JP2003264184A - Device and method for forming coating film - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To remove solvent quickly at a stabilized pace from coating liquid supplied to the surface of a substrate in a low pressure dryer. <P>SOLUTION: An enclosed container internally provided with a substrate mounting section is coupled with an evacuation means through an exhaust pipe which is coupled, in the way thereof, with gas piping for supplying a temperature-regulated inert gas. A tape heater is provided in the upstream of a connecting part P1 in order to regulate the temperature such that solvent vapor does not condensate at the time of low pressure drying. On the other hand, a pair of electrodes are provided in the downstream of the connecting part P1 while holding the exhaust pipe between and connected with a power supply section. When solvent vapor is directed toward the connecting part P1 at the time of low pressure drying, it is mixed with a warmed inert gas at first and then the temperature of mixture gas is made uniform by applying an AC voltage from the electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハやＬ
ＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの基板
表面に例えば絶縁膜形成用の塗布液を供給し、この塗布
液中に含まれる溶剤を除去して塗布膜（絶縁膜）を形成
する技術に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor wafer and L
The present invention relates to a technique for forming a coating film (insulating film) by supplying, for example, a coating liquid for forming an insulating film to the surface of a substrate such as a CD substrate (glass substrate for liquid crystal display) and removing the solvent contained in the coating liquid.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造工程の一つに、半
導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜等を形成するため
に、基板に対して所定の薬液を供給して当該基板の表面
に塗布膜を形成し、次いで塗布液中の溶剤を乾燥させる
処理がある。この種の膜の塗布液については、溶剤に揮
発性の低いものが用いられることや、速やかに溶剤をウ
エハ表面から除去して塗布膜の膜厚均一性を確保するな
どの理由から、ウエハ上に塗布液を塗布した後、直ぐに
減圧乾燥ユニットに搬入して減圧乾燥を行うことが得策
である。図７は従来の減圧乾燥装置１１を示す概略図で
ある。図中１２は蓋体１３及び載置部１４にて構成され
る密閉容器であり、蓋体１３の天井部には開口部１３ａ
が形成されている。この開口部１３ａは排気管１５を介
して例えば塗布膜形成装置の外部に設けられる減圧ポン
プ１６と連通し、密閉容器１２の内部を減圧することが
できるようになっている。このような装置では、載置部
１４にウエハＷを載置し、図示しない温度調節手段にて
該ウエハＷを所定の温度に調整、例えば加熱すると共に
減圧ポンプ１６により密閉容器１２内の減圧を行うこと
で、ウエハＷ表面に残る溶剤成分が揮発（乾燥）して減
圧ポンプ１６側に吸引され、ウエハＷ表面には塗布膜成
分のみが残ることとなる。2. Description of the Related Art In one of the steps of manufacturing a semiconductor device, a predetermined chemical liquid is supplied to a substrate to form a coating film on the surface of the substrate in order to form a protective film or an interlayer insulating film of the semiconductor device. There is a process of forming and then drying the solvent in the coating liquid. For this type of film coating solution, a solvent with low volatility is used, and the solvent is quickly removed from the wafer surface to ensure the film thickness uniformity of the coating film. It is a good idea to apply the coating solution to the substrate and immediately carry it into a reduced pressure drying unit to perform reduced pressure drying. FIG. 7 is a schematic view showing a conventional vacuum drying device 11. Reference numeral 12 in the figure is a closed container composed of a lid 13 and a mounting portion 14, and an opening 13a is provided in a ceiling portion of the lid 13.
Are formed. The opening 13a communicates with, for example, a decompression pump 16 provided outside the coating film forming apparatus via an exhaust pipe 15, so that the inside of the closed container 12 can be decompressed. In such an apparatus, the wafer W is placed on the placing part 14, and the wafer W is adjusted to a predetermined temperature by a temperature adjusting means (not shown), for example, heated and the decompression pump 16 decompresses the sealed container 12. By doing so, the solvent component remaining on the surface of the wafer W is volatilized (dried) and sucked toward the decompression pump 16 side, and only the coating film component remains on the surface of the wafer W.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、減圧乾
燥装置１１にて用いられる減圧ポンプ１６は、塗布膜形
成装置外部のクリーンルーム側に設けられており、この
ため減圧乾燥時に揮発して減圧ポンプ１６側に吸引され
る溶剤は、排気管１５の途中で例えば２３℃程度に維持
されるクリーンルーム側の雰囲気の影響を受けてしまう
場合がある。絶縁膜の種類によっては例えば気圧が１３
３Ｐａの雰囲気下において沸点が３０℃〜４０℃程度で
ある高沸点シンナーが用いられるので、これらの溶剤蒸
気は排気管１５の途中で結露し易い。減圧ポンプ１６に
おける排気流量は一定に保たれているため、排気管１５
内で溶剤蒸気が結露すると、当該結露の量に応じて排気
流量が変化してしまい、製品の品質にばらつきが生じる
という問題がある。また、徐々に結露の量が増えていく
と、この増加量に応じて乾燥に要する時間も長くなって
しまう。However, the decompression pump 16 used in the decompression / drying apparatus 11 is provided on the clean room side outside the coating film forming apparatus. Therefore, the decompression pump 16 volatilizes during decompression / drying and the decompression pump 16 side. The solvent sucked in may be affected by the atmosphere on the clean room side, which is maintained at, for example, about 23 ° C. in the middle of the exhaust pipe 15. Depending on the type of insulating film, the atmospheric pressure may be 13
Since a high-boiling-point thinner having a boiling point of about 30 ° C. to 40 ° C. is used in an atmosphere of 3 Pa, these solvent vapors are easily condensed in the exhaust pipe 15. Since the exhaust flow rate in the decompression pump 16 is kept constant, the exhaust pipe 15
When the solvent vapor condenses in the inside, the exhaust flow rate changes according to the amount of the condensing, which causes a problem that the product quality varies. Further, when the amount of dew condensation gradually increases, the time required for drying also increases according to this increased amount.

【０００４】そこで結露防止策として排気管１５の全区
間に例えばテープヒータ等からなる真空配管ヒータに温
度調節手段を設け、減圧乾燥時において当該排気管１５
内の温度を溶剤が結露しない例えば４０℃程度の温度に
維持する手法も考えられるが、密閉容器１２から減圧ポ
ンプ１６へと至る排気管１５の長さは例えば５ｍ以上と
長く、全区間に亘って温度調節を行うことは設備的な問
題もさることながら、膨大な運転費用が必要となるとい
うコスト面の問題が大きい。Therefore, as a measure for preventing dew condensation, temperature control means is provided in a vacuum pipe heater such as a tape heater in all sections of the exhaust pipe 15 so that the exhaust pipe 15 can be dried under reduced pressure.
A method of maintaining the internal temperature at a temperature of, for example, about 40 ° C. at which the solvent does not condense may be considered, but the length of the exhaust pipe 15 from the closed container 12 to the decompression pump 16 is long, for example, 5 m or more, and the whole section is covered. Controlling the temperature by means of this is not only a problem in terms of equipment but also a cost problem that enormous operating costs are required.

【０００５】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、減圧乾燥装置において迅速
且つ安定したペースで乾燥処理を行うことができる技術
を提供することにある。The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of performing a drying process in a reduced-pressure drying apparatus quickly and at a stable pace.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る減圧乾燥装
置は、塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてなる塗布液
を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗布液から
溶剤の除去を行う減圧乾燥装置において、基板を載置す
る載置部を内部に備える密閉容器と、この密閉容器に排
気路を介して接続され、当該密閉容器内を減圧雰囲気と
することで基板上の塗布液から溶剤を揮発させる減圧排
気手段と、この減圧排気手段によって基板上の溶剤を揮
発させるとき、塗布液から揮発した溶剤蒸気が前記排気
路内で結露することがないように、温度調節した不活性
ガスを前記排気路に供給する不活性ガス供給手段と、を
備えることを特徴とする。A reduced-pressure drying apparatus according to the present invention is a method of drying a substrate coated with a coating solution obtained by mixing a coating film component and a solvent under reduced pressure to remove the solvent from the coating solution. In a reduced-pressure drying device for removing, a closed container having a mounting portion for mounting a substrate therein and a closed container connected to the closed container via an exhaust passage are provided on the substrate by creating a reduced pressure atmosphere in the closed container. When the solvent on the substrate is volatilized by the reduced pressure evacuation means for volatilizing the solvent from the coating liquid, the temperature is adjusted so that the solvent vapor volatilized from the coating liquid does not condense in the exhaust passage. And an inert gas supply means for supplying an inert gas to the exhaust passage.

【０００７】また本発明は、上記構成に加え、排気路内
に交流電界を印加するための電力供給部を備え、溶剤蒸
気と不活性ガスとの混合気体に対して交流電界を印加す
ることで各々の分子同士の衝突頻度を増加させるように
することが好ましい。According to the present invention, in addition to the above structure, an electric power supply unit for applying an AC electric field in the exhaust passage is provided, and the AC electric field is applied to the mixed gas of the solvent vapor and the inert gas. It is preferable to increase the frequency of collision between molecules.

【０００８】このような構成によれば、減圧乾燥時にお
ける排気路内の温度コントロールに温度調節した不活性
ガスを用いるため、従来用いていたテープヒータ等のよ
うに高いコストを要せず、且つ迅速に減圧乾燥処理を行
うことができる。また排気路内における溶剤の結露を確
実に防ぐことができるので、排気流量が安定し、ロット
間の製品の均一性が向上するというと利点もある。According to this structure, since the temperature-controlled inert gas is used to control the temperature in the exhaust passage at the time of drying under reduced pressure, a high cost is not required unlike the tape heater used conventionally, and The reduced pressure drying process can be performed quickly. Further, since it is possible to reliably prevent the dew condensation of the solvent in the exhaust passage, there is an advantage that the exhaust flow rate is stabilized and the product uniformity between lots is improved.

【０００９】上述構成における不活性ガスの供給箇所
は、排気路の途中でもよいし、密閉容器でもよく、不活
性ガスを供給する際には、排気路内における不活性ガス
の供給分だけ排気流量を増加させて排気流量を常に一定
に保つことが好ましい。具体的には上述構成に加え、排
気路内におけるガス流量を検出するためのガス流量検出
部と、前記排気路における排気流量を調節する流量調節
部と、前記排気路における排気流量が一定値に維持され
るように、前記ガス流量検出部にて検出されるガス流量
検出値に基づいて前記流量調節部の制御を行う制御部
と、を備えた構成を挙げることができる。In the above structure, the inert gas may be supplied in the middle of the exhaust passage or in a closed container. When the inert gas is supplied, the amount of the inert gas supplied in the exhaust passage is equal to the exhaust flow rate. It is preferable to keep the exhaust flow rate constant by increasing Specifically, in addition to the above configuration, a gas flow rate detection unit for detecting the gas flow rate in the exhaust passage, a flow rate adjustment unit for adjusting the exhaust flow rate in the exhaust passage, and the exhaust flow rate in the exhaust passage to a constant value. A configuration including a control unit that controls the flow rate adjustment unit based on the gas flow rate detection value detected by the gas flow rate detection unit so as to be maintained.

【００１０】また本発明に係る塗布膜形成方法は、塗布
膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてなる塗布液を塗布され
た基板を減圧状態で乾燥し、前記塗布液から溶剤の除去
を行う減圧乾燥装置において、前記塗布液が塗布された
基板を、減圧乾燥装置に設けられる密閉容器内に載置す
る工程と、減圧排気手段から排気路を介して排気を行う
ことで前記密閉容器内を減圧雰囲気とし、基板に塗布さ
れた塗布液中の溶剤を揮発させる工程と、揮発した溶剤
蒸気が前記排気路内で結露しないように、温度調節され
た不活性ガスを前記溶剤蒸気に混合する工程と、を含む
ことを特徴とする。Further, the method for forming a coating film according to the present invention is such that a substrate coated with a coating liquid obtained by mixing the components of the coating film and a solvent is dried under reduced pressure to remove the solvent from the coating liquid. In the drying device, the step of placing the substrate coated with the coating liquid in a closed container provided in the reduced pressure drying device, and reducing the pressure in the closed container by exhausting air from the reduced pressure exhaust means through the exhaust passage. An atmosphere, a step of volatilizing a solvent in the coating liquid applied to the substrate, and a step of mixing a temperature-controlled inert gas with the solvent vapor so that the vaporized solvent vapor does not condense in the exhaust passage. And are included.

【００１１】[0011]

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る減圧乾燥装置
を塗布膜形成装置に適用した場合を例に取り、説明を行
う。先ずこの装置の全体構成について図１及び図２を参
照しながら簡単に説明すると、図中２１はカセットステ
ーションであり、例えば２５枚のウエハＷを収納したカ
セットＣを複数個載置できるように形成されたカセット
載置部２２と、載置されたカセットＣとの間でウエハＷ
の受け渡しを行うための受け渡しアーム２３とが設けら
れている。この受け渡しアーム２３の奥側には筐体２４
にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されている。処理
部Ｓ１の中央には主搬送手段２５が設けられており、こ
れを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布
ユニット３が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系の
ユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，
Ｕ３が夫々配置されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A description will be given below by taking as an example the case where a reduced pressure drying apparatus according to the present invention is applied to a coating film forming apparatus. First, the overall structure of this apparatus will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2. In the figure, reference numeral 21 denotes a cassette station, which is formed so that a plurality of cassettes C containing, for example, 25 wafers W can be placed. The wafer W is placed between the mounted cassette mounting portion 22 and the mounted cassette C.
And a delivery arm 23 for delivering the sheet. A housing 24 is provided on the back side of the transfer arm 23.
A processing unit S1 surrounded by is connected. A main transport means 25 is provided in the center of the processing section S1, and a plurality of coating units 3 are provided so as to surround the main transport means 25 on the right side, and a heating / cooling system is provided on the left side, front side, and back side. Shelving units U1, U2, which are stacked in multiple stages
U3 is arranged respectively.

【００１２】棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、塗布ユニ
ット３の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを
各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わ
せは例えば図２の棚ユニットＵ２に示すように塗布ユニ
ット３にて表面に塗布液が塗られたウエハＷを減圧雰囲
気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減
圧乾燥ユニット４、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱
ユニット２６、ウエハＷを冷却する冷却ユニット２７等
が含まれる。なお棚ユニットＵ２については、ウエハＷ
を受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニット
２８も組み込まれる。また、上述した主搬送手段２５は
例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転
自在に構成されており、塗布ユニット３及び棚ユニット
Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３を構成する各ユニット間でウエハＷの
受け渡しを行うことができる構成とされている。The shelf units U1, U2, U3 are constructed by combining various units for performing pretreatment and posttreatment of the coating unit 3, and the combination thereof is shown in, for example, the shelf unit U2 in FIG. In this way, the wafer W whose surface is coated with the coating liquid by the coating unit 3 is dried under a reduced pressure atmosphere, and the reduced pressure drying unit 4 for volatilizing the solvent contained in the coating liquid and the heating for heating (baking) the wafer W. The unit 26, a cooling unit 27 for cooling the wafer W, and the like are included. For the shelf unit U2, the wafer W
A delivery unit 28 having a delivery stand for delivering the delivery is also incorporated. The main transfer means 25 described above is configured to be movable up and down, moved back and forth, and rotatable about a vertical axis, and the wafer W is provided between the units forming the coating unit 3 and the shelf units U1, U2, U3. It is configured to be able to deliver.

【００１３】ここで塗布ユニット３の構成について簡単
に説明すると、塗布ユニット３内にはウエハＷを裏面側
から吸着保持すると共に鉛直軸まわりに回転自在に構成
される載置台３１と、この載置台３１に載置されたウエ
ハＷの上方を移動可能なノズル３２とが設けられてい
る。そして図示するようにウエハＷを回転させておき、
薬液を吐出させた状態でノズル３２をウエハＷの中心部
上方から径方向に移動させることで、ウエハＷ表面に塗
布液をいわば一筆書きの要領で螺旋状に塗布できる構成
とされている。塗布液としては、絶縁膜成分であるポリ
イミドを例えばＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等のい
わゆる高沸点シンナーに溶解させた混合溶液が用いられ
る。Here, the structure of the coating unit 3 will be briefly described. The coating unit 3 holds the wafer W by suction from the back surface side thereof, and a mounting table 31 configured to be rotatable about a vertical axis, and the mounting table 31. A nozzle 32 that can move above the wafer W placed on 31 is provided. Then, the wafer W is rotated as shown in the drawing,
By moving the nozzle 32 in the radial direction from above the central portion of the wafer W while the chemical liquid is being discharged, the coating liquid can be spirally applied to the surface of the wafer W in a so-called one-stroke manner. As the coating liquid, a mixed solution in which polyimide as an insulating film component is dissolved in a so-called high boiling thinner such as NMP (N-methylpyrrolidone) is used.

【００１４】次いで減圧乾燥ユニット４に組み込まれる
減圧乾燥装置の構成について、図５を参照しながら説明
する。図中４１はウエハＷを載置する載置部であり、そ
の上部には蓋体４２が設けられている。この蓋体４２は
保持アーム４３ａや駆動部４３ｂ等からなる昇降機構４
３の働きにより昇降自在とされており、下降時には載置
部４１の周縁部とシール材であるＯリングＲ１を介して
気密に接合し、ウエハＷの置かれる雰囲気を密閉雰囲気
とする密閉容器４０を構成する。Next, the structure of the vacuum drying device incorporated in the vacuum drying unit 4 will be described with reference to FIG. Reference numeral 41 in the drawing denotes a mounting portion on which the wafer W is mounted, and a lid 42 is provided on the mounting portion. The lid 42 is a lift mechanism 4 including a holding arm 43a and a drive unit 43b.
It is movable up and down by the action of 3 and when it descends, it is airtightly joined to the peripheral edge of the mounting portion 41 via an O-ring R1 which is a sealing material, and the atmosphere in which the wafer W is placed is a hermetically sealed container 40. Make up.

【００１５】載置部４１の内部には、既述の主搬送手段
２５に設けられるウエハ搬送アーム１００（図１参照）
との間でウエハＷの受け渡しができるように、３本のリ
フトピン４４が貫通して設けられ、このリフトピン４４
は昇降板４５を介して例えばエアシリンダなどの昇降部
４６により昇降できるようになっている。またウエハＷ
の置かれる雰囲気がリフトピン４４の貫通孔４４ａを介
して大気側と連通するのを防ぐため、昇降板４５の周縁
部と載置部４１との間にはベローズ４５ａが設けられて
いる。Inside the mounting portion 41, the wafer transfer arm 100 provided on the above-mentioned main transfer means 25 (see FIG. 1).
Three lift pins 44 are provided so as to pass the wafer W between the lift pins 44 and the wafer W.
Can be moved up and down by an elevating part 46 such as an air cylinder via an elevating plate 45. Wafer W
A bellows 45a is provided between the mounting portion 41 and the peripheral portion of the elevating plate 45 in order to prevent the atmosphere in which is placed from communicating with the atmosphere side through the through hole 44a of the lift pin 44.

【００１６】載置部４１の表面近傍には、減圧乾燥時に
ウエハＷを所定温度に調整する温度調節手段例えば抵抗
加熱体などにより構成されるヒータ４７が埋設されてい
る。一方、蓋体４２の天井部４２ａには密閉容器４０内
の雰囲気を吸引排気できるように開口部４８が形成さ
れ、また蓋体４２内のウエハＷと対向する空間には、載
置部４１に載置されるウエハＷと対向すると共に蓋体４
２の天井部４２ａ及び側壁４２ｂのいずれとも隙間を有
するように板状の整流部材４９が設けられている。この
整流部材４９は図示しない昇降機構の働きにより昇降時
材とされており、乾燥処理時に例えばウエハＷ表面の上
方２ｍｍ程度の高さとなるように接近させることで、蓋
体４２の内壁面に沿って均一な排気流が形成されるよう
になっている。In the vicinity of the surface of the mounting portion 41, a heater 47 constituted by a temperature adjusting means such as a resistance heating body for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature during reduced pressure drying is embedded. On the other hand, an opening 48 is formed in the ceiling portion 42a of the lid 42 so that the atmosphere in the closed container 40 can be sucked and exhausted, and in the space facing the wafer W in the lid 42, the mounting portion 41 is provided. The lid body 4 faces the wafer W to be placed and
A plate-shaped rectifying member 49 is provided so as to have a gap between both the ceiling portion 42a and the side wall 42b. The rectifying member 49 serves as an elevating member due to the function of an elevating mechanism (not shown), and is moved along the inner wall surface of the lid 42 by approaching it so as to have a height of about 2 mm above the surface of the wafer W during the drying process. To form a uniform exhaust flow.

【００１７】前記開口部４８には、例えばステンレスに
より構成される排気路をなす排気管５が接続されてお
り、この排気管５の他端側は例えばクリーンルーム内に
設けられる減圧排気手段をなす減圧ポンプ５１へとバル
ブＶ１を介して接続している。また排気管５におけるバ
ルブＶ１の上流側には、ガス流量検出部である流量計５
２及びバタフライバルブ等を備えてなる流量調節部５２
ａが介設されており、排気管５における排気流量の調節
は、制御部６が流量計５２から得た流量検出値に基づき
流量調節部５２ａを介して行うように構成されている。An exhaust pipe 5 which is made of stainless steel and constitutes an exhaust passage is connected to the opening 48, and the other end of the exhaust pipe 5 is a decompressing device which is a decompressing exhaust means provided in a clean room, for example. It is connected to the pump 51 via a valve V1. Further, on the upstream side of the valve V1 in the exhaust pipe 5, a flow meter 5 serving as a gas flow rate detection unit is provided.
2 and a flow rate controller 52 including a butterfly valve
a is provided, and the exhaust flow rate in the exhaust pipe 5 is adjusted by the control section 6 via the flow rate adjusting section 52a based on the detected flow rate value obtained from the flow meter 52.

【００１８】排気管５の途中にはガス配管５３が接続さ
れており、このガス配管５３の他端側はガス温調部５４
を介して不活性ガス供給部５５へと接続している。これ
らガス配管５３、ガス温調部５４及び不活性ガス供給部
５５は、特許請求の範囲に記載の不活性ガス供給手段に
相当するものである。また、排気管５とガス配管５３と
の接続部位Ｐ１よりも下流側（減圧ポンプ５１側）には
当該部位の管内温度を検出するための第１の温度検出部
５６が設けられており、制御部６ではこの第１の温度検
出部５６から得られる温度検出値に基づき、例えば不活
性ガス供給部５５から供給される不活性ガス例えばＮ2
（窒素）ガスの流量調節や、ガス温調部５４における温
度調節等の各制御を行うように構成されている。A gas pipe 53 is connected in the middle of the exhaust pipe 5, and the other end side of the gas pipe 53 is a gas temperature adjusting section 54.
It is connected to the inert gas supply part 55 via. The gas pipe 53, the gas temperature control unit 54, and the inert gas supply unit 55 correspond to the inert gas supply unit described in the claims. In addition, a first temperature detecting unit 56 for detecting the temperature inside the pipe of the exhaust pipe 5 and the gas pipe 53 is provided downstream of the connection region P1 (on the side of the decompression pump 51), and the control is performed. In the section 6, based on the temperature detection value obtained from the first temperature detection section 56, for example, an inert gas such as N2 supplied from the inert gas supply section 55 is used.
It is configured to perform control such as flow rate adjustment of (nitrogen) gas and temperature adjustment in the gas temperature adjusting unit 54.

【００１９】接続部位Ｐ１の下流側、例えば接続部位Ｐ
１近傍位置には、不活性ガスと溶剤蒸気との混合気体に
対して交流電圧を印加するための一対の電極５７（５７
ａ，５７ｂ）が設けられている。他方、接続部位Ｐ１の
上流側（密閉容器４０側）には、当該部位の管内温度を
検出するための第２の温度検出部５８が設けられてお
り、取得した温度検出値を制御部６に送信する構成とさ
れている。また接続部位Ｐ１の上流側には、例えば減圧
乾燥時において排気管５内を流れる溶剤蒸気が開口部４
８から接続部位Ｐ１に至るまでの間に結露することを防
ぐため、温度調節手段をなすテープヒータ５９が設けら
れている。そして電極５７（５７ａ，５７ｂ）は交流発
振部からなる第１の電力供給部６１と、テープヒータ５
９は第２の電力供給部６２と夫々接続されており、詳細
は後述するが、制御部６から夫々の出力調整を行うよう
に構成されている。Downstream of the connecting portion P1, for example, the connecting portion P
At a position near 1 is a pair of electrodes 57 (57) for applying an AC voltage to the mixed gas of the inert gas and the solvent vapor.
a, 57b) are provided. On the other hand, on the upstream side (closed container 40 side) of the connection part P1, a second temperature detection part 58 for detecting the temperature inside the pipe of the part is provided, and the acquired temperature detection value is provided to the control part 6. It is configured to send. On the upstream side of the connection portion P1, for example, solvent vapor flowing in the exhaust pipe 5 at the time of reduced pressure drying is opened 4
A tape heater 59, which serves as a temperature adjusting means, is provided in order to prevent dew condensation during the period from 8 to the connecting portion P1. The electrodes 57 (57a, 57b) are connected to the first power supply unit 61 including an AC oscillating unit and the tape heater 5.
Reference numerals 9 are respectively connected to the second power supply section 62, and the details of which will be described later are configured so that the control section 6 adjusts the respective outputs.

【００２０】次に上述実施の形態の作用について説明す
る。先ずカセットＣがカセットステーション２１に搬入
されると、受け渡しアーム２３によりウエハＷが取り出
される。そしてウエハＷは受け渡しアーム２３から棚ユ
ニットＵ２中の受け渡しユニット２８を介して主搬送手
段２５へと受け渡され、塗布ユニット３内に搬入されて
既述のようにして表面全体に塗布液が塗布される。Next, the operation of the above embodiment will be described. First, when the cassette C is loaded into the cassette station 21, the transfer arm 23 takes out the wafer W. Then, the wafer W is transferred from the transfer arm 23 to the main transfer means 25 via the transfer unit 28 in the shelf unit U2, carried into the coating unit 3 and coated with the coating liquid on the entire surface as described above. To be done.

【００２１】しかる後ウエハＷは、主搬送手段２５にて
減圧乾燥ユニット４へと搬送される。減圧乾燥ユニット
４へのウエハＷの搬入は、先ず蓋体４２が上昇した状態
で主搬送手段２５のウエハ搬送アーム１００が載置部４
１の上方まで進入し、リフトピン４４を上昇させて該ア
ームからウエハＷを受け取った後、このリフトピン４４
を下降させて行う。その後、蓋体４２を下降させて密閉
容器４０を構成し、ヒータ４７にて例えば５０℃程度に
ウエハＷを加熱すると共にバルブＶ１を開いて減圧ポン
プ５１により密閉容器４０内の吸引を開始し、ウエハＷ
の置かれる雰囲気を溶剤が沸点に至るよりも少し高い圧
力例えば３５０Ｐａの減圧雰囲気とする。これによりウ
エハＷ表面上に塗布された塗布液中の溶剤が激しく揮発
し、揮発した溶剤蒸気は整流部材４９に当たって径方向
に均等に広がり、排気流と共に開口部４８を介して排気
管５へと向かう。Thereafter, the wafer W is transferred to the reduced pressure drying unit 4 by the main transfer means 25. When the wafer W is loaded into the reduced-pressure drying unit 4, first, the wafer transfer arm 100 of the main transfer means 25 is placed on the mounting portion 4 with the lid 42 raised.
1 above and lifts the lift pin 44 to receive the wafer W from the arm.
Down. After that, the lid 42 is lowered to form the closed container 40, the heater 47 heats the wafer W to, for example, about 50 ° C., the valve V1 is opened, and the vacuum pump 51 starts suction in the closed container 40. Wafer W
The atmosphere in which is placed is a reduced pressure atmosphere at a pressure slightly higher than the boiling point of the solvent, for example, 350 Pa. As a result, the solvent in the coating liquid applied on the surface of the wafer W is volatilized violently, and the vaporized solvent vapor hits the rectifying member 49 and spreads in the radial direction evenly, and flows into the exhaust pipe 5 through the opening 48 together with the exhaust flow. Go to

【００２２】ここで便宜上、排気管５を三区分に分け、
図６に示するように接続部位Ｐ１よりも上流側を区間
Ａ、接続部位Ｐ１から電極５７設置個所までの間を区間
Ｂ、電極５７から下流側を区間Ｃと呼ぶものとすると、
区間Ａではテープヒータ５９によって排気管５内におい
て溶剤蒸気が結露しない程度まで加熱されており、密閉
容器から流入してきた溶剤蒸気は管内に付着することな
く区間Ｂへと向かう。このとき制御部６は、第２の温度
検出部５８を介して温度検出値の監視を行っており、例
えば溶剤蒸気が一定温度に保たれるように第２の電力供
給部６２を介してテープヒータ５９の温度調整を行う。Here, for convenience, the exhaust pipe 5 is divided into three sections,
As shown in FIG. 6, when the upstream side of the connection portion P1 is referred to as a section A, the section from the connection portion P1 to the installation location of the electrode 57 is referred to as a section B, and the downstream side from the electrode 57 is referred to as a section C.
In the section A, the tape heater 59 heats the solvent vapor in the exhaust pipe 5 to such an extent that dew condensation does not occur, and the solvent vapor flowing from the closed container goes to the section B without adhering to the pipe. At this time, the control unit 6 monitors the temperature detection value via the second temperature detection unit 58 and, for example, the tape via the second power supply unit 62 so that the solvent vapor is kept at a constant temperature. The temperature of the heater 59 is adjusted.

【００２３】その一方で、制御部６では第１の温度検出
部５６から得られる区間Ｂにおける管内温度、及び流量
計５２から得られる排気流量の検出値に基づいて不活性
ガス供給部５５、ガス温調部５４及び流量調節部５２ａ
の制御が行われ、その結果ガス配管５３から例えば溶剤
蒸気が区間Ｂにおいても結露しないように温度調節され
たＮ2ガスが適当な流量で供給される。これに伴い流量
調節部５２ａではオフセット分即ちＮ2ガスの供給分だ
け排気流量が増加するように開度の調節（開く）が行わ
れ、結果として排気流量は一定に保たれる。On the other hand, in the control unit 6, the inert gas supply unit 55, the gas, and the inert gas supply unit 55 based on the detected value of the exhaust gas flow rate obtained from the flowmeter 52 in the section B obtained from the first temperature detection unit 56. Temperature controller 54 and flow controller 52a
Is controlled, and as a result, for example, N2 gas whose temperature is adjusted so that solvent vapor does not condense in the section B is supplied from the gas pipe 53 at an appropriate flow rate. Along with this, the flow rate adjusting unit 52a adjusts (opens) the opening so that the exhaust flow rate increases by the offset amount, that is, the supply amount of the N2 gas, and as a result, the exhaust flow rate is kept constant.

【００２４】こうしてＮ2ガスと溶剤蒸気とは区間Ｂに
て混じり合うこととなるが、その混合度合いが十分でな
いこともあることから、これら混合気体に対して第１の
電力供給部６１及び電極５７（５７ａ，５７ｂ）による
交流電圧の印加が行われる。これは、本実施の形態にて
用いる高沸点シンナーが極性を有することから当該シン
ナー分子に交流電圧を印加して振動させ、この振動によ
り両者の気体同士を十分に混合させようというものであ
る。即ち電極５７（５７ａ，５７ｂ）間に電圧を印加す
ると、例えば図７に示すようにシンナー分子σ+が電極
５７ａ，５７ｂ間を振動し、これによりシンナー分子σ
+とＮ2分子との衝突頻度が高まり、結果として混合気体
が全体的に均一化すると共に当該部位における管内温度
も上昇する。制御部６では混合気体が十分に混じり合
い、且つ区間Ｃにおいて溶剤成分が結露することがない
ように第１の電力供給部６１の制御を行う。具体的には
例えば区間Ｂに設けた第１の温度検出部５６に加えて、
電極５７（５７ａ，５７ｂ）を挟むように区間Ｃに図示
しない温度検出部を設けておき、各温度検出手段にて得
る温度検出値に基づいて区間Ｂにおける混合気体の温度
（管内温度）よりも区間Ｃにおける混合気体の温度の方
が高くなるように制御を行うことが好ましい。In this way, the N 2 gas and the solvent vapor are mixed in the section B, but the degree of mixing may not be sufficient, so the first power supply section 61 and the electrode 57 for these mixed gases are present. The alternating voltage is applied by (57a, 57b). This is because the high-boiling thinner used in the present embodiment has polarity, so that an AC voltage is applied to the thinner molecule to cause it to vibrate, and this vibration allows the two gases to be sufficiently mixed. That is, when a voltage is applied between the electrodes 57 (57a, 57b), the thinner molecule σ + vibrates between the electrodes 57a, 57b as shown in FIG.
The frequency of collision between + and N2 molecules is increased, and as a result, the mixed gas is made uniform as a whole and the temperature inside the tube at the relevant portion is also increased. The control unit 6 controls the first power supply unit 61 so that the mixed gas is sufficiently mixed and the solvent component is not condensed in the section C. Specifically, for example, in addition to the first temperature detection unit 56 provided in the section B,
A temperature detection unit (not shown) is provided in the section C so as to sandwich the electrode 57 (57a, 57b), and the temperature of the mixed gas (tube temperature) in the section B is lower than the temperature of the mixed gas in the section B based on the temperature detection value obtained by each temperature detection unit. It is preferable to perform control so that the temperature of the mixed gas in the section C is higher.

【００２５】こうして、溶剤蒸気は排気管５の下流側に
設けられる図示しない捕集手段に回収され、密閉容器４
０内ではウエハＷ表面が短時間で乾燥される。乾燥処理
終了後には図示しないガス供給源を介して例えば乾燥し
た空気や窒素ガスなどで密閉容器４０内をパージし、密
閉容器４０内を大気圧に戻す。そして蓋体４２を上昇さ
せ、減圧乾燥ユニット４への搬入時と逆順の工程を経て
ウエハＷは主搬送手段２５により搬出される。In this way, the solvent vapor is collected by the collecting means (not shown) provided on the downstream side of the exhaust pipe 5, and the closed container 4
Within 0, the surface of the wafer W is dried in a short time. After the completion of the drying process, the inside of the closed container 40 is purged with, for example, dry air or nitrogen gas via a gas supply source (not shown), and the inside of the closed container 40 is returned to atmospheric pressure. Then, the lid 42 is raised, and the wafer W is unloaded by the main transfer means 25 through the steps reverse to the steps of loading into the reduced pressure drying unit 4.

【００２６】これまで述べてきたように本実施の形態に
よれば、減圧乾燥時に排気管５内へ温度調節したＮ2ガ
スを供給することで、塗布液から揮発する溶剤蒸気の温
度コントロールをしているため、従来よりも少ないコス
トで排気管５内における溶剤蒸気の結露を抑え、且つ乾
燥処理を迅速に行うことができる。加えて、排気管５内
における溶剤の結露を防ぐことで排気流量のばらつきを
抑えられるため、処理を繰り返して行っても毎回処理の
開始から終了に至るまで安定した排気流量を維持するこ
とができ、結果としてウエハＷのロット間の品質が均一
化する。As described above, according to the present embodiment, the temperature of the solvent vapor volatilized from the coating liquid is controlled by supplying the temperature-controlled N2 gas into the exhaust pipe 5 during the drying under reduced pressure. Therefore, the dew condensation of the solvent vapor in the exhaust pipe 5 can be suppressed and the drying process can be performed quickly at a lower cost than before. In addition, since the dew condensation of the solvent in the exhaust pipe 5 is prevented, the variation in the exhaust gas flow rate can be suppressed, so that the stable exhaust gas flow rate can be maintained from the start to the end of each process even if the process is repeated. As a result, the lot-to-lot quality of the wafer W becomes uniform.

【００２７】また本実施の形態では、不活性ガスを排気
管５の途中から供給しているため、排気管５とガス配管
５３との接続部位Ｐ１よりも上流側で溶剤蒸気が結露す
るおそれが生じるが、当該部位はテープヒータ５９にて
温度調節可能とされているため、溶剤蒸気は排気管５の
いずれの部位でも結露しにくい。「発明が解決しようと
する課題」でも述べたように、このテープヒータ５９は
コスト的な問題があるものの、本実施の形態では密閉容
器４０からガス配管５３の接続部位Ｐ１までの一定区間
でのみ使用しているため、全体的にみればコストは低く
済む。Further, in the present embodiment, since the inert gas is supplied from the middle of the exhaust pipe 5, there is a possibility that the solvent vapor may condense on the upstream side of the connecting portion P1 between the exhaust pipe 5 and the gas pipe 53. Although generated, the temperature of the relevant portion can be adjusted by the tape heater 59, so that the solvent vapor does not easily condense at any portion of the exhaust pipe 5. As described in "Problems to be Solved by the Invention", although the tape heater 59 has a cost problem, in the present embodiment, only in a certain section from the closed container 40 to the connection portion P1 of the gas pipe 53. Since it is used, the overall cost is low.

【００２８】更に排気管５の接続部位Ｐ１より下流側に
電極５７（５７ａ，５７ｂ）を設け、溶剤蒸気とＮ2ガ
スとの混合気体に交流電界を印加しているため、溶剤分
子とＮ2分子との衝突を促進させ、当該混合気体の均一
性を高めることができ、その上両分子同士の衝突頻度を
コントロールすることで混合気体の温度調節も可能であ
るため、より確実に溶剤蒸気の結露を防止することがで
きる。Further, electrodes 57 (57a, 57b) are provided on the downstream side of the connection portion P1 of the exhaust pipe 5, and an AC electric field is applied to the mixed gas of the solvent vapor and the N2 gas. Of the solvent mixture can be promoted, the homogeneity of the gas mixture can be enhanced, and the temperature of the gas mixture can be adjusted by controlling the frequency of collision of both molecules. Can be prevented.

【００２９】なお、溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体
に電界を印加する手法は、溶剤分子が極性を有するもの
であることに着目したものであるため、同様に極性を有
するものであれば高沸点シンナーを用いた場合のみなら
ず、他の極性を有する溶剤を用いた塗布液を塗布した基
板を乾燥する装置においても有効である。また第１の電
力供給部６１に接続する電極５７の設置形態は、上述実
施の形態に示した如く（図４〜図６参照）いわば排気管
５を挟むようなものに限られず、例えば一対の電極を排
気方向に並べて設けても構わない。具体的には、例えば
一対のメッシュ状の電極を用意し、これを排気方向に対
向させるようにして排気管５内に設けたものを挙げるこ
とができる。更にまた、第１の電力供給部６１に接続す
る電極５７を一つとし、他方をアースに接続する構成と
してもよい。The method of applying an electric field to a mixed gas of solvent vapor and an inert gas focuses on the fact that the solvent molecules have polarities. It is effective not only in the case of using a high boiling thinner, but also in an apparatus for drying a substrate coated with a coating solution using a solvent having another polarity. Further, the installation form of the electrodes 57 connected to the first power supply unit 61 is not limited to the one in which the exhaust pipe 5 is sandwiched, as shown in the above-described embodiment (see FIGS. 4 to 6). The electrodes may be arranged side by side in the exhaust direction. Specifically, for example, a pair of mesh electrodes may be prepared and provided in the exhaust pipe 5 so as to face each other in the exhaust direction. Furthermore, the number of electrodes 57 connected to the first power supply unit 61 may be one, and the other may be connected to the ground.

【００３０】また、排気管５に不活性ガスを供給する場
所（例えばＰ１）は、溶剤蒸気が排気管５の外部雰囲気
からの影響を受けやすい箇所よりも上流側であれば、い
ずれの部位であってもよく、例えばガス配管５３を密閉
容器４０に接続して密閉容器４０の内部から排気管５側
へ温度調節した不活性ガスを送り込むようにしてもよ
い。更に不活性ガスの種類はＮ2ガスに限定されるもの
ではなく、例えば乾燥空気であってもよい。The place where the inert gas is supplied to the exhaust pipe 5 (for example, P1) is located at any position as long as it is upstream of the place where the solvent vapor is easily influenced by the external atmosphere of the exhaust pipe 5. Alternatively, for example, the gas pipe 53 may be connected to the closed container 40 to send the temperature-controlled inert gas from the inside of the closed container 40 to the exhaust pipe 5 side. Furthermore, the type of inert gas is not limited to N2 gas, and may be dry air, for example.

【００３１】[0031]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、減圧乾燥
装置において迅速且つ安定したペースで乾燥処理を行う
ことができる。更にはロット間における製品の均一性が
向上する。As described above, according to the present invention, it is possible to perform a drying process in a reduced pressure drying apparatus quickly and at a stable pace. Furthermore, the uniformity of the product between lots is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に係る減圧乾燥装置を組み込んだ塗布膜
形成装置の全体構造を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall structure of a coating film forming apparatus incorporating a reduced pressure drying apparatus according to the present invention.

【図２】上記塗布膜形成装置の全体構造を示す斜視図で
ある。FIG. 2 is a perspective view showing the overall structure of the coating film forming apparatus.

【図３】上記塗布膜形成装置に組み込まれる塗布ユニッ
トについて示す概略説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view showing a coating unit incorporated in the coating film forming apparatus.

【図４】本発明に係る減圧乾燥装置の実施の形態を示す
縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of a reduced pressure drying apparatus according to the present invention.

【図５】本実施の形態の作用を示す作用説明図である。FIG. 5 is an operation explanatory view showing the operation of the present embodiment.

【図６】本実施の形態の作用を示す作用説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory view showing the operation of the present embodiment.

【図７】従来発明における減圧乾燥装置を説明する概略
断面図である。FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating a reduced pressure drying apparatus according to a conventional invention.

【符号の説明】 Ｗ 半導体ウエハ ３ 塗布ユニット ４ 減圧乾燥ユニット ４０ 密閉容器 ４１ 載置部 ４７ ヒータ ５ 排気管（排気路） ５１ 減圧ポンプ ５２ 流量計 ５２ａ 流量調節部 ５３ ガス配管 ５４ ガス温調部 ５５ 不活性ガス供給部 ５６ 第１の温度検出部 ５７（５７ａ，５７ｂ） 電極 ６ 制御部 ６１ 第１の電力供給部 ６２ 第２の電力供給部[Explanation of symbols] W semiconductor wafer 3 coating unit 4 reduced pressure drying unit 40 airtight container 41 Placement section 47 heater 5 Exhaust pipe (exhaust path) 51 Decompression pump 52 Flowmeter 52a Flow rate controller 53 gas piping 54 Gas temperature controller 55 Inert gas supply section 56 First Temperature Detector 57 (57a, 57b) electrodes 6 control unit 61 First Power Supply Unit 62 Second power supply unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北野 高広 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 4D075 BB24Z BB56Z BB57Z BB93Z CA23 DA06 DB13 DC22 DC24 EA07 5F045 AC15 BB02 BB08 DQ17 EB08 EB19    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Takahiro Kitano             TBS release, 5-3-6 Akasaka, Minato-ku, Tokyo             Sending Center Tokyo Electron Limited F-term (reference) 4D075 BB24Z BB56Z BB57Z BB93Z                       CA23 DA06 DB13 DC22 DC24                       EA07                 5F045 AC15 BB02 BB08 DQ17 EB08                       EB19

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてな
る塗布液を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗
布液から溶剤の除去を行う減圧乾燥装置において、 基板を載置する載置部を内部に備える密閉容器と、 この密閉容器に排気路を介して接続され、当該密閉容器
内を減圧雰囲気とすることで基板上の塗布液から溶剤を
揮発させる減圧排気手段と、 この減圧排気手段によって基板上の溶剤を揮発させると
き、塗布液から揮発した溶剤蒸気が前記排気路内で結露
することがないように、温度調節した不活性ガスを前記
排気路に供給する不活性ガス供給手段と、を備えること
を特徴とする減圧乾燥装置。1. A substrate is placed in a reduced-pressure drying apparatus for drying a substrate coated with a coating liquid, which is a mixture of a coating film component and a solvent, under reduced pressure and removing the solvent from the coating liquid. A closed container having a mounting portion inside, a reduced pressure exhaust unit connected to the closed container via an exhaust passage, and a reduced pressure exhaust unit for evaporating the solvent from the coating liquid on the substrate by creating a reduced pressure atmosphere in the closed container; When the solvent on the substrate is volatilized by the decompression exhaust means, an inert gas whose temperature is controlled is supplied to the exhaust passage so that the solvent vapor evaporated from the coating liquid does not condense in the exhaust passage. A reduced-pressure drying apparatus comprising: a supply unit. 【請求項２】 不活性ガスは、不活性ガス供給手段から
排気路の途中に接続されるガス配管を介して排気路内に
供給されることを特徴とする請求項１記載の減圧乾燥装
置。2. The reduced pressure drying apparatus according to claim 1, wherein the inert gas is supplied from the inert gas supply means into the exhaust passage through a gas pipe connected in the middle of the exhaust passage. 【請求項３】 排気路における当該排気路とガス配管と
の接続部位よりも上流側の部分には、当該部位を流れる
溶剤蒸気が結露することを防ぐための温度調節手段が設
けられることを特徴とする請求項１または２記載の塗布
膜形成装置。3. A temperature adjusting means for preventing dew condensation of a solvent vapor flowing in the exhaust passage is provided at a portion upstream of a connection portion between the exhaust passage and the gas pipe. The coating film forming apparatus according to claim 1 or 2. 【請求項４】 不活性ガスは、密閉容器を介して排気路
内に供給されることを特徴とする請求項１記載の減圧乾
燥装置。4. The reduced pressure drying apparatus according to claim 1, wherein the inert gas is supplied into the exhaust passage through a closed container. 【請求項５】 排気路内に交流電界を印加するための電
力供給部を備え、溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体に
対して交流電界を印加することで各々の分子同士の衝突
頻度を増加させることを特徴とする請求項１ないし４の
いずれかに記載の塗布膜形成装置。5. An electric power supply unit for applying an AC electric field in the exhaust passage is provided, and by applying the AC electric field to a mixed gas of solvent vapor and an inert gas, the collision frequency of each molecule is determined. The coating film forming apparatus according to claim 1, wherein the coating film forming apparatus increases the number. 【請求項６】 排気路内におけるガス流量を検出するた
めのガス流量検出部と、 前記排気路における排気流量を調節する流量調節部と、 前記排気路における排気流量が一定値に維持されるよう
に、前記ガス流量検出部にて検出されるガス流量検出値
に基づいて前記流量調節部の制御を行う制御部と、を備
えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記
載の減圧乾燥装置。6. A gas flow rate detecting unit for detecting a gas flow rate in the exhaust passage, a flow rate adjusting unit for adjusting the exhaust flow rate in the exhaust passage, and an exhaust flow rate in the exhaust passage being maintained at a constant value. 6. The decompression according to claim 1, further comprising: a control unit that controls the flow rate adjusting unit based on a gas flow rate detection value detected by the gas flow rate detecting unit. Drying device. 【請求項７】 塗布膜の成分と溶剤とを混ぜ合わせてな
る塗布液を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗
布液から溶剤の除去を行う減圧乾燥装置において、 前記塗布液が塗布された基板を、減圧乾燥装置に設けら
れる密閉容器内に載置する工程と、 減圧排気手段から排気路を介して排気を行うことで前記
密閉容器内を減圧雰囲気とし、基板に塗布された塗布液
中の溶剤を揮発させる工程と、 揮発した溶剤蒸気が前記排気路内で結露しないように、
温度調節された不活性ガスを前記溶剤蒸気に混合する工
程と、を含むことを特徴とする減圧乾燥方法。7. A reduced pressure drying apparatus for drying a substrate coated with a coating liquid prepared by mixing components of a coating film and a solvent under reduced pressure to remove the solvent from the coating liquid, wherein the coating liquid is coated. A step of placing the thus-prepared substrate in a closed container provided in a reduced pressure drying device, and applying a coating to the substrate by creating a reduced pressure atmosphere in the closed container by exhausting air from a reduced pressure exhaust means through an exhaust passage. The step of volatilizing the solvent in the liquid and the vaporized solvent vapor should be prevented from dew condensation in the exhaust passage.
A step of mixing a temperature-controlled inert gas with the solvent vapor, and a reduced pressure drying method.