JP2003249417A - コンデンサ構造体およびその製造方法 - Google Patents
コンデンサ構造体およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2003249417A JP2003249417A JP2002047958A JP2002047958A JP2003249417A JP 2003249417 A JP2003249417 A JP 2003249417A JP 2002047958 A JP2002047958 A JP 2002047958A JP 2002047958 A JP2002047958 A JP 2002047958A JP 2003249417 A JP2003249417 A JP 2003249417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- thin film
- columnar
- several
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に小型で大容量のコンデンサ構造体および
その製造方法を提供すること。 【解決手段】 細孔形成用基板２を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔６が
規則的に配列された多孔質基板１０ａを形成する。多孔
質基板１０ａをマスクとして用いて薄膜成膜処理を行
い、コンデンサ用基板１４の表面に、それぞれの外径が
数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状体１２が規則的に配列
された第１電極１５を形成する。柱状体１２の外側を覆
うように、第１電極１５の表面に、誘電体薄膜１６を形
成する。柱状体１２の外側を覆うように、誘電体薄膜１
６の表面に第２電極１８を形成する。
その製造方法を提供すること。 【解決手段】 細孔形成用基板２を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔６が
規則的に配列された多孔質基板１０ａを形成する。多孔
質基板１０ａをマスクとして用いて薄膜成膜処理を行
い、コンデンサ用基板１４の表面に、それぞれの外径が
数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状体１２が規則的に配列
された第１電極１５を形成する。柱状体１２の外側を覆
うように、第１電極１５の表面に、誘電体薄膜１６を形
成する。柱状体１２の外側を覆うように、誘電体薄膜１
６の表面に第２電極１８を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ構造体
およびその製造方法に係り、特に小型で大容量のコンデ
ンサ構造体およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に係り、特に小型で大容量のコンデ
ンサ構造体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜コンデンサとしては、誘電体
薄膜として、ＢＳＴ（Ｂａ，Ｓｒ，Ｔｉ）系またはＰＭ
Ｎ（Ｐｂ，Ｍａ，Ｎｂ）系の単層の誘電体薄膜を用いた
薄膜コンデンサが知られている。この種の薄膜コンデン
サでは、誘電体の薄膜化により低誘電率化が進み、期待
されるほどには、大容量化が困難である。また、誘電体
薄膜の全体的な表面積が小さいことも、大容量化のネッ
クになっている。
薄膜として、ＢＳＴ（Ｂａ，Ｓｒ，Ｔｉ）系またはＰＭ
Ｎ（Ｐｂ，Ｍａ，Ｎｂ）系の単層の誘電体薄膜を用いた
薄膜コンデンサが知られている。この種の薄膜コンデン
サでは、誘電体の薄膜化により低誘電率化が進み、期待
されるほどには、大容量化が困難である。また、誘電体
薄膜の全体的な表面積が小さいことも、大容量化のネッ
クになっている。
【０００３】コンデンサの容量を大容量化させるための
手段として、特開平５−３３５１７２号公報に示すよう
に、導電体電極とＣＶＤ法により形成される誘電体層と
を交互に積層した薄膜積層コンデンサが提案されてい
る。
手段として、特開平５−３３５１７２号公報に示すよう
に、導電体電極とＣＶＤ法により形成される誘電体層と
を交互に積層した薄膜積層コンデンサが提案されてい
る。
【０００４】しかしながら、この公報に示す薄膜積層コ
ンデンサでは、その製造に際して、マスクの位置合わせ
精度が要求され、生産効率が低いという課題を有する。
また、表面性の問題から、積層数にも限界があり、期待
されるほどには、大容量化が困難であるという課題も有
する。
ンデンサでは、その製造に際して、マスクの位置合わせ
精度が要求され、生産効率が低いという課題を有する。
また、表面性の問題から、積層数にも限界があり、期待
されるほどには、大容量化が困難であるという課題も有
する。
【０００５】また、特開平９−４５５７７号公報に示す
ように、基板の平面をエッチングすることにより、同一
平面内に櫛形電極を形成し、その櫛形電極の表面に誘電
体膜をＣＶＤなどの薄膜形成法により形成した垂直型薄
膜コンデンサも提案されている。
ように、基板の平面をエッチングすることにより、同一
平面内に櫛形電極を形成し、その櫛形電極の表面に誘電
体膜をＣＶＤなどの薄膜形成法により形成した垂直型薄
膜コンデンサも提案されている。
【０００６】しかしながら、この公報に示すコンデンサ
では、その製造に際して、通常のレジストマスクを用い
るフォトリソグラフィ法を利用して櫛形電極を形成する
ために、その微細化には限界があり、期待されるほどに
は、大容量化が困難であるという課題を有する。
では、その製造に際して、通常のレジストマスクを用い
るフォトリソグラフィ法を利用して櫛形電極を形成する
ために、その微細化には限界があり、期待されるほどに
は、大容量化が困難であるという課題を有する。
【０００７】なお、特開平１１−２９７６２５号公報に
示すように、Ａｌ基板を陽極酸化して得られる多孔質ア
ルミナ基板をマスクとして用いて、半導体量子ドットを
形成する方法が提案されている。しかしながら、この方
法は、半導体量子ドットを形成するための方法であり、
薄膜コンデンサを製造するためのものではなかった。
示すように、Ａｌ基板を陽極酸化して得られる多孔質ア
ルミナ基板をマスクとして用いて、半導体量子ドットを
形成する方法が提案されている。しかしながら、この方
法は、半導体量子ドットを形成するための方法であり、
薄膜コンデンサを製造するためのものではなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
実状に鑑みてなされ、その目的とするところは、特に小
型で大容量のコンデンサ構造体およびその製造方法を提
供することを目的とする。
実状に鑑みてなされ、その目的とするところは、特に小
型で大容量のコンデンサ構造体およびその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の観点に係るコンデンサ構造体の製造
方法は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの内
径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配
列された多孔質基板を形成する工程と、前記多孔質基板
をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行い、コンデンサ
用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の柱状体が規則的に配列された第１電極を形成す
る工程と、前記柱状体の外側を覆うように、前記第１電
極の表面に、誘電体薄膜を形成する工程と、前記柱状体
の外側を覆うように、前記誘電体薄膜の表面に第２電極
を形成する工程とを有する。本発明の第１の観点に係る
コンデンサ構造体の製造方法において、前記第２電極の
表面にも、同様にして、それぞれの外径が数ｎｍから数
百ｎｍの多数の柱状体を規則的に形成し、コンデンサ構
造体を、二層以上の積層構造にしても良い。すなわち、
本発明の第１の観点に係る積層型コンデンサ構造体の製
造方法は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの
内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に
配列された多孔質基板を形成する工程と、前記多孔質基
板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行い、コンデン
サ用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎ
ｍの多数の第１柱状体が規則的に配列された第１電極を
形成する工程と、前記第１柱状体の外側を覆うように、
前記第１電極の表面に、第１誘電体薄膜を形成する工程
と、前記第１柱状体の外側を覆うように、前記第１誘電
体薄膜の表面に第２電極を形成する工程と、前記多孔質
基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行い、前記第
２電極の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の第２柱状体を規則的に形成する工程と、前記第
２柱状体の外側を覆うように、前記第２電極の表面に、
第２誘電体薄膜を形成する工程と、前記第２柱状体の外
側を覆うように、前記第２誘電体薄膜の表面に第３電極
を形成する工程と、を有する。
に、本発明の第１の観点に係るコンデンサ構造体の製造
方法は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの内
径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配
列された多孔質基板を形成する工程と、前記多孔質基板
をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行い、コンデンサ
用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の柱状体が規則的に配列された第１電極を形成す
る工程と、前記柱状体の外側を覆うように、前記第１電
極の表面に、誘電体薄膜を形成する工程と、前記柱状体
の外側を覆うように、前記誘電体薄膜の表面に第２電極
を形成する工程とを有する。本発明の第１の観点に係る
コンデンサ構造体の製造方法において、前記第２電極の
表面にも、同様にして、それぞれの外径が数ｎｍから数
百ｎｍの多数の柱状体を規則的に形成し、コンデンサ構
造体を、二層以上の積層構造にしても良い。すなわち、
本発明の第１の観点に係る積層型コンデンサ構造体の製
造方法は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの
内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に
配列された多孔質基板を形成する工程と、前記多孔質基
板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行い、コンデン
サ用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎ
ｍの多数の第１柱状体が規則的に配列された第１電極を
形成する工程と、前記第１柱状体の外側を覆うように、
前記第１電極の表面に、第１誘電体薄膜を形成する工程
と、前記第１柱状体の外側を覆うように、前記第１誘電
体薄膜の表面に第２電極を形成する工程と、前記多孔質
基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行い、前記第
２電極の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の第２柱状体を規則的に形成する工程と、前記第
２柱状体の外側を覆うように、前記第２電極の表面に、
第２誘電体薄膜を形成する工程と、前記第２柱状体の外
側を覆うように、前記第２誘電体薄膜の表面に第３電極
を形成する工程と、を有する。
【００１０】本発明の第１の観点に係るコンデンサ構造
体は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの内径
が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列
された多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を
行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数
ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状体が規則的に形成された
第１電極と、前記柱状体の外側を覆うように、前記第１
電極の表面に形成された誘電体薄膜と、前記柱状体の外
側を覆うように、前記誘電体薄膜の表面に形成された第
２電極と、を有する。本発明の第１の観点に係るコンデ
ンサ構造体において、前記第２電極の表面にも、同様に
して、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱
状体を規則的に形成し、コンデンサ構造体を、二層以上
の積層構造にしても良い。すなわち、本発明の第１の観
点に係る積層型コンデンサ構造体は、細孔形成用基板を
陽極酸化して、それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの
多数の柱状細孔が規則的に配列された多孔質基板をマス
クとして用いて薄膜成膜処理を行い、コンデンサ用基板
の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数
の第１柱状体が規則的に形成された第１電極と、前記第
１柱状体の外側を覆うように、前記第１電極の表面に形
成された第１誘電体薄膜と、前記第１柱状体の外側を覆
うように、前記第１誘電体薄膜の表面に形成された第２
電極と、前記多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜
処理を行い、前記第２電極の表面に規則的に形成され、
それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第２柱状
体と、前記第２柱状体の外側を覆うように、前記第２電
極の表面に形成された第２誘電体薄膜と、前記第２柱状
体の外側を覆うように、前記第２誘電体薄膜の表面に形
成された第３電極と、を有する。本発明の第１の観点に
係るコンデンサは、上記のコンデンサ構造体を有する。
体は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの内径
が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列
された多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を
行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数
ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状体が規則的に形成された
第１電極と、前記柱状体の外側を覆うように、前記第１
電極の表面に形成された誘電体薄膜と、前記柱状体の外
側を覆うように、前記誘電体薄膜の表面に形成された第
２電極と、を有する。本発明の第１の観点に係るコンデ
ンサ構造体において、前記第２電極の表面にも、同様に
して、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱
状体を規則的に形成し、コンデンサ構造体を、二層以上
の積層構造にしても良い。すなわち、本発明の第１の観
点に係る積層型コンデンサ構造体は、細孔形成用基板を
陽極酸化して、それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの
多数の柱状細孔が規則的に配列された多孔質基板をマス
クとして用いて薄膜成膜処理を行い、コンデンサ用基板
の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数
の第１柱状体が規則的に形成された第１電極と、前記第
１柱状体の外側を覆うように、前記第１電極の表面に形
成された第１誘電体薄膜と、前記第１柱状体の外側を覆
うように、前記第１誘電体薄膜の表面に形成された第２
電極と、前記多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜
処理を行い、前記第２電極の表面に規則的に形成され、
それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第２柱状
体と、前記第２柱状体の外側を覆うように、前記第２電
極の表面に形成された第２誘電体薄膜と、前記第２柱状
体の外側を覆うように、前記第２誘電体薄膜の表面に形
成された第３電極と、を有する。本発明の第１の観点に
係るコンデンサは、上記のコンデンサ構造体を有する。
【００１１】本発明の第２の観点に係るコンデンサ構造
体の製造方法は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板を形成する工程と、前記多
孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理を行い、
コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎｍか
ら数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列された第１
電極を形成する工程と、前記柱状細孔の内部に入り込む
ように、前記第１電極の表面に、誘電体薄膜を形成する
工程と、前記柱状細孔の内部に入り込むように、前記誘
電体薄膜の表面に、第２電極を形成する工程とを有す
る。本発明の第２の観点に係るコンデンサ構造体の製造
方法において、前記第２電極の表面にも、同様にして、
それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔
を規則的に形成し、コンデンサ構造体を、二層以上の積
層構造にしても良い。すなわち、本発明の第２の観点に
係る積層型コンデンサ構造体の製造方法は、細孔形成用
基板を陽極酸化して、それぞれの内径が数ｎｍから数百
ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列された多孔質基板
を形成する工程と、前記多孔質基板をマスクとして用い
てエッチング処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、
それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状
細孔が規則的に配列された第１電極を形成する工程と、
前記第１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１電
極の表面に、第１誘電体薄膜を形成する工程と、前記第
１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１誘電体薄
膜の表面に、第２電極を形成する工程と、前記多孔質基
板をマスクとして用いてエッチング処理を行い、前記第
２電極の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の第２柱状細孔を規則的に形成する工程と、前記
第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２電極の
表面に、第２誘電体薄膜を形成する工程と、前記第２柱
状細孔の内部に入り込むように、前記第２誘電体薄膜の
表面に、第３電極を形成する工程と、を有する。
体の製造方法は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板を形成する工程と、前記多
孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理を行い、
コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎｍか
ら数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列された第１
電極を形成する工程と、前記柱状細孔の内部に入り込む
ように、前記第１電極の表面に、誘電体薄膜を形成する
工程と、前記柱状細孔の内部に入り込むように、前記誘
電体薄膜の表面に、第２電極を形成する工程とを有す
る。本発明の第２の観点に係るコンデンサ構造体の製造
方法において、前記第２電極の表面にも、同様にして、
それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔
を規則的に形成し、コンデンサ構造体を、二層以上の積
層構造にしても良い。すなわち、本発明の第２の観点に
係る積層型コンデンサ構造体の製造方法は、細孔形成用
基板を陽極酸化して、それぞれの内径が数ｎｍから数百
ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列された多孔質基板
を形成する工程と、前記多孔質基板をマスクとして用い
てエッチング処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、
それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状
細孔が規則的に配列された第１電極を形成する工程と、
前記第１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１電
極の表面に、第１誘電体薄膜を形成する工程と、前記第
１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１誘電体薄
膜の表面に、第２電極を形成する工程と、前記多孔質基
板をマスクとして用いてエッチング処理を行い、前記第
２電極の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の第２柱状細孔を規則的に形成する工程と、前記
第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２電極の
表面に、第２誘電体薄膜を形成する工程と、前記第２柱
状細孔の内部に入り込むように、前記第２誘電体薄膜の
表面に、第３電極を形成する工程と、を有する。
【００１２】本発明の第２の観点に係るコンデンサ構造
体は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの内径
が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列
された多孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理
を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの内径が
数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に形成さ
れた第１電極と、前記柱状細孔の内部に入り込むよう
に、前記第１電極の表面に形成された誘電体薄膜と、前
記柱状細孔の内部に入り込むように、前記誘電体薄膜の
表面に形成された第２電極と、を有する。本発明の第２
の観点に係るコンデンサ構造体の製造方法において、前
記第２電極の表面にも、同様にして、それぞれの外径が
数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔を規則的に形成
し、コンデンサ構造体を、二層以上の積層構造にしても
良い。すなわち、本発明の第２の観点に係る積層型コン
デンサ構造体は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板をマスクとして用いてエッ
チング処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状細孔が
規則的に形成された第１電極と、前記第１柱状細孔の内
部に入り込むように、前記第１電極の表面に形成された
第１誘電体薄膜と、前記第１柱状細孔の内部に入り込む
ように、前記第１誘電体薄膜の表面に形成された第２電
極と、前記多孔質基板をマスクとして用いてエッチング
処理を行い、前記第２電極の表面に規則的に形成され、
それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第２柱状
細孔と、前記第２柱状細孔の内部に入り込むように、前
記第２電極の表面に形成された第２誘電体薄膜と、前記
第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２誘電体
薄膜の表面に形成された第３電極と、を有する。本発明
の第２の観点に係るコンデンサは、上記のコンデンサ構
造体を有する。なお、本発明では、本発明の第１の観点
に係るコンデンサ構造体と第２の観点に係るコンデンサ
構造体とを組み合わせて積層構造にしても良い。
体は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞれの内径
が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列
された多孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理
を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの内径が
数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に形成さ
れた第１電極と、前記柱状細孔の内部に入り込むよう
に、前記第１電極の表面に形成された誘電体薄膜と、前
記柱状細孔の内部に入り込むように、前記誘電体薄膜の
表面に形成された第２電極と、を有する。本発明の第２
の観点に係るコンデンサ構造体の製造方法において、前
記第２電極の表面にも、同様にして、それぞれの外径が
数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔を規則的に形成
し、コンデンサ構造体を、二層以上の積層構造にしても
良い。すなわち、本発明の第２の観点に係る積層型コン
デンサ構造体は、細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板をマスクとして用いてエッ
チング処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状細孔が
規則的に形成された第１電極と、前記第１柱状細孔の内
部に入り込むように、前記第１電極の表面に形成された
第１誘電体薄膜と、前記第１柱状細孔の内部に入り込む
ように、前記第１誘電体薄膜の表面に形成された第２電
極と、前記多孔質基板をマスクとして用いてエッチング
処理を行い、前記第２電極の表面に規則的に形成され、
それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第２柱状
細孔と、前記第２柱状細孔の内部に入り込むように、前
記第２電極の表面に形成された第２誘電体薄膜と、前記
第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２誘電体
薄膜の表面に形成された第３電極と、を有する。本発明
の第２の観点に係るコンデンサは、上記のコンデンサ構
造体を有する。なお、本発明では、本発明の第１の観点
に係るコンデンサ構造体と第２の観点に係るコンデンサ
構造体とを組み合わせて積層構造にしても良い。
【００１３】本発明に係るコンデンサ構造体の製造方法
では、アルミニウム（Ａｌ）基板などの細孔形成用基板
をシュウ酸などの二塩基酸中で陽極酸化する際に基板の
表面に得られる規則的な数ｎｍから数百ｎｍの柱状孔を
持つ多孔質基板層を利用している。なお、多孔質基板層
における柱状孔の内径は、陽極酸化の際の電流および電
圧を制御することで制御される。
では、アルミニウム（Ａｌ）基板などの細孔形成用基板
をシュウ酸などの二塩基酸中で陽極酸化する際に基板の
表面に得られる規則的な数ｎｍから数百ｎｍの柱状孔を
持つ多孔質基板層を利用している。なお、多孔質基板層
における柱状孔の内径は、陽極酸化の際の電流および電
圧を制御することで制御される。
【００１４】本発明では、このようにして得られる多孔
質基板をマスクとして、薄膜成膜処理（あるいはエッチ
ング処理）を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞ
れの外径（または内径）が数ｎｍから数百ｎｍの多数の
柱状体（または柱状孔）が規則的に配列された第１電極
を形成する。
質基板をマスクとして、薄膜成膜処理（あるいはエッチ
ング処理）を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞ
れの外径（または内径）が数ｎｍから数百ｎｍの多数の
柱状体（または柱状孔）が規則的に配列された第１電極
を形成する。
【００１５】これらの柱状体の外側を覆う（または柱状
細孔の内部に入り込む）ように、第１電極の表面に、誘
電体薄膜を形成し、これらの柱状体の外側を覆う（また
は柱状細孔の内部に入り込む）ように、誘電体薄膜の表
面に第２電極を形成する。
細孔の内部に入り込む）ように、第１電極の表面に、誘
電体薄膜を形成し、これらの柱状体の外側を覆う（また
は柱状細孔の内部に入り込む）ように、誘電体薄膜の表
面に第２電極を形成する。
【００１６】その結果、第１電極と第２電極とが、誘電
体薄膜を介して対峙することになり、コンデンサ構造体
が得られる。このコンデンサ構造体は、チップ状コンデ
ンサとして用いることができると共に、たとえば集積回
路のキャパシタ素子などとしても利用することができ
る。
体薄膜を介して対峙することになり、コンデンサ構造体
が得られる。このコンデンサ構造体は、チップ状コンデ
ンサとして用いることができると共に、たとえば集積回
路のキャパシタ素子などとしても利用することができ
る。
【００１７】このようにして得られたコンデンサ構造体
では、第１電極の表面に、数ｎｍから数百ｎｍの多数の
柱状体（または柱状細孔）が規則的に形成してあること
から、その上に形成される誘電体薄膜の表面積が増大
し、静電容量が飛躍的に増大し、小型で大容量のコンデ
ンサ構造体を実現することができる。たとえば柱状体
（または柱状細孔）が何ら形成されていない従来のコン
デンサ構造体に比較して、本発明のコンデンサ構造体
は、静電容量が２桁以上増大する。
では、第１電極の表面に、数ｎｍから数百ｎｍの多数の
柱状体（または柱状細孔）が規則的に形成してあること
から、その上に形成される誘電体薄膜の表面積が増大
し、静電容量が飛躍的に増大し、小型で大容量のコンデ
ンサ構造体を実現することができる。たとえば柱状体
（または柱状細孔）が何ら形成されていない従来のコン
デンサ構造体に比較して、本発明のコンデンサ構造体
は、静電容量が２桁以上増大する。
【００１８】なお、多数の柱状体（または柱状細孔）が
規則的に形成してあることが好ましいのは、不規則であ
ると、隣接する柱状体（または柱状細孔）が接触してし
まい、誘電体薄膜の表面積の増大効果が減少するからで
ある。
規則的に形成してあることが好ましいのは、不規則であ
ると、隣接する柱状体（または柱状細孔）が接触してし
まい、誘電体薄膜の表面積の増大効果が減少するからで
ある。
【００１９】隣接する柱状体（または柱状細孔）の配置
ピッチは、特に限定されないが、数ｎｍ〜数百ｎｍであ
り、各柱状体（または柱状細孔）の高さ（または深さ）
は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜数μｍ、
さらに好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。これらの高
さ（または深さ）は、高い（または深い）程、静電容量
の増大に効果があるが、製造が困難になる傾向にある。
ピッチは、特に限定されないが、数ｎｍ〜数百ｎｍであ
り、各柱状体（または柱状細孔）の高さ（または深さ）
は、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ〜数μｍ、
さらに好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。これらの高
さ（または深さ）は、高い（または深い）程、静電容量
の増大に効果があるが、製造が困難になる傾向にある。
【００２０】本発明において、好ましくは、前記誘電体
薄膜を、化学気相析出（ＣＶＤ）法により形成する。Ｃ
ＶＤ法により形成される誘電体薄膜は、比誘電率が１０
０以上に高く、静電容量の増大に寄与し、しかも高周波
特性に優れている。本発明では、ＣＶＤ法の中でも、Ｍ
ＯＣＶＤが好ましい。また、本発明において、コンデン
サ構造体を積層構造にすることで、その積層数に応じ
て、コンデンサの静電容量を増大させることができる。
薄膜を、化学気相析出（ＣＶＤ）法により形成する。Ｃ
ＶＤ法により形成される誘電体薄膜は、比誘電率が１０
０以上に高く、静電容量の増大に寄与し、しかも高周波
特性に優れている。本発明では、ＣＶＤ法の中でも、Ｍ
ＯＣＶＤが好ましい。また、本発明において、コンデン
サ構造体を積層構造にすることで、その積層数に応じ
て、コンデンサの静電容量を増大させることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
るコンデンサ構造体の製造方法に用いる細孔形成用基板
の要部斜視図、図２は細孔形成用基板に形成してある柱
状細孔の平面図、図３（Ａ）および図３（Ｂ）は本発明
の一実施形態に係るコンデンサ構造体の製造過程を示す
要部断面図、図４は図３（Ｂ）に示す柱状体の平面図、
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は本発明の他の実施形態に
係るコンデンサ構造体の製造過程を示す要部断面図、図
６は本発明の他の実施形態に係るコンデンサ構造体の要
部断面図、図７は本発明のさらにその他の実施形態に係
るコンデンサ構造体の要部断面図である。
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
るコンデンサ構造体の製造方法に用いる細孔形成用基板
の要部斜視図、図２は細孔形成用基板に形成してある柱
状細孔の平面図、図３（Ａ）および図３（Ｂ）は本発明
の一実施形態に係るコンデンサ構造体の製造過程を示す
要部断面図、図４は図３（Ｂ）に示す柱状体の平面図、
図５（Ａ）および図５（Ｂ）は本発明の他の実施形態に
係るコンデンサ構造体の製造過程を示す要部断面図、図
６は本発明の他の実施形態に係るコンデンサ構造体の要
部断面図、図７は本発明のさらにその他の実施形態に係
るコンデンサ構造体の要部断面図である。
【００２２】第１実施形態
本実施形態では、図１に示すように、まず、細孔形成用
基板としてのＡｌ基板２を準備する。Ａｌ基板２は、た
とえばアルミニウム箔などで構成される。このＡｌ基板
２の表面を、たとえばシュウ酸などの二塩基酸中で陽極
酸化させる。
基板としてのＡｌ基板２を準備する。Ａｌ基板２は、た
とえばアルミニウム箔などで構成される。このＡｌ基板
２の表面を、たとえばシュウ酸などの二塩基酸中で陽極
酸化させる。
【００２３】その結果、図１および図２に示すように、
Ａｌ基板２の表面に、それぞれの内径が数ｎｍから数百
ｎｍの多数の円柱状細孔６が規則的に配列された多孔質
基板層１０が形成される。多孔質基板層１０は、アルミ
ナ層で構成される。
Ａｌ基板２の表面に、それぞれの内径が数ｎｍから数百
ｎｍの多数の円柱状細孔６が規則的に配列された多孔質
基板層１０が形成される。多孔質基板層１０は、アルミ
ナ層で構成される。
【００２４】円柱状細孔６の内径および深さ、および配
置ピッチなどは、陽極酸化時の電圧および電流を調整す
ることにより制御することができる。Ａｌ基板２の表面
に、それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の円柱
状細孔６が規則的に配列された多孔質基板層１０が形成
される条件などは、たとえばNATURE Vol.337, P.147(19
89)などに記載されている。
置ピッチなどは、陽極酸化時の電圧および電流を調整す
ることにより制御することができる。Ａｌ基板２の表面
に、それぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の円柱
状細孔６が規則的に配列された多孔質基板層１０が形成
される条件などは、たとえばNATURE Vol.337, P.147(19
89)などに記載されている。
【００２５】本実施形態では、Ａｌ基板２の表面に多孔
質基板層１０が形成され、その背面側に、細孔６が形成
されない領域２ａが残ることになる。そこで、本実施形
態では、その残りの領域２ａをエッチング処理あるいは
機械的研磨処理などで除去し、図３（Ａ）に示すよう
に、細孔６が表裏面で貫通する多孔質基板１０ａを形成
する。多孔質基板１０ａの厚みは、好ましくは１〜５０
０μｍである。その厚みがあまりに薄いと、マスクとし
ての機械的強度が不足する傾向にあり、厚すぎる多孔質
基板１０ａの製造は困難である。
質基板層１０が形成され、その背面側に、細孔６が形成
されない領域２ａが残ることになる。そこで、本実施形
態では、その残りの領域２ａをエッチング処理あるいは
機械的研磨処理などで除去し、図３（Ａ）に示すよう
に、細孔６が表裏面で貫通する多孔質基板１０ａを形成
する。多孔質基板１０ａの厚みは、好ましくは１〜５０
０μｍである。その厚みがあまりに薄いと、マスクとし
ての機械的強度が不足する傾向にあり、厚すぎる多孔質
基板１０ａの製造は困難である。
【００２６】なお、Ａｌ基板２の厚みや陽極酸化時の電
圧および電流を調整することにより、円柱状細孔６をＡ
ｌ基板２の表裏面に対して貫通させて形成することも可
能である。その場合には、陽極酸化の結果として得られ
る基板は、多孔質基板１０ａそのものとなる。
圧および電流を調整することにより、円柱状細孔６をＡ
ｌ基板２の表裏面に対して貫通させて形成することも可
能である。その場合には、陽極酸化の結果として得られ
る基板は、多孔質基板１０ａそのものとなる。
【００２７】次に、図３（Ａ）に示すように、コンデン
サ用基板１４の表面に、まず、第１電極１５の一部とな
る面状電極層１１を、蒸着法、スパッタリング法などの
薄膜成膜法により形成する。その時には、多孔質基板１
０ａをマスクとしては使用しない。その後に、好ましく
は引き続き、多孔質基板１０ａをマスクとして、好まし
くは面状電極層１１を成膜するための薄膜成膜法と同じ
薄膜成膜処理を行う。その結果、マスク１０ａに形成さ
れた細孔６のパターン形状に合わせて、面状電極層１１
の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数
の円柱状体１２が規則的に形成される。面状電極層１１
と円柱状体１２とが、第１電極１５を形成する。なお、
コンデンサ用基板１４の材質としては、特に限定され
ず、たとえば石英基板などのガラス基板、単結晶基板、
あるいはその他の基板が用いられる。また、基板１４の
厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．１〜１mm
である。コンデンサ用基板１４は、絶縁性物質で構成さ
れることが好ましい。
サ用基板１４の表面に、まず、第１電極１５の一部とな
る面状電極層１１を、蒸着法、スパッタリング法などの
薄膜成膜法により形成する。その時には、多孔質基板１
０ａをマスクとしては使用しない。その後に、好ましく
は引き続き、多孔質基板１０ａをマスクとして、好まし
くは面状電極層１１を成膜するための薄膜成膜法と同じ
薄膜成膜処理を行う。その結果、マスク１０ａに形成さ
れた細孔６のパターン形状に合わせて、面状電極層１１
の表面に、それぞれの外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数
の円柱状体１２が規則的に形成される。面状電極層１１
と円柱状体１２とが、第１電極１５を形成する。なお、
コンデンサ用基板１４の材質としては、特に限定され
ず、たとえば石英基板などのガラス基板、単結晶基板、
あるいはその他の基板が用いられる。また、基板１４の
厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．１〜１mm
である。コンデンサ用基板１４は、絶縁性物質で構成さ
れることが好ましい。
【００２８】面状電極層１１と円柱状体１２とは、好ま
しくは同じ材質で構成され、たとえばニッケル、白金、
銅、あるいはこれらの一部を含む合金、あるいはルテニ
ウムオキサイド合金などの導電性金属で構成される。具
体的な材質は、その後に成膜される誘電体薄膜１６の材
質との相性などで決定される。
しくは同じ材質で構成され、たとえばニッケル、白金、
銅、あるいはこれらの一部を含む合金、あるいはルテニ
ウムオキサイド合金などの導電性金属で構成される。具
体的な材質は、その後に成膜される誘電体薄膜１６の材
質との相性などで決定される。
【００２９】面状電極層１１の厚みは、特に限定されな
いが、好ましくは５０〜５００ｎｍである。円柱状体１
２の外径φ１は、細孔６の内径にほぼ対応し、数ｎｍか
ら数百ｎｍである。また、円柱状体１２の高さは、薄膜
成膜時間などにより制御され、好ましくは１ｎｍ〜数μ
ｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。これら
の高さは、高い程、静電容量の増大に効果があるが、製
造が困難になる傾向にある。
いが、好ましくは５０〜５００ｎｍである。円柱状体１
２の外径φ１は、細孔６の内径にほぼ対応し、数ｎｍか
ら数百ｎｍである。また、円柱状体１２の高さは、薄膜
成膜時間などにより制御され、好ましくは１ｎｍ〜数μ
ｍ、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。これら
の高さは、高い程、静電容量の増大に効果があるが、製
造が困難になる傾向にある。
【００３０】図４に示すように、円柱状体１２は、多孔
質基板１０ａにおける細孔６の配置ピッチに対応して、
規則正しく配置される。たとえば隣接する３つの円柱状
体１２は、ほぼ正三角形の位置に配置され、円柱状体１
２の配置ピッチ間隔Ｌは、柱状体１２の外径φ１との関
係で決定され、数ｎｍ〜数百ｎｍである。このピッチ間
隔Ｌは、柱状体１２の外周に厚さｔ１の誘電体薄膜１６
が後工程で成膜されたとしても、隣接する柱状体１２間
で、その外周に成膜される誘電体薄膜１６が接触しない
程度の間隔である。厚さｔ１については、後述する。
質基板１０ａにおける細孔６の配置ピッチに対応して、
規則正しく配置される。たとえば隣接する３つの円柱状
体１２は、ほぼ正三角形の位置に配置され、円柱状体１
２の配置ピッチ間隔Ｌは、柱状体１２の外径φ１との関
係で決定され、数ｎｍ〜数百ｎｍである。このピッチ間
隔Ｌは、柱状体１２の外周に厚さｔ１の誘電体薄膜１６
が後工程で成膜されたとしても、隣接する柱状体１２間
で、その外周に成膜される誘電体薄膜１６が接触しない
程度の間隔である。厚さｔ１については、後述する。
【００３１】次に、図３（Ｂ）に示すように、柱状体１
２の外側を覆うように、第１電極１５の表面に、誘電体
薄膜１６を成膜する。誘電体薄膜１６は、好ましくはＭ
ＯＣＶＤにより成膜される。誘電体薄膜１６の材質とし
ては、特に限定されないが、ＢＳＴ、ＰＭＮなどのペロ
ブスカイト化合物、ＢｉＴなどのビスマス層状化合物な
ど、比誘電率が１００以上のものが例示される。誘電体
薄膜１６の厚みｔ１は、好ましくは１０〜５００ｎｍ程
度である。この厚みｔ１は、図４において、（Ｌ−φ１
−２×ｔ１）が０よりも大きくなるように決定される。
すなわち、隣接する円柱状体１２の間で、それらの外周
に形成される誘電体薄膜１６の相互が接触しないよう
に、厚みｔ１が決定される。好ましくは、厚みｔ１は、
（Ｌ−φ１）／２の５０〜９０％が望ましい。
２の外側を覆うように、第１電極１５の表面に、誘電体
薄膜１６を成膜する。誘電体薄膜１６は、好ましくはＭ
ＯＣＶＤにより成膜される。誘電体薄膜１６の材質とし
ては、特に限定されないが、ＢＳＴ、ＰＭＮなどのペロ
ブスカイト化合物、ＢｉＴなどのビスマス層状化合物な
ど、比誘電率が１００以上のものが例示される。誘電体
薄膜１６の厚みｔ１は、好ましくは１０〜５００ｎｍ程
度である。この厚みｔ１は、図４において、（Ｌ−φ１
−２×ｔ１）が０よりも大きくなるように決定される。
すなわち、隣接する円柱状体１２の間で、それらの外周
に形成される誘電体薄膜１６の相互が接触しないよう
に、厚みｔ１が決定される。好ましくは、厚みｔ１は、
（Ｌ−φ１）／２の５０〜９０％が望ましい。
【００３２】その後、図３（Ｂ）に示すように、各円柱
状体１２の外側を覆って埋め込むようように、第２電極
１８を、誘電体薄膜１６の表面に形成する。第２電極１
８は、第１電極１５と同様な材質で構成され、同様な成
膜法により成膜される。ただし、第２電極１８の成膜に
際しては、多孔質基板１０ａをマスクとしては用いな
い。また、第１電極１５と第２電極１８とは、材質を異
ならせても良い。第２電極１８の成膜後に、その表面を
平坦化処理しても良い。平坦化処理は、たとえば化学機
械研磨（ＣＭＰ）処理などで行うこともできる。最終的
に得られる第２電極１８の厚みは、第１電極１５の厚み
と同程度である。
状体１２の外側を覆って埋め込むようように、第２電極
１８を、誘電体薄膜１６の表面に形成する。第２電極１
８は、第１電極１５と同様な材質で構成され、同様な成
膜法により成膜される。ただし、第２電極１８の成膜に
際しては、多孔質基板１０ａをマスクとしては用いな
い。また、第１電極１５と第２電極１８とは、材質を異
ならせても良い。第２電極１８の成膜後に、その表面を
平坦化処理しても良い。平坦化処理は、たとえば化学機
械研磨（ＣＭＰ）処理などで行うこともできる。最終的
に得られる第２電極１８の厚みは、第１電極１５の厚み
と同程度である。
【００３３】このようにして得られたコンデンサ構造体
３０では、第１電極１５の表面に、数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の柱状体１２が規則的に形成してあることから、
その上に形成される誘電体薄膜１６の表面積が増大し、
静電容量が飛躍的に増大し、小型で大容量のコンデンサ
構造体３０を実現することができる。たとえば柱状体
（または柱状細孔）が何ら形成されていない従来のコン
デンサ構造体に比較して、本実施形態のコンデンサ構造
体３０は、静電容量が２桁以上増大する。
３０では、第１電極１５の表面に、数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の柱状体１２が規則的に形成してあることから、
その上に形成される誘電体薄膜１６の表面積が増大し、
静電容量が飛躍的に増大し、小型で大容量のコンデンサ
構造体３０を実現することができる。たとえば柱状体
（または柱状細孔）が何ら形成されていない従来のコン
デンサ構造体に比較して、本実施形態のコンデンサ構造
体３０は、静電容量が２桁以上増大する。
【００３４】また本実施形態では、多数の柱状体１２が
規則的に形成してあることから、隣接する柱状体１２が
接触することなく、誘電体薄膜１６における表面積の増
大効果が増大する。
規則的に形成してあることから、隣接する柱状体１２が
接触することなく、誘電体薄膜１６における表面積の増
大効果が増大する。
【００３５】本実施形態のコンデンサ構造体３０は、チ
ップ状コンデンサとして用いることができると共に、た
とえば集積回路のキャパシタ素子などとしても利用する
ことができる。
ップ状コンデンサとして用いることができると共に、た
とえば集積回路のキャパシタ素子などとしても利用する
ことができる。
【００３６】第２実施形態
図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、本実施形態
の方法は、前記の第１実施形態の方法の変形例であり、
以下の説明では、前記の第１実施形態の方法と異なる部
分についてのみ詳細に説明し、共通する部分の説明は省
略する。
の方法は、前記の第１実施形態の方法の変形例であり、
以下の説明では、前記の第１実施形態の方法と異なる部
分についてのみ詳細に説明し、共通する部分の説明は省
略する。
【００３７】前記第１実施形態と同様にして多孔質基板
１０ａを形成した後、この多孔質基板１０ａを利用して
エッチング処理を行い、第１電極２０の表面に多数の規
則的な柱状細孔２２を形成する。円柱状細孔２２の内径
は、多孔質基板１０ａの細孔６の内径にほぼ対応し、数
ｎｍから数百ｎｍである。また、円柱状細孔２２の配置
パターンも、多孔質基板１０ａの細孔６の配置パターン
にほぼ対応する。円柱状細孔２２の深さは、図３（Ａ）
に示す柱状体１２の高さとほぼ同様である。円柱状細孔
２２は、第１電極２０を貫通せず、基板１４の表面で、
面状電極層２３が残るように形成される。第１電極２０
は、図３（Ａ）に示す面状電極１１と同様な成膜法によ
り成膜され、同様な材質で構成される。なお、この実施
形態では、円柱状細孔２２は、第１電極２０を貫通させ
ても良い。円柱状細孔２２が第１電極２０を貫通させた
としても、細孔２２以外の部分で、第１電極２０は、相
互に切断されることなく電気的に接続しているからであ
る。
１０ａを形成した後、この多孔質基板１０ａを利用して
エッチング処理を行い、第１電極２０の表面に多数の規
則的な柱状細孔２２を形成する。円柱状細孔２２の内径
は、多孔質基板１０ａの細孔６の内径にほぼ対応し、数
ｎｍから数百ｎｍである。また、円柱状細孔２２の配置
パターンも、多孔質基板１０ａの細孔６の配置パターン
にほぼ対応する。円柱状細孔２２の深さは、図３（Ａ）
に示す柱状体１２の高さとほぼ同様である。円柱状細孔
２２は、第１電極２０を貫通せず、基板１４の表面で、
面状電極層２３が残るように形成される。第１電極２０
は、図３（Ａ）に示す面状電極１１と同様な成膜法によ
り成膜され、同様な材質で構成される。なお、この実施
形態では、円柱状細孔２２は、第１電極２０を貫通させ
ても良い。円柱状細孔２２が第１電極２０を貫通させた
としても、細孔２２以外の部分で、第１電極２０は、相
互に切断されることなく電気的に接続しているからであ
る。
【００３８】次に、図５（Ｂ）に示すように、円柱状細
孔２２の内部に入り込むように、第１電極２０の表面
に、誘電体薄膜２４を形成する。誘電体薄膜２４は、図
３（Ｂ）に示す誘電体薄膜１６と同様な薄膜成膜法によ
り成膜され、同様な材質で構成される。誘電体薄膜２４
の厚みは、誘電体薄膜１６と同程度である。ただし、誘
電体薄膜２４の厚みは、細孔２２を完全に埋め込まない
ように決定される。なお、細孔２２の内径は、柱状体１
２の外径よりも大きく設計されることが好ましく、１０
〜１０００ｎｍ程度が好ましい。また、誘電体薄膜１６
の厚みは、細孔２２の内径の１０〜４５％の厚みである
ことが好ましい。
孔２２の内部に入り込むように、第１電極２０の表面
に、誘電体薄膜２４を形成する。誘電体薄膜２４は、図
３（Ｂ）に示す誘電体薄膜１６と同様な薄膜成膜法によ
り成膜され、同様な材質で構成される。誘電体薄膜２４
の厚みは、誘電体薄膜１６と同程度である。ただし、誘
電体薄膜２４の厚みは、細孔２２を完全に埋め込まない
ように決定される。なお、細孔２２の内径は、柱状体１
２の外径よりも大きく設計されることが好ましく、１０
〜１０００ｎｍ程度が好ましい。また、誘電体薄膜１６
の厚みは、細孔２２の内径の１０〜４５％の厚みである
ことが好ましい。
【００３９】次に、図５（Ｂ）に示すように、柱状細孔
２２の内部に入り込むように、誘電体薄膜２４の表面に
第２電極２６を成膜する。第２電極２６は、図３（Ｂ）
に示す第２電極１８と同様な方法により成膜され、同様
な最終厚みを有する。
２２の内部に入り込むように、誘電体薄膜２４の表面に
第２電極２６を成膜する。第２電極２６は、図３（Ｂ）
に示す第２電極１８と同様な方法により成膜され、同様
な最終厚みを有する。
【００４０】このようにして得られたコンデンサ構造体
４０では、第１電極２０の表面に、数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の円柱状細孔２２が規則的に形成してあることか
ら、その上に形成される誘電体薄膜２４の表面積が増大
し、静電容量が飛躍的に増大し、小型で大容量のコンデ
ンサ構造体４０を実現することができる。たとえば柱状
体（または柱状細孔）が何ら形成されていない従来のコ
ンデンサ構造体に比較して、本実施形態のコンデンサ構
造体４０は、静電容量が２桁以上増大する。
４０では、第１電極２０の表面に、数ｎｍから数百ｎｍ
の多数の円柱状細孔２２が規則的に形成してあることか
ら、その上に形成される誘電体薄膜２４の表面積が増大
し、静電容量が飛躍的に増大し、小型で大容量のコンデ
ンサ構造体４０を実現することができる。たとえば柱状
体（または柱状細孔）が何ら形成されていない従来のコ
ンデンサ構造体に比較して、本実施形態のコンデンサ構
造体４０は、静電容量が２桁以上増大する。
【００４１】また本実施形態では、多数の円柱状細孔２
２が規則的に形成してあることから、隣接する細孔２２
が接触することなく、誘電体薄膜２４における表面積の
増大効果が増大する。
２が規則的に形成してあることから、隣接する細孔２２
が接触することなく、誘電体薄膜２４における表面積の
増大効果が増大する。
【００４２】本実施形態のコンデンサ構造体４０は、チ
ップ状コンデンサとして用いることができると共に、た
とえば集積回路のキャパシタ素子などとしても利用する
ことができる。
ップ状コンデンサとして用いることができると共に、た
とえば集積回路のキャパシタ素子などとしても利用する
ことができる。
【００４３】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば図６に示すように、前記第１実
施形態において、図３（Ｂ）に示す第２電極１８を形成
した後、その表面を平坦化して、その上に、同様な手法
により、図３（Ｂ）に示すコンデンサ構造体を積層させ
ても良い。すなわち、第２電極１８の表面に、前記と同
様な方法により、多数の円柱状体１２を形成し、その上
に、誘電体膜１６を形成し、その上に、第３電極１９を
形成するのである。第３電極１９は、第２電極１８と同
様にして形成され、同様な材質で構成される。これらの
工程を繰り返せば、図３（Ｂ）に示すコンデンサ構造体
が二層以上に積層された積層型のコンデンサ構造体３０
ａを得ることができる。あるいは、図７に示すように、
前記第２実施形態において、図５（Ｂ）に示す第２電極
２６を形成した後、その表面を平坦化して、その上に、
同様な手法により、図５（Ｂ）に示すコンデンサ構造体
を積層させても良い。すなわち、第２電極２６の表面
に、前記と同様な方法により、多数の円柱状細孔２２を
形成し、その上に、誘電体膜２４を形成し、その上に、
第３電極２７を形成するのである。第３電極２７は、第
２電極２６と同様にして形成され、同様な材質で構成さ
れる。これらの工程を繰り返せば、図５（Ｂ）に示すコ
ンデンサ構造体が二層以上に積層された積層型のコンデ
ンサ構造体４０ａを得ることができる。また、本発明で
は、図３（Ｂ）に示すコンデンサ構造体と、図５（Ｂ）
に示すコンデンサ構造体とを組み合わせて積層させても
良い。このような積層型のコンデンサ構造体によれば、
積層数に応じて、コンデンサの静電容量を増大させるこ
とができる。
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば図６に示すように、前記第１実
施形態において、図３（Ｂ）に示す第２電極１８を形成
した後、その表面を平坦化して、その上に、同様な手法
により、図３（Ｂ）に示すコンデンサ構造体を積層させ
ても良い。すなわち、第２電極１８の表面に、前記と同
様な方法により、多数の円柱状体１２を形成し、その上
に、誘電体膜１６を形成し、その上に、第３電極１９を
形成するのである。第３電極１９は、第２電極１８と同
様にして形成され、同様な材質で構成される。これらの
工程を繰り返せば、図３（Ｂ）に示すコンデンサ構造体
が二層以上に積層された積層型のコンデンサ構造体３０
ａを得ることができる。あるいは、図７に示すように、
前記第２実施形態において、図５（Ｂ）に示す第２電極
２６を形成した後、その表面を平坦化して、その上に、
同様な手法により、図５（Ｂ）に示すコンデンサ構造体
を積層させても良い。すなわち、第２電極２６の表面
に、前記と同様な方法により、多数の円柱状細孔２２を
形成し、その上に、誘電体膜２４を形成し、その上に、
第３電極２７を形成するのである。第３電極２７は、第
２電極２６と同様にして形成され、同様な材質で構成さ
れる。これらの工程を繰り返せば、図５（Ｂ）に示すコ
ンデンサ構造体が二層以上に積層された積層型のコンデ
ンサ構造体４０ａを得ることができる。また、本発明で
は、図３（Ｂ）に示すコンデンサ構造体と、図５（Ｂ）
に示すコンデンサ構造体とを組み合わせて積層させても
良い。このような積層型のコンデンサ構造体によれば、
積層数に応じて、コンデンサの静電容量を増大させるこ
とができる。
【００４４】
【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。
【００４５】実施例１
まず、多孔質基板１０ａを形成した。多孔質基板１０ａ
を形成するための条件は、次の通りである。厚さ０．１
mmのアルミニウム箔を用い、陽極酸化処理を行った。陽
極酸化時の処理液としては、シュウ酸を用いた。陽極酸
化時の電圧は、４０Ｖであった。陽極酸化処理の結果、
アルミニウム箔に、内径が５０ｎｍで、ピッチＬが３０
０ｎｍの貫通した多数の規則正しく配置された円柱状細
孔が得られた。円柱状細孔の配置は、隣接する３つの細
孔の中心を結ぶ線がほぼ正三角形になる配置であった。
を形成するための条件は、次の通りである。厚さ０．１
mmのアルミニウム箔を用い、陽極酸化処理を行った。陽
極酸化時の処理液としては、シュウ酸を用いた。陽極酸
化時の電圧は、４０Ｖであった。陽極酸化処理の結果、
アルミニウム箔に、内径が５０ｎｍで、ピッチＬが３０
０ｎｍの貫通した多数の規則正しく配置された円柱状細
孔が得られた。円柱状細孔の配置は、隣接する３つの細
孔の中心を結ぶ線がほぼ正三角形になる配置であった。
【００４６】石英板からなる厚さ０．５mmの基板１４の
表面に、厚さ１００ｎｍの面状電極１１を、Ｐｔを用い
たスパッタ法により全面に成膜した後、引き続き、多孔
質基板を用いて、基板１４の表面に、Ｐｔを用いたスパ
ッタ法により高さ５００ｎｍの柱状体１２を規則正しく
形成し、第１電極１５を得た。
表面に、厚さ１００ｎｍの面状電極１１を、Ｐｔを用い
たスパッタ法により全面に成膜した後、引き続き、多孔
質基板を用いて、基板１４の表面に、Ｐｔを用いたスパ
ッタ法により高さ５００ｎｍの柱状体１２を規則正しく
形成し、第１電極１５を得た。
【００４７】その後、ＢｉＴ（Ｂｉ（ＣＨ３）３トリメ
チルビスマス、Ｔｉ（Ｏ・ｉ−Ｃ３Ｈ７）４テトライソ
プロポキシチタニウム）を用いたＭＯＣＶＤ法により、
柱状体１２の外側を覆うように、第１電極１５の表面
に、誘電体薄膜１６を成膜した。誘電体薄膜１６の厚み
は、２５ｎｍであった。その後、各円柱状体１２の外側
を覆って埋め込むようように、第２電極１８を、誘電体
薄膜１６の表面に形成した。第２電極１８は、面状電極
１１と同様な方法により成膜し、その材質も同じであっ
た。第２電極１８の最終厚みは、２００ｎｍであり、そ
の面積は、０．１×０．１mmであった。
チルビスマス、Ｔｉ（Ｏ・ｉ−Ｃ３Ｈ７）４テトライソ
プロポキシチタニウム）を用いたＭＯＣＶＤ法により、
柱状体１２の外側を覆うように、第１電極１５の表面
に、誘電体薄膜１６を成膜した。誘電体薄膜１６の厚み
は、２５ｎｍであった。その後、各円柱状体１２の外側
を覆って埋め込むようように、第２電極１８を、誘電体
薄膜１６の表面に形成した。第２電極１８は、面状電極
１１と同様な方法により成膜し、その材質も同じであっ
た。第２電極１８の最終厚みは、２００ｎｍであり、そ
の面積は、０．１×０．１mmであった。
【００４８】このようにして得られたコンデンサ構造体
について、静電容量を測定したところ、５３０ｐＦであ
った。また、誘電損失は４％であった（測定条件：１０
ｋＨｚ、０．０２Ｖ）。
について、静電容量を測定したところ、５３０ｐＦであ
った。また、誘電損失は４％であった（測定条件：１０
ｋＨｚ、０．０２Ｖ）。
【００４９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、特に小型で大容量のコンデンサ構造体およびその製
造方法を提供することができる。
ば、特に小型で大容量のコンデンサ構造体およびその製
造方法を提供することができる。
【図１】 図１は本発明の一実施形態に係るコンデンサ
構造体の製造方法に用いる細孔形成用基板の要部斜視図
である。
構造体の製造方法に用いる細孔形成用基板の要部斜視図
である。
【図２】 図２は細孔形成用基板に形成してある柱状細
孔の平面図である。
孔の平面図である。
【図３】 図３（Ａ）および図３（Ｂ）は本発明の一実
施形態に係るコンデンサ構造体の製造過程を示す要部断
面図である。
施形態に係るコンデンサ構造体の製造過程を示す要部断
面図である。
【図４】 図４は図３（Ｂ）に示す柱状体の平面図であ
る。
る。
【図５】 図５（Ａ）および図５（Ｂ）は本発明の他の
実施形態に係るコンデンサ構造体の製造過程を示す要部
断面図である。
実施形態に係るコンデンサ構造体の製造過程を示す要部
断面図である。
【図６】 図６は本発明の他の実施形態に係るコンデン
サ構造体の要部断面図である。
サ構造体の要部断面図である。
【図７】 図７は本発明のさらにその他の実施形態に係
るコンデンサ構造体の要部断面図である。
るコンデンサ構造体の要部断面図である。
２… Ａｌ基板（細孔形成用基板）
６… 円柱状細孔
１０ａ… 多孔質基板
１１，２３… 面状電極
１２… 円柱状体
１４… コンデンサ用基板
１５，２０… 第１電極
１６，２４… 誘電体薄膜
１８，２６… 第２電極
１９，２７… 第３電極
２２… 円柱状細孔
３０，３０ａ，４０，４０ａ… コンデンサ構造体
Claims (14)
- 【請求項１】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則
的に配列された多孔質基板を形成する工程と、 前記多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行
い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎ
ｍから数百ｎｍの多数の柱状体が規則的に配列された第
１電極を形成する工程と、 前記柱状体の外側を覆うように、前記第１電極の表面
に、誘電体薄膜を形成する工程と、 前記柱状体の外側を覆うように、前記誘電体薄膜の表面
に第２電極を形成する工程とを有するコンデンサ構造体
の製造方法。 - 【請求項２】 前記誘電体薄膜を、化学気相析出法によ
り形成することを特徴とする請求項１に記載のコンデン
サ構造体の製造方法。 - 【請求項３】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則
的に配列された多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成
膜処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの
外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状体が規則的に形
成された第１電極と、 前記柱状体の外側を覆うように、前記第１電極の表面に
形成された誘電体薄膜と、 前記柱状体の外側を覆うように、前記誘電体薄膜の表面
に形成された第２電極と、 を有するコンデンサ構造体。 - 【請求項４】 前記誘電体薄膜の比誘電率が１００以上
であることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ構
造体。 - 【請求項５】 請求項３または４に記載のコンデンサ構
造体を具備するチップ状コンデンサ。 - 【請求項６】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則
的に配列された多孔質基板を形成する工程と、 前記多孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理を
行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数
ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的に配列され
た第１電極を形成する工程と、 前記柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１電極の
表面に、誘電体薄膜を形成する工程と、 前記柱状細孔の内部に入り込むように、前記誘電体薄膜
の表面に、第２電極を形成する工程とを有するコンデン
サ構造体の製造方法。 - 【請求項７】 前記誘電体薄膜を、化学気相析出法によ
り形成することを特徴とする請求項６に記載のコンデン
サ構造体の製造方法。 - 【請求項８】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則
的に配列された多孔質基板をマスクとして用いてエッチ
ング処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれ
の内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規則的
に形成された第１電極と、 前記柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１電極の
表面に形成された誘電体薄膜と、 前記柱状細孔の内部に入り込むように、前記誘電体薄膜
の表面に形成された第２電極と、 を有するコンデンサ構造体。 - 【請求項９】 前記誘電体薄膜の比誘電率が１００以上
であることを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ構
造体。 - 【請求項１０】 請求項８または９に記載のコンデンサ
構造体を具備するチップ状コンデンサ。 - 【請求項１１】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板を形成する工程と、 前記多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行
い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数ｎ
ｍから数百ｎｍの多数の第１柱状体が規則的に配列され
た第１電極を形成する工程と、 前記第１柱状体の外側を覆うように、前記第１電極の表
面に、第１誘電体薄膜を形成する工程と、 前記第１柱状体の外側を覆うように、前記第１誘電体薄
膜の表面に第２電極を形成する工程と、 前記多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行
い、前記第２電極の表面に、それぞれの外径が数ｎｍか
ら数百ｎｍの多数の第２柱状体を規則的に形成する工程
と、 前記第２柱状体の外側を覆うように、前記第２電極の表
面に、第２誘電体薄膜を形成する工程と、 前記第２柱状体の外側を覆うように、前記第２誘電体薄
膜の表面に第３電極を形成する工程と、 を有するコンデンサ構造体の製造方法。 - 【請求項１２】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板をマスクとして用いて薄膜
成膜処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれ
の外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状体が規則
的に形成された第１電極と、 前記第１柱状体の外側を覆うように、前記第１電極の表
面に形成された第１誘電体薄膜と、 前記第１柱状体の外側を覆うように、前記第１誘電体薄
膜の表面に形成された第２電極と、 前記多孔質基板をマスクとして用いて薄膜成膜処理を行
い、前記第２電極の表面に規則的に形成され、それぞれ
の外径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第２柱状体と、 前記第２柱状体の外側を覆うように、前記第２電極の表
面に形成された第２誘電体薄膜と、 前記第２柱状体の外側を覆うように、前記第２誘電体薄
膜の表面に形成された第３電極と、 を有するコンデンサ構造体。 - 【請求項１３】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板を形成する工程と、 前記多孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理を
行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞれの外径が数
ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状細孔が規則的に配列
された第１電極を形成する工程と、 前記第１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１電
極の表面に、第１誘電体薄膜を形成する工程と、 前記第１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１誘
電体薄膜の表面に、第２電極を形成する工程と、 前記多孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理を
行い、前記第２電極の表面に、それぞれの外径が数ｎｍ
から数百ｎｍの多数の第２柱状細孔を規則的に形成する
工程と、 前記第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２電
極の表面に、第２誘電体薄膜を形成する工程と、 前記第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２誘
電体薄膜の表面に、第３電極を形成する工程と、 を有するコンデンサ構造体の製造方法。 - 【請求項１４】 細孔形成用基板を陽極酸化して、それ
ぞれの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の柱状細孔が規
則的に配列された多孔質基板をマスクとして用いてエッ
チング処理を行い、コンデンサ用基板の表面に、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第１柱状細孔が
規則的に形成された第１電極と、 前記第１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１電
極の表面に形成された第１誘電体薄膜と、 前記第１柱状細孔の内部に入り込むように、前記第１誘
電体薄膜の表面に形成された第２電極と、 前記多孔質基板をマスクとして用いてエッチング処理を
行い、前記第２電極の表面に規則的に形成され、それぞ
れの内径が数ｎｍから数百ｎｍの多数の第２柱状細孔
と、 前記第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２電
極の表面に形成された第２誘電体薄膜と、 前記第２柱状細孔の内部に入り込むように、前記第２誘
電体薄膜の表面に形成された第３電極と、 を有するコンデンサ構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047958A JP2003249417A (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | コンデンサ構造体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002047958A JP2003249417A (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | コンデンサ構造体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003249417A true JP2003249417A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=28660882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002047958A Withdrawn JP2003249417A (ja) | 2002-02-25 | 2002-02-25 | コンデンサ構造体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003249417A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153618A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
| JP2009076850A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2009088034A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| US7903387B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-03-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor having microstructures |
| WO2011105312A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US8027145B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-09-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and method of manufacturing capacitor element |
| EP2396817A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-21 | Laor Consulting LLC | Sintered and nanopore electric capacitor, electrochemical capacitor and battery and method of making the same |
| JP2012523117A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 面積を増大させた電極を有する全電子バッテリー |
| US8385046B2 (en) * | 2006-11-01 | 2013-02-26 | The Arizona Board Regents | Nano scale digitated capacitor |
| US8531816B2 (en) | 2011-03-17 | 2013-09-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and capacitor device having the same |
| US8837111B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-09-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor element and capacitor device having the same |
| CN109545778A (zh) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| CN112635195A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-09 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种电容器及其制造方法 |
| JPWO2021079566A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | ||
| WO2021079565A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | 株式会社村田製作所 | 複合キャパシタ |
-
2002
- 2002-02-25 JP JP2002047958A patent/JP2003249417A/ja not_active Withdrawn
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8385046B2 (en) * | 2006-11-01 | 2013-02-26 | The Arizona Board Regents | Nano scale digitated capacitor |
| JP2008153618A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びコンデンサの製造方法 |
| JP2009076850A (ja) * | 2007-06-14 | 2009-04-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| US8134826B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-03-13 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor and method of manufacturing the same |
| US8027145B2 (en) | 2007-07-30 | 2011-09-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and method of manufacturing capacitor element |
| US7903387B2 (en) | 2007-08-20 | 2011-03-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor having microstructures |
| US8555474B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-10-15 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Method of manufacturing capacitor element |
| JP4493686B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2010-06-30 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US8023249B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-09-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2009088034A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| EP2396817A4 (en) * | 2009-02-12 | 2014-08-20 | Laor Consulting Llc | SINTERED NANOPORENE ELECTROCONDENSOR, ELECTROCHEMICAL CAPACITOR AND BATTERY THEREFOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
| EP2396817A1 (en) * | 2009-02-12 | 2011-12-21 | Laor Consulting LLC | Sintered and nanopore electric capacitor, electrochemical capacitor and battery and method of making the same |
| JP2012523117A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 面積を増大させた電極を有する全電子バッテリー |
| JP2011176245A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Taiyo Yuden Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| WO2011105312A1 (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-01 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US8767374B2 (en) | 2010-02-25 | 2014-07-01 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitors and method for manufacturing the same |
| US8837111B2 (en) | 2011-03-17 | 2014-09-16 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Capacitor element and capacitor device having the same |
| US8531816B2 (en) | 2011-03-17 | 2013-09-10 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Capacitor element and capacitor device having the same |
| CN109545778A (zh) * | 2017-09-21 | 2019-03-29 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| CN109545778B (zh) * | 2017-09-21 | 2022-09-09 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| JPWO2021079566A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | ||
| WO2021079565A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | 株式会社村田製作所 | 複合キャパシタ |
| WO2021079566A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | 株式会社村田製作所 | 複合キャパシタ |
| JPWO2021079565A1 (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | ||
| JP7248143B2 (ja) | 2019-10-24 | 2023-03-29 | 株式会社村田製作所 | 複合キャパシタ |
| US11869719B2 (en) | 2019-10-24 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite capacitor |
| US11955291B2 (en) | 2019-10-24 | 2024-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite capacitor |
| CN112635195A (zh) * | 2020-12-15 | 2021-04-09 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种电容器及其制造方法 |
| CN112635195B (zh) * | 2020-12-15 | 2022-07-19 | 广州天极电子科技有限公司 | 一种电容器及其制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8555474B2 (en) | Method of manufacturing capacitor element | |
| KR100834833B1 (ko) | 커패시터, 커패시터 내장 회로기판 및 그들 제조 방법 | |
| JP2003249417A (ja) | コンデンサ構造体およびその製造方法 | |
| JP5051166B2 (ja) | 薄膜デバイス | |
| JP5210717B2 (ja) | キャパシタの製造方法 | |
| KR20000015822A (ko) | 박막 다층 콘덴서_ | |
| JP2008507847A (ja) | 高エネルギー貯蔵密度及び低ｅｓｒを有するコンデンサ | |
| JP6840502B2 (ja) | 微細構造体の製造方法、電子部品、回路モジュール及び電子機器 | |
| JPH0878283A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| US9076595B2 (en) | Capacitor | |
| US20140009866A1 (en) | Capacitor, structure and method of forming capacitor | |
| KR101813374B1 (ko) | 박막 커패시터 및 그 제조방법 | |
| US20130335880A1 (en) | Capacitor, structure and method of forming capacitor | |
| JPS5927565A (ja) | 半導体本体の表面に超小型回路と共に集積したコンデンサの製造方法およびこれから製造した装置 | |
| US10147548B2 (en) | Capacitors using porous alumina structures | |
| KR100957763B1 (ko) | 박막형 다층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 | |
| US20030179521A1 (en) | Electronic microcomponent incorporating a capacitive structure and fabrication process | |
| US11903182B2 (en) | Capacitor and manufacturing method therefor | |
| JP2008251885A (ja) | 積層型薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| KR100346731B1 (ko) | 다층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 | |
| JP2002008939A (ja) | 選択的コーティングによるセラミック体の製造方法 | |
| KR20000047460A (ko) | 구조화된 재료층의 제조 방법 | |
| JP7443734B2 (ja) | 電子部品 | |
| WO2015076079A1 (ja) | コンデンサ | |
| KR100856242B1 (ko) | 초고용량 캐패시터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |