JP2003293142A - Method for metallizing ceramic substrate, method for manufacturing ceramic circuit board and ceramic circuit board - Google Patents
Method for metallizing ceramic substrate, method for manufacturing ceramic circuit board and ceramic circuit boardInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品として利用
されるセラミックス基板のメタライズ方法、このセラミ
ックス基板のメタライズ方法を利用したセラミックス回
路基板の製造方法及びセラミックス回路基板に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for metallizing a ceramics substrate used as an electronic component, a method for manufacturing a ceramics circuit board using the method for metallizing a ceramics substrate, and a ceramics circuit board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、電子機器の回路基板を製造する方
法として、セラミックス基板をメタライズして表面に金
属層を形成し、この金属層に導体回路を形成することが
行われていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of manufacturing a circuit board for an electronic device, a ceramics substrate is metallized to form a metal layer on the surface, and a conductor circuit is formed on the metal layer.
【０００３】このようなセラミックス回路基板を製造す
るにあたって用いられるセラミックス基板としては、ア
ルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウム、フェライト、
窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタン酸バリウムなどの酸化
物系、窒化物系、炭化物系のセラミックスや、石英、サ
ファイア、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなど
の焼成可能な単結晶や、ホウ珪酸ガラスなどの低温焼成
ガラスセラミックス基板等が挙げられる。また、このよ
うなセラミックス基板に金属層を密着性良く形成するた
めに行われていた、従来のメタライズ方法としては、次
に示すような無電解めっき法や物理蒸着法が挙げられ
る。Ceramic substrates used for manufacturing such ceramic circuit substrates include alumina, zirconia, aluminum nitride, ferrite,
Oxide-based, nitride-based, and carbide-based ceramics such as silicon nitride, silicon carbide, and barium titanate; calcinable single crystals such as quartz, sapphire, lithium niobate, and lithium tantalate; and borosilicate glass A low temperature fired glass ceramic substrate and the like can be mentioned. In addition, as a conventional metallizing method that has been performed to form a metal layer on such a ceramic substrate with good adhesion, there are electroless plating methods and physical vapor deposition methods as described below.
【０００４】無電解めっき法は、まずセラミックス基板
の表面を化学的もしくは物理的な方法で粗化し、その後
ＳｎＣｌ2の濃塩酸溶液中で処理することにより表面の
感受性化を行い、次にＰｄＣｌ2の濃塩酸溶液中で処理
し、セラミックス表面にＰｄ（パラジウム）微粒子から
なる無電解めっきの触媒核を形成する。そしてこれを
金、銀、銅、ニッケルなどの無電解めっき浴中に浸漬し
て無電解めっき処理を施し、金属層を形成するものであ
る。In the electroless plating method, the surface of the ceramic substrate is first roughened by a chemical or physical method, and then the surface is sensitized by treating it in a concentrated hydrochloric acid solution of SnCl 2 , and then PdCl 2 is used. In a concentrated hydrochloric acid solution to form a catalyst nucleus for electroless plating composed of Pd (palladium) fine particles on the surface of the ceramic. Then, this is immersed in an electroless plating bath of gold, silver, copper, nickel or the like and subjected to electroless plating treatment to form a metal layer.
【０００５】しかし、このような無電解めっき法による
メタライズ方法は、パラジウム微粒子と基板表面との接
着がそれほど強固なものとは言えないという問題に加え
て、パラジウム微粒子の吸着を上げる目的で、基板表面
を粗化していることから、製造されるセラミックス回路
基板の高周波特性が悪くなってしまうという問題があっ
た。また、表面を粗化することが困難なセラミックス基
板、例えば高純度アルミナ基板や窒化アルミ基板に対し
て適用することが困難であるという問題もあった。However, in addition to the problem that the adhesion between the fine palladium particles and the surface of the substrate is not so strong, the metallizing method by the electroless plating method as described above has the purpose of increasing the adsorption of the fine palladium particles on the substrate. Since the surface is roughened, there is a problem that the high frequency characteristics of the manufactured ceramic circuit board deteriorate. Further, there is a problem that it is difficult to apply it to a ceramic substrate whose surface is difficult to roughen, such as a high-purity alumina substrate or an aluminum nitride substrate.
【０００６】一方、物理蒸着法は、まずセラミックス基
板を真空中に配置し、例えばアルゴンスパッタリングな
どの方法により金属を気化し、基板上に金属を堆積させ
て金属層を形成するものである。ここで金、銀、銅、ニ
ッケルなどによって金属層を形成する場合は、金属層と
セラミックス層との間に十分な密着力が得られないた
め、比較的密着力の優れた中間層を形成した後、所望の
金属膜を形成するものである。On the other hand, in the physical vapor deposition method, a ceramic substrate is first placed in a vacuum, the metal is vaporized by a method such as argon sputtering, and the metal is deposited on the substrate to form a metal layer. Here, when a metal layer is formed of gold, silver, copper, nickel or the like, sufficient adhesion cannot be obtained between the metal layer and the ceramics layer, so an intermediate layer having relatively good adhesion was formed. After that, a desired metal film is formed.
【０００７】このような物理蒸着法は無電解めっき法で
は導体回路を形成できない高純度アルミナや窒化アルミ
基板などへも導体回路を形成することが可能であり、表
面を粗化することなく所望の金属膜を形成することがで
きるので高周波特性にも優れているという利点を有して
はいるが、通常はコスト的に無電解めっき法よりも不利
となる問題があった。Such a physical vapor deposition method can form a conductor circuit even on a high-purity alumina or aluminum nitride substrate, which cannot be formed by the electroless plating method, and can form a desired conductor circuit without roughening the surface. Although a metal film can be formed, it has an advantage that it is also excellent in high-frequency characteristics, but usually there is a problem in that it is more costly than the electroless plating method.
【０００８】また、上記のようなメタライズ方法におけ
る問題点を解決して、平滑なセラミックス基板に強固な
密着力を持つ導体層を形成するためのセラミックス基板
のメタライズ方法として、特許第二８５３５５１号等に
開示されているような技術が提案されている。Further, as a metallizing method of a ceramic substrate for solving the above problems in the metallizing method and forming a conductor layer having a strong adhesive force on a smooth ceramic substrate, Japanese Patent No. 853551 etc. Have been proposed.
【０００９】特許第二８５３５５１号に開示されている
セラミックス基板のメタライズ方法では、最初に、平滑
なセラミックス基板上に銅含有層を形成する。この銅含
有層は、有機金属レジネート、スパッタ、無電解めっき
法により形成される。次いで、酸化雰囲気中で焼成し
て、還元性溶液に入れて銅膜に還元し、その後に無電解
銅めっきにて導体層を形成するものである。In the method for metalizing a ceramic substrate disclosed in Japanese Patent No. 853551, first, a copper-containing layer is formed on a smooth ceramic substrate. This copper-containing layer is formed by organometallic resinate, sputtering, or electroless plating. Then, it is baked in an oxidizing atmosphere, put in a reducing solution to reduce it into a copper film, and then a conductor layer is formed by electroless copper plating.
【００１０】しかし、この特許第二８５３５５１号に開
示されている方法の場合、銅含有層の膜厚制御が困難で
あるという問題点に加えて、このような銅含有層では無
電解めっきの触媒としてのめっき析出能力が低いという
問題点があった。However, in the case of the method disclosed in this Japanese Patent No. 853551, in addition to the problem that it is difficult to control the film thickness of the copper-containing layer, in such a copper-containing layer, a catalyst for electroless plating is used. As a result, there is a problem that the plating deposition ability is low.
【００１１】また、セラミックス基板に銅含有層を形成
するにあたって、セラミックス基板と銅含有層とを積極
的に反応させて密着力を向上させるための方法として、
特開平７−２５４７６９号公報、特開平８−１２５３０
７号公報、特開平８−１７５８８９号公報、特開平９−
６４５３４号公報等に開示されているような技術が提案
されている。Further, in forming the copper-containing layer on the ceramic substrate, as a method for positively reacting the ceramic substrate and the copper-containing layer to improve the adhesion,
JP-A-7-254769, JP-A-8-12530
7, JP-A-8-175889, JP-A-9-
Techniques such as those disclosed in Japanese Patent No. 64534 have been proposed.
【００１２】これらの公報に開示されている技術では、
セラミックス基板と反応もしくは拡散させるために、バ
ナジウムやビスマスやマグネシウムを銅含有層に添加し
て、セラミックス基板と銅含有層との密着性を向上させ
ている。In the techniques disclosed in these publications,
Vanadium, bismuth, or magnesium is added to the copper-containing layer in order to react with or diffuse into the ceramic substrate to improve the adhesion between the ceramic substrate and the copper-containing layer.
【００１３】しかし、これらの方法の場合であっても、
銅含有層の膜厚制御が困難であるという問題点に加え
て、このような銅含有層では無電解めっきの触媒として
のめっき析出能力が低いという問題点があった。更に、
フォトエッチングにより導体回路を形成した場合、導体
回路以外の部分にもバナジウム、ビスマス、マグネシウ
ムが残留して絶縁不良が発生するおそれがあり、また後
処理として無電解ニッケル−金めっきを施す際にブリッ
ジが発生するという問題点があった。ここで言うブリッ
ジとは、導体回路間にめっき層が析出し、回路が短絡し
てしまう現象のことである。However, even with these methods,
In addition to the problem that it is difficult to control the film thickness of the copper-containing layer, such a copper-containing layer has a problem that the plating deposition ability as a catalyst for electroless plating is low. Furthermore,
When a conductor circuit is formed by photo-etching, vanadium, bismuth, and magnesium may remain in parts other than the conductor circuit, which may cause insulation failure.In addition, when post-processing electroless nickel-gold plating, bridge There was a problem that occurs. The bridge here is a phenomenon in which a plating layer is deposited between conductor circuits and the circuits are short-circuited.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
問題を解決するものであり、セラミックス基板の表面を
粗化する必要がなく、膜厚制御が容易であり、しかも微
粒子を触媒として無電解めっきの析出性を向上すること
ができる、セラミックス基板のメタライズ方法、このセ
ラミックス基板のメタライズ方法を利用することによ
り、セラミックス基板上に微細ラインの導体回路を形成
しても導体回路間の優れた絶縁性を維持することができ
るセラミックス回路基板の製造方法、およびこの製造方
法によって製造されるセラミックス回路基板を提供する
ことを目的とするものである。The present invention solves the above problems and does not require roughening of the surface of a ceramic substrate, the film thickness can be easily controlled, and fine particles are not used as a catalyst. A ceramic substrate metallizing method that can improve the depositability of electrolytic plating. By utilizing this ceramic substrate metallizing method, even if a fine line conductor circuit is formed on the ceramic substrate, excellent inter-conductor circuit It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic circuit board that can maintain insulation and a ceramic circuit board manufactured by this manufacturing method.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
セラミックス基板のメタライズ方法では、粒径が１〜５
００ｎｍであり、金属及び金属酸化物から選択される少
なくとも一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミッ
クス基板表面に形成し、この微粒子分散層を酸素含有雰
囲気中にて焼成した後、還元性溶液に浸漬等することに
より還元し、セラミックス基板にセラミックスと金属と
の反応生成物を介して接合する金属微粒子を形成し、こ
の金属微粒子をめっき触媒核として無電解めっきで第一
のめっき層を形成する。In the method for metallizing a ceramic substrate according to claim 1 of the present invention, the grain size is 1 to 5
A fine particle dispersion layer having a thickness of 00 nm and containing at least one kind of fine particles selected from a metal and a metal oxide is formed on the surface of a ceramic substrate, and the fine particle dispersion layer is fired in an oxygen-containing atmosphere and then converted into a reducing solution. It is reduced by immersion or the like to form fine metal particles that are bonded to the ceramic substrate through the reaction product of the ceramic and the metal, and the first plating layer is formed by electroless plating using these fine metal particles as plating catalyst nuclei. .
【００１６】続いて、酸素含有雰囲気中にて焼成した
後、還元性溶液に浸漬等することにより、セラミックス
表面に反応生成物を介してさらに強固に接着した金属被
膜を形成する。この金属被膜をめっき触媒核として使用
し、無電解めっき処理によってこの上に第二のめっき層
を形成して、膜厚を厚くメタライズを行うことができ、
セラミックス基板の表面を粗化する必要もなく、しかも
セラミックス基板１上に微細ラインを形成することがで
きる。Subsequently, after firing in an oxygen-containing atmosphere, by immersion in a reducing solution or the like, a metal coating is further firmly adhered to the ceramic surface via the reaction product. Using this metal coating as a plating catalyst nucleus, a second plating layer is formed on this by electroless plating treatment, and metallization can be performed with a large thickness,
It is not necessary to roughen the surface of the ceramic substrate, and fine lines can be formed on the ceramic substrate 1.
【００１７】また、請求項２の発明は、請求項１におい
て、微粒子分散層を構成する微粒子として銅及び酸化銅
から選択される少なくとも１種のものを用い、この微粒
子を溶剤に分散させて調製される微粒子分散液をセラミ
ックス基板の表面に塗布、乾燥するなどして微粒子分散
層を形成し、焼成後、第一のめっき層を形成するための
無電解めっき処理を施すことを特徴とするものである。The invention according to claim 2 is the method according to claim 1, wherein at least one kind of particles selected from copper and copper oxide is used as the particles constituting the particle dispersion layer, and the particles are dispersed in a solvent. Characterized in that a fine particle dispersion layer is formed by applying a fine particle dispersion liquid to the surface of a ceramic substrate and drying it, and then performing an electroless plating treatment to form a first plating layer after firing. Is.
【００１８】また、請求項３の発明は、請求項１におい
て、微粒子分散層を構成する微粒子としてニッケル及び
酸化ニッケルから選択される少なくとも１種のものを用
い、この微粒子を溶剤に分散させて調製される微粒子分
散液をセラミックス基板の表面に塗布、乾燥するなどし
て微粒子分散層を形成し、焼成後、第一のめっき層を形
成するための無電解めっき処理を施すことを特徴とする
ものである。The invention according to claim 3 is the method according to claim 1, wherein at least one kind selected from nickel and nickel oxide is used as the fine particles constituting the fine particle dispersion layer, and the fine particles are dispersed in a solvent. Characterized in that a fine particle dispersion layer is formed by applying a fine particle dispersion liquid to the surface of a ceramic substrate and drying it, and then performing an electroless plating treatment to form a first plating layer after firing. Is.
【００１９】また請求項４の発明は、請求項１乃至３の
いずれかにおいて、微粒子分散層を、金属及び金属酸化
物から選択される少なくとも一種の微粒子を高分子及び
オリゴマーのうち少なくとも１種からなる分散溶媒に分
散させて形成し、焼成後、第一のめっき層を形成するた
めの無電解めっき処理を施すことを特徴とするものであ
る。According to the invention of claim 4, in any one of claims 1 to 3, the fine particle dispersion layer comprises at least one kind of fine particles selected from metals and metal oxides from at least one kind of polymer and oligomer. It is characterized in that it is formed by being dispersed in another dispersion solvent, and after the firing, an electroless plating treatment for forming the first plating layer is performed.
【００２０】また請求項５の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、第一のめっき層と第二のめっき層の
少なくとも一方を、無電解銅めっき法により形成するこ
とを特徴とするものである。The invention of claim 5 is characterized in that in any one of claims 1 to 4, at least one of the first plating layer and the second plating layer is formed by an electroless copper plating method. It is a thing.
【００２１】また請求項６の発明は、請求項１乃至４の
いずれかにおいて、第一のめっき層５と第二のめっき層
の少なくとも一方を、無電解ニッケルめっき法により形
成することを特徴とするものである。The invention of claim 6 is characterized in that, in any one of claims 1 to 4, at least one of the first plating layer 5 and the second plating layer is formed by an electroless nickel plating method. To do.
【００２２】また本発明の請求項７に係るセラミックス
回路基板の製造方法は、請求項１乃至６のいずれかに記
載のセラミックス基板のメタライズ方法によりメタライ
ズドセラミックス基板を形成し、更にエッチング工法に
より導体回路を形成することを特徴とするものである。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a ceramics circuit board, wherein a metallized ceramics substrate is formed by the method for metallizing a ceramics substrate according to any one of the first to sixth aspects, and a conductor circuit is formed by an etching method. Is formed.
【００２３】これにより、エッチング処理が施された部
分には金属が残留せず、導体回路間の絶縁性に優れ、後
加工において無電解ニッケル−金めっきを施す際にもブ
リッジが発生することがない微細ラインの導体回路を形
成することができるものである。As a result, no metal remains in the etched portion, the insulating property between the conductor circuits is excellent, and a bridge may occur even when electroless nickel-gold plating is applied in the post-processing. It is possible to form a conductor circuit having no fine line.
【００２４】また本発明の請求項８に係るセラミックス
回路基板の製造方法は、請求項１乃至６のいずれかに記
載のセラミックス基板のメタライズ方法において、微粒
子分散層を形成する際に、所望の導体回路パターン状に
形成することにより、無電解めっき処理後に得られる第
一のめっき層及び第二のめっき層が、所望の導体回路パ
ターンとなるようにすることを特徴とするものである。A method for manufacturing a ceramics circuit board according to an eighth aspect of the present invention is the method for metallizing a ceramics substrate according to any one of the first to sixth aspects, wherein a desired conductor is used when the fine particle dispersion layer is formed. By forming in a circuit pattern shape, the first plating layer and the second plating layer obtained after the electroless plating process have a desired conductor circuit pattern.
【００２５】これにより、導体回路間の絶縁性に優れ、
後加工において無電解ニッケル−金めっきを施す際にも
ブリッジが発生することがない微細ラインの導体回路を
形成することができるものである。As a result, the insulation between the conductor circuits is excellent,
It is possible to form a fine line conductor circuit in which a bridge does not occur even when electroless nickel-gold plating is applied in the post-processing.
【００２６】また本発明の請求項９に係るセラミックス
回路基板は、請求項７又は８に記載のセラミックス回路
基板の製造方法にて製造して成ることを特徴とするもの
である。A ceramic circuit board according to claim 9 of the present invention is characterized by being manufactured by the method for manufacturing a ceramic circuit board according to claim 7 or 8.
【００２７】これにより、導体回路間の絶縁性に優れ、
後加工において無電解ニッケル−金めっきを施す際にも
ブリッジが発生することがない微細ラインの導体回路が
形成されたセラミックス回路基板を得ることができるも
のである。As a result, the insulation between the conductor circuits is excellent,
It is possible to obtain a ceramics circuit board on which a fine line conductor circuit is formed in which a bridge does not occur even when electroless nickel-gold plating is applied in the post-processing.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below.
【００２９】本発明では、下記（Ａ）〜（Ｅ）の工程を
順次経ることにより、セラミックス基板１のメタライズ
を行う。
（Ａ） 粒径が１〜５００ｎｍであり、金属及び金属酸
化物から選択される少なくとも一種の微粒子を含む微粒
子分散層を、セラミックス基板１表面に形成する工程
（Ｂ） 微粒子分散層が形成されたセラミックス基板１
を、酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて
処理することにより、セラミックス基板１にセラミック
スと金属との反応生成物３を介して接合する金属微粒子
４を形成する工程
（Ｃ） セラミックス基板１に接合された金属微粒子４
をめっき触媒核として、無電解めっき法により第一のめ
っき層５を形成する工程
（Ｄ） 第一のめっき層５が形成されたセラミックス基
板１を酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液に
て処理することにより、セラミックス基板１にセラミッ
クスと金属との反応生成物を介して接合する金属被膜７
を形成する工程
（Ｅ） セラミックス基板表面に接合された金属被膜７
をめっき触媒核として、無電解めっき法により、第二の
めっき層８を形成する工程
第一の工程である工程（Ａ）では、セラミックス基板１
に微粒子分散層を形成する。In the present invention, the ceramic substrate 1 is metallized by sequentially performing the following steps (A) to (E). (A) A step of forming a fine particle dispersion layer having a particle size of 1 to 500 nm and containing at least one kind of fine particles selected from a metal and a metal oxide on the surface of the ceramic substrate 1 (B) A fine particle dispersion layer was formed. Ceramic substrate 1
(C) in which the metal fine particles 4 bonded to the ceramic substrate 1 through the reaction product 3 of the ceramic and the metal are formed by baking the above in an oxygen-containing atmosphere and then treating with a reducing solution (C). Metal fine particles 4 bonded to the ceramic substrate 1
Step (D) of forming the first plating layer 5 by an electroless plating method using as a plating catalyst nucleus, the ceramic substrate 1 on which the first plating layer 5 is formed is fired in an oxygen-containing atmosphere and then reduced. The metal coating 7 that is bonded to the ceramic substrate 1 through the reaction product of the ceramic and the metal by processing with the solution
(E) Metal coating 7 bonded to the surface of the ceramic substrate
In the step (A), which is the first step, the step of forming the second plating layer 8 by the electroless plating method using the as a plating catalyst nucleus.
A fine particle dispersion layer is formed on.
【００３０】使用するセラミックス基板１は特に限定し
ないが、例えば、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニ
ウム、フェライト、窒化ケイ素、炭化ケイ素、チタン酸
バリウムなどの酸化物系、窒化物系、炭化物系のセラミ
ックスや、石英、サファイア、ニオブ酸リチウム、タン
タル酸リチウムなどの焼成可能な単結晶や、ホウ珪酸ガ
ラスなどの低温焼成ガラスセラミックス基板等が使用で
きる。The ceramic substrate 1 to be used is not particularly limited, but examples thereof include oxide-based, nitride-based, and carbide-based ceramics such as alumina, zirconia, aluminum nitride, ferrite, silicon nitride, silicon carbide, and barium titanate. A calcinable single crystal such as quartz, sapphire, lithium niobate, or lithium tantalate, a low-temperature calcined glass ceramic substrate such as borosilicate glass, or the like can be used.
【００３１】また微粒子分散層を形成するための微粒子
としては、金属または金属酸化物から選ばれる少なくと
も１種のものを用いるものであり、例えば銅又は酸化銅
の微粒子を用いることができるほか、ニッケル又は酸化
ニッケルの微粒子を用いることができる。As the fine particles for forming the fine particle dispersion layer, at least one kind selected from metals and metal oxides is used. For example, fine particles of copper or copper oxide can be used, and nickel can be used. Alternatively, fine particles of nickel oxide can be used.
【００３２】またこの金属又は金属酸化物の微粒子とし
ては、粒径が１〜５００ｎｍの範囲にあるものを用い
る。このような極微小の粒径を有する微粒子はそれより
も大きい粒径のものと比べて極めて高い反応性を有して
おり、これを用いることによって前記のようなセラミッ
クス基板表面を粗化や感受性化することなく、セラミッ
クス基板表面に銅やニッケル等の微粒子からなるめっき
のための触媒核を形成することができ、しかも、セラミ
ックス基板と触媒核との間の接着力は強固なものとな
る。ここでこの微粒子の粒径が５００ｎｍよりも大きく
なると、セラミックス基板との反応性が乏しくなって密
着力が得られなくなり、しかも比表面積が小さくなるこ
とから無電解めっきの触媒核としての能力が充分に得ら
れなくなる。また、粒径が１ｎｍより小さい金属微粒子
を作るのは事実上困難であるため、この金属又は金属酸
化物の粒径の下限は実質的には１ｎｍとなる。As the fine particles of the metal or metal oxide, those having a particle size in the range of 1 to 500 nm are used. Fine particles having such an extremely small particle size have extremely high reactivity as compared with particles having a larger particle size, and by using this, the surface of the ceramic substrate as described above is roughened or susceptibility is increased. The catalyst nucleus for plating made of fine particles of copper, nickel or the like can be formed on the surface of the ceramic substrate without becoming solid, and the adhesive force between the ceramic substrate and the catalyst nucleus becomes strong. If the particle size of the fine particles is larger than 500 nm, the reactivity with the ceramic substrate becomes poor and the adhesion cannot be obtained, and the specific surface area becomes small. Therefore, the ability as a catalyst nucleus of electroless plating is sufficient. Will not be obtained. Further, since it is practically difficult to produce metal fine particles having a particle size smaller than 1 nm, the lower limit of the particle size of this metal or metal oxide is substantially 1 nm.
【００３３】このような１〜５００ｎｍという微小粒径
を有する金属又は金属酸化物の微粒子は、従来から知ら
れている適宜の方法にて作製することができる。例えば
特開平３―３４２１１号公報に開示されているガス中蒸
発法と呼ばれる方法では、ヘリウム等の不活性ガスを導
入したチャンバ内で金属を蒸発させ、不活性ガスとの衝
突により冷却され凝縮した生成直後の微粒子が孤立状態
にある段階でα−テレピオール、トルエンなどの有機溶
剤の蒸気を導入して微粒子表面の被覆を行うことによっ
て銅もしくは酸化銅の微粒子が得られる。このような方
法にて得られる微粒子を市販しているメーカとしては、
真空冶金（株）製等が知られている。Such fine particles of metal or metal oxide having a fine particle diameter of 1 to 500 nm can be prepared by an appropriately known method. For example, in a method called an in-gas evaporation method disclosed in JP-A-3-34211, a metal is evaporated in a chamber into which an inert gas such as helium is introduced, and the metal is cooled and condensed by collision with the inert gas. Fine particles of copper or copper oxide are obtained by introducing vapor of an organic solvent such as α-terepiol or toluene at the stage where the fine particles immediately after formation are in an isolated state to coat the surface of the fine particles. As a commercially available manufacturer of fine particles obtained by such a method,
Vacuum metallurgy Co., Ltd. etc. are known.
【００３４】金属又は金属酸化物の他の作製法としては
一般に良く知られている還元法、アトマイズ法等を挙げ
ることができ、市販しているメーカとしては日本アトマ
イズ加工、福田金属泊粉、同和鉱業、三井金属工業等を
挙げることができる。Other methods for producing metals or metal oxides include generally well-known reduction method and atomizing method. Commercially available manufacturers include Japan atomizing, Fukuda metal night powder, and Dowa. Mining industry, Mitsui metal industry, etc. can be mentioned.
【００３５】微粒子分散層は、上記のような金属又は金
属酸化物の微粒子を溶剤に分散させて微粒子分散液を調
製し、この微粒子分散液をセラミックス基板の表面に塗
布した後乾燥して溶剤を揮散させることにより形成する
ことができる。The fine particle dispersion layer is prepared by dispersing the above-mentioned fine particles of metal or metal oxide in a solvent to prepare a fine particle dispersion liquid, applying the fine particle dispersion liquid on the surface of a ceramic substrate, and then drying the solvent. It can be formed by volatilizing.
【００３６】溶剤としては特に限定しないが、微粒子の
分散性や経時安定性を有し、かつセラミックス基板との
充分な濡れ性を有するものを用いることが好ましく、例
えばα−テレピネオール、メタノール、エタノール、
水、カルビトール、メタクレゾール等を用いることが好
ましい。また、セラミックス基板との濡れ性を向上する
ために溶剤に界面活性剤を添加しても良い。The solvent is not particularly limited, but it is preferable to use a solvent which has dispersibility of fine particles and stability over time and has sufficient wettability with a ceramic substrate. For example, α-terpineol, methanol, ethanol,
It is preferable to use water, carbitol, metacresol, or the like. Further, a surfactant may be added to the solvent to improve the wettability with the ceramic substrate.
【００３７】微粒子分散液中における金属又は金属酸化
物の微粒子の分散量は用途に応じて適当に調整すること
ができるものであるが、通常は微粒子を均一に塗布で
き、かつ焼成によって連続膜が生成されるように、０．
００１〜１０質量％の範囲に調整することが好ましい。The amount of fine particles of the metal or metal oxide dispersed in the fine particle dispersion can be adjusted appropriately according to the application, but usually the fine particles can be applied uniformly and a continuous film can be formed by firing. As generated, 0.
It is preferable to adjust it in the range of 001 to 10 mass%.
【００３８】このような微粒子分散液をセラミックス基
板の表面に塗布するにあたっては、塗膜の厚さが１０〜
１０００ｎｍとなるようにすることが好ましい。塗布方
法はスピンコート法、ディップ法、スクリーン印刷法、
刷毛塗り、スプレーなど様々な方法を採ることができ、
セラミックス基板の一面又は両面に、全面もしくは、適
宜のパターン形状に塗布することができる。When coating such a fine particle dispersion liquid on the surface of a ceramic substrate, the thickness of the coating film is from 10 to 10.
It is preferably set to 1000 nm. The coating method is spin coating, dipping, screen printing,
You can use various methods such as brush painting and spraying,
The ceramic substrate may be coated on one surface or both surfaces of the ceramic substrate, or may be coated in an appropriate pattern.
【００３９】微粒子分散液の塗膜の乾燥は、オーブンな
どを用いて行うことができる。乾燥温度は適宜設定され
るが、溶剤を充分に揮散させるためには８０℃以上とす
ることが好ましく、また微粒子の焼結が進みすぎないよ
うに３００℃以下の温度で行うことが好ましい。The coating film of the fine particle dispersion liquid can be dried using an oven or the like. The drying temperature is appropriately set, but it is preferably 80 ° C. or higher in order to volatilize the solvent sufficiently, and is preferably 300 ° C. or lower so that sintering of the fine particles does not proceed too much.
【００４０】また、微粒子分散層を、高分子及びオリゴ
マーの少なくとも一方からなるからなる分散溶剤を用
い、この高分子及びオリゴマーの少なくとも一方からな
るマトリックス中に微粒子を分散させて構成することも
できる。この場合、高分子やオリゴマーが金属や金属酸
化物の微粒子の周囲に付着して微粒子の凝集を防ぐこと
ができ、後述する微粒子分散層の焼成過程における微粒
子の粒成長を抑制して、微粒子の微細な粒径を保持する
ことができる。Further, the fine particle dispersion layer may be constituted by using a dispersion solvent composed of at least one of a polymer and an oligomer and dispersing the particles in a matrix composed of at least one of the polymer and the oligomer. In this case, the polymer or oligomer can be attached around the fine particles of the metal or the metal oxide to prevent the aggregation of the fine particles, and suppress the particle growth of the fine particles in the firing process of the fine particle dispersion layer described later, A fine particle size can be maintained.
【００４１】マトリックスを構成する高分子又はオリゴ
マーとしては、分子の末端もしくは側鎖にシアノ基（−
ＣＮ）、アミノ基（−ＮＨ3）、そしてチオール基（−
ＳＨ）から選ばれた少なくとも１種の官能基を有し、ポ
リエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール、ポリ
ビニルアルコール、ナイロン１１等の骨格からなるもの
を用いることが好ましい。特に末端ジアミンポリエチレ
ンオキサイドは、金属又は金属酸化物の微粒子の分散性
が良好であるため、好適に用いることができる。またこ
の高分子又はオリゴマーとしては、融点もしくは軟化点
が４０〜１００℃のものを用いることが好ましく、また
特に制限するものではないが数平均分子量が５００〜５
０００のものを用いることが好ましい。As the polymer or oligomer constituting the matrix, a cyano group (-
CN), amino group (-NH 3), and a thiol group (-
It is preferable to use one having at least one kind of functional group selected from SH) and having a skeleton such as polyethylene oxide, polyethylene glycol, polyvinyl alcohol, or nylon 11. In particular, terminal diamine polyethylene oxide can be preferably used because it has good dispersibility of fine particles of metal or metal oxide. As the polymer or oligomer, it is preferable to use one having a melting point or a softening point of 40 to 100 ° C., and although it is not particularly limited, a number average molecular weight of 500 to 5 is used.
It is preferable to use 000.
【００４２】微粒子を高分子及び／又はオリゴマーのマ
トリックス中に分散させた微粒子分散層を形成するにあ
たっては、まず上記のような高分子及び／又はオリゴマ
ーを薄膜状に成形し、その表面に真空蒸着法等によって
粒径１〜５００ｎｍの金属又は金属酸化物の微粒子を形
成する。この蒸着した金属又は金属酸化物は微粒子にな
って薄膜表面に密集するが、一部の微粒子は薄膜中へ侵
入して分散を始めている。必要に応じて続いて加熱する
ことにより、微粒子の薄膜中への侵入を促進して、薄膜
中に微粒子をほぼ均一に分散させる。In order to form a fine particle dispersion layer in which fine particles are dispersed in a polymer and / or oligomer matrix, first, the polymer and / or oligomer as described above is formed into a thin film and vacuum-deposited on its surface. Fine particles of metal or metal oxide having a particle diameter of 1 to 500 nm are formed by a method or the like. The vapor-deposited metal or metal oxide becomes fine particles and concentrates on the surface of the thin film, but some fine particles enter the thin film and start dispersion. Subsequent heating, if necessary, promotes the intrusion of the fine particles into the thin film, so that the fine particles are dispersed almost uniformly in the thin film.
【００４３】このようにして得られる、金属又は金属酸
化物の微粒子が付着又は分散した高分子及び／又はオリ
ゴマーの薄膜を、溶剤中に分散させて、高分子及び／又
はオリゴマーと金属又は金属酸化物の微粒子とが分散し
た微粒子分散液を調製する。次いで、この微粒子分散液
をセラミックス基板の表面に塗布して塗膜を形成し、こ
の塗膜を乾燥して溶剤を揮散させることにより、高分子
及び／又はオリゴマーのマトリックスと、このマトリッ
クス中に分散された微粒子とからなる微粒子分散層を形
成することができる。The thus obtained thin film of polymer and / or oligomer to which fine particles of metal or metal oxide are attached or dispersed is dispersed in a solvent, and the polymer and / or oligomer and metal or metal oxide are oxidized. A fine particle dispersion liquid in which fine particles of the product are dispersed is prepared. Next, this fine particle dispersion is applied to the surface of a ceramic substrate to form a coating film, and the coating film is dried and the solvent is volatilized to disperse the matrix of the polymer and / or oligomer and the matrix. It is possible to form a fine particle dispersion layer composed of the obtained fine particles.
【００４４】上記溶剤としては特に限定されず、前記に
おける溶剤中に微粒子を分散させた微粒子分散液の場合
と同様のものを用いることができる。The above-mentioned solvent is not particularly limited, and the same solvent as the case of the fine particle dispersion liquid in which fine particles are dispersed in the solvent can be used.
【００４５】微粒子分散液中における金属又は金属酸化
物の微粒子や高分子又はオリゴマーの分散量は用途に応
じて適宜に調整することができるものであるが、金属又
は金属酸化物の微粒子の分散量については、通常は微粒
子を均一に塗布でき、かつ焼成によって連続膜が生成さ
れるように、０．０１〜８０質量％の範囲に調整するこ
とが好ましい。The amount of fine particles of the metal or metal oxide, the polymer or the oligomer dispersed in the fine particle dispersion can be appropriately adjusted according to the application, but the amount of the fine particles of the metal or metal oxide dispersed. With respect to the above, it is usually preferable to adjust the content within the range of 0.01 to 80% by mass so that the fine particles can be uniformly applied and a continuous film is formed by firing.
【００４６】このような微粒子分散液をセラミックス基
板の表面に塗布する。この塗膜の厚さは１０〜１０００
ｎｍとなるようにすることが好ましい。塗布方法はスピ
ンコート法、ディップ法、スクリーン印刷法、刷毛塗
り、スプレーなど様々な方法を採ることができ、セラミ
ックス基板の一面又は両面に、全面もしくは、適宜のパ
ターン形状に塗布することができる。Such a fine particle dispersion is applied to the surface of the ceramic substrate. The thickness of this coating film is 10 to 1000.
It is preferable to set it to be nm. As the coating method, various methods such as a spin coating method, a dipping method, a screen printing method, a brush coating method and a spraying method can be adopted, and the ceramic substrate can be coated on one surface or both surfaces of the whole surface or in an appropriate pattern shape.
【００４７】微粒子分散液の塗膜の乾燥は、オーブンな
どを用いて行うことができる。乾燥温度は適宜設定され
るが、溶剤を充分に揮散させるためには８０℃以上とす
ることが好ましく、また微粒子の焼結が進みすぎないよ
うに３００℃以下の温度で行うことが好ましい。The coating film of the fine particle dispersion can be dried by using an oven or the like. The drying temperature is appropriately set, but it is preferably 80 ° C. or higher in order to volatilize the solvent sufficiently, and is preferably 300 ° C. or lower so that sintering of the fine particles does not proceed too much.
【００４８】また、高分子及び／又はオリゴマーのマト
リックスと、このマトリックス中に分散された微粒子に
て構成される微粒子分散層は、次のようにして形成する
こともできる。The polymer and / or oligomer matrix and the fine particle dispersion layer composed of fine particles dispersed in this matrix can also be formed as follows.
【００４９】まず、高分子及び／又はオリゴマーを上記
のような溶剤に溶解することによって得られたペースト
状物をセラミックス基板上に塗布して薄膜を形成する。
塗布方法はスピンコート法、ディップ法、スクリーン印
刷法、刷毛塗り、スプレーなど様々な方法を採ることが
でき、セラミックス基板の一面又は両面に、全面もしく
は、適宜のパターン形状に塗布することができる。First, a paste-like material obtained by dissolving a polymer and / or an oligomer in the above-mentioned solvent is applied on a ceramic substrate to form a thin film.
As the coating method, various methods such as a spin coating method, a dipping method, a screen printing method, a brush coating method and a spraying method can be adopted, and the ceramic substrate can be coated on one surface or both surfaces of the whole surface or in an appropriate pattern shape.
【００５０】続いて、この薄膜の上に真空蒸着法等によ
り、金属又は金属酸化物を形成する。この蒸着した金属
又は金属酸化物は微粒子になって薄膜表面に密集する
が、一部の微粒子は薄膜中へ侵入して分散を始めてい
る。続いて加熱することにより、微粒子の薄膜中への侵
入を促進して、薄膜中に微粒子をほぼ均一に分散させ、
この薄膜を微粒子分散層として形成するものである。Subsequently, a metal or a metal oxide is formed on this thin film by a vacuum vapor deposition method or the like. The vapor-deposited metal or metal oxide becomes fine particles and concentrates on the surface of the thin film, but some fine particles enter the thin film and start dispersion. Subsequent heating promotes the penetration of the fine particles into the thin film and disperses the fine particles in the thin film almost uniformly,
This thin film is formed as a fine particle dispersion layer.
【００５１】次に、第二の工程（工程（Ｂ））において
は、まずの微粒子分散層を酸素含有雰囲気中で焼成す
る。このとき、微粒子分散層中の溶媒等が揮散して、残
存する微粒子２がセラミックス基板１上に分散した状態
で焼き付けられる。ここで特に微粒子分散層を微粒子と
高分子及び／又はオリゴマーにて構成している場合は、
高分子及び／又はオリゴマーが揮散した際に、微粒子が
セラミックス基板１上にほぼ均一に分散される。Next, in the second step (step (B)), the first fine particle dispersion layer is fired in an oxygen-containing atmosphere. At this time, the solvent or the like in the fine particle dispersion layer is volatilized, and the remaining fine particles 2 are baked in a state of being dispersed on the ceramic substrate 1. Here, particularly when the fine particle dispersion layer is composed of fine particles and a polymer and / or oligomer,
When the polymer and / or oligomer is volatilized, the fine particles are dispersed almost uniformly on the ceramic substrate 1.
【００５２】焼成によりセラミックス基板１上に焼き付
けられた微粒子２は、微粒子分散層中の微粒子として金
属の微粒子を用いている場合は、酸素含有雰囲気で酸化
されることにより、金属酸化物又は金属と金属酸化物と
の混合物となり、また微粒子分散層中の微粒子として金
属酸化物の微粒子を用いている場合には、金属酸化物の
ままとなる。従って、焼成によりセラミックス基板１上
に焼き付けられた微粒子２は、金属酸化物又は金属と金
属酸化物との混合物から構成され、この微粒子２がセラ
ミックス基板１の表面に分散した状態となる。The fine particles 2 baked on the ceramics substrate 1 by firing, when metal fine particles are used as the fine particles in the fine particle dispersion layer, are oxidized in an oxygen-containing atmosphere to become a metal oxide or a metal. It becomes a mixture with a metal oxide, and when the metal oxide fine particles are used as the fine particles in the fine particle dispersion layer, the metal oxide remains as it is. Therefore, the fine particles 2 baked on the ceramic substrate 1 by firing are made of a metal oxide or a mixture of a metal and a metal oxide, and the fine particles 2 are dispersed on the surface of the ceramic substrate 1.
【００５３】またこの焼成過程においては、セラミック
ス基板１に焼き付けられた微粒子２は、微粒子２中の金
属とセラミックスとの反応生成物３を介してセラミック
ス基板１に接合される。このとき図１（ａ）に示すよう
に、微粒子２とセラミックス基板１との界面において、
微粒子２中の金属とセラミックス基板１を構成するセラ
ミックスとが反応して、固溶体又は金属間化合物からな
る反応生成物３が生成し、この反応生成物３によって微
粒子２がセラミックス基板１に対して接合されるもので
ある。例えば微粒子分散層を形成するための微粒子とし
て銅又は酸化銅からなるものを用い、セラミックス基板
１としてアルミナ焼結体からなるものを用いると、焼成
後はセラミックス基板１上に酸化銅又は銅と酸化銅とか
らなる微粒子２が分散した状態となり、更に、微粒子２
とセラミックスとの界面に反応生成物３としてＣｕＡｌ
2Ｏ4もしくはＣｕＡｌＯ2が生成して、この反応生成物
３によって微粒子２がセラミックス基板１に接合され
る。In this firing process, the fine particles 2 baked on the ceramic substrate 1 are bonded to the ceramic substrate 1 through the reaction product 3 of the metal in the fine particles 2 and the ceramic. At this time, as shown in FIG. 1A, at the interface between the fine particles 2 and the ceramic substrate 1,
The metal in the fine particles 2 reacts with the ceramic constituting the ceramic substrate 1 to generate a reaction product 3 made of a solid solution or an intermetallic compound, and the reaction product 3 bonds the fine particles 2 to the ceramic substrate 1. It is what is done. For example, when the fine particles for forming the fine particle dispersion layer are made of copper or copper oxide and the ceramic substrate 1 is made of an alumina sintered body, copper oxide or copper and oxides are formed on the ceramic substrate 1 after firing. Fine particles 2 made of copper are dispersed, and further fine particles 2
CuAl as reaction product 3 at the interface between
2 O 4 or CuAlO 2 is produced, and the reaction product 3 bonds the fine particles 2 to the ceramic substrate 1.
【００５４】この焼成にて形成される反応生成物３中に
は、不安定な結晶構造を有する化合物を含有させること
が好ましく（その理由は後述する工程（Ｃ）の説明にお
いて詳述する）、そのためには、微粒子分散層の焼成は
ベルト炉などを用いて、好ましくは焼成温度４００〜８
００℃、焼成時間１０〜６０分間の条件で、空気中で行
うものである。この焼成温度が４００℃に満たないと反
応生成物３が生成されにくくなって、微粒子２とセラミ
ックス基板１との間の接合強度が十分に得られなくおそ
れがあり、また焼成温度が８００℃を超えると反応生成
物３中に不安定な結晶構造を有する化合物が生成されに
くくなる。The reaction product 3 formed by this calcination preferably contains a compound having an unstable crystal structure (the reason will be described in detail in the explanation of the step (C) described later). For that purpose, the fine particle dispersion layer is fired using a belt furnace or the like, preferably at a firing temperature of 400 to 8
It is performed in air under the conditions of 00 ° C. and firing time of 10 to 60 minutes. If the firing temperature is less than 400 ° C., the reaction product 3 is less likely to be produced, and the bonding strength between the fine particles 2 and the ceramic substrate 1 may not be sufficiently obtained. If it exceeds, it becomes difficult to produce a compound having an unstable crystal structure in the reaction product 3.
【００５５】次いで、セラミックス基板１を還元性溶液
に浸漬するなどして、微粒子２が接合された面を還元性
溶液にて処理することにより、セラミックス基板１に接
合されている金属酸化物又は金属と金属酸化物とからな
る微粒子２を還元し、金属微粒子４とする。還元性溶液
としては特に限定するものではなく、金属酸化物を金属
に還元することができる適宜のものを用いることがで
き、例えば、水素化ホウ素塩水溶液、次亜リン酸水溶液
等を用いることができる。Next, the ceramic substrate 1 is dipped in a reducing solution to treat the surface to which the fine particles 2 are bonded with the reducing solution, whereby the metal oxide or metal bonded to the ceramic substrate 1 is processed. The fine particles 2 composed of and a metal oxide are reduced to metal fine particles 4. The reducing solution is not particularly limited, and an appropriate one that can reduce a metal oxide to a metal can be used, and for example, a borohydride aqueous solution, a hypophosphorous acid aqueous solution or the like can be used. it can.
【００５６】このようにすると、図１（ｂ）に示すよう
に、セラミックス基板１の表面には、微粒子分散層が形
成されていた領域に、反応生成物３を介してセラミック
ス基板１に強固に接合された多数の金属微粒子４が、セ
ラミックス基板１にほぼ均一に分散かつ固着された状態
で形成される。By doing so, as shown in FIG. 1 (b), the surface of the ceramic substrate 1 is firmly fixed to the ceramic substrate 1 through the reaction product 3 in the region where the fine particle dispersion layer was formed. A large number of bonded metal fine particles 4 are formed on the ceramic substrate 1 in a substantially uniformly dispersed and fixed state.
【００５７】次に、第３の工程（工程（Ｃ））において
は、セラミックス基板１の表面に接合された金属微粒子
４をめっき触媒核として、無電解めっき法により、第一
のめっき層５を形成する。Next, in the third step (step (C)), the first plating layer 5 is formed by electroless plating using the metal fine particles 4 bonded to the surface of the ceramic substrate 1 as a plating catalyst nucleus. Form.
【００５８】すなわち、このセラミックス基板１を無電
解金属めっき液に浸漬すると、セラミックス基板１の表
面の金属微粒子４がめっき触媒核として作用し、図１
（ｃ）に示すように金属微粒子４が分散・結合されてい
る領域において第一のめっき層５が選択的に形成され
る。このとき、金属微粒子４はほぼ均一に分散している
ことから、金属微粒子４が分散・結合されている領域に
おいては第一のめっき層５の析出にばらつきが生じにく
くなり、膜厚が均一な第一のめっき層５を形成すること
ができる。しかも上記のように金属微粒子４はセラミッ
クス基板１上に接合されているため、セラミックス基板
１に粗化処理が施されていなくても金属微粒子４による
反応接着によって、第一のめっき層５とセラミックス基
板１との間に高い密着性が付与される。That is, when the ceramics substrate 1 is dipped in an electroless metal plating solution, the metal fine particles 4 on the surface of the ceramics substrate 1 act as plating catalyst nuclei, as shown in FIG.
As shown in (c), the first plating layer 5 is selectively formed in the region where the metal fine particles 4 are dispersed and bonded. At this time, since the metal fine particles 4 are dispersed almost uniformly, the deposition of the first plating layer 5 is less likely to vary in the region where the metal fine particles 4 are dispersed and bonded, and the film thickness is uniform. The first plating layer 5 can be formed. Moreover, since the metal fine particles 4 are bonded onto the ceramic substrate 1 as described above, even if the ceramic substrate 1 is not subjected to the roughening treatment, the reaction adhesion by the metal fine particles 4 causes the first plating layer 5 and the ceramics to adhere to each other. High adhesiveness is given to the substrate 1.
【００５９】このようにしてセラミックス基板１に対し
て無電解めっき処理を施すことにより形成される第一の
めっき層５の金属は、用途や、使用する微粒子の種類等
に応じて適宜選択することができるが、例えば微粒子分
散層を構成する微粒子として銅又は銅酸化物を用いてい
る場合は無電解めっき処理として無電解銅めっき処理や
無電解ニッケルめっき処理等を施すことができる。また
微粒子分散層を構成する微粒子としてニッケル又は酸化
ニッケルを用いている場合は無電解めっき処理として無
電解銅めっき処理や無電解ニッケルめっき処理を施すこ
とができる。The metal of the first plating layer 5 formed by subjecting the ceramic substrate 1 to electroless plating in this way is appropriately selected according to the application, the type of fine particles used, and the like. However, for example, when copper or copper oxide is used as the fine particles forming the fine particle dispersion layer, electroless copper plating treatment, electroless nickel plating treatment or the like can be performed as the electroless plating treatment. When nickel or nickel oxide is used as the fine particles forming the fine particle dispersion layer, electroless copper plating or electroless nickel plating can be performed as the electroless plating.
【００６０】続いて、この第一のめっき層５が形成され
たセラミックス基板を酸素含有雰囲気中にて焼成する。Subsequently, the ceramic substrate having the first plating layer 5 formed thereon is fired in an oxygen-containing atmosphere.
【００６１】この焼成過程においては、図１（ｄ）に示
すように、第一のめっき層５の表層側は金属微粒子４と
一体となって、焼成により金属酸化物又は金属と金属酸
化物とからなる被膜６となり、また第一のめっき層５と
セラミックス基板１との界面側においては、第一のめっ
き層５を構成する金属とセラミックス基板１を構成する
セラミックスとが反応して、固溶体又は金属間化合物か
らなる反応生成物３が生成する。そして、この反応生成
物３によって被膜６がセラミックス基板１に対して接合
される。このとき、図１（ａ）〜（ｃ）に示される金属
微粒子４を固着していた反応生成物３はこの焼成過程に
て生成される反応生成物３と一体となり、被膜６とセラ
ミックス基板１との界面に層状に反応生成物３が形成さ
れる。In this firing process, as shown in FIG. 1 (d), the surface side of the first plating layer 5 is integrated with the metal fine particles 4, and the metal oxide or the metal and the metal oxide is burned. On the interface side between the first plating layer 5 and the ceramics substrate 1, the metal forming the first plating layer 5 and the ceramics forming the ceramics substrate 1 react to form a solid solution or A reaction product 3 composed of an intermetallic compound is produced. Then, the coating 6 is bonded to the ceramic substrate 1 by the reaction product 3. At this time, the reaction product 3 to which the metal fine particles 4 shown in FIGS. 1A to 1C are fixed is integrated with the reaction product 3 generated in the firing process, and the coating film 6 and the ceramic substrate 1 are formed. The reaction product 3 is formed in layers at the interface with.
【００６２】例えば第一のめっき層５として銅からなる
ものを用い、セラミックス基板１としてアルミナ焼結体
からなるものを用いると、焼成後はセラミックス基板１
上に、酸化銅又は銅と酸化銅とからなる被膜６が形成さ
れると共に、反応生成物３としてＣｕＡｌ2Ｏ4もしくは
ＣｕＡｌＯ2が生成して、この反応生成物３によって被
膜６がセラミックス基板１に接合される。For example, when the first plating layer 5 is made of copper and the ceramic substrate 1 is made of an alumina sintered body, the ceramic substrate 1 after firing is used.
A coating film 6 made of copper oxide or copper and copper oxide is formed on the upper surface, and CuAl 2 O 4 or CuAlO 2 is produced as a reaction product 3, and the reaction product 3 causes the coating film 6 to form a coating film 6. To be joined to.
【００６３】この焼成の過程においては、セラミックス
基板１にはあらかじめ金属微粒子４が反応生成物３を介
して接合されているので、この反応生成物３の存在によ
って、第一のめっき層５を構成する金属とセラミックス
基板１を構成するセラミックスとの反応による反応生成
物３の生成が促進されて、被膜６とセラミックス基板１
との接合強度がより強固となる。特に金属微粒子４とセ
ラミックス基板１とを接合している反応生成物３中に、
前述のように不安定な結晶構造を有する化合物が含有さ
れていると、第一のめっき層５を構成する金属とセラミ
ックス基板１を構成するセラミックスとの反応による反
応生成物３の生成が著しく促進されて、被膜６とセラミ
ックス基板１との接合強度が更に強固なものとなる。In this firing process, since the metal fine particles 4 are bonded to the ceramic substrate 1 through the reaction product 3 in advance, the presence of the reaction product 3 constitutes the first plating layer 5. The reaction product 3 is promoted by the reaction between the metal forming the ceramic substrate 1 and the ceramic forming the ceramic substrate 1, and the coating film 6 and the ceramic substrate 1
And the joint strength with. In particular, in the reaction product 3 that joins the metal fine particles 4 and the ceramic substrate 1,
As described above, when the compound having an unstable crystal structure is contained, the reaction product 3 is remarkably promoted by the reaction between the metal forming the first plating layer 5 and the ceramic forming the ceramic substrate 1. As a result, the bonding strength between the coating film 6 and the ceramic substrate 1 is further strengthened.
【００６４】尚、図面上では、被膜６と反応生成物３、
あるいはセラミックス基板１のセラミックスと反応生成
物３とは、明確に分離されているようになっているが、
実際には、通常、被膜６と反応生成物３との間及びセラ
ミックスと反応生成物３との間は組成が連続的に変化
し、明確な界面が形成されない。In the drawing, the coating 6 and the reaction product 3,
Alternatively, although the ceramics of the ceramic substrate 1 and the reaction product 3 are clearly separated,
In practice, the composition usually changes continuously between the coating 6 and the reaction product 3 and between the ceramics and the reaction product 3, and a clear interface is not formed.
【００６５】次いで、セラミックス基板１を還元性溶液
に浸漬するなどして、被膜６が接合された面を還元性溶
液にて処理することにより、セラミックス基板１に接合
されている金属酸化物又は金属と金属酸化物とからなる
被膜６を還元する。このようにすると、図１（ｅ）に示
すように、被膜６が還元されて得られる金属被膜７が反
応生成物３を介してセラミックス基板１に強固に接合し
た状態で形成される。この還元性溶液は工程（Ｂ）で使
用したものと同じでよく、特に限定しない。Next, the ceramic substrate 1 is immersed in a reducing solution to treat the surface to which the coating film 6 is joined with the reducing solution, so that the metal oxide or the metal joined to the ceramic substrate 1 is treated. The coating 6 composed of and a metal oxide is reduced. By doing so, as shown in FIG. 1E, the metal film 7 obtained by reducing the film 6 is formed in a state of being strongly bonded to the ceramic substrate 1 via the reaction product 3. This reducing solution may be the same as that used in step (B) and is not particularly limited.
【００６６】次に、第４の工程（工程（Ｄ））において
は、セラミックス基板１に接合して形成された金属被膜
７をめっき触媒核として、無電解めっきにより、図２
（ａ）に示すように第二のめっき層８を形成する。この
第二のめっき層８は、第一のめっき層５と同様にして形
成することができる。Next, in the fourth step (step (D)), the metal coating 7 formed by joining to the ceramic substrate 1 is used as a plating catalyst nucleus to perform electroless plating, as shown in FIG.
As shown in (a), the second plating layer 8 is formed. The second plated layer 8 can be formed in the same manner as the first plated layer 5.
【００６７】第二のめっき層８の膜厚は、配線導体とし
て必要な、所望の膜厚に適宜設定すれば良く、特に限定
するものではない。The film thickness of the second plating layer 8 may be appropriately set to a desired film thickness required for the wiring conductor and is not particularly limited.
【００６８】以上のように、工程（Ａ）〜（Ｄ）を経る
ことによりセラミックス基板１のメタライズを行うと、
セラミックス基板１の表面に接合された金属微粒子４を
めっき触媒核として無電解めっき処理により金属の層を
形成していくことから、めっき処理の効率が高くなると
共にめっき処理における金属の析出量のばらつきが抑制
されて、金属の層の膜厚を容易に制御することができ
る。しかも、形成される金属の層は、セラミックス基板
１を予め粗面化するなどの前処理を施さなくても、セラ
ミックス基板１との界面の全体に亘って形成された反応
生成物３を介して強固に接合され、また金属の層を二段
階の無電解めっき処理にて形成することから、厚膜の金
属の層を容易に形成することが可能となるものである。As described above, when the ceramics substrate 1 is metallized through the steps (A) to (D),
Since the metal layer is formed by the electroless plating process using the metal fine particles 4 bonded to the surface of the ceramic substrate 1 as the plating catalyst nucleus, the efficiency of the plating process is increased and the amount of metal deposited in the plating process varies. Is suppressed, and the film thickness of the metal layer can be easily controlled. Moreover, the formed metal layer does not need to undergo a pretreatment such as roughening the ceramic substrate 1 in advance, through the reaction product 3 formed over the entire interface with the ceramic substrate 1. Since they are firmly joined and the metal layer is formed by the two-step electroless plating treatment, it is possible to easily form the thick metal layer.
【００６９】ここで、工程（Ｃ）において無電解めっき
処理にて形成する第一のめっき層５には次の二つの役割
がある。
焼成処理により、セラミックス基板１との界面側にお
いてセラミックスとの接着に寄与する反応生成物３を生
成する役割
焼成処理に続く還元処理において還元されて金属被膜
７となる被膜６を生成する役割
このため、第一のめっき層５の膜厚は０．１〜５μｍの
範囲とすることが好ましい。この第一のめっき層５の膜
厚が０．１μｍに満たない場合、前記二つの役割のうち
の割合が多くなり、相対的にの役割が少なくなって
しまうことが懸念される。このような場合、続く、工程
（Ｄ）における第二のめっき層８の形成に必要なめっき
触媒核が得られない恐れがある。また、第一のめっき層
５の膜厚が５μｍを超える場合、前記２点の役割は両方
満足するが、めっき層形成中あるいは形成後に、内部応
力のためにセラミックス基板１から剥離する恐れがあり
好ましくない。Here, the first plating layer 5 formed by electroless plating in the step (C) has the following two roles. Role of generating reaction product 3 that contributes to adhesion to ceramics on the interface side with ceramic substrate 1 by firing treatment Role of producing coating 6 that is reduced to metal coating 7 in reduction treatment following firing treatment The film thickness of the first plating layer 5 is preferably in the range of 0.1 to 5 μm. When the film thickness of the first plating layer 5 is less than 0.1 μm, there is a concern that the ratio of the two roles will increase and the relative roles will decrease. In such a case, there is a possibility that the plating catalyst nucleus necessary for the subsequent formation of the second plating layer 8 in the step (D) cannot be obtained. Further, when the thickness of the first plating layer 5 exceeds 5 μm, both of the roles of the above two points are satisfied, but there is a risk of peeling from the ceramic substrate 1 due to internal stress during or after the formation of the plating layer. Not preferable.
【００７０】また、工程（Ｃ）における第一のめっき層
５の焼成は、上記の役割を充足するように雰囲気酸
素濃度及び焼成温度が制御された条件で行うことが好ま
しく、特にベルト炉などを用いて、酸素濃度１０ｐｐｍ
〜５００ｐｐｍ、焼成温度８００以上、焼成時間１０〜
６０分間の条件で行うことが好ましい。焼成雰囲気は、
例えば窒素やアルゴンガスといった不活性ガス中に所定
濃度の酸素を混入させたものとすることができる。In addition, the firing of the first plating layer 5 in the step (C) is preferably performed under the condition that the atmospheric oxygen concentration and the firing temperature are controlled so as to satisfy the above-mentioned role, and particularly, a belt furnace or the like is used. Use, oxygen concentration 10ppm
~ 500 ppm, baking temperature 800 or more, baking time 10
It is preferable to perform the condition for 60 minutes. The firing atmosphere is
For example, a predetermined concentration of oxygen may be mixed in an inert gas such as nitrogen or argon gas.
【００７１】上記の焼成温度が８００℃に満たないと反
応生成物３による接着強度が十分に得られないおそれが
ある。また焼成は第一のめっき層５が溶融しない条件で
行うことが好ましく、このため焼成を第一のめっき層５
を構成する金属の融点未満（銅の場合は１０８３℃未
満）の温度で行うことが好ましい。また上記の焼成時の
雰囲気中の酸素濃度が１０ｐｐｍに満たないと反応生成
物３の生成が十分になされず、の役割を十分に果たせ
なくなるおそれがあり、またこの酸素濃度が５００ｐｐ
ｍを超えると第一のめっき層５とセラミックスとの反応
が進行しすぎて、被膜６の生成量が低減し、の役割が
十分に果たせなくなるおそれがある。If the firing temperature is lower than 800 ° C., the adhesive strength of the reaction product 3 may not be sufficiently obtained. Further, it is preferable that the firing is performed under the condition that the first plating layer 5 does not melt, and therefore the firing is performed.
It is preferable to carry out at a temperature lower than the melting point of the metal constituting (1) (less than 1083 ° C. for copper). If the oxygen concentration in the atmosphere during the above firing is less than 10 ppm, the reaction product 3 may not be sufficiently formed, and the role of may not be fully fulfilled, and the oxygen concentration is 500 pp.
If it exceeds m, the reaction between the first plating layer 5 and the ceramics may proceed too much, the amount of the coating film 6 formed may be reduced, and the role of may not be fully fulfilled.
【００７２】上記のようにしてメタライズされたセラミ
ックス基板１に導体回路１０を形成することにより、セ
ラミックス回路基板１１を作製することができる。セラ
ミックス基板１に導体回路１０を形成するにあたって
は、次に示すような、いわゆるフォトエッチング法を適
用することができる。By forming the conductor circuit 10 on the ceramic substrate 1 metallized as described above, the ceramic circuit substrate 11 can be manufactured. In forming the conductor circuit 10 on the ceramics substrate 1, the following so-called photo-etching method can be applied.
【００７３】まず、上記のメタライズ方法においてセラ
ミックス基板１の一面又は両面の全面に亘って金属被膜
７及び第二のめっき層８を形成しておき、このセラミッ
クス基板１の第二のめっき層８の全面をレジスト膜で被
覆する。レジスト膜は紫外線硬化性樹脂からなるドライ
フィルムやレジストインク等により形成することができ
る。次いで、透明部分が所望の導体回路１０のネガパタ
ーン状に形成された製造用フィルム（ネガフィルム）を
レジスト膜の上方に配置し、紫外線露光ランプを照射し
て露光することによりレジスト膜の露光部分を硬化させ
る。First, the metal coating 7 and the second plating layer 8 are formed on one surface or both surfaces of the ceramic substrate 1 by the above-mentioned metallizing method, and the second plating layer 8 of the ceramic substrate 1 is formed. The entire surface is covered with a resist film. The resist film can be formed by a dry film made of an ultraviolet curable resin or a resist ink. Next, a production film (negative film) having a transparent portion formed in the negative pattern of the desired conductor circuit 10 is arranged above the resist film, and the exposed portion of the resist film is exposed by irradiating with an ultraviolet exposure lamp. Cure.
【００７４】露光後、ネガフィルムを取り除き、アルカ
リ性溶液等にて処理するなどしてレジスト膜の非露光部
分を現像して除去する。このときセラミックス基板１に
は図２（ｂ）に示すように、硬化したレジスト膜９が、
所望の導体パターンと同一形状に残存する。After the exposure, the negative film is removed, and the unexposed portion of the resist film is developed and removed by treatment with an alkaline solution or the like. At this time, as shown in FIG. 2B, the hardened resist film 9 is formed on the ceramic substrate 1.
It remains in the same shape as the desired conductor pattern.
【００７５】次に、エッチング液を用いてセラミックス
基板１の表面を処理することにより、図２（ｃ）に示す
ように、レジスト膜９にて被覆されていない金属被膜７
及び第二のめっき層８を金属微粒子４ごと除去し、残存
する金属被膜７及び第二のめっき層８によって所望の導
体パターンを有する導体回路１０を形成する。このとき
微粒子分散層を形成するための微粒子として銅又は酸化
銅、あるいはニッケル又は酸化ニッケルを用い、第一の
めっき層５及び第二のめっき層８として無電解銅めっき
層又は無電解ニッケルめっき層にて形成していると、銅
又はニッケルにて構成される金属被膜７及び第二のめっ
き層８がエッチングにて除去されることとなり、エッチ
ング処理によって金属被膜７及び第二のめっき層８を確
実に除去し、導体回路１０間における金属の残存を確実
に防止することができる。尚、反応生成物３はエッチン
グにて除去されずにセラミックス基板１に残存する。Next, by treating the surface of the ceramic substrate 1 with an etching solution, as shown in FIG. 2C, the metal film 7 not covered with the resist film 9 is formed.
The second plating layer 8 and the metal fine particles 4 are removed together, and the remaining metal coating 7 and the second plating layer 8 form a conductor circuit 10 having a desired conductor pattern. At this time, copper or copper oxide, or nickel or nickel oxide is used as the fine particles for forming the fine particle dispersion layer, and an electroless copper plating layer or an electroless nickel plating layer is used as the first plating layer 5 and the second plating layer 8. When the metal coating 7 and the second plating layer 8 made of copper or nickel are removed by etching, the metal coating 7 and the second plating layer 8 are removed by etching. It is possible to reliably remove the metal, and it is possible to reliably prevent metal from remaining between the conductor circuits 10. The reaction product 3 remains on the ceramic substrate 1 without being removed by etching.
【００７６】ここで、エッチング液としてはエッチング
処理にて除去される金属被膜７及び第二のめっき層８を
構成する金属に応じて適宜のものを用いることができ、
例えば金属被膜７及び第二のめっき層８として銅から構
成されるものを形成している場合は、例えば塩化第二
鉄、塩化第二銅水溶液などのような銅のエッチング液を
用いることができる。Here, as the etching solution, an appropriate one can be used according to the metal constituting the metal coating 7 and the second plating layer 8 removed by the etching treatment,
For example, when the metal coating 7 and the second plating layer 8 are formed of copper, a copper etching solution such as an aqueous solution of ferric chloride or cupric chloride can be used. .
【００７７】また、金属微粒子４、第一のめっき層６及
び第二のめっき層８を、同一の金属にて形成することに
より、セラミックス基板１に同一の金属のみからなる金
属の層を形成すると、エッチング処理時におけるエッチ
ング処理として、その金属をエッチング処理するのに最
適なエッチング液を選択し、エッチング処理を効率よく
行うようにすることができる。例えば微粒子分散層とし
て銅及び酸化銅から選択される微粒子を含むものを形成
し、第一のめっき層６と第二のめっき層８を共に無電解
銅めっき処理により形成することにより、金属の層を銅
のみにて形成したり、あるいは微粒子分散層としてニッ
ケル及び酸化ニッケルから選択される微粒子を含むもの
を形成し、第一のめっき層６と第二のめっき層８を共に
無電解ニッケルめっき処理により形成することにより、
金属の層をニッケルのみにて形成した場合に、各金属を
エッチング処理するのに最適なエッチング液を選択し、
エッチング処理を効率よく行うようにすることができる
ものである。When the metal fine particles 4, the first plating layer 6 and the second plating layer 8 are formed of the same metal, a metal layer made of only the same metal is formed on the ceramic substrate 1. As the etching process at the time of the etching process, it is possible to select an optimum etching liquid for etching the metal and to perform the etching process efficiently. For example, by forming a fine particle dispersion layer containing fine particles selected from copper and copper oxide and forming both the first plating layer 6 and the second plating layer 8 by electroless copper plating, a metal layer is formed. Is formed of copper alone, or a fine particle dispersion layer containing fine particles selected from nickel and nickel oxide is formed, and both the first plating layer 6 and the second plating layer 8 are subjected to electroless nickel plating treatment. By forming by
When the metal layer is made of nickel only, select the optimum etchant for etching each metal,
The etching process can be performed efficiently.
【００７８】続いて、図２（ｄ）に示すように、回路パ
ターン上に被覆しているレジスト膜９を例えばジクロロ
メタン等の溶剤を用いて除去する。Subsequently, as shown in FIG. 2D, the resist film 9 covering the circuit pattern is removed by using a solvent such as dichloromethane.
【００７９】このようにすると、セラミックス基板１上
に所望の導体パターンを有する導体回路１０が形成され
たセラミックス回路基板１１が形成される。このように
してセラミックス回路基板１１を形成すると、セラミッ
クス基板１上における導体回路１０間では金属被膜７及
び第二のめっき層８がエッチングにより除去されている
ため、導体回路１０間に金属が残存するようなことがな
く、従って、導体回路１０を回路の幅（ライン幅）や回
路間の間隔（スペース幅）が小さい微細パターンとして
形成しても、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジの発
生は起こらないものである。In this way, the ceramics circuit board 11 is formed in which the conductor circuit 10 having the desired conductor pattern is formed on the ceramics board 1. When the ceramic circuit board 11 is formed in this manner, the metal film 7 and the second plating layer 8 are removed by etching between the conductor circuits 10 on the ceramic substrate 1, so that the metal remains between the conductor circuits 10. Therefore, even if the conductor circuit 10 is formed as a fine pattern having a small circuit width (line width) or a space between circuits (space width), the insulation failure between the conductor circuits 10 and the occurrence of bridges do not occur. It does not happen.
【００８０】このセラミックス回路基板１１には必要に
応じて、後工程として、導体回路１０に無電解ニッケル
−金めっき（第二のめっき層８の金属がニッケルの場合
は金めっき）を施すことができる。このような金めっき
や無電解ニッケル−金めっき処理を施す場合であって
も、セラミックス基板１上における導体回路１０間では
めっき触媒核となる金属微粒子４がエッチングにより除
去されているため、導体回路１０間にめっき層が形成さ
れるようなことがなく、導体回路１０を微細パターンと
して形成しても、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジ
の発生は起こらないものである。If necessary, this ceramic circuit board 11 may be subjected to electroless nickel-gold plating (gold plating if the metal of the second plating layer 8 is nickel) on the conductor circuit 10 as a post-process. it can. Even when such gold plating or electroless nickel-gold plating treatment is performed, since the metal fine particles 4 serving as plating catalyst nuclei are removed by etching between the conductor circuits 10 on the ceramic substrate 1, the conductor circuits are not formed. Even if the conductor circuit 10 is formed as a fine pattern, no plating layer is formed between the conductor circuits 10, and insulation failure between the conductor circuits 10 and generation of bridges do not occur.
【００８１】また、セラミックス基板１上に導体回路１
０を形成するにあたっては、図３，４に示すように、上
記の工程（Ａ）〜（Ｄ）よりなるメタライズ工程におい
て、セラミックス基板１の表面に微粒子分散層を、スク
リーン印刷などの手法により所望の導体回路の導体パタ
ーン形状に形成して、非導電パターン部分には微粒子分
散層を形成しないようにしても良い（図３（ａ）参
照）。図３（ｂ）〜図４（ｂ）に示される各工程では、
微粒子分散層の形成時に導体パターン形状に形成してい
る以外は、図１（ａ）〜図２（ａ）に示される各工程と
同様の操作がなされている。Further, the conductor circuit 1 is formed on the ceramic substrate 1.
When forming 0, as shown in FIGS. 3 and 4, in the metallizing step including the steps (A) to (D), a fine particle dispersion layer is desired on the surface of the ceramic substrate 1 by a method such as screen printing. Alternatively, the fine particle dispersion layer may not be formed in the non-conductive pattern portion by forming it in the conductive pattern shape of the conductive circuit (see FIG. 3A). In each step shown in FIGS. 3B to 4B,
The same operation as each step shown in FIGS. 1A to 2A is performed except that the fine particle dispersion layer is formed into a conductor pattern shape.
【００８２】この場合は、めっき触媒核となる金属微粒
子４がセラミックス基板１の表面に導体パターン形状に
形成され、図３（ｃ）に示すように、第一の無電解めっ
き処理においてこの金属微粒子４が分散・結合されてい
る領域に選択的に第一のめっき層５が形成されることと
なって、図４（ｂ）に示すように第二の無電解めっき処
理後のセラミックス基板に金属被膜７及び第二のめっき
層８からなる導体回路１０が形成されるものである。こ
のため、上記のようなエッチング処理を施すことなく図
４（ｂ）に示すようにセラミックス基板１に導体回路１
０を形成してセラミックス回路基板１１を得ることがで
きるものである。In this case, the metal fine particles 4 serving as the plating catalyst nuclei are formed in a conductor pattern shape on the surface of the ceramic substrate 1, and as shown in FIG. 3C, the metal fine particles 4 are formed in the first electroless plating treatment. As a result, the first plating layer 5 is selectively formed in the region where 4 are dispersed / bonded, and as shown in FIG. 4 (b), metal is applied to the ceramic substrate after the second electroless plating treatment. The conductor circuit 10 including the coating 7 and the second plating layer 8 is formed. Therefore, as shown in FIG. 4B, the conductor circuit 1 is formed on the ceramic substrate 1 without performing the etching process as described above.
0 can be formed to obtain the ceramic circuit board 11.
【００８３】このようにしてセラミックス回路基板１１
を形成する場合であっても、セラミックス基板１上にお
ける導体回路１０間では元々めっき触媒核となる金属微
粒子４が形成されておらず、第一のめっき層５及び第二
のめっき層８が形成されることがないものであり、従っ
て、導体回路１０を回路の幅（ライン幅）や回路間の間
隔（スペース幅）が小さい微細パターンとして形成して
も、導体回路１０間の絶縁不良やブリッジの発生は起こ
らないものである。In this way, the ceramic circuit board 11
Even when forming the above, the metal fine particles 4 serving as the plating catalyst nuclei are not originally formed between the conductor circuits 10 on the ceramic substrate 1, and the first plating layer 5 and the second plating layer 8 are formed. Therefore, even if the conductor circuit 10 is formed as a fine pattern having a small circuit width (line width) or a space between circuits (space width), insulation failure between conductor circuits 10 or bridge The occurrence of does not occur.
【００８４】また、このように形成されるセラミックス
回路基板１１においても、必要に応じて、後工程とし
て、導体回路１０に金めっきや無電解ニッケル−金めっ
きを施すことができるが、このような金めっきや無電解
ニッケル−金めっき処理を施す場合であっても、導体回
路１０間にめっき層が形成されるようなことがなく、導
体回路１０を微細パターンとして形成しても、導体回路
１０間の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないもので
ある。Also in the ceramic circuit board 11 thus formed, the conductor circuit 10 can be subjected to gold plating or electroless nickel-gold plating as a post-process, if necessary. Even when gold plating or electroless nickel-gold plating is performed, a plating layer is not formed between the conductor circuits 10, and even if the conductor circuit 10 is formed as a fine pattern, the conductor circuit 10 is not formed. Insulation defects and bridges do not occur between them.
【００８５】[0085]
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples.
【００８６】（実施例１）ガス中蒸発法と呼ばれる方法
によって製造された粒径が５ｎｍの銅微粒子を用い、こ
の銅微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中に分散
させて微粒子分散液を調製した。Example 1 Copper fine particles having a particle diameter of 5 nm produced by a method called an in-gas evaporation method were used, and the copper fine particles were dispersed in ethanol at a concentration of 0.5% by mass to obtain a fine particle dispersion liquid. Was prepared.
【００８７】また、セラミックス基板として９６％アル
ミナ焼結体からなるセラミックス基板を用いた。A ceramics substrate made of a 96% alumina sintered body was used as the ceramics substrate.
【００８８】上記の微粒子分散液をスピンコート法にて
回転数２０００ｒｐｍの条件でセラミックス基板表面に
塗布した後、セラミックス基板をオーブン中にて１５０
℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微
粒子分散層を形成した。After applying the above-mentioned fine particle dispersion liquid to the surface of the ceramic substrate by spin coating at a rotation speed of 2000 rpm, the ceramic substrate is heated in an oven for 150 minutes.
The solvent was volatilized by drying at 0 ° C. for 20 minutes to form a fine particle dispersion layer.
【００８９】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
１０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Then, the ceramics substrate is heated in an air atmosphere in a belt furnace at a maximum temperature of 700 ° C. for a processing time of 10 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer, and then the ceramics substrate is heated. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【００９０】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【００９１】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度１００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes under a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 100 ppm, With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【００９２】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセラミッ
クス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the ceramic substrate was immersed in this to form a second plating layer having a film thickness of 10 μm on the ceramic substrate. did.
【００９３】上記セラミックス基板の表面のめっき層全
面をレジストインク（東京応化工業製；「感光樹脂 Ｐ
Ｏ−２」）にて被覆してレジスト膜を形成した後、この
レジスト膜の上方にネガフィルムを配置し、紫外線露光
ランプを照射して露光することにより硬化させ、非露光
部分を現像して除去した。更に塩化第二鉄水溶液を用い
てエッチング処理を施して、非導電パターンのめっき層
を除去し、残存するめっき層にて導体回路を形成した。
次いで、ジクロロメタンにて処理することにより導体回
路上のレジスト膜を除去することにより、ライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ
角パターンを有するセラミックス回路基板を形成した。A resist ink (made by Tokyo Ohka Kogyo; "Photosensitive resin P"
O-2 ") to form a resist film, a negative film is arranged above the resist film, and the film is irradiated with an ultraviolet exposure lamp to be exposed to cure the film, and the unexposed portion is developed. Removed. Further, an etching treatment was performed using a ferric chloride aqueous solution to remove the plating layer of the non-conductive pattern, and the remaining plating layer formed a conductor circuit.
Then, the resist film on the conductor circuit is removed by treating with dichloromethane to obtain a fine pattern of line width / space width = 30 μm / 30 μm and 2 mm.
A ceramic circuit board having a square pattern was formed.
【００９４】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９
Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
mm Tin-plated copper wire was soldered and peeled off.
The adhesive strength was N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion with the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【００９５】（実施例２）ガス中蒸発法と呼ばれる方法
によって製造された粒径が４００ｎｍの銅微粒子を用
い、この銅微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中
に分散させて微粒子分散液を調製した。Example 2 Copper fine particles having a particle diameter of 400 nm produced by a method called gas evaporation method were used, and the copper fine particles were dispersed in ethanol at a concentration of 0.5% by mass to obtain a fine particle dispersion liquid. Was prepared.
【００９６】また、セラミックス基板として９６％アル
ミナ焼結体からなるセラミックス基板を用いた。A ceramics substrate made of 96% alumina sintered body was used as the ceramics substrate.
【００９７】そして、実施例１と同様の手順により、セ
ラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。Then, in the same procedure as in Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on the ceramic substrate.
【００９８】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間
３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 800 ° C. for a processing time of 30 minutes at the maximum temperature to fire the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【００９９】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１００】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 200 ppm, With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１０１】そして、実施例１と同様の手順により、セ
ラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセ
ラミックス回路基板を形成した。Then, in the same procedure as in Example 1, the line width / space width = 30 μm / on the ceramic substrate.
A ceramic circuit board having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed.
【０１０２】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９
Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
mm Tin-plated copper wire was soldered and peeled off.
The adhesive strength was N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion with the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１０３】（実施例３）末端ジアミンポリエチレンオ
キサイド（サイエンスポリマープロダクト社製；融点４
２．８℃、数平均分子量４０００）を膜厚８００ｎｍの
薄膜に調整し、その表面に銅を真空蒸着することによっ
て粒径が５ｎｍの銅の微粒子を形成した。ここで薄膜と
微粒子の総量に対する微粒子の割合が１０質量％となる
ようにした。Example 3 Terminal diamine polyethylene oxide (manufactured by Science Polymer Products Co .; melting point 4)
A thin film having a film thickness of 800 nm was prepared at 2.8 ° C. and a number average molecular weight of 4000), and copper was vacuum-deposited on the surface to form fine particles of copper having a particle size of 5 nm. Here, the ratio of the fine particles to the total amount of the thin film and the fine particles was set to 10% by mass.
【０１０４】この銅の微粒子が形成された薄膜を、銅の
微粒子の濃度が０．５質量％となるようにエタノールに
溶解して微粒子分散液を調製した。The thin film on which the fine copper particles were formed was dissolved in ethanol so that the concentration of the fine copper particles was 0.5% by mass to prepare a fine particle dispersion liquid.
【０１０５】得られた微粒子分散液を用い、９６％アル
ミナ焼結体からなるセラミックス基板に実施例１と同様
の手順により、セラミックス基板上に微粒子分散層を形
成した。Using the obtained fine particle dispersion, a fine particle dispersion layer was formed on a ceramic substrate made of a 96% alumina sintered body by the same procedure as in Example 1.
【０１０６】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Then, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. for a processing time of 20 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１０７】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１０８】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度９００℃で処理時間
１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に
対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処
理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行
った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 900 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere controlled to have an oxygen concentration of 200 ppm, The ceramic substrate was subjected to reduction treatment with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes.
【０１０９】そして、実施例１と同様の手順により、セ
ラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセ
ラミックス回路基板を形成した。Then, in the same procedure as in Example 1, the line width / space width = 30 μm / on the ceramic substrate.
A ceramic circuit board having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed.
【０１１０】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９
Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
mm Tin-plated copper wire was soldered and peeled off.
The adhesive strength was N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion with the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１１１】（実施例４）実施例３と同様にして得られ
る微粒子分散液を用い、９６％アルミナ焼結体からなる
セラミックス基板表面にスクリーン印刷法で、ライン幅
／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの導体回路の導
体パターンと２ｍｍ角パターン形状に塗布した。(Example 4) Using a fine particle dispersion obtained in the same manner as in Example 3, a line width / space width = 100 μm / 100 μm was obtained by screen printing on the surface of a ceramic substrate made of a 96% alumina sintered body. It was applied to a conductor pattern of a conductor circuit and a 2 mm square pattern shape.
【０１１２】このセラミックス基板をオーブン中１５０
℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微
粒子分散層を形成した。This ceramic substrate was placed in an oven for 150
The solvent was volatilized by drying at 0 ° C. for 20 minutes to form a fine particle dispersion layer.
【０１１３】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度４００℃、最高温度での処理時間
６０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Then, the ceramic substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 400 ° C. for a treatment time of 60 minutes at the maximum temperature to fire the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１１４】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the ceramic substrate was immersed in the bath to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１１５】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度３００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度８００℃で処理時間
１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に
対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処
理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行
った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 800 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere controlled to have an oxygen concentration of 300 ppm. The ceramic substrate was subjected to reduction treatment with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes.
【０１１６】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセラミッ
クス基板に形成した。このときめっき層は導体パターン
状に形成され、このめっき層によってセラミックス基板
上にライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの
微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回路が形
成されて、セラミックス回路基板を得た。Subsequently, an electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a second plating layer with a thickness of 10 μm on the ceramic substrate. did. At this time, the plating layer is formed in a conductor pattern, and the plating layer forms a conductor circuit having a fine pattern of line width / space width = 100 μm / 100 μm and a 2 mm square pattern on the ceramic substrate to obtain a ceramic circuit board. It was
【０１１７】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンの表
面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を
構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行
った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき
層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．
８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３
９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 100 μm / 100 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed.
In addition, a 0.
8mm tinned copper wire was soldered and peeled off, 3
The adhesive strength was 9 N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion to the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１１８】（実施例５）実施例３と同様にして得られ
る微粒子分散液を、９６％アルミナ焼結体からなるセラ
ミックス基板表面にスクリーン印刷法で、ライン幅／ス
ペース幅＝１００μｍ／１００μｍの導体回路の導体パ
ターンと２ｍｍ角パターン形状に塗布した。(Example 5) A fine particle dispersion liquid obtained in the same manner as in Example 3 was screen-printed on the surface of a ceramic substrate made of a 96% alumina sintered body by a line width / space width = 100 μm / 100 μm conductor. It was applied to a conductor pattern of a circuit and a 2 mm square pattern shape.
【０１１９】このセラミックス基板をオーブン中１５０
℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微
粒子分散層を形成した。This ceramic substrate was placed in an oven for 150
The solvent was volatilized by drying at 0 ° C. for 20 minutes to form a fine particle dispersion layer.
【０１２０】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度６００℃、最高温度での処理時間
３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in an air atmosphere in a belt furnace at a maximum temperature of 600 ° C. for a processing time of 30 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１２１】続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に
入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミッ
クス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層を
セラミックス基板に形成した。Subsequently, an electroless nickel plating solution was put in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１２２】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度１００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes under a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 100 ppm, and then, With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１２３】続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に
入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミッ
クス基板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセ
ラミックス基板に形成した。このときめっき層は導体パ
ターン状に形成され、このめっき層によってセラミック
ス基板上にライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００
μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回
路が形成されて、セラミックス回路基板を得た。Subsequently, an electroless nickel plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a second plating layer with a thickness of 10 μm on the ceramic substrate. did. At this time, the plating layer is formed in a conductor pattern, and the plating layer forms a line width / space width = 100 μm / 100 on the ceramic substrate.
A conductor circuit having a fine pattern of μm and a 2 mm square pattern was formed to obtain a ceramics circuit board.
【０１２４】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンの表
面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を
構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行
った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき
層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．
８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３
９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 100 μm / 100 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed.
In addition, a 0.
8mm tinned copper wire was soldered and peeled off, 3
The adhesive strength was 9 N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion to the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１２５】（実施例６）末端ジアミンポリエチレンオ
キサイド（サイエンスポリマープロダクト社製；融点４
２．８℃、数平均分子量４０００）を膜厚８００ｎｍの
薄膜に調整し、その表面にニッケルを真空蒸着すること
によって粒径が１０ｎｍのニッケルの微粒子を形成し
た。ここで薄膜と微粒子の総量に対する微粒子の割合が
１０質量％となるようにした。(Example 6) Terminal diamine polyethylene oxide (manufactured by Science Polymer Products Co .; melting point 4)
A thin film having a film thickness of 800 nm was prepared at 2.8 ° C. and a number average molecular weight of 4000), and nickel was vacuum-deposited on the surface to form nickel fine particles having a particle size of 10 nm. Here, the ratio of the fine particles to the total amount of the thin film and the fine particles was set to 10% by mass.
【０１２６】このニッケルの微粒子が形成された薄膜
を、ニッケルの微粒子の濃度が０．５質量％となるよう
にエタノールに溶解して微粒子分散液を調製した。The thin film on which the nickel fine particles were formed was dissolved in ethanol so that the concentration of the nickel fine particles was 0.5% by mass to prepare a fine particle dispersion liquid.
【０１２７】得られた微粒子分散液を９６％アルミナ焼
結体からなるセラミックス基板に、スクリーン印刷法
で、ライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００μｍの
導体回路の導体パターンと２ｍｍ角パターン形状に塗布
した。The obtained fine particle dispersion liquid was applied to a ceramic substrate made of a 96% alumina sintered body by a screen printing method in a conductor pattern of a conductor circuit having a line width / space width = 100 μm / 100 μm and a 2 mm square pattern. .
【０１２８】このセラミックス基板をオーブン中１５０
℃で２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微
粒子分散層を形成した。This ceramic substrate is placed in an oven for 150
The solvent was volatilized by drying at 0 ° C. for 20 minutes to form a fine particle dispersion layer.
【０１２９】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間
２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 800 ° C. for a processing time of 20 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１３０】続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に
入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミッ
クス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層を
セラミックス基板に形成した。Subsequently, the electroless nickel plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１３１】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Then, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere controlled to have an oxygen concentration of 200 ppm, With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１３２】続いて、無電解ニッケルめっき液を浴槽に
入れて浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミッ
クス基板を浸漬して膜厚１０μｍの第二のめっき層をセ
ラミックス基板に形成した。このときめっき層は導体パ
ターン状に形成され、このめっき層によってセラミック
ス基板上にライン幅／スペース幅＝１００μｍ／１００
μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導体回
路が形成されて、セラミックス回路基板を得た。Subsequently, an electroless nickel plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a second plating layer with a thickness of 10 μm on the ceramic substrate. did. At this time, the plating layer is formed in a conductor pattern, and the plating layer forms a line width / space width = 100 μm / 100 on the ceramic substrate.
A conductor circuit having a fine pattern of μm and a 2 mm square pattern was formed to obtain a ceramics circuit board.
【０１３３】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝１００μｍ／１００μｍの微細パターンの表
面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を
構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行
った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき
層とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．
８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３
９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 100 μm / 100 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed.
In addition, a 0.
8mm tinned copper wire was soldered and peeled off, 3
The adhesive strength was 9 N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion to the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１３４】（実施例７）実施例１と同様にして得られ
る微粒子分散液を用い、窒化アルミ焼結体からなるセラ
ミックス基板に実施例１と同様の手順により、セラミッ
クス基板上に微粒子分散層を形成した。(Example 7) Using the fine particle dispersion obtained in the same manner as in Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on the ceramic substrate made of an aluminum nitride sintered body by the same procedure as in Example 1. Formed.
【０１３５】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. and a processing time of 20 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１３６】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１３７】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere controlled to have an oxygen concentration of 200 ppm. With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１３８】そして、実施例１と同様の手順により、セ
ラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセ
ラミックス回路基板を形成した。Then, in the same procedure as in Example 1, line width / space width = 30 μm / on the ceramic substrate.
A ceramic circuit board having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed.
【０１３９】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９
Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
mm Tin-plated copper wire was soldered and peeled off.
The adhesive strength was N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion with the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１４０】（実施例８）実施例３と同様にして得られ
る微粒子分散液を用い、９９％アルミナ焼結体からなる
セラミックス基板に実施例１と同様の手順により、セラ
ミックス基板上に微粒子分散層を形成した。(Example 8) Using a fine particle dispersion obtained in the same manner as in Example 3, a ceramic substrate made of a 99% alumina sintered body was subjected to the same procedure as in Example 1 to form a fine particle dispersion layer on the ceramic substrate. Was formed.
【０１４１】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. for a processing time of 30 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１４２】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１４３】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 200 ppm, With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１４４】そして、実施例１と同様の手順により、セ
ラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセ
ラミックス回路基板を形成した。このセラミックス回路
基板のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微
細パターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥が
し、導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテー
プ剥離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察
されず、めっき層とセラミックス基板との良好な密着性
が確認された。また、セラミックス回路基板の２ｍｍ角
パターンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥が
したところ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上
の接着強度を示し、セラミックス基板との良好な密着性
が確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニ
ッケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッ
ジは発生しなかった。Then, in the same procedure as in Example 1, the line width / space width = 30 μm / on the ceramic substrate.
A ceramic circuit board having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed. A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test was conducted to observe the state of the plating layer constituting the conductor circuit. As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. Further, when a 0.8 mm tin-plated copper wire was soldered and peeled off to a 2 mm square pattern of the ceramic circuit board, it showed an adhesive strength of 39 N (4 kgf) / 2 mm x 2 mm or more, and good adhesion with the ceramic board. confirmed. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１４５】（実施例９）実施例３と同様にして得られ
る微粒子分散液を用い、炭化珪素焼結体からなるセラミ
ックス基板に実施例１と同様の手順により、セラミック
ス基板上に微粒子分散層を形成した。(Example 9) Using the fine particle dispersion liquid obtained in the same manner as in Example 3, a fine particle dispersion layer was formed on the ceramic substrate made of a silicon carbide sintered body by the same procedure as in Example 1. Formed.
【０１４６】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間
２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 800 ° C. for a processing time of 20 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１４７】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Subsequently, an electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１４８】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度３００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時
間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板
に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、
処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を
行った。Subsequently, the ceramic substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 300 ppm, With a borohydride aqueous solution (2 g / L) on a ceramic substrate,
The reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１４９】そして、実施例１と同様の手順により、セ
ラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有するセ
ラミックス回路基板を形成した。Then, in the same procedure as in Example 1, the line width / space width = 30 μm / on the ceramic substrate.
A ceramic circuit board having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed.
【０１５０】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９
Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示
し、セラミックス基板との良好な密着性が確認された。
また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金めっ
きを形成したところ、導体回路にブリッジは発生しなか
った。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of a fine pattern having a line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
mm Tin-plated copper wire was soldered and peeled off.
The adhesive strength was N (4 kgf) / 2 mm × 2 mm or more, and good adhesion with the ceramic substrate was confirmed.
Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１５１】（実施例１０）実施例１と同様にして得ら
れる微粒子分散液を用い、石英ガラス基板に実施例１と
同様の手順により、微粒子分散層を形成した。(Example 10) Using the fine particle dispersion liquid obtained in the same manner as in Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on a quartz glass substrate by the same procedure as in Example 1.
【０１５２】続いて石英ガラス基板を空気雰囲気中でベ
ルト炉にて最高温度６００℃、最高温度での処理時間２
０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成
した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ素
酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時
間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the quartz glass substrate was processed in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 600 ° C. and a processing time at the maximum temperature was 2
After firing the fine particle dispersion layer by heating for 0 minutes, the ceramic substrate was treated with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes. The reduction treatment was performed.
【０１５３】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をセラミ
ックス基板に形成した。Then, an electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above ceramic substrate was immersed in this to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the ceramic substrate. Formed.
【０１５４】続いて、この第一のめっき層が形成された
セラミックス基板を酸素濃度４００ｐｐｍに制御した窒
素雰囲気下でベルト炉にて最高温度８００℃で処理時間
１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基板に
対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処
理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行
った。Subsequently, the ceramics substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 800 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 400 ppm. The ceramic substrate was subjected to reduction treatment with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes.
【０１５５】その後は、実施例１と同様の手順により、
石英ガラス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導
体回路を形成して石英ガラス回路基板を得た。After that, by the same procedure as in the first embodiment,
Line width / space width = 30 μm / on quartz glass substrate
A conductive circuit having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed to obtain a quartz glass circuit board.
【０１５６】この石英ガラス回路基板のライン幅／スペ
ース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市
販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成す
るめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。
この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層と石
英ガラス基板との良好な密着性が確認された。また、石
英ガラス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫め
っき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋ
ｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、石英ガ
ラス基板との良好な密着性が確認された。また、後加工
として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成した
ところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this quartz glass circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. went.
As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the quartz glass substrate was confirmed. Moreover, when a 0.8 mm tin-plated copper wire was soldered and peeled off to a 2 mm square pattern of the quartz glass circuit board, it was 39 N (4 k
gf) / 2 mm × 2 mm or more, showing an adhesive strength, and good adhesion with a quartz glass substrate was confirmed. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１５７】（実施例１１）実施例１と同様にして得ら
れる微粒子分散液を用い、サファイア基板に実施例１と
同様の手順により、微粒子分散層を形成した。(Example 11) Using the fine particle dispersion obtained in the same manner as in Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on a sapphire substrate by the same procedure as in Example 1.
【０１５８】続いてサファイア基板を空気雰囲気中でベ
ルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間３
０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼成
した後、このサファイア基板に対して、水素化ホウ素酸
塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間
が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the sapphire substrate was processed in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. and a processing time at the maximum temperature was 3
After firing the fine particle dispersion layer by heating for 0 minutes, this sapphire substrate was treated with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes. The reduction treatment was performed.
【０１５９】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のサファイア基板
を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をサファイ
ア基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the sapphire substrate was immersed in the bath to form a 0.5 μm-thick first plating layer on the sapphire substrate. Formed.
【０１６０】続いて、この第一のめっき層が形成された
サファイア基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御した窒素
雰囲気下でベルト炉にて最高温度１０００℃で処理時間
１０分間の条件で加熱した後、このサファイア基板に対
して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理
温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行っ
た。Subsequently, the sapphire substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 1000 ° C. for a processing time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere in which the oxygen concentration was controlled to 200 ppm, The sapphire substrate was subjected to reduction treatment with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes.
【０１６１】その後は、実施例１と同様の手順により、
サファイア基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ／
３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する導
体回路を形成してサファイア回路基板を得た。After that, by the same procedure as in the first embodiment,
Line width / space width = 30μm / on sapphire substrate
A conductor circuit having a 30 μm fine pattern and a 2 mm square pattern was formed to obtain a sapphire circuit board.
【０１６２】このサファイア回路基板のライン幅／スペ
ース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に市
販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成す
るめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行った。
この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層とサ
ファイア基板との良好な密着性が確認された。また、サ
ファイア回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫め
っき銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋ
ｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、サファ
イア基板との良好な密着性が確認された。また、後加工
として導体回路に無電解ニッケル−金めっきを形成した
ところ、導体回路にブリッジは発生しなかった。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this sapphire circuit substrate and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was
As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the sapphire substrate was confirmed. Moreover, when a 0.8 mm tin-plated copper wire was soldered and peeled off to a 2 mm square pattern of the sapphire circuit board, it was 39 N (4 k
gf) / 2 mm × 2 mm or more, the adhesive strength was confirmed, and good adhesion with the sapphire substrate was confirmed. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１６３】（実施例１２）実施例１と同様にして得ら
れる微粒子分散液を用い、ニオブ酸リチウム基板に実施
例１と同様の手順により、ニオブ酸リチウム基板上に微
粒子分散層を形成した。Example 12 Using the fine particle dispersion obtained in the same manner as in Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on a lithium niobate substrate by the same procedure as in Example 1 on a lithium niobate substrate.
【０１６４】続いてニオブ酸リチウム基板を空気雰囲気
中でベルト炉にて最高温度６００℃、最高温度での処理
時間６０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層
を焼成した後、このニオブ酸リチウム基板に対して、水
素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０
℃、処理時間が５分間の条件で還元処理を行った。Then, the lithium niobate substrate was heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 600 ° C. for a treatment time of 60 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. The substrate was treated with a borohydride aqueous solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80.
The reduction treatment was carried out under the conditions of the temperature of 5 ° C and the treatment time of 5 minutes.
【０１６５】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のニオブ酸リチウ
ム基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめっき層をニ
オブ酸リチウム基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the above lithium niobate substrate was immersed in this to form a first plating layer having a thickness of 0.5 μm. It was formed on a lithium niobate substrate.
【０１６６】続いて、この第一のめっき層が形成された
ニオブ酸リチウム基板を酸素濃度２００ｐｐｍに制御し
た窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度９００℃で処理
時間１０分間の条件で加熱した後、このセラミックス基
板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）に
て、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で還元処
理を行った。Subsequently, the lithium niobate substrate on which the first plating layer was formed was heated in a belt furnace at a maximum temperature of 900 ° C. for a treatment time of 10 minutes in a nitrogen atmosphere controlled to have an oxygen concentration of 200 ppm. The ceramic substrate was subjected to reduction treatment with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes.
【０１６７】その後は、実施例１と同様の手順により、
ニオブ酸リチウム基板上にライン幅／スペース幅＝３０
μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有
する導体回路を形成してニオブ酸リチウム回路基板を得
た。After that, by the same procedure as in the first embodiment,
Line width / space width = 30 on lithium niobate substrate
A conductor circuit having a fine pattern of μm / 30 μm and a 2 mm square pattern was formed to obtain a lithium niobate circuit board.
【０１６８】このニオブ酸リチウム回路基板のライン幅
／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表
面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を
構成するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行
った。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき
層とニオブ酸リチウム基板との良好な密着性が確認され
た。また、ニオブ酸リチウム回路基板の２ｍｍ角パター
ンに０．８ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたと
ころ、３９Ｎ（４ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着
強度を示し、ニオブ酸リチウム基板との良好な密着性が
確認された。また、後加工として導体回路に無電解ニッ
ケル−金めっきを形成したところ、導体回路にブリッジ
は発生しなかった。A tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit by sticking a commercially available adhesive tape on the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this lithium niobate circuit board and peeling it off I went. As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the lithium niobate substrate was confirmed. Moreover, when a 0.8 mm tin-plated copper wire was soldered to a 2 mm square pattern of a lithium niobate circuit board and peeled off, it showed an adhesive strength of 39 N (4 kgf) / 2 mm x 2 mm or more, which was good with a lithium niobate board. Good adhesion was confirmed. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１６９】（実施例１３）実施例１と同様にして得ら
れる微粒子分散液を用い、低温焼成ガラスセラミックス
基板に実施例１と同様の手順により、低温焼成ガラスセ
ラミックス基板上に微粒子分散層を形成した。(Example 13) Using the fine particle dispersion obtained in the same manner as in Example 1, the fine particle dispersion layer was formed on the low temperature fired glass ceramics substrate by the same procedure as in Example 1 on the low temperature fired glass ceramics substrate. did.
【０１７０】続いて低温焼成ガラスセラミックス基板を
空気雰囲気中でベルト炉にて最高温度５００℃、最高温
度での処理時間３０分間の条件で加熱することにより微
粒子分散層を焼成した後、この低温焼成ガラスセラミッ
クス基板に対して、水素化ホウ素酸塩水溶液（２ｇ／
Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間が５分間の条件で
還元処理を行った。Subsequently, the low temperature firing glass-ceramic substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 500 ° C. for a treatment time of 30 minutes at the maximum temperature to fire the fine particle dispersion layer, and then the low temperature firing. Aqueous borohydride solution (2 g /
In L), the reduction treatment was performed under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１７１】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記の低温焼成ガラス
セラミックス基板を浸漬して膜厚０．５μｍの第一のめ
っき層を低温焼成ガラスセラミックス基板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the low temperature fired glass ceramics substrate was immersed in the bath to make a first plating layer having a thickness of 0.5 μm. Was formed on a low temperature fired glass ceramic substrate.
【０１７２】続いて、この第一のめっき層が形成された
低温焼成ガラスセラミックス基板を酸素濃度５００ｐｐ
ｍに制御した窒素雰囲気下でベルト炉にて最高温度７０
０℃で処理時間１０分間の条件で加熱した後、この低温
焼成ガラスセラミックス基板に対して、水素化ホウ素酸
塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理時間
が５分間の条件で還元処理を行った。Then, the low temperature fired glass-ceramic substrate on which the first plating layer was formed was subjected to an oxygen concentration of 500 pp.
Maximum temperature of 70 in a belt furnace under nitrogen atmosphere controlled to m
After heating at 0 ° C. for a treatment time of 10 minutes, the low temperature fired glass ceramic substrate was treated with an aqueous borohydride solution (2 g / L) at a treatment temperature of 80 ° C. for a treatment time of 5 minutes. The reduction treatment was performed.
【０１７３】その後は、実施例１と同様の手順により、
低温焼成ガラスセラミックス基板上にライン幅／スペー
ス幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パ
ターンを有する導体回路を形成して低温焼成ガラスセラ
ミックス回路基板を得た。After that, by the same procedure as in the first embodiment,
A conductor circuit having a fine pattern of line width / space width = 30 μm / 30 μm and a 2 mm square pattern was formed on the low temperature fired glass ceramics substrate to obtain a low temperature fired glass ceramics circuit substrate.
【０１７４】この低温焼成ガラスセラミックス回路基板
のライン幅／スペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パ
ターンの表面に市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、
導体回路を構成するめっき層の状態を観察するテープ剥
離試験を行った。この結果、めっき層の剥離は観察され
ず、めっき層と低温焼成ガラスセラミックス基板との良
好な密着性が確認された。また、低温焼成ガラスセラミ
ックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８ｍｍ錫めっ
き銅線を半田付けして剥がしたところ、３９Ｎ（４ｋｇ
ｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以上の接着強度を示し、低温焼成
ガラスセラミックス基板との良好な密着性が確認され
た。また、後加工として導体回路に無電解ニッケル−金
めっきを形成したところ、導体回路にブリッジは発生し
なかった。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this low temperature fired glass ceramics circuit board, and peeled off.
A tape peeling test for observing the state of the plated layer forming the conductor circuit was performed. As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the low temperature fired glass ceramic substrate was confirmed. Moreover, when a 0.8 mm tin-plated copper wire was soldered and peeled off to a 2 mm square pattern of the low temperature fired glass ceramics circuit board, 39 N (4 kg
f) The adhesive strength was not less than 2 mm × 2 mm, and good adhesion with the low temperature fired glass ceramic substrate was confirmed. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１７５】（比較例１）ガス中蒸発法と呼ばれる方法
によって製造された粒径が５ｎｍの銅微粒子を用い、こ
の銅微粒子を０．５質量％の濃度でエタノール中に分散
させて微粒子分散液を調製した。(Comparative Example 1) Copper fine particles having a particle diameter of 5 nm produced by a method called an in-gas evaporation method were used, and the copper fine particles were dispersed in ethanol at a concentration of 0.5% by mass to obtain a fine particle dispersion liquid. Was prepared.
【０１７６】また、セラミックス基板として９６％アル
ミナ焼結体からなるセラミックス基板を用いた。As the ceramic substrate, a ceramic substrate made of 96% alumina sintered body was used.
【０１７７】上記の微粒子分散液をスピンコート法にて
回転数２０００ｒｐｍの条件でセラミックス基板表面に
塗布した後、セラミックス基板をオーブン中１５０℃で
２０分間乾燥させることにより溶剤を揮散させ、微粒子
分散層を形成した。The fine particle dispersion liquid was applied onto the surface of the ceramic substrate by spin coating at a rotation speed of 2000 rpm, and the ceramic substrate was dried in an oven at 150 ° C. for 20 minutes to volatilize the solvent and to disperse the fine particle dispersion layer. Was formed.
【０１７８】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
１０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. for a processing time of 10 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１７９】続いて、無電解銅めっき液を浴槽に入れて
浴温を６０℃に調節し、この中に上記のセラミックス基
板を浸漬して膜厚１０μｍのめっき層をセラミックス基
板に形成した。Subsequently, the electroless copper plating solution was placed in a bath to adjust the bath temperature to 60 ° C., and the ceramic substrate was immersed in this to form a 10 μm-thick plating layer on the ceramic substrate.
【０１８０】上記セラミックス基板の表面のめっき層全
面をレジストインク（東京応化工業製；「感光樹脂 Ｐ
Ｏ−２」）にて被覆してレジスト膜を形成した後、この
レジスト膜の上方にネガフィルムを配置し、紫外線露光
ランプを照射して露光することにより硬化させ、非露光
部分を現像して除去した。更に塩化第二鉄水溶液を用い
てエッチング処理を施して、非導電パターンのめっき層
を除去し、残存するめっき層にて導体回路を形成した。
次いで、ジクロロメタンにて処理することにより導体回
路上のレジスト膜を除去することにより、ライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ
角パターンを有する導体回路を有するセラミックス回路
基板を形成した。A resist ink (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo; “Photosensitive resin P”) was formed on the entire surface of the plating layer on the surface of the ceramic substrate.
O-2 ") to form a resist film, a negative film is arranged above the resist film, and the film is irradiated with an ultraviolet exposure lamp to be exposed to cure the film, and the unexposed portion is developed. Removed. Further, an etching treatment was performed using a ferric chloride aqueous solution to remove the plating layer of the non-conductive pattern, and the remaining plating layer formed a conductor circuit.
Then, the resist film on the conductor circuit is removed by treating with dichloromethane to obtain a fine pattern of line width / space width = 30 μm / 30 μm and 2 mm.
A ceramic circuit board having a conductor circuit having a square pattern was formed.
【０１８１】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、２０
Ｎ（２ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以下の接着強度を示
し、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分で
あることが確認された。また、後加工として導体回路に
無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路
にブリッジは発生しなかった。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
When the mm-tin-plated copper wire was soldered and peeled off, 20
The adhesive strength was N (2 kgf) / 2 mm × 2 mm or less, and it was confirmed that the adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was insufficient. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１８２】（比較例２）比較例１と同様にして得られ
る微粒子分散液を用い、窒化アルミ焼結体からなるセラ
ミックス基板に、比較例１と同様の手順にて微粒子分散
層を形成した。Comparative Example 2 Using the fine particle dispersion liquid obtained in the same manner as in Comparative Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on a ceramic substrate made of an aluminum nitride sintered body by the same procedure as in Comparative Example 1.
【０１８３】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
２０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. and a processing time of 20 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１８４】その後は、比較例１と同様の手順により、
セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ
／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する
導体回路を形成してセラミックス回路基板を得た。After that, by the same procedure as in Comparative Example 1,
Line width / space width = 30 μm on the ceramic substrate
A conductor circuit having a fine pattern of / 30 μm and a 2 mm square pattern was formed to obtain a ceramics circuit board.
【０１８５】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、２０
Ｎ（２ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以下の接着強度を示
し、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分で
あることが確認された。また、後加工として導体回路に
無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路
にブリッジは発生しなかった。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
When the mm-tin-plated copper wire was soldered and peeled off, 20
The adhesive strength was N (2 kgf) / 2 mm × 2 mm or less, and it was confirmed that the adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was insufficient. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１８６】（比較例３）比較例１と同様にして得られ
る微粒子分散液を用い、９９％アルミナ焼結体からなる
セラミックス基板に、比較例１と同様の手順にて微粒子
分散層を形成した。(Comparative Example 3) Using a fine particle dispersion obtained in the same manner as in Comparative Example 1, a fine particle dispersion layer was formed on a ceramic substrate made of a 99% alumina sintered body by the same procedure as in Comparative Example 1. .
【０１８７】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度７００℃、最高温度での処理時間
３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 700 ° C. for a processing time of 30 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１８８】その後は、比較例１と同様の手順により、
セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ
／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する
導体回路を形成してセラミックス回路基板を得た。After that, by the same procedure as in Comparative Example 1,
Line width / space width = 30 μm on the ceramic substrate
A conductor circuit having a fine pattern of / 30 μm and a 2 mm square pattern was formed to obtain a ceramics circuit board.
【０１８９】このセラミックス回路基板のライン幅／ス
ペース幅＝３０μｍ／３０μｍの微細パターンの表面に
市販の粘着テープを貼りつけて剥がし、導体回路を構成
するめっき層の状態を観察するテープ剥離試験を行っ
た。この結果、めっき層の剥離は観察されず、めっき層
とセラミックス基板との良好な密着性が確認された。ま
た、セラミックス回路基板の２ｍｍ角パターンに０．８
ｍｍ錫めっき銅線を半田付けして剥がしたところ、２０
Ｎ（２ｋｇｆ）／２ｍｍ×２ｍｍ以下の接着強度を示
し、めっき層とセラミックス基板との密着性が不充分で
あることが確認された。また、後加工として導体回路に
無電解ニッケル−金めっきを形成したところ、導体回路
にブリッジは発生しなかった。A commercially available adhesive tape was attached to the surface of the fine pattern of the line width / space width = 30 μm / 30 μm of this ceramic circuit board and peeled off, and a tape peeling test for observing the state of the plating layer constituting the conductor circuit was conducted. It was As a result, peeling of the plating layer was not observed, and good adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was confirmed. In addition, 0.8 mm on a 2 mm square pattern on the ceramic circuit board.
When the mm-tin-plated copper wire was soldered and peeled off, 20
The adhesive strength was N (2 kgf) / 2 mm × 2 mm or less, and it was confirmed that the adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was insufficient. Further, when electroless nickel-gold plating was formed on the conductor circuit as post-processing, no bridge was generated in the conductor circuit.
【０１９０】（比較例４）微粒子径１，０００ｎｍの銅
の微粒子を用い、この微粒子を０．５質量％の濃度でエ
タノール中に分散させて微粒子分散液を調製した。Comparative Example 4 Fine particles of copper having a diameter of 1,000 nm were used, and the fine particles were dispersed in ethanol at a concentration of 0.5% by mass to prepare a fine particle dispersion liquid.
【０１９１】また、セラミックス基板として９６％アル
ミナ焼結体からなるセラミックス基板上に比較例１と同
様に微粒子分散層を形成した。Further, a fine particle dispersion layer was formed as in Comparative Example 1 on a ceramics substrate made of a 96% alumina sintered body as a ceramics substrate.
【０１９２】続いてセラミックス基板を空気雰囲気中で
ベルト炉にて最高温度８００℃、最高温度での処理時間
３０分間の条件で加熱することにより微粒子分散層を焼
成した後、このセラミックス基板に対して、水素化ホウ
素酸塩水溶液（２ｇ／Ｌ）にて、処理温度８０℃、処理
時間が５分間の条件で還元処理を行った。Subsequently, the ceramics substrate is heated in a belt furnace in an air atmosphere at a maximum temperature of 800 ° C. for a processing time of 30 minutes at the maximum temperature to burn the fine particle dispersion layer. A reduction treatment was performed with an aqueous borohydride solution (2 g / L) under the conditions of a treatment temperature of 80 ° C. and a treatment time of 5 minutes.
【０１９３】その後は、比較例１と同様の手順により、
セラミックス基板上にライン幅／スペース幅＝３０μｍ
／３０μｍの微細パターンと２ｍｍ角パターンを有する
導体回路を形成してセラミックス回路基板を得た。After that, by the same procedure as in Comparative Example 1,
Line width / space width = 30 μm on the ceramic substrate
A conductor circuit having a fine pattern of / 30 μm and a 2 mm square pattern was formed to obtain a ceramics circuit board.
【０１９４】このセラミックス回路基板に対して実施例
１と同様のテープ剥離試験を行ったところ、めっき層に
剥離が観察され、めっき層とセラミックス基板との密着
性が不充分であることが確認された。When a tape peeling test similar to that of Example 1 was performed on this ceramic circuit board, peeling was observed in the plating layer, and it was confirmed that the adhesion between the plating layer and the ceramic substrate was insufficient. It was
【０１９５】以上の結果を表１にまとめて示す。The above results are summarized in Table 1.
【０１９６】[0196]
【表１】 [Table 1]
【０１９７】[0197]
【発明の効果】上記のように本発明に係るセラミックス
基板のメタライズ方法は、（Ａ）粒径が１〜５００ｎｍ
であり、金属及び金属酸化物から選択される少なくとも
一種の微粒子を含む微粒子分散層を、セラミックス基板
表面に形成する工程、（Ｂ）微粒子分散層が形成された
セラミックス基板を、酸素含有雰囲気中にて焼成した
後、還元性溶液にて処理することにより、セラミックス
基板にセラミックスと金属との反応生成物を介して接合
する金属微粒子を形成する工程、（Ｃ）セラミックス基
板に接合された金属微粒子をめっき触媒核として、無電
解めっき法により第一のめっき層を形成する工程、
（Ｄ）第一のめっき層が形成されたセラミックス基板を
酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処理
することにより、セラミックス基板にセラミックスと金
属との反応生成物を介して接合する金属被膜を形成する
工程、並びに（Ｅ）セラミックス基板表面に接合された
金属被膜をめっき触媒核として、無電解めっき法によ
り、第二のめっき層を形成する工程からなるため、微粒
子分散層の焼成後にセラミックス基板の表面にめっき触
媒核となる金属微粒子がほぼ均一に分散された状態で接
合されることとなって、無電解めっき処理による第一の
めっき層の析出性が高くなると共に第一のめっき層の析
出量のばらつきの発生が抑制されて無電解めっき処理に
よって形成される第一のめっき層の膜厚を容易に制御す
ることができる。As described above, in the method of metallizing a ceramic substrate according to the present invention, (A) the grain size is 1 to 500 nm.
A step of forming a fine particle dispersion layer containing at least one kind of fine particles selected from a metal and a metal oxide on the surface of the ceramic substrate, and (B) forming the fine particle dispersion layer on the ceramic substrate in an oxygen-containing atmosphere. And baking with a reducing solution to form fine metal particles that are bonded to the ceramic substrate via the reaction product of the ceramic and the metal, and (C) the fine metal particles bonded to the ceramic substrate. As a plating catalyst nucleus, a step of forming a first plating layer by an electroless plating method,
(D) The ceramic substrate on which the first plating layer is formed is fired in an oxygen-containing atmosphere and then treated with a reducing solution to bond it to the ceramic substrate via a reaction product of the ceramic and the metal. And the step of forming a second plating layer by the electroless plating method using (E) the metal coating bonded to the surface of the ceramic substrate as a plating catalyst nucleus. After firing, the fine metal particles that will serve as plating catalyst nuclei are bonded to the surface of the ceramics substrate in a substantially evenly dispersed state, which increases the depositability of the first plating layer by the electroless plating process and increases the first plating layer. It is possible to suppress the occurrence of variations in the amount of deposition of the plating layer and easily control the film thickness of the first plating layer formed by the electroless plating treatment.
【０１９８】また、第一のめっき層の焼成・還元により
形成される金属被膜をめっき触媒核として第二のめっき
層を形成することにより、無電解めっき処理による第二
のめっき層の析出性が高くなると共に第二のめっき層の
析出量のばらつきの発生が抑制されて無電解めっき処理
によって形成される第二のめっき層の膜厚を容易に制御
することができ、これにより金属被膜と第二のめっき層
からなる金属の層の厚みを用に制御することができると
共に、厚膜の金属の層を容易に形成することが可能とな
る。By forming the second plating layer using the metal coating formed by firing / reduction of the first plating layer as the plating catalyst nucleus, the depositability of the second plating layer by the electroless plating treatment is improved. It is possible to easily control the film thickness of the second plating layer formed by the electroless plating process while suppressing the occurrence of the variation in the amount of precipitation of the second plating layer as it becomes higher. It is possible to control the thickness of the metal layer made of the second plating layer, and it is possible to easily form a thick metal layer.
【０１９９】しかも、形成される金属の層は、セラミッ
クス基板を予め粗面化するなどの前処理を施さなくて
も、微粒子分散層の焼成時と第一のめっき層の焼成時に
形成された反応生成物を介して、セラミックス基板との
界面の全体に亘って強固に接合され、高い接合強度を有
するものである。Moreover, the metal layer formed is a reaction formed during the firing of the fine particle dispersion layer and the firing of the first plating layer without pretreatment such as roughening the surface of the ceramic substrate in advance. The product is firmly bonded to the entire interface with the ceramic substrate through the product and has high bonding strength.
【０２００】上記工程（Ａ）における微粒子としては、
銅及び酸化銅のうちの少なくとも１種を用いることがで
き、またニッケル及び酸化ニッケルのうちの少なくとも
１種を用いることもできる。The fine particles in the above step (A) include
At least one of copper and copper oxide can be used, and at least one of nickel and nickel oxide can also be used.
【０２０１】また、上記工程（Ａ）における微粒子分散
層の分散溶媒として、高分子及びオリゴマーのマトリッ
クスのうちの少なくとも１種を用いると、微粒子分散層
中に微粒子を容易に分散させることができて、微粒子分
散層を焼成して得られるめっき触媒核となる金属の微粒
子を、セラミックス基板上にほぼ均一に分散させて形成
することが容易となると共に、微粒子分散層の焼成過程
における微粒子の粒成長を抑制して、微粒子の微細な粒
径を保持することができ、第一のめっき層の膜厚の制御
を更に容易に行うことができるものである。If at least one of a polymer matrix and an oligomer matrix is used as a dispersion solvent for the fine particle dispersion layer in the step (A), the fine particles can be easily dispersed in the fine particle dispersion layer. , It becomes easy to form fine particles of metal, which will be the plating catalyst nuclei obtained by firing the fine particle dispersion layer, on the ceramics substrate almost uniformly, and at the same time, grain growth of fine particles in the firing process of the fine particle dispersion layer. It is possible to maintain the fine particle diameter of the fine particles by suppressing the above, and to more easily control the film thickness of the first plating layer.
【０２０２】上記工程（Ｃ）にて形成される第一のめっ
き層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうち
の少なくとも一方を、無電解銅めっき法により形成する
ことができ、また第一のめっき層と工程（Ｅ）にて形成
される第二のめっき層のうちの少なくとも一方を、無電
解ニッケルめっき法により形成することもできる。At least one of the first plating layer formed in the step (C) and the second plating layer formed in the step (E) may be formed by an electroless copper plating method. Alternatively, at least one of the first plating layer and the second plating layer formed in step (E) can be formed by an electroless nickel plating method.
【０２０３】また本発明に係るセラミックス回路基板の
製造方法は、上記のようなセラミックス基板のメタライ
ズ方法により製造されるメタライズドセラミックス基板
に、エッチング工法により導体回路を形成するものであ
り、セラミックス基板に予め粗面化処理等を行わなくて
も、膜厚が制御されると共にセラミックス基板との密着
性が高い導体回路を形成することができるものである。
またエッチング処理が施された部分においては金属の層
を容易に除去することができて、この部分には金属が残
留しないようにすることができ、導体回路間にめっき層
が形成されたり金属微粒子が残存したりするようなこと
がなく、従って、導体回路を微細パターンとして形成し
た場合であっても導体回路間の絶縁不良やブリッジの発
生が起こらないようにすることができるものである。The method for manufacturing a ceramics circuit board according to the present invention is to form a conductor circuit on a metallized ceramics board manufactured by the above-described method for metallizing a ceramics board by an etching method. It is possible to form a conductor circuit whose film thickness is controlled and which has high adhesion to a ceramic substrate without performing a roughening treatment or the like.
In addition, the metal layer can be easily removed in the portion where the etching treatment is applied, and the metal can be prevented from remaining in this portion, and a plating layer is formed between the conductor circuits or metal fine particles. Therefore, even if the conductor circuits are formed as a fine pattern, it is possible to prevent insulation failure between the conductor circuits and generation of a bridge.
【０２０４】また本発明に係る他のセラミックス回路基
板の製造方法は、上記のようなセラミックス基板のメタ
ライズ方法において、工程（Ａ）にて微粒子分散層を所
望の導体回路パターン状に形成することにより、無電解
めっき処理後に得られる第一のめっき層及び第二のめっ
き層が、所望の導体回路パターンとなるように形成する
ものであり、セラミックス基板に予め粗面化処理等を行
わなくても、膜厚が制御されると共にセラミックス基板
との密着性が高い導体回路を形成することができるもの
である。また、セラミックス基板上における導体回路間
では元々めっき触媒核となる金属微粒子が形成されず、
めっき層が形成されることがないものであり、従って、
導体回路を微細パターンとして形成しても、導体回路間
の絶縁不良やブリッジの発生は起こらないようにするこ
とができるものである。Another method for manufacturing a ceramics circuit board according to the present invention is the method for metalizing a ceramics board as described above, wherein the fine particle dispersion layer is formed into a desired conductor circuit pattern in step (A). The first plating layer and the second plating layer obtained after the electroless plating treatment are formed so as to have a desired conductor circuit pattern, and the ceramic substrate does not need to be roughened in advance. It is possible to form a conductor circuit whose film thickness is controlled and which has high adhesion to the ceramic substrate. In addition, metal fine particles that originally serve as plating catalyst nuclei are not originally formed between the conductor circuits on the ceramic substrate,
The plating layer is not formed, and therefore,
Even if the conductor circuits are formed in a fine pattern, it is possible to prevent defective insulation between the conductor circuits and generation of bridges.
【０２０５】また本発明に係るセラミックス回路基板
は、上記のようなセラミックス回路基板の製造方法によ
り製造されるものであるため、膜厚が制御されると共に
セラミックス基板との密着性が高い導体回路が形成さ
れ、また導体回路を微細パターンとして形成した場合で
あっても導体回路間の絶縁不良やブリッジの発生が起こ
らないようにすることができるものであり、また後工程
として、導体回路に無電解ニッケル−金めっき等を施す
場合であっても、セラミックス基板上における導体回路
間ではめっき層が形成されるようなことがなく、導体回
路を微細パターンとして形成しても、導体回路間の絶縁
不良やブリッジの発生が起こらないようにすることがで
きるものであるFurther, since the ceramic circuit board according to the present invention is manufactured by the method for manufacturing a ceramic circuit board as described above, a conductor circuit whose film thickness is controlled and which is highly adherent to the ceramic circuit board is formed. Even if the conductor circuit is formed as a fine pattern, it is possible to prevent defective insulation between conductor circuits and the occurrence of bridges. Even when nickel-gold plating or the like is applied, a plating layer is not formed between the conductor circuits on the ceramic substrate, and even if the conductor circuits are formed as a fine pattern, insulation failure between the conductor circuits is not achieved. And the occurrence of bridges can be prevented.
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）は粒子分散層が形成されたセラミックス基板を空
気雰囲気下にて焼成して、セラミックス基板表面に微粒
子を反応接着させた状態を示す断面図、（ｂ）はセラミ
ックス基板上に反応接着された微粒子を還元して金属微
粒子とした粒子にした状態を示す断面図、（ｃ）はセラ
ミックス基板を無電解めっき液に浸漬し、金属微粒子を
触媒として第一のめっき膜を作製した状態を示す断面
図、（ｄ）は第一のめっき層が形成されたセラミックス
基板を、酸素濃度が制御された雰囲気下にて焼成して、
セラミックス表面に被膜を焼き付けた状態を示す断面
図、（ｅ）はセラミックス基板に焼き付けられた被膜を
還元して、セラミックス表面に焼き付いた金属被膜を形
成した状態を示す断面図である。FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention,
(A) is a cross-sectional view showing a state where fine particles are reactively adhered to the surface of the ceramics substrate by firing the ceramics substrate on which the particle dispersion layer is formed in an air atmosphere, and (b) is reactively adhered to the ceramics substrate. A cross-sectional view showing a state in which the fine particles are reduced to metal fine particles, and (c) shows a state in which a ceramic substrate is immersed in an electroless plating solution to prepare a first plating film using the metal fine particles as a catalyst. A cross-sectional view (d) shows a ceramic substrate on which the first plating layer is formed, which is fired in an atmosphere in which the oxygen concentration is controlled,
FIG. 4E is a cross-sectional view showing a state in which a coating is baked on the surface of ceramics, and FIG. 6E is a cross-sectional view showing a state in which a coating on a ceramic substrate is reduced to form a metal film that is baked on the surface of the ceramics.
【図２】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、
（ａ）はセラミックス表面に焼き付いた金属被膜を触媒
として第二のめっき層を作製した状態を示す断面図、
（ｂ）はセラミックス基板上に形成された金属の層にレ
ジスト膜を形成した後、導体回路形成部分以外のレジス
ト膜を除去し、残存するレジスト膜で導体回路形成部分
を被覆した状態を示す断面図、（ｃ）はセラミックス基
板上に形成された金属の層の導体回路形成部分以外の金
属をエッチングにより除去した状態を示す断面図、
（ｄ）は（ｃ）におけるレジスト膜を除去して、微細ラ
インを有するセラミックス回路基板を形成した状態を示
す断面図である。FIG. 2 shows an example of an embodiment of the present invention,
(A) is a cross-sectional view showing a state in which a second plating layer is produced by using a metal coating burned on a ceramic surface as a catalyst,
(B) is a cross section showing a state in which a resist film is formed on a metal layer formed on a ceramic substrate, the resist film other than the conductor circuit forming portion is removed, and the remaining resist film covers the conductor circuit forming portion. FIG. 1C is a cross-sectional view showing a state in which the metal other than the conductor circuit formation portion of the metal layer formed on the ceramic substrate is removed by etching,
(D) is a cross-sectional view showing a state in which the resist film in (c) is removed to form a ceramics circuit board having fine lines.
【図３】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、
（ａ）及び（ｂ）は粒子分散層が形成されたセラミック
ス基板を空気雰囲気下にて焼成して、セラミックス基板
表面に微粒子を反応接着させた状態を示す断面図、
（ｃ）はセラミックス基板上に反応接着された微粒子を
還元して金属微粒子とした粒子にした状態を示す断面
図、（ｄ）はセラミックス基板を無電解めっき液に浸漬
し、金属微粒子を触媒として第一のめっき膜を作製した
状態を示す断面図、（ｅ）は第一のめっき層が形成され
たセラミックス基板を、酸素濃度が制御された雰囲気下
にて焼成して、セラミックス表面に被膜を焼き付けた状
態を示す断面図である。FIG. 3 shows another example of the embodiment of the present invention,
(A) and (b) are cross-sectional views showing a state in which a ceramic substrate on which a particle dispersion layer is formed is fired in an air atmosphere, and fine particles are reactively adhered to the surface of the ceramic substrate.
(C) is a cross-sectional view showing a state in which the fine particles reactively adhered to the ceramic substrate are reduced into metal fine particles, and (d) the ceramic substrate is immersed in an electroless plating solution and the fine metal particles are used as a catalyst. A cross-sectional view showing a state where the first plating film is produced, (e) shows a ceramic substrate on which the first plating layer is formed, is baked in an atmosphere in which the oxygen concentration is controlled, and a coating film is formed on the ceramic surface. It is sectional drawing which shows the state which was baked.
【図４】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、
（ａ）はセラミックス基板に焼き付けられた被膜を還元
して、セラミックス表面に焼き付いた金属被膜を形成し
た状態を示す断面図、（ｂ）はセラミックス表面に焼き
付いた金属被膜を触媒として第二のめっき層を作製した
状態を示す断面図である。FIG. 4 shows another example of the embodiment of the present invention,
(A) is a cross-sectional view showing a state in which the film baked on the ceramic substrate is reduced to form a metal film baked on the ceramic surface, and (b) is the second plating using the metal film baked on the ceramic surface as a catalyst. It is sectional drawing which shows the state which produced the layer.
１ セラミックス基板 ３ 反応生成物 ４ 金属微粒子 ５ 第一のめっき層 ７ 金属被膜 ８ 第二のめっき層 ９ レジスト膜 １０ 導体回路 １１ セラミックス回路基板 1 Ceramics substrate 3 Reaction products 4 metal particles 5 First plating layer 7 Metal coating 8 Second plating layer 9 Resist film 10 conductor circuit 11 Ceramics circuit board
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｂ Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｂ Ｊ (72)発明者 荻野 昌幸 兵庫県神戸市長田区浜添通４丁目１番21号 三ツ星ベルト株式会社内 (72)発明者 斎藤 諭 兵庫県神戸市長田区浜添通４丁目１番21号 三ツ星ベルト株式会社内 (72)発明者 高橋 広明 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (72)発明者 川原 智之 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K022 AA04 AA42 BA08 BA14 BA34 CA06 CA27 DA03 DB01 5E343 AA23 BB16 BB23 BB24 BB44 CC71 DD33 DD63 ER02 FF16 GG08 GG14 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) C23C 18/52 C23C 18/52 B H05K 3/18 H05K 3/18 B J (72) Inventor Masayuki Ogino Hyogo Satoshi Saito, 4-1-21, Hamazoe-dori, Nagata-ku, Kobe, Japan (72) Inventor Satoshi Saito 4-1-21, Hamazoe-dori, Nagata-ku, Kobe, Hyogo Prefecture (72) Inventor Hiroaki Takahashi Osaka 1048, Kadoma, Kadoma, Fuchu Matsushita Electric Works Co., Ltd. (72) Inventor, Tomoyuki Kawahara, 1048, Kadoma, Kadoma City, Fuchu, Matsushita Electric Works Co., Ltd. F term (reference) BB23 BB24 BB44 CC71 DD33 DD63 ER02 FF16 GG08 GG14
Claims (9)
を特徴とする、セラミックス基板のメタライズ方法。 （Ａ） 粒径が１〜５００ｎｍであり、金属及び金属酸
化物から選択される少なくとも一種の微粒子を含む微粒
子分散層を、セラミックス基板表面に形成する工程 （Ｂ） 微粒子分散層が形成されたセラミックス基板
を、酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて
処理することにより、セラミックス基板にセラミックス
と金属との反応生成物を介して接合する金属微粒子を形
成する工程 （Ｃ） セラミックス基板に接合された金属微粒子をめ
っき触媒核として、無電解めっき法により第一のめっき
層を形成する工程 （Ｄ） 第一のめっき層が形成されたセラミックス基板
を酸素含有雰囲気中にて焼成した後、還元性溶液にて処
理することにより、セラミックス基板にセラミックスと
金属との反応生成物を介して接合する金属被膜を形成す
る工程 （Ｅ） セラミックス基板表面に接合された金属被膜を
めっき触媒核として、無電解めっき法により、第二のめ
っき層を形成する工程1. A method of metallizing a ceramic substrate, comprising the following steps (A) to (E): (A) A step of forming a fine particle dispersion layer having a particle size of 1 to 500 nm and containing at least one kind of fine particles selected from metals and metal oxides on the surface of a ceramic substrate (B) Ceramics having a fine particle dispersion layer formed A step (C) of forming metal fine particles that are bonded to the ceramic substrate through the reaction product of the ceramic and the metal by firing the substrate in an oxygen-containing atmosphere and then treating it with a reducing solution (C) Step (D) of forming a first plating layer by an electroless plating method using the metal fine particles bonded to the substrate as a plating catalyst nucleus (D) After firing the ceramic substrate having the first plating layer formed in an oxygen-containing atmosphere , A metal film is formed on the ceramic substrate by the treatment with a reducing solution, which is bonded through the reaction product of the ceramic and the metal. Step (E) A step of forming a second plating layer by electroless plating using the metal coating bonded to the surface of the ceramic substrate as a plating catalyst nucleus.
化銅のうちの少なくとも１種であることを特徴とする、
請求項１記載のセラミックス基板のメタライズ方法。2. The fine particles in step (A) are at least one of copper and copper oxide,
The method for metalizing a ceramic substrate according to claim 1.
及び酸化ニッケルのうちの少なくとも１種であることを
特徴とする、請求項１記載のセラミックス基板のメタラ
イズ方法。3. The method for metallizing a ceramic substrate according to claim 1, wherein the fine particles in the step (A) are at least one of nickel and nickel oxide.
溶媒が、高分子及びオリゴマーのマトリックスのうちの
少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１乃至
３のいずれかに記載のセラミックス基板のメタライズ方
法。4. The ceramic according to claim 1, wherein the dispersion solvent of the fine particle dispersion layer in the step (A) is at least one of a polymer matrix and an oligomer matrix. Substrate metallization method.
層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうちの
少なくとも一方を、無電解銅めっき法により形成するこ
とを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のセ
ラミックス基板のメタライズ方法。5. At least one of the first plating layer formed in step (C) and the second plating layer formed in step (E) is formed by an electroless copper plating method. The method of metallizing a ceramic substrate according to claim 1, wherein
層と工程（Ｅ）にて形成される第二のめっき層のうちの
少なくとも一方を、無電解ニッケルめっき法により形成
することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載
のセラミックス基板のメタライズ方法。6. At least one of the first plating layer formed in step (C) and the second plating layer formed in step (E) is formed by an electroless nickel plating method. The method for metallizing a ceramic substrate according to any one of claims 1 to 4, characterized in that:
ミックス基板のメタライズ方法により製造されるメタラ
イズドセラミックス基板に、エッチング工法により導体
回路を形成することを特徴とするセラミックス回路基板
の製造方法。7. A method of manufacturing a ceramic circuit substrate, comprising forming a conductor circuit on the metallized ceramic substrate manufactured by the method of metalizing a ceramic substrate according to claim 1 by an etching method.
ミックス基板のメタライズ方法において、工程（Ａ）に
て微粒子分散層を所望の導体回路パターン状に形成する
ことにより、無電解めっき処理後に得られる第一のめっ
き層及び第二のめっき層が、所望の導体回路パターンと
なるように形成することを特徴とするセラミックス回路
基板の製造方法。8. The method of metalizing a ceramic substrate according to claim 1, wherein the fine particle dispersion layer is formed in a desired conductor circuit pattern in the step (A), so that after the electroless plating treatment. A method for manufacturing a ceramics circuit board, characterized in that the obtained first plating layer and second plating layer are formed so as to form a desired conductor circuit pattern.
路基板の製造方法により製造して成ることを特徴とする
セラミックス回路基板。9. A ceramic circuit board manufactured by the method for manufacturing a ceramic circuit board according to claim 7.
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| JP2006024672A (en) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Asahi Kasei Corp | Manufacturing method for wiring circuit board |
| JP2018196850A (en) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 旭化成株式会社 | Method for manufacturing antibacterial and antifungal member |
| CN112312688A (en) * | 2019-07-23 | 2021-02-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | Housing, method for manufacturing housing, and electronic apparatus |
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