JP2023046537A - 基板処理方法、および、基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法、および、基板処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】レジスト等の有機膜を基板から速やかかつ充分に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】硫酸槽２０内の硫酸含有液に１バッチの基板Ｗが浸漬される（硫酸浸漬工程）。硫酸浸漬工程において硫酸槽２０に浸漬された１バッチの基板Ｗは、硫酸槽２０から取り出され、オゾンガス処理ユニット６に搬送される（搬送工程）。オゾンガス処理ユニット６に搬送された１バッチの基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程）。【選択図】図２

Description

この発明は、基板を処理する基板処理方法、および、基板を処理する基板処理装置に関する。
処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
下記特許文献１に開示されている基板処理装置では、配管内で硫酸にオゾンガスを供給して硫酸にオゾンを溶解させて硫酸オゾンが形成される。硫酸とオゾンとが混合されることによって、活性種（エッチャント）としてペルオキソ二硫酸（Ｓ２Ｏ８ ２－）が生成される。
下記特許文献１の基板処理装置では、硫酸オゾンが硫酸オゾン供給配管を流通して水混合部に流入して水と混合されることで、硫酸オゾン／水混合液が形成される。硫酸オゾン／水混合液は、硫酸オゾン／水ノズルから基板に向けて吐出される基板を回転させながら基板の表面に硫酸オゾン／水混合液を供給することで基板の表面のレジストが除去される。
特開２０１４－３６１０１号公報
特許文献１に開示されている基板処理装置では、硫酸オゾンに水を混合することで生じる希釈熱によって、硫酸オゾン／水混合液の温度が、混合前の硫酸オゾンの温度よりも高くなる。そのため、混合前の硫酸オゾンとして比較的低温の硫酸オゾンを用いたとしても、レジスト除去に必要な温度の硫酸オゾン／水混合液を基板の表面に供給することができる。また、混合前の硫酸オゾンを比較的低温とすることで、混合前の硫酸オゾンにオゾンガスを多量に溶解させることができる。
しかしながら、特許文献１の装置では、硫酸オゾンと水とを混合することによって、酸化力を有するペルオキソ二硫酸の濃度が低下する。そのため、充分な酸化力を得られないおそれがある。
そこで、この発明の１つの目的は、レジスト等の有機膜を基板から速やかかつ充分に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この発明の一実施形態は、硫酸槽内の硫酸含有液に複数枚の基板を浸漬させる硫酸浸漬工程と、複数枚の前記基板を前記硫酸槽から取り出し、複数枚の前記基板をオゾンガス処理ユニットに搬送する搬送工程と、前記オゾンガス処理ユニットに搬送された複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させるオゾン曝露工程とを含む基板処理方法を提供する。
この方法によれば、硫酸含有液に一度に浸漬された複数枚の基板を、オゾンガス処理ユニットによってオゾン含有ガスに曝露させる。これにより、硫酸含有液から取り出された複数枚の基板に付着する硫酸含有液にオゾン含有ガス中のオゾンを溶解させて硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。
その結果、レジスト等の有機膜を基板から速やかかつ充分に除去することができる。
オゾン含有ガスには、気体状のオゾン（オゾンガス）が含有されており、硫酸含有液には、硫酸が含有されている。硫酸含有液は、たとえば、硫酸水溶液である。
この発明の一実施形態では、前記オゾンガス処理ユニットが、複数枚の前記基板を収容するガス処理室を含む。前記オゾン曝露工程が、前記硫酸槽から取り出された複数枚の前記基板を、前記ガス処理室内の処理空間に配置することによって、複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させる工程を含む。
この方法によれば、処理空間内で複数枚の基板をほぼ同時にオゾン含有ガスに曝露させることができる。そのため、有機膜を基板から一層速やかかつ充分に除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記オゾン曝露工程が、前記処理空間を区画する壁部で開口する複数の供給孔から前記処理空間にオゾン含有ガスを供給し、前記壁部で開口する複数の排気孔を介して前記処理空間を排気することで、前記処理空間に配置される複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させる工程を含む。
この方法によれば、処理空間を区画する壁部で開口する複数の供給孔から処理空間にオゾン含有ガスが供給され、壁部で開口する複数の排気孔を介して処理空間が排気される。そのため、基板上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンが硫酸含有液に溶解することで当該雰囲気中のオゾンが消費された場合であっても、処理空間に供給されるオゾン含有ガスによって、基板に付着する硫酸含有液に接する雰囲気にオゾンが供給される。したがって、基板上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンの濃度を充分に高い状態に維持できる。したがって、基板上の硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。
この発明の一実施形態において、前記ガス処理室において、それぞれが複数の前記供給孔によって構成される複数の供給孔列が、所定の配列方向に並んでいる。そして、前記オゾン曝露工程が、複数枚の前記基板が前記配列方向に並び前記供給孔列同士の間に各前記基板が位置するように、前記処理空間に複数枚の前記基板を配置する工程を含む。
この方法によれば、各供給孔列からのオゾン含有ガスが、基板同士の間に供給される。そのため、各基板上の硫酸含有液に接する雰囲気に充分にオゾンを供給でき、各基板上の硫酸含有液にオゾンを充分に溶解させることができる。その結果、基板間での有機膜の除去むらを低減できる。
この発明の一実施形態において、前記硫酸浸漬工程が、鉛直姿勢の複数枚の前記基板を前記硫酸槽に浸漬する鉛直浸漬工程を含む。前記基板処理方法が、前記硫酸槽から取り出された複数枚の前記基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更する姿勢変更工程をさらに含む。そして、前記オゾン曝露工程が、水平姿勢の複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させる水平曝露工程を含む。
この方法によれば、複数枚の基板を鉛直姿勢で硫酸含有液に浸漬できる。そのため、複数枚の基板をほぼ同じタイミングで硫酸含有液に浸漬させることができる。また、この方法によれば、複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更した後、複数枚の基板がオゾン含有ガスに曝露される。そのため、鉛直姿勢の基板に付着している硫酸含有液が自重によって下方に移動することに起因する基板上の各位置における硫酸含有液の厚みのむらを抑制できる。したがって、基板上の各位置における有機膜の除去むらを低減できる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記姿勢変更工程の後で、かつ、前記オゾン曝露工程において複数枚の前記基板がオゾン含有ガスに曝露される前に、水平姿勢の複数枚の前記基板の中心部を通る鉛直軸線のまわりに複数枚の前記基板を回転させる基板回転工程をさらに含む。
そのため、基板上から余分な硫酸含有液を除去し、基板上の各位置における硫酸含有液の厚みの均一性を向上させることができる。これにより、基板上の各位置における硫酸含有液中のオゾン濃度の均一性を高めることができる。その結果、基板上の各位置における有機膜の除去むらを低減できる。
この発明の一実施形態では、前記処理空間が前記硫酸槽の直上に配置されている。そして、前記搬送工程が、複数枚の前記基板を前記硫酸槽から引き上げることにより、複数枚の前記基板を前記処理空間に配置する工程を含む。
この方法によれば、硫酸槽から複数枚の基板を引き上げるという一方向の移動によって、複数枚の基板を硫酸槽から処理空間へ移動させることができる。そのため、複数枚の基板に硫酸含有液を付着させた後、複数枚の基板をオゾン含有ガスに速やかに曝露させることができる。したがって、基板から有機膜を速やかに除去できる。
この発明の他の実施形態は、複数枚の基板を浸漬可能な硫酸含有液を貯留する硫酸槽と、複数枚の基板をオゾン含有ガスに曝露させるオゾンガス処理ユニットと、前記硫酸槽および前記オゾンガス処理ユニットの間で複数枚の基板を搬送する搬送ユニットとを含む基板処理装置を提供する。
この装置によれば、硫酸含有液に一度に浸漬された複数枚の基板を、オゾンガス処理ユニットによってオゾン含有ガスに曝露させる。これにより、硫酸含有液から取り出された複数枚の基板に付着する硫酸含有液にオゾン含有ガス中のオゾンを溶解させて複数枚の基板に付着する硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。
その結果、レジスト等の有機膜を基板から速やかかつ充分に除去することができる。
この発明の他の実施形態では、前記オゾンガス処理ユニットが、複数枚の基板を収容可能な処理空間を有し、前記処理空間に収容されている複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させるガス処理室を含む。
この装置によれば、処理空間内で複数枚の基板をほぼ同時にオゾン含有ガスに曝露させることができる。そのため、有機膜を基板から一層速やかかつ充分に除去することができる。
この発明の他の実施形態では、前記ガス処理室が、前記処理空間を区画する壁部と、前記壁部で開口し、前記処理空間にオゾン含有ガスを供給する複数の供給孔と、前記壁部で開口し、前記処理空間を排気する複数の排気孔とを有する。
この装置によれば、処理空間を区画する壁部で開口する複数の供給孔から処理空間にオゾン含有ガスが供給され、壁部で開口する複数の排気孔を介して処理空間が排気される。そのため、基板上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンが硫酸含有液に溶解することで当該雰囲気中のオゾンが消費された場合であっても、処理空間に供給されるオゾン含有ガスによって、基板に付着する硫酸含有液に接する雰囲気にオゾンが供給される。したがって、基板上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンの濃度を充分に高い状態に維持できる。したがって、基板上の硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を充分に発生させることができる。
この発明の他の実施形態では、前記ガス処理室が、それぞれが複数の前記供給孔によって構成される複数の供給孔列であって、所定の配列方向に並ぶ複数の供給孔列を有する。そして、前記搬送ユニットは、前記配列方向に配列されるように複数枚の前記基板を支持しながら、前記供給孔列同士の間に各前記基板が位置するように複数枚の前記基板を前記ガス処理室に搬入する。
この装置によれば、搬送ユニットが、供給孔列同士の間に各基板が位置するように処理空間に複数枚の基板を搬入する。そのため、各供給孔列から供給されるオゾン含有ガスを基板同士の間に供給することができる。したがって、各基板上の硫酸含有液に接する雰囲気に充分にオゾンを供給でき、各基板上の硫酸含有液にオゾンを充分に溶解させることができる。その結果、基板間での有機膜の除去むらを低減できる。
この発明の他の実施形態では、前記硫酸槽が、鉛直姿勢の複数枚の基板を硫酸含有液に浸漬可能である。前記処理空間が、水平姿勢の複数枚の基板を収容可能である。そして、前記搬送ユニットが、複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替える姿勢切替機構を含む。
この装置によれば、複数枚の基板を鉛直姿勢で硫酸含有液に浸漬できる。そのため、複数枚の基板をほぼ同じタイミングで硫酸含有液に浸漬させることができる。また、搬送ユニットの姿勢切替機構によって、複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更した後、ガス処理室に複数枚の基板を搬送すれば、水平姿勢の複数枚の基板をオゾン含有ガスに曝露させることができる。そのため、鉛直姿勢の基板に付着している硫酸含有液が自重によって下方に移動することに起因する基板上の各位置における硫酸含有液の厚みのむらを抑制できる。したがって、基板上の各位置における有機膜の除去むらを低減できる。
この発明の他の実施形態では、前記搬送ユニットが、複数枚の基板を支持するリフタを有する搬送ロボットを含む。前記姿勢切替機構が、前記リフタを変形させることによって、複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替える。
この装置によれば、硫酸槽内の硫酸含有液に鉛直姿勢の複数枚の基板を浸漬させた後、搬送ロボットのリフタを変形させて複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更することができる。そして、水平姿勢の複数枚の基板を、ガス処理室内でオゾン含有ガスに曝露させることができる。このように、単一のロボットを用いて、複数枚の基板の姿勢を変更させ、硫酸槽からガス処理室に複数枚の基板を搬送できる。ロボット間での基板の受け渡しを省略できるため、有機膜を基板から速やかに除去することができる。
この発明の他の実施形態では、前記処理空間が前記硫酸槽の直上に配置されている。そして、前記搬送ユニットが、複数枚の前記基板を支持しながら上下動することで、前記ガス処理室と前記硫酸槽との間で複数枚の前記基板を搬送する。
この装置によれば、搬送ユニットが、複数枚記基板を支持しながら上下動することで、ガス処理室と硫酸槽との間で複数枚の基板を搬送する。そのため、硫酸槽から複数枚の基板を引き上げるという一方向の移動によって、複数枚の基板を硫酸槽から処理空間へ移動させることができる。そのため、複数枚の基板に硫酸含有液を付着させた後、複数枚の基板をオゾン含有ガスに速やかに曝露させることができる。したがって、基板から有機膜を速やかに除去できる。
この発明の他の実施形態では、前記基板処理装置が、前記硫酸槽の内部および前記処理空間を仕切り前記硫酸槽を開閉する蓋部材をさらに含む。そのため、硫酸槽に貯留されている硫酸含有液にオゾン含有ガスが溶解することを抑制できる。したがって、次の複数枚の基板に対する処理において、処理空間へのオゾン含有ガスの供給が開始される前に基板から有機膜の除去されることを抑制できる。したがって、ペルオキソ二硫酸による処理の期間のばらつきを抑制できる。
この発明の他の実施形態では、前記搬送ユニットが、鉛直姿勢の複数枚の基板を前記硫酸槽に搬送する第１搬送ロボットと、水平姿勢の複数枚の基板を前記ガス処理室に搬送する第２搬送ロボットと、前記第１搬送ロボットおよび前記第２搬送ロボットの間で複数枚の基板を搬送する主搬送ロボットとを含む。前記姿勢切替機構が、前記主搬送ロボットによって搬送されている複数枚の前記基板の姿勢を水平姿勢および鉛直姿勢の間で切り替える。
この装置によれば、硫酸槽への複数枚の基板の搬送、ガス処理室への複数枚の基板の搬送、および複数枚の基板の姿勢変更が、それぞれ、異なるロボットによって行われる。そのため、各ロボットの構成の複雑化を抑制できる。
この発明の他の実施形態では、前記第２搬送ロボットが、水平姿勢の複数枚の基板を前記ガス処理室に搬送し、前記ガス処理室内で水平姿勢の複数枚の基板の中心部を通る鉛直軸線のまわりに、複数枚の前記基板を回転させる。
この装置によれば、ガス処理室内で複数枚の基板を回転させて、基板上から余分な硫酸含有液を除去することができる。基板の回転によって硫酸含有液を除去することで、基板上の各位置における硫酸含有液の厚みの均一性を向上させることができる。これにより、基板上の各位置における硫酸含有液中のオゾン濃度の均一性を高めることができる。その結果、基板上の各位置における有機膜の除去むらを低減できる。
この発明の他の実施形態では、複数枚の基板を加熱する加熱処理室をさらに含む。前記搬送ユニットが、水平姿勢の複数枚の基板を前記加熱処理室に搬送し、前記加熱処理室内で水平姿勢の複数枚の基板の中心部を通る鉛直軸線のまわりに、複数枚の前記基板を回転させる第３搬送ロボットをさらに含む。そして、前記主搬送ロボットが、前記硫酸槽、前記ガス処理室および前記加熱処理室の間で複数枚の基板を搬送する。
この装置によれば、加熱処理室内で複数枚の基板を回転させて、基板上から余分な硫酸含有液を除去することができる。基板の回転によって硫酸含有液を除去することで、基板上の各位置における硫酸含有液の厚みの均一性を向上させることができる。
基板からの余分な硫酸含有液の除去は加熱処理室で行われるため、硫酸含有液を除去しながら複数枚の基板を加熱することができる。加熱された複数枚の基板を、主搬送ロボット、および、第２搬送ロボットを介して、ガス処理室へ搬送すれば、余分な硫酸含有液が除去され、かつ、加熱された複数枚の基板をオゾン含有ガスに曝露させることができる。これにより、基板上の各位置における硫酸含有液中のオゾン濃度の均一性を高めつつ、ペルオキソ二硫酸の活性を高めることができる。その結果、基板上の各位置における有機膜の除去むらを一層低減できる。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置の要部の図解的な立面図である。 図３は、前記基板処理装置に備えられる副搬送ロボットの構成を説明するための断面図である。 図４は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図５は、前記基板処理装置によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。 図６Ａは、前記基板処理の実行中における前記基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図６Ｂは、前記基板処理の実行中における前記基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図６Ｃは、前記基板処理の実行中における前記基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図７は、リフタがガス処理位置に位置するときに、前記ガス処理室の処理空間から前記ガス処理室の側壁部を見た図である。 図８は、前記基板処理の別の例を説明するためのフローチャートである。 図９は、第１実施形態の第１変形例に係る基板処理装置の要部の立面図である。 図１０Ａは、基板処理の実行中における前記第１変形例に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１０Ｂは、前記基板処理の実行中における前記第１変形例に係る前記基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１０Ｃは、前記基板処理の実行中における前記第１変形例に係る前記基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１１は、第１実施形態の第２変形例に係る基板処理装置の要部の立面図である。 図１２Ａは、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる第１副搬送ロボットの模式図であり、リフタが鉛直姿勢で１バッチの基板を支持する状態を示している。 図１２Ｂは、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる第１副搬送ロボットの模式図であり、リフタが水平姿勢で１バッチの基板を支持する状態を示している。 図１３Ａは、基板処理の実行中における第２実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１３Ｂは、基板処理の実行中における第２実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１３Ｃは、基板処理の実行中における第２実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１４は、第２実施形態に係る基板処理において、リフタがガス処理位置に位置するときに、前記ガス処理室の処理空間から前記ガス処理室の側壁部を見た図である。 図１５は、第２実施形態の変形例に係る基板処理装置について説明するための模式図である。 図１６は、第３実施形態に係る基板処理装置の要部の立面図である。 図１７Ａは、第３実施形態に係る基板処理装置に備えられる主搬送ロボットの模式図である。 図１７Ｂは、図１７ＡのＸＶＩＩＢ－ＸＶＩＩＢ線に沿う断面図である。 図１８Ａは、基板処理の実行中における第３実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１８Ｂは、基板処理の実行中における第３実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１８Ｃは、基板処理の実行中における第３実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１８Ｄは、基板処理の実行中における第３実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１８Ｅは、基板処理の実行中における第３実施形態に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図１９は、第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置の要部の立面図である。 図２０Ａは、基板処理の実行中における第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図２０Ｂは、基板処理の実行中における第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置の様子を説明するための模式図である。 図２１は、第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。 図２２は、第３実施形態の第２変形例に係る基板処理装置の要部の立面図である。 図２３は、基板処理装置に備えられる枚葉式の処理ユニットの構成を説明するための模式図である。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
＜第１実施形態に係る基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。
基板処理装置１は、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式の装置である。基板処理装置１は、半導体ウェハなどの円板状の基板Ｗを収容するキャリアＣが搬送されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを処理流体で処理する複数の処理ユニット２と、ロードポートＬＰと複数の処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ユニット３と、基板処理装置１を制御するコントローラ４とを含む。
詳しくは後述するが、処理流体には、処理液および処理ガスが含まれる。処理液には、薬液、リンス液、硫酸含有液、親水化液等が含まれる。処理ガスには、オゾン含有ガス、置換ガス、加熱ガス等が含まれる。
複数の処理ユニット２は、複数枚の基板Ｗを処理液で処理する複数のバッチ式の液処理ユニットと、複数枚の基板Ｗを処理ガスで処理するバッチ式のガス処理ユニットとを含む。
複数の液処理ユニットは、複数枚の基板Ｗを硫酸含有液で処理する硫酸処理ユニット５と、複数枚の基板Ｗをリンス液でリンスする第１リンス処理ユニット７と、複数枚の基板Ｗを薬液で処理する薬液処理ユニット８と、複数枚の基板Ｗをリンス液でリンスする第２リンス処理ユニット９とを含む。ガス処理ユニットは、複数枚の基板Ｗをオゾン含有ガス処で処理するオゾンガス処理ユニット６である。
硫酸含有液は、たとえば、硫酸水溶液である。硫酸水溶液には、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と水（Ｈ２Ｏ）とが含有されている。硫酸水溶液は、たとえば、希硫酸、または、濃硫酸である。硫酸含有液には、硫酸および水以外の物質が含有されていてもよい。硫酸含有液は、硫酸と、ＤＩＷ（脱イオン水）等の水とを混合することによって形成されてもよい。
オゾン含有ガスは、オゾンガスであってもよいし、オゾンガスとオゾンガス以外のガスとの混合ガスであってもよい。オゾンガス以外のガスは、たとえば、不活性ガスである。オゾン含有ガスに含有される不活性ガスは、たとえば、窒素ガス、希ガス、または、これらの混合ガスであってもよい。希ガスは、たとえば、アルゴンガスである。置換ガスは、たとえば、不活性ガス、空気またはこれらの混合ガスである。
リンス液は、ＤＩＷに限られず、ＤＩＷ、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）の塩酸水、希釈濃度（たとえば、１ｐｐｍ以上で、かつ、１００ｐｐｍ以下）のアンモニア水、または、還元水（水素水）であってもよい。第１リンス処理ユニット７で用いられるリンス液および第２リンス処理ユニット９リンス液は、互いに異なっていてもよい。
薬液は、たとえば、アンモニア過酸化水素混合液（ＡＰＭ液：Ammonium Hydrogen-peroxide mixture）、フッ酸等である。
基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは、たとえば、主面からレジスト等の有機膜が露出する基板である。
搬送ユニット３は、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間でキャリアＣを搬送し、複数のキャリアＣを収容するキャリア搬送装置１５と、キャリア搬送装置１５に保持されているキャリアＣに対して複数枚の基板Ｗの搬入および搬出を行い、水平姿勢および鉛直姿勢の間で基板Ｗの姿勢を切り替える姿勢切替ロボット１６とを含む。
「複数枚の基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢と水平姿勢との間で切り替える」とは、各基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に切り替えることができ、かつ、各基板Ｗの姿勢を水平姿勢から鉛直姿勢に切り替えることができることを意味する。
水平姿勢とは、基板Ｗの主面が水平面となる姿勢である。鉛直姿勢とは、基板Ｗの主面が鉛直面となる姿勢である。鉛直姿勢は、起立姿勢ともいう。
姿勢切替ロボット１６は、複数のキャリアＣから取り出した複数枚（たとえば５０枚）の基板Ｗで１つのバッチを形成するバッチ組み動作と、１つのバッチに含まれる複数枚の基板Ｗを複数のキャリアＣに収容するバッチ解除動作とを行う。
搬送ユニット３は、姿勢切替ロボット１６と複数の処理ユニット２との間で１バッチの基板Ｗを搬送する主搬送ロボット１７と、主搬送ロボット１７と複数の処理ユニット２との間で１バッチの基板Ｗを搬送する複数の副搬送ロボット１８とをさらに含む。
複数の副搬送ロボット１８は、硫酸処理ユニット５、オゾンガス処理ユニット６および第１リンス処理ユニット７の間で１バッチの基板Ｗを搬送する第１副搬送ロボット１８Ａと、薬液処理ユニット８、および、第２リンス処理ユニット９との間で複数枚の基板Ｗを搬送する第２副搬送ロボット１８Ｂとを含む。
主搬送ロボット１７は、１バッチの基板Ｗを姿勢切替ロボット１６から受け取る。主搬送ロボット１７は、姿勢切替ロボット１６から受け取った１バッチの基板Ｗを第１副搬送ロボット１８Ａおよび第２副搬送ロボット１８Ｂに渡し、第１副搬送ロボット１８Ａおよび第２副搬送ロボット１８Ｂに支持されている１バッチの基板Ｗを受け取る。
複数の処理ユニット２は、複数枚の基板Ｗを乾燥させる乾燥処理ユニット１０と、主搬送ロボット１７を洗浄する洗浄処理ユニット１１とをさらに含む。主搬送ロボット１７は、さらに、１バッチの基板Ｗを乾燥処理ユニット１０に搬送可能である。
第１副搬送ロボット１８Ａは、主搬送ロボット１７から受け取った１バッチの基板Ｗを硫酸処理ユニット５、オゾンガス処理ユニット６、および、第１リンス処理ユニット７の間で搬送する。同様に、第２副搬送ロボット１８Ｂは、主搬送ロボット１７から受け取った１バッチの基板Ｗを薬液処理ユニット８と第２リンス処理ユニット９との間で搬送する。
図２は、基板処理装置１の要部の図解的な立面図である。
硫酸処理ユニット５は、１バッチの基板Ｗが浸漬される硫酸含有液を貯留する硫酸槽２０と、硫酸槽２０を収容する硫酸処理チャンバ２１とを含む。硫酸槽２０は、上向きに開放されており、硫酸処理チャンバ２１は、開閉可能な上端部２１ａを有する。
第１リンス処理ユニット７は、１バッチの基板Ｗが浸漬されるリンス液を貯留するリンス液槽３０と、リンス液槽３０を収容するリンス処理チャンバ３１とを含む。リンス液槽３０は、上向きに開放されており、リンス処理チャンバ３１は、開閉可能な上端部３１ａを有する。
オゾンガス処理ユニット６は、１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露させるガス処理室４０を含む。ガス処理室４０は、１バッチの基板Ｗを収容可能な処理空間４０ａを有し、処理空間４０ａに収容されている１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露させる。
オゾンガス処理ユニット６は、ガス処理室４０にオゾン含有ガスを供給するオゾン供給流路４１と、オゾン供給流路４１を開閉するオゾンガスバルブ４２と、ガス処理室４０に置換ガスを供給する置換ガス供給流路４３と、置換ガス供給流路４３を開閉する置換ガスバルブ４４と、ガス処理室４０内の雰囲気を排出する排気流路４５と、排気流路４５を開閉する排気バルブ４６とを含む。
図示はしないが、オゾンガスバルブ４２は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他のバルブについても同様の構成を有している。
オゾン供給流路４１は、たとえば、配管によって構成されている。置換ガス供給流路４３は、たとえば、配管によって構成されている。排気流路４５は、たとえば、配管によって構成されている。
オゾンガス処理ユニット６は、オゾン供給流路４１内のオゾン含有ガスを加熱するオゾン流路ヒータ４７を含む。オゾンガス処理ユニット６は、ガス処理室４０を加熱するオゾン処理室ヒータ（図示せず）を含んでいてもよい。オゾン流路ヒータ４７およびオゾン処理室ヒータは、オゾン供給流路４１内のオゾ含有ガスおよびガス処理室４０内のオゾン含有ガスの少なくとも一方を加熱するオゾン加熱ユニットの一例である。
ガス処理室４０は、処理空間４０ａを区画する壁部４８を有する。壁部４８は、開閉可能な上壁部４８ｕと、底壁部４８ｂと、上壁部４８ｕおよび底壁部４８ｂを連結する側壁部４８ｓとを有する。上壁部４８ｕは、開閉可能である。側壁部４８ｓは、平面視で、多角形状または円弧形状である。
ガス処理室４０は、側壁部４８ｓで開口し、オゾン供給流路４１から供給されるオゾン含有ガスを処理空間４０ａに供給する複数の供給孔４９Ａと、側壁部４８ｓで開口し、処理空間４０ａ内の雰囲気を排出する複数の排気孔４９Ｂとを有する。複数の供給孔４９Ａは、側壁部４８ｓにおいて、複数の排気孔４９Ｂと対向する位置に設けられている。複数の供給孔４９Ａは、置換ガス供給流路４３から供給される置換ガスを処理空間４０ａに供給することもできる。供給孔４９Ａは、排気孔４９Ｂと同数設けられている。供給孔４９Ａおよび排気孔４９Ｂは、たとえば、いずれも、円形孔である（後述する図７を参照）。
第１副搬送ロボット１８Ａは、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを搬送する。第１副搬送ロボット１８Ａは、１バッチの基板Ｗを硫酸処理ユニット５の硫酸槽２０に搬送して、硫酸槽２０内の硫酸含有液に１バッチの基板Ｗを鉛直姿勢で浸漬させることができる。第１副搬送ロボット１８Ａは、１バッチの基板Ｗをオゾンガス処理ユニット６のガス処理室４０に搬送して、ガス処理室４０の処理空間４０ａに１バッチの基板Ｗを鉛直姿勢で配置することができる。第１副搬送ロボット１８Ａは、第１リンス処理ユニット７のリンス液槽３０に１バッチの基板Ｗを搬送して、リンス液槽３０内のリンス液に１バッチの基板Ｗを鉛直姿勢で浸漬させることができる。
＜第１副搬送ロボットの構成＞
図３は、基板処理装置１に備えられる第１副搬送ロボット１８Ａの構成を説明するための断面図である。
第１副搬送ロボット１８Ａは、１バッチの基板Ｗを支持するリフタ５０と、リフタ５０を昇降させる昇降機構５１と、リフタ５０を水平移動（スライド）させるスライド機構５２とを含む。
昇降機構５１は、リフタ５０を昇降させる駆動力を発生させる昇降アクチュエータ（図示せず）を含む。昇降アクチュエータは、たとえば、電動モータまたはエアシリンダである。昇降機構５１は、昇降アクチュエータの駆動力をリフタ５０に伝達する動力伝達機構（図示せず）を含んでいてもよい。動力変換機構は、たとえば、ボールねじ機構、および、ラックアンドピニオン機構の少なくとも一つを含む。
スライド機構５２は、リフタ５０を水平方向に移動させる駆動力を発生させるスライドアクチュエータ（図示せず）を含む。スライドアクチュエータは、たとえば、電動モータまたはエアシリンダである。スライド機構５２は、スライドアクチュエータの駆動力をリフタ５０に伝達する動力伝達機構(図示せず)を含んでいてもよい。
リフタ５０は、特に限定されるものではないが、たとえば、以下のような構成を有する。リフタ５０は、１バッチの基板Ｗを下方から支持する複数（たとえば、３つ）の支持部５３（図２も参照）と、複数の支持部５３の一端に連結される連結部５４とを含む。
各支持部５３は、基板Ｗと同数の支持溝５５を有している。図３には、３つの支持部５３の内の中央の支持部５３の支持溝５５のみが図示されている。各支持部５３において、複数の支持溝５５は、１バッチの基板Ｗの配列方向（水平方向）に沿って等間隔で設けられている。各基板Ｗの周縁部は、配列方向において同じ位置に位置する複数の支持溝５５に収容される。そのため、リフタ５０は、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢に維持しながら１バッチの基板Ｗを昇降させることができる。
図２を参照して、第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、ガス処理室４０、硫酸処理チャンバ２１およびリンス処理チャンバ３１よりも上方で水平方向に移動できる。第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、スライド機構５２によって、硫酸処理チャンバ２１の真上に位置する第１上位置と、ガス処理室４０の真上に位置する第２上位置と、リンス処理チャンバ３１の真上に位置する第３上位置との間で水平移動することができる。
第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、昇降機構５１によって、１バッチの基板Ｗが硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬される硫酸処理位置と、第１上位置との間で昇降可能である。第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、昇降機構５１によって、１バッチの基板Ｗが処理空間４０ａに収容されるガス処理位置と、第２上位置との間で昇降可能である。第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、昇降機構５１によって、１バッチの基板Ｗがリンス液槽３０内のリンス液に浸漬されるリンス処理位置と、第３上位置との間で昇降可能である。
硫酸処理位置は、鉛直姿勢の基板Ｗの上端部が硫酸槽２０内の硫酸含有液の液面よりも下方に位置する位置である。リンス処理位置は、鉛直姿勢の基板Ｗの上端部がリンス液槽３０内のリンス液の液面よりも下方に位置する位置である。
＜基板処理装置の電気的構成＞
図４は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
コントローラ４は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、コントローラ４は、プロセッサ（ＣＰＵ）４Ａと、プログラムが格納されたメモリ４Ｂとを含み、プロセッサ４Ａがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御処理を実行するように構成されている。
特に、コントローラ４は、キャリア搬送装置１５、姿勢切替ロボット１６、主搬送ロボット１７、および、複数の副搬送ロボット１８、複数の処理ユニット２等の動作を制御する。各処理ユニット２備えられているバルブおよびヒータがコントローラ４によって制御される。
＜基板処理の一例＞
図５は、基板処理装置１によって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。図６Ａ～図６Ｃは、基板処理の実行中における基板処理装置１の様子を説明するための模式図である。
基板処理装置１による基板処理では、たとえば、図５に示すように、硫酸浸漬工程（ステップＳ１）、オゾン曝露工程（ステップＳ２）、リンス工程（ステップＳ３）、および、乾燥工程（ステップＳ４）が実行される。以下では、図１、図２および図５を主に参照し、基板処理の詳細について説明する。図６Ａ～図６Ｃについては適宜参照する。
主搬送ロボット１７は、複数枚の基板Ｗからなる１バッチの基板Ｗを姿勢切替ロボット１６から受け取る。主搬送ロボット１７は、姿勢切替ロボット１６から受け取った１バッチの基板Ｗを第１副搬送ロボット１８Ａに渡す。１バッチの基板Ｗは、第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０によって支持される。
第１副搬送ロボット１８Ａが１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７から受け取った後、リフタ５０が第１上位置へ移動する（図６Ａに二点鎖線で示す位置）。リフタ５０は、第１上位置に位置するときに、主搬送ロボット１７から１バッチの基板Ｗを受け取ってもよい。
リフタ５０は、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを支持する状態で、第１上位置（図６Ａに二点鎖線で示す位置）から硫酸処理位置（図６Ａに実線で示す位置）へ向けて下降する。これにより、図６Ａに示すように、１バッチの基板Ｗが、鉛直姿勢で、硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬される（硫酸浸漬工程：ステップＳ１）。
その後、リフタ５０が第１上位置へ向けて上昇することで、硫酸槽２０内の硫酸含有液から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０は、第１上位置を経由して第２上位置（図６Ｂに二点鎖線で示す位置）へ移動する。そして、リフタ５０は、第２上位置からガス処理位置（図６Ｂに実線で示す位置）に下降する。このように、１バッチの基板Ｗを硫酸槽２０から取り出し、ガス処理室４０に搬送する第１搬送工程（搬送工程）が実行される。
リフタ５０がガス処理位置に位置する状態で、オゾンガスバルブ４２および排気バルブ４６が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａ内の雰囲気が排出され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが供給される。オゾン含有ガスが処理空間４０ａに供給されることによって、硫酸含有液が付着している１バッチの基板Ｗが、オゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程：ステップＳ２、鉛直曝露工程）。
硫酸含有液が付着している基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露されることで、硫酸含有液にオゾン含有ガス中のオゾンが溶解して、硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸が発生する。ペルオキソ二硫酸によって基板Ｗから露出する有機膜を硫酸含有液に溶解させることができる。有機膜は、硫酸含有液に完全には溶解されずに、基板Ｗの上面から剥離される場合もある。
処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給によって、処理空間４０ａ内の雰囲気がオゾン含有ガスに置換され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していることが好ましい（オゾン含有ガス充満工程）。処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していれば、硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を速やかかつ充分に発生させることができる。
オゾン含有ガスの温度は、たとえば、５０℃以上２７０℃以下の範囲であることが好ましい。オゾン含有ガスの温度は、５０℃以上２７０℃以下の範囲であることが好ましく、８０℃以上１７０℃以下の範囲であることが一層好ましい。そうすることにより、ペルオキソ二硫酸の活性を高め、有機膜を速やかに除去することができる。
図７に示すように、ガス処理室４０において、それぞれが複数の供給孔４９Ａによって構成される複数の供給孔列４９ＡＬが第１配列方向Ｄ１（水平方向）に並んでいる。リフタ５０に支持されている１バッチの基板Ｗは、水平方向に配列されている。１バッチの基板Ｗの配列ピッチＰ１は、複数の供給孔列４９ＡＬの配列ピッチＰ２と一致している。リフタ５０が鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している状態でガス処理位置に位置するとき、供給孔列４９ＡＬ同士の間に基板Ｗが位置する。
図７には、説明の便宜上、供給孔の符号「４９Ａ」および排気孔の符号「４９Ｂ」を併記している。ガス処理室４０において、それぞれが複数の排気孔４９Ｂによって構成される複数の排気孔列４９ＢＬも、複数の供給孔列４９ＡＬと同じ配列ピッチＰ２で第１配列方向Ｄ１（水平方向）に並んでいる。リフタ５０が水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している状態でガス処理位置に位置するとき、排気孔列４９ＢＬ同士の間に基板Ｗが位置する。
その後、リフタ５０が第２上位置へ向けて上昇することで、ガス処理室４０から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０は、第２上位置を経由して第３上位置（図６Ｃに二点鎖線で示す位置）に移動する。そして、リフタ５０は、第３上位置からリンス処理位置（図６Ｃに実線で示す位置）へ向けて下降する。これにより、図６Ｃに示すように、１バッチの基板Ｗが、リンス液槽３０内のリンス液に浸漬される（リンス工程：ステップＳ３）。このように、１バッチの基板Ｗをガス処理室４０から取り出し、リンス液槽３０に搬送する第２搬送工程が実行される。
１バッチの基板Ｗがリンス液槽３０内のリンス液に浸漬されることによって、１バッチの基板Ｗがリンスされる。詳しくは、有機膜が溶解されている硫酸含有液と、基板Ｗから剥離された有機膜とが基板Ｗから除去される。
１バッチの基板Ｗがガス処理室４０から取り出された後、オゾンガスバルブ４２が閉じられ、代わりに、置換ガスバルブ４４が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａに置換ガスが供給され、処理空間４０ａ内の雰囲気が置換ガスによって置換される。これにより、処理空間４０ａからオゾン含有ガスが排除される（オゾン排除工程）。
その後、リフタ５０が第３上位置へ向けて上昇する。これにより、リンス液槽３０内のリンス液から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０が第３上位置に配置されている状態で、第１副搬送ロボット１８Ａは、１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７に渡す。主搬送ロボット１７は、第１副搬送ロボット１８Ａから受け取った１バッチの基板Ｗを乾燥処理ユニット１０に搬送する。
乾燥処理ユニット１０では、１バッチの基板Ｗを減圧乾燥等の手法によって乾燥される（乾燥工程：ステップＳ４）。その後、主搬送ロボット１７は、１バッチの基板Ｗを姿勢切替ロボット１６に渡す。姿勢切替ロボット１６は、主搬送ロボット１７から受け取った１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更し、その後、１バッチの基板Ｗをキャリア搬送装置１５に保持されている複数のキャリアＣに収容する。この一連の動作が繰り返されることにより、基板処理装置１に搬送された複数枚の基板Ｗが処理される。
第１実施形態によれば、１バッチの基板Ｗを鉛直姿勢で硫酸含有液に浸漬できる。そのため、複数枚の基板Ｗをほぼ同じタイミングで硫酸含有液に浸漬させることができる。硫酸含有液に一度に浸漬された１バッチの基板Ｗを、オゾンガス処理ユニット６によってオゾン含有ガスに曝露させる。これにより、硫酸含有液から取り出された１バッチの基板Ｗに付着する硫酸含有液にオゾン含有ガス中のオゾンを溶解させて硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。その結果、１バッチの基板Ｗの主面から有機膜を速やかかつ充分に除去することができる。
また第１実施形態によれば、硫酸槽２０から取り出された１バッチの基板Ｗがガス処理室４０の処理空間４０ａに配置される。そのため、１バッチの基板Ｗをほぼ同時にオゾン含有ガスに曝露させることができる。したがって、１バッチの基板Ｗの主面から有機膜を一層速やかかつ充分に除去することができる。
第１実施形態によれば、複数の供給孔４９Ａから処理空間４０ａにオゾン含有ガスを供給し、複数の排気孔４９Ｂを介して処理空間４０ａを排気することで、１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露させることができる。そのため、基板Ｗ上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンが硫酸含有液に溶解することで当該雰囲気中のオゾンが消費された場合であっても、処理空間４０ａに供給されるオゾン含有ガスによって、基板Ｗに付着する硫酸含有液に接する雰囲気にオゾンが供給される。したがって、基板Ｗ上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンの濃度を充分に高い状態に維持できる。したがって、基板Ｗ上の硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。
ガス処理室４０において、複数の供給孔列４９ＡＬが、第１配列方向Ｄ１に並んでいる。１バッチの基板Ｗは、第１配列方向Ｄ１に並ぶようにリフタ５０に支持される。１バッチの基板Ｗは、供給孔列４９ＡＬ同士の間に各基板Ｗが位置するように処理空間４０ａに配置される。そのため、各供給孔列４９ＡＬからのオゾン含有ガスを基板Ｗ同士の間に供給することができる。そのため、各基板Ｗ上の硫酸含有液に接する雰囲気に充分にオゾンを供給でき、各基板Ｗ上の硫酸含有液にオゾンを充分に溶解させることができる。その結果、基板Ｗ間での有機膜の除去むらを低減できる。
硫酸浸漬工程（ステップＳ１）の前に、ガス処理室４０に１バッチの基板Ｗを搬入し、１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露させれば、１バッチの基板Ｗを親水化することができる。すなわち、図８に示す基板処理のように、硫酸浸漬工程（ステップＳ１）の前に親水化工程（ステップＳ５）を実行してもよい。この基板処理では、１バッチの基板Ｗは、硫酸含有液に浸漬される前後において、オゾン含有ガスに曝露される。図８に示す基板処理を実行することで、１バッチの基板Ｗが硫酸含有液に浸漬される前に親水化される。
そのため、基板Ｗの濡れ性が向上し、硫酸含有液が基板Ｗに付着し易くなる。そのため、基板Ｗの主面の全体に硫酸含有液を薄く広げることができる。そのため、オゾン曝露工程において、オゾンを基板Ｗの主面に到達させ易くすることができ、基板Ｗの主面から有機膜を速やかかつ充分に除去することができる。
＜第１実施形態の第１変形例＞
次に、基板処理装置１の第１変形例について説明する。
図９は、第１実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１の要部の立面図である。
第１変形例では、硫酸処理チャンバ２１が設けられておらず、ガス処理室４０内に硫酸槽２０が配置されている。ガス処理室４０の処理空間４０ａが硫酸槽２０の直上に配置されている。
第１副搬送ロボット１８Ａは、複数枚の基板Ｗを支持しながら上下動することで、ガス処理室４０と硫酸槽２０との間で複数枚の基板Ｗを搬送する。硫酸処理ユニット５は、硫酸処理チャンバ２１を有しておらず、硫酸槽２０の内部および処理空間４０ａを仕切り、硫酸槽２０を開閉する蓋部材２２を含む。第１変形例では、処理空間４０ａは、側壁部４８ｓ、上壁部４８ｕおよび蓋部材２２によって区画されている。蓋部材２２は、モータ等の蓋駆動機構（図示せず）によって駆動されて硫酸槽２０を開閉する。
第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、ガス処理室４０、および、リンス処理チャンバ３１よりも上方で水平移動できる。リフタ５０は、スライド機構５２によって、ガス処理室４０の真上に位置する第２上位置と、リンス処理チャンバ３１の真上に位置する第３上位置とに水平移動することができる。リフタ５０は、昇降機構５１によって、硫酸処理位置、ガス処理位置、および、第２上位置の間で昇降可能である。リフタ５０は、昇降機構５１によって、リンス処理位置および第３上位置の間で昇降可能である。
図１０Ａ～図１０Ｃは、基板処理の実行中における第１変形例に係る基板処理装置１の様子を説明するための模式図である。
第１変形例に係る基板処理装置１によれば、図５に示す基板処理を実行することができる。以下では、第１変形例に係る基板処理装置１による基板処理が図６Ａ～図６Ｃに示す基板処理と異なる点を中心に説明する。
第１変形例に係る基板処理では、リフタ５０は、１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７から受け取った後、第２上位置に移動する（図１０Ａに二点鎖線で示す位置）。リフタ５０は、１バッチの基板Ｗを支持する状態で、硫酸処理位置（図１０Ａに実線で示す位置）へ向けて下降する。これにより、図１０Ａに示すように、１バッチの基板Ｗが、硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬される（硫酸浸漬工程：図５に示すステップＳ１）。リフタ５０が硫酸槽２０に進入する前に蓋部材２２が開かれる。
その後、リフタ５０が上昇することで、硫酸槽２０内の硫酸含有液から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０は、硫酸処理位置（図１０Ｂに二点鎖線で示す位置）から上昇してガス処理位置（図１０Ｂに実線で示す位置）に移動する。このように、１バッチの基板Ｗを硫酸槽２０から引き上げることにより１バッチの基板Ｗが処理空間４０ａに配置される（第１搬送工程）。リフタ５０が硫酸槽２０から退避した後、蓋部材２２が閉じられる。
リフタ５０がガス処理位置に位置する状態で、オゾンガスバルブ４２および排気バルブ４６が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａ内の雰囲気が排出され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが供給される。そのため、オゾン含有ガスが処理空間４０ａに供給されることによって、硫酸含有液が付着している１バッチの基板Ｗが、オゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程：図５に示すステップＳ２）。
硫酸含有液が付着している基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露されることで、基板Ｗに付着する硫酸含有液にオゾン含有ガス中のオゾンが溶解する。これにより、１バッチの基板Ｗに付着する硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。ペルオキソ二硫酸によって基板Ｗから露出する有機膜を硫酸含有液に溶解させることができる。有機膜は、硫酸含有液に完全には溶解されずに、基板Ｗの上面から剥離される場合もある。
処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給によって、処理空間４０ａ内の雰囲気がオゾン含有ガスに置換され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していることが好ましい（オゾン含有ガス充満工程）。第１変形例においても、リフタ５０がガス処理位置に位置するとき、供給孔列４９ＡＬ同士の間に基板Ｗが位置する（図７を参照）。
その後、リフタ５０が第２上位置へ向けて上昇することで、ガス処理室４０から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０は、第２上位置を経由して第３上位置（図１０Ｃに二点鎖線で示す位置）へ移動する。そして、リフタ５０は、第３上位置からリンス処理位置（図１０Ｃに実線で示す位置）へ向けて下降する。これにより、図１０Ｃに示すように、１バッチの基板Ｗが、リンス液槽３０内のリンス液に浸漬される（リンス工程：図５に示すステップＳ３）。このように、１バッチの基板Ｗをガス処理室４０から取り出し、リンス液槽３０に搬送する第２搬送工程が実行される。
１バッチの基板Ｗがリンス液槽３０内のリンス液に浸漬されることによって、１バッチの基板Ｗがリンスされる。詳しくは、有機膜が溶解されている硫酸含有液と、基板Ｗから剥離された有機膜とが基板Ｗから除去される。
１バッチの基板Ｗがガス処理室４０から取り出された後、オゾンガスバルブ４２が閉じられ、代わりに、置換ガスバルブ４４が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａに置換ガスが供給され、処理空間４０ａ内の雰囲気が置換ガスによって置換される。これにより、処理空間４０ａからオゾン含有ガスが排除される。
その後、図６Ａ～図６Ｃに示す基板処理と同様に乾燥工程（ステップＳ４）が実行される。
第１実施形態の第１変形例によれば、硫酸槽２０から１バッチの基板Ｗを引き上げるという一方向の移動によって、１バッチの基板Ｗを硫酸槽２０から処理空間４０ａへ移動させることができる。そのため、１バッチの基板Ｗに硫酸含有液を付着させた後、１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに速やかに曝露させることができる。したがって、１バッチの基板Ｗの主面から有機膜を速やかに除去できる。
硫酸槽２０を開閉する蓋部材２２によって、硫酸槽２０の内部および処理空間４０ａが仕切られている。そのため、硫酸槽２０に貯留されている硫酸含有液にオゾン含有ガスが溶解することを抑制できる。したがって、次の１バッチの基板Ｗに対する基板処理において、処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給が開始される前に基板Ｗから有機膜が除去されることを抑制できる。したがって、バッチ毎のペルオキソ二硫酸による処理の期間のばらつきを抑制できる。
＜第１実施形態の第２変形例＞
次に、基板処理装置１の第２変形例について説明する。
図１１は、第１実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１の要部の立面図である。
第２変形例では、基板処理装置１が、１バッチの基板Ｗを親水化液で処理する親水処理ユニット１２をさらに含む。親水化液は、たとえば、オゾン水である。
親水処理ユニット１２は、１バッチの基板Ｗが浸漬される親水化液を貯留する親水化液槽６０と、親水化液槽６０を収容する親水処理チャンバ６１とを含む。親水化液槽６０は、上向きに開放されており、親水処理チャンバ６１は、開閉可能な上端部６１ａを有する。
第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、ガス処理室４０、硫酸処理チャンバ２１、リンス処理チャンバ３１および親水処理チャンバ６１よりも上方で水平方向に移動できる。リフタ５０は、スライド機構５２によって、第１上位置、第２上位置、および、第３上位置に加えて、親水処理チャンバ６１の真上に位置する第４上位置に移動することができる。
第２変形例に係る基板処理装置１によれば、図５に示す基板処理を実行することができる。第２変形例に係る基板処理装置１によれば、図８に示す基板処理を実行することもできる。
図８に示す基板処理を実行する場合、第１副搬送ロボット１８Ａが１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７から受け取った後、リフタ５０は、第４上位置に移動する。リフタ５０は、１バッチの基板Ｗを支持する状態で、親水処理位置へ向けて下降する。これにより、１バッチの基板Ｗが、親水化液槽６０内の親水化液に浸漬され、１バッチの基板Ｗが浸漬される（親水化工程：ステップＳ５）。
その後、１バッチの基板Ｗが親水化液槽６０から取り出され、図６Ａ～図６Ｃに示す基板処理と同様に、硫酸浸漬工程（ステップＳ１）～乾燥工程（ステップＳ４）が実行される。
第１実施形態の第２変形例によれば、１バッチの基板Ｗを硫酸含有液に浸漬する前に親水化することができる。そのため、基板Ｗの濡れ性が向上し、硫酸含有液が基板Ｗに付着し易くなる。そのため、基板Ｗの主面の全体に硫酸含有液を薄く広げることができる。そのため、オゾン曝露工程において、オゾンを基板Ｗの主面に到達させ易くすることができ、基板から有機膜を速やかかつ充分に除去することができる。
＜第２実施形態に係る基板処理装置の構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成について説明する。図１２Ａおよび図１２Ｂは、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａに備えられる第１副搬送ロボット１８Ａの模式図である。図１２Ａおよび図１２Ｂにおいて、前述の図１～図１１に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１３Ａ～図１５についても同様である。
第２実施形態に係る基板処理装置１Ａが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０が、変形することによって、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替えることができる点である。
第２実施形態に係る第１副搬送ロボット１８Ａのリフタ５０は、１バッチの基板Ｗの周縁を挟んで支持する挟持部５６と、挟持部５６を回転させる回転支持軸５７と、回転支持軸５７を介して挟持部５６に連結され昇降機構５１およびスライド機構５２の動力が伝達される連結部５８とを含む。
第１副搬送ロボット１８Ａは、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替える姿勢切替機構７０を含む。姿勢切替機構７０は、回転支持軸５７のまわりに挟持部５６を回転させることで、リフタ５０を変形させる。図１２Ａは、リフタ５０が鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している第１支持状態を示しており、図１２Ｂは、リフタ５０が水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している第２支持状態を示している。
姿勢切替機構７０は、たとえば、回転支持軸５７をその中心軸線Ａ１のまわりに回転させる電動モータ等のアクチュエータを含む。
＜第２実施形態に係る基板処理の一例＞
図１３Ａ～図１３Ｃは、基板処理の実行中における第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの様子を説明するための模式図である。
第２実施形態に係る基板処理装置１Ａによれば、図５に示す基板処理を実行することができる。以下では、基板処理装置１Ａによる基板処理が図６Ａ～図６Ｃに示す基板処理と異なる点を中心に説明する。
第１副搬送ロボット１８Ａが１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７から受け取った後、リフタ５０は、第１上位置へ移動する（図１３Ａに二点鎖線で示す位置）。第１副搬送ロボット１８Ａは、リフタ５０が第１上位置に位置するときに、主搬送ロボット１７から１バッチの基板Ｗを受け取ってもよい。
リフタ５０は、第１支持状態で、第１上位置から硫酸処理位置（図１３Ａに実線で示す位置）へ向けて下降する。これにより、図１３Ａに示すように、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗが、鉛直姿勢で、硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬される（硫酸浸漬工程：図５に示すステップＳ１）。
その後、リフタ５０が第１上位置へ向けて上昇することで、硫酸槽２０内の硫酸含有液から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０は、第１上位置を介して、第２上位置（図１３Ｂに二点鎖線で示す位置）に移動する。そして、姿勢切替機構７０が、リフタ５０の状態を、第１支持状態から第２支持状態に変化させる。これにより、１バッチの基板Ｗの姿勢が、鉛直姿勢から水平姿勢に変更される（第１姿勢変更工程）。
そして、リフタ５０は、第２上位置からガス処理位置（図１３Ｂに実線で示す位置）に向けて下降し、ガス処理位置に配置される。リフタ５０がガス処理位置に位置する状態で、オゾンガスバルブ４２および排気バルブ４６が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａ内の雰囲気が排出され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが供給される。オゾン含有ガスが処理空間４０ａに供給されることによって、硫酸含有液が付着している水平姿勢の１バッチの基板Ｗが、オゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程：図５に示すステップＳ２、水平曝露工程）。
なお、第１姿勢変更工程は、リフタ５０がガス処理位置に配置された後で、処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給が開始される前に、実行されてもよい。
処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給によって、処理空間４０ａ内の雰囲気がオゾン含有ガスに置換され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していることが好ましい（オゾン含有ガス充満工程）。処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していれば、硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を速やかかつ充分に発生させることができる。
図１４に示すように、ガス処理室４０において、それぞれが複数の供給孔４９Ａによって構成される複数の供給孔列４９ＡＬが第２配列方向Ｄ２（鉛直方向）に並んでいる。リフタ５０に支持されている１バッチの基板Ｗは、鉛直方向に配列されている。リフタ５０が水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している状態でガス処理位置に位置するとき、供給孔列４９ＡＬ同士の間に基板Ｗが位置する。
図１４には、説明の便宜上、供給孔の符号「４９Ａ」および排気孔の符号「４９Ｂ」を併記している。ガス処理室４０において、それぞれが複数の排気孔４９Ｂによって構成される複数の排気孔列４９ＢＬも第２配列方向Ｄ２（鉛直方向）に並んでいる。リフタ５０が水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している状態でガス処理位置に位置するとき、排気孔列４９ＢＬ同士の間に基板Ｗが位置する。
その後、リフタ５０が第２上位置へ向けて上昇することで、ガス処理室４０から１バッチの基板Ｗが取り出される。リフタ５０は、第２上位置を経由して、第３上位置（図１３Ｃに二点鎖線で示す位置）へ移動する。そして、姿勢切替機構７０が、リフタ５０の状態を、第２支持状態から第１支持状態に変化させる。これにより、１バッチの基板Ｗの姿勢が、水平姿勢から鉛直姿勢に変更される（第２姿勢変更工程）。
そして、リフタ５０は、第３上位置からリンス処理位置（図１３Ｃに実線で示す位置）へ向けて下降する。これにより、図１３Ｃに示すように、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗが、リンス液槽３０内のリンス液に浸漬される（リンス工程：ステップＳ３）。このように、１バッチの基板Ｗをガス処理室４０から取り出し、リンス液槽３０に搬送する第２搬送工程が実行される。
１バッチの基板Ｗがリンス液槽３０内のリンス液に浸漬されることによって、１バッチの基板Ｗがリンスされる。詳しくは、有機膜が溶解されている硫酸含有液と、基板Ｗから剥離された有機膜とが基板Ｗから除去される。
１バッチの基板Ｗがガス処理室４０から取り出された後、オゾンガスバルブ４２が閉じられ、代わりに、置換ガスバルブ４４が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａに置換ガスが供給され、処理空間４０ａ内の雰囲気が置換ガスによって置換される。これにより、処理空間４０ａからオゾン含有ガスが排除される（オゾン排除工程）。
その後、第１副搬送ロボット１８Ａは、１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７に渡す。主搬送ロボット１７は、第１副搬送ロボット１８Ａから受け取った１バッチの基板Ｗを乾燥処理ユニット１０に搬送する。その後、１バッチの基板Ｗは、乾燥され、最終的に複数のキャリアＣに収容される。
第２実施形態によれば、１バッチの基板Ｗを鉛直姿勢で硫酸含有液に浸漬できる。そのため、１バッチの基板Ｗをほぼ同じタイミングで硫酸含有液に浸漬させることができる。硫酸槽２０から取り出された１バッチの基板Ｗを処理空間４０ａに配置することによって、１バッチの基板Ｗを同時にオゾン含有ガスに曝露させることができる。そのため、有機膜を基板Ｗから一層速やかかつ充分に除去することができる。
また、１バッチの基板の姿勢は、オゾン含有ガスに曝露される前に、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更されている。そのため、基板Ｗ上の硫酸含有液が自重によって下方に移動することに起因する基板Ｗ上の各位置における硫酸含有液の厚みのむらを抑制できる。したがって、基板Ｗの主面上の各位置における有機膜の除去むらを低減できる。
第２実施形態によれば、姿勢切替機構７０が、リフタ５０を変形させることによって、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替える。
そのため、硫酸槽２０内の硫酸含有液に鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを浸漬させた後、第１副搬送ロボット１８Ａ（搬送ロボット）のリフタ５０を変形させて１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更することができる。そして、水平姿勢の１バッチの基板Ｗを、ガス処理室４０内でオゾン含有ガスに曝露させることができる。このように、単一のロボット（第１副搬送ロボット１８Ａ）を用いて、１バッチの基板Ｗの姿勢を変更させ、硫酸槽２０からガス処理室４０に１バッチの基板Ｗを搬送できる。ロボット間での基板Ｗの受け渡しを省略できるため、有機膜を基板Ｗから速やかに除去することができる。
また第２実施形態によれば、複数の供給孔４９Ａから処理空間４０ａにオゾン含有ガスを供給し、複数の排気孔４９Ｂを介して処理空間４０ａを排気することで、１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露させることができる。そのため、基板Ｗ上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンが硫酸含有液に溶解することで当該雰囲気中のオゾンが消費された場合であっても、処理空間４０ａに供給されるオゾン含有ガスによって、基板Ｗに付着する硫酸含有液に接する雰囲気にオゾンが供給される。したがって、基板Ｗ上の硫酸含有液に接する雰囲気中のオゾンの濃度を充分に高い状態に維持できる。したがって、基板Ｗ上の硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を発生させることができる。
ガス処理室４０において、複数の供給孔列４９ＡＬが、第２配列方向Ｄ２に並んでいる。１バッチの基板Ｗが第２配列方向Ｄ２に並ぶようにリフタ５０で支持される。１バッチの基板Ｗは、供給孔列４９ＡＬ同士の間に各基板Ｗが位置するように処理空間４０ａに配置される。そのため、各供給孔列４９ＡＬからのオゾン含有ガスを基板Ｗ同士の間に供給することができる。そのため、各基板Ｗ上の硫酸含有液に接する雰囲気に充分にオゾンを供給でき、各基板Ｗ上の硫酸含有液にオゾンを充分に溶解させることができる。その結果、基板Ｗ間での有機膜の除去むらを低減できる。
＜第２実施形態の変形例に係る基板処理装置＞
図１５は、第２実施形態の変形例に係る基板処理装置１Ａについて説明するための模式図である。
第２実施形態の変形例に係る基板処理装置１Ａでは、第１実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ａ（図９を参照）と同様に、硫酸処理チャンバ２１が設けられておらず、ガス処理室４０内の硫酸槽２０が配置されている。ガス処理室４０の処理空間４０ａが硫酸槽２０の直上に配置されている。
第２実施形態の変形例に係る基板処理装置１Ａでは、第１実施形態の変形例に係る基板処理装置１と同様の基板処理（図１０Ａ～図１０Ｃを参照）を実行することができる。すなわち、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬した後、１バッチの基板Ｗを硫酸槽２０から引き上げることにより１バッチの基板Ｗが処理空間４０ａに配置される（第１搬送工程）。
ただし、１バッチの基板Ｗが硫酸槽２０から取り出された後で、かつ、１バッチの基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露される前に、姿勢切替機構７０によって、リフタ５０の状態が、第１支持状態から第２支持状態に変化される。これにより、１バッチの基板Ｗの姿勢が、鉛直姿勢から水平姿勢に変更される（第１姿勢変更工程）。
第１姿勢変更工程は、１バッチの基板Ｗが硫酸槽２０から取り出された後、処理空間４０ａに配置されるまでの間に実行されてもよい。また、第１姿勢変更工程は、リフタ５０がガス処理位置に配置された後で、処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給が開始される前に、実行されてもよい。
第２実施形態の変形例によれば、硫酸槽２０から１バッチの基板Ｗを引き上げるという一方向の移動によって、１バッチの基板Ｗを硫酸槽２０から処理空間４０ａへ移動させることができる。そのため、１バッチの基板Ｗに硫酸含有液を付着させた後、１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに速やかに曝露させることができる。したがって、基板Ｗから有機膜を速やかに除去できる。
硫酸槽２０を開閉する蓋部材２２によって、硫酸槽２０の内部および処理空間４０ａが仕切られている。そのため、硫酸槽２０に貯留されている硫酸含有液にオゾン含有ガスが溶解することを抑制できる。したがって、次の１バッチの基板Ｗに対する処理において、処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給が開始される前に基板Ｗからの有機膜の除去が開始されることを抑制できる。したがって、バッチ毎のペルオキソ二硫酸による処理の期間のばらつきを抑制できる。
＜第３実施形態に係る基板処理装置の構成＞
次に、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂの構成について説明する。図１６は、第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂの要部の立面図である。図１６において、前述の図１～図１５に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１７Ａ～図２２についても同様である。
第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂが、第１実施形態に係る基板処理装置１と主に異なる点は、主搬送ロボット１７のハンド８０が、変形することによって、１バッチの基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替えることができる点である。また、複数の副搬送ロボット１８の代わりに、複数の処理ユニット２のそれぞれに対応する複数の昇降搬送ロボット１９が設けられている。
詳しくは、複数の昇降搬送ロボット１９は、主搬送ロボット１７および硫酸処理ユニット５の間で１バッチの基板Ｗを搬送する第１昇降搬送ロボット１９Ａと、主搬送ロボット１７およびオゾンガス処理ユニット６の間で１バッチの基板Ｗを搬送する第２昇降搬送ロボット１９Ｂと、主搬送ロボット１７および第１リンス処理ユニット７の間で１バッチの基板Ｗを搬送する第３昇降搬送ロボット１９Ｃとを含む。第１昇降搬送ロボット１９Ａは、第１搬送ロボットの一例であり、第２昇降搬送ロボット１９Ｂは、第２搬送ロボットの一例である。
図示しないが、複数の昇降搬送ロボット１９は、主搬送ロボット１７および薬液処理ユニット８の間で１バッチの基板Ｗを搬送する他の昇降搬送ロボットと、主搬送ロボット１７および第２リンス処理ユニット９の間で１バッチの基板Ｗを搬送するさらに他の昇降搬送ロボットとを含んでいてもよい。
各昇降搬送ロボット１９の構成は、たとえば、図３に示す第１副搬送ロボット１８Ａと同様である。ただし、昇降搬送ロボット１９には、スライド機構５２（図３を参照）が設けられていない。
また、第２昇降搬送ロボット１９Ｂのリフタ５０は、水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持するように構成されている。第２昇降搬送ロボット１９Ｂのリフタ５０は、特に限定されるものではないが、たとえば、以下のような構成を有する。リフタ５０は、たとえば、各基板Ｗを下方から支持する複数（たとえば、基板Ｗと同数）の周縁支持部８８（後述する図１８Ａ等も参照）と、複数の周縁支持部８８を連結する連結部８９とを含む。
以下では、第１昇降搬送ロボット１９Ａのリフタ５０を、第１リフタ５０Ａといい、第２昇降搬送ロボット１９Ｂのリフタ５０を第２リフタ５０Ｂといい、第３昇降搬送ロボット１９Ｃのリフタ５０を第３リフタ５０Ｃという。第１リフタ５０Ａおよび第３リフタ５０Ｃは、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを支持するように構成されている。
第１リフタ５０Ａは、第１昇降搬送ロボット１９Ａの昇降機構５１によって、硫酸処理位置および第１上位置の間で昇降可能である。第２リフタ５０Ｂは、第２昇降搬送ロボット１９Ｂの昇降機構５１によって、ガス処理位置および第２上位置の間で昇降可能である。第３リフタ５０Ｃは、第３昇降搬送ロボット１９Ｃの昇降機構５１によって、リンス処理位置および第３上位置の間で昇降可能である。
＜第３実施形態に係る主搬送ロボットの構成＞
図１７Ａは、第３実施形態に係る主搬送ロボット１７の模式図である。図１７Ｂは、図１７ＡのＸＶＩＩＢ－ＸＶＩＩＢ線に沿う断面図である。
主搬送ロボット１７は、特に限定されるものではないが、たとえば、以下のような構成を有する。
主搬送ロボット１７は、１バッチの基板Ｗを保持（支持）可能なハンド８０と、ハンド８０をスライド可能に支持するスライドレール８３とを含む。
主搬送ロボット１７は、スライドレール８３に沿ってハンド８０を水平移動（スライド）させるハンド駆動機構８４をさらに含む。ハンド８０は、第１上位置に位置する第１リフタ５０Ａとの間で１バッチの基板Ｗの受け渡しが可能な第１受渡位置（後述する図１８Ａおよび図１８Ｂに実線で示す位置）と、第２上位置に位置する第２リフタ５０Ｂとの間で１バッチの基板Ｗの受け渡しが可能な第２受渡位置（後述する図１８Ｃおよび図１８Ｄに実線で示す位置）と、第３上位置に位置する第３リフタ５０Ｃとの間で１バッチの基板Ｗの受け渡しが可能な第３受渡位置（後述する図１８Ｅに実線で示す位置）との間で、水平移動する。
ハンド８０は、１バッチの基板Ｗを保持する保持部８５と、保持部８５に保持されている基板Ｗを把持する一対の把持部８６と、保持部８５に連結され水平方向に延びる第１連結軸８１と、第１連結軸８１に連結され鉛直方向に延びる第２連結軸８２とを有する。
一対の把持部８６は、互いに対向しており、一方の把持部８６が基板Ｗの周縁に接触し、他方の把持部８６が一方の把持部８６とは反対側の位置で周縁に接触することで基板Ｗを把持する。一対の把持部８６は、互いに近づくように移動することで１バッチの基板Ｗを把持し、互いに離間するように移動することで１バッチの基板Ｗの把持を解除する。
図１７Ｂに示すように、保持部８５には、基板Ｗを保持する保持溝８７が複数設けられており、保持部８５は、保持溝８７と同数の基板Ｗを保持できる。各把持部８６には、基板Ｗの周縁を挟持し易くするために凹凸（図示せず）が設けられていてもよい。
主搬送ロボット１７は、ハンド８０を変形させて１バッチの基板Ｗの姿勢を切り替える姿勢切替機構７１を含む。姿勢切替機構７１は、第１連結軸８１をその中心軸線Ａ２の周りに回転させる第１回転機構７２と、第２連結軸８２をその中心軸線Ａ３の周りに回転させる第２回転機構７３とを含む。
ハンド８０が１バッチの基板Ｗを保持している状態で第１回転機構７２および第２回転機構７３によってハンド８０の変形させることで、ハンド８０の状態が、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを保持する第１保持状態（後述する図１８Ａを参照）と、水平姿勢の１バッチの基板Ｗを保持する第２保持状態（後述する図１８Ｄを参照）との間で切り替えられる。これにより、１バッチの基板Ｗの姿勢を、水平姿勢と鉛直姿勢との間で切り替えることができる。
＜第３実施形態に係る基板処理の一例＞
図１８Ａ～図１８Ｅは、基板処理の実行中における第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂの様子を説明するための模式図である。
第２実施形態に係る基板処理装置１Ａによれば、図５に示す基板処理を実行することができる。以下では、基板処理装置１Ａによる基板処理が図６Ａ～図６Ｃに示す基板処理と異なる点を中心に説明する。
主搬送ロボット１７は、複数枚の基板Ｗからなる１バッチの基板Ｗを姿勢切替ロボット１６から受け取り、第１受渡位置に移動する。主搬送ロボット１７は、第１保持状態で、１バッチの基板Ｗを、第１昇降搬送ロボット１９Ａに渡す。第１昇降搬送ロボット１９Ａに渡される基板Ｗの姿勢は鉛直姿勢である。
第１昇降搬送ロボット１９Ａの第１リフタ５０Ａは、第１上位置（図１８Ａの二点鎖線で示す位置）に位置する状態で、１バッチの基板Ｗを受け取る。１バッチの基板Ｗは、第１昇降搬送ロボット１９Ａの第１リフタ５０Ａによって支持される。
第１リフタ５０Ａは、１バッチの基板Ｗを支持する状態で、第１上位置から硫酸処理位置へ向けて下降する。これにより、図１８Ａに示すように、１バッチの基板Ｗが、鉛直姿勢で硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬される（硫酸浸漬工程：ステップＳ１）。
その後、第１リフタ５０Ａが第１上位置へ向けて上昇することで、硫酸槽２０内の硫酸含有液から１バッチの基板Ｗが取り出される。図１８Ｂに示すように、主搬送ロボット１７のハンド８０は、第１上位置に位置する第１リフタ５０Ａから１バッチの基板Ｗを受け取る。
主搬送ロボット１７のハンド８０は、第１リフタ５０Ａから１バッチの基板Ｗを受け取った後、第２受渡位置に移動する。図１８Ｃに示すように、主搬送ロボット１７のハンド８０の状態が姿勢切替機構７１によって第２保持状態に変更され、ハンド８０に保持されている１バッチの基板Ｗの姿勢が鉛直姿勢から水平姿勢に変更される（第１姿勢変更工程）。
１バッチの基板Ｗの姿勢は、ハンド８０が第１受渡位置に位置するときに変更されてもよいし、ハンド８０が第２受渡位置に位置するときに変更されてもよい。あるいは、ハンド８０が第１受渡位置から第２受渡位置に向かう間の所定の時点で、１バッチの基板Ｗの姿勢が変更されてもよい。
図１８Ｃに示すように、第２上位置に位置する第２リフタ５０Ｂは、第２受渡位置に位置する主搬送ロボット１７から水平姿勢の１バッチの基板Ｗを受け取る。その後、第２リフタ５０Ｂは、第２上位置（図１８Ｄに二点鎖線で示す位置）からガス処理位置（図１８Ｄに示す実線で示す位置）に向けて移動する。
第２リフタ５０Ｂがガス処理位置に位置する状態で、オゾンガスバルブ４２および排気バルブ４６が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａ内の雰囲気が排出され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが供給される。図１８Ｄに示すように、オゾン含有ガスが処理空間４０ａに供給されることによって、水平姿勢の１バッチの基板Ｗが、オゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程：図５に示すステップＳ２、水平曝露工程）。
硫酸含有液が付着している基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露されることで、基板Ｗに付着する硫酸含有液にオゾン含有ガス中のオゾンが溶解して、１バッチの基板Ｗに付着する硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸が発生する。ペルオキソ二硫酸によって基板Ｗから露出する有機膜を硫酸含有液に溶解させることができる。有機膜は、硫酸含有液に完全には溶解されずに、基板Ｗの上面から剥離される場合もある。
処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給によって、処理空間４０ａ内の雰囲気がオゾン含有ガスに置換され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していることが好ましい（オゾン含有ガス充満工程）。処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していれば、硫酸含有液中にペルオキソ二硫酸を速やかかつ充分に発生させることができる。
第２リフタ５０Ｂが水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持している状態でガス処理位置に位置するときの１バッチの基板Ｗと複数の供給孔列４９ＡＬおよび複数の排気孔列４９ＢＬとの位置関係は、第２実施形態と同様である（図１４を参照）。
その後、第２リフタ５０Ｂが第２上位置へ向けて上昇することで、ガス処理室４０から１バッチの基板Ｗが取り出される。主搬送ロボット１７のハンド８０は、第２上位置に位置する第２リフタ５０Ｂから１バッチの基板Ｗを受け取る。
主搬送ロボット１７のハンド８０は、第２リフタ５０Ｂから１バッチの基板Ｗを受け取った後、第３受渡位置に移動する。図１８Ｅに示すように、主搬送ロボット１７のハンド８０の状態が姿勢切替機構７１によって第１保持状態に変更され、ハンド８０に保持されている１バッチの基板Ｗの姿勢が水平姿勢から鉛直姿勢に変更される（第２姿勢変更工程）。
１バッチの基板Ｗの姿勢は、ハンド８０が第２受渡位置に位置するときに変更されてもよいし、ハンド８０が第３受渡位置に位置するときに変更されてもよい。あるいは、ハンド８０が第２受渡位置から第３受渡位置に向かう間の所定の時点で、１バッチの基板Ｗの姿勢が変更されてもよい。
図１８Ｅに示すように、第３上位置に位置する第３リフタ５０Ｃは、第３受渡位置に位置する主搬送ロボット１７から鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗを受け取る。その後、第３リフタ５０Ｃは、第３上位置からガス処理位置に向けて下降する。これにより、鉛直姿勢の１バッチの基板Ｗが、リンス液槽３０内のリンス液に浸漬される（リンス工程：ステップＳ３）。
１バッチの基板Ｗがリンス液槽３０内のリンス液に浸漬されることによって、１バッチの基板Ｗがリンスされる。詳しくは、有機膜が溶解されている硫酸含有液と、基板Ｗから剥離された有機膜とが基板Ｗから除去される。
１バッチの基板Ｗがガス処理室４０から取り出された後、オゾンガスバルブ４２が閉じられ、代わりに、置換ガスバルブ４４が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａに置換ガスが供給され、処理空間４０ａ内の雰囲気が置換ガスによって置換される。これにより、処理空間４０ａからオゾン含有ガスが排除される。
その後、第３昇降搬送ロボット１９Ｃは、１バッチの基板Ｗを主搬送ロボット１７に渡す。主搬送ロボット１７は、第３昇降搬送ロボット１９Ｃから受け取った１バッチの基板Ｗを乾燥処理ユニット１０に搬送する。
第３実施形態によれば、第２実施形態と同様の効果を奏する。
第３実施形態によれば、搬送ユニット３が、第１昇降搬送ロボット１９Ａ（第１搬送ロボット）と、第２昇降搬送ロボット１９Ｂ（第２搬送ロボット）と、第１昇降搬送ロボット１９Ａおよび第２昇降搬送ロボット１９Ｂの間で１バッチの基板Ｗを搬送する主搬送ロボット１７とを含む。そして、姿勢切替機構７１が、主搬送ロボット１７によって搬送されている１バッチの基板Ｗの姿勢を水平姿勢および鉛直姿勢の間で切り替える。
そのため、硫酸槽２０への１バッチの基板Ｗの搬送、ガス処理室４０への１バッチの基板Ｗの搬送、および、１バッチの基板Ｗの姿勢変更が、それぞれ、異なるロボットによって行われる。そのため、各ロボットの構成の複雑化を抑制できる。
＜第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置＞
図１９は、第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ｂの要部の立面図である。
第３実施形態の第１変形例では、第２昇降搬送ロボット１９Ｂが、水平姿勢の１バッチの基板Ｗをガス処理室４０に搬送し、ガス処理室４０内で水平姿勢の１バッチの基板Ｗの中心部を通る鉛直軸線Ａ４のまわりに、複数枚の基板Ｗを回転させる。
詳しくは、第２昇降搬送ロボット１９Ｂが、第２リフタ５０Ｂを鉛直軸線Ａ４のまわりに回転させる基板回転機構９０と、基板回転機構９０および第２リフタ５０Ｂを昇降可能に支持する昇降レール９１と、昇降レール９１に沿って第２リフタ５０Ｂおよび基板回転機構９０を昇降させる昇降駆動機構９２とを含む。
第３実施形態の第１変形例における第２昇降搬送ロボット１９Ｂの第２リフタ５０Ｂは、特に限定されるものではないが、たとえば、以下のような構成を有する。第２リフタ５０Ｂは、たとえば、各基板Ｗの周縁を保持する周縁保持部９６と、昇降レール９１および周縁保持部９５を連結する連結部９７とを含む。
また、オゾンガス処理ユニット６は、置換ガス供給流路４３内の置換ガスを加熱す置換ガス流路ヒータ９３を含む。
置換ガスの温度は、たとえば、５０℃以上２７０℃以下の範囲であることが好ましい。置換ガスの温度は、５０℃以上２７０℃以下の範囲であることが好ましく、８０℃以上１７０℃以下の範囲であることが一層好ましい。
図２０Ａおよび図２０Ｂは、基板処理の実行中における第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ｂの様子を説明するための模式図である。図２１は、第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ｂによって実行される基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。
第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ｂによれば、図１８Ａ～図１８Ｅに示す第３実施形態に係る基板処理と同様の基板処理が可能である。以下では、図１８Ａ～図１８Ｅに示す基板処理と異なる点を中心に説明する。
図２１に示すように、第３実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ｂによれば、硫酸浸漬工程（ステップＳ１）の後、オゾン曝露工程（ステップＳ２）の開始前に、基板回転工程（ステップＳ６）が実行される。詳しくは、以下の通りである。
第３実施形態の第１変形例に係る基板処理では、第３実施形態の基板処理と同様に、１バッチの基板Ｗは、硫酸含有液に浸漬された後、第１リフタ５０Ａから主搬送ロボット１７に受け渡される。その後、図２０Ａに示すように、第２上位置に位置する第２リフタ５０Ｂが、第２受渡位置に位置する第２保持状態の主搬送ロボット１７から水平姿勢の１バッチの基板Ｗを受け取る。その後、第２リフタ５０Ｂは、第２上位置（図２０Ｂに二点鎖線で示す位置）からガス処理位置（図２０Ｂに示す実線で示す位置）に向けて移動する。
第２リフタ５０Ｂがガス処理位置に位置する状態で、第２リフタ５０Ｂが鉛直軸線Ａ４のまわりに回転される。これにより、１バッチの基板Ｗが第２リフタ５０Ｂとともに回転する（基板回転工程：図２１に示すステップＳ６）。これにより、基板Ｗから硫酸含有液が飛散し、各基板Ｗの主面に付着する硫酸含有液の液膜が薄膜化される（硫酸薄膜化工程）。
少なくとも１バッチの基板Ｗの回転が開始された後、オゾンガスバルブ４２および排気バルブ４６が開かれる。これにより、ガス処理室４０の処理空間４０ａ内の雰囲気が排出され、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが供給される。図２０Ｂに示すように、オゾン含有ガスが処理空間４０ａに供給されることによって、水平姿勢の１バッチの基板Ｗが、オゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程：図２１に示すステップＳ２）。なお、オゾン含有ガスの供給中において、１バッチの基板Ｗは、回転されていてもよいし、１バッチの基板Ｗの回転は停止されていてもよい。
１バッチの基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露された後、第２リフタ５０Ｂの回転が停止された状態で、第２リフタ５０Ｂが第２上位置に移動する。その後、１バッチの基板Ｗは、主搬送ロボット１７に受け渡され、リンス工程（図２１に示すステップＳ３）および乾燥工程（図２１に示すステップＳ４）が実行される。
第３実施形態の第１変形例によれば、姿勢変更工程の後で、かつ、オゾン曝露工程において１バッチの基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露される前に、鉛直軸線Ａ４のまわりに１バッチの基板Ｗが回転される。
そのため、基板Ｗ上から余分な硫酸含有液を除去し、基板Ｗ上の各位置における硫酸含有液の厚みの均一性を向上させることができる。これにより、基板Ｗ上の各位置における硫酸含有液中のオゾン濃度の均一性を高めることができる。その結果、基板Ｗ上の各位置における有機膜の除去むらを低減できる。
第１変形例とは異なり、１バッチの基板Ｗの回転が開始された後、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが供給される前に、置換ガスを処理空間４０ａに供給して、１バッチの基板Ｗを加熱してもよい。オゾン含有ガスの供給前に置換ガスで１バッチの基板Ｗの全体を加熱しておくことで、ペルオキソ二硫酸の活性を満遍なく向上させ易い。これにより、基板Ｗ間での有機膜の除去むらを低減できる。
＜第３実施形態の第２変形例に係る基板処理装置＞
図２２は、第３実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１Ｂの要部の立面図である。
第３実施形態の第２変形例の基板処理装置１Ｂでは、図１６に示す基板処理装置１Ｂとは異なり、１バッチの基板Ｗを回転させながら加熱する加熱処理ユニット１３をさらに含む。
加熱処理ユニット１３は、１バッチの基板Ｗを収容可能な加熱処理空間１００ａを有する加熱処理室１００を含む。加熱処理室１００は、開閉可能な上端部１００ｂを有する。加熱処理ユニット１３は、加熱処理室１００に加熱ガスを供給する加熱ガス供給流路１０１と、加熱ガス供給流路１０１を開閉する加熱ガスバルブ１０２と、加熱処理室１００内の雰囲気を排出する加熱ガス排出流路１０３と、加熱ガス排出流路１０３を開閉する加熱ガス排出バルブ１０４とを含む。
加熱ガスは、たとえば、不活性ガスである。加熱ガスの温度は、たとえば、５０℃以上２７０℃以下の範囲であることが好ましい。加熱ガスの温度は、５０℃以上２７０℃以下の範囲であることが好ましく、８０℃以上１７０℃以下の範囲であることが一層好ましい。
基板処理装置１Ｂは、主搬送ロボット１７および加熱処理ユニット１３の間で１バッチの基板Ｗを搬送する第４昇降搬送ロボット１９Ｄをさらに含む。第４昇降搬送ロボット１９Ｄは、第３搬送ロボットの一例である。第４昇降搬送ロボット１９Ｄの構成は、たとえば、図３に示す第１副搬送ロボット１８Ａと同様である。
ただし、第４昇降搬送ロボット１９Ｄには、スライド機構５２が設けられていない。また、第４昇降搬送ロボット１９Ｄは、水平姿勢の１バッチの基板Ｗを支持するように構成されている。
第４昇降搬送ロボット１９Ｄは、第４リフタ５０Ｄを鉛直軸線Ａ５のまわりに回転させる基板回転機構１０５と、基板回転機構１０５および第４リフタ５０Ｄを昇降可能に支持する昇降レール１０６と、昇降レール１０６に沿って第４リフタ５０Ｄおよび基板回転機構１０５を昇降させる昇降駆動機構１０７とを含む。
第４昇降搬送ロボット１９Ｄの第４リフタ５０Ｄは、特に限定されるものではないが、たとえば、以下のような構成を有する。第４リフタ５０Ｄは、たとえば、各基板Ｗの周縁を保持する周縁保持部１０８と、昇降レール１０６および周縁保持部１０８を連結する連結部１０９とを含む。
第４昇降搬送ロボット１９Ｄの第４リフタ５０Ｄは、加熱処理ユニット１３の真上に位置する第４上位置と、１バッチの基板Ｗが処理空間４０ａに収容される加熱処理位置との間で昇降可能である。
第４昇降搬送ロボット１９Ｄが、水平姿勢の複数枚の基板Ｗを加熱処理室１００に搬送し、加熱処理室１００内で水平姿勢の複数枚の基板Ｗの中心部を通る鉛直軸線Ａ５のまわりに、複数枚の基板Ｗを回転させる。
第３実施形態の第２変形例では、主搬送ロボット１７のハンド８０は、第４上位置に位置する第４リフタ５０Ｄとの間で１バッチの基板Ｗの受け渡しが可能な第４受渡位置に移動することができる。
第３実施形態の第２変形例においても、図２１に示す基板処理を実行することができる。すなわち、第３実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１Ｂによれば、硫酸浸漬工程（ステップＳ１）の後、オゾン曝露工程（ステップＳ２）の開始前に、基板回転工程（ステップＳ６）が実行される。詳しくは、以下の通りである。
詳しくは、第３実施形態の第２変形例に係る基板処理では、第３実施形態の基板処理と同様に、１バッチの基板Ｗは、硫酸含有液に浸漬された後、第１リフタ５０Ａから主搬送ロボット１７に受け渡される。その後、第４上位置に位置する第４リフタ５０Ｄが、第４受渡位置に位置する主搬送ロボット１７から水平姿勢の１バッチの基板Ｗを受け取る。その後、第４リフタ５０Ｄは、第４上位置から加熱処理位置に向けて移動する。
第４リフタ５０Ｄが加熱処理位置に位置する状態で、第４リフタ５０Ｄが鉛直軸線Ａ５のまわりに回転される。これにより、１バッチの基板Ｗが第４リフタ５０Ｄとともに回転する（基板回転工程：ステップＳ６）。これにより、基板Ｗから硫酸含有液が飛散し、各基板Ｗの主面に付着する硫酸含有液の液膜が薄膜化される（硫酸薄膜化工程）。
１バッチの基板Ｗの回転の開始と同時に、または１バッチの基板Ｗの回転が開始された後に、加熱ガスバルブ１０２および加熱ガス排出バルブ１０４が開かれる。これにより、加熱処理室１００の加熱処理空間１００ａ内の雰囲気が排出され、加熱処理空間１００ａに加熱ガスが供給される。加熱ガスが加熱処理空間１００ａに供給されることによって、水平姿勢の１バッチの基板Ｗが加熱される（加熱回転工程）。
その後、１バッチの基板Ｗは、第４リフタ５０Ｄから主搬送ロボット１７に受け渡され、オゾン曝露工程（図２１のステップＳ２）、リンス工程（図２１のステップＳ３）および乾燥工程（図２１のステップＳ４）が実行される。
第３実施形態の第２変形例によれば、加熱処理室１００内で１バッチの基板Ｗを回転させて、基板Ｗ上から余分な硫酸含有液を除去することができる。基板Ｗの回転によって硫酸含有液を除去することで、基板Ｗ上の各位置における硫酸含有液の厚みの均一性を向上させることができる。
基板Ｗからの余分な硫酸含有液の除去は加熱処理室１００で行われるため、硫酸含有液を除去しながら１バッチの基板Ｗを加熱することができる。加熱された１バッチの基板Ｗを、主搬送ロボット１７、および、第２昇降搬送ロボット１９Ｂを介して、加熱処理室１００へ搬入すれば、余分な硫酸含有液が除去され、かつ、加熱された１バッチの基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露させることができる。これにより、基板Ｗ上の各位置における硫酸含有液中のオゾン濃度の均一性を高めつつ、ペルオキソ二硫酸の活性を高めることができる。その結果、基板Ｗ上の各位置における有機膜の除去むらを一層低減できる。
第２変形例とは異なり、１バッチの基板Ｗの回転が開始される前に、加熱ガスバルブ１０２および加熱ガス排出バルブ１０４が開かれて、加熱処理室１００が充分に加熱されていてもよい。
＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
（１）たとえば、複数の処理ユニット２は、図２３に示すように、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉処理ユニット１１０を含んでいてもよい。詳しくは、枚葉処理ユニット１１０が、スピンチャック１１１、処理カップ１１２、ヒータ１１３、オゾン含有ガスノズル１１４、リンス液ノズル１１５、および、チャンバ１１６を含む。
スピンチャック１１１は、基板Ｗを水平姿勢に保持しながら基板Ｗの中心部を通る鉛直軸線Ａ６の周りに基板Ｗを回転させる。処理カップ１１２は、スピンチャック１１１を取り囲み、基板Ｗから飛散する処理液を受ける。ヒータ１１３は、スピンチャック１１１に保持されている基板Ｗを加熱する。オゾン含有ガスノズル１１４は、基板Ｗに向けてオゾン含有ガスを供給する。リンス液ノズル１１５は、基板Ｗに向けてリンス液を供給する。
１バッチの基板Ｗが硫酸槽２０内の硫酸含有液に浸漬された後、１バッチの基板Ｗのうちの一枚の基板Ｗが枚葉処理ユニット１１０に搬送される（搬送工程）。枚葉処理ユニット１１０に搬入された基板Ｗは、スピンチャック１１１によって回転され、かつ、ヒータ１１３によって加熱される（基板回転工程）。その後、オゾン含有ガスノズル１１４からオゾン含有ガスが吐出されることで、硫酸含有液が付着している基板Ｗが、オゾン含有ガスに曝露される（オゾン曝露工程）。枚葉処理ユニット１１０は、オゾンガス処理ユニットの一例である。
その後、リンス液ノズル１１５からリンス液が吐出されることで、基板Ｗがリンスされる。さらにその後、スピンチャック１１１によって基板Ｗが高速回転されることによって、基板Ｗが乾燥される（乾燥工程）。
枚葉処理ユニット１１０が複数設けられていれば、１バッチの基板Ｗが硫酸含有液に浸漬された後、速やかに、全ての基板Ｗをオゾン含有ガスに曝露することができる。
（２）硫酸槽２０に貯留されている硫酸含有液を加熱するヒータ１２０（図２の二点鎖線を参照）が設けられていてもよい。たとえば、硫酸含有液の温度は、１５０℃以上であることが好ましい。ヒータ１２０で硫酸含有液を加熱することにより、ペルオキソ二硫酸の活性を高め、有機膜を速やかに除去することができる。ヒータ１２０の代わりに、硫酸槽２０に硫酸含有液を供給する配管内の硫酸含有液を加熱するヒータが設けられていてもよい。また、硫酸槽２０で用いられた硫酸含有液は、硫酸槽２０から排出され、再利用されてもよい。
（３）第１実施形態の第１変形例および、第２実施形態の変形例では、ガス処理室４０内に硫酸槽２０が配置されている。しかしながら、硫酸槽２０が硫酸処理チャンバ２１に収容されており、硫酸処理チャンバ２１の真上にガス処理室４０が配置されていてもよい。
（４）リフタ５０およびハンド８０に基板Ｗの姿勢を切り替える機構が設けられていない場合には、硫酸浸漬工程の後、姿勢切替ロボット１６によって、１バッチの基板Ｗの姿勢が鉛直姿勢から水平姿勢に変更されてもよい。同様に、オゾン曝露工程の後、姿勢切替ロボット１６によって１バッチの基板Ｗの姿勢が水平姿勢から鉛直姿勢に変更されてもよい。
また、上述の基板処理装置１Ａを用いれば、１バッチＷの姿勢を水平姿勢に維持しながら、硫酸浸漬工程、オゾン曝露工程、および、リンス工程を実行することも可能である。
（５）１バッチの基板Ｗがオゾンガス処理ユニット６に搬送される前に、処理空間４０ａにオゾン含有ガスが充満していてもよい。その場合、オゾンガス処理ユニット６に１バッチの基板Ｗを搬送することによって、１バッチの基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露することができる。要は、オゾンガス処理ユニット６に搬送された１バッチの基板Ｗがオゾン含有ガスに曝露されればよい。すなわち、処理空間４０ａへのオゾン含有ガスの供給は、処理空間４０ａに１バッチの基板Ｗが配置される前に開始されても処理空間４０ａに１バッチの基板Ｗが配置された後に開始されてもよい。
（６）上述の各実施形態では、コントローラ４が基板処理装置１の全体を制御する。しかしながら、基板処理装置１の各部材を制御するコントローラは、複数箇所に分散されていてもよい。また、コントローラ４は、各部材を直接制御する必要はなく、コントローラ４から出力される信号は、基板処理装置１の各部材を制御するスレーブコントローラに受信されてもよい。
（７）なお、上述の実施形態では、「水平」、「鉛直」といった表現を用いたが、厳密に「水平」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
（８）また、各構成を模式的にブロックで示している場合があるが、各ブロックの形状、大きさおよび位置関係は、各構成の形状、大きさおよび位置関係を示すものではない。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
１ ：基板処理装置
１Ａ ：基板処理装置
１Ｂ ：基板処理装置
３ ：搬送ユニット
６ ：オゾンガス処理ユニット
１７ ：主搬送ロボット
１８ ：副搬送ロボット
１９Ａ ：第１昇降搬送ロボット（第１搬送ロボット）
１９Ｂ ：第２昇降搬送ロボット（第２搬送ロボット）
１９Ｄ ：第４昇降搬送ロボット（第３搬送ロボット）
２０ ：硫酸槽
２２ ：蓋部材
４０ ：ガス処理室
４０ａ ：処理空間
４８ ：壁部
４９Ａ ：供給孔
４９ＡＬ ：供給孔列
４９Ｂ ：排気孔
５０ ：リフタ
７０ ：姿勢切替機構
７１ ：姿勢切替機構
１００ ：加熱処理室
Ａ４ ：鉛直軸線
Ａ５ ：鉛直軸線
Ｄ１ ：第１配列方向（所定の配列方向）
Ｄ２ ：第２配列方向（所定の配列方向）
Ｗ ：基板

Claims (18)

  1. 硫酸槽内の硫酸含有液に複数枚の基板を浸漬させる硫酸浸漬工程と、
    複数枚の前記基板を前記硫酸槽から取り出し、複数枚の前記基板をオゾンガス処理ユニットに搬送する搬送工程と、
    前記オゾンガス処理ユニットに搬送された複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させるオゾン曝露工程とを含む、基板処理方法。
  2. 前記オゾンガス処理ユニットが、複数枚の前記基板を収容するガス処理室を含み、
    前記オゾン曝露工程が、前記硫酸槽から取り出された複数枚の前記基板を、前記ガス処理室内の処理空間に配置することによって、複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させる工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記オゾン曝露工程が、前記処理空間を区画する壁部で開口する複数の供給孔から前記処理空間にオゾン含有ガスを供給し、前記壁部で開口する複数の排気孔を介して前記処理空間を排気することで、前記処理空間に配置される複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させる工程を含む、請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 前記ガス処理室において、それぞれが複数の前記供給孔によって構成される複数の供給孔列が、所定の配列方向に並んでおり、
    前記オゾン曝露工程が、複数枚の前記基板が前記配列方向に並び前記供給孔列同士の間に各前記基板が位置するように、前記処理空間に複数枚の前記基板を配置する工程を含む、請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 前記硫酸浸漬工程が、鉛直姿勢の複数枚の前記基板を前記硫酸槽に浸漬する鉛直浸漬工程を含み、
    前記硫酸槽から取り出された複数枚の前記基板の姿勢を鉛直姿勢から水平姿勢に変更する姿勢変更工程をさらに含み、
    前記オゾン曝露工程が、水平姿勢の複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させる水平曝露工程を含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  6. 前記姿勢変更工程の後で、かつ、前記オゾン曝露工程において複数枚の前記基板がオゾン含有ガスに曝露される前に、水平姿勢の複数枚の前記基板の中心部を通る鉛直軸線のまわりに複数枚の前記基板を回転させる基板回転工程をさらに含む、請求項５に記載の基板処理方法。
  7. 前記処理空間が前記硫酸槽の直上に配置されており、
    前記搬送工程が、複数枚の前記基板を前記硫酸槽から引き上げることにより、複数枚の前記基板を前記処理空間に配置する工程を含む、請求項２～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  8. 複数枚の基板を浸漬可能な硫酸含有液を貯留する硫酸槽と、
    複数枚の基板をオゾン含有ガスに曝露させるオゾンガス処理ユニットと、
    前記硫酸槽および前記オゾンガス処理ユニットの間で複数枚の基板を搬送する搬送ユニットとを含む、基板処理装置。
  9. 前記オゾンガス処理ユニットが、複数枚の基板を収容可能な処理空間を有し、前記処理空間に収容されている複数枚の前記基板をオゾン含有ガスに曝露させるガス処理室を含む、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記ガス処理室が、前記処理空間を区画する壁部と、前記壁部で開口し、前記処理空間にオゾン含有ガスを供給する複数の供給孔と、前記壁部で開口し、前記処理空間を排気する複数の排気孔とを有する、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記ガス処理室が、それぞれが複数の前記供給孔によって構成される複数の供給孔列であって、所定の配列方向に並ぶ複数の供給孔列を有し、
    前記搬送ユニットは、前記配列方向に配列されるように複数枚の前記基板を支持しながら、前記供給孔列同士の間に各前記基板が位置するように複数枚の前記基板を前記ガス処理室に搬入する、請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記硫酸槽が、鉛直姿勢の複数枚の基板を硫酸含有液に浸漬可能であり、
    前記処理空間が、水平姿勢の複数枚の基板を収容可能であり、
    前記搬送ユニットが、複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替える姿勢切替機構を含む、請求項９～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記搬送ユニットが、複数枚の基板を支持するリフタを有し、前記硫酸槽および前記ガス処理室の間で複数枚の基板を搬送する搬送ロボットを含み、
    前記姿勢切替機構が、前記リフタを変形させることによって、複数枚の基板の姿勢を鉛直姿勢および水平姿勢の間で切り替える、請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記処理空間が前記硫酸槽の直上に配置されており、
    前記搬送ユニットが、複数枚の前記基板を支持しながら上下動することで、前記ガス処理室と前記硫酸槽との間で複数枚の前記基板を搬送する、請求項９～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  15. 前記硫酸槽の内部および前記処理空間を仕切り前記硫酸槽を開閉する蓋部材をさらに含む、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記搬送ユニットが、鉛直姿勢の複数枚の基板を前記硫酸槽に搬送する第１搬送ロボットと、水平姿勢の複数枚の基板を前記ガス処理室に搬送する第２搬送ロボットと、前記第１搬送ロボットおよび前記第２搬送ロボットの間で複数枚の基板を搬送する主搬送ロボットとを含み、
    前記姿勢切替機構が、前記主搬送ロボットによって搬送されている複数枚の前記基板の姿勢を水平姿勢および鉛直姿勢の間で切り替える、請求項１２に記載の基板処理装置。
  17. 前記第２搬送ロボットが、水平姿勢の複数枚の基板を前記ガス処理室に搬送し、前記ガス処理室内で水平姿勢の複数枚の基板の中心部を通る鉛直軸線のまわりに、複数枚の前記基板を回転させる、請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 複数枚の基板を加熱する加熱処理室をさらに含み、
    前記搬送ユニットが、水平姿勢の複数枚の基板を前記加熱処理室に搬送し、前記加熱処理室内で水平姿勢の複数枚の基板の中心部を通る鉛直軸線のまわりに、複数枚の前記基板を回転させる第３搬送ロボットをさらに含み、
    前記主搬送ロボットが、前記硫酸槽、前記ガス処理室および前記加熱処理室の間で複数枚の基板を搬送する、請求項１６に記載の基板処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05152203A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Chlorine Eng Corp Ltd 基板処理方法および処理装置
US6231775B1 (en) 1998-01-28 2001-05-15 Anon, Inc. Process for ashing organic materials from substrates
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3953361B2 (ja) * 2002-05-08 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4526374B2 (ja) 2004-03-30 2010-08-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4429106B2 (ja) 2004-07-28 2010-03-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板エッチング装置
JP5122265B2 (ja) 2007-10-01 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20110130009A1 (en) 2009-11-30 2011-06-02 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using a mixture of acid and oxidizing gas
JP5424848B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-26 株式会社東芝 半導体基板の表面処理装置及び方法
WO2012133583A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 大日本印刷株式会社 超臨界乾燥装置及び超臨界乾燥方法
US9075318B2 (en) 2012-03-07 2015-07-07 Tokyo Electron Limited Sequential stage mixing for a resist batch strip process
JP6168271B2 (ja) 2012-08-08 2017-07-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP5916567B2 (ja) 2012-08-29 2016-05-11 東邦化成株式会社 レジスト除去装置およびレジスト除去方法
WO2014082212A1 (en) 2012-11-28 2014-06-05 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
TWI638383B (zh) * 2015-07-15 2018-10-11 美商原備有限公司 處理工件表面的方法
KR102584510B1 (ko) * 2021-07-29 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치

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