JP2003505685A - コリオリ効果トランスデューサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 共振構造体（４７）における振動方向の軸（２１）に沿って振動する質量（１４）を有するコリオリトランデューサ（１０）をテストする方法。前記振動に垂直な受感軸（２７）に沿った変位を受ける。また、互いに直角な速度検出軸（２５）の周りの角速度に応答する。角速度がないときに、付勢力は、質量に、所定の率Ｎで受感軸に沿うとともに振動方向に沿って印加される。トランデューサの出力ＡＨ、その応答として計測される。このような方法とともに、公知の入力角速度がシミュレーションされる。これにより、比例定数Ｋが高価なレートテーブルテストを行うことなく計算される。さらに、テストはトランデューサのパッケージ化の前に行われるため、機械的変換構造の同一半導体ウエハー上に集積形成される電子部材を容易にトリミングすることができ、所望の比例定数Ｋを得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 （技術分野） 本発明は、コリオリ効果トランスデューサに関し、より詳しくは、このような
トランスデューサのテスト又は較正構造体に関する。

【０００２】 （背景技術） この分野では知られているように、コリオリ効果トランスデューサは、角速度
を測定するために使用される。より詳しくは、トランスデューサ本体に対して、
相対的な速度ｖを有する質量ｍが、質量の速度に垂直な速度検出軸に対して角速
度Ω_ＩＮを経験する場合、質量は、速度ｖ及び速度検出軸の両方に対して垂直な
受感軸に沿った、Ａ_ＣＯＲ＝２ｖΩ_ＩＮのコリオリ加速度を経験する。よって、
質量上に、受感軸に沿った、ｍＡ_ＣＯＲに等しいコリオリの力Ｆ_ＣＯＲが生成さ
れる。質量の動きは、機械的なばね又は電気的なサーボ機構などの機械的又は電
気的な抑制部によって、コリオリの力の方向に制限される。質量は、受感軸にそ
って、ｙ＝Ｆ_ＣＯＲ／ｋだけ移動し、ここでｋは、ばね定数又はばねコンプライ
アンスの逆数などの定数である。この移動量ｙは、例えば、一方のプレートが該
質量に機械的に結合され、他方のプレートがトランスデューサの本体に対して固
定されている、コンデンサのプレート間ギャップ内の線形の変化（すなわち移動
）によって生成される容量の差を測定する装置などの、いずれの移動量トランス
デューサによって測定されてもよい。装置は次に、この容量の変化に比例した、
電気出力信号Ｖ_ＯＵＴを生成する。よって、このようなコリオリトランスデュー
サは、出力電気信号Ｖ_ＯＵＴ＝ＫΩ_ＩＮを生成する。ここで、Ｋは、トランスデ
ューサの物理的性質及び電気的性質の関数である、比例定数である。

【０００３】 Ｋを決定するためには、較正処理が使われる。このような較正処理は典型的に
、トランスデューサを速度テーブル上に設定し、速度検出軸に対して既知の入力
角速度Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ}を与えつつ、出力信号Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}を測定するこ
とを含む。比例定数Ｋは、Ｋ＝Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}／Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ}にしたが
って決定される。この較正処理はＫを決定できるが、時間がかかり、したがって
、トランスデューサのコストを増加させる。

【０００４】 これもまた、この分野では知られているように、比較的低コストなコリオリト
ランスデューサを提供するために使われる１つの方法として、微小加工が挙げら
れる。このような微小加工されたコリオリトランスデューサの１つが、１９９５
年６月６日に発行された本発明者による米国特許第５，６３５，６４０号に記載
されている。この特許の内容全てを本特許出願に組入れる。

【０００５】 また、梱包されたコリオリセンサの量的機能を、最終用途の段階で確認できる
ことが非常に有用である。より詳しくは、このようなセンサが自動車の転覆（au
tomotive rollover）やすべり止め応用法（アンチスキッドアプリケーション）
に使用された場合、このようなセンサは、安全上重要なものとなり、センサが使
用される度に、高い信頼性を持って正確な機能を確立することができれば、セン
サの有効性が高められる。下に説明するように、本発明は、高い信頼性を持って
機能をテストする手段を提供する。

【０００６】 （発明の開示） 本発明によれば、共振構造体内の振動方向に沿って振動する質量であって、速
度検出軸に対する角速度に応答して、受感軸に沿って移動する質量ｍを有する本
体を備えるコリオリトランスデューサをテストする方法が提供される。移動は、
振動及び速度検出軸の両方に対して垂直である。該方法は、質量に、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} 及びＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}の力を、それぞれ振
動方向に沿って及び受感軸に沿って、所定の比率Ｎで与えるステップと、Ｆ_{ＴＥ ＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} 及びＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}の力に応答する
トランスデューサの出力増分Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}を測定するステップと、を含む
。Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}は、通常動作中の振動駆動力と同一である。

【０００７】 このような方法によれば、既知のテスト入力角速度Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ} がシミュレートされ、このような速度Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}は、測定された
、共振構造体の特性周波数の、既知の関数である。よって、比例定数Ｋ＝Ｖ_{ＯＵ Ｔ} ／Ω_ＩＮ＝Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}／Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}は、高価なレート
テーブルテスト無しに計算できる。更に、テストは、トランスデューサが梱包さ
れる前に実行できるため、望ましい比例定数Ｋを可能にするために、機械的な変
換構造体と同じ半導体ウェーハ上に一体化して形成された電子機器を容易に仕上
げることができる。

【０００８】 本発明のもう１つの特徴によれば、トランスデューサの質量は、共振構造体内
に含まれる。テスト又は較正モードの際、力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}及
びＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}が質量の共振周波数又はそれに近い周波数を
有し、速度検出軸に対する入力角速度が存在しない場合、質量の速度は、Ｆ_{ＴＥ ＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} ／Ｄが主となり、ここで、Ｄは共振構造体内の本体の
減衰定数である。よって、このような条件下では、シミュレートされた入力角速
度Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}＝｛Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}／Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} ｝｛ＢＷ／２｝がトランスデューサに与えられ、ここでＢ
Ｗは、共振構造体の共振帯である。このようなシミュレートされた入力角速度Ω _{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ} ＝｛Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}／Ｆ_{ＴＥＳＴ Ｖ ＩＢＲＡＴＯＲＹ} ｝｛ＢＷ／２｝に応答し、トランスデューサの出力Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ} は、Ｋ｛ＢＷ｝／２Ｎ、すなわち、Ｋ＝２Ｎ｛Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}｝／
ＢＷとなる。質量に、振動方向に沿って振動力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} を与えるために使われる機構と、質量に、受感軸に沿って力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮ ＳＩＴＩＶＥ} を与えるために使われる機構とは、トランスデューサの、近い領域
に作製されるため、一致した物理的特性及び電気的特性を有する。よって、一方
の付力（付勢力）機構の形成中に受ける製作変動は、他方の付力（付勢力）機構
にも生じ、よって、サイズ比Ｎは、このような製作変動からは独立している。こ
の結果、振動方向力と受感軸力との比率Ｎ＝Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}／
Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}が、各々の機構の絶対的な大きさではなく、機
構の大きさ比に関連することにより、このような比率Ｎが、構造体の設計によっ
て正確に固定できる。つまり、比率Ｎは、製作許容差から独立している。

【０００９】 残りのパラメータ、共振構造体の共振帯ＢＷは、共振構造体の周波数応答測定
から、直ちに、そして迅速に確かめることができる。共振帯ＢＷは、製作変動と
共に変化するが、共振帯は、トランスデューサへ既知の入力角速度を与える必要
の無い周波数応答測定から測定可能である。

【００１０】 １つの実施の形態では、通常モード及びテストモードの両方の際の振動方向付
力機構Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}及びテストモードの際に使われる受感軸
付力機構Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}は、静電的に駆動されるフィンガであ
る。よってＮは、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}を生成するために使われるフ
ィンガの数と、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}を生成するために使われるフィ
ンガの数との比である。この結果、比例定数Ｋの正確な決定が達成される。

【００１１】 本発明のもう１つの実施の形態によれば、テストモードの際には、力Ｆ_{ＴＥＳ Ｔ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ} 及びＦ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}は、固有共振周波
数ω_０よりも低い周波数ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}で与えられる。このような場合、シミ
ュレートされたΩ_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}＝｛ω_０ ^２｝／｛２Ｎω_{ＡＰＰＬＩＥ Ｄ} ｝であり、この場合、固有周波数ω_０が測定され、較正のために使われる（す
なわち、測定され、較正に使われる、共振構造体の特性周波数は固有周波数ω_０ である）。特に、振動方向力及び受感軸力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}及び
Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}が、それぞれＮの比率及びΩ_ＩＮ＝０でトラン
スデューサに与えられた時に、比例定数Ｋ＝Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}／Ω_{ＩＮ ＴＥ ＳＴ ＳＩＭ} ＝｛２Ｎω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}／ω_０ ^２｝｛Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}｝が決
定され、Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}はトランスデューサの出力において測定される。

【００１２】 本発明のもう１つの実施の形態によれば、テストモード中に、力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ} 及びＦ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}が、固有共振周波数ω _０ よりも大きい周波数ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}で与えられ、シミュレートされたΩ_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ} ＝ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}／２Nである。この場合、較正に使われ
る特性周波数は、ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}である。特に、受感方向力及び振動軸力Ｆ_{Ｔ ＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} 及びＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}が、それぞれ
、比率Ｒで、Ω_ＩＮ＝０でトランスデューサに与えられた場合に、比例定数Ｋ＝
｛２Ｎ／ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}｝｛Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}｝が決定され、Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ} は、トランスデューサの出力において測定される。

【００１３】 本発明のもう１つの態様によれば、振動方向付力機構及び受感軸付力機構は、
トランスデューサの、近い領域にある。

【００１４】 本発明の更にもう１つの態様によれば、振動方向付力機構及び受感軸付力機構
は、一致した物理的特性及び電気的な特性を有する。

【００１５】 本発明のもう１つの態様によれば、コリオリトランスデューサが提供される。
該トランスデューサは、共振構造体を備え、該共振構造体は、共振構造体内の振
動方向に沿って振動する質量であって、速度検出軸に対する角速度に応答して、
該振動と垂直な受感軸に沿って、振動及び速度検出軸の両方に垂直に移動する質
量を有する。トランスデューサは、通常動作モードとテストモードの両方におい
て、振動方向に沿って、質量に振動方向力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}を与
えるよう適合された振動方向付力機構を含む。また、受感軸付力機構も設けられ
、この機構は、このような受感軸付力機構が質量と結合された時に、振動方向力
と同時に、受感軸に沿って、力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}を質量に与える
ように適合される。テストモードの際に受感軸付力機構と質量とを結合させ、通
常動作モードの際に受感軸付力機構と質量とを分断するよう適合されたスイッチ
が設けられる。

【００１６】 （発明を実施するための最良の形態） 図１は、本発明に係る超微小コリオリトランスデューサ１０の動作を理解する
ために有益な概略図である。トランスデューサ１０は、一枚の水晶半導体（ここ
ではシリコン）基板１２上に超微小加工されている。トランスデューサ１０は、
本体つまり質量１４を有する。トランスデューサ１０は一対のスイッチ１３、１
５を有する。通常の動作モード中、スイッチ１３は図示するように開状態にあり
、スイッチ１５は、入力振動方向付勢機構２２（ここでは付勢電極）を 振動軸
出力検出機構４０（ここでは検出電極）に接続する。この接続は、微分器３１に
よって提供される正のフィードバック関係において行う。このような正のフィー
ドバックループにより質量１４は、共振周波数Ｑ_０で共振構造体４７において共
振する。このような通常の動作モード中、質量１４は速度Ｖで、トランスデュー
サ１０の基板１２に対して振動する。以下で説明するように、速度Ｖは共振構造
体４７の共振帯域幅ＢＷの関数である。振動する質量１４が、質量の動き（ここ
では振動軸２１に沿った直線的な動き）の方向に垂直な速度検出軸２５の囲りで
角速度Ω_ＩＮである場合は常に、質量１４は、受感軸２７に沿ってコリオリ加速
Ａ_ＣＯＲ＝２ＶΩ_ＩＮを受ける。

【００１７】 受感軸２７は、速度Ｖ（つまり振動方向、ここでは軸２１）および速度検出軸
２５の双方に対して垂直である。したがって、質量１４上に受感軸２７に沿って
、ｍＡ_ＣＯＲと等しいコリオリ力Ｆ_ＣＯＲが生成される。ここで、ｍは質量１４
である。

【００１８】 質量１４の動きは、機械的または電気的な抑制部（機械的なバネや電気的なサ
ーボ機構等であり、ここでは機械的なバネ型の抑制部２３で表す）により、コリ
オリ力の方向に制限される。質量は、受感軸２７ｂに沿って変位ｙ＝Ｆ_ＣＯＲ／
ｋを受ける。この時ｋは定数であり、ここではバネ型の抑制部（つまり、撓み部
（flexures）２３）のバネ定数（つまり、バネコンプライアンスの逆数）である
。この変位ｙは、任意の変位トランスデューサで測定してもよい。このトランス
デューサは例えば、差動コンデンサが有する、一枚は質量１４と機械的に連結し
、他方はトランスデューサ１０の基板１２に対して固定されたプレート同士の間
のギャプ２４を直線的に変化させる変位によって生じる容量の差を計測する装置
（つまり、受感軸出力検出機構３０の検出電極）等でもよい。次にこの装置（例
えば、受感軸出力検出機構３０の検出電極）は、信号調整回路２８から電気出力
信号Ｖ_ＯＵＴを生成する。出力信号Ｖ_ＯＵＴは容量の変化に比例する。したがっ
て、このようなコリオリトランスデューサ１０は、出力電気信号Ｖ_ＯＵＴ＝ＫΩ _ＩＮ を生成する。ここでＫは、トランスデューサ１０の物理的および電気的特性
の関数である比例定数である。この比例定数Ｋは、以下に説明するテスト手順お
よびテスト構造で決定される。しかし、ここでは、このテストは周知の入力角速
度Ω_ＩＮの適用を要せず、したがって、トランスデューサの梱包前に行ってもよ
い、とだけ述べれば十分であろう。

【００１９】 上で簡単に述べたように、トランスデューサ１０は、質量１４を有する共振構
造体４７を有する。質量の振動は、機械的または電気的な抑制部（機械的なバネ
または電気的なサーボ機構であり、ここでは機械的なバネ型の抑制部１８で表す
）によって制限される。質量１４の振動は、質量１４と基板１２との間のせん断
粘性(shear viscosity)により減衰される。ここでは、このような減衰はダッシ
ュポット１９で表す。したがって、共振構造体４７は、正規化された振幅特性を
有する二次システムで示されてもよい。

【００２０】 ω_０ ^２／｛［ω_０ ^２−ω^２］＋ｊ［ωω_０／Ｑ］｝ ここで、ω_０は共振構造体４７の自然な共振周波数であり、Ｑ＝ω_０／ＢＷにお
いてＢＷは、構造的な共振の帯域幅（つまり、共振ピークの３ｄｂ帯域幅）であ
り、ｊは−１の平方根であり、ωは質量１４の振動周波数である。このような共
振構造体４７の伝達関数は周知である。

【００２１】 二次システムの特徴を述べてきたが、図１に示す特定の共振構造体４７の正規
化された機械的な反応特徴を｛Ｋ_０／ｍ｝／［｛Ｋ_０／ｍ｝−ω^２］＋ｊ｛Ｄ／
ｍ｝ωとして表してもよい。この時、Ｋ_０は抑制部１８の堅さであり、ｍは質量
１４であり、Ｄはダッシュポット１９で表されるせん断減衰（Shear damping）
である。

【００２２】 共振ω_０において、共振構造体４７は、入力振動方向付勢機構２２と振動軸出
力検出機構（つまり、振動軸出力検出機構４０の検出電極）との間で９０度の位
相シフトを生じることが分かる。通常の動作モードおよびテストモード中、振動
軸出力検出機構４０は微分器３１およびスイッチ１５を介して入力振動方向付勢
機構２２と連結する。ここで微分器３１は、振動軸出力検出機構４０の差動コン
デンサ出力検出電極を介して質量１４と連結する入力を有する増幅器から出来て
いる。したがって、上述のように、正のフィードバック構成が、テストモードお
よび通常の動作モードの双方において、質量１４を振動方向に沿って共振周波数
ω_０で振動させることが実証される。

【００２３】 トランスデューサ１０をテストつまり較正するために、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲ ＡＴＯＲＹ} およびＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}を同時に、振動の方向（つま
り振動方向、ここでは軸２１）および受感軸２７にそれぞれ沿って、質量１４に
適用する。力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}およびＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴ ＩＶＥ} は所定の比率Ｎで適用される。この適用は、速度検出軸２５の囲りに角速
度（Ω_ＩＮ＝０）を故意に適用しない状態で行う。さらに、トランスデューサ出
力Ｖ_ＯＵＴを測定する。テストモード中、このような出力Ｖ_ＯＵＴをＶ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ} として示す。

【００２４】 したがって、テストモード中、トランスデューサ１０のＶ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}を
Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}およびＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}に応じ
て測定する。つまり、テストモード中、力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}を入
力振動方向付勢機構２２により質量１４に適用する。このような力は、共振構造
体４７の周囲にあるスイッチ１５および微分器３１によって作られる正のフィー
ドバックループによって生成される。同時に、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ} を振動方向（ここでは軸２１）に沿って質量１４に適用するので、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ} が、感受軸付勢機構３２によって受感軸２７に沿って質量１
４に適用される。テストモード中、スイッチ１３は、振動軸付勢機構２２に適用
される電子信号と同じ電子信号が感受軸付勢機構３２に適用されるように、配置
される。これまでに簡単に述べたように、振動軸付勢機構２２および感受軸付勢
機構３２は双方共、静電気的に連結されたフィンガ（fingers）である。これら
フィンガは、相互に９０度ずれているが、同じ物質で同じ形状に形成される。し
たがって、フィンガ２２、３２は共に同じ電気信号で駆動されるので、Ｆ_{ＶＩＢ ＲＡＴＯＲＹ} ／Ｖ_{ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}＝Ｎであり、この時のＮは、受感軸付勢機
構のフィンガの数に対する振動方向付勢機構のフィンガの数の比率である。ここ
では、例えばＮ＝２７０とする。

【００２５】 共振に近くの特定の共振構造体４７の特性から、振動する質量１４の速度Ｖが
実質的にＦ_{ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}／Ｄであることがわかる。したがって、Ｆ_ＣＯＲ ＝２Ω_ＩＮＦ_{ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}｛ｍ／Ｄ｝および、入力角速度Ω_ＩＮ＝Ｆ_{ＣＯ Ｒ} ／［２Ｆ_{ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}｛ｍ／Ｄ｝］となる。上述のように、比例定数Ｋ
＝Ｖ_ＯＵＴ／Ω_ＩＮである。したがって、Ｋ＝Ｖ_ＯＵＴ｛２Ｆ_{ＶＩＢＲＡＴＯＲ Ｙ} ｛ｍ／Ｄ｝｝／Ｆ_ＣＯＲ。テストモード中、任意の入力角速度をトランスデュ
ーサから除去して（つまり、Ω_ＩＮ＝０）、実際のコリオリ力Ｆ_ＣＯＲに代えて
Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}を受感軸２７に適用すれば（この時、Ｆ_{ＶＩＢ ＲＡＴＯＲＹ} ／Ｖ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}＝Ｎ）、ＫはＶ_{ＯＵＴ ＴＥＳ Ｔ} ［２Ｎ｛ｍ／Ｄ｝と等しくなるであろう。上記の振幅特性の３ｄｂ点から、Ｄ
／ｍ＝ＢＷであることがわかる。したがって、Ｋ＝Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}［２Ｎ/
ＢＷ］。この結果、製造時のばらつきのためにパラメータｍおよびＤはトランス
デューサ毎に異なるので、共振近くで動作する場合に、これらが特性周波数（つ
まりＢＷ）を規定する。

【００２６】 つまり、このようなテスト方法によれば、Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}を
受感軸に沿って適用することで周知のテスト入力角速度Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩ Ｍ} を模擬する。このようなテスト入力角速度Ｑ_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}は、測定
された特性周波数の周知の関数である。共振近くでは、この特性周波数は共振の
帯域幅ＢＷである。したがって、比例定数Ｋ＝Ｖ_ＯＵＴ／Ω_ＩＮ＝Ｖ_{ＯＵＴ Ｔ ＥＳＴ} ／Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}は、梱包前に速度テーブル（rate table）を
用いずに算出できる。

【００２７】 Ｋを決定するためにはＢＷを決定する必要である。共振構造体４７のＢＷは、
共振構造体４７の実際の周波数反応を決定することで、決定してもよい。したが
って、図１に示すようにスイッチ１３は開状態であり、スイッチ１５は、図１に
示すように振動付勢機構２２を可変オスシレータ３３に接続する。微分器の出力
Ｖ_{ＯＵＴ ＦＲＥＱ． ＲＥＳＰＯＮＳＥ}を測定する。オスシレータ３３の周波
数は、Ｖ_{ＯＵＴ ＦＲＥＱ． ＲＥＳＰＯＮＳＥ}を測定して、共振のピーク（つ
まり帯域幅ＢＷ）の３ｄｂ点を決定する間、共振周波数付近ω_０で変化する。し
たがって、比例定数Ｋを決定できる。

【００２８】 図２は、トランスデューサ１０をより詳細に示す。この図で質量１４（ここで
質量１４は発振または振動する）は、加速度計フレーム１６の４つの角の各々に
おいて加速度計フレーム１６から撓み部２３によって吊られている。この撓み部
２３は、同時係属中の「Ｍｉｃｒｏｍａｃｈｉｎｅｄ Ｇｙｒｏｓ」（１９９７
年９月２日出願、出願番号０８／９２１，６７２号、本明細書の譲渡人に譲渡済
み）に開示されたものと同類である。この明細書の全ての主題を引用して援用す
る。フレーム１６は、図示するように、固定ポイント１１で半導体基板１２に固
定されている。質量１４は、振動方向付勢機構２２の駆動フィンガの電気的誘引
により、振動方向（ここでは軸２１）に沿って、振動または発振するように構成
されている。この振動または発振は、通常のモードまたはテストモード中に微分
器３１の出力によって、または、共振構造体の周波数反応を測定して共振帯域幅
ＢＷを検出する際のオスシレータ３３によって、振動方向付勢機構２２の係る駆
動フィンガに供給される交流電流に応じて、なされる。より具体的には、振動方
向付勢機構２２に用いられる駆動フィンガの第１の組２２ａは基板１２に固定さ
れ、これと相互にかみ合っており、振動方向付勢機構２２に用いられる駆動フィ
ンガの第２の組２２ｂは、質量１４に一体的に装着される。交流電流信号を、電
気機械構成体を介して適用する。これと同等の回路を図２に示す。ここでは、振
動方向付勢機構２２の駆動フィンガが、振動軸２１に沿って、第２の組２２ｂを
第１の組２２ａに対して振動させる、とだけ述べれば十分である。したがって、
質量１４は、図２に示す電気機械構成体によって設定される周波数で、振動軸２
１に沿って振動する。この構成体は、振動方向付勢機構２２の駆動フィンガに交
流電流を供給する。テストおよび通常のモードでは、交流電流の周波数は、吊る
された質量１４の機械的な共振周波数ω_０と同じ周波数である。

【００２９】 フレーム１６は、サスペンション撓み部２３により、基板１２に対して振動軸
２１に沿った動きを抑制されている。フレーム１６は、ポイント１１において基
板１２に固定されている。質量１４は、フレーム１６の内部領域において懸架さ
れ、フレーム１６の動きとは独立して、フレーム１６に対して振動軸２１に沿っ
て運動すべく配置されている。さらに、フレーム１６と質量１４は、撓み部１８
，２３の抑制効果により、受感軸(sensitive axis)２７に沿って一緒に移動しな
い限りは、受感軸２７に対する動きを禁じられている。

【００３０】 振動方向付力機構２２の振動フィンガに印加された振動駆動信号により、質量
１４が基板に対して振動（dither）し、振動軸２１及び受感軸２７いずれに対し
ても垂直な速度検出軸２１に沿って角速度Ω_ＩＮが基板に与えられると、受感軸
２７に沿って質量１４にコリオリ力Ｆ_ＣＯＲ（すなわち、コリオリ加速Ａ_ＣＯＲ ）が付与される。このコリオリ力が、ばねのように作用するサスペンション撓み
部１８により、受感軸２７に沿って質量１４からフレーム１６に伝わる。受感軸
２７に沿った質量１４の移動ｙは、速度検出軸２５を中心とする質量１４の角速
度Ω_ＩＮと、撓み部２３のばね同様の抑制力のコンプライアンスの両者の関数で
ある。したがって、角速度Ω_ＩＮに対し、質量１４とフレーム１６とは受感軸２
７に沿って一緒に移動する。フレーム１６は、受感軸２７に対して距離ｙだけ移
動する。この距離ｙにより、検出軸出力検出機構３０のフィンガの出力の組にお
いて容量に変化が生じる。検出軸出力検出機構３０の出力フィンガは、基板１２
に固定された３０ａの組と、図示されるようにフレーム１６と一体形成され、差
分容量（differential capacitor）を形成する、交互嵌合セット３０ｂとを有す
る。容量の変化は、図２に示され、図１に示されるトランスデューサの機械部分
と共に集積回路として基板１２に形成された電子信号調整回路２８により検出さ
れる。信号調整回路２８(図２)は、電圧または電流である電気信号Ｖ_ＯＵＴ（あ
るいは、テストモードにおいてはＶ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}）を出力する。よって、ス
ケール(目盛)係数Ｋは、入力速度Ω_ＩＮに対する出力信号レベルＶ_ＯＵＴの割合
を表す。

【００３１】 なお、付与された力に対する応答は、微分器３１、振動軸出力検出機構（すな
わちピックオフ）４０、入力振動方向付力機構（付力部材）２２、及び共振構造
体４７に関連する発振ループの正確な機能に依存するが、これはこのループによ
り検出軸付力機構（すなわちテスト付力部材）３２に対する正確な駆動形式が提
供されるためである。この応答は、さらに、検出軸出力検出機構（すなわち、コ
リオリ(振動)加速度計センサ）３０の検出電極及びその信号調整回路２８の機能
にも依存している。これらのいずれかの機能が部分的にでも禁じられると、応答
は量的に不正確になる。よって、セルフテストをオンにして出力電圧における増
分変化の大きさをチェックすることにより、装置の完全な機能を確認できる。こ
れは、安全アプリケーションにおける大きな効果である。

【００３２】 図３及び図４においては、質量に振動方向の力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＩＯ Ｎ} を与えるための機構と、質量に受感軸に沿った力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩ ＶＥ} を与えるための機構とが、トランスデューサに近い領域（proximate region
s）において、両者の物理的及び電気的特性が整合されるようにトランスデュー
サに微細加工されている。よって、これらの付力機構の一方を形成する際に発生
する製造のばらつきは、他方の付力機構に対しても発生する。この場合、両者の
サイズの比は、このような製造のばらつきとは無関係である。したがって、受感
軸と振動方向の力の比Ｎが、これらの各機構の絶対サイズに対してではなく、こ
れらの機構のサイズ比に関連していれば、この比率Ｎを簡単かつ正確に決定でき
る。ここで、付力機構は静電的に駆動されるフィンガであるので、Ｎは単に、力
Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＩＯＮ}を生成するフィンガの数の、力Ｆ_{ＴＥＳＴ Ｓ ＥＮＳＩＴＩＶＥ} を生成するフィンガの数に対する割合である。ここで、力Ｆ_{Ｔ ＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ} を生成するためのテストフィンガは能動フィンガを
１つのみ有し、それ以外のフィンガは、力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＩＯＮ}を生
成するフィンガに関して生成されたのと同じ静電フリンジ電界効果を能動フィン
ガに対して生成するために設けられている。このように、駆動が整合されている
ことにより、さらには、較正処理に必要なのが、力の割合に対する知識だけであ
り、このような力の絶対的な大きさの知識は不要なので、比例定数Ｋを正確に決
定することができる。

【００３３】 図５及び図６には、コリオリトランスデューサの別の実施形態である、電磁駆
動型トランスデューサ１０’が示されている。まず、トランスデューサ１０’は
、トランスデューサ１０と同一部材を有し、このような共通の部材にはトランス
デューサ１０で用いた符号が付されている。ただし、この場合、トランスデュー
サ１０に用いられた静電振動方向付力機構２２及び静電受感軸付力機構３２を設
ける代わりに、トランスデューサ１０’は、電磁振動方向付力機構２２’及び電
磁受感軸付力機構３２’をそれぞれ備える。

【００３４】 より詳細には、磁界は、永久磁石などの図示されない任意の適当な手段により
速度検出軸２５に沿って生成される（すなわち、磁界は図５の紙面に対して垂直
であり、図５において（ｘ）及び符号５０で示されている）。振動方向浮力機構
２２’は、それぞれが長さＬを有する複数の（ここではＮ個の）電流搬送導電セ
グメント５１を含む。（ここでは、本発明を理解する目的で６つのセグメント５
１だけを示しているが、もちろんこれより多数のセグメントを使用することも可
能である。）複数の電流搬送導電セグメント５１は、図示される様に、受感軸２
７の方向に沿って加速度計フレーム１６に設けられている。これらのセグメント
５１は、図示されるように、コンダクタ５３によって直列に電気接続され、最初
と最後のセグメント５１は、図示されるように、コンダクタ５５によって端子Ｙ
、Ｙ’に接続されている。図６に関連してより詳細に後述するが、通常モードと
テストモードのいずれにおいても、セグメント５１には端子Ｙ及びＹ’を介して
交流電流が印加される。セグメント５１を介する磁界５０の交流電流に対する効
果は、振動軸２１に沿ってセグメント５１に振動力Ｆ_{ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}が生成
されることである。このような振動力により、加速度計フレーム１６が振動軸２
１に沿って振動する。テストモードにおいては、振動力は力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢ ＲＡＴＯＲＹ} である。テスト及び通常のいずれのモードでも、セグメント５１に
かかる力は、磁界、電流及びセグメント５１の長さに比例する。ここでは、Ｎ個
のセグメント５１のそれぞれが同じ長さＬを有する。

【００３５】 受感軸付力機構３２’は、図示されるように、コンダクタ５４によって端子Ｚ
及びＺ’に接続する、長さＬの電流搬送導電セグメント５２を含む。なお、ここ
では、トランスデューサ１０’の動作を理解するために便宜上１つのセグメント
５２のみを示しているが、さらなるセグメントを使用することができる。図示さ
れる様に、セグメント５２は、振動軸２１に沿って加速度計フレーム上に配置さ
れている。図６に関連してより詳細に後述するが、テストモードにおいて、セグ
メント５２には端子Ｚ及びＺ’を介して交流電流が印加される。セグメント５２
を介する磁界５０の交流電流に対する効果は、受感軸２７に沿ってセグメント５
２に力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}が生成されることである。セグメント５
２に関するこの力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}は、磁界、電流及びセグメン
ト５２の長さに比例する。ここでは、前述のように、セグメント５２は各セグメ
ント５１と同じ長さＬを有する。

【００３６】 トランスデューサ１０に対して静電力を生成するためのフィンガと同様に、セ
グメント５１と５２は、互いに対して９０度回転しているが、同じ幾何学的形状
で、同一材料及び同一処理により形成される。したがって、機構２２’及び３２
’がいずれも同一の電気信号、ここでは図６に関して以下詳細に説明する電流源
５６からの電流により駆動されるため、Ｆ_{ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}／Ｆ_{ＳＥＮＳＩＴ ＩＶＥ} の比は、Ｎである。ここで、Ｎは、受感軸方向付力機構におけるセグメン
ト５２の数に対する振動方向付力機構におけるセグメント５１の数の割合である
。

【００３７】 端子Ｙ，Ｙ’及びＺ、Ｚ’は、テストモード／通常モードスイッチ１３を介し
て、高出力インピーダンス交流電流源５６(図６)に接続されている。高出力イン
ピーダンス交流電流源５６は、図示されるようにＣＭＯＳトランジスタの対Ｔ_１ ，Ｔ_２及びＴ_３，Ｔ_４を含む。ここで、ＣＭＯＳトランジスタＴ_１，Ｔ_２は、そ
れぞれＮチャネル及びＰチャネルトランジスタであり、ＣＭＯＳトランジスタＴ _３ ，Ｔ_４は、それぞれＮチャネル及びＰチャネルトランジスタである。トランジ
スタＴ_１及びＴ_２のゲートは、図示されるように、スイッチ１５の１出力端子に
接続されている。トランジスタＴ_３及びＴ_４のゲートは、図示されるように、イ
ンバータ５８を介してトランジスタＴ_１及びＴ_２のゲートに接続されるとともに
、比較器５７を介してスイッチ１５の１出力端子に接続されている。スイッチ１
５の１出力は可変発振器３３に接続され、他端は微分器３１に接続されている。
比較器５７は、発振器３３及び微分器３１により生成されたシヌソイド信号を、
ＣＭＯＳトランジスタＴ_１〜Ｔ_４のための論理レベル信号に変換する。共振構造
体の周波数応答が共振帯域幅ＢＷを決定するための手段である場合、出力可変発
振器３３は、比較器５７及びスイッチ１５を介して、電流源５６に接続される。
微分器３１の出力は、通常モードとテストモードのいずれにおいても、比較器５
７及びスイッチ１５を介して電流源５６に接続されている。

【００３８】 トランジスタＴ_１及びＴ_３のドレインは、図示されるように、ｄｃ電源ＶＤＤ
に接続されている。トランジスタＴ_２及びＴ_４のソースは、電流源６０に接続さ
れている。電流源６０は、差分増幅器６４の非反転入力に接続された基準電圧源
６２に接続されている。増幅器６４の出力は、ＭＯＳＦＥＴ６６のゲートに接続
されている。ＭＯＳＦＥＴ６６のドレインは、図示されるように、トランジスタ
Ｔ_２及びＴ_４のソースに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ６６のドレインは、高イ
ンピーダンス抵抗Ｒを介して基準電位に接続され、図示されるように、増幅器６
４の反転入力にフィードバックされる。このように、フィードバック構造が増幅
器６４を駆動して抵抗Ｒで発生する電圧を一定に維持し、この結果この抵抗Ｒに
流れる電流が一定になる。

【００３９】 微分器３１(図６)または発振器３３により生成されたシヌソイド信号の１半周
期において、トランジスタＴ_１及びＴ_４がオンし、トランジスタＴ_２及びＴ_３が
オフする。残りの半周期においては、トランジスタのオンオフ状態は逆になる。
よって、交流電流は、強制的に端子Ｙ，Ｙ’を流れる。テストモードにおいては
、この同じ電流が、端子Ｙ，Ｙ’と同様に端子Ｚ，Ｚ’にも強制的に流れる。電
流の大きさは、いずれの半周期にも、さらに全モード、すなわち通常モード、テ
ストモード、及びＢ／Ｗ決定モードにおいても電流源６０により決定する。

【００４０】 図５における効果は、テストモードと通常モードのいずれにおいても、振動方
向付力機構２２’のセグメントに印加される交流電流を生成することである。こ
の電流に対する磁界５０の効果により、振動方向２１に沿って、加速度計フレー
ム１６に振動力が生成される。ここで、コンダクタ５３によって生成されたいか
なる磁界効果も相殺できるように、コンダクタ５３の交互セグメントを通過する
電流の向きは交互である。テストモードにおいては、この同一の電流がセグメン
ト５２をも通過することによりテスト力が生成され、一方接続コンダクタ５４の
対からの力は相殺される。しかしながら、セグメント５１の端部５９においては
フリンジ効果が存在する。これらの効果は、セグメント５２の端部におけるフリ
ンジ効果と同じである。これは、両者の長さ及び形状が同じためである。よって
、整合された駆動、ここでは電磁駆動により、さらには較正処理に必要なのが力
の割合に対する知識のみで、これらの力の絶対的な大きさに対する知識ではない
ので、比例定数Ｋを正確に決定できる。

【００４１】 上記以外の実施形態も本発明の範囲にある。例えば、印加周波数ω_{ＡＰＰＬＩ ＥＤ} が、自然共振周波数ω_Ｏより小さい場合、シミュレートされたΩ_{ＩＮ ＴＥ ＳＴ ＳＩＭ} ＝{ω_Ｏ ^２}／{２Ｎω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}}となる。その場合、自然周波
数ω_Ｏが、較正のために測定され使用される。（すなわち、較正のために測定さ
れ、使用される共振構造体の特性周波数は自然周波数ω_Ｏである。）より詳細に
は、比例定数Ｋ＝Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}／Ω_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ} ＝ {２Ｎω
_{ＡＰＰＬＩＥＤ} ／ω_Ｏ ^２}{Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}}は、振動方向及び受感軸の力
Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}とＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}のそれぞれが
比率Ｎ、Ω_ＩＮ＝０でトランスデューサに与えられ、Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}が測定
された場合に決定する。一方、印加周波数ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ}が、自然共振周波数
ω_Ｏより大きい場合、シミュレートされたΩ_{ＩＮ ＴＥＳＴ ＳＩＭ}＝ω_{ＡＰＰ ＬＩＥＤ} ／２Ｎである。その場合、較正に使用される特性周波数はω_{ＡＰＰＬＩ ＥＤ} である。より詳細には、比例定数Ｋ＝Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}／Ω_{ＩＮ ＴＥＳ
Ｔ ＳＩＭ} ＝ {２Ｎ／ω_{ＡＰＰＬＩＥＤ} ／ω_Ｏ ^２}{Ｖ_{ＴＥＳＴ ＯＵＴ}}は
、振動方向及び受感軸の力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}とＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮ ＳＩＴＩＶＥ} のそれぞれが比率Ｎ、Ω_ＩＮ＝０でトランスデューサに与えられ、
Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}が測定された場合に決定する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコリオリトランスデューサの動作を理解するために
有益な概略図である。

【図２】 図１のトランスデューサの一部を示す平面図である。

【図３】 本発明によるコリオリトランスデューサの平面図である。

【図４】 図３のトランスデューサの、４−４で示した円で囲まれた部分を
拡大して示した平面図である。

【図５】 本発明の別の実施形態によるコリオリトランスデューサを理解す
るために有用な概略図である。

【図６】 図５のトランスデューサの受感軸付力機構及び振動方向付力機構
を駆動するための回路の概略図である。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 共振構造体内の振動方向に沿って振動し、速度検出軸に対す
   る角速度に応答して、前記振動に垂直な受感軸に沿って、前記振動及び前記速度
   検出軸の両方と垂直に移動する質量を有するコリオリトランスデューサのテスト
   方法であって、 質量に、力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}及びＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩ ＶＥ} を、それぞれ、前記振動方向に沿って及び前記検出軸に沿って所定の比率Ｎ
   で与えるステップと、 前記力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}及びＦ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ} に応答するトランスデューサの増分出力Ｖ_{ＯＵＴ ＴＥＳＴ}を測定するステップ
   と、 を含む、コリオリトランスデューサのテスト方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の方法であって、 前記質量が共振構造体内に含まれ、 前記方法が、前記共振構造体の特性周波数を測定するステップを含む、方法。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の方法であって、 前記共振構造体が、 ［ω_０ ^２−ω］＋ｊ［ωω_０／Ｑ］ に関連する振幅特性を有する二次共振構造体であり、ここで、ω_０は共振構造体
   の固有共振周波数、Ｑ＝ω_０／ＢＷ、ＢＷは、構造体共振の共振帯（すなわち、
   共振ピークの３ｄｂ帯）、ｊ＝−１の平方根、ωは質量の振動周波数であり、 前記測定された特性が、共振帯ＢＷである、方法。
4. 【請求項４】 請求項２に記載の方法であって、前記共振構造体の前記特性
   周波数が、前記共振構造体内の質量に、既知の振動周波数又は既知の複数の周波
   数を与えることにより決定される、方法。
5. 【請求項５】 コリオリトランスデューサであって、 共振構造体内の振動方向に沿って振動するよう配置された質量であって、速度
   検出軸に対する角速度に応答して、前記振動に垂直な受感軸に沿って、前記振動
   及び前記速度検出軸の両方に垂直に移動するよう配置された質量と、 前記振動方向に沿って、前記質量に振動方向力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲ Ｙ} を与えるための振動方向付力機構と、 前記振動方向力と同時に、前記受感軸に沿って、前記質量に力Ｆ_{ＴＥＳＴ Ｓ ＥＮＳＩＴＩＶＥ} を与えるための受感軸付力機構と、 を有する、コリオリトランスデューサ。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のトランスデューサであって、前記振動方向
   付力機構及び前記受感軸付力機構が、前記トランスデューサの、近い領域にある
   トランスデューサ。
7. 【請求項７】 請求項５に記載のトランスデューサであって、前記振動方向
   付力機構及び受感軸付力機構が、一致した物理的特性及び電気的特性を有する、
   トランスデューサ。
8. 【請求項８】 コリオリトランスデューサであって、 共振構造体であって、共振構造体内の振動方向に沿って振動するよう配置され
   、速度検出軸に対する角速度に応答して、前記振動に対して垂直な受感軸に沿っ
   て、前記振動及び前記速度検出軸の両方に垂直に移動するよう配置された質量を
   有する共振構造体と、 通常動作モード及びテストモードの両方において、前記振動方向に沿って、前
   記質量に振動方向力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＶＩＢＲＡＴＯＲＹ}を与える振動方向付力機構
   と、 受感軸付力機構が前記質量に結合されている場合に、前記振動方向力と同時に
   、前記受感軸に沿って前記質量に力Ｆ_{ＴＥＳＴ ＳＥＮＳＩＴＩＶＥ}を与える受
   感軸付力機構と、 テストモードにおいては、前記受感軸付力機構と前記質量とを結合させ、通常
   動作モードにおいては、前記受感軸付力機構を前記質量から分断するよう適合さ
   れたスイッチと、 を含むコリオリトランスデューサ。
9. 【請求項９】 請求項８に記載のトランスデューサであって、前記振動方向
   付力機構及び前記受感軸付力機構が、前記トランスデューサの近い領域にある、
   トランスデューサ。
10. 【請求項１０】 請求項８に記載のトランスデューサであって、前記振動方
    向付力機構及び前記受感軸付力機構が、一致した物理的特性及び電気的特性を有
    する、トランスデューサ。
11. 【請求項１１】 コリオリセンサのテスト方法であって、 テスト力をセンサのコリオリ加速軸に与え、センサの量的機能を確認するステ
    ップを含む、コリオリセンサのテスト方法。
12. 【請求項１２】 コリオリセンサであって、 構造体に対するコリオリ加速度に関連する出力を生成するためのコリオリ効果
    構造体と、 テスト力を前記コリオリ効果構造体に与えるための、テスト付力構造体と、 前記テスト付力構造体によって前記コリオリ効果構造体に加えられる前記テス
    ト力に応答する、前記センサの量的機能を確認する信号を生成する出力と、 を含むコリオリセンサ。