JP2003257621A - 有機el素子とその製造方法ならびに表示装置 - Google Patents
有機el素子とその製造方法ならびに表示装置Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 152
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 90
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 546
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 68
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 44
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 33
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 24
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 26
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 63
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 49
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 20
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 18
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 14
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 12
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80523—Multilayers, e.g. opaque multilayers
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
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- H10K59/873—Encapsulations
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Abstract
や発光特性を向上できる構造を有する有機EL素子とそ
の製造方法を提供。 【解決手段】 第1基板16上に少なくとも、透明導電
性材料を含む陽極17と、有機EL材料を含む発光層1
8と、発光層18の形成領域の一部に形成され、金属層
を含む陰極21とが第1基板16側からこの順に積層さ
れ、さらに上記陰極21に対応する反射防止層28が積
層された有機EL素子であって、少なくとも陰極21と
反射防止層28の間に保護層23と封止層26の少なく
ともいずれか一方が形成された有機EL素子。
Description
ミネッセンス(Electro-Luminescence, 本明細書ではE
Lと略記する)素子とその製造方法ならびに表示装置に
関し、特に信頼性に優れた有機EL素子の構成に関する
ものである。
L素子を用いた表示装置が脚光を浴びている。また、有
機EL素子は自身が表示用ディスプレイとなるばかりで
なく、例えば反射型液晶パネルのような非発光型の表示
装置のフロントライト(照明装置)として用いることも
考えられている。有機EL素子を表示用ディスプレイと
して用いる場合には、基板上に陰極となる金属電極を形
成し、発光層を挟んで陽極となる透明電極側から視認す
る構成とすることができる。この場合、陰極は基板上の
全面にわたって形成すれば済み、パターニングは不要と
なる。これに対して、例えば表示装置のフロントライト
として用いる場合には、表示を視認するためには金属電
極からなる陰極を全面にわたって形成するわけにはいか
ず、パターニングが必要になる。
用いる従来の有機EL素子の基本構成例を示す図であ
る。この有機EL素子103は、ガラス基板116上に
透明電極(陽極)117、正孔輸送層122、有機EL
材料からなる発光層118、陰極121が積層され、さ
らにこれらを覆うように封止層126が形成され、その
上にカバーガラス127が形成された構造である。そし
て、双方の電極から発光層118に注入される正孔と電
子とが発光層118で再結合することによって発光す
る。
121から発光層118への電子注入効率を高め、陰極
としての安定性を保ち、反射率を確保するために、仕事
関数の小さいCa(カルシウム)、Mg(マグネシウ
ム)等のアルカリ土類金属層119と、これよりも仕事
関数が大きく可視光反射率の高いAl(アルミニウ
ム)、Ag(銀)等の金属層120からなる積層電極を
陰極121として用いている。
極121には上記のように金属光沢を有するAl等の金
属層が用いられているために視認側(カバーガラス12
7側)から観察する際に、外部から入射した光が陰極1
21で反射し、これにより表示が見づらくなったり、コ
ントラストが低下してしまう。そこで、上記の問題を改
善するために陰極121の上に酸化Cr等からなる低反
射層125を形成している。
は、陰極121上にスパッタ法により酸化Cr層等を形
成後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングす
ることになるが、低反射層のパターニング時のフォトリ
ソグラフィー工程においてAl等の金属層120が現像
液に晒されるが、これにより金属層120、さらには金
属層120のピンホールの存在によりその下層のアルカ
リ土類金属層125が腐食してしまい、信頼性の低下に
つながることになる。また、低反射層形成時のフォトリ
ソグラフィー工程において酸化クロム等の低反射層材料
の光吸収により発光層118が熱ダメージを受ける場合
があり、このことも信頼性や発光特性の低下につながっ
ていた。
されたものであって、陰極や発光層の劣化を確実に防止
し、信頼性や発光特性を向上できる構造を有する有機E
L素子とその製造方法を提供することを目的とする。
めに、本発明の有機EL素子は、第1基板上に少なくと
も、透明導電性材料を含む陽極と、有機EL材料を含む
発光層と、該発光層の形成領域の一部に形成され、金属
層を含む陰極とが上記第1基板側からこの順に積層さ
れ、さらに前記陰極に対応する反射防止層が積層された
有機EL素子であって、少なくとも上記陰極と上記反射
防止層の間に保護層と封止層の少なくともいずれか一方
が形成されたことを特徴とする。
護層と封止層の少なくともいずれか一方と、上記反射防
止層とは、第2基板で覆われていてもよい。本発明の有
機EL素子においては、上記封止層は上記保護層上に形
成されていてもよい。本発明の有機EL素子において
は、少なくとも上記陰極と上記反射防止層との間に上記
保護層が形成され、少なくとも上記反射防止層に隣接し
て封止層が形成されていてもよい。本発明の有機EL素
子において、上記反射防止層としては、少なくともCr
あるいは黒色顔料を含む層等のうちから適宜選択して用
いられる。Crを含む層としては、例えば、Cr/酸化
Cr積層層を挙げることができる。黒色顔料を含む層と
しては、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂にカーボン
ブラック等の黒色顔料を添加したものを挙げることがで
きる。また、上記保護層の材料としては、透明で、光透
過率が高いものを用いるのが好ましく、例えばSiO
2、Si3N4 、CaF2、MgF2 、LiF、エポキ
シ系の熱硬化性樹脂等のうちから適宜選択して用いられ
る。また、上記陰極と上記反射防止層の間に形成される
封止層としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アク
リル樹脂等の光硬化性樹脂のうちから適宜選択して用い
られる。
が第1基板全面にわたって形成されているものではな
く、第1基板上に発光層を間に挟んで陽極の上方にパタ
ーニングにより陰極が部分的に形成され、さらにこの陰
極に対応する反射防止層がパターニングにより形成され
た構成のものである。このような構成の有機EL素子
を、従来法により製造する場合は第1基板上に陽極、発
光層、陰極を形成後、反射防止層をパターニングにより
形成するが、反射防止層のパターニング時のフォトリソ
グラフィー工程において陰極が現像液等の薬品に晒され
るため、これにより陰極が劣化したり、腐食してしま
い、信頼性の低下を引き起こしていた。また、従来法に
より製造する場合は反射防止層のパターニング時のフォ
トリソグラフィー工程において反射防止層形成用材料層
の光吸収により発光層が熱ダメージを受ける場合があ
り、このことも信頼性や発光特性の低下を引き起こして
いた。
いては、少なくとも上記陰極と上記反射防止層の間に保
護層と封止層の少なくともいずれか一方が形成された構
成となっているため、例えば後述する本発明の第1の有
機EL素子の製造方法を用いることによって、反射防止
層のパターニング時のフォトリソグラフィー工程におい
て陰極が現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の
劣化を防止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹
脂層等の黒色顔料を含む層から形成した場合には、反射
防止層形成の際に陰極や発光層に影響を与えることがな
く、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、上記フォ
トリソグラフィー工程において反射防止層形成用材料層
が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が発光層に影響
を与えることがなく、発光層の劣化を防止できる。従っ
て、本発明によれば、陰極や発光層の劣化を確実に防止
でき、有機EL素子の信頼性や発光特性を向上させるこ
とができる。
EL素子の製造方法を用いることによって、第1の基板
上に陽極、発光層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に
保護層を形成し、この保護層の上側に反射防止層を形成
しているので、陰極が保護層で覆われた構造となり、反
射防止層のパターニング時のフォトリソグラフィー工程
において陰極が現像液等の薬品に晒されることがなく、
陰極の劣化を防止できる。また、陰極上に保護層を形成
しているので、発光層も陰極を介して保護層で覆われた
構造となり、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層等の黒色
顔料を含む層から形成した場合には、反射防止層形成の
際に陰極や発光層に影響を与えることがなく、陰極や発
光層の劣化を防止できる。また、上記のように発光層も
陰極を介して保護層で覆われた構造になっていると、上
記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成用
材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が分散す
るので発光層に影響を与えることがなく、発光層の劣化
を防止できる。
止層はギャップ材が混合されたものであり、該ギャップ
材入り封止層は上記保護層上に略環状に形成されてお
り、上記ギャップ剤入り封止層より内側の空間内にマッ
チングオイルが充填されていてもよい。この構成によれ
ば、例えば後述する本発明の第1の有機EL素子の製造
方法により有機EL素子を製造する場合に、第1基板あ
るいは第2基板上にギャップ材入り封止層を略環状に形
成することで、封止層を略全面にわたって形成する場合
に比べて、上記陰極側の上記第1基板と上記反射防止層
側の第2基板を位置合わせする際に上記陰極側の上記第
1基板と上記反射防止層側の第2基板を移動させ易くな
り、アライメントが容易になる。上記マッチングオイル
としては、第2基板の屈折率に近似する屈折率を有する
ものが用いられ、例えば第2基板として屈折率が1.5
〜1.6程度のガラス基板を用いた場合には、マッチン
グオイルとしては屈折率が1.503程度のシリコン系
のマッチングオイル等が用いられる。このようなマッチ
ングオイルが上記空間内に充填されることにより、外側
から有機EL素子に入射した光の損失を抑えることがで
きる。
大きく形成されていてもよい。本発明の有機EL素子に
おいて、上記陰極はアルカリ土類金属層と金属層とを含
む積層電極からなることを特徴とする。上記アルカリ土
類金属としては、Mg(マグネシウム)、Ca(カルシ
ウム)、Sr(ストロンチウム)、Ba(バリウム)の
4元素を含むものである。また、上記金属層には、Al
(アルミニウム)、Ag(銀)などの可視光反射率の高
い金属が多く用いられる。上記陰極を上記積層電極から
構成することで、陰極から発光層への電子注入効率を高
めることができ、しかも陰極としての安定性を保つこと
ができるうえ、反射率を確保できる。上記アルカリ土類
金属層の端面には、アルカリ土類金属のフッ化物層が形
成されていてもよい。上記アルカリ土類金属のフッ化物
は化学的に安定で酸素や水分との反応性が低いため、こ
のようなアルカリ土類金属のフッ化物層の内側のアルカ
リ土類金属層が大気中の酸素や水分と反応するのを防止
し、このアルカリ土類金属層の変性が抑えられ、素子の
信頼性を向上できる。
は、第1基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極
と、有機EL材料を含む発光層と、該発光層の形成領域
の一部に形成され、金属層を含む陰極とが上記第1基板
側からこの順に積層され、さらに上記陰極に対応する反
射防止層が積層された有機EL素子の製造方法であっ
て、第1基板上に少なくとも上記陽極、上記発光層、上
記陰極を形成する工程と、第2基板上に反射防止層形成
用材料層を形成し、該材料層のパターニングを行って反
射防止層を形成する工程と、上記陰極側の上記第1基板
と上記反射防止層側の第2基板を位置合わせし、封止層
を介して接着する工程とを含むことを特徴とする。
上記陽極、上記発光層、上記陰極を形成する工程におい
て、上記陰極に隣接して保護層を形成することを特徴す
る。本発明の第1の有機EL素子の製造方法の上記陽
極、上記発光層、上記陰極を形成する工程において、少
なくとも上記陰極の上側に保護層を形成することを特徴
とする。本発明の第1の有機EL素子の製造方法におい
て、上記封止層は、少なくとも第2基板上の反射防止層
に隣接して形成してもよい。本発明の第1の有機EL素
子の製造方法において、上記封止層は上記反射防止層を
被覆するように形成してもよい。
本発明の第1の製造方法を用いることによって容易に実
現することができる。すなわち、第1基板とは別の基板
(第2基板)を用い、この第2基板上に反射防止層をパ
ターニングにより形成し、この反射防止層を形成した第
2基板と、陽極、発光層、陰極と、必要により陰極の上
側や周囲に保護層を形成した第1基板とを貼り合せ、位
置合わせし、接着することによって、反射防止層のパタ
ーニング時のフォトリソグラフィー工程において陰極が
現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の劣化を防
止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層等の
黒色顔料を含む層から形成する場合には、黒色顔料を含
む層をスピンコート法により塗布するが、黒色顔料を含
む層を第2の基板の下側に形成することによって、黒色
顔料を含む層の形成の際に陰極や発光層に影響を与える
ことがなく、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、
上記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成
用材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が発光
層に影響を与えることがなく、陰極や発光層の劣化を防
止できる。従って、本発明によれば、発光層の劣化を確
実に防止でき、信頼性や発光特性が向上した有機EL素
子を製造できる。
おいて、上記陰極側の上記第1基板と上記反射防止層側
の第2基板を位置合わせし、封止層を介して接着する工
程において、上記第1基板あるいは第2基板上に略環状
に形成したギャップ剤入り封止層を介して第1基板と第
2基板とを接着し、上記ギャップ剤入り封止層の硬化後
に上記ギャップ剤入り封止層で囲まれた空間内にマッチ
ングオイルを注入、封止することを特徴とする。この構
成によれば、ギャップ材入り封止層を略環状に形成する
ことで、封止層を略全面にわたって形成する場合に比べ
て、上記陰極側の上記第1基板と上記反射防止層側の第
2基板を位置合わせする際に上記陰極側の上記第1基板
と上記反射防止層側の第2基板を移動させ易くなり、ア
ライメントが容易になる。
は、第1基板上に少なくとも、透明導電体層を含む陽極
と、有機EL材料を含む発光層と、該発光層の形成領域
の一部に形成され、金属層を含む陰極とが上記第1基板
側からこの順に積層され、さらに上記陰極に対応する反
射防止層が積層された有機EL素子の製造方法であっ
て、第1基板上に少なくとも上記陽極、上記発光層、上
記陰極を形成した後、少なくとも上記陰極の上側に保護
層を形成する工程と、上記保護層の上側に反射防止層形
成用材料層を形成し、該材料層のパターニングを行って
反射防止層を形成する工程と、少なくとも上記反射防止
層に隣接して封止層を形成する工程とを含むことを特徴
とする。
おいて、上記反射防止層と上記封止層の上側に第2基板
を積層する工程を含むようにしてもよい。本発明の第2
の有機EL素子の製造方法においては、少なくとも上記
陰極の上側に保護層を形成する工程において、上記陰極
を被覆するように上記保護層を形成するようにしてもよ
い。
本発明の第2の製造方法を用いることによって容易に実
現することができる。すなわち、第1の基板上に陽極、
発光層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に保護層を形
成し、この保護層の上側に反射防止層を形成しているの
で、陰極が保護層で覆われることとなり、反射防止層の
パターニング時のフォトリソグラフィー工程において陰
極が現像液等の薬品に晒されることがなく、陰極の劣化
を防止できる。また、反射防止層を黒色顔料含有樹脂層
等の黒色顔料を含む層から形成する場合には、黒色顔料
を含む層をスピンコート法により塗布するが、陰極上に
保護層を形成しているので、陰極だけでなく、発光層も
陰極を介して保護層で覆われたこととなり、黒色顔料を
含む層の形成の際に陰極や発光層に影響を与えることが
なく、陰極や発光層の劣化を防止できる。また、上記の
ように発光層も陰極を介して保護層で覆われていると、
上記フォトリソグラフィー工程において反射防止層形成
用材料層が紫外光を吸収しても、光吸収による熱が分散
されることにより発光層に影響を与えることがなく、発
光層の劣化を防止できる。
造方法において、上記反射防止層形成用材料層はCrあ
るいは黒色顔料を含む層から形成してもよい。Crを含
む層としては、Cr/酸化Cr積層等を挙げることがで
き、これらの層はスパッタ法等の成膜法により形成でき
る。黒色顔料を含む層は、黒色顔料含有樹脂を挙げるこ
とができ、この黒色顔料を含む層はスピンコート法等の
塗布法により形成できる。上記保護層をSiO2から構
成する場合はスパッタ法により形成でき、また、Si3
N4 から構成する場合は熱化学気相成長法により形成で
き、CaF、MgF2 、LiF等から構成する場合は
蒸着法により形成でき、エポキシ系の熱硬化性樹脂等か
ら構成する場合はスピンコート法等の塗布法により形成
できる。本発明の第1又は第2の有機EL素子の製造方
法において、上記反射防止層形成用材料層をパターニン
グする際、反射防止層の幅が上記陰極の幅より大きくな
るようにしてもよい。かかる構成によれば、本発明の第
1の有機EL素子の製造方法により有機EL素子を製造
する場合に、上記陰極側の上記第1基板と上記反射防止
層側の第2基板を位置合わせする際にこれら第1基板と
第2基板の位置が多少ずれても上記陰極と上記反射防止
層を対向配置することができるので、アライメントが容
易である。また、本発明の第2の有機EL素子の製造方
法により有機EL素子を製造する場合に、陰極上に保護
層を介して反射防止層を形成する際に反射防止層の形成
位置が多少ずれたり、パターニング精度が多少悪くて
も、上記陰極と上記反射防止層を対向配置することがで
きる。
成の本発明の有機EL素子を含む照明手段と、該照明手
段から出射される光を反射表示に用いる表示手段とを備
えたことを特徴とする。かかる構成によれば、信頼性が
高く、発光特性が向上したフロントライト等の照明手段
を備えた表示装置を提供することができる。
装置を用いた場合、上記照明手段をなす有機EL素子の
陰極が、反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配
置されていることが望ましい。この構成によれば、有機
EL素子を有する照明手段を備えた場合でも反射型液晶
表示装置の開口率が低下することがなく、明るい表示を
得ることができる。
明の第1の実施の形態を図1〜図7を参照して説明す
る。本実施の形態では、本発明の表示装置として液晶表
示装置を例に挙げて説明するが、本発明の有機EL素子
をフロントライト(照明手段)として備えている。ま
た、液晶表示装置のタイプとしては、薄膜トランジスタ
(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)を
スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス方
式の反射型液晶表示装置の例を挙げる。
の概略構成を示す斜視図、図2は図1のA−A’線に沿
う断面図、図3は同、液晶表示装置のフロントライトの
部分のみを示す断面図、図4乃至図7はフロントライト
の製造方法を説明するための工程断面図である。また、
各図においては、各層や各構成要素を認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各構成要素毎に膜厚や寸法等
の縮尺を異ならせてある。
示すように、液晶セル2(表示手段)と、その前面側に
配置されたフロントライト3(照明手段)とから概略構
成されている。液晶セル2は、TFTが形成された側の
素子基板4と対向基板5とが対向配置され、これら基板
4,5間に液晶層(図示略)が封入されている。素子基
板4の内面側には、多数のソース線6および多数のゲー
ト線7が互いに交差するように格子状に設けられてい
る。各ソース線6と各ゲート線7の交差点の近傍にはT
FT8が形成されており、各TFT8を介して画素電極
9がそれぞれ接続されている。すなわち、マトリクス状
に配置された各画素10毎に一つのTFT8と画素電極
9が設けられている。一方、対向基板5の内面側全面に
は、多数の画素10がマトリクス状に配列されてなる表
示領域の全体にわたって一つの共通電極11が形成され
ている。
に、下側に素子基板4となるガラス基板13が配置さ
れ、ガラス基板13の内面に各画素10毎に画素電極9
が形成されている。一方、上側に対向基板5となるガラ
ス基板14が配置され、ガラス基板14の内面に共通電
極11が形成されている。そして、素子基板4と対向基
板5との間にTN液晶からなる液晶層15が挟持されて
いる。なお、図2においては、各基板の内面側の各種配
線やTFT8、配向膜等の図示は省略した。そして、液
晶セル2の上面にフロントライト3が配置されている。
フロントライト3の概略構成は、ガラス基板16(第1
基板)上の全面に透明電極17(陽極)および発光層1
8が形成され、発光層18上の一部にCa層19(アル
カリ土類金属層)とAl層20(可視光反射率の高い金
属層、導電体層)の2層からなるCa/Al積層電極2
1(陰極)が形成されている。さらに、これらを覆うよ
うに保護層23が全面に形成され、さらにこの保護層2
3上に封止層26が全面に形成され、この封止層26上
の一部に上記Ca/Al積層電極21に対応する反射防
止層28が形成され、そしてこれら封止層26と反射防
止層28がカバーガラス27(第2基板)で覆われてい
る。
ては、液晶セル2の画素電極9の縁を実効的に表示に寄
与する開口領域Kとし、隣接する画素電極9間の領域を
図示しない遮光膜が配置された非開口領域Hとする。本
実施の形態の液晶表示装置1においては、有機EL素子
のCa/Al積層電極21が液晶セル2の非開口領域H
に対応して配置されている。また、上記のようにこのC
a/Al積層電極21に対応して反射防止層28が形成
されているので、この反射防止層28も液晶セル2の非
開口領域Hに対応して配置されていることになる。
図3に示した通りである。ガラス基板16上の全面にイ
ンジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide, 以下、ITOと
略記する)等の透明導電膜からなる透明電極17が形成
され、透明電極17上に正孔輸送層22、発光層18が
順次積層されている。本実施の形態においては、正孔輸
送層22の材料として例えばバイエル社製の商品名By
tronP、発光層18の材料として例えば高分子系白
色発光材料を用いることができる。また、発光層18上
の一部にCa層19(アルカリ土類金属層)とAl層2
0(導電体層)の2層からなるCa/Al積層電極21
が形成されている。そして、Ca層19の端面にはCa
F2層25(アルカリ土類金属のフッ化物層)が形成さ
れている。さらに、このCa/Al積層電極21の周囲
(発光層18の上側)及び上側(発光層18と反対側)
にSiO2、Si3N4 、CaF2、MgF2 、Li
F、エポキシ系の熱硬化性樹脂等からなる保護層23が
形成されている。
1と反対側)にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、アクリ
ル樹脂等の光硬化性樹脂からなる封止層26が全面に形
成されている。さらに封止層26上の一部に上記Ca/
Al積層電極21に対応する反射防止層28が形成され
ている。この反射防止層28は、積層電極21(特にA
l層20)の反射を防止するためのもので、液晶表示装
置1を視認側(カバーガラス27側)から観察する際
に、外部から入射した光がAl層20で反射するのを防
止して、表示が視認し易く、コントラストを向上させた
ものである。この反射防止層28は、Crあるいは黒色
顔料を含む層等からなるものである。上記Crを含む層
としては、例えば、Cr/酸化Cr積層を挙げることが
できる。また上記黒色顔料を含む層としては、例えば、
エポキシ系の熱硬化性樹脂にカーボンブラック等の黒色
顔料を添加したものを挙げることができる、反射防止層
28の幅は、図2及び図3の点線で示すように、上記積
層電極21の幅より大きく形成されていてもよい。そし
てこれら封止層26と反射防止層28の上側(積層電極
21側と反対側)がカバーガラス27(第2基板)で覆
われている。
と、下側からガラス基板16が0.5mm程度、透明電
極17が100〜200nm程度(例えば150n
m)、正孔輸送層22が50nm程度、発光層18が5
0nm程度、Ca層19が20nm程度、Al層20が
200nm程度、発光層18上の保護層23(積層電極
21が形成されていない部分の保護層23)が50nm
程度、反射防止層28が形成されていない部分の封止層
26が5μm程度、反射防止層28が100nm程度、
カバーガラス27が0.1mm程度である。Ca/Al
積層電極21の幅が10μm程度である。反射防止層2
8の幅はCa/Al積層電極21の幅と同じ程度の幅で
ある。また、この反射防止層28の幅は、図2及び図3
の点線で示したように上記積層電極21の幅よりも1〜
2μm程度大きい幅であってもよい。
ロントライトの製造方法について図4、図5を用いて説
明する。なお、図4乃至図7では基板の端部を合わせて
示す。まず最初に、図4(a)に示すように、ガラス基
板16(第1基板)上に透明電極17(透明導電体層)
となるITO(透明導電性材料)等の透明導電膜29、
正孔輸送層22となるバイエル社製のBytron P
膜30、発光層18となる高分子系白色発光材料膜3
1、アルカリ土類金属層となるCa層19、導電体層と
なるAl層20をこの順に成膜する。発光層18の成膜
方法としては、低分子タイプの有機EL材料を用いる場
合には蒸着法など、高分子タイプの有機EL材料を用い
る場合にはインクジェット法等の液滴吐出法、スピンコ
ート法等の塗布法などを採用することができる。
20上にフォトレジスト膜33を順次形成する。なお、
基板16の端部においては、任意のマスク材を形成した
上で成膜を行うことにより、発光層18、正孔輸送層2
2、Ca層19およびAl層20の端面がガラス基板1
6の端面よりも若干内側に位置するように形成する。そ
の上で、フォトレジスト膜33が発光層18、正孔輸送
層22、Ca層19およびAl層20の全ての端面を覆
うようにガラス基板16の端面の位置まで形成する。
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜33の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン24を形成す
る。
ジストパターン24をマスク材としたドライエッチング
により、Al層20、Ca層19を発光層18の表面が
露出するまで順次エッチングする。エッチングガスとし
て、Al層20には例えばBCl3を含む塩素系ガス、
Ca層19には例えばArガスを用いたスパッタエッチ
ングを用いることができる。この工程により、Ca/A
l積層電極21がパターニングされる。なお、図4
(a)〜図5(d)に示す工程ではフォトリソグラフィ
ー技術によりCa層19、Al層20のパターニングを
行ったが、図4(a)の示す工程において高分子系白色
発光材料膜31を形成後にこの材料膜31の上側にCa
/Al積層電極パターンに応じた開口が形成されたマス
ク材(図示略)を配置し、蒸着法によりAl層20、C
a層19を順次形成するようにしてもよい。
フッ化処理を行うことにより、Ca層19のうち、露出
している端面の部分をフッ化してCaF2層25に変換
する。この際、実際にはAl層20の端面も若干フッ化
される。なお、ドライエッチング工程を経てCa層19
の端面が露出した直後にプラズマフッ化処理を行えば、
Ca層19の変成をある程度抑えることはできるが、で
きればCa層19の端面が露出した後からプラズマフッ
化処理を終了するまでの間、基板が大気に触れない不活
性ガス雰囲気下で作業を行うことが望ましい。そうする
と、Ca層19の変成を確実に防止することができる。
具体的には、ドライエッチング装置のチャンバー内に第
1基板を入れたまま、ガスの切り換えだけで各層のエッ
チングとプラズマフッ化処理を行うか、それが難しい場
合には窒素ガス等の不活性ガス雰囲気内で基板を搬送す
る等の方法を採ればよい。この後、フォトレジストパタ
ーン24を剥離液により除去する。
ングしたCa/Al積層電極21や発光層18を覆うよ
うに保護層23を全面に形成することにより、Ca/A
l積層電極21の周囲(側方)と上側に保護層23が形
成される。ここで保護層をSiO2 から構成する場合は
スパッタ法が用いられ、Si3N4 から構成する場合
は熱化学気相成長法が用いられ、CaF2 、MgF2
、LiF等から構成する場合は蒸着法が用いられ、エ
ポキシ系の熱硬化性樹脂から構成する場合はスピンコー
ト法等の塗布法によりする方法が用いられる。本実施形
態では上記のようにガラス基板16上に透明電極17、
正孔輸送層22、発光層18、Ca/Al積層電極2
1、保護層23を形成したものを陰極側のガラス基板
(陰極側の第1基板あるいは素子側のガラス基板)と呼
ぶことにする。
ス27(第2基板)上にCrあるいは黒色顔料を含む層
からなる反射防止層形成用材料層28aを形成後、この
反射防止層形成用材料層28a上にフォトレジスト膜3
4を形成する。反射防止層形成用材料層28aの形成方
法としては、反射防止層形成用材料層28aをCr層と
酸化Crとから形成する場合にはスパッタ法等の成膜法
により形成し、黒色顔料含有樹脂層から形成する場合に
は黒色顔料含有樹脂をスピンコート法により形成する。
ソグラフィー技術を用いてフォトレジスト膜34の露
光、現像を行い、フォトレジストパターン34aを形成
する。次に、図6(i)に示すように、フォトレジスト
パターン34aをマスク材としたウエットエッチングに
より、反射防止層形成用材料層28aをカバーガラス2
7の表面が露出するまでエッチングする。なお、反射防
止層形成用材料層28aをパターニングする際、反射防
止層28の幅が積層電極21の幅より大きくなるように
してもよい。この後、図6(j)に示すようにフォトレ
ジストパターン34aを剥離液により除去すると、反射
防止層28が得られる。なお、このフォトレジストパタ
ーン34aは除去せずに残したままでもよい。
層28やカバーバラス27の露出面を覆うように封止層
26を全面に形成することにより、反射防止層28の周
囲(側方)と下側に封止層26が形成される。封止層2
6の形成方法としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
あるいはアクリル樹脂等の光硬化性樹脂から形成する場
合は、樹脂液をスピンコート法等により塗布することに
より形成する。本実施形態では上記のようにカバーガラ
ス27上に反射防止層28、封止層26を形成したもの
を反射防止層側のカバーガラス(反射防止層側の第2基
板)と呼ぶことにする。
板16と反射防止層側のカバーガラス27とを貼り合わ
せ、位置合わせし、接着することにより、図3に示すよ
うな本実施の形態の有機EL素子を備えたフロントライ
ト3が完成する。
ントライト3においては、Ca/Al積層電極21と反
射防止層28の間に保護層23と封止層26が形成され
た構成となっているため、このような構造のフロントラ
イトを製造する際には、上述のようにガラス基板16と
は別の基板(カバーガラス27)を用い、このカバーガ
ラス27上に反射防止層28をパターニングにより形成
し、この反射防止層側のカバーガラス27と、陰極側の
ガラス基板16とを貼り合わせ、位置合わせし、接着す
ることによって、反射防止層28のパターニング時のフ
ォトリソグラフィー工程において積層電極21、特にA
l層20が現像液等の薬品に晒されることがなく、積層
電極21の劣化を防止できる。
層から形成した場合には、黒色顔料含有樹脂をスピンコ
ート法により塗布、形成するが、黒色顔料含有樹脂層を
カバーガラス27側に形成することによって、黒色顔料
含有樹脂層の形成の際に陰極21や発光層18に影響を
与えることがなく、陰極18や発光層18の劣化を防止
できる。また、反射防止層形成用材料層28aをカバー
ガラス27側に形成することによって反射防止層のパタ
ーニング時の上記フォトリソグラフィー工程において反
射防止層形成用材料層28aが紫外光を吸収しても、光
吸収による熱が発光層18に影響を与えることがなく、
発光層18の劣化を防止できる。従って、本実施形態の
有機EL素子を備えたフロントライト3及びその製造方
法によれば、陰極21や発光層18の劣化を確実に防止
でき、有機EL素子の信頼性や発光特性を向上させるこ
とができる。
より大きい構成とした場合、このような構造のフロント
ライトを製造する際には、陰極側のガラス基板16と反
射防止層側のカバーガラス27を位置合わせする際にこ
れら陰極側のガラス基板16と反射防止層側のカバーガ
ラス27の位置が多少ずれても積層電極21と反射防止
層18を対向配置することができるので、アライメント
が容易である。また、本実施形態のフロントライト3で
は、上記アルカリ土類金属層19の端面には、アルカリ
土類金属のフッ化物層25を形成したことにより、アル
カリ土類金属層19の端面が製造工程中に露出している
期間が少なくなり、アルカリ土類金属層19が大気中の
酸素や水分と反応するのを防止し、このアルカリ土類金
属層の変性が抑えられ、素子の信頼性を向上できる。
高く、発光特性が向上したフロントライト3を備えた液
晶表示装置を提供することができる。さらに、有機EL
素子のCa/Al積層電極21が液晶セル2の非開口領
域に対応して配置されているので、有機EL素子を有す
るフロントライトを備えていても開口率が低下すること
がなく、明るい表示を得ることができる。
ングしたCa/Al積層電極21の周囲(側方)と上側
に保護層23を形成したが、図5(f)の点線で示すよ
うにCa/Al積層電極21の周囲(側方)に保護層2
3を形成し、Ca/Al積層電極21の上面は露出して
いてもよい。また、図6(k)に示す工程ではパターニ
ングした反射防止層28の周囲(側方)と上側に封止層
26を形成したが、図6(k)の点線で示すように反射
防止層28の周囲(側方)に封止層26を形成(反射防
止層28に隣接して封止層26を形成)し、反射防止層
28の上面は露出していてもよい。このようにCa/A
l積層電極21の上面が露出した陰極側のガラス基板1
6と、反射防止層28の上面が露出した反射防止層側の
カバーガラス27を位置合わせし、接着することによ
り、図8に示すような本発明の他の実施の形態のフロン
トライト3aが完成する。このフロントライト3aで
は、Ca/Al積層電極21と反射防止層28が接して
いるが、このフロントライト3aの製造の際にもガラス
基板16とは別の基板(カバーガラス27)を用い、こ
のカバーガラス27上に反射防止層28をパターニング
により形成するようにしているので、陰極21や発光層
18の劣化を確実に防止でき、有機EL素子の信頼性や
発光特性を向上させることができる。
実施の形態を図9、図10を参照して説明する。図9は
本実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示す断
面図、図10はフロントライトの製造方法を説明するた
めの工程断面図である。本実施の形態の液晶表示装置の
液晶セルの基本構成は第1の実施の形態と全く同様であ
る。また、本実施形態の液晶表示装置のフロントライト
3bは、陰極側のガラス基板16と反射防止層側のカバ
ーガラス27の間に介在させる層が異なる以外は第1の
実施の形態と同様である。よって、図9、図10におい
て図3〜図7と共通の構成要素には同一の符号を付し、
詳細な説明は省略する。なお、本実施形態での陰極側の
ガラス基板16には、保護層23が形成されていないも
のである。
21の周囲(発光層18の上側)及び上側(発光層18
と反対側)に保護層23が形成され、さらにこの保護層
23の上側(積層電極21と反対側)に封止層26が形
成され、さらに封止層26上の一部に上記Ca/Al積
層電極21に対応する反射防止層28が形成されていた
のに対し、本実施の形態では、Ca/Al積層電極21
の周囲(発光層18の上側)及び上側(発光層18と反
対側)に封止層26が形成され、さらに封止層26上の
一部に上記Ca/Al積層電極21に対応する反射防止
層28が形成されており、Ca/Al積層電極21と反
射防止層28の間に保護層が設けられていない。
ライト3bを製造する際には、陰極側のガラス基板16
の作製方法は第1の実施の形態における図5(f)の工
程の前までは全く共通であり、反射防止層側のカバーガ
ラス27の作製方法は第1の実施の形態における図6
(j)の工程までは全く共通であり、これら工程の後、
陰極側のガラス基板16と反射防止層側のカバーガラス
27を図10に示すように陰極側のガラス基板16の積
層電極21上に封止層26形成用の材料26aとしてア
クリル系光硬化性樹脂液又はエポキシ系熱硬化性樹脂液
を配置する。
ラス基板16と反射防止層側のカバーガラス27を真空
排気可能なチャンバ(図示略)内に配置した後、上記チ
ャンバ内を真空排気し、これら陰極側のガラス基板16
と反射防止層側のカバーガラス27を貼り合わせ、その
後位置合わせし、接着することで、陰極側のガラス基板
16と反射防止層側のカバーガラス27間に封止層26
が形成され、本実施の形態の有機EL素子を備えたフロ
ントライト3bが完成する。材料26aとしてアクリル
系光硬化性樹脂液を用いた場合は、位置合わせ、カバー
ガラス27側から光照射を施して材料26aを硬化させ
る。
側のガラス基板16と反射防止層側のカバーガラス27
間に封止層26が形成された構造であり、このフロント
ライト3bの製造の際にもガラス基板16とは別の基板
(カバーガラス27)を用い、このカバーガラス27上
に反射防止層28をパターニングにより形成するように
しているので、陰極21や発光層18の劣化を確実に防
止でき、有機EL素子の信頼性や発光特性を向上させる
ことができる。
実施の形態を図11、図12を参照して説明する。図1
1は本実施の形態の液晶表示装置のフロントライトを示
す断面図、図12は本実施の形態のフロントライトの製
造方法を説明するための工程図である。本実施の形態の
液晶表示装置の液晶セルの基本構成は第1の実施の形態
と全く同様である。また、本実施形態の液晶表示装置の
フロントライト3cは、陰極側のガラス基板16と反射
防止層側のカバーガラス27の間に介在させる層が異な
る以外は第1の実施の形態と同様である。よって、図1
1、図12において図3〜図7と共通の構成要素には同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
(積層電極21と反対側)に封止層26が略全面にわた
って形成され、さらに封止層26上に反射防止層28側
のカバーガラス27が形成されていたのに対し、本実施
の形態では、保護層26の上側にギャップ材入り封止層
26cが略環状に形成され、ギャップ材入り封止層26
cの上側に反射防止層側のカバーガラス27が形成さ
れ、ギャップ剤入り封止層26cと反射防止層側のカバ
ーガラス27と保護層23とによって囲まれた空間内に
マッチングオイル40が充填されている。ギャップ材入
り封止層26cは、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等に
ギャップ材を充填したものである。マッチングオイル4
0は、カバーガラス27の屈折率に近似する屈折率を有
するものが用いられ、例えばカバーガラス27として屈
折率が1.5〜1.6程度のガラス基板を用いた場合に
は、マッチングオイルとしては屈折率が1.503程度
のシリコン系のマッチングオイル等が用いられる。
ライト3cを製造する際には、陰極側のガラス基板16
の作製方法は第1の実施の形態における図5(f)の工
程までは全く共通であり、反射防止層側のカバーガラス
27の作製方法は第1の実施の形態における図6(j)
の工程までは全く共通であり、これら工程の後、図12
(a)に示すようにカバーガラス27の反射防止層側の
面の周縁より内側にギャップ材入り封止層26cを塗布
法により形成する。ここで形成したギャップ剤入り封止
層26cには、2カ所の開口部26dを設けることが、
後工程でマッチングオイル40を充填する際に毛細管現
象によって充填し易い点で好ましい。また、開口部26
dを1ヶ所とした場合は真空注入により確実に気泡をな
くせる点で好ましい。開口部26dを1ヶ所設けるか、
あるいは2ヶ所設けるかについては便宜選択できる。
剤入り封止層26cを形成した反射防止層側のカバーガ
ラス27を陰極側のガラス基板16上に配置し、位置合
わせ後、両基板を加圧し、ギャップ発光層18に影響し
ない程度に熱処理を施して硬化させることにより、この
ギャップ剤入り封止層26cを介して陰極側のガラス基
板16と反射防止層側のカバーガラス27を接着する。
次に、ギャップ剤入り封止層26cに形成した一方の開
口部26dからマッチングオイル40を充填後、2カ所
の開口部26dを封止すると、本実施の形態の有機EL
素子を備えたフロントライト3cが完成する。
側のガラス基板16と反射防止層側のカバーガラス27
間に略環状のギャップ剤入り封止層26cが形成された
構造であり、このフロントライト3cの製造の際にもガ
ラス基板16とは別の基板(カバーガラス27)を用
い、このカバーガラス27上に反射防止層28をパター
ニングにより形成するようにしているので、陰極21や
発光層18の劣化を確実に防止でき、有機EL素子の信
頼性や発光特性を向上させることができる。上記のよう
な構造のフロントライト3cを製造する際にはギャップ
材入り封止層26cを略環状に形成することで、封止層
を略全面にわたって形成する場合に比べて、陰極側のガ
ラス基板16と反射防止層側のカバーバラス27を位置
合わせする際に陰極側のガラス基板16と反射防止層側
のカバーガラス27を移動させ易くなり、位置合せが容
易になる。
ニングしたCa/Al積層電極21の周囲(側方)と上
側に保護層23を形成したが、点線で示すようにCa/
Al積層電極21の周囲(側方)に保護層23を形成
し、Ca/Al積層電極21の上面は露出していてもよ
い。また、図12に示す工程ではギャップ材入り封止層
26cの厚さが反射防止層28の厚さより大きくなるよ
うに形成したが、図12の点線で示すようにギャップ材
入り封止層26cの厚さが反射防止層28の厚さと同じ
厚さなるように形成してもよい。このようにCa/Al
積層電極21の上面が露出した陰極側のガラス基板16
と、反射防止層28の厚さと同じ厚さのギャップ材入り
封止層26cを形成した反射防止層側のカバーガラス2
7を位置合わせし、接着することにより、図13に示す
ような本発明の他の実施の形態のフロントライト3dが
完成する。このフロントライト3dは、上記フロントラ
イト3cと同様の効果が得られる。
実施の形態を図14、図15、図16を参照して説明す
る。図14は本実施の形態の液晶表示装置のフロントラ
イトを示す断面図、図15及び図16は本実施の形態の
フロントライトの製造方法を説明するための工程断面図
である。本実施の形態の液晶表示装置の液晶セルの基本
構成は第1の実施の形態と全く同様である。また、本実
施形態の液晶表示装置のフロントライト3eは、反射防
止層28の形成位置が異なる以外は第1の実施の形態と
同様である。よって、図14〜図16において図3〜図
7と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明
は省略する。
21の周囲(発光層18の上側)及び上側(発光層18
と反対側)に保護層23が形成(Ca/Al積層電極2
1を被覆するように保護層23が形成)され、さらにこ
の保護層23の上側(積層電極21と反対側)に封止層
26が形成され、さらに封止層26上の一部に上記Ca
/Al積層電極21に対応する反射防止層28が形成さ
れ、封止層26と反射防止層28の上側にカバーガラス
27が設けられていたのに対し、本実施の形態では、C
a/Al積層電極21の周囲(発光層18の上側)及び
上側(発光層18と反対側)に保護層23が形成され、
さらにこの保護層23上の一部に上記Ca/Al積層電
極21に対応する反射防止層28が形成され、反射防止
層28の周囲(保護層の上側)及び上側に封止層26が
形成され(反射防止層28に隣接して封止層26が形成
され)、さらにこの封止層26の上側にカバーガラス2
7が設けられている。従って本実施形態の液晶表示装置
のフロントライト3eでは、Ca/Al積層電極21と
反射防止層28の間に封止層26は設けられておらず、
保護層23が設けられており、反射防止層28はカバー
ガラス27の下側表面でなく、保護層23と封止層26
の間に設けられている。
ライト3eを製造する際には、第1の実施の形態におけ
る図5(f)の工程までは全く共通であり、この工程の
後、図15(a)に示すように保護層23上にCr/酸
化Cr積層層又は黒色顔料含有樹脂層からなる反射防止
層形成用材料層28aを形成後、この反射防止層形成用
材料層28a上にフォトレジスト膜34を形成する。次
に、図15(b)に示すように、フォトリソグラフィー
技術を用いてフォトレジスト膜34の露光、現像を行
い、フォトレジストパターン34aを形成する。次に、
図15(c)に示すように、フォトレジストパターン3
4aをマスク材としたウエットエッチングにより、反射
防止層形成用材料層28aを保護層23の表面が露出す
るまでエッチングする。なお、反射防止層形成用材料層
28aをパターニングする際、反射防止層28の幅が積
層電極21の幅より大きくなるようにしてもよい。
レジストパターン34aを剥離液により除去すると、C
a/Al積層電極21に対応する反射防止層28が得ら
れる。次に、図16(e)に示すように反射防止層28
や保護層23の露出面を覆うように封止層26を全面に
形成することにより、反射防止層28の周囲(側方)と
上側に封止層26が形成される。次に、図16(f)に
示すように封止層26上にカバーガラス27を配置する
ことにより、本実施の形態の有機EL素子を備えたフロ
ントライト3eが完成する。
/Al積層電極21と反射防止層28との間に保護層2
3が形成された構造であり、このフロントライト3eの
製造の際には、上述のようにガラス基板16上に透明電
極17、正孔輸送層22、発光層18、Ca/Al積層
電極21を形成し、さらにこのCa/Al積層電極21
上に保護層23を形成し、この保護層23上の一部に反
射防止層28を形成しているので、Ca/Al積層電極
21が保護層23で覆われた構造となり、反射防止層2
8のパターニング時のフォトリソグラフィー工程におい
て積層電極21が現像液等の薬品に晒されることがな
く、積層電極21の劣化を防止できる。
層から形成した場合には、黒色顔料含有樹脂をスピンコ
ート法により塗布、形成するが、Ca/Al積層電極2
1上に保護層23を形成しているので、Ca/Al積層
電極21だけでなく、発光層18もCa/Al積層電極
21を介して保護層23で覆われた構造となり、黒色顔
料含有樹脂層の形成の際にCa/Al積層電極21や発
光層18に影響を与えることがなく、Ca/Al積層電
極21や発光層18の劣化を防止できる。また、上記の
ように発光層18も積層電極21を介して保護層23で
覆われた構造になっていると、上記フォトリソグラフィ
ー工程において反射防止層形成用材料層28aが紫外光
を吸収しても、光吸収による熱が分散するため発光層1
8に影響を与えることがなく、発光層18の劣化を防止
できる。また、本実施形態の製造方法によりフロントラ
イト3eを製造する場合に、Ca/Al積層電極21上
に保護層23を介して反射防止層28を形成する際に反
射防止層28の形成位置が多少ずれたり、パターニング
精度が多少悪くても、積層電極21と反射防止層28を
対向配置することができる。
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態ではアルカリ土類金属としてCaの
例を挙げたが、Mg、Sr、Ba等の他のアルカリ土類
金属の場合もCaと同様の作用が生じるため、本発明に
適用することができる。また、有機EL素子の構成とし
ては、発光層と正孔輸送層の他、正孔注入層、電子注入
層などを備えた構成としてもよい。
て液晶表示装置の例を挙げたが、例えば電気泳動表示装
置等の非発光型の反射型表示装置の照明手段として本発
明の有機EL素子を用いることができる。さらに、照明
手段として用いるだけでなく、本発明の有機EL素子自
身を表示装置として用いることもできる。ただしその場
合、陽極と陰極のパターニングを行い、パッシブマトリ
クス型表示装置として適用される。
機EL素子によれば少なくとも上記陰極と上記反射防止
層の間に保護層と封止層の少なくともいずれか一方が形
成された構成となっているため、その製造の際には、例
えば第1基板とは別の基板(第2基板)を用い、この第
2基板の一方の側に反射防止層をパターニングにより形
成し、この反射防止層を形成した第2基板と、陽極、発
光層、陰極と、必要により陰極の上側や周囲に保護層を
形成した第1基板とを貼り合せ、位置合わせし、接着す
ることによって、陰極や発光層の劣化を確実に防止し、
信頼性や発光特性を向上できる。また、上記構造の有機
EL素子の製造の際には、第1の基板上に陽極、発光
層、陰極を形成し、さらにこの陰極上に保護層を形成
し、この保護層の上側に反射防止層を形成することによ
り、陰極が保護層で覆われた構造となり、陰極や発光層
の劣化を確実に防止し、信頼性や発光特性を向上でき
る。
全体の概略構成を示す斜視図である。
面図である。
めの工程断面図である。
す断面図である。
示す断面図である。
ための工程断面図である。
を示す断面図である。
ための工程図である。
示す断面図である。
を示す断面図である。
ための工程図である。
図である。
(照明手段) 16 ガラス基板(第1基板) 17 透明電極(陽極) 18 発光層 19 Ca層(アルカリ土類金属層) 20 Al層(可視光反射率の高い金属層、導電層) 21 Ca/Al積層電極(陰極) 22 正孔輸送層 23 保護層 24、34a フォトレジストパターン(マスク材) 25 CaF2層(アルカリ土類金属のフッ化物層) 26 封止層 26c ギャップ材入り封止層、 27 カバーガラス(第2基板) 28 反射防止層 28a 反射防止層形成用材料層 33、34 フォトレジスト膜 40 マッチングオイル K 開口領域 H 非開口領域
Claims (18)
- 【請求項1】 第1基板上に少なくとも、透明導電性材
料を含む陽極と、有機EL材料を含む発光層と、該発光
層の形成領域の一部に形成され、金属層を含む陰極とが
前記第1基板側からこの順に積層され、さらに前記陰極
に対応する反射防止層が積層された有機EL素子であっ
て、 少なくとも前記陰極と前記反射防止層の間に保護層と封
止層の少なくともいずれか一方が形成されたことを特徴
とする有機EL素子。 - 【請求項2】 前記保護層と封止層の少なくともいずれ
か一方と、前記反射防止層とは、第2基板で覆われてい
ることを特徴とする請求項1記載の有機EL素子。 - 【請求項3】 前記封止層は前記保護層上に形成されて
いることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL
素子。 - 【請求項4】 前記封止層はギャップ材が混合されたも
のであり、該ギャップ材入り封止層は前記保護層上に略
環状に形成されており、前記ギャップ剤入り封止層より
内側の空間内にマッチングオイルが充填されていること
を特徴とする請求項3に記載の有機EL素子。 - 【請求項5】 少なくとも前記陰極と前記反射防止層と
の間に前記保護層が形成され、少なくとも前記反射防止
層に隣接して封止層が形成されていることを特徴とする
請求項1又は2記載の有機EL素子。 - 【請求項6】 前記反射防止層は、少なくともCrある
いは黒色顔料を含む層であることを特徴とする請求項1
乃至5のいずれか一項に記載の有機EL素子。 - 【請求項7】 前記反射防止層の幅は、前記陰極の幅よ
り大きく形成されていることを特徴とする請求項1乃至
6のいずれか一項に記載の有機EL素子。 - 【請求項8】 前記陰極はアルカリ土類金属層と金属層
とを含む積層電極からなることを特徴とする請求項1乃
至7のいずれか一項に記載の有機EL素子。 - 【請求項9】 第1基板上に少なくとも、透明導電体層
を含む陽極と、有機EL材料を含む発光層と、該発光層
の形成領域の一部に形成され、金属層を含む陰極とが前
記第1基板側からこの順に積層され、さらに前記陰極に
対応する反射防止層が積層された有機EL素子の製造方
法であって、 第1基板上に少なくとも前記陽極、前記発光層、前記陰
極を形成する工程と、 第2基板上に反射防止層形成用材料層を形成し、該材料
層のパターニングを行って反射防止層を形成する工程
と、 前記陰極側の前記第1基板と前記反射防止層側の第2基
板を位置合わせし、封止層を介して接着する工程とを含
むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 【請求項10】 前記陽極、前記発光層、前記陰極を形
成する工程において、前記陰極に隣接して保護層を形成
することを特徴とする請求項9記載の有機EL素子の製
造方法。 - 【請求項11】 前記陽極、前記発光層、前記陰極を形
成する工程において、少なくとも前記陰極の上側に保護
層を形成することを特徴とする請求項9又は10に記載
の有機EL素子の製造方法。 - 【請求項12】 少なくとも第2基板上の前記反射防止
層に隣接して前記封止層を形成することを特徴とする請
求項9乃至11のいずれか一項に記載の有機EL素子の
製造方法。 - 【請求項13】 前記陰極側の前記第1基板と前記反射
防止層側の第2基板を位置合わせし、封止層を介して接
着する工程において、 前記第1基板あるいは前記第2基板上に略環状に形成し
たギャップ剤入り封止層を介して接着し、前記ギャップ
剤入り封止層の硬化後に前記ギャップ剤入り封止層より
内側の空間内にマッチングオイルを注入、封止すること
を特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の
有機EL素子の製造方法。 - 【請求項14】 第1基板上に少なくとも、透明導電体
層を含む陽極と、有機EL材料を含む発光層と、該発光
層の形成領域の一部に形成され、金属層を含む陰極とが
前記第1基板側からこの順に積層され、さらに前記陰極
に対応する反射防止層が積層された有機EL素子の製造
方法であって、 第1基板上に少なくとも前記陽極、前記発光層、前記陰
極を形成した後、少なくとも前記陰極の上側に保護層を
形成する工程と、 前記保護層の上側に反射防止層形成用材料層を形成し、
該材料層のパターニングを行って反射防止層を形成する
工程と、少なくとも前記反射防止層に隣接して封止層を
形成する工程とを含むことを特徴とする有機EL素子の
製造方法。 - 【請求項15】 前記反射防止層と前記封止層の上側に
第2基板を積層する工程を含むことを特徴とする請求項
14に記載の有機EL素子の製造方法。 - 【請求項16】 少なくとも前記陰極の上側に保護層を
形成する工程において、前記陰極を被覆するように前記
保護層を形成することを特徴とする請求項14又は15
に記載の有機EL素子の製造方法。 - 【請求項17】 請求項1乃至8のいずれか一項に記載
の有機EL素子を含む照明手段と、該照明手段から出射
される光を反射表示に用いる表示手段とを備えたことを
特徴とする表示装置。 - 【請求項18】 前記表示手段が反射型液晶表示装置で
あり、前記照明手段をなす前記有機EL素子の陰極が、
前記反射型液晶表示装置の非開口領域に対応して配置さ
れていることを特徴とする請求項17に記載の表示装
置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002052071A JP4385563B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 有機el素子とその製造方法ならびに表示装置 |
US10/372,926 US7126275B2 (en) | 2002-02-27 | 2003-02-26 | System and methods for providing organic electro-luminescence elements |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002052071A JP4385563B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 有機el素子とその製造方法ならびに表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003257621A true JP2003257621A (ja) | 2003-09-12 |
JP4385563B2 JP4385563B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=28663875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002052071A Expired - Fee Related JP4385563B2 (ja) | 2002-02-27 | 2002-02-27 | 有機el素子とその製造方法ならびに表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7126275B2 (ja) |
JP (1) | JP4385563B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006323305A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
JP2006323302A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
JP2006323304A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sanyo Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
JP2006350303A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
WO2012102333A1 (ja) | 2011-01-27 | 2012-08-02 | Jnc株式会社 | 新規アントラセン化合物およびこれを用いた有機電界発光素子 |
JP2012230789A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置および有機エレクトロルミネッセンス素子用対向基板 |
WO2013077141A1 (ja) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子 |
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WO2014042197A1 (ja) | 2012-09-11 | 2014-03-20 | Jnc株式会社 | 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子、表示装置、及び照明装置 |
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US9484555B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-11-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device including a non-light emitting region, light emitting region and photochromic layer |
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WO2018212169A1 (ja) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
WO2019003615A1 (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 学校法人関西学院 | 有機電界発光素子 |
Families Citing this family (14)
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-
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- 2002-02-27 JP JP2002052071A patent/JP4385563B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-26 US US10/372,926 patent/US7126275B2/en not_active Expired - Fee Related
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US8902383B2 (en) | 2012-03-23 | 2014-12-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic electroluminescent device, lighting apparatus, and method for manufacturing the organic electroluminescent device |
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WO2014042197A1 (ja) | 2012-09-11 | 2014-03-20 | Jnc株式会社 | 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子、表示装置、及び照明装置 |
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US9373810B2 (en) | 2014-03-26 | 2016-06-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic EL element and light-emitting apparatus including the same |
KR20160060319A (ko) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
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JP2018006382A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置 |
WO2018212169A1 (ja) | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 学校法人関西学院 | 多環芳香族化合物 |
WO2019003615A1 (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-03 | 学校法人関西学院 | 有機電界発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030214227A1 (en) | 2003-11-20 |
US7126275B2 (en) | 2006-10-24 |
JP4385563B2 (ja) | 2009-12-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070531 |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090921 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |