JP2003279777A - 光導波路デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシングの位置決めを精度よく行うことが
できる光導波路デバイスの製造方法を提供すること。 【解決手段】 基板にＶ溝と位置決めマークを形成し、
該位置決めマークを利用してダイシングすることを特徴
とする光導波路デバイスの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路デバイス
の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年のパソコンやインターネットの普及
に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このた
め、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報
処理装置まで普及させることが望まれている。これを実
現するには、光インターコネクション用に、高性能な光
導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。 【０００３】光導波路の材料としては、ガラスや半導体
材料等の無機材料や、樹脂が知られている。樹脂によっ
て光導波路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加
熱により大気圧中で行うことができるため、装置及び工
程が簡単であるという利点がある。光導波路ならびにク
ラッド層を構成する樹脂としては、種々のものが知られ
ているが、ガラス転移温度（Ｔｇ）が高く、耐熱性に優
れるポリイミドが特に期待されている。ポリイミドによ
り光導波路及びクラッド層を形成した場合、長期信頼性
が期待でき、半田付けにも耐えることができる。 【０００４】樹脂製の光デバイス、例えば、光導波路デ
バイスは、一般的には、シリコンウエハのような基板上
に、光ファイバ搭載用のＶ溝を設け、さらに樹脂製の下
部クラッド層、光導波路及び上部クラッド層を積層し、
さらにこの上に例えば、発光素子（ＬＤ）を、基板上に
受光素子（ＰＤ）を搭載することにより作成される。例
えば、シリコンウエハのような基板の上に光導波路のよ
うな光素子、発光素子及び受光素子を有する光導波路デ
バイスユニットを縦横に多数配列して形成し、基板裏面
にダイシングテープを貼付し、ブレードによりダイシン
グして、個々の光デバイスに分離する。これにより、多
数の光導波路デバイスを量産することができる。 【０００５】通常は、上記ダイシングの際には、ＬＤ搭
載部の蒸着膜等を基準としてダイシングの位置決めが行
われている。しかしながら、光導波路の形成工程は、上
述のとおり、光ファイバ搭載用のＶ溝の形成の後、下部
クラッド層、光導波路、上部クラッド層を積層し、さら
にこの上に発光素子等の搭載用の電極の形成等多数の工
程が存在する。そのため、最終工程又は最終工程に近い
工程で形成された蒸着膜（電極）を基準としてダイシン
グの位置決めを行った場合には、位置決めの精度が低下
し、信頼性に欠けるという問題がある。基板上に直接形
成された蒸着膜（電極）を基準とすることもできるが、
蒸着膜の厚みは通常２〜３μｍであり、膜縁部のトップ
（上辺）を基準としても、ボトム（下辺）を基準として
も、位置決めの精度は低く、充分な切断位置精度が得ら
れないという問題がある。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ダイシングの位置決めを精度よく行うことができる
光導波路デバイスの製造方法を提供することである。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、基板にＶ溝と
位置決めマークを形成し、該位置決めマークを利用して
ダイシングすることを特徴とする光導波路デバイスの製
造方法を提供するものである。 【０００８】 【発明の実施の形態】本発明の光導波路デバイスの一実
施形態である光導波路デバイス１００の構成を図１〜図
４を用いて説明する。光導波路デバイス１００は、シリ
コン単結晶の基板１上に、光導波路積層体１０が搭載さ
れた領域と、Ｖ溝２１が配置された領域２０と、光素子
を搭載するための電極７が配置された領域３０とを有し
ている。光導波路積層体１０は、光導波路４を含み、本
実施の形態では、光導波路４をポリイミド樹脂により構
成している。 【０００９】光導波路積層体１０の構造についてさらに
説明する。基板１の上面には、基板１を保護し、屈折率
を調整するための二酸化珪素層２が備えられ、光導波路
積層体１０は、二酸化珪素層２の上に形成されている。
光導波路積層体１０は、図３により詳細に示すように二
酸化珪素層２の上に、順に積層された、有機ジルコニウ
ム化合物層２２と、フッ素を含まない樹脂層２３と、下
部クラッド層３と、光導波路４と、光導波路４を埋め込
む上部クラッド層５と、保護層９と、電極１０７とを含
んでいる。下部クラッド層３、光導波路４及び上部クラ
ッド層５は、いずれもフッ素を含むポリイミド樹脂によ
り形成されている。なお、有機ジルコニウム化合物層２
２及びフッ素を含まない樹脂層２３は、基板１と下部ク
ラッド層３との接着性を高めるために配置されている。 【００１０】下部クラッド層３及び上部クラッド層５
は、いずれも、第１のポリイミド樹脂膜からなる。下部
クラッド層３の膜厚は、約６μｍ、上部クラッド層５の
膜厚は、光導波路４の直上で約１０μｍ、他の部分で約
１５μｍである。光導波路４は、第２のポリイミド樹脂
膜からなり、その膜厚は約６．５μｍである。保護層９
は、第３のポリイミド樹脂膜であり、その膜厚は、光導
波路４から離れた端部で約５μｍである。 【００１１】有機ジルコニウム化合物層２２を構成する
化合物としては、種々の化合物を用いることができる
が、ここでは、トリブトキシアセチルアセトネートジル
コニウムを用いている。有機ジルコニウム化合物層２２
は、膜厚が５０オングストローム以上２００オングスト
ローム以下の範囲に収まるように、特に望ましくは、５
０オングストローム以上１５０オングストローム以下の
範囲に収まるようにむらなく形成されている。これは、
膜厚が５０オングストロームよりも薄くなると、接着性
向上の効果を発揮できず、下部クラッド層３が基板１か
ら剥がれることがあるためである。また、膜厚が２００
オングストロームを越えると、膜がもろくなるためであ
る。この５０オングストローム以上２００オングストロ
ーム以下という範囲は、有機ジルコニウム化合物の分子
層（分子の重なり）でいうと、５分子層以上２０分子層
以下にほぼ相当する。フッ素を含まない樹脂層２３は、
第３のポリイミド樹脂層である。その膜厚は、約０．２
３μｍである。 【００１２】基板１上の領域２０に配置されたＶ溝２１
は、光ファイバを搭載するためのものである。Ｖ溝２１
は、予め定められた径の光ファイバを搭載した場合、光
導波路４とアライメン卜した状態となるよう、その深さ
及び幅が設計されている。従って、例えば、電極１０７
上に発光素子を搭載した場合には、発光素子から発せら
れた光は、切り込み２７に挿入された反射素子により反
射されて光導波路４に入射し、これを伝搬して、光導波
路４から出射され、Ｖ溝２１に搭載された光ファイバに
高効率で入射する。また、電極７上に受光素子を搭載し
た場合には、光ファイバを伝搬してきた光が、光ファイ
バから出射されると高効率で光導波路４に入射して、こ
れを伝搬し、受光素子に向かって出射され、受光素子で
受光される。 【００１３】本発明方法においてはまず、基板１にＶ溝
２１と位置決めマーク３１を形成する。Ｖ溝２１は光フ
ァイバを搭載するためのものであり、領域２０に、光導
波路デバイスの１ユニットあたり通常は１個形成する。
位置決めマーク３１は、光導波路デバイスを各ユニット
にダイシングにより切り離す際の位置を決定するための
ものであり、ダイシング前の基板１の領域２０又は３０
に、ダイシングの方向と位置決めのために少なくとも２
個、この方向に対して垂直な方向の位置決めのために少
なくとも１個、合計少なくとも３個の位置決めマークを
形成する。通常は、光導波路デバイスの各ユニットに横
方向と縦方向の位置決めマーク３１をそれぞれ少なくと
も１個形成しておくことが望ましい。位置決めマーク３
１の形状、大きさ、形成位置等は特に限定されないが、
ダイシングブレードの刃幅が通常２０〜１５０μｍであ
ることから、位置決めマーク３１の大きさは、好ましく
は２０〜１５０μｍであり、その位置は、ダイシングに
より切断される線上又はその近傍、例えば、切断線から
３００μｍ以内が望ましい。また、位置決めマーク３１
の平面形状は、形成が容易であり、位置決めも行い易い
という観点から、Ｖ溝に平行な辺を有する正方形又は長
方形であることが望ましい。 【００１４】位置決めマーク３１の形成は、Ｖ溝２１の
形成と同時に行うことが望ましい。すなわち、例えば、
シリコン基板１上に、レジストを塗布し、Ｖ溝２１と位
置決めマーク３１のパターンを有するマスクを介して露
光、現像し、露出したＶ溝２１と位置決めマーク３１に
相当する領域を異方性エッチング処理した後、レジスト
を剥離し、Ｖ溝２１と位置決めマーク３１を形成する。
次に、Ｖ溝２１と位置決めマーク３１を形成した基板１
上に、下部クラッド層３、光導波路４及び上部クラッド
層５を順次積層し、必要により保護層９を設け、さらに
この上に電極１０７と、領域３０の上に電極７を形成
し、ダイシングして各光導波路デバイスに切り出した
後、電極１０７上に、例えば、発光素子（ＬＤ）を、電
極７上に受光素子（ＰＤ）を搭載することにより光導波
路デバイスを作成する。 【００１５】Ｖ溝２１は、シリコン単結晶の基板１を異
方性エッチングすることにより形成された深さ約１００
μｍの溝であり、断面はＶ字型である。位置決めマーク
３１は、Ｖ溝２１の形成と同時に異方性エッチングによ
り形成された凹部であり、その平面形状は、前述のとお
り、Ｖ溝に平行な２辺を有する正方形又は長方形である
ことが好ましく、正方形の場合、異方性エッチングによ
り形成された凹部は逆ピラミッド状となる。Ｖ溝２１が
配置された領域２０と光導波路積層体１０との境界に
は、図１、図２、図４に示すように光導波路積層体１０
の端面を切断する際に形成された切り込み２５が存在し
ている。同様に、電極７の領域３０と光導波路積層体１
０との境界にも切り込み２６が存在している。 【００１６】実施例 本発明の光導波路デバイスの製造方法について、さらに
詳細に説明する。ここでは、基板１として直径約１２．
７ｃｍのシリコンウエハを用意し、この基板１の上に図
１の構造を縦横に多数配列して形成し、後の工程でダイ
シングにより切り離して、個々の光導波路デバイス１０
０に分離する。これにより、多数の図１の光導波路デバ
イス１００を量産することができる。よって、成膜やパ
ターニング等は、ウエハ状の基板１全体で一度に行う。 【００１７】（１）基板１上に光ファイバ搭載用のＶ溝
２１及び位置決めマーク３１を形成する工程 まず、ウエハ状の基板１の上面全体に、二酸化珪素層２
を熱酸化法や気相堆積法等により形成した後、フォトリ
ソグラフィとシリコン単結晶の異方性を利用したウエッ
トエッチングにより、Ｖ溝２１及び位置決めマーク３１
を図５及び図８に示すように配列して形成する。この実
施例では長さ５０μｍ、幅１２μｍの位置決めマークを
２８μｍの間隔を開けて、光導波路デバイスの１ユニッ
ト当たり２個形成してある。位置決めマークの形成位置
は、この実施例では、横方向の切断線４１と縦方向の切
断線５１の交差点としているが、これに限定されるもの
ではない。 【００１８】次に、図５のウエハ状の基板１の全体に有
機ジルコニウム化合物層２２を形成する。まず、有機ジ
ルコニウム化合物溶液を基板１全体にスピンコートによ
って塗布した後、得られた塗膜を１６０℃で５分程度加
熱して乾燥させ、有機ジルコニウム化合物層２２を形成
する。有機ジルコニウム化合物溶液としては、例えば、
トリブトキシアセチルアセトネートジルコニウムをブタ
ノールに溶解して、１重量％溶液に調製したものを用い
る。 【００１９】次に、有機ジルコニウム化合物層２２の上
に、フッ素を含まない樹脂層形成用組成物をスピンコー
トし、得られた塗膜を加熱して溶媒を蒸発させ、さらに
加熱して硬化させることにより、フッ素を含まない樹脂
層２３を形成する。フッ素を含まない樹脂層２３の厚さ
は、０．２３μｍとなるようにスピンコートの条件を制
御する。次に、ウエハ状の基板１の上面のうち、完成後
の光導波路デバイスで光導波路積層体１０が配置されて
いない領域２０、３０となる部分について、フッ素を含
まない樹脂層２３と、有機ジルコニウム化合物層２２を
除去する。ウエハ状の基板１には光導波路デバイスを縦
横に配列して製造しているため、ウエハ状の基板１の上
面のうち、領域２０及び領域３０は、図６に示すように
光導波路積層体１０の両脇の帯状の部分である。この帯
状の部分からフッ素を含まない樹脂層２３と有機ジルコ
ニウム化合物層２２とを除去しておくここにより、下部
クラッド層３がこの帯状部分では基板１から剥がれやす
くなるため、後述の工程で、基板１の領域２０、３０の
部分から光導波路積層体１０を帯状に剥がして除去する
ことが可能になる。 【００２０】基板１上の領域２０、３０からフッ素を含
まない樹脂層２３と有機ジルコニウム化合物層２２とを
除去する方法について、具体的に説明する。まず、ウエ
ハ状の基板１の全面にレジスト液をスピンコートし、１
００℃で乾燥することによりレジスト膜を形成する。こ
の後、水銀ランプでフォトマスクの像を露光する。フォ
トマスクは、光導波路積層体１０を形成すべき部分にの
みレジスト膜が残るように形成されている。その後、レ
ジスト膜を現像する。これによりレジスト膜のみなら
ず、フッ素を含まない樹脂層２３もウエットエッチング
され、両者をほぼ除去することができる。このとき、Ｖ
溝２１及び位置決めマーク３１は凹部形状をしているた
め、その底部ではレジスト膜とフッ素を含まない樹脂層
２３が一部残存する。そこで、この状態で、もう一度、
先ほどのフォトマスクを用いて露光し、現像を行う。こ
れにより、Ｖ溝２１及び位置決めマーク３１内に残って
いたレジスト膜とフッ素を含まない樹脂層２３を完全に
除去することができる。 【００２１】この方法は、レジスト膜の露光及び現像を
繰り返すという簡単な工程で、フッ素を含まない樹脂層
２３をＶ溝２１及び位置決めマーク３１から完全に除去
できるという利点がある。この後、フッ酸を用いたウエ
ットエッチングまたは反応性イオンエッチングにより、
有機ジルコニウム化合物層２２を除去する。有機ジルコ
ニウム化合物層２２は、膜厚が非常に薄いため、Ｖ溝２
１及び位置決めマーク３１の内部の層もウエットエッチ
ングまたは反応性イオンエッチングにより除去すること
ができる。 最後に、 レジスト膜を除去する。 【００２２】（２）基板１上に下部クラッド層３を形成
する工程 次に、ウエハ状の基板１の上面全体に前述の第１のポリ
イミド樹脂膜形成用組成物（すなわち、下部クラッド層
３形成用組成物）をスピンコートして材料溶液膜を形成
する。その後、乾燥器で１００℃で３０分、次いで、２
００℃で３０分カロ熱することにより溶媒を蒸発させ、続
けて３７０℃で６０分加熱することにより硬化させ、厚
さ６μｍの下部クラッド層３を形成する。 【００２３】（３）下部クラッド層３上に光導波路層４
を形成する工程 この下部クラッド層３の上に、光導波路層用の前述の第
２のポリイミド樹脂膜形成用組成物をスピンコートして
材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で１００℃で３
０分間、次いで、２００℃で３０分間加熱することによ
り溶媒を蒸発させ、続いて３５０℃で６０分間加熱する
ことにより硬化を行い、光導波路４となる厚さ６．５μ
ｍの第２のポリイミド樹脂膜を形成する。 【００２４】（４）光導波路４を形成する工程 次に、第２のポリイミド樹脂膜（即ち、光導波路層４）
上に、シリコン含有レジスト膜（通常は膜厚約１μｍ程
度）を設け、該レジスト膜を所望の光導波路のパターン
を有するフォトマスクを介して露光、現像してレジスト
パターンを形成する。露光は紫外線を用いて通常は３０
秒〜１２０秒程度行えばよい。現像は、アルカリ性現像
液をスプレーし、室温（約２３℃）で約９０秒程度で充
分に行われる。このレジストパターンをエッチングマス
クとして、該光導波路層をエッチングして、所望の光導
波路４を形成する。エッチングは、レジストパターンを
エッチングマスクとして、酸素イオンを用いた反応性イ
オンエッチング（Ｏ₂−ＲＩＥ）により行う。これによ
り、図６に示すように基板１上に多数の光導波路デバイ
スを配列して一度に形成することができる。 【００２５】（５）上部クラッド層５を形成する工程 次に、光導波路４及び下部クラッド層３を覆うように、
第１のポリイミド樹脂膜形成用組成物をスピンコートす
る。得られた材料溶液膜を、乾燥器で１００℃で３０分
間、次いで、２００℃で３０分間加熱して材料溶液膜中
の溶媒を蒸発させ、３５０℃で６０分間加熱することに
より第１のポリイミド樹脂膜の上部クラツド層５を形成
する。 【００２６】（６）保護層９を形成する工程 さらに、上部クラッド層５の上面に、フッ素を含まない
ポリイミド樹脂膜形成用組成物をスピンコートし、乾燥
器で１００℃で３０分間、２００℃で３０分間加熱して
溶媒を蒸発させ、次いで、３５０℃で６０分間加熱し
て、上面がほぼ平坦で光導波路４から離れた端部の部分
の厚さが約５μｍのフッ素を含まないポリイミド樹脂膜
の保護層９を得る。 【００２７】（７）基板１の一部を露出する工程 次に、下部クラッド層３から保護層９までの各層は、こ
れらが不要な領域２０及び３０にも配置されているた
め、これを剥がして除去する。すなわち、図６に示すよ
うに領域２０と光導波路積層体１０との境界、及び、光
導波路積層体１０と領域３０との境界にそれぞれダイシ
ングにより切り込み２５、２６を入れ、下部クラッド層
３から保護層９までの各層を切断する。このとき、ダイ
シングによる切り込みの深さは、光導波路積層体１０は
切断されるが、基板１は切り離されない深さにする。先
の工程で、領域２０及び領域３０の基板１の上面から
は、有機ジルコニウム化合物層２２とフッ素を含まない
樹脂層２３が除去されているため、領域２０及び領域３
０では下部クラッド層３と基板１との密着力は小さい。
したがって、領域２０及び領域３０の上に搭載されてい
る下部クラッド層３から保護層９間での各層は、切り込
み２５、２６を入れたことにより、ウエハ状の基板１か
ら帯状に容易に剥がすことができる。これにより、図６
のウエハ状の基板１において、領域２０及び領域３０で
は基板上面（二酸化珪素層）が露出される。 【００２８】（８）電極７及び１０７を形成する工程 基板１の領域２０及び領域３０上及び上部クラッド層５
の表面に、ポジ型のノボラックフェノール樹脂をスピン
コートし、レジスト膜を形成する。次に、電極７及び１
０７のパターンを有するマスクを介してレジスト膜を露
光、現像し、電極７及び１０７のパターンを露出させ
る。次いで、Ｃｒ層を０．０５μｍ成膜し、さらにその
上にＡｕ層を０．５μｍ成膜し、レジスト膜を剥離する
ことにより、基板１の領域３０、及び上部クラッド層５
の表面にそれぞれ電極７及び１０７を形成する。なお、
ここでは電極としてＣｒ層の上にＡｕ層を重ねた２層構
造の電極を作成しているが、これに限られるものではな
く、他の電極、例えば、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層を順に
積層した３層構造の電極等を用いてもよい。また、成膜
法として電子ビーム蒸着法を採用しているが、この方法
に限られるものではなく、抵抗加熱による真空蒸着法や
スパッタ法等を用いてもよい。また、電極７及び１０７
の形成方法としては、上記の予めレジスト膜を形成し全
面に電極７及び１０７を形成した後、レジスト膜を除去
するリフトオフ法に限定されず、先に電極７及び１０７
を全面に形成した後、レジスト膜を形成し、不要な領域
をイオンミリングや反応性ドライエッチングによって加
工除去して所望の領域に電極７及び１０７を形成する方
法を用いてもよい。 【００２９】（９）ダイシング工程 次に、ウエハ状の基板１のまま、ダイシングにより光導
波路積層体１０に切り込み２７を入れる。切り込みの方
向は、基板１の法線に対して３０度である。厚みが２０
μｍのダイシングブレードを用いると幅が２３μｍの高
精度の切り込みが得られ、この切断面は光学的に滑らか
であり、仕上げのための研磨等は不要である。この切り
込み２７に反射部材等の光学素子を挿入して、発光素子
からの光の方向を変えて、光導波路４に出射させること
ができる。次に、図７（ａ）、（ｂ）のようにウエハ状
の基板１をダイシングにより切断することにより、短冊
状に切り出し、さらに図７（ｃ）、（ｄ）のように短冊
状の基板１をダイシングにより、個々の光導波路デバイ
ス１００に切り出し、光導波路デバイス１００を完成さ
せる。なお、基板１を切断するダイシング工程の手順
は、この手順に限られるものではなく、図７（ａ）の工
程で縦横にメッシュ状にダイシングして図７（ｄ）のよ
うに光導波路デバイス１００を形成することも可能であ
る。 【００３０】ここで、基板１に形成された位置決めマー
ク３１を基準としてダイシングを行うと、ダイシング精
度３σは３．９６μｍであった。これに対して、電極７
を基準としてダイシングを行うと、ダイシング精度３σ
は６．６１μｍであった。従って、本発明の基板１に形
成された位置決めマーク３１を基準としてダイシングを
行うことにより、ダイシング精度が格段に向上すること
がわかる。 【００３１】本実施の形態の光導波路デバイスは光導波
路４が直線形状であったが、光導波路積層体１０の光導
波路４の形状は、光導波路デバイスとして必要とされる
機能に合わせて直線形状に限らずｙ分岐やｘ型等の所望
の形状にすることができる。また、光導波路の形状に合
わせて、Ｖ溝２１や、電極７及び１０７を複数個備える
構成にすることも可能である。 【００３２】また、本実施の形態で製造される光導波路
デバイス１００は、下部クラッド層３から上部クラッド
層５まで全ての層をポリイミド樹脂で形成しているた
め、Ｔｇが高く、耐熱性に優れている。よって、本実施
の形態の光導波路デバイスは、高温になっても伝搬特性
を維持できる。また、ポリイミド樹脂は、半田付け等の
高温工程にも耐えることができるため、光導波路デバイ
スの上にさらに別の光導波路デバイスや電気回路素子や
発光素子を半田付けすることも可能である。 【００３３】なお、本発明において光導波路デバイスと
は、基板として、ガラス、石英等の無機材料、シリコ
ン、ガリウムヒ素、アルミニウム、チタン等の半導体
や、金属材料、ポリイミド、ポリアミド等の高分子材
料、またはこれらの材料を複合化した材料を用いて、こ
れら基板の上に、光導波路を設けたもの、及びさらに、
光合波器、光分波路、光減衰器、光回折器、光増幅器、
光干渉器、光フィルタ、光スイッチ、波長変換器、発光
素子、受光素子あるいはこれらが複合化されたものなど
を形成したものを指す。上記の基板上には、発光ダイオ
ード、フォトダイオード等の半導体装置や金属膜を形成
することもあり、更に基板の保護や屈折率調整などのた
めに、基板上に、上述のとおり二酸化珪素被膜を形成し
たり、あるいは、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、酸化タンタルなどの被膜を形成しても
よい。 【００３４】 【発明の効果】本発明の光導波路デバイスの製造方法で
は、基板に形成された位置決めマークを利用してダイシ
ングを行うため、ダイシングの精度が向上する。よっ
て、本発明の製造方法で製造した光導波路デバイス１０
０を用いて、光通信装置を製造することにより、光ファ
イバと光導波路４とのアライメントが容易で、結合効率
の高い高性能な光通信装置を安価に製造することができ
る。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の一実施の形態の模式化した光導波路デ
バイス１００を示す斜視図である。 【図２】図１の光導波路デバイスのＡ−Ａ´断面図であ
る。 【図３】図１の光導波路デバイスのＢ−Ｂ´断面図であ
る。 【図４】図１の光導波路デバイスの平面図である。 【図５】本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製
造方法を説明するためのウエハ状の基板１の平面図であ
る。 【図６】本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製
造方法を説明するためのウエハ状の基板１の平面図であ
る。 【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施の形態の光
導波路デバイスの製造方法においてウエハ状の基板１を
切り出す工程を示す説明図である。 【図８】図６の一部拡大図であり、位置決めマーク３１
の形成位置を示す説明図である。 【符号の説明】 １：シリコン基板、２：二酸化珪素層、３：下部クラッ
ド層、４：光導波路、５：上部クラッド層、７：電極、
９：保護層、１０：光導波路積層体、２０：光ファイバ
搭載領域、２１：Ｖ溝、２２：有機ジルコニウム化合物
層、２３：フッ素を含まない樹脂層、２５、２６、２
７：切り込み、３０：電極搭載領域、３１：位置決めマ
ーク、１０７：電極

フロントページの続き (72)発明者 黒田 敏裕 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社オプト事業推進部内 Ｆターム(参考） 2H047 KA04 MA05 PA02 PA21 PA24 PA26 PA28 QA02 QA04 QA05

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板にＶ溝と位置決めマークを形成し、
   該位置決めマークを利用してダイシングすることを特徴
   とする光導波路デバイスの製造方法。