JP2003309982A - 電力用半導体装置 - Google Patents
電力用半導体装置Info
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子のスイッチング動作を制御する制
御回路の所定の端子間に印加されるサージ電圧による制
御回路の破壊を防止できる電力用半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 電力用半導体装置は、高圧側及び低圧側
に半導体素子SW1、SW2を直列接続してなるハーフ
ブリッジ回路と、各々の半導体素子SW1、SW2のス
イッチング動作を制御し、制御電源の高電位側に接続さ
れた電源入力端子Vccを備えた制御回路IC1、IC2
とを備える。電力用半導体装置は、さらに、低圧側の半
導体素子SW1を制御する制御回路IC1の電源入力端
子Vccと、低圧側の半導体素子SW1の低圧側端子であ
るエミッタ端子N1との間に接続されたツェナ−ダイオ
ードZDを有する。
御回路の所定の端子間に印加されるサージ電圧による制
御回路の破壊を防止できる電力用半導体装置を提供す
る。 【解決手段】 電力用半導体装置は、高圧側及び低圧側
に半導体素子SW1、SW2を直列接続してなるハーフ
ブリッジ回路と、各々の半導体素子SW1、SW2のス
イッチング動作を制御し、制御電源の高電位側に接続さ
れた電源入力端子Vccを備えた制御回路IC1、IC2
とを備える。電力用半導体装置は、さらに、低圧側の半
導体素子SW1を制御する制御回路IC1の電源入力端
子Vccと、低圧側の半導体素子SW1の低圧側端子であ
るエミッタ端子N1との間に接続されたツェナ−ダイオ
ードZDを有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電力変換を行なう電
力用半導体装置に関し、特に、電力用半導体装置におけ
るサージに対する保護に関する。
力用半導体装置に関し、特に、電力用半導体装置におけ
るサージに対する保護に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、電力変換を行なう電力用半導体
装置は、2つの電力用半導体素子を直列接続したハーフ
ブリッジ回路を複数並列に組み合わせてなるインバータ
回路と、インバータ回路内の電力用半導体素子を駆動す
る制御回路とで構成される。
装置は、2つの電力用半導体素子を直列接続したハーフ
ブリッジ回路を複数並列に組み合わせてなるインバータ
回路と、インバータ回路内の電力用半導体素子を駆動す
る制御回路とで構成される。
【0003】電力用半導体装置に対しては一般に過電流
に対する保護機能が設けられている。過電流保護のため
に電力用半導体素子に流れる電流値を検知するために、
例えば、インバータ回路に接続したシャント抵抗に発生
する電圧を利用する方法がある。図3に、このような方
法を用いて過電流を検出する従来の電力用半導体装置の
構成を示す。
に対する保護機能が設けられている。過電流保護のため
に電力用半導体素子に流れる電流値を検知するために、
例えば、インバータ回路に接続したシャント抵抗に発生
する電圧を利用する方法がある。図3に、このような方
法を用いて過電流を検出する従来の電力用半導体装置の
構成を示す。
【0004】同図に示すように、電力用半導体装置は、
低電圧側及び高電圧側の電力半導体素子SW1、SW2
と、それぞれの電力半導体素子SW1、SW2を駆動、
制御する制御回路IC1、IC2と、電力半導体素子S
W1、SW2の還流ダイオードFW1、FW2とを有す
る。電力用半導体装置は、電力半導体素子SW1、SW
2のスイッチング動作を制御して得られる出力電圧を出
力端子VSから出力する。
低電圧側及び高電圧側の電力半導体素子SW1、SW2
と、それぞれの電力半導体素子SW1、SW2を駆動、
制御する制御回路IC1、IC2と、電力半導体素子S
W1、SW2の還流ダイオードFW1、FW2とを有す
る。電力用半導体装置は、電力半導体素子SW1、SW
2のスイッチング動作を制御して得られる出力電圧を出
力端子VSから出力する。
【0005】電力用半導体装置において、低電圧側の電
力半導体素子SW1のエミッタ端子N1と、制御回路I
C1、IC2を駆動するための直流電源(以下「制御電
源」という。)の低電位側に接続された基準電位端子N
との間に、シャント抵抗R1が接続される。シャント抵
抗R1の両端には電力半導体素子SW1を流れる電流の
値に比例した電圧VR1が発生する。また、図3に示す
ように、電力半導体素子SW1のエミッタ端子とシャン
ト抵抗R1との間には、寄生インダクタンスLが存在し
ている。
力半導体素子SW1のエミッタ端子N1と、制御回路I
C1、IC2を駆動するための直流電源(以下「制御電
源」という。)の低電位側に接続された基準電位端子N
との間に、シャント抵抗R1が接続される。シャント抵
抗R1の両端には電力半導体素子SW1を流れる電流の
値に比例した電圧VR1が発生する。また、図3に示す
ように、電力半導体素子SW1のエミッタ端子とシャン
ト抵抗R1との間には、寄生インダクタンスLが存在し
ている。
【0006】制御回路IC1は、制御電源電圧を入力す
る端子Vccと、電流検知端子CINと、半導体素子SW
1を制御する制御信号を出力する出力端子OUT1とを
有する。制御回路IC1は過電流保護機能を有し、半導
体素子SW1に流れる電流を電流検知端子CINに印加
される電圧により検出し、半導体素子SW1に過電流が
流たことを検出したときに半導体素子SW1をオフさせ
るための制御信号を出力する。つまり、シャント抵抗R
1の両端に発生する電圧VR1が、抵抗R2とコンデン
サC1によるフィルタ回路を通して制御回路IC1の電
流検知端子CINに入力される。この電流検知端子CI
Nの電圧値が基準レベルを超えたときに、制御回路IC
1の過電流保護機能が働き、その出力OUT1を遮断す
る。
る端子Vccと、電流検知端子CINと、半導体素子SW
1を制御する制御信号を出力する出力端子OUT1とを
有する。制御回路IC1は過電流保護機能を有し、半導
体素子SW1に流れる電流を電流検知端子CINに印加
される電圧により検出し、半導体素子SW1に過電流が
流たことを検出したときに半導体素子SW1をオフさせ
るための制御信号を出力する。つまり、シャント抵抗R
1の両端に発生する電圧VR1が、抵抗R2とコンデン
サC1によるフィルタ回路を通して制御回路IC1の電
流検知端子CINに入力される。この電流検知端子CI
Nの電圧値が基準レベルを超えたときに、制御回路IC
1の過電流保護機能が働き、その出力OUT1を遮断す
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上のような過電流保
護機能が動作したとき、エミッタ端子N1から抵抗R1
間の配線の寄生インダクタンスLにより、端子N1−N
間に比較的高いレベルのサージ電圧が発生する場合があ
る。また、制御電源電圧の基準電位端子Nと、電源入力
端子Vccとの間には、平滑用のコンデンサC2を介して
制御電源電圧VDが印加されている。したがって、端子
N1−Vccとの間には、端子N1−Nとの間に印加され
るサージ電圧に制御電源電圧VDを重畳した高い電圧が
印加される。このため、端子N1−N間に非常に高いサ
ージ電圧が印加される場合があり、制御回路IC1が破
壊されるおそれがある。
護機能が動作したとき、エミッタ端子N1から抵抗R1
間の配線の寄生インダクタンスLにより、端子N1−N
間に比較的高いレベルのサージ電圧が発生する場合があ
る。また、制御電源電圧の基準電位端子Nと、電源入力
端子Vccとの間には、平滑用のコンデンサC2を介して
制御電源電圧VDが印加されている。したがって、端子
N1−Vccとの間には、端子N1−Nとの間に印加され
るサージ電圧に制御電源電圧VDを重畳した高い電圧が
印加される。このため、端子N1−N間に非常に高いサ
ージ電圧が印加される場合があり、制御回路IC1が破
壊されるおそれがある。
【0008】本発明は上記課題を解決すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、半導体素子のスイ
ッチング動作を制御する制御回路の所定の端子間に印加
されるサージ電圧による制御回路の破壊を防止できる電
力用半導体装置を提供することにある。
のであり、その目的とするところは、半導体素子のスイ
ッチング動作を制御する制御回路の所定の端子間に印加
されるサージ電圧による制御回路の破壊を防止できる電
力用半導体装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第1の電力
用半導体装置は、高圧側及び低圧側にスイッチング素子
を直列接続してなるハーフブリッジ回路と、各々のスイ
ッチング素子に対して設けられ、各々のスイッチング素
子のスイッチング動作を制御し、制御電源の高電位側に
接続された電源入力端子を備えた制御回路とを備える。
電力用半導体装置は、さらに、低圧側のスイッチング素
子を制御する制御回路の電源入力端子と、低圧側のスイ
ッチング素子の低圧側端子との間に、低圧側のスイッチ
ング素子の低圧側端子に接続する配線上に発生するノイ
ズを除去するノイズ除去手段を備える。
用半導体装置は、高圧側及び低圧側にスイッチング素子
を直列接続してなるハーフブリッジ回路と、各々のスイ
ッチング素子に対して設けられ、各々のスイッチング素
子のスイッチング動作を制御し、制御電源の高電位側に
接続された電源入力端子を備えた制御回路とを備える。
電力用半導体装置は、さらに、低圧側のスイッチング素
子を制御する制御回路の電源入力端子と、低圧側のスイ
ッチング素子の低圧側端子との間に、低圧側のスイッチ
ング素子の低圧側端子に接続する配線上に発生するノイ
ズを除去するノイズ除去手段を備える。
【0010】本発明に係る第2の電力用半導体装置は、
上記の第1の電力用半導体装置において、ノイズ除去手
段をツェナ−ダイオードで構成する。
上記の第1の電力用半導体装置において、ノイズ除去手
段をツェナ−ダイオードで構成する。
【0011】本発明に係る第3の電力用半導体装置は、
高圧側及び低圧側にスイッチング素子を直列接続してな
るハーフブリッジ回路と、スイッチング素子のスイッチ
ング動作を制御し、制御電源の基準電位に接続された基
準電位端子を備え、各スイッチング素子毎に設けられた
制御回路とを備える。第2の電力用半導体装置は、さら
に、低圧側のスイッチング素子を制御する制御回路の基
準電位端子と、低圧側のスイッチング素子の低圧側端子
との間に、低圧側のスイッチング素子の低圧側端子に接
続する配線上に発生するノイズを除去するノイズ除去手
段を備える。
高圧側及び低圧側にスイッチング素子を直列接続してな
るハーフブリッジ回路と、スイッチング素子のスイッチ
ング動作を制御し、制御電源の基準電位に接続された基
準電位端子を備え、各スイッチング素子毎に設けられた
制御回路とを備える。第2の電力用半導体装置は、さら
に、低圧側のスイッチング素子を制御する制御回路の基
準電位端子と、低圧側のスイッチング素子の低圧側端子
との間に、低圧側のスイッチング素子の低圧側端子に接
続する配線上に発生するノイズを除去するノイズ除去手
段を備える。
【0012】本発明に係る第4の電力用半導体装置は、
上記第1及び第3の電力用半導体装置において、ノイズ
除去手段をコンデンサで構成する。
上記第1及び第3の電力用半導体装置において、ノイズ
除去手段をコンデンサで構成する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下添付の図面を参照して、本発
明に係る電力用半導体装置の実施の形態を詳細に説明す
る。
明に係る電力用半導体装置の実施の形態を詳細に説明す
る。
【0014】実施の形態1.図1に本発明の電力用半導
体装置の構成を示す。電力用半導体装置は、直列接続さ
れた低電圧側及び高電圧側の電力半導体素子SW1、S
W2と、各電力半導体素子SW1、SW2を駆動、制御
する制御回路IC1、IC2、各電力半導体素子SW
1、SW2の還流ダイオードFW1、FW2とを有す
る。電力用半導体装置は、制御回路IC1、IC2を駆
動するための制御電源の高電位側に接続された電源入力
端子Vccと、制御電源の基準電位に接続された基準電位
端子Nと、電力用半導体装置の出力に接続されるスイッ
チング素子を駆動するための電源(以下「駆動用電源」
という。)の高電位側に接続された出力電源端子Pとを
有する。低電圧側の電力半導体素子SW1のエミッタ端
子N1と、制御電源の低電位側に接続される端子Nとの
間に、シャント抵抗R1が接続されている。また、電力
半導体素子SW1の低電位側の端子であるエミッタ端子
とシャント抵抗R1との間には、その間の配線の寄生イ
ンダクタンスLが存在している。シャント抵抗R1には
抵抗R2とコンデンサC1によるフィルタ回路が接続さ
れる。
体装置の構成を示す。電力用半導体装置は、直列接続さ
れた低電圧側及び高電圧側の電力半導体素子SW1、S
W2と、各電力半導体素子SW1、SW2を駆動、制御
する制御回路IC1、IC2、各電力半導体素子SW
1、SW2の還流ダイオードFW1、FW2とを有す
る。電力用半導体装置は、制御回路IC1、IC2を駆
動するための制御電源の高電位側に接続された電源入力
端子Vccと、制御電源の基準電位に接続された基準電位
端子Nと、電力用半導体装置の出力に接続されるスイッ
チング素子を駆動するための電源(以下「駆動用電源」
という。)の高電位側に接続された出力電源端子Pとを
有する。低電圧側の電力半導体素子SW1のエミッタ端
子N1と、制御電源の低電位側に接続される端子Nとの
間に、シャント抵抗R1が接続されている。また、電力
半導体素子SW1の低電位側の端子であるエミッタ端子
とシャント抵抗R1との間には、その間の配線の寄生イ
ンダクタンスLが存在している。シャント抵抗R1には
抵抗R2とコンデンサC1によるフィルタ回路が接続さ
れる。
【0015】制御回路IC1、IC2は、スイッチング
素子である電力半導体素子SW1、SW2のベース−エ
ミッタ間の電圧を制御して、それらのスイッチング動作
を制御する。電力半導体素子SW1、SW2のスイッチ
ング動作に応じて出力端子VSが端子Pまたは端子N1
に接続される。制御回路IC1は、制御回路IC1の電
源電圧を入力する端子Vccと、電流検知端子CINと、
電力半導体素子SW1の動作を制御する制御信号を出力
する出力端子OUT1とを有する。電流検知端子CIN
はフィルタ回路の抵抗R2とコンデンサC1の接続点に
接続される。制御回路IC1の電源入力端子Vccには平
滑コンデンサC2を介して電源電圧Vccが印加される。
素子である電力半導体素子SW1、SW2のベース−エ
ミッタ間の電圧を制御して、それらのスイッチング動作
を制御する。電力半導体素子SW1、SW2のスイッチ
ング動作に応じて出力端子VSが端子Pまたは端子N1
に接続される。制御回路IC1は、制御回路IC1の電
源電圧を入力する端子Vccと、電流検知端子CINと、
電力半導体素子SW1の動作を制御する制御信号を出力
する出力端子OUT1とを有する。電流検知端子CIN
はフィルタ回路の抵抗R2とコンデンサC1の接続点に
接続される。制御回路IC1の電源入力端子Vccには平
滑コンデンサC2を介して電源電圧Vccが印加される。
【0016】制御回路IC1は過電流保護機能を有す
る。制御回路IC1は、シャント抵抗R1の両端に発生
する電圧VR1を抵抗R2とコンデンサC1によるフィ
ルタ回路を通して制御回路IC1の電流検知端子CIN
に入力し、この電流検知端子CINの電圧値が基準レベ
ルを超えたか否かを判断し、基準レベルを超えたときに
制御回路IC1に過電流が流れたとして、その出力OU
T1を遮断し、半導体素子SW1をオフさせる。
る。制御回路IC1は、シャント抵抗R1の両端に発生
する電圧VR1を抵抗R2とコンデンサC1によるフィ
ルタ回路を通して制御回路IC1の電流検知端子CIN
に入力し、この電流検知端子CINの電圧値が基準レベ
ルを超えたか否かを判断し、基準レベルを超えたときに
制御回路IC1に過電流が流れたとして、その出力OU
T1を遮断し、半導体素子SW1をオフさせる。
【0017】特に、本実施形態の電力用半導体装置にお
いては、制御回路IC1の電源入力端子Vccと、低圧側
半導体素子SW1のエミッタ端子N1との間にノイズ除
去手段としてツェナーダイオードZDが接続されてい
る。このようにツェナーダイオードZDを低圧側半導体
素子SW1のエミッタ端子N1に接続することにより、
エミッタ端子N1とシャント抵抗R1間の配線上に寄生
インダクタンスLに起因して発生するノイズの除去が可
能となる。すなわち、寄生インダクタンスLにより端子
N1−Vcc間に高いサージ電圧が印加された場合であっ
ても、端子N1−Vcc間の電圧をツェナーダイオードZ
Dの降伏電圧以下に抑えることができ、制御回路IC1
の破壊を防止できる。なお、ツェナーダイオードZDは
制御回路IC1内に設けてもよい。
いては、制御回路IC1の電源入力端子Vccと、低圧側
半導体素子SW1のエミッタ端子N1との間にノイズ除
去手段としてツェナーダイオードZDが接続されてい
る。このようにツェナーダイオードZDを低圧側半導体
素子SW1のエミッタ端子N1に接続することにより、
エミッタ端子N1とシャント抵抗R1間の配線上に寄生
インダクタンスLに起因して発生するノイズの除去が可
能となる。すなわち、寄生インダクタンスLにより端子
N1−Vcc間に高いサージ電圧が印加された場合であっ
ても、端子N1−Vcc間の電圧をツェナーダイオードZ
Dの降伏電圧以下に抑えることができ、制御回路IC1
の破壊を防止できる。なお、ツェナーダイオードZDは
制御回路IC1内に設けてもよい。
【0018】実施の形態2.図2に本発明に係る電力用
半導体装置の実施の形態2における構成を示す。本実施
形態の電力用半導体装置は、実施の形態1の電力用半導
体装置においてノイズ除去手段として設けられたツェナ
ーダイオードZDの代わりに、コンデンサC3を使用し
たものである。このコンデンサC3により、端子N1−
Vcc間に印加される電圧の急激な変動を防止でき、制御
回路IC1のサージ電圧による破壊を防止できる。
半導体装置の実施の形態2における構成を示す。本実施
形態の電力用半導体装置は、実施の形態1の電力用半導
体装置においてノイズ除去手段として設けられたツェナ
ーダイオードZDの代わりに、コンデンサC3を使用し
たものである。このコンデンサC3により、端子N1−
Vcc間に印加される電圧の急激な変動を防止でき、制御
回路IC1のサージ電圧による破壊を防止できる。
【0019】また、図2において、コンデンサC3の代
わりに、同図において破線で示すように、端子N1−N
間にコンデンサC3'を接続するようにしてもよい。こ
れによっても、端子N1−N間に印加される電圧の急激
な変動を防止でき、制御回路IC1のサージ電圧による
破壊を防止できる。
わりに、同図において破線で示すように、端子N1−N
間にコンデンサC3'を接続するようにしてもよい。こ
れによっても、端子N1−N間に印加される電圧の急激
な変動を防止でき、制御回路IC1のサージ電圧による
破壊を防止できる。
【0020】
【発明の効果】本発明の第1の電力用半導体装置によれ
ば、制御回路の電源入力端子と低圧側のスイッチング素
子の低圧側端子との間にサージ電圧が発生した場合であ
っても、ノイズ低減手段により急激な電圧変動を抑制で
きるため、制御回路の破壊を防止できる。
ば、制御回路の電源入力端子と低圧側のスイッチング素
子の低圧側端子との間にサージ電圧が発生した場合であ
っても、ノイズ低減手段により急激な電圧変動を抑制で
きるため、制御回路の破壊を防止できる。
【0021】上記の第2の電力用半導体装置によれば、
制御回路の電源入力端子と低圧側のスイッチング素子の
低圧側端子との間にサージ電圧が発生した場合であって
も、ツェナダイオードにより、その端子間の電圧をツェ
ナーダイオードの降伏電圧以下に抑えることができるた
め、制御回路の破壊を防止できる。
制御回路の電源入力端子と低圧側のスイッチング素子の
低圧側端子との間にサージ電圧が発生した場合であって
も、ツェナダイオードにより、その端子間の電圧をツェ
ナーダイオードの降伏電圧以下に抑えることができるた
め、制御回路の破壊を防止できる。
【0022】本発明の第3の半導体装置によれば、低圧
側のスイッチング素子を制御する制御回路の基準電位端
子と、低圧側のスイッチング素子の低圧側端子との間に
発生する急激な電圧変動を抑制できるため、サージによ
る制御回路の破壊を防止できる。
側のスイッチング素子を制御する制御回路の基準電位端
子と、低圧側のスイッチング素子の低圧側端子との間に
発生する急激な電圧変動を抑制できるため、サージによ
る制御回路の破壊を防止できる。
【0023】本発明の第4の半導体装置によれば、低圧
側のスイッチング素子を制御する制御回路の電源入力端
子と低圧側のスイッチング素子の低圧側端子との間に、
又は、低圧側のスイッチング素子を制御する制御回路の
基準電位端子と低圧側のスイッチング素子の低圧側端子
との間に発生する急激な電圧変動をコンデンサにより抑
制できるため、サージによる制御回路の破壊を防止でき
る。
側のスイッチング素子を制御する制御回路の電源入力端
子と低圧側のスイッチング素子の低圧側端子との間に、
又は、低圧側のスイッチング素子を制御する制御回路の
基準電位端子と低圧側のスイッチング素子の低圧側端子
との間に発生する急激な電圧変動をコンデンサにより抑
制できるため、サージによる制御回路の破壊を防止でき
る。
【図1】 本発明に係る電力用半導体装置の構成図(実
施の形態1)。
施の形態1)。
【図2】 本発明に係る電力用半導体装置の構成図(実
施の形態2)。
施の形態2)。
【図3】 従来の電力用半導体装置の構成図。
N1 低圧側半導体素子のエミッタ端子、 CIN 電
流検知端子、 C3コンデンサ、 OUT1,OUT2
制御回路の出力端子、 R1 シャント抵抗、 SW
1,SW2 半導体素子、 IC1,IC2 制御回路、
Vcc 制御回路の電源入力端子、 ZD ツェナ−ダ
イオード。
流検知端子、 C3コンデンサ、 OUT1,OUT2
制御回路の出力端子、 R1 シャント抵抗、 SW
1,SW2 半導体素子、 IC1,IC2 制御回路、
Vcc 制御回路の電源入力端子、 ZD ツェナ−ダ
イオード。
─────────────────────────────────────────────────────
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Fターム(参考) 5H007 AA06 AA17 CA01 CB04 CB12
CC07 CC23 DA05 DA06 DB03
DB09 FA01 FA03 FA13 FA20
5H740 AA01 AA03 AA04 BA11 BB01
BB09 HH05 MM01 MM12
5J055 AX33 BX16 CX07 DX02 DX72
DX73 EX10 EY01 EY05 EY10
EY13 EY21 EZ00 EZ40 FX34
GX01 GX02
Claims (4)
- 【請求項1】 高圧側及び低圧側にスイッチング素子を
直列接続してなるハーフブリッジ回路と、 各々のスイッチング素子に対して設けられ、各々のスイ
ッチング素子のスイッチング動作を制御し、制御電源の
高電位側に接続された電源入力端子を備えた制御回路と
を備え、 さらに、前記低圧側のスイッチング素子を制御する制御
回路の電源入力端子と、前記低圧側のスイッチング素子
の低圧側端子との間に、前記低圧側のスイッチング素子
の低圧側端子に接続する配線上に発生するノイズを除去
するノイズ除去手段を設けたことを特徴とする電力用半
導体装置。 - 【請求項2】 前記ノイズ除去手段はツェナ−ダイオー
ドであることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体
装置。 - 【請求項3】 高圧側及び低圧側にスイッチング素子を
直列接続してなるハーフブリッジ回路と、 スイッチング素子のスイッチング動作を制御し、制御電
源の基準電位に接続された基準電位端子を備え、各スイ
ッチング素子毎に設けられた制御回路とを備え、 さらに、前記低圧側のスイッチング素子を制御する制御
回路の基準電位端子と、前記低圧側のスイッチング素子
の低圧側端子との間に、前記低圧側のスイッチング素子
の低圧側端子に接続する配線上に発生するノイズを除去
するノイズ除去手段を設けたことを特徴とする電力用半
導体装置。 - 【請求項4】 前記ノイズ除去手段はコンデンサである
ことを特徴とする請求項1または請求項3記載の電力用
半導体装置。
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- 2002-12-17 FR FR0216029A patent/FR2838573A1/fr not_active Withdrawn
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