JP2003218006A - 基板の処理方法 - Google Patents
基板の処理方法Info
- Publication number
- JP2003218006A JP2003218006A JP2002012810A JP2002012810A JP2003218006A JP 2003218006 A JP2003218006 A JP 2003218006A JP 2002012810 A JP2002012810 A JP 2002012810A JP 2002012810 A JP2002012810 A JP 2002012810A JP 2003218006 A JP2003218006 A JP 2003218006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dummy
- dispense
- rank
- dispenses
- reset
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
たレジスト液のダミーディスペンスを行う。 【解決手段】 主制御装置85に,目的の異なる各ダミ
ーディスペンスD1〜D4毎にレジスト液の吐出量と開
始条件を設定する。ダミーディスペンスD1〜D4に順
位を定め,ダミーディスペンスD1を順位にダミーデ
ィスペンスD2を順位にする。ダミーディスペンスD
3及びD4は,他のダミーディスペンスD1,D2の開
始条件と独立した独立順位に定める。ダミーディスペン
スD1が行われた場合,ダミーディスペンスD1とそれ
より順位の低いダミーディスペンスD2の開始条件のカ
ウントがリセットされる。ダミーディスペンスD2が行
われた場合,ダミーディスペンスD2の開始条件のみが
リセットされる。ダミーディスペンスD3又D4が行わ
れた場合,当該ダミーディスペンスの開始条件のみがリ
セットされる。
Description
関する。
例えば半導体ウェハ(以下「ウェハ」とする)にレジス
ト液を供給し,ウェハ表面上にレジスト膜を形成するレ
ジスト塗布処理が行われる。
布装置で行われる。レジスト塗布装置には,ウェハに所
定量のレジスト液を供給するノズルが設けられている。
ノズルは,レジスト液の供給源である貯留タンクに配管
により接続されている。この配管には,例えばレジスト
液を圧送するポンプや不純物を除去するフィルタ,レジ
スト液の吐出を制御する開閉弁等が設けられている。こ
れらの諸元により,レジスト液の供給機構が構成され,
貯留タンクのレジスト液は,ポンプ,フィルタ,開閉弁
等を経由して,ノズルから吐出される。そして,レジス
ト塗布装置では,次々に装置内に搬入されてくるウェハ
にレジスト液を塗布する処理が繰り返し行われている。
は,配管内に滞留するレジスト液を排出するダミーディ
スペンスが行われている。従来のダミーディスペンス
は,同一系統の供給機構に対して単一のレシピ,開始条
件の下で行われていた。このように単一のレシピ,開始
条件によりダミーディスペンスが行われていたのは,レ
ジスト塗布装置が通常多系統の供給機構を有しており,
レジスト塗布装置の制御を単純化するため等の理由によ
る。
ト塗布装置においてダミーディスペンスを行う目的は,
複数ある。例えば,ロットの変更時に行われ,ノズルか
らのレジスト液の吐出量等を安定させるためのダミーデ
ィスペンス,フィルタやポンプに滞留した泡を除去する
ためのダミーディスペンス,ノズル等の乾燥を防止する
ためのダミーディスペンス等がある。そして,これらの
目的を達成するために必要な各ダミーディスペンスの吐
出量等のレシピや開始条件は,本来相異するものであ
る。
類の設定のみでダミーディスペンスの目的を全て満たそ
うとすると,例えばダミーディスペンスの頻度について
は,最も開始条件の緩やかな,すなわち最も頻繁に実施
する必要があるダミーディスペンスの設定に開始条件を
合わせる必要がある。また,吐出量についてみても,数
あるダミーディスペンスの中で最も吐出量が多いダミー
ディスペンスの量に合わせる必要がある。しかしなが
ら,ダミーディスペンス中はウェハの処理が中断される
ため,そのように最も頻繁に実施する必要のあるダミー
ディスペンスのレシピに合わせると,処理のスループッ
トが著しく低下する。また,ダミーディスペンスの際に
吐出したレジスト液は,廃棄されることが多く,結果的
に無駄となるレジスト液の量が多くなってしまう。
であり,各目的に応じたダミーディスペンスを行うにあ
たり,不必要なダミーディスペンスを省略してスループ
ットの向上と処理液の消費量を低減することにある。
ば,基板に処理液を供給する基板処理が複数の基板に対
して次々と行われる基板の処理方法であって,前記基板
処理が次々に行われる中で,処理液についての目的の異
なる複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ,
前記各ダミーディスペンス毎に,処理液の吐出量等のレ
シピやダミーディスペンスの開始条件が定められている
ことを特徴とする基板の処理方法が提供される。なお,
前記「ダミーディスペンス」は,前記処理液のダミーデ
ィスペンスである。また,このダミーディスペンスに
は,処理液供給機構内に残留している処理液を当該処理
液供給機構外に排出するもののみならず,処理液供給機
構内の処理液を同じ処理液供給機構内の他の部分に排出
するものも含まれる。
ィスペンス毎に開始条件等が定められているので,目的
に応じたダミーディスペンスを実行することができる。
例えば各目的を達成するための必要十分な頻度でダミー
ディスペンスを行うことができるので,ダミーディスペ
ンスによる基板処理の中断時間が短縮できる。また,ダ
ミーディスペンスによる処理液の消費量を低減すること
ができる。
ミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算時
間が計測されており,前記各ダミーディスペンスは,前
記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ,前
記複数のダミーディスペンスには,順位が定められ,順
位の高いダミーディスペンスが行われた場合には,それ
より順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間はリ
セットされ,前記順位の低いダミーディスペンスが行わ
れた場合には,それより順位の高いダミーディスペンス
の前記積算時間はリセットされないようにしてもよい。
なお,「前回のリセット時」とは,積算時間の計測が継
続して行われており,この積算時間についての前回のリ
セット時である。また,「所定の設定時間」とは,各ダ
ミーディスペンス毎に定められた設定時間である。
では,一のダミーディスペンスを行うことにより,他の
ダミーディスペンスの目的が達成される場合がある。例
えば,ポンプを起動させ,フィルタに溜まった泡を抜く
ダミーディスペンスを行うと,当該ポンプに貯留した泡
を抜くダミーディスペンスも同時に行うことができる場
合がある。かかる場合に,例えばフィルタの泡抜きダミ
ーディスペンスの順位を高くし,ポンプの泡抜きダミー
ディスペンスの順位を低くする。そして本発明では,順
位の高いダミーディスペンスが行われた際には,順位の
低いダミーディスペンスの積算時間がリセットされるの
で,例えばフィルタの泡抜きダミーディスペンスを行っ
たことによりその直後のポンプの泡抜きダミーディスペ
ンスが省略され,トータルのダミーディスペンスの回数
を減らすことができる。これによって,ダミーディスペ
ンスによる基板処理の中断時間を短縮することができ,
また,処理液の消費量も低減できる。なお,前記順位
は,同じ排出部からダミーディスペンスが行われるもの
については,頻度が高いものを高い順位にし,頻度が低
いものを低い順位にしてもよい。この際,処理液の吐出
量は,順位の定められたダミーディスペンスの中でより
多いものに合わせてもよい。また,前記順位は,同じ排
出部から行われるものであって,吐出量の多いものを高
い順位にし,吐出量の少ないものを低い順位にしてもよ
い。さらに,前記順位は,複数の目的を達成できるダミ
ーディスペンスの順位を高くし,当該複数目的を達成で
きるダミーディスペンスの実行によって目的の達成され
るダミーディスペンスの順位を低くしてもよい。
ミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板の
積算処理枚数が計測されており,前記各ダミーディスペ
ンスは,前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達し
た場合に行われ,前記複数のダミーディスペンスには,
順位が定められ,順位の高いダミーディスペンスが行わ
れた場合には,それより順位の低いダミーディスペンス
の前記積算処理枚数はリセットされ,前記順位の低いダ
ミーディスペンスが行われた場合には,それより順位の
高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセット
されないようにしてもよい。かかる場合にも不要なダミ
ーディスペンスを省略し,トータルのダミーディスペン
スの回数を減少させることができる。なお,「所定の設
定処理枚数」とは,各ダミーディスペンス毎に定められ
た設定処理枚数である。
回のダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの
積算時間と基板の積算処理枚数が計測されており,前記
各ダミーディスペンスは,前記積算時間が所定の設定時
間に達した場合,若しくは前記積算処理枚数が各々の設
定処理枚数に達した場合に行われ,前記複数のダミーデ
ィスペンスには,順位が定められ,順位の高いダミーデ
ィスペンスが行われた場合には,それより順位の低いダ
ミーディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数
はリセットされ,前記順位の低いダミーディスペンスが
行われた場合には,それより順位の高いダミーディスペ
ンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットさ
れないようにしてもよい。
み,前記順位が定められ,順位の定めのないダミーディ
スペンスは,他の全てのダミーディスペンスが行われた
場合には前記リセットが行われず,当該順位の定めのな
いダミーディスペンスは,独自の開始条件に従ってのみ
行われるようにしてもよい。こうすることによって,他
のダミーディスペンスに対して開始条件が独立したダミ
ーディスペンスを設定し実行できる。
ンスが定められ,当該同じ順位に定められたダミーディ
スペンスは,同じ順位の他のダミーディスペンスが行わ
れた場合には前記リセットが行われないようにしてもよ
い。かかる場合,同じ順位内に開始条件の独立した複数
のダミーディスペンスを設定できる。これにより,ある
ダミーディスペンスに対しては開始条件の独立性を維持
しつつ,その他のダミーディスペンスに対しては開始条
件を依存させるようなダミーディスペンスを設定し実行
できる。
態について説明する。図1は,本実施の形態にかかる基
板の処理方法が実施できる塗布現像処理システム1の斜
視図であり,図2は,塗布現像処理システム1の構成の
概略を示す平面図である。
示すように例えば25枚のウェハWをカセット単位で外
部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,
カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセッ
トステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に
所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理
ステーション3と,この処理ステーション3に隣接する
露光装置(図示しない)との間でウェハWの受け渡しを
するインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有
している。
ように載置部となるカセット載置台5上の所定の位置
に,複数のカセットCをX方向(図2中の上下方向)に
一列に載置自在となっている。そして,このカセット配
列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWの
ウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能
なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けら
れており,各カセットCに対して選択的にアクセスでき
るようになっている。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体7は,後述するように処理ステーション3側の第3の
処理装置群G3に属するエクステンション装置32に対
してもアクセスできる。カセットステーション2には,
図1に示すように各処理装置の設定,制御を行うコント
ロールセクション9が設けられている。
搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム1においては,
4つの処理装置群G1,G2,G3,G4が配置されており,第
1及び第2の処理装置群G1,G2は塗布現像処理システム
1の正面側に配置され,第3の処理装置群G3は,カセッ
トステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置
群G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置13は,これらの処理装置群G1,G2,G3,G4,G5
内に配置されている後述する各種処理装置に対して,ウ
ェハWを搬入出可能である。なお,処理装置群の数や配
置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,
処理装置群の数は,1つ以上であれば任意に選択可能で
ある。
すように本実施の形態にかかる基板の処理方法が実施さ
れるレジスト塗布装置17と,露光後にウェハWを現像
処理する現像処理装置18とが下から順に2段に配置さ
れている。第2の処理装置群G2にも同様に,レジスト塗
布装置19と,現像処理装置20とが下から順に2段に
配置されている。
すようにウェハWを冷却処理するクーリング装置30,
レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒ
ージョン装置31,ウェハWの受け渡しを行うためのエ
クステンション装置32,レジスト液中の溶剤を蒸発さ
せるためのプリベーキング装置33,34,現像処理後
の加熱処理を行うポストベーキング装置35が下から順
に例えば6段に積み重ねられている。
グ装置40,載置したウェハWを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置41,エクステンション装
置42,クーリング装置43,露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置44,45,ポ
ストベーキング装置46が下から順に例えば7段に積み
重ねられている。
に示すように例えばウェハ搬送体50が設けられてい
る。このウェハ搬送体50は,X方向(図2中の上下方
向),Z方向(垂直方向)に移動自在で,かつθ方向
(Z軸を中心とする回転方向)に回転自在である。それ
故,ウェハ搬送体50は,第4の処理装置群G4に属する
エクステンション・クーリング装置41,エクステンシ
ョン装置42,周辺露光装置51及び図示しない露光装
置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送
できる。
成について説明する。図5は,レジスト塗布装置17の
構成の概略を示す縦断面の説明図であり,図6は,レジ
スト塗布装置17の横断面の説明図である。
すようにケーシング17aを有し,このケーシング17
a内の中央部には,ウェハWを保持し回転させるための
スピンチャック50が設けられている。このスピンチャ
ック50は,モータやシリンダ等を備えた駆動部51に
より駆動され,例えば所定の速度で回転したり,昇降し
たりできる。
した略円筒状のカップ52により取り囲まれている。こ
のカップ52によりウェハWから飛散したレジスト液等
を受け止め,回収することができる。カップ52の下面
52aには,例えば回収したレジスト液等を排液する排
液管53とカップ52内の雰囲気を排気する排気管54
とが設けられている。
ク50に保持されたウェハWの下方側には,洗浄液供給
ノズル55が設けられている。この洗浄液供給ノズル5
5により,ウェハWの裏面にシンナー等の洗浄液を供給
してウェハWの裏面を洗浄することができる。
ジスト液を供給するノズル60が備えられている。ノズ
ル60は,ノズルアーム62に支持されている。ノズル
アーム62は,例えば図6に示すようにカップ52のX
方向負方向側(図6の左方向)に設けられたY方向に延
びるレール63上を移動できる。ノズルアーム62の移
動は,例えば図示しない駆動部により行われる。カップ
52のY方向負方向側には,例えばノズル60の待機部
Sが設けられており,ノズルアーム62は,この待機部
S上まで移動できる。したがって,ノズルアーム62
は,待機部Sのノズル60をカップ52内のウェハWの
中心部まで移動することができる。
る図7に示すようなレジスト液供給機構Kについて説明
する。ノズル60は,例えば第1の配管70により貯留
タンク71に連通接続されている。貯留タンク71は,
第2の配管72によりレジスト液の供給源である液体ボ
トル73に連通接続されている。第2の配管72には,
ポンプ74が設けられており,このポンプ74により液
体ボトル73内のレジスト液を貯留タンク71に補給す
ることができる。第1の配管70には,例えば貯留タン
ク71側から順に吐出ポンプ75,第1の弁76,フィ
ルタ77及び第2の弁78が設けられている。
の所定量のレジスト液を吸液し,ノズル60に圧送する
ものであり,例えばダイアフラム式のポンプが使用され
る。この吐出ポンプ75には,第2の配管72に連通
し,吐出ポンプ75に溜まる泡を排出するためのパージ
管79が取り付けられている。このパージ管79には,
開閉弁80が設けられている。吐出ポンプ75を稼動し
た状態で,開閉弁80を開放することによって,吐出ポ
ンプ75に溜まった泡をレジスト液と共に貯留タンク7
1内に排出することができる。すなわち,吐出ポンプ7
5の泡を排出する目的のダミーディスペンスD1を行う
ことができる。
不純物を除去するためのものである。このフィルタ77
には,例えばフィルタ77に溜まる泡をレジスト塗布装
置17の外部に排出するベント管81が接続されてい
る。ベント管81には,開閉弁82が設けられている。
吐出ポンプ75を稼働した状態で,開閉弁82を開放す
ることによって,フィルタ77内の泡が排出できる。す
なわち,フィルタ77の泡を排出する目的のダミーディ
スペンスD2を行うことができる。
0のレジスト液の吐出を動停止するためのものである。
第2の弁78を開放し,吐出ポンプ75を稼動すること
によって,貯留タンク71のレジスト液をノズル60か
ら吐出させることができる。すなわち,ウェハWへのレ
ジスト液の供給の他に,ノズル60の乾燥を防止する目
的のダミーディスペンスD3や吐出液の安定を図る目的
のダミーディスペンスD4を行うことができる。
5等の各諸元の動作は,例えばコントロールセクション
9に設けられた主制御装置85により制御されている。
それ故,レジスト液供給機構Kで行われるレジスト液の
ダミーディスペンスは,主制御装置85により制御でき
る。主制御装置85には,例えば上述の目的の異なるダ
ミーディスペンスD1〜D4の吐出量と開始条件とが各
々設定できる。
スD1〜D4の設定時間が設けられている。主制御装置
85は,図示しない時間計測機能を有し,この時間計測
機構による積算時間が前記各設定時間を超えた場合に,
各ダミーディスペンスD1〜D4が実行される。すなわ
ち,本実施の形態における前記開始条件は,各ダミーデ
ィスペンスD1〜D4の積算時間が前記各設定時間を超
えたことの時間条件である。前記積算時間は,例えば同
じ種類の前ダミーディスペンスが行われた時又は積算時
間の前リセット時から起算される。なお,各ダミーディ
スペンスD1〜D4の設定時間は,例えばダミーディス
ペンスD1は1000sec,ダミーディスペンスD2
は500sec,ダミーディスペンスD3は500se
c,ダミーディスペンスD4は1000secに設定さ
れる。一方,ダミーディスペンスD1〜D4の各吐出量
は,例えば各ダミーディスペンスD1〜D4の目的を達
成するための必要最小限の量,例えばダミーディスペン
スD1は100cc,ダミーディスペンスD2は100
cc,ダミーディスペンスD3は10cc,ダミーディ
スペンスD4は10ccに設定される。これらの時間条
件や吐出量の設定は,例えば図1に示すコントロールセ
クション9の入力手段である設定画面Tで行うことがで
きる。設定画面Tには,例えば図8に示すように各ダミ
ーディスペンスD1〜D4の時間条件と吐出量とをタッ
チパネル方式で設定できる。
スペンスD1〜D4に順位を設定できる。そして,順位
の高いダミーディスペンスが行われた場合には,それよ
り順位の低いダミーディスペンスの積算時間のカウント
がリセットされるようになっている。一方,順位の低い
ダミーディスペンスが行われた場合には,それより順位
の高いダミーディスペンスの積算時間のカウントが,継
続されるようになっている。
D1〜D4を,順位のないダミーディスペンス,いわゆ
る独立順位のダミーディスペンスとしても設定すること
ができる。すなわち,当該独立順位のダミーディスペン
スは,順位の付けられたダミーディスペンスの実行,不
実行にかかわらず,独自の開始条件に従って実行され
る。この実施の形態では,例えば図9に示すようにダミ
ーディスペンスD1を順位に設定し,ダミーディスペ
ンスD2を順位より順位の低い順位に設定する。ダ
ミーディスペンスD3,D4は,独立順位Aとして設定
される。なお,本実施の形態では,ダミーディスペンス
D1が行われると,その回のダミーディスペンスD2が
行われなくなるので,ダミーディスペンスD1の吐出量
をダミーディスペンスD2の吐出量に合わせ,ダミーデ
ィスペンスD2の目的が十分に達成されるようにする。
に示すように温度及び湿度が調節され,清浄化された窒
素ガス,不活性気体,エア等の気体をカップ52内に供
給するダクト86が接続されている。これにより,例え
ばウェハWの塗布処理時,レジスト液のダミーディスペ
ンス時に当該気体を供給し,カップ52内を所定の雰囲
気に維持することができる。
布装置17で行われるウェハWの処理方法について,塗
布現像処理システム1で行われる一連のフォトリソグラ
フィー工程のプロセスと共に説明する。
ら未処理のウェハWが1枚取り出され,第3の処理装置
群G3に属するエクステンション装置32に搬送される。
次いでウェハWは,主搬送装置13によってアドヒージ
ョン装置31に搬入され,ウェハW上にレジスト液の密
着性を向上させる,例えばHMDSが塗布される。次にウェ
ハWは,クーリング装置30に搬送され,所定の温度に
冷却される。所定温度に冷却されたウェハWは,主搬送
装置13によって,例えばレジスト塗布装置17に搬送
される。
してのレジスト塗布処理が終了したウェハWは,主搬送
装置13によってプリベーキング装置33,エクステン
ション・クーリング装置41に順次搬送され,さらにウ
ェハ搬送体50によって周辺露光装置51,露光装置
(図示せず)に順次搬送され,各装置で所定の処理が施
される。そして露光処理の終了したウェハWは,ウェハ
搬送体50によりエクステンション装置42に戻され,
その後,主搬送装置13によってポストエクスポージャ
ーベーキング装置44,クーリング装置43,現像処理
装置18,ポストベーキング装置46及びクーリング装
置30に順次搬送され,各装置において所定の処理が施
される。その後,ウェハWは,エクステンション装置3
2を介してカセットCに戻され,一連のフォトリソグラ
フィー工程が終了する。
が主搬送装置13によりケーシング17a内に搬入さ
れ,スピンチャック50に吸着保持されると,スピンチ
ャック50が下降し,ウェハWがカップ52内に収容さ
れる。次いで,待機部Sで待機していたノズル60がノ
ズルアーム62によってウェハWの中心部上方まで移動
される。
ポンプ75が稼動し,第1の弁76と第2の弁78とが
開放される。これによりウェハWの中心部に所定量のレ
ジスト液が吐出される。続いてウェハWが所定の回転速
度で回転され,ウェハW上のレジスト液がウェハW表面
全面に拡散される。その後,ウェハWの回転速度が加速
され,レジスト液の液膜の膜厚が調整される。
が低下され,洗浄液供給ノズル55により,ウェハWの
裏面洗浄が行われる。その後,ウェハWは回転され続
け,ウェハWの振り切り乾燥が行われる。
Wの回転が停止され,ウェハWがスピンチャック50か
ら主搬送装置13に受け渡され,ケーシング17a外に
搬出される。レジスト塗布装置17では,かかるレジス
ト塗布処理が繰り返し行われている。
スは,例えば上述のレジスト塗布処理が繰り返し行われ
る中で,ダミーディスペンスD1〜D4のいずれかの時
間条件が成立した時に実行される。例えば図10に示す
ように順位のダミーディスペンスD1の時間条件が成
立すると,ダミーディスペンスD1が実行される。この
ダミーディスペンスD1では,例えば開閉弁80,82
及び第1の弁76が開放され,吐出ポンプ75が稼動す
る。これにより,吐出ポンプ75からベント管81に設
定された吐出量のレジスト液が圧送され,フィルタ77
内の泡が,当該レジスト液と共にベント管81を通じて
排出される。このとき,開閉弁80の開放により,吐出
ポンプ75内の泡もパージ管79を通じて排出される。
すなわちダミーディスペンスD2の目的も達成される。
ミーディスペンスD1の積算時間のカウントがリセット
される。このとき,ダミーディスペンスD1より順位の
低いダミーディスペンスD2の積算時間のカウントもリ
セットされる。なお,ダミーディスペンスD3,D4の
積算時間のカウントは,継続される。
条件が成立した場合には,図11に示すように,ダミー
ディスペンスD2が実行される。ダミーディスペンスD
2は,開閉弁80を開放した状態で,吐出ポンプ75を
稼動させることにより行われる。このダミーディスペン
スD2は,第1の弁76を閉鎖した状態で行われ,フィ
ルタ77側に圧力が印可されないので,ダミーディスペ
ンスD2の目的のみが達成される。ダミーディスペンス
D2が終了すると,ダミーディスペンスD2の積算時間
のカウントがリセットされ,他のダミーディスペンスD
1,D3,D4の積算時間のカウントが維持される。
ダミーディスペンスD3の時間条件が成立した場合,当
該ダミーディスペンスD3が実行される。例えばダミー
ディスペンスD3は,吐出ポンプ75を稼動させた状態
で,第1の弁76,第2の弁78を開放し,開放弁80
及び82を閉鎖した状態で行われる。そして,ダミーデ
ィスペンスD3が終了すると,この実行されたダミーデ
ィスペンスD3のみの積算時間のカウントがリセットさ
れる。その他の順位,順位及び独立順位Aであるダ
ミーディスペンスD4の積算時間のカウントは,継続さ
れる。なお,独立順位AのダミーディスペンスD4の積
算時間が成立した場合は,ダミーディスペンスD3と同
様の動作が行われる。
ダミーディスペンスD1〜D4毎に,レシピや時間条件
を設定できるので,各目的に合った必要十分なダミーデ
ィスペンスを行うことができる。この結果,不必要な量
の吐出や不必要なタイミングでのレジスト液の吐出が抑
制できるので,レジスト液の消費量を低減することがで
きる。また,ダミーディスペンスの実行によりウェハW
の塗布工程が停止されないので,ウェハ処理のスループ
ットも向上できる。
1〜D4に順位を付し,順位の高いダミーディスペンス
が行われた場合に,より順位の低いダミーディスペンス
の積算時間のカウントをリセットするようにした。これ
により,例えばダミーディスペンスD2の目的も達成で
きるダミーディスペンスD1の順位を高く設定し,不要
なダミーディスペンスD2の回数を減らすことができ
る。したがって,不要なダミーディスペンスが省略さ
れ,レジスト液の消費量を低減することができる。
う独立順位AのダミーディスペンスD3,D4を定める
ようにしたので,他のダミーディスペンスでは目的が達
成されず,重要度の高いダミーディスペンスを確実に行
うことができる。
ディスペンスの種類や目的は,レジスト液供給機構の構
成等に応じて任意に変更できる。この際,独立順位のダ
ミーディスペンスを定めず,全てのダミーディスペンス
に順位を付してもよく,逆に全てのダミーディスペンス
を独立順位にしてもよい。
ダミーディスペンスしか設定していなかったが,同じ順
位の複数のダミーディスペンスを設定してもよい。かか
る場合,例えば図13に示すようにダミーディスペンス
D1とD3とが順位に定められる。そして,ダミーデ
ィスペンスD1が実行され,終了した場合には,ダミー
ディスペンスD3の積算時間のカウントがリセットされ
ず,維持される。一方,ダミーディスペンスD3が行わ
れた場合にも,ダミーディスペンスD1の積算時間のカ
ウントがリセットされず,継続される。こうすることに
より,順位に対しては,上述したような優先性を維持
しつつ,同じ順位内では,時間条件の独立性が確保さ
れる。
ペンスD1〜D4の開始条件は,時間条件であったが,
他の開始条件であってもよい。例えば各ダミーディスペ
ンス毎に,前のダミーディスペンス時又は前リセット時
からのウェハの積算処理枚数が計測され,各ダミーディ
スペンスD1〜D4は,前記積算処理枚数が設定処理枚
数を超えた場合に行われるようにしてもよい。かかる場
合,例えば主制御装置85には,図示しないウェハ処理
数計測機能が設けられ,主制御装置85に各ダミーディ
スペンスD1〜D4の設定処理枚数が設定される。そし
て,ダミーディスペンスD1〜D4には,上述したよう
な順位が定められ,例えば順位の高いダミーディスペン
スが行われた場合には,順位の低いダミーディスペンス
の積算処理枚数がリセットされる。また,順位の低いダ
ミーディスペンスが行われた場合には,順位の高いダミ
ーディスペンスの積算処理枚数の計測は継続される。か
かる場合においても,不要なダミーディスペンスを省略
し,ダミーディスペンスの回数を減らすことができる。
定時間を経過したこと又は上述の積算処理枚数が設定処
理枚数を超えたことのいずれかの条件を満たすことであ
ってもよい。かかる場合,上述の実施の形態同様に順位
の高いダミーディスペンスが行われた場合には,順位の
低いダミーディスペンスの積算時間と積算処理枚数がリ
セットされ,順位の低いダミーディスペンスが行われた
場合には,順位の高いダミーディスペンスの積算時間と
積算処理枚数のカウントが継続される。
のダミーディスペンスを行う処理方法に適用したもので
あったが,本発明は,他の処理液,例えば現像液,洗浄
液,層間絶縁膜を形成する塗布液,アドヒージョン処理
で用いられる処理液等のダミーディスペンスを行う処理
方法にも適用できる。また,本発明は,ウェハW以外の
基板例えばLCD基板,マスク基板,レクチル基板等の
処理方法にも適用できる。
ペンスを省略し,処理液の消費量の低減が図られる。ま
た,基板の処理の中断時間が短縮されるので,スループ
ットの向上が図られる。
斜視図である。
す平面図である。
説明図である。
説明図である。
る。
図である。
す説明図である。
す説明図である。
す説明図である。
す説明図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 基板に処理液を供給する基板処理が複数
の基板に対して次々と行われる基板の処理方法であっ
て,前記基板処理が次々に行われる中で,目的の異なる
複数のダミーディスペンスが処理の合間に行われ,前記
各ダミーディスペンス毎に,処理液の吐出量等のレシピ
やダミーディスペンスの開始条件が定められていること
を特徴とする,基板の処理方法。 - 【請求項2】 前記各ダミーディスペンス毎に,前回の
ダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算
時間が計測されており,前記各ダミーディスペンスは,
前記積算時間が所定の設定時間に達した場合に行われ,
前記複数のダミーディスペンスには,順位が定められ,
順位の高いダミーディスペンスが行われた場合には,そ
れより順位の低いダミーディスペンスの前記積算時間は
リセットされ,前記順位の低いダミーディスペンスが行
われた場合には,それより順位の高いダミーディスペン
スの前記積算時間はリセットされないことを特徴とす
る,請求項1に記載の基板の処理方法。 - 【請求項3】 前記各ダミーディスペンス毎に,前回の
ダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの基板
の積算処理枚数が計測されており,前記各ダミーディス
ペンスは,前記積算処理枚数が所定の設定処理枚数に達
した場合に行われ,前記複数のダミーディスペンスに
は,順位が定められ,順位の高いダミーディスペンスが
行われた場合には,それより順位の低いダミーディスペ
ンスの前記積算処理枚数はリセットされ,前記順位の低
いダミーディスペンスが行われた場合には,それより順
位の高いダミーディスペンスの前記積算処理枚数はリセ
ットされないことを特徴とする,請求項1に記載の基板
の処理方法。 - 【請求項4】 前記各ダミーディスペンス毎に,前回の
ダミーディスペンス時又は前回のリセット時からの積算
時間と基板の積算処理枚数が計測されており,前記各ダ
ミーディスペンスは,前記積算時間が所定の設定時間に
達した場合,若しくは前記積算処理枚数が各々の設定処
理枚数に達した場合に行われ,前記複数のダミーディス
ペンスには,順位が定められ,順位の高いダミーディス
ペンスが行われた場合には,それより順位の低いダミー
ディスペンスの前記積算時間及び前記積算処理枚数はリ
セットされ,前記順位の低いダミーディスペンスが行わ
れた場合には,それより順位の高いダミーディスペンス
の前記積算時間及び前記積算処理枚数はリセットされな
いことを特徴とする,請求項1に記載の基板の処理方
法。 - 【請求項5】 前記複数のダミーディスペンスの一部に
のみ,前記順位が定められ,順位の定めのないダミーデ
ィスペンスは,他の全てのダミーディスペンスが行われ
た場合には前記リセットが行われず,当該順位の定めの
ないダミーディスペンスは,独自の開始条件に従っての
み行われることを特徴とする,請求項2,3又は4のい
ずれかに記載の基板の処理方法。 - 【請求項6】 同じ順位に,複数のダミーディスペンス
が定められ,当該同じ順位に定められたダミーディスペ
ンスは,同じ順位の他のダミーディスペンスが行われた
場合には前記リセットが行われないことを特徴とする,
請求項2,3,4又は5のいずれかに記載の基板の処理
方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002012810A JP3708880B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
KR1020030003977A KR100877472B1 (ko) | 2002-01-22 | 2003-01-21 | 기판의 처리방법 및 기판의 처리장치 |
US10/347,438 US7094440B2 (en) | 2002-01-22 | 2003-01-21 | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
US11/188,890 US20050260333A1 (en) | 2002-01-22 | 2005-07-26 | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
US11/518,440 US7393566B2 (en) | 2002-01-22 | 2006-09-11 | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002012810A JP3708880B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003218006A true JP2003218006A (ja) | 2003-07-31 |
JP3708880B2 JP3708880B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=27649915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002012810A Expired - Fee Related JP3708880B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3708880B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006068050A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Origin Electric Company, Limited | 光ディスク製造装置 |
JP2007504646A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を乾燥させる方法とシステム。 |
JP2007103800A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 薬液塗布装置制御方法および薬液塗布装置 |
JP2011028838A (ja) * | 2010-09-21 | 2011-02-10 | Origin Electric Co Ltd | 光ディスク製造装置 |
JP2014036198A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Toshiba Corp | 塗布装置および塗布方法 |
-
2002
- 2002-01-22 JP JP2002012810A patent/JP3708880B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007504646A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を乾燥させる方法とシステム。 |
WO2006068050A1 (ja) * | 2004-12-22 | 2006-06-29 | Origin Electric Company, Limited | 光ディスク製造装置 |
JP2008052762A (ja) * | 2004-12-22 | 2008-03-06 | Origin Electric Co Ltd | 光ディスク製造装置 |
JP4616637B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-01-19 | オリジン電気株式会社 | 光ディスク製造装置 |
JP2007103800A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 薬液塗布装置制御方法および薬液塗布装置 |
JP2011028838A (ja) * | 2010-09-21 | 2011-02-10 | Origin Electric Co Ltd | 光ディスク製造装置 |
JP2014036198A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Toshiba Corp | 塗布装置および塗布方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3708880B2 (ja) | 2005-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7393566B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus | |
JP3587723B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5186520B2 (ja) | 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 | |
TWI498171B (zh) | 塗佈處理方法、電腦記憶媒體及塗佈處理裝置 | |
JP2002151376A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP2002118051A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JP2001307991A (ja) | 膜形成方法 | |
JP2000012443A (ja) | 多段スピン型基板処理システム | |
JP2010045185A (ja) | 液処理装置及び液処理方法並びに記憶媒体 | |
JP2002353091A (ja) | 基板の塗布装置 | |
US6875281B2 (en) | Method and system for coating and developing | |
US20190317408A1 (en) | Method and apparatus for processing substrate | |
JP2002361167A (ja) | 膜形成方法 | |
JP2003178946A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP2010171295A (ja) | 処理液供給システムにおける液切れ制御方法 | |
JP3708880B2 (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理装置 | |
JP3669897B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3760131B2 (ja) | 処理方法 | |
JP2003218015A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3588568B2 (ja) | 現像装置 | |
JP2003347206A (ja) | 塗布処理方法および塗布処理装置 | |
JP2001274082A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JP2001044100A (ja) | 基板の現像処理方法 | |
JP2001176765A (ja) | 膜形成装置 | |
JP3527459B2 (ja) | 塗布膜形成方法および塗布処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050804 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3708880 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080812 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110812 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |