JP2003229081A - Spacer for planar display device, spacer holding part for planar display device, method of manufacturing the same, planar display device, and method of manufacturing the same - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a spacer for a planar display device surely holdable between a pair of spacer holding parts. <P>SOLUTION: This spacer 31 is a spacer arranged between a first panel effective area and a second panel effective area for functioning as a display part in the planar display device that a first panel and a second panel are joined in these peripheral parts, and a space sandwiched by the first panel and the second panel becomes a vacuum state, and curves in the lengthwise direction before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば冷陰極電界
電子放出表示装置といった平面型表示装置用のスペー
サ、平面型表示装置用のスペーサ保持部及びその製造方
法、並びに、平面型表示装置及びその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a spacer for a flat panel display such as a cold cathode field emission display, a spacer holder for the flat panel display and a method for manufacturing the same, and a flat panel display and the same. It relates to a manufacturing method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】テレビジョン受像機や情報端末機器に用
いられる表示装置の分野では、従来主流の陰極線管（Ｃ
ＲＴ）から、薄型化、軽量化、大画面化、高精細化の要
求に応え得る平面型（フラットパネル型）の表示装置へ
の移行が検討されている。このような平面型の表示装置
として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッ
センス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤ
Ｐ）、冷陰極電界電子放出表示装置（ＦＥＤ：フィール
ドエミッションディスプレイ）を例示することができ
る。このなかでも、液晶表示装置は情報端末機器用の表
示装置として広く普及しているが、据置き型のテレビジ
ョン受像機に適用するには、高輝度化や大型化に未だ課
題を残している。これに対して、冷陰極電界電子放出表
示装置は、熱的励起によらず、量子トンネル効果に基づ
き固体から真空中に電子を放出することが可能な冷陰極
電界電子放出素子（以下、電界放出素子と呼ぶ場合があ
る）を利用しており、高輝度及び低消費電力の点から注
目を集めている。2. Description of the Related Art In the field of display devices used in television receivers and information terminal equipment, conventional cathode ray tubes (C) have been used.
The shift from RT) to a flat-panel (flat-panel) display device that can meet the demands for thinner, lighter, larger screen, and higher definition is under study. Liquid crystal display (LCD), electroluminescent display (ELD), plasma display (PD
P) and a cold cathode field emission display (FED: field emission display). Among them, the liquid crystal display device is widely used as a display device for information terminal equipment, but it is still problematic to increase the brightness and size for application to a stationary television receiver. . On the other hand, the cold cathode field emission device is a cold cathode field emission device (hereinafter referred to as a field emission device) capable of emitting electrons from a solid body into a vacuum based on a quantum tunnel effect without relying on thermal excitation. It may be called an element), and is attracting attention because of its high brightness and low power consumption.

【０００３】図１に、電界放出素子を備えた冷陰極電界
電子放出表示装置（以下、表示装置と呼ぶ場合がある）
の模式的な一部端面図を示す。図示した電界放出素子
は、円錐形の電子放出部を有する、所謂スピント（Ｓｐ
ｉｎｄｔ）型電界放出素子と呼ばれるタイプの電界放出
素子である。この電界放出素子は、例えばガラス基板か
ら成る支持体１０上に形成されたカソード電極１１と、
支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層
１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、
ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ及び絶縁
層１２に設けられた第２開口部１４Ｂと、第２開口部１
４Ｂの底部に位置するカソード電極１１上に形成された
円錐形の電子放出部１５から構成されている。一般に、
カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電
極の射影像が互いに直交する方向に各々ストライプ状に
形成されており、これらの両電極の射影像が重複する領
域（１画素分の領域に相当する。この領域を、以下、重
複領域あるいは電子放出領域ＥＡと呼ぶ）に、通常、複
数の電界放出素子が設けられている。更に、かかる電子
放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（実際
の表示部分として機能する領域）内に、通常、２次元マ
トリックス状に配列されている。FIG. 1 shows a cold cathode field emission display equipped with a field emission device (hereinafter sometimes referred to as a display device).
The typical partial end view of is shown. The illustrated field emission device has a so-called Spindt (Sp
This is a field emission device of a type called an (indt) type field emission device. This field emission device includes a cathode electrode 11 formed on a support 10 made of, for example, a glass substrate,
An insulating layer 12 formed on the support 10 and the cathode electrode 11, a gate electrode 13 formed on the insulating layer 12,
The first opening 14A provided in the gate electrode 13, the second opening 14B provided in the insulating layer 12, and the second opening 1
It is composed of a conical electron emitting portion 15 formed on the cathode electrode 11 located at the bottom of 4B. In general,
The cathode electrode 11 and the gate electrode 13 are formed in stripes in the directions in which the projection images of these two electrodes are orthogonal to each other, and the areas in which the projection images of these two electrodes overlap (in one pixel area) A plurality of field emission devices are usually provided in this region, hereinafter referred to as an overlap region or an electron emission region EA). Further, the electron emission areas EA are usually arranged in a two-dimensional matrix in the effective area (area that functions as an actual display portion) of the cathode panel CP.

【０００４】一方、アノードパネルＡＰは、例えばガラ
ス基板から成る基体２０と、基体２０上に形成され、所
定のパターンを有する蛍光体層２３（カラー表示の場
合、赤色発光蛍光体層２３Ｒ、緑色発光蛍光体層２３
Ｇ、青色発光蛍光体層２３Ｂ）と、その上に形成された
反射膜としても機能するアノード電極２４から構成され
ている。On the other hand, the anode panel AP has a base 20 made of, for example, a glass substrate, and a phosphor layer 23 formed on the base 20 and having a predetermined pattern (in the case of color display, a red light emitting phosphor layer 23R and a green light emitting). Phosphor layer 23
G, blue light emitting phosphor layer 23B), and an anode electrode 24 formed thereon, which also functions as a reflective film.

【０００５】１画素は、カソードパネル側の電子放出領
域ＥＡと、これらの電界放出素子の一群に対面したアノ
ードパネル側の蛍光体層２３とによって構成されてい
る。有効領域には、かかる画素が、例えば数十万〜数百
万個ものオーダーにて配列されている。尚、蛍光体層２
３と蛍光体層２３との間の基体２０上には隔壁４２２が
形成されている。隔壁４２２とスペーサ４３１（図１〜
図４においては、隔壁２２及びスペーサ３１で表してい
るが、図１〜図４において、隔壁２２及びスペーサ３１
を隔壁４２２及びスペーサ４３１と読み替えるものとす
る）と蛍光体層２３の配置状態を模式的に図２〜図４に
例示する。尚、蛍光体層２３と蛍光体層２３との間の基
体２０上には、光吸収層（ブラックマトリックスとも呼
ばれる）２１が形成されている。隔壁４２２の一部がス
ペーサ保持部４３０（図１〜図４においては、スペーサ
保持部３０で表しているが、図１〜図４において、スペ
ーサ保持部３０をスペーサ保持部４３０と読み替えるも
のとする）として機能する。One pixel is composed of an electron emission area EA on the cathode panel side and a phosphor layer 23 on the anode panel side facing a group of these field emission devices. In the effective area, such pixels are arranged in the order of, for example, hundreds of thousands to millions. The phosphor layer 2
A partition wall 422 is formed on the base body 20 between the phosphor layer 23 and the phosphor layer 23. The partition wall 422 and the spacer 431 (see FIGS.
In FIG. 4, the partition wall 22 and the spacer 31 are shown, but in FIGS. 1 to 4, the partition wall 22 and the spacer 31 are shown.
Should be read as the partition wall 422 and the spacer 431) and the arrangement state of the phosphor layer 23 are schematically illustrated in FIGS. A light absorption layer (also called a black matrix) 21 is formed on the base body 20 between the phosphor layers 23 and 23. A part of the partition wall 422 is a spacer holding portion 430 (in FIG. 1 to FIG. 4, the spacer holding portion 30 is shown, but in FIG. 1 to FIG. 4, the spacer holding portion 30 is to be read as the spacer holding portion 430. ).

【０００６】アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ
とを、電界放出素子と蛍光体層２３とが対向するように
配置し、周縁部において枠体（図示せず）を介して接合
することによって、表示装置を作製することができる。
有効領域を包囲し、画素を選択するための周辺回路が形
成された無効領域には真空排気用の貫通孔（図示せず）
が設けられており、この貫通孔には真空排気後に封じ切
られたチップ管（図示せず）が接続されている。即ち、
アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とによ
って囲まれた空間は高真空となっている。Anode panel AP and cathode panel CP
Are arranged so that the field emission device and the phosphor layer 23 are opposed to each other, and they are bonded to each other via a frame body (not shown) at the peripheral portion, whereby a display device can be manufactured.
Through holes (not shown) for evacuation are provided in the ineffective area that surrounds the effective area and in which peripheral circuits for selecting pixels are formed.
Is provided, and a chip tube (not shown) sealed after vacuum exhaustion is connected to the through hole. That is,
The space surrounded by the anode panel AP, the cathode panel CP, and the frame is in a high vacuum.

【０００７】カソード電極１１には相対的な負電圧がカ
ソード電極制御回路４０から印加され、ゲート電極１３
には相対的な正電圧がゲート電極制御回路４１から印加
され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に
高い正電圧がアノード電極制御回路４２から印加され
る。かかる表示装置において表示を行う場合、例えば、
カソード電極１１にカソード電極制御回路４０から走査
信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路４
１からビデオ信号を入力する。あるいは又、カソード電
極１１にカソード電極制御回路４０からビデオ信号を入
力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路４１から走
査信号を入力する。カソード電極１１とゲート電極１３
との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子ト
ンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出さ
れ、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノ
ード電極２４を通過し、蛍光体層２３に衝突する。その
結果、蛍光体層２３が励起されて発光し、所望の画像を
得ることができる。つまり、この表示装置の動作や明る
さは、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及
び、カソード電極１１を通じて電子放出部１５に印加さ
れる電圧によって制御される。A relative negative voltage is applied to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 40, and the gate electrode 13
, A relative positive voltage is applied from the gate electrode control circuit 41, and a higher positive voltage than the gate electrode 13 is applied from the anode electrode control circuit 42 to the anode electrode 24. When displaying on such a display device, for example,
A scanning signal is input to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 40, and the gate electrode control circuit 4 is input to the gate electrode 13.
Input video signal from 1. Alternatively, a video signal is input to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 40, and a scanning signal is input to the gate electrode 13 from the gate electrode control circuit 41. Cathode electrode 11 and gate electrode 13
An electric field generated when a voltage is applied between the electron emitting portion 15 and the electron emitting portion 15 is caused by the quantum tunnel effect, the electrons are attracted to the anode electrode 24, pass through the anode electrode 24, and pass through the phosphor layer 23. Clash with. As a result, the phosphor layer 23 is excited and emits light, and a desired image can be obtained. That is, the operation and brightness of this display device are basically controlled by the voltage applied to the gate electrode 13 and the voltage applied to the electron emitting portion 15 through the cathode electrode 11.

【０００８】アノード電極２４は、蛍光体層２３からの
発光を反射させる反射膜としての機能の他、蛍光体層２
３から反跳した電子、あるいは放出された二次電子を反
射させる反射膜としての機能、蛍光体層２３の帯電防止
といった機能を有する。The anode electrode 24 has a function as a reflection film for reflecting the light emitted from the phosphor layer 23, and the phosphor layer 2
3 has a function as a reflection film for reflecting the electrons recoiled from 3 or the emitted secondary electrons, and a function for preventing the phosphor layer 23 from being charged.

【０００９】また、隔壁４２２は、蛍光体層２３から反
跳した電子、あるいは、蛍光体層２３から放出された二
次電子が他の蛍光体層２３に入射し、所謂光学的クロス
トーク（色濁り）が発生することを防止する機能を有す
る。あるいは又、蛍光体層２３から反跳した電子、ある
いは、蛍光体層２３から放出された二次電子が隔壁４２
２を越えて他の蛍光体層２３に向かって侵入したとき、
これらの電子が他の蛍光体層２３と衝突することを防止
する機能を有する。尚、隔壁４２２は、例えば、米国特
許第５４７７１０５号、同第５５７６５９６号、同第５
５４３６８３号、同第５７２５７８７号、同第５９１２
０５６号、同第６０２２６５２号、同第６０４６５３９
号に開示されている。Further, in the partition wall 422, electrons recoiled from the phosphor layer 23 or secondary electrons emitted from the phosphor layer 23 enter another phosphor layer 23 to cause so-called optical crosstalk (color). It has the function of preventing turbidity. Alternatively, the electrons recoiled from the phosphor layer 23 or the secondary electrons emitted from the phosphor layer 23 are the partition walls 42.
When exceeding 2 and entering the other phosphor layer 23,
It has a function of preventing these electrons from colliding with another phosphor layer 23. The partition wall 422 may be, for example, US Pat. No. 5,477,105, US Pat. No. 5,576,596, US Pat.
No. 543683, No. 5725787, No. 5912
No. 056, No. 6022652, No. 6046539
No.

【００１０】このような表示装置においては、アノード
パネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体とによって囲ま
れた空間が高真空となっているが故に、アノードパネル
ＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ４３１を配
しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受け
てしまう。In such a display device, since the space surrounded by the anode panel AP, the cathode panel CP and the frame is in a high vacuum, the spacer 431 is provided between the anode panel AP and the cathode panel CP. Otherwise, the display will be damaged by atmospheric pressure.

【００１１】従って、例えば、特開平７−２６２９３９
号公報に開示された画像表示装置にあっては、前面板の
上に形成されたブラックマトリックス上に位置決め部材
（スペーサ保持部）を形成し、一対の位置決め部材の間
に支柱（スペーサ）を嵌め込んでいる。Therefore, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-262939.
In the image display device disclosed in the publication, a positioning member (spacer holding portion) is formed on a black matrix formed on a front plate, and a column (spacer) is fitted between the pair of positioning members. It is crowded.

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、一対のスペ
ーサ保持部４３０の間にスペーサ４３１を確実に嵌め込
むためには、一対のスペーサ保持部４３０の間隔をスペ
ーサ４３１の厚さよりも広くする必要がある。ところ
が、一対のスペーサ保持部４３０の間隔がスペーサ４３
１の厚さよりも広すぎる場合、一対のスペーサ保持部４
３０の間にスペーサ４３１を嵌め込んだとき、スペーサ
４３１が傾いてしまい、アノードパネルＡＰとカソード
パネルＣＰとを組み立てる際、スペーサ４３１やスペー
サ保持部４３０が破損するといった問題が生じる。特
に、表示装置が大型化すると、スペーサの数が増大し、
スペーサを垂直に保持することが一層困難になる。By the way, in order to securely fit the spacer 431 between the pair of spacer holding portions 430, it is necessary to make the interval between the pair of spacer holding portions 430 wider than the thickness of the spacer 431. is there. However, the space between the pair of spacer holding portions 430 is equal to the spacer 43.
1 is too wide, the pair of spacer holders 4
When the spacer 431 is fitted between the spacers 30, the spacer 431 tilts, and when assembling the anode panel AP and the cathode panel CP, the spacer 431 and the spacer holding portion 430 are damaged. In particular, as the display device becomes larger, the number of spacers increases,
Holding the spacers vertically becomes more difficult.

【００１３】特開平１０−１９９４５１号公報には、パ
ネル本体とスペーサ部とが一体となった表示装置が開示
されているが、パネル本体とスペーサ部との一体構造は
加工が難しく、製造コストの上昇を招くといった問題が
ある。Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-199451 discloses a display device in which a panel body and a spacer portion are integrated. However, the integral structure of the panel body and the spacer portion is difficult to process, resulting in a manufacturing cost increase. There is a problem of causing rise.

【００１４】従って、本発明の目的は、一対のスペーサ
保持部の間で確実に保持され得る平面型表示装置用のス
ペーサ、スペーサを確実に保持し得る平面型表示装置用
のスペーサ保持部及びその製造方法、並びに、平面型表
示装置及びその製造方法を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a spacer for a flat panel display device that can be reliably held between a pair of spacer holding parts, a spacer holding part for a flat panel display device that can reliably hold a spacer, and the same. It is to provide a manufacturing method, a flat-panel display device, and a manufacturing method thereof.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の平面型表示装置用のスペーサは、第１パネ
ル及び第２パネルがそれらの周縁部で接合され、第１パ
ネルと第２パネルによって挟まれた空間が真空状態とな
っている平面型表示装置において、表示部分として機能
する第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との間に
配置されるスペーサであって、第１パネル有効領域と第
２パネル有効領域との間に配置される前には、その長手
方向に沿って湾曲していることを特徴とする。In order to achieve the above object, a spacer for a flat panel display device according to the present invention has a first panel and a second panel which are joined at their peripheral portions to form a first panel and a second panel. In a flat-panel display device in which a space sandwiched by two panels is in a vacuum state, the spacer is disposed between a first panel effective region and a second panel effective region which function as a display part, Before being arranged between the panel effective area and the second panel effective area, it is characterized by being curved along its longitudinal direction.

【００１６】ここで、第１パネル有効領域と第２パネル
有効領域との間にスペーサが配置されるとは、具体的に
は、第１パネル有効領域、あるいは、第１パネル有効領
域と第２パネル有効領域に設けられたスペーサ保持部に
よってスペーサの底部及び／又は頂部が保持される状態
を指す。また、第１パネル有効領域及び第２パネル有効
領域とは、第１パネルの実際の表示部分として機能する
領域及び第２パネルの実際の表示部分として機能する領
域を意味する。以下においても同様である。Here, the spacer is disposed between the first panel effective area and the second panel effective area, specifically, the first panel effective area or the first panel effective area and the second panel effective area. It refers to a state in which the bottom portion and / or the top portion of the spacer are held by the spacer holding portion provided in the panel effective area. Further, the first panel effective area and the second panel effective area mean an area that functions as an actual display portion of the first panel and an area that functions as an actual display portion of the second panel. The same applies to the following.

【００１７】上記の目的を達成するための本発明の第１
の態様に係る平面型表示装置は、第１パネル及び第２パ
ネルがそれらの周縁部で接合され、第１パネルと第２パ
ネルによって挟まれた空間が真空状態となっている平面
型表示装置であって、表示部分として機能する第１パネ
ル有効領域には、複数のスペーサ保持部群が設けられて
おり、各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部か
ら構成されており、各スペーサ保持部群を構成する複数
のスペーサ保持部は、直線上に位置しており、表示部分
として機能する第２パネル有効領域と第１パネル有効領
域との間には、スペーサ保持部群における複数のスペー
サ保持部によって保持されたスペーサが配置されてお
り、スペーサは、第１パネル有効領域と第２パネル有効
領域との間に配置される前には、その長手方向に沿って
湾曲していることを特徴とする。The first aspect of the present invention for achieving the above object
The flat panel display device according to the aspect is a flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. Therefore, a plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region that functions as a display portion, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units. The plurality of spacer holding portions forming the group are located on a straight line, and the plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group are provided between the second panel effective area and the first panel effective area which function as a display portion. A spacer retained by the section is arranged, the spacer being curved along its longitudinal direction before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area. And butterflies.

【００１８】本発明の平面型表示装置用のスペーサある
いは本発明の第１の態様に係る平面型表示装置にあって
は、スペーサが、第１パネル有効領域と第２パネル有効
領域との間に配置される前にその長手方向に沿って湾曲
しているが故に、スペーサ保持部においてスペーサを保
持したとき、スペーサには元の形状に戻ろうとする一種
の反力が発生する結果、スペーサをスペーサ保持部にお
いて確実に保持することができる。In the flat panel display device of the present invention or in the flat panel display device according to the first aspect of the present invention, the spacer is provided between the first panel effective region and the second panel effective region. Since the spacer is curved along its longitudinal direction before it is placed, when the spacer is held by the spacer holding portion, a kind of reaction force that tries to return to the original shape is generated in the spacer. It can be held securely in the holding portion.

【００１９】本発明の平面型表示装置用のスペーサある
いは本発明の第１の態様に係る平面型表示装置におい
て、スペーサはその長手方向に沿って湾曲しているが、
湾曲状態は、円の一部、楕円の一部、放物線の一部、そ
の他、任意の曲線の一部である状態とすることができ
る。スペーサの或る部分の湾曲の向きと、他の部分の湾
曲の向きが逆方向であってもよい。言い換えれば、スペ
ーサが例えば「Ｓ」字状に湾曲していてもよいし、連続
した「Ｓ」字状に湾曲していてもよい。また、本発明の
第１の態様に係る平面型表示装置において、各スペーサ
保持部群を構成する複数のスペーサ保持部が直線上に位
置しているとは、スペーサ保持部の形成精度（形成時の
ばらつき）内で直線上に位置していればよいことを意味
し、直線上に厳密には位置していなくともよい。スペー
サをその長手方向と直角の仮想平面で切断したときのス
ペーサの断面形状は、細長い矩形である。In the spacer for a flat panel display device of the present invention or the flat panel display device according to the first aspect of the present invention, the spacer is curved along its longitudinal direction,
The curved state can be a part of a circle, a part of an ellipse, a part of a parabola, or a part of an arbitrary curve. The direction of curvature of one part of the spacer may be opposite to the direction of curvature of another part. In other words, the spacer may be curved in, for example, an “S” shape, or may be curved in a continuous “S” shape. Further, in the flat-panel display device according to the first aspect of the present invention, the fact that the plurality of spacer holding portions forming each spacer holding portion group are located on a straight line means that the forming accuracy of the spacer holding portions (at the time of formation) It is not necessary to be strictly located on the straight line. The cross-sectional shape of the spacer when the spacer is cut in an imaginary plane perpendicular to its longitudinal direction is an elongated rectangle.

【００２０】本発明の第１の態様に係る平面型表示装置
においては、第２パネル有効領域には、複数の第２スペ
ーサ保持部群が設けられており、各第２スペーサ保持部
群は、複数の第２スペーサ保持部から構成されており、
各第２スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペーサ
保持部は、第１パネル有効領域に設けられたスペーサ保
持部群を構成する複数のスペーサ保持部を結んだ直線
（便宜上、第１の直線と呼ぶ場合がある）と対向し、且
つ、該直線（第１の直線）と平行に延びる第２の直線上
に位置しており、第１パネル有効領域と第２パネル有効
領域との間に配置されたスペーサは、更に、第２スペー
サ保持部群における複数の第２スペーサ保持部によって
も保持されている構成とすることもできる。尚、このよ
うな構成の平面型表示装置を、本発明の第１Ａの態様に
係る平面型表示装置と呼ぶ場合がある。In the flat-panel display device according to the first aspect of the present invention, a plurality of second spacer holding section groups are provided in the second panel effective area, and each second spacer holding section group comprises: It is composed of a plurality of second spacer holding portions,
The plurality of second spacer holding portions forming each second spacer holding portion group is a straight line connecting the plurality of spacer holding portions forming the spacer holding portion group provided in the first panel effective region (for convenience, the first spacer Between a first panel effective area and a second panel effective area, which is located on a second straight line that is parallel to the straight line (first straight line) Further, the spacer arranged in the above can be configured to be held by a plurality of second spacer holding portions in the second spacer holding portion group. Note that the flat-panel display device having such a configuration may be referred to as a flat-panel display device according to the aspect 1A of the present invention.

【００２１】本発明の第１Ａの態様に係る平面型表示装
置において、第２の直線が第１の直線と平行に延びると
は、スペーサ保持部及び第２スペーサ保持部の形成精度
（形成時のばらつき）内で第２の直線が第１の直線と平
行に延びていればよいことを意味し、第２の直線が第１
の直線と厳密には平行に延びていなくともよい。また、
各第２スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペーサ
保持部が第２の直線上に位置しているとは、第２スペー
サ保持部の形成精度（形成時のばらつき）内で第２の直
線上に位置していればよいことを意味し、第２の直線上
に厳密には位置していなくともよい。In the flat-panel display device according to the first aspect of the present invention, the second straight line extending in parallel with the first straight line means that the spacer holding portion and the second spacer holding portion are formed with accuracy (at the time of formation). Within the variation), it means that the second straight line may extend in parallel with the first straight line, and the second straight line may be the first straight line.
Strictly, it does not need to extend in parallel with the straight line. Also,
The fact that the plurality of second spacer holding portions forming each second spacer holding portion group are located on the second straight line means that the second spacer holding portions are located within the second spacer holding portion forming accuracy (variation during formation). It means that it is enough to be located on the straight line, and it is not necessary to be strictly located on the second straight line.

【００２２】本発明の平面型表示装置用のスペーサ、あ
るいは、上記の構成を含む本発明の第１の態様に係る平
面型表示装置において、スペーサをセラミックスから構
成することが好ましい。そして、この場合、スペーサを
その長手方向に沿って確実に湾曲させるために、スペー
サの一方の側面と他方の側面の表面粗さを異ならせるこ
とが好ましい。このように、スペーサの一方の側面と他
方の側面の表面粗さを異ならせることによって、スペー
サの一方の側面に生成した歪み量と他方の側面に生成し
た歪み量が異なるため、スペーサをその長手方向に沿っ
て確実に湾曲させることができる。あるいは又、この場
合、スペーサの一方の側面には歪み生成層が形成されて
いることが好ましい。このように、スペーサの一方の側
面に歪み生成層を形成することで、歪み生成層によって
スペーサの一方の側面に生成した歪みに基づき、スペー
サをその長手方向に沿って確実に湾曲させることができ
る。ここで、歪み生成層として、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂、
ＳｉＣ、ＳｉＣＮ、Ａｌ₂Ｏ ₃、ＴｉＯ₂、ＴｉＮ、Ｃｒ₂
Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、ＡｌＮ、ＴａＮから構成された層を例
示することができる。The spacer for the flat display device of the present invention
The flat panel according to the first aspect of the present invention including the above configuration
In a flat-panel display, the spacer is made of ceramics.
Preferably, And in this case, the spacer
In order to make sure it bends along its length,
The surface roughness of one side and the other side of the
And are preferred. Thus, one side of the spacer and the other
By varying the surface roughness on one side,
The amount of strain generated on one side of the
Since the strain amount is different, the spacer is
Can be reliably bent. Or this place
If a strain-generating layer is formed on one side of the spacer,
Is preferred. Thus, one side of the spacer
By forming the strain generation layer on the surface,
Based on the strain generated on one side of the spacer, the space
Can be surely curved along its length
It Here, as the strain generation layer, Si₃N_Four, SiO₂,
SiC, SiCN, Al₂O ₃, TiO₂, TiN, Cr₂
O₃, Ta₂O_FiveExample of a layer composed of Al, AlN and TaN
Can be shown.

【００２３】そして、これらの場合、所謂グリーンシー
トを成形して、グリーンシートを焼成し、かかるグリー
ンシート焼成品を切断することによってスペーサを製造
することができる。切断前のグリーンシート焼成品ある
いは切断後のグリーンシート焼成品を研磨することによ
って、スペーサの一方の側面と他方の側面の表面粗さを
異ならせることができる。あるいは又、切断前のグリー
ンシート焼成品あるいは切断後のグリーンシート焼成品
の一方の面に歪み生成層を形成すればよい。歪み生成層
の形成方法として、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や化
学的気相成長法（ＣＶＤ法）、電気メッキ法及び無電解
メッキ法を含むメッキ法、スクリーン印刷法を挙げるこ
とができる。ＰＶＤ法として、電子ビーム加熱法、抵
抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種真空蒸着法、プラ
ズマ蒸着法、２極スパッタリング法、直流スパッタリ
ング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波ス
パッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオ
ンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法
等の各種スパッタリング法、ＤＣ(direct current)
法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高
周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティ
ング法等の各種イオンプレーティング法、を挙げること
ができる。In these cases, a spacer can be manufactured by forming a so-called green sheet, firing the green sheet, and cutting the green sheet fired product. By polishing the green sheet baked product before cutting or the green sheet baked product after cutting, the surface roughness of one side surface and the other side surface of the spacer can be made different. Alternatively, the strain generation layer may be formed on one surface of the green sheet fired product before cutting or the green sheet fired product after cutting. Examples of the method for forming the strain generation layer include a physical vapor deposition method (PVD method), a chemical vapor deposition method (CVD method), a plating method including an electroplating method and an electroless plating method, and a screen printing method. it can. PVD methods include electron beam heating methods, resistance heating methods, various vacuum evaporation methods such as flash evaporation methods, plasma evaporation methods, bipolar sputtering methods, direct current sputtering methods, direct current magnetron sputtering methods, high frequency sputtering methods, magnetron sputtering methods, ion beams. Various sputtering methods such as sputtering method and bias sputtering method, DC (direct current)
And various ion plating methods such as RF method, multi-cathode method, activation reaction method, electric field vapor deposition method, high frequency ion plating method, and reactive ion plating method.

【００２４】本発明の平面型表示装置用のスペーサ、若
しくは、本発明の第１の態様あるいは第１Ａの態様に係
る平面型表示装置にあっては、第１パネル有効領域と第
２パネル有効領域との間に配置される前のスペーサにお
いて、スペーサの両端を結ぶ仮想直線Ｌ_IMGから、スペ
ーサの中央部までの距離Ｌ₂は、１×１０^-4ｍ以上、好
ましくは３×１０^-4ｍ以上であることが望ましい。ある
いは又、第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との
間に配置される前のスペーサにおいて、スペーサの両端
の間の距離をＬ₁、スペーサの両端を結ぶ仮想直線から
スペーサの中央部までの距離をＬ₂としたとき、１×１
０^-4Ｌ₁≦Ｌ₂、好ましくは５×１０^-4Ｌ₁≦Ｌ₂を満足す
ることが望ましい。The spacer for the flat panel display device of the present invention, or the flat panel display device according to the first aspect or the first aspect of the present invention has a first panel effective area and a second panel effective area. In the spacer before being placed between and, the distance L ₂ from the virtual straight line L _IMG connecting both ends of the spacer to the central portion of the spacer is 1 × 10 ⁻⁴ m or more, preferably 3 × 10 ⁻⁴ m The above is desirable. Alternatively, in the spacer before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area, the distance between both ends of the spacer is L ₁ , and from the virtual straight line connecting both ends of the spacer to the central portion of the spacer. When the distance is L ₂ , 1 × 1
It is desirable to satisfy 0 ⁻⁴ L ₁ ≦ L ₂ , preferably 5 × 10 ⁻⁴ L ₁ ≦ L ₂ .

【００２５】本発明の平面型表示装置用のスペーサ、あ
るいは、上記の各種構成を含む本発明の第１の態様に係
る平面型表示装置において、平面型表示装置は冷陰極電
界電子放出表示装置であり、第１パネルは、アノード電
極及び蛍光体層が形成されたアノードパネルから成り、
第２パネルは、複数の冷陰極電界電子放出素子が形成さ
れたカソードパネルから成る構成とすることができる。
あるいは又、平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示
装置であり、第１パネルは、複数の冷陰極電界電子放出
素子が形成されたカソードパネルから成り、第２パネル
は、アノード電極及び蛍光体層が形成されたアノードパ
ネルから成る構成とすることができる。In the flat panel display device according to the first aspect of the present invention including the spacer for the flat panel display device of the present invention or the above-mentioned various structures, the flat panel display device is a cold cathode field emission display device. And the first panel comprises an anode panel having an anode electrode and a phosphor layer formed thereon,
The second panel may include a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices.
Alternatively, the flat panel display is a cold cathode field emission display, the first panel is a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices, and the second panel is an anode electrode and a phosphor. The anode panel may have a layer structure.

【００２６】上記の目的を達成するための本発明の第２
の態様に係る平面型表示装置は、第１パネル及び第２パ
ネルがそれらの周縁部で接合され、第１パネルと第２パ
ネルによって挟まれた空間が真空状態となっている平面
型表示装置であって、表示部分として機能する第１パネ
ル有効領域には、複数のスペーサ保持部群が設けられて
おり、各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部か
ら構成されており、各スペーサ保持部群を構成する複数
のスペーサ保持部は、直線上に位置しておらず、表示部
分として機能する第２パネル有効領域と第１パネル有効
領域との間には、スペーサ保持部群における複数のスペ
ーサ保持部によって保持されたスペーサが配置されてい
ることを特徴とする。Second aspect of the present invention for achieving the above object
The flat panel display device according to the aspect is a flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. Therefore, a plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region that functions as a display portion, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units. The plurality of spacer holding portions that form the group are not positioned on a straight line, and the plurality of spacers in the spacer holding portion group are provided between the second panel effective area and the first panel effective area that function as display portions. It is characterized in that a spacer held by the holding portion is arranged.

【００２７】本発明の第２の態様に係る平面型表示装置
においては、各スペーサ保持部群を構成する複数のスペ
ーサ保持部が直線上に位置していないので、スペーサ保
持部にスペーサを保持したとき、スペーサには元の形状
に戻ろうとする一種の反力が発生する結果、スペーサを
スペーサ保持部において確実に保持することができる。
尚、各スペーサ保持部群を構成する複数のスペーサ保持
部が直線上に位置していないとは、スペーサ保持部群を
構成する複数のスペーサ保持部を結ぶ仮想線（便宜上、
第１の仮想線と呼ぶ場合がある）が、円の一部、楕円の
一部、放物線の一部、その他、直線を除く任意の曲線の
一部、あるいは又、線分の集合であることを意味する。
第１の仮想線の或る部分の湾曲の向きと、他の部分の湾
曲の向きが逆方向であってもよい。言い換えれば、第１
の仮想線が例えば「Ｓ」字状に湾曲していてもよく、連
続した「Ｓ」字状に湾曲していてもよく、あるいは又、
第１の仮想線の或る部分の２次の微分係数が正の値をと
り、他の部分の２次の微分係数が負の値をとってもよ
い。尚、各スペーサ保持部群を構成する複数のスペーサ
保持部が直線上に位置していないとは（即ち、第１の仮
想線上に位置しているとは）、スペーサ保持部の形成精
度（形成時のばらつき）内で第１の仮想線上に位置して
いればよいことを意味し、第１の仮想線上に厳密には位
置していなくともよい。スペーサをその長手方向と直角
の仮想平面で切断したときのスペーサの断面形状は、細
長い矩形である。In the flat panel display device according to the second aspect of the present invention, since the plurality of spacer holding portions forming each spacer holding portion group are not located on a straight line, the spacers are held by the spacer holding portions. At this time, a kind of reaction force that tries to return to the original shape is generated in the spacer, and as a result, the spacer can be reliably held by the spacer holding portion.
It is to be noted that the plurality of spacer holding portions forming each spacer holding portion group are not positioned on a straight line means that a virtual line connecting the plurality of spacer holding portions forming the spacer holding portion group (for convenience,
(Sometimes called the first virtual line) is a part of a circle, a part of an ellipse, a part of a parabola, a part of an arbitrary curve other than a straight line, or a set of line segments. Means
The direction of curvature of a part of the first imaginary line may be opposite to the direction of curvature of another part. In other words, the first
Of the virtual line may be curved in, for example, an "S" shape, may be curved in a continuous "S" shape, or
The second-order differential coefficient of a certain part of the first virtual line may take a positive value, and the second-order differential coefficient of the other part may take a negative value. It should be noted that if the plurality of spacer holding portions that constitute each spacer holding portion group are not located on a straight line (that is, they are located on the first imaginary line), the accuracy of forming the spacer holding portion (formation) It means that it is only necessary to be located on the first virtual line within (time variation), and it is not necessary to be strictly located on the first virtual line. The cross-sectional shape of the spacer when the spacer is cut in an imaginary plane perpendicular to its longitudinal direction is an elongated rectangle.

【００２８】本発明の第２の態様に係る平面型表示装置
においては、スペーサ保持部群の一端に位置するスペー
サ保持部と、該スペーサ保持部群の他端に位置するスペ
ーサ保持部とを結んだ仮想直線Ｌ_IMGから、該スペーサ
保持部群を構成する複数のスペーサ保持部を結ぶ仮想線
（第１の仮想線）の中央部までの距離Ｌ₂は、１×１０
^-5ｍ以上、好ましくは５×１０^-5ｍ以上であることが望
ましい。In the flat panel display device according to the second aspect of the present invention, the spacer holding portion located at one end of the spacer holding portion group and the spacer holding portion located at the other end of the spacer holding portion group are connected. The distance L ₂ from the imaginary straight line L _IMG to the center of the imaginary line (first imaginary line) that connects the plurality of spacer holding units forming the spacer holding unit group is 1 × 10.
^-5 m or more, preferably 5 x 10 ^-5 m or more.

【００２９】あるいは又、本発明の第２の態様に係る平
面型表示装置においては、第２パネル有効領域には、複
数の第２スペーサ保持部群が設けられており、各第２ス
ペーサ保持部群は、複数の第２スペーサ保持部から構成
されており、各第２スペーサ保持部群を構成する複数の
第２スペーサ保持部は、第１パネル有効領域に設けられ
たスペーサ保持部群を構成する複数のスペーサ保持部を
結んだ仮想線（第１の仮想線）と対向し、且つ、該仮想
線（第１の仮想線）と平行に延びる第２の仮想線上に位
置しており、第１パネル有効領域と第２パネル有効領域
との間に配置されたスペーサは、更に、第２スペーサ保
持部群における複数の第２スペーサ保持部によっても保
持されている構成とすることもできる。尚、このような
構成の平面型表示装置を、本発明の第２Ａの態様に係る
平面型表示装置と呼ぶ場合がある。Alternatively, in the flat panel display device according to the second aspect of the present invention, a plurality of second spacer holding unit groups are provided in the second panel effective area, and each second spacer holding unit is provided. The group is composed of a plurality of second spacer holding portions, and the plurality of second spacer holding portions constituting each second spacer holding portion group constitutes a spacer holding portion group provided in the first panel effective region. Is located on a second imaginary line that is parallel to the imaginary line (first imaginary line) and that faces the imaginary line (first imaginary line) that connects the plurality of spacer holding portions, The spacer arranged between the one-panel effective area and the second-panel effective area may be further held by a plurality of second spacer holding portions in the second spacer holding portion group. The flat-panel display device having such a configuration may be referred to as a flat-panel display device according to the second aspect A of the present invention.

【００３０】ここで、第２の仮想線が第１の仮想線と平
行に延びるとは、スペーサ保持部及び第２スペーサ保持
部の形成精度（形成時のばらつき）内で第２の仮想線が
第１の仮想線と平行に延びていればよいことを意味し、
第２の仮想線が第１の仮想線と厳密には平行に延びてい
なくともよい。また、各第２スペーサ保持部群を構成す
る複数の第２スペーサ保持部が第２の仮想線上に位置し
ているとは、第２スペーサ保持部の形成精度（形成時の
ばらつき）内で第２の仮想線上に位置していればよいこ
とを意味し、第２の仮想線上に厳密には位置していなく
ともよい。Here, the second imaginary line extending in parallel with the first imaginary line means that the second imaginary line is within the forming accuracy (variation in forming) of the spacer holding portion and the second spacer holding portion. It means that it only needs to extend parallel to the first imaginary line,
The second imaginary line does not have to extend exactly parallel to the first imaginary line. Further, the fact that the plurality of second spacer holding portions forming each second spacer holding portion group are located on the second imaginary line means that the second spacer holding portions are located within the second spacer holding portion forming accuracy (variation during formation). It means that it is enough to be located on the second virtual line, and it does not have to be strictly located on the second virtual line.

【００３１】このような構成の本発明の第２Ａの態様に
係る平面型表示装置にあっては、第２スペーサ保持部群
の一端に位置する第２スペーサ保持部と、該第２スペー
サ保持部群の他端に位置する第２スペーサ保持部とを結
んだ仮想直線から、該第２スペーサ保持部群を構成する
複数の第２スペーサ保持部を結ぶ第２の仮想線の中央部
までの距離は、１×１０^-5ｍ以上、好ましくは５×１０
^-5ｍ以上であることが望ましい。そして、この場合、ス
ペーサ保持部群の一端に位置するスペーサ保持部と、該
スペーサ保持部群の他端に位置するスペーサ保持部とを
結んだ仮想直線から、該スペーサ保持部群を構成する複
数のスペーサ保持部を結ぶ第１の仮想線の中央部までの
距離は、１×１０^-5ｍ以上、好ましくは５×１０^-5ｍ以
上であることが望ましい。In the flat panel display device according to the second aspect of the present invention having the above structure, the second spacer holding portion located at one end of the second spacer holding portion group and the second spacer holding portion. Distance from the virtual straight line connecting the second spacer holding portion located at the other end of the group to the central portion of the second virtual line connecting the plurality of second spacer holding portions forming the second spacer holding portion group Is 1 × 10 ⁻⁵ m or more, preferably 5 × 10
^-5 m or more is desirable. Then, in this case, a plurality of spacer holding unit groups are formed from a virtual straight line connecting the spacer holding unit located at one end of the spacer holding unit group and the spacer holding unit located at the other end of the spacer holding unit group. It is desirable that the distance to the central portion of the first imaginary line connecting the spacer holding portions is 1 × 10 ⁻⁵ m or more, preferably 5 × 10 ⁻⁵ m or more.

【００３２】本発明の第２の態様若しくは第２Ａの態様
に係る平面型表示装置にあっては、スペーサをセラミッ
クスから構成することが好ましい。In the flat panel display device according to the second or second aspect of the present invention, the spacer is preferably made of ceramics.

【００３３】本発明の第２の態様に係る平面型表示装置
にあっては、第１パネル有効領域と第２パネル有効領域
との間に配置された後のスペーサにおいて、スペーサの
両端を結ぶ仮想直線から、スペーサの中央部までの距離
は、１×１０^-5ｍ以上、好ましくは５×１０^-5ｍ以上で
あることが望ましい。スペーサをその長手方向と直角の
仮想平面で切断したときのスペーサの断面形状が細長い
矩形である場合、スペーサの下方部分あるいは底部（底
面及びその近傍の側面）がスペーサ保持部群における複
数のスペーサ保持部によって保持されている。そして、
スペーサの両端を結ぶ仮想直線とは、スペーサの頂面の
両端を結ぶ仮想直線を意味し、スペーサの中央部とは、
スペーサの頂面の中央部を意味する。In the flat-panel display device according to the second aspect of the present invention, in the spacer after being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area, both ends of the spacer are virtual. The distance from the straight line to the center of the spacer is preferably 1 × 10 ⁻⁵ m or more, and more preferably 5 × 10 ⁻⁵ m or more. When the spacer has a slender rectangular cross-section when cut along a virtual plane that is perpendicular to the longitudinal direction of the spacer, the lower part or bottom of the spacer (bottom surface and side surface in the vicinity) holds a plurality of spacers in the spacer holding group. Held by the department. And
The virtual straight line connecting both ends of the spacer means a virtual straight line connecting both ends of the top surface of the spacer, and the central part of the spacer is
It means the central portion of the top surface of the spacer.

【００３４】あるいは又、本発明の第２の態様に係る平
面型表示装置にあっては、第１パネル有効領域と第２パ
ネル有効領域との間に配置された後のスペーサにおい
て、スペーサの両端の間の距離をＬ₁、スペーサの両端
を結ぶ仮想直線からスペーサの中央部までの距離をＬ₂
としたとき、１×１０^-5Ｌ₁≦Ｌ₂、好ましくは５×１０
^{- 5}Ｌ₁≦Ｌ₂を満足することが望ましい。スペーサをその
長手方向と直角の仮想平面で切断したときのスペーサの
断面形状が細長い矩形である場合、スペーサの下方部分
あるいは底部（底面及びその近傍の側面）がスペーサ保
持部群における複数のスペーサ保持部によって保持され
ている。そして、スペーサの両端を結ぶ仮想直線とは、
スペーサの頂面の両端を結ぶ仮想直線を意味し、スペー
サの中央部とは、スペーサの頂面の中央部を意味する。Alternatively, in the flat-panel display device according to the second aspect of the present invention, in the spacer after being arranged between the first panel effective region and the second panel effective region, both ends of the spacer are Is L ₁ , and the distance from the virtual straight line connecting both ends of the spacer to the center of the spacer is L ₂
, 1 × 10 ⁻⁵ L ₁ ≦ L ₂ , preferably 5 × 10
^- It is desirable to satisfy the ⁵ L ₁ ≦ L _2. When the spacer has a slender rectangular cross-section when cut along a virtual plane that is perpendicular to the longitudinal direction of the spacer, the lower part or bottom of the spacer (bottom surface and side surface in the vicinity) holds a plurality of spacers in the spacer holding group. Held by the department. And the virtual straight line connecting both ends of the spacer is
It means a virtual straight line connecting both ends of the top surface of the spacer, and the central portion of the spacer means the central portion of the top surface of the spacer.

【００３５】本発明の第２の態様若しくは第２Ａの態様
に係る平面型表示装置にあっては、平面型表示装置は冷
陰極電界電子放出表示装置であり、第１パネルは、アノ
ード電極及び蛍光体層が形成されたアノードパネルから
成り、第２パネルは、複数の冷陰極電界電子放出素子が
形成されたカソードパネルから成る構成とすることがで
き、あるいは又、平面型表示装置は冷陰極電界電子放出
表示装置であり、第１パネルは、複数の冷陰極電界電子
放出素子が形成されたカソードパネルから成り、第２パ
ネルは、アノード電極及び蛍光体層が形成されたアノー
ドパネルから成る構成とすることができる。In the flat panel display device according to the second or second aspect of the present invention, the flat panel display device is a cold cathode field emission display device, and the first panel is an anode electrode and a fluorescent material. The second panel may include a cathode panel on which the body layer is formed, and the second panel may include a cathode panel on which a plurality of cold cathode field emission devices are formed. Alternatively, the flat panel display may include the cold cathode field emission device. In the electron emission display device, the first panel includes a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices, and the second panel includes an anode panel having an anode electrode and a phosphor layer. can do.

【００３６】本発明の第２の態様若しくは第２Ａの態様
に係る平面型表示装置にあっては、スペーサ保持部群に
保持される前のスペーサは、その長手方向に沿って直線
状である構成とすることもできる。In the flat panel display device according to the second aspect or the second aspect of the present invention, the spacer before being held by the spacer holding portion group is linear along the longitudinal direction thereof. Can also be

【００３７】あるいは又、本発明の第２の態様若しくは
第２Ａの態様に係る平面型表示装置にあっては、前記第
１パネル有効領域に設けられたスペーサ保持部群を構成
する複数のスペーサ保持部を結ぶ仮想線（第１の仮想
線）の湾曲状態と逆向きの湾曲状態を、スペーサ保持部
群に保持される前のスペーサは有している構成とするこ
ともできる。尚、このような構成のスペーサとして、各
種の構成を含む本発明の平面型表示装置用のスペーサを
挙げることができる。即ち、本発明の平面型表示装置用
のスペーサと、本発明の第２の態様若しくは第２Ａの態
様に係る平面型表示装置とを組み合わせることができ
る。Alternatively, in the flat-panel display device according to the second aspect or the second aspect of the present invention, a plurality of spacer holding portions constituting the spacer holding portion group provided in the first panel effective area are held. The spacer before being held by the spacer holding unit group may have a curved state that is opposite to the curved state of the virtual line (first virtual line) connecting the portions. As a spacer having such a structure, a spacer for a flat-panel display device of the present invention including various structures can be mentioned. That is, it is possible to combine the spacer for a flat panel display of the present invention and the flat panel display according to the second aspect or the second aspect of the present invention.

【００３８】上記の目的を達成するための本発明の平面
型表示装置におけるスペーサ保持部は、第１パネル及び
第２パネルがそれらの周縁部で接合され、第１パネルと
第２パネルによって挟まれた空間が真空状態となってい
る平面型表示装置におけるスペーサ保持部であって、表
示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数の
スペーサ保持部群が設けられており、各スペーサ保持部
群は、複数のスペーサ保持部から構成されており、表示
部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネル有
効領域との間には、スペーサ保持部群における複数のス
ペーサ保持部によってスペーサが保持され、スペーサ保
持部のそれぞれは、（Ａ）第１突起部、（Ｂ）該第１突
起部と略平行に延び、該第１突起部に隣接した第２突起
部、（Ｃ）第１突起部の頂面から第２突起部側に突出し
た第１庇部、及び、（Ｄ）第２突起部の頂面から第１突
起部側に突出した第２庇部、から構成されており、第１
突起部と第２突起部との間にスペーサが挿入されること
を特徴とする。The spacer holding portion in the flat panel display device of the present invention for achieving the above object is such that the first panel and the second panel are joined at their peripheral portions and sandwiched by the first panel and the second panel. A spacer holding portion in a flat panel display device in which the space is in a vacuum state, and a plurality of spacer holding portion groups are provided in the first panel effective region that functions as a display portion. The group is composed of a plurality of spacer holding portions, and the spacers are held by the plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group between the second panel effective area and the first panel effective area which function as a display portion. And each of the spacer holding portions has (A) a first protrusion, (B) a second protrusion adjacent to the first protrusion, which extends substantially parallel to the first protrusion, and (C) a first protrusion. The first eaves portion protruding from the top surface of the portion to the second protrusion portion side, and (D) the second eaves portion protruding from the top surface of the second protrusion portion to the first protrusion portion side, First
A spacer is inserted between the protrusion and the second protrusion.

【００３９】上記の目的を達成するための本発明の第３
の態様に係る平面型表示装置は、第１パネル及び第２パ
ネルがそれらの周縁部で接合され、第１パネルと第２パ
ネルによって挟まれた空間が真空状態となっている平面
型表示装置であって、表示部分として機能する第１パネ
ル有効領域には、複数のスペーサ保持部群が設けられて
おり、各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部か
ら構成されており、表示部分として機能する第２パネル
有効領域と第１パネル有効領域との間には、スペーサ保
持部群における複数のスペーサ保持部によってスペーサ
が保持されており、スペーサ保持部のそれぞれは、
（Ａ）第１突起部、（Ｂ）該第１突起部と略平行に延
び、該第１突起部に隣接した第２突起部、（Ｃ）第１突
起部の頂面から第２突起部側に突出した第１庇部、及
び、（Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出し
た第２庇部、から構成されており、第１突起部と第２突
起部との間にスペーサが挿入されていることを特徴とす
る。A third aspect of the present invention for achieving the above object.
The flat panel display device according to the aspect is a flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. Therefore, a plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region that functions as a display unit, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units and functions as a display unit. Spacers are held between the second panel effective area and the first panel effective area by a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions is
(A) 1st protrusion part, (B) 2nd protrusion part extended substantially parallel to this 1st protrusion part, and adjacent to this 1st protrusion part, (C) 2nd protrusion part from the top surface of 1st protrusion part The first protrusion and the second protrusion protruding from the top surface of the second protrusion to the first protrusion, and the first protrusion and the second protrusion. It is characterized in that a spacer is inserted between and.

【００４０】本発明のスペーサ保持部あるいは本発明の
第３の態様に係る平面型表示装置においては、第１庇部
を有する第１突起部と第２庇部を有する第２突起部との
間にスペーサが挿入されており、弾性変形した第１庇部
及び第２庇部によってスペーサが力を受ける結果、スペ
ーサをスペーサ保持部において確実に保持することがで
きる。尚、スペーサの厚さをｔ、第１突起部と第２突起
部との間の距離をＬ₀、第１庇部の突出長さをＰ₁、第２
庇部の突出長さをＰ₂としたとき、以下の式を満足する
ことが好ましい。In the flat panel display device according to the spacer holding portion of the present invention or the third aspect of the present invention, between the first protruding portion having the first eaves portion and the second protruding portion having the second eaves portion. Since the spacer is inserted in the spacer and the spacer receives a force by the elastically deformed first eaves portion and the second eaves portion, the spacer can be reliably held by the spacer holding portion. The thickness of the spacer is t, the distance between the first protrusion and the second protrusion is L ₀ , the protrusion length of the first eaves is P ₁ , and the second protrusion is
When the protruding length of the eaves portion is P ₂ , it is preferable to satisfy the following formula.

【００４１】［数１］ Ｌ₀−（Ｐ₁＋Ｐ₂）＜ｔ＜Ｌ₀ [Equation 1] L ₀ − (P ₁ + P ₂ ) <t <L ₀

【００４２】本発明のスペーサ保持部あるいは本発明の
第３の態様に係る平面型表示装置において、第１庇部及
び第２庇部のそれぞれの長さは、１×１０^-7ｍ乃至５×
１０ ^-6ｍ、好ましくは５×１０^-7ｍ乃至２×１０^-6ｍで
あることが望ましい。The spacer holding portion of the present invention or the spacer holding portion of the present invention
In the flat-panel display device according to the third aspect, the first eaves section and
And the length of each second eaves is 1 × 10^-7m to 5x
10 ^-6m, preferably 5 × 10^-7m to 2 × 10^-6in m
Is desirable.

【００４３】本発明のスペーサ保持部あるいは本発明の
第３の態様に係る平面型表示装置においては、第１突起
部と第１庇部とは一体的に設けられており、第２突起部
と第２庇部とは一体的に設けられている構成とすること
ができ、あるいは又、第１突起部と第１庇部とは異なる
材料から構成され、第２突起部と第２庇部とは異なる材
料から構成されている構成とすることができる。In the spacer holding portion of the present invention or the flat-panel display device according to the third aspect of the present invention, the first protrusion and the first eaves are integrally provided, and the second protrusion and The second eaves portion may be integrally provided, or alternatively, the first protrusion portion and the first eaves portion may be made of different materials, and the second protrusion portion and the second eaves portion may be formed. Can be composed of different materials.

【００４４】本発明の第３の態様に係る平面型表示装置
においては、第２パネル有効領域には、複数の第１スペ
ーサ保持部群と対向した複数の第２スペーサ保持部群が
設けられており、各第２スペーサ保持部群は、複数の第
２スペーサ保持部から構成されており、第１パネル有効
領域と第２パネル有効領域との間には、スペーサ保持部
群における複数のスペーサ保持部及び第２スペーサ保持
部群における第２スペーサ保持部によってスペーサが保
持されており、第２スペーサ保持部のそれぞれは、
（Ａ）第１突起部、（Ｂ）該第１突起部と略平行に延
び、該第１突起部に隣接した第２突起部、（Ｃ）第１突
起部の頂面から第２突起部側に突出した第１庇部、及
び、（Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出し
た第２庇部、から構成されている構成とすることもでき
る。尚、このような構成の平面型表示装置を、本発明の
第３Ａの態様に係る平面型表示装置と呼ぶ場合がある。In the flat panel display device according to the third aspect of the present invention, the second panel effective region is provided with a plurality of second spacer holding unit groups facing the plurality of first spacer holding unit groups. Each second spacer holding portion group is composed of a plurality of second spacer holding portions, and a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group are provided between the first panel effective region and the second panel effective region. And the second spacer holding portion in the second spacer holding portion group holds the spacer, and each of the second spacer holding portions includes:
(A) 1st protrusion part, (B) 2nd protrusion part extended substantially parallel to this 1st protrusion part, and adjacent to this 1st protrusion part, (C) 2nd protrusion part from the top surface of 1st protrusion part Alternatively, the first eaves portion protruding sideward and the second eaves portion (D) protruding from the top surface of the second protrusion portion toward the first protrusion portion may be configured. The flat-panel display device having such a configuration may be referred to as a flat-panel display device according to the third aspect of the present invention.

【００４５】本発明の第３Ａの態様に係る平面型表示装
置においては、第２スペーサ保持部の第１庇部及び第２
スペーサ保持部の第２庇部のそれぞれの長さは、１×１
０^-7ｍ乃至５×１０^-6ｍ、好ましくは５×１０^-7ｍ乃至
２×１０^-6ｍであることが望ましい。In the flat panel display device according to the third aspect of the present invention, the first overhanging portion and the second overhanging portion of the second spacer holding portion are provided.
The length of each second eaves portion of the spacer holding portion is 1 × 1.
It is desirable that it is 0 ⁻⁷ m to 5 × 10 ⁻⁶ m, preferably 5 × 10 ⁻⁷ m to 2 × 10 ⁻⁶ m.

【００４６】上記の目的を達成するための本発明の平面
型表示装置用のスペーサ保持部の製造方法は、本発明の
平面型表示装置用のスペーサ保持部を製造する方法であ
り、第１パネル及び第２パネルがそれらの周縁部で接合
され、第１パネルと第２パネルによって挟まれた空間が
真空状態となっている平面型表示装置におけるスペーサ
保持部であって、表示部分として機能する第１パネル有
効領域には、複数のスペーサ保持部群が設けられてお
り、各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から
構成されており、表示部分として機能する第２パネル有
効領域と第１パネル有効領域との間には、スペーサ保持
部群における複数のスペーサ保持部によってスペーサが
保持され、スペーサ保持部のそれぞれは、（Ａ）第１突
起部、（Ｂ）該第１突起部と略平行に延び、該第１突起
部に隣接した第２突起部、（Ｃ）第１突起部の頂面から
第２突起部側に突出した第１庇部、及び、（Ｄ）第２突
起部の頂面から第１突起部側に突出した第２庇部、から
構成されており、第１突起部と第２突起部との間にスペ
ーサが挿入される、平面型表示装置におけるスペーサ保
持部の製造方法であって、（ａ）第１パネルを構成する
第１基板に、スペーサ保持部を形成すべき第１基板の部
分が露出したマスク層を形成する工程と、（ｂ）露出し
た第１基板の部分に第１突起部及び第２突起部を形成
し、更に、第１突起部の頂面に第１庇部を形成し、且
つ、第２突起部の頂面に第２庇部を形成する工程と、
（ｃ）マスク層を除去する工程、を具備することを特徴
とする。A method for manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device according to the present invention for achieving the above object is a method for manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device according to the present invention. And a spacer holding portion in a flat-panel display device in which a second panel is joined at their peripheral portions and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state, and which functions as a display portion. A plurality of spacer holding unit groups are provided in one panel effective region, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units, and a second panel effective region that functions as a display portion and a first panel effective region are provided. A spacer is held between the panel effective area and a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions includes (A) the first protrusion portion and (B) the first protrusion portion. A second protruding portion that extends substantially parallel to the starting portion and is adjacent to the first protruding portion; (C) a first eave portion protruding from the top surface of the first protruding portion toward the second protruding portion; and (D) A flat display device comprising a second eave portion protruding from the top surface of the second protrusion portion toward the first protrusion portion, and a spacer is inserted between the first protrusion portion and the second protrusion portion. And (b) forming a mask layer on the first substrate forming the first panel, in which the portion of the first substrate on which the spacer holding portion is to be formed is exposed, ) Forming a first protrusion and a second protrusion on the exposed portion of the first substrate, further forming a first eaves on the top surface of the first protrusion, and on the top surface of the second protrusion. A step of forming a second eaves portion,
(C) removing the mask layer.

【００４７】上記の目的を達成するための本発明の平面
型表示装置の製造方法は、本発明の第３の態様に係る平
面型表示装置を製造する方法であり、第１パネル及び第
２パネルがそれらの周縁部で接合され、第１パネルと第
２パネルによって挟まれた空間が真空状態となっている
平面型表示装置であって、表示部分として機能する第１
パネル有効領域には、複数のスペーサ保持部群が設けら
れており、各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持
部から構成されており、表示部分として機能する第２パ
ネル有効領域と第１パネル有効領域との間には、スペー
サ保持部群における複数のスペーサ保持部によってスペ
ーサが保持されており、スペーサ保持部のそれぞれは、
（Ａ）第１突起部、（Ｂ）該第１突起部と略平行に延
び、該第１突起部に隣接した第２突起部、（Ｃ）第１突
起部の頂面から第２突起部側に突出した第１庇部、及
び、（Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出し
た第２庇部、から構成されており、第１突起部と第２突
起部との間にスペーサが挿入される、平面型表示装置の
製造方法であって、スペーサ保持部を、（ａ）第１パネ
ルを構成する第１基板に、スペーサ保持部を形成すべき
第１基板の部分が露出したマスク層を形成する工程と、
（ｂ）露出した第１基板の部分に第１突起部及び第２突
起部を形成し、更に、第１突起部の頂面に第１庇部を形
成し、且つ、第２突起部の頂面に第２庇部を形成する工
程と、（ｃ）マスク層を除去する工程、によって形成す
ることを特徴とする。A method of manufacturing a flat panel display device according to the present invention for achieving the above object is a method of manufacturing a flat panel display device according to a third aspect of the present invention, and includes a first panel and a second panel. Are joined together at their peripheral portions, and the space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. The flat type display device functions as a display portion.
The panel effective area is provided with a plurality of spacer holding section groups, and each spacer holding section group is composed of a plurality of spacer holding sections, and the second panel effective area and the first panel functioning as display portions. A spacer is held between the effective area and a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions is
(A) 1st protrusion part, (B) 2nd protrusion part extended substantially parallel to this 1st protrusion part, and adjacent to this 1st protrusion part, (C) 2nd protrusion part from the top surface of 1st protrusion part The first protrusion and the second protrusion protruding from the top surface of the second protrusion to the side of the first protrusion, and the first protrusion and the second protrusion. A method of manufacturing a flat-panel display device, wherein a spacer is inserted between the first substrate and the spacer holding portion, and the spacer holding portion is formed on the first substrate that constitutes the first panel (a). A step of forming a mask layer in which the portion of
(B) A first protrusion and a second protrusion are formed on the exposed portion of the first substrate, and a first eaves portion is further formed on the top surface of the first protrusion, and the top of the second protrusion is formed. It is characterized in that it is formed by the step of forming the second eaves portion on the surface and the step (c) of removing the mask layer.

【００４８】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部の製造方法、あるいは又、本発明の平面型表示装置の
製造方法にあっては、前記工程（ｂ）において、メッキ
法によって、第１突起部、第２突起部、第１庇部、及
び、第２庇部を形成する構成とすることができる。ある
いは又、前記工程（ｂ）において、メッキ法によって第
１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、物理的気相
成長法及びエッチング法によって第１庇部及び第２庇部
を形成する構成とすることができる。あるいは又、前記
工程（ｂ）において、メッキ法によって第１突起部及び
第２突起部を形成し、次いで、化学的気相成長法及びエ
ッチング法によって第１庇部及び第２庇部を形成する構
成とすることができる。あるいは又、前記工程（ｂ）に
おいて、メッキ法によって第１突起部及び第２突起部を
形成し、次いで、物理的気相成長法及びリフトオフ法に
よって第１庇部及び第２庇部を形成する構成とすること
ができる。あるいは又、前記工程（ｂ）において、メッ
キ法によって第１突起部及び第２突起部を形成し、次い
で、化学的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇
部及び第２庇部を形成する構成とすることができる。あ
るいは又、前記工程（ｂ）において、溶射法によって、
第１突起部、第２突起部、第１庇部、及び、第２庇部を
形成する構成とすることができる。以上の各種の方法に
よって、第１突起部と第１庇部とは一体的に設けられて
おり、第２突起部と第２庇部とは一体的に設けられてい
る構成を得ることができ、あるいは又、第１突起部と第
１庇部とは異なる材料から構成され、第２突起部と第２
庇部とは異なる材料から構成されている構成を得ること
ができる。物理的気相成長法（ＰＶＤ法）として、電
子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着等の各種
真空蒸着法、プラズマ蒸着法、２極スパッタリング
法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタ
リング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパ
ッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイア
ススパッタリング法等の各種スパッタリング法、ＤＣ
(direct current)法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応
法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応
性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティン
グ法、を挙げることができる。In the method of manufacturing the spacer holding portion for the flat panel display device of the present invention, or in the method of manufacturing the flat panel display device of the present invention, in the step (b), the first plating method is used. The protrusion portion, the second protrusion portion, the first eaves portion, and the second eaves portion can be formed. Alternatively, in the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a physical vapor deposition method and an etching method. It can be configured. Alternatively, in the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a chemical vapor deposition method and an etching method. It can be configured. Alternatively, in the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a physical vapor deposition method and a lift-off method. It can be configured. Alternatively, in the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a chemical vapor deposition method and a lift-off method. It can be configured. Alternatively, in the step (b), by a thermal spraying method,
The first protrusion portion, the second protrusion portion, the first eaves portion, and the second eaves portion can be formed. With the various methods described above, it is possible to obtain a configuration in which the first protrusion and the first eaves are integrally provided and the second protrusion and the second eaves are integrally provided. Alternatively, the first protrusion and the first eaves are made of different materials, and the second protrusion and the second eaves are different from each other.
It is possible to obtain a structure made of a material different from that of the eaves portion. As a physical vapor deposition method (PVD method), electron beam heating method, resistance heating method, various vacuum vapor deposition methods such as flash vapor deposition, plasma vapor deposition method, bipolar sputtering method, direct current sputtering method, direct current magnetron sputtering method, high frequency sputtering. Method, magnetron sputtering method, ion beam sputtering method, various sputtering methods such as bias sputtering method, DC
(direct current) method, RF method, multi-cathode method, activation reaction method, electric field deposition method, high frequency ion plating method, various ion plating methods such as reactive ion plating method, and the like.

【００４９】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部の製造方法、あるいは又、本発明の平面型表示装置の
製造方法において、平面型表示装置を冷陰極電界電子放
出表示装置とし、第１パネルがアノード電極及び蛍光体
層が形成されたアノードパネルから成り、第２パネルが
複数の冷陰極電界電子放出素子が形成されたカソードパ
ネルから成る場合、マスク層を第１基板（アノードパネ
ルを構成する基板である基体）上に形成する前に、スペ
ーサ保持部及び後述する隔壁を形成すべき第１基板の部
分の表面に、蛍光体層からの光を吸収する光吸収層を形
成する工程を含むことが、表示画像のコントラスト向上
といった観点から好ましい。尚、このような構成も、マ
スク層を第１基板に形成し、第１基板に第１突起部等を
形成することに包含される。In the method of manufacturing the spacer holding portion for the flat panel display device of the present invention, or in the method of manufacturing the flat panel display device of the present invention, the flat panel display device is a cold cathode field emission display device. When the panel is an anode panel having an anode electrode and a phosphor layer formed thereon and the second panel is a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices formed thereon, the mask layer is a first substrate (which constitutes the anode panel). The step of forming a light absorption layer for absorbing light from the phosphor layer on the surface of the first substrate portion on which the spacer holding portion and the partition wall, which will be described later, are to be formed. The inclusion is preferable from the viewpoint of improving the contrast of the display image. Note that such a configuration is also included in forming the mask layer on the first substrate and forming the first protrusions and the like on the first substrate.

【００５０】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部若しくはその製造方法に対して、本発明の第１の態様
若しくは第１Ａの態様に係る平面型表示装置におけるス
ペーサ保持部、第２スペーサ保持部を適用することがで
きる。あるいは又、各種の構成を含む本発明の平面型表
示装置用のスペーサと、本発明の第１の態様若しくは第
１Ａの態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ保持
部、第２スペーサ保持部との組合せを適用することがで
きる。あるいは又、本発明の第２の態様若しくは第２Ａ
の態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ保持部、
第２スペーサ保持部を適用することができる。あるいは
又、各種の構成を含む本発明の平面型表示装置用のスペ
ーサと、本発明の第２の態様若しくは第２Ａの態様に係
る平面型表示装置におけるスペーサ保持部、第２スペー
サ保持部との組合せを適用することができる。In contrast to the spacer holding portion for the flat panel display device of the present invention or the manufacturing method thereof, the spacer holding portion and the second spacer holding portion in the flat panel display device according to the first aspect or 1A aspect of the present invention are provided. Parts can be applied. Alternatively, a spacer for a flat-panel display device of the present invention including various configurations, and a spacer holding portion and a second spacer holding portion in the flat-panel display device according to the first or first aspect of the present invention are provided. Combinations can be applied. Alternatively, the second aspect of the present invention or the second A
A spacer holding portion in the flat panel display device according to
The second spacer holding portion can be applied. Alternatively, a spacer for a flat panel display device of the present invention including various configurations, and a spacer holding portion and a second spacer holding portion in the flat panel display device according to the second aspect or the second aspect of the present invention are provided. Combinations can be applied.

【００５１】また、本発明の第３の態様に係る平面型表
示装置若しくはその製造方法に対して、本発明の第１の
態様若しくは第１Ａの態様に係る平面型表示装置におけ
るスペーサ保持部、第２スペーサ保持部を適用すること
ができる。あるいは又、各種の構成を含む本発明の平面
型表示装置用のスペーサと、本発明の第１の態様若しく
は第１Ａの態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ
保持部、第２スペーサ保持部との組合せを適用すること
ができる。あるいは又、本発明の第２の態様若しくは第
２Ａの態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ保持
部、第２スペーサ保持部を適用することができる。ある
いは又、各種の構成を含む本発明の平面型表示装置用の
スペーサと、本発明の第２の態様若しくは第２Ａの態様
に係る平面型表示装置におけるスペーサ保持部、第２ス
ペーサ保持部との組合せを適用することができる。In addition to the flat panel display device or the manufacturing method thereof according to the third aspect of the present invention, the spacer holding portion in the flat panel display device according to the first aspect or 1A aspect of the present invention, Two spacer holding parts can be applied. Alternatively, a spacer for a flat-panel display device of the present invention including various configurations, and a spacer holding portion and a second spacer holding portion in the flat-panel display device according to the first or first aspect of the present invention are provided. Combinations can be applied. Alternatively, the spacer holding portion and the second spacer holding portion in the flat panel display according to the second aspect or the second A aspect of the present invention can be applied. Alternatively, a spacer for a flat panel display device of the present invention including various configurations, and a spacer holding portion and a second spacer holding portion in the flat panel display device according to the second aspect or the second aspect of the present invention are provided. Combinations can be applied.

【００５２】本発明の平面型表示装置用のスペーサ、本
発明の平面型表示装置用のスペーサ保持部若しくはその
製造方法、本発明の第１の態様〜第３の態様に係る平面
型表示装置、あるいは、本発明の平面型表示装置の製造
方法（以下、これらを総称して、単に、本発明と呼ぶ場
合がある）において、スペーサの高さ、厚さ、長さは、
平面型表示装置の仕様等に基づき決定すればよく、例え
ば、スペーサの厚さとして２０μｍ〜２００μｍ、例え
ば、５０μｍを例示することができる。スペーサ保持部
や第２スペーサ保持部、あるいは後述する隔壁の高さ、
厚さ、長さも、平面型表示装置の仕様等に基づき決定す
ればよく、これらの高さとして、例えば２０〜１００μ
ｍを例示することができ、厚さとして、例えば１０〜５
０μｍを例示することができる。一対のスペーサ保持部
や一対の第２スペーサ保持部の間隔は、スペーサの厚さ
や形成精度、加工精度、スペーサ保持部や第２スペーサ
保持部の加工精度や形成精度に基づき決定すればよい。A spacer for a flat panel display device of the present invention, a spacer holding portion for a flat panel display device of the present invention or a method of manufacturing the same, a flat panel display device according to any of the first to third aspects of the present invention, Alternatively, in the method for manufacturing a flat-panel display device of the present invention (hereinafter, these may be collectively referred to simply as the present invention), the height, thickness, and length of the spacer are
It may be determined based on the specifications of the flat panel display device, and for example, the thickness of the spacer may be 20 μm to 200 μm, for example, 50 μm. The height of the spacer holding portion, the second spacer holding portion, or the partition wall described later,
The thickness and length may also be determined based on the specifications of the flat panel display device, and the height of these may be, for example, 20 to 100 μm.
m can be exemplified, and the thickness is, for example, 10 to 5
0 μm can be exemplified. The interval between the pair of spacer holding portions and the pair of second spacer holding portions may be determined based on the spacer thickness, forming accuracy, processing accuracy, and processing accuracy and forming accuracy of the spacer holding portion and the second spacer holding portion.

【００５３】本発明において、スペーサをセラミックス
から構成する場合、セラミックスとして、ムライトやア
ルミナ、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジ
ルコニア、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸
鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや
酸化クロム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを
添加したもの等を例示することができる。この場合、所
謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成
し、かかるグリーンシート焼成品を切断することによっ
てスペーサを製造することができる。また、スペーサの
表面に、金属や合金から成る導電材料層を形成し、ある
いは又、抵抗体層を形成してもよい。In the present invention, when the spacer is made of ceramics, the ceramics include mullite, alumina, barium titanate, lead zirconate titanate, zirconia, cordiolite, barium borosilicate, iron silicate, glass ceramic materials, and the like. Examples thereof include titanium oxide, chromium oxide, iron oxide, vanadium oxide, nickel oxide, and the like. In this case, a spacer can be manufactured by forming a so-called green sheet, firing the green sheet, and cutting the green sheet fired product. Further, a conductive material layer made of a metal or an alloy may be formed on the surface of the spacer, or a resistor layer may be formed.

【００５４】また、本発明の第１の態様若しくは第２の
態様に係る平面型表示装置にあっては、スペーサ保持部
や第２スペーサ保持部を、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、
コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａ
ｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金
（Ｐｔ）及び亜鉛（Ｚｎ）から成る群から選択された少
なくとも１種類の金属、あるいは、これらの金属から構
成された合金；酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）；酸化イ
ンジウム−亜鉛（ＩＸＯ）；酸化錫（ＳｎＯ₂）；アン
チモンドープの酸化錫；インジウム又はアンチモンドー
プの酸化チタン（ＴｉＯ₂）；酸化ルテニウム（Ｒｕ
Ｏ₂）；インジウム又はアンチモンドープの酸化ジルコ
ニウム（ＺｒＯ₂）；ポリイミド樹脂；低融点ガラスか
ら構成することができ、電気メッキ法や無電解メッキ法
を含むメッキ法、溶射法、スクリーン印刷法、ディスペ
ンサを用いた方法、サンドブラスト形成法、ドライフィ
ルム法、感光法によって形成することができる。In the flat panel display device according to the first or second aspect of the present invention, the spacer holding portion and the second spacer holding portion are made of, for example, nickel (Ni),
Cobalt (Co), iron (Fe), gold (Au), silver (A
g), at least one metal selected from the group consisting of rhodium (Rh), palladium (Pd), platinum (Pt) and zinc (Zn), or an alloy composed of these metals; indium-tin oxide (ITO); indium oxide-zinc (IXO); tin oxide (SnO ₂ ); antimony-doped tin oxide; indium or antimony-doped titanium oxide (TiO ₂ ); ruthenium oxide (Ru)
O ₂ ); indium or antimony-doped zirconium oxide (ZrO ₂ ); polyimide resin; can be composed of low-melting glass, plating methods including electroplating and electroless plating, thermal spraying, screen printing, dispensers Can be formed by a method using, a sand blast forming method, a dry film method, or a photosensitive method.

【００５５】ここで、ドライフィルム法とは、第１基板
上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によ
ってスペーサ保持部形成予定部位の感光性フィルムを除
去し、除去によって生じた開口部にスペーサ保持部形成
用の材料を埋め込み、必要に応じて、スペーサ保持部形
成用の材料を焼成する方法である。感光性フィルムは焼
成によって燃焼、除去され、あるいは又、薬品によって
除去され、開口部に埋め込まれたスペーサ保持部形成用
の材料が残り、スペーサ保持部となる。感光法とは、第
１基板上に感光性を有するスペーサ保持部形成用の材料
層を形成し、露光及び現像によってこの材料層をパター
ニングした後、焼成を行う方法である。サンドブラスト
形成法とは、例えば、スクリーン印刷やロールコータ
ー、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用い
てスペーサ保持部形成用材料層を第１基板上に形成し、
乾燥及び／又は焼成した後、スペーサ保持部を形成すべ
きスペーサ保持部形成用材料層の部分をマスクで被覆
し、次いで、露出したスペーサ保持部形成用材料層の部
分をサンドブラスト法によって除去する方法である。溶
射法においては、マスクを、開口を有する板状材料（シ
ート状材料）から構成することもできるが、所謂感光性
材料から構成することが好ましい。そして、後者の場
合、感光性材料層を第１基板上に形成し、次いで、この
感光性材料層を露光、現像することによって、感光性材
料層から成り、開口を有するマスクをスペーサ保持部形
成用材料層上に形成することができる。Here, the dry film method is that a photosensitive film is laminated on the first substrate, the photosensitive film in the spacer holding portion planned site is removed by exposure and development, and the spacer is formed in the opening formed by the removal. This is a method in which a material for forming a holding portion is embedded and, if necessary, a material for forming a spacer holding portion is baked. The photosensitive film is burned and removed by firing, or is removed by a chemical, and the material for forming the spacer holding portion, which is buried in the opening, remains and becomes the spacer holding portion. The photosensitization method is a method in which a material layer for forming a spacer holding portion having photosensitivity is formed on the first substrate, the material layer is patterned by exposure and development, and then firing is performed. The sand blast forming method means, for example, forming a spacer holding portion forming material layer on the first substrate using screen printing, a roll coater, a doctor blade, a nozzle discharge type coater,
After drying and / or baking, a portion of the spacer holding portion forming material layer where the spacer holding portion is to be formed is covered with a mask, and then the exposed portion of the spacer holding portion forming material layer is removed by a sandblast method. Is. In the thermal spraying method, the mask may be made of a plate-shaped material (sheet-shaped material) having an opening, but it is preferably made of a so-called photosensitive material. In the latter case, a photosensitive material layer is formed on the first substrate, and then the photosensitive material layer is exposed and developed to form a mask made of the photosensitive material layer and having an opening for forming the spacer holding portion. It can be formed on the working material layer.

【００５６】本発明の第１の態様若しくは第２の態様に
係る平面型表示装置において、溶射法にてスペーサ保持
部や第２スペーサ保持部を形成する場合、不要な部分に
スペーサ保持部や第２スペーサ保持部が形成されないよ
うに、マスクを用いてもよい。マスクは、所謂感光性材
料（例えば、感光性液状レジスト材料や感光性ドライフ
ィルム）から構成することが好ましい。そして、感光性
ドライフィルムから成る感光性材料層を第１基板上にラ
ミネートする。あるいは又、感光性材料を感光性液状レ
ジスト材料から構成する場合、感光性液状レジスト材料
層を第１基板上に成膜する。そして、感光性材料層を露
光、現像することによって、感光性材料層から成り、開
口を有するマスクを第１基板上に形成することができ
る。スペーサ保持部や第２スペーサ保持部の形成後、マ
スクの構成に依存して適宜選択された方法にてマスク層
を第１基板上から取り除く。即ち、例えば、マスク層
を、化学的に除去し（例えば、薬液によって剥離し、あ
るいは又、焼成し）、あるいは又、機械的に除去する。
あるいは又、マスクを、金属、ガラス、セラミック、耐
熱性樹脂等から作製された板状材料（シート状材料）か
ら構成することができる。マスクを板状材料（シート状
材料）からマスク層を構成する場合、かかる板状材料
（シート状材料）に機械加工等によって予め開口を設け
ておけばよく、第１基板上にマスクを載置する。スペー
サ保持部や第２スペーサ保持部の形成後、マスクを機械
的に除去する。In the flat-panel display device according to the first or second aspect of the present invention, when the spacer holding portion or the second spacer holding portion is formed by the thermal spraying method, the spacer holding portion or the second spacer holding portion is formed in an unnecessary portion. A mask may be used so that the two spacer holding portions are not formed. The mask is preferably made of a so-called photosensitive material (for example, a photosensitive liquid resist material or a photosensitive dry film). Then, a photosensitive material layer made of a photosensitive dry film is laminated on the first substrate. Alternatively, when the photosensitive material is composed of a photosensitive liquid resist material, the photosensitive liquid resist material layer is formed on the first substrate. Then, by exposing and developing the photosensitive material layer, a mask made of the photosensitive material layer and having an opening can be formed on the first substrate. After forming the spacer holding portion and the second spacer holding portion, the mask layer is removed from the first substrate by a method appropriately selected depending on the structure of the mask. That is, for example, the mask layer is chemically removed (for example, stripped with a chemical solution, or baked), or mechanically removed.
Alternatively, the mask can be made of a plate-shaped material (sheet-shaped material) made of metal, glass, ceramic, heat-resistant resin, or the like. When the mask layer is formed of a plate-shaped material (sheet-shaped material), an opening may be provided in advance in the plate-shaped material (sheet-shaped material) by machining or the like, and the mask is placed on the first substrate. To do. After forming the spacer holding portion and the second spacer holding portion, the mask is mechanically removed.

【００５７】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部若しくはその製造方法、あるいは又、本発明の第３の
態様に係る平面型表示装置若しくは本発明の平面型表示
装置の製造方法においては、前記工程（ｂ）において、
電気メッキ法や無電解メッキ法を含むメッキ法によっ
て、第１突起部、第２突起部、第１庇部、第２庇部を形
成する場合、これらを、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、コ
バルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、銀（Ａ
ｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金
（Ｐｔ）及び亜鉛（Ｚｎ）から成る群から選択された少
なくとも１種類の金属、あるいは、係る金属から構成さ
れた合金；酸化インジウム−錫（ＩＴＯ）；酸化インジ
ウム−亜鉛（ＩＸＯ）；酸化錫（ＳｎＯ₂）；アンチモ
ンドープの酸化錫；インジウム又はアンチモンドープの
酸化チタン（ＴｉＯ₂）；酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）；
インジウム又はアンチモンドープの酸化ジルコニウム
（ＺｒＯ₂）から構成することができる。また、前記工
程（ｂ）において、電気メッキ法や無電解メッキ法を含
むメッキ法によって第１突起部及び第２突起部を形成
し、次いで、物理的気相成長法及びエッチング法あるい
は物理的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇部
及び第２庇部を形成する場合、第１突起部及び第２突起
部を、例えば上述の材料から構成することができ、第１
庇部及び第２庇部を、例えば、上述の材料、あるいは
又、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）から構成すること
ができる。また、電気メッキ法や無電解メッキ法を含む
メッキ法によって第１突起部及び第２突起部を形成し、
次いで、化学的気相成長法及びエッチング法あるいは化
学的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇部及び
第２庇部を形成する場合、第１突起部及び第２突起部
を、例えば、上述の材料から構成することができ、第１
庇部及び第２庇部を、例えば、上述の材料、あるいは
又、タングステン（Ｗ）から構成することができる。
尚、第１突起部及び第２突起部は、その他、スクリーン
印刷法、ディスペンサを用いた方法、サンドブラスト形
成法、ドライフィルム法、感光法等によっても形成する
ことができる。また、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）と
して、電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸
着等の各種真空蒸着法、プラズマ蒸着法、２極スパ
ッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロ
ンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネ
トロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング
法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング
法、ＤＣ(direct current)法、ＲＦ法、多陰極法、活
性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング
法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレ
ーティング法、を挙げることができる。In the spacer holding portion for the flat panel display device of the present invention or the manufacturing method thereof, or in the flat panel display device according to the third aspect of the present invention or the manufacturing method of the flat panel display device of the present invention, In the step (b),
When the first protruding portion, the second protruding portion, the first overhanging portion, and the second overhanging portion are formed by a plating method including an electroplating method and an electroless plating method, for example, nickel (Ni), cobalt ( Co), iron (Fe), gold (Au), silver (A
g), at least one metal selected from the group consisting of rhodium (Rh), palladium (Pd), platinum (Pt) and zinc (Zn), or an alloy composed of such metals; indium-tin oxide ( ITO); indium - zinc (IXO); tin oxide (SnO _2); antimony-doped tin oxide; titanium oxide indium or antimony-doped (TiO _2); ruthenium oxide (RuO _2);
It may be composed of indium or antimony-doped zirconium oxide (ZrO ₂ ). In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method including an electroplating method and an electroless plating method, and then a physical vapor deposition method and an etching method or a physical vapor method. When the first eaves portion and the second eaves portion are formed by the phase growth method and the lift-off method, the first protrusion portion and the second protrusion portion can be made of, for example, the above-mentioned material.
The eaves portion and the second eaves portion can be made of, for example, the above-mentioned material, or chromium (Cr) or titanium (Ti). Further, the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method including an electroplating method and an electroless plating method,
Then, when the first eaves portion and the second eaves portion are formed by the chemical vapor deposition method and the etching method or the chemical vapor deposition method and the lift-off method, the first protrusion portion and the second protrusion portion are formed, for example, as described above. Can be composed of materials of the first
The eaves portion and the second eaves portion can be made of, for example, the above-mentioned material or tungsten (W).
The first protrusion and the second protrusion can also be formed by other methods such as a screen printing method, a method using a dispenser, a sandblast forming method, a dry film method, and a photosensitive method. As a physical vapor deposition method (PVD method), electron beam heating method, resistance heating method, various vacuum vapor deposition methods such as flash vapor deposition method, plasma vapor deposition method, bipolar sputtering method, direct current sputtering method, direct current magnetron sputtering method, Various sputtering methods such as high frequency sputtering method, magnetron sputtering method, ion beam sputtering method, bias sputtering method, DC (direct current) method, RF method, multi-cathode method, activation reaction method, electric field deposition method, high frequency ion plating method , Various ion plating methods such as the reactive ion plating method.

【００５８】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部の製造方法、あるいは又、本発明の平面型表示装置の
製造方法における前記工程（ｂ）において、溶射法によ
って、第１突起部、第２突起部、第１庇部、第２庇部を
形成する場合、あるいは又、スペーサ保持部や第２スペ
ーサ保持部を溶射法によって形成する場合、これらを、
以下に例示する材料から構成することができる。In the step (b) of the method of manufacturing the spacer holding portion for the flat panel display device of the present invention or the method of manufacturing the flat panel display device of the present invention, the first projection, When forming the two protrusions, the first eaves portion, the second eaves portion, or when forming the spacer holding portion or the second spacer holding portion by a thermal spraying method, these are
It can be composed of the materials exemplified below.

【００５９】即ち、溶射法における溶射材料として、第
１パネルや第２パネル（例えば、アノードパネルやカソ
ードパネル）、あるいは、平面型表示装置（例えば、冷
陰極電界電子放出表示装置）の製造工程における加熱処
理温度において変質、変性、分解等が生じない耐熱性の
ある材料を用いることが好ましく、具体的には、セラミ
ックス、例えば、チタニア（ＴｉＯ₂）といったチタン
酸化物、クロミア（Ｃｒ₂Ｏ₃）といったクロム酸化物、
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）やグレイアルミナ（Ａｌ ₂Ｏ₃・Ｔ
ｉＯ₂）といったアルミニウム酸化物、マグネシア（Ｍ
ｇＯ）やマグネシアスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ₂Ｏ₃）とい
ったマグネシウム酸化物、ジルコニア（ＺｒＯ₂）やジ
ルコン（ＺｒＯ₂・ＳｉＯ₂）といったジルコニウム酸化
物、シリコン酸化物、アルミニウム窒化物、シリコン窒
化物、ジルコニウム窒化物、マグネシウム窒化物、タン
グステンカーバイド（ＷＣ）、チタンカーバイド（Ｔｉ
Ｃ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、クロムカーバイ
ド（Ｃｒ₃Ｃ₂）を挙げることができる。あるいは又、金
属材料、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、
ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃ
ｒ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、レニウム
（Ｒｅ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）を挙げる
ことができ、更には、金属合金、例えば、ニッケル−ク
ロム合金、鉄−ニッケル合金、コバール、フェライトを
例示することができる。更には、ガラスを用いることも
できるし、これらのセラミックス、金属、金属合金、ガ
ラスの２種類以上の混合物であってもよい。尚、スペー
サ保持部を導電性溶射材料から構成する場合、上述の各
種の材料の内、導電性を有する材料を適宜選択すればよ
く、例えば、スペーサ保持部の電気抵抗が１Ω・ｍ以下
となるような材料を選択することが好ましい。このよう
に、導電性溶射材料から構成すれば、スペーサ保持部や
後述する隔壁それ自体が一種の配線としても機能するが
故に、例えばアノード電極の電位を所望の値に確実に保
持することができる。また、後述する光吸収層を、蛍光
体層からの光を吸収する溶射材料から構成する場合、あ
るいは又、スペーサ保持部を、蛍光体層からの光を吸収
する溶射材料から構成する場合にも、上述の各種の材料
の内、蛍光体層からの光を吸収する溶射材料を適宜選択
すればよく、例えば、蛍光体層からの光を９９％以上吸
収するような材料を選択することが好ましい。このよう
な材料として、チタン酸化物、クロム酸化物、チタン酸
化物とアルミニウム酸化物の混合物を挙げることができ
る。場合によっては、第１突起部及び第２突起部、ある
いは又、スペーサ保持部や第２スペーサ保持部が第１パ
ネルを構成する第１基板あるいは第２パネルを構成する
第２基板と接する部分を絶縁性溶射材料から構成し、か
かる部分よりも上方の部分を導電性溶射材料から構成し
てもよい。溶射法として、あるいは又、蛍光体層からの
光を吸収する溶射材料から構成された光吸収層を溶射法
によって形成するための溶射法としては、周知の溶射法
を採用することができ、例えば、プラズマ溶射法、フレ
ーム溶射法、レーザ溶射法、アーク溶射法を挙げること
ができる。That is, as the thermal spraying material in the thermal spraying method,
1st panel or 2nd panel (eg anode panel or cathode panel)
Display panel) or a flat-panel display device (for example, a
Cathode field emission display))
With heat resistance that does not cause alteration, denaturation, or decomposition at normal temperature
It is preferable to use a certain material, specifically, the ceramic
X, for example, titania (TiO₂) Titanium
Oxide, chromia (Cr₂O₃) Chromium oxide,
Alumina (Al₂O₃) And gray alumina (Al ₂O₃・ T
iO₂) Aluminum oxide, magnesia (M
gO) and magnesia spinel (MgO ・ Al₂O₃)
Magnesium oxide, zirconia (ZrO₂) And J
Rucon (ZrO₂・ SiO₂) Zirconium oxide
Materials, silicon oxide, aluminum nitride, silicon nitride
Compound, zirconium nitride, magnesium nitride, tan
Gusten Carbide (WC), Titanium Carbide (Ti
C), Silicon Carbide (SiC), Chrome Carbide
De (Cr₃C₂) Can be mentioned. Alternatively, gold
Metal materials such as aluminum (Al), copper (Cu),
Nickel (Ni), molybdenum (Mo), chromium (C
r), tungsten (W), titanium (Ti), rhenium
(Re), vanadium (V), niobium (Nb)
And metal alloys such as nickel
ROM alloy, iron-nickel alloy, Kovar, ferrite
It can be illustrated. Furthermore, it is also possible to use glass
Yes, these ceramics, metals, metal alloys,
It may be a mixture of two or more laths. In addition, the space
When the holder is made of a conductive spray material, each of the above
Among the various materials, a material having conductivity may be appropriately selected.
For example, the electrical resistance of the spacer holder is 1 Ω · m or less.
It is preferable to select a material such that like this
In addition, if it is composed of a conductive spray material,
The partition wall itself, which will be described later, also functions as a kind of wiring.
Therefore, for example, ensure that the potential of the anode electrode is maintained at the desired value.
Can have. In addition, the light absorption layer described later is
If it is composed of a thermal spray material that absorbs light from the body layer,
In addition, the spacer holding part absorbs the light from the phosphor layer.
Even if it is composed of a thermal spray material,
Of the above, the thermal spray material that absorbs the light from the phosphor layer is appropriately selected
For example, 99% or more of the light from the phosphor layer is absorbed.
It is preferable to select a material that can be stored. like this
Titanium oxide, chromium oxide, titanic acid
And a mixture of aluminum oxide and
It In some cases, there is a first protrusion and a second protrusion.
Alternatively, the spacer holding portion and the second spacer holding portion are
Configure the first substrate or the second panel that configures the channel
The portion in contact with the second substrate is made of an insulating sprayed material,
The part above the covered part is made of conductive spray material.
May be. As a thermal spraying method, or from the phosphor layer
Spraying a light absorbing layer composed of a sprayed material that absorbs light
As a thermal spraying method for forming by
Can be adopted, for example, plasma spraying method,
The flame spraying method, laser spraying method, arc spraying method
You can

【００６０】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部の製造方法、あるいは又、本発明の平面型表示装置の
製造方法において、マスク層は、所謂感光性材料（例え
ば、感光性液状レジスト材料や感光性ドライフィルム）
から構成することが好ましい。そして、感光性ドライフ
ィルムから成る感光性材料層を第１基板上にラミネート
する。あるいは又、感光性材料を感光性液状レジスト材
料から構成する場合、感光性液状レジスト材料層を第１
基板上に成膜する。そして、感光性材料層を露光、現像
することによって、感光性材料層から成り、開口を有す
るマスク層を第１基板上に形成することができる。スペ
ーサ保持部や第２スペーサ保持部の形成後、マスク層の
構成に依存して適宜選択された方法にてマスク層を第１
基板上から取り除く。即ち、例えば、マスク層を化学的
に除去する。具体的には、例えば、薬液によって剥離
し、あるいは又、焼成する。In the method of manufacturing the spacer holding portion for the flat panel display device of the present invention, or in the method of manufacturing the flat panel display device of the present invention, the mask layer is a so-called photosensitive material (for example, a photosensitive liquid resist material). And photosensitive dry film)
It is preferable to be composed of Then, a photosensitive material layer made of a photosensitive dry film is laminated on the first substrate. Alternatively, when the photosensitive material is composed of a photosensitive liquid resist material, the photosensitive liquid resist material layer may be a first layer.
Form a film on a substrate. Then, by exposing and developing the photosensitive material layer, a mask layer made of the photosensitive material layer and having an opening can be formed on the first substrate. After forming the spacer holding portion and the second spacer holding portion, the first mask layer is formed by a method appropriately selected depending on the structure of the mask layer.
Remove from the board. That is, for example, the mask layer is chemically removed. Specifically, for example, it is peeled off with a chemical solution or is baked.

【００６１】本発明において、無電解メッキ法にてスペ
ーサ保持部や第２スペーサ保持部を形成する場合、パラ
ジウム、金、銀、白金、銅等の塩化物や硝酸塩等の水溶
性塩、あるいは錯体を触媒として用いればよい。In the present invention, when the spacer holding portion and the second spacer holding portion are formed by the electroless plating method, chlorides such as palladium, gold, silver, platinum and copper, water-soluble salts such as nitrates, or complexes. May be used as a catalyst.

【００６２】また、本発明において、第１パネル及び第
２パネルを構成する第１基板及び第２基板とスペーサ保
持部や第２スペーサ保持部との間の熱歪みを抑制するた
めに、低熱膨張係数の金属や無機物、耐熱性を有する有
機物を分散させたメッキ液を用いた分散メッキ法にてス
ペーサ保持部や第２スペーサ保持部を形成することもで
きる。例えば、ニッケルが母相である場合、鉄やＳｉＯ
₂、ＳｉＮ、ポリテトラフルオロエチレン等を分散相と
して用いることができる。スペーサ保持部や第２スペー
サ保持部を金属あるいは合金から成る導電材料層で被覆
してもよい。導電材料層を構成する材料は、導電性を有
する材料であれば、如何なる材料をも用いることができ
る。導電材料層の形成方法として、電子ビーム蒸着法や
熱フィラメント蒸着法を含む各種の真空蒸着法、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法、スク
リーン印刷法、メッキ法等を挙げることができる。Further, in the present invention, in order to suppress the thermal strain between the first substrate and the second substrate constituting the first panel and the second panel and the spacer holding portion and the second spacer holding portion, low thermal expansion is performed. The spacer holding portion and the second spacer holding portion can also be formed by a dispersion plating method using a plating solution in which a metal, an inorganic material having a coefficient, and an organic material having heat resistance are dispersed. For example, when nickel is the parent phase, iron or SiO
₂ , SiN, polytetrafluoroethylene, etc. can be used as the dispersed phase. The spacer holding portion and the second spacer holding portion may be covered with a conductive material layer made of metal or alloy. As the material forming the conductive material layer, any material can be used as long as it has conductivity. Examples of the method for forming the conductive material layer include various vacuum vapor deposition methods including electron beam vapor deposition method and hot filament vapor deposition method, sputtering method, CVD method, ion plating method, screen printing method, plating method and the like.

【００６３】スペーサ保持部や第２スペーサ保持部と第
１パネルや第２パネルを構成する第１基板、第２基板と
の間の熱膨張係数の相違、密着性の向上（後述する光吸
収層が形成されている場合には、スペーサ保持部や第２
スペーサ保持部と光吸収層との密着性の向上）を図るた
めに、あるいは又、スペーサ保持部や第２スペーサ保持
部を電気メッキ法にて形成する場合の一種のメッキ用カ
ソードとして、これらの間に中間層を形成してもよい。
中間層の熱膨張係数は、スペーサ保持部や第２スペーサ
保持部を構成する材料の熱膨張係数と、第１基板や第２
基板を構成する材料の熱膨張係数の間の値であることが
好ましい。あるいは又、中間層の延び率が第１基板や第
２基板の延び率より大きな材料、ヤング率が第１基板や
第２基板のヤング率より小さな材料から中間層を構成す
ることが好ましい。例えば、スペーサ保持部や第２スペ
ーサ保持部をニッケルから構成する場合、中間層を構成
する材料として、金、銀、銅を挙げることができる。中
間層の厚さは、１μｍ〜５μｍ程度とすればよい。中間
層は積層構造を有していてもよい。The difference in the thermal expansion coefficient between the spacer holding portion or the second spacer holding portion and the first substrate or the second substrate forming the first panel or the second panel, and the improvement of the adhesion (the light absorbing layer described later). Is formed, the spacer holding portion and the second
In order to improve the adhesion between the spacer holding portion and the light absorption layer), or as a kind of plating cathode when the spacer holding portion or the second spacer holding portion is formed by electroplating, these An intermediate layer may be formed between them.
The thermal expansion coefficient of the intermediate layer is the same as the thermal expansion coefficient of the material forming the spacer holding portion or the second spacer holding portion and the first substrate or the second substrate.
It is preferably a value between the coefficients of thermal expansion of the materials that make up the substrate. Alternatively, it is preferable that the intermediate layer is made of a material having an elongation rate of the intermediate layer larger than that of the first substrate or the second substrate and a Young's modulus smaller than that of the first substrate or the second substrate. For example, when the spacer holding portion and the second spacer holding portion are made of nickel, gold, silver, and copper can be cited as materials for the intermediate layer. The thickness of the intermediate layer may be about 1 μm to 5 μm. The intermediate layer may have a laminated structure.

【００６４】本発明において、スペーサ保持部や第２ス
ペーサ保持部を形成した後、スペーサ保持部や第２スペ
ーサ保持部の頂面を研磨し、スペーサ保持部や第２スペ
ーサ保持部の頂面の平坦化を図ってもよい。In the present invention, after the spacer holding portion and the second spacer holding portion are formed, the top surfaces of the spacer holding portion and the second spacer holding portion are polished to remove the top surface of the spacer holding portion and the second spacer holding portion. You may plan flattening.

【００６５】本発明において、平面型表示装置を冷陰極
電界電子放出表示装置とする場合、カソードパネルには
複数の冷陰極電界電子放出素子が形成され、アノードパ
ネルにはアノード電極及び蛍光体層が形成されている。
アノードパネルには、更に、蛍光体層から反跳した電
子、あるいは、蛍光体層から放出された二次電子が他の
蛍光体層に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）
が発生することを防止するための、あるいは又、蛍光体
層から反跳した電子、あるいは、蛍光体層から放出され
た二次電子が隔壁を越えて他の蛍光体層に向かって侵入
したとき、これらの電子が他の蛍光体層と衝突すること
を防止するための、隔壁が、複数、設けられていること
が好ましい。複数の隔壁を設ける場合、複数の隔壁の一
部分がスペーサ保持部として機能する構成とすることが
好ましく、この場合には、スペーサ保持部の形成と同時
に（一緒に）隔壁を形成することができる。In the present invention, when a flat panel display device is used as a cold cathode field emission device, a plurality of cold cathode field emission devices are formed on the cathode panel and an anode electrode and a phosphor layer are formed on the anode panel. Has been formed.
Electrons recoiled from the phosphor layer or secondary electrons emitted from the phosphor layer enter the other phosphor layer on the anode panel, causing so-called optical crosstalk (color turbidity).
To prevent the occurrence of, or when electrons recoiled from the phosphor layer or secondary electrons emitted from the phosphor layer penetrate the barrier layer toward other phosphor layers. It is preferable that a plurality of partition walls be provided to prevent these electrons from colliding with other phosphor layers. When a plurality of partition walls are provided, it is preferable that a part of the plurality of partition walls functions as a spacer holding portion, and in this case, the partition walls can be formed (at the same time) at the same time when the spacer holding portion is formed.

【００６６】隔壁の平面形状としては、格子形状（井桁
形状）、即ち、１画素に相当する、例えば平面形状が略
矩形（ドット状）の蛍光体層の四方を取り囲む形状を挙
げることができ、あるいは、略矩形あるいはストライプ
状の蛍光体層の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あ
るいはストライプ形状を挙げることができる。隔壁を格
子形状とする場合、１つの蛍光体層の領域の四方を連続
的に取り囲む形状としてもよいし、不連続に取り囲む形
状としてもよい。隔壁を帯状形状あるいはストライプ形
状とする場合、連続した形状としてもよいし、不連続な
形状としてもよい。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、
隔壁の頂面の平坦化を図ってもよい。The planar shape of the partition wall may be a lattice shape (double-column shape), that is, a shape corresponding to one pixel, for example, a shape surrounding four sides of a phosphor layer having a substantially rectangular planar shape (dot shape), Alternatively, a strip shape or a stripe shape extending in parallel with two opposing sides of the substantially rectangular or striped phosphor layer can be mentioned. When the partition wall has a lattice shape, it may have a shape that continuously surrounds four areas of one phosphor layer or a shape that discontinuously surrounds the area. When the partition wall has a strip shape or a stripe shape, it may have a continuous shape or a discontinuous shape. After forming the partition, the partition is polished,
The top surface of the partition wall may be flattened.

【００６７】冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出
素子と略称する）に関しては、後に詳述する。The cold cathode field emission device (hereinafter abbreviated as field emission device) will be described in detail later.

【００６８】アノードパネルにおいて、電界放出素子か
ら放出された電子が先ず衝突する部位は、アノードパネ
ルの構造に依るが、アノード電極であり、あるいは又、
蛍光体層である。In the anode panel, the site where the electrons emitted from the field emission device first collide is the anode electrode, or, depending on the structure of the anode panel, or
It is a phosphor layer.

【００６９】蛍光体層の平面形状（パターン）は、画素
に対応して、ドット状であってもよいし、ストライプ状
であってもよい。蛍光体層が隔壁の間に形成されている
場合、隔壁で取り囲まれたアノードパネルを構成する基
板（以下、基体と呼ぶ場合がある）の部分の上に蛍光体
層が形成されている。The planar shape (pattern) of the phosphor layer may be dot-shaped or stripe-shaped corresponding to the pixels. When the phosphor layer is formed between the partition walls, the phosphor layer is formed on the portion of the substrate (hereinafter, also referred to as a base body) that constitutes the anode panel surrounded by the partition walls.

【００７０】蛍光体層は、発光性結晶粒子（例えば、粒
径５〜１０ｎｍ程度の蛍光体粒子）から調製された発光
性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発
光性結晶粒子組成物（赤色蛍光体スラリー）を全面に塗
布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体層を形成し、次
いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色蛍光
体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発
光蛍光体層を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶
粒子組成物（青色蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露
光、現像して、青色発光蛍光体層を形成する方法にて形
成することができる。For the phosphor layer, a luminescent crystal particle composition prepared from luminescent crystal particles (for example, phosphor particles having a particle size of about 5 to 10 nm) is used. For example, red photosensitive luminescent crystals are used. The particle composition (red phosphor slurry) is applied to the entire surface, exposed and developed to form a red light emitting phosphor layer, and then a green photosensitive luminescent crystal particle composition (green phosphor slurry) is formed. The whole surface is coated, exposed and developed to form a green light emitting phosphor layer, and further, a blue photosensitive luminescent crystal particle composition (blue phosphor slurry) is applied to the entire surface, exposed and developed. It can be formed by a method of forming a blue light emitting phosphor layer.

【００７１】発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料とし
ては、従来公知の蛍光体材料の中から適宜選択して用い
ることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣ
で規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バ
ランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほ
ぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好まし
い。赤色発光蛍光体層を構成する蛍光体材料として、
（Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ）、（Ｙ₂Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ）、（Ｙ₃Ａｌ₅Ｏ
₁₂：Ｅｕ）、（ＹＢＯ₃：Ｅｕ）、（ＹＶＯ₄：Ｅｕ）、
（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｅｕ）、（Ｙ_0.96Ｐ_0.60Ｖ_0.40Ｏ₄：Ｅ
ｕ_0.04）、［（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ］、（ＧｄＢ
Ｏ₃：Ｅｕ）、（ＳｃＢＯ₃：Ｅｕ）、（３．５ＭｇＯ・
０．５ＭｇＦ₂・ＧｅＯ₂：Ｍｎ）、（Ｚｎ₃（Ｐ
Ｏ₄）₂：Ｍｎ）、（ＬｕＢＯ₃：Ｅｕ）、（ＳｎＯ₂：Ｅ
ｕ）を例示することができる。緑色発光蛍光体層を構成
する蛍光体材料として、（ＺｎＳｉＯ₂：Ｍｎ）、（Ｂ
ａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ）、（ＢａＭｇ₂Ａｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｍ
ｎ）、（ＭｇＧａ₂Ｏ₄：Ｍｎ）、（ＹＢＯ₃：Ｔｂ）、
（ＬｕＢＯ₃：Ｔｂ）、（Ｓｒ₄Ｓｉ₃Ｏ₈Ｃｌ₄：Ｅ
ｕ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｕ，Ａｌ）、（ＺｎＢａＯ₄：Ｍｎ）、（ＧｂＢＯ₃：Ｔ
ｂ）、（Ｓｒ₆ＳｉＯ₃Ｃｌ₃：Ｅｕ）、（ＢａＭｇＡｌ
₁₄Ｏ₂₃：Ｍｎ）、（ＳｃＢＯ₃：Ｔｂ）、（Ｚｎ₂ＳｉＯ
₄：Ｍｎ）、（ＺｎＯ：Ｚｎ）、（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔ
ｂ）、（ＺｎＧａ₂Ｏ₄：Ｍｎ）を例示することができ
る。青色発光蛍光体層を構成する蛍光体材料として、
（Ｙ₂ＳｉＯ₅：Ｃｅ）、（ＣａＷＯ₄：Ｐｂ）、ＣａＷ
Ｏ₄、ＹＰ_0.85Ｖ_0.15Ｏ₄、（ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｅ
ｕ）、（Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｅｕ）、（Ｓｒ₂Ｐ₂Ｏ₇：Ｓ
ｎ）、（ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、（ＺｎＳ：Ａｇ）、Ｚ
ｎＭｇＯ、ＺｎＧａＯ₄を例示することができる。The phosphor material forming the luminescent crystal particles can be appropriately selected and used from among conventionally known phosphor materials. In the case of color display, the color purity is NTSC
It is preferable to combine phosphor materials that are close to the three primary colors defined in (3), have a white balance when the three primary colors are mixed, and have a short afterglow time and a substantially equal afterglow time of the three primary colors. As a phosphor material forming the red light emitting phosphor layer,
(Y ₂ O ₃ : Eu), (Y ₂ O ₂ S: Eu), (Y ₃ Al ₅ O
₁₂ : Eu), (YBO ₃ : Eu), (YVO ₄ : Eu),
(Y ₂ SiO ₅ : Eu), (Y _0.96 P _0.60 V _0.40 O ₄ : E
u _0.04 ), [(Y, Gd) BO ₃ : Eu], (GdB
O ₃ : Eu), (ScBO ₃ : Eu), (3.5 MgO.
0.5MgF ₂ · GeO ₂ : Mn), (Zn ₃ (P
O ₄ ) ₂ : Mn), (LuBO ₃ : Eu), (SnO ₂ : E)
u) can be illustrated. As the phosphor material forming the green light emitting phosphor layer, (ZnSiO ₂ : Mn), (B
aAl ₁₂ O ₁₉ : Mn), (BaMg ₂ Al ₁₆ O ₂₇ : M
n), (MgGa ₂ O ₄ : Mn), (YBO ₃ : Tb),
(LuBO ₃ : Tb), (Sr ₄ Si ₃ O ₈ Cl ₄ : E
u), (ZnS: Cu, Al), (ZnS: Cu, A)
_{u, Al), (ZnBaO 4} : Mn), (GbBO 3: T
b), (Sr ₆ SiO ₃ Cl ₃ : Eu), (BaMgAl
₁₄ O ₂₃ : Mn), (ScBO ₃ : Tb), (Zn ₂ SiO)
₄ : Mn), (ZnO: Zn), (Gd ₂ O ₂ S: T
b) and (ZnGa ₂ O ₄ : Mn) can be exemplified. As a phosphor material constituting the blue light emitting phosphor layer,
(Y ₂ SiO ₅ : Ce), (CaWO ₄ : Pb), CaW
O ₄ , YP _0.85 V _0.15 O ₄ , (BaMgAl ₁₄ O ₂₃ : E
u), (Sr ₂ P ₂ O ₇ : Eu), (Sr ₂ P ₂ O ₇ : S
n), (ZnS: Ag, Al), (ZnS: Ag), Z
Examples thereof include nMgO and ZnGaO ₄ .

【００７２】アノード電極の構成材料は、冷陰極電界電
子放出表示装置の構成によって適宜選択すればよい。即
ち、冷陰極電界電子放出表示装置が透過型（アノードパ
ネルが表示面に相当する）であって、且つ、アノードパ
ネルを構成する基板（基体）上にアノード電極と蛍光体
層がこの順に積層されている場合には、基体は元より、
アノード電極自身も透明である必要があり、ＩＴＯ（イ
ンジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いる。一方、
冷陰極電界電子放出表示装置が反射型（カソードパネル
が表示面に相当する）である場合、及び、透過型であっ
ても基体上に蛍光体層とアノード電極とがこの順に積層
されている場合には、ＩＴＯの他、アルミニウム（Ａ
ｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）を用いることができる。ア
ルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）からアノー
ド電極を構成する場合、アノード電極の厚さとして、具
体的には、３×１０^-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１．５×１０
^-7ｍ（１５０ｎｍ）、好ましくは５×１０^-8ｍ（５０ｎ
ｍ）乃至１×１０^-7ｍ（１００ｎｍ）を例示することが
できる。アノード電極は、蒸着法やスパッタリング法に
て形成することができる。The constituent material of the anode electrode may be appropriately selected depending on the structure of the cold cathode field emission display. That is, the cold cathode field emission display is a transmissive type (the anode panel corresponds to the display surface), and the anode electrode and the phosphor layer are laminated in this order on the substrate (base) that constitutes the anode panel. If the base is
The anode electrode itself also needs to be transparent, and a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide) is used. on the other hand,
When the cold cathode field emission display is a reflection type (the cathode panel corresponds to the display surface) and when it is the transmission type, the phosphor layer and the anode electrode are laminated in this order on the substrate. In addition to ITO, aluminum (A
1) or chromium (Cr) can be used. When the anode electrode is made of aluminum (Al) or chromium (Cr), the thickness of the anode electrode is, specifically, 3 × 10 ⁻⁸ m (30 nm) to 1.5 × 10 5.
^-7 m (150 nm), preferably 5 × 10 ^-8 m (50 n
m) to 1 × 10 ⁻⁷ m (100 nm) can be exemplified. The anode electrode can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method.

【００７３】アノード電極と蛍光体層の構成例として、
（１）基体上に、アノード電極を形成し、アノード電極
の上に蛍光体層を形成する構成、（２）基体上に、蛍光
体層を形成し、蛍光体層上にアノード電極を形成する構
成、を挙げることができる。尚、（１）の構成におい
て、蛍光体層の上に、アノード電極と導通した所謂メタ
ルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成にお
いて、アノード電極の上にメタルバック膜を形成しても
よい。スペーサ保持部や隔壁を基体上に形成することが
好ましいが、（１）の場合、スペーサ保持部や隔壁がア
ノード電極上に形成されている場合もある。この場合
も、スペーサ保持部や隔壁が基体上に形成されていると
いった概念に包含される。As a constitutional example of the anode electrode and the phosphor layer,
(1) A structure in which an anode electrode is formed on a substrate and a phosphor layer is formed on the anode electrode, (2) a phosphor layer is formed on a substrate, and an anode electrode is formed on the phosphor layer The configuration can be mentioned. In the configuration of (1), a so-called metal back film that is electrically connected to the anode electrode may be formed on the phosphor layer. In addition, in the configuration of (2), a metal back film may be formed on the anode electrode. It is preferable to form the spacer holding portion or the partition wall on the substrate, but in the case of (1), the spacer holding portion or the partition wall may be formed on the anode electrode. In this case as well, the concept that the spacer holding portion and the partition wall are formed on the substrate is included.

【００７４】蛍光体層からの光を吸収する光吸収層が隔
壁と基体との間に形成されていることが、表示画像のコ
ントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光
吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。
光吸収層を構成する材料として、蛍光体層からの光を９
９％以上吸収する材料を選択することが好ましい。この
ような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロ
ム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるい
は、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロ
ム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機
樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を
含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、
具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸
化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、
酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基体
と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタ
リング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパ
ッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法と
の組合せに、スクリーン印刷法、リソグラフィ技術等、
使用する材料に依存して適宜選択された方法にて形成す
ることができる。尚、上記（１）の場合であって、スペ
ーサ保持部や隔壁をアノード電極上に形成する場合、光
吸収層を、基体とアノード電極との間に形成してもよい
し、アノード電極とスペーサ保持部との間に形成しても
よい。It is preferable that a light absorbing layer that absorbs light from the phosphor layer is formed between the partition wall and the substrate from the viewpoint of improving the contrast of the displayed image. Here, the light absorption layer functions as a so-called black matrix.
The light from the phosphor layer is used as a material for the light absorption layer.
It is preferable to select a material that absorbs 9% or more. Such materials include carbon, metal thin films (eg, chromium, nickel, aluminum, molybdenum, etc., or alloys thereof), metal oxides (eg, chromium oxide), metal nitrides (eg, chromium nitride), heat-resistant materials. Organic resin, glass paste, and materials such as glass paste containing conductive particles such as black pigment and silver,
Specifically, a photosensitive polyimide resin, chromium oxide, or a chromium oxide / chromium laminated film can be exemplified. still,
In the chromium oxide / chromium laminated film, the chromium film is in contact with the substrate. The light absorption layer is, for example, a combination of a vacuum deposition method, a sputtering method and an etching method, a vacuum deposition method, a sputtering method, a combination of a spin coating method and a lift-off method, a screen printing method, a lithographic technique, etc.
It can be formed by an appropriately selected method depending on the material used. In the case of (1) above, when the spacer holding portion or the partition wall is formed on the anode electrode, the light absorption layer may be formed between the base and the anode electrode, or the anode electrode and the spacer may be formed. You may form between a holding part.

【００７５】本発明の平面型表示装置用のスペーサ保持
部の製造方法、平面型表示装置の製造方法にあっては、
第１基板上にマスク層を形成するが、上記（１）の場合
であって、スペーサ保持部や第２スペーサ保持部がアノ
ード電極上に形成されている場合、アノード電極上にマ
スク層を形成するが、この場合も、第１基板上にマスク
層を形成する形成するといった概念に包含される。ま
た、露出したアノード電極の部分にスペーサ保持部や第
２スペーサ保持部を形成するが、この場合も、露出した
第１基板の部分にスペーサ保持部や第２スペーサ保持部
を形成するといった概念に包含される。In the method of manufacturing the spacer holding portion for the flat panel display device and the method of manufacturing the flat panel display device of the present invention,
The mask layer is formed on the first substrate. In the case of the above (1), when the spacer holding portion and the second spacer holding portion are formed on the anode electrode, the mask layer is formed on the anode electrode. However, this case is also included in the concept of forming the mask layer on the first substrate. Further, although the spacer holding portion and the second spacer holding portion are formed on the exposed anode electrode portion, the concept of forming the spacer holding portion and the second spacer holding portion on the exposed first substrate portion is also used in this case. Included.

【００７６】カソードパネルを構成する基板（支持体）
は、少なくとも表面が絶縁性部材より構成されていれば
よく、ガラス基板、表面に絶縁膜が形成されたガラス基
板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表
面に絶縁膜が形成された半導体基板を挙げることができ
るが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、ある
いは、表面に絶縁膜が形成されたガラス基板を用いるこ
とが好ましい。アノードパネルを構成する基板（基体）
も、支持体と同様に構成することができる。Substrate (support) that constitutes the cathode panel
Is required to have at least a surface made of an insulating material, such as a glass substrate, a glass substrate having an insulating film formed on the surface, a quartz substrate, a quartz substrate having an insulating film formed on the surface, and an insulating film formed on the surface. Examples of the semiconductor substrate include a glass substrate or a glass substrate having an insulating film formed on its surface, from the viewpoint of manufacturing cost reduction. Substrate (base) that constitutes the anode panel
Can be configured similarly to the support.

【００７７】カソードパネルとアノードパネルとを周縁
部において接合する場合、接合は接着層を用いて行って
もよいし、あるいはガラスやセラミックス等の絶縁剛性
材料から成る枠体と接着層とを併用して行ってもよい。
枠体と接着層とを併用する場合には、枠体の高さを適宜
選択することにより、接着層のみを使用する場合に比
べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離
をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構
成材料としては、フリットガラスが一般的であるが、融
点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用
いてもよい。かかる低融点金属材料としては、Ｉｎ（イ
ンジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融
点合金；Ｓｎ₈₀Ａｇ₂₀（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓ
ｎ₉₅Ｃｕ₅（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）
系高温はんだ；Ｐｂ_97.5Ａｇ_2.5（融点３０４゜Ｃ）、
Ｐｂ_94.5Ａｇ_5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ
_97.5Ａｇ_1.5Ｓｎ_1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）
系高温はんだ；Ｚｎ₉₅Ａｌ₅（融点３８０゜Ｃ）等の亜
鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ₅Ｐｂ₉₅（融点３００〜
３１４゜Ｃ）、Ｓｎ₂Ｐｂ₉₈（融点３１６〜３２２゜
Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ₈₈Ｇａ₁₂（融点３８
１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）
を例示することができる。When the cathode panel and the anode panel are joined at their peripheral portions, the joining may be performed by using an adhesive layer, or a frame made of an insulating rigid material such as glass or ceramics and an adhesive layer may be used together. You may go.
When the frame and the adhesive layer are used together, by appropriately selecting the height of the frame, the facing distance between the cathode panel and the anode panel is set to be longer than that when only the adhesive layer is used. It is possible to Although frit glass is generally used as a constituent material of the adhesive layer, a so-called low melting point metal material having a melting point of about 120 to 400 ° C. may be used. Such low melting point metal materials include In (indium: melting point 157 ° C.); indium-gold low melting point alloy; Sn ₈₀ Ag ₂₀ (melting point 220 to 370 ° C.), S
Tin (Sn) such as n ₉₅ Cu ₅ (melting point 227 to 370 ° C)
System high temperature solder; Pb _97.5 Ag _2.5 (melting point 304 ° C),
Pb _94.5 Ag _5.5 (melting point 304-365 ° C), Pb
Lead (Pb) such as _97.5 Ag _1.5 Sn _1.0 (melting point 309 ° C)
-Based high temperature solder; Zn ₉₅ Al ₅ (melting point 380 ° C) and other zinc (Zn) -based high temperature solder; Sn ₅ Pb ₉₅ (melting point 300-
314 ° C), Sn ₂ Pb ₉₈ (melting point 316 to 322 ° C) and other standard tin-lead solder; Au ₈₈ Ga ₁₂ (melting point 38
1 ° C) brazing filler metal (the above subscripts all represent atomic%)
Can be illustrated.

【００７８】カソードパネルとアノードパネルと枠体の
三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、
あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネ
ルのいずれか一方と枠体とを接合し、第２段階でカソー
ドパネル又はアノードパネルの他方と枠体とを接合して
もよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空
雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと
枠体と接着層とにより囲まれた空間は、接合と同時に真
空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネ
ルとアノードパネルと枠体と接着層とによって囲まれた
空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気
を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいず
れであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、大
気であっても、あるいは窒素ガスや周期律表０族に属す
るガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスであっても
よい。When the cathode panel, the anode panel and the frame body are joined together, they may be joined at the same time,
Alternatively, either the cathode panel or the anode panel may be joined to the frame in the first step, and the other cathode panel or the anode panel may be joined to the frame in the second step. If the three-way simultaneous bonding and the bonding in the second stage are performed in a high vacuum atmosphere, the space surrounded by the cathode panel, the anode panel, the frame and the adhesive layer becomes a vacuum at the same time as the bonding. Alternatively, after the three members are joined together, the space surrounded by the cathode panel, the anode panel, the frame body, and the adhesive layer can be evacuated to create a vacuum. When exhausting is performed after joining, the pressure of the atmosphere during joining may be either normal pressure or reduced pressure, and the gas forming the atmosphere may be atmospheric air, or nitrogen gas or Group 0 of the periodic table. It may be an inert gas containing a gas belonging to (for example, Ar gas).

【００７９】接合後に排気を行う場合、排気は、カソー
ドパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチ
ップ管を通じて行うことができる。チップ管は、典型的
にはガラス管を用いて構成され、カソードパネル及び／
又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通部の周
囲に、フリットガラス又は上述の低融点金属材料を用い
て接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着に
よって封じ切られる。尚、封じ切りを行う前に、冷陰極
電界電子放出表示装置全体を一旦加熱してから降温させ
ると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残
留ガスを排気により空間外へ除去することができるの
で、好適である。When the gas is exhausted after joining, the gas can be exhausted through a tip tube previously connected to the cathode panel and / or the anode panel. The tip tube is typically constructed using a glass tube, and the cathode panel and / or
Alternatively, the frit glass or the above-mentioned low-melting-point metal material is bonded to the periphery of the through-hole provided in the ineffective region of the anode panel, and after the space reaches a predetermined vacuum degree, the space is sealed by heat fusion. It should be noted that if the entire cold cathode field emission display is once heated and then cooled before the sealing, residual gas can be released into the space, and this residual gas can be removed to the outside of the space by exhaust. Therefore, it is preferable.

【００８０】[0080]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、発明の実
施の形態（以下、実施の形態と略称する）に基づき本発
明を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below with reference to the drawings on the basis of an embodiment of the invention (hereinafter, simply referred to as an embodiment).

【００８１】（実施の形態１）実施の形態１は、本発明
の平面型表示装置用のスペーサ、並びに、本発明の第１
の態様に係る平面型表示装置に関する。尚、平面型表示
装置は冷陰極電界電子放出表示装置から構成されてい
る。以降、冷陰極電界電子放出表示装置を、単に、表示
装置と略称する。(Embodiment 1) Embodiment 1 is a spacer for a flat-panel display device of the present invention, and a first embodiment of the present invention.
Of the flat type display device. The flat-panel display is composed of a cold cathode field emission display. Hereinafter, the cold cathode field emission display is simply referred to as a display.

【００８２】図１に、実施の形態１の表示装置（所謂３
電極型の表示装置）の模式的な一部端面図を示し、表示
装置を構成するアノードパネルＡＰにおける隔壁２２及
び蛍光体層２３の配置を模式的に示す配置図を図２〜図
４に例示し、カソードパネルＣＰの模式的な部分的斜視
図を図５に示す。尚、図１は、例えば、図２の矢印Ａ−
Ａに沿った端面図に相当する。更には、スペーサ３１を
頂面側から眺めた模式図を図６の（Ａ）に示し、スペー
サ保持部３０の配置を模式的に図６の（Ｂ）に示し、ス
ペーサ３１がスペーサ保持部３０によって保持された状
態を図６の（Ｃ）に模式的に示す。尚、図６の（Ｂ）及
び（Ｃ）に示した例においては、３つのスペーサ保持部
３０からスペーサ保持部群が構成され、これらの３つの
スペーサ保持部３０によってスペーサ３１が保持された
状態を図示しているが、スペーサ３１を保持するスペー
サ保持部３０の数（あるいはスペーサ保持部群を構成す
るスペーサ保持部の数）は３つに限定されない。FIG. 1 shows a display device according to the first embodiment (so-called 3).
2 to 4 are schematic partial end views of an electrode type display device), and FIG. 2 to FIG. Then, a schematic partial perspective view of the cathode panel CP is shown in FIG. Incidentally, FIG. 1 shows, for example, the arrow A- in FIG.
Corresponds to the end view along A. Further, a schematic view of the spacer 31 viewed from the top surface side is shown in FIG. 6A, the arrangement of the spacer holding portion 30 is schematically shown in FIG. 6B, and the spacer 31 is the spacer holding portion 30. The state held by is schematically shown in FIG. In addition, in the example shown in FIGS. 6B and 6C, a state in which a spacer holding group is composed of three spacer holding sections 30 and the spacer 31 is held by these three spacer holding sections 30 However, the number of spacer holding portions 30 holding the spacers 31 (or the number of spacer holding portions forming the spacer holding portion group) is not limited to three.

【００８３】実施の形態１の表示装置は、第１パネル
（アノードパネルＡＰ）及び第２パネル（カソードパネ
ルＣＰ）がそれらの周縁部で接合され、第１パネル（ア
ノードパネルＡＰ）と第２パネル（カソードパネルＣ
Ｐ）によって挟まれた空間が真空状態となっている。そ
して、表示部分として機能する第１パネル有効領域に
は、複数のスペーサ保持部群が設けられており、各スペ
ーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部３０から構成さ
れている。即ち、複数のスペーサ保持部３０がアノード
パネルＡＰに設けられている。あるいは又、実施の形態
１の平面型表示装置用のスペーサは、第１パネル（アノ
ードパネルＡＰ）及び第２パネル（カソードパネルＣ
Ｐ）がそれらの周縁部で接合され、第１パネル（アノー
ドパネルＡＰと第２パネル（カソードパネルＣＰ）によ
って挟まれた空間が真空状態となっている平面型表示装
置において、表示部分として機能する第１パネル（アノ
ードパネルＡＰ）の有効領域と第２パネル（カソードパ
ネルＣＰ）の有効領域との間に配置されるスペーサであ
る。In the display device of Embodiment 1, the first panel (anode panel AP) and the second panel (cathode panel CP) are joined together at their peripheral portions, and the first panel (anode panel AP) and the second panel are joined. (Cathode panel C
The space sandwiched by P) is in a vacuum state. Then, a plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region functioning as a display portion, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units 30. That is, the plurality of spacer holding portions 30 are provided on the anode panel AP. Alternatively, the spacer for the flat panel display device according to the first embodiment includes a first panel (anode panel AP) and a second panel (cathode panel C).
P) are joined at their peripheral portions and function as a display portion in a flat panel display device in which a space sandwiched by a first panel (anode panel AP and a second panel (cathode panel CP) is in a vacuum state). It is a spacer arranged between the effective area of the first panel (anode panel AP) and the effective area of the second panel (cathode panel CP).

【００８４】そして、各スペーサ保持部群を構成する複
数のスペーサ保持部３０は、図６の（Ｂ）に示すよう
に、直線Ｌ上に位置している。The plurality of spacer holding portions 30 constituting each spacer holding portion group are located on the straight line L, as shown in FIG. 6 (B).

【００８５】表示部分として機能する第２パネル有効領
域と第１パネル有効領域との間には、スペーサ保持部群
における複数のスペーサ保持部３０によって保持された
スペーサ３１が配置されている。具体的には、スペーサ
３１の底部は、スペーサ保持部３０とスペーサ保持部３
０との間に挟み込まれている。そして、スペーサ３１
は、図６の（Ａ）に示すように、第１パネル有効領域と
第２パネル有効領域との間に配置される前には、その長
手方向に沿って湾曲している。A spacer 31 held by a plurality of spacer holding portions 30 in the spacer holding portion group is arranged between the second panel effective area and the first panel effective area which function as a display portion. Specifically, the bottom portion of the spacer 31 has a spacer holding portion 30 and a spacer holding portion 3.
It is sandwiched between 0 and. And the spacer 31
As shown in (A) of FIG. 6, before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area, is curved along the longitudinal direction thereof.

【００８６】実施の形態１においては、第１パネル有効
領域と第２パネル有効領域との間に配置される前のスペ
ーサ３１において、図６の（Ａ）に示すように、スペー
サ３１の両端を結ぶ仮想直線Ｌ_IMGから、スペーサ３１
の中央部までの距離Ｌ₂を、０．３ｍｍとした。また、
第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との間に配置
される前のスペーサにおいて、スペーサの両端の間の距
離をＬ₁、スペーサの両端を結ぶ仮想直線からスペーサ
の中央部までの距離をＬ₂としたとき、５×１０^{- 4}Ｌ₁＝
Ｌ₂とした。更には、スペーサ３１の長さを１００ｍ
ｍ、厚さを５０μｍ、高さを１ｍｍとした。スペーサ３
１をその長手方向と直角の仮想平面で切断したときのス
ペーサ３１の断面形状は、細長い矩形である。In the first embodiment, in the spacer 31 before being arranged between the first panel effective region and the second panel effective region, as shown in FIG. From the imaginary straight line L _{IMG that} connects, spacer 31
The distance L ₂ to the central portion of was 0.3 mm. Also,
In the spacer before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area, the distance between both ends of the spacer is L ₁ , and the distance from the virtual straight line connecting both ends of the spacer to the central portion of the spacer is when the ^{_{L 2, 5 × 10 - 4}} L 1 =
It was set to L ₂ . Furthermore, the length of the spacer 31 is 100 m.
m, the thickness was 50 μm, and the height was 1 mm. Spacer 3
The cross-sectional shape of the spacer 31 when the 1 is cut along an imaginary plane perpendicular to its longitudinal direction is an elongated rectangle.

【００８７】スペーサ３１は、アルミナから成るセラミ
ックスから構成されている。このスペーサ３１は、所謂
グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成し、
かかるグリーンシート焼成品を切断することによって製
造することができる。尚、切断前あるいは切断後のグリ
ーンシート焼成品の両面を研磨することによって、スペ
ーサ３１の一方の側面と他方の側面の表面粗さを異なら
せることで、湾曲状態を得ることができる。あるいは
又、切断前あるいは切断後のグリーンシート焼成品の一
方の面に、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄から成る歪み生成層を形成
してもよい。歪み生成層の形成方法として、周知のＰＶ
Ｄ法やＣＶＤ法を挙げることができる。The spacer 31 is made of ceramics made of alumina. This spacer 31 is formed by forming a so-called green sheet, firing the green sheet,
It can be manufactured by cutting the fired green sheet. It should be noted that a curved state can be obtained by polishing both surfaces of the green sheet fired product before or after cutting to make the surface roughness of one side surface of the spacer 31 different from that of the other side surface. Alternatively, a strain generation layer made of, for example, Si ₃ N ₄ may be formed on one surface of the green sheet fired product before or after cutting. A well-known PV is used as a method for forming the strain generation layer.
D method and CVD method can be mentioned.

【００８８】実施の形態１のアノードパネルＡＰは、例
えば、第１基板に相当するガラス基板から成る基体２０
と、基体２０上に形成され、所定のパターンを有する蛍
光体層２３（カラー表示の場合、赤色発光蛍光体層２３
Ｒ、緑色発光蛍光体層２３Ｇ、青色発光蛍光体層２３
Ｂ）と、その上に形成された反射膜としても機能するア
ルミニウム薄膜から成るアノード電極２４から構成され
ている。そして、基体２０上には、隔壁２２が形成され
ており、隔壁２２と隔壁２２との間の基体２０の部分の
上には蛍光体層２３が形成されている。アノード電極２
４は、蛍光体層２３の上から隔壁２２の上に亙って、有
効領域全体に形成されている。図１に示したアノードパ
ネルＡＰにあっては、隔壁２２と基体２０との間に、蛍
光体層２３からの光を吸収する光吸収層（ブラックマト
リックス）２１が形成されている。光吸収層２１は、酸
化クロム／クロム積層膜から成る。The anode panel AP of the first embodiment is, for example, a base body 20 made of a glass substrate corresponding to the first substrate.
And a phosphor layer 23 formed on the substrate 20 and having a predetermined pattern (in the case of color display, the red light emitting phosphor layer 23
R, green light emitting phosphor layer 23G, blue light emitting phosphor layer 23
B) and the anode electrode 24 formed on the anode electrode 24 made of an aluminum thin film that also functions as a reflection film. The partition wall 22 is formed on the base body 20, and the phosphor layer 23 is formed on the portion of the base body 20 between the partition wall 22 and the partition wall 22. Anode electrode 2
4 is formed on the entire effective region from above the phosphor layer 23 to above the partition wall 22. In the anode panel AP shown in FIG. 1, a light absorption layer (black matrix) 21 that absorbs light from the phosphor layer 23 is formed between the partition wall 22 and the base body 20. The light absorption layer 21 is made of a chromium oxide / chromium laminated film.

【００８９】一部の隔壁２２の端部は「Ｔ」字状となっ
ており、「Ｔ」字の横棒の部分がスペーサ保持部３０に
相当する。スペーサ保持部３０を、直線Ｌに沿って１ｍ
ｍ毎に設けた。また、一対のスペーサ保持部３０の間隔
を５５μｍ、高さを約５０μｍとした。尚、一部の隔壁
２２の端部に突出部を設け、この突出部からスペーサ保
持部を構成することもできる。また、隔壁２２とは別個
にスペーサ保持部３０を設けてもよい。以下に説明する
実施の形態においても同様である。The end portions of some of the partition walls 22 are "T" shaped, and the portion of the "T" shaped horizontal bar corresponds to the spacer holding portion 30. Spacer holding part 30 along the straight line L for 1 m
It was provided every m. The distance between the pair of spacer holding portions 30 was 55 μm, and the height was about 50 μm. It should be noted that it is also possible to provide a protruding portion at an end of a part of the partition wall 22 and configure the spacer holding portion from this protruding portion. Further, the spacer holding portion 30 may be provided separately from the partition wall 22. The same applies to the embodiments described below.

【００９０】一方、図１に示した表示装置における電界
放出素子は、円錐形の電子放出部１５を備えた、所謂ス
ピント型電界放出素子である。この電界放出素子は、支
持体１０上に形成されたカソード電極１１と、支持体１
０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、
絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電
極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート
電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層
１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の
底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形
の電子放出部１５から構成されている。一般に、カソー
ド電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極の射
影像が互いに直交する方向に各々ストライプ状に形成さ
れており、これらの両電極の射影像が重複する部分に相
当する領域（１画素分の領域に相当し、電子放出領域Ｅ
Ａである）に、通常、複数の電界放出素子が設けられて
いる。更に、かかる電子放出領域ＥＡが、カソードパネ
ルＣＰの有効領域内に、通常、２次元マトリクス状に配
列されている。On the other hand, the field emission device in the display device shown in FIG. 1 is a so-called Spindt-type field emission device having a conical electron emission portion 15. This field emission device includes a cathode electrode 11 formed on a support 10 and a support 1
0 and the insulating layer 12 formed on the cathode electrode 11,
The gate electrode 13 formed on the insulating layer 12, the opening 14 provided in the gate electrode 13 and the insulating layer 12 (the first opening 14A provided in the gate electrode 13 and the insulating layer 12 provided The second opening 14B) and a conical electron-emitting portion 15 formed on the cathode electrode 11 located at the bottom of the opening 14. In general, the cathode electrode 11 and the gate electrode 13 are formed in stripes in the directions in which the projection images of these two electrodes are orthogonal to each other, and a region corresponding to a portion where the projection images of these two electrodes overlap each other ( The electron emission area E corresponds to the area of one pixel.
A) is usually provided with a plurality of field emission devices. Further, the electron emission areas EA are usually arranged in a two-dimensional matrix in the effective area of the cathode panel CP.

【００９１】１画素は、カソードパネル側の電子放出領
域ＥＡと、この電子放出領域ＥＡに対面したアノードパ
ネル側の蛍光体層２３とによって構成されている。有効
領域には、かかる画素が、例えば数十万〜数百万個もの
オーダーにて配列されている。One pixel is composed of an electron emission area EA on the cathode panel side and a phosphor layer 23 on the anode panel side facing the electron emission area EA. In the effective area, such pixels are arranged in the order of, for example, hundreds of thousands to millions.

【００９２】隔壁２２、スペーサ保持部３０、スペーサ
３１及び蛍光体層２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）の配
置状態を模式的に図２〜図４に示す。尚、図２〜図４に
おいては、隔壁２２、スペーサ保持部３０及びスペーサ
３１を明示するために、これらに斜線を付した。図２あ
るいは図３に示す例にあっては、隔壁２２の平面形状
は、格子形状（井桁形状）である。即ち、１画素に相当
する、例えば平面形状が略矩形（ドット状）の蛍光体層
２３の四方を取り囲む形状である。一方、図４に示す例
にあっては、隔壁２２の平面形状は、略矩形の蛍光体層
２３の対向する二辺と平行に延びる帯状形状あるいはス
トライプ形状である。尚、図４に示した例においては、
隔壁２２の長さは約２００μｍであり、幅（厚さ）は約
２５μｍであり、高さは約５０μｍである。また、長さ
方向に沿った隔壁２２と隔壁２２との間の隙間は約１０
０μｍであり、幅（厚さ）方向に沿った隔壁２２の形成
ピッチは約１１０μｍである。スペーサ保持部３０を構
成する隔壁の「Ｔ」字の横棒の部分の長さは約４０μｍ
である。The arrangement state of the partition wall 22, the spacer holding portion 30, the spacer 31, and the phosphor layer 23 (23R, 23G, 23B) is schematically shown in FIGS. 2 to 4, the partition wall 22, the spacer holding portion 30, and the spacer 31 are hatched to clearly show them. In the example shown in FIG. 2 or FIG. 3, the planar shape of the partition wall 22 is a lattice shape (double girder shape). That is, for example, it is a shape that surrounds four sides of the phosphor layer 23 having a substantially rectangular (dot-shaped) planar shape, which corresponds to one pixel. On the other hand, in the example shown in FIG. 4, the planar shape of the partition wall 22 is a strip shape or a stripe shape that extends in parallel with two opposing sides of the substantially rectangular phosphor layer 23. Incidentally, in the example shown in FIG.
The partition wall 22 has a length of about 200 μm, a width (thickness) of about 25 μm, and a height of about 50 μm. In addition, the gap between the partition walls 22 along the length direction is about 10
It is 0 μm, and the formation pitch of the partition walls 22 along the width (thickness) direction is about 110 μm. The length of the “T” -shaped horizontal bar of the partition wall forming the spacer holding portion 30 is about 40 μm.
Is.

【００９３】この表示装置において表示を行う場合に
は、カソード電極１１には相対的な負電圧がカソード電
極制御回路４０から印加され、ゲート電極１３には相対
的な正電圧がゲート電極制御回路４１から印加され、ア
ノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電
圧がアノード電極制御回路４２から印加される。かかる
表示装置において表示を行う場合、例えば、カソード電
極１１にカソード電極制御回路４０から走査信号を入力
し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路４１からビデ
オ信号を入力する。尚、これとは逆に、カソード電極１
１にカソード電極制御回路４０からビデオ信号を入力
し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路４１から走査
信号を入力してもよい。カソード電極１１とゲート電極
１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量
子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出
され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、蛍
光体層２３に衝突する。その結果、蛍光体層２３が励起
されて発光し、所望の画像を得ることができる。When displaying is performed in this display device, a relative negative voltage is applied to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 40, and a relative positive voltage is applied to the gate electrode 13 in the gate electrode control circuit 41. A positive voltage higher than that of the gate electrode 13 is applied to the anode electrode 24 from the anode electrode control circuit 42. When displaying is performed in such a display device, for example, a scanning signal is input to the cathode electrode 11 from the cathode electrode control circuit 40, and a video signal is input to the gate electrode 13 from the gate electrode control circuit 41. On the contrary, the cathode electrode 1
Alternatively, a video signal may be input from the cathode electrode control circuit 40 to 1, and a scanning signal may be input from the gate electrode control circuit 41 to the gate electrode 13. An electric field generated when a voltage is applied between the cathode electrode 11 and the gate electrode 13 causes electrons to be emitted from the electron emitting portion 15 based on the quantum tunnel effect, the electrons are attracted to the anode electrode 24, and the phosphor layer 23. Clash with. As a result, the phosphor layer 23 is excited and emits light, and a desired image can be obtained.

【００９４】以下、図２に例示した実施の形態１のアノ
ードパネルＡＰ及び表示装置の製造方法を、アノードパ
ネルＡＰを構成する第１基板である基体２０等の模式的
な一部端面図である図７の（Ａ）〜（Ｄ）及び図８の
（Ａ）〜（Ｃ）を参照して説明する。Hereinafter, the method of manufacturing the anode panel AP and the display device according to the first embodiment illustrated in FIG. 2 is a schematic partial end view of the base body 20 or the like which is the first substrate constituting the anode panel AP. This will be described with reference to (A) to (D) of FIG. 7 and (A) to (C) of FIG.

【００９５】［工程−１００］先ず、ガラス基板から成
る基体２０上に隔壁２２及びスペーサ保持部３０を形成
する。具体的には、先ず、基体２０全面にレジスト層を
形成し、露光、現像を行うことによって、隔壁２２及び
スペーサ保持部３０を形成すべき基体２０の部分の上の
レジスト層を除去する。次いで、真空蒸着法にて、全面
にクロム膜、酸化クロム膜を順次成膜した後、レジスト
層並びにその上のクロム膜及び酸化クロム膜を除去す
る。これによって、隔壁２２及びスペーサ保持部３０を
形成すべき基体２０の部分に、ブラックマトリックスと
して機能する光吸収層２１を形成することができる（図
７の（Ａ）参照）。[Step-100] First, the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 are formed on the substrate 20 made of a glass substrate. Specifically, first, a resist layer is formed on the entire surface of the substrate 20, and exposure and development are performed to remove the resist layer on the portion of the substrate 20 where the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 are to be formed. Next, a chromium film and a chromium oxide film are sequentially formed on the entire surface by a vacuum deposition method, and then the resist layer and the chromium film and the chromium oxide film thereon are removed. As a result, the light absorption layer 21 functioning as a black matrix can be formed on the portion of the base body 20 on which the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 are to be formed (see FIG. 7A).

【００９６】［工程−１１０］その後、全面に、具体的
には、基体２０及び光吸収層２１上に厚さ５０μｍのア
ルカリ可溶型の感光性ドライフィルムを積層し、露光、
現像を行うことによって、開口３３を有するマスク（感
光性ドライフィルム３２）を基体２０上に配置して、隔
壁２２及びスペーサ保持部３０を形成すべき基体２０の
部分（具体的には、光吸収層２１）を露出させることが
できる（図７（Ｂ）参照）。[Step-110] After that, an alkali-soluble photosensitive dry film having a thickness of 50 μm is laminated on the entire surface, specifically, the substrate 20 and the light absorption layer 21, and exposed,
By developing, a mask (photosensitive dry film 32) having an opening 33 is arranged on the substrate 20, and the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 are to be formed on the portion of the substrate 20 (specifically, light absorption). The layer 21) can be exposed (see FIG. 7B).

【００９７】［工程−１２０］その後、例えば、プラズ
マ溶射法に基づき、クロム（Ｃｒ）から成る溶射材料
（導電性溶射材料である）を溶射することによって、露
出した基体２０の部分に溶射層から成る隔壁２２及びス
ペーサ保持部３０を形成することができる。感光性ドラ
イフィルム３２の上には、溶射材料は殆ど堆積しない。
次いで、感光性ドライフィルム３２を除去する前に、隔
壁２２及びスペーサ保持部３０を研磨し、隔壁２２及び
スペーサ保持部３０の頂面の平坦化を図ることが好まし
い。研磨は、研磨紙を用いた湿式研磨によって行うこと
ができる。その後、感光性ドライフィルム３２を除去す
ることで、図７の（Ｃ）に示す構造を得ることができ
る。隔壁２２を導電性溶射材料から構成することによっ
て、隔壁２２が一種の網目状やストライプ状の配線とし
ても機能し、アノード電極２４を等電位に制御すること
が容易となる。[Step-120] After that, by spraying a spraying material (which is a conductive spraying material) made of chromium (Cr) based on, for example, a plasma spraying method, the exposed portion of the substrate 20 is exposed to the sprayed layer. The partition 22 and the spacer holding portion 30 can be formed. Almost no thermal spray material is deposited on the photosensitive dry film 32.
Next, before removing the photosensitive dry film 32, it is preferable to polish the partition walls 22 and the spacer holding portions 30 to flatten the top surfaces of the partition walls 22 and the spacer holding portions 30. The polishing can be performed by wet polishing using polishing paper. Then, by removing the photosensitive dry film 32, the structure shown in FIG. 7C can be obtained. By forming the partition wall 22 from a conductive sprayed material, the partition wall 22 also functions as a kind of mesh-shaped or stripe-shaped wiring, and it becomes easy to control the anode electrode 24 to an equal potential.

【００９８】［工程−１３０］次に、赤色発光蛍光体層
を形成するために、例えばポリビニルアルコール（ＰＶ
Ａ）樹脂と水に赤色発光蛍光体粒子を分散させ、更に、
重クロム酸アンモニウムを添加した赤色発光蛍光体スラ
リーを全面に塗布した後、かかる赤色発光蛍光体スラリ
ーを乾燥、露光、現像することによって、所定の隔壁２
２の間に赤色発光蛍光体層２３Ｒを形成する。このよう
な操作を、緑色発光蛍光体スラリー、青色発光蛍光体ス
ラリーについても同様に行うことによって、最終的に、
所定の隔壁２２の間に、赤色発光蛍光体層２３Ｒ、緑色
発光蛍光体層２３Ｇ、青色発光蛍光体層２３Ｂを形成す
る（図７の（Ｄ）、及び、図２〜図４の模式的な部分的
配置図を参照）。[Step-130] Next, in order to form a red-emitting phosphor layer, for example, polyvinyl alcohol (PV
A) red light emitting phosphor particles are dispersed in resin and water, and further,
After applying the red light emitting phosphor slurry to which ammonium dichromate has been added to the entire surface, the red light emitting phosphor slurry is dried, exposed and developed to give a predetermined partition wall 2.
The red light emitting phosphor layer 23R is formed between the two. By performing such an operation in the same manner for the green light emitting phosphor slurry and the blue light emitting phosphor slurry, finally,
A red light emitting phosphor layer 23R, a green light emitting phosphor layer 23G, and a blue light emitting phosphor layer 23B are formed between the predetermined partition walls 22 ((D) of FIG. 7 and schematic views of FIGS. 2 to 4). (See partial layout).

【００９９】［工程−１４０］その後、各蛍光体層２３
（蛍光体層２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）の上に、主にアク
リル系樹脂から構成されたラッカーから成る中間膜２５
を形成する（図８の（Ａ）参照）。具体的には、水槽内
に蛍光体層２３が形成された基体２０を沈め、水面にラ
ッカー膜を形成した後、水槽内の水を抜くことによっ
て、ラッカーから成る中間膜２５を蛍光体層２３の上か
ら隔壁２２及びスペーサ保持部３０の上に亙って形成す
ることができる。尚、ラッカーに添加された可塑剤の量
や、水面にラッカー膜を形成するときの条件によって、
ラッカー膜の硬さや延び率を変えることができ、これら
を最適化することによって、中間膜２５を蛍光体層２３
の上から隔壁２２及びスペーサ保持部３０の上に亙って
形成することができる。中間膜２５を構成するラッカー
には、広義のワニスの一種で、セルロース誘導体、一般
にニトロセルロースを主成分とした配合物を低級脂肪酸
エステルのような揮発性溶剤に溶かしたもの、あるい
は、他の合成高分子を用いたウレタンラッカー、アクリ
ルラッカーが含まれる。[Step-140] After that, each phosphor layer 23
On the (phosphor layers 23R, 23G, 23B), the intermediate film 25 mainly made of lacquer composed of acrylic resin.
Are formed (see FIG. 8A). Specifically, the substrate 20 on which the phosphor layer 23 is formed is submerged in the water tank, a lacquer film is formed on the water surface, and then the water in the water tank is drained to form an intermediate film 25 made of lacquer on the phosphor layer 23. It can be formed over the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 from above. Depending on the amount of plasticizer added to the lacquer and the conditions for forming the lacquer film on the water surface,
The hardness and elongation of the lacquer film can be changed, and by optimizing these, the intermediate film 25 can be changed to the phosphor layer 23.
It can be formed over the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 from above. The lacquer forming the intermediate film 25 is a kind of varnish in a broad sense, and is a cellulose derivative, generally a mixture containing nitrocellulose as a main component, dissolved in a volatile solvent such as a lower fatty acid ester, or other synthetic varnish. Includes urethane lacquer and acrylic lacquer using polymers.

【０１００】［工程−１５０］その後、全面にアルミニ
ウムから成るアノード電極２４を真空蒸着法に基づき形
成する（図８の（Ｂ）参照）。最後に、４００゜Ｃ程度
の加熱処理を行うことによって、中間膜２５を焼成する
と、図８の（Ｃ）に示すような構造を有するアノードパ
ネルＡＰを得ることができる。[Step-150] After that, the anode electrode 24 made of aluminum is formed on the entire surface by a vacuum deposition method (see FIG. 8B). Finally, the intermediate film 25 is baked by performing a heat treatment at about 400 ° C., whereby an anode panel AP having a structure as shown in FIG. 8C can be obtained.

【０１０１】［工程−１６０］一方、複数の電界放出素
子から構成された電子放出領域ＥＡを備えたカソードパ
ネルＣＰを準備する。尚、電界放出素子の詳細は後述す
る。そして、表示装置の組み立てを行う。具体的には、
スペーサ３１の底部をスペーサ保持部３０の間に挟み込
む。そして、蛍光体層２３と電子放出領域ＥＡとが対向
するようにアノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと
を配置し、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰ
（より具体的には、基体２０と支持体１０）とを、枠体
（図示せず）を介して、周縁部において接合する。接合
に際しては、枠体とアノードパネルＡＰとの接合部位、
及び枠体とカソードパネルＣＰとの接合部位にフリット
ガラスを塗布し、アノードパネルＡＰとカソードパネル
ＣＰと枠体とを貼り合わせ、予備焼成にてフリットガラ
スを乾燥した後、約４５０゜Ｃで１０〜３０分の本焼成
を行う。その後、アノードパネルＡＰとカソードパネル
ＣＰと枠体とフリットガラスとによって囲まれた空間
を、貫通孔（図示せず）及びチップ管（図示せず）を通
じて排気し、空間の圧力が１０^-4Ｐａ程度に達した時点
でチップ管を加熱溶融により封じ切る。このようにし
て、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと枠体と
に囲まれた空間を真空にすることができる。その後、必
要な外部回路との配線を行い、所謂３電極型の表示装置
を完成させる。スペーサ３１の頂面は、カソードパネル
ＣＰに設けられた絶縁層１２と接触した状態にある。[Step-160] On the other hand, a cathode panel CP having an electron emission area EA composed of a plurality of field emission devices is prepared. The details of the field emission device will be described later. Then, the display device is assembled. In particular,
The bottom portion of the spacer 31 is sandwiched between the spacer holding portions 30. Then, the anode panel AP and the cathode panel CP are arranged so that the phosphor layer 23 and the electron emission area EA face each other, and the anode panel AP and the cathode panel CP are arranged.
(More specifically, the base body 20 and the support body 10 are joined together at the peripheral edge portion via a frame body (not shown). At the time of joining, a joining portion between the frame body and the anode panel AP,
Further, frit glass is applied to the joint portion between the frame body and the cathode panel CP, the anode panel AP, the cathode panel CP and the frame body are adhered to each other, and the frit glass is dried by preliminary firing, and then at 10 ° C. at about 450 ° C. Main baking is performed for 30 minutes. Then, the space surrounded by the anode panel AP, the cathode panel CP, the frame and the frit glass is exhausted through a through hole (not shown) and a tip tube (not shown), and the pressure of the space is 10 ^-4 Pa. When the degree is reached, the tip tube is sealed by heating and melting. In this way, the space surrounded by the anode panel AP, the cathode panel CP and the frame can be evacuated. After that, wiring with a necessary external circuit is performed to complete a so-called three-electrode type display device. The top surface of the spacer 31 is in contact with the insulating layer 12 provided on the cathode panel CP.

【０１０２】［工程−１２０］において、溶射法にて隔
壁２２及びスペーサ保持部３０を形成する代わりに、電
気メッキ法にて隔壁２２及びスペーサ保持部３０を形成
することもできる。この場合、光吸収層２１をメッキ用
カソードとして用い、例えばスルファミン酸ニッケル溶
液を用いた電気メッキ法にて、例えばニッケルから成る
隔壁２２及びスペーサ保持部３０を形成することができ
る。更には、光吸収層２１と隔壁２２及びスペーサ保持
部３０との間に、例えば、金、銀あるいは銅から成る中
間層を形成してもよい。あるいは又、隔壁２２及びスペ
ーサ保持部３０を、スクリーン印刷法、ディスペンサを
用いた方法、サンドブラスト形成法、ドライフィルム
法、感光法によっても形成することができる。In [Step-120], instead of forming the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 by the thermal spraying method, the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 can be formed by the electroplating method. In this case, the light absorption layer 21 is used as a plating cathode, and the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 made of nickel, for example, can be formed by an electroplating method using a nickel sulfamate solution, for example. Further, an intermediate layer made of, for example, gold, silver or copper may be formed between the light absorption layer 21, the partition wall 22 and the spacer holding portion 30. Alternatively, the partition wall 22 and the spacer holding portion 30 can be formed by a screen printing method, a method using a dispenser, a sandblast forming method, a dry film method, or a photosensitive method.

【０１０３】（実施の形態２）実施の形態２は、実施の
形態１の変形である。実施の形態２にあっては、スペー
サ保持部３０ＡがカソードパネルＣＰ側に設けられてい
る。即ち、第１パネルは、複数の電界放出素子が形成さ
れたカソードパネルＣＰから成り、第２パネルは、アノ
ード電極２４及び蛍光体層２３が形成されたアノードパ
ネルＡＰから成る。このような構成の実施の形態２の表
示装置の模式的な一部端面図を図９に示す。尚、図９
は、図２の矢印Ａ−Ａに沿った端面図に相当する。(Embodiment 2) Embodiment 2 is a modification of Embodiment 1. In the second embodiment, the spacer holding portion 30A is provided on the cathode panel CP side. That is, the first panel comprises a cathode panel CP having a plurality of field emission devices formed thereon, and the second panel comprises an anode panel AP having an anode electrode 24 and a phosphor layer 23 formed thereon. FIG. 9 shows a schematic partial end view of the display device according to the second embodiment having such a configuration. Incidentally, FIG.
Corresponds to the end view along the arrow AA in FIG.

【０１０４】このような構造のカソードパネルＣＰは、
以下の方法で製造することができる。即ち、先ず、第１
基板に相当する支持体１０上に電界放出素子を形成す
る。尚、電界放出素子の製造方法の詳細は後述する。そ
の後、全面に、厚さ５０μｍのアルカリ可溶型の感光性
ドライフィルムを積層し、露光、現像を行うことによっ
て、開口を有するマスク（感光性ドライフィルム）を絶
縁層１２上に配置して、スペーサ保持部３０Ａを形成す
べき絶縁層１２の部分を露出させる。その後、例えば、
プラズマ溶射法に基づき、クロム（Ｃｒ）から成る溶射
材料（導電性溶射材料である）を溶射することによっ
て、露出した絶縁層１２の部分に溶射層から成るスペー
サ保持部３０Ａを形成することができる。感光性ドライ
フィルムの上には、溶射材料は殆ど堆積しない。次い
で、感光性ドライフィルムを除去する前に、スペーサ保
持部３０Ａを研磨し、スペーサ保持部３０Ａの頂面の平
坦化を図ることが好ましい。研磨は、研磨紙を用いた湿
式研磨によって行うことができる。その後、感光性ドラ
イフィルムを除去することで、図９に示す構造を得るこ
とができる。あるいは又、溶射法にてスペーサ保持部３
０Ａを形成する代わりに、メッキ法にてスペーサ保持部
３０Ａを形成することもできる。この場合、無電解メッ
キ法及び電気メッキ法にて、例えばニッケルから成るス
ペーサ保持部３０Ａを形成することができる。あるいは
又、スペーサ保持部３０Ａを、スクリーン印刷法、ディ
スペンサを用いた方法、ドライフィルム法、感光法によ
っても形成することができる。The cathode panel CP having such a structure is
It can be manufactured by the following method. That is, first, the first
A field emission device is formed on the support 10 corresponding to the substrate. The details of the method for manufacturing the field emission device will be described later. After that, an alkali-soluble photosensitive dry film having a thickness of 50 μm is laminated on the entire surface, and exposure and development are performed to dispose a mask (photosensitive dry film) having an opening on the insulating layer 12, The portion of the insulating layer 12 where the spacer holding portion 30A is to be formed is exposed. Then, for example,
By spraying a spraying material (which is a conductive spraying material) made of chromium (Cr) based on the plasma spraying method, the spacer holding portion 30A made of a sprayed layer can be formed on the exposed portion of the insulating layer 12. . Very little thermal spray material is deposited on the photosensitive dry film. Next, before removing the photosensitive dry film, it is preferable to polish the spacer holding portion 30A to flatten the top surface of the spacer holding portion 30A. The polishing can be performed by wet polishing using polishing paper. Then, by removing the photosensitive dry film, the structure shown in FIG. 9 can be obtained. Alternatively, the spacer holder 3 is formed by a thermal spraying method.
Instead of forming 0A, the spacer holding portion 30A can be formed by a plating method. In this case, the spacer holding portion 30A made of nickel, for example, can be formed by the electroless plating method and the electroplating method. Alternatively, the spacer holding portion 30A can also be formed by a screen printing method, a method using a dispenser, a dry film method, or a photosensitive method.

【０１０５】尚、図１に示したスペーサ保持部と図９に
示したスペーサ保持部とを組み合わせてもよい。尚、こ
のような構成を実施の形態２の変形例と呼ぶ。これによ
って、第２パネル（カソードパネルＣＰ）の有効領域に
は、複数の第２スペーサ保持部群が設けられており、各
第２スペーサ保持部群は、複数の第２スペーサ保持部３
０Ａから構成されており、各第２スペーサ保持部群を構
成する複数の第２スペーサ保持部３０Ａは、第１パネル
（アノードパネルＡＰ）の有効領域に設けられたスペー
サ保持部群を構成する複数のスペーサ保持部３０が位置
する第１の直線Ｌと対向し、且つ、この直線と平行に延
びる第２の直線上に位置しており、第１パネル（アノー
ドパネルＡＰ）の有効領域と第２パネル（カソードパネ
ルＣＰ）の有効領域との間に配置されたスペーサ３１
は、更に、第２スペーサ保持部群における複数の第２ス
ペーサ保持部３０Ａによっても保持されている本発明の
第１Ａの態様に係る平面型表示装置を得ることができ
る。The spacer holding portion shown in FIG. 1 and the spacer holding portion shown in FIG. 9 may be combined. Note that such a configuration is referred to as a modified example of the second embodiment. Accordingly, a plurality of second spacer holding unit groups are provided in the effective area of the second panel (cathode panel CP), and each second spacer holding unit group includes a plurality of second spacer holding units 3.
0A, and the plurality of second spacer holding portions 30A constituting each second spacer holding portion group are the plurality of spacer holding portion groups provided in the effective area of the first panel (anode panel AP). Of the first panel (anode panel AP) is located on a second straight line that faces the first straight line L on which the spacer holding portion 30 is located and extends parallel to this straight line. Spacer 31 disposed between the panel (cathode panel CP) and the effective area
Further, it is possible to obtain the flat panel display device according to the aspect 1A of the present invention which is also held by the plurality of second spacer holding portions 30A in the second spacer holding portion group.

【０１０６】（実施の形態３）実施の形態３は、実施の
形態１及び実施の形態２の変形である。実施の形態１及
び実施の形態２においては、表示装置を所謂３電極型と
したが、実施の形態３においては、表示装置を所謂２電
極型とする。図１０及び図１１に、実施の形態３の２電
極型の表示装置の模式的な一部端面図を示す。尚、図１
０及び図１１は、図２の矢印Ａ−Ａに沿った端面図に相
当する。スペーサ保持部３０，３０Ａ、スペーサ３１
は、実質的に実施の形態１と同様の構造、構成を有する
し、これらは、実質的に実施の形態１と同様の方法で形
成することができる。(Third Embodiment) The third embodiment is a modification of the first and second embodiments. In the first and second embodiments, the display device has a so-called three-electrode type, but in the third embodiment, the display device has a so-called two-electrode type. 10 and 11 are schematic partial end views of the two-electrode type display device according to the third embodiment. Incidentally, FIG.
0 and FIG. 11 correspond to end views along the arrow AA in FIG. 2. Spacer holding portions 30, 30A, spacer 31
Have substantially the same structure and configuration as in the first embodiment, and these can be formed by substantially the same method as in the first embodiment.

【０１０７】この表示装置における電界放出素子は、支
持体１０上に設けられたカソード電極１１と、カソード
電極１１上に形成されたカーボン・ナノチューブ構造体
としてのカーボン・ナノチューブ１９から構成された電
子放出部１５Ａから成る。カーボン・ナノチューブ１９
は、マトリックス１８によってカソード電極１１の表面
に固定されている。尚、アノードパネルＡＰを構成する
アノード電極２４Ａはストライプ状である。ストライプ
状のカソード電極１１の射影像とストライプ状のアノー
ド電極２４Ａの射影像とは直交する。具体的には、カソ
ード電極１１は図１０及び図１１の紙面垂直方向に延
び、アノード電極２４Ａは図１０及び図１１の紙面左右
方向に延びている。この表示装置におけるカソードパネ
ルＣＰにおいては、上述のような電界放出素子の複数か
ら構成された電子放出領域ＥＡが有効領域に２次元マト
リクス状に多数形成されている。The field emission device in this display device is an electron emission device composed of a cathode electrode 11 provided on a support 10 and a carbon nanotube 19 as a carbon nanotube structure formed on the cathode electrode 11. It consists of part 15A. Carbon nanotube 19
Are fixed to the surface of the cathode electrode 11 by the matrix 18. The anode electrode 24A forming the anode panel AP has a stripe shape. The projected image of the striped cathode electrode 11 and the projected image of the striped anode electrode 24A are orthogonal to each other. Specifically, the cathode electrode 11 extends in the direction perpendicular to the paper surface of FIGS. 10 and 11, and the anode electrode 24A extends in the left-right direction of the paper surface of FIGS. 10 and 11. In the cathode panel CP of this display device, a large number of electron emission areas EA composed of a plurality of field emission elements as described above are formed in a two-dimensional matrix in the effective area.

【０１０８】１画素は、カソードパネル側においてスト
ライプ状のカソード電極１１と、その上に形成された電
子放出部１５Ａと、電子放出部１５Ａに対面するように
アノードパネルＡＰの有効領域に配列された蛍光体層２
３とによって構成されている。有効領域には、かかる画
素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列さ
れている。One pixel is arranged in the effective area of the anode panel AP so as to face the stripe-shaped cathode electrode 11, the electron emitting portion 15A formed thereon, and the electron emitting portion 15A on the cathode panel side. Phosphor layer 2
3 and 3. In the effective area, such pixels are arranged in the order of, for example, hundreds of thousands to millions.

【０１０９】また、カソードパネルＣＰとアノードパネ
ルＡＰとの間には、両パネル間の距離を一定に維持する
ために、スペーサ保持部３０，３０Ａによって保持され
たスペーサ３１が配置されている。A spacer 31 held by the spacer holding portions 30 and 30A is arranged between the cathode panel CP and the anode panel AP in order to keep the distance between both panels constant.

【０１１０】この表示装置においては、アノード電極２
４Ａによって形成された電界に基づき、量子トンネル効
果に基づき電子放出部１５Ａから電子が放出され、この
電子がアノード電極２４Ａに引き付けられ、蛍光体層２
３に衝突する。即ち、アノード電極２４Ａの射影像とカ
ソード電極１１の射影像とが重複する領域（アノード電
極／カソード電極重複領域）に位置する電子放出部１５
Ａから電子が放出される、所謂単純マトリクス方式によ
り、表示装置の駆動が行われる。具体的には、カソード
電極制御回路４０からカソード電極１１に相対的に負の
電圧を印加し、アノード電極制御回路４２からアノード
電極２４Ａに相対的に正の電圧を印加する。その結果、
列選択されたカソード電極１１と行選択されたアノード
電極２４Ａ（あるいは、行選択されたカソード電極１１
と列選択されたアノード電極２４Ａ）とのアノード電極
／カソード電極重複領域に位置する電子放出部１５Ａを
構成するカーボン・ナノチューブ１９から選択的に真空
空間中へ電子が放出され、この電子がアノード電極２４
Ａに引き付けられてアノードパネルＡＰを構成する蛍光
体層２３に衝突し、蛍光体層２３を励起、発光させる。In this display device, the anode electrode 2
Based on the electric field formed by 4A, electrons are emitted from the electron emitting portion 15A based on the quantum tunnel effect, and the electrons are attracted to the anode electrode 24A, and the phosphor layer 2
Clash with 3. That is, the electron emission portion 15 located in a region (anode electrode / cathode electrode overlapping region) where the projection image of the anode electrode 24A and the projection image of the cathode electrode 11 overlap.
The display device is driven by a so-called simple matrix system in which electrons are emitted from A. Specifically, the cathode electrode control circuit 40 applies a relatively negative voltage to the cathode electrode 11, and the anode electrode control circuit 42 applies a relatively positive voltage to the anode electrode 24A. as a result,
Column-selected cathode electrode 11 and row-selected anode electrode 24A (or row-selected cathode electrode 11)
Electrons are selectively emitted into the vacuum space from the carbon nanotubes 19 forming the electron emitting portion 15A located in the anode electrode / cathode electrode overlapping region between the anode electrode 24A) and the column-selected anode electrode 24A). 24
It is attracted to A and collides with the phosphor layer 23 constituting the anode panel AP to excite and emit the phosphor layer 23.

【０１１１】実施の形態３の表示装置に対して、実施の
形態２の変形例にて説明したスペーサ保持部の構造を適
用することもできる。The structure of the spacer holding portion described in the modification of the second embodiment can be applied to the display device of the third embodiment.

【０１１２】（実施の形態４）実施の形態４は、本発明
の第２の態様に係る平面型表示装置に関する。尚、平面
型表示装置は冷陰極電界電子放出表示装置から構成され
ている。実施の形態４の表示装置、カソードパネル、ア
ノードパネルの構造は、スペーサ保持部の配置状態を除
き、実施の形態１〜実施の形態３、あるいはその変形例
にて説明した表示装置（３電極型あるいは２電極型）と
同様の構造とすることができるので、詳細な説明は省略
する。また、表示装置の製造方法も実施の形態１〜実施
の形態３の表示装置あるいはその変形例の製造方法と同
様とすることができるので、詳細な説明は省略する。(Embodiment 4) Embodiment 4 relates to a flat-panel display device according to the second aspect of the present invention. The flat-panel display is composed of a cold cathode field emission display. The structures of the display device, the cathode panel, and the anode panel of the fourth embodiment are the same as those of the display device (three-electrode type) described in the first to third embodiments or its modification except for the arrangement state of the spacer holding portions. Alternatively, a structure similar to that of the two-electrode type) can be adopted, and detailed description thereof will be omitted. Further, since the manufacturing method of the display device can be the same as the manufacturing method of the display device of the first to third embodiments or the modification thereof, detailed description thereof will be omitted.

【０１１３】スペーサ保持部１３０の配置を模式的に図
１２の（Ａ）に示し、スペーサ１３１がスペーサ保持部
１３０によって保持された状態を図１２の（Ｂ）に模式
的に示す。尚、図１２の（Ａ）及び（Ｂ）においては、
３つのスペーサ保持部１３０からスペーサ保持部群が構
成され、これらの３つのスペーサ保持部１３０によって
スペーサ１３１が保持された状態を図示しているが、ス
ペーサ１３１を保持するスペーサ保持部１３０の数（あ
るいはスペーサ保持部群を構成するスペーサ保持部の
数）は３つに限定されない。The arrangement of the spacer holder 130 is schematically shown in FIG. 12A, and the state in which the spacer 131 is held by the spacer holder 130 is schematically shown in FIG. 12B. In addition, in (A) and (B) of FIG.
Although the spacer holding group is composed of the three spacer holding sections 130 and the spacer 131 is held by these three spacer holding sections 130, the number of the spacer holding sections 130 holding the spacer 131 ( Alternatively, the number of spacer holders that form the spacer holder group is not limited to three.

【０１１４】実施の形態４の表示装置も、第１パネル
（アノードパネルＡＰ）及び第２パネル（カソードパネ
ルＣＰ）がそれらの周縁部で接合され、第１パネル（ア
ノードパネルＡＰ）と第２パネル（カソードパネルＣ
Ｐ）によって挟まれた空間が真空状態となっている。そ
して、表示部分として機能する第１パネル有効領域に
は、複数のスペーサ保持部群が設けられており、各スペ
ーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部１３０から構成
されている。即ち、複数のスペーサ保持部１３０がアノ
ードパネルＡＰに設けられている。Also in the display device of the fourth embodiment, the first panel (anode panel AP) and the second panel (cathode panel CP) are joined at their peripheral portions, and the first panel (anode panel AP) and the second panel are joined. (Cathode panel C
The space sandwiched by P) is in a vacuum state. A plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region that functions as a display portion, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units 130. That is, the plurality of spacer holders 130 are provided on the anode panel AP.

【０１１５】そして、各スペーサ保持部群を構成する複
数のスペーサ保持部１３０は、図１２の（Ａ）に示すよ
うに、直線上には位置していない。The plurality of spacer holding portions 130 constituting each spacer holding portion group are not located on a straight line, as shown in FIG. 12 (A).

【０１１６】表示部分として機能する第２パネル有効領
域と第１パネル有効領域との間には、スペーサ保持部群
における複数のスペーサ保持部１３０によって保持され
たスペーサ１３１が配置されている。具体的には、スペ
ーサ１３１の底部は、スペーサ保持部１３０とスペーサ
保持部１３０との間に挟み込まれている。そして、スペ
ーサ１３１は、第１パネル有効領域と第２パネル有効領
域との間に配置される前には、その長手方向に沿って湾
曲していてもよいし（図６の（Ａ）参照）、湾曲してい
なくともよい。Between the second panel effective area and the first panel effective area which function as a display portion, the spacers 131 held by the plurality of spacer holding portions 130 in the spacer holding portion group are arranged. Specifically, the bottom portion of the spacer 131 is sandwiched between the spacer holding portion 130 and the spacer holding portion 130. The spacer 131 may be curved along the longitudinal direction thereof before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area (see FIG. 6A). , Does not need to be curved.

【０１１７】実施の形態４においても、一部の隔壁２２
の端部は「Ｔ」字状となっており、「Ｔ」字の横棒の部
分がスペーサ保持部１３０に相当する。スペーサ保持部
１３０を、仮想直線Ｌ_IMGに沿って１ｍｍ毎に設けた。
また、一対のスペーサ保持部１３０の間隔を５５μｍ、
高さを約５０μｍとした。尚、一部の隔壁２２の端部に
突出部を設け、この突出部からスペーサ保持部を構成す
ることもできる。また、隔壁２２とは別個にスペーサ保
持部１３０を設けてもよい。そして、スペーサ保持部群
の一端に位置するスペーサ保持部と、このスペーサ保持
部群の他端に位置するスペーサ保持部とを結んだ仮想直
線Ｌ_IMGから、このスペーサ保持部群を構成する複数の
スペーサ保持部を結ぶ仮想線（第１の仮想線）Ｃ_IMGの
中央部までの距離Ｌ₂を、５０μｍとした。Also in the fourth embodiment, some of the partition walls 22 are provided.
Has an end portion of a “T” shape, and the portion of the “T” -shaped horizontal bar corresponds to the spacer holding portion 130. The spacer holding portion 130 was provided along the virtual straight line L _IMG at _intervals of 1 mm.
Further, the distance between the pair of spacer holding portions 130 is 55 μm,
The height was about 50 μm. It should be noted that it is also possible to provide a protruding portion at an end of a part of the partition wall 22 and configure the spacer holding portion from this protruding portion. Further, the spacer holder 130 may be provided separately from the partition wall 22. Then, from the virtual straight line L _IMG connecting the spacer holding portion located at one end of the spacer holding portion group and the spacer holding portion located at the other end of the spacer holding portion group, a plurality of spacer holding portion groups are formed. The distance L ₂ to the center of the imaginary line (first imaginary line) C _IMG connecting the spacer holding portions was set to 50 μm.

【０１１８】スペーサ１３１は、アルミナから成るセラ
ミックスから構成されている。このスペーサ１３１は、
所謂グリーンシートを成形して、グリーンシートを焼成
し、かかるグリーンシート焼成品を切断することによっ
て製造することができる。尚、切断前あるいは切断後の
グリーンシート焼成品の両面を研磨することによって、
スペーサ１３１の一方の側面と他方の側面の表面粗さを
異ならせることで、湾曲状態を得てもよい。あるいは
又、切断前あるいは切断後のグリーンシート焼成品の一
方の面に、例えば、Ｓｉ₃Ｎ₄から成る歪み生成層を形成
してもよい。歪み生成層の形成方法として、周知のＰＶ
Ｄ法やＣＶＤ法を挙げることができる。但し、これらの
場合には、第１パネル有効領域に設けられたスペーサ保
持部群を構成する複数のスペーサ保持部を結んだ第１の
仮想線Ｃ_IMGの湾曲状態と逆向きの湾曲状態を、スペー
サ保持部群に保持される前のスペーサは有していること
が必要である。あるいは又、スペーサ保持部群に保持さ
れる前のスペーサを、その長手方向に沿って直線状とし
てもよい。The spacer 131 is made of ceramics made of alumina. This spacer 131 is
It can be manufactured by forming a so-called green sheet, firing the green sheet, and cutting the green sheet fired product. By polishing both sides of the green sheet fired product before or after cutting,
The curved state may be obtained by making the surface roughness of one side surface and the other side surface of the spacer 131 different. Alternatively, a strain generation layer made of, for example, Si ₃ N ₄ may be formed on one surface of the green sheet fired product before or after cutting. A well-known PV is used as a method for forming the strain generation layer.
D method and CVD method can be mentioned. However, in these cases, a curved state opposite to the curved state of the first imaginary line C _IMG connecting the plurality of spacer holding portions that form the spacer holding portion group provided in the first panel effective region is It is necessary to have the spacer before being held by the spacer holding unit group. Alternatively, the spacer before being held by the spacer holding portion group may be linear along its longitudinal direction.

【０１１９】スペーサ１３１の長さを１００ｍｍ、厚さ
を５０μｍ、高さを１ｍｍとした。スペーサ１３１をそ
の長手方向と直角の仮想平面で切断したときのスペーサ
１３１の断面形状は、細長い矩形である。尚、第１パネ
ル（アノードパネルＡＰ）の有効領域と第２パネル（カ
ソードパネルＣＰ）の有効領域との間に配置された後の
スペーサ１３１において、スペーサ１３１の両端を結ぶ
仮想直線から、スペーサ１３１の中央部までの距離は、
５０μｍであった。あるいは又、第１パネル（アノード
パネルＡＰ）の有効領域と第２パネル（カソードパネル
ＣＰ）の有効領域との間に配置された後のスペーサ１３
１において、スペーサ１３１の両端の間の距離をＬ₁、
スペーサ１３１の両端を結ぶ仮想直線からスペーサ１３
１の中央部までの距離をＬ₂としたとき、Ｌ₂＝５×１０
^-4Ｌ₁であった。The spacer 131 has a length of 100 mm, a thickness of 50 μm and a height of 1 mm. The cross-sectional shape of the spacer 131 when the spacer 131 is cut along an imaginary plane perpendicular to its longitudinal direction is an elongated rectangle. Incidentally, in the spacer 131 after being arranged between the effective area of the first panel (anode panel AP) and the effective area of the second panel (cathode panel CP), the spacer 131 is changed from a virtual straight line connecting both ends of the spacer 131. The distance to the center of
It was 50 μm. Alternatively, the spacer 13 after being arranged between the effective area of the first panel (anode panel AP) and the effective area of the second panel (cathode panel CP).
1, the distance between both ends of the spacer 131 is L ₁ ,
From the virtual straight line connecting the both ends of the spacer 131 to the spacer 13
When the distance to the center of 1 is L ₂ , L ₂ = 5 × 10
^-4 L ₁ .

【０１２０】隔壁２２、スペーサ保持部１３０、スペー
サ１３１及び蛍光体層２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）
の配置状態は、図２〜図４と概ね同様とすることができ
る。尚、図４に示したと同様の例においては、隔壁２２
の長さは約２００μｍであり、幅（厚さ）は約２５μｍ
であり、高さは約５０μｍである。また、長さ方向に沿
った隔壁２２と隔壁２２との間の隙間は約１００μｍで
あり、幅（厚さ）方向に沿った隔壁２２の形成ピッチは
約１１０μｍである。スペーサ保持部１３０を構成する
隔壁の「Ｔ」字の横棒の部分の長さは約４０μｍであ
る。The partition wall 22, the spacer holder 130, the spacer 131 and the phosphor layer 23 (23R, 23G, 23B).
The arrangement state of can be almost the same as that of FIGS. Incidentally, in the same example as shown in FIG.
Has a length of about 200 μm and a width (thickness) of about 25 μm
And the height is about 50 μm. Further, the gap between the partition walls 22 along the length direction is about 100 μm, and the formation pitch of the partition walls 22 along the width (thickness) direction is about 110 μm. The length of the “T” -shaped horizontal bar portion of the partition wall forming the spacer holding portion 130 is about 40 μm.

【０１２１】尚、図１に示したスペーサ保持部と同様の
実施の形態４のスペーサ保持部と、図９に示したスペー
サ保持部と同様の実施の形態４のスペーサ保持部とを組
み合わせてもよい。これによって、第２パネル（カソー
ドパネルＣＰ）の有効領域には、複数の第２スペーサ保
持部群が設けられており、各第２スペーサ保持部群は、
複数の第２スペーサ保持部から構成されており、各第２
スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペーサ保持部
は、第１パネル（アノードパネルＡＰ）の有効領域に設
けられたスペーサ保持部群を構成する複数のスペーサ保
持部を結んだ第１の仮想線と対向し、且つ、この第１の
仮想線と平行に延びる第２の仮想線上に位置しており、
第１パネル（アノードパネルＡＰ）の有効領域と第２パ
ネル（カソードパネルＣＰ）の有効領域との間に配置さ
れたスペーサは、更に、第２スペーサ保持部群における
複数の第２スペーサ保持部によっても保持されている本
発明の第２Ａの態様に係る平面型表示装置を得ることが
できる。尚、第２スペーサ保持部群の一端に位置する第
２スペーサ保持部と、該第２スペーサ保持部群の他端に
位置する第２スペーサ保持部とを結んだ仮想直線から、
該第２スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペーサ
保持部を結ぶ第２の仮想線の中央部までの距離を、５０
μｍとした。The spacer holding portion of the fourth embodiment similar to the spacer holding portion shown in FIG. 1 may be combined with the spacer holding portion of the fourth embodiment similar to the spacer holding portion shown in FIG. Good. As a result, a plurality of second spacer holding portion groups are provided in the effective area of the second panel (cathode panel CP), and each second spacer holding portion group is
It is composed of a plurality of second spacer holding portions, and each second
The plurality of second spacer holding portions forming the spacer holding portion group is a first virtual connection of the plurality of spacer holding portions forming the spacer holding portion group provided in the effective area of the first panel (anode panel AP). Is located on a second virtual line that faces the line and extends parallel to the first virtual line,
The spacer arranged between the effective area of the first panel (anode panel AP) and the effective area of the second panel (cathode panel CP) is further provided by a plurality of second spacer holding portions in the second spacer holding portion group. It is possible to obtain the flat-panel display device according to the second aspect of the present invention which is also held. Incidentally, from a virtual straight line connecting the second spacer holding portion located at one end of the second spacer holding portion group and the second spacer holding portion located at the other end of the second spacer holding portion group,
The distance to the center of the second imaginary line connecting the plurality of second spacer holding portions forming the second spacer holding portion group is 50
μm.

【０１２２】（実施の形態５）実施の形態５は、本発明
の平面型表示装置用のスペーサ保持部及びその製造方
法、並びに、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置
及びその製造方法に関する。尚、平面型表示装置は冷陰
極電界電子放出表示装置から構成されている。実施の形
態５、あるいは、以下に説明する実施の形態６〜実施の
形態８における表示装置、カソードパネル、アノードパ
ネルの構造は、スペーサ保持部の構造を除き、実施の形
態１〜実施の形態３あるいはその変形例にて説明した表
示装置（３電極型あるいは２電極型）と同様の構造とす
ることができるので、詳細な説明は省略する。また、表
示装置の製造方法も実施の形態１〜実施の形態３の表示
装置あるいはその変形例の製造方法と、スペーサ保持部
の形成方法を除き、同様とすることができるので、異な
る部分のみを説明する。(Fifth Embodiment) The fifth embodiment is a spacer holding portion for a flat panel display device of the present invention and a manufacturing method thereof, and a flat panel display device according to a third aspect of the present invention and its manufacturing. Regarding the method. The flat-panel display is composed of a cold cathode field emission display. The structures of the display device, the cathode panel, and the anode panel in the fifth embodiment or the sixth to eighth embodiments described below are the same as those in the first to third embodiments except the structure of the spacer holding portion. Alternatively, since the same structure as that of the display device (three-electrode type or two-electrode type) described in the modification can be adopted, detailed description thereof will be omitted. Further, the manufacturing method of the display device can be the same as the manufacturing method of the display device of the first to third embodiments or the modification thereof and the method of forming the spacer holding portion, and therefore only different parts will be described. explain.

【０１２３】実施の形態５における表示装置は、第１パ
ネル（アノードパネルＡＰ）及び第２パネル（カソード
パネルＣＰ）がそれらの周縁部で接合され、第１パネル
（アノードパネルＡＰ）と第２パネル（カソードパネル
ＣＰ）によって挟まれた空間が真空状態となっている表
示装置である。そして、表示部分として機能する第１パ
ネル（アノードパネルＡＰ）の有効領域には、複数のス
ペーサ保持部群が設けられており、各スペーサ保持部群
は、複数のスペーサ保持部２３０から構成されており、
表示部分として機能する第２パネル（カソードパネルＣ
Ｐ）の有効領域と第１パネル（アノードパネルＡＰ）の
有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数の
スペーサ保持部２３０によってスペーサが保持されてい
る。In the display device according to the fifth embodiment, the first panel (anode panel AP) and the second panel (cathode panel CP) are joined at their peripheral portions, and the first panel (anode panel AP) and the second panel are joined. This is a display device in which a space sandwiched by (cathode panel CP) is in a vacuum state. A plurality of spacer holding unit groups are provided in the effective area of the first panel (anode panel AP) that functions as a display portion, and each spacer holding unit group includes a plurality of spacer holding units 230. Cage,
The second panel (cathode panel C that functions as a display portion)
A spacer is held between the effective area of P) and the effective area of the first panel (anode panel AP) by a plurality of spacer holding sections 230 in the spacer holding section group.

【０１２４】あるいは又、実施の形態５の平面型表示装
置におけるスペーサ保持部２３０は、第１パネル（アノ
ードパネルＡＰ）及び第２パネル（カソードパネルＣ
Ｐ）がそれらの周縁部で接合され、第１パネル（アノー
ドパネルＡＰ）と第２パネル（カソードパネルＣＰ）に
よって挟まれた空間が真空状態となっている平面型表示
装置におけるスペーサ保持部２３０であって、表示部分
として機能する第１パネル（アノードパネルＡＰ）の有
効領域には、複数のスペーサ保持部群が設けられてお
り、各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部２３
０から構成されており、表示部分として機能する第２パ
ネル（カソードパネルＣＰ）の有効領域と第１パネル
（アノードパネルＡＰ）の有効領域との間には、スペー
サ保持部群における複数のスペーサ保持部２３０によっ
てスペーサが保持される。Alternatively, the spacer holding portion 230 in the flat panel display device according to the fifth embodiment includes a first panel (anode panel AP) and a second panel (cathode panel C).
P) are joined together at their peripheral portions, and the space between the first panel (anode panel AP) and the second panel (cathode panel CP) is in a vacuum state. Therefore, a plurality of spacer holding section groups are provided in the effective area of the first panel (anode panel AP) that functions as a display section, and each spacer holding section group includes a plurality of spacer holding sections 23.
0, and a plurality of spacer holding units in the spacer holding unit group are provided between the effective region of the second panel (cathode panel CP) and the effective region of the first panel (anode panel AP) that function as a display portion. The spacer is held by the portion 230.

【０１２５】そして、スペーサ保持部２３０のそれぞれ
は、図１４の（Ｂ）に模式的な一部断面図を示すよう
に、（Ａ）第１突起部２３０Ａ、（Ｂ）第１突起部２３
０Ａと略平行に延び、第１突起部２３０Ａに隣接した第
２突起部２３０Ｂ、（Ｃ）第１突起部２３０Ａの頂面か
ら第２突起部側に突出した第１庇部２３０ａ、及び、
（Ｄ）第２突起部２３０Ｂの頂面から第１突起部側に突
出した第２庇部２３０ｂ、から構成されている。Each of the spacer holding portions 230 has a (A) first protrusion 230A and a (B) first protrusion 23, as shown in the schematic partial sectional view of FIG.
0A, a second protruding portion 230B adjacent to the first protruding portion 230A, (C) a first eave portion 230a protruding from the top surface of the first protruding portion 230A toward the second protruding portion, and
(D) The second eaves portion 230b protruding from the top surface of the second protrusion portion 230B toward the first protrusion portion side.

【０１２６】そして、図１４の（Ｃ）に模式的な一部断
面図を示すように、第１突起部２３０Ａと第２突起部２
３０Ｂとの間にスペーサ２３１が挿入されている。尚、
図１４の（Ｃ）にあっては、蛍光体層及びアノード電極
の図示を省略した。Then, as shown in the schematic partial sectional view of FIG. 14C, the first protrusion 230A and the second protrusion 2
A spacer 231 is inserted between it and 30B. still,
In FIG. 14C, illustration of the phosphor layer and the anode electrode is omitted.

【０１２７】実施の形態５においては、第１庇部２３０
ａ及び第２庇部２３０ｂのそれぞれの長さ（図１４の
（Ｂ）のＬ_PJ参照）を、１μｍとした。また、第１突起
部２３０Ａと第１庇部２３０ａとは一体的に設けられて
おり、第２突起部２３０Ｂと第２庇部２３０ｂとは一体
的に設けられている。尚、図４に示したと同様の例にあ
っては、隔壁の長さ、幅（厚さ）、高さ、隔壁と隔壁と
の間の隙間、幅（厚さ）方向に沿った隔壁の形成ピッ
チ、スペーサ保持部２３０を構成する隔壁の「Ｔ」字の
横棒の部分の長さを、実施の形態１にて説明したと同様
の値とした。In the fifth embodiment, the first overhanging portion 230.
a and the length of each of the second overhanging portion 230b (see L _PJ of (B) in FIG. 14), and a 1 [mu] m. Further, the first protrusion 230A and the first overhang 230a are integrally provided, and the second protrusion 230B and the second overhang 230b are integrally provided. In the same example as shown in FIG. 4, the length, width (thickness) and height of the partition wall, the gap between the partition walls, and the formation of the partition wall along the width (thickness) direction. The pitch and the length of the portion of the “T” -shaped horizontal bar of the partition wall forming the spacer holding portion 230 are set to the same values as described in the first embodiment.

【０１２８】以下、平面型表示装置用のスペーサ保持部
の製造方法、並びに、平面型表示装置の製造方法を、ア
ノードパネルＡＰを構成する第１基板である基体２０等
の模式的な一部端面図である図１３の（Ａ）〜（Ｃ）及
び図１４の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明するが、メッ
キ法によって、第１突起部２３０Ａ、第２突起部２３０
Ｂ、第１庇部２３０ａ、及び、第２庇部２３０ｂを形成
する。Hereinafter, a method of manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device and a method of manufacturing a flat panel display device will be described with reference to a schematic partial end surface of a base body 20 or the like which is a first substrate constituting an anode panel AP. The description will be given with reference to FIGS. 13A to 13C and FIGS. 14A to 14B, but the first protrusion 230A and the second protrusion 230 may be formed by a plating method.
B, the first eaves portion 230a, and the second eaves portion 230b are formed.

【０１２９】［工程−５００］先ず、ガラス基板から成
る基体２０上に隔壁及びスペーサ保持部２３０を形成す
る。具体的には、先ず、実施の形態１の［工程−１０
０］と同様にして、隔壁及びスペーサ保持部２３０を形
成すべき基体２０の部分に、ブラックマトリックスとし
て機能する光吸収層２１を形成する（図１３の（Ａ）参
照）。[Step-500] First, the partition wall and the spacer holding portion 230 are formed on the substrate 20 made of a glass substrate. Specifically, first, [Step-10 of the first embodiment
[0], the light absorption layer 21 functioning as a black matrix is formed on the portion of the base body 20 where the partition wall and the spacer holding portion 230 are to be formed (see (A) of FIG. 13).

【０１３０】［工程−５１０］その後、全面に、具体的
には、基体２０及び光吸収層２１上に厚さ５０μｍの感
光性ドライフィルムから成るメッキレジストを積層し、
露光、現像を行うことによって、開口３３を有し、メッ
キレジストから成るマスク層２３２を基体２０上に形成
して、隔壁及びスペーサ保持部２３０を形成すべき基体
２０の部分（具体的には、光吸収層２１）を露出させる
（図１３（Ｂ）参照）。[Step-510] Thereafter, a plating resist made of a photosensitive dry film having a thickness of 50 μm is laminated on the entire surface, specifically on the substrate 20 and the light absorption layer 21,
By exposing and developing, a mask layer 232 having an opening 33 and made of a plating resist is formed on the substrate 20, and a portion of the substrate 20 where the partition wall and the spacer holding portion 230 are to be formed (specifically, The light absorption layer 21) is exposed (see FIG. 13B).

【０１３１】［工程−５２０］その後、電気メッキ法に
て隔壁及びスペーサ保持部２３０を形成する。具体的に
は、光吸収層２１をメッキ用カソードとして用い、例え
ばスルファミン酸ニッケル溶液を用いた電気メッキ法に
て、例えばニッケルから成る隔壁及びスペーサ保持部２
３０を形成する。実施の形態１の変形例と異なり、マス
ク層２３２の頂面と隔壁及びスペーサ保持部２３０の頂
面とが一致した後もメッキを継続する。即ち、所謂オー
バーメッキを行う。これによって、露出した第１基板で
ある基体２０の部分（実施の形態５においては、より具
体的には、光吸収層２１の上）に第１突起部２３０Ａ及
び第２突起部２３０Ｂを形成し（図１３の（Ｃ）参
照）、更に、第１突起部２３０Ａの頂面に第１庇部２３
０ａを形成し、且つ、第２突起部２３０Ｂの頂面に第２
庇部２３０ｂを形成することができる（図１４の（Ａ）
参照）。[Step-520] After that, the partition wall and the spacer holding portion 230 are formed by the electroplating method. Specifically, the light absorption layer 21 is used as a cathode for plating, and the partition wall and the spacer holding portion 2 made of, for example, nickel are formed by an electroplating method using a nickel sulfamate solution, for example.
Form 30. Unlike the modification of the first embodiment, the plating is continued even after the top surface of the mask layer 232 and the top surfaces of the partition walls and the spacer holding portion 230 are aligned. That is, so-called overplating is performed. As a result, the first protrusion 230A and the second protrusion 230B are formed on the exposed portion of the base body 20 which is the first substrate (more specifically, on the light absorption layer 21 in the fifth embodiment). (See (C) of FIG. 13), and further, the first eaves portion 23 is provided on the top surface of the first protrusion 230A.
0a is formed on the top surface of the second protrusion 230B.
The eaves portion 230b can be formed ((A) of FIG. 14).
reference).

【０１３２】［工程−５３０］その後、マスク層２３２
を、適切な薬品を用いて除去する（図１４の（Ｂ）参
照）。[Step-530] After that, the mask layer 232
Are removed using an appropriate chemical (see FIG. 14 (B)).

【０１３３】［工程−５４０］次に、実施の形態１の
［工程−１３０］〜［工程−１５０］と同様の工程を実
行することによって、所定の隔壁の間に、赤色発光蛍光
体層、緑色発光蛍光体層、青色発光蛍光体層を形成し、
更に、アノード電極を形成する。そして、実施の形態１
の［工程−１６０］と同様の工程を実行することによっ
て、表示装置を組み立てる。[Step-540] Next, by performing the same steps as [Step-130] to [Step-150] of the first embodiment, the red light-emitting phosphor layer, between the predetermined partition walls, Forming a green light emitting phosphor layer and a blue light emitting phosphor layer,
Further, an anode electrode is formed. Then, the first embodiment
The display device is assembled by performing the same process as the [process-160] of.

【０１３４】尚、スペーサ保持部２３０の配置状態及び
スペーサの組合せとして、本発明の第１の態様に係る平
面型表示装置におけるスペーサ保持部の配置状態と、本
発明の平面型表示装置用のスペーサとの組合せ、本発明
の第１の態様に係る平面型表示装置におけるスペーサ保
持部の配置状態と、スペーサ保持部群に保持される前に
はその長手方向に沿って直線状であるスペーサとの組合
せ、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置における
スペーサ保持部の配置状態と、本発明の平面型表示装置
用のスペーサとの組合せ、本発明の第２の態様に係る平
面型表示装置におけるスペーサ保持部の配置状態と、ス
ペーサ保持部群に保持される前にはその長手方向に沿っ
て直線状であるスペーサとの組合せを挙げることができ
る。以下に説明する実施の形態６〜実施の形態８におい
ても同様である。As the arrangement state of the spacer holding portion 230 and the combination of the spacers, the arrangement state of the spacer holding portion in the flat panel display device according to the first aspect of the present invention and the spacer for the flat panel display device of the present invention are described. And the arrangement state of the spacer holding portions in the flat panel display device according to the first aspect of the present invention, and the spacer that is linear along the longitudinal direction before being held by the spacer holding portion group. Combination, combination of the arrangement state of the spacer holding portion in the flat panel display device according to the second aspect of the present invention and the spacer for the flat panel display device of the present invention, flat panel display according to the second aspect of the present invention A combination of the arrangement state of the spacer holding portions in the device and a spacer which is linear along the longitudinal direction before being held by the spacer holding portion group can be mentioned. The same applies to the sixth to eighth embodiments described below.

【０１３５】また、実施の形態２と同様に、スペーサ保
持部２３０をカソードパネルＣＰ側に設けてもよい。以
下に説明する実施の形態６〜実施の形態８においても同
様である。Further, similarly to the second embodiment, the spacer holding portion 230 may be provided on the cathode panel CP side. The same applies to the sixth to eighth embodiments described below.

【０１３６】更には、実施の形態２の変形例と同様に、
第２パネル（カソードパネルＣＰ）有効領域には、複数
の第１スペーサ保持部群と対向した複数の第２スペーサ
保持部群が設けられており、各第２スペーサ保持部群
は、複数の第２スペーサ保持部から構成されており、第
１パネル（アノードパネルＡＰ）の有効領域と第２パネ
ル（カソードパネルＣＰ）の有効領域との間には、スペ
ーサ保持部群における複数のスペーサ保持部及び第２ス
ペーサ保持部群における第２スペーサ保持部によってス
ペーサが保持されており、第２スペーサ保持部のそれぞ
れは、（Ａ）第１突起部、（Ｂ）該第１突起部と略平行
に延び、該第１突起部に隣接した第２突起部、（Ｃ）第
１突起部の頂面から第２突起部側に突出した第１庇部、
及び、（Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出
した第２庇部、から構成されている構造（本発明の第３
Ａの態様に係る平面型表示装置）とすることもできる。
以下に説明する実施の形態６〜実施の形態８においても
同様である。Further, similarly to the modification of the second embodiment,
The second panel (cathode panel CP) effective region is provided with a plurality of second spacer holding unit groups facing the plurality of first spacer holding unit groups, and each second spacer holding unit group includes a plurality of first spacer holding unit groups. It is composed of two spacer holding portions, and a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group are provided between the effective area of the first panel (anode panel AP) and the effective area of the second panel (cathode panel CP). The spacers are held by the second spacer holding portions in the second spacer holding portion group, and each of the second spacer holding portions extends (A) the first protrusion portion and (B) substantially parallel to the first protrusion portion. A second protrusion adjacent to the first protrusion, (C) a first eave portion protruding from the top surface of the first protrusion toward the second protrusion,
And (D) a second eave portion protruding from the top surface of the second protrusion toward the first protrusion (the third aspect of the present invention).
The flat display device according to the aspect A) can also be used.
The same applies to the sixth to eighth embodiments described below.

【０１３７】そして、この場合、第２スペーサ保持部の
第１庇部及び第２スペーサ保持部の第２庇部のそれぞれ
の長さを、例えば、スペーサ保持部２３０の第１庇部２
３０ａ及びスペーサ保持部２３０の第２庇部２３０ｂの
それぞれの長さと同じとすればよい。Then, in this case, the length of each of the first eaves portion of the second spacer holding portion and the second eaves portion of the second spacer holding portion is set to, for example, the first eaves portion 2 of the spacer holding portion 230.
The length may be the same as the length of each of 30a and the second eaves portion 230b of the spacer holding portion 230.

【０１３８】光吸収層２１とスペーサ保持部２３０との
間に、例えば、金、銀あるいは銅から成る中間層を形成
してもよい。以下に説明する実施の形態６〜実施の形態
７においても同様である。An intermediate layer made of, for example, gold, silver or copper may be formed between the light absorption layer 21 and the spacer holding portion 230. The same applies to the sixth to seventh embodiments described below.

【０１３９】（実施の形態６）実施の形態６は、実施の
形態５の変形である。実施の形態５においては、［工程
−５２０］において、メッキ法によって、第１突起部２
３０Ａ、第２突起部２３０Ｂ、第１庇部２３０ａ、及
び、第２庇部２３０ｂを形成した。一方、実施の形態６
においては、［工程−５２０］と同様の工程において、
メッキ法によって第１突起部２３０Ａ及び第２突起部２
３０Ｂを形成し、次いで、ＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法及
びエッチング法によって第１庇部２３０ａ及び第２庇部
２３０ｂを形成する。また、第１突起部２３０Ａと第１
庇部２３０ａとは異なる材料から構成され、第２突起部
２３０Ｂと第２庇部２３０ｂとは異なる材料から構成さ
れている。尚、第１突起部２３０Ａと第１庇部２３０ａ
とを同じ材料から構成し、第２突起部２３０Ｂと第２庇
部２３０ｂとを同じ材料から構成してもよい。(Sixth Embodiment) The sixth embodiment is a modification of the fifth embodiment. In the fifth embodiment, in [step-520], the first protrusion 2 is formed by the plating method.
30A, the 2nd projection part 230B, the 1st eaves part 230a, and the 2nd eaves part 230b were formed. On the other hand, Embodiment 6
In the same step as in [Step-520],
The first protrusion 230A and the second protrusion 2 are formed by plating.
30B is formed, and then the first eaves portion 230a and the second eaves portion 230b are formed by the PVD method or the CVD method and the etching method. In addition, the first protrusion 230A and the first
The eaves portion 230a is made of a different material, and the second protruding portions 230B and the second eaves portion 230b are made of different materials. The first protrusion 230A and the first eaves 230a
May be made of the same material, and the second protrusion 230B and the second eaves portion 230b may be made of the same material.

【０１４０】以下、平面型表示装置用のスペーサ保持部
の製造方法、並びに、平面型表示装置の製造方法を、ア
ノードパネルＡＰを構成する第１基板である基体２０等
の模式的な一部端面図である図１５の（Ａ）〜（Ｃ）を
参照して説明する。Hereinafter, a method of manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device and a method of manufacturing a flat panel display device will be described with reference to a schematic partial end face of a base body 20 or the like which is a first substrate constituting an anode panel AP. This will be described with reference to FIGS. 15A to 15C, which are diagrams.

【０１４１】［工程−６００］先ず、実施の形態５の
［工程−５００］〜［工程−５１０］を実行する。[Step-600] First, [Step-500] to [Step-510] of the fifth embodiment are executed.

【０１４２】［工程−６１０］その後、実施の形態５の
［工程−５２０］と同様にして、光吸収層２１をメッキ
用カソードとして用い、例えばスルファミン酸ニッケル
溶液を用いた電気メッキ法にて、例えばニッケルから成
る隔壁及びスペーサ保持部２３０を形成する。実施の形
態５の変形例と異なり、マスク層２３２の頂面と隔壁及
びスペーサ保持部２３０の頂面とが一致した時点でメッ
キを中止する。そして、例えば、スパッタリング法にて
クロム（Ｃｒ）から成る薄膜２３０Ｃを全面に形成す
る。あるいは又、ＣＶＤ法にてタングステン（Ｗ）から
成る薄膜２３０Ｃを全面に形成する。こうして、図１５
の（Ａ）に示す構造を得ることができる。[Step-610] Then, in the same manner as in [Step-520] of the fifth embodiment, the light absorption layer 21 is used as a cathode for plating, for example, by an electroplating method using a nickel sulfamate solution. For example, the partition wall and spacer holding portion 230 made of nickel are formed. Unlike the modification of the fifth embodiment, the plating is stopped at the time when the top surface of the mask layer 232 and the top surfaces of the partition walls and the spacer holding portion 230 coincide with each other. Then, for example, a thin film 230C made of chromium (Cr) is formed on the entire surface by a sputtering method. Alternatively, a thin film 230C made of tungsten (W) is formed on the entire surface by the CVD method. Thus, FIG.
The structure shown in (A) can be obtained.

【０１４３】［工程−６２０］その後、フォトリソグラ
フィ技術を用いて、薄膜２３０Ｃ上にエッチング用マス
ク２３３を形成する（図１５の（Ｂ）参照）。第１庇部
２３０ａ及び第２庇部２３０ｂを形成すべき薄膜２３０
Ｃの部分は、エッチング用マスク２３３によって被覆さ
れている。次いで、例えばＲＩＥ法といったドライエッ
チング技術あるいはウェットエッチング技術によって、
エッチング用マスク２３３で覆われていない薄膜２３０
Ｃの部分を除去する（図１５の（Ｃ）参照）。こうし
て、図１４の（Ｂ）に示したと同様の構造を有するスペ
ーサ保持部を得ることができる。その後、エッチング用
マスク２３３及びマスク層２３２を除去する。[Step-620] Then, a photolithography technique is used to form an etching mask 233 on the thin film 230C (see FIG. 15B). Thin film 230 on which the first eaves portion 230a and the second eaves portion 230b are to be formed
The C portion is covered with an etching mask 233. Then, by a dry etching technique or a wet etching technique such as RIE,
Thin film 230 not covered by etching mask 233
The portion C is removed (see FIG. 15C). Thus, the spacer holding portion having the same structure as that shown in FIG. 14B can be obtained. After that, the etching mask 233 and the mask layer 232 are removed.

【０１４４】尚、第１突起部２３０Ａの頂面から第２突
起部とは反対側に突出した第１庇部、及び、第２突起部
２３０Ｂの頂面から第１突起部とは反対側に突出した第
２庇部２３０ｂが形成されているが、これらの庇部の形
成は必須ではない。パターニングされたエッチング用マ
スク２３３の形状に依存して、これらの庇部を形成する
こともできるし、形成しなくともよい。以下に説明する
実施の形態７〜実施の形態８においても同様である。ま
た、第１突起部２３０Ａ及び第２突起部２３０Ｂを溶射
法にて形成してもよいし、スクリーン印刷法、ディスペ
ンサを用いた方法、サンドブラスト形成法、ドライフィ
ルム法、感光法によっても形成してもよい。以下に説明
する実施の形態７においても同様である。The first eaves portion protruding from the top surface of the first protruding portion 230A to the side opposite to the second protruding portion and the top surface of the second protruding portion 230B to the side opposite to the first protruding portion. Although the protruding second eaves portion 230b is formed, the formation of these eaves is not essential. These eaves portions may or may not be formed depending on the shape of the patterned etching mask 233. The same applies to Embodiments 7 to 8 described below. The first protrusion 230A and the second protrusion 230B may be formed by a thermal spraying method, or may be formed by a screen printing method, a method using a dispenser, a sandblast forming method, a dry film method, or a photosensitive method. Good. The same applies to the seventh embodiment described below.

【０１４５】（実施の形態７）実施の形態７も、実施の
形態５の変形である。実施の形態７においては、［工程
−５２０］と同様の工程において、メッキ法によって第
１突起部２３０Ａ及び第２突起部２３０Ｂを形成し、次
いで、ＰＶＤ法あるいはＣＶＤ法及びリフトオフ法によ
って第１庇部２３０ａ及び第２庇部２３０ｂを形成す
る。第１突起部２３０Ａと第１庇部２３０ａとは異なる
材料から構成され、第２突起部２３０Ｂと第２庇部２３
０ｂとは異なる材料から構成されている。尚、第１突起
部２３０Ａと第１庇部２３０ａとを同じ材料から構成
し、第２突起部２３０Ｂと第２庇部２３０ｂとを同じ材
料から構成してもよい。(Embodiment 7) Embodiment 7 is also a modification of Embodiment 5. In Embodiment 7, in the same step as [Step-520], the first protrusion 230A and the second protrusion 230B are formed by the plating method, and then the first eaves is formed by the PVD method or the CVD method and the lift-off method. The part 230a and the second eaves part 230b are formed. The first protruding portion 230A and the first eaves portion 230a are made of different materials, and the second protruding portion 230B and the second eaves portion 23 are formed.
It is made of a material different from 0b. The first protrusion 230A and the first overhang 230a may be made of the same material, and the second protrusion 230B and the second overhang 230b may be made of the same material.

【０１４６】以下、平面型表示装置用のスペーサ保持部
の製造方法、並びに、平面型表示装置の製造方法を、ア
ノードパネルＡＰを構成する第１基板である基体２０等
の模式的な一部端面図である図１６の（Ａ）及び（Ｂ）
を参照して説明する。Hereinafter, a method of manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device and a method of manufacturing a flat panel display device will be described with reference to a schematic partial end surface of a base body 20 or the like which is a first substrate constituting an anode panel AP. 16 (A) and (B) of FIG.
Will be described with reference to.

【０１４７】［工程−７００］先ず、実施の形態５の
［工程−５００］〜［工程−５１０］を実行する。[Step-700] First, [Step-500] to [Step-510] of the fifth embodiment are executed.

【０１４８】［工程−７１０］その後、実施の形態５の
［工程−５２０］と同様にして、光吸収層２１をメッキ
用カソードとして用い、例えばスルファミン酸ニッケル
溶液を用いた電気メッキ法にて、例えばニッケルから成
る隔壁及びスペーサ保持部２３０を形成する。実施の形
態５の変形例と異なり、マスク層２３２の頂面と隔壁及
びスペーサ保持部２３０の頂面とが一致した時点でメッ
キを中止する。そして、フォトリソグラフィ技術を用い
て、全面にリフトオフ用マスク２３４を形成する（図１
６の（Ａ）参照）。第１庇部２３０ａ及び第２庇部２３
０ｂを形成すべき部分以外の部分は、リフトオフ用マス
ク２３４によって被覆されている。[Step-710] Thereafter, in the same manner as in [Step-520] of the fifth embodiment, the light absorption layer 21 is used as a cathode for plating, for example, by an electroplating method using a nickel sulfamate solution, For example, the partition wall and spacer holding portion 230 made of nickel are formed. Unlike the modification of the fifth embodiment, the plating is stopped at the time when the top surface of the mask layer 232 and the top surfaces of the partition walls and the spacer holding portion 230 coincide with each other. Then, a lift-off mask 234 is formed on the entire surface by using a photolithography technique (FIG. 1).
6 (A)). First eaves portion 230a and second eaves portion 23
The portion other than the portion where 0b is to be formed is covered with the lift-off mask 234.

【０１４９】［工程−７２０］その後、例えば、スパッ
タリング法にてクロム（Ｃｒ）から成る薄膜２３０Ｃを
全面に形成する。あるいは又、ＣＶＤ法にてタングステ
ン（Ｗ）から成る薄膜２３０Ｃを全面に形成する。こう
して、図１６の（Ｂ）に示す構造を得ることができる。[Step-720] After that, a thin film 230C made of chromium (Cr) is formed on the entire surface by, for example, a sputtering method. Alternatively, a thin film 230C made of tungsten (W) is formed on the entire surface by the CVD method. Thus, the structure shown in FIG. 16B can be obtained.

【０１５０】［工程−７３０］次いで、リフトオフ用マ
スク２３４を除去することによって、リフトオフ用マス
ク２３４上の薄膜２３０Ｃを除去することで、第１庇部
２３０ａ、第２庇部２３０ｂを得ることができる。こう
して、図１４の（Ｂ）に示したと同様の構造を有するス
ペーサ保持部を得ることができる。その後、マスク層２
３２を除去する。[Step-730] Then, the lift-off mask 234 is removed to remove the thin film 230C on the lift-off mask 234, whereby the first eaves portion 230a and the second eaves portion 230b can be obtained. . Thus, the spacer holding portion having the same structure as that shown in FIG. 14B can be obtained. Then mask layer 2
Remove 32.

【０１５１】尚、薄膜２３０ＣをＰＶＤ法あるいはＣＶ
Ｄ法にて形成する代わりに、溶射法にて形成することも
できる。The thin film 230C is formed by PVD method or CV method.
Instead of the D method, the thermal spraying method can be used.

【０１５２】（実施の形態８）実施の形態８も、実施の
形態５の変形である。実施の形態８においては、［工程
−５２０］と同様の工程において、溶射法によって、第
１突起部２３０Ａ、第２突起部２３０Ａ、第１庇部２３
０ａ、及び、第２庇部２３０ｂを形成する。尚、第１突
起部２３０Ａと第１庇部２３０ａとは一体的に設けられ
ており、第２突起部２３０Ｂと第２庇部２３０ｂとは一
体的に設けられており、これらは同じ材料から構成され
ている。(Embodiment 8) Embodiment 8 is also a modification of Embodiment 5. In Embodiment 8, in the same step as [Step-520], the first projection 230A, the second projection 230A, and the first eaves 23 are formed by the thermal spraying method.
0a and the second eaves portion 230b are formed. The first protrusion 230A and the first eaves portion 230a are integrally provided, and the second protrusion 230B and the second eaves portion 230b are integrally provided, which are made of the same material. Has been done.

【０１５３】以下、平面型表示装置用のスペーサ保持部
の製造方法、並びに、平面型表示装置の製造方法を、ア
ノードパネルＡＰを構成する第１基板である基体２０等
の模式的な一部端面図である図１７の（Ａ）及び（Ｂ）
を参照して説明する。Hereinafter, a method of manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device and a method of manufacturing a flat panel display device will be described with reference to a schematic partial end face of a base body 20 or the like which is a first substrate constituting an anode panel AP. Figure 17 (A) and (B) of FIG.
Will be described with reference to.

【０１５４】［工程−８００］先ず、実施の形態５の
［工程−５００］〜［工程−５１０］を実行する。[Step-800] First, [Step-500] to [Step-510] of the fifth embodiment are executed.

【０１５５】［工程−８１０］その後、全面に、具体的
には、基体２０及び光吸収層２１上に厚さ５０μｍのア
ルカリ可溶型の感光性ドライフィルムを積層し、露光、
現像を行い、更に、全面に感光性液状レジスト材料層を
成膜した後、感光性液状レジスト材料層を露光、現像し
て、図１７の（Ａ）に示す構造のマスク層２３５を得る
ことができる。[Step-810] Thereafter, an alkali-soluble photosensitive dry film having a thickness of 50 μm is laminated on the entire surface, specifically, on the substrate 20 and the light absorption layer 21, and exposed,
After development, a photosensitive liquid resist material layer is formed on the entire surface, and the photosensitive liquid resist material layer is exposed and developed to obtain a mask layer 235 having a structure shown in FIG. it can.

【０１５６】［工程−８２０］その後、例えば、プラズ
マ溶射法に基づき、クロム（Ｃｒ）から成る溶射材料
（導電性溶射材料である）を溶射することによって、露
出した基体２０の部分に溶射層から成るスペーサ保持部
２３０を形成することができる（図１７の（Ｂ）参
照）。次いで、マスク層２３５を除去する前に、スペー
サ保持部２３０を研磨し、スペーサ保持部２３０の頂面
の平坦化を図ることが好ましい。研磨は、研磨紙を用い
た湿式研磨によって行うことができる。その後、マスク
層２３５を除去することで、図１４の（Ｂ）に示す構造
を得ることができる。[Step-820] Thereafter, for example, by spraying a spraying material made of chromium (Cr) (which is a conductive spraying material) based on the plasma spraying method, the exposed portion of the substrate 20 is exposed from the sprayed layer. The spacer holding portion 230 can be formed (see FIG. 17B). Next, before removing the mask layer 235, it is preferable to polish the spacer holding portion 230 to flatten the top surface of the spacer holding portion 230. The polishing can be performed by wet polishing using polishing paper. Then, by removing the mask layer 235, the structure shown in FIG. 14B can be obtained.

【０１５７】（実施の形態９）実施の形態９において
は、各種の電界放出素子及びその製造方法を説明する。(Embodiment 9) In Embodiment 9, various field emission devices and a method for manufacturing the same will be described.

【０１５８】所謂３電極型の表示装置を構成する電界放
出素子は、電子放出部の構造により、具体的には、例え
ば、以下の２つの範疇に分類することができる。即ち、
第１の構造の電界放出素子は、（イ）支持体上に設けら
れた、第１の方向に延びるストライプ状のカソード電極
と、（ロ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁
層と、（ハ）絶縁層上に設けられ、第１の方向とは異な
る第２の方向に延びるストライプ状のゲート電極と、
（ニ）ゲート電極に設けられた第１開口部、及び、絶縁
層に設けられ、第１開口部と連通した第２開口部と、
（ホ）第２開口部の底部に位置するカソード電極上に設
けられた電子放出部、から成り、第２開口部の底部に露
出した電子放出部から電子が放出される構造を有する。The field-emission device that constitutes a so-called three-electrode type display device can be specifically classified into, for example, the following two categories depending on the structure of the electron emission portion. That is,
The field emission device of the first structure includes (a) a striped cathode electrode provided on the support and extending in the first direction, and (b) an insulating layer formed on the support and the cathode electrode. (C) a stripe-shaped gate electrode provided on the insulating layer and extending in a second direction different from the first direction,
(D) a first opening provided in the gate electrode, and a second opening provided in the insulating layer and communicating with the first opening,
(E) An electron emitting portion provided on the cathode electrode located at the bottom of the second opening, and has a structure in which electrons are emitted from the electron emitting portion exposed at the bottom of the second opening.

【０１５９】このような第１の構造を有する電界放出素
子として、上述したスピント型（円錐形の電子放出部
が、第２開口部の底部に位置するカソード電極上に設け
られた電界放出素子）、扁平型（略平面状の電子放出部
が、第２開口部の底部に位置するカソード電極上に設け
られた電界放出素子）を挙げることができる。As the field emission device having such a first structure, the above-mentioned Spindt type (the field emission device in which the conical electron emission portion is provided on the cathode electrode located at the bottom of the second opening) is used. , A flat type (a field emission device in which a substantially flat electron-emitting portion is provided on the cathode electrode located at the bottom of the second opening).

【０１６０】第２の構造の電界放出素子は、（イ）支持
体上に設けられた、第１の方向に延びるストライプ状の
カソード電極と、（ロ）支持体及びカソード電極上に形
成された絶縁層と、（ハ）絶縁層上に設けられ、第１の
方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲー
ト電極と、（ニ）ゲート電極に設けられた第１開口部、
及び、絶縁層に設けられ、第１開口部と連通した第２開
口部、から成り、第２開口部の底部に露出したカソード
電極の部分が電子放出部に相当し、かかる第２開口部の
底部に露出したカソード電極の部分から電子を放出する
構造を有する。The field emission device having the second structure is formed on (a) the cathode electrode in the form of a stripe provided on the support and extending in the first direction, and (b) on the support and the cathode electrode. An insulating layer, (c) a stripe-shaped gate electrode provided on the insulating layer and extending in a second direction different from the first direction, and (d) a first opening provided in the gate electrode,
And a second opening provided in the insulating layer and communicating with the first opening, and the portion of the cathode electrode exposed at the bottom of the second opening corresponds to the electron emitting portion. It has a structure in which electrons are emitted from the portion of the cathode electrode exposed at the bottom.

【０１６１】このような第２の構造を有する電界放出素
子として、平坦なカソード電極の表面から電子を放出す
る平面型電界放出素子を挙げることができる。As a field emission device having such a second structure, there can be mentioned a planar type field emission device which emits electrons from the flat surface of the cathode electrode.

【０１６２】スピント型電界放出素子にあっては、電子
放出部を構成する材料として、タングステン、タングス
テン合金、モリブデン、モリブデン合金、チタン、チタ
ン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合
金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリ
コン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る
群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げること
ができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、例
えば、真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法によっ
て形成することができる。In the Spindt-type field emission device, tungsten, a tungsten alloy, molybdenum, a molybdenum alloy, titanium, a titanium alloy, niobium, a niobium alloy, tantalum, a tantalum alloy, chromium, chromium is used as a material forming the electron emitting portion. At least one material selected from the group consisting of alloys and silicon containing impurities (polysilicon or amorphous silicon) can be mentioned. The electron emitting portion of the Spindt-type field emission device can be formed by, for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method.

【０１６３】扁平型電界放出素子にあっては、電子放出
部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料
よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ま
しく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を
構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極と
の間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等
に基づいて決定すればよい。電界放出素子におけるカソ
ード電極を構成する代表的な材料として、タングステン
（Φ＝４．５５ｅＶ）、ニオブ（Φ＝４．０２〜４．８
７ｅＶ）、モリブデン（Φ＝４．５３〜４．９５ｅ
Ｖ）、アルミニウム（Φ＝４．２８ｅＶ）、銅（Φ＝
４．６ｅＶ）、タンタル（Φ＝４．３ｅＶ）、クロム
（Φ＝４．５ｅＶ）、シリコン（Φ＝４．９ｅＶ）を例
示することができる。電子放出部は、これらの材料より
も小さな仕事関数Φを有していることが好ましく、その
値は概ね３ｅＶ以下であることが好ましい。かかる材料
として、炭素（Φ＜１ｅＶ）、セシウム（Φ＝２．１４
ｅＶ）、ＬａＢ₆（Φ＝２．６６〜２．７６ｅＶ）、Ｂ
ａＯ（Φ＝１．６〜２．７ｅＶ）、ＳｒＯ（Φ＝１．２
５〜１．６ｅＶ）、Ｙ₂Ｏ₃（Φ＝２．０ｅＶ）、ＣａＯ
（Φ＝１．６〜１．８６ｅＶ）、ＢａＳ（Φ＝２．０５
ｅＶ）、ＴｉＮ（Φ＝２．９２ｅＶ）、ＺｒＮ（Φ＝
２．９２ｅＶ）を例示することができる。仕事関数Φが
２ｅＶ以下である材料から電子放出部を構成すること
が、一層好ましい。尚、電子放出部を構成する材料は、
必ずしも導電性を備えている必要はない。In the flat type field emission device, it is preferable that the electron emitting portion is made of a material having a work function Φ smaller than that of the material forming the cathode electrode. What kind of material is selected. This may be determined based on the work function of the material forming the cathode electrode, the potential difference between the gate electrode and the cathode electrode, the required emission electron current density, and the like. Typical materials forming the cathode electrode in the field emission device include tungsten (Φ = 4.55 eV) and niobium (Φ = 4.02 to 4.8).
7 eV), molybdenum (Φ = 4.53 to 4.95 e)
V), aluminum (Φ = 4.28 eV), copper (Φ =
Examples are 4.6 eV), tantalum (Φ = 4.3 eV), chromium (Φ = 4.5 eV), and silicon (Φ = 4.9 eV). The electron emitting portion preferably has a work function Φ smaller than those materials, and its value is preferably about 3 eV or less. Such materials include carbon (Φ <1 eV), cesium (Φ = 2.14)
eV), LaB ₆ (Φ = 2.66 to 2.76 eV), B
aO (Φ = 1.6 to 2.7 eV), SrO (Φ = 1.2)
5 to 1.6 eV), Y ₂ O ₃ (Φ = 2.0 eV), CaO
(Φ = 1.6 to 1.86 eV), BaS (Φ = 2.05
eV), TiN (Φ = 2.92 eV), ZrN (Φ =
2.92 eV) can be illustrated. It is more preferable to form the electron emitting portion from a material having a work function Φ of 2 eV or less. The material forming the electron emitting portion is
It does not necessarily have to have conductivity.

【０１６４】あるいは又、扁平型電界放出素子におい
て、電子放出部を構成する材料として、かかる材料の２
次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２
次電子利得δよりも大きくなるような材料から適宜選択
してもよい。即ち、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン
（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属；シリコン（Ｓ
ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等の半導体；炭素やダイヤ
モンド等の無機単体；及び酸化アルミニウム（Ａｌ
₂Ｏ₃）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ベリリウム（Ｂ
ｅＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、フッ化バリウム（Ｂ
ａＦ₂）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等の化合物の中
から、適宜選択することができる。尚、電子放出部を構
成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はな
い。Alternatively, in the flat type field emission device, as a material forming the electron emitting portion, 2 of such materials is used.
The secondary electron gain δ is 2 of the conductive material that constitutes the cathode electrode.
You may select suitably from the material which becomes larger than the secondary electron gain (delta). That is, silver (Ag), aluminum (A
l), gold (Au), cobalt (Co), copper (Cu), molybdenum (Mo), niobium (Nb), nickel (N
i), platinum (Pt), tantalum (Ta), tungsten (W), zirconium (Zr), and other metals; silicon (S
i), semiconductors such as germanium (Ge); inorganic simple substances such as carbon and diamond; and aluminum oxide (Al
₂ O ₃ ), barium oxide (BaO), beryllium oxide (B
eO), calcium oxide (CaO), magnesium oxide (MgO), tin oxide (SnO ₂ ), barium fluoride (B
It can be appropriately selected from compounds such as aF ₂ ) and calcium fluoride (CaF ₂ ). The material forming the electron emitting portion does not necessarily have to be conductive.

【０１６５】扁平型電界放出素子にあっては、特に好ま
しい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的に
はダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチュー
ブ構造体を挙げることができる。電子放出部をこれらか
ら構成する場合、５×１０⁷Ｖ／ｍ以下の電界強度に
て、表示装置に必要な放出電子電流密度を得ることがで
きる。また、ダイヤモンドは電気抵抗体であるため、各
電子放出部から得られる放出電子電流を均一化すること
ができ、よって、表示装置に組み込まれた場合の輝度ば
らつきの抑制が可能となる。更に、これらの材料は、表
示装置内の残留ガスのイオンによるスパッタ作用に対し
て極めて高い耐性を有するので、電界放出素子の長寿命
化を図ることができる。In the flat field emission device, carbon, more specifically, diamond, graphite, or a carbon / nanotube structure can be mentioned as a particularly preferable material for the electron emitting portion. When the electron emitting portion is composed of these, the emitted electron current density required for the display device can be obtained at an electric field intensity of 5 × 10 ⁷ V / m or less. Further, since diamond is an electric resistor, it is possible to make the emitted electron currents obtained from the respective electron emitting portions uniform, and therefore it is possible to suppress the variation in luminance when incorporated in a display device. Furthermore, since these materials have extremely high resistance to the sputtering action by the ions of the residual gas in the display device, the life of the field emission device can be extended.

【０１６６】カーボン・ナノチューブ構造体として、具
体的には、カーボン・ナノチューブ及び／又はカーボン
・ナノファイバーを挙げることができる。より具体的に
は、カーボン・ナノチューブから電子放出部を構成して
もよいし、カーボン・ナノファイバーから電子放出部を
構成してもよいし、カーボン・ナノチューブとカーボン
・ナノファイバーの混合物から電子放出部を構成しても
よい。カーボン・ナノチューブやカーボン・ナノファイ
バーは、巨視的には、粉末状であってもよいし、薄膜状
であってもよいし、場合によっては、カーボン・ナノチ
ューブ構造体は円錐状の形状を有していてもよい。カー
ボン・ナノチューブやカーボン・ナノファイバーは、周
知のアーク放電法やレーザアブレーション法といったＰ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法やレーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、気相合成法、気相成長法といった各種のＣＶＤ法に
よって製造、形成することができる。Specific examples of the carbon nanotube structure include carbon nanotubes and / or carbon nanofibers. More specifically, the electron emitting portion may be composed of carbon nanotubes, the electron emitting portion may be composed of carbon nanofibers, or the electron emitting portion may be composed of a mixture of carbon nanotubes and carbon nanofibers. You may comprise a part. Macroscopically, carbon nanotubes and carbon nanofibers may be in the form of powder or thin film, and in some cases, the carbon nanotube structure has a conical shape. May be. Carbon nanotubes and carbon nanofibers can be produced by the known arc discharge method or laser ablation method.
VD method, plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD
It can be manufactured and formed by various CVD methods such as a CVD method, a vapor phase synthesis method, and a vapor phase growth method.

【０１６７】扁平型電界放出素子を、バインダ材料にカ
ーボン・ナノチューブ構造体を分散させたものをカソー
ド電極の所望の領域に例えば塗布した後、バインダ材料
の焼成あるいは硬化を行う方法（より具体的には、エポ
キシ系樹脂やアクリル系樹脂等の有機系バインダ材料や
水ガラス等の無機系バインダ材料にカーボン・ナノチュ
ーブ構造体を分散したものを、カソード電極の所望の領
域に例えば塗布した後、溶媒の除去、バインダ材料の焼
成・硬化を行う方法）によって製造することもできる。
尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ構造体
の第１の形成方法と呼ぶ。塗布方法として、スクリーン
印刷法を例示することができる。A method in which a flat field emission device, in which a carbon nanotube structure is dispersed in a binder material, is applied to a desired region of a cathode electrode, for example, and then the binder material is baked or cured (more specifically, Is a dispersion of the carbon nanotube structure in an organic binder material such as an epoxy resin or an acrylic resin or an inorganic binder material such as water glass. It can also be manufactured by a method of removing and baking and curing the binder material.
Such a method is referred to as a first method of forming a carbon nanotube structure. As a coating method, a screen printing method can be exemplified.

【０１６８】あるいは又、扁平型電界放出素子を、カー
ボン・ナノチューブ構造体が分散された金属化合物溶液
をカソード電極上に塗布した後、金属化合物を焼成する
方法によって製造することもでき、これによって、金属
化合物を構成する金属原子を含むマトリックスにてカー
ボン・ナノチューブ構造体がカソード電極表面に固定さ
れる。尚、このような方法を、カーボン・ナノチューブ
構造体の第２の形成方法と呼ぶ。マトリックスは、導電
性を有する金属酸化物から成ることが好ましく、より具
体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム−
錫、酸化亜鉛、酸化アンチモン、又は、酸化アンチモン
−錫から構成することが好ましい。焼成後、各カーボン
・ナノチューブ構造体の一部分がマトリックスに埋め込
まれている状態を得ることもできるし、各カーボン・ナ
ノチューブ構造体の全体がマトリックスに埋め込まれて
いる状態を得ることもできる。マトリックスの体積抵抗
率は、１×１０^-9Ω・ｍ乃至５×１０^-6Ω・ｍであるこ
とが望ましい。Alternatively, the flat type field emission device can be manufactured by a method in which a metal compound solution in which a carbon nanotube structure is dispersed is applied on a cathode electrode and then the metal compound is fired. The carbon / nanotube structure is fixed on the surface of the cathode electrode by a matrix containing metal atoms constituting a metal compound. Such a method is referred to as a second carbon nanotube structure forming method. The matrix is preferably made of a conductive metal oxide, and more specifically, tin oxide, indium oxide, indium oxide-
It is preferably composed of tin, zinc oxide, antimony oxide, or antimony-tin oxide. After firing, it is possible to obtain a state in which a part of each carbon / nanotube structure is embedded in a matrix, or a state in which each carbon / nanotube structure is entirely embedded in a matrix. The volume resistivity of the matrix is preferably 1 × 10 ⁻⁹ Ω · m to 5 × 10 ⁻⁶ Ω · m.

【０１６９】金属化合物溶液を構成する金属化合物とし
て、例えば、有機金属化合物、有機酸金属化合物、又
は、金属塩（例えば、塩化物、硝酸塩、酢酸塩）を挙げ
ることができる。有機酸金属化合物溶液として、有機錫
化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化合物、有機
アンチモン化合物を酸（例えば、塩酸、硝酸、あるいは
硫酸）に溶解し、これを有機溶剤（例えば、トルエン、
酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）で希釈したもの
を挙げることができる。また、有機金属化合物溶液とし
て、有機錫化合物、有機インジウム化合物、有機亜鉛化
合物、有機アンチモン化合物を有機溶剤（例えば、トル
エン、酢酸ブチル、イソプロピルアルコール）に溶解し
たものを例示することができる。溶液を１００重量部と
したとき、カーボン・ナノチューブ構造体が０．００１
〜２０重量部、金属化合物が０．１〜１０重量部、含ま
れた組成とすることが好ましい。溶液には、分散剤や界
面活性剤が含まれていてもよい。また、マトリックスの
厚さを増加させるといった観点から、金属化合物溶液
に、例えばカーボンブラック等の添加物を添加してもよ
い。また、場合によっては、有機溶剤の代わりに水を溶
媒として用いることもできる。Examples of the metal compound constituting the metal compound solution include an organic metal compound, an organic acid metal compound, and a metal salt (eg, chloride, nitrate, acetate). As an organic acid metal compound solution, an organic tin compound, an organic indium compound, an organic zinc compound, and an organic antimony compound are dissolved in an acid (for example, hydrochloric acid, nitric acid, or sulfuric acid), and this is dissolved in an organic solvent (for example, toluene,
Examples include those diluted with butyl acetate and isopropyl alcohol. Further, as the organic metal compound solution, an organic tin compound, an organic indium compound, an organic zinc compound, an organic antimony compound dissolved in an organic solvent (for example, toluene, butyl acetate, isopropyl alcohol) can be exemplified. When the solution is 100 parts by weight, the carbon / nanotube structure has 0.001
It is preferable that the composition contains -20 parts by weight and 0.1-10 parts by weight of the metal compound. The solution may contain a dispersant and a surfactant. From the viewpoint of increasing the thickness of the matrix, an additive such as carbon black may be added to the metal compound solution. In some cases, water may be used as a solvent instead of the organic solvent.

【０１７０】カーボン・ナノチューブ構造体が分散され
た金属化合物溶液をカソード電極上に塗布する方法とし
て、スプレー法、スピンコーティング法、ディッピング
法、ダイクォーター法、スクリーン印刷法を例示するこ
とができるが、中でもスプレー法を採用することが塗布
の容易性といった観点から好ましい。As a method of applying the metal compound solution in which the carbon nanotube structure is dispersed on the cathode electrode, a spray method, a spin coating method, a dipping method, a die quarter method, and a screen printing method can be exemplified. Among them, the spray method is preferable from the viewpoint of easy coating.

【０１７１】カーボン・ナノチューブ構造体が分散され
た金属化合物溶液をカソード電極上に塗布した後、金属
化合物溶液を乾燥させて金属化合物層を形成し、次い
で、カソード電極上の金属化合物層の不要部分を除去し
た後、金属化合物を焼成してもよいし、金属化合物を焼
成した後、カソード電極上の不要部分を除去してもよい
し、カソード電極の所望の領域上にのみ金属化合物溶液
を塗布してもよい。After coating the metal compound solution in which the carbon nanotube structure is dispersed on the cathode electrode, the metal compound solution is dried to form a metal compound layer, and then an unnecessary portion of the metal compound layer on the cathode electrode. After removing the metal compound, the metal compound may be baked, or after the metal compound is baked, an unnecessary portion on the cathode electrode may be removed, or the metal compound solution may be applied only on a desired region of the cathode electrode. You may.

【０１７２】金属化合物の焼成温度は、例えば、金属塩
が酸化されて導電性を有する金属酸化物となるような温
度、あるいは又、有機金属化合物や有機酸金属化合物が
分解して、有機金属化合物や有機酸金属化合物を構成す
る金属原子を含むマトリックス（例えば、導電性を有す
る金属酸化物）が形成できる温度であればよく、例え
ば、３００゜Ｃ以上とすることが好ましい。焼成温度の
上限は、電界放出素子あるいはカソードパネルの構成要
素に熱的な損傷等が発生しない温度とすればよい。The firing temperature of the metal compound is, for example, a temperature at which the metal salt is oxidized to form a metal oxide having conductivity, or the organometallic compound or the organic acid metal compound is decomposed to give an organometallic compound. The temperature may be any temperature at which a matrix containing metal atoms constituting the organic acid metal compound (for example, a metal oxide having conductivity) can be formed, and for example, it is preferably 300 ° C. or higher. The upper limit of the firing temperature may be set to a temperature at which the field emission device or the constituent element of the cathode panel is not thermally damaged.

【０１７３】カーボン・ナノチューブ構造体の第１の形
成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部
の形成後、電子放出部の表面の一種の活性化処理（洗浄
処理）を行うことが、電子放出部からの電子の放出効率
の一層の向上といった観点から好ましい。このような処
理として、水素ガス、アンモニアガス、ヘリウムガス、
アルゴンガス、ネオンガス、メタンガス、エチレンガ
ス、アセチレンガス、窒素ガス等のガス雰囲気中でのプ
ラズマ処理を挙げることができる。In the first forming method or the second forming method of the carbon nanotube structure, a kind of activation treatment (cleaning treatment) is performed on the surface of the electron emitting portion after the formation of the electron emitting portion. Is preferable from the viewpoint of further improving the efficiency of electron emission from the electron emission portion. As such a treatment, hydrogen gas, ammonia gas, helium gas,
Plasma treatment in a gas atmosphere of argon gas, neon gas, methane gas, ethylene gas, acetylene gas, nitrogen gas and the like can be mentioned.

【０１７４】カーボン・ナノチューブ構造体の第１の形
成方法あるいは第２の形成方法にあっては、電子放出部
は、第２開口部の底部に位置するカソード電極の部分の
表面に形成されていればよく、第２開口部の底部に位置
するカソード電極の部分から第２開口部の底部以外のカ
ソード電極の部分の表面に延在するように形成されてい
てもよい。また、電子放出部は、第２開口部の底部に位
置するカソード電極の部分の表面の全面に形成されてい
ても、部分的に形成されていてもよい。In the first forming method or the second forming method of the carbon nanotube structure, the electron emitting portion is formed on the surface of the portion of the cathode electrode located at the bottom of the second opening. It may be formed so as to extend from the portion of the cathode electrode located at the bottom of the second opening to the surface of the portion of the cathode electrode other than the bottom of the second opening. Further, the electron emitting portion may be formed on the entire surface of the portion of the cathode electrode located at the bottom of the second opening or may be formed partially.

【０１７５】各種の電界放出素子におけるカソード電極
を構成する材料として、タングステン（Ｗ）、ニオブ
（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等の金属；
これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴ
ｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、
ＴａＳｉ₂等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半
導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（インジウム
・錫酸化物）を例示することができる。カソード電極の
厚さは、おおよそ０．０５〜０．５μｍ、好ましくは
０．１〜０．３μｍの範囲とすることが望ましいが、か
かる範囲に限定するものではない。As materials forming the cathode electrode in various field emission devices, tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), molybdenum (Mo), chromium (Cr), aluminum (A).
l), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), and other metals;
Alloys or compounds containing these metal elements (eg T
nitrides such as iN, WSi ₂ , MoSi ₂ , TiSi ₂ ,
Examples thereof include silicide such as TaSi ₂ ); semiconductor such as silicon (Si); carbon thin film such as diamond; ITO (indium / tin oxide). It is desirable that the thickness of the cathode electrode is approximately 0.05 to 0.5 μm, preferably 0.1 to 0.3 μm, but the thickness is not limited to this range.

【０１７６】各種の電界放出素子におけるゲート電極を
構成する導電性材料として、タングステン（Ｗ）、ニオ
ブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル
（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、
鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）及び亜鉛（Ｚｎ）から成る群
から選択された少なくとも１種類の金属；これらの金属
元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化
物や、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂、ＴｉＳｉ₂、ＴａＳｉ₂等の
シリサイド）；あるいはシリコン（Ｓｉ）等の半導体；
ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、酸化インジウム、酸化
亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。Tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), titanium (Ti), molybdenum (Mo), chromium (Cr), aluminum is used as a conductive material for forming gate electrodes in various field emission devices. (A
l), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), nickel (Ni), cobalt (Co), zirconium (Zr),
At least one metal selected from the group consisting of iron (Fe), platinum (Pt), and zinc (Zn); alloys or compounds containing these metal elements (for example, nitrides such as TiN, WSi ₂ , MoSi ₂₎ , TiSi ₂ , TaSi ₂ or the like); or a semiconductor such as silicon (Si);
Examples thereof include conductive metal oxides such as ITO (indium tin oxide), indium oxide, and zinc oxide.

【０１７７】カソード電極やゲート電極の形成方法とし
て、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法
といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオン
プレーティング法とエッチング法との組合せ、スクリー
ン印刷法、メッキ法、リフトオフ法等を挙げることがで
きる。スクリーン印刷法やメッキ法によれば、直接、例
えばストライプ状のカソード電極を形成することが可能
である。As the method of forming the cathode electrode and the gate electrode, for example, an evaporation method such as an electron beam evaporation method or a hot filament evaporation method, a sputtering method, a CVD method, a combination of an ion plating method and an etching method, a screen printing method, and a plating method are used. Method, lift-off method and the like. By the screen printing method or the plating method, it is possible to directly form, for example, a stripe-shaped cathode electrode.

【０１７８】第１の構造あるいは第２の構造を有する電
界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存する
が、ゲート電極及び絶縁層に設けられた１つの第１開口
部及び第２開口部内に１つの電子放出部が存在してもよ
いし、ゲート電極及び絶縁層に設けられた１つの第１開
口部及び第２開口部内に複数の電子放出部が存在しても
よいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、かかる
第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設
け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複
数の電子放出部が存在してもよい。In the field emission device having the first structure or the second structure, depending on the structure of the field emission device, in the first opening and the second opening provided in the gate electrode and the insulating layer. There may be one electron-emitting part in the gate electrode, a plurality of electron-emitting parts may be present in the first opening and the second opening provided in the gate electrode and the insulating layer, and the gate electrode may be formed. A plurality of first openings are provided in the insulating layer, one second opening communicating with the first opening is provided in the insulating layer, and one or a plurality of electron emitting portions is provided in one second opening provided in the insulating layer. May exist.

【０１７９】第１開口部あるいは第２開口部の平面形状
（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したとき
の形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯び
た矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすること
ができる。第１開口部の形成は、例えば、等方性エッチ
ング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せに
よって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成
方法に依っては、第１開口部を直接形成することもでき
る。第２開口部の形成も、例えば、等方性エッチング、
異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって
行うことができる。The planar shape of the first opening or the second opening (the shape when the opening is cut by a virtual plane parallel to the surface of the support) is circular, elliptical, rectangular, polygonal or rounded. Any shape such as a rectangle or a rounded polygon can be used. The first opening can be formed by, for example, isotropic etching, a combination of anisotropic etching and isotropic etching, or depending on the method of forming the gate electrode, the first opening can be formed. It can also be formed directly. The formation of the second opening is also performed by, for example, isotropic etching,
It can be performed by a combination of anisotropic etching and isotropic etching.

【０１８０】第１の構造を有する電界放出素子におい
て、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体層を設け
てもよい。あるいは又、カソード電極の表面が電子放出
部に相当している場合（即ち、第２の構造を有する電界
放出素子においては）、カソード電極を導電材料層、抵
抗体層、電子放出部に相当する電子放出層の３層構成と
してもよい。抵抗体層を設けることによって、電界放出
素子の動作安定化、電子放出特性の均一化を図ることが
できる。抵抗体層を構成する材料として、シリコンカー
バイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料、
ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体材料、酸化ル
テニウム（ＲｕＯ₂）、酸化タンタル、窒化タンタル等
の高融点金属酸化物を例示することができる。抵抗体層
の形成方法として、スパッタリング法や、ＣＶＤ法やス
クリーン印刷法を例示することができる。抵抗値は、概
ね１×１０⁵〜１×１０⁷Ω、好ましくは数ＭΩとすれば
よい。In the field emission device having the first structure, a resistor layer may be provided between the cathode electrode and the electron emitting portion. Alternatively, when the surface of the cathode electrode corresponds to the electron emitting portion (that is, in the field emission device having the second structure), the cathode electrode corresponds to the conductive material layer, the resistor layer, and the electron emitting portion. The electron-emitting layer may have a three-layer structure. By providing the resistor layer, it is possible to stabilize the operation of the field emission device and make the electron emission characteristics uniform. Carbon materials such as silicon carbide (SiC) and SiCN are used as materials for forming the resistor layer,
Examples thereof include semiconductor materials such as SiN and amorphous silicon, and refractory metal oxides such as ruthenium oxide (RuO ₂ ), tantalum oxide and tantalum nitride. Examples of the method for forming the resistor layer include a sputtering method, a CVD method, and a screen printing method. The resistance value may be approximately 1 × 10 ⁵ to 1 × 10 ⁷ Ω, preferably several MΩ.

【０１８１】絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰ
ＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＮ、
ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラ
ス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料、ＳｉＮ、
ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合
わせて使用することができる。絶縁層の形成には、ＣＶ
Ｄ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等
の公知のプロセスが利用できる。As a constituent material of the insulating layer, SiO ₂ , BP
SG, PSG, BSG, AsSG, PbSG, SiN,
SiON, SOG (spin on glass), low melting point glass, SiO ₂ based materials such as glass paste, SiN,
Insulating resins such as polyimide can be used alone or in appropriate combination. To form the insulating layer, use CV
Known processes such as D method, coating method, sputtering method and screen printing method can be used.

【０１８２】［スピント型電界放出素子］スピント型電
界放出素子は、（イ）支持体１０上に設けられた、第１
の方向に延びるストライプ状のカソード電極１１と、
（ロ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された
絶縁層１２と、（ハ）絶縁層１２上に設けられ、第１の
方向とは異なる第２の方向に延びるストライプ状のゲー
ト電極１３と、（ニ）ゲート電極１３に設けられた第１
開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられ、第１開口
部１４Ａと連通した第２開口部１４Ｂと、（ホ）第２開
口部１４Ｂの底部に位置するカソード電極１１上に設け
られた電子放出部１５、から成り、第２開口部１４Ｂの
底部に露出した円錐形の電子放出部１５から電子が放出
される構造を有する。[Spindt-type field emission device] The Spindt-type field emission device is (a) a first support provided on the support 10.
A striped cathode electrode 11 extending in the direction of
(B) An insulating layer 12 formed on the support 10 and the cathode electrode 11, and (c) a stripe-shaped gate electrode 13 provided on the insulating layer 12 and extending in a second direction different from the first direction. And (d) the first electrode provided on the gate electrode 13.
Electrons provided on the opening 14A and the second opening 14B provided in the insulating layer 12 and communicating with the first opening 14A, and (e) on the cathode electrode 11 located at the bottom of the second opening 14B. The electron emission portion 15 has a structure in which electrons are emitted from the conical electron emission portion 15 exposed at the bottom of the second opening 14B.

【０１８３】以下、スピント型電界放出素子の製造方法
を、カソードパネルを構成する支持体１０等の模式的な
一部端面図である図１８の（Ａ）、（Ｂ）及び図１９の
（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。A method of manufacturing a Spindt-type field emission device will now be described with reference to FIGS. 18A, 18B and 19A, which are schematic partial end views of the support 10 and the like constituting the cathode panel. ) And (B).

【０１８４】尚、このスピント型電界放出素子は、基本
的には、円錐形の電子放出部１５を金属材料の垂直蒸着
により形成する方法によって得ることができる。即ち、
ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａに対して
蒸着粒子は垂直に入射するが、第１開口部１４Ａの開口
端付近に形成されるオーバーハング状の堆積物による遮
蔽効果を利用して、第２開口部１４Ｂの底部に到達する
蒸着粒子の量を漸減させ、円錐形の堆積物である電子放
出部１５を自己整合的に形成する。ここでは、不要なオ
ーバーハング状の堆積物の除去を容易とするために、ゲ
ート電極１３及び絶縁層１２上に剥離層１６を予め形成
しておく方法について説明する。尚、図１８〜図２３に
おいては、１つの電子放出部のみを図示した。This Spindt-type field emission device can be obtained basically by a method of forming the conical electron emission portion 15 by vertical vapor deposition of a metal material. That is,
The vapor deposition particles enter the first opening 14A provided in the gate electrode 13 perpendicularly, but by utilizing the shielding effect of the overhang-like deposit formed near the opening end of the first opening 14A The amount of vapor deposition particles reaching the bottom of the second opening 14B is gradually reduced to form the electron emitting portion 15 which is a conical deposit in a self-aligned manner. Here, a method of forming the separation layer 16 on the gate electrode 13 and the insulating layer 12 in advance in order to facilitate the removal of unnecessary overhang-like deposits will be described. 18 to 23, only one electron emitting portion is shown.

【０１８５】［工程−Ａ０］先ず、例えばガラス基板か
ら成る支持体１０の上に、例えばポリシリコンから成る
カソード電極用導電材料層をプラズマＣＶＤ法にて成膜
した後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に
基づきカソード電極用導電材料層をパターニングして、
ストライプ状のカソード電極１１を形成する。その後、
全面にＳｉＯ ₂から成る絶縁層１２をＣＶＤ法にて形成
する。[Step-A0] First, for example, a glass substrate
On a support 10 made of, for example, polysilicon
Conductive material layer for cathode electrode is formed by plasma CVD method
After that, apply lithography technology and dry etching technology
Patterning the conductive material layer for the cathode electrode based on
The striped cathode electrode 11 is formed. afterwards,
SiO on the entire surface ₂An insulating layer 12 composed of
To do.

【０１８６】［工程−Ａ１］次に、絶縁層１２上に、ゲ
ート電極用導電材料層（例えば、ＴｉＮ層）をスパッタ
法にて成膜し、次いで、ゲート電極用導電材料層をリソ
グラフィ技術及びドライエッチング技術にてパターニン
グすることによって、ストライプ状のゲート電極１３を
得ることができる。ストライプ状のカソード電極１１
は、図面の紙面左右方向に延び、ストライプ状のゲート
電極１３は、図面の紙面垂直方向に延びている。[Step-A1] Next, a conductive material layer for a gate electrode (for example, a TiN layer) is formed on the insulating layer 12 by a sputtering method, and then a conductive material layer for a gate electrode is formed by a lithography technique and By patterning with a dry etching technique, the stripe-shaped gate electrode 13 can be obtained. Striped cathode electrode 11
Extends in the left-right direction of the drawing and the stripe-shaped gate electrode 13 extends in the direction perpendicular to the drawing.

【０１８７】尚、ゲート電極１３を、真空蒸着法等のＰ
ＶＤ法、ＣＶＤ法、電気メッキ法や無電解メッキ法とい
ったメッキ法、スクリーン印刷法、レーザアブレーショ
ン法、ゾル−ゲル法、リフトオフ法等の公知の薄膜形成
技術と、必要に応じてエッチング技術との組合せによっ
て形成してもよい。スクリーン印刷法やメッキ法によれ
ば、直接、例えばストライプ状のゲート電極を形成する
ことが可能である。The gate electrode 13 is formed of P by vacuum vapor deposition or the like.
A known thin film forming technique such as a VD method, a CVD method, a plating method such as an electroplating method or an electroless plating method, a screen printing method, a laser ablation method, a sol-gel method, a lift-off method, and an etching technology as necessary It may be formed by a combination. According to the screen printing method or the plating method, it is possible to directly form, for example, a stripe-shaped gate electrode.

【０１８８】［工程−Ａ２］その後、再びレジスト層を
形成し、エッチングによってゲート電極１３に第１開口
部１４Ａを形成し、更に、絶縁層に第２開口部１４Ｂを
形成し、第２開口部１４Ｂの底部にカソード電極１１を
露出させた後、レジスト層を除去する。こうして、図１
８の（Ａ）に示す構造を得ることができる。[Step-A2] After that, the resist layer is formed again, the first opening 14A is formed in the gate electrode 13 by etching, and the second opening 14B is formed in the insulating layer, and the second opening is formed. After exposing the cathode electrode 11 at the bottom of 14B, the resist layer is removed. Thus, FIG.
The structure shown in (A) of 8 can be obtained.

【０１８９】［工程−Ａ３］次に、支持体１０を回転さ
せながらゲート電極１３上を含む絶縁層１２上にニッケ
ル（Ｎｉ）を斜め蒸着することにより、剥離層１６を形
成する（図１８の（Ｂ）参照）。このとき、支持体１０
の法線に対する蒸着粒子の入射角を十分に大きく選択す
ることにより（例えば、入射角６５度〜８５度）、第２
開口部１４Ｂの底部にニッケルを殆ど堆積させることな
く、ゲート電極１３及び絶縁層１２の上に剥離層１６を
形成することができる。剥離層１６は、第１開口部１４
Ａの開口端から庇状に張り出しており、これによって第
１開口部１４Ａが実質的に縮径される。[Step-A3] Next, the peeling layer 16 is formed by obliquely depositing nickel (Ni) on the insulating layer 12 including on the gate electrode 13 while rotating the support 10 (see FIG. 18). (See (B)). At this time, the support 10
By selecting a sufficiently large incident angle of the vapor deposition particles with respect to the normal line (for example, the incident angle is 65 degrees to 85 degrees), the second
The peeling layer 16 can be formed on the gate electrode 13 and the insulating layer 12 with almost no nickel deposited on the bottom of the opening 14B. The release layer 16 has the first opening 14
It projects like an eaves from the opening end of A, and the diameter of the first opening 14A is substantially reduced.

【０１９０】［工程−Ａ４］次に、全面に例えば導電材
料としてモリブデン（Ｍｏ）を垂直蒸着する（入射角３
度〜１０度）。このとき、図１９の（Ａ）に示すよう
に、剥離層１６上でオーバーハング形状を有する導電材
料層１７が成長するに伴い、第１開口部１４Ａの実質的
な直径が次第に縮小されるので、第２開口部１４Ｂの底
部において堆積に寄与する蒸着粒子は、次第に第１開口
部１４Ａの中央付近を通過するものに限られるようにな
る。その結果、第２開口部１４Ｂの底部には円錐形の堆
積物が形成され、この円錐形の堆積物が電子放出部１５
となる。[Step-A4] Next, for example, molybdenum (Mo) as a conductive material is vertically vapor-deposited on the entire surface (incident angle 3).
10 degrees). At this time, as shown in FIG. 19A, as the conductive material layer 17 having the overhang shape grows on the peeling layer 16, the substantial diameter of the first opening 14A is gradually reduced. The vapor deposition particles that contribute to the deposition at the bottom of the second opening 14B are gradually limited to those that pass near the center of the first opening 14A. As a result, a conical deposit is formed on the bottom of the second opening 14B, and this conical deposit is used as the electron emitting portion 15.
Becomes

【０１９１】［工程−Ａ５］その後、図１９の（Ｂ）に
示すように、リフトオフ法にて剥離層１６をゲート電極
１３及び絶縁層１２の表面から剥離し、ゲート電極１３
及び絶縁層１２の上方の導電材料層１７を選択的に除去
する。こうして、複数のスピント型電界放出素子が形成
されたカソードパネルを得ることができる。[Step-A5] After that, as shown in FIG. 19B, the peeling layer 16 is peeled off from the surfaces of the gate electrode 13 and the insulating layer 12 by the lift-off method, and the gate electrode 13 is removed.
And the conductive material layer 17 above the insulating layer 12 is selectively removed. Thus, a cathode panel having a plurality of Spindt-type field emission devices can be obtained.

【０１９２】［扁平型電界放出素子（その１）］扁平型
電界放出素子は、（イ）支持体１０上に設けられた、第
１の方向に延びるカソード電極１１と、（ロ）支持体１
０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、
（ハ）絶縁層１２上に設けられ、第１の方向とは異なる
第２の方向に延びるゲート電極１３と、（ニ）ゲート電
極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１
２に設けられ、第１開口部１４Ａと連通した第２開口部
１４Ｂと、（ホ）第２開口部１４Ｂの底部に位置するカ
ソード電極１１上に設けられた扁平状の電子放出部１５
Ａ、から成り、第２開口部１４Ｂの底部に露出した電子
放出部１５Ａから電子が放出される構造を有する。[Flat-type field emission device (1)] The flat-type field emission device is (a) a cathode electrode 11 provided on the support 10 and extending in the first direction, and (b) the support 1.
0 and the insulating layer 12 formed on the cathode electrode 11,
(C) A gate electrode 13 provided on the insulating layer 12 and extending in a second direction different from the first direction, (d) a first opening 14A provided in the gate electrode 13, and the insulating layer 1
Second opening 14B provided in the second opening 14B and communicating with the first opening 14A, and (e) a flat electron-emitting portion 15 provided on the cathode electrode 11 located at the bottom of the second opening 14B.
A has a structure in which electrons are emitted from the electron emitting portion 15A exposed at the bottom of the second opening 14B.

【０１９３】電子放出部１５Ａは、マトリックス１８、
及び、先端部が突出した状態でマトリックス１８中に埋
め込まれたカーボン・ナノチューブ構造体（具体的に
は、カーボン・ナノチューブ１９）から成り、マトリッ
クス１８は、導電性を有する金属酸化物（具体的には、
酸化インジウム−錫、ＩＴＯ）から成る。The electron emitting portion 15A includes a matrix 18,
And a carbon nanotube structure (specifically, the carbon nanotube 19) embedded in the matrix 18 in a state where the tip portion protrudes, and the matrix 18 is made of a metal oxide having conductivity (specifically, Is
Indium-tin oxide, ITO).

【０１９４】以下、電界放出素子の製造方法を、図２０
の（Ａ）、（Ｂ）及び図２１の（Ａ）、（Ｂ）を参照し
て説明する。A method of manufacturing a field emission device will be described below with reference to FIG.
21 (A) and (B) and FIGS. 21 (A) and 21 (B).

【０１９５】［工程−Ｂ０］先ず、例えばガラス基板か
ら成る支持体１０上に、例えばスパッタリング法及びエ
ッチング技術により形成された厚さ約０．２μｍのクロ
ム（Ｃｒ）層から成るストライプ状のカソード電極１１
を形成する。[Step-B0] First, a striped cathode electrode made of a chromium (Cr) layer having a thickness of about 0.2 μm formed on the support 10 made of, for example, a glass substrate by, for example, a sputtering method and an etching technique. 11
To form.

【０１９６】［工程−Ｂ１］次に、カーボン・ナノチュ
ーブ構造体が分散された有機酸金属化合物から成る金属
化合物溶液をカソード電極１１上に、例えばスプレー法
にて塗布する。具体的には、以下の表１に例示する金属
化合物溶液を用いる。尚、金属化合物溶液中にあって
は、有機錫化合物及び有機インジウム化合物は酸（例え
ば、塩酸、硝酸、あるいは硫酸）に溶解された状態にあ
る。カーボン・ナノチューブはアーク放電法にて製造さ
れ、平均直径３０ｎｍ、平均長さ１μｍである。塗布に
際しては、支持体を７０〜１５０゜Ｃに加熱しておく。
塗布雰囲気を大気雰囲気とする。塗布後、５〜３０分
間、支持体を加熱し、酢酸ブチルを十分に蒸発させる。
このように、塗布時、支持体を加熱することによって、
カソード電極の表面に対してカーボン・ナノチューブが
水平に近づく方向にセルフレベリングする前に塗布溶液
の乾燥が始まる結果、カーボン・ナノチューブが水平に
はならない状態でカソード電極の表面にカーボン・ナノ
チューブを配置することができる。即ち、カーボン・ナ
ノチューブの先端部がアノード電極の方向を向くような
状態、言い換えれば、カーボン・ナノチューブを、支持
体の法線方向に近づく方向に配向させることができる。
尚、予め、表１に示す組成の金属化合物溶液を調製して
おいてもよいし、カーボン・ナノチューブを添加してい
ない金属化合物溶液を調製しておき、塗布前に、カーボ
ン・ナノチューブと金属化合物溶液とを混合してもよ
い。また、カーボン・ナノチューブの分散性向上のた
め、金属化合物溶液の調製時、超音波を照射してもよ
い。[Step-B1] Next, a metal compound solution comprising an organic acid metal compound in which the carbon nanotube structure is dispersed is applied onto the cathode electrode 11 by, for example, a spray method. Specifically, the metal compound solutions exemplified in Table 1 below are used. Incidentally, in the metal compound solution, the organic tin compound and the organic indium compound are in a state of being dissolved in an acid (for example, hydrochloric acid, nitric acid, or sulfuric acid). Carbon nanotubes are manufactured by an arc discharge method and have an average diameter of 30 nm and an average length of 1 μm. Upon coating, the support is heated to 70 to 150 ° C.
The coating atmosphere is an air atmosphere. After coating, the support is heated for 5 to 30 minutes to evaporate butyl acetate sufficiently.
Thus, by heating the support during coating,
Place the carbon nanotubes on the surface of the cathode electrode in a state where the carbon nanotubes are not horizontal as a result of the drying of the coating solution before self-leveling the carbon nanotubes toward the horizontal direction of the surface of the cathode electrode be able to. That is, it is possible to orient the carbon nanotubes in a state where the tips of the carbon nanotubes face the direction of the anode electrode, in other words, the carbon nanotubes are closer to the normal direction of the support.
A metal compound solution having the composition shown in Table 1 may be prepared in advance, or a metal compound solution containing no carbon nanotubes may be prepared in advance, and the carbon nanotubes and the metal compound may be prepared before coating. You may mix with a solution. Further, in order to improve the dispersibility of the carbon nanotubes, ultrasonic waves may be applied during the preparation of the metal compound solution.

【０１９７】 ［表１］ 有機錫化合物及び有機インジウム化合物：０．１〜１０重量部 分散剤（ドデシル硫酸ナトリウム） ：０．１〜５ 重量部 カーボン・ナノチューブ ：０．１〜２０重量部 酢酸ブチル ：残余[0197] [Table 1] Organic tin compound and organic indium compound: 0.1 to 10 parts by weight Dispersant (sodium dodecyl sulfate): 0.1 to 5 parts by weight Carbon nanotube: 0.1 to 20 parts by weight Butyl acetate: Residual

【０１９８】尚、有機酸金属化合物溶液として、有機錫
化合物を酸に溶解したものを用いれば、マトリックスと
して酸化錫が得られ、有機インジウム化合物を酸に溶解
したものを用いれば、マトリックスとして酸化インジウ
ムが得られ、有機亜鉛化合物を酸に溶解したものを用い
れば、マトリックスとして酸化亜鉛が得られ、有機アン
チモン化合物を酸に溶解したものを用いれば、マトリッ
クスとして酸化アンチモンが得られ、有機アンチモン化
合物及び有機錫化合物を酸に溶解したもの用いれば、マ
トリックスとして酸化アンチモン−錫が得られる。ま
た、有機金属化合物溶液として、有機錫化合物を用いれ
ば、マトリックスとして酸化錫が得られ、有機インジウ
ム化合物を用いれば、マトリックスとして酸化インジウ
ムが得られ、有機亜鉛化合物を用いれば、マトリックス
として酸化亜鉛が得られ、有機アンチモン化合物を用い
れば、マトリックスとして酸化アンチモンが得られ、有
機アンチモン化合物及び有機錫化合物を用いれば、マト
リックスとして酸化アンチモン−錫が得られる。あるい
は又、金属の塩化物の溶液（例えば、塩化錫、塩化イン
ジウム）を用いてもよい。If the organic acid metal compound solution used is one in which an organic tin compound is dissolved in acid, tin oxide is obtained as the matrix, and if the one prepared by dissolving the organic indium compound in acid is used, indium oxide is used as the matrix. Is obtained, if the one obtained by dissolving the organic zinc compound in the acid is used, zinc oxide is obtained as the matrix, and if the one obtained by dissolving the organic antimony compound in the acid is used, antimony oxide is obtained as the matrix, and the organic antimony compound and When an organic tin compound dissolved in an acid is used, antimony-tin oxide can be obtained as a matrix. When an organotin compound is used as the organometallic compound solution, tin oxide is obtained as a matrix, when an organic indium compound is used, indium oxide is obtained as a matrix, and when an organozinc compound is used, zinc oxide is obtained as a matrix. If an organic antimony compound is used, antimony oxide is obtained as a matrix, and if an organic antimony compound and an organic tin compound are used, antimony-tin oxide is obtained as a matrix. Alternatively, a solution of metal chloride (eg, tin chloride, indium chloride) may be used.

【０１９９】場合によっては、金属化合物溶液を乾燥し
た後の金属化合物層の表面に著しい凹凸が形成されてい
る場合がある。このような場合には、金属化合物層の上
に、支持体を加熱することなく、再び、金属化合物溶液
を塗布することが望ましい。In some cases, remarkable irregularities may be formed on the surface of the metal compound layer after drying the metal compound solution. In such a case, it is desirable to apply the metal compound solution again on the metal compound layer without heating the support.

【０２００】［工程−Ｂ２］その後、有機酸金属化合物
から成る金属化合物を焼成することによって、有機酸金
属化合物を構成する金属原子（具体的には、Ｉｎ及びＳ
ｎ）を含むマトリックス（具体的には、金属酸化物であ
り、より一層具体的にはＩＴＯ）１８にてカーボン・ナ
ノチューブ１９がカソード電極１１の表面に固定された
電子放出部１５Ａを得る。焼成を、大気雰囲気中で、３
５０゜Ｃ、２０分の条件にて行う。こうして、得られた
マトリックス１８の体積抵抗率は、５×１０^-7Ω・ｍで
あった。有機酸金属化合物を出発物質として用いること
により、焼成温度３５０゜Ｃといった低温においても、
ＩＴＯから成るマトリックス１８を形成することができ
る。尚、有機酸金属化合物溶液の代わりに、有機金属化
合物溶液を用いてもよいし、金属の塩化物の溶液（例え
ば、塩化錫、塩化インジウム）を用いた場合、焼成によ
って塩化錫、塩化インジウムが酸化されつつ、ＩＴＯか
ら成るマトリックス１８が形成される。[Step-B2] Thereafter, the metal compound comprising the organic acid metal compound is fired to form the metal atom (specifically, In and S) constituting the organic acid metal compound.
The electron emitting portion 15A in which the carbon nanotubes 19 are fixed to the surface of the cathode electrode 11 by the matrix (specifically, metal oxide, more specifically, ITO) 18 containing n) is obtained. Firing in air atmosphere for 3
Perform at 50 ° C for 20 minutes. Thus, the volume resistivity of the obtained matrix 18 was 5 × 10 ⁻⁷ Ω · m. By using an organic acid metal compound as a starting material, even at a low temperature such as a firing temperature of 350 ° C,
A matrix 18 of ITO can be formed. Incidentally, an organic metal compound solution may be used instead of the organic acid metal compound solution, and when a metal chloride solution (for example, tin chloride or indium chloride) is used, tin chloride or indium chloride may be removed by firing. While being oxidized, the matrix 18 made of ITO is formed.

【０２０１】［工程−Ｂ３］次いで、全面にレジスト層
を形成し、カソード電極１１の所望の領域の上方に、例
えば直径１０μｍの円形のレジスト層を残す。そして、
１０〜６０゜Ｃの塩酸を用いて、１〜３０分間、マトリ
ックス１８をエッチングして、電子放出部の不要部分を
除去する。更に、所望の領域以外にカーボン・ナノチュ
ーブが未だ存在する場合には、以下の表２に例示する条
件の酸素プラズマエッチング処理によってカーボン・ナ
ノチューブをエッチングする。尚、バイアスパワーは０
Ｗでもよいが、即ち、直流としてもよいが、バイアスパ
ワーを加えることが望ましい。また、支持体を、例えば
８０゜Ｃ程度に加熱してもよい。[Step-B3] Next, a resist layer is formed on the entire surface, and a circular resist layer having a diameter of, for example, 10 μm is left above the desired region of the cathode electrode 11. And
The matrix 18 is etched with hydrochloric acid at 10 to 60 ° C. for 1 to 30 minutes to remove unnecessary portions of the electron emitting portion. Further, when the carbon nanotubes are still present in other than the desired region, the carbon nanotubes are etched by the oxygen plasma etching treatment under the conditions exemplified in Table 2 below. The bias power is 0
Although W may be used, that is, DC may be used, but it is desirable to add bias power. The support may be heated to, for example, about 80 ° C.

【０２０２】［表２］ 使用装置 ：ＲＩＥ装置 導入ガス ：酸素を含むガス プラズマ励起パワー：５００Ｗ バイアスパワー ：０〜１５０Ｗ 処理時間 ：１０秒以上[Table 2] Equipment used: RIE equipment Introduced gas: Gas containing oxygen Plasma excitation power: 500W Bias power: 0-150W Processing time: 10 seconds or more

【０２０３】あるいは又、表３に例示する条件のウェッ
トエッチング処理によってカーボン・ナノチューブをエ
ッチングしてもよい。Alternatively, the carbon nanotubes may be etched by the wet etching process under the conditions shown in Table 3.

【０２０４】［表３］ 使用溶液：ＫＭｎＯ₄ 温度 ：２０〜１２０゜Ｃ 処理時間：１０秒〜２０分[Table 3] Solution used: KMnO ₄ Temperature: 20 to 120 ° C Treatment time: 10 seconds to 20 minutes

【０２０５】その後、レジスト層を除去することによっ
て、図２０の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
尚、直径１０μｍの円形の電子放出部を残すことに限定
されない。例えば、電子放出部をカソード電極１１上に
残してもよい。After that, the structure shown in FIG. 20A can be obtained by removing the resist layer.
It is not limited to leaving a circular electron emitting portion having a diameter of 10 μm. For example, the electron emitting portion may be left on the cathode electrode 11.

【０２０６】尚、［工程−Ｂ１］、［工程−Ｂ３］、
［工程−Ｂ２］の順に実行してもよい。[Step-B1], [Step-B3],
You may perform in order of [process-B2].

【０２０７】［工程−Ｂ４］次に、電子放出部１５Ａ、
支持体１０及びカソード電極１１上に絶縁層１２を形成
する。具体的には、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシ
ラン）を原料ガスとして使用するＣＶＤ法により、全面
に、厚さ約１μｍの絶縁層１２を形成する。[Step-B4] Next, the electron emitting portion 15A,
An insulating layer 12 is formed on the support 10 and the cathode electrode 11. Specifically, the insulating layer 12 having a thickness of about 1 μm is formed on the entire surface by a CVD method using, for example, TEOS (tetraethoxysilane) as a source gas.

【０２０８】［工程−Ｂ５］その後、絶縁層１２上にス
トライプ状のゲート電極１３を形成し、更に、絶縁層１
２及びゲート電極１３上にマスク材料層１１８を設けた
後、ゲート電極１３に第１開口部１４Ａを形成し、更
に、ゲート電極１３に形成された第１開口部１４Ａに連
通する第２開口部１４Ｂを絶縁層１２に形成する（図２
０の（Ｂ）参照）。尚、マトリックス１８を金属酸化
物、例えばＩＴＯから構成する場合、絶縁層１２をエッ
チングするとき、マトリックス１８がエッチングされる
ことはない。即ち、絶縁層１２とマトリックス１８との
エッチング選択比はほぼ無限大である。従って、絶縁層
１２のエッチングによってカーボン・ナノチューブ１９
に損傷が発生することはない。[Step-B5] Thereafter, the stripe-shaped gate electrode 13 is formed on the insulating layer 12, and the insulating layer 1 is further formed.
2 and the mask material layer 118 is provided on the gate electrode 13, the first opening 14A is formed in the gate electrode 13, and the second opening communicating with the first opening 14A formed in the gate electrode 13 is formed. 14B is formed on the insulating layer 12 (see FIG. 2).
0 (see (B)). When the matrix 18 is made of a metal oxide such as ITO, the matrix 18 is not etched when the insulating layer 12 is etched. That is, the etching selection ratio between the insulating layer 12 and the matrix 18 is almost infinite. Therefore, by etching the insulating layer 12, the carbon nanotubes 19
No damage will occur.

【０２０９】［工程−Ｂ６］次いで、以下の表４に例示
する条件にて、マトリックス１８の一部を除去し、マト
リックス１８から先端部が突出した状態のカーボン・ナ
ノチューブ１９を得ることが好ましい。こうして、図２
１の（Ａ）に示す構造の電子放出部１５Ａを得ることが
できる。[Step-B6] Next, it is preferable to remove a part of the matrix 18 under the conditions shown in Table 4 below to obtain the carbon nanotubes 19 with the tips protruding from the matrix 18. Thus, FIG.
It is possible to obtain the electron emitting portion 15A having the structure shown in FIG.

【０２１０】［表４］ エッチング溶液：塩酸 エッチング時間：１０秒〜３０秒 エッチング温度：１０〜６０゜Ｃ[Table 4] Etching solution: hydrochloric acid Etching time: 10 seconds to 30 seconds Etching temperature: 10-60 ° C

【０２１１】マトリックス１８のエッチングによって一
部あるいは全てのカーボン・ナノチューブ１９の表面状
態が変化し（例えば、その表面に酸素原子や酸素分子、
フッ素原子が吸着し）、電界放出に関して不活性となっ
ている場合がある。それ故、その後、電子放出部１５Ａ
に対して水素ガス雰囲気中でのプラズマ処理を行うこと
が好ましく、これによって、電子放出部１５Ａが活性化
し、電子放出部１５Ａからの電子の放出効率の一層の向
上させることができる。プラズマ処理は、例えば、表４
に例示した条件と同様の条件にて行えばよい。The etching of the matrix 18 changes the surface state of some or all of the carbon nanotubes 19 (for example, oxygen atoms or oxygen molecules,
In some cases, fluorine atoms are adsorbed) and are inactive with respect to field emission. Therefore, after that, the electron emitting portion 15A
On the other hand, it is preferable to perform plasma treatment in a hydrogen gas atmosphere, which activates the electron emitting portion 15A and further improves the electron emission efficiency from the electron emitting portion 15A. For example, Table 4 shows the plasma treatment.
It may be performed under the same conditions as those exemplified in.

【０２１２】その後、カーボン・ナノチューブ１９から
ガスを放出させるために、加熱処理や各種のプラズマ処
理を施してもよいし、カーボン・ナノチューブ１９の表
面に意図的に吸着物を吸着させるために吸着させたい物
質を含むガスにカーボン・ナノチューブ１９を晒しても
よい。また、カーボン・ナノチューブ１９を精製するた
めに、酸素プラズマ処理やフッ素プラズマ処理を行って
もよい。After that, in order to release the gas from the carbon nanotubes 19, heat treatment or various plasma treatments may be performed, or the carbon nanotubes 19 may be adsorbed in order to adsorb the adsorbate intentionally. The carbon nanotubes 19 may be exposed to a gas containing a desired substance. Further, in order to purify the carbon nanotubes 19, oxygen plasma treatment or fluorine plasma treatment may be performed.

【０２１３】［工程−Ｂ７］その後、絶縁層１２に設け
られた第２開口部１４Ｂの側壁面を等方的なエッチング
によって後退させることが、ゲート電極１３の開口端部
を露出させるといった観点から、好ましい。尚、等方的
なエッチングは、ケミカルドライエッチングのようにラ
ジカルを主エッチング種として利用するドライエッチン
グ、あるいはエッチング液を利用するウェットエッチン
グにより行うことができる。エッチング液としては、例
えば４９％フッ酸水溶液と純水の１：１００（容積比）
混合液を用いることができる。次いで、マスク材料層１
１８を除去する。こうして、図２１の（Ｂ）に示す電界
放出素子を完成することができる。[Step-B7] After that, the side wall surface of the second opening 14B provided in the insulating layer 12 is made to recede by isotropic etching, so that the opening end of the gate electrode 13 is exposed. ,preferable. The isotropic etching can be performed by dry etching that uses radicals as a main etching species, such as chemical dry etching, or wet etching that uses an etching solution. The etching liquid is, for example, 49% hydrofluoric acid aqueous solution and pure water 1: 100 (volume ratio)
Mixtures can be used. Then the mask material layer 1
Remove 18. Thus, the field emission device shown in FIG. 21B can be completed.

【０２１４】尚、［工程−Ｂ５］の後、［工程−Ｂ
７］、［工程−Ｂ６］の順に実行してもよい。After [Step-B5], [Step-B
7] and [Step-B6] may be performed in this order.

【０２１５】［扁平型電界放出素子（その２）］扁平型
電界放出素子の模式的な一部断面図を、図２２の（Ａ）
に示す。この扁平型電界放出素子は、例えばガラスから
成る支持体１０上に形成されたカソード電極１１、支持
体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１
２、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、ゲート
電極１３及び絶縁層１２を貫通する開口部１４（ゲート
電極１３に設けられた第１開口部、及び、絶縁層１２に
設けられ、第１開口部と連通した第２開口部）、並び
に、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１の部
分の上に設けられた扁平の電子放出部（電子放出層１５
Ｂ）から成る。ここで、電子放出層１５Ｂは、図面の紙
面垂直方向に延びたストライプ状のカソード電極１１上
に形成されている。また、ゲート電極１３は、図面の紙
面左右方向に延びている。カソード電極１１及びゲート
電極１３はクロムから成る。電子放出層１５Ｂは、具体
的には、グラファイト粉末から成る薄層から構成されて
いる。図２２の（Ａ）に示した扁平型電界放出素子にお
いては、カソード電極１１の表面の全域に亙って、電子
放出層１５Ｂが形成されているが、このような構造に限
定するものではなく、要は、少なくとも開口部１４の底
部に電子放出層１５Ｂが設けられていればよい。[Flat Field Emission Device (2)] A schematic partial sectional view of the flat field emission device is shown in FIG.
Shown in. This flat field emission device includes a cathode electrode 11 formed on a support 10 made of, for example, glass, a support 10 and an insulating layer 1 formed on the cathode electrode 11.
2, the gate electrode 13 formed on the insulating layer 12, the opening 14 penetrating the gate electrode 13 and the insulating layer 12 (the first opening provided in the gate electrode 13 and the first opening provided in the insulating layer 12, The second opening communicating with the first opening) and the flat electron-emitting portion (electron-emitting layer 15) provided on the portion of the cathode electrode 11 located at the bottom of the opening 14.
B). Here, the electron emission layer 15B is formed on the striped cathode electrode 11 extending in the direction perpendicular to the plane of the drawing. Further, the gate electrode 13 extends in the left-right direction of the drawing sheet. The cathode electrode 11 and the gate electrode 13 are made of chromium. Specifically, the electron emission layer 15B is composed of a thin layer made of graphite powder. In the flat field emission device shown in FIG. 22A, the electron emission layer 15B is formed over the entire surface of the cathode electrode 11, but the structure is not limited to such a structure. The point is that the electron emission layer 15B may be provided at least at the bottom of the opening 14.

【０２１６】［平面型電界放出素子］平面型電界放出素
子の模式的な一部断面図を、図２２の（Ｂ）に示す。こ
の平面型電界放出素子は、例えばガラスから成る支持体
１０上に形成されたストライプ状のカソード電極１１、
支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層
１２、絶縁層１２上に形成されたストライプ状のゲート
電極１３、並びに、ゲート電極１３及び絶縁層１２を貫
通する第１開口部及び第２開口部（開口部１４）から成
る。開口部１４の底部にはカソード電極１１が露出して
いる。カソード電極１１は、図面の紙面垂直方向に延
び、ゲート電極１３は、図面の紙面左右方向に延びてい
る。カソード電極１１及びゲート電極１３はクロム（Ｃ
ｒ）から成り、絶縁層１２はＳｉＯ₂から成る。ここ
で、開口部１４の底部に露出したカソード電極１１の部
分が電子放出部１５Ｃに相当する。[Plane-type field emission device] A schematic partial sectional view of a plane-type field emission device is shown in FIG. This flat type field emission device includes a striped cathode electrode 11 formed on a support 10 made of, for example, glass.
The insulating layer 12 formed on the support 10 and the cathode electrode 11, the stripe-shaped gate electrode 13 formed on the insulating layer 12, and the first opening and the second opening penetrating the gate electrode 13 and the insulating layer 12. It comprises an opening (opening 14). The cathode electrode 11 is exposed at the bottom of the opening 14. The cathode electrode 11 extends in the direction perpendicular to the paper surface of the drawing, and the gate electrode 13 extends in the left-right direction of the paper surface of the drawing. The cathode electrode 11 and the gate electrode 13 are made of chromium (C
r) and the insulating layer 12 is made of SiO ₂ . Here, the portion of the cathode electrode 11 exposed at the bottom of the opening 14 corresponds to the electron emitting portion 15C.

【０２１７】以上、本発明を、発明の実施の形態に基づ
き説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。発明の実施の形態にて説明したアノードパネルやカ
ソードパネル、表示装置や電界放出素子の構成、構造は
例示であり、適宜変更することができるし、アノードパ
ネルやカソードパネル、表示装置や電界放出素子の製造
方法も例示であり、適宜変更することができる。更に
は、アノードパネルやカソードパネルの製造において使
用した各種材料も例示であり、適宜変更することができ
る。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説
明したが、単色表示とすることもできる。Although the present invention has been described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to these. The configurations and structures of the anode panel, the cathode panel, the display device, and the field emission device described in the embodiments of the invention are examples, and can be changed as appropriate. The anode panel, the cathode panel, the display device, and the field emission device can be modified. The manufacturing method of is also an example, and can be appropriately changed. Further, various materials used in manufacturing the anode panel and the cathode panel are also examples, and can be appropriately changed. In the display device, the color display has been described as an example, but a single color display may be used.

【０２１８】アノード電極は、有効領域を１枚のシート
状の導電材料で被覆した形式のアノード電極としてもよ
いし、１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数
の画素に対応するアノード電極ユニットが集合した形式
のアノード電極としてもよい。アノード電極が前者の構
成の場合、かかるアノード電極をアノード電極制御回路
に接続すればよいし、アノード電極が後者の構成の場
合、例えば、各アノード電極ユニットをアノード電極制
御回路に接続すればよい。The anode electrode may be an anode electrode of a type in which the effective area is covered with one sheet of a conductive material, or one or a plurality of electron emitting portions or an anode electrode corresponding to one or a plurality of pixels. It may be an anode electrode in which the units are assembled. When the anode electrode has the former configuration, such an anode electrode may be connected to the anode electrode control circuit, and when the anode electrode has the latter configuration, for example, each anode electrode unit may be connected to the anode electrode control circuit.

【０２１９】また、電界放出素子においては、専ら１つ
の開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明した
が、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複
数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口
部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもでき
る。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設
け、絶縁層にかかる複数の第１開口部に連通した複数の
第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形
態とすることもできる。Further, in the field emission device, one electron emission portion corresponds to one opening portion has been described. However, depending on the structure of the field emission device, a plurality of electron emission portions may be formed in one opening portion. It is also possible to adopt a configuration in which one electron emission portion corresponds to a plurality of openings or a plurality of openings. Alternatively, a plurality of first openings may be provided in the gate electrode, a plurality of second openings communicating with the plurality of first openings of the insulating layer may be provided, and one or a plurality of electron emitting portions may be provided. You can also

【０２２０】ゲート電極を、有効領域を１枚のシート状
の導電材料（第１開口部を有する）で被覆した形式のゲ
ート電極とすることもできる。この場合には、かかるゲ
ート電極に正の電圧（例えば１６０ボルト）を印加す
る。そして、各画素を構成する電子放出部とカソード電
極制御回路との間に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチ
ング素子を設け、かかるスイッチング素子の作動によっ
て、各画素を構成する電子放出部への印加状態を制御
し、画素の発光状態を制御する。The gate electrode may be a gate electrode of a type in which the effective region is covered with one sheet of conductive material (having the first opening). In this case, a positive voltage (for example, 160 V) is applied to the gate electrode. Then, a switching element formed of, for example, a TFT is provided between the electron emitting portion which constitutes each pixel and the cathode electrode control circuit, and the application state to the electron emitting portion which constitutes each pixel is controlled by the operation of the switching element. Control to control the light emission state of the pixel.

【０２２１】あるいは又、カソード電極を、有効領域を
１枚のシート状の導電材料で被覆した形式のカソード電
極とすることもできる。この場合には、かかるカソード
電極に電圧（例えば０ボルト）を印加する。そして、各
画素を構成する電子放出部とゲート電極制御回路との間
に、例えば、ＴＦＴから成るスイッチング素子を設け、
かかるスイッチング素子の作動によって、各画素を構成
する電子放出部への印加状態を制御し、画素の発光状態
を制御する。Alternatively, the cathode electrode may be a cathode electrode of a type in which the effective area is covered with one sheet of conductive material. In this case, a voltage (for example, 0 volt) is applied to the cathode electrode. Then, for example, a switching element formed of a TFT is provided between the electron-emitting portion that constitutes each pixel and the gate electrode control circuit,
By the operation of such a switching element, the application state to the electron emitting portion forming each pixel is controlled, and the light emitting state of the pixel is controlled.

【０２２２】電界放出素子において、ゲート電極１３及
び絶縁層１２の上に更に第２の絶縁層５２を設け、第２
の絶縁層５２上に収束電極５３を設けてもよい。このよ
うな構造を有する電界放出素子の模式的な一部端面図を
図２３に示す。第２の絶縁層５２には、第１開口部１４
Ａに連通した第３開口部５４が設けられている。収束電
極５３の形成は、例えば、［工程−Ａ２］において、絶
縁層１２上にストライプ状のゲート電極１３を形成した
後、第２の絶縁層５２を形成し、次いで、第２の絶縁層
５２上にパターニングされた収束電極５３を形成した
後、収束電極５３、第２の絶縁層５２に第３開口部５４
を設け、更に、ゲート電極１３に第１開口部１４Ａを設
ければよい。尚、収束電極のパターニングに依存して、
１又は複数の電子放出部、あるいは、１又は複数の画素
に対応する収束電極ユニットが集合した形式の収束電極
とすることもでき、あるいは又、有効領域を１枚のシー
ト状の導電材料で被覆した形式の収束電極とすることも
できる。尚、図２３においては、スピント型電界放出素
子を図示したが、その他の電界放出素子とすることもで
きることは云うまでもない。In the field emission device, the second insulating layer 52 is further provided on the gate electrode 13 and the insulating layer 12, and the second insulating layer 52 is formed.
The focusing electrode 53 may be provided on the insulating layer 52. FIG. 23 shows a schematic partial end view of a field emission device having such a structure. The first opening 14 is formed in the second insulating layer 52.
A third opening 54 communicating with A is provided. The converging electrode 53 is formed, for example, in [Step-A2] by forming the stripe-shaped gate electrode 13 on the insulating layer 12, forming the second insulating layer 52, and then forming the second insulating layer 52. After forming the patterned converging electrode 53, the converging electrode 53 and the third opening 54 in the second insulating layer 52.
And the first opening 14A may be further provided in the gate electrode 13. In addition, depending on the patterning of the focusing electrode,
It is also possible to use one or a plurality of electron emitting portions, or a focusing electrode of a type in which focusing electrode units corresponding to one or a plurality of pixels are assembled, or to cover the effective area with one sheet of conductive material. It is also possible to use a focusing electrode of the above type. Although the Spindt-type field emission device is shown in FIG. 23, it goes without saying that other field emission devices can be used.

【０２２３】収束電極は、このような方法にて形成する
だけでなく、例えば、厚さ数十μｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ
アロイから成る金属板の両面に、例えばＳｉＯ₂から成
る絶縁膜を形成した後、各画素に対応した領域にパンチ
ングやエッチングすることによって開口部を形成するこ
とで収束電極を作製することもできる。そして、カソー
ドパネル、金属板、アノードパネルを積み重ね、両パネ
ルの外周部に枠体を配置し、加熱処理を施すことによっ
て、金属板の一方の面に形成された絶縁膜と絶縁層１２
とを接着させ、金属板の他方の面に形成された絶縁膜と
アノードパネルとを接着し、これらの部材を一体化さ
せ、その後、真空封入することで、表示装置を完成させ
ることもできる。The converging electrode is not only formed by such a method, but also, for example, 42% Ni-Fe having a thickness of several tens μm.
It is also possible to form a focusing electrode by forming an insulating film made of, for example, SiO _{2 on} both surfaces of a metal plate made of an alloy and then forming an opening by punching or etching in a region corresponding to each pixel. Then, the cathode panel, the metal plate, and the anode panel are stacked, the frame bodies are arranged on the outer peripheral portions of both panels, and heat treatment is performed, whereby the insulating film and the insulating layer 12 formed on one surface of the metal plate.
It is also possible to complete the display device by adhering and, the insulating film formed on the other surface of the metal plate and the anode panel are adhered, these members are integrated, and then vacuum-sealed.

【０２２４】表面伝導型電界放出素子と通称される電界
放出素子から電子放出領域を構成することもできる。こ
の表面伝導型電界放出素子は、例えばガラスから成る支
持体上に酸化錫（ＳｎＯ₂）、金（Ａｕ）、酸化インジ
ウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）／酸化錫（ＳｎＯ₂）、カーボン、酸
化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面
積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一
対の電極がマトリックス状に形成されて成る。それぞれ
の電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一
対の電極の内の一方の電極に行方向配線が接続され、一
対の電極の内の他方の電極に列方向配線が接続された構
成を有する。一対の電極に電圧を印加することによっ
て、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加
わり、炭素薄膜から電子が放出される。かかる電子をア
ノードパネル上の蛍光体層に衝突させることによって、
蛍光体層が励起されて発光し、所望の画像を得ることが
できる。The electron emission region can also be formed from a field emission device commonly called a surface conduction type field emission device. This surface-conduction type field emission device includes, for example, tin oxide (SnO ₂ ), gold (Au), indium oxide (In ₂ O ₃ ) / tin oxide (SnO ₂ ), carbon, and palladium oxide (on a support made of glass. A pair of electrodes made of a conductive material such as PdO) having a small area and arranged with a predetermined gap (gap) formed in a matrix. A carbon thin film is formed on each electrode. The row-direction wiring is connected to one electrode of the pair of electrodes, and the column-direction wiring is connected to the other electrode of the pair of electrodes. By applying a voltage to the pair of electrodes, an electric field is applied to the carbon thin films facing each other across the gap, and electrons are emitted from the carbon thin films. By bombarding such electrons with the phosphor layer on the anode panel,
The phosphor layer is excited to emit light, and a desired image can be obtained.

【０２２５】[0225]

【発明の効果】本発明にあっては、スペーサをスペーサ
保持部によって確実に垂直に保持、固定することができ
る。その結果、平面型表示装置の組立時、スペーサやス
ペーサ保持部の破損が発生することを確実に防止するこ
とができ、平面型表示装置の組立歩留の向上、更には、
平面型表示装置の製造コストの低減を図ることができ
る。しかも、スペーサの形状精度、加工精度を低くする
ことができ、あるいは又、スペーサの厚さの公差を大き
くすることができるので、スペーサの製造コストの低減
を図ることが可能となる。According to the present invention, the spacer can be securely held and fixed vertically by the spacer holding portion. As a result, it is possible to reliably prevent breakage of the spacer and the spacer holding portion when assembling the flat panel display device, which improves the assembly yield of the flat panel display device.
It is possible to reduce the manufacturing cost of the flat panel display device. Moreover, the shape accuracy and processing accuracy of the spacer can be lowered, or the tolerance of the thickness of the spacer can be increased, so that the manufacturing cost of the spacer can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】図１は、発明の実施の形態１における平面型表
示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一
部端面図である。FIG. 1 is a schematic partial end view of a cold cathode field emission display which is a flat panel display according to a first embodiment of the present invention.

【図２】図２は、発明の実施の形態１における平面型表
示装置である冷陰極電界電子放出表示装置を構成するア
ノードパネルにおける隔壁、スペーサ保持部、スペーサ
及び蛍光体層の配置を模式的に示す配置図である。FIG. 2 is a schematic view of the arrangement of partition walls, spacer holding portions, spacers and phosphor layers in an anode panel that constitutes a cold cathode field emission display device which is a flat panel display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG.

【図３】図３は、発明の実施の形態１における平面型表
示装置である冷陰極電界電子放出表示装置を構成するア
ノードパネルにおける隔壁、スペーサ保持部、スペーサ
及び蛍光体層の変形例の配置を模式的に示す配置図であ
る。FIG. 3 is a layout of a modification of partition walls, spacer holding portions, spacers, and phosphor layers in an anode panel that constitutes a cold cathode field emission display device which is a flat panel display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 3 is a layout diagram schematically showing.

【図４】図４は、発明の実施の形態１における平面型表
示装置である冷陰極電界電子放出表示装置を構成するア
ノードパネルにおける隔壁、スペーサ保持部、スペーサ
及び蛍光体層の別の変形例の配置を模式的に示す配置図
である。FIG. 4 is another modification of partition walls, spacer holding portions, spacers and phosphor layers in the anode panel that constitutes the cold cathode field emission display device which is the flat panel display device according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 3 is a layout diagram schematically showing the layout of FIG.

【図５】図５は、発明の実施の形態１における平面型表
示装置である冷陰極電界電子放出表示装置を構成するカ
ソードパネルの模式的な部分的斜視図である。FIG. 5 is a schematic partial perspective view of a cathode panel constituting a cold cathode field emission display which is a flat panel display according to Embodiment 1 of the present invention.

【図６】図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、スペーサ
を頂面側から眺めた模式図、スペーサ保持部の配置を模
式的に示す図、及び、スペーサがスペーサ保持部によっ
て保持された状態を模式的に示す図である。6 (A), (B) and (C) of FIG. 6 are schematic views of the spacer viewed from the top surface side, schematic views of the arrangement of the spacer holding portion, and the spacer is the spacer holding portion. It is a figure which shows the state hold | maintained typically by.

【図７】図７の（Ａ）〜（Ｄ）は、発明の実施の形態１
におけるアノードパネルの製造方法を説明するための基
体等の模式的な一部端面図である。7A to 7D are the first embodiment of the invention.
FIG. 6 is a schematic partial end view of a base body and the like for explaining the method of manufacturing the anode panel in FIG.

【図８】図８の（Ａ）〜（Ｃ）は、図７の（Ｄ）に引き
続き、発明の実施の形態１におけるアノードパネルの製
造方法を説明するための基体等の模式的な一部端面図で
ある。8A to 8C are schematic partial views of a substrate and the like for explaining the method for manufacturing the anode panel in the first embodiment of the invention, following FIG. 7D. It is an end view.

【図９】図９は、発明の実施の形態２における平面型表
示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の変形例の模
式的な一部端面図である。FIG. 9 is a schematic partial end view of a modified example of a cold cathode field emission display which is a flat panel display according to a second embodiment of the invention.

【図１０】図１０は、発明の実施の形態３における平面
型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の更に別
の変形例の模式的な一部端面図である。FIG. 10 is a schematic partial end view of still another modification of the cold cathode field emission display which is the flat panel display according to the third embodiment of the present invention.

【図１１】図１１は、発明の実施の形態３における平面
型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置の更に別
の変形例の模式的な一部端面図である。FIG. 11 is a schematic partial end view of still another modification of the cold cathode field emission display device which is the flat-panel display device according to the third embodiment of the present invention.

【図１２】図１２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、発
明の実施の形態４におけるスペーサ保持部の配置を模式
的に示す図、及び、スペーサがスペーサ保持部によって
保持された状態を模式的に示す図である。12 (A) and 12 (B) are diagrams schematically showing the arrangement of spacer holding portions in Embodiment 4 of the present invention, and a state in which the spacers are held by the spacer holding portions, respectively. It is a figure which shows typically.

【図１３】図１３の（Ａ）〜（Ｃ）は、発明の実施の形
態５におけるアノードパネルの製造方法を説明するため
の基体等の模式的な一部端面図である。13 (A) to (C) are schematic partial end views of a base body and the like for explaining a method of manufacturing an anode panel according to a fifth embodiment of the present invention.

【図１４】図１４の（Ａ）〜（Ｃ）は、図１３の（Ｃ）
に引き続き、発明の実施の形態５におけるアノードパネ
ルの製造方法を説明するための基体等の模式的な一部端
面図である。14 (A) to (C) are the same as FIG. 13 (C).
FIG. 11 is a schematic partial end view of a substrate and the like for explaining a method for manufacturing an anode panel in a fifth embodiment of the invention, following FIG.

【図１５】図１５の（Ａ）〜（Ｃ）は、発明の実施の形
態６におけるアノードパネルの製造方法を説明するため
の基体等の模式的な一部端面図である。15 (A) to (C) are schematic partial end views of a base body and the like for explaining a method for manufacturing an anode panel according to a sixth embodiment of the present invention.

【図１６】図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の
形態７におけるアノードパネルの製造方法を説明するた
めの基体等の模式的な一部端面図である。16 (A) and 16 (B) are schematic partial end views of a base body and the like for explaining a manufacturing method of an anode panel in accordance with a seventh exemplary embodiment of the present invention.

【図１７】図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、発明の実施の
形態８におけるアノードパネルの製造方法を説明するた
めの基体等の模式的な一部端面図である。17 (A) and 17 (B) are schematic partial end views of a base body and the like for explaining a method for manufacturing an anode panel according to an eighth embodiment of the present invention.

【図１８】図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、スピント型冷
陰極電界電子放出素子の製造方法を説明するための支持
体等の模式的な一部端面図である。18 (A) and 18 (B) are schematic partial end views of a support and the like for explaining a method of manufacturing a Spindt-type cold cathode field emission device.

【図１９】図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１８の
（Ｂ）に引き続き、スピント型冷陰極電界電子放出素子
の製造方法を説明するための支持体等の模式的な一部端
面図である。19A and 19B are schematic partial views of a support and the like for explaining a method for manufacturing a Spindt-type cold cathode field emission device, following FIG. 18B. It is an end view.

【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、扁平型冷陰極
電界電子放出素子（その１）の製造方法を説明するため
の支持体等の模式的な一部端面図である。20 (A) and 20 (B) are schematic partial end views of a support and the like for explaining a manufacturing method of a flat-type cold cathode field emission device (No. 1).

【図２１】図２１の（Ａ）及び（Ｂ）は、図２０の
（Ｂ）に引き続き、扁平型冷陰極電界電子放出素子（そ
の１）の製造方法を説明するための支持体等の模式的な
一部端面図である。21A and 21B are schematic views of a support and the like for explaining the manufacturing method of the flat-type cold cathode field emission device (part 1), following FIG. 20B. It is a partial end view of FIG.

【図２２】図２２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、扁
平型冷陰極電界電子放出素子（その２）の模式的な一部
断面図、及び、平面型冷陰極電界電子放出素子の模式的
な一部断面図である。22 (A) and 22 (B) are schematic partial cross-sectional views of a flat type cold cathode field emission device (part 2) and a flat type cold cathode field emission device, respectively. It is a typical partial cross section figure.

【図２３】図２３は、収束電極を有するスピント型冷陰
極電界電子放出素子の模式的な一部端面図である。FIG. 23 is a schematic partial end view of a Spindt-type cold cathode field emission device having a focusing electrode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネ
ル、ＥＡ・・・電子放出領域、１０・・・支持体、１１
・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲ
ート電極、１４・・・開口部、１４Ａ・・・第１開口
部、１４Ｂ・・・第２開口部、１５，１５Ａ，１５Ｂ，
１５Ｃ・・・電子放出部、１６・・・剥離層、１７・・
・導電材料層、１８・・・マトリックス、１９・・・カ
ーボン・ナノチューブ、２０・・・基体、２１・・・光
吸収層（ブラックマトリックス）、２２・・・隔壁、２
３，２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ・・・蛍光体層、２４，２
４Ａ・・・アノード電極、２５・・・中間膜、３０，３
０Ａ，１３０，２３０・・・スペーサ保持部、２３０
Ａ，２３０Ｂ・・・突起部、２３０ａ，２３０ｂ・・・
庇部、２３０Ｃ・・・薄膜、３１，１３１・・・スペー
サ、３２・・・感光性ドライフィルム、３３・・・開
口、２３２，２３５・・・マスク層、２３３・・・エッ
チング用マスク、２３４・・・リフトオフ用マスク、４
０・・・カソード電極制御回路、４１・・・ゲート電極
制御回路、４２・・・アノード電極制御回路、５２・・
・第２の絶縁層、５３・・・収束電極、５４・・・第３
開口部CP ... Cathode panel, AP ... Anode panel, EA ... Electron emission area, 10 ... Support, 11
... Cathode electrode, 12 ... Insulating layer, 13 ... Gate electrode, 14 ... Opening portion, 14A ... First opening portion, 14B ... Second opening portion, 15, 15A, 15B ，
15C ... Electron emitting portion, 16 ... Release layer, 17 ...
-Conductive material layer, 18 ... Matrix, 19 ... Carbon nanotube, 20 ... Substrate, 21 ... Light absorbing layer (black matrix), 22 ... Partition wall, 2
3, 23R, 23G, 23B ... Phosphor layer, 24, 2
4A ... Anode electrode, 25 ... Intermediate film, 30, 3
0A, 130, 230 ... Spacer holding portion, 230
A, 230B ... Protrusions, 230a, 230b ...
Eaves part, 230C ... Thin film, 31, 131 ... Spacer, 32 ... Photosensitive dry film, 33 ... Opening, 232, 235 ... Mask layer, 233 ... Etching mask, 234 ... Masks for lift-off, 4
0 ... Cathode electrode control circuit, 41 ... Gate electrode control circuit, 42 ... Anode electrode control circuit, 52 ...
・ Second insulating layer, 53 ... Focusing electrode, 54 ... Third
Aperture

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C012 AA01 AA09 BB02 BB07 5C032 AA01 AA07 CC05 CC10 5C036 EE14 EE15 EE19 EF01 EF06 EF09 EG31 EH04 EH23 Continued front page    F term (reference) 5C012 AA01 AA09 BB02 BB07                 5C032 AA01 AA07 CC05 CC10                 5C036 EE14 EE15 EE19 EF01 EF06                       EF09 EG31 EH04 EH23

Claims (49)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】第１パネル及び第２パネルがそれらの周縁
部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟まれ
た空間が真空状態となっている平面型表示装置におい
て、表示部分として機能する第１パネル有効領域と第２
パネル有効領域との間に配置されるスペーサであって、 第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との間に配置
される前には、その長手方向に沿って湾曲していること
を特徴とする平面型表示装置用のスペーサ。1. A flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined together at their peripheral portions, and a space sandwiched between the first panel and the second panel is in a vacuum state, and functions as a display portion. 1st panel effective area and 2nd
A spacer arranged between the panel effective area and the spacer, which is curved along its longitudinal direction before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area. A spacer for a flat panel display device. 【請求項２】スペーサはセラミックスから成り、スペー
サの一方の側面と他方の側面の表面粗さが異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置用の
スペーサ。2. The spacer for a flat-panel display according to claim 1, wherein the spacer is made of ceramics, and one side surface and the other side surface of the spacer have different surface roughnesses. 【請求項３】スペーサはセラミックスから成り、スペー
サの一方の側面には歪み生成層が形成されていることを
特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置用のスペー
サ。3. The spacer for a flat-panel display device according to claim 1, wherein the spacer is made of ceramics, and a strain generating layer is formed on one side surface of the spacer. 【請求項４】第１パネル有効領域と第２パネル有効領域
との間に配置される前のスペーサにおいて、スペーサの
両端を結ぶ仮想直線から、スペーサの中央部までの距離
は、１×１０^-4ｍ以上であることを特徴とする請求項１
に記載の平面型表示装置用のスペーサ。4. In the spacer before being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area, the distance from the virtual straight line connecting both ends of the spacer to the central portion of the spacer is 1 × 10 ^{−. 4.} It is ⁴ m or more, and characterized by the above-mentioned.
A spacer for a flat-panel display device according to. 【請求項５】第１パネル有効領域と第２パネル有効領域
との間に配置される前のスペーサにおいて、スペーサの
両端の間の距離をＬ₁、スペーサの両端を結ぶ仮想直線
からスペーサの中央部までの距離をＬ₂としたとき、１
×１０^-4Ｌ₁≦Ｌ₂を満足することを特徴とする請求項１
に記載の平面型表示装置用のスペーサ。5. A spacer before being arranged between a first panel effective area and a second panel effective area, wherein a distance between both ends of the spacer is L ₁ , and a virtual straight line connecting both ends of the spacer to a center of the spacer. When the distance to the section is L ₂ , 1
2. The condition of × 10 ⁻⁴ L ₁ ≦ L ₂ is satisfied.
A spacer for a flat-panel display device according to. 【請求項６】平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表示
装置であり、第１パネルは、アノード電極及び蛍光体層
が形成されたアノードパネルから成り、第２パネルは、
複数の冷陰極電界電子放出素子が形成されたカソードパ
ネルから成ることを特徴とする請求項１に記載の平面型
表示装置用のスペーサ。6. The flat panel display is a cold cathode field emission display, the first panel comprising an anode electrode and a phosphor layer formed thereon, and the second panel comprising:
The spacer for a flat panel display according to claim 1, comprising a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices. 【請求項７】第１パネル及び第２パネルがそれらの周縁
部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟まれ
た空間が真空状態となっている平面型表示装置であっ
て、 表示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数
のスペーサ保持部群が設けられており、 各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から構成
されており、 各スペーサ保持部群を構成する複数のスペーサ保持部
は、直線上に位置しており、 表示部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネ
ル有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数
のスペーサ保持部によって保持されたスペーサが配置さ
れており、 スペーサは、第１パネル有効領域と第２パネル有効領域
との間に配置される前には、その長手方向に沿って湾曲
していることを特徴とする平面型表示装置。7. A flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions, and a space sandwiched between the first panel and the second panel is in a vacuum state, the display portion A plurality of spacer holding portions groups are provided in the first panel effective area that functions as a plurality of spacer holding portions, and each spacer holding portion group includes a plurality of spacer holding portions. The spacer holding portions of are positioned on a straight line, and are held by a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group between the second panel effective area and the first panel effective area that function as display portions. A spacer is arranged, and the spacer is curved along its longitudinal direction before being arranged between the first panel effective region and the second panel effective region. Display device. 【請求項８】第２パネル有効領域には、複数の第２スペ
ーサ保持部群が設けられており、 各第２スペーサ保持部群は、複数の第２スペーサ保持部
から構成されており、 各第２スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペーサ
保持部は、第１パネル有効領域に設けられたスペーサ保
持部群を構成する複数のスペーサ保持部を結んだ直線と
対向し、且つ、該直線と平行に延びる第２の直線上に位
置しており、 第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との間に配置
されたスペーサは、更に、第２スペーサ保持部群におけ
る複数の第２スペーサ保持部によっても保持されている
ことを特徴とする請求項７に記載の平面型表示装置。8. A second panel effective area is provided with a plurality of second spacer holding section groups, each second spacer holding section group being composed of a plurality of second spacer holding sections. The plurality of second spacer holding portions forming the second spacer holding portion group face a straight line connecting the plurality of spacer holding portions forming the spacer holding portion group provided in the first panel effective area, and The spacer positioned on the second straight line extending parallel to the straight line and arranged between the first panel effective region and the second panel effective region further includes a plurality of second spacers in the second spacer holding unit group. The flat panel display device according to claim 7, wherein the flat panel display device is also held by a spacer holding portion. 【請求項９】スペーサはセラミックスから成り、スペー
サの一方の側面と他方の側面の表面粗さが異なっている
ことを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の平面型
表示装置。9. The flat-panel display device according to claim 7, wherein the spacer is made of ceramics, and the surface roughness of one side surface of the spacer is different from that of the other side surface. 【請求項１０】スペーサはセラミックスから成り、スペ
ーサの一方の側面には歪み生成層が形成されていること
を特徴とする請求項７又は請求項８に記載の平面型表示
装置。10. The flat-panel display device according to claim 7, wherein the spacer is made of ceramics, and a strain generating layer is formed on one side surface of the spacer. 【請求項１１】第１パネル有効領域と第２パネル有効領
域との間に配置される前のスペーサにおいて、スペーサ
の両端を結ぶ仮想直線から、スペーサの中央部までの距
離は、１×１０^-4ｍ以上であることを特徴とする請求項
７又は請求項８に記載の平面型表示装置。11. In a spacer before being arranged between a first panel effective area and a second panel effective area, a distance from a virtual straight line connecting both ends of the spacer to a central portion of the spacer is 1 × 10 ^−. 9. The flat-panel display device according to claim 7, wherein the flat display device has a length of ⁴ m or more. 【請求項１２】第１パネル有効領域と第２パネル有効領
域との間に配置される前のスペーサにおいて、スペーサ
の両端の間の距離をＬ₁、スペーサの両端を結ぶ仮想直
線からスペーサの中央部までの距離をＬ₂としたとき、
１×１０^-4Ｌ₁≦Ｌ₂を満足することを特徴とする請求項
７又は請求項８に記載の平面型表示装置。12. A spacer before being arranged between a first panel effective area and a second panel effective area, wherein a distance between both ends of the spacer is L ₁ , and a virtual straight line connecting both ends of the spacer to a center of the spacer. When the distance to the section is L ₂ ,
^9. The flat panel display device according to claim 7, wherein 1 × 10 ⁻⁴ L ₁ ≦ L ₂ is satisfied. 【請求項１３】平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表
示装置であり、第１パネルは、アノード電極及び蛍光体
層が形成されたアノードパネルから成り、第２パネル
は、複数の冷陰極電界電子放出素子が形成されたカソー
ドパネルから成ることを特徴とする請求項７又は請求項
８に記載の平面型表示装置。13. The flat panel display is a cold cathode field emission display, wherein the first panel comprises an anode panel having an anode electrode and a phosphor layer formed thereon, and the second panel comprises a plurality of cold cathode field emission devices. 9. The flat panel display device according to claim 7, wherein the flat panel display device comprises a cathode panel on which an electron-emitting device is formed. 【請求項１４】平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表
示装置であり、第１パネルは、複数の冷陰極電界電子放
出素子が形成されたカソードパネルから成り、第２パネ
ルは、アノード電極及び蛍光体層が形成されたアノード
パネルから成ることを特徴とする請求項７又は請求項８
に記載の平面型表示装置。14. A flat panel display is a cold cathode field emission display, the first panel comprising a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices formed therein, and the second panel comprising an anode electrode and 9. An anode panel having a phosphor layer formed thereon, wherein the phosphor layer is formed.
The flat-panel display device described in. 【請求項１５】第１パネル及び第２パネルがそれらの周
縁部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟ま
れた空間が真空状態となっている平面型表示装置であっ
て、 表示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数
のスペーサ保持部群が設けられており、 各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から構成
されており、 各スペーサ保持部群を構成する複数のスペーサ保持部
は、直線上に位置しておらず、 表示部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネ
ル有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数
のスペーサ保持部によって保持されたスペーサが配置さ
れていることを特徴とする平面型表示装置。15. A flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions, and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state, and a display portion. A plurality of spacer holding portions groups are provided in the first panel effective area that functions as a plurality of spacer holding portions, and each spacer holding portion group includes a plurality of spacer holding portions. The spacer holding part of is not located on a straight line, and is held by a plurality of spacer holding parts in the spacer holding part group between the second panel effective region and the first panel effective region which function as a display part. A flat-panel display device, in which spacers are arranged. 【請求項１６】スペーサ保持部群の一端に位置するスペ
ーサ保持部と、該スペーサ保持部群の他端に位置するス
ペーサ保持部とを結んだ仮想直線から、該スペーサ保持
部群を構成する複数のスペーサ保持部を結ぶ仮想線の中
央部までの距離は、１×１０^-5ｍ以上であることを特徴
とする請求項１５に記載の平面型表示装置。16. A plurality of spacer holding unit groups are formed from a virtual straight line connecting a spacer holding unit located at one end of the spacer holding unit group and a spacer holding unit located at the other end of the spacer holding unit group. 16. The flat-panel display device according to claim 15, wherein a distance to a central portion of an imaginary line connecting the spacer holding portions is 1 × 10 ⁻⁵ m or more. 【請求項１７】第２パネル有効領域には、複数の第２ス
ペーサ保持部群が設けられており、 各第２スペーサ保持部群は、複数の第２スペーサ保持部
から構成されており、 各第２スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペーサ
保持部は、第１パネル有効領域に設けられたスペーサ保
持部群を構成する複数のスペーサ保持部を結んだ仮想線
と対向し、且つ、該仮想線と平行に延びる第２の仮想線
上に位置しており、 第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との間に配置
されたスペーサは、更に、第２スペーサ保持部群におけ
る複数の第２スペーサ保持部によっても保持されている
ことを特徴とする請求項１５に記載の平面型表示装置。17. A second panel effective area is provided with a plurality of second spacer holding section groups, each second spacer holding section group being composed of a plurality of second spacer holding sections. The plurality of second spacer holding portions forming the second spacer holding portion group face a virtual line connecting the plurality of spacer holding portions forming the spacer holding portion group provided in the first panel effective region, and The spacer positioned on the second virtual line extending parallel to the virtual line and arranged between the first panel effective region and the second panel effective region further includes a plurality of spacers in the second spacer holding unit group. The flat panel display device according to claim 15, wherein the flat panel display device is also held by the second spacer holding portion. 【請求項１８】第２スペーサ保持部群の一端に位置する
第２スペーサ保持部と、該第２スペーサ保持部群の他端
に位置する第２スペーサ保持部とを結んだ仮想直線か
ら、該第２スペーサ保持部群を構成する複数の第２スペ
ーサ保持部を結ぶ第２の仮想線の中央部までの距離は、
１×１０^-5ｍ以上であることを特徴とする請求項１７に
記載の平面型表示装置。18. A virtual straight line connecting a second spacer holding portion located at one end of the second spacer holding portion group and a second spacer holding portion located at the other end of the second spacer holding portion group, The distance to the central portion of the second imaginary line connecting the plurality of second spacer holding portions forming the second spacer holding portion group is
18. The flat panel display device according to claim 17, wherein the flat display device has a size of 1 × 10 ⁻⁵ m or more. 【請求項１９】スペーサはセラミックスから成ることを
特徴とする請求項１５又は請求項１７に記載の平面型表
示装置。19. The flat-panel display device according to claim 15, wherein the spacer is made of ceramics. 【請求項２０】第１パネル有効領域と第２パネル有効領
域との間に配置された後のスペーサにおいて、スペーサ
の両端を結ぶ仮想直線から、スペーサの中央部までの距
離は、１×１０^-5ｍ以上であることを特徴とする請求項
１５に記載の平面型表示装置。20. In the spacer after being arranged between the first panel effective area and the second panel effective area, the distance from the virtual straight line connecting both ends of the spacer to the central portion of the spacer is 1 × 10 ^−. The flat panel display device according to claim 15, wherein the flat panel display device has a length of ⁵ m or more. 【請求項２１】第１パネル有効領域と第２パネル有効領
域との間に配置された後のスペーサにおいて、スペーサ
の両端の間の距離をＬ₁、スペーサの両端を結ぶ仮想直
線からスペーサの中央部までの距離をＬ₂としたとき、
１×１０^-5Ｌ₁≦Ｌ₂を満足することを特徴とする請求項
１５に記載の平面型表示装置。21. In the spacer after being disposed between the first panel effective area and the second panel effective area, the distance between both ends of the spacer is L ₁ , and the virtual straight line connecting both ends of the spacer to the center of the spacer. When the distance to the section is L ₂ ,
The flat panel display device according to claim 15, wherein 1 × 10 ⁻⁵ L ₁ ≦ L ₂ is satisfied. 【請求項２２】平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表
示装置であり、第１パネルは、アノード電極及び蛍光体
層が形成されたアノードパネルから成り、第２パネル
は、複数の冷陰極電界電子放出素子が形成されたカソー
ドパネルから成ることを特徴とする請求項１５又は請求
項１７に記載の平面型表示装置。22. The flat panel display is a cold cathode field emission display, the first panel comprising an anode panel having an anode electrode and a phosphor layer formed thereon, and the second panel comprising a plurality of cold cathode field emission devices. 18. The flat panel display device according to claim 15, which comprises a cathode panel having an electron-emitting device formed thereon. 【請求項２３】平面型表示装置は冷陰極電界電子放出表
示装置であり、第１パネルは、複数の冷陰極電界電子放
出素子が形成されたカソードパネルから成り、第２パネ
ルは、アノード電極及び蛍光体層が形成されたアノード
パネルから成ることを特徴とする請求項１５又は請求項
１７に記載の平面型表示装置。23. The flat panel display is a cold cathode field emission display, the first panel comprising a cathode panel having a plurality of cold cathode field emission devices formed therein, and the second panel comprising an anode electrode and 18. The flat panel display device according to claim 15, wherein the flat panel display device comprises an anode panel having a phosphor layer formed thereon. 【請求項２４】スペーサ保持部群に保持される前のスペ
ーサは、その長手方向に沿って直線状であることを特徴
とする請求項１５又は請求項１７に記載の平面型表示装
置。24. The flat-panel display device according to claim 15, wherein the spacer before being held by the spacer holding portion group is linear along the longitudinal direction thereof. 【請求項２５】第１パネル有効領域に設けられたスペー
サ保持部群を構成する複数のスペーサ保持部を結んだ仮
想線の湾曲状態と逆向きの湾曲状態を、スペーサ保持部
群に保持される前のスペーサは有していることを特徴と
する請求項１５又は請求項１７に記載の平面型表示装
置。25. A spacer holding portion group holds a curved state opposite to a curved state of an imaginary line connecting a plurality of spacer holding portions forming the spacer holding portion group provided in the first panel effective area. 18. The flat panel display device according to claim 15, wherein the front spacer has a front spacer. 【請求項２６】第１パネル及び第２パネルがそれらの周
縁部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟ま
れた空間が真空状態となっている平面型表示装置におけ
るスペーサ保持部であって、 表示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数
のスペーサ保持部群が設けられており、 各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から構成
されており、 表示部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネ
ル有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数
のスペーサ保持部によってスペーサが保持され、 スペーサ保持部のそれぞれは、 （Ａ）第１突起部、 （Ｂ）該第１突起部と略平行に延び、該第１突起部に隣
接した第２突起部、 （Ｃ）第１突起部の頂面から第２突起部側に突出した第
１庇部、及び、 （Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出した第
２庇部、 から構成されており、 第１突起部と第２突起部との間にスペーサが挿入される
ことを特徴とする平面型表示装置におけるスペーサ保持
部。26. A spacer holding portion in a flat panel display device, wherein a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions, and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. A plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region that functions as a display unit, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units and functions as a display unit. A spacer is held between the second panel effective area and the first panel effective area by a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions includes (A) the first protrusion portion and (B). ) A second protruding portion that extends substantially parallel to the first protruding portion and is adjacent to the first protruding portion, (C) a first eave portion protruding from the top surface of the first protruding portion toward the second protruding portion, and , (D) Second protrusion A second eave portion protruding from the top surface of the first projection portion toward the first projection portion, and a spacer is inserted between the first projection portion and the second projection portion. Spacer holding part in. 【請求項２７】第１庇部及び第２庇部のそれぞれの長さ
は、１×１０^-7ｍ乃至５×１０^-6ｍであることを特徴と
する請求項２６に記載のスペーサ保持部。27. The spacer holder according to claim 26, wherein the length of each of the first eaves portion and the second eaves portion is 1 × 10 ⁻⁷ m to 5 × 10 ⁻⁶ m. . 【請求項２８】第１突起部と第１庇部とは一体的に設け
られており、 第２突起部と第２庇部とは一体的に設けられていること
を特徴とする請求項２６に記載のスペーサ保持部。28. The first protrusion and the first eaves are integrally provided, and the second protrusion and the second eaves are integrally provided. Spacer holding part described in. 【請求項２９】第１突起部と第１庇部とは異なる材料か
ら構成され、 第２突起部と第２庇部とは異なる材料から構成されてい
ることを特徴とする請求項２６に記載のスペーサ保持
部。29. The first protrusion and the first eaves portion are made of different materials, and the second protrusion and the second eaves portion are made of different materials. Spacer holding part. 【請求項３０】第１パネル及び第２パネルがそれらの周
縁部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟ま
れた空間が真空状態となっている平面型表示装置であっ
て、 表示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数
のスペーサ保持部群が設けられており、 各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から構成
されており、 表示部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネ
ル有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数
のスペーサ保持部によってスペーサが保持されており、 スペーサ保持部のそれぞれは、 （Ａ）第１突起部、 （Ｂ）該第１突起部と略平行に延び、該第１突起部に隣
接した第２突起部、 （Ｃ）第１突起部の頂面から第２突起部側に突出した第
１庇部、及び、 （Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出した第
２庇部、 から構成されており、 第１突起部と第２突起部との間にスペーサが挿入されて
いることを特徴とする平面型表示装置。30. A flat panel display device, wherein a first panel and a second panel are joined together at their peripheral portions, and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. The first panel effective area, which functions as a plurality of spacer holding portions, is provided with each spacer holding portion group, and each spacer holding portion group includes a plurality of spacer holding portions. Spacers are held between the area and the first panel effective area by a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions includes (A) the first protrusion portion and (B) A second protrusion that extends substantially parallel to the first protrusion and is adjacent to the first protrusion; (C) a first eave portion that protrudes from the top surface of the first protrusion toward the second protrusion; and ( D) First from the top surface of the second protrusion Second overhanging portion protruding raised portion side is constituted by a flat-panel display device, characterized in that the spacer is inserted between the first protrusion and the second protrusion. 【請求項３１】第１庇部及び第２庇部のそれぞれの長さ
は、１×１０^-7ｍ乃至５×１０^-6ｍであることを特徴と
する請求項３０に記載の平面型表示装置。31. The flat panel display according to claim 30, wherein each of the first eaves portion and the second eaves portion has a length of 1 × 10 ⁻⁷ m to 5 × 10 ⁻⁶ m. apparatus. 【請求項３２】第１突起部と第１庇部とは一体的に設け
られており、 第２突起部と第２庇部とは一体的に設けられていること
を特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装置。32. The first protrusion and the first eaves are integrally provided, and the second protrusion and the second eaves are integrally provided. The flat-panel display device described in. 【請求項３３】第１突起部と第１庇部とは異なる材料か
ら構成され、 第２突起部と第２庇部とは異なる材料から構成されてい
ることを特徴とする請求項３０に記載の平面型表示装
置。33. The first protrusion and the first eaves portion are made of different materials, and the second protrusion and the second eaves portion are made of different materials. Flat display device. 【請求項３４】第２パネル有効領域には、複数の第１ス
ペーサ保持部群と対向した複数の第２スペーサ保持部群
が設けられており、 各第２スペーサ保持部群は、複数の第２スペーサ保持部
から構成されており、 第１パネル有効領域と第２パネル有効領域との間には、
スペーサ保持部群における複数のスペーサ保持部及び第
２スペーサ保持部群における第２スペーサ保持部によっ
てスペーサが保持されており、 第２スペーサ保持部のそれぞれは、 （Ａ）第１突起部、 （Ｂ）該第１突起部と略平行に延び、該第１突起部に隣
接した第２突起部、 （Ｃ）第１突起部の頂面から第２突起部側に突出した第
１庇部、及び、 （Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出した第
２庇部、 から構成されていることを特徴とする請求項３０に記載
の平面型表示装置。34. A plurality of second spacer holding section groups facing the plurality of first spacer holding section groups are provided in the second panel effective area, and each second spacer holding section group includes a plurality of first spacer holding section groups. It is composed of two spacer holding parts, and between the first panel effective area and the second panel effective area,
The spacer is held by the plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group and the second spacer holding portion in the second spacer holding portion group, and each of the second spacer holding portions includes (A) first protrusion portion, (B) ) A second protruding portion that extends substantially parallel to the first protruding portion and is adjacent to the first protruding portion, (C) a first eave portion protruding from the top surface of the first protruding portion toward the second protruding portion, and The flat display device according to claim 30, further comprising: (D) a second eave portion protruding from the top surface of the second protrusion portion toward the first protrusion portion. 【請求項３５】第２スペーサ保持部の第１庇部及び第２
スペーサ保持部の第２庇部のそれぞれの長さは、１×１
０^-7ｍ乃至５×１０^-6ｍであることを特徴とする請求項
３４に記載の平面型表示装置。35. A first eaves portion and a second eaves portion of the second spacer holding portion.
The length of each second eaves portion of the spacer holding portion is 1 × 1.
^35. The flat panel display device according to claim 34, wherein the flat panel display device has a size of 0 ^-7 m to 5 × 10 ^-6 m. 【請求項３６】第１パネル及び第２パネルがそれらの周
縁部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟ま
れた空間が真空状態となっている平面型表示装置におけ
るスペーサ保持部であって、 表示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数
のスペーサ保持部群が設けられており、 各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から構成
されており、 表示部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネ
ル有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数
のスペーサ保持部によってスペーサが保持され、 スペーサ保持部のそれぞれは、 （Ａ）第１突起部、 （Ｂ）該第１突起部と略平行に延び、該第１突起部に隣
接した第２突起部、 （Ｃ）第１突起部の頂面から第２突起部側に突出した第
１庇部、及び、 （Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出した第
２庇部、 から構成されており、 第１突起部と第２突起部との間にスペーサが挿入され
る、平面型表示装置におけるスペーサ保持部の製造方法
であって、 （ａ）第１パネルを構成する第１基板に、スペーサ保持
部を形成すべき第１基板の部分が露出したマスク層を形
成する工程と、 （ｂ）露出した第１基板の部分に第１突起部及び第２突
起部を形成し、更に、第１突起部の頂面に第１庇部を形
成し、且つ、第２突起部の頂面に第２庇部を形成する工
程と、 （ｃ）マスク層を除去する工程、 を具備することを特徴とする平面型表示装置用のスペー
サ保持部の製造方法。36. A spacer holding portion in a flat panel display device, wherein a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions, and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state. A plurality of spacer holding unit groups are provided in the first panel effective region that functions as a display unit, and each spacer holding unit group is composed of a plurality of spacer holding units and functions as a display unit. A spacer is held between the second panel effective area and the first panel effective area by a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions includes (A) the first protrusion portion and (B). ) A second protruding portion that extends substantially parallel to the first protruding portion and is adjacent to the first protruding portion, (C) a first eave portion protruding from the top surface of the first protruding portion toward the second protruding portion, and , (D) Second protrusion A second eave portion protruding from the top surface of the first projection portion toward the first projection portion, and a spacer is inserted between the first projection portion and the second projection portion. (A) a step of forming a mask layer in which a portion of the first substrate where a spacer holding portion is to be formed is exposed, on the first substrate constituting the first panel; and (b) the exposed first substrate. A first protrusion and a second protrusion are formed on a portion of one substrate, a first overhang is formed on the top surface of the first protrusion, and a second overhang is formed on the top surface of the second protrusion. And a step of removing the mask layer (c), the method of manufacturing a spacer holding portion for a flat panel display device. 【請求項３７】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って、第１突起部、第２突起部、第１庇部、及び、第２
庇部を形成することを特徴とする請求項３６に記載のス
ペーサ保持部の製造方法。37. In the step (b), the first protrusion, the second protrusion, the first eaves portion, and the second protrusion are formed by a plating method.
The method for manufacturing a spacer holding portion according to claim 36, wherein an eaves portion is formed. 【請求項３８】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、物理
的気相成長法及びエッチング法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項３６に記載の
スペーサ保持部の製造方法。38. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a physical vapor deposition method and an etching method. 37. The method of manufacturing a spacer holding portion according to claim 36, wherein the spacer holding portion is formed. 【請求項３９】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、化学
的気相成長法及びエッチング法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項３６に記載の
スペーサ保持部の製造方法。39. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a chemical vapor deposition method and an etching method. 37. The method of manufacturing a spacer holding portion according to claim 36, wherein the spacer holding portion is formed. 【請求項４０】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、物理
的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項３６に記載の
スペーサ保持部の製造方法。40. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a physical vapor deposition method and a lift-off method. 37. The method of manufacturing a spacer holding portion according to claim 36, wherein the spacer holding portion is formed. 【請求項４１】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、化学
的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項３６に記載の
スペーサ保持部の製造方法。41. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a chemical vapor deposition method and a lift-off method. 37. The method of manufacturing a spacer holding portion according to claim 36, wherein the spacer holding portion is formed. 【請求項４２】前記工程（ｂ）において、溶射法によっ
て、第１突起部、第２突起部、第１庇部、及び、第２庇
部を形成することを特徴とする請求項３６に記載のスペ
ーサ保持部の製造方法。42. In the step (b), the first protrusion, the second protrusion, the first eaves portion, and the second eaves portion are formed by a thermal spraying method. Manufacturing method of the spacer holding part. 【請求項４３】第１パネル及び第２パネルがそれらの周
縁部で接合され、第１パネルと第２パネルによって挟ま
れた空間が真空状態となっている平面型表示装置であっ
て、 表示部分として機能する第１パネル有効領域には、複数
のスペーサ保持部群が設けられており、 各スペーサ保持部群は、複数のスペーサ保持部から構成
されており、 表示部分として機能する第２パネル有効領域と第１パネ
ル有効領域との間には、スペーサ保持部群における複数
のスペーサ保持部によってスペーサが保持されており、 スペーサ保持部のそれぞれは、 （Ａ）第１突起部、 （Ｂ）該第１突起部と略平行に延び、該第１突起部に隣
接した第２突起部、 （Ｃ）第１突起部の頂面から第２突起部側に突出した第
１庇部、及び、 （Ｄ）第２突起部の頂面から第１突起部側に突出した第
２庇部、 から構成されており、 第１突起部と第２突起部との間にスペーサが挿入され
る、平面型表示装置の製造方法であって、 スペーサ保持部を、 （ａ）第１パネルを構成する第１基板に、スペーサ保持
部を形成すべき第１基板の部分が露出したマスク層を形
成する工程と、 （ｂ）露出した第１基板の部分に第１突起部及び第２突
起部を形成し、更に、第１突起部の頂面に第１庇部を形
成し、且つ、第２突起部の頂面に第２庇部を形成する工
程と、 （ｃ）マスク層を除去する工程、 によって形成することを特徴とする平面型表示装置の製
造方法。43. A flat panel display device in which a first panel and a second panel are joined at their peripheral portions, and a space sandwiched by the first panel and the second panel is in a vacuum state, the display part The first panel effective area, which functions as a plurality of spacer holding portions, is provided with each spacer holding portion group, and each spacer holding portion group includes a plurality of spacer holding portions. Spacers are held between the area and the first panel effective area by a plurality of spacer holding portions in the spacer holding portion group, and each of the spacer holding portions includes (A) the first protrusion portion and (B) A second protrusion that extends substantially parallel to the first protrusion and is adjacent to the first protrusion; (C) a first eave portion that protrudes from the top surface of the first protrusion toward the second protrusion; and ( D) First from the top surface of the second protrusion A method of manufacturing a flat-panel display device, comprising: a second eave portion protruding toward the starting portion, wherein a spacer is inserted between the first protruding portion and the second protruding portion, the spacer holding portion (A) a step of forming a mask layer on the first substrate constituting the first panel, in which a portion of the first substrate where the spacer holding portion is to be formed is exposed; Forming a first protrusion and a second protrusion, further forming a first eaves on the top surface of the first protrusion, and forming a second eaves on the top surface of the second protrusion; And (c) the step of removing the mask layer, the method for manufacturing a flat-panel display device. 【請求項４４】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って、第１突起部、第２突起部、第１庇部、及び、第２
庇部を形成することを特徴とする請求項４３に記載の平
面型表示装置の製造方法。44. In the step (b), the first protrusion, the second protrusion, the first eaves portion, and the second protrusion are formed by a plating method.
The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 43, wherein an eaves portion is formed. 【請求項４５】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、物理
的気相成長法及びエッチング法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項４３に記載の
平面型表示装置の製造方法。45. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a physical vapor deposition method and an etching method. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 43, wherein the flat display device is formed. 【請求項４６】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、化学
的気相成長法及びエッチング法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項４３に記載の
平面型表示装置の製造方法。46. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a chemical vapor deposition method and an etching method. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 43, wherein the flat display device is formed. 【請求項４７】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、物理
的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項４３に記載の
平面型表示装置の製造方法。47. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a physical vapor deposition method and a lift-off method. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 43, wherein the flat display device is formed. 【請求項４８】前記工程（ｂ）において、メッキ法によ
って第１突起部及び第２突起部を形成し、次いで、化学
的気相成長法及びリフトオフ法によって第１庇部及び第
２庇部を形成することを特徴とする請求項４３に記載の
平面型表示装置の製造方法。48. In the step (b), the first protrusion and the second protrusion are formed by a plating method, and then the first eaves portion and the second eaves portion are formed by a chemical vapor deposition method and a lift-off method. The method for manufacturing a flat panel display device according to claim 43, wherein the flat display device is formed. 【請求項４９】前記工程（ｂ）において、溶射法によっ
て、第１突起部、第２突起部、第１庇部、及び、第２庇
部を形成することを特徴とする請求項４３に記載の平面
型表示装置の製造方法。49. The method according to claim 43, wherein in the step (b), the first protrusion, the second protrusion, the first eaves portion, and the second eaves portion are formed by a thermal spraying method. Of manufacturing a flat-panel display device.