JP2003324249A - 面発光型半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光の吸収は増大させることなく電流の低抵抗
化を実現した面発光型半導体レーザ及びその製造方法を
提供すること。 【解決手段】 第１の多層半導体膜ミラー２と、その第
１の多層半導体膜ミラー２と逆導電型の第２の多層半導
体膜ミラー４とで発光層３を挟んで成る光共振器１１ａ
が絶縁基板５０上に柱状に積層されており、第１の多層
半導体膜ミラー２と同導電型の第１の埋め込み層１２ａ
と、第２の多層半導体膜ミラー４と同導電型の第２の埋
め込み層１６とが、光共振器１１ａの側面に平行な面を
境界面として互いに接して、且つそれぞれが光共振器１
１ａの側面にも接してその側面を囲んで面発光型半導体
レーザ２１が構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板面に対して垂
直な方向にレーザ光が出射される面発光型半導体レーザ
及びその製造方法に関し、更に詳しくは、発光層を挟む
ｐ、ｎ型の多層半導体膜ミラーに横方向からキャリアが
注入される構造を有する面発光型半導体レーザ及びその
製造方法に係るものである。

【０００２】

【従来の技術】基板面（レーザ素子が形成された主面）
に対して垂直にレーザ光が出射される面発光型半導体レ
ーザは、端面発光型半導体レーザに比べて発振しきい値
電流が１桁ほど小さい、２次元的に高集積化が可能など
の優れた特長を有し、光通信への応用を中心に期待が高
まっている。中でも、光共振器も主面に対して垂直な垂
直共振器型（VCSEL;Vertical Cavity Surface Emitting
Laser）と呼ばれる面発光型半導体レーザについて以下
説明する。これは、大半の領域を光フィードバックのた
めの多層半導体膜ミラー（DBR;Distributed Bragg Refl
ector ）が占めている。多層半導体膜ミラーには、通
常、２種の屈折率の異なる半導体材料を発振波長の１／
４波長の厚さで交互に積層した多層膜が用いられる。

【０００３】以下、図１６〜図１９を参照して、従来例
の面発光型レーザの構成及び製造方法について説明す
る。

【０００４】先ず、図１６に示すように、MOCVD（Metal
Organic Chemical Vapor Deposition）法あるいはMBE
（Molecular Beam Epitaxy ）法などの結晶成長法で、
ｎ型半導体基板１の主面上に、ｎ型多層半導体膜ミラー
２、発光層３、ｐ型多層半導体膜ミラー４を順に成長さ
せる。これによって、発光層３をｎ型多層半導体膜ミラ
ー２とｐ型多層半導体膜ミラー４とで上下に挟んでなる
光共振器が、ｎ型半導体基板１の主面に対して垂直に形
成される。

【０００５】ｎ型半導体基板１は、例えばｎ型GaAsでな
る。ｎ型多層半導体膜ミラー２は、例えばｎ型AlAsとｎ
型AlGaAsのヘテロ接合層を１ペアとして、これが数十ペ
ア積層されて構成される。ｐ型多層半導体膜ミラー４
は、例えばｐ型AlAsとｐ型AlGaAsのヘテロ接合層を１ペ
アとして、これが数十ペア積層されて構成される。発光
層３は、例えばGaAsのウェル（井戸層）をAlGaAsで上下
に挟んで構成される。

【０００６】光共振器の結晶成長後、通常、例えば特開
２０００−１９６１８９号公報に示されているように、
電流狭窄構造が形成される。これは、図１７に示すよう
に、レーザ光の出射部となるべき部分の上面に形成され
たマスク６をマスクとして、Ｈ⁺ などのイオン注入が行
われ、レーザ光の出射部の周囲に高抵抗化領域５を形成
する。これによって、動作時に、レーザ光の出射部は局
所的に電流密度が高められる。

【０００７】この後、図１８に示すように、ｐ型多層半
導体膜ミラー４とオーミック接触をとるｐ側電極（金属
膜）７と、ｎ型半導体基板１とオーミック接触をとるｎ
側電極（金属膜）８が形成される。ｐ側電極７は、光共
振器の上面に開口（アパーチャ）７ａを形成して、例え
ば蒸着法で形成される。ｎ側電極８は、ｎ型半導体基板
１の裏側全面に、例えば蒸着法で形成される。なお、図
２０は図１９を上から見た平面図である。

【０００８】以上のように構成される面発光型半導体レ
ーザにおいて、両電極７、８を介して、図１８に示すよ
うに、順方向の電圧をかけると、ｐ型多層半導体膜ミラ
ー４からはホールが矢印ｈで示すように発光層３に注入
され、ｎ型半導体基板１及びｎ型多層半導体膜ミラー２
からは電子が矢印ｅで示すように発光層３に注入され
る。これによって、光共振器長によって決定される波長
のレーザ光Ｌが、ｐ側電極７に形成された開口７ａを通
って上方へと出射される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の面
発光型半導体レーザでは、多数のヘテロ障壁を有する多
層半導体膜ミラー２、４を通して、キャリアを発光層３
に注入するため抵抗が大きくなるという問題がある。特
に、ｐ側のキャリアであるホールは電子に比べて移動度
が１／１０以下と小さいため、ｐ側で特に抵抗が大きく
なってしまう。更に、上述の構成のように、レーザ光Ｌ
の取り出し側とｐ側電極７とが重なる場合には、レーザ
光Ｌの出射を許容する開口７ａを形成するためｐ側電極
７を部分的に除去している。このため、ｐ側電極７とｐ
型多層半導体膜ミラー４との接触部９は狭いリング状と
なり（図１９参照）、接触抵抗を高くしている。

【００１０】なお、ｐ型多層半導体膜ミラー４を構成す
るAlAs層や、AlAs層とAlGaAs層との界面に高濃度に例え
ばZnをドーピングして、ｐ型多層半導体膜ミラー４中の
キャリア濃度を高くして低抵抗化する方法がある。しか
し、Znなどのドーピングによりキャリア濃度上げると光
の吸収が多くなってしまう。光の吸収量の増大は、発振
しきい値電流の増大や発光効率の低下を引き起こし、こ
の結果、駆動電流の増大、すなわち消費電力の増大を招
く。また、不純物のドーピングは、その制御性や再現性
が難しく、特性のばらつきを招くといった問題もある。

【００１１】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その
目的とするところは、光の吸収は増大させることなく電
流の低抵抗化を実現した面発光型半導体レーザ及びその
製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】以上の課題は、第１の多
層半導体膜ミラーと、その第１の多層半導体膜ミラーと
逆導電型の第２の多層半導体膜ミラーとで発光層を挟ん
で成る光共振器が、絶縁基板上に柱状に積層されてお
り、第１の多層半導体膜ミラーと同導電型の第１の埋め
込み層と、第２の多層半導体膜ミラーと同導電型の第２
の埋め込み層とが、光共振器の側面に平行な面を境界面
として互いに接して、且つそれぞれが光共振器の側面に
も接してその側面を囲んでいる面発光型半導体レーザ、
によって解決される。

【００１３】また、以上の課題は、発光層を第１の多層
半導体膜ミラーと、この第１の多層半導体膜ミラーと逆
導電型の第２の多層半導体膜ミラーとで挟んで成る光共
振器を絶縁基板上に形成する工程と、その光共振器を選
択的にエッチングして柱状にする工程と、第１の多層半
導体膜ミラーと同導電型の第１の埋め込み層を、光共振
器の側面を囲むようにその側面に接して形成する工程
と、第１の埋め込み層を選択的にエッチングして、光共
振器の側面を部分的に露出させる工程と、その露出され
た光共振器の側面を、第２の多層半導体膜ミラーと同導
電型の第２の埋め込み層で覆う工程とを有することを特
徴とする面発光型半導体レーザの製造方法、によって解
決される。

【００１４】第１の多層半導体膜ミラーとして例えばｎ
型の多層半導体膜ミラーを、第２の多層半導体膜ミラー
として例えばｐ型の多層半導体膜ミラーを考えると、こ
れらｎ、ｐ型の多層半導体膜ミラー側面には、ｎ型の多
層半導体膜ミラーと同導電型のｎ型の埋め込み層が第１
の埋め込み層として、更にｐ型の多層半導体膜ミラーと
同導電型のｐ型の埋め込み層が第２の埋め込み層として
接している。

【００１５】このような構成のため、ｎ型の多層半導体
膜ミラーにおけるｎ型の埋め込み層が接している部分に
は、その側面側から電子の注入が可能となり、ｐ型の多
層半導体膜ミラーにおけるｐ型の埋め込み層が接してい
る部分には、その側面側からホールの注入が可能とな
る。この結果、電子やホールは、電子やホールにとって
抵抗となる多数のヘテロ障壁を長い距離通らなくて済み
抵抗を低くできる。

【００１６】もちろん、第１の多層半導体膜ミラーをｐ
型の多層半導体膜ミラーとして、第２の多層半導体膜ミ
ラーをｎ型の多層半導体膜ミラーとして、第１の埋め込
み層をｐ型の埋め込み層として、第２の埋め込み層をｎ
型の埋め込み層として考えた場合にも、上述のことは言
える。

【００１７】光共振器は、電流狭窄の機能を実現できる
ように角柱や円柱などの柱状に形成される。光共振器や
埋め込み層は、MOCVD 法やMBE 法などにてエピタキシャ
ル成長させれば、良好なレーザ特性の面発光型半導体レ
ーザが得られる。

【００１８】光共振器を構成する各層の半導体材料の選
択によって様々な波長の面発光型半導体レーザを構成す
ることが可能である。例えば、GaAs系の場合には、多層
半導体膜ミラーとしてはGaAs系の基板上にエピタキシャ
ル成長が可能で、発振波長に対して吸収の少ないAlAs／
（Al）GaAs多層膜を用いるのが一般的である。InP 系の
場合には、InP 系基板上にエピタキシャル成長が可能な
InGaAsP／InP多層膜を用いることができるが、その屈折
率差が非常に小さく高反射率が得にくいため、他の材
料、例えば、SiO₂／Si多層膜や、Al₂O₃ ／Si多層膜など
が用いられることもある。光共振器がGaAs系の場合に
は、埋め込み層もGaAs系とした方が欠陥のない埋め込み
層を得ることができる。同様に、光共振器がInP 系の場
合には、埋め込み層もInP 系とした方が欠陥のない埋め
込み層を得ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。

【００２０】（第１の実施の形態）図１１は、第１の実
施の形態による面発光型半導体レーザ２１の上面図を示
し、図１２は図１１における［１２］−［１２］線方向
の断面図を示す。

【００２１】絶縁基板５０上に発光層（活性領域）３を
含む光共振器を成長させた後、選択的なエッチングを行
い角柱状の光共振器１１ａとする。光共振器１１ａは、
第１の多層半導体膜ミラーとしてのｎ型多層半導体膜ミ
ラー２と、第２の多層半導体膜ミラーとしてのｐ型多層
半導体膜ミラー４とで発光層３を上下に挟んで構成され
る。その光共振器１１ａの周囲を第１の埋め込み層とし
てのｎ型埋め込み層１２ａと、第２の埋め込み層として
のｐ型埋め込み層１６とで囲む。これらｎ型埋め込み層
１２ａ、ｐ型埋め込み層１３は、何れも光共振器１１ａ
の側面に接している。図１１に示すように、ｎ型埋め込
み層１２ａとｐ型埋め込み層１３は、四角柱状の光共振
器１１ａの４つの側面のうちの１つの側面１５を含む平
面（側面１５と同一平面上の平面）を境界面として互い
に接している。

【００２２】以下、具体的に本実施の形態による面発光
型半導体レーザ２１の製造方法について説明する。

【００２３】先ず、図１に示すように、絶縁基板５０上
に、ｎ型多層半導体膜ミラー２、発光層３、ｐ型多層半
導体膜ミラー４を順にエピタキシャル成長させる。これ
によって、発光層３をｎ型多層半導体膜ミラー２とｐ型
多層半導体膜ミラー４とで上下に挟んでなる光共振器１
１が、絶縁基板５０の主面に対して垂直に形成される。

【００２４】絶縁基板５０は、例えばノンドープのGaAs
でなる。あるいは、クロム銅などを用いてもよい。ｎ型
多層半導体膜ミラー２は、例えばｎ型AlAsとｎ型AlGaAs
のヘテロ接合層を１ペアとして、これが数十ペア積層さ
れて構成される。ｐ型多層半導体膜ミラー４は、例えば
ｐ型AlAsとｐ型AlGaAsのヘテロ接合層を１ペアとして、
これが数十ペア積層されて構成される。ｎ型、ｐ型多層
半導体膜ミラー２、４中のAlGaAs層のAl混晶比は例えば
0.1 である。発光層３は、例えばGaAsのウェル（井戸
層）をAlGaAsで上下に挟んで、全体の厚さを波長サイズ
にしている。

【００２５】エピタキシャル成長の方法としては、例え
ばメチル系MOCVD 法が用いられる。更に具体的には、II
I 族元素のガスソースとしてトリメチルガリウム、トリ
メチルアルミニウムを用い、V族元素のガスソースとし
てはAsH₃を、ｎ型ドーパントとしてはH₂Seを、ｐ型ドー
パントとしてはジエチルジンクを用いてＣＶＤを行う。
もちろん、他の結晶成長法、例えばＭＢＥ法を用いても
よい。

【００２６】次いで、光共振器１１上面の正方形状の領
域に絶縁膜などからなるマスク２５を形成し、そのマス
ク２５をマスクとしてＲＩＥ（Reactive Ion Etching）
などの手法を用いてエッチングを行う。これにより、図
２に示すように、四角柱形状の光共振器１１ａが形成さ
れる。なお、ＲＩＥ法でエッチングした後も、光共振器
１１ａ（ｐ型多層半導体膜ミラー４）の上面にはマスク
２５を残しておく。以下、図面上ではマスク２５を網掛
けで示す。

【００２７】次いで、図３に示すように、絶縁基板５０
上に、ｎ型埋め込み層１２をマスク２５とほぼ同じ高さ
になるまでエピタキシャル成長させる。ｎ型埋め込み層
１２は、例えばｎ型AlGaAsでなる。これにより、ｎ型埋
め込み層１２は、光共振器１１ａの全側面に接して取り
囲む。このときの結晶成長法としてはMOCVD 法を用いれ
ば、欠陥のない良好な結晶面を形成させることができ
る。

【００２８】続いて、ｎ型埋め込み層１２の上に、ｎ型
コンタクト層１３（例えばｎ型GaAsでなる）が、MOCVD
法にて結晶成長される。

【００２９】続いて、ｎ型コンタクト層１３の上に、部
分的（光共振器１１ａの左端側の側面１５より右側の全
部分）にマスク１４が形成される。マスク１４は、その
左端側の側面を光共振器１１ａの左端側の側面１５と面
一になるようにして形成される。また、光共振器１１ａ
上に形成されたマスク２５は、マスク１４に覆われる。

【００３０】続いて、そのマスク１４をマスクとして、
ｎ型コンタクト層１３とｎ型埋め込み層１２を順次、絶
縁基板５０の上面が露出するまでエッチングする。この
エッチングは、例えばＲＩＥ法が用いられる。これによ
り、図５に示されるように、光共振器１１ａの左端側側
面１５が露出する。残されたｎ型埋め込み層１２ａは、
光共振器１１ａにおける、側面１５以外の３つの側面に
接して覆っている。

【００３１】続いて、図６に示すように、そのままマス
ク１４は残したまま、そのマスク１４をマスクとして、
絶縁基板５０上に、ｐ型埋め込み層１６をｎ型埋め込み
層１２ａとほぼ同じ高さになるまでエピタキシャル成長
させる。ｐ型埋め込み層１６は、例えばｐ型AlGaAsでな
る。これにより、ｐ型埋め込み層１６は、光共振器１１
ａの左端側側面１５に接してその側面１５を覆う。この
ときの結晶成長法としてはMOCVD 法を用いれば、欠陥の
ない良好な結晶面を形成させることができる。

【００３２】続いて、ｐ型埋め込み層１６の上に、ｐ型
コンタクト層１７（例えばｐ型GaAsでなる）が、MOCVD
法にて結晶成長される。この際、ｎ型コンタクト層１３
ａとｐ型コンタクト層１７との境界を、［０１１］方向
としているため、ｐ型コンタクト層１７の、光共振器１
１ａよりも上方への成長では｛１１１｝Ｂ面が形成さ
れ、ｐ型の領域とｎ型の領域とをきれいに分断させて成
長させることができる。

【００３３】次いで、マスク１４及びマスク２５を除去
して、図７の状態となる。続いて、それぞれのコンタク
ト層１３、１７に、リソグラフィー技術にて矩形状のパ
ターニングを行った後、ウェットエッチングにてその矩
形状パターン以外の部分を除去する。これにより、図８
に示すように、ｎ型埋め込み層１２ａの上に部分的にｎ
型コンタクト層１３ａ’が、ｐ型埋め込み層１６の上に
部分的にｐ型コンタクト層１７’が、それぞれ形成され
る。

【００３４】続いて、図９に示すように、ｎ型コンタク
ト層１３ａ’の上にｎ側電極（金属膜）１９と、ｐ型コ
ンタクト層１７’の上にｐ側電極（金属膜）１８が、そ
れぞれ蒸着法にて形成される。もちろん、電極１８、１
９は蒸着法に限らず、スパッタリング法などで形成して
もよい。

【００３５】最後に、図１０に示すように、ｎ側電極１
９とｐ側電極１８のそれぞれに、例えば金線にてワイヤ
ボンディングが行われて、本実施の形態による面発光型
半導体レーザ２１が得られる。

【００３６】以上のように構成される面発光型半導体レ
ーザ２１において、図１２に示すように、光共振器１１
ａにとって順方向電圧となるように、電極１８、１９に
電圧を印加すると、ｐ型多層半導体膜ミラー４には、ｐ
型埋め込み層１６から、ホールが矢印ｈで示すように注
入されて発光層３に至る。ｎ型多層半導体膜ミラー２に
は、ｎ型埋め込み層１２ａから、電子が矢印ｅで示すよ
うに注入されて発光層３に至る。なお、図１２では、図
１０に示されるボンディングワイヤ２０の図示は省略し
ている。

【００３７】図１１から明らかなように、ホールは光共
振器１１ａの１つの側面１５側から注入され、電子は光
共振器１１ａの側面１５以外の３つの側面側から注入さ
れる。

【００３８】この結果、発光層３にてホールと電子の再
結合により光が生じて、その光が両多層半導体膜ミラー
２、４間で反射されながら増幅されて、光共振器１１ａ
の上面からレーザ光Ｌが出射する。なお、ｐ、ｎ埋め込
み層１６、１２ａの形成される基板５０を絶縁基板とし
ていることで、その基板５０を通じてはｐ、ｎ埋め込み
層１６、１２ａ間に電流は流れず、発光層３のｐｎ接合
に電流が流れ良好な発光作用を行うことができる。

【００３９】このように、本実施の形態では、ホール及
び電子が、ｐ、ｎ多層半導体膜ミラー４、２へと、横方
向（ｐ、ｎ多層半導体膜ミラー４、２の側面側）から注
入されるため、ホール及び電子がｐ、ｎ多層半導体膜ミ
ラー４、２のヘテロ障壁を通る距離を短くでき、この結
果ｐ、ｎ多層半導体膜ミラー４、２での抵抗を低くする
ことができ良好なレーザ特性が得られる。更に、両電極
１８、１９は、レーザ光の出射側に形成されいるにも関
わらず、両電極１８、１９は従来に比べて大きな面積で
もって、ｐ、ｎ領域との接触が可能になるので、このこ
とも低抵抗化を促進する。

【００４０】また、ｐ、ｎ多層半導体膜ミラー４、２
に、高濃度に不純物をドーピングすることなく低抵抗化
を実現できる。すなわち、ｐ、ｎ多層半導体膜ミラー
４、２における光の吸収を増大させることなく低抵抗化
を実現でき、発振しきい値電流の増大や発光効率の低下
を防止できる。

【００４１】更に、両電極１８、１９は共に絶縁基板５
０の上面側に形成される構造であるので、電極１８、１
９自体の形成や、それら電極１８、１９の外部への取り
出し（引き出し）が容易に行える。

【００４２】（第２の実施の形態）次に、本発明の第２
の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施
の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細
な説明は省略する。

【００４３】この第２の実施の形態では、図１４に示す
ように、ｐ型埋め込み層２８が光共振器１１ａの側面に
接する面積と、ｎ型埋め込み層２９が光共振器１１ａの
側面に接する面積とがほぼ等しくなるようにしている。
これにより、ホールと電子とを光共振器１１ａに均一に
注入でき、その結果、発光層３におけるホールと電子の
結合効率を高め、発振しきい値電流を低下させたり、発
光効率を高めることができる。

【００４４】このような構成は、図１５に示すように、
ｎ型埋め込み層２９をエッチングにて部分的に除去する
際に、光共振器１１ａの左端側の側面１５に加えて、そ
の側面１５に垂直な２つの面も、それぞれ半分だけ露出
させるように、ｎ型埋め込み層２９のエッチング行えば
よい。

【００４５】ただし、この場合には異なる面指数を有す
る２つの面Ａ、Ｂが露出されるので、その露出された面
に接してＰ型埋め込み層２８をエピタキシャル成長させ
る際には、側面１５のみを露出させる第１の実施の形態
に比べて結晶に欠陥が生じやすくなる可能性はある。

【００４６】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。

【００４７】図１３に示すように、ｐ型埋め込み層２６
が光共振器１１ａの３つの側面に接し、ｎ型埋め込み層
２７が光共振器１１ａの残りの１つの側面に接する構成
であってもよい。

【００４８】また、図１２において、光共振器１１ａの
上面を例えば金属膜で覆って、且つ発振波長に対して透
過性を有する絶縁基板５０を用いることで、更に必要に
応じて絶縁基板５０を裏面側から研削して薄くすること
で、絶縁基板５０側からレーザ光Ｌを出射させてもよ
い。

【００４９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、多
層半導体膜ミラーの側面側からキャリアが注入され、多
数のヘテロ障壁を有する多層半導体膜ミラーを長い距離
通らずに済み、抵抗が低くなり良好なレーザ特性が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による、面発光型半
導体レーザの製造工程（その１）を示す斜視図である。

【図２】図１に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その２）を示す斜視図である。

【図３】図２に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その３）を示す斜視図である。

【図４】図３に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その４）を示す斜視図である。

【図５】図４に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その５）を示す斜視図である。

【図６】図５に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その６）を示す斜視図である。

【図７】図６に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その７）を示す斜視図である。

【図８】図７に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その８）を示す斜視図である。

【図９】図８に続く、面発光型半導体レーザの製造工程
（その９）を示す斜視図である。

【図１０】図９に続く工程にて完成した面発光型半導体
レーザの斜視図である。

【図１１】同面発光型半導体レーザの平面図である。

【図１２】図１１における［１２］−［１２］線方向の
断面図図である。

【図１３】本発明の変形例による面発光型半導体レーザ
の平面図である。

【図１４】本発明の第２の実施の形態による面発光型半
導体レーザの平面図である。

【図１５】同第２の実施の形態の面発光型半導体レーザ
の製造工程を示す斜視図である。

【図１６】従来例の面発光型半導体レーザの製造工程
（その１）を示す斜視図である。

【図１７】図１６に続く製造工程（その２）を示す斜視
図である。

【図１８】図１７に続く工程にて完成した従来例の面発
光型半導体レーザの断面図である。

【図１９】同従来例の面発光型半導体レーザの平面図で
ある。

【符号の説明】

１……ｎ型半導体基板、２……ｎ型多層半導体膜ミラ
ー、３……発光層、４……ｐ型多層半導体膜ミラー、１
１ａ……光共振器、１２ａ……ｎ型埋め込み層、１３
ａ’……ｎ型コンタクト層、１６……ｐ型埋め込み層、
１７’……ｐ型コンタクト層、１８……ｐ側電極、１９
……ｎ側電極、２１……面発光型半導体レーザ、５０…
…絶縁基板。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板側に形成された第１の多層半導
   体膜ミラーと、該第１の多層半導体膜ミラーと逆導電型
   の第２の多層半導体膜ミラーとで発光層を挟んで成る光
   共振器が、前記絶縁基板上に柱状に積層されており、 前記第１の多層半導体膜ミラーと同導電型の第１の埋め
   込み層と、前記第２の多層半導体膜ミラーと同導電型の
   第２の埋め込み層とが、前記光共振器の側面に接して該
   側面を囲んでおり、 前記第１の埋め込み層と前記第２の埋め込み層は、前記
   光共振器の前記側面に平行な面を境界面として互いに接
   していることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
2. 【請求項２】 前記光共振器は四角柱を呈し、前記境界
   面は前記四角柱の何れか１つの側面を含む面であること
   を特徴とする請求項１に記載の面発光型半導体レーザ。
3. 【請求項３】 前記第１の埋め込み層と前記第２の埋め
   込み層のそれぞれが、前記光共振器の前記側面に接する
   面積は等しいことを特徴とする請求項１に記載の面発光
   型半導体レーザ。
4. 【請求項４】 絶縁基板上に、第１の多層半導体膜ミラ
   ーと、発光層と、前記第１の多層半導体膜ミラーと逆導
   電型の第２の多層半導体膜ミラーとを積層して、前記発
   光層を前記第１の多層半導体膜ミラーと前記第２の多層
   半導体膜ミラーとで挟んで成る光共振器を形成する工程
   と、 前記光共振器を選択的にエッチングして柱状にする工程
   と、 前記第１の多層半導体膜ミラーと同導電型の第１の埋め
   込み層を、前記光共振器の側面を囲むように該側面に接
   して形成する工程と、 前記第１の埋め込み層を選択的にエッチングして、前記
   光共振器の前記側面を部分的に露出させる工程と、 前記露出された前記光共振器の側面を、前記第２の多層
   半導体膜ミラーと同導電型の第２の埋め込み層で覆う工
   程とを有することを特徴とする面発光型半導体レーザの
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記光共振器を四角柱に形成し、 前記第１の埋め込み層の前記選択的なエッチングによ
   り、前記四角柱の何れか１つの側面のみを露出させるこ
   とを特徴とする請求項４に記載の面発光型半導体レーザ
   の製造方法。
6. 【請求項６】 前記光共振器の前記側面のうち、前記第
   １の埋め込み層が接している部分と、前記露出された部
   分との面積が等しくなるように、前記第１の埋め込み層
   の前記選択的なエッチングを行うことを特徴とする請求
   項４に記載の面発光型半導体レーザの製造方法。