JP2003270628A - 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 - Google Patents
半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マルチギャップタイプの液晶装置、およびそ
れを用いた電子機器において、透過表示領域と反射表示
領域との境界部分で液晶分子の配向が乱れていても、品
位の高い表示を行うことのできる構成を提供することに
ある。 【解決手段】 液晶装置１は、第１の透明電極１１が表
面に形成された透明な第１の基板１０と、第２の透明電
極２１が形成された透明な第２の基板２０と、液晶層５
０とを有する。画素領域３には、反射表示領域３１およ
び透過表示領域３２を規定する光反射層４が形成され、
その上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開
口６１となっている層厚調整層６が形成されている。層
厚調整層６において、反射表示領域３１と透過表示領域
３２との境界部分は斜面６０になっているが、この領域
には遮光膜９が平面的に重なっている。
れを用いた電子機器において、透過表示領域と反射表示
領域との境界部分で液晶分子の配向が乱れていても、品
位の高い表示を行うことのできる構成を提供することに
ある。 【解決手段】 液晶装置１は、第１の透明電極１１が表
面に形成された透明な第１の基板１０と、第２の透明電
極２１が形成された透明な第２の基板２０と、液晶層５
０とを有する。画素領域３には、反射表示領域３１およ
び透過表示領域３２を規定する光反射層４が形成され、
その上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開
口６１となっている層厚調整層６が形成されている。層
厚調整層６において、反射表示領域３１と透過表示領域
３２との境界部分は斜面６０になっているが、この領域
には遮光膜９が平面的に重なっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半透過・反射型液
晶装置に関するものである。さらに詳しくは、１画素内
で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層の層厚を
適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶装置に関
するものである。
晶装置に関するものである。さらに詳しくは、１画素内
で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層の層厚を
適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】各種の液晶装置のうち、透過モードおよ
び反射モードの双方で画像を表示可能なものは半透過・
反射型液晶装置と称せられ、あらゆるシーンで使用され
ている。
び反射モードの双方で画像を表示可能なものは半透過・
反射型液晶装置と称せられ、あらゆるシーンで使用され
ている。
【０００３】この半透過・反射型液晶装置では、図２１
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表面に第１の透
明電極１１が形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮ（ツイステッドネマ
ティック）モードの液晶層５とを有している。また、第
１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電
極２１とが対向する画素領域３に反射表示領域３１を構
成する光反射層４が形成され、この光反射層４の形成さ
れていない残りの領域は、透過表示領域３２になってい
る。第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側
の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側
にはバックライト装置７が対向配置されている。
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表面に第１の透
明電極１１が形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮ（ツイステッドネマ
ティック）モードの液晶層５とを有している。また、第
１の基板１０には、第１の透明電極１１と第２の透明電
極２１とが対向する画素領域３に反射表示領域３１を構
成する光反射層４が形成され、この光反射層４の形成さ
れていない残りの領域は、透過表示領域３２になってい
る。第１の基板１０および第２の基板２０の各々の外側
の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板４１の側
にはバックライト装置７が対向配置されている。
【０００４】このような構成の液晶装置１では、バック
ライト装置７から出射された光のうち、透過表示領域３
２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１の基板
１０の側から液晶層５に入射し、液晶層５で光変調され
た後、第２の基板２０の側から透過表示光として出射さ
れて画像を表示する（透過モード）。
ライト装置７から出射された光のうち、透過表示領域３
２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１の基板
１０の側から液晶層５に入射し、液晶層５で光変調され
た後、第２の基板２０の側から透過表示光として出射さ
れて画像を表示する（透過モード）。
【０００５】また、第２の基板２０の側から入射した外
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５を通って反射層４に届き、この
反射層４で反射されて再び、液晶層５を通って第２の基
板２０の側から反射表示光として出射されて画像を表示
する（反射モード）。
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５を通って反射層４に届き、この
反射層４で反射されて再び、液晶層５を通って第２の基
板２０の側から反射表示光として出射されて画像を表示
する（反射モード）。
【０００６】ここで、第１の基板１０上には、反射表示
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。
【０００７】このような光変調が行われる際、液晶のツ
イスト角を小さく設定した場合には、偏光状態の変化が
屈折率差Δｎと液晶層５の層厚ｄの積（リターデーショ
ンΔｎ・ｄ）の関数になるため、この値を適正化してお
けば視認性のよい表示を行うことができる。しかしなが
ら、半透過・反射型の液晶装置１において、透過表示光
は、液晶層５を一度だけ通過して出射されるのに対し
て、反射表示光は、液晶層５を２度、通過することにな
るため、透過表示光および反射表示光の双方において、
リターデーションΔｎ・ｄを最適化することは困難であ
る。従って、反射モードでの表示が視認性のよいものと
なるように液晶層５の層厚ｄを設定すると、透過モード
での表示が犠牲となる。逆に、透過モードでの表示が視
認性のよいものとなるように液晶層５の層厚ｄを設定す
ると、反射モードでの表示が犠牲となる。
イスト角を小さく設定した場合には、偏光状態の変化が
屈折率差Δｎと液晶層５の層厚ｄの積（リターデーショ
ンΔｎ・ｄ）の関数になるため、この値を適正化してお
けば視認性のよい表示を行うことができる。しかしなが
ら、半透過・反射型の液晶装置１において、透過表示光
は、液晶層５を一度だけ通過して出射されるのに対し
て、反射表示光は、液晶層５を２度、通過することにな
るため、透過表示光および反射表示光の双方において、
リターデーションΔｎ・ｄを最適化することは困難であ
る。従って、反射モードでの表示が視認性のよいものと
なるように液晶層５の層厚ｄを設定すると、透過モード
での表示が犠牲となる。逆に、透過モードでの表示が視
認性のよいものとなるように液晶層５の層厚ｄを設定す
ると、反射モードでの表示が犠牲となる。
【０００８】そこで、特開平１１−２４２２２６号に
は、反射表示領域３１における液晶層の層厚ｄを透過表
示領域３２における液晶層５の層厚ｄよりも小さくする
構成が開示されている。このような構成はマルチギャッ
プタイプと称せられ、例えば、図２１（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）５に示すように、第１の透明電極１１の下層側、
かつ、光反射層４の上層側に、透過表示領域３２に相当
する領域が開口となっている層厚調整層６によって実現
できる。すなわち、透過表示領域３２では、反射表示領
域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層
５の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光
の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最適化する
ことが可能である。ここで、層厚調整層６で液晶層５の
層厚ｄを調整するには、層厚調整層６を分厚く形成する
必要があり、このような分厚い層の形成には感光性樹脂
などが用いられる。
は、反射表示領域３１における液晶層の層厚ｄを透過表
示領域３２における液晶層５の層厚ｄよりも小さくする
構成が開示されている。このような構成はマルチギャッ
プタイプと称せられ、例えば、図２１（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）５に示すように、第１の透明電極１１の下層側、
かつ、光反射層４の上層側に、透過表示領域３２に相当
する領域が開口となっている層厚調整層６によって実現
できる。すなわち、透過表示領域３２では、反射表示領
域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層
５の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光
の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最適化する
ことが可能である。ここで、層厚調整層６で液晶層５の
層厚ｄを調整するには、層厚調整層６を分厚く形成する
必要があり、このような分厚い層の形成には感光性樹脂
などが用いられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、感光性
樹脂層で層厚調整層６を形成する際、フォトリソグラフ
ィ技術が用いられるが、その際の露光精度、あるいは現
像の際のサイドエッチングなどが原因で、層厚調整層６
は、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分
で斜め上向きの斜面６０となってしまう。その結果、反
射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分では、
液晶層５の層厚ｄが連続的に変化する結果、リターデー
ションΔｎ・ｄも連続的に変化してしまう。また、液晶
層５に含まれる液晶分子は、第１の基板１０および第２
の基板２０の最表層に形成した配向膜１２、２２によっ
て初期の配向状態が規定されているが、斜面６０では、
配向膜１２の配向規制力が斜めに作用するので、この部
分では液晶分子の配向が乱れている。
樹脂層で層厚調整層６を形成する際、フォトリソグラフ
ィ技術が用いられるが、その際の露光精度、あるいは現
像の際のサイドエッチングなどが原因で、層厚調整層６
は、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分
で斜め上向きの斜面６０となってしまう。その結果、反
射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分では、
液晶層５の層厚ｄが連続的に変化する結果、リターデー
ションΔｎ・ｄも連続的に変化してしまう。また、液晶
層５に含まれる液晶分子は、第１の基板１０および第２
の基板２０の最表層に形成した配向膜１２、２２によっ
て初期の配向状態が規定されているが、斜面６０では、
配向膜１２の配向規制力が斜めに作用するので、この部
分では液晶分子の配向が乱れている。
【００１０】斜面にならない場合でも基板と段差部が垂
直となり、境界で液晶分子の配向が乱れる可能性があ
る。
直となり、境界で液晶分子の配向が乱れる可能性があ
る。
【００１１】このため、従来の液晶装置１では、例え
ば、ノーマリホワイトで設計した場合、電場を印加状態
において全面黒表示となるはずであるが、斜面６０に相
当する部分で光が漏れてしまい、コントラストが低下す
るなどといった表示不良が発生してしまう。
ば、ノーマリホワイトで設計した場合、電場を印加状態
において全面黒表示となるはずであるが、斜面６０に相
当する部分で光が漏れてしまい、コントラストが低下す
るなどといった表示不良が発生してしまう。
【００１２】以上の問題点に鑑みて、本発明では、１画
素領域内で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層
の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶
装置、およびそれを用いた電子機器において、透過表示
領域と反射表示領域との境界部分でリターデーションが
不適正な状態、あるいは液晶分子の配向が乱れている状
態にあっても、品位の高い表示を行うことのできる構成
を提供することにある。
素領域内で透過表示領域と反射表示領域との間で液晶層
の層厚を適正な値に変えたマルチギャップタイプの液晶
装置、およびそれを用いた電子機器において、透過表示
領域と反射表示領域との境界部分でリターデーションが
不適正な状態、あるいは液晶分子の配向が乱れている状
態にあっても、品位の高い表示を行うことのできる構成
を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、表面に第１の透明電極が形成された第
１の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透
明電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前
記第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記
第１の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電
極とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該
画素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、
前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過
表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層
厚調整層、および前記第１の透明電極を下層側から上層
側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置に
おいて、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの
少なくとも一方には、前記反射表示領域と前記透過表示
領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されてい
ることを特徴とする。
に、本発明では、表面に第１の透明電極が形成された第
１の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透
明電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前
記第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記
第１の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電
極とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該
画素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、
前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過
表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層
厚調整層、および前記第１の透明電極を下層側から上層
側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置に
おいて、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの
少なくとも一方には、前記反射表示領域と前記透過表示
領域との境界領域に重なるように遮光膜が形成されてい
ることを特徴とする。
【００１４】また、本発明では、反射表示領域と透過表
示領域とを備えた半透過・反射型液晶装置であって、第
１の基板と、前記第１の基板と対向する面側に透明電極
が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第１の
基板は、前記反射表示領域に、前記反射表示領域におけ
る前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液
晶層の層厚よりも小さくする層厚調整層、および光反射
電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える一
方、前記透過表示領域に透明電極を備える半透過・反射
型液晶装置において、前記第１の基板および前記第２の
基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示領域と
前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が
形成されていることを特徴とする。
示領域とを備えた半透過・反射型液晶装置であって、第
１の基板と、前記第１の基板と対向する面側に透明電極
が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第１の
基板は、前記反射表示領域に、前記反射表示領域におけ
る前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液
晶層の層厚よりも小さくする層厚調整層、および光反射
電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える一
方、前記透過表示領域に透明電極を備える半透過・反射
型液晶装置において、前記第１の基板および前記第２の
基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示領域と
前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮光膜が
形成されていることを特徴とする。
【００１５】さらに、本発明では、表面に第１の透明電
極が形成された第１の基板と、前記第１の電極と対向す
る面側に第２の透明電極が形成された第２の基板と、前
記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶
層とを有し、前記第１の基板は、前記第１の透明電極と
前記第２の透明電極とが対向する画素領域に反射表示領
域を構成し、当該画素領域の残りの領域を透過表示領域
とする光反射層、および前記第１の透明電極を下層側か
ら上層側に向かってこの順に備え、前記第２の基板は、
前記反射表示領域に、前記反射表示領域における前記液
晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層
厚よりも小さくする層厚調整層、および前記第２の透明
電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える半透
過・反射型液晶装置において、 前記第１の基板および
前記第２の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射
表示領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるよう
に遮光膜が形成されていることを特徴とする。
極が形成された第１の基板と、前記第１の電極と対向す
る面側に第２の透明電極が形成された第２の基板と、前
記第１の基板と前記第２の基板との間に保持された液晶
層とを有し、前記第１の基板は、前記第１の透明電極と
前記第２の透明電極とが対向する画素領域に反射表示領
域を構成し、当該画素領域の残りの領域を透過表示領域
とする光反射層、および前記第１の透明電極を下層側か
ら上層側に向かってこの順に備え、前記第２の基板は、
前記反射表示領域に、前記反射表示領域における前記液
晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層
厚よりも小さくする層厚調整層、および前記第２の透明
電極を下層側から上層側に向かってこの順に備える半透
過・反射型液晶装置において、 前記第１の基板および
前記第２の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射
表示領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるよう
に遮光膜が形成されていることを特徴とする。
【００１６】また、本発明では、反射表示領域と透過表
示領域とを備えた半透過・反射型液晶装置であって、第
１の基板と、前記第１の基板と対向する面側に透明電極
が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第１の
基板は、前記反射表示領域に光反射電極を備えるととも
に前記透過表示領域に透明電極を備え、前記第２の基板
は、前記反射表示領域に、前記反射表示領域における前
記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層
の層厚よりも小さくする層厚調整層、および前記透明電
極を下層側から上層側に向かってこの順に備える半透過
・反射型液晶装置において、前記第１の基板および前記
第２の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示
領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮
光膜が形成されていることを特徴とする。
示領域とを備えた半透過・反射型液晶装置であって、第
１の基板と、前記第１の基板と対向する面側に透明電極
が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２
の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第１の
基板は、前記反射表示領域に光反射電極を備えるととも
に前記透過表示領域に透明電極を備え、前記第２の基板
は、前記反射表示領域に、前記反射表示領域における前
記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層
の層厚よりも小さくする層厚調整層、および前記透明電
極を下層側から上層側に向かってこの順に備える半透過
・反射型液晶装置において、前記第１の基板および前記
第２の基板のうちの少なくとも一方には、前記反射表示
領域と前記透過表示領域との境界領域に重なるように遮
光膜が形成されていることを特徴とする。
【００１７】本発明において、反射表示領域と透過表示
領域との境界領域とは、光反射層又は光反射電極の端縁
で規定される反射表示領域と透過表示領域との境界と、
この境界に隣接する反射表示領域の端部および／または
該境界に隣接する透過表示領域の端部とからなる領域を
いう。本発明では、反射表示領域と透過表示領域との境
界領域に重なるように遮光膜が形成されている。このた
め、反射表示領域と透過表示領域との境界領域において
層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分におい
てリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化している場
合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合でも、
このような領域からは反射表示光も透過表示光も出射さ
れない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなどとい
った不具合の発生を回避することができるので、コント
ラストが高い、品位の高い表示を行うことができる。
領域との境界領域とは、光反射層又は光反射電極の端縁
で規定される反射表示領域と透過表示領域との境界と、
この境界に隣接する反射表示領域の端部および／または
該境界に隣接する透過表示領域の端部とからなる領域を
いう。本発明では、反射表示領域と透過表示領域との境
界領域に重なるように遮光膜が形成されている。このた
め、反射表示領域と透過表示領域との境界領域において
層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分におい
てリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化している場
合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合でも、
このような領域からは反射表示光も透過表示光も出射さ
れない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなどとい
った不具合の発生を回避することができるので、コント
ラストが高い、品位の高い表示を行うことができる。
【００１８】本発明において、前記遮光膜は、例えば、
前記第１の透明基板側に形成されている。或いは、前記
遮光膜は、前記第２の透明基板側に形成してもよい。
前記第１の透明基板側に形成されている。或いは、前記
遮光膜は、前記第２の透明基板側に形成してもよい。
【００１９】本発明において、前記層厚調整層は、前記
反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域が斜面に
なっていることが好ましい。本発明において、前記遮光
膜は、前記層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域
に形成されていることが好ましい。ここで、遮光膜が前
記斜面と平面的に重なる領域に形成されているとは、平
面視したときに、前記斜面と前記遮光膜とが重なり合う
ことをいい、前記斜面が前記遮光膜に含まれてもよい。
反射表示領域と前記透過表示領域との境界領域が斜面に
なっていることが好ましい。本発明において、前記遮光
膜は、前記層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域
に形成されていることが好ましい。ここで、遮光膜が前
記斜面と平面的に重なる領域に形成されているとは、平
面視したときに、前記斜面と前記遮光膜とが重なり合う
ことをいい、前記斜面が前記遮光膜に含まれてもよい。
【００２０】本発明において、前記遮光膜は、前記光反
射層の端部と平面的に重なるように形成されていること
が好ましい。本発明においては、前記反射表示領域と前
記透過表示領域との境界領域が遮光膜で覆われるように
設計されるが、光反射膜の形成時の誤差や遮光膜の形成
時の誤差等により、反射表示領域と透過表示領域との境
界、すなわち光反射層又は光反射電極が形成されている
領域と残りの領域との境界から光漏れが発生し、この漏
れた光が層厚調整層の厚さが変化している部分や液晶分
子の配向が乱れている部分を透過して出射されることに
よってコントラスト低下などの不具合を生じる可能性が
ある。そこで、遮光膜を、光反射層又は光反射電極の端
部と平面的に重なるように形成することにより、反射表
示領域と前記透過表示領域との境界からの光漏れを確実
に防止することができる。
射層の端部と平面的に重なるように形成されていること
が好ましい。本発明においては、前記反射表示領域と前
記透過表示領域との境界領域が遮光膜で覆われるように
設計されるが、光反射膜の形成時の誤差や遮光膜の形成
時の誤差等により、反射表示領域と透過表示領域との境
界、すなわち光反射層又は光反射電極が形成されている
領域と残りの領域との境界から光漏れが発生し、この漏
れた光が層厚調整層の厚さが変化している部分や液晶分
子の配向が乱れている部分を透過して出射されることに
よってコントラスト低下などの不具合を生じる可能性が
ある。そこで、遮光膜を、光反射層又は光反射電極の端
部と平面的に重なるように形成することにより、反射表
示領域と前記透過表示領域との境界からの光漏れを確実
に防止することができる。
【００２１】本発明において、前記透過表示領域は、例
えば、前記反射表示領域内に島状に配置されている。
えば、前記反射表示領域内に島状に配置されている。
【００２２】本発明において、前記透過表示領域は、前
記画素領域の端部に配置されている場合もある。
記画素領域の端部に配置されている場合もある。
【００２３】本発明において、前記画素領域が矩形領域
として形成されている場合には、前記透過表示領域は、
例えば、前記画素領域の辺に少なくとも１辺が重なる矩
形形状を有していることが好ましい。遮光膜の形成領域
が広いほど、表示に寄与する光量が低下するため表示が
暗くなるが、画素領域の辺に透過表示領域の辺を重ねる
と、その分、透過表示領域と反射表示領域との境界領域
の全長、すなわち、遮光層の全長を短くできるので、表
示に寄与する光量低下を最小限に抑えることができる。
また、隣接する画素領域の境界領域には、一般に、遮光
膜や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域
の周りのうち、これらの遮光膜で覆われた部分は、もと
より表示に寄与しないので、この部分でリターデーショ
ンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下す
ることはない。
として形成されている場合には、前記透過表示領域は、
例えば、前記画素領域の辺に少なくとも１辺が重なる矩
形形状を有していることが好ましい。遮光膜の形成領域
が広いほど、表示に寄与する光量が低下するため表示が
暗くなるが、画素領域の辺に透過表示領域の辺を重ねる
と、その分、透過表示領域と反射表示領域との境界領域
の全長、すなわち、遮光層の全長を短くできるので、表
示に寄与する光量低下を最小限に抑えることができる。
また、隣接する画素領域の境界領域には、一般に、遮光
膜や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域
の周りのうち、これらの遮光膜で覆われた部分は、もと
より表示に寄与しないので、この部分でリターデーショ
ンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下す
ることはない。
【００２４】このような構成としては、例えば、前記透
過表示領域は、前記画素領域の辺に１辺が重なる位置に
配置されている構成、前記画素領域の辺に２辺が重なる
位置に配置されている構成、前記画素領域の辺に３辺が
重なる位置に配置されている構成のいずれであってもよ
い。ここで、前記画素領域を２分するように遮光性の配
線が前記遮光膜として通っており、該配線を挟む両側に
前記反射表示領域および前記透過表示領域がそれぞれ配
置すれば、前記透過表示領域が前記画素領域の辺に３辺
が重なる位置に配置されている構成となる。
過表示領域は、前記画素領域の辺に１辺が重なる位置に
配置されている構成、前記画素領域の辺に２辺が重なる
位置に配置されている構成、前記画素領域の辺に３辺が
重なる位置に配置されている構成のいずれであってもよ
い。ここで、前記画素領域を２分するように遮光性の配
線が前記遮光膜として通っており、該配線を挟む両側に
前記反射表示領域および前記透過表示領域がそれぞれ配
置すれば、前記透過表示領域が前記画素領域の辺に３辺
が重なる位置に配置されている構成となる。
【００２５】本発明において、前記画像表示領域にカラ
ーフィルタを形成すれば、カラー表示用の半透過・反射
型液晶装置を構成できる。この場合、前記反射表示領域
には、反射表示用カラーフィルタを形成する一方、前記
透過表示領域には、前記反射表示用カラーフィルタより
も着色度の強い透過表示用カラーフィルタを形成するこ
とが好ましい。
ーフィルタを形成すれば、カラー表示用の半透過・反射
型液晶装置を構成できる。この場合、前記反射表示領域
には、反射表示用カラーフィルタを形成する一方、前記
透過表示領域には、前記反射表示用カラーフィルタより
も着色度の強い透過表示用カラーフィルタを形成するこ
とが好ましい。
【００２６】本発明において、前記反射表示領域が前記
透過表示領域よりも広い構成、前記反射表示領域が前記
透過表示領域よりも狭い構成、前記反射表示領域と前記
透過表示領域とは面積が等しい構成のいずれであっても
よい。
透過表示領域よりも広い構成、前記反射表示領域が前記
透過表示領域よりも狭い構成、前記反射表示領域と前記
透過表示領域とは面積が等しい構成のいずれであっても
よい。
【００２７】本発明を適用した液晶装置は、携帯電話
機、モバイルコンピュータなといった電子機器の表示装
置として用いることができる。
機、モバイルコンピュータなといった電子機器の表示装
置として用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の
形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、
各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２９】［実施の形態１］図１（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断
面図である。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成
が従来の液晶装置と共通するので、共通する機能を有す
る部分には同一の符号を付して説明する。
（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断
面図である。なお、本形態の液晶装置は、基本的な構成
が従来の液晶装置と共通するので、共通する機能を有す
る部分には同一の符号を付して説明する。
【００３０】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領
域は、後述するアクティブマトリクス型液晶装置のう
ち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤお
よびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜
き出して示してある。ここに示す液晶装置１は、ＩＴＯ
膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成された
石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の電
極１１と対向する面側に同じくＩＴＯ膜などからなる第
２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの透明
な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０
との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５
０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電
極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領
域３となっている。
域は、後述するアクティブマトリクス型液晶装置のう
ち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤお
よびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を抜
き出して示してある。ここに示す液晶装置１は、ＩＴＯ
膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成された
石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の電
極１１と対向する面側に同じくＩＴＯ膜などからなる第
２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの透明
な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板２０
との間に保持されたＴＮモードの液晶からなる液晶層５
０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透明電
極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画素領
域３となっている。
【００３１】液晶装置１において、画素領域３はマトリ
クス状に多数、形成されているが、これらの画素領域３
同士の境界領域を平面的にみると、第１の基板１０ある
いは第２の基板２０に形成されているブラックマクスや
ブラックストライプと称せられる遮光膜９０、あるいは
遮光性の配線（図示せず）が通っている。従って、画素
領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によっ
て周りを囲まれた状態にある。
クス状に多数、形成されているが、これらの画素領域３
同士の境界領域を平面的にみると、第１の基板１０ある
いは第２の基板２０に形成されているブラックマクスや
ブラックストライプと称せられる遮光膜９０、あるいは
遮光性の配線（図示せず）が通っている。従って、画素
領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によっ
て周りを囲まれた状態にある。
【００３２】第１の基板１０には、第１の透明電極１１
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４がアルミ
ニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４
の中央には矩形の開口４０が形成されている。このた
め、画素領域３において、光反射層４が形成されている
領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相
当する領域は、光反射層４が形成されていない島状、か
つ、矩形の透過表示領域３２になっている。
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する矩形の光反射層４がアルミ
ニウム膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４
の中央には矩形の開口４０が形成されている。このた
め、画素領域３において、光反射層４が形成されている
領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０に相
当する領域は、光反射層４が形成されていない島状、か
つ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００３３】第１の基板１０および第２の基板２０の各
々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板
４１の側にはバックライト装置７が対向配置されてい
る。
々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、偏光板
４１の側にはバックライト装置７が対向配置されてい
る。
【００３４】このように構成した液晶装置１において、
バックライト装置７から出射された光のうち、透過表示
領域３２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１
の基板１０の側から液晶層５０に入射し、そこで、光変
調された後、第２の基板２０の側から透過表示光として
出射されて画像を表示する（透過モード）。
バックライト装置７から出射された光のうち、透過表示
領域３２に入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、第１
の基板１０の側から液晶層５０に入射し、そこで、光変
調された後、第２の基板２０の側から透過表示光として
出射されて画像を表示する（透過モード）。
【００３５】また、第２の基板２０の側から入射した外
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５０を通って反射層４に届き、こ
の反射層４で反射されて再び、液晶層５０を通って第２
の基板２０の側から反射表示光として出射されて画像を
表示する（反射モード）。
光のうち、反射表示領域３１に入射した光は、矢印Ｌ２
で示すように、液晶層５０を通って反射層４に届き、こ
の反射層４で反射されて再び、液晶層５０を通って第２
の基板２０の側から反射表示光として出射されて画像を
表示する（反射モード）。
【００３６】ここで、第１の基板１０上には、反射表示
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。透過
表示用カラーフィルタ８２としては、顔料が多量に配合
されているなど、反射表示用カラーフィルタ８１よりも
着色度が強いものが用いられている。
領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カ
ラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２
が形成されているので、カラー表示が可能である。透過
表示用カラーフィルタ８２としては、顔料が多量に配合
されているなど、反射表示用カラーフィルタ８１よりも
着色度が強いものが用いられている。
【００３７】このような半透過・反射型の液晶装置１に
おいて、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して
出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２
度、通過することになる。そこで、第１の基板１０にお
いて、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４
の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口
６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が
形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射
表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、
液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反
射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最
適化できる。
おいて、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して
出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２
度、通過することになる。そこで、第１の基板１０にお
いて、第１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４
の上層側には、透過表示領域３２に相当する領域が開口
６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が
形成されている。従って、透過表示領域３２では、反射
表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、
液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反
射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄを最
適化できる。
【００３８】この層厚調整層６を形成する際にはフォト
リソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、
あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層
厚調整層６は、反射表示領域３１と透過表示領域３２と
の境界部分が斜め上向きの斜面６０になっており、この
斜面６０を平面的にみると８μｍの幅をもって形成され
ている状態にある。従って、透過表示領域３２との境界
部分では、液晶層５０の層厚ｄが連続的に変化する結
果、リターデーションΔｎ・ｄも連続的に変化してい
る。また、液晶層５０に含まれる液晶分子は、第１の基
板１０および第２の基板２０の最表層に形成した配向膜
１２、２２によって初期の配向状態が規定されている
が、斜面６０では、配向膜１２の配向規制力が斜めに作
用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れてい
る。
リソグラフィ技術が用いられるが、その際の露光精度、
あるいは現像の際のサイドエッチングなどが原因で、層
厚調整層６は、反射表示領域３１と透過表示領域３２と
の境界部分が斜め上向きの斜面６０になっており、この
斜面６０を平面的にみると８μｍの幅をもって形成され
ている状態にある。従って、透過表示領域３２との境界
部分では、液晶層５０の層厚ｄが連続的に変化する結
果、リターデーションΔｎ・ｄも連続的に変化してい
る。また、液晶層５０に含まれる液晶分子は、第１の基
板１０および第２の基板２０の最表層に形成した配向膜
１２、２２によって初期の配向状態が規定されている
が、斜面６０では、配向膜１２の配向規制力が斜めに作
用するので、この部分では液晶分子の配向が乱れてい
る。
【００３９】このような不安定な状態にある境界領域
は、表示の品位を低下させる原因となるので、本形態で
は、第１の基板１０において、反射表示領域３１と透過
表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜
９が形成されている。また遮光膜９は約９μｍの幅で、
平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように
形成されている。すなわち、本形態では、反射表示領域
３１と透過表示領域３２とを仕切る光反射層４の内周縁
全体に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる
遮光膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆
うように、矩形の枠状に形成してある。
は、表示の品位を低下させる原因となるので、本形態で
は、第１の基板１０において、反射表示領域３１と透過
表示領域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜
９が形成されている。また遮光膜９は約９μｍの幅で、
平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように
形成されている。すなわち、本形態では、反射表示領域
３１と透過表示領域３２とを仕切る光反射層４の内周縁
全体に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる
遮光膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆
うように、矩形の枠状に形成してある。
【００４０】このように本形態では、反射表示領域３１
と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように
遮光膜９が形成されているため、反射表示領域３１と透
過表示領域３２との境界領域において層厚調整層６の厚
さが連続的に変化して、この部分においてリターデーシ
ョンΔｎ・ｄが連続的に変化しても、また液晶分子の配
向が乱れていても、このような領域からは、反射表示光
も透過表示光も出射されない。また、遮光膜９は、光反
射層４の内周端部と平面的に重なるように形成されてい
るので、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界
で光漏れが生じることがない。従って、黒表示時に光漏
れするなどといった不具合の発生を回避することができ
るので、コントラストが高くて品位の高い表示を行うこ
とができる。
と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なるように
遮光膜９が形成されているため、反射表示領域３１と透
過表示領域３２との境界領域において層厚調整層６の厚
さが連続的に変化して、この部分においてリターデーシ
ョンΔｎ・ｄが連続的に変化しても、また液晶分子の配
向が乱れていても、このような領域からは、反射表示光
も透過表示光も出射されない。また、遮光膜９は、光反
射層４の内周端部と平面的に重なるように形成されてい
るので、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界
で光漏れが生じることがない。従って、黒表示時に光漏
れするなどといった不具合の発生を回避することができ
るので、コントラストが高くて品位の高い表示を行うこ
とができる。
【００４１】また、透過表示用カラーフィルタ８２とし
て、反射表示用カラーフィルタ８１よりも着色度が強い
ものが用いられているため、透過表示光がカラーフィル
タを１度しか通過しない構成であっても、カラーフィル
タを２度、通過する反射表示光と同等の着色を受けるの
で、品位の高いカラー表示を行うことができる。
て、反射表示用カラーフィルタ８１よりも着色度が強い
ものが用いられているため、透過表示光がカラーフィル
タを１度しか通過しない構成であっても、カラーフィル
タを２度、通過する反射表示光と同等の着色を受けるの
で、品位の高いカラー表示を行うことができる。
【００４２】このような構造の液晶装置１を製造する
際、第１の基板１０は以下のようにして形成する。
際、第１の基板１０は以下のようにして形成する。
【００４３】まず、石英やガラスなどからなる第１の基
板１０を準備した後、その全面にアルミニウムや銀合金
などの反射性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を利用して、この金属膜をパターニングして光反
射層４を形成する。 散乱機能を第１の基板にもたせる
場合には金属膜を形成する前にガラスのエッチング又は
樹脂等を用いて散乱構造を形成する場合もある。
板１０を準備した後、その全面にアルミニウムや銀合金
などの反射性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を利用して、この金属膜をパターニングして光反
射層４を形成する。 散乱機能を第１の基板にもたせる
場合には金属膜を形成する前にガラスのエッチング又は
樹脂等を用いて散乱構造を形成する場合もある。
【００４４】次に、第１の基板１０の全面にクロムなど
の遮光性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術を利用してこの金属膜をパターニングして遮光膜９を
形成する。
の遮光性の金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技
術を利用してこの金属膜をパターニングして遮光膜９を
形成する。
【００４５】次に、フレキソ印刷法、フォトリグラフィ
技術、あるいはインクジェット法を利用して、所定の領
域に反射表示用カラーフィルタ８１、および透過表示用
カラーフィルタ８２を形成する。
技術、あるいはインクジェット法を利用して、所定の領
域に反射表示用カラーフィルタ８１、および透過表示用
カラーフィルタ８２を形成する。
【００４６】次に、スピンコート法を利用して、第１の
基板１０の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像
して層厚調整層６を形成する。
基板１０の全面に感光性樹脂を塗布した後、露光、現像
して層厚調整層６を形成する。
【００４７】次に、第１の基板１０の全面にＩＴＯ膜な
どの透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術
を利用して、この透明導電膜をパターニングして第１の
透明電極１１を形成する。
どの透明導電膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術
を利用して、この透明導電膜をパターニングして第１の
透明電極１１を形成する。
【００４８】次に、スピンコート法を利用して、第１の
基板１０の全面にポリイミド樹脂を塗布した後、焼成
し、しかる後にラビング処理などの配向処理を施して配
向膜１２を形成する。
基板１０の全面にポリイミド樹脂を塗布した後、焼成
し、しかる後にラビング処理などの配向処理を施して配
向膜１２を形成する。
【００４９】このように形成した第１の基板１０につい
ては、別途、形成しておいた第２の基板２０と所定の間
隔を介して貼り合わせ、しかる後に、基板間に液晶を注
入して液晶層５０を形成する。
ては、別途、形成しておいた第２の基板２０と所定の間
隔を介して貼り合わせ、しかる後に、基板間に液晶を注
入して液晶層５０を形成する。
【００５０】なお、液晶装置１では、第１の基板１０の
側にＴＦＤやＴＦＴなどといった画素スイッチング用の
非線形素子が形成される場合があるので、遮光膜９、そ
の他の層については、ＴＦＤやＴＦＴなどを形成する工
程の一部を利用して形成してもよい。
側にＴＦＤやＴＦＴなどといった画素スイッチング用の
非線形素子が形成される場合があるので、遮光膜９、そ
の他の層については、ＴＦＤやＴＦＴなどを形成する工
程の一部を利用して形成してもよい。
【００５１】また、透過表示領域３１および透過表示領
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００５２】［実施の形態２］図２（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ
−Ｂ′断面図である。なお、本形態、および以下に説明
する実施の形態３〜８に係る液晶装置は、基本的な構成
が実施の形態１と共通するので、共通する機能を有する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
また、製造方法も実施の形態１と同様であるので、その
説明を省略する。
（Ｃ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ
−Ｂ′断面図である。なお、本形態、および以下に説明
する実施の形態３〜８に係る液晶装置は、基本的な構成
が実施の形態１と共通するので、共通する機能を有する
部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
また、製造方法も実施の形態１と同様であるので、その
説明を省略する。
【００５３】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領
域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第
１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２
の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、
第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴ
Ｎモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第
１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領
域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。ま
た、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配
線によって周りを囲まれた状態にある。
域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第
１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２
の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、
第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴ
Ｎモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第
１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領
域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。ま
た、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配
線によって周りを囲まれた状態にある。
【００５４】第１の基板１０には、第１の透明電極１１
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム
膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の１辺
に相当する部分には矩形の開口４０が形成されている。
このため、画素領域３において、光反射層４が形成され
ている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４
０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩
形の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示
領域３２は、その１辺が画素領域３の１辺と重なってい
る。
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム
膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の１辺
に相当する部分には矩形の開口４０が形成されている。
このため、画素領域３において、光反射層４が形成され
ている領域は反射表示領域３１となっているが、開口４
０に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩
形の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示
領域３２は、その１辺が画素領域３の１辺と重なってい
る。
【００５５】なお、第１の基板１０および第２の基板２
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
【００５６】本形態でも、第１の基板１０において、第
１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側
には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１とな
っている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成され
ている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域
３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５
０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光
の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化され
ている。
１の透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側
には、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１とな
っている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成され
ている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域
３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５
０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光
の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化され
ている。
【００５７】ここで、層厚調整層６には、反射表示領域
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領
域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜９が平面コの字形状に形成されている。ま
たこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜
面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。す
なわち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺の
うち、画素領域３の１辺と重なっている領域を除く３辺
に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光
膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うよ
うに、コの字形状に形成してある。
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領
域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜９が平面コの字形状に形成されている。ま
たこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜
面６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。す
なわち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺の
うち、画素領域３の１辺と重なっている領域を除く３辺
に沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光
膜９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うよ
うに、コの字形状に形成してある。
【００５８】このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
【００５９】また、遮光膜９についてはその形成領域が
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が平面コ
の字形状に形成され、透過表示領域３２の１辺に相当す
る部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮
光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量
の低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接す
る画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮
光性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の
周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、も
とより表示に寄与しないので、この部分でリターデーシ
ョンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下
することはない。
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が平面コ
の字形状に形成され、透過表示領域３２の１辺に相当す
る部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮
光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量
の低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接す
る画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮
光性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の
周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、も
とより表示に寄与しないので、この部分でリターデーシ
ョンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下
することはない。
【００６０】なお、本形態において、遮光膜９の端部
は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成しても
よい。
は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成しても
よい。
【００６１】また、透過表示領域３１および透過表示領
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００６２】［実施の形態３］図３（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ
−Ｂ′断面図である。
（Ｃ）はそれぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に
形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出し
て模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ
−Ｂ′断面図である。
【００６３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す画素領
域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第
１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２
の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、
第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴ
Ｎモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第
１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領
域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。ま
た、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配
線によって周りを囲まれた状態にある。
域も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液
晶装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子とし
て、ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通
する部分を抜き出して示してある。ここに示す液晶装置
１も、第１の透明電極１１が表面に形成された透明な第
１の基板１０と、第１の電極１１と対向する面側に第２
の透明電極２１が形成された透明な第２の基板２０と、
第１の基板１０と第２の基板２０との間に保持されたＴ
Ｎモードの液晶からなる液晶層５０とを有しており、第
１の透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する領
域が表示に直接、寄与する画素領域３となっている。ま
た、画素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配
線によって周りを囲まれた状態にある。
【００６４】第１の基板１０には、第１の透明電極１１
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム
膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の角に
相当する部分には矩形の開口４０が形成されている。こ
のため、画素領域３において、光反射層４が形成されて
いる領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０
に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩形
の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示領
域３２は、その２辺が画素領域３の２辺と各々重なって
いる。
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム
膜や銀合金膜によって形成され、この光反射層４の角に
相当する部分には矩形の開口４０が形成されている。こ
のため、画素領域３において、光反射層４が形成されて
いる領域は反射表示領域３１となっているが、開口４０
に相当する領域は、光反射層４が形成されていない矩形
の透過表示領域３２になっている。ここで、透過表示領
域３２は、その２辺が画素領域３の２辺と各々重なって
いる。
【００６５】なお、第１の基板１０および第２の基板２
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
【００６６】さらに、第１の基板１０において、第１の
透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側に
は、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっ
ている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されて
いる。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３
１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０
の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の
双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されて
いる。
透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側に
は、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっ
ている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されて
いる。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３
１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０
の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の
双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されて
いる。
【００６７】ここで、層厚調整層６には、反射表示領域
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領
域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜９が平面Ｌ字形状に形成されている。また
この遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面
６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。すな
わち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のう
ち、画素領域３の２辺と重なっている領域を除く２辺に
沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜
９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うよう
に、Ｌ字形状に形成してある。
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領
域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜９が平面Ｌ字形状に形成されている。また
この遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面
６０が遮光膜９に含まれるように形成されている。すな
わち、本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のう
ち、画素領域３の２辺と重なっている領域を除く２辺に
沿って、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜
９を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うよう
に、Ｌ字形状に形成してある。
【００６８】このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
【００６９】また、遮光膜９についてはその形成領域が
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が平面Ｌ
字形状に形成され、透過表示領域３２の２辺に相当する
部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮光
膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量の
低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接する
画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮光
性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の周
りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、もと
より表示に寄与しないので、この部分でリターデーショ
ンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下す
ることはない。
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が平面Ｌ
字形状に形成され、透過表示領域３２の２辺に相当する
部分には遮光膜９が形成されていない。このため、遮光
膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与する光量の
低下を最小限に抑えることができる。ここで、隣接する
画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９０や遮光
性の配線が形成されているので、透過表示領域３２の周
りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分は、もと
より表示に寄与しないので、この部分でリターデーショ
ンや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位が低下す
ることはない。
【００７０】なお、本形態において、遮光膜９の端部
は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成しても
よい。
は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成しても
よい。
【００７１】また、透過表示領域３１および透過表示領
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００７２】［実施の形態４］図４（Ａ）、（Ｂ）はそ
れぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されて
いる複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に
示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。
れぞれ、本形態の液晶装置にマトリクス状に形成されて
いる複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的に
示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図である。
【００７３】図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素領域も、実
施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置の
うち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤ
およびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を
抜き出して示してある。ここに示す液晶装置１も、ＩＴ
Ｏ膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成され
た石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の
電極１１と対向する面側に、同じくＩＴＯ膜などからな
る第２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの
透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板
２０との間に保持されたＴＮタイプの液晶からなる液晶
層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透
明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画
素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的に
は遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状
態にある。
施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置の
うち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦＤ
およびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分を
抜き出して示してある。ここに示す液晶装置１も、ＩＴ
Ｏ膜などからなる第１の透明電極１１が表面に形成され
た石英やガラスなどの透明な第１の基板１０と、第１の
電極１１と対向する面側に、同じくＩＴＯ膜などからな
る第２の透明電極２１が形成された石英やガラスなどの
透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２の基板
２０との間に保持されたＴＮタイプの液晶からなる液晶
層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第２の透
明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与する画
素領域３となっている。また、画素領域３は、平面的に
は遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲まれた状
態にある。
【００７４】第１の基板１０には、第１の透明電極１１
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム
膜や銀合金膜によって矩形に形成されているが、画素領
域３の約半分に相当する領域は、光反射層４の形成され
ていない矩形の開口４０になっている。このため、画素
領域３において、光反射層４が形成されている領域は反
射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領
域は、光反射層４が形成されていない矩形の透過表示領
域３２になっている。ここで、透過表示領域３２は、そ
の３辺が画素領域３の３辺と各々重なっている。
と第２の透明電極２１とが対向する矩形の画素領域３に
反射表示領域３１を構成する光反射層４がアルミニウム
膜や銀合金膜によって矩形に形成されているが、画素領
域３の約半分に相当する領域は、光反射層４の形成され
ていない矩形の開口４０になっている。このため、画素
領域３において、光反射層４が形成されている領域は反
射表示領域３１となっているが、開口４０に相当する領
域は、光反射層４が形成されていない矩形の透過表示領
域３２になっている。ここで、透過表示領域３２は、そ
の３辺が画素領域３の３辺と各々重なっている。
【００７５】なお、第１の基板１０および第２の基板２
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
【００７６】さらに、第１の基板１０において、第１の
透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側に
は、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっ
ている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されて
いる。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３
１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０
の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の
双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されて
いる。
透明電極１１の下層側、かつ、光反射層４の上層側に
は、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１となっ
ている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成されて
いる。従って、透過表示領域３２では、反射表示領域３
１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０
の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示光の
双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化されて
いる。
【００７７】ここで、層厚調整層６には、反射表示領域
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領
域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜９が一直線に形成されている。またこの遮
光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が
遮光膜９に含まれるように形成されている。すなわち、
本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のうち、画
素領域３の３辺と重なっている領域を除く１辺に沿っ
て、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜９
を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うよう
に、一直線に形成してある。
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第１の基板１０において、反射表示領
域３１と透過表示領域３２との境界領域の全てに重なる
ように遮光膜９が一直線に形成されている。またこの遮
光膜９は約９μｍの幅で、平面視したときに斜面６０が
遮光膜９に含まれるように形成されている。すなわち、
本形態では、矩形の透過表示領域３２の４辺のうち、画
素領域３の３辺と重なっている領域を除く１辺に沿っ
て、クロム膜などの遮光性の金属膜からなる遮光膜９
を、該遮光膜９の一部が光反射層４の端部を覆うよう
に、一直線に形成してある。
【００７８】このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
【００７９】また、遮光膜９についてはその形成領域が
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が一直線
に形成され、透過表示領域３２の４辺のうち、３辺に相
当する部分には遮光膜９が形成されていない。このた
め、遮光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与す
る光量の低下を最小限に抑えることができる。ここで、
隣接する画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９
０や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域
３２の周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分
は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリター
デーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位
が低下することはない。
広いほど、表示に寄与する光量が低下するので、表示が
暗くなる傾向にあるが、本形態では、遮光膜９が一直線
に形成され、透過表示領域３２の４辺のうち、３辺に相
当する部分には遮光膜９が形成されていない。このた
め、遮光膜９の全長が短いので、その分、表示に寄与す
る光量の低下を最小限に抑えることができる。ここで、
隣接する画素領域３の境界領域には、一般に、遮光膜９
０や遮光性の配線が形成されているので、透過表示領域
３２の周りのうち、これらの遮光膜９０で覆われた部分
は、もとより表示に寄与しないので、この部分でリター
デーションや液晶の配向に乱れがあっても、表示の品位
が低下することはない。
【００８０】なお、本形態において、遮光膜９の端部
は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成しても
よい。
は、隣接する画素領域３の境界領域まで届いているの
で、この境界領域を通る他の遮光膜９０、あるいは遮光
性の配線から延長した部分として遮光膜９を形成しても
よい。
【００８１】また、透過表示領域３１および透過表示領
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
域３２においては、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも広い構成、透過表示領域３１が透過表示領域３
２よりも狭い構成、透過表示領域３１と透過表示領域３
２とは面積が等しい構成のいずれであってもよい。
【００８２】［実施の形態５］本実施形態の液晶装置
は、実施の形態１に係る液晶装置の遮光膜９の配置を変
形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図
１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面図
のみ図５に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図５と同様で
あるため、省略している。また、図５示す画素領域も、
実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置
のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦ
ＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分
を抜き出して示してある。
は、実施の形態１に係る液晶装置の遮光膜９の配置を変
形したものであり、その画素領域の平面図に関しては図
１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面図
のみ図５に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図５と同様で
あるため、省略している。また、図５示す画素領域も、
実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶装置
のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、ＴＦ
ＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する部分
を抜き出して示してある。
【００８３】ここに示す液晶装置１も、第１の透明電極
１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からな
る液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第
２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与
する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平
面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲ま
れた状態にある。そして、第１の基板１０には、第１の
透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の
画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射
層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、こ
の光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されてい
る。このため、画素領域３において、光反射層４が形成
されている領域は反射表示領域３１となっているが、開
口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていな
い島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からな
る液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第
２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与
する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平
面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲ま
れた状態にある。そして、第１の基板１０には、第１の
透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の
画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射
層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、こ
の光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されてい
る。このため、画素領域３において、光反射層４が形成
されている領域は反射表示領域３１となっているが、開
口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていな
い島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００８４】なお、第１の基板１０および第２の基板２
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。本形態で
も、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下
層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３
２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層
からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過
表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚
調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいの
で、透過表示光および反射表示光の双方に対してリター
デーションΔｎ・ｄが最適化されている。
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。本形態で
も、第１の基板１０において、第１の透明電極１１の下
層側、かつ、光反射層４の上層側には、透過表示領域３
２に相当する領域が開口６１となっている感光性樹脂層
からなる層厚調整層６が形成されている。従って、透過
表示領域３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚
調整層６の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいの
で、透過表示光および反射表示光の双方に対してリター
デーションΔｎ・ｄが最適化されている。
【００８５】ここで、層厚調整層６には、反射表示領域
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第２の基板２０において、平面視した
ときに反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領
域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成さ
れている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視
したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成さ
れている。このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
３１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの
斜面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこ
で、本形態では、第２の基板２０において、平面視した
ときに反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領
域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成さ
れている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視
したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成さ
れている。このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。
【００８６】［実施の形態６］本実施形態の液晶装置
は、実施の形態１に係る液晶装置の第１の基板１０上に
形成される画素電極の構成及びカラーフィルタの配置を
変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては
図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面
図のみ図６に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図６と同様
であるため、省略している。また、図６示す画素領域
も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶
装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、
ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する
部分を抜き出して示してある。
は、実施の形態１に係る液晶装置の第１の基板１０上に
形成される画素電極の構成及びカラーフィルタの配置を
変形したものであり、その画素領域の平面図に関しては
図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断面
図のみ図６に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図６と同様
であるため、省略している。また、図６示す画素領域
も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶
装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、
ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する
部分を抜き出して示してある。
【００８７】ここに示す液晶装置１は、画素電極１１
Ｔ，１１Ｒが表面に形成された透明な第１の基板１０
と、第１の基板１０と対向する面側に第２の透明電極２
１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１
０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液
晶からなる液晶層５０とを有しており、画素電極１１
Ｔ，１１Ｒと第２の透明電極２１とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画
素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によ
って周りを囲まれた状態にある。開口４０に配置され
る。
Ｔ，１１Ｒが表面に形成された透明な第１の基板１０
と、第１の基板１０と対向する面側に第２の透明電極２
１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１
０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液
晶からなる液晶層５０とを有しており、画素電極１１
Ｔ，１１Ｒと第２の透明電極２１とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画
素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によ
って周りを囲まれた状態にある。開口４０に配置され
る。
【００８８】ここで、第１の基板１０の表面に形成され
た画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反
射電極１１Ｒと、ＩＴＯ等からなる第１の透明電極１１
Ｔとから構成されている。この光反射電極１１Ｒは画素
領域３の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の
開口４０の内側に第１の透明電極１１Ｔが配されてい
る。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼
用した構成となっている。このため、画素領域３におい
て、光反射電極１１Ｒが形成されている領域は反射表示
領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、
光反射電極１１Ｒが形成されていない島状、かつ、矩形
の透過表示領域３２になっている。
た画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反
射電極１１Ｒと、ＩＴＯ等からなる第１の透明電極１１
Ｔとから構成されている。この光反射電極１１Ｒは画素
領域３の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の
開口４０の内側に第１の透明電極１１Ｔが配されてい
る。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼
用した構成となっている。このため、画素領域３におい
て、光反射電極１１Ｒが形成されている領域は反射表示
領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、
光反射電極１１Ｒが形成されていない島状、かつ、矩形
の透過表示領域３２になっている。
【００８９】なお、第１の基板１０および第２の基板２
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、本形態では、第２の基板２０上に、反射
表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示
用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ
８２が形成されており、カラー表示を可能としている。
そして、このカラーフィルタ８１，８２の上に上記の第
２の透明電極２１が形成されている。
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、本形態では、第２の基板２０上に、反射
表示領域３１および透過表示領域３２の各々に反射表示
用カラーフィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ
８２が形成されており、カラー表示を可能としている。
そして、このカラーフィルタ８１，８２の上に上記の第
２の透明電極２１が形成されている。
【００９０】本形態では、画素電極１１Ｒ，１１Ｔの下
層側に、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１と
なっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成さ
れている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領
域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層
５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示
光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化さ
れている。ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３
１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜
面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、
本形態では、第１の基板１０において、平面視したとき
に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の
全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成されて
いる。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視した
ときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されて
いる。
層側に、透過表示領域３２に相当する領域が開口６１と
なっている感光性樹脂層からなる層厚調整層６が形成さ
れている。従って、透過表示領域３２では、反射表示領
域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚分だけ、液晶層
５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光および反射表示
光の双方に対してリターデーションΔｎ・ｄが最適化さ
れている。ここで、層厚調整層６には、反射表示領域３
１と透過表示領域３２との境界部分に、斜め上向きの斜
面６０が８μｍの幅をもって形成されている。そこで、
本形態では、第１の基板１０において、平面視したとき
に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域の
全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠状に形成されて
いる。またこの遮光膜９は約９μｍの幅で、平面視した
ときに斜面６０が遮光膜９に含まれるように形成されて
いる。
【００９１】このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態６では遮光膜９は第１の基
板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第
２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態６では遮光膜９は第１の基
板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第
２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。
【００９２】［実施の形態７］本実施形態の液晶装置
は、実施の形態１に係る液晶装置の層厚調整層６の配置
を変形したものであり、その画素領域の平面図に関して
は図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断
面図のみ図７に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図７と同
様であるため、省略している。また、図７示す画素領域
も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶
装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、
ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する
部分を抜き出して示してある。
は、実施の形態１に係る液晶装置の層厚調整層６の配置
を変形したものであり、その画素領域の平面図に関して
は図１（ａ）と同様であるため流用し、そのＡ−Ａ′断
面図のみ図７に示す。なお、Ｂ−Ｂ′断面図は図７と同
様であるため、省略している。また、図７示す画素領域
も、実施の形態１と同様、アクティブマトリクス型液晶
装置のうち、画素スイッチング用の非線形素子として、
ＴＦＤおよびＴＦＴのいずれを用いた場合にも共通する
部分を抜き出して示してある。
【００９３】ここに示す液晶装置１も、第１の透明電極
１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からな
る液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第
２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与
する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平
面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲ま
れた状態にある。そして、第１の基板１０には、第１の
透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の
画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射
層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、こ
の光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されてい
る。このため、画素領域３において、光反射層４が形成
されている領域は反射表示領域３１となっているが、開
口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていな
い島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
１１が表面に形成された透明な第１の基板１０と、第１
の電極１１と対向する面側に第２の透明電極２１が形成
された透明な第２の基板２０と、第１の基板１０と第２
の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液晶からな
る液晶層５０とを有しており、第１の透明電極１１と第
２の透明電極２１とが対向する領域が表示に直接、寄与
する画素領域３となっている。また、画素領域３は、平
面的には遮光膜９０や遮光性の配線によって周りを囲ま
れた状態にある。そして、第１の基板１０には、第１の
透明電極１１と第２の透明電極２１とが対向する矩形の
画素領域３に反射表示領域３１を構成する矩形の光反射
層４がアルミニウム膜や銀合金膜によって形成され、こ
の光反射層４の中央には矩形の開口４０が形成されてい
る。このため、画素領域３において、光反射層４が形成
されている領域は反射表示領域３１となっているが、開
口４０に相当する領域は、光反射層４が形成されていな
い島状、かつ、矩形の透過表示領域３２になっている。
【００９４】なお、第１の基板１０および第２の基板２
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
０の各々の外側の面には偏光板４１、４２が配置され、
偏光板４１の側にはバックライト装置７が対向配置され
ている。また、第１の基板１０上には、反射表示領域３
１および透過表示領域３２の各々に反射表示用カラーフ
ィルタ８１および透過表示用カラーフィルタ８２が形成
されているので、カラー表示が可能である。
【００９５】本形態では、第２の基板２０において、第
２の透明電極２１の下層側に、透過表示領域３２に相当
する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる
層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域
３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６
の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過
表示光および反射表示光の双方に対してリターデーショ
ンΔｎ・ｄが最適化されている。ここで、層厚調整層６
には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部
分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成
されている。そこで、本形態では、第１の基板１０にお
いて、平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領
域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩
形の枠状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μ
ｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含ま
れるように形成されている。
２の透明電極２１の下層側に、透過表示領域３２に相当
する領域が開口６１となっている感光性樹脂層からなる
層厚調整層６が形成されている。従って、透過表示領域
３２では、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６
の膜厚分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過
表示光および反射表示光の双方に対してリターデーショ
ンΔｎ・ｄが最適化されている。ここで、層厚調整層６
には、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部
分に、斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成
されている。そこで、本形態では、第１の基板１０にお
いて、平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領
域３２との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩
形の枠状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μ
ｍの幅で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含ま
れるように形成されている。
【００９６】このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態７では遮光膜９は第１の基
板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第
２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態７では遮光膜９は第１の基
板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第
２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。
【００９７】［実施の形態８］本実施形態の液晶装置
は、実施の形態６に係る液晶装置の層厚調整層，遮光膜
９及び層厚調整層６の配置を変形したものであり、その
画素領域の平面図に関しては図１（ａ）と同様であるた
め流用し、そのＡ−Ａ′断面図のみ図８に示す。なお、
Ｂ−Ｂ′断面図は図８と同様であるため、省略してい
る。また、図８示す画素領域も、実施の形態１と同様、
アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチ
ング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいず
れを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してあ
る。
は、実施の形態６に係る液晶装置の層厚調整層，遮光膜
９及び層厚調整層６の配置を変形したものであり、その
画素領域の平面図に関しては図１（ａ）と同様であるた
め流用し、そのＡ−Ａ′断面図のみ図８に示す。なお、
Ｂ−Ｂ′断面図は図８と同様であるため、省略してい
る。また、図８示す画素領域も、実施の形態１と同様、
アクティブマトリクス型液晶装置のうち、画素スイッチ
ング用の非線形素子として、ＴＦＤおよびＴＦＴのいず
れを用いた場合にも共通する部分を抜き出して示してあ
る。
【００９８】ここに示す液晶装置１は、画素電極１１
Ｔ，１１Ｒが表面に形成された透明な第１の基板１０
と、第１の基板１０と対向する面側に第２の透明電極２
１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１
０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液
晶からなる液晶層５０とを有しており、画素電極１１
Ｔ，１１Ｒと第２の透明電極２１とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画
素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によ
って周りを囲まれた状態にある。開口４０に配置され
る。
Ｔ，１１Ｒが表面に形成された透明な第１の基板１０
と、第１の基板１０と対向する面側に第２の透明電極２
１が形成された透明な第２の基板２０と、第１の基板１
０と第２の基板２０との間に保持されたＴＮモードの液
晶からなる液晶層５０とを有しており、画素電極１１
Ｔ，１１Ｒと第２の透明電極２１とが対向する領域が表
示に直接、寄与する画素領域３となっている。また、画
素領域３は、平面的には遮光膜９０や遮光性の配線によ
って周りを囲まれた状態にある。開口４０に配置され
る。
【００９９】ここで、第１の基板１０の表面に形成され
た画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反
射電極１１Ｒと、ＩＴＯ等からなる第１の透明電極１１
Ｔとから構成されている。この光反射電極１１Ｒは画素
領域３の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の
開口４０の内側に第１の透明電極１１Ｔが配されてい
る。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼
用した構成となっている。このため、画素領域３におい
て、光反射電極１１Ｒが形成されている領域は反射表示
領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、
光反射電極１１Ｒが形成されていない島状、かつ、矩形
の透過表示領域３２になっている。なお、第１の基板１
０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４
１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト
装置７が対向配置されている。また、本形態では、第２
の基板２０上に、反射表示領域３１および透過表示領域
３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過
表示用カラーフィルタ８２が形成され、カラー表示が可
能となっている。
た画素電極は、アルミニウム膜や銀合金膜からなる光反
射電極１１Ｒと、ＩＴＯ等からなる第１の透明電極１１
Ｔとから構成されている。この光反射電極１１Ｒは画素
領域３の外周に沿うように矩形枠状に配され、中央部の
開口４０の内側に第１の透明電極１１Ｔが配されてい
る。つまり、本形態では、光反射層を画素電極として兼
用した構成となっている。このため、画素領域３におい
て、光反射電極１１Ｒが形成されている領域は反射表示
領域３１となっているが、開口４０に相当する領域は、
光反射電極１１Ｒが形成されていない島状、かつ、矩形
の透過表示領域３２になっている。なお、第１の基板１
０および第２の基板２０の各々の外側の面には偏光板４
１、４２が配置され、偏光板４１の側にはバックライト
装置７が対向配置されている。また、本形態では、第２
の基板２０上に、反射表示領域３１および透過表示領域
３２の各々に反射表示用カラーフィルタ８１および透過
表示用カラーフィルタ８２が形成され、カラー表示が可
能となっている。
【０１００】本形態では、第２の基板２０において、第
２の透明電極２１の下層側、かつ、カラーフィルタ８
１，８２の上層側に、透過表示領域３２に相当する領域
が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整
層６が形成されている。従って、透過表示領域３２で
は、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚
分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光
および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ
・ｄが最適化されている。ここで、層厚調整層６には、
反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、
斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されて
いる。そこで、本形態では、第２の基板２０において、
平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領域３２
との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠
状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅
で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるよ
うに形成されている。
２の透明電極２１の下層側、かつ、カラーフィルタ８
１，８２の上層側に、透過表示領域３２に相当する領域
が開口６１となっている感光性樹脂層からなる層厚調整
層６が形成されている。従って、透過表示領域３２で
は、反射表示領域３１と比較して、層厚調整層６の膜厚
分だけ、液晶層５０の層厚ｄが大きいので、透過表示光
および反射表示光の双方に対してリターデーションΔｎ
・ｄが最適化されている。ここで、層厚調整層６には、
反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界部分に、
斜め上向きの斜面６０が８μｍの幅をもって形成されて
いる。そこで、本形態では、第２の基板２０において、
平面視したときに反射表示領域３１と透過表示領域３２
との境界領域の全てに重なるように遮光膜９が矩形の枠
状に形成されている。またこの遮光膜９は約９μｍの幅
で、平面視したときに斜面６０が遮光膜９に含まれるよ
うに形成されている。
【０１０１】このように本形態では、実施の形態１と同
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態７では遮光膜９は第１の基
板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第
２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。
様、反射表示領域３１と透過表示領域３２との境界領域
の全てに重なるように遮光膜９が形成されているため、
黒表示時に反射表示領域３１と透過表示領域３２との境
界領域で光漏れするなどといった不具合の発生を回避す
ることができるなど、実施の形態１と同様な効果を奏す
る。なお、上述の実施の形態７では遮光膜９は第１の基
板１０側に形成されているが、実施の形態５のように第
２の基板２０側に形成してもよく、この場合でも同様の
効果を得ることができる。
【０１０２】［実施の形態９］次に、実施の形態１ない
し８に係る構成が採用されるＴＦＤアクティブマトリク
ス型液晶装置の構成を説明する。
し８に係る構成が採用されるＴＦＤアクティブマトリク
ス型液晶装置の構成を説明する。
【０１０３】図９は、液晶装置の電気的構成を模式的に
示すブロック図である。図１０は、この液晶装置の構造
を示す分解斜視図である。図１１は、液晶装置において
液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１
画素分の平面図である。図１２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞ
れ、図１１のIII−III′線断面図、および各画素に形成
されているＴＦＤ素子の斜視図である。
示すブロック図である。図１０は、この液晶装置の構造
を示す分解斜視図である。図１１は、液晶装置において
液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１
画素分の平面図である。図１２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞ
れ、図１１のIII−III′線断面図、および各画素に形成
されているＴＦＤ素子の斜視図である。
【０１０４】図９に示す液晶装置１００では、複数の配
線としての走査線１５１が行方向（Ｘ方向）に形成さ
れ、複数のデータ線１５２が列方向（Ｙ方向）に形成さ
れている。走査線１５１とデータ線１５２との各交差点
に対応する位置には画素１５３が形成され、この画素１
５３では、液晶層１５４と、画素スイッチング用のＴＦ
Ｄ素子１５６（非線形素子）とが直列に接続されてい
る。各走査線１５１は走査線駆動回路１５７によって駆
動され、各データ線１５２はデータ線駆動回路１５８に
よって駆動される。
線としての走査線１５１が行方向（Ｘ方向）に形成さ
れ、複数のデータ線１５２が列方向（Ｙ方向）に形成さ
れている。走査線１５１とデータ線１５２との各交差点
に対応する位置には画素１５３が形成され、この画素１
５３では、液晶層１５４と、画素スイッチング用のＴＦ
Ｄ素子１５６（非線形素子）とが直列に接続されてい
る。各走査線１５１は走査線駆動回路１５７によって駆
動され、各データ線１５２はデータ線駆動回路１５８に
よって駆動される。
【０１０５】このような構成のアクティブマトリクス方
式の液晶装置１００は、図１０に示すように、液晶１０
６を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板１２０
では、複数本の走査線１５１が延びており、各走査線１
５１には、ＴＦＤ素子１５６を介して、画素電極１６６
が電気的に接続している。これに対して、対向基板１１
０には、素子基板１２０の走査線１５１と交差する方向
に延びた複数列の帯状のデータ線１５２がＩＴＯ膜によ
って形成され、各データ線１５２の間にはブラックスト
ライプと称せられる遮光膜１５９が形成されている。従
って、画素電極１６６の周りは、平面的には、遮光膜１
５９および走査線１５１で囲まれた状態にある。
式の液晶装置１００は、図１０に示すように、液晶１０
６を保持する透明な一対の基板のうち、素子基板１２０
では、複数本の走査線１５１が延びており、各走査線１
５１には、ＴＦＤ素子１５６を介して、画素電極１６６
が電気的に接続している。これに対して、対向基板１１
０には、素子基板１２０の走査線１５１と交差する方向
に延びた複数列の帯状のデータ線１５２がＩＴＯ膜によ
って形成され、各データ線１５２の間にはブラックスト
ライプと称せられる遮光膜１５９が形成されている。従
って、画素電極１６６の周りは、平面的には、遮光膜１
５９および走査線１５１で囲まれた状態にある。
【０１０６】なお、液晶１０６として通常のＴＮモード
の液晶１０６が用いられ、この種の液晶１０６は、光の
偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基
板１１０および素子基板１２０の各外側表面には偏光板
１０８、１０９が重ねて配置される。また、偏光板１０
８の側にはバックライト装置１０３が対向配置される。
の液晶１０６が用いられ、この種の液晶１０６は、光の
偏光方向を変えることにより光変調を行うので、対向基
板１１０および素子基板１２０の各外側表面には偏光板
１０８、１０９が重ねて配置される。また、偏光板１０
８の側にはバックライト装置１０３が対向配置される。
【０１０７】なお、ここに示す例では、素子基板１２０
に走査線１５１を形成し、対向基板１０にデータ線１５
２を形成したが、素子基板１２０にデータ線を形成し、
対向基板１１０に走査線を形成してもよい。
に走査線１５１を形成し、対向基板１０にデータ線１５
２を形成したが、素子基板１２０にデータ線を形成し、
対向基板１１０に走査線を形成してもよい。
【０１０８】ＴＦＤ素子１５６は、例えば、図１１およ
び図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１２０
の表面に成膜された下地層１６１の上に形成された第１
のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２のＴＦＤ素子１５６
ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢ
ａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。こ
のため、ＴＦＤ素子１５６は、電流−電圧の非線形特性
が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１６
１は、例えば、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の酸化
タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。
び図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、素子基板１２０
の表面に成膜された下地層１６１の上に形成された第１
のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２のＴＦＤ素子１５６
ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢ
ａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。こ
のため、ＴＦＤ素子１５６は、電流−電圧の非線形特性
が正負双方向にわたって対称化されている。下地層１６
１は、例えば、厚さが５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の酸化
タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。
【０１０９】第１のＴＦＤ素子１５６ａ、および第２の
ＴＦＤ素子１５６ｂは、第１の金属膜１６２と、この第
１の金属膜１６２の表面に形成された絶縁膜１６３と、
絶縁膜１６３の表面に互いに離間して形成された第２の
金属膜１６４ａ、１６４ｂとによって構成されている。
第１の金属膜１６２は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度のＴａ単体膜、あるいはＴａ−Ｗ（タング
ステン）合金膜などのＴａ合金膜によって形成され、絶
縁膜１６３は、例えば、陽極酸化法によって第１の金属
膜１６２の表面を酸化することによって形成された厚さ
が１０ｎｍ〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）であ
る。
ＴＦＤ素子１５６ｂは、第１の金属膜１６２と、この第
１の金属膜１６２の表面に形成された絶縁膜１６３と、
絶縁膜１６３の表面に互いに離間して形成された第２の
金属膜１６４ａ、１６４ｂとによって構成されている。
第１の金属膜１６２は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度のＴａ単体膜、あるいはＴａ−Ｗ（タング
ステン）合金膜などのＴａ合金膜によって形成され、絶
縁膜１６３は、例えば、陽極酸化法によって第１の金属
膜１６２の表面を酸化することによって形成された厚さ
が１０ｎｍ〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）であ
る。
【０１１０】第２の金属膜１６４ａ、１６４ｂは、クロ
ム（Ｃｒ）等といった遮光性の金属膜によって５０ｎｍ
〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２の金属
膜１６４ａは、そのまま走査線１５１となり、他方の第
２の金属膜１６４ｂは、ＩＴＯなどからなる画素電極１
６６に接続されている。
ム（Ｃｒ）等といった遮光性の金属膜によって５０ｎｍ
〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２の金属
膜１６４ａは、そのまま走査線１５１となり、他方の第
２の金属膜１６４ｂは、ＩＴＯなどからなる画素電極１
６６に接続されている。
【０１１１】このように構成した液晶装置１００におい
て、画素電極１６６とデータ線１５２とが対向している
領域が実施の形態１ないし８で説明した画素領域３とな
る。従って、素子基板１２０、対向基板１１０、画素電
極１６６、およびデータ線１５２はそれぞれ、実施の形
態１ないし８における第１の基板１０、第２の基板２
０、第１の電極１１、および第２の電極２１に相当し、
画素電極１６６の下層側に、図１ないし図４を参照して
説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィル
タ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調
整層６が形成されることになる。
て、画素電極１６６とデータ線１５２とが対向している
領域が実施の形態１ないし８で説明した画素領域３とな
る。従って、素子基板１２０、対向基板１１０、画素電
極１６６、およびデータ線１５２はそれぞれ、実施の形
態１ないし８における第１の基板１０、第２の基板２
０、第１の電極１１、および第２の電極２１に相当し、
画素電極１６６の下層側に、図１ないし図４を参照して
説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィル
タ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調
整層６が形成されることになる。
【０１１２】ここで、実施の形態４で説明した構成を液
晶装置１００に適用する場合には、走査線１５１を跨ぐ
ように画素電極１６６を形成し、走査線１５１を挟む両
側の一方を透過表示領域３１とし、他方を透過表示領域
３２とすれば、その境界領域に沿って走査線１５１が形
成されることになる。従って、走査線１５１を、図４に
示した遮光膜９として利用することができる。
晶装置１００に適用する場合には、走査線１５１を跨ぐ
ように画素電極１６６を形成し、走査線１５１を挟む両
側の一方を透過表示領域３１とし、他方を透過表示領域
３２とすれば、その境界領域に沿って走査線１５１が形
成されることになる。従って、走査線１５１を、図４に
示した遮光膜９として利用することができる。
【０１１３】また、液晶装置１００において、素子基板
１２０、対向基板、画素電極１６６、およびデータ線１
５２をそれぞれ、実施の形態１ないし８における第２の
基板２０、第１の基板１０、第２の電極２１、および第
１の電極１１としてもよい。この場合には、データ線１
５２の下層側に、図１ないし図４を参照して説明した反
射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィルタ８１、透
過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調整層６が形
成されることになり、対向基板２００にバックライト装
置１６３が対向配置されることになる。
１２０、対向基板、画素電極１６６、およびデータ線１
５２をそれぞれ、実施の形態１ないし８における第２の
基板２０、第１の基板１０、第２の電極２１、および第
１の電極１１としてもよい。この場合には、データ線１
５２の下層側に、図１ないし図４を参照して説明した反
射膜４、遮光膜９、反射表示用カラーフィルタ８１、透
過表示用カラーフィルタ８２、および層厚調整層６が形
成されることになり、対向基板２００にバックライト装
置１６３が対向配置されることになる。
【０１１４】［実施の形態１０］次に、実施の形態１な
いし８に係る構成が採用されるＴＦＴアクティブマトリ
クス型液晶装置の構成を説明する。
いし８に係る構成が採用されるＴＦＴアクティブマトリ
クス型液晶装置の構成を説明する。
【０１１５】図１３は、ＴＦＴアクティブマトリクス型
液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平
面図であり、図１４は、図１３のＨ−Ｈ′断面図であ
る。図１５は、液晶装置の画像表示領域においてマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路図である。
液晶装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平
面図であり、図１４は、図１３のＨ−Ｈ′断面図であ
る。図１５は、液晶装置の画像表示領域においてマトリ
クス状に形成された複数の画素における各種素子、配線
等の等価回路図である。
【０１１６】図１３および図１４において、本形態の液
晶装置２００は、ＴＦＴアレイ基板２１０と対向基板２
２０とがシール材２５２によって貼り合わされ、このシ
ール材２５２によって区画された領域（液晶封入領域）
内には、電気光学物質としての液晶２５０が挟持されて
いる。ＴＦＴアレイ基板２１０および対向基板２２０の
各々には偏光板２８８、２８９が配置され、偏光板２８
８の側に対してはバックライト装置２９０が対向配置さ
れている。
晶装置２００は、ＴＦＴアレイ基板２１０と対向基板２
２０とがシール材２５２によって貼り合わされ、このシ
ール材２５２によって区画された領域（液晶封入領域）
内には、電気光学物質としての液晶２５０が挟持されて
いる。ＴＦＴアレイ基板２１０および対向基板２２０の
各々には偏光板２８８、２８９が配置され、偏光板２８
８の側に対してはバックライト装置２９０が対向配置さ
れている。
【０１１７】シール材２５２の形成領域の内側領域に
は、遮光性材料からなる周辺見切り２５３が形成されて
いる。シール材２５２の外側の領域には、データ線駆動
回路３０１、および実装端子３０２がＴＦＴアレイ基板
２１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接
する２辺に沿って走査線駆動回路３０４が形成されてい
る。ＴＦＴアレイ基板２１０の残る一辺には、画像表示
領域の両側に設けられた走査線駆動回路３０４の間をつ
なぐための複数の配線３０５が設けられており、更に、
周辺見切り２５３の下などを利用して、プリチャージ回
路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板
２２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板２１０と対向基板２２０との間で電気的
導通をとるための基板間導通材３０６が形成されてい
る。
は、遮光性材料からなる周辺見切り２５３が形成されて
いる。シール材２５２の外側の領域には、データ線駆動
回路３０１、および実装端子３０２がＴＦＴアレイ基板
２１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接
する２辺に沿って走査線駆動回路３０４が形成されてい
る。ＴＦＴアレイ基板２１０の残る一辺には、画像表示
領域の両側に設けられた走査線駆動回路３０４の間をつ
なぐための複数の配線３０５が設けられており、更に、
周辺見切り２５３の下などを利用して、プリチャージ回
路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板
２２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、Ｔ
ＦＴアレイ基板２１０と対向基板２２０との間で電気的
導通をとるための基板間導通材３０６が形成されてい
る。
【０１１８】なお、データ線駆動回路３０１および走査
線駆動回路３０４をＴＦＴアレイ基板２１０の上に形成
する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴ
ＡＢ（テープ オートメイテッド、ボンディング）基板
をＴＦＴアレイ基板２１０の周辺部に形成された端子群
に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接
続するようにしてもよい。なお、本形態の液晶装置２０
０でも、液晶５０はＴＮモードで使用されている。
線駆動回路３０４をＴＦＴアレイ基板２１０の上に形成
する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴ
ＡＢ（テープ オートメイテッド、ボンディング）基板
をＴＦＴアレイ基板２１０の周辺部に形成された端子群
に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接
続するようにしてもよい。なお、本形態の液晶装置２０
０でも、液晶５０はＴＮモードで使用されている。
【０１１９】このような構造を有する液晶装置２００の
画像表示領域においては、図１５に示すように、複数の
画素２００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素２００ａの各々には、画素電極２０９
ａ、およびこの画素電極２０９ａを駆動するための画素
スイッチング用のＴＦＴ２３０が形成されており、画素
信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線２０６ａ
が当該ＴＦＴ２３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線２０６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・
・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、
相隣接する複数のデータ線２０６ａ同士に対して、グル
ープ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ２３
０のゲートには走査線２０３ａが電気的に接続されてお
り、所定のタイミングで、走査線２０３ａにパルス的に
走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加
するように構成されている。画素電極２０９ａは、ＴＦ
Ｔ２３０のドレインに電気的に接続されており、スイッ
チング素子であるＴＦＴ２３０を一定期間だけそのオン
状態とすることにより、データ線２０６ａから供給され
る画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイ
ミングで書き込む。このようにして画素電極２０９ａを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、
Ｓ２、・・・Ｓｎは、図１４に示す対向基板２２０の対
向電極２２１との間で一定期間保持される。
画像表示領域においては、図１５に示すように、複数の
画素２００ａがマトリクス状に構成されているととも
に、これらの画素２００ａの各々には、画素電極２０９
ａ、およびこの画素電極２０９ａを駆動するための画素
スイッチング用のＴＦＴ２３０が形成されており、画素
信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線２０６ａ
が当該ＴＦＴ２３０のソースに電気的に接続されてい
る。データ線２０６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・
・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、
相隣接する複数のデータ線２０６ａ同士に対して、グル
ープ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ２３
０のゲートには走査線２０３ａが電気的に接続されてお
り、所定のタイミングで、走査線２０３ａにパルス的に
走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加
するように構成されている。画素電極２０９ａは、ＴＦ
Ｔ２３０のドレインに電気的に接続されており、スイッ
チング素子であるＴＦＴ２３０を一定期間だけそのオン
状態とすることにより、データ線２０６ａから供給され
る画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイ
ミングで書き込む。このようにして画素電極２０９ａを
介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、
Ｓ２、・・・Ｓｎは、図１４に示す対向基板２２０の対
向電極２２１との間で一定期間保持される。
【０１２０】ここで、液晶２５０は、印加される電圧レ
ベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
がこの液晶２５０の部分を通過する光量が低下し、ノー
マリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じ
て入射光がこの液晶２５０の部分を通過する光量が増大
していく。その結果、全体として液晶装置２００からは
画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラスト
を持つ光が出射される。
ベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによ
り、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホ
ワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光
がこの液晶２５０の部分を通過する光量が低下し、ノー
マリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じ
て入射光がこの液晶２５０の部分を通過する光量が増大
していく。その結果、全体として液晶装置２００からは
画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラスト
を持つ光が出射される。
【０１２１】なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極２０９
ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積
容量２６０を付加することがある。例えば、画素電極２
０９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３
桁も長い時間だけ蓄積容量２６０により保持される。こ
れにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比
の高い液晶装置２００が実現できる。なお、蓄積容量２
６０を形成する方法としては、図１５に例示するよう
に、蓄積容量２６０を形成するための配線である容量線
２０３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線
２０３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。
・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極２０９
ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積
容量２６０を付加することがある。例えば、画素電極２
０９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３
桁も長い時間だけ蓄積容量２６０により保持される。こ
れにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比
の高い液晶装置２００が実現できる。なお、蓄積容量２
６０を形成する方法としては、図１５に例示するよう
に、蓄積容量２６０を形成するための配線である容量線
２０３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線
２０３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよ
い。
【０１２２】図１６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１３
に示す液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５
ないし８に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成
された各画素の構成を示す平面図、および実施の形態４
に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各
画素の構成を示す平面図である。図１７は、本形態の液
晶装置の画素の一部を図１６（Ａ）、（Ｂ）のＣ−Ｃ′
線に相当する位置で切断したときの断面図である。
に示す液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５
ないし８に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成
された各画素の構成を示す平面図、および実施の形態４
に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各
画素の構成を示す平面図である。図１７は、本形態の液
晶装置の画素の一部を図１６（Ａ）、（Ｂ）のＣ−Ｃ′
線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【０１２３】図１６（Ａ）において、図１３に示す液晶
装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし８に
係る構成を適用した場合、ＴＦＴアレイ基板２１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極２０９ａがマトリクス状に
形成されており、これら各画素電極２０９ａに対して画
素スイッチング用のＴＦＴ２３０がそれぞれ接続してい
る。また、画素電極２０９ａの縦横の境界に沿って、デ
ータ線２０６ａ、走査線２０３ａ、および容量線２０３
ｂが形成され、ＴＦＴ２３０は、データ線２０６ａおよ
び走査線２０３ａに対して接続している。すなわち、デ
ータ線２０６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ２
３０の高濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続し、画
素電極２０９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ２
０３の高濃度ドレイン領域２０１ｅに電気的に接続して
いる。また、ＴＦＴ２３０のチャネル領域２０１ａ′に
対向するように走査線２０３ａが延びている。なお、蓄
積容量２６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ２３０を
形成するための半導体膜２０１の延設部分２０１ｆを導
電化したものを下電極とし、この下電極２４１に、走査
線２０３ｂと同層の容量線２０３ｂが上電極として重な
った構造になっている。
装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし８に
係る構成を適用した場合、ＴＦＴアレイ基板２１０上に
は、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）膜からなる画素電極２０９ａがマトリクス状に
形成されており、これら各画素電極２０９ａに対して画
素スイッチング用のＴＦＴ２３０がそれぞれ接続してい
る。また、画素電極２０９ａの縦横の境界に沿って、デ
ータ線２０６ａ、走査線２０３ａ、および容量線２０３
ｂが形成され、ＴＦＴ２３０は、データ線２０６ａおよ
び走査線２０３ａに対して接続している。すなわち、デ
ータ線２０６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ２
３０の高濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続し、画
素電極２０９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ２
０３の高濃度ドレイン領域２０１ｅに電気的に接続して
いる。また、ＴＦＴ２３０のチャネル領域２０１ａ′に
対向するように走査線２０３ａが延びている。なお、蓄
積容量２６０は、画素スイッチング用のＴＦＴ２３０を
形成するための半導体膜２０１の延設部分２０１ｆを導
電化したものを下電極とし、この下電極２４１に、走査
線２０３ｂと同層の容量線２０３ｂが上電極として重な
った構造になっている。
【０１２４】ここで、容量線２０３ｂは、走査線２０３
ｂの近傍で走査線２０３ｂに沿って延びた本線部分２０
３ｂ′と、この本線部分２０３ｂ′からデータ線２０６
ａに沿って突き出た突出部分２０３ｂ″とから構成され
ている。
ｂの近傍で走査線２０３ｂに沿って延びた本線部分２０
３ｂ′と、この本線部分２０３ｂ′からデータ線２０６
ａに沿って突き出た突出部分２０３ｂ″とから構成され
ている。
【０１２５】但し、図１３に示す液晶装置において、実
施の形態４に係る構成を適用した場合には、図１２
（Ｂ）に示すように、容量線２０３ｂは、隣接する２本
の走査線２０３ｂの略中間位置で走査線２０３ｂに沿っ
て延びた本線部分２０３ｂ′と、この本線部分２０３
ｂ′からデータ線２０６ａに沿って突き出た後、走査線
２０３ｂの近傍で走査線２０３ｂに沿って延びた突出部
分２０３ｂ″とから構成される。この場合、容量線２０
３ｂの本線部分２０３ｂ′を挟む両側の一方を透過表示
領域３１とし、他方を透過表示領域３２とすれば、その
境界領域に沿って容量線３ｂが形成されることになる。
従って、容量線３ｂの本線部分２０３ｂ′を、図４に示
した遮光膜９として利用することができる。
施の形態４に係る構成を適用した場合には、図１２
（Ｂ）に示すように、容量線２０３ｂは、隣接する２本
の走査線２０３ｂの略中間位置で走査線２０３ｂに沿っ
て延びた本線部分２０３ｂ′と、この本線部分２０３
ｂ′からデータ線２０６ａに沿って突き出た後、走査線
２０３ｂの近傍で走査線２０３ｂに沿って延びた突出部
分２０３ｂ″とから構成される。この場合、容量線２０
３ｂの本線部分２０３ｂ′を挟む両側の一方を透過表示
領域３１とし、他方を透過表示領域３２とすれば、その
境界領域に沿って容量線３ｂが形成されることになる。
従って、容量線３ｂの本線部分２０３ｂ′を、図４に示
した遮光膜９として利用することができる。
【０１２６】このように構成した液晶装置２００におい
て、ＴＦＴアレイ基板２１０の表面には、厚さが５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜２０１ａが形成されて
いる。半導体膜２０１ａの表面には、厚さが約５０〜１
５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２０２
が形成され、このゲート絶縁膜２０２の表面に、厚さが
３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線２０３ａがゲート電極
として通っている。半導体膜２０１ａのうち、走査線２
０３ａに対してゲート絶縁膜２０２を介して対峙する領
域がチャネル領域２０１ａ′になっている。このチャネ
ル領域２０１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領
域２０１ｂおよび高濃度ソース領域２０１ｄを備えるソ
ース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域２
０１ｃおよび高濃度ドレイン領域２０１ｅを備えるドレ
イン領域が形成されている。
て、ＴＦＴアレイ基板２１０の表面には、厚さが５０ｎ
ｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜２０１ａが形成されて
いる。半導体膜２０１ａの表面には、厚さが約５０〜１
５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２０２
が形成され、このゲート絶縁膜２０２の表面に、厚さが
３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線２０３ａがゲート電極
として通っている。半導体膜２０１ａのうち、走査線２
０３ａに対してゲート絶縁膜２０２を介して対峙する領
域がチャネル領域２０１ａ′になっている。このチャネ
ル領域２０１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領
域２０１ｂおよび高濃度ソース領域２０１ｄを備えるソ
ース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域２
０１ｃおよび高濃度ドレイン領域２０１ｅを備えるドレ
イン領域が形成されている。
【０１２７】画素スイッチング用のＴＦＴ２３０の表面
側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化
膜からなる第１層間絶縁膜２０４、および厚さが１００
ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶
縁膜２０５が形成されている。第１層間絶縁膜２０４の
表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線２
０６ａが形成され、このデータ線２０６ａは、第１層間
絶縁膜２０４に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続している。
側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化
膜からなる第１層間絶縁膜２０４、および厚さが１００
ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶
縁膜２０５が形成されている。第１層間絶縁膜２０４の
表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線２
０６ａが形成され、このデータ線２０６ａは、第１層間
絶縁膜２０４に形成されたコンタクトホールを介して高
濃度ソース領域２０１ｄに電気的に接続している。
【０１２８】第２層間絶縁膜２０５の上層には、ＩＴＯ
膜からなる画素電極２０９ａが形成されている。画素電
極２０９ａは、第２層間絶縁膜２０５に形成されたコン
タクトホールなどを介してドレイン電極２０６ｂに電気
的に接続している。画素電極２０９ａの表面側にはポリ
イミド膜からなる配向膜２１２が形成されている。この
配向膜２１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が
施された膜である。
膜からなる画素電極２０９ａが形成されている。画素電
極２０９ａは、第２層間絶縁膜２０５に形成されたコン
タクトホールなどを介してドレイン電極２０６ｂに電気
的に接続している。画素電極２０９ａの表面側にはポリ
イミド膜からなる配向膜２１２が形成されている。この
配向膜２１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が
施された膜である。
【０１２９】また、高濃度ドレイン領域２０１ｅからの
延設部分２０１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜
２０２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、
走査線２０３ａと同層の容量線２０３ｂが上電極として
対向することにより、蓄積容量２６０が構成されてい
る。
延設部分２０１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜
２０２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、
走査線２０３ａと同層の容量線２０３ｂが上電極として
対向することにより、蓄積容量２６０が構成されてい
る。
【０１３０】なお、ＴＦＴ２３０は、好ましくは上述の
ようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域２０１
ｂ、および低濃度ドレイン領域２０１ｃに相当する領域
に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を
有していてもよい。また、ＴＦＴ２３０は、ゲート電極
（走査線２０３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純
物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよ
びドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴで
あってもよい。
ようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域２０１
ｂ、および低濃度ドレイン領域２０１ｃに相当する領域
に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を
有していてもよい。また、ＴＦＴ２３０は、ゲート電極
（走査線２０３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純
物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよ
びドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴで
あってもよい。
【０１３１】また、本形態では、ＴＦＴ２３０のゲート
電極（走査線２０３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これら
の間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるよう
にする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、
あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ２３０を構成すれ
ば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリー
ク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来
る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造
或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減
でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
電極（走査線２０３ａ）をソース−ドレイン領域の間に
１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これら
の間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この
際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるよう
にする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、
あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ２３０を構成すれ
ば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリー
ク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来
る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造
或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減
でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【０１３２】図１７において、対向基板２２０では、Ｔ
ＦＴアレイ基板２１０に形成されている画素電極２０９
ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜２２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からな
る対向電極２２１が形成されている。また、対向電極２
２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２２
が形成され、この配向膜２２２は、ポリイミド膜に対し
てラビング処理が施された膜である。
ＦＴアレイ基板２１０に形成されている画素電極２０９
ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリク
ス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光
膜２２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からな
る対向電極２２１が形成されている。また、対向電極２
２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２２
が形成され、この配向膜２２２は、ポリイミド膜に対し
てラビング処理が施された膜である。
【０１３３】このように構成した液晶装置２００におい
て、画素電極２０９ａと対向電極２２１とが対向してい
る領域が実施の形態１ないし８で説明した画素領域３と
なる。従って、ＴＦＴアレイ基板２１０、対向基板２２
０、画素電極２０９ａ、および対向電極２２１はそれぞ
れ、実施の形態１ないし８における第１の基板１０、第
２の基板２０、第１の電極１１、および第２の電極２１
に相当し、画素電極２０９ａの下層側には、図１ないし
図４を参照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示
用カラーフィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８
２、および層厚調整層６が形成されることになる。
て、画素電極２０９ａと対向電極２２１とが対向してい
る領域が実施の形態１ないし８で説明した画素領域３と
なる。従って、ＴＦＴアレイ基板２１０、対向基板２２
０、画素電極２０９ａ、および対向電極２２１はそれぞ
れ、実施の形態１ないし８における第１の基板１０、第
２の基板２０、第１の電極１１、および第２の電極２１
に相当し、画素電極２０９ａの下層側には、図１ないし
図４を参照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示
用カラーフィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８
２、および層厚調整層６が形成されることになる。
【０１３４】また、液晶装置２００において、ＴＦＴア
レイ基板２１０、対向基板２２０、画素電極２０９ａ、
および対向電極２２１をそれぞれ、実施の形態１ないし
８における第２の基板２０、第１の基板１０、第２の電
極２１、および第１の電極１１としてもよい。この場合
には、対向電極２２１の下層側に、図１ないし図８を参
照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラー
フィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および
層厚調整層６が形成されることになり、対向基板２００
にバックライト装置２９０が対向配置されることにな
る。
レイ基板２１０、対向基板２２０、画素電極２０９ａ、
および対向電極２２１をそれぞれ、実施の形態１ないし
８における第２の基板２０、第１の基板１０、第２の電
極２１、および第１の電極１１としてもよい。この場合
には、対向電極２２１の下層側に、図１ないし図８を参
照して説明した反射膜４、遮光膜９、反射表示用カラー
フィルタ８１、透過表示用カラーフィルタ８２、および
層厚調整層６が形成されることになり、対向基板２００
にバックライト装置２９０が対向配置されることにな
る。
【０１３５】［液晶装置の電子機器への適用］このよう
に構成した反射型、あるいは半透過・反射型の液晶装置
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図１８、図１９、および図２０を参照
して説明する。
に構成した反射型、あるいは半透過・反射型の液晶装置
は、各種の電子機器の表示部として用いることができる
が、その一例を、図１８、図１９、および図２０を参照
して説明する。
【０１３６】図１８は、本発明に係る液晶装置を表示装
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。
置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図で
ある。
【０１３７】図１８において、電子機器は、表示情報出
力源５７０、表示情報処理回路５７１、電源回路５７
２、タイミングジェネレータ５７３、そして液晶装置５
７４を有する。また、液晶装置５７４は、液晶表示パネ
ル５７５および駆動回路５７６を有する。液晶装置５７
４としては、本発明を適用した液晶装置１、１００、２
００を用いることができる。
力源５７０、表示情報処理回路５７１、電源回路５７
２、タイミングジェネレータ５７３、そして液晶装置５
７４を有する。また、液晶装置５７４は、液晶表示パネ
ル５７５および駆動回路５７６を有する。液晶装置５７
４としては、本発明を適用した液晶装置１、１００、２
００を用いることができる。
【０１３８】表示情報出力源５７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａ
ｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各
種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画
像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジ
ェネレータ５７３によって生成された各種のクロック信
号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった
表示情報を表示情報処理回路５７１に供給する。
ｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ
Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各
種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画
像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジ
ェネレータ５７３によって生成された各種のクロック信
号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった
表示情報を表示情報処理回路５７１に供給する。
【０１３９】表示情報処理回路５７１は、シリアル−パ
ラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路５７６
へ供給する。電源回路５７２は、各構成要素に所定の電
圧を供給する。
ラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回
路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各
種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、そ
の画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路５７６
へ供給する。電源回路５７２は、各構成要素に所定の電
圧を供給する。
【０１４０】図１９は、本発明に係る電子機器の一実施
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ５８０は、
キーボード５８１を備えた本体部５８２と、液晶表示ユ
ニット５８３とを有する。液晶表示ユニット５８３は、
本発明を適用した液晶装置１、１００、２００を含んで
構成される。
形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示し
ている。ここに示すパーソナルコンピュータ５８０は、
キーボード５８１を備えた本体部５８２と、液晶表示ユ
ニット５８３とを有する。液晶表示ユニット５８３は、
本発明を適用した液晶装置１、１００、２００を含んで
構成される。
【０１４１】図２０は、本発明に係る電子機器の他の実
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機５９０は、複数の操作ボタン５９１と、本発明を
適用した液晶装置１、１００、２００からなる表示部と
を有している。
施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯
電話機５９０は、複数の操作ボタン５９１と、本発明を
適用した液晶装置１、１００、２００からなる表示部と
を有している。
【０１４２】
【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る半透過・反
射型の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されている。この
ため、反射表示領域と透過表示領域との境界領域におい
て層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分にお
いてリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化している
場合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合で
も、このような領域からは反射表示光も透過表示光も出
射されない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなど
といった不具合の発生を回避することができるので、コ
ントラストが高い、品位の高い表示を行うことができ
る。
射型の液晶装置では、反射表示領域と透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されている。この
ため、反射表示領域と透過表示領域との境界領域におい
て層厚調整層の厚さが連続的に変化して、この部分にお
いてリターデーションΔｎ・ｄが連続的に変化している
場合、あるいは、液晶分子の配向が乱れている場合で
も、このような領域からは反射表示光も透過表示光も出
射されない。従って、黒表示時に光漏れが発生するなど
といった不具合の発生を回避することができるので、コ
ントラストが高い、品位の高い表示を行うことができ
る。
【図１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明
の実施の形態１に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面
図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
の実施の形態１に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面
図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【図２】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明
の実施の形態２に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面
図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
の実施の形態２に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面
図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【図３】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、本発明
の実施の形態３に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面
図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
の実施の形態３に係る半透過・反射型の液晶装置にマト
リクス状に形成されている複数の画素領域のうちの１つ
を抜き出して模式的に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面
図、およびＢ−Ｂ′断面図である。
【図４】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明の実施の
形態４に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状
に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出
して模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図で
ある。
形態４に係る半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状
に形成されている複数の画素領域のうちの１つを抜き出
して模式的に示す平面図、およびそのＢ−Ｂ′断面図で
ある。
【図５】 本発明の実施の形態５に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図６】 本発明の実施の形態６に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図７】 本発明の実施の形態７に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図８】 本発明の実施の形態８に係る半透過・反射型
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
の液晶装置にマトリクス状に形成されている複数の画素
領域の断面図であり、図１（Ｂ）に対応する図である。
【図９】 本発明の実施の形態９に係る半透過・反射型
のＴＦＤアクティブマトリクス型液晶装置の電気的構成
を模式的に示すブロック図である。
のＴＦＤアクティブマトリクス型液晶装置の電気的構成
を模式的に示すブロック図である。
【図１０】 図９に示す液晶装置の構造を示す分解斜視
図である。
図である。
【図１１】 図１０に示す液晶装置において液晶を挟持
する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平
面図である。
する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平
面図である。
【図１２】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１１のIII
−III′線断面図、および図１１に示すＴＦＤ素子の斜
視図である。
−III′線断面図、および図１１に示すＴＦＤ素子の斜
視図である。
【図１３】 本発明の実施の形態１０に係る半透過・反
射型のＴＦＴアクティブマトリクス型液晶装置を対向基
板の側からみたときの平面図である。
射型のＴＦＴアクティブマトリクス型液晶装置を対向基
板の側からみたときの平面図である。
【図１４】 図１３のＨ−Ｈ′線における断面図であ
る。
る。
【図１５】 図１３に示す液晶装置において、マトリク
ス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配
線などの等価回路図である。
ス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配
線などの等価回路図である。
【図１６】 （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図１３に示す
液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし
８に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された
各画素の構成を示す平面図、および実施の形態４に係る
構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の
構成を示す平面図である。
液晶装置において、実施の形態１ないし３又は５ないし
８に係る構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された
各画素の構成を示す平面図、および実施の形態４に係る
構成を適用したＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の
構成を示す平面図である。
【図１７】 図１３に示す液晶装置の画素の一部を図１
６（Ａ）、（Ｂ）のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断し
たときの断面図である。
６（Ａ）、（Ｂ）のＣ−Ｃ′線に相当する位置で切断し
たときの断面図である。
【図１８】 本発明に係る液晶装置を表示装置として用
いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１９】 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の
一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュー
タを示す説明図である。
一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュー
タを示す説明図である。
【図２０】 本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の
一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図２１】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、従来
の半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断
面図である。
の半透過・反射型の液晶装置にマトリクス状に形成され
ている複数の画素領域のうちの１つを抜き出して模式的
に示す平面図、そのＡ−Ａ′断面図、およびＢ−Ｂ′断
面図である。
１、１００、２００ 液晶装置
３ 画素領域
５ 液晶層
６ 層厚調整層
７ バックライト装置
９ 遮光膜
１０ 第１の基板
１１，１１Ｔ 第１の透明電極
１１Ｒ 光反射電極
２０ 第２の基板
２１ 第２の透明電極
３１ 反射表示領域
３２ 透過表示領域
４０ 光反射層の開口
４１、４２ 偏光板
６０ 層厚調整層の斜面
６１ 層厚調整層の開口
８１ 反射表示用カラーフィルタ
８２ 透過表示用カラーフィルタ
９０ 画素領域を囲む遮光膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343
(72)発明者 浦野 信孝
長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ
ーエプソン株式会社内
Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26
2H090 HA04 HB07X HD06 JA03
LA01 LA04 LA15 LA16 LA20
2H091 FA02Y FA15Y FA34Y FA41Z
GA02 GA13 LA15 LA17
2H092 GA16 HA03 HA05 JA24 JB07
JB51 JB57 NA01 PA02 PA08
PA09 PA12 PA13
Claims (22)
- 【請求項１】 表面に第１の透明電極が形成された第１
の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透明
電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記
第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第
１の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極
とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該画
素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、前
記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表
示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくする層厚
調整層、および前記第１の透明電極を下層側から上層側
に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置にお
いて、 前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項２】 反射表示領域と透過表示領域とを備えた
半透過・反射型液晶装置であって、第１の基板と、前記
第１の基板と対向する面側に透明電極が形成された第２
の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保
持された液晶層とを有し、前記第１の基板は、前記反射
表示領域に、前記反射表示領域における前記液晶層の層
厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも
小さくする層厚調整層、および光反射電極を下層側から
上層側に向かってこの順に備える一方、前記透過表示領
域に透明電極を備える半透過・反射型液晶装置におい
て、 前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項３】 表面に第１の透明電極が形成された第１
の基板と、前記第１の電極と対向する面側に第２の透明
電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記
第２の基板との間に保持された液晶層とを有し、前記第
１の基板は、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極
とが対向する画素領域に反射表示領域を構成し、当該画
素領域の残りの領域を透過表示領域とする光反射層、お
よび前記第１の透明電極を下層側から上層側に向かって
この順に備え、前記第２の基板は、前記反射表示領域
に、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記
透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さくす
る層厚調整層、および前記第２の透明電極を下層側から
上層側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装
置において、 前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項４】 反射表示領域と透過表示領域とを備えた
半透過・反射型液晶装置であって、第１の基板と、前記
第１の基板と対向する面側に透明電極が形成された第２
の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保
持された液晶層とを有し、前記第１の基板は、前記反射
表示領域に光反射電極を備えるとともに前記透過表示領
域に透明電極を備え、前記第２の基板は、前記反射表示
領域に、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を
前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも小さ
くする層厚調整層、および前記透明電極を下層側から上
層側に向かってこの順に備える半透過・反射型液晶装置
において、 前記第１の基板および前記第２の基板のうちの少なくと
も一方には、前記反射表示領域と前記透過表示領域との
境界領域に重なるように遮光膜が形成されていることを
特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかの項において、
前記遮光膜は、前記第１の透明基板側に形成されている
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかの項において、
前記遮光膜は、前記第２の透明基板側に形成されている
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかの項において、
前記層厚調整層は、前記反射表示領域と前記透過表示領
域との境界領域が斜面になっていることを特徴とする半
透過・反射型液晶装置。 - 【請求項８】 請求項７において、前記遮光膜は、前記
層厚調整層の前記斜面と平面的に重なる領域に形成され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかの項において、
前記遮光膜は、前記光反射層の端部と平面的に重なるよ
うに形成されていることを特徴とする半透過・反射型液
晶装置。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかの項におい
て、前記透過表示領域は、前記反射表示領域内に島状に
配置されていることを特徴とする半透過・反射型液晶装
置。 - 【請求項１１】 請求項１〜９のいずれかの項におい
て、前記透過表示領域は、前記画素領域の端部に配置さ
れていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１２】 請求項１１において、前記画素領域
は、矩形領域として形成され、前記透過表示領域は、前
記画素領域の辺に少なくとも１辺が重なる矩形形状を有
していることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１３】 請求項１２において、前記透過表示領
域は、前記画素領域の辺に１辺が重なる位置に配置され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１４】 請求項１２において、前記透過表示領
域は、前記画素領域の辺に２辺が重なる位置に配置され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１５】 請求項１２において、前記透過表示領
域は、前記画素領域の辺に３辺が重なる位置に配置され
ていることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１６】 請求項１５において、前記画素領域を
２分するように遮光する配線が前記遮光膜として通って
おり、該配線を挟む両側に前記反射表示領域および前記
透過表示領域がそれぞれ配置されていることを特徴とす
る半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１７】 請求項１〜１６のいずれかの項におい
て、前記画像表示領域にはカラーフィルタが形成されて
いることを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項１８】 請求項１〜１６のいずれかの項におい
て、前記反射表示領域には、反射表示用カラーフィルタ
が形成されている一方、前記透過表示領域には、前記反
射表示用カラーフィルタよりも着色度の強い透過表示用
カラーフィルタが形成されていることを特徴とする半透
過・反射型液晶装置。 - 【請求項１９】 請求項１〜１８のいずれかの項におい
て、前記反射表示領域は、前記透過表示領域よりも広い
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項２０】 請求項１〜１８のいずれかの項におい
て、前記反射表示領域は、前記透過表示領域よりも狭い
ことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項２１】 請求項１〜１８のいずれかの項におい
て、前記反射表示領域と前記透過表示領域とは、面積が
等しいことを特徴とする半透過・反射型液晶装置。 - 【請求項２２】 請求項１〜２１のいずれかの項に記載
されている半透過・反射型液晶装置を表示部に備えるこ
とを特徴とする電子機器。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002227828A JP3675427B2 (ja) | 2001-09-25 | 2002-08-05 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| TW091121255A TWI273316B (en) | 2001-09-25 | 2002-09-17 | Transflective liquid crystal device and electronic device using the same |
| CNB021434123A CN1201188C (zh) | 2001-09-25 | 2002-09-24 | 半透射反射式液晶装置和使用它的电子设备 |
| KR10-2002-0057673A KR100473006B1 (ko) | 2001-09-25 | 2002-09-24 | 반투과반사형 액정 장치 및 그것을 이용한 전자 기기 |
| CNA2005100511281A CN1651983A (zh) | 2001-09-25 | 2002-09-24 | 半透射反射式液晶装置和使用它的电子设备 |
| US10/255,145 US6956632B2 (en) | 2001-09-25 | 2002-09-25 | Transflective liquid crystal device with particular stack of reflective, transmissive, and thickness adjusting layers and electronic device using the same |
| CN02254937U CN2582024Y (zh) | 2001-09-25 | 2002-09-25 | 半透射反射式液晶装置和使用它的电子设备 |
| US10/775,893 US7009669B2 (en) | 2001-09-25 | 2004-02-10 | Transflective liquid crystal device with particular thickness adjusting layer stacking and light shield and electronic device using the same |
| US11/225,673 US7417698B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-09-13 | Transflective liquid crystal device and electronic device using the same |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001292644 | 2001-09-25 | ||
| JP2001-292644 | 2001-09-25 | ||
| JP2002005250 | 2002-01-11 | ||
| JP2002-5250 | 2002-01-11 | ||
| JP2002227828A JP3675427B2 (ja) | 2001-09-25 | 2002-08-05 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003270628A true JP2003270628A (ja) | 2003-09-25 |
| JP3675427B2 JP3675427B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=27347576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002227828A Expired - Lifetime JP3675427B2 (ja) | 2001-09-25 | 2002-08-05 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3675427B2 (ja) |
| KR (1) | KR100473006B1 (ja) |
| CN (3) | CN1651983A (ja) |
| TW (1) | TWI273316B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003172923A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-06-20 | Seiko Epson Corp | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| JP2005004206A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置 |
| US6956632B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-10-18 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device with particular stack of reflective, transmissive, and thickness adjusting layers and electronic device using the same |
| JP2006171752A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2007138951A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Kyocera Corporation | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置、並びに液晶表示パネルの製造方法 |
| US7477346B2 (en) | 2004-01-28 | 2009-01-13 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal display device and electronic apparatus with slope portion between neighboring reflective and transparent pixel electrodes |
| CN100460964C (zh) * | 2004-05-18 | 2009-02-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置和具有该液晶显示装置的电子设备 |
| US7663716B2 (en) | 2004-09-01 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| US7742133B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-06-22 | Lg Display Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device having high aperture ratio and fabrication method thereof |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4368096B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP4050119B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2008-02-20 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2003121834A (ja) * | 2001-10-11 | 2003-04-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | 反射及び透過領域を有する画素電極及びこれを用いた液晶表示装置 |
| JP2003188767A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 同期捕捉回路 |
| JP4068942B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| KR100474387B1 (ko) * | 2002-05-23 | 2005-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2004061849A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Toshiba Corp | 液晶表示器及びその製造方法 |
| KR100439649B1 (ko) * | 2002-08-14 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
| TW573174B (en) * | 2002-09-19 | 2004-01-21 | Au Optronics Corp | Transflective LCD structure |
| JP4214748B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2009-01-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP3753141B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2006-03-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置および電子機器 |
| JP3961945B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2007-08-22 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 液晶表示装置 |
| JP2004252047A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半透過型表示装置 |
| EP1455337A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Control method for a backlight arrangement, display controller using this method and display apparatus |
| US20040189900A1 (en) * | 2003-03-27 | 2004-09-30 | Yang Wen Chen | LCD panel |
| JP4317705B2 (ja) * | 2003-04-24 | 2009-08-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI255375B (en) * | 2003-04-25 | 2006-05-21 | Sanyo Electric Co | Display device |
| JP3966221B2 (ja) * | 2003-05-01 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置、及び電子機器 |
| JP2005031662A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | アレー基板及びこれの製造方法と、これを有する液晶表示装置 |
| KR20050008040A (ko) * | 2003-07-14 | 2005-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주사 전극 라인을 사용하여 저장 캐페시터가 형성된필드-순차형 액정 디스플레이 패널 |
| TWI309327B (en) * | 2003-07-22 | 2009-05-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Thin film transistor liquid crystal display panel, array substrate of the same, and method of manufacturing the same |
| TW594211B (en) * | 2003-09-12 | 2004-06-21 | Quanta Display Inc | Semi-transparency type LCD and manufacture thereof |
| TWI266939B (en) * | 2003-09-29 | 2006-11-21 | Sharp Kk | Liquid crystal display apparatus |
| JP2005173037A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7646459B2 (en) * | 2003-12-26 | 2010-01-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| KR100680103B1 (ko) * | 2004-02-02 | 2007-02-28 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
| JP4390595B2 (ja) * | 2004-03-09 | 2009-12-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100715756B1 (ko) * | 2004-03-09 | 2007-05-08 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
| JP4041821B2 (ja) | 2004-04-23 | 2008-02-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN100394275C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| JP4712402B2 (ja) | 2004-05-10 | 2011-06-29 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 下部表示板及び下部表示板を含む液晶表示装置およびその製造方法 |
| KR20050107728A (ko) * | 2004-05-10 | 2005-11-15 | 삼성전자주식회사 | 하부 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
| US7379135B2 (en) * | 2004-05-28 | 2008-05-27 | Fujitsu Limited | Transflective liquid crystal display |
| TWI290250B (en) * | 2005-01-25 | 2007-11-21 | Ind Tech Res Inst | An emireflective display and method for adjustable display mode |
| JP4337794B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2009-09-30 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置および電子機器 |
| US7724327B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-05-25 | Tpo Displays Corp. | Transflective TFT LCD having stacked layers including a protective layer, a transparent electrode and a ring-shaped reflective electrode surrounding and defining an opening exposing the underlying transparent electrode layer |
| US8144115B2 (en) | 2006-03-17 | 2012-03-27 | Konicek Jeffrey C | Flat panel display screen operable for touch position determination system and methods |
| US7859526B2 (en) * | 2006-05-01 | 2010-12-28 | Konicek Jeffrey C | Active matrix emissive display and optical scanner system, methods and applications |
| JP4529941B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2010-08-25 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| TWI344050B (en) * | 2006-08-18 | 2011-06-21 | Au Optronics Corp | Transflective liquid crystal display panel |
| JP2008209858A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、及び電子機器 |
| US8194211B2 (en) * | 2008-03-18 | 2012-06-05 | Nlt Technologies, Ltd. | Transflective liquid crystal display unit |
| US8830424B2 (en) * | 2010-02-19 | 2014-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having light-condensing means |
| US8698716B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-04-15 | Pixel Qi Corporation | Low power consumption transflective liquid crystal displays |
| US20120039034A1 (en) * | 2010-08-13 | 2012-02-16 | Mary Lou Jepsen | Transflective LCD With Arcuate Pixel Portions |
| CN102645784B (zh) | 2011-10-21 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半透半反液晶显示面板及液晶显示器 |
| JP6890003B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-06-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR20230089294A (ko) * | 2021-12-13 | 2023-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04268533A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Nec Corp | カラー液晶表示素子 |
| JP3849239B2 (ja) | 1997-07-25 | 2006-11-22 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及び液晶装置の製造方法 |
| US6195140B1 (en) * | 1997-07-28 | 2001-02-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region |
| JP2955277B2 (ja) | 1997-07-28 | 1999-10-04 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US6281952B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| JP3377447B2 (ja) | 1998-03-05 | 2003-02-17 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP3768367B2 (ja) | 1998-10-14 | 2006-04-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3513409B2 (ja) | 1998-12-15 | 2004-03-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2000267081A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000275660A (ja) | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP3431856B2 (ja) | 1999-04-19 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2000305099A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
| KR100312327B1 (ko) * | 1999-07-31 | 2001-11-03 | 구본준, 론 위라하디락사 | 반사투과형 액정 표시장치 |
| JP3744342B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置および電子機器 |
| JP4196505B2 (ja) | 1999-12-13 | 2008-12-17 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその製造方法とカラーフィルタ |
| KR100661825B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2006-12-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
| JP2001343660A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Sharp Corp | 液晶表示装置およびその欠陥修正方法 |
| JP4521089B2 (ja) | 2000-03-31 | 2010-08-11 | オプトレックス株式会社 | 半透過型液晶表示パネルおよびこれの製造方法 |
| KR100394987B1 (ko) * | 2000-04-07 | 2003-08-19 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과 액정 표시장치 |
| KR100367280B1 (ko) * | 2000-05-08 | 2003-01-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 제작방법 |
| JP4403633B2 (ja) | 2000-05-10 | 2010-01-27 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP2001337320A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 半透過型の液晶表示素子 |
| JP4815659B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100667537B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2007-01-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 컬러필터 및 그 제조방법 |
| KR100684579B1 (ko) * | 2000-07-04 | 2007-02-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR100700635B1 (ko) * | 2000-10-27 | 2007-03-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과형 액정표시장치용 컬러필터 및 그의 제조방법 |
| US6831721B2 (en) | 2000-11-07 | 2004-12-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electronic apparatus incorporating the liquid crystal display |
| JP4118027B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2008-07-16 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
| JP2003262852A (ja) | 2001-09-25 | 2003-09-19 | Seiko Epson Corp | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| JP3675427B2 (ja) | 2001-09-25 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| JP3675404B2 (ja) | 2001-09-25 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| JP4099983B2 (ja) | 2001-12-13 | 2008-06-11 | 東レ株式会社 | 半透過型液晶表示装置用カラーフィルターおよび半透過型液晶表示装置 |
| JP2003233063A (ja) | 2002-02-12 | 2003-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2003270727A (ja) | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 透過型スクリーン |
| JP4145544B2 (ja) | 2002-03-27 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP4029663B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-01-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
-
2002
- 2002-08-05 JP JP2002227828A patent/JP3675427B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-17 TW TW091121255A patent/TWI273316B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-09-24 CN CNA2005100511281A patent/CN1651983A/zh active Pending
- 2002-09-24 KR KR10-2002-0057673A patent/KR100473006B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-24 CN CNB021434123A patent/CN1201188C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-25 US US10/255,145 patent/US6956632B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-25 CN CN02254937U patent/CN2582024Y/zh not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-02-10 US US10/775,893 patent/US7009669B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-09-13 US US11/225,673 patent/US7417698B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6956632B2 (en) | 2001-09-25 | 2005-10-18 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device with particular stack of reflective, transmissive, and thickness adjusting layers and electronic device using the same |
| US7009669B2 (en) | 2001-09-25 | 2006-03-07 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device with particular thickness adjusting layer stacking and light shield and electronic device using the same |
| US7298439B2 (en) | 2001-09-25 | 2007-11-20 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device with particular color filter thickness adjusting layer stacking and reflective and electronic apparatus using the same |
| US7440054B2 (en) | 2001-09-25 | 2008-10-21 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device with particular reflective layer and thickness adjusting layer stacking and electronic apparatus using the same |
| JP2003172923A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-06-20 | Seiko Epson Corp | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| US7742133B2 (en) | 2003-04-08 | 2010-06-22 | Lg Display Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device having high aperture ratio and fabrication method thereof |
| US8319920B2 (en) | 2003-04-08 | 2012-11-27 | Lg Display Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display device with transmissive portion having right-angled triangle shape and fabricating method thereof |
| JP2005004206A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置 |
| US8111359B2 (en) | 2003-06-10 | 2012-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same |
| JP4700931B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2011-06-15 | 三星電子株式会社 | 反射−透過型アレー基板とこの製造方法及びこれを有する液晶表示装置 |
| US7477346B2 (en) | 2004-01-28 | 2009-01-13 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal display device and electronic apparatus with slope portion between neighboring reflective and transparent pixel electrodes |
| CN100460964C (zh) * | 2004-05-18 | 2009-02-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置和具有该液晶显示装置的电子设备 |
| US7663716B2 (en) | 2004-09-01 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
| JP2006171752A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8081277B2 (en) | 2006-05-30 | 2011-12-20 | Kyocera Corporation | Liquid crystal display panel, liquid crystal display device, and method of manufacturing liquid crystal display panel |
| WO2007138951A1 (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Kyocera Corporation | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置、並びに液晶表示パネルの製造方法 |
| JP4940236B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-05-30 | 京セラ株式会社 | 液晶表示パネルおよび液晶表示装置、並びに液晶表示パネルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI273316B (en) | 2007-02-11 |
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