
の利用が、基板近傍に低圧領域を維持したまま、ノズル孔に高ガス密度領域を生
成することを可能とする。高圧領域9がガス噴射口3に近接して存在する図3参
照のこと。低圧領域は、低い背圧、及びガス噴射口近傍を離れた後のガスの急速
な分散が原因で形成される。低圧領域10が基板に隣接して存在する図3参照の
こと。この装置設計においては、マイクロ波及び電子ビームは高密度領域9に焦
点を合わせている。このように、速いガス速度により高密度領域9内に種が形成
されるが、基板2に達する前に急速に低圧領域10に移動する。このことは、異
なる種間の相互作用時間がほとんど無く、膜成長に有害なことが知られている気
相重合が起こる機会は制限された状態にさせる。
【0046】
第四に、基板表面に低圧領域を生成する能力のために、高い堆積速度は維持し
たままで基板表面において高い電子温度が得られる。高い電子温度と高堆積速度
のこの組み合わせは、高成長速度を得るのに通常高圧が必要となる従来の方法を
用いるのでは、得るのが難しいものである。しかし、非晶質シリコン基材料につ
いての幾つかの研究が、成長しつつある表面で高い電子温度を持つことの、改善
された膜成長に対する利点を明らかにした。
たままで基板表面において高い電子温度が得られる。高い電子温度と高堆積速度
のこの組み合わせは、高成長速度を得るのに通常高圧が必要となる従来の方法を
用いるのでは、得るのが難しいものである。しかし、非晶質シリコン基材料につ
いての幾つかの研究が、成長しつつある表面で高い電子温度を持つことの、改善
された膜成長に対する利点を明らかにした。
【0047】
第五に、プラズマと基板との間の距離を調節する能力は、膜成長に影響する幾
つかの因子を制御するための自由度を与える。この距離を変えることにより、非
晶質体の成長においても他の薄膜と同様に重要な因子であることが証明されてい
る、イオン粒子衝突処理の程度を変化させることができる。強い粒子衝突処理状
件は、基板をプラズマ領域に近接して置くことで達成出来、又成長表面の過度の
イオン粒子衝突処理は、基板をプラズマからはっきりと引き離すことで排除でき
る。亦、プラズマ−基板間距離を変えることにより電子温度を変えることも出来
て、大きく引き離すと高い電子温度が得られる。
つかの因子を制御するための自由度を与える。この距離を変えることにより、非
晶質体の成長においても他の薄膜と同様に重要な因子であることが証明されてい
る、イオン粒子衝突処理の程度を変化させることができる。強い粒子衝突処理状
件は、基板をプラズマ領域に近接して置くことで達成出来、又成長表面の過度の
イオン粒子衝突処理は、基板をプラズマからはっきりと引き離すことで排除でき
る。亦、プラズマ−基板間距離を変えることにより電子温度を変えることも出来
て、大きく引き離すと高い電子温度が得られる。
【0048】
第六に、この革新的堆積技術の独特の幾何学的配置は、プラズマ領域から基板
への高度に方向性を持った種の流れを生成する。このような幾何学的配置を用い
て、図4に描写されているようにプラズマと基板との間に磁界を設けることで、
基板に到達する種を選別することができる。磁石11により与えられる磁界を適
切に選択することにより、膜成長に有益な種13は基板表面2に到達することが
許され、膜成長に有害な種12は基板2から反らすことが出来る。此処で述べた
種の選別技術の利用は、得られる膜の品質を改善する。
への高度に方向性を持った種の流れを生成する。このような幾何学的配置を用い
て、図4に描写されているようにプラズマと基板との間に磁界を設けることで、
基板に到達する種を選別することができる。磁石11により与えられる磁界を適
切に選択することにより、膜成長に有益な種13は基板表面2に到達することが
許され、膜成長に有害な種12は基板2から反らすことが出来る。此処で述べた
種の選別技術の利用は、得られる膜の品質を改善する。
【0049】
第七に、成長しつつある表面での原子状水素の大線束を獲得する能力は、高い
電子温度と同様に、成長しつつある膜表面での吸着原子の大きな表面移動度を生
じさせることが出来る。それ故、高品質微結晶性シリコン膜を調製するのに、高
い基板温度は必要とされないであろう。低い基板温度でこれらの材料を成長させ
る能力は、多くの産業特に平面板表示装置産業において重要な、軽量プラスチッ
クスの基板としての使用を可能とする。
電子温度と同様に、成長しつつある膜表面での吸着原子の大きな表面移動度を生
じさせることが出来る。それ故、高品質微結晶性シリコン膜を調製するのに、高
い基板温度は必要とされないであろう。低い基板温度でこれらの材料を成長させ
る能力は、多くの産業特に平面板表示装置産業において重要な、軽量プラスチッ
クスの基板としての使用を可能とする。
【0050】
最後に、多くの試みが為されてきたが、微結晶性シリコン−炭素合金は未だ標
準的PECVD法を用いて形成されたことはない。マイクロ波及び電子サイクロ
トロン共鳴技術が、この型の合金を調製するのに用いられてきた。本発明の方法
はプラズマ発生にマイクロ波を利用するので、シリコン−炭素合金がこの技術を
用いて高堆積速度で作製できる。このことは、太陽電池装置の開路電圧を改善す
るために微結晶性材料のバンドギャップを広げようとする、我々の将来の企てに
とって重要となるであろう。
準的PECVD法を用いて形成されたことはない。マイクロ波及び電子サイクロ
トロン共鳴技術が、この型の合金を調製するのに用いられてきた。本発明の方法
はプラズマ発生にマイクロ波を利用するので、シリコン−炭素合金がこの技術を
用いて高堆積速度で作製できる。このことは、太陽電池装置の開路電圧を改善す
るために微結晶性材料のバンドギャップを広げようとする、我々の将来の企てに
とって重要となるであろう。
【0051】
堆積する種が生成させると同時に、堆積表面をイオン粒子衝突処理するイオン
を生成させる、単一プラズマを装置内に有するのに加えて、二つのプラズマが用
いられることもある。これらのプラズマの一つは堆積する種を生成するのに用い
られ、一方は制御されたイオン粒子衝突処理及び/又はエッチングにより成長し
つつある膜表面における状態を改質するのに用いられるであろう。例えば、堆積
するシリコン種は第一プラズマ中で生成され、アルゴン、水素、弗素、又はそれ
らの混合物のイオンは第二プラズマ中で生成されるであろう。第二プラズマで生
成されたイオンは、次いでイオン粒子衝突処理を与えるために堆積表面へと向か
う。この第二プラズマは、遷音速又は非遷音速で流れるガスを用いて生成される
であろう。
を生成させる、単一プラズマを装置内に有するのに加えて、二つのプラズマが用
いられることもある。これらのプラズマの一つは堆積する種を生成するのに用い
られ、一方は制御されたイオン粒子衝突処理及び/又はエッチングにより成長し
つつある膜表面における状態を改質するのに用いられるであろう。例えば、堆積
するシリコン種は第一プラズマ中で生成され、アルゴン、水素、弗素、又はそれ
らの混合物のイオンは第二プラズマ中で生成されるであろう。第二プラズマで生
成されたイオンは、次いでイオン粒子衝突処理を与えるために堆積表面へと向か
う。この第二プラズマは、遷音速又は非遷音速で流れるガスを用いて生成される
であろう。
【0052】
この特性の組み合わせは、高品質微結晶性膜に対する堆積速度を1Å/sに制限
されている他の方法と異なり、この堆積技術を独特のものとしている。高堆積速
度の他にも、この革新的膜調製法を用いて、改善された特性が得られるであろう
。
されている他の方法と異なり、この堆積技術を独特のものとしている。高堆積速
度の他にも、この革新的膜調製法を用いて、改善された特性が得られるであろう
。
【0053】
本発明は、硬質被覆の堆積及び光電池薄膜との関連において説明してきたが、本
発明は如何なる種類の薄膜の堆積にも有用である。亦新しい表面エッチング法及
び装置専用に用いてもよい。それ故、上述の図面、考察及び説明は、本発明を実
施する時の制限とすることを意図したものではなく、その例証を意図したもので
ある。発明の範囲を限定するのは、全ての同等物を含んで、以下の請求項である
。
発明は如何なる種類の薄膜の堆積にも有用である。亦新しい表面エッチング法及
び装置専用に用いてもよい。それ故、上述の図面、考察及び説明は、本発明を実
施する時の制限とすることを意図したものではなく、その例証を意図したもので
ある。発明の範囲を限定するのは、全ての同等物を含んで、以下の請求項である
。
【図1】
本発明の装置の第一実施態様を描写する様式化した図である。
【図2】
本発明の装置の第二実施態様を描写する様式化した図であり、特に第二ガス源
を示す。
を示す。
【図3】
本発明の装置の更にもう一つの様式化した図であり、特にガス噴射口に近接し
た位置にある高圧領域と基板に隣接した位置にある低圧領域とを描写している。
た位置にある高圧領域と基板に隣接した位置にある低圧領域とを描写している。
【図4】
高速プラズマと基板の間に磁界を生成するのに磁石がどのように用いられるか
を示す、本装置の最後の実施態様を描写している。
を示す、本装置の最後の実施態様を描写している。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ドーラー、 ヨアヒム
アメリカ合衆国 ミシガン州 48085 ユ
ニオン レーク ベニス ドライブ 6183
(72)発明者 ジョーンズ、 スコット
アメリカ合衆国 ミシガン州 48036 マ
コーム カウンティ クリントン タウン
シップ アパートメント 202アール ウ
ェイブリッジ 20140
Fターム(参考) 4K030 CA02 CA07 CA17 EA04 FA01
FA12 FA14 JA16 KA30
5F045 AA08 AA14 AB02 AC01 AC16
AC17 BB09 CA15 DP09 EH01
Claims (21)
- 【請求項1】 プラズマ噴射表面改質又は薄膜堆積装置であって、 排気可能な堆積室と、前記室内に配置された基板と、遷音速原料ガス源と、 電子ビームエネルギー源と、マイクロ波エネルギー源とを含み、 前記電子ビームエネルギー及びマイクロ波エネルギーは、遷音速ガス源に衝突
して活性種の高速プラズマを生成し、前記高速プラズマは前記基板に向かう噴煙
体(プルーム)を形成し、前記活性種は、採用される原料ガスに依存して、前記
基板表面を改質するか又は前記基板上に堆積する、前記のプラズマ噴射表面改質
又は薄膜堆積装置。 - 【請求項2】 前記遷音速原料ガス源が、ガス配送装置及びガス噴射ノズル
を備え、前記ガス噴射ノズルが前記室内に置かれることを特徴とする、請求項1
のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項3】 前記ガス噴射ノズルが回転可能であり、それにより前記高速
プラズマ内での活性種の運動方向が変えられることを特徴とする、請求項2のプ
ラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項4】 前記基板が、前記排気可能な堆積室を出入する、基板材料の
展延され、且つ移動するウェブである、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項5】 前記基板がステンレス鋼で形成される、請求項1のプラズマ
噴射堆積装置。 - 【請求項6】 前記基板が重合体材料で形成される、請求項1のプラズマ噴
射堆積装置。 - 【請求項7】 前記基板が加熱された基板である、請求項1のプラズマ噴射
堆積装置。 - 【請求項8】 前記基板が電気的にバイアスされた基板である、請求項1の
プラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項9】 前記原料ガスが、前記プラズマ内に堆積する種を供給する原
料ガス源と、さらに選択的に、前記プラズマ内に非堆積種を供給する原料ガス源
とから成る、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項10】 前記プラズマ内に堆積種を供給する原料ガスが、前記ガス
内の他の種と反応性を有する原料ガス源である、請求項9のプラズマ噴射堆積装
置。 - 【請求項11】 前記電子ビームエネルギー源が15KeVの電子ビームエ
ネルギー源から成る、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項12】 前記電子ビームエネルギー源が1000〜5000Wの電
子ビームエネルギー源から成る、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項13】 前記マイクロ波エネルギー源が2.45GHzのマイクロ波
エネルギー源から成る、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項14】 前記マイクロ波エネルギー源が500〜5000Wのマイ
クロ波エネルギー源から成る、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項15】 前記装置が更に第二ガス源を備える、請求項1のプラズマ
噴射堆積装置。 - 【請求項16】 前記第二ガス源が非遷音速ガス源から成る、請求項15の
プラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項17】 前記第二ガス源が、前記遷音速原料ガス源により生成され
る前記プラズマに近接して前記排気可能室内に導入される、請求項15のプラズ
マ噴射堆積装置。 - 【請求項18】 前記装置が更に第二マイクロ波エネルギー源を備えること
を特徴とする、請求項15のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項19】 前記第二ガス源からのガスが前記第二マイクロ波源からの
マイクロ波に衝突されて、第二のプラズマを生成することを特徴とする、請求項
18のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項20】 前記装置が更に、前記高速プラズマと前記基板の間に磁界
を有する、請求項1のプラズマ噴射堆積装置。 - 【請求項21】 以下の工程からなるプラズマ噴射エッチング又は薄膜堆積
方法。 排気可能堆積室を配備する工程; 前記堆積室に基板を設置する工程; 原料ガスを遷音速で前記堆積室に導入する工程; 前記原料ガスに電子ビームエネルギーを衝突させる工程; 前記原料ガスにマイクロ波エネルギーを衝突させる工程; 前記電子ビーム及びマイクロ波エネルギーが活性種の高速プラズマ噴煙体を生成
する; 前記噴煙体を前記基板に向かわせる工程; 前記活性種が、採用される原料ガスに依存して、前記基板の表面を改質又は前
記基板上に堆積する。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2000/004402 WO2001063639A1 (en) | 1998-01-22 | 2000-02-22 | E-beam/microwave gas jet pecvd method and apparatus for depositing and/or surface modification of thin film materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003524705A true JP2003524705A (ja) | 2003-08-19 |
Family
ID=21741076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001562729A Pending JP2003524705A (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 薄膜材料の堆積及び/又は表面改質用電子ビーム/マイクロ波ガス噴射pecvd方法並びに装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1275129B1 (ja) |
JP (1) | JP2003524705A (ja) |
KR (1) | KR100517858B1 (ja) |
CN (1) | CN1303630C (ja) |
BR (1) | BR0017133A (ja) |
CA (1) | CA2399895A1 (ja) |
DE (1) | DE60040349D1 (ja) |
MX (1) | MXPA02008190A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7833381B2 (en) * | 2005-08-18 | 2010-11-16 | David Johnson | Optical emission interferometry for PECVD using a gas injection hole |
US11081345B2 (en) * | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN110367144B (zh) * | 2019-08-03 | 2024-01-26 | 长沙学院 | 半封闭式宠物吹干箱 |
CN115480598B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-09-29 | 北京空间机电研究所 | 一种离子束加工过程中光学镜面温度控制方法及测控*** |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4883686A (en) * | 1988-05-26 | 1989-11-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for the high rate plasma deposition of high quality material |
US5256205A (en) * | 1990-05-09 | 1993-10-26 | Jet Process Corporation | Microwave plasma assisted supersonic gas jet deposition of thin film materials |
JP2868949B2 (ja) * | 1992-03-05 | 1999-03-10 | キヤノン株式会社 | 薄膜作製装置 |
US5985089A (en) * | 1995-05-25 | 1999-11-16 | Tegal Corporation | Plasma etch system |
US5637962A (en) * | 1995-06-09 | 1997-06-10 | The Regents Of The University Of California Office Of Technology Transfer | Plasma wake field XUV radiation source |
JPH09245344A (ja) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Kao Corp | 記録媒体の製造装置及び記録媒体の製造方法 |
-
2000
- 2000-02-22 JP JP2001562729A patent/JP2003524705A/ja active Pending
- 2000-02-22 EP EP00921342A patent/EP1275129B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-22 DE DE60040349T patent/DE60040349D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-22 CN CNB008194580A patent/CN1303630C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-22 KR KR10-2002-7011015A patent/KR100517858B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-02-22 MX MXPA02008190A patent/MXPA02008190A/es active IP Right Grant
- 2000-02-22 BR BR0017133-6A patent/BR0017133A/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-02-22 CA CA002399895A patent/CA2399895A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020086567A (ko) | 2002-11-18 |
EP1275129A4 (en) | 2004-05-26 |
CA2399895A1 (en) | 2001-08-30 |
EP1275129B1 (en) | 2008-09-24 |
MXPA02008190A (es) | 2002-11-29 |
KR100517858B1 (ko) | 2005-09-29 |
EP1275129A1 (en) | 2003-01-15 |
CN1303630C (zh) | 2007-03-07 |
CN1452778A (zh) | 2003-10-29 |
DE60040349D1 (de) | 2008-11-06 |
BR0017133A (pt) | 2002-11-05 |
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