JP2003209268A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光出力モニタ用受光素子の実装に際し、組立
工数を削減し、コストを低減した光モジュールを提供す
る。 【解決手段】 本発明に係る光モジュールは、発光素子
とその光出力モニタ用受光素子とその実装基板を備え、
光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記
光出力モニタ用受光素子を実装基板上に水平に実装され
る、光モジュールである。その光モジュールは、上記モ
ニタ用受光素子の入射光側基材端面に、回折格子、凹凸
パターンを備えるプリズム等の光学素子が形成されてい
る。
工数を削減し、コストを低減した光モジュールを提供す
る。 【解決手段】 本発明に係る光モジュールは、発光素子
とその光出力モニタ用受光素子とその実装基板を備え、
光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記
光出力モニタ用受光素子を実装基板上に水平に実装され
る、光モジュールである。その光モジュールは、上記モ
ニタ用受光素子の入射光側基材端面に、回折格子、凹凸
パターンを備えるプリズム等の光学素子が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用に用いら
れる半導体レーザダイオード（以下、ＬＤと示す）等の
発光素子とその光出力モニタ用の受光素子を使用した半
導体レーザ装置及びその製造方法に関わり、特に、半導
体ＬＤの背面側からの出射光を取り込むための受光素子
を実装する方法に関する。
れる半導体レーザダイオード（以下、ＬＤと示す）等の
発光素子とその光出力モニタ用の受光素子を使用した半
導体レーザ装置及びその製造方法に関わり、特に、半導
体ＬＤの背面側からの出射光を取り込むための受光素子
を実装する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバを用いた公衆通信網の普及に
は、高性能の半導体レーザ装置を廉価で製造することが
重要である。
は、高性能の半導体レーザ装置を廉価で製造することが
重要である。
【０００３】半導体ＬＤは、時間経過による劣化や作動
中の温度上昇に伴って、出力が低下する。このため、光
通信用の半導体ＬＤにおいては、半導体ＬＤの裏面側か
らの出射光（以下、モニタ光と示す）をその光出力モニ
タ用の受光素子（以下、モニタ用受光素子と示す）にて
受光し、ここで発生する電流に基づいて半導体ＬＤを制
御し、半導体ＬＤの出力を一定に保っている。
中の温度上昇に伴って、出力が低下する。このため、光
通信用の半導体ＬＤにおいては、半導体ＬＤの裏面側か
らの出射光（以下、モニタ光と示す）をその光出力モニ
タ用の受光素子（以下、モニタ用受光素子と示す）にて
受光し、ここで発生する電流に基づいて半導体ＬＤを制
御し、半導体ＬＤの出力を一定に保っている。
【０００４】図８は、従来技術に係る半導体レーザ装置
５０の一つの例の（１）斜視図、及び（２）一部破断側
面図である。図８において、２は基板、４は半導体ＬＤ
素子、６は半導体ＬＤ素子の活性層、８はモニタ用受光
素子の基材、１０はモニタ用受光素子の受光感度層、１
２はモニタ用受光素子、１４はモニタ光、１６はレーザ
出力光、１０２は半導体ＬＤサブキャリア、１０４はモ
ニタ用受光素子のサブマウントである。
５０の一つの例の（１）斜視図、及び（２）一部破断側
面図である。図８において、２は基板、４は半導体ＬＤ
素子、６は半導体ＬＤ素子の活性層、８はモニタ用受光
素子の基材、１０はモニタ用受光素子の受光感度層、１
２はモニタ用受光素子、１４はモニタ光、１６はレーザ
出力光、１０２は半導体ＬＤサブキャリア、１０４はモ
ニタ用受光素子のサブマウントである。
【０００５】図８の半導体レーザ装置５０においては、
半導体ＬＤ素子４の後方から出射されたモニタ光１４を
効率よく受光するために、モニタ光１４に対してモニタ
用受光素子１２が垂直となるよう配置されている。
半導体ＬＤ素子４の後方から出射されたモニタ光１４を
効率よく受光するために、モニタ光１４に対してモニタ
用受光素子１２が垂直となるよう配置されている。
【０００６】図９は、従来技術に係る半導体レーザ装置
の別の例の一部破断側面図である。図８と同じ符号は、
同じものまたは相当のものを示す。更に、１０６はスペ
ーサ、１０８は反射膜である。
の別の例の一部破断側面図である。図８と同じ符号は、
同じものまたは相当のものを示す。更に、１０６はスペ
ーサ、１０８は反射膜である。
【０００７】図９の半導体レーザ装置５０においては、
モニタ光１４を基板２上の反射膜１０８で反射させ、受
光感度層１０の感度面に導いている。これらの従来技術
の例（図８、図９）は、特開２０００−３２３７４５号
で開示されている。
モニタ光１４を基板２上の反射膜１０８で反射させ、受
光感度層１０の感度面に導いている。これらの従来技術
の例（図８、図９）は、特開２０００−３２３７４５号
で開示されている。
【０００８】図８に係る半導体レーザ装置５０において
は、確かに、モニタ用受光素子１２の受光感度層１０に
多くの光を取り入れることが可能である。しかし一方
で、モニタ用受光素子１２をモニタ光１４に対して垂直
となるように設定するのは、時間及び工数がかかるとい
った問題がある。また、モニタ用受光素子１２とモニタ
用受光素子サブマウント１０４との間のワイヤリング作
業が困難であるという問題もある。
は、確かに、モニタ用受光素子１２の受光感度層１０に
多くの光を取り入れることが可能である。しかし一方
で、モニタ用受光素子１２をモニタ光１４に対して垂直
となるように設定するのは、時間及び工数がかかるとい
った問題がある。また、モニタ用受光素子１２とモニタ
用受光素子サブマウント１０４との間のワイヤリング作
業が困難であるという問題もある。
【０００９】また、図９に係る半導体レーザ装置５０に
おいては、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２と
が水平（即ち、基板２に平行）に配設されるので、図８
に係る半導体レーザ装置５０における問題点は解決され
ている。しかしながら、構造が複雑であるため、実装コ
ストを大きく低減させることができない。
おいては、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２と
が水平（即ち、基板２に平行）に配設されるので、図８
に係る半導体レーザ装置５０における問題点は解決され
ている。しかしながら、構造が複雑であるため、実装コ
ストを大きく低減させることができない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、モニタ用受
光素子１２の実装の工程においてコストを低減し、更
に、モニタ光を受光感度層に精度よく取り込むモニタ用
受光素子を備える半導体レーザ装置を提供することを、
目的とする。
光素子１２の実装の工程においてコストを低減し、更
に、モニタ光を受光感度層に精度よく取り込むモニタ用
受光素子を備える半導体レーザ装置を提供することを、
目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するためになされたものである。本発明に係る請求
項１に記載の光モジュールは、発光素子とその光出力モ
ニタ用受光素子を備え、モニタ用受光素子の平面状に形
成された受光感度層が基材側に感度を持つ構造とし、上
記発光素子と上記モニタ用受光素子が実装基板上に水平
に実装される光モジュールである。その光モジュール
は、モニタ用受光素子のモニタ光の入射側基材端面に回
折格子、又は凹凸パターンを備えるプリズム等の光学素
子を形成している。
達成するためになされたものである。本発明に係る請求
項１に記載の光モジュールは、発光素子とその光出力モ
ニタ用受光素子を備え、モニタ用受光素子の平面状に形
成された受光感度層が基材側に感度を持つ構造とし、上
記発光素子と上記モニタ用受光素子が実装基板上に水平
に実装される光モジュールである。その光モジュール
は、モニタ用受光素子のモニタ光の入射側基材端面に回
折格子、又は凹凸パターンを備えるプリズム等の光学素
子を形成している。
【００１２】本発明に係る請求項２に記載の光モジュー
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、モニタ用受光素子のモ
ニタ光の入射側基材端面において、粗面が形成されてい
る。
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、モニタ用受光素子のモ
ニタ光の入射側基材端面において、粗面が形成されてい
る。
【００１３】本発明に係る請求項３に記載の光モジュー
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、モニタ用受光素子の基
材部分において、屈折率分布層を形成している。
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、モニタ用受光素子の基
材部分において、屈折率分布層を形成している。
【００１４】本発明に係る請求項４に記載の光モジュー
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、実装基板のモニタ用受
光素子を搭載する面が、発光素子を搭載する面に対し
て、勾配を有している。
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、実装基板のモニタ用受
光素子を搭載する面が、発光素子を搭載する面に対し
て、勾配を有している。
【００１５】本発明に係る請求項５に記載の光モジュー
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、モニタ用受光素子のモ
ニタ光の入射側基材端面に反射防止膜（ＡＲコート）、
その反対側の基材端面に高反射膜（ＨＲコート）を施さ
れている。
ルは、発光素子とその光出力モニタ用受光素子を備え、
モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度層が基
材側に感度を持つ構造とし、上記発光素子と上記モニタ
用受光素子が実装基板上に水平に実装される光モジュー
ルである。その光モジュールは、モニタ用受光素子のモ
ニタ光の入射側基材端面に反射防止膜（ＡＲコート）、
その反対側の基材端面に高反射膜（ＨＲコート）を施さ
れている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下において、図面を参照しつつ
本発明に係る実施の形態について説明する。
本発明に係る実施の形態について説明する。
【００１７】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。図１において、２は基板、４は半導体ＬＤ素子、６
は半導体ＬＤ素子の活性層、８はモニタ用受光素子の基
材、１０はモニタ用受光素子の受光感度層、１２はモニ
タ用受光素子、１４はモニタ光、１６はレーザ出力光で
ある。
態１に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。図１において、２は基板、４は半導体ＬＤ素子、６
は半導体ＬＤ素子の活性層、８はモニタ用受光素子の基
材、１０はモニタ用受光素子の受光感度層、１２はモニ
タ用受光素子、１４はモニタ光、１６はレーザ出力光で
ある。
【００１８】図１の半導体レーザ装置５０では、半導体
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基板２上
に水平に実装される。更に、モニタ用受光素子１２内で
平面状に形成される受光感度層１０にて、基材８側が感
度面となるよう設定されている。ここで、上記のモニタ
用受光素子１２の基材端面には、回折格子２４、又は、
凹凸部を有するプリズム等の光学素子が形成されてい
る。
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基板２上
に水平に実装される。更に、モニタ用受光素子１２内で
平面状に形成される受光感度層１０にて、基材８側が感
度面となるよう設定されている。ここで、上記のモニタ
用受光素子１２の基材端面には、回折格子２４、又は、
凹凸部を有するプリズム等の光学素子が形成されてい
る。
【００１９】従って、上記のモニタ用受光素子１２で
は、モニタ光１４は基材８のモニタ光１４の入射側端面
において屈折され、受光感度層１０に導かれる。ここ
で、モニタ用受光素子１２は、受光感度層１０におい
て、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光量を得られる
位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装されている。
は、モニタ光１４は基材８のモニタ光１４の入射側端面
において屈折され、受光感度層１０に導かれる。ここ
で、モニタ用受光素子１２は、受光感度層１０におい
て、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光量を得られる
位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装されている。
【００２０】実施の形態１に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。
の概略の製造工程を示す。
【００２１】（１）まず、モニタ用受光素子１２の基材
端面に、凹凸のパターン、もしくは回折格子２４を形成
する。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で凹凸パターン、回折格子２４等が刻み込まれた基材端
面側が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ光）１４と
対向するよう実装する。 （４）以上により実施の形態１に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
端面に、凹凸のパターン、もしくは回折格子２４を形成
する。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で凹凸パターン、回折格子２４等が刻み込まれた基材端
面側が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ光）１４と
対向するよう実装する。 （４）以上により実施の形態１に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
【００２２】本実施の形態では、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
【００２３】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態２は、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
態２に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態２は、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
【００２４】図２の半導体レーザ装置５０でも、半導体
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基板２上
に水平に実装され、モニタ用受光素子１２内で平面状に
形成される受光感度層１０にて、基材８側が感度面とな
るよう設定されている。更にこの実施の形態２では、上
記のモニタ用受光素子１２の基材端面に、粗面２６が形
成される。
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基板２上
に水平に実装され、モニタ用受光素子１２内で平面状に
形成される受光感度層１０にて、基材８側が感度面とな
るよう設定されている。更にこの実施の形態２では、上
記のモニタ用受光素子１２の基材端面に、粗面２６が形
成される。
【００２５】従って、実施の形態２のモニタ用受光素子
１２では、モニタ光１４は粗面２６である基材８のモニ
タ光の入射側端面において散乱され、受光感度層１０に
導かれる。ここで、モニタ用受光素子１２は、受光感度
層１０において、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光
量を得られる位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装さ
れている。
１２では、モニタ光１４は粗面２６である基材８のモニ
タ光の入射側端面において散乱され、受光感度層１０に
導かれる。ここで、モニタ用受光素子１２は、受光感度
層１０において、半導体ＬＤの出力を制御するに足る光
量を得られる位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実装さ
れている。
【００２６】実施の形態２に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。
の概略の製造工程を示す。
【００２７】（１）まず、モニタ用受光素子１２の基材
端面に、粗面２６を形成する。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で粗面２６が刻み込まれた基材端面側が、半導体ＬＤ素
子４の背面光（モニタ光）１４と対向するよう実装す
る。 （４）以上により実施の形態２に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
端面に、粗面２６を形成する。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で粗面２６が刻み込まれた基材端面側が、半導体ＬＤ素
子４の背面光（モニタ光）１４と対向するよう実装す
る。 （４）以上により実施の形態２に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
【００２８】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
【００２９】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態３に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態３も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
態３に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態３も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
【００３０】図３の半導体レーザ装置５０においても、
半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基
板２上に水平に実装され、モニタ用受光素子１２内で平
面状に形成される受光感度層１０において、基材８側が
感度面になるように設定されている。更に、この実施の
形態３では、上記モニタ用受光素子１２の基材８に、屈
折率を変化させるドーパンドを選択拡張させ、屈折率分
布層２８を形成する。
半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが、実装基
板２上に水平に実装され、モニタ用受光素子１２内で平
面状に形成される受光感度層１０において、基材８側が
感度面になるように設定されている。更に、この実施の
形態３では、上記モニタ用受光素子１２の基材８に、屈
折率を変化させるドーパンドを選択拡張させ、屈折率分
布層２８を形成する。
【００３１】従って、実施の形態３のモニタ用受光素子
１２では、モニタ光１４はモニタ用受光素子１２の基材
８の屈折率分布層２８において屈折され、受光感度層１
０に導かれる。ここで、モニタ用受光素子１２は、受光
感度層１０において、半導体ＬＤの出力を制御するに足
る光量を得られる位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実
装されている。
１２では、モニタ光１４はモニタ用受光素子１２の基材
８の屈折率分布層２８において屈折され、受光感度層１
０に導かれる。ここで、モニタ用受光素子１２は、受光
感度層１０において、半導体ＬＤの出力を制御するに足
る光量を得られる位置で、半導体ＬＤ素子４に対して実
装されている。
【００３２】実施の形態３に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。
の概略の製造工程を示す。
【００３３】（１）まず、モニタ用受光素子１２の基材
端面に、屈折率変化のドーパンドを選択拡張しておく。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で屈折率変化のドーパンドが刻み込まれた基材端面側
が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ光）１４と対向
するよう実装する。 （４）以上により実施の形態３に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
端面に、屈折率変化のドーパンドを選択拡張しておく。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で屈折率変化のドーパンドが刻み込まれた基材端面側
が、半導体ＬＤ素子４の背面光（モニタ光）１４と対向
するよう実装する。 （４）以上により実施の形態３に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
【００３４】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
【００３５】実施の形態４．図４（１）（２）は、本発
明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置５０の一部破
断側面図である。この実施の形態４も、上記の実施の形
態１に係る半導体レーザ装置５０と略同様の構成であ
り、よって同一箇所には同一符号を付して説明を略し、
異なる部位及び箇所を中心に説明を進める。
明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置５０の一部破
断側面図である。この実施の形態４も、上記の実施の形
態１に係る半導体レーザ装置５０と略同様の構成であ
り、よって同一箇所には同一符号を付して説明を略し、
異なる部位及び箇所を中心に説明を進める。
【００３６】図４（１）（２）の半導体レーザ装置５０
でも、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが実
装基板２に実装される。但し、基板２は表面にＶ字型溝
（図４（１）参照）或いは面取り部（図４（２）参照）
などの傾斜面を有しており、モニタ用受光素子１２はそ
れらの傾斜面上に搭載される。
でも、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが実
装基板２に実装される。但し、基板２は表面にＶ字型溝
（図４（１）参照）或いは面取り部（図４（２）参照）
などの傾斜面を有しており、モニタ用受光素子１２はそ
れらの傾斜面上に搭載される。
【００３７】一方、モニタ用受光素子１２内で平面状に
形成される受光感度層１０は、本実施の形態４において
も基材８側が感度面となるように設定されている。
形成される受光感度層１０は、本実施の形態４において
も基材８側が感度面となるように設定されている。
【００３８】従って、実施の形態４のモニタ用受光素子
１２では、モニタ光１４が基材８の入射側端面において
屈折され、受光感度層１０に導かれる。ここで、モニタ
用受光素子１２は、受光感度層１０において、半導体Ｌ
Ｄの出力を制御するに足る光量を得られる位置で、半導
体ＬＤ素子４に対して実装されている。
１２では、モニタ光１４が基材８の入射側端面において
屈折され、受光感度層１０に導かれる。ここで、モニタ
用受光素子１２は、受光感度層１０において、半導体Ｌ
Ｄの出力を制御するに足る光量を得られる位置で、半導
体ＬＤ素子４に対して実装されている。
【００３９】実施の形態４に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。
の概略の製造工程を示す。
【００４０】（１）まず、基板２にＶ字型溝（図４
（１）参照）もしくは面取り部（図４（２）参照）など
の傾斜面を形成する。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で形成されたＶ字型溝・面取り部の傾斜面上に実装す
る。 （４）以上により実施の形態４に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
（１）参照）もしくは面取り部（図４（２）参照）など
の傾斜面を形成する。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
で形成されたＶ字型溝・面取り部の傾斜面上に実装す
る。 （４）以上により実施の形態４に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
【００４１】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
【００４２】また、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置５０によれば、モニタ用受光素子１２及びサブマウン
ト２０の基材端面からの反射戻り光３０は、入射光（モ
ニタ光１４）と方向が異なるため、再び、反射戻り光３
０が半導体ＬＤ素子４に入ることを抑制でき、安定した
レーザ光出力を得ることができる。
置５０によれば、モニタ用受光素子１２及びサブマウン
ト２０の基材端面からの反射戻り光３０は、入射光（モ
ニタ光１４）と方向が異なるため、再び、反射戻り光３
０が半導体ＬＤ素子４に入ることを抑制でき、安定した
レーザ光出力を得ることができる。
【００４３】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態５に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態５も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
態５に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態５も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
【００４４】図５の半導体レーザ装置５０でも、半導体
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが実装基板２に実
装される。但し、基板２は表面に大きさの異なる２対の
Ａｕバンプ３２を有しており、モニタ用受光素子１２は
それらＡｕバンプ３２上に基板２に対して傾斜して搭載
される。
ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１２とが実装基板２に実
装される。但し、基板２は表面に大きさの異なる２対の
Ａｕバンプ３２を有しており、モニタ用受光素子１２は
それらＡｕバンプ３２上に基板２に対して傾斜して搭載
される。
【００４５】一方、モニタ用受光素子１２内で平面状に
形成される受光感度層１０は、本実施の形態５において
も基材８側が感度面となるように設定されている。
形成される受光感度層１０は、本実施の形態５において
も基材８側が感度面となるように設定されている。
【００４６】従って、実施の形態５のモニタ用受光素子
１２においても、実施の形態４と同様、モニタ光１４が
モニタ用受光素子１２のモニタ光の入射側基材端面にお
いて屈折され、受光感度層１０に導かれる。ここで、モ
ニタ用受光素子１２は、受光感度層１０において、半導
体ＬＤの出力を制御するに足る光量を得られる位置で、
半導体ＬＤ素子４に対して実装されている。
１２においても、実施の形態４と同様、モニタ光１４が
モニタ用受光素子１２のモニタ光の入射側基材端面にお
いて屈折され、受光感度層１０に導かれる。ここで、モ
ニタ用受光素子１２は、受光感度層１０において、半導
体ＬＤの出力を制御するに足る光量を得られる位置で、
半導体ＬＤ素子４に対して実装されている。
【００４７】実施の形態５に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。
の概略の製造工程を示す。
【００４８】（１）まず、基板２上に半導体ＬＤ素子４
を実装する。 （２）次に、基板２上にて、モニタ用受光素子１２の実
装位置にあたる箇所に大きさの異なる２対のＡｕバンプ
３２を形成する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（２）
で形成されたＡｕバンプ３２上に実装する。半導体ＬＤ
素子４に近い方のＡｕバンプ３２の対は小さく遠い方の
対は大きく形成されているため、モニタ用受光素子１２
は基板２に対して傾斜して実装される。 （４）以上により実施の形態５に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
を実装する。 （２）次に、基板２上にて、モニタ用受光素子１２の実
装位置にあたる箇所に大きさの異なる２対のＡｕバンプ
３２を形成する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（２）
で形成されたＡｕバンプ３２上に実装する。半導体ＬＤ
素子４に近い方のＡｕバンプ３２の対は小さく遠い方の
対は大きく形成されているため、モニタ用受光素子１２
は基板２に対して傾斜して実装される。 （４）以上により実施の形態５に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
【００４９】上記の製造工程において、対となるＡｕバ
ンプ３２の大きさを制御することにより、半導体ＬＤ素
子４に対するモニタ用受光素子１２の位置を制御するこ
とができる。
ンプ３２の大きさを制御することにより、半導体ＬＤ素
子４に対するモニタ用受光素子１２の位置を制御するこ
とができる。
【００５０】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
【００５１】また、本実施の形態に係る半導体レーザ装
置５０においても、モニタ用受光素子１２及びサブマウ
ント２０の基材端面からの反射戻り光３０は、入射光
（モニタ光１４）と方向が異なるため、再び、反射戻り
光３０が半導体ＬＤ素子４に入ることを抑制でき、安定
したレーザ光出力を得ることができる。
置５０においても、モニタ用受光素子１２及びサブマウ
ント２０の基材端面からの反射戻り光３０は、入射光
（モニタ光１４）と方向が異なるため、再び、反射戻り
光３０が半導体ＬＤ素子４に入ることを抑制でき、安定
したレーザ光出力を得ることができる。
【００５２】実施の形態６．図６は、本発明の実施の形
態６に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態６も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
態６に係る半導体レーザ装置５０の一部破断側面図であ
る。この実施の形態６も、上記の実施の形態１に係る半
導体レーザ装置５０と略同様の構成であり、よって同一
箇所には同一符号を付して説明を略し、異なる部位及び
箇所を中心に説明を進める。
【００５３】図６の半導体レーザ装置５０でも、実施の
形態１と同様に、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子
１２とが、実装基板２上に水平に実装され、モニタ用受
光素子１２内で平面状に形成される受光感度層１０に
て、基材８側が感度面となるよう設定されている。更に
この実施の形態６では、上記のモニタ用受光素子１２に
関して、背面光（モニタ光）１４の入射側基材端面にＡ
Ｒコート（反射防止膜）３４が、その反対側の基材端面
にＨＲコート（高反射膜）３６が施される。
形態１と同様に、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子
１２とが、実装基板２上に水平に実装され、モニタ用受
光素子１２内で平面状に形成される受光感度層１０に
て、基材８側が感度面となるよう設定されている。更に
この実施の形態６では、上記のモニタ用受光素子１２に
関して、背面光（モニタ光）１４の入射側基材端面にＡ
Ｒコート（反射防止膜）３４が、その反対側の基材端面
にＨＲコート（高反射膜）３６が施される。
【００５４】従って、実施の形態６のモニタ用受光素子
１２では、モニタ用受光素子１２に入射したモニタ光１
４がモニタ用受光素子１２内に閉じ込められ、受光感度
層１０に効率よく取り込まれる。ここで、モニタ用受光
素子１２は、受光感度層１０において、半導体ＬＤの出
力を制御するに足る光量を得られる位置で、半導体ＬＤ
素子４に対して実装されている。
１２では、モニタ用受光素子１２に入射したモニタ光１
４がモニタ用受光素子１２内に閉じ込められ、受光感度
層１０に効率よく取り込まれる。ここで、モニタ用受光
素子１２は、受光感度層１０において、半導体ＬＤの出
力を制御するに足る光量を得られる位置で、半導体ＬＤ
素子４に対して実装されている。
【００５５】実施の形態６に係る半導体レーザ装置５０
の概略の製造工程を示す。
の概略の製造工程を示す。
【００５６】（１）まず、モニタ用受光素子１２の向か
い合う２つの基材端面に、夫々ＡＲコート３４およびＨ
Ｒコート３６を形成しておく。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
でＡＲコート３４が施された基材端面側が、半導体ＬＤ
素子４の背面光（モニタ光）１４と対向するよう実装す
る。 （４）以上により実施の形態６に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
い合う２つの基材端面に、夫々ＡＲコート３４およびＨ
Ｒコート３６を形成しておく。 （２）次に、基板２上に半導体ＬＤ素子４を実装する。 （３）続いて、モニタ用受光素子１２を、前工程（１）
でＡＲコート３４が施された基材端面側が、半導体ＬＤ
素子４の背面光（モニタ光）１４と対向するよう実装す
る。 （４）以上により実施の形態６に係る半導体レーザ装置
５０が作成される。
【００５７】本実施の形態でも、基板２上に半導体ＬＤ
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
素子４を実装した後、その半導体ＬＤ素子４の実装位置
を基準にして同一平面上にモニタ用受光素子１２を設置
する。従って、半導体ＬＤ素子４とモニタ用受光素子１
２との位置合わせの際に発生しがちなずれを少なくで
き、よって位置ずれによる光出力の減少を防ぐことがで
きる。
【００５８】また、本実施の形態６に限らず、本発明
（例えば、実施の形態１乃至実施の形態５）において
は、モニタ用受光素子１２表面に電極部を設置し、ワイ
ヤボンダ配線を行うことができるため、ワイヤリングは
比較的容易である。図７にそのワイヤボンダ配線を施し
た本発明に係る半導体レーザ装置５０の斜視図を示す。
（例えば、実施の形態１乃至実施の形態５）において
は、モニタ用受光素子１２表面に電極部を設置し、ワイ
ヤボンダ配線を行うことができるため、ワイヤリングは
比較的容易である。図７にそのワイヤボンダ配線を施し
た本発明に係る半導体レーザ装置５０の斜視図を示す。
【００５９】
【発明の効果】以上により、本発明によれば、光出力モ
ニタ用受光素子の実装に際し、組立工数の削減により、
実装に伴うコストを大幅に低減することができる。特
に、本発明に係る請求項４の光モジュールによれば、モ
ニタ用受光素子の基材端面からの反射戻り光が半導体Ｌ
Ｄに入ることも抑制でき、安定したレーザ光出力を得る
ことができる。
ニタ用受光素子の実装に際し、組立工数の削減により、
実装に伴うコストを大幅に低減することができる。特
に、本発明に係る請求項４の光モジュールによれば、モ
ニタ用受光素子の基材端面からの反射戻り光が半導体Ｌ
Ｄに入ることも抑制でき、安定したレーザ光出力を得る
ことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。
置の一部破断側面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。
置の一部破断側面図である。
【図３】 本発明の実施の形態３に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。
置の一部破断側面図である。
【図４】 本発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。
置の一部破断側面図である。
【図５】 本発明の実施の形態５に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。
置の一部破断側面図である。
【図６】 本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ装
置の一部破断側面図である。
置の一部破断側面図である。
【図７】 ワイヤボンダ配線を施した本発明に係る半導
体レーザ装置の斜視図である。
体レーザ装置の斜視図である。
【図８】 従来技術に係る半導体レーザ装置の一つの例
の（１）斜視図、及び（２）一部破断側面図である。
の（１）斜視図、及び（２）一部破断側面図である。
【図９】 従来技術に係る半導体レーザ装置の別の例の
一部破断側面図である。
一部破断側面図である。
２ 基板、 ４ 半導体レーザダイオード素子、 ６
半導体レーザダイオード素子活性層、 ８ モニタ用受
光素子基材、 １０ モニタ用受光素子受光感度層、
１２ モニタ用受光素子、 １４ モニタ光、 １６
レーザ出力光、２４ 回折格子、 ２６ 粗面、 ２８
屈折率分布層、 ３０ 反射戻り光、 ３２ Ａｕバ
ンプ、 ３４ 反射防止膜（ＡＲコート）、 ３６ 高
反射膜（ＨＲコート）、 ５０ 半導体レーザ装置、
１０２ 半導体ＬＤサブキャリア、 １０４ モニタ用
受光素子のサブマウント、 １０６ スペーサ、 １０
８ 反射膜。
半導体レーザダイオード素子活性層、 ８ モニタ用受
光素子基材、 １０ モニタ用受光素子受光感度層、
１２ モニタ用受光素子、 １４ モニタ光、 １６
レーザ出力光、２４ 回折格子、 ２６ 粗面、 ２８
屈折率分布層、 ３０ 反射戻り光、 ３２ Ａｕバ
ンプ、 ３４ 反射防止膜（ＡＲコート）、 ３６ 高
反射膜（ＨＲコート）、 ５０ 半導体レーザ装置、
１０２ 半導体ＬＤサブキャリア、 １０４ モニタ用
受光素子のサブマウント、 １０６ スペーサ、 １０
８ 反射膜。
フロントページの続き
(72)発明者 酒井 清秀
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 井沢 浩
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 武本 彰
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 八田 竜夫
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 5F073 AB25 BA02 EA15 FA04 GA12
5F088 BA16 BA18 BB01 DA17 DA20
JA05 JA10 JA11 JA20
5F089 AA01 AB03 AC02 AC11 AC13
CA15 GA01 GA10
Claims (5)
- 【請求項１】 発光素子とその光出力モニタ用受光素子
を備える光モジュールにおいて、 光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、 上記発光素子と上記光出力モニタ用受光素子を実装基板
上に水平に実装したものであって、 上記光出力モニタ用受光素子のモニタ光の入射側基材端
面に、回折格子、又は凹凸パターンを備えるプリズム等
の光学素子が形成されていることを特徴とした光モジュ
ール。 - 【請求項２】 発光素子とその光出力モニタ用受光素子
を備える光モジュールにおいて、 光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、 上記発光素子と上記光出力モニタ用受光素子を実装基板
上に水平に実装したものであって、 上記光出力モニタ用受光素子のモニタ光の入射側基材端
面を粗面とすることを特徴とした光モジュール。 - 【請求項３】 発光素子とその光出力モニタ用受光素子
を備える光モジュールにおいて、 光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、 上記発光素子と上記光出力モニタ用受光素子を実装基板
上に水平に実装したものであって、 上記光出力モニタ用受光素子の基材に屈折率を変化させ
るドーパンドが注入され、基材に屈折率分布層が形成さ
れていることを特徴とした光モジュール。 - 【請求項４】 発光素子とその光出力モニタ用受光素子
を備える光モジュールにおいて、 光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、 上記発光素子と上記光出力モニタ用受光素子を実装基板
上に水平に実装したものであって、 実装基板の光出力モニタ用受光素子を搭載する面が発光
素子を搭載する面に対して、勾配を有することを特徴と
した光モジュール。 - 【請求項５】 発光素子とその光出力モニタ用受光素子
を備える光モジュールにおいて、 光出力モニタ用受光素子の平面状に形成された受光感度
層が基材側に感度を持つ構造とし、 上記発光素子と上記光出力モニタ用受光素子を実装基板
上に水平に実装したものであって、 光出力モニタ用受光素子のモニタ光の入射側基材端面に
反射防止膜（ＡＲコート）、その反対側の基材端面に高
反射膜（ＨＲコート）を施されていることを特徴とした
光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004341A JP2003209268A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002004341A JP2003209268A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003209268A true JP2003209268A (ja) | 2003-07-25 |
Family
ID=27643690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002004341A Pending JP2003209268A (ja) | 2002-01-11 | 2002-01-11 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003209268A (ja) |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2022003896A1 (ja) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | 株式会社京都セミコンダクター | 端面入射型半導体受光素子及び端面入射型半導体受光素子の製造方法 |
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2002
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