JP2003334889A - Metal layer laminated film - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフレキシブ
ルプリント配線用基板用途に好適な金属層積層フィル
ム、特に、金属蒸着／金属メッキ積層フィルムに関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a metal layer laminated film suitable for use in, for example, a flexible printed wiring board, and more particularly to a metal vapor deposition / metal plated laminated film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】電子機器の小型化、軽量化、高機能化、
多機能化、高密度実装化に伴い、プリント配線板は、導
体幅および導体間の狭小化、多層化、フレキシブル化、
基板の薄膜化により高密度化が急速に進み、フレキシブ
ルプリント回路（以下ＦＰＣという）基板へと発展して
いる。2. Description of the Related Art Electronic devices are becoming smaller, lighter and more sophisticated,
With the increase in functionality and high-density mounting, printed wiring boards have narrower conductor widths, narrower conductor spacing, multiple layers, and flexibility.
The thinning of the substrate has led to a rapid increase in the density, and the substrate has been developed into a flexible printed circuit (hereinafter referred to as FPC) substrate.
【０００３】従来より、ポリイミドフィルムに接着剤層
を介して導体層としての銅箔を貼り合せた３層構造のフ
レキシブルプリント配線用基板が知られている。この３
層構造タイプの基板は、用いられる接着剤の耐熱性がポ
リイミドフィルムより劣るため、加工後の寸法精度が低
下するという問題があり、また用いられる銅箔の厚さが
通常１０μｍ以上であるため、ピッチの狭い高密度配線
用のパターニングが難しいという欠点もあった。さら
に、ＩＣ実装の際には、高温に熱せられたＩＣに対して
接着剤が溶融、あるいは熱分解してしまうため精度良く
ＩＣのバンプとＦＰＣ上のリードを接続することが出来
ない。そこで、ＩＣ実装の際には、ＩＣの実装される位
置にパンチングなどの方法により穴をあけて、ＩＣチッ
プの下に接着剤が介在しないようにして実装を行うこと
が一般的である。Conventionally, there has been known a flexible printed wiring board having a three-layer structure in which a polyimide film is bonded with a copper foil as a conductor layer via an adhesive layer. This 3
Since the heat resistance of the adhesive used in the layer structure type substrate is inferior to that of the polyimide film, there is a problem that the dimensional accuracy after processing is lowered, and the thickness of the copper foil used is usually 10 μm or more. Another drawback is that patterning for high-density wiring with a narrow pitch is difficult. Further, when mounting the IC, the adhesive melts or thermally decomposes with respect to the IC heated to a high temperature, so that the bump of the IC and the lead on the FPC cannot be accurately connected. Therefore, when mounting an IC, it is common to form a hole at a position where the IC is mounted by a method such as punching so that the adhesive does not intervene under the IC chip.
【０００４】一方、従来より、ポリイミドフィルム上に
接着剤を用いることなく、湿式めっき法や乾式めっき法
（例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法など）により導体層としての金属層を形成さ
せた２層構造タイプのフレキシブルプリント配線基板が
知られている。これら接着剤を用いないめっき法２層タ
イプのフレキシブルプリント配線基板は、接着剤がない
ために、ＩＣ実装の際に前記したようなフィルム面に穴
開けすることなく直接ポリイミドフィルム上にＩＣを実
装することが可能である。また、この２層構造タイプの
基板は、導体層を１０μｍよりも薄くすることができる
ため、ＦＰＣの屈曲性が非常に良好であるとともに高密
度配線が可能であるが、接着剤を用いた３層タイプに比
べて導体層とポリイミドフィルムの密着力が低いという
欠点があった。見かけの密着力は導体層の厚みに比例す
るため導体層が１８μｍ、３５μｍというように厚い場
合には密着力はさほど問題にはならないが、１０μｍ未
満というように導体層厚みが薄くなってくると密着力の
値は小さくなり、より高いレベルの密着力が要求され
る。On the other hand, conventionally, a metal layer as a conductor layer is formed on a polyimide film by a wet plating method or a dry plating method (for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method) without using an adhesive. A two-layer structure type flexible printed wiring board is known. These two-layer plating type flexible printed wiring boards that do not use adhesives have no adhesives, so when mounting the ICs, the ICs are directly mounted on the polyimide film without making holes in the film surface as described above. It is possible to In addition, since the conductor layer of this two-layer structure type substrate can be made thinner than 10 μm, the flexibility of the FPC is very good and high-density wiring is possible. There is a defect that the adhesive force between the conductor layer and the polyimide film is lower than that of the layer type. Since the apparent adhesion is proportional to the thickness of the conductor layer, if the conductor layer is as thick as 18 μm or 35 μm, the adhesion does not become a problem, but if the conductor layer becomes thinner than 10 μm, the adhesion becomes smaller. The adhesion value becomes smaller, and a higher level of adhesion is required.
【０００５】また、フィルムコンデンサー等にもこのよ
うなメッキ法２層タイプの銅貼り積層板が使用されつつ
あり、これらの用途においても高い密着力が求められて
いる。Also, such a two-layered copper-clad laminated plate is being used in film capacitors and the like, and high adhesion is required in these applications.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、前記
接着剤を用いない金属層積層フィルムにおいて、ポリイ
ミドフィルムと該フィルム上の導体層、およびこれらの
界面における密着耐久性に優れた金属層積層フィルム、
特に、金属蒸着／金属積層フィルムを提供することを目
的とするものである。Therefore, the present invention is directed to a metal layer laminated film which does not use the above-mentioned adhesive, and which has excellent adhesion durability at the polyimide film, the conductor layer on the film, and their interfaces. the film,
In particular, the object is to provide a metal vapor deposition / metal laminated film.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、ポリイミドフィルムの少なくとも片面
に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に導電性金属層
を積層し、一体化した金属層積層フィルムであり、導電
性金属層を剥離したときの金属側の剥離界面のベンゼン
核に起因するピークとＣ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−Ｎピー
クの比率が１．５以上とした金属層積層フィルムであ
る。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a metal vapor deposition layer on at least one side of a polyimide film, and a conductive metal layer is laminated on the metal vapor deposition layer to form an integrated structure. The metal layer laminated film, wherein the ratio of the peak due to the benzene nucleus at the peeling interface on the metal side when peeling the conductive metal layer to the C = C-C and C = C-N peaks is 1.5 or more. It is a metal layer laminated film.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】本発明では、ポリイミドフィルム
の少なくとも片面に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層
上に導電性金属層を積層し、一体化した金属層積層フィ
ルムとする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the present invention, a metal vapor deposition layer is provided on at least one side of a polyimide film, and a conductive metal layer is laminated on the metal vapor deposition layer to form an integrated metal layer laminate film.
【０００９】本発明におけるポリイミドフィルムは、好
ましくは、ポリイミドフィルムが酸無水物成分として、
ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）二無水物またはビフタル酸
（ＢＰＤＡ）二無水物、ジアミン成分として、オキシジ
アニリン（ＯＤＡ）またはパラジアニリン（ＰＤＡ）を
重合したポリイミドをフィルムとしたものである。本発
明におけるポリイミドフィルムは、これらの共重合体
や、他の有機重合体を含有するものであっても良い。こ
れらのプラスチックに公知の添加剤、たとえば、滑剤、
可塑剤などが添加されていても良い。The polyimide film in the present invention is preferably the polyimide film as an acid anhydride component,
Pyromellitic acid (PMDA) dianhydride or biphthalic acid (BPDA) dianhydride, and a polyimide film formed by polymerizing oxydianiline (ODA) or paradianiline (PDA) as a diamine component. The polyimide film in the present invention may contain these copolymers or other organic polymers. Additives known to these plastics, such as lubricants,
A plasticizer or the like may be added.
【００１０】本発明におけるポリイミドフィルムの厚さ
は６〜１２５μｍ程度のものが多用され、１２〜５０μ
ｍの厚さが好適である。In the present invention, the polyimide film having a thickness of about 6 to 125 μm is often used.
A thickness of m is preferred.
【００１１】本発明では、ポリイミドフィルムの少なく
とも片面に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に導電
性金属層を積層する。金属蒸着層は、真空蒸着法、スパ
ッタリング法により形成するのが好ましく、特に密着力
を高めやすい点においてスパッタリング法が好ましい。
金属蒸着層上に導電性金属層を積層する方法は、特に制
限はないが、生産性の点で、電気めっき法、金属蒸着法
が好ましく、電気めっき法がより好ましい。導電性金属
層の厚さは、０．５μｍ以上３５μｍ未満が好ましく、
特に、０．５μ以上１０μｍ未満であることが好まし
い。In the present invention, a metal vapor deposition layer is provided on at least one side of a polyimide film, and a conductive metal layer is laminated on the metal vapor deposition layer. The metal vapor deposition layer is preferably formed by a vacuum vapor deposition method or a sputtering method, and the sputtering method is particularly preferable because the adhesion can be easily increased.
The method for laminating the conductive metal layer on the metal vapor deposition layer is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, the electroplating method and the metal vapor deposition method are preferable, and the electroplating method is more preferable. The thickness of the conductive metal layer is preferably 0.5 μm or more and less than 35 μm,
In particular, it is preferably 0.5 μm or more and less than 10 μm.
【００１２】また、金属表面の平滑性の点から、ポリイ
ミドフィルムの少なくとも片面にスパッタリング法によ
り金属層を設け、該スパッタリング金属層上に金属蒸着
により導電性金属層を０．５μｍ以上積層することも好
ましいが、この場合導電性金属層の蒸着厚みは通常１０
μｍまでである。From the viewpoint of smoothness of the metal surface, a metal layer may be provided on at least one side of the polyimide film by a sputtering method, and a conductive metal layer of 0.5 μm or more may be laminated on the sputtered metal layer by metal deposition. In this case, the conductive metal layer has a vapor deposition thickness of usually 10 although preferable.
up to μm.
【００１３】本発明は、一体化した金属層積層フィルム
の導電性金属層を剥離したときの金属側の剥離界面のベ
ンゼン核に起因するピークとＣ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−
Ｎピークの比率が１．５以上である金属層積層フィルム
である。According to the present invention, when the conductive metal layer of the integrated metal layer laminated film is peeled off, the peak due to the benzene nucleus at the peeling interface on the metal side and C = C-C and C = C-.
It is a metal layer laminated film having an N peak ratio of 1.5 or more.
【００１４】ポリイミドフィルムから導電性金属層を剥
離したときの銅箔側の剥離界面に付着したポリイミドの
層が平均厚みを、ＪＩＳ Ｃ ５０１６の積層板の密着
強度測定法に基づいて測定すると、付着したポリイミド
の層は、好ましくは、０．５ｎｍ以上である。When the average thickness of the polyimide layer attached to the peeling interface on the copper foil side when the conductive metal layer is peeled off from the polyimide film is measured based on the adhesion strength measuring method of the laminated plate of JIS C 5016, The thickness of the polyimide layer is preferably 0.5 nm or more.
【００１５】この銅箔側の剥離界面に付着したポリイミ
ドの層を、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）による元素分
析において測定したベンゼン核に起因するピーク（π−
π*サテライト）と−Ｃ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−Ｎピークの比
率が１．５以上である場合に、本発明の密着耐久性に優
れた金属層積層フィルムが達成される。The polyimide layer attached to the peeling interface on the copper foil side was subjected to elemental analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and the peak (π-
When the ratio of (pi * satellite) to -C = C-C and C = C-N peaks is 1.5 or more, the metal layer laminated film excellent in adhesion durability of the present invention is achieved.
【００１６】Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）による元素
分析において測定したベンゼン核に起因するピーク（π
−π*サテライト）と−Ｃ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−Ｎピークの
比率は、２．０〜３．５が好ましく、特に、２．５〜
３．０が好ましい。また、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰ
Ｓ）による元素分析において測定した酸素と炭素の原子
数比は（Ｏ／Ｃ）は０．５以下であることが望ましく、
さらに好ましくは０．４以下である。０．５を越えると
フィルム表面が酸化によりダメージを受け、密着をかえ
って低下させる可能性がある。The peak (π) due to the benzene nucleus measured in elemental analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
The ratio of -π * satellite) to -C = C-C and C = C-N peak is preferably 2.0 to 3.5, and particularly preferably 2.5 to 3.5.
3.0 is preferable. In addition, X-ray photoelectron spectroscopy (XP
The atomic number ratio of oxygen and carbon measured in elemental analysis by S) is preferably (O / C) is 0.5 or less,
More preferably, it is 0.4 or less. If it exceeds 0.5, the film surface may be damaged by oxidation and the adhesion may be rather lowered.
【００１７】Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）による元素
分析において測定したベンゼン核に起因するピーク（π
−π*サテライト）と−Ｃ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−Ｎピークの
比率が、所定の範囲にすると密着強度が向上する原因に
ついては明らかではないが、ポリイミド分子の主鎖を切
断することなく、ベンゼン核を開裂させて酸素や窒素を
取り込み、ポリイミド分子の極性を増加させることによ
り、金属とポリイミド分子の相互作用を高めている物と
推測さられる。The peak (π) due to the benzene nucleus measured in the elemental analysis by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)
It is not clear why the ratio of (-π * satellite) to -C = C-C and C = C-N peaks improves the adhesion strength within a predetermined range, but the main chain of the polyimide molecule should be cut. However, it is presumed that the interaction between the metal and the polyimide molecule is enhanced by cleaving the benzene nucleus to take in oxygen and nitrogen and increasing the polarity of the polyimide molecule.
【００１８】以下、本発明における金属層積層フィルム
の製造方法について詳述するが、これに限定されない。The method for producing the metal layer laminated film according to the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited thereto.
【００１９】本発明においてはポリイミドフィルムに金
属蒸着を施す前に、フィルム表面の前処理（親水化処
理）を行うことが好ましい。この前処理が本発明におけ
る密着強度指数を上記範囲に納めるポイントである。ポ
リイミドフィルムをガス圧力１０Ｐａ以下の真空乾燥機
内で２日以上乾燥させる、あるいはフィルムを巻き取り
ながら赤外線ヒーターで乾燥させるなどの手法は本発明
の範囲を実現させるために有効な手段である。前処理の
方法としては、コロナ放電処理、常圧プラズマ、真空プ
ラズマ処理、イオンガン、プラズマガンなどがあるが、
真空プラズマ処理が最も好ましい。この真空プラズマ処
理において、プラズマガスとして窒素、アルゴンあるい
はこれらの混合ガスを用いる。酸素は、上記酸素と炭素
の原子数比（Ｏ／Ｃ）を０．５を越えさせてしまう可能
性があるので好ましくない。また、好ましくは、プラズ
マ処理において以下の点に留意することにより、本発明
の積層板を実現させることができる。In the present invention, it is preferable to perform a pretreatment (hydrophilization treatment) on the film surface before subjecting the polyimide film to metal vapor deposition. This pretreatment is a point to keep the adhesion strength index in the present invention within the above range. Techniques such as drying the polyimide film in a vacuum dryer having a gas pressure of 10 Pa or less for 2 days or more, or drying the film with an infrared heater while winding the film are effective means for realizing the scope of the present invention. The pretreatment methods include corona discharge treatment, atmospheric pressure plasma, vacuum plasma treatment, ion gun, and plasma gun.
Vacuum plasma treatment is most preferred. In this vacuum plasma processing, nitrogen, argon or a mixed gas of these is used as the plasma gas. Oxygen is not preferable because it may cause the atomic ratio (O / C) of oxygen and carbon to exceed 0.5. In addition, preferably, the laminated plate of the present invention can be realized by paying attention to the following points in the plasma treatment.
【００２０】処理雰囲気の圧力は５Ｐａ以下の範囲で放
電させる。処理中にポリイミドフィルムから排出する水
分などをできる限り排除しながら行う。処理後、１５分
以内に金属蒸着処理を行う。また、前処理後、真空を破
ることなく蒸着処理を行うことが望ましい。The processing atmosphere is discharged at a pressure of 5 Pa or less. Water is removed from the polyimide film during the treatment as much as possible. After the treatment, the metal vapor deposition treatment is performed within 15 minutes. In addition, after the pretreatment, it is desirable to perform the vapor deposition treatment without breaking the vacuum.
【００２１】上記前処理工程に次ぎ、真空蒸着またはス
パッタ法により金属蒸着層を形成する。前記金属蒸着層
およびその上に設けられる（第２の）金属層を構成する
金属としては、銅、ニッケル、スズ、クロムおよびこれ
らの合金から選ばれた金属が好適であり、これによって
低抵抗でしかも屈曲性に富む層を形成することができ
る。蒸着金属層は通常、２層構造とする。ポリイミドに
直接接する第１層はニッケルとクロムを主成分とするこ
とが好ましく、クロムの比率は２〜５０重量％、好まし
くは３〜２５重量％である。この第１層の厚みは本発明
に置いては特に限定されないが、１〜５０ｎｍ、好まし
くは２〜４０ｎｍである。この第１層を設ける目的は、
導電層の金属がポリイミド中に拡散することを防ぐこと
である。前記第１の金属蒸着層の上にメッキ層を電着さ
せるための導電層となる第２の金属蒸着層を設ける。該
金属蒸着層の厚さは１０〜３００ｎｍ、好ましくは３０
〜２００ｎｍ、さらに好ましくは４０〜１５０ｎｍであ
る。膜厚が１０ｎｍよりも薄い場合は、金属メッキ工程
で膜が溶出しやすく、３００ｎｍよりも厚い場合は、金
属メッキ工程後に膜がはがれやすい。なお、前記金属薄
膜の表面の抵抗値は１．０Ω／ｃｍ以下（端子間距離１
ｃｍで測定した抵抗値が１．０Ω以下）であることが好
適である。Subsequent to the above pretreatment step, a metal vapor deposition layer is formed by vacuum vapor deposition or sputtering. A metal selected from copper, nickel, tin, chromium, and alloys thereof is suitable as the metal forming the metal vapor deposition layer and the (second) metal layer provided thereon, and it has a low resistance. Moreover, it is possible to form a layer having high flexibility. The vapor-deposited metal layer usually has a two-layer structure. The first layer that is in direct contact with the polyimide preferably contains nickel and chromium as main components, and the ratio of chromium is 2 to 50% by weight, preferably 3 to 25% by weight. The thickness of the first layer is not particularly limited in the present invention, but is 1 to 50 nm, preferably 2 to 40 nm. The purpose of providing this first layer is to
It is to prevent the metal of the conductive layer from diffusing into the polyimide. A second metal vapor deposition layer serving as a conductive layer for electrodepositing the plating layer is provided on the first metal vapor deposition layer. The metal vapor deposition layer has a thickness of 10 to 300 nm, preferably 30.
-200 nm, More preferably, it is 40-150 nm. When the film thickness is thinner than 10 nm, the film is likely to be eluted in the metal plating step, and when it is thicker than 300 nm, the film is easily peeled off after the metal plating step. The resistance value of the surface of the metal thin film is 1.0 Ω / cm or less (distance between terminals is 1
The resistance value measured in cm is 1.0 Ω or less).
【００２２】前記金属薄膜上に、好ましくは、電解ある
いは無電解メッキによってより厚膜の金属層を形成す
る。また、再び金属蒸着により厚膜の金属層を形成して
もよい。電解金属メッキ工程は、密着性を向上させるた
めの脱脂および酸活性処理、金属ストライク、金属メッ
キの各工程からなる。金属薄膜を蒸着した直後に電気メ
ッキ工程に入る場合には、脱脂および酸活性処理、金属
ストライクを省略してもよい。金属薄層に給電する電流
密度は０．２〜１０Ａ／ｄｍ2が好適で、０．５〜５Ａ
／ｄｍ2がより好適である。また電解メッキのかわりに
無電解メッキを施すこともできる。A thicker metal layer is preferably formed on the metal thin film by electrolytic or electroless plating. Alternatively, a thick metal layer may be formed again by metal vapor deposition. The electrolytic metal plating process includes each process of degreasing and acid activation treatment for improving adhesion, metal strike, and metal plating. When the electroplating process is started immediately after depositing the metal thin film, the degreasing and acid activation treatment and the metal strike may be omitted. The current density for feeding the thin metal layer is preferably 0.2 to 10 A / dm 2 , 0.5 to 5 A
/ Dm 2 is more preferable. Further, electroless plating may be applied instead of electrolytic plating.
【００２３】形成される第２の金属層の厚さは０．５〜
３５μｍが好ましく、ファインピッチのＦＰＣを形成す
る場合などには、第２の金属層の厚さは１．０μｍ以上
１０μｍ未満がより好適である。０．５μｍ以下ではメ
ッキ層の信頼性が十分とはいえない場合がある。３５μ
ｍ以上では膜形成に時間がかかり経済性が劣るほか、エ
ッチング加工時に回路パターンの端部エッチングが進行
しやすく、また、折り曲げによる断線のおそれがあるな
ど品質面でも好ましくないことがある。回路のピッチが
６０μｍ以下の高密度のプリント配線用基板として使用
する場合やフィルムコンデンサーとして使用する場合に
は目的とする回路の電流密度によっても異なるが、加工
作業性、品質の面から１．０以上〜１０μｍ未満がより
好適である。The thickness of the second metal layer formed is 0.5 to
The thickness of the second metal layer is more preferably 1.0 μm or more and less than 10 μm in the case of forming a fine-pitch FPC. If the thickness is 0.5 μm or less, the reliability of the plated layer may not be sufficient. 35μ
If the thickness is more than m, it takes time to form a film, which is not economically efficient, and the etching of the end portion of the circuit pattern is likely to proceed during the etching process, and there is a risk of breakage due to bending, which is not preferable in terms of quality. When it is used as a high-density printed wiring board with a circuit pitch of 60 μm or less, or when it is used as a film capacitor, it depends on the current density of the target circuit, but it is 1.0 in terms of workability and quality. It is more preferably not less than 10 μm and less than 10 μm.
【００２４】ついで、好ましくは、金属蒸着層の上に電
解メッキを施す。メッキの条件は、メッキ浴の組成、電
流密度、浴温、撹拌条件などにより異なるが、とくに制
限はない。メッキ浴は、硫酸銅浴、ピロりん酸銅浴、シ
アン化銅浴、スルファミン酸ニッケル浴、スズ−ニッケ
ル合金メッキ浴、銅−スズ−亜鉛合金メッキ浴、スズ−
ニッケル−銅合金メッキ浴などが好ましいがこれらに限
られるものではない。プリント配線用基板として使用す
る場合には、回路パターンをエッチング後、端子部にス
ズめっき、シアン化金メッキ、シアン化銀メッキ、ロジ
ウムメッキ、パラジュウムメッキなどの貴金属メッキを
補足形成させても良い。Then, preferably, electrolytic plating is performed on the metal vapor deposition layer. The plating conditions differ depending on the composition of the plating bath, the current density, the bath temperature, the stirring conditions, etc., but are not particularly limited. The plating baths include copper sulfate bath, copper pyrophosphate bath, copper cyanide bath, nickel sulfamate bath, tin-nickel alloy plating bath, copper-tin-zinc alloy plating bath, tin-
A nickel-copper alloy plating bath or the like is preferable, but not limited thereto. When used as a printed wiring board, a noble metal plating such as tin plating, gold cyanide plating, silver cyanide plating, rhodium plating or palladium plating may be additionally formed on the terminal portion after the circuit pattern is etched.
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上、本発明の積層板の製造方法を用い
ることで、密着性に優れた金属蒸着／金属メッキ積層フ
ィルムを提供できる。しかも、従来は、たとえば、銅箔
の厚さの限界により、１２μｍ未満の銅層のものは生産
されていなかったが、０．５以上１０μｍ未満のより薄
い銅層を形成できることにより、ＦＰＣ用基板として使
用した場合パターン精度が向上し、より高密度、高精度
の配線が可能となる。しかも、銅箔ラミネート時に発生
していた折れきずやピンホールが少なく、経済性と高い
品質を兼ね備えたものが得られる。As described above, by using the method for producing a laminated plate of the present invention, a metal vapor deposition / metal plating laminated film having excellent adhesion can be provided. Moreover, conventionally, for example, a copper layer having a thickness of less than 12 μm has not been produced due to the limit of the thickness of the copper foil, but a thinner copper layer having a thickness of 0.5 or more and less than 10 μm can be formed. When used as, the pattern accuracy is improved, and higher density and higher accuracy wiring becomes possible. In addition, there are few creases and pinholes that occur during copper foil lamination, and it is possible to obtain a product that has both economic efficiency and high quality.
【００２６】本発明の金属層積層フィルムは、例えばＦ
ＰＣ基板、ＣＯＦ基板として、あるいはフィルムコンデ
ンサー用フィルム、その他、電子部品用材料として、電
子計算機、端末機器、電話機、通信機器、計測制御機
器、カメラ、時計、自動車、事給機器、家電製品、航空
機計器、医療機器などのあらゆるエレクトロニクスの分
野に活用できる。またコネクター、フラット電極などへ
の適用も可能である。The metal layer laminated film of the present invention is, for example, F
PCs, COF substrates, films for film capacitors, and other electronic parts materials, such as electronic calculators, terminal devices, telephones, communication devices, measurement control devices, cameras, watches, automobiles, household appliances, home appliances, aircraft. It can be used in all fields of electronics such as measuring instruments and medical equipment. It can also be applied to connectors and flat electrodes.
【００２７】[0027]
【実施例】以下、実施例によって本発明を詳述する。The present invention will be described in detail below with reference to examples.
【００２８】実施例中の各特性値の測定は、次の測定法
に従って行なった。Each characteristic value in the examples was measured according to the following measuring method.
【００２９】引きはがし強度
ＪＩＳ・Ｃ６４８１（１８０度ピール）に準じて評価を
行なった。Peel strength was evaluated according to JIS C6481 (180 degree peel).
【００３０】常態密着力
上記評価（引きはがし強度）を、パターン形成後、１０
０℃で１５分乾燥させ、常温常湿下で測定した。Adhesion under normal conditions The above evaluation (strength of peeling) was conducted 10 times after pattern formation.
It was dried at 0 ° C. for 15 minutes and measured under normal temperature and normal humidity.
【００３１】耐熱引き剥がし密着力
上記評価（引きはがし強度）を、パターン形成後１５０
℃で１０日間放置し、取り出した後、常温常湿下で測定
した。Heat-resistant peel adhesion strength The above evaluation (peeling strength) was 150 after pattern formation.
The sample was left at 10 ° C. for 10 days, taken out, and then measured at room temperature and normal humidity.
【００３２】高温高湿引き剥がし密着力
上記評価（引きはがし強度）を、パターン形成後１２１
℃１００％ＲＨで４日間放置し、取り出した後、常温常
湿下で測定した。High temperature and high humidity peeling adhesive strength The above evaluation (peeling strength) was performed after pattern formation.
The sample was left standing at 100% RH for 4 days, taken out, and then measured at room temperature and normal humidity.
【００３３】銅側ポリイミド厚み
上記、常態引き剥がし密着力測定後のサンプルの銅側の
フィルムの断面を透過型電子顕微鏡にて観察し、ポリイ
ミドの厚みを測定した。Thickness of polyimide on copper side The thickness of the polyimide was measured by observing the cross section of the copper side film of the sample after the measurement of the peeling adhesion under normal conditions by a transmission electron microscope.
【００３４】Ｃ＝Ｃ−Ｏ、Ｃ＝Ｃ−Ｎ基のピーク高さと
π−π*サテライト（ベンゼン環起因）のピークとの高
さの比：上記、常態引き剥がし密着力測定後のサンプル
の銅側のフィルム剥離面について、Ｘ線光電子分光分析
により元素分析を行い、各成分元素の原子数比（Ｏ／
Ｃ）を求めた。また、炭素原子に対するピーク分析を行
い、Ｃ＝Ｃ−Ｏ、Ｃ＝Ｃ−Ｎ基のピーク高さとπ−π*
サテライト（ベンゼン環起因）のピークとの高さの比を
求めた。Ｘ線光電子分光分析の分析条件は、下記の
Ｘ線源：単結晶分光ＡｌＫα線
Ｘ線スポット：１０００×１７００μ楕円形
光電子脱出速度：θ＝３５゜
とおりである。Ratio of peak height of C = CO, C = CN group and height of π-π * satellite (due to benzene ring): The above-mentioned sample after the normal peeling adhesion measurement. Elemental analysis was performed by X-ray photoelectron spectroscopy on the film release surface on the copper side, and the atomic number ratio (O /
C) was determined. In addition, a peak analysis for carbon atoms was performed to find the peak heights of C = CO and C = CN groups and π-π *.
The height ratio to the satellite (benzene ring) peak was determined. The analysis conditions of the X-ray photoelectron spectroscopic analysis are as follows: X-ray source: single crystal spectroscopic AlKα ray X-ray spot: 1000 × 1700 μ elliptical photoelectron escape rate: θ = 35 °.
【００３５】実施例１
厚さ２５μｍのポリイミドフィルム“カプトンＥＮ”
（東レデュポン社の登録商標）３０００ｍ巻き原反を真
空乾燥機にて２日間乾燥したのち、プラズマ処理装置と
スパッタ処理装置が一体となり、プラズマ処理とスパッ
タリングが逐次行えるスパッタ装置を用い上記ポリイミ
ドフィルムの片面にプラズマ処理を実施した。プラズマ
処理は、５ｍＰａ以下の真空度にした真空チャンバー中
で、窒素ガスを２．３Ｐａまで導入し、１．５ｋＷのＲ
Ｆ電力で行った。次いで、クロム２０％ニッケル８０％
のターゲットを用いて、ポリイミドフィルムのプラズマ
処理面上にスパッタ蒸着し厚さ４ｎｍのニッケルクロム
蒸着層を形成し、金属蒸着層第一層とした。さらに純度
９９．９９％の銅を金属蒸着第二層の上にスパッタ蒸着
し厚さ６０ｎｍの銅蒸着層を形成し、金属蒸着第二層と
した。Example 1 Polyimide film "Kapton EN" having a thickness of 25 μm
(Toray DuPont Co., Ltd.) 3000 m roll original fabric is dried by a vacuum dryer for 2 days, and then the plasma processing apparatus and the sputtering processing apparatus are integrated, and a sputtering apparatus capable of sequentially performing plasma processing and sputtering is used to form the above polyimide film. Plasma treatment was performed on one surface. Plasma treatment is performed by introducing nitrogen gas up to 2.3 Pa in a vacuum chamber having a vacuum degree of 5 mPa or less and applying R of 1.5 kW.
F power was used. Next, chromium 20% nickel 80%
The target was used to form a nickel-chromium vapor-deposited layer having a thickness of 4 nm on the plasma-treated surface of the polyimide film by sputtering to form a metal vapor-deposited layer first layer. Further, copper having a purity of 99.99% was sputter-deposited on the metal vapor deposition second layer to form a copper vapor deposition layer having a thickness of 60 nm, which was used as a metal vapor deposition second layer.
【００３６】その後、厚さ８μｍの電解銅めっきを行
い、金属蒸着層上に導電性金属層を形成した。After that, electrolytic copper plating having a thickness of 8 μm was performed to form a conductive metal layer on the metal vapor deposition layer.
【００３７】実施例２
実施例１において、プラズマ処理ガスをアルゴンと窒素
の混合ガス（圧力１：１）としたい外は全て実施例１と
同様にしてフィルムを作成した。Example 2 A film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the plasma treatment gas was a mixed gas of argon and nitrogen (pressure 1: 1).
【００３８】実施例３
実施例１において、スパッタまで行ったサンプルに真空
蒸着機にて銅の繰り返し蒸着を行い、厚みを全体で１．
５μｍとした以外は全て実施例１と同様にしてサンプル
を調整した。Example 3 In Example 1, copper was repeatedly vapor-deposited by a vacuum vapor deposition apparatus on the sample subjected to the sputtering, and the total thickness was 1.
A sample was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness was 5 μm.
【００３９】比較例１
実施例１において、プラズマ処理ガス２０Ｐａ、処理出
力０．１ｋｗとした以外は全て実施例１と同様にして積
層板を製造した。Comparative Example 1 A laminated plate was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the plasma processing gas was 20 Pa and the processing output was 0.1 kw.
【００４０】比較例２
実施例１において、プラズマ処理ガスを酸素に変えた以
外は全て実施例１と同様にして積層板を製造した。Comparative Example 2 A laminated plate was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the plasma treatment gas was changed to oxygen.
【００４１】実施例１〜比較例２の結果
得られた積層板の引き剥がし密着力の測定結果を表１、
表２に示した。本発明の範囲のものは、常態密着力、耐
熱引き剥がし密着力、良好な結果を示した。また、表１
の結果を図１に示した。The results of measuring the peeling adhesion of the laminates obtained as a result of Examples 1 to 2 are shown in Table 1.
The results are shown in Table 2. Those in the range of the present invention showed normal adhesion, heat-resistant peeling adhesion, and good results. Also, Table 1
The results are shown in FIG.
【００４２】[0042]
【表１】 [Table 1]
【００４３】[0043]
【表２】
表２において、 実施例３の密着力は、銅厚み１．５μ
ｍのままでは測定できないため、ビーカーメッキにより
８μｍまで増膜して測定した。[Table 2] In Table 2, the adhesion of Example 3 has a copper thickness of 1.5 μm.
Since the thickness cannot be measured as it is, it was measured by increasing the film thickness to 8 μm by beaker plating.
【図１】 第１図は密着力と金属側の剥離界面のベンゼ
ン核に起因するピークとＣ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−Ｎピ
ークの比率の関係を示す。FIG. 1 shows the relationship between the adhesion and the ratio of the C = C-C and C = C-N peaks to the peaks due to the benzene nuclei at the peeling interface on the metal side.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 網岡 孝夫 福島県岩瀬郡鏡石町大字成田字諏訪町334 −３東洋メタライジング株式会社福島工場 内 (72)発明者 仲野 明徳 福島県岩瀬郡鏡石町大字成田字諏訪町334 −３東洋メタライジング株式会社福島工場 内 Ｆターム(参考） 4F100 AB01B AB01C AB01D AB01E AB17 AK49A BA03 BA05 BA06 BA10A BA10B BA10C BA10D BA10E EH66 EH662 EH71 EH712 EJ86 EJ861 GB43 JG01C JG01E JL11 YY00B YY00E 5E343 AA18 AA33 BB14 BB22 BB24 BB34 BB38 BB44 DD23 DD25 DD33 DD43 DD46 EE35 EE36 GG02 GG08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Takao Amioka Fukushima Prefecture Iwase District Kagamiishi Town Oita Narita Suwa Town 334 -3 Toyo Metalizing Co., Ltd. Fukushima Factory Within (72) Inventor Akinori Nakano Fukushima Prefecture Iwase District Kagamiishi Town Oita Narita Suwa Town 334 -3 Toyo Metalizing Co., Ltd. Fukushima Factory Within F-term (reference) 4F100 AB01B AB01C AB01D AB01E AB17 AK49A BA03 BA05 BA06 BA10A BA10B BA10C BA10D BA10E EH66 EH662 EH71 EH712 EJ86 EJ861 GB43 JG01C JG01E JL11 YY00B YY00E 5E343 AA18 AA33 BB14 BB22 BB24 BB34 BB38 BB44 DD23 DD25 DD33 DD43 DD46 EE35 EE36 GG02 GG08
Claims (6)
に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に導電性金属層
を積層し、一体化した金属層積層フィルムであり、導電
性金属層を剥離したときの金属側の剥離界面のベンゼン
核に起因するピークとＣ＝Ｃ−ＣおよびＣ＝Ｃ−Ｎピー
クの比率が１．５以上であることを特徴とする金属層積
層フィルム。1. A metal film laminated film in which a metal vapor deposition layer is provided on at least one surface of a polyimide film, and a conductive metal layer is laminated on the metal vapor deposition layer to form an integrated metal layer film, and when the conductive metal layer is peeled off. The metal-layer laminated film, wherein the ratio of the peak due to the benzene nucleus at the peeling interface on the metal side to C = C-C and C = C-N peak is 1.5 or more.
ｍ以上３５μｍ未満の厚さの導電性金属層を積層する請
求項１に記載の金属層積層フィルム。2. 0.5 μm on the metal vapor deposition layer by electroplating.
The metal layer laminated film according to claim 1, wherein a conductive metal layer having a thickness of m or more and less than 35 μm is laminated.
スパッタリング法により金属層を設け、該スパッタリン
グ金属層上に金属蒸着により０．５μｍ以上３５μｍ未
満の厚さの導電性金属層を積層する請求項１、２に記載
の金属層積層フィルム。3. A metal layer is provided on at least one surface of a polyimide film by a sputtering method, and a conductive metal layer having a thickness of 0.5 μm or more and less than 35 μm is laminated on the sputtered metal layer by metal deposition. The metal layer laminated film according to.
て、ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）二無水物またはビフタ
ル酸（ＢＰＤＡ）二無水物、ジアミン成分として、オキ
シジアニリン（ＯＤＡ）またはパラジアニリン（ＰＤ
Ａ）を重合したポリイミドをフィルムとした請求項１な
いし３に記載の金属層積層フィルム。4. A polyimide film comprising pyromellitic acid (PMDA) dianhydride or biphthalic acid (BPDA) dianhydride as an acid anhydride component, and oxydianiline (ODA) or paradianiline (PD) as a diamine component.
The metal layer laminated film according to any one of claims 1 to 3, wherein the polyimide obtained by polymerizing A) is used as a film.
ｍ未満であることを特徴とする請求項１ないし４に記載
の金属層積層フィルム。5. The thickness of the metal layer is 1.0 μm or more and 9 μm or more.
It is less than m, The metal layer laminated film of Claim 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned.
ィルムを用いたフレキシブルプリント配線用基板。6. A flexible printed wiring board using the metal layer laminated film according to claim 1.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002146231A JP2003334889A (en) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | Metal layer laminated film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002146231A JP2003334889A (en) | 2002-05-21 | 2002-05-21 | Metal layer laminated film |
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| JP2003334889A true JP2003334889A (en) | 2003-11-25 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004960A (en) * | 2003-12-05 | 2008-01-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Printed wiring board and circuit device |
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| TWI384917B (en) * | 2003-12-05 | 2013-02-01 | Simpal Electronics Co Ltd | Printed wiring board, its preparation and circuit device |
-
2002
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Cited By (4)
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