JP2003204081A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体発光装置に用いられる基板１２では、
その上面１２ａにＬＥＤチップをボンディングするため
の配線パターン１６が形成される。配線パターン１６
は、リード１８ａ〜１８ｃおよびリード２０ａ〜２０ｃ
を含み、これらは基板１２の裏面１２ｂに設けられる外
部接続電極２４ａ〜２４ｆと連結される。リード１８
ａ、１８ｃ、２０ａおよび２０ｃは、それぞれ、側面１
２ｃを介して外部接続電極２４ａ、２４ｃ、２４ｄおよ
び２４ｆに連結される。また、リード１８ｂおよび２０
ｂは、それぞれ、基板１２を貫通する貫通孔１２ｄを介
して外部接続電極２４ｂおよび２４ｅに連結される。つ
まり、連結部２８ｂおよび連結部２８ｅは互いに接近さ
れるため、リード１８ａとリード１８ｃとの間の距離お
よびリード２０ａとリード２０ｃとの間の距離を短くす
ることができる。 【効果】 基板面積を有効利用して装置自体を小型化す
ることができる。
その上面１２ａにＬＥＤチップをボンディングするため
の配線パターン１６が形成される。配線パターン１６
は、リード１８ａ〜１８ｃおよびリード２０ａ〜２０ｃ
を含み、これらは基板１２の裏面１２ｂに設けられる外
部接続電極２４ａ〜２４ｆと連結される。リード１８
ａ、１８ｃ、２０ａおよび２０ｃは、それぞれ、側面１
２ｃを介して外部接続電極２４ａ、２４ｃ、２４ｄおよ
び２４ｆに連結される。また、リード１８ｂおよび２０
ｂは、それぞれ、基板１２を貫通する貫通孔１２ｄを介
して外部接続電極２４ｂおよび２４ｅに連結される。つ
まり、連結部２８ｂおよび連結部２８ｅは互いに接近さ
れるため、リード１８ａとリード１８ｃとの間の距離お
よびリード２０ａとリード２０ｃとの間の距離を短くす
ることができる。 【効果】 基板面積を有効利用して装置自体を小型化す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体発光装置に関
し、特にたとえば第１、第２および第３発光素子チップ
を基板上に形成した第１、第２および第３ダイボンディ
ング電極にダイボンディングし、かつ第１、第２および
第３発光素子チップから第１、第２および第３ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した、半導体発光装置に関する。
し、特にたとえば第１、第２および第３発光素子チップ
を基板上に形成した第１、第２および第３ダイボンディ
ング電極にダイボンディングし、かつ第１、第２および
第３発光素子チップから第１、第２および第３ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した、半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６に示す従来のこの種の半導体発光装
置１では、基板２上に異なる色（たとえば、緑色、赤色
および青色）を発光する発光素子チップ（ＬＥＤチッ
プ）３ａ、３ｂおよび３ｃがボンディングされ、ＬＥＤ
チップ３ａ、３ｂおよび３ｃがエポキシ樹脂のような透
光性樹脂４で封止される。つまり、基板２の上面２ａに
は、ＬＥＤチップ３ａ、３ｂおよび３ｃのそれぞれに対
応する配線パターン５が形成される。具体的には、配線
パターン５は、ダイボンディング電極（リード）６ａ、
６ｂおよび６ｃとワイヤボンディング電極（リード）７
ａ、７ｂおよび７ｃとによって形成される。このリード
６ａ、６ｂ、６ｃ、７ａ、７ｂおよび７ｃは、それぞれ
個別に基板２の側面を介して基板２の裏面に形成された
外部接続電極（図示せず）に連結されていた。このよう
な半導体発光装置１は、たとえばディスプレイのような
面発光装置（図示せず）を含む電子機器に適用され、複
数の半導体発光装置１が面発光装置の回路基板（プリン
ト基板）に実装される。そして、半導体発光装置１のそ
れぞれにおいて、選択的にＬＥＤチップ３ａ、３ｂおよ
び３ｃが点灯（発光）され、カラー画像を表示してい
た。
置１では、基板２上に異なる色（たとえば、緑色、赤色
および青色）を発光する発光素子チップ（ＬＥＤチッ
プ）３ａ、３ｂおよび３ｃがボンディングされ、ＬＥＤ
チップ３ａ、３ｂおよび３ｃがエポキシ樹脂のような透
光性樹脂４で封止される。つまり、基板２の上面２ａに
は、ＬＥＤチップ３ａ、３ｂおよび３ｃのそれぞれに対
応する配線パターン５が形成される。具体的には、配線
パターン５は、ダイボンディング電極（リード）６ａ、
６ｂおよび６ｃとワイヤボンディング電極（リード）７
ａ、７ｂおよび７ｃとによって形成される。このリード
６ａ、６ｂ、６ｃ、７ａ、７ｂおよび７ｃは、それぞれ
個別に基板２の側面を介して基板２の裏面に形成された
外部接続電極（図示せず）に連結されていた。このよう
な半導体発光装置１は、たとえばディスプレイのような
面発光装置（図示せず）を含む電子機器に適用され、複
数の半導体発光装置１が面発光装置の回路基板（プリン
ト基板）に実装される。そして、半導体発光装置１のそ
れぞれにおいて、選択的にＬＥＤチップ３ａ、３ｂおよ
び３ｃが点灯（発光）され、カラー画像を表示してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
では、リード６ａ、６ｂおよび６ｃを並べて形成すると
ともに、リード７ａ、７ｂおよび７ｃを並べて形成する
ため、リード６ａ、６ｂおよび６ｃ側ではそれぞれのリ
ード間が密になってしまい、リード７ａ、７ｂおよび７
ｃ側ではそれぞれのリード間が疎になってしまってい
た。つまり、基板２の面積を有効に使用できていなかっ
た。言い換えると、基板２の面積が大きくなってしまっ
ていた。このため、半導体発光装置１自体が大きくなっ
てしまい、さらには半導体発光装置１を実装する電子機
器も大きくなってしまっていた。
では、リード６ａ、６ｂおよび６ｃを並べて形成すると
ともに、リード７ａ、７ｂおよび７ｃを並べて形成する
ため、リード６ａ、６ｂおよび６ｃ側ではそれぞれのリ
ード間が密になってしまい、リード７ａ、７ｂおよび７
ｃ側ではそれぞれのリード間が疎になってしまってい
た。つまり、基板２の面積を有効に使用できていなかっ
た。言い換えると、基板２の面積が大きくなってしまっ
ていた。このため、半導体発光装置１自体が大きくなっ
てしまい、さらには半導体発光装置１を実装する電子機
器も大きくなってしまっていた。
【０００４】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化できる、半導体発光装置を提供することである。
型化できる、半導体発光装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、第１、第
２および第３発光素子チップを基板上に形成した第１、
第２および第３ダイボンディング電極にダイボンディン
グし、かつ第１、第２および第３発光素子チップから第
１、第２および第３ワイヤボンディング電極にワイヤボ
ンディングし、その上で透光性樹脂で封止した半導体発
光装置において、基板の裏面に第１、第２、第３ダイボ
ンディング電極および第１、第２、第３ワイヤボンディ
ング電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、
第１ダイボンディング電極と第３ダイボンディング電極
との間に第２ダイボンディング電極を配置し、第１ワイ
ヤボンディング電極と第３ワイヤボンディング電極との
間に第２ワイヤボンディング電極を配置し、そして第２
ダイボンディング電極と外部接続電極との第１連結部お
よび２ワイヤボンディング電極と外部接続電極との第２
連結部を互いに接近させたことを特徴とする、半導体発
光装置である。
２および第３発光素子チップを基板上に形成した第１、
第２および第３ダイボンディング電極にダイボンディン
グし、かつ第１、第２および第３発光素子チップから第
１、第２および第３ワイヤボンディング電極にワイヤボ
ンディングし、その上で透光性樹脂で封止した半導体発
光装置において、基板の裏面に第１、第２、第３ダイボ
ンディング電極および第１、第２、第３ワイヤボンディ
ング電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、
第１ダイボンディング電極と第３ダイボンディング電極
との間に第２ダイボンディング電極を配置し、第１ワイ
ヤボンディング電極と第３ワイヤボンディング電極との
間に第２ワイヤボンディング電極を配置し、そして第２
ダイボンディング電極と外部接続電極との第１連結部お
よび２ワイヤボンディング電極と外部接続電極との第２
連結部を互いに接近させたことを特徴とする、半導体発
光装置である。
【０００６】第２の発明は、第１、第２および第３発光
素子チップを基板上に形成した第１、第２および第３ダ
イボンディング電極にダイボンディングし、かつ第１、
第２および第３発光素子チップから第１、第２および第
３ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、そ
の上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、
基板の裏面に第１、第２、第３ダイボンディング電極お
よび第１、第２、第３ワイヤボンディング電極のそれぞ
れと連結される外部接続電極を設け、第１ダイボンディ
ング電極と第３ダイボンディング電極との間に第２ダイ
ボンディング電極を配置し、第１ワイヤボンディング電
極と第３ワイヤボンディング電極との間に第２ワイヤボ
ンディング電極を配置し、そして第１ダイボンディング
電極と外部接続電極との第１連結部および１ワイヤボン
ディング電極と外部接続電極との第２連結部を互いに接
近させ、かつ第３ダイボンディング電極と外部接続電極
との第３連結部および第３ワイヤボンディング電極と外
部接続電極との第４連結部を互いに接近させたことを特
徴とする、半導体発光装置である。
素子チップを基板上に形成した第１、第２および第３ダ
イボンディング電極にダイボンディングし、かつ第１、
第２および第３発光素子チップから第１、第２および第
３ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、そ
の上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、
基板の裏面に第１、第２、第３ダイボンディング電極お
よび第１、第２、第３ワイヤボンディング電極のそれぞ
れと連結される外部接続電極を設け、第１ダイボンディ
ング電極と第３ダイボンディング電極との間に第２ダイ
ボンディング電極を配置し、第１ワイヤボンディング電
極と第３ワイヤボンディング電極との間に第２ワイヤボ
ンディング電極を配置し、そして第１ダイボンディング
電極と外部接続電極との第１連結部および１ワイヤボン
ディング電極と外部接続電極との第２連結部を互いに接
近させ、かつ第３ダイボンディング電極と外部接続電極
との第３連結部および第３ワイヤボンディング電極と外
部接続電極との第４連結部を互いに接近させたことを特
徴とする、半導体発光装置である。
【０００７】第３の発明は、２つの発光素子チップを基
板上に形成した２つのダイボンディング電極のそれぞれ
にダイボンディングし、かつ発光素子チップから２つの
ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、その
上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置であって、２
つのダイボンディング電極および２つのワイヤボンディ
ング電極を互いに対向するように列状に平行して配置
し、基板の裏面に２つのダイボンディング電極および２
つのワイヤボンディング電極のそれぞれと連結される外
部接続電極を設け、一方のダイボンディング電極と外部
接続電極との第１連結部および一方のダイボンディング
電極に対向する一方のワイヤボンディング電極と外部電
極との第２連結部を互いに接近させたことを特徴とす
る、半導体発光装置である。
板上に形成した２つのダイボンディング電極のそれぞれ
にダイボンディングし、かつ発光素子チップから２つの
ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、その
上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置であって、２
つのダイボンディング電極および２つのワイヤボンディ
ング電極を互いに対向するように列状に平行して配置
し、基板の裏面に２つのダイボンディング電極および２
つのワイヤボンディング電極のそれぞれと連結される外
部接続電極を設け、一方のダイボンディング電極と外部
接続電極との第１連結部および一方のダイボンディング
電極に対向する一方のワイヤボンディング電極と外部電
極との第２連結部を互いに接近させたことを特徴とす
る、半導体発光装置である。
【０００８】
【作用】第１の発明の半導体発光装置では、基板に第
１、第２および第３ＬＥＤチップがボンディングされ、
これらのＬＥＤチップはエポキシ樹脂のような透光性樹
脂で封止される。第１チップは、第１ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第１ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。また、第２チップ
は、第２ダイボンディング電極にダイボンディングさ
れ、第２ワイヤボンディング電極にワイヤボンディング
される。さらに、第３チップは、第３ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第３ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。
１、第２および第３ＬＥＤチップがボンディングされ、
これらのＬＥＤチップはエポキシ樹脂のような透光性樹
脂で封止される。第１チップは、第１ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第１ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。また、第２チップ
は、第２ダイボンディング電極にダイボンディングさ
れ、第２ワイヤボンディング電極にワイヤボンディング
される。さらに、第３チップは、第３ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第３ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。
【０００９】また、半導体発光装置には、携帯電話機の
ような電子機器のプリント基板に実装するための外部接
続電極が基板の裏面側に設けられる。この外部接続電極
は、第１〜第３ダイボンディング電極および第１〜第３
ワイヤボンディング電極のそれぞれに接続される。たと
えば、第２ダイボンディング電極は、第１ダイボンディ
ング電極と第３ダイボンディング電極との間に配置され
る。また、第２ワイヤボンディング電極は、第１ワイヤ
ボンディング電極と第３ワイヤボンディング電極との間
に配置される。さらに、第２第ダイボンディング電極と
外部接続電極とが連結される第１連結部およびダイボン
ディング２ワイヤボンディング電極と外部接続電極とが
連結される第２連結部は、互いに接近するように配置さ
れる。このため、第１ダイボンディング電極と第３ダイ
ボンディング電極との間の距離を短くすることができる
とともに、第１ワイヤボンディング電極と第３ワイヤボ
ンディング電極との間の距離を短くすることができる。
つまり、基板面積を有効利用して、基板を小さくするこ
とができる。
ような電子機器のプリント基板に実装するための外部接
続電極が基板の裏面側に設けられる。この外部接続電極
は、第１〜第３ダイボンディング電極および第１〜第３
ワイヤボンディング電極のそれぞれに接続される。たと
えば、第２ダイボンディング電極は、第１ダイボンディ
ング電極と第３ダイボンディング電極との間に配置され
る。また、第２ワイヤボンディング電極は、第１ワイヤ
ボンディング電極と第３ワイヤボンディング電極との間
に配置される。さらに、第２第ダイボンディング電極と
外部接続電極とが連結される第１連結部およびダイボン
ディング２ワイヤボンディング電極と外部接続電極とが
連結される第２連結部は、互いに接近するように配置さ
れる。このため、第１ダイボンディング電極と第３ダイ
ボンディング電極との間の距離を短くすることができる
とともに、第１ワイヤボンディング電極と第３ワイヤボ
ンディング電極との間の距離を短くすることができる。
つまり、基板面積を有効利用して、基板を小さくするこ
とができる。
【００１０】たとえば、外部接続電極は、基板の側面を
介して第１、第３ダイボンディング電極および第１、第
３ワイヤボンディング電極に連結され、基板を貫通する
貫通孔を介して第２ダイボンディング電極および第２ワ
イヤボンディング電極に連結される。
介して第１、第３ダイボンディング電極および第１、第
３ワイヤボンディング電極に連結され、基板を貫通する
貫通孔を介して第２ダイボンディング電極および第２ワ
イヤボンディング電極に連結される。
【００１１】第２の発明の半導体発光装置では、第１の
発明とは逆に、第１ダイボンディング電極と外部接続電
極との第１連結部および第１ワイヤボンディング電極と
外部接続電極との第２連結部を互いに接近させ、同様
に、第３ダイボンディング電極と外部接続電極との第３
連結部および第３ワイヤボンディング電極と外部接続電
極との第４連結部を互いに接近させるようにしてある。
このようにしても、成就の場合と同様に、基板面積を有
効利用して、基板を小さくすることができる。
発明とは逆に、第１ダイボンディング電極と外部接続電
極との第１連結部および第１ワイヤボンディング電極と
外部接続電極との第２連結部を互いに接近させ、同様
に、第３ダイボンディング電極と外部接続電極との第３
連結部および第３ワイヤボンディング電極と外部接続電
極との第４連結部を互いに接近させるようにしてある。
このようにしても、成就の場合と同様に、基板面積を有
効利用して、基板を小さくすることができる。
【００１２】この場合には、外部接続電極は、基板の側
面を介して第２ダイボンディング電極および第２ワイヤ
ボンディング電極に連結され、基板を貫通する貫通孔を
介して第１，第３ダイボンディング電極および第１，第
３ワイヤボンディング電極に連結される。
面を介して第２ダイボンディング電極および第２ワイヤ
ボンディング電極に連結され、基板を貫通する貫通孔を
介して第１，第３ダイボンディング電極および第１，第
３ワイヤボンディング電極に連結される。
【００１３】第３の発明の半導体発光装置では、２つの
ＬＥＤチップが基板上に形成した２つのダイボンディン
グ電極にダイボンディングされ、２つの発光素子チップ
から２つのワイヤボンディング電極に個別にワイヤボン
ディングされ、その上で透光性樹脂によってＬＥＤチッ
プおよワイヤ等が封止される。２つのダイボンディング
電極および２つのワイヤボンディング電極は、基板上
（上面）で互いに対向し、２つのダイボンディング電極
の列と２つのワイヤボンディング電極の列とが互いに平
行に配置される。また、基板の裏面には、２つのダイボ
ンディング電極および２つのワイヤボンディング電極の
それぞれと連結される外部接続電極が設けられる。そし
て、一方のダイボンディング電極と外部接続電極との第
１連結部およびその一方のダイボンディング電極に対向
する一方のワイヤボンディング電極と外部電極との第２
連結部が互いに接近される。つまり、パターンを交互に
ずらして配置するので、ダイボンディング電極およびワ
イヤボンディング電極の列方向の距離を短くできる。こ
のため、基板を小さくすることができる。
ＬＥＤチップが基板上に形成した２つのダイボンディン
グ電極にダイボンディングされ、２つの発光素子チップ
から２つのワイヤボンディング電極に個別にワイヤボン
ディングされ、その上で透光性樹脂によってＬＥＤチッ
プおよワイヤ等が封止される。２つのダイボンディング
電極および２つのワイヤボンディング電極は、基板上
（上面）で互いに対向し、２つのダイボンディング電極
の列と２つのワイヤボンディング電極の列とが互いに平
行に配置される。また、基板の裏面には、２つのダイボ
ンディング電極および２つのワイヤボンディング電極の
それぞれと連結される外部接続電極が設けられる。そし
て、一方のダイボンディング電極と外部接続電極との第
１連結部およびその一方のダイボンディング電極に対向
する一方のワイヤボンディング電極と外部電極との第２
連結部が互いに接近される。つまり、パターンを交互に
ずらして配置するので、ダイボンディング電極およびワ
イヤボンディング電極の列方向の距離を短くできる。こ
のため、基板を小さくすることができる。
【００１４】具体的には、第１連結部および第２連結部
は基板を貫通する貫通孔に設けられ、第１連結部および
第２連結部以外の連結部は基板の側面に設けられる。
は基板を貫通する貫通孔に設けられ、第１連結部および
第２連結部以外の連結部は基板の側面に設けられる。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、基板を小さくするこ
とができるので、装置自体の小型化を図ることができ
る。
とができるので、装置自体の小型化を図ることができ
る。
【００１６】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【００１７】
【実施例】図１を参照して、この実施例の半導体発光装
置（以下、単に「発光装置」という。）１０は、ガラス
エポキシあるいはセラミックで形成された絶縁性基板
（以下、単に「基板」という。）１２を含む。基板１２
上には、たとえば発光色が互いに異なる３つの発光素子
チップ（ＬＥＤチップ）１４ａ、１４ｂおよび１４ｃが
ボンディングされる。
置（以下、単に「発光装置」という。）１０は、ガラス
エポキシあるいはセラミックで形成された絶縁性基板
（以下、単に「基板」という。）１２を含む。基板１２
上には、たとえば発光色が互いに異なる３つの発光素子
チップ（ＬＥＤチップ）１４ａ、１４ｂおよび１４ｃが
ボンディングされる。
【００１８】たとえば、この実施例では、ＬＥＤチップ
１４ａが緑色（Ｇ）を発光し、またＬＥＤチップ１４ｂ
が赤色（Ｒ）を発光し、そして、ＬＥＤチップ１４ｃが
青色（Ｂ）を発光する。
１４ａが緑色（Ｇ）を発光し、またＬＥＤチップ１４ｂ
が赤色（Ｒ）を発光し、そして、ＬＥＤチップ１４ｃが
青色（Ｂ）を発光する。
【００１９】また、図２（Ａ）からもよく分かるよう
に、基板１２の上面１２ａには、３つのＬＥＤ１４ａ、
１４ｂおよび１４ｃのそれぞれをボンディングするため
の配線パターン１６が形成される。この配線パターン１
６は、たとえば銅箔で形成され、ダイボンディング電極
（リード）１８ａ、１８ｂおよび１８ｃとワイヤボンデ
ィング電極（リード）２０ａ、２０ｂおよび２０ｃとを
含む。基板１２の上面１２ａの一方側にはリード１８
ａ、リード１８ｂおよびリード１８ｃが配置され、他方
側にはリード２０ａ、リード２０ｂおよびリード２０ｃ
が配置される。具体的には、リード１８ｂは、リード１
８ａとリード１８ｃとの間に配置され、リード２０ｂ
は、リード２０ａとリード２０ｃとの間に配置される。
に、基板１２の上面１２ａには、３つのＬＥＤ１４ａ、
１４ｂおよび１４ｃのそれぞれをボンディングするため
の配線パターン１６が形成される。この配線パターン１
６は、たとえば銅箔で形成され、ダイボンディング電極
（リード）１８ａ、１８ｂおよび１８ｃとワイヤボンデ
ィング電極（リード）２０ａ、２０ｂおよび２０ｃとを
含む。基板１２の上面１２ａの一方側にはリード１８
ａ、リード１８ｂおよびリード１８ｃが配置され、他方
側にはリード２０ａ、リード２０ｂおよびリード２０ｃ
が配置される。具体的には、リード１８ｂは、リード１
８ａとリード１８ｃとの間に配置され、リード２０ｂ
は、リード２０ａとリード２０ｃとの間に配置される。
【００２０】図１に戻って、上述したように、このよう
な配線パターン１６に、ＬＥＤチップ１４ａ、１４ｂお
よび１４ｃがボンディングされる。具体的には、ＬＥＤ
チップ１４ａは、リード１８ａに銀ペーストのような接
着剤（図示せず）でダイボンディング（接着）され、金
線や銀線のような金属細線（ワイヤ）２２ａによって、
リード２０ａにワイヤボンディングされる。また、ＬＥ
Ｄチップ１４ｂは、リード１８ｂに接着剤でダイボンデ
ィングされ、ワイヤ２２ｂによって、リード２０ｂにワ
イヤボンディングされる。さらに、ＬＥＤチップ１４ｃ
は、リード１８ｃに接着剤でダイボンディングされ、ワ
イヤ２２ｃによって、リード２０ｃにワイヤボンディン
グされる。
な配線パターン１６に、ＬＥＤチップ１４ａ、１４ｂお
よび１４ｃがボンディングされる。具体的には、ＬＥＤ
チップ１４ａは、リード１８ａに銀ペーストのような接
着剤（図示せず）でダイボンディング（接着）され、金
線や銀線のような金属細線（ワイヤ）２２ａによって、
リード２０ａにワイヤボンディングされる。また、ＬＥ
Ｄチップ１４ｂは、リード１８ｂに接着剤でダイボンデ
ィングされ、ワイヤ２２ｂによって、リード２０ｂにワ
イヤボンディングされる。さらに、ＬＥＤチップ１４ｃ
は、リード１８ｃに接着剤でダイボンディングされ、ワ
イヤ２２ｃによって、リード２０ｃにワイヤボンディン
グされる。
【００２１】さらに、発光装置１０は、エポキシ樹脂の
ような透光性樹脂２６を含み、透光性樹脂２６は基板１
２の上面１２ａ側に形成される。つまり、透光性樹脂２
６は、ＬＥＤチップ１４ａ〜１４ｃおよびワイヤ２２ａ
〜２２ｃを封止する。また、図２（Ｂ）から分かるよう
に、基板１２の裏面１２ｂには、３つのＬＥＤ１４ａ、
１４ｂおよび１４ｃのそれぞれに対応して外部接続電極
２４ａ〜２４ｆが形成される。図２（Ａ）および図２
（Ｂ）から分かるように、リード１８ａは基板１２の側
面１２ｃを介して外部接続電極２４ａと連結され、リー
ド１８ｃは側面１２ｃを介して外部接続電極２４ｃと連
結される。また、リード２０ａは側面（一方側面）１２
ｃと対向する側面（他方側面）１２ｃを介して外部接続
電極２４ｄと連結され、リード２０ｃは他方側面１２ｃ
を介して外部接続電極２４ｆと連結される。
ような透光性樹脂２６を含み、透光性樹脂２６は基板１
２の上面１２ａ側に形成される。つまり、透光性樹脂２
６は、ＬＥＤチップ１４ａ〜１４ｃおよびワイヤ２２ａ
〜２２ｃを封止する。また、図２（Ｂ）から分かるよう
に、基板１２の裏面１２ｂには、３つのＬＥＤ１４ａ、
１４ｂおよび１４ｃのそれぞれに対応して外部接続電極
２４ａ〜２４ｆが形成される。図２（Ａ）および図２
（Ｂ）から分かるように、リード１８ａは基板１２の側
面１２ｃを介して外部接続電極２４ａと連結され、リー
ド１８ｃは側面１２ｃを介して外部接続電極２４ｃと連
結される。また、リード２０ａは側面（一方側面）１２
ｃと対向する側面（他方側面）１２ｃを介して外部接続
電極２４ｄと連結され、リード２０ｃは他方側面１２ｃ
を介して外部接続電極２４ｆと連結される。
【００２２】図２（Ａ）のIII −III 断面図である図３
からよく分かるように、リード１８ｂは、基板１２を貫
通するように設けられた貫通孔（スルーホール）１２ｄ
を通して外部接続電極２４ｂと連結される。同様に、リ
ード２０ｂは、スルーホール１２ｄを通して外部接続電
極２４ｅと連結される。
からよく分かるように、リード１８ｂは、基板１２を貫
通するように設けられた貫通孔（スルーホール）１２ｄ
を通して外部接続電極２４ｂと連結される。同様に、リ
ード２０ｂは、スルーホール１２ｄを通して外部接続電
極２４ｅと連結される。
【００２３】つまり、連結部２８ｂと連結部２８ｅとが
互いに接近して設けられる。言い換えると、連結部２８
ｂと連結部２８ｅとの間の距離は、連結部２８ａと連結
部２８ｄとの間の距離または連結部２８ｃと連結部２８
ｅとの間の距離よりも短くされる。
互いに接近して設けられる。言い換えると、連結部２８
ｂと連結部２８ｅとの間の距離は、連結部２８ａと連結
部２８ｄとの間の距離または連結部２８ｃと連結部２８
ｅとの間の距離よりも短くされる。
【００２４】このため、図１および図２（Ａ）から分か
るように、リード１８ａとリード１８ｃとの間の距離お
よびリード２０ａとリード２０ｃとの間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板１２面積を有効に利用す
ることができる。したがって、基板１２を従来（図４参
照）に比べて小さく形成することができ、さらには、発
光装置１０自体を小型化することができる。
るように、リード１８ａとリード１８ｃとの間の距離お
よびリード２０ａとリード２０ｃとの間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板１２面積を有効に利用す
ることができる。したがって、基板１２を従来（図４参
照）に比べて小さく形成することができ、さらには、発
光装置１０自体を小型化することができる。
【００２５】なお、外部接続電極２４ａ〜２４ｆも、リ
ード１８ａ〜１８ｃおよびリード２０ａ〜２０ｃと同様
に、銅箔で形成される。
ード１８ａ〜１８ｃおよびリード２０ａ〜２０ｃと同様
に、銅箔で形成される。
【００２６】また、図１、図２（Ａ）、図２（Ｂ）およ
び図３においては、分かり易く示すために、リードおよ
び外部接続電極には厚みを付けてあるが、実際には、薄
膜の膜厚に形成される。
び図３においては、分かり易く示すために、リードおよ
び外部接続電極には厚みを付けてあるが、実際には、薄
膜の膜厚に形成される。
【００２７】さらに、リード１８ａ、１８ｃ、２０ａお
よび２０ｃとそれぞれに対応する外部接続電極２４ａ、
２４ｃ、２４ｄおよび２４ｆとを、基板１２の側面１２
ｃに設けられたスルーホールを介して連結するように図
示してあるが、スルーホールを設けずに側面１２ｃを介
して連結するようにしてもよい。
よび２０ｃとそれぞれに対応する外部接続電極２４ａ、
２４ｃ、２４ｄおよび２４ｆとを、基板１２の側面１２
ｃに設けられたスルーホールを介して連結するように図
示してあるが、スルーホールを設けずに側面１２ｃを介
して連結するようにしてもよい。
【００２８】たとえば、発光装置１０は、ディスプレイ
にカラー画像を表示するような面発光装置を含む電子機
器（図示せず）に用いられる。複数の発光装置１０が、
たとえば格子状に並べられ、電子機器の回路基板（プリ
ント基板）に実装される。つまり、複数の発光装置１０
がプリント基板の所定位置にマウントされ、半田リフロ
ー処理が施される。このようにして、発光装置１０のそ
れぞれに設けられた外部接続電極２４ａ〜２４ｆが、プ
リント基板に形成された配線パターン（電極）に接続さ
れる。したがって、発光素子１０をそれぞれ所望の色で
発光させることにより、カラー画像をディスプレイに表
示することができる。
にカラー画像を表示するような面発光装置を含む電子機
器（図示せず）に用いられる。複数の発光装置１０が、
たとえば格子状に並べられ、電子機器の回路基板（プリ
ント基板）に実装される。つまり、複数の発光装置１０
がプリント基板の所定位置にマウントされ、半田リフロ
ー処理が施される。このようにして、発光装置１０のそ
れぞれに設けられた外部接続電極２４ａ〜２４ｆが、プ
リント基板に形成された配線パターン（電極）に接続さ
れる。したがって、発光素子１０をそれぞれ所望の色で
発光させることにより、カラー画像をディスプレイに表
示することができる。
【００２９】つまり、発光装置１０では、外部接続電極
２４ａ（リード１８ａ）と外部接続電極２４ｄ（リード
２０ａ）との間に電圧を印加した場合には、緑色が発光
される。また、外部接続電極２４ｂ（リード１８ｂ）と
外部接続電極２４ｅ（リード２０ｂ）との間に電圧を印
加した場合には、赤色が発光される。さらに、外部接続
電極２４ｃ（リード１８ｃ）と外部接続電極２４ｆ（リ
ード２０ｃ）との間に電圧を印加した場合には、青色が
発光される。
２４ａ（リード１８ａ）と外部接続電極２４ｄ（リード
２０ａ）との間に電圧を印加した場合には、緑色が発光
される。また、外部接続電極２４ｂ（リード１８ｂ）と
外部接続電極２４ｅ（リード２０ｂ）との間に電圧を印
加した場合には、赤色が発光される。さらに、外部接続
電極２４ｃ（リード１８ｃ）と外部接続電極２４ｆ（リ
ード２０ｃ）との間に電圧を印加した場合には、青色が
発光される。
【００３０】また、ＬＥＤチップ１４ａ〜１４ｃを２つ
以上の組み合わせで発光させることにより、加色法によ
って他の色を発光（照射）させることもできる。つま
り、ＬＥＤ１４ａとＬＥＤ１４ｂとを発光させた場合に
は、黄色を照射させることができる。また、ＬＥＤ１４
ｂとＬＥＤ１４ｃとを発光させた場合には、紫色（マゼ
ンタ）を照射させることができる。さらに、ＬＥＤ１４
ａとＬＥＤ１４ｃとを発光させた場合には、藍色（シア
ン）を照射させることができる。さらにまた、ＬＥＤ１
４ａ、１４ｂおよび１４ｃを発光させた場合には、それ
ぞれの発光色が補色の関係を有するので、白色を照射さ
せることができる。
以上の組み合わせで発光させることにより、加色法によ
って他の色を発光（照射）させることもできる。つま
り、ＬＥＤ１４ａとＬＥＤ１４ｂとを発光させた場合に
は、黄色を照射させることができる。また、ＬＥＤ１４
ｂとＬＥＤ１４ｃとを発光させた場合には、紫色（マゼ
ンタ）を照射させることができる。さらに、ＬＥＤ１４
ａとＬＥＤ１４ｃとを発光させた場合には、藍色（シア
ン）を照射させることができる。さらにまた、ＬＥＤ１
４ａ、１４ｂおよび１４ｃを発光させた場合には、それ
ぞれの発光色が補色の関係を有するので、白色を照射さ
せることができる。
【００３１】このように、発光装置１０は、ＬＥＤ１４
ａ〜１４ｃのいずれかを単独で発光させたり、また任意
の組み合わせで発光させたりすることにより、複数の色
を選択的に発光させることができる。
ａ〜１４ｃのいずれかを単独で発光させたり、また任意
の組み合わせで発光させたりすることにより、複数の色
を選択的に発光させることができる。
【００３２】この実施例によれば、連結部間の距離が短
いパターンを形成するので、隣接する電極の距離を短く
できる。つまり、基板面積を有効に利用することがで
き、従来に比べて基板を小さくすることができる。した
がって、発光装置自体を小型化することができる。この
ため、面発光装置を含む電子機器も小型化することがで
きる。また、従来と同じ大きさの電子機器を作る場合に
は、発光装置の数を増やすことができるので、カラー画
像の解像度を高くすることができる。
いパターンを形成するので、隣接する電極の距離を短く
できる。つまり、基板面積を有効に利用することがで
き、従来に比べて基板を小さくすることができる。した
がって、発光装置自体を小型化することができる。この
ため、面発光装置を含む電子機器も小型化することがで
きる。また、従来と同じ大きさの電子機器を作る場合に
は、発光装置の数を増やすことができるので、カラー画
像の解像度を高くすることができる。
【００３３】なお、この実施例では、連結部２８ｂと連
結部２８ｄとを互いに接近させるようにしたが、図１お
よび図２で示したスルーホール１２ｄの位置およびパタ
ーン１６を変更して、連結部２８ａと連結部２８ｄとを
互いに接近させ、かつ連結部２８ｃと連結部２８ｆとを
互いに接近させるようにしてもよい。つまり、リード１
８ａ、リード１８ｃ、リード２０ａおよびリード２０ｃ
は、スルーホール１２ｄを介してそれぞれ対応する外部
接続電極２４ａ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｆに連結さ
れる。このとき、リード１８ｂおよびリード２０ｂは、
それぞれ対応する外部接続電極２４ｂおよび２４ｅに基
板１２の側面１２ｃを介して連結される。
結部２８ｄとを互いに接近させるようにしたが、図１お
よび図２で示したスルーホール１２ｄの位置およびパタ
ーン１６を変更して、連結部２８ａと連結部２８ｄとを
互いに接近させ、かつ連結部２８ｃと連結部２８ｆとを
互いに接近させるようにしてもよい。つまり、リード１
８ａ、リード１８ｃ、リード２０ａおよびリード２０ｃ
は、スルーホール１２ｄを介してそれぞれ対応する外部
接続電極２４ａ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ｆに連結さ
れる。このとき、リード１８ｂおよびリード２０ｂは、
それぞれ対応する外部接続電極２４ｂおよび２４ｅに基
板１２の側面１２ｃを介して連結される。
【００３４】また、この実施例では、外部接続電極２４
ａ〜２４ｆを個別に形成するようにしたが、ＬＥＤチッ
プをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合に
は、外部接続電極２４ａ〜２４ｃ或いは外部接続電極２
４ｄ〜２４ｆを一体的に形成するようにしてもよい。
ａ〜２４ｆを個別に形成するようにしたが、ＬＥＤチッ
プをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合に
は、外部接続電極２４ａ〜２４ｃ或いは外部接続電極２
４ｄ〜２４ｆを一体的に形成するようにしてもよい。
【００３５】さらに、この実施例では、Ｇ、ＲおよびＢ
を発光するＬＥＤチップ１４ａ、１４ｂおよび１４ｃを
ボンディングするようにしたが、他の色を発光するＬＥ
Ｄチップをボンディングするようにしてもよい。
を発光するＬＥＤチップ１４ａ、１４ｂおよび１４ｃを
ボンディングするようにしたが、他の色を発光するＬＥ
Ｄチップをボンディングするようにしてもよい。
【００３６】さらにまた、この実施例では、３つのＬＥ
Ｄチップ１４ａ〜１４ｃを備える発光装置１０について
のみ示したが、４つ以上のＬＥＤチップを備える発光装
置についても適用することができる。この場合には、ボ
ンディングするＬＥＤチップの個数に応じたダイボンデ
ィング電極とワイヤボンディング電極とを基板上に設
け、連結部間の距離が短いパターンと連結部間の距離が
長いパターンとを交互に配置するようにすればよい。
Ｄチップ１４ａ〜１４ｃを備える発光装置１０について
のみ示したが、４つ以上のＬＥＤチップを備える発光装
置についても適用することができる。この場合には、ボ
ンディングするＬＥＤチップの個数に応じたダイボンデ
ィング電極とワイヤボンディング電極とを基板上に設
け、連結部間の距離が短いパターンと連結部間の距離が
長いパターンとを交互に配置するようにすればよい。
【００３７】たとえば、図４に示すような他の実施例の
発光装置４０を形成することができる。なお、他の実施
例の発光装置４０は、形状や大きさ等が異なるだけであ
り、発光装置４０を構成する材料は図１実施例の発光装
置１０と同じであるため、重複した説明は省略すること
にする。
発光装置４０を形成することができる。なお、他の実施
例の発光装置４０は、形状や大きさ等が異なるだけであ
り、発光装置４０を構成する材料は図１実施例の発光装
置１０と同じであるため、重複した説明は省略すること
にする。
【００３８】図４を参照して、発光装置４０は基板４２
を含み、基板４２上には複数（たとえば、６個）のＬＥ
Ｄチップ４４ａ〜４４ｆがボンディングされる。基板４
２の上面４２ａには、配線パターン４６が形成される。
具体的には、図５（Ａ）に示すように、ダイボンディン
グ電極（リード）４８ａ〜４８ｆが形成され、このリー
ド４８ａ〜４８ｆに対向するように、ワイヤボンディン
グ電極（リード）５０ａ〜５０ｆが形成される。つま
り、リード４８ａ〜４８ｆは図中Ａ方向に列状に配置さ
れ、これと平行になるように、リード５０ａ〜５０ｆが
同じくＡ方向に列状に配置される。
を含み、基板４２上には複数（たとえば、６個）のＬＥ
Ｄチップ４４ａ〜４４ｆがボンディングされる。基板４
２の上面４２ａには、配線パターン４６が形成される。
具体的には、図５（Ａ）に示すように、ダイボンディン
グ電極（リード）４８ａ〜４８ｆが形成され、このリー
ド４８ａ〜４８ｆに対向するように、ワイヤボンディン
グ電極（リード）５０ａ〜５０ｆが形成される。つま
り、リード４８ａ〜４８ｆは図中Ａ方向に列状に配置さ
れ、これと平行になるように、リード５０ａ〜５０ｆが
同じくＡ方向に列状に配置される。
【００３９】図５（Ｂ）に示すように、リード４８ａ〜
４８ｆおよびリード５０ａ〜５０ｆと個別に接続（連
結）される外部接続電極５４ａ〜５４ｌが基板４２の裏
面４２ｃに形成される。図４（Ａ）および図４（Ｂ）か
ら分かるように、リード４８ａ，４８ｃ，４８ｅ，５０
ａ，５０ｃおよび５０ｅは、基板４２の側面（に形成さ
れたスルーホール）を介してそれぞれ対応する外部接続
電極５４ａ，５４ｃ，５４ｅ，５４ｇ，５４ｉおよび５
４ｋに連結される。つまり、連結部５８ａ，５８ｃ，５
８ｅ，５８ｇ，５８ｉおよび５８ｋは、基板４２の側面
４２ｃに設けられる。
４８ｆおよびリード５０ａ〜５０ｆと個別に接続（連
結）される外部接続電極５４ａ〜５４ｌが基板４２の裏
面４２ｃに形成される。図４（Ａ）および図４（Ｂ）か
ら分かるように、リード４８ａ，４８ｃ，４８ｅ，５０
ａ，５０ｃおよび５０ｅは、基板４２の側面（に形成さ
れたスルーホール）を介してそれぞれ対応する外部接続
電極５４ａ，５４ｃ，５４ｅ，５４ｇ，５４ｉおよび５
４ｋに連結される。つまり、連結部５８ａ，５８ｃ，５
８ｅ，５８ｇ，５８ｉおよび５８ｋは、基板４２の側面
４２ｃに設けられる。
【００４０】また、リード４８ｂ，４８ｄ，４８ｆ，５
０ｂ，５０ｄおよび５０ｆは、基板４２に設けられたス
ルーホール４２ｄを介してそれぞれ対応する外部接続電
極５４ｂ，５４ｄ，５４ｆ，５４ｈ，５４ｊおよび５４
ｌに連結される。つまり、連結部５８ｂ，５８ｄ，５８
ｆ，５８ｈ，５８ｊおよび５８ｌは、基板４２のスルー
ホール４２ｄに設けられる。
０ｂ，５０ｄおよび５０ｆは、基板４２に設けられたス
ルーホール４２ｄを介してそれぞれ対応する外部接続電
極５４ｂ，５４ｄ，５４ｆ，５４ｈ，５４ｊおよび５４
ｌに連結される。つまり、連結部５８ｂ，５８ｄ，５８
ｆ，５８ｈ，５８ｊおよび５８ｌは、基板４２のスルー
ホール４２ｄに設けられる。
【００４１】つまり、連結部５８ｂと連結部５８ｈとが
互いに接近され、連結部５８ｄと連結部５８ｊとが互い
に接近され、そして、連結部５８ｆと連結部５８ｌとが
互いに接近される。また、図５（Ａ）および図５（Ｂ）
から分かるように、連結部を接近させたリード同士と連
結部を接近させていないリード同士が交互に配置される
ように、配線パターン４６はパターニング（形成）され
る。このため、この他の実施例では、リード４８a とリ
ード４８ｃとの間の距離、リード４８ｃとリード４８ｅ
との間の距離、リード５０ａとリード５０ｃとの間の距
離およびリード５０ｃとリード５０ｅとの間の距離を短
くすることができる。したがって、上述の実施例と同様
に、基板４２の面積を有効利用することができ、基板４
２を小さくすることができるのである。
互いに接近され、連結部５８ｄと連結部５８ｊとが互い
に接近され、そして、連結部５８ｆと連結部５８ｌとが
互いに接近される。また、図５（Ａ）および図５（Ｂ）
から分かるように、連結部を接近させたリード同士と連
結部を接近させていないリード同士が交互に配置される
ように、配線パターン４６はパターニング（形成）され
る。このため、この他の実施例では、リード４８a とリ
ード４８ｃとの間の距離、リード４８ｃとリード４８ｅ
との間の距離、リード５０ａとリード５０ｃとの間の距
離およびリード５０ｃとリード５０ｅとの間の距離を短
くすることができる。したがって、上述の実施例と同様
に、基板４２の面積を有効利用することができ、基板４
２を小さくすることができるのである。
【００４２】なお、スルーホール４２ｄを介して連結さ
れるリードおよび外部接続電極の連結構造は、図３に示
した構造と同じである。
れるリードおよび外部接続電極の連結構造は、図３に示
した構造と同じである。
【００４３】図４に戻って、ＬＥＤチップ４４ａ〜４４
ｆは、それぞれ対応するリード５０ａ〜５０ｆに電気的
に接続される。つまり、ワイヤ５２ａ〜５２ｆを用い
て、ＬＥＤチップ４４ａ〜４４ｆがワイヤボンディング
される。そして、基板４２上のＬＥＤチップ４４ａ〜４
４ｆおよびワイヤ５２ａ〜５２ｆ等が透光性樹脂５６に
よって封止される（覆われる）。
ｆは、それぞれ対応するリード５０ａ〜５０ｆに電気的
に接続される。つまり、ワイヤ５２ａ〜５２ｆを用い
て、ＬＥＤチップ４４ａ〜４４ｆがワイヤボンディング
される。そして、基板４２上のＬＥＤチップ４４ａ〜４
４ｆおよびワイヤ５２ａ〜５２ｆ等が透光性樹脂５６に
よって封止される（覆われる）。
【００４４】この他の実施例の発光装置４０も上述の実
施例の発光装置１０と同様に、カラー画像を表示するよ
うな面光源装置を含む電子機器（図示せず）に用いるこ
とができる。また、ＬＥＤチップの発光色については特
に限定していないが、設計者や開発者等が任意に定める
ことができる。発光装置４０の実装方法やＬＥＤチップ
４４ａ〜４４ｆの点灯方法については、上述の実施例と
ほぼ同じであるため、詳細な説明は省略する。
施例の発光装置１０と同様に、カラー画像を表示するよ
うな面光源装置を含む電子機器（図示せず）に用いるこ
とができる。また、ＬＥＤチップの発光色については特
に限定していないが、設計者や開発者等が任意に定める
ことができる。発光装置４０の実装方法やＬＥＤチップ
４４ａ〜４４ｆの点灯方法については、上述の実施例と
ほぼ同じであるため、詳細な説明は省略する。
【００４５】他の実施例によれば、隣接する２つのリー
ドの一方のリードの連結部を接近させるように配線パタ
ーンを形成するので、隣接するリード間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板面積を有効利用して、基
板を小さくすることができる。このため、２つ以上のＬ
ＥＤチップを備える発光装置を形成する場合に、装置自
体を小型化することができる。
ドの一方のリードの連結部を接近させるように配線パタ
ーンを形成するので、隣接するリード間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板面積を有効利用して、基
板を小さくすることができる。このため、２つ以上のＬ
ＥＤチップを備える発光装置を形成する場合に、装置自
体を小型化することができる。
【００４６】なお、他の実施例の発光装置４０では、図
１実施例の発光装置１０を２つ並べて実装する場合より
も、省スペースに実装することができる。つまり、上述
したような面光源装置に用いる場合には、解像度をさら
に高くすることができると考えられる。
１実施例の発光装置１０を２つ並べて実装する場合より
も、省スペースに実装することができる。つまり、上述
したような面光源装置に用いる場合には、解像度をさら
に高くすることができると考えられる。
【００４７】また、他の実施例では、ＬＥＤチップを６
つ設けた発光装置についてのみ説明したが、ＬＥＤチッ
プを２つ以上並べて設けた発光装置であれば、この発明
を適用することができる。
つ設けた発光装置についてのみ説明したが、ＬＥＤチッ
プを２つ以上並べて設けた発光装置であれば、この発明
を適用することができる。
【００４８】さらに、他の実施例では、外部接続電極５
４ａ〜５４ｌを個別に形成するようにしたが、ＬＥＤチ
ップをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合
には、外部接続電極５４ａ〜５４ｆ或いは外部接続電極
５４ｇ〜５４ｌを一体的に形成するようにしてもよい。
４ａ〜５４ｌを個別に形成するようにしたが、ＬＥＤチ
ップをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合
には、外部接続電極５４ａ〜５４ｆ或いは外部接続電極
５４ｇ〜５４ｌを一体的に形成するようにしてもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図２】図１実施例に示す基板に形成された配線パター
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
【図３】図２に示す基板の断面図である。
【図４】他の発明の一実施例を示す図解図である。
【図５】図４実施例に示す基板に形成された配線パター
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
【図６】従来の発光装置の一例を示す図解図である。
１０, ４０ …半導体発光装置
１２, ４２ …基板
１２ｄ，４２ｄ …スルーホール
１４ａ−１４ｃ，４４ａ−４４ｆ …ＬＥＤチップ
１６，４６ …配線パターン
１８ａ−１８ｃ，２０ａ−２０ｃ，４８ａ−４８ｆ，５
０ａ−５０ｆ …リード ２２ａ−２２ｃ，５２ａ−５２ｆ …ワイヤ ２４ａ−２４ｆ，５４ａ−５４ｌ …外部接続電極 ２６，５６ …透光性樹脂 ２８ａ−２８ｆ、５８ａ−５８ｌ …連結部
０ａ−５０ｆ …リード ２２ａ−２２ｃ，５２ａ−５２ｆ …ワイヤ ２４ａ−２４ｆ，５４ａ−５４ｌ …外部接続電極 ２６，５６ …透光性樹脂 ２８ａ−２８ｆ、５８ａ−５８ｌ …連結部
Claims (6)
- 【請求項１】第１、第２および第３発光素子チップを基
板上に形成した第１、第２および第３ダイボンディング
電極にダイボンディングし、かつ前記第１、第２および
第３発光素子チップから第１、第２および第３ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した半導体発光装置において、 前記基板の裏面に前記第１、第２、第３ダイボンディン
グ電極および前記第１、第２、第３ワイヤボンディング
電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、 前記第１ダイボンディング電極と前記第３ダイボンディ
ング電極との間に前記第２ダイボンディング電極を配置
し、 前記第１ワイヤボンディング電極と前記第３ワイヤボン
ディング電極との間に前記第２ワイヤボンディング電極
を配置し、そして前記第２ダイボンディング電極と前記
外部接続電極との第１連結部および前記２ワイヤボンデ
ィング電極と前記外部接続電極との第２連結部を互いに
接近させたことを特徴とする、半導体発光装置。 - 【請求項２】前記外部接続電極は、前記基板の側面を介
して前記第１、第３ダイボンディング電極および前記第
１、第３ワイヤボンディング電極に連結され、前記基板
を貫通する貫通孔を介して前記第２ダイボンディング電
極および前記第２ワイヤボンディング電極に連結され
る、請求項１記載の半導体発光装置。 - 【請求項３】第１、第２および第３発光素子チップを基
板上に形成した第１、第２および第３ダイボンディング
電極にダイボンディングし、かつ前記第１、第２および
第３発光素子チップから第１、第２および第３ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した半導体発光装置において、 前記基板の裏面に前記第１、第２、第３ダイボンディン
グ電極および前記第１、第２、第３ワイヤボンディング
電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、 前記第１ダイボンディング電極と前記第３ダイボンディ
ング電極との間に前記第２ダイボンディング電極を配置
し、 前記第１ワイヤボンディング電極と前記第３ワイヤボン
ディング電極との間に前記第２ワイヤボンディング電極
を配置し、そして前記第１ダイボンディング電極と前記
外部接続電極との第１連結部および前記１ワイヤボンデ
ィング電極と前記外部接続電極との第２連結部を互いに
接近させ、かつ前記第３ダイボンディング電極と前記外
部接続電極との第３連結部および前記第３ワイヤボンデ
ィング電極と前記外部接続電極との第４連結部を互いに
接近させたことを特徴とする、半導体発光装置。 - 【請求項４】前記外部接続電極は、前記基板の側面を介
して前記第２ダイボンディング電極および前記第２ワイ
ヤボンディング電極に連結され、前記基板を貫通する貫
通孔を介して前記第１，第３ダイボンディング電極およ
び前記第１，第３ワイヤボンディング電極に連結され
る、請求項３記載の半導体発光装置。 - 【請求項５】２つの発光素子チップを基板上に形成した
２つのダイボンディング電極のそれぞれにダイボンディ
ングし、かつ前記発光素子チップから２つのワイヤボン
ディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光性
樹脂で封止した半導体発光装置であって、 前記２つのダイボンディング電極および前記２つのワイ
ヤボンディング電極を互いに対向するように列状に平行
して配置し、 前記基板の裏面に前記２つのダイボンディング電極およ
び前記２つのワイヤボンディング電極のそれぞれと連結
される外部接続電極を設け、 一方の前記ダイボンディング電極と前記外部接続電極と
の第１連結部および前記一方のダイボンディング電極に
対向する一方の前記ワイヤボンディング電極と前記外部
電極との第２連結部を互いに接近させたことを特徴とす
る、半導体発光装置。 - 【請求項６】前記第１連結部および前記第２連結部は前
記基板を貫通する貫通孔に設けられ、前記第１連結部お
よび前記第２連結部以外の連結部は前記基板の側面に設
けられる、請求項５記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002001189A JP2003204081A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002001189A JP2003204081A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003204081A true JP2003204081A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27641376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002001189A Withdrawn JP2003204081A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003204081A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2002
- 2002-01-08 JP JP2002001189A patent/JP2003204081A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |