JP2003249713A - レーザ装置 - Google Patents
レーザ装置Info
- Publication number
- JP2003249713A JP2003249713A JP2003000011A JP2003000011A JP2003249713A JP 2003249713 A JP2003249713 A JP 2003249713A JP 2003000011 A JP2003000011 A JP 2003000011A JP 2003000011 A JP2003000011 A JP 2003000011A JP 2003249713 A JP2003249713 A JP 2003249713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- laser
- laser diode
- laser device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
装置の簡易な構成を提供する。 【解決手段】光学システムに放射されている光のための
出口面を有する光学共振器15を有するレーザダイオー
ド1と、レーザダイオードの光量を測定するための光検
出面を有するモニタダイオード2とを備えたレーザ装置
において、モニタダイオード2の光検出面は、共振器の
光出口面とは反対の面で、光を照射したりもするレーザ
ダイオード1の裏面11に光学的にカップリングされて
いる。この設計は、レーザ装置のスペースをとらないS
MDレイアウトを許容する。
Description
器を有するレーザダイオードと、レーザダイオードの光
の量を測定するための光検出面を有するモニタダイオー
ドとを備えたレーザ装置に関するものである。
およびモニタダイオードが備えられている。モニタダイ
オードは、レーザダイオードの生成光の少なくとも一部
を検出し、これによって、例えば、レーザダイオードを
所定の動作条件にロックしたり、安全機能を実行したり
(特に、過剰な放射パワーの生じた場合)、レーザダイ
オードの経年劣化を検出して調整を可能とするようにな
っている。
されている。モニタダイオードは、この図では、シリコ
ンチップ2’に組み込まれており、ベース基板3’に直
接取り付けられたフォトダイオード2’である。
測定を評価することができるように、モニタダイオード
2’は、ワイヤ8’をボンディングすることにより、そ
の装置の端子ピンに接続されている。垂直放射レーザダ
イオード1’は、モニタダイオード2’に固定するため
に、半田付けされ、レーザダイオード1’はまた、ワイ
ヤ’をボンディングすることで、レーザ装置の端子ピン
9’に半田付けされる。
5’は、例えば、レーザ装置の窓4’あるいはレンズシ
ステム4’を通過して、光学システムに入射する。この
レンズシステム4’は、例えば、光ファイバや光学シス
テムのその他の光学的あるいは光電的な要素に接続され
る。レーザダイオード1’により放射された光1’の一
部51’は、窓4’あるいはレンズシステム4’から反
射したり、逆散乱したりして、モニタダイオード2’へ
送られる。しかしながら、放射光5’の大部分は、例え
ば、光ファイバ等の光学システムに結合する。このビー
ムパスとの衝突を防止し、(例えば、湿気や機械的スト
レスに対して)構成部材を保護するために、レーザ装置
は、密封してシールされたパッケージ31’を有してい
る。
は、レーザ装置の容積が増加することなく、レーザ装置
の簡易な構成を提供することにある。
特徴を有するレーザ装置によって達成される。本発明の
改良した点については、従属クレームにおいて明らかに
されている。
レーザダイオードの一方の側に光学的に結合される。光
学的カップリングは、モニタダイオード内のレーザダイ
オードにより生成された光と測定された光との間におけ
る、光のアクティブな関係を許容する。特に、レーザダ
イオードの光学的特徴の変化に加えて、モニタダイオー
ドやさらに組み込まれた構成部材が、例えば、温度等の
更なるパラメータを検出するために使用されてもよい。
光学システムとモニタダイオードとの間に配置されるた
め、モニタダイオードの光検出面は、光学システム(s
ic)を配置された共振器の出口面から他の面におい
て、レーザダイオードの裏面に光学的に結合される。モ
ニタダイオードに光学的に結合するために、特に光学シ
ステムに照射される、例えば、ほんのわずかの光とアク
ティブな関係を有するレーザダイオードの裏面も光を照
射する。
共振器を有する1つのレーザダイオードと、レーザダイ
オードの光量を測定するための光学的にアクティブな面
を有するモニタダイオードとを備えている。上記共振器
は、例えば、その構成によれば、本質的に反射的に動作
するが、透過することや、光の一部を吸収することも可
能な、いわゆるブラッグ共振器を備えている。レーザダ
イオードの出口面からの光の一部の抽出は、モニタダイ
オードによって検出するために、必要ではない。
の裏面が、直接的にモニタダイオードに隣接しているこ
とである。直接的な近接は、まっすぐなアセンブリ、お
よびレーザダイオードモニタダイオードとからなるユニ
ットの組立て部品でさえ許容する。上記構成の一つの選
択肢としては、最も単純な場合で透明な樹脂である光学
システムは、レーザダイオードの裏面とモニタダイオー
ドとの間に配置される。もし、レーザダイオードとモニ
タダイオードとの間の光学タイプ以外のカップリングが
減らされる予定であれば、これは有利になるかもしれな
い。これらの他のカップリングは、例えば、モニタダイ
オードによって送られた測定信号を変造させることがで
きる熱的あるいは電気的なカップリングである。
光学的な関係を改良するためには、さらに有利な構成に
おいて、レーザダイオードは光学反射器を有している。
モニタダイオードに光学的に結合するためのレーザダイ
オードの裏面に配置されたこの反射器は、該反射器がモ
ニタダイオードによって検出されるレーザ光の一部を透
過するように設計されている。例えば、ブラッグ反射器
の分割反射器の数が減る場合や、いくつかの反射器がそ
れらの反射特性を基準として修正されている。有利なこ
とに、透過のために、反射器は、モニタダイオードの光
検出面に配置されている反射率を減らしたサブ領域を有
している。レーザダイオードからのこのような抽出は、
従来技術の中で与えられているように、光学システムの
反射を介するカップリングよりも大きな工程信頼性をも
って製造されることができる。
オードに面するレーザダイオードの裏面は、反射率を増
加させる。その端部まで、例えば、裏面の表面は荒くさ
れる。これは、レーザダイオードの動作に有害な、モニ
タダイオードからレーザダイオードへの逆反射を減ら
す。
ニタダイオードの基板のヘビードープされた位置に配置
されており、このため、好ましくは、それらはモニタダ
イオードの光検出面のために、ドナーとアクセプターと
の混合が発生する同じ側に配置される。本発明の改良点
では、レーザダイオードとは面していないモニタダイオ
ードの表面が、電気的に接触するような構造となってい
る。このような構成の必要条件は、モニタダイオードの
基板が、レーザダイオードのレーザ光の波長をほとんど
吸収しないことである。この低吸収率は、モニタダイオ
ードの基板を通じて、光学的なカップリングを許容す
る。
イオードとは面していないレーザダイオードの側面が、
電気的に接触するように構成されているため、レーザダ
イオードとモニタダイオードとの間の光学的カップリン
グは、電気的接触およびレーザダイオードの機械的な結
合とは独立している。有利なことに、レーザダイオード
は、直接基板に固定されている。
オードは、基板の出口面で固定されており、該基板はレ
ーザ光のビームパスとの光学的にアクティブな関係の中
にある。有利なことに、光学システムは、基板に組み込
まれている。それは、光学的なサブシステムとして、ビ
ームパスの透過部の一部であって、例えば、光ファイバ
に結合されるために使用されてもよい。
び自動化されたアセンブリのために、レーザダイオード
の光照射側は構成されている。レーザダイオードは、こ
の場合、半田付けによりフリップチップ方式を用いて、
基板に接触、固定される。
タダイオードの裏面に独立して配置された光学システム
に配置されていてもよい。独立して配置することは、レ
ーザダイオードの出口面における光の出口の機能的な分
割と、モニタ光の検出とによって達成される。
モニタダイオードを固定する上述のケースとは別の手段
としては、本発明の別の改良点において、モニタダイオ
ードが、モノリシッックにレーザダイオードの裏面に組
み込まれている。それは、例えば、部分的な反射の一部
や、ブラッグ反射器の部分的に吸収する反射ユニットで
ある。
との間に与えられた領域が、透明樹脂で満たされてい
る。それは、共振器とモニタダイオードとの間に透明プ
ログラムリスチックを充填することをも可能にする。
り、個々の構成部材を保護し、装置の機械的安定性を増
加する非透明な樹脂で包まれている。
プチップ方式を用いて、逆さまに基板に搭載されてい
る。その基板は、レーザダイオードの波長を放射するた
めに透明なサブマウントである。その基板は、例えば、
シリコンあるいはSiCである。この場合における非透
明樹脂は、好ましくは、光の出口窓を除いて、レーザダ
イオード、モニタダイオードおよび基板を充分に含んで
いる。光出口窓は、好ましくは、基板のサブ領域、特に
基板に組み込まれたビーム型の面の外側表面、例えば、
レンズの外側表面によって形成されている。
置されていることが好ましい。リードフレームは、光出
口窓の空間に開口部を有している。非透明樹脂は、少な
くとも部分的に両方のリードフレームを囲んでいてもよ
い。
なくとも、レーザダイオード、モニタダイオードおよび
光出口面以外の基板を囲んでいるパッケージが与えられ
ていてもよい。そのパッケージは、例えば、樹脂パッケ
ージがある。
オード(VCSEL)であることが好ましい。モニタダ
イオードは、VCSELレーザダイオードの裏面に配置
されている。
めの図面を参照して、より詳細に説明されるであろう。
ザ装置の構成は、概略的に図1に示されている。リード
フレーム30の一部である図示しない端子ピンは、ボン
ディングワイヤ80,81によって、金属導体、接続パ
ッドに接続されたり、直接的に光電素子1,2に接続さ
れる。基板6は、リードフレーム30の内部領域に固定
されている。非透明ポッティングコンパウンド9は、そ
の構成、特に、端子ピン、基板6および光電素子1,2
を囲んでいる。ポッティングコンパウンドで任意に充分
満たされており、その外形がパッケージ31を形成して
いる構成は、パッケージ31によって囲まれている。ポ
ッティングコンパウンド9は、この場合、上記構成部材
の保護および遮蔽に加えて、特にリードフレーム30お
よびその接続ピンの機械的な補助としても使用される。
図を示している。金属インターコネクト62は、基板6
に形成される。垂直放射レーザダイオード1は、フリッ
プチップ方式を用いて、これらのコネクト62に接続さ
れる。垂直放射レーザダイオード1のコンタクト16
は、基板6に面するレーザダイオード1の側面13に配
置された端部にある。
るいはスパッタされて構成された半田(例えば、AuZ
n)からなる。その配列は、画像プロセスを介して受動
的に実行されてもよいし、レーザダイオード1を能動的
に動作することによって実行されてもよい。
ンターコネクト62との間の許容範囲の感度が鈍い金属
接続形成する半田ボール16、いわゆるボールグリッド
は、コンタクトとして使用されてもよい。組み立て中の
位置決めの幾何学的な許容範囲に関する無感覚性は、さ
らに光学システムに関するレーザダイオード1の望まし
い配置を可能にする。
5を有している。レーザダイオード1の共振器15の出
口面では、基板6およびダイオード基板12において、
吸収されない放射波長を持つ、あるいは実体無く吸収さ
れるだけのレーザ光5が放射されているため、ビームパ
ス5は、相当の大きさの光学的な損失無しで、これらの
金属を通過することができる。このような放射波長は、
例えば、1μm〜1.8μmの間の範囲、例えば、1.
3μm、1.55μmである。
板12との間の領域は、所望の放射波長のために透明な
樹脂17で満たされている。
同じくらい妨害に対して無感覚であるため、レーザ装置
のパッケージ31は、気密されるように設計されること
は必要ではない。例えば、瓶詰めにされたり、カプセル
に包み込むように、完全に樹脂で覆ってしまうことが好
ましい。さらに、ビーム5は、空気よりも光学的に濃密
な媒体を通して増殖するため、ビームパス5は、有利な
ことに短くなり、放射分岐は減る。光学システムの部分
から垂直放射レーザダイオード1への逆放射は、かなり
減らされる。
が、基板6は、組み込まれた形の中に、例えば、透過シ
ステム等の光学システムの一部を有している。この場合
シリコンからなる基板は、放射しているレーザ放射5を
集めたり、分岐したりするため、あるいはそれを光波ガ
イドに接続するために、組み込まれたレンズ61等を有
するように、図2で示されている。
で、レーザダイオード1の配置の間に、レンズ側からレ
ンズ61の位置で基板6を通して照射することにより、
レーザダイオード1の単純なアセンブリに便利に使用さ
れる。レンズ61を通した照射による光スポットは、レ
ーザダイオード1の受動的な配置のために、配置のマー
クとして使用されるため、レーザダイオード1は、組み
立て中に操作される必要は無い。
うに、斜めに搭載されるので、基板6からレーザダイオ
ード1への逆反射を、かなり減らすことができる。結
局、レーザダイオード1は、フリップチップコンタクト
の層厚に意図的に差をつけたり、レーザダイオード1や
基板6上におけるコンタクトに相殺の差をつけることに
より、基板6の表面に対してわずかに斜めにされる。
の光出口窓を構成する。他の全ての領域は、非透明な樹
脂性のポッティングコンパウンド9によって包まれる。
リードフレーム30は、レンズ61の近傍に穴30aを
有している(図1参照)。
は、低すぎる電気容量やインダクタンスを有するレイア
ウトを可能にする。さらに、高周波域における電気的接
続の特性は、相当改善される。マイクロストリップや同
一平面状のラインは、基板上で集積される。レーザダイ
オード1は、基板6に近接して配置されるので、レーザ
ダイオード1は、より容易に、より小さな熱抵抗を用い
た操作中に生じた熱を、基板6、リードフレーム30お
よび結果として隣接する媒体に対して分散することがで
きる。
バによる、レーザダイオード1の高周波制御のための制
御電子工学は、その上、基板中に集積される。これによ
り、ドライバから、フリップチップコンタクト16を介
してレーザダイオード1までの特に短い電気的ラインを
製造できる。
ングによって、レーザダイオード1に直接的に固定され
る。接着性のボンディングは、組み立て中のモニタダイ
オード2上におけ全ての熱的負荷を減らす。モニタダイ
オード1は、共振器15の出口面から他の面において、
レーザダイオード1の裏側11に光学的にカップリング
される。この裏側11は、光51も放射し、このレーザ
光51のパワーは、モニタダイオード2によって検出さ
れるように、光学システムに照射される光5の一部でし
かない。その結果、モニタダイオード2は、図2には示
していないが、裏側放射光51の光路51に配置され、
都合よくこのレーザ光51を吸収する光検出面を有す
る。
20においては、モニタダイオード2は、図1に示すよ
うに、ボンディングワイヤ82によって、接続するため
の接続パッド21を有する。モニタダイオード2のこの
構成のおかげで、レーザダイオード1に面しているモニ
タダイオード2の側面が構成される必要がなくなるた
め、特に、費用的効果のある生産が可能になる。
法で光検出面の接触を許すために、接続パッド21も含
んでいるモニタダイオード2の上面20に置かれること
が好ましい。
は、レーザダイオード1の裏側11が粗くされているた
め、モニタダイオード2からレーザダイオード1への逆
反射が、最小化される。
よれば、パッケージサイズを小さくできる。その設計
は、特に、表面搭載(SMD技術)のため、それゆえ妥
当である。さらに、単純な設計は、あるいは2次元マト
リクス配置(アレイ)として、複数の垂直放射レーザダ
イオード1〜4の密集した配置を許す。
アラインメントをも許すことである。この場合、レーザ
ダイオードにおける半田パッドは、それらの幾何学を基
準として、基板の半田表面に適合させているので、半田
パッドをラインに持ってくる機械的なテンションは、半
田付けの間に生まれる。セルフアライメントは、この場
合、半田の表面テンションは最小限になるようにしよう
とする物理的な原理に基づいている。
成される必要が無いので、本発明の有利な点は、レーザ
装置が、例えば、4インチテクノロジーでのボリューム
に関して最適に造られることができることである。同様
に、モニタダイオード2にも応用できる。半導体チップ
として知られているボードアセンブリを用いることもで
きる。焼き付けは、レーザダイオード1の光学的、電気
的特性の測定と同様に、ボードにおいて既に可能であ
り、あるいはSMDパッケージにおいてテストされるこ
とができる。よって、不良部分は早いうちに取り除くこ
とができる。反射された放射を使用する必要は無いの
で、モニタ機能は好適に達成される。
との両方の電気的コンタクトが一方の側にそれぞれ配置
されるため、垂直放射レーザダイオード1とモニタダイ
オード2の両方を一方の側でのみ構成することができる
ように、レイアウトが設計される。レイアウトは、モニ
タダイオード2が長いボンディングワイヤ82によって
接続されることができるように設計され、同時に、レー
ザダイオード1は、フリップチップコンタクト16およ
びただ短いボンディングワイヤ81だけを用いて、高周
波テクノロジーについて好適に接続されることができ
る。
光用の出口面を持つ光学共振器を有するレーザダイオー
ドと、上記レーザダイオードから照射される光の量を測
定するための光検出面を有するモニタダイオードとを備
え、上記モニタダイオード(2)の光検出面は、光が放
射されるレーザダイオード(1)の裏面(11)に光学
的にカップリングされていることを特徴とするレーザ装
置と表現することもできる。
Claims (21)
- 【請求項1】光学システムに放射する光用の出口面を持
つ光学共振器を有するレーザダイオードと、 上記レーザダイオードの光量を測定するための少なくと
も1つの光検出面を有するモニタダイオードとを備え、 上記モニタダイオード(2)の光検出面は、共振器(1
5)の光出口面以外の面において、レーザダイオード
(1)の裏面(11)に光学的にカップリングされてお
り、レーザダイオード(1)の裏面(11)は光も放射
することを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項2】上記レーザダイオード(1)の裏面(1
1)は、直接的に上記モニタダイオード(2)に隣接し
ていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。 - 【請求項3】上記レーザダイオードが光学的反射器を備
えており、 この反射器は、モニタダイオード(2)との光学的カッ
プリングのためにレーザダイオード(1)の裏面(1
1)に配置されており、モニタダイオード(2)によっ
て検出可能なレーザ光の一部(51)を透過するように
設計されていることを特徴とする請求項1または2に記
載のレーザ装置。 - 【請求項4】上記レーザダイオード(1)の裏面(1
1)は、増大した反射率を有していることを特徴とする
請求項1〜3の何れか1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項5】上記レーザダイオード(1)に面していな
い上記モニタダイオード(2)の表面(20)は、電気
的接続のために形成されていることを特徴とする請求項
1〜4の何れか1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項6】上記モニタダイオード(2)と面していな
い上記レーザダイオード(1)の側面(13)は、電気
的接続のために形成されていることを特徴とする請求項
1〜5の何れか1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項7】上記レーザダイオード(1)は、基板
(6)に直接固定されていることを特徴とする請求項1
〜6の何れか1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項8】上記レーザダイオード(1)の光放射面
(13)が形成され、上記レーザダイオード(1)は、
半田によるフリップチップ方式を用いて、上記基板
(6)に接触、固定されていることを特徴とする請求項
7に記載のレーザ装置。 - 【請求項9】光学システム、特に、レンズ(61)は、
上記基板(6)に組み込まれており、上記レーザダイオ
ード(1)は、上記裏面モニタダイオード(2)から独
立して配置された上記光学システム(61)に配置され
ることができることを特徴とする請求項7または8に記
載のレーザ装置。 - 【請求項10】上記モニタダイオード(21)は、上記
レーザダイオード(1)の裏面(11)に接着剤で接着
されることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記
載のレーザ装置。 - 【請求項11】上記モニタダイオードは、上記レーザダ
イオードの裏面にモノリシックに組み込まれていること
を特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載のレー
ザ装置。 - 【請求項12】上記共振器(15)と上記基板(6)と
の間に形成された領域は、透明樹脂(17)で満たされ
ていることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に
記載のレーザ装置。 - 【請求項13】上記共振器(15)と上記モニタダイオ
ード(2)との間には、透明樹脂が設けられていること
を特徴とする請求項1〜12の何れか1項に記載のレー
ザ装置。 - 【請求項14】上記レーザ装置の構成部品は、瓶詰めに
されているか、あるいは非透明樹脂(9)で包まれてい
ることを特徴とする請求項1〜13の何れか1項に記載
のレーザ装置。 - 【請求項15】上記レーザダイオード(1)は、フリッ
プチップ方式を用いて逆さまに上記基板(6)上に搭載
されていることを特徴とする請求項7〜14の何れか1
項に記載のレーザ装置。 - 【請求項16】上記基板(6)は、上記レーザダイオー
ド(1)の放射波長用の透明なサブマウントであること
を特徴とする請求項15に記載のレーザ装置。 - 【請求項17】上記非透明樹脂(9)は、上記レーザダ
イオード(1)、上記モニタダイオード(2)および上
記基板(6)を、光出口窓(31)を除いて、充分に包
み込んでいることを特徴とする請求項14〜16の何れ
か1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項18】上記光出口窓は、上記基板(6)のサブ
領域、特に、上記基板に組み込まれたレンズ(61)の
集積されたビーム形の面の外側表面によって形成されて
いることを特徴とする請求項17に記載のレーザ装置。 - 【請求項19】上記基板(6)は、上記光出口窓の近傍
に開口部(30a)を有するリードフレーム(30)上
に配置されていることを特徴とする請求項18に記載の
レーザ装置。 - 【請求項20】上記非透明樹脂(9)で満たされてお
り、少なくとも上記レーザダイオード(1)、上記モニ
タダイオード(2)および上記基板(6)を、上記光出
口窓(31)を除いて包み込んでいるパッケージが与え
られていることを特徴とする請求項17〜19の何れか
1項に記載のレーザ装置。 - 【請求項21】上記レーザダイオード(1)は、垂直放
射レーザダイオードであることを特徴とする請求項1〜
20の何れか1項に記載のレーザ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10201102.8 | 2002-01-09 | ||
DE10201102A DE10201102A1 (de) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | Laservorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003249713A true JP2003249713A (ja) | 2003-09-05 |
JP3835608B2 JP3835608B2 (ja) | 2006-10-18 |
Family
ID=7712072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003000011A Expired - Fee Related JP3835608B2 (ja) | 2002-01-09 | 2003-01-06 | レーザ装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6922424B2 (ja) |
JP (1) | JP3835608B2 (ja) |
CN (1) | CN1228893C (ja) |
DE (1) | DE10201102A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006030578A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Nec Corporation | 集積光部品とその製造方法、及び光通信装置 |
JP2015518280A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-06-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 端面放射型の半導体ボディを備えている半導体レーザ光源 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10342263A1 (de) | 2003-09-11 | 2005-04-28 | Infineon Technologies Ag | Optoelektronisches Bauelement und optoelektronische Anordnung mit einem optoelektronischen Bauelement |
WO2005033745A2 (en) * | 2003-09-29 | 2005-04-14 | Photodigm, Inc. | Method and apparatus for wavelength division multiplexing |
US7245648B2 (en) * | 2004-02-27 | 2007-07-17 | Finisar Corporation | Optoelectronic arrangement |
TWI241042B (en) * | 2004-03-11 | 2005-10-01 | Chen-Lun Hsingchen | A low thermal resistance LED device |
US8031992B2 (en) | 2004-05-07 | 2011-10-04 | Finisar Corporation | Optoelectronic module and method for producing an optoelectronic module |
US7500792B2 (en) | 2004-11-26 | 2009-03-10 | Finisar Corporation | Optoelectronic transmitting and/or receiving arrangement |
WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
JP5753686B2 (ja) * | 2007-06-27 | 2015-07-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | 光センサ・モジュール及びその製造方法 |
KR101693642B1 (ko) | 2010-12-21 | 2017-01-17 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 |
US9088135B1 (en) | 2012-06-29 | 2015-07-21 | Soraa Laser Diode, Inc. | Narrow sized laser diode |
CN103309476A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-09-18 | 林大伟 | 光学感测模块及制造方法 |
US20150097778A1 (en) * | 2013-10-09 | 2015-04-09 | Da-Wei Lin | Optical sensing module, laser pointing device using the same and the fabricating method thereof |
DE102018128751A1 (de) * | 2018-11-15 | 2020-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterlaser |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130531A (en) * | 1989-06-09 | 1992-07-14 | Omron Corporation | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens |
JPH06334262A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザアレイ装置,半導体レーザ装置,及びそれらの製造方法 |
DE4435928A1 (de) | 1993-10-07 | 1995-04-20 | Hitachi Ltd | Optische Sende- und Empfangsbaugruppe und optisches Kommunikationssystem, welches diese verwendet |
US6072607A (en) * | 1993-10-15 | 2000-06-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical pickup device |
US5606572A (en) * | 1994-03-24 | 1997-02-25 | Vixel Corporation | Integration of laser with photodiode for feedback control |
DE19527026C2 (de) * | 1995-07-24 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren |
EP0773591A3 (en) * | 1995-11-13 | 1998-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting/detecting module |
US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
US5925898A (en) | 1996-07-18 | 1999-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic transducer and production methods |
US5943357A (en) * | 1997-08-18 | 1999-08-24 | Motorola, Inc. | Long wavelength vertical cavity surface emitting laser with photodetector for automatic power control and method of fabrication |
JP2000241642A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送受信モジュール |
DE19935496C1 (de) * | 1999-07-28 | 2001-01-18 | Siemens Ag | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
US6991381B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-01-31 | Infineon Technologies Ag | Emission module for an optical signal transmission |
US6836321B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-12-28 | Lucent Technologies Inc. | Testing bottom-emitting VCSELs |
US20030109142A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-06-12 | Cable James S. | Integrated photodetector for VCSEL feedback control |
US6792171B2 (en) * | 2002-11-15 | 2004-09-14 | Jds Uniphase Corporation | Receiver optical sub-assembly |
-
2002
- 2002-01-09 DE DE10201102A patent/DE10201102A1/de not_active Ceased
-
2003
- 2003-01-06 JP JP2003000011A patent/JP3835608B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-08 CN CNB031009344A patent/CN1228893C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-09 US US10/339,245 patent/US6922424B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006030578A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Nec Corporation | 集積光部品とその製造方法、及び光通信装置 |
JP2015518280A (ja) * | 2012-04-23 | 2015-06-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 端面放射型の半導体ボディを備えている半導体レーザ光源 |
US9385507B2 (en) | 2012-04-23 | 2016-07-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10201102A1 (de) | 2003-07-24 |
US20030138009A1 (en) | 2003-07-24 |
CN1228893C (zh) | 2005-11-23 |
CN1431742A (zh) | 2003-07-23 |
JP3835608B2 (ja) | 2006-10-18 |
US6922424B2 (en) | 2005-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003249713A (ja) | レーザ装置 | |
US7281860B2 (en) | Optical transmitter | |
US7364368B2 (en) | Optoelectronic coupling arrangement and transceiver with such an optoelectronic coupling arrangement | |
JP4335851B2 (ja) | ガス濃度を分光学的に測定するためのガスセンサモジュール | |
TWI290245B (en) | Optical package with an integrated lens and optical assemblies incorporating the package | |
JP2006148128A (ja) | 光電子モジュール用の光回転システム | |
US7138661B2 (en) | Optoelectronic component and optoelectronic arrangement with an optoelectronic component | |
KR20110015550A (ko) | 반도체 소자, 반사광 배리어 및 그를 위한 하우징 제조 방법 | |
US20100151614A1 (en) | Wafer level method of forming side fiber insertion optoelectronic packages | |
US11604093B2 (en) | Spectrometer device and method for producing a spectrometer device | |
TW200916742A (en) | Spectroscope | |
JPH09222540A (ja) | 高さの低い光学的サブアセンブリ | |
US11226402B2 (en) | Optical ranging systems including optical cross-talk reducing features | |
US6991381B2 (en) | Emission module for an optical signal transmission | |
JP3109885B2 (ja) | 光半導体装置 | |
US20230341121A1 (en) | Optical barrier using side fill and light source module including the same | |
JP4969055B2 (ja) | 光通信モジュール | |
JP4377072B2 (ja) | 3次元測定モジュール | |
JP2004119493A (ja) | 光モジュール | |
JPWO2008117800A1 (ja) | 反射型光センサ | |
US5867469A (en) | Optical pickup device with biaxial drive for objective lens | |
US7250590B2 (en) | Optoelectronic arrangement and a method for controlling the output power of a transmission component | |
JPH1041539A (ja) | 赤外線送受信モジュールの構造 | |
TWI751480B (zh) | 光電感測封裝結構 | |
US20050135442A1 (en) | Optoelectronic arrangement having at least one laser component, and a method for operating a laser component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050823 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051124 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051124 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060110 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060418 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060620 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060719 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120804 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130804 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |