JP2003313087A - 帯域引上した半導体材料からなるドープされた半導体ウェハ及びその製造方法 - Google Patents
帯域引上した半導体材料からなるドープされた半導体ウェハ及びその製造方法Info
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 帯域引上時に誘導コイルにより生じた融
液にドーパントをドープし、かつこの融液を少なくとも
１つの回転する磁場にさらしかつ硬化させ、融液の硬化
時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁場とは逆
向きの回転方向で回転させ、磁場は４００〜７００Ｈｚ
の周波数を有する、ドープされた半導体ウェハの製造方
法 【効果】 中性子ドーピングされた半導体ウェハと同程
度に狭い半径方向での巨視的抵抗分布を示すが、かつ抵
抗範囲に関して中性子ドーピングされた材料のように制
限はない。
液にドーパントをドープし、かつこの融液を少なくとも
１つの回転する磁場にさらしかつ硬化させ、融液の硬化
時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁場とは逆
向きの回転方向で回転させ、磁場は４００〜７００Ｈｚ
の周波数を有する、ドープされた半導体ウェハの製造方
法 【効果】 中性子ドーピングされた半導体ウェハと同程
度に狭い半径方向での巨視的抵抗分布を示すが、かつ抵
抗範囲に関して中性子ドーピングされた材料のように制
限はない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は帯域引上した半導体
材料からなるドープされた半導体ウェハ及び前記半導体
ウェハの製造方法に関する。
材料からなるドープされた半導体ウェハ及び前記半導体
ウェハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この方法は帯域引上（浮融帯域融解法、
ＦＺ法）によりドープされた単結晶を製造し、この単結
晶を半導体ウェハに切り分けることよりなり、その際、
単結晶の引上時に誘導コイルを用いて生じた融液を少な
くとも１つの回転する磁場にさらし、硬化させ、融液の
硬化時に生じた単結晶を回転させる。
ＦＺ法）によりドープされた単結晶を製造し、この単結
晶を半導体ウェハに切り分けることよりなり、その際、
単結晶の引上時に誘導コイルを用いて生じた融液を少な
くとも１つの回転する磁場にさらし、硬化させ、融液の
硬化時に生じた単結晶を回転させる。
【０００３】帯域引上時に回転する磁場を適用すること
は、例えばＤＤ−２６３３１０Ａ１に記載されている。
しかしながら、この文献で提案された方法は拡散境界層
の厚さの単一化を目的としているが、本発明は、融液に
添加されるドーパントのできる限り均質な分布及び成長
縞の減少を達成するという課題を解決する。均質なドー
パント分布は、狭い、半径方向での巨視的な抵抗分布で
示される。
は、例えばＤＤ−２６３３１０Ａ１に記載されている。
しかしながら、この文献で提案された方法は拡散境界層
の厚さの単一化を目的としているが、本発明は、融液に
添加されるドーパントのできる限り均質な分布及び成長
縞の減少を達成するという課題を解決する。均質なドー
パント分布は、狭い、半径方向での巨視的な抵抗分布で
示される。
【０００４】成長縞は微視的なドーパントの変動であ
る。これは通常、広がり抵抗分析を半導体ウェハに実施
することにより定量化される。
る。これは通常、広がり抵抗分析を半導体ウェハに実施
することにより定量化される。
【０００５】この半径方向での巨視的な抵抗分布はＡＳ
ＴＭ Ｆ ８４による四探針法により測定され、この方
法は数ミリメーターの長さにわたり測定する。
ＴＭ Ｆ ８４による四探針法により測定され、この方
法は数ミリメーターの長さにわたり測定する。
【０００６】今までは、ドーパント分布の均質化及びそ
れによる半径方向抵抗変化の減少を、結晶回転を変化さ
せることにより、誘導コイルを結晶軸に対して相対的に
ずらすことにより及び誘導コイルの形状を変えることに
より達成しようと試みていた。これらの手段の欠点は、
転位率の上昇及びプロセス安定性の低下を引き起こすこ
とであった。
れによる半径方向抵抗変化の減少を、結晶回転を変化さ
せることにより、誘導コイルを結晶軸に対して相対的に
ずらすことにより及び誘導コイルの形状を変えることに
より達成しようと試みていた。これらの手段の欠点は、
転位率の上昇及びプロセス安定性の低下を引き起こすこ
とであった。
【０００７】中性子ドーピングにより極めて平坦な半径
方向ドーパントプロフィールが調整できることも公知で
ある。しかしながらこの中性子ドーピングは一連の欠点
を有する。この方法は約３〜約８００Ω*ｃｍの抵抗を
示す半導体材料に対してだけ適している。この場合、必
然的に放射線損傷の原因となり、この損傷は熱的後処理
により回復させなければならない。それにもかかわらず
小数キャリアライフタイムが低下することを抑制できな
い。さらに、必要な消失時間、熱的後処理及びそれの関
連する搬送プロセスは時間並びにコストがかかる。
方向ドーパントプロフィールが調整できることも公知で
ある。しかしながらこの中性子ドーピングは一連の欠点
を有する。この方法は約３〜約８００Ω*ｃｍの抵抗を
示す半導体材料に対してだけ適している。この場合、必
然的に放射線損傷の原因となり、この損傷は熱的後処理
により回復させなければならない。それにもかかわらず
小数キャリアライフタイムが低下することを抑制できな
い。さらに、必要な消失時間、熱的後処理及びそれの関
連する搬送プロセスは時間並びにコストがかかる。
【０００８】
【特許文献１】ＤＤ−２６３３１０Ａ１
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は前記の欠点を解決することである。
は前記の欠点を解決することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の対象は、融液に
添加されたドーパントを含有しかつ１２％未満の半径方
向での巨視的な抵抗分布及び−１０％〜＋１０％の成長
縞を示す帯域引上した半導体材料からなるドープされた
半導体ウェハである。
添加されたドーパントを含有しかつ１２％未満の半径方
向での巨視的な抵抗分布及び−１０％〜＋１０％の成長
縞を示す帯域引上した半導体材料からなるドープされた
半導体ウェハである。
【００１１】さらに、本発明の対象は、単結晶の帯域引
上及び単結晶の切り分けによりドープされた半導体ウェ
ハを製造するにあたり、帯域引上時に誘導コイルにより
生じた融液にドーパントをドープし、かつこの融液を少
なくとも１つの回転する磁場にさらしかつ硬化させ、融
液の硬化時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁
場とは逆向きの回転方向で回転させ、磁場は４００〜７
００Ｈｚの周波数を有する、ドープされた半導体ウェハ
の製造方法である。
上及び単結晶の切り分けによりドープされた半導体ウェ
ハを製造するにあたり、帯域引上時に誘導コイルにより
生じた融液にドーパントをドープし、かつこの融液を少
なくとも１つの回転する磁場にさらしかつ硬化させ、融
液の硬化時に生じる単結晶を回転させ、この単結晶と磁
場とは逆向きの回転方向で回転させ、磁場は４００〜７
００Ｈｚの周波数を有する、ドープされた半導体ウェハ
の製造方法である。
【００１２】選択された周波数領域は重要である、それ
というのもこの領域内でマグネットシステムの制御のた
めに必要な出力は低く、かつ同時に本発明の範囲内での
融液の流れは最良に影響されるためである。
というのもこの領域内でマグネットシステムの制御のた
めに必要な出力は低く、かつ同時に本発明の範囲内での
融液の流れは最良に影響されるためである。
【００１３】この方法により製造されたシリコンからな
る半導体ウェハは、中性子ドーピングされた半導体ウェ
ハと同程度に狭い半径方向での巨視的抵抗分布を示す。
しかしながらこの抵抗範囲に関して中性子ドーピングさ
れた材料のように制限はない。抵抗は３Ω*ｃｍ未満か
ら８００Ω*ｃｍを上回り、有利に０．０５〜８０００
Ω*ｃｍである。請求項に記載された方法は、さらに、
１つの単結晶から製造された半導体ウェハの抵抗値の変
動が＋／−８％であるという利点を有する。
る半導体ウェハは、中性子ドーピングされた半導体ウェ
ハと同程度に狭い半径方向での巨視的抵抗分布を示す。
しかしながらこの抵抗範囲に関して中性子ドーピングさ
れた材料のように制限はない。抵抗は３Ω*ｃｍ未満か
ら８００Ω*ｃｍを上回り、有利に０．０５〜８０００
Ω*ｃｍである。請求項に記載された方法は、さらに、
１つの単結晶から製造された半導体ウェハの抵抗値の変
動が＋／−８％であるという利点を有する。
【００１４】この発明の詳細な説明は図面も有してい
る。図１は方法を実施するために適した装置を示す。図
２は単結晶を取り巻くマグネットシステムの有利な装置
を示す。図３及び４はシュミレーション計算で算出され
た融液中の流動特性を表し、この場合、融液部の２つの
対称部分の一方だけの断面図を示す。図５は、本発明に
よる回転する磁場を用いて成長させたＦＺ−単結晶から
製造したシリコンウェハの場合の抵抗のばらつき及びプ
ロフィール状況を示す。図６は、４インチの直径のシリ
コンからなる半導体ウェハに関する広がり抵抗値の測定
値を比較するグラフ。上側のグラフは本発明による回転
する磁場を用いて成長させた材料についての値を示し、
下側のグラフは回転する磁場を用いなかった材料につい
ての値を示す。
る。図１は方法を実施するために適した装置を示す。図
２は単結晶を取り巻くマグネットシステムの有利な装置
を示す。図３及び４はシュミレーション計算で算出され
た融液中の流動特性を表し、この場合、融液部の２つの
対称部分の一方だけの断面図を示す。図５は、本発明に
よる回転する磁場を用いて成長させたＦＺ−単結晶から
製造したシリコンウェハの場合の抵抗のばらつき及びプ
ロフィール状況を示す。図６は、４インチの直径のシリ
コンからなる半導体ウェハに関する広がり抵抗値の測定
値を比較するグラフ。上側のグラフは本発明による回転
する磁場を用いて成長させた材料についての値を示し、
下側のグラフは回転する磁場を用いなかった材料につい
ての値を示す。
【００１５】図１に示した装置は単結晶４を有し、この
単結晶４は融液部３を介して多結晶原料棒１と結合して
いる。この融液部は誘導コイル２によって作り出され
る。単結晶の沈下時に融液の一部が硬化し、その際に単
結晶の体積が増加する。同時に誘導コイルは、原料棒の
材料を溶融させ、このようにして融液部の体積を増加さ
せる。本発明の場合に、マグネットシステム５は少なく
とも３つの極又はその倍数の極を備えており、例えば、
３極のステータを備えた三相交流電気モータの場合、単
結晶の回転方向とは反対に回転する磁場が生じる。この
マグネットシステムは有利に熱照射に対して遮断されて
おりかつ水冷されている。同様に、磁場の強度は電位差
計を用いて０〜１００％に可変であるのが有利である。
図１には磁場の磁力線６を矢印で示した。
単結晶４は融液部３を介して多結晶原料棒１と結合して
いる。この融液部は誘導コイル２によって作り出され
る。単結晶の沈下時に融液の一部が硬化し、その際に単
結晶の体積が増加する。同時に誘導コイルは、原料棒の
材料を溶融させ、このようにして融液部の体積を増加さ
せる。本発明の場合に、マグネットシステム５は少なく
とも３つの極又はその倍数の極を備えており、例えば、
３極のステータを備えた三相交流電気モータの場合、単
結晶の回転方向とは反対に回転する磁場が生じる。この
マグネットシステムは有利に熱照射に対して遮断されて
おりかつ水冷されている。同様に、磁場の強度は電位差
計を用いて０〜１００％に可変であるのが有利である。
図１には磁場の磁力線６を矢印で示した。
【００１６】図２に示した三相制御の６極のマグネット
システム５を有する装置は特に有利であり、このシステ
ムは単結晶の周囲に規則的に配置された６個の個別マグ
ネット（Ｌ１ａ〜Ｌ３ｂ）により構成されており、この
場合、それぞれ向かい合う２つの極は対応している。
システム５を有する装置は特に有利であり、このシステ
ムは単結晶の周囲に規則的に配置された６個の個別マグ
ネット（Ｌ１ａ〜Ｌ３ｂ）により構成されており、この
場合、それぞれ向かい合う２つの極は対応している。
【００１７】単結晶中のドーパント分布は、融液中の流
動状態により及び境界層−拡散により影響される。熱的
な力、マランゴニ効果及び電磁的力により生じる融液中
の流動は、特に大きな直径を有する単結晶の場合に典型
的な２対流構造を示し、この構造は図３に示されてい
る。多結晶原料棒と接触する中心部の対流１０では、ド
ーパント濃度は外側の対流２０中よりも低い。この濃度
差が２つの対流中に存在する限り、拡散境界層の厚さの
均等化は半径方向でのドーパント均質化に関して効果が
ないままである。中心部でこの流れは単結晶方向へ下に
向かい、これは二重の観点で不利である。一方では、下
方に向かう流れにより、比較的低いドーパント濃度の融
液部分が単結晶の成長フロントに達し、周辺部ではドー
パント濃度が高くなる。他方では、この流れと共に原料
棒から生じる粒子が成長フロントに達し、単結晶の無転
位の成長を妨げる。
動状態により及び境界層−拡散により影響される。熱的
な力、マランゴニ効果及び電磁的力により生じる融液中
の流動は、特に大きな直径を有する単結晶の場合に典型
的な２対流構造を示し、この構造は図３に示されてい
る。多結晶原料棒と接触する中心部の対流１０では、ド
ーパント濃度は外側の対流２０中よりも低い。この濃度
差が２つの対流中に存在する限り、拡散境界層の厚さの
均等化は半径方向でのドーパント均質化に関して効果が
ないままである。中心部でこの流れは単結晶方向へ下に
向かい、これは二重の観点で不利である。一方では、下
方に向かう流れにより、比較的低いドーパント濃度の融
液部分が単結晶の成長フロントに達し、周辺部ではドー
パント濃度が高くなる。他方では、この流れと共に原料
棒から生じる粒子が成長フロントに達し、単結晶の無転
位の成長を妨げる。
【００１８】回転する磁場を本発明の場合に適用するこ
とにより、２対流構造は流動特性が変更された１対流構
造に変換される。このような１対流構造３０は図４に示
されている。この融液は、この流動が中心部で上方に向
かう、つまり原料棒に向かう１つの領域を形成するだけ
である。ドーパントは周辺領域から中心部へ搬送される
ため、融液中のドーパントは均質化される。この変更さ
れた流動により粒子は成長フロントに達するまで長い距
離がある。一般に、この粒子は成長フロントに達する前
に、完全に溶融するために充分な時間滞留するため、転
位率は明らかに低減する。
とにより、２対流構造は流動特性が変更された１対流構
造に変換される。このような１対流構造３０は図４に示
されている。この融液は、この流動が中心部で上方に向
かう、つまり原料棒に向かう１つの領域を形成するだけ
である。ドーパントは周辺領域から中心部へ搬送される
ため、融液中のドーパントは均質化される。この変更さ
れた流動により粒子は成長フロントに達するまで長い距
離がある。一般に、この粒子は成長フロントに達する前
に、完全に溶融するために充分な時間滞留するため、転
位率は明らかに低減する。
【００１９】この効果を最適に利用するために、時間的
に平均して反対方向に回転するように、単結晶の回転と
磁場の回転方向とを調整する。単結晶の回転速度は少な
くとも１ｒｐｍである。単結晶の回転方向が切り替えら
れる（回転方向の周期的切り替え）ことも可能であり、
この場合には時間的に平均化された結晶回転が結晶回転
方向の定義のための基準となる。相応して磁場の回転方
向も切り替えることができる。次の態様が有利である：
単結晶は一方向の単一回転か又は切り替え回転を実施
し、その際、時間的な平均でこの方向に回転され、磁場
は反対方向に回転するか；又は単結晶は単一回転を実施
し、磁場の回転方法を切り替えるが、時間的な平均で反
対方向で回転する。
に平均して反対方向に回転するように、単結晶の回転と
磁場の回転方向とを調整する。単結晶の回転速度は少な
くとも１ｒｐｍである。単結晶の回転方向が切り替えら
れる（回転方向の周期的切り替え）ことも可能であり、
この場合には時間的に平均化された結晶回転が結晶回転
方向の定義のための基準となる。相応して磁場の回転方
向も切り替えることができる。次の態様が有利である：
単結晶は一方向の単一回転か又は切り替え回転を実施
し、その際、時間的な平均でこの方向に回転され、磁場
は反対方向に回転するか；又は単結晶は単一回転を実施
し、磁場の回転方法を切り替えるが、時間的な平均で反
対方向で回転する。
【００２０】２対流構造から１対流構造への変更を達成
するために、磁場の強度は存在するプロセス条件に適合
させなければならない。半径方向の抵抗プロフィールの
形状及びばらつきは磁場の強度のバリエーションにより
広い境界領域で修正可能である。
するために、磁場の強度は存在するプロセス条件に適合
させなければならない。半径方向の抵抗プロフィールの
形状及びばらつきは磁場の強度のバリエーションにより
広い境界領域で修正可能である。
【００２１】磁場の最適な強度は他のプロセスパラメー
タ、例えば磁場の周波数、単結晶の直径及び回転速度、
引上速度及び使用した誘導コイルの形状に依存する。従
って、このプロセスパラメータは試験によって調査しな
ければならない。試験の結果、この方法は、少なくとも
３″（７６．２ｍｍ）の直径を有するシリコン単結晶の
引き下げに使用するのが有利であることが判明し、その
際、回転する磁場の強度は１〜２０ｍＴの範囲内、特に
有利に１〜２．５ｍＴの範囲内であり、回転する磁場の
周波数は４００〜７００Ｈｚ、特に有利に４５０〜６５
０Ｈｚの範囲内にある。７００Ｈｚより高くでは力の作
用は飽和する、それというのも融液内への侵入深度は、
融液の丸い先端部の高さよりも明らかに少ないためであ
る。さらに、必然的に高い電圧を使用するため技術的問
題も多くなる。４００Ｈｚより下では、力の作用は少な
すぎ、十分な工業的費用で望ましい効果を達成できな
い。
タ、例えば磁場の周波数、単結晶の直径及び回転速度、
引上速度及び使用した誘導コイルの形状に依存する。従
って、このプロセスパラメータは試験によって調査しな
ければならない。試験の結果、この方法は、少なくとも
３″（７６．２ｍｍ）の直径を有するシリコン単結晶の
引き下げに使用するのが有利であることが判明し、その
際、回転する磁場の強度は１〜２０ｍＴの範囲内、特に
有利に１〜２．５ｍＴの範囲内であり、回転する磁場の
周波数は４００〜７００Ｈｚ、特に有利に４５０〜６５
０Ｈｚの範囲内にある。７００Ｈｚより高くでは力の作
用は飽和する、それというのも融液内への侵入深度は、
融液の丸い先端部の高さよりも明らかに少ないためであ
る。さらに、必然的に高い電圧を使用するため技術的問
題も多くなる。４００Ｈｚより下では、力の作用は少な
すぎ、十分な工業的費用で望ましい効果を達成できな
い。
【００２２】回転する磁場は単結晶の回転軸に対して対
称であるか又は非対称であることができる。非対称の磁
場は個々の磁石を規則的に配置した場合に個々の磁石の
異なる制御により、又は個々の磁石の非対称の配置によ
り又は規則的に配置された個々の磁石を水平面から傾斜
させることにより作り出すことができる。
称であるか又は非対称であることができる。非対称の磁
場は個々の磁石を規則的に配置した場合に個々の磁石の
異なる制御により、又は個々の磁石の非対称の配置によ
り又は規則的に配置された個々の磁石を水平面から傾斜
させることにより作り出すことができる。
【００２３】異なる周波数及び強度を有する２つの回転
する磁場を同時に適用することにより、融液の混合及び
ドーパントの半径方向での均質化をなお改善することが
できる。異なる周波数を有する磁場は融液内への異なる
侵入深度を示し、従って異なる融液領域に作用する。こ
れらの磁場の回転方向は同一方向であるか又は反対方向
である。
する磁場を同時に適用することにより、融液の混合及び
ドーパントの半径方向での均質化をなお改善することが
できる。異なる周波数を有する磁場は融液内への異なる
侵入深度を示し、従って異なる融液領域に作用する。こ
れらの磁場の回転方向は同一方向であるか又は反対方向
である。
【００２４】外側の融液領域に作用する第１の周波数は
上記したように４００〜７００Ｈｚ、特に５００Ｈｚで
あるのが有利であり、内側の融液領域に作用する第２の
周波数は、１００Ｈｚを下回り、有利に５０Ｈｚである
のが有利である。
上記したように４００〜７００Ｈｚ、特に５００Ｈｚで
あるのが有利であり、内側の融液領域に作用する第２の
周波数は、１００Ｈｚを下回り、有利に５０Ｈｚである
のが有利である。
【００２５】
【実施例】直径４インチのシリコン単結晶をＦＺ法で成
長させた。単結晶の一部は本発明による回転する磁場を
適用しながら成長させ、他の部分は磁場を使用しなかっ
た。引き続き単結晶から切り分けたシリコンウェハをド
ーパントの分布に関して試験した。図５は、本発明によ
り回転する磁場を用いて成長させたＦＺ−単結晶から製
造したシリコンウェハの場合の抵抗のばらつき及びプロ
フィール状況を表す。図６ａ／ｂは広がり抵抗値の測定
値を比較して示したグラフである。図６ａは本発明によ
る回転する磁場を用いて成長させた材料についての値を
示し、図６ｂは回転する磁場を適用しない材料について
の値を示す。
長させた。単結晶の一部は本発明による回転する磁場を
適用しながら成長させ、他の部分は磁場を使用しなかっ
た。引き続き単結晶から切り分けたシリコンウェハをド
ーパントの分布に関して試験した。図５は、本発明によ
り回転する磁場を用いて成長させたＦＺ−単結晶から製
造したシリコンウェハの場合の抵抗のばらつき及びプロ
フィール状況を表す。図６ａ／ｂは広がり抵抗値の測定
値を比較して示したグラフである。図６ａは本発明によ
る回転する磁場を用いて成長させた材料についての値を
示し、図６ｂは回転する磁場を適用しない材料について
の値を示す。
【図１】本発明による方法を実施するために適した装置
の図式的な断面図
の図式的な断面図
【図２】単結晶を取り巻くマグネットシステムの装置を
示す図
示す図
【図３】回転する磁場を適用しないシュミレーション計
算で算出された融液中の流動特性を示す断面図
算で算出された融液中の流動特性を示す断面図
【図４】回転する磁場を適用したシュミレーション計算
で算出された融液中の流動特性を示す断面図
で算出された融液中の流動特性を示す断面図
【図５】本発明による回転する磁場を用いて成長させた
ＦＺ単結晶から製造したシリコンウェハの抵抗のばらつ
きを示すグラフ
ＦＺ単結晶から製造したシリコンウェハの抵抗のばらつ
きを示すグラフ
【図６】ａは本発明による回転する磁場を用いて成長さ
せた材料についての広がり抵抗値を示すグラフ、ｂは回
転する磁場を用いていなかった材料についての広がり抵
抗値を示すグラフ
せた材料についての広がり抵抗値を示すグラフ、ｂは回
転する磁場を用いていなかった材料についての広がり抵
抗値を示すグラフ
１ 原料棒、 ２ 誘導コイル、 ３ 融液、 ４ 単
結晶、 ５ マグネットシステム、 １０，２０，３０
対流
結晶、 ５ マグネットシステム、 １０，２０，３０
対流
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(72)発明者 ヴィルフリート フォン アモン
オーストリア国 ホッホブルク／アッハ
ヴァングハウゼン 111
(72)発明者 ヤニス フィルブリス
ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン リン
ダッハーシュトラーセ 69ベー
(72)発明者 マンフレート グルントナー
ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン マリ
ー−エーベルト−シュトラーセ 11
Ｆターム(参考） 4G077 AA02 AB01 AB06 BA04 CE03
EH06 EJ02 NF11 PA03
Claims (8)
- 【請求項１】 帯域引上した半導体材料からなるドープ
された半導体ウェハにおいて、この半導体ウェハは融液
に添加されたドーパントを含有し、１２％未満の半径方
向での巨視的な抵抗分布及び−１０％〜＋１０％の成長
縞を示す、ドープされた半導体ウェハ。 - 【請求項２】 少数キャリアライフタイムが少なくとも
１００μｓｅｃである、請求項１記載の半導体ウェハ。 - 【請求項３】 比抵抗が０．０５〜８０００Ωｃｍであ
る、請求項１記載の半導体ウェハ。 - 【請求項４】 単結晶の帯域引上及び単結晶の切り分け
によりドープされた半導体を製造するにあたり、帯域引
上時に誘導コイルにより生じた融液にドーパントをドー
プし、この融液を少なくとも１つの回転する磁場にさら
し、硬化させ、かつ融液の硬化時に生じる単結晶を回転
させ、この単結晶と磁場とは反対方向に回転させ、磁場
は４００〜７００Ｈｚの周波数を有する、ドープされた
半導体ウェハの製造方法。 - 【請求項５】 磁場は１〜２０ｍＴの範囲内の強度を有
する、請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 単結晶は少なくとも１ｒｐｍの速度で回
転させる、請求項４記載の方法。 - 【請求項７】 磁場を６極のマグネットシステムで作り
出す、請求項４記載の方法。 - 【請求項８】 融液をさらに別の回転する磁場にさら
し、この磁場を同じ方向か又は反対方向に回転させる、
請求項４から７までのいずれか１項記載の方法。
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