JP2003332041A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置及び電子機器Info
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気光学装置を構成するスイッチング素子及
び配線及び絶縁膜の上方に積層する絶縁膜を容易に平坦
化でき、かつ、開口率が大きい電気光学装置を提供す
る。 【解決手段】 基板２と、基板２に設けられているスイ
ッチング素子５及び配線３６及び絶縁膜２１、５５とを
有する電気光学装置において、基板２は、スイッチング
素子５及び配線３６及び絶縁膜２１、５５のうち少なく
ともいずれか一つの位置に対応して形成された凹部１
０、１１、１２を有している。
び配線及び絶縁膜の上方に積層する絶縁膜を容易に平坦
化でき、かつ、開口率が大きい電気光学装置を提供す
る。 【解決手段】 基板２と、基板２に設けられているスイ
ッチング素子５及び配線３６及び絶縁膜２１、５５とを
有する電気光学装置において、基板２は、スイッチング
素子５及び配線３６及び絶縁膜２１、５５のうち少なく
ともいずれか一つの位置に対応して形成された凹部１
０、１１、１２を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気光学装置及び
電子機器が有する電気光学装置に関するものである。
電子機器が有する電気光学装置に関するものである。
【０００２】近年、基板上に複数の薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）と、この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によっ
て駆動され、かつ、この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に
対応して配設された複数の有機ＥＬ素子とを有する有機
アクティブＥＬ発光装置において、ＴＦＴと有機ＥＬ素
子の下部電極との間に、平坦化された層間絶縁膜が配設
された構造が提案されている。
（ＴＦＴ）と、この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によっ
て駆動され、かつ、この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に
対応して配設された複数の有機ＥＬ素子とを有する有機
アクティブＥＬ発光装置において、ＴＦＴと有機ＥＬ素
子の下部電極との間に、平坦化された層間絶縁膜が配設
された構造が提案されている。
【０００３】図１０は、従来のこの種の有機アクティブ
発光装置の一例を示すものである。符号１４８に示す有
機アクティブ発光装置は、基板１４９上に形成された複
数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５０と、対向電極１
５１と有機層１５２と下部電極１５３を有している有機
ＥＬ素子１５４と、層間絶縁膜１５５によって構成され
ている。また、ＴＦＴ１５０の端子と有機ＥＬ素子１５
４の下部電極１５３は、層間絶縁膜１５５に設けられた
コンタクトホール１５６を介して、電気的に接続されて
おり、このＴＦＴ１５０によって有機ＥＬ素子１５４が
駆動されるようになっている。薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１５０は、図１１に示す第１のトランジスタ（Ｔｒ
１）１５７、第２のトランジスタ（Ｔｒ２））１５８に
よって構成されており、及び走査電極線（Ｙｊ〜Ｙｊ＋
ｎ）１５９と、信号電極線（Ｘｉ〜Ｘｉ+ｎ）１６０
と、共通電極線（Ｃｉ〜Ｃｉ+ｎ）１６１とに流れる電
流によって、有機ＥＬ素子１５４の有機層１５２を駆動
するようになっている。また、共通電極線（Ｃｉ〜Ｃｉ
+ｎ）１６１と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）１５７と
の間にはコンデンサ１６２が形成されており、電荷が充
電されるようになっている。層間絶縁膜１５５は、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）１５０の上方に設けられてお
り、かつ、この層間絶縁膜１５５は下部電極１５３との
接合面で平坦化されている。
発光装置の一例を示すものである。符号１４８に示す有
機アクティブ発光装置は、基板１４９上に形成された複
数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５０と、対向電極１
５１と有機層１５２と下部電極１５３を有している有機
ＥＬ素子１５４と、層間絶縁膜１５５によって構成され
ている。また、ＴＦＴ１５０の端子と有機ＥＬ素子１５
４の下部電極１５３は、層間絶縁膜１５５に設けられた
コンタクトホール１５６を介して、電気的に接続されて
おり、このＴＦＴ１５０によって有機ＥＬ素子１５４が
駆動されるようになっている。薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１５０は、図１１に示す第１のトランジスタ（Ｔｒ
１）１５７、第２のトランジスタ（Ｔｒ２））１５８に
よって構成されており、及び走査電極線（Ｙｊ〜Ｙｊ＋
ｎ）１５９と、信号電極線（Ｘｉ〜Ｘｉ+ｎ）１６０
と、共通電極線（Ｃｉ〜Ｃｉ+ｎ）１６１とに流れる電
流によって、有機ＥＬ素子１５４の有機層１５２を駆動
するようになっている。また、共通電極線（Ｃｉ〜Ｃｉ
+ｎ）１６１と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）１５７と
の間にはコンデンサ１６２が形成されており、電荷が充
電されるようになっている。層間絶縁膜１５５は、薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）１５０の上方に設けられてお
り、かつ、この層間絶縁膜１５５は下部電極１５３との
接合面で平坦化されている。
【０００４】また、他の従来の技術として、図１２に示
すようなアクティブマトリクス構造の電気光学装置が提
案されている。図１２において、この従来のアクティブ
マトリクス構造の電気光学装置１７０は、ガラス基板１
７１と、このガラス基板１７１の表面に形成された能動
層となる第１のポリシリコン層１７２と、ポリシリコン
層１７２を熱酸化させたゲート絶縁膜１７３と、ゲート
電極となる第２のポリシリコン層１７４と、第１の層間
絶縁膜１７５と、第２の層間絶縁膜１７６と、信号電極
線１７８と、第１のコンタクトホール１７９と、第２の
コンタクトホール１８０と、第１の画素電極１８１と、
第２の画素電極１８２と絶縁膜１８３とから構成され
る。アクティブマトリクス構造の電気光学装置１７０で
は、絶縁膜１８３は、第１のポリシリコン層１７２、ゲ
ート絶縁膜１７３、第２のポリシリコン層１７４、第１
の層間絶縁膜１７５、第２の層間絶縁膜１７６、信号電
極線１７８を積層した後に形成し、平坦化される。
すようなアクティブマトリクス構造の電気光学装置が提
案されている。図１２において、この従来のアクティブ
マトリクス構造の電気光学装置１７０は、ガラス基板１
７１と、このガラス基板１７１の表面に形成された能動
層となる第１のポリシリコン層１７２と、ポリシリコン
層１７２を熱酸化させたゲート絶縁膜１７３と、ゲート
電極となる第２のポリシリコン層１７４と、第１の層間
絶縁膜１７５と、第２の層間絶縁膜１７６と、信号電極
線１７８と、第１のコンタクトホール１７９と、第２の
コンタクトホール１８０と、第１の画素電極１８１と、
第２の画素電極１８２と絶縁膜１８３とから構成され
る。アクティブマトリクス構造の電気光学装置１７０で
は、絶縁膜１８３は、第１のポリシリコン層１７２、ゲ
ート絶縁膜１７３、第２のポリシリコン層１７４、第１
の層間絶縁膜１７５、第２の層間絶縁膜１７６、信号電
極線１７８を積層した後に形成し、平坦化される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
有機アクティブ発光装置１４８は、有機ＥＬ素子１５４
の発光不良や電極形成工程における欠陥を防止するため
に、層間絶縁膜１５５の下方に設けられた走査電極線１
５９及び信号電極線１６０及び薄膜トランジスタ１５０
と、下部電極１５３との絶縁性を向上させる必要があ
り、十分な絶縁性を得るような層間絶縁膜１５５を形成
する必要があった。
有機アクティブ発光装置１４８は、有機ＥＬ素子１５４
の発光不良や電極形成工程における欠陥を防止するため
に、層間絶縁膜１５５の下方に設けられた走査電極線１
５９及び信号電極線１６０及び薄膜トランジスタ１５０
と、下部電極１５３との絶縁性を向上させる必要があ
り、十分な絶縁性を得るような層間絶縁膜１５５を形成
する必要があった。
【０００６】しかしながら、層間絶縁膜１５５を高精度
に平坦化するのが容易でなく、絶縁性が十分に得られな
い場合には、有機ＥＬ素子の発光不良や電極形成工程に
おける欠陥が生じてしまうという問題があった。
に平坦化するのが容易でなく、絶縁性が十分に得られな
い場合には、有機ＥＬ素子の発光不良や電極形成工程に
おける欠陥が生じてしまうという問題があった。
【０００７】また、上記の他の従来のアクティブマトリ
クス構造の電気光学装置１７０では、絶縁膜１８３は、
第１の画素電極１８１を積層した後に形成した後に平坦
化されるが、第２の層間絶縁膜１７６と、第１の画素電
極１８１が凹凸形状であるために、画素電極１８１の上
方に製膜する絶縁膜１８３の平坦化が難しいという問題
があった。
クス構造の電気光学装置１７０では、絶縁膜１８３は、
第１の画素電極１８１を積層した後に形成した後に平坦
化されるが、第２の層間絶縁膜１７６と、第１の画素電
極１８１が凹凸形状であるために、画素電極１８１の上
方に製膜する絶縁膜１８３の平坦化が難しいという問題
があった。
【０００８】この発明は、このような事情を考慮してな
されたもので、その第一の目的は、電気光学装置を構成
するスイッチング素子及び配線及び絶縁膜の上方に積層
する絶縁膜を容易に平坦化でき、かつ、開口率が大きい
電気光学装置を提供することにある。
されたもので、その第一の目的は、電気光学装置を構成
するスイッチング素子及び配線及び絶縁膜の上方に積層
する絶縁膜を容易に平坦化でき、かつ、開口率が大きい
電気光学装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、以下の手段を提案している。基板と、
該基板上に設けられているスイッチング素子及び配線及
び絶縁膜とを有する電気光学装置において、前記基板
は、前記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜
のうち少なくともいずれか１つの位置に対応して形成さ
れた凹部を有することを特徴とする。係る電気光学装置
によれば、前記基板は、前記スイッチング素子及び前記
配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの位
置に対応して形成された凹部を有しているので、前記ス
イッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少な
くともいずれか１つを前記凹部の内部に形成し、前記ス
イッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少な
くともいずれか１つを前記凹部の内部に容易に形成する
ことができる。
めに、本発明は、以下の手段を提案している。基板と、
該基板上に設けられているスイッチング素子及び配線及
び絶縁膜とを有する電気光学装置において、前記基板
は、前記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜
のうち少なくともいずれか１つの位置に対応して形成さ
れた凹部を有することを特徴とする。係る電気光学装置
によれば、前記基板は、前記スイッチング素子及び前記
配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの位
置に対応して形成された凹部を有しているので、前記ス
イッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少な
くともいずれか１つを前記凹部の内部に形成し、前記ス
イッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少な
くともいずれか１つを前記凹部の内部に容易に形成する
ことができる。
【００１０】また、本発明の電気光学装置は、先に記載
の電気光学装置であって、前記凹部に、前記スイッチン
グ素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともい
ずれか１つが埋設されていることを特徴とする。係る電
気光学装置によれば、前記凹部に、前記スイッチング素
子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれ
か１つが埋設されているので、スイッチング素子及び前
記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを
前記凹部に埋設し、前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを前記凹
部に容易に埋設することができる。
の電気光学装置であって、前記凹部に、前記スイッチン
グ素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともい
ずれか１つが埋設されていることを特徴とする。係る電
気光学装置によれば、前記凹部に、前記スイッチング素
子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれ
か１つが埋設されているので、スイッチング素子及び前
記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを
前記凹部に埋設し、前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを前記凹
部に容易に埋設することができる。
【００１１】また、本発明の電気光学装置は、先に記載
の電気光学装置であって、前記凹部に、前記スイッチン
グ素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともい
ずれか１つを有する積層体が埋設されていることを特徴
とする。係る電気光学装置によれば、前記凹部に、前記
スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少
なくともいずれか１つを有する積層体が埋設されている
ので、前記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁
膜のうち少なくともいずれか１つを有する積層体を前記
凹部に埋設し、前記スイッチング素子及び前記配線及び
前記絶縁膜のうちいずれか１つを有する積層体を前記凹
部に容易に埋設することができる。また、前記電気光学
装置の発光を阻害する前記スイッチング素子及び前記配
線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを有す
る積層体を前記凹部に埋設し、前記電気光学装置の発光
面積が大きくなり、高開口率化を達成することができ
る。
の電気光学装置であって、前記凹部に、前記スイッチン
グ素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともい
ずれか１つを有する積層体が埋設されていることを特徴
とする。係る電気光学装置によれば、前記凹部に、前記
スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少
なくともいずれか１つを有する積層体が埋設されている
ので、前記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁
膜のうち少なくともいずれか１つを有する積層体を前記
凹部に埋設し、前記スイッチング素子及び前記配線及び
前記絶縁膜のうちいずれか１つを有する積層体を前記凹
部に容易に埋設することができる。また、前記電気光学
装置の発光を阻害する前記スイッチング素子及び前記配
線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを有す
る積層体を前記凹部に埋設し、前記電気光学装置の発光
面積が大きくなり、高開口率化を達成することができ
る。
【００１２】また、本発明の電気光学装置は、先に記載
の電気光学装置であって、前記凹部に埋設された前記ス
イッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少な
くともいずれか１つの上面と、前記基板の上面とが連続
していることを特徴とする。係る電気光学装置によれ
ば、前記凹部に埋設された前記スイッチング素子及び前
記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの
上面と、前記基板の上面が連続しているので、前記基板
及び前記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜
のうち少なくともいずれか１つの上面に、平坦な絶縁膜
が形成され、該絶縁膜の平坦化を容易に行うことがで
き、また、前記絶縁膜の平坦化処理を省くことができ、
また、前記絶縁膜の上面において高精度な平坦面が必要
になった場合には高精度な平坦化処理を容易に行うこと
ができ、また、前記絶縁膜の上方に積層する画素電極及
び画素電極間の境界絶縁膜を容易に平坦化することがで
きる。また、前記絶縁膜の絶縁性のバラツキが抑制さ
れ、前記スイッチング素子のスイッチング特性のバラツ
キを抑えることができる。また、前記絶縁膜の絶縁性が
十分に確保され、安定したスイッチング特性を得ること
ができる。また、前記絶縁膜の上方に積層される前記画
素電極及び前記画素電極間の前記境界絶縁膜は、容易に
平坦化されるので、容易にバンクを形成することができ
る。また、該バンクに隣接する蛍光体の発光不良や電極
形成工程における欠陥を防止することができる。
の電気光学装置であって、前記凹部に埋設された前記ス
イッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少な
くともいずれか１つの上面と、前記基板の上面とが連続
していることを特徴とする。係る電気光学装置によれ
ば、前記凹部に埋設された前記スイッチング素子及び前
記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの
上面と、前記基板の上面が連続しているので、前記基板
及び前記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜
のうち少なくともいずれか１つの上面に、平坦な絶縁膜
が形成され、該絶縁膜の平坦化を容易に行うことがで
き、また、前記絶縁膜の平坦化処理を省くことができ、
また、前記絶縁膜の上面において高精度な平坦面が必要
になった場合には高精度な平坦化処理を容易に行うこと
ができ、また、前記絶縁膜の上方に積層する画素電極及
び画素電極間の境界絶縁膜を容易に平坦化することがで
きる。また、前記絶縁膜の絶縁性のバラツキが抑制さ
れ、前記スイッチング素子のスイッチング特性のバラツ
キを抑えることができる。また、前記絶縁膜の絶縁性が
十分に確保され、安定したスイッチング特性を得ること
ができる。また、前記絶縁膜の上方に積層される前記画
素電極及び前記画素電極間の前記境界絶縁膜は、容易に
平坦化されるので、容易にバンクを形成することができ
る。また、該バンクに隣接する蛍光体の発光不良や電極
形成工程における欠陥を防止することができる。
【００１３】また、本発明の電気光学装置は、先に記載
の電気光学装置であって、第一の画素電極と、前記第一
の画素電極に隣り合う第二の画素電極との間に境界絶縁
膜が形成され、該境界絶縁膜の上面と、前記画素電極の
上面とが連続していることを特徴とする。係る電気光学
装置によれば、第一の画素電極と、前記第一の画素電極
に隣り合う第二の画素電極との間に形成された境界絶縁
膜が形成され、該境界絶縁膜の上面と、前記画素電極の
上面が連続しているので、前記画素電極の上面及び前記
境界絶縁膜の上面において平坦面が形成され、前記画素
電極の上面を容易に平坦化することができ、また、前記
画素電極の上面及び前記境界絶縁膜の上面に前記バンク
を容易に形成することができ、また、前記バンクに隣接
する蛍光体の発光不良や電極形成工程における欠陥を防
止することができ、また、前記画素電極の上面に発光層
を形成した際には、発光層の厚さは均一に形成され、発
光のむらを防ぐことができる。また、前記画素電極と、
前記画素電極に隣り合う画素電極との間に前記境界絶縁
膜が形成されるので、前記画素電極と、前記画素電極に
隣り合う画素電極との間は電気的に絶縁することができ
る。
の電気光学装置であって、第一の画素電極と、前記第一
の画素電極に隣り合う第二の画素電極との間に境界絶縁
膜が形成され、該境界絶縁膜の上面と、前記画素電極の
上面とが連続していることを特徴とする。係る電気光学
装置によれば、第一の画素電極と、前記第一の画素電極
に隣り合う第二の画素電極との間に形成された境界絶縁
膜が形成され、該境界絶縁膜の上面と、前記画素電極の
上面が連続しているので、前記画素電極の上面及び前記
境界絶縁膜の上面において平坦面が形成され、前記画素
電極の上面を容易に平坦化することができ、また、前記
画素電極の上面及び前記境界絶縁膜の上面に前記バンク
を容易に形成することができ、また、前記バンクに隣接
する蛍光体の発光不良や電極形成工程における欠陥を防
止することができ、また、前記画素電極の上面に発光層
を形成した際には、発光層の厚さは均一に形成され、発
光のむらを防ぐことができる。また、前記画素電極と、
前記画素電極に隣り合う画素電極との間に前記境界絶縁
膜が形成されるので、前記画素電極と、前記画素電極に
隣り合う画素電極との間は電気的に絶縁することができ
る。
【００１４】また、本発明の電気光学装置は、先に記載
の電気光学装置であって、前記画素電極上に所定の方向
に延在する棒状バンクが複数並んで形成され、前記棒状
バンクの両端部には前記棒状バンクに交わる方向に延在
する端部バンクが接続されており、棒状バンク及び端部
バンクによって形成された空間に蛍光体が設けられてい
ることを特徴とする。係る電気光学装置は、前記画素電
極上に所定の方向に延在する棒状バンクが複数並んで形
成され、前記棒状バンクの両端部には前記棒状バンクに
交わる方向に延在する端部バンクが接続されており、棒
状バンク及び端部バンクによって形成された空間に蛍光
体が設けられているので、該棒状バンクと該端部バンク
よって囲まれた該蛍光体によって、同色の長方形状の画
素列が形成され、電気光学装置の開口率を向上させるこ
とができる。また、前記棒状バンクの下方に設けられた
前記境界絶縁膜の幅は、高い寸法精度が不要になり、容
易に電気光学装置を製作することができる。また、液滴
吐出法によって前記棒状バンク及び前記端部バンクによ
って形成された空間に正孔注入材料溶液あるいは発光ポ
リマー溶液を塗布する際には、前記棒状バンクの延在す
る方向において、高精度なアライメントが不要になり、
工程を容易にすることができる。また、歩留まりを向上
させることができる。また、画素欠陥を防ぐことができ
る。また、膜厚均一性を向上させることができる。
の電気光学装置であって、前記画素電極上に所定の方向
に延在する棒状バンクが複数並んで形成され、前記棒状
バンクの両端部には前記棒状バンクに交わる方向に延在
する端部バンクが接続されており、棒状バンク及び端部
バンクによって形成された空間に蛍光体が設けられてい
ることを特徴とする。係る電気光学装置は、前記画素電
極上に所定の方向に延在する棒状バンクが複数並んで形
成され、前記棒状バンクの両端部には前記棒状バンクに
交わる方向に延在する端部バンクが接続されており、棒
状バンク及び端部バンクによって形成された空間に蛍光
体が設けられているので、該棒状バンクと該端部バンク
よって囲まれた該蛍光体によって、同色の長方形状の画
素列が形成され、電気光学装置の開口率を向上させるこ
とができる。また、前記棒状バンクの下方に設けられた
前記境界絶縁膜の幅は、高い寸法精度が不要になり、容
易に電気光学装置を製作することができる。また、液滴
吐出法によって前記棒状バンク及び前記端部バンクによ
って形成された空間に正孔注入材料溶液あるいは発光ポ
リマー溶液を塗布する際には、前記棒状バンクの延在す
る方向において、高精度なアライメントが不要になり、
工程を容易にすることができる。また、歩留まりを向上
させることができる。また、画素欠陥を防ぐことができ
る。また、膜厚均一性を向上させることができる。
【００１５】また、本発明の電子機器は、先に記載の電
気光学装置を備えたことを特徴とする。本発明によれ
ば、所望の性能を有した電子機器を得ることができる。
気光学装置を備えたことを特徴とする。本発明によれ
ば、所望の性能を有した電子機器を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、この発明に
実施の形態について説明する。図１から図６は、この発
明の一実施の形態に係る電気光学装置を示す図であっ
て、図１は電気光学装置の要部を示す平面図、図２は図
１のＡ−Ａ断面を示す側断面図である。図３、図４は電
気光学装置の製造工程を示した図１のＡ−Ａ断面を示す
側断面図、図５は電気光学装置の平面図、図６は図５の
Ｂ−Ｂ断面を示す側断面図である。
実施の形態について説明する。図１から図６は、この発
明の一実施の形態に係る電気光学装置を示す図であっ
て、図１は電気光学装置の要部を示す平面図、図２は図
１のＡ−Ａ断面を示す側断面図である。図３、図４は電
気光学装置の製造工程を示した図１のＡ−Ａ断面を示す
側断面図、図５は電気光学装置の平面図、図６は図５の
Ｂ−Ｂ断面を示す側断面図である。
【００１７】この実施の形態の電気光学装置１は、図１
に示すように基板２と、基板２に設けられている第一及
び第二のＴＦＴ３、４によって構成されるスイッチング
素子５と、画像信号を保持する保持容量６の下方に設け
られている下層電極７と、下層電極７上方に設けられた
共通給電線８と下層電極７を電気的に絶縁する第一層間
絶縁膜９とを有する電気光学装置１において、基板２
は、スイッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶
縁膜９の位置に対応して形成された凹部１０、１１、１
２を有している。
に示すように基板２と、基板２に設けられている第一及
び第二のＴＦＴ３、４によって構成されるスイッチング
素子５と、画像信号を保持する保持容量６の下方に設け
られている下層電極７と、下層電極７上方に設けられた
共通給電線８と下層電極７を電気的に絶縁する第一層間
絶縁膜９とを有する電気光学装置１において、基板２
は、スイッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶
縁膜９の位置に対応して形成された凹部１０、１１、１
２を有している。
【００１８】また、凹部１０、１１、１２にスイッチン
グ素子５と、下層電極７と、第一層間絶縁膜９が埋設さ
れている。
グ素子５と、下層電極７と、第一層間絶縁膜９が埋設さ
れている。
【００１９】また、凹部１０、１１に埋設されたスイッ
チング素子５のソース領域１５、１６及びドレイン領域
１７、１８の上面と基板２の上面とが連続しており、ま
た、凹部１２に埋設された下層電極７の上面とソース領
域１６に対応する凹部１０の底面とが連続している。
チング素子５のソース領域１５、１６及びドレイン領域
１７、１８の上面と基板２の上面とが連続しており、ま
た、凹部１２に埋設された下層電極７の上面とソース領
域１６に対応する凹部１０の底面とが連続している。
【００２０】また、画素電極２０は、図５に示すように
格子状に配設されており、第一の画素電極２１（２０）
と、第一の画素電極２１（２０）に隣り合う第二の画素
電極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成
され、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面とが連続している。
格子状に配設されており、第一の画素電極２１（２０）
と、第一の画素電極２１（２０）に隣り合う第二の画素
電極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成
され、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面とが連続している。
【００２１】また、画素電極２０上にはバンク２６が形
成され、画素面２７に対して縦方向に延在する棒状の縦
バンク２８が複数並んで形成され、縦バンク２８の両端
部には縦バンク２８に交わる方向に延在する横バンク２
９が接続されており、縦バンク２８及び横バンク２９に
よって形成された空間には、図６に示すように蛍光体３
０が設けられるようになっている。
成され、画素面２７に対して縦方向に延在する棒状の縦
バンク２８が複数並んで形成され、縦バンク２８の両端
部には縦バンク２８に交わる方向に延在する横バンク２
９が接続されており、縦バンク２８及び横バンク２９に
よって形成された空間には、図６に示すように蛍光体３
０が設けられるようになっている。
【００２２】また、上述の第一のＴＦＴ３には、そのゲ
ート電極３５に配線（ゲート線）３６からの走査信号が
供給されている。保持容量６はデータ線３７に接続され
た第一のＴＦＴ３のソース領域１５、ドレイン領域１７
を介して供給された画像信号の電位を保持するにように
なっている。第二のＴＦＴ４のゲート電極３８には、保
持容量６によって保持された画像信号が供給されてい
る。画素電極２０には共通給電線８に接続された第二の
ＴＦＴ４のソース領域１６及びドレイン領域１８から供
給された電流が供給されるようになっている。
ート電極３５に配線（ゲート線）３６からの走査信号が
供給されている。保持容量６はデータ線３７に接続され
た第一のＴＦＴ３のソース領域１５、ドレイン領域１７
を介して供給された画像信号の電位を保持するにように
なっている。第二のＴＦＴ４のゲート電極３８には、保
持容量６によって保持された画像信号が供給されてい
る。画素電極２０には共通給電線８に接続された第二の
ＴＦＴ４のソース領域１６及びドレイン領域１８から供
給された電流が供給されるようになっている。
【００２３】第一のＴＦＴ３において、ゲート電極３５
は配線（ゲート線）３６の一部として形成されており、
ソース領域１５はデータ線３７とコンタクトホール４０
を介して電気的に接続されている。また、ドレイン領域
１７はドレイン電極４１とコンタクトホール４２を介し
て電気的に接続されている。ドレイン電極４１は、第二
のＴＦＴ４のゲート電極３８と保持容量６の下層電極７
と電気的に接続されており、第二のＴＦＴ４のゲート電
極３８及び凹部１２に設けられた下層電極７は一体に形
成されており、ドレイン電極４１とゲート電極３８はコ
ンタクトホール４４を介して電気的に接続されている。
は配線（ゲート線）３６の一部として形成されており、
ソース領域１５はデータ線３７とコンタクトホール４０
を介して電気的に接続されている。また、ドレイン領域
１７はドレイン電極４１とコンタクトホール４２を介し
て電気的に接続されている。ドレイン電極４１は、第二
のＴＦＴ４のゲート電極３８と保持容量６の下層電極７
と電気的に接続されており、第二のＴＦＴ４のゲート電
極３８及び凹部１２に設けられた下層電極７は一体に形
成されており、ドレイン電極４１とゲート電極３８はコ
ンタクトホール４４を介して電気的に接続されている。
【００２４】また、第二のＴＦＴ４は、ソース領域１６
に共通給電線８がコンタクトホール４５を介して電気的
に接続され、ドレイン領域１８はコンタクトホール４６
に設けられた図２に示す中継電極４９を介して画素電極
２０と電気的に接続されている。
に共通給電線８がコンタクトホール４５を介して電気的
に接続され、ドレイン領域１８はコンタクトホール４６
に設けられた図２に示す中継電極４９を介して画素電極
２０と電気的に接続されている。
【００２５】次に、電気光学装置１の製造方法を述べ
る。まず、基板２にエッチングにより凹部１０を形成す
る（ａ）。凹部１０の基板２表面からの深さは、ＴＦＴ
３、４のソース領域１５、１６及びドレイン領域１７、
１８のポリシリコン５１、５２の厚さと同じにする。次
に、基板２に２回目のエッチングを行い、２段目の凹部
１１を形成する（ｂ）。凹部１１の基板２表面からの深
さは、ゲート電極３５、３８とその下のポリシリコン５
１、５２の膜厚の合計と同じにする。更に、基板２に３
回目のエッチングを行って，３段目の凹部１２を形成す
る（ｃ）。凹部１２の基板２表面からの深さは、ソース
領域１６のポリシリコン５２とゲート絶縁膜５５と、下
層電極７の膜厚の合計と同じにする。
る。まず、基板２にエッチングにより凹部１０を形成す
る（ａ）。凹部１０の基板２表面からの深さは、ＴＦＴ
３、４のソース領域１５、１６及びドレイン領域１７、
１８のポリシリコン５１、５２の厚さと同じにする。次
に、基板２に２回目のエッチングを行い、２段目の凹部
１１を形成する（ｂ）。凹部１１の基板２表面からの深
さは、ゲート電極３５、３８とその下のポリシリコン５
１、５２の膜厚の合計と同じにする。更に、基板２に３
回目のエッチングを行って，３段目の凹部１２を形成す
る（ｃ）。凹部１２の基板２表面からの深さは、ソース
領域１６のポリシリコン５２とゲート絶縁膜５５と、下
層電極７の膜厚の合計と同じにする。
【００２６】このようにしてエッチングした基板２に対
して、必要に応じ、テトラエトキシシラン（以下ＴＥＯ
Ｓ）や酸素等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法によ
って図示しない下地保護膜を形成する。その上に、プラ
ズマＣＶＤ法によってアルモファスシリコン膜からなる
半導体膜を形成後、レーザーアニールまたは固定成長法
などの結晶化工程を行って、半導体膜をポリシリコン膜
に結晶化し、ポリシリコン膜をパターニングしてＴＦＴ
となるポリシリコン５１、５２を形成し、ポリシリコン
５１、５２の上面位置が、基板２の上面位置と同位置と
なるように平坦面が形成される（ｄ）。ポリシリコン５
１、５２は、前述したソース領域１５、１６、ドレイン
領域１７、１８となる。次にこの表面にＴＥＯＳや酸素
などを原料ガスとして、ゲート絶縁膜５５を形成する
（ｅ）。
して、必要に応じ、テトラエトキシシラン（以下ＴＥＯ
Ｓ）や酸素等を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法によ
って図示しない下地保護膜を形成する。その上に、プラ
ズマＣＶＤ法によってアルモファスシリコン膜からなる
半導体膜を形成後、レーザーアニールまたは固定成長法
などの結晶化工程を行って、半導体膜をポリシリコン膜
に結晶化し、ポリシリコン膜をパターニングしてＴＦＴ
となるポリシリコン５１、５２を形成し、ポリシリコン
５１、５２の上面位置が、基板２の上面位置と同位置と
なるように平坦面が形成される（ｄ）。ポリシリコン５
１、５２は、前述したソース領域１５、１６、ドレイン
領域１７、１８となる。次にこの表面にＴＥＯＳや酸素
などを原料ガスとして、ゲート絶縁膜５５を形成する
（ｅ）。
【００２７】次に、アルミ、タンタル、モリブデン、チ
タン、タングステン等の金属膜からなる導電膜をスパッ
タ法によって形成した後にパターニングし、ゲート電極
３５、３８及び下層電極７を形成する。この際に、図１
に示す配線（ゲート線）３６も同時に形成する。この状
態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極３
５、３８に対して自己整合的にソース、ドレイン領域を
形成する（ｆ）。不純物が導入されなかったゲート電極
３５、３８の下方部分がチャネル領域となる。次に第一
層間絶縁膜９を積層後、コンタクトホール４０、４２、
４５、４６を形成した後（ｇ）、アルミ、タンタル、モ
リブデン、チタン、タングステン等の金属膜からなる導
電膜をスパッタ法によって形成した後にパターニング
し、データ線３７、ドレイン電極４１、共通給電線８及
び中継電極４９の下層部分５７を形成する（ｈ）。
タン、タングステン等の金属膜からなる導電膜をスパッ
タ法によって形成した後にパターニングし、ゲート電極
３５、３８及び下層電極７を形成する。この際に、図１
に示す配線（ゲート線）３６も同時に形成する。この状
態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極３
５、３８に対して自己整合的にソース、ドレイン領域を
形成する（ｆ）。不純物が導入されなかったゲート電極
３５、３８の下方部分がチャネル領域となる。次に第一
層間絶縁膜９を積層後、コンタクトホール４０、４２、
４５、４６を形成した後（ｇ）、アルミ、タンタル、モ
リブデン、チタン、タングステン等の金属膜からなる導
電膜をスパッタ法によって形成した後にパターニング
し、データ線３７、ドレイン電極４１、共通給電線８及
び中継電極４９の下層部分５７を形成する（ｈ）。
【００２８】次に、第二層間絶縁膜５９を形成し、中継
電極４９に相当する部分にコンタクトホール４６を形成
する（ｉ）。その後、アルミ、タンタル、モリブデン、
チタン、タングステン等の金属膜からなる導電膜をスパ
ッタ法によって形成した後にパターニングし、中継電極
４９の上層部分６１を形成し、平坦化層６３が形成され
る（ｊ）。次に、アルミ、タンタル、モリブデン、チタ
ン、タングステン等の金属膜及びＩＴＯを積層後にパタ
ーニングして画素電極２０を形成する（ｋ）。次に、画
素電極２０に隣り合う画素電極との間に境界絶縁膜２
３、２４が形成され、この境界絶縁膜２３、２４の上面
は、画素電極２０の上面と同じ高さになるように形成す
る（ｌ）。このように形成された境界絶縁膜２３、２４
の幅は２μｍとなるように形成する。上記のように電気
光学装置１の要部は形成され、電気光学装置１には画素
面２７が形成される。
電極４９に相当する部分にコンタクトホール４６を形成
する（ｉ）。その後、アルミ、タンタル、モリブデン、
チタン、タングステン等の金属膜からなる導電膜をスパ
ッタ法によって形成した後にパターニングし、中継電極
４９の上層部分６１を形成し、平坦化層６３が形成され
る（ｊ）。次に、アルミ、タンタル、モリブデン、チタ
ン、タングステン等の金属膜及びＩＴＯを積層後にパタ
ーニングして画素電極２０を形成する（ｋ）。次に、画
素電極２０に隣り合う画素電極との間に境界絶縁膜２
３、２４が形成され、この境界絶縁膜２３、２４の上面
は、画素電極２０の上面と同じ高さになるように形成す
る（ｌ）。このように形成された境界絶縁膜２３、２４
の幅は２μｍとなるように形成する。上記のように電気
光学装置１の要部は形成され、電気光学装置１には画素
面２７が形成される。
【００２９】次に、画素面２７を分離し、蛍光体３０を
仕切るバンク２６を形成する。図５に示すように、バン
ク２６は、格子状に形成する。バンク２６の材料は、ポ
リイミド製となっている。バンク２６の画素間隔７６は
４μｍ、バンク２６と平行な方向の画素ピッチ７７は１
２７μｍ、バンク２６の画素ピッチ７８は４３μｍ、バ
ンク２６の高さ８５は１．７μｍとなるように形成す
る。
仕切るバンク２６を形成する。図５に示すように、バン
ク２６は、格子状に形成する。バンク２６の材料は、ポ
リイミド製となっている。バンク２６の画素間隔７６は
４μｍ、バンク２６と平行な方向の画素ピッチ７７は１
２７μｍ、バンク２６の画素ピッチ７８は４３μｍ、バ
ンク２６の高さ８５は１．７μｍとなるように形成す
る。
【００３０】その後、画素電極２０の表面を酸素プラズ
マ処理することによって、正孔注入材料や発光ポリマー
などの蛍光材料に対する親和性が大きくなるように（接
触角が２０度以下となるように）する。次にフレオンプ
ラズマ処理によって、バンク２６表面の正孔注入材料や
発光ポリマーなどの蛍光材料に対する親和性が小さくな
るよう（接触角が５０度以上となるように）にする。
マ処理することによって、正孔注入材料や発光ポリマー
などの蛍光材料に対する親和性が大きくなるように（接
触角が２０度以下となるように）する。次にフレオンプ
ラズマ処理によって、バンク２６表面の正孔注入材料や
発光ポリマーなどの蛍光材料に対する親和性が小さくな
るよう（接触角が５０度以上となるように）にする。
【００３１】その後、液滴吐出法によって、バンク２６
によって画素電極２０を囲んだ長円形状の画素列６６に
正孔注入材料溶液を塗布し、加熱処理によって乾燥させ
て図示しない正孔注入層を形成する。この正孔注入層の
上に液滴吐出法によって画素列６６毎に赤、青、緑の発
光ポリマー溶液を塗り分け、加熱処理や減圧処理によっ
て乾燥させ、発光層を形成する。
によって画素電極２０を囲んだ長円形状の画素列６６に
正孔注入材料溶液を塗布し、加熱処理によって乾燥させ
て図示しない正孔注入層を形成する。この正孔注入層の
上に液滴吐出法によって画素列６６毎に赤、青、緑の発
光ポリマー溶液を塗り分け、加熱処理や減圧処理によっ
て乾燥させ、発光層を形成する。
【００３２】発光層が形成されたら、表示領域の略全面
に透明電極を形成して、電気光学装置１が完成する。た
だし、実物では酸素、水分の影響を抑えるため透明なプ
ラスチックやガラス基板等を接着したり、ＳｉＯ２や有
機薄膜を形成したりする。
に透明電極を形成して、電気光学装置１が完成する。た
だし、実物では酸素、水分の影響を抑えるため透明なプ
ラスチックやガラス基板等を接着したり、ＳｉＯ２や有
機薄膜を形成したりする。
【００３３】各部寸法から、本実施の形態の電気光学装
置の開口率を計算すると、（４３−４）×（１２７−
２）／（１２７×４３）＝８９．３％となり、非常に大
きな開口率が得られる。
置の開口率を計算すると、（４３−４）×（１２７−
２）／（１２７×４３）＝８９．３％となり、非常に大
きな開口率が得られる。
【００３４】上記の工程により、形成された正孔注入層
及び発光ポリマー層の厚みを測定したところ、バンク２
６との直交方向はもちろんのこと、バンク２６に平行な
方向でも膜厚の均一性が従来法に比べて向上していた。
及び発光ポリマー層の厚みを測定したところ、バンク２
６との直交方向はもちろんのこと、バンク２６に平行な
方向でも膜厚の均一性が従来法に比べて向上していた。
【００３５】このように構成された電気光学装置１にお
いては、図１に示すように基板２と、基板２に設けられ
ている第一及び第二のＴＦＴ３、４によって構成される
スイッチング素子５と、画像信号を保持する保持容量６
の下方に設けられている下層電極７と、下層電極７上方
の設けられた共通給電線８と下層電極７との電気的絶縁
する第一層間絶縁膜９とを有する電気光学装置１におい
て、基板２は、スイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９の位置に対応して形成された凹部１
０、１１、１２を有しているので、スイッチング素子５
及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９は凹部１０、１
１、１２の内部に形成される。
いては、図１に示すように基板２と、基板２に設けられ
ている第一及び第二のＴＦＴ３、４によって構成される
スイッチング素子５と、画像信号を保持する保持容量６
の下方に設けられている下層電極７と、下層電極７上方
の設けられた共通給電線８と下層電極７との電気的絶縁
する第一層間絶縁膜９とを有する電気光学装置１におい
て、基板２は、スイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９の位置に対応して形成された凹部１
０、１１、１２を有しているので、スイッチング素子５
及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９は凹部１０、１
１、１２の内部に形成される。
【００３６】また、凹部１０、１１、１２にスイッチン
グ素子５と、下層電極７と、第一層間絶縁膜９が埋設さ
れているので、スイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９は凹部１０、１１、１２に埋設され
る。
グ素子５と、下層電極７と、第一層間絶縁膜９が埋設さ
れているので、スイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９は凹部１０、１１、１２に埋設され
る。
【００３７】また、凹部１０、１１に埋設されたスイッ
チング素子５のソース領域１５、１６及びドレイン領域
１７、１８の上面と基板２の上面とが連続しており、ま
た、凹部１２に埋設された下層電極７の上面とソース領
域１６に対応する凹部１０の底面とが連続しているの
で、基板２及びスイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９の上面に平坦な第一層間絶縁膜９及び
ゲート絶縁膜５５が形成される。また、第一層間絶縁膜
９及びゲート絶縁膜５５の絶縁性のバラツキが抑制され
る。また、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の絶
縁性が十分に確保される。また、第一層間絶縁膜９及び
ゲート絶縁膜５５の上方に積層される画素電極２０及び
境界絶縁膜２３、２４は、容易に平坦化される。
チング素子５のソース領域１５、１６及びドレイン領域
１７、１８の上面と基板２の上面とが連続しており、ま
た、凹部１２に埋設された下層電極７の上面とソース領
域１６に対応する凹部１０の底面とが連続しているの
で、基板２及びスイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９の上面に平坦な第一層間絶縁膜９及び
ゲート絶縁膜５５が形成される。また、第一層間絶縁膜
９及びゲート絶縁膜５５の絶縁性のバラツキが抑制され
る。また、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の絶
縁性が十分に確保される。また、第一層間絶縁膜９及び
ゲート絶縁膜５５の上方に積層される画素電極２０及び
境界絶縁膜２３、２４は、容易に平坦化される。
【００３８】また、画素電極２０は、図５に示すように
格子状に配設されており、第一の画素電極２１（２０）
と、第一の画素電極２１（２０）に隣り合う第二の画素
電極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成
され、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面とが連続しているので、境界絶縁膜２３、２４の上
面及び第一の画素電極２１（２０）の上面及び第二の画
素電極２２（２０）の上面において平坦面が形成され
る。また、第一の画素電極２１（２０）と第二の画素電
極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成さ
れる。
格子状に配設されており、第一の画素電極２１（２０）
と、第一の画素電極２１（２０）に隣り合う第二の画素
電極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成
され、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面とが連続しているので、境界絶縁膜２３、２４の上
面及び第一の画素電極２１（２０）の上面及び第二の画
素電極２２（２０）の上面において平坦面が形成され
る。また、第一の画素電極２１（２０）と第二の画素電
極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成さ
れる。
【００３９】また、画素電極２０上にはバンク２６が形
成され、画素面２７に対して縦方向に延在する棒状の縦
バンク２８が複数並んで形成され、縦バンク２８の両端
部には縦バンク２８に交わる方向に延在する横バンク２
９が接続されており、縦バンク２８及び横バンク２９に
よって形成された空間には、図６に示すように蛍光体３
０が設けられるようになっているので、縦バンク２８と
横バンク２９によって囲まれた蛍光体３０によって、同
色の長方形状の画素列６６が形成される。また、縦バン
ク２８の下方に設けられた境界絶縁膜２３の幅は、高精
度名寸法が不要になる。また、液滴吐出法によって縦バ
ンク２８及び横バンク２９によって形成された空間に正
孔注入材料溶液あるいは発光ポリマー溶液を塗布する際
には、縦バンク２８の延在する方向において、高精度な
アライメント精度が不要になる。
成され、画素面２７に対して縦方向に延在する棒状の縦
バンク２８が複数並んで形成され、縦バンク２８の両端
部には縦バンク２８に交わる方向に延在する横バンク２
９が接続されており、縦バンク２８及び横バンク２９に
よって形成された空間には、図６に示すように蛍光体３
０が設けられるようになっているので、縦バンク２８と
横バンク２９によって囲まれた蛍光体３０によって、同
色の長方形状の画素列６６が形成される。また、縦バン
ク２８の下方に設けられた境界絶縁膜２３の幅は、高精
度名寸法が不要になる。また、液滴吐出法によって縦バ
ンク２８及び横バンク２９によって形成された空間に正
孔注入材料溶液あるいは発光ポリマー溶液を塗布する際
には、縦バンク２８の延在する方向において、高精度な
アライメント精度が不要になる。
【００４０】上述したように、この電気光学装置１にお
いては、基板２と、基板２に設けられている第一及び第
二のＴＦＴ３、４によって構成されるスイッチング素子
５と、画像信号を保持する保持容量６の下方に設けられ
ている下層電極７と、下層電極７上方の設けられた共通
給電線８と下層電極７との電気的絶縁する第一層間絶縁
膜９とを有する電気光学装置１において、基板２は、ス
イッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９
の位置に対応して形成された凹部１０、１１、１２を有
しているので、スイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９を凹部１０、１１、１２の内部に形成
することができる。
いては、基板２と、基板２に設けられている第一及び第
二のＴＦＴ３、４によって構成されるスイッチング素子
５と、画像信号を保持する保持容量６の下方に設けられ
ている下層電極７と、下層電極７上方の設けられた共通
給電線８と下層電極７との電気的絶縁する第一層間絶縁
膜９とを有する電気光学装置１において、基板２は、ス
イッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９
の位置に対応して形成された凹部１０、１１、１２を有
しているので、スイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９を凹部１０、１１、１２の内部に形成
することができる。
【００４１】また、凹部１０、１１、１２が形成される
ので、これらにスイッチング素子５と下層電極７と第一
層間絶縁膜９を容易に埋設することができる。
ので、これらにスイッチング素子５と下層電極７と第一
層間絶縁膜９を容易に埋設することができる。
【００４２】また、凹部１０、１１に埋設されたスイッ
チング素子５のソース領域１５、１６及びドレイン領域
１７、１８の上面と、基板２の上面とが連続しており、
また、凹部１２に埋設された下層電極７の上面とソース
領域１６に対応する凹部１０の底面とが連続しているの
で、基板２及びスイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９の上面に平坦な第一層間絶縁膜９及び
ゲート絶縁膜５５が形成され、第一層間絶縁膜９及びゲ
ート絶縁膜５５の平坦化を容易に行うことができ、ま
た、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の平坦化処
理を省くことができ、また、第一層間絶縁膜９及びゲー
ト絶縁膜５５の上面において高精度な平坦面が必要にな
った場合には高精度な平坦化処理を容易に行うことがで
き、また、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の上
方に積層する画素電極２０及び境界絶縁膜２３、２４を
容易に平坦化することができる。また、第一層間絶縁膜
９及びゲート絶縁膜５５の絶縁性のバラツキが抑制さ
れ、スイッチング素子５のスイッチング特性のバラツキ
を抑えることができる。また、第一層間絶縁膜９及びゲ
ート絶縁膜５５の絶縁性が十分に確保され、スイッチン
グ素子５の安定したスイッチング特性を得ることができ
る。また、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の上
方に積層する画素電極２０及び境界絶縁膜２３、２４
は、容易に平坦化されるので、容易にバンク２６を形成
することができ、また、バンク２６に隣接する蛍光体３
０の発光不良や電極形成工程における欠陥を防止するこ
とができる。
チング素子５のソース領域１５、１６及びドレイン領域
１７、１８の上面と、基板２の上面とが連続しており、
また、凹部１２に埋設された下層電極７の上面とソース
領域１６に対応する凹部１０の底面とが連続しているの
で、基板２及びスイッチング素子５及び下層電極７及び
第一層間絶縁膜９の上面に平坦な第一層間絶縁膜９及び
ゲート絶縁膜５５が形成され、第一層間絶縁膜９及びゲ
ート絶縁膜５５の平坦化を容易に行うことができ、ま
た、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の平坦化処
理を省くことができ、また、第一層間絶縁膜９及びゲー
ト絶縁膜５５の上面において高精度な平坦面が必要にな
った場合には高精度な平坦化処理を容易に行うことがで
き、また、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の上
方に積層する画素電極２０及び境界絶縁膜２３、２４を
容易に平坦化することができる。また、第一層間絶縁膜
９及びゲート絶縁膜５５の絶縁性のバラツキが抑制さ
れ、スイッチング素子５のスイッチング特性のバラツキ
を抑えることができる。また、第一層間絶縁膜９及びゲ
ート絶縁膜５５の絶縁性が十分に確保され、スイッチン
グ素子５の安定したスイッチング特性を得ることができ
る。また、第一層間絶縁膜９及びゲート絶縁膜５５の上
方に積層する画素電極２０及び境界絶縁膜２３、２４
は、容易に平坦化されるので、容易にバンク２６を形成
することができ、また、バンク２６に隣接する蛍光体３
０の発光不良や電極形成工程における欠陥を防止するこ
とができる。
【００４３】また、画素電極２０は、図５に示すように
格子状に配設されており、第一の画素電極２１（２０）
と、第一の画素電極２１（２０）に隣り合う第二の画素
電極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成
され、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面とが連続しているので、境界絶縁膜２３、２４の上
面及び第一の画素電極２１（２０）の上面及び第二の画
素電極２２（２０）の上面において平坦面が形成される
ので、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面を容易に平坦化することができ、また、境界絶縁膜
２３、２４の上面及び第一の画素電極２１（２０）の上
面及び第二の画素電極２２（２０）の上面にバンク２６
を容易に形成することができ、また、バンク２６に隣接
する蛍光体３０の発光不良や電極形成工程における欠陥
を防止することができ、また、前記画素電極の上面に発
光層を形成した際には、発光層の厚さは均一に形成さ
れ、発光のむらを防ぐことができる。また、第一の画素
電極２１（２０）と第二の画素電極２２（２０）との間
に境界絶縁膜２３、２４が形成されるので、第一の画素
電極２１（２０）と第二の画素電極２２（２０）は、電
気的に絶縁することができる。
格子状に配設されており、第一の画素電極２１（２０）
と、第一の画素電極２１（２０）に隣り合う第二の画素
電極２２（２０）との間に境界絶縁膜２３、２４が形成
され、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面とが連続しているので、境界絶縁膜２３、２４の上
面及び第一の画素電極２１（２０）の上面及び第二の画
素電極２２（２０）の上面において平坦面が形成される
ので、境界絶縁膜２３、２４の上面及び第一の画素電極
２１（２０）の上面及び第二の画素電極２２（２０）の
上面を容易に平坦化することができ、また、境界絶縁膜
２３、２４の上面及び第一の画素電極２１（２０）の上
面及び第二の画素電極２２（２０）の上面にバンク２６
を容易に形成することができ、また、バンク２６に隣接
する蛍光体３０の発光不良や電極形成工程における欠陥
を防止することができ、また、前記画素電極の上面に発
光層を形成した際には、発光層の厚さは均一に形成さ
れ、発光のむらを防ぐことができる。また、第一の画素
電極２１（２０）と第二の画素電極２２（２０）との間
に境界絶縁膜２３、２４が形成されるので、第一の画素
電極２１（２０）と第二の画素電極２２（２０）は、電
気的に絶縁することができる。
【００４４】また、画素電極２０上にはバンク２６が形
成され、画素面２７に対して縦方向に延在する棒状の縦
バンク２８が複数並んで形成され、縦バンク２８の両端
部には縦バンク２８に交わる方向に延在する横バンク２
９が接続されており、縦バンク２８及び横バンク２９に
よって形成された空間には、図６に示すように蛍光体３
０が設けられるようになっているので、縦バンク２８と
横バンク２９によって囲まれた蛍光体３０によって同色
の長方形状の画素列６６が形成され、電気光学装置１の
開口度を向上させることができる。また、縦バンク２８
の下方に設けられた境界絶縁膜２３の幅は、高い精度が
不要になり、容易に電気光学装置１を製作することがで
きる。また、液滴吐出法によって縦バンク２８及び横バ
ンク２９によって形成された空間に正孔注入材料溶液あ
るいは発光ポリマー溶液を塗布する際には、縦バンク２
８の延在する方向において、高精度なアライメントが不
要になり、工程を容易にすることができ、また、歩留ま
りを向上させることができ、また、画素欠陥を防ぐこと
ができ、また、膜厚均一性を向上させることができる。
成され、画素面２７に対して縦方向に延在する棒状の縦
バンク２８が複数並んで形成され、縦バンク２８の両端
部には縦バンク２８に交わる方向に延在する横バンク２
９が接続されており、縦バンク２８及び横バンク２９に
よって形成された空間には、図６に示すように蛍光体３
０が設けられるようになっているので、縦バンク２８と
横バンク２９によって囲まれた蛍光体３０によって同色
の長方形状の画素列６６が形成され、電気光学装置１の
開口度を向上させることができる。また、縦バンク２８
の下方に設けられた境界絶縁膜２３の幅は、高い精度が
不要になり、容易に電気光学装置１を製作することがで
きる。また、液滴吐出法によって縦バンク２８及び横バ
ンク２９によって形成された空間に正孔注入材料溶液あ
るいは発光ポリマー溶液を塗布する際には、縦バンク２
８の延在する方向において、高精度なアライメントが不
要になり、工程を容易にすることができ、また、歩留ま
りを向上させることができ、また、画素欠陥を防ぐこと
ができ、また、膜厚均一性を向上させることができる。
【００４５】上記電気光学装置を備えた電子機器の例に
ついて説明する。図７は、携帯電話の一例を示した斜視
図である。図７において、符号２１０は携帯電話本体を
示し、符号２１１は上記の有機ＥＬ電気光学装置を用い
た表示部を示している。
ついて説明する。図７は、携帯電話の一例を示した斜視
図である。図７において、符号２１０は携帯電話本体を
示し、符号２１１は上記の有機ＥＬ電気光学装置を用い
た表示部を示している。
【００４６】図８は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図８において、符号２２０は時計本体を
示し、符号２２１は上記の電気光学装置を用いた表示部
を示している。
斜視図である。図８において、符号２２０は時計本体を
示し、符号２２１は上記の電気光学装置を用いた表示部
を示している。
【００４７】図９は、ワープロ、パソコンなどの携帯型
情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９におい
て、符号２３０は情報処理装置、符号２３１はキーボー
ドなどの入力部、符号２３２は情報処理装置本体、符号
２３３は上記の電気光学装置を用いた表示部を示してい
る。
情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９におい
て、符号２３０は情報処理装置、符号２３１はキーボー
ドなどの入力部、符号２３２は情報処理装置本体、符号
２３３は上記の電気光学装置を用いた表示部を示してい
る。
【００４８】図７〜図９に示す電子機器は、上記実施の
形態の電気光学装置１を備えているので、表示品位に優
れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現するこ
とができる。
形態の電気光学装置１を備えているので、表示品位に優
れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を実現するこ
とができる。
【００４９】なお、上記の実施の形態では、基板２と、
基板２に設けられている第一及び第二のＴＦＴ３、４に
よって構成されるスイッチング素子５と、画像信号を保
持する保持容量６の下方に設けられている下層電極７
と、下層電極７上方の設けられた共通給電線８と下層電
極７との電気的絶縁する第一層間絶縁膜９とを有する電
気光学装置１において、基板２は、スイッチング素子５
及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９の位置に対応して
形成された凹部１０、１１、１２を有している電気光学
装置１について説明したが、凹部１０、１１、１２にス
イッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９
のうち少なくともいずれか一つを有する積層体を埋設し
てもよい。この構成によれば、凹部１０、１１、１２
に、スイッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶
縁膜９のうち少なくともいずれか一つを有する積層体が
埋設されているので、スイッチング素子５及び下層電極
７及び第一層間絶縁膜９のうち少なくともいずれか一つ
を有する積層体が凹部１０、１１、１２にされ、スイッ
チング素子５及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９のう
ち少なくともいずれか一つ有する積層体を凹部１０、１
１、１２に容易に埋設することができる。また、電気光
学装置１の発光を阻害するスイッチング素子５及び下層
電極７及び第一層間絶縁膜９のうち少なくともいずれか
一つを有する積層体が凹部１０、１１、１２に埋設さ
れ、電気光学装置１の発光面積が大きくなり、高開口率
化を達成することができる。
基板２に設けられている第一及び第二のＴＦＴ３、４に
よって構成されるスイッチング素子５と、画像信号を保
持する保持容量６の下方に設けられている下層電極７
と、下層電極７上方の設けられた共通給電線８と下層電
極７との電気的絶縁する第一層間絶縁膜９とを有する電
気光学装置１において、基板２は、スイッチング素子５
及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９の位置に対応して
形成された凹部１０、１１、１２を有している電気光学
装置１について説明したが、凹部１０、１１、１２にス
イッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９
のうち少なくともいずれか一つを有する積層体を埋設し
てもよい。この構成によれば、凹部１０、１１、１２
に、スイッチング素子５及び下層電極７及び第一層間絶
縁膜９のうち少なくともいずれか一つを有する積層体が
埋設されているので、スイッチング素子５及び下層電極
７及び第一層間絶縁膜９のうち少なくともいずれか一つ
を有する積層体が凹部１０、１１、１２にされ、スイッ
チング素子５及び下層電極７及び第一層間絶縁膜９のう
ち少なくともいずれか一つ有する積層体を凹部１０、１
１、１２に容易に埋設することができる。また、電気光
学装置１の発光を阻害するスイッチング素子５及び下層
電極７及び第一層間絶縁膜９のうち少なくともいずれか
一つを有する積層体が凹部１０、１１、１２に埋設さ
れ、電気光学装置１の発光面積が大きくなり、高開口率
化を達成することができる。
【００５０】また、電気光学装置１においては、画素電
極２０上にはバンク２６が形成され、画素面２７に対し
て縦方向に延在する棒状の縦バンク２８が複数並んで形
成され、縦バンク２８の両端部には縦バンク２８に交わ
る方向に延在する横バンク２９が接続されており、縦バ
ンク２８及び横バンク２９によって形成された空間に
は、図６に示すように蛍光体３０が設けられるが、電気
光学装置１の駆動方式によっては、画素面２７に対して
横方向に延在する複数の棒状バンクと、この棒状バンク
の端部に縦方向に延在するバンクによって形成される空
間に蛍光体３０を設けても良い。
極２０上にはバンク２６が形成され、画素面２７に対し
て縦方向に延在する棒状の縦バンク２８が複数並んで形
成され、縦バンク２８の両端部には縦バンク２８に交わ
る方向に延在する横バンク２９が接続されており、縦バ
ンク２８及び横バンク２９によって形成された空間に
は、図６に示すように蛍光体３０が設けられるが、電気
光学装置１の駆動方式によっては、画素面２７に対して
横方向に延在する複数の棒状バンクと、この棒状バンク
の端部に縦方向に延在するバンクによって形成される空
間に蛍光体３０を設けても良い。
【００５１】また、上記の実施の形態では、図５に示す
バンク２６の材料はポリイミドを採用したが、ポリイミ
ドに限られることなく、大気圧下または減圧下のプラズ
マ処理でフッ素化することによって撥液化できる材料で
あれば種類は問わない。
バンク２６の材料はポリイミドを採用したが、ポリイミ
ドに限られることなく、大気圧下または減圧下のプラズ
マ処理でフッ素化することによって撥液化できる材料で
あれば種類は問わない。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、この電気光学装置
によれば、基板は、前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの位置に
対応して形成された凹部を有しているので、前記スイッ
チング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくと
もいずれか１つを前記凹部の内部に形成し、前記スイッ
チング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくと
もいずれか１つを前記凹部の内部に容易に形成すること
ができる効果が得られる。
によれば、基板は、前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの位置に
対応して形成された凹部を有しているので、前記スイッ
チング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくと
もいずれか１つを前記凹部の内部に形成し、前記スイッ
チング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくと
もいずれか１つを前記凹部の内部に容易に形成すること
ができる効果が得られる。
【００５３】また、前記凹部に、前記スイッチング素子
及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか
１つが埋設されているので、スイッチング素子及び前記
配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを前
記凹部に埋設し、前記スイッチング素子及び前記配線及
び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを前記凹部
に容易に埋設することができる効果が得られる。
及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか
１つが埋設されているので、スイッチング素子及び前記
配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを前
記凹部に埋設し、前記スイッチング素子及び前記配線及
び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを前記凹部
に容易に埋設することができる効果が得られる。
【００５４】また、前記凹部に、前記スイッチング素子
及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか
１つを有する積層体が埋設されているので、前記スイッ
チング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくと
もいずれか１つを有する積層体を前記凹部に埋設し、前
記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち
いずれか１つを有する積層体を前記凹部に容易に埋設す
ることができる効果が得られる。また、前記電気光学装
置の発光を阻害する前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを有する
積層体を前記凹部に埋設し、前記電気光学装置の発光面
積が大きくなり、高開口率化を達成することができる効
果が得られる。
及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか
１つを有する積層体が埋設されているので、前記スイッ
チング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくと
もいずれか１つを有する積層体を前記凹部に埋設し、前
記スイッチング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち
いずれか１つを有する積層体を前記凹部に容易に埋設す
ることができる効果が得られる。また、前記電気光学装
置の発光を阻害する前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを有する
積層体を前記凹部に埋設し、前記電気光学装置の発光面
積が大きくなり、高開口率化を達成することができる効
果が得られる。
【００５５】また、前記凹部に埋設された前記スイッチ
ング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくとも
いずれか１つの上面と、前記基板の上面が連続している
ので、前記基板及び前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの上面
に、平坦な絶縁膜が形成され、該絶縁膜の平坦化を容易
に行うことができる効果が得られ、また、前記絶縁膜の
平坦化処理を省くことができる効果が得られ、また、前
記絶縁膜の上面において高精度な平坦面が必要になった
場合には高精度な平坦化処理を容易に行うことができる
効果が得られ、また、前記絶縁膜の上方に積層する画素
電極及び画素電極間の境界絶縁膜を容易に平坦化するこ
とができる効果が得られる。また、前記絶縁膜の絶縁性
のバラツキが抑制され、前記スイッチング素子のスイッ
チング特性のバラツキを抑えることができる効果が得ら
れる。また、前記絶縁膜の絶縁性が十分に確保され、安
定したスイッチング特性を得ることができる効果が得ら
れる。また、前記絶縁膜の上方に積層される前記画素電
極及び前記画素電極間の前記境界絶縁膜は、容易に平坦
化されるので、容易にバンクを形成することができる効
果が得られ、また、該バンクに隣接する蛍光体の発光不
良や電極形成工程における欠陥を防止することができる
効果が得られる。
ング素子及び前記配線及び前記絶縁膜のうち少なくとも
いずれか１つの上面と、前記基板の上面が連続している
ので、前記基板及び前記スイッチング素子及び前記配線
及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの上面
に、平坦な絶縁膜が形成され、該絶縁膜の平坦化を容易
に行うことができる効果が得られ、また、前記絶縁膜の
平坦化処理を省くことができる効果が得られ、また、前
記絶縁膜の上面において高精度な平坦面が必要になった
場合には高精度な平坦化処理を容易に行うことができる
効果が得られ、また、前記絶縁膜の上方に積層する画素
電極及び画素電極間の境界絶縁膜を容易に平坦化するこ
とができる効果が得られる。また、前記絶縁膜の絶縁性
のバラツキが抑制され、前記スイッチング素子のスイッ
チング特性のバラツキを抑えることができる効果が得ら
れる。また、前記絶縁膜の絶縁性が十分に確保され、安
定したスイッチング特性を得ることができる効果が得ら
れる。また、前記絶縁膜の上方に積層される前記画素電
極及び前記画素電極間の前記境界絶縁膜は、容易に平坦
化されるので、容易にバンクを形成することができる効
果が得られ、また、該バンクに隣接する蛍光体の発光不
良や電極形成工程における欠陥を防止することができる
効果が得られる。
【００５６】また、第一の画素電極と、前記第一の画素
電極に隣り合う第二の画素電極との間に境界絶縁膜が形
成され、該境界絶縁膜の上面と、前記画素電極の上面が
連続しているので、前記画素電極の上面及び前記境界絶
縁膜の上面において平坦面が形成され、前記画素電極の
上面を容易に平坦化することができる効果が得られ、ま
た、前記画素電極の上面及び前記境界絶縁膜の上面に前
記バンクを容易に形成することができる効果が得られ、
また、前記バンクに隣接する蛍光体の発光不良や電極形
成工程における欠陥を防止することができる効果が得ら
れ、また、前記画素電極の上面に発光層を形成した際に
は、発光層の厚さは均一に形成され、発光のむらを防ぐ
ことができる効果が得られる。また、前記画素電極と、
前記画素電極に隣り合う画素電極との間に前記境界絶縁
膜が形成されるので、前記画素電極と、前記画素電極に
隣り合う画素電極との間は電気的に絶縁することができ
る効果が得られる。
電極に隣り合う第二の画素電極との間に境界絶縁膜が形
成され、該境界絶縁膜の上面と、前記画素電極の上面が
連続しているので、前記画素電極の上面及び前記境界絶
縁膜の上面において平坦面が形成され、前記画素電極の
上面を容易に平坦化することができる効果が得られ、ま
た、前記画素電極の上面及び前記境界絶縁膜の上面に前
記バンクを容易に形成することができる効果が得られ、
また、前記バンクに隣接する蛍光体の発光不良や電極形
成工程における欠陥を防止することができる効果が得ら
れ、また、前記画素電極の上面に発光層を形成した際に
は、発光層の厚さは均一に形成され、発光のむらを防ぐ
ことができる効果が得られる。また、前記画素電極と、
前記画素電極に隣り合う画素電極との間に前記境界絶縁
膜が形成されるので、前記画素電極と、前記画素電極に
隣り合う画素電極との間は電気的に絶縁することができ
る効果が得られる。
【００５７】また、前記画素電極上に所定の方向に延在
する棒状バンクが複数並んで形成され、前記棒状バンク
の両端部には前記棒状バンクに交わる方向に延在する端
部バンクが接続されており、棒状バンク及び端部バンク
によって形成された空間に蛍光体が設けられているの
で、該棒状バンクと該端部バンクよって囲まれた該蛍光
体によって、同色の長方形状の画素列が形成され、電気
光学装置の開口度を向上させることができる効果が得ら
れる。また、前記棒状バンクの下方に設けられた前記境
界絶縁膜の幅は、高い寸法精度が不要になり、容易に電
気光学装置を製作することができる効果が得られる。ま
た、液滴吐出法によって前記棒状バンク及び前記端部バ
ンクによって形成された空間に正孔注入材料溶液あるい
は発光ポリマー溶液を塗布する際には、前記棒状バンク
の延在する方向において、高精度なアライメントが不要
になり、工程を容易にすることができる効果が得られ、
また、歩留まりを向上させることができる効果が得ら
れ、また、画素欠陥を防ぐことができる効果が得られ、
また、膜厚均一性を向上させることができる効果が得ら
れる。
する棒状バンクが複数並んで形成され、前記棒状バンク
の両端部には前記棒状バンクに交わる方向に延在する端
部バンクが接続されており、棒状バンク及び端部バンク
によって形成された空間に蛍光体が設けられているの
で、該棒状バンクと該端部バンクよって囲まれた該蛍光
体によって、同色の長方形状の画素列が形成され、電気
光学装置の開口度を向上させることができる効果が得ら
れる。また、前記棒状バンクの下方に設けられた前記境
界絶縁膜の幅は、高い寸法精度が不要になり、容易に電
気光学装置を製作することができる効果が得られる。ま
た、液滴吐出法によって前記棒状バンク及び前記端部バ
ンクによって形成された空間に正孔注入材料溶液あるい
は発光ポリマー溶液を塗布する際には、前記棒状バンク
の延在する方向において、高精度なアライメントが不要
になり、工程を容易にすることができる効果が得られ、
また、歩留まりを向上させることができる効果が得ら
れ、また、画素欠陥を防ぐことができる効果が得られ、
また、膜厚均一性を向上させることができる効果が得ら
れる。
【００５８】また、所望の性能を有した電子機器を得る
ことができる効果が得られる。
ことができる効果が得られる。
【図１】 本発明の一実施の形態に係る電気光学装置の
要部を示す平面図である。
要部を示す平面図である。
【図２】 本発明の一実施の形態に係る電気光学装置の
要部を示す図であって、図１のＡ−Ａ断面を示す側断面
図である。
要部を示す図であって、図１のＡ−Ａ断面を示す側断面
図である。
【図３】 本発明の一実施の形態に係る電気光学装置の
要部の製造工程を示した図であって、図１のＡ−Ａ断面
を示す側断面図である。
要部の製造工程を示した図であって、図１のＡ−Ａ断面
を示す側断面図である。
【図４】 本発明の一実施の形態に係る電気光学装置の
要部の製造工程を示した図であって、図１のＡ−Ａ断面
を示す側断面図である。
要部の製造工程を示した図であって、図１のＡ−Ａ断面
を示す側断面図である。
【図５】 本発明の一実施の形態に係る電気光学装置を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】 本発明の一実施の形態に係る電気光学装置を
示す図であって、図５のＢ−Ｂ断面を示す側断面図であ
る。
示す図であって、図５のＢ−Ｂ断面を示す側断面図であ
る。
【図７】 本発明の電気光学装置が搭載された電子機器
を示す図である。
を示す図である。
【図８】 本発明の電気光学装置が搭載された電子機器
を示す図である。
を示す図である。
【図９】 本発明の電気光学装置が搭載された電子機器
を示す図である。
を示す図である。
【図１０】 従来の有機アクティブ発光装置の例として
示した有機アクティブ発光装置の要部を示す側断面図で
ある。
示した有機アクティブ発光装置の要部を示す側断面図で
ある。
【図１１】 従来の有機アクティブ発光装置の例として
示した有機アクティブ発光装置の要部の回路図である。
示した有機アクティブ発光装置の要部の回路図である。
【図１２】 他の従来の技術として示したアクティブマ
トリクス構造の要部を示す側断面図である。
トリクス構造の要部を示す側断面図である。
１ 電気光学装置
２ 基板
５ スイッチング素子
８ 共通給電線
９ 第一層間絶縁膜
１０ 凹部
１１ 凹部
１２ 凹部
２０ 画素電極
２１ 第一の画素電極
２２ 第二の画素電極
２３ 境界絶縁膜
２４ 境界絶縁膜
２６ バンク
２８ 縦バンク
２９ 横バンク
３６ 配線（ゲート線）
５５ ゲート絶縁膜
６６ 画素列
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/10 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
33/12 33/22 Ｚ
33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２６Ｃ
33/22 ６２７Ａ
Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB11 AB17 AB18 CA01
DB03 FA00 GA00
5C094 AA03 AA10 AA31 AA42 AA43
BA03 BA27 CA19 DA13 DB01
DB04 EA04 FA01 FA02 FA04
FB01 FB20
5F110 AA18 AA30 BB01 CC02 DD13
DD21 EE03 EE04 EE44 FF02
GG02 GG13 GG22 HJ01 HJ12
HL03 HL04 HL23 NN03 NN72
PP01 PP03 QQ11 QQ19
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に設けられているスイ
ッチング素子及び配線及び絶縁膜とを有する電気光学装
置において、 前記基板は、前記スイッチング素子及び前記配線及び前
記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの位置に対応し
て形成された凹部を有することを特徴とする電気光学装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電気光学装置において、 前記凹部に、前記スイッチング素子及び前記配線及び前
記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つが埋設されてい
ることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の電気光学
装置において、 前記凹部に、前記スイッチング素子及び前記配線及び前
記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つを有する積層体
が埋設されていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３記載の電気光学
装置において、 前記凹部に埋設された前記スイッチング素子及び前記配
線及び前記絶縁膜のうち少なくともいずれか１つの上面
と、前記基板の上面が連続していることを特徴とする電
気光学装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４のうち少なくとも
いずれか１つに記載の電気光学装置において、 第一の画素電極と、前記第一の画素電極に隣り合う第二
の画素電極との間に境界絶縁膜が形成され、該境界絶縁
膜の上面と、前記画素電極の上面が連続していることを
特徴とする電気光学装置。 - 【請求項６】 請求項１から請求項５のうち少なくとも
いずれか１つに記載の電気光学装置において、 前記画素電極上に所定の方向に延在する棒状バンクが複
数並んで形成され、前記棒状バンクの両端部には前記棒
状バンクに交わる方向に延在する端部バンクが接続され
ており、棒状バンク及び端部バンクによって形成された
空間に蛍光体が設けられていることを特徴とする電気光
学装置。 - 【請求項７】 請求項１から請求項６のうち少なくとも
いずれか１つに記載の電気光学装置を備えたことを特徴
とする電子機器。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2002140334A JP2003332041A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 電気光学装置及び電子機器 |
| TW092113122A TWI252059B (en) | 2002-05-15 | 2003-05-14 | Electro-optical device and electronic apparatus |
| CN03131297A CN1461179A (zh) | 2002-05-15 | 2003-05-14 | 电光装置及电子仪器 |
| KR1020030030450A KR100541124B1 (ko) | 2002-05-15 | 2003-05-14 | 전기광학 장치 및 전자기기 |
| US10/439,287 US6897910B2 (en) | 2002-05-15 | 2003-05-15 | Electro-optical device and electronic apparatus having a concave portion containing device elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140334A JP2003332041A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332041A true JP2003332041A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29701240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002140334A Pending JP2003332041A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003332041A (ja) |
| KR (1) | KR100541124B1 (ja) |
| CN (1) | CN1461179A (ja) |
| TW (1) | TWI252059B (ja) |
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| CN1886770B (zh) * | 2003-11-28 | 2011-02-09 | 日本瑞翁株式会社 | 薄膜晶体管集成电路装置、有源矩阵显示装置及其制造方法 |
| GB2409333B (en) * | 2003-12-10 | 2006-07-26 | Intense Photonics Ltd | Multiple anneal induced disordering |
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| US7612368B2 (en) * | 2004-12-29 | 2009-11-03 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Organic bottom emission electronic device |
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- 2002-05-15 JP JP2002140334A patent/JP2003332041A/ja active Pending
-
2003
- 2003-05-14 CN CN03131297A patent/CN1461179A/zh active Pending
- 2003-05-14 KR KR1020030030450A patent/KR100541124B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-14 TW TW092113122A patent/TWI252059B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-15 US US10/439,287 patent/US6897910B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
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| KR20030089454A (ko) | 2003-11-21 |
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