JP2003503556A - 半導体基板のエッチ残留物の除去用酸性混合物 - Google Patents

半導体基板のエッチ残留物の除去用酸性混合物

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Abstract

(57)【要約】 ドライエッチプロセス後残存している有機金属及び有機珪素残留物を、半導体基板から除去する方法。基板を、フッ素源、非水溶性溶媒、補助的な酸、及び表面被膜剤からなる調製溶液に露出する。フッ素源は、典型的には、フッ化水素酸である。非水溶性溶媒は、典型的にプロピレングリコールなどの多価アルコールである。補助的な酸は、典型的には、リン酸又は塩酸である。表面被膜剤は、典型的には、クエン酸などのカルボン酸である。基板を調製溶液に曝すことは、残存するドライエッチ残留物を除去する一方、材料の所望の基板特性からの除去を最小にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 ［発明の属する技術分野］ 本発明は、半導体装置のファブリケーションに関し、とりわけ、その上にドラ
イエッチ残留物が形成した後、半導体基板を洗浄する方法に関する。
【０００２】 ［従来の技術］ 半導体ファブリケーションプロセス中の汚染を最小限にすることは、その産業
の早期から認識されている。半導体装置がより小さく、より複雑になるにつれて
、清潔さの要求は、特にサブミクロンの臨界寸法を持つ装置に対してますます切
迫してきている。なぜなら多層メタライゼーション構造を信頼性よく作る能力が
ますます重大となっているからである。デバイスファブリケーションプロセス中
の洗浄及び調製工程の重要性も強調されている。なぜなら、大きい構成を有する
装置の性能に深刻な影響を及ぼさないかもしれない小規模の残留物が、サブミク
ロンデバイスにおいて障害のある欠点を生じる可能性があるからである。
【０００３】 ドライエッチプロセスは、多重レベルのメタライゼーション構造を半導体基板
上に展開する際に重要な役割を有する。基板にフォトレジストからの所望のパタ
ーンを転写する工程は、ドレイエッチプロセスを経てしばしば行なう。ドライエ
ッチプロセスが、フォトレジストによってマスクされていない領域だけにおいて
基板を選択的にエッチングするのに有効である一方、これら工程は、後に残留物
を基板上に残す傾向を有する。これらの残留物は、ドライエッチプロセス中で有
効な役割を供給するが、それらは、ドライエッチプロセスの完了後は望ましくな
い。両方の誘電体、例えばSiO2、及びAl又はWなどの金属が存在するラインプロ
セスの終末過程において、ドライエッチプロセスによって後で残存した残留物を
両方の有機金属及び有機珪素種に含むかもしれない。これの望ましくないエッチ
後残留物は、所望の基板特性を損傷することなしに除去することがしばしば困難
である。
【０００４】 ドライエッチ残留物を除去するための現在の方法は、限られた成功のみを満足
している。水溶性酸性溶液を含む従来の洗浄は、これらの残留物の除去用の一般
的な溶液を提供することができなかった。なぜなら、これらのプロセスは金属ラ
インの存在下でのプロセスに対して適当ではないからである。現在の方法はヒド
ロキシルアミン(NH2OH)及び有機キレート剤を含む溶液で基板を処理することを
しばしば含む。これらの方法はいくらかの効果を有するが、重大な不利益を有す
る。これらのタイプの溶液は、ウエハ上の露出した金属の腐食の原因となり、10
0℃近くの温度での長いプロセス時間を要求する可能性がある。これらヒドロキ
シルアミンは、化学薬品としても高価であり、購入するのにも高価なばかりでな
く、典型的に特別な売却を要求する。
【０００５】 ［発明が解決しようとする課題］ ドライエッチ残留物の除去が、マイクロ電子装置製造において、ますます困難
な状態になるについて、標準的なウエハプロセス装置において容易に満足し、化
学薬品購入及び売却に対してコストを下げることが可能な、これらの残留物を除
去する有効な方法の必要性がある。
【０００６】 ［課題を解決するための手段］ 本発明は、ドライエッチプロセス後に有機金属、有機珪素及び他の残留物を半
導体基板から除去するのに適当な方法を提供する。すでにドライエッチプロセス
を受けた基板を調製溶液へ曝し、ドライエッチ後に残存する残留物を除去する。
調製溶液の組成物は特定の用途に合致するように変更することができる。調製溶
液は、一般に、フッ素源、補助的な酸、非水溶性溶媒、好ましくは表面被膜剤を
含有する。好ましい調製溶液の1つのグループは、HF、H3PO4、プロピレングリコ
ール等の多価アルコール、クエン酸などの表面被膜剤からなる溶液である。好ま
しい実施態様の別のグループにおいて、調製溶液は、HF、HCl、多価アルコール
、表面被膜剤からなる。調製溶液へ望ましくない残留物を除去するのに十分な量
の時間で基板を曝す。基板を調製溶液へ曝した後、基板を、好ましくは穏やかに
酸性水溶性溶液のゆすぎ浴へ基板を曝すことによってゆすぐ。また、このゆすぎ
工程はゆすぎ浴を攪拌するのにゆすぎ浴中を通してガスを泡立てることを含むこ
とが好ましい。
【０００７】 本発明の別の利点及び特徴は、本発明の好ましい実施態様を説明する以下の詳
細な説明及び図面から明らかであろう。
【０００８】 ［発明の実施の形態］ 以下の詳細な説明において、その一部を形成し、実施することができる本発明
の具体的な実施態様を説明する例として示される添付図面が参照される。これら
の実施態様は、当業者が本発明を実施するのに十分詳細に説明され、本発明の要
旨及び範囲を逸脱することなしに、構成及び化学薬品の変更を行なうことができ
ると理解されるべきである。
【０００９】 「ウエハ」及び「基板」の用語は、本発明のプロセスによって効果的に浄化す
ることが可能な露出した層を有するいかなる半導体系構造も含むものと理解すべ
きである。典型的には、これはドライエッチされ、露出した層上に結果として生
じた有機金属及び/又は有機珪素残留物を有する半導体系構造を含むであろうが
、他の構造も本発明の方法によって有効に処理することができる。「ウエハ」又は
「基板」は、SOI（silicon−on−insulator）、又はSOS（silicon−on−sapphir
e）、ドープした半導体及びドープしていない半導体、ベース半導体ファンデー
ションによって支持されるシリコンのエピタキシャル層、及び他の半導体構造を
含むことができる。さらに、以下の詳細な説明において「ウエハ」又は「基板」
を参照するとき、以前のプロセス工程を利用して、ベース半導体構造又はファン
デーションにおいて領域又は接合部を形成することができる。加えて、半導体は
、シリコン系である必要はないが、シリコン−ゲルマニウム、ゲルマニウム、又
はガリウム砒素をベースとすることができる。
【００１０】 したがって、以下の詳細な説明は、限定する意味に解釈されるべきでなく、本
発明の範囲は、添付した特許請求の範囲によって特徴付けれるものである。ここ
で述べた溶液に言及するとき、「％」の用語は、重量によって測定された％をい
い、たとえば、90％酢酸溶液は、酢酸の90重量％である。
【００１１】 さて、図面に言及すると、要素などが参照番号などによって図示され、図１は
、ファブリケーションプロセスの中間のプロセス段階での半導体ウエハ２０を描
写する。ウエハ２０は、その上に位置するデバイス24を有する基板２２からなる
。デバイス２４は、上端表面２８を有するSiO2 、BPSG、又は他の適当な金属の
誘電体層２６によって覆われている。ドライエッチプロセスによって形成された
デバイスの特徴は、基板22上、誘電体層上又は誘電体層中に形成される。模範的
な目的に対して、デバイス特徴は、ビアかもしれないトレンチ３０として説明し
記述するが、本発明は、それに限定されると理解されるべきではない。
【００１２】 トレンチ３０は、誘電体材料で形成され、サイドウオール３２と底部表面３４
を有する。もしトレンチ３０が、金属レベル間の結合を可能とする充填されてい
ないビアを表すなら、底部表面３４は、アルミニウム又はタングステンなどの金
属からなることができる。図１のウエハ２０は、ドライエッチプロセス、その後
にフォトレジスト磨き工程又は剥離工程を経る。ドライエッチプロセスのために
、例えば、有機珪素、有機金属残留物であるかもしれない残留物４０は、誘電体
層２６の上端表面２８、トレンチ３０のサイドウォール上に存在する。もし除去
しないなら、残留物４０は、トレンチ３０又は誘電体層２６上の次の層の適切な
堆積を妨げる可能性がある。
【００１３】 残留物を除去するための本発明の実施態様は、図２〜５によって説明される。
実施態様は、ドライエッチ実行後、基板表面を浄化するために調製溶液を使用す
る。基板２２を、残留物40を基板表面から除去するのに十分な時間で調製溶液へ
曝す一方、例えば、金属ライン、ビア、誘電体層などの曝した表面から除去され
る物質の量を最小限にする。調製溶液の組成物は特定の用途に合致するように変
更することができる。調製溶液は、一般に、フッ素源、補助的な酸、非水溶性溶
媒を含有する。補助的な酸は、pH抑制剤として使用することができるH3PO4、HCl
、又は別の酸、又は酸の組み合わせとすることできる。非水溶性溶媒は、ポリエ
チレングリコール、エチレングリコールなどの多価アルコールとすることができ
る。あるいは、非水溶性溶媒は、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、
プロピレンカーボネート、又はイソプロピルアルコールを含む、多くの他の適当
な有機溶媒の1つとすることができる。調製溶液は、表面被膜剤も好適に含む。
表面被膜剤は、クエン酸、酢酸、又はEDTAなどのカルボン酸であることができる
。カルボン酸でない他の有機酸、例えば、アスコルビン酸も適当とすることがで
きる。好ましい調製溶液は、HF、H3PO4、プロピレングリコールなどの多価アル
コールの溶液、HF、H3PO4、多価アルコール、及び表面被膜剤の溶液、HF、HCl、
多価アルコールの溶液、HF、HCl、多価アルコール、及びクエン酸などの表面被
膜剤の溶液である。
【００１４】 HFは、好ましいフッ素源であるが、他のフッ素源も本発明の範囲内で有効に使
用することができる。例えば、NH4Fは、NH4Fが調製溶液に対して選択される他の
成分と両立することができる限り、フッ素源として使用することができる。同様
に、H3PO4が、本発明方法内で考えたリン酸塩の唯一の源ではない。例えば、解
離してH2PO4 −、HPO4 2-又はPO４ ３−を産するリン酸塩は、調製溶液において他
の成分に依存して適当であるかもしれない。しかしながら、HF及びH3PO4が特に
好ましく、フッ素源と補助的な酸に対する都合の良い選択である。
【００１５】 図2に言及すると、本発明のプロセスは、ウエハ２０の基板２２上の、トラン
ジスター、キャパシター、ワード線、ビット線などかもしれないデバイス24の形
成、及び基板22上の誘電体層２６の形成についで始まる。誘電体層２６は、二酸
化シリコン、BPSG（borophosphosilicate glass）、BSG（phosphosilicate glas
s）、BSG（borosilicate glass）又は他の誘電体層とすることができ、化学的気
相成長又は他の適当な手段によって堆積することができる。
【００１６】 図3は、フォトレジスト２４がスピン−オン技術等の適当な手段によって誘電
体２６の上端２８上に形成されるプロセスの次の段階を描写する。フォトレジス
ト４２をパターン化し展開し、エッチマスクとしてパターン化したフォトレジス
トを使用して基板上にドライエッチプロセスを行なった。ドライエッチプロセス
の最後に、残留物40が後で基板上に残存した。図4は、いったん磨き又は剥離な
どの適当なプロセスによって残存フォトレジストが除去されたのち、残留物が基
板上に存在するかもしれない2つの可能性ある位置を描写する。残留物４０は、
図4に示すように、誘電体層２６の上端表面２８上、又はトレンチ30の側面、又
は潜在的にウエハ上の他の場所で残存するかもしれない。
【００１７】 それから、ウエハ２０は本発明の浄化プロセスを経る。ウエハ２０を、いずれ
かの適当な方法、典型的にウエットプロセス法によって調製溶液に曝す。調製溶
液を含む浴へ単独又は他のウエハを組み合わせること、または、調製溶液の処方
が基板の表面を調製溶液へ所望の長さの時間曝す限り、ストリーム(stream)又は
スプレーとして一以上のウエハ２０上へ調製溶液を処方することのいずれか、適
当な方法をウエハ２０の浸漬に含むことができる。基板を調製溶液で処理する他
の方法は、当業者に明白であろう。誘電体層２６の上端２８から、及びトレンチ
３０のサイドウォール３２及び底部表面３４から、残留物４０を除去するために
十分な時間ウエハ２０を調製溶液へ曝す。残留物４０は、有機金属残留物、有機
珪素残留物、他のエッチ後残留物、又はそれらの残留物の組み合わせかもしれな
い。本発明の浄化方法は、個別に又は組み合わせで存在するときこれらの残留物
の除去に効果的である。
【００１８】 それから、ウエハ２０をゆすぎ後のプロセス工程用に基板を調製することがで
きる。1つの実施態様において、基板を脱イオン水でゆすぐ。好ましい実施態様
において、適当な酸の水溶性溶液からなる酸性のリンス(ゆすぎ浴)に曝すことが
できる。クエン酸、酢酸、又はEDTA（エチレンジアミノテトラアセテート）など
のカルボン酸が本実施態様に対して好ましい。カルボン酸でない他の有機酸、例
えばアスコルビン酸も使用することができる。
【００１９】 別の実施態様において、水溶性酸性溶液を、おおよそpH８までのいずれかの所
望のｐHレベルへ溶液のpHを上げるのに緩衝させることができる。さらに別の実
施態様において、例えば、乳酸アンモニウム、ホウ酸などのエッチ防止剤をゆす
ぎ浴中に加えることができる。別の実施態様において、ウエハをアルコール、多
価アルコール（プロピレングリコールなど）、ケトン、フルオロカーボンなどの
有機溶媒へ曝すことによって基板をゆすぐことができる。別の実施態様において
、ゆすぎを浴中で行なうことができ、ゆすぎ浴をガスを導入して攪拌することが
できる。攪拌ガスは、攪拌用にゆすぎ浴中に従来から導入することができる、Ｃ
Ｏ２、Ｎ２、又はその他のガスとすることができる。さらに別の実施態様におい
て、溶液をメガ音波エネルギー(megasonic energy)を使用して攪拌することがで
きる。さらに別の実施態様において、ゆすぎ浴を含む容器をマニュアル又はロボ
ット制御した震動によって攪拌することができる。
【００２０】 酸性にしたリンス（ゆすぎ液）又は緩衝させたリンスの使用は、ウエハを調製
溶液へ曝した後、所望の基板材料の望ましくない消耗の可能性を著しく下げる。
リンスをゆすぎ浴で行なう実施態様において、ガスをゆすぎ浴中を通して泡立て
ることができる。ガスがＣＯ２のとき、ガスの導入は、炭酸の形成のため、その
上でゆすぎ水を酸性にする別の手段を提供する。しかしながら、リンスが既に酸
性のとき、Ｎ２などの不活性ガスはＣＯ２と同様の効果を示す。この方法のいく
つかの用途において、ウエハが基板の望ましくない消耗へ影響を受けないか、基
板材料の追加の損失が致命的でないかのいずれかである。これらの場合において
、ウエハは、脱イオン水でゆすぐことができる。
【００２１】 さらに別の好ましい実施態様において、ウエハ２０は、ゆすぎ工程前に、非水
溶性溶媒で予めゆすぐことが可能である。1つの実施態様において、非水溶性溶
媒は、プロピレングリコールなどの多価アルコールである。別の実施態様におい
て、ウエハを調製溶液で使用した同様の非水溶性溶媒で予めゆすぐことができる
。ウエハを非水溶性溶媒で予めゆすいだ後、ウエハを上述したいずれかのリンス
でゆすぐすることができる。
【００２２】 ゆすぎ工程の正確な性質及び時間は、基板が経るであろう次のプロセス工程に
依存して変更することができる。ウエハ２０は、適当な場合、ゆすぎ後スピンド
ライすることができる。残留物が除去されたウエハ２０の最終構造を図5に示す
。ウエハ２０から機能的回路を作るためのさらなる工程は、今実行することがで
きる。
【００２３】 典型的には、調製溶液は、フッ素源、補助的な酸、非水溶性溶媒、及び表面被
膜剤からなる。フッ素源は、HF,NH4F又は調製溶液中において、フッ素源として
作用することが可能な他の適当な化学薬品とすることができる。非水溶性溶媒は
、典型的にプロピレングリコール、エチレングリコールなどの多価アルコールで
ある。テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、
又はイソプロピルアルコール等の他の有機溶媒も使用することができる。多くの
実施態様において、健康阻害リスクが低く、売却が容易なことを考慮するとプロ
ピレングリコールが好ましい。一以上のアルコールの混合物も使用することがで
きる。補助的な酸は、H3PO4、HCl、又は、pH抑制剤として作用することが可能な
別の酸又は酸の組み合わせとすることができる。pH抑制剤として選択される酸又
は酸の組み合わせは、溶液のpHをpH2以下へ減少させることができるべきである
ことが好ましい。表面被膜剤は、典型的にはカルボン酸である。好ましいカルボ
ン酸は、クエン酸、酢酸、又はEDTAを含む。例えば、アスコルビン酸などのカル
ボン酸でない他の有機酸も使用することができる。他の表面被膜剤は、一般に、
キレート剤(chelant)や還元剤を含む。
【００２４】 実施態様の1つの系において、調製溶液は、フッ素源としてHF、非水溶性溶媒
としてプロピレングリコール、補助的な酸としてH3PO4、表面被膜剤としてクエ
ン酸からなる。１つの実施態様において、調製溶液は、およそ0.01％〜5.0％のH
F、およそ80％〜95％のプロピレングリコール、およそ１％〜およそ15％のH3PO4 、及びおよそ0.001％〜1.0％のクエン酸からなる。好ましい実施態様において、
調製溶液は、およそ0.25％〜およそ0.3％のHF、およそ89％〜およそ94％のプロ
ピレングリコール、およそ６％〜７％のH3PO4、及びおよそ0.09％〜0.5％のクエ
ン酸からなる。特に好ましい実施態様において、調製溶液は、およそ0.27％のHF
、およそ91.5％のプロピレングリコール、およそ6.5％のH3PO4、及びおよそ0.25
％のクエン酸からなる。
【００２５】 上述の調製溶液において、溶液重量の平衡を水によって作成する。多くの実施
態様において、調製溶液は、水を含む通常の酸(stock acid)溶液を組み合わせて
調製され、その結果、少量の水が調製溶液中に存在するかもしれない。しかしな
がら、調製溶液の水の含有量は、できる限り低いことが好ましい。
【００２６】 実施態様の別の系において、調製溶液を、フッ素源としてHF、補助的な酸とし
てHClを、非水溶性溶媒としてプロピレングリコールを、表面被膜剤としてクエ
ン酸を選択することにより調製する。1つの実施態様において、調製溶液は、お
よそ0.01％〜およそ5.0％のHF、およそ80％〜およそ99％のプロピレングリコー
ル、およそ0.003％〜およそ1.0％のHCl、及びおよそ0.001％〜およそ1.0％のク
エン酸からなる。好ましい実施態様において、調製溶液は、およそ0.25％〜およ
そ0.3％のHF、およそ90％〜およそ98％プロピレングリコール、およそ0.005％〜
およそ0.009％のHCl、及びおよそ0.09％〜およそ0.5％のクエン酸からなる。特
に好ましい実施態様において、調製溶液は、およそ0.27％のHF、およそ97.5％の
プロピレングリコール、およそ0.006％のHCl、およそ0.25％のクエン酸からなる
。
【００２７】 前と同じように、上記調製溶液における溶液重量の平衡を水によって作成する
。多くの実施態様において、調製溶液を、水を含む通常の酸性溶液を組み合わせ
ることによって調製するので、水の少量が調製溶液中に存在するかもしれない。
しかしながら、調製溶液の水の含有量は、可能な限り低いことが好ましい。
【００２８】 実施態様の別の系において、表面被膜剤を調製溶液から省略することができる
。もし表面被膜剤を省略するなら、調製溶液は、いずれの有機金属、有機珪素、
及び他のエッチ後残留物も、なお効率良く除去するであろう。しかしながら、こ
れらの実施態様において、基板の表面上の特性への損害の危険は、かなり増加す
る。これらの実施態様を効率的に使用することができる一方で、所望の表面特性
又は基板へ可能性のある損害を避けるために、プロセス時間及び温度などの他の
反応パラメーターへより大きな注意を払わなければならない。
【００２９】 調製溶液を用いた残留物除去を、およそ５〜60℃の温度で行なうことができる
。5℃より低い温度を使用することができるが、残留物除去速度が低下するので
好ましくない。その結果、より低い温度での調製溶液は、より長い時間で基板を
適用する必要があるかもしれず、生産設定においてより低い処理能力となる。約
60℃を超える温度も使用することができる。基板を調製溶液へおよそ35℃〜40℃
の温度で曝すのが好ましい。基板を調製溶液へおよそ38℃の温度で曝すことが、
本発明の特に好ましい実施態様である。
【００３０】 いずれの望ましくないドライエッチ残留物も基板の表面から除去するのに十分
な時間の間、基板を調製溶液へ曝すことが好ましい。これは、基板及びプロセス
温度の正確な性質に依存して、基板を焼成溶液へ約１０秒〜約６０秒又はそれよ
り長い範囲で曝すことを必要とする。より長い露出時間、例えば、約180秒又は
より長い時間は、ドライエッチ残留物のより大きな除去効率を可能とするが、生
産設定においてより低い処理能力となるであろう。また、基板の正確な種類に依
存して、調製溶液へ対してより長い露出は、結局、基板表面、例えば、金属ライ
ン、ビア、又は誘電体表面上の露出した特性からの材料の除去を生じることとな
る。その結果、調製溶液への基板の露出時間の最適な量は、基板に依存するであ
ろう。好ましい露出時間は、対象の基板と除去用に対象とされた残留物に依存し
て、およそ10秒、およそ60秒、およそ180秒、又はより長くまたはより短い時間
とすることができる。
【００３１】 基板は、基板を調製溶液の浴中へ浸漬することによって調製溶液で処理するこ
とができる。あるいは、基板を、スプレー法など、溶液を基板上へ処方すること
により処理することができる。基板を調製溶液へ曝す他の方法は、当業者に明白
であろう。
【００３２】 いかなる特別の理論にも拘束されることなしに、いくつかの要因が、ドライエ
ッチ残留物を除去するための本方法の有効性に貢献していると現在考えらている
。カルボン酸又は他の有機酸は、基板の表面上にある露出した金属ライン、特に
アルミ二ウムラインの表面を保護することによって重要な役割を有すると考えら
れる。調製溶液がリン酸を含む実施態様において、H3PO4及びHFは、それぞれ、
有機金属及び有機珪素残留物の除去を助けることに補助的な役割を果たすと考え
られる。pH抑制剤が存在する実施態様において、調製溶液の低pHは、HFが溶液に
溶解したときに生成されるH+、F+、HF2-、又は他の同様の種のいずれかに分離す
るのとは対照的に、溶液中に存在するフッ化水素酸を、HF及びH2F2分子として存
在させることを可能とする傾向があると考えられる。調製溶液中に存在するHFの
分離を防ぐことによって、基板表面に曝されそうなSiO2又はアルミニウムライン
などの基板材料と十分によりゆっくりと一般的に反応するHF分子のままでいるよ
うになる。
【００３３】 アルミニウムラインとの反応性の欠如を説明することができる別の理論は、調
製溶液の性質が、フッ化アルミニウムの溶解性を抑制することである。フッ化ア
ルミニウムは、基板の表面上のアルミニウムラインを含むいずれかの反応の可能
性のある生成物の１つである。フッ化アルミニウムの溶解性を低くすることは、
この反応生成物をアルミニウムラインの表面に作らせ、更なる反応を防ぐかもし
れない。
【００３４】 ここで述べた実施態様から分かるように、本発明は、ドライエッチ残留物を金
属及び/又は誘電体の露出した領域を有する基板から除去するプロセスを強調し
ている。1つの実施態様において、HFなどのフッ素源、典型的にはプロピレング
リコールなどの多価アルコールである非水溶性溶媒、H3PO4、HClを含むことが可
能な補助的な酸、又は他のpH抑制剤 、典型的にはクエン酸などのカルボン酸である表面被膜剤からなる調製溶液と処
理する／へ曝すことである。調製溶液は、基板表面上の露出した特性に最小限の
影響で有機金属、有機珪素、及び他のドライエッチ残留物を効率的に除去する。
【００３５】 上述した説明及び図面は、本発明の目的、特徴、利点を達成するのに好ましい
実施態様を説明するだけである。本発明は、説明した実施態様に限定されること
を意図するものではない。上述の特許請求の範囲の要旨及び範囲内にある本発明
のいかなる変更も本発明の一部と考慮すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図１は、サンプルデバイス特性部付近のドライエッチ残留物を有する
基板の概略的な切断面を示す。
【図２】 図2は、本発明の好ましい実施態様のプロセスを経た基板の概略的な
切断面を示す。
【図３】 図2に示したものに続いてプロセス工程での図2の基板を示す。
【図４】 図3に示したものに続いてプロセス工程での図２の基板を示す。
【図５】 図4に示したものに続いてプロセス工程での図2の基板を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｎ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ， ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ， ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，Ｓ Ｄ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ， ＺＷ (72)発明者 ドナルド エル イエイツ アメリカ合衆国 アイダホ州 83713 ボ イジー マスケット ストリート 11151 Ｆターム(参考） 4H003 DA14 DC02 EA05 EA08 EA18 EA19 EA22 EB04 EB07 EB08 EB11 EB16 EB21 ED01 FA28 5F004 AA09 FA07 5F043 BB27 DD12

Claims (163)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板からドライエッチ残留物を除去する方法であって、ド
    ライエッチ残留物をその上に有する半導体基板を、フッ素源、補助的な酸、非水
    溶性溶媒を含有する調製溶液へ曝す工程からなることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 フッ素源が、HFである請求項1記載の方法。
  3. 【請求項３】 フッ素源が、NH4Fである請求項1記載の方法。
  4. 【請求項４】 補助的な酸が、H3PO4である請求項1記載の方法。
  5. 【請求項５】 補助的な酸が、リン酸塩である請求項1記載の方法。
  6. 【請求項６】 補助的な酸が、HClである請求項1記載の方法。
  7. 【請求項７】 補助的な酸が、pH抑制剤である請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 非水溶性溶媒が、多価アルコールである請求項1記載の方法。
  9. 【請求項９】 非水溶性溶媒が、プロピレングリコールである請求項１記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】 非水溶性溶媒が、エチレングリコールである請求項1記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】 非水溶性溶媒が、テトラヒドロフランである請求項1記載の方
    法。
  12. 【請求項１２】 非水溶性溶媒が、ジメチルスルホキシドである請求項1記載の
    方法。
  13. 【請求項１３】 非水溶性溶媒が、プロピレンカーボネートである請求項1記載
    の方法。
  14. 【請求項１４】 非水溶性溶媒が、イソプロピルアルコールである請求項1記載
    の方法。
  15. 【請求項１５】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコールで
    あり、補助的な酸がH3PO4である請求項1記載の方法。
  16. 【請求項１６】 HF、プロピレングリコール、H3PO4が、おおよそ0.01〜5.0：80
    〜95：1〜15の割合で、調製溶液中に存在する請求項15記載の方法。
  17. 【請求項１７】 HF、プロピレングリコール、H3PO4が、おおよそ0.25〜0.3：89
    〜94：6〜7の割合で、調製溶液中に存在する請求項15記載の方法。
  18. 【請求項１８】 HF、プロピレングリコール、H3PO4が、おおよそ0.27：91.5：6
    .5の割合で、調製溶液中に存在する請求項15記載の方法。
  19. 【請求項１９】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコールで
    あり、補助的な酸がHClである請求項1記載の方法。
  20. 【請求項２０】 HF、プロピレングリコール、HClが、おおよそ0.01〜5.0：80〜
    99：0.003〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 HF、プロピレングリコール、HClが、おおよそ0.25〜0.3：93〜
    98：0.005〜0.009の割合で、調製溶液中に存在する請求項１９記載の方法。
  22. 【請求項２２】 HF、プロピレングリコール、HClが、おおよそ0.27：97.5：0.0
    06の割合で、調製溶液中に存在する請求項１９記載の方法。
  23. 【請求項２３】 さらに調製溶液が表面被膜剤を含有する請求項1記載の方法。
  24. 【請求項２４】 表面被膜剤がカルボン酸である請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 表面被膜剤がクエン酸である請求項２３記載の方法。
  26. 【請求項２６】 表面被膜剤が酢酸である請求項２３記載の方法。
  27. 【請求項２７】 表面被膜剤がEDTAである請求項２３記載の方法。
  28. 【請求項２８】 表面被膜剤が有機酸である請求項２３記載の方法。
  29. 【請求項２９】 表面被膜剤がアスコルビン酸である請求項２３記載の方法。
  30. 【請求項３０】 表面被膜剤がキレート剤である請求項２３記載の方法。
  31. 【請求項３１】 表面被膜剤が還元剤である請求項２３記載の方法。
  32. 【請求項３２】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコールで
    あり、補助的な酸がH3PO4であり、表面被膜剤がクエン酸である請求項２３記載
    の方法。
  33. 【請求項３３】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.01〜5.0：80〜95：1〜15：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請求
    項32記載の方法。
  34. 【請求項３４】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.25〜0.3：89〜94：6〜7：0.09〜0.5の割合で、調製溶液中に存在する請求項
    32記載の方法。
  35. 【請求項３５】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.27：91.5：6.5：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項32記載の方法
    。
  36. 【請求項３６】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコールで
    あり、補助的な酸がHClであり、表面被膜剤がクエン酸である請求項２３記載の
    方法。
  37. 【請求項３７】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよそ0
    .01〜5.0：80〜99：0.003〜1.0：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請
    求項３６記載の方法。
  38. 【請求項３８】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよそ0
    .25〜0.3：93〜98：0.005〜0.009：0.09〜0.5の割合で、調製溶液中に存在する
    請求項３６記載の方法。
  39. 【請求項３９】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよそ0
    .27：97.5：0.006：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項３６記載の方法
    。
  40. 【請求項４０】 前記曝す工程を、およそ５〜60℃の範囲内の温度で行なう請求
    項1記載の方法。
  41. 【請求項４１】 前記曝す工程を、およそ35〜40℃の範囲内の温度で行なう請求
    項1記載の方法。
  42. 【請求項４２】 前記曝す工程を、およそ38℃の温度で行なう請求項1記載の方
    法。
  43. 【請求項４３】 前記曝す工程が、さらに基板を調製溶液に浸漬することを含む
    請求項１記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記曝す工程が、さらに調製溶液を基板上に処方することを含
    む請求項1記載の方法。
  45. 【請求項４５】 前記曝す工程を、全てのドライエッチ残留物を基板から実質的
    に除去するのに十分な時間行なう請求項1記載の方法。
  46. 【請求項４６】 前記曝す工程を、およそ10秒若しくはそれ以上の間行なう請求
    項1記載の方法。
  47. 【請求項４７】 前記曝す工程を、およそ60秒若しくはそれ以上の間行なう請求
    項1記載の方法。
  48. 【請求項４８】 さらに、前記曝す工程後、基板をゆすぐことを含む請求項1記
    載の方法。
  49. 【請求項４９】 前記ゆすぎ工程が、基板を脱イオン水に曝すことからなる請求
    項48記載の方法。
  50. 【請求項５０】 前記ゆすぎ工程が、基板を水溶性酸性溶液に曝すことからなる
    請求項48記載の方法。
  51. 【請求項５１】 水溶性酸性溶液がカルボン酸の溶液である請求項50記載の方法
    。
  52. 【請求項５２】 水溶性酸性溶液がクエン酸の溶液である請求項50記載の方法。
  53. 【請求項５３】 水溶性酸性溶液がEDTAの溶液である請求項50記載の方法。
  54. 【請求項５４】 水溶性酸性溶液が酢酸の溶液である請求項50記載の方法。
  55. 【請求項５５】 水溶性酸性溶液が有機酸の溶液である請求項50記載の方法。
  56. 【請求項５６】 水溶性酸性溶液がアスコルビン酸の溶液である請求項50記載の
    方法。
  57. 【請求項５７】 水溶性酸性溶液が炭酸の溶液である請求項50記載の方法。
  58. 【請求項５８】 水溶性酸性溶液をおよそ4.0〜8.0の間のpHに緩衝させる請求項
    ５０記載の方法。
  59. 【請求項５９】 前記ゆすぎ工程が基板を有機溶媒へ曝すことからなる請求項４
    ８記載の方法。
  60. 【請求項６０】 有機溶媒が、プロピレングリコールである請求項59記載の方法
    。
  61. 【請求項６１】 前記ゆすぎ工程が基板をエッチ防止剤を含む溶液へ曝すことか
    らなる請求項４８記載の方法。
  62. 【請求項６２】 エッチ防止剤が乳酸アンモニウムである請求項６１記載の方法
    。
  63. 【請求項６３】 エッチ防止剤がホウ酸である請求項６１記載の方法。
  64. 【請求項６４】 前記ゆすぎ工程が、さらに基板をゆすぎ浴で浸漬することから
    なる請求項４８記載の方法。
  65. 【請求項６５】 前記ゆすぎ工程が、さらにゆすぎ浴を攪拌することからなる請
    求項６４記載の方法。
  66. 【請求項６６】 ゆすぎ浴を、メガ音波エネルギー（Megasonic energy）で攪拌
    する請求項６５記載の方法。
  67. 【請求項６７】 前記ゆすぎ浴を、ゆすぎ浴中を通してガスを泡立てることによ
    って攪拌する請求項６５記載の方法。
  68. 【請求項６８】 CO2をゆすぎ浴中を通して泡立てる請求項６７記載の方法。
  69. 【請求項６９】 N２をゆすぎ浴中を通して泡立てる請求項６７記載の方法。
  70. 【請求項７０】 さらに、前記曝す工程の次てあるが、前記ゆすぎ工程の前に、
    基板を非水溶性溶媒で予めゆすぐことからなる請求項４８記載の方法。
  71. 【請求項７１】 非水溶性溶媒が、多価アルコールである請求項７０記載の方法
    。
  72. 【請求項７２】 非水溶性溶媒が、プロピレングリコールである請求項７０記載
    の方法。
  73. 【請求項７３】 非水溶性溶媒が調製溶液に使用した非水溶性溶媒と同じである
    請求項７０記載の方法。
  74. 【請求項７４】 ドライエッチ残留物を半導体基板から除去するための方法であ
    って、その上にドライエッチ残留物を有する半導体基板を、フッ素源、補助的な
    酸、非水溶性溶媒、及び表面被膜剤を含有する調製溶液で処理する工程を含む方
    法。
  75. 【請求項７５】 フッ素源が、HFである請求項７４記載の方法。
  76. 【請求項７６】 フッ素源が、NH4Fである請求項７４記載の方法。
  77. 【請求項７７】 非水溶性溶媒が、多価アルコールである請求項７４記載の方法
    。
  78. 【請求項７８】 非水溶性溶媒が、プロピレングリコールである請求項７４記載
    の方法。
  79. 【請求項７９】 非水溶性溶媒が、エチレングリコールである請求項７４記載の
    方法。
  80. 【請求項８０】 非水溶性溶媒が、テトラヒドロフランである請求項７４記載の
    方法。
  81. 【請求項８１】 非水溶性溶媒が、ジメチルスルホキシドである請求項７４記載
    の方法。
  82. 【請求項８２】 非水溶性溶媒が、プロピレンカーボネートである請求項７４記
    載の方法。
  83. 【請求項８３】 非水溶性溶媒が、イソプロピルアルコールである請求項７４記
    載の方法。
  84. 【請求項８４】 補助的な酸が、H3PO4である請求項７４記載の方法。
  85. 【請求項８５】 補助的な酸が、リン酸塩である請求項７４記載の方法。
  86. 【請求項８６】 補助的な酸が、HClである請求項７４記載の方法。
  87. 【請求項８７】 補助的な酸が、pH抑制剤である請求項７４記載の方法。
  88. 【請求項８８】 表面被膜剤がカルボン酸である請求項７４記載の方法。
  89. 【請求項８９】 表面被膜剤がクエン酸である請求項７４記載の方法。
  90. 【請求項９０】 表面被膜剤が酢酸である請求項７４記載の方法。
  91. 【請求項９１】 表面被膜剤がEDTAである請求項７４記載の方法。
  92. 【請求項９２】 表面被膜剤が有機酸である請求項７４記載の方法。
  93. 【請求項９３】 表面被膜剤がアスコルビン酸である請求項７４記載の方法。
  94. 【請求項９４】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコールで
    あり、補助的な酸がHClであり、表面被膜剤がクエン酸である請求項７４記載の
    方法。
  95. 【請求項９５】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよそ0
    .01〜5.0：80〜95：0.003〜1.0：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請
    求項９４記載の方法。
  96. 【請求項９６】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよそ0
    .25〜0.3：90〜98：0.005〜0.009：0.09〜0.5の割合で、調製溶液中に存在する
    請求項９４記載の方法。
  97. 【請求項９７】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよそ0
    .27：97.5：0.006：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項９４記載の方法
    。
  98. 【請求項９８】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコールで
    あり、補助的な酸がH3PO4であり、表面被膜剤がクエン酸である請求項７４記載
    の方法。
  99. 【請求項９９】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.01〜5.0：80〜95：1〜15：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請求
    項９８記載の方法。
  100. 【請求項１００】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.25〜0.3：89〜94：6〜7：0.09〜0.5の割合で、調製溶液中に存在する請求
    項９８記載の方法。
  101. 【請求項１０１】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.27：91.5：6.5：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項９８記載の
    方法。
  102. 【請求項１０２】 調製溶液が、およそ0.01〜5.0％のフッ素源、およそ８０〜
    ９０％の非水溶性溶媒、およそ１〜１５％の補助的な酸、及び0.001〜1.0％の表
    面被膜剤からなる溶液である請求項７４記載の方法。
  103. 【請求項１０３】 調製溶液が、およそ0.01〜5.0％のフッ素源、およそ８０〜
    ９５％の非水溶性溶媒、およそ0.003〜1.0％の補助的な酸、及び0.001〜1.0％の
    表面被膜剤からなる溶液である請求項７４記載の方法。
  104. 【請求項１０４】 前記曝す工程をおよそ５〜６０℃の範囲内の温度で行なう請
    求項７４記載の方法。
  105. 【請求項１０５】 前記曝す工程をおよそ３５〜４０℃の範囲内の温度で行なう
    請求項７４記載の方法。
  106. 【請求項１０６】 前記曝す工程をおよそ３８℃の温度で行なう請求項７４記載
    の方法。
  107. 【請求項１０７】 前記曝す工程を全てのドライエッチ残留物を基板から実質的
    に除去するのに十分な時間の間行なう請求項７４記載の方法。
  108. 【請求項１０８】 前記曝す工程をおよそ60秒又はそれ以上の間行なう請求項７
    ４記載の方法。
  109. 【請求項１０９】 さらに、前記曝す工程後、基板をゆすぐことからなる請求項
    74記載の方法。
  110. 【請求項１１０】 ドライエッチ工程後ウエハを洗浄する方法であって、有機金
    属及び有機珪素残留物の少なくとも1つを有するウエハを、残留物がウエハから
    除去されるまで、フッ素源、非水溶性溶媒、補助的な酸、及び表面被膜剤を含有
    する調製溶液を有する露出したウエハ表面上に処理する工程を含む方法。
  111. 【請求項１１１】 さらに、前記処理工程後、基板をゆすぐことからなる請求項
    １１０記載の方法。
  112. 【請求項１１２】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコール
    であり、補助的な酸がHClであり、表面被膜剤がクエン酸である請求項１１０記
    載の方法。
  113. 【請求項１１３】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.01〜5.0：80〜99：0.003〜1.0：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在す
    る請求項１１２記載の方法。
  114. 【請求項１１４】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.25〜0.3：90〜98：0.005〜0.009：0.009〜0.5の割合で、調製溶液中に存在
    する請求項１１２記載の方法。
  115. 【請求項１１５】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.27：97.5：0.006：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項１１２記載
    の方法。
  116. 【請求項１１６】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコール
    であり、補助的な酸がH3PO4であり、表面被膜剤がクエン酸である請求項１１０
    記載の方法。
  117. 【請求項１１７】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.01〜5.0：80〜95：1〜15：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請
    求項１１６記載の方法。
  118. 【請求項１１８】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.25〜0.3：89〜94：6〜7：0.009〜0.5の割合で、調製溶液中に存在する請
    求項１１６記載の方法。
  119. 【請求項１１９】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.27：91.5：6.5：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項１１６記載
    の方法。
  120. 【請求項１２０】 前記曝す工程をおよそ５〜６０℃の範囲内の温度で行なう請
    求項１１０記載の方法。
  121. 【請求項１２１】 前記曝す工程をおよそ３５〜４０℃の範囲内の温度で行なう
    請求項１１０記載の方法。
  122. 【請求項１２２】 前記曝す工程をおよそ３８℃の温度で行なう請求項１１０記
    載の方法。
  123. 【請求項１２３】 前記曝す工程をおよそ60秒又はそれ以上の間行なう請求項１
    １０記載の方法。
  124. 【請求項１２４】 基板表面上においてパターン化されたフォトレジストで基板
    を処理する方法であって、 基板に、基板の表面上にパターン化されたフォトレジストを供給する工程、 ドライエッチプロセスを基板上に行なう工程、 いずれの残存フォトレジストも基板の表面から除去する工程、 基板をフッ素源、非水溶性溶媒、補助的な酸、及び表面被膜剤を含有する調製
    溶液へ曝す工程、を含む方法。
  125. 【請求項１２５】 さらに、前記曝す工程後、基板をゆすぐことからなる請求項
    １２４記載の方法。
  126. 【請求項１２６】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコール
    であり、補助的な酸がHClであり、表面被膜剤がクエン酸である請求項１２４記
    載の方法。
  127. 【請求項１２７】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.01〜5.0：80〜99：0.003〜1.0：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在す
    る請求項１２６記載の方法。
  128. 【請求項１２８】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.25〜0.3：90〜98：0.005〜0.009：0.009〜0.5の割合で、調製溶液中に存在
    する請求項１２６記載の方法。
  129. 【請求項１２９】 HF、プロピレングリコール、HCl、及びクエン酸が、おおよ
    そ0.27：97.5：0.006：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項１２６記載
    の方法。
  130. 【請求項１３０】 フッ素源がHFであり、非水溶性溶媒がプロピレングリコール
    であり、補助的な酸がH3PO4であり、表面被膜剤がクエン酸である請求項１２４
    記載の方法。
  131. 【請求項１３１】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.01〜5.0：80〜95：1〜15：0.001〜1.0の割合で、調製溶液中に存在する請
    求項１３０記載の方法。
  132. 【請求項１３２】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.25〜0.3：89〜94：6〜7：0.009〜0.5の割合で、調製溶液中に存在する請
    求項１３０記載の方法。
  133. 【請求項１３３】 HF、プロピレングリコール、H3PO4、及びクエン酸が、おお
    よそ0.27：91.5：6.5：0.25の割合で、調製溶液中に存在する請求項１３０記載
    の方法。
  134. 【請求項１３４】 前記曝す工程をおよそ５〜６０℃の範囲内の温度で行なう請
    求項１２４記載の方法。
  135. 【請求項１３５】 前記曝す工程をおよそ３５〜４０℃の範囲内の温度で行なう
    請求項１２４記載の方法。
  136. 【請求項１３６】 前記曝す工程をおよそ３８℃の温度で行なう請求項１２４記
    載の方法。
  137. 【請求項１３７】 前記曝す工程をおよそ60秒又はそれ以上の間行なう請求項１
    ２４記載の方法。
  138. 【請求項１３８】 ドライエッチプロセス後に残存する残留物を除去するために
    半導体基板を処理する方法であって、 有機金属及び有機珪素残留物の少なくとも1つを基板表面上に有する基板を、
    おおよそ0.01〜5.0：80〜95：0.003〜1.0：0.001〜1.0の割合での HF、プロピレ
    ングリコール、HCl、及びクエン酸の調製溶液へ曝す工程、からなる方法。
  139. 【請求項１３９】 ドライエッチプロセス後に残存する残留物を除去するために
    半導体基板を処理する方法であって、 有機金属及び有機珪素残留物の少なくとも1つを基板表面上に有する基板を、
    おおよそ0.01〜5.0：80〜90：1〜15：0.001〜1.0の割合での HF、プロピレング
    リコール、H3PO4、及びクエン酸の調製溶液へ曝す工程、からなる方法。
  140. 【請求項１４０】 ドライエッチプロセス後に残存する残留物を除去するために
    半導体基板を処理する方法であって、 有機金属及び有機珪素残留物の少なくとも1つを基板表面上に有する基板を、
    おおよそ0.25〜0.3：90〜98：0.005〜0.009：0.009〜0.5の割合での HF、プロピ
    レングリコール、HCl、及びクエン酸の調製溶液へ曝す工程、 ウエハをゆすぐ工程、からなる方法。
  141. 【請求項１４１】 ドライエッチプロセス後に残存する残留物を除去するために
    半導体基板を処理する方法であって、 有機金属及び有機珪素残留物の少なくとも1つを基板表面上に有する基板を、
    おおよそ0.25〜0.3：90〜94：6〜7：0.009〜0.5の割合での HF、プロピレングリ
    コール、H3PO4、及びクエン酸の調製溶液へ曝す工程、 ウエハをゆすぐ工程、からなる方法。
  142. 【請求項１４２】 ドライエッチプロセス後半導体基板上に残存する残留物を除
    去するのに使用する溶液であって、前記溶液が、フッ化水素酸、リン酸、プロピ
    レングリコール、及びクエン酸を含有する溶液。
  143. 【請求項１４３】 前記溶液が、本質的にフッ化水素酸、リン酸、プロピレング
    リコール、及びクエン酸からなる請求項１４２記載の溶液。
  144. 【請求項１４４】 前記フッ化水素酸、リン酸、プロピレングリコール、及びク
    エン酸か、前記溶液中におよそ0.01〜5.0：1〜15：80〜90：0.001〜1.0の割合で
    存在する請求項１４２記載の溶液。
  145. 【請求項１４５】 前記溶液が、およそ0.01〜5.0％のフッ化水素酸、およそ1〜
    15％のリン酸、およそ80〜95％のプロピレングリコール、0.001〜1.0％のクエン
    酸を含有する請求項１４４記載の溶液。
  146. 【請求項１４６】 前記フッ化水素酸、リン酸、プロピレングリコール、及びク
    エン酸か、前記溶液中におよそ0.25〜0.3：6〜7：90〜94：0.009〜0.5の割合で
    存在する請求項１４２記載の溶液。
  147. 【請求項１４７】 前記溶液が、およそ0.25〜0.3％のフッ化水素酸、およそ6〜
    7％のリン酸、およそ90〜94％のプロピレングリコール、0.009〜0.5％のクエン
    酸を含有する請求項１４６記載の溶液。
  148. 【請求項１４８】 前記フッ化水素酸、リン酸、プロピレングリコール、及びク
    エン酸か、前記溶液中におよそ0.27：6.5：91.5：0.25の割合で存在する請求項
    １４２記載の溶液。
  149. 【請求項１４９】 前記溶液が、およそ0.27％のフッ化水素酸、およそ6.5％の
    リン酸、91.5％のプロピレングリコール、0.25％のクエン酸からなる請求項１４
    ８記載の溶液。
  150. 【請求項１５０】 ドライエッチプロセス後半導体基板上に残存する残留物を除
    去するのに使用する溶液であって、前記溶液が、フッ化水素酸、塩化水素酸、プ
    ロピレングリコール、及びクエン酸を含有する溶液。
  151. 【請求項１５１】 前記溶液が、本質的にフッ化水素酸、塩化水素酸、プロピレ
    ングリコール、及びクエン酸からなる請求項１５０記載の溶液。
  152. 【請求項１５２】 前記フッ化水素酸、塩化水素酸、プロピレングリコール、及
    びクエン酸か、前記溶液中におよそ0.01〜5.0：0.003〜1.0：80〜99：0.001〜1.
    0の割合で存在する請求項１５０記載の溶液。
  153. 【請求項１５３】 前記溶液が、およそ0.01〜5.0％のフッ化水素酸、およそ0.0
    03〜1.0％の塩化水素酸、およそ80〜99％のプロピレングリコール、0.001〜1.0
    ％のクエン酸を含有する請求項１５２記載の溶液。
  154. 【請求項１５４】 前記フッ化水素酸、塩化水素酸、プロピレングリコール、及
    びクエン酸か、前記溶液中におよそ0.25〜0.3：0.005〜0.009：90〜98：0.009〜
    0.5の割合で存在する請求項１５０記載の溶液。
  155. 【請求項１５５】 前記溶液が、およそ0.25〜0.3％のフッ化水素酸、およそ6〜
    7％の塩化水素酸、およそ90〜98％のプロピレングリコール、0.009〜0.5％のク
    エン酸を含有する請求項１５４記載の溶液。
  156. 【請求項１５６】 前記フッ化水素酸、塩化水素酸、プロピレングリコール、及
    びクエン酸か、前記溶液中におよそ0.27：0.006：97.5：0.25の割合で存在する
    請求項１５０記載の溶液。
  157. 【請求項１５７】 前記溶液が、およそ0.27％のフッ化水素酸、およそ0.006％
    の塩化水素酸、97.5％のプロピレングリコール、0.25％のクエン酸を含有する請
    求項１５６記載の溶液。
  158. 【請求項１５８】 ドライエッチプロセス後半導体基板上に残存する残留物を除
    去する際に使用する溶液であって、本質的にフッ素源、補助的な酸、非水溶性溶
    媒からなる溶液。
  159. 【請求項１５９】 フッ素源がフッ化水素酸、補助的な酸がリン酸、非水溶性溶
    媒がプロピレングリコールである請求項１５８記載の溶液。
  160. 【請求項１６０】 フッ素源がフッ化水素酸、補助的な酸が塩化水素酸、非水溶
    性溶媒がプロピレングリコールである請求項１５８記載の溶液。
  161. 【請求項１６１】 さらに、前記溶液が表面被膜剤を含む請求項１５８記載の溶
    液。
  162. 【請求項１６２】 フッ素源がフッ化水素酸、補助的な酸がリン酸、非水溶性溶
    媒がプロピレングリコール、表面被膜剤がクエン酸である請求項１６１記載の溶
    液。
  163. 【請求項１６３】 フッ素源がフッ化水素酸、補助的な酸が塩化水素酸、非水溶
    性溶媒がプロピレングリコール、表面被膜剤がクエン酸である請求項１６１記載
    の溶液。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011517328A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法
JP2013101224A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Nagase Chemtex Corp レジスト残渣除去組成物
JP2013258214A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19935446A1 (de) * 1999-07-28 2001-02-01 Merck Patent Gmbh Ätzlösung, Flußsäure enthaltend
JP2001100436A (ja) 1999-09-28 2001-04-13 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
US6531071B1 (en) 2000-01-04 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Passivation for cleaning a material
US6486108B1 (en) * 2000-05-31 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication
US6692976B1 (en) * 2000-08-31 2004-02-17 Agilent Technologies, Inc. Post-etch cleaning treatment
US7179751B2 (en) * 2001-10-11 2007-02-20 Texas Instruments Incorporated Hydrogen plasma photoresist strip and polymeric residue cleanup process for low dielectric constant materials
US6967173B2 (en) * 2000-11-15 2005-11-22 Texas Instruments Incorporated Hydrogen plasma photoresist strip and polymeric residue cleanup processs for low dielectric constant materials
MY143399A (en) 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
US20030140948A1 (en) * 2002-01-29 2003-07-31 Chih-Jung Ni Clean equipment for removing polymer residues on sidewalls of metal lines and method thereof
JP4010819B2 (ja) * 2002-02-04 2007-11-21 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7320942B2 (en) * 2002-05-21 2008-01-22 Applied Materials, Inc. Method for removal of metallic residue after plasma etching of a metal layer
US6849200B2 (en) * 2002-07-23 2005-02-01 Advanced Technology Materials, Inc. Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
JP4434950B2 (ja) * 2002-08-22 2010-03-17 ダイキン工業株式会社 剥離液
US7018937B2 (en) * 2002-08-29 2006-03-28 Micron Technology, Inc. Compositions for removal of processing byproducts and method for using same
KR100862988B1 (ko) * 2002-09-30 2008-10-13 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
US6969688B2 (en) * 2002-10-08 2005-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wet etchant composition and method for etching HfO2 and ZrO2
US7419768B2 (en) * 2002-11-18 2008-09-02 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating integrated circuitry
US6933224B2 (en) * 2003-03-28 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Method of fabricating integrated circuitry
KR100672933B1 (ko) * 2003-06-04 2007-01-23 삼성전자주식회사 세정 용액 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정 방법
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US20040261823A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
TWI362415B (en) * 2003-10-27 2012-04-21 Wako Pure Chem Ind Ltd Novel detergent and method for cleaning
WO2005047422A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-26 Honeywell International Inc. Selective etch and cleaning chemistries, methods of production and uses thereof
WO2005053004A1 (en) * 2003-11-19 2005-06-09 Honeywell International Inc. Selective removal chemistries for sacrificial layers methods of production and uses thereof
JP4326928B2 (ja) * 2003-12-09 2009-09-09 株式会社東芝 フォトレジスト残渣除去液組成物及び該組成物を用いる半導体回路素子の製造方法
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8043441B2 (en) * 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7214978B2 (en) * 2004-02-27 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor fabrication that includes surface tension control
US20050191584A1 (en) * 2004-02-27 2005-09-01 Kevin Shea Surface treatment of a dry-developed hard mask and surface treatment compositions used therefor
US7468323B2 (en) * 2004-02-27 2008-12-23 Micron Technology, Inc. Method of forming high aspect ratio structures
US7605033B2 (en) * 2004-09-01 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Low resistance peripheral local interconnect contacts with selective wet strip of titanium
US20060054595A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Honeywell International Inc. Selective hafnium oxide etchant
US20060102197A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Kang-Lie Chiang Post-etch treatment to remove residues
SG161211A1 (en) * 2005-04-04 2010-05-27 Mallinckrodt Baker Inc Compositions for cleaning ion implanted photoresist in front end of line applications
KR20080005408A (ko) * 2005-05-06 2008-01-11 말린크로트 베이커, 인코포레이티드 포스트-에치 및 애싱된 포토레지스트 잔류물 및 벌크포토레지스트의 제거를 위한 조성물
US7192878B2 (en) * 2005-05-09 2007-03-20 United Microelectronics Corp. Method for removing post-etch residue from wafer surface
US7713885B2 (en) * 2005-05-11 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Methods of etching oxide, reducing roughness, and forming capacitor constructions
US8211844B2 (en) * 2005-10-21 2012-07-03 Freescale Semiconductor, Inc. Method for cleaning a semiconductor structure and chemistry thereof
JP4826235B2 (ja) * 2005-12-01 2011-11-30 三菱瓦斯化学株式会社 半導体表面処理剤
US20070207622A1 (en) * 2006-02-23 2007-09-06 Micron Technology, Inc. Highly selective doped oxide etchant
KR100695438B1 (ko) 2006-04-28 2007-03-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
US8968583B2 (en) * 2007-07-25 2015-03-03 International Business Machines Corporation Cleaning process for microelectronic dielectric and metal structures
US8226775B2 (en) 2007-12-14 2012-07-24 Lam Research Corporation Methods for particle removal by single-phase and two-phase media
US20090253268A1 (en) * 2008-04-03 2009-10-08 Honeywell International, Inc. Post-contact opening etchants for post-contact etch cleans and methods for fabricating the same
CN101339369B (zh) * 2008-08-07 2011-08-24 温州康尔达印刷器材有限公司 Ps版修版膏
US8304349B2 (en) * 2008-08-18 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to integrate gate etching as all-in-one process for high K metal gate
US7776755B2 (en) * 2008-09-05 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Solution for polymer and capping layer removing with wet dipping in HK metal gate etching process
CN102217042A (zh) * 2008-10-02 2011-10-12 高级技术材料公司 表面活性剂/消泡剂混合物用于增强硅基板的金属负载及表面钝化的应用
US8557757B2 (en) * 2009-02-25 2013-10-15 Avantor Performance Materials, Inc. Multipurpose acidic, organic solvent based microelectronic cleaning composition
US8106469B2 (en) * 2010-01-14 2012-01-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus of fluorine passivation
US8324114B2 (en) 2010-05-26 2012-12-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for silicon oxide residue removal
KR101682078B1 (ko) 2010-07-30 2016-12-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US20120295447A1 (en) * 2010-11-24 2012-11-22 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
WO2014200985A2 (en) * 2013-06-11 2014-12-18 Specmat, Inc. Chemical compositions for semiconductor manufacturing processes and/or methods, apparatus made with same, and semiconductor structures with reduced potential induced degradation
US10619097B2 (en) 2014-06-30 2020-04-14 Specmat, Inc. Low-[HF] room temperature wet chemical growth (RTWCG) chemical formulation
US9385197B2 (en) * 2014-08-29 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor structure with contact over source/drain structure and method for forming the same
US9324820B1 (en) * 2014-10-28 2016-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for forming semiconductor structure with metallic layer over source/drain structure
CN114653668A (zh) * 2022-03-31 2022-06-24 乌海市晶易硅材料有限公司 一种去除硅料表面氧化层的方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4314885A (en) 1978-10-18 1982-02-09 The Babcock & Wilcox Company Industrial technique
US4314855A (en) 1979-12-17 1982-02-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of cleaning test probes
US5017513A (en) * 1989-01-18 1991-05-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a semiconductor device
US5981454A (en) * 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
US5988186A (en) * 1991-01-25 1999-11-23 Ashland, Inc. Aqueous stripping and cleaning compositions
US5175124A (en) * 1991-03-25 1992-12-29 Motorola, Inc. Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water
US5219791A (en) * 1991-06-07 1993-06-15 Intel Corporation TEOS intermetal dielectric preclean for VIA formation
US5304284A (en) * 1991-10-18 1994-04-19 International Business Machines Corporation Methods for etching a less reactive material in the presence of a more reactive material
TW263531B (ja) * 1992-03-11 1995-11-21 Mitsubishi Gas Chemical Co
GB9210514D0 (en) 1992-05-16 1992-07-01 Micro Image Technology Ltd Etching compositions
JPH0641770A (ja) 1992-07-27 1994-02-15 Daikin Ind Ltd シリコンウエハ表面の処理方法
US5389194A (en) 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5320709A (en) * 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
DE69412801T2 (de) * 1993-03-19 1999-04-22 The Procter & Gamble Co., Cincinnati, Ohio Säures, flüssiges reinigungsmittel für badezimmer
US5340437A (en) 1993-10-08 1994-08-23 Memc Electronic Materials, Inc. Process and apparatus for etching semiconductor wafers
JPH07183288A (ja) 1993-12-24 1995-07-21 Toshiba Corp 半導体ウェーハ処理剤
US5498293A (en) 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5478436A (en) 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5730162A (en) 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5714203A (en) * 1995-08-23 1998-02-03 Ictop Entwicklungs Gmbh Procedure for the drying of silicon
JPH09270400A (ja) 1996-01-31 1997-10-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハの製造方法
US5645737A (en) * 1996-02-21 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Wet clean for a surface having an exposed silicon/silica interface
TW416987B (en) 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
JP3457470B2 (ja) * 1996-07-02 2003-10-20 株式会社大林組 積層ゴム支承体の耐火構造
JPH1055993A (ja) 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US5855811A (en) * 1996-10-03 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication
US6265781B1 (en) * 1996-10-19 2001-07-24 Micron Technology, Inc. Methods and solutions for cleaning polished aluminum-containing layers, methods for making metallization structures, and the structures resulting from these methods
US5698503A (en) 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US5968848A (en) * 1996-12-27 1999-10-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Process for treating a lithographic substrate and a rinse solution for the treatment
US5798323A (en) * 1997-05-05 1998-08-25 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Non-corrosive stripping and cleaning composition
US5849091A (en) * 1997-06-02 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Megasonic cleaning methods and apparatus
US6012469A (en) 1997-09-17 2000-01-11 Micron Technology, Inc. Etch residue clean
US6280651B1 (en) 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
US6261845B1 (en) * 1999-02-25 2001-07-17 Cfmt, Inc. Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011517328A (ja) * 2008-03-07 2011-06-02 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 非選択性酸化物エッチング湿式洗浄組成物および使用方法
JP2013101224A (ja) * 2011-11-08 2013-05-23 Nagase Chemtex Corp レジスト残渣除去組成物
JP2013258214A (ja) * 2012-06-11 2013-12-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
US9920286B2 (en) 2012-06-11 2018-03-20 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Cleaning liquid for lithography and method for forming wiring

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Publication number Publication date
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KR100732256B1 (ko) 2007-06-25
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