JP2003517183A

JP2003517183A - Ｏｌｅｄデバイスの品質向上のために改善された透明電極材料

Info

Publication number: JP2003517183A
Application number: JP2001545379A
Authority: JP
Inventors: ツーフロング; カールミヒャエルギュンターエヴァルト; ジンチュアスー
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date: 1999-12-17
Filing date: 1999-12-17
Publication date: 2003-05-20
Also published as: US7098591B1; WO2001045182A1; AU1904100A; DE19983995T1

Abstract

(57)【要約】望ましい固有抵抗が高いキャリヤー濃度で達成される透明な導電性材料は、ＯＬＥＤへの使用のために提供される。１つの実施態様において、透明な導電性材料は、少なくとも７×１０^２０ｃｍ^−３の高いキャリヤー濃度を有するインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）を有する。高いキャリヤー濃度は、ＯＬＥＤデバイスの性能を改善した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】技術分野本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。よりいっそう
詳述すれば、本発明は、ＯＬＥＤデバイスに使用するための改善された透明電極
材料に関する。

【０００２】発明の背景ＯＬＥＤデバイスは、例えばディスプレー、例えばフラットパネルディスプレ
ー（ＦＰＤｓ）を形成させるために使用される。ディスプレーは、多数の異なる
製品、例えばポケットベル、携帯電話およびパーソナルオーガナイザー（person
al organizers）に使用されている。典型的には、ＯＬＥＤは、２個の電極間に
挟まれた１個以上の有機官能層を有する。電荷キャリヤーは、電極によって注入
され、官能層中に再結合され、それによって可視放射を放つ。

【０００３】複数の電極の中の１個は、放射を認めることができる、透明な導電性材料から
形成されている。透明な導電性材料は、適当な性能を有するＯＬＥＤデバイスを
製造するために、低い固有抵抗、光の高い透過率および適当な仕事関数を有する
べきである。

【０００４】ＯＬＥＤの用途に有用である透明な導電性材料は、可視光線の波長範囲内での
高い透過率のためにインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）である。ＩＴＯは、液晶ディ
スプレー（ＬＣＤ）の用途に通常使用されている。しかし、ＬＣＤ用途に使用さ
れるＩＴＯの固有抵抗および仕事関数は、ＯＬＥＤ用途の要件に適合していない
。これは、ＯＬＥＤデバイスにおいて低い性能をまねき、電池で作動される携帯
の用途を非実用的なものにする。

【０００５】また、ＬＣＤに使用されたＩＴＯ層の表面形態（荒さ）は、ＯＬＥＤの用途に
は不適当である。典型的に、ＬＣＤの用途には、ポリイミド被覆の付着を促進さ
せるためにＩＴＯの表面を荒くすることが必要とされる。荒いＩＴＯ表面は、Ｏ
ＬＥＤにとって不利になりうる高い電界を生じる。例えば、高い電界は、短絡を
誘発しうる。それというのも、電極は、約１００〜２００ｎｍ（有機官能層のス
タックの通常の厚さ）の距離で分離されているにすぎないからである。

【０００６】上記の論議から明らかなように、ＯＬＥＤの用途の要件に適合する透明な導電
性層を提供することが望ましい。

【０００７】発明の総括本発明は、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスに関する。ＯＬＥＤデバイスは、
基板のデバイス領域内にＯＬＥＤスタックを含む。ＯＬＥＤスタックは、少なく
とも１つの有機官能層によって分離された第１の導電性電極と第２の導電性電極
を有する。両電極の一方は、透明な導電性材料から形成されている。本発明によ
れば、透明な導電性材料は、高いキャリヤー濃度で達成される望ましい固有抵抗
を有する。高いキャリヤー濃度で達成される望ましい固有抵抗を有する透明な導
電性材料を提供することにより、デバイスの性能が改善されることが見い出され
た。１つの実施態様において、透明な導電性層のキャリヤー濃度は、少なくとも
７×１０^２０ｃｍ^−３である。

【０００８】発明を実施するための最良の形態本発明は、一般にＯＬＥＤデバイスに関する。殊に、本発明は、ＯＬＥＤデバ
イスの性能を向上させる透明な導電性材料を提供する。１つの実施態様において
、透明な導電性材料は、インジウム−酸化錫（ＩＴＯ）を有する。透明な導電性
材料の他の型、例えばインジウム−酸化亜鉛、酸化亜鉛、酸化錫は、有用である
。

【０００９】所定の固有抵抗に関連して、透明な導電性材料中の電荷キャリヤーの濃度は、
ＯＬＥＤデバイスの性能に強い影響を与えうることが見い出された。透明な導電
性材料中の電荷キャリヤーの濃度は、ＯＬＥＤデバイスの性能に直接的な関連を
有している。１つの実施態様において、透明な導電性材料は、高い電荷キャリヤ
ー濃度を有し、ＯＬＥＤデバイスの性能を改善する。好ましくは、透明な導電性
材料は、できるだけ高い電荷キャリヤー濃度を有する。

【００１０】図１は、本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイス１００を示す。ＯＬ
ＥＤデバイスは、基板１０１上に形成された第１の電極１０５と第２の電極１１
５との間に１つ以上の有機官能層１１０を備えている。１つの実施態様において
、基板は、透明な材料である。両電極は、例えば複数のＯＬＥＤセルを形成させ
るためにパターン化され、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスを形成させること
ができる。第１の電極と第２の電極に結合されている結合パッド１５０は、ＯＬ
ＥＤセルへの電気接続を可能にするために備えられている。キャップ１６０は、
デバイスをカプセル封入するために備えられている。

【００１１】両電極の中の一方は、透明な導電性材料を有する。典型的に、例えば透明な基
板１０１上にある第１の電極は、透明である。１つの実施態様において、透明な
導電性材料は、ＩＴＯを有する。ＩＴＯ中の固有抵抗は、ＯＬＥＤの用途のため
の要件を満足させるのに十分な低さである。１つの実施態様において、ＩＴＯの
固有抵抗は、約４×１０^−４Ωｃｍ以下である。固有抵抗は、材料のキャリヤー
移動度およびキャリヤー濃度に関連している。

【００１２】本発明によれば、ＩＴＯの望ましい固有抵抗は、高いキャリヤー濃度で達成さ
れる。１つの実施態様において、ＩＴＯのキャリヤー濃度は、少なくとも約７×
１０^２０ｃｍ^−３である。高いキャリヤー濃度は、ＯＬＥＤデバイスにおける性
能を改善することが見い出された。この結果、低い出力消費が生じ、携帯への適
用のためにＯＬＥＤ用途をよりいっそう実行可能なものにする。

【００１３】図２〜図６は、本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスの製造法を示
す。図２に関連して、その上に単数または複数のセルが形成されている基板２０
１が提供される。１つの実施態様において、透明な基板が提供される。基板は、
通常、ソーダライムまたは硼珪酸塩ガラスを有する。基板として使用するために
、ガラス材料の他の型が使用されてもよい。典型的に、基板は、約０．４〜１．
１ｍｍの厚さである。また、よりいっそう薄手、例えば約２０〜３００μｍの基
板の使用も可能である。

【００１４】透明な導電性層２０５は、基板表面上に付着されている。１つの実施態様にお
いて、透明な導電性材料は、ＩＴＯを有する。他の透明な導電性材料、例えばイ
ンジウム−酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫も有用である。ＩＴＯの厚さは、典型的に
は約４０〜４００ｎｍである。加工処理の問題は、ＩＴＯが厚すぎる場合に起こ
りうる。１つの実施態様において、ＩＴＯは、１５０ｎｍ以下の厚さである。好
ましくは、ＩＴＯ層は、約１２０〜１５０ｎｍの厚さである。ＩＴＯの固有抵抗
は、約４×１０^−４Ωｃｍ以下である。

【００１５】１つの実施態様において、ＩＴＯ層は、例えば高周波マグネトロンスパッタリ
ング工具を用いて基板上にスパッタリングされる。付着パラメーター、例えば温
度、圧力、プロセスガス混合物および付着速度は、付着されたＩＴＯ層の固有抵
抗が高いキャリヤー濃度で達成される程度に制御される。１つの実施態様におい
て、ＩＴＯの電荷キャリヤー濃度は、少なくとも約７×１０^２０ｃｍ^−３である
。好ましくは、ＩＴＯは、できるだけ高い電荷キャリヤー濃度を有する。高いキ
ャリヤー濃度により正孔注入は改善され、エレクトロルミネセンス効率が増加す
る。

【００１６】ＩＴＯは、例えばＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２を有する酸化ターゲットを用いて
スパッタリングされる。ターゲット中のＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２の質量比は、
約９：１である。また、ターゲットの他の組成および型が使用されてもよい。ス
パッタリング法の付着パラメーターは、次の通りである：基板の温度：３００〜４００℃ 加工処理圧：１０^−３〜１０^−５トル加工処理ガス混合物：Ａｒ、Ｈ_２付着速度：１〜１０ｎｍ／分；好ましくは１〜２ｎｍ／分選択的な付着技術、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ強化ＣＶＤまたはレ
ーザー融蝕は、ＩＴＯ層の付着に有用であることができる。

【００１７】付着されたＩＴＯ層は、良好な光学的特性および適当な仕事関数を有し、ＯＬ
ＥＤの用途の要件を満足させる。１つの実施態様において、ＩＴＯは、８５％を
上廻る可視光線波長の範囲内で光の透過率を有する。ＩＴＯの仕事関数は、その
後に形成された有機官能層のイオン化電位に密接に適合している。１つの実施態
様において、ＩＴＯは、約４．８〜５．２ｅＶの仕事関数を有する。

【００１８】好ましくは、ＩＴＯの表面は、比較的に平滑であり、短絡をまねきうる電界の
存在を減少させる。１つの実施態様において、ＩＴＯ表面の平方二乗平均（ＲＭ
Ｓ）荒さは、約２ｎｍ未満であり、強力な電界によって引き起こされる短絡の可
能性を減少させる。

【００１９】図３に関連して、導電性層２０５は、層の一部分を選択的に除去するのに望ま
しいようにパターン化され、基板の一部分３５６を露出させる。パターン化され
た導電性層は、例えばＯＬＥＤセルのための陽極として役立つ。１つの実施態様
において、導電性層は、パターン化され、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスの
陽極に役立つストリップを形成させる。また、パターン化法は、結合パッドのた
めの接続を形成させてもよい。

【００２０】１つ以上の官能性有機層３１０は、基板上に付着され、露出された基板部分お
よび導電性層を被覆する。官能性有機層は、例えば共役ポリマーまたはＡｌｑ_３を有する。官能性有機層の他の型も有用である。有機相の厚さは、典型的に約２
〜２００ｎｍである。

【００２１】図４に関連して、有機層の一部分は、選択的に除去され、例えば結合パッドの
接続のために、領域４７０で下層を露出させる。有機層の選択的な除去は、ポリ
ッシング法によって達成されることができる。他の技術、例えばエッチング、引
掻きまたはレーザー融蝕が使用されてもよく、有機層の一部分を選択的に除去す
ることもできる。

【００２２】図５に関連して、第２の導電性層５１５は、基板上に付着される。この導電性
層は、例えばＣａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌまたはその混合物もしくはその合金
を有する。他の導電性材料、特に低い仕事関数を有する導電性材料は、第２の導
電性層を形成させるために使用されてもよい。１つの実施態様において、第２の
導電性層は、パターン化され、ピクセル化されたＯＬＥＤデバイスのための陰極
として役立つ電極ストリップを形成する。また、結合パッドのための接続は、パ
ターン化処理の間に形成されることができる。

【００２３】また、導電性層は、選択的に付着されることができ、陰極ストリップおよび結
合パッドの接続を形成させる。導電性層の選択的な付着は、例えばマスク層を用
いて達成されることができる。陰極ストリップは、典型的には陽極ストリップと
交叉している。陽極ストリップに対して斜めとなっている陰極ストリップを形成
させることも有用である。上面電極ストリップと底面電極ストリップとの交わり
により、有機ＬＥＤピクセルが形成される。

【００２４】図６に関連して、キャップ６６０は、基板上に取り付けられ、デバイスをカプ
セル封入する。キャップ層は、例えば金属またはガラスを有する。活性成分を環
境から保護する他の型のキャップ、例えばセラミック箔または金属箔も有用であ
る。キャップ層の取付けのために種々の技術を使用することができる。１つの実
施態様において、接着剤は、キャップ層の取付けのために使用される。接着剤、
例えば自硬化接着剤、ＵＶ硬化性接着剤もしくは熱硬化性接着剤またはホットメ
ルト接着剤は、有用である。また、低温ロウ材料を使用する端縁シールの技術、
超音波結合またはインダクタンスもしくはレーザー溶接を用いる溶接技術も有用
である。キャップは、取り付けた場合には、キャップとＯＬＥＤセルとの分離を
提供するキャビティー６４５を形成する。結合パッド６５０は、ＯＬＥＤセルへ
の電気的アクセスを提供するための形成される。

【００２５】試験第１のＯＬＥＤデバイスを弗素を基礎とするポリマー有機官能性材料を用いて
二次加工した。有機官能性材料を透明な導電性陽極と金属陰極との間に挟んだ。
金属陰極は、２００ｎｍの厚さのＡｇ層によって被覆された５０ｎｍの厚さのＣ
ａ層から形成されていた。透明な導電性陽極は、２．７×１０^−４Ωｃｍの固有
抵抗および９×１０^２０ｃｍ^−３の電荷キャリヤー濃度を有するＩＴＯから形成
されていた。

【００２６】ＩＴＯをアルゴン水素混合物中での高周波マグネトロンスパッターを用いてガ
ラス基板上に付着させた。９：１の質量比を有するＩｎ_２Ｏ_３およびＳｎＯ_２を
用いて酸化されたターゲットを使用した。系のベース圧力は、約５．０×１０⁻ ^８トルであった。スパッタリングガス混合物の全圧力を、付着の間、３．０×１
０^−３トルに調節した。水素分圧は、約７〜９×１０^−５トルであった。ＩＴＯ
を約３００〜４００℃の温度で付着させた。

【００２７】第２のＯＬＥＤデバイスを二次加工した。第２のＯＬＥＤデバイスを第１のＯ
ＬＥＤデバイスと同一であるが、しかし、ＩＴＯは、３．２×１０^−４Ωｃｍの
固有抵抗および５×１０^２０ｃｍ^−３の電荷キャリヤー濃度を有していた。この
ＩＴＯフィルムをスパッタリング処理の間にアルゴンだけを用いて製造した。付
着パラメーターの残りは、第１のＯＬＥＤデバイスの製造に使用されたパラメー
ターと同じものであった。

【００２８】２個のＯＬＥＤデバイスの効率を比較するために、１つの試験を行なった。Ｏ
ＬＥＤ電流ならびに輝度を同時に監視しながら、線形バイアスランプをデバイス
に印加した。デバイスの効率を輝度と電流密度を除することによって測定した。
９×１０^２０ｃｍ^−３の高い電荷キャリヤー濃度を有する第１のデバイスは、４
．１４ｃｄ／Ａの最大の効率を達成した。これは、５×１０^２０ｃｍ^−３の低い
電荷キャリヤー濃度を有する第２のデバイスで達成される最大効率よりも１．５
倍高かった。

【００２９】本発明は、種々の実施態様に関連して詳細に示されかつ記載されたが、しかし
、当業者であれば、本発明の精神および範囲を逸脱することなく本発明の変更お
よび変法を作成することができることが認められるであろう。それ故、本発明の
範囲は、上記記載に関連して定められるのではなく、等価の全範囲に沿って係属
された請求項の記載に関連して定められるべきである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１つの実施態様を示す略図。

【図２】本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法
を示す略図。

【図３】本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法
を示す略図。

【図４】本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法
を示す略図。

【図５】本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法
を示す略図。

【図６】本発明の１つの実施態様によるＯＬＥＤデバイスを製造するための１つの方法
を示す略図。

【符号の説明】

１００ＯＬＥＤデバイス、１０１基板、１０５第１の電極、１１
０有機官能層、１１５第２の電極、１５０結合パッド、１６０キ
ャップ、２０１基板、２０５透明な導電性層、３１０官能性有機層
、３５６基板の一部分、４７０領域、５１５第２の導電性層、６
４５キャビティー、６５０結合パッド、６６０キャップ

【手続補正書】

【提出日】平成１４年６月１８日（２００２．６．１８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者フロングツーシンガポール国シンガポールホンレオンガーデンナンバー05−07 ウェストコーストドライヴ 75 (72)発明者エヴァルトカールミヒャエルギュンターシンガポール国シンガポールマウントシナイライズ 21ディー (72)発明者スージンチュアシンガポール国シンガポールチェンスーンクレセント 37 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB05 AB08 CB01 DB03 FA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】デバイス領域を備えた基板；およびデバイス領域中のＯＬＥＤスタックからなる有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイスに
おいて、このＯＬＥＤスタックが第１の電極として役立つ透明な導電性層、この場合この透明な導電性層は、高い
キャリヤー濃度で達成された固有抵抗を有し、第２の電極として役立つ導電性層および第１の電極と第２の電極を分離する少なくとも１つの有機官能層を備えているこ
とを特徴とする、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバイス。
【請求項２】透明な導電性層の固有抵抗が約４×１０^−４Ωｃｍ以下であ
る、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】透明な導電性層がインジウム−酸化錫を有する、請求項２記
載のデバイス。
【請求項４】透明な導電性層がインジウム−酸化錫、酸化亜鉛または酸化
錫からなる群から選択された材料を有する、請求項２記載のデバイス。
【請求項５】キャリヤー濃度が少なくとも約７×１０^２０ｃｍ^−３である
、請求項１から４までのいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光
の透過率を有する、請求項５記載のデバイス。
【請求項７】透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合し
た仕事関数を有する、請求項５記載のデバイス。
【請求項８】透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有す
る、請求項５記載のデバイス。
【請求項９】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の光
の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満の
ＲＭＳ表面荒さを有する、請求項５記載のデバイス。
【請求項１０】キャリヤー濃度が約７×１０^２０ｃｍ^−３〜約９×１０^２ ^０ｃｍ^−３である、請求項１から４までのいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１１】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の
光の透過率を有する、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合
した仕事関数を有する、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１３】透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有
する、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１４】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の
光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満
のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１５】基板を準備し；透明な導電性層を基板上に付着させることにより、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）デバ
イスを製造する方法において、透明な導電性層が高いキャリヤー濃度で達成され
た固有抵抗を有し；基板を加工処理し、ＯＬＥＤデバイスを形成させることを特徴とする、有機ＬＥ
Ｄ（ＯＬＥＤ）デバイスを製造する方法。
【請求項１６】加工処理により第１の電極として使用するために透明な導電性層を付着してパターン化し；官能性有機層を第１の電極上に付着し；導電性層を有機官能層上に付着し；導電性層をパターン化し、第２の電極を形成し、その際パターン化された第１の
電極と第２の電極との間の官能性有機層は、ＯＬＥＤセルを形成し；キャップを基板上に取り付け、ＯＬＥＤデバイスをカプセル封入する、請求項１
５記載のデバイス。
【請求項１７】透明な導電性層の固有抵抗が約４×１０^−４Ωｃｍ以下で
ある、請求項１６記載のデバイス。
【請求項１８】透明な導電性層がインジウム−酸化錫を有する、請求項１
７記載のデバイス。
【請求項１９】透明な導電性層がインジウム−酸化錫、酸化亜鉛または酸
化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項１７記載のデバイス。
【請求項２０】透明な導電性層の固有抵抗が約４×１０^−４Ωｃｍ以下で
ある、請求項１５記載のデバイス。
【請求項２１】透明な導電性層がインジウム−酸化錫を有する、請求項２
０記載のデバイス。
【請求項２２】透明な導電性層がインジウム−酸化錫、酸化亜鉛または酸
化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項２０記載のデバイス。
【請求項２３】透明な導電性層がインジウム−酸化錫を有する、請求項１
５記載のデバイス。
【請求項２４】透明な導電性層がインジウム−酸化錫、酸化亜鉛または酸
化錫からなる群から選択された材料を有する、請求項１５記載のデバイス。
【請求項２５】キャリヤー濃度が少なくとも約７×１０^２０ｃｍ^−３であ
る、請求項１５から２４までのいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項２６】透明な導電性層の付着が透明な導電性層を基板上にスパッ
タリングすることからなる、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の
光の透過率を有する、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合
した仕事関数を有する、請求項２６記載の方法。
【請求項２９】透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有
する、請求項２６記載の方法。
【請求項３０】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の
光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満
のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項２６記載の方法。
【請求項３１】キャリヤー濃度が約７×１０^２０ｃｍ^−３〜約９×１０^２ ^０ｃｍ^−３である、請求項１５から２４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】透明な導電性層を付着することが透明な導電性層を基板上
にスパッタリングすることからなる、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の
光の透過率を有する、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】透明な導電性層が有機官能層のイオン化電位に密接に適合
した仕事関数を有する、請求項３２記載の方法。
【請求項３５】透明な導電性層の表面が２ｎｍ未満のＲＭＳ表面荒さを有
する、請求項３２記載の方法。
【請求項３６】透明な導電性層が８５％を上廻る可視光線波長の範囲内の
光の透過率、有機官能層のイオン化電位に密接に適合した仕事関数、２ｎｍ未満
のＲＭＳ表面荒さを有する、請求項３２記載の方法。