JP2003257653A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 第１基板に膜付けした複数の画素電極上に発
光層を成膜した際に、この発光層中に、第２基板の凹部
上に成膜した所定色の発光色素をドーピングする。 【解決手段】 第１基板１１の発光層１３上に第２基板
２１の各凸部２１ａを載置すると共に、第２基板２１の
各凹部２１ｂを所定色の発光色素をドーピングすべき各
発光層部位を介してこれと対応する各画素電極１３と対
向させて、両基板１１，２１同士を重ね合わせた状態で
加熱炉に挿入し、且つ、加熱炉中で両基板１１，２１を
所定の温度で加熱して、各凹部２１ｂ上に成膜した所定
色の発光色素をドーピングすべき各発光層部位中に拡散
させている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、携帯電話やＰＤＡなどに用いられ
るディスプレイパネルとして消費電力が小さい有機エレ
クトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）が注目され
ており、低電圧で駆動して高輝度の発光を生じる高性能
の有機エレクトロルミネッセンス素子の研究開発が盛ん
に行われている。

【０００３】上記した有機エレクトロルミネッセンス素
子は、蛍光性有機化合物を含む有機エレクトロルミネッ
センス薄膜を、ディスプレイパネル上に膜付けした複数
の画素電極（陽極）と、これら複数の画素電極（陽極）
に対向した対向電極（陰極）との間に挟んだ構造を有
し、発光させたい所望の画素電極と対向電極との間で電
圧を印加して有機エレクトロルミネッセンス薄膜に正孔
及び電子を注入して再結合させることにより励起子を生
成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用して
発光させたい所望の画素電極と対応する部位への表示を
行う発光素子である。

【０００４】この際、通常では、対向電極を全面に成膜
して全ての画素電極と対向させることで、対向電極は全
ての画素電極に対して共通な電極となる。更に、画素電
極をストライプ状に複数本並列に設け、これら複数本の
画素電極と直交させて複数本の対向電極をストライプ状
に形成し、両電極同士が交差した部位を発光させる方法
を採用した場合は、一つの対向電極は複数本の画素電極
上で複数か所で交差することになり、この場合にも一つ
の対向電極は複数本の画素電極に対して共通の電極とな
るので、以下の説明では、対向電極を共通電極と呼称し
て説明する。

【０００５】また、有機エレクトロルミネッセンス素子
を製造する方法は、各種の製造方法が提案されている
が、ディスプレイパネル上の画素パターンに対応して発
光性有機材料をガラス基板上に微細に転写できる有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法の一例が特開２
０００−１２２１６号公報に開示されている。

【０００６】図４７（ａ）〜（ｃ）は従来のカラー有機
ＥＬディスプレイとその製造方法を説明するための図で
ある。

【０００７】図４７（ａ）〜（ｃ）に示した従来のカラ
ー有機ＥＬディスプレイとその製造方法は、上記した特
開２０００−１２２１６号公報に開示されているもので
あり、ここでは同号公報を参照して簡略に説明する。

【０００８】まず、図４７（ａ）に示した如く、ディス
プレイパネルの表示面となる透明なガラス基板１０１上
には、陽極として透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide) 膜
１０２が成膜されており、且つ、このＩＴＯ膜１０２上
に正孔輸送層１０３が形成されている。

【０００９】一方、転写用基板１０４は金属シートを用
いて下面側に凸部１０４ａと凹部１０４ｂとがＩＴＯ膜
１０２及び正孔輸送層１０３に沿って交互に繰り返して
形成されており、且つ、各凸部１０４ａと対応する部位
は上面側から有底孔１０４ｃがそれぞれ穿設されてい
る。

【００１０】この際、転写用基板１０４の各凸部１０４
ａはカラー３色が配置されるように平面寸法１００μｍ
×１００μｍ、色配列ピッチ３００μｍに形成され、且
つ、各凸部１０４ａの高さは各凹部１０４ｂに対して５
０μｍに設定されている。

【００１１】そして、転写用基板１０４の下面側に形成
した各凸部１０４ａと各凹部１０４ｂとに例えば赤色発
光性有機材料１０５Ｒを真空蒸着により成膜した後、こ
の転写用基板１０４の上面側にガラス板１０６を乗せ
て、このガラス板１０６の自重により各凸部１０４ａに
成膜した赤色発光性有機材料１０５Ｒをガラス基板１０
１側の正孔輸送層１０３上に圧着している。

【００１２】また、ガラス板１０６の上方には、このガ
ラス板１０６から距離を離して遮蔽板１０７が設置され
ており、この遮蔽板１０７は転写用基板１０４に形成し
た各有底孔１０４ｃと対応して貫通孔１０７ａがそれぞ
れ穿設されている。

【００１３】更に、遮蔽板１０７の上方からレーザー光
１０８を各貫通孔１０７ａを通して、ガラス板１０６上
に照射すると、各貫通孔１０７ａを通ったレーザー光１
０８のみがガラス板１０６を介して転写用基板１０４の
各有底孔１０４ｃ内に到達するので、このレーザー光１
０８の熱により各凸部１０４ａに成膜した赤色発光性有
機材料１０５Ｒが昇華されて、図４７（ｂ）に示したよ
うに赤色発光性有機材料１０５Ｒが正孔輸送層１０３上
に転写される。

【００１４】尚、転写用基板１０４に形成した各凹部１
０４ｂと対応する遮蔽板１０７の部位は貫通孔が形成さ
れていないためにレーザー光１０８は遮蔽板１０７で遮
蔽されるので、各凹部１０４ｂに成膜した赤色発光性有
機材料１０５Ｒは昇華されることなくそのまま転写用基
板１０４側に残っている。

【００１５】次に、図４７（ｃ）に示した如く、正孔輸
送層１０３上に赤色発光性有機材料１０５Ｒが転写され
ると、上記と同様にして、赤色発光性有機材料１０５Ｒ
の隣に緑色発光性有機材料１０５Ｇを転写し、更に、緑
色発光性有機材料１０５Ｇの隣に青色発光性有機材料１
０５Ｂを転写して、３色カラーの発光素子アレイを得
る。

【００１６】この後、陰極としてＩＴＯ膜１０９を発光
素子領域と直交するように成膜することで、カラー有機
ＥＬディスプレイ１００が得られる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来のカラー有機ＥＬディスプレイ１００とその製造方法
において、画素数を増して微細化を図る場合には、ガラ
ス基板１０１上に形成した微細な画素電極パターンに合
わせて、転写基板１０４の下面側に形成した各凸部１０
４ａの平面寸法及び隣り合う凸部１０４ａ間のピッチを
狭めることが可能であり、これに基づいて転写基板１０
４の各凸部１０４ａを微細に形成して実験を行ったとこ
ろ、各凸部１０４ａに成膜した例えば赤色発光性有機材
料１０５Ｒをガラス基板１０１の正孔輸送層１０３上に
転写した後に、ガラス基板１０１と転写基板１０４とを
剥離する際、赤色発光性有機材料１０５Ｒに粘着性があ
るために、ガラス基板１０１と転写基板１０４とがうま
く剥離できず、ガラス基板１０１上に転写した赤色発光
性有機材料１０５Ｒのパターンが崩れてしまう。また、
赤色発光性有機材料１０５Ｒと同様に、ガラス基板１０
１上にそれぞれ転写した緑色発光性有機材料１０５Ｇ，
青色発光性有機材料１０５Ｂの各パターンも崩れてしま
い、カラー３色の発光素子アレイをガラス基板１０１上
に良好に作製することが大変困難であることが判明し
た。

【００１８】そこで、ディスプレイパネルの画素数を増
して微細化を図ったカラー有機ＥＬディスプレイを製造
するにあたって、量産性の優れた３色カラーの有機エレ
クトロルミネッセンス素子を製造する方法及び有機エレ
クトロルミネッセンス素子が望まれている。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題に鑑み
てなされたものであり、第１の発明は、第１基板に膜付
けした複数の画素電極上に発光層を一様に成膜する第１
工程と、前記第１基板の前記発光層上に載置するための
凸部と、この凸部に隣接してへこませ且つ所定色の発光
色素をドーピングすべき発光層部位に対応する前記画素
電極と略同じ面積を有する凹部とを１組とし、この組み
を前記画素電極の列方向及び／又は行方向に沿って繰り
返して形成した第２基板を用い、この第２基板に形成し
た各凸部上及び各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜
する第２工程と、前記第２基板の前記各凸部上に成膜し
た前記所定色の発光色素のみを除去する第３工程と、前
記第１基板の前記発光層上に前記第２基板の前記各凸部
を載置すると共に、前記第２基板の前記各凹部を前記所
定色の発光色素をドーピングすべき各発光層部位を介し
てこれと対応する各画素電極と対向させて、両基板同士
を重ね合わせた状態で前記各凹部上に成膜した前記所定
色の発光色素を所定の温度で加熱して、前記各凹部上に
成膜した前記所定色の発光色素を前記ドーピングすべき
各発光層部位中に拡散させる第４工程と、前記所定色の
発光色素をドーピングした後に、前記画素電極に対向し
た対向電極を前記発光層上に成膜する第５工程とからな
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
の製造方法である。

【００２０】また、第２の発明は、第１基板に膜付けし
た複数の画素電極上に発光層を一様に成膜する第１工程
と、前記第１基板の前記発光層上に載置し且つ所定色の
発光色素をドーピングすべき発光層部位に対応する前記
画素電極と略同じ面積を有する凸部と、この凸部に隣接
してへこませた凹部とを１組とし、この組みを前記画素
電極の列方向及び／又は行方向に沿って繰り返して形成
した第２基板を用い、この第２基板に形成した各凸部上
及び各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する第２工
程と、前記第１基板の前記発光層上で前記第２基板の前
記各凸部を前記所定色の発光色素をドーピングすべき各
発光層部位を介してこれと対応する各画素電極と対向さ
せて載置し、両基板同士を重ね合わせた状態で前記各凸
部上及び前記各凹部上に成膜した前記所定色の発光色素
を所定の温度で加熱して、前記各凸部上に成膜した前記
所定色の発光色素のみを前記ドーピングすべき各発光層
部位中に拡散させる第３工程と、前記所定色の発光色素
をドーピングした後に、前記画素電極に対向した対向電
極を前記発光層上に成膜する第４工程とからなることを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法である。

【００２１】また、第３の発明は、上記した第１又は第
２の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法において、前記第１基板に膜付けした前記発光層の発
光波長が、前記第２基板に膜付けした前記所定色の発光
色素の発光波長よりも短波長であることを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。

【００２２】また、第４の発明は、上記した第１又は第
２の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法において、前記第１基板に膜付けする前記発光層中
に、前記第２基板に成膜する前記所定色の発光色素の発
光波長よりも短波長で発光する発光色素を予め分散させ
たことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子
の製造方法である。

【００２３】また、第５の発明は、上記した第１〜第４
のいずれかの発明の有機エレクトロルミネッセンス素子
の製造方法において、前記所定色の発光色素は、所定色
の蛍光性色素材料又は所定色の燐光性色素材料を用いた
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法である。

【００２４】また、第６の発明は、上記した第１〜第５
のいずれかの発明の有機エレクトロルミネッセンス素子
の製造方法において、前記第２基板を複数色に対応して
複数用意し、且つ、各第２基板ごとに成膜する発光色素
の色を変えて前記複数色の発光色素をそれぞれの前記第
２基板に成膜する際、前記複数色の発光色素は、全ての
色に対して蛍光性色素材料のみを用いるか、又は、全て
の色に対して燐光性色素材料のみを用いるか、もしく
は、各色ごとに蛍光性色素材料，燐光性色素材料を選択
して用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の製造方法である。

【００２５】また、第７の発明は、上記した第１又は第
２の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法において、前記第２基板としてＲ用，Ｇ用，Ｂ用を３
種類用意し、且つ、Ｒ用の前記第２基板に成膜した赤色
発光色素と、Ｇ用の前記第２基板に成膜した緑色発光色
素と、Ｂ用の前記第２基板に成膜した青色発光色素と
を、前記第１基板に膜付けした前記発光層上でＲ，Ｇ，
Ｂ用の画素電極部位にそれぞれドーピングすることを特
徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
である。

【００２６】また、第８の発明は、上記した第１又は第
２の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法において、前記第１基板に膜付けする前記発光層中に
青色発光色素を予め分散させると共に、前記第２基板と
してＧ用，ＲＧ用を２種類用意し、且つ、Ｇ用の前記第
２基板に成膜した緑色発光色素と、ＲＧ用の前記第２基
板に成膜した赤色発光色素＋緑色発光色素とを、前記第
１基板に前記青色発光色素を予め分散させて膜付けした
前記発光層上でＲ，Ｇ用の画素電極部位にそれぞれドー
ピングすると共に、Ｂ用の画素電極部位は前記発光層中
の前記青色発光色素を対応させることを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。

【００２７】また、第９の発明は、上記した第１又は第
２の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
法において、前記第２工程で前記第２基板に形成した各
凸部上及び各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する
前に、前記第２基板中で前記第１基板に成膜した前記発
光層と対向する面に親水処理を施すことを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。

【００２８】また、第１０の発明は、上記した第１の発
明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にお
いて、前記第２工程で前記第２基板に形成した各凸部上
及び各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する前に、
前記第２基板中で前記第１基板に成膜した前記発光層と
対向する面に撥水処理を施すことを特徴とする有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法である。

【００２９】また、第１１の発明は、上記した第１の発
明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にお
いて、前記第２工程で前記第２基板に形成した各凸部上
及び各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する前に、
前記第２基板中で前記第１基板に成膜した前記発光層と
対向する面に付着力がきわめて弱い金属を成膜すること
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法である。

【００３０】また、第１２の発明は、上記した第１〜第
１１のいずれかの発明の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法を用いて製造したことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンス素子である。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下に本発明に係る有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロル
ミネッセンス素子の一実施例を図１乃至図４６を参照し
て＜第１実施例＞〜＜第６実施例＞の順に詳細に説明す
る。

【００３２】図１（ａ），（ｂ）は本発明に係る第１〜
第６実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子において、
第１〜第６実施例で共通に用いられる第１基板（ＴＦＴ
基板）を説明するための平面図，正面図である。

【００３３】図１（ａ），（ｂ）に示した如く、本発明
に係る第１〜第６実施例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素
子において、第１〜第６実施例で共通に用いられる第１
基板１１は、透明なＴＦＴ（Thin Film Transistor) 基
板を用いており、この第１基板１１上に複数の画素電極
１２が列方向×行方向にマトリックス状に膜付けされて
いる。この際、上記した複数の画素電極１２は、陽極と
して仕事関数が高く透明なＩＴＯ（Indium TinOxide)
膜を用いており、ディスプレイ上で赤緑青（ＲＧＢ）３
色の発光色がそれぞれ１３μｍの幅で１μｍおきに得ら
れるようにするには、各画素電極１２の縦横寸法は一辺
が１３μｍの正方形に形成され、且つ、上下左右の隣り
合う画素電極１２との間に１ｕｍの隙間が形成されてい
る。

【００３４】＜第１実施例＞図２は本発明に係る第１実
施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及
び有機エレクトロルミネッセンス素子において、第２基
板（スタンプ基板）を説明するために模式的に示した
図、図３は図２に示した第２基板（スタンプ基板）を平
面的に示した平面図であり、（ａ）はストライプ状に形
成した場合を示し、（ｂ）は千鳥状に形成した場合を示
した図である。

【００３５】第１実施例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素
子では、図２に示したような第２基板２１を、先に図１
（ａ），（ｂ）を用いて説明した第１基板１１上に載置
するためのスタンプ基板として予め用意している。

【００３６】上記した第２基板（スタンプ基板）２１
は、第１基板１１に成膜した後述の発光層１３（図４）
上に載置するための凸部２１ａと、この凸部２１ａに隣
接してへこませ且つ所定色の発光色素をドーピングすべ
き発光層部位と対応する画素電極１２（図１）と略同じ
面積を有する凹部２１ｂとを１組とし、この組みを画素
電極１２の列方向及び／又は行方向に沿って繰り返し
て、シリコン基板などを用いてフォトリソグラフィー
法，エッチング法などの方法により凹凸状に形成されて
いる。

【００３７】ここで、第２基板２１に形成した各凸部２
１ａの幅は、第１基板１１上の画素電極１２の幅の２個
分と、２個の画素電極１２の左右の隙間とを含める寸法
に形成されており、具体的には各凸部２１ａの幅は｛２
×１３＋１×３｝μｍ＝２９μｍに設定されていると共
に、各凸部２１ａの高さは各凹部２１ｂに対して１０μ
ｍ程度突出している。また、第２基板２１に形成した各
凹部２１ｂの幅は、第１基板１１上の１個の画素電極１
２の幅と同じ幅で１３μｍに設定されている。従って、
１組の凸部２１ａと凹部２１ｂとを合わせた面積を、Ｒ
ＧＢ３画素に対応する３個の画素電極１２の面積と略一
致させている。

【００３８】そして、第２基板（スタンプ基板）２１の
平面的な形状は、図３（ａ）に示した如く、各凸部２１
ａと各凹部２１ｂとを幅方向に対して上記の寸法に設定
し、且つ、各凸部２１ａ及び各凹部２１ｂの奥行き方向
（画素電極１２の列方向又は行方向）を長尺に形成して
各凸部２１ａと各凹部２１ｂとをストライプ状に配置し
たり、あるいは、図３（ｂ）に示した如く、各凹部２１
ｂを複数の画素電極１２（図１）に対して千鳥状に配置
している。

【００３９】次に、第１基板（ＴＦＴ基板）１１と第２
基板（スタンプ基板）２１とを用いて、本発明に係る第
１実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造す
る方法について、図４〜図９を用いて工程順に説明す
る。

【００４０】図４は第１実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法における第１工程を説明するた
めの模式図、図５（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法における第２工
程を説明するための模式図、図６（ａ）〜（ｃ）は第１
実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
における第２工程での前処理を説明するための図、図７
（ａ），（ｂ）は第１実施例の有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法における第３工程を説明するため
の模式図、図８（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法における第４工程
を説明するための模式図、図９（ａ），（ｂ）は第１実
施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に
おける第５工程を説明するための模式図である。

【００４１】まず、第１実施例の第１工程では、図４に
示した如く、第１基板（ＴＦＴ基板）１１に膜付けした
複数の画素電極１２上及び画素電極１２間の第１基板１
１上に、発光層１３を一様に成膜している。上記した発
光層１３は、成膜の容易性、膜の熱的性質の安定性や機
械的安定性などを考えれば高分子材料が最適であり、例
えば青紫色に発光するポリビニルカルバゾール（ＰＶＣ
Ｚ）があげられる。この際、青紫色に発光する発光層１
３は、後述するようにこの発光層１３中にドーピングす
る赤色，緑色，青色の各発光色素による各発光色よりも
短波長側で発光するものであり、各色の発光色素に対し
てエネルギー移動が起き易いもの使用している。そし
て、発光層１３をスピンコート法などにより第１基板１
１上に１００ｎｍ程度の厚みに塗布し、その後、十分に
乾燥させている。

【００４２】次に、第１実施例の第２工程では、図５
（ａ）〜（ｃ）に示した如く、凸部２１ａと凹部２１ｂ
とを繰り返し形成した第２基板（スタンプ基板）２１を
Ｒ用，Ｇ用，Ｂ用として３個用意する。

【００４３】即ち、図５（ａ）に示したように、Ｒ用の
第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２１
ｂの底面上（以下、各凹部２１ｂ上と記す）に、赤色発
光色素Ｒｃを真空蒸着法や、スピンコート法，ディップ
コート法，インクジェット法などのウェットプロセスな
どの方法により２０ｎｍ程度成膜する。

【００４４】上記した赤色発光色素Ｒｃは、赤色蛍光発
光色素，赤色燐光発光色素のうちいずれか一方が用いら
れている。この際、前者の赤色蛍光発光色素を適用する
場合には、ニールレッド，ＤＣＭ１｛4-Dicyanmethylen
e-2-methyl-6(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran｝，Ｄ
ＣＪＴ｛4-（ジシアノメチレン）-2-t- ブチル-6-（ジ
ュロリジルスチリル）- ピラン｝などのピラン誘導体，
スクアリリウム誘導体，ポルフィリン誘導体，クロリン
誘導体，ユーロジリン誘導体などの既知の赤色蛍光性色
素材料が用いられており、一方、後者の赤色燐光発光色
素を適用する場合には、Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ），Ｉ
ｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ）やＰｔＯＥＰなどの既知の
赤色燐光性色素材料が用いられている。

【００４５】また、図５（ｂ）に示したように、Ｇ用の
第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２１
ｂの底面上（以下、各凹部２１ｂ上と記す）に、緑色発
光色素Ｇｃを真空蒸着法や、スピンコート法，ディップ
コート法，インクジェット法などのウェットプロセスな
どの方法により２０ｎｍ程度成膜する。

【００４６】上記した緑色発光色素Ｇｃも、緑色蛍光発
光色素，緑色燐光発光色素のうちいずれか一方が用いら
れている。この際、前者の緑色蛍光発光色素を適用する
場合には、クマリン６などのクマリン誘導体，キナクリ
ドン誘導体などの既知の緑色蛍光性色素材料が用いら
れ、一方、後者の緑色燐光発光色素を適用する場合に
は、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３，（ｐｐｙ）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）
などの既知の緑色燐光性色素材料が用いられている。

【００４７】また、図５（ｃ）に示したように、Ｂ用の
第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２１
ｂの底面上（以下、各凹部２１ｂ上と記す）に、青色発
光色素Ｂｃを真空蒸着法や、スピンコート法，ディップ
コート法，インクジェット法などのウェットプロセスな
どの方法により２０ｎｍ程度成膜する。

【００４８】上記した青色発光色素Ｂｃも、青色蛍光発
光色素，青色燐光発光色素のうちいずれか一方が用いら
れている。この際、前者の青色蛍光発光色素を適用する
場合には、クマリン４７などのクマリン誘導体，ＴＰＢ
（テトラフェニルブタジエン），ペリレンなどの既知の
青色蛍光性色素材料が用いられ、一方、後者の緑色燐光
発光色素を適用する場合には、ＦＩｒｐｉｃ，Ｉｒ（Ｆ
ｐｐｙ）_２などの既知の青色燐光性色素材料が用いられ
ている。

【００４９】そして、上記した３色の発光色素Ｒｃ，Ｇ
ｃ，Ｂｃは、３色とも蛍光性色素材料を用いたり、又
は、３色とも燐光性色素材料を用いたり、もしくは、各
色ごとに蛍光性色素材料，燐光性色素材料を選択して用
いている。

【００５０】この場合、いずれか二色以下で蛍光性色素
材料を用いることにより高価な燐光性色素材料の使用量
を減らすことができコストが削減できるメリットがあ
る。

【００５１】一方、蛍光性色素材料を用いた色の発光の
発光効率は燐光性色素材料を用いた時に比べ落ちるの
で、全色に蛍光性色素材料を用いず、各色の発光効率の
バランスを考え、他の色より発光効率の劣ると考えられ
る色に対し燐光性色素材料を用い、他の色より発光効率
の勝ると考えられる色に対し蛍光性色素材料を用いると
良い。

【００５２】例えば、緑色発光色素Ｇｃとして緑色燐光
性色素材料のうちでＩｒ（ｐｐｙ） _３は、他の色のどの
発光色素材料を用いた場合と比較して発光効率が極めて
高いものの、このＩｒ（ｐｐｙ）_３を用いずに、緑色発
光色素Ｇｃとして緑色蛍光性色素材料のうちで発光効率
が高いクマリン６を用いた場合に、このクマリン６は青
色発光色素Ｂｃとして青色燐光性色素材料のうちで例え
ばＦＩｒｐｉｃを用いた場合、又は、赤色発光色素Ｒｃ
として赤色燐光性色素材料のうちで例えばＰｔＯＥＰを
用いた場合と略同じくらいの効率で発光するので、Ｉｒ
（ｐｐｙ）_３よりも材料費をコストダウンできると同時
に、各色の発光効率がおよそ揃うことにより、その駆動
回路の設計の困難さが減りさらにコストダウンできると
いうメリットもある。

【００５３】ところで、上記したように、Ｒ用，Ｇ用，
Ｂ用の各第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各
凹部２１ｂ上に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇ
ｃ，青色発光色素Ｂｃをそれぞれ成膜した場合に、各凸
部２１ａ上にそれぞれ成膜した各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，
Ｂｃは不必要なために後述する第３工程で除去され、一
方、各凹部２１ｂ上にそれぞれ成膜した各発光色素Ｒ
ｃ，Ｇｃ，Ｂｃは後述する第４工程で第１基板１１上に
成膜した発光層１３中にそれぞれ順にドーピング（拡
散）させている。

【００５４】この際、第２工程でＲ用，Ｇ用，Ｂ用の各
第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２１
ｂ上に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発
光色素Ｂｃを真空蒸着法を用いて成膜する場合には、各
色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子が各第２基板２１
の各凸部２１ａ及び各凹部２１ｂに向かってそれぞれ直
進するので、とくに、各凹部２１ｂ内の左右の垂直な壁
に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子が付着しな
いですむので、真空蒸着法の場合には各第２基板２１の
各凸部２１ａ上及び各凹部２１ｂ上に各色の発光色素Ｒ
ｃ，Ｇｃ，Ｂｃを直接成膜することができる。

【００５５】一方、スピンコート法，ディップコート
法，インクジェット法などのウェットプロセスを用いて
成膜する場合には、各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを
クロロホルム，アセトンなどの有機溶剤に数ｗｔ％程度
溶かした溶液を塗布しているために、とくに、各第２基
板２１の各凹部２１ｂ内の左右の垂直な壁に余分な各発
光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子が付着してしまう。そこ
で、ウェットプロセスを用いて成膜する場合に、各凹部
２１ｂ内の左右の垂直な壁に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇ
ｃ，Ｂｃの粒子が付着しないように第２工程の前処理と
して図６（ａ）に示した如くの親水処理Ｓを施してい
る。

【００５６】即ち、図６（ａ）に示した如く、第２工程
で第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２
１上に所定色の発光色素（Ｒｃ），（Ｇｃ），（Ｂｃ）
をウェットプロセスにより成膜する前に、各色用の第２
基板２１中で第１基板１１に成膜した発光層１３と対向
する面に親水処理Ｓを施している。ここでは、酸素プラ
ズマなどでＲ用，Ｇ用，Ｂ用の各第２基板２１に対して
略垂直にイオンミリングをすることで親水処理Ｓを施す
と、各第２基板２１に形成した各凸部２１ａの表面及び
各凹部２１ｂの底面の表面が凹凸状にあらされるので、
イオンミリングをした後に各凸部２１ａの表面上及び各
凹部２１ｂの底面の表面上に各色の発光色素Ｒｃ，Ｇ
ｃ，Ｂｃを成膜した時に各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの
付着力が強まるものの、各凹部２１ｂ内の左右の垂直な
壁の表面は凹凸状にあらされないので各凹部２１ｂ内の
左右の垂直な壁の表面に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，
Ｂｃの粒子が付着しないですむ。

【００５７】尚、第２工程で真空蒸着法により成膜する
際に、上記した親水処理Ｓを必要に応じて事前に施せ
ば、各第２基板２１の各凹部２１ｂ内の左右の垂直な壁
に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子がより付着
しないようになる。

【００５８】また、第２工程でＲ用，Ｇ用，Ｂ用の各第
２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２１ｂ
上に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光
色素Ｂｃを真空蒸着法又はウェットプロセスを用いて成
膜する場合に、各第２基板２１の各凸部２１ａ上に付着
した不必要な各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを除去し
易くするために、第２工程の前処理として図６（ｂ）に
示した如くの撥水処理Ｈを必要に応じて施したり、又
は、図６（ｃ）に示した如く付着力が極めて弱い金Ａ
ｕ，銀Ａｇなどの金属を必要に応じて成膜している。

【００５９】即ち、図６（ｂ）に示した如く、第２工程
で第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２
１上に所定色の発光色素（Ｒｃ），（Ｇｃ），（Ｂｃ）
を成膜する前に、各色用の第２基板２１中で第１基板１
１に成膜した発光層１３と対向する面に撥水処理Ｈを必
要に応じて施している。ここでは、第２基板２１の各凸
部２１ａ上及び各凹部２１ｂ内に、表面張力が大きい固
体材料、例えばペルフルオルラウリン酸などをスピンコ
ート法やスパッタ法等によりコーティングしておくこと
で、この後、撥水処理Ｈした後に各凸部２１ａ上及び各
凹部２１ｂ上に各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを成膜
した時に、各凸部２１ａ上に成膜した不必要な各色の発
光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを後述する第３工程で除去し易
くなると共に、成膜時に各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂ
ｃが撥水処理Ｈした各凹部２１ｂ内の左右の垂直な壁を
滑り落ちて各凹部２１ｂの底面に溜まることになるの
で、各凹部２１ｂ内の左右の垂直な壁に余分な各発光色
素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃが付着しにくくなる。

【００６０】また、図６（ｃ）に示した如く、第２工程
で第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２
１上に所定色の発光色素（Ｒｃ），（Ｇｃ），（Ｂｃ）
を成膜する前に、各色用の第２基板２１に対して付着力
が極めて弱い金Ａｕ，銀Ａｇなどの金属を１００ｎｍ程
度必要に応じて成膜することで、金属を成膜した後に各
第２基板２１の各凸部２１ａ上及び各凹部２１ｂ上に各
色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃをそれぞれ成膜した時
に、各凸部２１ａ上の金属上に更に成膜した不必要な各
色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを下記する第３工程で除
去し易くなると共に、各凸部２１ａ以外の例えば各凹部
２１ｂの底面に金属が成膜されたとしても、後述する第
４工程で各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを加熱しても各発
光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを第１基板１１上に成膜した発
光層１３中にドーピング（拡散）させる工程に影響を与
えない。

【００６１】次に、第１実施例の第３工程では、図７
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｒ用，Ｇ用，Ｂ用の各第
２基板２１の各凸部２１ａ上にそれぞれ成膜した赤色発
光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃがこ
の第１実施例で不必要となるために、各凸部２１ａ上に
成膜した不必要な各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃをそ
れぞれ除去している。この際、先に説明したように第２
工程の前処理として図６（ｂ）に示した如くの撥水処理
Ｈを必要に応じて施したり、又は、図６（ｃ）に示した
如く付着力が極めて弱い金Ａｕ，銀Ａｇなどの金属を必
要に応じて成膜することで、各凸部２１ａ上に成膜した
不必要な各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃが剥がれ易く
なる。

【００６２】即ち、図７（ａ）に示したように、粘着テ
ープなどを用いて各第２基板２１の各凸部２１ａ上にそ
れぞれ成膜した赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，
青色発光色素Ｂｃを引き剥がすか、または、図７（ｂ）
に示したように、先端が鋭利な刃物などを用いて各第２
基板２１の各凸部２１ａ上にそれぞれ成膜した赤色発光
色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃを削り
取るなどして除去しておく。これにより、Ｒ用，Ｇ用，
Ｂ用の各第２基板２１の各凹部２１ｂ上には、赤色発光
色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃがそれ
ぞれ成膜されたまま残っている。

【００６３】次に、第１実施例の第４工程では、図８
（ａ）〜（ｃ）に示した如く、Ｒ用，Ｇ用，Ｂ用の各第
２基板２１の各凹部２１ｂ上にそれぞれ成膜した赤色発
光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃを、
第１基板１１上に成膜した発光層１３中にそれぞれ順に
ドーピング（拡散）させている。ここで、各第２基板２
１に形成した各凹部２１ｂの幅は、前述したように第１
基板１１上の１個の画素電極１２の幅と同寸法に形成さ
れているので、各１個の画素電極１２と対応する部位の
発光層１３中に各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃをそれ
ぞれドーピングできるものである。

【００６４】即ち、図８（ａ）に示したように、第１基
板１１上に成膜した発光層１３上に、Ｒ用の第２基板２
１に形成した各凸部２１ａを接触させて載置するもの
の、各凸部２１ａは前述したように赤色発光色素Ｒｃが
剥離されている。

【００６５】また、Ｒ用の第２基板２１の各凹部２１ｂ
上に成膜した赤色発光色素Ｒｃは、第１基板１１上に成
膜した発光層１３上でドーピングすべき発光層部位と対
応しているものであり、この各凹部２１ｂを赤色発光色
素Ｒｃをドーピングすべき発光層部位を介してこれと対
応する各画素電極１２と対向させており、各凹部２１ｂ
を画素電極１２と３つおきに対向するように位置合わせ
して載置すると、各凹部２１ｂ上に成膜した赤色発光色
素Ｒｃはこれと対応する各画素電極１２上の発光層１３
に対して非接触になっている。

【００６６】この後、第１基板１１上に第２基板２１を
重ね合わせた状態で最適な温度雰囲気の加熱炉（オーブ
ン）内に挿入して、両基板１１，２１を所定の時間に亘
って加熱する。加熱の方法は特に加熱炉（オーブン）に
限定されるものではない。例えば、第１基板１１に膜付
けした画素電極（陽極）１２がストライプ状の場合、こ
のストライプ状の陽極に適当な電流を通電することによ
り最適な温度にすることもできるし、また、第２基板２
１に前処理として金Ａｕ，銀Ａｇなどの金属を成膜した
場合、この金属に適当な電流を通電することにより最適
な温度にすることもできる。この加熱期間に、Ｒ用の第
２基板２１の各凹部２１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒ
ｃが蒸発し、発光層１３に到達した後、その位置で発光
層１３中に赤色発光色素Ｒｃが拡散する。従って、各凹
部２１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃがこれと対応す
る画素電極１２上の発光層１３の部位のみにドーピング
される。そして、発光層１３中に赤色発光色素Ｒｃがド
ーピングされると、発光層１３の内部で赤色発光色素Ｒ
ｃへとエネルギーの移動が起きるために、赤色発光色素
Ｒｃがドーピングされた部位は赤色発光（Ｒ発光）が可
能になる。

【００６７】この時、発光層１３中の発光色素濃度に
は、適当な値があり、それ以下であるとその発光色素の
発光が得られないし、それ以上では濃度消光により発光
効率が落ちてしまう。従って、加熱温度、加熱時間を制
御することにより発光色素濃度が最適になるようにす
る。

【００６８】ここで、赤色発光色素Ｒｃとして前記した
赤色蛍光性色素材料のうちで例えばＤＣＪＴを用いた場
合には、赤色蛍光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温
度は１６０°Ｃであり且つ加熱時間は１０分程度であ
る。また、赤色発光色素Ｒｃとして前記した赤色燐蛍性
色素材料のうちで例えばＰｔＯＥＰを用いた場合には、
赤色燐光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温度は２０
５°Ｃであり且つ加熱時間は１０分程度である。

【００６９】次に、赤色発光色素Ｒｃの発光層１３への
ドーピングが終了したら、Ｒ用の第２基板２１を第１基
板１１上から取り外して、図８（ｂ）に示したように、
Ｇ用の第２基板２１を、第１基板１１に成膜した発光層
１３上に上記と同じような手順で載置する。この場合
に、第２基板２１の各凹部２１ｂ上に成膜した緑色発光
色素Ｇｃが赤色発光色素Ｒｃをドーピングした画素電極
１２の隣の画素電極１２と対向するように位置合わせす
ると、加熱炉中で上記の如くに対応した画素電極１２上
の発光層１３の部位のみに緑色発光色素Ｇｃがドーピン
グされる。そして、発光層１３中に緑色発光色素Ｇｃが
ドーピングされると、発光層１３の内部で緑色発光色素
Ｇｃへとエネルギーの移動が起きるために、緑色発光色
素Ｇｃがドーピングされた部位は緑色発光（Ｇ発光）が
可能になる。

【００７０】ここで、緑色発光色素Ｇｃとして前記した
緑色蛍光性色素材料のうちで例えばクマリン６を用いた
場合には、緑色蛍光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱
温度は１４０°Ｃであり且つ加熱時間は１０分程度であ
る。また、緑色発光色素Ｇｃとして前記した緑色燐蛍性
色素材料のうちで例えばＩｒ（ｐｐｙ）_３を用いた場合
には、緑色燐光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温度
は１９５°Ｃであり且つ加熱時間は１０分程度である。

【００７１】更に、緑色発光色素Ｇｃの発光層１３への
ドーピングが終了したら、Ｇ用の第２基板２１を第１基
板１１上から取り外して、図８（ｃ）に示したように、
Ｂ用の第２基板２１を、第１基板１１に成膜した発光層
１３上に上記と同じような手順で載置する。この場合
に、第２基板２１の各凹部２１ｂ上に成膜した青色発光
色素Ｂｃが緑色発光色素Ｇｃをドーピングした画素電極
１２の隣の画素電極１２と対向するように位置合わせす
ると、加熱炉中で上記の如くに対応した画素電極１２上
の発光層１３の部位のみに青色発光色素Ｂｃがドーピン
グされる。そして、発光層１３中に青色発光色素Ｂｃが
ドーピングされると、発光層１３の内部で青色発光色素
Ｂｃへとエネルギーの移動が起きるために、青色発光色
素Ｂｃがドーピングされた部位は青色発光（Ｂ発光）が
可能になる。

【００７２】ここで、青色発光色素Ｂｃとして前記した
青色蛍光性色素材料のうちで例えばＴＰＢを用いた場合
には、青色蛍光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温度
は１４０°Ｃであり且つ加熱時間は１０分程度である。
また、青色発光色素Ｂｃとして前記した青色燐蛍性色素
材料のうちで例えばＦＩｒｐｉｃを用いた場合には、青
色燐光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温度は２００
°Ｃであり且つ加熱時間は１０分程度である。

【００７３】尚、上記した第４工程中での、赤色発光色
素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃの発光層
１３へのドーピングの順番はいずれの色から始めても良
い。尚また、画素電極１２上での３色配列は図示のＲＧ
Ｂ順の組み合わせに限ることなく、適宜に配列順を変え
て組み合わせてこれを繰り返して配置しても良い。

【００７４】次に、第１実施例の第５工程では、図９
（ａ），（ｂ）に示した如く、第１基板１１上に成膜し
た発光層１３中に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇ
ｃ，青色発光色素Ｂｃをそれぞれドーピングした後に、
発光層１３上に陰極となる共通電極（対向電極）１４を
複数の画素電極１２と対向させて成膜することで、本発
明に係る第１実施例の有機エレクトロルミネッセンス素
子ＥＬ１Ａが得られる。

【００７５】この際、複数の画素電極１２が第１基板１
１上にマトリックス状に膜付けされている場合には、共
通電極（対向電極）１４を全ての画素電極１２と対向さ
せて発光層１３上に成膜している。また、複数本の画素
電極１２が第１基板１１上にストライプ状に膜付けされ
ている場合には、共通電極（対向電極）１４を複数本の
画素電極１２と直交させ、且つ、直交した各部位で対向
させて発光層１３上にストライプ状に成膜している。

【００７６】また、上記した共通電極１４は、仕事関数
が低く、且つ、陰極材料に適した物質で且つ不透明な膜
として例えばＭｇ_０．９Ａｇ_０．１などを真空蒸着法な
どにより１００ｎｍ程度成膜している。

【００７７】そして、第１実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子ＥＬ１Ａを上記の工程により製造した場
合、図９（ａ）に示したように、任意の透明な画素電極
（陽極）１２と、不透明な共通電極（陰極）１４との間
に電圧を印加することにより、任意のピクセルの発光を
透明な第１基板１１の下面側から取り出すことができ
る。この際、発光層１３中に赤色発光色素Ｒｃをドーピ
ングした部位からＲ発光、発光層１３中に緑色発光色素
Ｇｃをドーピングした部位からＧ発光、発光層１３中に
青色発光色素Ｂｃをドーピングした部位からＢ発光が行
われる。

【００７８】また、図９（ｂ）に示したように、不透明
な膜として例えばＭｇ_０．９Ａｇ_{０ ．１}などを用いて複
数の画素電極１２を第１基板１１上に膜付けし、且つ、
透明な膜としてＩＴＯ膜などを用いて共通電極１４を発
光層１３上に成膜すれば、任意のピクセルの発光を第１
基板１１の上面側となる透明な共通電極１４側から取り
出すことができ、しかもこの場合に第１基板１１はＳｉ
のような不透明な基板を用いることもできる。

【００７９】ここで、上記した本発明に係る第１実施例
の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有
機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変形例
について、図１０〜図１２を用いて簡略に説明する。

【００８０】図１０は本発明に係る第１実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子を一部変形した第１変形例を説
明するための図、図１１は本発明に係る第１実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エ
レクトロルミネッセンス素子を一部変形した第２変形例
を説明するための図、図１２（ａ），（ｂ）は本発明に
係る第１実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部
変形した第３変形例を説明するための図である。

【００８１】まず、図１０に示した如く、本発明に係る
第１実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第１変形例では、第１基板１１に膜付けした画素電
極１２上に正孔注入層１５を成膜し、この正孔注入層１
５上に正孔輸送層１６を成膜し、更に、正孔輸送層１６
上に赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色
素Ｂｃをそれぞれドーピングするための発光層１３を成
膜している。そして、発光層１３への各色の発光色素Ｒ
ｃ，Ｇｃ，Ｂｃのドーピングが終了した段階で、発光層
１３上に電子輸送層１７，電子注入層１８，共通電極１
４を順に積層することで第１変形例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子ＥＬ１Ｂを得ており、この構成により
発光効率をより向上させることが可能となる。

【００８２】次に、図１１に示した如く、本発明に係る
第１実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第２変形例では、第１基板１１上の隣り合う画素素
電極１２との間にＳｉＯ_２などを用いて隔壁１９を発光
層１３より僅かに高くＣＶＤ法などにより形成すること
で、第２変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子Ｅ
Ｌ１Ｃを得ている。これにより、Ｒ用，Ｇ用，Ｂ用の各
第２基板２１を第１基板１１上に載置する際、各第２基
板２１の各凸部２１ａを隔壁１９の上端に当接させるこ
とで、各凸部２１ａが発光層１３に直接接触しないよう
にすることが可能である。

【００８３】更に、図１２（ａ），（ｂ）に示した如
く、本発明に係る第１実施例の有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセン
ス素子を一部変形した第３変形例では、第１基板１１上
に青紫色に発光するポリビニルカルバゾール（ＰＶＣ
Ｚ）を用いて発光層１３を成膜する際に、この発光層１
３中に第２基板２１に成膜した所定色の発光色素による
発光色の波長よりも短波長で発光する色の発光色素を予
め分散させており、ここでは青色発光色素Ｂｃを予め分
散させておく。これにより、Ｂ用の第２基板２１を用意
する必要が無くなり、Ｒ用の第２基板２１及びＧ用の第
２基板２１を用いて、青色発光色素Ｂｃを予め分散させ
た発光層１３中に、各第２基板２１の各凹部２１ｂ上に
それぞれ成膜した赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ
をドーピングさせれば、第３変形例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子ＥＬ１Ｄが得られる。

【００８４】この際、青紫色に発光する発光層１３中に
分散させた青色発光色素Ｂｃは発光層１３の内部で青色
発光色素Ｂｃへとエネルギーの移動が起きるので青色発
光（Ｂ発光）が可能になる。また、青色発光色素Ｂｃを
分散させた発光層１３中に、赤色発光色素Ｒｃをドーピ
ングした場合には、青色発光色素Ｂｃから赤色発光色素
Ｒｃへとエネルギーが移動するので、赤色発光色素Ｒｃ
をドーピングした部位は赤色発光（Ｒ発光）が可能にな
る。これと同様に、青色発光色素Ｂｃを分散させた発光
層１３中に、緑色発光色素Ｇｃをドーピングした場合に
は、青色発光色素Ｂｃから緑色発光色素Ｇｃへとエネル
ギーが移動するので、緑色発光色素Ｇｃをドーピングし
た部位は緑色発光（Ｇ発光）が可能になる。

【００８５】＜第２実施例＞本発明に係る第２実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子では、先に説明した第１
基板（ＴＦＴ基板）１１と、先に説明した第２基板（ス
タンプ基板）２１とを用いているものの、この第２実施
例では、第１実施例と異なって第１基板（ＴＦＴ基板）
１１上の発光層１３中に青色発光色素Ｂｃを予め分散さ
せると共に、緑色発光色素Ｇｃを成膜したＧ用の第２基
板２１と、赤色発光色素Ｒｃ及び緑色発光色素Ｇｃを共
蒸着したＲＧ用の第２基板２１とを用いている。

【００８６】尚、説明の便宜上、第１実施例と同一構成
部材に対しては同一の符号を付し、且つ、第１実施例と
同一色の発光色素に対しても同一の符号を付して説明
し、ここでは第１実施例と異なる点を中心にして、図１
３〜図１７を用いて工程順に説明する。

【００８７】図１３は第２実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法における第１工程を説明する
ための模式図、図１４（ａ），（ｂ）は第２実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第
２工程を説明するための模式図、図１５（ａ），（ｂ）
は第２実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法における第３工程を説明するための模式図、図１
６（ａ），（ｂ）は第２実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法における第４工程を説明するた
めの模式図、図１７（ａ），（ｂ）は第２実施例の有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第５
工程を説明するための模式図である。

【００８８】まず、第２実施例の第１工程では、図１３
に示した如く、第１基板（ＴＦＴ基板）１１に膜付けし
た複数の画素電極１２上及び画素電極１２間の第１基板
１１上に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた発光層１
３を一様に成膜している。上記した発光層１３は、第１
実施例と同様に、例えば青紫色に発光するポリビニルカ
ルバゾール（ＰＶＣＺ）などを用いており、この発光層
１３中に第１実施例で説明したような青色蛍光性材料又
は青色燐光性材料を用いて青色発光色素Ｂｃを予め分散
させている。より具体的には、青色発光色素Ｂｃとして
青色蛍光性色素材料のうちで例えばＴＰＢ（テトラフェ
ニルブタジエン）を用いた場合には、発光層１３中にＴ
ＰＢを５ｍｏｌ％程度予め分散させている。また、青色
発光色素Ｂｃとして青色燐光性色素材料のうちで例えば
ＦＩｒｐｉｃを用いた場合には、発光層１３中にＦＩｒ
ｐｉｃを５ｗｔ％程度予め分散させている。これにより
青色の色度を向上できると共に、発光層１３の内部で青
色発光色素Ｂｃへとエネルギー移動がスムーズに行われ
るので、発光波長のピークが４４０ｎｍ程度の青色発光
（Ｂ発光）が可能となる。

【００８９】また、青色および青色以外の色の発光効率
の観点から、発光層１３中に低分子材料で電子輸送性を
向上させる材料として例えばＰＢＤ（オキサジアゾール
の誘導体）などを３０ｗｔ％程度分散させておくと、各
色で電子輸送性が向上する。更に、発光層１３中に予め
分散させた青色発光色素Ｂｃは、後述するようにＧ用の
第２基板２１に成膜した緑色発光色素Ｇｃ、ＲＧ用の第
２基板２１に成膜した赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素
Ｇｃによる各発光色の波長よりも短波長で発光する発光
色素である。

【００９０】そして、青色発光色素Ｂｃを予め分散させ
た発光層１３をスピンコート法などにより第１基板１１
上に１００ｎｍ程度の厚みに塗布して、その後、十分に
乾燥させている。

【００９１】次に、第２実施例の第２工程では、図１４
（ａ），（ｂ）に示した如く、凸部２１ａと凹部２１ｂ
とを繰り返し形成した第２基板（スタンプ基板）２１を
Ｇ用，ＲＧ用として２個用意する。

【００９２】即ち、図１４（ａ）に示したように、Ｇ用
の第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２
１ｂ上に、緑色発光色素Ｇｃを真空蒸着法や、スピンコ
ート法，ディップコート法，インクジェット法などのウ
ェットプロセスなどの方法により２０ｎｍ程度成膜す
る。この際、緑色発光色素Ｇｃとしては、第１実施例と
同様に既知の種類の緑色蛍光性色素材料又は緑色燐光性
色素材料を用いている。

【００９３】また、図１４（ｂ）に示したように、ＲＧ
用の第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部
２１ｂ上に、赤色発光色素Ｒｃと緑色発光色素Ｇｃとを
体積比１：１で共蒸着させて、２０ｎｍ程度成膜する。
この際、赤色発光色素Ｒｃとしては、第１実施例と同様
に既知の種類の赤色蛍光性色素材料又は赤色燐光性色素
材料を用い、一方、緑色発光色素Ｇｃとしては第１実施
例及び上記と同じような既知の種類の緑色蛍光性色素材
料又は青色燐光性色素材料を用いている。ここで、赤色
発光色素Ｒｃとして赤色蛍光性色素材料のうちで例えば
ニールレッドなどを用いた場合には結晶性が高いため、
それだけを成膜すると膜にならず、結晶化してしまう。
ところが、ニールレッドなどを用いた場合に非晶質性の
高い緑色発光色素Ｇｃとして前記した緑色蛍光性色素材
料のうちで例えばクマリン６などと共蒸着すると、非晶
質の混合膜が形成されるという効果もある。

【００９４】上記した第２実施例の第２工程でも、ウェ
ットプロセスを用いて成膜する場合に、第１実施例と略
同様に、Ｇ用の第２基板２１及びＲＧ用の第２基板２１
への前処理として、図６（ａ）に示した如くの親水処理
Ｓを施せば、各凹部２１ｂ内の左右の垂直な壁の表面が
凹凸状にあらされないので各凹部２１ｂ内の左右の垂直
な壁の表面に余分な各発光色素Ｇｃ，Ｒｃ＋Ｇｃの粒子
が付着しないですむ。

【００９５】また、真空蒸着法やウェットプロセスを用
いて成膜する場合に、第１実施例と略同様に、第２工程
の前処理として図６（ｂ）に示した如くの撥水処理Ｈを
必要に応じて施したり、又は、図６（ｃ）に示した如く
付着力が極めて弱い金Ａｕ，銀Ａｇなどの金属を必要に
応じて成膜することで、各凸部２１ａ上に成膜した不必
要な各発光色素Ｇｃ，Ｒｃ＋Ｇｃを下記する第３工程で
除去し易くなる。

【００９６】次に、第２実施例の第３工程では、図１５
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｇ用，ＲＧ用の各第２基
板２１の各凸部２１ａ上にそれぞれ成膜した緑色発光色
素Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃがこの第
２実施例でも不必要となるために、各第２基板２１の各
凸部２１ａ上に成膜した各発光色素を粘着テープ又は刃
物などにより除去している。これにより、Ｇ用，ＲＧ用
の各第２基板２１の各凹部２１ｂ上には、緑色発光色素
Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃがそれぞれ
成膜されたまま残っている。

【００９７】次に、第２実施例の第４工程では、図１６
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｇ用，ＲＧ用の各第２基
板２１の各凹部２１ｂ上にそれぞれ成膜した緑色発光色
素Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃを、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中
にそれぞれ順にドーピング（拡散）させている。ここ
で、各第２基板２１に形成した各凹部２１ｂの幅は、前
述したように第１基板１１上の１個の画素電極１２の幅
と同寸法に形成されているので、各１個の画素電極１２
と対応する部位の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に各
色の発光色素Ｇｃ，Ｒｃ＋Ｇｃをそれぞれドーピングで
きるものである。

【００９８】即ち、図１６（ａ）に示したように、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
に、緑色発光色素Ｇｃを各凹部２１ｂ上に成膜したＧ用
の第２基板２１を載置する。この際、第２基板２１に形
成した各凸部２１ａが発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
に接触するものの、各凸部２１ａは前述したように緑色
発光色素Ｇｃが剥離されている。

【００９９】また、第２基板２１に形成した各凹部２１
ｂを画素電極１２と３つおきに対向するように位置合わ
せして載置する。この時、第２基板２１に形成した各凹
部２１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃはこれと対応す
る各画素電極１２上の発光層１３に対して非接触になっ
ている。

【０１００】この後、第１基板１１上に第２基板２１を
重ね合わせた状態で最適な温度雰囲気の加熱炉（オーブ
ン）内に挿入して両基板１１，２１を所定の時間に亘っ
て加熱すると、各凹部２１ｂ上に成膜した緑色発光色素
Ｇｃが蒸発し、青色発光色素Ｂｃを分散させた発光層１
３に到達した後、その位置で青色発光色素Ｂｃを分散さ
せた発光層１３中に緑色発光色素Ｇｃが拡散する。従っ
て、各凹部２１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃがこれ
と対応する画素電極１２上の発光層１３＋青色発光色素
Ｂｃの部位のみにドーピングされる。そして、青色発光
色素Ｂｃを分散させた発光層１３中に緑色発光色素Ｇｃ
がドーピングされると、発光層１３中には青色発光色素
Ｂｃと緑色発光色素Ｇｃとが存在するが、ここで、青色
発光色素Ｂｃは発光層１３からエネルギーを受け取り、
緑色発光色素Ｇｃに受け渡す中継の役割を果たす。ま
た、緑色発光色素Ｇｃは、これより発光波長が短波長の
発光色素による中継が無く直接エネルギーを受け取る場
合より、スムーズにエネルギーを受け取ることができる
ので、緑色の発光効率が向上するし、これにより緑色発
光色素Ｇｃ以外の発光を押さえることになるので、緑色
の色度が向上する。

【０１０１】この時、青色発光色素Ｂｃを分散さた発光
層１３中の発光色素濃度には、適当な値があり、それ以
下であるとその発光色素の発光が得られないし、それ以
上では濃度消光により発光効率が落ちてしまう。従っ
て、加熱温度、加熱時間を制御することにより発光色素
濃度が最適になるようにする。ここで、緑色発光色素Ｇ
ｃとして緑色蛍光性色素材料のうちで例えばクマリン６
を用いた場合に、緑色蛍光発光色素が蒸発しやすい最適
な加熱温度１４０°Ｃで１０分程度加熱すると、緑色蛍
光発光色素が最適量分散される。また、緑色発光色素Ｇ
ｃとして緑色燐光性色素材料のうちで例えばＩｒ（ｐｐ
ｙ）_３を用いた場合に、緑色燐光発光色素が蒸発しやす
い最適な加熱温度１９５°Ｃで１０分程度加熱すると、
緑色蛍光発光色素が最適量分散される。

【０１０２】次に、緑色発光色素Ｇｃの発光層１３＋青
色発光色素Ｂｃへのドーピングが終了したら、Ｇ用の第
２基板２１を第１基板１１上から取り外して、図１６
（ｂ）に示したように、ＲＧ用の第２基板２１を、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
に上記と同じような手順で載置する。この場合には、第
２基板２１の各凹部２１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒ
ｃ＋緑色発光色素Ｇｃが緑色発光色素Ｇｃをドーピング
した画素電極１２の隣の画素電極１２と対向するように
位置合わせすると、加熱炉中で上記の如くに対応した画
素電極１２上の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃの部位の
みに赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃがドーピング
される。そして、青色発光色素Ｂｃを分散させた発光層
１３中に赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃがドーピ
ングされると、この発光層１３中には青色発光色素Ｂ
ｃ、緑色発光色素Ｇｃ、赤色発光色素Ｒｃが存在する
が、発光層１３から青色発光色素Ｂｃへ、青色発光色素
Ｂｃから緑色発光色素Ｇｃへ、緑色発光色素Ｇｃから赤
色発光色素Ｒｃへと長波長に向かってエネルギー移動が
順次スムーズに行われる。従って、これより発光波長が
短波長の発光色素による中継が無く直接エネルギーを受
け取る場合より、赤色の発光効率が向上し、さらに赤色
発光色素Ｒｃ以外からの発光が押さえられるため、赤色
の色度が向上する。

【０１０３】ここで、赤色発光色素Ｒｃとして赤色蛍光
性色素材料のうちで例えばニールレッドを用い、且つ、
緑色発光色素Ｇｃとして緑色蛍光性色素材料のうちでク
マリン６を用いた場合には、赤色蛍光発光色素と緑色蛍
光発光色素とが蒸発しやすい最適な加熱温度１４０°Ｃ
で１０分程度加熱すると、赤色蛍光発光色素及び緑色蛍
光発光色素が最適量分散される。また、赤色発光色素Ｒ
ｃとして赤色燐光性色素材料のうちで例えばＰｔＯＥＰ
を用い、且つ、緑色発光色素Ｇｃとして緑色燐光性色素
材料のうちでＩｒ（ｐｐｙ）_３を用いた場合には、赤色
燐光発光色素と緑色燐光発光色素とが蒸発しやすい最適
な加熱温度２０５°Ｃで１０分程度加熱すると、赤色燐
光発光色素及び緑色燐光発光色素が最適量分散される。

【０１０４】尚、上記した第４工程中での、緑色発光色
素Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃの発光層
１３へのドーピングの順番はどちらから始めても良い。

【０１０５】次に、第２実施例の第５工程では、図１７
（ａ），（ｂ）に示した如く、第１基板１１上に成膜し
た発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に、緑色発光色素Ｇ
ｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃをそれぞれド
ーピングした後に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた
発光層１３上に陰極となる共通電極（対向電極）１４を
複数の画素電極１２と対向させて成膜することで、本発
明に係る第２実施例の有機エレクトロルミネッセンス素
子ＥＬ２Ａが得られる。

【０１０６】この際、上記した共通電極１４は、仕事関
数が低く、且つ、陰極材料に適した物質で且つ不透明な
膜として例えばＭｇ_０．９Ａｇ_０．１などを真空蒸着法
などにより１００ｎｍ程度成膜している。

【０１０７】そして、第２実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子ＥＬ２Ａを上記の工程により製造した場
合、図１７（ａ）に示したように、任意の透明な画素電
極（陽極）１２と、不透明な共通電極（陰極）１４との
間に電圧を印加することにより、任意のピクセルの発光
を透明な第１基板（ＴＦＴ基板）１１の下面側から取り
出すことができる。この際、発光層１３中に青色発光色
素Ｂｃを予め分散させた部位からＢ発光、発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃ中に緑色発光色素Ｇｃをドーピングし
た部位からＧ発光、発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に
赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃをドーピングした
部位からＲ発光が行われる。

【０１０８】また、図１７（ｂ）に示したように、不透
明な膜として例えばＭｇ_０．９Ａｇ _０．１などを用いて
複数の画素電極１２を第１基板１１上に膜付けし、且
つ、透明な膜としてＩＴＯ膜などを用いて共通電極１４
を青色発光色素Ｂｃを分散させた発光層１３上に成膜す
れば、任意のピクセルの発光を第１基板１１の上面側と
なる透明な共通電極１４側から取り出すことができ、し
かもこの場合に第１基板１１はＳｉのような不透明な基
板を用いることもできる。

【０１０９】ここで、上記した本発明に係る第２実施例
の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有
機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変形例
について、図１８及び図１９を用いて簡略に説明する。

【０１１０】図１８は本発明に係る第２実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子を一部変形した第１変形例を説
明するための図、図１９は本発明に係る第２実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エ
レクトロルミネッセンス素子を一部変形した第２変形例
を説明するための図である。

【０１１１】まず、図１８に示した如く、本発明に係る
第２実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第１変形例では、第１基板１１に膜付けした画素電
極１２上に正孔注入層１５を成膜し、この正孔注入層１
５上に正孔輸送層１６を成膜し、更に、正孔輸送層１６
上に緑色発光色素Ｇｃ、赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色
素Ｇｃをそれぞれドーピングするために青色発光色素Ｂ
ｃを分散させた発光層１３を成膜している。そして、発
光層１３＋青色発光色素Ｂｃへの各色の発光色素Ｇｃ，
Ｒｃ＋Ｇｃのドーピングが終了した段階で、発光層１３
上に電子輸送層１７、電子注入層１８、共通電極１４を
順に積層することで第１変形例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子ＥＬ２Ｂを得ており、この構成により発光
効率をより向上させることが可能となる。

【０１１２】次に、図１９に示した如く、本発明に係る
第２実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第２変形例では、第１基板１１上の隣り合う画素素
電極１２との間にＳｉＯ_２などを用いて隔壁１９を発光
層１３より僅かに高くＣＶＤ法などにより形成すること
で、第２変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子Ｅ
Ｌ２Ｃを得ている。これにより、Ｇ用，ＲＧ用の各第２
基板２１を第１基板１１上に載置する際、各第２基板２
１の各凸部２１ａを隔壁１９の上端に当接させること
で、各凸部２１ａが発光層１３に直接接触しないように
することが可能である。

【０１１３】＜第３実施例＞本発明に係る第３実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子では、先に説明した第１
基板（ＴＦＴ基板）１１と、第３実施例用として形成し
たＲ用の第２基板（スタンプ基板）２１及びＧ用の第３
基板（スタンプ基板）３１とを用いている。

【０１１４】尚、説明の便宜上、第１，第２実施例と同
一構成部材に対しては同一の符号を付し、且つ、第１，
第２実施例と同一色の発光色素に対しても同一の符号を
付して説明し、且つ、第１，第２実施例と異なる構成部
材に新たな符号を付して説明する。

【０１１５】図２０（ａ），（ｂ）は本発明に係る第３
実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
及び有機エレクトロルミネッセンス素子において、第２
基板（スタンプ基板）及び第３基板（スタンプ基板）を
説明するために模式的に示した図である。

【０１１６】第３実施例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素
子では、図２０（ａ），（ｂ）に示したような第２基板
２１及び第３基板３１を、先に図１（ａ），（ｂ）を用
いて説明した第１基板１１上に載置するためのスタンプ
基板として予め２種類用意している。

【０１１７】上記した第２基板（スタンプ基板）２１
は、先に第１実施例で図２及び図３（ａ），（ｂ）を用
いて説明したものと全く同一形状であり、ＲＧＢの３画
素と対応させて凸部２１ａ及び凹部２１ｂを１組とし
て、この組みを画素電極１２（図１）の列方向及び／又
は行方向に沿って複数組み繰り返して、シリコン基板な
どを用いてフォトリソグラフィー法，エッチング法など
の方法により凹凸状に形成されている。

【０１１８】ここで、第２基板２１に形成した各凸部２
１ａの幅は、第１基板１１上の画素電極１２の幅の２個
分と、２個の画素電極１２の左右の隙間とを含める寸法
に形成されており、具体的には各凸部２１ａの幅は｛２
×１３＋１×３｝μｍ＝２９μｍに設定されていると共
に、各凸部２１ａの高さは各凹部２１ｂに対して１０μ
ｍ程度突出している。また、第２基板２１に形成した各
凹部２１ｂの幅は、第１基板１１上の１個の画素電極１
２の幅と同じ幅で１３μｍに設定されている。一方、上
記した第３基板（スタンプ基板）３１は、第３実施例用
として新たに形成したものであり、第１基板１１上で青
色発光色素Ｂｃを予め分散させて成膜した発光層１３上
に載置するための凸部３１ａと、この凸部３１ａに隣接
してへこませ且つ所定色の発光色素をドーピングすべき
発光層部位と対応する画素電極１２と略同じ面積を有す
る凹部３１ｂとを１組とし、この組みを画素電極１２の
列方向及び／又は行方向に沿って繰り返して、シリコン
基板などを用いてフォトリソグラフィー法，エッチング
法などの方法により凹凸状に形成されている。

【０１１９】ここで、第３基板３１に形成した各凸部３
１ａの幅は、第１基板１１上の１個の画素電極１２の幅
と、この画素電極１２の左右の隙間とを含める寸法に形
成されており、具体的には各凸部３１ａの幅は｛１３＋
１×２｝μｍ＝１５μｍに設定されていると共に、各凸
部３１ａの高さは各凹部３１ｂに対して１０μｍ程度突
出している。また、第３基板３１に形成した各凹部３１
ｂの幅は、第１基板１１上の画素電極１２の幅の２個分
を含める寸法に形成されており、具体的には各凹部３１
ｂの幅は｛２×１３＋１｝μｍ＝２７μｍに設定されて
いる。従って、１組の凸部３１ａと凹部３１ｂとを合わ
せた面積を、ＲＧＢ３画素に対応する３個の画素電極１
２の面積と略一致させている。

【０１２０】そして、第２，第３基板２１，３１の平面
的な形状は、ここでの図示を省略するものの、先に説明
した図３（ａ），（ｂ）と同様に、各凸部２１ａ，３１
ａと各凹部２１ｂ，３１ｂとを互いに並行にストライプ
状に形成したり、あるいは、各凹部２１ｂ，３１ｂを千
鳥状に配列している。

【０１２１】次に、第１基板（ＴＦＴ基板）１１と、２
種類の第２，第３基板（スタンプ基板）２１，３１とを
用いて、本発明に係る第３実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を製造する方法について、図２１〜図２
５を用いて工程順に説明する。

【０１２２】図２１は第３実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法における第１工程を説明する
ための模式図、図２２（ａ），（ｂ）は第３実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第
２工程を説明するための模式図、図２３（ａ），（ｂ）
は第３実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法における第３工程を説明するための模式図、図２
４（ａ），（ｂ）は第３実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法における第４工程を説明するた
めの模式図、図２５（ａ），（ｂ）は第３実施例の有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第５
工程を説明するための模式図である。

【０１２３】まず、第３実施例の第１工程では、図２１
に示した如く、第１基板（ＴＦＴ基板）１１に膜付けし
た複数の画素電極１２上及び画素電極１２間の第１基板
１１上に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた発光層１
３を一様に成膜している。上記した発光層１３は、第
１，第２実施例と同様に、例えば青紫色に発光するポリ
ビニルカルバゾール（ＰＶＣＺ）などを用いており、こ
の発光層１３中に第２実施例と同様に青色蛍光性材料又
は青色燐光性材料を用いて青色発光色素Ｂｃを予め分散
させている。より具体的には、青色発光色素Ｂｃとして
青色蛍光性色素材料のうちで例えばＴＰＢ（テトラフェ
ニルブタジエン）を用いた場合には、発光層１３中にＴ
ＰＢを５ｍｏｌ％程度予め分散させている。また、青色
発光色素Ｂｃとして青色燐光性色素材料のうちで例えば
ＦＩｒｐｉｃを用いた場合には、発光層１３中にＦＩｒ
ｐｉｃを５ｗｔ％程度予め分散させている。これにより
青色の色度を向上できると共に、発光層１３から青色発
光色素Ｂｃへとエネルギー移動はスムーズに行われるの
で、発光波長のピークが４４０ｎｍ程度の青色発光（Ｂ
発光）が可能になる。

【０１２４】また、青色および青色以外の色の発光効率
の観点から、発光層１３中に低分子材料で電子輸送性を
向上させる材料として例えばＰＢＤ（オキサジアゾール
の誘導体）などを３０ｗｔ％程度分散させておくと、各
色で電子輸送性が向上する。更に、発光層１３中に予め
分散させた青色発光色素Ｂｃは、後述するようにＲ用の
第２基板２１に成膜した赤色発光色素Ｒｃ、Ｇ用の第３
基板３１に成膜した緑色発光色素Ｇｃによる各発光色の
波長よりも短波長で発光する発光色素である。

【０１２５】そして、青色発光色素Ｂｃを予め分散させ
た発光層１３をスピンコート法などにより第１基板１１
上に１００ｎｍ程度の厚みに塗布して、その後、十分に
乾燥させている。

【０１２６】次に、第３実施例の第２工程では、図２２
（ａ），（ｂ）に示した如く、凸部２１ａと凹部２１ｂ
とを繰り返し形成した第２基板（スタンプ基板）２１を
Ｒ用として用意し、且つ、凸部３１ａと凹部３１ｂとを
繰り返し形成した第３基板（スタンプ基板）３１をＧ用
として用意する。

【０１２７】即ち、図２２（ａ）に示したように、Ｒ用
の第２基板２１に形成した各凸部２１ａ上及び各凹部２
１ｂ上に、赤色発光色素Ｒｃを真空蒸着法や、スピンコ
ート法，ディップコート法，インクジェット法などのウ
ェットプロセスなどの方法により２０ｎｍ程度成膜す
る。この際、赤色発光色素Ｒｃとしては、第１，第２実
施例と同様に既知の赤色蛍光性色素材料又は既知の赤色
燐光性色素材料を用いている。

【０１２８】また、図２２（ｂ）に示したように、Ｇ用
の第３基板３１に形成した各凸部３１ａ上及び各凹部３
１ｂ上に、緑色発光色素Ｇｃを真空蒸着法や、スピンコ
ート法，ディップコート法，インクジェット法などのウ
ェットプロセスなどの方法により２０ｎｍ程度成膜す
る。この際、緑色発光色素Ｇｃとしては、第１，第２実
施例と同様に既知の緑色蛍光性色素材料又は既知の緑色
燐光性色素材料を用いている。

【０１２９】上記した第３実施例の第２工程でも、ウェ
ットプロセスを用いて成膜する場合に、第１実施例と略
同様に、Ｒ用の第２基板２１及びＧ用の第３基板３１へ
の前処理として、図６（ａ）に示した如くの親水処理Ｓ
を施せば、第２，第３基板２１，３１の各凹部２１ｂ内
及び各凹部３１ｂ内の左右の垂直な壁の表面が凹凸状に
あらされないので各凹部２１ｂ及び各凹部３１ｂ内の左
右の垂直な壁の表面に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃの粒
子が付着しないですむ。

【０１３０】また、真空蒸着法やウェットプロセスを用
いて成膜する場合に、第１実施例と略同様に、第２工程
の前処理として図６（ｂ）に示した如くの撥水処理Ｈを
必要に応じて施したり、又は、図６（ｃ）に示した如く
付着力が極めて弱い金Ａｕ，銀Ａｇなどの金属を必要に
応じて成膜することで、第２，第３基板２１，３１の各
凸部２１ａ上及び各凸部３１ａ上に成膜した不必要な各
発光色素Ｒｃ，Ｇｃを下記する第３工程で除去し易くな
る。

【０１３１】次に、第３実施例の第３工程では、図２３
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｒ用の第２基板２１の各
凸部２１ａ上にそれぞれ成膜した赤色発光色素Ｒｃと、
Ｇ用の第３基板３１の各凸部３１ａ上にそれぞれ成膜し
た緑色発光色素Ｇｃとがこの第３実施例でも不必要とな
るために、第２基板２１の各凸部２１ａ上及び第３基板
３１の各凸部３１ａ上に成膜した各発光色素を粘着テー
プ又は刃物などにより除去している。これにより、Ｒ用
の第２基板２１の各凹部２１ｂ上には赤色発光色素Ｒｃ
がそれぞれ成膜されたまま残っていると共に、Ｇ用の第
３基板３１の各凹部３１ｂ上には緑色発光色素Ｇｃがそ
れぞれ成膜されたまま残っている。

【０１３２】次に、第３実施例の第４工程では、図２４
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｇ用の第３基板３１の各
凹部３１ｂ上にそれぞれ成膜した緑色発光色素Ｇｃと、
Ｒ用の第２基板２１の各凹部２１ｂ上にそれぞれ成膜し
た赤色発光色素Ｒｃとを、第１基板１１上に成膜した発
光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にそれぞれ順にドーピン
グ（拡散）させている。この第３実施例でも、ドーピン
グさせる順番は限定されない。

【０１３３】ここで、第２基板２１に形成した各凹部２
１ｂの幅は、前述したように第１基板１１上の１個の画
素電極１２の幅と同寸法に形成されているので、１個の
画素電極１２と対応する部位の発光層１３＋青色発光色
素Ｂｃ中に赤色発光色素Ｒｃをドーピングできるもので
ある。また、第３基板３１に形成した各凹部３１ａの幅
は、前述したように第１基板１１上の２画素分の幅に形
成されているので、各２個の画素電極１２と対応する部
位の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に緑色発光色素Ｇ
ｃをドーピングできるものである。

【０１３４】即ち、図２４（ａ）に示したように、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
に、Ｇ用の第３基板３１に形成した各凸部３１ａを接触
させて載置するものの、各凸部３１ａは前述したように
緑色発光色素Ｇｃが剥離されている。

【０１３５】また、第３基板３１の各凹部３１ｂ上に成
膜した緑色発光色素Ｇｃは、この緑色発光色素Ｇｃをド
ーピングすべき発光層部位と対応しているものであり、
この各凹部３１ｂを緑色発光色素Ｇｃをドーピングすべ
き発光層部位を介してこれと対応する各画素電極１２と
対向させており、２画素分の幅で形成されている各凹部
３１ｂを第１基板１１上の各２個の画素電極に対向さ
せ、且つ、各凹部３１ｂを３画素間隔で位置合わせして
載置すると、各凹部２１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇ
ｃはこれと対応する各２個の画素電極１２上の発光層１
３に対して非接触になっている。

【０１３６】この後、第１基板１１上に第３基板３１を
重ね合わせた状態で最適な温度雰囲気の加熱炉（オーブ
ン）内に挿入して両基板１１，３１を所定の時間に亘っ
て加熱すると、各凹部３１ｂ上に成膜した緑色発光色素
Ｇｃが蒸発し、青色発光色素Ｂｃを分散させた発光層１
３に到達した後、その位置で青色発光色素Ｂｃを分散さ
せた発光層１３中に緑色発光色素Ｇｃが拡散する。従っ
て、各凹部３１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃがこれ
と対応する各２個の画素電極１２上の発光層１３＋青色
発光色素Ｂｃの部位のみにドーピングされる。

【０１３７】そして、青色発光色素Ｂｃを分散させた発
光層１３中に緑色発光色素Ｇｃがドーピングされると、
発光層１３中には青色発光色素Ｂｃと緑色発光色素Ｇｃ
とが存在するが、ここで、青色発光色素Ｂｃは発光層１
３からエネルギーを受け取り、緑色発光色素Ｇｃに受け
渡す中継の役割を果たす。また、緑色発光色素Ｇｃは、
これより発光波長が短波長の発光色素による中継が無く
直接エネルギーを受け取る場合より、スムーズにエネル
ギーを受け取ることができるので、緑色の発光効率が向
上するし、これにより緑色発光色素Ｇｃ以外の発光を押
さえることになるので、緑色の色度が向上する。

【０１３８】この時、青色発光色素Ｂｃを分散さた発光
層１３中の発光色素濃度には、適当な値があり、それ以
下であるとその発光色素の発光が得られないし、それ以
上では濃度消光により発光効率が落ちてしまう。従っ
て、加熱温度、加熱時間を制御することにより発光色素
濃度が最適になるようにする。ここで、緑色発光色素Ｇ
ｃとして緑色蛍光性色素材料のうちで例えばクマリン６
を用いた場合に、緑色蛍光発光色素が蒸発しやすい最適
な加熱温度１４０°Ｃで１０分程度加熱すると、緑色蛍
光発光色素が最適量分散される。また、緑色発光色素Ｇ
ｃとして緑色燐光性色素材料のうちで例えばＩｒ（ｐｐ
ｙ）_３を用いた場合に、緑色燐光発光色素が蒸発しやす
い最適な加熱温度１９５°Ｃで１０分程度加熱すると、
緑色燐光発光色素が最適量分散される。

【０１３９】次に、緑色発光色素Ｇｃの発光層１３＋青
色発光色素Ｂｃへのドーピングが終了したら、Ｇ用の第
３基板３１を第１基板１１上から取り外して、図２４
（ｂ）に示したように、Ｒ用の第２基板２１を、第１基
板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上に
上記と同じような手順で載置する。この場合には、第２
基板２１の各凹部２１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃ
が緑色発光色素Ｇｃをドーピングした２個の画素電極１
２のうちのいずれか１個の画素電極１２と対向するよう
に位置合わせすると、加熱炉中で上記の如くに対応した
画素電極１２上の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ＋緑色
発光色素Ｇｃの部位のみに赤色発光色素Ｒｃがドーピン
グされる。そして、青色発光色素Ｂｃを分散させ、且
つ、緑色発光色素Ｇｃをドーピングした発光層１３中に
更に赤色発光色素Ｒｃがドーピングされると、緑色発光
色素Ｇｃが青色発光色素Ｂｃから赤色発光色素Ｒｃへと
エネルギー移動する際の中継的役割をするため、発光層
１３中の青色発光色素Ｂｃから直接赤色発光色素Ｒｃへ
とエネルギー移動する場合と比較して、エネルギー移動
がスムーズに行われるので、エネルギー利用効率が向上
する。従って、これより発光波長が短波長の発光色素に
よる中継が無く直接エネルギーを受け取る場合より、赤
色の発光効率が向上し、さらに赤色発光色素Ｒｃ以外か
らの発光が押さえられるため、赤色の色度が向上する。

【０１４０】ここで、赤色発光色素Ｒｃとして赤色蛍光
性色素材料のうちで例えばＤＣＪＴを用いた場合に、赤
色蛍光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温度１６０°
Ｃで１０分程度加熱すると、赤色発光色素Ｒｃが最適量
分散される。また、赤色発光色素Ｒｃとして赤色燐光性
色素材料のうちで例えばＰｔＯＥＰを用いた場合に、赤
色燐光発光色素が蒸発しやすい最適な加熱温度２０５°
Ｃで１０分程度加熱すると、赤色発光色素Ｒｃが最適量
分散される。

【０１４１】次に、第３実施例の第５工程では、図２５
（ａ），（ｂ）に示した如く、第１基板１１上に成膜し
た発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に、緑色発光色素Ｇ
ｃ，赤色発光色素Ｒｃをそれぞれ上記順にドーピングし
た後に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた発光層１３
上に陰極となる共通電極（対向電極）１４を複数の画素
電極１２と対向させて成膜することで、本発明に係る第
３実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ３Ａ
が得られる。

【０１４２】この際、上記した共通電極１４は、仕事関
数が低く、且つ、陰極材料に適した物質で且つ不透明な
膜として例えばＭｇ_０．９Ａｇ_０．１などを真空蒸着法
などにより１００ｎｍ程度成膜している。

【０１４３】そして、第３実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子ＥＬ３Ａを上記の工程により製造した場
合、図２５（ａ）に示したように、任意の透明な画素電
極（陽極）１２と、不透明な共通電極（陰極）１４との
間に電圧を印加することにより、任意のピクセルの発光
を透明な第１基板（ＴＦＴ基板）１１の下面側から取り
出すことができる。この際、発光層１３中に青色発光色
素Ｂｃを予め分散させた部位からＢ発光、発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃ中に緑色発光色素Ｇｃをドーピングし
た部位からＧ発光、発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ＋緑
色発光色素Ｇｃ中に赤色発光色素Ｒｃをドーピングした
部位からＲ発光が行われる。

【０１４４】また、図２５（ｂ）に示したように、不透
明な膜として例えばＭｇ_０．９Ａｇ _０．１などを用いて
複数の画素電極１２を第１基板１１上に膜付けし、且
つ、透明な膜としてＩＴＯ膜などを用いて共通電極１４
を青色発光色素Ｂｃを分散させた発光層１３上に成膜す
れば、任意のピクセルの発光を第１基板１１の上面側と
なる透明な共通電極１４側から取り出すことができ、し
かもこの場合に第１基板１１はＳｉのような不透明な基
板を用いることもできる。

【０１４５】ここで、上記した本発明に係る第３実施例
の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有
機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変形例
について、図２６及び図２７を用いて簡略に説明する。

【０１４６】図２６は本発明に係る第３実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子を一部変形した第１変形例を説
明するための図、図２７は本発明に係る第３実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エ
レクトロルミネッセンス素子を一部変形した第２変形例
を説明するための図である。

【０１４７】まず、図２６に示した如く、本発明に係る
第３実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第１変形例では、第１基板１１に膜付けした画素電
極１２上に正孔注入層１５を成膜し、この正孔注入層１
５上に正孔輸送層１６を成膜し、更に、正孔輸送層１６
上に緑色発光色素Ｇｃ、赤色発光色素Ｒｃをそれぞれド
ーピングするために青色発光色素Ｂｃを分散させた発光
層１３を成膜している。そして、発光層１３＋青色発光
色素Ｂｃへの各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃのドーピングが
終了した段階で、発光層１３上に電子輸送層１７、電子
注入層１８、共通電極１４を順に積層することで第１変
形例の有機エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ３Ｂを得
ており、この構成により発光効率をより向上させること
が可能となる。

【０１４８】次に、図２７に示した如く、本発明に係る
第３実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第２変形例では、第１基板１１上の隣り合う画素素
電極１２との間にＳｉＯ_２などを用いて隔壁１９を発光
層１３より僅かに高くＣＶＤ法などにより形成すること
で、第２変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子Ｅ
Ｌ３Ｃを得ており、これにより、Ｒ用の第２基板２１を
第１基板１１上に載置する際、例えば第２基板２１の各
凸部２１ａを隔壁１９の上端に当接させることで、各凸
部２１ａが発光層１３に直接接触しないようにすること
が可能であり、また、Ｇ用の第３基板３１に対しても第
２基板２１と同様である。

【０１４９】＜第４実施例＞本発明に係る第４実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子では、先に説明した第１
実施例におけるドーピング技術思想を適用しており、こ
の第４実施例ではＲ用，Ｇ用，Ｂ用の各第２基板（スタ
ンプ基板）４１の各凸部４１ａ上にそれぞれ成膜した赤
色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃ
のみを、第１基板１１上に成膜した発光層１３中にドー
ピングしている点が特徴である。これに伴って、第４実
施例に用いる第２基板４１の形状は、先に図２及び図３
（ａ），（ｂ）で説明した第１実施例に用いる第２基板
（スタンプ基板）２１に対して各凹凸部の寸法関係が逆
になっている。

【０１５０】図２８は本発明に係る第４実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子において、第２基板（スタンプ
基板）を説明するために模式的に示した図、図２９は図
２８に示した第２基板（スタンプ基板）を平面的に示し
た平面図であり、（ａ）はストライプ状に形成した場合
を示し、（ｂ）は千鳥状に形成した場合を示した図であ
る。

【０１５１】図２８に示した如く、第４実施例に用いる
第２基板（スタンプ基板）４１は、第１基板１１に成膜
した発光層１３上に載置し且つ所定色の発光色素をドー
ピングすべき発光層部位と対応する画素電極１２と略同
じ面積を有する凸部４１ａと、この凸部４１ａに隣接し
てへこませた凹部４１ｂとを１組とし、この組みを画素
電極１２の列方向及び／又は行方向に沿って繰り返し
て、シリコン基板などを用いてフォトリソグラフィー
法，エッチング法などの方法により凹凸状に形成されて
いる。

【０１５２】ここで、第２基板４１に形成した各凸部４
１ａの幅は、第１基板１１上の１個の画素電極１２の幅
と同じ幅で１３μｍに設定されていると共に、各凸部４
１ａの高さは各凹部４１ｂに対して１０μｍ程度突出し
ている。また、第２基板４１に形成した各凹部４１ｂの
幅は、第１基板１１上の画素電極１２の幅の２個分と、
２個の画素電極１２の左右の隙間とを含める寸法に形成
されており、具体的には各凹部４１ｂの幅は｛２×１３
＋１×３｝μｍ＝２９μｍに設定されている。従って、
１組の凸部４１ａと凹部４１ｂとを合わせた面積を、Ｒ
ＧＢ３画素に対応する３個の画素電極１２の面積と略一
致させている。

【０１５３】これに伴って、第２基板４１の平面的な形
状は、図２９（ａ）に示した如く、各凸部４１ａと各凹
部４１ｂとを幅方向に対して上記の寸法に設定し、且
つ、各凸部４１ａ及び各凹部４１ｂの奥行き方向（画素
電極１２の列方向又は行方向）を長尺に形成して凸部４
１ａ及び各凹部４１ｂとをストライプ状に配置したり、
あるいは、図２９（ｂ）に示した如く、各凸部４１ａを
複数の画素電極１２に対して千鳥状に配置している。

【０１５４】次に、第１基板（ＴＦＴ基板）１１と第２
基板（スタンプ基板）４１とを用いて、本発明に係る第
４実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造す
る方法について、図３０〜図３３を用いて工程順に説明
する。

【０１５５】図３０は第４実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法における第１工程を説明する
ための模式図、図３１（ａ）〜（ｃ）は第４実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第
２工程を説明するための模式図、図３２（ａ），（ｂ）
は第４実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法における第３工程を説明するための模式図、図３
３（ａ），（ｂ）は第４実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法における第４工程を説明するた
めの模式図である。

【０１５６】まず、第４実施例の第１工程では、図３０
に示した如く、第１基板（ＴＦＴ基板）１１に膜付けし
た複数の画素電極１２上及び画素電極１２間の第１基板
１１上に、発光層１３をスピンコート法などにより１０
０ｎｍ程度の厚みに塗布して一様に成膜し、その後、十
分に乾燥させている。

【０１５７】次に、第４実施例の第２工程では、図３１
（ａ）〜（ｃ）に示した如く、Ｒ用，Ｇ用，Ｂ用の各第
２基板４１に形成した各凸部４１ａ上及び各凹部４１ｂ
上に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光
色素Ｂｃを真空蒸着法や、スピンコート法，ディップコ
ート法，インクジェット法などのウェットプロセスなど
の方法により２０ｎｍ程度成膜する。ここでも、各色の
発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃは、蛍光性色素材料及び／又
は燐光性色素材料を適宜用いている。

【０１５８】この際、第２工程でＲ用，Ｇ用，Ｂ用の各
第２基板４１に形成した各凸部４１ａ上及び各凹部４１
ｂ上に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発
光色素Ｂｃを真空蒸着法を用いて成膜する場合には、各
色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子が各第２基板４１
の各凸部４１ａ及び各凹部４１ｂに向かってそれぞれ直
進するので、とくに、各凹部４１ｂ内の左右の垂直な壁
（＝各凸部４１ａの両側の壁）に余分な各発光色素Ｒ
ｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子が付着しないですむ。

【０１５９】一方、スピンコート法，ディップコート
法，インクジェット法などのウェットプロセスを用いて
成膜する場合には、各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃを
クロロホルム，アセトンなどの有機溶剤に数ｗｔ％程度
溶かした溶液を塗布しているために、とくに、各第２基
板４１の各凹部４１ｂ内の左右の垂直な壁（＝各凸部４
１ａの両側の壁）に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃ
の粒子が付着してしまう。そこで、ウェットプロセスを
用いて成膜する場合に、各凹部４１ｂ内の左右の垂直な
壁に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃの粒子が付着し
ないように第２工程の前処理として図６（ａ）に示した
如くの親水処理Ｓを施しており、これについては第１実
施例で詳述しているので省略する。

【０１６０】次に、第４実施例の第３工程では、図３２
（ａ）〜（ｃ）に示した如く、Ｒ用，Ｇ用，Ｂ用の各第
２基板４１の各凸部４１ａ上にそれぞれ成膜した赤色発
光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇｃ，青色発光色素Ｂｃを、
第１基板１１上に成膜した発光層１３中にそれぞれ順に
ドーピング（拡散）させるので、第１実施例で説明した
ような各凸部上にそれぞれ成膜した各色の発光色素Ｒ
ｃ，Ｇｃ，Ｂｃを取り除く工程はなくなる。

【０１６１】ここで、各第２基板４１に形成した各凸部
４１ａの幅は、前述したように第１基板１１上の１個の
画素電極１２の幅と同寸法に形成されているので、各１
個の画素電極１２と対応する部位の発光層１３中に各色
の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃをそれぞれドーピングでき
るものである。

【０１６２】即ち、図３２（ａ）に示したように、第１
基板１１上に成膜した発光層１３上に、各凸部４１ａ上
及び各凹部４１ｂ上に赤色発光色素Ｒｃを成膜したＲ用
の第２基板４１を載置する際に、第２基板４１の各凸部
４１ａ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃは、第１基板１１
上に成膜した発光層１３上でドーピングすべき発光層部
位と対応しているものであり、各凸部４１ｂ上に成膜し
た赤色発光色素Ｒｃをドーピングすべき発光層部位に接
触させ且つこれと対応する各画素電極１２と対向させて
おり、各凸部４１ｂを画素電極１２と３つおきに対向す
るように位置合わせして載置している。この時、第２基
板４１の各凹部４１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃは
発光層１３上から１０μｍ程度離れており、この第４実
施例では加熱炉（オーブン）の温度管理により各凹部４
１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃを発光層１３中にド
ーピングさせていない。

【０１６３】そして、第１基板１１上に第２基板４１を
重ね合わせた状態で最適な温度雰囲気の加熱炉（オーブ
ン）内に挿入して、両基板１１，４１を所定の時間に亘
って加熱する。この加熱期間に、Ｒ用の第２基板４１の
各凸部４１ａ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃはこの位置
で発光層１３中に溶け込み分散して、Ｒ発光が可能にな
る。ここで、加熱炉の温度を最適な温度より高く設定し
てしまうと、Ｒ用の第２基板４１の各凹部４１ｂ上に成
膜した赤色発光色素Ｒｃが蒸発して発光層１３上に到達
してドーピングさせたくない部位の発光層１３中に分散
してしまうので、各凹部４１ｂ上に成膜した赤色発光色
素Ｒｃが発光層１３中に分散しないように加熱炉の温度
管理が重要である。この場合、加熱炉の最適な加熱条件
は、赤色発光色素Ｒｃとして赤色蛍光性色素材料のうち
で例えばＤＣＪＴを用いた場合に、各凸部４１ａ上に成
膜した赤色発光色素Ｒｃは発光層１３中にドーピングで
き且つ各凹部４１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃが発
光層１３上に到達できない温度１４０°Ｃであり、加熱
時間は１０分程である。また、赤色発光色素Ｒｃとして
赤色燐光性色素材料のうちで例えばＰｔＯＥＰを用いた
場合に、加熱温度は１６５°Ｃであり、加熱時間は１０
分程である。

【０１６４】次に、赤色発光色素Ｒｃの発光層１３への
ドーピングが終了したら、Ｒ用の第２基板４１を第１基
板１１上から取り外して、図３２（ｂ）に示したよう
に、Ｇ用の第２基板４１を、第１基板１１に成膜した発
光層１３上に載置する。この場合には、第２基板４１の
各凸部４１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃが赤色発光
色素Ｒｃをドーピングした画素電極１２の隣の画素電極
１２と対向するように位置合わせすると、第２基板４１
の各凸部４１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃに対して
最適な温度雰囲気の加熱炉中で上記の如くに対応した画
素電極１２上の発光層１３の部位のみに緑色発光色素Ｇ
ｃがドーピングされて、Ｇ発光が可能になる。この工程
でも、Ｇ用の第２基板４１の各凹部４１ｂ上に成膜した
緑色発光色素Ｇｃを発光層１３中にドーピングさせてい
ない。この場合、加熱炉の最適な加熱条件は、緑色発光
色素Ｇｃとして緑色蛍光性色素材料のうちで例えばクマ
リン６を用いた場合に、各凸部４１ａ上に成膜した緑色
発光色素Ｇｃは発光層１３中にドーピングでき且つ各凹
部４１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃが発光層１３上
に到達できない温度１２０°Ｃであり、加熱時間は１０
分程度である。また、緑色発光色素Ｇｃとして緑色燐光
性色素材料のうちで例えばＩｒ（ｐｐｙ）_３を用いた場
合に、加熱温度は１５５°Ｃであり、加熱時間は１０分
程である。

【０１６５】更に、緑色発光色素Ｇｃの発光層１３への
ドーピングが終了したら、Ｇ用の第２基板４１を第１基
板１１上から取り外して、図３２（ｃ）に示したよう
に、Ｂ用の第２基板４１を、第１基板１１に成膜した発
光層１３上に載置する。この場合には、第２基板４１の
各凸部４１ａ上に成膜した青色発光色素Ｂｃが緑色発光
色素Ｇｃをドーピングした画素電極１２の隣の画素電極
１２と対向するように位置合わせすると、各凸部４１ａ
上に成膜した青色発光色素Ｂｃに対して最適な温度雰囲
気の加熱炉中で上記の如くに対応した画素電極１２上の
発光層１３の部位のみに青色発光色素Ｂｃがドーピング
されて、Ｂ発光が可能になる。この工程でも、Ｂ用の第
２基板４１の各凹部４１ｂ上に成膜した青色発光色素Ｂ
ｃを発光層１３中にドーピングさせていない。この場
合、加熱炉の最適な加熱条件は、青色発光色素Ｂｃとし
て青色蛍光性色素材料のうちで例えばＴＰＢを用いた場
合に、各凸部４１ａ上に成膜した青色発光色素Ｂｃは発
光層１３中にドーピングでき且つ各凹部４１ｂ上に成膜
した青色発光色素Ｂｃが発光層１３上に到達できない温
度１２０°Ｃであり、加熱時間は１０分程である。ま
た、青色発光色素Ｂｃとして青色燐光性色素材料のうち
で例えばＦＩｒｐｉｃを用いた場合に、加熱温度は１６
０°Ｃであり、加熱時間は１０分程である。

【０１６６】尚、上記において、各凹部４１ｂ上に成膜
した各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃが発光層１３上に
到達できない温度は、各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ，Ｂｃ
が蒸発しにくい温度であることと等価である。

【０１６７】次に、第４実施例の第４工程では、図３３
（ａ），（ｂ）に示した如く、第１基板１１上に成膜し
た発光層１３中に、赤色発光色素Ｒｃ，緑色発光色素Ｇ
ｃ，青色発光色素Ｂｃをそれぞれドーピングした後に、
発光層１３上に陰極となる共通電極（対向電極）１４を
複数の画素電極１２と対向させて成膜することで、本発
明に係る第４実施例の有機エレクトロルミネッセンス素
子ＥＬ４Ａが得られる。この際、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子ＥＬ４Ａは、先に説明した図９（ａ），
（ｂ）の第１実施例と同じ構造形態であり、任意のピク
セルの発光を透明な第１基板１１の下面側から取り出す
構造形態、又は、任意のピクセルの発光を第１基板１１
の上面側となる透明な共通電極１４側から取り出す構造
形態のいずれかを得ている。

【０１６８】ここで、上記した本発明に係る第４実施例
の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有
機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変形例
について、図３４及び図３５を用いて簡略に説明する。

【０１６９】図３４は本発明に係る第４実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子を一部変形した第１変形例を説
明するための図、図３５（ａ），（ｂ）は本発明に係る
第４実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第２変形例を説明するための図である。

【０１７０】まず、図３４に示した如く、本発明に係る
第４実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形
した第１変形例では、先に説明した図１０の第１実施例
における第１変形例と同じ構造形態であり、第１基板１
１に膜付けした画素電極１２と発光層１３との間に正孔
注入層１５，正孔輸送層１６を成膜し、且つ、発光層１
３と共通電極１４との間に電子輸送層１７，電子注入層
１８を成膜することで、発光効率をより向上させること
ができる第１変形例の有機エレクトロルミネッセンス素
子ＥＬ４Ｂを得ている。

【０１７１】次に、図３５（ａ），（ｂ）に示した如
く、本発明に係る第４実施例の有機エレクトロルミネッ
センス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセン
ス素子を一部変形した第２変形例では、先に説明した図
１２（ａ），（ｂ）の第１実施例における第３変形例と
同じ構造形態であり、第１基板１１上に青色発光色素Ｂ
ｃを予め分散させて発光層１３を成膜し、Ｒ用の第２基
板４１及びＧ用の第２基板４１を用いて、青色発光色素
Ｂｃを予め分散させた発光層１３中に、各第２基板４１
の各凸部４１ａ上にそれぞれ成膜した赤色発光色素Ｒ
ｃ，緑色発光色素Ｇｃをドーピングさせて第２変形例の
有機エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ４Ｃを得てい
る。

【０１７２】＜第５実施例＞本発明に係る第５実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子では、先に説明した第２
実施例におけるドーピング技術思想を適用しているもの
の、この第５実施例では第４実施例で説明した第２基板
（スタンプ基板）４１をＧ用，ＲＧ用として使用し、且
つ、Ｇ用，ＲＧ用の各第２基板４１の各凸部４１ａ上に
それぞれ成膜した緑色発光色素Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ
＋緑色発光色素Ｇｃを、第１基板１１上に青色発光色素
Ｂｃを予め分散させて成膜した発光層１３中にドーピン
グしている点が特徴である。

【０１７３】図３６は第５実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法における第１工程を説明する
ための模式図、図３７（ａ），（ｂ）は第５実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第
２工程を説明するための模式図、図３８（ａ），（ｂ）
は第５実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法における第３工程を説明するための模式図、図３
９（ａ），（ｂ）は第５実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法における第４工程を説明するた
めの模式図である。

【０１７４】まず、第５実施例の第１工程では、図３６
に示した如く、第１基板（ＴＦＴ基板）１１に膜付けし
た複数の画素電極１２上及び画素電極１２間の第１基板
１１上に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた発光層１
３をスピンコート法などにより１００ｎｍ程度の厚みに
塗布して一様に成膜し、その後、十分に乾燥させてい
る。この際、青色発光色素Ｂｃは青色蛍光性色素材料又
は青色燐光性色素材料又を用いている。

【０１７５】次に、第５実施例の第２工程では、図３７
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｇ用，ＲＧ用の各第２基
板４１に形成した各凸部４１ａ上及び各凹部４１ｂ上
に、緑色発光色素Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色
素Ｇｃを真空蒸着法や、スピンコート法，ディップコー
ト法，インクジェット法などのウェットプロセスなどの
方法により２０ｎｍ程度それぞれ成膜する。ここでも、
各色の発光色素Ｒｃ，Ｒｃ＋Ｇｃは、蛍光性色素材料及
び／又は燐光性色素材料を適宜用いている。

【０１７６】上記した第５実施例の第２工程でも、ウェ
ットプロセスを用いて成膜する場合に、第４実施例と略
同様に、Ｇ用の第２基板４１及びＲＧ用の第２基板４１
への前処理として、図６（ａ）に示した如くの親水処理
Ｓを施せば、各凹部４１ｂ内の左右の垂直な壁（＝各凸
部４１ａの両側の壁）の表面が凹凸状にあらされないの
で各凹部４１ｂ内の左右の垂直な壁（＝各凸部４１ａの
両側の壁）の表面に余分な各発光色素Ｇｃ，Ｒｃ＋Ｇｃ
の粒子が付着しないですむ。

【０１７７】次に、第５実施例の第３工程では、図３８
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｇ用，ＲＧ用の各第２基
板４１の各凸部４１ａ上にそれぞれ成膜した緑色発光色
素Ｇｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃを、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中
にそれぞれ順にドーピング（拡散）させている。ここ
で、各第２基板４１に形成した各凸部４１ａの幅は、前
述したように第１基板１１上の１個の画素電極１２の幅
と同寸法に形成されているので、各１個の画素電極１２
と対応する部位の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に各
色の発光色素Ｇｃ，Ｒｃ＋Ｇｃをそれぞれドーピングで
きるものである。

【０１７８】即ち、図３８（ａ）に示したように、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
に、各凸部４１ａ上及び各凹部４１ｂ上に緑色発光色素
Ｇｃを成膜したＧ用の第２基板４１を載置する際に、第
２基板４１の各凸部４１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇ
ｃは、この緑色発光色素Ｇｃをドーピングすべき発光層
部位と対応しているものであり、各凸部４１ｂ上に成膜
した緑色発光色素Ｇｃをドーピングすべき発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃ上に接触させ且つこれと対応する各画
素電極１２と対向させており、各凸部４１ｂを画素電極
１２と３つおきに対向するように位置合わせして載置し
ている。この時、第２基板４１の各凹部４１ｂ上に成膜
した緑色発光色素Ｇｃは発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ
上から１０μｍ程度離れており、この第５実施例では下
記するように加熱炉（オーブン）の温度管理により各凹
部４１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃを発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃ中にドーピングさせていない。

【０１７９】そして、第１基板１１上に第２基板４１を
重ね合わせた状態で最適な温度雰囲気の加熱炉（オーブ
ン）内に挿入して、両基板１１，４１を所定の時間に亘
って加熱する。この加熱期間に、Ｇ用の第２基板４１の
各凸部４１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃはこの位置
で発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に溶け込み分散する
ので、第２実施例で説明したような青色から緑色へのエ
ネルギー移動によりＧ発光が可能となる。ここで、加熱
炉の温度を最適な温度より高く設定してしまうと、Ｇ用
の第２基板４１の各凹部４１ｂ上に成膜した緑色発光色
素Ｇｃが蒸発して発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上に到
達してドーピングさせたくない部位の発光層１３＋青色
発光色素Ｂｃ中に分散してしまうので、各凹部４１ｂ上
に成膜した緑色発光色素Ｇｃが発光層１３＋青色発光色
素Ｂｃ中に分散しないように加熱炉の温度管理が重要で
ある。この場合、加熱炉の最適な加熱条件は、緑色発光
色素Ｇｃとして緑色蛍光性色素材料のうちで例えばクマ
リン６を用いた場合に、各凸部４１ａ上に成膜した緑色
発光色素Ｇｃは発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にドー
ピングでき且つ各凹部４１ｂ上に成膜した緑色発光色素
Ｇｃが発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上に到達できない
温度１２０°Ｃであり、加熱時間は１０分程度である。
また、緑色発光色素Ｇｃとして緑色燐光性色素材料のう
ちで例えばＩｒ（ｐｐｙ）_３を用いた場合に、加熱温度
は１５５°Ｃであり、加熱時間は１０分程である。

【０１８０】そして、緑色発光色素Ｇｃの発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃへのドーピングが終了したら、Ｇ用の
第２基板４１を第１基板１１上から取り外して、図３８
（ｂ）に示したように、ＲＧ用の第２基板４１を、第１
基板１１に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上に
載置する。この場合には、第２基板４１の各凸部４１ａ
上に成膜した赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃが緑
色発光色素Ｇｃをドーピングした画素電極１２の隣の画
素電極１２と対向するように位置合わせすると、各凸部
４１ａ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇ
ｃに対して最適な温度雰囲気の加熱炉中で上記の如くに
対応した画素電極１２上の発光層１３＋青色発光色素Ｂ
ｃの部位のみに赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃが
ドーピングされて、第２実施例で説明したような青色か
ら緑色を経て赤色へのエネルギー移動によりＲ発光が可
能となる。この工程でも、ＲＧ用の第２基板４１の各凹
部４１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素
Ｇｃを発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にドーピングさ
せていない。この場合、加熱炉の最適な加熱条件は、赤
色発光色素Ｒｃとして赤色蛍光性色素材料のうちで例え
ばニールレッドを用い、且つ、緑色発光色素Ｇｃとして
緑色蛍光性色素材料のうちで例えばクマリン６を用いた
場合、各凸部４１ａ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃ＋緑
色発光色素Ｇｃは発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にド
ーピングでき且つ各凹部４１ｂ上に成膜した赤色発光色
素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃが発光層１３＋青色発光色素
Ｂｃ上に到達できない温度１２０°Ｃであり、加熱時間
は１０分程度である。また、赤色発光色素Ｒｃとして赤
色燐光性色素材料のうちで例えばＰｔＯＥＰを用い、且
つ、緑色発光色素Ｇｃとして緑色燐光性色素材料のうち
で例えばＩｒ（ｐｐｙ） _３を用いた場合に、加熱温度は
１６５°Ｃであり、加熱時間は１０分程である。

【０１８１】次に、第５実施例の第４工程では、図３９
（ａ），（ｂ）に示した如く、第１基板１１上に成膜し
た発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に、緑色発光色素Ｇ
ｃ，赤色発光色素Ｒｃ＋緑色発光色素Ｇｃをそれぞれド
ーピングした後に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた
発光層１３上に陰極となる共通電極（対向電極）１４を
複数の画素電極１２と対向させて成膜することで、本発
明に係る第５実施例の有機エレクトロルミネッセンス素
子ＥＬ５Ａが得られる。この際、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子ＥＬ５Ａは、先に説明した図１７（ａ），
（ｂ）の第２実施例と同じ構造形態であり、任意のピク
セルの発光を透明な第１基板１１の下面側から取り出す
構造形態、又は、任意のピクセルの発光を第１基板１１
の上面側となる透明な共通電極１４側から取り出す構造
形態のいずれかを得ている。

【０１８２】ここで、上記した本発明に係る第５実施例
の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有
機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変形例
について、図４０を用いて簡略に説明する。

【０１８３】図４０は本発明に係る第５実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子を一部変形した変形例を説明す
るための図である。

【０１８４】図４０に示した如く、本発明に係る第５実
施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及
び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変
形例では、先に説明した図１８の第２実施例における第
１変形例と同じ構造形態であり、第１基板１１に膜付け
した画素電極１２と発光層１３との間に正孔注入層１
５，正孔輸送層１６を成膜し、且つ、発光層１３と共通
電極１４との間に電子輸送層１７，電子注入層１８を成
膜することで、発光効率をより向上させることができる
変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ５Ｂを
得ている。

【０１８５】＜第６実施例＞本発明に係る第６実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子では、先に説明した第３
実施例におけるドーピング技術思想を適用しており、こ
の第６実施例ではＲ用の第２基板（スタンプ基板）４１
及びＧ用の第３基板（スタンプ基板）５１とを用いてお
り、Ｒ用の第２基板（スタンプ基板）４１の各凸部４１
ａ上にそれぞれ成膜した赤色発光色素Ｒｃと、Ｇ用の第
３基板（スタンプ基板）５１の各凸部５１ａ上にそれぞ
れ成膜した緑色発光色素Ｇｃとを、第１基板１１上に成
膜した発光層１３中にドーピングしている点が特徴であ
る。これに伴って、第６実施例に用いる第２基板４１及
び第３基板５１の形状は、先に図２０で説明した第３実
施例に用いる第２基板（スタンプ基板）２１及び第３基
板（スタンプ基板）３１に対して各凹凸部の寸法関係が
逆になっているものである。

【０１８６】図４１（ａ），（ｂ）は本発明に係る第６
実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
及び有機エレクトロルミネッセンス素子において、第２
基板（スタンプ基板）及び第３基板（スタンプ基板）を
説明するために模式的に示した図である。

【０１８７】第６実施例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素
子では、図４１（ａ），（ｂ）に示したような第２基板
４１及び第３基板５１を、先に図１（ａ），（ｂ）を用
いて説明した第１基板１１上に載置するためのスタンプ
基板として予め２種類用意している。

【０１８８】即ち、第２基板４１は、先に第４実施例で
図２８及び図２９（ａ），（ｂ）を用いて説明したもの
と全く同一形状であり、ＲＧＢの３画素と対応させて凸
部４１ａ及び凹部４１ｂを１組として、この組みを画素
電極１２（図１）の列方向及び／又は行方向に沿って複
数組み繰り返して、シリコン基板などを用いてフォトリ
ソグラフィー法，エッチング法などの方法により凹凸状
に形成されている。

【０１８９】ここで、第２基板４１に形成した各凸部４
１ａの幅は、第１基板１１上の１個の画素電極１２の幅
と同じ幅で１３μｍに設定されていると共に、各凸部４
１ａの高さは各凹部４１ｂに対して１０μｍ程度突出し
ている。また、第２基板４１に形成した各凹部４１ｂの
幅は、第１基板１１上の画素電極１２の幅の２個分と、
２個の画素電極１２の左右の隙間とを含める寸法に形成
されており、具体的には各凹部４１ｂの幅は｛２×１３
＋１×３｝μｍ＝２９μｍに設定されている。

【０１９０】一方、上記した第３基板（スタンプ基板）
５１は、第６実施例用として新たに形成したものであ
り、第１基板１１に成膜した発光層１３上に載置し且つ
所定色の発光色素をドーピングすべき発光層部位と対応
する画素電極１２と略同じ面積を有する凸部５１ａと、
この凸部５１ａに隣接してへこませた凹部５１ｂとを１
組とし、この組みを画素電極１２の列方向及び／又は行
方向に沿って繰り返して、シリコン基板などを用いてフ
ォトリソグラフィー法，エッチング法などの方法により
凹凸状に形成されている。

【０１９１】ここで、第３基板５１に形成した各凸部５
１ａの幅は、第１基板１１上の画素電極１２の幅の２個
分を含める寸法に形成されており、具体的には各凸部５
１ａの幅は｛２×１３＋１｝μｍ＝２７μｍに設定され
ていると共に、各凸部５１ａの高さは各凹部５１ｂに対
して１０μｍ程度突出している。また、第３基板５１に
形成した各凹部５１ｂの幅は、第１基板１１上の１個の
画素電極１２の幅と、この画素電極１２の左右の隙間と
を含める寸法に形成されており、具体的には各凹部５１
ｂの幅は｛１３＋１×２｝μｍ＝１５μｍに設定されて
いる。従って、１組の凸部５１ａと凹部５１ｂとを合わ
せた面積を、ＲＧＢ３画素に対応する３個の画素電極１
２の面積と略一致させている。

【０１９２】次に、第１基板（ＴＦＴ基板）１１と、２
種類の第２，第３基板（スタンプ基板）４１，５１とを
用いて、本発明に係る第６実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を製造する方法について、図４２〜図４
５を用いて工程順に説明する。

【０１９３】図４２は第６実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法における第１工程を説明する
ための模式図、図４３（ａ），（ｂ）は第６実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法における第
２工程を説明するための模式図、図４４（ａ），（ｂ）
は第６実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製
造方法における第３工程を説明するための模式図、図４
５（ａ），（ｂ）は第６実施例の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法における第４工程を説明するた
めの模式図である。

【０１９４】まず、第６実施例の第１工程では、図４２
に示した如く、第１基板（ＴＦＴ基板）１１に膜付けし
た複数の画素電極１２上及び画素電極１２間の第１基板
１１上に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた発光層１
３をスピンコート法などにより１００ｎｍ程度の厚みに
塗布して一様に成膜し、その後、十分に乾燥させてい
る。この際、青色発光色素Ｂｃは青色蛍光性色素材料又
は青色燐光性色素材料又を用いている。

【０１９５】次に、第６実施例の第２工程では、図４３
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｒ用第２基板４１に形成
した各凸部４１ａ上及び各凹部４１ｂ上に赤色発光色素
Ｒｃを、また、Ｇ用第３基板５１に形成した各凸部５１
ａ上及び各凹部５１ｂ上に緑色発光色素Ｇｃを真空蒸着
法や、スピンコート法，ディップコート法，インクジェ
ット法などのウェットプロセスなどの方法により２０ｎ
ｍ程度それぞれ成膜する。ここでも、各色の発光色素Ｒ
ｃ，Ｇｃは、蛍光性色素材料及び／又は燐光性色素材料
を適宜用いている。

【０１９６】上記した第６実施例の第２工程でも、ウェ
ットプロセスを用いて成膜する場合に、第４実施例と略
同様に、Ｒ用の第２基板４１及びＧ用の第３基板５１へ
の前処理として、図６（ａ）に示した如くの親水処理Ｓ
を施せば、第２，第３基板４１，５１の各凹部４１ｂ内
及び各凹部５１ｂ内の左右の垂直な壁（＝各凸部４１ａ
及び各凸部５１ａの両側の壁）の表面が凹凸状にあらさ
れないので各凹部４１ｂ内及び各凹部５１ｂ内の左右の
垂直な壁（＝各凸部４１ａ及び各凸部５１ａの両側の
壁）の表面に余分な各発光色素Ｒｃ，Ｇｃの粒子が付着
しないですむ。

【０１９７】次に、第６実施例の第３工程では、図４４
（ａ），（ｂ）に示した如く、Ｒ用第２基板４１の各凸
部４１ａ上にそれぞれ成膜した赤色発光色素Ｒｃと、Ｇ
用の第３基板５１の各凸部５１ａ上にそれぞれ成膜した
緑色発光色素Ｇｃとを、第１基板１１上に成膜した発光
層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にそれぞれ順にドーピング
（拡散）させているので、第３実施例で説明したような
各凸部上にそれぞれ成膜した各色の発光色素Ｒｃ，Ｇｃ
を取り除く工程はなくなる。この第６実施例でも、ドー
ピングさせる順番は限定されていない。

【０１９８】ここで、第２基板４１に形成した各凸部４
１ａの幅は、前述したように第１基板１１上の１個の画
素電極１２の幅と同寸法に形成されているので、各１個
の画素電極１２と対応する部位の発光層１３＋青色発光
色素Ｂｃ中に赤色発光色素Ｒｃをドーピングできるもの
である。また、第３基板５１に形成した各凸部５１ａの
幅は、前述したように第１基板１１上の２画素分の幅に
形成されているので、各２個の画素電極１２と対応する
部位の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に緑色発光色素
Ｇｃをドーピングできるものである。

【０１９９】即ち、図４４（ａ）に示したように、第１
基板１１上に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
に、緑色発光色素Ｇｃを各凸部５１ａ上及び各凹部５１
ｂ上に成膜したＢ用の第３基板５１を載置する際に、第
３基板５１に形成した各凸部５１ａは２画素分の幅で形
成されているので、各凸部５１ｂを第１基板１１上の各
２個の画素電極に対向させ、且つ、各凸部５１ｂを３画
素間隔で位置合わせして載置する。この時、第３基板５
１の各凸部５１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃはドー
ピングすべき発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上に接触し
ている。一方、第３基板５１の各凹部５１ｂ上に成膜し
た緑色発光色素Ｇｃは発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ上
から１０μｍ程度離れており、この第６実施例では下記
するように加熱炉（オーブン）の温度管理により各凹部
５１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃを発光層１３＋青
色発光色素Ｂｃ中にドーピングさせていない。

【０２００】そして、第１基板１１上に第３基板５１を
重ね合わせた状態で最適な温度雰囲気の加熱炉（オーブ
ン）内に挿入して、両基板１１，５１を所定の時間に亘
って加熱する。この加熱期間に、Ｇ用の第３基板４１の
各凸部５１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃはこの位置
で発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に溶け込み分散する
ので、第３実施例で説明したような青色から緑色へのエ
ネルギー移動によりＧ発光が可能になる。ここで、加熱
炉の温度を最適な温度より高く設定してしまうと、Ｇ用
の第３基板５１の各凹部５１ｂ上に成膜した緑色発光色
素Ｇｃが蒸発して発光層１３上に到達してドーピングさ
せたくない部位の発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に分
散してしまうので、各凹部５１ｂ上に成膜した緑色発光
色素Ｇｃが発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に分散しな
いように加熱炉の温度管理が重要である。この場合、加
熱炉の最適な加熱条件は、緑色発光色素Ｇｃとして緑色
蛍光性色素材料のうちで例えばクマリン６を用いた場合
に、各凸部５１ａ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃは発光
層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にドーピングでき且つ各凹
部５１ｂ上に成膜した緑色発光色素Ｇｃが発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃ上に到達できない温度１２０°Ｃであ
り、加熱時間は１０分程度である。また、緑色発光色素
Ｇｃとして緑色燐光性色素材料のうちで例えばＩｒ（ｐ
ｐｙ）_３を用いた場合に、加熱温度は１５５°Ｃであ
り、加熱時間は１０分程である。

【０２０１】次に、緑色発光色素Ｇｃの発光層１３＋青
色発光色素Ｂｃへのドーピングが終了したら、Ｇ用の第
３基板５１を第１基板１１上から取り外して、図４４
（ｂ）に示したように、Ｒ用の第２基板４１を、第１基
板１１に成膜した発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ＋緑色
発光色素Ｇｃ上に載置する。この場合には、第２基板４
１の各凸部４１ａ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃが緑色
発光色素Ｇｃをドーピングした２個の画素電極１２のう
ちのいずれか１個の画素電極１２と対向するように位置
合わせすると、各凸部４１ａ上に成膜した赤色発光色素
Ｒｃに対して最適な温度雰囲気の加熱炉中で上記の如く
に対応した画素電極１２上の発光層１３＋青色発光色素
Ｂｃ＋緑色発光色素Ｇｃの部位のみに赤色発光色素Ｒｃ
がドーピングされて、第３実施例で説明したような青色
から緑色を経て赤色へのエネルギー移動によりＲ発光が
可能になる。この工程でも、Ｒ用の第２基板４１の各凹
部４１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃを発光層１３＋
青色発光色素Ｂｃ中にドーピングさせていない。この場
合、加熱炉の最適な加熱条件は、赤色発光色素Ｒｃとし
て赤色蛍光性色素材料のうちで例えばＤＣＪＴを用いた
場合に、各凸部５１ａ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃは
発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中にドーピングでき且つ
各凹部５１ｂ上に成膜した赤色発光色素Ｒｃが発光層１
３＋青色発光色素Ｂｃ上に到達できない温度１２０°Ｃ
であり、加熱時間は１０分程度である。また、赤色発光
色素Ｒｃとして赤色燐光性色素材料のうちで例えばＰｔ
ＯＥＰを用いた場合に、加熱温度は１６５°Ｃであり、
加熱時間は１０分程である。

【０２０２】次に、第６実施例の第４工程では、図４５
（ａ），（ｂ）に示した如く、第１基板１１上に成膜し
た発光層１３＋青色発光色素Ｂｃ中に、緑色発光色素Ｇ
ｃ，赤色発光色素Ｒｃをそれぞれ上記順にドーピングし
た後に、青色発光色素Ｂｃを予め分散させた発光層１３
上に陰極となる共通電極（対向電極）１４を複数の画素
電極１２と対向させて成膜することで、本発明に係る第
６実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ５Ａ
が得られる。この際、有機エレクトロルミネッセンス素
子ＥＬ５Ａは、先に説明した図２５（ａ），（ｂ）の第
３実施例と同じ構造形態であり、任意のピクセルの発光
を透明な第１基板１１の下面側から取り出す構造形態、
又は、任意のピクセルの発光を第１基板１１の上面側と
なる透明な共通電極１４側から取り出す構造形態のいず
れかを得ている。

【０２０３】ここで、上記した本発明に係る第６実施例
の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有
機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変形例
について、図４６を用いて簡略に説明する。

【０２０４】図４６は本発明に係る第６実施例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレク
トロルミネッセンス素子を一部変形した変形例を説明す
るための図である。

【０２０５】図４６に示した如く、本発明に係る第６実
施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及
び有機エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した変
形例では、先に説明した図２６の第３実施例における第
１変形例と同じ構造形態であり、第１基板１１に膜付け
した画素電極１２と発光層１３との間に正孔注入層１
５，正孔輸送層１６を成膜し、且つ、発光層１３と共通
電極１４との間に電子輸送層１７，電子注入層１８を成
膜することで、発光効率をより向上させることができる
変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子ＥＬ６Ｂを
得ている。

【０２０６】

【発明の効果】以上詳述した本発明に係る有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロル
ミネッセンス素子において、請求項１記載によると、と
くに、第１基板の発光層上に第２基板の各凸部を載置す
ると共に、第２基板の各凹部を所定色の発光色素をドー
ピングすべき各発光層部位を介してこれと対応する各画
素電極と対向させて、両基板同士を重ね合わせた状態で
加熱炉に挿入し、且つ、加熱炉中で両基板を所定の温度
で加熱し、各凹部上に成膜した所定色の発光色素をドー
ピングすべき各発光層部位中に拡散させているので、例
えば、所定色の発光色素として、赤色発光色素，緑色発
光色素，青色発光色素を用いた場合に、各色の発光色素
による発光を良好に行うことができる。

【０２０７】また、請求項２記載によると、とくに、第
１基板の発光層上で第２基板の各凸部を所定色の発光色
素をドーピングすべき各発光層部位を介してこれと対応
する各画素電極と対向させて載置して、両基板同士を重
ね合わせた状態で加熱炉に挿入し、且つ、加熱炉中で両
基板を所定の温度で加熱して、各凸部上に成膜した所定
色の発光色素のみをドーピングすべき各発光層部位中に
拡散させているので、上記と同様に、例えば、所定色の
発光色素として、赤色発光色素，緑色発光色素，青色発
光色素を用いた場合に、各色の発光色素による発光を良
好に行うことができる。

【０２０８】また、請求項３記載によると、請求項１又
は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法において、とくに、第１基板に膜付けした発光
層の発光波長が、第２基板に膜付けした前記所定色の発
光色素の発光波長よりも短波長であるため、発光層中に
ドーピングした所定色の発光色素による良好な発光が得
られる。

【０２０９】また、請求項４記載によると、請求項１又
は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法において、とくに、第１基板に膜付けする発光
層中に、第２基板に成膜する所定色の発光色素の発光波
長よりも短波長で発光する発光色素を予め分散させたた
め、短波長で発光する発光色素を成膜するための第２基
板を用意しないですむ。

【０２１０】また、請求項５記載によると、請求項１〜
請求項４のうちいずれか１項記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、とくに、所定色の
蛍光性色素材料を用いた場合には所定色の発光色素の製
造コストが安価になり、また、所定色の燐光性色素材料
を用いた場合には所定色の発光色素の発光性能が良好と
なる。

【０２１１】また、請求項６記載によると、請求項１〜
請求項５のうちいずれか１項記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法において、とくに、第２基板
を複数色に対応して複数用意し、且つ、各第２基板ごと
に成膜する発光色素の色を変えて複数色の発光色素をそ
れぞれの第２基板に成膜する際、複数色の発光色素は、
全ての色に対して蛍光性色素材料のみを用いるか、又
は、全ての色に対して燐光性色素材料のみを用いるか、
もしくは、各色ごとに蛍光性色素材料，燐光性色素材料
を選択して用いているので、複数色の発光色素は用いる
色素材料によって上記した請求項５記載と略同じ効果が
得られる。

【０２１２】また、請求項７記載によると、請求項１又
は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法において、とくに、赤色発光色素と、緑色発光
色素と、青色発光色素とを第１基板に膜付けした発光層
にドーピングすることでＲＧＢ３色のカラー化が可能と
なる。

【０２１３】また、請求項８記載によると、請求項１又
は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法において、とくに、第１基板に青色発光色素を
予め分散させて発光層を膜付けしているので、青色発光
色素を成膜するための第２基板を用意しないですむと共
に、Ｇ用の第２基板に成膜した緑色発光色素と、ＲＧ用
の第２基板に成膜した赤色発光色素＋緑色発光色素とを
第１基板に青色発光色素を予め分散させて膜付けした発
光層にドーピングしているので、ＲＧＢ３色のカラー化
が可能となる。

【０２１４】また、請求項９記載によると、請求項１又
は請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の
製造方法において、とくに、第２工程で第２基板に形成
した各凸部上及び各凹部上に所定色の発光色素を成膜す
る前に、第２基板中で第１基板に成膜した発光層と対向
する面に親水処理を施しているので、各凹部内の左右の
垂直な壁に余分な所定色の発光色素が付着しにくくな
る。

【０２１５】また、請求項１０記載によると、請求項１
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に
おいて、とくに、第２工程で第２基板に形成した各凸部
上及び各凹部上に所定色の発光色素を成膜する前に、第
２基板中で第１基板に成膜した発光層と対向する面に撥
水処理を施しているので、各凸部上に成膜した不必要な
所定色の発光色素を第３工程で容易に除去することがで
きる。

【０２１６】また、請求項１１記載によると、請求項１
記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に
おいて、とくに、第２工程で第２基板に形成した各凸部
上及び各凹部上に所定色の発光色素を成膜する前に、第
２基板中で第１基板に成膜した発光層と対向する面に付
着力がきわめて弱い金属を成膜しているので、各凸部上
に成膜した不必要な所定色の発光色素を第３工程で容易
に除去することができる。

【０２１７】また、請求項１２記載によると、請求項１
〜請求項１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法を用いて製造した有機エレク
トロルミネッセンス素子は、所定色の発光性能が良好で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）は本発明に係る第１〜第６実施
例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び
有機エレクトロルミネッセンス素子において、第１〜第
６実施例で共通に用いられる第１基板（ＴＦＴ基板）を
説明するための平面図，正面図である。

【図２】本発明に係る第１実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッ
センス素子において、第２基板（スタンプ基板）を説明
するために模式的に示した図である。

【図３】図２に示した第２基板（スタンプ基板）を平面
的に示した平面図であり、（ａ）はストライプ状に形成
した場合を示し、（ｂ）は千鳥状に形成した場合を示し
た図である。

【図４】第１実施例の有機エレクトロルミネッセンス素
子の製造方法における第１工程を説明するための模式図
である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法における第２工程を説明
するための模式図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法における第２工程での前
処理を説明するための図である。

【図７】（ａ），（ｂ）は第１実施例の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法における第３工程を説明
するための模式図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は第１実施例の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法における第４工程を説明
するための模式図である。

【図９】（ａ），（ｂ）は第１実施例の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法における第５工程を説明
するための模式図である。

【図１０】本発明に係る第１実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第１変形例を説明するため
の図である。

【図１１】本発明に係る第１実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第２変形例を説明するため
の図である。

【図１２】（ａ），（ｂ）は本発明に係る第１実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した第３変形
例を説明するための図である。

【図１３】第２実施例の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法における第１工程を説明するための模式
図である。

【図１４】（ａ），（ｂ）は第２実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第２工程を説
明するための模式図である。

【図１５】（ａ），（ｂ）は第２実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第３工程を説
明するための模式図である。

【図１６】（ａ），（ｂ）は第２実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第４工程を説
明するための模式図である。

【図１７】（ａ），（ｂ）は第２実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第５工程を説
明するための模式図である。

【図１８】本発明に係る第２実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第１変形例を説明するため
の図である。

【図１９】本発明に係る第２実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第２変形例を説明するため
の図である。

【図２０】（ａ），（ｂ）は本発明に係る第３実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子において、第２基板（ス
タンプ基板）及び第３基板（スタンプ基板）を説明する
ために模式的に示した図である。

【図２１】第３実施例の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法における第１工程を説明するための模式
図である。

【図２２】（ａ），（ｂ）は第３実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第２工程を説
明するための模式図である。

【図２３】（ａ），（ｂ）は第３実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第３工程を説
明するための模式図である。

【図２４】（ａ），（ｂ）は第３実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第４工程を説
明するための模式図である。

【図２５】（ａ），（ｂ）は第３実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第５工程を説
明するための模式図である。

【図２６】本発明に係る第３実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第１変形例を説明するため
の図である。

【図２７】本発明に係る第３実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第２変形例を説明するため
の図である。

【図２８】本発明に係る第４実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、第２基板（スタンプ基板）を説
明するために模式的に示した図である。

【図２９】図２８に示した第２基板（スタンプ基板）を
平面的に示した平面図であり、（ａ）はストライプ状に
形成した場合を示し、（ｂ）は千鳥状に形成した場合を
示した図である。

【図３０】第４実施例の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法における第１工程を説明するための模式
図である。

【図３１】（ａ）〜（ｃ）は第４実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第２工程を説
明するための模式図である。

【図３２】（ａ）〜（ｃ）は第４実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第３工程を説
明するための模式図である。

【図３３】（ａ），（ｂ）は第４実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第４工程を説
明するための模式図である。

【図３４】本発明に係る第４実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した第１変形例を説明するため
の図である。

【図３５】（ａ），（ｂ）は本発明に係る第４実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子を一部変形した第２変形
例を説明するための図である。

【図３６】第５実施例の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法における第１工程を説明するための模式
図である。

【図３７】（ａ），（ｂ）は第５実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第２工程を説
明するための模式図である。

【図３８】（ａ），（ｂ）は第５実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第３工程を説
明するための模式図である。

【図３９】（ａ），（ｂ）は第５実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第４工程を説
明するための模式図である。

【図４０】本発明に係る第５実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した変形例を説明するための図
である。

【図４１】（ａ），（ｂ）は本発明に係る第６実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機
エレクトロルミネッセンス素子において、第２基板（ス
タンプ基板）及び第３基板（スタンプ基板）を説明する
ために模式的に示した図である。

【図４２】第６実施例の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法における第１工程を説明するための模式
図である。

【図４３】（ａ），（ｂ）は第６実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第２工程を説
明するための模式図である。

【図４４】（ａ），（ｂ）は第６実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第３工程を説
明するための模式図である。

【図４５】（ａ），（ｂ）は第６実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法における第４工程を説
明するための模式図である。

【図４６】本発明に係る第６実施例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を一部変形した変形例を説明するための図
である。

【図４７】（ａ）〜（ｃ）は従来のカラー有機ＥＬディ
スプレイとその製造方法を説明するための図である。

【符号の説明】

１１…第１基板（ＴＦＴ基板）、１２…画素電極、１３
…発光層、２１…第２基板（スタンプ基板）、２１ａ…
凸部、２１ｂ…凹部、３１…第３基板（スタンプ基
板）、３１ａ…凸部、３１ｂ…凹部、４１…第２基板
（スタンプ基板）、４１ａ…凸部、４１ｂ…凹部、５１
…第３基板（スタンプ基板）、５１ａ…凸部、５１ｂ…
凹部、Ｒｃ…赤色発光色素、Ｇｃ…緑色発光色素、Ｂｃ
…青色発光色素、ＥＬ１Ａ…第１実施例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子、ＥＬ１Ｂ…第１実施例の第１変
形例の有機エレクトロルミネッセンス素子、ＥＬ１Ｃ…
第１実施例の第２変形例の有機エレクトロルミネッセン
ス素子、ＥＬ１Ｄ…第１実施例の第３変形例の有機エレ
クトロルミネッセンス素子、ＥＬ２Ａ…第２実施例の有
機エレクトロルミネッセンス素子、ＥＬ２Ｂ…第２実施
例の第１変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子、
ＥＬ２Ｃ…第２実施例の第２変形例の有機エレクトロル
ミネッセンス素子、ＥＬ３Ａ…第３実施例の有機エレク
トロルミネッセンス素子、ＥＬ３Ｂ…第３実施例の第１
変形例の有機エレクトロルミネッセンス素子、ＥＬ３Ｃ
…第３実施例の第２変形例の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子、ＥＬ４Ａ…第４実施例の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子、ＥＬ４Ｂ…第４実施例の第１変形例の
有機エレクトロルミネッセンス素子、ＥＬ４Ｃ…第４実
施例の第２変形例の有機エレクトロルミネッセンス素
子、ＥＬ５Ａ…第５実施例の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子、ＥＬ５Ｂ…第５実施例の第１変形例の有機エ
レクトロルミネッセンス素子、ＥＬ６Ａ…第６実施例の
有機エレクトロルミネッセンス素子、ＥＬ６Ｂ…第６実
施例の第１変形例の有機エレクトロルミネッセンス素
子、Ｓ…親水処理、Ｈ…撥水処理、Ａｕ，Ａｇ…金，銀
などの金属。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１基板に膜付けした複数の画素電極上
   に発光層を一様に成膜する第１工程と、 前記第１基板の前記発光層上に載置するための凸部と、
   この凸部に隣接してへこませ且つ所定色の発光色素をド
   ーピングすべき発光層部位に対応する前記画素電極と略
   同じ面積を有する凹部とを１組とし、この組みを前記画
   素電極の列方向及び／又は行方向に沿って繰り返して形
   成した第２基板を用い、この第２基板に形成した各凸部
   上及び各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する第２
   工程と、 前記第２基板の前記各凸部上に成膜した前記所定色の発
   光色素のみを除去する第３工程と、 前記第１基板の前記発光層上に前記第２基板の前記各凸
   部を載置すると共に、前記第２基板の前記各凹部を前記
   所定色の発光色素をドーピングすべき各発光層部位を介
   してこれと対応する各画素電極と対向させて、両基板同
   士を重ね合わせた状態で前記各凹部上に成膜した前記所
   定色の発光色素を所定の温度で加熱して、前記各凹部上
   に成膜した前記所定色の発光色素を前記ドーピングすべ
   き各発光層部位中に拡散させる第４工程と、 前記所定色の発光色素をドーピングした後に、前記画素
   電極に対向した対向電極を前記発光層上に成膜する第５
   工程とからなることを特徴とする有機エレクトロルミネ
   ッセンス素子の製造方法。
2. 【請求項２】 第１基板に膜付けした複数の画素電極上
   に発光層を一様に成膜する第１工程と、 前記第１基板の前記発光層上に載置し且つ所定色の発光
   色素をドーピングすべき発光層部位に対応する前記画素
   電極と略同じ面積を有する凸部と、この凸部に隣接して
   へこませた凹部とを１組とし、この組みを前記画素電極
   の列方向及び／又は行方向に沿って繰り返して形成した
   第２基板を用い、この第２基板に形成した各凸部上及び
   各凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する第２工程
   と、 前記第１基板の前記発光層上で前記第２基板の前記各凸
   部を前記所定色の発光色素をドーピングすべき各発光層
   部位を介してこれと対応する各画素電極と対向させて載
   置し、両基板同士を重ね合わせた状態で前記各凸部上及
   び前記各凹部上に成膜した前記所定色の発光色素を所定
   の温度で加熱して、前記各凸部上に成膜した前記所定色
   の発光色素のみを前記ドーピングすべき各発光層部位中
   に拡散させる第３工程と、 前記所定色の発光色素をドーピングした後に、前記画素
   電極に対向した対向電極を前記発光層上に成膜する第４
   工程とからなることを特徴とする有機エレクトロルミネ
   ッセンス素子の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の有機エレク
   トロルミネッセンス素子の製造方法において、 前記第２基板に膜付けした前記所定色の発光色素の発光
   波長よりも短波長である前記発光層を前記第１基板に膜
   付けしたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
   ス素子の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１又は請求項２記載の有機エレク
   トロルミネッセンス素子の製造方法において、 前記第１基板に膜付けする前記発光層中に、前記第２基
   板に成膜する前記所定色の発光色素の発光波長よりも短
   波長で発光する発光色素を予め分散させたことを特徴と
   する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜請求項４のうちいずれか１項
   記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に
   おいて、 前記所定色の発光色素は、所定色の蛍光性色素材料又は
   所定色の燐光性色素材料を用いたことを特徴とする有機
   エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜請求項５のうちいずれか１項
   記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に
   おいて、 前記第２基板を複数色に対応して複数用意し、且つ、各
   第２基板ごとに成膜する発光色素の色を変えて前記複数
   色の発光色素をそれぞれの前記第２基板に成膜する際、
   前記複数色の発光色素は、全ての色に対して蛍光性色素
   材料のみを用いるか、又は、全ての色に対して燐光性色
   素材料のみを用いるか、もしくは、各色ごとに蛍光性色
   素材料，燐光性色素材料を選択して用いることを特徴と
   する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１又は請求項２記載の有機エレク
   トロルミネッセンス素子の製造方法において、 前記第２基板としてＲ用，Ｇ用，Ｂ用を３種類用意し、
   且つ、Ｒ用の前記第２基板に成膜した赤色発光色素と、
   Ｇ用の前記第２基板に成膜した緑色発光色素と、Ｂ用の
   前記第２基板に成膜した青色発光色素とを、前記第１基
   板に膜付けした前記発光層上でＲ，Ｇ，Ｂ用の画素電極
   部位にそれぞれドーピングすることを特徴とする有機エ
   レクトロルミネッセンス素子の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１又は請求項２記載の有機エレク
   トロルミネッセンス素子の製造方法において、 前記第１基板に膜付けする前記発光層中に青色発光色素
   を予め分散させると共に、前記第２基板としてＧ用，Ｒ
   Ｇ用を２種類用意し、且つ、Ｇ用の前記第２基板に成膜
   した緑色発光色素と、ＲＧ用の前記第２基板に成膜した
   赤色発光色素＋緑色発光色素とを、前記第１基板に前記
   青色発光色素を予め分散させて膜付けした前記発光層上
   でＲ，Ｇ用の画素電極部位にそれぞれドーピングすると
   共に、Ｂ用の画素電極部位は前記発光層中の前記青色発
   光色素を対応させることを特徴とする有機エレクトロル
   ミネッセンス素子の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１又は請求項２記載の有機エレク
   トロルミネッセンス素子の製造方法において、 前記第２工程で前記第２基板に形成した各凸部上及び各
   凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する前に、前記第
   ２基板中で前記第１基板に成膜した前記発光層と対向す
   る面に親水処理を施すことを特徴とする有機エレクトロ
   ルミネッセンス素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１記載の有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子の製造方法において、 前記第２工程で前記第２基板に形成した各凸部上及び各
    凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する前に、前記第
    ２基板中で前記第１基板に成膜した前記発光層と対向す
    る面に撥水処理を施すことを特徴とする有機エレクトロ
    ルミネッセンス素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項１記載の有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子の製造方法において、 前記第２工程で前記第２基板に形成した各凸部上及び各
    凹部上に前記所定色の発光色素を成膜する前に、前記第
    ２基板中で前記第１基板に成膜した前記発光層と対向す
    る面に付着力がきわめて弱い金属を成膜することを特徴
    とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１〜請求項１１のうちいずれか
    １項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方
    法を用いて製造したことを特徴とする有機エレクトロル
    ミネッセンス素子。