JP2003332285A - Wafer treatment apparatus and method - Google Patents
Wafer treatment apparatus and methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
方法に係わり、更に詳細には、基板の表面の一部を処理
液で処理することができる基板処理装置及び方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and method, and more particularly to a substrate processing apparatus and method capable of processing a part of the surface of a substrate with a processing liquid.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体基板の製造工程において、いわゆ
る前工程の中心を占める拡散工程は、従来から、成膜工
程とリソグラフィ工程とに大別され、これらの工程の繰
り返しによって、１層毎に半導体基板の構造が決定され
てきた。更に、これらの工程と工程の間において、基板
の洗浄工程が行われてきた。上述の工程のうち、成膜工
程及び洗浄工程は、例えば、従来周知の枚葉式基板処理
装置を使用して行われ、基板を略水平面内に非接触保持
しつつ、処理液を基板の上方から基板の上面の中心部に
供給し、回転する基板の遠心力を利用することによって
処理液を放射状に拡散させて、基板の上面全体を処理液
で処理していた。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor substrate, the diffusion process, which occupies the center of the so-called pre-process, is conventionally roughly divided into a film forming process and a lithographic process. The structure of the substrate has been determined. Furthermore, a substrate cleaning process has been performed between these processes. Among the above-mentioned steps, the film forming step and the cleaning step are performed using, for example, a conventionally known single-wafer type substrate processing apparatus, and the processing liquid is kept above the substrate while being held in a substantially horizontal plane in a non-contact manner. The processing liquid is supplied to the center of the upper surface of the substrate and the centrifugal force of the rotating substrate is used to radially diffuse the processing liquid, so that the entire upper surface of the substrate is processed with the processing liquid.
【０００３】これに対し、最近になって、基板の表面の
一部を処理液で処理する要望が出てきた。このことを、
以下、２つの例で説明する。On the other hand, recently, there has been a demand for treating a part of the surface of the substrate with a treatment liquid. This
Two examples will be described below.
【０００４】まず、第１の例を説明する。微細化された
ＭＯＳロジックＬＳＩの高動作速度を確保するために、
ＭＯＳロジックＬＳＩを銅で配線することによる配線抵
抗の低減が試みられている。かかる銅の配線は、前工程
の成膜工程において、スパッタリング或いはメタルＣＶ
Ｄ等によって銅成膜を形成することにより行われる。そ
の際、素子が形成されるおもて面には銅成膜が形成され
る一方で、おもて面のうちの素子が形成されない周縁環
状部、基板のベベル部及び裏面へ銅イオンが回り込んで
付着する問題が生じている。即ち、Ｓｉ結晶、ＳｉＯ2
等に高速で拡散する不純物の代表である銅原子は、デバ
イス特性を劣化させるとともに、装置や設備のクロスコ
ンタミネーションを引き起こす。このため、微細化され
たＭＯＳロジックＬＳＩの製造では、成膜工程後、おも
て面のうちの素子が形成されない周縁環状部、基板のベ
ベル部及び裏面に付着した銅を十分に洗浄処理する必要
がある。First, the first example will be described. In order to ensure high operating speed of miniaturized MOS logic LSI,
Attempts have been made to reduce the wiring resistance by wiring a MOS logic LSI with copper. Such copper wiring is formed by sputtering or metal CV in the film forming process of the previous process.
It is performed by forming a copper film by D or the like. At that time, while a copper film is formed on the front surface on which the element is formed, copper ions are spread to the peripheral annular portion of the front surface where the element is not formed, the bevel portion of the substrate and the back surface. There is a problem of complicated adhesion. That is, Si crystal, SiO 2
Copper atoms, which are a typical impurity that diffuses at high speed, degrade device characteristics and cause cross-contamination of equipment and facilities. Therefore, in the manufacture of a miniaturized MOS logic LSI, after the film forming step, the peripheral annular portion of the front surface where no element is formed, the beveled portion of the substrate, and the copper attached to the back surface are sufficiently cleaned. There is a need.
【０００５】上述の枚葉式基板処理装置を使用すれば、
基板の裏面を上向きに且つ素子が形成される基板のおも
て面を下向きに配置し、基板のおもて面を保護しつつ基
板を保持し、フッ酸と過酸化水素水の混合液のような処
理液で基板の裏面全体を処理することは可能である。し
かしながら、ベベル部及び下向きに配置されたおもて面
の外周縁近傍の環状領域まで均一且つ精密に処理するこ
とは困難である。特に、基板のおもて面のうちの素子が
形成されない外周縁近傍の環状領域の洗浄処理は、最も
困難であり、この部分の均一且つ精密な処理が強く求め
られているが、この問題を完全に解決できていないのが
現状である。Using the above-mentioned single wafer processing apparatus,
The back surface of the substrate is arranged upward and the front surface of the substrate on which the element is formed is arranged downward, and the substrate is held while protecting the front surface of the substrate. It is possible to treat the entire back surface of the substrate with such treatment liquid. However, it is difficult to uniformly and precisely process the bevel portion and the annular region near the outer peripheral edge of the downwardly arranged front surface. In particular, it is the most difficult to clean the annular region of the front surface of the substrate in the vicinity of the outer peripheral edge where elements are not formed, and there is a strong demand for uniform and precise treatment of this portion. The current situation is that it has not been completely resolved.
【０００６】次に、第２の例を説明する。基板にレジス
ト膜を形成し、所定の処理を行った後、レジスト膜を除
去したときに、レジストのかすが基板の両面の外周縁近
傍に付着したまま残っていることがある。このようなレ
ジストの残りかすが基板の両面の外周縁近傍に付着して
いると、基板の下面については、後工程のパターニング
工程(フォト工程)で基板が水平に配置されず、パターニ
ング精度が低下するとともに、基板の上面については、
後工程のドライ又はウエットエッチング工程において基
板をクランプする際、発塵の原因となる。このため、基
板の上面及び下面の外周縁近傍の環状領域にあるレジス
トの残りかすを除去しておく必要がある。Next, a second example will be described. When a resist film is formed on a substrate and a predetermined process is performed and then the resist film is removed, a residue of the resist may remain attached near the outer peripheral edges of both surfaces of the substrate. If such residual residue of the resist adheres to the vicinity of the outer peripheral edges of both surfaces of the substrate, the lower surface of the substrate is not horizontally arranged in the patterning process (photo process) in the subsequent process, and the patterning accuracy is deteriorated. At the same time, regarding the upper surface of the substrate,
When clamping the substrate in the subsequent dry or wet etching process, it causes dust generation. Therefore, it is necessary to remove the residual residue of the resist in the annular region near the outer peripheral edges of the upper and lower surfaces of the substrate.
【０００７】これらの要望に関し、特開平第 9-92637号
公報及び特開平第 10-229062号公報には、基板の上面及
び下面の外周縁近傍の所望環状領域を処理液で処理する
基板処理装置が開示されている。この装置は、略水平面
内で回転可能に保持された基板の表面を処理する処理液
を基板の外周縁近傍の所望環状領域に供給するための処
理液噴射ノズルを有する。基板の上面を処理液で処理し
た後、基板の外周縁近傍に形成された不要な薄膜を除去
するために、別の処理液を基板の上面及び下面それぞれ
の外周縁近傍部分に向けられた処理液噴射ノズルから噴
射させることによって、基板の外周縁近傍を処理液で処
理して、不要な薄膜を除去するようになっている。この
装置は、上面と下面の両方の外周縁近傍の所望環状領域
を同時に処理することもできる。With respect to these demands, JP-A-9-92637 and JP-A-10-229062 disclose a substrate processing apparatus for processing a desired annular region near the outer peripheral edges of the upper and lower surfaces of a substrate with a processing liquid. Is disclosed. This apparatus has a treatment liquid injection nozzle for supplying a treatment liquid for treating the surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to a desired annular region near the outer peripheral edge of the substrate. After treating the upper surface of the substrate with the treatment liquid, another treatment liquid is directed to the portions near the outer peripheral edges of the upper and lower surfaces of the substrate in order to remove unnecessary thin films formed near the outer peripheral edge of the substrate. By jetting from the liquid jet nozzle, the vicinity of the outer peripheral edge of the substrate is treated with the treatment liquid to remove an unnecessary thin film. The apparatus is also capable of simultaneously processing the desired annular regions near the outer perimeter of both the top and bottom surfaces.
【０００８】また、特開平 11-8192号公報には、基板の
外周縁近傍の所望環状領域に処理液を供給する基板処理
装置が開示されている。この装置では、基板が低速回転
している間又は停止している間、基板の上面に供給した
処理液を基板の下面に回り込ませると共に、毛細管現象
を利用した環状液膜を基板の下面に近接させた筒体と基
板の下面との間に形成し、処理液が環状液膜よりも内方
に進入するのを防止することによって、基板の下面の外
周縁近傍の所望環状領域を処理液で処理している。Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-8192 discloses a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a desired annular region near the outer peripheral edge of a substrate. In this device, while the substrate is rotating at a low speed or while it is stopped, the processing liquid supplied to the upper surface of the substrate is caused to sneak into the lower surface of the substrate, and an annular liquid film utilizing the capillary phenomenon is brought close to the lower surface of the substrate. A desired annular region near the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate is treated with the treatment liquid by forming the treatment liquid from the inside of the annular liquid film by forming it between the cylindrical body and the lower surface of the substrate. Processing.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
装置では、処理液を噴射によって基板の外周縁近傍に供
給しているので、例えば遠心力を利用した処理によって
達成されるような均一且つ精密な処理を基板の外周縁近
傍に行うことができない。そのうえ、処理液を噴射して
基板の上面及び下面に衝突させているので、基板の上面
及び下面の外周縁近傍の所望環状領域だけを精密に処理
できないという問題を有する。However, in the former apparatus, since the processing liquid is supplied to the vicinity of the outer peripheral edge of the substrate by jetting, for example, uniform and precise processing such as that achieved by processing utilizing centrifugal force is performed. Processing cannot be performed near the outer periphery of the substrate. In addition, since the processing liquid is sprayed and collided with the upper and lower surfaces of the substrate, there is a problem that only the desired annular region near the outer peripheral edges of the upper and lower surfaces of the substrate cannot be precisely processed.
【００１０】また、後者の装置では、上面に供給した処
理液を下面に回り込ませることにより、下面の処理を行
っているので、基板が低速回転している間又は停止して
いる間にしか処理を行うことができず、たとえ低速回転
であっても、基板の回転数に対する処理液の回り込み量
の感度が高すぎるため、例えば遠心力を利用した処理に
よって達成されるような均一且つ精密な処理制御を基板
の下面の外周縁近傍に行うことができないという問題を
有する。Further, in the latter device, since the lower surface is processed by causing the processing liquid supplied to the upper surface to circulate around the lower surface, the processing is performed only while the substrate is rotating at a low speed or while the substrate is stopped. However, even if the rotation speed is low, the sensitivity of the wraparound amount of the processing liquid to the number of rotations of the substrate is too high. Therefore, uniform and precise processing such as that achieved by processing using centrifugal force is performed. There is a problem that control cannot be performed near the outer peripheral edge of the lower surface of the substrate.
【００１１】本出願人は、上記要望例に鑑み、基板の表
面の一部、特に基板の外周縁を含む所望環状領域を処理
液で均一且つ精密に処理することに関し検討を重ねてき
た。基板を枚葉処理する場合、基板のおもて面が下面に
配置される場合もあるし、或いは、それが上面に配置さ
れる場合もある。また、処理すべき基板の表面の一部が
下面になる場合もあるし、それが上面になる場合もあ
る。従って、基板の下面の一部を処理液で均一且つ精密
に処理することができること、及び、基板の上面の一部
を処理液で均一且つ精密に処理することができることが
望ましい。また、基板の上面と下面の一部を同時に又は
連続的に処理液で均一且つ精密に処理することができる
ことが望ましい。In view of the above demands, the present applicant has made extensive studies on uniformly and precisely treating a part of the surface of the substrate, particularly a desired annular region including the outer peripheral edge of the substrate. When a single substrate is processed, the front surface of the substrate may be arranged on the lower surface, or it may be arranged on the upper surface. Further, a part of the surface of the substrate to be processed may be the lower surface or the upper surface. Therefore, it is desirable that a part of the lower surface of the substrate can be uniformly and precisely processed with the processing liquid, and that a part of the upper surface of the substrate can be uniformly and precisely processed with the processing liquid. Further, it is desirable that a part of the upper surface and the lower surface of the substrate can be uniformly or precisely treated with the treatment liquid simultaneously or continuously.
【００１２】そこで、本願発明の目的は、基板の表面の
一部を処理液で均一且つ精密に処理することができる基
板処理装置及び方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of uniformly and precisely processing a part of the surface of a substrate with a processing liquid.
【００１３】また、本願発明の目的は、処理液を下方か
ら基板の下面に供給し、基板の下面の所望環状領域を均
一且つ精密に処理することが可能な、基板処理装置及び
方法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of supplying a processing liquid from the lower side to the lower surface of a substrate to uniformly and precisely process a desired annular region on the lower surface of the substrate. Especially.
【００１４】また、本願発明の目的は、基板の上面の所
望環状領域を均一且つ精密に処理することが可能な基板
処理装置及び方法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of uniformly and precisely processing a desired annular region on the upper surface of a substrate.
【００１５】また、本願発明の目的は、基板の上面の所
望環状領域と基板の下面の所望環状領域を同時に又は連
続的に、均一且つ精密に処理することが可能な基板処理
装置及び方法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of uniformly or precisely processing a desired annular region on the upper surface of the substrate and a desired annular region on the lower surface of the substrate simultaneously or continuously. To do.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板処理装置は、略水平面内で回転可
能に保持された基板の表面を処理する処理液を基板の表
面の所望環状領域に供給するための処理液供給手段を有
する、基板の表面の所望環状領域を処理する基板処理装
置において、処理液供給手段は、基板の表面の所望環状
領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで
且つこの端周縁が最拡径部をなすように延びる環状案内
面を有し、この環状案内面は、基板と同心に回転可能で
あり、この環状案内面に処理液が供給されることを特徴
としている。In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention provides a processing liquid for processing a surface of a substrate rotatably held in a substantially horizontal plane to a desired ring shape on the surface of the substrate. In a substrate processing apparatus for processing a desired annular area on a surface of a substrate, the processing liquid supplying means having a processing liquid supplying means for supplying the area to the area, and the processing liquid supplying means is disposed inside an inner peripheral edge of the desired annular area on the surface of the substrate. There is an annular guide surface that extends to the edge near the edge and the edge forms a maximum expanded diameter portion. The annular guide surface is rotatable concentrically with the substrate, and the annular guide surface is filled with the processing liquid. It is characterized by being supplied.
【００１７】このように構成された本発明においては、
基板の表面を処理する処理液が、基板と同心に回転可能
な環状案内面に供給される。処理液は、環状案内面の回
転による遠心力を受け、環状案内面に沿って移動し、環
状案内面の最拡径部をなす端周縁まで案内される。な
お、環状案内面が基板の上方に配置されている場合等、
処理液が重力だけで環状案内面の端周縁まで案内される
場合には、環状案内面を回転させなくても良い。次い
で、処理液は、環状案内面の端周縁の近傍に対向配置さ
れた基板の表面の所望環状領域の内周縁部に供給され
る。次いで、処理液は、基板の回転による遠心力を受
け、略水平面内に保持されている基板の表面に沿って外
方に旋回流となって移動する。このようにして、基板の
所望環状領域が処理される。その結果、処理液による基
板の所望環状領域の均一且つ精密な処理が可能になる。In the present invention thus constructed,
A treatment liquid for treating the surface of the substrate is supplied to an annular guide surface that can rotate concentrically with the substrate. The treatment liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the annular guide surface, moves along the annular guide surface, and is guided to an end peripheral edge of the annular guide surface that forms the largest diameter portion. In addition, when the annular guide surface is arranged above the substrate,
When the treatment liquid is guided to the peripheral edge of the annular guide surface only by gravity, the annular guide surface may not be rotated. Next, the processing liquid is supplied to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the surface of the substrate that is arranged in the vicinity of the end peripheral edge of the annular guide surface. Then, the treatment liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate, and moves outward in a swirling flow along the surface of the substrate held in a substantially horizontal plane. In this way, the desired annular region of the substrate is processed. As a result, it is possible to uniformly and precisely process the desired annular region of the substrate with the processing liquid.
【００１８】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理装置は、略水平面内で回転可能に保持さ
れた基板の下面を処理する処理液を基板の下面に供給す
るための処理液供給手段と、基板の下面への処理液の供
給を基板の下面の所望環状領域に制限する制限手段と、
を有する基板の下面の所望環状領域を処理する基板処理
装置において、処理液供給手段は、基板と同心に回転可
能であり且つ基板の下方から基板の下面に向かうにつれ
て基板の半径方向外方に拡径して、基板の下面の所望環
状領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁ま
で延びるラッパ状案内面を有し、このラッパ状案内面の
上に処理液が供給され、制御手段は、ラッパ状案内面の
端周縁により構成されることを特徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention is a processing liquid for supplying a processing liquid for processing the lower surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to the lower surface of the substrate. Supply means and limiting means for limiting the supply of the processing liquid to the lower surface of the substrate to a desired annular region on the lower surface of the substrate,
In a substrate processing apparatus for processing a desired annular region on the lower surface of a substrate, the processing liquid supply means is rotatable concentrically with the substrate and spreads outward in the radial direction of the substrate from the lower side of the substrate toward the lower surface of the substrate. It has a trumpet-shaped guide surface that extends to the end peripheral edge near the inner peripheral edge that is arranged so as to face the inner peripheral edge of the desired annular region on the lower surface of the substrate, and the processing liquid is supplied onto this trumpet-shaped guide surface for control. The means are characterized in that they are constituted by the peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface.
【００１９】このように構成された本発明においては、
基板の下面を処理する処理液が、基板と同心に回転可能
なラッパ状案内面の上に供給される。処理液は、ラッパ
状案内面の回転による遠心力を受け、重力に逆らって、
基板の下方から基板の下面に向って基板の半径方向外方
に拡径するラッパ状案内面に沿って上方に移動し、ラッ
パ状案内面の端周縁まで案内され、次いで、処理液は、
ラッパ状案内面の端周縁の近傍に対向配置された基板の
下面の所望環状領域の内周縁部に供給される。次いで、
処理液は、基板の回転による遠心力を受け、略水平面内
に保持されている基板の下面に沿って半径方向外方に旋
回流となって移動する。このようにして、基板の下方か
ら基板の下面への処理液の供給が可能になる。また、基
板の下面への処理液の供給が所望環状領域の内周縁部よ
りも外方に制限され、その結果、処理液による基板の下
面の所望環状領域の均一且つ精密な処理が可能になる。In the present invention thus constructed,
A processing liquid for processing the lower surface of the substrate is supplied onto a trumpet-shaped guide surface that can rotate concentrically with the substrate. The treatment liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the trumpet-shaped guide surface, countering gravity,
From the lower side of the substrate to the lower surface of the substrate, it moves upward along the trumpet-shaped guide surface that expands radially outward of the substrate, and is guided to the end peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface.
It is supplied to the inner peripheral edge portion of a desired annular region on the lower surface of the substrate which is arranged in the vicinity of the peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface. Then
The treatment liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate, and moves in a swirling flow radially outward along the lower surface of the substrate held in a substantially horizontal plane. In this way, the processing liquid can be supplied from below the substrate to the lower surface of the substrate. Further, the supply of the processing liquid to the lower surface of the substrate is limited to the outside of the inner peripheral edge portion of the desired annular area, and as a result, the desired annular area on the lower surface of the substrate can be uniformly and precisely processed by the processing liquid. .
【００２０】本発明において、好ましくは、更に、上面
が基板を下方から保持するチャック面を形成する回転可
能な中心円盤部と、この中心円盤部と間隔を隔て且つそ
れと同心にその周りを取り囲む回転可能な外側環状部
と、を有し、ラッパ状案内面は、中心円盤部と外側環状
部との間に形成される環状空間に臨むように外側環状部
に形成され、処理液供給手段は、ラッパ状案内面の上に
処理液を供給するための処理液供給口を更に有し、この
処理液供給口は、環状空間内に定置に配置される。In the present invention, preferably, further, a rotatable central disk portion whose upper surface forms a chuck surface for holding the substrate from below, and a rotating disk which is spaced apart from and concentric with the central disk portion. A possible outer annular portion, and the trumpet-shaped guide surface is formed in the outer annular portion so as to face the annular space formed between the central disk portion and the outer annular portion, and the treatment liquid supply means is The processing liquid supply port for supplying the processing liquid is further provided on the trumpet-shaped guide surface, and the processing liquid supply port is arranged in a fixed position in the annular space.
【００２１】このように構成された本発明においては、
基板は、中心円盤部の上面に形成されているチャック面
によって下方から保持される。また、中心円盤部と外側
環状部との間には、環状空間が形成され、処理液は、こ
の環状空間に臨むように外側環状部に形成されたラッパ
状案内面の上に供給される。ラッパ状案内面の上に処理
液を供給するための処理液供給口は、回転可能な中心円
盤部及び外側環状部と分離して環状空間内に定置に配置
されているので、汚染の発生源となり得る摺動部分を処
理液供給手段と中心円盤部又は外側環状部との間に設け
る必要はなく、基板処理装置の構造を簡単にすることが
できると共に摺動による発塵のない良好な周囲環境を形
成することができる。In the present invention thus constructed,
The substrate is held from below by a chuck surface formed on the upper surface of the central disk portion. Further, an annular space is formed between the central disk portion and the outer annular portion, and the treatment liquid is supplied onto the trumpet-shaped guide surface formed in the outer annular portion so as to face the annular space. The treatment liquid supply port for supplying the treatment liquid onto the trumpet-shaped guide surface is separated from the rotatable central disk portion and the outer annular portion and is disposed in a fixed position in the annular space. It is not necessary to provide a sliding part that can become a space between the processing liquid supply means and the central disk part or the outer annular part, and it is possible to simplify the structure of the substrate processing apparatus and to prevent dust generation due to sliding. An environment can be formed.
【００２２】本発明において、好ましくは、処理液供給
口は、環状空間の周方向に複数設けられる。In the present invention, preferably, a plurality of processing liquid supply ports are provided in the circumferential direction of the annular space.
【００２３】このように構成された本発明においては、
処理液供給口が環状空間の周方向に複数設けられている
ので、処理液の供給効率を高めることができる。In the present invention thus constructed,
Since a plurality of treatment liquid supply ports are provided in the circumferential direction of the annular space, the treatment liquid supply efficiency can be improved.
【００２４】本発明において、好ましくは、異なる処理
液供給口から異なる処理液が供給される。In the present invention, different processing liquids are preferably supplied from different processing liquid supply ports.
【００２５】このように構成された本発明においては、
１つの処理液供給口から１つの処理液を供給した後、引
続いて、別の処理液供給口から別の処理液を供給するこ
とができる。例えば、基板の下面の所望環状領域を薬液
で処理した後、引続いて、同じ所望環状領域を超純水で
洗浄することができる。また、異なる処理液が異なる処
理液供給口から供給されるので、異なる処理液を１つの
処理液供給口から供給する場合に生ずる処理液供給経路
の汚染を防止することができる。In the present invention thus constructed,
After supplying one processing liquid from one processing liquid supply port, subsequently, another processing liquid can be supplied from another processing liquid supply port. For example, after treating a desired annular region on the lower surface of the substrate with a chemical solution, the same desired annular region can be subsequently washed with ultrapure water. Moreover, since different treatment liquids are supplied from different treatment liquid supply ports, it is possible to prevent contamination of the treatment liquid supply paths that occurs when different treatment liquids are supplied from one treatment liquid supply port.
【００２６】本発明において、好ましくは、処理液を基
板の下面に案内するのを助長するための羽根手段が、ラ
ッパ状案内面上に設けられる。In the present invention, vane means are preferably provided on the trumpet-shaped guide surface for assisting in guiding the processing liquid to the lower surface of the substrate.
【００２７】このように構成された本発明においては、
ラッパ状案内面の回転による遠心力に加えて、ラッパ状
案内面上に設けられた羽根手段による推進力が処理液に
付与されるので、重力に逆らって基板の下方から基板の
下面に向って処理液を上方に案内することを助長するこ
とができる。In the present invention thus constructed,
In addition to the centrifugal force due to the rotation of the trumpet-shaped guide surface, the propulsive force by the blade means provided on the trumpet-shaped guide surface is applied to the processing liquid, so that it is against the gravity from the lower side of the substrate toward the lower surface of the substrate. It is possible to facilitate guiding the processing liquid upward.
【００２８】本発明において、好ましくは、中心円盤部
は、基板をチャック面から浮上させて保持するための基
板浮上機構を有する。In the present invention, preferably, the central disk portion has a substrate floating mechanism for floating and holding the substrate from the chuck surface.
【００２９】このように構成された本発明においては、
基板をチャック面から浮上させて保持するため、基板を
保持する際の発塵が防止され、良好な周囲環境を形成す
ることができる。In the present invention thus constructed,
Since the substrate is floated from the chuck surface and held, dust is prevented when holding the substrate, and a favorable ambient environment can be formed.
【００３０】本発明において、好ましくは、中心円盤部
は、基板の下面の中心部から半径方向外方に向って流れ
るガスを供給するためのガス供給手段を有する。In the present invention, preferably, the central disk portion has a gas supply means for supplying a gas flowing radially outward from the central portion of the lower surface of the substrate.
【００３１】このように構成された本発明においては、
中心円盤部のガス供給手段によって供給されたガスは、
基板の下面の中心部から半径方向外方に向って流れるの
で、基板の下面の所望環状領域の内周縁部に供給された
処理液が、ガスによる半径方向外方の力を受ける。それ
により、処理液が所望環状領域の内周縁部よりも内方に
供給されることが確実に防止される。In the present invention thus constructed,
The gas supplied by the gas supply means of the central disk is
Since it flows radially outward from the center of the lower surface of the substrate, the processing liquid supplied to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the lower surface of the substrate receives the radially outward force of the gas. This surely prevents the processing liquid from being supplied more inward than the inner peripheral edge of the desired annular region.
【００３２】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理装置は、略水平面内で回転可能に保持さ
れた基板の上面を処理する処理液を基板の上面に供給す
るための処理液供給手段と、基板の上面への処理液の供
給を基板の上面の所望環状領域に制限する制限手段と、
を有する基板の上面の所望環状領域を処理する基板処理
装置において、処理液供給手段は、基板の上方から基板
の上面に向かうにつれて基板の半径方向外方に拡径し
て、基板の上面の所望環状領域の内周縁と対向配置され
た内周縁近傍の端周縁まで延びるラッパ状案内面を有
し、このラッパ状案内面の上に処理液が供給され、制御
手段は、基板と同心に回転可能なラッパ状案内面の端周
縁により構成されることを特徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention is a processing liquid for supplying a processing liquid for processing the upper surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to the upper surface of the substrate. Supply means and limiting means for limiting the supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate to a desired annular region on the upper surface of the substrate,
In the substrate processing apparatus for processing a desired annular region on the upper surface of the substrate, the processing liquid supply means expands radially outward of the substrate from the upper side of the substrate toward the upper surface of the substrate to obtain the desired upper surface of the substrate. It has a trumpet-shaped guide surface that extends to the end peripheral edge near the inner peripheral edge that is arranged opposite to the inner peripheral edge of the annular region, and the processing liquid is supplied onto this trumpet-shaped guide surface, and the control means can rotate concentrically with the substrate. It is characterized in that it is constituted by an edge of a trumpet-shaped guide surface.
【００３３】このように構成された本発明においては、
基板の上面を処理する処理液がラッパ状案内面に供給さ
れる。処理液は、重力により基板の上方から基板の上面
に向って基板の半径方向外方に拡径するラッパ状案内面
に沿って下方に移動し、ラッパ状案内面の端周縁まで案
内される。処理液を下方に移動させるのに、ラッパ状案
内面を回転させて、処理液に遠心力を及ぼしても良い。
次いで、ラッパ状案内面を回転させると、その端周縁の
回転による遠心力により、処理液が飛ばされ、処理液
は、ラッパ状案内面の端周縁の近傍に対向配置された基
板の上面の所望環状領域の内周縁部に供給される。次い
で、処理液は、基板の回転による遠心力を受け、略水平
面内に保持されている基板の上面に沿って半径方向外方
に旋回流となって移動する。このようにして、基板の上
面への処理液の供給が所望環状領域の内周縁部よりも半
径方向外方に制限され、その結果、処理液による基板の
上面の所望環状領域の均一且つ精密な処理が可能にな
る。In the present invention thus constructed,
A treatment liquid for treating the upper surface of the substrate is supplied to the trumpet-shaped guide surface. The processing liquid moves downward due to gravity from the upper side of the substrate toward the upper surface of the substrate along a trumpet-shaped guide surface that expands radially outward of the substrate, and is guided to the edge of the trumpet-shaped guide surface. In order to move the processing liquid downward, the trumpet-shaped guide surface may be rotated to exert a centrifugal force on the processing liquid.
Then, when the trumpet-shaped guide surface is rotated, the treatment liquid is blown out by the centrifugal force due to the rotation of the edge of the trumpet-shaped guide surface, and the treatment liquid is deposited on the upper surface of the substrate opposite to the edge of the trumpet-shaped guide surface. It is supplied to the inner peripheral edge of the annular region. Then, the processing liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate, and moves in a swirling flow radially outward along the upper surface of the substrate held in a substantially horizontal plane. In this way, the supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate is restricted outward in the radial direction with respect to the inner peripheral portion of the desired annular region, and as a result, the processing liquid causes a uniform and precise formation of the desired annular region on the upper surface of the substrate. Processing becomes possible.
【００３４】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理装置は、略水平面内で回転可能に保持さ
れた基板の上面を処理する処理液を基板の上面に供給す
るための処理液供給手段と、基板の上面への処理液の供
給を基板の上面の所望環状領域に制限する制限手段と、
を有する基板の上面の所望環状領域を処理する基板処理
装置において、処理液供給手段は、基板の上面の所望環
状領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の環状出口
オリフィスまで基板の上面に対して斜め下方に且つ半径
方向外方に延びる環状流路を有し、この環状流路に処理
液が供給され、制限手段は、基板と同心に回転可能な環
状流路の環状出口オリフィスによって構成されることを
特徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention is a processing liquid for supplying a processing liquid for processing the upper surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to the upper surface of the substrate. Supply means and limiting means for limiting the supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate to a desired annular region on the upper surface of the substrate,
In the substrate processing apparatus for processing the desired annular region on the upper surface of the substrate, the processing liquid supply means is provided on the upper surface of the substrate up to the annular exit orifice near the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate. On the other hand, there is an annular flow channel that extends obliquely downward and outward in the radial direction, the processing liquid is supplied to this annular flow channel, and the limiting means is constituted by an annular outlet orifice of the annular flow channel that can rotate concentrically with the substrate. It is characterized by being done.
【００３５】このように構成された本発明においては、
基板の上面を処理する処理液が環状流路に供給される。
処理液は、重力により、環状流路の中を通って環状出口
オリフィスに向って移動する。処理液を移動させるの
に、環状流路を基板と同心に回転させて、処理液に遠心
力を及ぼしても良い。次いで、環状流路を回転させる
と、その環状出口オリフィスの回転による遠心力によ
り、処理液は、基板の上面に対して斜め下方に且つ半径
方向外方に延びる環状流路に沿って環状出口オリフィス
から飛ばされ、処理液は、環状出口オリフィスの近傍に
対向配置された基板の上面の所望環状領域の内周縁部に
供給される。次いで、処理液は、基板の回転による遠心
力を受け、略水平面内に保持されている基板の上面に沿
って半径方向外方に旋回流となって移動する。このよう
にして、基板の上面への処理液の供給が所望環状領域の
内周縁部よりも半径方向外方に制限され、その結果、処
理液による基板の上面の所望環状領域の均一且つ精密な
処理が可能になる。In the present invention thus constructed,
A treatment liquid for treating the upper surface of the substrate is supplied to the annular channel.
The gravity of the processing liquid moves through the annular flow path towards the annular outlet orifice. In order to move the processing liquid, the annular flow path may be rotated concentrically with the substrate to apply a centrifugal force to the processing liquid. Then, when the annular flow path is rotated, the processing liquid is rotated by the centrifugal force of the annular exit orifice, so that the processing liquid is slanted downward with respect to the upper surface of the substrate and along the annular flow path extending outward in the radial direction. The processing liquid is ejected to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the upper surface of the substrate, which is opposed to the annular outlet orifice. Then, the processing liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate, and moves in a swirling flow radially outward along the upper surface of the substrate held in a substantially horizontal plane. In this way, the supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate is restricted outward in the radial direction with respect to the inner peripheral portion of the desired annular region, and as a result, the processing liquid causes a uniform and precise formation of the desired annular region on the upper surface of the substrate. Processing becomes possible.
【００３６】本発明において、好ましくは、処理液供給
手段は、基板の上方に基板と間隔を隔てて配置され且つ
基板と同心に回転可能な上面側回転体を有し、この上面
側回転体は、内側回転部と、この内側回転部と間隔を隔
て且つその周りを取り囲む外側環状回転部と、を有し、
環状出口オリフィス及び環状流路は、内側回転部と外側
回転部との間に形成され、処理液供給手段は、更に、処
理液を環状流路に供給するための処理液供給口を有し、
この処理液供給口は、環状流路に臨むように定置に配置
される。In the present invention, preferably, the processing liquid supply means has an upper surface side rotating body which is disposed above the substrate with a space from the substrate and is rotatable concentrically with the substrate. An inner rotating portion and an outer annular rotating portion that is spaced apart from the inner rotating portion and surrounds the inner rotating portion,
The annular outlet orifice and the annular flow path are formed between the inner rotating part and the outer rotating part, and the processing liquid supply means further has a processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the annular flow path,
The processing liquid supply port is fixedly arranged so as to face the annular flow path.
【００３７】このように構成された本発明においては、
処理液は、内側回転部と、この内側回転部と間隔を隔て
且つその周りを取り囲む外側環状回転部との間に形成さ
れた環状流路を通って環状出口オリフィスに案内され
る。また、処理液を環状流路に供給するための処理液供
給口は、回転可能な上面側回転体と分離して、環状流路
に臨むように定置に配置されているので、汚染の発生源
となり得る摺動部分を処理液供給口と上面側回転体との
間に設ける必要はなく、基板処理装置の構造を簡単にす
ることができると共に、摺動による発塵のない良好な周
囲環境を形成することができる。In the present invention thus constructed,
The treatment liquid is guided to the annular outlet orifice through an annular flow path formed between the inner rotating part and an outer annular rotating part that is spaced apart from and surrounds the inner rotating part. Further, since the processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the annular flow path is separated from the rotatable upper surface side rotating body and is fixedly disposed so as to face the annular flow path, the source of contamination is generated. Since it is not necessary to provide a sliding part that can become a gap between the processing liquid supply port and the upper surface side rotating body, the structure of the substrate processing apparatus can be simplified, and a favorable surrounding environment without dust generation due to sliding can be achieved. Can be formed.
【００３８】本発明において、好ましくは、上面側回転
体は、更に、内側回転部と外側環状回転部との間に且つ
それらと間隔を隔てて配置された中間環状回転部を有
し、内側回転部と中間環状回転部との間に第１の環状出
口オリフィス及び環状流路が構成され、中間環状回転部
と外側回転部との間に第２の環状出口オリフィス及び環
状流路が構成される。In the present invention, preferably, the upper surface side rotating body further has an intermediate annular rotating portion arranged between the inner rotating portion and the outer annular rotating portion and at a distance from them, and the inner rotating portion is rotated. A first annular outlet orifice and an annular passage between the intermediate portion and the intermediate annular rotating portion, and a second annular outlet orifice and an annular passage between the intermediate annular rotating portion and the outer rotating portion. .
【００３９】このように構成された本発明においては、
２組の環状出口オリフィス及び環状流路が形成されてい
る。それにより、処理液を供給する環状流路を選択する
ことにより、処理液が供給される基板の上面の所望環状
領域の内周縁の位置を選択することができる。その結
果、処理液で処理すべき基板の上面の所望環状領域の範
囲を容易に変更することができる。また、２つの環状流
路及び環状出口オリフィスを利用して、薬液処理と洗浄
の連続処理を行うことが可能になる。例えば、外側の環
状流路に薬液を供給して所望環状領域を薬液で処理した
後、引続いて、内側の環状流路に純水を供給して、薬液
で処理された環状領域を含むより広い所望環状領域を純
水で洗浄することができる。更に、異なる処理液を異な
る環状流路から供給することができるので、異なる処理
液を１つの環状流路から供給する場合に生ずる環状流路
の汚染を防止することができる。In the present invention thus constructed,
Two sets of annular exit orifices and annular channels are formed. Accordingly, by selecting the annular flow path for supplying the processing liquid, it is possible to select the position of the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate to which the processing liquid is supplied. As a result, the range of the desired annular region on the upper surface of the substrate to be treated with the treatment liquid can be easily changed. Further, it becomes possible to perform continuous treatment of the chemical liquid treatment and the cleaning by utilizing the two annular flow passages and the annular outlet orifice. For example, after supplying the chemical solution to the outer annular flow path to treat the desired annular area with the chemical solution, subsequently supplying pure water to the inner annular flow path to include the annular area treated with the chemical solution. A large desired annular area can be washed with pure water. Furthermore, since different processing liquids can be supplied from different annular flow paths, it is possible to prevent contamination of the annular flow paths that occurs when different processing liquids are supplied from one annular flow path.
【００４０】本発明において、好ましくは、処理液供給
口は、複数設けられる。In the present invention, preferably, a plurality of processing liquid supply ports are provided.
【００４１】このように構成された本発明においては、
異なる処理液を異なる処理供給口から供給することがで
きるので、処理液供給口を選択することによって、所望
の処理液を選択することができる。また、異なる処理液
による基板処理を連続的に行うことが可能になる。In the present invention thus constructed,
Since different treatment liquids can be supplied from different treatment supply ports, a desired treatment liquid can be selected by selecting the treatment liquid supply port. Further, it becomes possible to continuously perform substrate processing using different processing liquids.
【００４２】本発明において、好ましくは、上面側回転
体は、基板に対して上下方向に相対移動可能である。In the present invention, preferably, the upper surface side rotating body is relatively movable in the vertical direction with respect to the substrate.
【００４３】このように構成された本発明においては、
所望環状領域の内周縁の位置を微調整することができ
る。具体的に説明すれば、基板の上面の所望環状領域の
内周縁近傍に配置された環状出口オリフィスから環状流
路に沿って基板の上面に向って斜め下方に供給された処
理液は、その基板の上面に到達する半径方向位置が、環
状出口オリフィスと基板の上面との間の距離に応じて変
化する。従って、上面側回転体を基板に対して上下方向
に相対移動させることにより、環状出口オリフィスと基
板の上面との間の距離が変化し、所望環状領域の内周縁
の位置を微調整することができることになる。その結
果、ユーザーが要望する基板の所望環状領域の処理に容
易に対応することができる。In the present invention thus constructed,
The position of the inner peripheral edge of the desired annular region can be finely adjusted. Specifically, the processing liquid supplied obliquely downward from the annular outlet orifice arranged near the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate along the annular flow path toward the upper surface of the substrate is the substrate. The radial position reaching the top surface of the substrate varies depending on the distance between the annular exit orifice and the top surface of the substrate. Therefore, by moving the upper-side rotor relative to the substrate in the vertical direction, the distance between the annular outlet orifice and the upper surface of the substrate is changed, and the position of the inner peripheral edge of the desired annular region can be finely adjusted. You can do it. As a result, it is possible to easily deal with the processing of the desired annular region of the substrate desired by the user.
【００４４】本発明において、好ましくは、内側回転部
は、基板の上面の中心部から半径方向外方に向って流れ
るガスを供給するためのガス供給手段を有する。In the present invention, preferably, the inner rotating portion has a gas supply means for supplying a gas flowing radially outward from the center of the upper surface of the substrate.
【００４５】このように構成された本発明においては、
ガス供給手段によって供給されたガスは、基板の上面の
中心部から半径方向外方に向って流れるので、基板の上
面の所望環状領域の内周縁部に供給された処理液が、ガ
スによって半径方向外向きの力を受け、基板の上面への
処理液の供給が所望環状領域の内周縁部よりも半径方向
外方に確実に制限される。In the present invention thus constructed,
Since the gas supplied by the gas supply means flows radially outward from the center of the upper surface of the substrate, the processing liquid supplied to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the upper surface of the substrate is radially moved by the gas. Due to the outward force, the supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate is surely restricted to the radial outer side than the inner peripheral edge of the desired annular region.
【００４６】本発明において、好ましくは、上面側回転
体は、基板を略水平方向に回転可能に保持する。In the present invention, preferably, the upper surface side rotating body holds the substrate rotatably in a substantially horizontal direction.
【００４７】このような構成による本発明においては、
基板を上方から保持することが可能になり、基板を下方
から保持する必要がないので、基板処理装置を簡単な構
造にすることができる。In the present invention having such a configuration,
Since the substrate can be held from above and it is not necessary to hold the substrate from below, the substrate processing apparatus can have a simple structure.
【００４８】本発明において、好ましくは、更に、基板
を下方から保持する保持台を有し、この保持台は、基板
の上面から下面への処理液の回り込みを促進する促進手
段と、基板の上面から下面に回り込んできた処理液を押
し戻す押し戻し手段と、処理液が基板の下面に回り込む
半径方向位置を調整するように促進手段及び押し戻し手
段を制御する制御手段と、を有する。In the present invention, preferably, further, a holding table for holding the substrate from below is provided, and the holding table has a promoting means for promoting the sneak of the processing liquid from the upper surface to the lower surface of the substrate and the upper surface of the substrate. The push-back means that pushes back the processing liquid that has flowed to the lower surface of the substrate, and the control means that controls the accelerating means and the push-back means so as to adjust the radial position of the processing liquid that goes around to the lower surface of the substrate.
【００４９】このように構成された本発明においては、
基板の上面の所望環状領域を処理した処理液は、基板の
下面に回り込んでくる。処理液の下面への回り込みを促
進手段によって促進すると共に、基板の下面に回り込ん
できた処理液を押し戻し手段によって押し戻す。促進手
段及び押し戻し手段を制御することによって、処理液が
基板の下面に回り込む半径方向位置を調整し、基板の上
面の所望環状領域を処理するだけでなく、基板の下面の
所望環状領域も同時に処理することが可能になる。In the present invention thus constructed,
The processing liquid that has processed the desired annular region on the upper surface of the substrate wraps around around on the lower surface of the substrate. The accelerating unit promotes the sneak of the processing liquid to the lower surface, and the processing liquid spilled onto the lower surface of the substrate is pushed back by the pushing-back unit. By controlling the accelerating means and the pushing-back means, the radial position where the processing liquid wraps around the lower surface of the substrate is adjusted, and not only the desired annular area on the upper surface of the substrate is processed but also the desired annular area on the lower surface of the substrate is processed at the same time. It becomes possible to do.
【００５０】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理装置は、略水平面内で回転可能に保持さ
れた基板の下面を処理する処理液を基板の下面に供給す
るための下面処理液供給手段と、基板の下面への処理液
の供給を基板の下面の所望環状領域に制限する下面制限
手段と、基板の上面を処理する処理液を基板の上面に供
給するための上面処理液供給手段と、基板の上面への処
理液の供給を基板の上面の所望環状領域に制限する上面
制限手段と、を有し、基板の下面の所望環状領域と基板
の上面の所望環状領域を同時に又は連続的に処理する基
板処理装置において、下面処理液供給手段は、基板と同
心に回転可能であり且つ基板の下方から基板の下面に向
かうにつれて基板の半径方向外方に拡径して、基板の下
面の所望環状領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍
の端周縁まで延びるラッパ状案内面を有し、このラッパ
状案内面の上に基板の下面を処理する処理液が供給さ
れ、下面制御手段は、ラッパ状案内面の端周縁により構
成され、上面処理液供給手段は、基板の上面の所望環状
領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の環状出口オ
リフィスまで基板の上面に対して斜め下方に且つ半径方
向外方に延びる環状流路を有し、この環状流路に基板の
上面を処理する処理液が供給され、上面制限手段は、基
板と同心に回転可能な環状出口オリフィスによって構成
されることを特徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention is a lower surface processing for supplying a processing liquid for processing the lower surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to the lower surface of the substrate. Liquid supply means, lower surface limiting means for limiting the supply of the processing liquid to the lower surface of the substrate to a desired annular region on the lower surface of the substrate, and upper surface processing liquid for supplying the processing liquid for processing the upper surface of the substrate to the upper surface of the substrate A supply means and an upper surface limiting means for restricting the supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate to a desired annular area of the upper surface of the substrate, and the desired annular area of the lower surface of the substrate and the desired annular area of the upper surface of the substrate are simultaneously provided. Alternatively, in the substrate processing apparatus for continuously processing, the lower surface processing liquid supply means is rotatable concentrically with the substrate and expands radially outward of the substrate from the lower side of the substrate toward the lower surface of the substrate, Desired annular area on the underside of It has a trumpet-shaped guide surface that extends to an end peripheral edge near the inner peripheral edge that is arranged to face the inner peripheral edge, and the processing liquid for processing the lower surface of the substrate is supplied onto the trumpet-shaped guide surface. The upper surface processing liquid supply means is constituted by the end peripheral edge of the guide surface, and the upper surface processing liquid supply means is obliquely downward to the upper surface of the substrate and has a radius up to an annular outlet orifice near the inner peripheral edge of the upper surface of the substrate opposite to the inner peripheral edge of the desired annular region. A processing liquid for processing the upper surface of the substrate is supplied to the annular flow path, and the upper surface limiting means is constituted by an annular outlet orifice rotatable concentrically with the substrate. It has a feature.
【００５１】このように構成された本発明による基板処
理装置においては、上述の基板の下面の所望環状領域を
処理する基板処理装置の特徴と、上述の基板の上面の所
望環状領域を処理する基板処理装置の特徴とをあわせ持
っているので、基板の下面の所望環状領域と基板の上面
の所望環状領域の両方を同時に又は連続的に処理するこ
とができる。In the substrate processing apparatus according to the present invention configured as described above, the characteristics of the substrate processing apparatus for processing the desired annular area on the lower surface of the substrate and the substrate for processing the desired annular area on the upper surface of the substrate described above. Since it has the features of the processing apparatus, both the desired annular region on the lower surface of the substrate and the desired annular region on the upper surface of the substrate can be processed simultaneously or successively.
【００５２】本発明において、好ましくは、基板の上面
を処理する処理液と基板の下面を処理する処理液は同じ
である。In the present invention, preferably, the treatment liquid for treating the upper surface of the substrate and the treatment liquid for treating the lower surface of the substrate are the same.
【００５３】このような構成による本発明においては、
基板の上面の所望環状領域と基板の下面の所望環状領域
に同種類の処理を同時にまたは連続的に施すことができ
る。In the present invention having such a configuration,
The same type of treatment can be applied to the desired annular region on the upper surface of the substrate and the desired annular region on the lower surface of the substrate simultaneously or successively.
【００５４】また、本発明において、好ましくは、基板
の上面を処理する処理液と基板の下面を処理する処理液
は異なる。Further, in the present invention, preferably, the treatment liquid for treating the upper surface of the substrate is different from the treatment liquid for treating the lower surface of the substrate.
【００５５】このような構成による本発明においては、
基板の上面の所望環状領域と基板の下面の所望環状領域
に異なる種類の処理を同時にまたは連続的に施すことが
できる。In the present invention having such a configuration,
Different types of treatments can be applied simultaneously or sequentially to the desired annular region on the upper surface of the substrate and the desired annular region on the lower surface of the substrate.
【００５６】上記目的を達成するために、本発明による
基板処理方法は、基板の表面の所望環状領域を処理する
基板処理方法であって、基板を略水平面内に保持しなが
ら回転させる段階と、基板の表面の所望環状領域の内周
縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで且つその端
周縁が最拡径部をなすように延びる環状案内面を基板と
同心に配置する段階と、基板の表面を処理する処理液を
環状案内面に沿ってその端周縁に案内して、処理液を基
板の表面の所望環状領域の内周縁に供給する段階と、処
理液にはたらく遠心力を利用して、基板の表面の所望環
状領域を処理する段階と、を有することを特徴としてい
る。In order to achieve the above object, the substrate processing method according to the present invention is a substrate processing method for processing a desired annular region on the surface of a substrate, wherein the substrate is rotated while being held in a substantially horizontal plane, Arranging an annular guide surface concentric with the substrate to an edge near the inner edge of the surface of the substrate opposite to the inner edge of the desired annular region and forming the edge having the largest expanded diameter portion; The step of guiding the treatment liquid for treating the surface of the substrate along the annular guide surface to the peripheral edge thereof and supplying the treatment liquid to the inner peripheral edge of the desired annular region on the surface of the substrate, and utilizing the centrifugal force acting on the treatment liquid. And treating the desired annular region of the surface of the substrate.
【００５７】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理方法は、基板の下面の所望環状領域を処
理する基板処理方法であって、基板を略水平面内に保持
しながら回転させる段階と、基板の下面に向かうにつれ
て基板の半径方向外方に拡径して、基板の下面の所望環
状領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁ま
で延びるラッパ状案内面を基板と同心に配置する段階
と、基板の下面を処理する処理液をラッパ状案内面の上
に供給する段階と、ラッパ状案内面を基板と同心に回転
させる段階と、処理液にはたらく遠心力を利用して、処
理液を基板の下方からラッパ状案内面の端周縁まで案内
して、基板の下面の所望環状領域の内周縁部に供給する
段階と、処理液にはたらく遠心力を利用して、基板の下
面の所望環状領域を処理する段階と、を有することを特
徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing method according to the present invention is a method for processing a desired annular region on the lower surface of a substrate, wherein the substrate is rotated while being held in a substantially horizontal plane. And a trumpet-shaped guide surface that expands outward in the radial direction of the substrate toward the lower surface of the substrate and extends to an end peripheral edge in the vicinity of the inner peripheral edge of the desired annular region of the lower surface of the substrate that is arranged to face the inner peripheral edge. Using the centrifugal force that acts on the processing liquid, the steps of arranging them concentrically, supplying the processing liquid for processing the lower surface of the substrate onto the trumpet-shaped guide surface, rotating the trumpet-shaped guide surface concentrically with the substrate, and Then, the process liquid is guided from the lower side of the substrate to the end peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface, and is supplied to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the lower surface of the substrate, and utilizing the centrifugal force acting on the process liquid, The desired annular area on the bottom surface of the substrate It is characterized by having the steps of management, the.
【００５８】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理方法は、基板の上面の所望環状領域を処
理する基板処理方法であって、基板を略水平面内に保持
しながら回転させる段階と、基板の上面の所望環状領域
の内周縁と対向配置された内周縁近傍の環状出口オリフ
ィスまで基板の上面に対して斜め下方に且つ半径方向外
方に延びる環状流路を基板と同心に配置する段階と、基
板の上面を処理する処理液を環状流路を通して環状出口
オリフィスに案内する段階と、処理液にはたらく遠心力
を利用して、処理液を基板の上面の所望環状領域の内周
縁部に供給して、基板の上面の所望環状領域を処理する
段階と、を有することを特徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing method according to the present invention is a method for processing a desired annular region on the upper surface of a substrate, wherein the substrate is rotated while being held in a substantially horizontal plane. And an annular flow channel extending obliquely downward and radially outward with respect to the upper surface of the substrate and concentrically with the substrate up to an annular outlet orifice near the inner peripheral edge of the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate. And the step of guiding the processing liquid for processing the upper surface of the substrate to the annular outlet orifice through the annular flow path, and utilizing the centrifugal force acting on the processing liquid, the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate. And treating the desired annular region of the upper surface of the substrate.
【００５９】また、上記目的を達成するために、本発明
による基板処理方法は、基板の上面の所望環状領域と基
板の下面の所望環状領域を同時に又は連続的に処理する
基板処理方法であって、基板を略水平面内に保持しなが
ら回転させる段階と、基板の下面に向かうにつれて基板
の半径方向外方に拡径して、基板の下面の所望環状領域
の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで延び
るラッパ状案内面を基板と同心に配置する段階と、基板
の下面を処理する処理液をラッパ状案内面の上に供給す
る段階と、ラッパ状案内面を基板と同心に回転させる段
階と、処理液にはたらく遠心力を利用して、処理液を基
板の下方からラッパ状案内面の端周縁まで案内して、基
板の下面の所望環状領域の内周縁部に供給する段階と、
基板の上面の所望環状領域の内周縁と対向配置された内
周縁近傍の環状出口オリフィスまで基板の上面に対して
斜め下方に且つ半径方向外方に延びる環状流路を基板と
同心に配置する段階と、基板の上面を処理する処理液を
環状流路を通して環状出口オリフィスに案内する段階
と、処理液にはたらく遠心力を利用して、処理液を基板
の上面の所望環状領域の内周縁部に供給する段階と、処
理液にはたらく遠心力を利用して、基板の上面の所望環
状領域と基板の下面の所望環状領域を同時に又は連続的
に処理する段階と、を有することを特徴としている。In order to achieve the above object, the substrate processing method according to the present invention is a substrate processing method for simultaneously or continuously processing a desired annular region on the upper surface of the substrate and a desired annular region on the lower surface of the substrate. , The step of rotating the substrate while holding it in a substantially horizontal plane, and the step of expanding the diameter radially outward of the substrate toward the lower surface of the substrate so as to face the inner peripheral edge of the desired annular region of the lower surface of the substrate. Arranging a trumpet-shaped guide surface extending to a peripheral edge near the substrate concentrically, supplying a processing liquid for treating the lower surface of the substrate onto the trumpet-shaped guide surface, and concentrating the trumpet-shaped guide surface with the substrate. The step of rotating and the step of guiding the processing liquid from the lower side of the substrate to the end peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface by utilizing the centrifugal force acting on the processing liquid, and supplying it to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the lower surface of the substrate. When,
A step of arranging an annular flow path extending obliquely downward with respect to the upper surface of the substrate and outward in the radial direction to the annular outlet orifice near the inner peripheral edge of the upper surface of the substrate opposite to the inner peripheral edge of the desired annular region concentrically with the substrate And guiding the processing liquid for processing the upper surface of the substrate to the annular outlet orifice through the annular flow path, and utilizing the centrifugal force acting on the processing liquid to bring the processing liquid to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the upper surface of the substrate. The method is characterized by including a step of supplying and a step of simultaneously or continuously processing the desired annular region on the upper surface of the substrate and the desired annular region on the lower surface of the substrate by utilizing the centrifugal force acting on the processing liquid.
【００６０】[0060]
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明によ
る基板処理装置の実施形態を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a substrate processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００６１】先ず、図１乃至図６を参照して、本発明の
第１の実施形態を説明する。第１の実施形態である基板
処理装置は、処理液が基板の下面に案内され、基板の下
面の環状領域を処理するようになっている。First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the substrate processing apparatus according to the first embodiment, the processing liquid is guided to the lower surface of the substrate to process the annular area on the lower surface of the substrate.
【００６２】図１は、本発明の第１の実施形態である基
板処理装置の概略断面図である。図１に示すように、基
板処理装置１は、基板Ａを保持する保持台２と、この保
持台２の下部に連結され且つ保持台２を回転軸線４を中
心に回転させる駆動部６と、基板Ａの下面Ａ１を処理す
る処理液を供給するための処理液供給口を備えた２つの
下側ノズル８、１０と、基板Ａの上面Ａ２を処理する処
理液を供給するための上側ノズル１２とを有している。
処理液は、酸、アルカリ又は有機溶媒その他の薬液、純
水又は脱イオン水等であり、処理内容、たとえば除去洗
浄する対象が、パーティクル、ポリマー、金属等のどの
異物か、或いは酸化膜、窒素化膜、CMPによって発生し
た変質膜等のどの膜であるのかに応じて、決定するのが
良い。FIG. 1 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a holder 2 for holding a substrate A, a drive unit 6 connected to a lower portion of the holder 2 and rotating the holder 2 around a rotation axis 4. Two lower nozzles 8 and 10 having processing liquid supply ports for supplying the processing liquid for processing the lower surface A1 of the substrate A, and an upper nozzle 12 for supplying the processing liquid for processing the upper surface A2 of the substrate A. And have.
The treatment liquid is an acid, an alkali or an organic solvent or other chemical liquid, pure water or deionized water, and the treatment content, for example, the object to be removed and washed is any foreign matter such as particles, polymers or metals, or an oxide film or nitrogen. It may be determined depending on which film, such as a chemical film or a modified film generated by CMP.
【００６３】保持台２は、基板Ａの下面Ａ１に面する中
心円盤部１４と、中心円盤部１４の下に連結されたシャ
フト部１６と、シャフト部１６の周りに配置されたカッ
プリング１８と、中心円盤部１４の周りに間隔を隔てて
配置された外側環状部２０とを有し、基板Ａを浮上させ
て支持するようにしている。The holding table 2 includes a central disc portion 14 facing the lower surface A1 of the substrate A, a shaft portion 16 connected under the central disc portion 14, and a coupling 18 arranged around the shaft portion 16. , And an outer annular portion 20 which is arranged around the central disk portion 14 with a space therebetween, and the substrate A is floated and supported.
【００６４】中心円盤部１４は基板Ａの下方に回転軸線
４と同心に配置され、いわゆるチャック面を形成するほ
ぼ水平な上面２２と、側面２４と、下面２６とを有す
る。後述するように、基板Ａは浮上され、中心円盤部１
４の上面２２と基板Ａの下面Ａ１との間に円形空間２８
が構成される。中心円盤部１４は、基板Ａの面積よりも
小さく且つ基板Ａを浮上させるのに十分な面積を有す
る。中心円盤部１４の側面２４は、例えば、下方に縮径
する。中心円盤部１４は、その上面２２の中心に円形空
間２８に臨む中心開口３０を有し、管腔３２がこの中心
開口３０から下方に延びている。The central disk portion 14 is disposed below the substrate A concentrically with the rotation axis 4 and has a substantially horizontal upper surface 22 forming a so-called chuck surface, a side surface 24, and a lower surface 26. As will be described later, the substrate A is levitated and the central disc portion 1
4 between the upper surface 22 of substrate 4 and the lower surface A1 of substrate A
Is configured. The central disk portion 14 is smaller than the area of the substrate A and has an area sufficient to float the substrate A. The side surface 24 of the central disk portion 14 is, for example, reduced in diameter downward. The central disk portion 14 has a central opening 30 facing the circular space 28 at the center of its upper surface 22, and a lumen 32 extends downward from this central opening 30.
【００６５】シャフト部１６は中心円盤部１４の下にそ
れと同心に連結される。シャフト部１６の径は中心円盤
部１４の直径よりも小さい。中心円盤部１４の中心開口
３０から下方に延びる管腔３２はシャフト部１６の中を
更に延び、シャフト部１６の側面３４に設けられた側面
開口３６と連通している。又、シャフト部１６の下部に
軸受３８が配置され、この軸受３８はシャフト部１６即
ち保持台２を回転軸線４を中心に回転可能に支持してい
る。The shaft portion 16 is connected below the central disk portion 14 and concentrically therewith. The diameter of the shaft portion 16 is smaller than the diameter of the central disk portion 14. A lumen 32 extending downward from the central opening 30 of the central disk portion 14 extends further inside the shaft portion 16 and communicates with a side surface opening 36 provided on a side surface 34 of the shaft portion 16. A bearing 38 is arranged below the shaft portion 16, and the bearing 38 supports the shaft portion 16, that is, the holding base 2 so as to be rotatable about the rotation axis 4.
【００６６】カップリング１８は、シャフト部１６が回
転しても回転しないように、シャフト部１６の周りに定
置に配置される。カップリング１８は、シャフト部１６
の側面開口３６と整列する環状隙間４０を有し、この環
状隙間４０はカップリング１８に設けられた接続口４２
と連通している。この接続口４２はガス供給源４４に接
続されている。かくして、ガス供給源４４は接続口４
２、環状隙間４０、側面開口３６及び管腔３２を経て中
心円盤部１４の中心開口３０と連通している。又、カッ
プリング１８とシャフト部１６との間のガス漏れを防止
するために、環状シール４６が環状隙間４０の上下に設
けられる。The coupling 18 is fixedly arranged around the shaft portion 16 so as not to rotate even if the shaft portion 16 rotates. The coupling 18 is the shaft 16
Has an annular gap 40 which is aligned with the side opening 36 of the coupling 18.
Is in communication with. The connection port 42 is connected to the gas supply source 44. Thus, the gas supply source 44 is the connection port 4
2, through the annular gap 40, the side surface opening 36 and the lumen 32, it communicates with the central opening 30 of the central disc portion 14. Further, annular seals 46 are provided above and below the annular gap 40 in order to prevent gas leakage between the coupling 18 and the shaft portion 16.
【００６７】外側環状部２０は、中心円盤部１４の周り
に間隔を隔ててそれと同心に配置される。外側環状部２
０は、基板Ａの下面Ａ１に面する環状上面４８と、環状
上面４８から中心円盤部１４を越えて下方に延びる環状
案内面５０とを有する。外側環状部２０の環状上面４８
と中心円盤部１４の上面２２との間に環状開口５２が構
成され、環状案内面５０と中心円盤部１４の側面２４と
の間に環状ノズル５４が構成され、環状案内面５０と中
心円盤部１４の下面２６及びシャフト部１６の側面３４
との間に下側ノズル８、１０を配置するための環状空間
５６が構成される。The outer annular portion 20 is arranged concentrically around the central disc portion 14 with a space therebetween. Outer ring 2
0 has an annular upper surface 48 facing the lower surface A1 of the substrate A, and an annular guide surface 50 extending downward from the annular upper surface 48 beyond the central disk portion 14. The annular upper surface 48 of the outer annular portion 20
And the upper surface 22 of the central disk portion 14 are formed with an annular opening 52, and an annular nozzle 54 is formed between the annular guide surface 50 and the side surface 24 of the central disk portion 14, and the annular guide surface 50 and the central disk portion are formed. Lower surface 26 of 14 and side surface 34 of shaft portion 16
An annular space 56 for arranging the lower nozzles 8 and 10 is formed between and.
【００６８】環状上面４８はほぼ水平であり、その外径
は基板Ａの外径よりも大きい。便宜上、環状上面４８と
中心円盤部１４の上面２２とは面一であるのが好ましい
が、それより高くても良いし、低くても良い。環状案内
面５０の断面輪郭はラッパ状である。ここで、用語「ラ
ッパ状」は、環状案内面５０の断面輪郭が基板Ａの下面
Ａ１に向かうにつれて基板の半径方向外方に拡径するこ
とをいう。このラッパ状断面輪郭は、例えば、図１に示
すように、下方向に凸形の曲線である。ラッパ状断面輪
郭は他の形状でも良く、その例を図２乃至図５に示す。
即ち、図２に示すように上方向に凸型の曲線でも良い
し、図３に示すように直線でも良いし、図４に示すよう
に直線と曲線を組合せても良いし、図５に示すように正
弦曲線状であっても良い。The annular upper surface 48 is substantially horizontal and its outer diameter is larger than the outer diameter of the substrate A. For convenience, the annular upper surface 48 and the upper surface 22 of the central disk portion 14 are preferably flush with each other, but may be higher or lower than that. The cross-sectional contour of the annular guide surface 50 is a trumpet shape. Here, the term “trumpet-like” means that the cross-sectional contour of the annular guide surface 50 expands radially outward of the substrate A toward the lower surface A1 of the substrate A. This trumpet-shaped cross-sectional profile is, for example, a downward convex curve, as shown in FIG. The trumpet-shaped cross-section may have other shapes, examples of which are shown in FIGS.
That is, it may be an upward convex curve as shown in FIG. 2, a straight line as shown in FIG. 3, a combination of straight lines and curved lines as shown in FIG. 4, and FIG. It may be sinusoidal.
【００６９】環状案内面５０は、処理液で処理すべき所
望環状領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周
縁を有する。この端周縁は、環状案内面５０の最拡径部
をなし、環状開口５２と一致している。環状案内面５０
端周縁部は、環状上面４８に対して半径方向外方に鋭角
をなし、環状上面４８に対するノズル角度αは、１０乃
至６０°であるのが好ましく、その位置は、基板Ａの外
周縁Ａ３から３乃至５ｍｍ半径方向内方に位置するのが
好ましい。また、環状開口５２の半径方向幅は、好まし
くは、０．３乃至５．０ｍｍであり、更に好ましくは、
０．５乃至１．０ｍｍである。しかしながら、これらの
値を、任意に設計しても良い。The annular guide surface 50 has an end peripheral edge in the vicinity of the inner peripheral edge which is arranged to face the inner peripheral edge of the desired annular region to be treated with the treatment liquid. This end peripheral edge forms the maximum expanded diameter portion of the annular guide surface 50 and coincides with the annular opening 52. Annular guide surface 50
The end peripheral portion forms an acute angle radially outward with respect to the annular upper surface 48, and the nozzle angle α with respect to the annular upper surface 48 is preferably 10 to 60 °, and its position is from the outer peripheral edge A3 of the substrate A. It is preferably located 3 to 5 mm radially inward. The radial width of the annular opening 52 is preferably 0.3 to 5.0 mm, and more preferably
It is 0.5 to 1.0 mm. However, these values may be designed arbitrarily.
【００７０】外側環状部２０と中心円盤部１４とは、下
側ノズル８、１０と干渉しない位置に配置された複数の
連結体５８によって連結される。従って、シャフト部１
６が駆動部６によって回転されるとき、外側環状部２０
と中心円盤部１４とは一緒に回転するようになってい
る。連結体５８は、円周方向に等間隔に６つ設けられて
いる(図６参照)。連結体５８の詳細については、後述す
る。The outer annular portion 20 and the central disk portion 14 are connected by a plurality of connecting bodies 58 arranged at positions where they do not interfere with the lower nozzles 8 and 10. Therefore, the shaft portion 1
The outer annular part 20 is rotated when 6 is rotated by the drive part 6.
And the central disk portion 14 rotate together. Six connecting bodies 58 are provided at equal intervals in the circumferential direction (see FIG. 6). Details of the connecting body 58 will be described later.
【００７１】又、外側環状部２０は環状上面４８に同一
円周上に配置された複数の孔６０と、これらの孔６０と
連通する環状空間６２とを有する。孔６０は、円周方向
等角度間隔に６つ設けられている(図６参照)。これらの
孔６０に複数のピン６４が配置される。各ピン６４は、
その上部に軸線６６を中心に偏心移動でき且つ環状上面
４８から突出する偏心突起６８を有する。各ピン６４の
下部は環状空間６２に延長され、ギヤ７０を構成する。
又、ギヤ７０に係合するリングギヤ７２が回転軸線４と
同心に環状空間６２に配置される。リングギヤ７２は、
例えばアクチュエータ７４により、回転軸線４を中心に
回転されるようになっている。基板Ａを心出しするため
に、偏心突起６８は、その半径方向位置の変化によって
基板Ａの外周縁Ａ３に接触したり、離れたりするように
なっている。Further, the outer annular portion 20 has a plurality of holes 60 arranged on the annular upper surface 48 on the same circumference, and an annular space 62 communicating with these holes 60. Six holes 60 are provided at equal angular intervals in the circumferential direction (see FIG. 6). A plurality of pins 64 are arranged in these holes 60. Each pin 64 is
An eccentric protrusion 68 that can be eccentrically moved around the axis 66 and that protrudes from the annular upper surface 48 is provided on the upper portion thereof. The lower portion of each pin 64 extends into the annular space 62 and forms a gear 70.
Further, a ring gear 72 that engages with the gear 70 is arranged in the annular space 62 concentrically with the rotation axis 4. The ring gear 72 is
For example, the actuator 74 is adapted to rotate about the rotation axis 4. In order to center the substrate A, the eccentric projection 68 comes into contact with or separates from the outer peripheral edge A3 of the substrate A depending on the change in the position in the radial direction.
【００７２】駆動部６は、シャフト部１６を回転させる
機構を有し、例えば、モーター７６、モーター７６に連
結されたプーリ７８、シャフト部１６に連結されたプー
リ８０及び両プーリ７８、８０間の回転を伝動する伝動
ベルト８２とを有する。駆動部６により、保持台２が回
転軸線４を中心に回転されるようになっている。The drive section 6 has a mechanism for rotating the shaft section 16. For example, the motor 76, a pulley 78 connected to the motor 76, a pulley 80 connected to the shaft section 16, and a space between the pulleys 78, 80. And a transmission belt 82 that transmits rotation. The holder 2 is rotated about the rotation axis 4 by the drive unit 6.
【００７３】下側ノズル８、１０は、中心円盤部１４と
外側環状部２０との間の環状空間５６に配置されてい
る。このため、下側ノズル８、１０は、保持台２が回転
しても回転しないようになっている。また、下側ノズル
８、１０は、円周方向等角度間隔に２つずつ、計４つ定
置に配置され(図６参照)、図１に示すように、Ｌ字形で
あっても良いし、コの字形のようなその他の形状でも良
い。下側ノズル８、１０の処理液供給口８４、８６は環
状案内面５０に向けられる。下側ノズル８は処理液供給
源８８に接続され、下側ノズル１０は処理液供給源９０
に接続される。処理液供給源８８及び９０には、異なる
種類の処理液が充填されている。The lower nozzles 8 and 10 are arranged in the annular space 56 between the central disk portion 14 and the outer annular portion 20. Therefore, the lower nozzles 8 and 10 do not rotate even if the holding table 2 rotates. Further, the lower nozzles 8 and 10 are arranged in a stationary manner, two by two at equal angular intervals in the circumferential direction (see FIG. 6), and may be L-shaped as shown in FIG. Other shapes such as a U-shape may be used. The processing liquid supply ports 84 and 86 of the lower nozzles 8 and 10 face the annular guide surface 50. The lower nozzle 8 is connected to the processing liquid supply source 88, and the lower nozzle 10 is connected to the processing liquid supply source 90.
Connected to. The processing liquid supply sources 88 and 90 are filled with different types of processing liquids.
【００７４】上側ノズル１２は、基板Ａの上方に回転軸
線４に沿って配置される。この上側ノズル１２は処理液
供給源９２に接続される。The upper nozzle 12 is arranged above the substrate A along the rotation axis 4. The upper nozzle 12 is connected to the processing liquid supply source 92.
【００７５】次に、図１及び６を参照して、連結体５８
を詳細に説明する。図６は、連結体５８を図１の線６-
６における断面で示した外側環状部２０の平面図であ
る。図１に示すように、連結体５８は、下側ノズル８、
１０に臨む入口面５８ａと、その反対側の出口面５８ｂ
とを有し、入口面５８ａには、下側ノズル８、１０の処
理液供給口８４、８６と同じ高さに位置する溝５８ｃが
設けられている。溝５８ｃは、下側ノズル８、１０に臨
む溝面５８ｄを有している。図６に示すように、入口面
５８ａ及び出口面５８ｂは、外側環状部２０の回転方向
２０ａと反対向きの円周方向に向かうにつれて半径方向
外方に延び、処理液を半径方向外方に推進するための羽
根を構成している。また、溝５８ｃの溝面５８ｄも同様
に、外側環状部２０の回転方向２０ａと反対向きの円周
方向に向かうにつれて半径方向外方に延び、溝端５８ｅ
まで延びている。Next, referring to FIGS. 1 and 6, the connector 58
Will be described in detail. FIG. 6 shows the connecting body 58 along the line 6- of FIG.
6 is a plan view of the outer annular portion 20 shown in a cross section in FIG. As shown in FIG. 1, the connecting body 58 includes the lower nozzle 8,
Inlet surface 58a facing 10 and outlet surface 58b on the opposite side
The inlet surface 58a is provided with a groove 58c located at the same height as the processing liquid supply ports 84 and 86 of the lower nozzles 8 and 10. The groove 58c has a groove surface 58d that faces the lower nozzles 8 and 10. As shown in FIG. 6, the inlet surface 58a and the outlet surface 58b extend outward in the radial direction in the circumferential direction opposite to the rotation direction 20a of the outer annular portion 20, and propel the treatment liquid outward in the radial direction. Constitutes a blade for doing. Similarly, the groove surface 58d of the groove 58c also extends radially outward as it goes in the circumferential direction opposite to the rotation direction 20a of the outer annular portion 20, and the groove end 58e.
Has been extended to.
【００７６】次に、基板処理装置１の動作を説明する。Next, the operation of the substrate processing apparatus 1 will be described.
【００７７】まず、ガス供給源４４を作動させ、ガスを
接続口４２、環状隙間４０、側面開口３６、管腔３２を
経て中心円盤部１４の中心開口３０から噴出させる。ガ
スは高純度の窒素ガスであるのが好ましいが、他の高純
度不活性ガス又は十分に精製された空気その他のガスで
も良い。次いで、基板Ａを保持台２の上に基板移送装置
(図示せず)等によって移送する。このとき、既に、中心
円盤部１４の中心開口３０からガスが噴射されているの
で、基板Ａは保持台２に接触することなく、浮上された
状態で基板移送装置から保持台２に移載される。これに
ついて説明すれば、ガスは基板Ａと中心円盤部１４との
間の円形空間２８を放射状に高速で流れ、ベルヌイ効果
を引き起こし、基板Ａを、それと中心円盤部１４との間
の間隔を一定に保つように浮上させる。即ち、基板Ａは
ガスの噴出による上向きの力と、ガスの放射状流れによ
り生じた負圧による下向きの力と、基板Ａの重量による
下向きの力を受け、これらの力が平衡する位置でほぼ水
平に保持台２に保持される。First, the gas supply source 44 is operated to eject gas from the central opening 30 of the central disk portion 14 through the connection port 42, the annular gap 40, the side opening 36, and the lumen 32. The gas is preferably high purity nitrogen gas, but may be other high purity inert gas or fully purified air or other gas. Next, the substrate A is placed on the holding table 2 and a substrate transfer device
Transfer (not shown) or the like. At this time, since the gas has already been jetted from the central opening 30 of the central disk portion 14, the substrate A is transferred from the substrate transfer device to the holding table 2 in a floating state without coming into contact with the holding table 2. It Explaining this, the gas radially flows at a high speed in the circular space 28 between the substrate A and the central disk portion 14 to cause the Bernoulli effect, so that the substrate A is kept at a constant distance between it and the central disk portion 14. Levitate to keep on. That is, the substrate A receives an upward force due to the jet of gas, a downward force due to the negative pressure generated by the radial flow of the gas, and a downward force due to the weight of the substrate A, and is substantially horizontal at a position where these forces are balanced. It is held on the holding table 2.
【００７８】次いで、アクチュエータ７４を作動させ、
リングギヤ７２を回転させると、各ピン６４は軸線６６
を中心に回転され、偏心突起６８の半径方向位置が変化
し、ピン６４の偏心突起６８をそれぞれ基板Ａに接触さ
せる。これにより、保持台２から浮上している基板Ａの
横移動が制限され、基板Ａは回転軸線４と同心に配置さ
れる。又、保持台２の回転を基板Ａに伝えることが可能
になる。次いで、駆動部６のモーター７６を作動させ
て、保持台２を回転させる。これにより、基板Ａは回転
される。回転速度は可変であり、例えば約２００乃至５
０００ｒｐｍである。この回転速度は、後に説明する下
側ノズル８、１０からの処理液の供給による下面Ａ１の
処理の観点から、決定してもよい。例えば、処理液の遠
心力による旋回流の洗浄効果を望む場合には、高回転速
度にすればよい。Then, the actuator 74 is operated,
When the ring gear 72 is rotated, the pins 64 move to the axis 66.
The eccentric projections 68 of the pins 64 are brought into contact with the substrate A, respectively, by being rotated around. As a result, the lateral movement of the substrate A floating from the holding table 2 is limited, and the substrate A is arranged concentrically with the rotation axis 4. Further, the rotation of the holding table 2 can be transmitted to the substrate A. Then, the motor 76 of the drive unit 6 is operated to rotate the holding table 2. As a result, the substrate A is rotated. The rotation speed is variable, for example about 200 to 5
000 rpm. This rotation speed may be determined from the viewpoint of processing the lower surface A1 by supplying the processing liquid from the lower nozzles 8 and 10, which will be described later. For example, if a swirling flow cleaning effect due to the centrifugal force of the processing liquid is desired, a high rotation speed may be used.
【００７９】次いで、基板Ａを処理する処理液、例えば
薬液を上側ノズル１２から基板Ａの上面Ａ２に噴射又は
滴下等によって供給する。処理液の供給は、連続的であ
っても良いし、間欠的であっても良い。上側ノズル１２
から基板Ａの上面Ａ２に供給された処理液は、基板Ａの
回転による遠心力によって、基板Ａの上面Ａ２の中心か
ら半径方向外方に移動されると共に、基板Ａの外周縁Ａ
３まで基板Ａの上面Ａ２全体に広がる。これにより、基
板Ａの上面Ａ２が処理液で処理される。基板Ａの外周縁
Ａ３に達した処理液は、基板Ａの回転による遠心力によ
って更に外方に飛ばされる。Then, a treatment liquid for treating the substrate A, for example, a chemical liquid is supplied from the upper nozzle 12 to the upper surface A2 of the substrate A by jetting or dropping. The treatment liquid may be supplied continuously or intermittently. Upper nozzle 12
The processing liquid supplied from the substrate A to the upper surface A2 of the substrate A is moved radially outward from the center of the upper surface A2 of the substrate A by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate A, and the outer peripheral edge A of the substrate A is also transferred.
Up to 3 spread over the entire upper surface A2 of the substrate A. As a result, the upper surface A2 of the substrate A is processed with the processing liquid. The processing liquid that has reached the outer peripheral edge A3 of the substrate A is further ejected outward by the centrifugal force generated by the rotation of the substrate A.
【００８０】又、上側ノズル１２から供給された処理液
と同じ処理液、例えば薬液を下側ノズル８から噴射す
る。噴射された薬液の大部分は、連結体５８の溝５８ｃ
内に入いる。薬液は、外側環状部２０の回転による遠心
力を受けているため、溝５８ｃの溝面５８ｄに押付けら
れる。外側環状部２０の回転方向２０ａと溝面５８ｄが
延びる向きとの上述の関係(図６参照)により、薬液は、
溝面５８ｄに沿って半径方向外向きに移動すると共に推
進、加速され、溝端５８ｅから噴射される。溝端５８ｅ
から噴射された薬液及び下側ノズル８、１０から噴射さ
れて溝５８ｃに入らなかった薬液は、連結体５８の入口
面５８ａ又は出口面５８ｂに到達し、或いは、環状案内
面５０に落下する。入口面５８ａ又は出口面５８ｂに到
達した薬液は、溝５８ｃに入った薬液と同様、入口面５
８ａ又は出口面５８ｂに沿って半径方向外向きに移動す
ると共に推進、加速され、ついには、環状案内面５０に
落下する。環状案内面５０に落下した薬液は、環状案内
面５０の断面輪郭がラッパ状になっているので、環状案
内面５０に沿って基板Ａの下面Ａ１に向って移動し且つ
広がり、円周方向に均一になって、環状開口５２に案内
される。このように、下側ノズル８、１０から噴射され
た薬液は、溝面５８ｄ、入口面５８ａ及び出口面５８ｂ
によって推進、加速され、薬液を半径方向外方に効率的
に移動させることができる。Further, the same treatment liquid as the treatment liquid supplied from the upper nozzle 12, for example, a chemical liquid is jetted from the lower nozzle 8. Most of the sprayed chemical liquid is the groove 58c of the connecting body 58.
Inside. Since the chemical liquid receives a centrifugal force due to the rotation of the outer annular portion 20, the chemical liquid is pressed against the groove surface 58d of the groove 58c. Due to the above-described relationship between the rotation direction 20a of the outer annular portion 20 and the direction in which the groove surface 58d extends (see FIG. 6), the chemical liquid is
It moves radially outward along the groove surface 58d, is propelled and accelerated, and is jetted from the groove end 58e. Groove edge 58e
The chemical liquid ejected from and the chemical liquid ejected from the lower nozzles 8 and 10 and not entering the groove 58c reach the inlet face 58a or the outlet face 58b of the coupling body 58, or drop to the annular guide face 50. The chemical liquid that has reached the inlet surface 58a or the outlet surface 58b is the same as the chemical liquid that has entered the groove 58c.
8a or the exit surface 58b, it moves radially outward, is propelled and accelerated, and finally falls on the annular guide surface 50. The chemical liquid that has dropped onto the annular guide surface 50 moves and spreads along the annular guide surface 50 toward the lower surface A1 of the substrate A because the annular guide surface 50 has a trumpet-shaped cross-sectional profile. It becomes uniform and is guided to the annular opening 52. In this way, the chemical liquid sprayed from the lower nozzles 8 and 10 has a groove surface 58d, an inlet surface 58a, and an outlet surface 58b.
The liquid chemicals can be efficiently propelled and accelerated, and the chemical liquid can be efficiently moved radially outward.
【００８１】環状案内面５０の最拡径部にある環状開口
５２に達した薬液は、遠心力によって下面Ａ１の周方向
に向いた旋回流となって、ノズル角度αで吐出され、基
板Ａの下面Ａ１の所望環状領域の内周縁部を濡らす。基
板Ａの下面Ａ１を濡らした薬液は、基板Ａの回転による
遠心力を受け、半径方向外方に移動され且つ広がる。こ
れにより、基板Ａの下面Ａ１の所望環状領域が均一に処
理される。又、基板Ａと中心円盤部１４との間の円形空
間２８を放射状に流れるガスは、環状開口５２から吐出
された薬液を半径方向外方に押すので、薬液は環状開口
５２から半径方向内方に移動することはない。その結
果、処理液の供給範囲が制限され、非処理部と処理部と
の間の境界部を明確にすることができ、精密な処理が可
能になる。また、環状開口５２の位置を任意に設計する
ことにより、所望の環状領域を薬液で処理することがで
きる。基板Ａの外周縁Ａ３に達した薬液は、遠心力によ
り飛ばされる。The chemical liquid that has reached the annular opening 52 at the most enlarged diameter portion of the annular guide surface 50 is swirled in the circumferential direction of the lower surface A1 due to the centrifugal force, and is discharged at the nozzle angle α, so that the substrate A Wet the inner peripheral edge of the desired annular region of the lower surface A1. The chemical liquid that wets the lower surface A1 of the substrate A is subjected to a centrifugal force due to the rotation of the substrate A, and is moved and spread outward in the radial direction. As a result, the desired annular region on the lower surface A1 of the substrate A is uniformly processed. Further, the gas that radially flows in the circular space 28 between the substrate A and the central disk portion 14 pushes the chemical liquid discharged from the annular opening 52 outward in the radial direction. Never move to. As a result, the supply range of the processing liquid is limited, the boundary between the non-processing part and the processing part can be made clear, and precise processing is possible. Further, by designing the position of the annular opening 52 arbitrarily, a desired annular region can be treated with the chemical solution. The chemical liquid that has reached the outer peripheral edge A3 of the substrate A is ejected by the centrifugal force.
【００８２】下側ノズル１８からの処理液の供給は、場
合により、上側ノズル２２からの処理液の供給と並行し
て、同時に行ってもよい。これにより、基板の上面及び
下面を同時に処理することにより、基板の処理効率の向
上を図ることができる。下側ノズル１８からの処理液と
上側ノズル２２からの処理液とが異なる場合も、同様で
ある。In some cases, the supply of the processing liquid from the lower nozzle 18 may be performed concurrently with the supply of the processing liquid from the upper nozzle 22. Thus, the processing efficiency of the substrate can be improved by simultaneously processing the upper surface and the lower surface of the substrate. The same applies when the treatment liquid from the lower nozzle 18 and the treatment liquid from the upper nozzle 22 are different.
【００８３】次いで、基板Ａを処理する処理液、例えば
純水を下側ノズル１０から環状案内面５０上に噴射又は
滴下等によって供給する。供給された純水は、下側ノズ
ル８から供給された薬液と同様、所望の環状領域を純水
で処理することができる。これにより、異なる処理液に
よる処理の切換えを簡易且つ連続的に行うことができ、
処理時間の短縮を図ることができる。又、下側ノズル
８、１０は回転しないので、下側ノズル８、１０への管
路９４、９６の構成を簡単にすることができる。更に、
本実施形態のように構成しない場合に設けられるであろ
う回転する管路と回転しない管路との間の接続部によっ
て生じる汚染を回避することができる。その上、異なる
種類の処理液を異なる下側ノズル８、１０から供給して
いるので、異なる処理液を単一の管路で供給することに
よる管路の汚染を防止することができる。下側ノズル１
０から純水を供給するとき、上側ノズル１２から純水を
供給しても良い。Then, a treatment liquid for treating the substrate A, for example, pure water, is supplied from the lower nozzle 10 onto the annular guide surface 50 by jetting or dropping. The supplied pure water can treat a desired annular region with pure water, like the chemical liquid supplied from the lower nozzle 8. As a result, it is possible to easily and continuously switch the processing using different processing liquids.
The processing time can be shortened. Further, since the lower nozzles 8 and 10 do not rotate, the structure of the conduits 94 and 96 to the lower nozzles 8 and 10 can be simplified. Furthermore,
Contamination caused by the connection between the rotating and non-rotating conduits that would otherwise be provided if not configured as in this embodiment can be avoided. Moreover, since different types of processing liquids are supplied from different lower nozzles 8 and 10, it is possible to prevent the pipelines from being contaminated by supplying different processing liquids through a single pipeline. Lower nozzle 1
When pure water is supplied from 0, pure water may be supplied from the upper nozzle 12.
【００８４】本実施形態により、例えば、さまざまな素
子が形成されているおもて面と、外周縁面（ベベル部）
と、素子が形成されていない裏面とを有する基板Ａを、
おもて面が下向きになるようにチャック面から浮上させ
て保持し、おもて面のうちの素子非形成部分である環状
外周部、外周縁面及び裏面を容易に洗浄することができ
る。又、回転速度、ガス流量、処理液流量、環状開口５
２の位置、開口５２の半径方向幅、処理液吐出角度を最
適に設計することにより、基板Ａの外周縁Ａ３近傍の所
望環状領域を精密に処理することができる。According to the present embodiment, for example, the front surface on which various elements are formed and the outer peripheral surface (bevel portion)
And a substrate A having a back surface on which elements are not formed,
It can be floated and held from the chuck surface so that the front surface faces downward, and the annular outer peripheral portion, the outer peripheral edge surface and the back surface, which are the element non-forming portions of the front surface, can be easily washed. Also, the rotation speed, the gas flow rate, the processing liquid flow rate, the annular opening 5
By optimally designing the position 2, the radial width of the opening 52, and the processing liquid discharge angle, the desired annular region near the outer peripheral edge A3 of the substrate A can be precisely processed.
【００８５】ベルヌイ効果を利用した基板浮上機構の代
わりに、多孔板或いは多孔質材から噴射される気体と基
板Ａの下面Ａ１との衝突により発生する静圧を利用し
た、いわゆるエアベアリングによる基板浮上機能を利用
した基板浮上機構を採用しても良い。Substrate levitation by a so-called air bearing, which utilizes static pressure generated by collision of gas jetted from a perforated plate or porous material and the lower surface A1 of the substrate A, instead of the substrate levitation mechanism utilizing the Bernoulli effect. A substrate floating mechanism that utilizes the function may be adopted.
【００８６】次に、図７を参照して、本発明による基板
処理装置の第２の実施形態を説明する。第２の実施形態
である基板処理装置も、第１の実施形態と同様、処理液
が案内面に沿って基板の下面に案内される。Next, a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. Also in the substrate processing apparatus of the second embodiment, the processing liquid is guided to the lower surface of the substrate along the guide surface, as in the first embodiment.
【００８７】図７は、本発明の第２の実施形態である基
板処理装置の概略断面図である。図７に示すように、基
板処理装置１００は、第１の実施形態の基板処理装置１
と類似している。基板処理装置１００の特徴は、図１の
ガス供給装置４４の代わりに真空装置１０２を採用した
点にある。このため、第１実施形態と同一の部分には同
一符号を付すことにより、それらの説明は省略し、以下
に特徴部分について説明する。FIG. 7 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the substrate processing apparatus 100 is the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment.
Is similar to. The substrate processing apparatus 100 is characterized in that a vacuum device 102 is used instead of the gas supply device 44 of FIG. Therefore, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The characteristic parts will be described below.
【００８８】真空装置１０２は、カップリング１８の接
続口４２、環状隙間４０、シャフト部１６の側面開口３
６、管腔３２を経て、中心円盤部１４の上面２２の複数
の開口１０４に連通している。又、外側環状部２０の環
状上面４８が中心円盤部１４の上面２２よりも低く配置
されている。外側環状部２０の環状上面４８と中心円盤
部１４の上面２２との間の高さ関係は、環状ノズル５４
から吐出された処理液が、吸着された基板Ａの下面Ａ１
の所望環状領域の内周縁を濡らすように定められてい
る。The vacuum device 102 includes the connection port 42 of the coupling 18, the annular gap 40, and the side surface opening 3 of the shaft portion 16.
6, through the lumen 32, and communicates with the plurality of openings 104 in the upper surface 22 of the central disk portion 14. Further, the annular upper surface 48 of the outer annular portion 20 is arranged lower than the upper surface 22 of the central disk portion 14. The height relationship between the annular upper surface 48 of the outer annular portion 20 and the upper surface 22 of the central disk portion 14 depends on the annular nozzle 54.
The processing liquid ejected from the lower surface A1 of the substrate A on which the processing liquid is adsorbed
Is designed to wet the inner peripheral edge of the desired annular region of.
【００８９】このような構成によれば、真空装置１０２
を作動させると、中心円盤部１４の上面２２の開口１０
４に負圧が生じ、基板Ａが中心円盤部１４に吸着され
る。本実施形態によれば、基板Ａを保持台２に吸着保持
させた状態で、基板Ａの下面Ａ１に処理液を第１の実施
形態と同様の仕方で供給することができる。これによ
り、基板Ａの下面Ａ１は、処理液に作用する遠心力を利
用することによって均一に処理される。According to such a configuration, the vacuum device 102
Is operated, the opening 10 on the upper surface 22 of the central disk portion 14 is
Negative pressure is generated in 4 and the substrate A is adsorbed to the central disk portion 14. According to this embodiment, the processing liquid can be supplied to the lower surface A1 of the substrate A in the same manner as in the first embodiment while the substrate A is held by suction on the holding table 2. As a result, the lower surface A1 of the substrate A is uniformly processed by utilizing the centrifugal force acting on the processing liquid.
【００９０】なお、第１の実施形態と異なり、本実施の
形態においては、基板を吸着作用により保持しているた
め、基板を接触保持する一方で、基板の横移動に対する
支持のためのピンを基板の周縁に設けなくてもよい点
で、装置全体を簡略化することができる。Note that, unlike the first embodiment, in this embodiment, the substrate is held by a suction action, so that the substrate is held in contact with it while pins for supporting the lateral movement of the substrate are provided. The entire device can be simplified in that it need not be provided on the periphery of the substrate.
【００９１】以上、処理液を基板の下面に供給する第１
及び第２の実施形態を詳細に説明したが、請求の範囲に
記載された本発明の範囲内で種々の変更、修正が可能で
ある。たとえば、第１及び第２の実施形態では、上側ノ
ズル１２及び下側ノズル８から同種類の処理液を供給し
たが、異なる種類の処理液を供給しても良い。これによ
り、基板Ａの上面Ａ２と下面Ａ１とで異なる処理液によ
る処理を同時にすることができる。As described above, the first processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate.
Although the second embodiment has been described in detail, various changes and modifications can be made within the scope of the invention described in the claims. For example, in the first and second embodiments, the same type of treatment liquid is supplied from the upper nozzle 12 and the lower nozzle 8, but different types of treatment liquid may be supplied. This allows the upper surface A2 and the lower surface A1 of the substrate A to be simultaneously processed with different processing liquids.
【００９２】また、上側ノズル１２からはなにも供給せ
ずに、下側ノズル８だけから処理液を供給しても良い。
これにより、基板Ａの下面Ａ１、特に所望環状領域だけ
を処理することができる。更に、上側ノズル１２からガ
スを供給して、基板Ａの下面Ａ１に供給した処理液が基
板Ａの上面Ａ２に回り込まないようにしても良い。Alternatively, the processing liquid may be supplied only from the lower nozzle 8 without supplying anything from the upper nozzle 12.
This makes it possible to process only the lower surface A1 of the substrate A, in particular only the desired annular area. Further, gas may be supplied from the upper nozzle 12 so that the processing liquid supplied to the lower surface A1 of the substrate A does not flow around to the upper surface A2 of the substrate A.
【００９３】また、第１及び第２の実施形態では、下側
ノズル８、１０の合計が４つである場合について説明し
たが、それらの合計が３つ以下であっても良いし、５つ
以上であっても良い。下側ノズル８、１０の合計が３つ
以上である場合、連続的に処理する処理工程の数を増や
すことができる。In the first and second embodiments, the case where the total number of the lower nozzles 8 and 10 is four has been described, but the total number thereof may be three or less, or five. It may be more. When the total number of the lower nozzles 8 and 10 is three or more, the number of processing steps to be continuously processed can be increased.
【００９４】また、２つ以上の下側ノズル８、１０に共
通の流体処理源８８、９０を接続しても良い。これによ
り、処理液を効率的に基板Ａの下面Ａ１に供給すること
ができる。Further, common fluid processing sources 88 and 90 may be connected to two or more lower nozzles 8 and 10. Thereby, the processing liquid can be efficiently supplied to the lower surface A1 of the substrate A.
【００９５】また、連結体５８に入口面５８ａ、出口面
５８ｂ又は溝５８ｃを設けなくても良い。即ち、処理液
を半径方向外方に推進するための羽根を設けないで、薬
液を、下側ノズル８、１０から環状案内面５０に噴射ま
たは滴下し、環状案内面５０に沿って基板Ａの下面Ａ１
に向って移動させても良い。また、第１及び第２の実施
形態では、連結体５８が６つの場合について説明した
が、連結体５８の数は、７つ以上であっても良いし、５
つ以下であっても良い。Further, the inlet 58a, the outlet 58b or the groove 58c may not be provided in the connecting body 58. That is, without providing a blade for propelling the treatment liquid outward in the radial direction, the chemical liquid is sprayed or dropped from the lower nozzles 8 and 10 onto the annular guide surface 50, and the chemical solution of the substrate A is guided along the annular guide surface 50. Lower surface A1
You may move toward. Further, in the first and second embodiments, the case where the number of the connecting bodies 58 is six has been described, but the number of the connecting bodies 58 may be seven or more, or five.
It may be less than two.
【００９６】また、第１の実施形態では、中心円盤部１
４に、ガスが噴射される中心開口３０が設けられている
が、この中心開口３０を省略しても良い。Further, in the first embodiment, the central disc portion 1
Although the central opening 30 through which gas is injected is provided in FIG. 4, this central opening 30 may be omitted.
【００９７】次に、図８を参照して、本発明による基板
処理装置の第３の実施形態を説明する。第３の実施形態
である基板処理装置は、処理液が基板の下面に案内され
る第１及び第２の実施形態と異なり、処理液が基板の上
面に案内されるようになっている。Next, with reference to FIG. 8, a third embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus according to the third embodiment is different from the first and second embodiments in which the processing liquid is guided to the lower surface of the substrate, and the processing liquid is guided to the upper surface of the substrate.
【００９８】図８は、本発明の第３の実施形態である基
板処理装置の概略断面図である。図８に示すように、基
板処理装置１５０は、基板Ａを下方から回転可能に保持
する保持台１５２と、基板Ａの上方に間隔を隔てて配置
された上面側回転体１５４とを有している。FIG. 8 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus which is the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, the substrate processing apparatus 150 includes a holding table 152 that rotatably holds the substrate A from below, and an upper surface side rotating body 154 that is arranged above the substrate A with a space therebetween. There is.
【００９９】保持台１５２は、第１の実施形態の保持台
２と類似した構成を有しており、保持台２の中心円盤部
１４及び外側環状部２０の代わりに単一の円盤部１５６
を有すること以外、第１の実施形態の保持台２と同様で
ある。また、保持台１５２は、第１の実施形態の駆動部
６と同様の構成を有する駆動部１５８によって回転駆動
されるようになっている。このため、図８において、第
１の実施形態と同様の構成要素には同一符号を付し、そ
れらの説明を省略する。The holding table 152 has a structure similar to that of the holding table 2 of the first embodiment, and instead of the central disk portion 14 and the outer annular portion 20 of the holding table 2, a single disk portion 156.
The holding base 2 is the same as the holding base 2 of the first embodiment except that Further, the holding table 152 is adapted to be rotationally driven by a drive unit 158 having the same configuration as the drive unit 6 of the first embodiment. Therefore, in FIG. 8, the same components as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【０１００】上面側回転体１５４は、その上部に連結さ
れた駆動機構(図示せず)によって、基板Ａと同心に回転
可能である。駆動機構の詳細は、保持台１５２の駆動部
１５８と同様であるので、その説明を省略する。更に、
上面側回転体１５４は、昇降機構(図示せず)によって、
基板に対して上下方向に相対移動可能である。The upper rotary member 154 can be rotated concentrically with the substrate A by a drive mechanism (not shown) connected to the upper part thereof. The details of the drive mechanism are the same as those of the drive unit 158 of the holding table 152, and thus the description thereof will be omitted. Furthermore,
The upper surface side rotating body 154 is moved by an elevating mechanism (not shown).
It can be moved relative to the substrate in the vertical direction.
【０１０１】上面側回転体１５４は、基板Ａと同心に配
置された内側回転部１６０と、この内側回転部と間隔を
隔て且つその周りを取り囲む外側環状回転部１６２と、
内側回転部１６０と外側環状回転部１６２との間に互い
に間隔を隔てて配置された２つの中間環状回転部１６
４、１６６とを有している。２つの中間環状部１６４、
１６６はそれぞれ、互いに間隔を隔てて入れ子式に配置
されている。内側回転部１６０、中間環状回転部１６
４、１６６及び外側環状回転部１６２は、連結体１６８
によって互いに連結されており、一体に回転可能であ
る。The upper surface side rotating body 154 includes an inner rotating portion 160 arranged concentrically with the substrate A, an outer annular rotating portion 162 surrounding and surrounding the inner rotating portion 160.
Two intermediate annular rotating parts 16 arranged at a distance from each other between the inner rotating part 160 and the outer annular rotating part 162.
4 and 166. Two intermediate annular portions 164,
Each of the 166 is telescopically spaced from each other. Inner rotating part 160, intermediate annular rotating part 16
4, 166 and the outer ring-shaped rotary portion 162 are connected to each other by the connecting body 168.
They are connected to each other by and can rotate together.
【０１０２】これらの回転部１６０、１６４、１６６、
１６２の間には、環状流路１７０ａ、１７０ｂ、１７０
ｃが形成されており、内側回転部１６０及び中間環状回
転部１６４、１６６はそれぞれ、環状案内面１７２ａ、
１７２ｂ、１７２ｃを有している。環状案内面１７２
ａ、１７２ｂ、１７２ｃは、基板の上面Ａ２の所望環状
領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで
延びており、この端周縁は、環状案内面１７２ａ、１７
２ｂ、１７２ｃの最拡径部をなしている。環状案内面１
７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃは、基板の上面Ａ２に向か
うにつれて半径方向外方に拡径するラッパ状であるのが
好ましい。環状流路１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃはそ
れぞれ、上向きに開口する環状入口開口１７４ａ、１７
４ｂ、１７４ｃと、ラッパ状案内面１７２ａ、１７２
ｂ、１７２ｃの端周縁に構成される環状出口オリフィス
１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃとを有し、この環状出口
オリフィス１７６ａ、１７６ｂ、１７まで基板の上面に
対して斜め下方に且つ半径方向外方に延びている。These rotating parts 160, 164, 166,
Between the 162, the annular flow paths 170a, 170b, 170
c is formed, and the inner rotary part 160 and the intermediate annular rotary parts 164, 166 respectively have an annular guide surface 172a,
It has 172b and 172c. Annular guide surface 172
a, 172b, 172c extend to an end peripheral edge in the vicinity of the inner peripheral edge of the upper surface A2 of the substrate opposite to the inner peripheral edge of the desired annular region, and the end peripheral edge is the annular guide surfaces 172a, 17c.
2b and 172c form the maximum expanded diameter portion. Circular guide surface 1
72a, 172b and 172c are preferably in the shape of a trumpet that expands radially outwardly toward the upper surface A2 of the substrate. The annular flow passages 170a, 170b, 170c are respectively provided with annular entrance openings 174a, 174a that open upward.
4b and 174c and trumpet-shaped guide surfaces 172a and 172.
b, 172c, and annular outlet orifices 176a, 176b, 176c, which are formed on the peripheral edges of the substrates, extending to the annular outlet orifices 176a, 176b, 17 diagonally downward with respect to the upper surface of the substrate and radially outward There is.
【０１０３】環状出口オリフィス１７６ａ、１７６ｂ、
１７６ｃと基板Ａの上面Ａ２との間の距離は、好ましく
は、約０．２乃至１０ｍｍである。又、環状出口オリフ
ィス１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃは、その半径方向幅
が小さく且つそれらのピッチが狭いのが好ましい。例え
ば、環状出口オリフィス１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃ
の幅は、約３乃至１０ｍｍである。環状出口オリフィス
の位置はそれぞれ、基板Ａの周縁Ａ３から７．５ｍｍ、
５．０ｍｍ、２．５ｍｍにある。これらの位置により、
処理液で処理する所望環状領域の内周縁の位置が決定さ
れるようになっており、これらの位置は任意に設計され
る。Annular exit orifices 176a, 176b,
The distance between 176c and the upper surface A2 of the substrate A is preferably about 0.2-10 mm. Also, the annular outlet orifices 176a, 176b, 176c preferably have a small radial width and a narrow pitch. For example, annular outlet orifices 176a, 176b, 176c
Has a width of about 3 to 10 mm. The positions of the annular exit orifices are 7.5 mm from the peripheral edge A3 of the substrate A, respectively.
It is at 5.0 mm and 2.5 mm. With these positions,
The positions of the inner peripheral edge of the desired annular region to be treated with the treatment liquid are determined, and these positions are designed arbitrarily.
【０１０４】環状入口開口１７４ａ、１７４ｂ、１７４
ｃの半径方向幅及びピッチは、環状出口オリフィス１７
６ａ、１７６ｂ、１７６ｃの半径方向幅及びピッチより
も広くなっている。このため、環状流路１７０ａ、１７
０ｂ、１７０ｃ及びラッパ状案内面１７２ａ、１７２
ｂ、１７２ｃの傾斜角度は、外側の環状流路及びラッパ
状案内面になるにつれて急になっている。Annular inlet openings 174a, 174b, 174
The radial width and pitch of c depends on the annular exit orifice 17
It is wider than the radial width and pitch of 6a, 176b, 176c. Therefore, the annular flow paths 170a, 17
0b, 170c and trumpet-shaped guide surfaces 172a, 172
The inclination angles of b and 172c become steeper as the outer annular flow path and the trumpet-shaped guide surface are formed.
【０１０５】また、処理液供給口を有する処理液供給ノ
ズル１７８ａ、１７８ｂ、１７８ｃがそれぞれ、環状入
口開口１７４ａ、１７４ｂ、１７４ｃの上方に定置に配
置され、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１７８
ｃから滴下又は噴射された処理液が環状入口開口１７４
ａ、１７４ｂ、１７４ｃを経て環状出口オリフィス１７
６ａ、１７６ｂ、１７６ｃに案内されるようになってい
る。処理液供給ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１７８ｃは
それぞれ、異なる処理液供給源１８０ａ、１８０ｂ、１
８０ｃに接続されており、異なる処理液が供給されるよ
うになっている。処理液は、例えば、フッ酸と過酸化水
素水の混合液、有機溶剤、超純水である。Further, the processing liquid supply nozzles 178a, 178b, 178c having the processing liquid supply ports are fixedly arranged above the annular inlet openings 174a, 174b, 174c, respectively, and the processing liquid supply nozzles 178a, 178b, 178 are provided.
The processing liquid dropped or sprayed from c is the annular inlet opening 174.
a, 174b, 174c through the annular outlet orifice 17
6a, 176b, 176c are guided. The processing liquid supply nozzles 178a, 178b, and 178c are different processing liquid supply sources 180a, 180b, and 1 respectively.
It is connected to 80c so that different processing liquids can be supplied. The treatment liquid is, for example, a mixed liquid of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, an organic solvent, or ultrapure water.
【０１０６】また、内側回転部は１６０には、その中心
に基板Ａの上面Ａ２に臨むように配置された、ガスを噴
射するための開口１８２が設けられている。ガスは、高
純度の窒素ガスであるのが好ましいが、他の高純度不活
性ガス又は十分に精製された空気その他のガスでも良
い。ガスを噴射するための構成(図示せず)は、保持台１
５２の中心開口３０からガスを噴出させる構成と同様で
あるので、その説明を省略する。Further, the inner rotating portion 160 is provided with an opening 182 for injecting gas, which is arranged in the center of the inner rotating portion so as to face the upper surface A2 of the substrate A. The gas is preferably high-purity nitrogen gas, but may be other high-purity inert gas or sufficiently purified air or other gas. The structure (not shown) for injecting gas is the holding table 1.
Since the configuration is similar to that of ejecting gas from the central opening 30 of 52, the description thereof is omitted.
【０１０７】また、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８
ｂ、１７８ｃ及び上面側回転体１５４は、基板Ａを保持
台１５２に備え付けたり基板Ａを保持台１５２から取り
出す際の邪魔にならないように、保持台１５２の上方か
らオフセットできるようになっている。Further, the processing liquid supply nozzles 178a, 178
The b, 178c and the upper surface side rotator 154 can be offset from above the holding table 152 so as not to be an obstacle when mounting the substrate A on the holding table 152 or taking out the substrate A from the holding table 152.
【０１０８】次に、本発明の第３の実施形態である基板
処理装置の動作を説明する。Next, the operation of the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described.
【０１０９】処理液供給ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１
７８ｃ及び上面側回転体１５４を保持台１５２の上方か
らオフセットした状態にして、基板Ａを、第１の実施形
態と同様の仕方で保持台１５２によって略水平面内に保
持する。次いで、上面側回転体１５４を基板Ａの上方に
且つ同心に配置し、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８
ｂ、１７８ｃをそれぞれ、環状入口開口１７４ａ、１７
４ｂ、１７４ｃの上方に配置する。次いで、保持台１５
２及び上面側回転体１５４を、基板Ａと同心に回転させ
る。両者の回転方向は、同じであるのが好ましい。ま
た、両者の回転速度は、同じであっても良いし、異なっ
ていても良いが、両者のそれぞれの回転速度は、約３０
００ｒｐｍ以下であるのが好ましい。次いで、内側回転
部１６０の開口１８２からガスを噴射する。ガスは、内
側回転部１６０と基板Ａの上面Ａ２との間の隙間に沿っ
て基板の中心部から半径方向外方に流れる。Treatment liquid supply nozzles 178a, 178b, 1
The substrate A is held by the holding table 152 in a substantially horizontal plane in the same manner as in the first embodiment with the 78c and the upper-side rotating body 154 offset from above the holding table 152. Next, the upper surface side rotating body 154 is arranged above the substrate A and concentrically, and the processing liquid supply nozzles 178a and 178 are arranged.
b, 178c respectively into annular inlet openings 174a, 17a
It is arranged above 4b and 174c. Next, the holding table 15
2 and the upper surface side rotating body 154 are rotated concentrically with the substrate A. It is preferable that the two rotate in the same direction. The rotational speeds of the both may be the same or different, but the rotational speeds of the both are about 30.
It is preferably 00 rpm or less. Next, the gas is injected from the opening 182 of the inner rotating portion 160. The gas flows radially outward from the central portion of the substrate along the gap between the inner rotating portion 160 and the upper surface A2 of the substrate A.
【０１１０】次いで、処理液供給ノズル１７８ｃからフ
ッ酸混合液を中間環状回転部１６６のラッパ状案内面１
７２ｃ上に連続的に又は間欠的に供給する。ラッパ状案
内面１７２ｃ上に落下した処理液は、重力及び上面側回
転体１５４の回転による遠心力を受け、ラッパ状案内面
１７２ｃに沿って、環状出口オリフィス１７６ｃに案内
される。環状出口オリフィス１７６ｃの半径方向幅が広
い場合には、処理液は、環状出口オリフィス１７６ｃの
内周縁から基板Ａの上面Ａ２にそのまま流れる。また、
環状出口オリフィス１７６ｃの半径方向幅が狭い場合に
は、処理液は、いったん、環状出口オリフィス１７６ｃ
の近傍の環状流路１７０ｃに溜り、次いで、上面側回転
体１５４の回転による遠心力によって、環状流路１７０
ｃに沿う方向の力を受け、基板Ａの上面Ａ２に対して斜
め且つ半径方向外方に環状出口オリフィス１７６ｃから
基板Ａの上面Ａ２に供給される。次いで、基板Ａの上面
Ａ２に供給された処理液は、基板Ａの回転による遠心力
を受け、半径方向外方に旋回流となって移動する。Next, the hydrofluoric acid mixed liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle 178c to the trumpet-shaped guide surface 1 of the intermediate annular rotating portion 166.
It is continuously or intermittently supplied onto 72c. The processing liquid that has dropped onto the trumpet-shaped guide surface 172c is subjected to gravity and centrifugal force due to the rotation of the upper surface side rotating body 154, and is guided to the annular outlet orifice 176c along the trumpet-shaped guide surface 172c. When the annular outlet orifice 176c has a large radial width, the processing liquid flows from the inner peripheral edge of the annular outlet orifice 176c to the upper surface A2 of the substrate A as it is. Also,
When the radial width of the annular outlet orifice 176c is narrow, the processing liquid is once supplied to the annular outlet orifice 176c.
Is collected in the annular flow passage 170c in the vicinity of the annular flow passage 170c, and then the centrifugal force generated by the rotation of the upper surface side rotating body 154 causes the annular flow passage 170
A force is applied in the direction along c and is supplied obliquely to the upper surface A2 of the substrate A and outward in the radial direction from the annular outlet orifice 176c to the upper surface A2 of the substrate A. Then, the processing liquid supplied to the upper surface A2 of the substrate A receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate A, and moves in a radial flow outward in a swirling flow.
【０１１１】ラッパ状案内面１７２ｃの端周縁を構成す
る環状出口オリフィス１７６ｃから基板Ａの上面Ａ２の
所望環状領域の内周縁部に供給された処理液は、基板Ａ
の回転による遠心力を受けているので、非処理部と処理
部との間の境界を明確にすることができ、基板Ａの上面
Ａ２の所望環状領域を均一且つ精密に処理することがで
きる。The processing liquid supplied from the annular outlet orifice 176c forming the peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface 172c to the inner peripheral edge of the desired annular region of the upper surface A2 of the substrate A is the substrate A.
Since it receives the centrifugal force due to the rotation, the boundary between the non-processing part and the processing part can be made clear, and the desired annular region of the upper surface A2 of the substrate A can be processed uniformly and precisely.
【０１１２】また、内側回転部１６０の開口１８２から
噴射されたガスが内側回転部１６０と基板Ａの上面Ａ２
との間の隙間に沿って基板の中心部から半径方向外方に
流れているので、処理液が環状出口オリフィス１７６ｃ
の内周縁よりも半径方向内方に移動するのをより確実に
防止することができる。それにより、所望環状領域以外
への処理液の供給が確実に防止される。Further, the gas jetted from the opening 182 of the inner rotating part 160 has the inner rotating part 160 and the upper surface A2 of the substrate A.
Since it flows outward in the radial direction from the central portion of the substrate along the gap between the processing liquid and the annular outlet orifice 176c.
It can be more reliably prevented from moving inward in the radial direction than the inner peripheral edge of. As a result, the supply of the processing liquid to areas other than the desired annular region is reliably prevented.
【０１１３】次いで、処理液供給ノズル１７８ａから、
超純水を内側回転部１６０のラッパ状案内面１７２ａ上
に供給する。上述したフッ酸混合液を供給する場合と同
様、環状出口オリフィス１７６ａの内周縁よりも半径方
向外方の基板上面Ａ２の所望環状領域を超純水で洗浄処
理することができる。環状出口オリフィス１７６ａが環
状出口オリフィス１７６ｃよりも半径方向内方にあるの
で、フッ酸混合液で処理した環状領域すべてを超純水で
洗浄処理することができる。Then, from the processing liquid supply nozzle 178a,
Ultrapure water is supplied onto the trumpet-shaped guide surface 172a of the inner rotating part 160. Similar to the case of supplying the hydrofluoric acid mixed liquid described above, the desired annular region on the substrate upper surface A2 radially outward of the inner peripheral edge of the annular outlet orifice 176a can be washed with ultrapure water. Since the annular outlet orifice 176a is located radially inward of the annular outlet orifice 176c, the entire annular region treated with the hydrofluoric acid mixed solution can be washed with ultrapure water.
【０１１４】また、昇降機構(図示せず)を用いて、上面
側回転体１５４を基板に対して上下方向に相対移動させ
ることによって、所望環状領域の内周縁の位置を調整を
することができる。具体的に説明すれば、環状流路１７
０ａ、１７０ｂ、１７０ｃは、基板Ａの上面Ａ２の所望
環状領域の内周縁近傍に配置された環状出口オリフィス
１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃまで基板Ａの上面Ａ２に
対して斜め下方に且つ半径方向外方に延びているため、
環状出口オリフィス１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃに案
内された処理液は、そこから基板Ａの上面Ａ２に向って
斜め下方に且つ半径方向外方に飛ばされる。それによ
り、処理液が基板Ａの上面Ａ２に到達する半径方向位置
は、環状出口オリフィス１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃ
と基板の上面との間の距離に応じて変化することにな
る。従って、上面側回転体１５４を基板Ａに対して上下
方向に相対移動させることにより、環状出口オリフィス
１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃと基板Ａの上面Ａ２との
間の距離が変化し、所望環状領域の内周縁の位置を微調
整することができる。その結果、ユーザーが要望する基
板の所望環状領域の処理に容易に対応することができ
る。Further, the position of the inner peripheral edge of the desired annular region can be adjusted by moving the upper surface side rotating body 154 relative to the substrate in the vertical direction by using an elevating mechanism (not shown). . Specifically, the annular flow path 17
0a, 170b, 170c are obliquely downward and radially outward from the upper surface A2 of the substrate A up to the annular outlet orifices 176a, 176b, 176c arranged near the inner peripheral edge of the desired annular region of the upper surface A2 of the substrate A. Because it extends
The processing liquid guided to the annular outlet orifices 176a, 176b, 176c is jetted obliquely downward and radially outward toward the upper surface A2 of the substrate A from there. As a result, the radial position where the processing liquid reaches the upper surface A2 of the substrate A is determined by the annular outlet orifices 176a, 176b, 176c.
Will vary depending on the distance between the substrate and the top surface of the substrate. Therefore, by moving the upper surface side rotating body 154 relative to the substrate A in the vertical direction, the distance between the annular outlet orifices 176a, 176b, 176c and the upper surface A2 of the substrate A is changed, and the inside of the desired annular region is changed. The position of the peripheral edge can be finely adjusted. As a result, it is possible to easily deal with the processing of the desired annular region of the substrate desired by the user.
【０１１５】本発明の第３の実施形態による基板処理装
置においては、環状出口オリフィス１７６ａ、１７６
ｂ、１７６ｃを半径方向に複数有しているので、処理液
を供給する環状出口オリフィス１７６ａ、１７６ｂ、１
７６ｃを選択することにより、処理すべき環状領域の範
囲を容易に変化させることができる。In the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention, annular outlet orifices 176a and 176 are provided.
Since a plurality of b, 176c are provided in the radial direction, annular outlet orifices 176a, 176b, 1 for supplying the processing liquid are provided.
By selecting 76c, the range of the annular region to be processed can be easily changed.
【０１１６】また、異なる環状流路１７０ａ、１７０
ｂ、１７０ｃに異なる処理液を供給することにより、異
なる処理を連続的に行うことができ、例えば、上述のよ
うに、薬液処理の後、超純水による洗浄処理を連続的に
行うことができる。この場合、本実施形態のように、最
も内側の環状流路１７０ａに供給する処理液に超純水を
割り当てておくのが好ましい。このように構成すること
により、他の環状流路１７０ｂ、１７０ｃに供給した処
理液で基板Ａの上面Ａ２を処理した後、処理した領域全
体を超純水で連続的に洗浄処理することができる。それ
により、処理効率と処理精度の向上を図ることができ
る。In addition, different annular flow paths 170a, 170
By supplying different treatment liquids to b and 170c, different treatments can be continuously performed. For example, as described above, the cleaning treatment with ultrapure water can be continuously performed after the chemical treatment. . In this case, it is preferable to allocate ultrapure water to the processing liquid supplied to the innermost annular flow path 170a as in the present embodiment. With this configuration, after the upper surface A2 of the substrate A is treated with the treatment liquid supplied to the other annular flow paths 170b and 170c, the entire treated region can be continuously washed with ultrapure water. . Thereby, the processing efficiency and the processing accuracy can be improved.
【０１１７】また、異なる環状流路１７０ａ、１７０
ｂ、１７０ｃに異なる処理液を割り当てることができる
ので、異なる処理液を１つの環状流路から供給する場合
に生じることがある環状流路の汚染を防止することがで
きる。それにより、処理精度の向上を図ることができ
る。In addition, different annular flow paths 170a, 170
Since different treatment liquids can be assigned to b and 170c, it is possible to prevent contamination of the annular flow passage that may occur when different treatment liquids are supplied from one annular passage. Thereby, the processing accuracy can be improved.
【０１１８】また、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８
ｂ、１７８ｃを複数設けているので、基板Ａに供給する
処理液の種類を、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８
ｂ、１７８ｃを切替えるだけで、容易に変更することが
できる。Further, the processing liquid supply nozzles 178a, 178
Since a plurality of b, 178c are provided, the type of the processing liquid to be supplied to the substrate A is set to the processing liquid supply nozzles 178a, 178.
It can be easily changed by simply switching b and 178c.
【０１１９】また、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８
ｂ、１７８ｃは、回転可能な上面側回転体１５４と分離
して定置に配置されているので、上面側回転体１５４と
一体に形成した場合に必要となる摺動部を設ける必要が
なく、構造が簡単になると共に、摺動による発塵を防止
し、より良好な周囲環境を形成することができる。Further, the processing liquid supply nozzles 178a, 178
b and 178c are separately disposed from the rotatable upper surface side rotating body 154 and are fixedly arranged, it is not necessary to provide a sliding portion which is required when integrally formed with the upper surface side rotating body 154. In addition to being simple, it is possible to prevent dust generation due to sliding and form a better ambient environment.
【０１２０】また、本実施形態においては、基板Ａのオ
モテ面を上面Ａ２にして処理する場合、基板Ａの裏面を
下方から非接触で或いは吸引式に保持することができ、
従来の基板保持方式をそのまま採用することができる。
その結果、従来の装置に本実施形態を容易に追加するこ
とができる。Further, in the present embodiment, when the front surface of the substrate A is treated as the upper surface A2, the back surface of the substrate A can be held from below without contact or by suction.
The conventional substrate holding method can be adopted as it is.
As a result, this embodiment can be easily added to the conventional device.
【０１２１】次に、図９を参照して、本発明による基板
処理装置の第４の実施形態を説明する。第４の実施形態
である基板処理装置は、第３の実施形態と同様、処理液
が案内面に沿って基板の上面に案内される。Next, a fourth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. In the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment, the processing liquid is guided to the upper surface of the substrate along the guide surface, as in the third embodiment.
【０１２２】図９は、本発明の第４の実施形態である基
板処理装置の概略断面図である。図９に示すように、基
板処理装置２００の特徴は、第３の実施形態による基板
処理装置１５０から保持台１５２を省略した点にある。
このため、第３の実施形態と同様の構成要素には同一の
符号を付し、それらの説明を省略する。FIG. 9 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus which is the fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, the substrate processing apparatus 200 is characterized in that the holding table 152 is omitted from the substrate processing apparatus 150 according to the third embodiment.
Therefore, the same components as those in the third embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【０１２３】基板処理装置２００は、基板Ａを上方から
回転可能に保持し且つ基板Ａの上方に間隔を隔てて配置
された上面側回転体２０２を有している。上面側回転体
２０２の構造は、第３の実施形態の上面側回転体１５４
の構造と類似し、基板Ａを上方から保持するための６つ
のピン２０６を更に有していること以外同じである。６
つのピン２０６は、第１の実施形態のピン６４と同様の
作動機構(図示せず)を有し、基板Ａを保持したり、解放
したりすることができるようになっている。このため、
ピン２０６の動作機構の説明は省略する。The substrate processing apparatus 200 has an upper surface side rotating body 202 which holds the substrate A rotatably from above and is arranged above the substrate A with a space therebetween. The structure of the upper surface side rotating body 202 is the same as that of the upper surface side rotating body 154 of the third embodiment.
The structure is similar to that of the above, except that it further has six pins 206 for holding the substrate A from above. 6
The two pins 206 have an actuating mechanism (not shown) similar to the pin 64 of the first embodiment, and can hold and release the substrate A. For this reason,
A description of the operating mechanism of the pin 206 will be omitted.
【０１２４】次に、本発明の第４の実施形態による基板
処理装置２００の動作を説明する。Next, the operation of the substrate processing apparatus 200 according to the fourth embodiment of the present invention will be described.
【０１２５】内側回転部１６０の開口１８２からガスを
噴射しながら、処理すべき基板Ａを上面側回転体２０２
の下方から近づけ、６つのピン２０６を作動させて、基
板Ａを上面側回転体２０２で保持する。内側回転部１６
０の開口１８２から噴射されたガスによって、基板Ａは
上面側回転体２０２に吸い付けられると共に、基板Ａの
上面Ａ２と上面回転体２０２とは間隔が隔てられる。そ
の間隔は、０．２乃至１ｍｍである。次いで、第３の実
施形態と同様の仕方で、処理液供給ノズル１７８ａ、１
７８ｂ、１７８ｃから所望の処理液を環状流路１７０
ａ、１７０ｂ、１７０ｃに供給し、基板Ａの上面Ａ２の
所望環状領域を処理する。While jetting gas from the opening 182 of the inner rotating portion 160, the substrate A to be processed is placed on the upper rotating body 202.
, The six pins 206 are operated to hold the substrate A by the upper surface side rotating body 202. Inner rotating part 16
The substrate A is attracted to the upper surface side rotating body 202 by the gas injected from the zero opening 182, and the upper surface A2 of the substrate A and the upper surface rotating body 202 are separated from each other. The interval is 0.2 to 1 mm. Then, in the same manner as in the third embodiment, the treatment liquid supply nozzles 178a, 1
A desired processing liquid is supplied from 78b and 178c to the annular flow path 170.
a, 170b, 170c, and the desired annular region of the upper surface A2 of the substrate A is processed.
【０１２６】本実施形態によれば、第３の実施形態と同
様の効果を得ることができる。又、基板Ａを下方から保
持する保持台１５２が不要であり、さらに、上面側回転
体２０２及び処理液供給ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１
７８ｃを基板Ａの上方からオフセットさせる機構も不要
になるので、構造を簡易にすることができる。According to this embodiment, the same effect as that of the third embodiment can be obtained. Further, the holding table 152 for holding the substrate A from below is unnecessary, and further, the upper surface side rotating body 202 and the processing liquid supply nozzles 178a, 178b, 1
Since the mechanism for offsetting 78c from above the substrate A is not necessary, the structure can be simplified.
【０１２７】以上、処理液を基板の上面に供給する第３
及び第４の実施形態を説明したが、以下のような変形例
も可能である。As described above, the third processing liquid is supplied to the upper surface of the substrate.
Although the fourth embodiment has been described, the following modifications are possible.
【０１２８】第３及び第４の実施形態では、中間環状回
転部１６４，１６６の数を２とし、環状流路１７０ａ、
１７０ｂ、１７０ｃ、環状出口オリフィス１７６ａ、１
７６ｂ、１７６ｃ及び処理液供給ノズル１７８ａ、１７
８ｂ、１７８ｃの数を３としたが、それらの数は任意で
ある。In the third and fourth embodiments, the number of intermediate annular rotating portions 164 and 166 is set to 2, and the annular flow passage 170a,
170b, 170c, annular exit orifice 176a, 1
76b, 176c and processing liquid supply nozzles 178a, 17
Although the number of 8b and 178c is set to 3, the number thereof is arbitrary.
【０１２９】また、第３及び第４の実施形態において、
上面側回転体１５４、２０２を回転させたが、環状案内
面１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃがラッパ状であれば、
上面側回転体１５４、２０２を回転させないで、重力だ
けで、処理液を環状出口オリフィス１７６ａ、１７６
ｂ、１７６ｃ案内しても良い。その後、上面側回転体１
５４、２０２を回転させて処理液を基板の上面に供給し
ても良いし、上面側回転体１５４、２０２を回転させな
いで処理液を重力により基板の上面に供給しても良い。In the third and fourth embodiments,
Although the upper surface side rotating bodies 154 and 202 are rotated, if the annular guide surfaces 172a, 172b and 172c are trumpet-shaped,
Without rotating the upper-side rotators 154 and 202, the processing liquid is transferred to the annular outlet orifices 176a and 176 only by gravity.
b, 176c may be guided. After that, the upper surface side rotating body 1
The processing liquid may be supplied to the upper surface of the substrate by rotating 54 and 202, or the processing liquid may be supplied to the upper surface of the substrate by gravity without rotating the upper surface side rotating bodies 154 and 202.
【０１３０】また、第３及び第４の実施形態において、
環状案内面１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃの形状をラッ
パ状としたが、形状は、それに限らない。例えば、環状
案内面の端周縁又は環状出口オリフィスに処理液が供給
されれば、環状案内面の形状は任意であり、環状案内面
の中間部に、水平部分を含んでいても良いし、実施形態
と逆向きの傾斜をなす部分を含んでいても良い。In addition, in the third and fourth embodiments,
Although the shape of the annular guide surfaces 172a, 172b, 172c is a trumpet shape, the shape is not limited thereto. For example, as long as the processing liquid is supplied to the edge of the annular guide surface or the annular outlet orifice, the shape of the annular guide surface is arbitrary, and the intermediate portion of the annular guide surface may include a horizontal portion. You may include the part which makes an inclination opposite to a form.
【０１３１】また、第３及び第４の実施形態では、３つ
の処理液供給ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１７８ｃから
異なる種類の処理液を供給したが、同じ種類の処理液を
供給しても良い。このような構成にすれば、処理液供給
ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１７８ｃにそれぞれ環状流
路１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃを予め割り当てておく
ことにより、処理液供給ノズル１７８ａ、１７８ｂ、１
７８ｃを切替えるだけで、処理すべき環状領域範囲を変
化させることができる。Further, in the third and fourth embodiments, different kinds of treatment liquids are supplied from the three treatment liquid supply nozzles 178a, 178b, 178c, but the same kind of treatment liquid may be supplied. With such a configuration, the processing liquid supply nozzles 178a, 178b, 178c are pre-assigned with the annular flow passages 170a, 170b, 170c, respectively, so that the processing liquid supply nozzles 178a, 178b, 178
The annular region range to be processed can be changed simply by switching 78c.
【０１３２】また、第３及び第４の実施形態では、異な
る処理液が供給される３つの処理液供給ノズル１７８
ａ、１７８ｂ、１７８ｃを異なる環状流路１７０ａ、１
７０ｂ、１７０ｃに割り当てたが、それらを同じ環状流
路１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃに割り当てても良い。
このような構成にすれば、基板Ａの上面Ａ２の同じ環状
領域に異なる処理液の処理を行う場合、処理液供給ノズ
ル１７８ａ、１７８ｂ、１７８ｃを切替えるだけで、異
なる処理を連続的に行うことができる。In the third and fourth embodiments, three processing liquid supply nozzles 178 to which different processing liquids are supplied.
a, 178b, 178c are different annular flow paths 170a, 1
Although they are assigned to 70b and 170c, they may be assigned to the same annular flow paths 170a, 170b and 170c.
With such a configuration, when different processing liquids are processed on the same annular region of the upper surface A2 of the substrate A, different processings can be continuously performed by simply switching the processing liquid supply nozzles 178a, 178b, 178c. it can.
【０１３３】また、第３及び第４の実施形態では、内側
回転部１６０に、ガスを噴射するための開口１８２が設
けられているが、この開口１８２を省略しても良い。Further, in the third and fourth embodiments, the inner rotating portion 160 is provided with the opening 182 for injecting the gas, but this opening 182 may be omitted.
【０１３４】次に、図１０を参照して、本発明による基
板処理装置の第５の実施形態を説明する。第５の実施形
態である基板処理装置は、処理液が基板の上面又は下面
の一方に案内面によって案内される第１乃至第４の実施
形態と異なり、処理液が案内面に沿って基板の上面と下
面の両方に案内される点を特徴としている。。Next, with reference to FIG. 10, a fifth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. The substrate processing apparatus according to the fifth embodiment is different from the first to fourth embodiments in which the processing liquid is guided to one of the upper surface and the lower surface of the substrate by the guide surface, and the processing liquid is applied to the substrate along the guide surface. The feature is that it is guided to both the upper surface and the lower surface. .
【０１３５】図１０は、本発明の第５の実施形態である
基板処理装置の概略断面図である。図１０に示すよう
に、基板処理装置２５０は、第１の実施形態の保持台
２、駆動部６及び下側ノズル８、１０と第３の実施形態
の上面回転体１５４とを組合せたことを特徴としてい
る。このため、図１０において、第１及び第３の実施形
態と同様の構成要素には同一符号を付し、それらの説明
を省略する。FIG. 10 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, the substrate processing apparatus 250 includes a combination of the holding table 2, the driving unit 6 and the lower nozzles 8 and 10 of the first embodiment and the upper surface rotating body 154 of the third embodiment. It has a feature. Therefore, in FIG. 10, the same components as those of the first and third embodiments are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【０１３６】次に、第５の実施形態の動作を説明する。
本動作は、基板の下面の所望環状領域の処理を第１の実
施形態の動作と同様に行い、基板の上面の所望環状領域
の処理を第３の実施形態と同様に行うものである。この
ため、これらの動作の説明を省略する。本実施形態の動
作において、基板の上面の処理と基板の下面の処理を同
時に行っても良いし、何れかの処理を先に行い、引続い
て、他方の処理を連続的に行っても良い。Next, the operation of the fifth embodiment will be described.
In this operation, the desired annular area on the lower surface of the substrate is processed in the same manner as the operation of the first embodiment, and the desired annular area on the upper surface of the substrate is processed in the same manner as in the third embodiment. Therefore, the description of these operations is omitted. In the operation of the present embodiment, the processing of the upper surface of the substrate and the processing of the lower surface of the substrate may be performed at the same time, or any one of the processing may be performed first and the other processing may be continuously performed. .
【０１３７】また、基板の上面を処理する処理液と基板
の下面を処理する処理液は、同じ種類のものであっても
良いし、異なる種類のものであっても良い。Further, the processing liquid for processing the upper surface of the substrate and the processing liquid for processing the lower surface of the substrate may be of the same kind or of different kinds.
【０１３８】本実施形態は、例えば、基板の両面にレジ
スト膜を形成し、所定の処理の後、レジスト膜を除去し
たときに、レジストのかすが基板の外周縁近傍に付着し
たまま残っている場合に有効である。具体的には、この
ようなレジストの残りかすが基板の両面の外周縁近傍に
付着していると、基板の下面については、後工程のパタ
ーニング工程(フォト工程)で基板が水平に配置されず、
パターニング精度が低下するとともに、基板の上面につ
いては、後工程のドライ又はウエットエッチング工程に
おいて基板をクランプする際、発塵の原因となる。本実
施形態の基板処理装置によれば、これらのレジストの残
りかすを同時に又は連続的に除去することができるの
で、基板の上面と下面のレジストを２つの工程で除去す
る場合と比べて、処理効率を向上させることができると
共に、基板の汚染の機会を最小にすることができる。In the present embodiment, for example, when resist films are formed on both surfaces of a substrate and the resist films are removed after a predetermined process, the residue of the resist remains attached near the outer peripheral edge of the substrate. Is effective for. Specifically, when such residual residue of the resist adheres to the vicinity of the outer peripheral edges of both surfaces of the substrate, the lower surface of the substrate is not arranged horizontally in the subsequent patterning process (photo process),
The patterning accuracy is reduced, and the upper surface of the substrate causes dust when the substrate is clamped in a dry or wet etching process which is a post process. According to the substrate processing apparatus of the present embodiment, the residual residue of these resists can be removed simultaneously or continuously, so that it is possible to process the resists on the upper surface and the lower surface of the substrate in two steps. The efficiency can be improved and the chance of contamination of the substrate can be minimized.
【０１３９】また、本実施形態は、Ｃｕプロセスにおい
ても有効である。具体的には、Ｃｕプロセスのおいて、
Ｃｕが基板の外周縁近傍に残っていると、層間絶縁膜と
して採用されているｌｏｗ−ｋ膜にＣｕが入り込んで汚
染する。本実施形態の基板処理装置によれば、基板の上
面と下面の外周縁近傍に残っているＣｕを同時に又は連
続的に除去することができ、Ｃｕによるコンタミネーシ
ョンを防止することができる。This embodiment is also effective in the Cu process. Specifically, in the Cu process,
If Cu remains in the vicinity of the outer peripheral edge of the substrate, Cu enters the low-k film used as the interlayer insulating film and contaminates it. According to the substrate processing apparatus of this embodiment, Cu remaining in the vicinity of the outer peripheral edges of the upper surface and the lower surface of the substrate can be removed simultaneously or continuously, and contamination by Cu can be prevented.
【０１４０】最後に、図１１を参照して、本発明による
基板処理装置の第６の実施形態を説明する。第６の実施
形態である基板処理装置は、第３及び第４の実施形態と
同様、処理液が案内面に沿って基板の上面に案内される
が、上面に案内された処理液を下面に回り込ませて、基
板Ａの上面Ａ２と下面Ａ１の両方の所望環状領域を同時
に処理することを特徴としている。Finally, a sixth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. In the substrate processing apparatus of the sixth embodiment, as in the third and fourth embodiments, the processing liquid is guided to the upper surface of the substrate along the guide surface, but the processing liquid guided to the upper surface is transferred to the lower surface. It is characterized in that the desired annular regions on both the upper surface A2 and the lower surface A1 of the substrate A are simultaneously processed by being wrapped around.
【０１４１】図１１は、本発明の第６の実施形態である
基板処理装置の概略断面図である。図１１に示すよう
に、基板処理装置３００は、基板Ａを下方から回転可能
に保持する保持台３０２と、基板Ａの上方に間隔を隔て
て配置された上面側回転体３０４とを有している。保持
台３０２は、第１の実施形態の保持台２と類似している
ので、保持台２と同様の構成要素には同じ参照番号を付
し、それらの説明を省略する。また、上面側回転体３０
４は、第３の実施形態の上面側回転体１５４と類似して
いるので、上面側回転体１５４と同様の構成要素には同
じ参照番号を付し、それらの説明を省略する。FIG. 11 is a schematic sectional view of a substrate processing apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 11, the substrate processing apparatus 300 includes a holding table 302 that holds the substrate A rotatably from below, and an upper surface side rotating body 304 that is arranged above the substrate A with a space therebetween. There is. Since the holding table 302 is similar to the holding table 2 of the first embodiment, the same components as those of the holding table 2 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In addition, the upper surface side rotating body 30
Since 4 is similar to the upper surface side rotating body 154 of the third embodiment, the same components as those of the upper surface side rotating body 154 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【０１４２】保持台３０２は、基板を非接触保持するた
めの円盤部３０６と、この円盤部３０６の周りに配置さ
れた環状部３０８と、環状部３０８の下にそれと同心に
連結されたシャフト部３１０と、シャフト部３１０の周
りに配置された２つのカップリング部３１２、３１４
と、保持台３０２を回転軸線４を中心に回転させるため
の駆動部６とを有する。The holding table 302 includes a disc portion 306 for holding the substrate in a non-contact manner, an annular portion 308 arranged around the disc portion 306, and a shaft portion concentrically connected to the annular portion 308 under the annular portion 308. 310 and two coupling parts 312, 314 arranged around the shaft part 310.
And a drive unit 6 for rotating the holding table 302 about the rotation axis 4.
【０１４３】円盤部３０６は、回転軸線４と同心に配置
され、基板Ａと間隔を隔てている。円盤部３０６は、基
板を非接触保持するチャック面を形成するほぼ水平な上
面３１６と面一に配置された円盤状多孔質体３１８を有
する。この多孔質体３１８は、例えば、テフロン(登録
商標)又はアルミナセラミックス等の材料粒子を焼結さ
せて、多数の細孔を有するように形成したものであり、
細孔径は約１０乃至２００μｍである。多孔質体３１８
の直径は、基板Ａを後述するような仕方で浮上させるの
に十分な面積を構成するように定められ、例えば、８イ
ンチの基板の場合、１３０ｍｍである。円盤部３０６
は、多孔質体３１８の下に空間３２０を更に有し、中心
管腔３２２が空間３２０から下方に延び、円盤部３０６
と同心に下方に延長された延長部３２４を貫通してい
る。The disk portion 306 is arranged concentrically with the rotation axis 4 and is spaced from the substrate A. The disk portion 306 has a disk-shaped porous body 318 arranged flush with a substantially horizontal upper surface 316 forming a chuck surface for holding the substrate in a non-contact manner. The porous body 318 is formed, for example, by sintering material particles such as Teflon (registered trademark) or alumina ceramics so as to have a large number of pores,
The pore size is about 10 to 200 μm. Porous body 318
Is defined to form an area sufficient to float the substrate A in a manner described below, for example 130 mm for an 8-inch substrate. Disk part 306
Further has a space 320 below the porous body 318, a central lumen 322 extending downwardly from the space 320, and a disc portion 306.
Concentric with the extension 324 extending downward.
【０１４４】環状部３０８は、円盤部３０６の周りに間
隔を隔てて配置され、円盤部３０６と環状部３０８との
間に環状流路３２６が構成される。環状部３０８は、ほ
ぼ水平な環状上面３２８を有する。環状上面３２８は円
盤部３０６の上面３１６よりも低く配置され、環状部３
０８の環状上面３２８と円盤部３０６の上面３１６との
間に環状開口３３０が構成される。また、環状上面３２
８と基板Ａの下面Ａ１の周縁部近傍との間に空隙３３２
が構成される。これにより、環状開口３３０は、基板Ａ
が浮上しているときの下面Ａ１下方の空隙３３２に臨む
とともに、円盤状多孔質体３１８を取り囲むように設け
られ、環状開口３３０の接線方向は、基板Ａの半径方向
外方に基板の下面Ａ１から下方に離れる向きに鋭角をな
す。この鋭角は、本実施形態では０度をなしている。好
ましくは、環状部３０８の環状上面３２８は円盤部３０
６の上面３１６よりも０．１乃至１０ｍｍ低く配置され
る。環状開口３３０は、基板Ａの外周縁Ａ３から２乃至
１０ｍｍ内方に配置される。The annular portion 308 is arranged around the disc portion 306 with a space, and an annular flow path 326 is formed between the disc portion 306 and the annular portion 308. Annular portion 308 has a generally horizontal annular upper surface 328. The annular upper surface 328 is arranged lower than the upper surface 316 of the disc portion 306, and
An annular opening 330 is formed between the annular upper surface 328 of 08 and the upper surface 316 of the disc portion 306. In addition, the annular upper surface 32
8 and the vicinity of the peripheral portion of the lower surface A1 of the substrate A.
Is configured. As a result, the annular opening 330 becomes
Are provided so as to face the space 332 below the lower surface A1 when the substrate A is floating and surround the disk-shaped porous body 318, and the tangential direction of the annular opening 330 is radially outward of the substrate A and the lower surface A1 of the substrate. Make an acute angle away from. This acute angle is 0 degrees in this embodiment. Preferably, the annular upper surface 328 of the annular portion 308 is the disc portion 30.
6 is placed 0.1 to 10 mm lower than the upper surface 316. The annular opening 330 is arranged 2 to 10 mm inward from the outer peripheral edge A3 of the substrate A.
【０１４５】シャフト部３１０は環状部３０８の下にそ
れと同心に連結され、円盤部３０６の延長部３２４をそ
れと間隔を隔てて受入れる孔３３４を有する。この孔３
３４と延長部３２４との間に環状空間３３６が構成さ
れ、この環状空間３３６は、側面開口３３８と連通して
いる。また、シャフト部３１０は、延長部３２４の中心
管腔３２２と連通する管腔３４０を有し、この管腔３４
０は、側面開口３４２と連通している。シャフト部３１
０は、軸受３８によって回転可能に支持されており、こ
の軸受３８により、シャフト部３１０即ち保持台３０２
は回転軸線４を中心に回転可能である。The shaft portion 310 is concentrically connected to the lower portion of the annular portion 308, and has a hole 334 for receiving the extension portion 324 of the disc portion 306 at a distance therefrom. This hole 3
An annular space 336 is formed between 34 and the extension 324, and the annular space 336 communicates with the side surface opening 338. The shaft portion 310 also has a lumen 340 that communicates with the central lumen 322 of the extension 324.
0 communicates with the side opening 342. Shaft part 31
0 is rotatably supported by a bearing 38, and by this bearing 38, the shaft portion 310, that is, the holding base 302.
Is rotatable about the axis of rotation 4.
【０１４６】カップリング部３１２、３１４はそれぞ
れ、第１の実施形態のカップリング１８と同様の構成を
有し、カップリング部３１２、３１４はそれぞれ、側面
開口３３８、３４２と連通する環状空間４０を有し、第
２ガス供給源３４４及び第１ガス供給源３４６に接続さ
れている。かくして、第２ガス供給源３４４は、接続口
４２、環状隙間４０、側面開口３３８、及び環状空間３
３６、環状流路３２６を経て環状開口３３０と連通して
いる。また、第１ガス供給源３４６は、接続口４２、環
状隙間４０、側面開口３４２、管腔３４０、中心管腔３
２２、空間３２０及び多孔質体３１８の細孔と連通して
いる。また、第１ガス及び第２ガスの流量を調整するよ
うに制御する制御装置(図示せず)が設けられている。The coupling portions 312 and 314 have the same structure as the coupling 18 of the first embodiment, and the coupling portions 312 and 314 form the annular space 40 which communicates with the side surface openings 338 and 342, respectively. It has, and is connected to the second gas supply source 344 and the first gas supply source 346. Thus, the second gas supply source 344 includes the connection port 42, the annular gap 40, the side surface opening 338, and the annular space 3.
36, and communicates with the annular opening 330 via the annular channel 326. The first gas supply source 346 includes the connection port 42, the annular gap 40, the side surface opening 342, the lumen 340, and the central lumen 3.
22, the space 320 and the pores of the porous body 318 communicate with each other. Further, a control device (not shown) that controls the flow rates of the first gas and the second gas so as to be adjusted is provided.
【０１４７】次に、第６の実施形態である基板処理装置
３００の動作を説明する。Next, the operation of the substrate processing apparatus 300 of the sixth embodiment will be described.
【０１４８】まず、上面側回転体３０４を保持台３０２
の上方からオフセットした状態で、第１ガス供給源３４
６を作動させ、第１ガスをカップリング部３１４の接続
口４２、環状隙間４０、側面開口３４２、管腔３４０、
中心管腔３２２、空間３２０を介して多孔質体３１８の
細孔から噴射させる。第１ガスは、高純度の窒素ガスで
あるのが好ましいが、他の高純度不活性ガス又は十分に
精製された空気その他のガスでも良い。First, the upper surface side rotating body 304 is attached to the holding table 302.
The first gas supply source 34 in an offset state from above.
6 to operate the first gas to connect the first gas to the connection port 42 of the coupling portion 314, the annular gap 40, the side opening 342, the lumen 340,
It is ejected from the pores of the porous body 318 through the central lumen 322 and the space 320. The first gas is preferably high-purity nitrogen gas, but may be other high-purity inert gas or sufficiently purified air or other gas.
【０１４９】次いで、基板Ａを保持台２の上に基板移送
装置(図示せず)等によって移送する。このとき、既に、
多孔質体３１８細孔から第１ガスが噴射されているの
で、基板Ａは保持台３０２に接触することなく、浮上さ
れた状態で基板移送装置から保持台３０２に移載され
る。浮上に関して説明すると、多孔質体３１８から噴射
された第１ガスは多数の細い上向き流れとなって基板Ａ
にぶつかり、基板Ａを上向きに押す。基板Ａからはね返
った多数の流れは互いに衝突し、静圧を生じさせ、いわ
ゆるエアベアリングを構成してエアクッション効果を生
じさせる。Next, the substrate A is transferred onto the holding table 2 by a substrate transfer device (not shown) or the like. At this time,
Since the first gas is jetted from the pores of the porous body 318, the substrate A is transferred from the substrate transfer device to the holding table 302 in a floating state without coming into contact with the holding table 302. To explain the levitation, the first gas injected from the porous body 318 becomes a large number of thin upward flows and the substrate A
And hit the substrate A upward. The large number of flows bounced from the substrate A collide with each other to generate a static pressure, which constitutes a so-called air bearing to generate an air cushion effect.
【０１５０】次いで、アクチュエータ７０を作動させ、
ピン６４の偏心突起６８をそれぞれ基板Ａに接触させ、
基板Ａを回転軸線４と同心に配置する。次いで、上面側
回転体３０４を基板Ａの上方に且つそれと同心に配置す
る。次いで、駆動部６のモーター７６を作動させて、保
持台３０２及び基板Ａを回転させる。回転速度は、通
常、約２００乃至５０００ｒｐｍの範囲内である。Then, the actuator 70 is operated,
The eccentric projections 68 of the pins 64 are respectively brought into contact with the substrate A,
The substrate A is arranged concentrically with the rotation axis 4. Then, the upper surface side rotating body 304 is arranged above the substrate A and concentrically therewith. Then, the motor 76 of the drive unit 6 is operated to rotate the holding table 302 and the substrate A. The rotation speed is usually in the range of about 200 to 5000 rpm.
【０１５１】次いで、基板Ａの上面Ａ２に薬液を案内す
る。この動作は、第３の実施形態と同様であるので、そ
の説明を省略する。基板上面Ａ２に案内された処理液
は、基板Ａの回転による遠心力によって、基板上面Ａ２
の周縁環状領域に広がり、基板Ａの外周縁Ａ３に達す
る。それにより、基板上面Ａ２の所望環状領域を処理す
ることができる。大部分の処理液は、外周縁Ａ３から更
に外方に飛ばされるが、残りの処理液は、基板Ａとの間
の表面張力等により、基板Ａの外周縁Ａ３から、基板Ａ
の下面Ａ１に回り込もうとする。基板下面Ａ１に回り込
もうとした処理液は、基板Ａを浮上させる第１ガスの流
れによって基板外周縁Ａ３の方に押し戻される。Then, the chemical solution is guided to the upper surface A2 of the substrate A. This operation is similar to that of the third embodiment, and therefore its explanation is omitted. The processing liquid guided to the upper surface A2 of the substrate is rotated by the centrifugal force of the substrate A, and thus the upper surface A2 of the substrate is treated.
To the outer peripheral edge A3 of the substrate A. Thereby, the desired annular region on the upper surface A2 of the substrate can be processed. Most of the processing liquid is flown further outward from the outer peripheral edge A3, but the remaining processing liquid is transferred from the outer peripheral edge A3 of the substrate A to the substrate A due to surface tension between the processing liquid and the substrate A.
Try to go around the lower surface A1 of. The processing liquid that has tried to flow around the substrate lower surface A1 is pushed back toward the substrate outer peripheral edge A3 by the flow of the first gas that floats the substrate A.
【０１５２】次いで、第２ガス供給源３４４を作動さ
せ、第２ガスをカップリング部３１２の接続口４２、環
状隙間４０、側面開口３３８、環状空間３３６、環状流
路３２６を経て環状開口３３０から噴射させる。第２ガ
スは、第１ガスと同様に、高純度の窒素ガスであるのが
好ましいが、他の高純度不活性ガス或いは十分に精製さ
れた空気でも良い。環状開口３３０から噴射された第２
ガスは、半径方向外方に放射状に流れるが、環状開口３
３０の接線方向は基板Ａの下面Ａ１と０度をなしている
ため、第２ガスが基板Ａの下面Ａ１に直接衝突すること
が回避され、基板Ａの外周縁近傍の下方の空隙３３２内
における第２ガスの流れが乱されない。このため、空隙
３３２内がいわゆるエジェクター効果により減圧され、
基板Ａの上面Ａ２から下面Ａ１への処理液の回り込みが
積極的に促進される。Next, the second gas supply source 344 is operated to transfer the second gas from the annular opening 330 through the connection port 42 of the coupling portion 312, the annular gap 40, the side opening 338, the annular space 336, the annular flow passage 326. Make it jet. Like the first gas, the second gas is preferably high-purity nitrogen gas, but may be other high-purity inert gas or sufficiently purified air. The second injected from the annular opening 330
The gas flows radially outward, but the annular opening 3
Since the tangential direction of 30 is 0 degree with the lower surface A1 of the substrate A, the second gas is prevented from directly colliding with the lower surface A1 of the substrate A, and in the lower space 332 near the outer peripheral edge of the substrate A. The flow of the second gas is not disturbed. Therefore, the inside of the void 332 is decompressed by the so-called ejector effect,
The wraparound of the processing liquid from the upper surface A2 of the substrate A to the lower surface A1 is positively promoted.
【０１５３】第１ガス及び第２ガスの流量を調整する制
御装置(図示せず)によって、第１ガスによる回り込みの
抑制と第２ガスによる回り込みの促進を制御することに
よって、基板Ａを浮上させつつ、基板Ａの上面Ａ２から
下面Ａ１への処理液が回り込む半径方向位置を制御する
ことができる。それにより、基板の下面の所望環状領域
の処理が可能になる。The control device (not shown) for adjusting the flow rates of the first gas and the second gas controls the suppression of the wraparound by the first gas and the promotion of the wraparound by the second gas to raise the substrate A. At the same time, it is possible to control the radial position of the processing liquid from the upper surface A2 of the substrate A to the lower surface A1. This allows processing of the desired annular area on the lower surface of the substrate.
【０１５４】その結果、第６の実施形態においては、基
板Ａの上面Ａ２と下面Ａ１の両方の所望環状領域を、同
じ種類の処理液で同時に処理することができる。例え
ば、第５の実施形態で説明したのと同様、基板の上面及
び下面の外周縁近傍に付着しているレジストの残りかす
やＣｕを除去するのに有効である。As a result, in the sixth embodiment, the desired annular regions on both the upper surface A2 and the lower surface A1 of the substrate A can be simultaneously treated with the same type of treatment liquid. For example, as described in the fifth embodiment, it is effective to remove residual dust and Cu of the resist adhering to the vicinity of the outer peripheral edges of the upper surface and the lower surface of the substrate.
【０１５５】[0155]
【発明の効果】本発明による基板処理装置及び方法によ
れば、基板の表面の一部を処理液で精密且つ均一に処理
することができる。According to the substrate processing apparatus and method of the present invention, a part of the surface of the substrate can be precisely and uniformly processed with the processing liquid.
【０１５６】また、本発明による基板処理装置及び方法
によれば、処理液を下方から基板の下面に供給し、基板
の下面の所望環状領域を均一且つ精密に処理することが
できる。Further, according to the substrate processing apparatus and method of the present invention, the processing liquid can be supplied from the lower side to the lower surface of the substrate to uniformly and precisely process the desired annular region on the lower surface of the substrate.
【０１５７】また、本発明による基板処理装置及び方法
によれば、基板の上面の所望環状領域を均一且つ精密に
処理することができる。Further, according to the substrate processing apparatus and method of the present invention, the desired annular region on the upper surface of the substrate can be processed uniformly and precisely.
【０１５８】また、本発明による基板処理装置及び方法
によれば、基板の上面の所望環状領域と基板の下面の所
望環状領域を同時に又は連続的に、均一且つ精密に処理
することができる。Further, according to the substrate processing apparatus and method of the present invention, the desired annular region on the upper surface of the substrate and the desired annular region on the lower surface of the substrate can be uniformly and precisely processed simultaneously or continuously.
【図１】本発明による基板処理装置の第１の実施形態の
概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】環状案内面の断面輪郭の例である。FIG. 2 is an example of a cross-sectional contour of an annular guide surface.
【図３】環状案内面の断面輪郭の例である。FIG. 3 is an example of a cross-sectional contour of an annular guide surface.
【図４】環状案内面の断面輪郭の例である。FIG. 4 is an example of a cross-sectional contour of an annular guide surface.
【図５】環状案内面の断面輪郭の例である。FIG. 5 is an example of a cross-sectional contour of an annular guide surface.
【図６】連結体５８を図１の線６-６における断面で示
した外側環状部２０の平面図である。6 is a plan view of the outer annular portion 20, showing the connecting body 58 in a section taken along line 6-6 in FIG. 1. FIG.
【図７】本発明による基板処理装置の第２の実施形態の
概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
【図８】本発明による基板処理装置の第３の実施形態の
概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a third embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
【図９】本発明による基板処理装置の第４の実施形態の
概略断面図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a fourth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
【図１０】本発明による基板処理装置の第５の実施形態
の概略断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a fifth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
【図１１】本発明による基板処理装置の第６の実施形態
の概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a sixth embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
１、１００、１５０、２００、２５０，３００ 基板
処理装置
２、１５２、３０２ 保持台
８、１０ 下側ノズル
１４ 中心円盤部
１８ カップリング
２０ 外側環状部
２２ 上面
３０ 中心開口
３２ 管腔
４４ ガス供給源
５０ 環状案内面
５６ 環状空間
５８ 連結体
５８ａ 連結体入口面
５８ｂ 連結体出口面
５８ｄ 連結体の溝面
８４、８６ 処理液供給口
８８、９０ 処理液供給源
１５４、２０２、３０４ 上面側回転体
１６０ 内側回転部
１６２ 外側環状回転部
１６４、１６６ 中間環状回転部
１７０ａ、１７０ｂ、１７０ｃ 環状流路
１７２ａ、１７２ｂ、１７２ｃ ラッパ状案内面
１７６ａ、１７６ｂ、１７６ｃ 環状出口オリフィス
１７８ａ、１７８ｂ、１７８ｃ 処理液供給ノズル
１８０ａ、１８０ｂ、１８０ｃ 処理液供給源
１８２ 開口
２０６ ピン
３１８ 円盤状多孔質体
３３０ 環状開口
３４４ 第２ガス供給源
３４６ 第１ガス供給源
Ａ 基板
Ａ１ 基板の下面
Ａ２ 基板の上面
Ａ４ 基板の周縁部1, 100, 150, 200, 250, 300 Substrate processing apparatus 2, 152, 302 Holding table 8, 10 Lower nozzle 14 Central disk portion 18 Coupling 20 Outer annular portion 22 Upper surface 30 Center opening 32 Lumen 44 Gas supply source 50 annular guide surface 56 annular space 58 connected body 58a connected body inlet surface 58b connected body outlet surface 58d connected body groove surfaces 84, 86 processing liquid supply ports 88, 90 processing liquid supply sources 154, 202, 304 upper surface side rotating body 160 Inner rotating portion 162 Outer annular rotating portion 164, 166 Intermediate annular rotating portion 170a, 170b, 170c Annular flow passage 172a, 172b, 172c Trumpet-shaped guide surface 176a, 176b, 176c Annular outlet orifice 178a, 178b, 178c Treatment liquid supply nozzle 180a , 180b, 180c Treatment liquid supply source 182 Opening 206 Pin 31 Disk-shaped porous body 330 annular opening 344 upper surface A4 board of the periphery of the lower surface A2 substrate of the second gas supply source 346 first gas supply source A substrate A1 substrate
Claims (24)
の表面を処理する処理液を基板の表面の所望環状領域に
供給するための処理液供給手段を有する、基板の表面の
所望環状領域を処理する基板処理装置において、 前記処理液供給手段は、基板の表面の所望環状領域の内
周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで且つこの
端周縁が最拡径部をなすように延びる環状案内面を有
し、この環状案内面は、基板と同心に回転可能であり、
この環状案内面に処理液が供給されることを特徴とする
基板処理装置。1. A desired annular area on a surface of a substrate, which has a processing solution supply means for supplying a processing solution for processing a surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to a desired annular area on the surface of the substrate. In the substrate processing apparatus for processing the substrate, the processing liquid supply means is configured so that the inner peripheral edge of the desired annular region on the surface of the substrate faces the inner peripheral edge in the vicinity of the inner peripheral edge and the outer peripheral edge forms the largest diameter portion. Has an extending annular guide surface, which is rotatable concentrically with the substrate,
The substrate processing apparatus is characterized in that the processing liquid is supplied to the annular guide surface.
の下面を処理する処理液を基板の下面に供給するための
処理液供給手段と、 基板の下面への処理液の供給を基板の下面の所望環状領
域に制限する制限手段と、を有する基板の下面の所望環
状領域を処理する基板処理装置において、 前記処理液供給手段は、基板と同心に回転可能であり且
つ基板の下方から基板の下面に向かうにつれて基板の半
径方向外方に拡径して、基板の下面の所望環状領域の内
周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで延びるラ
ッパ状案内面を有し、このラッパ状案内面の上に処理液
が供給され、前記制御手段は、前記ラッパ状案内面の端
周縁により構成されることを特徴とする基板処理装置。2. A processing liquid supply means for supplying a processing liquid for processing the lower surface of the substrate rotatably held in a substantially horizontal plane to the lower surface of the substrate, and supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate. In a substrate processing apparatus for processing a desired annular area of a lower surface of a substrate, which has a limiting means for restricting to a desired annular area of the lower surface, the processing liquid supply means is rotatable concentrically with the substrate and from the bottom of the substrate Has a trumpet-shaped guiding surface that expands radially outward of the substrate toward the lower surface of the substrate and extends to an end peripheral edge in the vicinity of the inner peripheral edge of the lower surface of the substrate that faces the inner peripheral edge of the desired annular region. The processing liquid is supplied onto the flat guide surface, and the control means is constituted by an edge of the trumpet-shaped guide surface.
ャック面を形成する回転可能な中心円盤部と、この中心
円盤部と間隔を隔て且つそれと同心にその周りを取り囲
む回転可能な外側環状部と、を有し、前記ラッパ状案内
面は、前記中心円盤部と前記外側環状部との間に形成さ
れる環状空間に臨むように前記外側環状部に形成され、
前記処理液供給手段は、ラッパ状案内面の上に処理液を
供給するための処理液供給口を更に有し、この処理液供
給口は、前記環状空間内に定置に配置される、請求項２
に記載の基板処理装置。3. A rotatable central disk portion whose upper surface forms a chuck surface for holding a substrate from below, and a rotatable outer annular portion which is spaced apart from and concentric with the central disk portion. And, the trumpet-shaped guide surface is formed in the outer annular portion so as to face an annular space formed between the central disk portion and the outer annular portion,
The processing liquid supply means further has a processing liquid supply port for supplying the processing liquid onto the trumpet-shaped guide surface, and the processing liquid supply port is fixedly arranged in the annular space. Two
The substrate processing apparatus according to.
方向に複数設けられる、請求項３に記載の基板処理装
置。4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein a plurality of the processing liquid supply ports are provided in a circumferential direction of the annular space.
供給される、請求項４に記載の基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein different processing liquids are supplied from different processing liquid supply ports.
するための羽根手段が、前記ラッパ状案内面上に設けら
れる請求項３に記載の基板処理装置。6. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein vane means for assisting in guiding the processing liquid to the lower surface of the substrate are provided on the trumpet-shaped guide surface.
面から浮上させて保持するための基板浮上機構を有す
る、請求項３に記載の基板処理装置。7. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the central disk portion has a substrate floating mechanism for floating and holding the substrate from the chuck surface.
から半径方向外方に向って流れるガスを供給するための
ガス供給手段を有する、請求項３に記載の基板処理装
置。8. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the central disk portion has a gas supply means for supplying a gas that flows radially outward from the central portion of the lower surface of the substrate.
の上面を処理する処理液を基板の上面に供給するための
処理液供給手段と、 基板の上面への処理液の供給を基板の上面の所望環状領
域に制限する制限手段と、を有する基板の上面の所望環
状領域を処理する基板処理装置において、 前記処理液供給手段は、基板の上方から基板の上面に向
かうにつれて基板の半径方向外方に拡径して、基板の上
面の所望環状領域の内周縁と対向配置された内周縁近傍
の端周縁まで延びるラッパ状案内面を有し、このラッパ
状案内面の上に処理液が供給され、前記制御手段は、基
板と同心に回転可能な前記ラッパ状案内面の端周縁によ
り構成されることを特徴とする基板処理装置。9. A processing liquid supply means for supplying a processing liquid for processing the upper surface of the substrate rotatably held in a substantially horizontal plane to the upper surface of the substrate, and supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate. In the substrate processing apparatus for processing the desired annular region of the upper surface of the substrate, which has a limiting means for limiting to the desired annular area of the upper surface, the processing liquid supply means is a radial direction of the substrate from the upper side of the substrate toward the upper surface of the substrate. There is a trumpet-shaped guide surface that expands outwardly and extends to an end edge near the inner edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate, and the treatment liquid is placed on the trumpet-shaped guide surface. The substrate processing apparatus, wherein the control means is provided with an end peripheral edge of the trumpet-shaped guide surface that is rotatable concentrically with the substrate.
板の上面を処理する処理液を基板の上面に供給するため
の処理液供給手段と、 基板の上面への処理液の供給を基板の上面の所望環状領
域に制限する制限手段と、を有する基板の上面の所望環
状領域を処理する基板処理装置において、 前記処理液供給手段は、基板の上面の所望環状領域の内
周縁と対向配置された内周縁近傍の環状出口オリフィス
まで基板の上面に対して斜め下方に且つ半径方向外方に
延びる環状流路を有し、この環状流路に処理液が供給さ
れ、前記制限手段は、基板と同心に回転可能な前記環状
流路の環状出口オリフィスによって構成されることを特
徴とする基板処理装置。10. A processing liquid supply means for supplying a processing liquid for processing the upper surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to the upper surface of the substrate, and supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate. In the substrate processing apparatus for processing the desired annular region of the upper surface of the substrate, which has a limiting unit for limiting the desired annular region of the upper surface, the processing liquid supply unit is arranged to face the inner peripheral edge of the desired annular region of the upper surface of the substrate. Further, there is an annular flow path extending obliquely downward with respect to the upper surface of the substrate and outward in the radial direction up to the annular outlet orifice near the inner peripheral edge, and the processing liquid is supplied to this annular flow path, and the limiting means includes the substrate and A substrate processing apparatus comprising an annular outlet orifice of the annular flow channel which is concentrically rotatable.
基板と間隔を隔てて配置され且つ基板と同心に回転可能
な上面側回転体を有し、この上面側回転体は、内側回転
部と、この内側回転部と間隔を隔て且つその周りを取り
囲む外側環状回転部と、を有し、 前記環状出口オリフィス及び前記環状流路は、前記内側
回転部と前記外側回転部との間に形成され、 前記処理液供給手段は、更に、処理液を前記環状流路に
供給するための処理液供給口を有し、この処理液供給口
は、前記環状流路に臨むように定置に配置される、請求
項１０に記載の基板処理装置。11. The processing liquid supply means has an upper surface side rotating body which is disposed above the substrate and spaced apart from the substrate and is rotatable concentrically with the substrate. The upper surface side rotating body is an inner rotating portion. And an outer annular rotating part that is spaced apart from and surrounds the inner rotating part, and the annular outlet orifice and the annular flow path are formed between the inner rotating part and the outer rotating part. The processing liquid supply means further has a processing liquid supply port for supplying the processing liquid to the annular flow path, and the processing liquid supply port is arranged in a fixed position so as to face the annular flow path. The substrate processing apparatus according to claim 10, which comprises:
回転部と前記外側環状回転部との間に且つそれらと間隔
を隔てて配置された中間環状回転部を有し、前記内側回
転部と前記中間環状回転部との間に第１の前記環状出口
オリフィス及び前記環状流路が構成され、前記中間環状
回転部と前記外側回転部との間に第２の前記環状出口オ
リフィス及び前記環状流路が構成される、請求項１１に
記載の基板処理装置。12. The upper rotating body further has an intermediate annular rotating portion arranged between the inner rotating portion and the outer annular rotating portion and at a distance from the intermediate rotating portion, the inner rotating portion. The first annular outlet orifice and the annular flow path between the intermediate annular rotating portion and the outer rotating portion, and the second annular outlet orifice and the annular portion between the intermediate annular rotating portion and the outer rotating portion. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the flow path is configured.
る、請求項１１又は１２に記載の基板処理装置。13. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein a plurality of the processing liquid supply ports are provided.
下方向に相対移動可能である請求項１１又は１２に記載
の基板処理装置。14. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the upper surface side rotating body is vertically movable relative to the substrate.
部から半径方向外方に向って流れるガスを供給するため
のガス供給手段を有する、請求項１１又は１２に記載の
基板処理装置。15. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the inner rotating portion has a gas supply means for supplying a gas that flows radially outward from the center of the upper surface of the substrate.
向に回転可能に保持する、請求項１１又は１２に記載の
基板処理装置。16. The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein the upper surface side rotating body holds a substrate rotatably in a substantially horizontal direction.
を有し、この保持台は、基板の上面から下面への処理液
の回り込みを促進する促進手段と、基板の上面から下面
に回り込んできた処理液を押し戻す押し戻し手段と、処
理液が基板の下面に回り込む半径方向位置を調整するよ
うに前記促進手段及び前記押し戻し手段を制御する制御
手段と、を有する、請求項１１又は１２に記載の基板処
理装置。17. A holding base for holding the substrate from below is further provided, and the holding base extends from the upper surface of the substrate to the lower surface, and the facilitating means for facilitating the processing liquid to flow from the upper surface to the lower surface of the substrate. 13. The method according to claim 11 or 12, further comprising: a push-back unit that pushes back the resulting processing liquid; and a control unit that controls the accelerating unit and the pushing-back unit so as to adjust the radial position where the processing liquid wraps around the lower surface of the substrate. Substrate processing equipment.
板の下面を処理する処理液を基板の下面に供給するため
の下面処理液供給手段と、 基板の下面への処理液の供給を基板の下面の所望環状領
域に制限する下面制限手段と、 基板の上面を処理する処理液を基板の上面に供給するた
めの上面処理液供給手段と、 基板の上面への処理液の供給を基板の上面の所望環状領
域に制限する上面制限手段と、を有し、基板の下面の所
望環状領域と基板の上面の所望環状領域を同時に又は連
続的に処理する基板処理装置において、 前記下面処理液供給手段は、基板と同心に回転可能であ
り且つ基板の下方から基板の下面に向かうにつれて基板
の半径方向外方に拡径して、基板の下面の所望環状領域
の内周縁と対向配置された内周縁近傍の端周縁まで延び
るラッパ状案内面を有し、このラッパ状案内面の上に基
板の下面を処理する処理液が供給され、 前記下面制御手段は、前記ラッパ状案内面の端周縁によ
り構成され、 前記上面処理液供給手段は、基板の上面の所望環状領域
の内周縁と対向配置された内周縁近傍の環状出口オリフ
ィスまで基板の上面に対して斜め下方に且つ半径方向外
方に延びる環状流路を有し、この環状流路に基板の上面
を処理する処理液が供給され、 前記上面制限手段は、基板と同心に回転可能な前記環状
出口オリフィスによって構成されることを特徴とする基
板処理装置。18. A bottom surface processing liquid supply means for supplying a processing liquid for processing a lower surface of a substrate held rotatably in a substantially horizontal plane to the lower surface of the substrate, and supplying the processing liquid to the lower surface of the substrate Lower surface limiting means for restricting the desired annular region on the lower surface of the substrate, upper surface processing liquid supply means for supplying the processing liquid for processing the upper surface of the substrate to the upper surface of the substrate, and supply of the processing liquid to the upper surface of the substrate for the substrate. A substrate processing apparatus for processing the desired annular region on the lower surface of the substrate and the desired annular region on the upper surface of the substrate at the same time or continuously, The means is rotatable concentrically with the substrate, expands radially outward of the substrate from the lower side of the substrate toward the lower surface of the substrate, and is arranged to face the inner peripheral edge of the desired annular region of the lower surface of the substrate. Extends to the edge near the edge A treatment liquid for treating the lower surface of the substrate is supplied onto the trumpet-shaped guide surface, and the lower surface control means is constituted by an edge of the trumpet-shaped guide surface. The supply means has an annular flow path extending obliquely downward with respect to the upper surface of the substrate and radially outward to an annular outlet orifice near the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate, the annular outlet orifice being disposed in the vicinity of the inner peripheral edge. A processing liquid for processing the upper surface of the substrate is supplied to the annular flow path, and the upper surface limiting means is constituted by the annular exit orifice rotatable concentrically with the substrate.
下面を処理する処理液は同じである、請求項１８に記載
の基板処理装置。19. The substrate processing apparatus according to claim 18, wherein the processing liquid for processing the upper surface of the substrate and the processing liquid for processing the lower surface of the substrate are the same.
下面を処理する処理液は異なる、請求項１８に記載の基
板処理装置。20. The substrate processing apparatus according to claim 18, wherein the processing liquid for processing the upper surface of the substrate and the processing liquid for processing the lower surface of the substrate are different.
基板処理方法であって、 基板を略水平面内に保持しながら回転させる段階と、 基板の表面の所望環状領域の内周縁と対向配置された内
周縁近傍の端周縁まで且つその端周縁が最拡径部をなす
ように延びる環状案内面を基板と同心に配置する段階
と、 基板の表面を処理する処理液を前記環状案内面に沿って
その端周縁に案内して、処理液を基板の表面の所望環状
領域の内周縁に供給する段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、基板の表面の所望
環状領域を処理する段階と、 を有することを特徴とする基板処理方法。21. A substrate processing method for treating a desired annular region on a surface of a substrate, comprising the steps of rotating the substrate while holding it in a substantially horizontal plane, and arranging the substrate so as to face an inner peripheral edge of the desired annular region on the surface of the substrate. A step of arranging an annular guide surface concentric with the substrate to the edge near the inner edge and forming the edge having the largest diameter, and a treatment liquid for treating the surface of the substrate along the annular guide surface. To guide the processing liquid to the inner peripheral edge of the desired annular region on the surface of the substrate, and to process the desired annular region on the surface of the substrate using the centrifugal force acting on the processing liquid. And a substrate processing method comprising:
基板処理方法であって、 基板を略水平面内に保持しながら回転させる段階と、 基板の下面に向かうにつれて基板の半径方向外方に拡径
して、基板の下面の所望環状領域の内周縁と対向配置さ
れた内周縁近傍の端周縁まで延びるラッパ状案内面を基
板と同心に配置する段階と、 基板の下面を処理する処理液を前記ラッパ状案内面の上
に供給する段階と、 前記ラッパ状案内面を基板と同心に回転させる段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、処理液を基板の下
方から前記ラッパ状案内面の端周縁まで案内して、基板
の下面の所望環状領域の内周縁部に供給する段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、基板の下面の所望
環状領域を処理する段階と、 を有することを特徴とする基板処理方法。22. A substrate processing method for processing a desired annular region on a lower surface of a substrate, comprising the steps of rotating the substrate while holding it in a substantially horizontal plane, and expanding the substrate outward in the radial direction toward the lower surface of the substrate. A step of arranging a trumpet-shaped guide surface concentrically with the substrate, which extends to an end edge near the inner edge of the desired annular region on the lower surface of the substrate opposite to the inner edge of the desired annular region, and treating liquid for treating the lower surface of the substrate. Supplying the treatment liquid onto the trumpet-shaped guide surface; rotating the trumpet-shaped guide surface concentrically with the substrate; and utilizing the centrifugal force acting on the treatment liquid to guide the treatment liquid from below the substrate. Guiding to the inner peripheral edge of the desired annular region on the lower surface of the substrate, and treating the desired annular area on the lower surface of the substrate by utilizing the centrifugal force acting on the processing liquid. Is characterized by having Plate processing method.
基板処理方法であって、 基板を略水平面内に保持しながら回転させる段階と、 基板の上面の所望環状領域の内周縁と対向配置された内
周縁近傍の環状出口オリフィスまで基板の上面に対して
斜め下方に且つ半径方向外方に延びる環状流路を基板と
同心に配置する段階と、 基板の上面を処理する処理液を前記環状流路を通して前
記環状出口オリフィスに案内する段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、処理液を基板の上
面の所望環状領域の内周縁部に供給して、基板の上面の
所望環状領域を処理する段階と、 を有することを特徴とする基板処理方法。23. A substrate processing method for treating a desired annular region on an upper surface of a substrate, the method comprising: rotating the substrate while holding it in a substantially horizontal plane; and arranging the substrate to face an inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate. A ring flow path extending obliquely downward and radially outward with respect to the upper surface of the substrate to the annular outlet orifice near the inner peripheral edge and concentric with the substrate; The process liquid is supplied to the inner peripheral edge portion of the desired annular region on the upper surface of the substrate by using the centrifugal force acting on the processing liquid and the annular outlet orifice through the passage, and the desired annular region on the upper surface of the substrate is removed. A substrate processing method comprising: a step of processing.
面の所望環状領域を同時に又は連続的に処理する基板処
理方法であって、 基板を略水平面内に保持しながら回転させる段階と、 基板の下面に向かうにつれて基板の半径方向外方に拡径
して、基板の下面の所望環状領域の内周縁と対向配置さ
れた内周縁近傍の端周縁まで延びるラッパ状案内面を基
板と同心に配置する段階と、 基板の下面を処理する処理液を前記ラッパ状案内面の上
に供給する段階と、 前記ラッパ状案内面を基板と同心に回転させる段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、処理液を基板の下
方から前記ラッパ状案内面の端周縁まで案内して、基板
の下面の所望環状領域の内周縁部に供給する段階と、 基板の上面の所望環状領域の内周縁と対向配置された内
周縁近傍の環状出口オリフィスまで基板の上面に対して
斜め下方に且つ半径方向外方に延びる環状流路を基板と
同心に配置する段階と、 基板の上面を処理する処理液を前記環状流路を通して前
記環状出口オリフィスに案内する段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、処理液を基板の上
面の所望環状領域の内周縁部に供給する段階と、 処理液にはたらく遠心力を利用して、基板の上面の所望
環状領域と基板の下面の所望環状領域を同時に又は連続
的に処理する段階と、 を有することを特徴とする基板処理方法。24. A substrate processing method for simultaneously or continuously processing a desired annular region on an upper surface of a substrate and a desired annular region on a lower surface of the substrate, the substrate being rotated while being held in a substantially horizontal plane. The trumpet-shaped guide surface is arranged concentrically with the substrate so as to expand radially outward of the substrate toward the lower surface of the substrate and extend to an end peripheral edge in the vicinity of the inner peripheral edge of the desired annular region of the lower surface of the substrate opposite to the inner peripheral edge. The step of supplying the processing liquid for processing the lower surface of the substrate onto the trumpet-shaped guide surface, the step of rotating the trumpet-shaped guide surface concentrically with the substrate, and the centrifugal force acting on the processing solution. Guide the processing liquid from below the substrate to the edge of the trumpet-shaped guide surface and supply it to the inner peripheral edge of the desired annular region on the lower surface of the substrate, and the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate. Near the inner peripheral edge that is placed opposite Arranging an annular flow channel extending obliquely downward and radially outward with respect to the upper surface of the substrate up to the annular outlet orifice of the substrate concentrically with the substrate; Using the centrifugal force acting on the processing liquid, the step of guiding the liquid to the outlet orifice, the centrifugal force acting on the processing liquid, and supplying the processing liquid to the inner peripheral edge of the desired annular region on the upper surface of the substrate. And a step of processing the desired annular region on the upper surface of the substrate and the desired annular region on the lower surface of the substrate simultaneously or successively.
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