JP2003282955A - 反射ケース付半導体発光装置 - Google Patents
反射ケース付半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射ケース付半導体発光装置において、透光
性樹脂の反射ケースからの剥離を有効に防止する。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面に形成された電極部
２に半導体発光素子３を実装し、この半導体発光素子３
からの光を反射させるための反射ケース５を絶縁性基板
１上に設け、この反射ケース５内部を透光性樹脂６で封
止した半導体発光装置において、反射ケース５の透光性
樹脂６との接触面の少なくとも一部にシボ５１を形成す
る。ここで半導体発光装置からの出射光の光度ムラを抑
える観点から、反射ケース５に形成するシボ５１を少な
くとも半導体発光素子側面の対向領域に形成するのがよ
い。透光性樹脂６の反射ケース５からの剥離を一層防止
する観点から、シボ５１の凹凸段差を１２μｍ以上、あ
るいはシボ間のピッチを２０μｍ以下とするのが好まし
い。
性樹脂の反射ケースからの剥離を有効に防止する。 【解決手段】 絶縁性基板１の表面に形成された電極部
２に半導体発光素子３を実装し、この半導体発光素子３
からの光を反射させるための反射ケース５を絶縁性基板
１上に設け、この反射ケース５内部を透光性樹脂６で封
止した半導体発光装置において、反射ケース５の透光性
樹脂６との接触面の少なくとも一部にシボ５１を形成す
る。ここで半導体発光装置からの出射光の光度ムラを抑
える観点から、反射ケース５に形成するシボ５１を少な
くとも半導体発光素子側面の対向領域に形成するのがよ
い。透光性樹脂６の反射ケース５からの剥離を一層防止
する観点から、シボ５１の凹凸段差を１２μｍ以上、あ
るいはシボ間のピッチを２０μｍ以下とするのが好まし
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光装置に関
し、より詳細には絶縁性基板上に反射ケースを設けた半
導体発光装置に関するものである。
し、より詳細には絶縁性基板上に反射ケースを設けた半
導体発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオード素子などの半導体発光素
子からの光を特定方向に出射させるため、半導体発光素
子の周囲に反射ケースを設けることがあった。図１０
に、絶縁性基板１の上に反射ケース５を設けた従来の半
導体発光装置の一例を示す側断面図を示す。従来の半導
体発光装置では反射ケース５内を透光性樹脂６で封止し
ていた。透光性樹脂６としてエポキシ樹脂などの熱硬化
性樹脂が一般に用いられる。このため、反射ケース５内
に透光性樹脂６を流し込んだ後、百数十度に加熱して透
光性樹脂６を硬化させていた。
子からの光を特定方向に出射させるため、半導体発光素
子の周囲に反射ケースを設けることがあった。図１０
に、絶縁性基板１の上に反射ケース５を設けた従来の半
導体発光装置の一例を示す側断面図を示す。従来の半導
体発光装置では反射ケース５内を透光性樹脂６で封止し
ていた。透光性樹脂６としてエポキシ樹脂などの熱硬化
性樹脂が一般に用いられる。このため、反射ケース５内
に透光性樹脂６を流し込んだ後、百数十度に加熱して透
光性樹脂６を硬化させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、透光性樹脂
６は反射ケース５の材質との馴染み性が悪いものが多
く、リフロー炉などで透光性樹脂６を加熱硬化させると
透光性樹脂６が反射ケース５から剥離し不良品となるこ
とがあった。
６は反射ケース５の材質との馴染み性が悪いものが多
く、リフロー炉などで透光性樹脂６を加熱硬化させると
透光性樹脂６が反射ケース５から剥離し不良品となるこ
とがあった。
【０００４】また、一般に半導体発光素子３の角から出
射する光は側面から出射する光に比べて弱く、図１１の
配向特性図に示すように平面視において装置からの出射
光には光度ムラあった。
射する光は側面から出射する光に比べて弱く、図１１の
配向特性図に示すように平面視において装置からの出射
光には光度ムラあった。
【０００５】本発明はこのような従来の問題に鑑みてな
されたものであり、透光性樹脂が反射ケースの材質と馴
染み性がよくない場合であっても、透光性樹脂が硬化後
に反射ケースから剥離することのない半導体発光装置を
提供することをその目的とするものである。
されたものであり、透光性樹脂が反射ケースの材質と馴
染み性がよくない場合であっても、透光性樹脂が硬化後
に反射ケースから剥離することのない半導体発光装置を
提供することをその目的とするものである。
【０００６】また本発明の目的は、半導体発光装置から
出射される光の光度ムラを抑えることにある。
出射される光の光度ムラを抑えることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の半導体発光装置では、絶縁性基板の表面に形成
された電極部に半導体発光素子を実装し、この半導体発
光素子からの光を反射させるための反射ケースを前記絶
縁性基板上に設け、この反射ケース内部を透光性樹脂で
封止した半導体発光装置において、反射ケースの透光性
樹脂との接触面の少なくとも一部にシボを形成した構成
とした。
本発明の半導体発光装置では、絶縁性基板の表面に形成
された電極部に半導体発光素子を実装し、この半導体発
光素子からの光を反射させるための反射ケースを前記絶
縁性基板上に設け、この反射ケース内部を透光性樹脂で
封止した半導体発光装置において、反射ケースの透光性
樹脂との接触面の少なくとも一部にシボを形成した構成
とした。
【０００８】ここで透光性樹脂と反射ケースとの接着性
を向上させながら、装置からの出射光の光度ムラを抑え
るためには、反射ケースに形成するシボは、少なくとも
半導体発光素子側面の対向領域に形成するのが望まし
い。
を向上させながら、装置からの出射光の光度ムラを抑え
るためには、反射ケースに形成するシボは、少なくとも
半導体発光素子側面の対向領域に形成するのが望まし
い。
【０００９】透光性樹脂の反射ケースからの剥離を一層
防止する観点から、シボの凹凸段差を１２μｍ以上、あ
るいはシボ間のピッチを２０μｍ以下とするのが好まし
い。なお、図５に示すように、本発明においてシボの凹
凸段差とは十点平均粗さいい、ピッチは凸部間距離をい
う。
防止する観点から、シボの凹凸段差を１２μｍ以上、あ
るいはシボ間のピッチを２０μｍ以下とするのが好まし
い。なお、図５に示すように、本発明においてシボの凹
凸段差とは十点平均粗さいい、ピッチは凸部間距離をい
う。
【００１０】また装置の生産性を向上させる観点などか
ら、絶縁性基板と反射ケースとを一体成形してもよい。
ら、絶縁性基板と反射ケースとを一体成形してもよい。
【００１１】また、反射ケースの材料としては耐熱性や
低熱膨張性などの点から液晶ポリマーが好ましく、透光
性樹脂としては透光性の点からエポキシ樹脂が好まし
い。
低熱膨張性などの点から液晶ポリマーが好ましく、透光
性樹脂としては透光性の点からエポキシ樹脂が好まし
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明者は、半導体発光装置にお
いて透光性樹脂を加熱硬化させたときに生じる、透光性
樹脂の反射ケースからの剥離を防止できないか鋭意検討
を重ねた結果、反射ケースの透光性樹脂との接触面にシ
ボを形成して、反射ケースと透光性樹脂との接触面積を
大きくすると同時に、シボの凹部に透光性樹脂が入り込
むようにすれば、透光性樹脂の加熱硬化時の反射ケース
からの剥離を有効に防止できることを見出し本発明をな
すに至った。以下、図に基づいて本発明の半導体発光装
置を説明する。
いて透光性樹脂を加熱硬化させたときに生じる、透光性
樹脂の反射ケースからの剥離を防止できないか鋭意検討
を重ねた結果、反射ケースの透光性樹脂との接触面にシ
ボを形成して、反射ケースと透光性樹脂との接触面積を
大きくすると同時に、シボの凹部に透光性樹脂が入り込
むようにすれば、透光性樹脂の加熱硬化時の反射ケース
からの剥離を有効に防止できることを見出し本発明をな
すに至った。以下、図に基づいて本発明の半導体発光装
置を説明する。
【００１３】図１は、本発明の半導体発光装置の一例を
示す断面図である。絶縁性基板１上に一対の電極部２，
２’が形成され、その一方の電極部２上に半導体発光素
子３が装着され、半導体発光素子３の上面電極ともう一
方の電極部２’とがボンディングワイヤ４で接続されて
いる。そして、上面に開口部を有する反射ケース５が半
導体発光素子３およびボンディングワイヤ４、電極部
２，２’の一部を覆うように絶縁性基板１の上に装着さ
れ、この反射ケース５の内部に透光性樹脂６が充填され
熱硬化される。
示す断面図である。絶縁性基板１上に一対の電極部２，
２’が形成され、その一方の電極部２上に半導体発光素
子３が装着され、半導体発光素子３の上面電極ともう一
方の電極部２’とがボンディングワイヤ４で接続されて
いる。そして、上面に開口部を有する反射ケース５が半
導体発光素子３およびボンディングワイヤ４、電極部
２，２’の一部を覆うように絶縁性基板１の上に装着さ
れ、この反射ケース５の内部に透光性樹脂６が充填され
熱硬化される。
【００１４】ここで用いる反射ケース５の内側壁にはシ
ボ５１が形成されている。このシボ５１は反射ケース５
の少なくとの一部に形成されていればよいが、半導体発
光装置から出射される光の光度ムラを抑えるためには、
少なくとも半導体発光素子側面の対向領域に形成するの
が望ましい。図２に、反射ケース５の半導体発光素子側
面の対向領域にシボ５１を形成した半導体発光装置の平
面図を示す。そして、この装置の平面視における光度の
配向特性を図３に示す。図３と図１１とを比較すれば明
らかなように、反射ケース５の半導体発光素子側面の対
向領域にシボ５１を形成した図２の半導体発光装置で
は、図１１の従来の半導体発光装置に比べて光度ムラが
抑えられている。もちろん、透光性樹脂６の反射ケース
５からの剥離を有効に防止するためには、反射ケース５
の透光性樹脂６との接触面の全域にシボ５１が形成され
ているのが望ましい。
ボ５１が形成されている。このシボ５１は反射ケース５
の少なくとの一部に形成されていればよいが、半導体発
光装置から出射される光の光度ムラを抑えるためには、
少なくとも半導体発光素子側面の対向領域に形成するの
が望ましい。図２に、反射ケース５の半導体発光素子側
面の対向領域にシボ５１を形成した半導体発光装置の平
面図を示す。そして、この装置の平面視における光度の
配向特性を図３に示す。図３と図１１とを比較すれば明
らかなように、反射ケース５の半導体発光素子側面の対
向領域にシボ５１を形成した図２の半導体発光装置で
は、図１１の従来の半導体発光装置に比べて光度ムラが
抑えられている。もちろん、透光性樹脂６の反射ケース
５からの剥離を有効に防止するためには、反射ケース５
の透光性樹脂６との接触面の全域にシボ５１が形成され
ているのが望ましい。
【００１５】シボ５１の凹凸段差は１２μｍ以上が好ま
しい。凹凸段差が１２μｍより小さいと、充分な接触面
積を確保できず透光性樹脂の剥離を完全に防止できない
おそれがあり、加えて半導体発光素子からの光を充分に
乱反射させることができず光度ムラを抑えられないおそ
れがあるからである。
しい。凹凸段差が１２μｍより小さいと、充分な接触面
積を確保できず透光性樹脂の剥離を完全に防止できない
おそれがあり、加えて半導体発光素子からの光を充分に
乱反射させることができず光度ムラを抑えられないおそ
れがあるからである。
【００１６】また、シボ間のピッチは２０μｍ以下とす
るのが好ましい。ピッチが２０μｍより大きいと充分な
接触面積を確保できず透光性樹脂の剥離を完全に防止で
きないおそれがあり、加えて半導体発光素子からの光を
充分に乱反射させることができず光度ムラを抑えられな
いおそれがあるからである。また、シボ間のピッチの下
限値に特に制限はないが、１２μｍ未満になると凸部が
鋭角になり透光性樹脂の剥離を招くおそれもあるので、
１２μｍ以上が望ましい。
るのが好ましい。ピッチが２０μｍより大きいと充分な
接触面積を確保できず透光性樹脂の剥離を完全に防止で
きないおそれがあり、加えて半導体発光素子からの光を
充分に乱反射させることができず光度ムラを抑えられな
いおそれがあるからである。また、シボ間のピッチの下
限値に特に制限はないが、１２μｍ未満になると凸部が
鋭角になり透光性樹脂の剥離を招くおそれもあるので、
１２μｍ以上が望ましい。
【００１７】反射ケースの表面にシボを形成するには、
従来公知の方法を用いることができる。例えば、表面加
工により微小凹凸を施した射出成形用金型を用いて反射
ケースを成形する方法や、反射ケース成形後にブラスト
加工を行って反射ケース表面にシボを形成する方法など
が挙げられる。この中でも生産性などの観点から、表面
加工した射出成形用金型を用いて反射ケースを射出成形
する方法が望ましい。金型表面にシボを形成する表面加
工方法としては、例えばエッチング加工や電鋳加工など
の方法が挙げられる。
従来公知の方法を用いることができる。例えば、表面加
工により微小凹凸を施した射出成形用金型を用いて反射
ケースを成形する方法や、反射ケース成形後にブラスト
加工を行って反射ケース表面にシボを形成する方法など
が挙げられる。この中でも生産性などの観点から、表面
加工した射出成形用金型を用いて反射ケースを射出成形
する方法が望ましい。金型表面にシボを形成する表面加
工方法としては、例えばエッチング加工や電鋳加工など
の方法が挙げられる。
【００１８】本発明で使用する反射ケースの材料として
は、耐熱性、低熱膨張性および電気絶縁性を有するもの
であれば特に限定はなく従来公知の材料が用いられる。
中でも耐熱性、低熱膨張性および電気絶縁性の点で優れ
る液晶ポリマーが好ましい。このような液晶ポリマーと
しては、例えばポリエステル系、ポリエステルアミド、
ポリアゾメチン等が挙げられる。この中でも芳香族ポリ
エステル系の液晶ポリマーが好ましい。
は、耐熱性、低熱膨張性および電気絶縁性を有するもの
であれば特に限定はなく従来公知の材料が用いられる。
中でも耐熱性、低熱膨張性および電気絶縁性の点で優れ
る液晶ポリマーが好ましい。このような液晶ポリマーと
しては、例えばポリエステル系、ポリエステルアミド、
ポリアゾメチン等が挙げられる。この中でも芳香族ポリ
エステル系の液晶ポリマーが好ましい。
【００１９】図１の装置では上方向に光を出射させるた
め、反射ケース５として上面に開口部を有するものを使
用しているが、反射ケース５の形状に特に限定はなく、
光を出射させたい方向に開口部を設けた形状とすればよ
い。図４に、側面方向に光を出射する半導体発光装置の
一例を示す断面図を示す。図４の装置では、いずれも右
方向に光が出射される。この反射ケース５’、５”の透
光性樹脂６と接触する内周面の全域にはシボ５１が形成
されている。
め、反射ケース５として上面に開口部を有するものを使
用しているが、反射ケース５の形状に特に限定はなく、
光を出射させたい方向に開口部を設けた形状とすればよ
い。図４に、側面方向に光を出射する半導体発光装置の
一例を示す断面図を示す。図４の装置では、いずれも右
方向に光が出射される。この反射ケース５’、５”の透
光性樹脂６と接触する内周面の全域にはシボ５１が形成
されている。
【００２０】一方、本発明で使用する透光性樹脂として
は透光性であれば特に限定はなく、例えばエポキシ樹脂
や不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア・
メラミン樹脂などが挙げられる。この中でも透光性など
の点からエポキシ樹脂がより好適に使用できる。エポキ
シ樹脂としては、一分子中に２個以上のエポキシ基を有
するものでエポキシ樹脂成形材料として使用されるもの
であれば制限はなく、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、オルクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を代表
するフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエ
ポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、ビスフェノールＳ、水添ビスフェノールＡなどのジ
グリシジルエーテル、フタル酸、ダイマー酸などの多塩
基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるジグリ
シジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメ
タン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒ
ドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキ
シ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過酸により、酸
化して得られる綿状脂肪族エポキシ樹脂、および脂環族
エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらを単独で
あるいは２以上の混合物として使用することができる。
これらのエポキシ樹脂は十分に精製されたもので、常温
で液状であっても固形であってもよいが、液化時の外観
ができる限り透明なものを使用するのが好ましい。
は透光性であれば特に限定はなく、例えばエポキシ樹脂
や不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ユリア・
メラミン樹脂などが挙げられる。この中でも透光性など
の点からエポキシ樹脂がより好適に使用できる。エポキ
シ樹脂としては、一分子中に２個以上のエポキシ基を有
するものでエポキシ樹脂成形材料として使用されるもの
であれば制限はなく、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂、オルクレゾールノボラック型エポキシ樹脂を代表
するフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエ
ポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｆ、ビスフェノールＳ、水添ビスフェノールＡなどのジ
グリシジルエーテル、フタル酸、ダイマー酸などの多塩
基酸とエピクロルヒドリンの反応により得られるジグリ
シジルエステル型エポキシ樹脂、ジアミノジフェニルメ
タン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒ
ドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキ
シ樹脂、オレフィン結合を過酢酸などの過酸により、酸
化して得られる綿状脂肪族エポキシ樹脂、および脂環族
エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらを単独で
あるいは２以上の混合物として使用することができる。
これらのエポキシ樹脂は十分に精製されたもので、常温
で液状であっても固形であってもよいが、液化時の外観
ができる限り透明なものを使用するのが好ましい。
【００２１】本発明の装置は例えば次のようにして作製
される。まず次のようにして絶縁性基板を作製する。銅
箔を両面に貼着した絶縁性基板に金型やルータで複数本
のスリット８（図６に図示）を設けて複数本の桟７（図
６に図示）を形成した後、フォトレジストの塗布・露光
・現像を行って、電極部２，２’（図６に図示）の上面
部と下面部となる電極パターン部分をフォトレジストで
被覆し、このレジストパターンをエッチレジストとして
不要部分の銅箔をエッチングにより除去する。そして、
無電解メッキにより電極部の側面部となる桟７の側面に
Ｃｕ層を形成した後、桟７の側面を含む電極パターン部
分にＣｕ，Ｎｉ，Ａｕの各層を電解メッキにより積層形
成して絶縁性基板１とする。
される。まず次のようにして絶縁性基板を作製する。銅
箔を両面に貼着した絶縁性基板に金型やルータで複数本
のスリット８（図６に図示）を設けて複数本の桟７（図
６に図示）を形成した後、フォトレジストの塗布・露光
・現像を行って、電極部２，２’（図６に図示）の上面
部と下面部となる電極パターン部分をフォトレジストで
被覆し、このレジストパターンをエッチレジストとして
不要部分の銅箔をエッチングにより除去する。そして、
無電解メッキにより電極部の側面部となる桟７の側面に
Ｃｕ層を形成した後、桟７の側面を含む電極パターン部
分にＣｕ，Ｎｉ，Ａｕの各層を電解メッキにより積層形
成して絶縁性基板１とする。
【００２２】次に、図６の平面図に示すように、前記作
製された絶縁性基板１に対し、各桟７における一方の電
極部２の上面部上に、それぞれ半導体発光素子３をボン
ディングする。そして、各半導体発光素子３の上面電極
ともう一方の電極部２’の上面部との間をボンディング
ワイヤによって結線する。
製された絶縁性基板１に対し、各桟７における一方の電
極部２の上面部上に、それぞれ半導体発光素子３をボン
ディングする。そして、各半導体発光素子３の上面電極
ともう一方の電極部２’の上面部との間をボンディング
ワイヤによって結線する。
【００２３】そして、反射ケースの装着および透光性樹
脂による封止は例えば次のようにして行われる。図６の
桟７の長手方向の断面図（Ａ−Ａ線断面図）を図７に示
す。半導体発光素子３の上面に固着されたボンディング
ワイヤを完全に内包できる程度の深さの孔５３が、半導
体発光素子３に対応して形成された反射ケース連続体５
２を、絶縁性基板１上に接着剤で固着する（図７
（ａ））。次に、反射ケース連続体５２の孔５３に透光
性樹脂であるエポキシ樹脂を注ぎ込む（同図（ｂ））。
そしてエポキシ樹脂を所定温度で硬化させた後（同図
（ｃ））、破線で示す部分をダイシングなどで切断し本
発明の半導体発光装置を得る（同図（ｄ））。
脂による封止は例えば次のようにして行われる。図６の
桟７の長手方向の断面図（Ａ−Ａ線断面図）を図７に示
す。半導体発光素子３の上面に固着されたボンディング
ワイヤを完全に内包できる程度の深さの孔５３が、半導
体発光素子３に対応して形成された反射ケース連続体５
２を、絶縁性基板１上に接着剤で固着する（図７
（ａ））。次に、反射ケース連続体５２の孔５３に透光
性樹脂であるエポキシ樹脂を注ぎ込む（同図（ｂ））。
そしてエポキシ樹脂を所定温度で硬化させた後（同図
（ｃ））、破線で示す部分をダイシングなどで切断し本
発明の半導体発光装置を得る（同図（ｄ））。
【００２４】図１の半導体発光装置では絶縁性基板と反
射ケースとをそれぞれ作製し、エポキシ系接着剤などで
両者を固着していたが、生産効率の向上などの考慮して
絶縁性基板と反射ケースを一体に成形してもよい。図８
に、絶縁性基板と反射ケースとを一体成形した半導体発
光装置の一例を示し、図９に、この半導体発光装置の製
造工程図の一例を示す。
射ケースとをそれぞれ作製し、エポキシ系接着剤などで
両者を固着していたが、生産効率の向上などの考慮して
絶縁性基板と反射ケースを一体に成形してもよい。図８
に、絶縁性基板と反射ケースとを一体成形した半導体発
光装置の一例を示し、図９に、この半導体発光装置の製
造工程図の一例を示す。
【００２５】図９において、まず電極部となる断面コ字
状の金属部材９１，９１’を、基板部分となる矩形状の
凹部９２が形成された下型Ｍ2に配置する（同図
（ａ））。そして、矩形状の凹部９３の中心に下方向に
連続に縮径した突部９４が形成された上型Ｍ1を下型Ｍ2
合わせる（同図（ｂ））。このとき、突部９４の外周の
所定位置にはシボに対応する凹凸が形成されている。そ
して上型Ｍ1と下型Ｍ2と形成された空間に樹脂注入孔９
５から樹脂を注入する（同図（ｃ））。そして冷却後、
金型から反射ケースが一体に形成された絶縁性基板を取
り出す（同図（ｄ））。次に、すり鉢状の凹部９６の底
面に露出している一方の金属部材９１に半導体発光素子
３をボンディングし、半導体発光素子３の上面電極とも
う一方の金属部材９１’とをボンディングワイヤ４で接
続する（同図（ｅ））。そして、すり鉢状の凹部９６に
エポキシ樹脂などの透光性樹脂６を注ぎ込み加熱硬化さ
せる（同図（ｆ））。
状の金属部材９１，９１’を、基板部分となる矩形状の
凹部９２が形成された下型Ｍ2に配置する（同図
（ａ））。そして、矩形状の凹部９３の中心に下方向に
連続に縮径した突部９４が形成された上型Ｍ1を下型Ｍ2
合わせる（同図（ｂ））。このとき、突部９４の外周の
所定位置にはシボに対応する凹凸が形成されている。そ
して上型Ｍ1と下型Ｍ2と形成された空間に樹脂注入孔９
５から樹脂を注入する（同図（ｃ））。そして冷却後、
金型から反射ケースが一体に形成された絶縁性基板を取
り出す（同図（ｄ））。次に、すり鉢状の凹部９６の底
面に露出している一方の金属部材９１に半導体発光素子
３をボンディングし、半導体発光素子３の上面電極とも
う一方の金属部材９１’とをボンディングワイヤ４で接
続する（同図（ｅ））。そして、すり鉢状の凹部９６に
エポキシ樹脂などの透光性樹脂６を注ぎ込み加熱硬化さ
せる（同図（ｆ））。
【００２６】本発明の半導体発光装置の用途としては、
液晶表示装置のバックライト、光ファイバ通信用やフォ
トカプラ用などの装置内の点光源、家電機器における表
示器などが挙げられる。
液晶表示装置のバックライト、光ファイバ通信用やフォ
トカプラ用などの装置内の点光源、家電機器における表
示器などが挙げられる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置では、反射ケー
スの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部にシボを形
成したので、透光性樹脂の反射ケースからの剥離を有効
に防止できる。
スの透光性樹脂との接触面の少なくとも一部にシボを形
成したので、透光性樹脂の反射ケースからの剥離を有効
に防止できる。
【００２８】反射ケースに形成するシボを少なくとも半
導体発光素子側面の対向領域に形成すると、透光性樹脂
と反射ケースとの接着性を向上させながら装置からの出
射光の光度ムラを抑えることができる。
導体発光素子側面の対向領域に形成すると、透光性樹脂
と反射ケースとの接着性を向上させながら装置からの出
射光の光度ムラを抑えることができる。
【００２９】シボの凹凸段差を１２μｍ以上、あるいは
シボ間のピッチを２０μｍ以下とすると、透光性樹脂の
反射ケースからの剥離を一層防止できる。
シボ間のピッチを２０μｍ以下とすると、透光性樹脂の
反射ケースからの剥離を一層防止できる。
【００３０】また絶縁性基板と反射ケースとを一体成形
すると、装置の生産性を向上させることができる。
すると、装置の生産性を向上させることができる。
【００３１】また、反射ケースの材料として液晶ポリマ
ーを用い、透光性樹脂としてエポキシ樹脂を用いると、
優れた耐熱性および低熱膨張性が得られ、さらに高い透
光性が得られる。
ーを用い、透光性樹脂としてエポキシ樹脂を用いると、
優れた耐熱性および低熱膨張性が得られ、さらに高い透
光性が得られる。
【図１】 本発明の半導体発光装置の一例を示す側断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の半導体発光装置の他の例を示す平面
図である。
図である。
【図３】 図２の半導体発光装置の平面視における光度
の配向特性を示す図である。
の配向特性を示す図である。
【図４】 本発明の半導体発光装置の他の例を示す側断
面図である。
面図である。
【図５】 シボの凹凸段差およびピッチを示す図であ
る。
る。
【図６】 製造工程の中間体を示す平面図である。
【図７】 反射ケースの装着および透光性樹脂による封
止を示す工程図である。
止を示す工程図である。
【図８】 絶縁性基板と反射ケースとを一体成形した半
導体発光装置の一例を示す斜視図である。
導体発光装置の一例を示す斜視図である。
【図９】 図８の半導体発光装置の製造工程図例であ
る。
る。
【図１０】 従来の半導体発光装置の一例を示す側断面
図である。
図である。
【図１１】 図１０の半導体発光装置の平面視における
光度の配向特性を示す図である。
光度の配向特性を示す図である。
１ 絶縁性基板
２，２’ 電極部
３ 半導体発光素子
４ ボンディングワイヤ
５，５’，５” 反射ケース
６ 透光性樹脂
５１ シボ
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁性基板の表面に形成された電極部に
半導体発光素子を実装し、この半導体発光素子からの光
を反射させるための反射ケースを前記絶縁性基板上に設
け、この反射ケース内部を透光性樹脂で封止した半導体
発光装置において、 前記反射ケースの透光性樹脂との接触面の少なくとも一
部にシボを形成したことを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項２】 前記シボが、前記反射ケースの少なくと
も半導体発光素子側面の対向領域に形成された請求項１
記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】 前記シボの凹凸段差が１２μｍ以上であ
る請求項１又は２記載の半導体発光装置。 - 【請求項４】 前記シボ間のピッチが２０μｍ以下であ
る請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 【請求項５】 前記絶縁性基板と前記反射ケースとを一
体成形した請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光
装置。 - 【請求項６】 前記反射ケースの材料として液晶ポリマ
ーを用い、前記透光性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002199555A JP2003282955A (ja) | 2001-07-19 | 2002-07-09 | 反射ケース付半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-219079 | 2001-07-19 | ||
| JP2001219079 | 2001-07-19 | ||
| JP2002005547 | 2002-01-15 | ||
| JP2002-5547 | 2002-01-15 | ||
| JP2002199555A JP2003282955A (ja) | 2001-07-19 | 2002-07-09 | 反射ケース付半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282955A true JP2003282955A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29255035
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2002199555A Pending JP2003282955A (ja) | 2001-07-19 | 2002-07-09 | 反射ケース付半導体発光装置 |
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