JP2003234194A - 有機ｅｌ素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶性を有する有機材料を有する有機ＥＬ素
子において、使用温度内において電流のショートおよび
リークを防止し良好な輝度特性を実現する。 【解決手段】 一対の電極２０、８０の間には、正孔注
入層としての結晶性を有するＣｕＰｃ膜３０と、アモル
ファス性を有する有機材料からなる正孔輸送層４０、発
光層５０、電子輸送層６０、電子注入層７０が積層され
て、有機ＥＬ素子Ｓ１が形成されており、ＣｕＰｃ膜３
０のＸ線回折法により現れる回折ピークの値において、
有機ＥＬ素子の使用温度内の加熱による回折ピーク値の
変化量が、加熱前の回折ピーク値の±２５％以内となっ
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光材料としての
有機材料を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセン
ス）素子およびその製造方法に関し、特に高温環境にさ
らされる車載用のディスプレイ等に適用して好適であ
る。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、自己発光のため、視認
性に優れ、かつ数Ｖ〜数十Ｖの低電圧駆動が可能なため
駆動回路を含めた軽量化が可能である。そこで薄膜型デ
ィスプレイ、照明、バックライトとしての活用が期待で
きる。また、有機ＥＬ素子は色バリエーションが豊富で
あることも特徴である。

【０００３】基本的な有機ＥＬ素子の構造は、基板上に
形成された電極上に複数の有機薄膜積層体を形成した
後、その有機薄膜積層体の上に電極を形成するものであ
る。この有機薄膜に用いられる材料については、主に真
空蒸着法を用いる低分子系と基板に液体を塗布する高分
子系があげられる。

【０００４】低分子系で主に用いられる材料は、真空蒸
着法において成膜した場合、結晶性のないアモルファス
性を示す。つまり、Ｘ線回折法による分析を行っても回
折ピークが現れない材料である。

【０００５】しかし、アモルファス性の有機薄膜は、温
度変化によってガラス転移点（以下、Ｔｇ点という）を
超えると結晶化し、膜に凹凸が発生して電極間の距離が
短くなり、電流のショートやリークが発生したり、この
凹凸による電界集中が発生するなどの不具合が発生す
る。

【０００６】そこで、このような低分子系の有機薄膜材
料に関して、結晶構造にすることにより長寿命化を図る
という技術が特開平３−１７３０９５号公報や特開平５
−１８２７６４号公報に開示されている（特許文献１、
２参照）。

【０００７】前者公報は、正孔輸送層と発光層とを結晶
構造の有機化合物薄膜としたことが特徴であり、その実
施例には正孔輸送層にＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’
−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’ビフェニル−
４、４’−ジアミン（以下ＴＰＤと言う）、発光層には
８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体（以下Ａｌ
ｑと言う）を用い、成膜時の基板温度を５０℃にして結
晶性の有機薄膜を形成したことが記載されている。

【０００８】また、後者公報には、正孔輸送層と発光層
に前記材料と同じ材料すなわちＴＰＤとＡｌｑを用い
て、正孔輸送層を成膜した後に発光層を成膜し、その直
後に加熱処理するか、全層成膜後に加熱処理して、発光
層であるＡｌｑを微結晶凝集構造とすることが記載され
ている。

【０００９】

【特許文献１】特開平３−１７３０９５号公報

【００１０】

【特許文献２】特開平５−１８２７６４号公報

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等は、上記各従来公報に記載の条件でＩＴＯ（透明電
極）付きガラス基板上に成膜したＴＰＤとＡｌｑの単膜
を、それぞれＸ線回折法によって結晶性の状態を分析し
たが、結晶性を示す回折ピークは現れなかった。つま
り、上記各従来公報では、有機薄膜は結晶性であるとは
謳っているものの、Ｘ線回折法による回折ピークが現れ
ない程度のものであった。

【００１２】この結果について、本発明者等は次のよう
に推測している。図７にイメージ図を示した。（ａ）は
アモルファスの状態を示した構造であり、（ｂ）が上記
各従来公報で言う結晶構造と考えられる。

【００１３】つまり、Ｘ線回折法で回折ピークが現れな
かったことにより、上記従来公報で言う結晶構造とは、
一般的に言われているよな、分子が基板に平行に規則正
しく配列した構造の結晶ではなく、微結晶が凝集した構
造もしくは非結晶質薄膜中に微結晶が点在した構造であ
ると考えられる。

【００１４】そして、本発明者等の検討によれば、上記
各従来公報では、有機化合物の膜構造を、熱によって変
化し難いように、予め微結晶凝集構造の薄膜としてはい
るものの、微結晶凝集構造にすることにより、各層界面
での接触面積低下や電荷移動度の低下による発光効率の
低下が発生して輝度の低下や輝度ムラが生じたり、表面
凹凸の増大等による上下電極間ショートやリークが生じ
るという新たな問題が発生する。

【００１５】ここで、輝度低下は温度依存性を有し、使
用温度が高温となるほど速く、また、輝度ムラは、素子
内にて輝度が不均一となって明るい領域と暗い領域とが
生じてしまうことである。

【００１６】本発明は、上記した本発明者等の見出した
新規な問題に鑑みてなされたものであり、膜の変化が発
生しやすいアモルファス性ではなく、微結晶を含む結晶
性を有する有機材料を持つ有機ＥＬ素子において、使用
温度内において電流のショートおよびリークを防止し良
好な輝度特性を実現することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明者等は、鋭意検討を行った。その結果、ガラ
ス転移点温度を持たない、そもそもＸ線回折法で回折ピ
ークが出現するような結晶性を有する有機材料からなる
有機薄膜であっても、上記輝度低下や輝度ムラ、および
ショートやリークが生じることがわかった。

【００１８】つまり、上記輝度低下や輝度ムラおよびシ
ョートやリークの発生原因が、例えば正孔注入層によく
用いられる銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等の結晶性を
示す材料の結晶状態の変化に起因することを見出した。
この発生原因について、本発明者等が行った実験のデー
タを基に、具体的に説明する。

【００１９】ガラス基板上に陽極ＩＴＯ（透明電極）を
形成し、アルゴンと酸素混合のプラズマによる表面処理
を施した後、正孔注入層としてＣｕＰｃを材料加熱温度
４２０℃で膜厚１０ｎｍにて成膜した後、正孔輸送層に
トリフェニルアミン４量体、発光層としてジメチルキナ
クリドンが添加されたＡｌｑ、電子輸送層にＡｌｑ、電
子注入層にＬｉＦ、陰極にＡｌを順次成膜し、封止缶で
密封した有機ＥＬ素子を試作した。以下この試作した素
子を試作品という。ここで、上記有機薄膜のうちＣｕＰ
ｃは結晶性であり、それ以外の層はアモルファスであ
る。

【００２０】この試作品を１００℃にて１２時間、高温
放置した時の電圧−輝度特性（Ｖ−Ｉ特性）を図８に示
す。図８に示すように、Ｖ−Ｉ特性は、上記高温放置前
である初期に比べて、上記高温放置後では約３Ｖ程度プ
ラス側にシフトしていることがわかった。

【００２１】これは、駆動回路への負担を増加させるこ
とになり、回路設計上コストアップにつながる。また、
同一素子内で部分的に発生するため、電流の流れやすい
領域とそうでない領域を形成する結果、輝度ムラとして
認識されることになる。

【００２２】上記試作品における層すなわち有機薄膜の
うちで最もＴｇ点が低い材料は、トリフェニルアミン４
量体であり、約１４４℃である。１００℃の放置はこの
トリフェニルアミン４量体のＴｇ点よりも４０℃以上低
い環境下での放置なので、上記シフト現象に対して、Ｃ
ｕＰｃ以外のアモルファス膜の微結晶凝集構造の進行に
よる影響は少ないと考えられる。

【００２３】そこで、結晶性を有する有機材料であるＣ
ｕＰｃ膜（正孔注入層）において、その結晶状態の変化
に着目した。その結果、高温環境下の放置前後で、この
ＣｕＰｃ膜の結晶状態が大きく異なることを見出した。
このＣｕＰｃ膜の結晶状態の変化について、具体的に調
べた結果を示す。

【００２４】この結晶状態変化の確認は効率良く行うた
め、放置環境温度を１２０℃と高くして加速し、放置時
間は２Ｈｒで評価することとした。以下、この条件にお
ける放置を加速高温放置という。

【００２５】上記したようにＶ−Ｉ特性に３Ｖ程度のシ
フトが発生した上記試作品と同じ条件で、ＩＴＯ付きガ
ラス基板上にＣｕＰｃを成膜した。この場合におけるＣ
ｕＰｃ膜の結晶性の状態を、上記加速高温放置の前と後
でＸ線回折によって分析した結果を図９に示す。

【００２６】図９に示すように、回折ピークにおいて、
２θ＝６．６８°に発生しているピークがＣｕＰｃの結
晶構造に由来している。図９では、このピークにおいて
実線で図示するものが加速高温放置の前のピークすなわ
ち初期のピークであり、破線で図示するものが加速高温
放置の後のピークすなわち１２０℃、２Ｈｒ後のピーク
である。

【００２７】そして、このピーク値の積分値が大きい、
すなわちピーク値が高いほど、結晶性が高いことを示し
ている。つまり、１２０℃、２Ｈｒの加速高温放置によ
って、当該ピーク値（積分値）が加速高温放置前の１．
５倍に変化している。

【００２８】このことから、本発明者等は、上記試作品
において、正孔注入層であるＣｕＰｃ膜上に正孔輸送
層、発光層、電子輸送層、陰極等が成膜された後、つま
り、発光素子形態になってから、ＣｕＰｃ膜がこのよう
な結晶状態の変化を起こすことが、高温環境下でのＶ−
Ｉ特性変化を誘発し、輝度低下や輝度ムラさらにはショ
ートやリークを引き起こす大きな原因であると考えた。

【００２９】そして、このような現象は、低分子系材料
以外にも、例えば高分子系ではＰＰＶ（ポリフェニルビ
ニレン）系材料等、Ｘ線回折で回折ピークが現れる材料
であれば、同様に発生すると考えられる。

【００３０】そこで、本発明者等は、結晶性を有する有
機材料を含む有機ＥＬ素子においては、高温環境下での
有機材料の結晶状態の変化に対する対策方法として、結
晶性を有する有機材料は、成膜時に出来るだけ結晶性が
高くなるように成膜することが重要であると考え、本発
明を創出するに至った。

【００３１】すなわち、請求項１に記載の発明では、結
晶性を示す有機材料を少なくとも１つ含む有機ＥＬ素子
であって、結晶性を示す有機材料のＸ線回折法により現
れる回折ピークの値において、有機ＥＬ素子の使用温度
内の加熱による回折ピーク値の変化量が、加熱前の回折
ピーク値の±２５％以内となっていることを特徴とす
る。ここで、結晶性とは微結晶も含むものである。

【００３２】本発明のように、結晶性を示す有機材料の
Ｘ線回折法により現れる回折ピークの値において、有機
ＥＬ素子の使用温度内の加熱による回折ピーク値の変化
量を、加熱前の回折ピーク値の±２５％以内と小さくす
れば、高温環境下で使用しても、輝度の低下や輝度ムラ
さらにはショートやリークが発生しない程度にまで、有
機材料の結晶状態の変化を小さくすることができる。

【００３３】よって、本発明によれば、結晶性を有する
有機材料を含む有機ＥＬ素子において、使用温度内にお
いて電流のショートおよびリークを防止し良好な輝度特
性を実現することができる。

【００３４】ここで、請求項２に記載の発明のように、
基板上にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜が形
成されている場合、結晶性を示す有機材料は、このＩＴ
Ｏ膜の上に形成された有機膜として構成されているもの
にできる。

【００３５】さらに、請求項３に記載の発明のように、
結晶性特性を示す有機材料は、銅フタロシアニン膜にす
ることができ、この場合、回折ピーク値は銅フタロシア
ニン膜における基板に平行な（２００）面の回折ピーク
値である。

【００３６】また、請求項６に記載の発明では、基板上
にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜を形成し、
結晶性を示す有機材料を、ＩＴＯ膜の上に成膜してなる
有機ＥＬ素子の製造方法であって、有機材料を成膜する
前に、ＩＴＯ膜の表面の結合水を脱離処理することを特
徴とする。

【００３７】それによれば、結晶性を有する有機材料の
下地となるＩＴＯ膜の表面において、吸着水とともに結
合水を低減することができる。そのため、結合水が低減
されたＩＴＯ膜の上に成膜された有機材料において、そ
の結晶性を高いものにすることができる。そのため、高
温環境下で使用しても、輝度の低下や輝度ムラさらには
ショートやリークが発生しない程度にまで、有機材料の
結晶状態の変化を小さくすることができる。

【００３８】よって、本発明によれば、結晶性を有する
有機材料を含む有機ＥＬ素子において、使用温度内にお
いて電流のショートおよびリークを防止し良好な輝度特
性を実現することができる。

【００３９】ここで、請求項７に記載の発明のように、
脱離処理後のＩＴＯ膜の表面における昇温脱離法により
測定された水分起因のスペクトルにおいて、３３０℃付
近の結合水ピーク値が、脱離処理前のＩＴＯ膜の表面に
おける結合水ピーク値と比較して５０％以内となるよう
に脱離処理することが好ましい。

【００４０】さらには、請求項８に記載の発明のよう
に、脱離処理後のＩＴＯ膜の表面における昇温脱離法に
より測定された水分起因のスペクトルにおいて、３３０
℃付近の結合水ピークが無くなるように脱離処理するこ
とがより好ましい。

【００４１】また、請求項４に記載の発明は、この請求
項８に記載の製造方法により製造することができるもの
であり、基板上にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴ
Ｏ膜を形成し、結晶性を示す有機材料を、ＩＴＯ膜の上
に成膜してなる有機ＥＬ素子であって、ＩＴＯ膜は、そ
の表面における昇温脱離法により測定された水分起因の
スペクトルにおける３３０℃付近の結合水ピークが無い
ものであることを特徴とする。

【００４２】それによれば、請求項８の発明と同様、結
晶性を有する有機材料を有する有機ＥＬ素子において、
使用温度内において電流のショートおよびリークを防止
し良好な輝度特性を実現することができる。

【００４３】ここで、上記請求項２および請求項４に記
載の発明においては、請求項５に記載の発明のように、
ＩＴＯ膜の直上に結晶性を示す有機材料が成膜されてい
るものにできる。すなわち、ＩＴＯ膜と結晶性を示す有
機材料の膜とが直接接した構成にすることができる。

【００４４】また、請求項９に記載の発明では、基板上
にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜を形成し、
結晶性特性を示す有機材料を、ＩＴＯ膜の上に成膜して
なる有機ＥＬ素子の製造方法であって、有機材料を成膜
する前に、ＩＴＯ膜を２５０℃以上の温度で加熱処理す
ることを特徴とする。

【００４５】それによれば、結晶性を有する有機材料の
下地となるＩＴＯ膜の表面において、吸着水とともに結
合水を低減することができるため、上記請求項６の発明
と同様、結合水が低減されたＩＴＯ膜の上に成膜された
有機材料において、その結晶性を高いものにすることが
できる。

【００４６】よって、本発明によれば、結晶性を有する
有機材料を含む有機ＥＬ素子において、使用温度内にお
いて電流のショートおよびリークを防止し良好な輝度特
性を実現することができる。

【００４７】また、請求項１０に記載の発明では、基板
上にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜を形成
し、結晶性を示す有機材料を、ＩＴＯ膜の上に成膜して
なる有機ＥＬ素子の製造方法であって、結晶性を示す有
機材料の膜をＩＴＯ膜の上に形成した後、真空もしくは
不活性ガス雰囲気中で加熱処理することにより、当該結
晶性を示す有機材料の成膜を完了することを特徴とす
る。

【００４８】それによれば、ＩＴＯ膜の上に成膜された
結晶性を示す有機材料の膜の結晶性が、当該加熱処理に
よって高められたものとできる。例えば、上記請求項１
の発明に記載されているような回折ピーク値の変化量が
加熱前の回折ピーク値の±２５％以内と小さいレベルに
まで、結晶性が高まる。

【００４９】そのため、高温環境下で使用しても、輝度
の低下や輝度ムラさらにはショートやリークが発生しな
い程度にまで、有機材料の結晶状態の変化を小さくする
ことができる。よって、本発明によっても、結晶性を有
する有機材料を含む有機ＥＬ素子において、使用温度内
において電流のショートおよびリークを防止し良好な輝
度特性を実現することができる。

【００５０】ここで、本発明者らの検討によれば、加熱
処理の温度は７０℃以上であれば、高温環境下で使用さ
れる有機ＥＬ素子において、請求項１０の発明の効果を
より確実に発揮させることができ、好ましい。

【００５１】また、上記各製造方法においても、ＩＴＯ
膜の直上に結晶性を示す有機材料を成膜するものにでき
る。すなわち、ＩＴＯ膜と結晶性を示す有機材料の膜と
が直接接するように成膜することができる。

【００５２】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は本発明の実施形態に係る有機
ＥＬ素子Ｓ１の概略断面構成を示す図である。

【００５４】透明なガラスからなる基板１０の上に、イ
ンジウム−錫の酸化物（以下、ＩＴＯという）からなる
陽極２０が形成されている。陽極２０の上には、結晶性
を有する有機材料としてのＣｕＰｃ（銅フタロシアニ
ン）からなる正孔注入層３０が形成され、正孔注入層３
０の上には、トリフェニルアミン４量体からなる正孔輸
送層４０が形成されている。

【００５５】正孔輸送層４０の上には、ジメチルキナク
リドンが添加されたＡｌｑからなる発光層５０形成さ
れ、発光層５０の上には、Ａｌｑ（８−ヒドロキシキノ
リンのアルミニウム錯体）からなる電子輸送層６０が形
成されている。さらに、電子輸送層６０の上には、Ｌｉ
Ｆからなる電子注入層７０が形成され、その上には、Ａ
ｌからなる陰極８０が形成されている。

【００５６】こうして、一対の電極２０、８０の間に
は、結晶性を有する有機材料からなる正孔注入層３０
と、正孔輸送層４０、発光層５０、電子輸送層６０およ
び電子注入層７０といったアモルファス性を有する有機
材料からなる層とが積層されて、有機ＥＬ素子Ｓ１が形
成されている。

【００５７】この有機ＥＬ素子Ｓ１においては、陽極２
０と陰極８０との間に電界を印加し、陽極２０から正孔
が、一方、陰極８０から電子がそれぞれ発光層５０へ注
入、輸送され、発光層５０にて電子と正孔とが再結合
し、そのときのエネルギーによって発光層５０が発光す
るものである。そして、その発光は例えば、基板１０側
から取り出され視認されるようになっている。

【００５８】ところで、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｓ１
は、例えば、車載用のディスプレイ等に採用されるもの
であり、その使用温度は−４０℃〜１２０℃程度のもの
である。

【００５９】また、結晶性を示す有機材料であるＣｕＰ
ｃからなる正孔注入層３０すなわちＣｕＰｃ膜３０をＸ
線回折法により測定したとき、基板１０と平行なＣｕＰ
ｃ膜３０の（２００）面の回折ピークは、ＣｕＰｃ膜２
０の結晶性を示す回折ピークである。この回折ピーク
は、上記図９に示した２θ＝６．６８°に発生している
ピークに相当するものであり、以下、ＣｕＰｃ結晶性ピ
ークという。

【００６０】そして、本実施形態では、このＣｕＰｃ結
晶性ピーク（２θ＝６．６８°）の値つまりピークの積
分値において、有機ＥＬ素子Ｓ１の使用温度（例えば−
４０℃〜１２０℃）内の加熱による当該ＣｕＰｃ結晶性
ピーク値の変化量が、加熱前の当該ＣｕＰｃ結晶性ピー
クの±２５％以内となっている。

【００６１】このＣｕＰｃ結晶性ピーク値の加熱前後に
おける変化量を±２５％以内に小さく抑えることによ
り、高温環境下で使用しても、輝度の低下や輝度ムラさ
らにはショートやリークが発生しない程度にまで、有機
材料の結晶状態の変化を小さくすることができる。

【００６２】よって、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｓ１に
よれば、使用温度内において電流のショートおよびリー
クを防止し良好な輝度特性を実現することができる。

【００６３】ちなみに、上述したように、従来の結晶性
を有する有機材料を有する有機ＥＬ素子では、上記図９
に示したように、加熱前のＣｕＰｃ結晶性ピーク値に比
べ、加熱後のＣｕＰｃ結晶性ピーク値は１．５倍と大き
く変化しており、ショートおよびリークが発生したり、
上記図８に示したように、Ｖ−Ｉ特性が大きくシフトし
て輝度の低下や輝度ムラを発生させている。

【００６４】次に、本実施形態の有機ＥＬ素子Ｓ１の製
造方法について、限定するものではないが具体的な例を
挙げて説明する。

【００６５】［第１の製造方法］ガラス基板１０の上
に、陽極としてのＩＴＯ膜２０をスパッタ等により成膜
し、ＩＴＯ膜２０の表面を３００℃に加熱しながら紫外
線照射する。以下、このＩＴＯ膜２０に対する処理をＵ
Ｖ−３００℃処理という。

【００６６】このＵＶ−３００℃処理を行った後に、正
孔注入層としてのＣｕＰｃ膜３０を蒸着法により材料加
熱温度４２０℃で膜厚１０ｎｍにて成膜する。その後、
トリフェニルアミン４量体膜からなる正孔輸送層４０、
Ａｌｑ（ホスト材料）＋ジメチルキナクリドン（ゲスト
材料）からなる発光層５０、Ａｌｑからなる電子輸送層
６０、ＬｉＦからなる電子注入層７０、Ａｌからなる陰
極８０を順次成膜する。こうして上記図１に示す有機Ｅ
Ｌ素子Ｓ１ができあがる。

【００６７】ここで、このＵＶ−３００℃処理を行った
ＩＴＯ膜２０にＣｕＰｃ膜３０を成膜したものについ
て、上記した加速高温放置（１２０℃、２ｈｒ）を行う
前と後とで、Ｘ線回折分析を行った。

【００６８】その結果、２θ＝６．６８°に発生してい
るＣｕＰｃ結晶性ピークは、放置処理前の値に比べて放
置処理後の値の比は１．０２と非常に小さいことが確認
された。言い換えれば、本製造方法の成膜時のＣｕＰｃ
膜３０の結晶性は、非常に高く安定であったことを示
す。

【００６９】さらに、できあがった本実施形態の有機Ｅ
Ｌ素子Ｓ１を封止缶で密封した密封素子を、１２０℃、
２ｈｒの上記加速高温放置の条件で確認した結果、Ｖ−
Ｉ特性のシフトはほとんど無く、輝度低下や輝度ムラは
見られなかった。また、電流のショートやリークも発生
しなかった。

【００７０】つまり、本実施形態の第１の製造方法によ
り製造された有機ＥＬ素子Ｓ１は、使用温度内において
電流のショートおよびリークを防止し良好な輝度特性を
実現することができる。

【００７１】このような効果は、上記製造方法における
ＵＶ−３００℃処理によるものであり、当該処理による
効果の実現メカニズムについて、より詳細に説明する。

【００７２】陽極としてのＩＴＯ膜２０から、正孔注入
層としてのＣｕＰｃ膜３０に効率良く正孔が注入される
ためには、ＩＴＯ膜表面の洗浄処理は重要であることは
以前から公知である。しかし、一般的には洗浄後のＩＴ
Ｏ膜表面のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）で評価されて
おり、本発明者等は、正孔注入特性等を鑑みてＩＴＯ膜
２０の洗浄処理直後にＩＴＯ膜２０のＩｐが５．５ｅＶ
以下であれば問題無しという判断をしていた。

【００７３】しかし、本発明者等の検討では、アルゴン
と酸素（比率１：１）のプラズマ洗浄処理を５分間行っ
た時のＩｐは５．４５ｅＶ、ＵＶ処理のみを２０分間行
った時のＩｐは５．５ｅｖ、上記ＵＶ−３００℃処理を
２０分間行った時のＩｐは５．４６ｅｖと大きな差は見
られなかった。

【００７４】それにもかかわらず、ＵＶ−３００℃処理
を行った素子のみが、高温放置後のＶ−Ｉ特性シフトす
なわち輝度低下や輝度ムラ、さらにはショートおよびリ
ークが発生しないという結果を得た。つまり、ＩＴＯ上
に成膜される結晶性有機材料の結晶性はＩｐのみによっ
て決定されるのではなく、他の要因にも存在することを
示している。

【００７５】そこで、ＵＶ−３００℃処理では、加熱処
理が関係していることから、ＩＴＯ表面の水分に着目
し、昇温脱離法（ｔｈｅｒｍａｌ ｄｅｓｏｒｐｔｉｏ
ｎ ｍｅｔｈｏｄ、以下、ＴＤＳ法という）により、各
温度での水分発生量すなわちＩＴＯ膜２０の表面からの
水分離脱量を測定した。

【００７６】図２は、ガラス基板１０の上にＩＴＯ膜２
０を成膜した直後のＴＤＳ法による測定結果である。こ
のＴＤＳスペクトルは、分子量つまりＴＤＳ法で言うＭ
／ｚが１８であるＨ₂Ｏまたは１７であるＯＨのスペク
トルを測定したものである。

【００７７】図２に示す結果より、７０℃と３３０℃に
水分離脱のピークがあることがわかる。前者はＩＴＯ膜
２０に表面に物理的に吸着している吸着水として存在す
る分であり、後者はＩＴＯ膜２０の表面にてＩＴＯと化
学的に結合している結合水として存在する水分であると
考えられる。従って、ＩＴＯ膜２０の表面の結合水がＣ
ｕＰｃ膜３０の成膜時における結晶性を決める一要因で
はないかと考えられる。

【００７８】実際に、ガラス基板１０の上にＩＴＯ膜２
０を成膜したものを、窒素雰囲気中で３００℃の温度に
て加熱処理した場合のＴＤＳスペクトルを図３に示す。
この加熱処理を行わない場合すなわち上記図２に示すＴ
ＤＳスペクトルと比較して、３３０℃のピーク値が５０
％程度まで低減している。さらに、この３００℃の加熱
処理を真空中で行った場合のＴＤＳスペクトルを図４に
示す。この場合には、３３０℃のピークはほとんど認め
られない。

【００７９】これら窒素雰囲気中または真空中での３０
０℃での加熱処理により作成した有機ＥＬ素子Ｓ１を、
封止缶で密封した密封素子を、１２０℃、２ｈｒの上記
加速高温放置の条件で確認した結果、Ｖ−Ｉ特性のシフ
トはほとんど無く、輝度低下や輝度ムラは見られなかっ
た。また、電流のショートやリークも発生しなかった。

【００８０】以上のことから、基板１０上にＩＴＯ膜２
０を形成し、ＣｕＰｃ膜３０等の結晶性を示す有機材料
をＩＴＯ膜２０の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の製造
方法においては、当該有機材料を成膜する前に、ＩＴＯ
膜２０の表面の結合水を脱離処理することが有効であ
る。

【００８１】それによって、結晶性を有する有機材料の
下地となるＩＴＯ膜２０の表面において、吸着水ととも
に結合水を低減することができるため、成膜された有機
材料の結晶性を高いものにすることができ、使用温度内
において電流のショートおよびリークを防止し良好な輝
度特性を実現することができる。

【００８２】ここで、上記図３に示したように、脱離処
理後のＩＴＯ膜２０の表面における水分起因のＴＤＳス
ペクトルにおいて、３３０℃付近の結合水ピーク値が、
脱離処理前のＩＴＯ膜２０の表面における結合水ピーク
値と比較して５０％以内となるようにすることが好まし
い。

【００８３】さらには、上記図４に示したように、脱離
処理後のＩＴＯ膜２０の表面における水分起因のＴＤＳ
スペクトルにおいて、３３０℃付近の結合水ピークが無
くなるようにすれば、いっそう好ましい。

【００８４】なお、ＩＴＯ膜２０の表面に存在する結合
水を５０％以内程度にまで低減するには、ＣｕＰｃ膜３
０等の結晶性の有機材料をＩＴＯ膜２０の上に成膜する
前に、ＩＴＯ膜２０の加熱処理温度を２５０℃以上とす
ることが好ましい。

【００８５】また、本実施形態によれば、基板１０上に
インジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜２０を形成
し、ＣｕＰｃ膜３０等の結晶性を示す有機材料を、ＩＴ
Ｏ膜の２０上に成膜してなる有機ＥＬ素子であって、Ｉ
ＴＯ膜２０は、その表面におけるＴＤＳ法により測定さ
れた水分起因のスペクトルにおける３３０℃付近の結合
水ピークが無いものであることを特徴とした有機ＥＬ素
子Ｓ１が提供される。

【００８６】それによれば、使用温度内において電流の
ショートおよびリークを防止し良好な輝度特性を実現す
ることができる。

【００８７】［第２の製造方法］上記した本実施形態の
第１の製造方法では、結晶性を示す有機材料であるＣｕ
Ｐｃ膜３０等の下地となるＩＴＯ膜２０を加熱処理する
ことにより、ＣｕＰｃ膜３０の結晶性を高めるようにし
ていた。

【００８８】本実施形態の第２の製造方法では、ＣｕＰ
ｃ膜３０の成膜時の材料温度に着目したものである。ガ
ラス基板１０の上に、陽極としてのＩＴＯ膜２０をスパ
ッタ等により成膜する。このＩＴＯ膜付きガラス基板に
おいて、上述したアルゴンと酸素のプラズマ洗浄処理を
行い、ＩＴＯ膜２０の上に、正孔注入層としてのＣｕＰ
ｃ膜３０を蒸着法により材料加熱温度４２０℃で成膜す
る。これを、４２０℃成膜品ということにする。

【００８９】一方、ＩＴＯ膜付きガラス基板において、
上述したアルゴンと酸素のプラズマ洗浄処理を行い、Ｉ
ＴＯ膜２０の上に、正孔注入層としてのＣｕＰｃ膜３０
を蒸着法により材料加熱温度５２０℃で成膜する。これ
を、５２０℃成膜品ということにする。

【００９０】その後、４２０℃成膜品および５２０℃成
膜品それぞれにおいて、ＣｕＰｃ膜３０の上に、上記第
１の製造方法と同様、正孔輸送層４０、発光層５０、電
子輸送層６０、電子注入層７０、陰極８０を順次成膜
し、有機ＥＬ素子Ｓ１を製造する。

【００９１】ここで、４２０℃成膜品および５２０℃成
膜品それぞれについて、上記した加速高温放置（１２０
℃、２ｈｒ）を行う前と後とで、Ｘ線回折分析によるＣ
ｕＰｃ結晶ピーク値の比を調べた。また、封止缶で密封
して上記した加速高温放置の前後におけるＶ−Ｉ特性の
シフトを調べた。

【００９２】４２０℃成膜品の場合、ＣｕＰｃ結晶性ピ
ークの比は約１．５（上記図９参照）でシフト量は約３
Ｖ（上記図８参照）であったのに対し、５２０℃成膜品
の場合、ＣｕＰｃ結晶性ピークの比が約１．１５でシフ
ト量は約１Ｖと良好であった。

【００９３】さらに、第２の製造方法の他の例を示す。
ガラス基板１０の上に、陽極としてのＩＴＯ膜２０をス
パッタ等により成膜する。このＩＴＯ膜付きガラス基板
におけるＩＴＯ膜２０の表面を１５０℃に加熱しながら
紫外線照射する（ＵＶ−１５０℃処理）。

【００９４】続いて、ＩＴＯ膜２０の上に、正孔注入層
としてのＣｕＰｃ膜３０を蒸着法により材料加熱温度５
２０℃で成膜する。その後、ＣｕＰｃ膜３０の上に、上
記第１の製造方法と同様、正孔輸送層４０、発光層５
０、電子輸送層６０、電子注入層７０、陰極８０を順次
成膜し、有機ＥＬ素子Ｓ１を製造する。

【００９５】このようにして得られた有機ＥＬ素子Ｓ１
を封止缶で密封した密封素子を、１２０℃、２ｈｒの上
記加速高温放置の条件で確認した結果、Ｖ−Ｉ特性のシ
フトは小さく、輝度低下や輝度ムラは見られなかった。
また、電流のショートやリークも発生しなかった。ちな
みに、加速高温放置の前後におけるＶ−Ｉ特性のシフト
量は１．２Ｖであり、ＣｕＰｃ結晶性ピークの比は１．
２１であった。

【００９６】もう一つの他の例では、上記同様に形成し
たＩＴＯ膜付きガラス基板におけるＩＴＯ膜２０の表面
を常温にて紫外線照射する（ＵＶ−常温処理）。続い
て、ＩＴＯ膜２０の上に、正孔注入層としてのＣｕＰｃ
膜３０を蒸着法により材料加熱温度５２０℃で成膜す
る。

【００９７】その後、上記同様、上層４０〜８０を順次
成膜して得られた有機ＥＬ素子Ｓ１を封止缶で密封した
密封素子を、１２０℃、２ｈｒの上記加速高温放置の条
件で確認した。

【００９８】その結果、Ｖ−Ｉ特性のシフトは小さく、
輝度低下や輝度ムラは見られなかった。また、電流のシ
ョートやリークも発生しなかった。本例では、加速高温
放置の前後におけるＶ−Ｉ特性のシフト量は１．５Ｖで
あり、ＣｕＰｃ結晶性ピークの比は１．２１であった。

【００９９】このようにＣｕＰｃ膜３０の成膜温度を５
２０℃とする第２の製造方法によれば、ＩＴＯ膜２０の
表面処理方法に依らず、上記第１の製造方法で採用した
ＵＶ−３００℃処理を行わなくても、必要特性を満足す
る有機ＥＬ素子が得られる。このことは、ＣｕＰｃの結
晶性に影響する因子がＩＴＯ表面のみならず、成膜方法
にも存在することを示すものである。

【０１００】つまり、本実施形態の第２の製造方法によ
っても、ＣｕＰｃ膜３０の結晶性が非常に高く安定であ
り、それにより製造された有機ＥＬ素子Ｓ１は、使用温
度内において電流のショートおよびリークを防止し良好
な輝度特性を実現することができる。

【０１０１】［第３の製造方法］本実施形態の第３の製
造方法では、結晶性を示す有機材料の膜であるＣｕＰｃ
膜３０をＩＴＯ膜２０の上に形成した後、真空もしくは
不活性ガス雰囲気中で加熱処理することにより、ＣｕＰ
ｃ膜３０の成膜を完了するものである。

【０１０２】つまり、ガラス基板１０の上にＩＴＯ膜２
０を形成し、その上に蒸着法等によりＣｕＰｃ膜３０を
形成し、このＣｕＰｃ膜３０を加熱処理した後、その上
の正孔輸送層４０、発光層５０、電子輸送層６０、電子
注入層７０、陰極８０を順次成膜し、有機ＥＬ素子Ｓ１
を製造する。この第３の製造方法について本発明者らが
実施した具体例を述べる。

【０１０３】（第３の製造方法の具体例１）ガラス基板
１０の上に、陽極としてのＩＴＯ膜２０をスパッタ等に
より成膜する。このＩＴＯ膜付きガラス基板におけるＩ
ＴＯ膜２０の表面に対して、上述したアルゴンと酸素の
プラズマ洗浄処理を施した。

【０１０４】その後、ＩＴＯ膜２０の上に、正孔注入層
としてのＣｕＰｃ膜３０を蒸着法により材料加熱温度４
２０℃で膜厚１０ｎｍにて形成した。続いて、真空中に
て基板温度１５０℃で２０分間加熱処理を行った。

【０１０５】その後、トリフェニルアミン４量体膜から
なる正孔輸送層４０、Ａｌｑ（ホスト材料）＋ジメチル
キナクリドン（ゲスト材料）からなる発光層５０、Ａｌ
ｑからなる電子輸送層６０、ＬｉＦからなる電子注入層
７０、Ａｌからなる陰極８０を順次成膜する。

【０１０６】このようにして得られた有機ＥＬ素子Ｓ１
を封止缶で密封した密封素子を、１２０℃、２ｈｒの上
記加速高温放置の条件で確認した結果、Ｖ−Ｉ特性のシ
フトは小さく、輝度低下や輝度ムラは見られなかった。
また、電流のショートやリークも発生しなかった。ちな
みに、加速高温放置の前後におけるＶ−Ｉ特性のシフト
量は１．０Ｖであり、ＣｕＰｃ結晶性ピークの比は１．
１３であった。

【０１０７】（第３の製造方法の具体例２）上記具体例
１と同様、ガラス基板１０の上にＩＴＯ膜２０を成膜
し、アルゴンと酸素のプラズマ洗浄処理を施した後、Ｃ
ｕＰｃ膜３０を蒸着法により材料加熱温度４２０℃で膜
厚１０ｎｍにて形成した。続いて、本例では真空中にて
基板温度１００℃で２０分間加熱処理を行った。

【０１０８】その後、上記同様、上層４０〜８０を順次
成膜して得られた有機ＥＬ素子Ｓ１を封止缶で密封した
密封素子を、１２０℃、２ｈｒの上記加速高温放置の条
件で確認した。

【０１０９】その結果、Ｖ−Ｉ特性のシフトは小さく、
輝度低下や輝度ムラは見られなかった。また、電流のシ
ョートやリークも発生しなかった。本例では、加速高温
放置の前後におけるＶ−Ｉ特性のシフト量は１．０Ｖで
あり、ＣｕＰｃ結晶性ピークの比は１．１５であった。

【０１１０】（第３の製造方法の具体例３）上記具体例
１と同様、ガラス基板１０の上にＩＴＯ膜２０を成膜
し、アルゴンと酸素のプラズマ洗浄処理を施した後、Ｃ
ｕＰｃ膜３０を蒸着法により材料加熱温度４２０℃で膜
厚１０ｎｍにて形成した。続いて、本例では真空中にて
基板温度７０℃で２０分間加熱処理を行った。

【０１１１】その後、上記同様、上層４０〜８０を順次
成膜して得られた有機ＥＬ素子Ｓ１を封止缶で密封した
密封素子を、１２０℃、２ｈｒの上記加速高温放置の条
件で確認した。

【０１１２】その結果、Ｖ−Ｉ特性のシフトは小さく、
輝度低下や輝度ムラは見られなかった。また、電流のシ
ョートやリークも発生しなかった。本例では、加速高温
放置の前後におけるＶ−Ｉ特性のシフト量は１．６Ｖで
あり、ＣｕＰｃ結晶性ピークの比は１．２５であった。

【０１１３】このように、第３の製造方法によれば、結
晶性を示す有機材料の膜であるＣｕＰｃ膜３０をＩＴＯ
膜２０の上に形成した後、真空もしくは不活性ガス雰囲
気中で加熱処理することにより、成膜されたＣｕＰｃ膜
３０の結晶性が当該加熱処理によって高められたものと
できる。

【０１１４】これは、ＣｕＰｃ膜３０中の分子が熱によ
る活性化エネルギーによって振動し、固体状態がより安
定な相へ移行するためと考えられる。このことは温度と
強い相関がある。本発明者らの検討では、実際に、加熱
処理する前よりも後の方が、Ｘ線回折によるＣｕＰｃ膜
３０の結晶ピークが大きくなり、結晶性が向上している
ことが確認できている。

【０１１５】そして、上記具体例１〜３より、第３の製
造方法においてＣｕＰｃ膜３０を加熱処理する温度は７
０℃以上であれば、十分にＣｕＰｃ膜３０の結晶性が高
まり、高温環境下で使用しても、輝度の低下や輝度ムラ
さらにはショートやリークが発生しない程度にまで、Ｃ
ｕＰｃ膜３０の結晶状態の変化を小さくすることができ
る。

【０１１６】このように第３の製造方法によっても、結
晶性を有する有機材料を含む有機ＥＬ素子において、使
用温度内において電流のショートおよびリークを防止し
良好な輝度特性を実現することができる。なお、当該加
熱処理によって、加熱される膜が再離脱しては元も子も
ないので、加熱処理温度の上限は加熱対象となる膜のの
蒸発温度または昇華温度以下であることは勿論である。

【０１１７】ここで、上記加速高温放置（１２０℃、２
ｈｒ）の前と後でのＣｕＰｃ結晶性ピークの比とＶ−Ｉ
特性シフト量との関係についてまとめておく。同関係を
図５にグラフとして示し、図５の基となるデータを図６
に示す。なお、図５、図６ではＣｕＰｃ結晶性ピーク値
の比は「Ｘ線回折ピーク比」、Ｖ−Ｉ特性シフト量は
「Ｖ−Ｉシフト」として記載してある。

【０１１８】上述したが、ＣｕＰｃ結晶性ピーク値の比
は、加速高温放置の前のＣｕＰｃ結晶性ピークの積分値
に対する加速高温放置の後のＣｕＰｃ結晶性ピークの積
分値の比であり、当該比が１より大ならば加速高温放置
によってＣｕＰｃ膜の結晶性が高くなり、１未満ならば
低くなったことを示す。

【０１１９】また、Ｖ−Ｉ特性シフト量は、加速高温放
置の前のＶ−Ｉ特性を基準として加速高温放置の後のＶ
−Ｉ特性が何ボルト、シフトしたかを見たものである。
具体的には、上記図９において、ＣｕＰｃ結晶性ピーク
の比が１．５と結晶性が大幅に高く変化したため、上記
図８に示したように、Ｖ−Ｉ特性シフト量が約３Ｖと大
きくなっていた。

【０１２０】また、図６において、「洗浄前処理条件」
は、ガラス基板１０の上に成膜したＩＴＯ膜２０をＣｕ
Ｐｃ膜３０の成膜前に洗浄する条件であり、「プラズ
マ」は上記アルゴンと酸素のプラズマ洗浄処理、「ＵＶ
３００℃」、「ＵＶ２５０℃」、「ＵＶ１５０℃」、
「ＵＶ常温」はそれぞれの温度で紫外線照射を行った処
理を意味する。また、図６において「材料加熱温度」は
ＣｕＰｃ膜３０の成膜時の材料温度である。

【０１２１】さらに、図６において、「成膜手法」に
は、上記第３の製造方法を採用した場合について、その
条件が示されている。「成膜後加熱（１５０℃真空
中）」、「成膜後加熱（１００℃真空中）」、「成膜後
加熱（７０℃真空中）」はそれぞれ、上述した第３の製
造方法の具体例１、具体例２、具体例３の場合である。

【０１２２】図５のグラフに示されている、Ｘ線回折ピ
ーク比が１．２５、Ｖ−Ｉシフトが１．６Ｖの有機ＥＬ
素子においては輝度ムラが明確に認識されなかった。し
かし、Ｘ線回折ピーク比が約１．３、Ｖ−Ｉシフトが約
２．０Ｖの有機ＥＬ素子では輝度ムラが明確に認識され
た。

【０１２３】このことにより、商品性から考えるとＸ線
回折ピーク比のしきい値は約１．２５で、Ｖ−Ｉシフト
のしきい値は約１．６Ｖにあると言える。

【０１２４】つまり、上述したように、ＣｕＰｃ結晶性
ピークにおいて、有機ＥＬ素子Ｓ１の使用温度（例えば
−４０℃〜１２０℃）内の加熱による当該ＣｕＰｃ結晶
性ピーク値の変化量を、加熱前の当該ＣｕＰｃ結晶性ピ
ークの±２５％以内に小さく抑えることにより、使用温
度内において電流のショートおよびリークを防止し、実
用レベルにて良好な輝度特性を実現することができる。

【０１２５】また、図６から、ＩＴＯ膜２０の加熱処理
温度を２５０℃以上とすれば、下地となるＩＴＯ膜の表
面において、吸着水とともに結合水を効果的に低減する
ことができ、上記効果を達成すべく結晶性を高めた有機
材料を成膜できることがわかる。

【０１２６】また、加熱によるＣｕＰｃ結晶性ピーク値
の変化は、増加する方向でなくても減少する方向であっ
ても良い。つまり、当該変化量が、加熱前のＣｕＰｃ結
晶性ピークの＋２５％以下かもしくは−２５％以上であ
ればよく、図５に示すように、Ｘ線回折ピーク比は０．
７５以上でも良い。例えば、Ｘ線回折ピーク比が０．６
８の場合、Ｖ−Ｉシフトは２．８Ｖであり、輝度ムラが
認識された。

【０１２７】なお、上記ＣｕＰｃ膜すなわち正孔注入層
３０に適用した構成、製造方法は、正孔輸送層４０、発
光層５０、電子輸送層６０、電子注入層７０を構成する
有機材料が結晶性のものである場合には、これらの層４
０〜７０にも適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略断
面図である。

【図２】ガラス基板の上にＩＴＯ膜を成膜した直後のＴ
ＤＳスペクトルを示す図である。

【図３】窒素雰囲気中で３００℃の温度にて加熱処理し
た場合のＩＴＯ膜の表面のＴＤＳスペクトルを示す図で
ある。

【図４】真空中で３００℃の温度にて加熱処理した場合
のＩＴＯ膜の表面のＴＤＳスペクトルを示す図である。

【図５】１２０℃、２ｈｒで高温処理放置する前と後で
のＣｕＰｃ結晶性ピークの比とＶ−Ｉ特性シフト量との
関係を示す図である。

【図６】図５の基となるデータを示す図表である。

【図７】従来の有機材料におけるアモルファス状態の推
定構造および結晶状態の推定構造を示す図である。

【図８】本発明者等の試作品における１００℃、１２ｈ
ｒで高温放置する前と後でのＶ−Ｉ特性シフトの様子を
示す図である。

【図９】本発明者等の試作品における１００℃、１２ｈ
ｒで高温放置する前と後でのＣｕＰｃ膜のＸ線回折スペ
クトルを示す図である。

【符号の説明】

１０…基板、２０…ＩＴＯ膜（陽極）、３０…ＣｕＰｃ
膜（正孔注入層）、４０…正孔輸送層、５０…発光層、
６０…電子輸送層、７０…電子注入層、８０…陰極。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１５年３月７日（２００３．３．７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】すなわち、請求項１に記載の発明では、ガ
ラス転移点温度を持たないが結晶性を示す有機材料を少
なくとも１つ含む有機ＥＬ素子であって、結晶性を示す
有機材料のＸ線回折法により現れる回折ピークの値にお
いて、有機ＥＬ素子の使用温度内である−４０℃から１
２０℃内の加熱による回折ピーク値の変化量を、加熱前
の回折ピーク値の±２５％以内としたことを特徴とす
る。ここで、結晶性とは微結晶も含むものである。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３４】ここで、請求項２に記載の発明のように、
基板上にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜が形
成されている場合、結晶性を示す有機薄膜は、このＩＴ
Ｏ膜の上に形成されているものにできる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３５

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３５】さらに、請求項３に記載の発明のように、
結晶性特性を示す有機薄膜は、銅フタロシアニン膜にす
ることができ、この場合、回折ピーク値は銅フタロシア
ニン膜における基板に平行な（２００）面の回折ピーク
値である。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３６】また、請求項６に記載の発明では、基板上
にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜を形成し、
ガラス転移点温度を持たないが結晶性を示す有機薄膜
を、ＩＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の製造方
法であって、有機材料を成膜する前に、ＩＴＯ膜の表面
の結合水を脱離処理することを特徴とする。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４３】ここで、上記請求項２および請求項４に記
載の発明においては、請求項５に記載の発明のように、
ＩＴＯ膜の直上に結晶性を示す有機薄膜が成膜されてい
るものにできる。すなわち、ＩＴＯ膜と結晶性を示す有
機薄膜とが直接接した構成にすることができる。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４４

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４４】また、請求項９に記載の発明では、基板上
にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜を形成し、
ガラス転移点温度を持たないが結晶性特性を示す有機薄
膜を、ＩＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の製造
方法であって、有機材料を成膜する前に、ＩＴＯ膜を２
５０℃以上の温度で加熱処理することを特徴とする。

【手続補正８】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４７

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４７】また、請求項１０に記載の発明では、基板
上にインジウム−錫の酸化物からなるＩＴＯ膜を形成
し、ガラス転移点温度を持たないが結晶性特性を示す有
機薄膜を、ＩＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の
製造方法であって、結晶性を示す有機薄膜をＩＴＯ膜の
上に形成した後、真空もしくは不活性ガス雰囲気中で加
熱処理することにより、当該結晶性を示す有機材料の成
膜を完了することを特徴とする。

【手続補正９】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５１】また、上記各製造方法においても、ＩＴＯ
膜の直上に結晶性を示す有機薄膜を成膜するものにでき
る。すなわち、ＩＴＯ膜と結晶性を示す有機薄膜とが直
接接するように成膜することができる。

【手続補正１０】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５２

【補正方法】削除

フロントページの続き (72)発明者 尾崎 正明 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB08 AB11 AB13 AB14 AB17 CB01 CB04 DB03 FA03

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶性を示す有機材料を少なくとも１つ
   含む有機ＥＬ素子であって、 前記結晶性を示す有機材料のＸ線回折法により現れる回
   折ピークの値において、前記有機ＥＬ素子の使用温度内
   の加熱による前記回折ピーク値の変化量が、前記加熱前
   の前記回折ピーク値の±２５％以内となっていることを
   特徴とする有機ＥＬ素子。
2. 【請求項２】 基板上にインジウム−錫の酸化物からな
   るＩＴＯ膜が形成されており、前記結晶性を示す有機材
   料は、前記ＩＴＯ膜の上に形成された有機膜として構成
   されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ
   素子。
3. 【請求項３】 前記結晶性特性を示す有機材料は、銅フ
   タロシアニン膜であり、前記回折ピーク値は前記銅フタ
   ロシアニン膜における前記基板に平行な（２００）面の
   回折ピーク値であることを特徴とする請求項２に記載の
   有機ＥＬ素子。
4. 【請求項４】 基板上にインジウム−錫の酸化物からな
   るＩＴＯ膜を形成し、結晶性を示す有機材料を、前記Ｉ
   ＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子であって、 前記ＩＴＯ膜は、その表面における昇温脱離法により測
   定された水分起因のスペクトルにおける３３０℃付近の
   結合水ピークが無いものであることを特徴とする有機Ｅ
   Ｌ素子。
5. 【請求項５】 前記ＩＴＯ膜の直上に前記結晶性を示す
   有機材料が成膜されていることを特徴とする請求項２ま
   たは４に記載の有機ＥＬ素子。
6. 【請求項６】 基板上にインジウム−錫の酸化物からな
   るＩＴＯ膜を形成し、結晶性を示す有機材料を、前記Ｉ
   ＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の製造方法であ
   って、 前記有機材料を成膜する前に、前記ＩＴＯ膜の表面の結
   合水を脱離処理することを特徴とする有機ＥＬ素子の製
   造方法。
7. 【請求項７】 前記脱離処理後の前記ＩＴＯ膜の表面に
   おける昇温脱離法により測定された水分起因のスペクト
   ルにおいて、３３０℃付近の結合水ピーク値が、前記脱
   離処理前の前記ＩＴＯ膜の表面における前記結合水ピー
   ク値と比較して５０％以内となるようにすることを特徴
   とする請求項６に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
8. 【請求項８】 前記脱離処理後の前記ＩＴＯ膜の表面に
   おける昇温脱離法により測定された水分起因のスペクト
   ルにおいて、３３０℃付近の結合水ピークが無くなるよ
   うにすることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ素
   子の製造方法。
9. 【請求項９】 基板上にインジウム−錫の酸化物からな
   るＩＴＯ膜を形成し、結晶性特性を示す有機材料を、前
   記ＩＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の製造方法
   であって、 前記有機材料を成膜する前に、前記ＩＴＯ膜を２５０℃
   以上の温度で加熱処理することを特徴とする有機ＥＬ素
   子の製造方法。
10. 【請求項１０】 基板上にインジウム−錫の酸化物から
    なるＩＴＯ膜を形成し、結晶性を示す有機材料を、前記
    ＩＴＯ膜の上に成膜してなる有機ＥＬ素子の製造方法で
    あって、 前記結晶性を示す有機材料の膜を前記ＩＴＯ膜の上に形
    成した後、真空もしくは不活性ガス雰囲気中で加熱処理
    することにより、前記結晶性を示す有機材料の成膜を完
    了することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記加熱処理の温度は７０℃以上であ
    ることを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ素子の
    製造方法。
12. 【請求項１２】 前記結晶性を示す有機材料を前記ＩＴ
    Ｏ膜の直上に成膜することを特徴とする請求項６ないし
    １１のいずれか一つに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。