JP2003332308A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理容器および処理容器の内部に設けられた
各種部材の腐食を防止した基板処理装置および基板処理
方法を提供する。 【解決手段】 基板処理装置の一実施形態であるレジス
ト除去装置１は、処理容器１０の内部にウエハＷを収容
し、水蒸気とオゾン含有ガスを処理容器１０内に供給す
ることによってウエハに付着しているレジストの除去処
理を行う。水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰囲気に
晒される処理容器１０の内面および処理容器１０の内部
に設けられた部材の表面にはＳｉＯ２被膜１３が形成さ
れており、これにより処理容器１０および処理容器１０
の内部に設けられた部材の耐久性を向上させ、また、パ
ーティクルの発生を抑制する。
各種部材の腐食を防止した基板処理装置および基板処理
方法を提供する。 【解決手段】 基板処理装置の一実施形態であるレジス
ト除去装置１は、処理容器１０の内部にウエハＷを収容
し、水蒸気とオゾン含有ガスを処理容器１０内に供給す
ることによってウエハに付着しているレジストの除去処
理を行う。水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰囲気に
晒される処理容器１０の内面および処理容器１０の内部
に設けられた部材の表面にはＳｉＯ２被膜１３が形成さ
れており、これにより処理容器１０および処理容器１０
の内部に設けられた部材の耐久性を向上させ、また、パ
ーティクルの発生を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやＬ
ＣＤガラス基板等の基板を蒸気とガスを含む雰囲気下で
処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
ＣＤガラス基板等の基板を蒸気とガスを含む雰囲気下で
処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、フォトリソグラフィー技術を用いて半導体ウエ
ハに所定の回路パターンを形成している。具体的には、
洗浄処理された半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定のパタ
ーンで露光し、これを現像処理し、さらにエッチングや
不純物注入等を行った後に、半導体ウエハから不用とな
ったレジスト膜を除去（剥離）する一連の処理が行われ
ている。
いては、フォトリソグラフィー技術を用いて半導体ウエ
ハに所定の回路パターンを形成している。具体的には、
洗浄処理された半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定のパタ
ーンで露光し、これを現像処理し、さらにエッチングや
不純物注入等を行った後に、半導体ウエハから不用とな
ったレジスト膜を除去（剥離）する一連の処理が行われ
ている。
【０００３】ここで、半導体ウエハからレジスト膜を除
去する方法としては、硫酸と過酸化水素とを含むＳＰＭ
と称される薬液またはオゾンが溶解した薬液が貯留され
た洗浄槽内に半導体ウエハを浸漬させる方法が知られて
いる。しかし、このような薬液に半導体ウエハを浸漬す
る方法では、薬液中に混入しているパーティクルが半導
体ウエハに付着したり、半導体ウエハに付着していたパ
ーティクルが薬液中に分散して、別の半導体ウエハに付
着する等の問題があった。また、ＳＰＭ薬液を用いた場
合には、使用済み排液の処理にコストが掛かるといった
問題もある。
去する方法としては、硫酸と過酸化水素とを含むＳＰＭ
と称される薬液またはオゾンが溶解した薬液が貯留され
た洗浄槽内に半導体ウエハを浸漬させる方法が知られて
いる。しかし、このような薬液に半導体ウエハを浸漬す
る方法では、薬液中に混入しているパーティクルが半導
体ウエハに付着したり、半導体ウエハに付着していたパ
ーティクルが薬液中に分散して、別の半導体ウエハに付
着する等の問題があった。また、ＳＰＭ薬液を用いた場
合には、使用済み排液の処理にコストが掛かるといった
問題もある。
【０００４】そこで、近年、水蒸気とオゾン含有ガスを
用いてレジスト膜を変質させ、その後に水洗処理を行う
ことにより、半導体ウエハからレジスト膜を除去する方
法が提案されている。このようなレジスト除去方法は、
密閉された処理容器内に半導体ウエハを収納して、この
処理容器内にオゾンと水蒸気を供給することによって行
われる。
用いてレジスト膜を変質させ、その後に水洗処理を行う
ことにより、半導体ウエハからレジスト膜を除去する方
法が提案されている。このようなレジスト除去方法は、
密閉された処理容器内に半導体ウエハを収納して、この
処理容器内にオゾンと水蒸気を供給することによって行
われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、水蒸気とオゾ
ン含有ガスの混合ガスは腐食性が高いために、処理容器
の内面や、処理容器内に設けられた各種の部材、例えば
半導体ウエハを保持する保持部材を腐食させてしまい、
こうして腐食した部分からパーティクル等が発生して半
導体ウエハを汚染する問題がある。
ン含有ガスの混合ガスは腐食性が高いために、処理容器
の内面や、処理容器内に設けられた各種の部材、例えば
半導体ウエハを保持する保持部材を腐食させてしまい、
こうして腐食した部分からパーティクル等が発生して半
導体ウエハを汚染する問題がある。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、処理容器および処理容器内部に設けられた
各種部材の腐食を防止した基板処理装置および基板処理
方法を提供することを目的とする。
ものであり、処理容器および処理容器内部に設けられた
各種部材の腐食を防止した基板処理装置および基板処理
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、処理容
器の内部に基板を収容し、前記処理容器内に蒸気とガス
を供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記蒸気と前記ガスの混合ガス雰囲気に晒される前記処
理容器の内面および／または前記処理容器の内部に設け
られた部材の表面にＳｉＯ２被覆が施されていることを
特徴とする基板処理装置、が提供される。
器の内部に基板を収容し、前記処理容器内に蒸気とガス
を供給して前記基板を処理する基板処理装置であって、
前記蒸気と前記ガスの混合ガス雰囲気に晒される前記処
理容器の内面および／または前記処理容器の内部に設け
られた部材の表面にＳｉＯ２被覆が施されていることを
特徴とする基板処理装置、が提供される。
【０００８】また、本発明によれば、レジスト膜が形成
された基板を水蒸気とオゾン含有ガスにより処理する基
板処理方法であって、表面にＳｉＯ２被覆が施された部
材が内部に設けられ、かつ、内面がＳｉＯ２被覆された
処理容器の内部に基板を収容する第１工程と、前記処理
容器内に水蒸気とオゾン含有ガスを供給して前記基板を
処理する第２工程と、前記処理容器内への水蒸気とオゾ
ン含有ガスの供給を停止する第３工程と、前記処理容器
内のガスを排気し、前記処理容器内に空気を導入する第
４工程と、を有することを特徴とする基板処理方法、が
提供される。
された基板を水蒸気とオゾン含有ガスにより処理する基
板処理方法であって、表面にＳｉＯ２被覆が施された部
材が内部に設けられ、かつ、内面がＳｉＯ２被覆された
処理容器の内部に基板を収容する第１工程と、前記処理
容器内に水蒸気とオゾン含有ガスを供給して前記基板を
処理する第２工程と、前記処理容器内への水蒸気とオゾ
ン含有ガスの供給を停止する第３工程と、前記処理容器
内のガスを排気し、前記処理容器内に空気を導入する第
４工程と、を有することを特徴とする基板処理方法、が
提供される。
【０００９】このような基板処理装置および基板処理方
法によれば、蒸気とガスによる処理容器の内壁の腐食お
よび処理容器の内部に設けられた各種部材の腐食が抑制
される。このように本発明の基板処理装置は高い耐久性
を有する。また、処理容器内におけるパーティクル等の
発生が防止されるために、品質の高い基板を得ることが
可能となる。さらに処理容器を耐圧構造とした場合に
は、内部圧力を高めた状態で基板を処理することによっ
て処理時間を短縮することが可能であり、これによりス
ループットを向上させることができる。
法によれば、蒸気とガスによる処理容器の内壁の腐食お
よび処理容器の内部に設けられた各種部材の腐食が抑制
される。このように本発明の基板処理装置は高い耐久性
を有する。また、処理容器内におけるパーティクル等の
発生が防止されるために、品質の高い基板を得ることが
可能となる。さらに処理容器を耐圧構造とした場合に
は、内部圧力を高めた状態で基板を処理することによっ
て処理時間を短縮することが可能であり、これによりス
ループットを向上させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態について具体的に説明する。この実施
の形態においては、レジスト膜が形成された半導体ウエ
ハ（以下「ウエハ」という）Ｗに、蒸気として水蒸気
を、ガスとしてオゾン含有ガス（オゾンを一定量含む酸
素をいうものとする）を供給し、これらの混合ガスによ
ってレジスト膜を変性させ、半導体ウエハから不用なレ
ジスト膜を除去するレジスト除去装置について説明す
る。
発明の実施の形態について具体的に説明する。この実施
の形態においては、レジスト膜が形成された半導体ウエ
ハ（以下「ウエハ」という）Ｗに、蒸気として水蒸気
を、ガスとしてオゾン含有ガス（オゾンを一定量含む酸
素をいうものとする）を供給し、これらの混合ガスによ
ってレジスト膜を変性させ、半導体ウエハから不用なレ
ジスト膜を除去するレジスト除去装置について説明す
る。
【００１１】図１はレジスト除去装置１の概略斜視図で
あり、図２はその断面図である。レジスト除去装置１
は、ウエハＷの処理が行われる処理容器１０と、処理容
器１０内でウエハＷを保持する保持手段としてのウエハ
ガイド２０と、処理容器１０内に水蒸気を供給する水蒸
気吐出ノズル３０と、処理容器１０内にガスであるオゾ
ン（Ｏ３）含有ガスを供給するオゾンガス吐出ノズル４
０と、処理容器１０内に空気を供給する空気吐出ノズル
５０と、を有している。
あり、図２はその断面図である。レジスト除去装置１
は、ウエハＷの処理が行われる処理容器１０と、処理容
器１０内でウエハＷを保持する保持手段としてのウエハ
ガイド２０と、処理容器１０内に水蒸気を供給する水蒸
気吐出ノズル３０と、処理容器１０内にガスであるオゾ
ン（Ｏ３）含有ガスを供給するオゾンガス吐出ノズル４
０と、処理容器１０内に空気を供給する空気吐出ノズル
５０と、を有している。
【００１２】処理容器１０は、例えば５０枚のウエハＷ
を収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この容器
本体１１の上面に形成されたウエハ搬入出口１１ａを開
閉する容器カバー１２を有しており、容器カバー１２は
昇降機構１５ａによって昇降自在となっている。昇降機
構１５ａは、制御手段例えば中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）１００に接続されており、ＣＰＵ１００からの制御
信号によって容器カバー１２を昇降移動させる。
を収容可能な大きさを有する容器本体１１と、この容器
本体１１の上面に形成されたウエハ搬入出口１１ａを開
閉する容器カバー１２を有しており、容器カバー１２は
昇降機構１５ａによって昇降自在となっている。昇降機
構１５ａは、制御手段例えば中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）１００に接続されており、ＣＰＵ１００からの制御
信号によって容器カバー１２を昇降移動させる。
【００１３】容器本体１１の上部にはフランジ部１４ａ
が形成されており、容器カバー１２の下部にはフランジ
部１４ｂが形成されている。フランジ部１４ａの上面に
はＯリング１６ａ・１６ｂが設けられており、容器カバ
ー１２を降下させることによって、フランジ部１４ａ・
１４ｂ間を気密にシールすることができるようになって
いる。
が形成されており、容器カバー１２の下部にはフランジ
部１４ｂが形成されている。フランジ部１４ａの上面に
はＯリング１６ａ・１６ｂが設けられており、容器カバ
ー１２を降下させることによって、フランジ部１４ａ・
１４ｂ間を気密にシールすることができるようになって
いる。
【００１４】また、容器カバー１２の上部には、ウエハ
ガイド２０のシャフト２１を貫通させるための筒状突起
部２４が形成されている。筒状突起部２４の内面には空
気を注入することによって膨張する伸縮式のシール部材
２５ａ・２５ｂが設けられており、このシール部材２５
ａ・２５ｂに空気を注入することによって、筒状突起部
２４の内周面とシャフト２１の外周との間の隙間を気密
に封止することができるようになっている。容器カバー
１２を降下させてフランジ部１４ａ・１４ｂ間がシール
された状態において、シール部材２５ａ・２５ｂに一定
量の空気を注入することにより、処理容器１０内を密閉
雰囲気に保持することができる。
ガイド２０のシャフト２１を貫通させるための筒状突起
部２４が形成されている。筒状突起部２４の内面には空
気を注入することによって膨張する伸縮式のシール部材
２５ａ・２５ｂが設けられており、このシール部材２５
ａ・２５ｂに空気を注入することによって、筒状突起部
２４の内周面とシャフト２１の外周との間の隙間を気密
に封止することができるようになっている。容器カバー
１２を降下させてフランジ部１４ａ・１４ｂ間がシール
された状態において、シール部材２５ａ・２５ｂに一定
量の空気を注入することにより、処理容器１０内を密閉
雰囲気に保持することができる。
【００１５】容器カバー１２は中央から端に向かう下り
傾斜面を有する断面略逆Ｖ字状に形成されており、これ
により容器カバー１２の内壁に水蒸気が結露して液滴が
生じても、この液滴は下り傾斜面に沿って下方へ流れ、
さらに容器本体１１の底部へ流れ落ちる。こうして処理
容器１０では、容器カバー１２の内壁に液滴が付着して
も、その液滴がウエハＷに落下してウエハＷに付着しな
いようになっている。
傾斜面を有する断面略逆Ｖ字状に形成されており、これ
により容器カバー１２の内壁に水蒸気が結露して液滴が
生じても、この液滴は下り傾斜面に沿って下方へ流れ、
さらに容器本体１１の底部へ流れ落ちる。こうして処理
容器１０では、容器カバー１２の内壁に液滴が付着して
も、その液滴がウエハＷに落下してウエハＷに付着しな
いようになっている。
【００１６】容器本体１１の外周面と底面にはそれぞれ
ラバーヒータ１７ａ・１７ｂが取り付けられ、また容器
カバー１２の外周面にはラバーヒータ１７ｃが取り付け
られている。これらのラバーヒータ１７ａ〜１７ｃは電
源（図示せず）からの電力供給を受けて発熱し、処理容
器１０の内部を加熱する。この電源からラバーヒータ１
７ａ〜１７ｃへの給電制御はＣＰＵ１００によって行わ
れる。処理容器１０内の温度は温度センサＴＳによって
測定可能であり、温度センサＴＳが検出した温度がＣＰ
Ｕ１００に送られ、ＣＰＵ１００は、処理容器１０内が
定められた一定温度に保持されるように、電源からラバ
ーヒータ１７ａ〜１７ｃへの給電を制御する。これによ
り処理容器１０の内部温度が、例えば８０℃〜１２０℃
（８０℃以上１２０℃以下）の範囲内のほぼ一定の値に
保持される。
ラバーヒータ１７ａ・１７ｂが取り付けられ、また容器
カバー１２の外周面にはラバーヒータ１７ｃが取り付け
られている。これらのラバーヒータ１７ａ〜１７ｃは電
源（図示せず）からの電力供給を受けて発熱し、処理容
器１０の内部を加熱する。この電源からラバーヒータ１
７ａ〜１７ｃへの給電制御はＣＰＵ１００によって行わ
れる。処理容器１０内の温度は温度センサＴＳによって
測定可能であり、温度センサＴＳが検出した温度がＣＰ
Ｕ１００に送られ、ＣＰＵ１００は、処理容器１０内が
定められた一定温度に保持されるように、電源からラバ
ーヒータ１７ａ〜１７ｃへの給電を制御する。これによ
り処理容器１０の内部温度が、例えば８０℃〜１２０℃
（８０℃以上１２０℃以下）の範囲内のほぼ一定の値に
保持される。
【００１７】これらのラバーヒータ１７ａ〜１７ｃによ
って、処理容器１０内の結露を抑制することができる。
特に容器カバー１２の外周面にラバーヒータ１７ｃを設
けることによって、容器カバー１２の内壁に結露が生ず
ることを防止することにより、ウエハＷに結露した液滴
が落下することを防止することができる。また、処理容
器１０内を８０℃〜１２０℃といった高い温度に保持す
ることによって、ウエハＷの処理時間を短縮することが
可能となる。
って、処理容器１０内の結露を抑制することができる。
特に容器カバー１２の外周面にラバーヒータ１７ｃを設
けることによって、容器カバー１２の内壁に結露が生ず
ることを防止することにより、ウエハＷに結露した液滴
が落下することを防止することができる。また、処理容
器１０内を８０℃〜１２０℃といった高い温度に保持す
ることによって、ウエハＷの処理時間を短縮することが
可能となる。
【００１８】処理容器１０内におけるウエハＷの処理
は、処理容器１０内を８０℃〜１２０℃に保持するとと
もに、処理容器１０の内部圧力を外気圧よりも、例えば
０．０５〜０．１ＭＰａ高くすることによって、さらに
処理時間を短縮することができる。このために、処理容
器１０の母材としては、このような耐圧性を確保するた
めに、例えばステンレス、真鍮、アルミニウム、鋼材等
の金属材料が好適に用いられる。
は、処理容器１０内を８０℃〜１２０℃に保持するとと
もに、処理容器１０の内部圧力を外気圧よりも、例えば
０．０５〜０．１ＭＰａ高くすることによって、さらに
処理時間を短縮することができる。このために、処理容
器１０の母材としては、このような耐圧性を確保するた
めに、例えばステンレス、真鍮、アルミニウム、鋼材等
の金属材料が好適に用いられる。
【００１９】しかしながら、このような金属材料は水蒸
気とオゾン含有ガスの混合ガスによって腐食し易く、特
に高温かつ陽圧に保持された雰囲気においては、その腐
食速度が速まる傾向がある。このために、処理容器１０
としてこのような金属材料が内面に露出したものを用い
た場合には、容器寿命が短くなるという問題に加えて、
金属材料の腐食によって発生するパーティクルによって
ウエハＷが汚染される問題が生ずる。
気とオゾン含有ガスの混合ガスによって腐食し易く、特
に高温かつ陽圧に保持された雰囲気においては、その腐
食速度が速まる傾向がある。このために、処理容器１０
としてこのような金属材料が内面に露出したものを用い
た場合には、容器寿命が短くなるという問題に加えて、
金属材料の腐食によって発生するパーティクルによって
ウエハＷが汚染される問題が生ずる。
【００２０】そこで、このような金属材料の腐食を防止
しつつ、所定の耐圧性を維持するために、処理容器１０
としては、上記金属材料を母材とし、かつ、処理容器１
０を密閉した際に水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰
囲気に晒される内壁部分にＳｉＯ２被覆１３が形成され
たものが用いられる。このような処理容器１０は耐久性
に優れるために長寿命である。また、処理容器１０の内
壁の腐食が防止されるためにパーティクルの発生が防止
され、これによりウエハＷの品質を高く保持することが
できる。
しつつ、所定の耐圧性を維持するために、処理容器１０
としては、上記金属材料を母材とし、かつ、処理容器１
０を密閉した際に水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰
囲気に晒される内壁部分にＳｉＯ２被覆１３が形成され
たものが用いられる。このような処理容器１０は耐久性
に優れるために長寿命である。また、処理容器１０の内
壁の腐食が防止されるためにパーティクルの発生が防止
され、これによりウエハＷの品質を高く保持することが
できる。
【００２１】処理容器１０の内壁へのＳｉＯ２被膜１３
の形成方法としては、例えば、有機Ｓｉ化合物または有
機Ｓｉ化合物を含有する溶剤（以下「Ｓｉ含有溶剤等」
という）を塗布し、これを焼成する方法が挙げられる。
この場合において、Ｓｉ含有溶剤等の塗布と焼成を複数
回行うことで所定の厚みとする方法を用いると、焼成時
にＳｉＯ２被膜にクラックが発生することを防止するこ
とができる。最終的に形成されるＳｉＯ２被膜の厚み
は、例えば０．５μｍ〜１．５μｍとされる。このよう
な厚みにすることで、水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガ
スに対する十分な耐久性を確保することができ、また処
理容器１０内の温度を８０℃〜１２０℃とした場合に、
母材の金属材料とＳｉＯ２との熱膨張差に起因してＳｉ
Ｏ２被膜にクラックが発生することを抑制することがで
きる。さらに、Ｓｉ含有溶剤等の塗布と焼成の回数を極
端に多くすることなく所望する厚みを有するＳｉＯ２被
膜を形成することができる。
の形成方法としては、例えば、有機Ｓｉ化合物または有
機Ｓｉ化合物を含有する溶剤（以下「Ｓｉ含有溶剤等」
という）を塗布し、これを焼成する方法が挙げられる。
この場合において、Ｓｉ含有溶剤等の塗布と焼成を複数
回行うことで所定の厚みとする方法を用いると、焼成時
にＳｉＯ２被膜にクラックが発生することを防止するこ
とができる。最終的に形成されるＳｉＯ２被膜の厚み
は、例えば０．５μｍ〜１．５μｍとされる。このよう
な厚みにすることで、水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガ
スに対する十分な耐久性を確保することができ、また処
理容器１０内の温度を８０℃〜１２０℃とした場合に、
母材の金属材料とＳｉＯ２との熱膨張差に起因してＳｉ
Ｏ２被膜にクラックが発生することを抑制することがで
きる。さらに、Ｓｉ含有溶剤等の塗布と焼成の回数を極
端に多くすることなく所望する厚みを有するＳｉＯ２被
膜を形成することができる。
【００２２】このようなＳｉＯ２被膜１３は、先に説明
したフランジ部１４ａ・１４ｂと筒状突起部２４におい
ては、それぞれ図３および図４に示すように形成されて
いる。すなわち、図３は図２中に示される領域Ａの拡大
図であり、フランジ部１４ａにおいてはＳｉＯ２被膜１
３は内側のＯリング１６ａの配設位置まで延在して形成
され、かつ、フランジ部１４ｂにおいてはＳｉＯ２被膜
１３はこの内側のＯリング１６ａに当接する部分まで延
在して形成されている。これによりフランジ部１４ａ・
１４ｂの腐食が抑制される。
したフランジ部１４ａ・１４ｂと筒状突起部２４におい
ては、それぞれ図３および図４に示すように形成されて
いる。すなわち、図３は図２中に示される領域Ａの拡大
図であり、フランジ部１４ａにおいてはＳｉＯ２被膜１
３は内側のＯリング１６ａの配設位置まで延在して形成
され、かつ、フランジ部１４ｂにおいてはＳｉＯ２被膜
１３はこの内側のＯリング１６ａに当接する部分まで延
在して形成されている。これによりフランジ部１４ａ・
１４ｂの腐食が抑制される。
【００２３】同様に、図４は図２中に示される領域Ｂの
拡大図であり、筒状突起部２４においては、ＳｉＯ２被
膜１３は下側のシール部材２５ａの配設位置まで延在し
て形成されている。これにより筒状突起部２４の腐食が
抑制される。
拡大図であり、筒状突起部２４においては、ＳｉＯ２被
膜１３は下側のシール部材２５ａの配設位置まで延在し
て形成されている。これにより筒状突起部２４の腐食が
抑制される。
【００２４】容器本体１１の底部には、処理容器１０内
に供給された水蒸気によって生成し、処理容器１０の底
部に貯留された水を外部へ排出するするための排液管９
１が取り付けられている。ＳｉＯ２被膜１３は排液管９
１の内面にも形成されており、排液管９１の腐食を抑制
している。また、容器本体１１の下部には、水蒸気およ
びオゾン含有ガスを外部に排出する排気部材９２が設け
られ、排気部材９２には排気管９３が連結されている。
この排気部材９２と排気管９３において処理容器１０内
に位置するために水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰
囲気に晒される部分には、ＳｉＯ２被膜（図示せず）が
形成されており、これにより排気部材９２と排気管９３
の腐食抑制が図られている。
に供給された水蒸気によって生成し、処理容器１０の底
部に貯留された水を外部へ排出するするための排液管９
１が取り付けられている。ＳｉＯ２被膜１３は排液管９
１の内面にも形成されており、排液管９１の腐食を抑制
している。また、容器本体１１の下部には、水蒸気およ
びオゾン含有ガスを外部に排出する排気部材９２が設け
られ、排気部材９２には排気管９３が連結されている。
この排気部材９２と排気管９３において処理容器１０内
に位置するために水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰
囲気に晒される部分には、ＳｉＯ２被膜（図示せず）が
形成されており、これにより排気部材９２と排気管９３
の腐食抑制が図られている。
【００２５】排液管９１にはバルブＶ１が設けられ、排
気管９３にはバルブＶ１´が設けられている。また処理
容器１０内には処理容器１０内の圧力を検出する圧力セ
ンサＰＳが設けられている。圧力センサＰＳの検出値は
ＣＰＵ１００に送られ、ＣＰＵ１００は処理容器１０内
が所定の圧力となるように、処理容器１０内に水蒸気と
オゾン含有ガスを供給しつつ、これらのバルブＶ１・Ｖ
１´の開閉量を調整して処理容器１０から一定量の水蒸
気およびオゾン含有ガスならびに水を外部へ排出する。
気管９３にはバルブＶ１´が設けられている。また処理
容器１０内には処理容器１０内の圧力を検出する圧力セ
ンサＰＳが設けられている。圧力センサＰＳの検出値は
ＣＰＵ１００に送られ、ＣＰＵ１００は処理容器１０内
が所定の圧力となるように、処理容器１０内に水蒸気と
オゾン含有ガスを供給しつつ、これらのバルブＶ１・Ｖ
１´の開閉量を調整して処理容器１０から一定量の水蒸
気およびオゾン含有ガスならびに水を外部へ排出する。
【００２６】なお、排気管９３の下流側には、オゾン分
解装置（図示せず）が取り付けられており、排気管９３
から排気されたオゾン含有ガスに含まれるオゾンはこの
オゾン分解装置によって酸素に分解された後に、例えば
大気中に放出されるようになっている。また、排液管９
１からオゾン含有ガスが排気される場合があるために、
排液管９１から排気されたガスもこのオゾン分解装置へ
送られてオゾンの分解処理が行われるようになってい
る。なお、排気管９３の下流側には、強制的に処理容器
１０内のガスを排気する強制排気装置（図示せず）が設
けられている。
解装置（図示せず）が取り付けられており、排気管９３
から排気されたオゾン含有ガスに含まれるオゾンはこの
オゾン分解装置によって酸素に分解された後に、例えば
大気中に放出されるようになっている。また、排液管９
１からオゾン含有ガスが排気される場合があるために、
排液管９１から排気されたガスもこのオゾン分解装置へ
送られてオゾンの分解処理が行われるようになってい
る。なお、排気管９３の下流側には、強制的に処理容器
１０内のガスを排気する強制排気装置（図示せず）が設
けられている。
【００２７】ウエハガイド２０は、鉛直方向を長手方向
とするシャフト２１と、このシャフト２１の下部に設け
られたウエハ保持部２２から主に構成されている。ウエ
ハガイド２０は昇降機構１５ｂによって昇降自在となっ
ており、昇降機構１５ｂは、ウエハ保持部２２が容器本
体１１内の処理位置と外部に対してウエハＷの受け渡し
を行う容器本体１１の上方の受け渡し位置との間で移動
するように、ウエハガイド２０を移動させる。このウエ
ハガイド２０の昇降動作は、容器カバー１２に設けられ
たシール部材２５ａ・２５ｂによって、シャフト２１と
筒状突起部２４との間がシールされていない状態におい
て行われる。
とするシャフト２１と、このシャフト２１の下部に設け
られたウエハ保持部２２から主に構成されている。ウエ
ハガイド２０は昇降機構１５ｂによって昇降自在となっ
ており、昇降機構１５ｂは、ウエハ保持部２２が容器本
体１１内の処理位置と外部に対してウエハＷの受け渡し
を行う容器本体１１の上方の受け渡し位置との間で移動
するように、ウエハガイド２０を移動させる。このウエ
ハガイド２０の昇降動作は、容器カバー１２に設けられ
たシール部材２５ａ・２５ｂによって、シャフト２１と
筒状突起部２４との間がシールされていない状態におい
て行われる。
【００２８】ウエハ保持部２２には、水平に保持された
ウエハ支持部材２２ａ・２２ｂ・２２ｃと、これらウエ
ハ支持部材２２ａ〜２２ｃを並列に連結保持する連結部
材２３とが設けられている。ウエハ支持部材２２ａ〜２
２ｃには、ウエハＷを支持するための溝部（図示せず）
が一定の間隔で形成されており、ウエハＷはこの溝部に
挟まれるようにして略平行にウエハ支持部材２２ａ〜２
２ｃに保持される。容器カバー１２を上方へ移動させて
ウエハ搬入出口１１ａが開口した状態において、ウエハ
Ｗを外部からウエハ支持部材２２ａ〜２２ｃに保持さ
せ、逆に、ウエハ支持部材２２ａ〜２２ｃに保持された
ウエハＷを外部へ搬出する。
ウエハ支持部材２２ａ・２２ｂ・２２ｃと、これらウエ
ハ支持部材２２ａ〜２２ｃを並列に連結保持する連結部
材２３とが設けられている。ウエハ支持部材２２ａ〜２
２ｃには、ウエハＷを支持するための溝部（図示せず）
が一定の間隔で形成されており、ウエハＷはこの溝部に
挟まれるようにして略平行にウエハ支持部材２２ａ〜２
２ｃに保持される。容器カバー１２を上方へ移動させて
ウエハ搬入出口１１ａが開口した状態において、ウエハ
Ｗを外部からウエハ支持部材２２ａ〜２２ｃに保持さ
せ、逆に、ウエハ支持部材２２ａ〜２２ｃに保持された
ウエハＷを外部へ搬出する。
【００２９】ウエハガイド２０の構成部材には、ウエハ
Ｗを保持した際の変形がなく、ウエハＷを保持した状態
での昇降動作が無理なく行われるように、機械的強度に
優れたステンレス等の金属材料が用いられる。ここで、
ウエハ保持部２２が容器本体１１内の処理位置に保持さ
れ、かつ、容器カバー１２によって処理容器１０が密閉
された際に、ウエハガイド２０において処理容器１０内
に位置するために水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰
囲気に晒される部分には、処理容器１０の内壁と同様
に、ＳｉＯ２被膜（図示せず）が形成されている。これ
によりウエハガイド２０の腐食が抑制され、ウエハＷへ
のパーティクルの付着が防止される。
Ｗを保持した際の変形がなく、ウエハＷを保持した状態
での昇降動作が無理なく行われるように、機械的強度に
優れたステンレス等の金属材料が用いられる。ここで、
ウエハ保持部２２が容器本体１１内の処理位置に保持さ
れ、かつ、容器カバー１２によって処理容器１０が密閉
された際に、ウエハガイド２０において処理容器１０内
に位置するために水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰
囲気に晒される部分には、処理容器１０の内壁と同様
に、ＳｉＯ２被膜（図示せず）が形成されている。これ
によりウエハガイド２０の腐食が抑制され、ウエハＷへ
のパーティクルの付着が防止される。
【００３０】なお、ウエハガイド２０へのＳｉＯ２被膜
の形成は、ウエハガイド２０を組み立てた後に行うこと
ができる。また、ウエハガイド２０を構成する各部材に
ついてＳｉＯ２被膜を形成した後に、これらの部材を組
み立ててもよい。
の形成は、ウエハガイド２０を組み立てた後に行うこと
ができる。また、ウエハガイド２０を構成する各部材に
ついてＳｉＯ２被膜を形成した後に、これらの部材を組
み立ててもよい。
【００３１】水蒸気吐出ノズル３０へは、水蒸気発生器
３３で発生した水蒸気が水蒸気供給管３４を通して供給
される。水蒸気供給管３４は管内で結露が生じないよう
に図示しないヒータ等の加熱手段によって一定の温度に
保持されている。また、水蒸気供給管３４にはバルブＶ
２が設けられており、このバルブＶ２の開閉量を制御す
ることによって、所定量の水蒸気を水蒸気吐出ノズル３
０に送ることができるようになっている。このバルブＶ
２の開閉量の制御はＣＰＵ１００によって行われる。
３３で発生した水蒸気が水蒸気供給管３４を通して供給
される。水蒸気供給管３４は管内で結露が生じないよう
に図示しないヒータ等の加熱手段によって一定の温度に
保持されている。また、水蒸気供給管３４にはバルブＶ
２が設けられており、このバルブＶ２の開閉量を制御す
ることによって、所定量の水蒸気を水蒸気吐出ノズル３
０に送ることができるようになっている。このバルブＶ
２の開閉量の制御はＣＰＵ１００によって行われる。
【００３２】図５は水蒸気吐出ノズル３０の概略構造を
示す断面図である。水蒸気吐出ノズル３０は紙面に垂直
な方向に延在する管体３１と、管体３１内に設けられた
棒状のヒータ３２から主に構成されており、管体３１に
は、水蒸気を吐出する水蒸気吐出口３１ａと管体３１内
に生じた結露水を排出するための排液口３１ｂが、それ
ぞれ一定間隔で長手方向に複数設けられている。
示す断面図である。水蒸気吐出ノズル３０は紙面に垂直
な方向に延在する管体３１と、管体３１内に設けられた
棒状のヒータ３２から主に構成されており、管体３１に
は、水蒸気を吐出する水蒸気吐出口３１ａと管体３１内
に生じた結露水を排出するための排液口３１ｂが、それ
ぞれ一定間隔で長手方向に複数設けられている。
【００３３】水蒸気供給管３４から供給される水蒸気
は、管体３１の内壁とヒータ３２の外周面との隙間を流
れて、水蒸気吐出口３１ａから処理容器１０内に吐出さ
れる。ここで、水蒸気吐出口３１ａは、容器本体１１の
垂直壁に向けて斜め上向きに約４５度の角度で水蒸気が
吐出されるように、管体３１に形成されている。これに
より水蒸気吐出口３１ａから吐出された水蒸気は処理容
器１０の内壁に沿って上昇し、処理容器１０の上部（容
器カバー１２の内側上部）においてオゾンガス吐出ノズ
ル４０から吐出されたオゾン含有ガスと混合され、ダウ
ンフローとなってウエハＷに供給される。
は、管体３１の内壁とヒータ３２の外周面との隙間を流
れて、水蒸気吐出口３１ａから処理容器１０内に吐出さ
れる。ここで、水蒸気吐出口３１ａは、容器本体１１の
垂直壁に向けて斜め上向きに約４５度の角度で水蒸気が
吐出されるように、管体３１に形成されている。これに
より水蒸気吐出口３１ａから吐出された水蒸気は処理容
器１０の内壁に沿って上昇し、処理容器１０の上部（容
器カバー１２の内側上部）においてオゾンガス吐出ノズ
ル４０から吐出されたオゾン含有ガスと混合され、ダウ
ンフローとなってウエハＷに供給される。
【００３４】なお、水蒸気をこのような角度で水蒸気吐
出口３１ａから吐出することにより、水蒸気がオゾン含
有ガスと混合される前に直接にウエハＷに触れることを
防止して、処理ムラを防止することができる。また、水
蒸気とともに液滴が水蒸気吐出口３１ａから吐出された
場合においても、この液滴がウエハＷに付着して処理ム
ラが発生することを防止することができる。
出口３１ａから吐出することにより、水蒸気がオゾン含
有ガスと混合される前に直接にウエハＷに触れることを
防止して、処理ムラを防止することができる。また、水
蒸気とともに液滴が水蒸気吐出口３１ａから吐出された
場合においても、この液滴がウエハＷに付着して処理ム
ラが発生することを防止することができる。
【００３５】ヒータ３２は管体３１内での水蒸気の結露
を防止する役割を果たすが、管体３１内に結露等によっ
て生じた液滴が貯留しても、このような水は管体３１の
下部に設けられた排液口３１ｂから水蒸気とともに下向
きに吐出される。このとき排液口３１ｂから吐出される
水と水蒸気はウエハＷに直接に接触することはないため
に、ウエハＷの汚染は防止される。なお、排液口３１ｂ
の数は水蒸気吐出口３１ａよりも少なくともよい。
を防止する役割を果たすが、管体３１内に結露等によっ
て生じた液滴が貯留しても、このような水は管体３１の
下部に設けられた排液口３１ｂから水蒸気とともに下向
きに吐出される。このとき排液口３１ｂから吐出される
水と水蒸気はウエハＷに直接に接触することはないため
に、ウエハＷの汚染は防止される。なお、排液口３１ｂ
の数は水蒸気吐出口３１ａよりも少なくともよい。
【００３６】水蒸気吐出ノズル３０において、管体３１
の外表面と水蒸気吐出口３１ａの周囲にはＳｉＯ２被膜
３５が形成されている。これにより管体３１の腐食が抑
制されるとともに、腐食によって生じたパーティクルが
水蒸気とともに処理容器１０内に放出されてウエハＷに
付着するといった汚染の発生を防止することができる。
同様に、処理容器１０内において水蒸気とオゾン含有ガ
スの混合ガス雰囲気に晒される水蒸気供給管３４の一部
にＳｉＯ２被膜を形成することにより、処理容器１０内
におけるパーティクルの発生を防止することができる。
の外表面と水蒸気吐出口３１ａの周囲にはＳｉＯ２被膜
３５が形成されている。これにより管体３１の腐食が抑
制されるとともに、腐食によって生じたパーティクルが
水蒸気とともに処理容器１０内に放出されてウエハＷに
付着するといった汚染の発生を防止することができる。
同様に、処理容器１０内において水蒸気とオゾン含有ガ
スの混合ガス雰囲気に晒される水蒸気供給管３４の一部
にＳｉＯ２被膜を形成することにより、処理容器１０内
におけるパーティクルの発生を防止することができる。
【００３７】オゾンガス吐出ノズル４０は、処理容器１
０に収容されたウエハＷを挟んで水蒸気吐出ノズル３０
と対向する位置に設けられている。図６はオゾンガス吐
出ノズル４０の概略構造と、オゾンガス吐出ノズル４０
の容器本体１１への取り付けの形態を示す断面図であ
る。オゾンガス吐出ノズル４０もまた管形状を有し、外
管４１内に内管４２が設けられた二重構造を有してい
る。外管４１と内管４２にはそれぞれ長手方向に一定間
隔でオゾンガス吐出口４１ａ・４２ａが形成されている
が、オゾンガス吐出口４１ａとオゾンガス吐出口４２ａ
は、正反対の向きにオゾン含有ガスを吐出するようにな
っている。
０に収容されたウエハＷを挟んで水蒸気吐出ノズル３０
と対向する位置に設けられている。図６はオゾンガス吐
出ノズル４０の概略構造と、オゾンガス吐出ノズル４０
の容器本体１１への取り付けの形態を示す断面図であ
る。オゾンガス吐出ノズル４０もまた管形状を有し、外
管４１内に内管４２が設けられた二重構造を有してい
る。外管４１と内管４２にはそれぞれ長手方向に一定間
隔でオゾンガス吐出口４１ａ・４２ａが形成されている
が、オゾンガス吐出口４１ａとオゾンガス吐出口４２ａ
は、正反対の向きにオゾン含有ガスを吐出するようにな
っている。
【００３８】オゾンガス吐出ノズル４０へのオゾン含有
ガスの供給は、オゾンガス発生装置４３と、オゾンガス
供給管４４と、オゾンガス供給管４４に介設されたバル
ブＶ３と、を有するオゾン供給手段４５によって行われ
る。オゾンガス発生装置４３は、高周波電源４６に接続
されて高周波電圧が印加される放電電極４７の間に酸素
（Ｏ２）を供給することによって一部の酸素をオゾンに
変化させ、オゾン含有ガスを生成させる。なお、高周波
電源４６と放電電極４７は、ＣＰＵ１００からの制御信
号を受けたスイッチ４８によってスイッチングされ、オ
ゾンガス発生装置４３によって生成されるオゾン含有ガ
ス中のオゾン量が制御されるようになっている。また、
オゾンガス発生装置４３を動作させない場合には、オゾ
ンガス吐出ノズル４０からは基ガスである酸素を処理容
器１０内に吐出させることができる。
ガスの供給は、オゾンガス発生装置４３と、オゾンガス
供給管４４と、オゾンガス供給管４４に介設されたバル
ブＶ３と、を有するオゾン供給手段４５によって行われ
る。オゾンガス発生装置４３は、高周波電源４６に接続
されて高周波電圧が印加される放電電極４７の間に酸素
（Ｏ２）を供給することによって一部の酸素をオゾンに
変化させ、オゾン含有ガスを生成させる。なお、高周波
電源４６と放電電極４７は、ＣＰＵ１００からの制御信
号を受けたスイッチ４８によってスイッチングされ、オ
ゾンガス発生装置４３によって生成されるオゾン含有ガ
ス中のオゾン量が制御されるようになっている。また、
オゾンガス発生装置４３を動作させない場合には、オゾ
ンガス吐出ノズル４０からは基ガスである酸素を処理容
器１０内に吐出させることができる。
【００３９】オゾンガス発生装置４３において生成した
オゾン含有ガスは、オゾンガス供給管４４を通して内管
４２の内部に供給される。オゾンガス供給管４４におけ
るオゾンガス流量は、ＣＰＵ１００からの制御信号を受
けたバルブＶ３によって制御される。オゾンガス吐出ノ
ズル４０において、内管４２の内部に供給されたオゾン
含有ガスは、オゾンガス吐出口４２ａから内管４２と外
管４１との間の隙間に吐出され、さらに外管４１に設け
られたオゾンガス吐出口４１ａから、容器本体１１の垂
直壁に向けて斜め上向きに約４５度の角度で吐出され
る。オゾンガス吐出口４１ａから吐出されたオゾン含有
ガスは処理容器１０の内壁に沿って上昇し、処理容器１
０の上部（容器カバー１２の内側上部）において水蒸気
吐出ノズル３０から吐出された水蒸気と混合され、ダウ
ンフローとなってウエハＷに供給される。
オゾン含有ガスは、オゾンガス供給管４４を通して内管
４２の内部に供給される。オゾンガス供給管４４におけ
るオゾンガス流量は、ＣＰＵ１００からの制御信号を受
けたバルブＶ３によって制御される。オゾンガス吐出ノ
ズル４０において、内管４２の内部に供給されたオゾン
含有ガスは、オゾンガス吐出口４２ａから内管４２と外
管４１との間の隙間に吐出され、さらに外管４１に設け
られたオゾンガス吐出口４１ａから、容器本体１１の垂
直壁に向けて斜め上向きに約４５度の角度で吐出され
る。オゾンガス吐出口４１ａから吐出されたオゾン含有
ガスは処理容器１０の内壁に沿って上昇し、処理容器１
０の上部（容器カバー１２の内側上部）において水蒸気
吐出ノズル３０から吐出された水蒸気と混合され、ダウ
ンフローとなってウエハＷに供給される。
【００４０】なお、オゾンガス吐出ノズル４０におい
て、オゾン含有ガスをオゾンガス吐出口４２ａからオゾ
ンガス吐出口４１ａへ、外管４１と内管４２との間の隙
間を迂回させて流すことによって、各オゾンガス吐出口
４１ａからのオゾン含有ガスの吐出を均一に行うことが
できる。
て、オゾン含有ガスをオゾンガス吐出口４２ａからオゾ
ンガス吐出口４１ａへ、外管４１と内管４２との間の隙
間を迂回させて流すことによって、各オゾンガス吐出口
４１ａからのオゾン含有ガスの吐出を均一に行うことが
できる。
【００４１】水蒸気吐出ノズル３０と同様に、オゾンガ
ス吐出ノズル４０において、外管４１の外表面とオゾン
ガス吐出口４１ａの周囲にはＳｉＯ２被膜４９が形成さ
れている。これにより外管４１の腐食が抑制されるとと
もに、腐食によって生じたパーティクルがオゾン含有ガ
スとともに処理容器１０内に放出されてウエハＷに付着
するといった汚染の発生を防止することができる。
ス吐出ノズル４０において、外管４１の外表面とオゾン
ガス吐出口４１ａの周囲にはＳｉＯ２被膜４９が形成さ
れている。これにより外管４１の腐食が抑制されるとと
もに、腐食によって生じたパーティクルがオゾン含有ガ
スとともに処理容器１０内に放出されてウエハＷに付着
するといった汚染の発生を防止することができる。
【００４２】オゾンガス供給管４４は、図６に示すよう
に、容器本体１１に設けられた孔部４４ａに挿入して固
定されており、この孔部４４ａの内壁にはＳｉＯ２被膜
１３が形成されている。また、処理容器１０内において
水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰囲気に晒されるオ
ゾン供給管４４の一部には、ＳｉＯ２被膜４９ａが形成
されている。これによりオゾンガス供給管４４と容器本
体１１におけるオゾンガス供給管４４の取付部分の腐食
が抑制されるため、処理容器１０内におけるパーティク
ルの発生を防止することができる。なお、水蒸気吐出ノ
ズル３０と空気吐出ノズル５０の容器本体１１への取付
形態もまた、このようなオゾンガス吐出ノズル４０の取
付形態と同様とすることが好ましい。
に、容器本体１１に設けられた孔部４４ａに挿入して固
定されており、この孔部４４ａの内壁にはＳｉＯ２被膜
１３が形成されている。また、処理容器１０内において
水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰囲気に晒されるオ
ゾン供給管４４の一部には、ＳｉＯ２被膜４９ａが形成
されている。これによりオゾンガス供給管４４と容器本
体１１におけるオゾンガス供給管４４の取付部分の腐食
が抑制されるため、処理容器１０内におけるパーティク
ルの発生を防止することができる。なお、水蒸気吐出ノ
ズル３０と空気吐出ノズル５０の容器本体１１への取付
形態もまた、このようなオゾンガス吐出ノズル４０の取
付形態と同様とすることが好ましい。
【００４３】水蒸気吐出ノズル３０とオゾンガス吐出ノ
ズル４０の下方には、空気吐出ノズル５０が設けられて
いる。例えば、空気吐出ノズル５０としては、オゾンガ
ス吐出ノズル４０と同様の構造を有するものを用いるこ
とができる。図示しない空気供給源から空気吐出ノズル
５０に供給された空気は、容器本体１１の垂直壁に向け
て斜め上向きに約４５度の角度で吐出される。このよう
にウエハＷに直接に吐出空気が触れることを防止するこ
とによって、ウエハＷへのパーティクルの付着等を防止
し、ウエハＷの表面に空気の流れによる処理跡が残らな
いようにすることができる。なお、空気吐出ノズル５０
からは、常温〜２８０℃の範囲の所定の温度の空気を処
理容器１０内に供給することができるようになってい
る。
ズル４０の下方には、空気吐出ノズル５０が設けられて
いる。例えば、空気吐出ノズル５０としては、オゾンガ
ス吐出ノズル４０と同様の構造を有するものを用いるこ
とができる。図示しない空気供給源から空気吐出ノズル
５０に供給された空気は、容器本体１１の垂直壁に向け
て斜め上向きに約４５度の角度で吐出される。このよう
にウエハＷに直接に吐出空気が触れることを防止するこ
とによって、ウエハＷへのパーティクルの付着等を防止
し、ウエハＷの表面に空気の流れによる処理跡が残らな
いようにすることができる。なお、空気吐出ノズル５０
からは、常温〜２８０℃の範囲の所定の温度の空気を処
理容器１０内に供給することができるようになってい
る。
【００４４】なお、空気吐出ノズル５０へ供給される空
気の流量は、バルブＶ４の開閉量を調整することによっ
て制御され、バルブＶ４の開閉量はＣＰＵ１００によっ
て制御される。
気の流量は、バルブＶ４の開閉量を調整することによっ
て制御され、バルブＶ４の開閉量はＣＰＵ１００によっ
て制御される。
【００４５】次に、レジスト除去装置１によるウエハＷ
の処理方法について説明する。図７はウエハＷの処理フ
ローの概略を示す説明図（フローチャート）である。最
初に容器カバー１２を上昇させてウエハ搬入出口１１ａ
を開口させ、また、ウエハ保持部２２を容器本体１１の
上方に移動させて、例えば図示しないウエハ搬送手段に
よって搬送されてきたウエハＷをウエハ支持部材２２ａ
〜２２ｃに受け渡す（ステップ１）。
の処理方法について説明する。図７はウエハＷの処理フ
ローの概略を示す説明図（フローチャート）である。最
初に容器カバー１２を上昇させてウエハ搬入出口１１ａ
を開口させ、また、ウエハ保持部２２を容器本体１１の
上方に移動させて、例えば図示しないウエハ搬送手段に
よって搬送されてきたウエハＷをウエハ支持部材２２ａ
〜２２ｃに受け渡す（ステップ１）。
【００４６】続いてウエハＷが容器本体１１内の所定位
置に保持されるように昇降機構１５ｂを動作させてウエ
ハガイド２０を降下させ、次いで容器カバー１２を昇降
機構１５ａを動作させて降下させ、フランジ部１４ａ・
１４ｂ間を気密にシールする（ステップ２）。その後、
シール部材２５ａ・２５ｂに空気を供給し、筒状突起部
２４とシャフト２１との間をシールして、処理容器１０
内を密閉する（ステップ３）。
置に保持されるように昇降機構１５ｂを動作させてウエ
ハガイド２０を降下させ、次いで容器カバー１２を昇降
機構１５ａを動作させて降下させ、フランジ部１４ａ・
１４ｂ間を気密にシールする（ステップ２）。その後、
シール部材２５ａ・２５ｂに空気を供給し、筒状突起部
２４とシャフト２１との間をシールして、処理容器１０
内を密閉する（ステップ３）。
【００４７】次いで、空気吐出ノズル５０から、例え
ば、２８０℃に加熱された空気を処理容器１０内に供給
に供給して、ウエハＷおよび処理容器１０内の雰囲気温
度を所定の処理温度、例えば８０℃に昇温する（ステッ
プ４）。その後、オゾンガス吐出ノズル４０から、例え
ば、オゾン濃度が約９体積％のオゾン含有ガスを約１０
リットル／分で処理容器１０内に供給することにより、
処理容器１０内の圧力を外気圧よりも例えば、０．０１
〜０．０３ＭＰａ程度高い圧力とする（ステップ５）。
ば、２８０℃に加熱された空気を処理容器１０内に供給
に供給して、ウエハＷおよび処理容器１０内の雰囲気温
度を所定の処理温度、例えば８０℃に昇温する（ステッ
プ４）。その後、オゾンガス吐出ノズル４０から、例え
ば、オゾン濃度が約９体積％のオゾン含有ガスを約１０
リットル／分で処理容器１０内に供給することにより、
処理容器１０内の圧力を外気圧よりも例えば、０．０１
〜０．０３ＭＰａ程度高い圧力とする（ステップ５）。
【００４８】処理容器１０内が所定の圧力に到達したこ
とを圧力センサＰＳが検出したら、オゾンガス吐出ノズ
ル４０からのオゾン含有ガスの吐出を継続しながら、水
蒸気吐出ノズル３０から、例えば、液体換算で１００ｄ
ｍ３／分の水蒸気を処理容器１０内に供給する（ステッ
プ６）。これにより処理容器１０内において水蒸気とオ
ゾン含有ガスが混合されて、この混合ガスによってウエ
ハＷに付着しているレジストの除去（剥離処理）が進行
する。
とを圧力センサＰＳが検出したら、オゾンガス吐出ノズ
ル４０からのオゾン含有ガスの吐出を継続しながら、水
蒸気吐出ノズル３０から、例えば、液体換算で１００ｄ
ｍ３／分の水蒸気を処理容器１０内に供給する（ステッ
プ６）。これにより処理容器１０内において水蒸気とオ
ゾン含有ガスが混合されて、この混合ガスによってウエ
ハＷに付着しているレジストの除去（剥離処理）が進行
する。
【００４９】処理容器１０内において、水蒸気とオゾン
含有ガスの混合ガス雰囲気に晒される部分には、ＳｉＯ
２被膜が形成されているために、処理容器１０内ではこ
の混合ガスによる腐食の発生が抑制される。なお、この
処理の間に処理容器１０内の圧力が、例えば、外気圧よ
りも０．０５ＭＰａ高い状態に保持されるように、バル
ブＶ１・Ｖ１´の開閉量が制御されて排液および排気が
行われ、かつ、ウエハＷおよび処理容器１０内の温度
が、例えば、８０℃に保持されるように、ラバーヒータ
１７ａ〜１７ｃの発熱が制御される。
含有ガスの混合ガス雰囲気に晒される部分には、ＳｉＯ
２被膜が形成されているために、処理容器１０内ではこ
の混合ガスによる腐食の発生が抑制される。なお、この
処理の間に処理容器１０内の圧力が、例えば、外気圧よ
りも０．０５ＭＰａ高い状態に保持されるように、バル
ブＶ１・Ｖ１´の開閉量が制御されて排液および排気が
行われ、かつ、ウエハＷおよび処理容器１０内の温度
が、例えば、８０℃に保持されるように、ラバーヒータ
１７ａ〜１７ｃの発熱が制御される。
【００５０】所定の処理時間（例えば、３分〜６分）が
経過した後に、水蒸気とオゾン含有ガスの供給を停止
し、オゾンガス吐出ノズル４０からは、オゾン発生装置
４３を動作させないことによって基ガスである酸素を処
理容器１０内に供給する（ステップ７）。これにより処
理容器１０内の急激な減圧と湿度低下を防止して、ウエ
ハＷに結露が生ずることを防止することができる。
経過した後に、水蒸気とオゾン含有ガスの供給を停止
し、オゾンガス吐出ノズル４０からは、オゾン発生装置
４３を動作させないことによって基ガスである酸素を処
理容器１０内に供給する（ステップ７）。これにより処
理容器１０内の急激な減圧と湿度低下を防止して、ウエ
ハＷに結露が生ずることを防止することができる。
【００５１】処理容器１０内への酸素の供給を一定時
間、例えば、１分行った後に、酸素の供給を停止し、次
に、排気部材９２から処理容器１０内の酸素、オゾンお
よび水蒸気の強制排気を行い（ステップ８）、その後に
空気吐出ノズル５０から室温の空気を処理容器１０内に
供給して、処理容器１０の内圧を外気圧と同じとする
（ステップ９）。その後、シール部材２５ａ・２５ｂか
ら空気を放出させてシールを解除した後に容器カバー１
２を上昇させ、次いでウエハガイド２０を上昇させて、
ウエハ搬送手段へとウエハＷを受け渡し、レジスト除去
装置１からウエハＷを搬出する（ステップ１０）。ウエ
ハ搬送手段は、レジスト除去装置１とは別に設けられて
おり、純水等によってウエハＷを洗浄する洗浄処理部へ
と搬送され、そこでレジストが洗い流される。
間、例えば、１分行った後に、酸素の供給を停止し、次
に、排気部材９２から処理容器１０内の酸素、オゾンお
よび水蒸気の強制排気を行い（ステップ８）、その後に
空気吐出ノズル５０から室温の空気を処理容器１０内に
供給して、処理容器１０の内圧を外気圧と同じとする
（ステップ９）。その後、シール部材２５ａ・２５ｂか
ら空気を放出させてシールを解除した後に容器カバー１
２を上昇させ、次いでウエハガイド２０を上昇させて、
ウエハ搬送手段へとウエハＷを受け渡し、レジスト除去
装置１からウエハＷを搬出する（ステップ１０）。ウエ
ハ搬送手段は、レジスト除去装置１とは別に設けられて
おり、純水等によってウエハＷを洗浄する洗浄処理部へ
と搬送され、そこでレジストが洗い流される。
【００５２】図８は、このような一連の処理を、ステン
レスを母材とし、その表面にＳｉＯ ２被膜が形成された
ウエハガイド（以下「ウエハガイドＡ」という）を用い
て行った場合のウエハＷのパーティクル分布を示した説
明図（写真）である。また、図９は、ＳｉＯ２被膜が形
成されていないステンレス製のウエハガイド（以下「ウ
エハガイドＢ」という）を用いて、ウエハＷを同様に処
理した場合のウエハＷのパーティクル分布を示した説明
図（写真）である。なお、これらウエハガイドＡ・Ｂを
用いた処理において、処理容器１０としては、その内壁
にＳｉＯ２被膜１３が形成されているものを用いてい
る。
レスを母材とし、その表面にＳｉＯ ２被膜が形成された
ウエハガイド（以下「ウエハガイドＡ」という）を用い
て行った場合のウエハＷのパーティクル分布を示した説
明図（写真）である。また、図９は、ＳｉＯ２被膜が形
成されていないステンレス製のウエハガイド（以下「ウ
エハガイドＢ」という）を用いて、ウエハＷを同様に処
理した場合のウエハＷのパーティクル分布を示した説明
図（写真）である。なお、これらウエハガイドＡ・Ｂを
用いた処理において、処理容器１０としては、その内壁
にＳｉＯ２被膜１３が形成されているものを用いてい
る。
【００５３】これら図８および図９から明らかなよう
に、表面にＳｉＯ２被膜が形成されたウエハガイドＡで
はパーティクルの付着量が少なく、一方、ＳｉＯ２被膜
が形成されていないウエハガイドＢを用いた場合には、
特にウエハＷがそのウエハ支持部材に当接する部分で多
くのパーティクルが付着している状態が確認された。ま
た、処理後のウエハガイドＡには外観上の変化は確認さ
れなかったが、ウエハガイドＢでは表面が褐色に変色し
ていた。このような結果から、ＳｉＯ２被膜が水蒸気と
オゾン含有ガスの混合ガスに対して良好な耐食性を有す
ることが確認され、これにより、処理容器１０内におい
て水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰囲気に晒される
部分にＳｉＯ２被膜を形成することが、ウエハＷの品質
を高く保持する有効な手段であることがわかる。
に、表面にＳｉＯ２被膜が形成されたウエハガイドＡで
はパーティクルの付着量が少なく、一方、ＳｉＯ２被膜
が形成されていないウエハガイドＢを用いた場合には、
特にウエハＷがそのウエハ支持部材に当接する部分で多
くのパーティクルが付着している状態が確認された。ま
た、処理後のウエハガイドＡには外観上の変化は確認さ
れなかったが、ウエハガイドＢでは表面が褐色に変色し
ていた。このような結果から、ＳｉＯ２被膜が水蒸気と
オゾン含有ガスの混合ガスに対して良好な耐食性を有す
ることが確認され、これにより、処理容器１０内におい
て水蒸気とオゾン含有ガスの混合ガス雰囲気に晒される
部分にＳｉＯ２被膜を形成することが、ウエハＷの品質
を高く保持する有効な手段であることがわかる。
【００５４】なお、ウエハ支持部材２２ａ〜２２ｃとし
て、テフロン（登録商標）等のフッ素樹脂からなるもの
を用いた場合にも、ウエハガイドＢを用いた場合と同様
に、ウエハＷには多くのパーティクルの付着とテフロン
の褐色への変色が確認され、ウエハガイドＡと同等以上
の耐久性は確認できなかった。
て、テフロン（登録商標）等のフッ素樹脂からなるもの
を用いた場合にも、ウエハガイドＢを用いた場合と同様
に、ウエハＷには多くのパーティクルの付着とテフロン
の褐色への変色が確認され、ウエハガイドＡと同等以上
の耐久性は確認できなかった。
【００５５】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、上記実施の形態では半導体ウエハから
レジストを除去する場合について説明したが、ＬＣＤ基
板からレジストを除去する装置および方法についても本
発明を適用することができる。また、蒸気として水蒸気
を、ガスとしてオゾン含有ガスを用いた場合について説
明したが、基板を処理する対象物に応じて、適宜、好適
な蒸気（例えば、溶剤の蒸気）とガスを選択することが
できる。但し、これら蒸気とガスの混合ガスによってＳ
ｉＯ２被膜が腐食することがないことが前提条件とされ
る。
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、上記実施の形態では半導体ウエハから
レジストを除去する場合について説明したが、ＬＣＤ基
板からレジストを除去する装置および方法についても本
発明を適用することができる。また、蒸気として水蒸気
を、ガスとしてオゾン含有ガスを用いた場合について説
明したが、基板を処理する対象物に応じて、適宜、好適
な蒸気（例えば、溶剤の蒸気）とガスを選択することが
できる。但し、これら蒸気とガスの混合ガスによってＳ
ｉＯ２被膜が腐食することがないことが前提条件とされ
る。
【００５６】
【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、蒸気とガ
スによる処理容器の内壁の腐食および処理容器の内部に
設けられた各種部材の腐食が抑制される。これにより基
板処理装置の耐久性を向上させ、処理容器内におけるパ
ーティクル等の発生を防止して、品質の高い基板を得る
ことが可能となるという顕著な効果が得られる。また、
処理容器を耐圧構造とした場合には、内部圧力を高めた
状態で基板を処理することができるために、処理時間を
短縮することが可能となる。
スによる処理容器の内壁の腐食および処理容器の内部に
設けられた各種部材の腐食が抑制される。これにより基
板処理装置の耐久性を向上させ、処理容器内におけるパ
ーティクル等の発生を防止して、品質の高い基板を得る
ことが可能となるという顕著な効果が得られる。また、
処理容器を耐圧構造とした場合には、内部圧力を高めた
状態で基板を処理することができるために、処理時間を
短縮することが可能となる。
【図１】基板処理装置の一実施形態であるレジスト除去
装置の概略構造を示す斜視図。
装置の概略構造を示す斜視図。
【図２】図１記載のレジスト除去装置の概略断面図。
【図３】図２中の領域Ａの拡大図。
【図４】図２中の領域Ｂの拡大図。
【図５】水蒸気吐出ノズルの概略断面図。
【図６】オゾンガス吐出ノズルの概略断面図。
【図７】レジスト除去装置によるウエハの処理工程を示
す説明図（フローチャート）。
す説明図（フローチャート）。
【図８】ＳｉＯ２被膜が形成されたウエハガイドを用い
て処理した場合のウエハのパーティクル分布を示す説明
図。
て処理した場合のウエハのパーティクル分布を示す説明
図。
【図９】ＳｉＯ２被膜が形成されていないウエハガイド
を用いて処理した場合のウエハのパーティクル分布を示
す説明図。
を用いて処理した場合のウエハのパーティクル分布を示
す説明図。
１；レジスト除去装置
１０；処理容器
１１；容器本体
１２；容器カバー
１３；ＳｉＯ２被膜
１４ａ・１４ｂ；フランジ部
１５ａ・１５ｂ；昇降機構
１６ａ・１６ｂ；Ｏリング
１７ａ〜１７ｃ；ラバーヒータ
２０；ウエハガイド
２２ａ〜２２ｃ；ウエハ支持部材
２５ａ・２５ｂ；シール部材
３０；水蒸気吐出ノズル
３５；ＳｉＯ２被膜
４０；オゾンガス吐出ノズル
４９；ＳｉＯ２被膜
５０；空気吐出ノズル
９１；排液管
９２；排気部材
９３；排気管
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
フロントページの続き
(72)発明者 阿部 仁
東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ
ー株式会社内
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA01 LA02 LA06
5F004 AA15 BA19 BB28 BB30 BC01
CA01 CA02 CA04 DA00 DA27
DB26 EA34
5F046 MA02 MA05
Claims (12)
- 【請求項１】 処理容器の内部に基板を収容し、前記処
理容器内に蒸気とガスを供給して前記基板を処理する基
板処理装置であって、 前記蒸気と前記ガスの混合ガス雰囲気に晒される前記処
理容器の内面および／または前記処理容器の内部に設け
られた部材の表面にＳｉＯ２被覆が施されていることを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記処理容器は、０．２ＭＰａ以上の差
圧に耐える耐圧性を有することを特徴とする請求項１に
記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記処理容器の母材がステンレスである
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板
処理装置。 - 【請求項４】 前記蒸気として水蒸気を吐出する水蒸気
吐出ノズルが前記処理容器の内部に設けられていること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記
載の基板処理装置。 - 【請求項５】 前記ガスとしてオゾン含有ガスを吐出す
るオゾンガス吐出ノズルが前記処理容器の内部に設けら
れていることを特徴とする請求項１から請求項４のいず
れか１項に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記処理容器は、前記処理容器の内部に
設けられる部材を配設するための孔部を有し、 前記孔部の内壁面にＳｉＯ２被覆が施されていることを
特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載
の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記処理容器は容器本体と容器カバーと
からなり、 前記容器本体と前記容器カバーとの離接部にシール部が
設けられ、 前記処理容器の内面から前記シール部までＳｉＯ２被覆
が延在して施されていることを特徴とする請求項１から
請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 レジスト膜が形成された基板を水蒸気と
オゾン含有ガスにより処理する基板処理方法であって、 表面にＳｉＯ２被覆が施された部材が内部に設けられ、
かつ、内面がＳｉＯ２被覆された処理容器の内部に基板
を収容する第１工程と、 前記処理容器内に水蒸気とオゾン含有ガスを供給して前
記基板を処理する第２工程と、 前記処理容器内への水蒸気とオゾン含有ガスの供給を停
止する第３工程と、 前記処理容器内のガスを排気し、前記処理容器内に空気
を導入する第４工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項９】 前記第２工程は、前記処理容器内の温度
を一定に保持して行われることを特徴とする請求項８に
記載の基板処理方法。 - 【請求項１０】 前記処理容器内は、８０℃〜１２０℃
の範囲内の一定温度に保持されることを特徴とする請求
項８または請求項９に記載の基板処理方法。 - 【請求項１１】 前記第２工程は、前記処理容器内を所
定の陽圧に保持して行われることを特徴とする請求項８
から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。 - 【請求項１２】 前記処理容器内の圧力を、外気圧より
も０．０５ＭＰａ〜０．１ＭＰａ高く保持することを特
徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002132698A JP3953361B2 (ja) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR1020030028500A KR100555388B1 (ko) | 2002-05-08 | 2003-05-06 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| TW092112425A TWI248125B (en) | 2002-05-08 | 2003-05-07 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US10/431,364 US7229522B2 (en) | 2002-05-08 | 2003-05-08 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002132698A JP3953361B2 (ja) | 2002-05-08 | 2002-05-08 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
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