JP2003338372A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置Info
- Publication number
- JP2003338372A JP2003338372A JP2002144225A JP2002144225A JP2003338372A JP 2003338372 A JP2003338372 A JP 2003338372A JP 2002144225 A JP2002144225 A JP 2002144225A JP 2002144225 A JP2002144225 A JP 2002144225A JP 2003338372 A JP2003338372 A JP 2003338372A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- light
- display
- display pixel
- brightness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 63
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 102220043349 rs138107830 Human genes 0.000 description 1
- 102220082674 rs538303703 Human genes 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周囲の明るさを検出するためにフォトトラン
ジスタ等の専用の受光素子をパネル外部に設けた構成を
採ると、部品点数が増加することによってコストアップ
を招く。 【解決手段】 有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリク
ス状に配置されてなる表示画素領域１１を有する有機Ｅ
Ｌ表示装置において、表示画素領域１１と同一基板上に
表示画素領域１１を囲むように有機ＥＬ素子を受光素子
として配置して受光画素領域１２を形成し、この受光画
素領域１２の有機ＥＬ素子によって表示画素領域１１の
周囲の明るさを検出し、その検出出力に基づいて表示画
素領域１１の有機ＥＬ素子（発光画素）の発光時間を制
御することによって発光輝度の制御を行うようにする。
ジスタ等の専用の受光素子をパネル外部に設けた構成を
採ると、部品点数が増加することによってコストアップ
を招く。 【解決手段】 有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリク
ス状に配置されてなる表示画素領域１１を有する有機Ｅ
Ｌ表示装置において、表示画素領域１１と同一基板上に
表示画素領域１１を囲むように有機ＥＬ素子を受光素子
として配置して受光画素領域１２を形成し、この受光画
素領域１２の有機ＥＬ素子によって表示画素領域１１の
周囲の明るさを検出し、その検出出力に基づいて表示画
素領域１１の有機ＥＬ素子（発光画素）の発光時間を制
御することによって発光輝度の制御を行うようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光画素の発光素
子（電気光学素子）として、有機材料のエレクトロルミ
ネッセンス(以下、有機ＥＬ(electroluminescence) と
記す)素子を用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
子（電気光学素子）として、有機材料のエレクトロルミ
ネッセンス(以下、有機ＥＬ(electroluminescence) と
記す)素子を用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、１０Ｖ以下の駆動電圧
で数１００ｎｉｔの輝度が得られる自発光型の発光素子
である。この有機ＥＬ素子を発光画素の発光素子として
用いてなる有機ＥＬ表示装置は、視野角依存性がなくか
つコントラスト比が高く、液晶表示装置に代表されるホ
ールド型ディスプレイに比べて動画の表示性能が優れて
いるなどの特長を持つため、将来のフラットパネルディ
スプレイとして有望視されている。
で数１００ｎｉｔの輝度が得られる自発光型の発光素子
である。この有機ＥＬ素子を発光画素の発光素子として
用いてなる有機ＥＬ表示装置は、視野角依存性がなくか
つコントラスト比が高く、液晶表示装置に代表されるホ
ールド型ディスプレイに比べて動画の表示性能が優れて
いるなどの特長を持つため、将来のフラットパネルディ
スプレイとして有望視されている。
【０００３】しかし、有機ＥＬ素子に代表される発光素
子は、高輝度化のために高い電圧または大きな電流で駆
動し続けると、素子特性が変化したり、消費電力が増大
するという課題がある。また一般的に、有機ＥＬ表示装
置においては、通常、画素の駆動が一定の条件で行われ
ているため、発光輝度およびコントラストは有機ＥＬ素
子の特性に依存している。同様に、消費電力についても
有機ＥＬ素子の特性に依存しているのが現状である。こ
のような状況から、有機ＥＬ表示装置では、ブラウン管
を使用したディスプレイのように、十分な余裕を持った
輝度で常時画素を発光させることは、有機ＥＬ素子の特
性変化や消費電力増大による温度上昇の観点からも困難
とされている。
子は、高輝度化のために高い電圧または大きな電流で駆
動し続けると、素子特性が変化したり、消費電力が増大
するという課題がある。また一般的に、有機ＥＬ表示装
置においては、通常、画素の駆動が一定の条件で行われ
ているため、発光輝度およびコントラストは有機ＥＬ素
子の特性に依存している。同様に、消費電力についても
有機ＥＬ素子の特性に依存しているのが現状である。こ
のような状況から、有機ＥＬ表示装置では、ブラウン管
を使用したディスプレイのように、十分な余裕を持った
輝度で常時画素を発光させることは、有機ＥＬ素子の特
性変化や消費電力増大による温度上昇の観点からも困難
とされている。
【０００４】しかしながら、有機ＥＬ表示装置において
は、そのリニアな階調特性や応答速度の速さなどから、
例えば映画のような比較的暗い信号においても映像の質
を損なうことなく再現することができるため、視聴環境
に応じてディスプレイの発光輝度の制御を行うことは非
常に重要であると考えられている。そのため、従来、周
囲の明るさを受光素子で検出し、その検出結果に応じて
有機ＥＬ素子の駆動電圧を変化させることによって発光
輝度をコントロールする技術が種々提案されている（例
えば、特開平１−１００６９７号公報、特開２００２−
０６２８５６号公報等参照）。
は、そのリニアな階調特性や応答速度の速さなどから、
例えば映画のような比較的暗い信号においても映像の質
を損なうことなく再現することができるため、視聴環境
に応じてディスプレイの発光輝度の制御を行うことは非
常に重要であると考えられている。そのため、従来、周
囲の明るさを受光素子で検出し、その検出結果に応じて
有機ＥＬ素子の駆動電圧を変化させることによって発光
輝度をコントロールする技術が種々提案されている（例
えば、特開平１−１００６９７号公報、特開２００２−
０６２８５６号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術ではいずれも、周囲の明るさを検出するために
フォトトランジスタ等の専用の受光素子をパネル外部に
設けた構成を採っているため、部品点数が増加すること
によってコストアップを招くことになったり、あるいは
例えばフォトトランジスタでの明るさ検出の場合には１
点による明るさ検出となってしまい、面の表示領域に対
して明るさを検出できる位置に偏りが生じるため、周囲
の明るさ環境を的確に検出することが難しいという課題
があった。
従来技術ではいずれも、周囲の明るさを検出するために
フォトトランジスタ等の専用の受光素子をパネル外部に
設けた構成を採っているため、部品点数が増加すること
によってコストアップを招くことになったり、あるいは
例えばフォトトランジスタでの明るさ検出の場合には１
点による明るさ検出となってしまい、面の表示領域に対
して明るさを検出できる位置に偏りが生じるため、周囲
の明るさ環境を的確に検出することが難しいという課題
があった。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、周囲の明るさ環境に
応じて発光輝度を正確にコントロールすることが可能な
有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
であり、その目的とするところは、周囲の明るさ環境に
応じて発光輝度を正確にコントロールすることが可能な
有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリ
クス状に配置されてなる表示画素領域を有する有機ＥＬ
表示装置において、当該表示画素領域の周囲の明るさを
検出するための受光素子として、表示画素領域と同一基
板上に形成された受光画素領域の有機ＥＬ素子を用いる
か、または特定の画表示を行う第２の表示画素領域の有
機ＥＬ素子あるいは表示画素領域の有機ＥＬ素子を兼用
し、この有機ＥＬ素子の検出出力に基づいて表示画素領
域の有機ＥＬ素子の発光輝度を制御する構成を採ってい
る。
に、本発明では、有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリ
クス状に配置されてなる表示画素領域を有する有機ＥＬ
表示装置において、当該表示画素領域の周囲の明るさを
検出するための受光素子として、表示画素領域と同一基
板上に形成された受光画素領域の有機ＥＬ素子を用いる
か、または特定の画表示を行う第２の表示画素領域の有
機ＥＬ素子あるいは表示画素領域の有機ＥＬ素子を兼用
し、この有機ＥＬ素子の検出出力に基づいて表示画素領
域の有機ＥＬ素子の発光輝度を制御する構成を採ってい
る。
【０００８】上記構成の有機ＥＬ表示装置において、表
示画素領域の発光画素と同じ有機ＥＬ素子が、表示画素
領域の周囲の明るさを検出するための受光素子として機
能することで、フォトトランジスタなどの専用の受光素
子を別途設けなくても周囲の明るさを検出し、その検出
出力に基づいて発光画素の輝度制御を行うことができ
る。また、ＥＬ素子を蒸着プロセスによって構成する場
合においても特別な工程を必要としない。したがって、
受光画素領域の有機ＥＬ素子、または特定の画表示を行
う第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子を、表示画素領域
の有機ＥＬ素子と同時に作成することができる。
示画素領域の発光画素と同じ有機ＥＬ素子が、表示画素
領域の周囲の明るさを検出するための受光素子として機
能することで、フォトトランジスタなどの専用の受光素
子を別途設けなくても周囲の明るさを検出し、その検出
出力に基づいて発光画素の輝度制御を行うことができ
る。また、ＥＬ素子を蒸着プロセスによって構成する場
合においても特別な工程を必要としない。したがって、
受光画素領域の有機ＥＬ素子、または特定の画表示を行
う第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子を、表示画素領域
の有機ＥＬ素子と同時に作成することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】［第１実施形態］図１は、本発明の第１実
施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示す正面
図である。図１から明らかなように、本実施形態に係る
有機ＥＬ表示装置はその正面側に、画像表示を行う表示
画素領域１１と、この表示画素領域１１の周囲の明る
さ、即ち表示画素領域１１に対する照度を検出する受光
画素領域１２と、ブランド名、メーカー名などのマーク
（本例では、「ＤＩＳＰＬＡＹ」）を表示するバッチ領
域１３とを有する構成となっている。
施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示す正面
図である。図１から明らかなように、本実施形態に係る
有機ＥＬ表示装置はその正面側に、画像表示を行う表示
画素領域１１と、この表示画素領域１１の周囲の明る
さ、即ち表示画素領域１１に対する照度を検出する受光
画素領域１２と、ブランド名、メーカー名などのマーク
（本例では、「ＤＩＳＰＬＡＹ」）を表示するバッチ領
域１３とを有する構成となっている。
【００１１】表示画素領域１１は、走査線およびデータ
線がマトリクス状に配線され、その交差部に有機ＥＬ素
子を含む発光画素が配置された構成となっている。発光
画素は、能動素子として例えばポリシリコン薄膜トラン
ジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)を用い、当該薄
膜トランジスタを形成した基板上に有機ＥＬ素子を形成
した構成となっている。図２に、発光画素の回路構成の
一例を示す。
線がマトリクス状に配線され、その交差部に有機ＥＬ素
子を含む発光画素が配置された構成となっている。発光
画素は、能動素子として例えばポリシリコン薄膜トラン
ジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)を用い、当該薄
膜トランジスタを形成した基板上に有機ＥＬ素子を形成
した構成となっている。図２に、発光画素の回路構成の
一例を示す。
【００１２】図２から明らかなように、発光画素回路
は、アノードが例えばグランド（ＧＮＤ）に接続された
有機ＥＬ素子２１と、ドレインが有機ＥＬ素子２１のカ
ソードに、ソースが例えば負電源Ｖｓｓにそれぞれ接続
されたＴＦＴ２２と、このＴＦＴ２２のゲートと負電源
Ｖｓｓとの間に接続されたキャパシタ２３と、ゲートが
走査線２７に、ドレインがデータ線２８にそれぞれ接続
されたＴＦＴ２４と、ドレインがＴＦＴ２４のソース
に、ソースが負電源Ｖｓｓに、ゲートがＴＦＴ２２のゲ
ートにそれぞれ接続されたＴＦＴ２５と、ドレインがＴ
ＦＴ２５のドレインに、ゲートが制御線２９に、ソース
がＴＦＴ２２のゲートにそれぞれ接続されたＴＦＴ２６
とを有する構成となっている。
は、アノードが例えばグランド（ＧＮＤ）に接続された
有機ＥＬ素子２１と、ドレインが有機ＥＬ素子２１のカ
ソードに、ソースが例えば負電源Ｖｓｓにそれぞれ接続
されたＴＦＴ２２と、このＴＦＴ２２のゲートと負電源
Ｖｓｓとの間に接続されたキャパシタ２３と、ゲートが
走査線２７に、ドレインがデータ線２８にそれぞれ接続
されたＴＦＴ２４と、ドレインがＴＦＴ２４のソース
に、ソースが負電源Ｖｓｓに、ゲートがＴＦＴ２２のゲ
ートにそれぞれ接続されたＴＦＴ２５と、ドレインがＴ
ＦＴ２５のドレインに、ゲートが制御線２９に、ソース
がＴＦＴ２２のゲートにそれぞれ接続されたＴＦＴ２６
とを有する構成となっている。
【００１３】上記構成の発光画素回路は、輝度情報が電
流の形で書き込まれる電流書き込み型の画素回路となっ
ている。すなわち、当該画素回路には走査線２７が選択
された状態において、輝度情報がデータ線２８を通して
電流として書き込まれる。この電流輝度情報はＴＦＴ２
４によって画素回路内に取り込まれ、ＴＦＴ２５によっ
て電圧輝度情報に変換されてキャパシタ２３に保持され
る。
流の形で書き込まれる電流書き込み型の画素回路となっ
ている。すなわち、当該画素回路には走査線２７が選択
された状態において、輝度情報がデータ線２８を通して
電流として書き込まれる。この電流輝度情報はＴＦＴ２
４によって画素回路内に取り込まれ、ＴＦＴ２５によっ
て電圧輝度情報に変換されてキャパシタ２３に保持され
る。
【００１４】ＴＦＴ２２は、キャパシタ２３に保持され
た電圧輝度情報を電流に変換し、この電流（駆動電流）
を有機ＥＬ素子２１に流すことによって当該有機ＥＬ素
子２１を発光駆動する。これにより、有機ＥＬ素子２１
は、書き込まれた電流輝度情報に応じた輝度で発光す
る。この書き込まれた輝度情報は、走査線２７が非選択
となった後もキャパシタ２３に保持される。したがっ
て、有機ＥＬ素子２１はその保持された電圧輝度情報に
応じた輝度で発光状態を持続する。
た電圧輝度情報を電流に変換し、この電流（駆動電流）
を有機ＥＬ素子２１に流すことによって当該有機ＥＬ素
子２１を発光駆動する。これにより、有機ＥＬ素子２１
は、書き込まれた電流輝度情報に応じた輝度で発光す
る。この書き込まれた輝度情報は、走査線２７が非選択
となった後もキャパシタ２３に保持される。したがっ
て、有機ＥＬ素子２１はその保持された電圧輝度情報に
応じた輝度で発光状態を持続する。
【００１５】この発光状態において、制御線２９を通し
て発光時間制御信号がＴＦＴ２６のゲートに与えられる
と、これに応答してＴＦＴ２６がオン状態となる。これ
により、キャパシタ２３に保持されていた電圧輝度情報
（電荷）がＴＦＴ２６を通して放電される。そして、Ｔ
ＦＴ２２のゲート-ソース間電位がしきい値を下回る
と、ＴＦＴ２２がオフ状態となって有機ＥＬ素子２１へ
の駆動電流の供給を停止する。その結果、発光状態にあ
った有機ＥＬ素子２１が非発光状態に移行する。すなわ
ち、ＴＦＴ２６は、制御線２９を通して与えられる発光
時間制御信号に応じてオン／オフすることによって、有
機ＥＬ素子２１の発光時間をコントロールする。
て発光時間制御信号がＴＦＴ２６のゲートに与えられる
と、これに応答してＴＦＴ２６がオン状態となる。これ
により、キャパシタ２３に保持されていた電圧輝度情報
（電荷）がＴＦＴ２６を通して放電される。そして、Ｔ
ＦＴ２２のゲート-ソース間電位がしきい値を下回る
と、ＴＦＴ２２がオフ状態となって有機ＥＬ素子２１へ
の駆動電流の供給を停止する。その結果、発光状態にあ
った有機ＥＬ素子２１が非発光状態に移行する。すなわ
ち、ＴＦＴ２６は、制御線２９を通して与えられる発光
時間制御信号に応じてオン／オフすることによって、有
機ＥＬ素子２１の発光時間をコントロールする。
【００１６】なお、図２には、発光画素回路の一例を示
したに過ぎず、これに限られるものではない。すなわ
ち、発光画素回路としては、他の回路構成の電流書き込
み型画素回路であっても良く、また電流書き込み型に限
らず、輝度情報が電圧の形で書き込まれる電圧書き込み
型の画素回路を用いることも可能である。
したに過ぎず、これに限られるものではない。すなわ
ち、発光画素回路としては、他の回路構成の電流書き込
み型画素回路であっても良く、また電流書き込み型に限
らず、輝度情報が電圧の形で書き込まれる電圧書き込み
型の画素回路を用いることも可能である。
【００１７】図３は、有機ＥＬ素子の構造の一例を示す
断面図である。図３から明らかなように、有機ＥＬ素子
は、透明ガラス等からなる基板３１上に、透明導電膜か
らなる第１の電極（例えば、陽極）３２を形成し、その
上にさらに正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３
５および電子注入層３６を順次堆積させて有機層３７を
形成した後、この有機層３７の上に金属からなる第２の
電極（例えば、陰極）３８を形成した構成となってい
る。かかる構成の有機ＥＬ素子２１では、第１の電極３
２と第２の電極３８との間に直流電圧Ｅを印加すること
で、発光層３４において電子と正孔が再結合する際に発
光するようになっている。
断面図である。図３から明らかなように、有機ＥＬ素子
は、透明ガラス等からなる基板３１上に、透明導電膜か
らなる第１の電極（例えば、陽極）３２を形成し、その
上にさらに正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３
５および電子注入層３６を順次堆積させて有機層３７を
形成した後、この有機層３７の上に金属からなる第２の
電極（例えば、陰極）３８を形成した構成となってい
る。かかる構成の有機ＥＬ素子２１では、第１の電極３
２と第２の電極３８との間に直流電圧Ｅを印加すること
で、発光層３４において電子と正孔が再結合する際に発
光するようになっている。
【００１８】再び図１において、受光画素領域１２は、
表示画素領域１１を囲むようにその周囲に、発光画素を
構成する有機ＥＬ素子２１と同一の構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子（図示せず）を含む受光画素が適当な間隔をもっ
て多数配置された構成となっている。ここで、共に有機
ＥＬ素子で構成される表示画素領域１１と受光画素領域
１２とは同時に形成される。一例として、発光画素と受
光画素とはＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によ
って同時に蒸着される。また、画素の形成と同様に、表
示画素領域１１を保護する保護ガラス１４についても、
発光画素と受光画素とを同一の同一のガラスで同時に張
り合わすことができる。
表示画素領域１１を囲むようにその周囲に、発光画素を
構成する有機ＥＬ素子２１と同一の構造を有する有機Ｅ
Ｌ素子（図示せず）を含む受光画素が適当な間隔をもっ
て多数配置された構成となっている。ここで、共に有機
ＥＬ素子で構成される表示画素領域１１と受光画素領域
１２とは同時に形成される。一例として、発光画素と受
光画素とはＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法によ
って同時に蒸着される。また、画素の形成と同様に、表
示画素領域１１を保護する保護ガラス１４についても、
発光画素と受光画素とを同一の同一のガラスで同時に張
り合わすことができる。
【００１９】受光画素領域１２は、表示画素領域１１と
は独立した検出用の回路配線を有する。受光画素は発光
画素と異なり、マトリクス状にＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）の３色を配列して駆動する必要はない。ただし、
製造プロセスを考慮した場合は、受光画素領域１２もマ
トリクス配列とすることで、表示画素領域１１と共通化
する方が望ましい。また、受光画素領域１２について
は、表示画素領域１１の周囲の明るさ環境に対して十分
な検出感度を得るためにも、可能な限り広い面積とする
のが好ましい。
は独立した検出用の回路配線を有する。受光画素は発光
画素と異なり、マトリクス状にＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）の３色を配列して駆動する必要はない。ただし、
製造プロセスを考慮した場合は、受光画素領域１２もマ
トリクス配列とすることで、表示画素領域１１と共通化
する方が望ましい。また、受光画素領域１２について
は、表示画素領域１１の周囲の明るさ環境に対して十分
な検出感度を得るためにも、可能な限り広い面積とする
のが好ましい。
【００２０】図４に、受光画素の回路構成の一例を示
す。図４から明らかなように、受光画素回路は、有機Ｅ
Ｌ素子４１、検出抵抗Ｒ１１、電流検出アンプ４２、検
出抵抗Ｒ１２、ＡＤコンバータ４３および発光時間設定
回路４４を有する構成となっている。有機ＥＬ素子４１
は例えばグランドと正電源Ｖｄｄとの間に検出抵抗Ｒ１
１と直列に接続されて受光素子として機能する。有機Ｅ
Ｌ素子４１および検出抵抗Ｒ１１には、有機ＥＬ素子４
１が周囲光（明かり）を受光することで、その周囲光の
光量に応じた検出電流Ｉｄが流れる。
す。図４から明らかなように、受光画素回路は、有機Ｅ
Ｌ素子４１、検出抵抗Ｒ１１、電流検出アンプ４２、検
出抵抗Ｒ１２、ＡＤコンバータ４３および発光時間設定
回路４４を有する構成となっている。有機ＥＬ素子４１
は例えばグランドと正電源Ｖｄｄとの間に検出抵抗Ｒ１
１と直列に接続されて受光素子として機能する。有機Ｅ
Ｌ素子４１および検出抵抗Ｒ１１には、有機ＥＬ素子４
１が周囲光（明かり）を受光することで、その周囲光の
光量に応じた検出電流Ｉｄが流れる。
【００２１】電流検出アンプ４２は、検出抵抗Ｒ１１の
両端に各一端がそれぞれ接続された抵抗Ｒ１３，Ｒ１４
と、これら抵抗Ｒ１３，Ｒ１４の各他端に非反転（＋）
入力端および反転（−）入力端がそれぞれ接続されたオ
ペアンプＯＰと、このオペアンプＯＰの出力端にベース
が、非反転入力端にコレクタがそれぞれ接続されたバイ
ポーラトランジスタＱとを有する構成となっている。検
出抵抗Ｒ１２は、トランジスタＱのエミッタとグランド
との間に接続されている。
両端に各一端がそれぞれ接続された抵抗Ｒ１３，Ｒ１４
と、これら抵抗Ｒ１３，Ｒ１４の各他端に非反転（＋）
入力端および反転（−）入力端がそれぞれ接続されたオ
ペアンプＯＰと、このオペアンプＯＰの出力端にベース
が、非反転入力端にコレクタがそれぞれ接続されたバイ
ポーラトランジスタＱとを有する構成となっている。検
出抵抗Ｒ１２は、トランジスタＱのエミッタとグランド
との間に接続されている。
【００２２】なお、図４の回路例では、有機ＥＬ素子４
１が１個の場合を例に挙げたが、実際には、受光画素領
域１２には多数の有機ＥＬ素子が配置されることにな
る。したがって、これら多数の有機ＥＬ素子に対して
は、全てのアノードをグランドに共通に接続するととも
に、全てのカソードを検出抵抗Ｒ１１に共通に接続する
ようにすれば良い。これにより、多数の有機ＥＬ素子で
検出した明るさの平均値を検出抵抗Ｒ１１で検出できる
ことになる。
１が１個の場合を例に挙げたが、実際には、受光画素領
域１２には多数の有機ＥＬ素子が配置されることにな
る。したがって、これら多数の有機ＥＬ素子に対して
は、全てのアノードをグランドに共通に接続するととも
に、全てのカソードを検出抵抗Ｒ１１に共通に接続する
ようにすれば良い。これにより、多数の有機ＥＬ素子で
検出した明るさの平均値を検出抵抗Ｒ１１で検出できる
ことになる。
【００２３】ここで、受光画素領域１２の具体的な構成
例について説明する。表示画素領域１１のサイズ（ディ
スプレイサイズ）を例えば１５インチとするとき、表示
画素領域１１の周囲それぞれ例えば１ｃｍずつを受光画
素領域１２とする。そして、受光素子（有機ＥＬ素子）
材料として、アノード電極にＩＴＯ（２００ｎｍ）、有
機材料にＣｕＰｃ（１５ｎｍ）、α−ＮＰＤ（４５ｎ
ｍ）、Ａｌｑ３（５０ｎｍ）、カソード電極にＭｇＡｇ
（１００ｎｍ）を用いる。
例について説明する。表示画素領域１１のサイズ（ディ
スプレイサイズ）を例えば１５インチとするとき、表示
画素領域１１の周囲それぞれ例えば１ｃｍずつを受光画
素領域１２とする。そして、受光素子（有機ＥＬ素子）
材料として、アノード電極にＩＴＯ（２００ｎｍ）、有
機材料にＣｕＰｃ（１５ｎｍ）、α−ＮＰＤ（４５ｎ
ｍ）、Ａｌｑ３（５０ｎｍ）、カソード電極にＭｇＡｇ
（１００ｎｍ）を用いる。
【００２４】これは、表示画素領域１１の有機ＥＬ素子
を作成する場合と同一条件に設定した場合の例である。
この条件で形成された受光素子（有機ＥＬ素子）では、
暗所における検出電流Ｉｄがほとんどゼロであるのに対
して、一般的な蛍光灯の照明（およそ２５０ルクス）の
下において、バイアス電圧７Ｖで４２ｍＡ／ｍ2 の特性
が得られることが本願発明者によって確認されている。
を作成する場合と同一条件に設定した場合の例である。
この条件で形成された受光素子（有機ＥＬ素子）では、
暗所における検出電流Ｉｄがほとんどゼロであるのに対
して、一般的な蛍光灯の照明（およそ２５０ルクス）の
下において、バイアス電圧７Ｖで４２ｍＡ／ｍ2 の特性
が得られることが本願発明者によって確認されている。
【００２５】ここで、１５インチディスプレイの外周そ
れぞれ１ｃｍずつ受光画素領域１２が形成されており、
このときの受光画素領域１２の面積が０．０１１４ｍ2
であることから、４２ｍＡ／ｍ2 ×０．０１１４ｍ2＝
０．４７９ｍＡ、つまり約０．５ｍＡの検出電流Ｉｄが
有機ＥＬ素子４１および検出抵抗Ｒ１１に流れることに
なる。よって、検出抵抗Ｒ１１の抵抗値を例えば１００
Ω、電流検出アンプ４２を２０倍程度に設定すると、約
０．５ｍＡの検出電流Ｉｄを検出抵抗Ｒ１２によって約
１Ｖの検出電圧Ｖｄとして得られる。
れぞれ１ｃｍずつ受光画素領域１２が形成されており、
このときの受光画素領域１２の面積が０．０１１４ｍ2
であることから、４２ｍＡ／ｍ2 ×０．０１１４ｍ2＝
０．４７９ｍＡ、つまり約０．５ｍＡの検出電流Ｉｄが
有機ＥＬ素子４１および検出抵抗Ｒ１１に流れることに
なる。よって、検出抵抗Ｒ１１の抵抗値を例えば１００
Ω、電流検出アンプ４２を２０倍程度に設定すると、約
０．５ｍＡの検出電流Ｉｄを検出抵抗Ｒ１２によって約
１Ｖの検出電圧Ｖｄとして得られる。
【００２６】この検出電圧Ｖｄは、ＡＤコンバータ４３
によって例えば４ビットのデジタルデータに変換され
る。ここでは、４ビットのＡＤ変換を行う場合を例に挙
げているが、４ビットに限られるものではない。ビット
数は多い方が細かな制御が可能となるため、できるだけ
多い方が望ましい。デジタル化されたデータは、発光時
間設定回路４４に与えられる。
によって例えば４ビットのデジタルデータに変換され
る。ここでは、４ビットのＡＤ変換を行う場合を例に挙
げているが、４ビットに限られるものではない。ビット
数は多い方が細かな制御が可能となるため、できるだけ
多い方が望ましい。デジタル化されたデータは、発光時
間設定回路４４に与えられる。
【００２７】発光時間設定回路４４は、例えば検出電圧
Ｖｄと発光画素の発光時間との対応表を参照テーブル
（ＬＵＴ）として持っており、当該参照テーブルに従っ
てＡＤコンバータ４３から供給される検出電圧Ｖｄに対
応するデジタルデータから１フィールド期間における発
光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を決定する。こ
の発光時間の制御は、発光時間設定回路４４で１フィー
ルド期間ごとに発光時間が設定された発光時間制御信号
により、図２において、制御線２９を通してＴＦＴ２６
をオン／オフ制御することによって実現できる
Ｖｄと発光画素の発光時間との対応表を参照テーブル
（ＬＵＴ）として持っており、当該参照テーブルに従っ
てＡＤコンバータ４３から供給される検出電圧Ｖｄに対
応するデジタルデータから１フィールド期間における発
光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を決定する。こ
の発光時間の制御は、発光時間設定回路４４で１フィー
ルド期間ごとに発光時間が設定された発光時間制御信号
により、図２において、制御線２９を通してＴＦＴ２６
をオン／オフ制御することによって実現できる
【００２８】発光時間の実際の値としては、リフレッシ
ュレートが６０Ｈｚの信号の場合、１フィールドすべて
の時間について有機ＥＬ素子２１を発光させると約１
６．６７ｍｓであり、これを１００％とする。また、こ
のときの有機ＥＬ素子２１は、一定の電流値において５
０％の発光時間で約３００ｃｄ／ｍ2の発光輝度が得ら
れるように設計されている。
ュレートが６０Ｈｚの信号の場合、１フィールドすべて
の時間について有機ＥＬ素子２１を発光させると約１
６．６７ｍｓであり、これを１００％とする。また、こ
のときの有機ＥＬ素子２１は、一定の電流値において５
０％の発光時間で約３００ｃｄ／ｍ2の発光輝度が得ら
れるように設計されている。
【００２９】ここで、表示画素領域１１の周囲が暗く、
受光素子である有機ＥＬ素子４１による検出電流Ｉｄが
小さい場合、発光時間設定回路４４は参照テーブルに従
い、発光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を短く設
定し、図５（Ｂ）に示すように、例えば２５％とする。
これにより、このディスプレイの最大輝度は１５０ｃｄ
／ｍ2に制御され、表示画面の明るさが制限されること
により、暗い環境下であっても適切な明るさで表示画像
を見ることができる。
受光素子である有機ＥＬ素子４１による検出電流Ｉｄが
小さい場合、発光時間設定回路４４は参照テーブルに従
い、発光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を短く設
定し、図５（Ｂ）に示すように、例えば２５％とする。
これにより、このディスプレイの最大輝度は１５０ｃｄ
／ｍ2に制御され、表示画面の明るさが制限されること
により、暗い環境下であっても適切な明るさで表示画像
を見ることができる。
【００３０】逆に、表示画素領域１１の周囲が明るく、
有機ＥＬ素子４１による検出電流Ｉｄが大きい場合、発
光時間設定回路４４は参照テーブルに従い、発光画素
（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を長く設定し、図５
（Ａ）に示すように、例えば５０％とする。これによ
り、このディスプレイの最大輝度は３００ｃｄ／ｍ2に
制御され、暗い環境での輝度に比べて２倍の明るさで発
光するため、明るい環境下においても最適な明るさで表
示画像を見ることができる。
有機ＥＬ素子４１による検出電流Ｉｄが大きい場合、発
光時間設定回路４４は参照テーブルに従い、発光画素
（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を長く設定し、図５
（Ａ）に示すように、例えば５０％とする。これによ
り、このディスプレイの最大輝度は３００ｃｄ／ｍ2に
制御され、暗い環境での輝度に比べて２倍の明るさで発
光するため、明るい環境下においても最適な明るさで表
示画像を見ることができる。
【００３１】なお、以上述べた表示画素領域１１の周囲
の明るさ環境に応じた発光時間の制御はあくまでも一例
であり、制御の可変範囲をさらに大きく設定することも
可能である。
の明るさ環境に応じた発光時間の制御はあくまでも一例
であり、制御の可変範囲をさらに大きく設定することも
可能である。
【００３２】上述したように、第１実施形態に係る有機
ＥＬ表示装置においては、表示画素領域１１の周囲の明
るさを検出するための受光素子として、表示画素領域１
１の発光画素と同じ有機ＥＬ素子を用いることにより、
フォトトランジスタなどの専用の受光素子を別途設けな
くても明るさを検出できるため、低コストにて周囲の明
るさ環境に応じた最適な画像表示が可能になるととも
に、ＥＬ素子を蒸着プロセスによって構成する場合にお
いても特別な工程を必要とせず、同時に作成することが
できる。
ＥＬ表示装置においては、表示画素領域１１の周囲の明
るさを検出するための受光素子として、表示画素領域１
１の発光画素と同じ有機ＥＬ素子を用いることにより、
フォトトランジスタなどの専用の受光素子を別途設けな
くても明るさを検出できるため、低コストにて周囲の明
るさ環境に応じた最適な画像表示が可能になるととも
に、ＥＬ素子を蒸着プロセスによって構成する場合にお
いても特別な工程を必要とせず、同時に作成することが
できる。
【００３３】そして、周囲の明るさ環境に応じて表示画
素領域１１の発光画素の輝度を制御することにより、次
のような作用効果を得ることができる。先ず、無駄な消
費電力による温度上昇を抑制し、発光画素の特性変化を
最小限に抑えることが可能になる。また、寝室における
パーソナルユースのテレビジョンを考えると、夜間に視
聴する場合も、朝あるいは昼間に視聴する場合において
も、それぞれの状況の明るさ環境に応じた最適な制御で
発光輝度を設定できるため、画質を損なうことがない。
さらに、カーナビゲーションに代表される車載型ディス
プレイにおいても、従来の液晶表示装置がバックライト
のコントロールによって発光輝度を制御しているのと同
様な効果を、有機ＥＬ表示装置にて容易に実現可能とな
る。
素領域１１の発光画素の輝度を制御することにより、次
のような作用効果を得ることができる。先ず、無駄な消
費電力による温度上昇を抑制し、発光画素の特性変化を
最小限に抑えることが可能になる。また、寝室における
パーソナルユースのテレビジョンを考えると、夜間に視
聴する場合も、朝あるいは昼間に視聴する場合において
も、それぞれの状況の明るさ環境に応じた最適な制御で
発光輝度を設定できるため、画質を損なうことがない。
さらに、カーナビゲーションに代表される車載型ディス
プレイにおいても、従来の液晶表示装置がバックライト
のコントロールによって発光輝度を制御しているのと同
様な効果を、有機ＥＬ表示装置にて容易に実現可能とな
る。
【００３４】また、先述したように、有機ＥＬ素子は応
答速度が速いことが知られており、この応答速度の速い
有機ＥＬ素子を受光素子として用いることにより、周囲
の明るさの変化を迅速に検出して、有機ＥＬ素子２１の
発光輝度の制御に反映させることができる。特に、受光
画素領域１２の有機ＥＬ素子４１を、表示画素領域１１
を囲むようにその周囲に多数配置しているため、表示画
面が受ける周囲の明るさを的確に検出できるため、周囲
の明るさ環境に応じたより正確な輝度制御を実現でき
る。
答速度が速いことが知られており、この応答速度の速い
有機ＥＬ素子を受光素子として用いることにより、周囲
の明るさの変化を迅速に検出して、有機ＥＬ素子２１の
発光輝度の制御に反映させることができる。特に、受光
画素領域１２の有機ＥＬ素子４１を、表示画素領域１１
を囲むようにその周囲に多数配置しているため、表示画
面が受ける周囲の明るさを的確に検出できるため、周囲
の明るさ環境に応じたより正確な輝度制御を実現でき
る。
【００３５】なお、上記実施形態では、表示画素領域１
１の周囲の明るさに応じた発光輝度の制御を、有機ＥＬ
素子２１の発光時間を制御することによって行う場合を
例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、
有機ＥＬ素子２１の輝度は入力データの関数であるた
め、有機ＥＬ素子２１の駆動電流を制御することによっ
ても、上記の場合と同様に、有機ＥＬ素子２１の発光輝
度を制御することが可能である。
１の周囲の明るさに応じた発光輝度の制御を、有機ＥＬ
素子２１の発光時間を制御することによって行う場合を
例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、
有機ＥＬ素子２１の輝度は入力データの関数であるた
め、有機ＥＬ素子２１の駆動電流を制御することによっ
ても、上記の場合と同様に、有機ＥＬ素子２１の発光輝
度を制御することが可能である。
【００３６】ただし、有機ＥＬ素子２１の発光時間を制
御、具体的にはアクティブマトリクス型において、１画
素が１フィールド期間に発光する時間をコントロール
し、発光輝度を調整するようにした方が、コントラスト
や階調性能など画質性能を劣化させることなく、発光輝
度を調整できる利点がある。
御、具体的にはアクティブマトリクス型において、１画
素が１フィールド期間に発光する時間をコントロール
し、発光輝度を調整するようにした方が、コントラスト
や階調性能など画質性能を劣化させることなく、発光輝
度を調整できる利点がある。
【００３７】また、上記実施形態においては、周囲の明
るさ検出および発光輝度の制御を常時行い、周囲の明る
さに応じて発光輝度をリニアにコントロールすることを
前提としているが、例えばカーナビゲーションに代表さ
れるように、昼モードと夜モードの２段階切り替えを始
め、数段階に切り替えるコントロール方法もアプリケー
ションによっては有効な方法である。これらの切り替え
については、図４の発光時間設定回路４４で行うように
すれば良い。
るさ検出および発光輝度の制御を常時行い、周囲の明る
さに応じて発光輝度をリニアにコントロールすることを
前提としているが、例えばカーナビゲーションに代表さ
れるように、昼モードと夜モードの２段階切り替えを始
め、数段階に切り替えるコントロール方法もアプリケー
ションによっては有効な方法である。これらの切り替え
については、図４の発光時間設定回路４４で行うように
すれば良い。
【００３８】［第２実施形態］図６は、本発明の第２実
施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示す正面
図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付して
示している。図６から明らかなように、本実施形態に係
る有機ＥＬ表示装置はその正面側に、画像表示を行う表
示画素領域１１とそれを保持するフレーム１５とを有
し、フレーム１５の下部の中央には、ブランド名、メー
カー名などのマーク（本例では、「ＤＩＳＰＬＡＹ」）
を表示するバッチ領域１３が第２の表示画素領域として
設けられた構成となっている。
施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略を示す正面
図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付して
示している。図６から明らかなように、本実施形態に係
る有機ＥＬ表示装置はその正面側に、画像表示を行う表
示画素領域１１とそれを保持するフレーム１５とを有
し、フレーム１５の下部の中央には、ブランド名、メー
カー名などのマーク（本例では、「ＤＩＳＰＬＡＹ」）
を表示するバッチ領域１３が第２の表示画素領域として
設けられた構成となっている。
【００３９】表示画素領域１１は、第１実施形態の場合
と同様に、走査線およびデータ線がマトリクス状に配線
され、その交差部に有機ＥＬ素子を含む発光画素が配置
された構成となっている。バッチ領域１３のフレーム部
分は透明となっており、文字については、有機ＥＬ素子
によって表示されるようになっている。このバッチ領域
１３の有機ＥＬ素子は、文字等の画表示を行う発光素子
として機能とすると同時に、受光素子としても機能す
る。有機ＥＬ素子が受光素子としての機能を併せ持つこ
とは周知である。
と同様に、走査線およびデータ線がマトリクス状に配線
され、その交差部に有機ＥＬ素子を含む発光画素が配置
された構成となっている。バッチ領域１３のフレーム部
分は透明となっており、文字については、有機ＥＬ素子
によって表示されるようになっている。このバッチ領域
１３の有機ＥＬ素子は、文字等の画表示を行う発光素子
として機能とすると同時に、受光素子としても機能す
る。有機ＥＬ素子が受光素子としての機能を併せ持つこ
とは周知である。
【００４０】バッチ領域１３の発光／受光画素は、表示
画素領域１１の発光画素と同時に形成される。例えば、
表示画素領域１１の発光画素とバッチ領域１３の発光／
受光画素とはＣＶＤ法によって同時に蒸着される。バッ
チ領域１３においては、有機ＥＬ素子が発光素子および
受光素子の両機能を持つことから、表示画素領域１１と
は独立した回路配線を有する。また、バッチ領域１３の
発光／受光画素については、表示画素領域１１の発光画
素と異なり、マトリクス状にＲＧＢの３色を配列して駆
動する必要はない。ただし、文字部分を白色で発光させ
る場合は、表示画素領域１１の発光画素と同様に、マト
リクス状にＲＧＢの３色を配列して駆動する必要があ
る。
画素領域１１の発光画素と同時に形成される。例えば、
表示画素領域１１の発光画素とバッチ領域１３の発光／
受光画素とはＣＶＤ法によって同時に蒸着される。バッ
チ領域１３においては、有機ＥＬ素子が発光素子および
受光素子の両機能を持つことから、表示画素領域１１と
は独立した回路配線を有する。また、バッチ領域１３の
発光／受光画素については、表示画素領域１１の発光画
素と異なり、マトリクス状にＲＧＢの３色を配列して駆
動する必要はない。ただし、文字部分を白色で発光させ
る場合は、表示画素領域１１の発光画素と同様に、マト
リクス状にＲＧＢの３色を配列して駆動する必要があ
る。
【００４１】図７は、バッチ領域１３の発光／受光画素
の回路構成の一例を示す回路図である。図７から明らか
なように、発光／受光画素回路は、有機ＥＬ素子５１
と、この有機ＥＬ素子５１を発光素子として機能させる
か、受光素子として機能させるかを切り替える切替スイ
ッチ５２と、有機ＥＬ素子５１が発光素子として機能す
るときにこれを駆動する画素駆動回路５３と、有機ＥＬ
素子５１が受光素子として機能するときに有機ＥＬ素子
５１に流れる電流Ｉｄを検出する検出回路５４とを有す
る構成となっている。
の回路構成の一例を示す回路図である。図７から明らか
なように、発光／受光画素回路は、有機ＥＬ素子５１
と、この有機ＥＬ素子５１を発光素子として機能させる
か、受光素子として機能させるかを切り替える切替スイ
ッチ５２と、有機ＥＬ素子５１が発光素子として機能す
るときにこれを駆動する画素駆動回路５３と、有機ＥＬ
素子５１が受光素子として機能するときに有機ＥＬ素子
５１に流れる電流Ｉｄを検出する検出回路５４とを有す
る構成となっている。
【００４２】本回路例においては、有機ＥＬ素子５１が
１個の場合を例に挙げているが、実際には、バッチ領域
１３には表示する文字に応じて多数の有機ＥＬ素子が配
置され、また文字部分を白色で発光させる場合は有機Ｅ
Ｌ素子の数がさらに多数となる。したがって、これら多
数の有機ＥＬ素子に対しては、全てのアノードをグラン
ドに共通に接続するとともに、切替スイッチ５２の固定
接点Ｂ側を共通に接続するようにすれば良い。
１個の場合を例に挙げているが、実際には、バッチ領域
１３には表示する文字に応じて多数の有機ＥＬ素子が配
置され、また文字部分を白色で発光させる場合は有機Ｅ
Ｌ素子の数がさらに多数となる。したがって、これら多
数の有機ＥＬ素子に対しては、全てのアノードをグラン
ドに共通に接続するとともに、切替スイッチ５２の固定
接点Ｂ側を共通に接続するようにすれば良い。
【００４３】画素駆動回路５３は、負電源Ｖｓｓと切替
スイッチ５２の一方の固定接点Ａとの間に接続された駆
動トランジスタＴＦＴと、負電源Ｖｓｓとトランジスタ
ＴＦＴのゲートとの間に接続された抵抗Ｒ２１と、この
抵抗Ｒ２１に対して並列に接続されたキャパシタＣと、
トランジスタＴＦＴのゲートとグランドとの間に接続さ
れた抵抗Ｒ２２とからなる定電流源の構成となってい
る。
スイッチ５２の一方の固定接点Ａとの間に接続された駆
動トランジスタＴＦＴと、負電源Ｖｓｓとトランジスタ
ＴＦＴのゲートとの間に接続された抵抗Ｒ２１と、この
抵抗Ｒ２１に対して並列に接続されたキャパシタＣと、
トランジスタＴＦＴのゲートとグランドとの間に接続さ
れた抵抗Ｒ２２とからなる定電流源の構成となってい
る。
【００４４】検出回路５４は、第１実施形態の受光画素
回路（図４を参照）と同じ構成となっている。ただし、
検出抵抗Ｒ１１のグランド側の端部は切替スイッチ５２
の他方の固定接点Ｂに接続されている。
回路（図４を参照）と同じ構成となっている。ただし、
検出抵抗Ｒ１１のグランド側の端部は切替スイッチ５２
の他方の固定接点Ｂに接続されている。
【００４５】次に、上記構成の発光／受光画素回路の回
路動作について説明する。有機ＥＬ素子５１を通常発光
させて使用しているとき、即ちバッチ領域１３において
文字を有機ＥＬ素子５１によって発光表示していると
き、切替スイッチ５２は固定接点Ａ側に切り替わってお
り、定電流源からなる画素駆動回路５３によって一定の
電流（通常発光時電流Ｉｎ）にて有機ＥＬ素子５１が駆
動されることで、当該有機ＥＬ素子５１は発光状態にあ
る。
路動作について説明する。有機ＥＬ素子５１を通常発光
させて使用しているとき、即ちバッチ領域１３において
文字を有機ＥＬ素子５１によって発光表示していると
き、切替スイッチ５２は固定接点Ａ側に切り替わってお
り、定電流源からなる画素駆動回路５３によって一定の
電流（通常発光時電流Ｉｎ）にて有機ＥＬ素子５１が駆
動されることで、当該有機ＥＬ素子５１は発光状態にあ
る。
【００４６】ディスプレイの電源を入れたときや、意図
的に周囲の明るさを検出したいときは、切替スイッチ５
２を固定接点Ｂ側に切り替える。この切り替えは、手動
で行っても良いし、また自動的に行うようにすることも
可能である。また、周囲の明るさを常に監視する場合
は、ＡＤコンバータ４３と発光時間設定回路４４、さら
にはディスプレイの垂直走査タイミングと同期をとるこ
とによって、数１０μｓという時間、即ち視覚的に認識
できない程度の早さで切替スイッチ５２を切り替えるこ
とにより、周囲の明るさを常時検出することが可能とな
る。
的に周囲の明るさを検出したいときは、切替スイッチ５
２を固定接点Ｂ側に切り替える。この切り替えは、手動
で行っても良いし、また自動的に行うようにすることも
可能である。また、周囲の明るさを常に監視する場合
は、ＡＤコンバータ４３と発光時間設定回路４４、さら
にはディスプレイの垂直走査タイミングと同期をとるこ
とによって、数１０μｓという時間、即ち視覚的に認識
できない程度の早さで切替スイッチ５２を切り替えるこ
とにより、周囲の明るさを常時検出することが可能とな
る。
【００４７】この検出時の電流は、明るさ検出電流Ｉｄ
として検出抵抗Ｒ１１に流れる。以降の検出動作は、第
１実施形態の受光画素回路の場合と同じである。すなわ
ち、明るさ検出電流Ｉｄは、電流検出アンプ４２によっ
て増幅されることにより、検出抵抗Ｒ１２の両端に検出
電圧Ｖｄとして現れる。この検出電圧Ｖｄは、ＡＤコン
バータ４３によって例えば４ビットのデジタルデータに
変換される。発光時間設定回路４４は、参照テーブル
（ＬＵＴ）に従ってＡＤコンバータ４３から供給される
検出電圧Ｖｄに対応するデジタルデータから１フィール
ドにおける発光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を
決定する。
として検出抵抗Ｒ１１に流れる。以降の検出動作は、第
１実施形態の受光画素回路の場合と同じである。すなわ
ち、明るさ検出電流Ｉｄは、電流検出アンプ４２によっ
て増幅されることにより、検出抵抗Ｒ１２の両端に検出
電圧Ｖｄとして現れる。この検出電圧Ｖｄは、ＡＤコン
バータ４３によって例えば４ビットのデジタルデータに
変換される。発光時間設定回路４４は、参照テーブル
（ＬＵＴ）に従ってＡＤコンバータ４３から供給される
検出電圧Ｖｄに対応するデジタルデータから１フィール
ドにおける発光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を
決定する。
【００４８】ここで、表示画素領域１１の周囲が暗く、
受光素子である有機ＥＬ素子５１による検出電流Ｉｄが
小さい場合、発光時間設定回路４４は参照テーブルに従
い、発光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を短く設
定し、例えば２５％とする。これにより、このディスプ
レイの最大輝度は１５０ｃｄ／ｍ2に制御され、表示画
面の明るさが制限されることにより、暗い環境下であっ
ても適切な明るさで表示画像を見ることができる。
受光素子である有機ＥＬ素子５１による検出電流Ｉｄが
小さい場合、発光時間設定回路４４は参照テーブルに従
い、発光画素（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を短く設
定し、例えば２５％とする。これにより、このディスプ
レイの最大輝度は１５０ｃｄ／ｍ2に制御され、表示画
面の明るさが制限されることにより、暗い環境下であっ
ても適切な明るさで表示画像を見ることができる。
【００４９】逆に、表示画素領域１１の周囲が明るく、
有機ＥＬ素子５１による検出電流Ｉｄが大きい場合、発
光時間設定回路４４は参照テーブルに従い、発光画素
（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を長く設定し、例えば
５０％とする。これにより、このディスプレイの最大輝
度は３００ｃｄ／ｍ2に制御され、暗い環境での輝度に
比べて２倍の明るさで発光するため、明るい環境下にお
いても最適な明るさで表示画像を見ることができる。
有機ＥＬ素子５１による検出電流Ｉｄが大きい場合、発
光時間設定回路４４は参照テーブルに従い、発光画素
（有機ＥＬ素子２１）の発光時間を長く設定し、例えば
５０％とする。これにより、このディスプレイの最大輝
度は３００ｃｄ／ｍ2に制御され、暗い環境での輝度に
比べて２倍の明るさで発光するため、明るい環境下にお
いても最適な明るさで表示画像を見ることができる。
【００５０】なお、以上述べた表示画素領域１１の周囲
の明るさ環境に応じた発光時間の制御はあくまでも一例
であり、制御の可変範囲をさらに大きく設定することも
可能である。
の明るさ環境に応じた発光時間の制御はあくまでも一例
であり、制御の可変範囲をさらに大きく設定することも
可能である。
【００５１】上述したように、第２実施形態に係る有機
ＥＬ表示装置においては、第１実施形態に係る有機ＥＬ
表示装置の作用効果に加えて、バッチ領域１３の有機Ｅ
Ｌ素子を、表示画素領域１１の周囲の明るさを検出する
ための受光素子として兼用することで、専用の受光画素
領域を設ける必要がないため、ディスプレイの外観に特
別な制約なく周囲の明るさの検出が可能になる。
ＥＬ表示装置においては、第１実施形態に係る有機ＥＬ
表示装置の作用効果に加えて、バッチ領域１３の有機Ｅ
Ｌ素子を、表示画素領域１１の周囲の明るさを検出する
ための受光素子として兼用することで、専用の受光画素
領域を設ける必要がないため、ディスプレイの外観に特
別な制約なく周囲の明るさの検出が可能になる。
【００５２】［第３実施形態］本発明の第３実施形態に
係る有機ＥＬ表示装置は、その基本的な外観構成が第２
実施形態に係る有機ＥＬ表示装置（図６を参照）と同じ
である。違うのは、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装
置では、バッチ領域１３の有機ＥＬ素子を、周囲の明る
さを検出するための受光素子として兼用していたのに対
して、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、表示
画素領域１１の発光画素を周囲の明るさを検出するため
の受光素子として兼用するようにしている点にある。
係る有機ＥＬ表示装置は、その基本的な外観構成が第２
実施形態に係る有機ＥＬ表示装置（図６を参照）と同じ
である。違うのは、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装
置では、バッチ領域１３の有機ＥＬ素子を、周囲の明る
さを検出するための受光素子として兼用していたのに対
して、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、表示
画素領域１１の発光画素を周囲の明るさを検出するため
の受光素子として兼用するようにしている点にある。
【００５３】本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置におい
ては、表示画素領域１１の有機ＥＬ素子（図２の有機Ｅ
Ｌ素子２１に相当）の駆動を、垂直走査タイミング内で
発光用と受光用とに切り替えることにより、発光素子と
しての有機ＥＬ素子に受光素子としての機能を持たせて
いる。具体的には、１フィールド期間における発光時間
を制御することによって発光輝度を決定するアクティブ
マトリクス型有機ＥＬ表示装置において、図５のタイミ
ングチャートに示すように、発光時間を２５％〜５０％
に設定するのが一般的であることから、その非発光時間
を受光期間に割り当てるようにする。この場合、受光期
間として７５％〜５０％の期間を確保でき、しかも有機
ＥＬ素子は応答性に優れているため、周囲の明るさを確
実に検出できる。
ては、表示画素領域１１の有機ＥＬ素子（図２の有機Ｅ
Ｌ素子２１に相当）の駆動を、垂直走査タイミング内で
発光用と受光用とに切り替えることにより、発光素子と
しての有機ＥＬ素子に受光素子としての機能を持たせて
いる。具体的には、１フィールド期間における発光時間
を制御することによって発光輝度を決定するアクティブ
マトリクス型有機ＥＬ表示装置において、図５のタイミ
ングチャートに示すように、発光時間を２５％〜５０％
に設定するのが一般的であることから、その非発光時間
を受光期間に割り当てるようにする。この場合、受光期
間として７５％〜５０％の期間を確保でき、しかも有機
ＥＬ素子は応答性に優れているため、周囲の明るさを確
実に検出できる。
【００５４】図８は、表示画素領域１１の有機ＥＬ素子
を受光素子として兼用する場合の発光／受光画素の回路
構成の一例を示す回路図である。本構成例に係る発光／
受光画素回路は、ＲＧＢ３色それぞれについて一つ以上
設けられる。
を受光素子として兼用する場合の発光／受光画素の回路
構成の一例を示す回路図である。本構成例に係る発光／
受光画素回路は、ＲＧＢ３色それぞれについて一つ以上
設けられる。
【００５５】具体的には、Ｒ（赤）の発光／受光画素回
路は、有機ＥＬ素子６１Ｒと、この有機ＥＬ素子６１Ｒ
を発光素子として機能させるか、受光素子として機能さ
せるかを切り替える切替スイッチ６２Ｒと、有機ＥＬ素
子６１Ｒが発光素子として機能するときにこれを入力信
号に応じて駆動する画素駆動回路６３Ｒと、有機ＥＬ素
子６１Ｒが受光素子として機能するときに有機ＥＬ素子
６１Ｒに流れる電流Ｉｄを検出する検出回路６４Ｒとを
有する構成となっている。
路は、有機ＥＬ素子６１Ｒと、この有機ＥＬ素子６１Ｒ
を発光素子として機能させるか、受光素子として機能さ
せるかを切り替える切替スイッチ６２Ｒと、有機ＥＬ素
子６１Ｒが発光素子として機能するときにこれを入力信
号に応じて駆動する画素駆動回路６３Ｒと、有機ＥＬ素
子６１Ｒが受光素子として機能するときに有機ＥＬ素子
６１Ｒに流れる電流Ｉｄを検出する検出回路６４Ｒとを
有する構成となっている。
【００５６】Ｇ（緑）の発光／受光画素回路も同様に、
有機ＥＬ素子６１Ｇ、切替スイッチ６２Ｇ、画素駆動回
路６３Ｇおよび検出回路６４Ｇを有し、Ｂ（青）の発光
／受光画素回路も同様に、有機ＥＬ素子６１Ｂ、切替ス
イッチ６２Ｂ、画素駆動回路６３Ｂおよび検出回路６４
Ｂを有する構成となっている。なお、表示画素領域１１
内にはＲＧＢごとに多数の有機ＥＬ素子が配置されてい
ることから、これら多数の有機ＥＬ素子に対しては、全
てのアノードをグランドに共通に接続するとともに、切
替スイッチ５２の固定接点Ｂ側を共通に接続するように
すれば良い。
有機ＥＬ素子６１Ｇ、切替スイッチ６２Ｇ、画素駆動回
路６３Ｇおよび検出回路６４Ｇを有し、Ｂ（青）の発光
／受光画素回路も同様に、有機ＥＬ素子６１Ｂ、切替ス
イッチ６２Ｂ、画素駆動回路６３Ｂおよび検出回路６４
Ｂを有する構成となっている。なお、表示画素領域１１
内にはＲＧＢごとに多数の有機ＥＬ素子が配置されてい
ることから、これら多数の有機ＥＬ素子に対しては、全
てのアノードをグランドに共通に接続するとともに、切
替スイッチ５２の固定接点Ｂ側を共通に接続するように
すれば良い。
【００５７】切替スイッチ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、
発光時間制御信号がアクティブのとき固定接点Ａ側に切
り替わり、発光時間制御信号が非アクティブのとき固定
接点Ｂ側に切り替わる。画素駆動回路６３Ｒ，６３Ｇ，
６３Ｂとしては、第１実施形態の画素回路(図２を参照)
と同じ構成のものが用いられる。また、検出回路６４
Ｒ，６４Ｇ，６４Ｂとしては、第１実施形態の受光画素
回路（図４を参照）と同じ構成のものが用いられる。た
だし、検出回路６４Ｒ，６４Ｇ，６４Ｂにおいて、検出
抵抗Ｒ１１、電流検出アンプ４２、検出抵抗Ｒ１２およ
びＡＤコンバータ４３については各色ごとに設けられる
ものの、発光時間設定回路４４については各色に対して
共通に設けられることになる。
発光時間制御信号がアクティブのとき固定接点Ａ側に切
り替わり、発光時間制御信号が非アクティブのとき固定
接点Ｂ側に切り替わる。画素駆動回路６３Ｒ，６３Ｇ，
６３Ｂとしては、第１実施形態の画素回路(図２を参照)
と同じ構成のものが用いられる。また、検出回路６４
Ｒ，６４Ｇ，６４Ｂとしては、第１実施形態の受光画素
回路（図４を参照）と同じ構成のものが用いられる。た
だし、検出回路６４Ｒ，６４Ｇ，６４Ｂにおいて、検出
抵抗Ｒ１１、電流検出アンプ４２、検出抵抗Ｒ１２およ
びＡＤコンバータ４３については各色ごとに設けられる
ものの、発光時間設定回路４４については各色に対して
共通に設けられることになる。
【００５８】次に、上記構成の発光／受光画素回路の回
路動作について説明する。先ず、発光時間制御信号がア
クティブのときは、切替スイッチ６２Ｒ，６２Ｇ，６２
Ｂは固定接点Ａ側に切り替わる。これにより、画素駆動
回路６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂは、入力データ(輝度デー
タ)に応じて有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂを発
光駆動する。このとき、有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，
６１Ｂの１フィールド期間における発光時間は、図５の
タイミングチャートから明らかなように、２５％〜５０
％に設定されるのが一般的である。
路動作について説明する。先ず、発光時間制御信号がア
クティブのときは、切替スイッチ６２Ｒ，６２Ｇ，６２
Ｂは固定接点Ａ側に切り替わる。これにより、画素駆動
回路６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂは、入力データ(輝度デー
タ)に応じて有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂを発
光駆動する。このとき、有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，
６１Ｂの１フィールド期間における発光時間は、図５の
タイミングチャートから明らかなように、２５％〜５０
％に設定されるのが一般的である。
【００５９】次に、発光時間制御信号が非アクティブの
とき、即ち画素が非発光状態にあるときは、切替スイッ
チ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは固定接点Ｂ側に切り替わ
る。これにより、それまで発光素子として機能していた
有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂが受光素子として
機能する。そして、各色ごとにすべての画素について、
周囲の明るさに応じて電流ＩｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢが各
色ごとの検出抵抗Ｒ１１Ｒ，Ｒ１１Ｇ，Ｒ１１Ｂに流れ
る。
とき、即ち画素が非発光状態にあるときは、切替スイッ
チ６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは固定接点Ｂ側に切り替わ
る。これにより、それまで発光素子として機能していた
有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂが受光素子として
機能する。そして、各色ごとにすべての画素について、
周囲の明るさに応じて電流ＩｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢが各
色ごとの検出抵抗Ｒ１１Ｒ，Ｒ１１Ｇ，Ｒ１１Ｂに流れ
る。
【００６０】以降の検出動作は、第１実施形態の受光画
素回路の場合と同じである。すなわち、各色ごとの明る
さ検出電流ＩｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢは、電流検出アンプ
４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂによって増幅されることによ
り、検出抵抗Ｒ１２Ｒ，Ｒ１２Ｇ，Ｒ１２Ｂの両端に検
出電圧ＶｄＲ，ＶｄＧ，ＶｄＢとして現れる。これら検
出電圧ＶｄＲ，ＶｄＧ，ＶｄＢは、ＡＤコンバータ４３
Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂによって例えば４ビットのデジタル
データに変換されて発光時間設定回路４４に供給され
る。
素回路の場合と同じである。すなわち、各色ごとの明る
さ検出電流ＩｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢは、電流検出アンプ
４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂによって増幅されることによ
り、検出抵抗Ｒ１２Ｒ，Ｒ１２Ｇ，Ｒ１２Ｂの両端に検
出電圧ＶｄＲ，ＶｄＧ，ＶｄＢとして現れる。これら検
出電圧ＶｄＲ，ＶｄＧ，ＶｄＢは、ＡＤコンバータ４３
Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂによって例えば４ビットのデジタル
データに変換されて発光時間設定回路４４に供給され
る。
【００６１】発光時間設定回路４４では、ＲＧＢそれぞ
れの有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂの特性に合わ
せた演算が行われる。例えば、図９に示す有機ＥＬ素子
の受光特性からも明らかなように、有機ＥＬ素子の受光
出力レベルは、赤に対して青が１／２、緑が１／６とい
うデータとなる。そこで、青の受光データを２倍、緑の
受光データを６倍とする演算を行うことで、より平均化
された受光データを得ることができる。
れの有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂの特性に合わ
せた演算が行われる。例えば、図９に示す有機ＥＬ素子
の受光特性からも明らかなように、有機ＥＬ素子の受光
出力レベルは、赤に対して青が１／２、緑が１／６とい
うデータとなる。そこで、青の受光データを２倍、緑の
受光データを６倍とする演算を行うことで、より平均化
された受光データを得ることができる。
【００６２】また、一般的な白色レベルを検出するため
に、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝３：６：１という値になるように演算
を行うことで、検出する波長レベルの整合をとることも
できる。発光時間設定回路４４は、上記演算によって得
られた結果を基に、参照テーブル（ＬＵＴ）に従って１
フィールド期間における発光画素（有機ＥＬ素子６１
Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）の発光時間を決定する。
に、Ｒ：Ｇ：Ｂ＝３：６：１という値になるように演算
を行うことで、検出する波長レベルの整合をとることも
できる。発光時間設定回路４４は、上記演算によって得
られた結果を基に、参照テーブル（ＬＵＴ）に従って１
フィールド期間における発光画素（有機ＥＬ素子６１
Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）の発光時間を決定する。
【００６３】ここで、表示画素領域１１の周囲が暗く、
有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂによる検出電流Ｉ
ｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢが小さい場合、発光時間設定回路
４４は参照テーブルに従い、発光画素（有機ＥＬ素子６
１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）の発光時間を短く設定し、例え
ば２５％とする。これにより、このディスプレイの最大
輝度は１５０ｃｄ／ｍ2に制御され、表示画面の明るさ
が制限されることにより、暗い環境下であっても適切な
明るさで表示画像を見ることができる。
有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂによる検出電流Ｉ
ｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢが小さい場合、発光時間設定回路
４４は参照テーブルに従い、発光画素（有機ＥＬ素子６
１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）の発光時間を短く設定し、例え
ば２５％とする。これにより、このディスプレイの最大
輝度は１５０ｃｄ／ｍ2に制御され、表示画面の明るさ
が制限されることにより、暗い環境下であっても適切な
明るさで表示画像を見ることができる。
【００６４】逆に、表示画素領域１１の周囲が明るく、
有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂによる検出電流Ｉ
ｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢが大きい場合、発光時間設定回路
４４は参照テーブルに従い、発光画素（有機ＥＬ素子６
１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）の発光時間を長く設定し、例え
ば５０％とする。これにより、このディスプレイの最大
輝度は３００ｃｄ／ｍ2に制御され、暗い環境での輝度
に比べて２倍の明るさで発光するため、明るい環境下に
おいても最適な明るさで表示画像を見ることができる。
有機ＥＬ素子６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂによる検出電流Ｉ
ｄＲ，ＩｄＧ，ＩｄＢが大きい場合、発光時間設定回路
４４は参照テーブルに従い、発光画素（有機ＥＬ素子６
１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）の発光時間を長く設定し、例え
ば５０％とする。これにより、このディスプレイの最大
輝度は３００ｃｄ／ｍ2に制御され、暗い環境での輝度
に比べて２倍の明るさで発光するため、明るい環境下に
おいても最適な明るさで表示画像を見ることができる。
【００６５】なお、以上述べた表示画素領域１１の周囲
の明るさ環境に応じた発光時間の制御はあくまでも一例
であり、制御の可変範囲をさらに大きく設定することも
可能である。
の明るさ環境に応じた発光時間の制御はあくまでも一例
であり、制御の可変範囲をさらに大きく設定することも
可能である。
【００６６】上述したように、第３実施形態に係る有機
ＥＬ表示装置においては、第１実施形態に係る有機ＥＬ
表示装置の作用効果に加えて、表示画素領域１１の有機
ＥＬ素子を、表示画素領域１１の周囲の明るさを検出す
るための受光素子として兼用することで、パネル外部に
特別な受光素子を設ける必要がないため、外観上は全く
そのままで周囲の明るさ状況に応じた発光輝度の制御を
行うことができるとともに、フォトトランジスタなどの
１点による観測とは異なり、周囲の明るさ状況を平均的
に観測することができる。
ＥＬ表示装置においては、第１実施形態に係る有機ＥＬ
表示装置の作用効果に加えて、表示画素領域１１の有機
ＥＬ素子を、表示画素領域１１の周囲の明るさを検出す
るための受光素子として兼用することで、パネル外部に
特別な受光素子を設ける必要がないため、外観上は全く
そのままで周囲の明るさ状況に応じた発光輝度の制御を
行うことができるとともに、フォトトランジスタなどの
１点による観測とは異なり、周囲の明るさ状況を平均的
に観測することができる。
【００６７】また、Ｒ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子が、それ
ぞれの発光特性と同様に受光特性を持つことから、その
受光特性に合わせてＲ，Ｇ，Ｂの各検出値に電気的補正
を掛けて発光輝度の制御を行うようにしていることによ
り、特定の波長の光に左右されることなく、広い波長帯
域で周囲の明るさを検出でき、安定した発光輝度の制御
を行うことができるため、周囲の明るさ環境に応じた良
好な画像表示が可能になる。
ぞれの発光特性と同様に受光特性を持つことから、その
受光特性に合わせてＲ，Ｇ，Ｂの各検出値に電気的補正
を掛けて発光輝度の制御を行うようにしていることによ
り、特定の波長の光に左右されることなく、広い波長帯
域で周囲の明るさを検出でき、安定した発光輝度の制御
を行うことができるため、周囲の明るさ環境に応じた良
好な画像表示が可能になる。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリクス状に配置され
てなる表示画素領域を有する有機ＥＬ表示装置におい
て、当該表示画素領域の周囲の明るさを検出するための
受光素子として、表示画素領域と同一基板上に形成され
た受光画素領域の有機ＥＬ素子を用いるか、または特定
の画表示を行う第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子ある
いは表示画素領域の有機ＥＬ素子を兼用することで、フ
ォトトランジスタなどの専用の受光素子を別途設けなく
ても周囲の明るさを検出し、その検出出力に基づいて発
光画素の輝度制御を行うことができ、しかもＥＬ素子を
蒸着プロセスによって構成する場合においても特別な工
程を必要とせず、受光画素領域の有機ＥＬ素子、または
特定の画表示を行う第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子
を、表示画素領域の有機ＥＬ素子と同時に作成すること
ができる。
有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリクス状に配置され
てなる表示画素領域を有する有機ＥＬ表示装置におい
て、当該表示画素領域の周囲の明るさを検出するための
受光素子として、表示画素領域と同一基板上に形成され
た受光画素領域の有機ＥＬ素子を用いるか、または特定
の画表示を行う第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子ある
いは表示画素領域の有機ＥＬ素子を兼用することで、フ
ォトトランジスタなどの専用の受光素子を別途設けなく
ても周囲の明るさを検出し、その検出出力に基づいて発
光画素の輝度制御を行うことができ、しかもＥＬ素子を
蒸着プロセスによって構成する場合においても特別な工
程を必要とせず、受光画素領域の有機ＥＬ素子、または
特定の画表示を行う第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子
を、表示画素領域の有機ＥＬ素子と同時に作成すること
ができる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置
の構成の概略を示す正面図である。
の構成の概略を示す正面図である。
【図２】発光画素の回路構成の一例を示す回路図であ
る。
る。
【図３】有機ＥＬ素子の構造の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における
受光画素の回路構成の一例を示す回路図である。
受光画素の回路構成の一例を示す回路図である。
【図５】発光時間による輝度制御を示すタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置
の構成の概略を示す正面図である。
の構成の概略を示す正面図である。
【図７】第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における
発光／受光画素の回路構成の一例を示す回路図である。
発光／受光画素の回路構成の一例を示す回路図である。
【図８】第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における
発光／受光画素の回路構成の一例を示す回路図である。
発光／受光画素の回路構成の一例を示す回路図である。
【図９】Ｒ，Ｇ，Ｂの各有機ＥＬ素子の受光特性を示す
特性図である。
特性図である。
１１…表示画素領域、１２…受光画素領域、１３…バッ
チ領域、１４…保護ガラス、１５…フレーム、２１，４
１，５１，６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ…有機ＥＬ素子、４
２，４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ…電流検出アンプ、４３，
４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ…ＡＤコンバータ、４４…発光
時間設定回路、５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ…切替ス
イッチ、５３，５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂ…画素駆動回
路、５４，５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ…検出回路
チ領域、１４…保護ガラス、１５…フレーム、２１，４
１，５１，６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ…有機ＥＬ素子、４
２，４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ…電流検出アンプ、４３，
４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ…ＡＤコンバータ、４４…発光
時間設定回路、５２，５２Ｒ，５２Ｇ，５２Ｂ…切替ス
イッチ、５３，５３Ｒ，５３Ｇ，５３Ｂ…画素駆動回
路、５４，５４Ｒ，５４Ｇ，５４Ｂ…検出回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４１Ａ
６４２ ６４２Ｆ
６８０ ６８０Ｇ
3/30 3/30 Ｋ
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB17 AB18 BA06 DB03
GA04
5C080 AA06 BB05 CC03 DD04 DD20
DD22 DD25 DD26 DD27 DD29
EE19 EE29 EE30 FF11 HH09
JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 JJ06
5C094 AA07 BA03 BA27 CA19 DA09
DB01 FA01 FB01 FB16
5G435 AA01 BB05 CC09 DD10 EE12
GG46
Claims (11)
- 【請求項１】 有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリク
ス状に配置されてなる表示画素領域と、 受光素子として機能する有機ＥＬ素子を有し、前記表示
画素領域と同一基板上に形成された受光画素領域と、 前記受光画素領域の有機ＥＬ素子の受光出力に基づいて
前記表示画素領域の有機ＥＬ素子の発光輝度を制御する
制御手段とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装
置。 - 【請求項２】 前記受光画素領域の有機ＥＬ素子は、前
記表示画素領域の有機ＥＬ素子と同一プロセスにて作成
されることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装
置。 - 【請求項３】 前記受光画素領域の有機ＥＬ素子は、前
記表示画素領域を囲むようにその周囲に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項４】 前記制御手段は、前記表示画素領域の有
機ＥＬ素子の発光時間を制御することを特徴とする請求
項１記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項５】 有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリク
ス状に配置されてなる第１の表示画素領域と、 前記第１の表示画素領域と同一基板上に形成され、有機
ＥＬ素子によって特定の画表示を行う第２の表示画素領
域と、 前記第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子を発光素子また
は受光素子として機能させる切替手段と、 前記切替手段の切り替えによって受光素子として機能す
るときの前記第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子の受光
出力に基づいて、前記第１の表示画素領域の有機ＥＬ素
子の発光輝度を制御する制御手段とを備えたことを特徴
とする有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項６】 前記第２の表示画素領域の有機ＥＬ素子
は、前記第１の表示画素領域の有機ＥＬ素子と同一プロ
セスにて作成されることを特徴とする請求項５記載の有
機ＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 前記制御手段は、前記第１の表示画素領
域の有機ＥＬ素子の発光時間を制御することを特徴とす
る請求項５記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項８】 有機ＥＬ素子を含む発光画素がマトリク
ス状に配置されてなる表示画素領域と、 前記表示画素領域の有機ＥＬ素子を発光素子または受光
素子として機能させる切替手段と、 前記切替手段の切り替えによって受光素子として機能す
るときの前記有機ＥＬ素子の受光出力に基づいて、前記
切替手段の切り替えによって発光素子として機能すると
きの前記有機ＥＬ素子の発光輝度を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項９】 前記切替手段は、１フィールド期間にお
ける前記有機ＥＬ素子の非発光期間に当該有機ＥＬ素子
を受光素子として機能させることを特徴とする請求項８
記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項１０】 前記制御手段は、前記表示画素領域の
有機ＥＬ素子の発光時間を制御することを特徴とする請
求項８記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項１１】 前記制御手段は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ
（青）の各有機ＥＬ素子の受光特性に合わせてこれら有
機ＥＬ素子の受光出力に電気的補正を掛けて各発光時間
を制御することを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬ表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002144225A JP4099572B2 (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 有機ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002144225A JP4099572B2 (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 有機ｅｌ表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008003893A Division JP4613963B2 (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 有機ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338372A true JP2003338372A (ja) | 2003-11-28 |
| JP4099572B2 JP4099572B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=29703958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002144225A Expired - Fee Related JP4099572B2 (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 有機ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4099572B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005308857A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Sony Corp | アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法 |
| JP2006106294A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006209054A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 照明装置及びこれを用いた表示装置 |
| JP2007003640A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル |
| JP2008112191A (ja) * | 2001-08-23 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電子装置の駆動方法、電子装置、半導体集積回路及び電子機器 |
| JP2008152018A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
| US7612748B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-11-03 | Sony Corporation | Information processing apparatus and method, recording medium, and program |
| US7768486B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-08-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of driving the same |
| US7920107B2 (en) | 2001-08-23 | 2011-04-05 | Seiko Epson Corporation | Electronic device driving method, electronic device, semiconductor integrated circuit, and electronic apparatus |
| JP2011070225A (ja) * | 2003-04-09 | 2011-04-07 | Global Oled Technology Llc | 有機発光ダイオードディスプレイ |
| WO2021053459A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10312173A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Pioneer Electron Corp | 画像表示装置 |
| JPH10333641A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
| JP2001035655A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Seiko Instruments Inc | 有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ素子の駆動方法 |
| JP2001085160A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-03-30 | Nec Corp | 発光出力補正機能付き発光素子 |
| JP2001265283A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置 |
| JP2002062856A (ja) * | 2000-06-06 | 2002-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2003308046A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
-
2002
- 2002-05-20 JP JP2002144225A patent/JP4099572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10312173A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Pioneer Electron Corp | 画像表示装置 |
| JPH10333641A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
| JP2001035655A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Seiko Instruments Inc | 有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ素子の駆動方法 |
| JP2001085160A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-03-30 | Nec Corp | 発光出力補正機能付き発光素子 |
| JP2001265283A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-09-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置 |
| JP2002062856A (ja) * | 2000-06-06 | 2002-02-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
| JP2003308046A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008112191A (ja) * | 2001-08-23 | 2008-05-15 | Seiko Epson Corp | 電子装置の駆動方法、電子装置、半導体集積回路及び電子機器 |
| US7920107B2 (en) | 2001-08-23 | 2011-04-05 | Seiko Epson Corporation | Electronic device driving method, electronic device, semiconductor integrated circuit, and electronic apparatus |
| JP2011070225A (ja) * | 2003-04-09 | 2011-04-07 | Global Oled Technology Llc | 有機発光ダイオードディスプレイ |
| US7612748B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-11-03 | Sony Corporation | Information processing apparatus and method, recording medium, and program |
| US7612744B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-11-03 | Sony Corporation | Information processing apparatus and method, recording medium, and program |
| JP2005308857A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Sony Corp | アクティブマトリクス型表示装置およびその駆動方法 |
| JP2006106294A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
| JP2006209054A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 照明装置及びこれを用いた表示装置 |
| US7768486B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-08-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of driving the same |
| JP2007003640A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tohoku Pioneer Corp | 自発光パネル |
| JP2008152018A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
| WO2021053459A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
| JP7488825B2 (ja) | 2019-09-20 | 2024-05-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、表示モジュール、及び電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4099572B2 (ja) | 2008-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7893892B2 (en) | Image display device and the color balance adjustment method | |
| KR101224458B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 구동방법 | |
| US7379044B2 (en) | Image display apparatus | |
| US7605792B2 (en) | Driving method and circuit for automatic voltage output of active matrix organic light emitting device and data drive circuit using the same | |
| JP5449641B2 (ja) | 表示装置 | |
| US8493294B2 (en) | Display device and electronic apparatus | |
| US7321350B2 (en) | Image display | |
| US20020030647A1 (en) | Uniform active matrix oled displays | |
| JP2002229513A (ja) | 有機ｅｌ表示パネルの駆動装置 | |
| JP2002278504A (ja) | 自発光型表示装置 | |
| US20100309174A1 (en) | Display device, driving method of display device, and electronic device performing duty control of a pixel | |
| JP3883854B2 (ja) | 表示装置、コンピュータ、ナビゲーションシステム、ゲーム機器、及び携帯情報端末 | |
| KR20050040679A (ko) | 화상 표시 장치 | |
| US20080252572A1 (en) | Organic electroluminescent display and image correction method thereof | |
| US6529213B1 (en) | Display device | |
| US20060055639A1 (en) | Display device, on-vehicle display device, electronic apparatus, and display method | |
| JP4099572B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20000035708A (ko) | 전자 발광 표시 장치 | |
| JP2002341790A (ja) | 表示画素回路 | |
| JP2003108073A (ja) | 自己発光型表示装置 | |
| JP4613963B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| KR20060082476A (ko) | 유기 전계발광 표시 장치 | |
| JP2003131619A (ja) | 自己発光型表示装置 | |
| KR20030095954A (ko) | 디스플레이 디바이스 | |
| JP2003122305A (ja) | 有機ｅｌ表示装置およびその制御方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050418 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070817 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071022 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071113 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080111 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080303 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |