JP2003524283A - 電池、部材および方法 - Google Patents

電池、部材および方法

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JP2003524283A
JP2003524283A JP2001561814A JP2001561814A JP2003524283A JP 2003524283 A JP2003524283 A JP 2003524283A JP 2001561814 A JP2001561814 A JP 2001561814A JP 2001561814 A JP2001561814 A JP 2001561814A JP 2003524283 A JP2003524283 A JP 2003524283A
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JP2001561814A
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マイリー，ジョージ・エイチ
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ラティス・エナジー・エルエルシー
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    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21B—FUSION REACTORS
    • G21B3/00—Low temperature nuclear fusion reactors, e.g. alleged cold fusion reactors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract

(57)【要約】 支持体（１１）；支持体上の離れた位置にコーティングしたカソード（１３）：およびアノード（１２）を含む好ましい電極デバイス（１０）が記載される。カソード材料は、好ましくは多重金属薄膜（１４）を含む。導電素子および導電素子内へ移動して通過する荷電イオンのソリッドステート供給源を含む好ましい電池デバイスも記載される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 関連出願の引照 本出願は、米国特許出願ＵＳＳＮ６０／１８４，９６２（２０００年２月２５
日出願）およびＵＳＳＮ６０／２６７，６１６（２００１年２月９日出願）の優
先権を主張し、それぞれの全体を参考として援用する。
【０００２】 背景 本発明は一般に電池、具体的な１態様においては多重薄膜金属層を含むカソー
ドをもつ電池に関する。 従来、多層薄膜を含む各種デザインの電解槽が提唱されている。たとえばＭｉ
ｌｅｙらは、多層薄膜でコーティングした平面状ステンレス鋼板を電解槽の電極
として用いた。そのような実験はＧ．Ｍｉｌｅｙ，Ｈ．Ｈｏｒａ，Ｅ．Ｂａｔｙ
ｒｂｅｋｏｖおよびＲ．Ｚｉｃｈ，”多層薄膜電極をもつ電解槽”，Ｔｒａｎｓ ．Ｆｕｓｉｏｎ Ｔｅｃｈ． ，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．４Ｔ，Ｐａｒｔ ２，ｐｐ
．３１３−３３０（１９９４）に記載されている。この先行技術には、２種類の
異なる材料（たとえばチタン／パラジウム）の交互薄膜（１００〜１０００Å）
層が用いられた。他の者は、小さなプラスチックペレットを材料の異なる厚さ数
ミクロンの層でコーティングした充填床電解槽の使用を提唱した。たとえばＵＳ
Ｐ４，９４３，３５５；５，０３６，０３１；５，３１８，６７５および５，３
７２，６８８参照。さらに他の電解槽には、コーティングした各種形状の電極が
用いられた。たとえば、”低電圧水素カソードの製造方法”と題するＵＳＰ４，
４１４，０６４は、第１金属、たとえばニッケル、浸出性第２金属または金属酸
化物、たとえばタングステン、および非浸出性第３金属、たとえばビスマスの同
時析出物について述べている。 これらの先行技術からみて、薄膜（たとえば厚さ５０〜１，０００Åの層）電
極構造体を含む、さらに改良された、および／または代替となる電池のデザイン
が依然として求められている。本発明はこの要望に対処する。
【０００３】 発明の要旨 １態様において本発明は、支持体、ならびに支持体上の離れた位置に配置され
、したがってそれらの間にギャップをもつアノードおよびカソードを含む、電極
デバイスを提供する。好ましいカソードには、多重金属薄層、望ましくは少なく
とも２種類の異なる金属の交互層をもつものが含まれる。薄い金属層は、水素原
子種、たとえば水素またはその同位体のイオン（たとえばプロトンまたはジュウ
テロン）に対して比較的不透過性の拡散バリヤー層で、少なくとも部分的に封止
されている。上記のギャップを充填して電極表面に接触する電解質（たとえば所
望により重水を含む水性電解質）の存在下でこの電極デバイスを作動させると、
イオン（たとえばプロトンまたはジュウテロン）がカソード内で電気的に移動し
、これらのイオンの富化したカソード領域が生じる。 他の態様において本発明は、水素またはその同位体のイオンが富化した領域を
導電素子内に得るための方法を提供する。本法には、イオンの電気的移動により
、ある素子領域にこれらのイオンを富化することが含まれる。好ましい態様にお
いては、素子またはその少なくとも一部をイオン透過に対して抵抗性の拡散バリ
ヤーでコーティングする。さらにこの素子は望ましくは多重金属層を含み、この
層はたとえば好ましくは交互に配置された、２種類以上の異なる金属を含む。そ
のような素子は、液体電解質を用いるいわゆる”湿式化学”電池においてカソー
ドとして作動でき、あるいはたとえば本明細書中の特定のデバイスにおいて記載
するように、液体電解質を必要としない乾電池における素子として作動できる。
【０００４】 本発明の他の態様は、導電素子を含んでなる電池配置（a cell arrangement）
であって、その中に水素またはその同位体のイオン（たとえばプロトンまたはジ
ュウテロン）が可溶である金属とこの導電素子へのアノードおよびカソード接続
を含ませた導電素子とを含んでなる電池配置に関する。これらイオンのソリッド
ステート供給源を設け、イオンを導電素子に供給するように配置する。たとえば
そのようなソリッドステート供給源は、気体状の水素または重水素を放出するた
めの金属水素化物または対応する重水素化物、および気体状の水素または重水素
を開裂してプロトンまたはジュウテロンを供給するための触媒を含むことができ
る。触媒を導電素子に積層し、金属水素化物をこの触媒に積層することができる
。この様式では、金属水素化物により（たとえば加熱により）放出される気体は
直ちに触媒と接触してプロトンまたはジュウテロンを供給し、次いで素子に電圧
降下をかけるとこれらが導電素子に沿って内部へ移動することができる。好まし
い配置には、導電素子の少なくとも一部に沿って、プロトンまたはジュウテロン
の透過に対して抵抗性であるバリヤー層が含まれる。この態様の電池様式を、各
種の幾何学的形状をもつデバイス、たとえば本明細書に詳述する円筒形電池デバ
イスに有利に組み込むことができる。 本発明は、改良された代替電池デザイン、その部材およびその使用を提供する
。本発明の他の態様ならびに特色および利点は本明細書の記載から明らかになる
であろう。
【０００５】 好ましい態様の説明 本発明の原理をより良く理解するために、以下に本発明の特定の好ましい態様
を参照し、これを記載するために特定の用語を用いる。ただしこれにより本発明
の範囲を限定することを意図するものではないことを理解すべきである。本発明
に関連する分野の当業者が普通になしうるような、本明細書に記載した本発明の
原理の変更、他の改変および用途も考慮される。 本発明は電池ならびに関連の部材および方法を提供する。好ましい電池は、湿
式または乾式化学により操作でき、望ましくは多重金属薄層をもつ金属素子を含
む。
【０００６】 図１〜３には、本発明の好ましい電極デバイスを示す。電極デバイス１０は、
適切な材料で作成した支持体１１を含む。支持体は導電性でないことが好ましい
ので、架橋ポリマー、セラミックスまたはガラス、ならびに適切な金属および／
または金属酸化物を使用できる。 支持体１１は図示するように一般に平面状であるが、支持体１１は他の構造を
もつこともでき、これにはたとえば入り組んだまたは弯曲した構造、好ましくは
凹面を含むものが含まれ、この上に電極金属、特にカソード金属が配置される（
たとえば図１Ａ）。電極デバイス１０は、一般に支持体上の離れた場所に位置す
るアノード１２およびカソード１３を含む。 アノード１２は任意の適切な導電性材料で作成することができ、これにはたと
えば白金などの金属が含まれる。好ましいカソード１３は、たとえば厚さが約１
０００Åを超えない（たとえば約５０〜約１０００Åの）複数の金属薄層１４、
および拡散バリヤー層１５を含む。拡散バリヤー１５は、水素またはその同位体
に対して比較的不透過性である。これ点において、水素または重水素に対して低
い拡散係数をもつ拡散バリヤーを、たとえばクロム、シリカ、ガラスなどで作成
することができる。そのような層は、水素またはその同位体のイオンが外側へ著
しく拡散するのを阻止する。こうして、これによりイオン（たとえばプロトンま
たはジュウテロン）の濃縮または富化した領域を得る能力が高まる。ホスト原子
（パラジウム、ニッケルなど）１個につき０．５個より多い水素／重水素原子、
より好ましくはホスト原子（パラジウム、ニッケルなど）１個につき０．８個よ
り多い水素／重水素原子の数値が、一般に有利な富化を反映するとみなされる。
【０００７】 バリヤー層１５は、金属層１４の一部にわたって金属層１４の上面および側面
を覆う。図示したデバイスに示すように、バリヤー層１５は電気接続１６に最も
近い方の金属層１４の長さの約６０〜７５％を覆う。この様式では、金属層１４
の一部は電解質の接触に対して露出し、カソード接続１６に近い方の他の金属層
１４部分はバリヤー層１５により封止されている。電極デバイス１０はさらにア
ノード用電気接続１７を含む。さらに、電極デバイス１０はアノード１２をカソ
ード１３から分離するギャップ１８を含み、したがってアノードとカソードは支
持体１１上に離れて位置する。本発明のこのデバイスおよび他のデバイスにおい
て、電池は電流が薄膜層の平面に平行に、またはこの平面に沿って流れるように
設計および配置されるのが好ましい（たとえば長方形の薄膜の場合は、それらの
最大長さに沿って流れる場合を含む）。好ましい電池デザインは、薄膜１４内の
電流密度が少なくとも１ｋＡ／ｃｍ2となる容量、好ましくは数ｋＡ／ｃｍ2とな
る容量をもつ。得られる高い電流密度により電界が形成され、これによりプロト
ンまたはジュウテロンなどのイオンの流れが促進され、層に対する負の接続付近
に、より高いイオン密度が得られる。
【０００８】 次いで、特に図２〜３で、層１４は、層１９〜２１に示されるように交互の種
類の金属層を含むことが好ましい。図示したデバイスにはそのような３つの層を
示したが、任意数の層、たとえば２〜２０層またはそれ以上を含むことができる
。好ましくは、層１４は少なくとも２つの異なる種類の金属の金属層を交互に含
む。具体的には、層１９と２１は水素またはその同位体が比較的可溶性である金
属で作成することができ、これにはたとえばパラジウムが含まれる。その場合、
層２０は異なる種類の金属、望ましくは層２０と層１９および２１との間に大き
なフェルミ準位差を形成する金属で作成できる。 これらの目的に適した金属は、たとえばＷＯ９８／０７８９８に開示されてお
り、これの全体を本明細書に参考として援用する。便宜上、この刊行物にもみら
れる開示内容を以下の文に採用する。
【０００９】 薄膜コーティングした電極を有利に設計するには、Ｇ．Ｍｉｌｅｙ，Ｈ．Ｈｏ
ｒａ，Ｅ．ＢａｔｙｒｂｅｋｏｖおよびＲ．Ｚｉｃｈ，”多層薄膜電極をもつ電
解槽”，Ｔｒａｎｓ．Ｆｕｓｉｏｎ Ｔｅｃｈ．，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．４Ｔ，
Ｐａｒｔ ２，ｐｐ．３１３−３２０（１９９４）に記載されるフェルミ準位差
ならびに水素および重水素吸収特性をもつ材料の選択と、選択した材料の膨張特
性を考慮する。薄膜層の座屈およびフレーキングが起きるまでにかなりの圧縮に
耐えることができるので、薄膜層に用いる材料の膨張率の整合が完全である必要
はない。したがって、大きなフェルミエネルギー準位差を得る一方でなおかつ良
好な水素および重水素イオンの溶解度および拡散性を提供するために対合させる
ことができる材料の組合わせのうちから、かなり広い範囲の材料選択を考慮でき
る。下記の表Ｉは、各種材料をそれらのフェルミ準位に従ったグループに分類す
る。これはＪ．Ｃ．Ｓｌａｔｅｒ，Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｔｏ Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｐｈｙｓｉｃｓ、第１版、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、ニューヨーク州
ニューヨーク、４４（１９３９）に引用される”フェルミエネルギー準位（ｅＶ
）”から採用したものである。
【００１０】
【表１】
【００１１】 高フェルミ準位の材料と低フェルミ準位の材料を対にすると、最大のフェルミ
準位差が得られる。たとえばＣｓ／Ｂｅは△Ｆ＝７．４ｅＶを与える；ここで△
Ｆはフェルミエネルギー準位差を表す。しかし、製造の容易さ、拡散性および溶
解度といった他の観点から、他の組合わせが望ましい場合もある。これまでの研
究では、たとえばＰｄ／Ｎｉ（△Ｆ＝１．３ｅＶ）、Ｐｔ／Ｎｉ（△Ｆ＝１．５
ｅＶ）、およびＰｄ／Ｆｅ（△Ｆ＝０．９ｅＶ）をこれらの多様な要因の妥協点
として採用した。これらの選択には、中３グループと高グループからの金属の組
合わせを用いた。他の好都合な選択には、中３と中１の金属、たとえばＰｄ／Ｚ
ｒおよびＰｔ／Ｔｈ（それぞれ△Ｆ＝１．６および２．４ｅＶ）が含まれる。い
ずれにしろ、少なくとも約１ｅＶの△Ｆを与える材料対を用いることが好ましい
。
【００１２】 薄膜層の界面、構造支持体、ならびに電解質に曝露される外面、または薄膜お
よびバリヤー表面のコーティングについても同様な考慮が必要であることを留意
すべきである。したがって有利な設計を行なうには、外面およびすべての内面に
△Ｆを付与することを考慮する。 △Ｆの考慮のほか、選択する材料は、電解作用の結果として電極または素子内
へ侵入する水素または重水素（Ｈ／Ｄ）イオンが各層へ容易に拡散し、すべての
層に吸収されるのを可能にする能力をもつことが好ましい。したがって望ましい
材料対は、妥当な高さのＨ／Ｄ拡散係数（パラジウムについてのオーダーまたは
それ以上）と、同様にパラジウムのオーダーまたはそれ以上のＨ／Ｄ溶解度とを
兼ね備えている。 すなわち、交互薄膜コーティングに最適な材料は、好ましい△Ｆ、拡散性およ
び溶解度パラメーターに基づいて選択できる。
【００１３】 使用できる若干の材料の拡散性および溶解度パラメーターを表ＩＩに挙げる。
薄膜層は一般に電解電流に伴うオーム加熱と層内で起きる反応からの熱入力との
組合わせのため温度が上昇するので、作動温度で溶解度が著しく低下することは
ないはずである。Ｐｄ、Ｎｉ、ＦｅおよびＴｉの組合わせは、目的基準を満たす
材料の一例である。たとえばＮｉおよびＴｉはＰｄのものに近い拡散係数をもつ
ので、Ｐｄ／ＮｉおよびＰｄ／Ｔｉは本発明に使用できる好都合な組合わせを提
供する。
【００１４】
【表２】
【００１５】 他の有利な材料組合わせもある。多様な材料が、特に比較的高い温度でＰｄよ
り高い溶解度をもつ。したがってこの観点およびそれらの拡散性からみて、Ｖ、
Ｔａ、Ｚｒ、ＣｅおよびＴｈはＰｄと対にするための良好な候補となる他の材料
の例である。一例はＰｄ／Ｚｒ、Ｐｔ／Ｔｈ、およびＢｅ／Ｔｈ（それぞれ△Ｆ
＝１．６、２．４および５．５ｅＶ）である。
【００１６】 材料対の選択についての他の考慮事項は、生じる自己拡散が最小であり、した
がって界面に妥当な程度に明瞭な材料境界が維持される必要があることである。
しばしば金属薄膜は相互拡散し、これによりそれらの間の境界の安定性が損なわ
れる傾向がある。この相互拡散は、高い拡散係数をもつ金属対の両方に起因する
。これまで研究に用いたＮｉ／ＰｄおよびＴｉ／Ｐｄ材料対は、Ａｕｇｅｒ電子
走査により測定した際に示した自己拡散が最小であった。これは文献に報告され
た他の結果と一致する。Ｆｅ／ＴｉおよびＰｄ／Ｔｉ対の多層薄膜構造体の安定
性が詳細に調べられている（Ｐ．Ｂｏｒｇｅｓｅｎ，Ｒ．Ｅ．Ｗｉｓｔｒｏｍ
ａｎｄ Ｈ．Ｈ．Ｊｏｈｎｓｏｎ，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒｅｓ．，４，８２１（１
９８９））。照射および水素負荷の結果としてのそのような薄膜の相互拡散が実
験により調べられた。Ｆｅ／ＴｉおよびＰｄ／Ｎｉ対は他の多様な組合わせと対
比して比較的安定であることが認められた。 すなわち、△Ｆ、拡散性および溶解度に基づいて材料対を選択し、次いでそれ
らの対間の相互拡散を最小にすることをも考慮する。拡散係数データが得られな
い場合、試料構造体について簡便なＡｕｇｅｒ電子顕微鏡検査を実施して境界付
近の金属断面を調べ、実質的な相互拡散がないことを確認できる。
【００１７】 以上の理由と加工しやすさの必要性とに基づいて、現在までの研究には一般に
Ｐｄ／Ｎｉ（△Ｆ＝１．３ｅＶ）またはＰｄ／Ｔｉ（△Ｆ＝０．７ｅＶ）の交互
層を用いた。Ｐｄ／Ｚｒ、Ｐｔ／Ｔｈ、およびＢｅ／Ｔｈ（それぞれ△Ｆ＝１．
６、２．４および５．５ｅＶ）などの組合わせは、他の好ましい組合わせである
。 デバイス１０その他の本発明のデバイスにおいて、薄膜１４を含むカソードを
凹面などの弯曲した面上に配置するか、あるいはＷＯ９８／０７８９８に開示さ
れるようにセグメント状で配置して、薄膜の変形を阻止するための膨張接合点を
効果的に配置することができる。
【００１８】 次いで図４については、所望により複数の電極デバイス１０を１つの電解槽に
組み込むことができる。たとえば図４に示すのは複数の電極デバイス１０を組み
込んだ電解槽３０である。電解槽３０は耐久性の非導電性ハウジング３１の内側
に適切に固定した複数の電極デバイス１０を含む。熱の回収および／または変換
を含めた用途では、電解槽３０は複数の熱電変換素子３２をも含むことができる
。熱電変換素子３２とデバイス１０を互いに背中合わせに接着するか、あるいは
デバイス１０から素子３２への熱伝達を促進する様式で熱的に結合することがで
きる。たとえば１態様においては、熱電素子をアノード材料およびカソード材料
の支持体として用いてもよい。次いで、電解槽３０内を電解質が流れるための空
間３３および冷媒が流れるための空間３４を残して、これらの結合構造体を電解
槽３０内に配置する。電解質が流れるための空間３３は結合した電極／熱電構造
体の電極側に形成され、デバイス１０が作動するための電解質を供給する。冷媒
のための空間３４は、結合構造体の熱電素子側に形成される。この様式では、電
解槽の作動に伴って熱電変換素子３２を横切る温度差が形成され、これにより電
気エネルギーの発生が促進される。
【００１９】 図５〜７には本発明の他の態様を示す。図示されるのは、構造体が円筒状に配
置された電池４０である。好ましくは、このような円筒は円形断面をもつが、他
の断面、たとえば楕円形、長方形、方形、三角形または不規則な断面も可能であ
る。電池４０は円筒形支持体部材４１を含み、好ましくはその外側に熱の放散の
ための熱交換構造体をも備えており、これにはたとえばフィン４２が含まれる。
支持体４１は、電池の他の素子を収容する内部空間４３を規定する。特に熱電変
換素子４４は支持体４１に熱的に接続される。これに関して、支持体４１の内側
にある本明細書に記載する熱電素子および他の素子は、好ましくは支持体部材４
１の内壁に対応する形状に構築される。熱電変換素子に隣接して、拡散バリヤー
層４５を配置する。これは、本明細書の他の箇所に記載するように水素またはそ
の同位体に対して比較的不透過性である。バリヤー４５の内側に、デバイス１０
に関して前記に述べた特色をもつ金属薄膜４６が配置される。薄膜４６の長さの
一部にわたって触媒層４７がある。触媒層４７は、気体状の水素またはその同位
体を対応するイオン形（たとえばプロトンまたはジュウテロン）に変換する触媒
を含有する。触媒層４７は、たとえばこれらの目的のために周知の白金黒を含有
することができる。触媒層の内側に金属水素化物層４８を配置する。水素化物層
４８の一部を薄膜層４６から分離する拡散バリヤー層４９を配置する。バリヤー
層４９および触媒層４７は、水素化物層４８に沿って配置され、これにより、触
媒層４７は水素化物層４８から薄膜層４６を隔離してその一部に沿い、バリヤー
層４９はそれに更に沿って触媒層に隣接して薄膜層４６から水素化物層４８を隔
離する。バリヤー層４９の反対側末端には、ギャップ５０が設けられ、ここで薄
膜層は、バリヤー層により水素化物層から隔離されていないので、水素またはそ
の同位体のイオンは金属薄層４６から水素化物層４８内へ拡散できる。水素また
はその同位体に対して半透性（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）の酸化物層
５１も配置される。これに関して用いる半透性とは、層５１が気体状の水素また
はその同位体を容易に水素化物層４８内へ侵入させるが、反対方向への水素また
はその同位体の流れには抵抗することを意味する。
【００２０】 金属水素化物層４８には、たとえば層４８を気体状の水素またはその同位体の
存在下で加熱することにより負荷できる。これにより金属水素化物層４８内への
水素またはその同位体の取込みが促進され、水素またはその同位体のソリッドス
テート供給源が形成される。さらに、デバイス４０を密閉容器として構築し、使
用前および使用中に気体状の水素またはその同位体で加圧しておくこともできる
。これにより、水素化物層４８に対する水素またはその同位体の平衡濃度を維持
し、さらに水素またはその同位体が水素化物−半透性層領域から”逆流”するの
を最小限に抑える。
【００２１】 特に電池４０の作動を具体的に示す図７について、電流は、薄膜の末端に位置
するアノードおよびカソード付属品を経て金属薄膜４６を通過する。その結果、
薄膜４６が加熱され、これにより熱が金属水素化物層４８へ伝達される。水素が
水素化物層４８から放出され、触媒層４７内へ侵入してプロトンに変換される。
金属薄膜４６内の電界は、プロトンをアノードの方へ電気的に移動させる。同時
に、バリヤー層４９で覆われた長さの金属薄膜４６内では、バリヤー層４９はプ
ロトンが水素化物層に再進入するのを阻止する。こうして、バリヤー層４９に結
合した金属薄膜構造体領域にプロトン流の高濃度領域が形成される。プロトンは
最終的にはバリヤー層４９の向こう側へ移動し、アノードに隣接した位置にある
ギャップ５０を通って水素化物層４８に再進入することができる。この作動中に
、電池４０内の気体状水素が水素化物層４８内へ拡散して水素供給源を補給する
ことができる。
【００２２】 次いで図８には、電池４０および外部バッテリー１００を含むエネルギー変換
装置における電池４０の作動を示す。始動期には、電池４０の金属薄膜構造体４
６を通って電流を流すための、かつ所望により別個の抵抗加熱素子によって水素
化物層を加熱するための電源として、外部バッテリー１００を利用する。熱電変
換素子４４によって十分な電気が供給されると、その電気を利用して薄膜構造体
４６に電流を流すことができ、始動バッテリーを切断することができ、こうして
電池４０を自己供給式で作動させることができる。
【００２３】 熱エネルギーを電気に変換することを含めた様式で電池４０を作動させる際、
電池４０の外面に冷却用放熱素子を配置することは理解されるであろう。これに
はたとえば気体または液体などの流体を流して熱を放散させ、これにより熱電素
子４４における熱勾配の発生を促進することが含まれる。本発明において金属水
素化物を水素源として使用することに関して、金属水素化物を魅力的なものにす
る２つの基本的特性は、それらの化合物１分子当たりの貯蔵容量が高くかつ可逆
的なこと、および単位体積当たり貯蔵されるエネルギーが高いことである。単位
体積の水素化物が貯蔵できる水素の質量は、液体の形で貯蔵できるもののほぼ２
倍であり、高圧縮気体としてのものより３倍高い。また水素は水素化物の方がは
るかに安定である。液体としての水素は極低温貯蔵タンクを必要とし、気体とし
ての水素は高圧タンク（約５０００ｐｓｉ）を必要とするからである。１つの欠
点は水素重量％が低いことであり、大部分の水素化物で約２％である。それにも
かかわらず１リットルの水素化物中に貯蔵されるエネルギーは約１ＭＪに及びう
る。企業は水素含量が最高７％に達しうる新規な水素化物を開発している。たと
えばミシガン州トロイのＥｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
はこの領域の材料をもっている。 高密度水素貯蔵の具体的候補には、ＬａＮｉＨxおよびＦｅＴｉＨxが含まれる
。他の候補とそれらの特性を下記の表ＩＩＩに示す。
【００２４】
【表３】 * Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，
Ｖｏｌ．３Ｂ，Ｐａｒｔ ＩＩ，Ｃａｈｎ，Ｈａａｓｅｎ ａｎｄ Ｋｒａｍｅ
ｒ，ニューヨーク州ワインハイム，１９９４から採用。
【００２５】 他の多数の水素化物が知られており、本発明におけるそれらの選択および使用
は当業者が容易になしうる。 本発明のある種の用途においては、水素化物材料の再充電特性を考慮する必要
はないであろう。しかし大部分の水素化物は一般に、個々の系および条件に応じ
て数秒ないし数時間の時間で再充電可能であることを留意すべきである。若干の
水素化物はきわめて耐久性でもあり、たとえばＤａｉｍｌｅｒ−Ｂｅｎｚが用い
たＡＢ2化合物は最高３９００サイクルの充電と放電が可能であり、１０分で最
高８０％充電される。ミシガン州トロイ、Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅｓのオボニック部門も水素化マグネシウム系特許合金を所有して
おり、これらは６５０サイクルの充電と放電を行なっても劣化は無視できる程度
である。
【００２６】 触媒層に関して、白金黒（Ｐｔ−ｂｌａｃｋ）は一般に０．１〜０．５μｍの
粒度をもつ微細な金属白金粉末である。白金黒はその微細構造のため自由電子に
よる吸光が大きいので、黒い色をもつ。白金黒は、電気化学的方法を含めた既知
の各種方法で得ることができる。これには、種々の白金塩（一般に塩化物）水溶
液を特定のｐＨ条件で用いる方法がある。電気化学的方法で製造する白金黒粉末
は、低い電流密度での電解により電解質から直接にカソード表面に容易に析出さ
せることができる。カソード表面の白金黒層の厚さは、電解電流の密度および期
間の変更により制御できる。
【００２７】 白金黒粉末は水素分子を水素原子に解離させるための、すなわち反応（Ｈ2→
Ｈ＋Ｈ）を生じるための効率の高い触媒である［１０〜１１］。この解離反応に
おける水素原子の収率は温度に依存し、約６００Ｋの温度では１００％近い。さ
らに、水素に対する金属白金の親和性はきわめて低いので、白金黒に水素を負荷
することはできない。白金黒の比表面積の数値が大きいため（Ｓは約１０〜１０
０ｍ2／ｇ）、水素ガス圧は１〜１０気圧の圧力範囲であるから層に進入する水
素分子を完全に解離させるのにはこの粉末の薄層（約０．１ミクロンの厚さ）で
十分であろう。したがってこの方法は多層薄膜（ＭＬＴＦ）系に純水素原子を負
荷するのに好適であると思われる。 白金黒がもつこれらの特性のため、Ｈ2を水素原子に変換する理想的なものと
して（その中での水素原子Ｈの損失なしに）水素負荷ＭＬＴＦ系に白金黒コーテ
ィングを用いるのが可能となる。これにより、前記の電池４０について記載した
ように、ＭＬＴＦカソードを用い、これにＤＣ／ＡＣ電圧をかけて”乾式”電解
プロセスを行なうことが可能となる。
【００２８】 上記のように、水素化物ＭｅＨx／ＭＬＴＦ系において水素損失を少なくする
ためには、水素化物層の自由表面にコーティングした半透性（水素に対する）酸
化物膜（層５１、図５〜６）を用いるのが好ましい。参考文献［９〜１０］に示
すように、種々の酸化物コーティング、たとえばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＰｄＯ、
ＭｎＯ2を、金属中に負荷した水素に対する半透性バリヤーとして利用できる。
水素に対する高い親和性をもつ金属表面（ＭｅＨx）での半透性転移を作り出す
原理は、酸化物と金属の大きなフェルミ準位差を利用する必要がある。前記酸化
物の薄層（約２００〜５００Åの厚さ）は、水素原子／分子に対してそれらが気
相から吸収されるプロセスでは、または既に室温での液相電解に際しては、透過
性である。これらの層自体に水素は負荷されないが、金属への水素原子の直接転
移として作動し、ここで負荷が起きる。金属と酸化物層の界面における金属負荷
が完了すると、二重電気層（ＤＥＬ）が形成される。その結果、正に荷電したプ
ロトン（負荷されたＰｄ、Ｔｉ、Ｍｇなどの金属中における）はＤＥＬにより阻
止されるので、金属／酸化物界面のＤＥＬを貫通して”蒸発”する（すなわち、
たとえば気相に戻る）ことができない。考慮している例において、金属−酸化物
界面は（プロトンに対して）半導体ダイオードにおける電子に対する金属−誘電
転移として作動する。このように、酸化物と金属のフェルミ準位差が大きいため
水素は金属内部に捕獲される。 酸化物層は、スパッタリングその他の適切な任意の方法で金属表面に析出させ
ることができる。
【００２９】 低重量の冷却用放熱素子およびフィンを製造するためには、Ａｌの代わりにド
ープポリアセチレン（ＰＡ）として知られる近代的な半導性ポリマー材料を用い
るのが好ましい［１２］。通常の金属と比較したこの材料の利点は、密度がわず
か１．０ｇ／ｃｍ3であること、すなわちＡｌの比重より２．７倍低いことであ
る。さらに、ＰＡ材料はアルカリ金属をドープした高度の共役結合をもつポリマ
ーであり、金属に匹敵する高い熱伝導率および導電率をもつ。ＰＡ材料は高温（
８００℃より高い温度）でも容易に作動する。 材料の最適化のほか、新型コンピューターの高効率冷却を開発するためのＮＥ
Ｃ社の最近の研究では、フィン構造の空気力学的設計により熱伝導率を有意に高
めうることが示された［５］。そのような設計を本発明の電池フィン構造に適用
できる。空気力学的断面を採用するほか、フィンの長さを流入口から下流へ漸増
させる。
【００３０】 本発明のデバイスは、たとえば水などの電解質の電解に利用して水素ガスと酸
素ガスを生成することができ、また熱の発生および所望により熱から電気エネル
ギーへの変換を含むエネルギー変換デバイスまたは電池、ならびに／あるいは変
換（ｔｒａｎｓｍｕｔａｔｉｏｎ）反応に利用できる。本発明のデバイスは水素
またはその同位体のイオンの稠密領域を形成するのにも利用でき、これによりイ
オン−イオン反応またはイオン−金属反応の確率が高まり、融合反応および関連
反応の探査を含めた研究が促進される。 本発明ならびにその原理および利点をより良く理解するために下記の具体例を
示す。これらの例は本発明を説明するためのものであって限定ではないことは理
解されるであろう。
【００３１】 実施例 １．カソードおよびアノードを含むプレート型電極 多層薄膜（ＭＬＴＦ）にプロトンを負荷してパラジウム１原子当たり約０．９
プロトンにすることによりプロトン−金属反応を形成しうることが、研究により
証明された（パラジウムは一般に、１層当たりの厚さ約５００〜１００Åのニッ
ケルとパラジウムなどの金属の交互層からなるＭＬＴＦの基本構成要素である）
。プロトンを駆動させる正確な機構はまだ研究中であるが、現在の見解は以下の
ものである。すなわち、この負荷が達成されるとガンマ相と呼ばれるコヒーレン
ト構造［１］が形成され、これがプロトンおよび格子原子を取り込む。次いでこ
のコヒーレント構造によりトンネル型反応が起き、格子リコイル（ｌａｔｔｉｃ
ｅ ｒｅｃｏｉｌ）機構が生じて放出エネルギーを吸収し、その結果ＭＬＴＦが
加熱される。本明細書に開示するＭＬＴＦ構造および負荷方法を用いた本明細書
に記載する実験研究によりこの機構が証明され、１ｇのＭＬＴＦ当たり５００Ｗ
を超える比電力が得られた。反応は長期間にわたって得ることができ、高いプロ
トン負荷率および非平衡イオン／電子流条件を維持できる。
【００３２】 これらの目的で、全般的に前記図１〜３に関して記載したように電極デバイス
を構築した。このデザインでは、支持体の下端側セクションにＭＬＴＦセクショ
ンをスパッタリングし、カソードとして用いた。カソードには、パラジウムとニ
ッケルの交互層として作成した合計５層の薄膜が含まれていた。パラジウムをカ
ソードの最初と最後の層として用いた（クロムバリヤー層を計数しない）。アノ
ード（一般に白金）を、２者間にギャップをおいて支持体プレート上に配置した
。このデザインの目的は、ＭＬＴＦ表面に平行に電流（アノードから、ギャップ
部に充填された電解質を経て、カソードへ）を流すことである。これにより、電
流方向に対して直角でそれらの小さな断面に起因した高い電流密度が達成され、
薄膜における電圧降下が最大になる（最大電界が得られる）。ＭＬＴＦにおける
電界は、進入するプロトンを薄膜の下端へ向かって（カソード電気コネクターの
方へ）駆動させる作用をする。この流れによりＭＬＴＦ内のプロトン濃度がカソ
ード下端において最大となり、その領域での反応および反応ポテンシャルが最大
となる。この領域で高い負荷が起きるのを確実にするために、カソード表面の下
端側２／３（電解質界面側）を薄い（＜１００Å）クロム製のバリヤー層でコー
ティングして、プロトンが薄膜外へ拡散するのを少なくする。要約すると、これ
ら２つの特色、すなわち高い水素負荷（ＭＬＴＦ金属１原子当たり約０．９原子
の水素）および高い電流密度（約１ｋＡ／ｃｍ2）が、この電極の有利な特色で
ある。そしてこれによって高い反応率が可能となり、５００Ｗ／ｇ（ＭＬＴＦ金
属）を超える熱源率が得られる。
【００３３】 この電極デバイスを適切な温度センサーと一緒に小型の絶縁良好なジュワー（
Dewar）に入れて熱量測定を行なった。良好な結合を達成するための、すなわち
作動中に遭遇する苛酷な負荷および加熱条件にもかかわらず妥当な寿命を得るた
めの薄膜析出法に、かなりの努力と開発を要した。これらの方法は［１４］に記
載されている。これらの予備電池は操作を簡単にするために比較的低い電力およ
び温度（数百ｍＶおよび＜３０℃）で作動するように意図的に設計された。各種
の薄膜コーティングについて１２回の試験を実施した。作動条件、検量およびデ
ータ分析についての詳細は［１４］に示されている。代表的試験中に測定した過
剰電力のプロットを図９に示し、１２回の試験すべてについて得た過剰電力結果
を表ＩＶにまとめる。
【００３４】
【表４】
【００３５】 表ＩＶから分かるように、これらの電池はすべて一貫して、入力ジュール加熱
を超えて電池から得られる追加電力として定義される過剰電力を産生した（変動
は、この初期試験の一部である薄膜デザイン変更によるところが大きい）。予想
した過剰電力水準の不確実度は約２０ｍＷであり、したがって報告した結果は絶
対電力水準が比較的低いにもかかわらずかなり確定的である。金属薄膜の単位体
積当たりの電力を基準として計算した場合、絶対過剰電力密度は絶対値において
は低いが、先のビーズ実験に匹敵する。要点は、この電極構造については電池体
積のうちわずかな部分が活性金属を含むにすぎないことである。これに基づいて
考慮すると、これらの電極は最先端の結果を与える。これらの電極は、たとえば
Ｍｉｌｅｓが報告した固体Ｐｄ電極のわずか０．１〜０．４Ｗ／ｇ、またはＳｔ
ａｎｆｏｒｄ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅで”Ｌ．Ｃａｓｅ Ｃａ
ｔａｌｙｓｔ”法（Ｐｄコーティングした市販の触媒粒子）を用いて行なった実
験から最近報告された約０．００６Ｗ／ｇ［１５］と比較して、金属（Ｐｄ、Ｎ
ｉなど）１ｇ当たり約１０〜２０Ｗの過剰電力を生じる。したがって、本発明の
電極電池は他の関連実験から報告されたものより１または２桁高い過剰電力密度
（金属１ｇ当たり）を提供する。
【００３６】 このような電極デバイスをスケールアップして、薄膜材料の”充填率”（支持
体および電解質の体積に対するＭＬＴＦの体積）を高めるために電解槽容器に多
重電極を組み込んだ高電力電池にすることができる。アノードとカソードの両方
を１枚のガラス板上にめっきした本発明のコンパクトな電極デザインを用いると
、試験用熱量計に多重電極を挿入することも容易に達成できる。たとえば体積は
同一であるが両側に電極をスパッタリングした１００枚のガラス板（現在の片側
板と対比）を含む電池を考えてみるとよい。本明細書に報告した単一電極実験の
場合と同じ電極挙動により、約４０Ｗの入力で約３８Ｗの過剰電力が生じる。さ
らにＭＬＴＦ層のデザインを、先の薄膜ベース実験［１２］に用いたさらに高い
過剰熱率を生じるものにまで向上させると、約５００％の過剰電力増加が得られ
るであろう。その場合、上記例の過剰電力は約１９０Ｗとなる。このようなユニ
ットは、魅力的な実用的バッテリータイプのユニットを得る基礎となる。次いで
配電電池（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｐｏｗｅｒ ｃｅｌｌ）を得るための多数
ｋＷユニットへのスケールアップは、同じラインに従い、さらに多数の電極を付
加する。追加する重要な技術は、熱電変換システムを組み込むものである。高温
作動が達成されることを予想すると、本発明の電極デザイン自体が集積電極−エ
ネルギー変換素子の使用に好適である。
【００３７】 可能な集積電池配置を前記の図４に示す［１４、１６、１７参照］。そのよう
な１態様において、ソリッドステート熱−電気変換素子、たとえば熱電材料また
は”量子ウエル(quantum well)”層を、電極の、薄膜に結合していない側に直接
スパッタリングする。これらのプレートの間の溝を冷媒と電解質が交互に流れ、
電気は熱電層または量子ウエル層から直接に引き出される。そのような配置は所
望の小型化をもたらし、一方では電極保全取扱いのための簡単な配置を提供する
。薄膜電極は半導体製造技術を用いて大量生産できるので、費用効率の高い電池
を想定できる。 プレート型電極の研究をさらに支援するために、直径５０ｍｍ、長さ１ｍのＰ
ｄワイヤをカソードとして用いて基礎的な水素同位体負荷実験を実施した［１４
］。この構造により、薄膜に類似するが負荷プロセス自体をより容易に診断でき
る電気負荷特性が得られる。この構造は、一致する結果がみられたＣｅｌａｎｉ
らによる他のワイヤ負荷実験［１８］に関連する。したがってそれは重要な物理
的支持データを提供する。このワイヤを予備コンディショニングおよび焼きなま
しして、配向結晶構造を得た。負荷比（ＨまたはＤ原子／Ｐｄ原子）を測定する
ために、負荷プロセス中にワイヤの抵抗変化を連続測定した。約０．８５の負荷
で、図１０に示すように抵抗が突然低下してワイヤの初期値よりはるかに低い値
になった。この急激な変化は、Ｄ−Ｐｄ系のガンマ相への相変化によるものであ
る。図１１から分かるように、この相変化の直後に短時間の急激な高い電力出力
（ｋＷのオーダー）が起きて電極を急速加熱し、さらに相変化が起きることによ
り、抵抗が当初より高い値になった。その時点で、約１Ｗの過剰電力が約１時間
得られた後、電池配線が損傷を受け、実験を停止せざるを得なかった。
【００３８】 ２．水素化物貯蔵加圧負荷型のＭＬＴＦ電池デザイン 電解法では電極表面で生じる二重層電位効果のためきわめて高い負荷比が得ら
れることは周知であるので、電解負荷は魅力的である。実際に、他の方法、たと
えば一般に０．５プロトン／原子未満に制限される高圧ガス負荷と対比して、パ
ラジウムなどの金属の電解負荷では０．８プロトン／原子のような高い数値を得
ることができる。電解法でこれが可能な理由は、表面電位がイオン化機構を提供
し、次いで水素をイオン形で金属内へ駆動するという事実にあると考えられる。
Ｐｄ電極において高いプロトン／金属比を得るための加圧負荷についての幾つか
の先行研究が、Ｕ．Ｍａａｔｅｒｍａｔｅｒｏ［２］およびＸ．Ｌｉ−［３］に
より報告された。これら両研究は、これら２研究者が用いた異なる技術で過剰の
熱の産生が達成されたという点できわめて有益である。
【００３９】 本発明は、水素化物貯蔵層からの水素イオン負荷を採用する電池デザインを提
供する。特に図５〜７に一般的に示すように、中間に白金黒層をおいて水素化物
上にＭＬＴＦをコーティングし、外部から小電界をかける。水素化物から加熱に
より放出された水素は白金黒層でイオン化し、ＭＬＴＦに進入する。電界は、内
側へのプロトン輸送を支援しかつそれらをＭＬＴＦ層に沿って駆動させるように
設定される。図５〜７から分かるように、バリヤー層を水素化物とＭＬＴＦの間
の中央領域に配置する。プロトンはバリヤー層の背後の薄膜に沿って流れるので
、それらが薄膜の反対側へ到達するまで水素化物に再進入することはない。した
がってこのデザインは、超高プロトン負荷を達成するための電子移動補助技術を
形成し、同時に薄膜内にプロトン流を提供する。流れは反応を促進するための有
利な要素であると考えられる。これらの流れを図７に模式的に示す。図５〜７に
示すように、加圧負荷を採用する電池には一般に、ＭＬＴＦ−水素化物部材のほ
かに、前記の全般的記載において説明した熱電変換素子および冷却用放熱素子を
設置する。円筒形電池の中心は空間であり、水素化物に水素ガスを初期負荷する
ための大きな容積を提供する。ガスは約１気圧で電池に装入され、一方、水素化
物は外部バッテリーにより数百度に抵抗加熱される。水素化物のインナー面上に
あるバリヤー層は、ガスを水素化物へ流入させるが、反対方向の流れは阻止する
。一旦、水素化物が負荷されると、水素ガスタンクが取り外され、電池は閉じら
れる。加熱バッテリーも取り除かれる。この状態で、電力の発生なしに電池を長
期間貯蔵できる。作動させたい場合、加熱バッテリーを再接続し、３５０°Ｆを
超える温度で水素を水素化物から駆出する。ＭＬＴＦにバイアス電界をかけるた
めにもバッテリーを接続する。プロトンの流れおよび負荷が形成されると、ＭＬ
ＴＦ中でのプロトン−金属反応が激しい加熱源となる。この時点で外部バッテリ
ーを切断すると、電池が完全に作動し、携帯可能となる。
【００４０】 電力を発生させたい場合、熱電変換素子および冷却用放熱素子はこのシステム
の重要な部材であり、これがシステムの全効率を決定し、かつ全重量の主要割合
にも関係する。２００度デルタ−Ｔで４．５％の効率において作動する一般的な
熱電変換素子を用いてもよい。しかし、同様な条件下で２０％の効率において作
動する新しい量子ウエルタイプの熱電素子を用いるのが有利であると予想される
。冷却用放熱素子法には、パーソナルコンピューターに空冷のために用いられて
いるタイプの小型ファンを使用できる。空気力学的フィンのデザインも採用でき
る。
【００４１】 参考文献 以下の参考文献および本明細書に引用した他のすべての参考文献は当業者がも
つ技術を示すものであり、参考として各参考文献を個々に引用し、完全に記載し
たと同様にそれらの全体を本明細書に参考として援用する。
【００４２】
【化１】
【００４３】
【化２】
【００４４】
【化３】
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の好ましい電極デバイスの透視図を示す。 図１Ａは、凹面支持体上に電極金属を配置した態様の断面図を示す。
【図２】 図１のデバイスの線２−２に沿って得た、矢印の方向に見た断面図を示す。
【図３】 図１のデバイスの線３−３に沿って得た、矢印の方向に見た断面図を示す。
【図４】 複数の図１〜３に示した電極デバイスを組み込んだ本発明の電解槽デバイスの
透視図を示す。
【図５】 本発明の円筒形電池デバイスの軸に沿って得たデバイス断面図を示す。
【図６】 本発明の円筒形電池デバイスの軸に対して直角方向に得たデバイス断面図を示
す。
【図７】 図５〜６に示したデバイスの作動を説明する図を示す。
【図８】 図５〜７に示したデバイスを組み込んだエネルギー変換装置の図を示す。
【図９】 実施例１に記載した実験で得たグラフデータを示す。
【図１０】 実施例１に記載した実験で得たグラフデータを示す。
【図１１】 実施例１に記載した実験で得たグラフデータを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4K044 AA01 AA12 AA13 AA16 AB02 AB03 BA06 BA08 BB05 BB06 BC14 CA13 CA18 5H029 AJ01 AK11 AL11 BJ02 DJ02 DJ07 DJ09 EJ06 EJ08 HJ04 HJ18

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 支持体； 支持体上の第１電極であって、少なくとも１層の第１金属および少なくとも１
    層の第２金属を含む多重金属層を含んでなる第１電極；および 該支持体上で前記第１電極から離れた位置にある第２電極； を含んでなる電極デバイス。
  2. 【請求項２】 前記層がそれぞれ約５０〜約１０００Åの厚さを有する、請求
    項１に記載の電極デバイス。
  3. 【請求項３】 前記第１金属および前記第２金属が、少なくとも約０．５のフ
    ェルミ準位差を有する、請求項１に記載の電極デバイス。
  4. 【請求項４】 前記第１電極がさらにバリヤー層を含み、前記多重層の少なく
    とも一部が、前記バリヤー層と前記支持体の間に配置された、請求項１に記載の
    電極デバイス。
  5. 【請求項５】 前記第１金属がパラジウムである、請求項１に記載の電極デバ
    イス。
  6. 【請求項６】 該パラジウム層が約５０〜約１０００Åの厚さを有する、請求
    項５に記載の電極デバイス。
  7. 【請求項７】 前記第１電極が少なくとも５つの金属層を有し、前記金属層が
    少なくとも２つのパラジウム層を含む、請求項６に記載の電極デバイス。
  8. 【請求項８】 前記支持体が実質的に平面状である、請求項１に記載の電極デ
    バイス。
  9. 【請求項９】 前記支持体が凹面を含んでなり、前記第１電極が該凹面上に配
    置された、請求項１に記載の電極デバイス。
  10. 【請求項１０】 前記支持体が非導電性である、請求項１に記載の電極デバイ
    ス。
  11. 【請求項１１】 前記支持体がガラスまたはセラミックを含んでなる、請求項
    １０に記載の電極デバイス。
  12. 【請求項１２】 前記金属層がスパッタリングおよび／またはプラズマ蒸着に
    より形成された、請求項１に記載の電極デバイス。
  13. 【請求項１３】 前記第１金属および第２金属が、少なくとも約０．５のフェ
    ルミ準位差を有する、請求項１２に記載の電極デバイス。
  14. 【請求項１４】 前記第１金属がパラジウムである、請求項１３に記載の電極
    デバイス。
  15. 【請求項１５】 水素またはその同位体のイオンの供給源； 前記イオンが可溶性である金属を含む導電素子；および 前記導電素子内に前記イオンが富化された領域が形成される様に前記イオンの
    電気的移動を引き起こすように構成された電池； を含んでなる電池デバイス。
  16. 【請求項１６】 前記導電素子が多重金属層を含んでなる、請求項１５に記載
    の電池デバイス。
  17. 【請求項１７】 前記多重金属層が、少なくとも１層の第１金属および少なく
    とも１層の第２金属を含む、請求項１６に記載の電池デバイス。
  18. 【請求項１８】 前記導電素子の前記富化領域の形成を促進するように構成さ
    れたバリヤー層をも含む、請求項１５に記載の電池デバイス。
  19. 【請求項１９】 前記イオンの供給源が液体電解質を含んでなる、請求項１５
    に記載の電池デバイス。
  20. 【請求項２０】 前記イオンの供給源が固体である、請求項１５に記載の電池
    デバイス。
  21. 【請求項２１】 前記イオンの供給源が金属水素化物を含んでなる、請求項２
    ０に記載の電池デバイス。
  22. 【請求項２２】 前記導電素子が、第２金属の少なくとも１つの層に隣接した
    第１金属の少なくとも１つの層を含む、請求項１９に記載の電池デバイス。
  23. 【請求項２３】 前記第１金属がパラジウムである、請求項２２に記載の電池
    デバイス。
  24. 【請求項２４】 前記導電素子が、少なくとも１層の第２金属に隣接した少な
    くとも１層の第１金属を含んでなる、請求項２１に記載の電池デバイス。
  25. 【請求項２５】 エネルギー変換に適するデバイスであって： 請求項１記載の少なくとも１つの電極デバイス；および 少なくとも１つの熱電変換素子； を含んでなるデバイス。
  26. 【請求項２６】 複数の前記電極デバイスを含む、請求項２５に記載のデバイ
    ス。
  27. 【請求項２７】 複数の前記熱電変換素子を含む、請求項２６に記載のデバイ
    ス。
  28. 【請求項２８】 前記電極デバイスが実質的に平面状である、請求項２６に記
    載のデバイス。
  29. 【請求項２９】 複数の熱電変換素子をも含むデバイスであって、前記電極デ
    バイスと熱電変換素子が交互に配列された、請求項２８に記載のデバイス。
  30. 【請求項３０】 エネルギー変換に適するデバイスであって： 請求項１５記載の少なくとも１つのデバイス；および 少なくとも１つの熱電変換素子； を含んでなるデバイス。
  31. 【請求項３１】 水素またはその同位体のイオンの固体状供給源；および 前記イオンが可溶性である導電素子； を含んでなる電池デバイスであって、 前記固体状供給源が、前記導電素子を介した電流の適用のために前記イオンを
    前記導電素子内へ供給するように配列された電池デバイス。
  32. 【請求項３２】 前記導電素子が多重金属層を含む、請求項３１に記載の電池
    デバイス。
  33. 【請求項３３】 前記多重金属層が、少なくとも１層の第２金属に隣接した少
    なくとも１層の第１金属を含む、請求項３２に記載の電池デバイス。
  34. 【請求項３４】 前記第１金属及び前記第２金属が、少なくとも約０．５のフ
    ェルミ準位差を有する、請求項３３に記載の電池デバイス。
  35. 【請求項３５】 前記固体状供給源が金属水素化物を含んでなる、請求項３１
    に記載の電池デバイス。
  36. 【請求項３６】 気体状水素またはその同位体を、対応するイオン状水素また
    はその同位体に変換するための触媒をも含んでなる、請求項３５に記載の電池デ
    バイス。
  37. 【請求項３７】 前記触媒が白金黒を含んでなる、請求項３６に記載の電池デ
    バイス。
  38. 【請求項３８】 内装部分を有する閉鎖容器を含んでなる電池デバイスであっ
    て、前記固体状供給源および前記導電素子が前記内装部分にある、請求項３１に
    記載の電池デバイス。
  39. 【請求項３９】 前記固体状供給源および前記導電素子が、前記容器の内装部
    分に対応する形状の層として形成された、請求項３８に記載の電池デバイス。
  40. 【請求項４０】 容器の形状が概して円筒形である、請求項３９に記載の電池
    デバイス。
  41. 【請求項４１】 請求項４０に記載の電池デバイスであって： ほぼ円筒形を有する層として形成された前記導電素子； 第１位置での前記導電素子へのアノード接続； 第２位置での前記導電素子へのカソード接続； ほぼ円筒形を有する層として形成された前記固体状供給源；および 前記アノード接続と前記カソード接続の間に位置するバリヤー層； を含んでなり、 前記固体状供給源は、バリヤー層のいずれの側でも前記導電素子への及び前記
    導電素子からの前記イオンの交換であるが、前記バリヤー層を貫通しない交換に
    有効である電池デバイス。
  42. 【請求項４２】 前記導電素子および前記容器と熱交換関係にある熱電変換素
    子をも含んでなる、請求項４１に記載のデバイス。
  43. 【請求項４３】 前記容器の外側に熱伝達素子をも含んでなる、請求項４２に
    記載のデバイス。
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