JP2003347267A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents
Apparatus and method for treating substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プ
ラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種
基板（以下、単に「基板」という）を回転させて該基板
の乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関
するものである。[0001] The present invention relates to a semiconductor wafer,
Substrate processing apparatus and substrate for rotating various substrates (hereinafter, simply referred to as “substrate”) such as a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, and a substrate for an optical disk, and drying the substrate It relates to a processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、純水などのリンス液にてリン
ス処理された基板を乾燥する方法として基板を回転させ
ることにより基板に付着した純水などのリンス液を除去
するという方法がある。このような乾燥方法を採用する
基板処理装置として、例えば特開平１１−３３００３９
号公報に記載された装置が従来より知られている。この
基板処理装置では、基板保持手段として機能する保持台
が基板を水平姿勢で保持可能となっている。また、この
保持台の下面から鉛直方向に回転軸が延設されており、
この回転軸を中心に保持台が回転駆動されると、その保
持台に保持された基板が水平姿勢のまま回転し、基板に
付着しているリンス液が基板の周囲へと飛散する。これ
により基板からリンス液が除去されて基板の乾燥が行わ
れる。なお、飛散した液滴は基板の側方周囲に設けられ
たカップに受け止められて回収される。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of drying a substrate which has been rinsed with a rinsing liquid such as pure water, there is a method of removing a rinsing liquid such as pure water adhered to the substrate by rotating the substrate. As a substrate processing apparatus employing such a drying method, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-330039
An apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. H10-26095 is conventionally known. In this substrate processing apparatus, the holding table functioning as the substrate holding means can hold the substrate in a horizontal posture. In addition, a rotating shaft extends vertically from the lower surface of the holding table,
When the holding table is driven to rotate about the rotation axis, the substrate held by the holding table rotates in a horizontal posture, and the rinsing liquid attached to the substrate scatters around the substrate. Thus, the rinse liquid is removed from the substrate, and the substrate is dried. The scattered droplets are received and collected by a cup provided around the side of the substrate.
【０００３】また、この基板処理装置では、基板の表面
に対向する位置に遮断部材が設けられている。遮断部材
にはガス供給管が接続されており、遮断部材から基板の
表面に向けて処理ガス（窒素ガス（Ｎ2）や窒素ガスと
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気との混合ガス
等）が供給される。このような構成により、基板が配置
されるカップ内部の雰囲気をカップ外の大気と隔離する
とともに、基板の表面側の雰囲気を処理ガスの雰囲気に
維持するようにしている。In this substrate processing apparatus, a blocking member is provided at a position facing the surface of the substrate. A gas supply pipe is connected to the blocking member, and a processing gas (such as nitrogen gas (N2) or a mixed gas of nitrogen gas and IPA (isopropyl alcohol) vapor) is supplied from the blocking member toward the surface of the substrate. . With such a configuration, the atmosphere inside the cup in which the substrate is arranged is isolated from the atmosphere outside the cup, and the atmosphere on the front surface side of the substrate is maintained at the atmosphere of the processing gas.
【０００４】このように基板を回転させて乾燥させる乾
燥処理を実行する基板処理装置では、乾燥処理により基
板の表面にウォーターマークが発生するのを防止して乾
燥性能を高めるという技術課題がこの種の基板処理装置
において共通的に存在しており、かかる技術課題を解消
するために上記従来装置では次のように構成していた。
すなわち、上記従来装置では、基板を所定時間だけ高速
回転させた後に、基板の回転速度を低速回転に変更する
とともに、少なくとも基板が低速回転している間、低速
回転時に必要な量の処理ガスを基板に供給している。こ
れによって、高速回転時においてウォーターマークが発
生する前に大部分のリンス液が基板から取り除かれ、そ
の後の低速回転では処理ガスの供給により基板の表面へ
の大気の巻き込みを防止し、ウォーターマークの発生を
防止している。また、高速回転により乾燥処理に要する
時間の短縮を図っている。In such a substrate processing apparatus that performs a drying process in which a substrate is rotated and dried, there is a technical problem of improving the drying performance by preventing a watermark from being generated on the surface of the substrate by the drying process. In order to solve such a technical problem, the above-described conventional apparatus is configured as follows.
That is, in the above-described conventional apparatus, after rotating the substrate at a high speed for a predetermined time, the rotation speed of the substrate is changed to a low speed rotation, and at least while the substrate is rotating at a low speed, a necessary amount of the processing gas at the low speed rotation is supplied. Supplying to the substrate. Thus, most of the rinsing liquid is removed from the substrate before the watermark is generated at the time of high-speed rotation, and at the subsequent low-speed rotation, the supply of the processing gas prevents the entrainment of the atmosphere on the surface of the substrate, and the formation of the watermark is prevented. The occurrence is prevented. In addition, the time required for the drying process is reduced by high-speed rotation.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来装
置では、ウォーターマーク発生を防止して優れた乾燥性
能を得るためには基板を高速回転させる必要があった。
そのため、基板保持手段として機能する保持台を回転さ
せるためのモータとして高性能なものを必須的に用いる
必要があり、装置コストの増大を招くという問題があっ
た。また、高速回転させる場合には、その高速回転を可
能とするように装置各部を工夫する必要がある。例えば
上記従来装置では、保持台に立設された複数のピンを基
板の外縁部と係合させることで基板を保持する構造、い
わゆるメカチャック構造を採用しているが、上記従来装
置では高速回転にも耐え得るような構造を採用しなけれ
ばならず、この点においても装置コストを増大させる主
要因の一つとなっていた。さらに、基板および保持台を
高速回転させることで基板周囲に気流が発生し、その気
流に乗ってゴミやミストなどが基板表面に運ばれ、基板
表面に付着して製品歩留りの低下を引き起こすことがあ
った。However, in the conventional apparatus, it was necessary to rotate the substrate at a high speed in order to prevent generation of a watermark and obtain excellent drying performance.
For this reason, it is necessary to use a high-performance motor as a motor for rotating the holding table functioning as the substrate holding means, which causes an increase in apparatus cost. When rotating at a high speed, it is necessary to devise each part of the apparatus so as to enable the high-speed rotation. For example, the above-described conventional apparatus employs a structure for holding a substrate by engaging a plurality of pins erected on a holding table with an outer edge of the substrate, that is, a so-called mechanical chuck structure. Therefore, it is necessary to adopt a structure that can withstand such problems, and this is one of the main factors that increase the cost of the apparatus. In addition, high-speed rotation of the substrate and the holding table generates airflow around the substrate, which carries dirt and mist to the surface of the substrate and adheres to the surface of the substrate, causing a reduction in product yield. there were.
【０００６】ここで、基板を高速回転させることなく、
低速回転のまま乾燥処理を行うと、ウォーターマークの
発生を抑制することができず、乾燥性能の低下を招いて
しまう。そこで、この問題を解決するために、例えば基
板に供給する処理ガスの流量を増大させる（例えば、数
百リットル／分の流量を数千リットル／分に増大させ
る）という対策を講じることも考えられるが、この提案
技術では純度の高い窒素ガス等を多量に消費することと
なり、ランニングコストの増大は避けられず、上記提案
技術の採用は事実上困難である。Here, without rotating the substrate at a high speed,
If the drying process is performed with the rotation at a low speed, the generation of the watermark cannot be suppressed, and the drying performance is reduced. Therefore, in order to solve this problem, it is conceivable to take measures to increase the flow rate of the processing gas supplied to the substrate (for example, increase the flow rate of several hundred liters / minute to several thousand liters / minute). However, this proposed technique consumes a large amount of high-purity nitrogen gas and the like, which inevitably increases the running cost, and it is practically difficult to adopt the proposed technique.
【０００７】このように、低速回転のままウォーターマ
ークの発生を抑制することができる乾燥技術が望まれて
いたにもかかわらず、現在までかかる要望を満足する基
板処理装置および基板処理方法は存在していなかった。As described above, although there has been a demand for a drying technique capable of suppressing the generation of a watermark while rotating at a low speed, a substrate processing apparatus and a substrate processing method satisfying such a demand exist to date. I didn't.
【０００８】この発明は上記課題に鑑みなされたもので
あり、基板の回転速度を増大させることなく、優れた乾
燥性能で乾燥処理を行うことができる基板処理装置およ
び基板処理方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing a drying process with excellent drying performance without increasing the rotation speed of the substrate. Aim.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる基板処
理装置は、基板を回転させて該基板の乾燥処理を行う装
置であって、上記目的を達成するため、基板を保持する
基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板を回転
させる回転手段と、回転手段により回転される基板を加
熱することで乾燥処理中での該基板の表面温度を上昇さ
せる加熱手段とを備えている。SUMMARY OF THE INVENTION A substrate processing apparatus according to the present invention is an apparatus for drying a substrate by rotating the substrate. Rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means, and heating means for heating the substrate rotated by the rotating means to increase the surface temperature of the substrate during the drying process.
【００１０】このように構成された発明では、回転手段
により基板を回転させることで該基板に対する乾燥処理
が実行されるが、その回転する基板は加熱手段により加
熱されるため、乾燥処理中における基板の表面温度は上
昇し、その結果、乾燥処理が促進される。このように基
板を回転させるのみならず、その基板の表面温度を上昇
させているため、基板の回転速度を増大させることなく
良好な乾燥性能で乾燥処理が実行される。[0010] In the invention configured as described above, the drying process is performed on the substrate by rotating the substrate by the rotating means. However, since the rotating substrate is heated by the heating means, the substrate during the drying process is heated. The surface temperature of the powder increases, and as a result, the drying process is accelerated. Since not only the substrate is rotated but also the surface temperature of the substrate is increased, the drying process is performed with good drying performance without increasing the rotation speed of the substrate.
【００１１】ここで、乾燥性能をさらに高めるために
は、例えば乾燥処理中において基板保持手段に保持され
た基板の表面に遮断部材を近接配置するのが望ましい。
このように遮断部材を設けることで、乾燥処理中の基板
と周囲の雰囲気とが遮断され、乾燥処理中の基板への周
囲の雰囲気の影響を防止できる。Here, in order to further enhance the drying performance, for example, it is desirable to arrange a blocking member close to the surface of the substrate held by the substrate holding means during the drying process.
By providing the blocking member in this manner, the substrate during the drying process and the surrounding atmosphere are shut off, and the influence of the surrounding atmosphere on the substrate during the drying process can be prevented.
【００１２】また、基板への周囲の雰囲気の影響をさら
に効果的に防止するためには、例えば遮断部材を回転さ
せるように構成したり、基板保持手段に保持された基板
の表面と、遮断部材との間の空間に処理ガスを供給して
処理雰囲気を形成するようにしてもよい。Further, in order to more effectively prevent the influence of the surrounding atmosphere on the substrate, for example, the blocking member may be configured to be rotated, or the surface of the substrate held by the substrate holding means and the blocking member may be rotated. The processing atmosphere may be formed by supplying a processing gas to a space between the processing gas and the processing gas.
【００１３】また、加熱手段として基板保持手段に保持
された基板の上方位置に光源を配置し、この光源から基
板表面に向けて光を照射することで基板を加熱するよう
にしてもよく、この場合、遮断部材は光源からの光を基
板表面に透過可能な材料で構成するのが望ましい。Further, a light source may be arranged above the substrate held by the substrate holding means as a heating means, and the substrate may be heated by irradiating light from the light source toward the substrate surface. In this case, it is desirable that the blocking member be made of a material capable of transmitting light from the light source to the substrate surface.
【００１４】この発明にかかる基板処理方法は、基板を
回転させて該基板の乾燥処理を行う方法であって、上記
目的を達成するため、乾燥処理を受けている基板を加熱
することで乾燥処理中での該基板の表面温度を上昇させ
ている。A substrate processing method according to the present invention is a method of performing a drying process on a substrate by rotating the substrate. In order to achieve the above object, the drying process is performed by heating the substrate that has undergone the drying process. The surface temperature of the substrate inside.
【００１５】このように構成された発明では、上記装置
と同様に、乾燥処理を行うために基板が回転するのみな
らず、その乾燥処理中において基板が加熱されて該基板
の表面温度が上昇するため、基板の回転速度を増大させ
ることなく乾燥処理を行うことができ、しかも表面温度
の上昇により乾燥処理が促進されて乾燥性能の向上を図
ることができる。According to the invention having the above-described structure, similarly to the above-described apparatus, not only the substrate is rotated to perform the drying process, but also the substrate is heated during the drying process to increase the surface temperature of the substrate. Therefore, the drying process can be performed without increasing the rotation speed of the substrate, and the drying process can be accelerated by the increase in the surface temperature, so that the drying performance can be improved.
【００１６】ここで、基板の加熱タイミングについて
は、上記のように乾燥処理中はもちろんのこと、乾燥処
理を開始する前から行ってもよく、このように乾燥処理
前から基板を予備的に加熱することで乾燥処理中での基
板の表面温度がさらに上昇して乾燥処理をより効果的に
行うことができる。例えば、乾燥処理の前に基板を回転
させるとともに基板にリンス液を供給してリンス処理を
実行する場合には、そのリンス処理の開始時あるいはリ
ンス処理の途中から乾燥処理を開始するまでの間、基板
を予備的に加熱するようにすればよい。Here, the substrate may be heated not only during the drying process as described above, but also before the start of the drying process. Thus, the substrate is preliminarily heated before the drying process. By doing so, the surface temperature of the substrate during the drying process is further increased, and the drying process can be performed more effectively. For example, when the rinsing process is performed by rotating the substrate before the drying process and supplying the rinsing liquid to the substrate, when the rinsing process is started or during the rinsing process until the drying process is started, The substrate may be preliminarily heated.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態にか
かる基板処理装置全体の概略構成を示す縦断面図であ
る。この基板処理装置は、同図に示すように、本発明の
「基板保持手段」として機能するスピンチャック１によ
り基板Ｗを保持した状態で、その基板Ｗに対して薬液処
理、リンス処理、乾燥処理を同一装置内で実行する。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of an entire substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, this substrate processing apparatus holds a substrate W by a spin chuck 1 functioning as a “substrate holding unit” of the present invention, and performs a chemical solution process, a rinsing process, and a drying process on the substrate W. In the same device.
【００１８】このスピンチャック１は、基板裏面側の遮
断部材としての機能を兼ねた円盤状のベース部材２と、
その上面に設けられた３個以上の保持部材３とを備えて
いる。これらの保持部材３のそれぞれは基板Ｗの外周端
部を下方から載置支持する支持部３ａと、基板Ｗの外周
端縁の位置を規制する規制部３ｂとを有しており、これ
らの保持部材３をベース部材２の外周端部付近に設けて
いる。また、各規制部３ｂは、基板Ｗの外周端縁に接触
して基板Ｗを保持する作用状態と、基板Ｗの外周端縁か
ら離れて基板Ｗの保持を解除する非作用状態とを採り得
るように構成されており、非作用状態で搬送ロボット
（図示省略）によって支持部３ａに対する基板Ｗの搬入
／搬出を行う一方、基板Ｗの表面を上側にして支持部３
ａに載置された後で各規制部３ｂを作用状態に切替える
ことで基板Ｗがスピンチャック１に保持される。なお、
この保持部材３（規制部３ｂ）の動作は、例えば、特開
昭６３−１５３８３９号公報に開示されているリンク機
構などで実現することができる。The spin chuck 1 has a disk-shaped base member 2 which also functions as a blocking member on the back side of the substrate;
And three or more holding members 3 provided on the upper surface thereof. Each of these holding members 3 has a supporting portion 3a for placing and supporting the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a regulating portion 3b for regulating the position of the outer peripheral edge of the substrate W. The member 3 is provided near the outer peripheral end of the base member 2. Further, each of the regulating portions 3b can take an operation state of contacting the outer peripheral edge of the substrate W and holding the substrate W, and a non-operating state of releasing the holding of the substrate W away from the outer peripheral edge of the substrate W. The transport robot (not shown) carries the substrate W in and out of the support portion 3a in a non-operating state, and the support portion 3 with the surface of the substrate W facing upward.
The substrate W is held by the spin chuck 1 by switching each of the regulating portions 3b to the operating state after being placed on the spin chuck 1. In addition,
The operation of the holding member 3 (restriction portion 3b) can be realized by, for example, a link mechanism disclosed in JP-A-63-153839.
【００１９】また、ベース部材２の下面には、回転軸４
の上方端部が取り付けられている。そして、この回転軸
４の下方端部にプーリ５ａが固着されるとともに、この
プーリ５ａとモータ５の回転軸に固着されたプーリ５ｂ
との間にベルト５ｃが掛け渡されており、モータ５から
の回転駆動力がベルト５ｃを介して回転軸４に伝達され
るように構成されている。このため、モータ５を駆動す
ることでスピンチャック１に保持された基板Ｗは基板Ｗ
の中心周りに回転される。このように、この実施形態で
は、モータ５の回転駆動力をプーリ５ａ，５ｂ、ベルト
５ｃからなる動力伝達機構によって回転軸４に伝えてス
ピンチャック１に保持された基板Ｗを回転させており、
回転軸４、プーリ５ａ，５ｂ、ベルト５ｃおよびモータ
５により本発明の「回転手段」が構成されている。A rotating shaft 4 is provided on the lower surface of the base member 2.
Is mounted at the upper end. A pulley 5a is fixed to the lower end of the rotating shaft 4 and a pulley 5b fixed to the pulley 5a and the rotating shaft of the motor 5.
And a belt 5c is stretched between them, and the rotational driving force from the motor 5 is transmitted to the rotating shaft 4 via the belt 5c. Therefore, the substrate W held by the spin chuck 1 by driving the motor 5 becomes the substrate W
Rotated around the center of As described above, in this embodiment, the rotational driving force of the motor 5 is transmitted to the rotary shaft 4 by the power transmission mechanism including the pulleys 5a, 5b and the belt 5c, thereby rotating the substrate W held by the spin chuck 1.
The rotation shaft 4, the pulleys 5a and 5b, the belt 5c, and the motor 5 constitute the "rotation means" of the present invention.
【００２０】ベース部材２の中央部にはノズル６が設け
られている。ノズル６は中空の回転軸４の中心軸に沿っ
て内設された管７や、管８を介して三方バルブ９のコモ
ンポートＣＰに連通接続されている。三方バルブ９の第
１の切り替えポートＰ１には、開閉弁１０を介装した管
１１を介して薬液供給部１２が連通接続されている。ま
た、三方バルブ９の第２の切り替えポートＰ２には、開
閉弁１３を介装した管１４を介してリンス液供給部１５
が連通接続されている。このため、開閉弁１０、１３の
開閉、及び、三方バルブ９の切り替えにより、ノズル６
から基板Ｗの裏面（図の下面側）の中心に向けて薬液と
リンス液（例えば純水リンス液）とが切り替え供給でき
るようになっている。A nozzle 6 is provided at the center of the base member 2. The nozzle 6 is connected to a common port CP of a three-way valve 9 via a tube 7 provided along the center axis of the hollow rotary shaft 4 and a tube 8. A chemical supply unit 12 is connected to a first switching port P1 of the three-way valve 9 via a pipe 11 having an on-off valve 10 interposed therebetween. Further, a rinsing liquid supply unit 15 is connected to a second switching port P2 of the three-way valve 9 through a pipe 14 provided with an on-off valve 13.
Are connected. Therefore, the opening and closing of the on-off valves 10 and 13 and the switching of the three-way valve 9 cause the nozzle 6
A chemical liquid and a rinsing liquid (for example, a pure water rinsing liquid) can be switched and supplied toward the center of the back surface (the lower surface side in the figure) of the substrate W.
【００２１】また、ベース部材２の中央部にはノズル６
と同軸に開口１６が設けられている。この開口１６は、
上記管７と同軸に回転軸４内に設けられた中空部１７
や、開閉弁１８を介装した管１９を介してガス供給部２
０に連通接続されている。このため、開閉弁１８を開に
することにより、遮断部材としてのベース部材２と基板
Ｗの裏面との間の空間Ｓlwに不活性ガス（例えば、窒素
ガス）を供給し、その空間Ｓlwを不活性ガス雰囲気にパ
ージし得るように構成されている。A nozzle 6 is provided at the center of the base member 2.
An opening 16 is provided coaxially. This opening 16
Hollow portion 17 provided in rotary shaft 4 coaxially with tube 7
Or the gas supply unit 2 via a pipe 19 with an on-off valve 18
0. Therefore, by opening the on-off valve 18, an inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied to the space Slw between the base member 2 serving as the blocking member and the back surface of the substrate W, and the space Slw is inactive. It is configured to be able to purge into an active gas atmosphere.
【００２２】スピンチャック１の上方には透明材料で形
成された遮断部材２１が設けられている。この遮断部材
２１は、鉛直方向に配設された懸垂アーム２２の下端部
に取り付けられている。また、この懸垂アーム２２の上
方端部には、モータ２３が本発明の「遮断部材回転手
段」として設けられ、モータ２３を駆動することによ
り、遮断部材２１が懸垂アーム２２を回転中心として回
転されるようになっている。なお、スピンチャック１の
回転軸４の回転軸芯と懸垂アーム２２の回転軸芯とは一
致されていて、遮断部材としてのベース部材２、スピン
チャック１に保持された基板Ｗ、遮断部材２１は同軸周
りに回転されるようになっている。また、モータ２３
は、スピンチャック１（に保持された基板Ｗ）と同じ方
向でかつ略同じ回転速度で遮断部材２１を回転させるよ
うに構成されている。Above the spin chuck 1, a blocking member 21 made of a transparent material is provided. This blocking member 21 is attached to the lower end of a suspension arm 22 arranged in the vertical direction. At the upper end of the suspension arm 22, a motor 23 is provided as "blocking member rotating means" of the present invention. By driving the motor 23, the blocking member 21 is rotated about the suspension arm 22 as a rotation center. It has become so. The rotation axis of the rotation shaft 4 of the spin chuck 1 and the rotation axis of the suspension arm 22 coincide with each other, and the base member 2 as a blocking member, the substrate W held by the spin chuck 1, and the blocking member 21 It is designed to be rotated around the same axis. Also, the motor 23
Is configured to rotate the blocking member 21 in the same direction as the spin chuck 1 (the substrate W held thereon) and at substantially the same rotation speed.
【００２３】この懸垂アーム２２の略中央部には、ベア
リング５１を介してランプ支持アーム５２が水平方向に
取り付けられるとともに、そのランプ支持アーム５２の
先端部にハロゲンランプなどの光源５３が固着されてい
る。なお、光源５３としてハロゲンランプを用いた場合
には、遮断部材２１を例えば石英材料で形成するのが望
ましいが、遮断部材２１を形成する材料については、光
源５３から発光される光Ｌの波長域に応じて適宜選択す
ればよい。At substantially the center of the suspension arm 22, a lamp support arm 52 is mounted in a horizontal direction via a bearing 51, and a light source 53 such as a halogen lamp is fixed to the tip of the lamp support arm 52. I have. When a halogen lamp is used as the light source 53, it is desirable that the blocking member 21 be formed of, for example, a quartz material. May be appropriately selected according to the conditions.
【００２４】そして、ランプコントローラ５４によって
光源５３が点灯されると、光源５３からの光Ｌが遮断部
材２１を透過し、スピンチャック１に保持された基板Ｗ
の表面に照射される。このため、光源５３からの光照射
を受けた基板Ｗは加熱されて表面温度が上昇する。この
ように、この実施形態では、光源５３が本発明の「加熱
手段」として機能する。なお、上記のように実施形態で
はベアリング５１によってランプ支持アーム５２および
光源５３が懸垂アーム２２に対して相対的に回転自在に
支持されているため、モータ２３により懸垂アーム２２
が回転駆動されたとしても、光源５３は静止状態に維持
され、その静止状態のままランプコントローラ５４によ
って点灯／消灯制御される。When the light source 53 is turned on by the lamp controller 54, the light L from the light source 53 passes through the blocking member 21 and the substrate W held on the spin chuck 1
The surface is irradiated. For this reason, the substrate W that has been irradiated with light from the light source 53 is heated and its surface temperature rises. Thus, in this embodiment, the light source 53 functions as the “heating unit” of the present invention. In the embodiment described above, the lamp support arm 52 and the light source 53 are supported by the bearing 51 so as to be rotatable relative to the suspension arm 22.
Even if is rotated, the light source 53 is maintained in a stationary state, and the lamp controller 54 controls lighting / extinguishing in the stationary state.
【００２５】また、懸垂アーム２２は、図示しない昇降
機構（例えば、エアシリンダのロッドの伸縮）により昇
降されるように構成され、これにより、光源５３が懸垂
アーム２２とともに昇降移動されるとともに、遮断部材
２１がスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面に近
接／離間移動されるようになっている。遮断部材２１
が、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面に近接
配置された状態で、スピンチャック１に保持された基板
Ｗは、遮断部材としてのベース部材２と遮断部材２１と
の間に挟まれた状態となり、この状態で、後述する薬液
処理、リンス処理、乾燥処理が行われる。The suspension arm 22 is configured to be moved up and down by an elevating mechanism (for example, expansion and contraction of a rod of an air cylinder) (not shown), so that the light source 53 is moved up and down together with the suspension arm 22 and shut off. The member 21 is moved toward and away from the surface of the substrate W held by the spin chuck 1. Blocking member 21
However, the substrate W held by the spin chuck 1 is sandwiched between the base member 2 as a blocking member and the blocking member 21 in a state in which the substrate W is disposed close to the surface of the substrate W held by the spin chuck 1. In this state, a chemical solution process, a rinsing process, and a drying process described below are performed.
【００２６】遮断部材２１の中央部にはノズル２５が設
けられている。ノズル２５は、中空の懸垂アーム２２の
中心軸に沿って内設された管２６や、管２７を介して三
方バルブ２８のコモンポートＣＰに連通接続されてい
る。三方バルブ２８の第１の切り替えポートＰ１には、
開閉弁２９を介装した管３０を介して薬液供給部３１が
連通接続されている。また、三方バルブ２８の第２の切
り替えポートＰ２には、開閉弁３２を介装した管３３を
介してリンス液供給部３４が連通接続されている。そし
て、スピンチャック１に保持された基板Ｗの表面に遮断
部材２１が近接配置された状態で、開閉弁２９、３２の
開閉、及び、三方バルブ２８の切り替えにより、ノズル
２５から、基板Ｗの表面（図の上面側）の中心に向けて
薬液と純水リンス液とが切り替え供給できるようになっ
ている。A nozzle 25 is provided at the center of the blocking member 21. The nozzle 25 is connected to a common port CP of a three-way valve 28 via a tube 26 provided along the center axis of the hollow suspension arm 22 and a tube 27. In the first switching port P1 of the three-way valve 28,
A chemical solution supply section 31 is connected to and communicated with a chemical liquid supply section 31 via a pipe 30 provided with an on-off valve 29. A rinsing liquid supply unit 34 is connected to a second switching port P2 of the three-way valve 28 via a pipe 33 provided with an on-off valve 32. Then, in a state where the blocking member 21 is arranged close to the surface of the substrate W held by the spin chuck 1, the on-off valves 29 and 32 are opened and closed, and the three-way valve 28 is switched to cause the nozzle 25 to move the surface of the substrate W from the nozzle 25. A chemical solution and a pure water rinsing solution can be switched and supplied toward the center of the upper surface of the drawing.
【００２７】また、遮断部材２１の中央部にはノズル２
５と同軸に開口３５が設けられている。この開口３５
は、上記管２６と同軸に懸垂アーム２２内に設けられた
中空部３６や、開閉弁３７を介装した管３８を介してガ
ス供給部３９に連通接続されている。そして、スピンチ
ャック１に保持された基板Ｗの表面に遮断部材２１が近
接配置された状態で、開閉弁３７を開にすることによ
り、遮断部材２１と基板Ｗの表面との間の空間Ｓupに不
活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給し、その空間Ｓup
を不活性ガス雰囲気にパージし得るように構成されてい
る。The nozzle 2 is located at the center of the blocking member 21.
An opening 35 is provided coaxially with 5. This opening 35
Is connected to a gas supply unit 39 through a hollow portion 36 provided in the suspension arm 22 coaxially with the tube 26 and a tube 38 provided with an on-off valve 37. Then, in a state where the blocking member 21 is disposed close to the surface of the substrate W held by the spin chuck 1, the on-off valve 37 is opened, so that the space Sup between the blocking member 21 and the surface of the substrate W is formed. An inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied and the space Sup
Is purged into an inert gas atmosphere.
【００２８】スピンチャック１の周囲には、薬液やリン
ス液の周囲への飛散を防止するカップ４０が配設されて
いる。カップ４０の底部には、カップ４０で回収された
薬液やリンス液を装置外で回収するとともに、カップ４
０内の排気を行うための排液・排気管４１が設けられて
いる。そして、カップ４０や遮断部材２１などは、図示
しないチャンバ内に収納されて１台の装置（１ユニッ
ト）として構成されている。Around the spin chuck 1, there is provided a cup 40 for preventing a chemical solution or a rinsing liquid from scattering around. At the bottom of the cup 40, the chemical and rinsing liquid collected by the cup 40 are collected outside the apparatus, and the cup 4
A drain / exhaust pipe 41 for exhausting the gas in the chamber 0 is provided. The cup 40, the blocking member 21, and the like are housed in a chamber (not shown) and configured as one device (one unit).
【００２９】次に、上記のように構成された基板処理装
置の動作について、図２を参照しつつ詳述する。図２は
図１の基板処理装置の動作タイミングを示すタイミング
チャートである。この基板処理装置のスピンチャック１
に搬送ロボットにより未処理基板Ｗが搬送され、保持部
材３により保持された後、装置全体を制御する制御部に
より装置各部が以下のように制御されて薬液処理、リン
ス処理、乾燥処理がこの順序で行われる。Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 is a timing chart showing the operation timing of the substrate processing apparatus of FIG. Spin chuck 1 of this substrate processing apparatus
After the unprocessed substrate W is transferred by the transfer robot and held by the holding member 3, each part of the apparatus is controlled as follows by a control unit that controls the entire apparatus, and the chemical processing, the rinsing processing, and the drying processing are performed in this order. Done in
【００３０】まず、タイミングＴ1で薬液処理を開始す
る。すなわち、スピンチャック１に保持された基板Ｗの
表面に遮断部材２１を近接配置させた後、基板Ｗがベー
ス部材２と遮断部材２１とに挟まれた状態で、モータ５
を駆動してスピンチャック１とともに基板Ｗを低速回転
させる。また、三方バルブ９のコモンポートＣＰと第１
の切り替えポートＰ１とが連通接続されるように三方バ
ルブ９を切り替え、閉になっている開閉弁１０、１３の
うち、開閉弁１０を開にすることでノズル６から基板Ｗ
の裏面（図の下面側）の中心に向けて薬液を供給する。
また同時に、三方バルブ２８のコモンポートＣＰと第１
の切り替えポートＰ１とが連通接続されるように三方バ
ルブ２８を切り替え、閉になっている開閉弁２９、３２
のうち、開閉弁２９を開にすることでノズル２５から基
板Ｗの表面（図の上面側）の中心に向けて薬液を供給す
る。これによって、基板Ｗに対する薬液処理を行う。First, the chemical treatment is started at timing T1. That is, after the blocking member 21 is arranged close to the surface of the substrate W held by the spin chuck 1, the motor 5 is held in a state where the substrate W is sandwiched between the base member 2 and the blocking member 21.
To rotate the substrate W together with the spin chuck 1 at a low speed. Further, the common port CP of the three-way valve 9 and the first
The three-way valve 9 is switched so that the switching port P1 is communicated with the switching port P1.
Is supplied toward the center of the back surface (the lower surface side in the figure).
At the same time, the common port CP of the three-way valve 28
The three-way valve 28 is switched so that the switching port P1 is connected to the switching port P1, and the on-off valves 29, 32 which are closed
The chemical is supplied from the nozzle 25 toward the center of the surface of the substrate W (upper side in the drawing) by opening the on-off valve 29. As a result, the substrate W is subjected to the chemical treatment.
【００３１】この薬液処理（Ｔ1〜Ｔ3）中、基板Ｗの表
裏面の中心に供給される薬液は、基板Ｗの回転によって
基板Ｗの表裏面に広がり、基板Ｗの表裏面全面に対する
薬液処理が行われる。そして、薬液は基板Ｗの端縁から
振り切られ、遮断部材としてのベース部材２と遮断部材
２１との間の隙間からカップ４０方向に飛散していく。
この薬液がカップ４０で跳ね返ってきても、遮断部材と
してのベース部材２および遮断部材２１に遮断されるの
で、その跳ね返ってきた薬液のミストが基板Ｗに再付着
するのが防止される。また、基板Ｗの端縁から振り切ら
れたり、カップ４０にぶつかってできた薬液のミストが
カップ４０内に浮遊していても、遮断部材としてのベー
ス部材２および遮断部材２１に遮断されるので、そのカ
ップ４０内に浮遊している薬液のミストが基板Ｗに再付
着するのも防止される。During the chemical treatment (T1 to T3), the chemical supplied to the center of the front and back surfaces of the substrate W spreads on the front and back surfaces of the substrate W by the rotation of the substrate W, and the chemical treatment for the entire front and back surfaces of the substrate W is performed. Done. Then, the chemical solution is shaken off from the edge of the substrate W, and scatters toward the cup 40 from a gap between the base member 2 as a blocking member and the blocking member 21.
Even if this chemical solution is rebounded by the cup 40, it is blocked by the base member 2 and the blocking member 21 as the blocking member, so that the mist of the rebounded chemical solution is prevented from re-adhering to the substrate W. Further, even if the mist of the chemical solution that is shaken off from the edge of the substrate W or hits the cup 40 is floating in the cup 40, the mist is blocked by the base member 2 and the blocking member 21 as the blocking member. The mist of the chemical liquid floating in the cup 40 is also prevented from re-adhering to the substrate W.
【００３２】そして、薬液処理の終了前のタイミングＴ
2で、各空間Ｓlw、Ｓupへの窒素ガスのパージを開始す
る。すなわち、このタイミングＴ2で、開閉弁１８を開
にすることにより、遮断部材としてのベース部材２と基
板Ｗの裏面との間の空間Ｓlwに不活性ガス（例えば、窒
素ガス）を処理ガスとして供給し、その空間Ｓlwを不活
性ガス雰囲気にパージするとともに、開閉弁３７を開に
することにより、遮断部材２１と基板Ｗの表面との間の
空間Ｓupに不活性ガス（例えば、窒素ガス）を供給し、
その空間Ｓupを不活性ガス雰囲気にパージする。The timing T before the end of the chemical solution treatment
At 2, the purging of each space Slw, Sup with nitrogen gas is started. That is, by opening the on-off valve 18 at this timing T2, an inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied as a processing gas to the space Slw between the base member 2 as the blocking member and the back surface of the substrate W. Then, the space Slw is purged to an inert gas atmosphere, and the on-off valve 37 is opened, so that an inert gas (for example, nitrogen gas) is supplied to the space Sup between the blocking member 21 and the surface of the substrate W. Supply,
The space Sup is purged to an inert gas atmosphere.
【００３３】また、薬液処理を所定時間（＝Ｔ3−Ｔ1）
だけ行うと、基板Ｗの回転、窒素ガスのパージを継続し
つつ、タイミングＴ3でノズル６、２５から供給される
処理液を薬液から純水リンス液に切り替え、基板Ｗに付
着する薬液をリンス液に置換することで薬液処理を終了
させる。なお、ノズル６から供給される処理液を薬液か
ら純水リンス液に切り替えるのは、開閉弁１０を閉に
し、三方バルブ９のコモンポートＣＰと第２の切り替え
ポートＰ２とが連通接続されるように三方バルブ９を切
り替え、開閉弁１３を開にすることで行われる。また、
ノズル２５から供給される処理液を薬液から純水リンス
液に切り替えるのも同様に、開閉弁２９を閉にし、三方
バルブ２８のコモンポートＣＰと第２の切り替えポート
Ｐ２とが連通接続されるように三方バルブ２８を切り替
え、開閉弁３２を開にすることで行われる。In addition, the chemical treatment is performed for a predetermined time (= T3−T1).
At this time, the processing liquid supplied from the nozzles 6 and 25 is switched from the chemical liquid to the pure water rinse liquid at the timing T3 while the rotation of the substrate W and the purging of the nitrogen gas are continued, and the chemical liquid adhering to the substrate W is rinsed. To end the chemical treatment. The processing liquid supplied from the nozzle 6 is switched from the chemical liquid to the pure water rinsing liquid by closing the on-off valve 10 so that the common port CP of the three-way valve 9 is connected to the second switching port P2. The switching is performed by switching the three-way valve 9 and opening the on-off valve 13. Also,
Similarly, switching the processing liquid supplied from the nozzle 25 from the chemical liquid to the pure water rinsing liquid closes the on-off valve 29 so that the common port CP of the three-way valve 28 is connected to the second switching port P2. The switching is performed by switching the three-way valve 28 and opening the on-off valve 32.
【００３４】薬液処理からリンス処理に切り替えた当初
は、ベース部材２と遮断部材２１との間の基板Ｗを含む
空間Ｓlw、Ｓup内には薬液が残留しているが、その残留
薬液は、所定時間後には純水リンス液に置換される。す
なわち、上記残留薬液は、基板Ｗの回転とともに基板Ｗ
の表裏面に広がり基板Ｗの端縁から振り切られる純水リ
ンス液とともに、ベース部材２と遮断部材２１との間の
基板Ｗを含む空間Ｓlw、Ｓupの外に排出されていく。以
後は純水リンス液によるリンス処理が行われる。At the beginning of the switching from the chemical processing to the rinsing processing, the chemical liquid remains in the spaces Slw and Sup including the substrate W between the base member 2 and the blocking member 21. After an hour, it is replaced with a pure water rinse solution. That is, the above-mentioned residual chemical is deposited on the substrate W with the rotation of the substrate W.
Along with the pure water rinsing liquid that is shaken off from the edge of the substrate W and is discharged out of the spaces Slw and Sup including the substrate W between the base member 2 and the blocking member 21. Thereafter, a rinsing process using a pure water rinsing liquid is performed.
【００３５】このリンス処理も、薬液が純水リンス液に
代わったに過ぎないので、上記薬液処理と同様に、カッ
プ４０で跳ね返った純水リンス液のミストやカップ４０
内に浮遊している純水リンス液のミストがベース部材２
および遮断部材２１により基板Ｗに再付着するのを防止
でき、また、純水リンス液のミストの発生量自体を減少
させることができる。さらに、リンス処理に先立ち行っ
た薬液処理時に発生した薬液のミストが、リンス処理時
にもカップ４０内に浮遊していても、ベース部材２や遮
断部材２１によりリンス処理時にその薬液のミストがリ
ンス処理中の基板Ｗに再付着するのが防止できる。従っ
て、薬液雰囲気の影響を受けずにリンス処理を行うこと
ができ、薬液処理とリンス処理を同じ装置内で行うこと
ができる。なお、カップ４０内に浮遊している薬液や純
水リンス液のミストは、常時、カップ４０の上方から取
り込まれるダウンフローの気流によってカップ４０の底
部方向に流下され、排液・排気管４１から排出されてい
る。In this rinsing treatment, the chemical solution is merely replaced by the pure water rinsing solution. Therefore, similarly to the above-described chemical solution treatment, the mist of the pure water rinsing solution bounced back by the cup 40 and the cup 40
The mist of the pure water rinse liquid floating in the base member 2
In addition, the reattachment to the substrate W can be prevented by the blocking member 21, and the generation amount of the mist of the pure water rinsing liquid itself can be reduced. Furthermore, even if the mist of the chemical generated during the chemical treatment performed prior to the rinsing is floating in the cup 40 during the rinsing, the mist of the chemical is rinsed by the base member 2 and the blocking member 21 during the rinsing. It can be prevented from re-adhering to the substrate W inside. Therefore, the rinsing process can be performed without being affected by the chemical solution atmosphere, and the chemical solution process and the rinsing process can be performed in the same apparatus. Note that the mist of the chemical solution or the pure water rinse liquid floating in the cup 40 always flows down toward the bottom of the cup 40 due to the downflow airflow taken in from above the cup 40, and from the drain / exhaust pipe 41. Has been exhausted.
【００３６】そして、リンス処理の終了前のタイミング
Ｔ4で、ランプコントローラ５４によって光源５３を点
灯する。すると、光源５３からの光Ｌは遮断部材２１を
透過し、スピンチャック１に保持された状態で回転して
いる基板Ｗの表面に照射され、基板加熱が開始される。
そして、時間経過とともに基板Ｗの表面温度が上昇す
る。Then, at timing T4 before the end of the rinsing process, the light source 53 is turned on by the lamp controller 54. Then, the light L from the light source 53 passes through the blocking member 21 and irradiates the surface of the rotating substrate W while being held by the spin chuck 1, thereby starting the substrate heating.
Then, the surface temperature of the substrate W increases with time.
【００３７】また、リンス処理を所定時間（＝Ｔ5−Ｔ
3）だけ行うと、基板Ｗの回転、窒素ガスのパージおよ
び光源５３の点灯を継続しつつ、タイミングＴ5でノズ
ル６、２５からの純水リンス液の供給を停止して、リン
ス処理を終了し、乾燥処理を開始する。ノズル６、２５
からの純水リンス液の供給停止は、開閉弁１３、３２を
閉にすることで行われる。Further, the rinsing process is performed for a predetermined time (= T5−T
When only 3) is performed, the supply of the pure water rinse solution from the nozzles 6 and 25 is stopped at the timing T5 while the rotation of the substrate W, the purging of the nitrogen gas, and the lighting of the light source 53 are continued, and the rinsing process is terminated. Then, the drying process is started. Nozzles 6, 25
Is stopped by closing the on-off valves 13 and 32.
【００３８】この乾燥処理により、基板Ｗに付着してい
る純水リンス液は、基板Ｗの回転とともに、基板Ｗの端
縁から振り切られていき、基板Ｗが乾燥される。このと
き、カップ４０内に薬液や純水リンス液のミストが浮遊
していても、ベース部材２や遮断部材２１により遮断さ
れて、乾燥処理中の基板Ｗに再付着するのが防止でき、
薬液や純水リンス液のミスト（外部雰囲気）による影響
を受けずに乾燥処理を行うことができる。また、薬液雰
囲気を受けずに乾燥処理を行うことができるので、薬液
処理と乾燥処理とを同じ装置内で行うことができる。By this drying process, the pure water rinse liquid adhering to the substrate W is shaken off from the edge of the substrate W as the substrate W rotates, and the substrate W is dried. At this time, even if the mist of the chemical solution or the pure water rinse solution is floating in the cup 40, the mist is blocked by the base member 2 and the blocking member 21 and can be prevented from re-adhering to the substrate W during the drying process.
Drying can be performed without being affected by the mist (external atmosphere) of the chemical solution or the pure water rinse solution. In addition, since the drying process can be performed without receiving the chemical solution atmosphere, the chemical solution process and the drying process can be performed in the same apparatus.
【００３９】また、この実施形態では光源５３からの光
を基板Ｗに照射したまま乾燥処理を行っているので、そ
の乾燥処理の間、基板Ｗは加熱され、その表面温度が上
昇している。その結果、単に基板Ｗを回転させて乾燥処
理を行う基板処理装置に比べて乾燥処理を短時間で行う
ことができる。しかも、基板Ｗの表面温度が高くなって
いるため、ウォーターマークの発生を抑制することがで
き、優れた乾燥性能が得られる。In this embodiment, since the drying process is performed while the substrate W is irradiated with the light from the light source 53, the substrate W is heated during the drying process, and the surface temperature increases. As a result, the drying process can be performed in a shorter time than in a substrate processing apparatus in which the substrate W is simply rotated to perform the drying process. Moreover, since the surface temperature of the substrate W is high, generation of a watermark can be suppressed, and excellent drying performance can be obtained.
【００４０】そして、乾燥処理を所定時間（＝Ｔ6−Ｔ
4）だけ行うと、タイミングＴ6でスピンチャック１の回
転を停止させて乾燥処理を終了する。また、これに同時
に、開閉弁１８、３７を閉にして窒素ガスのパージを停
止するとともに、光源５３を消灯する。Then, the drying process is performed for a predetermined time (= T6−T
If only 4) is performed, the rotation of the spin chuck 1 is stopped at the timing T6, and the drying process ends. At the same time, the on / off valves 18 and 37 are closed to stop purging of nitrogen gas, and the light source 53 is turned off.
【００４１】こうして、一連の基板処理（薬液処理、リ
ンス処理および乾燥処理）が完了すると、遮断部材２１
をスピンチャック１に保持された基板Ｗの表面から離間
させるとともに、保持部材３による基板保持を解除した
後、搬送ロボットが処理済の基板Ｗを次の基板処理装置
に搬出する。When a series of substrate processing (chemical processing, rinsing processing and drying processing) is completed in this way, the blocking member 21
Is separated from the surface of the substrate W held by the spin chuck 1 and the holding of the substrate by the holding member 3 is released, and then the transfer robot unloads the processed substrate W to the next substrate processing apparatus.
【００４２】以上のように、この実施形態によれば、ス
ピンチャック１に保持された基板Ｗを回転させることで
純水リンス液を振り切って基板乾燥を行うのみならず、
これと並行して、その回転する基板Ｗに光Ｌを照射して
基板Ｗの表面温度を上昇させているので、乾燥処理を促
進することができる。その結果、基板Ｗの回転速度を増
大させることなく、優れた乾燥性能で基板Ｗを乾燥させ
ることができる。As described above, according to this embodiment, by rotating the substrate W held by the spin chuck 1, not only the pure water rinse solution is shaken off, but also the substrate is dried.
At the same time, since the rotating substrate W is irradiated with the light L to increase the surface temperature of the substrate W, the drying process can be promoted. As a result, the substrate W can be dried with excellent drying performance without increasing the rotation speed of the substrate W.
【００４３】また、リンス処理の途中から乾燥処理を開
始するまでの間（タイミングＴ4〜Ｔ5）、基板Ｗを予備
的に加熱しているため、乾燥処理を開始した時点で基板
Ｗの表面温度はある程度上昇しており、乾燥処理をさら
に促進させることができ、乾燥処理に要する時間をさら
に短縮するとともに、乾燥性能をさらに向上させること
ができる。ここでは、リンス処理の後半（タイミングＴ
4）から光源５３を点灯しているが、リンス処理の開始
時点から光源５３を点灯させたり、乾燥処理の開始時点
から点灯させるようにしてもよく、光源５３の点灯タイ
ミングは使用する薬液やリンス液の種類や量などに応じ
て適宜設定するようにすればよい。Since the substrate W is preliminarily heated during the rinsing process and before the drying process is started (timing T4 to T5), the surface temperature of the substrate W at the start of the drying process is reduced. Since it has risen to some extent, the drying process can be further accelerated, and the time required for the drying process can be further reduced, and the drying performance can be further improved. Here, the second half of the rinsing process (timing T
Although the light source 53 is turned on from 4), the light source 53 may be turned on from the start of the rinsing process, or may be turned on from the start of the drying process. What is necessary is just to set suitably according to the kind, amount, etc. of a liquid.
【００４４】また、上記実施形態では、乾燥処理の間も
窒素ガスを空間Ｓlw、Ｓupに供給して不活性ガス雰囲気
（処理雰囲気）を形成しているが、光源５３による基板
加熱によって乾燥処理を促進してウォーターマーク発生
を抑制しているので、基板Ｗの回転速度を低速に維持し
ながらも提案技術のごとく窒素ガスを必要以上に増大さ
せる必要はなく、ランニングコストの面でも有利であ
る。In the above embodiment, the nitrogen gas is supplied to the spaces Slw and Sup during the drying process to form an inert gas atmosphere (processing atmosphere). Since the generation of the watermark is suppressed by promoting the process, it is not necessary to increase the nitrogen gas more than necessary as in the proposed technique while maintaining the rotation speed of the substrate W at a low speed, which is advantageous in terms of running cost.
【００４５】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態では、光源５３を本発明の
「加熱手段」として設け、基板Ｗを加熱して乾燥処理の
促進を図っているが、加熱手段としては基板Ｗを加熱す
ることができる限り如何なる構成のものを採用してもよ
く、例えば光源５３の代わりに遮断部材２１にヒータな
どの発熱部材６１を設けて適当なタイミングで発熱部材
６１を作動させることで基板Ｗを加熱するようにしても
よい（図３）。また、空間Ｓlw、Ｓupに供給する窒素ガ
スなどの処理ガスを温調しておき、この処理ガス供給に
よって基板Ｗを加熱するようにしてもよい。Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes other than those described above can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the above embodiment, the light source 53 is provided as the “heating unit” of the present invention, and the substrate W is heated to promote the drying process. However, any heating unit can be used as long as the substrate W can be heated. For example, the substrate W may be heated by providing a heat generating member 61 such as a heater in the blocking member 21 instead of the light source 53 and operating the heat generating member 61 at an appropriate timing. Good (Figure 3). Alternatively, the temperature of a processing gas such as a nitrogen gas supplied to the spaces Slw and Sup may be adjusted, and the substrate W may be heated by supplying the processing gas.
【００４６】また、光源５３の配置はランプ支持アーム
５２を介して懸垂アーム２２に取り付ける構成のみなら
ず、独立して昇降機構を有するように構成しても良い。The arrangement of the light source 53 is not limited to the configuration in which the light source 53 is attached to the suspension arm 22 via the lamp support arm 52, but may be configured to have an independent lifting mechanism.
【００４７】また、上記実施形態では、基板Ｗの表面お
よび裏面に対しても薬液およびリンス液を供給して薬液
処理およびリンス処理を実行する基板処理装置に本発明
を適用しているが、基板Ｗの表面に対してのみ薬液処理
およびリンス処理を実行する基板処理装置に対して本発
明を適用してもよい。また、基板に対してリンス処理お
よび乾燥処理を行う基板処理装置や、基板に対して乾燥
処理のみを行う基板処理装置などに対しても本発明を適
用することができる。すなわち、本発明は、基板を回転
させて該基板の乾燥処理を行う基板処理装置および方法
全般に適用することができる。Further, in the above embodiment, the present invention is applied to the substrate processing apparatus for performing the chemical liquid processing and the rinsing processing by supplying the chemical liquid and the rinsing liquid also to the front surface and the rear surface of the substrate W. The present invention may be applied to a substrate processing apparatus that performs chemical processing and rinsing processing only on the surface of W. Further, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus that performs rinsing processing and drying processing on a substrate, a substrate processing apparatus that performs only drying processing on a substrate, and the like. That is, the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses and methods for drying a substrate by rotating the substrate.
【００４８】また、上記実施形態では、保持部材３によ
り基板Ｗを保持する、いわゆるメカチャック構造を採用
しているが、基板Ｗを保持することができるのであれば
どのような形態であってもよく、吸着チャックにより基
板Ｗが固定されるようになっていてもよい。また、保持
される基板Ｗの姿勢も水平姿勢に限定されるものではな
い。In the above-described embodiment, a so-called mechanical chuck structure in which the substrate W is held by the holding member 3 is employed, but any structure may be used as long as the substrate W can be held. Alternatively, the substrate W may be fixed by a suction chuck. Further, the posture of the held substrate W is not limited to the horizontal posture.
【００４９】また、モータ５は電気的なモータに限定さ
れるのではなく、基板Ｗを回転させる動力を生じるので
あればどのような形態であってもよい。The motor 5 is not limited to an electric motor, but may be of any type as long as it generates power for rotating the substrate W.
【００５０】また、ガス供給部２０、３９からの窒素ガ
ス（処理ガス）はベース部材２の開口１６や遮断部材２
１の開口３５から供給されるようになっているが、基板
Ｗの表面や裏面に処理ガスを供給することができるので
あればどのような形態であってもよい。例えば、基板Ｗ
の上方に細い管を渡して基板Ｗの上面に窒素ガスなどの
処理ガスを噴出するようにしてもよい。The nitrogen gas (processing gas) from the gas supply units 20 and 39 is supplied to the opening 16 of the base member 2 and the shut-off member 2.
Although it is supplied from one opening 35, any form may be used as long as the processing gas can be supplied to the front and back surfaces of the substrate W. For example, the substrate W
A processing gas such as nitrogen gas may be ejected onto the upper surface of the substrate W by passing a thin tube above the substrate.
【００５１】さらに、上記実施形態では、処理ガスとし
て窒素ガスを用いているが、処理ガスの種類はこれに限
定されるものではなく、窒素ガスにＩＰＡ蒸気を混合し
た処理ガス、他の有機溶剤の蒸気を含むガスでもよく、
あるいは、窒素ガスとは別の不活性ガスを使用してもよ
く、乾燥に適したものであればどのようなものでもよ
い。Further, in the above embodiment, the nitrogen gas is used as the processing gas. However, the type of the processing gas is not limited to this, and the processing gas in which the IPA vapor is mixed with the nitrogen gas, and other organic solvents are used. May be a gas containing steam,
Alternatively, an inert gas other than nitrogen gas may be used, and any inert gas may be used as long as it is suitable for drying.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
を回転させることで該基板に対する乾燥処理を実行する
とともに、その回転する基板を加熱するように構成して
いるので、その乾燥処理中における基板の表面温度を上
昇させて乾燥処理を促進することができる。したがっ
て、基板の回転速度を増大させることなく乾燥処理を行
うことができ、しかも表面温度の上昇により基板表面へ
のウォーターマークの形成を好適に抑制して優れた乾燥
性能で基板に対する乾燥処理を行うことができる。As described above, according to the present invention, the drying process is performed on the substrate by rotating the substrate, and the rotating substrate is heated. The drying process can be promoted by raising the surface temperature of the substrate in the inside. Therefore, the drying process can be performed without increasing the rotation speed of the substrate, and moreover, the formation of the watermark on the substrate surface is suitably suppressed by the increase in the surface temperature, and the drying process is performed on the substrate with excellent drying performance. be able to.
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置全体
の概略構成を示す縦断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view illustrating a schematic configuration of an entire substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１の基板処理装置の動作を示すタイミングチ
ャートである。FIG. 2 is a timing chart showing the operation of the substrate processing apparatus of FIG.
【図３】本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置の
部分構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a partial configuration of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
１…スピンチャック（基板保持手段） ２…ベース部材 ３…保持部材 ３ａ…支持部 ３ｂ…規制部 ４…回転軸（回転手段） ５…モータ（回転手段） ５ａ，５ｂ…プーリ（回転手段） ５ｃ…ベルト（回転手段） ２１…遮断部材 ２３…モータ（遮断部材回転手段） ３９…ガス供給部 ５３…光源（加熱手段） ６１…発熱部材（加熱手段） Ｌ…光 Ｓup…空間 Ｗ…基板 1. Spin chuck (substrate holding means) 2. Base member 3. Holding member 3a ... Support 3b ... Regulatory department 4 ... Rotating shaft (rotating means) 5. Motor (rotating means) 5a, 5b ... pulley (rotating means) 5c: Belt (rotating means) 21 ... blocking member 23 ... motor (blocking member rotating means) 39 ... Gas supply unit 53 ... Light source (heating means) 61 ... heating member (heating means) L ... light Sup… space W ... substrate
Claims (8)
う基板処理装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板を回転させる回転手
段と、 前記回転手段により回転される前記基板を加熱すること
で前記乾燥処理中での該基板の表面温度を上昇させる加
熱手段とを備えていることを特徴とする基板処理装置。1. A substrate processing apparatus for performing a drying process on a substrate by rotating the substrate, comprising: substrate holding means for holding the substrate; rotating means for rotating the substrate held by the substrate holding means; A heating unit configured to heat the substrate rotated by a rotation unit to increase a surface temperature of the substrate during the drying process.
段に保持された基板の表面に近接配置される遮断部材を
さらに備えている請求項１記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a blocking member disposed close to a surface of the substrate held by the substrate holding means during the drying process.
手段をさらに備えている請求項２記載の基板処理装置。3. The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a blocking member rotating means for rotating said blocking member.
面と、前記遮断部材との間の空間に処理雰囲気を形成す
る処理ガスを供給するガス供給手段をさらに備えている
請求項２または３記載の基板処理装置。4. A gas supply unit for supplying a processing gas for forming a processing atmosphere in a space between a surface of the substrate held by the substrate holding unit and the blocking member. The substrate processing apparatus according to any one of the preceding claims.
持された基板の上方位置に配置されて該基板表面に向け
て光を照射する光源を有する一方、 前記遮断部材は前記光源からの光を前記基板表面に透過
可能となっている請求項２ないし４のいずれかに記載の
基板処理装置。5. The heating unit includes a light source that is disposed above the substrate held by the substrate holding unit and irradiates light toward the surface of the substrate, and the blocking member includes light from the light source. The substrate processing apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the substrate can be transmitted to the substrate surface.
う基板処理方法であって、 乾燥処理を受けている基板を加熱することで前記乾燥処
理中での該基板の表面温度を上昇させることを特徴とす
る基板処理方法。6. A substrate processing method for performing a drying process on a substrate by rotating the substrate, wherein the surface temperature of the substrate during the drying process is increased by heating the substrate that has been subjected to the drying process. A substrate processing method comprising:
予備的に加熱する請求項６記載の基板処理方法。7. The substrate processing method according to claim 6, wherein the substrate is preliminarily heated before starting the drying process.
るとともに前記基板にリンス液を供給してリンス処理を
実行する請求項６記載の基板処理方法であって、 前記リンス処理の開始時あるいは前記リンス処理の途中
から前記乾燥処理を開始するまでの間、前記基板を予備
的に加熱する基板処理方法。8. The substrate processing method according to claim 6, wherein the rinsing process is performed by rotating the substrate and supplying a rinsing liquid to the substrate before the drying process. A substrate processing method in which the substrate is preliminarily heated during the rinsing process and before the drying process is started.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002148573A Withdrawn JP2003347267A (en) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | Apparatus and method for treating substrate |
Country Status (1)
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120074198A (en) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus, liquid processing method and recording medium having program for executing liquid processing method recorded therein |
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| US8793898B2 (en) | 2007-05-23 | 2014-08-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for drying substrates |
| US9640383B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-05-02 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
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- 2002-05-23 JP JP2002148573A patent/JP2003347267A/en not_active Withdrawn
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| US9202731B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-12-01 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and recording medium having program for executing liquid processing method recorded therein |
| KR101580707B1 (en) | 2010-12-27 | 2015-12-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus, liquid processing method and recording medium having program for executing liquid processing method recorded therein |
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