JP2003309274A - 太陽電池 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 セルの各特性を悪化させることなく、セルの
性能を維持しつつ電極の銀ペーストの使用量を低減する
ことができ、太陽電池の製造コストを低減することがで
きる。 【解決手段】 受光した光エネルギーを光起電力に変換
する太陽電池において、受光面側の光起電力を収集して
出力するとともに、受光面側の表面に形成された銀から
なるバス電極１２の一部に、銀を使用しない空き部分を
設けて太陽電池を構成することにより、セルの各特性を
悪化させることなく、セルの性能を維持しつつ電極の銀
ペーストの使用量を低減することができ、太陽電池の製
造コストを低減することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池に係り、
例えば高効率の太陽電池の製造技術に関し、多結晶シリ
コン太陽電池の製造原価低減に有効な技術である。

【０００２】

【従来の技術】図７は従来の住宅用等に使用されるシリ
コン太陽電池の表面、裏面側の概略図であり、図７
（Ａ）はそのシリコン太陽電池の表面側の概略図、図７
（Ｂ）はそのシリコン太陽電池の裏面側の概略図であ
る。図８は図７（Ａ）に示すＡ１−Ａ２線におけるシリ
コン太陽電池の断面図、図９、１０は図８に示すシリコ
ン太陽電池の主な製造工程を示す断面構造図である。

【０００３】図７〜１０において、１０１はｐ型シリコ
ン基板であり、１０２はｐ型シリコン基板１０１上部に
形成されたテクスチャーであり、１０３はｐ型シリコン
基板１０１とテクスチャー１０２間に形成されたｎ層で
ある。１０４はテクスチャー１０２上に形成された反射
防止膜であり、１１０はｎ層１０３と接続されるように
形成された焼結後の表銀グリッド電極であり、１１１は
反射防止膜１０４上に形成されたスクリーン印刷後の表
銀グリッド電極用ペーストである。

【０００４】１１２はｎ層１０３と接続されるように形
成された表銀バス電極である。１２０はｐ型シリコン基
板１０１裏面側に形成された焼結後の裏アルミ電極であ
り、１２１はｐ型シリコン基板１０１裏面に形成された
スクリーン印刷後の裏アルミ電極用ペーストである。１
２２はｐ型シリコン基板１０１と裏アルミ電極１２０間
に形成されたｐ＋層であり、１３０はｐ＋層１２２と接
続されるように形成された焼結後の裏銀バス電極であ
り、１４０は表銀グリッド電極１１０表面に形成された
ハンダである。

【０００５】図７（Ａ）に示す太陽電池の表側では、ｐ
型シリコン基板１０１上に太陽光をできるだけ多く発電
に寄与させるべく、通常、入射される光の反射を抑制さ
せるために、反射防止膜１０４を設けている。更に、太
陽電池の表側には、シリコン基板１０１中で発電された
電気を局所的に集電するための表銀グリッド電極１１０
と、表銀グリッド電極１１０で集電された電気を取り出
すための表銀バス電極１１２とが配置されている。

【０００６】ここで、太陽電池の表側電極となる表銀グ
リッド電極１１０と表銀バス電極１１２は、太陽電池の
表側に入射される太陽光を遮ってしまうため、太陽電池
の表側に可能な限り小さく配置することが、太陽電池に
おける発電効率の向上の観点で望ましい。

【０００７】そこで、太陽電池の表側に太陽光を多く入
射させることを考慮すると、例えば、図７（Ａ）のよう
な櫛型のグリッド電極１１０とバス電極１１２を、太陽
電池の表面に配置して構成するのが一般的である。ま
た、グリッド電極１１０とバス電極１１２の電極材料と
しては、例えば、銀を主成分として構成する場合がコス
ト及び性能の観点で一般的である。

【０００８】図７（Ｂ）に示す太陽電池の裏側では、裏
側で発生した電気が抵抗によるロスで低減してしまうこ
とを抑制するために、裏アルミ電極１２０を広範囲に設
け、裏アルミ電極１２０で発電された電気を集電させる
ために裏銀バス電極１３０を更に配置して構成してい
る。

【０００９】裏アルミ電極１２０は、ＢＳＦ（Back Su
rface Field）効果による発電能力を改善するために、
一般にアルミ材料を使用する場合が多い。裏銀バス電極
１３０は、裏アルミ電極１２０で発電された電気を引き
出すための電気引き出し導線として機能させる場合、半
田付き銅線を利用するのが一般的であるが、ここでは、
裏アルミ電極１２０との接着加工性が良好な裏バス電極
として、例えば、銀電極を用いて構成している。

【００１０】一般的に、低価格の太陽電池は、シリコン
基板を使用して単純なｐｎ接合で太陽光を発電させ、数
百μｍ厚程度のｐ型シリコン基板１０１にリン（Ｐ）等
のＶ族元素による拡散等を行うことにより、数百ｎｍ厚
程度のｎ層１０３を形成する。 ここでは、 ｐ型シリコ
ン基板１０１は単結晶、多結晶のいずれであってもよい
が、以下の説明では（１００）面方位の単結晶基板を例
示して説明する。

【００１１】この太陽電池では、比抵抗０.１〜５Ω・
ｃｍ程度のｐ型シリコン１０１基板表面に、ｎ層１０３
と基板１０１側の光を閉じ込める凹凸構造のテクスチャ
ー１０２を設け、そのテクスチャー１０２上に反射防止
膜１０４を配置する。基板１０１裏側には裏アルミ電極
１２０を配置し、 ＢＳＦ（Back Surface Field）効
果を期待してｐ＋層１２２を設けてｐ＋層１２２中の電
子が消滅しないように、バンド構造の電界でｐ＋層１２
２の電子濃度を高めるように構成する。

【００１２】また、裏アルミ電極１２０には、シリコン
基板１０１を通過する長波長光を反射させて発電に再利
用するＢＳＲ（Back Surface Reflection）効果も期
待している。但し、裏アルミ電極１２０は、シリコン基
板１０１の反りが顕著になる傾向があり、これに伴い基
板１０１の割れを誘発する。このため、裏アルミ電極１
２０は、基板１０１の割れを考慮して、熱処理でＰ＋層
２２を形成した後に除去する場合も多い。

【００１３】ここで、シリコン基板１０１が反る理由に
ついて説明する。シリコン基板１０１裏面に裏アルミ電
極１２０用のアルミニウム（Ａｌ）膜を形成すると、シ
リコン基板１０１中のＳｉとＡｌ膜中のＡｌによるＡｌ
−Ｓｉ合金化反応が生じる。その後、５７７℃程度の再
凝固を行ってＡｌ膜を焼結して裏アルミ電極１２０を形
成する。この熱処理により、熱膨張係数の異なるシリコ
ン基板１０１と裏アルミ電極１２０間で熱膨張差を生じ
て、裏アルミ電極１２０側で凹となるようにシリコン基
板１０１が反る。

【００１４】次に、図８に示す太陽電池の製造プロセス
について、図９、１０を用いて説明する。この図９、１
０は、低コスト化を考慮して製造工程数が少ない太陽電
池の製造プロセスを例示したものである。ここでは、表
銀グリッド電極１１０、表銀バス電極１１２は反射防止
膜１０４上に銀ペーストをスクリーン印刷法で付着乾燥
させ、さらに、裏アルミ電極１２０、裏銀バス電極１３
０もスクリーン印刷法で付着乾燥させる。

【００１５】続いて、表裏各電極ペーストを同時に焼成
することにより、各電極１１０、１１２、１２０、１３
０を形成する。この焼成により、表銀電極１１０、１１
２は反射防止膜１０４を貫通してｎ層１０３の中で留ま
る。また、裏アルミ電極１２０とシリコン基板１０１
は、この焼成により溶融かつ再凝固することにより、裏
アルミ電極１２０とシリコン基板１０１間にｐ＋層１２
２を形成する。以下に、この太陽電池の製造方法を具体
的に説明する。

【００１６】まず、図９（Ａ）に示すｐ型シリコン基板
１０１を用い、鋳造インゴットからスライスした際に発
生するシリコン基板１０１表面のダメージ層を、例えば
数〜２０wt％苛性ソーダや炭酸苛性ソーダで１０〜２０
μｍ厚程度除去した後、同様のアルカリ低濃度液にＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）を添加した溶液でシリコ
ン基板１０１表面の異方性エッチングを行ない、シリコ
ン（１１１）面が出るようにテクスチャー１０２をシリ
コン基板１０１表面に形成する（図９（Ｂ））。

【００１７】続いて、例えばオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ
３）、窒素、酸素の混合ガス雰囲気で８００〜９００℃
／数十分程度の熱処理を行うことにより、シリコン基板
１０１表面全面に一様にｎ層１０３を形成する。この
時、シリコン基板１０１表面に形成されたｎ層１０３に
おけるシート抵抗の範囲は、３０〜８０Ω／□程度と太
陽電池として良好な電気特性が得られる。

【００１８】次に、受光面として必要な受光面側のｎ層
１０３を保護するために、その受光面部分のｎ層１０３
を覆うように、高分子レジストペーストをスクリーン印
刷法で付着して乾燥させる。この時、受光面部分のｎ層
１０３を覆うようにレジストマスクが選択的に形成され
るとともに、受光面部分以外の部分のｎ層１０３が露出
される。

【００１９】その後、受光面部分のｎ層１０３を覆った
レジストマスクを用い、シリコン基板１０１裏面等の所
望以外(受光面部分以外)のシリコン基板１０１表面に形
成されたｎ層１０３を、例えば、２０wt％水酸化カリウ
ム溶液中へ数分間浸漬を施して選択的に除去した後、マ
スクとして使用したレジストを有機溶剤で除去する（図
９（Ｃ））。これにより、受光面部分のｎ層１０３が残
り、受光面部分以外のｎ層１０３が除去されてシリコン
基板１０１が露出される。

【００２０】さらに、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜
や酸化チタン膜などからなる反射防止膜１０４を、残さ
れた受光面部分のｎ層１０３表面に一様な厚みで形成す
る(図１０（Ａ）)。例えば、反射防止膜１０４をシリコ
ン窒化膜で形成する場合は、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ
４ガス及びＮＨ３ガスを原材料にして３００℃以上、減
圧下でシリコン酸化膜を成膜形成する。

【００２１】ここで形成されるシリコン窒化膜からなる
反射防止膜１０４の屈折率は、２〜２．２程度であり、
最適な反射防止膜１０４の厚さとしては、７０〜９０ｎ
ｍ程度である。そして、このようにして形成されるシリ
コン窒化膜からなる反射防止膜１０４は、絶縁体として
機能するため、この絶縁体の反射防止膜１０４上に表面
電極を単に形成しただけでは、太陽電池として動作させ
ることができない。そこで、以下に述べるような配線接
続等の工程を行う。

【００２２】次に、表銀グリッド電極１１０形成用と表
銀バス電極１１２形成用の銀ペーストをスクリーン印刷
法で反射防止膜１０４上に付着して乾燥させる。これに
より、反射防止膜１０４上に表銀グリッド電極用ペース
ト１１１及び表銀バス電極用ペーストが選択的に形成さ
れる。図１０（Ｂ）では、表銀グリッド電極用ペースト
１１１が反射防止膜１０４上に形成されていることを示
している。なお、表銀バス電極用ペーストは、断面箇所
の都合上、図１０（Ｂ）に図示されていない。

【００２３】さらに、裏アルミ電極１２０、裏銀バス電
極１３０を形成する場合も同様に、スクリーン印刷法で
裏アルミ電極１２０形成用のアルミペーストと裏銀バス
電極１３０形成用の銀ペーストを、シリコン基板１０１
裏面に各々付着して乾燥させる。これにより、シリコン
基板１０１裏面に裏アルミ電極形成用ペースト１２１と
裏銀バス電極形成用ペーストが選択的に形成される。

【００２４】図１０（Ｂ）では、裏アルミ電極用ペース
ト１２１がシリコン基板１０１裏面に形成されているこ
とを示している。なお、裏銀バス電極用ペーストは、断
面箇所の都合上、図１０（Ｂ）に図示されていない。ス
クリーン印刷では、通常、メッシュ数２００〜４００番
手のメッシュを用いる。通常、乾燥前のペースト厚み
は、十〜数十μｍ厚程度であるが、このペースト厚み
は、乾燥や焼成などで数割減少する。

【００２５】そして、最後に、表銀グリッド電極用ペー
スト１１１、表銀バス電極用ペースト、裏アルミ電極用
ペースト１２１及び裏銀バス電極用ペーストを含む表裏
電極用ペーストを、同時に６００℃〜９００℃程度で数
分間程度、焼成する。この焼成により、シリコン基板１
０１の表側では、表銀グリッド電極用ペースト１１１と
表銀バス電極用ペーストを含む表銀ペースト中に含まれ
ているガラス材料によって、反射防止膜１０４が溶融し
ている間に、銀ペースト中の銀材料がシリコン基板１０
１上部のｎ層１０３中のシリコンと接触して再凝固す
る。

【００２６】以上の焼成工程により、上記表裏電極用ペ
ーストが焼成されて、表銀グリッド電極１１０、表銀バ
ス電極１１２、裏アルミ電極１２０及び裏銀バス電極１
３０が形成される。図１０（Ｃ）では、表銀グリッド電
極１１０と裏アルミ電極１２０が形成されていることを
示しており、表銀バス電極１１２と裏銀バス電極１３０
は、断面箇所の都合上、図１０（Ｃ）に図示されていな
い。

【００２７】また、上記焼成工程により、表銀グリッド
電極１１０／表銀バス電極１１２による表銀電極とシリ
コンのｎ層１０３の導通が確保される。このようなプロ
セスは、ファイヤースルー法と呼ばれている。また、こ
の焼成工程により、裏アルミ電極用ペースト１２１もシ
リコン基板１０１中のシリコンと反応して、裏アルミ電
極１２０が形成されるとともに、シリコン基板１０１と
裏アルミ電極１２０間にｐ＋層１２２が形成される。

【００２８】ここで、ファイヤースルー法で重要なの
は、反射防止膜１０４が数十ｎｍ厚程度で形成され、ｎ
層１０３が数百ｎｍ厚程度でしか形成されないことであ
る。焼成中に銀ペースト中のガラスが反射防止膜１０４
のみならず、ｎ層１０３中のシリコンとも反応するのが
一般的であり、ガラス及び銀電極１１０、１１２をｎ層
１０３内で留めるように焼成温度、時間を制御しなけれ
ばならない。

【００２９】また、反射防止膜１０４が表面銀電極１１
０、１１２直下及びその近傍だけ予め除去しておく製造
方法や、反射防止膜１０４を後で形成する製造方法で
も、同様に焼成時の制御性は重要である。焼成温度が低
い、若しくは焼成時間が短い場合は、ｎ層１０３中のシ
リコンと銀電極１１０、１１２の接触が不十分で接触抵
抗が高くなる不具合が発生する。

【００３０】逆に、焼成温度が高い、若しくは焼成時間
が長い場合は、ｎ層１０３をガラス成分や銀電極１１
０、１１２が突き抜けて、太陽電池における電気的特性
の劣化を招き易い。また、表銀電極１１０、１１２直下
が一様にｎ層１０３中のシリコンと導通がとれていない
と、太陽電池における初期の電気的特性が劣化する。

【００３１】更には、樹脂やガラス等で太陽電池を密封
してモジュール化しても、長期間の使用中に封止樹脂を
透過した水分が太陽電池まで到達して、表銀電極１１
０、１１２とシリコン界面を、酸化等の反応で劣化させ
てしまい、太陽電池の寿命を短くすることがあった。

【００３２】そこで、その対策の１つとして、銀電極１
１０、１１２の耐湿性向上を図るために、２００〜２５
０℃程度の鉛・スズ共晶ハンダ溶融槽に上記太陽電池を
浸漬処理して、図８に示すように、表銀電極１１０、１
１２上にハンダ１４０で被覆処理を行っている。これに
より、表銀電極１１０、１１２における耐湿性の向上を
図ることができる。

【００３３】図１１は従来の太陽電池モジュールの全体
構造を示す斜視図、図１２は図１１に示すＢ１−Ｂ２線
における太陽電池モジュールの断面構造図である。図１
１、１２において、１５１は太陽電池であり、１５２は
太陽電池１５１の裏側に配置されるＰＶＦ(ポリビニル
フルオライド)樹脂などが良く用いられる耐湿性バック
シートであり、１５３は太陽電池１５１を相互接続する
ための銅が主成分の太陽電池相互接続タブ配線である。

【００３４】１５４は太陽電池１５１を相互接続する横
タブ配線であり、１５５は太陽電池モジュールのプラス
取り出し電極であり、１５６は太陽電池モジュールのマ
イナス取り出し電極である。１５７は太陽電池１５１の
表側に配置される強化カバーガラスであり、１５８は太
陽電池１５１を保護するように耐湿性バックシート１５
２と強化カバーガラス１５７間に配置される太陽電池密
封材（ＥＶＡ：Ethylene-Vinyl-Acetateなど）である。

【００３５】太陽電池１５１は、受光面側がマイナス電
極、裏面側がプラス電極となって構成されるので、図１
１では、横方向に隣接する太陽電池１５１の上下を銅が
主成分のタブ配線１５３で相互接続を行なう。同様に、
横方向に連なる太陽電池アレイも横タブ線１５４で電気
的に接続し、最終的にプラス取り出し電極１５５、マイ
ナス取り出し電極１５６で電気を取り出せるように構成
する。

【００３６】また、太陽電池モジュールは、長期信頼性
が要求されるため、図１１、１２に示すように、太陽電
池アレイは、最表面に太陽光を透過させながら、雨等の
侵入を防ぎ、落下物等の衝撃を吸収する機能を備えた強
化カバーガラス１５７で覆うように構成する。

【００３７】また、太陽電池アレイの裏面側は、バック
シート１５２を設ける。太陽電池１５１と強化カバーガ
ラス１５７やバックシート１５２の間隙は、密封材１５
８で充填されている。密封材１５８は一般的には、ＥＶ
Ａ（Ethylene-Vinyl-Acetate）などという光透過性が高
い熱硬化型樹脂が用いられる。ＥＶＡ剤は、作業性の良
いシート状のものが好ましい。

【００３８】ここで、この従来の太陽電池モジュールの
作製工程について説明する。まず、太陽電池１５１に相
互接続タブ線１５３を接続して、横方向の太陽電池アレ
イを作製する。次に、太陽電池アレイに横タブ配線１５
４とプラス、マイナス取り出し電極１５５、１５６を接
続する。

【００３９】そして、最後に、太陽電池１５１を２枚の
ＥＶＡ等のシートで挿み、更に、太陽電池１５１の上下
に配置された強化カバーガラス１５７とバックシート１
５２で挿み込んで、脱泡と同時に加熱を行うと、図１２
に示すような間隙のない構造の太陽電池モジュールを得
ることができる。

【００４０】

【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
シリコン太陽電池では、太陽電池の電気特性の低下や図
１１のタブ配線１５３のピール強度(接着強度)が太陽電
池セルの反り量の悪化を招かない程度以上の、必要量以
上の銀ペーストを表裏面電極に使用していた。このよう
に、太陽電池の各特性を悪化させないように必要以上の
銀ペーストを使用していたため、太陽電池セルの製造コ
ストが嵩むという問題があった。

【００４１】そこで、本発明は、セルの各特性を悪化さ
せることなく、セルの性能を維持しつつ電極の銀ペース
トの使用量を低減することができ、太陽電池の製造コス
トを低減することができる太陽電池を提供することを目
的とする。

【００４２】

【課題を解決するための手段】本発明による太陽電池
は、受光した光エネルギーを光起電力に変換する太陽電
池において、受光面側の光起電力を収集して出力すると
ともに、受光面側の表面に形成された銀からなるバス電
極の一部に、銀を使用しない空き部分を設けたものであ
る。

【００４３】本発明による太陽電池は、受光した光エネ
ルギーを光起電力に変換する太陽電池において、光起電
力を収集して出力する受光面側の表面に対して反対側の
裏面上に形成された銀からなるバス電極の一部に、銀を
使用しない空き部分を設けたものである。

【００４４】本発明による太陽電池は、受光した光エネ
ルギーを光起電力に変換する太陽電池において、光起電
力を収集して出力する受光面側の表面とこの表面に対し
て反対側の裏面上に形成された銀からなるバス電極の一
部に、銀を使用しない空き部分を設けたものである。

【００４５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明における実施の形
態を、図面を参照して説明する。 実施の形態１．図１は実施の形態１における太陽電池の
表電極配置を示す上面図、図２は実施の形態１における
表銀バス電極部を拡大した詳細図、図３は実施の形態１
における太陽電池の裏電極配置を示す上面図、図４は実
施の形態１における裏銀バス電極部を拡大した詳細図で
ある。図１〜４において、１０は表銀グリッド電極、１
２は表銀バス電極、３０は裏銀バス電極である。バス電
極１２、３０は、受光した光エネルギーを光起電力に変
換する太陽電池の受光面側の光起電力を収集して出力す
る機能を有する。

【００４６】図１〜４に示すように、本実施の形態で
は、全面に銀を配するのではなく銀を配さない千鳥格子
状に円形抜きパターンをバス電極１２、３０に配したこ
とが、表裏電極全面に銀電極を配した従来のものと比較
して大きく異なる点である。バス電極１２、３０には、
電極に使用している銀において、銀を配さない千鳥格子
状に円形抜きパターンを部分的に配することにより、全
面ではなく一部に銀を使用しない空き部分が形成され
る。

【００４７】図１〜４に示した表銀電極１０、１２、裏
銀電極３０はスクリーン印刷で形成されるが、バス電極
１２、３０上の抜きパターンの形状を調整することによ
り、必要とされる銀ペースト量を制御することができ
る。これにより、バス電極１２、３０に使用される銀ペ
ーストの使用量を低減することができる。

【００４８】以下、実際に検討を行った３種類の表裏電
極の組み合わせについて説明する。図５中従来例Ａは表
銀、裏銀電極(全面に銀電極を配した)ともに従来の形状
の太陽電池セルであり、図５中本発明Ｂは表銀が図１、
２の抜きパターン形状で裏銀(全面に銀電極を配した)が
従来の形状の太陽電池セルであり、図５中本発明Ｃは表
銀が図１、２の抜きパターン形状、裏銀が図３、４の抜
きパターン形状の太陽電池セルであり、それぞれの太陽
電池セルについて、それぞれの電気特性、ピール強度、
セル反り量を調べたものである。

【００４９】図６には今回実験した表裏銀ペーストの使
用量低減率を示している。銀面積低減率の計算値の方
は、パターンの全面積と抜きパターンの面積から求めた
ものである。実測値は、セルの表面、裏面に使用した銀
ペーストの重量を従来パターンと抜きパターンそれぞれ
についてはかり、その差から求めたものである。銀ペー
ストの使用量低減の信頼性は、実測値の方が計算値より
も高い。図６から判るように、表面も裏面も実測値から
略同等な銀ペーストの低減率が得られた。

【００５０】図５中でVocとは開放電圧のことであり、
これは太陽電池の正極と負極との間に何も接続しない状
態での電圧である。図５中でJscとは短絡電流密度のこ
とであり、太陽光を入射した状態で太陽電池の正負両極
を導線で接続し、短絡したときの電流をその太陽電池の
面積で割った値である。

【００５１】また、図５中でFFとは曲線因子のことであ
り、ある負荷に対して供給し得る最大電力の開放電圧(V
oc)と短絡電流密度(Jsc)の積の比で表される。図５中で
Effは変換効率のことであり、前述した開放電圧(Voc)と
短絡電流密度(Jsc)と曲線因子(FF)を乗じて得られ、最
終的な太陽電池セルの性能を表す値である。

【００５２】前述したように、図５に示す従来例Ａは表
銀、裏銀電極ともに従来の形状の場合であり、本発明Ｂ
は表銀が抜きパターン形状で裏銀が従来の場合であり、
本発明Ｃは表銀、裏銀ともにが抜きパターン形状の場合
である。従来例Ａ、本発明Ｂ、Ｃのいずれの場合も、開
放電圧Voc、短絡電流Jsc、曲線因子FF、変換効率Effの
各特性は大差なく、表裏電極の銀ペースト使用量低減の
可能性が見出せることが判った。

【００５３】また、上記図５中Ａ、Ｂ、Ｃ３種類の表裏
電極パターンの太陽電池セルについて、そのピール強度
を測定した。その結果は、裏銀ペーストの使用量を今回
の割合で低減すると、若干ピール強度が低下するが、モ
ジュール化したときに問題になるレベルではない。基板
内８点についてセル反り量も測定したが、反り量につい
ても、表裏銀ペーストの使用量を今回の割合で低減して
も、反り量の悪化を招くことはなかった。

【００５４】以上の結果から、表裏電極の銀ペースト量
を今回実験した割合で低減しても、上記各特性が悪化す
ることはなく、太陽電池セルの製造コストを低減するこ
とが可能である。なお、上記実施の形態では、銀を配さ
ない抜きパターンを表銀のみに設ける場合と、表銀、裏
銀の両面に抜きパターンを設ける場合を本発明の資料と
して示したが、抜きパターンを裏銀のみに設ける場合で
あっても、表銀のみの場合と同様、セルの各特性を悪化
させることなく、セルの性能を維持しつつ電極の銀ペー
ストの使用量を低減することができ、太陽電池の製造コ
ストを低減することができる。

【００５５】

【発明の効果】本発明による太陽電池によれば、受光し
た光エネルギーを光起電力に変換する太陽電池におい
て、受光面側の光起電力を収集して出力するとともに、
受光面側の表面に形成された銀からなるバス電極の一部
に、銀を使用しない空き部分を設けて構成することによ
り、セルの各特性を悪化させることなく、セルの性能を
維持しつつ電極の銀ペーストの使用量を低減することが
でき、太陽電池の製造コストを低減することができる。

【００５６】本発明による太陽電池によれば、受光した
光エネルギーを光起電力に変換する太陽電池において、
光起電力を収集して出力する受光面側の表面に対して反
対側の裏面上に形成された銀からなるバス電極の一部
に、銀を使用しない空き部分を設けて構成することによ
り、セルの各特性を悪化させることなく、セルの性能を
維持しつつ電極の銀ペーストの使用量を低減することが
でき、太陽電池の製造コストを低減することができる。

【００５７】本発明による太陽電池によれば、受光した
光エネルギーを光起電力に変換する太陽電池において、
光起電力を収集して出力する受光面側の表面とこの表面
に対して反対側の裏面上に形成された銀からなるバス電
極の一部に、銀を使用しない空き部分を設けて構成する
ことにより、セルの性能を維持しつつ電極の銀ペースト
の使用量を低減することができ、太陽電池の製造コスト
を低減することができる。また、表面、裏面の両面に形
成されたバス電極の一部に、銀を使用しない空き部分を
設けて構成したため、上記表面のみ、裏面のみに形成し
た場合よりも、電極の銀ペーストの使用量を低減するこ
とができ、太陽電池の製造コストを低減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施の形態１における太陽電池の表電極配置
を示す上面図である。

【図２】 実施の形態１における太陽電池の表銀バス電
極部を拡大した詳細図である。

【図３】 実施の形態１における太陽電池の裏電極配置
を示す上面図である。

【図４】 実施の形態１における太陽電池の裏銀バス電
極部を拡大した詳細図である。

【図５】 従来例資料と本発明資料における電気特性、
ピール強度、セル反り量を示す図である。

【図６】 銀を配さない抜きパターンをセル表面、裏面
に形成した場合におけるセル表裏銀の低減率を示す図で
ある。

【図７】 従来の住宅用等に使用されるシリコン太陽電
池の表面、裏面側の概略図である。

【図８】 図７（Ａ）に示すＡ１−Ａ２線におけるシリ
コン太陽電池の断面図である。

【図９】 図８に示すシリコン太陽電池の主な製造工程
を示す断面構造図である。

【図１０】 図８に示すシリコン太陽電池の主な製造工
程を示す断面構造図である。

【図１１】 従来の太陽電池モジュールの全体構造を示
す斜視図である。

【図１２】 図１１に示すＢ１−Ｂ２線における太陽電
池モジュールの断面構造図である。

【符号の説明】

１０ 表銀グリッド電極、１２ 表銀バス電極、３０
裏銀バス電極。

フロントページの続き (72)発明者 中谷 光徳 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 唐木田 昇市 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA03 FA10 FA14 FA15 FA16 FA17 FA30

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 受光した光エネルギーを光起電力に変換
   する太陽電池において、受光面側の光起電力を収集して
   出力するとともに、受光面側の表面に形成された銀から
   なるバス電極の一部に、銀を使用しない空き部分を設け
   たことを特徴とする太陽電池。
2. 【請求項２】 受光した光エネルギーを光起電力に変換
   する太陽電池において、光起電力を収集して出力する受
   光面側の表面に対して反対側の裏面上に形成された銀か
   らなるバス電極の一部に、銀を使用しない空き部分を設
   けたことを特徴とする太陽電池。
3. 【請求項３】 受光した光エネルギーを光起電力に変換
   する太陽電池において、光起電力を収集して出力する受
   光面側の表面とこの表面に対して反対側の裏面上に形成
   された銀からなるバス電極の一部に、銀を使用しない空
   き部分を設けたことを特徴とする太陽電池。