JP2003204081A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体発光装置に用いられる基板12では、
その上面12aにLEDチップをボンディングするため
の配線パターン16が形成される。配線パターン16
は、リード18a〜18cおよびリード20a〜20c
を含み、これらは基板12の裏面12bに設けられる外
部接続電極24a〜24fと連結される。リード18
a、18c、20aおよび20cは、それぞれ、側面1
2cを介して外部接続電極24a、24c、24dおよ
び24fに連結される。また、リード18bおよび20
bは、それぞれ、基板12を貫通する貫通孔12dを介
して外部接続電極24bおよび24eに連結される。つ
まり、連結部28bおよび連結部28eは互いに接近さ
れるため、リード18aとリード18cとの間の距離お
よびリード20aとリード20cとの間の距離を短くす
ることができる。 【効果】 基板面積を有効利用して装置自体を小型化す
ることができる。
その上面12aにLEDチップをボンディングするため
の配線パターン16が形成される。配線パターン16
は、リード18a〜18cおよびリード20a〜20c
を含み、これらは基板12の裏面12bに設けられる外
部接続電極24a〜24fと連結される。リード18
a、18c、20aおよび20cは、それぞれ、側面1
2cを介して外部接続電極24a、24c、24dおよ
び24fに連結される。また、リード18bおよび20
bは、それぞれ、基板12を貫通する貫通孔12dを介
して外部接続電極24bおよび24eに連結される。つ
まり、連結部28bおよび連結部28eは互いに接近さ
れるため、リード18aとリード18cとの間の距離お
よびリード20aとリード20cとの間の距離を短くす
ることができる。 【効果】 基板面積を有効利用して装置自体を小型化す
ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体発光装置に関
し、特にたとえば第1、第2および第3発光素子チップ
を基板上に形成した第1、第2および第3ダイボンディ
ング電極にダイボンディングし、かつ第1、第2および
第3発光素子チップから第1、第2および第3ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した、半導体発光装置に関する。
し、特にたとえば第1、第2および第3発光素子チップ
を基板上に形成した第1、第2および第3ダイボンディ
ング電極にダイボンディングし、かつ第1、第2および
第3発光素子チップから第1、第2および第3ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した、半導体発光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図6に示す従来のこの種の半導体発光装
置1では、基板2上に異なる色(たとえば、緑色、赤色
および青色)を発光する発光素子チップ(LEDチッ
プ)3a、3bおよび3cがボンディングされ、LED
チップ3a、3bおよび3cがエポキシ樹脂のような透
光性樹脂4で封止される。つまり、基板2の上面2aに
は、LEDチップ3a、3bおよび3cのそれぞれに対
応する配線パターン5が形成される。具体的には、配線
パターン5は、ダイボンディング電極(リード)6a、
6bおよび6cとワイヤボンディング電極(リード)7
a、7bおよび7cとによって形成される。このリード
6a、6b、6c、7a、7bおよび7cは、それぞれ
個別に基板2の側面を介して基板2の裏面に形成された
外部接続電極(図示せず)に連結されていた。このよう
な半導体発光装置1は、たとえばディスプレイのような
面発光装置(図示せず)を含む電子機器に適用され、複
数の半導体発光装置1が面発光装置の回路基板(プリン
ト基板)に実装される。そして、半導体発光装置1のそ
れぞれにおいて、選択的にLEDチップ3a、3bおよ
び3cが点灯(発光)され、カラー画像を表示してい
た。
置1では、基板2上に異なる色(たとえば、緑色、赤色
および青色)を発光する発光素子チップ(LEDチッ
プ)3a、3bおよび3cがボンディングされ、LED
チップ3a、3bおよび3cがエポキシ樹脂のような透
光性樹脂4で封止される。つまり、基板2の上面2aに
は、LEDチップ3a、3bおよび3cのそれぞれに対
応する配線パターン5が形成される。具体的には、配線
パターン5は、ダイボンディング電極(リード)6a、
6bおよび6cとワイヤボンディング電極(リード)7
a、7bおよび7cとによって形成される。このリード
6a、6b、6c、7a、7bおよび7cは、それぞれ
個別に基板2の側面を介して基板2の裏面に形成された
外部接続電極(図示せず)に連結されていた。このよう
な半導体発光装置1は、たとえばディスプレイのような
面発光装置(図示せず)を含む電子機器に適用され、複
数の半導体発光装置1が面発光装置の回路基板(プリン
ト基板)に実装される。そして、半導体発光装置1のそ
れぞれにおいて、選択的にLEDチップ3a、3bおよ
び3cが点灯(発光)され、カラー画像を表示してい
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来技術
では、リード6a、6bおよび6cを並べて形成すると
ともに、リード7a、7bおよび7cを並べて形成する
ため、リード6a、6bおよび6c側ではそれぞれのリ
ード間が密になってしまい、リード7a、7bおよび7
c側ではそれぞれのリード間が疎になってしまってい
た。つまり、基板2の面積を有効に使用できていなかっ
た。言い換えると、基板2の面積が大きくなってしまっ
ていた。このため、半導体発光装置1自体が大きくなっ
てしまい、さらには半導体発光装置1を実装する電子機
器も大きくなってしまっていた。
では、リード6a、6bおよび6cを並べて形成すると
ともに、リード7a、7bおよび7cを並べて形成する
ため、リード6a、6bおよび6c側ではそれぞれのリ
ード間が密になってしまい、リード7a、7bおよび7
c側ではそれぞれのリード間が疎になってしまってい
た。つまり、基板2の面積を有効に使用できていなかっ
た。言い換えると、基板2の面積が大きくなってしまっ
ていた。このため、半導体発光装置1自体が大きくなっ
てしまい、さらには半導体発光装置1を実装する電子機
器も大きくなってしまっていた。
【0004】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化できる、半導体発光装置を提供することである。
型化できる、半導体発光装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、第1、第
2および第3発光素子チップを基板上に形成した第1、
第2および第3ダイボンディング電極にダイボンディン
グし、かつ第1、第2および第3発光素子チップから第
1、第2および第3ワイヤボンディング電極にワイヤボ
ンディングし、その上で透光性樹脂で封止した半導体発
光装置において、基板の裏面に第1、第2、第3ダイボ
ンディング電極および第1、第2、第3ワイヤボンディ
ング電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、
第1ダイボンディング電極と第3ダイボンディング電極
との間に第2ダイボンディング電極を配置し、第1ワイ
ヤボンディング電極と第3ワイヤボンディング電極との
間に第2ワイヤボンディング電極を配置し、そして第2
ダイボンディング電極と外部接続電極との第1連結部お
よび2ワイヤボンディング電極と外部接続電極との第2
連結部を互いに接近させたことを特徴とする、半導体発
光装置である。
2および第3発光素子チップを基板上に形成した第1、
第2および第3ダイボンディング電極にダイボンディン
グし、かつ第1、第2および第3発光素子チップから第
1、第2および第3ワイヤボンディング電極にワイヤボ
ンディングし、その上で透光性樹脂で封止した半導体発
光装置において、基板の裏面に第1、第2、第3ダイボ
ンディング電極および第1、第2、第3ワイヤボンディ
ング電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、
第1ダイボンディング電極と第3ダイボンディング電極
との間に第2ダイボンディング電極を配置し、第1ワイ
ヤボンディング電極と第3ワイヤボンディング電極との
間に第2ワイヤボンディング電極を配置し、そして第2
ダイボンディング電極と外部接続電極との第1連結部お
よび2ワイヤボンディング電極と外部接続電極との第2
連結部を互いに接近させたことを特徴とする、半導体発
光装置である。
【0006】第2の発明は、第1、第2および第3発光
素子チップを基板上に形成した第1、第2および第3ダ
イボンディング電極にダイボンディングし、かつ第1、
第2および第3発光素子チップから第1、第2および第
3ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、そ
の上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、
基板の裏面に第1、第2、第3ダイボンディング電極お
よび第1、第2、第3ワイヤボンディング電極のそれぞ
れと連結される外部接続電極を設け、第1ダイボンディ
ング電極と第3ダイボンディング電極との間に第2ダイ
ボンディング電極を配置し、第1ワイヤボンディング電
極と第3ワイヤボンディング電極との間に第2ワイヤボ
ンディング電極を配置し、そして第1ダイボンディング
電極と外部接続電極との第1連結部および1ワイヤボン
ディング電極と外部接続電極との第2連結部を互いに接
近させ、かつ第3ダイボンディング電極と外部接続電極
との第3連結部および第3ワイヤボンディング電極と外
部接続電極との第4連結部を互いに接近させたことを特
徴とする、半導体発光装置である。
素子チップを基板上に形成した第1、第2および第3ダ
イボンディング電極にダイボンディングし、かつ第1、
第2および第3発光素子チップから第1、第2および第
3ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、そ
の上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置において、
基板の裏面に第1、第2、第3ダイボンディング電極お
よび第1、第2、第3ワイヤボンディング電極のそれぞ
れと連結される外部接続電極を設け、第1ダイボンディ
ング電極と第3ダイボンディング電極との間に第2ダイ
ボンディング電極を配置し、第1ワイヤボンディング電
極と第3ワイヤボンディング電極との間に第2ワイヤボ
ンディング電極を配置し、そして第1ダイボンディング
電極と外部接続電極との第1連結部および1ワイヤボン
ディング電極と外部接続電極との第2連結部を互いに接
近させ、かつ第3ダイボンディング電極と外部接続電極
との第3連結部および第3ワイヤボンディング電極と外
部接続電極との第4連結部を互いに接近させたことを特
徴とする、半導体発光装置である。
【0007】第3の発明は、2つの発光素子チップを基
板上に形成した2つのダイボンディング電極のそれぞれ
にダイボンディングし、かつ発光素子チップから2つの
ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、その
上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置であって、2
つのダイボンディング電極および2つのワイヤボンディ
ング電極を互いに対向するように列状に平行して配置
し、基板の裏面に2つのダイボンディング電極および2
つのワイヤボンディング電極のそれぞれと連結される外
部接続電極を設け、一方のダイボンディング電極と外部
接続電極との第1連結部および一方のダイボンディング
電極に対向する一方のワイヤボンディング電極と外部電
極との第2連結部を互いに接近させたことを特徴とす
る、半導体発光装置である。
板上に形成した2つのダイボンディング電極のそれぞれ
にダイボンディングし、かつ発光素子チップから2つの
ワイヤボンディング電極にワイヤボンディングし、その
上で透光性樹脂で封止した半導体発光装置であって、2
つのダイボンディング電極および2つのワイヤボンディ
ング電極を互いに対向するように列状に平行して配置
し、基板の裏面に2つのダイボンディング電極および2
つのワイヤボンディング電極のそれぞれと連結される外
部接続電極を設け、一方のダイボンディング電極と外部
接続電極との第1連結部および一方のダイボンディング
電極に対向する一方のワイヤボンディング電極と外部電
極との第2連結部を互いに接近させたことを特徴とす
る、半導体発光装置である。
【0008】
【作用】第1の発明の半導体発光装置では、基板に第
1、第2および第3LEDチップがボンディングされ、
これらのLEDチップはエポキシ樹脂のような透光性樹
脂で封止される。第1チップは、第1ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第1ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。また、第2チップ
は、第2ダイボンディング電極にダイボンディングさ
れ、第2ワイヤボンディング電極にワイヤボンディング
される。さらに、第3チップは、第3ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第3ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。
1、第2および第3LEDチップがボンディングされ、
これらのLEDチップはエポキシ樹脂のような透光性樹
脂で封止される。第1チップは、第1ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第1ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。また、第2チップ
は、第2ダイボンディング電極にダイボンディングさ
れ、第2ワイヤボンディング電極にワイヤボンディング
される。さらに、第3チップは、第3ダイボンディング
電極にダイボンディングされ、第3ワイヤボンディング
電極にワイヤボンディングされる。
【0009】また、半導体発光装置には、携帯電話機の
ような電子機器のプリント基板に実装するための外部接
続電極が基板の裏面側に設けられる。この外部接続電極
は、第1〜第3ダイボンディング電極および第1〜第3
ワイヤボンディング電極のそれぞれに接続される。たと
えば、第2ダイボンディング電極は、第1ダイボンディ
ング電極と第3ダイボンディング電極との間に配置され
る。また、第2ワイヤボンディング電極は、第1ワイヤ
ボンディング電極と第3ワイヤボンディング電極との間
に配置される。さらに、第2第ダイボンディング電極と
外部接続電極とが連結される第1連結部およびダイボン
ディング2ワイヤボンディング電極と外部接続電極とが
連結される第2連結部は、互いに接近するように配置さ
れる。このため、第1ダイボンディング電極と第3ダイ
ボンディング電極との間の距離を短くすることができる
とともに、第1ワイヤボンディング電極と第3ワイヤボ
ンディング電極との間の距離を短くすることができる。
つまり、基板面積を有効利用して、基板を小さくするこ
とができる。
ような電子機器のプリント基板に実装するための外部接
続電極が基板の裏面側に設けられる。この外部接続電極
は、第1〜第3ダイボンディング電極および第1〜第3
ワイヤボンディング電極のそれぞれに接続される。たと
えば、第2ダイボンディング電極は、第1ダイボンディ
ング電極と第3ダイボンディング電極との間に配置され
る。また、第2ワイヤボンディング電極は、第1ワイヤ
ボンディング電極と第3ワイヤボンディング電極との間
に配置される。さらに、第2第ダイボンディング電極と
外部接続電極とが連結される第1連結部およびダイボン
ディング2ワイヤボンディング電極と外部接続電極とが
連結される第2連結部は、互いに接近するように配置さ
れる。このため、第1ダイボンディング電極と第3ダイ
ボンディング電極との間の距離を短くすることができる
とともに、第1ワイヤボンディング電極と第3ワイヤボ
ンディング電極との間の距離を短くすることができる。
つまり、基板面積を有効利用して、基板を小さくするこ
とができる。
【0010】たとえば、外部接続電極は、基板の側面を
介して第1、第3ダイボンディング電極および第1、第
3ワイヤボンディング電極に連結され、基板を貫通する
貫通孔を介して第2ダイボンディング電極および第2ワ
イヤボンディング電極に連結される。
介して第1、第3ダイボンディング電極および第1、第
3ワイヤボンディング電極に連結され、基板を貫通する
貫通孔を介して第2ダイボンディング電極および第2ワ
イヤボンディング電極に連結される。
【0011】第2の発明の半導体発光装置では、第1の
発明とは逆に、第1ダイボンディング電極と外部接続電
極との第1連結部および第1ワイヤボンディング電極と
外部接続電極との第2連結部を互いに接近させ、同様
に、第3ダイボンディング電極と外部接続電極との第3
連結部および第3ワイヤボンディング電極と外部接続電
極との第4連結部を互いに接近させるようにしてある。
このようにしても、成就の場合と同様に、基板面積を有
効利用して、基板を小さくすることができる。
発明とは逆に、第1ダイボンディング電極と外部接続電
極との第1連結部および第1ワイヤボンディング電極と
外部接続電極との第2連結部を互いに接近させ、同様
に、第3ダイボンディング電極と外部接続電極との第3
連結部および第3ワイヤボンディング電極と外部接続電
極との第4連結部を互いに接近させるようにしてある。
このようにしても、成就の場合と同様に、基板面積を有
効利用して、基板を小さくすることができる。
【0012】この場合には、外部接続電極は、基板の側
面を介して第2ダイボンディング電極および第2ワイヤ
ボンディング電極に連結され、基板を貫通する貫通孔を
介して第1,第3ダイボンディング電極および第1,第
3ワイヤボンディング電極に連結される。
面を介して第2ダイボンディング電極および第2ワイヤ
ボンディング電極に連結され、基板を貫通する貫通孔を
介して第1,第3ダイボンディング電極および第1,第
3ワイヤボンディング電極に連結される。
【0013】第3の発明の半導体発光装置では、2つの
LEDチップが基板上に形成した2つのダイボンディン
グ電極にダイボンディングされ、2つの発光素子チップ
から2つのワイヤボンディング電極に個別にワイヤボン
ディングされ、その上で透光性樹脂によってLEDチッ
プおよワイヤ等が封止される。2つのダイボンディング
電極および2つのワイヤボンディング電極は、基板上
(上面)で互いに対向し、2つのダイボンディング電極
の列と2つのワイヤボンディング電極の列とが互いに平
行に配置される。また、基板の裏面には、2つのダイボ
ンディング電極および2つのワイヤボンディング電極の
それぞれと連結される外部接続電極が設けられる。そし
て、一方のダイボンディング電極と外部接続電極との第
1連結部およびその一方のダイボンディング電極に対向
する一方のワイヤボンディング電極と外部電極との第2
連結部が互いに接近される。つまり、パターンを交互に
ずらして配置するので、ダイボンディング電極およびワ
イヤボンディング電極の列方向の距離を短くできる。こ
のため、基板を小さくすることができる。
LEDチップが基板上に形成した2つのダイボンディン
グ電極にダイボンディングされ、2つの発光素子チップ
から2つのワイヤボンディング電極に個別にワイヤボン
ディングされ、その上で透光性樹脂によってLEDチッ
プおよワイヤ等が封止される。2つのダイボンディング
電極および2つのワイヤボンディング電極は、基板上
(上面)で互いに対向し、2つのダイボンディング電極
の列と2つのワイヤボンディング電極の列とが互いに平
行に配置される。また、基板の裏面には、2つのダイボ
ンディング電極および2つのワイヤボンディング電極の
それぞれと連結される外部接続電極が設けられる。そし
て、一方のダイボンディング電極と外部接続電極との第
1連結部およびその一方のダイボンディング電極に対向
する一方のワイヤボンディング電極と外部電極との第2
連結部が互いに接近される。つまり、パターンを交互に
ずらして配置するので、ダイボンディング電極およびワ
イヤボンディング電極の列方向の距離を短くできる。こ
のため、基板を小さくすることができる。
【0014】具体的には、第1連結部および第2連結部
は基板を貫通する貫通孔に設けられ、第1連結部および
第2連結部以外の連結部は基板の側面に設けられる。
は基板を貫通する貫通孔に設けられ、第1連結部および
第2連結部以外の連結部は基板の側面に設けられる。
【0015】
【発明の効果】この発明によれば、基板を小さくするこ
とができるので、装置自体の小型化を図ることができ
る。
とができるので、装置自体の小型化を図ることができ
る。
【0016】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
【0017】
【実施例】図1を参照して、この実施例の半導体発光装
置(以下、単に「発光装置」という。)10は、ガラス
エポキシあるいはセラミックで形成された絶縁性基板
(以下、単に「基板」という。)12を含む。基板12
上には、たとえば発光色が互いに異なる3つの発光素子
チップ(LEDチップ)14a、14bおよび14cが
ボンディングされる。
置(以下、単に「発光装置」という。)10は、ガラス
エポキシあるいはセラミックで形成された絶縁性基板
(以下、単に「基板」という。)12を含む。基板12
上には、たとえば発光色が互いに異なる3つの発光素子
チップ(LEDチップ)14a、14bおよび14cが
ボンディングされる。
【0018】たとえば、この実施例では、LEDチップ
14aが緑色(G)を発光し、またLEDチップ14b
が赤色(R)を発光し、そして、LEDチップ14cが
青色(B)を発光する。
14aが緑色(G)を発光し、またLEDチップ14b
が赤色(R)を発光し、そして、LEDチップ14cが
青色(B)を発光する。
【0019】また、図2(A)からもよく分かるよう
に、基板12の上面12aには、3つのLED14a、
14bおよび14cのそれぞれをボンディングするため
の配線パターン16が形成される。この配線パターン1
6は、たとえば銅箔で形成され、ダイボンディング電極
(リード)18a、18bおよび18cとワイヤボンデ
ィング電極(リード)20a、20bおよび20cとを
含む。基板12の上面12aの一方側にはリード18
a、リード18bおよびリード18cが配置され、他方
側にはリード20a、リード20bおよびリード20c
が配置される。具体的には、リード18bは、リード1
8aとリード18cとの間に配置され、リード20b
は、リード20aとリード20cとの間に配置される。
に、基板12の上面12aには、3つのLED14a、
14bおよび14cのそれぞれをボンディングするため
の配線パターン16が形成される。この配線パターン1
6は、たとえば銅箔で形成され、ダイボンディング電極
(リード)18a、18bおよび18cとワイヤボンデ
ィング電極(リード)20a、20bおよび20cとを
含む。基板12の上面12aの一方側にはリード18
a、リード18bおよびリード18cが配置され、他方
側にはリード20a、リード20bおよびリード20c
が配置される。具体的には、リード18bは、リード1
8aとリード18cとの間に配置され、リード20b
は、リード20aとリード20cとの間に配置される。
【0020】図1に戻って、上述したように、このよう
な配線パターン16に、LEDチップ14a、14bお
よび14cがボンディングされる。具体的には、LED
チップ14aは、リード18aに銀ペーストのような接
着剤(図示せず)でダイボンディング(接着)され、金
線や銀線のような金属細線(ワイヤ)22aによって、
リード20aにワイヤボンディングされる。また、LE
Dチップ14bは、リード18bに接着剤でダイボンデ
ィングされ、ワイヤ22bによって、リード20bにワ
イヤボンディングされる。さらに、LEDチップ14c
は、リード18cに接着剤でダイボンディングされ、ワ
イヤ22cによって、リード20cにワイヤボンディン
グされる。
な配線パターン16に、LEDチップ14a、14bお
よび14cがボンディングされる。具体的には、LED
チップ14aは、リード18aに銀ペーストのような接
着剤(図示せず)でダイボンディング(接着)され、金
線や銀線のような金属細線(ワイヤ)22aによって、
リード20aにワイヤボンディングされる。また、LE
Dチップ14bは、リード18bに接着剤でダイボンデ
ィングされ、ワイヤ22bによって、リード20bにワ
イヤボンディングされる。さらに、LEDチップ14c
は、リード18cに接着剤でダイボンディングされ、ワ
イヤ22cによって、リード20cにワイヤボンディン
グされる。
【0021】さらに、発光装置10は、エポキシ樹脂の
ような透光性樹脂26を含み、透光性樹脂26は基板1
2の上面12a側に形成される。つまり、透光性樹脂2
6は、LEDチップ14a〜14cおよびワイヤ22a
〜22cを封止する。また、図2(B)から分かるよう
に、基板12の裏面12bには、3つのLED14a、
14bおよび14cのそれぞれに対応して外部接続電極
24a〜24fが形成される。図2(A)および図2
(B)から分かるように、リード18aは基板12の側
面12cを介して外部接続電極24aと連結され、リー
ド18cは側面12cを介して外部接続電極24cと連
結される。また、リード20aは側面(一方側面)12
cと対向する側面(他方側面)12cを介して外部接続
電極24dと連結され、リード20cは他方側面12c
を介して外部接続電極24fと連結される。
ような透光性樹脂26を含み、透光性樹脂26は基板1
2の上面12a側に形成される。つまり、透光性樹脂2
6は、LEDチップ14a〜14cおよびワイヤ22a
〜22cを封止する。また、図2(B)から分かるよう
に、基板12の裏面12bには、3つのLED14a、
14bおよび14cのそれぞれに対応して外部接続電極
24a〜24fが形成される。図2(A)および図2
(B)から分かるように、リード18aは基板12の側
面12cを介して外部接続電極24aと連結され、リー
ド18cは側面12cを介して外部接続電極24cと連
結される。また、リード20aは側面(一方側面)12
cと対向する側面(他方側面)12cを介して外部接続
電極24dと連結され、リード20cは他方側面12c
を介して外部接続電極24fと連結される。
【0022】図2(A)のIII −III 断面図である図3
からよく分かるように、リード18bは、基板12を貫
通するように設けられた貫通孔(スルーホール)12d
を通して外部接続電極24bと連結される。同様に、リ
ード20bは、スルーホール12dを通して外部接続電
極24eと連結される。
からよく分かるように、リード18bは、基板12を貫
通するように設けられた貫通孔(スルーホール)12d
を通して外部接続電極24bと連結される。同様に、リ
ード20bは、スルーホール12dを通して外部接続電
極24eと連結される。
【0023】つまり、連結部28bと連結部28eとが
互いに接近して設けられる。言い換えると、連結部28
bと連結部28eとの間の距離は、連結部28aと連結
部28dとの間の距離または連結部28cと連結部28
eとの間の距離よりも短くされる。
互いに接近して設けられる。言い換えると、連結部28
bと連結部28eとの間の距離は、連結部28aと連結
部28dとの間の距離または連結部28cと連結部28
eとの間の距離よりも短くされる。
【0024】このため、図1および図2(A)から分か
るように、リード18aとリード18cとの間の距離お
よびリード20aとリード20cとの間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板12面積を有効に利用す
ることができる。したがって、基板12を従来(図4参
照)に比べて小さく形成することができ、さらには、発
光装置10自体を小型化することができる。
るように、リード18aとリード18cとの間の距離お
よびリード20aとリード20cとの間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板12面積を有効に利用す
ることができる。したがって、基板12を従来(図4参
照)に比べて小さく形成することができ、さらには、発
光装置10自体を小型化することができる。
【0025】なお、外部接続電極24a〜24fも、リ
ード18a〜18cおよびリード20a〜20cと同様
に、銅箔で形成される。
ード18a〜18cおよびリード20a〜20cと同様
に、銅箔で形成される。
【0026】また、図1、図2(A)、図2(B)およ
び図3においては、分かり易く示すために、リードおよ
び外部接続電極には厚みを付けてあるが、実際には、薄
膜の膜厚に形成される。
び図3においては、分かり易く示すために、リードおよ
び外部接続電極には厚みを付けてあるが、実際には、薄
膜の膜厚に形成される。
【0027】さらに、リード18a、18c、20aお
よび20cとそれぞれに対応する外部接続電極24a、
24c、24dおよび24fとを、基板12の側面12
cに設けられたスルーホールを介して連結するように図
示してあるが、スルーホールを設けずに側面12cを介
して連結するようにしてもよい。
よび20cとそれぞれに対応する外部接続電極24a、
24c、24dおよび24fとを、基板12の側面12
cに設けられたスルーホールを介して連結するように図
示してあるが、スルーホールを設けずに側面12cを介
して連結するようにしてもよい。
【0028】たとえば、発光装置10は、ディスプレイ
にカラー画像を表示するような面発光装置を含む電子機
器(図示せず)に用いられる。複数の発光装置10が、
たとえば格子状に並べられ、電子機器の回路基板(プリ
ント基板)に実装される。つまり、複数の発光装置10
がプリント基板の所定位置にマウントされ、半田リフロ
ー処理が施される。このようにして、発光装置10のそ
れぞれに設けられた外部接続電極24a〜24fが、プ
リント基板に形成された配線パターン(電極)に接続さ
れる。したがって、発光素子10をそれぞれ所望の色で
発光させることにより、カラー画像をディスプレイに表
示することができる。
にカラー画像を表示するような面発光装置を含む電子機
器(図示せず)に用いられる。複数の発光装置10が、
たとえば格子状に並べられ、電子機器の回路基板(プリ
ント基板)に実装される。つまり、複数の発光装置10
がプリント基板の所定位置にマウントされ、半田リフロ
ー処理が施される。このようにして、発光装置10のそ
れぞれに設けられた外部接続電極24a〜24fが、プ
リント基板に形成された配線パターン(電極)に接続さ
れる。したがって、発光素子10をそれぞれ所望の色で
発光させることにより、カラー画像をディスプレイに表
示することができる。
【0029】つまり、発光装置10では、外部接続電極
24a(リード18a)と外部接続電極24d(リード
20a)との間に電圧を印加した場合には、緑色が発光
される。また、外部接続電極24b(リード18b)と
外部接続電極24e(リード20b)との間に電圧を印
加した場合には、赤色が発光される。さらに、外部接続
電極24c(リード18c)と外部接続電極24f(リ
ード20c)との間に電圧を印加した場合には、青色が
発光される。
24a(リード18a)と外部接続電極24d(リード
20a)との間に電圧を印加した場合には、緑色が発光
される。また、外部接続電極24b(リード18b)と
外部接続電極24e(リード20b)との間に電圧を印
加した場合には、赤色が発光される。さらに、外部接続
電極24c(リード18c)と外部接続電極24f(リ
ード20c)との間に電圧を印加した場合には、青色が
発光される。
【0030】また、LEDチップ14a〜14cを2つ
以上の組み合わせで発光させることにより、加色法によ
って他の色を発光(照射)させることもできる。つま
り、LED14aとLED14bとを発光させた場合に
は、黄色を照射させることができる。また、LED14
bとLED14cとを発光させた場合には、紫色(マゼ
ンタ)を照射させることができる。さらに、LED14
aとLED14cとを発光させた場合には、藍色(シア
ン)を照射させることができる。さらにまた、LED1
4a、14bおよび14cを発光させた場合には、それ
ぞれの発光色が補色の関係を有するので、白色を照射さ
せることができる。
以上の組み合わせで発光させることにより、加色法によ
って他の色を発光(照射)させることもできる。つま
り、LED14aとLED14bとを発光させた場合に
は、黄色を照射させることができる。また、LED14
bとLED14cとを発光させた場合には、紫色(マゼ
ンタ)を照射させることができる。さらに、LED14
aとLED14cとを発光させた場合には、藍色(シア
ン)を照射させることができる。さらにまた、LED1
4a、14bおよび14cを発光させた場合には、それ
ぞれの発光色が補色の関係を有するので、白色を照射さ
せることができる。
【0031】このように、発光装置10は、LED14
a〜14cのいずれかを単独で発光させたり、また任意
の組み合わせで発光させたりすることにより、複数の色
を選択的に発光させることができる。
a〜14cのいずれかを単独で発光させたり、また任意
の組み合わせで発光させたりすることにより、複数の色
を選択的に発光させることができる。
【0032】この実施例によれば、連結部間の距離が短
いパターンを形成するので、隣接する電極の距離を短く
できる。つまり、基板面積を有効に利用することがで
き、従来に比べて基板を小さくすることができる。した
がって、発光装置自体を小型化することができる。この
ため、面発光装置を含む電子機器も小型化することがで
きる。また、従来と同じ大きさの電子機器を作る場合に
は、発光装置の数を増やすことができるので、カラー画
像の解像度を高くすることができる。
いパターンを形成するので、隣接する電極の距離を短く
できる。つまり、基板面積を有効に利用することがで
き、従来に比べて基板を小さくすることができる。した
がって、発光装置自体を小型化することができる。この
ため、面発光装置を含む電子機器も小型化することがで
きる。また、従来と同じ大きさの電子機器を作る場合に
は、発光装置の数を増やすことができるので、カラー画
像の解像度を高くすることができる。
【0033】なお、この実施例では、連結部28bと連
結部28dとを互いに接近させるようにしたが、図1お
よび図2で示したスルーホール12dの位置およびパタ
ーン16を変更して、連結部28aと連結部28dとを
互いに接近させ、かつ連結部28cと連結部28fとを
互いに接近させるようにしてもよい。つまり、リード1
8a、リード18c、リード20aおよびリード20c
は、スルーホール12dを介してそれぞれ対応する外部
接続電極24a、24c、24dおよび24fに連結さ
れる。このとき、リード18bおよびリード20bは、
それぞれ対応する外部接続電極24bおよび24eに基
板12の側面12cを介して連結される。
結部28dとを互いに接近させるようにしたが、図1お
よび図2で示したスルーホール12dの位置およびパタ
ーン16を変更して、連結部28aと連結部28dとを
互いに接近させ、かつ連結部28cと連結部28fとを
互いに接近させるようにしてもよい。つまり、リード1
8a、リード18c、リード20aおよびリード20c
は、スルーホール12dを介してそれぞれ対応する外部
接続電極24a、24c、24dおよび24fに連結さ
れる。このとき、リード18bおよびリード20bは、
それぞれ対応する外部接続電極24bおよび24eに基
板12の側面12cを介して連結される。
【0034】また、この実施例では、外部接続電極24
a〜24fを個別に形成するようにしたが、LEDチッ
プをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合に
は、外部接続電極24a〜24c或いは外部接続電極2
4d〜24fを一体的に形成するようにしてもよい。
a〜24fを個別に形成するようにしたが、LEDチッ
プをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合に
は、外部接続電極24a〜24c或いは外部接続電極2
4d〜24fを一体的に形成するようにしてもよい。
【0035】さらに、この実施例では、G、RおよびB
を発光するLEDチップ14a、14bおよび14cを
ボンディングするようにしたが、他の色を発光するLE
Dチップをボンディングするようにしてもよい。
を発光するLEDチップ14a、14bおよび14cを
ボンディングするようにしたが、他の色を発光するLE
Dチップをボンディングするようにしてもよい。
【0036】さらにまた、この実施例では、3つのLE
Dチップ14a〜14cを備える発光装置10について
のみ示したが、4つ以上のLEDチップを備える発光装
置についても適用することができる。この場合には、ボ
ンディングするLEDチップの個数に応じたダイボンデ
ィング電極とワイヤボンディング電極とを基板上に設
け、連結部間の距離が短いパターンと連結部間の距離が
長いパターンとを交互に配置するようにすればよい。
Dチップ14a〜14cを備える発光装置10について
のみ示したが、4つ以上のLEDチップを備える発光装
置についても適用することができる。この場合には、ボ
ンディングするLEDチップの個数に応じたダイボンデ
ィング電極とワイヤボンディング電極とを基板上に設
け、連結部間の距離が短いパターンと連結部間の距離が
長いパターンとを交互に配置するようにすればよい。
【0037】たとえば、図4に示すような他の実施例の
発光装置40を形成することができる。なお、他の実施
例の発光装置40は、形状や大きさ等が異なるだけであ
り、発光装置40を構成する材料は図1実施例の発光装
置10と同じであるため、重複した説明は省略すること
にする。
発光装置40を形成することができる。なお、他の実施
例の発光装置40は、形状や大きさ等が異なるだけであ
り、発光装置40を構成する材料は図1実施例の発光装
置10と同じであるため、重複した説明は省略すること
にする。
【0038】図4を参照して、発光装置40は基板42
を含み、基板42上には複数(たとえば、6個)のLE
Dチップ44a〜44fがボンディングされる。基板4
2の上面42aには、配線パターン46が形成される。
具体的には、図5(A)に示すように、ダイボンディン
グ電極(リード)48a〜48fが形成され、このリー
ド48a〜48fに対向するように、ワイヤボンディン
グ電極(リード)50a〜50fが形成される。つま
り、リード48a〜48fは図中A方向に列状に配置さ
れ、これと平行になるように、リード50a〜50fが
同じくA方向に列状に配置される。
を含み、基板42上には複数(たとえば、6個)のLE
Dチップ44a〜44fがボンディングされる。基板4
2の上面42aには、配線パターン46が形成される。
具体的には、図5(A)に示すように、ダイボンディン
グ電極(リード)48a〜48fが形成され、このリー
ド48a〜48fに対向するように、ワイヤボンディン
グ電極(リード)50a〜50fが形成される。つま
り、リード48a〜48fは図中A方向に列状に配置さ
れ、これと平行になるように、リード50a〜50fが
同じくA方向に列状に配置される。
【0039】図5(B)に示すように、リード48a〜
48fおよびリード50a〜50fと個別に接続(連
結)される外部接続電極54a〜54lが基板42の裏
面42cに形成される。図4(A)および図4(B)か
ら分かるように、リード48a,48c,48e,50
a,50cおよび50eは、基板42の側面(に形成さ
れたスルーホール)を介してそれぞれ対応する外部接続
電極54a,54c,54e,54g,54iおよび5
4kに連結される。つまり、連結部58a,58c,5
8e,58g,58iおよび58kは、基板42の側面
42cに設けられる。
48fおよびリード50a〜50fと個別に接続(連
結)される外部接続電極54a〜54lが基板42の裏
面42cに形成される。図4(A)および図4(B)か
ら分かるように、リード48a,48c,48e,50
a,50cおよび50eは、基板42の側面(に形成さ
れたスルーホール)を介してそれぞれ対応する外部接続
電極54a,54c,54e,54g,54iおよび5
4kに連結される。つまり、連結部58a,58c,5
8e,58g,58iおよび58kは、基板42の側面
42cに設けられる。
【0040】また、リード48b,48d,48f,5
0b,50dおよび50fは、基板42に設けられたス
ルーホール42dを介してそれぞれ対応する外部接続電
極54b,54d,54f,54h,54jおよび54
lに連結される。つまり、連結部58b,58d,58
f,58h,58jおよび58lは、基板42のスルー
ホール42dに設けられる。
0b,50dおよび50fは、基板42に設けられたス
ルーホール42dを介してそれぞれ対応する外部接続電
極54b,54d,54f,54h,54jおよび54
lに連結される。つまり、連結部58b,58d,58
f,58h,58jおよび58lは、基板42のスルー
ホール42dに設けられる。
【0041】つまり、連結部58bと連結部58hとが
互いに接近され、連結部58dと連結部58jとが互い
に接近され、そして、連結部58fと連結部58lとが
互いに接近される。また、図5(A)および図5(B)
から分かるように、連結部を接近させたリード同士と連
結部を接近させていないリード同士が交互に配置される
ように、配線パターン46はパターニング(形成)され
る。このため、この他の実施例では、リード48a とリ
ード48cとの間の距離、リード48cとリード48e
との間の距離、リード50aとリード50cとの間の距
離およびリード50cとリード50eとの間の距離を短
くすることができる。したがって、上述の実施例と同様
に、基板42の面積を有効利用することができ、基板4
2を小さくすることができるのである。
互いに接近され、連結部58dと連結部58jとが互い
に接近され、そして、連結部58fと連結部58lとが
互いに接近される。また、図5(A)および図5(B)
から分かるように、連結部を接近させたリード同士と連
結部を接近させていないリード同士が交互に配置される
ように、配線パターン46はパターニング(形成)され
る。このため、この他の実施例では、リード48a とリ
ード48cとの間の距離、リード48cとリード48e
との間の距離、リード50aとリード50cとの間の距
離およびリード50cとリード50eとの間の距離を短
くすることができる。したがって、上述の実施例と同様
に、基板42の面積を有効利用することができ、基板4
2を小さくすることができるのである。
【0042】なお、スルーホール42dを介して連結さ
れるリードおよび外部接続電極の連結構造は、図3に示
した構造と同じである。
れるリードおよび外部接続電極の連結構造は、図3に示
した構造と同じである。
【0043】図4に戻って、LEDチップ44a〜44
fは、それぞれ対応するリード50a〜50fに電気的
に接続される。つまり、ワイヤ52a〜52fを用い
て、LEDチップ44a〜44fがワイヤボンディング
される。そして、基板42上のLEDチップ44a〜4
4fおよびワイヤ52a〜52f等が透光性樹脂56に
よって封止される(覆われる)。
fは、それぞれ対応するリード50a〜50fに電気的
に接続される。つまり、ワイヤ52a〜52fを用い
て、LEDチップ44a〜44fがワイヤボンディング
される。そして、基板42上のLEDチップ44a〜4
4fおよびワイヤ52a〜52f等が透光性樹脂56に
よって封止される(覆われる)。
【0044】この他の実施例の発光装置40も上述の実
施例の発光装置10と同様に、カラー画像を表示するよ
うな面光源装置を含む電子機器(図示せず)に用いるこ
とができる。また、LEDチップの発光色については特
に限定していないが、設計者や開発者等が任意に定める
ことができる。発光装置40の実装方法やLEDチップ
44a〜44fの点灯方法については、上述の実施例と
ほぼ同じであるため、詳細な説明は省略する。
施例の発光装置10と同様に、カラー画像を表示するよ
うな面光源装置を含む電子機器(図示せず)に用いるこ
とができる。また、LEDチップの発光色については特
に限定していないが、設計者や開発者等が任意に定める
ことができる。発光装置40の実装方法やLEDチップ
44a〜44fの点灯方法については、上述の実施例と
ほぼ同じであるため、詳細な説明は省略する。
【0045】他の実施例によれば、隣接する2つのリー
ドの一方のリードの連結部を接近させるように配線パタ
ーンを形成するので、隣接するリード間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板面積を有効利用して、基
板を小さくすることができる。このため、2つ以上のL
EDチップを備える発光装置を形成する場合に、装置自
体を小型化することができる。
ドの一方のリードの連結部を接近させるように配線パタ
ーンを形成するので、隣接するリード間の距離を短くす
ることができる。つまり、基板面積を有効利用して、基
板を小さくすることができる。このため、2つ以上のL
EDチップを備える発光装置を形成する場合に、装置自
体を小型化することができる。
【0046】なお、他の実施例の発光装置40では、図
1実施例の発光装置10を2つ並べて実装する場合より
も、省スペースに実装することができる。つまり、上述
したような面光源装置に用いる場合には、解像度をさら
に高くすることができると考えられる。
1実施例の発光装置10を2つ並べて実装する場合より
も、省スペースに実装することができる。つまり、上述
したような面光源装置に用いる場合には、解像度をさら
に高くすることができると考えられる。
【0047】また、他の実施例では、LEDチップを6
つ設けた発光装置についてのみ説明したが、LEDチッ
プを2つ以上並べて設けた発光装置であれば、この発明
を適用することができる。
つ設けた発光装置についてのみ説明したが、LEDチッ
プを2つ以上並べて設けた発光装置であれば、この発明
を適用することができる。
【0048】さらに、他の実施例では、外部接続電極5
4a〜54lを個別に形成するようにしたが、LEDチ
ップをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合
には、外部接続電極54a〜54f或いは外部接続電極
54g〜54lを一体的に形成するようにしてもよい。
4a〜54lを個別に形成するようにしたが、LEDチ
ップをカソードコモン或いはアノードコモンにする場合
には、外部接続電極54a〜54f或いは外部接続電極
54g〜54lを一体的に形成するようにしてもよい。
【図1】この発明の一実施例を示す図解図である。
【図2】図1実施例に示す基板に形成された配線パター
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
【図3】図2に示す基板の断面図である。
【図4】他の発明の一実施例を示す図解図である。
【図5】図4実施例に示す基板に形成された配線パター
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
ンおよび外部接続電極を示す図解図である。
【図6】従来の発光装置の一例を示す図解図である。
10, 40 …半導体発光装置
12, 42 …基板
12d,42d …スルーホール
14a−14c,44a−44f …LEDチップ
16,46 …配線パターン
18a−18c,20a−20c,48a−48f,5
0a−50f …リード 22a−22c,52a−52f …ワイヤ 24a−24f,54a−54l …外部接続電極 26,56 …透光性樹脂 28a−28f、58a−58l …連結部
0a−50f …リード 22a−22c,52a−52f …ワイヤ 24a−24f,54a−54l …外部接続電極 26,56 …透光性樹脂 28a−28f、58a−58l …連結部
Claims (6)
- 【請求項1】第1、第2および第3発光素子チップを基
板上に形成した第1、第2および第3ダイボンディング
電極にダイボンディングし、かつ前記第1、第2および
第3発光素子チップから第1、第2および第3ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した半導体発光装置において、 前記基板の裏面に前記第1、第2、第3ダイボンディン
グ電極および前記第1、第2、第3ワイヤボンディング
電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、 前記第1ダイボンディング電極と前記第3ダイボンディ
ング電極との間に前記第2ダイボンディング電極を配置
し、 前記第1ワイヤボンディング電極と前記第3ワイヤボン
ディング電極との間に前記第2ワイヤボンディング電極
を配置し、そして前記第2ダイボンディング電極と前記
外部接続電極との第1連結部および前記2ワイヤボンデ
ィング電極と前記外部接続電極との第2連結部を互いに
接近させたことを特徴とする、半導体発光装置。 - 【請求項2】前記外部接続電極は、前記基板の側面を介
して前記第1、第3ダイボンディング電極および前記第
1、第3ワイヤボンディング電極に連結され、前記基板
を貫通する貫通孔を介して前記第2ダイボンディング電
極および前記第2ワイヤボンディング電極に連結され
る、請求項1記載の半導体発光装置。 - 【請求項3】第1、第2および第3発光素子チップを基
板上に形成した第1、第2および第3ダイボンディング
電極にダイボンディングし、かつ前記第1、第2および
第3発光素子チップから第1、第2および第3ワイヤボ
ンディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光
性樹脂で封止した半導体発光装置において、 前記基板の裏面に前記第1、第2、第3ダイボンディン
グ電極および前記第1、第2、第3ワイヤボンディング
電極のそれぞれと連結される外部接続電極を設け、 前記第1ダイボンディング電極と前記第3ダイボンディ
ング電極との間に前記第2ダイボンディング電極を配置
し、 前記第1ワイヤボンディング電極と前記第3ワイヤボン
ディング電極との間に前記第2ワイヤボンディング電極
を配置し、そして前記第1ダイボンディング電極と前記
外部接続電極との第1連結部および前記1ワイヤボンデ
ィング電極と前記外部接続電極との第2連結部を互いに
接近させ、かつ前記第3ダイボンディング電極と前記外
部接続電極との第3連結部および前記第3ワイヤボンデ
ィング電極と前記外部接続電極との第4連結部を互いに
接近させたことを特徴とする、半導体発光装置。 - 【請求項4】前記外部接続電極は、前記基板の側面を介
して前記第2ダイボンディング電極および前記第2ワイ
ヤボンディング電極に連結され、前記基板を貫通する貫
通孔を介して前記第1,第3ダイボンディング電極およ
び前記第1,第3ワイヤボンディング電極に連結され
る、請求項3記載の半導体発光装置。 - 【請求項5】2つの発光素子チップを基板上に形成した
2つのダイボンディング電極のそれぞれにダイボンディ
ングし、かつ前記発光素子チップから2つのワイヤボン
ディング電極にワイヤボンディングし、その上で透光性
樹脂で封止した半導体発光装置であって、 前記2つのダイボンディング電極および前記2つのワイ
ヤボンディング電極を互いに対向するように列状に平行
して配置し、 前記基板の裏面に前記2つのダイボンディング電極およ
び前記2つのワイヤボンディング電極のそれぞれと連結
される外部接続電極を設け、 一方の前記ダイボンディング電極と前記外部接続電極と
の第1連結部および前記一方のダイボンディング電極に
対向する一方の前記ワイヤボンディング電極と前記外部
電極との第2連結部を互いに接近させたことを特徴とす
る、半導体発光装置。 - 【請求項6】前記第1連結部および前記第2連結部は前
記基板を貫通する貫通孔に設けられ、前記第1連結部お
よび前記第2連結部以外の連結部は前記基板の側面に設
けられる、請求項5記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002001189A JP2003204081A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002001189A JP2003204081A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003204081A true JP2003204081A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27641376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002001189A Withdrawn JP2003204081A (ja) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003204081A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008022031A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Ledパッケージ及びこれを設けた液晶表示装置用バックライトアセンブリー |
WO2009008416A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
JP2009260394A (ja) * | 2009-08-07 | 2009-11-05 | Hitachi Aic Inc | 発光素子搭載用の配線基板 |
JP2009260395A (ja) * | 2009-08-07 | 2009-11-05 | Hitachi Aic Inc | 配線基板及びその製造方法 |
EP2332186A1 (de) * | 2008-09-29 | 2011-06-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Led-modul und herstellungsverfahren |
KR101297406B1 (ko) | 2007-03-29 | 2013-08-19 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
WO2013173040A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | Cree, Inc. | Light emitting devices including multiple anodes and cathodes |
JP2016518026A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-06-20 | アポトロニクス チャイナ コーポレイション | Ledユニットモジュール、発光装置及び光源システム |
JP2018107207A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
WO2019230172A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法、電子装置 |
-
2002
- 2002-01-08 JP JP2002001189A patent/JP2003204081A/ja not_active Withdrawn
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008022031A (ja) * | 2004-05-28 | 2008-01-31 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Ledパッケージ及びこれを設けた液晶表示装置用バックライトアセンブリー |
KR101297406B1 (ko) | 2007-03-29 | 2013-08-19 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
US10381331B2 (en) | 2007-07-12 | 2019-08-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
WO2009008416A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
US9093358B2 (en) | 2007-07-12 | 2015-07-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US9899356B2 (en) | 2007-07-12 | 2018-02-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US8847255B2 (en) | 2007-07-12 | 2014-09-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
KR101139567B1 (ko) * | 2007-07-12 | 2012-04-27 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 발광 장치 |
TWI381550B (zh) * | 2007-07-12 | 2013-01-01 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting device |
JP2009021417A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2012504318A (ja) * | 2008-09-29 | 2012-02-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ledモジュールおよびその製造方法 |
EP2332186A1 (de) * | 2008-09-29 | 2011-06-15 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Led-modul und herstellungsverfahren |
JP2009260394A (ja) * | 2009-08-07 | 2009-11-05 | Hitachi Aic Inc | 発光素子搭載用の配線基板 |
JP2009260395A (ja) * | 2009-08-07 | 2009-11-05 | Hitachi Aic Inc | 配線基板及びその製造方法 |
WO2013173040A1 (en) * | 2012-05-14 | 2013-11-21 | Cree, Inc. | Light emitting devices including multiple anodes and cathodes |
US9515055B2 (en) | 2012-05-14 | 2016-12-06 | Cree, Inc. | Light emitting devices including multiple anodes and cathodes |
JP2016518026A (ja) * | 2013-04-11 | 2016-06-20 | アポトロニクス チャイナ コーポレイション | Ledユニットモジュール、発光装置及び光源システム |
US9970628B2 (en) | 2013-04-11 | 2018-05-15 | Appotronics China Corporation | LED unit module, light-emitting device, and light source system |
JP2018107207A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
WO2019230172A1 (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法、電子装置 |
JP2019212665A (ja) * | 2018-05-31 | 2019-12-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法、電子装置 |
US11462667B2 (en) | 2018-05-31 | 2022-10-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electronic component, method of manufacturing electronic component, and electronic device |
JP7194518B2 (ja) | 2018-05-31 | 2022-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子部品、電子部品の製造方法、電子装置 |
TWI827595B (zh) * | 2018-05-31 | 2024-01-01 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 電子零件、電子零件之製造方法、電子裝置 |
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Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050405 |