JP2003283297A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JP2003283297A JP2003283297A JP2002082906A JP2002082906A JP2003283297A JP 2003283297 A JP2003283297 A JP 2003283297A JP 2002082906 A JP2002082906 A JP 2002082906A JP 2002082906 A JP2002082906 A JP 2002082906A JP 2003283297 A JP2003283297 A JP 2003283297A
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- acoustic wave
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 弾性表面波共振子の帯域幅を見かけ上狭め、
所望のフィルタ特性が得られる弾性表面波フィルタを提
供する。 【構成】 入力端及び出力端に対して直列に接続された
第１の弾性表面波共振子と、入力端及び出力端に対して
並列に接続された第２の弾性表面波共振子とを有するラ
ダー型の弾性表面波フィルタにおいて、上記第１又は第
２の弾性表面波共振子の少なくとも一方に、キャパシタ
ンス素子を直列に付加する。
所望のフィルタ特性が得られる弾性表面波フィルタを提
供する。 【構成】 入力端及び出力端に対して直列に接続された
第１の弾性表面波共振子と、入力端及び出力端に対して
並列に接続された第２の弾性表面波共振子とを有するラ
ダー型の弾性表面波フィルタにおいて、上記第１又は第
２の弾性表面波共振子の少なくとも一方に、キャパシタ
ンス素子を直列に付加する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、例えば自動車電話や携帯
電話などの小型移動通信機に用いられるＲＦ（高周波）
用の弾性表面波フィルタに関する。
電話などの小型移動通信機に用いられるＲＦ（高周波）
用の弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、急速に高度化が進
む移動通信分野では、小型・軽量でかつ量産性に優れた
ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave；弾性表面波）デバイ
スが多用化されつつある。ＳＡＷデバイスとしては特
に、移動通信システムのＲＦ（Radio Frequency；高周
波）部にデュプレクサとして用いられる、ＳＡＷフィル
タが注目を集めている。
む移動通信分野では、小型・軽量でかつ量産性に優れた
ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave；弾性表面波）デバイ
スが多用化されつつある。ＳＡＷデバイスとしては特
に、移動通信システムのＲＦ（Radio Frequency；高周
波）部にデュプレクサとして用いられる、ＳＡＷフィル
タが注目を集めている。
【０００３】このＳＡＷフィルタは、圧電性基板上に形
成された複数のＳＡＷ共振子から構成され、現在ではＡ
ＭＰＳ（Advanced Mobile Phone System）に採用されて
いる。以下では、説明を容易にするため、ＳＡＷフィル
タをデュプレクサの送信用フィルタとして用いる場合に
ついて考える。
成された複数のＳＡＷ共振子から構成され、現在ではＡ
ＭＰＳ（Advanced Mobile Phone System）に採用されて
いる。以下では、説明を容易にするため、ＳＡＷフィル
タをデュプレクサの送信用フィルタとして用いる場合に
ついて考える。
【０００４】ＡＭＰＳに用いるＳＡＷフィルタは、ＡＭ
ＰＳの送信用通過帯域が８２４〜８４９ＭＨｚ、受信用
通過帯域が８６９〜８９４ＭＨｚであるため、送信用通
過帯域の中心周波数が８３７ＭＨｚ、送信時阻止帯域が
８６９〜８９４ＭＨｚとなるように形成される。別言す
れば、送信用通過帯域の中心周波数８３７ＭＨｚを共振
周波数ｆｒ、送信時阻止帯域８６９〜８９４ＭＨｚを反
共振周波数ｆａｒとしたとき、式（１）により定義され
る帯域幅Δｆ＝約３．８（％）のＳＡＷ共振子と帯域幅
Δｆ＝約６．８（％）のＳＡＷ共振子が、ＳＡＷフィル
タを形成するために必要である。 Δｆ＝（ｆａｒ−ｆｒ）／ｆｒ （％） …（１）
ＰＳの送信用通過帯域が８２４〜８４９ＭＨｚ、受信用
通過帯域が８６９〜８９４ＭＨｚであるため、送信用通
過帯域の中心周波数が８３７ＭＨｚ、送信時阻止帯域が
８６９〜８９４ＭＨｚとなるように形成される。別言す
れば、送信用通過帯域の中心周波数８３７ＭＨｚを共振
周波数ｆｒ、送信時阻止帯域８６９〜８９４ＭＨｚを反
共振周波数ｆａｒとしたとき、式（１）により定義され
る帯域幅Δｆ＝約３．８（％）のＳＡＷ共振子と帯域幅
Δｆ＝約６．８（％）のＳＡＷ共振子が、ＳＡＷフィル
タを形成するために必要である。 Δｆ＝（ｆａｒ−ｆｒ）／ｆｒ （％） …（１）
【０００５】しかし、帯域幅ΔｆはＳＡＷ共振子が形成
される基板材料に依存するもので、例えば現在多用され
ているＬＴＯ（タンタル酸リチウム）基板を用いた場合
には帯域幅Δｆ＝約３．８（％）のＳＡＷ共振子とな
り、帯域幅Δｆの自由度が小さかった（帯域幅Δｆが制
限されていた）。そこで従来では、図８のようにＳＡＷ
共振子Ｓにインダクタンス素子Ｌを直列に付加すること
で、インダクタンス素子Ｌが付加される前よりもインピ
ーダンスをωＬ分増やし、図９に示すように共振周波数
ＦｒをＦｒ’（Ｆｒ’＜Ｆｒ）に変化させて帯域幅Δｆ
を見かけ上拡げる方法が提案されている（特許第２８０
０９０５号）。この方法により従来では、帯域幅Δｆ＝
約６．８（％）のＳＡＷ共振子を得て、ＳＡＷフィルタ
を形成している。
される基板材料に依存するもので、例えば現在多用され
ているＬＴＯ（タンタル酸リチウム）基板を用いた場合
には帯域幅Δｆ＝約３．８（％）のＳＡＷ共振子とな
り、帯域幅Δｆの自由度が小さかった（帯域幅Δｆが制
限されていた）。そこで従来では、図８のようにＳＡＷ
共振子Ｓにインダクタンス素子Ｌを直列に付加すること
で、インダクタンス素子Ｌが付加される前よりもインピ
ーダンスをωＬ分増やし、図９に示すように共振周波数
ＦｒをＦｒ’（Ｆｒ’＜Ｆｒ）に変化させて帯域幅Δｆ
を見かけ上拡げる方法が提案されている（特許第２８０
０９０５号）。この方法により従来では、帯域幅Δｆ＝
約６．８（％）のＳＡＷ共振子を得て、ＳＡＷフィルタ
を形成している。
【０００６】ところで、最近では、ＳＡＷフィルタをＰ
ＣＳ（Personal Communication Services）等の次世代
型移動通信システムに採用したいという要望がある。Ｐ
ＣＳでは、送信用通過帯域の中心周波数が１８８０ＭＨ
ｚ、送信時阻止帯域が１９３０〜１９９０ＭＨｚである
から、帯域幅Δｆ＝約２．７（％）のＳＡＷ共振子と帯
域幅Δｆ＝約５．８（％）のＳＡＷ共振子が必要とな
る。すなわち、従来のＡＭＰＳの場合とは逆で、帯域幅
Δｆの狭いＳＡＷ共振子が必要とされている。
ＣＳ（Personal Communication Services）等の次世代
型移動通信システムに採用したいという要望がある。Ｐ
ＣＳでは、送信用通過帯域の中心周波数が１８８０ＭＨ
ｚ、送信時阻止帯域が１９３０〜１９９０ＭＨｚである
から、帯域幅Δｆ＝約２．７（％）のＳＡＷ共振子と帯
域幅Δｆ＝約５．８（％）のＳＡＷ共振子が必要とな
る。すなわち、従来のＡＭＰＳの場合とは逆で、帯域幅
Δｆの狭いＳＡＷ共振子が必要とされている。
【０００７】しかしながら、従来では、ＳＡＷ共振子の
帯域幅Δｆを狭める技術が開発されていないため、ＳＡ
ＷフィルタをＰＣＳに適用することができなかった。勿
論、帯域幅Δｆの狭い共振子が得られるように基板材料
を替えることも考えられるが、新たに基板材料を選定す
るための時間及びコストを考慮すると好ましくなく、ま
た現在多用されているＬＴＯ基板をそのまま使用したい
という要望にも反する。
帯域幅Δｆを狭める技術が開発されていないため、ＳＡ
ＷフィルタをＰＣＳに適用することができなかった。勿
論、帯域幅Δｆの狭い共振子が得られるように基板材料
を替えることも考えられるが、新たに基板材料を選定す
るための時間及びコストを考慮すると好ましくなく、ま
た現在多用されているＬＴＯ基板をそのまま使用したい
という要望にも反する。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、上記事情に鑑み、弾性表面波
共振子の帯域幅を見かけ上狭め、所望のフィルタ特性が
得られる弾性表面波フィルタを提供することを目的とす
る。
共振子の帯域幅を見かけ上狭め、所望のフィルタ特性が
得られる弾性表面波フィルタを提供することを目的とす
る。
【０００９】
【発明の概要】本発明は、弾性表面波共振子に対して直
列にキャパシンタンス素子を付加すれば、キャパシタン
ス素子Ｃが付加されていない場合よりもインピーダンス
が少なくなって共振周波数が見かけ上大きくなり、弾性
表面波共振子の帯域幅が狭くなることに着目してなされ
たものである。すなわち本発明の弾性表面波フィルタ
は、弾性表面波共振子と、該弾性表面波共振子に直列に
接続されたキャパシタンス素子とを有することを特徴と
している。
列にキャパシンタンス素子を付加すれば、キャパシタン
ス素子Ｃが付加されていない場合よりもインピーダンス
が少なくなって共振周波数が見かけ上大きくなり、弾性
表面波共振子の帯域幅が狭くなることに着目してなされ
たものである。すなわち本発明の弾性表面波フィルタ
は、弾性表面波共振子と、該弾性表面波共振子に直列に
接続されたキャパシタンス素子とを有することを特徴と
している。
【００１０】また本発明の別の態様では、入力端及び出
力端に対して直列に接続された第１の弾性表面波共振子
と、入力端及び出力端に対して並列に接続された第２の
弾性表面波共振子とを有するラダー型の弾性表面波フィ
ルタにおいて、第１又は第２の弾性表面波共振子の少な
くとも一方に、キャパシタンス素子を直列に付加したこ
とを特徴としている。この態様の弾性表面波フィルタを
例えばデュプレクサの送信フィルタまたは受信フィルタ
に適用する場合、該送信フィルタまたは受信フィルタの
阻止すべき帯域は受信帯域または送信帯域の一方のみで
あるから、第１の弾性表面波共振子（直列側）または第
２の弾性表面波共振子（並列側）のいずれか一方にキャ
パシタンス素子を付加すればよい。
力端に対して直列に接続された第１の弾性表面波共振子
と、入力端及び出力端に対して並列に接続された第２の
弾性表面波共振子とを有するラダー型の弾性表面波フィ
ルタにおいて、第１又は第２の弾性表面波共振子の少な
くとも一方に、キャパシタンス素子を直列に付加したこ
とを特徴としている。この態様の弾性表面波フィルタを
例えばデュプレクサの送信フィルタまたは受信フィルタ
に適用する場合、該送信フィルタまたは受信フィルタの
阻止すべき帯域は受信帯域または送信帯域の一方のみで
あるから、第１の弾性表面波共振子（直列側）または第
２の弾性表面波共振子（並列側）のいずれか一方にキャ
パシタンス素子を付加すればよい。
【００１１】キャパシタンス素子は、第１及び第２の弾
性表面波共振子が形成された圧電性基板上に形成するこ
とができる。若しくは、第１及び第２の弾性表面波共振
子が形成された圧電性基板と第１及び第２の弾性表面波
共振子とを封止する外装器に、形成（内蔵）してもよ
い。
性表面波共振子が形成された圧電性基板上に形成するこ
とができる。若しくは、第１及び第２の弾性表面波共振
子が形成された圧電性基板と第１及び第２の弾性表面波
共振子とを封止する外装器に、形成（内蔵）してもよ
い。
【００１２】弾性表面波共振子は、くし型電極（ＩＤ
Ｔ）により形成することができる。この場合には、キャ
パシタンス素子として、くし型電極の向きと９０°異な
る向きで形成された対向電極を用いることが好ましい。
このように弾性表面波共振子及びキャパシタンス素子を
くし型電極によって形成すれば、弾性表面波共振子とキ
ャパシタンス素子とを同時形成することができ、製造プ
ロセスを簡略化することができる。
Ｔ）により形成することができる。この場合には、キャ
パシタンス素子として、くし型電極の向きと９０°異な
る向きで形成された対向電極を用いることが好ましい。
このように弾性表面波共振子及びキャパシタンス素子を
くし型電極によって形成すれば、弾性表面波共振子とキ
ャパシタンス素子とを同時形成することができ、製造プ
ロセスを簡略化することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明によるＳＡＷフィ
ルタ１０の概略外観図を示している。ＳＡＷフィルタ１
０は、ＰＣＳ（Personal Communication Services）の
ＲＦ（高周波）部に用いる高周波フィルタであって、デ
ュプレクサの送信用フィルタとして機能する。
ルタ１０の概略外観図を示している。ＳＡＷフィルタ１
０は、ＰＣＳ（Personal Communication Services）の
ＲＦ（高周波）部に用いる高周波フィルタであって、デ
ュプレクサの送信用フィルタとして機能する。
【００１４】ＳＡＷフィルタ１０は、ＬＴＯ（タンタル
酸リチウム）からなる圧電性基板１１と、該圧電性基板
１１上に形成された複数のＳＡＷ共振子（図２）と、こ
れら圧電性基板１１及びＳＡＷ共振子とを封止するため
の外装器１２とを備えている。図２は圧電性基板１１上
に形成された回路パターンの一例を、図３は図２の等価
回路図をそれぞれ示している。
酸リチウム）からなる圧電性基板１１と、該圧電性基板
１１上に形成された複数のＳＡＷ共振子（図２）と、こ
れら圧電性基板１１及びＳＡＷ共振子とを封止するため
の外装器１２とを備えている。図２は圧電性基板１１上
に形成された回路パターンの一例を、図３は図２の等価
回路図をそれぞれ示している。
【００１５】圧電性基板１１上には、ラダー型構造をな
す４個のＳＡＷ共振子Ｓ（第１〜第４のＳＡＷ共振子Ｓ
１〜Ｓ４）が形成されている。第１〜第４のＳＡＷ共振
子Ｓ１〜Ｓ４のそれぞれは、図５に示すようにＬＣ共振
回路を構成し、ＩＤＴ（Interdigital Transducer；く
し型電極）を用いて形成される。圧電性基板１１と外装
器１２はバンプ１３を介して電気的に接続されていて、
バンプ１３は例えば圧電性基板１１上の入力端１４及び
出力端１５に接続されている。
す４個のＳＡＷ共振子Ｓ（第１〜第４のＳＡＷ共振子Ｓ
１〜Ｓ４）が形成されている。第１〜第４のＳＡＷ共振
子Ｓ１〜Ｓ４のそれぞれは、図５に示すようにＬＣ共振
回路を構成し、ＩＤＴ（Interdigital Transducer；く
し型電極）を用いて形成される。圧電性基板１１と外装
器１２はバンプ１３を介して電気的に接続されていて、
バンプ１３は例えば圧電性基板１１上の入力端１４及び
出力端１５に接続されている。
【００１６】第１及び第３のＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３
は、入力端１４及び出力端１５に対して直列に接続され
ている。これら第１及び第３のＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３
の共振周波数ｆｐｒは１８５０ＭＨｚ、***振周波数ｆ
ｐａは１８８０ＭＨｚとしてある。図４（ｂ）に、第１
及び第３ＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３のリアクタンス−周波
数特性を実線で示す。一方、第２及び第４のＳＡＷ共振
子Ｓ２、Ｓ４は、入力端１４及び出力端１５に対して並
列に接続されている。これら第２及び第４のＳＡＷ共振
子Ｓ２、Ｓ４の共振周波数ｆｓｒは１８８０ＭＨｚ、反
共振周波数ｆｐａは１９１０ＭＨｚとしてある。図４
（ｂ）に、第２及び第４ＳＡＷ共振子Ｓ２、Ｓ４のリア
クタンス−周波数特性を一点鎖線で示す。上記第１〜第
４のＳＡＷ共振子Ｓ１〜Ｓ４により構成されるＳＡＷフ
ィルタは、図４（ａ）に示すフィルタ特性を有する。な
お、図４（ａ）において縦軸は減衰量（ｄＢ）である。
は、入力端１４及び出力端１５に対して直列に接続され
ている。これら第１及び第３のＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３
の共振周波数ｆｐｒは１８５０ＭＨｚ、***振周波数ｆ
ｐａは１８８０ＭＨｚとしてある。図４（ｂ）に、第１
及び第３ＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３のリアクタンス−周波
数特性を実線で示す。一方、第２及び第４のＳＡＷ共振
子Ｓ２、Ｓ４は、入力端１４及び出力端１５に対して並
列に接続されている。これら第２及び第４のＳＡＷ共振
子Ｓ２、Ｓ４の共振周波数ｆｓｒは１８８０ＭＨｚ、反
共振周波数ｆｐａは１９１０ＭＨｚとしてある。図４
（ｂ）に、第２及び第４ＳＡＷ共振子Ｓ２、Ｓ４のリア
クタンス−周波数特性を一点鎖線で示す。上記第１〜第
４のＳＡＷ共振子Ｓ１〜Ｓ４により構成されるＳＡＷフ
ィルタは、図４（ａ）に示すフィルタ特性を有する。な
お、図４（ａ）において縦軸は減衰量（ｄＢ）である。
【００１７】以上のＳＡＷフィルタ１０において、圧電
性基板１１上にはさらに、第１のＳＡＷ共振子Ｓ１に直
列接続されるキャパシタンス素子Ｃが形成されている。
このようにキャパシタンス素子ＣをＳＡＷ共振子に直列
に付加すれば（図５）、キャパシタンス素子Ｃが付加さ
れていない場合よりもインピーダンスを１／（ωＣ）だ
け少なくすることができ、この結果、図６に示すように
共振周波数ｆｒをｆｒ’（ｆｒ’＞ｆｒ）に変化させる
（大きくさせる）ことができる。そして共振周波数ｆｒ
が大きくなれば、上述式（１）からも分かるように、Ｓ
ＡＷ共振子の帯域幅Δｆが見かけ上、狭くなる。本実施
形態では、キャパシタンス素子Ｃの付加後、第１のＳＡ
Ｗ共振子Ｓ１の帯域幅Δｆが約２．７（％）になるよう
に（図７）、キャパシタンス素子Ｃの容量を適宜設定し
てある。なお、キャパシタンス素子Ｃを付加していない
状態において第１のＳＡＷ共振子Ｓ１の帯域幅Δｆは、
ＬＴＯからなる圧電性基板１１を用いているため、約
３．８（％）となっている。
性基板１１上にはさらに、第１のＳＡＷ共振子Ｓ１に直
列接続されるキャパシタンス素子Ｃが形成されている。
このようにキャパシタンス素子ＣをＳＡＷ共振子に直列
に付加すれば（図５）、キャパシタンス素子Ｃが付加さ
れていない場合よりもインピーダンスを１／（ωＣ）だ
け少なくすることができ、この結果、図６に示すように
共振周波数ｆｒをｆｒ’（ｆｒ’＞ｆｒ）に変化させる
（大きくさせる）ことができる。そして共振周波数ｆｒ
が大きくなれば、上述式（１）からも分かるように、Ｓ
ＡＷ共振子の帯域幅Δｆが見かけ上、狭くなる。本実施
形態では、キャパシタンス素子Ｃの付加後、第１のＳＡ
Ｗ共振子Ｓ１の帯域幅Δｆが約２．７（％）になるよう
に（図７）、キャパシタンス素子Ｃの容量を適宜設定し
てある。なお、キャパシタンス素子Ｃを付加していない
状態において第１のＳＡＷ共振子Ｓ１の帯域幅Δｆは、
ＬＴＯからなる圧電性基板１１を用いているため、約
３．８（％）となっている。
【００１８】本実施形態では、キャパシタンス素子Ｃと
して、ＳＡＷ共振子Ｓを構成するくし型電極の向きとは
方向が９０°異なる向きで形成した対向電極を用いてい
る。
して、ＳＡＷ共振子Ｓを構成するくし型電極の向きとは
方向が９０°異なる向きで形成した対向電極を用いてい
る。
【００１９】さらに圧電性基板１１上には、第３のＳＡ
Ｗ共振子Ｓ３に直列接続されるインダクタンス素子Ｌが
形成されている。第３のＳＡＷ共振子Ｓ３の帯域幅Δｆ
は、このインダクタンス素子Ｌにより、見かけ上拡げら
れている。本実施形態では、インダクタンス素子Ｌの付
加後、第３のＳＡＷ共振子Ｓ３の帯域幅Δｆ（＝Δｆ
４）が約５．８（％）になるように（図７）、インダク
タンス素子Ｌの大きさを適宜選択してある。
Ｗ共振子Ｓ３に直列接続されるインダクタンス素子Ｌが
形成されている。第３のＳＡＷ共振子Ｓ３の帯域幅Δｆ
は、このインダクタンス素子Ｌにより、見かけ上拡げら
れている。本実施形態では、インダクタンス素子Ｌの付
加後、第３のＳＡＷ共振子Ｓ３の帯域幅Δｆ（＝Δｆ
４）が約５．８（％）になるように（図７）、インダク
タンス素子Ｌの大きさを適宜選択してある。
【００２０】以上のように、ＳＡＷ共振子にキャパシタ
ンス素子を直列に付加すれば、キャパシタンス素子によ
って上記ＳＡＷ共振子の帯域幅Δｆを見かけ上狭めるこ
とができる。これにより、所望の帯域幅Δｆを有するＳ
ＡＷ共振子が得られる。よって、従来通りＬＴＯからな
る圧電性基板を用いても、ＰＣＳに適応したフィルタ特
性を有するＳＡＷフィルタを形成することができる。
ンス素子を直列に付加すれば、キャパシタンス素子によ
って上記ＳＡＷ共振子の帯域幅Δｆを見かけ上狭めるこ
とができる。これにより、所望の帯域幅Δｆを有するＳ
ＡＷ共振子が得られる。よって、従来通りＬＴＯからな
る圧電性基板を用いても、ＰＣＳに適応したフィルタ特
性を有するＳＡＷフィルタを形成することができる。
【００２１】本実施形態では、入力端１４及び出力端１
５に対して直列側にキャパシタンス素子Ｃを付加してい
るが、キャパシタンス素子は並列側に付加することも可
能であり、所望するフィルタ特性に応じてキャパシタン
ス素子の接続位置（直列側または（及び）並列側）を適
宜設定する。なお、デュプレクサの送信フィルタまたは
受信フィルタにおいては、該送信フィルタまたは受信フ
ィルタの阻止すべき帯域が受信帯域または送信帯域の一
方のみであるから、直列側または並列側のいずれか一方
にキャパシタンス素子を付加すればよい。
５に対して直列側にキャパシタンス素子Ｃを付加してい
るが、キャパシタンス素子は並列側に付加することも可
能であり、所望するフィルタ特性に応じてキャパシタン
ス素子の接続位置（直列側または（及び）並列側）を適
宜設定する。なお、デュプレクサの送信フィルタまたは
受信フィルタにおいては、該送信フィルタまたは受信フ
ィルタの阻止すべき帯域が受信帯域または送信帯域の一
方のみであるから、直列側または並列側のいずれか一方
にキャパシタンス素子を付加すればよい。
【００２２】本ＳＡＷフィルタは、ＰＣＳ用デュプレク
サの受信フィルタに適用することも勿論可能である。Ｐ
ＣＳ用デュプレクサの受信フィルタに適用する場合に
は、例えば、第１及び第３のＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３の
共振周波数ｆｐｒを１９６０ＭＨｚ付近、***振周波数
ｆｐａを１９９０ＭＨｚに設定し、第２及び第４のＳＡ
Ｗ共振子Ｓ２、Ｓ４の共振周波数ｆｓｒを１９１０ＭＨ
ｚ、***振周波数ｆｐａを１９６０ＭＨｚに設定する。
そして図１０に示すように、第２のＳＡＷ共振子Ｓ２に
直列にキャパシタンス素子Ｃを設け、第２のＳＡＷ共振
子Ｓ２の帯域幅Δｆ（Δｆ２）を見かけ上狭め、約２．
６（％）程度にする。また第３のＳＡＷ共振子Ｓ３に直
列にインダクタンス素子Ｌを設け、第３のＳＡＷ共振子
Ｓ３の帯域幅Δｆ（Δｆ３）を見かけ上拡げ、約５．６
（％）程度にする。
サの受信フィルタに適用することも勿論可能である。Ｐ
ＣＳ用デュプレクサの受信フィルタに適用する場合に
は、例えば、第１及び第３のＳＡＷ共振子Ｓ１、Ｓ３の
共振周波数ｆｐｒを１９６０ＭＨｚ付近、***振周波数
ｆｐａを１９９０ＭＨｚに設定し、第２及び第４のＳＡ
Ｗ共振子Ｓ２、Ｓ４の共振周波数ｆｓｒを１９１０ＭＨ
ｚ、***振周波数ｆｐａを１９６０ＭＨｚに設定する。
そして図１０に示すように、第２のＳＡＷ共振子Ｓ２に
直列にキャパシタンス素子Ｃを設け、第２のＳＡＷ共振
子Ｓ２の帯域幅Δｆ（Δｆ２）を見かけ上狭め、約２．
６（％）程度にする。また第３のＳＡＷ共振子Ｓ３に直
列にインダクタンス素子Ｌを設け、第３のＳＡＷ共振子
Ｓ３の帯域幅Δｆ（Δｆ３）を見かけ上拡げ、約５．６
（％）程度にする。
【００２３】キャパシタンス素子Ｃは、圧電性基板１１
上ではなく、外装器１２に形成（内蔵）することが可能
である。図１１は、外装器１２にキャパシタンス素子Ｃ
を形成した場合の回路バターン図（一例）を示してい
る。図１１においてキャパシタンス素子Ｃは、バンプ１
３を介し第１のＳＡＷ共振子Ｓ１に直列に接続されてい
る。
上ではなく、外装器１２に形成（内蔵）することが可能
である。図１１は、外装器１２にキャパシタンス素子Ｃ
を形成した場合の回路バターン図（一例）を示してい
る。図１１においてキャパシタンス素子Ｃは、バンプ１
３を介し第１のＳＡＷ共振子Ｓ１に直列に接続されてい
る。
【００２４】以上の本ＳＡＷフィルタは、ＰＣＳに限ら
ず、ＡＭＰＳやＷ−ＣＤＭＡなどの各種通信システムに
適応させて形成可能である。
ず、ＡＭＰＳやＷ−ＣＤＭＡなどの各種通信システムに
適応させて形成可能である。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、弾性表面波共振子の帯
域幅を見かけ上狭め、所望のフィルタ特性が得られる弾
性表面波フィルタを提供することができる。
域幅を見かけ上狭め、所望のフィルタ特性が得られる弾
性表面波フィルタを提供することができる。
【図１】本発明によるＳＡＷフィルタを示す概略外観図
である。
である。
【図２】図１の圧電性基板上に形成される回路パターン
例を示す模式図である。
例を示す模式図である。
【図３】図２の等価回路図である。
【図４】図２に示すＳＡＷ共振子のリアクタンス−周波
数特性図である。
数特性図である。
【図５】ＳＡＷ共振子とキャパシタンス素子による直列
体を示す等価回路図である。
体を示す等価回路図である。
【図６】図５のＳＡＷ共振子のみと図５の回路全体とを
比較して示す周波数特性図である。
比較して示す周波数特性図である。
【図７】図２に示す各弾性表面波共振子の帯域幅を説明
する図である。
する図である。
【図８】ＳＡＷ共振子とインダクタンス素子による直列
体を示す等価回路図である。
体を示す等価回路図である。
【図９】図８のＳＡＷ共振子のみと図８の回路全体とを
比較して示す周波数特性図である。
比較して示す周波数特性図である。
【図１０】本ＳＡＷフィルタをＰＣＳ用デュプレクサの
受信フィルタに適用した一実施例の等価回路図である。
受信フィルタに適用した一実施例の等価回路図である。
【図１１】キャパシタンス素子を外装器に形成した場合
の回路パターン図である。
の回路パターン図である。
１０ ＳＡＷフィルタ
１１ 圧電性基板
１２ 外装器
１３ バンプ
１４ 入力端
１５ 出力端
Ｓ１ 第１のＳＡＷ共振子
Ｓ２ 第２のＳＡＷ共振子
Ｓ３ 第３のＳＡＷ共振子
Ｓ４ 第４のＳＡＷ共振子
Ｃ キャパシタンス素子
Ｌ インダクタンス素子
Claims (6)
- 【請求項１】 弾性表面波共振子と、該弾性表面波共振
子に直列に接続されたキャパシタンス素子とを有するこ
とを特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 入力端及び出力端に対して直列に接続さ
れた第１の弾性表面波共振子と、入力端及び出力端に対
して並列に接続された第２の弾性表面波共振子とを有す
るラダー型の弾性表面波フィルタにおいて、 上記第１又は第２の弾性表面波共振子の少なくとも一方
に、キャパシタンス素子を直列に付加したことを特徴と
する弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 請求項２記載の弾性表面波フィルタにお
いて、キャパシタンス素子は、上記第１及び第２の弾性
表面波共振子が形成された圧電性基板上に形成されてい
る弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 請求項２記載の弾性表面波フィルタにお
いて、第１及び第２の弾性表面波共振子が形成された圧
電性基板と、この圧電性基板及び第１及び第２の弾性表
面波共振子を封止する外装器とを備え、該外装器に、上
記キャパシタンス素子が形成されている弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか一項に記載
の弾性表面波フィルタにおいて、弾性波表面波共振子は
くし型電極からなる弾性表面波フィルタ。 - 【請求項６】 請求項５記載の弾性表面波フィルタにお
いて、キャパシタンス素子は、上記くし型電極の向きと
９０°異なる向きで形成された対向電極によって構成さ
れている弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002082906A JP2003283297A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002082906A JP2003283297A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283297A true JP2003283297A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29230914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002082906A Withdrawn JP2003283297A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283297A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
| US20130021116A1 (en) * | 2010-05-13 | 2013-01-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002082906A patent/JP2003283297A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005099091A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波フィルタ |
| US7310027B2 (en) | 2004-04-08 | 2007-12-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Boundary acoustic wave filter |
| US20130021116A1 (en) * | 2010-05-13 | 2013-01-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device |
| US8710940B2 (en) * | 2010-05-13 | 2014-04-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device having a capacitive electrode on the piezoelectric substrate |
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