JP2003282350A - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 導体層として金属箔を用いる場合でも安定し
た電気特性を維持できる積層セラミック電子部品を提供
する。 【解決手段】 セラミックチップ７の金属箔３-1を挟み
込む部分が金属箔３-1の穴３ａ及び切欠き３ａ’を通じ
て互いに結合していて、金属箔３-1とセラミックとの界
面の密着性を維持することができるので、実装後におけ
るコンデンサ自体の電気的及び熱的挙動によって金属箔
とセラミックとの界面に剥離やクラックが生じること及
びそこからの水分浸入によって電気特性が低下すること
を抑制して、安定した電気特定を維持することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等の積層セラミック電子部品と、この積層セラ
ミック電子部品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミック電子部品の代表例として
知られる積層セラミックコンデンサは、一般に、ベース
フィルム上に未焼成セラミック層を形成して得た第１シ
ートと、この第１シートの未焼成セラミック層上に所定
形状の未焼成導体層を所定配列で形成して得た第２シー
トとを用意する工程と、第１シートの未焼成セラミック
層に第１シートの未焼成セラミック層を圧着してベース
フィルムを剥離する作業を複数回繰り返し、そして最上
層の未焼成セラミック層に第２シートの未焼成導体層及
び未焼成セラミック層を圧着してベースフィルムを剥離
する作業を複数回繰り返し、そして最上層の未焼成セラ
ミック層に第１シートの未焼成セラミック層を圧着して
ベースフィルムを剥離する作業を複数回繰り返して未焼
成積層物を得る工程と、この未焼成積層物を所定のチッ
プサイズに分断して未焼成導体層を内蔵した未焼成積層
チップを得る工程と、この未焼成積層チップから有機バ
インダを除去する工程と、脱バインダ後の未焼成積層チ
ップを焼成して導体層を内蔵したセラミックチップを得
る工程と、このセラミックチップに外部電極を形成する
工程を経て製造されている。

【０００３】前記の未焼成セラミック層は、セラミック
粉末と有機バインダと有機溶剤と可塑剤と分散剤を適宜
重量比で混合して調製されたセラミックスラリーを、ド
クターブレードやリバースロールやダイコータ等を用い
てベースフィルム上に塗工し乾燥することにより形成さ
れている。また、前記の未焼成導体層は、金属粉末と有
機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適宜重量比で混
合して調製された導電ペーストを、スクリーン印刷やグ
ラビア印刷等の厚膜法によって未焼成セラミック層上に
印刷し乾燥することにより形成されている。

【０００４】ところで、近年における積層セラミックコ
ンデンサの小型化及び大容量化に要望に伴い、前記の未
焼成セラミック層及び未焼成導体層に対する薄型化が求
められており、最近では未焼成セラミック層を１０μｍ
以下の厚みで形成すること、また、未焼成導体層をは５
μｍ以下の厚みで形成することが技術的に可能となって
きている。

【０００５】しかし、導電ペーストから成る未焼成導体
層を厚膜法によって未焼成セラミック層上に形成する方
法では、未焼成セラミック層の厚みが薄くなるにつれ
て、未焼成セラミック層上に形成された未焼成導体層に
含まれる金属粉末が有機溶剤と一緒に未焼成セラミック
層に浸透し易くなり、焼成後のセラミックチップ内の隣
接する導体層に短絡を生じる恐れがある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記不具合を解消する
ため、特開２００１−２９７９３６公報には、前記の導
電ペーストから成る未焼成導体層の代わりにニッケル箔
を用いた提案、具体的には、ニッケル箔を所定形状に加
工してこれを未焼成セラミック層に圧着するようにした
製造方法が提案されている。

【０００７】しかし、前記のニッケル箔は導電ペースト
から成る未焼成導体層に比べて未焼成セラミック層との
馴染みが悪いため、焼成工程における未焼成セラミック
層と金属箔との熱的挙動の違いによって、焼成後のニッ
ケル箔とセラミックとの界面にデラミネーションを生じ
る等の構造欠陥を生じ易い。

【０００８】また、製造された積層セラミックコンデン
サは、セラミックチップの金属箔を挟み込む部分と金属
箔との密着度が低いため、実装後におけるコンデンサ自
体の電気的及び熱的挙動を原因として金属箔とセラミッ
クとの界面に剥離やクラックが生じそこからの水分浸入
によって電気特性が低下し易い。

【０００９】本発明は前記事情に鑑みて創作されたもの
で、その目的とするところは、導体層として金属箔を用
いる場合でも安定した電気特性を維持できる積層セラミ
ック電子部品と、導体層として金属箔を用いる場合でも
構造欠陥を生じることがない積層セラミック電子部品の
製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る積層セラミック電子部品は、未焼成積
層チップを焼成して得たセラミックチップ内に部品回路
を構成するための導体層を少なくとも１つ備えた積層セ
ラミック電子部品であって、前記導体層は少なくとも１
つの穴または切欠きを有する金属箔から成り、セラミッ
クチップの金属箔を挟み込む部分は金属箔の穴または切
欠きを通じて互いに結合している、ことをその特徴とす
る。

【００１１】この積層セラミック電子部品によれば、セ
ラミックチップの金属箔を挟み込む部分が金属箔の穴ま
たは切欠きを通じて互いに結合していて、金属箔とセラ
ミックとの密着性を確保することができるので、実装後
におけるコンデンサ自体の電気的及び熱的挙動によって
金属箔とセラミックとの界面に剥離やクラックが生じる
こと及びそこからの水分浸入による電気特性の低下を抑
制できる。

【００１２】また、本発明に係る積層セラミック電子部
品の製造方法は、未焼成セラミック層の少なくとも１つ
の層間に所定形状の金属箔を所定配列で介装して成る未
焼成積層物を得る工程と、この未焼成積層物を所定のチ
ップサイズに分断して金属箔内蔵の未焼成積層チップを
得る工程と、この未焼成積層チップを焼成して金属箔内
蔵のセラミックチップを得る工程とを備えた積層セラミ
ック電子部品の製造方法であって、前記の未焼成積層物
を得る工程では金属箔として少なくとも１つの穴または
切欠きを有するものを用い、未焼成セラミック層の金属
箔を挟み込む部分を金属箔の穴または切欠きを通じて互
いに接合させ、前記の未焼成積層チップを得る工程では
未焼成積層チップ内の金属箔に少なくとも１つの穴また
は切欠きが残るように未焼成積層物を分断し、前記のセ
ラミックチップを得る工程ではセラミックチップの金属
箔を挟み込む部分を金属箔の穴または切欠きを通じて互
いに結合させる、ことをその特徴とする。

【００１３】この積層セラミック電子部品の製造方法に
よれば、前記の積層セラミック電子部品を的確且つ安定
に製造することができる。また、積層工程において未焼
成セラミック層の金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴ま
たは切欠きを通じて互いに接合させ、焼成工程において
セラミックチップの金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴
または切欠きを通じて互いに結合させることができるの
で、金属箔と未焼成セラミック層との馴染みが悪く、且
つ、焼成工程において未焼成セラミック層と金属箔とに
熱的挙動の違いが生じた場合でも、焼成後の金属箔とセ
ラミックとの界面にデラミネーションを生じる等の不具
合を解消できる。

【００１４】本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構
成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって
明らかとなる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を積層セラミックコ
ンデンサに適用した一実施例を図１〜図９を引用して説
明する。

【００１６】製造に際しては、まず、図１（Ａ）に示す
第１シートＳ１と、図１（Ｂ）に示す第２シートＳ２を
用意する。

【００１７】図１（Ａ）に示した第１シートＳ１は、Ｐ
ＥＴ等の樹脂フィルムから成る所定寸法のベースフィル
ム１上に、未焼成セラミック層２を所定の寸法及び厚み
で形成することにより得たものである。ベースフィルム
１の厚みは５０μｍ前後で、未焼成セラミック層２の厚
みは０．５〜１０μｍである。

【００１８】この第１シートＳ１は、所定寸法のベース
フィルム１上にセラミックスラリーをドクターブレード
やリバースロールやダイコータ等を用いて塗工しこれを
乾燥して未焼成セラミック層２を形成することにより作
成されている。ちなみに、前記セラミックスラリーに
は、セラミック粉末と有機バインダと有機溶剤と可塑剤
と分散剤を適宜重量比で混合して調製されたもの等が使
用される。勿論、第１シートＳ１は、テープ状のベース
フィルム上にセラミックスラリーを連続塗工しこれを乾
燥して未焼成セラミック層２を形成した後に、ベースフ
ィルム及び未焼成セラミック層を所定寸法で切断するこ
とにより作成することもできる。

【００１９】一方、図１（Ｂ）に示した第２シートＳ２
は、前記の第１シートＳ１の未焼成セラミック層２上に
所定の形状及び厚みの金属箔３を所定配列（ｍ×ｎ行
列）で形成して得たものである。金属箔３は金，銀，パ
ラジウム等の貴金属から選ばれる１種または２種以上の
合金や、ニッケル，銅，鉄等の卑金属から選ばれる１種
または２種以上の合金や、貴金属と卑金属との合金等か
ら成り、その厚みは０．１〜３μｍである。後に説明す
るが、この金属箔３は金属コーティング法による「薄
膜」と金属圧延法による「箔」の何れかから成る。図１
（Ｂ）から分かるように、第２シートＳ２の未焼成セラ
ミック層２上に形成された所定配列の金属箔３の群は、
後の積層工程において第２シートＳ２を交互に１８０度
向きを変えて積み重ねる関係から、未焼成セラミック層
２の１つの辺に偏って形成されている。

【００２０】この第２シートＳ２は、ＰＥＴ等の樹脂フ
ィルムや銅等の金属薄板から成る所定寸法のキャリアシ
ート４上に所定形状の金属箔３を所定配列（ｍ×ｎ行
列）で形成した転写シートＳ３（図２（Ａ）参照）を予
め用意しておき、そして、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に
示すように、前記第１シートＳ１の未焼成セラミック層
２上に金属箔３が接するように転写シートＳ３を重ねて
圧着或いは加熱圧着し、圧着後にキャリアシート４のみ
を剥離して金属箔３を未焼成セラミック層２上に転写す
ることにより作成されている。

【００２１】転写シートＳ３に形成された各金属箔３は
図２（Ｂ）に示すように３つの円形の穴３ａを有してお
り、金属箔３を未焼成セラミック層２に圧着するときに
は、図３（Ｂ）に示すように各金属箔３はその全体が未
焼成セラミック層２に僅かに潜り込み、且つ、各穴３ａ
内に未焼成セラミック層２が部分的に入り込んだ状態と
なる。

【００２２】ちなみに、前記転写シートＳ３を構成する
キャリアシート４上に所定形状の金属箔３を所定配列で
形成する方法としては、金属箔３の形状に対応した孔を
所定配列で有するマスクをキャリアシート４上に置いて
陰極スパッタリング法や蒸着法や気相メッキ法等の金属
コーティング法によってキャリアシート４上にマスク孔
と相似形状の金属薄膜を所定配列で成膜する方法や、金
属を圧延することによって得られた箔を所定形状にカッ
ティングしてこれをキャリアシート４上に所定配列で貼
り付ける方法が採用できる。

【００２３】次に、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すよ
うに、第１シートＳ１の未焼成セラミック層２上に未焼
成セラミック層２が接するように第１シートＳ１を重ね
て圧着或いは加熱圧着し、圧着後にベースフィルム１の
を剥離して未焼成セラミック層２を下側の未焼成セラミ
ック層２上に転写する。この転写作業は複数回繰り返さ
れて下側の保護層となる部分が形成される。

【００２４】次に、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すよ
うに、下側保護層の最上層の未焼成セラミック層２上に
金属箔３及び未焼成セラミック層２が接するように第２
シートＳ２を重ねて圧着或いは加熱圧着し、圧着後にベ
ースフィルム１のみを剥離して金属箔３及び未焼成セラ
ミック層２を下側の未焼成セラミック層２上に転写し、
続いて、転写された最上層の未焼成セラミック層２上に
金属箔３及び未焼成セラミック層２が接するように第２
シートＳ２を１８０度向きを変えた状態で重ねて圧着或
いは加熱圧着し、圧着後にベースフィルム１のみを剥離
して金属箔３及び未焼成セラミック層２を下側の未焼成
セラミック層２に転写する。この転写作業は複数回繰り
返されて未焼成セラミック層２間に金属箔４が挟み込ま
れた部分が形成される。

【００２５】最上層の未焼成セラミック層２上に金属箔
３及び未焼成セラミック層２を圧着するときには、図５
（Ｂ）に示すように上側の未焼成セラミック層２が下側
の未焼成セラミック層２に密着すると共に、各金属箔３
はその全体が下側の未焼成セラミック層２に僅かに潜り
込み、且つ、各穴３ａ内に下側の未焼成セラミック層２
が部分的に入り込んだ状態となる。つまり、未焼成セラ
ミック層２の金属箔３を挟み込む部分は金属箔３の穴３
ａを通じて互いに接合する。

【００２６】次に、未焼成セラミック層２間に金属箔４
が挟み込まれた部分の最上層の未焼成セラミック層２上
に未焼成セラミック層２が接するように第１シートＳ１
を重ねて圧着或いは加熱圧着し、圧着後にベースフィル
ム１のみを剥離して未焼成セラミック層２を下側の未焼
成セラミック層２上に転写する。この転写作業は複数回
繰り返されて上側の保護層となる部分が形成される。

【００２７】上側の保護層が形成された後は全体を積層
方向に加圧或いは加熱加圧して圧着度を高め、以上で所
定層数の未焼成セラミック層２及び金属箔３を有する未
焼成積層物５（図６参照）が形成される。

【００２８】次に、図６に示すように、前記未焼成積層
物５に対して内部金属箔３の位置に応じた格子状の分断
ラインＤＬ１，ＤＬ２を画像処理装置における画像デー
タ上で設定し、ダイシング装置等の切断装置を用いて未
焼成積層物５を分断ラインＤＬ１，ＤＬ２に沿って切断
することで、未焼成積層物５を所定のチップサイズに分
断して未焼成積層チップ６（図７（Ｂ）参照）を得る。

【００２９】図７（Ａ）は前記未焼成積層物５における
金属箔３の上から見た位置関係と金属箔３に対する分断
ラインＤＬ１，ＤＬ２の上から見た位置関係を表す図で
ある。同図から分かるように、未焼成セラミック層２間
の金属箔３は上から見て長手方向に交互にずれた状態に
あり、このずれ量は金属箔３の長手長さの１／２よりも
僅かに大きい。ちなみに、図示例のものでは、積層方向
で隣接する上下一方の金属箔３の長手方向の中心が上下
他方の２つの金属箔３の長手方向隙間の中心に位置する
ように、前記ずれ量が設定されている。また、未焼成積
層チップ６の長さ寸法を決定する一方の分断ラインＤＬ
２は、積層方向で隣接する上下一方の金属箔３の長手方
向の中心と上下他方の金属箔３の長手方向の中心を通る
ように設定され、未焼成積層チップ６の幅寸法を決定す
る他方の分断ラインＤＬ１は、金属箔３の短手方向の辺
に隣接して設定されている。

【００３０】図７（Ｂ）に示すように、未焼成積層物５
をチップサイズに分断して得られた未焼成積層チップ６
内の各金属箔３-1は、一方の端縁を未焼成積層チップ６
の長手方向の一方の端面と他方の端面で交互に露出して
いる。また、各金属箔３-1はその内側部分に１つの穴３
ａを有し、この穴３ａは上から見て金属箔３-1の長手方
向に交互にずれていている。さらに、図示例のもので
は、未焼成積層チップ６の長さ寸法を決定する一方の分
断ラインＤＬ２が金属箔３の中央の穴３ａの中心を通る
ことから、各金属箔３-1の露出端縁には略半円形の切欠
き３ａ’が存在する。

【００３１】次に、前記未焼成積層チップ６を加熱炉に
投入し加熱して未焼成積層チップ６に含まれる有機バイ
ンダを除去し、そして、脱バインダ後の未焼成積層チッ
プ６を前記加熱炉とは加熱条件が異なる加熱炉に投入し
焼成してセラミックチップ７（図８（Ａ）参照）を得
る。勿論、前記の脱バインタ処理と焼成処理は単一の加
熱炉によって行うことも可能である。

【００３２】図８（Ｂ）は焼成処理を施して得た前記セ
ラミックチップ７の部分拡大縦断面を示す図であり、同
図から分かるように、セラミックチップ７の金属箔３-1
を挟み込む部分は金属箔３-1の穴３ａ及び切欠き３ａ’
を通じて互いに結合している。

【００３３】次に、図９に示すように、前記セラミック
チップ７の長手方向の両端部に、セラミックチップ７内
の各金属箔３−１の露出端縁に接続する外部電極８を形
成する。この外部電極８はセラミックチップ７の長手方
向の両端部に導電ペーストを塗布しこれを焼き付けるこ
とにより形成されており、その表面には必要に応じて金
属コーティング法によって他種の金属膜や半田膜が形成
される。ちなみに、前記導電ペーストには、金属粉末と
有機バインダと有機溶剤と各種添加剤とを適宜重量比で
混合して調製されたもの等が使用される。

【００３４】以上で、セラミックチップ７内にコンデン
サ回路を構成するための内部電極（金属箔３-1）を必要
層数備えた積層セラミックコンデンサが製造される。

【００３５】前述の製造方法によれば、積層工程におい
て未焼成セラミック層２の金属箔３を挟み込む部分を金
属箔３の穴３ａを通じて互いに接合させ、焼成工程にお
いてセラミックチップ７の金属箔３-1を挟み込む部分を
金属箔３-1の穴３ａ及び切欠き３ａ’を通じて互いに結
合させることができるので、金属箔３-1と未焼成セラミ
ック層２との馴染みが悪く、且つ、焼成工程において未
焼成セラミック層２と金属箔３-1とに熱的挙動の違いが
生じた場合でも、焼成後の金属箔３-1とセラミックとの
界面にデラミネーションを生じる等の不具合を解消し
て、構造欠陥のない高品質の積層セラミックコンデンサ
を得ることができる。

【００３６】また、金属箔３-1に穴３ａ及び切欠き３
ａ’が無い場合には焼成工程で熱膨張を生じた後の金属
箔３-1が収縮するときに金属箔３-1の厚みが当初の厚み
よりも厚くなる現象を生じ得るが、セラミックチップ７
の金属箔３-1を挟み込む部分を金属箔３-1の穴３ａ及び
切欠き３ａ’を通じて互いに結合させることができるこ
とから、同現象を効果的に抑制して積層セラミックコン
デンサの積層方向寸法が増加することを防止することが
できる。

【００３７】一方、前述の製造方法により製造された積
層セラミックコンデンサによれば、セラミックチップ７
の金属箔３-1を挟み込む部分が金属箔３-1の穴３ａ及び
切欠き３ａ’を通じて互いに結合していて、金属箔３-1
とセラミックとの密着性を確保することができるので、
実装後におけるコンデンサ自体の電気的及び熱的挙動に
よって金属箔とセラミックとの界面に剥離やクラックが
生じること及びそこからの水分浸入によって電気特性が
低下することを抑制して、安定した電気特定を維持する
ことができる。

【００３８】図１０（Ａ）〜図１０（Ｆ）は、図８
（Ａ）に示したセラミックチップ７における金属箔３-1
の変形例をそれぞれ示す。

【００３９】図１０（Ａ）に示した金属箔３-2は、図８
（Ａ）に示した金属箔３-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き３ａ’を除いたもので、金属箔３-2には
１つの穴３ｂのみが存在する。ちなみに、この金属箔３
-2は図２（Ｂ）に示した金属箔３から中央の穴３ａを排
除したものを用いることによって得ることができる。こ
の金属箔３-2の場合にはその露出端縁に切欠き３ａ’が
存在しないので露出端縁の面積を拡大して外部電極との
接合面積を増せる利点があるる。

【００４０】図１０（Ｂ）に示した金属箔３-3は、図１
０（Ａ）に示した金属箔３-2に存する１つの穴３ｃの位
置を積層方向で一致させたものである。この金属箔３-3
の場合には各金属箔３-3の対向面積を図１０（Ａ）のも
のに比べて拡大して静電容量を増加できる利点がある。

【００４１】図１０（Ｃ）に示した金属箔３-4は、図８
（Ａ）に示した金属箔３-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き３ａ’を除くと共に、金属箔３-1よりも
小径の穴３ｄを各金属箔３-4に２つ以上（図中は６つ）
設けたものである。この金属箔３-4の場合には未焼成セ
ラミック層２の金属箔３-4を挟み込む部分を図１０
（Ａ）のものに比べて多点で接合できるので、焼成時の
デラミネーション発生をより的確に防止できる利点があ
る。

【００４２】図１０（Ｄ）に示した金属箔３-5は、図１
０（Ｃ）に示した金属箔３-4に存する２つ以上の穴３ｅ
の位置を積層方向で一致させたものである。この金属箔
３-3の場合には各金属箔３-5の対向面積を図１０（Ｃ）
のものに比べて拡大して静電容量を増加できる利点があ
る。

【００４３】図１０（Ｅ）に示した金属箔３-6は、図８
（Ａ）に示した金属箔３-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き３ａ’を除くと共に、穴３ａの代わりに
矩形状の１対の切欠き３ｆを各金属箔３-6の側縁に対称
形或いは非対称形に設け、切欠き３ｆを金属箔３-6の長
手方向に交互にずらしたものである。この金属箔３-6の
場合には金属箔３-6の側縁部分に生じ得るデラミネーシ
ョンを抑制できる利点がある。

【００４４】図１０（Ｆ）に示した金属箔３-7は、図１
０（Ｅ）に示した金属箔３-6に存する切欠き３ｇの位置
を積層方向で一致させたものである。この金属箔３-7の
場合には各属箔３-7の対向面積を図１０（Ｅ）のものに
比べて拡大して静電容量を増加できる利点がある。

【００４５】図１０（Ｇ）に示した金属箔３-8は、図８
（Ａ）に示した金属箔３-1の露出端縁に存在していた略
半円形の切欠き３ａ’を除くと共に、図１０（Ｅ）に示
した金属箔３ｆよりも小形の切欠き３ｈを各金属箔３-8
に２対以上（図中は２対）設けたものである。この金属
箔３-8の場合には未焼成セラミック層２の金属箔３-8を
挟み込む部分を図１０（Ｅ）のものに比べて多点で接合
できるので、焼成時のデラミネーション発生をより的確
に防止できる利点がある。

【００４６】図１０（Ｈ）に示した金属箔３-9は、図１
０（Ｇ）に示した金属箔３-8に存する２対以上の切欠き
３ｉの位置を積層方向で一致させたものである。この金
属箔３-9の場合には各金属箔３-9の対向面積を図１０
（Ｇ）のものに比べて拡大して静電容量を増加できる利
点がある。

【００４７】勿論、図８（Ａ）と図１０（Ａ）〜図１０
（Ｈ）に示した穴または切欠きを適宜組み合わせたもの
をセラミックチップ７に内蔵される金属箔として用いる
ようにしても構わない。

【００４８】尚、図１〜図９を引用して説明した実施例
では、第１シートＳ１の未焼成セラミック層２上に金属
箔３が接するように転写シートＳ３を重ねて圧着或いは
加熱圧着し、圧着後にキャリアシート４のみを剥離して
金属箔３を未焼成セラミック層２上に転写することによ
り第２シートＳ２を作成したものを示したが、第１シー
トＳ１の未焼成セラミック層２上に金属箔３の形状に対
応した孔を所定配列で有するマスクを置いて陰極スパッ
タリング法や蒸着法や気相メッキ法等の金属コーティン
グ法によって未焼成セラミック層２上にマスク孔と相似
形状の金属薄膜を所定配列で直接成膜する方法や、金属
を圧延することによって得られた箔を所定形状にカッテ
ィングしてこれを第１シートＳ１の未焼成セラミック層
２上に所定配列で直接貼り付ける方法によって第２シー
トＳ２を作成するようにしても構わない。

【００４９】また、図１〜図９を引用して説明した実施
例では、未焼成セラミック層２上に所定形状の金属箔３
を所定配列（ｍ×ｎ行列）で形成したものを第２シート
Ｓ２として用いたが、図１１に示すように金属箔３の列
を１行毎に交互にずらした形態で形成したもの（Ｓ
２’）を第２シートとして用い、これを交互に１８０度
向きを変えて積み重ねるようにしても前記同様の未焼成
積層物５を得ることができる。

【００５０】さらに、図１〜図９を引用して説明した実
施例では、第１シートＳ１と第２シートＳ２とを用い、
未焼成セラミック層２が所定層数に達するまで圧着とフ
ィルム剥離を繰り返し、次いで金属箔３を有する未焼成
セラミック層２が所定層数に達するまで圧着とフィルム
剥離を繰り返し、次いで未焼成セラミック層２が所定層
数に達するまで圧着とフィルム剥離を繰り返すことで未
焼成積層物５を得るものを示したが、第１シートＳ１と
第２シートＳ２の厚みが薄いことを原因として積層工程
における両シートＳ１及びＳ２のハンドリングに支障を
生じる場合には、図１２（Ａ）に示す第１積層シートＳ
４と図１２（Ｂ）に示す第２積層シートＳ５を用いて前
記未焼成積層物５を得るようにしてもよい。

【００５１】第１積層シートＳ４は、図１２（Ａ）に示
すようにベースフィルム１上に未焼成セラミック層２を
塗工により形成する作業を複数回繰り返して作成され、
一方、第２積層シートＳ５は、図１２（Ｂ）に示すよう
にベースフィルム１上に未焼成セラミック層２を塗工に
より形成しその上に所定配列の金属箔３を形成する作業
を複数回繰り返して作成されている。ここでの金属箔３
の形成には前記の転写シートＳ３を用いた転写方法と金
属箔３を直接的な成膜或いは貼り付けにより形成する方
法の何れかが採用できる。

【００５２】積層時には、図１２（Ｃ）に示すように第
１積層シートＳ４の最上層の未焼成セラミック層２上に
未焼成セラミック層２が接するように第２積層シートＳ
５を重ねて圧着或いは加熱圧着してベースフィルム１を
剥離する作業を１乃至複数回繰り返し、そして最上層の
未焼成セラミック層２に未焼成セラミック層２が接する
ように第１積層シートＳ４を重ねて圧着或いは加熱圧着
してベースフィルムを剥離する作業を行い、全体を積層
方向に加圧或いは加熱加圧して圧着度を高めて前記未焼
成積層物５を得るようにする。勿論、第１積層シートＳ
４からベースフィルム１を剥離したものと第２積層シー
トＳ５からベースフィルム１を剥離したものを適宜積み
重ねることで前記未焼成積層物５を得るようにしてもよ
い。

【００５３】さらに、図１〜図９を引用して説明した実
施例では、ベースフィルム１上に未焼成セラミック層２
を形成したものを第１シートＳ１として用い、第１シー
トＳ１の未焼成セラミック層２上に所定形状の金属箔３
を所定配列で形成したものを第２シートＳ２として用い
たが、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すようにベー
スフィルム１上に所定形状の金属箔３を所定配列で形成
しその上に未焼成セラミック層２を形成したもの（Ｓ
６）を第２シートとして用い、この第２シートＳ６を交
互に１８０度向きを変えて積み重ねるようにしても前記
同様の未焼成積層物５を得ることができる。

【００５４】この第２シートＳ６は、ＰＥＴ等の樹脂フ
ィルムから成る所定寸法のベースフィルム１上に金属箔
３の形状に対応した孔を所定配列で有するマスクを置い
て陰極スパッタリング法や蒸着法や気相メッキ法等の金
属コーティング法によって未焼成セラミック層２上にマ
スク孔と相似形状の金属薄膜を所定配列で直接成膜する
方法や、金属を圧延することによって得られた箔を所定
形状にカッティングしてこれをベースフィルム１上に所
定配列で直接貼り付ける方法によってベースフィルム１
上に所定形状の金属箔３を所定配列で形成し、この上に
セラミックスラリーをドクターブレードやリバースロー
ルやダイコータ等を用いて塗工しこれを乾燥して未焼成
セラミック層２を形成することにより作成されている。
図１３（Ｃ）に示すように、下側保護層の最上層の未焼
成セラミック層２上に未焼成セラミック層２が接するよ
うに第２シートＳ６を重ねて圧着或いは加熱圧着し、圧
着後にベースフィルム１を剥離すれば、図１〜図９を引
用して説明した実施例と同じように積層工程を実施でき
る。

【００５５】前記の第１シートＳ１と第２シートＳ６の
厚みが薄いことを原因として積層工程における両シート
Ｓ１及びＳ６のハンドリングに支障を生じる場合には、
図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）を引用して説明した積層方
法と同じように、図１４（Ａ）に示す第１積層シートＳ
７と図１４（Ｂ）に示す第２積層シートＳ８を用いて前
記未焼成積層物５を得るようにしてもよい。

【００５６】第１積層シートＳ７は、図１４（Ａ）に示
すようにベースフィルム１上に未焼成セラミック層２を
塗工により形成する作業を複数回繰り返して作成され、
一方、第２積層シートＳ５は、図１４（Ｂ）に示すよう
にベースフィルム１上に所定配列の金属箔３を形成しそ
の上に未焼成セラミック層２を塗工により形成する作業
を複数回繰り返して作成されている。ここでの金属箔３
の形成には前記の転写シートＳ３を用いた転写方法と金
属箔３を直接的な成膜或いは貼り付けにより形成する方
法の何れかが採用できる。

【００５７】積層時には、図１４（Ｃ）に示すように第
１積層シートＳ７の最上層の未焼成セラミック層２上に
未焼成セラミック層２が接するように第２積層シートＳ
８を重ねて圧着或いは加熱圧着してベースフィルム１を
剥離する作業を１乃至複数回繰り返し、そして最上層の
未焼成セラミック層２に未焼成セラミック層２が接する
ように第１積層シートＳ７を重ねて圧着或いは加熱圧着
してベースフィルムを剥離する作業を行い、全体を積層
方向に加圧或いは加熱加圧して圧着度を高めて前記未焼
成積層物５を得るようする。勿論、第１積層シートＳ７
からベースフィルム１を剥離したものと第２積層シート
Ｓ８からベースフィルム１を剥離したものを適宜積み重
ねることで前記未焼成積層物５を得るようにしてもよ
い。

【００５８】以上の説明では、本発明を積層セラミック
コンデンサに適用した実施例を示したが、積層セラミッ
クコンデンサ以外の積層セラミック電子部品、例えば積
層チップインダクタや積層チップＬＣフィルターや積層
セラミックコンデンサアレイ等にも本発明は適用でき前
記同様の作用効果を得ることができる。

【００５９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る積層
セラミック電子部品によれば、実装後におけるコンデン
サ自体の電気的及び熱的挙動によって金属箔とセラミッ
クとの界面に剥離やクラックが生じること及びそこから
の水分浸入によって電気特性が低下することを抑制し
て、安定した電気特定を維持することができる。

【００６０】また、本発明に係る積層セラミック電子部
品の製造方法によれば、前記の積層セラミック電子部品
を的確且つ安定に製造することができると共に、金属箔
と未焼成セラミック層との馴染みが悪く、且つ、焼成工
程において未焼成セラミック層と金属箔とに熱的挙動の
違いが生じた場合でも、焼成後の金属箔とセラミックと
の界面にデラミネーションを生じる等の不具合を解消し
て、構造欠陥のない高品質の積層セラミック電子部品を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１シートの上面図と、第２シートの上面図

【図２】転写シートの上面図と、転写シートに形成され
た金属箔の拡大上面図

【図３】第２シートの作成方法の説明図

【図４】積層工程の説明図

【図５】積層工程の説明図

【図６】未焼成積層物と分断ラインを示す斜視図

【図７】未焼成積層物における金属箔の上から見た位置
関係と金属箔に対する分断ラインの上から見た位置関係
を表す図と、分断後の未焼成積層チップの上面図

【図８】セラミックチップの上面図と、セラミックチッ
プの部分拡大縦断面図

【図９】製造された積層セラミックコンデンサの上面図

【図１０】セラミックチップにおける金属箔の変形例を
示す図

【図１１】図１（Ｂ）に示した第２シートの変形例を示
す上面図

【図１２】積層方法の変形例を示す第１積層シートの部
分縦断面図と、第２積層シートの部分縦断面図と、積層
方法の説明図

【図１３】図１（Ｂ）に示した第２シートの他の変形例
を示す上面図と、その部分拡大断面図と、積層方法の説
明図

【図１４】積層方法の他の変形例を示す第１積層シート
の部分縦断面図と、第２積層シートの部分縦断面図と、
積層方法の説明図

【符号の説明】

Ｓ１…第１シート、Ｓ２…第２シート、２…未焼成セラ
ミック層、３…切断前の金属箔、３ａ…穴、５…未焼成
積層物、６…未焼成積層チップ、３-1…切断後の金属
箔、３ａ’…切欠き、７…セラミックチップ、３-2〜３
-9…切断後の金属箔、３ｂ〜３ｅ…穴、３ｆ〜３ｉ…切
欠き、Ｓ２’…第２シート、Ｓ４…第１積層シート、Ｓ
５…第２積層シート、Ｓ６…第２シート、Ｓ７…第１積
層シート、Ｓ８…第２積層シート。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 未焼成積層チップを焼成して得たセラミ
   ックチップ内に部品回路を構成するための導体層を少な
   くとも１つ備えた積層セラミック電子部品であって、 前記導体層は少なくとも１つの穴または切欠きを有する
   金属箔から成り、セラミックチップの金属箔を挟み込む
   部分は金属箔の穴または切欠きを通じて互いに結合して
   いる、 ことを特徴とする積層セラミック電子部品。
2. 【請求項２】 未焼成セラミック層の少なくとも１つの
   層間に所定形状の金属箔を所定配列で介装して成る未焼
   成積層物を得る工程と、この未焼成積層物を所定のチッ
   プサイズに分断して金属箔内蔵の未焼成積層チップを得
   る工程と、この未焼成積層チップを焼成して金属箔内蔵
   のセラミックチップを得る工程とを備えた積層セラミッ
   ク電子部品の製造方法であって、 前記の未焼成積層物を得る工程では金属箔として少なく
   とも１つの穴または切欠きを有するものを用い、未焼成
   セラミック層の金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴また
   は切欠きを通じて互いに接合させ、 前記の未焼成積層チップを得る工程では未焼成積層チッ
   プ内の金属箔に少なくとも１つの穴または切欠きが残る
   ように未焼成積層物を分断し、 前記のセラミックチップを得る工程ではセラミックチッ
   プの金属箔を挟み込む部分を金属箔の穴または切欠きを
   通じて互いに結合させる、 ことを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。