JP2003238259A - セラミック部品の製造方法 - Google Patents
セラミック部品の製造方法Info
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- JP2003238259A JP2003238259A JP2002044160A JP2002044160A JP2003238259A JP 2003238259 A JP2003238259 A JP 2003238259A JP 2002044160 A JP2002044160 A JP 2002044160A JP 2002044160 A JP2002044160 A JP 2002044160A JP 2003238259 A JP2003238259 A JP 2003238259A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス含有率が少ない、もしくは全く含まな
いセラミック誘電体材料に対し、焼成処理における平面
方向の収縮を抑え、寸法精度の高いセラミック部品の製
造方法を提供するものである。 【解決手段】 主成分のセラミック誘電体材料１００重
量％に対するガラス成分の配合率が２０重量％未満のセ
ラミック誘電体組成物からなるグリーンシートを所望枚
数積層し、このグリーンシート積層体の上下両面に、前
記セラミック誘電体材料の焼成処理温度よりも低い軟化
温度を有するガラスと任意のセラミック粉末を混合した
ガラスセラミック組成物からなるグリーンシートを積層
し、さらにその上下両面に焼成処理で焼結しない無機組
成物よりなるグリーンシート（拘束層）を積層した後、
一体焼成処理を行い、その後前記拘束層を取り除く。
いセラミック誘電体材料に対し、焼成処理における平面
方向の収縮を抑え、寸法精度の高いセラミック部品の製
造方法を提供するものである。 【解決手段】 主成分のセラミック誘電体材料１００重
量％に対するガラス成分の配合率が２０重量％未満のセ
ラミック誘電体組成物からなるグリーンシートを所望枚
数積層し、このグリーンシート積層体の上下両面に、前
記セラミック誘電体材料の焼成処理温度よりも低い軟化
温度を有するガラスと任意のセラミック粉末を混合した
ガラスセラミック組成物からなるグリーンシートを積層
し、さらにその上下両面に焼成処理で焼結しない無機組
成物よりなるグリーンシート（拘束層）を積層した後、
一体焼成処理を行い、その後前記拘束層を取り除く。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はインダクタ、コンデ
ンサ、高周波フィルタなどセラミック部品の製造方法に
関するものである。
ンサ、高周波フィルタなどセラミック部品の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型化のため、セラミ
ック誘電体の内部に導体層を含み、一体焼成して作製さ
れるセラミック積層部品が盛んに用いられるようになっ
ている。積層デバイス技術は、インダクタやコンデンサ
には以前より広く用いられているが、最近では高周波領
域で用いられる共振器などにも利用され始めている。ま
た、セラミック積層部品内にコンデンサ、インダクタ、
フィルタなど複数の回路素子を内蔵し、さらに部品表面
に半導体やＳＡＷフィルタなどのセラミック積層体に内
蔵できない部品を実装して、それらを相互接続し一体化
した小型モジュール積層部品も開発されている。
ック誘電体の内部に導体層を含み、一体焼成して作製さ
れるセラミック積層部品が盛んに用いられるようになっ
ている。積層デバイス技術は、インダクタやコンデンサ
には以前より広く用いられているが、最近では高周波領
域で用いられる共振器などにも利用され始めている。ま
た、セラミック積層部品内にコンデンサ、インダクタ、
フィルタなど複数の回路素子を内蔵し、さらに部品表面
に半導体やＳＡＷフィルタなどのセラミック積層体に内
蔵できない部品を実装して、それらを相互接続し一体化
した小型モジュール積層部品も開発されている。
【０００３】ところで、一般的にセラミックは焼成処理
時に収縮をともなうため、原料となるセラミック粉体の
粒径などの物性や、プレス工程、焼成工程など製造工程
の種々の条件が変動すると、焼成処理時の収縮量に違い
が生じ、積層部品の大きさにばらつきを引き起こす。
時に収縮をともなうため、原料となるセラミック粉体の
粒径などの物性や、プレス工程、焼成工程など製造工程
の種々の条件が変動すると、焼成処理時の収縮量に違い
が生じ、積層部品の大きさにばらつきを引き起こす。
【０００４】前記積層共振器の例では、共振器の共振周
波数は積層体の長さに比例するため、焼成処理時に生じ
る収縮ばらつきは、製品の歩留まりに直接影響する。ま
た小型モジュール積層部品の例では、セラミック積層体
に内蔵する回路の特性をばらつかせ、さらに積層体の表
面に半導体などを実装する場合は所定の位置に実装でき
ないなどの不具合が生じる。
波数は積層体の長さに比例するため、焼成処理時に生じ
る収縮ばらつきは、製品の歩留まりに直接影響する。ま
た小型モジュール積層部品の例では、セラミック積層体
に内蔵する回路の特性をばらつかせ、さらに積層体の表
面に半導体などを実装する場合は所定の位置に実装でき
ないなどの不具合が生じる。
【０００５】これを解決する方法として特許２７８５５
４４号公報等には、ガラスセラミック組成物よりなるグ
リーンシート積層体の上下面に、このガラスセラミック
混合組成物の焼成処理温度では焼結しない無機組成物よ
りなるグリーンシート（以下拘束層と称する）を積層し
た後、一体焼成処理を行い、その後拘束層を取り除く方
法が提案されている。
４４号公報等には、ガラスセラミック組成物よりなるグ
リーンシート積層体の上下面に、このガラスセラミック
混合組成物の焼成処理温度では焼結しない無機組成物よ
りなるグリーンシート（以下拘束層と称する）を積層し
た後、一体焼成処理を行い、その後拘束層を取り除く方
法が提案されている。
【０００６】この方法によれば、拘束層によってグリー
ンシート積層体の平面方向の収縮を抑えることができる
ため、平面方向の寸法精度が極めて高いセラミック部品
を得ることができる。その結果、共振器の共振周波数の
ばらつきや、積層体表面への部品実装の位置精度の低下
等の問題が生じにくいといった利点がある。
ンシート積層体の平面方向の収縮を抑えることができる
ため、平面方向の寸法精度が極めて高いセラミック部品
を得ることができる。その結果、共振器の共振周波数の
ばらつきや、積層体表面への部品実装の位置精度の低下
等の問題が生じにくいといった利点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した製造方法は、
ガラス成分を比較的多く含むガラスセラミック混合組成
物に対して適用可能であるが、ガラス含有率が少ない、
もしくは全く含まないセラミック誘電体材料に対しては
適用が困難である。なぜならば、ガラス含有率が少ない
セラミック誘電体材料では拘束層との結着力が不十分
で、焼成処理中にセラミック誘電体材料の焼成収縮力に
耐えられなくなって界面より剥離が生じ、拘束層がその
役目を果たすことができないためである。発明提案者ら
の検討によれば、セラミック誘電体材料１００重量％に
対してガラス成分の配合率が２０重量％未満であると、
上記のような不具合が生じる。
ガラス成分を比較的多く含むガラスセラミック混合組成
物に対して適用可能であるが、ガラス含有率が少ない、
もしくは全く含まないセラミック誘電体材料に対しては
適用が困難である。なぜならば、ガラス含有率が少ない
セラミック誘電体材料では拘束層との結着力が不十分
で、焼成処理中にセラミック誘電体材料の焼成収縮力に
耐えられなくなって界面より剥離が生じ、拘束層がその
役目を果たすことができないためである。発明提案者ら
の検討によれば、セラミック誘電体材料１００重量％に
対してガラス成分の配合率が２０重量％未満であると、
上記のような不具合が生じる。
【０００８】そこで、本発明は上述した問題点を解決す
るものであり、その目的は、主成分のセラミック誘電体
材料１００重量％に対してガラス成分の配合率が２０重
量％未満のセラミック誘電体材料であっても、焼成処理
における平面方向の収縮を抑え、寸法精度の高いセラミ
ック部品の製造方法を提供することである。
るものであり、その目的は、主成分のセラミック誘電体
材料１００重量％に対してガラス成分の配合率が２０重
量％未満のセラミック誘電体材料であっても、焼成処理
における平面方向の収縮を抑え、寸法精度の高いセラミ
ック部品の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、セ
ラミック誘電体材料１００重量％に対するガラス成分の
配合率が２０重量％未満のセラミック誘電体組成物から
なるグリーンシートを所望枚数積層し、次にこのグリー
ンシート積層体の上下両面に、前記セラミック誘電体材
料の焼成処理温度よりも低い軟化温度を有するガラスと
任意のセラミック粉末を混合したガラスセラミック組成
物からなるグリーンシートを積層し、さらにその上下両
面に拘束層として、焼成処理で焼結しない無機組成物よ
りなるグリーンシートを積層した後、一体焼成処理を行
い、その後前記焼結しない無機組成物を取り除くことを
特徴とするセラミック部品の製造方法であり、ガラス含
有率の少ないセラミック誘電体層であっても、拘束層に
よってセラミック誘電体層の焼成処理における平面方向
の収縮が抑えられるため、平面方向の寸法精度が極めて
高いセラミック部品を得ることができるという効果が得
られる。
するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、セ
ラミック誘電体材料１００重量％に対するガラス成分の
配合率が２０重量％未満のセラミック誘電体組成物から
なるグリーンシートを所望枚数積層し、次にこのグリー
ンシート積層体の上下両面に、前記セラミック誘電体材
料の焼成処理温度よりも低い軟化温度を有するガラスと
任意のセラミック粉末を混合したガラスセラミック組成
物からなるグリーンシートを積層し、さらにその上下両
面に拘束層として、焼成処理で焼結しない無機組成物よ
りなるグリーンシートを積層した後、一体焼成処理を行
い、その後前記焼結しない無機組成物を取り除くことを
特徴とするセラミック部品の製造方法であり、ガラス含
有率の少ないセラミック誘電体層であっても、拘束層に
よってセラミック誘電体層の焼成処理における平面方向
の収縮が抑えられるため、平面方向の寸法精度が極めて
高いセラミック部品を得ることができるという効果が得
られる。
【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
セラミック積層体もしくはガラスセラミック積層体の内
部に銀、銅を主成分とする電極を内蔵していることを特
徴とする請求項１記載のセラミック部品の製造方法であ
り、銀、銅を主成分とする電極を内蔵していることによ
り特に高周波領域で優れた特性を示すセラミック部品を
得ることができるという効果が得られる。
セラミック積層体もしくはガラスセラミック積層体の内
部に銀、銅を主成分とする電極を内蔵していることを特
徴とする請求項１記載のセラミック部品の製造方法であ
り、銀、銅を主成分とする電極を内蔵していることによ
り特に高周波領域で優れた特性を示すセラミック部品を
得ることができるという効果が得られる。
【００１１】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
ガラスセラミック組成物の熱膨張係数α2と、セラミッ
ク誘電体組成物の熱膨張係数α1の比α2／α1が０．８
〜１．２の範囲内であることを特徴とする請求項１また
は２に記載のセラミック部品の製造方法であり、両者の
熱膨張係数の差を小さくすることによりガラスセラミッ
ク層およびセラミック誘電体層の内部に焼成処理にとも
なう応力の蓄積を小さくし、信頼性の高いセラミック部
品を得ることができるという効果が得られる。
ガラスセラミック組成物の熱膨張係数α2と、セラミッ
ク誘電体組成物の熱膨張係数α1の比α2／α1が０．８
〜１．２の範囲内であることを特徴とする請求項１また
は２に記載のセラミック部品の製造方法であり、両者の
熱膨張係数の差を小さくすることによりガラスセラミッ
ク層およびセラミック誘電体層の内部に焼成処理にとも
なう応力の蓄積を小さくし、信頼性の高いセラミック部
品を得ることができるという効果が得られる。
【００１２】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
ガラスセラミック組成物からなるグリーンシート積層体
の厚みｔ2と、セラミック誘電体組成物からなる積層体
厚みｔ1の比ｔ2／ｔ1が０．０２〜０．２の範囲内であ
ることを特徴とする請求項３記載のセラミック部品の製
造方法であり、両者の厚みの比を所定の範囲にすること
によりガラスセラミック積層体表面の変色がなく、か
つ、ガラスセラミック層とセラミック誘電体層の界面に
剥離などの欠陥のない信頼性の高いセラミック部品を得
ることができるという効果が得られる。
ガラスセラミック組成物からなるグリーンシート積層体
の厚みｔ2と、セラミック誘電体組成物からなる積層体
厚みｔ1の比ｔ2／ｔ1が０．０２〜０．２の範囲内であ
ることを特徴とする請求項３記載のセラミック部品の製
造方法であり、両者の厚みの比を所定の範囲にすること
によりガラスセラミック積層体表面の変色がなく、か
つ、ガラスセラミック層とセラミック誘電体層の界面に
剥離などの欠陥のない信頼性の高いセラミック部品を得
ることができるという効果が得られる。
【００１３】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
セラミック誘電体組成物からなるグリーンシート積層体
の厚みｔ1およびガラスセラミック積層体の厚みｔ2の和
と、焼成処理で焼結しない無機組成物からなる積層体厚
みｔ3の比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）が０．０２以上であること
を特徴とする請求項３記載のセラミック部品の製造方法
であり、各々の厚みの比を所定の範囲にすることにより
平面方向の収縮歪みが小さく、寸法精度の極めて優れた
セラミック部品を得ることができるという効果が得られ
る。
セラミック誘電体組成物からなるグリーンシート積層体
の厚みｔ1およびガラスセラミック積層体の厚みｔ2の和
と、焼成処理で焼結しない無機組成物からなる積層体厚
みｔ3の比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）が０．０２以上であること
を特徴とする請求項３記載のセラミック部品の製造方法
であり、各々の厚みの比を所定の範囲にすることにより
平面方向の収縮歪みが小さく、寸法精度の極めて優れた
セラミック部品を得ることができるという効果が得られ
る。
【００１４】本発明の請求項６に記載の発明は、特に、
焼成処理で焼結しない無機組成物からなるグリーンシー
トがＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2の
うち少なくとも１種以上を含むグリーンシートであるこ
とを特徴とする請求項１記載のセラミック部品の製造方
法であり、前記の成分を拘束層に含むことにより、セラ
ミック誘電体層の平面方向の収縮をさらに抑えられるた
め、平面方向の寸法精度がより高いセラミック部品を得
ることができるという効果が得られる。
焼成処理で焼結しない無機組成物からなるグリーンシー
トがＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2の
うち少なくとも１種以上を含むグリーンシートであるこ
とを特徴とする請求項１記載のセラミック部品の製造方
法であり、前記の成分を拘束層に含むことにより、セラ
ミック誘電体層の平面方向の収縮をさらに抑えられるた
め、平面方向の寸法精度がより高いセラミック部品を得
ることができるという効果が得られる。
【００１５】本発明の請求項７に記載の発明は、特に、
焼成処理で焼結しない無機組成物の平均粒径が５μｍ以
下であることを特徴とする請求項１記載のセラミック部
品の製造方法であり、平均粒径を小さくすることにより
ガラスセラミック層の表面粗さが平滑なセラミック部品
を得ることができるという効果が得られる。
焼成処理で焼結しない無機組成物の平均粒径が５μｍ以
下であることを特徴とする請求項１記載のセラミック部
品の製造方法であり、平均粒径を小さくすることにより
ガラスセラミック層の表面粗さが平滑なセラミック部品
を得ることができるという効果が得られる。
【００１６】本発明の請求項８に記載の発明は、特に、
セラミック誘電体組成物の主成分がＢｉ2Ｏ3、ＣａＯ、
Ｎｂ2Ｏ5であることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
か１つに記載のセラミック部品の製造方法であり、主成
分に前記の成分を用いることにより高周波領域において
電気特性の優れたセラミック部品を得ることができると
いう効果が得られる。
セラミック誘電体組成物の主成分がＢｉ2Ｏ3、ＣａＯ、
Ｎｂ2Ｏ5であることを特徴とする請求項１〜７のいずれ
か１つに記載のセラミック部品の製造方法であり、主成
分に前記の成分を用いることにより高周波領域において
電気特性の優れたセラミック部品を得ることができると
いう効果が得られる。
【００１７】本発明の請求項９に記載の発明は、特に、
セラミック誘電体組成物の主成分がＢａＯ、ＲＥ2Ｏ3、
ＴｉＯ2であり、ＲＥはＬａ、Ｎｄ、Ｓｍのうち少なく
とも一種類以上から選ばれる元素であることを特徴とす
る請求項１〜７のいずれか１つに記載のセラミック部品
の製造方法であり、主成分に前記の成分を用いることに
より高周波領域において電気特性の優れたセラミック部
品を得ることができるという効果が得られる。
セラミック誘電体組成物の主成分がＢａＯ、ＲＥ2Ｏ3、
ＴｉＯ2であり、ＲＥはＬａ、Ｎｄ、Ｓｍのうち少なく
とも一種類以上から選ばれる元素であることを特徴とす
る請求項１〜７のいずれか１つに記載のセラミック部品
の製造方法であり、主成分に前記の成分を用いることに
より高周波領域において電気特性の優れたセラミック部
品を得ることができるという効果が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
具体的な実施の形態について表および図面を参照しなが
ら具体的に説明する。
具体的な実施の形態について表および図面を参照しなが
ら具体的に説明する。
【００１９】セラミック誘電体組成物としてＢｉ2Ｏ3、
ＣａＯ、Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする系（以下ＢＣＮ材と称
する）、Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5を主成分
とする系（以下ＢＣＺＮ材と称する）、およびＢａＯ、
Ｎｄ2Ｏ3、ＴｉＯ2を主成分とする系にホウケイ酸バリ
ウムガラスを１５重量％添加した混合系（以下ＢＮＴＧ
材と称する）を用いた。セラミック誘電体としてＢＣＮ
材、ＢＣＺＮ材およびＢＮＴＧ材を用いたのは、いずれ
も温度８８０〜９５０℃で緻密に焼成し、内部導体層に
導電率の高い銀や銅を用いて同時一体焼成が可能であ
り、かつ高周波における電気特性が優れている材料であ
るためである。
ＣａＯ、Ｎｂ2Ｏ5を主成分とする系（以下ＢＣＮ材と称
する）、Ｂｉ2Ｏ3、ＣａＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5を主成分
とする系（以下ＢＣＺＮ材と称する）、およびＢａＯ、
Ｎｄ2Ｏ3、ＴｉＯ2を主成分とする系にホウケイ酸バリ
ウムガラスを１５重量％添加した混合系（以下ＢＮＴＧ
材と称する）を用いた。セラミック誘電体としてＢＣＮ
材、ＢＣＺＮ材およびＢＮＴＧ材を用いたのは、いずれ
も温度８８０〜９５０℃で緻密に焼成し、内部導体層に
導電率の高い銀や銅を用いて同時一体焼成が可能であ
り、かつ高周波における電気特性が優れている材料であ
るためである。
【００２０】（表１）に今回検討したガラスセラミック
組成物を構成するガラス材料の組成（主成分）および軟
化温度、セラミック粉末の組成及びその混合重量比、な
らびにガラスセラミック組成物の熱膨張係数を示した。
なおガラスの軟化温度はＴＧ−ＤＴＡ計、熱膨張係数は
ＴＭＡ計を用いて計測した。
組成物を構成するガラス材料の組成（主成分）および軟
化温度、セラミック粉末の組成及びその混合重量比、な
らびにガラスセラミック組成物の熱膨張係数を示した。
なおガラスの軟化温度はＴＧ−ＤＴＡ計、熱膨張係数は
ＴＭＡ計を用いて計測した。
【００２１】
【表１】
【００２２】拘束層にはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を用い
た。（表２）にその平均粒子径を示す。なお平均粒子径
はレーザー回折式粒度分布計を用いて計測した。
た。（表２）にその平均粒子径を示す。なお平均粒子径
はレーザー回折式粒度分布計を用いて計測した。
【００２３】
【表２】
【００２４】以上のセラミック誘電体、ガラスセラミッ
ク、拘束層材料それぞれの粉末５００ｇを、酢酸ブチル
２００ｇ中にジブチルフタレート１０〜２５ｇ、ポリビ
ニルブチラール樹脂２５〜５０ｇを溶かしたビヒクル中
に加え、ボールミルで４８時間混合してスラリーとし、
周知のドクターブレード法により厚さ１０μｍまたは２
０μｍのグリーンシートを作製した。
ク、拘束層材料それぞれの粉末５００ｇを、酢酸ブチル
２００ｇ中にジブチルフタレート１０〜２５ｇ、ポリビ
ニルブチラール樹脂２５〜５０ｇを溶かしたビヒクル中
に加え、ボールミルで４８時間混合してスラリーとし、
周知のドクターブレード法により厚さ１０μｍまたは２
０μｍのグリーンシートを作製した。
【００２５】図１は本発明の焼成処理前のセラミック部
品の一実施の形態である。
品の一実施の形態である。
【００２６】図１を参照してセラミック誘電体層１グリ
ーンシート、ガラスセラミック層２グリーンシート、拘
束層３グリーンシートをそれぞれｔ1，ｔ2，ｔ3の厚み
となるように各グリーンシートの枚数を調整して積層し
６０℃−５００ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着して一体化
した。この積層体を３ｃｍ×３ｃｍの大きさに切断し、
アルミナ製の多孔質さや上に乗せ、箱型炉において５０
０℃の熱処理によりグリーンシート中の樹脂成分を焼却
した後、８８０〜９５０℃の温度まで１時間で昇温し、
その温度で２時間保持して焼成した。
ーンシート、ガラスセラミック層２グリーンシート、拘
束層３グリーンシートをそれぞれｔ1，ｔ2，ｔ3の厚み
となるように各グリーンシートの枚数を調整して積層し
６０℃−５００ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱圧着して一体化
した。この積層体を３ｃｍ×３ｃｍの大きさに切断し、
アルミナ製の多孔質さや上に乗せ、箱型炉において５０
０℃の熱処理によりグリーンシート中の樹脂成分を焼却
した後、８８０〜９５０℃の温度まで１時間で昇温し、
その温度で２時間保持して焼成した。
【００２７】焼成後の積層体の表面には未焼結の拘束層
材料が存在するため、酢酸ブチル溶液中で超音波洗浄を
行なって完全に取り除き、図２に示した構成のセラミッ
ク部品が完成する。
材料が存在するため、酢酸ブチル溶液中で超音波洗浄を
行なって完全に取り除き、図２に示した構成のセラミッ
ク部品が完成する。
【００２８】（実施の形態２）次に、様々な軟化温度を
有するガラスから構成されたガラスセラミック材料を用
い、前記実施の形態１のように焼成して得られた焼成積
層体について積層体の外観、平面方向の収縮率、反り量
を評価した。
有するガラスから構成されたガラスセラミック材料を用
い、前記実施の形態１のように焼成して得られた焼成積
層体について積層体の外観、平面方向の収縮率、反り量
を評価した。
【００２９】積層体の平面方向の収縮率は、マイクロメ
ーターで外形寸法を測定し、焼成前の外形寸法との差よ
り求めた。また反り量は触針式表面粗さ計により測定
し、最大値と最小値の差より求めた。その結果を（表
３）に示す。
ーターで外形寸法を測定し、焼成前の外形寸法との差よ
り求めた。また反り量は触針式表面粗さ計により測定
し、最大値と最小値の差より求めた。その結果を（表
３）に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】（表３）に評価したセラミック積層体の誘
電体層１の組成と厚みｔ1、ガラスセラミック層２の材
料種類と厚みｔ2および構成ガラスの軟化温度、拘束層
３の材料種類と厚みｔ3、ガラスセラミック材料と誘電
体材料の熱膨張率の比α2／α 1、ガラスセラミック層２
とセラミック誘電体層１の厚みの比ｔ2／ｔ1、拘束層３
とセラミック誘電体層１の厚みの比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）
を示した。なおＢＣＮ材の熱膨張係数は９．３ｐｐｍ／
℃、ＢＣＺＮ材は７．８ｐｐｍ／℃、ＢＮＴＧ材は９．
５ｐｐｍ／℃である。
電体層１の組成と厚みｔ1、ガラスセラミック層２の材
料種類と厚みｔ2および構成ガラスの軟化温度、拘束層
３の材料種類と厚みｔ3、ガラスセラミック材料と誘電
体材料の熱膨張率の比α2／α 1、ガラスセラミック層２
とセラミック誘電体層１の厚みの比ｔ2／ｔ1、拘束層３
とセラミック誘電体層１の厚みの比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）
を示した。なおＢＣＮ材の熱膨張係数は９．３ｐｐｍ／
℃、ＢＣＺＮ材は７．８ｐｐｍ／℃、ＢＮＴＧ材は９．
５ｐｐｍ／℃である。
【００３２】試料番号１〜３のように、セラミック誘電
体層１と拘束層３の間にガラスセラミック層２を積層し
なかった場合、焼成後に拘束層３が破壊しており、平面
方向の収縮率はいずれも１０％以上と大きく、セラミッ
ク誘電体層１の本来の収縮率にほぼ等しくなっていた。
また大きな反りも発生していた。今回使用したようなガ
ラス成分の含有量が少ない誘電体材料は拘束層３との結
着力が小さく、セラミック誘電体層１の焼成収縮開始直
後に拘束層３が剥離、破壊したためと考えられる。
体層１と拘束層３の間にガラスセラミック層２を積層し
なかった場合、焼成後に拘束層３が破壊しており、平面
方向の収縮率はいずれも１０％以上と大きく、セラミッ
ク誘電体層１の本来の収縮率にほぼ等しくなっていた。
また大きな反りも発生していた。今回使用したようなガ
ラス成分の含有量が少ない誘電体材料は拘束層３との結
着力が小さく、セラミック誘電体層１の焼成収縮開始直
後に拘束層３が剥離、破壊したためと考えられる。
【００３３】試料番号４〜１４のように、セラミック誘
電体層１と拘束層３の間に、焼成温度よりも低い軟化温
度を有するガラスセラミック層２を積層した場合、平面
方向の収縮率がいずれも１．０％以下で、反り量も５０
μｍ以下と小さいセラミック積層体が得られた。また外
観上、セラミック誘電体層１とガラスセラミック層２は
完全に一体化しており、界面剥離などの異常は認められ
なかった。
電体層１と拘束層３の間に、焼成温度よりも低い軟化温
度を有するガラスセラミック層２を積層した場合、平面
方向の収縮率がいずれも１．０％以下で、反り量も５０
μｍ以下と小さいセラミック積層体が得られた。また外
観上、セラミック誘電体層１とガラスセラミック層２は
完全に一体化しており、界面剥離などの異常は認められ
なかった。
【００３４】一方試料番号１５〜１７のようにガラスの
軟化温度が９９０℃と焼成処理温度よりも高い場合は、
ガラスセラミック層２を積層しなかった場合と同様に、
焼成後に拘束層３が破壊しており、平面方向の収縮率は
１０％以上と大きく、大きな反りも発生していた。ガラ
スの軟化温度が高すぎるため、セラミック誘電体層１の
焼成収縮が始まる温度付近で、ガラスセラミック層２と
セラミック誘電体層１の間で十分な結着力が得られず、
拘束層３が剥離、破壊したためと考えられる。
軟化温度が９９０℃と焼成処理温度よりも高い場合は、
ガラスセラミック層２を積層しなかった場合と同様に、
焼成後に拘束層３が破壊しており、平面方向の収縮率は
１０％以上と大きく、大きな反りも発生していた。ガラ
スの軟化温度が高すぎるため、セラミック誘電体層１の
焼成収縮が始まる温度付近で、ガラスセラミック層２と
セラミック誘電体層１の間で十分な結着力が得られず、
拘束層３が剥離、破壊したためと考えられる。
【００３５】以上のように、セラミック誘電体層１と拘
束層３の間に焼成温度よりも低い軟化温度を有するガラ
スで構成されるガラスセラミック層２を積層することに
より、焼成処理による平面方向の収縮率が１％以下と極
めて小さいセラミック積層体を得ることができる。
束層３の間に焼成温度よりも低い軟化温度を有するガラ
スで構成されるガラスセラミック層２を積層することに
より、焼成処理による平面方向の収縮率が１％以下と極
めて小さいセラミック積層体を得ることができる。
【００３６】（実施の形態３）次に、ガラスセラミック
材料と誘電体材料の熱膨張率の比α2／α1と積層体内部
に蓄積された内部応力について検討した。
材料と誘電体材料の熱膨張率の比α2／α1と積層体内部
に蓄積された内部応力について検討した。
【００３７】積層体内部に蓄積された内部応力の評価
は、焼成後の積層体をダイシングマシンにより切断し
（切削刃の厚み０．２ｍｍ）、切断により解放されて現
れる切断面のクラック等の欠陥を観察することにより行
なった。その結果を（表４）に示す。
は、焼成後の積層体をダイシングマシンにより切断し
（切削刃の厚み０．２ｍｍ）、切断により解放されて現
れる切断面のクラック等の欠陥を観察することにより行
なった。その結果を（表４）に示す。
【００３８】
【表４】
【００３９】試料番号４〜１４のようにα2／α1が０．
８〜１．２の範囲内にある場合、ダイシングマシンによ
る切断面を顕微鏡で詳細に観察しても、クラック等の欠
陥の発生はみられなかった。
８〜１．２の範囲内にある場合、ダイシングマシンによ
る切断面を顕微鏡で詳細に観察しても、クラック等の欠
陥の発生はみられなかった。
【００４０】一方試料番号１８〜２０のようにα2／α1
が０．８よりも小さい場合、誘電体層の切断面に多数の
クラックが観察され、また切断時に破壊した試料もあっ
た。ガラスセラミック層２に対しセラミック誘電体層１
の熱膨張率が小さくなりすぎると、セラミック誘電体層
１に大きな引っ張り応力が作用したため、クラックを発
生させたり、破壊したものと考えられる。
が０．８よりも小さい場合、誘電体層の切断面に多数の
クラックが観察され、また切断時に破壊した試料もあっ
た。ガラスセラミック層２に対しセラミック誘電体層１
の熱膨張率が小さくなりすぎると、セラミック誘電体層
１に大きな引っ張り応力が作用したため、クラックを発
生させたり、破壊したものと考えられる。
【００４１】また試料番号２１〜２３のようにα2／α1
が１．２よりも大きい場合、ガラスセラミック層２の切
断面にクラックが観察された。ガラスセラミック層２に
対しセラミック誘電体層１の熱膨張率が大きくなりすぎ
ると、セラミック誘電体層１に大きな圧縮応力が作用し
たため、クラックを発生させたものと考えられる。
が１．２よりも大きい場合、ガラスセラミック層２の切
断面にクラックが観察された。ガラスセラミック層２に
対しセラミック誘電体層１の熱膨張率が大きくなりすぎ
ると、セラミック誘電体層１に大きな圧縮応力が作用し
たため、クラックを発生させたものと考えられる。
【００４２】以上の結果より、セラミック積層体の内部
に応力を蓄積させ信頼性に悪影響を及ぼさないように、
熱膨張率の比α2／α1は０．８〜１．２の範囲内である
ことが好ましい。
に応力を蓄積させ信頼性に悪影響を及ぼさないように、
熱膨張率の比α2／α1は０．８〜１．２の範囲内である
ことが好ましい。
【００４３】（実施の形態４）次に、ガラスセラミック
層２とセラミック誘電体層１の厚みの比α2／α1につい
て検討した。その結果を（表５）に示す。
層２とセラミック誘電体層１の厚みの比α2／α1につい
て検討した。その結果を（表５）に示す。
【００４４】
【表５】
【００４５】試料番号４、２４〜２７のようにｔ2／ｔ1
が０．０２〜０．２の範囲内にある場合、平面方向の収
縮率はいずれも１．０％以下で、反り量も５０μｍ以下
と小さいセラミック積層体が得られた。またいずれの場
合でもダイシングによる内部応力の評価によって、切断
面にクラック等の欠陥は認められなかった。
が０．０２〜０．２の範囲内にある場合、平面方向の収
縮率はいずれも１．０％以下で、反り量も５０μｍ以下
と小さいセラミック積層体が得られた。またいずれの場
合でもダイシングによる内部応力の評価によって、切断
面にクラック等の欠陥は認められなかった。
【００４６】一方試料番号２８のようにｔ2／ｔ1が０．
０１と薄い場合、焼成して拘束層３を取り除いた後、ガ
ラスセラミック層２の表面が斑状に変色していた。セラ
ミック誘電体層１の成分がガラスセラミック層２へ焼成
中に拡散し、その成分が表面にまで到達したものと考え
られる。変色は外観上好ましくないだけでなく、積層体
表面にチップ部品などを実装する際には実装位置の画像
認識精度に悪影響を及ぼす。
０１と薄い場合、焼成して拘束層３を取り除いた後、ガ
ラスセラミック層２の表面が斑状に変色していた。セラ
ミック誘電体層１の成分がガラスセラミック層２へ焼成
中に拡散し、その成分が表面にまで到達したものと考え
られる。変色は外観上好ましくないだけでなく、積層体
表面にチップ部品などを実装する際には実装位置の画像
認識精度に悪影響を及ぼす。
【００４７】また試料番号２９のようにｔ2／ｔ1が０．
２よりも厚い場合、焼成後にガラスセラミック層２とセ
ラミック誘電体層１の界面の端部４（図３参照）が部分
剥離した。ガラスセラミック層２とセラミック誘電体層
１の焼成収縮挙動が異なるため、ガラスセラミック層２
の厚みが厚くなると、そのストレスが界面の端部４の部
分剥離として現れたものと考えられる。この部分剥離は
焼成後に研磨等を施せば解消できる程度の規模の小さい
ものであるが、工程の追加によるコストアップや信頼性
の低下を引き起こす可能性があり好ましくない。
２よりも厚い場合、焼成後にガラスセラミック層２とセ
ラミック誘電体層１の界面の端部４（図３参照）が部分
剥離した。ガラスセラミック層２とセラミック誘電体層
１の焼成収縮挙動が異なるため、ガラスセラミック層２
の厚みが厚くなると、そのストレスが界面の端部４の部
分剥離として現れたものと考えられる。この部分剥離は
焼成後に研磨等を施せば解消できる程度の規模の小さい
ものであるが、工程の追加によるコストアップや信頼性
の低下を引き起こす可能性があり好ましくない。
【００４８】以上の結果より、ガラスセラミック層２と
セラミック誘電体層１の厚みの比ｔ 2／ｔ1は０．０２〜
０．２の範囲内であることが好ましい。
セラミック誘電体層１の厚みの比ｔ 2／ｔ1は０．０２〜
０．２の範囲内であることが好ましい。
【００４９】（実施の形態５）次に、セラミック誘電体
層１とガラスセラミック層２の厚みの和と拘束層３の厚
みの比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）について検討した。その結果
を（表６）に示す。
層１とガラスセラミック層２の厚みの和と拘束層３の厚
みの比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）について検討した。その結果
を（表６）に示す。
【００５０】
【表６】
【００５１】試料番号４、３０、３１のようにｔ3／
（ｔ1＋ｔ2）が０．０２以上の範囲内である場合、平面
方向の収縮率はいずれも１．０％以下で、反り量も５０
μｍ以下と小さいセラミック積層体が得られた。またい
ずれの場合でもダイシングによる内部応力の評価によっ
て、切断面にクラック等の欠陥は認められなかった。
（ｔ1＋ｔ2）が０．０２以上の範囲内である場合、平面
方向の収縮率はいずれも１．０％以下で、反り量も５０
μｍ以下と小さいセラミック積層体が得られた。またい
ずれの場合でもダイシングによる内部応力の評価によっ
て、切断面にクラック等の欠陥は認められなかった。
【００５２】一方試料番号３２のようにｔ3／（ｔ1＋ｔ
2）が０．０２よりも小さくなる場合、平面方向のＸ方
向とＹ方向の収縮率の差が大きくなり、若干の収縮歪み
が生じた。セラミック誘電体層１とガラスセラミック層
２の厚みに比較して拘束層３の厚みが薄くなりすぎる
と、セラミック誘電体層１およびガラスセラミック層２
の焼成収縮による平面方向へ収縮しようとする力に対し
て、拘束層３の一部分が耐えられずに界面ですべり、収
縮歪みを引き起こしたと考えられる。
2）が０．０２よりも小さくなる場合、平面方向のＸ方
向とＹ方向の収縮率の差が大きくなり、若干の収縮歪み
が生じた。セラミック誘電体層１とガラスセラミック層
２の厚みに比較して拘束層３の厚みが薄くなりすぎる
と、セラミック誘電体層１およびガラスセラミック層２
の焼成収縮による平面方向へ収縮しようとする力に対し
て、拘束層３の一部分が耐えられずに界面ですべり、収
縮歪みを引き起こしたと考えられる。
【００５３】以上の結果より、セラミック誘電体層１と
ガラスセラミック層２の厚みの和と拘束層３の厚みの比
（ｔ2＋ｔ3）／ｔ1は０．０２以上であることが好まし
い。
ガラスセラミック層２の厚みの和と拘束層３の厚みの比
（ｔ2＋ｔ3）／ｔ1は０．０２以上であることが好まし
い。
【００５４】（実施の形態６）次に、拘束層３を構成す
る無機材料の平均粒子径と、セラミック積層体表面の表
面粗さとの関係について検討した。表面粗さは触針式表
面粗さ計により測定した。その結果を（表７）に示す。
る無機材料の平均粒子径と、セラミック積層体表面の表
面粗さとの関係について検討した。表面粗さは触針式表
面粗さ計により測定した。その結果を（表７）に示す。
【００５５】
【表７】
【００５６】試料番号４、３３、３４のように、拘束層
３を構成する無機材料の平均粒子径が変わることによっ
て、平面方向の収縮率、反り量にはほとんど変化はな
い。しかしガラスセラミック層２の表面粗さは無機材料
の平均粒子径が５μｍ未満の場合、Ｒａ値で３μｍ以下
と小さく問題ないが、試料番号３４のように平均粒子径
が５μｍを越えると、Ｒａ値が３μｍを越えるようにな
り、実装信頼性上問題となる可能性がある。
３を構成する無機材料の平均粒子径が変わることによっ
て、平面方向の収縮率、反り量にはほとんど変化はな
い。しかしガラスセラミック層２の表面粗さは無機材料
の平均粒子径が５μｍ未満の場合、Ｒａ値で３μｍ以下
と小さく問題ないが、試料番号３４のように平均粒子径
が５μｍを越えると、Ｒａ値が３μｍを越えるようにな
り、実装信頼性上問題となる可能性がある。
【００５７】以上の結果より、拘束層３を構成する無機
材料の平均粒子径は５μｍ以下であることが好ましい。
材料の平均粒子径は５μｍ以下であることが好ましい。
【００５８】なお、拘束層３の材料としては本実施の形
態で示したＡｌ2Ｏ3以外にＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ2およびこれらの混合物系でも同様の効果が得ら
れることがわかっている。
態で示したＡｌ2Ｏ3以外にＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ2およびこれらの混合物系でも同様の効果が得ら
れることがわかっている。
【００５９】なお、図４のように銀や銅を主成分とする
内部電極５やビアホール電極６が積層されている場合で
も、本発明の範囲内であれば同様の効果が得られる。な
お内部電極５に銅を使用する場合は、還元雰囲気で焼成
する必要がある。なお７は端子電極である。
内部電極５やビアホール電極６が積層されている場合で
も、本発明の範囲内であれば同様の効果が得られる。な
お内部電極５に銅を使用する場合は、還元雰囲気で焼成
する必要がある。なお７は端子電極である。
【００６０】なお、図５のようにセラミック誘電体層１
の上下に積層するガラスセラミック層２、または拘束層
３の上下の厚みが異なっても、本発明の請求範囲内であ
れば、焼成時にアルミナ製の多孔質さやを乗せ、加重し
ながら焼成すれば、同様の効果が得られる。
の上下に積層するガラスセラミック層２、または拘束層
３の上下の厚みが異なっても、本発明の請求範囲内であ
れば、焼成時にアルミナ製の多孔質さやを乗せ、加重し
ながら焼成すれば、同様の効果が得られる。
【００６１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、セラミッ
ク誘電体材料１００重量％に対するガラス成分の配合率
が２０重量％未満のセラミック誘電体組成物からなるグ
リーンシートを所望枚数積層し、次にこのグリーンシー
ト積層体の上下両面に、前記セラミック誘電体材料の焼
成温度よりも低い軟化温度を有するガラスと任意のセラ
ミック粉末を混合したガラスセラミック組成物からなる
グリーンシートを積層し、さらにその上下両面に拘束層
として、焼成処理で焼結しない無機組成物よりなるグリ
ーンシートを積層した後、一体焼成処理を行い、その後
前記焼結しない無機組成物を取り除くことを特徴とする
セラミック部品の製造方法である。
ク誘電体材料１００重量％に対するガラス成分の配合率
が２０重量％未満のセラミック誘電体組成物からなるグ
リーンシートを所望枚数積層し、次にこのグリーンシー
ト積層体の上下両面に、前記セラミック誘電体材料の焼
成温度よりも低い軟化温度を有するガラスと任意のセラ
ミック粉末を混合したガラスセラミック組成物からなる
グリーンシートを積層し、さらにその上下両面に拘束層
として、焼成処理で焼結しない無機組成物よりなるグリ
ーンシートを積層した後、一体焼成処理を行い、その後
前記焼結しない無機組成物を取り除くことを特徴とする
セラミック部品の製造方法である。
【００６２】この発明によれば、主成分のセラミック誘
電体材料１００重量％に対してガラス成分の配合率が２
０重量％未満のセラミック誘電体材料であっても、焼成
処理における平面方向の収縮を抑え、寸法精度の高いセ
ラミック部品を提供することができる。
電体材料１００重量％に対してガラス成分の配合率が２
０重量％未満のセラミック誘電体材料であっても、焼成
処理における平面方向の収縮を抑え、寸法精度の高いセ
ラミック部品を提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す焼成処理前のセラ
ミック部品の断面図
ミック部品の断面図
【図２】本発明の一実施の形態を示す焼成処理、拘束層
除去後のセラミック部品の断面図
除去後のセラミック部品の断面図
【図３】部分剥離現象発生箇所の説明をする断面図
【図４】本発明の一実施の形態を示す焼成処理、拘束層
除去後のセラミック部品の断面図
除去後のセラミック部品の断面図
【図５】本発明の一実施の形態を示す焼成処理前のセラ
ミック部品の断面図
ミック部品の断面図
１ セラミック誘電体層
２ ガラスセラミック層
３ 拘束層
４ 界面の端部
５ 内部電極
６ ビアホール電極
７ 端子電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６４ Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ
(72)発明者 加賀田 博司
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 前川 智哉
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 4F100 AD00A AD00B AD00C AD00K
AG00A AG00B AG00C BA03
BA06 BA10B BA10C BA13
BA26 BA27 EC052 EJ482
EJ912 GB41 JA02 JA04A
JA04B JA04C JA20 YY00
YY00A
4G030 AA04 AA07 AA10 AA11 AA13
AA16 AA17 AA20 AA32 AA35
AA36 AA37 AA40 AA43 BA09
CA03 CA08 GA19 GA32
4G031 AA03 AA04 AA06 AA07 AA09
AA11 AA12 AA14 AA26 AA28
AA29 AA30 AA32 AA35 BA09
CA03 CA08 GA06 GA07 GA15
5E001 AB03 AC09 AE02 AE03 AF03
AH01 AH09
5E070 AA01 AB02 BA12 BB01 CB03
CB13
Claims (9)
- 【請求項１】 セラミック誘電体材料１００重量％に対
するガラス成分の配合率が２０重量％未満のセラミック
誘電体組成物からなるグリーンシートを所望枚数積層
し、次にこのグリーンシート積層体の上下両面に、前記
セラミック誘電体材料の焼成処理温度よりも低い軟化温
度を有するガラスと任意のセラミック粉末を混合したガ
ラスセラミック組成物からなるグリーンシートを積層
し、さらにその上下両面に拘束層として、焼成処理で焼
結しない無機組成物よりなるグリーンシートを積層した
後、一体焼成処理を行い、その後前記焼結しない無機組
成物を取り除くことを特徴とするセラミック部品の製造
方法。 - 【請求項２】 セラミック積層体もしくはガラスセラミ
ック積層体の内部に銀、銅を主成分とする電極を内蔵し
ていることを特徴とする請求項１記載のセラミック部品
の製造方法。 - 【請求項３】 ガラスセラミック組成物の熱膨張係数α
2と、セラミック誘電体組成物の熱膨張係数α1の比α2
／α1が０．８〜１．２の範囲内であることを特徴とす
る請求項１または２に記載のセラミック部品の製造方
法。 - 【請求項４】 ガラスセラミック組成物からなるグリー
ンシート積層体の厚みｔ2と、セラミック誘電体組成物
からなる積層体厚みｔ1の比ｔ2／ｔ1が０．０２〜０．
２の範囲内であることを特徴とする請求項３記載のセラ
ミック部品の製造方法。 - 【請求項５】 セラミック誘電体組成物からなるグリー
ンシート積層体の厚みｔ1およびガラスセラミック積層
体の厚みｔ2の和と、焼成処理で焼結しない無機組成物
からなる積層体厚みｔ3の比ｔ3／（ｔ1＋ｔ2）が０．０
２以上であることを特徴とする請求項３記載のセラミッ
ク部品の製造方法。 - 【請求項６】 焼成処理で焼結しない無機組成物からな
るグリーンシートがＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、Ｓｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2のうち少なくとも１種以上を含むグリーン
シートであることを特徴とする請求項１記載のセラミッ
ク部品の製造方法。 - 【請求項７】 焼成処理で焼結しない無機組成物の平均
粒径が５μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載
のセラミック部品の製造方法。 - 【請求項８】 セラミック誘電体組成物の主成分がＢｉ
2Ｏ3、ＣａＯ、Ｎｂ2Ｏ5であることを特徴とする請求項
１〜７のいずれか１つに記載のセラミック部品の製造方
法。 - 【請求項９】 セラミック誘電体組成物の主成分がＢａ
Ｏ、ＲＥ2Ｏ3、ＴｉＯ 2であり、ＲＥはＬａ、Ｎｄ、Ｓ
ｍのうち少なくとも一種類以上から選ばれる元素である
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の
セラミック部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044160A JP2003238259A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | セラミック部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002044160A JP2003238259A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | セラミック部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003238259A true JP2003238259A (ja) | 2003-08-27 |
Family
ID=27783653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002044160A Pending JP2003238259A (ja) | 2002-02-21 | 2002-02-21 | セラミック部品の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003238259A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008037675A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Murata Mfg Co Ltd | 低温焼結セラミック組成物、セラミック基板およびその製造方法、ならびに電子部品 |
| US7607216B2 (en) | 2004-10-18 | 2009-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing monolithic ceramic electronic component |
| US7771552B2 (en) | 2005-05-10 | 2010-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film capacitor |
| JP2013236052A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-11-21 | Japan Science & Technology Agency | 積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法 |
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| JP2017139421A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
-
2002
- 2002-02-21 JP JP2002044160A patent/JP2003238259A/ja active Pending
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| JP2017139421A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
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