JP2003266004A - Steam production apparatus and substrate treatment apparatus provided with the same - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a steam production apparatus capable of making the steam production (generation) amount easily controllable and suppressing the generation of particles and the occurrence of contamination due to component elution and concentration. <P>SOLUTION: A panel-like heater 36 as a heating means is installed in a bottom face 33a side which is one of mutually opposed faces of a container 33 having a steam taking-out outlet 33e and a spray nozzle 37, a solvent jetting means for jetting a solvent, for example, pure water 4 for steam generation toward the heating face of the panel-like heater 36 is installed in the top face 33b in the other side. Accordingly, steam can be produced at once by jetting the pure water 4 in shower-like state from the spray nozzle 37 toward the bottom face 33a in the heating face side of the heated panel-like heater 36 and the generated steam 1 can be taken out to the outside and used for, for example, ozone/steam treatment. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、蒸気生成装置及び蒸
気生成装置を具備する基板処理装置に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a steam generator and a substrate processing apparatus having the steam generator.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いては、被処理基板としての半導体ウエハやＬＣＤ基板
等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮
小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、そ
の後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処
理が施されている。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor device manufacturing process, a photoresist is applied to a semiconductor wafer or an LCD substrate (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate to be processed, and a circuit pattern is reduced by using a photolithography technique. Then, the photoresist is transferred to a photoresist, the photoresist is developed, and then the photoresist is removed from the wafer or the like.

【０００３】前記レジスト除去の手段として、最近で
は、処理ガス例えばオゾンガスと溶媒の蒸気例えば水蒸
気を用いて、ウエハ等からレジストを除去する基板洗浄
処理方法が新規に提案されている。この基板洗浄処理方
法によれば、処理容器内に収容されたウエハ等に、処理
ガス例えばオゾンガスを供給して、ウエハ等のレジスト
を除去することができる。As a means for removing the resist, a substrate cleaning processing method has recently been proposed in which the resist is removed from a wafer or the like using a processing gas such as ozone gas and a solvent vapor such as water vapor. According to this substrate cleaning processing method, the processing gas, such as ozone gas, can be supplied to the wafer or the like housed in the processing container to remove the resist on the wafer or the like.

【０００４】具体的には、処理容器内にホットエアを供
給してウエハを昇温した後、オゾンガス（又は更に水蒸
気）を供給して処理容器内を予備加圧し、次に、処理容
器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、ウエハ等のレジ
ストを除去する。また、オゾンガスの代わりに酸素を供
給して、オゾンガス供給管路内をＯ２パージした後、処
理容器内にクールエアを供給して、処理容器内から内部
雰囲気を押し出し排気する。Specifically, after hot air is supplied into the processing container to raise the temperature of the wafer, ozone gas (or further water vapor) is supplied to prepressurize the inside of the processing container, and then ozone gas is supplied into the processing container. And water vapor are supplied to remove the resist such as the wafer. Further, oxygen is supplied instead of ozone gas to purge the inside of the ozone gas supply pipe with O2, and then cool air is supplied into the processing container to push out the internal atmosphere from the processing container and exhaust it.

【０００５】ところで、前記基板洗浄処理方法に使用さ
れる蒸気生成装置は、一般に、タンク内に蒸気用溶媒例
えば純水を一定量貯留し、タンク内あるいはタンク外に
配設された加熱手段であるヒータによって例えば約１２
０℃の温度に加熱（加温）すると共に、タンク内に供給
される加圧空気によって、純水液面より発生した蒸気を
タンク上部より取り出し、処理容器内に供給するもので
あった。By the way, the vapor generator used in the substrate cleaning method is generally a heating means which stores a certain amount of a solvent for vapor such as pure water in a tank and is arranged inside or outside the tank. About 12 depending on the heater
In addition to heating (heating) to a temperature of 0 ° C., the vapor generated from the surface of the pure water was taken out from the upper part of the tank by the pressurized air supplied into the tank and supplied into the processing container.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
蒸気生成装置においては、タンク内に貯留された蒸気用
溶媒（純水）をヒータによって加熱（加温）することに
よって蒸気を生成するため、蒸気生成（発生）量のコン
トロールが難しい上、蒸気量に影響を与えるタンク内液
面の管理が面倒であるという問題があった。また、タン
ク内で非処理中にタンク内面からの溶出物が純水中に濃
縮されるため、処理容器内に供給される蒸気中にパーテ
ィクルやコンタミネーションが混入する虞もあった。更
には、蒸気中に例えばオゾン等のケミカル添加を行うこ
とが困難であった。その理由は、蒸気生成器は耐圧性を
もたせるために、ステンレス製（ＳＵＳ製）でなければ
いけないが、ここにオゾン等のケミカルを添加するとＳ
ＵＳが腐食してしまうからであり、また、蒸気生成器中
の液中ににオゾンが溶け込むからである。However, in the conventional steam generating apparatus, since the steam solvent (pure water) stored in the tank is heated (heated) by the heater, the steam is generated. There is a problem that it is difficult to control the amount of generation (generation), and management of the liquid level in the tank that affects the amount of steam is troublesome. In addition, since the eluate from the inner surface of the tank is concentrated in pure water during non-treatment in the tank, particles and contamination may be mixed in the vapor supplied into the treatment container. Furthermore, it has been difficult to add chemicals such as ozone to the steam. The reason is that the steam generator must be made of stainless steel (made of SUS) in order to have pressure resistance, but if a chemical such as ozone is added to the steam generator, S
This is because the US is corroded and ozone is dissolved in the liquid in the steam generator.

【０００７】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、蒸気生成（発生）量のコントロールを容易にするこ
とができると共に、溶出成分の濃縮によるパーティクル
やコンタミネーション等の発生を抑制し、また、蒸気用
溶媒と共に例えばオゾン等のケミカル添加を可能にする
蒸気生成装置を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances. It is possible to easily control the amount of steam generated (generated), suppress the generation of particles and contamination due to the concentration of the eluted components, and It is an object of the present invention to provide a steam generation device that enables addition of a chemical such as ozone together with a solvent for steam.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の蒸気生成装置は、蒸気取出口を有する容
器における対向する面の一方に、加熱手段を配設し、他
方に、前記加熱手段の加熱面に向かって蒸気用溶媒を噴
射する溶媒噴射手段を配設してなる、ことを特徴とす
る。この場合、蒸気用溶媒として、例えば純水を使用す
ることができる。In order to achieve the above object, in the steam generator of the present invention, a heating means is provided on one of opposing surfaces of a container having a steam outlet, and the other means is provided with the heating means. It is characterized in that a solvent injection means for injecting a solvent for vapor toward the heating surface of the heating means is arranged. In this case, for example, pure water can be used as the vapor solvent.

【０００９】この発明において、前記加熱手段の加熱面
は、溶媒噴射手段と対向するものであれば、その面の形
状は任意でよいが、好ましくは、加熱手段の加熱面を、
溶媒噴射手段の溶媒噴射方向に対して垂直な平面に形成
する方がよい（請求項２）。また、前記加熱手段に、こ
の加熱手段の加熱量を調整するための加熱量調整手段を
具備する方が好ましい（請求項３）。また、加熱量調整
手段の他に、あるいは、加熱量調整手段とは別に前記溶
媒噴射手段と蒸気用溶媒の供給源とを接続する溶媒供給
管路に流量調整手段を介設する方が好ましい（請求項
４）。In the present invention, the heating surface of the heating means may have any shape as long as it faces the solvent injection means, but preferably the heating surface of the heating means is
It is better to form it on a plane perpendicular to the solvent spraying direction of the solvent spraying means (claim 2). Further, it is preferable that the heating means is provided with a heating amount adjusting means for adjusting the heating amount of the heating means (claim 3). In addition to the heating amount adjusting unit, or in addition to the heating amount adjusting unit, it is preferable to provide a flow rate adjusting unit in a solvent supply conduit connecting the solvent injection unit and the vapor solvent supply source ( Claim 4).

【００１０】また、前記溶媒噴射手段は、前記加熱手段
の加熱面に向かって蒸気用溶媒を噴射するものであれ
ば、その構造は任意でよいが、好ましくは前記溶媒噴射
手段が蒸気用溶媒を分散して噴射するスプレーノズルで
ある方がよい（請求項５）。The solvent spraying means may have any structure as long as it sprays the solvent for vapor toward the heating surface of the heating means, but the solvent spraying means preferably sprays the solvent for vapor. A spray nozzle that disperses and sprays is preferable (Claim 5).

【００１１】また、前記溶媒噴射手段は、蒸気用溶媒の
みを噴射する一流体式であってもよく、あるいは、前記
溶媒噴射手段に更に処理ガス供給源を接続し、前記溶媒
噴射手段から蒸気用溶媒と共に処理ガスを噴射可能に形
成してなる二流体式であってもよい（請求項６）。The solvent injection means may be a one-fluid type which injects only a solvent for vapor, or a processing gas supply source is further connected to the solvent injection means so that the solvent injection means is used for vapor. It may be a two-fluid type in which the processing gas is formed so as to be jettable together with the solvent (claim 6).

【００１２】また、前記容器を耐食性を有する部材にて
形成する方が好ましい（請求項７）。この場合、耐食性
を有する材料としては、例えば石英、炭化ケイ素あるい
はアモルファスカーボン等を使用することができる。Further, it is preferable that the container is formed of a member having corrosion resistance (claim 7). In this case, as the material having corrosion resistance, for example, quartz, silicon carbide, amorphous carbon or the like can be used.

【００１３】また、前記容器の外側面側に、加熱手段を
内蔵する加熱ユニットを設置して蒸気生成装置を形成す
ることができる（請求項８）。Further, a heating unit having a heating means may be installed on the outer surface side of the container to form a steam generator.

【００１４】また、前記容器の外面に断熱材を被覆する
方が好ましい（請求項９）。加えて、容器の底面を、水
平面に対して斜めに傾斜させ、最も低い位置に排液管路
を接続する方がよい（請求項１０）。It is preferable that the outer surface of the container is covered with a heat insulating material (claim 9). In addition, it is better to incline the bottom surface of the container with respect to the horizontal plane and connect the drainage pipe to the lowest position (claim 10).

【００１５】また、この発明の基板処理装置は、処理容
器内に収容された被処理基板に処理ガスと溶媒蒸気を供
給して被処理基板を処理する基板処理装置であって、請
求項１ないし１０のいずれかに記載の蒸気生成装置を具
備することを特徴とする（請求項１１）。Further, the substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by supplying a processing gas and a solvent vapor to the substrate to be processed housed in the processing container. 10. The steam generator according to any one of 10 is provided (claim 11).

【００１６】この発明によれば、蒸気取出口を有する容
器における対向する面の一方に、加熱手段を配設し、他
方に、前記加熱手段の加熱面に向かって蒸気用溶媒を噴
射する溶媒噴射手段を配設することにより、溶剤噴射手
段から加熱手段の加熱面に向かって蒸気用溶媒を噴射す
ることで、加熱手段の加熱面に接触した溶媒は瞬時に蒸
気となり、蒸気取出口から取り出すことができる（請求
項１）。この場合、加熱手段の加熱面を、溶媒噴射手段
の溶媒噴射方向に対して垂直な平面に形成することによ
り、蒸気用溶媒を均等に加熱手段の加熱面に噴射するこ
とができ、蒸気を効率よく生成することができる（請求
項２）。また、前記加熱手段に、この加熱手段の加熱量
を調整するための加熱量調整手段を具備するか（請求項
３）、あるいは、加熱量調整手段とは別に前記溶媒噴射
手段と蒸気用溶媒の供給源とを接続する溶媒供給管路に
流量調整手段を介設することにより、蒸気の発生量を調
整することができる（請求項４）。According to the present invention, the heating means is disposed on one of the opposing surfaces of the container having the vapor outlet, and the solvent injection for injecting the solvent for vapor toward the heating surface of the heating means is provided on the other surface. By disposing the means, by injecting the solvent for vapor toward the heating surface of the heating means from the solvent injecting means, the solvent in contact with the heating surface of the heating means instantly becomes vapor and is taken out from the vapor outlet. (Claim 1). In this case, by forming the heating surface of the heating means in a plane perpendicular to the solvent spraying direction of the solvent spraying means, the solvent for vapor can be sprayed uniformly on the heating surface of the heating means, and the steam can be efficiently discharged. It can be well generated (Claim 2). Further, the heating means is provided with a heating amount adjusting means for adjusting the heating amount of the heating means (claim 3), or the solvent injection means and the vapor solvent are provided separately from the heating amount adjusting means. The amount of vapor generated can be adjusted by interposing a flow rate adjusting means in the solvent supply pipeline connecting with the supply source (claim 4).

【００１７】また、溶媒噴射手段を蒸気用溶媒を分散し
て噴射するスプレーノズルとすることにより、蒸気用溶
媒を分散して加熱手段の加熱面に接触させることができ
るので、更に効率よく蒸気を生成することができる（請
求項５）。Further, by using a spray nozzle which disperses and injects the solvent for vapor as the solvent injecting means, the solvent for vapor can be dispersed and brought into contact with the heating surface of the heating means, so that vapor can be more efficiently generated. It can be generated (Claim 5).

【００１８】また、前記溶媒噴射手段に更に処理ガス供
給源を接続して、溶媒噴射手段から蒸気用溶媒と共に処
理ガスを噴射することにより、処理ガスが混入された蒸
気を同時に生成することができる（請求項６）。Further, by connecting a processing gas supply source to the solvent injection means and injecting the processing gas together with the vapor solvent from the solvent injection means, it is possible to simultaneously generate vapor mixed with the processing gas. (Claim 6).

【００１９】また、前記容器を耐食性を有する部材にて
形成することにより、例えばオゾン等の腐食性雰囲気が
容器内に逆流した場合においても容器が腐食することが
なく、容器ひいては装置の寿命の増大を図ることができ
る（請求項７）。Further, by forming the container with a member having corrosion resistance, the container does not corrode even when a corrosive atmosphere such as ozone flows back into the container, and the life of the container and thus the apparatus is increased. (Claim 7).

【００２０】また、前記容器の外側面側に、加熱手段を
内蔵する加熱ユニットを設置して蒸気生成装置を形成す
ることにより、容器の加工が容易となると共に、装置全
体の構造を簡単かつ小型化することができる（請求項
８）。By forming a steam generator by installing a heating unit containing a heating means on the outer surface side of the container, the processing of the container is facilitated and the structure of the entire device is simple and compact. (Claim 8).

【００２１】また、前記容器の外面に断熱材を被覆する
ことにより、容器内の蒸気の保温効率を高めることがで
き、蒸気の温度制御を容易にすることができる（請求項
９）。Further, by coating the outer surface of the container with a heat insulating material, the heat retention efficiency of the steam in the container can be increased and the temperature control of the steam can be facilitated.

【００２２】また、容器の底面を、水平面に対して斜め
に傾斜させ、最も低い位置に排液管路を接続することに
より、容器内に噴射された蒸気用溶媒から生成された溶
媒蒸気が液化されて残留する液滴を容器底面の最も低い
位置に集めて、排液管路を介して排液することができる
（請求項１０）。Further, by tilting the bottom surface of the container obliquely with respect to the horizontal plane and connecting the drainage pipe to the lowest position, the solvent vapor generated from the solvent for vapor injected into the container is liquefied. The remaining liquid droplets can be collected at the lowest position on the bottom surface of the container and drained through the drainage conduit (claim 10).

【００２３】また、請求項１１記載の発明によれば、溶
媒を瞬時に蒸気にして処理容器内に供給することができ
るので、処理容器内に収容された被処理基板を処理ガス
と溶媒蒸気の混合流体によって迅速に処理することがで
きる。According to the eleventh aspect of the present invention, the solvent can be instantly vaporized and supplied into the processing container. Therefore, the substrate to be processed contained in the processing container is treated with the processing gas and the solvent vapor. It can be rapidly processed by the mixed fluid.

【００２４】[0024]

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明の蒸気生成装置を処理ガス例えばオゾンガスを利
用して半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）からレ
ジストを除去する基板処理装置（以下に基板処理システ
ムという）に適用した場合について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. In this embodiment, when the vapor generation apparatus of the present invention is applied to a substrate processing apparatus (hereinafter referred to as a substrate processing system) for removing a resist from a semiconductor wafer W (hereinafter referred to as a wafer W) using a processing gas such as ozone gas Will be described.

【００２５】図１は、前記基板処理システムの一例を示
す概略断面図、図２は、基板処理システムの処理部を示
す断面図、図３は、この発明の蒸気生成装置の一例を示
す概略斜視図、図４は、蒸気生成装置の概略断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the substrate processing system, FIG. 2 is a sectional view showing a processing part of the substrate processing system, and FIG. 3 is a schematic perspective view showing an example of a vapor generating apparatus of the present invention. 4 and 5 are schematic cross-sectional views of the steam generator.

【００２６】前記基板処理システムは、図１に示すよう
に、ウエハＷの処理が行われる処理容器１０と、処理容
器１０内でウエハＷを保持する保持手段としてのウエハ
ガイド２０と、処理容器１０内に溶媒の蒸気である水蒸
気１を供給するこの発明の蒸気生成装置である水蒸気生
成装置３０と、処理容器１０内に処理ガスとして例えば
オゾン（Ｏ３）ガス２を供給する処理ガス供給手段であ
るオゾンガス供給手段４０と、処理容器１０内にエアを
供給するエア供給手段５０と、処理容器１０の内部雰囲
気を排気する内部排気手段６０と、処理容器１０の周囲
雰囲気を排出する周囲雰囲気排出手段７０と、処理容器
１０内から排気された内部雰囲気中のオゾンを除去する
後処理機構としてのオゾンキラー８０と、処理容器１０
内の液滴を排液する排液手段９０とを具備している。As shown in FIG. 1, the substrate processing system includes a processing container 10 for processing a wafer W, a wafer guide 20 as a holding means for holding the wafer W in the processing container 10, and the processing container 10. A steam generator 30 which is a steam generator of the present invention for supplying steam 1 which is a solvent vapor into the inside, and a processing gas supply means for supplying, for example, ozone (O 3) gas 2 as a processing gas into the processing container 10. Ozone gas supply means 40, air supply means 50 for supplying air into the processing container 10, internal exhaust means 60 for exhausting the internal atmosphere of the processing container 10, and ambient atmosphere exhaust means 70 for exhausting the ambient atmosphere of the processing container 10. And an ozone killer 80 as a post-processing mechanism for removing ozone in the internal atmosphere exhausted from the processing container 10, and the processing container 10.
And a drainage means 90 for draining the liquid droplets therein.

【００２７】処理容器１０は、図１及び図２に示すよう
に、複数例えば５０枚のウエハＷを収容可能な大きさを
有する容器本体１１と、この容器本体１１の上端に形成
された搬入・搬出口１４を開放又は閉鎖する容器カバー
１２とで主に構成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the processing container 10 has a container body 11 having a size capable of accommodating a plurality of, for example, 50 wafers W, and a carrying-in / carrying-out formed at the upper end of the container body 11. The container cover 12 that opens or closes the carry-out port 14 is mainly configured.

【００２８】容器カバー１２は、例えば断面逆Ｕ字状に
形成され、昇降機構１５によって昇降可能に形成されて
いる。昇降機構１５は、制御手段例えば中央演算処理装
置１００（以下にＣＰＵ１００という）に接続されてい
る。ＣＰＵ１００からの制御信号により、昇降機構１５
が作動して、容器カバー１２が開放又は閉鎖されるよう
に構成されている。そして、容器カバー１２が上昇した
際には、搬入・搬出口１４は開放され、容器本体１１に
対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１１
にウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１２が下
降することで、搬入・搬出口１４が塞がれる。この場
合、容器本体１１の上端に設けられたフランジ１１ａと
容器カバー１２の下端に設けられたフランジ１２ａの間
の隙間は、エアの注入によって膨らむ伸縮式のシール部
材１６によって密封されるように構成されている。した
がって、処理容器１０内は密封雰囲気となり、外部に気
体が漏れない状態となっている。また、容器本体１１の
上端部には、容器カバー１２の閉塞状態をロックするロ
ック機構（図示せず）が設けられている。The container cover 12 is formed, for example, in an inverted U-shape in cross section, and is vertically movable by an elevating mechanism 15. The elevating mechanism 15 is connected to a control means such as a central processing unit 100 (hereinafter referred to as CPU 100). The lift mechanism 15 is controlled by a control signal from the CPU 100.
Is operated to open or close the container cover 12. Then, when the container cover 12 is raised, the loading / unloading port 14 is opened, and the wafer W can be loaded into the container body 11. Container body 11
After the wafer W is loaded and accommodated in the wafer W, the container cover 12 is lowered to close the loading / unloading port 14. In this case, the gap between the flange 11a provided at the upper end of the container body 11 and the flange 12a provided at the lower end of the container cover 12 is sealed by the telescopic seal member 16 that swells due to the injection of air. Has been done. Therefore, the inside of the processing container 10 is in a sealed atmosphere, and the gas is not leaked to the outside. A lock mechanism (not shown) that locks the closed state of the container cover 12 is provided at the upper end of the container body 11.

【００２９】なお、容器本体１１の外周面にはラバーヒ
ータ１７が取り付けられ、容器カバー１２の外周面及び
容器本体１１の底面にはラバーヒータ１８，１９が取り
付けられている。これらラバーヒータ１７，１８，１９
は、図示しない電源に接続されて、電源からの給電によ
って発熱し、処理容器１０の内部雰囲気を所定温度（例
えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に維持し得るように構
成されている。この場合、処理容器１０内の温度を温度
センサＴＳ1 にて検出し、その検出温度に基づいてＣＰ
Ｕ１００からの制御信号によってラバーヒータ１７，１
８，１９が発熱することで、処理容器１０の内部雰囲気
を所定温度（例えば８０℃〜１２０℃の範囲内）に加熱
することができる。また、ラバーヒータ１７，１８，１
９によって処理容器１０内の結露防止が図られている。A rubber heater 17 is attached to the outer peripheral surface of the container body 11, and rubber heaters 18 and 19 are attached to the outer peripheral surface of the container cover 12 and the bottom surface of the container body 11. These rubber heaters 17, 18, 19
Is connected to a power source (not shown), generates heat by power supply from the power source, and can maintain the internal atmosphere of the processing container 10 at a predetermined temperature (for example, within a range of 80 ° C. to 120 ° C.). In this case, the temperature inside the processing container 10 is detected by the temperature sensor TS1 and the CP is detected based on the detected temperature.
The rubber heater 17,1 is controlled by the control signal from U100.
When the heat is generated in 8 and 19, the internal atmosphere of the processing container 10 can be heated to a predetermined temperature (for example, in the range of 80 ° C. to 120 ° C.). Also, the rubber heaters 17, 18, 1
9 prevents dew condensation in the processing container 10.

【００３０】前記水蒸気生成装置３０は、図３及び図４
に示すように、蒸気用溶媒供給源である純水供給源３１
に接続する純水供給管路３２（蒸気用溶媒供給管路）
と、純水供給管路３２から供給された純水を気化して水
蒸気１を生成する略矩形ボックス状の水蒸気生成用容器
３３と、この容器３３内の対向する面の一方例えば底面
３３ａ側に配設される加熱手段例えば面状ヒータ３６
と、他方例えば上面３３ｂ側に配設されて面状ヒータ３
６の加熱面である底面３３ａに向かって蒸気用溶媒であ
る純水４を分散して噴射例えばシャワー状に噴射する溶
媒噴射手段であるスプレーノズル３７とで主に構成され
ている。The steam generator 30 is shown in FIG. 3 and FIG.
As shown in, the pure water supply source 31, which is a solvent supply source for vapor,
Pure water supply line 32 (solvent supply line for vapor) connected to
And a substantially rectangular box-shaped water vapor generation container 33 that vaporizes the pure water supplied from the pure water supply pipe 32 to generate the water vapor 1, and one of the facing surfaces in the container 33, for example, the bottom surface 33a side. Arranged heating means, for example, planar heater 36
On the other hand, for example, the planar heater 3 is provided on the upper surface 33b side.
The spray nozzle 37 is a solvent injection unit that disperses and injects, for example, pure water 4 that is a solvent for vapor toward the bottom surface 33a that is a heating surface of the spray nozzle 6.

【００３１】この場合、面状ヒータ３６の加熱面すなわ
ち底面３３ａは、スプレーノズル３７の噴射方向に対し
て垂直な平面で形成されている。このように、底面３３
ａをスプレーノズル３７の噴射方向に対して垂直な平面
とすることにより、純水を均等に面状ヒータ３６の加熱
面に噴射することができ、蒸気を効率よく生成すること
ができる。In this case, the heating surface of the planar heater 36, that is, the bottom surface 33a is formed as a plane perpendicular to the spraying direction of the spray nozzle 37. Thus, the bottom surface 33
By setting a to a plane perpendicular to the spray direction of the spray nozzle 37, pure water can be sprayed uniformly on the heating surface of the planar heater 36, and steam can be efficiently generated.

【００３２】前記容器３３は耐食性を有する部材、例え
ば石英、炭化ケイ素あるいはアモルファスカーボン等の
耐食性及び耐薬品性を有する部材にて形成されている。
このように、容器３３を耐食性を有する部材にて形成す
ることにより、例えば蒸気供給管路３４からオゾンガス
等が万一容器３３内に逆流して、容器３３内が腐食性雰
囲気に晒された場合においても、容器３３が腐食するの
を防止することができる。この容器３３の上部の一側に
は蒸気取出口３３ｅが設けられ、この蒸気取出口３３ｅ
に蒸気供給管路３４を介して処理容器１０内に水蒸気１
を供給する水蒸気供給ノズル３５が接続されている。ま
た、容器３３の底部には、ドレン弁Ｖ２を介設したドレ
ン管路３８（排液管路）が接続されており、蒸気となら
なかった純水を、外部例えば純水排出系１２４に流して
再利用し得るように構成されている。The container 33 is formed of a member having corrosion resistance, for example, a member having corrosion resistance and chemical resistance such as quartz, silicon carbide or amorphous carbon.
As described above, by forming the container 33 with a member having corrosion resistance, for example, when ozone gas or the like flows back into the container 33 from the steam supply pipeline 34 and the inside of the container 33 is exposed to a corrosive atmosphere. Also in the above, it is possible to prevent the container 33 from being corroded. A steam outlet 33e is provided on one side of the upper portion of the container 33.
To the inside of the processing container 10 via the steam supply line 34
The water vapor supply nozzle 35 for supplying is connected. Further, a drain pipe line 38 (drainage pipe line) having a drain valve V2 interposed is connected to the bottom of the container 33, and pure water that has not become vapor is flowed to the outside, for example, the pure water discharge system 124. It is configured so that it can be reused.

【００３３】なお、容器３３の上端部には、安全弁Ｖｓ
を具備するエアー抜き３０１が設けられており、容器３
３内に配設された圧力センサＰＳ２によって容器３３内
の圧力が許容圧力以上になった際に、容器３３内のエア
ーを外部に排出して容器３３内の圧力を安全範囲内に維
持している。この場合、容器３３内に配設された圧力セ
ンサＰＳ２にて検出された検出信号がＣＰＵ１００に伝
達され、ＣＰＵ１００に予め記憶された容器３３内の許
容圧力以上の場合にＣＰＵ１００からの制御信号に基づ
いて安全弁ＶＳが開放されて、容器３３内の圧力が所定
圧力以下に制御されている。At the upper end of the container 33, a safety valve Vs
An air bleeder 301 including a container 3 is provided.
When the pressure in the container 33 exceeds the allowable pressure by the pressure sensor PS2 arranged in the container 3, the air in the container 33 is discharged to the outside to maintain the pressure in the container 33 within the safe range. There is. In this case, the detection signal detected by the pressure sensor PS2 arranged in the container 33 is transmitted to the CPU 100, and based on the control signal from the CPU 100 when the pressure is equal to or higher than the allowable pressure in the container 33 stored in the CPU 100 in advance. The safety valve VS is opened and the pressure inside the container 33 is controlled to be equal to or lower than a predetermined pressure.

【００３４】また、容器３３の外面には、断熱材３０２
が被覆されており、この断熱材３０２によって容器３３
内で生成された水蒸気の液化を防止し得るようになって
いる。Further, the heat insulating material 302 is provided on the outer surface of the container 33.
Are covered with this heat insulating material 302.
It is designed to prevent the liquefaction of the steam generated inside.

【００３５】また、純水供給管路３２には、純水供給源
３１側から順に開閉弁Ｖ０と流量コントローラＦＭ０が
介設されている。これら開閉弁Ｖ０と流量コントローラ
ＦＭ０は、ＣＰＵ１００に電気的に接続されており、Ｃ
ＰＵ１００からの制御信号に基づいて制御されるように
なっている。すなわち、開閉弁Ｖ０は、純水を流すか否
かの開閉制御され、また、流量コントローラＦＭ０は、
純水４の流量を調整すべく開度が制御されるようになっ
ている。The pure water supply pipe 32 is provided with an opening / closing valve V0 and a flow rate controller FM0 in order from the pure water supply source 31 side. The on-off valve V0 and the flow rate controller FM0 are electrically connected to the CPU 100, and C
It is adapted to be controlled based on a control signal from the PU 100. That is, the opening / closing valve V0 is controlled to open / close by flowing pure water, and the flow rate controller FM0 is
The opening is controlled to adjust the flow rate of the pure water 4.

【００３６】また、面状ヒータ３６は、容器３３の底面
３３ａの外側面側に設置される加熱ユニット３６Ａに内
蔵されている。すなわち、面状ヒータ３６は、図５に示
すように、容器３３の底面３３ａの外側面側に設置され
るユニットボックス３６ａ内に同一平面上でジグザグ状
に折曲された状態に内蔵されている。この面状ヒータ３
６は、電源コード３６ｂを介して電源３６ｃに接続され
ており、電源３６ｃからの給電によって発熱し、電源コ
ード３６ｂに介設された温度コントローラＴＣの操作に
よって所定温度（例えば２００〜６００℃の範囲内）に
加熱するように構成されている。また、面状ヒータ３６
は、ＣＰＵ１００によってＯＮ，ＯＦＦ制御されるよう
になっている。なお、この場合、面状ヒータ３６とし
て、例えばパイプヒータ、マイカ（雲母）ヒータあるい
は非接触式のニクロム線ヒータ等を使用することができ
るが、好ましくは、パイプヒータかマイカ（雲母）ヒー
タを使用する方がよい。その理由は、容器３３の底面３
３ａとの密着性の向上が図れ、伝熱効率の向上が図れる
からである。Further, the planar heater 36 is built in a heating unit 36A installed on the outer surface side of the bottom surface 33a of the container 33. That is, as shown in FIG. 5, the planar heater 36 is built in the unit box 36a installed on the outer surface side of the bottom surface 33a of the container 33 in a zigzag bent state on the same plane. . This planar heater 3
6 is connected to the power supply 36c via the power supply cord 36b, generates heat by power supply from the power supply 36c, and is operated at a predetermined temperature (for example, in the range of 200 to 600 ° C.) by operating the temperature controller TC provided on the power supply cord 36b. It is configured to heat (in). In addition, the sheet heater 36
Is controlled to be turned on and off by the CPU 100. In this case, as the planar heater 36, for example, a pipe heater, a mica (mica) heater, a non-contact type nichrome wire heater or the like can be used, but a pipe heater or a mica (mica) heater is preferably used. It is better to do. The reason is that the bottom surface 3 of the container 33
This is because the adhesion with 3a can be improved and the heat transfer efficiency can be improved.

【００３７】このように構成される水蒸気生成装置３０
において、加熱ユニット３６Ａの面状ヒータ３６によっ
て例えば４００℃に加熱された容器３３の底面３３ａに
向かってスプレーノズル３７から純水４（蒸気用溶媒）
を分散して噴射すなわちシャワー状に噴射すると、容器
３３の底面３３ａに接触した純水４は瞬時に水蒸気とな
る。このようにして生成された水蒸気は容器３３上部の
蒸気取出口３３ｅより容器３３外へ取り出され、蒸気供
給管路３４を介して処理容器１０内に配設された水蒸気
供給ノズル３５から処理容器３３内に水蒸気１を供給す
る。The steam generator 30 having such a structure
, The pure water 4 (solvent for vapor) is sprayed from the spray nozzle 37 toward the bottom surface 33a of the container 33 heated to, for example, 400 ° C. by the planar heater 36 of the heating unit 36A.
When the water is dispersed and sprayed, that is, sprayed in a shower shape, the pure water 4 contacting the bottom surface 33a of the container 33 instantly becomes steam. The steam thus generated is taken out of the container 33 through the steam outlet 33e in the upper part of the container 33, and is supplied from the steam supply nozzle 35 provided in the processing container 10 through the steam supply pipe 34 to the processing container 33. Water vapor 1 is supplied to the inside.

【００３８】水蒸気を生成する際、水蒸気の生成量を制
御するには、流量コントローラＦＭ０の開度を制御する
か、あるいは、温度コントローラＴＣの温度制御を行う
ことによって、水蒸気の生成量を制御することができ
る。なお、この場合、流量コントローラＦＭ０の開度制
御と温度コントローラＴＣの温度制御の双方を行って水
蒸気の生成量を制御するようにしてもよい。When the water vapor is generated, the amount of water vapor generated is controlled by controlling the opening of the flow rate controller FM0 or by controlling the temperature of the temperature controller TC. be able to. In this case, both the opening control of the flow rate controller FM0 and the temperature control of the temperature controller TC may be performed to control the production amount of water vapor.

【００３９】また、ＣＰＵ１００は、処理容器１０内に
配設された容器圧力検出手段である圧力センサＰＳ１と
も接続されており、圧力センサＰＳ１よって検出される
処理容器１０内の圧力と、圧力センサＰＳ２によって検
出される容器３３内の水蒸気の圧力とを比較して、開閉
弁Ｖ１が開閉制御される。このように構成することによ
って、処理容器１０内の圧力と同等以上の圧力の水蒸気
１を処理容器１０内に供給することができる。なお、予
め、ＣＰＵ１００に処理時の処理容器１０内の圧力をデ
ータとして記憶させておけば、このデータと、容器３３
にて生成された水蒸気の圧力とを比較して、開閉弁Ｖ１
を開閉制御することができる。The CPU 100 is also connected to a pressure sensor PS1 which is a container pressure detecting means arranged in the processing container 10, and the pressure inside the processing container 10 detected by the pressure sensor PS1 and the pressure sensor PS2. The opening / closing valve V1 is controlled to open / close by comparing with the pressure of the water vapor in the container 33 detected by. With this configuration, the steam 1 having a pressure equal to or higher than the pressure inside the processing container 10 can be supplied into the processing container 10. If the pressure inside the processing container 10 at the time of processing is stored as data in advance in the CPU 100, this data and the container 33 are stored.
The on-off valve V1 is compared with the pressure of the steam generated in
The opening and closing can be controlled.

【００４０】また、容器３３から排出された純水は、開
閉弁Ｖ２を介設するドレン管路３８を介して純水排出系
１２４へ流され再利用されるか、ドレン管路３８から分
岐される分岐純水排出管路３９ａを介して後述する酸専
用の排液系１２３に排出される。なお、ドレン弁Ｖ２と
分岐純水排出管路３９ａに介設される開閉弁Ｖ12は、Ｃ
ＰＵ１００に電気的に接続され、ＣＰＵ１００からの制
御信号によって開閉制御されるように構成されている。
これによって、必要に応じて酸性の排液を希釈すること
ができる。Further, the pure water discharged from the container 33 is made to flow to the pure water discharge system 124 through the drain pipe 38 provided with the opening / closing valve V2 and reused, or is branched from the drain pipe 38. It is discharged to the acid-only drainage system 123 described later via the branched pure water discharge conduit 39a. The drain valve V2 and the on-off valve V12 provided in the branch pure water discharge conduit 39a are C
It is electrically connected to the PU 100 and is configured to be opened / closed by a control signal from the CPU 100.
This allows the acidic effluent to be diluted as needed.

【００４１】一方、オゾンガス供給手段４０は、オゾン
ガス生成手段４１と、オゾンガス生成手段４１からのオ
ゾンガス２を供給するオゾンガス供給管路４２（処理ガ
ス供給管路）と、オゾンガス供給管路４２からのオゾン
ガス２を処理容器１０内の両側に吐出する一対のオゾン
ガスノズル４３とで主に構成されている。On the other hand, the ozone gas supply means 40 includes an ozone gas generation means 41, an ozone gas supply pipeline 42 (processing gas supply pipeline) for supplying the ozone gas 2 from the ozone gas production means 41, and an ozone gas supplied from the ozone gas supply pipeline 42. It is mainly composed of a pair of ozone gas nozzles 43 for discharging 2 to both sides in the processing container 10.

【００４２】この場合、オゾンガス生成手段４１は、図
２に示すように、原料となる基ガスとしての酸素（Ｏ
２）を、高周波電源４４に接続されて高周波電圧が印加
される放電電極４５，４６間を通過させることで、オゾ
ン（Ｏ３）を生成している。これら高周波電源４４と放
電電極４５，４６とを接続する電気回路４７には、スイ
ッチ４８が介設されている。スイッチ４８は、ＣＰＵ１
００からの制御信号に基づいて制御されるようになって
いる。すなわち、スイッチ４８は、オゾンを生成するか
否か制御されるようになっている。In this case, the ozone gas generating means 41, as shown in FIG. 2, uses oxygen (O 2) as a base gas as a raw material.
2) is passed through the discharge electrodes 45 and 46, which are connected to the high frequency power source 44 and to which a high frequency voltage is applied, to generate ozone (O3). A switch 48 is provided in an electric circuit 47 connecting the high frequency power supply 44 and the discharge electrodes 45 and 46. The switch 48 is the CPU 1
It is controlled based on the control signal from 00. That is, the switch 48 is controlled to generate ozone or not.

【００４３】また、オゾンガス供給管路４２には、オゾ
ンガス生成手段４１側に開閉手段である開閉弁Ｖ４が介
設されており、この開閉弁Ｖ４の二次側（処理容器１０
側）に、エア供給源に接続されるエア供給管路５１Ｂが
接続されている。このエア供給管路５１Ｂには、開閉手
段である開閉弁Ｖ８が介設されている。これら開閉弁Ｖ
４と開閉弁Ｖ８はＣＰＵ１００に電気的に接続されてお
り、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいて切り換え及
び開閉制御されるようになっている。この制御により、
例えば、オゾンガス２を供給する場合には、開閉弁Ｖ４
を開放すると共に開閉弁Ｖ８を閉鎖し、エアを供給する
場合には、開閉弁Ｖ４を閉鎖すると共に開閉弁Ｖ８を開
放し、オゾンガス２及びエアの供給を停止する場合に
は、開閉弁Ｖ４，Ｖ８の両方を閉鎖する。なお、開閉弁
Ｖ４，Ｖ８の代わりに三方弁を用いることも可能であ
る。An opening / closing valve V4, which is an opening / closing means, is provided on the ozone gas supply conduit 42 on the ozone gas generating means 41 side, and the secondary side of the opening / closing valve V4 (processing container 10).
The side) is connected to the air supply line 51B connected to the air supply source. An on-off valve V8, which is an opening / closing means, is interposed in the air supply conduit 51B. These on-off valves V
4 and the opening / closing valve V8 are electrically connected to the CPU 100, and are switched and opened / closed based on a control signal from the CPU 100. By this control,
For example, when supplying the ozone gas 2, the on-off valve V4
Is opened and the on-off valve V8 is closed. When air is supplied, the on-off valve V4 is closed and the on-off valve V8 is opened. When the supply of ozone gas 2 and air is stopped, the on-off valve V4 is opened. Both V8 are closed. A three-way valve can be used instead of the on-off valves V4 and V8.

【００４４】また、処理容器１０内のパージや処理容器
１０内のウエハＷの昇温用のガスを供給するガス供給手
段として例えばエアを供給するエア供給手段５０は、加
熱ガス供給手段を具備している。この加熱ガス供給手段
は、エアを供給する第１のエア供給管路５１と、この第
１のエア供給管路５１から供給されたエアを加熱してホ
ットエア３を発生させるホットエアジェネレータ（ガス
加熱手段）５２と、ホットエアジェネレータ５２内のホ
ットエア３を供給する第２のエア供給管路５３と、第２
のエア供給管路５３から供給されたホットエア３を吐出
する一対のエアノズル５４とを具備している。また、エ
ア供給手段５０は、処理容器１０内にパージ用のエアを
供給するパージガス供給手段を具備している。このパー
ジガス供給手段は、前記第１のエア供給管路５１と第２
のエア供給管路５３に接続されるパージ用のエア供給管
路５１Ａと、前記第１のエア供給管路５１とオゾンガス
供給管路４２に接続されるパージ用のエア供給管路５１
Ｂとで構成されている。Further, as a gas supply means for supplying a gas for purging the inside of the processing container 10 or for raising the temperature of the wafer W in the processing container 10, the air supply means 50 for supplying air, for example, comprises a heating gas supply means. ing. The heating gas supply means includes a first air supply pipeline 51 for supplying air and a hot air generator (gas heating means) for heating the air supplied from the first air supply pipeline 51 to generate hot air 3. ) 52, a second air supply line 53 for supplying the hot air 3 in the hot air generator 52,
And a pair of air nozzles 54 for discharging the hot air 3 supplied from the air supply pipeline 53. Further, the air supply means 50 includes a purge gas supply means for supplying purge air into the processing container 10. The purge gas supply means includes the first air supply line 51 and the second air supply line 51.
Air supply conduit 51A for purging connected to the air supply conduit 53, and the air supply conduit 51 for purging connected to the first air supply conduit 51 and the ozone gas supply conduit 42.
It is composed of B and.

【００４５】この場合、第１のエア供給管路５１の一端
には、エア供給源５５が接続されている。また、第１の
エア供給管路５１には、エア供給源５５側から順に流量
コントローラＦＭ１、フィルタＦ１及び開閉手段である
開閉弁Ｖ５とが介設されている。これら開閉弁Ｖ５と流
量コントローラＦＭ１は、ＣＰＵ１００に電気的に接続
されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基づいてエアの
供給の正否が制御されると共に、エアの供給量が制御さ
れるようになっている。また、ホットエアジェネレータ
５２の内部には、エアを加熱するヒータ５６が配設され
ている。また、第２のエア供給管路５３には、開閉手段
である開閉弁Ｖ６が介設されている。この開閉弁Ｖ６
は、制御手段であるＣＰＵ１００によって制御されるよ
うになっている。In this case, the air supply source 55 is connected to one end of the first air supply conduit 51. In addition, a flow controller FM1, a filter F1, and an opening / closing valve V5 that is an opening / closing unit are provided in this order from the air supply source 55 side in the first air supply conduit 51. The on-off valve V5 and the flow rate controller FM1 are electrically connected to the CPU 100 so that whether the air supply is correct or not is controlled based on a control signal from the CPU 100, and the air supply amount is controlled. There is. Further, inside the hot air generator 52, a heater 56 that heats air is arranged. Further, an opening / closing valve V6 serving as opening / closing means is provided in the second air supply conduit 53. This on-off valve V6
Are controlled by the CPU 100 which is a control means.

【００４６】また、パージ用のエア供給管路５１Ａ，５
１Ｂには、それぞれエア供給源５５側から順に流量コン
トローラＦＭ２，ＦＭ３、フィルタＦ２，Ｆ３及び開閉
手段である開閉弁Ｖ７，Ｖ８とが介設されている。これ
ら開閉弁Ｖ７，Ｖ８と流量コントローラＦＭ２，ＦＭ３
は、ＣＰＵ１００に電気的に接続されて、ＣＰＵ１００
からの制御信号に基づいてエアの供給の正否が制御され
ると共に、エアの供給量が制御されるようになってい
る。なお、エジェクタ６３を動作させて処理容器１０内
をパージさせる場合には、通常エジェクタ６３による排
気流量が決まっているので、それに合わせた流量のエア
をエア供給管路５１Ｂから処理容器１０内に送ってい
る。Further, the air supply pipe lines 51A, 5 for purging
In 1B, flow rate controllers FM2 and FM3, filters F2 and F3, and opening / closing valves V7 and V8 that are opening / closing means are provided in this order from the air supply source 55 side. These on-off valves V7, V8 and flow rate controllers FM2, FM3
Is electrically connected to the CPU 100,
Whether or not the air supply is correct is controlled on the basis of the control signal from the controller, and the air supply amount is controlled. When the ejector 63 is operated to purge the inside of the processing container 10, since the exhaust gas flow rate by the ejector 63 is usually fixed, the air of the flow rate matched to that is sent into the processing container 10 from the air supply pipe line 51B. ing.

【００４７】また、排液手段９０は、処理容器１０の底
部に接続される第１の排液管路９１と、この第１の排液
管路９１に接続する冷却部９２と、この冷却部９２の下
流側に接続する液溜部９５ａとからなるミストトラップ
９５と、液溜部９５ａの底部に接続された第２の排液管
路９３とを具備している。また、第１の排液管路９１に
は、開閉弁Ｖ９が介設されており、この開閉弁Ｖ９の上
流側及び下流側に接続するバイパス管路９４に開閉弁Ｖ
９と反対の開閉動作を行う補助開閉弁Ｖ10が介設されて
いる。また、第２の排液管路９３には、開閉弁Ｖ11が介
設されている。なお、液中にオゾンが残存する虞がある
ので、第２の排液管路９３は、工場内の酸専用の排液系
１２３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に連通されている。The drainage means 90 includes a first drainage pipe 91 connected to the bottom of the processing container 10, a cooling unit 92 connected to the first drainage pipe 91, and this cooling unit. It is provided with a mist trap 95 composed of a liquid reservoir 95a connected to the downstream side of 92, and a second drainage pipe 93 connected to the bottom of the liquid reservoir 95a. An opening / closing valve V9 is provided in the first drainage pipe 91, and an opening / closing valve V9 is provided in a bypass pipe 94 connected to the upstream side and the downstream side of the opening / closing valve V9.
An auxiliary opening / closing valve V10 for performing opening / closing operation opposite to that of No. 9 is provided. An on-off valve V11 is provided in the second drainage pipe 93. Since ozone may remain in the liquid, the second drainage pipe 93 is communicated with the acid-only drainage system 123 (ACID DRAIN) in the factory.

【００４８】なお、ミストトラップ９５には、下から順
に、空防止センサ９６、排液開始センサ９７、排液停止
センサ９８、液オーバーセンサ９９が配置されている。
この場合、図示しないが、前記開閉弁Ｖ９，Ｖ10，Ｖ11
及び各センサ９６，９７，９８，９９は、ＣＰＵ１００
に電気的に接続されている。そして、センサ９６，９
７，９８，９９からの検出信号に基づいて開閉弁Ｖ９，
Ｖ10，Ｖ11が開閉制御されるようになっている。The mist trap 95 is provided with an empty prevention sensor 96, a drainage start sensor 97, a drainage stop sensor 98, and a liquid oversensor 99 in order from the bottom.
In this case, although not shown, the on-off valves V9, V10, V11
And each sensor 96, 97, 98, 99 is a CPU 100.
Electrically connected to. And the sensors 96, 9
Based on the detection signals from 7, 98 and 99, the on-off valve V9,
V10 and V11 are controlled to be opened and closed.

【００４９】すなわち、処理時には、開閉弁Ｖ９が閉じ
る一方、開閉弁Ｖ10が開いて処理容器１０内から少量の
オゾンガス２、水蒸気１を排気して処理容器１０内の圧
力を調整する。また、処理後には、開閉弁Ｖ10が閉じる
一方、開閉弁Ｖ９が開いて排気する。また、液滴がミス
トトラップ９５内にある程度溜められ、液面が排液開始
センサ９７にて検出されると、排液開始センサ９７から
の検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００か
らの制御信号によって開閉弁Ｖ11を開放して排液が開始
され、液面が排液停止センサ９８にて検出されると、排
液停止センサ９８からの検出信号がＣＰＵ１００に伝達
され、ＣＰＵ１００からの制御信号によって開閉弁Ｖ11
を閉止して排液が停止される。また、液面の高さが液オ
ーバーセンサ９９まで達すると、液オーバーセンサ９８
からの警告信号がＣＰＵ１００に入力される。That is, during processing, the on-off valve V9 is closed, while the on-off valve V10 is opened to exhaust a small amount of ozone gas 2 and water vapor 1 from the inside of the processing container 10 to adjust the pressure inside the processing container 10. After the processing, the on-off valve V10 is closed, while the on-off valve V9 is opened and exhausted. Further, when the liquid droplets are accumulated in the mist trap 95 to some extent and the liquid level is detected by the drainage start sensor 97, a detection signal from the drainage start sensor 97 is transmitted to the CPU 100, and by the control signal from the CPU 100. When the on-off valve V11 is opened and drainage is started, and the liquid level is detected by the drainage stop sensor 98, a detection signal from the drainage stop sensor 98 is transmitted to the CPU 100, and the control signal from the CPU 100 opens and closes. Valve V11
Is closed and drainage is stopped. When the liquid level reaches the liquid over sensor 99, the liquid over sensor 98
The warning signal from is input to the CPU 100.

【００５０】一方、液面が空防止センサ９６より下回っ
ている場合には、空防止センサ９６から禁止信号がＣＰ
Ｕ１００に入力され、ＣＰＵ１００からの制御信号によ
って開閉弁Ｖ11を閉じるように構成されている。この空
防止センサ９６によって液滴が全て流れてミストトラッ
プ９５内が空になり、オゾンガス２が工場内の酸専用の
排液系に漏出する事態を防止することができる。On the other hand, when the liquid level is lower than the empty prevention sensor 96, the prohibition signal from the empty prevention sensor 96 is CP.
It is configured so that the opening / closing valve V11 is closed by a control signal input from the CPU U100. It is possible to prevent a situation in which all the droplets flow by the empty prevention sensor 96, the inside of the mist trap 95 is emptied, and the ozone gas 2 leaks to the acid-only drainage system in the factory.

【００５１】また、ミストトラップ９５の上部には排気
管路１１０が接続されており、この排気管路１１０に順
次オゾンキラー８０と排気マニホールド８１が介設され
ている。An exhaust pipe line 110 is connected to the upper portion of the mist trap 95, and an ozone killer 80 and an exhaust manifold 81 are sequentially provided in the exhaust pipe line 110.

【００５２】前記ミストトラップ９５は、気体と液体と
を分離して排出するように構成されている。すなわち、
第１の排液管路９１を介して処理容器１０内から排出さ
れる水蒸気１及びオゾンガス２が、冷却部９２を介して
ミストトラップ９５に流れるようになっている。この場
合、処理容器１０内から排気された水蒸気１は、冷却部
９２内を通過する間に冷却されて凝縮される。水蒸気１
が凝縮して液化した液滴は、ミストトラップ９５に滴下
される。一方、オゾンガス２は、そのままミストトラッ
プ９５内に導入される。このようにして、処理容器１０
から排気された内部雰囲気を、オゾンガス２と液滴に分
離し、分離されたオゾンガス２は、排気管路１１０に排
気され、液滴は、第２の排液管路９３に排液されるよう
になっている。The mist trap 95 is configured to separate gas and liquid and discharge them. That is,
The water vapor 1 and the ozone gas 2 discharged from the inside of the processing container 10 via the first drainage pipe 91 flow to the mist trap 95 via the cooling unit 92. In this case, the water vapor 1 exhausted from the inside of the processing container 10 is cooled and condensed while passing through the inside of the cooling unit 92. Water vapor 1
The liquid droplets condensed and liquefied are dropped on the mist trap 95. On the other hand, the ozone gas 2 is directly introduced into the mist trap 95. In this way, the processing container 10
The internal atmosphere exhausted from is separated into ozone gas 2 and droplets, the separated ozone gas 2 is exhausted to the exhaust pipe line 110, and the droplets are discharged to the second drain pipe line 93. It has become.

【００５３】一方、処理ガス分解手段であるオゾンキラ
ー８０は、加熱によりオゾンを酸素に熱分解するように
構成されている。このオゾンキラー８０の加熱温度は、
例えば４００℃以上に設定されている。なお、オゾンキ
ラー８０は、工場内の無停電電源装置（図示せず）に接
続され、停電時でも、無停電電源装置から安定的に電力
供給が行われるように構成する方が好ましい。停電時で
も、オゾンキラー８０が作動し、オゾンを除去して安全
を図ることができるからである。なお、オゾンキラー８
０の内部では、気体が急激に膨張する上、内部の排気経
路が螺旋状のため、オゾンキラー８０は排気抵抗とな
る。On the other hand, the ozone killer 80, which is a processing gas decomposing means, is configured to thermally decompose ozone into oxygen by heating. The heating temperature of this ozone killer 80 is
For example, it is set to 400 ° C. or higher. It is preferable that the ozone killer 80 is connected to an uninterruptible power supply (not shown) in the factory so that power can be stably supplied from the uninterruptible power supply even during a power failure. This is because the ozone killer 80 operates even during a power failure and ozone can be removed for safety. In addition, ozone killer 8
In the inside of 0, the gas rapidly expands, and the exhaust passage inside has a spiral shape, so that the ozone killer 80 becomes exhaust resistance.

【００５４】また、オゾンキラー８０には、オゾンキラ
ー８０の作動状態を検出する作動検出手段としての温度
センサ（図示せず）が設けられている。この温度センサ
は、オゾンキラー８０の加熱温度を検出するように構成
されている。また、温度センサは、ＣＰＵ１００に電気
的に接続されており、温度センサからの検出信号がＣＰ
Ｕ１００に伝達され、温度センサからの検出信号に基づ
いて、オゾンを酸素に分解するのにオゾンキラー８０に
十分な準備が整っているか判断するようになっている。
オゾンキラー８０によって熱分解されてオゾンは酸素と
なり、この酸素は、工場内の酸専用の排気系１２２（Ａ
ＣＩＤ ＥＸＡＵＳＴ）から排気される。また、オゾン
キラー８０内は高温（例えば４００℃）となるため、冷
却水を冷却水供給源１２５から供給して冷却している。
冷却に供された冷却水は排液系１２１から排液される。Further, the ozone killer 80 is provided with a temperature sensor (not shown) as an operation detecting means for detecting the operation state of the ozone killer 80. This temperature sensor is configured to detect the heating temperature of the ozone killer 80. Further, the temperature sensor is electrically connected to the CPU 100, and the detection signal from the temperature sensor is CP.
Based on the detection signal from the temperature sensor transmitted to U100, it is determined whether or not the ozone killer 80 is sufficiently prepared for decomposing ozone into oxygen.
The ozone is thermally decomposed by the ozone killer 80 to become ozone, and this oxygen is exhaust gas 122 (A
Exhausted from CID EXAUST). Further, since the temperature inside the ozone killer 80 becomes high (for example, 400 ° C.), cooling water is supplied from the cooling water supply source 125 to be cooled.
The cooling water provided for cooling is drained from the drainage system 121.

【００５５】排気マニホールド８１は、装置全体の排気
を集合して行うように構成されている。また、排気マニ
ホールド８１には、処理装置背面の雰囲気を取り込むた
めの配管（図示せず）が複数設置され、処理装置からオ
ゾンガス２が周囲に拡散するのを防止している。更に、
排気マニホールド８１は、工場内の酸専用の排気系１２
２（ＡＣＩＤ ＥＸＴＨＡＵＳＴ）に接続されており、
酸専用の排気系に流す前の各種排気の合流場所として機
能するようになっている。The exhaust manifold 81 is constructed so as to collectively exhaust the entire apparatus. Further, the exhaust manifold 81 is provided with a plurality of pipes (not shown) for taking in the atmosphere on the back surface of the processing apparatus, and prevents the ozone gas 2 from diffusing to the surroundings from the processing apparatus. Furthermore,
The exhaust manifold 81 is an exhaust system 12 dedicated to acid in the factory.
2 (ACID EXTHAUST),
It is designed to function as a meeting place for various exhaust gases before flowing into the exhaust system dedicated to acid.

【００５６】また、排気マニホールド８１には、オゾン
濃度を検出する濃度センサ（図示せず）が設けられてい
る。排気マニホールド８１に設けられた濃度センサは、
ＣＰＵ１００に電気的に接続されており、濃度センサか
らの検出信号がＣＰＵ１００に伝達され、ＣＰＵ１００
にて、濃度センサにより検出されたオゾン濃度に基づい
て、オゾンキラー８０のオゾン除去能力を把握し、例え
ばオゾンキラー８０の故障によるオゾンガス２の漏洩を
監視するようになっている。Further, the exhaust manifold 81 is provided with a concentration sensor (not shown) for detecting the ozone concentration. The concentration sensor provided in the exhaust manifold 81 is
It is electrically connected to the CPU 100, the detection signal from the concentration sensor is transmitted to the CPU 100,
On the basis of the ozone concentration detected by the concentration sensor, the ozone removing capability of the ozone killer 80 is grasped, and the leakage of the ozone gas 2 due to the malfunction of the ozone killer 80 is monitored.

【００５７】上記のように、処理容器１０からの排液管
路９１中に、開閉弁Ｖ９及びこれに並列に接続された補
助開閉弁Ｖ10と、冷却部９２と、ミストトラップ９５と
が介設され、このミストトラップ９５からの排気系を構
成する排気管路１１０にオゾンキラー８０が接続されて
いる。更に、処理容器１０から前記ミストトラップ９５
を迂回する形で内部排気手段６０が設けられ、その構成
要素である強制排気機構を構成するエジェクタ６３によ
り強制的に処理容器１０内のガスを吸引してミストトラ
ップ９５の排気系出口側に戻す強制排気管路６２が設け
られている。As described above, the drainage line 91 from the processing container 10 is provided with the opening / closing valve V9, the auxiliary opening / closing valve V10 connected in parallel with the opening / closing valve V9, the cooling section 92, and the mist trap 95. The ozone killer 80 is connected to the exhaust pipe line 110 that constitutes the exhaust system from the mist trap 95. Furthermore, from the processing container 10 to the mist trap 95
The internal exhaust means 60 is provided in a manner to bypass the exhaust gas, and the ejector 63, which is a constituent element of the internal exhaust means, forcibly sucks the gas in the processing container 10 and returns it to the exhaust system outlet side of the mist trap 95. A forced exhaust line 62 is provided.

【００５８】内部排気手段６０は、処理容器１０内に設
けられた排気部６１と、この排気部６１と前記排気管路
１１０を接続する強制排気管路６２と、強制排気管路６
２に介設される開閉手段である第１の排気開閉弁Ｖ13
と、この第１の排気開閉弁Ｖ13の下流側に介設されるエ
ジェクタ６３を具備する強制排気機構とで主に構成され
ている。The internal exhaust means 60 includes an exhaust part 61 provided in the processing container 10, a forced exhaust pipe line 62 connecting the exhaust part 61 and the exhaust pipe line 110, and a forced exhaust pipe line 6.
The first exhaust opening / closing valve V13 which is an opening / closing means provided in
And a forced exhaust mechanism including an ejector 63 provided on the downstream side of the first exhaust on-off valve V13.

【００５９】また、処理容器１０の下部と強制排気管路
６２の第１の排気開閉弁Ｖ13の下流側には万一処理容器
１０の圧力が異常に高くなったときに処理容器１０内の
雰囲気を解放させるための安全弁ＣＶ２を介設した補助
排気管路６８が接続されている。また、強制排気管路６
２の第１の排気開閉弁Ｖ13の上流側と排気管路１１０に
おけるオゾンキラー８０とマニホールド８１との間には
分岐排気管路６４が接続されており、この分岐排気管路
６４には、第２の排気開閉弁Ｖ14とダンパ６５が介設さ
れ、また、ケース７１内の排気を行うための排気管路６
４ａも介設されている（図１参照）。At the bottom of the processing container 10 and on the downstream side of the first exhaust opening / closing valve V13 of the forced exhaust pipe line 62, the atmosphere inside the processing container 10 should the pressure of the processing container 10 become abnormally high. Is connected to an auxiliary exhaust pipe line 68 having a safety valve CV2 for releasing the valve. In addition, the forced exhaust line 6
A branch exhaust pipe line 64 is connected between the ozone killer 80 and the manifold 81 in the upstream side of the second first exhaust on-off valve V13 and the exhaust pipe line 110. A second exhaust opening / closing valve V14 and a damper 65 are provided, and an exhaust pipe line 6 for exhausting the inside of the case 71 is provided.
4a is also provided (see FIG. 1).

【００６０】この場合、前記第１の排気開閉弁Ｖ13、第
２の排気開閉弁Ｖ14及びダンパ６５は、ＣＰＵ１００に
電気的に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信号に基
づいて作動制御されるように構成されている。In this case, the first exhaust on-off valve V13, the second exhaust on-off valve V14 and the damper 65 are electrically connected to the CPU 100 so that their operation is controlled based on a control signal from the CPU 100. It is configured.

【００６１】また、強制排気機構のエジェクタ６３は、
前記エア供給手段５０のエア供給源５５から供給される
エアを、開閉手段である開閉弁Ｖ16を介して強制排気管
路６２の一部（エジェクタ６３）に供給することによっ
て生じる負圧を利用して、処理容器１０内の水蒸気１及
びオゾンガス２を強制的に吸引排気し得るように構成さ
れている。このように構成される強制排気機構、つまり
エジェクタ６３の開閉弁Ｖ13と開閉弁Ｖ16は、ＣＰＵ１
００に電気的に接続されて、ＣＰＵ１００からの制御信
号に基づいて作動制御されるように構成されている。The ejector 63 of the forced exhaust mechanism is
The negative pressure generated by supplying the air supplied from the air supply source 55 of the air supply means 50 to a part of the forced exhaust pipe line 62 (ejector 63) via the opening / closing valve V16 which is the opening / closing means is used. Thus, the water vapor 1 and the ozone gas 2 in the processing container 10 can be forcibly sucked and exhausted. The forced exhaust mechanism thus configured, that is, the opening / closing valve V13 and the opening / closing valve V16 of the ejector 63,
00, and is configured to be operated and controlled based on a control signal from the CPU 100.

【００６２】周囲雰囲気排出手段７０は、処理容器１０
の周囲を包囲するケース７１と、このケース７１の下部
に一端が接続され、他端が工場内の酸専用の排液系１２
３（ＡＣＩＤ ＤＲＡＩＮ）に接続される排液管路７２
を具備している。The ambient atmosphere discharging means 70 is the processing container 10
A case 71 that surrounds the periphery of the container, and one end is connected to the lower part of the case 71, and the other end is the drainage system 12 for exclusive use of acid in the factory.
3 (ACID DRAIN) drainage line 72
It is equipped with.

【００６３】この場合、ケース７１では、上方から清浄
なエアのダウンフローが供給されており、このダウンフ
ローにより、ケース７１の内部雰囲気、すなわち処理容
器１０の周囲雰囲気が外部に漏れるのを防止すると共
に、下方に押し流されて排気管路６４ａ及び排液管路７
２に流入し易いようにしている。なお、ケース７１に
は、処理容器１０の周囲雰囲気中のオゾン濃度を検出す
る周囲の濃度検出手段としての濃度センサ（図示せず）
が設けられている。この濃度センサは、ＣＰＵ１００に
電気的に接続されており、濃度センサからの検出信号が
ＣＰＵ１００に伝達され、濃度センサにより検出された
オゾン濃度に基づいてオゾンガス２の漏れを感知するよ
うになっている。In this case, a clean air downflow is supplied to the case 71 from above, and this downflow prevents the internal atmosphere of the case 71, that is, the ambient atmosphere of the processing container 10 from leaking to the outside. At the same time, the exhaust pipe 64a and the drain pipe 7 are pushed downward.
It is made easy to flow into 2. The case 71 has a concentration sensor (not shown) as a concentration detecting means for detecting the ozone concentration in the atmosphere surrounding the processing container 10.
Is provided. This concentration sensor is electrically connected to the CPU 100, a detection signal from the concentration sensor is transmitted to the CPU 100, and a leak of the ozone gas 2 is detected based on the ozone concentration detected by the concentration sensor. .

【００６４】また、排液管路７２には、前記強制排気管
路６２の強制排気機構６３の下流側に介設されたミスト
セパレータ６６によって分離された排液を流す排液管６
７が接続されている。なお、この排液管６７には、開閉
手段である開閉弁Ｖ15が介設されている。また、排液管
路７２には、前記ミストトラップ９５に接続する第２の
排液管路９３が接続されている。In the drainage pipe 72, the drainage pipe 6 for flowing the drainage separated by the mist separator 66 provided on the downstream side of the forced exhaust mechanism 63 of the forced exhaust pipe 62.
7 is connected. The drainage pipe 67 is provided with an opening / closing valve V15 as an opening / closing means. Further, a second drainage conduit 93 connected to the mist trap 95 is connected to the drainage conduit 72.

【００６５】次に、前記基板処理システムを用いた処理
工程について説明する。まず、処理容器１０内にウエハ
Ｗを収容した状態において、処理容器１０内にホットエ
アを供給すべく、制御装置により、エア供給手段５０の
開閉弁Ｖ５、Ｖ６が開放されると共に、第２の排気開閉
弁Ｖ14が開放され、ホットエアジェネレータ５２が作動
して、処理容器１０内に約２８０℃に加熱されたホット
エア３が供給され、ウエハＷ及び処理容器１０の雰囲気
温度を常温（２５℃）から所定の温度（例えば８０℃〜
９０℃）に昇温する（ウエハ昇温工程）。Next, processing steps using the substrate processing system will be described. First, in the state where the wafer W is accommodated in the processing container 10, the controller opens and closes the opening / closing valves V5 and V6 of the air supply means 50 to supply the hot air into the processing container 10, and the second exhaust is performed. The on-off valve V14 is opened, the hot air generator 52 is operated, the hot air 3 heated to about 280 ° C. is supplied into the processing container 10, and the ambient temperature of the wafer W and the processing container 10 is set from the normal temperature (25 ° C.) to a predetermined temperature. Temperature (for example, 80 ℃ ~
The temperature is raised to 90 ° C. (wafer heating step).

【００６６】次に、オゾンガス供給手段であるオゾンガ
ス生成手段４１が作動して供給される酸素（Ｏ２）に高
周波電圧を印加してオゾン（Ｏ３）ガスを生成する。制
御装置は、補助開閉弁Ｖ10を開状態（開閉弁Ｖ９は閉状
態）にすると共に、開閉弁Ｖ４を開放して、オゾンガス
２を処理容器１０内に供給することで、ウエハＷ及び処
理容器１０内の雰囲気を予備加圧する（プレ加圧工
程）。このとき、オゾン濃度が約９ｖｏｌ％（体積百分
率）のオゾンガス２を、約１０リットル／分供給するこ
とで、処理容器１０内の圧力を、零調整された大気圧
（０．１ＭＰａ）より０．０１ＭＰａ〜０．０３ＭＰａ
高い圧力とすることができる。このようにすることによ
り、後述するＯ３／蒸気処理工程において、水蒸気生成
装置３０から処理容器１０内に供給された水蒸気１が圧
力差により処理容器１０の内壁やウエハ表面等に結露す
るのを防止することができる。また、例えば、ＡｒＦな
どの濡れ性の悪い疎水性レジストの表面を改質して水蒸
気１を吸着しやすくすることができる。更に、オゾンガ
ス供給手段４０で生成するオゾンガス濃度の立ち上げが
行われ、Ｏ３／蒸気処理工程で十分な濃度のオゾンガス
２を供給することができる。更に、ウエハ昇温工程で昇
温されたウエハの温度分布を均一にする時間を担うこと
ができる。Next, the ozone gas generating means 41, which is an ozone gas supplying means, operates to apply a high frequency voltage to the oxygen (O2) supplied to generate ozone (O3) gas. The control device opens the auxiliary opening / closing valve V10 (opening / closing valve V9 is closed), opens the opening / closing valve V4, and supplies the ozone gas 2 into the processing container 10, whereby the wafer W and the processing container 10 are processed. The atmosphere inside is prepressurized (prepressurizing step). At this time, the ozone gas 2 having an ozone concentration of about 9 vol% (volume percentage) is supplied at about 10 liters / minute, so that the pressure inside the processing container 10 is adjusted to be less than zero from the zero-adjusted atmospheric pressure (0.1 MPa). 01 MPa-0.03 MPa
Can be high pressure. By doing so, in the O3 / steam processing step described later, the steam 1 supplied from the steam generator 30 into the processing container 10 is prevented from being condensed on the inner wall of the processing container 10 or the wafer surface due to the pressure difference. can do. Further, for example, the surface of a hydrophobic resist having poor wettability such as ArF can be modified to facilitate adsorption of the water vapor 1. Furthermore, the ozone gas concentration generated by the ozone gas supply means 40 is raised, and the ozone gas 2 having a sufficient concentration can be supplied in the O3 / steam treatment step. Further, it can take time to make the temperature distribution of the wafer heated in the wafer heating step uniform.

【００６７】その次に、処理容器１０内の予備加圧を所
定時間（例えば１〜２分）行った後、オゾンガス生成手
段４１を作動させ、開閉弁Ｖ４を開放しオゾンガス２を
供給する一方、水蒸気生成装置３０を作動させ、開閉弁
Ｖ１を開いて、処理容器１０内に水蒸気１を供給して、
水蒸気１（溶媒蒸気）とオゾンガス２（処理ガス）と熱
とがレジストに作用して、水に溶けない性質のレジスト
を水溶性に変質させるための処理を行う（Ｏ３／蒸気処
理工程）。このとき、開閉弁Ｖ９は閉状態、補助開閉弁
Ｖ10は開状態に制御される。Next, after pre-pressurizing the inside of the processing container 10 for a predetermined time (for example, 1 to 2 minutes), the ozone gas generating means 41 is operated, the on-off valve V4 is opened, and the ozone gas 2 is supplied. The steam generator 30 is operated, the on-off valve V1 is opened, and the steam 1 is supplied into the processing container 10,
Water vapor 1 (solvent vapor), ozone gas 2 (treatment gas), and heat act on the resist to perform treatment for converting the resist, which is insoluble in water, to water-soluble (O3 / vapor treatment step). At this time, the on-off valve V9 is controlled to be closed and the auxiliary on-off valve V10 is controlled to be open.

【００６８】最後に、処理容器１０内のオゾンガス２を
エアに置換・パージした後（Ｏ３→エア置換・パージ工
程）、容器本体１１の搬入・搬出口１４を開放し、ウエ
ハＷを搬出する。Finally, after the ozone gas 2 in the processing container 10 is replaced with air and purged (O3 → air replacement / purging process), the loading / unloading port 14 of the container body 11 is opened, and the wafer W is unloaded.

【００６９】なお、前記実施形態では、水蒸気生成装置
３０は、容器３３の底面３３ａ側に、面状ヒータ３６を
内蔵した加熱ユニット３６Ａを配設し、容器３３の上面
３３ｂ側にスプレーノズル３７（溶媒供給手段）を配設
する場合について説明したが、水蒸気生成装置３０の構
造は必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、
図６に示すように、矩形ボックス状の容器３３Ａの対向
する側面の一方（図６において左側）の側壁３３ｃに面
状ヒータ３６を内蔵した加熱ユニット３６Ａを配設し、
容器３３の他方（図６において右側）の側壁３３ｄ側に
スプレーノズル３７（溶媒供給手段）を配設するように
してもよい。In the above-described embodiment, in the steam generator 30, the heating unit 36A having the planar heater 36 built therein is disposed on the bottom surface 33a side of the container 33, and the spray nozzle 37 (on the upper surface 33b side of the container 33). Although the case where the solvent supply means) is provided has been described, the structure of the steam generator 30 is not necessarily limited to this. For example,
As shown in FIG. 6, a heating unit 36A including a planar heater 36 is provided on one side wall (left side in FIG. 6) of a side surface of the rectangular box-shaped container 33A (left side in FIG. 6).
You may make it arrange | position the spray nozzle 37 (solvent supply means) in the side wall 33d side of the other side (right side in FIG. 6) of the container 33.

【００７０】この場合、図６に二点鎖線で示すように、
容器３３の底面３３ｄを、水平面に対して斜めに傾斜さ
せ、例えば、容器３３におけるスプレーノズル３７を配
設した側壁３３ｃから面状ヒータ３６を配設した側壁３
３ｃに向かって下り勾配に傾斜させ、最も低い位置にド
レン管路３８を接続する方がよい。このように構成する
ことにより、容器３３内に噴射された純水から生成され
た水蒸気が液化されて残留する液滴を底面３３ｄの最も
低い位置に集め、ドレン管路３８を介して排液すること
ができる。これにより、容器３３内に残留する液滴をな
くすことができるので、以後の蒸気生成の効率の向上を
図ることができる。In this case, as shown by the chain double-dashed line in FIG.
The bottom surface 33d of the container 33 is inclined with respect to the horizontal plane, and for example, the side wall 33c of the container 33 where the spray nozzle 37 is arranged to the side wall 3 where the planar heater 36 is arranged.
It is better to incline downward toward 3c and connect the drain conduit 38 to the lowest position. With this configuration, the water vapor generated from the pure water sprayed into the container 33 is liquefied and the remaining liquid droplets are collected at the lowest position of the bottom surface 33d and drained through the drain conduit 38. be able to. As a result, the liquid droplets remaining in the container 33 can be eliminated, so that the efficiency of subsequent vapor generation can be improved.

【００７１】なお、図６に示す水蒸気生成装置３０にお
いて、その他の部分は第一実施形態と同じであるので、
同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。Since the other parts of the steam generator 30 shown in FIG. 6 are the same as those of the first embodiment,
The same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【００７２】また、前記実施形態では、水蒸気生成装置
３０の容器３３の形状が矩形ボックス状に形成される場
合について説明したが、容器３３，３３Ａの形状は必ず
しも矩形ボックス状である必要はなく、例えば、円筒
状、六角や八角等の多角筒状であってもよい。In the above embodiment, the case where the container 33 of the steam generator 30 is formed in the shape of a rectangular box has been described, but the shapes of the containers 33 and 33A do not necessarily have to be the rectangular box. For example, it may have a cylindrical shape or a polygonal tubular shape such as a hexagon or an octagon.

【００７３】また、前記実施形態では、１台の水蒸気生
成装置３０を基板洗浄処理システムに組み込んで、ウエ
ハＷの洗浄処理を行う場合について説明したが、処理能
力を増大させる場合には、図７に示すように、水蒸気生
成装置３０を複数例えば２台並設すればよい。この場
合、各水蒸気生成装置３０のスプレーノズル３７を切換
弁ＶＣによっていずれか一方又は双方が連通される第１
及び第２の純水供給管路３２ａ，３２ｂを介して純水供
給源３１に接続し、各水蒸気生成装置３０の容器３３と
水蒸気供給ノズル３５とを、それぞれ開閉弁Ｖ1a，Ｖ1b
を介設した第１及び第２の水蒸気供給管路３４ａ，３４
ｂを介して接続すればよい。Further, in the above-described embodiment, the case where the single water vapor generation device 30 is incorporated into the substrate cleaning processing system to perform the cleaning processing of the wafer W has been described. As shown in, a plurality of, for example, two steam generators 30 may be installed side by side. In this case, either one or both of the spray nozzles 37 of each steam generator 30 are connected by the switching valve VC.
And the pure water supply source 31 via the second pure water supply pipes 32a and 32b, and the containers 33 and the steam supply nozzles 35 of the respective steam generators 30 are opened / closed by valves V1a and V1b, respectively.
First and second water vapor supply pipelines 34a, 34 with
It may be connected via b.

【００７４】なお、図７に示す実施形態において、その
他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同じ部分
には同一符号を付して、説明は省略する。Since the other parts of the embodiment shown in FIG. 7 are the same as those of the first embodiment, the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【００７５】また、前記実施形態では、スプレーノズル
３７から面状ヒータ３６の加熱面（容器３３の底面３３
ａ）に向かって噴射される純水４のみによって水蒸気を
生成する場合について説明したが、水蒸気に例えばオゾ
ン（Ｏ３）等のケミカルを添加した蒸気を生成すること
も可能である。例えば、図３、図４及び図６に二点鎖線
で示すように、スプレーノズル３７を純水供給管路３２
を介して純水供給源３１に接続する一方、オゾン供給管
路４２Ａを介してオゾン供給源例えばオゾンガス供給手
段４０に接続することにより、スプレーノズル３７から
面状ヒータ３６の加熱面（容器３３の底面３３ａ）に向
かってオゾンを添加した純水４Aを噴射して、オゾンを
添加した蒸気を生成することができる。Further, in the above embodiment, the spray nozzle 37 to the heating surface of the sheet heater 36 (the bottom surface 33 of the container 33).
Although the case where steam is generated only by the pure water 4 injected toward a) has been described, it is also possible to generate steam by adding a chemical such as ozone (O3) to the steam. For example, as shown by the two-dot chain line in FIGS. 3, 4 and 6, the spray nozzle 37 is connected to the pure water supply pipe 32.
While being connected to the pure water supply source 31 via the ozone supply line 42A and connected to the ozone supply source, for example, the ozone gas supply means 40 via the ozone supply line 42A, the spray nozzle 37 connects the heating surface of the planar heater 36 (of the container 33). Pure water 4A added with ozone can be jetted toward the bottom surface 33a) to generate vapor added with ozone.

【００７６】したがって、前述した基板洗浄処理システ
ムにおけるＯ３／蒸気処理工程を効率よく行うことがで
きる。すなわち、水蒸気生成装置３０からオゾンを添加
した水蒸気を処理容器１０内に供給するだけで、Ｏ３／
蒸気処理工程を行うことができる。Therefore, the O3 / vapor processing step in the substrate cleaning processing system described above can be efficiently performed. That is, by only supplying the ozone-added water vapor from the water vapor generator 30 into the processing container 10, the O3 /
A steaming process can be performed.

【００７７】なお、オゾンを添加した蒸気を生成する場
合においても、その他の部分は第一実施形態と同じであ
るので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略す
る。Since the other parts are the same as those in the first embodiment when the vapor to which ozone is added is generated, the same parts are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【００７８】[0078]

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。As described above, according to the present invention, since it is configured as described above, the following effects can be obtained.

【００７９】（１）請求項１記載の発明によれば、溶剤
噴射手段から加熱手段の加熱面に向かって蒸気用溶媒を
噴射するので、加熱手段の加熱面に接触した溶媒を瞬時
に蒸気とすることができ、蒸気取出口から取り出すこと
ができる。したがって、蒸気生成を容易にすることがで
き、また、溶出成分の濃縮によるパーティクルやコンタ
ミネーション等の発生を抑制することができる。この場
合、加熱手段の加熱面を、溶媒噴射手段の溶媒噴射方向
に対して垂直な平面に形成することにより、蒸気用溶媒
を均等に加熱手段の加熱面に噴射することができ、蒸気
を効率よく生成することができる（請求項２）。また、
加熱手段に、この加熱手段の加熱量を調整するための加
熱量調整手段を具備するか、あるいは、加熱量調整手段
とは別に溶媒噴射手段と蒸気用溶媒の供給源とを接続す
る溶媒供給管路に流量調整手段を介設することにより、
蒸気の発生量を調整することができるので、蒸気生成量
のコントロールを容易にすることができる（請求項３，
４）。(1) According to the first aspect of the invention, since the solvent for spraying is sprayed from the solvent spraying means toward the heating surface of the heating means, the solvent in contact with the heating surface of the heating means is instantly changed to steam. And can be taken out from the steam outlet. Therefore, vapor generation can be facilitated, and generation of particles, contamination, and the like due to concentration of the eluted components can be suppressed. In this case, by forming the heating surface of the heating means in a plane perpendicular to the solvent spraying direction of the solvent spraying means, the solvent for vapor can be sprayed uniformly on the heating surface of the heating means, and the steam can be efficiently discharged. It can be well generated (Claim 2). Also,
The heating means is provided with a heating amount adjusting means for adjusting the heating amount of the heating means, or a solvent supply pipe for connecting the solvent injection means and the vapor solvent supply source separately from the heating amount adjusting means. By installing a flow rate adjusting means in the passage,
Since the amount of steam generated can be adjusted, it is possible to easily control the amount of steam generated (claim 3,
4).

【００８０】（２）請求項５記載の発明によれば、溶媒
噴射手段を蒸気用溶媒を分散して噴射するスプレーノズ
ルとすることにより、蒸気用溶媒を分散して加熱手段の
加熱面に接触させることができるので、前記（１）に加
えて更に効率よく蒸気を生成することができる。(2) According to the invention described in claim 5, the solvent jetting means is a spray nozzle for dispersing and jetting the vaporizing solvent so that the vaporizing solvent is dispersed and brought into contact with the heating surface of the heating means. Therefore, in addition to (1) above, steam can be generated more efficiently.

【００８１】（３）請求項６記載の発明によれば、溶媒
噴射手段に更に処理ガス供給源を接続して、溶媒噴射手
段から蒸気用溶媒と共に処理ガスを噴射するので、前記
（１）、（２）に加えて更にオゾン等のケミカルが添加
された混合蒸気を同時に生成することができる。したが
って、例えばＯ３／蒸気処理工程を効率よく行うことが
できる。(3) According to the invention described in claim 6, since the processing gas supply source is further connected to the solvent injection means and the processing gas is injected together with the vapor solvent from the solvent injection means, the above (1), In addition to (2), it is possible to simultaneously generate a mixed vapor to which a chemical such as ozone is added. Therefore, for example, the O3 / steam treatment step can be efficiently performed.

【００８２】（４）請求項７記載の発明によれば、容器
を耐食性を有する部材にて形成することにより、例えば
オゾン等の腐食性雰囲気が容器内に逆流した場合におい
ても容器が腐食するのを抑制することができ、前記
（１）〜（３）に加えて更に装置の信頼性の向上と寿命
の増大を図ることができる。(4) According to the invention described in claim 7, by forming the container with a member having corrosion resistance, the container is corroded even when a corrosive atmosphere such as ozone flows back into the container. In addition to the above (1) to (3), it is possible to further improve the reliability and the life of the device.

【００８３】（５）請求項８記載の発明によれば、容器
の外側面側に、加熱手段を内蔵する加熱ユニットを設置
して蒸気生成装置を形成するので、前記（１）〜（４）
に加えて更に容器の加工を容易にすると共に、装置全体
の構造を簡単かつ小型化することができる。(5) According to the invention described in claim 8, since a heating unit having a built-in heating means is installed on the outer surface side of the container to form the steam generator, the above-mentioned (1) to (4) are adopted.
In addition to facilitating the processing of the container, the structure of the entire apparatus can be simplified and downsized.

【００８４】（６）請求項９記載の発明によれば、容器
の外面に断熱材を被覆するので、前記（１）〜（５）に
加えて更に容器内の蒸気の保温効率を高めることがで
き、蒸気の温度制御を容易にすることができる。(6) According to the invention of claim 9, since the outer surface of the container is coated with a heat insulating material, in addition to the above (1) to (5), it is possible to further improve the heat retaining efficiency of the steam in the container. Therefore, the temperature control of steam can be facilitated.

【００８５】（７）請求項１０記載の発明によれば、容
器内に噴射された蒸気用溶媒から生成された溶媒蒸気が
液化されて残留する液滴を容器底面の最も低い位置に集
めて、排液管路を介して排液することができるので、容
器内に液滴が残留することがないので、以後の蒸気生成
を効率よく行うことができる。(7) According to the tenth aspect of the invention, the solvent vapor generated from the solvent for vapor injected into the container is liquefied and the remaining droplets are collected at the lowest position on the bottom surface of the container, Since the liquid can be drained through the drain pipe, the liquid droplets do not remain in the container, so that the subsequent vapor generation can be efficiently performed.

【００８６】（８）請求項１１記載の発明によれば、溶
媒を瞬時に蒸気にして処理容器内に供給することができ
るので、処理容器内に収容された被処理基板を処理ガス
と溶媒蒸気の混合流体によって迅速に処理することがで
きる。(8) According to the eleventh aspect of the present invention, since the solvent can be instantly turned into vapor and supplied into the processing container, the substrate to be treated contained in the processing container is treated with the processing gas and the solvent vapor. Can be rapidly processed by the mixed fluid of.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の蒸気生成装置を適用した基板処理シ
ステムの一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing system to which a steam generator of the present invention is applied.

【図２】この発明に係る基板処理システムの要部を示す
もので、処理容器内のウエハに水蒸気とオゾンガスを供
給した状態を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a main part of a substrate processing system according to the present invention, showing a state in which water vapor and ozone gas are supplied to a wafer in a processing container.

【図３】この発明の蒸気生成装置の第一実施形態を示す
概略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view showing a first embodiment of a steam generator of the present invention.

【図４】第一実施形態の蒸気生成装置を示す概略断面図
である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a steam generator of the first embodiment.

【図５】この発明における加熱手段を示す横断面図であ
る。FIG. 5 is a cross sectional view showing a heating means in the present invention.

【図６】第二実施形態の蒸気生成装置を示す概略断面図
である。FIG. 6 is a schematic sectional view showing a steam generator of a second embodiment.

【図７】２台の蒸気生成装置を適用した基板処理システ
ムの要部を示す概略断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a main part of a substrate processing system to which two vapor generators are applied.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 水蒸気 ４，４Ａ 純水（蒸気用溶媒） ３０ 水蒸気生成装置 ３１ 純水供給源（蒸気用溶媒供給源） ３２，３２ａ，３２ｂ 純水供給管路（蒸気用溶媒供給
管路） ３３，３３Ａ 容器 ３３ａ，３３ｄ 底面 ３４ 蒸気供給管路 ３５ 水蒸気供給ノズル ３６ 面状ヒータ（加熱手段） ３７ スプレーノズル（溶媒噴射手段） ４０ オゾンガス供給手段（オゾン供給源） １００ ＣＰＵ（制御手段） ３０２ 断熱材 Ｖ１，Ｖ1a，Ｖ1b 開閉弁 Ｖ２ ドレン弁 ＦＭ0 流量コントローラ ＴＣ 温度コントローラW Semiconductor Wafer (Substrate to be Processed) 1 Water Vapor 4,4A Pure Water (Solvent for Steam) 30 Steam Generator 31 Pure Water Supply Source (Solvent Supply Source for Steam) 32, 32a, 32b Pure Water Supply Pipeline (Solvent for Steam) Supply pipe line 33, 33A Containers 33a, 33d Bottom surface 34 Steam supply pipe line 35 Steam supply nozzle 36 Surface heater (heating means) 37 Spray nozzle (solvent injection means) 40 Ozone gas supply means (ozone supply source) 100 CPU (control) Means) 302 Insulation materials V1, V1a, V1b Opening valve V2 Drain valve FM0 Flow rate controller TC Temperature controller

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ Ｆ２２Ｂ 27/16 // Ｆ２２Ｂ 27/16 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ａ Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA02 3B201 AA02 AA03 AB23 AB44 BB13 BB23 BB82 BB88 BB92 BB98 4F042 AA07 DA01 ED00 5F046 MA13 MA19 Front page continuation (51) Int.Cl. ⁷ Identification code FI theme code (reference) H01L 21/304 645 F22B 27/16 // F22B 27/16 H01L 21/30 572A F term (reference) 2H096 AA25 LA02 3B201 AA02 AA03 AB23 AB44 BB13 BB23 BB82 BB88 BB92 BB98 4F042 AA07 DA01 ED00 5F046 MA13 MA19

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 蒸気取出口を有する容器における対向す
る面の一方に、加熱手段を配設し、他方に、前記加熱手
段の加熱面に向かって蒸気用溶媒を噴射する溶媒噴射手
段を配設してなる、ことを特徴とする蒸気生成装置。1. A heating means is provided on one of opposing surfaces of a container having a vapor outlet, and a solvent injection means for injecting a solvent for vapor toward the heating surface of the heating means is provided on the other side. A steam generating device characterized by the following. 【請求項２】 請求項１記載の蒸気生成装置において、 前記加熱手段の加熱面が、溶媒噴射手段の溶媒噴射方向
に対して垂直な平面で形成されることを特徴とする蒸気
生成装置。2. The vapor generating apparatus according to claim 1, wherein the heating surface of the heating means is formed as a plane perpendicular to the solvent injection direction of the solvent injection means. 【請求項３】 請求項１又は２記載の蒸気生成装置にお
いて、 前記加熱手段に、この加熱手段の加熱量を調整するため
の加熱量調整手段を具備してなる、ことを特徴とする蒸
気生成装置。3. The steam generator according to claim 1 or 2, wherein the heating means is provided with a heating amount adjusting means for adjusting a heating amount of the heating means. apparatus. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の蒸
気生成装置において、 前記溶媒噴射手段と蒸気用溶媒の供給源とを接続する溶
媒供給管路に流量調整手段を介設してなる、ことを特徴
とする蒸気生成装置。4. The vapor generating apparatus according to claim 1, wherein a flow rate adjusting means is provided in a solvent supply pipeline connecting the solvent injection means and a supply source of the solvent for vapor. , A steam generator characterized by the above. 【請求項５】 請求項１ないし５のいずれかに記載の蒸
気生成装置において、 前記溶媒噴射手段が蒸気用溶媒を分散して噴射するスプ
レーノズルである、ことを特徴とする蒸気生成装置。5. The vapor generating apparatus according to claim 1, wherein the solvent injection means is a spray nozzle that disperses and injects a solvent for vapor. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の蒸
気生成装置において、 前記溶媒噴射手段に更に処理ガス供給源を接続し、前記
溶媒噴射手段から蒸気用溶媒と共に処理ガスを噴射可能
に形成してなる、ことを特徴とする蒸気生成装置。6. The vapor generating apparatus according to claim 1, further comprising a processing gas supply source connected to the solvent injection means, so that the processing gas can be injected together with the vapor solvent from the solvent injection means. A steam generator characterized by being formed. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の蒸
気生成装置において、 前記容器を耐食性を有する部材にて形成してなる、こと
を特徴とする蒸気生成装置。7. The steam generator according to claim 1, wherein the container is formed of a member having corrosion resistance. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の蒸
気生成装置において、 前記容器の外側面側に、加熱手段を内蔵する加熱ユニッ
トを設置してなる、ことを特徴とする蒸気生成装置。8. The steam generating apparatus according to claim 1, wherein a heating unit having a heating means is installed on the outer surface side of the container. . 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載の蒸
気生成装置において、 前記容器の外面に断熱材を被覆してなる、ことを特徴と
する蒸気生成装置。9. The steam generator according to claim 1, wherein an outer surface of the container is covered with a heat insulating material. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかに記載の
蒸気生成装置において、 前記容器の底面を、水平面に対して斜めに傾斜させ、最
も低い位置に排液管路を接続してなることを特徴とする
蒸気生成装置。10. The steam generator according to claim 1, wherein the bottom surface of the container is inclined with respect to a horizontal plane, and the drainage pipe line is connected to the lowest position. Steam generator characterized by. 【請求項１１】 処理容器内に収容された被処理基板に
処理ガスと溶媒蒸気を供給して被処理基板を処理する基
板処理装置であって、 請求項１ないし１０のいずれかに記載の蒸気生成装置を
具備することを特徴とする基板処理装置。11. A substrate processing apparatus for processing a substrate to be processed by supplying a processing gas and a solvent vapor to the substrate to be processed housed in a processing container, wherein the vapor according to claim 1. A substrate processing apparatus comprising a generating device.