JP2003289038A - 塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 塗布液の粘度の高低への対応性に優れ、処理
剤の粘度や種類など広範囲の処理剤を使用でき、ノズル
と基板との間隙やノズルの寸法精度などの機械的な精度
を緩和できる塗布装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｇをスピンチャック１５に保持し、
基板Ｇの表面を横切る第１の方向にわたって配設された
レジストパイプ６１の下面側に設けられた複数のレジス
トノズル６１ａ〜６１ｃから、基板Ｇの表面に対して所
定間隔を隔てた複数の位置にレジスト液を供給し、複数
の気体ノズル６３ａから気体を供給し、また、基板Ｇを
揺動したり回転させることにより基板上のレジスト液を
均一で薄い膜厚の塗膜にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は例えば、液晶表示装
置（以下、この液晶表示装置を「ＬＣＤ」と記す）の製
造工程でＬＣＤ用ガラス基板上にレジスト液などの処理
剤を塗布する塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＬＣＤ用ガラス基板（以下、
このＬＣＤ用ガラス基板を単に「ガラス基板」と記す）
上にレジスト液などの処理剤を塗布するには「スピンコ
ート法」と呼ばれる方法を用いるのが一般的であった。
このスピンコート法では、ガラス基板を水平面内で高速
回転させ、その回転中心の近傍にレジスト液を滴下し、
遠心力によりガラス基板全体に塗布せしめ、余分なレジ
スト液を遠心力で振り切り除去するとともに薄膜化する
方法である。

【０００３】このスピンコート法によれば、比較的単純
な構造の塗布装置で塗布できるという利点があるもの
の、ガラス基板全体にレジスト液を広げるため不要な部
分にまでレジスト液を塗布することになり、レジスト塗
布が必要な面積に比較して多量のレジスト液を必要とす
るという問題がある。

【０００４】また、基板上に形成される半導体素子の集
積度の増大に伴い、レジスト塗膜の薄膜化が要請されて
いるが、スピンコート法ではレジスト塗膜の膜厚は滴下
するレジスト液の粘度とガラス基板の回転速度により定
まるため、薄膜化には自ずと限界がある。

【０００５】そのため、これらスピンコート法の問題を
解決するために種々の提案がなされてきた。

【０００６】例えば、特開平４−１１８０７３号には
「コーティングすべきワークのコーティング面に、コー
ティング材を吐出するスロットを有しており、該スロッ
トの延出方向と直交する方向へ該ワークとは相対的に移
動されるスロットコータと、該スロットコータに並設さ
れており、コーティング面にコーティング材が塗布され
たワークを、該コーティング面がほぼ水平状態になるよ
うに保持して高速回転させるスピン型塗膜調整機構と、
を具備するコーティング装置」が開示されている。 こ
の方法によれば、少量のコーティング材で効率よくコー
ティングできるという利点がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記コ
ーティング装置には以下のような問題点がある。

【０００８】即ち、スロットとワーク（基板）との間隙
が変動するとコーティング膜の膜厚が変動したり、スロ
ットの中央部と端の部分とで吐出される際の膜厚が相違
したりするため、スロットと基板との間隙を狭くかつ一
定になるように高精度の制御が必要であるという問題が
ある。

【０００９】また、このコーティング装置ではワークに
向けてスロットから液膜状態でコーティング材を吐出さ
せるため、この液膜を形成するようにある程度高い粘度
のコーティング材を用いる必要がある。このように比較
的高粘度の溶液は乾燥しやすく、そのためスロットの目
づまりを起こし易いという問題がある。

【００１０】更に、このコーティング材のように比較的
高い粘度の液体は溶剤含有率が低く粘度が変動しやすい
ため、この粘度管理を高精度に行う必要があるという問
題もある。

【００１１】また、ワーク表面に吐出された高粘度のコ
ーティング材を回転させて薄膜化したり膜厚を均一化す
るためには高速で回転させる必要がある。しかし、大き
なガラス基板を高速回転させるのは困難であるため、大
型のガラス基板には使用できないという問題もある。

【００１２】更に、高粘度のコーティング材を用いて回
転させる場合、余分のコーティング材は遠心力で降り飛
ばされ、ローターカップの内壁に付着するが、高粘度ゆ
えにコーティング材を除去しにくいという問題もある。

【００１３】また、スロットを形成する溝として連続的
で寸法の大きいものが必要となるため、ダイスの強度を
維持する必要上、ダイへッドが大型化するという問題も
ある。

【００１４】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたものである。

【００１５】即ち、本発明はノズルと基板との間隙のよ
うな、機械的精度や動作的精度の条件を緩和できる塗布
装置を提供することを目的とする。

【００１６】また、本発明は低粘度の処理剤を使用でき
る塗布装置を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１の塗布装置は、
被処理基板を保持する保持手段と、前記被処理基板表面
上の所定間隔を隔てた複数の位置に処理剤を供給する供
給手段と、前記被処理基板表面上の所定間隔を隔てた複
数の位置に気体を供給する手段と、前記保持手段と、前
記供給手段および前記気体を供給する手段とを相対的に
移動させる手段と、を具備することを特徴とする。

【００１８】請求項２の塗布装置は、被処理基板を保持
する保持手段と、前記被処理基板表面上の所定間隔を隔
てた複数の位置に処理剤を供給する供給手段と、前記被
処理基板表面上の所定間隔を隔てた複数の位置に気体を
供給する手段と、前記保持手段と、前記供給手段および
前記気体を供給する手段とを相対的に移動させる手段
と、密閉状態で前記処理剤を前記被処理基板表面に拡散
して均一に薄膜化する薄膜化手段と、を具備することを
特徴とする。

【００１９】請求項３の塗布装置は、請求項２記載の塗
布装置であって、前記薄膜化手段が、前記被処理基板を
揺動させる手段であることを特徴とする。

【００２０】請求項４の塗布装置は、請求項２記載の塗
布装置であって、前記薄膜化手段が、前記被処理基板を
回転させる手段であることを特徴とする。

【００２１】請求項５の塗布装置は、請求項２〜４いず
れか１項記載の塗布装置であって、前記隣接して供給さ
れる処理剤どうしの間隔が、前記薄膜化手段により前記
被処理基板表面で処理剤どうしが一体化するような間隔
であることを特徴とする。

【００２２】請求項６の塗布装置は、請求項１〜５いず
れか１項記載の塗布装置であって、前記処理剤が供給さ
れる前の被処理基板表面に予め溶剤を供給する手段を更
に具備することを特徴とする。

【００２３】請求項７の塗布装置は、被処理基板を保持
する保持部材と、前記被処理基板の表面に向けられ、前
記被処理基板表面を横切る第１の方向にわたって所定間
隔ごとに設けられた複数の処理剤ノズルと、前記処理剤
ノズルに処理剤を供給する処理剤供給系と、前記被処理
基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面を横切る前
記第１の方向にわたって所定間隔ごとに設けられた複数
の気体ノズルと、前記気体ノズルに気体を供給する気体
供給系と、前記第１の方向と異なる第２の方向に配設さ
れ、前記保持部材、又は前記処理剤ノズルと前記気体ノ
ズルを移動可能に支持するガイドと、前記保持部材と、
前記処理剤ノズルおよび前記気体ノズルとを相対的に移
動させる移動系と、前記保持部材に配設されたアクチュ
エータと、前記保持部材及びアクチュエータを収納する
容器と、前記容器を密閉する蓋と、前記処理剤供給系、
前記気体供給系、前記移動系及び前記アクチュエータを
同期して駆動させる制御部と、を具備することを特徴と
する。

【００２４】請求項８の塗布装置は、被処理基板を回転
可能に保持するスピンチャックと、前記スピンチャック
を収納する容器と、前記容器を密閉する蓋と、前記被処
理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面を横切る
第１の方向にわたって所定間隔ごとに設けられた複数の
処理剤ノズルと、前記処理剤ノズルに処理剤を供給する
処理剤供給系と、前記被処理基板の表面に向けられ、前
記被処理基板表面を横切る前記第１の方向にわたって所
定間隔ごとに設けられた複数の気体ノズルと、前記気体
ノズルに気体を供給する気体供給系と、前記第１の方向
と異なる第２の方向に配設され、前記スピンチャック、
又は前記処理剤ノズルと前記気体ノズルを移動可能に支
持するガイドと、前記スピンチャックと、前記処理剤ノ
ズルおよび前記気体ノズルとを相対的に移動させる移動
系と、前記処理剤供給系、前記気体供給系、前記移動系
及び前記スピンチャックを同期して駆動させる制御部
と、を具備することを特徴とする。

【００２５】請求項９の塗布装置は、被処理基板を回転
可能に保持するスピンチャックと、前記スピンチャック
を収納する容器と、前記容器を密閉する蓋と、前記被処
理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面を横切る
第１の方向にわたって所定間隔ごとに設けられた複数の
処理剤ノズルと、前記処理剤ノズルに処理剤を供給する
処理剤供給系と、前記容器の両端に前記第１の方向と異
なる第２の方向に配設され、前記処理剤ノズルを移動可
能に支持する２つのガイドと、所定間隔ごとに設けられ
た前記処理剤ノズルの両端部を支持し、前記各々のガイ
ドに係合される２つの脚部材と、前記処理剤ノズルを移
動させる移動系と、前記処理剤供給系、前記移動系及び
前記スピンチャックを同期して駆動させる制御部と、を
具備することを特徴とする。

【００２６】請求項１０の塗布装置は、請求項７記載の
塗布装置であって、前記保持部材に隣接した前記処理剤
ノズルの待機位置に、各前記処理剤ノズルと対向するよ
うに配設され、各前記処理剤ノズルの吐出圧を検出する
圧力センサと、検出した前記吐出圧に基づいて各前記処
理剤ノズルの作動状態を監視する監視装置と、を具備す
ることを特徴とする。

【００２７】請求項１１の塗布装置は、請求項８又は９
記載の塗布装置であって、前記スピンチャックに隣接し
た前記処理剤ノズルの待機位置に、各前記処理剤ノズル
と対向するように配設され、各前記処理剤ノズルの吐出
圧を検出する圧力センサと、検出した前記吐出圧に基づ
いて各前記処理剤ノズルの作動状態を監視する監視装置
と、を具備することを特徴とする。

【００２８】請求項１２の塗布装置は、請求項７〜１１
いずれか１項記載の塗布装置であって、前記処理剤ノズ
ルの、前記移動系による移動方向の上流側に配設された
溶剤ノズルと、前記溶剤ノズルに溶剤を供給する溶剤供
給系と、を具備することを特徴とする。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態の詳細を
図面に従って説明する。

【００３０】図１は本発明の一実施形態に係る塗布・現
像装置の斜視図であり、図２はその平面図である。

【００３１】塗布・現像装置１は、その一端側にカセッ
トステーションＣ／Ｓを備えている。

【００３２】また、塗布・現像装置１の他端側には、露
光装置（図示せず）との間でＬＣＤ用ガラス基板Ｇ（以
下、ＬＣＤ用ガラス基板を「基板」と略記する。）の受
け渡しを行うためのインターフェースユニットＩ／Ｆが
配置されている。

【００３３】このカセットステーションＣ／Ｓには基板
Ｇを収容した複数、例えば４組のカセット２が載置され
ている。カセットステーションＣ／Ｓのカセット２の正
面側には、被処理基板である基板Ｇの搬送及び位置決め
を行うとともに、基板Ｇを保持してメインアーム３との
間で受け渡しを行うための補助アーム４が設けられてい
る。

【００３４】インターフェースユニットＩ／Ｆには、露
光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行う補
助アーム５が設けられている。また、インターフェース
ユニットＩ／Ｆには、メインアーム３との間で基板Ｇの
受け渡しを行うためのエクステンション部６及び基板Ｇ
を一旦待機させるバッファユニット７が配置されてい
る。

【００３５】メインアーム３は、塗布・現像装置１の中
央部を長手方向に移動可能に、２基直列に配置されてお
り、各メインアーム３の搬送路の両側にはそれぞれ第１
の処理ユニット群Ａ、第２の処理ユニット群Ｂが配置さ
れている。第１の処理ユニット群Ａと第２の処理ユニッ
ト群Ｂとの間には、基板Ｇを一旦保持するとともに冷却
する中継部８が配置されている。

【００３６】第１の処理ユニット群Ａでは、カセットス
テーションＣ／Ｓの側方に基板Ｇを洗浄する洗浄処理ユ
ニットＳＣＲと現像処理を行う現像処理ユニットＤＥＶ
とが並設されている。また、メインアーム３の搬送路を
挟んで洗浄処理ユニットＳＣＲ及び現像処理ユニットＤ
ＥＶの反対側には、上下に２段配置された２組の熱処理
ユニットＨＰと、上下に２段配置されたＵＶ処理ユニッ
トＵＶ及び冷却ユニットＣＯＬとが隣り合うように配置
されている。

【００３７】第２の処理ユニット群Ｂでは、レジスト塗
布処理及びエッジリムーブ処理を行う塗布処理ユニット
ＣＯＴが配置されている。また、メインアーム３の搬送
路を挟んで塗布処理ユニットＣＯＴの反対側には、上下
に２段配置された基板Ｇを疎水処埋するアドヒージョン
ユニットＡＤ及び冷却ユニットＣＯＬと、上下に２段配
置された熱処理ユニットＨＰ及び冷却ユニットＣＯＬ
と、上下に２段配置された２組の熱処理ユニットＨＰと
が隣り合うように配置されている。熱処理ユニットＨＰ
と冷却ユニットＣＯＬとを上下に２段配置する場合、熱
処理ユニットＨＰを上に冷却ユニットＣＯＬを下に配置
することによって、相互の熱的干渉を避けている。これ
により、より正確な温度制御が可能となる。

【００３８】メインアーム３は、Ｘ軸駆動機構，Ｙ軸駆
動機構およびＺ軸駆動機構を備えており、更に、Ｚ軸を
中心に回転する回転駆動機構をそれぞれ備えている。こ
のメインアーム３が塗布・現像装置１の中央通路に沿っ
て適宜走行して、各処理ユニット間で基坂Ｇを搬送す
る。そして、メインアーム３は、各処理ユニット内に処
理前の基板Ｇを搬入し、また、各処理ユニット内から処
理済の基板Ｇを搬出する。

【００３９】本実施形態の塗布・現像装置１では、この
ように各処理ユニットを集約して一体化することによ
り、省スペース化および処理の効率化を図ることができ
る。

【００４０】このように構成される塗布・現像装置１に
おいては、まずカセット２内の基板Ｇが、補助アーム４
及びメインアーム３を介して洗浄処理ユニットＳＣＲへ
搬送されて洗浄処理される。

【００４１】次に、メインアーム３、中継部８及びメイ
ンアーム３を介してアドヒージョンユニットＡＤへ搬送
されて疎水化処理される。これにより、レジストの定着
性が高められる。

【００４２】次に、メインアーム３を介して冷却ユニッ
トＣＯＬへ搬送されて冷却される。その後、メインアー
ム３を介して塗布処理ユニットＣＯＴへ搬送されてレジ
ストが塗布される。

【００４３】次に、基板Ｇは、メインアーム３を介して
加熱処理ユニットＨＰへ搬送されてプリベーク処理され
る。そして、メインアーム３を介して冷却ユニットＣＯ
Ｌへ搬送されて冷却された後、メインアーム３及びイン
ターフェース部Ｉ／Ｆを介して露光装置に搬送されてそ
こで所定のパターンが露光される。

【００４４】そして、再び露光された基板Ｇは、インタ
ーフェース部Ｉ／Ｆを介して装置１内へ搬入され、メイ
ンアーム３を介して加熱処理ユニットＨＰへ搬送されて
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。

【００４５】その後、基板Ｇは、メインアーム３、中継
部８及びメインアーム３を介して冷却ユニットＣＯＬへ
搬入されて冷却される。そして、基板Ｇは、メインアー
ム３を介して現像処理ユニットＤＥＶへ搬入されて現像
処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理
された基板Ｇは、メインアーム３を介してポストベーク
処理ユニットＨＰへ搬入されてポストベーク処理され
る。

【００４６】そして、ポストベーク処理された基板Ｇ
は、メインアーム３及び補助アーム４を介してカセット
ステーションＣ／Ｓ上の所定のカセット２に収容され
る。

【００４７】次に、本実施形態に係る塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）について説明する。図３は本実施形態に係る
塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の平面図、図４は側面図で
あり、図５は斜視図である。

【００４８】図３に示すように、この塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）内にはレジスト塗布装置ＲＣとエッジリムー
バＥＲとが隣接配置されている。このうち、レジスト塗
布装置ＲＣは洗浄処理やプリベーキングなどの前段階の
処理が施された基板Ｇ表面にレジスト液等の処理剤を塗
布する装置であり、エッジリムーバＥＲはレジスト塗布
装置ＲＣで表面にレジスト塗膜が形成された基板Ｇのう
ち、レジスト塗布が不要な外周縁部（エッジ）のレジス
ト塗膜を剥離除去する装置である。

【００４９】なお基板Ｇ表面のうち、レジスト塗布が必
要な部分にのみ選択的に塗膜を形成する場合にはこのエ
ッジリムーバＥＲは必ずしも必要ではなく、省略するこ
とができる。

【００５０】このレジスト塗布装置ＲＣでは、被処理基
板としての基板Ｇを回転可能に保持する基板保持装置と
してのローターカップ１０と、このローターカップ１０
に保持された基板Ｇの上面からレジスト液や溶剤を供給
する塗布液供給装置６０と、塗布液供給装置６０をロー
ターカップ１０に対して移動させる移動装置７０とから
構成されている。

【００５１】ローターカップ１０の外観は、鉛直方向の
軸を備えた円柱管状の側壁部１１と、この側壁部１１の
上部端面を塞ぐ蓋１２とからなり、この蓋１２には昇降
アーム１３が着脱可能に取り付けられている。

【００５２】図３は塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の蓋１
２を閉じた状態を示した平面図であり、図４は塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）の垂直断面図である。

【００５３】ローターカップ１０内の空間には、基板Ｇ
を回転可能に保持するスピンチャック１５とこのスピン
チャック１５を回転するための回転駆動機構が配設され
ている。

【００５４】ローターカップ１０の内側には環状のカッ
プＣＰが配設され、その内側にスピンチャック１５が配
置されている。スピンチャック１５は真空吸着によって
基板Ｇを固定保持した状態で、駆動モータ１６の回転駆
動力で回転するように構成されている。

【００５５】また、スピンチャック１５上面の基板Ｇと
当接する面には基板Ｇを揺動させるためのアクチュエー
タ（振動体）ＡＣが配設されている。このアクチュエー
タＡＣは電圧が印加されると振動する振動体であり、後
述する制御部１００を介して印加電圧が制御され、その
電圧により振動してスピンチャック１５上面に保持され
た基板Ｇを揺動させる。

【００５６】駆動モータ１６は、歯車列１７を介して回
転軸１８に回転駆動力を伝達するようになっており、更
に、回転軸１８は昇降駆動手段１９により昇降ガイド手
段２０に沿って図中上下方向に移動可能に取り付けられ
ている。

【００５７】レジスト塗布時には、図４に示すように、
スピンチャック１５はカップＣＰの上端より低い位置ま
で下がる。一方、ローターカップ１０から基板Ｇを出し
入れする際の、スピンチャック１５とメインアーム４と
の間で基板Ｇの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段
１９が回転軸１８とスピンチャック１５とを上方へ持ち
上げ、スピンチャック１５はカップＣＰの上端より高い
位置まで変位する。

【００５８】一方、前記スピンチャック１５上にセット
された基板Ｇ上にレジスト液を吐出する塗布液供給装置
６０はこのローターカップ１０をＹ方向に跨るように配
設されている。

【００５９】この塗布液供給装置６０では、ローターカ
ップ１０の上端面と平行に配設され、Ｙ方向にわたって
基板Ｇの上面を横切るように配設されたレジストパイプ
６１と、このレジストパイプ６１の両端部を閉塞すると
ともにこのレジストパイプ６１を支持する脚部材６４及
び６５とからなり、これら脚部材６４及び６５は後述す
る移動装置７０のガイドレール７１及び７２とそれぞれ
係合する。

【００６０】移動装置７０，７０は細長い箱型の部材で
あり、ローターカップ１０のＹ方向の両隣に一機ずつ配
設され、それぞれＸ方向に沿って、ローターカップ１０
の位置からエッジリムーバＥＲの位置にまでわたって配
設されている。この移動装置７０の上面には細長い溝が
それぞれ二本ずつＸ方向に沿って設けられている。

【００６１】これらの溝はそれぞれ、塗布液供給装置６
０の脚部材６４及び６５が係合するガイドレール７１，
７２と搬送部材８０，８１が係合するガイドレール７
３，７４である。

【００６２】これらの移動装置７０，７０の内部には、
駆動モータの駆動力を無端ベルトで伝達するベルト駆動
機構などの既知の移動機構（図示省略）が配設されてお
り、駆動モータの駆動力で、脚部材６４，６５と、搬送
部材８０，８１とをそれぞれ独立してＸ方向に移動する
ようになっている。

【００６３】また、図３に示すように、レジストパイプ
６１のＸ方向両隣には溶剤パイプ６２と気体パイプ６３
とがそれぞれ配設されている。これらレジストパイプ６
１、溶剤パイプ６２、気体パイプ６３はいずれも中空管
状の構造となっており、下面即ちスピンチャック１５上
に保持された基板Ｇと対向する面にはＹ方向にわたり所
定間隔で複数の開口部がそれぞれ設けられ、それぞれレ
ジストノズル６１ａ，６１ｂ，６１ｃ、溶剤ノズル６２
ａ，６２ａ…、気体ノズル６３ａ，６３ａ…をそれぞれ
構成している。これらのレジストパイプ６１、溶剤パイ
プ６２、気体パイプ６３にはレジスト供給管６６、溶剤
供給管６７、気体供給管６８がそれぞれ配設されてお
り、図示しないレジスト供給系、溶剤供給系、気体供給
系とそれぞれ接続され、これらのレジストパイプ６１、
溶剤パイプ６２、気体パイプ６３にレジスト液、溶剤、
溶剤蒸気を含む気体をそれぞれ供給するようになってい
る。図６は基板Ｇと塗布液供給装置６０の垂直断面図を
部分的に拡大した図であり、図７はこれらのレジストパ
イプ６１、溶剤パイプ６２、気体パイプ６３を下側から
見上げた状態を示した図である。

【００６４】図６に示すように、レジストパイプ６１
は、例えば、角型パイプの下部を絞ってテーパを形成し
た台形或いは変形６角形の断面形状を備えており、基板
Ｇと対向する面に上記複数のレジストノズル、例えば３
つのレジストノズル６１ａ，６１ｂ，６１ｃがそれぞれ
所定間隔を隔ててＹ方向にわたって設けられている。こ
のレジストノズル６１ａと６１ｂ、及び、６１ｂと６１
ｃとのＹ方向の間隔は、隣接するレジストノズル、即
ち、６１ａと６１ｂ、６１ｂと６１ｃからそれぞれ供給
された処理剤が基板Ｇに供給されたとき、隣接して供給
された処理剤と処理剤とが被処理基板上でつながって一
体化するような間隔である。この間隔の具体的な値は設
計事項であり、処理剤の粘度、レジストノズル６１ａ〜
６１ｃの大きさ、レジストノズル６１ａ〜６１ｃと基板
Ｇとの間隙、レジストの供給速度等の各パラメータとの
関係により定められる。

【００６５】溶剤パイプ６２、気体パイプ６３は共に丸
形のパイプであり、レジストパイプ６１と同様に下面側
に複数の開口部が形成されており、複数の溶剤ノズル６
２ａ，６２ａ…、気体ノズル６３ａ，６３ａ…を構成し
ている。

【００６６】ローターカップ１０では、このローターカ
ップ本体１０の上部開口を蓋１２で覆うようになってお
り、この蓋１２は昇降アーム１３により着脱可能に保持
されている。

【００６７】図３と図４に示すように、昇降アーム１３
は蓋１２をその先端で挟持する二本のアーム１３ａ，１
３ｂと、これら二本のアーム１３ａ，１３ｂの間に配設
され、これら二本のアーム１３ａ，１３ｂを連結する連
結部材１４とで構成されている。

【００６８】そして昇降アーム１３の根元側即ち蓋１２
を保持する側と反対側はカップリフタ３０内まで伸びて
おり、カップリフタ３０に内蔵された蓋昇降機構により
蓋１２を昇降せるようになっている。なお、説明の便宜
上、図５では昇降アーム１３及びカップリフタ３０を省
略した。

【００６９】上記ローターカップ１０と上記カップリフ
タ３０との間にはレジストノズル６１ａ〜６１ｃを洗浄
するための洗浄バス２０が配設されている。この洗浄バ
ス２０については後述する。

【００７０】図８は本実施形態に係る塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）の制御系を図示したブロック図である。

【００７１】この図８に示したように、ローターカップ
１０、アクチュエータＡＣ、塗布液供給装置６０、塗布
液供給装置６０を移動させる移動装置７０、塗布液供給
装置６０へレジスト液を供給するレジスト液供給系Ｒ
Ｓ、塗布液供給装置６０へ気体を供給する気体供給系Ｇ
Ｓ、及び塗布液供給装置６０へ溶剤を供給する溶剤供給
系ＳＳが制御部１００と接続されており、この制御部１
００により統括的に制御されている。

【００７２】以下、本実施形態に係る塗布処理ユニット
（ＣＯＴ）の動作について説明する。

【００７３】この塗布処理ユニット（ＣＯＴ）では、基
板Ｇ上へのレジスト塗膜の形成をレジスト液の供給動作
と、供給されたレジスト液の拡散動作との二つの動作に
分けて行う。

【００７４】まず、基板Ｇ上へのレジスト液の供給動作
は、ローターカップ１０と塗布液供給装置６０とを相対
的に移動させながら、レジストノズル６１ａ〜６１ｃか
ら基板Ｇの表面にほぼ垂直にレジスト液を吐出させるこ
とにより行う。なお、この動作ではレジスト液が基板Ｇ
の表面に供給されればよく、必ずしも基板表面全体を覆
う必要はない。

【００７５】図９はレジストパイプ６１から基板Ｇにレ
ジスト液を連続的に供給する状態を模式的に示したＹ方
向の垂直断面図である。

【００７６】図９に示すように、移動装置３０を作動さ
せて塗布液供給装置６０とローターカップ１０とを互い
に反対方向に移動させることによりレジストノズル６１
ａ〜６１ｃに対して基板Ｇを図中矢印の方向に相対的に
移動させる。

【００７７】この状態でレジストノズル６１ａ〜６１ｃ
からレジスト液を供給する。

【００７８】本実施形態ではレジスト液を連続的に供給
する。図１０は図９の状態のＡ−Ａ切断面をＸ方向から
見た図であり、図１１は図９の状態のＢ−Ｂ切断面をＸ
方向から見た図であり、図１２は図９の状態のＣ−Ｃ切
断面をＸ方向から見た図である。

【００７９】図９及び図１０に示すように、レジスト液
の粘度が適当な場合には、レジスト液はレジストパイプ
６１の各レジストノズル６１ａ〜６１ｃから基板Ｇの表
面まで連続的に流れる。

【００８０】このとき、図１０に示すように、基板Ｇ表
面に供給されたレジスト液は各レジストノズル６１ａ〜
６１ｃの真下部分で盛り上がり、互いに離れた３つのレ
ジスト液の島を形成する。この島と島との間の部分には
直接にはレジスト液は供給されないため、基板Ｇの表面
が露出している。

【００８１】図１１に示すように、Ｂ−Ｂ切断面では、
レジスト液の表面張力と重力とでレジスト液の表面が丸
くなり、隣接するレジスト液の島と島との間が幾分狭ま
るものの、くっついて一体化するには至らず、依然とし
て基板Ｇの表面が露出したままの状態が続いている。

【００８２】次に、供給されたレジスト液を拡散させる
ため揺動動作を行う。

【００８３】本実施形態に係る塗布処理ユニットでは、
揺動動作はスピンチャック１５の表面に配設され、基板
Ｇの図中下側の面と接触するアクチュエータＡＣを作動
させることにより行う。

【００８４】いま、図１１に示したようにレジスト液が
３つの島状に離れた状態で基板Ｇ表面上に載置されてい
るところでアクチュエータＡＣに電圧を印加すると、こ
のアクチュエータＡＣが振動を発生し、このアクチュエ
ータＡＣ上で当接している基板Ｇとその上に載置された
レジスト液とを揺動させる。この揺動により、上記レジ
スト液は流動性を増し、Ｚ方向の高さが減少するととも
に水平方向に広がる。このとき、上述したように、基板
Ｇ上へレジスト液を供給する際の間隔は、アクチュエー
タのような薄膜化手段により基板Ｇ表面でレジスト液ど
うしが一体化するような間隔となっている。

【００８５】そのため、アクチュエータＡＣからの振動
により揺動されると、隣接するレジスト液の島と島とが
その端どうしで繋がる。それと同時に基板Ｇの露出部分
がなくなり、基板Ｇの表面全体がレジスト液で覆われ
る。この状態を示したのが図１２である。ただし、この
段階では、まだレジスト液の表面が全体に波を打った状
態であり、膜厚は未だ厚く、均一性も不十分である。

【００８６】更に揺動を継続すると水平方向にわたって
膜厚の均一化が図られる。この膜厚が均一に薄膜化され
る様子を示したのが図１３と図１４である。

【００８７】これら図１３と図１４に示したように、時
間の経過と共に膜厚の均一化が進み、水平方向全体にわ
たって膜厚の均一化が図られる。

【００８８】なお、本実施形態では使用しなかったが、
溶剤パイプ６２や気体パイプ６３を併用することによ
り、より短時間で確実に均一に薄膜化することが可能と
なる。図１５は気体パイプ２２と溶剤パイプ２３とを作
動させた状態を模式的に示した垂直断面図である。

【００８９】即ち、溶剤パイプ６２からレジスト塗布前
の基板Ｇ表面に溶剤を供給することにより基板Ｇを濡ら
すと、この溶剤は表面張力が低いため、基板Ｇ表面に広
く拡散し、基板表面に膜厚の薄い溶剤層を形成する。こ
の溶剤層は次に供給するレジスト液と基板Ｇとの馴染み
性を良くする。次いでこの溶剤層上にレジストパイプ６
１からレジスト液を供給すると、このレジスト液は上記
溶剤層の表面に沿って速やかに拡散し、溶剤層全体に広
がってゆく。

【００９０】そのため、レジストノズル６１ａ〜６１ｃ
から基板Ｇ表面上に吐出されたレジスト液は、吐出後ご
く短い時間の間で基板Ｇ表面に広がり易くなる。

【００９１】その結果、この状態でアクチュエータ１５
のような薄膜化手段により揺動させると容易に基板Ｇ全
体に広がり、隣接するレジスト液どうしが繋がって一体
化し、薄くて膜厚の均一なレジスト塗膜を形成する。

【００９２】一方、気体パイプ６３から溶剤蒸気を含ん
だ気体を噴出させると、基板Ｇ上に供給されたレジスト
液の液面に圧力が作用してレジスト液が基板Ｇ表面に押
し広げられる。そのため、均一で膜薄の塗膜を形成する
のがより容易かつ迅速に行われるようになる。

【００９３】なお、この場合、上記の波形になったレジ
スト塗膜の山を形成する部分に気体を当てて押し広げる
のが効果的であるので、気体パイプ６３の開口部は基板
Ｇの幅方向（Ｙ方向）に関してレジストパイプ６１の開
口部と同じ位置に配設するのが好ましい。また、溶剤パ
イプ６２や気体パイプ６３から供給される溶剤や気体を
予め加熱しておき、この熱でレジスト液の粘度を低下す
るようにしても良い。更に、本実施形態では省略した
が、基板Ｇを保持するスピンチャック１５の内部に例え
ばニクロム線などのヒータを内蔵しておき、このヒータ
により基板Ｇを加熱し、レジスト液が基板Ｇ上に供給さ
れたときに低粘度化させることも可能である。その場合
には、方形の基板Ｇを均一に加熱できるよう、基板Ｇよ
り一回り大きい方形のスピンチャックを用い、スピンチ
ャック全体が一様に加熱されるようにヒータを配設する
のが好ましい。

【００９４】以上のように、本実施形態に係る塗布処理
ユニットでは、レジスト液の供給と供給されたレジスト
塗膜の薄膜化を別々の動作で行い、実際の薄膜化は基板
Ｇ上にレジスト液が供給された後に行われる。

【００９５】そのため、レジストノズル６１ａ〜６１ｃ
から吐出されたレジスト液を基板Ｇ表面に供給できれば
よく、レジストノズル６１ａ〜６１ｃから基板Ｇまでの
間で加工などの操作は行わないので、ノズルの形状や直
径などのレジストノズル６１ａ〜６１ｃの機械的精度
や、吐出量や吐出速度などの管理精度はあまり厳格には
要求されない。

【００９６】また、ノズルは小径のものを多数開けても
レジストパイプ６１の剛性を失う程度は低いのでレジス
トパイプ６１の変形を来すことも少なく、レジストノズ
ル６１ａ〜６１ｃの寸法精度を確保し易い。

【００９７】更に、低粘度のレジスト液を用いることが
できるのでノズルの乾燥の問題が生じにくい。

【００９８】なお、本発明はこの明細書中に記載された
実施形態には限定されない。

【００９９】例えば、本実施形態では、レジストノズル
６１ａ〜６１ｃとして角型のレジストパイプ６１の下面
に３つの開口を設けたものを用いたが、一つ一つが独立
した細い口金状の部材に配管を接続したものを一列に並
べたものでもよい。

【０１００】更に、上記第１の実施形態ではレジストパ
イプ６１のノズルとして円形のノズル６１ａ〜６１ｃの
ものを用いたが、これ以外にも、例えば、図１６に示す
ようにスリット状のノズル６１ｂを備えたものであって
もよい。

【０１０１】更に、上記第１の実施形態ではレジストパ
イプ６１は一本のみ用いているが、基板Ｇの移動方向に
わたって二本以上のレジストパイプ６１，６１´を備え
ていてもよい。その場合には、図１７に示すように、レ
ジストノズル６１ａの開口位置をこの二本のレジストパ
イプ６１，６１´の間で互い違いになるようにするのが
好ましい。このような配置にすることにより、基板Ｇ上
に供給されたレジスト液の液面の***の密度が細かくな
り、その後の薄膜化する段階で膜厚を均一にし易く、好
都合だからである。

【０１０２】次に、本実施形態のレジスト塗布処理ユニ
ットに搭載されたノズル点検機構について説明する。図
１８は溶剤バス２０を切断したところを示した斜視図で
ある。図１８に示すように、この溶剤バス２０は矩形断
面のハウジング２１を備えており、このハウジング２１
の内側の図中Ｘ方向左側には洗浄ロール２２が配設さ
れ、図中Ｘ方向右側には吐出台２５が配設されている。

【０１０３】洗浄ロール２２はハウジング２１のＹ方向
全般にわたって伸びており、レジストパイプ６１のレジ
ストノズル６１ａ〜６１ｃが配設された部分より若干大
きい寸法である。この洗浄ロール２２はハウジング２１
に固定された回転軸２２ａの回りに回転するようになっ
ており、図示しない駆動力伝達機構から伝達された駆動
力により図中矢印の方向に回転するようになっている。
なお、図１８では省略したがこの溶剤バス２０の内側に
は溶剤が収容されており、液面の高さは後述する吐出台
２５上の圧力センサ２６，２６…の上面が露出する程度
の高さである。

【０１０４】この洗浄ロール２２の図中左斜めの位置に
はこの洗浄ロール２２表面についたレジスト液を除去す
るためのワイパー２３が配設されている。このワイパー
２３はワイパーボックス２４に対して出没可能に収容さ
れており、制御部１００からの信号に応答してワイパー
２３の先端を洗浄ロール２２の表面に当接させたり、ワ
イパーボックス２４内に収容したりできるようになって
いる。

【０１０５】一方、吐出台２５はハウジング２１の図中
右側の位置に配設された、低い棚状の部材であり、この
上面にはＹ方向にわたって複数個の圧力センサ２６，２
６…が配設されている。これらの圧力センサ２６，２６
…はレジストノズル６１ａ〜６１ｃのそれぞれと対応す
る位置に配設されており、レジストパイプ６１が吐出台
２５の真上の位置に来たときにはレジストノズル６１ａ
〜６１ｃの一つ一つに対して圧力センサ２６，２６…の
一つ一つが対向するような位置に配設されている。ま
た、これら圧力センサ２６，２６…の一つ一つはそれぞ
れ別個に制御部１００と接続されており、これらの圧力
センサ２６，２６…の一つ一つで検出した吐出圧を制御
部１００が認識できるようになっている。

【０１０６】次に、このノズル点検機構の動作について
説明する。

【０１０７】基板Ｇへのレジスト吐出が終了すると、制
御部１００は移動装置７０を駆動させてレジストパイプ
６１を洗浄位置、即ちレジストノズル６１ａ〜６１ｃが
洗浄ロール２２の回転軸２２ａの真上にくる位置まで移
動させる。この状態でレジストノズル６１ａ〜６１ｃか
らレジスト液を洗浄ロール２２の表面に向けて吐出さ
せ、洗浄ロール２２の表面にレジスト液を付着させる。
このとき、洗浄ロール２２は回転しており、付着したレ
ジスト液を先端としてレジストノズル６１ａ〜６１ｃ表
面に付着した余分なレジスト液をこの洗浄ロールが巻き
取る。一方、このときワイパー２３はワイパーボックス
２４から突出しており、その先端が洗浄ロール２２表面
に当接している。そのため、レジストノズル６１ａ〜６
１ｃから巻き取った余分のレジスト液はこのワイパー２
３でそぎ落され、レジスト液のない状態の洗浄ロール２
２表面がレジストノズル６１ａ〜６１ｃと対向し、再び
余分のレジスト液を巻きとって除去する。

【０１０８】所定時間洗浄位置で洗浄を行ったあと、レ
ジストパイプ６１を図中右方向に移動させ、待機位置、
即ち、レジストノズル６１ａ〜６１ｃが圧力センサ２
６，２６…と対向する位置まで移動させる。この状態で
レジストノズル６１ａ〜６１ｃからダミーディスペン
ス、即ちレジスト液の吐出を行わせ、圧力センサ２６，
２６…に向けてレジスト液が吐出される。それぞれの圧
力センサ２６，２６…は各レジストノズル６１ａ〜６１
ｃから吐出されたレジスト液の吐出圧を検出し、その結
果を制御部１００に送信する。

【０１０９】制御部１００では圧力センサ２６，２６…
からの信号に基づいて各各レジストノズル６１ａ〜６１
ｃの吐出圧を認識する。そして各吐出圧が規定の範囲に
あるか否かを判断し、各レジストノズル６１ａ〜６１ｃ
の状態を把握する。その結果、吐出圧が低く、レジスト
ノズル６１ａ〜６１ｃのいずれかがつまっていると判断
した場合には、再びレジストパイプ６１を上記した洗浄
位置まで戻し、再度洗浄操作を行う。この操作は待機位
置でのダミーディスペンスの結果が良好な状態となるま
で繰り返される。

【０１１０】一方、ダミーディスペンスの結果、レジス
トノズル６１ａ〜６１ｃのいずれにも異常がない場合に
は、そのままレジストパイプ６１を図中Ｘ方向に移動さ
せて、基板Ｇへのレジスト液供給に供する。

【０１１１】なお、レジストノズル６１ａ〜６１ｃに異
常があった場合、光や音声による警告を発するようにし
てもよい。

【０１１２】このように、このノズル点検機構によれ
ば、基板Ｇにレジストを吐出する前の段階でレジストノ
ズル６１ａ〜６１ｃに目づまりがないか否かを検出でき
るので、基板Ｇへの吐出ミスによる不良品の製造が未然
に防止され、歩留まりの向上、ひいては製品一枚当たり
の生産コストを削減することができる。

【０１１３】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態に係る塗布処理ユニットについて説明する。

【０１１４】なお、第２の実施形態に係る塗布処理ユニ
ットのうち、上記第１の実施形態に係る塗布処理ユニッ
トと共通する部分については説明を省略する。

【０１１５】本実施形態に係る塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）では、スピンチャック１５上面の基板Ｇと当接する
面にアクチュエータ（振動体）を配設する代わりに、こ
のスピンチャック１５を高速回転させることにより基板
Ｇ上のレジスト塗膜の膜厚を薄膜化するとともに均一化
する構造とした。

【０１１６】本実施形態に係る塗布処理ユニット（ＣＯ
Ｔ）では、スピンチャック１５上に基板Ｇを保持し、こ
の状態でレジストパイプ６１を図５のＸ方向に移動させ
ながらレジスト液を基板上に吐出させる。

【０１１７】この状態で基板上に形成されるレジスト塗
膜は図１１のように不均一な膜厚の塗膜である。

【０１１８】次いで、制御部から上記スピンチャック１
５を駆動するモータ１６に電圧を印加して基板Ｇとその
表面に形成されたレジスト塗膜を高速回転させる。この
高速回転により、レジスト塗膜の膜厚は薄膜化されると
ともに均一化され、図１４に示したような膜厚が薄く、
しかも膜厚の均一なレジスト塗膜が得られる。

【０１１９】なお、本実施形態では、スピンチャック１
５を用いて基板Ｇを高速回転させる構成としたが、この
高速回転させる前に、更に、スピンチャック１５自体を
回転軸１８の回りに微小角度で短い周期で正逆反転させ
ることにより上記アクチュエータと同様に基板Ｇを揺動
させることができる。この場合にはアクチュエータとい
う追加の部材を用いる必要がないので、構造的にもコス
ト的にも好ましい。

【０１２０】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施形態に係る塗布処理ユニットについて説明する。

【０１２１】なお、第３の実施形態に係る塗布処理ユニ
ットのうち、上記実施形態に係る塗布処理ユニットと共
通する部分については説明を省略する。

【０１２２】図１９は本発明の第２の実施形態に係る塗
布処理ユニット（ＣＯＴ）のレジストパイプ６１周辺の
構造を模式的に描いた垂直断面図である。

【０１２３】この塗布処理ユニット（ＣＯＴ）では、レ
ジストパイプ６１からのレジスト液の供給は断続的に行
うようになっており、溶剤パイプ６２はレジストパイプ
６１の基板Ｇ移動方向上流側（図中左側）に配設されて
いる。

【０１２４】図１９（ａ）に示すように、この塗布処理
ユニット（ＣＯＴ）では、まず基板Ｇの表面に溶剤ノズ
ル６２ａから溶剤が吐出され、その後にレジスト液を吐
出供給する構造になっている。

【０１２５】以下、レジストノズル６１ａから吐出され
たレジスト液が基板Ｇ上で均一に薄膜化される様子につ
いて時系列に従って説明する。

【０１２６】図１９（ａ）〜図２０（ｆ）はレジストパ
イプ６１から吐出されたレジスト液が基板Ｇ上で薄膜化
されるまでの変化を模式的に描いた垂直断面図である。

【０１２７】スピンチャック１５上に保持された基板Ｇ
の上面に溶剤ノズル６２ａから所定量の溶剤が吐出され
る。吐出された溶剤は基板Ｇの表面に広がり、薄い溶剤
層を形成する（図１９（ａ））。

【０１２８】次いでレジストパイプ６１と溶剤パイプ６
２とを図中左方向に移動させる。なお、説明の便宜上、
図１９と図２０では基板Ｇを図中右方向に移動させるも
のとして説明する。上記移動により基板Ｇはレジストパ
イプ６１及び溶剤パイプ６２に対して相対的に図中右方
向に移動する。この移動により上記の溶剤層はレジスト
ノズル６１ａの真下の位置まで移動する。この状態でレ
ジストノズル６１ａからレジスト液の吐出を行う（図１
９（ｂ））。

【０１２９】レジストノズル６１ａから吐出されたレジ
スト液は上記溶剤層と当接するとこの溶剤層に対してた
だちに拡散し、この溶剤層に沿って基板Ｇ表面に広がる
（図１９（ｃ））。その後上記溶剤層と上記レジスト液
とは完全に溶解し、基板Ｇ表面に広がったレジスト塗膜
を形成する（図２０（ｄ））。

【０１３０】同様にして基板Ｇの図中左側には溶剤が吐
出されて薄い溶剤層を形成し、その上からレジスト液が
吐出され、図中右から左方向にわたって順次薄いレジス
ト塗膜が形成されていく（図２０（ｅ））。一方、この
間も基板Ｇ上に形成されたレジスト塗膜は基板Ｇ上に広
がってゆき、Ｘ方向及びＹ方向で隣接するレジスト塗膜
どうしがその端の部分で重なりあい、一体化してゆく
（図２０（ｆ））。

【０１３１】こうして、基板Ｇ上で断続的に吐出された
レジスト液によるレジスト塗膜どうしがつながり、膜厚
が薄くなるとともに膜厚が均一し、基板Ｇ表面に薄くて
膜厚の均一なレジスト塗膜が形成される（図２０
（ｆ））。

【０１３２】この後、上記アクチュエータＡＣで揺動し
たり、スピンチャック１５により基板Ｇを高速回転する
ことにより、より膜厚の均一化や薄膜化が図られる。

【０１３３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
処理剤の供給と処理剤の薄膜化とを別々の操作に分けて
行うようにしたので、ノズルの形状や大きさ、処理剤ノ
ズルと被処理基板との間隙などの機械的精度や動作的精
度の条件が緩和される。

【０１３４】また、被処理基板の表面に対して複数の位
置に処理剤を供給するので、比較的低粘度の処理剤を使
用することができる。そのため溶剤含有率が高く、処理
剤が乾燥しにくいので、ノズルの目づまりがおこりにく
い。

【０１３５】更に、処理剤の粘度が膜厚に及ぼす影響は
低いので処理剤の粘度管理も容易になる。

【０１３６】また、低粘度の処理剤を使用できるので、
処理後に回転して薄膜化する場合にも低回転で薄膜化で
き、大型のＬＣＤ基板にも適用できる。

【０１３７】更に、低粘度であるため、ローターカップ
に付着しても除去しやすい。

【０１３８】また、複数の位置に別けて供給するので、
スロットのような大型の開口部を備えた処理剤ノズルを
用いる必要はなく、処理剤ノズルが大型化することもな
い。更に、密閉状態で回転させることにより薄膜化する
ので、気流が乱れることがなく、膜厚の均一な塗膜が得
られる。

【０１３９】また、薄膜化手段として被処理基板を回転
させるスピンチャックを用いる場合には、従来型の装置
をそのまま使用でき、新たな部品や素子を追加する必要
がないので新たに設備投資する必要がなくほとんど生産
コストを上昇させることもない。

【０１４０】また、処理剤が供給される前の被処理基板
表面に予め溶剤を供給することにより、予め溶剤で被処
理基板の表面を濡らし、処理剤と被処理基盤とを馴染み
易くし、処理剤が溶剤層を介して被処理基盤表面を走
り、迅速に拡散するので、より確実に塗膜を均一にする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像装置
の斜視図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る塗布・現像装置
の平面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの平面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの側面図である。

【図５】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの斜視図である。

【図６】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットの垂直断面図である。

【図７】本発明の第１の実施形態に係る塗布液供給装置
を下から見た図である。

【図８】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布処
理ユニットのブロック図である。

【図９】本発明の第１の実施形態に係るレジストパイプ
の垂直断面図である。

【図１０】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１１】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１２】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１３】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１４】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１５】本発明の第１の実施形態に係るレジスト塗布
処理ユニットの垂直断面図である。

【図１６】本発明の第１の実施形態に係るレジストパイ
プの変形例を示した図である。

【図１７】本発明の第１の実施形態に係るレジストパイ
プの変形例を示した図である。

【図１８】本発明の第１の実施形態に係るノズル点検機
構の展開斜視図である。

【図１９】本発明の第３の実施形態のレジスト塗布処理
ユニットの作動状態を示す垂直断面図である。

【図２０】本発明の第３の実施形態のレジスト塗布処理
ユニットの作動状態を示す垂直断面図である。

【符号の説明】

Ｇ……基板、１０……ローターカップ、１５……スピン
チャック、２０……溶剤バス、２６……圧力センサ、６
０……塗布液供給装置、６１……レジストパイプ、６１
ａ〜６１ｃ……レジストノズル、６２……溶剤パイプ、
６３……気体パイプ、６４，６５……脚部材、７０……
移動装置、７１〜７４……ガイドレール、１００……制
御部、ＲＳ……レジスト供給系、ＡＣ……アクチュエー
タ、ＧＳ……気体供給系、ＳＳ……溶剤供給系、ＣＯＴ
……塗布処理ユニット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 穴井 徳行 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 野村 雅文 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 立山 清久 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 大森 伝 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AB14 EA04 2H088 FA20 FA30 4F042 AA02 AA06 AB00 BA05 BA25 BA27 CC10 DD33 DD36 EB05 EB09 EB13 EB18 EB25 EB29 5F046 JA01 JA02 JA07 JA09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を保持する保持手段と、 前記被処理基板表面上の所定間隔を隔てた複数の位置に
   処理剤を供給する供給手段と、 前記被処理基板表面上の所定間隔を隔てた複数の位置に
   気体を供給する手段と、 前記保持手段と、前記供給手段および前記気体を供給す
   る手段とを相対的に移動させる手段と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
2. 【請求項２】 被処理基板を保持する保持手段と、 前記被処理基板表面上の所定間隔を隔てた複数の位置に
   処理剤を供給する供給手段と、 前記被処理基板表面上の所定間隔を隔てた複数の位置に
   気体を供給する手段と、 前記保持手段と、前記供給手段および前記気体を供給す
   る手段とを相対的に移動させる手段と、 密閉状態で前記処理剤を前記被処理基板表面に拡散して
   均一に薄膜化する薄膜化手段と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の塗布装置であって、前記
   薄膜化手段が、前記被処理基板を揺動させる手段である
   ことを特徴とする塗布装置。
4. 【請求項４】 請求項２記載の塗布装置であって、前記
   薄膜化手段が、前記被処理基板を回転させる手段である
   ことを特徴とする塗布装置。
5. 【請求項５】 請求項２〜４いずれか１項記載の塗布装
   置であって、前記隣接して供給される処理剤どうしの間
   隔が、前記薄膜化手段により前記被処理基板表面で処理
   剤どうしが一体化するような間隔であることを特徴とす
   る塗布装置。
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれか１項記載の塗布装
   置であって、前記処理剤が供給される前の被処理基板表
   面に予め溶剤を供給する手段を更に具備することを特徴
   とする塗布装置。
7. 【請求項７】 被処理基板を保持する保持部材と、 前記被処理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面
   を横切る第１の方向にわたって所定間隔ごとに設けられ
   た複数の処理剤ノズルと、 前記処理剤ノズルに処理剤を供給する処理剤供給系と、 前記被処理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面
   を横切る前記第１の方向にわたって所定間隔ごとに設け
   られた複数の気体ノズルと、 前記気体ノズルに気体を供給する気体供給系と、 前記第１の方向と異なる第２の方向に配設され、前記保
   持部材、又は前記処理剤ノズルと前記気体ノズルを移動
   可能に支持するガイドと、 前記保持部材と、前記処理剤ノズルおよび前記気体ノズ
   ルとを相対的に移動させる移動系と、 前記保持部材に配設されたアクチュエータと、 前記保持部材及びアクチュエータを収納する容器と、 前記容器を密閉する蓋と、 前記処理剤供給系、前記気体供給系、前記移動系及び前
   記アクチュエータを同期して駆動させる制御部と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
8. 【請求項８】 被処理基板を回転可能に保持するスピン
   チャックと、 前記スピンチャックを収納する容器と、 前記容器を密閉する蓋と、 前記被処理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面
   を横切る第１の方向にわたって所定間隔ごとに設けられ
   た複数の処理剤ノズルと、 前記処理剤ノズルに処理剤を供給する処理剤供給系と、 前記被処理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面
   を横切る前記第１の方向にわたって所定間隔ごとに設け
   られた複数の気体ノズルと、 前記気体ノズルに気体を供給する気体供給系と、 前記第１の方向と異なる第２の方向に配設され、前記ス
   ピンチャック、又は前記処理剤ノズルと前記気体ノズル
   を移動可能に支持するガイドと、 前記スピンチャックと、前記処理剤ノズルおよび前記気
   体ノズルとを相対的に移動させる移動系と、 前記処理剤供給系、前記気体供給系、前記移動系及び前
   記スピンチャックを同期して駆動させる制御部と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
9. 【請求項９】 被処理基板を回転可能に保持するスピン
   チャックと、 前記スピンチャックを収納する容器と、 前記容器を密閉する蓋と、 前記被処理基板の表面に向けられ、前記被処理基板表面
   を横切る第１の方向にわたって所定間隔ごとに設けられ
   た複数の処理剤ノズルと、 前記処理剤ノズルに処理剤を供給する処理剤供給系と、 前記容器の両端に前記第１の方向と異なる第２の方向に
   配設され、前記処理剤ノズルを移動可能に支持する２つ
   のガイドと、 所定間隔ごとに設けられた前記処理剤ノズルの両端部を
   支持し、前記各々のガイドに係合される２つの脚部材
   と、 前記処理剤ノズルを移動させる移動系と、 前記処理剤供給系、前記移動系及び前記スピンチャック
   を同期して駆動させる制御部と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
10. 【請求項１０】 請求項７記載の塗布装置であって、 前記保持部材に隣接した前記処理剤ノズルの待機位置
    に、各前記処理剤ノズルと対向するように配設され、各
    前記処理剤ノズルの吐出圧を検出する圧力センサと、 検出した前記吐出圧に基づいて各前記処理剤ノズルの作
    動状態を監視する監視装置と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
11. 【請求項１１】 請求項８又は９記載の塗布装置であっ
    て、 前記スピンチャックに隣接した前記処理剤ノズルの待機
    位置に、各前記処理剤ノズルと対向するように配設さ
    れ、各前記処理剤ノズルの吐出圧を検出する圧力センサ
    と、 検出した前記吐出圧に基づいて各前記処理剤ノズルの作
    動状態を監視する監視装置と、 を具備することを特徴とする塗布装置。
12. 【請求項１２】 請求項７〜１１いずれか１項記載の塗
    布装置であって、 前記処理剤ノズルの、前記移動系による移動方向の上流
    側に配設された溶剤ノズルと、 前記溶剤ノズルに溶剤を供給する溶剤供給系と、 を具備することを特徴とする塗布装置。