JP2003329820A - 光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置 - Google Patents
光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、曲率の大きい多層膜ミラーの成膜
を容易にし、更には劣化したミラーを再び利用可能にさ
れた光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光
装置を提供する。 【解決手段】 本発明の一側面としての光学素子は、分
割可能に組み合わされた複数の多層膜ミラーより構成さ
れる光学素子であって、複数の前記多層膜ミラーが再生
可能であることを特徴とする。
を容易にし、更には劣化したミラーを再び利用可能にさ
れた光学素子、当該光学素子を有する光源装置及び露光
装置を提供する。 【解決手段】 本発明の一側面としての光学素子は、分
割可能に組み合わされた複数の多層膜ミラーより構成さ
れる光学素子であって、複数の前記多層膜ミラーが再生
可能であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には光学素子に
係り、特に、光学素子の状態が劣化した場合であっても
再び使用することができる再生可能な光学素子に関す
る。
係り、特に、光学素子の状態が劣化した場合であっても
再び使用することができる再生可能な光学素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化及び薄型化の要
請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への
要求はますます高くなっている。例えば、マスクパター
ンに対するデザインルールはライン・アンド・スペース
（Ｌ＆Ｓ）０．１μｍ以下の寸法像を広範囲に形成する
ことが要求され、今後は更に８０ｎｍ以下の回路パター
ン形成に移行することが予想される。Ｌ＆Ｓは露光にお
いてラインとスペースの幅が等しい状態でウェハ上に投
影された像であり、露光の解像度を示す尺度である。
請から、電子機器に搭載される半導体素子の微細化への
要求はますます高くなっている。例えば、マスクパター
ンに対するデザインルールはライン・アンド・スペース
（Ｌ＆Ｓ）０．１μｍ以下の寸法像を広範囲に形成する
ことが要求され、今後は更に８０ｎｍ以下の回路パター
ン形成に移行することが予想される。Ｌ＆Ｓは露光にお
いてラインとスペースの幅が等しい状態でウェハ上に投
影された像であり、露光の解像度を示す尺度である。
【０００３】半導体製造用の代表的な露光装置である投
影露光装置は、一般に、レーザーなどの光源とレチクル
又はマスク（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用
する）を照明する照明光学系とを含む照明装置と、マス
クと被処理体との間に配置される投影光学系とを有す
る。近年では微細な回路パターンを転写するために解像
度はより小さい値を要求されており、短波長化により解
像度の向上を見込んでいる。現在では、露光光源はＫｒ
Ｆエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキ
シマレーザ（波長約１９３ｎｍ）からＦ２エキシマレー
ザ（波長約１５７ｎｍ）に移行しており、更にはＥＵＶ
（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫
外）光の実用化も進んでいる。しかしながら、露光光が
ＥＵＶ光になると使用できる硝材は存在しなくなり、光
学系は反射型光学素子、即ちミラーのみで構成する必要
がある。ＥＵＶ光を用いた露光装置を構成する反射型光
学素子としては、斜入射全反射ミラーと多層膜ミラーと
がある。
影露光装置は、一般に、レーザーなどの光源とレチクル
又はマスク（本出願ではこれらの用語を交換可能に使用
する）を照明する照明光学系とを含む照明装置と、マス
クと被処理体との間に配置される投影光学系とを有す
る。近年では微細な回路パターンを転写するために解像
度はより小さい値を要求されており、短波長化により解
像度の向上を見込んでいる。現在では、露光光源はＫｒ
Ｆエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）及びＡｒＦエキ
シマレーザ（波長約１９３ｎｍ）からＦ２エキシマレー
ザ（波長約１５７ｎｍ）に移行しており、更にはＥＵＶ
（ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫
外）光の実用化も進んでいる。しかしながら、露光光が
ＥＵＶ光になると使用できる硝材は存在しなくなり、光
学系は反射型光学素子、即ちミラーのみで構成する必要
がある。ＥＵＶ光を用いた露光装置を構成する反射型光
学素子としては、斜入射全反射ミラーと多層膜ミラーと
がある。
【０００４】ＥＵＶ領域では屈折率の実部は１より僅か
に小さいので、面に対しすれすれにＥＵＶ光を入射する
斜入射で用いれば全反射が起きる。通常、斜入射全反射
ミラーでは、面から測って数度以内の斜入射では数十％
以上の高い反射率を得ることができるが、設計上の自由
度は小さい。
に小さいので、面に対しすれすれにＥＵＶ光を入射する
斜入射で用いれば全反射が起きる。通常、斜入射全反射
ミラーでは、面から測って数度以内の斜入射では数十％
以上の高い反射率を得ることができるが、設計上の自由
度は小さい。
【０００５】一方、直入射に近い入射角で用いるＥＵＶ
光用のミラーとしては、光学定数の異なる２種類の物質
を交互に積層した多層膜ミラーが用いられる。多層膜ミ
ラーにＥＵＶ光を入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が
反射される。入射角をθ、ＥＵＶ光の波長をλ、膜周期
をｄとすると近似的には以下に示すブラッグの式で示さ
れる。
光用のミラーとしては、光学定数の異なる２種類の物質
を交互に積層した多層膜ミラーが用いられる。多層膜ミ
ラーにＥＵＶ光を入射すると、特定の波長のＥＵＶ光が
反射される。入射角をθ、ＥＵＶ光の波長をλ、膜周期
をｄとすると近似的には以下に示すブラッグの式で示さ
れる。
【０００６】
【数１】
【０００７】数式１の関係を満足するようなλを中心と
した狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射され
る。このときのバンド幅は０．６乃至１ｎｍ程度であ
る。
した狭いバンド幅のＥＵＶ光だけが効率よく反射され
る。このときのバンド幅は０．６乃至１ｎｍ程度であ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】例えば、光源から等方
的に出るＥＵＶ光を効率よく取り込むための集光ミラー
（初段ミラー）は、回転楕円体や回転放物面体などで構
成されて光源に対して凹型形状の曲率を有している。基
板は反射率の低下を防ぐため十分に滑らかである必要が
あるが、反射率Ｒと基板の粗さσの関係は、波長λと入
射角θおよび面粗さがない場合の反射率Ｒ０を用いて以
下の式で与えられる。
的に出るＥＵＶ光を効率よく取り込むための集光ミラー
（初段ミラー）は、回転楕円体や回転放物面体などで構
成されて光源に対して凹型形状の曲率を有している。基
板は反射率の低下を防ぐため十分に滑らかである必要が
あるが、反射率Ｒと基板の粗さσの関係は、波長λと入
射角θおよび面粗さがない場合の反射率Ｒ０を用いて以
下の式で与えられる。
【０００９】
【数２】
【００１０】数式１に従えば、波長１３ｎｍの光を多層
膜ミラーに直入射（θ＝０°）して、面粗さによる反射
率の低下を５％以内とするなら面粗さσ＝０．２ｎｍが
要求されることとなる。このように基板は曲率のある面
を高精度に研磨されなければならない。
膜ミラーに直入射（θ＝０°）して、面粗さによる反射
率の低下を５％以内とするなら面粗さσ＝０．２ｎｍが
要求されることとなる。このように基板は曲率のある面
を高精度に研磨されなければならない。
【００１１】更に、このような基板上に多層膜が成膜さ
れる。主な成膜方法である蒸着は数種類の物質を蒸発さ
せ、基板をのせたホルダーを回転させて順次蒸着源上を
通過させて成膜を行う。しかしながら、蒸着は、基板の
平面からの差（即ち、基板の曲率）が大きくなるほど均
一に成膜することが難しい。また、初段ミラーに入射さ
れるＥＵＶ光は場所により異なる入射角をもつため膜厚
に分布をつけなければならず、曲率の大きい多層膜ミラ
ーの製造は非常に困難であるという問題がある。
れる。主な成膜方法である蒸着は数種類の物質を蒸発さ
せ、基板をのせたホルダーを回転させて順次蒸着源上を
通過させて成膜を行う。しかしながら、蒸着は、基板の
平面からの差（即ち、基板の曲率）が大きくなるほど均
一に成膜することが難しい。また、初段ミラーに入射さ
れるＥＵＶ光は場所により異なる入射角をもつため膜厚
に分布をつけなければならず、曲率の大きい多層膜ミラ
ーの製造は非常に困難であるという問題がある。
【００１２】一方、ＥＵＶ露光用光源の重大な問題はデ
ブリの発生である。デブリとは光源からの飛散粒子のこ
とである。デブリの発生源は光源方式により様々である
が、例えばレーザープラズマ光源であればターゲットや
その供給ノズルなどである。デブリは多層膜に付着し、
もしくは衝突により多層膜の膜構造を破壊し反射率を低
下させるという問題を有している。もちろん、これ以外
にもミラー反射率の低下は経時変化による劣化、真空容
器内の不純物によるコンタミネーションの影響もある。
ブリの発生である。デブリとは光源からの飛散粒子のこ
とである。デブリの発生源は光源方式により様々である
が、例えばレーザープラズマ光源であればターゲットや
その供給ノズルなどである。デブリは多層膜に付着し、
もしくは衝突により多層膜の膜構造を破壊し反射率を低
下させるという問題を有している。もちろん、これ以外
にもミラー反射率の低下は経時変化による劣化、真空容
器内の不純物によるコンタミネーションの影響もある。
【００１３】スループットなどの露光性能よく露光する
ために、常に適当な反射率が得られるように劣化したミ
ラーを交換する必要があるが、特に、デブリの影響を最
も受ける初段ミラーは劣化の度合いが大きい。しかしな
がら、上述したように多層膜ミラーはその製造が複雑で
困難であり、また高精度に研磨された基板は高価なもの
であることが多く、劣化した多層膜ミラーを新たな多層
膜ミラーに交換することは装置のランニングコストを上
昇させて経済的な負担を増加させるために好ましくな
い。
ために、常に適当な反射率が得られるように劣化したミ
ラーを交換する必要があるが、特に、デブリの影響を最
も受ける初段ミラーは劣化の度合いが大きい。しかしな
がら、上述したように多層膜ミラーはその製造が複雑で
困難であり、また高精度に研磨された基板は高価なもの
であることが多く、劣化した多層膜ミラーを新たな多層
膜ミラーに交換することは装置のランニングコストを上
昇させて経済的な負担を増加させるために好ましくな
い。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は、曲率
の大きい多層膜ミラーの成膜を容易にし、更には劣化し
たミラーを再び利用可能にされた光学素子、当該光学素
子を有する光源装置及び露光装置を提供することを例示
的目的とする。
の大きい多層膜ミラーの成膜を容易にし、更には劣化し
たミラーを再び利用可能にされた光学素子、当該光学素
子を有する光源装置及び露光装置を提供することを例示
的目的とする。
【００１５】上記目的を達成するために、本発明の一側
面としての光学素子は、分割可能に組み合わされた複数
の多層膜ミラーより構成される光学素子であって、複数
の前記多層膜ミラーが再生可能であることを特徴とす
る。かかる光学素子によれば、多層膜ミラーが分割可能
に構成されているので、曲率の大きな光学素子であって
も、分割された個々の多層膜ミラー毎に多層膜を形成す
ることができる。これにより、基板を平面に近づけた状
態で多層膜を成膜することを可能にしている。よって、
従来よりも容易に光学素子の成膜を行うことができる。
更に、かかる光学素子によれば、複数の多層膜ミラーが
再生可能であるため、例えば、高精度に研磨された基板
を再利用することができる。よって、再生された多層膜
ミラーを再び使用することができるので、劣化した光学
素子の再利用を図ることができる。
面としての光学素子は、分割可能に組み合わされた複数
の多層膜ミラーより構成される光学素子であって、複数
の前記多層膜ミラーが再生可能であることを特徴とす
る。かかる光学素子によれば、多層膜ミラーが分割可能
に構成されているので、曲率の大きな光学素子であって
も、分割された個々の多層膜ミラー毎に多層膜を形成す
ることができる。これにより、基板を平面に近づけた状
態で多層膜を成膜することを可能にしている。よって、
従来よりも容易に光学素子の成膜を行うことができる。
更に、かかる光学素子によれば、複数の多層膜ミラーが
再生可能であるため、例えば、高精度に研磨された基板
を再利用することができる。よって、再生された多層膜
ミラーを再び使用することができるので、劣化した光学
素子の再利用を図ることができる。
【００１６】かかる光学素子は凹面形状を有し、入射し
た光線を集光する作用を有する。本発明の光学素子は、
大きな曲率を有するような光学素子に最適である。ま
た、複数の前記多層膜ミラーは前記光学素子に対する光
線入射角の等しい線に沿って分割可能となるような辺を
有する。かかる光学素子によれば、多層膜ミラーは光線
入射角の等しい線で分割されているので、個々のミラー
に必要な膜厚分布の差を小さくすることができる。
た光線を集光する作用を有する。本発明の光学素子は、
大きな曲率を有するような光学素子に最適である。ま
た、複数の前記多層膜ミラーは前記光学素子に対する光
線入射角の等しい線に沿って分割可能となるような辺を
有する。かかる光学素子によれば、多層膜ミラーは光線
入射角の等しい線で分割されているので、個々のミラー
に必要な膜厚分布の差を小さくすることができる。
【００１７】かかる光学素子において、複数の前記多層
膜ミラーは基板上に解放層、多層膜が積層された積層構
造を有し、前記解放層は前記基板との反応が少ない溶解
液により溶解可能である。かかる光学素子によれば、解
放層を溶解することで多層膜を除去することができ、ま
たかかる解放層は基板との反応が少ない溶解液により溶
解可能であり基板が溶解液により溶解されることはな
い。これにより、多層膜が劣化した場合には、劣化した
多層膜を除去し高精度に形成された基板を再利用して多
層膜を成膜することで、多層膜ミラーを再生することが
できる。なお、この場合であっても、各多層膜ミラーが
分割されているので、上述したように各多層膜ミラーは
成膜を容易に行うことができる。
膜ミラーは基板上に解放層、多層膜が積層された積層構
造を有し、前記解放層は前記基板との反応が少ない溶解
液により溶解可能である。かかる光学素子によれば、解
放層を溶解することで多層膜を除去することができ、ま
たかかる解放層は基板との反応が少ない溶解液により溶
解可能であり基板が溶解液により溶解されることはな
い。これにより、多層膜が劣化した場合には、劣化した
多層膜を除去し高精度に形成された基板を再利用して多
層膜を成膜することで、多層膜ミラーを再生することが
できる。なお、この場合であっても、各多層膜ミラーが
分割されているので、上述したように各多層膜ミラーは
成膜を容易に行うことができる。
【００１８】また、かかる光学素子において、複数の前
記多層膜ミラーは基板上に緩衝層、多層膜が積層された
積層構造を有し、前記多層膜はエッチング溶液に可溶で
あり、前記緩衝層はエッチング溶液に対して溶解し難い
ので基板が緩衝層により保護される。これにより、多層
膜が劣化した場合には、多層膜を溶解させて高精度に形
成された基板を再利用して成膜することで、多層膜ミラ
ーを再生することができる。なお、この場合であって
も、各多層膜ミラーが分割されているので、上述したよ
うに各多層膜ミラーは成膜を容易に行うことができる。
前記緩衝層はエッチング溶液に対し不溶もしくは多層膜
の溶解速度の１０００分の１以下の溶解速度で反応する
ものが好ましい。また、かかる光学素子において、複数
の前記多層膜ミラーは基板上に緩衝層、多層膜が積層さ
れた積層構造を有し、前記多層膜はドライエッチングプ
ロセスにより除去可能である。かかる光学素子によれ
ば、ドライエッチングすることで多層膜を除去すること
ができるが、緩衝層がドライエッチングに対して反応し
にくいので基板を緩衝層により保護することができる。
これにより、多層膜が劣化した場合には、劣化した多層
膜を除去し高精度に形成された基板を再利用し成膜する
ことで、多層膜ミラーを再生することができる。なお、
この場合であっても、各多層膜ミラーが分割されている
ので、上述したように各多層膜ミラーは成膜を容易に行
うことができる。前記緩衝層はドライエッチングプロセ
スに無反応もしくは多層膜の除去速度の１０００分の１
の除去速度で反応するものが好ましい。
記多層膜ミラーは基板上に緩衝層、多層膜が積層された
積層構造を有し、前記多層膜はエッチング溶液に可溶で
あり、前記緩衝層はエッチング溶液に対して溶解し難い
ので基板が緩衝層により保護される。これにより、多層
膜が劣化した場合には、多層膜を溶解させて高精度に形
成された基板を再利用して成膜することで、多層膜ミラ
ーを再生することができる。なお、この場合であって
も、各多層膜ミラーが分割されているので、上述したよ
うに各多層膜ミラーは成膜を容易に行うことができる。
前記緩衝層はエッチング溶液に対し不溶もしくは多層膜
の溶解速度の１０００分の１以下の溶解速度で反応する
ものが好ましい。また、かかる光学素子において、複数
の前記多層膜ミラーは基板上に緩衝層、多層膜が積層さ
れた積層構造を有し、前記多層膜はドライエッチングプ
ロセスにより除去可能である。かかる光学素子によれ
ば、ドライエッチングすることで多層膜を除去すること
ができるが、緩衝層がドライエッチングに対して反応し
にくいので基板を緩衝層により保護することができる。
これにより、多層膜が劣化した場合には、劣化した多層
膜を除去し高精度に形成された基板を再利用し成膜する
ことで、多層膜ミラーを再生することができる。なお、
この場合であっても、各多層膜ミラーが分割されている
ので、上述したように各多層膜ミラーは成膜を容易に行
うことができる。前記緩衝層はドライエッチングプロセ
スに無反応もしくは多層膜の除去速度の１０００分の１
の除去速度で反応するものが好ましい。
【００１９】また、かかる光学素子において、複数の前
記多層膜ミラーは基板上に緩衝層、解放層、多層膜が順
次積層された積層構造を有し、前記解放層は前記緩衝層
とは反応が少ない溶解液により溶解可能である。かかる
光学素子によれば、解放層を溶解液により溶解すること
で多層膜を除去可能であるが、緩衝層により基板が溶解
液より保護される。これにより、多層膜が劣化した場合
には、劣化した多層膜を除去し高精度に形成された基板
を再利用して成膜することで、多層膜ミラーを再生する
ことができる。なお、この場合であっても、各多層膜ミ
ラーが分割されているので、上述したように各多層膜ミ
ラーは成膜を容易に行うことができる。
記多層膜ミラーは基板上に緩衝層、解放層、多層膜が順
次積層された積層構造を有し、前記解放層は前記緩衝層
とは反応が少ない溶解液により溶解可能である。かかる
光学素子によれば、解放層を溶解液により溶解すること
で多層膜を除去可能であるが、緩衝層により基板が溶解
液より保護される。これにより、多層膜が劣化した場合
には、劣化した多層膜を除去し高精度に形成された基板
を再利用して成膜することで、多層膜ミラーを再生する
ことができる。なお、この場合であっても、各多層膜ミ
ラーが分割されているので、上述したように各多層膜ミ
ラーは成膜を容易に行うことができる。
【００２０】また、このような光学素子において、複数
の前記多層膜ミラーは波長２０ｎｍ以下の極紫外光を反
射可能で当該多層膜ミラーを保護する保護膜を有しても
よい。かかる光学素子によれば、反射率が低下した場合
には保護膜を除去し、保護膜を再成膜することで多層膜
ミラーを再生することができる。なお、この場合であっ
ても、各多層膜ミラーが分割されているので、上述した
ように保護膜の成膜を容易に行うことができる。
の前記多層膜ミラーは波長２０ｎｍ以下の極紫外光を反
射可能で当該多層膜ミラーを保護する保護膜を有しても
よい。かかる光学素子によれば、反射率が低下した場合
には保護膜を除去し、保護膜を再成膜することで多層膜
ミラーを再生することができる。なお、この場合であっ
ても、各多層膜ミラーが分割されているので、上述した
ように保護膜の成膜を容易に行うことができる。
【００２１】また、本発明の別の側面としての光源装置
は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源と、
前記Ｘ線光源から発生した前記Ｘ線を集光する上述した
光学素子とを有する。かかる光源装置によれば、上述し
た光学素子を備えており、かかる光学素子と同様の作用
及び効果を奏することができる。また、かかる光源装置
によれば、集光作用を有する光学素子を再生することが
できるので、光学素子が劣化した場合であっても、従来
の装置よりメインテナンスコストを低減することができ
る。
は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源と、
前記Ｘ線光源から発生した前記Ｘ線を集光する上述した
光学素子とを有する。かかる光源装置によれば、上述し
た光学素子を備えており、かかる光学素子と同様の作用
及び効果を奏することができる。また、かかる光源装置
によれば、集光作用を有する光学素子を再生することが
できるので、光学素子が劣化した場合であっても、従来
の装置よりメインテナンスコストを低減することができ
る。
【００２２】また、本発明の別の側面としての露光装置
は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源部
と、本発明の光学素子を前記Ｘ線光源部側の初段に備え
て当該光学素子を経た光束を用いてレチクル又はマスク
を照明する照明光学系と、前記レチクル又はマスクに形
成されたパターンを被処理体に投影する投影光学系とを
有する。かかる露光装置によれば、上述した光学素子を
備えており、かかる光学素子と同様の作用及び効果を奏
することができる。また、かかる露光装置によれば、Ｘ
線光源部側の手段の光学素子が再生可能であるため、か
かる光学素子が劣化した場合であっても、従来の装置よ
りメインテナンスコストを低減することができる。
は、プラズマを発生し、Ｘ線を発生させるＸ線光源部
と、本発明の光学素子を前記Ｘ線光源部側の初段に備え
て当該光学素子を経た光束を用いてレチクル又はマスク
を照明する照明光学系と、前記レチクル又はマスクに形
成されたパターンを被処理体に投影する投影光学系とを
有する。かかる露光装置によれば、上述した光学素子を
備えており、かかる光学素子と同様の作用及び効果を奏
することができる。また、かかる露光装置によれば、Ｘ
線光源部側の手段の光学素子が再生可能であるため、か
かる光学素子が劣化した場合であっても、従来の装置よ
りメインテナンスコストを低減することができる。
【００２３】また、本発明の別の側面としての露光装置
は、上述した光源装置と、前記光源装置からの光束を用
いてレチクル又はマスクを照明する照明光学系と、前記
レチクル又はマスクに形成されたパターンを被処理体に
投影する投影光学系とを有する。かかる露光装置によれ
ば、上述した光源装置を有しており、かかる光源装置と
同様の作用及び効果を奏することができる。また、かか
る露光装置は、上述した別の側面の露光装置の照明光学
系の初段の光学素子が光源装置の一部に組み込まれた構
成であり、上述した露光装置とも同様の作用及び効果を
奏することができることは言うまでもない。
は、上述した光源装置と、前記光源装置からの光束を用
いてレチクル又はマスクを照明する照明光学系と、前記
レチクル又はマスクに形成されたパターンを被処理体に
投影する投影光学系とを有する。かかる露光装置によれ
ば、上述した光源装置を有しており、かかる光源装置と
同様の作用及び効果を奏することができる。また、かか
る露光装置は、上述した別の側面の露光装置の照明光学
系の初段の光学素子が光源装置の一部に組み込まれた構
成であり、上述した露光装置とも同様の作用及び効果を
奏することができることは言うまでもない。
【００２４】更に、本発明の別の側面としてのデバイス
製造方法は、かかる露光装置を用いて基板を露光する工
程と、前記露光された基板に所定のプロセスを行う工程
とを有する。上述の露光装置の作用と同様の作用を奏す
るデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物で
あるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデ
バイスは、例えば、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チッ
プ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドな
どを含む。
製造方法は、かかる露光装置を用いて基板を露光する工
程と、前記露光された基板に所定のプロセスを行う工程
とを有する。上述の露光装置の作用と同様の作用を奏す
るデバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物で
あるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデ
バイスは、例えば、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チッ
プ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサー、薄膜磁気ヘッドな
どを含む。
【００２５】本発明の他の目的及び更なる特徴は以下添
付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明
らかにされるであろう。
付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明
らかにされるであろう。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の一側面としての光学素子１００が適用された露光装
置１０について説明する。なお、各図において同一の参
照符号は同一部材を表している。ここで、図１は、本発
明の一側面としての露光装置１０を示す模式図である。
明の一側面としての光学素子１００が適用された露光装
置１０について説明する。なお、各図において同一の参
照符号は同一部材を表している。ここで、図１は、本発
明の一側面としての露光装置１０を示す模式図である。
【００２７】本発明の露光装置１０は露光用の照明光と
してＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いる。
また、露光装置１０の像面は円弧状（リング状）の像面
となり、マスクとウェハを縮小倍率比の速度比でスキャ
ンすることによりマスクの全面を露光する方式をとる
が、これ以外の方式が採用されてもよい。図１を参照す
るに、露光装置１０は、ＥＵＶ光源２１０、光学素子１
００、照明光学系２２０、反射型レチクル２３０、アラ
イメント光学系２４０、投影光学系２５０、レチクルス
テージ２６０、ウェハステージ２７０を有する。なお、
ＥＵＶ光は大気に対する透過率が低いため、少なくとも
ＥＵＶ光が通る光路は真空雰囲気であることが好まし
く、真空容器２８０に収納されている。なお、本発明の
光学素子１００は、ＥＵＶ光源２１０と組み合わされて
光源装置の一部として機能してもよいし、照明光学系２
２０と組み合わされて光学系の一部として機能してもよ
い。
してＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いる。
また、露光装置１０の像面は円弧状（リング状）の像面
となり、マスクとウェハを縮小倍率比の速度比でスキャ
ンすることによりマスクの全面を露光する方式をとる
が、これ以外の方式が採用されてもよい。図１を参照す
るに、露光装置１０は、ＥＵＶ光源２１０、光学素子１
００、照明光学系２２０、反射型レチクル２３０、アラ
イメント光学系２４０、投影光学系２５０、レチクルス
テージ２６０、ウェハステージ２７０を有する。なお、
ＥＵＶ光は大気に対する透過率が低いため、少なくとも
ＥＵＶ光が通る光路は真空雰囲気であることが好まし
く、真空容器２８０に収納されている。なお、本発明の
光学素子１００は、ＥＵＶ光源２１０と組み合わされて
光源装置の一部として機能してもよいし、照明光学系２
２０と組み合わされて光学系の一部として機能してもよ
い。
【００２８】本実施形態のＥＵＶ光源２１０は、例え
ば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズ
マ光源はターゲット供給装置２１２によって供給され真
空容器２８０中に置かれたターゲット材２１３に高強度
のパルスレーザー光をパルスレーザー２１１から集光レ
ンズ２１４を介して照射し、高温のプラズマ２１５を発
生させる。そして、プラズマ２１５から放射される波長
１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。タ
ーゲット材２１３は、金属薄膜、不活性ガス、液滴など
が用いられ、ガスジェット等のターゲット供給装置２１
２により真空容器内２８０に供給される。放射されるＥ
ＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザー２
１１の繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの
繰り返し周波数で運転される。あるいは、放電プラズマ
光源が用いられる。これは真空容器中２８０に置かれた
電極周辺にガスを放出し、電極にパルス電圧を印加し放
電を起こし高温のプラズマを発生させ、これから放射さ
れる例えば波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用する
ものである。
ば、レーザープラズマ光源を使用する。レーザープラズ
マ光源はターゲット供給装置２１２によって供給され真
空容器２８０中に置かれたターゲット材２１３に高強度
のパルスレーザー光をパルスレーザー２１１から集光レ
ンズ２１４を介して照射し、高温のプラズマ２１５を発
生させる。そして、プラズマ２１５から放射される波長
１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用するものである。タ
ーゲット材２１３は、金属薄膜、不活性ガス、液滴など
が用いられ、ガスジェット等のターゲット供給装置２１
２により真空容器内２８０に供給される。放射されるＥ
ＵＶ光の平均強度を高くするためにはパルスレーザー２
１１の繰り返し周波数は高い方が良く、通常数ｋＨｚの
繰り返し周波数で運転される。あるいは、放電プラズマ
光源が用いられる。これは真空容器中２８０に置かれた
電極周辺にガスを放出し、電極にパルス電圧を印加し放
電を起こし高温のプラズマを発生させ、これから放射さ
れる例えば波長１３．４ｎｍ程度のＥＵＶ光を利用する
ものである。
【００２９】また、図１には図示されず図２に図示され
る光学素子１００は、プラズマ２１５から放射されるＥ
ＵＶ光を効率よく利用するための集光ミラー（回転楕円
鏡）である。ここで、図２は図１に示すＥＵＶ光源２１
０近傍を示す拡大模式図である。また、図３は、図２に
示す光学素子１００を構成する一のミラー１１０を示す
概略断面図である。光学素子１００は、本実施形態にお
いては、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜で構成された照明光学系２
２０の初段ミラー（又は、ＥＵＶ光源２１０を発生する
光源装置の要素の一部）で、プラズマ光源２１０からの
発散的な光をより多く取り込むために回転楕円体となっ
ている。プラズマ光源２１０の位置は光学素子（初段ミ
ラー）１００の焦点に一致し、約２πｓｔｒの光を取り
込むことができる。また光学素子１００は図２に示す点
線に沿って分割可能にされた複数の多層膜ミラー１１０
を組み合わせることにより構成されている。複数の多層
膜ミラー１１０は表面から順に、例示的に、多層膜１１
２、図示しない保護層、解放層１１４、基板１１８から
なる。
る光学素子１００は、プラズマ２１５から放射されるＥ
ＵＶ光を効率よく利用するための集光ミラー（回転楕円
鏡）である。ここで、図２は図１に示すＥＵＶ光源２１
０近傍を示す拡大模式図である。また、図３は、図２に
示す光学素子１００を構成する一のミラー１１０を示す
概略断面図である。光学素子１００は、本実施形態にお
いては、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜で構成された照明光学系２
２０の初段ミラー（又は、ＥＵＶ光源２１０を発生する
光源装置の要素の一部）で、プラズマ光源２１０からの
発散的な光をより多く取り込むために回転楕円体となっ
ている。プラズマ光源２１０の位置は光学素子（初段ミ
ラー）１００の焦点に一致し、約２πｓｔｒの光を取り
込むことができる。また光学素子１００は図２に示す点
線に沿って分割可能にされた複数の多層膜ミラー１１０
を組み合わせることにより構成されている。複数の多層
膜ミラー１１０は表面から順に、例示的に、多層膜１１
２、図示しない保護層、解放層１１４、基板１１８から
なる。
【００３０】多層膜１１２は光学定数の異なる２種類の
物質（例えば、モリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓ
ｉ））を交互に積層する。たとえばモリブデン層の厚さ
は０．２ｎｍ、シリコン層の厚さは０．５ｎｍ程度、積
層数は２０層対程度である。２種類の物質の層の厚さを
加えたものを膜周期とよぶ。上記例では膜周期は０．２
ｎｍ＋０．５ｎｍ＝０．７ｎｍである。２０層対程度
（１層対の膜厚は約７ｎｍ）堆積された多層膜１１２は
ＥＵＶ領域において７０％近い反射率を示す。
物質（例えば、モリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓ
ｉ））を交互に積層する。たとえばモリブデン層の厚さ
は０．２ｎｍ、シリコン層の厚さは０．５ｎｍ程度、積
層数は２０層対程度である。２種類の物質の層の厚さを
加えたものを膜周期とよぶ。上記例では膜周期は０．２
ｎｍ＋０．５ｎｍ＝０．７ｎｍである。２０層対程度
（１層対の膜厚は約７ｎｍ）堆積された多層膜１１２は
ＥＵＶ領域において７０％近い反射率を示す。
【００３１】その下層の図示しない保護層は解放層１１
４のアルミニウムを保護するためにある厚さ３０ｎｍ乃
至５０ｎｍのＳｉＯ２であり、解放層１１４は厚さ１０
０ｎｍのアルミニウムである。保護層は必ずしも必要で
はない。基板１１８は、反射率などを考慮して面精度よ
く作成されたガラス基板である。波長約１３ｎｍの光を
多層膜ミラーに直入射（θ＝０°）して、面粗さによる
反射率の低下を５％以内とするように面粗さσ＝０．２
ｎｍで曲率のある面が高精度に研磨されている。
４のアルミニウムを保護するためにある厚さ３０ｎｍ乃
至５０ｎｍのＳｉＯ２であり、解放層１１４は厚さ１０
０ｎｍのアルミニウムである。保護層は必ずしも必要で
はない。基板１１８は、反射率などを考慮して面精度よ
く作成されたガラス基板である。波長約１３ｎｍの光を
多層膜ミラーに直入射（θ＝０°）して、面粗さによる
反射率の低下を５％以内とするように面粗さσ＝０．２
ｎｍで曲率のある面が高精度に研磨されている。
【００３２】多層膜１１２の膜厚ｄは反射する光の波長
λと入射角θとの間に上述したような数式１の関係があ
る。露光装置１０の使用波長は決まっているので、入射
角θに依存して膜厚を変える必要がある。このため光学
素子１００は楕円の焦点を結ぶ軸Ａに沿って膜厚分布を
つける必要があり、曲率が大きいほど膜厚分布の差を大
きくつけなければならない。主な成膜方法である蒸着は
数種類の物質を蒸発させ、基板１１８をのせたホルダー
３３０を回転させて順次蒸着源３２０上を通過させて成
膜を行う方式である。図４に蒸着装置３００の概略図を
示す。Ｍｏ／Ｓｉの多層膜を成膜するため蒸着源３２０
は２つ用意される。また面内の膜厚分布制御は装置３０
０内に取り付けられたシャッター３１０により行なわれ
る。そのため、大きく曲率のついた面に膜厚分布をつけ
るのは困難である。
λと入射角θとの間に上述したような数式１の関係があ
る。露光装置１０の使用波長は決まっているので、入射
角θに依存して膜厚を変える必要がある。このため光学
素子１００は楕円の焦点を結ぶ軸Ａに沿って膜厚分布を
つける必要があり、曲率が大きいほど膜厚分布の差を大
きくつけなければならない。主な成膜方法である蒸着は
数種類の物質を蒸発させ、基板１１８をのせたホルダー
３３０を回転させて順次蒸着源３２０上を通過させて成
膜を行う方式である。図４に蒸着装置３００の概略図を
示す。Ｍｏ／Ｓｉの多層膜を成膜するため蒸着源３２０
は２つ用意される。また面内の膜厚分布制御は装置３０
０内に取り付けられたシャッター３１０により行なわれ
る。そのため、大きく曲率のついた面に膜厚分布をつけ
るのは困難である。
【００３３】しかし、光学素子１００を楕円の焦点を結
ぶ軸Ａに対し垂直に分割することで、すなわち光線入射
角θの等しい線に沿って分割することで個々のミラーに
必要な膜厚分布の差を小さくすることができる。また、
図５に示すように、それらを更に複数に分割することで
より平面に近づけることができる。ここで、図５は、図
２に示す光学素子１００が分割される様子を示す模式図
である。これにより、成膜が容易になる効果を有する。
もちろん個々のミラーが小型化することで成膜装置３０
０が大掛かりにならない利点もある。但し、入射角を定
義する光線は有限の大きさを持つ光源の中心から出た光
線とする。
ぶ軸Ａに対し垂直に分割することで、すなわち光線入射
角θの等しい線に沿って分割することで個々のミラーに
必要な膜厚分布の差を小さくすることができる。また、
図５に示すように、それらを更に複数に分割することで
より平面に近づけることができる。ここで、図５は、図
２に示す光学素子１００が分割される様子を示す模式図
である。これにより、成膜が容易になる効果を有する。
もちろん個々のミラーが小型化することで成膜装置３０
０が大掛かりにならない利点もある。但し、入射角を定
義する光線は有限の大きさを持つ光源の中心から出た光
線とする。
【００３４】ここで、図６に示すサイズの回転楕円鏡に
ついて説明する。１００ｍｍ×１００ｍｍ程度の基板が
成膜装置３００にて成膜可能である場合、ＥＵＶ光源２
１０から焦点を結ぶ軸Ａ方向に１００ｍｍの位置でミラ
ーを分割する（図５参照）。ここで分割した線と垂直な
方向においては図７に示すように楕円と平面とのずれは
５ｍｍ程度である。さらに筒状のミラーを１６分割する
ことで、それぞれのミラーサイズは１００ｍｍ×１００
ｍｍ程度となる。ここで円と平面とのずれは１０ｍｍ程
度となる。このように小型化されたミラーは平面に近づ
き成膜が容易になる。ここで、図６は、光学素子１００
の一例を示す模式図である。図７は、分割された多層膜
ミラー１１０の平面からのずれを示す図である。
ついて説明する。１００ｍｍ×１００ｍｍ程度の基板が
成膜装置３００にて成膜可能である場合、ＥＵＶ光源２
１０から焦点を結ぶ軸Ａ方向に１００ｍｍの位置でミラ
ーを分割する（図５参照）。ここで分割した線と垂直な
方向においては図７に示すように楕円と平面とのずれは
５ｍｍ程度である。さらに筒状のミラーを１６分割する
ことで、それぞれのミラーサイズは１００ｍｍ×１００
ｍｍ程度となる。ここで円と平面とのずれは１０ｍｍ程
度となる。このように小型化されたミラーは平面に近づ
き成膜が容易になる。ここで、図６は、光学素子１００
の一例を示す模式図である。図７は、分割された多層膜
ミラー１１０の平面からのずれを示す図である。
【００３５】一方、ＥＵＶ光源２１０からはＥＵＶ光と
ともにターゲット２１３や放電電極からのデブリが発生
する。デブリは多層膜１１２に付着し、もしくは衝突に
より多層膜１１２の膜構造を破壊し反射率を低下させ
る。真空容器２８０内の不純物の多層膜１１２への付着
および経時劣化も反射率を低下させる。反射率が低下し
たら初段ミラー（光学素子）１００を交換する必要があ
るが、多層膜１１２の個々の基板１１８はそれぞれ高精
度に研磨されたものであるため、基板１１８は再利用す
ることが望ましい。
ともにターゲット２１３や放電電極からのデブリが発生
する。デブリは多層膜１１２に付着し、もしくは衝突に
より多層膜１１２の膜構造を破壊し反射率を低下させ
る。真空容器２８０内の不純物の多層膜１１２への付着
および経時劣化も反射率を低下させる。反射率が低下し
たら初段ミラー（光学素子）１００を交換する必要があ
るが、多層膜１１２の個々の基板１１８はそれぞれ高精
度に研磨されたものであるため、基板１１８は再利用す
ることが望ましい。
【００３６】そこで、本発明では、光学素子１００を取
り外して個々のミラー１１０に分割した後、それぞれの
ミラー１１０の多層膜を除去し再成膜することで基板１
１８を再利用する。複数の多層膜ミラー１１０を分割す
ることの利点として、成膜の容易さだけでなく多層膜の
除去の点でも優位点がある。多層膜除去の方法として例
えばＳＰＩＥ１５４７（１９９１）の”Ｒｅｐａｉｒ
ｏｆ ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｍｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ ｃｏａｔｉｎｇｓ”に示されるように基板
１１８と多層膜１１２との間に備えられた解放層１１４
をエッチングして多層膜１１２を除去する方法がある。
この方法を取る場合、光学素子１００が分割されること
により解放層１１４が溶液に曝される面積が増えるた
め、より短時間で多層膜の除去が完了する。多層膜１１
２にＭｏ／Ｓｉ、解放層１１４に厚さ１００ｎｍのアル
ミニウムと保護層としてのＳｉＯ２を３０ｎｍから５０
ｎｍ用いた場合、塩酸と硫酸銅をエッチング溶液とする
と直径５０ｍｍの解放層１１４のエッチングにかかる時
間は４時間程度であり、基板１１８に損傷を与えること
はない。
り外して個々のミラー１１０に分割した後、それぞれの
ミラー１１０の多層膜を除去し再成膜することで基板１
１８を再利用する。複数の多層膜ミラー１１０を分割す
ることの利点として、成膜の容易さだけでなく多層膜の
除去の点でも優位点がある。多層膜除去の方法として例
えばＳＰＩＥ１５４７（１９９１）の”Ｒｅｐａｉｒ
ｏｆ ｈｉｇｈ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｍｕｌｔｉ
ｌａｙｅｒ ｃｏａｔｉｎｇｓ”に示されるように基板
１１８と多層膜１１２との間に備えられた解放層１１４
をエッチングして多層膜１１２を除去する方法がある。
この方法を取る場合、光学素子１００が分割されること
により解放層１１４が溶液に曝される面積が増えるた
め、より短時間で多層膜の除去が完了する。多層膜１１
２にＭｏ／Ｓｉ、解放層１１４に厚さ１００ｎｍのアル
ミニウムと保護層としてのＳｉＯ２を３０ｎｍから５０
ｎｍ用いた場合、塩酸と硫酸銅をエッチング溶液とする
と直径５０ｍｍの解放層１１４のエッチングにかかる時
間は４時間程度であり、基板１１８に損傷を与えること
はない。
【００３７】上述した実施形態で示すように分割可能な
初段ミラー（光学素子）１００において、個々の多層膜
ミラー１１０は図８で示されるように基板１１８ａ、緩
衝層１１６、多層膜１１２ａで構成された多層膜ミラー
１１０ａであってもよい。ここで、図８は、光学素子１
００の変形例である光学素子１００ａを示す図３に対応
する断面図である。多層膜１１２ａはエッチング溶液に
可溶であるが、緩衝層１１６はエッチング溶液と反応し
にくい。このため基板１１８ａの形状を変化させずに反
射率の低下した多層膜１１２ａだけをエッチングにより
除去することができる。多層膜１１２ａを一度除去し、
基板１１８ａ、緩衝層１１６上に再成膜する。エッチン
グ剤は、基板１１８ａの熱変形を避けるため室温に近い
温度で使用可能なものが好ましい。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜１
１２ａに有効なエッチング剤として硝酸エッチング剤と
約６０°Ｃで使用する場合のＴＦＭ型エッチング剤があ
る。硝酸エッチング剤は基板１１８ａとして用いられる
ＳｉＯ２にも作用する。しかし緩衝層１１６を適当に選
ぶことによりこの影響は避けられる。緩衝層１１６とし
て有効な素材としては炭素やルテニウムが挙げられる。
ルテニウムは塩基、酸、王水に比較的不溶であるため永
久緩衝層として用いることができる。ウエットエッチン
グにより多層膜１１２ａを除去した後に、炭素は任意に
ドライエッチングプロセス（例えばオゾン中における低
温プラズマエッチング）で除去される。以上、緩衝層と
して炭素とルテチウムを挙げたが、エッチング溶液に対
して不溶もしくは多層膜の溶解速度と比べて１０００分
の１以下の溶解速度を持つ材料であれば良い。例えば、
２０層対のＭｏ／Ｓｉが積層され、ミラー内に最大１０
％の膜厚分布を持つ場合を考える。一層対の膜厚が７ｎ
ｍ程度であるので、膜厚分布を考えると多層膜の全膜厚
は１４０ｎｍから１５４ｎｍ程度であり、ミラー内に１
４ｎｍの膜厚の差がある。一様に多層膜のエッチングが
行なわれるとすると、多層膜の薄い部分から早く緩衝層
がエッチング溶液に曝される。ここで、緩衝層の溶解速
度が１０００分の１以下であるならば、全ての多層膜が
除去された後の緩衝層の形状変化は膜厚の差から計算で
き、１４ｎｍ×１／１０００＝０．０１４ｎｍ以下であ
る。この値はＥＵＶ光の波長に比べて非常に小さく、十
分に許容される値である。
初段ミラー（光学素子）１００において、個々の多層膜
ミラー１１０は図８で示されるように基板１１８ａ、緩
衝層１１６、多層膜１１２ａで構成された多層膜ミラー
１１０ａであってもよい。ここで、図８は、光学素子１
００の変形例である光学素子１００ａを示す図３に対応
する断面図である。多層膜１１２ａはエッチング溶液に
可溶であるが、緩衝層１１６はエッチング溶液と反応し
にくい。このため基板１１８ａの形状を変化させずに反
射率の低下した多層膜１１２ａだけをエッチングにより
除去することができる。多層膜１１２ａを一度除去し、
基板１１８ａ、緩衝層１１６上に再成膜する。エッチン
グ剤は、基板１１８ａの熱変形を避けるため室温に近い
温度で使用可能なものが好ましい。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜１
１２ａに有効なエッチング剤として硝酸エッチング剤と
約６０°Ｃで使用する場合のＴＦＭ型エッチング剤があ
る。硝酸エッチング剤は基板１１８ａとして用いられる
ＳｉＯ２にも作用する。しかし緩衝層１１６を適当に選
ぶことによりこの影響は避けられる。緩衝層１１６とし
て有効な素材としては炭素やルテニウムが挙げられる。
ルテニウムは塩基、酸、王水に比較的不溶であるため永
久緩衝層として用いることができる。ウエットエッチン
グにより多層膜１１２ａを除去した後に、炭素は任意に
ドライエッチングプロセス（例えばオゾン中における低
温プラズマエッチング）で除去される。以上、緩衝層と
して炭素とルテチウムを挙げたが、エッチング溶液に対
して不溶もしくは多層膜の溶解速度と比べて１０００分
の１以下の溶解速度を持つ材料であれば良い。例えば、
２０層対のＭｏ／Ｓｉが積層され、ミラー内に最大１０
％の膜厚分布を持つ場合を考える。一層対の膜厚が７ｎ
ｍ程度であるので、膜厚分布を考えると多層膜の全膜厚
は１４０ｎｍから１５４ｎｍ程度であり、ミラー内に１
４ｎｍの膜厚の差がある。一様に多層膜のエッチングが
行なわれるとすると、多層膜の薄い部分から早く緩衝層
がエッチング溶液に曝される。ここで、緩衝層の溶解速
度が１０００分の１以下であるならば、全ての多層膜が
除去された後の緩衝層の形状変化は膜厚の差から計算で
き、１４ｎｍ×１／１０００＝０．０１４ｎｍ以下であ
る。この値はＥＵＶ光の波長に比べて非常に小さく、十
分に許容される値である。
【００３８】また、分割可能な初段ミラー（光学素子）
１００において、個々の多層膜ミラー１１０は図９に示
されるような基板１１８ｂ、緩衝層１１６ａ、解放層１
１４ａ、多層膜１１２ｂで構成された多層膜ミラー１１
０ｂであってもよい。ここで、図９は、光学素子１００
の変形例である光学素子１００ｂを示す図３に対応する
断面図である。解放層１１４ａはエッチング溶液に可溶
であるが、緩衝層１１６ａはエッチング溶液と反応しに
くい。
１００において、個々の多層膜ミラー１１０は図９に示
されるような基板１１８ｂ、緩衝層１１６ａ、解放層１
１４ａ、多層膜１１２ｂで構成された多層膜ミラー１１
０ｂであってもよい。ここで、図９は、光学素子１００
の変形例である光学素子１００ｂを示す図３に対応する
断面図である。解放層１１４ａはエッチング溶液に可溶
であるが、緩衝層１１６ａはエッチング溶液と反応しに
くい。
【００３９】解放層１１４ａとして有効な素材としては
ゲルマニウム、クロムなどが挙げられる。緩衝層１１６
ａとして適しているものは炭素である。ゲルマニウムの
解放層１１４ａは室温の水酸化ナトリウム溶液で急速に
エッチングされる。またクロムの解放層１１４ａはＴＦ
Ｍ型エッチング剤によりエッチングされる。解放層１１
４ａを除去した後に、炭素は任意にドライエッチングプ
ロセス（例えばオゾン中における低温プラズマエッチン
グ）で除去される。
ゲルマニウム、クロムなどが挙げられる。緩衝層１１６
ａとして適しているものは炭素である。ゲルマニウムの
解放層１１４ａは室温の水酸化ナトリウム溶液で急速に
エッチングされる。またクロムの解放層１１４ａはＴＦ
Ｍ型エッチング剤によりエッチングされる。解放層１１
４ａを除去した後に、炭素は任意にドライエッチングプ
ロセス（例えばオゾン中における低温プラズマエッチン
グ）で除去される。
【００４０】また、分割可能な初段ミラー１００におい
て、個々の多層膜ミラー１１０は図１０で示されるよう
に基板１１８ｃ、緩衝層１１６ｂ、多層膜１１２ｃで構
成された多層膜ミラー１１０ｃであってもよい。ここ
で、図１０は、光学素子１００の変形例である光学素子
１００ｃを示す図３に対応する断面図である。多層膜１
１２ｃはドライエッチングにより除去されるが、緩衝層
１１６ｂはドライエッチングに対し反応しにくい。この
ため基板１１８ｃの形状を変化させずに反射率の低下し
た多層膜１１２ｃだけをドライエッチングにより除去す
ることができる。緩衝層はドライエッチングにより除去
されない材料もしくは多層膜の除去速度と比べて１００
０分の１以下の除去速度を持つものが好ましい。
て、個々の多層膜ミラー１１０は図１０で示されるよう
に基板１１８ｃ、緩衝層１１６ｂ、多層膜１１２ｃで構
成された多層膜ミラー１１０ｃであってもよい。ここ
で、図１０は、光学素子１００の変形例である光学素子
１００ｃを示す図３に対応する断面図である。多層膜１
１２ｃはドライエッチングにより除去されるが、緩衝層
１１６ｂはドライエッチングに対し反応しにくい。この
ため基板１１８ｃの形状を変化させずに反射率の低下し
た多層膜１１２ｃだけをドライエッチングにより除去す
ることができる。緩衝層はドライエッチングにより除去
されない材料もしくは多層膜の除去速度と比べて１００
０分の１以下の除去速度を持つものが好ましい。
【００４１】また、分割可能な初段ミラー（光学素子）
１００において、図１１に示すように個々の多層膜ミラ
ー１１０の上面にＥＵＶ光に対して透明なポリエステル
樹脂もしくはアクリル樹脂の保護膜１２０を形成した多
層膜ミラー１１０ｄであってもよい。ここで、図１１
は、光学素子１００の変形例である光学素子１００ｄを
示す図３に対応する断面図である。保護膜１２０は多層
膜１１２ｄ上にスピンコートにより形成されるためミラ
ー１１０を平面に近く分割することで、多層膜１１２ｄ
の成膜だけでなく保護膜１２０の形成時に均一な厚さで
薄い膜が付けやすいなどの利点がある。ＥＵＶ光源２１
０からでるデブリや真空容器内の不純物は、保護膜１２
０の表面に付着し、もしくは保護膜１２０に衝突するた
め、それより下層の多層膜１１２ｄを傷めない。反射率
が低下したら有機溶剤もしくはアルカリ性溶剤を用いて
保護膜１２０を溶解し、再び保護膜１２０を多層膜１１
２ｄ上に形成することで多層膜ミラー１１０ｄを再利用
する。保護膜１２０の溶解時も多層膜ミラー１１０ｄが
小型化されている方がもちろん容易である。保護膜１２
０は上記の樹脂に限らず、ＥＵＶ光に対して透明とみな
せる透過率を持つ材質であればよい。厚すぎると透過率
が低下してしまうので、多層膜を保護できる範囲で極力
薄くつけることが好ましい。図１２にポリプロピレン
０．１ミクロンの透過率の波長依存性を、図１３にポリ
プロピレンのａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ示
す。波長１３ｎｍで８０％程度の透過率が必要な場合、
ポリプロピレン保護膜の膜厚は０．０５ミクロンが適当
である。
１００において、図１１に示すように個々の多層膜ミラ
ー１１０の上面にＥＵＶ光に対して透明なポリエステル
樹脂もしくはアクリル樹脂の保護膜１２０を形成した多
層膜ミラー１１０ｄであってもよい。ここで、図１１
は、光学素子１００の変形例である光学素子１００ｄを
示す図３に対応する断面図である。保護膜１２０は多層
膜１１２ｄ上にスピンコートにより形成されるためミラ
ー１１０を平面に近く分割することで、多層膜１１２ｄ
の成膜だけでなく保護膜１２０の形成時に均一な厚さで
薄い膜が付けやすいなどの利点がある。ＥＵＶ光源２１
０からでるデブリや真空容器内の不純物は、保護膜１２
０の表面に付着し、もしくは保護膜１２０に衝突するた
め、それより下層の多層膜１１２ｄを傷めない。反射率
が低下したら有機溶剤もしくはアルカリ性溶剤を用いて
保護膜１２０を溶解し、再び保護膜１２０を多層膜１１
２ｄ上に形成することで多層膜ミラー１１０ｄを再利用
する。保護膜１２０の溶解時も多層膜ミラー１１０ｄが
小型化されている方がもちろん容易である。保護膜１２
０は上記の樹脂に限らず、ＥＵＶ光に対して透明とみな
せる透過率を持つ材質であればよい。厚すぎると透過率
が低下してしまうので、多層膜を保護できる範囲で極力
薄くつけることが好ましい。図１２にポリプロピレン
０．１ミクロンの透過率の波長依存性を、図１３にポリ
プロピレンのａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ示
す。波長１３ｎｍで８０％程度の透過率が必要な場合、
ポリプロピレン保護膜の膜厚は０．０５ミクロンが適当
である。
【００４２】照明光学系２２０はＥＵＶ光を伝播してマ
スク又はレチクル（本出願では両者を交換可能に使用す
る。）２３０を照明する。図１において、照明光学系２
２０は、第１乃至第３ミラー２２１、２２２及び２２３
と、オプティカルインテグレータ２２４と、アパーチャ
２２５とを有する。第１ミラー２２１はプラズマ２１５
からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める。オプテ
ィカルインテグレータ２２４はレチクル２３０を均一に
所定の開口数で照明する。また、それらのＥＵＶ光は第
２乃至第３ミラー２２２乃至２２３によってレチクル２
３０へリレーされる。アパーチャ２２５は照明光学系２
２０のレチクル２３０と共役な位置に配置され、レチク
ル２３０面で照明される領域を円弧状に限定する。
スク又はレチクル（本出願では両者を交換可能に使用す
る。）２３０を照明する。図１において、照明光学系２
２０は、第１乃至第３ミラー２２１、２２２及び２２３
と、オプティカルインテグレータ２２４と、アパーチャ
２２５とを有する。第１ミラー２２１はプラズマ２１５
からほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める。オプテ
ィカルインテグレータ２２４はレチクル２３０を均一に
所定の開口数で照明する。また、それらのＥＵＶ光は第
２乃至第３ミラー２２２乃至２２３によってレチクル２
３０へリレーされる。アパーチャ２２５は照明光学系２
２０のレチクル２３０と共役な位置に配置され、レチク
ル２３０面で照明される領域を円弧状に限定する。
【００４３】投影光学系２５０は、マスク２３０上のパ
ターンを被処理体Ｗ上に縮小投影する反射型縮小投影光
学系であって、特に、ＥＵＶ光（例えば、波長１３．４
ｎｍ）に好適な光学系である。
ターンを被処理体Ｗ上に縮小投影する反射型縮小投影光
学系であって、特に、ＥＵＶ光（例えば、波長１３．４
ｎｍ）に好適な光学系である。
【００４４】レチクルステージ２６０とウェハステージ
２７０は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査す
る機構をもつ。ここで、レチクル２３０又は被処理体Ｗ
面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル
２３０又は被処理体Ｗ面に垂直な方向をＺとする。
２７０は、縮小倍率に比例した速度比で同期して走査す
る機構をもつ。ここで、レチクル２３０又は被処理体Ｗ
面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル
２３０又は被処理体Ｗ面に垂直な方向をＺとする。
【００４５】レチクル２３０には所望のパターンが形成
され、レチクルステージ２６０上の図示しないレチクル
チャックに保持される。レチクルステージ２６０はＸ方
向に移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方
向、及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、レチ
クル２３０の位置決めができるようになっている。レチ
クルステージ２６０の位置と姿勢はレーザ干渉計によっ
て計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御され
る。なお、本実施形態ではレチクル２３０は反射型レチ
クルとして実現されているが、投影光学系１００はレチ
クル２３０からの主光線の傾きを小さくすることがで
き、透過型レチクル又は反射型レチクルのどちらでも適
用可能である。
され、レチクルステージ２６０上の図示しないレチクル
チャックに保持される。レチクルステージ２６０はＸ方
向に移動する機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方
向、及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、レチ
クル２３０の位置決めができるようになっている。レチ
クルステージ２６０の位置と姿勢はレーザ干渉計によっ
て計測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御され
る。なお、本実施形態ではレチクル２３０は反射型レチ
クルとして実現されているが、投影光学系１００はレチ
クル２３０からの主光線の傾きを小さくすることがで
き、透過型レチクル又は反射型レチクルのどちらでも適
用可能である。
【００４６】被処理体Ｗは、本実施形態ではウェハであ
るが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体
Ｗにはフォトレジストが塗布されている。フォトレジス
ト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フ
ォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前
処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理
は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表
面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理で
あり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａ
ｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プ
リベークはベーキング（焼成）工程であるが現像後のそ
れよりもソフトであり、溶剤を除去する。
るが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体
Ｗにはフォトレジストが塗布されている。フォトレジス
ト塗布工程は、前処理と、密着性向上剤塗布処理と、フ
ォトレジスト塗布処理と、プリベーク処理とを含む。前
処理は洗浄、乾燥などを含む。密着性向上剤塗布処理
は、フォトレジストと下地との密着性を高めるための表
面改質（即ち、界面活性剤塗布による疎水性化）処理で
あり、ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ−ｄｉｓｉｌａ
ｚａｎｅ）などの有機膜をコート又は蒸気処理する。プ
リベークはベーキング（焼成）工程であるが現像後のそ
れよりもソフトであり、溶剤を除去する。
【００４７】被処理体Ｗは、図示しないウェハチャック
によってウェハステージ２７０に保持される。ウェハス
テージ２７０はレチクルステージ２６０と同様にＸ方向
に移動する移動機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ
方向、及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、被
処理体Ｗの位置決めができるようになっている。ウェハ
ステージ２７０の位置と姿勢はレーザ干渉計によって計
測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
によってウェハステージ２７０に保持される。ウェハス
テージ２７０はレチクルステージ２６０と同様にＸ方向
に移動する移動機構をもつ。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ
方向、及び各軸の回りの回転方向に微動機構をもち、被
処理体Ｗの位置決めができるようになっている。ウェハ
ステージ２７０の位置と姿勢はレーザ干渉計によって計
測され、その結果に基づいて位置と姿勢が制御される。
【００４８】アライメント検出光学系２４０によってレ
チクル２３０の位置と投影光学系１００の光軸との位置
関係、及び被処理体Ｗの位置と投影光学系１００の光軸
との位置関係が計測され、レチクル２３０の投影像が被
処理体Ｗの所定の位置に一致するようにレチクルステー
ジ２６０及びウェハステージ２７０の位置と角度が設定
される。また、図示しないフォーカス検出光学系によっ
て被処理体Ｗ面でＺ方向のフォーカス位置が計測され、
ウェハステージ２７０の位置及び角度を制御することに
よって、露光中は常時ウェハ面を投影光学系１００によ
る結像位置に保つ。
チクル２３０の位置と投影光学系１００の光軸との位置
関係、及び被処理体Ｗの位置と投影光学系１００の光軸
との位置関係が計測され、レチクル２３０の投影像が被
処理体Ｗの所定の位置に一致するようにレチクルステー
ジ２６０及びウェハステージ２７０の位置と角度が設定
される。また、図示しないフォーカス検出光学系によっ
て被処理体Ｗ面でＺ方向のフォーカス位置が計測され、
ウェハステージ２７０の位置及び角度を制御することに
よって、露光中は常時ウェハ面を投影光学系１００によ
る結像位置に保つ。
【００４９】被処理体Ｗ上で１回のスキャン露光が終わ
ると、ウェハステージ２７０はＸ、Ｙ方向にステップ移
動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクルス
テージ２６０及びウェハステージ２７０が投影光学系の
縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
ると、ウェハステージ２７０はＸ、Ｙ方向にステップ移
動して次の走査露光開始位置に移動し、再びレチクルス
テージ２６０及びウェハステージ２７０が投影光学系の
縮小倍率に比例した速度比でＸ方向に同期走査する。
【００５０】このようにして、レチクル２３０の縮小投
影像が被処理体Ｗ上に結像した状態でそれらを同期走査
するという動作が繰り返される。（ステップ・アンド・
スキャン）。こうして被処理体Ｗ全面にレチクル２３０
の転写パターンが転写される。
影像が被処理体Ｗ上に結像した状態でそれらを同期走査
するという動作が繰り返される。（ステップ・アンド・
スキャン）。こうして被処理体Ｗ全面にレチクル２３０
の転写パターンが転写される。
【００５１】また、ＥＵＶ光がガスにより吸収されるの
を防止するため、さらにはＥＵＶ光が照射される光学素
子が置かれた空間に残留していた炭素を含む分子を付着
させないために、ＥＵＶ光が伝播する空間や光学素子が
置かれた空間は、一定の圧力以下に保たれている必要が
ある。よって、光源や照明光学系２２０や投影光学系１
００の光学素子、レチクル２３０、被処理体Ｗなどは真
空容器２８０に入れられ真空度を満たすように排気され
る。
を防止するため、さらにはＥＵＶ光が照射される光学素
子が置かれた空間に残留していた炭素を含む分子を付着
させないために、ＥＵＶ光が伝播する空間や光学素子が
置かれた空間は、一定の圧力以下に保たれている必要が
ある。よって、光源や照明光学系２２０や投影光学系１
００の光学素子、レチクル２３０、被処理体Ｗなどは真
空容器２８０に入れられ真空度を満たすように排気され
る。
【００５２】露光において、ＥＵＶ光源２１０から射出
されたＥＵＶ光は初段ミラー（光学素子）１００により
集光されて照明光学系２２０によりマスク２３０を照明
し、マスク２３０面上のパターンをレジストを塗布した
ウエハ等の被処理体Ｗ面上に結像する。本実施例におい
て、像面は円弧状（リング状）の像面となり、マスクと
ウェハを縮小倍率比の速度比でスキャンすることによ
り、マスクの全面を露光することができる。
されたＥＵＶ光は初段ミラー（光学素子）１００により
集光されて照明光学系２２０によりマスク２３０を照明
し、マスク２３０面上のパターンをレジストを塗布した
ウエハ等の被処理体Ｗ面上に結像する。本実施例におい
て、像面は円弧状（リング状）の像面となり、マスクと
ウェハを縮小倍率比の速度比でスキャンすることによ
り、マスクの全面を露光することができる。
【００５３】露光装置の光源部は、本実施形態の記載の
みに限定されない。例えば、光源部はディスチャージ方
式の一つであるＺピンチ方式、プラズマ・フォーカス、
キャピラリー・ディスチャージ、ホロウカソード・トリ
ガードＺピンチ等を使用しても良い。
みに限定されない。例えば、光源部はディスチャージ方
式の一つであるＺピンチ方式、プラズマ・フォーカス、
キャピラリー・ディスチャージ、ホロウカソード・トリ
ガードＺピンチ等を使用しても良い。
【００５４】次に、図１４及び図１５を参照して、上述
の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説
明する。図１４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導
体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するための
フローチャートである。ここでは、半導体チップの製造
を例に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイス
の回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステ
ップ３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いて
ウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前
工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技
術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を
行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。
の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説
明する。図１４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導
体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するための
フローチャートである。ここでは、半導体チップの製造
を例に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイス
の回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設
計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステ
ップ３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いて
ウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前
工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技
術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ
５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体
デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を
行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、こ
れが出荷（ステップ７）される。
【００５５】図１５は、図１４に示すステップ４のウェ
ハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１
１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１
２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着
などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込
み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レ
ジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ
１６（露光）では、露光装置１０によってマスクの回路
パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）で
は、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路
パターンが形成される。
ハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１
１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１
２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着
などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込
み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レ
ジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ
１６（露光）では、露光装置１０によってマスクの回路
パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）で
は、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチ
ング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステ
ップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路
パターンが形成される。
【００５６】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないこと
はいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び
変更が可能である。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないこと
はいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び
変更が可能である。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、曲率の大きい光学素子
を分割することで容易に多層膜および保護膜の形成がで
き、さらにこれらの除去も容易にできる。このためミラ
ーの反射率が低下した時点で多層膜もしくは保護膜を交
換し、反射率を初期の状態に戻すことができる。
を分割することで容易に多層膜および保護膜の形成がで
き、さらにこれらの除去も容易にできる。このためミラ
ーの反射率が低下した時点で多層膜もしくは保護膜を交
換し、反射率を初期の状態に戻すことができる。
【図１】 本発明の一側面としての露光装置を示す模式
図である。
図である。
【図２】 図１に示すＥＵＶ光源近傍を示す拡大模式図
である。
である。
【図３】 図２に示す光学素子を構成する一のミラーを
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図４】 蒸着装置を示す概略模式図である。
【図５】 図２に示す光学素子が分割される様子を示す
模式図である。
模式図である。
【図６】 光学素子の一例を示す模式図である。
【図７】 分割された多層膜ミラーの平面からのずれを
示す図である。
示す図である。
【図８】 光学素子の変形例である光学素子を示す図３
に対応する断面図である。
に対応する断面図である。
【図９】 光学素子の変形例である光学素子を示す図３
に対応する断面図である。
に対応する断面図である。
【図１０】 光学素子の変形例である光学素子を示す図
３に対応する断面図である。
３に対応する断面図である。
【図１１】 光学素子の変形例である光学素子を示す図
３に対応する断面図である。
３に対応する断面図である。
【図１２】 ポリプロピレン０．１ミクロンの透過率の
波長依存性を示す図である。
波長依存性を示す図である。
【図１３】 ポリプロピレンのａｔｔｅｎｕａｔｉｏｎ
ｌｅｎｇｔｈ示す図である。
ｌｅｎｇｔｈ示す図である。
【図１４】 デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チッ
プ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフロー
チャートである。
プ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフロー
チャートである。
【図１５】 図１４に示すステップ４のウェハプロセス
の詳細なフローチャートである。
の詳細なフローチャートである。
１０ 露光装置
１００ 光学素子
２１０ ＥＵＶ光源
２２０ 照明光学系
２３０ マスク
２４０ アライメント光学系
２５０ 投影光学系
２６０ レチクルステージ
２７０ ウェハステージ
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Ｆターム(参考） 2H042 DA01 DA12 DA15 DC02 DD07
DE00
2H097 AA03 CA15 LA10
5F046 BA05 CA08 CB02 CB03 CB23
GA03 GA06 GA07 GB01 GC03
Claims (17)
- 【請求項１】 分割可能に組み合わされた複数の多層膜
ミラーより構成された光学素子であって、前記多層膜ミ
ラーが再生可能であることを特徴とする光学素子。 - 【請求項２】 前記光学素子は凹面形状を有し、入射し
た光線を集光する作用を有する請求項１記載の光学素
子。 - 【請求項３】 前記多層膜ミラーは前記光学素子に対す
る光線入射角の等しい線に沿って分割可能となるような
辺を有する請求項１又は２記載の光学素子。 - 【請求項４】 前記多層膜ミラーは基板上に解放層、多
層膜が順次積層された積層構造を有し、 前記解放層は前記基板との反応が少ない溶解液により溶
解可能である請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の
光学素子。 - 【請求項５】 前記解放層は前記溶解液に対して、基板
の１０００倍以上の速度で溶解する請求項４に記載の光
学素子。 - 【請求項６】 複数の前記多層膜ミラーは基板上に緩衝
層、多層膜が順次積層された積層構造を有し、 前記多層膜は前記緩衝層と反応の少ないエッチング溶液
に溶解可能である請求項１乃至４のうちいずれか一項記
載の光学素子。 - 【請求項７】 前記緩衝層は前記エッチング溶液に対し
て前記多層膜の溶解速度の１０００分の１以下の速度で
溶解する請求項６に記載の光学素子。 - 【請求項８】 複数の前記多層膜ミラーは基板上に緩衝
層、多層膜が順次積層された積層構造を有し、 前記多層膜は前記緩衝層と反応の少ないドライエッチン
グプロセスにより除去可能である請求項１乃至７のうち
いずれか一項記載の光学素子。 - 【請求項９】 前記緩衝層は前記ドライエッチングプロ
セスに対して前記多層膜の除去速度の１０００分の１以
下の速度で除去される請求項８に記載の光学素子。 - 【請求項１０】 複数の前記多層膜ミラーは基盤上に緩
衝層、解放層、多層膜が順次積層された積層構造を有
し、 前記解放層は前記緩衝層とは、反応が少ない溶解液によ
り溶解可能である請求項１乃至３のうちいずれか一項記
載の光学素子。 - 【請求項１１】 前記解放層は前記溶解液に対して、緩
衝層の１０００倍以上の速度で溶解する請求項１０に記
載の光学素子。 - 【請求項１２】 複数の前記多層膜ミラーは波長２０ｎ
ｍ以下の極紫外光を反射可能で当該多層膜ミラーを保護
する保護膜を有する請求項１乃至３のうちいずれか一項
記載の光学素子。 - 【請求項１３】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させる
Ｘ線光源と、 前記Ｘ線光源から発生した前記Ｘ線を集光する請求項１
乃至１２のうちいずれか一項記載の光学素子とを有する
光源装置。 - 【請求項１４】 プラズマを発生し、Ｘ線を発生させる
Ｘ線光源部と、 請求項１乃至１２のうちいずれか一項記載の光学素子を
前記Ｘ線光源部側の初段に備えて当該光学素子を経た光
束を用いてレチクル又はマスクを照明する照明光学系
と、 前記レチクル又はマスクに形成されたパターンを被処理
体に投影する投影光学系とを有する露光装置。 - 【請求項１５】 請求項１３記載の光源装置と、 前記光源装置からの光束を用いてレチクル又はマスクを
照明する照明光学系と、 前記レチクル又はマスクに形成されたパターンを被処理
体に投影する投影光学系とを有する露光装置。 - 【請求項１６】 請求項１４又は１５記載の露光装置を
用いて前記被処理体を投影露光する工程と、 前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行
う工程とを有するデバイス製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１４又は１５記載の露光装置を
用いて投影露光された被処理体により製造されるデバイ
ス。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007127698A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その再生方法および露光装置 |
| JP2008103545A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びコレクタミラー |
| JP2008108822A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びコレクタミラー装置 |
| JP2008118131A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| JP2010500776A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ光学器械 |
| CN101986207A (zh) * | 2009-07-28 | 2011-03-16 | 日本精工株式会社 | 曝光装置以及曝光方法 |
| JP2013513955A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ波長域用のミラー、当該ミラー用の基板、当該ミラー又は当該基板を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
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Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080218709A1 (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Removal of deposition on an element of a lithographic apparatus |
| DE102008054882A1 (de) * | 2008-01-08 | 2009-07-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reparaturverfahren für optische Elemente mit Beschichtung und entsprechende optische Elemente |
| DE102008040964B4 (de) * | 2008-08-04 | 2010-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Entfernen reflektierender Schichten von EUV-Spiegeln |
| DE102009047179B8 (de) * | 2009-11-26 | 2016-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsobjektiv |
| DE102012200454A1 (de) * | 2012-01-13 | 2013-01-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements und reflektives optisches Element |
| DE102012207141A1 (de) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Verfahren zur Reparatur von optischen Elementen sowie optisches Element |
| WO2014207014A1 (de) | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage sowie verfahren zur bearbeitung eines spiegels |
| DE102013212467A1 (de) * | 2013-06-27 | 2014-04-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Entfernbare beschichtung eines optischen elements |
| DE102013215541A1 (de) | 2013-08-07 | 2015-02-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
| DE102019120284A1 (de) * | 2018-08-08 | 2020-02-13 | Schott Ag | Spiegel sowie Spiegelträger mit hohem Aspektverhältnis sowie Verfahren und Mittel zur Herstellung eines solchen Spiegelträgers |
| DE102021200748A1 (de) * | 2021-01-28 | 2022-07-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element und Verfahren zur Reparatur und/oder Aufbereitung eines reflektiven optischen Elements |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2003A (en) * | 1841-03-12 | Improvement in horizontal windivhlls | ||
| US52987A (en) * | 1866-03-06 | Improved reflector for head-lights | ||
| US4056309A (en) * | 1976-05-04 | 1977-11-01 | General Dynamics Corporation | Renewable surface heliostat type solar mirror |
| US4153929A (en) * | 1976-10-20 | 1979-05-08 | Meddev Corporation | Light assembly |
| LU78535A1 (fr) * | 1977-11-17 | 1979-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element composite comportant une pluralite de pieces solidarisees a un support et element composite ainsi obtenu |
| US4770824A (en) * | 1980-01-07 | 1988-09-13 | Roxor Corporation | Process of making a casting die for forming a segmented mirror |
| US4545000A (en) * | 1983-10-03 | 1985-10-01 | Gte Products Corporation | Projection lamp unit |
| US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
| JPH0782117B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1995-09-06 | オリンパス光学工業株式会社 | 反射型結像光学系 |
| JP2865257B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1999-03-08 | オリンパス光学工業株式会社 | シュヴアルツシルド光学系 |
| US5872663A (en) * | 1992-03-06 | 1999-02-16 | Quantum Corporation | Apparatus and method for fabricating a deflection mirror tower |
| US5356662A (en) * | 1993-01-05 | 1994-10-18 | At&T Bell Laboratories | Method for repairing an optical element which includes a multilayer coating |
| US5265143A (en) * | 1993-01-05 | 1993-11-23 | At&T Bell Laboratories | X-ray optical element including a multilayer coating |
| DE4301463A1 (de) * | 1993-01-20 | 1994-07-21 | Wissenschaftlich Tech Optikzen | Verfahren zur Beschichtung von Spiegeln hoher Reflektivität und Spiegel mit einer Beschichtung |
| US5361292A (en) * | 1993-05-11 | 1994-11-01 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Condenser for illuminating a ring field |
| US5677939A (en) * | 1994-02-23 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Illuminating apparatus |
| US5682415A (en) * | 1995-10-13 | 1997-10-28 | O'hara; David B. | Collimator for x-ray spectroscopy |
| US5737137A (en) * | 1996-04-01 | 1998-04-07 | The Regents Of The University Of California | Critical illumination condenser for x-ray lithography |
| US6108397A (en) * | 1997-11-24 | 2000-08-22 | Focused X-Rays, Llc | Collimator for x-ray proximity lithography |
| US6110607A (en) * | 1998-02-20 | 2000-08-29 | The Regents Of The University Of California | High reflectance-low stress Mo-Si multilayer reflective coatings |
| DE19923609A1 (de) * | 1998-05-30 | 1999-12-02 | Zeiss Carl Fa | Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie |
| US6118577A (en) * | 1998-08-06 | 2000-09-12 | Euv, L.L.C | Diffractive element in extreme-UV lithography condenser |
| JP2000100685A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
| US6195201B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-02-27 | Svg Lithography Systems, Inc. | Reflective fly's eye condenser for EUV lithography |
| DE19910192C2 (de) * | 1999-03-09 | 2002-04-04 | Schott Auer Gmbh | Reflektor mit einem konkaven rotationssymmetrischen Grundkörper und einer Facetten aufweisenden Reflexionsfläche |
| JP2001110709A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及び露光装置ならびに集積回路の製造方法。 |
| US6382803B1 (en) * | 2000-05-02 | 2002-05-07 | Nsi Enterprises, Inc. | Faceted reflector assembly |
| EP1174770A3 (en) * | 2000-07-13 | 2004-05-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US6634760B2 (en) * | 2001-08-27 | 2003-10-21 | The Regents Of The University Of California | Low-cost method for producing extreme ultraviolet lithography optics |
| US20030081722A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-05-01 | Nikon Corporation | Multilayer-film mirrors for use in extreme UV optical systems, and methods for manufacturing such mirrors exhibiting improved wave aberrations |
-
2002
- 2002-05-17 JP JP2002142454A patent/JP3919599B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-05-13 EP EP03252971A patent/EP1365263A1/en not_active Withdrawn
- 2003-05-16 US US10/439,711 patent/US20030214735A1/en not_active Abandoned
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-
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Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8907310B2 (en) | 2005-06-29 | 2014-12-09 | Asml Netherlands B.V. | EUV optics |
| JP2007127698A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その再生方法および露光装置 |
| US8598549B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-12-03 | Cymer, Llc | EUV optics |
| JP2010500776A (ja) * | 2006-08-16 | 2010-01-07 | サイマー インコーポレイテッド | Ｅｕｖ光学器械 |
| JP2008103545A (ja) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びコレクタミラー |
| JP2008108822A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置及びコレクタミラー装置 |
| JP2008118131A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
| JP4672709B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2011-04-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置および方法 |
| CN101986207A (zh) * | 2009-07-28 | 2011-03-16 | 日本精工株式会社 | 曝光装置以及曝光方法 |
| JP2013513955A (ja) * | 2009-12-15 | 2013-04-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ波長域用のミラー、当該ミラー用の基板、当該ミラー又は当該基板を備えるマイクロリソグラフィ用の投影対物レンズ、及び当該投影対物レンズを備えるマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
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