JP2003347037A - マイクロ波処理装置 - Google Patents
マイクロ波処理装置Info
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- JP2003347037A JP2003347037A JP2002149982A JP2002149982A JP2003347037A JP 2003347037 A JP2003347037 A JP 2003347037A JP 2002149982 A JP2002149982 A JP 2002149982A JP 2002149982 A JP2002149982 A JP 2002149982A JP 2003347037 A JP2003347037 A JP 2003347037A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学式情報記憶媒体の再生不能化処理を高効
率で、且つクリーンな作業環境で実施する。 【解決手段】 長手方向の両端面2a、2bが短絡され
た矩形状のマイクロ波伝送路2と、このマイクロ波伝送
路2の一側に設けられたマイクロ波を供給するマイクロ
波発振器3と、前記マイクロ波伝送路2内に光学式情報
記憶媒体1を挿入するための上スリット4a及び前記マ
イクロ波伝送路2から外部に導く下スリット4bを備
え、前記光学式情報記憶媒体1がマイクロ波により照射
されているとき前記マイクロ波伝送路2内に発生する悪
臭ガスを吸引するファン装置8に風路10aを介して脱
臭器9を接続する。
率で、且つクリーンな作業環境で実施する。 【解決手段】 長手方向の両端面2a、2bが短絡され
た矩形状のマイクロ波伝送路2と、このマイクロ波伝送
路2の一側に設けられたマイクロ波を供給するマイクロ
波発振器3と、前記マイクロ波伝送路2内に光学式情報
記憶媒体1を挿入するための上スリット4a及び前記マ
イクロ波伝送路2から外部に導く下スリット4bを備
え、前記光学式情報記憶媒体1がマイクロ波により照射
されているとき前記マイクロ波伝送路2内に発生する悪
臭ガスを吸引するファン装置8に風路10aを介して脱
臭器9を接続する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトデスク
等の光学式情報記憶媒体の情報記憶面を破壊して、情報
記憶の読み出しを不能とするマイクロ波処理装置に関す
るものである。
等の光学式情報記憶媒体の情報記憶面を破壊して、情報
記憶の読み出しを不能とするマイクロ波処理装置に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、不要となったコンパクトデスク等
の光学式情報記憶媒体は不正な使用や販売を防止する必
要があるため光学式情報記憶媒体の情報記憶面を機械的
に傷を付けたり、あるいは光学式情報記憶媒体を切断し
たりすることにより情報記憶面を破壊して記憶している
情報を読みとれないようにしていたものであった。
の光学式情報記憶媒体は不正な使用や販売を防止する必
要があるため光学式情報記憶媒体の情報記憶面を機械的
に傷を付けたり、あるいは光学式情報記憶媒体を切断し
たりすることにより情報記憶面を破壊して記憶している
情報を読みとれないようにしていたものであった。
【0003】また、特開平10−172148号公報で
開示しているように、光学式情報記憶媒体の情報記憶面
を破壊するため、光学式情報記憶媒体を処理室に載置
し、この処理室にマイクロ波を照射して光学式情報記憶
媒体の情報記憶面をマイクロ波のエネルギーで破壊した
り、あるいは光学式情報記憶媒体の処理室を貫通するコ
ンベアを設け、このコンベアに光学式情報記憶媒体を載
置し、連続的に処理室に運び込み、この処理室でマイク
ロ波を照射してマイクロ波のエネルギーで光学式情報記
憶媒体を破壊するものがあった。
開示しているように、光学式情報記憶媒体の情報記憶面
を破壊するため、光学式情報記憶媒体を処理室に載置
し、この処理室にマイクロ波を照射して光学式情報記憶
媒体の情報記憶面をマイクロ波のエネルギーで破壊した
り、あるいは光学式情報記憶媒体の処理室を貫通するコ
ンベアを設け、このコンベアに光学式情報記憶媒体を載
置し、連続的に処理室に運び込み、この処理室でマイク
ロ波を照射してマイクロ波のエネルギーで光学式情報記
憶媒体を破壊するものがあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術にあっ
ては、光学式情報記憶媒体の機械的処理では、光学式情
報記憶媒体のベース材料であるポリカーボネイト等のプ
ラスチック材が粉状になったり、破片が飛散したりす
る。また、導電膜の材料である金属粉も飛散して作業環
境が悪くなり、しかも処理時間も長くかかるなどの問題
があった。
ては、光学式情報記憶媒体の機械的処理では、光学式情
報記憶媒体のベース材料であるポリカーボネイト等のプ
ラスチック材が粉状になったり、破片が飛散したりす
る。また、導電膜の材料である金属粉も飛散して作業環
境が悪くなり、しかも処理時間も長くかかるなどの問題
があった。
【0005】また、光学式情報記憶媒体の処理室にマイ
クロ波を導入する処理方法では、波長に対して数倍大き
な寸法を持つ処理室にマイクロ波電力を導入するため
に、単一モード電磁界を発生させることが困難である。
クロ波を導入する処理方法では、波長に対して数倍大き
な寸法を持つ処理室にマイクロ波電力を導入するため
に、単一モード電磁界を発生させることが困難である。
【0006】従って、処理室内は多モードの電磁界分布
となるので光学式情報記憶媒体を破壊するための十分な
マイクロ波電力エネルギーが得られない。さらには、マ
イクロ波伝送路が直角に曲がるなど構造が複雑になるの
でマイクロ波伝送路に反射が多くなりマイクロ波伝送効
率も低下する。また他の一実施例として述べられている
コンベア方式では構造が大型化するなどの問題点があっ
た。
となるので光学式情報記憶媒体を破壊するための十分な
マイクロ波電力エネルギーが得られない。さらには、マ
イクロ波伝送路が直角に曲がるなど構造が複雑になるの
でマイクロ波伝送路に反射が多くなりマイクロ波伝送効
率も低下する。また他の一実施例として述べられている
コンベア方式では構造が大型化するなどの問題点があっ
た。
【0007】さらに、マイクロ波エネルギーで光学式情
報記憶媒体の情報記憶面を破壊する場合、光学式情報記
憶媒体のプラスチック材が高温になり、分解されて悪臭
が発生することがあった。
報記憶媒体の情報記憶面を破壊する場合、光学式情報記
憶媒体のプラスチック材が高温になり、分解されて悪臭
が発生することがあった。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、長手方向の両端面2a、2bが短絡され
た矩形状のマイクロ波伝送路と、前記マイクロ波伝送路
の一側に設けられたマイクロ波を供給するマイクロ波発
振器と、前記マイクロ波発振器を動作させる電源とを備
え、前記マイクロ波伝送路をTE10モ−ドのマイクロ
波だけが伝送可能とし、このマイクロ波伝送路内に光学
式情報記憶媒体を挿入するための上スリット及び前記マ
イクロ波伝送路から外部に導く下スリットと、前記上ス
リット、下スリットの周囲に前記光学式情報記憶媒体を
導く貫通した中空の上ガイド、下ガイドを備え、さらに
前記マイクロ波伝送路の一部にパンチング孔を設け、前
記光学式情報記憶媒体がマイクロ波により照射されてい
るとき前記マイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸
引するファン装置を前記パンチング孔部に設け、脱臭器
を風路を介して前記ファン装置と接続したものである。
に本発明では、長手方向の両端面2a、2bが短絡され
た矩形状のマイクロ波伝送路と、前記マイクロ波伝送路
の一側に設けられたマイクロ波を供給するマイクロ波発
振器と、前記マイクロ波発振器を動作させる電源とを備
え、前記マイクロ波伝送路をTE10モ−ドのマイクロ
波だけが伝送可能とし、このマイクロ波伝送路内に光学
式情報記憶媒体を挿入するための上スリット及び前記マ
イクロ波伝送路から外部に導く下スリットと、前記上ス
リット、下スリットの周囲に前記光学式情報記憶媒体を
導く貫通した中空の上ガイド、下ガイドを備え、さらに
前記マイクロ波伝送路の一部にパンチング孔を設け、前
記光学式情報記憶媒体がマイクロ波により照射されてい
るとき前記マイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸
引するファン装置を前記パンチング孔部に設け、脱臭器
を風路を介して前記ファン装置と接続したものである。
【0009】
【発明の実施の形態】長手方向の両端面2a、2bが短
絡された矩形状のマイクロ波伝送路と、前記マイクロ波
伝送路の一側に設けられたマイクロ波を供給するマイク
ロ波発振器と、前記マイクロ波発振器を動作させる電源
とを備え、前記マイクロ波伝送路をTE10モ−ドのマ
イクロ波だけが伝送可能とし、このマイクロ波伝送路内
に光学式情報記憶媒体を挿入するための上スリット及び
前記マイクロ波伝送路から外部に導く下スリット4b
と、前記上スリット、下スリットの周囲に前記光学式情
報記憶媒体を導く貫通した中空の上ガイド及び下ガイド
を備え、さらに前記マイクロ波伝送路の一部にパンチン
グ孔を設け、前記光学式情報記憶媒体がマイクロ波によ
り照射されているとき前記マイクロ波伝送路内に発生す
る悪臭ガスを吸引するファン装置をパンチング孔部に設
け、脱臭器を風路を介して前記ファン装置と接続したも
のである。
絡された矩形状のマイクロ波伝送路と、前記マイクロ波
伝送路の一側に設けられたマイクロ波を供給するマイク
ロ波発振器と、前記マイクロ波発振器を動作させる電源
とを備え、前記マイクロ波伝送路をTE10モ−ドのマ
イクロ波だけが伝送可能とし、このマイクロ波伝送路内
に光学式情報記憶媒体を挿入するための上スリット及び
前記マイクロ波伝送路から外部に導く下スリット4b
と、前記上スリット、下スリットの周囲に前記光学式情
報記憶媒体を導く貫通した中空の上ガイド及び下ガイド
を備え、さらに前記マイクロ波伝送路の一部にパンチン
グ孔を設け、前記光学式情報記憶媒体がマイクロ波によ
り照射されているとき前記マイクロ波伝送路内に発生す
る悪臭ガスを吸引するファン装置をパンチング孔部に設
け、脱臭器を風路を介して前記ファン装置と接続したも
のである。
【0010】また、マイクロ波伝送路のパンチング孔部
と光学式情報記憶媒体がマイクロ波により照射されてい
るとき前記マイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸
引するファン装置との間に風路を設けたものである。
と光学式情報記憶媒体がマイクロ波により照射されてい
るとき前記マイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸
引するファン装置との間に風路を設けたものである。
【0011】
【実施例】以下本発明の一実施例を図1から図4により
説明する。
説明する。
【0012】図1は本発明の一実施例におけるマイクロ
波処理装置で、1はコンパクトデスクで代表される光学
式情報記憶媒体である。2は長手方向の両端面2a、2
bが短絡された矩形状のマイクロ波伝送路で、金属製の
中空導体からできている。3はマイクロ波を発生するマ
イクロ波発振器で、そのマイクロ波発振部3aがマイク
ロ波伝送路2内に臨むようにマイクロ波伝送路2の上面
2cの一側に取付けられている。
波処理装置で、1はコンパクトデスクで代表される光学
式情報記憶媒体である。2は長手方向の両端面2a、2
bが短絡された矩形状のマイクロ波伝送路で、金属製の
中空導体からできている。3はマイクロ波を発生するマ
イクロ波発振器で、そのマイクロ波発振部3aがマイク
ロ波伝送路2内に臨むようにマイクロ波伝送路2の上面
2cの一側に取付けられている。
【0013】4はマイクロ波伝送路2の他側の二つの面
に設けられたスリットである。このスリット4は、図1
のA−A部の断面を表す図2で示すように、マイクロ波
伝送路2の上面2cに設けられた上スリット4aと、こ
の上スリット4aと相対する下面2dに設けられた下ス
リット4bとで構成されており、この上スリット4a、
下スリット4bにより光学式情報記憶媒体1がマイクロ
波伝送路2を入出する。
に設けられたスリットである。このスリット4は、図1
のA−A部の断面を表す図2で示すように、マイクロ波
伝送路2の上面2cに設けられた上スリット4aと、こ
の上スリット4aと相対する下面2dに設けられた下ス
リット4bとで構成されており、この上スリット4a、
下スリット4bにより光学式情報記憶媒体1がマイクロ
波伝送路2を入出する。
【0014】このスリット4の幅tは光学式情報記憶媒
体1の厚みより大きくする必要があるが、スリット4を
通してマイクロ波がマイクロ波伝送路2から外部へ漏洩
しないよう約4mm以下にする必要がある。
体1の厚みより大きくする必要があるが、スリット4を
通してマイクロ波がマイクロ波伝送路2から外部へ漏洩
しないよう約4mm以下にする必要がある。
【0015】また、上スリット4aの長さLはマイクロ
波伝送路2のー側の端面2aから他側の端面2b方向
(給電側方向)に向かって約15mmの位置に光学式情
報記憶媒体1の直径役120mmより長い140mmと
している。
波伝送路2のー側の端面2aから他側の端面2b方向
(給電側方向)に向かって約15mmの位置に光学式情
報記憶媒体1の直径役120mmより長い140mmと
している。
【0016】下スリット4bの長さ方向の位置は上スリ
ット4aの長さLの中心位置を基準に下スリット4bの
長さ方向の中心を合わせて位置決めする。
ット4aの長さLの中心位置を基準に下スリット4bの
長さ方向の中心を合わせて位置決めする。
【0017】5はマイクロ波発振器3を動作させる電源
である。6は上ガイドで、貫通した中空の構成になって
いて、光学式情報記憶媒体1がこの貫通した中空を進
み、上スリット4aにスムーズに導くことができるよう
に上スリット4aの真上に設けられている。
である。6は上ガイドで、貫通した中空の構成になって
いて、光学式情報記憶媒体1がこの貫通した中空を進
み、上スリット4aにスムーズに導くことができるよう
に上スリット4aの真上に設けられている。
【0018】なお、前記上ガイド6は図1の断面B−B
部を表す図3に示すように光学式情報記憶媒体1が通る
上ガイド6の中空になっている下部の開口の幅tは上ス
リット4aの開口形状の寸法とほぼ同等か少し狭くして
いるのに対し、上部の幅t1は幅tより広くして光学式
情報記憶媒体1がスムーズに上ガイド6に挿入できるよ
うにしている。
部を表す図3に示すように光学式情報記憶媒体1が通る
上ガイド6の中空になっている下部の開口の幅tは上ス
リット4aの開口形状の寸法とほぼ同等か少し狭くして
いるのに対し、上部の幅t1は幅tより広くして光学式
情報記憶媒体1がスムーズに上ガイド6に挿入できるよ
うにしている。
【0019】なお、高さhは光学式情報記憶媒体1の半
径とほぼ同寸法か若干大きめがよいが、このような高さ
に限定するものではない。
径とほぼ同寸法か若干大きめがよいが、このような高さ
に限定するものではない。
【0020】7は下ガイドで、貫通した中空の構成にな
っていて、光学式情報記憶媒体1がマイクロ波伝送路2
の下スリット4bから出てきたときスムーズに所定の場
所に導かれるよう下スリット4bの真下に密着して設け
られている。この下ガイド7は下スリット4bから出て
くる光学式情報記憶媒体1をスムーズに所定の場所に導
く働きと下スリット4bから漏洩するマイクロ波を外部
に漏洩しないようにするため図2及び図3で示すように
下スリット4b側の開口部より他の開口部の寸法を小さ
くしている。
っていて、光学式情報記憶媒体1がマイクロ波伝送路2
の下スリット4bから出てきたときスムーズに所定の場
所に導かれるよう下スリット4bの真下に密着して設け
られている。この下ガイド7は下スリット4bから出て
くる光学式情報記憶媒体1をスムーズに所定の場所に導
く働きと下スリット4bから漏洩するマイクロ波を外部
に漏洩しないようにするため図2及び図3で示すように
下スリット4b側の開口部より他の開口部の寸法を小さ
くしている。
【0021】下スリット4bの形状は、落下する光学式
情報記憶媒体1をスムーズに受け入れるようにするため
問題が生じない範囲で、できるだけ大きな寸法とするこ
とが望ましい。大きな寸法にすることにより落下中の光
学式情報記憶媒体1が多少傾いてもスムーズに下スリッ
ト4bを通過し、ここで詰まることがないようにするた
めである。
情報記憶媒体1をスムーズに受け入れるようにするため
問題が生じない範囲で、できるだけ大きな寸法とするこ
とが望ましい。大きな寸法にすることにより落下中の光
学式情報記憶媒体1が多少傾いてもスムーズに下スリッ
ト4bを通過し、ここで詰まることがないようにするた
めである。
【0022】8はファン装置で、モータ(図示せず)に
よりファン8aが回転しマイクロ波伝送路2内に発生し
た悪臭ガスを吸引するものである。
よりファン8aが回転しマイクロ波伝送路2内に発生し
た悪臭ガスを吸引するものである。
【0023】図4はマイクロ波伝送路2内に発生した悪
臭ガスが端面2aを通過するため設けられたパンチング
孔2a1を示した図である。このパンチング孔2a1は
マイクロ波を外部に漏洩させない大きさとし複数個設け
ている。本実施例ではパンチング孔の直径を約3mmと
した。
臭ガスが端面2aを通過するため設けられたパンチング
孔2a1を示した図である。このパンチング孔2a1は
マイクロ波を外部に漏洩させない大きさとし複数個設け
ている。本実施例ではパンチング孔の直径を約3mmと
した。
【0024】図1の9は脱臭器で、内部に酸化触媒とヒ
ータ(図示せず)が内在してあり、ファン装置8から風
路10aを経て送られてくる悪臭ガスを適当な温度まで
上昇させて酸化触媒に悪臭ガスを通過させ臭いを分解浄
化し脱臭する。
ータ(図示せず)が内在してあり、ファン装置8から風
路10aを経て送られてくる悪臭ガスを適当な温度まで
上昇させて酸化触媒に悪臭ガスを通過させ臭いを分解浄
化し脱臭する。
【0025】図5はファン装置8とマイクロ波伝送路2
の端面2aとの間に風路10bを設けたもので、ファン
装置8が直接端面2aに取付けることができず離して取
付ける場合使用するものである。
の端面2aとの間に風路10bを設けたもので、ファン
装置8が直接端面2aに取付けることができず離して取
付ける場合使用するものである。
【0026】尚、本実施例ではマイクロ波伝送路2内か
ら悪臭ガスをファン装置8及びファン装置8に導く風路
10bを端面2aに設けた例で説明したが、本実施例に
限定するものではなく取付け方によりマイクロ波伝送路
2の上面2cや下面2dに設けることも考えられる。
ら悪臭ガスをファン装置8及びファン装置8に導く風路
10bを端面2aに設けた例で説明したが、本実施例に
限定するものではなく取付け方によりマイクロ波伝送路
2の上面2cや下面2dに設けることも考えられる。
【0027】図6は図1におけるマイクロ波伝送回路2
のC−C部の断面図で、Wは長辺で、Hは短辺である。
これら長辺Wおよび短辺Hの長さはTE10モードの基
本マイクロ波が伝送される長さに選ばれる。供給される
マイクロ波の周波数は2450MHzであるので、TE
10モードが伝送されるには長辺Wの長さは約61mm
以上122mm以下の寸法にする必要がある。
のC−C部の断面図で、Wは長辺で、Hは短辺である。
これら長辺Wおよび短辺Hの長さはTE10モードの基
本マイクロ波が伝送される長さに選ばれる。供給される
マイクロ波の周波数は2450MHzであるので、TE
10モードが伝送されるには長辺Wの長さは約61mm
以上122mm以下の寸法にする必要がある。
【0028】本実施例では長辺Wは上記寸法範囲内の1
09mmに選んでいる。また短辺Hの長さは、この方向
にTE10モードが発生しないようにするためマイクロ
波の半波長以下にする必要がある。しかし、マイクロ波
が光学式情報記憶媒体1に照射される面積をできる限り
大きくとるために、本実施例では短辺Hの長さを54m
mに選んでいる。
09mmに選んでいる。また短辺Hの長さは、この方向
にTE10モードが発生しないようにするためマイクロ
波の半波長以下にする必要がある。しかし、マイクロ波
が光学式情報記憶媒体1に照射される面積をできる限り
大きくとるために、本実施例では短辺Hの長さを54m
mに選んでいる。
【0029】前記スリット4の長辺W方向の位置は、長
辺Wの中央にスリット4の幅tの中央が位置するように
設定されている。
辺Wの中央にスリット4の幅tの中央が位置するように
設定されている。
【0030】次に、上記にて構成された本発明の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0031】光学式情報記憶媒体1をマイクロ波処理す
るには、マイクロ波発振器3から供給するマイクロ波が
存在するマイクロ波伝送路2内にガイド6から光学式情
報記憶媒体1を入れる。上スリット4aの幅は上記で説
明したように約4mmと狭いため入れにくいが、ガイド
6があるため光学式情報記憶媒体1はスムーズにマイク
ロ波伝送路2に導かれる。
るには、マイクロ波発振器3から供給するマイクロ波が
存在するマイクロ波伝送路2内にガイド6から光学式情
報記憶媒体1を入れる。上スリット4aの幅は上記で説
明したように約4mmと狭いため入れにくいが、ガイド
6があるため光学式情報記憶媒体1はスムーズにマイク
ロ波伝送路2に導かれる。
【0032】マイクロ波伝送路2に導かれた光学式情報
記憶媒体1はマイクロ波に照射される。
記憶媒体1はマイクロ波に照射される。
【0033】ここで、光学式情報記憶媒体1について説
明する。この光学式情報記憶媒体1の代表であるコンパ
クトデスクはポリカーボネイトなどのプラスチック製透
明基板表面に信号ピットやトラッキングサーボのための
案内溝となる凹凸パターンが形成されている。透明基板
の溝形成面にはAlなどの金属薄膜からなる反射膜が形
成され、さらに反射膜の上にはAl2O3などの絶縁膜か
らなる保護層が形成された構成となっている。
明する。この光学式情報記憶媒体1の代表であるコンパ
クトデスクはポリカーボネイトなどのプラスチック製透
明基板表面に信号ピットやトラッキングサーボのための
案内溝となる凹凸パターンが形成されている。透明基板
の溝形成面にはAlなどの金属薄膜からなる反射膜が形
成され、さらに反射膜の上にはAl2O3などの絶縁膜か
らなる保護層が形成された構成となっている。
【0034】次に、上スリット4aからマイクロ波伝送
路2に入った光学式情報記憶媒体1はマイクロ波により
破壊されるが、この光学式情報記憶媒体1がマイクロ波
により破壊されるメカニズムについて説明する。
路2に入った光学式情報記憶媒体1はマイクロ波により
破壊されるが、この光学式情報記憶媒体1がマイクロ波
により破壊されるメカニズムについて説明する。
【0035】マイクロ波発振器3で発生したマイクロ波
がマイクロ波発振部3aからマイクロ波伝送路2を通っ
てその端面2a付近の上スリット4aに挿入された光学
式情報記憶媒体1に照射され、光学式情報記録媒体1の
反射膜に瞬間的に過大な高周波表面電流が誘導され、反
射膜がこれにより破壊される。
がマイクロ波発振部3aからマイクロ波伝送路2を通っ
てその端面2a付近の上スリット4aに挿入された光学
式情報記憶媒体1に照射され、光学式情報記録媒体1の
反射膜に瞬間的に過大な高周波表面電流が誘導され、反
射膜がこれにより破壊される。
【0036】ここで、マイクロ波伝送路2のスリット4
をマイクロ波伝送路2の上面2cと下面2dの長辺Wの
中央に管軸方向に設けているのは、マイクロ波理論から
明らかなように、このような位置と方向にスリット4を
設ければマイクロ波伝送路2に発生する表面電流の流れ
をスリット4が遮断しないので、マイクロ波発振器3で
発生したマイクロ波がマイクロ波発振部3aからスリッ
ト4を通って外部に漏洩しないからである。
をマイクロ波伝送路2の上面2cと下面2dの長辺Wの
中央に管軸方向に設けているのは、マイクロ波理論から
明らかなように、このような位置と方向にスリット4を
設ければマイクロ波伝送路2に発生する表面電流の流れ
をスリット4が遮断しないので、マイクロ波発振器3で
発生したマイクロ波がマイクロ波発振部3aからスリッ
ト4を通って外部に漏洩しないからである。
【0037】また、光学式情報記憶媒体1をマイクロ波
伝送路2の長辺Wの中央に設けたスリット4を移動させ
マイクロ波処理するのは、この位置と方向がマイクロ波
伝送路2で電界強度、変位電流ともに大きな領域である
ため、この領域に光学式情報記憶媒体1を通過させれば
変位電流の作用により金属薄膜からなる反射膜に過大な
高周波表面電流が誘起され、さらに強度な電界の作用に
よりスパークを発生させてこれを破壊してしまうからで
ある。
伝送路2の長辺Wの中央に設けたスリット4を移動させ
マイクロ波処理するのは、この位置と方向がマイクロ波
伝送路2で電界強度、変位電流ともに大きな領域である
ため、この領域に光学式情報記憶媒体1を通過させれば
変位電流の作用により金属薄膜からなる反射膜に過大な
高周波表面電流が誘起され、さらに強度な電界の作用に
よりスパークを発生させてこれを破壊してしまうからで
ある。
【0038】次に、光学式情報記憶媒体1がマイクロ波
伝送路2を通過する動作について説明する。光学式情報
記憶媒体1の重量は1枚当たり約20gであり、光学式
情報記憶媒体1の自重だけの自然落下ではマイクロ波伝
送路2を通過する時間が約1秒以下と短い。従って、自
然落下における光学式情報記憶媒体1の情報記憶面の破
壊率は約50%である。この値になると光学式情報記憶
媒体1から情報を読み出すことが困難になる。
伝送路2を通過する動作について説明する。光学式情報
記憶媒体1の重量は1枚当たり約20gであり、光学式
情報記憶媒体1の自重だけの自然落下ではマイクロ波伝
送路2を通過する時間が約1秒以下と短い。従って、自
然落下における光学式情報記憶媒体1の情報記憶面の破
壊率は約50%である。この値になると光学式情報記憶
媒体1から情報を読み出すことが困難になる。
【0039】このように光学式情報記憶媒体1はマイク
ロ波伝送路2で破壊されマイクロ波伝送路からの出口で
ある下スリット4bに達する。光学式情報記憶媒体1は
自然落下により垂直に下降するが、マイクロ波により破
壊される動作中に先端が傾くことがある。この対応策と
して、下スリット4bの開口寸法が大きく設けられてい
るため、先端が傾いてずれてもスムーズに下スリット4
bを通過して下ガイドに導かれていく。
ロ波伝送路2で破壊されマイクロ波伝送路からの出口で
ある下スリット4bに達する。光学式情報記憶媒体1は
自然落下により垂直に下降するが、マイクロ波により破
壊される動作中に先端が傾くことがある。この対応策と
して、下スリット4bの開口寸法が大きく設けられてい
るため、先端が傾いてずれてもスムーズに下スリット4
bを通過して下ガイドに導かれていく。
【0040】また、下ガイド7における光学式情報記憶
媒体1の出口部は光学式情報記憶媒体1がスムーズに通
過できかつ、マイクロ波の漏洩が阻止できる寸法にして
あるため問題が生じることなく光学式情報記憶媒体1を
外部に放出することができる。
媒体1の出口部は光学式情報記憶媒体1がスムーズに通
過できかつ、マイクロ波の漏洩が阻止できる寸法にして
あるため問題が生じることなく光学式情報記憶媒体1を
外部に放出することができる。
【0041】次に、マイクロ波発振器3で発生したマイ
クロ波がマイクロ波発振部3aからマイクロ波伝送路2
を通ってその端面2a付近の上スリット4aに挿入され
た光学式情報記憶媒体1に照射され、光学式情報記録媒
体1の反射膜に瞬間的に過大な高周波表面電流が誘導さ
れ、反射膜がこれにより破壊された時、光学式情報記憶
媒体1のプラスチック材が部的に高温になり、その熱で
分解されて悪臭ガスがマイクロ波伝送路2内に発生す
る、この悪臭ガスをファン装置8で吸いだし、風路10
aを通して脱臭器9に送り込み、ここで脱臭する。
クロ波がマイクロ波発振部3aからマイクロ波伝送路2
を通ってその端面2a付近の上スリット4aに挿入され
た光学式情報記憶媒体1に照射され、光学式情報記録媒
体1の反射膜に瞬間的に過大な高周波表面電流が誘導さ
れ、反射膜がこれにより破壊された時、光学式情報記憶
媒体1のプラスチック材が部的に高温になり、その熱で
分解されて悪臭ガスがマイクロ波伝送路2内に発生す
る、この悪臭ガスをファン装置8で吸いだし、風路10
aを通して脱臭器9に送り込み、ここで脱臭する。
【0042】このようにマイクロ波で光学式情報記録媒
体1を破壊し、このとき生じる悪臭ガスをファン装置8
で脱臭器9に送り込み、ここで悪臭ガスを脱臭し、外部
に排出することにより快適な環境を呈することができ
る。
体1を破壊し、このとき生じる悪臭ガスをファン装置8
で脱臭器9に送り込み、ここで悪臭ガスを脱臭し、外部
に排出することにより快適な環境を呈することができ
る。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
長手方向の両端面2a、2bが短絡された矩形状のマイ
クロ波伝送路と、前記マイクロ波伝送路の一側に設けら
れたマイクロ波を供給するマイクロ波発振器と、前記マ
イクロ波発振器を動作させる電源とを備え、前記マイク
ロ波伝送路をTE10モ−ドのマイクロ波だけが伝送可
能とし、このマイクロ波伝送路内に光学式情報記憶媒体
を挿入するための上スリット及び前記マイクロ波伝送路
から外部に導く下スリット4bと、前記上スリット、下
スリットの周囲に前記光学式情報記憶媒体を導く貫通し
た中空の上ガイド及び下ガイドを備え、さらに前記マイ
クロ波伝送路の一部にパンチング孔を設け前記光学式情
報記憶媒体がマイクロ波により照射されているとき前記
マイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸引するファ
ン装置を前記パンチング孔部に設け、脱臭器を風路を介
して前記ファン装置と接続したものである。
長手方向の両端面2a、2bが短絡された矩形状のマイ
クロ波伝送路と、前記マイクロ波伝送路の一側に設けら
れたマイクロ波を供給するマイクロ波発振器と、前記マ
イクロ波発振器を動作させる電源とを備え、前記マイク
ロ波伝送路をTE10モ−ドのマイクロ波だけが伝送可
能とし、このマイクロ波伝送路内に光学式情報記憶媒体
を挿入するための上スリット及び前記マイクロ波伝送路
から外部に導く下スリット4bと、前記上スリット、下
スリットの周囲に前記光学式情報記憶媒体を導く貫通し
た中空の上ガイド及び下ガイドを備え、さらに前記マイ
クロ波伝送路の一部にパンチング孔を設け前記光学式情
報記憶媒体がマイクロ波により照射されているとき前記
マイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸引するファ
ン装置を前記パンチング孔部に設け、脱臭器を風路を介
して前記ファン装置と接続したものである。
【0044】また、マイクロ波伝送路のパンチング孔部
と光学式情報記憶媒体がマイクロ波により照射されてい
るときマイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸引す
るファン装置との間に風路を設けたものである。
と光学式情報記憶媒体がマイクロ波により照射されてい
るときマイクロ波伝送路内に発生する悪臭ガスを吸引す
るファン装置との間に風路を設けたものである。
【0045】これにより、光学式情報記憶媒体は上ガイ
ドでスムーズに上スリットからマイクロ波伝送路に送り
込まれ、ここでマイクロ波のエネルギーにより光学式情
報記憶媒体の情報記憶面を破壊し、情報記憶の読み出し
を不能とすることができる。
ドでスムーズに上スリットからマイクロ波伝送路に送り
込まれ、ここでマイクロ波のエネルギーにより光学式情
報記憶媒体の情報記憶面を破壊し、情報記憶の読み出し
を不能とすることができる。
【0046】また、光学式情報記憶媒体の情報記憶面を
マイクロ波エネルギーで破壊する時に発生する悪臭は、
脱臭器を通すことにより脱臭されるので、悪臭に悩まさ
れることがない。
マイクロ波エネルギーで破壊する時に発生する悪臭は、
脱臭器を通すことにより脱臭されるので、悪臭に悩まさ
れることがない。
【0047】さらに、光学式情報記憶媒体の破片などの
飛び散りがないためクリーンな作業環境で光学式情報記
憶媒体を破壊処理することができるなどの効果がある。
飛び散りがないためクリーンな作業環境で光学式情報記
憶媒体を破壊処理することができるなどの効果がある。
【図1】本発明の一実施例のマイクロ波処理装置の構成
図である。
図である。
【図2】図1におけるA−A部の断面図である。
【図3】図1におけるB−B部の断面図である。
【図4】本発明の一実施例の悪臭ガスが通過するパンチ
ング孔の図である。
ング孔の図である。
【図5】本発明の一実施例のファン装置とマイクロ波伝
送路との間に風路を設けた図である。
送路との間に風路を設けた図である。
【図6】図1におけるC−C部の断面図である。
1・・・光学式情報記憶媒体
2・・・マイクロ波伝送路
2a・・端面
2b・・端面
2a1・パンチング孔
3・・・マイクロ波発振器
4a・・上スリット
4b・・下スリット
5・・・電源
6・・・上ガイド
7・・・下ガイド
8・・・ファン装置
9・・・脱臭器
10a・・風路
10b・・風路
Claims (2)
- 【請求項1】 長手方向の両端面(2a)、(2b)が
短絡された矩形状のマイクロ波伝送路(2)と、前記マ
イクロ波伝送路(2)の一側に設けられたマイクロ波を
供給するマイクロ波発振器(3)と、前記マイクロ波発
振器(3)を動作させる電源(5)とを備え、前記マイ
クロ波伝送路(2)をTE10モ−ドのマイクロ波だけ
が伝送可能とし、このマイクロ波伝送路(2)内に光学
式情報記憶媒体(1)を挿入するための上スリット(4
a)及び前記マイクロ波伝送路(2)から外部に導く下
スリット(4b)と、前記上スリット(4a)、下スリ
ット(4b)の周囲に前記光学式情報記憶媒体(1)を
導く貫通した中空の上ガイド(6)及び下ガイド(7)
を備え、さらに前記マイクロ波伝送路(2)内の一部に
パンチング孔(2a1)を設け、前記光学式情報記憶媒
体(1)がマイクロ波により照射されているとき前記マ
イクロ波伝送路(2)内に発生する悪臭ガスを吸引する
ファン装置(8)を前記パンチング孔(2a1)部に設
け、脱臭器(9)を風路(10a)を介して前記ファン
装置(8)と接続することを特徴とするマイクロ波処理
装置。 - 【請求項2】 マイクロ波伝送路(2)のパンチング孔
(2a1)部と光学式情報記憶媒体(1)がマイクロ波
により照射されているとき前記マイクロ波伝送路(2)
内に発生する悪臭ガスを吸引するファン装置(8)との
間に風路(10b)を設けたことを特徴とする請求項1
記載のマイクロ波処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002149982A JP2003347037A (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | マイクロ波処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002149982A JP2003347037A (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | マイクロ波処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003347037A true JP2003347037A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29767943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002149982A Pending JP2003347037A (ja) | 2002-05-24 | 2002-05-24 | マイクロ波処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003347037A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005057555A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-23 | Orient Instrument Computer Co., Ltd. | データ記録媒体処理方法および装置並びに電子機器廃棄処理方法および装置 |
CN100430908C (zh) * | 2003-12-11 | 2008-11-05 | 东洋测器电脑株式会社 | 数据记录介质处理方法和装置以及电子器件废弃处理方法和装置 |
-
2002
- 2002-05-24 JP JP2002149982A patent/JP2003347037A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005057555A1 (ja) * | 2003-12-11 | 2005-06-23 | Orient Instrument Computer Co., Ltd. | データ記録媒体処理方法および装置並びに電子機器廃棄処理方法および装置 |
CN100430908C (zh) * | 2003-12-11 | 2008-11-05 | 东洋测器电脑株式会社 | 数据记录介质处理方法和装置以及电子器件废弃处理方法和装置 |
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