JP2003209317A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装スペースを大幅に低減でき，コンパクト
に構成可能な半導体レーザモジュールを提供すること。 【解決手段】 半導体レーザ素子１から後方に出射した
光はレンズ２により平行光となりフィルタ３１を透過す
る。フィルタ３１は入射光の波長に依存して透過率が異
なり，波長選択性機能を有する波長選択領域３１６と，
その領域内に形成された貫通孔３１０を有する。受光素
子４，受光素子５は光電変換機能を有し，受光量に応じ
た光電流を発生する。受光素子４にはフィルタ３１の貫
通孔３１０以外の波長選択領域３１６を透過した光が入
射し，受光素子５には貫通孔３１０を通過した光が入射
する。半導体レーザ素子１からの出射光の波長変動と光
出力の変動はそれぞれ，受光素子４，受光素子５で発生
される光電流量をモニタすることにより検知される。
に構成可能な半導体レーザモジュールを提供すること。 【解決手段】 半導体レーザ素子１から後方に出射した
光はレンズ２により平行光となりフィルタ３１を透過す
る。フィルタ３１は入射光の波長に依存して透過率が異
なり，波長選択性機能を有する波長選択領域３１６と，
その領域内に形成された貫通孔３１０を有する。受光素
子４，受光素子５は光電変換機能を有し，受光量に応じ
た光電流を発生する。受光素子４にはフィルタ３１の貫
通孔３１０以外の波長選択領域３１６を透過した光が入
射し，受光素子５には貫通孔３１０を通過した光が入射
する。半導体レーザ素子１からの出射光の波長変動と光
出力の変動はそれぞれ，受光素子４，受光素子５で発生
される光電流量をモニタすることにより検知される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，出射されるレーザ
光の波長の制御機能を有する半導体レーザモジュールに
関するものである。
光の波長の制御機能を有する半導体レーザモジュールに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザモジュールは，半導体レー
ザ素子と受光素子，温度制御用の素子等がパッケージ内
に実装されて構成されている。半導体レーザ素子は半導
体レーザモジュールの主デバイスであり，電流印加によ
り所定の波長を有するレーザ光を放射する。このレーザ
光の波長は，自己発熱，周囲の温度変動等により変動す
る。また，このレーザ光の出力は，駆動電源の変動や自
己発熱等による温度変動等により変動する。このよう
に，半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の波長お
よび光出力は温度依存性が高い。そこで一般には，レー
ザ光の一部を受光素子に入射させ，受光素子の出力を監
視しながら温度制御用の素子を用いて温度制御を行い，
レーザ光の波長や光出力の制御を行う。
ザ素子と受光素子，温度制御用の素子等がパッケージ内
に実装されて構成されている。半導体レーザ素子は半導
体レーザモジュールの主デバイスであり，電流印加によ
り所定の波長を有するレーザ光を放射する。このレーザ
光の波長は，自己発熱，周囲の温度変動等により変動す
る。また，このレーザ光の出力は，駆動電源の変動や自
己発熱等による温度変動等により変動する。このよう
に，半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の波長お
よび光出力は温度依存性が高い。そこで一般には，レー
ザ光の一部を受光素子に入射させ，受光素子の出力を監
視しながら温度制御用の素子を用いて温度制御を行い，
レーザ光の波長や光出力の制御を行う。
【０００３】例えば特開２００１−２５７４１９号公報
には波長安定化レーザモジュールに関する技術が開示さ
れている。これは半導体レーザの出射光の一部が入射す
る第１光電変換素子と，半導体レーザの出射光の一部が
波長依存性フィルタを透過した後に入射する第２光電変
換素子と，からの電位信号を半導体レーザおよび／また
は温度調節手段にフィードバックして，基準波長レーザ
光を安定して出力するレーザモジュールに関するもので
ある。
には波長安定化レーザモジュールに関する技術が開示さ
れている。これは半導体レーザの出射光の一部が入射す
る第１光電変換素子と，半導体レーザの出射光の一部が
波長依存性フィルタを透過した後に入射する第２光電変
換素子と，からの電位信号を半導体レーザおよび／また
は温度調節手段にフィードバックして，基準波長レーザ
光を安定して出力するレーザモジュールに関するもので
ある。
【０００４】図７は従来の半導体レーザモジュールの切
開斜視図であり，図８はその構成図である。半導体レー
ザモジュールは，半導体レーザ素子１，レンズ２，フィ
ルタ３，受光素子４，受光素子５，サーミスタ素子７，
レンズ８を有し，これらはサブ基板９の上に搭載されて
いる。サブ基板９は，ペルチェ素子１０の上に搭載さ
れ，上記部品ガ金属製のパッケージ１１の内部に実装さ
れている。パッケージ１１には，アイソレータ１２，光
ファイバ１３が結合されている。
開斜視図であり，図８はその構成図である。半導体レー
ザモジュールは，半導体レーザ素子１，レンズ２，フィ
ルタ３，受光素子４，受光素子５，サーミスタ素子７，
レンズ８を有し，これらはサブ基板９の上に搭載されて
いる。サブ基板９は，ペルチェ素子１０の上に搭載さ
れ，上記部品ガ金属製のパッケージ１１の内部に実装さ
れている。パッケージ１１には，アイソレータ１２，光
ファイバ１３が結合されている。
【０００５】フィルタ３は波長選択性を有し，入射光の
波長に依存して透過率が異なる。フィルタ３にはエタロ
ン素子等が用いられる。一般にエタロン素子は高精度に
平面研磨された１組の平行平面を有し，この平面での光
の干渉を利用することにより波長選択性を有する。この
平面には通常誘電体多層膜が蒸着されてエタロン素子が
形成される。
波長に依存して透過率が異なる。フィルタ３にはエタロ
ン素子等が用いられる。一般にエタロン素子は高精度に
平面研磨された１組の平行平面を有し，この平面での光
の干渉を利用することにより波長選択性を有する。この
平面には通常誘電体多層膜が蒸着されてエタロン素子が
形成される。
【０００６】半導体レーザ素子１は所定の波長のレーザ
光を広がり角をもって前方および後方へ放射する。後方
の放射光はレンズ２で所定の光束径をもつ平行光に変換
される。この平行光の一部はフィルタ３を透過した後，
受光素子４に入射する。平行光の残りの一部はそのまま
受光素子５に入射する。受光素子４，受光素子５は光電
変換機能を有し，受光量に応じた光電流量を有する光電
流を出力する。前方の放射光はレンズ８で集光されて，
レンズ付きのアイソレータ１２を経由して光ファイバに
入射する。アイソレータ１２はレーザ光の反射の影響を
除去するためのものである。サーミスタ素子７およびペ
ルチェ素子１０により温度制御が行われる。なお，図８
では前方の放射光はレンズ８に入射するまでを図示して
いる。
光を広がり角をもって前方および後方へ放射する。後方
の放射光はレンズ２で所定の光束径をもつ平行光に変換
される。この平行光の一部はフィルタ３を透過した後，
受光素子４に入射する。平行光の残りの一部はそのまま
受光素子５に入射する。受光素子４，受光素子５は光電
変換機能を有し，受光量に応じた光電流量を有する光電
流を出力する。前方の放射光はレンズ８で集光されて，
レンズ付きのアイソレータ１２を経由して光ファイバに
入射する。アイソレータ１２はレーザ光の反射の影響を
除去するためのものである。サーミスタ素子７およびペ
ルチェ素子１０により温度制御が行われる。なお，図８
では前方の放射光はレンズ８に入射するまでを図示して
いる。
【０００７】半導体レーザ素子１から放射されるレーザ
光の光出力の変動は前方の放射光および後方の放射光に
同様に現れる。半導体レーザ素子１から放射されるレー
ザ光の発振波長が変動すると，フィルタ３を透過する光
量が変動し，受光素子４の受光量が変動し，受光素子４
が出力する光電流量の変動として表れる。半導体レーザ
素子１から放射されるレーザ光の光出力が変動すると，
受光素子５の受光量が変動し，受光素子５が出力する光
電流量の変動として表れる。すなわち，受光素子４が発
振波長の制御用モニタとなり，受光素子５が光出力の制
御用モニタとなっている。受光素子４，受光素子５の光
電流量の変動を監視しながら，サーミスタ素子７および
ペルチェ素子１０により温度制御を行い，半導体レーザ
素子１の発振波長と光出力が一定値になるよう制御す
る。このように，本モジュールでは，光出力だけでなく
波長も制御しており，波長ロック機能を有する。
光の光出力の変動は前方の放射光および後方の放射光に
同様に現れる。半導体レーザ素子１から放射されるレー
ザ光の発振波長が変動すると，フィルタ３を透過する光
量が変動し，受光素子４の受光量が変動し，受光素子４
が出力する光電流量の変動として表れる。半導体レーザ
素子１から放射されるレーザ光の光出力が変動すると，
受光素子５の受光量が変動し，受光素子５が出力する光
電流量の変動として表れる。すなわち，受光素子４が発
振波長の制御用モニタとなり，受光素子５が光出力の制
御用モニタとなっている。受光素子４，受光素子５の光
電流量の変動を監視しながら，サーミスタ素子７および
ペルチェ素子１０により温度制御を行い，半導体レーザ
素子１の発振波長と光出力が一定値になるよう制御す
る。このように，本モジュールでは，光出力だけでなく
波長も制御しており，波長ロック機能を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，エタロ
ン素子は製造工程中に素子周囲にダメージが発生するた
め，素子周囲の約２０％は波長選択性機能が得られな
い。受光素子４に入射する光束全てが，エタロン素子の
波長選択性機能を有する波長選択領域を透過するために
は，入射面に十分な大きさを有するエタロン素子が必要
になる。また，図７および図８に示す例では，エタロン
素子を透過した光束とエタロン素子を透過しない光束を
それぞれ受光素子４，受光素子５に入射させている。こ
の２種類の光束を形成するためには，レンズ２を出射し
た平行光は十分な大きさの光束径を有する必要がある。
以上のことより，上記従来例では実装スペースが大きく
なるという問題がある。
ン素子は製造工程中に素子周囲にダメージが発生するた
め，素子周囲の約２０％は波長選択性機能が得られな
い。受光素子４に入射する光束全てが，エタロン素子の
波長選択性機能を有する波長選択領域を透過するために
は，入射面に十分な大きさを有するエタロン素子が必要
になる。また，図７および図８に示す例では，エタロン
素子を透過した光束とエタロン素子を透過しない光束を
それぞれ受光素子４，受光素子５に入射させている。こ
の２種類の光束を形成するためには，レンズ２を出射し
た平行光は十分な大きさの光束径を有する必要がある。
以上のことより，上記従来例では実装スペースが大きく
なるという問題がある。
【０００９】本発明は，このような問題に鑑みてなされ
たものであり，その目的とするところは，コンパクトに
構成可能な半導体レーザモジュールを提供することにあ
る。
たものであり，その目的とするところは，コンパクトに
構成可能な半導体レーザモジュールを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の観点によれば，半導体レーザ素子
と，前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光が入
射し，所定の波長選択性を有する波長選択領域と，前記
波長選択領域内に設けられ前記レーザ光の一部が通過す
る貫通孔と，を有するフィルタと，前記貫通孔以外の前
記波長選択領域を透過した光を受光する第１の受光素子
と，前記貫通孔を通過した光を受光する第２の受光素子
と，を具備することを特徴とする半導体レーザモジュー
ルが提供される。
に，本発明の第１の観点によれば，半導体レーザ素子
と，前記半導体レーザ素子から出射されるレーザ光が入
射し，所定の波長選択性を有する波長選択領域と，前記
波長選択領域内に設けられ前記レーザ光の一部が通過す
る貫通孔と，を有するフィルタと，前記貫通孔以外の前
記波長選択領域を透過した光を受光する第１の受光素子
と，前記貫通孔を通過した光を受光する第２の受光素子
と，を具備することを特徴とする半導体レーザモジュー
ルが提供される。
【００１１】受光素子には例えばフォトダイオード等の
光電変換機能を有する素子を使用できる。その場合，第
１の受光素子の出力からはレーザ光の波長変動を，第２
の受光素子の出力からはレーザ光の光出力の変動を検知
できる。上記構成によれば，波長選択領域に入射する光
束だけで，第１の受光素子，第２の受光素子の両方にレ
ーザ光を入射させることができ，レーザ光の波長変動，
光出力の変動の両方を検知できる。よって，従来に比べ
必要な光束径を小さくでき，モジュールをコンパクトに
構成できる。
光電変換機能を有する素子を使用できる。その場合，第
１の受光素子の出力からはレーザ光の波長変動を，第２
の受光素子の出力からはレーザ光の光出力の変動を検知
できる。上記構成によれば，波長選択領域に入射する光
束だけで，第１の受光素子，第２の受光素子の両方にレ
ーザ光を入射させることができ，レーザ光の波長変動，
光出力の変動の両方を検知できる。よって，従来に比べ
必要な光束径を小さくでき，モジュールをコンパクトに
構成できる。
【００１２】また，本発明の第２の観点によれば，半導
体レーザ素子と，前記半導体レーザ素子から出射される
レーザ光が入射し，所定の波長選択性を有する波長選択
領域と，少なくともその一部が前記波長選択領域内に設
けられ前記レーザ光の一部が通過できるよう入射面から
出射面にわたる部分が切削された切削部と，を有するフ
ィルタと，前記切削部以外の前記波長選択領域を透過し
た光を受光する第１の受光素子と，前記切削部を通過し
た光を受光する第２の受光素子と，を具備することを特
徴とする半導体レーザモジュールが提供される。
体レーザ素子と，前記半導体レーザ素子から出射される
レーザ光が入射し，所定の波長選択性を有する波長選択
領域と，少なくともその一部が前記波長選択領域内に設
けられ前記レーザ光の一部が通過できるよう入射面から
出射面にわたる部分が切削された切削部と，を有するフ
ィルタと，前記切削部以外の前記波長選択領域を透過し
た光を受光する第１の受光素子と，前記切削部を通過し
た光を受光する第２の受光素子と，を具備することを特
徴とする半導体レーザモジュールが提供される。
【００１３】かかる構成によれば，波長選択領域に入射
する光束だけで，第１の受光素子，第２の受光素子の両
方にレーザ光を入射させることができ，レーザ光の波長
変動，光出力の変動の両方を検知できる。よって，従来
に比べ必要な光束径を小さくでき，モジュールをコンパ
クトに構成できる。
する光束だけで，第１の受光素子，第２の受光素子の両
方にレーザ光を入射させることができ，レーザ光の波長
変動，光出力の変動の両方を検知できる。よって，従来
に比べ必要な光束径を小さくでき，モジュールをコンパ
クトに構成できる。
【００１４】また，本発明の第３の観点によれば，半導
体レーザ素子と，前記半導体レーザ素子から出射される
レーザ光が入射し，所定の波長選択性を持たせるための
膜が表面に形成され所定の波長選択性を有する波長選択
領域と，前記波長選択領域を外周に持ち且つ前記膜が形
成されていない非成膜部と，を有するフィルタと，前記
波長選択領域を透過した光を受光する第１の受光素子
と，前記非成膜部を透過した光を受光する第２の受光素
子と，を具備することを特徴とする半導体レーザモジュ
ールが提供される。
体レーザ素子と，前記半導体レーザ素子から出射される
レーザ光が入射し，所定の波長選択性を持たせるための
膜が表面に形成され所定の波長選択性を有する波長選択
領域と，前記波長選択領域を外周に持ち且つ前記膜が形
成されていない非成膜部と，を有するフィルタと，前記
波長選択領域を透過した光を受光する第１の受光素子
と，前記非成膜部を透過した光を受光する第２の受光素
子と，を具備することを特徴とする半導体レーザモジュ
ールが提供される。
【００１５】かかる構成によれば，波長選択領域に入射
する光束だけで，第１の受光素子，第２の受光素子の両
方にレーザ光を入射させることができ，レーザ光の波長
変動，光出力の変動の両方を検知できる。よって，従来
に比べ必要な光束径を小さくでき，モジュールをコンパ
クトに構成できる。
する光束だけで，第１の受光素子，第２の受光素子の両
方にレーザ光を入射させることができ，レーザ光の波長
変動，光出力の変動の両方を検知できる。よって，従来
に比べ必要な光束径を小さくでき，モジュールをコンパ
クトに構成できる。
【００１６】その際に，前記非成膜部には反射防止膜が
成膜されているようにしてもよい。これにより，非成膜
部を透過して第２の受光素子に入射する光量が増加し，
光出力の変動の検知感度を向上できる。
成膜されているようにしてもよい。これにより，非成膜
部を透過して第２の受光素子に入射する光量が増加し，
光出力の変動の検知感度を向上できる。
【００１７】また，前記膜はさらに反射防止機能を有す
るようにしてもよい。これにより，フィルタの波長選択
領域を透過して第１の受光素子に入射する光量が増加
し，波長の変動の検知感度を向上できる。
るようにしてもよい。これにより，フィルタの波長選択
領域を透過して第１の受光素子に入射する光量が増加
し，波長の変動の検知感度を向上できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付
図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素
については，同一符号を付すことにより，重複説明を省
略する。図１は，本発明の第１の実施の形態にかかる半
導体レーザモジュールを示す構成図である。
施の形態を詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付
図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素
については，同一符号を付すことにより，重複説明を省
略する。図１は，本発明の第１の実施の形態にかかる半
導体レーザモジュールを示す構成図である。
【００１９】半導体レーザモジュールは，半導体レーザ
素子１，レンズ２，フィルタ３１，受光素子４，受光素
子５，サーミスタ素子７，レンズ８を有し，これらはサ
ブ基板９の上に搭載されている。サブ基板９は，ペルチ
ェ素子（不図示）の上に搭載され，上記部品が金属製の
パッケージ１１の内部に実装されている。パッケージ１
１には，アイソレータ１２，光ファイバ１３が結合され
ている。半導体レーザ素子１，受光素子４，受光素子
５，サーミスタ素子７，ペルチェ素子は，それぞれ金線
等でパッケージ１１の端子に結線されている。
素子１，レンズ２，フィルタ３１，受光素子４，受光素
子５，サーミスタ素子７，レンズ８を有し，これらはサ
ブ基板９の上に搭載されている。サブ基板９は，ペルチ
ェ素子（不図示）の上に搭載され，上記部品が金属製の
パッケージ１１の内部に実装されている。パッケージ１
１には，アイソレータ１２，光ファイバ１３が結合され
ている。半導体レーザ素子１，受光素子４，受光素子
５，サーミスタ素子７，ペルチェ素子は，それぞれ金線
等でパッケージ１１の端子に結線されている。
【００２０】半導体レーザ素子１は，本モジュールの主
デバイスであり，電流印加により所定の波長で発振し，
その発振波長を有するレーザ光を所定の広がり角をもっ
て前方および後方へ放射する。前方に放射された光は本
モジュールの出力光として扱われる。後方に放射された
光は，発振波長や光出力のモニタに用いられる。
デバイスであり，電流印加により所定の波長で発振し，
その発振波長を有するレーザ光を所定の広がり角をもっ
て前方および後方へ放射する。前方に放射された光は本
モジュールの出力光として扱われる。後方に放射された
光は，発振波長や光出力のモニタに用いられる。
【００２１】レンズ２は半導体レーザ素子１から出射光
を平行光にするためのものである。フィルタ３１は貫通
孔３１０を有し，所定の波長選択性をもち，入射光の波
長に依存して透過率が異なる。フィルタ３１はここでは
エタロン素子からなる。一般にエタロン素子は高精度に
平面研磨された１組の平行平面を有し，この平面での光
の干渉を利用することにより波長選択性を有する。具体
的には例えばエタロン素子は，平行平板石英ガラスを素
材として，この石英ガラスの平面研磨された表面および
裏面に誘電体多層膜を蒸着して形成される。
を平行光にするためのものである。フィルタ３１は貫通
孔３１０を有し，所定の波長選択性をもち，入射光の波
長に依存して透過率が異なる。フィルタ３１はここでは
エタロン素子からなる。一般にエタロン素子は高精度に
平面研磨された１組の平行平面を有し，この平面での光
の干渉を利用することにより波長選択性を有する。具体
的には例えばエタロン素子は，平行平板石英ガラスを素
材として，この石英ガラスの平面研磨された表面および
裏面に誘電体多層膜を蒸着して形成される。
【００２２】図２にフィルタ３１の概略構成を示す。フ
ィルタ３１は図２に示す上面３１２および下面３１４が
入射面および出射面となり，この２つの面に誘電体多層
膜が成膜されている。フィルタ３１は上面３１２から下
面３１４まで貫通している断面が略円形の貫通孔３１０
を有する。フィルタ３１の外周部は製造工程中における
ダメージのために波長選択性機能を持たない。図２では
所定の波長選択性機能を有する波長選択領域３１６をフ
ィルタ３１の上面３１２に示す。すなわち，フィルタ３
１の所定の波長選択性は波長選択領域３１６を透過した
光のみに有効である。貫通孔３１０は波長選択領域３１
６内に設けられており，貫通孔３１０の上面３１２にお
ける開口部はフィルタ３１の中心３１８からずれた位置
に位置している。
ィルタ３１は図２に示す上面３１２および下面３１４が
入射面および出射面となり，この２つの面に誘電体多層
膜が成膜されている。フィルタ３１は上面３１２から下
面３１４まで貫通している断面が略円形の貫通孔３１０
を有する。フィルタ３１の外周部は製造工程中における
ダメージのために波長選択性機能を持たない。図２では
所定の波長選択性機能を有する波長選択領域３１６をフ
ィルタ３１の上面３１２に示す。すなわち，フィルタ３
１の所定の波長選択性は波長選択領域３１６を透過した
光のみに有効である。貫通孔３１０は波長選択領域３１
６内に設けられており，貫通孔３１０の上面３１２にお
ける開口部はフィルタ３１の中心３１８からずれた位置
に位置している。
【００２３】受光素子４，受光素子５は光電変換機能を
有し，受光量に応じた光電流量を有する光電流を出力す
る。サーミスタ素子７およびペルチェ素子は温度制御に
用いられる。半導体レーザ素子１等の構成部品はサブ基
板９を介してペルチェ素子の上に実装されているので，
ペルチェ素子によりこれらの構成部品は同等に温度制御
される。レンズ８は半導体レーザ素子１からの出射光を
集光し，光ファイバ１３へ効率よく入射させる機能を有
する。アイソレータ１２は，レーザ光の反射の影響を除
去するためのものであり，ここではレンズを装備してい
る。
有し，受光量に応じた光電流量を有する光電流を出力す
る。サーミスタ素子７およびペルチェ素子は温度制御に
用いられる。半導体レーザ素子１等の構成部品はサブ基
板９を介してペルチェ素子の上に実装されているので，
ペルチェ素子によりこれらの構成部品は同等に温度制御
される。レンズ８は半導体レーザ素子１からの出射光を
集光し，光ファイバ１３へ効率よく入射させる機能を有
する。アイソレータ１２は，レーザ光の反射の影響を除
去するためのものであり，ここではレンズを装備してい
る。
【００２４】図１に示すように，光軸６に沿って半導体
レーザ素子１の前方の光路にはレンズ８，アイソレータ
１２，光ファイバ１３が順に配置されている。半導体レ
ーザ素子１の後方の光路にはレンズ２，フィルタ３１，
受光素子４，受光素子５が配置されている。フィルタ３
１はフィルタ３１表面での反射光が半導体レーザ素子１
に入射しないよう，光軸６に対してわずかに傾けて配置
されている。図１に図示されるフィルタ３１では理解を
助けるため，中心３１８および貫通孔３１０を含み上面
３１２に垂直な断面を示し，フィルタ３１の貫通孔３１
０以外の部分に斜線を付している。受光素子４，受光素
子５はその間に光軸６が位置するよう，光軸６に垂直な
面内に並列に配置されている。受光素子４にはフィルタ
３１の貫通孔３１０以外の波長選択領域３１６を透過し
た光が入射し，受光素子５にはフィルタ３１の貫通孔３
１０を通過した光が入射するよう配置されている。
レーザ素子１の前方の光路にはレンズ８，アイソレータ
１２，光ファイバ１３が順に配置されている。半導体レ
ーザ素子１の後方の光路にはレンズ２，フィルタ３１，
受光素子４，受光素子５が配置されている。フィルタ３
１はフィルタ３１表面での反射光が半導体レーザ素子１
に入射しないよう，光軸６に対してわずかに傾けて配置
されている。図１に図示されるフィルタ３１では理解を
助けるため，中心３１８および貫通孔３１０を含み上面
３１２に垂直な断面を示し，フィルタ３１の貫通孔３１
０以外の部分に斜線を付している。受光素子４，受光素
子５はその間に光軸６が位置するよう，光軸６に垂直な
面内に並列に配置されている。受光素子４にはフィルタ
３１の貫通孔３１０以外の波長選択領域３１６を透過し
た光が入射し，受光素子５にはフィルタ３１の貫通孔３
１０を通過した光が入射するよう配置されている。
【００２５】半導体レーザ素子１から広がり角をもち後
方に放射された光は，レンズ２により平行光に変換さ
れ，フィルタ３１を透過する。この平行光の光束径はフ
ィルタ３１の波長選択領域３１６を満たす大きさであれ
ば十分であり，それ以上大きくする必要はない。フィル
タ３１を透過した光のうち，貫通孔３１０以外の波長選
択領域３１６を透過した光の一部は受光素子４に入射す
る。フィルタ３１を透過した光のうち，貫通孔３１０を
通過した光の一部あるいは全ては受光素子５に入射す
る。なお，受光素子４，受光素子５の受光面の大きさに
よっては，平行光の光束径は波長選択領域３１６より小
さくすることもできる。
方に放射された光は，レンズ２により平行光に変換さ
れ，フィルタ３１を透過する。この平行光の光束径はフ
ィルタ３１の波長選択領域３１６を満たす大きさであれ
ば十分であり，それ以上大きくする必要はない。フィル
タ３１を透過した光のうち，貫通孔３１０以外の波長選
択領域３１６を透過した光の一部は受光素子４に入射す
る。フィルタ３１を透過した光のうち，貫通孔３１０を
通過した光の一部あるいは全ては受光素子５に入射す
る。なお，受光素子４，受光素子５の受光面の大きさに
よっては，平行光の光束径は波長選択領域３１６より小
さくすることもできる。
【００２６】半導体レーザ素子１から出射したレーザ光
の波長が変動すると，フィルタ３１が有する波長依存性
に基づき波長選択領域３１６を透過する光量が変動し，
受光素子４が受光する光量が変動し，受光素子４で発生
する光電流量が変動する。よって，受光素子４の光電流
量をモニタすることにより，波長変動を検知できる。
の波長が変動すると，フィルタ３１が有する波長依存性
に基づき波長選択領域３１６を透過する光量が変動し，
受光素子４が受光する光量が変動し，受光素子４で発生
する光電流量が変動する。よって，受光素子４の光電流
量をモニタすることにより，波長変動を検知できる。
【００２７】半導体レーザ素子１から出射した光出力が
変動すると，貫通孔３１０を通過して受光素子５で受光
される光の量が変動し，受光素子５で発生する光電流量
が変動する。よって，受光素子５の光電流量をモニタす
ることにより，光出力の変動を検知できる。
変動すると，貫通孔３１０を通過して受光素子５で受光
される光の量が変動し，受光素子５で発生する光電流量
が変動する。よって，受光素子５の光電流量をモニタす
ることにより，光出力の変動を検知できる。
【００２８】前述のように，半導体レーザ素子１から放
射される光は，温度変動によりその波長，光出力が変動
する。受光素子４，受光素子５からの光電流量を監視し
ながら，サーミスタ素子７およびペルチェ素子により温
度制御を行って，半導体レーザ素子１から放射される光
の波長，光出力を制御することができる。このように，
本モジュールでは，光出力だけでなく波長も制御してお
り，波長ロック機能を有する。
射される光は，温度変動によりその波長，光出力が変動
する。受光素子４，受光素子５からの光電流量を監視し
ながら，サーミスタ素子７およびペルチェ素子により温
度制御を行って，半導体レーザ素子１から放射される光
の波長，光出力を制御することができる。このように，
本モジュールでは，光出力だけでなく波長も制御してお
り，波長ロック機能を有する。
【００２９】半導体レーザ素子１から前方に出射した光
は，レンズ８により集光され，アイソレータ１２を経由
して光ファイバ１３に入射し，出力される。なお，図１
では前方の放射光はレンズ８に入射するまでを図示して
いる。
は，レンズ８により集光され，アイソレータ１２を経由
して光ファイバ１３に入射し，出力される。なお，図１
では前方の放射光はレンズ８に入射するまでを図示して
いる。
【００３０】以上より，本実施の形態によれば，フィル
タ３１の波長選択領域３１６内に貫通孔３１０を設ける
ことにより，波長選択領域３１６に入射する光束で半導
体レーザ素子１から放射される光の波長，光出力の両方
を制御することができる。従来では図８に示すようにエ
タロン素子を透過した光束と透過しない光束をそれぞれ
受光素子４，受光素子５に入射させており，また，エタ
ロン素子の波長選択領域以外を透過する光束が存在して
いたため，大きな平行光束が必要であった。しかし，本
実施の形態によれば，レンズ２を出射する平行光束の径
は最大でも波長選択領域３１６を満たせばよいので，従
来に比べ平行光束の径を小さくすることができる。よっ
て，実装スペースを大幅に低減でき，モジュールをコン
パクトに構成できる。
タ３１の波長選択領域３１６内に貫通孔３１０を設ける
ことにより，波長選択領域３１６に入射する光束で半導
体レーザ素子１から放射される光の波長，光出力の両方
を制御することができる。従来では図８に示すようにエ
タロン素子を透過した光束と透過しない光束をそれぞれ
受光素子４，受光素子５に入射させており，また，エタ
ロン素子の波長選択領域以外を透過する光束が存在して
いたため，大きな平行光束が必要であった。しかし，本
実施の形態によれば，レンズ２を出射する平行光束の径
は最大でも波長選択領域３１６を満たせばよいので，従
来に比べ平行光束の径を小さくすることができる。よっ
て，実装スペースを大幅に低減でき，モジュールをコン
パクトに構成できる。
【００３１】図３は，本発明の第２の実施の形態にかか
る半導体レーザモジュールを示す要部構成図である。本
実施の形態では，第１の実施の形態のフィルタ３１に代
わり，切削部３２０を有するフィルタ３２が用いられて
いる。その他の点は，第１の実施の形態と同様であるた
め，重複説明を一部省略する。図３ではサブ基板９上の
主要構成部品のみ図示し，パッケージ１１，アイソレー
タ１２，光ファイバ１３は図示を省略している。
る半導体レーザモジュールを示す要部構成図である。本
実施の形態では，第１の実施の形態のフィルタ３１に代
わり，切削部３２０を有するフィルタ３２が用いられて
いる。その他の点は，第１の実施の形態と同様であるた
め，重複説明を一部省略する。図３ではサブ基板９上の
主要構成部品のみ図示し，パッケージ１１，アイソレー
タ１２，光ファイバ１３は図示を省略している。
【００３２】図４にフィルタ３２の概略構成を示す。フ
ィルタ３２はエタロン素子からなり，切削部３２０を有
し，所定の波長選択性をもち，入射光の波長に依存して
透過率が異なる。フィルタ３２は図４に示す上面３１２
およびその対向面である下面が入射面および出射面とな
り，この２つの面に誘電体多層膜が成膜されている。フ
ィルタ３２の外周部は製造工程中におけるダメージのた
めに波長選択性機能を持たない。図４では所定の波長選
択性機能を有する領域を波長選択領域３１６としてフィ
ルタ３２の上面３１２に示す。切削部３２０は上面３１
２から下面にわたって形成され，フィルタ３２の一側面
の中央から直方体が切削されたような形状を有する。そ
の結果，上面３１２の上方から見たフィルタ３２の形状
は略コの字形となる。この直方体の一部は波長選択領域
３１６内に位置し，切削部３２０の一部は波長選択領域
３１６内に形成されている。
ィルタ３２はエタロン素子からなり，切削部３２０を有
し，所定の波長選択性をもち，入射光の波長に依存して
透過率が異なる。フィルタ３２は図４に示す上面３１２
およびその対向面である下面が入射面および出射面とな
り，この２つの面に誘電体多層膜が成膜されている。フ
ィルタ３２の外周部は製造工程中におけるダメージのた
めに波長選択性機能を持たない。図４では所定の波長選
択性機能を有する領域を波長選択領域３１６としてフィ
ルタ３２の上面３１２に示す。切削部３２０は上面３１
２から下面にわたって形成され，フィルタ３２の一側面
の中央から直方体が切削されたような形状を有する。そ
の結果，上面３１２の上方から見たフィルタ３２の形状
は略コの字形となる。この直方体の一部は波長選択領域
３１６内に位置し，切削部３２０の一部は波長選択領域
３１６内に形成されている。
【００３３】図３に示すように，光軸６に沿って半導体
レーザ素子１の前方にはレンズ８，アイソレータ１２，
光ファイバ１３が順に配置されている。半導体レーザ素
子１の後方にはレンズ２，フィルタ３２，受光素子４，
受光素子５が配置されている。フィルタ３２はフィルタ
３２表面での反射光が半導体レーザ素子１に入射しない
よう，光軸６に対してわずかに傾けて配置されている。
図３に図示されるフィルタ３２では理解を助けるため，
中心３１８および切削部３２０を含み上面３１２に垂直
な断面を示し，フィルタ３２の切削部３２０以外の部分
に斜線を付している。受光素子４，受光素子５はその間
に光軸６が位置するよう，光軸６に垂直な面内に並列に
配置されている。ここで，受光素子４にはフィルタ３２
の切削部３２０以外の波長選択領域３１６を透過した光
が入射し，受光素子５にはフィルタ３２の切削部３２０
を通過した光が入射するよう配置されている。
レーザ素子１の前方にはレンズ８，アイソレータ１２，
光ファイバ１３が順に配置されている。半導体レーザ素
子１の後方にはレンズ２，フィルタ３２，受光素子４，
受光素子５が配置されている。フィルタ３２はフィルタ
３２表面での反射光が半導体レーザ素子１に入射しない
よう，光軸６に対してわずかに傾けて配置されている。
図３に図示されるフィルタ３２では理解を助けるため，
中心３１８および切削部３２０を含み上面３１２に垂直
な断面を示し，フィルタ３２の切削部３２０以外の部分
に斜線を付している。受光素子４，受光素子５はその間
に光軸６が位置するよう，光軸６に垂直な面内に並列に
配置されている。ここで，受光素子４にはフィルタ３２
の切削部３２０以外の波長選択領域３１６を透過した光
が入射し，受光素子５にはフィルタ３２の切削部３２０
を通過した光が入射するよう配置されている。
【００３４】半導体レーザ素子１から広がり角をもち後
方に放射された光は，レンズ２により平行光に変換さ
れ，フィルタ３２を透過する。この平行光の光束径はフ
ィルタ３２の波長選択領域３１６を満たす大きさであれ
ば十分であり，それ以上大きくする必要はない。フィル
タ３２を透過した光のうち，切削部３２０以外の波長選
択領域３１６を透過した光の一部は受光素子４に入射す
る。フィルタ３２を透過した光のうち，切削部３２０を
通過した光の一部あるいは全ては受光素子５に入射す
る。なお，受光素子４，受光素子５の受光面の大きさに
よっては，平行光の光束径は波長選択領域３１６より小
さくすることもできる。
方に放射された光は，レンズ２により平行光に変換さ
れ，フィルタ３２を透過する。この平行光の光束径はフ
ィルタ３２の波長選択領域３１６を満たす大きさであれ
ば十分であり，それ以上大きくする必要はない。フィル
タ３２を透過した光のうち，切削部３２０以外の波長選
択領域３１６を透過した光の一部は受光素子４に入射す
る。フィルタ３２を透過した光のうち，切削部３２０を
通過した光の一部あるいは全ては受光素子５に入射す
る。なお，受光素子４，受光素子５の受光面の大きさに
よっては，平行光の光束径は波長選択領域３１６より小
さくすることもできる。
【００３５】第１の実施の形態と同様に，半導体レーザ
素子１から出射した光の波長が変動すると，フィルタ３
２が有する波長依存性に基づき波長選択領域３１６を透
過する光量が変動し，受光素子４が受光する光量が変動
し，受光素子４で発生する光電流量が変動する。よっ
て，受光素子４の光電流量をモニタすることにより，波
長変動を検知できる。
素子１から出射した光の波長が変動すると，フィルタ３
２が有する波長依存性に基づき波長選択領域３１６を透
過する光量が変動し，受光素子４が受光する光量が変動
し，受光素子４で発生する光電流量が変動する。よっ
て，受光素子４の光電流量をモニタすることにより，波
長変動を検知できる。
【００３６】半導体レーザ素子１から出射した光出力が
変動すると，切削部３２０を通過して受光素子５で受光
される光の量が変動し，受光素子５で発生する光電流量
が変動する。よって，受光素子５の光電流量をモニタす
ることにより，光出力の変動を検知できる。本実施の形
態においても第１の実施の形態と同様に，受光素子４，
受光素子５からの光電流量を監視しながら，サーミスタ
素子７およびペルチェ素子により温度制御を行って，半
導体レーザ素子１から放射される光の波長，光出力を制
御することができる。
変動すると，切削部３２０を通過して受光素子５で受光
される光の量が変動し，受光素子５で発生する光電流量
が変動する。よって，受光素子５の光電流量をモニタす
ることにより，光出力の変動を検知できる。本実施の形
態においても第１の実施の形態と同様に，受光素子４，
受光素子５からの光電流量を監視しながら，サーミスタ
素子７およびペルチェ素子により温度制御を行って，半
導体レーザ素子１から放射される光の波長，光出力を制
御することができる。
【００３７】以上より，本実施の形態によれば第１の実
施の形態と同様に，フィルタ３２の波長選択領域３１６
内に切削部３２０を設けることにより，波長選択領域３
１６に入射する光束で半導体レーザ素子１から放射され
る光の波長，光出力の両方を制御することができる。こ
れより，レンズ２を出射する平行光束の径は最大でも波
長選択領域３１６を満たせばよいので，従来に比べ平行
光束の径を小さくすることができる。よって，実装スペ
ースを大幅に低減でき，モジュールをコンパクトに構成
できる。
施の形態と同様に，フィルタ３２の波長選択領域３１６
内に切削部３２０を設けることにより，波長選択領域３
１６に入射する光束で半導体レーザ素子１から放射され
る光の波長，光出力の両方を制御することができる。こ
れより，レンズ２を出射する平行光束の径は最大でも波
長選択領域３１６を満たせばよいので，従来に比べ平行
光束の径を小さくすることができる。よって，実装スペ
ースを大幅に低減でき，モジュールをコンパクトに構成
できる。
【００３８】図５は，本発明の第３の実施の形態にかか
る半導体レーザモジュールを示す要部構成図である。本
実施の形態では，第１の実施の形態のフィルタ３１に代
わり，非成膜部３３０を有するフィルタ３３が用いられ
ている。その他の点は，第１の実施の形態と同様である
ため，重複説明を一部省略する。図５ではサブ基板９上
の主要構成部品のみ図示し，パッケージ１１，アイソレ
ータ１２，光ファイバ１３は図示を省略している。
る半導体レーザモジュールを示す要部構成図である。本
実施の形態では，第１の実施の形態のフィルタ３１に代
わり，非成膜部３３０を有するフィルタ３３が用いられ
ている。その他の点は，第１の実施の形態と同様である
ため，重複説明を一部省略する。図５ではサブ基板９上
の主要構成部品のみ図示し，パッケージ１１，アイソレ
ータ１２，光ファイバ１３は図示を省略している。
【００３９】図６にフィルタ３３の概略構成を示す。フ
ィルタ３３はエタロン素子からなり，非成膜部３３０を
有し，所定の波長選択性をもち，入射光の波長に依存し
て透過率が異なる。フィルタ３３は図６に示す上面３１
２およびその対向面である下面が入射面および出射面と
なり，この２つの面の非成膜部３３０を除く領域に所定
の波長選択性を持たせるための誘電体多層膜が成膜され
ている。しかしながら，フィルタ３３の外周部は成膜さ
れていても製造工程中におけるダメージのために波長選
択性機能を持たない。図６では所定の波長選択性機能を
有する領域を波長選択領域３１６としてフィルタ３３の
上面に示す。非成膜部３３０は，所定の波長選択性を持
たせるための誘電体多層膜が成膜されていない。非成膜
部３３０はその外周が波長選択領域３１６となるよう，
上面３１２における波長選択領域３１６の内部に位置す
る。下面の表面の上面３１２の非成膜部３３０に対向す
る位置にも同様の非成膜部３３０が設けられている。
ィルタ３３はエタロン素子からなり，非成膜部３３０を
有し，所定の波長選択性をもち，入射光の波長に依存し
て透過率が異なる。フィルタ３３は図６に示す上面３１
２およびその対向面である下面が入射面および出射面と
なり，この２つの面の非成膜部３３０を除く領域に所定
の波長選択性を持たせるための誘電体多層膜が成膜され
ている。しかしながら，フィルタ３３の外周部は成膜さ
れていても製造工程中におけるダメージのために波長選
択性機能を持たない。図６では所定の波長選択性機能を
有する領域を波長選択領域３１６としてフィルタ３３の
上面に示す。非成膜部３３０は，所定の波長選択性を持
たせるための誘電体多層膜が成膜されていない。非成膜
部３３０はその外周が波長選択領域３１６となるよう，
上面３１２における波長選択領域３１６の内部に位置す
る。下面の表面の上面３１２の非成膜部３３０に対向す
る位置にも同様の非成膜部３３０が設けられている。
【００４０】図５に示すように，光軸６に沿って半導体
レーザ素子１の前方にはレンズ８，アイソレータ１２，
光ファイバ１３が順に配置されている。半導体レーザ素
子１の後方にはレンズ２，フィルタ３３，受光素子４，
受光素子５が配置されている。フィルタ３３はフィルタ
３３表面での反射光が半導体レーザ素子１に入射しない
よう，光軸６に対してわずかに傾けて配置されている。
図５に図示されるフィルタ３３では理解を助けるため，
上面３１２および下面の誘電体多層膜が成膜されている
部分に斜線を付している。受光素子４，受光素子５はそ
の間に光軸６が位置するよう，光軸６に垂直な面内に並
列に配置されている。ここで，受光素子４にはフィルタ
３３の非成膜部３３０以外の波長選択領域３１６を透過
した光が入射し，受光素子５にはフィルタ３３の非成膜
部３３０を透過した光が入射するよう配置されている。
レーザ素子１の前方にはレンズ８，アイソレータ１２，
光ファイバ１３が順に配置されている。半導体レーザ素
子１の後方にはレンズ２，フィルタ３３，受光素子４，
受光素子５が配置されている。フィルタ３３はフィルタ
３３表面での反射光が半導体レーザ素子１に入射しない
よう，光軸６に対してわずかに傾けて配置されている。
図５に図示されるフィルタ３３では理解を助けるため，
上面３１２および下面の誘電体多層膜が成膜されている
部分に斜線を付している。受光素子４，受光素子５はそ
の間に光軸６が位置するよう，光軸６に垂直な面内に並
列に配置されている。ここで，受光素子４にはフィルタ
３３の非成膜部３３０以外の波長選択領域３１６を透過
した光が入射し，受光素子５にはフィルタ３３の非成膜
部３３０を透過した光が入射するよう配置されている。
【００４１】半導体レーザ素子１から広がり角をもち後
方に放射された光は，レンズ２により平行光に変換さ
れ，フィルタ３３を透過する。この平行光の光束径はフ
ィルタ３３の波長選択領域３１６を満たす大きさであれ
ば十分であり，それ以上大きくする必要はない。フィル
タ３２を透過した光のうち，非成膜部３３０以外の波長
選択領域３１６を透過した光の一部は受光素子４に入射
する。フィルタ３３を透過した光のうち，非成膜部３３
０を透過した光の一部あるいは全ては受光素子５に入射
する。なお，受光素子４，受光素子５の受光面の大きさ
によっては，平行光の光束径は波長選択領域３１６より
小さくすることもできる。
方に放射された光は，レンズ２により平行光に変換さ
れ，フィルタ３３を透過する。この平行光の光束径はフ
ィルタ３３の波長選択領域３１６を満たす大きさであれ
ば十分であり，それ以上大きくする必要はない。フィル
タ３２を透過した光のうち，非成膜部３３０以外の波長
選択領域３１６を透過した光の一部は受光素子４に入射
する。フィルタ３３を透過した光のうち，非成膜部３３
０を透過した光の一部あるいは全ては受光素子５に入射
する。なお，受光素子４，受光素子５の受光面の大きさ
によっては，平行光の光束径は波長選択領域３１６より
小さくすることもできる。
【００４２】第１の実施の形態と同様に，半導体レーザ
素子１から出射した光の波長が変動すると，フィルタ３
３が有する波長依存性に基づき波長選択領域３１６を透
過する光量が変動し，受光素子４が受光する光量が変動
し，受光素子４で発生する光電流量が変動する。よっ
て，受光素子４の光電流量をモニタすることにより，波
長変動を検知できる。
素子１から出射した光の波長が変動すると，フィルタ３
３が有する波長依存性に基づき波長選択領域３１６を透
過する光量が変動し，受光素子４が受光する光量が変動
し，受光素子４で発生する光電流量が変動する。よっ
て，受光素子４の光電流量をモニタすることにより，波
長変動を検知できる。
【００４３】半導体レーザ素子１から出射した光出力が
変動すると，非成膜部３３０を透過して受光素子５で受
光される光の量が変動し，受光素子５で発生する光電流
量が変動する。よって，受光素子５の光電流量をモニタ
することにより，光出力の変動を検知できる。本実施の
形態においても第１の実施の形態と同様に，受光素子
４，受光素子５からの光電流量を監視しながら，サーミ
スタ素子７およびペルチェ素子により温度制御を行っ
て，半導体レーザ素子１から放射される光の波長，光出
力を制御することができる。
変動すると，非成膜部３３０を透過して受光素子５で受
光される光の量が変動し，受光素子５で発生する光電流
量が変動する。よって，受光素子５の光電流量をモニタ
することにより，光出力の変動を検知できる。本実施の
形態においても第１の実施の形態と同様に，受光素子
４，受光素子５からの光電流量を監視しながら，サーミ
スタ素子７およびペルチェ素子により温度制御を行っ
て，半導体レーザ素子１から放射される光の波長，光出
力を制御することができる。
【００４４】以上より，本実施の形態によれば第１の実
施の形態と同様に，フィルタ３３の波長選択領域３１６
内に非成膜部３３０を設けることにより，波長選択領域
３１６に入射する光束で半導体レーザ素子１から放射さ
れる光の波長，光出力の両方を制御することができる。
これより，レンズ２を出射する平行光束の径は最大でも
波長選択領域３１６を満たせばよいので，従来に比べ平
行光束の径を小さくすることができる。よって，実装ス
ペースを大幅に低減でき，モジュールをコンパクトに構
成できる。
施の形態と同様に，フィルタ３３の波長選択領域３１６
内に非成膜部３３０を設けることにより，波長選択領域
３１６に入射する光束で半導体レーザ素子１から放射さ
れる光の波長，光出力の両方を制御することができる。
これより，レンズ２を出射する平行光束の径は最大でも
波長選択領域３１６を満たせばよいので，従来に比べ平
行光束の径を小さくすることができる。よって，実装ス
ペースを大幅に低減でき，モジュールをコンパクトに構
成できる。
【００４５】なお，第３の実施の形態において，非成膜
部３３０に反射防止膜を形成してもよい。これにより，
非成膜部３３０を透過して受光素子５に入射する光量が
増加し，光出力の変動の検知感度を向上できる。あるい
は，第３の実施の形態において，誘電体多層膜として波
長選択性機能と反射防止機能とを持つ誘電体多層膜を形
成してもよい。これにより，フィルタ３３の波長選択領
域を透過して受光素子４に入射する光量が増加し，波長
の変動の検知感度を向上できる。
部３３０に反射防止膜を形成してもよい。これにより，
非成膜部３３０を透過して受光素子５に入射する光量が
増加し，光出力の変動の検知感度を向上できる。あるい
は，第３の実施の形態において，誘電体多層膜として波
長選択性機能と反射防止機能とを持つ誘電体多層膜を形
成してもよい。これにより，フィルタ３３の波長選択領
域を透過して受光素子４に入射する光量が増加し，波長
の変動の検知感度を向上できる。
【００４６】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００４７】第１，第２の実施の形態において，貫通孔
３１０および切削部３２０は機械的加工あるいは化学的
加工により形成できる。フィルタ３１，３２を作製する
あたり，それぞれ貫通孔３１０，切削部３２０を形成し
た後に，入射面および出射面に誘電体多層膜を形成する
ことが好ましい。これは，誘電体多層膜を先に形成する
と，貫通孔３１０，切削部３２０作製時に誘電体多層膜
にダメージが生じる恐れがあるためである。逆に，貫通
孔３１０，切削部３２０の壁面に誘電体多層膜が形成さ
れても基本機能に影響を与えない。また，貫通孔３１０
および切削部３２０は形状は上記例に限定されるもので
はない。
３１０および切削部３２０は機械的加工あるいは化学的
加工により形成できる。フィルタ３１，３２を作製する
あたり，それぞれ貫通孔３１０，切削部３２０を形成し
た後に，入射面および出射面に誘電体多層膜を形成する
ことが好ましい。これは，誘電体多層膜を先に形成する
と，貫通孔３１０，切削部３２０作製時に誘電体多層膜
にダメージが生じる恐れがあるためである。逆に，貫通
孔３１０，切削部３２０の壁面に誘電体多層膜が形成さ
れても基本機能に影響を与えない。また，貫通孔３１０
および切削部３２０は形状は上記例に限定されるもので
はない。
【００４８】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように本発明によ
れば，実装スペースを大幅に低減でき，コンパクトに構
成可能な半導体レーザモジュールを提供できる。
れば，実装スペースを大幅に低減でき，コンパクトに構
成可能な半導体レーザモジュールを提供できる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかる半導体レ
ーザモジュールを示す構成図である。
ーザモジュールを示す構成図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態にかかるフィルタ
の概略構成を示す斜視図である。
の概略構成を示す斜視図である。
【図３】 本発明の第２の実施の形態にかかる半導体レ
ーザモジュールを示す構成図である。
ーザモジュールを示す構成図である。
【図４】 本発明の第２の実施の形態にかかるフィルタ
の概略構成を示す斜視図である。
の概略構成を示す斜視図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態にかかる半導体レ
ーザモジュールを示す構成図である。
ーザモジュールを示す構成図である。
【図６】 本発明の第３の実施の形態にかかるフィルタ
の概略構成を示す斜視図である。
の概略構成を示す斜視図である。
【図７】 従来の半導体レーザモジュールを示す切開斜
視図である。
視図である。
【図８】 従来の半導体レーザモジュールを示す構成図
である。
である。
１ 半導体レーザ素子
２，８ レンズ
３，３１，３２，３３ フィルタ
４，５ 受光素子
６ 光軸
７ サーミスタ素子
９ サブ基板
１０ ペルチェ素子
１１ パッケージ
１２ アイソレータ
１３ 光ファイバ
３１０ 貫通孔
３１６ 波長選択領域
３２０ 切削部
３３０ 非成膜部
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子と，前記半導体レーザ
素子から出射されるレーザ光が入射し，所定の波長選択
性を有する波長選択領域と，前記波長選択領域内に設け
られ前記レーザ光の一部が通過する貫通孔と，を有する
フィルタと，前記貫通孔以外の前記波長選択領域を透過
した光を受光する第１の受光素子と，前記貫通孔を通過
した光を受光する第２の受光素子と，を具備することを
特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項２】 半導体レーザ素子と，前記半導体レーザ
素子から出射されるレーザ光が入射し，所定の波長選択
性を有する波長選択領域と，少なくともその一部が前記
波長選択領域内に設けられ前記レーザ光の一部が通過で
きるよう入射面から出射面にわたる部分が切削された切
削部と，を有するフィルタと，前記切削部以外の前記波
長選択領域を透過した光を受光する第１の受光素子と，
前記切削部を通過した光を受光する第２の受光素子と，
を具備することを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項３】 半導体レーザ素子と，前記半導体レーザ
素子から出射されるレーザ光が入射し，所定の波長選択
性を持たせるための膜が表面に形成され所定の波長選択
性を有する波長選択領域と，前記波長選択領域を外周に
持ち且つ前記膜が形成されていない非成膜部と，を有す
るフィルタと，前記波長選択領域を透過した光を受光す
る第１の受光素子と，前記非成膜部を透過した光を受光
する第２の受光素子と，を具備することを特徴とする半
導体レーザモジュール。 - 【請求項４】 前記非成膜部には反射防止膜が成膜され
ていることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ
モジュール。 - 【請求項５】 前記膜はさらに反射防止機能を有するこ
とを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザモジュー
ル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004432A JP2003209317A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 半導体レーザモジュール |
| US10/254,986 US20030133480A1 (en) | 2002-01-11 | 2002-09-26 | Semiconductor laser module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004432A JP2003209317A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209317A true JP2003209317A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=19191004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002004432A Withdrawn JP2003209317A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030133480A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003209317A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006201409A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光学フィルタ、光学フィルタを用いた波長多重光カプラ、およびその製造方法 |
| JP2008218503A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュール及びその出射光の波長変化又は劣化を検知する方法 |
| KR100976299B1 (ko) | 2008-04-07 | 2010-08-16 | 엘에스전선 주식회사 | 양방향 광모듈 및 이를 이용한 레이저 거리 측정장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7416994B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-08-26 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition systems and methods including metal beta-diketiminate compounds |
| US10050405B2 (en) * | 2016-04-19 | 2018-08-14 | Lumentum Operations Llc | Wavelength locker using multiple feedback curves to wavelength lock a beam |
| US10670803B2 (en) | 2017-11-08 | 2020-06-02 | Lumentum Operations Llc | Integrated wavelength monitor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2968916B2 (ja) * | 1993-08-25 | 1999-11-02 | ローム株式会社 | 光ファイバレセプタクルの製法 |
| CA2347551A1 (en) * | 2000-05-16 | 2001-11-16 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JP4656614B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2011-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 波長安定化ユニット及び波長安定化レーザモジュール |
| JP3794552B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2006-07-05 | 古河電気工業株式会社 | 光モジュール、光送信器及び光モジュールの製造方法 |
| JP2002319736A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | レーザ光の波長調整装置 |
| US20030039277A1 (en) * | 2001-05-15 | 2003-02-27 | Hideyuki Nasu | Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser module |
| US6822986B2 (en) * | 2001-06-01 | 2004-11-23 | The Furakawa Electric Co., Ltd. | Method of controlling a wavelength of a semiconductor laser, optical module, optical transmitter, WDM optical transmission apparatus, and method of controlling a wavelength of an optical module |
| US6807208B2 (en) * | 2001-08-22 | 2004-10-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser module |
| JP4087121B2 (ja) * | 2001-08-22 | 2008-05-21 | 古河電気工業株式会社 | 波長モニタおよびそれを内蔵したレーザモジュール |
-
2002
- 2002-01-11 JP JP2002004432A patent/JP2003209317A/ja not_active Withdrawn
- 2002-09-26 US US10/254,986 patent/US20030133480A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2006201409A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光学フィルタ、光学フィルタを用いた波長多重光カプラ、およびその製造方法 |
| JP2008218503A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュール及びその出射光の波長変化又は劣化を検知する方法 |
| KR100976299B1 (ko) | 2008-04-07 | 2010-08-16 | 엘에스전선 주식회사 | 양방향 광모듈 및 이를 이용한 레이저 거리 측정장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030133480A1 (en) | 2003-07-17 |
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|---|---|---|---|
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