JP2003268200A - Transparent epoxy resin composition for sealing of photosemiconductor, and photosemiconductor device using it - Google Patents
Transparent epoxy resin composition for sealing of photosemiconductor, and photosemiconductor device using itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半田リフロー時の
耐クラック性、および、半田リフロー時の光半導体素子
と封止樹脂との接着性等に優れた光半導体封止用透明エ
ポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation which is excellent in crack resistance during solder reflow and in adhesiveness between an optical semiconductor element and encapsulation resin during solder reflow. And an optical semiconductor device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】コンパクトディスク（ＣＤ）プレーヤー
やデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレーヤー等に搭
載される受光素子や発光素子等の光半導体素子は、通
常、透明エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止される。2. Description of the Related Art Optical semiconductor elements such as light receiving elements and light emitting elements mounted on compact disc (CD) players and digital video disc (DVD) players are usually resin-sealed with a transparent epoxy resin composition. It
【０００３】一方、近年の電子機器の小型化、軽量化、
高性能化にともない実装の高密度化が進み、光半導体パ
ッケージの表面実装化も促進されてきている。このよう
な表面実装型パッケージとしては、例えば、２方向フラ
ットパッケージ（スモールアウトラインパッケージ：Ｓ
ＯＰ）や、４方向フラットパッケージ（クワッドフラッ
トパッケージ：ＱＦＰ）等があげられる。そして、近
年、上記パッケージにおいては、リードフレーム表面が
銀メッキ処理の施されたものが用いられるようになって
いる。On the other hand, in recent years, electronic devices have become smaller and lighter,
As the performance becomes higher, the packing density has increased, and the surface mounting of optical semiconductor packages has been promoted. As such a surface mount type package, for example, a bidirectional flat package (small outline package: S
OP), a 4-direction flat package (quad flat package: QFP), and the like. In recent years, in the above-mentioned package, a lead frame whose surface is silver-plated has been used.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パッケージの形態をとる光半導体装置で
は、通常、表面実装の半田リフロー前にパッケージ自体
が吸湿しているため、その吸湿した水分が半田リフロー
時に気化して水蒸気化し、その水蒸気圧によって、光半
導体素子が封止樹脂（硬化体）から剥離するという問題
が生じる。However, in an optical semiconductor device in the form of a surface mount type package as described above, the package itself usually absorbs moisture before solder reflow for surface mount. Causes vaporization and vaporization during solder reflow, and the vapor pressure causes a problem that the optical semiconductor element is separated from the sealing resin (cured body).
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、素子剥離の発生が抑制され、耐半田リフロー性
に優れた光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物および
それを用いた光半導体装置の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and a transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation which suppresses the occurrence of element peeling and is excellent in solder reflow resistance, and an optical semiconductor using the same. The purpose is to provide a device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する光
半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とす
る。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）チオール系化合物。
（Ｄ）カップリング剤。In order to achieve the above object, the present invention provides a transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (D) as a first summary. To do. (A) Epoxy resin. (B) Hardener. (C) Thiol compound. (D) Coupling agent.
【０００７】また、上記光半導体封止用透明エポキシ樹
脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止してなる光半
導体装置を第２の要旨とする。A second gist is an optical semiconductor device obtained by resin-sealing an optical semiconductor element using the above-mentioned transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation.
【０００８】すなわち、本発明者らは、所期の目的を達
成するために、まず、半田リフロー時の問題発生の原因
について検討を行った。その検討の結果、半田リフロー
の際に気化した水蒸気をリードフレームと封止樹脂との
界面から放出させると同時に封止樹脂と光半導体素子と
の接着性を向上させると、封止樹脂と光半導体素子の剥
離が生じず効果的に半田リフロー時に発生する問題を解
決することができることを突き止めた。このようなこと
から、上記リードフレームに対する封止樹脂の接着力の
低下と、光半導体素子に対する封止樹脂の接着力の向上
を同時に満足させるために封止樹脂（硬化体）を形成す
る透明エポキシ樹脂組成物の構成成分を中心に研究を重
ねた。その結果、封止樹脂（硬化体）の形成材料である
透明エポキシ樹脂組成物に、上記（Ｃ）成分であるチオ
ール系化合物と（Ｄ）成分であるカップリング剤を併用
すると、リードフレームに対する封止樹脂（硬化体）の
接着力が低下し、かつ光半導体素子に対する封止樹脂
（硬化体）の接着力が向上し有効であることを見出し本
発明に到達した。特に、リードフレームとして、近年多
用されている、最外層に銀メッキ層が形成されたリード
フレームに対して、封止樹脂（硬化体）の接着力が低下
して、従来の封止材料では得られなかった優れた耐半田
リフロー性を備えることを突き止めたのである。That is, the present inventors first examined the cause of problems during solder reflow in order to achieve the intended purpose. As a result of the study, when vaporized water vapor during solder reflow is released from the interface between the lead frame and the encapsulation resin, and at the same time the adhesiveness between the encapsulation resin and the optical semiconductor element is improved, the encapsulation resin and the optical semiconductor are improved. It has been found that the problem that occurs during solder reflow can be effectively solved without element peeling. For this reason, the transparent epoxy forming the sealing resin (cured body) is intended to satisfy both the decrease in the adhesive force of the sealing resin to the lead frame and the improvement of the adhesive force of the sealing resin to the optical semiconductor element at the same time. Studies have been repeated focusing on the constituent components of the resin composition. As a result, when a transparent epoxy resin composition, which is a material for forming a sealing resin (cured product), is used in combination with the thiol compound as the component (C) and the coupling agent as the component (D), the lead frame is sealed. The present inventors have found that the adhesive strength of the stop resin (cured body) is reduced and the adhesive strength of the sealing resin (cured body) to the optical semiconductor element is improved, which is effective, and has reached the present invention. In particular, the adhesive strength of the encapsulating resin (cured body) is reduced with respect to the lead frame having a silver plating layer formed on the outermost layer, which has been widely used in recent years as a lead frame. They found that they had excellent solder reflow resistance that was not possible.
【０００９】そして、本発明においては、上記透明エポ
キシ樹脂組成物の構成成分であるカップリング剤
〔（Ｄ）成分〕として、特定のシランカップリング剤を
用いると、封止樹脂の光半導体素子に対する接着力がよ
り一層向上して、半田リフロー時の剥離等に対して一層
効果的であることを見出した。In the present invention, when a specific silane coupling agent is used as the coupling agent [component (D)] which is a constituent of the transparent epoxy resin composition, the encapsulating resin is used for the optical semiconductor element. It has been found that the adhesive force is further improved and is more effective against peeling during solder reflow.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of the present invention will be described in detail.
【００１１】本発明の光半導体封止用透明エポキシ樹脂
組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、硬化剤（Ｂ成
分）と、チオール系化合物（Ｃ成分）と、カップリング
剤（Ｄ成分）とを用いて得ることができるものであり、
通常、液状、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット
状になっている。The transparent epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor of the present invention comprises an epoxy resin (component A), a curing agent (component B), a thiol compound (component C), and a coupling agent (component D). And can be obtained using
Usually, it is in a liquid form, a powder form or a tablet form obtained by compressing this.
【００１２】本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ成分）
は、特に限定されるものではなく通常用いられる透明エ
ポキシ樹脂が用いられる。例えば、クレゾールノボラッ
ク型、フェノールノボラック型、ビスフェノールＡ型、
脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート
等の複素環式エポキシ樹脂等の各種エポキシ樹脂があげ
られる。これらは、単独で使用できるほか、２種以上を
併用してもよい。なかでも、樹脂封止時におけるトラン
スファー成形の成形性という点から、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂とトリグリシジルイソシアヌレートの併
用系を用いることが好ましい。Epoxy resin used in the present invention (component A)
Is not particularly limited, and a commonly used transparent epoxy resin is used. For example, cresol novolac type, phenol novolac type, bisphenol A type,
Various epoxy resins such as alicyclic epoxy resins and heterocyclic epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate can be used. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, bisphenol A is used from the viewpoint of transfer moldability during resin encapsulation.
It is preferable to use a combination system of a type epoxy resin and triglycidyl isocyanurate.
【００１３】また、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）ととも
に用いる硬化剤（Ｂ成分）としては、通常、透明性の観
点から酸無水物系硬化剤が用いられ、具体的には、ヘキ
サヒドロ無水フタル酸，テトラヒドロ無水フタル酸，メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸，メチルテトラヒドロ無
水フタル酸等の無色ないし淡黄色の酸無水物があげられ
る。なかでも、上記と同様、成形性という点から、テト
ラヒドロ無水フタル酸を用いることが好ましい。上記酸
無水物系硬化剤の配合量は、上記エポキシ樹脂（Ａ成
分）１００重量部（以下「部」と略す）に対して、一般
的に、３０〜７０部の範囲に設定することが好ましい。As the curing agent (component B) used together with the epoxy resin (component A), an acid anhydride type curing agent is usually used from the viewpoint of transparency. Specifically, hexahydrophthalic anhydride, Examples thereof include colorless to pale yellow acid anhydrides such as tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, and methyltetrahydrophthalic anhydride. Among them, it is preferable to use tetrahydrophthalic anhydride from the viewpoint of moldability as in the above. Generally, the amount of the acid anhydride-based curing agent is preferably set in the range of 30 to 70 parts with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin (component A) (hereinafter abbreviated as "part"). .
【００１４】また、上記Ａ成分およびＢ成分とともに用
いられるチオール系化合物（Ｃ成分）としては、通常、
ｎ−アルキルチオール、好ましくは炭素数９〜１５のｎ
−アルキルチオールが用いられ、特にｎ−ドデシルチオ
ールを用いることが好ましい。これらチオール系化合物
は単独もしくは２種以上混合して用いられる。そして、
上記チオール系化合物（Ｃ成分）の含有量は、透明エポ
キシ樹脂組成物中０．２５〜２．０重量％の割合に設定
することが好ましい。特に好ましくは０．２５〜０．８
重量％である。チオール系化合物（Ｃ成分）の含有量が
上記範囲を外れると、例えば、表面に銀メッキ層が形成
されたリードフレームに対する封止樹脂の接着力を効果
的に低下させることが困難である等の傾向が現われた
り、耐湿性に悪影響を及ぼす等の欠点が生起する。The thiol compound (C component) used together with the above A component and B component is usually
n-alkyl thiol, preferably n having 9 to 15 carbon atoms
-Alkyl thiols are used, particularly preferably n-dodecyl thiol. These thiol compounds are used alone or in combination of two or more. And
The content of the thiol compound (C component) is preferably set to a ratio of 0.25 to 2.0% by weight in the transparent epoxy resin composition. Particularly preferably 0.25 to 0.8
% By weight. If the content of the thiol compound (C component) is out of the above range, for example, it is difficult to effectively reduce the adhesive force of the sealing resin to the lead frame having the silver plating layer formed on the surface. Defects such as a tendency appearing and a bad influence on moisture resistance occur.
【００１５】さらに、上記Ａ〜Ｃ成分とともにカップリ
ング剤（Ｄ成分）を用いることにより、封止樹脂（硬化
体）と光半導体素子との接着力が向上し、半田リフロー
時の素子剥離の発生防止に対して効果的となる。上記カ
ップリング剤としては、アミノ系シランカップリング
剤、エポキシ系シランカップリング剤等があげられる。
なかでも、アミノ系シランカップリング剤を用いること
が最も好ましく、ついでエポキシ系シランカップリング
剤を好ましく用いることができる。さらに、カップリン
グ剤としてメルカプト系シランカップリング剤を用いる
こともできる。これらは単独でもしくは２種以上併せて
用いることができる。なかでも、アミノ系シランカップ
リング剤としては、特にＮ−（β−アミノエチル）−γ
−アミノプロピルメチルジメトキシシランを用いること
が好ましい。また、エポキシ系シランカップリング剤と
しては、特にγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ランを用いることが好ましい。Further, by using the coupling agent (D component) together with the above A to C components, the adhesive force between the sealing resin (cured body) and the optical semiconductor element is improved, and the element peeling occurs during solder reflow. Effective against prevention. Examples of the coupling agent include amino-based silane coupling agents and epoxy-based silane coupling agents.
Above all, it is most preferable to use an amino silane coupling agent, and then an epoxy silane coupling agent can be preferably used. Further, a mercapto-based silane coupling agent can be used as the coupling agent. These can be used alone or in combination of two or more. Among them, the amino-based silane coupling agent is particularly N- (β-aminoethyl) -γ.
It is preferred to use -aminopropylmethyldimethoxysilane. As the epoxy-based silane coupling agent, it is particularly preferable to use γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane.
【００１６】上記カップリング剤の含有量は、透明エポ
キシ樹脂組成物全体の０．０５〜１．０重量％の範囲に
設定することが好ましく、特に好ましくは０．０７〜
０．７重量％である。すなわち、上記カップリング剤の
含有量が少なすぎると、封止樹脂（硬化体）の光半導体
素子に対する接着力の充分な向上効果が得られ難く、多
過ぎると、成形性に劣る傾向がみられるからである。The content of the above coupling agent is preferably set in the range of 0.05 to 1.0% by weight of the total transparent epoxy resin composition, and particularly preferably 0.07 to 1.0% by weight.
It is 0.7% by weight. That is, if the content of the coupling agent is too small, it is difficult to obtain a sufficient effect of improving the adhesive force of the sealing resin (cured body) to the optical semiconductor element, and if the content is too large, the moldability tends to be poor. Because.
【００１７】さらに、本発明の透明エポキシ樹脂組成物
には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に必要に応じて従来から用い
られているその他の添加剤を適宜に配合することができ
る。Further, the transparent epoxy resin composition of the present invention can be appropriately blended with other additives conventionally used in addition to the above components A to D, if necessary.
【００１８】上記その他の添加剤としては、例えば、硬
化促進剤、離型剤、難燃助剤、低応力化剤、キレート化
剤等があげられる。Examples of the above-mentioned other additives include a curing accelerator, a release agent, a flame retardant aid, a stress reducing agent, and a chelating agent.
【００１９】上記硬化促進剤としては、１，８−ジアザ
ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン類、
２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール
類、有機ホスフィン化合物や四級ホスホニウム化合物等
の有機リン化合物等があげられ、これらは単独もしくは
併せて使用することができる。As the curing accelerator, amines such as 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7,
Examples thereof include imidazoles such as 2-ethyl-4-methylimidazole and organic phosphorus compounds such as organic phosphine compounds and quaternary phosphonium compounds, and these can be used alone or in combination.
【００２０】上記離型剤としては、従来公知のポリエチ
レングリコール系化合物を用いることができる。なお、
上記離型剤の使用量は、可能な限り少ない方が好まし
い。As the release agent, a conventionally known polyethylene glycol compound can be used. In addition,
The amount of the release agent used is preferably as small as possible.
【００２１】上記キレート化剤としては、ジメチルグリ
オキシム、ジピコリン酸、１，５−ジフェニルカルバジ
ド、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、メチオニン等があ
げられる。これらキレート化剤は、通常、透明エポキシ
樹脂組成物全体の０．１〜３重量％の範囲で使用するこ
とができる。Examples of the chelating agent include dimethylglyoxime, dipicolinic acid, 1,5-diphenylcarbazide, hydroxyethyliminodiacetic acid and methionine. These chelating agents can be used usually in the range of 0.1 to 3% by weight based on the whole transparent epoxy resin composition.
【００２２】本発明に用いられる透明エポキシ樹脂組成
物は、例えばつぎのようにして製造することができる。
すなわち、まず上記Ａ〜Ｄ成分および上記その他の添加
剤を適宜配合し、この混合物をミキシングロール等の混
練機にかけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却し
たのち公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠する
という一連の工程により製造することができる。The transparent epoxy resin composition used in the present invention can be manufactured, for example, as follows.
That is, first, the above components A to D and the above other additives are appropriately blended, and the mixture is melt-mixed in a heating state by applying it to a kneading machine such as a mixing roll, and this is cooled to room temperature and then pulverized by a known means, It can be manufactured by a series of steps of tableting as necessary.
【００２３】このような透明エポキシ樹脂組成物を用い
ての光半導体素子の封止は、特に限定するものではな
く、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法
により封止することにより行うことができる。The encapsulation of an optical semiconductor element using such a transparent epoxy resin composition is not particularly limited, and it can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding. .
【００２４】なお、本発明において、透明とは、例え
ば、封止樹脂である硬化体においては、厚み１ｍｍの硬
化体の場合、分光光度計の測定により、波長６００ｎｍ
の光透過率が７０％以上のものをいい、特に好ましくは
８０％以上である。さらに、本発明においてより好まし
くは、厚み１ｍｍの硬化体で分光光度計の測定により、
波長４００ｎｍの光透過率が７５％以上のものをいい、
特に好ましくは８５％以上である。In the present invention, "transparent" means, for example, in the case of a cured product which is a sealing resin, a cured product having a thickness of 1 mm has a wavelength of 600 nm as measured by a spectrophotometer.
Has a light transmittance of 70% or more, and particularly preferably 80% or more. Further, in the present invention, more preferably, by a spectrophotometer measurement with a cured product having a thickness of 1 mm,
A light transmittance of 75% or more at a wavelength of 400 nm,
It is particularly preferably 85% or more.
【００２５】本発明の透明エポキシ樹脂組成物を封止材
料として用いる場合、リードフレーム上に搭載された光
半導体素子を樹脂封止することがあげられる。そして、
光半導体素子を搭載するリードフレームに関しては、例
えば、その表面に銀メッキ層が形成されたものが用いら
れる。本発明において、上記銀メッキ層が形成されたリ
ードフレームとは、リードフレームの全面もしくは少な
くとも一部に銀メッキ層が形成されたものである。上記
銀メッキ層は、光半導体素子とリードフレームとを電気
的に接続するワイヤーのリードフレームに対するボンデ
ィング性を高めるためになされるものである。When the transparent epoxy resin composition of the present invention is used as a sealing material, the optical semiconductor element mounted on the lead frame is resin-sealed. And
Regarding the lead frame on which the optical semiconductor element is mounted, for example, a lead frame having a silver plating layer formed on its surface is used. In the present invention, the lead frame on which the silver plating layer is formed means that the silver plating layer is formed on the entire surface or at least a part of the lead frame. The silver-plated layer is provided to improve the bonding property of the wire electrically connecting the optical semiconductor element and the lead frame to the lead frame.
【００２６】本発明の透明エポキシ樹脂組成物を用いて
光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置として
は、例えば、リードフレーム上に搭載された光半導体素
子を樹脂封止してなる表面実装型光半導体装置があげら
れる。具体的には、２方向フラットパッケージ（スモー
ルアウトラインパッケージ：ＳＯＰ）、４方向フラット
パッケージ（クワッドフラットパッケージ：ＱＦＰ）等
があげられる。An optical semiconductor device obtained by resin-sealing an optical semiconductor element using the transparent epoxy resin composition of the present invention is, for example, a surface obtained by resin-sealing an optical semiconductor element mounted on a lead frame. A mounted optical semiconductor device can be given as an example. Specific examples include a two-way flat package (small outline package: SOP) and a four-way flat package (quad flat package: QFP).
【００２７】以上、リードフレーム上に搭載された表面
実装型光半導体装置について述べたが、本発明では上記
銀メッキ層が形成されたリードフレームに限定するもの
ではなく、銀メッキ層が形成されていない他の公知のリ
ードフレーム、例えば、銀メッキ層以外のパラジウムメ
ッキ層が形成されたリードフレームや金メッキ層が形成
されたリードフレーム、あるいは金属メッキ層が形成さ
れていないリードフレーム等を用いることも可能であ
る。なかでも、銀メッキ層が形成されたリードフレーム
と本発明の透明エポキシ樹脂組成物を組み合わせた場合
において、最も好ましい効果が得られるようになる。Although the surface mount type optical semiconductor device mounted on the lead frame has been described above, the present invention is not limited to the lead frame on which the silver plating layer is formed, but a silver plating layer is formed. It is also possible to use another known lead frame that does not include a lead frame in which a palladium plating layer other than a silver plating layer is formed, a lead frame in which a gold plating layer is formed, or a lead frame in which a metal plating layer is not formed. It is possible. Among them, the most preferable effect can be obtained when the lead frame having the silver plated layer and the transparent epoxy resin composition of the present invention are combined.
【００２８】また、本発明の光半導体装置においては、
その形態、例えば、表面実装型等に関わらず、封止樹脂
である透明エポキシ樹脂組成物硬化体のリードフレーム
に対する接着力は、１０Ｎ／ｃｍ2 以下となることが好
ましい。通常、下限値は０Ｎ／ｃｍ2 である。上記透明
エポキシ樹脂組成物硬化体のリードフレームに対する接
着力は、例えば、つぎのようにして測定される。すなわ
ち、図２に示すように、リードフレームと同じ材質の金
属フレーム板３の左端表面に円錐台形状の樹脂硬化体５
が設けられた接着力測定サンプルを、トランスファーモ
ールド法（１５０℃×４分成形）によって成形する（接
着部の面積は０．２５ｃｍ2 ）。これを用いて、図２に
示すように、樹脂硬化体５の側方から矢印Ａ方向に測定
治具であるプッシュプルゲージ（図示せず）を用いて荷
重を加えながら金属フレーム板３表面の樹脂硬化体５が
金属フレーム板３から剥離する際の剪断力を測定しこの
値を接着力とする。なお、測定条件は、例えば、温度２
５℃、測定治具の進行速度１００ｍｍ／分に設定され
る。In the optical semiconductor device of the present invention,
Regardless of the form, for example, surface mounting type, the adhesive strength of the cured transparent epoxy resin composition as a sealing resin to the lead frame is preferably 10 N / cm 2 or less. Usually, the lower limit value is 0 N / cm 2 . The adhesive force of the transparent epoxy resin composition cured product to the lead frame is measured, for example, as follows. That is, as shown in FIG. 2, on the left end surface of the metal frame plate 3 made of the same material as that of the lead frame, the resin hardened body 5 having a truncated cone shape is formed.
The adhesive strength measurement sample provided with is molded by the transfer molding method (150 ° C. × 4 minutes molding) (the area of the bonding portion is 0.25 cm 2 ). Using this, as shown in FIG. 2, a load is applied from the side of the resin cured body 5 in the direction of arrow A using a push-pull gauge (not shown) which is a measuring jig, and the surface of the metal frame plate 3 is The shearing force when the resin cured body 5 is peeled from the metal frame plate 3 is measured, and this value is taken as the adhesive force. The measurement conditions are, for example, temperature 2
It is set to 5 ° C. and the traveling speed of the measuring jig is 100 mm / min.
【００２９】さらに、先の説明では、例えば、光半導体
装置の一形態として、リードフレーム上に搭載された光
半導体素子を樹脂封止してなる表面実装型光半導体装置
について述べたが、リードフレームに代えて、ガラスエ
ポキシ基板、ビスマレイミド−トリアジン基板（ＢＴ基
板）等のような基板上に光半導体素子が搭載された表面
実装型光半導体装置においても本発明は適用可能であ
る。Further, in the above description, for example, as one form of the optical semiconductor device, the surface mount type optical semiconductor device in which the optical semiconductor element mounted on the lead frame is resin-sealed has been described. Instead of this, the present invention is also applicable to a surface mount optical semiconductor device in which an optical semiconductor element is mounted on a substrate such as a glass epoxy substrate or a bismaleimide-triazine substrate (BT substrate).
【００３０】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００３１】まず、実施例に先立って下記に示す化合物
を準備した。First, the following compounds were prepared prior to the examples.
【００３２】〔エポキシ樹脂Ａ〕ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂（エポキシ当量：６５０、軟化点：７８℃）[Epoxy Resin A] Bisphenol A type epoxy resin (epoxy equivalent: 650, softening point: 78 ° C.)
【００３３】〔エポキシ樹脂Ｂ〕トリグリシジルイソシ
アヌレート（エポキシ当量：１００）[Epoxy resin B] triglycidyl isocyanurate (epoxy equivalent: 100)
【００３４】〔硬化剤〕テトラヒドロ無水フタル酸[Curing agent] tetrahydrophthalic anhydride
【００３５】〔離型剤〕ポリエチレングリコール系離型
剤[Release Agent] Polyethylene glycol-based release agent
【００３６】〔シランカップリング剤ａ〕γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン[Silane coupling agent a] γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane
【００３７】〔シランカップリング剤ｂ〕Ｎ−（β−ア
ミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシ
ラン[Silane coupling agent b] N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane
【００３８】〔チオール系化合物〕ｎ−ドデシルチオー
ル[Thiol compound] n-dodecyl thiol
【００３９】〔硬化促進剤〕２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール[Curing Accelerator] 2-Ethyl-4-methylimidazole
【００４０】[0040]
【実施例１〜１２、比較例１〜２】下記の表１〜表３に
示す成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロール
機で混練して冷却した後、粉砕することにより目的とす
る粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2 The components shown in Tables 1 to 3 below were blended in the proportions shown in the same table, kneaded with a mixing roll machine, cooled, and then ground to obtain the purpose. A powdery epoxy resin composition was prepared.
【００４１】[0041]
【表１】 [Table 1]
【００４２】[0042]
【表２】 [Table 2]
【００４３】[0043]
【表３】 [Table 3]
【００４４】上記エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体
素子（ＳｉＮフォトダイオード：１．８ｍｍ×２．３ｍ
ｍ×厚み０．２５ｍｍ）をトランスファー成形（１５０
℃×４分成形、１５０℃×３時間後硬化）でモールドす
ることにより表面実装型光半導体装置を得た。この表面
実装型光半導体装置は、図１に示すように、８ピンのス
モールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ−８：４．９ｍ
ｍ×３．９ｍｍ×厚み１．５ｍｍ）１で、リードフレー
ム２として、４２アロイ合金素体の表面全面に銀メッキ
層（厚み０．５μｍ）を形成したものを用いた。このよ
うにして得られた表面実装型光半導体装置について、吸
湿条件：３０℃／８５％ＲＨ×９６時間で吸湿させた
後、半田リフロー（リフロー条件：プレヒート１５０℃
×９０秒、トップピーク２２０℃）を行った。そして、
リフロー時のパッケージ内における剥離（封止樹脂と光
半導体素子の剥離）の発生率（パッケージ２０個中の剥
離パッケージ数）を測定した。すなわち、上記表面実装
型光半導体装置の光半導体素子と封止樹脂（硬化体）と
の界面において、２０個中いくつのパッケージに剥離が
発生したかを目視により確認し測定した。An optical semiconductor device (SiN photodiode: 1.8 mm × 2.3 m) is prepared by using the above epoxy resin composition.
m × thickness 0.25 mm) transfer molding (150
A surface-mount type optical semiconductor device was obtained by molding at (° C. × 4 minutes molding, 150 ° C. × 3 hours post-curing). As shown in FIG. 1, this surface-mount type optical semiconductor device has an 8-pin small outline package (SOP-8: 4.9 m).
m × 3.9 mm × thickness 1.5 mm) 1 and used as the lead frame 2 was a 42 alloy alloy body on which a silver plating layer (thickness 0.5 μm) was formed on the entire surface. The surface mounted optical semiconductor device thus obtained was subjected to solder reflow (reflow condition: preheat 150 ° C.) after absorbing moisture at a temperature of 30 ° C./85% RH × 96 hours.
× 90 seconds, top peak 220 ° C.). And
The rate of occurrence of peeling (peeling between the sealing resin and the optical semiconductor element) in the package during reflow (the number of peeled packages in 20 packages) was measured. That is, at the interface between the optical semiconductor element of the surface-mounted optical semiconductor device and the sealing resin (cured body), the number of 20 packages in which peeling occurred was visually confirmed and measured.
【００４５】さらに、上記表面実装型光半導体装置を、
８５℃／８５％ＲＨの吸湿条件で所定時間（２００時
間、６００時間、１０００時間）放置し、その後のリー
ク電流を測定した。Further, the surface mount type optical semiconductor device is
It was allowed to stand for a predetermined time (200 hours, 600 hours, 1000 hours) under a humidity absorption condition of 85 ° C./85% RH, and the leak current after that was measured.
【００４６】また、上記パッケージの封止樹脂（硬化
体）とリードフレームとの接着力をつぎのようにして測
定した。すなわち、上記各エポキシ樹脂組成物と金属フ
レーム板（４２アロイ合金素体の表面全面に厚み０．５
μｍの銀メッキ層を形成したもの）とを用いて、図２に
示すように、金属フレーム板３の左端表面に円錐台形状
の樹脂硬化体５が設けられた接着力測定サンプルを、ト
ランスファーモールド法（１５０℃×４分成形）によっ
て成形した（接着部の面積は０．２５ｃｍ2 ）。これを
用いて、図２に示すように、樹脂硬化体５の側方から矢
印Ａ方向に測定治具であるプッシュプルゲージ（図示せ
ず）を用いて荷重を加えながら金属フレーム板３表面の
樹脂硬化体５が金属フレーム板３から剥離する際の剪断
力を測定しこの値を接着力とした。なお、測定条件は、
温度：２５℃、測定治具の進行速度１００ｍｍ／分と設
定した。Further, the adhesive force between the sealing resin (cured body) of the package and the lead frame was measured as follows. That is, each of the above-mentioned epoxy resin compositions and a metal frame plate (having a thickness of 0.5 on the entire surface of the 42 alloy alloy body)
(with a silver-plated layer having a thickness of μm), as shown in FIG. 2, an adhesive force measurement sample in which a truncated cone-shaped resin cured body 5 is provided on the left end surface of the metal frame plate 3 is transferred to a transfer mold. It was molded by the method (molding at 150 ° C. for 4 minutes) (the area of the bonded portion is 0.25 cm 2 ). Using this, as shown in FIG. 2, a load is applied from the side of the resin cured body 5 in the direction of arrow A using a push-pull gauge (not shown) which is a measuring jig, and the surface of the metal frame plate 3 is The shearing force when the resin cured body 5 was peeled from the metal frame plate 3 was measured and this value was taken as the adhesive force. The measurement conditions are
The temperature was set to 25 ° C. and the moving speed of the measuring jig was set to 100 mm / min.
【００４７】さらに、上記パッケージの封止樹脂（硬化
体）と光半導体素子との接着力をつぎのようにして測定
した。すなわち、上記各エポキシ樹脂組成物と光半導体
素子（１．５ｍｍ×１．５ｍｍ×厚み０．３５ｍｍ）と
を用いて、図３に示すように、成形型７内にモールド成
形された樹脂硬化体６表面に上記光半導体素子８が設け
られた接着力測定サンプルを、トランスファーモールド
法（１５０℃×４分成形）によって成形した（接着部の
面積は２．２５ｍｍ2 ）。これを用いて、図３に示すよ
うに、樹脂硬化体６の上方から矢印Ｆ方向に測定治具
（プッシュプルゲージ）９を荷重を加えながら降下させ
樹脂硬化体６表面の光半導体素子８が樹脂硬化体６から
剥離する際の剪断力を測定しこの値を接着力とした。な
お、測定条件は、温度：２５℃、測定治具の降下速度１
００ｍｍ／分と設定した。Furthermore, the adhesive force between the sealing resin (cured body) of the package and the optical semiconductor element was measured as follows. That is, as shown in FIG. 3, a resin cured product molded in a molding die 7 using each of the above epoxy resin compositions and an optical semiconductor element (1.5 mm × 1.5 mm × thickness 0.35 mm). The adhesive strength measurement sample in which the optical semiconductor element 8 was provided on the surface of No. 6 was molded by the transfer molding method (molding at 150 ° C. for 4 minutes) (the area of the bonding portion is 2.25 mm 2 ). Using this, as shown in FIG. 3, the optical semiconductor element 8 on the surface of the resin cured body 6 is lowered from above the resin cured body 6 in the direction of the arrow F while lowering the measurement jig (push pull gauge) 9 while applying a load. The shearing force at the time of peeling from the resin cured body 6 was measured and this value was taken as the adhesive force. The measurement conditions are: temperature: 25 ° C., measurement jig descending speed: 1
It was set to 00 mm / min.
【００４８】これらの測定・評価の結果を下記の表４〜
表７に併せて示す。The results of these measurements and evaluations are shown in Table 4 below.
It is also shown in Table 7.
【００４９】[0049]
【表４】 [Table 4]
【００５０】[0050]
【表５】 [Table 5]
【００５１】[0051]
【表６】 [Table 6]
【００５２】[0052]
【表７】 [Table 7]
【００５３】上記表４〜表７の結果から、全ての実施例
品はリードフレームに対する封止樹脂の接着力が０Ｎ／
ｃｍ2 もしくは１０Ｎ／ｃｍ2 であり接着力が低下した
ことがわかる。したがって、リフロー時の剥離発生率も
比較例品に比べて低くなっている。このことから、耐半
田リフロー性に優れていることがわかる。しかも、シラ
ンカップリング剤を用いているため、封止樹脂の光半導
体素子に対する接着力が向上しており、耐半田リフロー
性が一層向上したことは明らかである。特に、アミノ系
シランカップリング剤を用いた実施例７〜１２品は、封
止樹脂の光半導体素子に対する接着力が一層高く、耐半
田リフロー性に特に優れていることがわかる。そして、
リーク電流値も実施例品においては２００時間，６００
時間，１０００時間と極端に変化がなく問題のないこと
がわかる。これに対して、比較例品は、２００時間，６
００時間，１０００時間と長時間になるほどリーク電流
値が高くなっている。From the results of Tables 4 to 7 above, the adhesive strength of the sealing resin to the lead frame was 0 N /
It was found that the adhesive strength was lowered because it was cm 2 or 10 N / cm 2 . Therefore, the peeling occurrence rate during reflow is also lower than that of the comparative example product. From this, it is understood that the solder reflow resistance is excellent. Moreover, since the silane coupling agent is used, it is clear that the adhesive force of the sealing resin to the optical semiconductor element is improved and the solder reflow resistance is further improved. In particular, it can be seen that the products of Examples 7 to 12 using the amino-based silane coupling agent have a higher adhesive force of the sealing resin to the optical semiconductor element and are particularly excellent in solder reflow resistance. And
The leakage current value was 600 hours for the example product as well as 600 hours.
It can be seen that there is no problem with the time being 1000 hours and there is no significant change. On the other hand, the comparative example product is 200 hours, 6
The longer the time is 00 hours and 1000 hours, the higher the leak current value becomes.
【００５４】[0054]
【実施例１３〜１５】実施例１〜３のエポキシ樹脂組成
物を用い、リードフレームおよび金属フレーム板として
銀メッキ層が形成されていない４２アロイ合金素体を用
いた。それ以外は実施例１〜３と同様の方法にして表面
実装型光半導体装置を作製した。そして、上記各表面実
装型光半導体装置および各エポキシ樹脂組成物を用い、
先に述べた方法にして各特性評価を行った。その結果を
後記の表８に示した。Examples 13 to 15 Using the epoxy resin compositions of Examples 1 to 3, 42 alloy alloy base bodies having no silver plating layer were used as lead frames and metal frame plates. A surface mount type optical semiconductor device was manufactured in the same manner as in Examples 1 to 3 except the above. Then, using the surface mounting type optical semiconductor device and the epoxy resin composition,
Each characteristic was evaluated by the method described above. The results are shown in Table 8 below.
【００５５】[0055]
【実施例１６，１７】実施例７，８のエポキシ樹脂組成
物を用い、リードフレームおよび金属フレーム板として
銀メッキ層が形成されていない４２アロイ合金素体を用
いた。それ以外は実施例７，８と同様の方法にして表面
実装型光半導体装置を作製した。そして、上記各表面実
装型光半導体装置および各エポキシ樹脂組成物を用い、
先に述べた方法にして各特性評価を行った。その結果を
後記の表８に示した。Examples 16 and 17 The epoxy resin compositions of Examples 7 and 8 were used, and the 42 alloy alloy base body on which the silver plating layer was not formed was used as the lead frame and the metal frame plate. A surface mount type optical semiconductor device was manufactured in the same manner as in Examples 7 and 8 except for the above. Then, using the surface mounting type optical semiconductor device and the epoxy resin composition,
Each characteristic was evaluated by the method described above. The results are shown in Table 8 below.
【００５６】[0056]
【表８】 [Table 8]
【００５７】上記表８の結果から、実施例品はリードフ
レームに対する封止樹脂の接着力が０Ｎ／ｃｍ2 もしく
は１０Ｎ／ｃｍ2 であり接着力が低下したことがわか
る。したがって、リフロー時の剥離発生率も低くなって
いる。このことから、耐半田リフロー性に優れているこ
とがわかる。そして、リーク電流値も２００時間，６０
０時間，１０００時間と極端に変化がなく問題のないこ
とがわかる。[0057] From the results of Table 8, Example product is seen that adhesive strength 0N / cm 2 or 10 N / cm 2 a and adhesion of the sealing resin for the lead frame was lowered. Therefore, the peeling occurrence rate during reflow is also low. From this, it is understood that the solder reflow resistance is excellent. And the leak current value is 200 hours, 60
It can be seen that there is no problem with 0 hours and 1000 hours, and there is no problem.
【００５８】[0058]
【発明の効果】以上のように、本発明は、チオール系化
合物（Ｃ成分）およびカップリング剤（Ｄ成分）を含有
する透明エポキシ樹脂組成物である。このため、リード
フレームに対する封止樹脂の接着力が低下し、結果、半
田リフロー時にパッケージ内で気化した水蒸気を、リー
ドフレームと封止樹脂との界面から放出させることがで
き、半田リフロー時の封止樹脂と光半導体素子との剥離
等の問題が生じず、優れた耐半田リフロー性が得られる
ようになる。また、前記カップリング剤（Ｄ成分）を配
合するため、光半導体素子に対する封止樹脂（硬化体）
の接着力が向上し半田リフロー性に一層優れたものが得
られるようになる。Industrial Applicability As described above, the present invention is a transparent epoxy resin composition containing a thiol compound (component C) and a coupling agent (component D). As a result, the adhesive strength of the sealing resin to the lead frame is reduced, and as a result, the water vapor vaporized in the package at the time of solder reflow can be released from the interface between the lead frame and the sealing resin. An excellent solder reflow resistance can be obtained without causing a problem such as peeling between the resin and the optical semiconductor element. Further, since the coupling agent (D component) is blended, a sealing resin (cured body) for the optical semiconductor element
As a result, the adhesive strength of is improved and the solder reflow property is further improved.
【００５９】このような光半導体装置としては、例え
ば、２方向フラットパッケージ（スモールアウトライン
パッケージ：ＳＯＰ）、４方向フラットパッケージ（ク
ワッドフラットパッケージ：ＱＦＰ）等の表面実装型光
半導体装置があげられる。Examples of such an optical semiconductor device include surface mounting type optical semiconductor devices such as a two-way flat package (small outline package: SOP) and a four-way flat package (quad flat package: QFP).
【００６０】そして、透明エポキシ樹脂組成物の構成成
分であるカップリング剤として、特定のシランカップリ
ング剤を用いると、封止樹脂の光半導体素子に対する接
着力の向上がより図られ、半田リフロー時の剥離等に対
してより一層効果的である。When a specific silane coupling agent is used as the coupling agent which is a constituent of the transparent epoxy resin composition, the adhesive force of the encapsulating resin to the optical semiconductor element is further improved, and during solder reflow. It is even more effective against peeling of the like.
【図１】実施例および比較例にて作製した測定用サンプ
ルのＳＯＰを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing SOPs of measurement samples produced in Examples and Comparative Examples.
【図２】樹脂硬化体とリードフレームとの接着力の測定
方法を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method for measuring an adhesive force between a resin cured body and a lead frame.
【図３】樹脂硬化体と光半導体素子との接着力の測定方
法を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a method for measuring an adhesive force between a resin cured body and an optical semiconductor element.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 上西 伸二郎 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 野呂 真人 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 鈴木 利道 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 嶋田 克実 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CD001 EL138 EV027 EX036 EX066 EX076 FD148 FD206 FD207 GQ05 4M109 AA01 EA02 EB02 EB06 EC03 EC09 GA01 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme Coat (reference) H01L 23/31 (72) Inventor Shinjiro Uenishi 1-2-1, Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation Company (72) Inventor Masato Noro 1-2-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (72) Inventor Toshimichi 1-2 1-2 Shimohozumi, Ibaraki-shi, Osaka Nitto Denko Corporation (72) Inventor Katsumi Shimada 1-2 Homs Shimohozumi, Ibaraki City, Osaka Prefecture F-Term (reference), Nitto Denko Corporation 4J002 CD001 EL138 EV027 EX036 EX066 EX076 FD148 FD206 FD207 GQ05 4M109 AA01 EA02 EB02 EB06 EC03 EC09 GA01
Claims (8)
とを特徴とする光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成
物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）チオール系化合物。 （Ｄ）カップリング剤。1. A transparent epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor, comprising the following components (A) to (D). (A) Epoxy resin. (B) Hardener. (C) Thiol compound. (D) Coupling agent.
グ剤である請求項１記載の光半導体封止用透明エポキシ
樹脂組成物。2. The transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the coupling agent is a silane coupling agent.
シランカップリング剤およびエポキシ系シランカップリ
ング剤の少なくとも一方である請求項２記載の光半導体
封止用透明エポキシ樹脂組成物。3. The transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to claim 2, wherein the silane coupling agent is at least one of an amino silane coupling agent and an epoxy silane coupling agent.
が、表面実装型光半導体装置の樹脂封止に用いられるも
のである請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体
封止用透明エポキシ樹脂組成物。4. The optical semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation is used for resin encapsulation of a surface mount type optical semiconductor device. Transparent epoxy resin composition.
半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体
素子を樹脂封止してなる光半導体装置。5. An optical semiconductor device obtained by resin-sealing an optical semiconductor element using the transparent epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 4.
素子を光半導体封止用透明エポキシ樹脂組成物を用いて
封止してなる請求項５記載の光半導体装置。6. The optical semiconductor device according to claim 5, wherein the optical semiconductor element mounted on the lead frame is encapsulated with a transparent epoxy resin composition for encapsulating an optical semiconductor.
硬化体のリードフレームに対する接着力が１０Ｎ／ｃｍ
2 以下である請求項６記載の光半導体装置。7. The adhesive force of the cured epoxy resin composition for optical semiconductor encapsulation to a lead frame is 10 N / cm.
The optical semiconductor device according to claim 6, which is 2 or less.
置である請求項５〜７のいずれか一項に記載の光半導体
装置。8. The optical semiconductor device according to claim 5, wherein the optical semiconductor device is a surface mount optical semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002071258A JP2003268200A (en) | 2002-03-15 | 2002-03-15 | Transparent epoxy resin composition for sealing of photosemiconductor, and photosemiconductor device using it |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006213848A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Nippon Shokubai Co Ltd | Optical semiconductor-sealing resin composition |
| JP2007197627A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | Transparent epoxy resin composition for optical semiconductor sealing, and optical semiconductor integrated circuit device using it |
| WO2008001695A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Panasonic Corporation | Heat curable resin composition, and mounting method and reparing process for circuit board using the heat curable composition |
| KR20170031198A (en) | 2014-07-16 | 2017-03-20 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | Resin composition for sealing and semiconductor device |
-
2002
- 2002-03-15 JP JP2002071258A patent/JP2003268200A/en active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006213848A (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Nippon Shokubai Co Ltd | Optical semiconductor-sealing resin composition |
| JP2007197627A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | Transparent epoxy resin composition for optical semiconductor sealing, and optical semiconductor integrated circuit device using it |
| US7880279B2 (en) | 2006-01-30 | 2011-02-01 | Nitto Denko Corporation | Transparent epoxy resin composition for molding optical semiconductor and optical semiconductor integrated circuit device using the same |
| WO2008001695A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Panasonic Corporation | Heat curable resin composition, and mounting method and reparing process for circuit board using the heat curable composition |
| JP5232645B2 (en) * | 2006-06-26 | 2013-07-10 | パナソニック株式会社 | Thermosetting resin composition and circuit board mounting method and repair process using the same |
| KR20170031198A (en) | 2014-07-16 | 2017-03-20 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | Resin composition for sealing and semiconductor device |
| CN106536591A (en) * | 2014-07-16 | 2017-03-22 | 住友电木株式会社 | Resin composition for sealing and semiconductor device |
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