JP2003504843A - ウェハ洗浄システムの処理前調整を確認するための方法 - Google Patents

ウェハ洗浄システムの処理前調整を確認するための方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 【解決手段】 ウェハ洗浄システムに対する処理前調整を確認するための方法は、（ａ）ウェハ洗浄システムに対して処理前調整を実施するステップ（２００）と、（ｂ）略透明なウェハをウェハ洗浄システム内に搭載するステップ（２０２）と、（ｃ）略透明なウェハがウェハ移送経路に沿ってウェハ洗浄システム内を移動する状態を観察するステップ（２０４）と、を含む。略透明なウェハとウェハ洗浄システムの構成要素との間に望ましくない接触が観察された場合（２０６）には、方法は、（ｄ）処理される半導体ウェハとウェハ洗浄システムの構成要素との間における望ましくない接触を回避するよう意図された調整を、ウェハ洗浄システムに対して実施するステップ（２０８）と、（ｅ）略透明なウェハが、ウェハ洗浄システムの構成要素と望ましくない接触をせずにウェハ移送経路に沿って移動するまで、ステップ（ｂ）乃至（ｄ）を繰り返すステップと、を更に含む。方法は、すすぎ操作の最中ウェハの下方からスプレーされる液体がウェハの下面に適切に降りかかっていることを確認するためにも、略透明なウェハの観察を含むことができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
本発明は、半導体の製造に関し、特に、ウェハ洗浄システムに対する処理前調整
を確認するための方法に関する。
【０００２】 半導体装置の製造では、様々な前処理がウェハに対して実施される。ウェハへ
のそれらの前処理は、例えば、プラズマエッチング及び化学的機械研磨（ＣＭＰ
）等の前処理の後に、ウェハ表面から不要な残留物を除去することを目的とする
。当業者には周知の通り、ウェハ表面に残存する任意の不要残留物は、次の製造
操作において、ウェハ上の装置を操作不能にする可能性がある。そのため、高い
生産性を実現するためには、ウェハの効率的な前処理が不可欠となる。
【０００３】 図１Ａは、従来型のウェハ洗浄システム５０の概略図である。洗浄システム５
０は、カセット１４に収容されている複数のウェハを洗浄のためシステム内に挿
入するための装填ステーション１０を有している。ウェハが装填ステーション１
０に挿入されると、ウェハ１２はカセット１４から取り出され、第一のブラシボ
ックス１６ａ及び第二のブラシボックス１６ｂを備えたブラシステーション１６
に運ばれる。ウェハ１２は、まず第一のブラシボックス１６ａに運ばれ、特定の
化学物質及び脱イオン（ＤＩ）水を含有する溶液内で擦り洗いされる。次いでウ
ェハ１２は第二のブラシボックス１６ｂに運ばれ、再び、特定の化学物質及びＤ
Ｉ水を含有する溶液内で擦り洗いされる。ブラシボックス１６ａ及び１６ｂにお
いて擦り洗いされた後、ウェハ１２は回転／すすぎ／乾燥（ＳＲＤ）ステーショ
ン２０内に運ばれ、ウェハは回転させられながら、その上面及び下面上にＤＩ水
がスプレーされる。乾燥後、ウェハ１２はＳＲＤステーション２０から取り出さ
れ、ステーション２２に運ばれる。
【０００４】 最近まで、ウェハにおける汚れの状態を制御するための努力は主にウェハの上
面に対するものに集中されていた。しかし、半導体業界が３００ｍｍなど比較的
大きい寸法のもの、０．１８μｍ及びそれ未満の比較的小さな寸法のものに移行
するに従って、ウェハの汚れの状態をウェハの上面及び下面の双方において制御
することが一層重要となってきた。一つに、ウェハがウェハ移送経路に沿って移
動する際においてブラシステーションの機械的構成要素と接触することにより、
ウェハは微粒子による汚れの状態にさらされ得る。こうした望ましくない接触を
避けるため、ウェハの処理が開始される前に、ブラシステーションの機械的構成
要素に対する処理前調整が行われる。それらの処理前調整では、ウェハがウェハ
移送経路を移動する際にブラシステーションの機械的構成要素との間で望ましく
ない接触を起こさないよう、ブラシステーションの機械的構成要素、例えば、ト
ラック及び他の部分及び集合体同士の間隔が設定される。
【０００５】 一旦、処理前調整が行われ、ウェハの処理が開始されると、操作者はウェハが
ウェハ移送経路に沿って移動する動きを観察し、ウェハの上面とブラシステーシ
ョンの機械的構成要素との間に、望ましくない接触が発生しているかどうかを確
認することができる。しかし、残念ながら、操作者は不透明なウェハを透かして
見ることができないため、望ましくない接触がウェハの下面とブラシステーショ
ンの機械的構成要素との間に発生しているかどうかについては確認することがで
きない。その結果、操作者は、ウェハの下面に関する限り、ウェハの移送経路が
妨げられていないことを確認する信頼性のある方法を有していない。従って、現
時点では、ブラシステーションにおけるウェハの下面での汚れの状態を制御する
ことは困難である。
【０００６】 ウェハが微粒子による汚れの状態にさらされる別の要因は、ウェハがＳＲＤス
テーション内に出し入れされる際における運搬コンベヤとの接触である。この出
し入れ処理の間、運搬コンベヤはウェハ下面の真下に運ばれる必要がある。運搬
コンベヤ及びＳＲＤステーションへの処理前調整が十分正確なものでない場合、
運搬コンベヤがウェハの下面に接触し、微粒子による汚れをもたらす可能性があ
る。ウェハがＳＲＤステーション内に出し入れされる際には、不透明なウェハが
運搬コンベヤまでの操作者の視界を遮断してしまうため、操作者は、運搬コンベ
ヤがウェハの下面に接触していないかどうかを判定するための信頼性のある方法
を有していない。従って、現時点では、ウェハがＳＲＤステーションに出し入れ
される際におけるウェハ下面での汚れの状態を制御することは困難である。
【０００７】 微粒子によるウェハの汚れの状態を回避するため、上述の擦り洗い操作に加え
て、数回のすすぎ操作を含めることが試みられている。具体的には、ブラシステ
ーション内における第一のブラシボックスの入口及び、通常、第一及び第二のブ
ラシボックスの出口に位置付けられる上部及び下部すすぎマニフォルドが、それ
ぞれウェハの上面及び下面にＤＩ水をスプレーする。ウェハの上面及び下面には
、ＳＲＤステーション内にて実施される回転すすぎ操作の最中にもＤＩ水がスプ
レーされる。図１Ｂは、ＳＲＤステーションにおいてウェハの下面にＤＩ水をス
プレーするために用いられる従来技術を表した、単純化された模式的断面図であ
る。そこに示されるように、ウェハ１２はボウル２４内にローラ２６により支持
されており、ローラ２６は、ウェハの上面１２ａ又は下面１２ｂの双方を汚さな
いようウェハの端に接している。ＤＩ水の水源３０に水流が連通するよう結合さ
れているノズル２８はボウル２４の底部に位置付けられる。ウェハ１２が回転さ
れるに従い、ノズル２８はウェハの下面１２ｂに向かってＤＩ水をスプレーする
。
【０００８】 以上の各すすぎ操作において、操作者は、単にウェハを観察することで、ＤＩ
水がウェハの上面に適切に降りかかっているかどうかを容易に判定することがで
きる。しかし、不透明なウェハがスプレー状態に対する視界を遮断してしまうた
め、操作者は、ＤＩ水スプレーが適切にウェハの下面に降りかかっているかどう
かを判定するための信頼性のある方法を有していない。例えば、図１Ｂに示され
るように、回転すすぎ操作の間、ウェハ１２はノズル２８からのＤＩ水スプレー
に対する操作者の視界を遮断する。同様にして、ウェハ１２はブラシステーショ
ンにおける下部すすぎマニフォルドからのＤＩ水スプレーへの操作者の視界を遮
断する。以上のすすぎ操作のいずれかにおいてＤＩ水スプレーがウェハの下面に
適切に降りかかっていない場合、すすぎ操作は、微粒子汚れの状態をウェハ下面
から完全には除去することができなくなる。ウェハの下面における微粒子汚れの
状態の量が許容レベルを超過する場合、生産性は著しく低下する可能性がある。
【０００９】 以上を鑑み、システムに対する処理前調整が、処理されるウェハとウェハ洗浄
システムの機械的構成要素との間における望ましくない接触を回避するために十
分なものかどうかを判定するための信頼性のある技術が必要となる。又、すすぎ
操作中、ウェハの下面に例えばＤＩ水といった液体が十分に降りかかっているこ
とを確認するための、信頼性のある技術も必要となる。
【００１０】
【発明の概要】
本発明は、広義には、ウェハ洗浄機器に処理中の半導体ウェハを通す前に、そ
のような洗浄機器に対して行われた調整を観察、試験、及び確認するために用い
ることができる略透明なウェハを提供する。略透明なウェハは、ウェハの移送経
路が遮られていないことを確認し、且つ、すすぎ操作中にウェハの下方からスプ
レーされる液体がウェハの下面に適切に降りかかっていることを確認するために
用いることができる。
【００１１】 本発明の一態様によれば、ウェハ洗浄システムに対する処理前調整を確認する
ための方法が提供される。この方法は、（ａ）ウェハ洗浄システムに対する処理
前調整の実行、（ｂ）ウェハ洗浄システム内への略透明なウェハの装填、及び（
ｃ）略透明なウェハがウェハ洗浄システム内でウェハ移送経路に沿って移動する
ことの観察、といったステップを含む。略透明なウェハとウェハ洗浄システムの
構成要素との間に望ましくない接触が観察される場合、方法は、（ｄ）処理され
る半導体ウェハとウェハ洗浄システムの構成要素との間における望ましくない接
触を回避するための調整を、のウェハ洗浄システムに施すこと、及び（ｅ）略透
明なウェハが、ウェハ洗浄システムの構成要素との望ましくない接触なしにウェ
ハ移送経路に沿って移動するまで、ステップ（ｂ）から（ｄ）を繰り返し行うこ
とを更に含むことが好ましい。
【００１２】 発明の一実施形態では、ウェハ移送経路は第一のブラシボックスから第二のブ
ラシボックスまで、更には第二のブラシボックスから回転／すすぎ／乾燥（ＳＲ
Ｄ）ステーションまで延びる。この実施形態では、略透明なウェハは、ウェハ洗
浄システムにおいて処理される半導体ウェハの厚さ以上の厚さを有することが好
ましい。
【００１３】 ウェハ洗浄システムがブラシステーションである場合、ウェハとブラシステー
ションの構成要素との間に望ましくない接触が存在しないことを確認するため、
略透明なウェハが第一のブラシボックスの入口から第二のブラシボックスの出口
へとウェハ移送経路を移動する状態を観察することができる。この場合、略透明
なウェハの使用によって、第一及び第二のブラシボックスにおける下部すすぎマ
ニフォルドからスプレーされる例えばＤＩ水といった液体がウェハの下面に適切
に降りかかっていることを確認することを含めてもよい。ウェハ洗浄システムが
ＳＲＤステーションである場合、ウェハと運搬コンベヤの構成要素との間に望ま
しくない接触が存在しないことを確認するため、略透明なウェハがＳＲＤステー
ションを出入りしてウェハ移送経路を移動するに従って、その動きを観察するこ
とができる。この場合、回転ボウルの下部ノズルからスプレーされる例えばＤＩ
水といった液体がウェハの下面に適切に降りかかっていることを確認するために
も、略透明なウェハの使用を含むことができる。
【００１４】 本発明は、ウェハ洗浄システムの操作者が、システムに対する処理前調整が処
理されるウェハとシステムの構成要素との間の望ましくない接触を回避するに十
分であるかどうかを確実に判定することを可能にし、且つ、例えばスプレーノズ
ルの方向に対する調整といった適切な調整が行われることを確認することを可能
にする。これは、ウェハ、特にウェハの下面における微粒子汚れの状態の発生を
著しく除去、又は回避することにより、生産性を向上させる利点を有する。本発
明によれば、ウェハ洗浄システムの操作者は、すすぎ操作の最中に液体がウェハ
の下面に適切に降りかかっていることを確認することもできる。こうすることに
より、微粒子汚れの状態を除去するためにウェハの下面が十分にすすがれること
を確実にして、生産性を向上させることができる。
【００１５】 以上の概括的な説明及び以下の詳細な説明は、単に例示的且つ説明的なもので
あり、特許請求の範囲により定義された本発明を制限するものではないことは理
解されよう。
【００１６】
【好適な実施形態の詳細な説明】
本発明の好適な実施形態を添付図面に基づき以下詳細に説明する。図１Ａ及び
１Ｂは、前記「発明の背景」において説明される。
【００１７】 本発明は、とりわけ、ウェハ洗浄機器に処理中の半導体ウェハを通す前に、そ
のような洗浄機器に対して行われた調整を観察、試験、及び確認するために用い
ることができる略透明なウェハを提供する。発明の説明に関連して用いられるよ
うに、「略透明なウェハ」という用語は、ウェハが十分な光を透過し、そのため
ウェハの一方の側における物体又は像をウェハの他方の側から見ることができる
、ということを意味するものである。略透明なウェハは好ましくはポリカーボネ
ートから形成されるが、例えばアクリル及びガラスといった、他の適切な材料も
用いることができる。ポリカーボネートが用いられる場合は、無地のシートを機
械にかけることで略透明なウェハを製作することができる。当業者には明らかな
通り、ポリカーボネート以外の材料を用いる場合には、略透明なウェハを製作す
るために他の公知技術を使用した方が適切な場合もある。
【００１８】 略透明なウェハの寸法は、具体的な適用上の要求に応じて変化させ得る。ウェ
ハ移送経路が遮られているかどうかを判定する目的で略透明なウェハを用いる場
合、その厚さは、以下に示す理由から処理される半導体ウェハの厚さ以上である
ことが好ましい。一例として、略透明なウェハの厚さは約０．０６０インチとす
ることができる。それに対し、標準的な半導体ウェハの厚さは約０．０２８イン
チである。この実施形態では、略透明なウェハの他の寸法は、例えば直径８イン
チというように、処理される半導体ウェハの寸法と同一とすることもできる。他
の例では、略透明なウェハを標準的な半導体ウェハより薄くすることが望ましい
場合もある。
【００１９】 図２は、ブラシステーションにおけるウェハ移送経路に沿ったウェハの移動を
視覚的に検査するために略透明なウェハが用いられる様子を示すブラシステーシ
ョンの単純化された概略図である。図２に示されるように、ブラシステーション
１００は第一のブラシボックス１００ａ及び第二のブラシボックス１００ｂを含
む。操作者は最初に、ウェハが入口ステーション（図示せず）からブラシステー
ション１００に装填されるに伴い、ウェハの下面がカセット或いは周辺装備と接
触していないかどうかを、略透明なウェハ１０２を通して確認することができる
。その後、略透明なウェハ１０２がブラシステーション１００内のウェハ移送経
路に沿って移動するに従い、操作者は、ウェハの下面がウェハを乗せているゴム
製のバンド型コンベヤベルト以外の物と接触していないかどうかを確認するため
、略透明なウェハ１０２を通して見ることができる。例えば、ブラシステーショ
ンに対する処理前調整が十分に正確でない場合、ウェハの下面はブラシステーシ
ョンの構成要素と接触することになる。発明の説明に関連して用いられるように
、用語「構成要素」は、例えばセンサケーブル及びローラトラック機構といった
、ウェハ洗浄システムの機械的構成要素、部分、及び集合体、更には電気的構成
要素、部分、及び集合体を指示すものである。
【００２０】 略透明なウェハ１０２の下面とブラシステーションの任意の構成要素との間で
接触が観察される場合、半導体ウェハの処理が開始される前に、ブラシステーシ
ョンに対してウェハ移送経路が遮られないよう適切な調整を行うことができる。
ブラシステーションが調整され、ブラシステーションの構成要素との望ましくな
い接触を伴うことなく、略透明なウェハがウェハ移送経路を移動するようになる
と、そのような接触を介するウェハの下面における微粒子汚れという著しいリス
クなくして、半導体ウェハの処理を開始することができる。
【００２１】 略透明なウェハ１０２が第一のブラシボックス１００ａ及び第二のブラシボッ
クス１００ｂを通って移動するに従い、操作者は、第一のブラシボックス１００
ａ及び第二のブラシボックス１００ｂ内のブラシ１０６ａ及び１０６ｂが適切に
作動しているかどうかを観察することもできる。加えて、操作者は、ブラシボッ
クス１００ａの入口及びその出口、更にはブラシボックス１００ｂの出口に位置
する、上部及び下部すすぎマニフォルド１０４ａ及び１０４ｂが適切に作動して
いるかどうかを確認することができる。具体的には、操作者は、下部すすぎマニ
フォルド１０４ｂからスプレーされている例えばＤＩ水といった液体がウェハの
下面に適切に降りかかっているかどうかを、略透明なウェハ１０２を通して見て
、確認することができる。下部すすぎマニフォルド１０４ｂからスプレーされる
液体が略透明なウェハ１０２の下面に適切に降りかかっていない場合、下部すす
ぎマニフォルド、液体供給システム、又はその双方を適切に調整することができ
る。下部すすぎマニフォルド１０４ｂからスプレーされる液体が略透明なウェハ
１０２の下面に適切に降りかかるよう適切な調整が行われると、ブラシステーシ
ョンにおいてウェハの下面のすすぎが不適切になるという著しいリスクなしに、
半導体ウェハの処理を開始することができる。
【００２２】 図３Ａから３Ｃは、運搬コンベヤから回転／すすぎ／乾燥（ＳＲＤ）ステーシ
ョンへのウェハの移動を視覚的に検査するために略透明なウェハが用いられる様
子を表す、単純化された概略図である。望ましくない微粒子汚れが生じることを
回避するため、移送処理の最中にウェハの下面からコンベヤが流れ出るに伴って
、運搬コンベヤとウェハの下面との間の横滑り又は他の接触が回避される必要が
ある。図３Ａは、運搬コンベヤ１４０のローラ上に設けられたバンド型Ｏリング
１３８からローラ１１０が略透明なウェハ１０２を持ち上げたすぐ後の、スピン
ドル運搬台１３６の位置を示す。スピンドル運搬台１３６が、図３Ａに示される
位置に運ばれる前に、ローラ１１０が回転ボウルの側壁１０８の上部より上に来
るよう、シャフト１１８によってスピンドルハンドル１１６が元の位置から持ち
上げられる。ローラ１１０が略透明なウェハ１０２を持ち上げると、スピンドル
運搬台１３６は元の位置に後退していく。
【００２３】 図３Ｂは、若干後退した位置にあるスピンドル運搬台１３６を示す。スピンド
ル運搬台１３６が下がっていくに従い、操作者は、略透明なウェハ１０２を通し
て、運搬コンベヤ１４０とウェハの下面との間における横滑り又は他の接触が生
じる兆候を確認することができる。略透明なウェハ１０２との間で横滑り、或い
は他の接触が観察される場合、続いて、半導体ウェハの処理が開始される前に、
運搬コンベヤ、ＳＲＤステーション、又はその双方に対して適切な調整を行うこ
とができる。適切な調整が行われ、それにより運搬コンベヤが略透明なウェハと
接触しなくなると、移送処理の最中に半導体ウェハの下面で微粒子汚れが生じる
という著しいリスクなしに、半導体ウェハの処理を開始することができる。図３
Ｃに示されるように、スピンドル運搬台１３６が完全に後退すると、回転すすぎ
操作のため、シャフト１１８がスピンドルハンドル１１６を元に位置まで戻す。
【００２４】 図４は、略透明なウェハを用いて、回転すすぎ操作の最中にウェハの下面が適
切にすすがれていることを確認する様子を表すＳＲＤステーションの単純化され
た平面図である。図２Ｃに示されるように、略透明なウェハ１０２は、側壁１０
８ａ及び下部壁１０８ｂを有する回転ボウル１０８内に支持される。より具体的
には、フィンガー１１４の一つずつにそれぞれ搭載される４つのローラ１１０が
略透明なウェハ１０２をスピンドルハンドル１１６より上に支持する。下部ノズ
ル１２２は、回転ボウル１０８内に備えられるウェハの下面に例えばＤＩ水とい
った液体をスプレーするため、下部壁１０８ｂ上に搭載される。回転すすぎ操作
の間、操作者は、下部ノズル１２２からスプレーされる液体がウェハの下面に適
切に降りかかっているかどうかを、略透明なウェハ１０２を通して見て、確認す
ることができる。下部ノズル１２２からスプレーされる液体が略透明なウェハ１
０２の下面に適切に降りかかっていない場合、続いて、ＳＲＤステーション、液
体供給システム、又はその双方に対して適切な調整を行うことができる。適切な
調整が行われ、それにより下部ノズル１２２からスプレーされる液体が略透明な
ウェハ１０２の下面に適切に降りかかると、回転すすぎ操作の最中にウェハの下
面のすすぎが不適切になるという著しいリスクなしに、半導体ウェハの処理を開
始することができる。
【００２５】 図５は、本発明の一実施形態による、ウェハ洗浄システムに対する処理前調整
を確認するために実施される方法を表すフローチャートである。この方法は、操
作２００において、例えばブラシステーション又はＳＲＤステーションといった
、ウェハ洗浄システムに対して処理前調整が行われる時点から開始される。当業
者には公知のように、そのような調整は、ウェハ洗浄システムを通るウェハ移送
経路が遮られないようにし、処理中の半導体ウェハがシステムの構成要素と望ま
しくない接触をせずにシステム内を通過できるようにするために行われる。上述
のように、そのような接触は、ウェハ上で微粒子汚れを発生させる可能性がある
ため、望ましくないものである。操作２０２では、略透明なウェハがウェハ洗浄
システム内に装填される。操作２０４では、略透明なウェハが洗浄システム内の
ウェハ移送経路に沿って移動する状態が観察される。
【００２６】 次に、本方法では、ウェハ移送経路が遮られているかどうかの判定を行う決定
操作２０６に進む。ウェハが、ウェハの上面或いは下面のいずれかとウェハ洗浄
システムの構成要素との間における望ましくない接触なしにウェハ移送経路に沿
って移動する場合、ウェハ移送経路は遮られていないことになり、操作２１０に
進む。他方、ウェハ移送経路上でウェハの上面或いは下面のいずれかがウェハ洗
浄システムの構成要素に接触する場合、ウェハ移送経路は遮られていることにな
り、操作２０８に進む。操作２０８では、ウェハ移送経路が遮られないようにす
るため、ウェハ洗浄システムが適切に調整される。例えば、ローラの高さを調整
し、それによりウェハがその高さより若干上に保持されるようにして、その結果
、ブラシステーションのコンベヤトラックに触れないようにすることが必要とな
る場合がある。ウェハとウェハ洗浄システムの構成要素との間の接触を回避する
ようシステムが調整されると、方法は操作２０２に戻り、それに従い、操作２０
２、２０４、及び２０６が繰り返される。
【００２７】 操作２０６においてウェハ移送経路が遮られていないと判定されると、操作２
１０に進む。操作２１０では、処理中の半導体ウェハをウェハ洗浄システム内に
装填する作業が開始され、本方法は完了する。例外的な状況が発生しない限り、
略透明なウェハを用いてすでに処理前調整が確認されているため、処理中の半導
体ウェハはウェハ洗浄システムの構成要素と接触することなくウェハ移送経路を
移動する。一実施形態では、ウェハとウェハ洗浄システムの構成要素との間隔が
、ウェハの移送経路が遮られることを回避するために実際に必要となる間隔に対
し余裕があることを保証するため、略透明なウェハの厚さは標準的な半導体ウェ
ハのそれよりも大きくなっている。略透明なウェハを用いることで、操作者には
ウェハを通して見ることが可能となり、ウェハがウェハ移送経路に沿って移動す
る際に、ウェハの下面とウェハ洗浄システムの構成要素との間に望ましくない接
触が発生していないことを視覚的に確認することが可能となる。こうした手段で
、そのような接触に起因する処理中の半導体ウェハにおける微粒子汚れの発生を
回避することができる。
【００２８】 一実施形態では、ウェハ洗浄システムはブラシステーションとできる。この実
施形態では、略透明なウェハが第一のブラシボックスの入口から第二のブラシボ
ックスの出口までウェハ移送経路に沿って移動する状態を観察することができ、
ウェハとブラシステーションの構成要素との間に望ましくない接触が発生してい
ないことが確認される。この実施形態では、略透明なウェハは、第一及び第二の
ブラシボックスにおける下部すすぎマニフォルドからスプレーされる例えばＤＩ
水といった液体がウェハの下面に適切に降りかかっていることを確認するために
も使用される。別の実施形態では、ウェハ洗浄システムはＳＲＤステーションで
ある。この実施形態では、略透明なウェハがウェハ移送経路に沿ってＳＲＤステ
ーションへ出入りする状態を観察することができ、ウェハと運搬コンベヤの構成
要素との間に望ましくない接触が発生していないことが確認される。この実施形
態では、略透明なウェハは、回転ボウルの下部ノズルからスプレーされる例えば
ＤＩ水といった液体がウェハの下面に適切に降りかかっていることを確認するた
めにも使用することができる。
【００２９】 要約すると、本発明は、ウェハ洗浄システムに対する処理前調整を確認し、且
つ、例えばスプレーノズルの方向などが適切に調整されるよう確認するために使
用可能な略透明なウェハを提供する。ここでは、複数の好適な実施形態の観点か
ら発明を説明した。発明の仕様及び実施を考慮することで、当業者には発明の他
の実施形態が明らかとなる。例えば、ここで説明される一実施形態では、ウェハ
全体が略透明な素材で形成される。例えば１つ以上の略透明な窓を備えたウェハ
といった、略透明な素材により部分的に形成されたウェハも又用いることが可能
なことが、当業者にはあきらかとなる。上述の実施形態及び好適な特性は例示的
なものとして考えられるべきであり、本発明は前記特許請求の範囲により定義さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 従来型のウェハ洗浄システムを表す概略図である。
【図１Ｂ】 回転／すすぎ／乾燥（ＳＲＤ）ステーションにおいてウェハの下面に脱イオン
（ＤＩ）水をスプレーするために用いられる従来技術を表す、単純化された概略
断面図である。
【図２】 ブラシステーションにおけるウェハ移送経路に沿ったウェハの移動を視覚的に
検査するために略透明なウェハが用いられ得る手段を表す、ブラシステーション
の単純化された概略図である。
【図３Ａ】 運搬コンベヤからＳＲＤステーションへのウェハの移動を視覚的に検査するた
めに略透明なウェハが用いられ得る手段を表す、単純化された概略図である。
【図３Ｂ】 運搬コンベヤからＳＲＤステーションへのウェハの移動を視覚的に検査するた
めに略透明なウェハが用いられ得る手段を表す、単純化された概略図である。
【図３Ｃ】 運搬コンベヤからＳＲＤステーションへのウェハの移動を視覚的に検査するた
めに略透明なウェハが用いられ得る手段を表す、単純化された概略図である。
【図４】 回転すすぎ操作の最中にウェハの下面が適切にすすがれていることを確認する
ために略透明なウェハが用いられ得る手段を表す、ＳＲＤステーションの単純化
された平面図である。
【図５】 本発明の一実施形態による、ウェハ洗浄システムに対する処理前調整を確認す
るために実施される方法操作を表すフローチャートである。
【符号の説明】
１０…装填ステーション １２…ウェハ １２ｂ…下面 １４…カセット １６…ブラシステーション １６ａ、１６ｂ…ブラシボックス ２２…ステーション ２４…ボウル ２６…ローラ ２８…ノズル ３０…水源 ５０…ウェハ洗浄システム １００…ブラシステーション １００ａ、１００ｂ…ブラシボックス １０２…ウェハ １０４ａ、１０４ｂ…マニフォルド １０６ａ…ブラシ １０８…回転ボウル １０８ａ…側壁 １０８ｂ…下部壁 １１０…ローラ １１４…フィンガー １１６…スピンドルハンドル １１８…シャフト １２２…下部ノズル １３６…スピンドル運搬台 １４０…運搬コンベヤ
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年９月１２日（２００１．９．１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 を確認するためにも、略透明なウェハの観察を含むこと ができる。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハ洗浄システムに対する処理前調整を確認するための方
    法であって、 （ａ）ウェハ洗浄システムに対して処理前調整を行なうステップと、 （ｂ） 略透明なウェハを前記ウェハ洗浄システム内に装填するステップと、 （ｃ）前記略透明なウェハがウェハ移送経路に沿って前記ウェハ洗浄システム
    内を移動するときに、前記略透明なウェハを観察するステップと、 を備える方法。
  2. 【請求項２】 前記略透明なウェハと前記ウェハ洗浄システムの構成要素と
    の間に望ましくない接触が観察された場合、 （ｄ）被処理半導体ウェハと前記ウェハ洗浄システムの構成要素との間におけ
    る望ましくない接触を回避するための調整を、前記ウェハ洗浄システムに対して
    行なうステップと、 （ｅ）前記略透明なウェハが、前記ウェハ洗浄システムの構成要素と望ましく
    ない接触をせずに前記ウェハ移送経路に沿って移動するまで、ステップ（ｂ）乃
    至（ｄ）を繰り返すステップと、 を更に備える請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記ウェハ洗浄システムがブラシステーションを含む、請求
    項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記ウェハ移送経路が、第一のブラシボックスから第二のブ
    ラシボックスまで延びる、請求項３に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記ウェハ洗浄システムが、回転／すすぎ／乾燥（ＳＲＤ）
    ステーションを更に含む、請求項４に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記ウェハ移送経路が、前記第二のブラシボックスから前記
    回転／すすぎ／乾燥（ＳＲＤ）ステーションまで更に延びる、請求項５に記載の
    方法。
  7. 【請求項７】 前記略透明なウェハの厚さが、前記ウェハ洗浄システムにお
    いて処理される半導体ウェハの厚さより厚い、請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 ブラシステーションに対する処理前調整を確認するための方
    法であって、 （ａ）第一のブラシボックスと第二のブラシボックスとを有するブラシステー
    ションに対して処理前調整を行なうステップと、 （ｂ）略透明なウェハを前記第一のブラシボックスの入口に装填するステップ
    と、 （ｃ）前記略透明なウェハがウェハ移送経路に沿って前記第一のブラシボック
    スの入口から前記第二のブラシボックスの出口まで移動するときに、前記略透明
    なウェハを観察するステップと、 を備える方法。
  9. 【請求項９】 前記略透明なウェハと前記ブラシステーションの構成要素と
    の間に望ましくない接触が観察された場合、 （ｄ）被処理半導体ウェハと前記ブラシステーションの構成要素との間の望ま
    しくない接触を回避するための調整を前記ブラシステーションに対して行なうス
    テップと、 （ｅ）前記略透明なウェハが前記ブラシステーションの構成要素と望ましくな
    い接触をせずに前記ウェハ移送経路に沿って移動するまで、ステップ（ｂ）乃至
    （ｄ）を繰り返すステップと、 を更に備える請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記略透明なウェハの厚さが、前記ブラシステーションに
    おいて処理される半導体ウェハの厚さより厚い、請求項８に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記第一及び第二のブラシボックスのそれぞれが、半導体
    ウェハの下面に液体をスプレーするための下部すすぎマニフォルドを有し、前記
    下部すすぎマニフォルドのいずれかからスプレーされる液体が前記略透明なウェ
    ハの前記下面に適切に降りかからない場合、 （ｄ）前記下部すすぎマニフォルドからスプレーされる液体が被処理半導体ウ
    ェハの前記下面に適切にふりかかるようにするための調整を、前記下部すすぎマ
    ニフォルド又は液体供給システムに対して行なうステップと、 （ｅ）前記下部すすぎマニフォルドからスプレーされる液体が前記略透明なウ
    ェハの前記下面に適切に降りかかるまで、ステップ（ｂ）乃至（ｄ）を繰り返す
    ステップと、 を更に含む、請求項８に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 前記液体が脱イオン（ＤＩ）水である、請求項１１に記載
    の方法。
  13. 【請求項１３】 回転／すすぎ／乾燥（ＳＲＤ）ステーションに対する処理
    前調整を確認するための方法であって、 （ａ）ＳＲＤステーションと、被処理半導体ウェハを前記ＳＲＤステーション
    内に移送するための運搬コンベヤとに対して、処理前調整を行なうステップと、 （ｂ）略透明なウェハを、前記運搬コンベヤを用いて前記ＳＲＤステーション
    内に出し入れするステップと、 （ｃ）前記略透明なウェハがウェハ移送経路に沿って前記ＳＲＤステーション
    に出入りするときに、前記略透明なウェハを観察するステップと、 を備える方法。
  14. 【請求項１４】 前記略透明なウェハと前記運搬コンベヤの構成要素との間
    に望ましくない接触が観察された場合、 （ｄ）被処理半導体ウェハと前記運搬コンベヤの構成要素との間の望ましくない
    接触を回避するための調整を、前記ＳＲＤステーション及び前記運搬コンベヤの
    少なくとも一方に対して行なうステップと、 （ｅ）前記略透明なウェハが前記運搬コンベヤの構成要素と望ましくない接触
    をせずに前記ウェハ移送経路に沿って移動するまで、ステップ（ｂ）乃至（ｄ）
    を繰り返すステップと、 を更に備える方法。
  15. 【請求項１５】 前記略透明なウェハの厚さが、前記ＳＲＤステーション
    において処理される半導体ウェハの厚さより厚い、請求項１３に記載の方法。
  16. 【請求項１６】 （ｄ）ＳＲＤステーションのボウルの下部ノズルからスプ
    レーされる液体が前記略透明なウェハの下面に適切に降りかかっていることを確
    認するために、回転すすぎ操作の最中に前記略透明なウェハを観察するステップ
    、 を更に備える、請求項１３に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記下部ノズルからスプレーされる前記液体が前記略透明
    なウェハの前記下面に適切に降りかからない場合、 （ｅ）前記下部ノズルからスプレーされる液体が被処理半導体ウェハの前記下
    面に適切にふりかかるようにするための調整を、前記ＳＲＤステーション又は液
    体供給システムに対して行なうステップと、 （ｆ）前記下部ノズルからスプレーされる液体が前記略透明なウェハの前記下
    面に適切に降りかかるまで、ステップ（ｄ）及び（ｅ）を繰り返すステップと、 を更に備える、請求項１６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記液体が脱イオン（ＤＩ）水である、請求項１６に記載
    の方法。
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