JP2003272849A - 有機ｅｌ素子及びその製造方法、並びに表示装置 - Google Patents
有機ｅｌ素子及びその製造方法、並びに表示装置Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 38
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 13
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 12
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 149
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 85
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 19
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133616—Front illuminating devices
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光透過部分の透過率が高く、表示装置の照明
手段に用いて好適な有機ＥＬ素子、及びこの有機ＥＬ素
子を容易かつ歩留まり良く製造する方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、支持基板１６と、該支持基板
１６上に設けられた素子部３０とを備え、前記素子部３
０が、陽極２２と、有機ＥＬ材料を含む発光層３７と、
陰極３８とを順に積層して含み、当該有機ＥＬ素子の被
照明体を透過して表示するために前記素子部３０を貫通
して形成された開口部３５と、前記被照明体を照明する
発光部２１とが、前記素子部３０に備えられたフロント
ライト（有機ＥＬ素子）３、及びその製造方法を提供す
る。
手段に用いて好適な有機ＥＬ素子、及びこの有機ＥＬ素
子を容易かつ歩留まり良く製造する方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、支持基板１６と、該支持基板
１６上に設けられた素子部３０とを備え、前記素子部３
０が、陽極２２と、有機ＥＬ材料を含む発光層３７と、
陰極３８とを順に積層して含み、当該有機ＥＬ素子の被
照明体を透過して表示するために前記素子部３０を貫通
して形成された開口部３５と、前記被照明体を照明する
発光部２１とが、前記素子部３０に備えられたフロント
ライト（有機ＥＬ素子）３、及びその製造方法を提供す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス(Electro-Luminescence,ＥＬ)素子及びそ
の製造方法、並びに表示装置に関し、特に、被照射体の
前面側に配し、被照射体を透過して表示する用途に好適
な有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。
ミネッセンス(Electro-Luminescence,ＥＬ)素子及びそ
の製造方法、並びに表示装置に関し、特に、被照射体の
前面側に配し、被照射体を透過して表示する用途に好適
な有機ＥＬ素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、反射型液晶パネルのような非発光
型の表示装置のフロントライト（照明装置）として、有
機ＥＬ素子を用いたものが注目されており、照明装置と
してだけでなく、有機ＥＬ素子を自発発光型の表示装置
として用いることも考えられている。有機ＥＬ素子の基
本構成は、例えばガラス基板上に透明電極（陽極）、発
光層、金属電極（陰極）が積層された構造であり、陽極
には仕事関数の大きな材料が用いられ、陰極には仕事関
数の小さな材料が用いられ、発光層に有機ＥＬ材料が用
いられている。そして、双方の電極から発光層に注入さ
れる正孔と電子とが発光層で再結合することによって発
光するようになっている。
型の表示装置のフロントライト（照明装置）として、有
機ＥＬ素子を用いたものが注目されており、照明装置と
してだけでなく、有機ＥＬ素子を自発発光型の表示装置
として用いることも考えられている。有機ＥＬ素子の基
本構成は、例えばガラス基板上に透明電極（陽極）、発
光層、金属電極（陰極）が積層された構造であり、陽極
には仕事関数の大きな材料が用いられ、陰極には仕事関
数の小さな材料が用いられ、発光層に有機ＥＬ材料が用
いられている。そして、双方の電極から発光層に注入さ
れる正孔と電子とが発光層で再結合することによって発
光するようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子を表示用ディスプレイとして用いる場合には、基板上
に陰極となる金属電極を形成し、発光層を挟んで陽極と
なる透明電極側から視認する構成とすることができる。
この場合、陰極は基板上の全面にわたって形成すれば済
み、パターニングは不要となる。これに対して、例えば
表示装置のフロントライトとして用いる場合には、表示
を視認するためには金属電極からなる陰極を全面にわた
って形成するわけにはいかず、パターニングが必要にな
る。このような構成の有機ＥＬ素子でフロントライトを
構成する場合、陽極を構成する透明導電膜は全面に形成
し、陰極を構成するＣａ等のアルカリ土類金属とＡｌ等
の金属からなる積層膜をドライエッチング等を用いてパ
ターニングすることになるが、有機ＥＬ素子の発光部を
パターニングするには、構成材料の異なる複数の層をエ
ッチングするたために各層毎に異なるエッチャントを用
いる必要があり、また、各エッチャントに対する各層の
耐性も考慮する必要があることから、使用されるエッチ
ャントの種類の増加に伴う装置及び工程の複雑化が避け
られない。
子を表示用ディスプレイとして用いる場合には、基板上
に陰極となる金属電極を形成し、発光層を挟んで陽極と
なる透明電極側から視認する構成とすることができる。
この場合、陰極は基板上の全面にわたって形成すれば済
み、パターニングは不要となる。これに対して、例えば
表示装置のフロントライトとして用いる場合には、表示
を視認するためには金属電極からなる陰極を全面にわた
って形成するわけにはいかず、パターニングが必要にな
る。このような構成の有機ＥＬ素子でフロントライトを
構成する場合、陽極を構成する透明導電膜は全面に形成
し、陰極を構成するＣａ等のアルカリ土類金属とＡｌ等
の金属からなる積層膜をドライエッチング等を用いてパ
ターニングすることになるが、有機ＥＬ素子の発光部を
パターニングするには、構成材料の異なる複数の層をエ
ッチングするたために各層毎に異なるエッチャントを用
いる必要があり、また、各エッチャントに対する各層の
耐性も考慮する必要があることから、使用されるエッチ
ャントの種類の増加に伴う装置及び工程の複雑化が避け
られない。
【０００４】また、上記有機ＥＬ素子においては、陰極
から発光層への電子注入効率を高め、陰極としての安定
性を保ち、反射率を確保するために、仕事関数の小さい
Ｃａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）等のアルカ
リ土類金属と、これよりも仕事関数の大きいＡｌ（アル
ミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属からなる積層電極を陰
極に用いられる場合が多くなってきている。そして、こ
の陰極に含まれるＣａ等のアルカリ土類金属の活性が高
いために、アルカリ土類金属層のパターニングが困難で
あるために、歩留まり良く有機ＥＬ素子を製造するのが
困難であるという問題もあった。
から発光層への電子注入効率を高め、陰極としての安定
性を保ち、反射率を確保するために、仕事関数の小さい
Ｃａ（カルシウム）、Ｍｇ（マグネシウム）等のアルカ
リ土類金属と、これよりも仕事関数の大きいＡｌ（アル
ミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属からなる積層電極を陰
極に用いられる場合が多くなってきている。そして、こ
の陰極に含まれるＣａ等のアルカリ土類金属の活性が高
いために、アルカリ土類金属層のパターニングが困難で
あるために、歩留まり良く有機ＥＬ素子を製造するのが
困難であるという問題もあった。
【０００５】さらに、上記のようなパターニング工程の
複雑さを低減するために、透光性材料で構成可能な陽極
などを全面に形成することが成されているが、このよう
な構成とすると、フロントライトとして用いる場合に透
過率の低下が避けられない。
複雑さを低減するために、透光性材料で構成可能な陽極
などを全面に形成することが成されているが、このよう
な構成とすると、フロントライトとして用いる場合に透
過率の低下が避けられない。
【０００６】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、光透過部分の透過率が高く、表示
装置の照明手段に用いて好適な有機ＥＬ素子を提供する
ことを目的の一つとする。また本発明は、製造プロセス
を複雑化することなく、表示装置の照明手段に用いて好
適な有機ＥＬ素子を容易かつ、歩留まり良く製造するこ
とができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目
的の一つとする。さらに本発明は、上記本発明に係る有
機ＥＬ素子を備え、表示が明るく、視認性に優れた表示
装置を提供することを目的の一つとする。
されたものであって、光透過部分の透過率が高く、表示
装置の照明手段に用いて好適な有機ＥＬ素子を提供する
ことを目的の一つとする。また本発明は、製造プロセス
を複雑化することなく、表示装置の照明手段に用いて好
適な有機ＥＬ素子を容易かつ、歩留まり良く製造するこ
とができる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目
的の一つとする。さらに本発明は、上記本発明に係る有
機ＥＬ素子を備え、表示が明るく、視認性に優れた表示
装置を提供することを目的の一つとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】（有機ＥＬ素子）本発明
に係る有機ＥＬ素子は、上記課題を解決するために、支
持基板と、該支持基板上に設けられた素子部とを備え、
前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、
陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子であって、当該
有機ＥＬ素子の被照明体を透過して表示するために前記
素子部を貫通して形成された開口部と、前記被照明体を
照明する発光部とが前記素子部に備えられたことを特徴
とする。上記構成を備えた本発明の有機ＥＬ素子は、基
板上に形成された素子部に、この素子部を貫通する開口
部が形成されており、この開口部以外の素子部のうち、
照明光を発する部分が発光部とされた有機ＥＬ素子であ
る。このように、素子部を貫通する開口部が設けられて
いることで、被照明体を透過して表示するための透過部
における有機ＥＬ素子の透過率を高めることができる。
従って、例えば有機ＥＬ素子を表示装置の前面側に配し
て照明手段として用いた場合に、有機ＥＬ素子による表
示光の減衰が少なくなり、高輝度で鮮明な表示を得るこ
とができる。
に係る有機ＥＬ素子は、上記課題を解決するために、支
持基板と、該支持基板上に設けられた素子部とを備え、
前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、
陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子であって、当該
有機ＥＬ素子の被照明体を透過して表示するために前記
素子部を貫通して形成された開口部と、前記被照明体を
照明する発光部とが前記素子部に備えられたことを特徴
とする。上記構成を備えた本発明の有機ＥＬ素子は、基
板上に形成された素子部に、この素子部を貫通する開口
部が形成されており、この開口部以外の素子部のうち、
照明光を発する部分が発光部とされた有機ＥＬ素子であ
る。このように、素子部を貫通する開口部が設けられて
いることで、被照明体を透過して表示するための透過部
における有機ＥＬ素子の透過率を高めることができる。
従って、例えば有機ＥＬ素子を表示装置の前面側に配し
て照明手段として用いた場合に、有機ＥＬ素子による表
示光の減衰が少なくなり、高輝度で鮮明な表示を得るこ
とができる。
【０００８】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子において
は、前記開口部が、前記素子部をパターニングすること
により形成されたものであることが好ましい。すなわ
ち、上記構成の有機ＥＬ素子においては、その発光パタ
ーンが、素子部全体をパターニングすることで形成され
ているので、発光部の発光パターンの変更にも極めて容
易に対応することができ、また、従来のように、発光パ
ターンに従って特定層をパターニングして形成する場合
に比して、発光部の不具合が生じにくく、信頼性に優れ
た有機ＥＬ素子を提供することができる。
は、前記開口部が、前記素子部をパターニングすること
により形成されたものであることが好ましい。すなわ
ち、上記構成の有機ＥＬ素子においては、その発光パタ
ーンが、素子部全体をパターニングすることで形成され
ているので、発光部の発光パターンの変更にも極めて容
易に対応することができ、また、従来のように、発光パ
ターンに従って特定層をパターニングして形成する場合
に比して、発光部の不具合が生じにくく、信頼性に優れ
た有機ＥＬ素子を提供することができる。
【０００９】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子において
は、前記開口部の平面積が、当該有機ＥＬ素子の表示領
域の８０％以上とされることが好ましい。上記構成によ
れば、十分な照明輝度が得られ、かつ高い開口率を有す
るとともに、発光部が使用者に視認されにくい有機ＥＬ
素子とすることができるので、表示装置の前面側に配し
た場合に優れた視認性を得ることができる。尚、上記有
機ＥＬ素子の表示領域とは、当該有機ＥＬ素子が表示装
置の前面に配置された場合に、表示装置の表示領域と対
応する基板面内の領域を指すものである。また、前記開
口部の面積を過大に大きくすると、照明手段としての輝
度が低下するので、前記開口部の実用的な上限は、発光
部自体の輝度により異なるが、９０％程度である。
は、前記開口部の平面積が、当該有機ＥＬ素子の表示領
域の８０％以上とされることが好ましい。上記構成によ
れば、十分な照明輝度が得られ、かつ高い開口率を有す
るとともに、発光部が使用者に視認されにくい有機ＥＬ
素子とすることができるので、表示装置の前面側に配し
た場合に優れた視認性を得ることができる。尚、上記有
機ＥＬ素子の表示領域とは、当該有機ＥＬ素子が表示装
置の前面に配置された場合に、表示装置の表示領域と対
応する基板面内の領域を指すものである。また、前記開
口部の面積を過大に大きくすると、照明手段としての輝
度が低下するので、前記開口部の実用的な上限は、発光
部自体の輝度により異なるが、９０％程度である。
【００１０】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子において
は、前記発光部の形状が、平面視略ストライプ状あるい
は略格子状とされていることが好ましい。上記構成によ
れば、被照明体を均一に照明することができ、かつこの
有機ＥＬ素子を透過して前記被照明体を表示する場合
に、発光部（開口部以外の部分）が視認されにくい有機
ＥＬ素子を提供することができる。また、略格子状にす
ることにより形状は複雑になるが発光面積が拡大するた
め輝度と均一性とを高めることができる。
は、前記発光部の形状が、平面視略ストライプ状あるい
は略格子状とされていることが好ましい。上記構成によ
れば、被照明体を均一に照明することができ、かつこの
有機ＥＬ素子を透過して前記被照明体を表示する場合
に、発光部（開口部以外の部分）が視認されにくい有機
ＥＬ素子を提供することができる。また、略格子状にす
ることにより形状は複雑になるが発光面積が拡大するた
め輝度と均一性とを高めることができる。
【００１１】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子は、前記
支持基板の素子部側に一対の実装端子が形成されてお
り、前記実装端子の一方が、前記発光部の陽極に接続さ
れており、前記実装端子の他方が、前記発光部の側面側
に沿って設けられた導通電極を介して前記陰極に接続さ
れている構成とすることができる。上記構成の有機ＥＬ
素子によれば、支持基板上に陽極側及び陰極側の実装端
子が形成されているので、例えば、支持基板の反対側に
発光部を保護するための保護基板や保護層を設ける場合
にも、これらの保護基板や保護層側に実装端子を形成す
る必要が無く、素子部より上側の構成を簡素化して製造
をより容易にすることができる。また、前記実装端子
と、外部の駆動回路との接続も容易になる。
支持基板の素子部側に一対の実装端子が形成されてお
り、前記実装端子の一方が、前記発光部の陽極に接続さ
れており、前記実装端子の他方が、前記発光部の側面側
に沿って設けられた導通電極を介して前記陰極に接続さ
れている構成とすることができる。上記構成の有機ＥＬ
素子によれば、支持基板上に陽極側及び陰極側の実装端
子が形成されているので、例えば、支持基板の反対側に
発光部を保護するための保護基板や保護層を設ける場合
にも、これらの保護基板や保護層側に実装端子を形成す
る必要が無く、素子部より上側の構成を簡素化して製造
をより容易にすることができる。また、前記実装端子
と、外部の駆動回路との接続も容易になる。
【００１２】また、本発明に係る有機ＥＬ素子は、前記
素子部の前記支持基板と反対側に、保護基板が設けられ
ており、前記支持基板の内面側、及び前記保護基板の内
面側にそれぞれ実装端子が形成されており、前記支持基
板内面側の実装端子と、前記発光部の陽極とが接続され
ており、前記保護基板内面側の実装端子と、前記陰極と
が接続されている構成とすることもできる。上記構成の
有機ＥＬ素子によれば、前記素子部を支持基板と保護基
板とで挟持するとともに、支持基板側に配置される陽極
に支持基板上の実装端子を接続し、保護基板側に配置さ
れる陰極には、保護基板内面側の実装端子を接続する構
成とされているので、陽極及び陰極と実装端子との導通
を最も容易に行うことができる。
素子部の前記支持基板と反対側に、保護基板が設けられ
ており、前記支持基板の内面側、及び前記保護基板の内
面側にそれぞれ実装端子が形成されており、前記支持基
板内面側の実装端子と、前記発光部の陽極とが接続され
ており、前記保護基板内面側の実装端子と、前記陰極と
が接続されている構成とすることもできる。上記構成の
有機ＥＬ素子によれば、前記素子部を支持基板と保護基
板とで挟持するとともに、支持基板側に配置される陽極
に支持基板上の実装端子を接続し、保護基板側に配置さ
れる陰極には、保護基板内面側の実装端子を接続する構
成とされているので、陽極及び陰極と実装端子との導通
を最も容易に行うことができる。
【００１３】あるいは、本発明に係る有機ＥＬ素子は、
前記素子部の前記支持基板と反対側に、保護基板が設け
られ、該保護基板の内面側に一対の実装端子が形成され
ており、前記実装端子の一方が、前記陰極に接続され、
前記実装端子の他方が、前記発光部の側面に沿って設け
られた導通電極を介して前記陽極に接続されている構成
とすることもできる。上記構成の有機ＥＬ素子によれ
ば、支持基板側に実装端子が無いため、支持基板上への
素子部の形成及び素子部のパターニングによる前記開口
部の形成が容易になる。
前記素子部の前記支持基板と反対側に、保護基板が設け
られ、該保護基板の内面側に一対の実装端子が形成され
ており、前記実装端子の一方が、前記陰極に接続され、
前記実装端子の他方が、前記発光部の側面に沿って設け
られた導通電極を介して前記陽極に接続されている構成
とすることもできる。上記構成の有機ＥＬ素子によれ
ば、支持基板側に実装端子が無いため、支持基板上への
素子部の形成及び素子部のパターニングによる前記開口
部の形成が容易になる。
【００１４】次に、上記構成の有機ＥＬ素子において
は、前記発光部の陰極の外側に、導電性及び遮光性を有
する樹脂層が形成されており、前記樹脂層を介して、前
記陰極と前記支持基板又は保護基板の実装端子とが接続
されている構成とすることもできる。上記構成によれ
ば、前記樹脂層が、実装端子と陰極との導通電極として
の機能と、発光部の遮光機能とを兼ねる構成とすること
ができるので、構造が簡素化され、製造コストの低減
と、製造の容易性の向上を実現することができる。
は、前記発光部の陰極の外側に、導電性及び遮光性を有
する樹脂層が形成されており、前記樹脂層を介して、前
記陰極と前記支持基板又は保護基板の実装端子とが接続
されている構成とすることもできる。上記構成によれ
ば、前記樹脂層が、実装端子と陰極との導通電極として
の機能と、発光部の遮光機能とを兼ねる構成とすること
ができるので、構造が簡素化され、製造コストの低減
と、製造の容易性の向上を実現することができる。
【００１５】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子において
は、前記開口部に透光性の樹脂材料が充填された構成と
することができる。上記構成によれば、開口部に樹脂材
料を充填することで、開口部に接する発光部の側端面を
保護することができ、優れた信頼性を備えた有機ＥＬ素
子を得ることができる。特に、発光部の陰極にアルカリ
土類金属層が含まれている場合には、このアルカリ土類
金属層のＣａ等が大気中の酸素や水分と反応して変成
し、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるという問題が生じる
可能性があるが、上記構成では、前記樹脂材料により開
口部が充填されるので、このようなアルカリ土類金属層
の変成を抑制することができる。
は、前記開口部に透光性の樹脂材料が充填された構成と
することができる。上記構成によれば、開口部に樹脂材
料を充填することで、開口部に接する発光部の側端面を
保護することができ、優れた信頼性を備えた有機ＥＬ素
子を得ることができる。特に、発光部の陰極にアルカリ
土類金属層が含まれている場合には、このアルカリ土類
金属層のＣａ等が大気中の酸素や水分と反応して変成
し、有機ＥＬ素子の寿命が短くなるという問題が生じる
可能性があるが、上記構成では、前記樹脂材料により開
口部が充填されるので、このようなアルカリ土類金属層
の変成を抑制することができる。
【００１６】（有機ＥＬ素子の製造方法）次に、本発明
に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、支持基板と、該支持
基板上に設けられた素子部とを備え、前記素子部が、陽
極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、陰極とを順に積層
して含む有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持基板上
に前記素子部を形成する工程と、前記素子部をパターニ
ングすることで、前記素子部を貫通する所定形状の開口
部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、支持基板と、該支持
基板上に設けられた素子部とを備え、前記素子部が、陽
極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、陰極とを順に積層
して含む有機ＥＬ素子の製造方法であって、支持基板上
に前記素子部を形成する工程と、前記素子部をパターニ
ングすることで、前記素子部を貫通する所定形状の開口
部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】上記本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によ
れば、素子部を形成した後に、所定のパターン形状に前
記開口部を一括に形成するので、工程に導入するエッチ
ャントが一種類のみで良く、また著しい工数の増加も無
いなど、製造プロセスを簡素化することができるので、
製造の容易性を向上させることができ、これによる製造
歩留まりの向上も見込める。従って、より簡素な製造工
程により、透過率の高い開口部を有する有機ＥＬ素子を
歩留まり良く製造することができる。より詳細には、従
来所定のパターン形状に発光する発光部を形成するため
には、特定層のみをエッチングするために複数のエッチ
ャントを用いる必要があり、他の層へのエッチャントの
影響も考慮する必要があったが、本発明に係る製造方法
では、選択的に特定層を加工するのではなく、素子部全
体を一括に加工するため、導入するエッチャントとし
て、各層を一様に加工することができるエッチャントを
一種類のみ用いればよいので、製造を容易に行うことが
できる。また、本発明に係る製造方法では、前記素子部
を貫通するように開口部を形成するので、エッチングの
程度を高精度に制御する必要が無く、製造が容易であ
る。つまり、開口部底部に基板表面が露出した時点でエ
ッチングを停止すればよく、また多少基板がエッチング
されたとしても全く問題にならないため、プロセス制御
が極めて容易になる。さらに、開口部を形成する工程よ
り前の素子部形成工程においては、素子部を構成する各
層を支持基板上に全面に積層形成すればよいので、この
点においても製造工程の簡素化を実現することができ
る。
れば、素子部を形成した後に、所定のパターン形状に前
記開口部を一括に形成するので、工程に導入するエッチ
ャントが一種類のみで良く、また著しい工数の増加も無
いなど、製造プロセスを簡素化することができるので、
製造の容易性を向上させることができ、これによる製造
歩留まりの向上も見込める。従って、より簡素な製造工
程により、透過率の高い開口部を有する有機ＥＬ素子を
歩留まり良く製造することができる。より詳細には、従
来所定のパターン形状に発光する発光部を形成するため
には、特定層のみをエッチングするために複数のエッチ
ャントを用いる必要があり、他の層へのエッチャントの
影響も考慮する必要があったが、本発明に係る製造方法
では、選択的に特定層を加工するのではなく、素子部全
体を一括に加工するため、導入するエッチャントとし
て、各層を一様に加工することができるエッチャントを
一種類のみ用いればよいので、製造を容易に行うことが
できる。また、本発明に係る製造方法では、前記素子部
を貫通するように開口部を形成するので、エッチングの
程度を高精度に制御する必要が無く、製造が容易であ
る。つまり、開口部底部に基板表面が露出した時点でエ
ッチングを停止すればよく、また多少基板がエッチング
されたとしても全く問題にならないため、プロセス制御
が極めて容易になる。さらに、開口部を形成する工程よ
り前の素子部形成工程においては、素子部を構成する各
層を支持基板上に全面に積層形成すればよいので、この
点においても製造工程の簡素化を実現することができ
る。
【００１８】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方
法は、支持基板と、該支持基板上に設けられた素子部と
を備え、前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発
光層と、陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子の製造
方法であって、支持基板上に陽極と、発光層と、陰極と
を積層して含む素子部を形成する工程と、前記素子部上
にフォトレジストを塗布する工程と、前記素子部上に形
成されたフォトレジストを所定形状にパターニングする
工程と、前記レジストの形状に沿って、前記素子本体部
をパターニングすることにより前記開口部を形成する工
程と、を含むことを特徴とする。上記工程を有する製造
方法によれば、素子部（発光部）の発光パターンをフォ
トレジストによる露光、現像により形成しておき、この
フォトレジスト側から一括してエッチング処理すること
で、フォトレジストの形状に沿って精度良くパターニン
グすることができ、フォトレジストと同一形状の発光部
を容易に形成することができる。尚、本構成の製造方法
において、フォトレジストの厚さに特に制限はないが、
エッチング時に開口部が完全に形成される前にフォトレ
ジストが除去されてしまうと、本来残されるべき素子部
の一部がエッチングされて不具合が生じるため、開口部
の加工時間内で除去されない程度の厚さは必要である。
また、フォトレジストを過大に厚く形成すると、製造さ
れた有機ＥＬ素子の厚さが大きくなる、また開口部の加
工精度が低下する等の問題が生じる可能性がある。
法は、支持基板と、該支持基板上に設けられた素子部と
を備え、前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発
光層と、陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子の製造
方法であって、支持基板上に陽極と、発光層と、陰極と
を積層して含む素子部を形成する工程と、前記素子部上
にフォトレジストを塗布する工程と、前記素子部上に形
成されたフォトレジストを所定形状にパターニングする
工程と、前記レジストの形状に沿って、前記素子本体部
をパターニングすることにより前記開口部を形成する工
程と、を含むことを特徴とする。上記工程を有する製造
方法によれば、素子部（発光部）の発光パターンをフォ
トレジストによる露光、現像により形成しておき、この
フォトレジスト側から一括してエッチング処理すること
で、フォトレジストの形状に沿って精度良くパターニン
グすることができ、フォトレジストと同一形状の発光部
を容易に形成することができる。尚、本構成の製造方法
において、フォトレジストの厚さに特に制限はないが、
エッチング時に開口部が完全に形成される前にフォトレ
ジストが除去されてしまうと、本来残されるべき素子部
の一部がエッチングされて不具合が生じるため、開口部
の加工時間内で除去されない程度の厚さは必要である。
また、フォトレジストを過大に厚く形成すると、製造さ
れた有機ＥＬ素子の厚さが大きくなる、また開口部の加
工精度が低下する等の問題が生じる可能性がある。
【００１９】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方
法においては、前記フォトレジストを、導電性及び遮光
性を有する感光性樹脂材料で形成してもよい。この製造
方法によれば、素子部の上側に設けたフォトレジスト
を、陰極と実装端子とを接続するための導通電極として
利用することができ、より効率よく有機ＥＬ素子の製造
を行うことができる。すなわち、本発明に係る製造方法
では、所定パターンのフォトレジストを素子部上に形成
しておき、素子部及びフォトレジストを一括にエッチン
グすることにより開口部を形成するが、この開口部の形
成後に、フォトレジストは残された素子部（すなわち発
光部）上に残るようになっている。この発光部上に残っ
たフォトレジストが導電性を有していれば、実装端子と
陰極とを接続する導通電極としてフォトレジストを利用
することができる。また、発光部上に残ったフォトレジ
ストが遮光性を有していれば、通常陰極の一部又は陰極
の上側（支持基板と反対側）に形成される遮光層をこの
フォトレジストが兼ねる構成とすることができるので、
有機ＥＬ素子の構造を簡素化することができ、製造をよ
り容易に行うことができる。
法においては、前記フォトレジストを、導電性及び遮光
性を有する感光性樹脂材料で形成してもよい。この製造
方法によれば、素子部の上側に設けたフォトレジスト
を、陰極と実装端子とを接続するための導通電極として
利用することができ、より効率よく有機ＥＬ素子の製造
を行うことができる。すなわち、本発明に係る製造方法
では、所定パターンのフォトレジストを素子部上に形成
しておき、素子部及びフォトレジストを一括にエッチン
グすることにより開口部を形成するが、この開口部の形
成後に、フォトレジストは残された素子部（すなわち発
光部）上に残るようになっている。この発光部上に残っ
たフォトレジストが導電性を有していれば、実装端子と
陰極とを接続する導通電極としてフォトレジストを利用
することができる。また、発光部上に残ったフォトレジ
ストが遮光性を有していれば、通常陰極の一部又は陰極
の上側（支持基板と反対側）に形成される遮光層をこの
フォトレジストが兼ねる構成とすることができるので、
有機ＥＬ素子の構造を簡素化することができ、製造をよ
り容易に行うことができる。
【００２０】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方
法は、前記支持基板上に、実装端子を形成する工程を含
み、前記支持基板上に形成された実装端子を部分的又は
全体的に覆うように前記素子部を形成することもでき
る。上記製造方法によれば、支持基板上に予め実装端子
を形成しておき、その上に素子部を形成するので、実装
端子と素子部とが接続された状態で素子部のパターニン
グを行うことができる。従って、素子部をパターン形成
しても実装端子への配線の引き出しの問題が生じること
が無い。この支持基板上に形成する実装端子は、素子部
の支持基板側に配置される陽極と接続する実装端子に限
らず、支持基板と反対側に配置される陰極と接続する実
装端子を支持基板上に設けておいても良い。この場合に
は、素子部を支持基板の全面に形成すると、陰極と接続
する実装端子が素子部に覆われてしまうが、その後のパ
ターニング工程で陰極と接続される実装端子の上側を覆
っている素子部（あるいはその一部）を除去して前記実
装端子を露出させることで、陰極と実装端子との接続が
可能になる。
法は、前記支持基板上に、実装端子を形成する工程を含
み、前記支持基板上に形成された実装端子を部分的又は
全体的に覆うように前記素子部を形成することもでき
る。上記製造方法によれば、支持基板上に予め実装端子
を形成しておき、その上に素子部を形成するので、実装
端子と素子部とが接続された状態で素子部のパターニン
グを行うことができる。従って、素子部をパターン形成
しても実装端子への配線の引き出しの問題が生じること
が無い。この支持基板上に形成する実装端子は、素子部
の支持基板側に配置される陽極と接続する実装端子に限
らず、支持基板と反対側に配置される陰極と接続する実
装端子を支持基板上に設けておいても良い。この場合に
は、素子部を支持基板の全面に形成すると、陰極と接続
する実装端子が素子部に覆われてしまうが、その後のパ
ターニング工程で陰極と接続される実装端子の上側を覆
っている素子部（あるいはその一部）を除去して前記実
装端子を露出させることで、陰極と実装端子との接続が
可能になる。
【００２１】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方
法においては、前記素子部をパターニングする工程にお
いて、イオンミリング法により前記開口部を形成するこ
とが好ましい。前記素子部のパターニングをイオンミリ
ング法を用いて行うことで、極めて精度良く発光部全体
のパターニングを行うことができる。イオンミリング法
は、加速されたイオンを被加工物に衝突させて加工する
方法であり、被加工物（基板上の素子部）へのイオンの
入射角度に沿って加工を行うことができるので、例えば
入射角度を０°（基板法線方向から入射）とすれば、基
板に対して垂直な側端面を有する開口部を形成すること
ができる。また、通常イオンミリング法で用いられるイ
オンはアルゴンであり、素子部（及び発光部）の構成部
材が変成されることがないので、パターン加工による発
光部の不具合は生じない。さらに、イオンミリング法に
よれば、比較的大型の基板上に形成された素子部のパタ
ーニングを行う場合でも、基板面内で均一にイオン照射
を行うことができるので、製造効率が高く、工業的に有
利な方法であるといえる。
法においては、前記素子部をパターニングする工程にお
いて、イオンミリング法により前記開口部を形成するこ
とが好ましい。前記素子部のパターニングをイオンミリ
ング法を用いて行うことで、極めて精度良く発光部全体
のパターニングを行うことができる。イオンミリング法
は、加速されたイオンを被加工物に衝突させて加工する
方法であり、被加工物（基板上の素子部）へのイオンの
入射角度に沿って加工を行うことができるので、例えば
入射角度を０°（基板法線方向から入射）とすれば、基
板に対して垂直な側端面を有する開口部を形成すること
ができる。また、通常イオンミリング法で用いられるイ
オンはアルゴンであり、素子部（及び発光部）の構成部
材が変成されることがないので、パターン加工による発
光部の不具合は生じない。さらに、イオンミリング法に
よれば、比較的大型の基板上に形成された素子部のパタ
ーニングを行う場合でも、基板面内で均一にイオン照射
を行うことができるので、製造効率が高く、工業的に有
利な方法であるといえる。
【００２２】あるいは、本発明に係る有機ＥＬ素子の製
造方法においては、前記素子部をパターニングする工程
において、レーザーアブレーション法により前記開口部
を形成することもできる。本発明に係る製造方法では、
素子部のパターニングにレーザーアブレーション法を用
いることもできる。係る方法は、被加工物の表面にレー
ザーを照射し、被照射部の周辺を蒸発させて微細加工を
行う方法である。従って、形成する開口部のパターンに
沿って発光部上をレーザーで走査する、あるいは開口マ
スクを介してレーザー照射することにより、容易に素子
部のパターニングを行うことができる。
造方法においては、前記素子部をパターニングする工程
において、レーザーアブレーション法により前記開口部
を形成することもできる。本発明に係る製造方法では、
素子部のパターニングにレーザーアブレーション法を用
いることもできる。係る方法は、被加工物の表面にレー
ザーを照射し、被照射部の周辺を蒸発させて微細加工を
行う方法である。従って、形成する開口部のパターンに
沿って発光部上をレーザーで走査する、あるいは開口マ
スクを介してレーザー照射することにより、容易に素子
部のパターニングを行うことができる。
【００２３】次に、本発明に係る表示装置は、先のいず
れかに記載の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手
段から出射される光を反射表示に用いる表示手段と備え
たことを特徴とする。上記構成によれば、前記表示手段
を高輝度で照明するとともに、表示手段からの反射光を
高い透過率で透過させ、鮮明な表示が得られる照明手段
を備えた表示装置を提供することができる。
れかに記載の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手
段から出射される光を反射表示に用いる表示手段と備え
たことを特徴とする。上記構成によれば、前記表示手段
を高輝度で照明するとともに、表示手段からの反射光を
高い透過率で透過させ、鮮明な表示が得られる照明手段
を備えた表示装置を提供することができる。
【００２４】次に、本発明に係る表示装置としては、前
記表示手段が、反射型液晶表示装置とされ、前記照明手
段を成す前記有機ＥＬ素子の陰極が、前記反射型液晶表
示装置の非開口領域に対応して配置されている表示装置
とすることもできる。上記構成によれば、有機ＥＬ素子
を有する照明手段を前面側に備えた場合でも、液晶表示
装置の開口率が低下することが無く、明るく鮮明な表示
を得ることができる。
記表示手段が、反射型液晶表示装置とされ、前記照明手
段を成す前記有機ＥＬ素子の陰極が、前記反射型液晶表
示装置の非開口領域に対応して配置されている表示装置
とすることもできる。上記構成によれば、有機ＥＬ素子
を有する照明手段を前面側に備えた場合でも、液晶表示
装置の開口率が低下することが無く、明るく鮮明な表示
を得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。 （有機ＥＬ素子を備えた液晶表示装置）本実施形態で
は、本発明に係る表示装置として、有機ＥＬ素子を前面
側に備えた液晶表示装置を例に挙げて説明する。すなわ
ち、本実施形態の液晶表示装置は、本発明の有機ＥＬ素
子をフロントライト（照明手段）として備えている。ま
た、本実施形態で励磁する液晶表示装置は、薄膜トラン
ジスタ（Thin Film Transistor, ＴＦＴ）をスイッチン
グ素子として用いたアクティブマトリクス型の反射型液
晶表示装置である。
を参照して説明する。 （有機ＥＬ素子を備えた液晶表示装置）本実施形態で
は、本発明に係る表示装置として、有機ＥＬ素子を前面
側に備えた液晶表示装置を例に挙げて説明する。すなわ
ち、本実施形態の液晶表示装置は、本発明の有機ＥＬ素
子をフロントライト（照明手段）として備えている。ま
た、本実施形態で励磁する液晶表示装置は、薄膜トラン
ジスタ（Thin Film Transistor, ＴＦＴ）をスイッチン
グ素子として用いたアクティブマトリクス型の反射型液
晶表示装置である。
【００２６】図１は、本実施形態の液晶表示装置の概略
構成を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿うフロ
ントライトの部分断面図である。また、本明細書におい
て参照する図面においては、各層や各構成要素を確認可
能な程度の大きさとするため、各部の厚さや寸法などを
適宜異ならせて図示している。
構成を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿うフロ
ントライトの部分断面図である。また、本明細書におい
て参照する図面においては、各層や各構成要素を確認可
能な程度の大きさとするため、各部の厚さや寸法などを
適宜異ならせて図示している。
【００２７】本実施形態の液晶表示装置１は、図１に示
すように、液晶セル（表示手段）２と、その前面側に配
置されたフロントライト（照明手段）３とを備えて構成
されている。液晶セル２は、アクティブマトリクス型の
反射型液晶セルであり、ＴＦＴが形成された側の素子基
板４と、対向基板５とが対向配置され、これら基板４，
５間に液晶層（図示せず）が封入されている。素子基板
４の内面側には、多数のソース線６及びゲート線７が互
いに交差するように格子状に形成されている。各ソース
線６と各ゲート線７の交差点の近傍には、ＴＦＴ８が形
成されており、各ＴＦＴ８を介して画素電極９がそれぞ
れ接続されている。すなわち、マトリクス状に配置され
た各画素１０毎に一つのＴＦＴ８と画素電極９が設けら
れている。本実施形態に係る液晶セル２においては、こ
の画素電極９は、光反射性の金属材料で構成され、反射
電極として機能する。一方、対向基板５の内面側全面に
は、多数の画素１０がマトリクス状に配置された液晶セ
ルの表示領域全体に渡って一つの共通電極１１が形成さ
れている。また、図示は省略したが、液晶セル２の内側
には、各基板の内面側の各種配線や、配向膜などが形成
されている。
すように、液晶セル（表示手段）２と、その前面側に配
置されたフロントライト（照明手段）３とを備えて構成
されている。液晶セル２は、アクティブマトリクス型の
反射型液晶セルであり、ＴＦＴが形成された側の素子基
板４と、対向基板５とが対向配置され、これら基板４，
５間に液晶層（図示せず）が封入されている。素子基板
４の内面側には、多数のソース線６及びゲート線７が互
いに交差するように格子状に形成されている。各ソース
線６と各ゲート線７の交差点の近傍には、ＴＦＴ８が形
成されており、各ＴＦＴ８を介して画素電極９がそれぞ
れ接続されている。すなわち、マトリクス状に配置され
た各画素１０毎に一つのＴＦＴ８と画素電極９が設けら
れている。本実施形態に係る液晶セル２においては、こ
の画素電極９は、光反射性の金属材料で構成され、反射
電極として機能する。一方、対向基板５の内面側全面に
は、多数の画素１０がマトリクス状に配置された液晶セ
ルの表示領域全体に渡って一つの共通電極１１が形成さ
れている。また、図示は省略したが、液晶セル２の内側
には、各基板の内面側の各種配線や、配向膜などが形成
されている。
【００２８】フロントライト３は、図１に示すように、
ガラスや透明樹脂などからなる透明の支持基板１６上
に、平面視ストライプ状の複数の発光部２１が形成さ
れ、これらの発光部２１，２１の間隙が開口部３５とさ
れており、これら発光部２１と開口部３５とにより本実
施形態に係るフロントライトの素子部３０が構成されて
いる。そして、図２に示すように、前記素子部３０を挟
持するように、支持基板１６と対向して配置されたガラ
スや透明樹脂などからなる透明の保護基板３６が設けら
れている。また、上記開口部３５は、封止材３２により
充填されている。発光部２１は、図２に示すように、支
持基板１６側から陽極２２と、正孔輸送層２３と、発光
本体層２４と、バッファ層２５と、アルカリ土類金属層
２６と、反射層２７と、遮光層２８と、樹脂層２９とを
順に積層して構成されている。これら発光部２１を構成
する各層は、複数の発光部２１においてそれぞれほぼ同
一の厚さに形成されている。また、発光部２１を構成す
る各層のうち、正孔輸送層２３と、発光本体層２４と、
バッファ層２５とが、本発明に係る発光層３７を構成
し、アルカリ土類金属層２６と、反射層２７とが本発明
に係る陰極３８を構成している。つまり、発光部２１
は、陽極２２と、この陽極２２上に形成された発光層３
７と、発光層３７上に形成された陰極３８と、陰極３８
上に形成された遮光層２８及び樹脂層２９とから構成さ
れている。尚、図示は省略したが、支持基板１６の内面
側には、金属材料からなる一対の実装電極が形成されて
おり、それぞれ直接又はＡｇペーストや配線材などの導
通材を介して陽極２２、陰極３８と電気的に接続されて
いる。そして、これらの実装端子を介して、素子部３０
が外部又はフロントライト３の周辺部に形成された駆動
回路などの周辺回路に接続されている。
ガラスや透明樹脂などからなる透明の支持基板１６上
に、平面視ストライプ状の複数の発光部２１が形成さ
れ、これらの発光部２１，２１の間隙が開口部３５とさ
れており、これら発光部２１と開口部３５とにより本実
施形態に係るフロントライトの素子部３０が構成されて
いる。そして、図２に示すように、前記素子部３０を挟
持するように、支持基板１６と対向して配置されたガラ
スや透明樹脂などからなる透明の保護基板３６が設けら
れている。また、上記開口部３５は、封止材３２により
充填されている。発光部２１は、図２に示すように、支
持基板１６側から陽極２２と、正孔輸送層２３と、発光
本体層２４と、バッファ層２５と、アルカリ土類金属層
２６と、反射層２７と、遮光層２８と、樹脂層２９とを
順に積層して構成されている。これら発光部２１を構成
する各層は、複数の発光部２１においてそれぞれほぼ同
一の厚さに形成されている。また、発光部２１を構成す
る各層のうち、正孔輸送層２３と、発光本体層２４と、
バッファ層２５とが、本発明に係る発光層３７を構成
し、アルカリ土類金属層２６と、反射層２７とが本発明
に係る陰極３８を構成している。つまり、発光部２１
は、陽極２２と、この陽極２２上に形成された発光層３
７と、発光層３７上に形成された陰極３８と、陰極３８
上に形成された遮光層２８及び樹脂層２９とから構成さ
れている。尚、図示は省略したが、支持基板１６の内面
側には、金属材料からなる一対の実装電極が形成されて
おり、それぞれ直接又はＡｇペーストや配線材などの導
通材を介して陽極２２、陰極３８と電気的に接続されて
いる。そして、これらの実装端子を介して、素子部３０
が外部又はフロントライト３の周辺部に形成された駆動
回路などの周辺回路に接続されている。
【００２９】以下、発光部２１を構成する各層について
より詳細に説明する。まず、発光部２１の陽極２２は、
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム
亜鉛酸化物）などの透明導電材料からなる透明電極であ
る。
より詳細に説明する。まず、発光部２１の陽極２２は、
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム
亜鉛酸化物）などの透明導電材料からなる透明電極であ
る。
【００３０】次に、発光層３７の正孔輸送層２３は、陽
極２２から注入される正孔を発光本体層２４に輸送する
機能を成し、例えばポリエチレンジオキシチオフェン
（導電性ポリマー）を主体として構成され、その層厚は
０．０５〜０．２μｍ程度とされている。発光本体層２
４は、例えば高分子ＥＬ（エレクトロルミネセンス：有
機電界発光物質）を主体とする電界発光材料にて構成さ
れ、その層厚は０．０５〜０．２μｍ程度とされてい
る。このような高分子ＥＬにて構成した発光本体層２４
では、低電圧で発光が可能であるとともに、高い輝度の
発光を実現できる。なお、高分子ＥＬを構成する高分子
材料としては、例えばフルオレン系高分子誘導体や、ポ
リパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、
ポリチオフェン誘導体等を用いることができる。バッフ
ァ層２５は、陰極３８から発光本体層２４への電子の注
入を促進するための緩衝層として機能し、例えば、Ｌｉ
Ｆを主体とする材料で構成することができ、その膜厚
は、０．５〜５ｎｍ程度とされる。
極２２から注入される正孔を発光本体層２４に輸送する
機能を成し、例えばポリエチレンジオキシチオフェン
（導電性ポリマー）を主体として構成され、その層厚は
０．０５〜０．２μｍ程度とされている。発光本体層２
４は、例えば高分子ＥＬ（エレクトロルミネセンス：有
機電界発光物質）を主体とする電界発光材料にて構成さ
れ、その層厚は０．０５〜０．２μｍ程度とされてい
る。このような高分子ＥＬにて構成した発光本体層２４
では、低電圧で発光が可能であるとともに、高い輝度の
発光を実現できる。なお、高分子ＥＬを構成する高分子
材料としては、例えばフルオレン系高分子誘導体や、ポ
リパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導
体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、
ポリチオフェン誘導体等を用いることができる。バッフ
ァ層２５は、陰極３８から発光本体層２４への電子の注
入を促進するための緩衝層として機能し、例えば、Ｌｉ
Ｆを主体とする材料で構成することができ、その膜厚
は、０．５〜５ｎｍ程度とされる。
【００３１】次に、陰極３８のアルカリ土類金属層２６
は、Ｃａ又はＭｇ等のアルカリ土類金属を主体として構
成され、アルカリ土類金属層２６上に形成された反射層
２７は、ＡｌやＡｇ若しくはこれらの合金などから構成
され、発光層３７で発光された光をこの反射層２７で反
射させることで、被照明体である液晶セル２が配置され
ている支持基板３６側へ向かう光量を大きくするように
なっている。この陰極３８の層厚は、０．１〜０．５μ
ｍ程度とされる。
は、Ｃａ又はＭｇ等のアルカリ土類金属を主体として構
成され、アルカリ土類金属層２６上に形成された反射層
２７は、ＡｌやＡｇ若しくはこれらの合金などから構成
され、発光層３７で発光された光をこの反射層２７で反
射させることで、被照明体である液晶セル２が配置され
ている支持基板３６側へ向かう光量を大きくするように
なっている。この陰極３８の層厚は、０．１〜０．５μ
ｍ程度とされる。
【００３２】次に、陰極３８上に形成された遮光層２８
は、金属層２７による使用者側への反射光を遮断するた
めに設けられている。本実施形態のフロントライト３で
は、この遮光層２８は導電性を有する材料で構成するこ
とが好ましく、例えば樹脂ブラックや低反射クロムなど
がその構成材料として好適である。そして、遮光層２８
上に形成される樹脂層２９は、後述する本発明に係る有
機ＥＬ素子の製造方法により、本実施形態のフロントラ
イト３を製造した場合に形成される層であり、本発明に
係る有機ＥＬ素子に必須のものではないが、この樹脂層
２９が導電性及び遮光性を有する樹脂材料、例えばカー
ボン粒子を分散した黒色レジスト等で構成されている場
合には、上記遮光層２８を省略することができる。従っ
て、本発明に係るフロントライト３においては、遮光層
２８及び樹脂層２９のうち、少なくとも一方が設けられ
ていればよい。
は、金属層２７による使用者側への反射光を遮断するた
めに設けられている。本実施形態のフロントライト３で
は、この遮光層２８は導電性を有する材料で構成するこ
とが好ましく、例えば樹脂ブラックや低反射クロムなど
がその構成材料として好適である。そして、遮光層２８
上に形成される樹脂層２９は、後述する本発明に係る有
機ＥＬ素子の製造方法により、本実施形態のフロントラ
イト３を製造した場合に形成される層であり、本発明に
係る有機ＥＬ素子に必須のものではないが、この樹脂層
２９が導電性及び遮光性を有する樹脂材料、例えばカー
ボン粒子を分散した黒色レジスト等で構成されている場
合には、上記遮光層２８を省略することができる。従っ
て、本発明に係るフロントライト３においては、遮光層
２８及び樹脂層２９のうち、少なくとも一方が設けられ
ていればよい。
【００３３】封止材３２は、上記発光部２１と支持基板
１６、保護基板３６に囲まれた開口部３５に充填されて
おり、透明の樹脂材料などで構成することができる。こ
の封止材３２は、可能な限り高い透過率を有する材料で
構成することが好ましく、具体的には、エポキシ系の熱
硬化樹脂等を好適な材料として例示することができる。
封止材３２は、保護基板３６と、素子部３０と、支持基
板１６とを一体に保持する接合材としての機能に加え、
発光部２１を大気中の酸素や水分から保護する機能も兼
ねている。特に、陰極３８のアルカリ土類金属層２６
は、化学的な活性が高いため、大気や水分により変成し
易いが、この封止材３２を開口部３５に充填すること
で、このような変成を防止し、フロントライトを長寿命
化することができる。さらに、この封止材３２は、支持
基板１６及び保護基板３６の内面側における光の反射を
防止する機能も有している。すなわち、封止材３２を設
けない場合には、開口部３５に空気層が形成されるた
め、支持基板１６及び保護基板３６との屈折率差により
これらの内面で光が反射されやすくなるが、封止材３２
を充填しておくことで、支持基板１６、封止材３２、保
護基板３６を通過する間の部材の屈折率の変化を小さく
することができるので、光の反射により液晶表示装置の
視認性が低下するのを防止することができる。
１６、保護基板３６に囲まれた開口部３５に充填されて
おり、透明の樹脂材料などで構成することができる。こ
の封止材３２は、可能な限り高い透過率を有する材料で
構成することが好ましく、具体的には、エポキシ系の熱
硬化樹脂等を好適な材料として例示することができる。
封止材３２は、保護基板３６と、素子部３０と、支持基
板１６とを一体に保持する接合材としての機能に加え、
発光部２１を大気中の酸素や水分から保護する機能も兼
ねている。特に、陰極３８のアルカリ土類金属層２６
は、化学的な活性が高いため、大気や水分により変成し
易いが、この封止材３２を開口部３５に充填すること
で、このような変成を防止し、フロントライトを長寿命
化することができる。さらに、この封止材３２は、支持
基板１６及び保護基板３６の内面側における光の反射を
防止する機能も有している。すなわち、封止材３２を設
けない場合には、開口部３５に空気層が形成されるた
め、支持基板１６及び保護基板３６との屈折率差により
これらの内面で光が反射されやすくなるが、封止材３２
を充填しておくことで、支持基板１６、封止材３２、保
護基板３６を通過する間の部材の屈折率の変化を小さく
することができるので、光の反射により液晶表示装置の
視認性が低下するのを防止することができる。
【００３４】上記の構成を備えた本実施形態の液晶表示
装置１の特徴的な点は、フロントライト３の素子部３０
を貫通して形成された開口部３５を備えた点にある。本
実施形態の液晶表示装置１は、フロントライト３の発光
部２１を発光させることにより液晶セル２を照明し、液
晶セル２の画素電極９で反射され、フロントライト３の
図示下面側から入射した光を、この開口部３５を介して
透過させ、表示を行うようになっているが、開口部３５
が素子部３０を貫通して形成されているので、従来の有
機ＥＬ素子のフロントライトに比して、光を透過させる
部分の透過率を高くすることができる。従って、表示光
である液晶セル２の反射光がフロントライト３内部を通
過する間に減衰されにくくなり、その結果、表示光の光
量を大きくすることができ、明るい表示が得られる液晶
表示装置を実現することができる。また、フロントライ
ト３を点灯させず、外光を利用した反射表示を行う場合
には、外光は開口部３５を透過して液晶セル２に入射
し、液晶セル２で反射され、再度開口部３５を透過して
表示されるので、液晶表示装置１に入射した外光が使用
者に到達するまでに２回開口部３５を通過することにな
る。従って、この開口部３５が高い透過率を有している
ことによる効果はフロントライト３を点灯させない場合
により顕著なものとなる。
装置１の特徴的な点は、フロントライト３の素子部３０
を貫通して形成された開口部３５を備えた点にある。本
実施形態の液晶表示装置１は、フロントライト３の発光
部２１を発光させることにより液晶セル２を照明し、液
晶セル２の画素電極９で反射され、フロントライト３の
図示下面側から入射した光を、この開口部３５を介して
透過させ、表示を行うようになっているが、開口部３５
が素子部３０を貫通して形成されているので、従来の有
機ＥＬ素子のフロントライトに比して、光を透過させる
部分の透過率を高くすることができる。従って、表示光
である液晶セル２の反射光がフロントライト３内部を通
過する間に減衰されにくくなり、その結果、表示光の光
量を大きくすることができ、明るい表示が得られる液晶
表示装置を実現することができる。また、フロントライ
ト３を点灯させず、外光を利用した反射表示を行う場合
には、外光は開口部３５を透過して液晶セル２に入射
し、液晶セル２で反射され、再度開口部３５を透過して
表示されるので、液晶表示装置１に入射した外光が使用
者に到達するまでに２回開口部３５を通過することにな
る。従って、この開口部３５が高い透過率を有している
ことによる効果はフロントライト３を点灯させない場合
により顕著なものとなる。
【００３５】本実施形態に係るフロントライト３におい
ては、開口部３５の平面視における面積が、フロントラ
イト３の表示領域の面積の８０％以上とされることが好
ましい。ここで、フロントライト３の表示領域とは、図
１に示す液晶セル２の表示領域（画素電極９が配置され
た領域）の前面側に配置されたフロントライト３の平面
領域を意味し、液晶表示装置１の表示領域と同一の領域
である。このようなフロントライト３の表示領域におい
て、開口部３５の面積を８０％以上とすることで、十分
な照明輝度を得られるとともに、液晶セル２の表示を良
好に透過させ、明るい表示を得ることができ、さらには
発光部２１が使用者に視認されにくくなる。
ては、開口部３５の平面視における面積が、フロントラ
イト３の表示領域の面積の８０％以上とされることが好
ましい。ここで、フロントライト３の表示領域とは、図
１に示す液晶セル２の表示領域（画素電極９が配置され
た領域）の前面側に配置されたフロントライト３の平面
領域を意味し、液晶表示装置１の表示領域と同一の領域
である。このようなフロントライト３の表示領域におい
て、開口部３５の面積を８０％以上とすることで、十分
な照明輝度を得られるとともに、液晶セル２の表示を良
好に透過させ、明るい表示を得ることができ、さらには
発光部２１が使用者に視認されにくくなる。
【００３６】発光部２１をさらに視認されにくくするに
は、発光部２１が平面視線状に形成されている場合に
は、その線幅を５０μｍ以下とすればよい。５０μｍを
越える線幅では、使用環境により発光部２１が視認され
る場合があるが、５０μｍ以下であれば、ほぼ全ての想
定し得る使用状況において発光部２１がほとんど視認さ
れることはない。また、発光部２１を視認されにくくす
る手法としては、上記線幅の微細化の他、液晶セル２の
非表示領域に発光部２１を配置する手法を採用しても良
い。すなわち、液晶セル２に格子状に設けられたソース
線６やゲート線７に沿うように、発光部２１をストライ
プ状あるいは格子状に配置することで、液晶セル２にお
いて反射光が生じる画素電極９と、使用者との間に、発
光部２１が配置されないようにする手法である。この手
法によれば、液晶表示装置１の開口率を低下させること
なく液晶セル２を照明することができ、より明るい表示
を得ることが可能となる。また、このように発光部２１
を配置すれば、液晶セル２には、ソース線６やゲート線
７に沿って、格子状にブラックマトリクスが形成されて
いるので、このブラックマトリクスと発光部２１とが重
なり、さらに発光部２１が視認されにくくなる。
は、発光部２１が平面視線状に形成されている場合に
は、その線幅を５０μｍ以下とすればよい。５０μｍを
越える線幅では、使用環境により発光部２１が視認され
る場合があるが、５０μｍ以下であれば、ほぼ全ての想
定し得る使用状況において発光部２１がほとんど視認さ
れることはない。また、発光部２１を視認されにくくす
る手法としては、上記線幅の微細化の他、液晶セル２の
非表示領域に発光部２１を配置する手法を採用しても良
い。すなわち、液晶セル２に格子状に設けられたソース
線６やゲート線７に沿うように、発光部２１をストライ
プ状あるいは格子状に配置することで、液晶セル２にお
いて反射光が生じる画素電極９と、使用者との間に、発
光部２１が配置されないようにする手法である。この手
法によれば、液晶表示装置１の開口率を低下させること
なく液晶セル２を照明することができ、より明るい表示
を得ることが可能となる。また、このように発光部２１
を配置すれば、液晶セル２には、ソース線６やゲート線
７に沿って、格子状にブラックマトリクスが形成されて
いるので、このブラックマトリクスと発光部２１とが重
なり、さらに発光部２１が視認されにくくなる。
【００３７】（有機ＥＬ素子の製造方法）次に、本発明
に係る有機ＥＬ素子の製造方法の実施形態として、図１
及び図２に示すフロントライト３を製造する場合を例に
挙げ、図面を参照して以下に説明する。図３ないし図５
は、本実施形態のフロントライトの製造工程を示す構成
図であり、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ、及び図５
Ａ、図５Ｂは一連の製造工程を工程順に示している。ま
た、これらの図において、特に断りの無い限り、図示左
側に各工程における平面工程図を示し、図示右側には、
図示左側に示す平面図の断面工程図を示すものとする。
例えば、図３Ａにおいて、図示左側は当該工程における
平面工程図であり、図示右側は、前記平面工程図のＢ−
Ｂ線に沿う断面工程図である。
に係る有機ＥＬ素子の製造方法の実施形態として、図１
及び図２に示すフロントライト３を製造する場合を例に
挙げ、図面を参照して以下に説明する。図３ないし図５
は、本実施形態のフロントライトの製造工程を示す構成
図であり、図３Ａ〜図３Ｃ、図４Ａ〜図４Ｃ、及び図５
Ａ、図５Ｂは一連の製造工程を工程順に示している。ま
た、これらの図において、特に断りの無い限り、図示左
側に各工程における平面工程図を示し、図示右側には、
図示左側に示す平面図の断面工程図を示すものとする。
例えば、図３Ａにおいて、図示左側は当該工程における
平面工程図であり、図示右側は、前記平面工程図のＢ−
Ｂ線に沿う断面工程図である。
【００３８】図２に示すフロントライト３を製造するに
は、まず、図３に示すガラスや透明樹脂などからなる透
明の支持基板１６を用意し、その支持基板１６上に、Ａ
ｌやＡｕ等からなる実装端子１７ａ、１７ｂを形成す
る。これらの実装端子１７ａ、１７ｂは、図３に示すよ
うに、それぞれ支持基板１６の対向する２辺に沿って配
置された長方形状とされる。次に、図３Ｂに示すよう
に、実装端子１７ａ、１７ｂが形成された支持基板１６
上に、透明導電材料からなる電極である陽極２２を全面
に形成する。次いで、図３Ｃに示すように、陽極２２上
に、順に正孔輸送層２３、発光本体層２４、バッファ層
２５、アルカリ土類金属層２６、反射層２７、遮光層２
８を全面に積層形成して素子部３０を形成する。そし
て、遮光層２８上にフォトレジストを塗布してマスク層
２９ａを形成する。尚、上記素子部３０を構成する各層
は、図２に示す発光部２１を構成する各層と同様の材料
を用い、成膜することにより形成される。
は、まず、図３に示すガラスや透明樹脂などからなる透
明の支持基板１６を用意し、その支持基板１６上に、Ａ
ｌやＡｕ等からなる実装端子１７ａ、１７ｂを形成す
る。これらの実装端子１７ａ、１７ｂは、図３に示すよ
うに、それぞれ支持基板１６の対向する２辺に沿って配
置された長方形状とされる。次に、図３Ｂに示すよう
に、実装端子１７ａ、１７ｂが形成された支持基板１６
上に、透明導電材料からなる電極である陽極２２を全面
に形成する。次いで、図３Ｃに示すように、陽極２２上
に、順に正孔輸送層２３、発光本体層２４、バッファ層
２５、アルカリ土類金属層２６、反射層２７、遮光層２
８を全面に積層形成して素子部３０を形成する。そし
て、遮光層２８上にフォトレジストを塗布してマスク層
２９ａを形成する。尚、上記素子部３０を構成する各層
は、図２に示す発光部２１を構成する各層と同様の材料
を用い、成膜することにより形成される。
【００３９】次に、マスク層２９ａをフォトリソグラフ
ィ工程によりパターニングし、図４Ａに示す形状のマス
ク層２９ａを形成する。このマスク層２９ａは、平面視
矩形（ストライプ）状の外形を有するとともに、その内
部に並設された平面視矩形状の複数のパターン部２９ｂ
と開口部３５ａとを有している。また、図４Ａに示す工
程において、マスク層２９ａが設けられた以外の素子部
３０上面では、遮光層２８が露出されている。次に、図
４Ｂに示すように、マスク層２９ａの図示右側側面に沿
って、ＡｕやＡｇ等あるいはそれらを含むペーストから
なる導通電極３３を形成する。この導通電極３３は、遮
光層２８と当接するように形成する。すなわち、導電性
を有する遮光層２８と、導通電極３３とを電気的に接続
することで、アルカリ土類金属層２６及び反射層２７か
らなる陰極と、導通電極３３とが、導電性の遮光層２８
を介して電気的に接続されるようにする。次に、イオン
ミリング法により、支持基板１６の上方（素子部３０
側）からアルゴンイオンを照射することで、マスク層２
９ａ及び素子部３０をエッチングすることで、素子部３
０を所定の形状にパターニングする。このパターニング
工程により、図４Ｃに示すように、素子部３０のうち、
マスク層２９ａと導通電極３３により覆われた部分が残
されて発光部２１を形成し、マスク層２９ａに覆われて
いない部分の素子部３０は除去される。このようにし
て、発光部２１内側に開口部３５が形成されるととも
に、素子部３０に覆われていた実装端子１７ａの一部
と、実装端子１７ｂが発光部２１の外周側に露出され
る。この図４Ｃに示す工程において、上記実装端子１７
ａは、その一部が発光部２１の外側に露出されるが、残
部は発光部２１に覆われた状態となっており、実装端子
１７ａと、発光部２１の陽極２２とが電気的に接続され
た状態となっている。一方、実装端子１７ｂは、後述す
る工程で導通電極３３と接続するために、陽極２２とは
離間された状態となっている。また、マスク層２９ａの
一部は遮光層２８の上部に残り、樹脂層２９として素子
部を構成する各層とともに発光部２１を構成する。この
樹脂層２９は、フロントライトの輝度や視認性に、ほと
んど影響を与えないので、除去する必要はなく、むしろ
除去するためには煩雑な工程を導入する必要があるた
め、発光部２１の最上部に残しておくのがよい。但し、
樹脂層２９の層厚が大きすぎる場合には、フロントライ
トの厚さが大きくなるなどの不利が生じるため、樹脂層
２９の層厚は０．１〜０．５μｍ程度とするのがよく、
そのためには、図３Ｃに示すマスク層２９ａの形成工程
で予め適切な層厚に形成すればよい。
ィ工程によりパターニングし、図４Ａに示す形状のマス
ク層２９ａを形成する。このマスク層２９ａは、平面視
矩形（ストライプ）状の外形を有するとともに、その内
部に並設された平面視矩形状の複数のパターン部２９ｂ
と開口部３５ａとを有している。また、図４Ａに示す工
程において、マスク層２９ａが設けられた以外の素子部
３０上面では、遮光層２８が露出されている。次に、図
４Ｂに示すように、マスク層２９ａの図示右側側面に沿
って、ＡｕやＡｇ等あるいはそれらを含むペーストから
なる導通電極３３を形成する。この導通電極３３は、遮
光層２８と当接するように形成する。すなわち、導電性
を有する遮光層２８と、導通電極３３とを電気的に接続
することで、アルカリ土類金属層２６及び反射層２７か
らなる陰極と、導通電極３３とが、導電性の遮光層２８
を介して電気的に接続されるようにする。次に、イオン
ミリング法により、支持基板１６の上方（素子部３０
側）からアルゴンイオンを照射することで、マスク層２
９ａ及び素子部３０をエッチングすることで、素子部３
０を所定の形状にパターニングする。このパターニング
工程により、図４Ｃに示すように、素子部３０のうち、
マスク層２９ａと導通電極３３により覆われた部分が残
されて発光部２１を形成し、マスク層２９ａに覆われて
いない部分の素子部３０は除去される。このようにし
て、発光部２１内側に開口部３５が形成されるととも
に、素子部３０に覆われていた実装端子１７ａの一部
と、実装端子１７ｂが発光部２１の外周側に露出され
る。この図４Ｃに示す工程において、上記実装端子１７
ａは、その一部が発光部２１の外側に露出されるが、残
部は発光部２１に覆われた状態となっており、実装端子
１７ａと、発光部２１の陽極２２とが電気的に接続され
た状態となっている。一方、実装端子１７ｂは、後述す
る工程で導通電極３３と接続するために、陽極２２とは
離間された状態となっている。また、マスク層２９ａの
一部は遮光層２８の上部に残り、樹脂層２９として素子
部を構成する各層とともに発光部２１を構成する。この
樹脂層２９は、フロントライトの輝度や視認性に、ほと
んど影響を与えないので、除去する必要はなく、むしろ
除去するためには煩雑な工程を導入する必要があるた
め、発光部２１の最上部に残しておくのがよい。但し、
樹脂層２９の層厚が大きすぎる場合には、フロントライ
トの厚さが大きくなるなどの不利が生じるため、樹脂層
２９の層厚は０．１〜０．５μｍ程度とするのがよく、
そのためには、図３Ｃに示すマスク層２９ａの形成工程
で予め適切な層厚に形成すればよい。
【００４０】上記イオンミリング法によるパターニング
では、基板１６の上側から均一にアルゴンイオンを照射
し、マスク層２９ａと素子部３０とを一括的にエッチン
グして発光部２１及び開口部３５の形成と、実装端子１
７ａ、１７ｂの露出を行うようになっている。従って、
エッチング工程は、実装端子１７ａ、１７ｂが露出した
時点で停止するように設定されるため、これらの実装端
子１７ａ、１７ｂが露出する以前にマスク層２９ａが全
て除去されると、遮光層２８やその下側の反射層２７が
エッチングされ、発光部２１の動作に不具合が生じるお
それがある。そのため、マスク層２９ａは、実装端子１
７ａ、１７ｂが露出された時点で、遮光層２８上に残る
程度の層厚に、図３Ｃに示すマスク層２９ａの形成工程
で形成しておく。
では、基板１６の上側から均一にアルゴンイオンを照射
し、マスク層２９ａと素子部３０とを一括的にエッチン
グして発光部２１及び開口部３５の形成と、実装端子１
７ａ、１７ｂの露出を行うようになっている。従って、
エッチング工程は、実装端子１７ａ、１７ｂが露出した
時点で停止するように設定されるため、これらの実装端
子１７ａ、１７ｂが露出する以前にマスク層２９ａが全
て除去されると、遮光層２８やその下側の反射層２７が
エッチングされ、発光部２１の動作に不具合が生じるお
それがある。そのため、マスク層２９ａは、実装端子１
７ａ、１７ｂが露出された時点で、遮光層２８上に残る
程度の層厚に、図３Ｃに示すマスク層２９ａの形成工程
で形成しておく。
【００４１】次に、図５Ａ右側の断面図に示すように、
発光部２１の上側（支持基板１６と反対側）から接合す
るための保護基板３６を用意する。この保護基板３６の
内面側（発光層２１側）には、導通電極３９と、封止材
３２とを設けておく。あるいは残留気泡防止のためには
これらを発光層２１上、さらには両方に設けておいても
良い。また、図５Ａ左側の平面図では、保護基板３６及
び封止材３２は、図示を省略している。導通電極３９に
は、Ａｇペーストなどの固化可能な液体状の導通材を用
い、図５Ａ左側の平面図に示すように、保護基板３６を
接合した状態で支持基板１６側の導通電極３３と、実装
端子１７ｂとの間に架設される位置に設けておく。封止
材３２は、図２に示す封止材３２と同様の材料で構成さ
れ、保護基板３６と発光層２１及び支持基板１６を一体
に保持する接合材として機能し、絶縁性の熱硬化性樹脂
や光硬化性樹脂を用いることができる。さらに、この封
止材３２は、接合材としての機能に加え、開口部３５内
部に充填されて、発光部２１を保護する機能も有する。
すなわち、発光部２１の側面を大気と遮断することで、
発光部２１を構成する各層が大気中の酸素や水分により
変性されるのを防止するようになっている。従って、封
止材３２としては、気密性が高く、水分を遮断できる安
定な材料を用いることがより好ましい。
発光部２１の上側（支持基板１６と反対側）から接合す
るための保護基板３６を用意する。この保護基板３６の
内面側（発光層２１側）には、導通電極３９と、封止材
３２とを設けておく。あるいは残留気泡防止のためには
これらを発光層２１上、さらには両方に設けておいても
良い。また、図５Ａ左側の平面図では、保護基板３６及
び封止材３２は、図示を省略している。導通電極３９に
は、Ａｇペーストなどの固化可能な液体状の導通材を用
い、図５Ａ左側の平面図に示すように、保護基板３６を
接合した状態で支持基板１６側の導通電極３３と、実装
端子１７ｂとの間に架設される位置に設けておく。封止
材３２は、図２に示す封止材３２と同様の材料で構成さ
れ、保護基板３６と発光層２１及び支持基板１６を一体
に保持する接合材として機能し、絶縁性の熱硬化性樹脂
や光硬化性樹脂を用いることができる。さらに、この封
止材３２は、接合材としての機能に加え、開口部３５内
部に充填されて、発光部２１を保護する機能も有する。
すなわち、発光部２１の側面を大気と遮断することで、
発光部２１を構成する各層が大気中の酸素や水分により
変性されるのを防止するようになっている。従って、封
止材３２としては、気密性が高く、水分を遮断できる安
定な材料を用いることがより好ましい。
【００４２】次に、図５Ｂ右側の断面図に示すように、
保護基板３６を発光部２１の上側から接合する。この接
合工程においては、まず、保護基板３６側の導通電極３
９と、支持基板１６側の導通電極３３とが導通電極３３
の上面中央部で当接され、次いで、封止材３２が、発光
部２１を取り囲み、かつ発光部２１内部の開口部３５内
を充填するように変形される。その後、導通電極３９
が、発光部２１の側面部に回り込んだ封止材３２の外側
を経由して実装端子１７ｂの中央部に接合される。尚、
図５Ｂ左側の平面図では、保護基板３６は図示を省略し
ている。このようにして、支持基板１６及び発光部２１
と、保護基板３６とが、封止材３２により一体に接合さ
れて本発明に係るフロントライトを得ることができる。
図５Ｂに示すフロントライトにおいて、実装端子１７ａ
は、発光部２１の陽極２２と当接するとともに電気的に
接続されており、実装端子１７ｂは、導通電極３９及び
導通電極３３を介して発光部２１の遮光層２８に接続さ
れ、発光部２１の陰極を構成するアルカリ土類金属層２
６及び反射層２７と電気的に接続されている。
保護基板３６を発光部２１の上側から接合する。この接
合工程においては、まず、保護基板３６側の導通電極３
９と、支持基板１６側の導通電極３３とが導通電極３３
の上面中央部で当接され、次いで、封止材３２が、発光
部２１を取り囲み、かつ発光部２１内部の開口部３５内
を充填するように変形される。その後、導通電極３９
が、発光部２１の側面部に回り込んだ封止材３２の外側
を経由して実装端子１７ｂの中央部に接合される。尚、
図５Ｂ左側の平面図では、保護基板３６は図示を省略し
ている。このようにして、支持基板１６及び発光部２１
と、保護基板３６とが、封止材３２により一体に接合さ
れて本発明に係るフロントライトを得ることができる。
図５Ｂに示すフロントライトにおいて、実装端子１７ａ
は、発光部２１の陽極２２と当接するとともに電気的に
接続されており、実装端子１７ｂは、導通電極３９及び
導通電極３３を介して発光部２１の遮光層２８に接続さ
れ、発光部２１の陰極を構成するアルカリ土類金属層２
６及び反射層２７と電気的に接続されている。
【００４３】以上の工程により得られるフロントライト
は、発光部２１が所定のパターン形状を有して形成され
るとともに、保護基板３６から封止材３２を経由して支
持基板１６に到る開口部３５を有しており、発光部２１
をパターン形状に沿って発光させることで、被照明体を
照明できるとともに、前記開口部３５を介して被照明体
を透過表示させることができる。そして、開口部３５に
は封止材３２のみが充填されているので、この開口部３
５は極めて高い透過率で光を透過させることができ、明
るく、かつ鮮明な表示を得ることができる。
は、発光部２１が所定のパターン形状を有して形成され
るとともに、保護基板３６から封止材３２を経由して支
持基板１６に到る開口部３５を有しており、発光部２１
をパターン形状に沿って発光させることで、被照明体を
照明できるとともに、前記開口部３５を介して被照明体
を透過表示させることができる。そして、開口部３５に
は封止材３２のみが充填されているので、この開口部３
５は極めて高い透過率で光を透過させることができ、明
るく、かつ鮮明な表示を得ることができる。
【００４４】尚、本実施形態では、実装端子１７ａ、１
７ｂを支持基板１６の対向する２辺に沿ってそれぞれ配
置する場合について説明したが、これらの実装端子１７
ａ、１７ｂの位置は、図３〜図５に示す位置に限定され
ず、フロントライト３の設計に応じて適宜変更すること
ができる。例えば、支持基板１６上に両方の実装端子を
形成する場合でも、隣接する２辺に沿うように平面視略
Ｌ型に配置することもでき、陽極２２と接続される実装
端子１７ａを支持基板１６上に形成し、陰極３８（遮光
層２８）に接続される実装端子１７ｂを保護基板３６の
内面側に形成しても良い。あるいは、両方の実装端子１
７ａ、１７ｂを保護基板の内面側に形成し、それぞれを
陽極２２及び陰極３８に接続するようにしてもよい。
７ｂを支持基板１６の対向する２辺に沿ってそれぞれ配
置する場合について説明したが、これらの実装端子１７
ａ、１７ｂの位置は、図３〜図５に示す位置に限定され
ず、フロントライト３の設計に応じて適宜変更すること
ができる。例えば、支持基板１６上に両方の実装端子を
形成する場合でも、隣接する２辺に沿うように平面視略
Ｌ型に配置することもでき、陽極２２と接続される実装
端子１７ａを支持基板１６上に形成し、陰極３８（遮光
層２８）に接続される実装端子１７ｂを保護基板３６の
内面側に形成しても良い。あるいは、両方の実装端子１
７ａ、１７ｂを保護基板の内面側に形成し、それぞれを
陽極２２及び陰極３８に接続するようにしてもよい。
【００４５】また、発光部２１の最上部に配置される樹
脂層２９（マスク層２９ａ）は、導電性を有するフォト
レジストで形成することができる。このような構成とす
れば、導電性の遮光層２８を設けなくとも、導通電極３
３と、反射層２７及びアルカリ土類金属層２６からなる
陰極とを電気的に接続することができるので、工数を削
減することができ、製造コストの低減を図ることができ
る。
脂層２９（マスク層２９ａ）は、導電性を有するフォト
レジストで形成することができる。このような構成とす
れば、導電性の遮光層２８を設けなくとも、導通電極３
３と、反射層２７及びアルカリ土類金属層２６からなる
陰極とを電気的に接続することができるので、工数を削
減することができ、製造コストの低減を図ることができ
る。
【００４６】また、本実施形態では、素子部３０のパタ
ーニングを、イオンミリング法により行う場合について
説明したが、この素子部３０のパターニングは、素子部
３０を構成する各層を一括に加工することができる加工
方法であれば問題なく適用することができ、例えば、レ
ーザーアブレーション法により素子部３０のパターニン
グを行っても良く、その場合には、図３及び図４に示す
マスク層２９ａは必ずしも設けなくとも良い。尚、イオ
ンミリング法とレーザーアブレーション法のいずれによ
り素子部３０のパターニングを行うかは、形成するパタ
ーン形状により最適な加工方法を選択すればよい。具体
的には、加工精度の点ではイオンミリング法が優れるの
で、極めて微細なパターン形状を形成する場合には、イ
オンミリング法を用いるのがよい。
ーニングを、イオンミリング法により行う場合について
説明したが、この素子部３０のパターニングは、素子部
３０を構成する各層を一括に加工することができる加工
方法であれば問題なく適用することができ、例えば、レ
ーザーアブレーション法により素子部３０のパターニン
グを行っても良く、その場合には、図３及び図４に示す
マスク層２９ａは必ずしも設けなくとも良い。尚、イオ
ンミリング法とレーザーアブレーション法のいずれによ
り素子部３０のパターニングを行うかは、形成するパタ
ーン形状により最適な加工方法を選択すればよい。具体
的には、加工精度の点ではイオンミリング法が優れるの
で、極めて微細なパターン形状を形成する場合には、イ
オンミリング法を用いるのがよい。
【００４７】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
係る有機ＥＬ素子は、支持基板と、該支持基板上に設け
られた素子部とを備え、前記素子部が、陽極と、有機Ｅ
Ｌ材料を含む発光層と、陰極とを順に積層して含む有機
ＥＬ素子であって、前記素子部に、当該有機ＥＬ素子の
被照明体を透過して表示するために前記素子部を貫通し
て形成された開口部と、前記被照明体を照明する発光部
とが備えられた構成としたことで、素子部を貫通する開
口部が設けられていることで、被照明体を透過して表示
するための透過部における有機ＥＬ素子の透過率を高め
ることができる。従って、例えば有機ＥＬ素子を表示装
置の前面側に配して照明手段として用いた場合に、有機
ＥＬ素子による表示光の減衰が少なくなり、高輝度で鮮
明な表示を得ることができる。
係る有機ＥＬ素子は、支持基板と、該支持基板上に設け
られた素子部とを備え、前記素子部が、陽極と、有機Ｅ
Ｌ材料を含む発光層と、陰極とを順に積層して含む有機
ＥＬ素子であって、前記素子部に、当該有機ＥＬ素子の
被照明体を透過して表示するために前記素子部を貫通し
て形成された開口部と、前記被照明体を照明する発光部
とが備えられた構成としたことで、素子部を貫通する開
口部が設けられていることで、被照明体を透過して表示
するための透過部における有機ＥＬ素子の透過率を高め
ることができる。従って、例えば有機ＥＬ素子を表示装
置の前面側に配して照明手段として用いた場合に、有機
ＥＬ素子による表示光の減衰が少なくなり、高輝度で鮮
明な表示を得ることができる。
【００４８】また本発明に係る製造方法によれば、支持
基板と、該支持基板上に設けられた素子部とを備え、前
記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、陰
極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子の製造方法におい
て、支持基板上に前記素子部を形成する工程と、前記素
子部をパターニングすることで、前記素子部を貫通する
所定形状の開口部を形成する工程と、を含む構成とした
ことで、パターニング工程に導入するエッチャントが一
種類のみで良く、また著しい工数の増加も無いなど、製
造プロセスを簡素化することができるので、製造の容易
性を向上させることができ、これによる製造歩留まりの
向上も見込める。
基板と、該支持基板上に設けられた素子部とを備え、前
記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、陰
極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子の製造方法におい
て、支持基板上に前記素子部を形成する工程と、前記素
子部をパターニングすることで、前記素子部を貫通する
所定形状の開口部を形成する工程と、を含む構成とした
ことで、パターニング工程に導入するエッチャントが一
種類のみで良く、また著しい工数の増加も無いなど、製
造プロセスを簡素化することができるので、製造の容易
性を向上させることができ、これによる製造歩留まりの
向上も見込める。
【図１】 図１は、本発明の一実施の形態である液晶表
示装置の斜視構成図である。
示装置の斜視構成図である。
【図２】 図２は、図１に示すフロントライトの部分断
面構成図である。
面構成図である。
【図３】 図３Ａ〜Ｃは、本発明に係る製造方法の実施
形態による工程図である。
形態による工程図である。
【図４】 図４Ａ〜Ｃは、本発明に係る製造方法の実施
形態による工程図である。
形態による工程図である。
【図５】 図５Ａ、図５Ｂは、本発明に係る製造方法の
実施形態による工程図である。
実施形態による工程図である。
１ 液晶表示装置（表示装置）
２ 液晶セル（表示手段）
３ フロントライト（照明手段）
１６ 支持基板
３６ 保護基板
３０ 素子部
２１ 発光部
３５ 開口部
２２ 陽極
２３ 正孔輸送層（発光層）
２４ 発光本体層（発光層）
２５ バッファ層（発光層）
２６ アルカリ土類金属層（陰極）
２７ 反射層（陰極）
２８ 遮光層
２９ 樹脂層
３２ 封止材（透光性の樹脂材料）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Claims (18)
- 【請求項１】 支持基板と、該支持基板上に設けられた
素子部とを備え、 前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材料を含む発光層と、
陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ素子であって、 当該有機ＥＬ素子の被照明体を透過して表示するために
前記素子部を貫通して形成された開口部と、前記被照明
体を照明する発光部とが前記素子部に備えられたことを
特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記開口部が、前記素子部をパターニン
グすることにより形成されたものであることを特徴とす
る請求項１に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記開口部の平面積が、当該有機ＥＬ素
子の表示領域の８０％以上とされたことを特徴とする請
求項１又は２に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記発光部の形状が、平面視略ストライ
プ状とされたことを特徴とする請求項３に記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項５】 前記発光部の形状が、平面視略格子状と
されたことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項６】 前記支持基板の素子部側に一対の実装端
子が形成されており、 前記実装端子の一方が、前記発光部の陽極に接続されて
おり、前記実装端子の他方が、前記発光部の側面側に沿
って設けられた導通電極を介して前記陰極に接続されて
いることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項
に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 前記素子部の前記支持基板と反対側に、
保護基板が設けられており、 前記支持基板の内面側、及び前記保護基板の内面側にそ
れぞれ実装端子が形成され、前記支持基板内面側の実装
端子と、前記発光部の陽極とが接続されており、前記保
護基板内面側の実装端子と、前記陰極とが接続されてい
ることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に
記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項８】 前記素子部の前記支持基板と反対側に、
保護基板が設けられ、該保護基板の内面側に一対の実装
端子が形成されており、 前記実装端子の一方が、前記陰極に接続され、前記実装
端子の他方が、前記発光部の側面側に沿って設けられた
導通電極を介して前記陽極に接続されていることを特徴
とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の有機Ｅ
Ｌ素子。 - 【請求項９】 前記発光部の陰極の外側に、導電性を有
する遮光層が形成されており、前記遮光層を介して、前
記陰極と前記支持基板又は保護基板の実装端子とが接続
されていることを特徴とする請求項６ないし８のいずれ
か１項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１０】 前記開口部に透光性の樹脂材料が充填
されたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１
項に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項１１】 支持基板と、該支持基板上に設けられ
た素子部とを備え、前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材
料を含む発光層と、陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ
素子の製造方法であって、 支持基板上に前記素子部を形成する工程と、 前記素子部をパターニングすることで、前記素子部を貫
通する所定形状の開口部を形成する工程と、 を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１２】 支持基板と、該支持基板上に設けられ
た素子部とを備え、前記素子部が、陽極と、有機ＥＬ材
料を含む発光層と、陰極とを順に積層して含む有機ＥＬ
素子の製造方法であって、 支持基板上に陽極と、発光層と、陰極とを積層して含む
素子部を形成する工程と、 前記素子部上にフォトレジストを塗布する工程と、 前記素子部上に形成されたフォトレジストを所定形状に
パターニングする工程と、 前記レジストの形状に沿って、前記素子本体部をパター
ニングすることにより前記開口部を形成する工程と、 を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記フォトレジストを、導電性及び遮
光性を有する感光性樹脂材料で形成することを特徴とす
る請求項１２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１４】 前記支持基板上に、実装端子を形成す
る工程を含み、 前記支持基板上に形成された実装端子を部分的又は全体
的に覆うように前記素子部又は素子部を形成することを
特徴とする請求項１１ないし１３に記載の有機ＥＬ素子
の製造方法。 - 【請求項１５】 前記素子部をパターニングする工程に
おいて、イオンミリング法により前記開口部を形成する
ことを特徴とする請求項１１ないし１４に記載の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項１６】 前記素子部をパターニングする工程に
おいて、レーザーアブレーション法により前記開口部を
形成することを特徴とする請求項１１ないし１４に記載
の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項１ないし１０のいずれか１項に
記載の有機ＥＬ素子を含む照明手段と、該照明手段から
出射される光を反射表示に用いる表示手段と備えたこと
を特徴とする表示装置。 - 【請求項１８】 前記表示手段が、反射型液晶表示装置
とされ、前記照明手段を成す前記有機ＥＬ素子の陰極
が、前記反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配
置されていることを特徴とする請求項１７に記載の表示
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002074675A JP4207441B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US10/384,648 US7135815B2 (en) | 2002-03-18 | 2003-03-11 | Organic electroluminescent device, method for manufacturing the same, and display unit |
| KR10-2003-0015290A KR100485972B1 (ko) | 2002-03-18 | 2003-03-12 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법, 및 표시 장치 |
| TW092105795A TWI221396B (en) | 2002-03-18 | 2003-03-17 | Organic electroluminescence device and the manufacturing method, and the display device |
| CNB03121620XA CN1316643C (zh) | 2002-03-18 | 2003-03-18 | 有机el元件及其制造方法，以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002074675A JP4207441B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272849A true JP2003272849A (ja) | 2003-09-26 |
| JP4207441B2 JP4207441B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=28035320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002074675A Expired - Fee Related JP4207441B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7135815B2 (ja) |
| JP (1) | JP4207441B2 (ja) |
| KR (1) | KR100485972B1 (ja) |
| CN (1) | CN1316643C (ja) |
| TW (1) | TWI221396B (ja) |
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Families Citing this family (13)
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- 2003-03-17 TW TW092105795A patent/TWI221396B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-18 CN CNB03121620XA patent/CN1316643C/zh not_active Expired - Fee Related
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| JP2022016679A (ja) * | 2016-03-03 | 2022-01-21 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
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| JP7392076B2 (ja) | 2016-09-30 | 2023-12-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100485972B1 (ko) | 2005-05-03 |
| JP4207441B2 (ja) | 2009-01-14 |
| TW200305351A (en) | 2003-10-16 |
| TWI221396B (en) | 2004-09-21 |
| US20030209707A1 (en) | 2003-11-13 |
| KR20030076288A (ko) | 2003-09-26 |
| CN1316643C (zh) | 2007-05-16 |
| US7135815B2 (en) | 2006-11-14 |
| CN1446035A (zh) | 2003-10-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081013 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031 Year of fee payment: 5 |
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