JP2003259232A - 撮像装置およびシステム - Google Patents
撮像装置およびシステムInfo
- Publication number
- JP2003259232A JP2003259232A JP2002057579A JP2002057579A JP2003259232A JP 2003259232 A JP2003259232 A JP 2003259232A JP 2002057579 A JP2002057579 A JP 2002057579A JP 2002057579 A JP2002057579 A JP 2002057579A JP 2003259232 A JP2003259232 A JP 2003259232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- unit
- photoelectric conversion
- refractive index
- imaging device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 102100036738 Guanine nucleotide-binding protein subunit alpha-11 Human genes 0.000 description 1
- 101100283445 Homo sapiens GNA11 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Blocking Light For Cameras (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
像を形成する撮像装置を提供する。 【解決手段】 被写体からの光をマイクロレンズ2で集
め、集めた光を屈折部8を通じて光電変換部3へ送り、
光電変換部3で電気信号に変換することによって被写体
を撮像する撮像装置において、マイクロレンズ2と屈折
部8との間に、特定の波長の光を選択的に透過すると共
に他の波長の光を反射する凸状の波長選択部4r、4g
と、波長選択部4r、4gで反射された光を隣接する光
電変換部3の屈折部に向けて反射する反射部5とを備え
る。
Description
ステムに関し、特に、被写体像からの光の利用効率を上
げた撮像装置およびシステムのに関するものである。
像装置として、図7に示す構造のものがある。
図である。図7において、2は外部からの光束を集光し
て光束の取り込み効率を上げる役目を果たすマイクロレ
ンズ、41はマイクロレンズ2で集光された光束を波長
分離するカラーフィルタ、11は各部間の結線および出
力線の役割を果たすAL1配線層、12はウェル電源線
および制御線の役割を果たすAL2配線層、13は遮光
および電源線の役割を果たすAL3配線層、10は光電
変換部の電荷を制御するゲートの役割を果たすPoly
配線層、3がPoly配線層10の下に形成されており
光信号を電気信号に変換する画素、1は画素3が形成さ
れる基板である。
r、41g、41bに大別しており、それぞれR(赤
色)G(緑色)B(青色)の原色フィルタを指してい
る。また、色フィルタとしてはC(シアン)M(マゼン
ダ)Y(イエロー)の3色を用いた補色フィルタという
ものもある。
した電気信号の信号処理で画素数に相当する輝度情報と
色情報とを作り出されている。
様子を示す平面図である。なお、カラーフィルタ配列は
ベイヤー配列としている。図8において、61mngは
第1の緑色の画素、61mnbは青色の画素、61mn
rは赤色の画素、61mng2は第2の緑色の画素であ
る。mは横方向の画素の配列番号を示し、nは縦方向の
画素の配列番号を示している。これらが図8に示すよう
に規則正しく配置することにより一つの撮像装置を構成
する。
が備えられた画素が、青色、赤色のフィルタが備えられ
た画素に比べて2倍の画素数が必要となる。基本的には
3色が同数ずつあればカラーの画像を作り出すことが可
能であるが、比較的視感度の高い緑色の画素を増やすこ
とで画質を向上させている。
次のような問題点が存在する。すなわち、カラーフィル
タを用いた場合の光束の利用効率に関して考えると、例
えば、色再現性がよいとされる原色フィルタ付きの画素
をモザイク状に配置したCCD撮像装置では、R(赤
色)G(緑色)B(青色)の光学フィルタがマイクロレ
ンズ2と画素3との間に一つずつ配置される。
素では赤色光のみが光電変換され青色光や緑色光は光学
フィルタで吸収されて熱となる。緑色の光学フィルタを
配した画素では同様に青色光と赤色光が光電変換されず
に熱となり、青色の光学フィルタを配した画素では同様
に緑色光と赤色光が光電変換されずに熱となる。
では、入射する光束のうち所定の光学フィルタを透過し
た光のみを光電変換し、電気信号として出力するので、
その光学フィルタを透過できなかった光は熱などに変換
され、画素3に到達しない。
透過率特性を示す図である。赤外線の透過率が高いの
で、実際には撮像装置と撮影レンズとの間にさらに65
0nm以上の波長を遮断する赤外線カットフィルタが重
ねて用いられる。これより分かるように、1画素の中で
は可視光のうちのおよそ1/3だけが有効に用いられ
る。
えれば、例えば図8に示すベイヤー配列のカラー撮像装
置のRGB画素面積比率は、規則的配列を構成する1単
位の面積を1としたとき、1/4:2/4:1/4であ
るので、全体の光量を1としたときの緑色光の利用割合
は波長選択性の項と面積比率の項の積として1/3×2
/4=1/6、赤色光と青色光が1/3×1/4=1/
12、合計すれば1/6+1/12+1/12=1/3
で、やはり利用効率1/3ということになる。
うち緑色光で2/3×2/4=1/3が、赤色光や青色
光で2/3×1/4=1/6が有効に利用されないこと
になる。
撮像装置で説明を行ったが、補色フィルタを用いた撮像
装置では、可視光のうちのおよそ1/3が光電変換され
ず、有効に利用されない。このように、原色系・補色系
のいずれにしても従来型の単板式撮像装置ではカラーフ
ィルタで撮像面を分割していることが起因して光利用効
率は悪い。
いることなく、カラー画像を形成する撮像装置を提供す
ることを課題とする。
に、本発明は、被写体からの光をマイクロレンズで集
め、当該集めた光を光電変換部へ送り、前記光電変換部
で電気信号に変換することによって被写体を撮像する撮
像装置において、前記マイクロレンズと屈折部との間
に、特定の波長の光を選択的に透過すると共に他の波長
の光を反射する波長選択部と、前記波長選択部で反射さ
れた光を隣接する光電変換部に向けて反射する反射部と
を備え、前記反射部で反射された光が前記波長選択部で
結像するように構成されていることを特徴とする。
射光束径が最小にして、反射光をより効率よく光電変換
部に導くようにしている。
像装置を備えることを特徴とする。
図面を用いて説明する。
の実施形態の撮像装置の一部の模式的な断面図である。
図1において、2は外部からの光束を集光して光束の取
り込み効率を上げる役目を果たすマイクロレンズ、4
(4r,4g)は光束を波長分離するための波長選択部
であるダイクロイック膜、5,6はそれぞれ第1,第2
の屈折率層、5iは第1,第2の屈折率層5,6の界
面、7〜9は第1〜第3の屈折率部、10は光電変換部
の電荷を制御するゲートの役割を果たすPoly配線
層、11は各部間の結線および出力線の役割を果たすA
L1配線層、12はウェル電源線および制御線の役割を
果たすAL2配線層、13は遮光および電源線の役割を
果たすAL3配線層、10は光電変換部の電荷を制御す
るゲートの役割を果たすPoly配線層、3がPoly
配線層10の下に形成されており光信号を電気信号に変
換する光電変換部、1は光電変換部3が形成されるシリ
コンウエハ、100は上記各部を備える素子部である。
高さをt1、第1の屈折率層5の屈折率をn2、高さをt
2、第2の屈折率層6の屈折率をn3、第1の屈折率層5
と第2の屈折率層6との界面5iとダイクロイック膜4
の頂点4Pとの距離をt3、ダイクロイック膜4の傾斜
面の角度をθ、一つの素子部の大きさ(ピッチ)をPと
している。
いはハニカム構造のように60度になるように配列して
いる。
あり正のレンズパワーを有する。
成しており、例えば屈折率1.38のフッ化マグネシウ
ム(MgF2)などを用いる。
成しており、例えば屈折率2.5の二酸化チタン(Ti
O2)などを用いる。
折率層5へと進む光束はその界面で全反射しやすくな
る。
酸化ケイ素(SiO2)やフッ化マグネシウムといった
低屈折率の材料で成形している。
束は、第3の屈折率部9との界面で全反射しやすくなる
ため、光電変換部3に至るまでの導光路の役割を果た
す。
の界面で全反射しないようにする必要があるため、第2
の屈折率部6と同じかそれよりも低い屈折率の材料で成
形している。但し、第2の屈折率層6との屈折率差があ
まり大きくない方が望ましいため、例えば屈折率2.0
である窒化シリコン(SiN)などを用いる。
ている面に形成している。このため、反射した光束は中
心より外側に方向を変えて進行する。
る波長λの1/4の整数倍の膜厚で高屈折率の物質と低
屈折率の物質とを交互に積層することによって形成され
たものである。このような構造により透過光束の波長を
選択することができるようになる。
例を示す図である。高屈折率の材料として二酸化チタ
ン、低屈折率の材料として二酸化ケイ素を用いている。
これらの積層膜はPVD(Physical Vapor Depositio
n)を用いることによって容易に作成している。
透過特性を示す図である。図6に示すように、図5に示
すダイクロイック膜4の特性は、色素を用いたカラーフ
ィルタの特性に近い特性である。
カラーフィルタを用いても光電変換部3への光の到達量
は同様である。
ついて説明する。
ける光束について説明する。撮像装置に光照射した光
は、図示しない撮影レンズで光束120に変換され、マ
イクロレンズ2へ入射して集光作用を受ける。つぎに、
集められた光は、第1の屈折率層5、第2の屈折率層6
と順に入射してダイクロイック膜4gへと到達する。
だけを選択的に透過するので、ダイクロイック膜4gへ
到達した光は、第1の屈折率部7へ入射する。そして、
その光は第2の屈折率部8へ進行し、第3の屈折率部9
との界面で全反射を繰り返しながら、光電変換部3へと
導かれる。つぎに、ダイクロイック膜4において反射作
用を受ける光束について説明する。
たときの撮像装置内の波長選択部で反射された光の光路
を示す図である。なお、図2において、図1に示した部
分と同様の部分には同一符号を付している。
の手順は上記透過光の場合と同様である。ダイクロイッ
ク膜4gに入射した光束のうち、緑色光以外の光、つま
り赤色光および青色光は、ダイクロイック膜4gの反射
作用を受ける。
折率層5よりも高屈折率であるため臨界角以上の光束は
その界面5iで全反射作用を受けることになる。界面で
全反射した光束はダイクロイック膜4r方向に向いて隣
接した素子部である赤色光を受光する素子部100
ijr,100j+1、jrに向かって進行する。
クロイック膜4rは、赤色光を透過して緑色光と青色光
を反射する。従って素子部100ijgより反射してきた
光束のうち赤色光のみが透過して青色光はダイクロイッ
ク膜4rによって反射作用を受ける。
垂直方向に進むため図示していないが,紙面と垂直方向
で素子部100ijgに隣接した素子部に向かって進行す
る。反射光束が透過するダイクロイック膜4rは膜厚分
だけ透過できる面積が小さいが、マイクロレンズ2の集
光作用によりダイクロイック膜4gに入射する光束の面
積(反射光の面積)はマイクロレンズ2の開口面積に比
べて小さくしている。
を透過し、第1の屈折率部7、第2の屈折率部8と順に
進行する。続いて第2の屈折率部8から第3の屈折率部
9へ進行しようとするが、これも前述の通り、第2の屈
折率部8は第3の屈折率部9よりも高屈折率であるた
め、臨界角以上の光束は界面で全反射をする。
で形成されているため、一度目の全反射によって光電変
換部3に入射しなかった光束は再び反対側の界面で全反
射して最終的にはすべて光電変換部3へと入射すること
になる。
向には青色光を受光する素子部が存在する。これも赤色
の場合と同様に、素子部100ijgで反射された光束の
うち青色光のみを取り込む。
射光を効率よく光電変換部に導くように、マイクロレン
ズを構成する。そのためには以下の条件が必要である。
6の界面5iでの全反射光が、隣接した素子部のダイク
ロイック面に再入射する。
θとダイクロイック膜4Pと界面5iの距離t3によっ
て決まる。
拡大図である。図3に示す通り、ダイクロイック膜4で
の反射した後に界面5iに到達するまでの水平方向の距
離をa、界面5iで反射した後、隣接したダイクロイッ
ク膜に到達するまでの水平方向の距離をbとしたとき
に、
5iで全反射した後に隣接したダイクロイック面に再入
射することになり、条件1が満たされる。
(1)式に代入して、t3で解くと、
い。
イック膜(波長選択部)近傍で狭くなっている。つま
り、マイクロレンズを通過した光束の集光位置が、波長
選択部近傍にある。
をfとしたときに、
よび屈折率から光路長を求め、(5)式に代入すること
でマイクロレンズの高さを求めると以下のようになる。
1/2≦m≦5/4を満足する値である。また、波長選
択部に再入射した後の屈折率層(つまり、第1の屈折率
部7)の屈折率n4は、屈折率n3と大きく異ならない
ため、(8)式では、n3とおきかえている。
成では、条件1の(2)式より、t3を求めて、t3=
0.5μmとし、条件2よりm=1のときには、t1=
3.14μmとなる。
長選択部近傍になるように、マイクロレンズの曲率を規
定すると、反射光を効率よく光電変換部に導くことがで
きる。
の実施形態の撮像装置の一部の模式的な断面図である。
図4において、図1に示した部分と同様の部分には同一
の符号を付している。
側に凹状球面形状としている。
マイクロレンズ2の高さをt1、第1の屈折率層5の屈
折率をn2、光電変換部で決まる中心軸3c上におけ
る,第1の屈折率層5の厚さをt2、第2の屈折率層6
の屈折率をn3、界面5iとダイクロイック膜の頂点4
Pとの距離をt3、界面5iの高さをt4とする。ここ
で、第1の屈折率層の屈折率n1は第2の屈折率層の屈
折率n3より大きい値としている。
イック膜4gに入射した光束のうち緑色光以外の光つま
り、赤色光および青色光はダイクロイック膜4gで反射
して、さらに球面5iで全反射した後に、隣接する素子
部のダイクロイック膜4rに入射する。ダイクロイック
膜4rに入射した光束のうち赤色光はダイクロイック膜
4rを透過し、屈折率部7および屈折率部8を介して光
電変換部3に入射する。
ク膜4gに入射した光束のうち緑色光はダイクロイック
膜4gを透過して光電変換部3に到達する。
ク膜4rに入射した光束のうち赤色光以外の光はダイク
ロイック膜4rを反射して、球面5iで全反射した後隣
接する素子部のダイクロイック膜4gに入射する。
ち緑色光はダイクロイック膜4gを透過し、屈折率部7
および屈折率部8を介して光電変換部3に入射する。
子部100に入射した光のうち不要な波長成分の光を隣
接する素子部100の光電変換部に導くことによって光
の利用効率を向上させている。
反射した緑色光以外の波長成分の光束を全反射する界面
5iの高さt4は、界面5iで全反射した光束が隣接す
る素子部のダイクロイック膜4rに適切に入射するよう
に0<t4≦t3の関係を満足するようにしている。
過して球面5iを透過する光束に対しては負のパワーの
作用するが、球面5iを透過してダイクロイック膜4に
て反射した光束に対しては凹面鏡の役割を果たしてより
大きな正のパワーの作用をする。
光束を、隣接する素子部のダイクロイック膜4近傍に集
光する場合には、マイクロレンズ2のパワーを小さくす
ることが可能となり、結果的にマイクロレンズ2の高さ
t1を低くすることによってマイクロレンズ2を製造し
やすくしている。
0.4μm(≦t3=0.5μm)、とすることで、マイ
クロレンズ2の高さt1が2μmとなる。第1の実施形
態では、t4=0、つまり、界面5iが平坦なために、
マイクロレンズ2の高さt1が3.14μmと高くな
る。
形状とすることで、マイクロレンズ2の高さを低くする
ことができ、さらには、このような低いマイクロレンズ
2の高さの構造においても、撮像装置に入射した光束を
隣接する素子部のダイクロイック膜近傍に反射光束を集
光することを可能としている。
3の実施形態の撮像システムの構成的な構成を示すブロ
ック図である。図10において、51はレンズのプロテ
クトとメインスイッチを兼ねるバリア、52は被写体の
光学像を撮像装置54に結像させるレンズ、53はレン
ズ52を通った光量を可変するための絞り、54はレン
ズ52で結像された被写体を画像信号として取り込むた
めの撮像装置、55は撮像装置54から出力される画像
信号に各種の補正、クランプ等の処理を行う撮像信号処
理回路、56は撮像装置54より出力される画像信号の
アナログ−ディジタル変換を行うA/D変換器、57は
A/D変換器56より出力された画像データに各種の補
正を行ったりデータを圧縮する信号処理部、58は撮像
装置54,撮像信号処理回路55,A/D変換器56,
信号処理部57に各種タイミング信号を出力するタイミ
ング発生部、59は各種演算とスチルビデオカメラ全体
を制御する全体制御・演算部、60は画像データを一時
的に記憶するためのメモリ部、61は記録媒体に記録又
は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース
部、62は画像データの記録又は読み出しを行うための
半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体、63は外部コン
ピュータ等と通信するための外部インターフェース(I
/F)部である。
ルビデオカメラの動作について、説明する。バリア51
がオープンされるとメイン電源がオンされ、つぎにコン
トロール系の電源がオンし、さらに、A/D変換器56
などの撮像系回路の電源がオンされる。
制御・演算部59は絞り53を開放にし、撮像装置54
から出力された信号は、撮像信号処理回路55をスルー
してA/D変換器56へ出力される。A/D変換器56
は、その信号をA/D変換して、信号処理部57に出力
する。信号処理部57は、そのデータを基に露出の演算
を全体制御・演算部59で行う。
し、その結果に応じて全体制御・演算部59は絞りを制
御する。
をもとに、高周波成分を取り出し被写体までの距離の演
算を全体制御・演算部59で行う。その後、レンズ52
を駆動して合焦か否かを判断し、合焦していないと判断
したときは、再びレンズ52を駆動し測距を行う。
まる。露光が終了すると、撮像装置54から出力された
画像信号は、撮像信号処理回路55において補正等がさ
れ、さらにA/D変換器56でA/D変換され、信号処
理部57を通り全体制御・演算59によりメモリ部60
に蓄積される。その後、メモリ部60に蓄積されたデー
タは、全体制御・演算部59の制御により記録媒体制御
I/F部を通り半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体6
2に記録される。また外部I/F部63を通り直接コン
ピュータ等に入力して画像の加工を行ってもよい。
波長選択部近傍で反射光束径が最小となるため、反射光
をより効率よく光電変換部に導くことができる。
式的な断面図である。
装置内の光路を示す図である。
る。
式的な断面図である。
ある。
す図である。
面図である。
示す図である。
成的な構成を示すブロック図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 被写体からの光をマイクロレンズで集
め、当該集めた光を光電変換部へ送り、前記光電変換部
で電気信号に変換することによって被写体を撮像する撮
像装置において、 前記マイクロレンズと屈折部との間に、特定の波長の光
を選択的に透過すると共に他の波長の光を反射する波長
選択部と、前記波長選択部で反射された光を隣接する光
電変換部に向けて反射する反射部とを備え、前記反射部
で反射された光が前記波長選択部で結像するように構成
されていることを特徴とする撮像装置。 - 【請求項2】 前記反射部で反射された光が前記波長選
択部で結像するように、前記マイクロレンズの高さと、
前記波長選択部の頂点と前記反射部の反射面との距離
と、前記波長選択部の前記光電変換部に対する傾斜角
と、光電変換素子ピッチとを調整していることを特徴と
する請求項1記載の撮像装置。 - 【請求項3】 前記波長選択部は、ダイクロイック膜で
あることを特徴とする請求項1又は2記載の撮像装置。 - 【請求項4】 前記反射部は光電変換部側に凹状である
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の
撮像装置。 - 【請求項5】 前記屈折部は、光の入射側が広い漏斗形
状であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1
項記載の撮像装置。 - 【請求項6】 請求項1から5のいずれか1項記載の撮
像装置を備えることを特徴とする撮像システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002057579A JP4298209B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 撮像装置およびシステム |
EP03004455A EP1341235A3 (en) | 2002-02-28 | 2003-02-27 | Image pickup apparatus |
KR1020030012719A KR100553056B1 (ko) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | 촬상장치 |
US10/375,170 US7245324B2 (en) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | Image pickup apparatus for photographing an object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002057579A JP4298209B2 (ja) | 2002-03-04 | 2002-03-04 | 撮像装置およびシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003259232A true JP2003259232A (ja) | 2003-09-12 |
JP4298209B2 JP4298209B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=28667801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002057579A Expired - Fee Related JP4298209B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-03-04 | 撮像装置およびシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4298209B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201269A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2008502936A (ja) * | 2004-06-17 | 2008-01-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学分離フィルタ |
JP2010034735A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Ricoh Co Ltd | 撮像素子および画像撮像装置 |
WO2012172735A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 |
JP2014023118A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US20220397529A1 (en) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | Olympus Corporation | Observation device, reflector, and phase object observation method |
-
2002
- 2002-03-04 JP JP2002057579A patent/JP4298209B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008502936A (ja) * | 2004-06-17 | 2008-01-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学分離フィルタ |
JP4707711B2 (ja) * | 2004-06-17 | 2011-06-22 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学分離フィルタ |
US8355069B2 (en) | 2006-01-27 | 2013-01-15 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device |
JP2007201269A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP4631723B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2011-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
US8767109B2 (en) | 2006-01-27 | 2014-07-01 | Sony Corporation | Solid-state image pickup device |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2010034735A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Ricoh Co Ltd | 撮像素子および画像撮像装置 |
WO2012172735A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 |
US8902339B2 (en) | 2011-06-16 | 2014-12-02 | Panasonic Intellectual Property Corporation Of America | Solid-state imaging element and dispersing element array for improved color imaging |
JPWO2012172735A1 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 |
JP2014023118A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US20220397529A1 (en) * | 2021-06-10 | 2022-12-15 | Olympus Corporation | Observation device, reflector, and phase object observation method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4298209B2 (ja) | 2009-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100553056B1 (ko) | 촬상장치 | |
JP4652634B2 (ja) | 撮像装置 | |
KR100508068B1 (ko) | 촬상장치 | |
JP4740018B2 (ja) | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 | |
JP5619294B2 (ja) | 撮像装置及び合焦用パラメータ値算出方法 | |
JP4920839B2 (ja) | 撮像装置 | |
WO2007086155A1 (ja) | 固体撮像装置、信号処理方法及びカメラ | |
JP5956718B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP4983271B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2000151933A (ja) | 撮像素子及びその製造方法 | |
JP5554139B2 (ja) | 複合型撮像素子およびそれを備えた撮像装置 | |
JP5947217B2 (ja) | 色分離フィルタアレイ、固体撮像素子、撮像装置、および表示装置 | |
JP5532766B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP4858179B2 (ja) | 焦点検出装置および撮像装置 | |
US10276612B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system | |
JP2003258220A (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
US8860855B2 (en) | Solid-state image sensor with dispersing element that disperses light according to color component, image capture device and signal processing method | |
JP4298209B2 (ja) | 撮像装置およびシステム | |
JP2005167356A (ja) | 撮像素子 | |
JP4027116B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2004193284A (ja) | 撮像装置 | |
JP2016178341A (ja) | 撮像素子及び撮像装置 | |
JP2004128201A (ja) | 固体撮像装置及び撮像システム | |
JP4618765B2 (ja) | 撮像素子、該撮像素子を備えたデジタルカメラ | |
JP4027115B2 (ja) | 撮像素子及び撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080123 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080321 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090324 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090414 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120424 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130424 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140424 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |