JP2003279497A - 半導体測定装置 - Google Patents
半導体測定装置Info
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Abstract
の距離を常に所定の許容範囲内に維持することができる
半導体測定装置を提供すること。 【解決手段】 ステージ2上に載置されるサンプル1の
表面1aに光を照射して当該サンプル表面1aを測定/
観察系13によって測定/観察する半導体測定装置にお
いて、前記ステージ2の上方の一端側に第1光源16と
第2位置検出センサ26とを設ける一方、前記ステージ
2の上方の他端側に第1位置検出センサ25と第2光源
20とを設け、前記第1および第2光源16,20から
前記サンプル表面1aに光15,19を照射したとき、
前記第1および第2位置検出センサ25,26からのそ
れぞれ得られる変位を表す信号の和を予め設定される変
位許容値と比較し、変位許容値を超えている場合には、
前記ステージ2を移動させて、サンプル1と測定/観察
系13との間の距離を調整するようにした。
Description
製造プロセスにおいて、半導体ウェハにパターンを焼き
付けるために用いられるレティクル/マスク、あるい
は、パターンが形成された製品ウェハ、さらには、液晶
用基板などの検査対象基板を観察し、異物などが付着し
ているか否かおよびその大きさや付着場所を特定するた
めの半導体測定装置に関する。 【0002】 【従来の技術】例えば、半導体ウェハや、半導体ウェハ
の製造に用いられるレティクルやマスクなど、鏡面であ
り概ね平面であるサンプルの表面(検査対象面)を測定
/観察系によって測定/観察する半導体測定装置におい
ては、サンプル表面に対して測定/観察系の焦点を常に
合わせた状態にする必要がある。そのため、従来におい
ては、前記サンプル表面を、その真上から、測定/観察
系としての光学顕微鏡とCCDカメラで観察し、その観
察像のコントラストの最も高くなるところを焦点位置と
していた。なお、前記観察像にコントラストが無い場合
は、格子模様を不可視波長の光でサンプル表面に投影
し、その観察像を用いるようにしている。 【0003】また、前記光学顕微鏡を用いない場合に
は、サンプル表面に対して、その斜め方向上方からを照
射し、そのときの反射光位置を、前記光の入射方向と1
80°対称の位置に設けられたレンズを介して光位置検
出センサに集光することにより検出していた。 【0004】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記サ
ンプルの真上からサンプル表面を観察する手法では、例
えば、反射率が小さい透明な面が上方に存在し、その下
方の反射率が比較的大きい面を観察するような場合、前
記上方に存在する反射率の低さにより当該観察対象面を
検出することが困難である。そして、複数の平面が重な
り合っている場合や、反射率が大きく異なっている部分
がある場合など、特に反射光の弱い面を検出する際な
ど、他の面からの光が迷光となって検出を妨害したり、
反射光が弱すぎて検出することができないなど、各面ご
との検出が困難であった。 【0005】これに対して、前記サンプル表面に対し
て、その斜め方向上方から光を入射させ、この入射方向
と180°対象の位置において反射光を検出する手法に
おいては、前記真上方向における観察手法における問題
はないものの、対象面における傾きが変化する場合、そ
の影響を大きく受けるといった問題があった。 【0006】この発明は、上述の事柄に留意してなされ
たもので、その目的は、測定中において測定/観察系と
サンプル面との距離を常に所定の許容範囲内に維持する
ことができる半導体測定装置を提供することである。 【0007】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明では、ステージ上に載置されるサンプルの
表面に光を照射して当該サンプル表面を測定/観察系に
よって測定/観察する半導体測定装置において、前記ス
テージの上方の一端側に第1光源と第2位置検出センサ
とを設ける一方、前記ステージの上方の他端側に第1位
置検出センサと第2光源とを設け、前記第1および第2
光源から前記サンプル表面に光を照射したとき、前記第
1および第2位置検出センサからのそれぞれ得られる変
位を表す信号の和を予め設定される変位許容値と比較
し、変位許容値を超えている場合には、前記ステージを
移動させて、サンプルと測定/観察系との間の距離を調
整するようにしている。 【0008】上記半導体測定装置によれば、検査対象面
であるサンプル表面の傾きが変化する場合であっても、
その影響を自動的に補正することができ、サンプル面の
変位量のみを検出することができ、常に焦点を合わせた
状態で測定/観察することができる。 【0009】 【発明の実施の形態】以下、この発明の詳細を、図を参
照しながら説明する。図1は、この発明の半導体測定装
置としての光散乱式の異物検査装置の光学系の一例を概
略的に示すもので、この図において、1は検査対象基板
(サンプル)としてのレチクルで、図示していない支持
機構によって矢印X方向、矢印Y方向および矢印Z方向
にそれぞれ直線的に往復移動することができるステージ
2の上面に載置されている。3はペリクル枠である。 【0010】4はステージ2の水平方向における移動方
向Xに直交する矢印Y方向にレーザ光5を往復走査させ
ながら、これをサンプル1の表面1aに照射する入射光
学系で、一定の偏向角を有するレーザ光5を発する例え
ばHe−Neレーザ発振器6と、ビームエキスパンダ7
と、レーザ光5を走査するガルバノミラー8と、スキャ
ニングレンズ9などからなり、サンプル表面1aに対し
て所定角度斜め上方から、レーザ光5を矢印Y方向に走
査照射するように構成されている。 【0011】10A,10Bはサンプル表面1aの左半
分と右半分におけるレーザ光5の照射に基づく散乱光1
1を各別に検知する左右の検出光学系で、入射光学系5
の走査方向中間のレーザ光照射基準中心12に対して左
右両側に配置されており、詳細な図示は省略するが、そ
れぞれ、集光レンズと、散乱光11に対する入射光制限
用のスリットが形成されたスリット部材と、例えば光電
子倍増管などの光検出器などからなる。 【0012】13はステージ2の真上に設けられる測定
/観察系としての光学顕微鏡、14はこの光学顕微鏡1
3の後段に設けられるカメラ(例えばCCDカメラ)
で、ステージ2上のサンプル表面1aを適宜拡大して観
察することができる。ここまでの構成は、従来の半導体
測定装置の構成と変わるところはない。この発明の半導
体測定装置は、上記構成に加えて、図2にも示すような
構成を備えている。 【0013】すなわち、図2に示すように、ステージ2
の上方のY方向の一端側に、ステージ2上のサンプル表
面1aに斜め方向から光15を所定の角度θで照射する
第1光源16が設けられ、ステージ2の上方のY方向の
他端側の第1光源16と180°対称の位置に、第1光
源16からの光15がサンプル表面1aにおいて反射し
た光17を検出する第1反射光検出部18が設けられて
いる。そして、ステージ2の上方のY方向の他端側に、
第1反射光検出部18と近接しかつ平行な状態に、サン
プル表面1aに斜め方向から光19を所定の角度θで照
射する第2光源20が設けられ、ステージ2の上方のY
方向の一端側に、第2光源20と180°対称の位置で
あってかつ第1光源16と近接しかつ平行な状態に、第
2光源20からの光19がサンプル表面1aにおいて反
射した光21を検出する第2反射光検出部22が設けら
れている。すなわち、第1光源16と第1反射光検出部
18および第2光源20と第2反射光検出部22がそれ
ぞれ同一入射面に位置している 【0014】つまり、ステージ2の一端側の上方に、第
1光源15と第2反射光検出部22を並設される一方、
ステージ2の上方の他端側に第2光源20と第1反射光
検出部18とが設けられており、図5に示すように、第
1光源15からサンプル表面1aに入射する光15の入
射点(反射点)15aと第2光源20からサンプル表面
1aに入射する光19の入射点(反射点)19aは、測
定/観察系である光学顕微鏡13の中心線13Aがサン
プル表面1aと交わる点13aを中心に点対称となって
いる。 【0015】前記第1光源16および第2光源20は、
互いに同じ構成よりなり、例えばレーザ光を発するもの
からなるが、点光源とみなせるものがより好ましい。そ
して、各光源16,20は、図示してないが、焦点調節
用のレンズを備えている。また、第1光源16からの光
15の入射点15aと第2光源20からの光19の入射
点19aは、サンプル表面1aを測定する際には、測定
部位に近い位置に設定されるのが好ましい。 【0016】また、前記第1反射光検出部18および第
2反射光検出部22は、互いに同じ構成よりなり、それ
ぞれ、第1、第2集光レンズ23,24と第1、第2位
置検出センサ25,26とからなる。第1、第2位置検
出センサ25,26としては、例えばPSD(浜松ホト
ニクス社製)やCCDあるいは、二次元PSDや二次元
CCDカメラがある。 【0017】ここで、第1、第2集光レンズ23,24
と第1、第2位置検出センサ25,26のより具体的な
位置関係を説明すると、第1、第2位置検出センサ2
5,26は、それぞれ、第1、第2集光レンズ23,2
4から適宜距離離れた後方位置に配置されるが、第1、
第2光源16,20のそれぞれに設けられた焦点調節用
のレンズの位置を調整して、反射光17,21が第1、
第2集光レンズ23,24の前方(サンプル1の表面1
a側)の所定の集光点(前集光点)において結ぶように
する。 【0018】また、第1、第2位置検出センサ25,2
6のそれぞれのセンサ面25a,26aと第1、第2集
光レンズ23,24の前集光点27,28とが光学的に
共役であるか、あるいは、前記前集光点27,28が第
1、第2集光レンズ23,24の前焦点面付近にあり、
第1、第2集光レンズ23,24の後方において概ねコ
リメートされるようにしてもよい。但し、この場合、セ
ンサ面25a,26aでは、第1、第2集光レンズ2
3,24を通過した反射光17,21は、光点の移動を
検出できる程度のビーム太さになるように設定する必要
がある。また、想定されるセンサ面25a,26a上で
の前記反射光17,21の移動で、ビームの一部がセン
サ面25a,26aから外れない程度のビーム太さに設
定する必要がある。 【0019】そして、前記いずれの反射光検出部18,
22においても、第1、第2集光レンズ23,24の焦
点距離fに応じて、前集光点27,28での光変位をセ
ンサ面25a,26a上で適宜拡大するのに必要な距離
に設定されており、サンプル1の表面1aと前集光点2
7,28までの距離をS、第1、第2集光レンズ23,
24とセンサ面25a,26aまでの距離をS’とする
とき、 1/f=1/S+1/S’ ……(1) が成り立ち、このときの拡大倍率はS’/Sとなる。 【0020】そして、前記半導体測定装置の各部は、画
像処理機能を有するコンピュータ(図示していない)か
らの指令に基づいて制御されるとともに、検出光学系1
0A,10Bの出力、カメラ14の出力、反射光検出部
18,22の出力は、前記コンピュータに入力され、適
宜演算処理されたり画像処理され、その演算結果など処
理結果は適宜のメモリに蓄積されるとともに、カラー表
示機能を有するディスプレイ(図示していない)に表示
されるようにしてある。 【0021】図3は、前記半導体測定装置において、サ
ンプル表面1aと測定/観察系としての光学顕微鏡13
との間の距離を所定の距離に調整し、サンプル表面1a
を常に光学顕微鏡13の焦点範囲内に収めるための信号
処理系の構成例を示すもので、この図に示すように、第
1、第2位置検出センサ25,26からの変位を表す出
力は、それぞれ、位置信号回路29,30において処理
され、その処理後の出力が加算回路31において加算さ
れる。そして、このとき得られる和信号は、コンパレー
タおよびI/O32に入力され、予め設定されている変
位許容値(コンパレートレベル)と比較される。そし
て、前記和信号が変位許容値を超えているときには、ス
テージ制御部33に所定制御信号が出力され、サンプル
1を載置するステージ2における変位が所定の変位許容
範囲内に収まるように、ステージ2の位置を適宜調整す
るのである。なお、前記基準となるコンパレートレベル
は、正負両方について設定しておく。 【0022】そして、例えばステージ2が最適位置から
大きく外れており、このような状態からステージ2を最
適位置に急速に近づけるような場合、さらに、第2、第
3のコンパレートレベルを設定し、より外側のコンパレ
ートレベルを超えたときには、それに相当するように、
サンプル1と測定/観察系13の距離を移動し、最適位
置に近づけるようにする。この場合、最も内側の正負の
コンパレートレベルの内側が合焦範囲になるようにして
おく。さらに、前記和信号を変位量に直接変換し、ステ
ージ2を測定された変位量だけ移動させるようにしても
よい。 【0023】また、上記半導体測定装置においては、サ
ンプル表面1aを測定/観察する測定/観察系13の光
路と、第1光源16と第1反射光検出部18を結ぶ光路
および第2光源20と第2反射光検出部22とを結ぶ光
路とがオーバーラップしないので、測定/観察中におい
ても、ステージ2の調整を行うことができる。 【0024】次に、ステージ2上のサンプル表面1aの
各種の変位の形態について、図4以下の図を参照しなが
ら説明する。 【0025】まず、図4に示すように、サンプル表面1
aが、仮想線1a’で示すように、dだけ平行に移動
(図示例では下降)した場合、第1光源16からサンプ
ル表面1aに入射する光15および第2光源20からサ
ンプル表面1aに入射する光19は、それぞれ、サンプ
ル表面1a’において反射して、符号17’,21’で
示すように反射する。このとき、第1、第2の位置検出
センサ25,26のセンサ面25a,26aにおける光
点の移動方向は同じである。この場合、これら位置検出
センサ25,26の出力を加算することにより、サンプ
ル表面1aの変位量を得ることができる。この場合、サ
ンプル表面1aが光学顕微鏡13との関係において最適
の位置にあるときに、前記出力信号がゼロとなるように
位置調整する機構を設けてあることが好ましい。 【0026】そして、図5に示すように、サンプル表面
1aが上下方向においては変位せず、測定/観察系13
の中心13Aがサンプル表面1aと交わる点13aを中
心にして角度ψだけ回転して仮想線1a’のように傾い
た場合、前記入射光15,19は、図中の符号17’,
21’で示すように反射する。このとき、第1、第2の
位置検出センサ25,26のセンサ面25a,26aに
おける光点の移動は、方向が互いに逆でしかもその移動
量が等しくなる。したがって、この場合、第1、第2の
位置検出センサ25,26の出力は、加算することによ
って相殺され、和信号がゼロとなる(発生しない)。こ
の場合、サンプル表面1aと光学顕微鏡13の距離を調
整する必要はない。 【0027】次に、図6に示すように、サンプル表面1
aの上下方向の変位と傾きが同時に発生した場合、変位
および傾いた状態のサンプル表面1a’における反射光
は、図中の符号17’,21’で示すようになる。そし
て、既に説明したように、サンプル表面1aの傾きのた
めに生じた変位分は相殺され、サンプル表面1aの平行
移動に伴う変位分のみが表れる。このときの第1、第2
の位置検出センサ25,26のセンサ面25a,26a
における反射光17’,21’の変位について、図7お
よび図8を参照しながら説明する。 【0028】図7は、サンプル表面1aが光学顕微鏡1
3の中心13Aがサンプル表面1aと交わる点13aを
中心にして角度ψだけ傾いたときの状態を示している。
このように、サンプル表面1aが傾くことにより、入射
光15に起因する反射光17は、符号17’で示すよう
に角度を変え、入射光19に起因する反射光21は、符
号21’で示すように角度を変える。そして、図中の符
号β,εは、サンプル表面1aが角度ψだけ変位したこ
とに起因して反射点15a,19aがそれぞれ点15
a’,19a’に変位したときのセンサ面25a,26
a垂直方向での変位を表している。また、図中の符号
γ,ζは、サンプル表面1aの傾きにより反射点が変位
したことに起因する反射点とセンサ面25a,26aの
距離の変化分を表している。 【0029】そして、入射光15,19のサンプル表面
1aへの入射角はθであり、また、光学顕微鏡13の中
心線13Aがサンプル表面1aと交わる点13aと入射
光15,19のサンプル表面1aへの入射点15a,1
9aの距離をeとすると、図7中の符号α,δ,β,
γ,ε,ζで示される部分の大きさは、下記の各式で表
される。 α=e・sin(ψ)/sin(θ−ψ) δ=e・sin(ψ)/sin(π−θ−ψ) β=α・sin(2θ) γ=α・cos(2θ) ε=δ・sin(2θ) ζ=δ・cos(2θ) 【0030】そして、集光レンズ前集光点27,28と
サンプル表面1aの間の距離をlとするとき、位置検出
センサ25,26のそれぞれのセンサ面25a,26a
におけるビームの変位量d1 ,d2 は、それぞれ、下記
の式で表される。 d1 ={(集光レンズ前集光点でのサンプル表面の傾きによる変位)+(サ ンプル表面の移動による変位)}×(集光レンズ系の倍率) ={(l+ζ)ψ+ε}×(集光レンズ系の倍率) d2 ={(集光レンズ前集光点でのサンプル表面の傾きによる変位)+(サ ンプル表面の移動による変位)}×(集光レンズ系の倍率) ={(l+γ)ψ+β}×(集光レンズ系の倍率) 【0031】そして、l=200mm、θ=30°、e
=15mmとしたときにおける、ψを0〜0.005r
adの間で計算すると、図8(A),(B)に示すよう
な結果が得られた。但し、集光レンズ系の倍率は考慮し
ていない。 【0032】すなわち、図8(A)は、サンプル表面1
aの傾きに伴う二つの反射光17’,21’の変位の和
を示している(なお、図7の紙面の上向きが正、下向き
が負とする)。また、同図(B)は、サンプル表面1a
の傾きに伴う第1位置検出センサ25におけるビームの
変位を示している。 【0033】上記図8に示すように、二つの反射光1
7’,21’の傾きによる変位では、γとζの違いの
分、反射点15a,19aの移動に伴う変位では、βと
εの違いの分が、二つの位置検出センサ25,26にお
いて異なっている。しかし、ここで想定しているサンプ
ル表面1aの傾きは、1/200(約0.0005ra
d)以下であり、それぞれの反射光17’,21’の変
位に比して十分小さな誤差(1%未満)である。 【0034】さらに、図2における紙面の奥手前方向
(紙面に垂直な方向)におけるサンプル表面1aの傾き
については、その傾きの大きさが十分小さいときには、
その影響を無視することができる。以下、これについ
て、図9および図10を参照しながら簡単に説明する
と、図9は、サンプル表面1aが紙面に垂直な方向にお
いて手前側に角度ψだけ傾いたときの、例えば第2光源
20からの入射光19に基づく反射光21の傾き具合を
示すもので、そのときの反射光は図中の符号21’で示
すように、紙面の手前側に傾く。このとき、図中の符号
τで示されるような高さ方向の変位が生ずる。 【0035】そして、前記反射光21’の長さをlとす
るとき、図中のηは、 η=l・sin(θ) と表され、ビームの高さの方向の変位τは、 τ=η{1−cos(2ψ)} となる。そして、l=200mm、θ=30°として計
算を行うと、図10に示すような結果が得られた。この
図は、奥手前の傾きと上下方向の変位との関係を示すも
ので、この図から、前記ビームの高さの方向の変位τ
は、ビームの変位の大きさの1%以下であることが分か
る。 【0036】この発明は、上述の光散乱式の異物検査装
置に限られるものではなく、他の種々の半導体測定装置
に適用できることはいうまでもない。 【0037】 【発明の効果】以上説明したように、この発明の半導体
測定装置によれば、検査対象面であるサンプル表面の傾
きが変化する場合であっても、その影響を自動的に補正
することができ、サンプル面の変位量のみを検出するこ
とができ、常に焦点を合わせた状態で測定/観察するこ
とができる。 【0038】そして、前記半導体測定装置によれば、ガ
ラスなどの透明体サンプルや、ペリクルなどの透明保護
膜、ペリクルなどを透かしてその下方の測定面を測定/
観察する場合においても、検査対象面の位置を確実に検
出することができる。
略的に示す図である。 【図2】前記光学系の要部の構成を概略的に示す図であ
る。 【図3】前記半導体測定装置における信号処理系の構成
の一例を概略的に示す図である。 【図4】サンプル表面が下方に平行移動したときにおけ
る反射光の状態を説明するための図である。 【図5】サンプル表面が一点を中心に回転したときにお
ける反射光の状態を説明するための図である。 【図6】サンプル表面が下方に平行移動しかつ一点を中
心に回転したときにおける反射光の状態を説明するため
の図である。 【図7】サンプル表面がその上下方向で傾いた状態を説
明するための図である。 【図8】サンプル表面が図7のように傾いたときにおけ
る位置検出センサにおける影響を説明するための図であ
る。 【図9】サンプル表面がその奥手前方向において手前方
向に傾いた状態を説明するための図である。 【図10】サンプル表面が図9のように傾いたときにお
ける位置検出センサにおける影響を説明するための図で
ある。 【符号の説明】 1…サンプル、1a…サンプル表面、2…ステージ、1
3…測定/観察系、15…入射光、16…第1光源、1
9…入射光、20…第2光源、25…第1位置検出セン
サ、26…第2位置検出センサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 ステージ上に載置されるサンプルの表面
に光を照射して当該サンプル表面を測定/観察系によっ
て測定/観察する半導体測定装置において、前記ステー
ジの上方の一端側に第1光源と第2位置検出センサとを
設ける一方、前記ステージの上方の他端側に第1位置検
出センサと第2光源とを設け、前記第1および第2光源
から前記サンプル表面に光を照射したとき、前記第1お
よび第2位置検出センサからのそれぞれ得られる変位を
表す信号の和を予め設定される変位許容値と比較し、変
位許容値を超えている場合には、前記ステージを移動さ
せて、サンプルと測定/観察系との間の距離を調整する
ようにしたことを特徴とする半導体測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002079552A JP2003279497A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 半導体測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002079552A JP2003279497A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 半導体測定装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2003279497A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI504912B (zh) * | 2014-08-07 | 2015-10-21 | Utechzone Co Ltd | 光源設備 |
WO2019208214A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法および測定装置 |
CN111323371A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-06-23 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 一种光学检测***和光学检测方法 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079552A patent/JP2003279497A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI504912B (zh) * | 2014-08-07 | 2015-10-21 | Utechzone Co Ltd | 光源設備 |
WO2019208214A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法および測定装置 |
CN111989763A (zh) * | 2018-04-23 | 2020-11-24 | 东京毅力科创株式会社 | 测定方法和测定装置 |
KR20200143460A (ko) * | 2018-04-23 | 2020-12-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 측정 방법 및 측정 장치 |
JPWO2019208214A1 (ja) * | 2018-04-23 | 2021-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法および測定装置 |
JP7065949B2 (ja) | 2018-04-23 | 2022-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定方法および測定装置 |
US11791182B2 (en) | 2018-04-23 | 2023-10-17 | Tokyo Electron Limited | Measuring method and measuring device |
KR102629523B1 (ko) * | 2018-04-23 | 2024-01-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 측정 방법 및 측정 장치 |
CN111323371A (zh) * | 2020-04-10 | 2020-06-23 | 深圳中科飞测科技有限公司 | 一种光学检测***和光学检测方法 |
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