JP2003258354A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光アイソレータの固定や位置決めが容易にか
つ確実に行なわれる半導体レーザモジュールを提供す
る。 【解決手段】 一領域の断面が凸形状となる凸部Ｗを有
した第２ベース５１を有し、光アイソレータ１０は、そ
の一部分が、凸部Ｗの側壁５１ａに接触するように固定
される。特に、凸部Ｗは、その側壁５１ａに光アイソレ
ータ１０が接触した状態において、光アイソレータ１０
が最適な位置に配置されるような位置に形成される。ま
た、側壁５１ａは、光アイソレータ１０との接触面とし
て利用する他にも、光アイソレータ１０の配置の基準と
なる目印として利用することもできる。さらに、光アイ
ソレータ１０の支持プレート１２は、光アイソレータの
配置時の取り扱いが容易でかつＹＡＧレーザによる溶接
が効率良く行なわれるように、側部にテーパ面を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光アイソレータを
搭載した半導体レーザモジュールに関し、特に光アイソ
レータの固定や位置決めが容易にかつ確実に行なわれる
半導体レーザモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザ素子は、通常、光ファイバ
との結合を確実に行ない、さらに安定かつ高品質なレー
ザ発振を行なうために、種々の光学部品、センサ、ペル
チェモジュール等とともに半導体レーザモジュールに封
入された形態で提供される。

【０００３】図７は、従来の半導体レーザモジュールの
構成の一例を示す縦断面図である。図７において、半導
体レーザモジュール１００は、Ｃｕ−Ｗ合金などによっ
て形成されたパッケージ１０１の内部底面上にペルチェ
モジュール６０を備えている。このペルチェモジュール
６０上には第１ベース５０ａが配置され、さらに第１ベ
ース５０ａ上には、キャリア３０、サブマウント３２、
半導体レーザ素子３４が順に配置される。

【０００４】ここで、ペルチェモジュール６０は、通電
の極性に応じて冷却および加熱を行なう素子であるが、
半導体レーザ素子３４の温度上昇による発振波長ずれを
防止するために主として冷却器として機能する。

【０００５】また、第１ベース５０ａ上には、上記した
他にもサブマウント４０と第２ベース５０ｂが配置され
る。サブマウント４０は、半導体レーザ素子３４の後端
面側（反射膜側）に配置され、その後端面側から漏れた
光をモニタ検出するためのモニタフォトダイオード４２
を設けている。一方、第２ベース５０ｂ上には、第１レ
ンズ２０および光アイソレータ１０が配置される。

【０００６】以上の構成において、半導体レーザ素子３
４から出射されたレーザ光は、第１レンズ２０および光
アイソレータ１０を介して、フェルール１０２近傍に配
置された第２レンズ７０によって集光され、光ファイバ
１０３内へと導かれる。よって、このような半導体レー
ザモジュール１００の組立てにおいては、半導体レーザ
素子３４から出射されたレーザ光と光ファイバ１０３と
の高効率な光結合を実現することが必要となり、レーザ
光の光軸を基準とした位置決め、すなわち調芯作業が重
要となる。

【０００７】ここで、光アイソレータ１０は、光ファイ
バ１０３側からの反射戻り光を低減するための光学部品
であるが、光アイソレータ１０自身の光入射面において
反射戻り光が生じてしまうという背景から、光軸に垂直
となる面に対して一定の角度を有するように配置される
ことがある。特に、その場合の光アイソレータ１０とし
て、偏向子／ファラデーローテータ／偏向子を単位とし
たアイソレート光学素子１１が、その入射面と光軸に垂
直な面との間で上記した一定の角度（例えば、４度）を
有するように封止したものが知られている。これによ
り、光アイソレータ１０の底板に位置する支持プレート
１２の端面１３と光軸とを、比較的調節しやすい９０度
という角度で位置決めするだけで、上記した光入射面の
反射戻り光の問題を解決することができる。

【０００８】また、光アイソレータ１０の支持プレート
１２を第２ベース５０ｂ上に固着させるのに、一般に
は、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネッ
ト）レーザを用いた固着方法（以下、ＹＡＧレーザ溶
接）が採用されている。その理由は、ハンダ接合と比較
して、固着範囲を高精度で制御できること、溶接時間が
短時間であること、溶接ずれが小さいことなどの利点が
あるからである。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光アイ
ソレータ１０の位置決めにおいて、上記した支持プレー
ト１２の端面１３が光軸に対して何度であるかの確認
は、結局は二次元の目視によって行なう必要があり、そ
の作業に熟練度を要するという問題があった。さらに、
そのような目視による粗配置が不正確であれば、その後
の微調節、すなわち光アイソレータ１０を透過したレー
ザ光をモニタすることによる再配置にも時間を多く要し
てしまうという問題も生じる。

【００１０】また、光アイソレータ１０を上記したＹＡ
Ｇレーザ溶接によって固着させる際に、上記した支持プ
レート１２の底面、すなわち溶接したい部分に、ＹＡＧ
レーザ光が直接照射されないため、伝熱損失が生じ、溶
接を完了するまでに無駄なエネルギーと時間が発生して
いたという問題がある。以下に、この問題について説明
する。

【００１１】図８は、上記した伝熱損失の問題を説明す
るための説明図である。特に、図８（ａ）は、図７に示
したペルチェモジュール６０上に位置する構成の平面図
を示し、図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ線断面図を示
す。なお、図８において、図７と共通する部分には同一
符号を付してその説明を省略する。

【００１２】図８（ａ）に示すように、支持プレート１
２と一体化された光アイソレータ１０は、第２ベース５
０ｂ上において、光軸９に対するアイソレート光学素子
１１の角度を調整しながら位置決めされる。位置決めさ
れると、支持プレート１２の側部１４（光軸と略平行な
側面を含んだ領域）に対して、ＹＡＧレーザ光ＬＢが照
射される。ここで、図８（ｂ）に示すように、支持プレ
ート１２の側部１４は、互いに垂直な関係にある２つの
面で構成され、ＹＡＧレーザ光ＬＢが最初に到達する位
置は、その２つの面が直交する角部分となる。

【００１３】ところが、実際に溶融したい部分は、支持
プレート１２の底面、すなわち第２ベース５０ｂに接触
する領域Ｒ１２である。そのため、その領域Ｒ１２にＹ
ＡＧレーザ光ＬＢの熱エネルギーが十分に供給されるま
でに、上記角部分から領域Ｒ１２までの領域で温度上昇
が生じる。これは、無駄な伝熱損失が生じていることを
意味し、この伝熱損失の発生はＹＡＧレーザで要求され
る出力の上昇や照射時間の増大をもたらす。これによ
り、消費電力の増加や部品の過度な加熱による破壊とい
った不利益を被るという問題が生じていた。

【００１４】本発明は上記に鑑みてなされたものであっ
て、光アイソレータを配置するベースの形状や光アイソ
レータの支持プレートの形状を工夫することによって、
光アイソレータの固定や位置決めが容易にかつ確実に行
なわれる半導体レーザモジュールを提供することを目的
とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１にかかる発明は、半導体レーザ素子と、ベ
ースと、前記ベース上に配置される光アイソレータとを
具備した半導体レーザモジュールにおいて、前記ベース
は、前記半導体レーザ素子のレーザ光に対向した側壁を
有する凸部を有し、前記光アイソレータは、前記側壁と
所定の距離関係を有した状態で固定されたことを特徴と
している。

【００１６】この発明によれば、ベース上に設けられた
凸部の側壁の位置によって定まる位置に、光アイソレー
タを配置することができる。

【００１７】また、請求項２にかかる発明は、上記発明
において、前記凸部は、前記光アイソレータが前記ベー
ス上に固定された状態で前記レーザ光の光軸の位置を越
える突出高さを有するとともに、前記レーザ光を前記光
アイソレータに入射させるための開口が設けられたこと
を特徴としている。

【００１８】また、請求項３にかかる発明は、半導体レ
ーザ素子と、ベースと、前記ベース上に配置される光ア
イソレータとを具備した半導体レーザモジュールにおい
て、前記ベースは、前記半導体レーザ素子のレーザ光に
対向した側壁を有する段差を有し、前記光アイソレータ
は、前記側壁と所定の距離関係を有した状態で固定され
たことを特徴としている。

【００１９】この発明によれば、ベース上に設けられた
段差の側壁の位置によって定まる位置に、光アイソレー
タを配置することができる。

【００２０】また、請求項４にかかる発明は、上記発明
において、前記所定の距離関係は、前記光アイソレータ
の一部と前記側壁とが接触した関係であることを特徴と
している。

【００２１】この発明によれば、ベース上に設けられた
凸部または段差の側壁に光アイソレータの一部を接触さ
せることで、その側壁の位置で定まる位置に、光アイソ
レータを配置することができる。

【００２２】また、請求項５にかかる発明は、上記発明
において、前記光アイソレータは、当該光アイソレータ
内のアイソレート光学素子の入射面が前記レーザ光の光
軸に垂直な面に対して所定の角度を有して固定されてい
ることを特徴としている。

【００２３】この発明によれば、ベースの凸部または段
差の側壁が半導体レーザ素子のレーザ光に対して垂直に
形成された場合にも、その側壁に光アイソレータを接触
して配置すれば、アイソレート光学素子の入射面で生じ
る反射戻り光の経路を半導体レーザ素子の方向から外す
ことができる。

【００２４】また、請求項６にかかる発明は、半導体レ
ーザ素子と、ベースと、前記ベース上に配置される光ア
イソレータとを具備した半導体レーザモジュールにおい
て、前記光アイソレータは、前記ベースの表面に接触す
る支持プレート上に一体形成され、前記支持プレート
は、溶接用のレーザ光が照射されるテーパ形状の側部を
有することを特徴としている。

【００２５】この発明によれば、光アイソレータをベー
ス上にレーザ溶接させるための溶接用のレーザ光と、そ
のレーザ光が照射される支持プレートの側部の面との関
係を略垂直にすることができる。

【００２６】また、請求項７にかかる発明は、半導体レ
ーザ素子と、ベースと、前記ベース上に配置される光ア
イソレータとを具備した半導体レーザモジュールにおい
て、前記光アイソレータは、前記ベースの表面に接触す
る支持プレート上に一体形成され、前記支持プレート
は、溶接用のレーザ光が照射されるテーパ面と当該支持
プレートの底面に対して略垂直な他面とで構成された側
部を有することを特徴としている。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる半導体レ
ーザモジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説
明する。なお、この実施の形態により本発明が限定され
るものではない。

【００２８】（実施の形態１）まず、実施の形態１にか
かる半導体レーザモジュールについて説明する。実施の
形態１にかかる半導体レーザモジュールは、レーザ光に
対向した側壁を有する凸部が設けられたベースと、その
側壁に一部分が接触することによって位置決めされる光
アイソレータとを備えたことを特徴としている。

【００２９】図１は、実施の形態１にかかる半導体レー
ザモジュールの一部分の構成を示す図であり、図７に示
したペルチェモジュール６０上に配置される構成に相当
する。また特に、図１（ａ）は、光軸方向の縦断面図で
あり、図１（ｂ）は、その平面図である。なお、図１に
おいて図７と共通する部分には同一符号を付してその説
明を省略する。

【００３０】図１（ａ）において、第２ベース５１は、
図７に示した第２ベース５０ｂに相当し、第１ベース５
０ａ上に配置される。特に、第２ベース５１は、図１
（ａ）に示すように、光軸９の方向に沿った縦断面が凸
形状となるような凸部Ｗを有して形成されており、この
点が第２ベース５０ｂと異なる。この凸部Ｗは、光アイ
ソレータ１０の位置決めを容易にするために形成された
もので、その一方の側壁５１ａが光アイソレータ１０の
端面１０ａに接触する面として機能する。

【００３１】また、この凸部Ｗの形成位置は、光アイソ
レータ１０の端面１０ａをその側壁５１ａに接触させた
状態で、第２ベース５１上の一方向における光アイソレ
ータ１０の位置決めが完了するような位置である。これ
により、従来における光アイソレータ１０の二次元の位
置決めが、凸部Ｗの端面１０ａに沿った一次元の位置決
めへと簡略化され、目視による調芯の負担が軽減され
る。

【００３２】図１（ｂ）で説明すると、光軸９に平行な
Ｘ方向の位置決めが不要になり、凸部Ｗの端面１０ａに
沿ったＹ方向の位置決めのみで、光アイソレータ１０の
調芯を行なうことができる。実際には、この目視による
粗配置の後に、レーザ光のモニタによる微調節を行なう
場合があるが、その場合にも、少なくとも二次元のうち
の一方向の位置決めが正確であるため、微調節が必要な
範囲も小さくなり、従来と比較して短時間で光アイソレ
ータ１０の位置決めを行なうことができる。

【００３３】以上に説明したとおり、実施の形態１にか
かる半導体レーザモジュールによれば、光アイソレータ
１０内のアイソレート光学素子１１の入射面と光軸９と
が所望の角度に固定されるように、第２ベース５１上
に、光アイソレータ１０の端面１０ａを接触させる凸部
Ｗが設けられているので、第２ベース５１の主面上にお
ける光アイソレータ１０の位置決めが容易となり、従来
ほどの熟練度を要せずとも、品質の高い半導体レーザモ
ジュールを提供することができる。

【００３４】また、光アイソレータ１０の端面１０ａと
凸部Ｗの側壁との接触状態は、規格化が容易であるた
め、肉眼による目視によらずとも、ＣＣＤカメラ撮像等
を用いた画像認識によって確認することが容易となる。
さらに、上述した実施の形態１の説明では、光アイソレ
ータ１０の位置合わせにおいて、光アイソレータ１０の
端面１０ａと凸部Ｗの側壁とを接触させるとしたが、凸
部Ｗの側壁を目印として利用し、その側壁から所定の距
離だけ離れた位置に光アイソレータ１０を配置させるこ
ともできる。例えば、光アイソレータ１０を、凸部Ｗの
側壁の近傍でかつ端面１０ａがその側壁に平行となるよ
うに配置する。この場合の位置合わせも、目視に限らず
に、上記した画像認識によって可能である。

【００３５】なお、図１（ｂ）において、凸部Ｗは、そ
の両端が第２ベース５１の両端に一致した長さ（図中の
Ｙ方向）を有しているが、それに限らず、光アイソレー
タ１０の端面１０ａとの接触または目印としての利用が
可能な側壁が形成されれば、その長さは問わず、離間し
た複数の凸部で構成されていても良い。

【００３６】さらに、図１（ｂ）において、凸部Ｗは、
その端面１０ａが光軸９に対して直交する面となってい
るが、光アイソレータ１０内のアイソレート光学素子１
１の入射面と光軸９とを所望の角度に固定するという目
的が達成されれば、その端面１０ａが光軸９に対して９
０度以外の角度を有していても良い。

【００３７】（実施の形態２）つぎに、実施の形態２に
かかる半導体レーザモジュールについて説明する。実施
の形態２にかかる半導体レーザモジュールは、実施の形
態１において説明した第２ベース５１上の凸部Ｗを突出
方向に伸長させ、その壁内に少なくとも光軸９が内包さ
れる開口部を設けたことを特徴としている。

【００３８】図２は、実施の形態２にかかる半導体レー
ザモジュールの一部分の構成を示す縦断面図であり、図
７に示したペルチェモジュール６０上の構成に相当す
る。なお、図２において、図１と共通する部分には同一
符号を付してその説明を省略する。図２に示す半導体レ
ーザモジュールでは、第２ベース５２が図１に示した第
２ベース５１に相当し、図１と異なるところは、その第
２ベース５２上に設けられた凸部Ｗ２の形状である。

【００３９】凸部Ｗ２は、図２に示すように、その突出
高さが、光軸９が位置する高さよりも高い。また、レー
ザ光の光路を確保するために、その壁内に開口部が設け
られている。図３は、その開口部の例を示す図である。
凸部Ｗ２に設けられる開口部の形状としては、図３
（ａ）に示すような円形状の開口部１５や、図３（ｂ）
に示すようなＶ字形状の開口部１６を採用することがで
きる。光軸９がその内部に位置する開口形状であれば、
図３に示した以外の形状を採用することもできる。

【００４０】以上に説明したとおり、実施の形態２にか
かる半導体レーザモジュールによれば、光軸９の位置よ
りも高い凸部Ｗ２を設けた第２ベース５２を備えている
ので、その凸部Ｗ２の側壁と光アイソレータ１０の端面
１０ａとの接触面積が大きくなり、より確実な光アイソ
レータ１０の位置決めが可能になる。

【００４１】（実施の形態３）つぎに、実施の形態３に
かかる半導体レーザモジュールについて説明する。実施
の形態３にかかる半導体レーザモジュールは、段差を有
するベースと、その段差の側壁に一部分が接触すること
によって位置決めされる光アイソレータとを備えたこと
を特徴としている。

【００４２】図４は、実施の形態３にかかる半導体レー
ザモジュールの一部分の構成を示す縦断面図であり、図
７に示したペルチェモジュール６０上の構成に相当す
る。なお、図４において、図７と共通する部分には同一
符号を付してその説明を省略する。

【００４３】図４に示す半導体レーザモジュールにおい
て、第２ベース５３は、図７に示した第２ベース５０ｂ
に相当し、第１ベース５０ａ上に配置される。特に、第
２ベース５３は、図４に示すように、段差を設けて形成
されている点が第２ベース５０ｂと異なる。この段差
は、光アイソレータ１０の位置決めを容易にするために
形成されており、その側壁５３ａが光アイソレータ１０
の端面１０ａに接触する面として機能する。

【００４４】すなわち、段差の側壁５３ａは、図１に示
した凸部Ｗの側壁５１ａと同じ役割を果たし、光アイソ
レータ１０の位置決めを容易にかつ正確に行なわせるこ
とができる。

【００４５】以上に説明したとおり、実施の形態３にか
かる半導体レーザモジュールによれば、光アイソレータ
１０内のアイソレート光学素子１１の入射面と光軸９と
が所望の角度に固定されるように、第２ベース５３上
に、光アイソレータ１０の端面１０ａを接触させる段差
が設けられているので、第２ベース５３の下段面上にお
ける光アイソレータ１０の位置決めが容易となり、実施
の形態１において説明した効果を享受することができ
る。

【００４６】また、本実施の形態３においても、実施の
形態１と同様に、上記した段差を、光アイソレータ１０
との接触面として利用するだけでなく、位置合わせの基
準となる目印として利用することもできる。

【００４７】なお、上述した実施の形態１〜３におい
て、図１〜４では、上記凸部または上記段差の側壁に対
し、光アイソレータ１０の端面のうち特に半導体レーザ
素子３４側に位置する端面が接触した状態を示したが、
凸部の位置や段差の向きを変更し、光アイソレータ１０
の光ファイバ側に位置する端面をその側壁に接触させて
位置決めをしてもよい。

【００４８】また、上述した実施の形態１〜３におい
て、図１〜４では、第１ベース５０ａと第２ベース５０
ｂとが分離可能で、第１ベース５０ａ上に第２ベース５
０ｂが配置された例を示したが、これら第１ベース５０
ａと第２ベース５０ｂとは一体化された一つのベースで
あってもよい。

【００４９】（実施の形態４）つぎに、実施の形態４に
かかる半導体レーザモジュールについて説明する。実施
の形態４にかかる半導体レーザモジュールは、光アイソ
レータを支持する支持プレートの側部がテーパ形状であ
ることを特徴としている。

【００５０】図５は、実施の形態４にかかる半導体レー
ザモジュールに搭載される光アイソレータを示す図であ
り、特に光軸に対して垂直な断面を示している。なお、
図５において、図７と共通する部分には同一符号を付し
てその説明を省略する。図５に示すように、光アイソレ
ータ１０は、テーパ面Ｒ１を有する支持プレート１７上
に設けられる。

【００５１】特に、テーパ面Ｒ１は、その面と光アイソ
レータ１０の斜上方から照射されるＹＡＧレーザ光ＬＢ
の光軸との間で略垂直な関係を有し、これによりＹＡＧ
レーザ光ＬＢを一様に受けることができる。また、側部
がテーパ形状であることは、そのテーパ面Ｒ１と、実際
に溶融したい部分、すなわち支持プレート１７が第２ベ
ース５０ｂに接触する領域Ｒ２との間の平均的な距離を
小さくする。これは、ＹＡＧレーザ光ＬＢによる熱エネ
ルギーの伝熱損失が低減されることを意味する。

【００５２】以上に説明したとおり、実施の形態４にか
かる半導体レーザモジュールによれば、光アイソレータ
１０を支持する支持プレート１７の側部がテーパ面Ｒ１
を有しているので、ＹＡＧレーザ光ＬＢをそのテーパ面
Ｒ１全体に一様に照射させることができるとともに、照
射面から溶融領域までの伝熱損失が従来と比較して小さ
くなるので、ＹＡＧレーザ光ＬＢの熱エネルギーを高効
率に溶融領域へと伝えることができる。これにより、Ｙ
ＡＧレーザの消費電力の低減や支持プレート１７への過
度な加熱の防止が果たされる。

【００５３】（実施の形態５）つぎに、実施の形態５に
かかる半導体レーザモジュールについて説明する。実施
の形態５にかかる半導体レーザモジュールは、光アイソ
レータを支持する支持プレートの側部がテーパ面と他面
とで構成されていることを特徴としている。

【００５４】実施の形態４において説明した支持プレー
ト１７の側部は、全面がテーパ面Ｒ１となっていたた
め、第２ベース５０ｂと接触する先端部が鋭いエッジと
なる可能性がある。そのため、支持プレート１７を光ア
イソレータ１０とともに第２ベース５０ｂ上に配置させ
る際にその先端部が部品と衝突すると、容易に折れ曲が
り、支持プレート１７の下面を平坦な状態に保てなくな
ることが想定される。支持プレート１７の下面が平坦で
ないと、第２ベース５０ｂとの接合が確実に行なえない
ことや、ＹＡＧレーザ光ＬＢの照射の際に熱応力が生じ
て支持プレート１７が破損するといった不都合が生じ
る。実施の形態５は、その予想される問題を解決するも
のである。

【００５５】図６は、実施の形態５にかかる半導体レー
ザモジュールに搭載される光アイソレータを示す図であ
り、特に光軸に対して垂直な断面を示している。特に、
図６（ａ）は、図５と比較することができる断面図であ
り、図６（ｂ）は、支持プレートの側部の拡大図を示
す。なお、図６において、図５と共通する部分には同一
符号を付してその説明を省略する。

【００５６】図６（ａ）に示す光アイソレータ１０にお
いて、図５と異なるところは、支持プレート１８の側部
Ｒ３が、同図（ｂ）に示すように、テーパ面Ｓ１と、支
持プレート１８の底面に対して略鉛直方向に沿った他面
Ｓ２とで表面を構成している点である。この他面Ｓ２の
存在により、図５に示したような先端部の鋭いエッジは
なくなり、仮に、光アイソレータ１０および支持プレー
ト１８を配置させる際に、この側部Ｒ３が部品と衝突し
たとしても、容易には折れ曲がらず、上記したような不
都合は生じない。

【００５７】以上に説明したとおり、実施の形態５にか
かる半導体レーザモジュールによれば、光アイソレータ
１０を支持する支持プレート１７の側部Ｒ３がテーパ面
Ｓ１と他面Ｓ２で構成されているので、光アイソレータ
１０および支持プレート１８を配置させる際に、部品と
衝突する可能性が高いのはその他面Ｓ２部分であり、支
持プレート１８が折れ曲がる危険性は少なくなる。ま
た、テーパ面Ｓ１を設けているので、実施の形態４によ
る効果も享受することができる。

【００５８】なお、実施の形態４または５に示した支持
プレートを有する光アイソレータ１０を、実施の形態１
〜３に示した第２ベースの凸部または段差の側壁を利用
して位置決めさせた後、ＹＡＧレーザ溶接を行なうこと
がより効果的であることは言うまでもない。

【００５９】

【発明の効果】以上に説明したように、請求項１〜５に
かかる半導体レーザモジュールによれば、ベース上に、
光アイソレータの位置決めを行なうための凸部または段
差が設けられているので、光アイソレータの一部をその
凸部または段差の側壁に接触させたり、その凸部または
段差の側壁を基準位置として利用することで、光アイソ
レータの位置決めが行なえ、従来ほどの熟練度を要せず
とも、光アイソレータの配置位置が最適な品質の高い半
導体レーザモジュールを提供することができるという効
果を奏する。

【００６０】また、請求項６または７にかかる半導体レ
ーザモジュールによれば、光アイソレータを支持する支
持プレートの側部が、溶接用のレーザ光に対して略垂直
なテーパ面で形成されているため、溶接用のレーザ光を
そのテーパ面全体に一様に照射させることができるとと
もに、照射面から支持プレート底面（溶接面）までの伝
熱損失が従来と比較して小さくなり、結果的に、溶接用
のレーザの消費電力が低減されるとともに支持プレート
への過度な加熱が防止されるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１にかかる半導体レーザモジュール
の一部分の構成を示す図である。

【図２】実施の形態２にかかる半導体レーザモジュール
の一部分の構成を示す縦断面図である。

【図３】実施の形態２にかかる半導体レーザモジュール
において、第２ベース上の凸部の開口部の例を示す図で
ある。

【図４】実施の形態３にかかる半導体レーザモジュール
の一部分の構成を示す縦断面図である。

【図５】実施の形態４にかかる半導体レーザモジュール
に搭載される光アイソレータを示す図である。

【図６】実施の形態５にかかる半導体レーザモジュール
に搭載される光アイソレータを示す図である。

【図７】従来の半導体レーザモジュールの構成の一例を
示す縦断面図である。

【図８】従来の半導体レーザモジュールにおける伝熱損
失の問題を説明するための説明図である。

【符号の説明】

１０ 光アイソレータ １０ａ，１３ 端面 １１ アイソレート光学素子 １２，１７，１８ 支持プレート １４，Ｒ３ 側部 １５，１６ 開口部 ２０ 第１レンズ ３０ キャリア ３２，４０ サブマウント ３４ 半導体レーザ素子 ４２ モニタフォトダイオード ５０ａ，５０ｂ，５１，５２，５３ ベース ５１ａ，５３ａ 側壁 ６０ ペルチェモジュール ７０ 第２レンズ １００ 半導体レーザモジュール １０１ パッケージ １０２ フェルール １０３ 光ファイバ Ｒ１，Ｓ１ テーパ面 Ｓ２ 他面 Ｗ，Ｗ２ 凸部

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザ素子と、ベースと、前記ベ
   ース上に配置される光アイソレータとを具備した半導体
   レーザモジュールにおいて、 前記ベースは、前記半導体レーザ素子のレーザ光に対向
   した側壁を有する凸部を有し、 前記光アイソレータは、前記側壁と所定の距離関係を有
   した状態で固定されたことを特徴とする半導体レーザモ
   ジュール。
2. 【請求項２】 前記凸部は、前記光アイソレータが前記
   ベース上に固定された状態で前記レーザ光の光軸の位置
   を越える突出高さを有するとともに、前記レーザ光を前
   記光アイソレータに入射させるための開口が設けられた
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュ
   ール。
3. 【請求項３】 半導体レーザ素子と、ベースと、前記ベ
   ース上に配置される光アイソレータとを具備した半導体
   レーザモジュールにおいて、 前記ベースは、前記半導体レーザ素子のレーザ光に対向
   した側壁を有する段差を有し、 前記光アイソレータは、前記側壁と所定の距離関係を有
   した状態で固定されたことを特徴とする半導体レーザモ
   ジュール。
4. 【請求項４】 前記所定の距離関係は、前記光アイソレ
   ータの一部と前記側壁とが接触した関係であることを特
   徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体レ
   ーザモジュール。
5. 【請求項５】 前記光アイソレータは、当該光アイソレ
   ータ内のアイソレート光学素子の入射面が前記レーザ光
   の光軸に垂直な面に対して所定の角度を有して固定され
   ていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに
   記載の半導体レーザモジュール。
6. 【請求項６】 半導体レーザ素子と、ベースと、前記ベ
   ース上に配置される光アイソレータとを具備した半導体
   レーザモジュールにおいて、 前記光アイソレータは、前記ベースの表面に接触する支
   持プレート上に一体形成され、 前記支持プレートは、溶接用のレーザ光が照射されるテ
   ーパ形状の側部を有することを特徴とする半導体レーザ
   モジュール。
7. 【請求項７】 半導体レーザ素子と、ベースと、前記ベ
   ース上に配置される光アイソレータとを具備した半導体
   レーザモジュールにおいて、 前記光アイソレータは、前記ベースの表面に接触する支
   持プレート上に一体形成され、 前記支持プレートは、溶接用のレーザ光が照射されるテ
   ーパ面と当該支持プレートの底面に対して略垂直な他面
   とで構成された側部を有することを特徴とする半導体レ
   ーザモジュール。