JP2003273412A - 熱電変換装置 - Google Patents
熱電変換装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単位体積当たりの熱の移動効率が高く、熱電
変換効率の高い熱電変換装置を提供する。 【解決手段】 高温流体の流路Ｈを形成する高温管１か
ら低温流体の流路Ｃを形成する低温管２への熱の移動
は、両者の間に介設された熱電半導体素子群４を介して
高温管１からその四方の低温管２へと４方向に行われ
る。このため、単位体積当たりの熱の移動効率が高く、
ゼーベック効果による発電効率やペルチェ効果による熱
媒体の加熱、冷却効率などの熱電変換効率として、高い
変換効率が得られる。
変換効率の高い熱電変換装置を提供する。 【解決手段】 高温流体の流路Ｈを形成する高温管１か
ら低温流体の流路Ｃを形成する低温管２への熱の移動
は、両者の間に介設された熱電半導体素子群４を介して
高温管１からその四方の低温管２へと４方向に行われ
る。このため、単位体積当たりの熱の移動効率が高く、
ゼーベック効果による発電効率やペルチェ効果による熱
媒体の加熱、冷却効率などの熱電変換効率として、高い
変換効率が得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱電半導体素子の
熱電効果により熱エネルギと電気エネルギとの変換を行
う熱電変換装置に関し、詳しくは、その変換効率を向上
させた熱電変換装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】熱電半導体素子の熱電効果により熱エネ
ルギと電気エネルギとの変換を行う熱電変換装置とし
て、従来、図５に示すような要部構造を有する装置が知
られている。この熱電変換装置においては、高温流体の
流路Ｈを形成する扁平な高温管１１と、低温流体の流路
Ｃを形成する扁平な低温管１２とが交互に所定間隔を開
けて平行に複数配列されている。これらの扁平な高温管
１１と低温管１２との間には、それぞれ複数の絶縁性断
熱体１３が所定間隔を開けて配設されており、各絶縁性
断熱体１３の間に熱電半導体素子群１４の収容空間１５
が複数形成されている。そして、各収容空間１５には、
それぞれ熱電半導体素子群１４が収容されている。 【０００３】前記熱電半導体素子群１４は、熱源に対し
て逆の極性を呈するｎ型熱電半導体素子１４ｎとｐ型熱
電半導体素子１４ｐとが交互に電極１６を介して直列に
接続されたものであり、各ｎ型熱電半導体素子１４ｎお
よびｐ型熱電半導体素子１４ｐの一端部が高温管１１ま
たは低温管１２の一方に接触し、他端部が高温管１１ま
たは低温管１２の他方に接触するように収容されてい
る。 【０００４】このような熱電変換装置では、各高温管１
１内の流路Ｈに高温の水蒸気を流通させ、各低温管１２
内の流路Ｃに低温の冷水を流通させることで、各熱電半
導体素子群１４の各ｎ型熱電半導体素子１４ｎは高温管
１１に接触する一端部が正に帯電し、低温管１２に接触
する他端部が負に帯電する。一方、各ｐ型熱電半導体素
子１４ｐは高温管１１に接触する一端部が負に帯電し、
低温管１２に接触する他端部が正に帯電する。こうし
て、各熱電半導体素子群１４の各ｎ型熱電半導体素子１
４ｎおよびｐ型熱電半導体素子１４ｐがゼーベック効果
により起電力を発生することで、熱電変換装置が発電可
能となる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところで、前記の図５
に示したような熱電変換装置は、扁平な高温管１１と低
温管１２とが交互に所定間隔を開けて平行に複数配列さ
れた構造であり、高温管１１から低温管１２への熱の移
動は、両者の間に介設された複数列の熱電半導体素子群
１４を介して高温管１１からその両側の低温管１２，１
２へと２方向にのみ行われる。このため、単位体積当た
りの熱の移動効率が低く、ゼーベック効果による発電効
率やペルチェ効果による熱媒体の加熱、冷却効率などの
熱電変換効率が低いという問題がある。 【０００６】そこで、本発明は、単位体積当たりの熱の
移動効率が高く、熱電変換効率の高い熱電変換装置を提
供することを課題とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めの手段として、本発明に係る熱電変換装置は、高温流
体の流路を形成する複数の高温管および低温流体の流路
を形成する複数の低温管を交互に所定間隔を開けて平行
に縦横に配列し、斜め方向に隣接する高温管同士および
低温管同士の間の空間に絶縁性断熱体を配設し、縦横方
向に隣接する高温管と低温管との間に熱電半導体素子群
の収容空間を複数形成し、各収容空間には、交互に電気
的に直列に接続された複数のｎ型熱電半導体素子および
ｐ型熱電半導体素子を収容し、各ｎ型熱電半導体素子お
よびｐ型熱電半導体素子の両端部を前記高温管および低
温管に接触させて構成したことを特徴とする。 【０００８】本発明に係る熱電変換装置では、高温管か
ら低温管への熱の移動は、両者の間に介設された熱電半
導体素子群を介して高温管からその四方の低温管へと４
方向に行われる。このため、単位体積当たりの熱の移動
効率が高く、ゼーベック効果による発電効率やペルチェ
効果による熱媒体の加熱、冷却効率などの熱電変換効率
として、高い変換効率が得られる。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る熱電変換装置の実施の形態を説明する。参照する図面
において、図１は一実施形態に係る熱電変換装置の要部
構造を模式的に示す斜視図、図２は図１に示した熱電半
導体素子群を示す斜視図である。 【００１０】一実施形態に係る熱電変換装置において
は、図１に示すように、高温流体の流路Ｈを形成する複
数の高温管１および低温流体の流路Ｃを形成する複数の
低温管２が交互に所定間隔を開けて平行に縦横に配列さ
れている。これらの高温管１および低温管２は、縦方向
および横方向には高温管１と低温管２とが交互に隣接
し、斜め方向には高温管１同士および低温管２同士が隣
接する。 【００１１】前記の高温管１および低温管２は角パイプ
状に構成されており、その内部の流路Ｈおよび流路Ｃ
は、一辺が５０μｍ〜１ｍｍ程度に設定されている。高
温管１および低温管２の材料としては、例えば銅、銅合
金、低炭素鋼、ステンレス鋼、アルミニウム合金、チタ
ン等を用いることができるが、これらに限るものではな
い。高温管１および低温管２の両端部は図示しない支持
プレートに支持されている。そして、高温管１には図示
しない蒸気供給源からの高温の蒸気が熱媒体として流通
し、低温管２には図示しない冷水供給源からの冷水が熱
媒体として流通するように構成されている。 【００１２】前記のように斜め方向に隣接する高温管１
同士の間の空間および低温管２同士の間の空間には、複
数の絶縁性断熱体３がそれぞれ配設されている。これら
の絶縁性断熱体３は、セラミックス性断熱材やガラス材
を角棒状に形成したものであり、その両端部は前記高温
管１および低温管２と共に図示しない前記支持プレート
に支持されている。 【００１３】ここで、前記のように縦方向および横方向
に隣接する高温管１と低温管２との間には、熱電半導体
素子群４の収容空間５が前記絶縁性断熱体３により区画
されて複数形成されている。そして、各収容空間５に
は、図２の（ａ）〜（ｄ）に示すような熱電半導体素子
群４がそれぞれ収容されている。 【００１４】前記熱電半導体素子群４は、熱源に対して
逆の極性を呈するｎ型熱電半導体素子４ｎとｐ型熱電半
導体素子４ｐとが交互に電極６を介して電気的に直列に
接続されたものである。各ｎ型熱電半導体素子４ｎおよ
びｐ型熱電半導体素子４ｐは、図３および図４に示すよ
うに、その両端面が前記高温管１および低温管２に接触
するようにその長さが５０μｍ〜１ｍｍの範囲で設定さ
れ、その幅は高温管１と低温管２との間隔に対応して５
０μｍ〜１ｍｍの範囲で設定される。図３および図４に
示す例では、各ｎ型熱電半導体素子４ｎおよびｐ型熱電
半導体素子４ｐの幅は、高温管１と低温管２との間隔よ
り小さく設定されている。 【００１５】図２の（ａ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温流体の流路Ｈを形成する高温
管１の上面と低温流体の流路Ｃを形成する低温管２の下
面との間に介設されるものであり、図３に示すように、
各ｎ型熱電半導体素子４ｎは下端面が高温管１の上面に
接触して正に帯電し、上端面が低温管２の下面に接触す
る負に帯電すると共に、図４に示すように、各ｐ型熱電
半導体素子４ｐは下端面が高温管１の上面に接触して負
に帯電し、上端面が低温管２の下面に接触して正に帯電
する。 【００１６】図２の（ｂ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温管１の下面と低温管２の上面
との間に介設されるものであり、図３に示すように、各
ｎ型熱電半導体素子４ｎは上端面が高温管１下面に接触
して正に帯電し、下端面が低温管２の上面に接触して負
に帯電すると共に、図４に示すように、各ｐ型熱電半導
体素子４ｐは上端面が高温管１下面に接触して負に帯電
し、下端面が低温管２の上面に接触して正に帯電する。 【００１７】図２の（ｃ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温管１の右側面と低温管２の左
側面との間に介設されるものであり、図３に示すよう
に、各ｎ型熱電半導体素子４ｎは左端面が高温管１の右
側面に接触して正に帯電し、右端面が低温管２の左側面
に接触して負に帯電すると共に、図４に示すように、各
ｐ型熱電半導体素子４ｐは左端面が高温管１の右側面に
接触して負に帯電し、右端面が低温管２の左側面に接触
して正に帯電する。 【００１８】図２の（ｄ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温管１の左側面と低温管２の右
側面との間に介設されるものであり、図３に示すよう
に、各ｎ型熱電半導体素子４ｎは右端面が高温管１の左
側面に接触して正に帯電し、左端面が低温管２の右側面
に接触して負に帯電すると共に、図４に示すように、各
ｐ型熱電半導体素子４ｐは右端面が高温管１の右側面に
接触して負に帯電し、左端面が低温管２の右側面に接触
して正に帯電する。 【００１９】以上のように構成された一実施形態の熱電
変換装置では、図１に示す各高温管１内の流路Ｈに高温
の水蒸気を流通させ、各低温管２内の流路Ｃに低温の冷
水を流通させることで、各熱電半導体素子群４の各ｎ型
熱電半導体素子４ｎは、高温管１に接触する一端面が正
に帯電し、低温管２に接触する他端面が負に帯電する。
同時に、各熱電半導体素子群４の各ｐ型熱電半導体素子
４ｐは、高温管１に接触する一端面が負に帯電し、低温
管２に接触する他端面が正に帯電する。こうして、各熱
電半導体素子群４の各ｎ型熱電半導体素子４ｎおよびｐ
型熱電半導体素子４ｐがゼーベック効果により起電力を
発生する。そこで、各熱電半導体素子群４の両端部に電
気負荷を接続することで、一実施形態の熱電変換装置は
発電可能となる。 【００２０】また、一実施形態の熱電変換装置は、各熱
電半導体素子群４の両端部に電力を供給することで、各
ｎ型熱電半導体素子４ｎおよびｐ型熱電半導体素子４ｐ
がペルチェ効果を発揮し、高温管１内の熱媒体の加熱
や、低温管２内の熱媒体の冷却などの機能を発揮する。 【００２１】ここで、一実施形態の熱電変換装置におい
ては、図１に示すように、高温管１から低温管２への熱
の移動は、両者の間に介設された熱電半導体素子群４を
介して高温管１からその四方の低温管２へと４方向に行
われる。このため、一実施形態の熱電変換装置は、単位
体積当たりの熱の移動効率が飛躍的に増大し、ゼーベッ
ク効果による発電効率やペルチェ効果による熱媒体の加
熱、冷却効率などの熱電変換効率として、飛躍的に高い
変換効率が得られる。 【００２２】なお、本発明の熱電変換装置において、前
記熱電半導体素子群４を構成する各ｎ型熱電半導体素子
４ｎおよびｐ型熱電半導体素子４ｐの幅を高温管１と低
温管２との間隔に合致するように設定すれば、高温管１
から低温管２への熱の移動が無駄なく行われるようにな
り、単位体積当たりの熱の移動効率がさらに増大し、一
層高い変換効率が得られる。 【００２３】 【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る熱電
変換装置によれば、高温管から低温管への熱の移動は、
両者の間に介設された熱電半導体素子群を介して高温管
からその四方の低温管へと４方向に行われる。このた
め、単位体積当たりの熱の移動効率が高く、ゼーベック
効果による発電効率やペルチェ効果による熱媒体の加
熱、冷却効率などの熱電変換効率として、高い変換効率
を得ることができる。
熱電効果により熱エネルギと電気エネルギとの変換を行
う熱電変換装置に関し、詳しくは、その変換効率を向上
させた熱電変換装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】熱電半導体素子の熱電効果により熱エネ
ルギと電気エネルギとの変換を行う熱電変換装置とし
て、従来、図５に示すような要部構造を有する装置が知
られている。この熱電変換装置においては、高温流体の
流路Ｈを形成する扁平な高温管１１と、低温流体の流路
Ｃを形成する扁平な低温管１２とが交互に所定間隔を開
けて平行に複数配列されている。これらの扁平な高温管
１１と低温管１２との間には、それぞれ複数の絶縁性断
熱体１３が所定間隔を開けて配設されており、各絶縁性
断熱体１３の間に熱電半導体素子群１４の収容空間１５
が複数形成されている。そして、各収容空間１５には、
それぞれ熱電半導体素子群１４が収容されている。 【０００３】前記熱電半導体素子群１４は、熱源に対し
て逆の極性を呈するｎ型熱電半導体素子１４ｎとｐ型熱
電半導体素子１４ｐとが交互に電極１６を介して直列に
接続されたものであり、各ｎ型熱電半導体素子１４ｎお
よびｐ型熱電半導体素子１４ｐの一端部が高温管１１ま
たは低温管１２の一方に接触し、他端部が高温管１１ま
たは低温管１２の他方に接触するように収容されてい
る。 【０００４】このような熱電変換装置では、各高温管１
１内の流路Ｈに高温の水蒸気を流通させ、各低温管１２
内の流路Ｃに低温の冷水を流通させることで、各熱電半
導体素子群１４の各ｎ型熱電半導体素子１４ｎは高温管
１１に接触する一端部が正に帯電し、低温管１２に接触
する他端部が負に帯電する。一方、各ｐ型熱電半導体素
子１４ｐは高温管１１に接触する一端部が負に帯電し、
低温管１２に接触する他端部が正に帯電する。こうし
て、各熱電半導体素子群１４の各ｎ型熱電半導体素子１
４ｎおよびｐ型熱電半導体素子１４ｐがゼーベック効果
により起電力を発生することで、熱電変換装置が発電可
能となる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところで、前記の図５
に示したような熱電変換装置は、扁平な高温管１１と低
温管１２とが交互に所定間隔を開けて平行に複数配列さ
れた構造であり、高温管１１から低温管１２への熱の移
動は、両者の間に介設された複数列の熱電半導体素子群
１４を介して高温管１１からその両側の低温管１２，１
２へと２方向にのみ行われる。このため、単位体積当た
りの熱の移動効率が低く、ゼーベック効果による発電効
率やペルチェ効果による熱媒体の加熱、冷却効率などの
熱電変換効率が低いという問題がある。 【０００６】そこで、本発明は、単位体積当たりの熱の
移動効率が高く、熱電変換効率の高い熱電変換装置を提
供することを課題とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めの手段として、本発明に係る熱電変換装置は、高温流
体の流路を形成する複数の高温管および低温流体の流路
を形成する複数の低温管を交互に所定間隔を開けて平行
に縦横に配列し、斜め方向に隣接する高温管同士および
低温管同士の間の空間に絶縁性断熱体を配設し、縦横方
向に隣接する高温管と低温管との間に熱電半導体素子群
の収容空間を複数形成し、各収容空間には、交互に電気
的に直列に接続された複数のｎ型熱電半導体素子および
ｐ型熱電半導体素子を収容し、各ｎ型熱電半導体素子お
よびｐ型熱電半導体素子の両端部を前記高温管および低
温管に接触させて構成したことを特徴とする。 【０００８】本発明に係る熱電変換装置では、高温管か
ら低温管への熱の移動は、両者の間に介設された熱電半
導体素子群を介して高温管からその四方の低温管へと４
方向に行われる。このため、単位体積当たりの熱の移動
効率が高く、ゼーベック効果による発電効率やペルチェ
効果による熱媒体の加熱、冷却効率などの熱電変換効率
として、高い変換効率が得られる。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る熱電変換装置の実施の形態を説明する。参照する図面
において、図１は一実施形態に係る熱電変換装置の要部
構造を模式的に示す斜視図、図２は図１に示した熱電半
導体素子群を示す斜視図である。 【００１０】一実施形態に係る熱電変換装置において
は、図１に示すように、高温流体の流路Ｈを形成する複
数の高温管１および低温流体の流路Ｃを形成する複数の
低温管２が交互に所定間隔を開けて平行に縦横に配列さ
れている。これらの高温管１および低温管２は、縦方向
および横方向には高温管１と低温管２とが交互に隣接
し、斜め方向には高温管１同士および低温管２同士が隣
接する。 【００１１】前記の高温管１および低温管２は角パイプ
状に構成されており、その内部の流路Ｈおよび流路Ｃ
は、一辺が５０μｍ〜１ｍｍ程度に設定されている。高
温管１および低温管２の材料としては、例えば銅、銅合
金、低炭素鋼、ステンレス鋼、アルミニウム合金、チタ
ン等を用いることができるが、これらに限るものではな
い。高温管１および低温管２の両端部は図示しない支持
プレートに支持されている。そして、高温管１には図示
しない蒸気供給源からの高温の蒸気が熱媒体として流通
し、低温管２には図示しない冷水供給源からの冷水が熱
媒体として流通するように構成されている。 【００１２】前記のように斜め方向に隣接する高温管１
同士の間の空間および低温管２同士の間の空間には、複
数の絶縁性断熱体３がそれぞれ配設されている。これら
の絶縁性断熱体３は、セラミックス性断熱材やガラス材
を角棒状に形成したものであり、その両端部は前記高温
管１および低温管２と共に図示しない前記支持プレート
に支持されている。 【００１３】ここで、前記のように縦方向および横方向
に隣接する高温管１と低温管２との間には、熱電半導体
素子群４の収容空間５が前記絶縁性断熱体３により区画
されて複数形成されている。そして、各収容空間５に
は、図２の（ａ）〜（ｄ）に示すような熱電半導体素子
群４がそれぞれ収容されている。 【００１４】前記熱電半導体素子群４は、熱源に対して
逆の極性を呈するｎ型熱電半導体素子４ｎとｐ型熱電半
導体素子４ｐとが交互に電極６を介して電気的に直列に
接続されたものである。各ｎ型熱電半導体素子４ｎおよ
びｐ型熱電半導体素子４ｐは、図３および図４に示すよ
うに、その両端面が前記高温管１および低温管２に接触
するようにその長さが５０μｍ〜１ｍｍの範囲で設定さ
れ、その幅は高温管１と低温管２との間隔に対応して５
０μｍ〜１ｍｍの範囲で設定される。図３および図４に
示す例では、各ｎ型熱電半導体素子４ｎおよびｐ型熱電
半導体素子４ｐの幅は、高温管１と低温管２との間隔よ
り小さく設定されている。 【００１５】図２の（ａ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温流体の流路Ｈを形成する高温
管１の上面と低温流体の流路Ｃを形成する低温管２の下
面との間に介設されるものであり、図３に示すように、
各ｎ型熱電半導体素子４ｎは下端面が高温管１の上面に
接触して正に帯電し、上端面が低温管２の下面に接触す
る負に帯電すると共に、図４に示すように、各ｐ型熱電
半導体素子４ｐは下端面が高温管１の上面に接触して負
に帯電し、上端面が低温管２の下面に接触して正に帯電
する。 【００１６】図２の（ｂ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温管１の下面と低温管２の上面
との間に介設されるものであり、図３に示すように、各
ｎ型熱電半導体素子４ｎは上端面が高温管１下面に接触
して正に帯電し、下端面が低温管２の上面に接触して負
に帯電すると共に、図４に示すように、各ｐ型熱電半導
体素子４ｐは上端面が高温管１下面に接触して負に帯電
し、下端面が低温管２の上面に接触して正に帯電する。 【００１７】図２の（ｃ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温管１の右側面と低温管２の左
側面との間に介設されるものであり、図３に示すよう
に、各ｎ型熱電半導体素子４ｎは左端面が高温管１の右
側面に接触して正に帯電し、右端面が低温管２の左側面
に接触して負に帯電すると共に、図４に示すように、各
ｐ型熱電半導体素子４ｐは左端面が高温管１の右側面に
接触して負に帯電し、右端面が低温管２の左側面に接触
して正に帯電する。 【００１８】図２の（ｄ）に示す熱電半導体素子群４
は、図１に示すように高温管１の左側面と低温管２の右
側面との間に介設されるものであり、図３に示すよう
に、各ｎ型熱電半導体素子４ｎは右端面が高温管１の左
側面に接触して正に帯電し、左端面が低温管２の右側面
に接触して負に帯電すると共に、図４に示すように、各
ｐ型熱電半導体素子４ｐは右端面が高温管１の右側面に
接触して負に帯電し、左端面が低温管２の右側面に接触
して正に帯電する。 【００１９】以上のように構成された一実施形態の熱電
変換装置では、図１に示す各高温管１内の流路Ｈに高温
の水蒸気を流通させ、各低温管２内の流路Ｃに低温の冷
水を流通させることで、各熱電半導体素子群４の各ｎ型
熱電半導体素子４ｎは、高温管１に接触する一端面が正
に帯電し、低温管２に接触する他端面が負に帯電する。
同時に、各熱電半導体素子群４の各ｐ型熱電半導体素子
４ｐは、高温管１に接触する一端面が負に帯電し、低温
管２に接触する他端面が正に帯電する。こうして、各熱
電半導体素子群４の各ｎ型熱電半導体素子４ｎおよびｐ
型熱電半導体素子４ｐがゼーベック効果により起電力を
発生する。そこで、各熱電半導体素子群４の両端部に電
気負荷を接続することで、一実施形態の熱電変換装置は
発電可能となる。 【００２０】また、一実施形態の熱電変換装置は、各熱
電半導体素子群４の両端部に電力を供給することで、各
ｎ型熱電半導体素子４ｎおよびｐ型熱電半導体素子４ｐ
がペルチェ効果を発揮し、高温管１内の熱媒体の加熱
や、低温管２内の熱媒体の冷却などの機能を発揮する。 【００２１】ここで、一実施形態の熱電変換装置におい
ては、図１に示すように、高温管１から低温管２への熱
の移動は、両者の間に介設された熱電半導体素子群４を
介して高温管１からその四方の低温管２へと４方向に行
われる。このため、一実施形態の熱電変換装置は、単位
体積当たりの熱の移動効率が飛躍的に増大し、ゼーベッ
ク効果による発電効率やペルチェ効果による熱媒体の加
熱、冷却効率などの熱電変換効率として、飛躍的に高い
変換効率が得られる。 【００２２】なお、本発明の熱電変換装置において、前
記熱電半導体素子群４を構成する各ｎ型熱電半導体素子
４ｎおよびｐ型熱電半導体素子４ｐの幅を高温管１と低
温管２との間隔に合致するように設定すれば、高温管１
から低温管２への熱の移動が無駄なく行われるようにな
り、単位体積当たりの熱の移動効率がさらに増大し、一
層高い変換効率が得られる。 【００２３】 【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る熱電
変換装置によれば、高温管から低温管への熱の移動は、
両者の間に介設された熱電半導体素子群を介して高温管
からその四方の低温管へと４方向に行われる。このた
め、単位体積当たりの熱の移動効率が高く、ゼーベック
効果による発電効率やペルチェ効果による熱媒体の加
熱、冷却効率などの熱電変換効率として、高い変換効率
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る熱電変換装置の要部
構造を模式的に示す斜視図である。 【図２】図１に示した熱電半導体素子群を示す斜視図で
ある。 【図３】図１に示した高温管および低温管に対する熱電
半導体素子群の各ｎ型熱電半導体素子の接触状況を模式
的に示す要部断面図である。 【図４】図１に示した高温管および低温管に対する熱電
半導体素子群の各ｐ型熱電半導体素子の接触状況を模式
的に示す要部断面図である。 【図５】従来例に係る熱電変換装置の要部構造を模式的
に示す斜視図である。 【符号の説明】 １ ：高温管 ２ ：低温管 ３ ：絶縁性断熱体 ４ ：熱電半導体素子群 ４ｎ：ｎ型熱電半導体素子 ４ｐ：ｐ型熱電半導体素子 ５ ：収容空間 ６ ：電極 Ｈ ：高温流体の流路 Ｃ ：低温流体の流路
構造を模式的に示す斜視図である。 【図２】図１に示した熱電半導体素子群を示す斜視図で
ある。 【図３】図１に示した高温管および低温管に対する熱電
半導体素子群の各ｎ型熱電半導体素子の接触状況を模式
的に示す要部断面図である。 【図４】図１に示した高温管および低温管に対する熱電
半導体素子群の各ｐ型熱電半導体素子の接触状況を模式
的に示す要部断面図である。 【図５】従来例に係る熱電変換装置の要部構造を模式的
に示す斜視図である。 【符号の説明】 １ ：高温管 ２ ：低温管 ３ ：絶縁性断熱体 ４ ：熱電半導体素子群 ４ｎ：ｎ型熱電半導体素子 ４ｐ：ｐ型熱電半導体素子 ５ ：収容空間 ６ ：電極 Ｈ ：高温流体の流路 Ｃ ：低温流体の流路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 高温流体の流路を形成する複数の高温管
および低温流体の流路を形成する複数の低温管を交互に
所定間隔を開けて平行に縦横に配列し、斜め方向に隣接
する高温管同士および低温管同士の間の空間に絶縁性断
熱体を配設し、縦横方向に隣接する高温管と低温管との
間に熱電半導体素子群の収容空間を複数形成し、各収容
空間には、交互に電気的に直列に接続された複数のｎ型
熱電半導体素子およびｐ型熱電半導体素子を収容し、各
ｎ型熱電半導体素子およびｐ型熱電半導体素子の両端部
を前記高温管および低温管に接触させて構成したことを
特徴とする熱電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069544A JP2003273412A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 熱電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069544A JP2003273412A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 熱電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273412A true JP2003273412A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29200353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002069544A Pending JP2003273412A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 熱電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273412A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081970A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Ihi Marine United Inc | 熱電発電装置及び該熱電発電装置を用いた発電システム |
| JP2012023258A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Matsumoto Kenzai:Kk | 温度差発電装置及び温度差発電方法 |
| CN104135190A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-11-05 | 吴佳明 | 一种利用自然温差发电的半导体装置 |
| CN105703463A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-06-22 | 上海电力学院 | 一种应用于锅炉省煤器的温差发电储能及输电*** |
| CN105896709A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-08-24 | 上海电力学院 | 一种应用于锅炉再热器的温差发电储能及输电*** |
-
2002
- 2002-03-14 JP JP2002069544A patent/JP2003273412A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081970A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Ihi Marine United Inc | 熱電発電装置及び該熱電発電装置を用いた発電システム |
| JP2012023258A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Matsumoto Kenzai:Kk | 温度差発電装置及び温度差発電方法 |
| CN104135190A (zh) * | 2014-01-24 | 2014-11-05 | 吴佳明 | 一种利用自然温差发电的半导体装置 |
| CN105703463A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-06-22 | 上海电力学院 | 一种应用于锅炉省煤器的温差发电储能及输电*** |
| CN105896709A (zh) * | 2016-04-07 | 2016-08-24 | 上海电力学院 | 一种应用于锅炉再热器的温差发电储能及输电*** |
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