JP4130971B2 - 塗布膜形成装置および塗布膜形成方法 - Google Patents
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Description
図示するようにプライミング処理においては、回転するプライミングローラ202の周面に対して吐出口201aからレジスト液Rが吐出される。そのときレジスト液Rは、プライミングローラ202の回転方向に沿って流されるため、ノズル先端部においては図示するように、ローラ回転方向側の下端面201bおよび傾斜面201cの一部がレジスト液Rによって濡れた状態(レジスト液Rが付着した状態)となる。
すなわち、図15に示したノズル先端の状態で基板Gにレジスト液Rを塗布処理すると、傾斜面201cに付着したレジスト液Rが吐出口201aから吐出したレジスト液Rを引っ張るため、その部分の膜厚のみが厚くなっていた。このため、塗布開始位置におけるレジスト膜厚が不均一となり、図17に示すように箒スジL等が生じるという問題があった。
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
また、プライミング処理後において、吐出口周辺には、少なくともローラの回転方向側に一様に十分な処理液を付着させることができる。そして、前記構成によれば、被処理基板への塗布開始時において、その一様かつ十分に付着した処理液が、吐出口から吐出した処理液をノズル進行方向の逆方向に均一に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向(ノズル長手方向)にも均一に引っ張る。その結果、塗布開始位置において、より確実に膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
また、吐出口周辺において、少なくともローラの回転方向側に、一様に十分な処理液を付着させることができる。そして、被処理基板への塗布開始時においては、その一様かつ十分に付着した処理液が、吐出口から吐出した処理液をノズル進行方向の逆方向に均一に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向にも均一に引っ張る。その結果、塗布開始位置において、より確実に膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
そして、プライミング処理後に、この処理液供給ノズルを用いて被処理基板に対する塗布処理を行う際には、吐出口周辺に一様に十分な処理液が付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
このレジスト塗布現像処理装置100は、被処理基板である複数のLCD基板G(以下、基板Gと呼ぶ)を収容する複数のカセットCを載置するカセットステーション1と、基板Gに処理液であるレジスト液の塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション2と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインタフェイスステーション3とを備えている。
なお、前記処理ステーション2の両端に、前記カセットステーション1およびインタフェイスステーション3が夫々配置されている。また、図1において、レジスト塗布現像処理装置100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
なお、スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。
次いで、基板Gは、第1の熱処理ユニットセクション26に属する熱処理ユニットブロック(TB)31、32に搬入され、一連の熱処理(脱水ベーク処理、疎水化処理等)が行われる。なお、第1の熱処理ユニットセクション26内における基板搬送は搬送装置33により行われる。
なお、このレジスト塗布処理ユニット23は、本発明に係る塗布膜形成装置としてのレジスト塗布装置(CT)23aを含むユニットであり、詳細に後述する。
前記レジスト塗布処理ユニット23でのレジスト成膜処理後、基板Gは、第2の熱処理ユニットセクション27に属する熱処理ユニットブロック(TB)34、35に搬入され、一連の熱処理(プリベーク処理等)が行われる。なお、第2の熱処理ユニットセクション27内における基板搬送は搬送装置36により行われる。
そして基板Gは、第3の熱処理ユニットセクション28において所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって所定のカセットCに収容される。
なお、載置台50におけるノズル51の移動方向の一端部には、待機時におけるノズル51の先端に付着したレジスト液を均一化するための回転自在なプライミングローラ(ローラ)52と、このプライミングローラ52をシンナーに浸漬する容器53とを有する待機部55が設けられている。
また、この際、吸引ポンプ83を駆動して吐出口51aの長手方向の両側を吸引することにより、吐出口51aの両側におけるレジスト液Rの吐出圧が減少され、吐出口51aの中央部側の吐出圧と両側の吐出圧がほぼ等しくなった状態、すなわちレジスト液Rの液厚が等しくなった状態で基板G上に帯状に吐出(供給)される。したがって、基板Gとノズル51が相対的に水平移動することによって基板Gの表面にレジスト液Rが帯状に供給され、基板Gの表面全体に均一な膜厚のレジスト膜が形成される。
すなわち、前記待機位置検知信号P1が入力される間、全体制御部85はノズル51が待機位置aにあると判断し、待機状態でのレジスト塗布装置(CT)23aの動作制御を適切に行うようになされている。
そして、全体制御部85からの指示によりレジスト液供給源95の吐出制御手段(例えばエアオペレーションバルブ等)88が開放され、図5(a)に示すようにノズル51の吐出口51aから所定量のレジスト液R(例えば粘度4cps)がプライミングローラ52の周面に対して吐出される(例えば0.1ccのレジスト液Rが0.03〜0.05secで吐出される)。このとき、プライミングローラ52は未だ回転停止状態である(図6のステップS2)。
なお、ワイパ91の先端形状は、このレジスト液除去機能が発揮できるものであれば良く、この例で用いている楔形の断面の他、矩形断面や二股状の断面形状の任意の形状を採用することができる。
また、このワイパ91は、エアシリンダ90によりプライミングローラ52周面に接触する下位置とプライミングローラ52周面から離れた上位置との間を昇降可能に構成されており、必要に応じて、その位置を変更可能になされている。
そして、プライミング処理後に、このノズル51を用いて基板Gに対する塗布処理を行う際には、塗布開始時において傾斜面51cの下部に付着したレジスト液Rが吐出口51aから吐出されるレジスト液Rをノズル進行方向の逆方向に引っ張ると共に、ノズル進行方向と直交方向(ノズル長手方向)にも引っ張る。しかしながら、傾斜面51cの下部には全体に亘り一様にレジスト液Rが付着しているため、塗布開始位置においては膜厚を均一にすることができ、箒スジの発生等を抑制することができる。
[比較例]
待機時におけるノズル先端に付着したレジスト液の均一化処理(プライミング処理)において、ノズルからのレジスト液吐出開始のタイミングとプライミングローラの回転開始のタイミングを同時(従来タイミングと呼ぶ)として実験を行った。この実験では、先ず、前記従来タイミングによりノズル先端に付着したレジスト液の均一化処理を行った後、基板面へのレジスト膜形成処理を行った。そして、膜形成状態を観察すると共に、塗布開始位置における膜厚の測定を行った。なお、実験条件を以下の表1に示す。
図10のグラフに示すように、測定位置が30mm以上であれば基板上の各ポジション間で膜厚は略均一に安定しているが、測定位置が0〜30mmの間では、基板上のポジション間で膜厚にばらつきが見られた。また、膜形成状態を観察した結果、塗布開始位置において、箒状のスジや粒状の跡が見られた。
前記実施の形態に示した構成のレジスト塗布装置を用いて実験を行った。この実験では、先ず、ノズル先端のレジスト液均一化処理を行った後、基板面へのレジスト膜形成処理を行った。そして、膜形成状態を観察すると共に、塗布開始位置における膜厚の測定を行った。なお、実験条件を以下の表2に示す。
図12のグラフに示すように、本実験では、すべての測定位置において、基板上の各ポジション間での膜厚が略均一に安定していることを確認した。また、膜形成状態を観察した結果、塗布開始位置において、箒状のスジや粒状の跡は見られなかった。
23a レジスト塗布装置(塗布膜形成装置)
51 レジスト供給ノズル(処理液供給ノズル)
51a 吐出口
51b 下端面
51c 傾斜面
52 プライミングローラ(ローラ)
86 ノズル移動手段
88 吐出制御手段
92 ローラ回転制御手段
100 レジスト塗布現像処理装置
G LCD基板(被処理基板)
R レジスト液(処理液)
Claims (4)
- 被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルからの処理液吐出を制御する吐出制御手段と、前記処理液供給ノズルの待機位置に設置され回転自在に形成されたローラと、前記ローラの回転を制御するローラ回転制御手段と、前記被処理基板に対して前記処理液供給ノズルを移動させるノズル移動手段とを備え、
前記吐出口から処理液を前記ローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成装置であって、
前記待機位置において、前記吐出制御手段が処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させた後に、前記ローラ回転制御手段は、所定時間を空けて、前記処理液供給ノズルの吐出口に付着する処理液が前記吐出口の長手方向を境に一方の側に多く付着するよう前記ローラを一方向に回転させ、
前記処理液供給ノズルの使用位置において、前記ノズル移動手段は、前記吐出口の長手方向を境に処理液の付着が少ない側を進行方向として処理液供給ノズルを移動させることを特徴とする塗布膜形成装置。 - 被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルと、前記処理液供給ノズルからの処理液吐出を制御する吐出制御手段と、前記処理液供給ノズルの待機位置に設置され回転自在に形成されたローラと、前記ローラの回転を制御するローラ回転制御手段とを備え、
前記吐出口から処理液を前記ローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成装置であって、
前記待機位置において、前記吐出制御手段が処理液供給ノズルから所定量の処理液を吐出させて処理液の吐出を終了した後、前記所定量の処理液の吐出から所定時間を空けて前記ローラ回転制御手段が前記ローラを回転開始させることを特徴とする塗布膜形成装置。 - 被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルから、所定量の処理液を回転自在に形成されたローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成方法であって、
前記処理液供給ノズルの待機位置において、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出開始させた後に所定時間を空けて前記ローラを回転開始させる工程と、
前記処理液供給ノズルを待機位置から被処理基板上に移動し、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液により前記被処理基板を成膜する工程とを含み、
前記ローラを回転開始させる工程において、前記ローラを一方向に回転させることにより、処理液を前記吐出口の長手方向を境に一方の側に多く付着させ、
前記被処理基板を成膜する工程において、前記吐出口の長手方向を境に処理液の付着が少ない側を処理液供給ノズルの進行方向とすることを特徴とする塗布膜形成方法。 - 被処理基板の幅方向に延びるスリット状の吐出口を有する処理液供給ノズルから、所定量の処理液を回転自在に形成されたローラの周面に吐出させると共に、前記吐出口に付着する処理液を、前記ローラを回転させることにより均一化処理する塗布膜形成方法であって、
前記処理液供給ノズルの待機位置において、前記処理液供給ノズルから処理液を吐出開始させた後に所定時間を空け、且つ前記処理液の吐出終了後に前記ローラを回転開始させる工程と、
前記処理液供給ノズルを待機位置から被処理基板上に移動し、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液により前記被処理基板を成膜する工程とを含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
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