JP2003298171A - レーザモジュール - Google Patents
レーザモジュールInfo
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Abstract
の高いレーザモジュールを提供する。 【解決手段】気密封止部材は内部に酸素を1ppm以上
の濃度で含み且つハロゲン族ガス及びハロゲン化合物ガ
スの少なくとも一方を含む不活性ガスで満たされた封止
空間を備えており、この空間内に350〜450nmの
波長範囲のレーザ光を出射する複数の半導体レーザ、光
ファイバーの結合側部位、及び集光光学系を気密封止し
ている。封止雰囲気中に酸素を1ppm以上の濃度で含
むことにより、炭化水素堆積物が酸化分解されて減少す
ると共に、珪素化合物による堆積物がハロゲン系ガスで
分解、除去されて減少するので、レーザ特性の劣化が効
果的に抑制される。
Description
に関し、特に、発振波長が350〜450nmの半導体
レーザを含む構成部材を気密封止したレーザモジュール
に関する。
射又は発生させる光学モジュールにおいては、照射又は
発生された紫外線により光学モジュールに含まれる光学
部品の光学損失が増加して、光学部品の特性が低下する
という問題があった。このような光学損失は、大気中の
水分や油分(有機物)が紫外線により分解され、その分
解物が光学部品の表面に堆積するために発生すると考え
られている。
報に記載された紫外線照射光学系等では、光学部品が置
かれる雰囲気(封止雰囲気)を99.9%以上の高純度
の窒素、99.9%以上の高純度の乾燥空気、水分が
0.1%以下の気体、又は炭化水素化合物が0.1%以
下の気体等として分解物の堆積を防止し、紫外レーザ光
の出力低下を防止している。また、特開平11−167
132号公報には、空気等の酸素が存在する系で良好な
劣化防止効果が得られる、と記載されている。
は、酸素を100ppm以上の濃度で封止ガス中に混入
させて、有機物が紫外レーザ光により分解されて発生す
る物質を酸化分解し、分解物が光学部品の表面に堆積す
るのを防止する技術が記載されている。
載されたレーザ共振器の寿命延長方法では、レーザ共振
器を構成するホルダー等の構成部品に付着した油分等の
汚染物質を溶剤等で脱脂・洗浄することで、レーザ共振
器の長期信頼性を向上させている。
低分子シロキサンが紫外線による光化学反応で酸素と反
応し、光学ガラス窓部品にSiOxの形で堆積、付着す
ることが開示されている。このため、大気と接する
「窓」部材の定期的な交換を推奨している。
者等の研究によれば、発振波長が350〜450nmの
半導体レーザを含むモジュールでは、封止雰囲気の酸素
濃度が高くなり過ぎると、却ってレーザ特性が劣化する
ことが判明した。
の発振波長を410nm,810nm,980nmと変
更し、特開平11−87814号公報に記載されている
洗浄工程を実施したレーザモジュールを用いて、封止雰
囲気中の酸素濃度に対する信頼性の変化を評価したとこ
ろ、波長410nmの半導体レーザを用いたモジュール
では、経時モジュール劣化速度の酸素濃度に対する依存
性は、波長810nm,波長980nmの赤外波長の半
導体レーザを用いたモジュールとは異なっており、赤外
波長の半導体レーザを用いたモジュールに見られるよう
な、酸素濃度増加に伴うレーザ特性の改良効果が見られ
なかった。
赤外波長のレーザ光に対しては、モジュール内ファイバ
入射端面、レンズ等、レーザ光路上に存在する光学部品
表面に堆積する炭化水素系有機化合物の分解反応が、酸
素濃度の増加とともに活発になり、経時信頼性の向上が
見られる。これに対し、波長410nmのレーザ光に対
しては、酸素濃度が100ppm以上になると逆に信頼
性が悪くなる。
域では、ファイバ端面集光部における珪素化合物の堆積
が顕在化することによる。この珪素化合物の堆積物も炭
化水素堆積物と同様に、光学的な吸収を発生させるた
め、連続発振に於ける経時信頼性が著しく損なわれる。
り生成される炭化水素堆積物は、一定量以上の酸素を含
んだガス雰囲気下で二酸化炭素(CO2)と水(H2O)
とに分解されて除去される。しかしながら、堆積物中に
は炭化水素だけではなく珪素化合物が含まれている。こ
の珪素化合物の堆積物は、酸素を雰囲気中に含有させる
だけでは分解・除去することができない。堆積する珪素
化合物は、シロキサン結合(Si−O−Si)、シラノ
ール基(−Si−OH)等の珪素(ケイ素)原子を含有
する有機化合物ガス(以下、「有機珪素化合物ガス」と
いう)とレーザ光との光化学反応により発生する。しか
も、雰囲気中の酸素の存在が、その光化学反応の反応速
度を速めてしまう。
問わず珪素原子を含むあらゆる構造を有している化合物
であり、無機酸化珪素(SiOx)、有機珪素化合物、
炭化珪素化合物、有機炭化珪素化合物等が含まれる。ま
た、有機珪素化合物ガスは、モジュール製造工程中の任
意の場所に使用されているシリコーン系材料から発せら
れるガスであり、モジュール内の各部品表面に付着して
いる場合に、これを封止して使用すると封止雰囲気中に
も微量の有機珪素化合物ガスが含まれる。
は、通常のクリーンルームや封止ガス精製機を設置する
だけでは、完全に除去することはできない。これを除去
するためには多大な設備投資が必要となる。また、特開
平11−87814号公報に記載されているように、油
分等の脱脂、洗浄を実施しても、製造工程雰囲気から有
機珪素化合物ガスが混入するのを避けることはできな
い。
堆積を防止するために、封止雰囲気中に酸素を含有させ
る場合であっても、酸素含有量が多過ぎると珪素化合物
の堆積が増加してレーザ特性が劣化し、信頼性が悪化す
ることになる。そして、モジュール内部のファイバ入射
端面、レンズ等の光学部品は、モジュール内に接着剤や
ロウ材で固定されており、特開平11−5482号公報
に記載の場合のように交換は不可能である。
れたものであり、本発明の目的は、レーザ特性の劣化を
効果的に抑制して、信頼性の高いレーザモジュールを提
供することにある。
に本発明のレーザモジュールは、350〜450nmの
波長範囲のレーザ光を出射する複数の半導体レーザ、1
本の光ファイバー、及び前記複数の半導体レーザの各々
から出射したレーザビームを集光し前記光ファイバーに
結合させる集光光学系を備えた合波レーザと、不活性ガ
ス中に1ppm以上の濃度の酸素とハロゲン族ガス及び
ハロゲン化合物ガスの少なくとも一方のガスとを含む封
入ガスで満たされた封止空間を内部に備え、該空間内に
前記半導体レーザ、前記光ファイバーの結合側部位、及
び前記集光光学系を気密封止した気密封止部材と、を含
んで構成したことを特徴としている。
部材は、その内部に、不活性ガス中に1ppm以上の濃
度の酸素とハロゲン族ガス及びハロゲン化合物ガスの少
なくとも一方のガスとを含む封入ガスで満たされた封止
空間を備えており、この空間内に350〜450nmの
波長範囲のレーザ光を出射する複数の半導体レーザ、光
ファイバーの結合側部位、及び集光光学系を気密封止し
ている。この通り、封止雰囲気中に酸素を1ppm以上
の濃度で含むことにより、炭化水素堆積物が酸化分解さ
れて減少すると共に、珪素化合物による堆積物がハロゲ
ン系ガスで分解、除去されて減少するので、レーザ特性
の劣化が効果的に抑制される。これにより、信頼性の高
いレーザモジュールを提供することができる。
活性ガス中の酸素濃度を1〜100ppmとするのが好
ましい。また、ハロゲン族ガス及びハロゲン化合物ガス
はフッ素原子を含有しているものが好ましく、ハロゲン
化合物ガスを不活性ガス中に含有させる場合、ハロゲン
化合物ガスは、炭素、窒素、硫黄、及びキセノン各々の
フッ化物と炭素、窒素、硫黄、及びキセノン各々の塩化
物とからなる群から選択された少なくとも一種であるこ
とが好ましい。
め、気密封止する半導体レーザの共振器端面、光ファイ
バーの結合側部位、及び集光光学系を被覆する最表面層
を、ハロゲン族ガス及びハロゲン化合物ガスに対し不活
性な材料で構成することが好ましい。不活性な材料は、
例えば、インジウム、ガリウム、アルミニウム、チタ
ン、及びタンタル各々の酸化物とガリウム、アルミニウ
ム、チタン、及びタンタル各々の窒化物とからなる群か
ら選択することができる。
施の形態を詳細に説明する。 [モジュールの構成]本実施の形態に係るレーザモジュ
ールは、図1に示す合波レーザ光源を備えている。この
合波レーザ光源は、ヒートブロック10上に配列固定さ
れた複数(例えば、7個)のチップ状の横マルチモード
のGaN系半導体レーザLD1,LD2,LD3,LD
4,LD5,LD6,及びLD7と、GaN系半導体レ
ーザLD1〜LD7の各々に対応して設けられたコリメ
ータレンズ11,12,13,14,15,16,及び
17と、1つの集光レンズ20と、1本のマルチモード
光ファイバ30と、から構成されている。
発振波長が総て共通(例えば、405nm)であり、最
大出力も総て共通(例えば、100mW)である。な
お、GaN系半導体レーザLD1〜LD7としては、3
50nm〜450nmの波長範囲で、上記の405nm
以外の発振波長を備えるレーザを用いることができる。
示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状
のパッケージ40内に収納されている。パッケージ40
の底面にはベース板42が固定されており、このベース
板42の上面には、前記ヒートブロック10と、集光レ
ンズ20を保持する集光レンズホルダー45と、マルチ
モード光ファイバー30の入射端部を保持するファイバ
ーホルダー46とが取り付けられている。また、ヒート
ブロック10の側面にはコリメータレンズホルダー44
が取り付けられており、コリメータレンズ11〜17が
保持されている。パッケージ40の横壁面には開口が形
成され、この開口を通してGaN系半導体レーザLD1
〜LD7に駆動電流を供給する配線47がパッケージ外
に引き出されている。
るために、複数のGaN系半導体レーザのうちGaN系
半導体レーザLD7にのみ番号を付し、複数のコリメー
タレンズのうちコリメータレンズ17にのみ番号を付し
ている。
の取り付け部分の正面形状を示すものである。コリメー
タレンズ11〜17の各々は、非球面を備えた円形レン
ズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形
状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズ
は、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形するこ
とによって形成することができる。コリメータレンズ1
1〜17は、長さ方向がGaN系半導体レーザLD1〜
LD7の発光点の配列方向(図4の左右方向)と直交す
るように、上記発光点の配列方向に密接配置されてい
る。
7としては、発光幅が2μmの活性層を備え、活性層と
平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば10
°、30°の状態で各々レーザビームB1〜B7を発す
るレーザが用いられている。これらGaN系半導体レー
ザLD1〜LD7は、活性層と平行な方向に発光点が1
列に並ぶように配設されている。
ームB1〜B7は、上述のように細長形状の各コリメー
タレンズ11〜17に対して、拡がり角度が大きい方向
が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向
(長さ方向と直交する方向)と一致する状態で入射する
ことになる。つまり、各コリメータレンズ11〜17の
幅が1.1mm、長さが4.6mmであり、それらに入
射するレーザビームB1〜B7の水平方向、垂直方向の
ビーム径は各々0.9mm、2.6mmである。また、
コリメータレンズ11〜17の各々は、焦点距離f1=
3mm、NA=0.6、レンズ配置ピッチ=1.25m
mである。
ンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取っ
て、コリメータレンズ11〜17の配列方向、つまり水
平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成され
ている。この集光レンズ20は、焦点距離f2=12.
5mm、NA=0.3である。この集光レンズ20も、
例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することに
より形成される。
インデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス
型光ファイバ、及び複合型光ファイバの何れでもよい。
例えば、三菱電線工業株式会社製のグレーテッドインデ
ックス型光ファイバを用いることができる。この光ファ
イバは、コア中心部がグレーテッドインデックスで外周
部がステップインデックスであり、コア径=25μm、
NA=0.3、端面コートの透過率=99.5%以上で
ある。
に作成されたパッケージ蓋41を備えており、後述する
脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ40の開口
をパッケージ蓋41で閉じることにより、パッケージ4
0とパッケージ蓋41とにより形成される閉空間(封止
空間)内に、上記の合波レーザ光源が他の光学要素と共
に気密封止される。
に、封止空間内が、不活性ガス中に1ppm以上の濃度
の酸素とハロゲン族ガス又はハロゲン化合物ガス(以
下、「ハロゲン系ガス」という)とを含有する封入ガス
で満たされるように気密封止する。このためには、不活
性ガス中に1ppm以上の濃度の酸素とハロゲン系ガス
とを含有するガスを封入して気密封止を実施する。
学要素に対して不活性なガスであり、例えば、乾燥した
窒素、アルゴン等の希ガスを用いることができる。
が含まれると、レーザモジュールの劣化を抑制すること
ができる。このような劣化抑制効果が得られるのは、封
止雰囲気中に含有される酸素が、炭化水素成分の光分解
により発生した固形物を酸化分解するためである。一
方、酸素濃度が1ppm未満であると、劣化抑制効果が
得られない。酸素濃度が高過ぎると、却って有機珪素化
合物ガスの光化学反応が促進されるので、封止雰囲気中
の酸素濃度は1〜800ppmの範囲が好ましく、1〜
100ppmの範囲が特に好ましい。
l2)、フッ素ガス(F2)等のハロゲンガスであり、ハ
ロゲン化合物ガスとは、塩素原子(Cl)、臭素原子
(Br)、ヨウ素原子(I)、フッ素原子(F)等のハ
ロゲン原子を含有するガス状の化合物である。
l,CF2Cl2,CFCl3,CF3Br,CCl4,C
Cl4−O2,C2F4Cl2,Cl−H2,CF3Br,P
Cl3,CF4,SF6,NF3,XeF2,C3F8,CH
F3等が挙げられるが、フッ素又は塩素と炭素(C)、
窒素(N)、硫黄(S)、キセノン(Xe)との化合物
が好ましく、フッ素原子を含有するものが特に好まし
い。
発揮するが、顕著な劣化抑制効果を得るためには、ハロ
ゲン系ガスの含有濃度を1ppm以上とするのが好まし
い。このような劣化抑制効果が得られるのは、封止雰囲
気中に含有されるハロゲン系ガスが、有機珪素化合物ガ
スの光分解により発生した堆積物を分解するためであ
る。
素(Si)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、ス
ズ(Sn)、又はジルコニウム(Zr)の酸化物又は窒
化物等、ハロゲン系ガスに対して反応性を有する材料を
使用する場合には、これらの光学部品の最表面層がエッ
チングされて、モジュールの信頼性が低下する。
コリメータレンズ、集光レンズ、及びマルチモード光フ
ァイバの入射側端部等の合波レーザ光源の構成部品、及
び光学ミラー等の合波レーザ光源と共に気密封止される
光学部品の封止雰囲気に曝される最表面層には、例え
ば、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、アルミニ
ウム(Al)、チタン(Ti)、又はタンタル(Ta)
の酸化物又は窒化物のように、ハロゲン系ガスに対して
不活性な材料を使用するのが好ましい。
には、封止空間内の雰囲気を排気する脱気処理を行う。
接着剤の機械的性質を損なわない観点から通常200℃
以下でこの脱気処理は行われる。モジュール中に光学系
を固定するために有機系接着剤を用いた場合でも、接着
剤で各部品を固定後、封止前に脱気処理を行うことによ
り、有機系接着剤からのアウトガスを抑制することがで
きる。光学部品の固定等に使用する有機系接着剤の量を
1.0g/ml以下とすることにより、脱気処理でモジ
ュール中のアウトガス成分の飽和濃度を1000ppm
未満にすることができる。
ジュールの動作について説明する。
レーザLD1〜LD7の各々から発散光状態で出射した
レーザビームB1,B2,B3,B4,B5,B6,及
びB7の各々は、対応するコリメータレンズ11〜17
によって平行光化される。平行光とされたレーザビーム
B1〜B7は、集光レンズ20によって集光され、マル
チモード光ファイバ30のコア30aの入射端面に収束
する。
び集光レンズ20によって集光光学系が構成され、その
集光光学系とマルチモード光ファイバ30とによって合
波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ20によ
って上述のように集光されたレーザビームB1〜B7
が、このマルチモード光ファイバ30のコア30aに入
射して光ファイバ内を伝搬し、1本のレーザビームBに
合波されてマルチモード光ファイバ30から出射する。
ムB1〜B7のマルチモード光ファイバ30への結合効
率が0.9となる。従って、GaN系半導体レーザLD
1〜LD7の各出力が100mWの場合には、出力63
0mW(=100mW×0.9×7)の合波レーザビー
ムBを得ることができる。
に詳細に説明する。
を用いて、下記表1に示す4つの条件(水準)で、封止
雰囲気中の酸素濃度及びハロゲン系ガスの濃度とモジュ
ールの劣化率との関係を調べた。結果を図5に示す。
ルの各発光点が30mW出力となるようにAPC駆動し
た場合に、全素子を駆動するために必要な1時間当りの
駆動電流上昇量で表している。封止雰囲気中の不活性ガ
スには窒素ガスを用い、ハロゲン系ガスには四フッ化炭
素(CF4)を用いた。また、封止雰囲気中の炭化水素
濃度は100ppm程度である。
モジュール中の低濃度(0.1ppm)の酸素雰囲気に
より、雰囲気中に高濃度に存在する炭化水素ガスから生
じる炭化水素系堆積物の分解が完結しない。経時時間と
ともに炭化水素堆積物量が増加することのよる光量ロス
が支配的に起こり、このためモジュールの劣化率が大き
い。当然ながらCF4濃度に対する劣化速度の依存性は
ない。なぜならば酸素ガスは、炭化水素ガスの分解にそ
の殆どが使われるため、有機珪素化合物ガスの堆積促進
に寄与せず、有機珪素化合物ガスは堆積しないからであ
る。即ち、CF 4の濃度が変化しても劣化速度の変化は
なく、光学部品の表面は炭化水素系化合物で覆われるの
で、後述の条件で見られるCF4ガスによる光学部品の
エッチング現象による劣化は見られない。
(4)では、モジュール中にCF4導入することにより
顕著な劣化抑制効果が発揮されている。酸素濃度を増加
していくと生成する酸化珪素化合物量も増加するので、
水準(2)の様に酸素濃度が大きい場合には、CF4ガ
スを導入する効果は小さい。CF4ガス導入効果は、酸
素濃度が小さい方が顕著である。また、最表面層にCF
4と反応性を有するSiO2を用いる場合には、酸素濃度
とは関係なく、一定以上のCF4濃度で光学部品の最表
面層を構成するSiO2がCF4と反応し蒸発を始めるこ
とにより、光学部品、ファイバー端面の劣化が著しく進
み、劣化速度が急激に上昇する。
pm以上の濃度で含有する封止雰囲気中に、CF4ガス
(ハロゲン系ガス)を導入すると、顕著な劣化抑制効果
が得られる。
モジュールでは、酸素を1ppm以上の濃度で含有する
と共にハロゲン系ガスを含有する不活性ガスを封入して
気密封止を行うことにより、炭化水素の堆積物だけでな
く珪素化合物の堆積物までもが分解、除去されて減少
し、モジュールの劣化が顕著に抑制される。即ち、レー
ザモジュールの信頼性が向上し、長期間高出力を維持す
ることができる。
果的に抑制して、信頼性の高いレーザモジュールを提供
することができる、という効果が得られる。
合波レーザ光源の構成を示す平面図である。
構成を示す平面図である。
図である。
側面図である。
ン系ガス濃度とモジュールの劣化率との関係を示すグラ
フである。
Claims (6)
- 【請求項1】350〜450nmの波長範囲のレーザ光
を出射する複数の半導体レーザ、1本の光ファイバー、
及び前記複数の半導体レーザの各々から出射したレーザ
ビームを集光し前記光ファイバーに結合させる集光光学
系を備えた合波レーザと、 不活性ガス中に1ppm以上の濃度の酸素とハロゲン族
ガス及びハロゲン化合物ガスの少なくとも一方のガスと
を含む封入ガスで満たされた封止空間を内部に備え、該
空間内に前記半導体レーザ、前記光ファイバーの結合側
部位、及び前記集光光学系を気密封止した気密封止部材
と、 を含むレーザモジュール。 - 【請求項2】前記不活性ガス中の酸素濃度を1〜100
ppmとした請求項1に記載のレーザモジュール。 - 【請求項3】前記ハロゲン族ガス及びハロゲン化合物ガ
スは、フッ素原子を含有している請求項1又は2に記載
のレーザモジュール。 - 【請求項4】前記ハロゲン化合物ガスは、炭素、窒素、
硫黄、及びキセノン各々のフッ化物と炭素、窒素、硫
黄、及びキセノン各々の塩化物とからなる群から選択さ
れる少なくとも一種である請求項1乃至3の何れか1項
に記載のレーザモジュール。 - 【請求項5】前記半導体レーザの共振器端面、前記光フ
ァイバーの結合側部位、及び前記集光光学系を被覆する
最表面層を、前記ハロゲン族ガス及びハロゲン化合物ガ
スに対し不活性な材料で構成した請求項1乃至4の何れ
か1項に記載のレーザモジュール。 - 【請求項6】前記不活性な材料が、インジウム、ガリウ
ム、アルミニウム、チタン、及びタンタル各々の酸化物
とガリウム、アルミニウム、チタン、及びタンタル各々
の窒化物とからなる群から選択される少なくとも一種で
ある請求項5に記載のレーザモジュール。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004107515A1 (ja) * | 2003-03-11 | 2004-12-09 | Sony Corporation | 発光装置の組立方法 |
JP2005175458A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光源、光ピックアップ装置、および電子機器 |
JP2006013436A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ装置、その製造方法およびその組み立て装置 |
JP2008171971A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 半導体光源装置の実装方法及び実装装置 |
US7656916B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for fabricating same |
WO2010075254A3 (en) * | 2008-12-22 | 2011-03-24 | Ams Research Corporation | Laser resonator |
US8018134B2 (en) | 2003-11-20 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Light source, optical pickup, and electronic apparatus |
US8070368B1 (en) * | 2010-07-20 | 2011-12-06 | L-3 Communications Corporation | Hermetically packaged LiNbO3 optical circuit with oxidizing fill gas |
US8672929B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-03-18 | Ams Research Corporation | Laser probe tip |
JP2018067576A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | ファナック株式会社 | レーザ発振器 |
JP2022523725A (ja) * | 2019-02-02 | 2022-04-26 | ヌブル インク | 高信頼性、高パワー、高輝度の青色レーザーダイオードシステムおよびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5473534B2 (ja) | 2009-10-28 | 2014-04-16 | 三菱電機株式会社 | 光源装置 |
-
2002
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Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7238076B2 (en) | 2003-03-11 | 2007-07-03 | Sony Corporation | Method of assembling light-emitting apparatus |
WO2004107515A1 (ja) * | 2003-03-11 | 2004-12-09 | Sony Corporation | 発光装置の組立方法 |
JP2005175458A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光源、光ピックアップ装置、および電子機器 |
US8018134B2 (en) | 2003-11-20 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Light source, optical pickup, and electronic apparatus |
JP2006013436A (ja) * | 2004-05-26 | 2006-01-12 | Sharp Corp | 窒化物半導体レーザ装置、その製造方法およびその組み立て装置 |
US7656916B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device and method for fabricating same |
JP2008171971A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sharp Corp | 半導体光源装置の実装方法及び実装装置 |
US8428095B2 (en) | 2008-12-22 | 2013-04-23 | Ams Research Corporation | Laser resonator |
WO2010075254A3 (en) * | 2008-12-22 | 2011-03-24 | Ams Research Corporation | Laser resonator |
US8070368B1 (en) * | 2010-07-20 | 2011-12-06 | L-3 Communications Corporation | Hermetically packaged LiNbO3 optical circuit with oxidizing fill gas |
US8672929B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-03-18 | Ams Research Corporation | Laser probe tip |
US9763736B2 (en) | 2010-12-15 | 2017-09-19 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Laser probe tip |
US10098698B2 (en) | 2010-12-15 | 2018-10-16 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Laser probe tip |
JP2018067576A (ja) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | ファナック株式会社 | レーザ発振器 |
US10186834B2 (en) | 2016-10-17 | 2019-01-22 | Fanuc Corporation | Laser oscillator |
JP2022523725A (ja) * | 2019-02-02 | 2022-04-26 | ヌブル インク | 高信頼性、高パワー、高輝度の青色レーザーダイオードシステムおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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