JP2003203716A - 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置 - Google Patents
高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置Info
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- JP2003203716A JP2003203716A JP2002000183A JP2002000183A JP2003203716A JP 2003203716 A JP2003203716 A JP 2003203716A JP 2002000183 A JP2002000183 A JP 2002000183A JP 2002000183 A JP2002000183 A JP 2002000183A JP 2003203716 A JP2003203716 A JP 2003203716A
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- frequency coaxial
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- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信
号線と基板信号線との接続位置が異なることが原因で所
望のインピーダンスと異なるインピーダンスになり高周
波特性が劣化していた。 【解決手段】 高周波基板信号線14aに導通される高
周波同軸コネクタ信号線13aと、アースパターン14
c、14dに導通される高周波同軸コネクタアース13
cとを有し、且つ高周波同軸コネクタアース13cが、
高周波同軸コネクタ信号線13aにより伝送された高周
波信号を高周波基板14に伝送する高周波同軸コネクタ
出力線路13iを有する高周波同軸コネクタ出力基板1
3hを備えており、高周波同軸コネクタ出力線路13i
の高周波基板信号線接触部13i−1とコネクタアース
13cのアースパターン接触部13c−1とを同一平面
a内に位置させたものである。
号線と基板信号線との接続位置が異なることが原因で所
望のインピーダンスと異なるインピーダンスになり高周
波特性が劣化していた。 【解決手段】 高周波基板信号線14aに導通される高
周波同軸コネクタ信号線13aと、アースパターン14
c、14dに導通される高周波同軸コネクタアース13
cとを有し、且つ高周波同軸コネクタアース13cが、
高周波同軸コネクタ信号線13aにより伝送された高周
波信号を高周波基板14に伝送する高周波同軸コネクタ
出力線路13iを有する高周波同軸コネクタ出力基板1
3hを備えており、高周波同軸コネクタ出力線路13i
の高周波基板信号線接触部13i−1とコネクタアース
13cのアースパターン接触部13c−1とを同一平面
a内に位置させたものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、挿入損失が小さ
く、取付性を改善した高周波同軸コネクタと、この高周
波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタ
及びその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高
周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この高周波同軸
コネクタを用いた受信回路と、この送信回路及び受信回
路を用いた無線通信装置とに関する。
く、取付性を改善した高周波同軸コネクタと、この高周
波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタ
及びその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高
周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この高周波同軸
コネクタを用いた受信回路と、この送信回路及び受信回
路を用いた無線通信装置とに関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、高周波信号の増幅や変換等の信
号処理を行う回路は高周波基板(プリント基板)上に実
装されている。また、一般に、この処理を行う高周波基
板間の高周波信号の伝送や、無線通信に用いるアンテナ
と高周波基板間の伝送には、伝送による損失増加や信号
の漏洩を防止するために、高周波同軸ケーブルが用いら
れ、高周波同軸ケーブルと高周波基板の接続には高周波
同軸コネクタが用いられている。
号処理を行う回路は高周波基板(プリント基板)上に実
装されている。また、一般に、この処理を行う高周波基
板間の高周波信号の伝送や、無線通信に用いるアンテナ
と高周波基板間の伝送には、伝送による損失増加や信号
の漏洩を防止するために、高周波同軸ケーブルが用いら
れ、高周波同軸ケーブルと高周波基板の接続には高周波
同軸コネクタが用いられている。
【0003】この高周波同軸コネクタには、高周波基板
への取付性の容易さや、取付強度が求められるととも
に、高周波同軸コネクタの信号の損失が小さいこと、ま
た、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けた状態
において伝送する信号が低損失であることが求められて
いる。
への取付性の容易さや、取付強度が求められるととも
に、高周波同軸コネクタの信号の損失が小さいこと、ま
た、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けた状態
において伝送する信号が低損失であることが求められて
いる。
【0004】特に、近年、移動体通信を始めとした通信
の需要が大きくなり、その通信容量や信号の品質あるい
は装置の移動性を高めるために、より低い雑音指数の通
信装置や電力効率の良い装置が求められており、これら
の装置の入、出力端に存在する高周波同軸コネクタの低
損失化が大きな問題になっている。
の需要が大きくなり、その通信容量や信号の品質あるい
は装置の移動性を高めるために、より低い雑音指数の通
信装置や電力効率の良い装置が求められており、これら
の装置の入、出力端に存在する高周波同軸コネクタの低
損失化が大きな問題になっている。
【0005】従来、高周波基板に直接実装する高周波同
軸コネクタにおいて、基板面に対して水平方向に向けら
れたライトアングルタイプと呼ばれる形状の高周波同軸
コネクタが広く用いられてきた。
軸コネクタにおいて、基板面に対して水平方向に向けら
れたライトアングルタイプと呼ばれる形状の高周波同軸
コネクタが広く用いられてきた。
【0006】この従来のライトアングルタイプの高周波
同軸コネクタを高周波基板に取付けた状態を図49の
(a)、(b)、(c)に示す。
同軸コネクタを高周波基板に取付けた状態を図49の
(a)、(b)、(c)に示す。
【0007】図49の(a)は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図49の
(b)は図49の(a)のI−3方向からの矢視図、図
49の(c)は図49の(a)のJ−3方向からの矢視
図である。
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図49の
(b)は図49の(a)のI−3方向からの矢視図、図
49の(c)は図49の(a)のJ−3方向からの矢視
図である。
【0008】この高周波同軸コネクタ1は、円筒形状の
コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電体)1bを有
しており、このコネクタ誘電体1bの中心にはコネクタ
信号線(高周波同軸コネクタ信号線)1aが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体1bの周部にはコネクタ同軸
部アース(高周波同軸コネクタ同軸部アース)1zが設
けてある。このコネクタ同軸部アース1zは、高周波基
板2のアースパターンに接地するための第1〜第4のコ
ネクタアース(高周波同軸コネクタアース)1c〜1f
を有している。
コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電体)1bを有
しており、このコネクタ誘電体1bの中心にはコネクタ
信号線(高周波同軸コネクタ信号線)1aが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体1bの周部にはコネクタ同軸
部アース(高周波同軸コネクタ同軸部アース)1zが設
けてある。このコネクタ同軸部アース1zは、高周波基
板2のアースパターンに接地するための第1〜第4のコ
ネクタアース(高周波同軸コネクタアース)1c〜1f
を有している。
【0009】高周波基板2は、基板信号線(高周波基板
信号線)2aと、基板誘電体(高周波基板誘電体)2b
と、第1〜第3のアースパターン2c〜2eと、基板信
号線接触ポイント(基板信号線半田付けポイント)2g
と、第1〜4のアースパターン半田付けポイント2h〜
2kとを有している。
信号線)2aと、基板誘電体(高周波基板誘電体)2b
と、第1〜第3のアースパターン2c〜2eと、基板信
号線接触ポイント(基板信号線半田付けポイント)2g
と、第1〜4のアースパターン半田付けポイント2h〜
2kとを有している。
【0010】そして、高周波同軸コネクタ1は高周波基
板2に実装されている。すなわち、コネクタ信号線1a
と基板信号線2aとは基板信号線接触ポイント2gで半
田付けにより接合されており、また、第1、第2のコネ
クタアース1c、1dは第2のアースパターン2dに第
1、第2のアースパターン半田付けポイント2h、2i
でそれぞれ半田付けにより接合されているし、また、第
3、第4のコネクタアース1e、1fは第1のアースパ
ターン2cに第3、第4のアースパターン半田付けポイ
ント2j、2kでそれぞれ半田付けにより接合されてい
る。
板2に実装されている。すなわち、コネクタ信号線1a
と基板信号線2aとは基板信号線接触ポイント2gで半
田付けにより接合されており、また、第1、第2のコネ
クタアース1c、1dは第2のアースパターン2dに第
1、第2のアースパターン半田付けポイント2h、2i
でそれぞれ半田付けにより接合されているし、また、第
3、第4のコネクタアース1e、1fは第1のアースパ
ターン2cに第3、第4のアースパターン半田付けポイ
ント2j、2kでそれぞれ半田付けにより接合されてい
る。
【0011】これにより、5ケ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ1と高周波基板2
とは互いに密接して、信号線(コネクタ信号線1aと基
板信号線2a)とアース(第1〜第4のコネクタアース
1c〜1fと第1、第2のアースパターン2c、2d)
が接続されているので、低損失で信号が伝送される。
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ1と高周波基板2
とは互いに密接して、信号線(コネクタ信号線1aと基
板信号線2a)とアース(第1〜第4のコネクタアース
1c〜1fと第1、第2のアースパターン2c、2d)
が接続されているので、低損失で信号が伝送される。
【0012】また、従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に、この基板面と水平方向に半田付けにより取付け
た状態を図50の(a)、(b)、(c)に示す。
基板に、この基板面と水平方向に半田付けにより取付け
た状態を図50の(a)、(b)、(c)に示す。
【0013】図50の(a)は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図50の
(b)は図50の(a)のK−3方向からの矢視図、図
50の(c)は図50の(a)のL−3方向からの矢視
図である。
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図50の
(b)は図50の(a)のK−3方向からの矢視図、図
50の(c)は図50の(a)のL−3方向からの矢視
図である。
【0014】この従来の高周波同軸コネクタ3は、円筒
形状のコネクタ誘電体3bを有しており、このコネクタ
誘電体3bの中心にはコネクタ信号線3aが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体3bの周部にはコネクタ同軸
部アース3zが設けてある。このコネクタ同軸部アース
3zは、高周波基板4のアースパターンに接地するため
の第1、第2のコネクタアース3c、3dを有してい
る。
形状のコネクタ誘電体3bを有しており、このコネクタ
誘電体3bの中心にはコネクタ信号線3aが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体3bの周部にはコネクタ同軸
部アース3zが設けてある。このコネクタ同軸部アース
3zは、高周波基板4のアースパターンに接地するため
の第1、第2のコネクタアース3c、3dを有してい
る。
【0015】高周波基板4は、基板信号線4aと、基板
誘電体4bと、第1〜第3のアースパターン4c〜4e
と、基板信号線接触ポイント4gと、第1、第2のアー
スパターン半田付けポイント4h、4iとを有してい
る。
誘電体4bと、第1〜第3のアースパターン4c〜4e
と、基板信号線接触ポイント4gと、第1、第2のアー
スパターン半田付けポイント4h、4iとを有してい
る。
【0016】そして、高周波同軸コネクタ3は高周波基
板4に実装されている。すなわち、コネクタ信号線3a
と基板信号線4aとは基板信号線接触ポイント4gで半
田付けにより接合されており、また、第1、第2のコネ
クタアース3c、3dと第1、第2のアースパターン4
c、4dとは第、第2のアースパターン半田付けポイン
ト4h、4iでそれぞれ半田付けにより接合されてい
る。
板4に実装されている。すなわち、コネクタ信号線3a
と基板信号線4aとは基板信号線接触ポイント4gで半
田付けにより接合されており、また、第1、第2のコネ
クタアース3c、3dと第1、第2のアースパターン4
c、4dとは第、第2のアースパターン半田付けポイン
ト4h、4iでそれぞれ半田付けにより接合されてい
る。
【0017】これにより、3ヶ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ3と高周波基板4
は互いに密接して、信号線(コネクタ信号線3aと基板
信号線4a)とアース(第1、第2のコネクタアース3
c、3dと第1、第2のアースパターン4c、4d)が
接続されているので、低損失で信号が伝送される。
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ3と高周波基板4
は互いに密接して、信号線(コネクタ信号線3aと基板
信号線4a)とアース(第1、第2のコネクタアース3
c、3dと第1、第2のアースパターン4c、4d)が
接続されているので、低損失で信号が伝送される。
【0018】また、従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に、この基板面と垂直方向に半田付けにより取り付
けた状態を図52の(a)、(b)、(c)に示す。
基板に、この基板面と垂直方向に半田付けにより取り付
けた状態を図52の(a)、(b)、(c)に示す。
【0019】図52の(a)は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図52の
(b)は図52の(a)のM−3方向からの矢視図、図
52の(c)は図52の(a)のN−3方向からの矢視
図である。
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図52の
(b)は図52の(a)のM−3方向からの矢視図、図
52の(c)は図52の(a)のN−3方向からの矢視
図である。
【0020】この従来の高周波同軸コネクタ5は円筒形
状のコネクタ誘電体5bを有しており、このコネクタ誘
電体5bの中心にはコネクタ信号線5aが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体5bの周部にはコネクタ同軸
部アース5zが設けてある。このコネクタ同軸部アース
5zは、高周波基板6のアースパターンに接地するため
の第1〜第4のコネクタアース5c〜5fを有してい
る。
状のコネクタ誘電体5bを有しており、このコネクタ誘
電体5bの中心にはコネクタ信号線5aが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体5bの周部にはコネクタ同軸
部アース5zが設けてある。このコネクタ同軸部アース
5zは、高周波基板6のアースパターンに接地するため
の第1〜第4のコネクタアース5c〜5fを有してい
る。
【0021】高周波基板6は、基板信号線6aと、基板
誘電体6bと、第1、第2のアースパターン6c、6d
と、基板信号線接触ポイント6gと、第1〜第4のアー
スパターン半田付けポイント6h〜6kとを有してい
る。基板信号線6aは、図中に示したように基板誘電体
6b中にストリップラインで構成して高周波基板6上の
高周波回路に引き出される。
誘電体6bと、第1、第2のアースパターン6c、6d
と、基板信号線接触ポイント6gと、第1〜第4のアー
スパターン半田付けポイント6h〜6kとを有してい
る。基板信号線6aは、図中に示したように基板誘電体
6b中にストリップラインで構成して高周波基板6上の
高周波回路に引き出される。
【0022】そして、高周波同軸コネクタ5は高周波基
板6に実装されている。すなわち、コネクタ信号線5a
と基板信号線6aとは基板信号線接触ポイント6gで半
田付けにより接合されている。この場合、コネクタ信号
線6aと基板信号線5aの接続点5lは基板誘電体6b
のほぼ中央に位置している。また、第1〜第4のコネク
タアース5c〜5fと第2のアースパターン6dとは第
1〜第4のアースパターン半田付けポイント6h〜6k
で、それぞれ半田付けにより接合されている。
板6に実装されている。すなわち、コネクタ信号線5a
と基板信号線6aとは基板信号線接触ポイント6gで半
田付けにより接合されている。この場合、コネクタ信号
線6aと基板信号線5aの接続点5lは基板誘電体6b
のほぼ中央に位置している。また、第1〜第4のコネク
タアース5c〜5fと第2のアースパターン6dとは第
1〜第4のアースパターン半田付けポイント6h〜6k
で、それぞれ半田付けにより接合されている。
【0023】これにより、5ヶ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ5と高周波基板6
は互いに密接して、信号線(コネクタ信号線5aと基板
信号線6a)とアース(第1〜第4のコネクタアース5
c〜5fと第2のアースパターン6d)が接続されてい
るので、低損失で信号が伝送される。
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ5と高周波基板6
は互いに密接して、信号線(コネクタ信号線5aと基板
信号線6a)とアース(第1〜第4のコネクタアース5
c〜5fと第2のアースパターン6d)が接続されてい
るので、低損失で信号が伝送される。
【0024】また、従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に、この基板面と垂直方向に半田付けにより取り付
けた状態を図53の(a)、(b)、(c)に示す。
基板に、この基板面と垂直方向に半田付けにより取り付
けた状態を図53の(a)、(b)、(c)に示す。
【0025】図53の(a)は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図53の
(b)は図53の(a)のO−3方向からの矢視図、図
53の(c)は図53の(a)のP−3方向からの矢視
図である。
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図53の
(b)は図53の(a)のO−3方向からの矢視図、図
53の(c)は図53の(a)のP−3方向からの矢視
図である。
【0026】この従来の高周波同軸コネクタは図52の
(a)、(b)、(c)に示す高周波同軸コネクタ5と
同構成であり、高周波同軸コネクタ5は高周波基板6に
実装されている。すなわち、コネクタ信号線5aと基板
信号線6aとは基板信号線接触ポイント6gで半田付け
により接合されており、また、第1〜第4のコネクタア
ース5c〜5fと第2のアースパターン6dとは第1〜
第4のアースパターン半田付けポイント6h〜6kで、
それぞれ半田付けにより接合されている。この場合、コ
ネクタ信号線6aと基板信号線5aの接続点5lは第2
のアースパターン6d寄りに位置していて、この第2の
アースパターン6d側にマイクロストリップラインで構
成して高周波基板6上の高周波回路に引き出される。
(a)、(b)、(c)に示す高周波同軸コネクタ5と
同構成であり、高周波同軸コネクタ5は高周波基板6に
実装されている。すなわち、コネクタ信号線5aと基板
信号線6aとは基板信号線接触ポイント6gで半田付け
により接合されており、また、第1〜第4のコネクタア
ース5c〜5fと第2のアースパターン6dとは第1〜
第4のアースパターン半田付けポイント6h〜6kで、
それぞれ半田付けにより接合されている。この場合、コ
ネクタ信号線6aと基板信号線5aの接続点5lは第2
のアースパターン6d寄りに位置していて、この第2の
アースパターン6d側にマイクロストリップラインで構
成して高周波基板6上の高周波回路に引き出される。
【0027】これにより、5ヶ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ5と高周波基板6
は互いに密接して、信号線(コネクタ信号線5aと基板
信号線6a)とアース(第1〜第4のコネクタアース5
c〜5fと第2のアースパターン6d)が接続されてい
るので、低損失で信号が伝送される。
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ5と高周波基板6
は互いに密接して、信号線(コネクタ信号線5aと基板
信号線6a)とアース(第1〜第4のコネクタアース5
c〜5fと第2のアースパターン6d)が接続されてい
るので、低損失で信号が伝送される。
【0028】また、高周波同軸コネクタと高周波基板上
のマイクロストリップラインとの接合部のインピーダン
ス不整合を防止するために、L字形の金属ブロックを介
して、高周波同軸コネクタと高周波基板を接続する構造
が特開平5−29810号公報に開示されている。
のマイクロストリップラインとの接合部のインピーダン
ス不整合を防止するために、L字形の金属ブロックを介
して、高周波同軸コネクタと高周波基板を接続する構造
が特開平5−29810号公報に開示されている。
【0029】この開示技術は、図54に示すように金属
を切削加工してなるL字形金属ブロック7を介して高周
波基板8に高周波同軸コネクタ9が取り付けてあり、こ
の高周波同軸コネクタ9の中心導体であるコネクタ信号
線9aとマイクロストリップライン8aとが接続してあ
る。
を切削加工してなるL字形金属ブロック7を介して高周
波基板8に高周波同軸コネクタ9が取り付けてあり、こ
の高周波同軸コネクタ9の中心導体であるコネクタ信号
線9aとマイクロストリップライン8aとが接続してあ
る。
【0030】また、従来の高周波モジュールでは、この
高周波モジュールが備えている高周波基板に高周波同軸
ケーブルを導通させる場合に、従来の高周波同軸コネク
タを用いていた。この状態を図56乃至図58に示す。
高周波モジュールが備えている高周波基板に高周波同軸
ケーブルを導通させる場合に、従来の高周波同軸コネク
タを用いていた。この状態を図56乃至図58に示す。
【0031】図56は従来の第1〜第nの高周波同軸コ
ネクタを備える第1〜第nの高周波モジュールの斜視図
である。図57の(a)は高周波同軸ケーブルを備えた
高周波同軸コネクタの平面図、図57の(b)は同高周
波同軸コネクタの側面図、図57の(c)は同高周波同
軸コネクタの正面図である。図58は第1〜第nの高周
波モジュールに第1〜第nの高周波同軸ケーブルを接続
した状態の斜視図である。
ネクタを備える第1〜第nの高周波モジュールの斜視図
である。図57の(a)は高周波同軸ケーブルを備えた
高周波同軸コネクタの平面図、図57の(b)は同高周
波同軸コネクタの側面図、図57の(c)は同高周波同
軸コネクタの正面図である。図58は第1〜第nの高周
波モジュールに第1〜第nの高周波同軸ケーブルを接続
した状態の斜視図である。
【0032】図56に示すように、従来の第1、第2、
・・・第nの高周波モジュール57a、57b、・・・
57nは、そのモジュール本体57Aに第1、第2、・
・・第nの高周波同軸コネクタ1g、1j、・・・1n
を備えており、これらの第1、第2、・・・第nの高周
波同軸コネクタ1g、1j、・・・1nに、第1、第
2、・・・第nの高周波同軸ケーブル58e、58f、
・・・58nに接続された第1、第2、・・・第nのラ
イトアングルケーブルコネクタ59e、59f、・・・
59nを結合することで、第1、第2、・・・第nの高
周波モジュール57a、57b、・・・57nに第1、
第2、・・・第nの高周波同軸ケーブル58e〜58n
が取り付けてある。この場合、第1、第2、・・・第n
の高周波同軸ケーブル58e、58f、・・・58n
は、向きが固定状態でモジュール本体57Aに取り付け
てある。
・・・第nの高周波モジュール57a、57b、・・・
57nは、そのモジュール本体57Aに第1、第2、・
・・第nの高周波同軸コネクタ1g、1j、・・・1n
を備えており、これらの第1、第2、・・・第nの高周
波同軸コネクタ1g、1j、・・・1nに、第1、第
2、・・・第nの高周波同軸ケーブル58e、58f、
・・・58nに接続された第1、第2、・・・第nのラ
イトアングルケーブルコネクタ59e、59f、・・・
59nを結合することで、第1、第2、・・・第nの高
周波モジュール57a、57b、・・・57nに第1、
第2、・・・第nの高周波同軸ケーブル58e〜58n
が取り付けてある。この場合、第1、第2、・・・第n
の高周波同軸ケーブル58e、58f、・・・58n
は、向きが固定状態でモジュール本体57Aに取り付け
てある。
【0033】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波同軸コネクタでは、高周波基板の厚さ等の違いに
よりコネクタ信号線と高周波基板の基板信号線(信号ラ
イン)との接続位置が異なることが原因や、高周波基板
の材質による誘電率の違いにより所望のインピーダンス
と異なるインピーダンスになり、損失の増加等、高周波
特性が劣化するという問題点があった。
高周波同軸コネクタでは、高周波基板の厚さ等の違いに
よりコネクタ信号線と高周波基板の基板信号線(信号ラ
イン)との接続位置が異なることが原因や、高周波基板
の材質による誘電率の違いにより所望のインピーダンス
と異なるインピーダンスになり、損失の増加等、高周波
特性が劣化するという問題点があった。
【0034】図52の(a)、(b)、(c)に示す高
周波同軸コネクタ5のコネクタ信号線5aの接続点5l
を、例えば、図55の(a)、(b)、(c)のように
5g〜5iと変化させた時のインピーダンスの変化を図
55の(d)、(e)、(f)にそれぞれ示す。
周波同軸コネクタ5のコネクタ信号線5aの接続点5l
を、例えば、図55の(a)、(b)、(c)のように
5g〜5iと変化させた時のインピーダンスの変化を図
55の(d)、(e)、(f)にそれぞれ示す。
【0035】図55の(d)、(e)、(f)のスミス
チャートは50Ωで正規化したものであり、スミスチャ
ートの中心Pdはインピーダンスが50Ωであることを
示したものであり、コネクタ信号線5aの接続点5lを
5g〜5iと変化させた時における、それぞれのインピ
ーダンスの変化(Pd→Pe→Pf)を示したものであ
る。
チャートは50Ωで正規化したものであり、スミスチャ
ートの中心Pdはインピーダンスが50Ωであることを
示したものであり、コネクタ信号線5aの接続点5lを
5g〜5iと変化させた時における、それぞれのインピ
ーダンスの変化(Pd→Pe→Pf)を示したものであ
る。
【0036】図55の(d)、(e)、(f)から、高
周波同軸コネクタ5においては、接続点5lが、コネク
タ誘電体5bから離れるほどインピーダンスが50Ωか
ら変動する、つまり、高周波同軸コネクタ5は、基板信
号線6aと接続点5gにおいて接続すれば最も良好な状
態が得られることが解る。
周波同軸コネクタ5においては、接続点5lが、コネク
タ誘電体5bから離れるほどインピーダンスが50Ωか
ら変動する、つまり、高周波同軸コネクタ5は、基板信
号線6aと接続点5gにおいて接続すれば最も良好な状
態が得られることが解る。
【0037】しかし、高周波同軸コネクタ5は一般に、
図52の(a)、(b)、(c)のように高周波基板6
に取り付けられる。基板信号線6aは、図52の
(b)、(c)に示したように基板誘電体6b中にスト
リップラインで構成する、または、図53の(b)、
(c)に示したように第2のアースパターン6d側にマ
イクロストリップラインで構成して、高周波基板6上の
高周波回路に引き出される。つまり、コネクタ信号線5
aと基板信号線6aとの接続点5lは接続点5gから離
れて設けられることになる。
図52の(a)、(b)、(c)のように高周波基板6
に取り付けられる。基板信号線6aは、図52の
(b)、(c)に示したように基板誘電体6b中にスト
リップラインで構成する、または、図53の(b)、
(c)に示したように第2のアースパターン6d側にマ
イクロストリップラインで構成して、高周波基板6上の
高周波回路に引き出される。つまり、コネクタ信号線5
aと基板信号線6aとの接続点5lは接続点5gから離
れて設けられることになる。
【0038】従って、所望のインピーダンスと異なるイ
ンピーダンスとなり、損失の増加等が発生する。また、
例えば、高周波基板6のアースパターン6c側に基板信
号線6aとしてマイクロストリップラインを設けても、
従来の高周波同軸コネクタでは、マイクロストリップラ
インの接合点から高周波基板6上へ引き出す際に、高周
波同軸コネクタ5の金属部分によりマイクロストリップ
ラインの特性インピーダンスが変動し、損失の増加等が
発生する。
ンピーダンスとなり、損失の増加等が発生する。また、
例えば、高周波基板6のアースパターン6c側に基板信
号線6aとしてマイクロストリップラインを設けても、
従来の高周波同軸コネクタでは、マイクロストリップラ
インの接合点から高周波基板6上へ引き出す際に、高周
波同軸コネクタ5の金属部分によりマイクロストリップ
ラインの特性インピーダンスが変動し、損失の増加等が
発生する。
【0039】図49に示す高周波同軸コネクタ1の取付
構造においても、これと同様の問題点がある。
構造においても、これと同様の問題点がある。
【0040】また、従来の高周波同軸コネクタでは、こ
の高周波同軸コネクタの入力端から高周波基板の接合点
までの距離が長くなり、高周波同軸コネクタを通過する
信号の損失が増加するという問題点があった。
の高周波同軸コネクタの入力端から高周波基板の接合点
までの距離が長くなり、高周波同軸コネクタを通過する
信号の損失が増加するという問題点があった。
【0041】図49に示す高周波同軸コネクタ1及びそ
の高周波基板2への取付構造においては、高周波同軸コ
ネクタ1に備えるコネクタ信号線1aの長さは、高周波
基板2に対して水平方向の長さLlと、垂直方向の長さ
L2を加算した距離を高周波信号が伝送されることにな
る。
の高周波基板2への取付構造においては、高周波同軸コ
ネクタ1に備えるコネクタ信号線1aの長さは、高周波
基板2に対して水平方向の長さLlと、垂直方向の長さ
L2を加算した距離を高周波信号が伝送されることにな
る。
【0042】同軸管内の高周波信号の損失は同軸の長さ
に比例するために、水平方向にのみ信号線を引き出す構
造に比べて、信号の損失が大きくなってしまう。
に比例するために、水平方向にのみ信号線を引き出す構
造に比べて、信号の損失が大きくなってしまう。
【0043】また、コネクタ信号線1aの長さL3の部
分は、高周波信号の伝送に対してオープンスタブとして
機能するので、接合点2gにおけるインピーダンスが変
動してしまい、損失の増加等、高周波特性が劣化すると
いう問題点があった。
分は、高周波信号の伝送に対してオープンスタブとして
機能するので、接合点2gにおけるインピーダンスが変
動してしまい、損失の増加等、高周波特性が劣化すると
いう問題点があった。
【0044】また、高周波基板の基板面に水平方向に半
田付けにより取り付けられる従来の高周波同軸コネクタ
では、コネクタ信号線と基板信号線の接触が高周波基板
の厚みに影響され、インピーダンスの変動が発生するな
ど、取付けの信頼性が損なわれるというた問題点があっ
た。
田付けにより取り付けられる従来の高周波同軸コネクタ
では、コネクタ信号線と基板信号線の接触が高周波基板
の厚みに影響され、インピーダンスの変動が発生するな
ど、取付けの信頼性が損なわれるというた問題点があっ
た。
【0045】また、高周波信号は高周波同軸ケーブル内
ではTEMモードで、マイクロストリップライン等の高
周波基板上の一般的な伝送線路では準TEMモードで伝
送されるが、従来のコネクタ信号線を高周波基板上のス
ルーホールに挿入するように構成された高周波同軸コネ
クタでは、スルーホール内では信号線と並行して特性イ
ンピーダンスを保つようにグランドを設けることが困難
であり、電磁界分布はTEMモードとならない。そのた
めに、インピーダンスの変動から不要な反射が発生し、
損失が増加するという問題点があった。
ではTEMモードで、マイクロストリップライン等の高
周波基板上の一般的な伝送線路では準TEMモードで伝
送されるが、従来のコネクタ信号線を高周波基板上のス
ルーホールに挿入するように構成された高周波同軸コネ
クタでは、スルーホール内では信号線と並行して特性イ
ンピーダンスを保つようにグランドを設けることが困難
であり、電磁界分布はTEMモードとならない。そのた
めに、インピーダンスの変動から不要な反射が発生し、
損失が増加するという問題点があった。
【0046】また、基板面に対して正確な水平方向を確
保できず、インピーダンスの変動が発生するなど、取付
けの信頼性が損なわれるという問題点があった。
保できず、インピーダンスの変動が発生するなど、取付
けの信頼性が損なわれるという問題点があった。
【0047】例えば、図50の(a)、(b)、(c)
に示すように高周波同軸コネクタ3は高周波基板4に取
り付けられるが、一般に、この取付けだけでは図51の
(a)、(b)のように、ストレス等によって高周波同
軸コネクタ3の軸方向が高周波基板4に対して水平な面
からφ方向(−ΔθもしくはΔθ)に傾いてしまう。そ
のため、接合点4gにおけるインピーダンスの変動が生
じるなど、取付けの信頼性が損なわれることになる。
に示すように高周波同軸コネクタ3は高周波基板4に取
り付けられるが、一般に、この取付けだけでは図51の
(a)、(b)のように、ストレス等によって高周波同
軸コネクタ3の軸方向が高周波基板4に対して水平な面
からφ方向(−ΔθもしくはΔθ)に傾いてしまう。そ
のため、接合点4gにおけるインピーダンスの変動が生
じるなど、取付けの信頼性が損なわれることになる。
【0048】また、従来の高周波同軸コネクタは高周波
基板に取り付けられる、高周波信号をシールドするシー
ルドケースや装置のパネル(いずれも図示せず)に固定
される場合があるが、機構的な寸法精度の誤差等から同
様の問題点が発生する場合があった。
基板に取り付けられる、高周波信号をシールドするシー
ルドケースや装置のパネル(いずれも図示せず)に固定
される場合があるが、機構的な寸法精度の誤差等から同
様の問題点が発生する場合があった。
【0049】また、図54に示す特開平5−29810
号公報に示された高周波同軸コネクタでは、L字状金属
ブロック24で取付けの垂直方向の位置決めがなされる
ので、高周波基板22の厚みが変わるとインピーダンス
の変動が発生するなど、取付けの信頼性が損なわれるこ
とになる。また、高周波基板22の厚みに合わせてL字
状金属ブロック24を設ける必要があり、コストが嵩む
という問題点があった。
号公報に示された高周波同軸コネクタでは、L字状金属
ブロック24で取付けの垂直方向の位置決めがなされる
ので、高周波基板22の厚みが変わるとインピーダンス
の変動が発生するなど、取付けの信頼性が損なわれるこ
とになる。また、高周波基板22の厚みに合わせてL字
状金属ブロック24を設ける必要があり、コストが嵩む
という問題点があった。
【0050】また、従来の高周波同軸コネクタでは、多
数の半田付けやねじ止めが必要であり、取付けの作業工
数が大きくなるという問題点があった。また、シールド
ケース(図示せず)やフロントパネル等(図示せず)を
取り付けるための半田付けやねじ止めが必要であり、取
付けの作業工数が大きくなるという問題点があった。
数の半田付けやねじ止めが必要であり、取付けの作業工
数が大きくなるという問題点があった。また、シールド
ケース(図示せず)やフロントパネル等(図示せず)を
取り付けるための半田付けやねじ止めが必要であり、取
付けの作業工数が大きくなるという問題点があった。
【0051】このように、従来の高周波同軸コネクタは
高周波基板に取付けた時の特性の考慮がなされていな
い、また、その取付性や取付けの信頼性に問題があっ
た。
高周波基板に取付けた時の特性の考慮がなされていな
い、また、その取付性や取付けの信頼性に問題があっ
た。
【0052】また、従来の高周波同軸コネクタを、その
高周波同軸コネクタ自体のアース部を高周波基板に半田
付けにすることにより実装する場合、高周波同軸コネク
タ自体のアース部の熱容量が大きいために、半田付けを
行う際に、半田が溶け難く、半田付けする個所が多い場
合などは作業性が悪いという問題点があった。
高周波同軸コネクタ自体のアース部を高周波基板に半田
付けにすることにより実装する場合、高周波同軸コネク
タ自体のアース部の熱容量が大きいために、半田付けを
行う際に、半田が溶け難く、半田付けする個所が多い場
合などは作業性が悪いという問題点があった。
【0053】また、図58に示すように従来の第1、第
2、・・・第nの高周波同軸コネクタ1g、1j、・・
・1nは、高周波モジュール(第1、第2、・・・第n
の高周波モジュール57a、57b、・・・57n)の
モジュール本体57Aに用いられる際に、第1、第2、
・・・第nの高周波同軸ケーブル58e、58f、・・
・58nが接続されるが、第1、第2、・・・第nの高
周波同軸コネクタ1g、1j、・・・1nの向きが固定
状態で実装されている。
2、・・・第nの高周波同軸コネクタ1g、1j、・・
・1nは、高周波モジュール(第1、第2、・・・第n
の高周波モジュール57a、57b、・・・57n)の
モジュール本体57Aに用いられる際に、第1、第2、
・・・第nの高周波同軸ケーブル58e、58f、・・
・58nが接続されるが、第1、第2、・・・第nの高
周波同軸コネクタ1g、1j、・・・1nの向きが固定
状態で実装されている。
【0054】このために、第1、第2、・・・第nの高
周波同軸ケーブル58e、58f、・・・58nの接続
時は、それぞれ向きを第1、第2、・・・第nの高周波
同軸コネクタ1g、1j、・・・1n側に向けるため
に、図57の(a)に示すように第1、第2、・・・第
nの高周波同軸ケーブル58e、58f、・・・58n
にφ方向にねじりのストレスを加える必要があり、作業
性が悪いという問題点があった。
周波同軸ケーブル58e、58f、・・・58nの接続
時は、それぞれ向きを第1、第2、・・・第nの高周波
同軸コネクタ1g、1j、・・・1n側に向けるため
に、図57の(a)に示すように第1、第2、・・・第
nの高周波同軸ケーブル58e、58f、・・・58n
にφ方向にねじりのストレスを加える必要があり、作業
性が悪いという問題点があった。
【0055】また、受信アンテナから受信信号を入力す
る受信回路入力コネクタに従来の高周波同軸コネクタを
用いた受信回路(図示せず)では、高周波同軸コネクタ
による入力の挿入損失の増加による雑音指数の劣化や、
高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動し、受信回
路の雑音指数の最適条件から変動してしまい、受信の信
号の品質が劣化するという問題点があった。
る受信回路入力コネクタに従来の高周波同軸コネクタを
用いた受信回路(図示せず)では、高周波同軸コネクタ
による入力の挿入損失の増加による雑音指数の劣化や、
高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動し、受信回
路の雑音指数の最適条件から変動してしまい、受信の信
号の品質が劣化するという問題点があった。
【0056】また、出力信号を出力する送信回路出力コ
ネクタに従来の高周波同軸コネクタを用いた送信回路
(図示せず)では、高周波同軸コネクタによる出力の挿
入損失を補うために、送信増幅器の出力を上げることに
よる送信回路の電力効率の劣化や、高周波同軸コネクタ
のインピーダンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適
条件から変動してしまい、送信の信号の品質が劣化する
という問題点があった。
ネクタに従来の高周波同軸コネクタを用いた送信回路
(図示せず)では、高周波同軸コネクタによる出力の挿
入損失を補うために、送信増幅器の出力を上げることに
よる送信回路の電力効率の劣化や、高周波同軸コネクタ
のインピーダンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適
条件から変動してしまい、送信の信号の品質が劣化する
という問題点があった。
【0057】また、上記した従来の高周波同軸コネクタ
を備えた送、受信回路を用いた無線通信装置(図示せ
ず)では、装置の電力効率の劣化や通信の品質が劣化す
るという問題点があった。
を備えた送、受信回路を用いた無線通信装置(図示せ
ず)では、装置の電力効率の劣化や通信の品質が劣化す
るという問題点があった。
【0058】本発明は、上記の問題点に着目して成され
たものであって、その第1の目的とするところは、高周
波基板に高周波同軸コネクタを実装する際に、高周波同
軸コネクタアースを確実に高周波基板アースパターンに
設置することができて、高周波基板の厚さ等の違いによ
るインピーダンス不整合の発生を少なくすることがで
き、高周波特性の劣化を防止することができる高周波同
軸コネクタを提供することにある。
たものであって、その第1の目的とするところは、高周
波基板に高周波同軸コネクタを実装する際に、高周波同
軸コネクタアースを確実に高周波基板アースパターンに
設置することができて、高周波基板の厚さ等の違いによ
るインピーダンス不整合の発生を少なくすることがで
き、高周波特性の劣化を防止することができる高周波同
軸コネクタを提供することにある。
【0059】また、本発明の第2の目的とするところ
は、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との
接続時に生じる特性劣化を少なくすることができる高周
波同軸コネクタの取付構造を提供することにある。
は、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との
接続時に生じる特性劣化を少なくすることができる高周
波同軸コネクタの取付構造を提供することにある。
【0060】また、本発明の第3の目的とするところ
は、高周波同軸ケーブルに無理なねじれのストレスを加
えないで高周波同軸コネクタに接続することができて、
作業性を向上することができる高周波モジュールを提供
することにある。
は、高周波同軸ケーブルに無理なねじれのストレスを加
えないで高周波同軸コネクタに接続することができて、
作業性を向上することができる高周波モジュールを提供
することにある。
【0061】また、本発明の第4の目的とするところ
は、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動して受
信回路の雑音指数が最適となるインピーダンス条件から
変動することによる受信信号の品質劣化が生じない受信
回路を提供することにある。
は、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動して受
信回路の雑音指数が最適となるインピーダンス条件から
変動することによる受信信号の品質劣化が生じない受信
回路を提供することにある。
【0062】また、本発明の第5の目的とするところ
は、送信回路の出力に用いられる高周波同軸コネクタの
挿入損失を小さくすることにより送信回路の電力効率を
改善することができるし、良好な品質の送信信号を出力
する送信回路を提供することにある。
は、送信回路の出力に用いられる高周波同軸コネクタの
挿入損失を小さくすることにより送信回路の電力効率を
改善することができるし、良好な品質の送信信号を出力
する送信回路を提供することにある。
【0063】また、本発明の第6の目的とするところ
は、良好な電力効率や、良好な通信品質を有する無線通
信装置を提供することにある。
は、良好な電力効率や、良好な通信品質を有する無線通
信装置を提供することにある。
【0064】
【課題を解決するための手段】上記の第1の目的を達成
するために、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周
波基板の高周波基板信号線に導通される高周波同軸コネ
クタ信号線と、高周波基板のアースパターンに導通され
る高周波同軸コネクタアースとを有する高周波同軸コネ
クタであって、高周波同軸コネクタアースが、高周波同
軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高周波
基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高
周波同軸コネクタ出力基板を備えており、高周波同軸コ
ネクタ出力線路の高周波基板信号線接触部を周波基板信
号線に接触させた際に、高周波同軸コネクタアースがア
ースパターンに接触するように、高周波基板信号線接触
部と高周波同軸コネクタアースのアースパターン接触部
とを配置するようにしたものである。
するために、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周
波基板の高周波基板信号線に導通される高周波同軸コネ
クタ信号線と、高周波基板のアースパターンに導通され
る高周波同軸コネクタアースとを有する高周波同軸コネ
クタであって、高周波同軸コネクタアースが、高周波同
軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高周波
基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高
周波同軸コネクタ出力基板を備えており、高周波同軸コ
ネクタ出力線路の高周波基板信号線接触部を周波基板信
号線に接触させた際に、高周波同軸コネクタアースがア
ースパターンに接触するように、高周波基板信号線接触
部と高周波同軸コネクタアースのアースパターン接触部
とを配置するようにしたものである。
【0065】かかる構成により、高周波基板に高周波同
軸コネクタを実装して高周波同軸コネクタ出力線路の高
周波基板信号線接触部を周波基板信号線に接触させた際
に、高周波同軸コネクタアースを確実に高周波基板アー
スパターンに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。
軸コネクタを実装して高周波同軸コネクタ出力線路の高
周波基板信号線接触部を周波基板信号線に接触させた際
に、高周波同軸コネクタアースを確実に高周波基板アー
スパターンに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。
【0066】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えていることによ
り、高周波基板信号線に、内層を利用した信号線を使用
する必要がなく、このために、高周波基板の厚さや材質
による厚さの違いによるインピーダンス変動の影響がな
い高周波同軸コネクタが実現できる。
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えていることによ
り、高周波基板信号線に、内層を利用した信号線を使用
する必要がなく、このために、高周波基板の厚さや材質
による厚さの違いによるインピーダンス変動の影響がな
い高周波同軸コネクタが実現できる。
【0067】また、上記の第1の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周波基板の
高周波基板信号線に導通される高周波同軸コネクタ信号
線と、高周波基板のアースパターンに導通される高周波
同軸コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタであ
って、高周波同軸コネクタアースが、高周波同軸コネク
タ信号線により伝送された高周波信号を高周波基板に伝
送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸
コネクタ出力基板を備えており、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せて、高周波基板信号線接触部を高周波基板信号線に接
触させた際に、アースパターン接触部がアースパターン
に接触するようにしたものである。
に、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周波基板の
高周波基板信号線に導通される高周波同軸コネクタ信号
線と、高周波基板のアースパターンに導通される高周波
同軸コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタであ
って、高周波同軸コネクタアースが、高周波同軸コネク
タ信号線により伝送された高周波信号を高周波基板に伝
送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸
コネクタ出力基板を備えており、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せて、高周波基板信号線接触部を高周波基板信号線に接
触させた際に、アースパターン接触部がアースパターン
に接触するようにしたものである。
【0068】かかる構成により、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せることにより、高周波基板に高周波同軸コネクタを実
装して高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線
接触部を高周波基板信号線に接触させた際に、高周波同
軸コネクタアースを確実に高周波基板アースパターンに
接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違いに
より、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線と
の接続位置が異なることが原因で生じていたインピーダ
ンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波特
性の劣化を防止することができる。
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せることにより、高周波基板に高周波同軸コネクタを実
装して高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線
接触部を高周波基板信号線に接触させた際に、高周波同
軸コネクタアースを確実に高周波基板アースパターンに
接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違いに
より、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線と
の接続位置が異なることが原因で生じていたインピーダ
ンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波特
性の劣化を防止することができる。
【0069】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えていることによ
り、高周波基板信号線が内層を利用した信号線を使用す
る必要がなく、このために、高周波基板の厚さ等の違い
によるインピーダンス変動の影響がない高周波同軸コネ
クタが実現できる。
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えていることによ
り、高周波基板信号線が内層を利用した信号線を使用す
る必要がなく、このために、高周波基板の厚さ等の違い
によるインピーダンス変動の影響がない高周波同軸コネ
クタが実現できる。
【0070】また、上記の第1の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周波基板の
高周波基板信号線に導通され且つ高周波信号を高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ信号線と、高周波基板
のアースパターンに導通される高周波同軸コネクタアー
スとを有する高周波同軸コネクタであって、高周波同軸
コネクタ信号線がライトアングル状のコネクタ誘電体の
中心に配置してあり、且つコネクタ誘電体の周部に高周
波同軸コネクタ同軸部アースを有しており、この高周波
同軸コネクタ同軸部アースが高周波同軸コネクタアース
を備えていて、高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを同一平面内に位置させて、高周波同
軸コネクタ信号線を高周波基板信号線に接触させた際
に、高周波同軸コネクタアースがアースパターンに接触
するようにしたものである。
に、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周波基板の
高周波基板信号線に導通され且つ高周波信号を高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ信号線と、高周波基板
のアースパターンに導通される高周波同軸コネクタアー
スとを有する高周波同軸コネクタであって、高周波同軸
コネクタ信号線がライトアングル状のコネクタ誘電体の
中心に配置してあり、且つコネクタ誘電体の周部に高周
波同軸コネクタ同軸部アースを有しており、この高周波
同軸コネクタ同軸部アースが高周波同軸コネクタアース
を備えていて、高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを同一平面内に位置させて、高周波同
軸コネクタ信号線を高周波基板信号線に接触させた際
に、高周波同軸コネクタアースがアースパターンに接触
するようにしたものである。
【0071】かかる構成により、ライトアングルタイプ
の高周波同軸コネクタにおいて、高周波基板に高周波同
軸コネクタを実装した際に、高周波同軸コネクタアース
を確実に高周波基板アースパターンに接触させることが
できて、高周波基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸
コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異な
ることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生
を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止す
ることができる。
の高周波同軸コネクタにおいて、高周波基板に高周波同
軸コネクタを実装した際に、高周波同軸コネクタアース
を確実に高周波基板アースパターンに接触させることが
できて、高周波基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸
コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異な
ることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生
を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止す
ることができる。
【0072】また、上記の第2の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタ信号線を高周波基板信号線に接触さ
せた際に、高周波同軸コネクタアースがアースパターン
に接触するように、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
同軸コネクタアースとを配置して、高周波同軸コネクタ
信号線を高周波基板信号線に導通させると共に、高周波
同軸コネクタアースをアースパターンに導通させて、高
周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるように
したものである。
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタ信号線を高周波基板信号線に接触さ
せた際に、高周波同軸コネクタアースがアースパターン
に接触するように、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
同軸コネクタアースとを配置して、高周波同軸コネクタ
信号線を高周波基板信号線に導通させると共に、高周波
同軸コネクタアースをアースパターンに導通させて、高
周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるように
したものである。
【0073】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線が高周波基板信号線に直接接触するために、高周波
基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線との接続位置が異なることが原因で
生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくするこ
とができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号
線との接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
る。
号線が高周波基板信号線に直接接触するために、高周波
基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線との接続位置が異なることが原因で
生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくするこ
とができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号
線との接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
る。
【0074】また、高周波同軸コネクタを高周波基板に
対し水平方向に精度良く実装することができるために、
インピーダンスの変動少なくなり、取付けの信頼性を向
上することができる。
対し水平方向に精度良く実装することができるために、
インピーダンスの変動少なくなり、取付けの信頼性を向
上することができる。
【0075】また、上記の第2の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアース
とを同一平面内に位置させて、高周波同軸コネクタ信号
線を高周波基板信号線に導通させた際に、高周波同軸コ
ネクタアースをアースパターンに導通させて、高周波同
軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたもので
ある。
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアース
とを同一平面内に位置させて、高周波同軸コネクタ信号
線を高周波基板信号線に導通させた際に、高周波同軸コ
ネクタアースをアースパターンに導通させて、高周波同
軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたもので
ある。
【0076】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波同軸コネクタアースとを同一平面内に位置
させることにより、高周波同軸コネクタ信号線が高周波
基板信号線に直接接触するために、高周波基板の厚さ等
の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができ、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続時
に生じる特性劣化を少なくすることができる。
号線と高周波同軸コネクタアースとを同一平面内に位置
させることにより、高周波同軸コネクタ信号線が高周波
基板信号線に直接接触するために、高周波基板の厚さ等
の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができ、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続時
に生じる特性劣化を少なくすることができる。
【0077】また、高周波同軸コネクタ信号線を高周波
基板信号線に接触することにより高周波基板信号線に導
通させた場合には、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線の半田付けが不要であるため、半田付けによ
るインピーダンス不整合を少なくすることができる。
基板信号線に接触することにより高周波基板信号線に導
通させた場合には、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線の半田付けが不要であるため、半田付けによ
るインピーダンス不整合を少なくすることができる。
【0078】また、高周波同軸コネクタを高周波基板に
対し水平方向に精度良く実装することができるために、
インピーダンスの変動が少なくなり、取付けの信頼性を
向上することができる。
対し水平方向に精度良く実装することができるために、
インピーダンスの変動が少なくなり、取付けの信頼性を
向上することができる。
【0079】また、上記の第2の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタアースが、高周波同軸コネクタ信号
線により伝送された高周波信号を高周波基板に伝送する
高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸コネク
タ出力基板を備えており、高周波同軸コネクタ出力線路
の高周波基板信号線接触部を周波基板信号線に接触させ
た際に、高周波同軸コネクタアースがアースパターンに
接触するように、高周波基板信号線接触部と高周波同軸
コネクタアースのアースパターン接触部とを配置させ
て、高周波基板信号線接触部を高周波基板信号線に導通
させると共に、アースパターン接触部をアースパターン
に導通させて、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り
付けるようにしたものである。
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタアースが、高周波同軸コネクタ信号
線により伝送された高周波信号を高周波基板に伝送する
高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸コネク
タ出力基板を備えており、高周波同軸コネクタ出力線路
の高周波基板信号線接触部を周波基板信号線に接触させ
た際に、高周波同軸コネクタアースがアースパターンに
接触するように、高周波基板信号線接触部と高周波同軸
コネクタアースのアースパターン接触部とを配置させ
て、高周波基板信号線接触部を高周波基板信号線に導通
させると共に、アースパターン接触部をアースパターン
に導通させて、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り
付けるようにしたものである。
【0080】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線に導通した高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基
板信号線接触部が高周波基板信号線に直接接触するため
に、高周波基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネ
クタ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異なるこ
とが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少
なくすることができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を少なくする
ことができる。
号線に導通した高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基
板信号線接触部が高周波基板信号線に直接接触するため
に、高周波基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネ
クタ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異なるこ
とが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少
なくすることができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を少なくする
ことができる。
【0081】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えているために、高
周波基板信号線に、内層を利用した信号線を使用する必
要がない。このために、高周波基板の厚さ等の違いによ
るインピーダンス変動の影響がものになる。
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えているために、高
周波基板信号線に、内層を利用した信号線を使用する必
要がない。このために、高周波基板の厚さ等の違いによ
るインピーダンス変動の影響がものになる。
【0082】また、上記の第2の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備え、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り
付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、高周波
同軸コネクタアースが、高周波同軸コネクタ信号線によ
り伝送された高周波信号を高周波基板に伝送する高周波
同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸コネクタ出力
基板を備えており、高周波同軸コネクタ出力線路の高周
波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタアースのアー
スパターン接触部とを同一平面内に位置させて、高周波
基板信号線接触部を高周波基板信号線に導通させた際
に、アースパターン接触部をアースパターンに導通させ
て、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるよう
にしたものである。
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備え、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り
付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、高周波
同軸コネクタアースが、高周波同軸コネクタ信号線によ
り伝送された高周波信号を高周波基板に伝送する高周波
同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸コネクタ出力
基板を備えており、高周波同軸コネクタ出力線路の高周
波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタアースのアー
スパターン接触部とを同一平面内に位置させて、高周波
基板信号線接触部を高周波基板信号線に導通させた際
に、アースパターン接触部をアースパターンに導通させ
て、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるよう
にしたものである。
【0083】かかる構成により、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せることによって、高周波同軸コネクタ信号線に接続さ
れた高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部が高周波基板信号線に直接接触するために、高周波
基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線との接続位置が異なることが原因で
生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくするこ
とができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号
線との接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
る。
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せることによって、高周波同軸コネクタ信号線に接続さ
れた高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部が高周波基板信号線に直接接触するために、高周波
基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線との接続位置が異なることが原因で
生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくするこ
とができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号
線との接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
る。
【0084】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えているために、高
周波基板信号線が内層を利用した信号線を使用する必要
がないために、高周波基板の厚さ等の違いによるインピ
ーダンス変動の影響がものになる。
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えているために、高
周波基板信号線が内層を利用した信号線を使用する必要
がないために、高周波基板の厚さ等の違いによるインピ
ーダンス変動の影響がものになる。
【0085】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースを爪形
状にし、高周波基板に、高周波同軸コネクタアースが挿
入されるコネクタアース挿入孔部を設け、高周波同軸コ
ネクタアースをコネクタアース挿入孔部に挿入して高周
波同軸コネクタアースを曲げることにより、高周波同軸
コネクタアースを高周波基板に係止して高周波同軸コネ
クタを高周波基板に取り付けるようにした。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースを爪形
状にし、高周波基板に、高周波同軸コネクタアースが挿
入されるコネクタアース挿入孔部を設け、高周波同軸コ
ネクタアースをコネクタアース挿入孔部に挿入して高周
波同軸コネクタアースを曲げることにより、高周波同軸
コネクタアースを高周波基板に係止して高周波同軸コネ
クタを高周波基板に取り付けるようにした。
【0086】かかる構成により、アース端子を曲げるだ
けで容易に装着することができるために、半田付けやね
じ止めなどの工程を高効率化することができる。
けで容易に装着することができるために、半田付けやね
じ止めなどの工程を高効率化することができる。
【0087】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側孔部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネクタ
信号線と高周波基板信号線とが接触するように位置決め
する位置に基板側孔部を設け、コネクタ側孔部と基板側
孔部とにねじ部材を挿通して、このねじ部材にナット部
材を螺合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付
けるようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側孔部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネクタ
信号線と高周波基板信号線とが接触するように位置決め
する位置に基板側孔部を設け、コネクタ側孔部と基板側
孔部とにねじ部材を挿通して、このねじ部材にナット部
材を螺合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付
けるようにしたものである。
【0088】かかる構成により、ねじ止めにより高周波
同軸コネクタの高周波基板への接続個所の強度を向上す
ることができる。
同軸コネクタの高周波基板への接続個所の強度を向上す
ることができる。
【0089】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネ
クタ信号線と高周波基板信号線とが接触するように位置
決めする位置に基板側孔部を設け、基板側孔部にねじ部
材を挿通して、このねじ部材をコネクタ側ねじ孔部に螺
合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるよ
うにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネ
クタ信号線と高周波基板信号線とが接触するように位置
決めする位置に基板側孔部を設け、基板側孔部にねじ部
材を挿通して、このねじ部材をコネクタ側ねじ孔部に螺
合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるよ
うにしたものである。
【0090】かかる構成により、ねじ止めの際に別途ナ
ットを必要とせず部品点数を削減することができる。
ットを必要とせず部品点数を削減することができる。
【0091】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースを、互
いに隙間を存して対向する2枚のコネクタアース部で構
成し、一方のコネクタアース部にコネクタ側孔部を設け
ると共に、他方のコネクタアース部にコネクタ側ねじ孔
部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と
高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位置
に基板側孔部を設け、高周波基板をスペーサと共に隙間
に挿入し、基板側孔部及びスペーサにねじ部材を挿通し
て、このねじ部材をコネクタ側ねじ孔部に螺合して高周
波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたも
のである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースを、互
いに隙間を存して対向する2枚のコネクタアース部で構
成し、一方のコネクタアース部にコネクタ側孔部を設け
ると共に、他方のコネクタアース部にコネクタ側ねじ孔
部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と
高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位置
に基板側孔部を設け、高周波基板をスペーサと共に隙間
に挿入し、基板側孔部及びスペーサにねじ部材を挿通し
て、このねじ部材をコネクタ側ねじ孔部に螺合して高周
波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたも
のである。
【0092】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に接続作業の際に、高周波基板を裏返す必要
が無く、高周波同軸コネクタ接続工程を高効率化するこ
とができる。
高周波基板に接続作業の際に、高周波基板を裏返す必要
が無く、高周波同軸コネクタ接続工程を高効率化するこ
とができる。
【0093】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部とコネクタジョイント用溝部とを設け、
高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板
信号線とが接触するように位置決めする位置に基板側孔
部を設け、コネクタジョイント用溝部に、挿通孔部を有
するコネクタジョイントを係脱可能に挿入して、このコ
ネクタジョイントと高周波同軸コネクタアースとで高周
波基板を挟み、コネクタジョイントの挿通孔部から基板
側孔部にねじ部材を挿入して、このねじ部材をコネクタ
側ねじ孔部に螺合することで、高周波同軸コネクタを高
周波基板に取り付けるようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部とコネクタジョイント用溝部とを設け、
高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板
信号線とが接触するように位置決めする位置に基板側孔
部を設け、コネクタジョイント用溝部に、挿通孔部を有
するコネクタジョイントを係脱可能に挿入して、このコ
ネクタジョイントと高周波同軸コネクタアースとで高周
波基板を挟み、コネクタジョイントの挿通孔部から基板
側孔部にねじ部材を挿入して、このねじ部材をコネクタ
側ねじ孔部に螺合することで、高周波同軸コネクタを高
周波基板に取り付けるようにしたものである。
【0094】かかる構成により、ねじ部材によるコネク
タジョイントの固定と高周波同軸コネクタの固定を同時
に行うことができて実装強度が向上する。また、高周波
同軸コネクタと高周波基板のアースパターンの接触面積
が大きくなるために導電性を強化することができる。
タジョイントの固定と高周波同軸コネクタの固定を同時
に行うことができて実装強度が向上する。また、高周波
同軸コネクタと高周波基板のアースパターンの接触面積
が大きくなるために導電性を強化することができる。
【0095】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置にアース挿入部を設け、高周波同軸コネクタアースを
アース挿入部に挿入して高周波基板の裏面で半田付けに
より固定して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付
けるようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置にアース挿入部を設け、高周波同軸コネクタアースを
アース挿入部に挿入して高周波基板の裏面で半田付けに
より固定して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付
けるようにしたものである。
【0096】かかる構成により、高周波同軸コネクタと
高周波基板の接続のための半田付けポイントを削減でき
る。また、高周波基板のアース挿入部を、複数のアース
挿入孔、あるいはスリット形状にすることにより、任意
の方向に実装することができる。
高周波基板の接続のための半田付けポイントを削減でき
る。また、高周波基板のアース挿入部を、複数のアース
挿入孔、あるいはスリット形状にすることにより、任意
の方向に実装することができる。
【0097】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、高周波同軸コネクタアースにねじ部を形成
し、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線とが接触するように位置決めする位置に基板
側孔部を設け、高周波同軸コネクタアースを基板側孔部
に挿入して高周波基板の裏面側でねじ部にナット部材を
螺合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付ける
ようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、高周波同軸コネクタアースにねじ部を形成
し、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線とが接触するように位置決めする位置に基板
側孔部を設け、高周波同軸コネクタアースを基板側孔部
に挿入して高周波基板の裏面側でねじ部にナット部材を
螺合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付ける
ようにしたものである。
【0098】かかる構成により、高周波同軸コネクタア
ースと高周波基板のアースパターンの接続をナットによ
る締め付けだけで実現することができ、容易に実装する
ことができる。
ースと高周波基板のアースパターンの接続をナットによ
る締め付けだけで実現することができ、容易に実装する
ことができる。
【0099】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける際に、高周波同軸コネクタを所定の位置に
位置決めして固定するアタッチメントを用いるようにし
た。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける際に、高周波同軸コネクタを所定の位置に
位置決めして固定するアタッチメントを用いるようにし
た。
【0100】かかる構成により、高周波同軸コネクタと
高周波基板を取り付ける際に、工具を使用せずに容易に
所定の位置に取り付けることができる。
高周波基板を取り付ける際に、工具を使用せずに容易に
所定の位置に取り付けることができる。
【0101】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、アタッチメントが、高周波基板に
高周波同軸コネクタアースを位置決めするための実装型
アタッチメントと、高周波基板に高周波同軸コネクタを
固定する固定用アタッチメントとであり、実装型アタッ
チメントで高周波同軸コネクタアースを高周波基板に位
置決めすると共に、固定用アタッチメントで高周波基板
に高周波同軸コネクタを固定して高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線とを接触させるようにしたもの
である。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、アタッチメントが、高周波基板に
高周波同軸コネクタアースを位置決めするための実装型
アタッチメントと、高周波基板に高周波同軸コネクタを
固定する固定用アタッチメントとであり、実装型アタッ
チメントで高周波同軸コネクタアースを高周波基板に位
置決めすると共に、固定用アタッチメントで高周波基板
に高周波同軸コネクタを固定して高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線とを接触させるようにしたもの
である。
【0102】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に取り付ける場合に、容易に正確な位置に高
周波同軸コネクタが装着できる。
高周波基板に取り付ける場合に、容易に正確な位置に高
周波同軸コネクタが装着できる。
【0103】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波基板に、高周波信号をシー
ルドするシールドケースをねじ部材で取り付ける際に、
高周波基板とシールドケースとで高周波同軸コネクタア
ースを挟み込み、高周波基板に、ねじ部材でシールドケ
ースと高周波同軸コネクタアースとを共締めして高周波
同軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたもの
である。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波基板に、高周波信号をシー
ルドするシールドケースをねじ部材で取り付ける際に、
高周波基板とシールドケースとで高周波同軸コネクタア
ースを挟み込み、高周波基板に、ねじ部材でシールドケ
ースと高周波同軸コネクタアースとを共締めして高周波
同軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたもの
である。
【0104】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に取り付ける場合に、容易に正確な位置に高
周波同軸コネクタが装着できるばかりか、シールドケー
スを止めるねじ部材と、高周波同軸コネクタを止めるね
じ部材とを共用することにより、ねじ止め個所の数を削
減して部品点数の削減と作業工数を削減することができ
る。
高周波基板に取り付ける場合に、容易に正確な位置に高
周波同軸コネクタが装着できるばかりか、シールドケー
スを止めるねじ部材と、高周波同軸コネクタを止めるね
じ部材とを共用することにより、ねじ止め個所の数を削
減して部品点数の削減と作業工数を削減することができ
る。
【0105】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースは、高
周波同軸コネクタとは別の部品で構成してあり、高周波
同軸コネクタと高周波同軸コネクタアースは結合手段に
より結合されるようにした。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースは、高
周波同軸コネクタとは別の部品で構成してあり、高周波
同軸コネクタと高周波同軸コネクタアースは結合手段に
より結合されるようにした。
【0106】かかる構成により、高周波同軸コネクタア
ース部を高周波同軸コネクタとは別部品にすることによ
り、高周波同軸コネクタアースの熱容量を小さくするこ
とができるためにアースの半田付け作業が容易になる。
ース部を高周波同軸コネクタとは別部品にすることによ
り、高周波同軸コネクタアースの熱容量を小さくするこ
とができるためにアースの半田付け作業が容易になる。
【0107】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタは、高周波基
板の面部に対して傾斜する傾斜方向に向けて、高周波基
板に取り付けるようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタは、高周波基
板の面部に対して傾斜する傾斜方向に向けて、高周波基
板に取り付けるようにしたものである。
【0108】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線の接触強度を強化することがで
き、接触不良を少なくすることができるように、高周波
同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続時に生
じる特性劣化を少なくすることができる。
号線と高周波基板信号線の接触強度を強化することがで
き、接触不良を少なくすることができるように、高周波
同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続時に生
じる特性劣化を少なくすることができる。
【0109】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタがライトアン
グルタイプであり、この高周波同軸コネクタを高周波基
板に対して回転可能に且つ所定方向に固定可能に取り付
けて、高周波同軸コネクタの向きを変化させるようにし
たものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタがライトアン
グルタイプであり、この高周波同軸コネクタを高周波基
板に対して回転可能に且つ所定方向に固定可能に取り付
けて、高周波同軸コネクタの向きを変化させるようにし
たものである。
【0110】かかる構成により、ライトアングルタイプ
の高周波同軸コネクタの向きを任意に変化することがで
き、高周波同軸コネクタに接続される高周波同軸ケーブ
ルにストレスを加えることなく引き回しを容易にするこ
とができる。
の高周波同軸コネクタの向きを任意に変化することがで
き、高周波同軸コネクタに接続される高周波同軸ケーブ
ルにストレスを加えることなく引き回しを容易にするこ
とができる。
【0111】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースに高周
波同軸コネクタを回転可能に取り付ける回転取付手段
と、高周波同軸コネクタアースに高周波同軸コネクタを
固定する固定手段とを備え、回転取付手段により高周波
同軸コネクタの向きを任意に調節すると共に、固定手段
で高周波同軸コネクタアースに高周波同軸コネクタを固
定するようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースに高周
波同軸コネクタを回転可能に取り付ける回転取付手段
と、高周波同軸コネクタアースに高周波同軸コネクタを
固定する固定手段とを備え、回転取付手段により高周波
同軸コネクタの向きを任意に調節すると共に、固定手段
で高周波同軸コネクタアースに高周波同軸コネクタを固
定するようにしたものである。
【0112】かかる構成により、ライトアングルタイプ
の高周波同軸コネクタの向きを任意の方向で確実に固定
することができ、高周波同軸ケーブル接続時の信頼性を
向上することができる。
の高周波同軸コネクタの向きを任意の方向で確実に固定
することができ、高周波同軸ケーブル接続時の信頼性を
向上することができる。
【0113】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースに、高
周波同軸コネクタの実装位置を定める位置決め部を設
け、高周波基板に、位置決め部が挿入される位置決めス
リットを設け、位置決め部を位置決めスリットに挿入し
て高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるように
したものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースに、高
周波同軸コネクタの実装位置を定める位置決め部を設
け、高周波基板に、位置決め部が挿入される位置決めス
リットを設け、位置決め部を位置決めスリットに挿入し
て高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるように
したものである。
【0114】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
正確な位置に実装することができ、取付位置の信頼性を
向上することができるし、また、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。
正確な位置に実装することができ、取付位置の信頼性を
向上することができるし、また、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。
【0115】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波基板にフック係合部を設
け、高周波同軸コネクタアースに、フック係合部に係脱
可能に係合するフック部を設け、フック部をフック係合
部に係脱可能に係合して、高周波同軸コネクタを高周波
基板に取り付けるようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波基板にフック係合部を設
け、高周波同軸コネクタアースに、フック係合部に係脱
可能に係合するフック部を設け、フック部をフック係合
部に係脱可能に係合して、高周波同軸コネクタを高周波
基板に取り付けるようにしたものである。
【0116】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に取り付ける際に、半田付けやねじ止めなど
の工程を必要としない。また、アダプタなどの部品を必
要としないために、高周波同軸コネクタの取付が容易に
なる。
高周波基板に取り付ける際に、半田付けやねじ止めなど
の工程を必要としない。また、アダプタなどの部品を必
要としないために、高周波同軸コネクタの取付が容易に
なる。
【0117】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接触、及び高周波同軸コネクタアース
と高周波基板アースとの接触に、それぞれ導電性マット
を介して行うようにしたものである。
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接触、及び高周波同軸コネクタアース
と高周波基板アースとの接触に、それぞれ導電性マット
を介して行うようにしたものである。
【0118】かかる構成により、導電性マットにより高
周波同軸コネクタと高周波基板の接触部の接触不良を少
なくすることができる。
周波同軸コネクタと高周波基板の接触部の接触不良を少
なくすることができる。
【0119】また、上記の第3の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波モジュールは、モジュール本体
が備える高周波基板に高周波同軸ケーブルを接続するた
めの高周波同軸コネクタに、請求項3に記載の高周波同
軸コネクタを用い、高周波同軸コネクタの取付構造に、
請求項20又は請求項21に記載の高周波同軸コネクタ
の取付構造を用いたものである。
に、本発明に係る高周波モジュールは、モジュール本体
が備える高周波基板に高周波同軸ケーブルを接続するた
めの高周波同軸コネクタに、請求項3に記載の高周波同
軸コネクタを用い、高周波同軸コネクタの取付構造に、
請求項20又は請求項21に記載の高周波同軸コネクタ
の取付構造を用いたものである。
【0120】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
任意の向きに実装することができるために、高周波同軸
ケーブルに無理なねじれのストレスを加えないで高周波
同軸コネクタと接続することができて、作業性を向上す
ることができる。
任意の向きに実装することができるために、高周波同軸
ケーブルに無理なねじれのストレスを加えないで高周波
同軸コネクタと接続することができて、作業性を向上す
ることができる。
【0121】また、上記の第4の目的を達成するため
に、本発明に係る受信回路は、受信アンテナから受信信
号を入力する受信回路入力コネクタに請求項1乃至請求
項3のいずれかの一に記載の高周波同軸コネクタを用い
るようにしたものである。
に、本発明に係る受信回路は、受信アンテナから受信信
号を入力する受信回路入力コネクタに請求項1乃至請求
項3のいずれかの一に記載の高周波同軸コネクタを用い
るようにしたものである。
【0122】かかる構成により、受信回路の入力に用い
られる高周波同軸コネクタのインピーダンス不整合を小
さくすることにより、高周波同軸コネクタのインピーダ
ンスが変動して受信回路の雑音指数が最適となるインピ
ーダンス条件から変動することによる受信信号の品質劣
化が生じない受信回路を実現することができる。
られる高周波同軸コネクタのインピーダンス不整合を小
さくすることにより、高周波同軸コネクタのインピーダ
ンスが変動して受信回路の雑音指数が最適となるインピ
ーダンス条件から変動することによる受信信号の品質劣
化が生じない受信回路を実現することができる。
【0123】また、上記の第5の目的を達成するため
に、本発明に係る送信回路は、出力信号を出力する送信
回路出力コネクタに請求項1乃至請求項3のいずれかの
一に記載の高周波同軸コネクを用いるようにしたもので
ある。
に、本発明に係る送信回路は、出力信号を出力する送信
回路出力コネクタに請求項1乃至請求項3のいずれかの
一に記載の高周波同軸コネクを用いるようにしたもので
ある。
【0124】かかる構成により、送信回路の出力に用い
られる高周波同軸コネクタの挿入損失を小さくすること
により、送信回路の電力効率を改善することができる。
また、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動し、
送信回路の歪み特性の最適条件から変動しないために、
良好な品質の送信信号を出力する送信回路を実現するこ
とができる。
られる高周波同軸コネクタの挿入損失を小さくすること
により、送信回路の電力効率を改善することができる。
また、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動し、
送信回路の歪み特性の最適条件から変動しないために、
良好な品質の送信信号を出力する送信回路を実現するこ
とができる。
【0125】また、上記の第6の目的を達成するため
に、本発明に係る無線通信装置は、それぞれが送、受信
回路を備えた基地局装置及び移動局装置を有し、受信回
路に請求項26に記載の受信回路を用いると共に、送信
回路に請求項27に記載の送信回路を用いたものであ
る。
に、本発明に係る無線通信装置は、それぞれが送、受信
回路を備えた基地局装置及び移動局装置を有し、受信回
路に請求項26に記載の受信回路を用いると共に、送信
回路に請求項27に記載の送信回路を用いたものであ
る。
【0126】かかる構成により、送信回路は、送信回路
の出力に用いられる高周波同軸コネクタの挿入損失を小
さくすることにより、送信回路の電力効率を改善するこ
とができるし、また、高周波同軸コネクタのインピーダ
ンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適条件から変動
しないために、良好な品質の送信信号を出力する送信回
路を実現することができるし、また、受信回路は、受信
回路の入力に用いられる高周波同軸コネクタのインピー
ダンス不整合を小さくすることにより、高周波同軸コネ
クタのインピーダンスが変動して受信回路の雑音指数が
最適となるインピーダンス条件から変動することによる
受信信号の品質劣化が生じない受信回路を実現すること
ができるために、これら送信回路及び受信回路を有する
無線通信装置は、良好な電力効率や、良好な通信品質を
有するものになる。
の出力に用いられる高周波同軸コネクタの挿入損失を小
さくすることにより、送信回路の電力効率を改善するこ
とができるし、また、高周波同軸コネクタのインピーダ
ンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適条件から変動
しないために、良好な品質の送信信号を出力する送信回
路を実現することができるし、また、受信回路は、受信
回路の入力に用いられる高周波同軸コネクタのインピー
ダンス不整合を小さくすることにより、高周波同軸コネ
クタのインピーダンスが変動して受信回路の雑音指数が
最適となるインピーダンス条件から変動することによる
受信信号の品質劣化が生じない受信回路を実現すること
ができるために、これら送信回路及び受信回路を有する
無線通信装置は、良好な電力効率や、良好な通信品質を
有するものになる。
【0127】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。
て、図面を用いて説明する。
【0128】(第1の実施の形態)本発明の第1の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、高周波同軸コネ
クタの取付構造を図1の(a)、(b)、(c)を参照
して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、高周波同軸コネ
クタの取付構造を図1の(a)、(b)、(c)を参照
して説明する。
【0129】図1の(a)は本発明の第1の実施の形態
における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状
態の平面図、図1の(b)は図1の(a)のG方向から
の矢視図、図1の(c)は図1の(a)のH方向からの
矢視図である。
における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状
態の平面図、図1の(b)は図1の(a)のG方向から
の矢視図、図1の(c)は図1の(a)のH方向からの
矢視図である。
【0130】本発明の第1の実施の形態における高周波
同軸コネクタ13は、円筒状のコネクタ誘電体13bを
有しており、このコネクタ誘電体13bの中心にはコネ
クタ信号線13aが配置してあり、また、コネクタ誘電
体13bの周部にはコネクタ同軸部アース13zが設け
てある。このコネクタ同軸部アース13zは、後述する
高周波基板14のアースパターンに接続されるための台
座形状のコネクタアース13cを備えている。
同軸コネクタ13は、円筒状のコネクタ誘電体13bを
有しており、このコネクタ誘電体13bの中心にはコネ
クタ信号線13aが配置してあり、また、コネクタ誘電
体13bの周部にはコネクタ同軸部アース13zが設け
てある。このコネクタ同軸部アース13zは、後述する
高周波基板14のアースパターンに接続されるための台
座形状のコネクタアース13cを備えている。
【0131】そして、コネクタ信号線13a、コネクタ
同軸部アース13z及びコネクタアース13cは電気抵
抗の小さい金属で構成されており、コネクタ誘電体13
bはテフロン(R)などの誘電体で構成されていて、コ
ネクタ信号線13aとコネクタ誘電体13bとコネクタ
同軸部アース13zとにより高周波同軸線路を構成して
いる。
同軸部アース13z及びコネクタアース13cは電気抵
抗の小さい金属で構成されており、コネクタ誘電体13
bはテフロン(R)などの誘電体で構成されていて、コ
ネクタ信号線13aとコネクタ誘電体13bとコネクタ
同軸部アース13zとにより高周波同軸線路を構成して
いる。
【0132】コネクタアース13cには、高周波同軸コ
ネクタ出力基板13hに所望の特性インピーダンスを有
するマイクロストリップラインで形成した高周波同軸コ
ネクタ出力線路13iが設けてあり、コネクタ信号線1
3aは、出力信号線路変換部13gにおいて高周波同軸
コネクタ出力線路13iに半田付けなどにより接続され
ている。
ネクタ出力基板13hに所望の特性インピーダンスを有
するマイクロストリップラインで形成した高周波同軸コ
ネクタ出力線路13iが設けてあり、コネクタ信号線1
3aは、出力信号線路変換部13gにおいて高周波同軸
コネクタ出力線路13iに半田付けなどにより接続され
ている。
【0133】また、高周波基板14は、ガラスエポキシ
樹脂やテフロン(R)などを基盤としたプリント基板で
あり、図示は省略しているが、所要の素子、部品などが
実装されて構成されており、高周波信号を伝送する基板
信号線14a、第1のアースパターン14c、第2のア
ースパターン14d及び第3のアースパターン14eを
有している。
樹脂やテフロン(R)などを基盤としたプリント基板で
あり、図示は省略しているが、所要の素子、部品などが
実装されて構成されており、高周波信号を伝送する基板
信号線14a、第1のアースパターン14c、第2のア
ースパターン14d及び第3のアースパターン14eを
有している。
【0134】基板信号線14a、第1のアースパターン
14c、第2のアースパターン14d及び第3のアース
パターン14eは、電気抵抗の小さい金属で構成され、
基板信号線14a、第1のアースパターン14c及び第
2のアースパターン14dは高周波基板14の同一面に
形成してあり、基板信号線14aと第3のアースパター
ン14eによりマイクロストリップラインを構成してい
る。
14c、第2のアースパターン14d及び第3のアース
パターン14eは、電気抵抗の小さい金属で構成され、
基板信号線14a、第1のアースパターン14c及び第
2のアースパターン14dは高周波基板14の同一面に
形成してあり、基板信号線14aと第3のアースパター
ン14eによりマイクロストリップラインを構成してい
る。
【0135】第1のアースパターン14c及び第2のア
ースパターン14dは図示していないが、スルーホール
などによって、第3のアースパターン14eと接続され
ていて、それぞれ同電位になっている。
ースパターン14dは図示していないが、スルーホール
などによって、第3のアースパターン14eと接続され
ていて、それぞれ同電位になっている。
【0136】そして、高周波同軸コネクタ13におい
て、高周波同軸コネクタ出力線路13iの高周波基板信
号線接触部13i−1を基板信号線14aに接触させた
際に、コネクタアース13cが第1、第2のアースパタ
ーン14c、14dに接触するように、高周波基板信号
線接触部13i−1とコネクタアース13cのアースパ
ターン接触部13c−1とを配置するようにしてある。
て、高周波同軸コネクタ出力線路13iの高周波基板信
号線接触部13i−1を基板信号線14aに接触させた
際に、コネクタアース13cが第1、第2のアースパタ
ーン14c、14dに接触するように、高周波基板信号
線接触部13i−1とコネクタアース13cのアースパ
ターン接触部13c−1とを配置するようにしてある。
【0137】すなわち、図1の(b)に示すように高周
波同軸コネクタ出力線路13iの高周波基板信号線接触
部13i−1とコネクタアース13cのアースパターン
接触部13c−1とは同一平面a内に位置させてあり、
高周波同軸コネクタ出力線路13iは、コネクタアース
13cに干渉されずに基板信号線接触ポイント14gに
おいて基板信号線14aに半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されている。
波同軸コネクタ出力線路13iの高周波基板信号線接触
部13i−1とコネクタアース13cのアースパターン
接触部13c−1とは同一平面a内に位置させてあり、
高周波同軸コネクタ出力線路13iは、コネクタアース
13cに干渉されずに基板信号線接触ポイント14gに
おいて基板信号線14aに半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されている。
【0138】上記のように構成された高周波同軸コネク
タ13は、そのコネクタアース13cが、第1のアース
パターン半田付けポイント14hと第2のアースパター
ン半田付けポイント14iで半田付けなどにより第1、
第2のアースパターン14c、14dに固定されること
により、高周波基板14に実装してある。
タ13は、そのコネクタアース13cが、第1のアース
パターン半田付けポイント14hと第2のアースパター
ン半田付けポイント14iで半田付けなどにより第1、
第2のアースパターン14c、14dに固定されること
により、高周波基板14に実装してある。
【0139】この場合、高周波同軸コネクタ1のアース
電位と高周波基板2のアース電位とが同電位になる。そ
して、高周波同軸コネクタ出力線路13iは、基板信号
線接触ポイント14gにおいて基板信号線14aに半田
付けなどで接続される。
電位と高周波基板2のアース電位とが同電位になる。そ
して、高周波同軸コネクタ出力線路13iは、基板信号
線接触ポイント14gにおいて基板信号線14aに半田
付けなどで接続される。
【0140】上記したように、本発明の第1の実施の形
態における高周波同軸コネクタは、高周波同軸コネクタ
出力線路13iの高周波基板信号線接触部13i−1と
コネクタアース13cのアースパターン接触部13c−
1とを同一平面a内に位置させたことにより、台座形状
のコネクタアース13cを有する高周波同軸コネクタに
おいて、高周波同軸コネクタ出力線路13iは、基板信
号線接触ポイント14gにおいて基板信号線14aに半
田付けなどで接続されるようになり、基板信号線14a
に高周波基板14の内層を利用した信号線を使用する必
要がないために、高周波基板の厚さ等の違いにより高周
波基板信号線と基板信号線との接続位置が異なることが
原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少なく
することができて、高周波特性の劣化を防止することが
できる。
態における高周波同軸コネクタは、高周波同軸コネクタ
出力線路13iの高周波基板信号線接触部13i−1と
コネクタアース13cのアースパターン接触部13c−
1とを同一平面a内に位置させたことにより、台座形状
のコネクタアース13cを有する高周波同軸コネクタに
おいて、高周波同軸コネクタ出力線路13iは、基板信
号線接触ポイント14gにおいて基板信号線14aに半
田付けなどで接続されるようになり、基板信号線14a
に高周波基板14の内層を利用した信号線を使用する必
要がないために、高周波基板の厚さ等の違いにより高周
波基板信号線と基板信号線との接続位置が異なることが
原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少なく
することができて、高周波特性の劣化を防止することが
できる。
【0141】また、上記した第1の実施の形態における
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、高周波基板1
4の厚さ等の違いによるインピーダンス不整合の発生を
少なくすることができるようになり、コネクタ信号線1
3aと基板信号線14aとの接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、高周波基板1
4の厚さ等の違いによるインピーダンス不整合の発生を
少なくすることができるようになり、コネクタ信号線1
3aと基板信号線14aとの接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。
【0142】(第2の実施の形態)本発明の第2の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図2の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図2の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
【0143】図2の(a)は本発明の第2の実施の形態
における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状
態の平面図、図2の(b)は図2の(a)のI方向から
の矢視図、図2の(c)は図2の(a)のJ方向からの
矢視図である。
における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状
態の平面図、図2の(b)は図2の(a)のI方向から
の矢視図、図2の(c)は図2の(a)のJ方向からの
矢視図である。
【0144】本発明の第2の実施の形態における高周波
同軸コネクタ15は、円筒状のコネクタ誘電体15bを
有しており、このコネクタ誘電体15bの中心にはコネ
クタ信号線15aが配置してあり、また、コネクタ誘電
体15bの周部にはコネクタ同軸部アース15zが設け
てある。このコネクタ同軸部アース15zは、後述する
高周波基板16のアースパターンに接続されるための台
座形状のコネクタアース15cを備えている。
同軸コネクタ15は、円筒状のコネクタ誘電体15bを
有しており、このコネクタ誘電体15bの中心にはコネ
クタ信号線15aが配置してあり、また、コネクタ誘電
体15bの周部にはコネクタ同軸部アース15zが設け
てある。このコネクタ同軸部アース15zは、後述する
高周波基板16のアースパターンに接続されるための台
座形状のコネクタアース15cを備えている。
【0145】そして、コネクタ信号線15a、コネクタ
同軸部アース15z及びコネクタアース15cは電気抵
抗の小さい金属で構成されていて、コネクタ誘電体15
bはテフロン(R)などの誘電体で構成されていて、コ
ネクタ信号線15aとコネクタ誘電体15bとコネクタ
同軸部アース15zとにより高周波同軸線路を構成して
いる。
同軸部アース15z及びコネクタアース15cは電気抵
抗の小さい金属で構成されていて、コネクタ誘電体15
bはテフロン(R)などの誘電体で構成されていて、コ
ネクタ信号線15aとコネクタ誘電体15bとコネクタ
同軸部アース15zとにより高周波同軸線路を構成して
いる。
【0146】また、高周波基板16はガラスエポキシ樹
脂やテフロン(R)などを基盤としたプリント基板であ
り、図示は省略しているが、所要の素子、部品などが実
装されて構成されており、高周波信号を伝送する基板信
号線16a、第1のアースパターン16c、第2のアー
スパターン16d及び第3のアースパターン16eを有
している。
脂やテフロン(R)などを基盤としたプリント基板であ
り、図示は省略しているが、所要の素子、部品などが実
装されて構成されており、高周波信号を伝送する基板信
号線16a、第1のアースパターン16c、第2のアー
スパターン16d及び第3のアースパターン16eを有
している。
【0147】基板信号線16a、第1のアースパターン
16c、第2のアースパターン16d及び第3のアース
パターン16eは電気抵抗の小さい金属で構成され、基
板信号線16a、第1のアースパターン16c及び第2
のアースパターン16dは高周波基板16の同一面に形
成してあり、基板信号線16aと第3のアースパターン
16eによりマイクロストリップラインを構成してい
る。
16c、第2のアースパターン16d及び第3のアース
パターン16eは電気抵抗の小さい金属で構成され、基
板信号線16a、第1のアースパターン16c及び第2
のアースパターン16dは高周波基板16の同一面に形
成してあり、基板信号線16aと第3のアースパターン
16eによりマイクロストリップラインを構成してい
る。
【0148】第1のアースパターン16c及び第2のア
ースパターン16dは図示していないが、スルーホール
などによって第3のアースパターン16eに接続されて
いて、それぞれ同電位になっている。
ースパターン16dは図示していないが、スルーホール
などによって第3のアースパターン16eに接続されて
いて、それぞれ同電位になっている。
【0149】そして、高周波同軸コネクタ15におい
て、コネクタ信号線15aを基板信号線16aに接触さ
せた際に、コネクタアース15cが、第1、第2のアー
スパターン16c、16dに接触するように、コネクタ
信号線15aとコネクタアース15cとが配置してあ
る。
て、コネクタ信号線15aを基板信号線16aに接触さ
せた際に、コネクタアース15cが、第1、第2のアー
スパターン16c、16dに接触するように、コネクタ
信号線15aとコネクタアース15cとが配置してあ
る。
【0150】すなわち、図2の(b)に示すように、コ
ネクタ信号線15aの高周波基板信号線接触部15a−
1とコネクタアース15cのアースパターン接触部15
c−1とは同一平面a内に位置させてあり、コネクタ信
号線15aが、コネクタアース15cに干渉されず、基
板信号線接触ポイント16gにおいて基板信号線16a
に半田付けなどによる接続が可能な位置に配置されてい
る。
ネクタ信号線15aの高周波基板信号線接触部15a−
1とコネクタアース15cのアースパターン接触部15
c−1とは同一平面a内に位置させてあり、コネクタ信
号線15aが、コネクタアース15cに干渉されず、基
板信号線接触ポイント16gにおいて基板信号線16a
に半田付けなどによる接続が可能な位置に配置されてい
る。
【0151】上記のように構成された高周波同軸コネク
タ15は、そのコネクタアース15cが、第1のアース
パターン半田付けポイント16hと第2のアースパター
ン半田付けポイント16iとに半田付けなどにより第
1、第2のアースパターン16c、16dに固定される
ことにより、この高周波基板16に取り付けられる。
タ15は、そのコネクタアース15cが、第1のアース
パターン半田付けポイント16hと第2のアースパター
ン半田付けポイント16iとに半田付けなどにより第
1、第2のアースパターン16c、16dに固定される
ことにより、この高周波基板16に取り付けられる。
【0152】この場合、高周波同軸コネクタ15のアー
ス電位と高周波基板16のアース電位とが同電位になる
し、また、コネクタ信号線15aは、基板信号線接触ポ
イント16gにおいて基板信号線16aに半田付けなど
で接続される。
ス電位と高周波基板16のアース電位とが同電位になる
し、また、コネクタ信号線15aは、基板信号線接触ポ
イント16gにおいて基板信号線16aに半田付けなど
で接続される。
【0153】上記したように、本発明の第2の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線15aの高周波基板信号線接触部15a−1とコネク
タアース15cのアースパターン接触部15c−1とを
同一平面a内に位置させたことにより、台座形状のコネ
クタアース15cを有する高周波同軸コネクタにおい
て、基板信号線16aに高周波基板16の内層を利用し
た信号線を使用する必要がないために、高周波基板の厚
さ等の違いにより高周波基板信号線と基板信号線との接
続位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス
不整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の
劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線15aの高周波基板信号線接触部15a−1とコネク
タアース15cのアースパターン接触部15c−1とを
同一平面a内に位置させたことにより、台座形状のコネ
クタアース15cを有する高周波同軸コネクタにおい
て、基板信号線16aに高周波基板16の内層を利用し
た信号線を使用する必要がないために、高周波基板の厚
さ等の違いにより高周波基板信号線と基板信号線との接
続位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス
不整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の
劣化を防止することができる。
【0154】また、上記した第2の実施の形態における
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、高周波基板1
6の厚さ等の違いによるインピーダンス不整合の発生を
少なくすることができるようになり、コネクタ信号線1
5aと基板信号線16aとの接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、高周波基板1
6の厚さ等の違いによるインピーダンス不整合の発生を
少なくすることができるようになり、コネクタ信号線1
5aと基板信号線16aとの接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。
【0155】(第3の実施の形態)本発明の第3の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図3の(a)、(b)、(c)乃
至図6の(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図3の(a)、(b)、(c)乃
至図6の(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
【0156】図3の(a)は本発明の第3の実施の形態
における高周波同軸コネクタの平面図、図3の(b)は
図3の(a)のK方向からの矢視図、図3の(c)は図
3の(a)のL方向からの矢視図である。また、図4の
(a)は高周波基板の平面図、図4の(b)は図4の
(a)のM方向からの矢視図、図4の(c)は図4の
(a)のN方向からの矢視図である。
における高周波同軸コネクタの平面図、図3の(b)は
図3の(a)のK方向からの矢視図、図3の(c)は図
3の(a)のL方向からの矢視図である。また、図4の
(a)は高周波基板の平面図、図4の(b)は図4の
(a)のM方向からの矢視図、図4の(c)は図4の
(a)のN方向からの矢視図である。
【0157】また、図5の(a)は本発明の第3の実施
の形態における高周波同軸コネクタの実装過程における
平面図、図5の(b)は図5の(a)のO方向からの矢
視図、図5の(c)は図5の(a)のP方向からの矢視
図である。また、図6の(a)は、本発明の第3の実施
の形態における高周波同軸コネクタの高周波基板への実
装状態の平面図、図6の(b)は図6の(a)のQ方向
からの矢視図、図6の(c)は図6の(a)のR方向か
らの矢視図である。
の形態における高周波同軸コネクタの実装過程における
平面図、図5の(b)は図5の(a)のO方向からの矢
視図、図5の(c)は図5の(a)のP方向からの矢視
図である。また、図6の(a)は、本発明の第3の実施
の形態における高周波同軸コネクタの高周波基板への実
装状態の平面図、図6の(b)は図6の(a)のQ方向
からの矢視図、図6の(c)は図6の(a)のR方向か
らの矢視図である。
【0158】図3の(a)において、高周波同軸コネク
タ17は、本発明の第2の実施の形態における高周波同
軸コネクタ15のコネクタ同軸アース15zに第1〜第
4のコネクタアース17c〜17fを備えたものであ
る。
タ17は、本発明の第2の実施の形態における高周波同
軸コネクタ15のコネクタ同軸アース15zに第1〜第
4のコネクタアース17c〜17fを備えたものであ
る。
【0159】すなわち、高周波同軸コネクタ17は、円
筒状のコネクタ誘電体17bを有しており、このコネク
タ誘電体17bの中心にはコネクタ信号線17aが配置
してあり、また、コネクタ誘電体17bの周部にはコネ
クタ同軸部アース17zが設けてある。このコネクタ同
軸部アース17zは、高周波基板18のアースパターン
に接続されるための台座形状のコネクタアース17mを
備えている。そして、このコネクタアース17mのアー
スパターン接触面17m−1の4つの隅角部近傍に第1
〜第4のコネクタアース17c〜17fが配置してあ
る。
筒状のコネクタ誘電体17bを有しており、このコネク
タ誘電体17bの中心にはコネクタ信号線17aが配置
してあり、また、コネクタ誘電体17bの周部にはコネ
クタ同軸部アース17zが設けてある。このコネクタ同
軸部アース17zは、高周波基板18のアースパターン
に接続されるための台座形状のコネクタアース17mを
備えている。そして、このコネクタアース17mのアー
スパターン接触面17m−1の4つの隅角部近傍に第1
〜第4のコネクタアース17c〜17fが配置してあ
る。
【0160】そして、第1〜第4のコネクタアース17
c〜17fは爪形状をしていて、高周波基板18の裏面
に対応する部位17c−1〜17f−1が外方向に向か
って角度φの傾斜が持たせてある。
c〜17fは爪形状をしていて、高周波基板18の裏面
に対応する部位17c−1〜17f−1が外方向に向か
って角度φの傾斜が持たせてある。
【0161】そして、コネクタ信号線17aとコネクタ
誘電体17bとコネクタ同軸部アース17zにより高周
波同軸線路を構成している。
誘電体17bとコネクタ同軸部アース17zにより高周
波同軸線路を構成している。
【0162】図3の(c)に示すように、コネクタ信号
線17aの高周波同軸コネクタ出力端側の高周波線路接
触部17gとコネクタアース17mのアースパターン接
触面17m−1とは同一平面a内に位置させてあり、コ
ネクタ信号線17aが、コネクタアース17cのアース
パターン接触面17m−1に干渉されず、基板信号線接
触ポイント18lにおいて半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されている。
線17aの高周波同軸コネクタ出力端側の高周波線路接
触部17gとコネクタアース17mのアースパターン接
触面17m−1とは同一平面a内に位置させてあり、コ
ネクタ信号線17aが、コネクタアース17cのアース
パターン接触面17m−1に干渉されず、基板信号線接
触ポイント18lにおいて半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されている。
【0163】高周波基板18は、図4の(a)、
(b)、(c)に示すように第1、第2、第3のアース
パターン18c、18d、18eを有しており、高周波
基板18には第1〜第4のコネクタアース17c〜17
fを挿入する第1〜第4のコネクタアース挿入孔部18
h〜18kが形成してある。
(b)、(c)に示すように第1、第2、第3のアース
パターン18c、18d、18eを有しており、高周波
基板18には第1〜第4のコネクタアース17c〜17
fを挿入する第1〜第4のコネクタアース挿入孔部18
h〜18kが形成してある。
【0164】そして、上記のように構成された高周波同
軸コネクタ17は、図5の(a)、(b)、(c)に示
すように第1〜第4のコネクタアース17c〜17fを
第1〜第4のコネクタアース挿入孔部18h〜18kに
挿入して高周波基板18に配置される。
軸コネクタ17は、図5の(a)、(b)、(c)に示
すように第1〜第4のコネクタアース17c〜17fを
第1〜第4のコネクタアース挿入孔部18h〜18kに
挿入して高周波基板18に配置される。
【0165】そして、第1〜第4のコネクタアース17
c〜17fは、第1〜第4のコネクタアース挿入孔部1
8h〜18kへの挿入時に、コネクタ信号線17aの高
周波線路接触部17gが、基板信号線接触ポイント18
lで基板信号線18aに接触する。
c〜17fは、第1〜第4のコネクタアース挿入孔部1
8h〜18kへの挿入時に、コネクタ信号線17aの高
周波線路接触部17gが、基板信号線接触ポイント18
lで基板信号線18aに接触する。
【0166】ここで、第1〜第4のコネクタアース17
c〜17fのそれぞれ基板対応部位17c−1〜17f
−1に、角度φの傾斜を持たせているために、図5の
(a)に示すように第1〜第4のコネクタアース17c
〜17fをそれぞれにθ1〜θ4の方向へ曲げることに
より、第1〜第4のコネクタアース17c〜17fと第
3のアースパターン18eとの間に応力が生じてF1方
向に押圧力が生じることにより、高周波同軸コネクタ1
7は高周波基板18に接触し係止される。
c〜17fのそれぞれ基板対応部位17c−1〜17f
−1に、角度φの傾斜を持たせているために、図5の
(a)に示すように第1〜第4のコネクタアース17c
〜17fをそれぞれにθ1〜θ4の方向へ曲げることに
より、第1〜第4のコネクタアース17c〜17fと第
3のアースパターン18eとの間に応力が生じてF1方
向に押圧力が生じることにより、高周波同軸コネクタ1
7は高周波基板18に接触し係止される。
【0167】以上により、図6(a)、(b)、(c)
に示すように高周波同軸コネクタ17を高周波基板18
に実装することができる。
に示すように高周波同軸コネクタ17を高周波基板18
に実装することができる。
【0168】上記したように、本発明の第3の実施の形
態における高周波同軸コネクタは、コネクタ信号線17
aの高周波線路接触部17gとコネクタアース17mの
アースパターン接触面17m−1とを同一平面a内に位
置させたことにより、コネクタ信号線17aがコネクタ
アース17mに干渉されず、基板信号線接触ポイント1
8lにおいて半田付けなどによる接続が可能になるし、
高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、
高周波特性の劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタは、コネクタ信号線17
aの高周波線路接触部17gとコネクタアース17mの
アースパターン接触面17m−1とを同一平面a内に位
置させたことにより、コネクタ信号線17aがコネクタ
アース17mに干渉されず、基板信号線接触ポイント1
8lにおいて半田付けなどによる接続が可能になるし、
高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、
高周波特性の劣化を防止することができる。
【0169】また、本発明の第3の実施の形態における
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、第1〜第4の
コネクタアース17c〜17fを曲げるだけで、高周波
同軸コネクタ17を高周波基板18に容易に装着するこ
とができるために、半田付けやねじ止めなどの工程を必
要とせず、工程を高効率化することができる。
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、第1〜第4の
コネクタアース17c〜17fを曲げるだけで、高周波
同軸コネクタ17を高周波基板18に容易に装着するこ
とができるために、半田付けやねじ止めなどの工程を必
要とせず、工程を高効率化することができる。
【0170】なお、第1〜第4のコネクタアース17c
〜17fの数は、高周波同軸コネクタ17の実装強度及
び高周波同軸コネクタ17のインピーダンス変動が所望
の性能が得られるように数を増減することも可能であ
る。なお、高周波線路接触部17gが、基板信号線接触
ポイント18lにおいて半田付けにより導通の信頼性を
向上することも可能である。
〜17fの数は、高周波同軸コネクタ17の実装強度及
び高周波同軸コネクタ17のインピーダンス変動が所望
の性能が得られるように数を増減することも可能であ
る。なお、高周波線路接触部17gが、基板信号線接触
ポイント18lにおいて半田付けにより導通の信頼性を
向上することも可能である。
【0171】なお、第1〜第4のコネクタアース17c
〜17fの基板対向部位17c−1〜17m−1はφ方
向に傾斜が設けられているために、第1〜第4のコネク
タアース17c〜17fを曲げるだけで任意の厚さの高
周波基板18に装着することができる。
〜17fの基板対向部位17c−1〜17m−1はφ方
向に傾斜が設けられているために、第1〜第4のコネク
タアース17c〜17fを曲げるだけで任意の厚さの高
周波基板18に装着することができる。
【0172】(第4の実施の形態)本発明の第4の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図7の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図7の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
【0173】図7の(a)は本発明の第4の実施の形態
における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態
の平面図、図7の(b)は図7の(a)のS方向からの
矢視図、図7の(c)は図7の(a)のT方向からの矢
視図である。
における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態
の平面図、図7の(b)は図7の(a)のS方向からの
矢視図、図7の(c)は図7の(a)のT方向からの矢
視図である。
【0174】本発明の高周波同軸コネクタ19は、円筒
状のコネクタ誘電体19bを有しており、このコネクタ
誘電体19bの中心にはコネクタ信号線19aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体19bの周部にはコネク
タ同軸部アース19zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース19zは、後述する高周波基板22のアースパ
ターンに接続されるためのコネクタアース19c、19
dを備えている。そして、コネクタ信号線19aと、コ
ネクタ誘電体19bと、コネクタ同軸部アース19zと
により高周波同軸線路を構成している。
状のコネクタ誘電体19bを有しており、このコネクタ
誘電体19bの中心にはコネクタ信号線19aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体19bの周部にはコネク
タ同軸部アース19zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース19zは、後述する高周波基板22のアースパ
ターンに接続されるためのコネクタアース19c、19
dを備えている。そして、コネクタ信号線19aと、コ
ネクタ誘電体19bと、コネクタ同軸部アース19zと
により高周波同軸線路を構成している。
【0175】そして、コネクタ信号線19aを、後述す
る高周波基板22の基板信号線22aに接触させた際
に、第1、第2のコネクタアース19c、19dが第
1、第2のアースパターン22c、22dに接触するよ
うに、コネクタ信号線19aと高周波基板22の第1、
第2のコネクタアース19c、19dとを配置するよう
にしてある。すなわち、図7の(c)に示すようにコネ
クタ信号線19aと第1、第2のコネクタアース19
c、19dのアースパターン接触面19c−1、19d
−1とが同一平面a内に位置させてある。
る高周波基板22の基板信号線22aに接触させた際
に、第1、第2のコネクタアース19c、19dが第
1、第2のアースパターン22c、22dに接触するよ
うに、コネクタ信号線19aと高周波基板22の第1、
第2のコネクタアース19c、19dとを配置するよう
にしてある。すなわち、図7の(c)に示すようにコネ
クタ信号線19aと第1、第2のコネクタアース19
c、19dのアースパターン接触面19c−1、19d
−1とが同一平面a内に位置させてある。
【0176】高周波基板22は、ガラスエポキシ樹脂や
テフロン(R)などを基盤としたプリント基板であり、
図示は省略しているが、所要の素子、部品などが実装さ
れて構成されていて、高周波信号を伝送する基板信号線
22aと、第1のアースパターンパターン22cと、第
2のアースパターン22dと、第3のアースパターン2
2eとを備えている。
テフロン(R)などを基盤としたプリント基板であり、
図示は省略しているが、所要の素子、部品などが実装さ
れて構成されていて、高周波信号を伝送する基板信号線
22aと、第1のアースパターンパターン22cと、第
2のアースパターン22dと、第3のアースパターン2
2eとを備えている。
【0177】基板信号線22a、第1のアースパターン
22c、第2のアースパターン22d及び第3のアース
パターン22eは電気抵抗の小さい金属で構成されてい
て、基板信号線22a、第1のアースパターン22c及
び第2のアースパターン22dは高周波基板22の同一
面に形成してあり、基板信号線22aと第3のアースパ
ターン22eによりマイクロストリップラインを構成し
ている。
22c、第2のアースパターン22d及び第3のアース
パターン22eは電気抵抗の小さい金属で構成されてい
て、基板信号線22a、第1のアースパターン22c及
び第2のアースパターン22dは高周波基板22の同一
面に形成してあり、基板信号線22aと第3のアースパ
ターン22eによりマイクロストリップラインを構成し
ている。
【0178】第1のアースパターン22c及び第2のア
ースパターン22dは図示していないが、スルーホール
などによって第3のアースパターン22eに接続されて
いて、それぞれ同電位になっている。
ースパターン22dは図示していないが、スルーホール
などによって第3のアースパターン22eに接続されて
いて、それぞれ同電位になっている。
【0179】第1のコネクタアース19cにはコネクタ
側孔部である第1のねじ挿通孔19oが、第2のコネク
タアース19dにはコネクタ側孔部である第2のねじ挿
通孔19pがそれぞれ設けてあり、また、高周波基板2
2には、高周波同軸コネクタ19の実装時にコネクタ信
号線19aが基板信号線接触ポイント22gに接触する
ように位置付ける基板側孔部である第1のねじ挿入孔2
2h及び第2のねじ挿入孔22iがそれぞれ設けてあ
る。
側孔部である第1のねじ挿通孔19oが、第2のコネク
タアース19dにはコネクタ側孔部である第2のねじ挿
通孔19pがそれぞれ設けてあり、また、高周波基板2
2には、高周波同軸コネクタ19の実装時にコネクタ信
号線19aが基板信号線接触ポイント22gに接触する
ように位置付ける基板側孔部である第1のねじ挿入孔2
2h及び第2のねじ挿入孔22iがそれぞれ設けてあ
る。
【0180】そして、高周波同軸コネクタ19の第1、
第2のコネクタアース19c、19dを高周波基板22
に沿わせて、第1のねじ部材20aを第1のねじ挿通孔
19oから第1のねじ挿入孔22hに挿通させ、また、
第2のねじ部材20bを第2のねじ挿通孔19pから第
2のねじ挿入孔22iに挿通させて、第1のねじ部材2
0aに第1のナット部材21aを螺合させ、また、第2
のねじ部材20bに第2のナット部材21bを螺合させ
て、これらの第1、第2のナット部材21a、21bを
締め付けることにより高周波基板22に高周波同軸コネ
クタ19が取り付けてある。
第2のコネクタアース19c、19dを高周波基板22
に沿わせて、第1のねじ部材20aを第1のねじ挿通孔
19oから第1のねじ挿入孔22hに挿通させ、また、
第2のねじ部材20bを第2のねじ挿通孔19pから第
2のねじ挿入孔22iに挿通させて、第1のねじ部材2
0aに第1のナット部材21aを螺合させ、また、第2
のねじ部材20bに第2のナット部材21bを螺合させ
て、これらの第1、第2のナット部材21a、21bを
締め付けることにより高周波基板22に高周波同軸コネ
クタ19が取り付けてある。
【0181】この場合、第1のねじ部材20aと第1の
ナット部材21a及び第2のねじ部材20bと第2のナ
ット部材21bとでそれぞれに固定部材を構成してお
り、これらの固定部材による固定により、第1のコネク
タアース19cと第1のアースパターン22c及び第2
のコネクタアース19dと第2のアースパターン22d
がそれぞれ圧着されて導通が確保されている。
ナット部材21a及び第2のねじ部材20bと第2のナ
ット部材21bとでそれぞれに固定部材を構成してお
り、これらの固定部材による固定により、第1のコネク
タアース19cと第1のアースパターン22c及び第2
のコネクタアース19dと第2のアースパターン22d
がそれぞれ圧着されて導通が確保されている。
【0182】なお、第1のねじ部材20a、第2のねじ
部材20b、第1のナット部材21a及び第2のナット
部材21bをそれぞれに電気抵抗の小さい金属で構成す
ることにより、第3のアースパターン22eと高周波同
軸コネクタ19の導通が確保され、よりインピーダンス
変動の小さい高周波同軸コネクタを実現することができ
る。
部材20b、第1のナット部材21a及び第2のナット
部材21bをそれぞれに電気抵抗の小さい金属で構成す
ることにより、第3のアースパターン22eと高周波同
軸コネクタ19の導通が確保され、よりインピーダンス
変動の小さい高周波同軸コネクタを実現することができ
る。
【0183】なお、第1、第2のねじ部材20a、20
bは、高周波同軸コネクタ19の実装強度及び高周波同
軸コネクタ19のインピーダンス変動が所望の性能が得
られるように数を増減することも可能である。なお、高
周波同軸コネクタ19の高周波基板22への取付は、第
1、第2のねじ部材20a、20b及び第1、第2のナ
ット部材21a、21bによる固着に限らず、圧着によ
り形状が変形するピンなどを使用した圧着方法でも可能
である。
bは、高周波同軸コネクタ19の実装強度及び高周波同
軸コネクタ19のインピーダンス変動が所望の性能が得
られるように数を増減することも可能である。なお、高
周波同軸コネクタ19の高周波基板22への取付は、第
1、第2のねじ部材20a、20b及び第1、第2のナ
ット部材21a、21bによる固着に限らず、圧着によ
り形状が変形するピンなどを使用した圧着方法でも可能
である。
【0184】上記したように、本発明の第4の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線19aと第1、第2のコネクタアース19c、19d
のアースパターン接触部19c−1、19d−1とを同
一平面a内に位置させたことにより、高周波基板22に
高周波同軸コネクタ19を実装する際に、高周波同軸コ
ネクタコネクタアース19c、19dを確実に第1、第
2のアースパターン22c、22dに接触させることが
できて、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号
線と基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じ
ていたインピーダンス不整合の発生を少なくすることが
できて、高周波特性の劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線19aと第1、第2のコネクタアース19c、19d
のアースパターン接触部19c−1、19d−1とを同
一平面a内に位置させたことにより、高周波基板22に
高周波同軸コネクタ19を実装する際に、高周波同軸コ
ネクタコネクタアース19c、19dを確実に第1、第
2のアースパターン22c、22dに接触させることが
できて、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号
線と基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じ
ていたインピーダンス不整合の発生を少なくすることが
できて、高周波特性の劣化を防止することができる。
【0185】また、コネクタ信号線19aの基板信号線
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることにより、基板信号線19aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることにより、基板信号線19aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0186】また、第1、第2のコネクタアース19
c、19dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに第1、第2のねじ部材20a、20bで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ19を高周波基板22
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
c、19dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに第1、第2のねじ部材20a、20bで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ19を高周波基板22
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
【0187】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線19aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、ねじ止め、ピンなどを使用した圧着方等に
より高周波基板22のアース接続個所における強度を向
上することができる。
構造によれば、コネクタ信号線19aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、ねじ止め、ピンなどを使用した圧着方等に
より高周波基板22のアース接続個所における強度を向
上することができる。
【0188】(第5の実施の形態)本発明の第5の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図8の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図8の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
【0189】図8の(a)は本発明の第5の実施の形態
における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態
の平面図、図8の(b)は図8の(a)のV方向からの
矢視図、図8の(c)は図8の(a)のW方向からの矢
視図である。
における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態
の平面図、図8の(b)は図8の(a)のV方向からの
矢視図、図8の(c)は図8の(a)のW方向からの矢
視図である。
【0190】本発明の高周波同軸コネクタ23は、上記
した本発明の第4の実施の形態における高周波同軸コネ
クタ19において、第1のコネクタアース19cに、第
1のねじ挿通孔19oに変えて、コネクタ側ねじ部であ
る第1のねじ孔23hを、第2のコネクタアース19d
に、第2のねじ挿通孔19pに変えてコネクタ側ねじ部
である第2のねじ孔23iをそれぞれ設けた構成であ
る。
した本発明の第4の実施の形態における高周波同軸コネ
クタ19において、第1のコネクタアース19cに、第
1のねじ挿通孔19oに変えて、コネクタ側ねじ部であ
る第1のねじ孔23hを、第2のコネクタアース19d
に、第2のねじ挿通孔19pに変えてコネクタ側ねじ部
である第2のねじ孔23iをそれぞれ設けた構成であ
る。
【0191】すなわち、高周波同軸コネクタ23は円筒
状のコネクタ誘電体23bを有しており、このコネクタ
誘電体23bの中心にはコネクタ信号線23aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体23bの周部にはコネク
タ同軸部アース23zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース23zは、高周波基板22のアースと接地する
ための第1のコネクタアース23c及び第2のコネクタ
アース23dを備えている。
状のコネクタ誘電体23bを有しており、このコネクタ
誘電体23bの中心にはコネクタ信号線23aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体23bの周部にはコネク
タ同軸部アース23zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース23zは、高周波基板22のアースと接地する
ための第1のコネクタアース23c及び第2のコネクタ
アース23dを備えている。
【0192】また、高周波基板22は、上記した本発明
の第4の実施の形態における高周波基板22と同構成で
あり、基板側孔部である第1のねじ挿入孔22h及び第
2のねじ挿入孔22iがそれぞれ設けてある。
の第4の実施の形態における高周波基板22と同構成で
あり、基板側孔部である第1のねじ挿入孔22h及び第
2のねじ挿入孔22iがそれぞれ設けてある。
【0193】そして、高周波同軸コネクタ23の第1、
第2のコネクタアース23c、23dを高周波基板22
に沿わせて、第1のねじ部材20aを、高周波基板22
の第3のアースパターン22e側から第1のねじ挿入孔
22hに挿通させて第1のねじ孔23hに螺合させ、ま
た、第2のねじ部材20aを、高周波基板22の第3の
アースパターン22e側から第2のねじ挿通孔22iに
挿通させて第2のねじ孔23iに螺合させて、これらの
第1、第2のねじ部材20a、20bを締め付けること
により高周波基板22に高周波同軸コネクタ23が取り
付けてある。
第2のコネクタアース23c、23dを高周波基板22
に沿わせて、第1のねじ部材20aを、高周波基板22
の第3のアースパターン22e側から第1のねじ挿入孔
22hに挿通させて第1のねじ孔23hに螺合させ、ま
た、第2のねじ部材20aを、高周波基板22の第3の
アースパターン22e側から第2のねじ挿通孔22iに
挿通させて第2のねじ孔23iに螺合させて、これらの
第1、第2のねじ部材20a、20bを締め付けること
により高周波基板22に高周波同軸コネクタ23が取り
付けてある。
【0194】このように、第3のアースパターン22e
側から第1のねじ部材20a及び第2のねじ部材20b
によりねじ止めすることにより、第1のコネクタアース
23cと第1のアースパターン22c及び第2のコネク
タアース23dと第2のアースパターン22dがそれぞ
れ圧着され導通が確保される。
側から第1のねじ部材20a及び第2のねじ部材20b
によりねじ止めすることにより、第1のコネクタアース
23cと第1のアースパターン22c及び第2のコネク
タアース23dと第2のアースパターン22dがそれぞ
れ圧着され導通が確保される。
【0195】上記したように、本発明の第5の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線23aと第1、第2のコネクタアース23c、23d
のアースパターン接触面23c−1、23d−1とを同
一平面a内に位置させたことにより、高周波基板22に
高周波同軸コネクタ23を実装する際に、コネクタアー
ス23c、23dが確実にアースパターン22c、22
dに接触させることができて、高周波基板22の厚さ等
の違いによりコネクタ信号線23aと基板信号線22a
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線23aと第1、第2のコネクタアース23c、23d
のアースパターン接触面23c−1、23d−1とを同
一平面a内に位置させたことにより、高周波基板22に
高周波同軸コネクタ23を実装する際に、コネクタアー
ス23c、23dが確実にアースパターン22c、22
dに接触させることができて、高周波基板22の厚さ等
の違いによりコネクタ信号線23aと基板信号線22a
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。
【0196】また、コネクタ信号線23aの基板信号線
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることにより、基板信号線23aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることにより、基板信号線23aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0197】また、第1、第2のコネクタアース23
c、23dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに第1、第2のねじ部材20a、20bで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ23を高周波基板22
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
c、23dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに第1、第2のねじ部材20a、20bで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ23を高周波基板22
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
【0198】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線23aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、ねじ止めによる実装の際に、別途、ナット
部材を必要とせず、部品点数を削減することができる。
構造によれば、コネクタ信号線23aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、ねじ止めによる実装の際に、別途、ナット
部材を必要とせず、部品点数を削減することができる。
【0199】(第6の実施の形態)本発明の第6の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図9の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図9の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
【0200】図9の(a)は本発明の第6の実施の形態
における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、図9
の(b)は図9の(a)のA−1方向からの矢視図、図
9の(c)は図9の(a)のB−1方向からの矢視図で
ある。
における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、図9
の(b)は図9の(a)のA−1方向からの矢視図、図
9の(c)は図9の(a)のB−1方向からの矢視図で
ある。
【0201】本発明の第6の実施の形態における高周波
同軸コネクタは、上記した本発明の第5の実施の形態に
おける高周波同軸コネクタ23に第1の導電性マット5
5a、第2の導電性マット55b及び第3の導電性マッ
ト55cをそれぞれ備えたものであり、他の構成は同じ
である。
同軸コネクタは、上記した本発明の第5の実施の形態に
おける高周波同軸コネクタ23に第1の導電性マット5
5a、第2の導電性マット55b及び第3の導電性マッ
ト55cをそれぞれ備えたものであり、他の構成は同じ
である。
【0202】また、高周波同軸コネクタ23は、コネク
タ信号線23aに対応する第1の導電性マット55a
と、第1のコネクタアース23cに対応する第2の導電
性マット55bと、第2のコネクタアース23dに対応
する第3の導電性マット55cとを備えている。これら
の第1、第2、第3の導電性マット55a、55b、5
5cは、電気抵抗の小さい金属などの粉末を含有させて
導電性を持たせた弾力性のあるゴムなどで形成されてい
る。
タ信号線23aに対応する第1の導電性マット55a
と、第1のコネクタアース23cに対応する第2の導電
性マット55bと、第2のコネクタアース23dに対応
する第3の導電性マット55cとを備えている。これら
の第1、第2、第3の導電性マット55a、55b、5
5cは、電気抵抗の小さい金属などの粉末を含有させて
導電性を持たせた弾力性のあるゴムなどで形成されてい
る。
【0203】また、高周波基板は上記した本発明の第5
の実施の形態における高周波基板22と同じ構成である
ので、同じ符号を付して説明を省略する。
の実施の形態における高周波基板22と同じ構成である
ので、同じ符号を付して説明を省略する。
【0204】そして、高周波同軸コネクタ24は高周波
基板22に、第1のねじ部材20a及び第2のねじ部材
20bによりねじ止めして取り付けてある。この場合、
基板信号線22aは、第1の導電性マット55aを介し
てコネクタ信号線23aに基板信号線接触ポイント22
lで接触される。また、第1のアースパターン22c
は、第2の導電性マット55bを介して第1のコネクタ
アース23cに接触される。また、第2のアースパター
ン22dは、第3の導電性マット55cを介して第2の
コネクタアース23dに接触される。
基板22に、第1のねじ部材20a及び第2のねじ部材
20bによりねじ止めして取り付けてある。この場合、
基板信号線22aは、第1の導電性マット55aを介し
てコネクタ信号線23aに基板信号線接触ポイント22
lで接触される。また、第1のアースパターン22c
は、第2の導電性マット55bを介して第1のコネクタ
アース23cに接触される。また、第2のアースパター
ン22dは、第3の導電性マット55cを介して第2の
コネクタアース23dに接触される。
【0205】高周波同軸コネクタ24を高周波基板22
に第1のねじ部材20a及び第2のねじ部材20bによ
りねじ止めして取り付けることにより、第1の導電性マ
ット55a、第2の導電性マット55b及び第3の導電
性マット55cのそれぞれの弾力によって適度な圧力が
加わり、それぞれ接触不良を生じることなく確実に接触
することができる。
に第1のねじ部材20a及び第2のねじ部材20bによ
りねじ止めして取り付けることにより、第1の導電性マ
ット55a、第2の導電性マット55b及び第3の導電
性マット55cのそれぞれの弾力によって適度な圧力が
加わり、それぞれ接触不良を生じることなく確実に接触
することができる。
【0206】なお、第1の導電性マット55a、第2の
導電性マット55b及び第3の導電性マット55cは、
それぞれに高周波基板22に設けるようにしてもよい。
導電性マット55b及び第3の導電性マット55cは、
それぞれに高周波基板22に設けるようにしてもよい。
【0207】上記したように、本発明の第6の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線23aと第1、第2のコネクタアース23c、23d
のアースパターン接触面23c−1、23d−1とを同
一平面a内に位置させたことにより、高周波基板22に
高周波同軸コネクタ23を実装した際に、高周波同軸コ
ネクタコネクタアース20c、20dが、第2の導電性
マット55b及び第3の導電性マット55cを介して確
実に第1、第2のアースパターン22c、22dに接触
され、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線
と基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じて
いたインピーダンス不整合の発生を少なくすることがで
きて、高周波特性の劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線23aと第1、第2のコネクタアース23c、23d
のアースパターン接触面23c−1、23d−1とを同
一平面a内に位置させたことにより、高周波基板22に
高周波同軸コネクタ23を実装した際に、高周波同軸コ
ネクタコネクタアース20c、20dが、第2の導電性
マット55b及び第3の導電性マット55cを介して確
実に第1、第2のアースパターン22c、22dに接触
され、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線
と基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じて
いたインピーダンス不整合の発生を少なくすることがで
きて、高周波特性の劣化を防止することができる。
【0208】また、コネクタ信号線23aの基板信号線
接触ポイント22lに接触する部分の長さd1を短くす
ることにより、基板信号線23aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント22lに接触する部分の長さd1を短くす
ることにより、基板信号線23aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0209】また、第1、第2のコネクタアース23
c、23dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに第1、第2のねじ部材20a、20bで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ23を高周波基板22
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
c、23dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに第1、第2のねじ部材20a、20bで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ23を高周波基板22
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
【0210】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、第1の導電性マット55aによりコネク
タ信号線23aと基板信号線22aとの接触部の接触不
良を少なくすることができ、また、第2の導電性マット
55b及び第3の導電性マット55cにより高周波同軸
コネクタ23と高周波基板22の接触部(第1のコネク
タアース23cと第1のアースパターン22cとの接触
部、第2のコネクタアース23dと第2のアースパター
ン22dとの接触部)の接触不良を少なくすることがで
きて、コネクタ信号線19aと基板信号線22aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができる。
構造によれば、第1の導電性マット55aによりコネク
タ信号線23aと基板信号線22aとの接触部の接触不
良を少なくすることができ、また、第2の導電性マット
55b及び第3の導電性マット55cにより高周波同軸
コネクタ23と高周波基板22の接触部(第1のコネク
タアース23cと第1のアースパターン22cとの接触
部、第2のコネクタアース23dと第2のアースパター
ン22dとの接触部)の接触不良を少なくすることがで
きて、コネクタ信号線19aと基板信号線22aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができる。
【0211】(第7の実施の形態)本発明の第7の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造の図10の(a)、(b)、(c)
を参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造の図10の(a)、(b)、(c)
を参照して説明する。
【0212】図10の(a)は本発明の第7の実施の形
態における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状
態の平面図、図10の(b)は図10の(a)のC−1
方向からの矢視図、図10の(c)は図10の(a)の
D−1方向からの矢視図である。
態における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状
態の平面図、図10の(b)は図10の(a)のC−1
方向からの矢視図、図10の(c)は図10の(a)の
D−1方向からの矢視図である。
【0213】本発明の高周波同軸コネクタ24は、円筒
状のコネクタ誘電体24bを有しており、このコネクタ
誘電体24bの中心にはコネクタ信号線24aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体24bの周部にはコネク
タ同軸部アース24zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース24zは、後述する高周波基板22のアースパ
ターンに接続されるための第1のコネクタアース24c
と第2のコネクタアース24dとを備えている。
状のコネクタ誘電体24bを有しており、このコネクタ
誘電体24bの中心にはコネクタ信号線24aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体24bの周部にはコネク
タ同軸部アース24zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース24zは、後述する高周波基板22のアースパ
ターンに接続されるための第1のコネクタアース24c
と第2のコネクタアース24dとを備えている。
【0214】そして、コネクタ信号線24aを高周波基
板22の基板信号線22aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース24c、24dが高周波基板22の
第1、第2のアースパターン22c、22dに接触する
ように、コネクタ信号線24aと第1、第2のコネクタ
アース24c、24dとを配置するようにしてある。
板22の基板信号線22aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース24c、24dが高周波基板22の
第1、第2のアースパターン22c、22dに接触する
ように、コネクタ信号線24aと第1、第2のコネクタ
アース24c、24dとを配置するようにしてある。
【0215】すなわち、図10の(c)に示すように、
コネクタ信号線24aと、第1のコネクタアース24c
のアースパターン接触面24c−1と、第2のコネクタ
アース24dのアースパターン接触面24d−1とは同
一平面a内に位置するようにしてある。
コネクタ信号線24aと、第1のコネクタアース24c
のアースパターン接触面24c−1と、第2のコネクタ
アース24dのアースパターン接触面24d−1とは同
一平面a内に位置するようにしてある。
【0216】そして、コネクタ同軸部アース24zに、
コネクタアース部である第1のコネクタアース24cに
対して、高周波基板22を挟んだ反対側にコネクタアー
ス部である第3のコネクタアース24eが、コネクタア
ース部である第2のコネクタアース24dに対して高周
波基板22を挟んだ反対側にコネクタアース部である第
4のコネクタアース24fがそれぞれ設けてある。
コネクタアース部である第1のコネクタアース24cに
対して、高周波基板22を挟んだ反対側にコネクタアー
ス部である第3のコネクタアース24eが、コネクタア
ース部である第2のコネクタアース24dに対して高周
波基板22を挟んだ反対側にコネクタアース部である第
4のコネクタアース24fがそれぞれ設けてある。
【0217】そして、第1のコネクタアース24cには
コネクタ側孔部である第1のねじ挿通孔24hが、第2
のコネクタアース24dにはコネクタ側孔部である第2
のねじ挿通孔24iがそれぞれ設けてあり、また、第3
のコネクタアース24eにはコネクタ側ねじ孔部である
ねじ孔24jが、第4のコネクタアース24fにはコネ
クタ側ねじ孔部であるねじ孔24kがそれぞれ設けてあ
る。
コネクタ側孔部である第1のねじ挿通孔24hが、第2
のコネクタアース24dにはコネクタ側孔部である第2
のねじ挿通孔24iがそれぞれ設けてあり、また、第3
のコネクタアース24eにはコネクタ側ねじ孔部である
ねじ孔24jが、第4のコネクタアース24fにはコネ
クタ側ねじ孔部であるねじ孔24kがそれぞれ設けてあ
る。
【0218】そして、コネクタ信号線24aとコネクタ
同軸部アース24zとコネクタ誘電体24bとにより高
周波同軸線路を構成している。
同軸部アース24zとコネクタ誘電体24bとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0219】そして、第3のコネクタアース24e及び
第4のコネクタアース24fは、それぞれ高周波基板2
2と高周波同軸コネクタ24の圧着時の圧力を調整する
ための第1のスペーサ25a及び第2のスペーサ25b
を備えている。
第4のコネクタアース24fは、それぞれ高周波基板2
2と高周波同軸コネクタ24の圧着時の圧力を調整する
ための第1のスペーサ25a及び第2のスペーサ25b
を備えている。
【0220】また、高周波基板は、上記した本発明の第
4の実施の形態における高周波基板22に、基板側孔部
である第1のねじ挿入孔22hと基板側孔部である第2
のねじ挿入孔22iとを設けた構成である。したがっ
て、同じ部位には同じ符号を付して説明を省略する。
4の実施の形態における高周波基板22に、基板側孔部
である第1のねじ挿入孔22hと基板側孔部である第2
のねじ挿入孔22iとを設けた構成である。したがっ
て、同じ部位には同じ符号を付して説明を省略する。
【0221】そして、図10の(a)に示すように、高
周波同軸コネクタ24を、高周波基板22に対してX方
向から挿入し、第1のねじ部材20aを第1のコネクタ
アース24cの第1のねじ挿通孔24hから第1のねじ
挿入孔22hに挿通させた後に、第3のコネクタアース
24eのねじ孔24jに螺合させ、また、第2のねじ部
材20bを第2のねじ挿通孔24iから第2のねじ挿入
孔22iに挿通させた後に、第4のコネクタアース24
fのねじ孔24kに螺合させて、これらの第1、第2の
ねじ部材20a、20bを締め付けることにより高周波
基板22に高周波同軸コネクタ24が取り付けてある。
周波同軸コネクタ24を、高周波基板22に対してX方
向から挿入し、第1のねじ部材20aを第1のコネクタ
アース24cの第1のねじ挿通孔24hから第1のねじ
挿入孔22hに挿通させた後に、第3のコネクタアース
24eのねじ孔24jに螺合させ、また、第2のねじ部
材20bを第2のねじ挿通孔24iから第2のねじ挿入
孔22iに挿通させた後に、第4のコネクタアース24
fのねじ孔24kに螺合させて、これらの第1、第2の
ねじ部材20a、20bを締め付けることにより高周波
基板22に高周波同軸コネクタ24が取り付けてある。
【0222】なお、第1のスペーサ25a及び第2のス
ペーサ25bは、ゴムなどの弾力性のある素材を採用す
ることで高周波基板22の厚さがばらついた場合におい
ても、ねじ止め時の安定性を向上することができる。な
お、第1のスペーサ25a及び第2のスペーサ25b
は、第3のコネクタアース24e及び第4のコネクタア
ース24fにそれぞれ接着されていても、接着されてい
なくてもよい。
ペーサ25bは、ゴムなどの弾力性のある素材を採用す
ることで高周波基板22の厚さがばらついた場合におい
ても、ねじ止め時の安定性を向上することができる。な
お、第1のスペーサ25a及び第2のスペーサ25b
は、第3のコネクタアース24e及び第4のコネクタア
ース24fにそれぞれ接着されていても、接着されてい
なくてもよい。
【0223】上記したように、本発明の第7の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線24aと、第1のコネクタアース24cのアースパタ
ーン接触面24c−1と、第2のコネクタアース24d
のアースパターン接触面24d−1とが同一平面a内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線24a
が、コネクタアース24cに干渉されずに基板信号線接
触ポイント22gにおいて基板信号線22aに半田付け
などによる接続が可能な位置に配置されるし、高周波基
板22に高周波同軸コネクタ24を実装した際に、第
1、第2のコネクタアース24c、24dを確実にアー
スパターン22c、22dに接触させることができて、
高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、
高周波特性の劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線24aと、第1のコネクタアース24cのアースパタ
ーン接触面24c−1と、第2のコネクタアース24d
のアースパターン接触面24d−1とが同一平面a内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線24a
が、コネクタアース24cに干渉されずに基板信号線接
触ポイント22gにおいて基板信号線22aに半田付け
などによる接続が可能な位置に配置されるし、高周波基
板22に高周波同軸コネクタ24を実装した際に、第
1、第2のコネクタアース24c、24dを確実にアー
スパターン22c、22dに接触させることができて、
高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、
高周波特性の劣化を防止することができる。
【0224】また、第1〜第4のコネクタアース24c
〜24fにより、高周波同軸コネクタ24を高周波基板
22に対し水平方向に精度良く実装することができるた
めに、インピーダンスの変動少なくなり、高周波同軸コ
ネクタの取付けの信頼性を向上させることができる。
〜24fにより、高周波同軸コネクタ24を高周波基板
22に対し水平方向に精度良く実装することができるた
めに、インピーダンスの変動少なくなり、高周波同軸コ
ネクタの取付けの信頼性を向上させることができる。
【0225】また、コネクタ信号線24aの基板信号線
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることができ、基板信号線22aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることができ、基板信号線22aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0226】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線24aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ24を高周波基板22
に接続する作業の際に、高周波基板22を裏返す必要が
なく、高周波同軸コネクタ接続工程を高効率化すること
ができる。
構造によれば、コネクタ信号線24aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ24を高周波基板22
に接続する作業の際に、高周波基板22を裏返す必要が
なく、高周波同軸コネクタ接続工程を高効率化すること
ができる。
【0227】(第8の実施の形態)本発明の第8の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造とを図11の(a)、(b),
(c)、図12及び図13の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造とを図11の(a)、(b),
(c)、図12及び図13の(a)、(b)、(c)を
参照して説明する。
【0228】図11の(a)は本発明の第8の実施の形
態における高周波同軸コネクタとコネクタ止めとの分解
状態の説明図、図11の(b)は図11の(a)のE−
1方向からの矢視図、図11の(c)は図11の(a)
のF−1方向からの矢視図である。また、図12はコネ
クタ止めの平面図である。また、図13の(a)は本発
明の第8の実施の形態における高周波同軸コネクタの高
周波基板への実装状態の平面図、図13の(b)は図1
3の(a)のG−1方向からの矢視図、図13の(c)
は図13の(a)のH−1方向からの矢視図である。
態における高周波同軸コネクタとコネクタ止めとの分解
状態の説明図、図11の(b)は図11の(a)のE−
1方向からの矢視図、図11の(c)は図11の(a)
のF−1方向からの矢視図である。また、図12はコネ
クタ止めの平面図である。また、図13の(a)は本発
明の第8の実施の形態における高周波同軸コネクタの高
周波基板への実装状態の平面図、図13の(b)は図1
3の(a)のG−1方向からの矢視図、図13の(c)
は図13の(a)のH−1方向からの矢視図である。
【0229】本発明の高周波同軸コネクタ26は、円筒
状のコネクタ誘電体26bを有しており、このコネクタ
誘電体26bの中心にはコネクタ信号線26aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体26bの周部にはコネク
タ同軸部アース26zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース26zは、後述する高周波基板22のアースパ
ターンに接続されるための第1のコネクタアース26c
と第2のコネクタアース26dとを備えている。
状のコネクタ誘電体26bを有しており、このコネクタ
誘電体26bの中心にはコネクタ信号線26aが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体26bの周部にはコネク
タ同軸部アース26zが設けてある。このコネクタ同軸
部アース26zは、後述する高周波基板22のアースパ
ターンに接続されるための第1のコネクタアース26c
と第2のコネクタアース26dとを備えている。
【0230】そして、コネクタ信号線26aを高周波基
板22の基板信号線22aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース26c、26dが高周波基板22の
第1、第2のアースパターン22c、22dに接触する
ように、コネクタ信号線26aと第1、第2のコネクタ
アース26c、26dとが配置してある。すなわち、図
11の(a)に示すようにコネクタ信号線26aと第1
のコネクタアース26cのアースパターン接触面26c
−1と第2のコネクタアース26dのアースパターン接
触面26d−1とは同一平面a内に位置するようにして
ある。
板22の基板信号線22aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース26c、26dが高周波基板22の
第1、第2のアースパターン22c、22dに接触する
ように、コネクタ信号線26aと第1、第2のコネクタ
アース26c、26dとが配置してある。すなわち、図
11の(a)に示すようにコネクタ信号線26aと第1
のコネクタアース26cのアースパターン接触面26c
−1と第2のコネクタアース26dのアースパターン接
触面26d−1とは同一平面a内に位置するようにして
ある。
【0231】そして、第1のコネクタアース26cには
コネクタ側ねじ部である第1のねじ孔26hが、第2の
コネクタアース26dにはコネクタ側ねじ部である第2
のねじ孔26iがそれぞれ設けてあり、コネクタ誘電体
26bの基部には、後述するコネクタ止め27に備えら
れたコネクタ止めジョイント部27mを挿入するコネク
タジョイント用溝部26mが設けてある。
コネクタ側ねじ部である第1のねじ孔26hが、第2の
コネクタアース26dにはコネクタ側ねじ部である第2
のねじ孔26iがそれぞれ設けてあり、コネクタ誘電体
26bの基部には、後述するコネクタ止め27に備えら
れたコネクタ止めジョイント部27mを挿入するコネク
タジョイント用溝部26mが設けてある。
【0232】コネクタ止め27は、図12に示すように
高周波同軸コネクタ26を固定するための第1のねじ部
材20aを挿通するための挿通孔部である第1のコネク
タ止め孔27aと、第2のねじ部材20bを挿通するた
めの挿通孔部である第2のコネクタ止め孔27bと、コ
ネクタ止めジョイント部27mとをそれぞれ備えてお
り、電気抵抗の小さい金属で製作されている。
高周波同軸コネクタ26を固定するための第1のねじ部
材20aを挿通するための挿通孔部である第1のコネク
タ止め孔27aと、第2のねじ部材20bを挿通するた
めの挿通孔部である第2のコネクタ止め孔27bと、コ
ネクタ止めジョイント部27mとをそれぞれ備えてお
り、電気抵抗の小さい金属で製作されている。
【0233】また、高周波基板は、上記した本発明の第
4の実施の形態における高周波基板22に基板側孔部で
ある第1のねじ挿入孔22h及び第2のねじ挿入孔22
iをそれぞれ設けた構成である。したがって、同じ部位
には同じ符号を付して説明を省略する。
4の実施の形態における高周波基板22に基板側孔部で
ある第1のねじ挿入孔22h及び第2のねじ挿入孔22
iをそれぞれ設けた構成である。したがって、同じ部位
には同じ符号を付して説明を省略する。
【0234】次に、高周波同軸コネクタ26の取付方法
(実装方法)について説明する。
(実装方法)について説明する。
【0235】高周波同軸コネクタ26を高周波基板22
の所定の位置に配置して、コネクタ止め27を第3のア
ースパターン22e側から高周波基板22に当接させ
て、このコネクタ止め27のコネクタ止めジョイント部
27mをコネクタジョイント用溝部26mに挿入し、第
1のねじ部材20aをコネクタ止め27の第1のコネク
タ止め孔27aから高周波基板22の第1のねじ挿入孔
22hに挿通させた後に、第1のコネクタアース26c
の第1のねじ孔26hに螺合させ、また、第2のねじ部
材20bをコネクタ止め27の第2のコネクタ止め孔2
7bから高周波基板22の第2のねじ挿入孔22iに挿
通させた後に、第2のコネクタアース19dの第2のね
じ孔26iに螺合させて、高周波同軸コネクタ26が高
周波基板22に取り付けてある。
の所定の位置に配置して、コネクタ止め27を第3のア
ースパターン22e側から高周波基板22に当接させ
て、このコネクタ止め27のコネクタ止めジョイント部
27mをコネクタジョイント用溝部26mに挿入し、第
1のねじ部材20aをコネクタ止め27の第1のコネク
タ止め孔27aから高周波基板22の第1のねじ挿入孔
22hに挿通させた後に、第1のコネクタアース26c
の第1のねじ孔26hに螺合させ、また、第2のねじ部
材20bをコネクタ止め27の第2のコネクタ止め孔2
7bから高周波基板22の第2のねじ挿入孔22iに挿
通させた後に、第2のコネクタアース19dの第2のね
じ孔26iに螺合させて、高周波同軸コネクタ26が高
周波基板22に取り付けてある。
【0236】このために、第1のコネクタアース26c
は第1のアースパターン22cに接続され、第2のコネ
クタアース26dは第2のアースパターン22dに接続
される。また、コネクタ止め27は第3のアースパター
ン22eに接触する。更に、コネクタ止めジョイント部
27mはコネクタジョイント用溝部26mに接触するた
めに、高周波同軸コネクタ26と第3のアースパターン
22eとは同電位となる。
は第1のアースパターン22cに接続され、第2のコネ
クタアース26dは第2のアースパターン22dに接続
される。また、コネクタ止め27は第3のアースパター
ン22eに接触する。更に、コネクタ止めジョイント部
27mはコネクタジョイント用溝部26mに接触するた
めに、高周波同軸コネクタ26と第3のアースパターン
22eとは同電位となる。
【0237】上記したように、本発明の第8の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線26aと、第1のコネクタアース26cのアースパタ
ーン接触面26c−1と、第2のコネクタアース26d
のアースパターン接触面26d−1とが同一平面a内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線26a
が、コネクタアース26cに干渉されずに基板信号線接
触ポイント22gにおいて基板信号線22aに半田付け
などによる接続が可能な位置に配置されるし、高周波基
板22に高周波同軸コネクタ26を実装する際に、コネ
クタアース26c、26dを確実に第1、第2のアース
パターン22c、22dに接触させることができて、高
周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信
号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイン
ピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、高
周波特性の劣化を防止することができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線26aと、第1のコネクタアース26cのアースパタ
ーン接触面26c−1と、第2のコネクタアース26d
のアースパターン接触面26d−1とが同一平面a内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線26a
が、コネクタアース26cに干渉されずに基板信号線接
触ポイント22gにおいて基板信号線22aに半田付け
などによる接続が可能な位置に配置されるし、高周波基
板22に高周波同軸コネクタ26を実装する際に、コネ
クタアース26c、26dを確実に第1、第2のアース
パターン22c、22dに接触させることができて、高
周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信
号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイン
ピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、高
周波特性の劣化を防止することができる。
【0238】また、第1、第2のコネクタアース26
c、26dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに接続することにより、高周波同軸コネクタ26を高
周波基板22に対して水平方向に精度良く実装すること
ができるために、インピーダンスの変動少なくなり、高
周波同軸コネクタの取付けの信頼性を向上させることが
できる。
c、26dを第1、第2のアースパターン22c、22
dに接続することにより、高周波同軸コネクタ26を高
周波基板22に対して水平方向に精度良く実装すること
ができるために、インピーダンスの変動少なくなり、高
周波同軸コネクタの取付けの信頼性を向上させることが
できる。
【0239】また、コネクタ信号線26aの基板信号線
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることができ、基板信号線22aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント22gに接触する部分の長さd1を短くす
ることができ、基板信号線22aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0240】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線26aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ26をねじ部材20
a、20bにより高周波基板22に接続することができ
て実装強度が向上する。また、高周波同軸コネクタ26
と高周波基板22のアースの接触面積が大きくなるため
に導電性を強化することができる。
構造によれば、コネクタ信号線26aと基板信号線22
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ26をねじ部材20
a、20bにより高周波基板22に接続することができ
て実装強度が向上する。また、高周波同軸コネクタ26
と高周波基板22のアースの接触面積が大きくなるため
に導電性を強化することができる。
【0241】(第9の実施の形態)本発明の第9の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造とを図14の(a)、(b)、
(c)、図15及び図16を参照して説明する。
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造とを図14の(a)、(b)、
(c)、図15及び図16を参照して説明する。
【0242】図14の(a)は本発明の第9の実施の形
態における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した
状態の平面図、図14の(b)は図14の(a)のI−
1方向からの矢視図、図14の(c)は図14の(a)
のJ−1方向からの矢視図である。また、図15は高周
波基板がアースピン挿入孔を複数備えた場合であって、
この高周波基板に高周波同軸コネクタを実装した状態の
平面図である。また、図16は高周波基板がスリット形
状のアースピン挿入孔を備えた場合であって、この高周
波基板に高周波同軸コネクタを実装した状態の平面図で
ある。
態における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した
状態の平面図、図14の(b)は図14の(a)のI−
1方向からの矢視図、図14の(c)は図14の(a)
のJ−1方向からの矢視図である。また、図15は高周
波基板がアースピン挿入孔を複数備えた場合であって、
この高周波基板に高周波同軸コネクタを実装した状態の
平面図である。また、図16は高周波基板がスリット形
状のアースピン挿入孔を備えた場合であって、この高周
波基板に高周波同軸コネクタを実装した状態の平面図で
ある。
【0243】本発明の第9の実施の形態における高周波
同軸コネクタ28は、円筒状のコネクタ誘電体28bを
有しており、このコネクタ誘電体28bの中心にはコネ
クタ信号線28aが配置してあり、またコネクタ誘電体
28bの周部にはコネクタ同軸部アース28zが設けて
ある。このコネクタ同軸部アース28zは、後述する高
周波基板29のアースパターンに接続されるための台座
形状のコネクタアース28cを備えている。
同軸コネクタ28は、円筒状のコネクタ誘電体28bを
有しており、このコネクタ誘電体28bの中心にはコネ
クタ信号線28aが配置してあり、またコネクタ誘電体
28bの周部にはコネクタ同軸部アース28zが設けて
ある。このコネクタ同軸部アース28zは、後述する高
周波基板29のアースパターンに接続されるための台座
形状のコネクタアース28cを備えている。
【0244】そして、コネクタ信号線28aとコネクタ
同軸部アース28zとコネクタ誘電体28bとにより高
周波同軸線路を構成している。
同軸部アース28zとコネクタ誘電体28bとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0245】そして、コネクタ信号線28aを高周波基
板29の基板信号線29aに接触させた際に、コネクタ
アース28cが高周波基板29の第1、第2のアースパ
ターン29c、29dに接触するように、コネクタ信号
線28aとコネクタアース28cとが配置してある。す
なわち、図14の(b)に示すようにコネクタ信号線2
8aとコネクタアース28cのアースパターン接触面2
8c−1とは同一平面a内に位置するようにしてあるた
めに、コネクタ信号線28aが、コネクタアース28c
に干渉されずに基板信号線接触ポイント29gにおいて
基板信号線29aに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置される。
板29の基板信号線29aに接触させた際に、コネクタ
アース28cが高周波基板29の第1、第2のアースパ
ターン29c、29dに接触するように、コネクタ信号
線28aとコネクタアース28cとが配置してある。す
なわち、図14の(b)に示すようにコネクタ信号線2
8aとコネクタアース28cのアースパターン接触面2
8c−1とは同一平面a内に位置するようにしてあるた
めに、コネクタ信号線28aが、コネクタアース28c
に干渉されずに基板信号線接触ポイント29gにおいて
基板信号線29aに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置される。
【0246】また、コネクタアース28cは高周波基板
29に半田付けなどにより、固定及びアース接地を行う
ためのピン形状のコネクタアース28dを備えている。
29に半田付けなどにより、固定及びアース接地を行う
ためのピン形状のコネクタアース28dを備えている。
【0247】高周波基板29は、高周波信号を伝送する
基板信号線29a、第1のアースパターン29c、第2
のアースパターン29d及び第3のアースパターン29
eとを有しており、ピン形状のコネクタアース28dを
挿入するアース挿入部としてのアースピン挿入孔29i
を備えている。
基板信号線29a、第1のアースパターン29c、第2
のアースパターン29d及び第3のアースパターン29
eとを有しており、ピン形状のコネクタアース28dを
挿入するアース挿入部としてのアースピン挿入孔29i
を備えている。
【0248】基板信号線29a、第1のアースパターン
29c、第2のアースパターン29d及び第3のアース
パターン29eは電気抵抗の小さい金属で構成されてお
り、基板信号線29a、第1のアースパターン29c及
び第2のアースパターン29dは高周波基板29の同一
面に形成してあり、基板信号線29aと第3のアースパ
ターン29eによりマイクロストリップラインを構成し
ている。また、第1のアースパターン29c及び第2の
アースパターン29dは図示していないが、スルーホー
ルなどによって第3のアースパターン29eに接続され
ていて、それぞれ同電位となっている。
29c、第2のアースパターン29d及び第3のアース
パターン29eは電気抵抗の小さい金属で構成されてお
り、基板信号線29a、第1のアースパターン29c及
び第2のアースパターン29dは高周波基板29の同一
面に形成してあり、基板信号線29aと第3のアースパ
ターン29eによりマイクロストリップラインを構成し
ている。また、第1のアースパターン29c及び第2の
アースパターン29dは図示していないが、スルーホー
ルなどによって第3のアースパターン29eに接続され
ていて、それぞれ同電位となっている。
【0249】以上のように構成された高周波同軸コネク
タ28を高周波基板29に取り付ける(実装する)方法
を説明する。
タ28を高周波基板29に取り付ける(実装する)方法
を説明する。
【0250】ピン形状のコネクタアース28dはアース
ピン挿入孔29iに挿入され、高周波基板29の裏面に
形成された第3のアースパターン29eのコネクタアー
ス半田付けポイント29hにおいて半田付けなどで保持
されており、電気的導通が得られている。また、コネク
タ信号線28aは基板信号線接触ポイント29gにおい
て基板信号線29aに半田付けあるいは接触により電気
的導通が得られている。
ピン挿入孔29iに挿入され、高周波基板29の裏面に
形成された第3のアースパターン29eのコネクタアー
ス半田付けポイント29hにおいて半田付けなどで保持
されており、電気的導通が得られている。また、コネク
タ信号線28aは基板信号線接触ポイント29gにおい
て基板信号線29aに半田付けあるいは接触により電気
的導通が得られている。
【0251】なお、図15に示すように、高周波基板2
9が、コネクタアース28dが挿入される、例えば、第
1〜第4のアースピン挿入孔29j〜29mを備えるこ
とにより、第1〜第4のアースピン挿入孔29j〜29
mのうち、任意のアースピン挿入孔を選択することによ
り高周波同軸コネクタ28の実装向きを選択して実装す
ることができる。なお、アースピン挿入孔の数は、任意
の数で選択してもよい。なお、コネクタアース28dの
数は、任意の数で選択してもよい。
9が、コネクタアース28dが挿入される、例えば、第
1〜第4のアースピン挿入孔29j〜29mを備えるこ
とにより、第1〜第4のアースピン挿入孔29j〜29
mのうち、任意のアースピン挿入孔を選択することによ
り高周波同軸コネクタ28の実装向きを選択して実装す
ることができる。なお、アースピン挿入孔の数は、任意
の数で選択してもよい。なお、コネクタアース28dの
数は、任意の数で選択してもよい。
【0252】また、高周波同軸コネクタ28の向きを限
定するために複数のコネクタアース28dを設けてもよ
い。また、任意の1つ以上のコネクタアース28dのみ
を半田付けなどにより固定してもよい。
定するために複数のコネクタアース28dを設けてもよ
い。また、任意の1つ以上のコネクタアース28dのみ
を半田付けなどにより固定してもよい。
【0253】なお、図16に示すように、高周波基板2
9が、コネクタアース28dが挿入されるアース挿入部
としてアースピン挿入スリット29nを備えることによ
り、このアースピン挿入スリット29nにコネクタアー
ス28dを挿入して高周波同軸コネクタ28の実装向き
を選択して実装することができる。
9が、コネクタアース28dが挿入されるアース挿入部
としてアースピン挿入スリット29nを備えることによ
り、このアースピン挿入スリット29nにコネクタアー
ス28dを挿入して高周波同軸コネクタ28の実装向き
を選択して実装することができる。
【0254】上記したように、本発明の第9の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線28aとコネクタアース28cのアースパターン接触
面28c−1とは同一平面a内に位置するようにしてあ
るために、コネクタ信号線28aが、コネクタアース2
8cに干渉されずに基板信号線接触ポイント29gにお
いて基板信号線29aに半田付けなどによる接続が可能
な位置に配置されるし、また、高周波基板29に高周波
同軸コネクタ28を実装する際に、コネクタアース28
cを確実に第1、第2のアースパターン29c、29d
に接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違い
によりコネクタ信号線と基板信号線との接続位置が異な
ることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生
を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止す
ることができる。
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線28aとコネクタアース28cのアースパターン接触
面28c−1とは同一平面a内に位置するようにしてあ
るために、コネクタ信号線28aが、コネクタアース2
8cに干渉されずに基板信号線接触ポイント29gにお
いて基板信号線29aに半田付けなどによる接続が可能
な位置に配置されるし、また、高周波基板29に高周波
同軸コネクタ28を実装する際に、コネクタアース28
cを確実に第1、第2のアースパターン29c、29d
に接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違い
によりコネクタ信号線と基板信号線との接続位置が異な
ることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生
を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止す
ることができる。
【0255】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線28aと基板信号線29
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ28と高周波基板29
の接続のための半田付けポイントを削減できて、高周波
同軸コネクタ28を高周波基板29に容易に実装するこ
とができる。また、高周波基板29のアースピン挿入孔
を複数備える、あるいはアースピン挿入部をスリット形
状にすることにより、任意の方向に実装することができ
る。
構造によれば、コネクタ信号線28aと基板信号線29
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ28と高周波基板29
の接続のための半田付けポイントを削減できて、高周波
同軸コネクタ28を高周波基板29に容易に実装するこ
とができる。また、高周波基板29のアースピン挿入孔
を複数備える、あるいはアースピン挿入部をスリット形
状にすることにより、任意の方向に実装することができ
る。
【0256】(第10の実施の形態)本発明の第10の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図17の(a)、(b)、
(c)を参照して説明する。
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図17の(a)、(b)、
(c)を参照して説明する。
【0257】図17の(a)は本発明の第10の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装し
た状態の平面図、図17の(b)は図17の(a)のK
−1方向からの矢視図、図17の(c)は図17の
(a)のL−1方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装し
た状態の平面図、図17の(b)は図17の(a)のK
−1方向からの矢視図、図17の(c)は図17の
(a)のL−1方向からの矢視図である。
【0258】本発明の高周波同軸コネクタ30は、上記
した本発明の第9の実施の形態における高周波同軸コネ
クタ28において、ピン形状のコネクタアース28dに
変えてねじ山付きのコネクタアース30dを備えた構成
であり、他の構成は高周波同軸コネクタ28と同じ構成
であるために、同じ符号を付して説明を省略する。
した本発明の第9の実施の形態における高周波同軸コネ
クタ28において、ピン形状のコネクタアース28dに
変えてねじ山付きのコネクタアース30dを備えた構成
であり、他の構成は高周波同軸コネクタ28と同じ構成
であるために、同じ符号を付して説明を省略する。
【0259】コネクタアース30dは第1のアースピン
挿入孔29iに挿入され、このコネクタアース30dに
ナット部材21が螺合されて、このナット部材21の締
付けにより高周波同軸コネクタ30は高周波基板29に
固定されて電気的導通が得られている。そして、ナット
部材21はコネクタアース30dのねじ山と共に、取付
手段を構成している。
挿入孔29iに挿入され、このコネクタアース30dに
ナット部材21が螺合されて、このナット部材21の締
付けにより高周波同軸コネクタ30は高周波基板29に
固定されて電気的導通が得られている。そして、ナット
部材21はコネクタアース30dのねじ山と共に、取付
手段を構成している。
【0260】なお、ねじ山付きのコネクタアース30d
の数は所望の性能が得られる範囲で増減してもよい。な
お、ナット部材21は電気抵抗の小さい金属で構成する
ことにより、第3のアースパターン29eに接触するた
めに接触抵抗を小さくすることができるので、アースの
接地強度を強化することができる。
の数は所望の性能が得られる範囲で増減してもよい。な
お、ナット部材21は電気抵抗の小さい金属で構成する
ことにより、第3のアースパターン29eに接触するた
めに接触抵抗を小さくすることができるので、アースの
接地強度を強化することができる。
【0261】上記したように、本発明の第10の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線28aとコネクタアース28cのアースパターン接
触面28c−1とは同一平面a内に位置するようにして
あるために、コネクタ信号線28aが、コネクタアース
28cに干渉されずに基板信号線接触ポイント29gに
おいて基板信号線29aに半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されるし、また、高周波基板29に高周
波同軸コネクタ28を実装する際に、コネクタアース2
8cを確実に第1、第2のアースパターン29c、29
dに接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違
いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続位置が異
なることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発
生を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止
することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線28aとコネクタアース28cのアースパターン接
触面28c−1とは同一平面a内に位置するようにして
あるために、コネクタ信号線28aが、コネクタアース
28cに干渉されずに基板信号線接触ポイント29gに
おいて基板信号線29aに半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されるし、また、高周波基板29に高周
波同軸コネクタ28を実装する際に、コネクタアース2
8cを確実に第1、第2のアースパターン29c、29
dに接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違
いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続位置が異
なることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発
生を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止
することができる。
【0262】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線28aと基板信号線29
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、コネクタアース30dとアースパターン2
9eの接続をナット部材21により締め付けるだけで実
現することができて、高周波同軸コネクタ30を高周波
基板29に容易に実装することができる。
構造によれば、コネクタ信号線28aと基板信号線29
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、コネクタアース30dとアースパターン2
9eの接続をナット部材21により締め付けるだけで実
現することができて、高周波同軸コネクタ30を高周波
基板29に容易に実装することができる。
【0263】(第11の実施の形態)本発明の第11の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図18の(a)、(b)、
(c)、図19の(a)、(b)、(c)及び図20の
(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図18の(a)、(b)、
(c)、図19の(a)、(b)、(c)及び図20の
(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
【0264】図18の(a)は本発明の第11の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に配置し
た状態の平面図、図18の(b)は図18の(a)のM
−1方向からの矢視図、図18の(c)は図18の
(a)のN−1方向からの矢視図である。また、図19
の(a)は本発明の第11の実施の形態における高周波
同軸コネクタを高周波基板に固定するアタッチメントの
平面図、図19の(b)は図19の(a)のO−1方向
からの矢視図、図19の(c)は図19の(a)のP−
1方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に配置し
た状態の平面図、図18の(b)は図18の(a)のM
−1方向からの矢視図、図18の(c)は図18の
(a)のN−1方向からの矢視図である。また、図19
の(a)は本発明の第11の実施の形態における高周波
同軸コネクタを高周波基板に固定するアタッチメントの
平面図、図19の(b)は図19の(a)のO−1方向
からの矢視図、図19の(c)は図19の(a)のP−
1方向からの矢視図である。
【0265】また、図20の(a)は本発明の第11の
実施の形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に
実装した状態の平面図、図21の(b)は図21の
(a)のQ−1方向からの矢視図、図21の(c)は図
21の(a)のR−1方向からの矢視図である。
実施の形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に
実装した状態の平面図、図21の(b)は図21の
(a)のQ−1方向からの矢視図、図21の(c)は図
21の(a)のR−1方向からの矢視図である。
【0266】本発明の第11の実施の形態における高周
波同軸コネクタ31は、円筒状のコネクタ誘電体31b
を有しており、このコネクタ誘電体31bの中心にはコ
ネクタ信号線31aが配置してあり、また、コネクタ誘
電体31bの周部にはコネクタ同軸部アース31zが設
けてある。このコネクタ同軸部アース31zは、後述す
る高周波基板32のアースパターンに接地するための第
1のコネクタアース31c及び第2のコネクタアース3
1dを備えている。
波同軸コネクタ31は、円筒状のコネクタ誘電体31b
を有しており、このコネクタ誘電体31bの中心にはコ
ネクタ信号線31aが配置してあり、また、コネクタ誘
電体31bの周部にはコネクタ同軸部アース31zが設
けてある。このコネクタ同軸部アース31zは、後述す
る高周波基板32のアースパターンに接地するための第
1のコネクタアース31c及び第2のコネクタアース3
1dを備えている。
【0267】そして、コネクタ信号線31aを高周波基
板32の基板信号線32aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース31c、31dが高周波基板32の
第1、第2のアースパターン31c、32dに接触する
ように、コネクタ信号線31aと第1、第2のコネクタ
アース31c、31dとが配置してある。すなわち、図
18の(c)に示すようにコネクタ信号線31aと第1
のコネクタアース31cのアースパターン接触面31c
−1と第2のコネクタアース31dのアースパターン接
触面31d−1とは同一平面a内に位置するようにして
ある。
板32の基板信号線32aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース31c、31dが高周波基板32の
第1、第2のアースパターン31c、32dに接触する
ように、コネクタ信号線31aと第1、第2のコネクタ
アース31c、31dとが配置してある。すなわち、図
18の(c)に示すようにコネクタ信号線31aと第1
のコネクタアース31cのアースパターン接触面31c
−1と第2のコネクタアース31dのアースパターン接
触面31d−1とは同一平面a内に位置するようにして
ある。
【0268】そして、コネクタ信号線31aとコネクタ
誘電体31bとコネクタ同軸部アース31zとにより高
周波同軸線路を構成している。
誘電体31bとコネクタ同軸部アース31zとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0269】また、高周波基板32は、高周波信号を伝
送する基板信号線32a、第1のアースパターン32
c、第2のアースパターン32d及び第3のアースパタ
ーン32eとを有している。そして、基板信号線32
a、第1のアースパターン32c及び第2のアースパタ
ーン32dは高周波基板32の同一面に形成してある。
送する基板信号線32a、第1のアースパターン32
c、第2のアースパターン32d及び第3のアースパタ
ーン32eとを有している。そして、基板信号線32
a、第1のアースパターン32c及び第2のアースパタ
ーン32dは高周波基板32の同一面に形成してある。
【0270】図19の(a)、(b)、(c)に示すよ
うに、アタッチメント33は、先端に係止爪部33a−
1を有する第1のコネクタ押さえ部33aと、先端に係
止爪部33b−1を有する第2のコネクタ押さえ部33
bと、第1のコネクタ押さえ部33aに対向する第3の
コネクタ押さえ部33cと、第2のコネクタ押さえ部3
3bに対向する第4のコネクタ押さえ部33dとを備え
ている。
うに、アタッチメント33は、先端に係止爪部33a−
1を有する第1のコネクタ押さえ部33aと、先端に係
止爪部33b−1を有する第2のコネクタ押さえ部33
bと、第1のコネクタ押さえ部33aに対向する第3の
コネクタ押さえ部33cと、第2のコネクタ押さえ部3
3bに対向する第4のコネクタ押さえ部33dとを備え
ている。
【0271】そして、アタッチメント33は、例えば、
電気抵抗の小さい金属や樹脂で形成されたものであり、
電気抵抗の小さい金属で形成することにより接触抵抗を
小さくすることができる。また、樹脂により形成するこ
とにより軽量化や弾力性に富む構造になって装着を容易
にすることができる。
電気抵抗の小さい金属や樹脂で形成されたものであり、
電気抵抗の小さい金属で形成することにより接触抵抗を
小さくすることができる。また、樹脂により形成するこ
とにより軽量化や弾力性に富む構造になって装着を容易
にすることができる。
【0272】以上の構成において、高周波同軸コネクタ
31を高周波基板32にアタッチメント33を用いて取
り付ける取付方法を述べる。
31を高周波基板32にアタッチメント33を用いて取
り付ける取付方法を述べる。
【0273】高周波同軸コネクタ31は高周波基板32
の所定の位置に配置される。この場合、第1のコネクタ
アース31cは、第1のアースパターン32cに接触
し、また、同様に、第2のコネクタアース31dは第2
のアースパターン32dに接触して、コネクタ信号線3
1aは、基板信号線接触ポイント32gにおいて基板信
号線32aに半田付けなどで接続される。
の所定の位置に配置される。この場合、第1のコネクタ
アース31cは、第1のアースパターン32cに接触
し、また、同様に、第2のコネクタアース31dは第2
のアースパターン32dに接触して、コネクタ信号線3
1aは、基板信号線接触ポイント32gにおいて基板信
号線32aに半田付けなどで接続される。
【0274】このために、高周波同軸コネクタ31に備
えられた第1のコネクタアース31c及び第2のコネク
タアース31dは、高周波基板32に備えられた第1の
アースパターン32c及び第2のアースパターン32d
に接触することにより電気導通が得られる。そして、高
周波同軸コネクタ31のアース電位と高周波基板32の
アース電位とは同電位になる。
えられた第1のコネクタアース31c及び第2のコネク
タアース31dは、高周波基板32に備えられた第1の
アースパターン32c及び第2のアースパターン32d
に接触することにより電気導通が得られる。そして、高
周波同軸コネクタ31のアース電位と高周波基板32の
アース電位とは同電位になる。
【0275】そして、図20の(a)に示すようにX方
向から高周波同軸コネクタ31にアタッチメント33を
挿入して、第1のコネクタアース31cの係止爪部33
a−1を第1のコネクタアース31cの端縁部に引っ掛
け、また、第2のコネクタアース31dの係止爪部33
d−1を第2のコネクタアース31dの端縁部に引っ掛
けることにより、第1のコネクタアース31cに第1の
コネクタ押さえ部33aを沿わせ、また、第2のコネク
タアース31dに第2のコネクタ押さえ部33bを沿わ
せて、第3のコネクタ押さえ部33c及び第4のコネク
タ押さえ部33dを第3のアースパターン32eに沿わ
せて、高周波同軸コネクタ31を高周波基板32に取り
付け、第1のコネクタアース31cを第1のアースパタ
ーン32cに、第2のコネクタアース31dを第2のア
ースパターン32dにそれぞれ半田付けなどで接続する
ことにより高周波同軸コネクタ31が高周波基板32に
接続されている。
向から高周波同軸コネクタ31にアタッチメント33を
挿入して、第1のコネクタアース31cの係止爪部33
a−1を第1のコネクタアース31cの端縁部に引っ掛
け、また、第2のコネクタアース31dの係止爪部33
d−1を第2のコネクタアース31dの端縁部に引っ掛
けることにより、第1のコネクタアース31cに第1の
コネクタ押さえ部33aを沿わせ、また、第2のコネク
タアース31dに第2のコネクタ押さえ部33bを沿わ
せて、第3のコネクタ押さえ部33c及び第4のコネク
タ押さえ部33dを第3のアースパターン32eに沿わ
せて、高周波同軸コネクタ31を高周波基板32に取り
付け、第1のコネクタアース31cを第1のアースパタ
ーン32cに、第2のコネクタアース31dを第2のア
ースパターン32dにそれぞれ半田付けなどで接続する
ことにより高周波同軸コネクタ31が高周波基板32に
接続されている。
【0276】この場合、第3のコネクタ押さえ部33c
及び第4のコネクタ押さえ部33dを第3のアースパタ
ーン32eに接触することにより、高周波同軸コネクタ
31は高周波基板32に電気的導通を確保している。
及び第4のコネクタ押さえ部33dを第3のアースパタ
ーン32eに接触することにより、高周波同軸コネクタ
31は高周波基板32に電気的導通を確保している。
【0277】上記したように、本発明の第11の実施の
形態における高周波同軸コネクによれば、コネクタ信号
線31aと、第1のコネクタアース31cのアースパタ
ーン接触面31c−1と、第2のコネクタアース31d
のアースパターン接触面31d−1とは同一平面a内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線31a
が、基板信号線接触ポイント32gにおいて基板信号線
32aに半田付けなどによる接続が可能な位置に配置さ
れるし、また、高周波基板32に高周波同軸コネクタ3
1を実装する際に、第1、第2のコネクタアース31
c、31dが確実に第1、第2のアースパターン32
c、32dに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクによれば、コネクタ信号
線31aと、第1のコネクタアース31cのアースパタ
ーン接触面31c−1と、第2のコネクタアース31d
のアースパターン接触面31d−1とは同一平面a内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線31a
が、基板信号線接触ポイント32gにおいて基板信号線
32aに半田付けなどによる接続が可能な位置に配置さ
れるし、また、高周波基板32に高周波同軸コネクタ3
1を実装する際に、第1、第2のコネクタアース31
c、31dが確実に第1、第2のアースパターン32
c、32dに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。
【0278】また、コネクタ信号線31aの基板信号線
接触ポイント32gへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線32aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント32gへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線32aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0279】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線31aと基板信号線32
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、アタッチメント33を用いることにより、
高周波同軸コネクタ31を高周波基板32に接続する際
に、工具を使用せずに容易に所定の位置に接続すること
ができる。
構造によれば、コネクタ信号線31aと基板信号線32
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、アタッチメント33を用いることにより、
高周波同軸コネクタ31を高周波基板32に接続する際
に、工具を使用せずに容易に所定の位置に接続すること
ができる。
【0280】(第12の実施の形態)本発明の第12の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造を図21の(a)、(b)、(c)乃至図25の
(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造を図21の(a)、(b)、(c)乃至図25の
(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
【0281】図21の(a)は本発明の第12の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図21の
(b)は図21の(a)のS−1方向からの矢視図、図
21の(c)は図21の(a)のT−1方向からの矢視
図である。
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図21の
(b)は図21の(a)のS−1方向からの矢視図、図
21の(c)は図21の(a)のT−1方向からの矢視
図である。
【0282】図22の(a)は本発明の第12の実施の
形態における高周波同軸コネクタを実装する高周波基板
の平面図、図22の(b)は図22の(a)のU−1方
向からの矢視図、図22の(c)は図22の(a)のV
−1方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタを実装する高周波基板
の平面図、図22の(b)は図22の(a)のU−1方
向からの矢視図、図22の(c)は図22の(a)のV
−1方向からの矢視図である。
【0283】図23の(a)は本発明の第12の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に固定す
るアタッチメントの平面図、図23の(b)は図23の
(a)のA−2方向からの矢視図、図23の(c)は図
23の(a)のB−2方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に固定す
るアタッチメントの平面図、図23の(b)は図23の
(a)のA−2方向からの矢視図、図23の(c)は図
23の(a)のB−2方向からの矢視図である。
【0284】図24の(a)は本発明の第12の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に配置し
た状態の平面図、図24の(b)は図24の(a)のC
−2方向からの矢視図、図24の(c)は図24の
(a)のD−2方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に配置し
た状態の平面図、図24の(b)は図24の(a)のC
−2方向からの矢視図、図24の(c)は図24の
(a)のD−2方向からの矢視図である。
【0285】図25の(a)は本発明の第12の実施の
形態における高周波同軸コネクタを実装型アタッチメン
トに挿入し、高周波基板に接触させた状態の平面図、図
25の(b)は図25の(a)のE−2方向からの矢視
図、図25の(c)は図25の(a)のF−2方向から
の矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタを実装型アタッチメン
トに挿入し、高周波基板に接触させた状態の平面図、図
25の(b)は図25の(a)のE−2方向からの矢視
図、図25の(c)は図25の(a)のF−2方向から
の矢視図である。
【0286】高周波同軸コネクタ34は円筒状のコネク
タ誘電体34bを有しており、このコネクタ誘電体34
bの中心にはコネクタ信号線34aが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体34bの周部にはコネクタ同軸部ア
ース34zが設けてある。このコネクタ同軸部アース3
4zは、後述する高周波基板35のアースパターンと接
地するための第1のコネクタアース34c及び第2のコ
ネクタアース34dを備えている。
タ誘電体34bを有しており、このコネクタ誘電体34
bの中心にはコネクタ信号線34aが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体34bの周部にはコネクタ同軸部ア
ース34zが設けてある。このコネクタ同軸部アース3
4zは、後述する高周波基板35のアースパターンと接
地するための第1のコネクタアース34c及び第2のコ
ネクタアース34dを備えている。
【0287】そして、高周波同軸コネクタ34に備えら
れた第1のコネクタアース34c及び第2のコネクタア
ース34dは、後述する第1の実装型アタッチメント3
6a及び第2の実装型アタッチメント36bに挿入する
ことができるようにL字形状にしてある。
れた第1のコネクタアース34c及び第2のコネクタア
ース34dは、後述する第1の実装型アタッチメント3
6a及び第2の実装型アタッチメント36bに挿入する
ことができるようにL字形状にしてある。
【0288】そして、コネクタ信号線34aとコネクタ
誘電体34bとコネクタ同軸部アース34zとにより高
周波同軸線路を構成している。
誘電体34bとコネクタ同軸部アース34zとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0289】コネクタ信号線34a、第1のコネクタア
ース34c、第2のコネクタアース34d及びコネクタ
同軸部アース34zはそれぞれ電気抵抗の小さい金属で
構成されており、また、コネクタ誘電体34bはテフロ
ン(R)などの誘電体で構成されている。
ース34c、第2のコネクタアース34d及びコネクタ
同軸部アース34zはそれぞれ電気抵抗の小さい金属で
構成されており、また、コネクタ誘電体34bはテフロ
ン(R)などの誘電体で構成されている。
【0290】そして、コネクタ信号線34aを高周波基
板35の基板信号線35aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース34c、34dが高周波基板35の
第1、第2のアースパターン35c、35dに接触する
ように、コネクタ信号線34aと第1、第2のコネクタ
アース34c、34dとが配置してある。すなわち、図
21の(c)に示すようにコネクタ信号線34aと、第
1のコネクタアース34cのアースパターン接触面34
c−1と、第2のコネクタアース34dのアースパター
ン接触面34d−1とが同一平面a内に位置するように
してある。
板35の基板信号線35aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース34c、34dが高周波基板35の
第1、第2のアースパターン35c、35dに接触する
ように、コネクタ信号線34aと第1、第2のコネクタ
アース34c、34dとが配置してある。すなわち、図
21の(c)に示すようにコネクタ信号線34aと、第
1のコネクタアース34cのアースパターン接触面34
c−1と、第2のコネクタアース34dのアースパター
ン接触面34d−1とが同一平面a内に位置するように
してある。
【0291】また、高周波基板35には、図22の
(a)、(b)、(c)に示すように、高周波同軸コネ
クタ34に備えられた第1のコネクタアース34cを嵌
め込むことができる形状の第1の実装型アタッチメント
36aと、第2のコネクタアース34dを嵌め込むこと
ができる形状の第2の実装型アタッチメント36bが実
装してある。
(a)、(b)、(c)に示すように、高周波同軸コネ
クタ34に備えられた第1のコネクタアース34cを嵌
め込むことができる形状の第1の実装型アタッチメント
36aと、第2のコネクタアース34dを嵌め込むこと
ができる形状の第2の実装型アタッチメント36bが実
装してある。
【0292】第1の実装型アタッチメント36aは第1
のアースパターン35cに実装されており、また、第2
の実装型アタッチメント36bは第2のアースパターン
35dに実装されていて、樹脂などで形成されている。
のアースパターン35cに実装されており、また、第2
の実装型アタッチメント36bは第2のアースパターン
35dに実装されていて、樹脂などで形成されている。
【0293】第1の実装型アタッチメント36aと第2
の実装型アタッチメント36bとは、高周波同軸コネク
タ34を装着した際に、コネクタ信号線34aが、信号
線接触ポイント35lにおいて、基板信号線35aに精
度良く接触する位置にある。
の実装型アタッチメント36bとは、高周波同軸コネク
タ34を装着した際に、コネクタ信号線34aが、信号
線接触ポイント35lにおいて、基板信号線35aに精
度良く接触する位置にある。
【0294】固定用アタッチメント33Aは、上記した
第10の実施の形態におけるアタッチメント33を所望
の大きさに変形したものであり、第1〜第4のコネクタ
押さえ部33a〜33dを備えている。そして、固定用
アタッチメント33Aは、例えば、電気抵抗の小さい金
属や樹脂で形成されたものであり、電気抵抗の小さい金
属で形成することにより接触抵抗を小さくすることがで
きる。また、樹脂により形成することにより軽量化や弾
力性に富む構造になって装着を容易にすることができ
る。
第10の実施の形態におけるアタッチメント33を所望
の大きさに変形したものであり、第1〜第4のコネクタ
押さえ部33a〜33dを備えている。そして、固定用
アタッチメント33Aは、例えば、電気抵抗の小さい金
属や樹脂で形成されたものであり、電気抵抗の小さい金
属で形成することにより接触抵抗を小さくすることがで
きる。また、樹脂により形成することにより軽量化や弾
力性に富む構造になって装着を容易にすることができ
る。
【0295】そして、図24の(a)、(b)、(c)
に示すように、高周波同軸コネクタ34に備えられた第
1のコネクタアース34cは、高周波基板35の第1の
実装型アタッチメント36aに挿入され、また、第2の
コネクタアース34dは、高周波基板35の第2の実装
型アタッチメント36bに挿入されている。
に示すように、高周波同軸コネクタ34に備えられた第
1のコネクタアース34cは、高周波基板35の第1の
実装型アタッチメント36aに挿入され、また、第2の
コネクタアース34dは、高周波基板35の第2の実装
型アタッチメント36bに挿入されている。
【0296】そして、図25の(a)、(b)、(c)
に示すように、固定用アタッチメント33Aを高周波同
軸コネクタ34にX方向から装着する。そして、第1の
コネクタ押さえ部33aの係止爪部33a−1を第1の
コネクタアース34cの端縁部に引っ掛けると共に、第
2のコネクタ押さえ部33bの係止爪部33b−1を第
2のコネクタアース34dの端縁部に引っ掛けて、第1
のコネクタ押さえ部33aと第3のコネクタ押さえ部3
5cとで第1のコネクタアース34cを保持し、第2の
コネクタ押さえ部35bと第4のコネクタ押さえ部35
dとで第2のコネクタアース34dを保持する。
に示すように、固定用アタッチメント33Aを高周波同
軸コネクタ34にX方向から装着する。そして、第1の
コネクタ押さえ部33aの係止爪部33a−1を第1の
コネクタアース34cの端縁部に引っ掛けると共に、第
2のコネクタ押さえ部33bの係止爪部33b−1を第
2のコネクタアース34dの端縁部に引っ掛けて、第1
のコネクタ押さえ部33aと第3のコネクタ押さえ部3
5cとで第1のコネクタアース34cを保持し、第2の
コネクタ押さえ部35bと第4のコネクタ押さえ部35
dとで第2のコネクタアース34dを保持する。
【0297】この場合、第3のコネクタ押さえ部35c
及び第4のコネクタ押さえ部35dが第3のアースパタ
ーン35eに接触されており、高周波同軸コネクタ34
は高周波基板35に電気的導通を確保しつつ接続され
る。
及び第4のコネクタ押さえ部35dが第3のアースパタ
ーン35eに接触されており、高周波同軸コネクタ34
は高周波基板35に電気的導通を確保しつつ接続され
る。
【0298】なお、第1の実装型アタッチメント36a
及び第2の実装型アタッチメント36bはリフローなど
で精度良く実装することにより高周波同軸コネクタ34
の装着工程を高効率化することができる。なお、実装型
アタッチメントの数は所望の性能が得られる範囲で増減
または形状を変更してもよい。
及び第2の実装型アタッチメント36bはリフローなど
で精度良く実装することにより高周波同軸コネクタ34
の装着工程を高効率化することができる。なお、実装型
アタッチメントの数は所望の性能が得られる範囲で増減
または形状を変更してもよい。
【0299】上記したように、本発明の第12の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線34a、第1のコネクタアース34cのアースパタ
ーン接触面34c−1及び第2のコネクタアース34d
のアースパターン接触面34d−1のそれぞれが同一平
面a内に位置する関係にあるために、コネクタ信号線3
4aが、基板信号線接触ポイント35lにおいて基板信
号線35aに半田付けなどによる接続が可能な位置に配
置されるし、また、高周波基板35に高周波同軸コネク
タ34を実装した際に、第1、第2のコネクタアース3
4c、34dを確実に第1、第2のアースパターン35
c、35dに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線34a、第1のコネクタアース34cのアースパタ
ーン接触面34c−1及び第2のコネクタアース34d
のアースパターン接触面34d−1のそれぞれが同一平
面a内に位置する関係にあるために、コネクタ信号線3
4aが、基板信号線接触ポイント35lにおいて基板信
号線35aに半田付けなどによる接続が可能な位置に配
置されるし、また、高周波基板35に高周波同軸コネク
タ34を実装した際に、第1、第2のコネクタアース3
4c、34dを確実に第1、第2のアースパターン35
c、35dに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。
【0300】また、コネクタ信号線34aの基板信号線
接触ポイント35lに接触する部分の長さd1を短くす
ることができ、基板信号線35aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント35lに接触する部分の長さd1を短くす
ることができ、基板信号線35aに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0301】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線34aと基板信号線35
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ34に備えられた第1
のコネクタアース34cが、高周波基板35の第1の実
装型アタッチメント36aに挿入され、また、第2のコ
ネクタアース34dが、高周波基板35の第2の実装型
アタッチメント36bに挿入され、この状態で、固定用
アタッチメント33Aを用いて高周波同軸コネクタ34
を高周波基板35に接続するようにしたので、高周波同
軸コネクタ34を高周波基板35に対して容易に正確な
位置に装着できるようになる。
構造によれば、コネクタ信号線34aと基板信号線35
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ34に備えられた第1
のコネクタアース34cが、高周波基板35の第1の実
装型アタッチメント36aに挿入され、また、第2のコ
ネクタアース34dが、高周波基板35の第2の実装型
アタッチメント36bに挿入され、この状態で、固定用
アタッチメント33Aを用いて高周波同軸コネクタ34
を高周波基板35に接続するようにしたので、高周波同
軸コネクタ34を高周波基板35に対して容易に正確な
位置に装着できるようになる。
【0302】(第13の実施の形態)本発明の第13の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造とを図26の(a)、(b)、(c)を参照して説明
する。
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造とを図26の(a)、(b)、(c)を参照して説明
する。
【0303】図26の(a)は本発明の第13の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板にシール
ドケースと共に固定して装着した状態の平面図、図26
の(b)は図26の(a)のG−2方向からの矢視図、
図26の(c)は図26の(a)のH−2方向からの矢
視図である。
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板にシール
ドケースと共に固定して装着した状態の平面図、図26
の(b)は図26の(a)のG−2方向からの矢視図、
図26の(c)は図26の(a)のH−2方向からの矢
視図である。
【0304】本発明の第13の実施の形態における高周
波同軸コネクタは、上記した本発明の第5の実施の形態
における高周波同軸コネクタ23と同構成であり、この
高周波同軸コネクタ23は、コネクタ信号線23aと、
コネクタ誘電体23bと、コネクタ同軸部アース23z
とにより高周波同軸線路を構成している。
波同軸コネクタは、上記した本発明の第5の実施の形態
における高周波同軸コネクタ23と同構成であり、この
高周波同軸コネクタ23は、コネクタ信号線23aと、
コネクタ誘電体23bと、コネクタ同軸部アース23z
とにより高周波同軸線路を構成している。
【0305】そして、コネクタ信号線23aを後述する
高周波基板38の基板信号線38aに接触させた際に、
第1、第2のコネクタアース23c、23dが高周波基
板38の第1、第2のアースパターン38c、38dに
接触するように、コネクタ信号線23aと第1、第2の
コネクタアース23c、23dとが配置してある。すな
わち、図26の(c)に示すようにコネクタ信号線23
aと、第1のコネクタアース23cのアースパターン接
触面23c−1と、第2のコネクタアース23dのアー
スパターン接触面23d−1とが同一平面a内に位置す
るようにしてある。
高周波基板38の基板信号線38aに接触させた際に、
第1、第2のコネクタアース23c、23dが高周波基
板38の第1、第2のアースパターン38c、38dに
接触するように、コネクタ信号線23aと第1、第2の
コネクタアース23c、23dとが配置してある。すな
わち、図26の(c)に示すようにコネクタ信号線23
aと、第1のコネクタアース23cのアースパターン接
触面23c−1と、第2のコネクタアース23dのアー
スパターン接触面23d−1とが同一平面a内に位置す
るようにしてある。
【0306】そして、第1のコネクタアース23cには
第1のコネクタ側孔部23hが、第2のコネクタアース
23dには第2のコネクタ側孔部23iがそれぞれ設け
てある。
第1のコネクタ側孔部23hが、第2のコネクタアース
23dには第2のコネクタ側孔部23iがそれぞれ設け
てある。
【0307】高周波基板38の表面には、基板信号線3
8aと第1のアースパターン38cと第2のアースパタ
ーン38dとが設けてあり、その裏面は第3のアースパ
ターン38eが設けてあって、マイクロストリップライ
ンを形成している。第1のアースパターン38c及び第
2のアースパターン38dは、基板信号線38aと同一
の面に形成されたアースパターンである。
8aと第1のアースパターン38cと第2のアースパタ
ーン38dとが設けてあり、その裏面は第3のアースパ
ターン38eが設けてあって、マイクロストリップライ
ンを形成している。第1のアースパターン38c及び第
2のアースパターン38dは、基板信号線38aと同一
の面に形成されたアースパターンである。
【0308】高周波基板38は、第1の基板側孔部38
h、第2の基板側孔部38i、第3の基板側孔部38j
及び第4の基板側孔部38kとを備えている。また、第
1のアースパターン38c及び第2のアースパターン3
8dは図示していないが、スルーホールなどによって、
第3のアースパターン38eに接続されていて、それぞ
れ同電位となっている。
h、第2の基板側孔部38i、第3の基板側孔部38j
及び第4の基板側孔部38kとを備えている。また、第
1のアースパターン38c及び第2のアースパターン3
8dは図示していないが、スルーホールなどによって、
第3のアースパターン38eに接続されていて、それぞ
れ同電位となっている。
【0309】また、高周波信号をシールドするシールド
ケース37は、金属や金属が蒸着された樹脂により形成
されたものであり、高周波基板38に実装された電子部
品などを覆う形状にしてある。そして、シールドケース
37は、第1のシールドケース側ねじ孔部37a、第2
のシールドケース側ねじ孔部37b、第3のシールドケ
ース側ねじ孔部37c及び第4のシールドケース側ねじ
孔部37dを備えている。
ケース37は、金属や金属が蒸着された樹脂により形成
されたものであり、高周波基板38に実装された電子部
品などを覆う形状にしてある。そして、シールドケース
37は、第1のシールドケース側ねじ孔部37a、第2
のシールドケース側ねじ孔部37b、第3のシールドケ
ース側ねじ孔部37c及び第4のシールドケース側ねじ
孔部37dを備えている。
【0310】また、シールドケース37には、高周波同
軸コネクタ23に備えられた第1のコネクタアース23
c及び第2のコネクタアース23dを挿入する切欠部3
7e、37fが設けてある。そして、切欠部37e、3
7fに第1、第2のコネクタアース23c、23dを挿
入することで、コネクタ信号線23aが基板信号線接触
ポイント38lに正確に接触するようになる。
軸コネクタ23に備えられた第1のコネクタアース23
c及び第2のコネクタアース23dを挿入する切欠部3
7e、37fが設けてある。そして、切欠部37e、3
7fに第1、第2のコネクタアース23c、23dを挿
入することで、コネクタ信号線23aが基板信号線接触
ポイント38lに正確に接触するようになる。
【0311】そして、高周波同軸コネクタ23は、その
第1のコネクタアース23cを第1のアースパターン3
8cに、第2のコネクタアース23dを第2のアースパ
ターン38dにそれぞれ接触させた状態で、高周波基板
38に配置されており、この高周波基板38にシールド
ケース37が搭載されていて、切欠部37e、37fに
第1、第2のコネクタアース23c、23cが挿入され
る。
第1のコネクタアース23cを第1のアースパターン3
8cに、第2のコネクタアース23dを第2のアースパ
ターン38dにそれぞれ接触させた状態で、高周波基板
38に配置されており、この高周波基板38にシールド
ケース37が搭載されていて、切欠部37e、37fに
第1、第2のコネクタアース23c、23cが挿入され
る。
【0312】この状態で、第1の基板側孔部38h、第
1のコネクタ側孔部23hに第1のねじ部材20aを挿
入後に、この第1のねじ部材20aを第1のシールドケ
ース側ねじ孔部37aに螺合し、また、第2の基板側孔
部38i、第2のコネクタ側孔部23iに第2のねじ部
材20bを挿入後に、この第2のねじ部材20bを第2
のシールドケース側ねじ孔部37bに螺合し、また、第
3の基板側孔部38jに第3のねじ部材20cを挿入後
に、この第3のねじ部材20cを第3のシールドケース
側ねじ孔部37cに螺合し、また、第4の基板側孔部3
8kに第4のねじ部材20dを挿入後に、この第4のね
じ部材20dを第4のシールドケース側ねじ孔部37d
に螺合することで、高周波基板38に、高周波同軸コネ
クタ19及びシールドケース37が高周波基板38の所
定の位置に装着してある。この場合、シールドケース3
7は、第1のアースパターン38c及び第2のアースパ
ターン38dに接触する。
1のコネクタ側孔部23hに第1のねじ部材20aを挿
入後に、この第1のねじ部材20aを第1のシールドケ
ース側ねじ孔部37aに螺合し、また、第2の基板側孔
部38i、第2のコネクタ側孔部23iに第2のねじ部
材20bを挿入後に、この第2のねじ部材20bを第2
のシールドケース側ねじ孔部37bに螺合し、また、第
3の基板側孔部38jに第3のねじ部材20cを挿入後
に、この第3のねじ部材20cを第3のシールドケース
側ねじ孔部37cに螺合し、また、第4の基板側孔部3
8kに第4のねじ部材20dを挿入後に、この第4のね
じ部材20dを第4のシールドケース側ねじ孔部37d
に螺合することで、高周波基板38に、高周波同軸コネ
クタ19及びシールドケース37が高周波基板38の所
定の位置に装着してある。この場合、シールドケース3
7は、第1のアースパターン38c及び第2のアースパ
ターン38dに接触する。
【0313】このように、第1のねじ部材20a、第2
のねじ部材20b、第3のねじ部材20c及び第4のね
じ部材20dを、第1のシールドケース側ねじ孔部37
a、第2のシールドケース側ねじ孔部37b、第3のシ
ールドケース側ねじ孔部37c及び第4のシールドケー
ス側ねじ孔部37に螺合させてシールドケース37を高
周波基板38に装着するために、シールドケース37
は、第1のアースパターン38c及び第2のアースパタ
ーン38dに接触することになり、電気的に導通して同
電位になる。このために、高周波基板38に実装された
電子部品や信号線に外部から飛び込む信号を遮断あるい
は内部から放射される信号を遮断することができる。
のねじ部材20b、第3のねじ部材20c及び第4のね
じ部材20dを、第1のシールドケース側ねじ孔部37
a、第2のシールドケース側ねじ孔部37b、第3のシ
ールドケース側ねじ孔部37c及び第4のシールドケー
ス側ねじ孔部37に螺合させてシールドケース37を高
周波基板38に装着するために、シールドケース37
は、第1のアースパターン38c及び第2のアースパタ
ーン38dに接触することになり、電気的に導通して同
電位になる。このために、高周波基板38に実装された
電子部品や信号線に外部から飛び込む信号を遮断あるい
は内部から放射される信号を遮断することができる。
【0314】なお、高周波同軸コネクタ23はねじ止め
を行う前に両面テープなどで高周波基板38に仮止めす
ることにより装着工程を容易にすることができる。
を行う前に両面テープなどで高周波基板38に仮止めす
ることにより装着工程を容易にすることができる。
【0315】上記したように、本発明の第13の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線23aと、第1のコネクタアース23cのアースパ
ターン接触面23c−1と、第2のコネクタアース23
dのアースパターン接触面23d−1とのそれぞれが同
一平面a内に位置するようにしてあるために、コネクタ
信号線23aが、基板信号線接触ポイント38lにおい
て基板信号線38aに半田付けなどによる接続が可能な
位置に配置されるし、また、高周波基板38に高周波同
軸コネクタ23を実装する際に、第1、第2のコネクタ
アース23c、23dを確実に第1、第2のアースパタ
ーン38c、38dに接触させることができて、高周波
基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線23aと、第1のコネクタアース23cのアースパ
ターン接触面23c−1と、第2のコネクタアース23
dのアースパターン接触面23d−1とのそれぞれが同
一平面a内に位置するようにしてあるために、コネクタ
信号線23aが、基板信号線接触ポイント38lにおい
て基板信号線38aに半田付けなどによる接続が可能な
位置に配置されるし、また、高周波基板38に高周波同
軸コネクタ23を実装する際に、第1、第2のコネクタ
アース23c、23dを確実に第1、第2のアースパタ
ーン38c、38dに接触させることができて、高周波
基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。
【0316】また、第1、第2のコネクタアース23
c、23dを第1、第2のアースパターン38c、38
dにねじ部材20a、20bで取り付けることにより、
高周波同軸コネクタ23を高周波基板38に対し水平方
向に精度良く実装することができるために、インピーダ
ンスの変動が少なくなり、取付の信頼性を向上すること
ができる。
c、23dを第1、第2のアースパターン38c、38
dにねじ部材20a、20bで取り付けることにより、
高周波同軸コネクタ23を高周波基板38に対し水平方
向に精度良く実装することができるために、インピーダ
ンスの変動が少なくなり、取付の信頼性を向上すること
ができる。
【0317】また、コネクタ信号線23aの基板信号線
接触ポイント38lへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線38aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント38lへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線38aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0318】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線19aと基板信号線38
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ23を高周波基板38
に接続する時に、この高周波同軸コネクタ23を容易に
正確な位置に接続できる。また、シールドケース37を
止めるねじ部材と、高周波同軸コネクタ23を止めるね
じ部材とをねじ部材20a、20bで共用することで、
ねじ止め個所の数を削減することにより部品点数の削減
と作業工数を削減することができる。
構造によれば、コネクタ信号線19aと基板信号線38
aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ23を高周波基板38
に接続する時に、この高周波同軸コネクタ23を容易に
正確な位置に接続できる。また、シールドケース37を
止めるねじ部材と、高周波同軸コネクタ23を止めるね
じ部材とをねじ部材20a、20bで共用することで、
ねじ止め個所の数を削減することにより部品点数の削減
と作業工数を削減することができる。
【0319】(第14の実施の形態)本発明の第14の
実施の形態における高周波同軸コネクタを図27の
(a)、(b)、図28の(a)、(b)及び図29の
(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
実施の形態における高周波同軸コネクタを図27の
(a)、(b)、図28の(a)、(b)及び図29の
(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
【0320】図27の(a)は本発明の第14の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図27の
(b)は図27の(a)のI−2方向からの矢視図であ
る。また、図28の(a)は本発明の第14の実施の形
態における高周波同軸コネクタに接続されるねじ式のア
ースアダプタの平面図、図28の(b)は図28の
(a)のJ−2方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図27の
(b)は図27の(a)のI−2方向からの矢視図であ
る。また、図28の(a)は本発明の第14の実施の形
態における高周波同軸コネクタに接続されるねじ式のア
ースアダプタの平面図、図28の(b)は図28の
(a)のJ−2方向からの矢視図である。
【0321】図29の(a)は本発明の第14の実施の
形態における高周波同軸コネクタにアースアダプタを装
着した状態の平面図、図29の(b)は図29の(a)
のK−2方向からの矢視図、図29の(c)は図29の
(a)のL−2方向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタにアースアダプタを装
着した状態の平面図、図29の(b)は図29の(a)
のK−2方向からの矢視図、図29の(c)は図29の
(a)のL−2方向からの矢視図である。
【0322】高周波同軸コネクタ39は、円筒状のコネ
クタ誘電体39bを有しており、このコネクタ誘電体3
9bの中心にはコネクタ信号線39aが配置してあり、
また、コネクタ誘電体39bの周部にはコネクタ同軸部
アース39zが設けてある。このコネクタ同軸部アース
39zはコネクタアース39cを有している。このコネ
クタアース39cはアースアダプタ40を装着するため
にねじ部39dを有している。
クタ誘電体39bを有しており、このコネクタ誘電体3
9bの中心にはコネクタ信号線39aが配置してあり、
また、コネクタ誘電体39bの周部にはコネクタ同軸部
アース39zが設けてある。このコネクタ同軸部アース
39zはコネクタアース39cを有している。このコネ
クタアース39cはアースアダプタ40を装着するため
にねじ部39dを有している。
【0323】そして、コネクタ信号線39aとコネクタ
誘電体39bとコネクタ同軸部アース39zとにより高
周波同軸線路を構成している。
誘電体39bとコネクタ同軸部アース39zとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0324】図28の(a)、(b)に示すようにアー
スアダプタ40はアダプタ本体40Aを有しており、こ
のアダプタ本体40Aの中央部にはねじ孔部40cが形
成してあり、アダプタ本体40Aの一端部には第1のア
ダプタアース部40aが、他端部には第2のアダプタア
ース部40bがそれぞれ180度位相をずらせて設けて
ある。
スアダプタ40はアダプタ本体40Aを有しており、こ
のアダプタ本体40Aの中央部にはねじ孔部40cが形
成してあり、アダプタ本体40Aの一端部には第1のア
ダプタアース部40aが、他端部には第2のアダプタア
ース部40bがそれぞれ180度位相をずらせて設けて
ある。
【0325】そして、図29の(a)、(b)、(c)
に示すように高周波同軸コネクタ39のコネクタアース
39cのねじ部39dにねじ孔部40cを螺合させて、
高周波同軸コネクタ39にアースアダプタ40を装着す
ると、コネクタ信号線39aと、第1のアダプタアース
部40aのアースパターン接触面40a−1と、第2の
アダプタアース部40bのアースパターン接触面40b
−1とは同一平面a内に位置するように配置される。こ
の場合、コネクタアース39cのねじ部39dとアース
アダプタ40のねじ孔部40cとで結合手段を構成して
いる。
に示すように高周波同軸コネクタ39のコネクタアース
39cのねじ部39dにねじ孔部40cを螺合させて、
高周波同軸コネクタ39にアースアダプタ40を装着す
ると、コネクタ信号線39aと、第1のアダプタアース
部40aのアースパターン接触面40a−1と、第2の
アダプタアース部40bのアースパターン接触面40b
−1とは同一平面a内に位置するように配置される。こ
の場合、コネクタアース39cのねじ部39dとアース
アダプタ40のねじ孔部40cとで結合手段を構成して
いる。
【0326】上記したように、本発明の第14の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線39aと、第1のアダプタアース部40aのアース
パターン接触面40a−1と、第2のアダプタアース部
40bのアースパターン接触面40b−1とは同一平面
a内に位置するように配置されるために、コネクタ信号
線39aが、基板信号線接触ポイントにおいて基板信号
線に半田付けなどによる接続が可能な位置に配置される
し、また、高周波基板に高周波同軸コネクタを実装する
際に、第1、第2のコネクタアース40c、40dが確
実にアースパターンに接触させることができて、高周波
基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線39aと、第1のアダプタアース部40aのアース
パターン接触面40a−1と、第2のアダプタアース部
40bのアースパターン接触面40b−1とは同一平面
a内に位置するように配置されるために、コネクタ信号
線39aが、基板信号線接触ポイントにおいて基板信号
線に半田付けなどによる接続が可能な位置に配置される
し、また、高周波基板に高周波同軸コネクタを実装する
際に、第1、第2のコネクタアース40c、40dが確
実にアースパターンに接触させることができて、高周波
基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。
【0327】しかも、高周波同軸コネクタのアース部を
コネクタアース部39cと、このコネクタアース部39
cとは別部品のアースアダプタ40とで構成することに
より、コネクタアースの熱容量を小さくすることができ
て、アースパターンの半田付け作業が容易となる。
コネクタアース部39cと、このコネクタアース部39
cとは別部品のアースアダプタ40とで構成することに
より、コネクタアースの熱容量を小さくすることができ
て、アースパターンの半田付け作業が容易となる。
【0328】また、コネクタ信号線19aの基板信号線
接触ポイントへの接触部分の長さd1を短くすることが
でき、基板信号線に接続する際のインピーダンス不整合
の発生を少なくすることができる。
接触ポイントへの接触部分の長さd1を短くすることが
でき、基板信号線に接続する際のインピーダンス不整合
の発生を少なくすることができる。
【0329】(第15の実施の形態)本発明の第15の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造を図30の(a)、(b)、(c)を参照して説明す
る。
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造を図30の(a)、(b)、(c)を参照して説明す
る。
【0330】図30の(a)は本発明の第15の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図30の(b)は図30の(a)のM−2方向からの矢
視図、図30の(c)は図30の(a)のN−2方向か
らの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図30の(b)は図30の(a)のM−2方向からの矢
視図、図30の(c)は図30の(a)のN−2方向か
らの矢視図である。
【0331】本発明の第15の実施の形態における高周
波同軸コネクタは本発明の第14の実施の形態における
高周波同軸コネクタ39と同構成であるために、同じ符
号を付して説明を省略する。
波同軸コネクタは本発明の第14の実施の形態における
高周波同軸コネクタ39と同構成であるために、同じ符
号を付して説明を省略する。
【0332】アースアダプタ41はアダプタ本体41A
を有しており、このアダプタ本体41Aの中央部にはア
ダプタ接合部としてのねじ孔部41cが形成してあり、
アダプタ本体41Aの面部には第1の傾斜付きアダプタ
アース部41aと第2の傾斜付きアダプタアース部41
bとがアダプタ本体41Aの面部に対して角度θの傾斜
で取り付けてある。
を有しており、このアダプタ本体41Aの中央部にはア
ダプタ接合部としてのねじ孔部41cが形成してあり、
アダプタ本体41Aの面部には第1の傾斜付きアダプタ
アース部41aと第2の傾斜付きアダプタアース部41
bとがアダプタ本体41Aの面部に対して角度θの傾斜
で取り付けてある。
【0333】高周波基板42はガラスエポキシ樹脂やテ
フロン(R)などの誘電体を基盤とするプリント基板で
あり、この高周波基板42に設けられた基板信号線42
aは、高周波基板42の裏面に設けられた第3のアース
パターン42eによりマイクロストリップラインを形成
している。
フロン(R)などの誘電体を基盤とするプリント基板で
あり、この高周波基板42に設けられた基板信号線42
aは、高周波基板42の裏面に設けられた第3のアース
パターン42eによりマイクロストリップラインを形成
している。
【0334】また、高周波基板42は第1、第2のアー
スパターン42c及び第3のアースパターン42eを有
しており、これらの第1、第2のアースパターン42
c、42dは、図中には記していないが、スルーホール
などにより第3のアースパターン42eに接続されてい
て、それぞれ同電位にされている。
スパターン42c及び第3のアースパターン42eを有
しており、これらの第1、第2のアースパターン42
c、42dは、図中には記していないが、スルーホール
などにより第3のアースパターン42eに接続されてい
て、それぞれ同電位にされている。
【0335】そして、高周波同軸コネクタ39のコネク
タアース39cのねじ部39dにねじ孔部41cを螺合
させて、高周波同軸コネクタ39にアースアダプタ41
が装着してある。この場合、図30の(c)に示すよう
にコネクタ信号線39aと、第1の傾斜付きアダプタア
ース部41aのアースパターン接触面41a−1と、第
2の傾斜付きアダプタアース部41bのアースパターン
接触面41b−1とは同一平面a内に位置するように配
置される。そして、コネクタ信号線39aが、高周波基
板42に設けられた基板信号線42aに対して角度θの
傾斜で高周波基板42の基板信号線接触ポイント42l
で接触する。
タアース39cのねじ部39dにねじ孔部41cを螺合
させて、高周波同軸コネクタ39にアースアダプタ41
が装着してある。この場合、図30の(c)に示すよう
にコネクタ信号線39aと、第1の傾斜付きアダプタア
ース部41aのアースパターン接触面41a−1と、第
2の傾斜付きアダプタアース部41bのアースパターン
接触面41b−1とは同一平面a内に位置するように配
置される。そして、コネクタ信号線39aが、高周波基
板42に設けられた基板信号線42aに対して角度θの
傾斜で高周波基板42の基板信号線接触ポイント42l
で接触する。
【0336】そして、アースアダプタ41を装着した高
周波同軸コネクタ39は高周波基板42に搭載される。
この場合、アースアダプタ41の第1の傾斜付きアダプ
タアース部41a及び第2の傾斜付きアダプタアース部
41bが第1のアースパターン42c及び第2のアース
パターン42dに半田付けなどにより接続されるし、ま
た、コネクタアース39cと、第1のアースパターン4
2c及び第2のアースパターン42dとは同電位にな
る。
周波同軸コネクタ39は高周波基板42に搭載される。
この場合、アースアダプタ41の第1の傾斜付きアダプ
タアース部41a及び第2の傾斜付きアダプタアース部
41bが第1のアースパターン42c及び第2のアース
パターン42dに半田付けなどにより接続されるし、ま
た、コネクタアース39cと、第1のアースパターン4
2c及び第2のアースパターン42dとは同電位にな
る。
【0337】以上の構成により、コネクタ信号線39a
は、基板信号線42aに角度θの傾斜で接触することに
より確実にコネクタ信号線39aと基板信号線42aと
は接触する。
は、基板信号線42aに角度θの傾斜で接触することに
より確実にコネクタ信号線39aと基板信号線42aと
は接触する。
【0338】上記したように、本発明の第15の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線39aと、第1の傾斜付きアダプタアース部41a
のアースパターン接触面41a−1と、第2の傾斜付き
アダプタアース部41bのアースパターン接触面41b
−1とは同一平面a内に位置するように配置されるため
に、コネクタ信号線39aが、基板信号線接触ポイント
42lおいて基板信号線42aに半田付けなどによる接
続が可能な位置に配置されるし、また、高周波基板42
に高周波同軸コネクタ39を実装する際に、第1、第2
のコネクタアース39c、39dを確実に第1、第2の
アースパターン42c、42dに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線39aと、第1の傾斜付きアダプタアース部41a
のアースパターン接触面41a−1と、第2の傾斜付き
アダプタアース部41bのアースパターン接触面41b
−1とは同一平面a内に位置するように配置されるため
に、コネクタ信号線39aが、基板信号線接触ポイント
42lおいて基板信号線42aに半田付けなどによる接
続が可能な位置に配置されるし、また、高周波基板42
に高周波同軸コネクタ39を実装する際に、第1、第2
のコネクタアース39c、39dを確実に第1、第2の
アースパターン42c、42dに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。
【0339】また、コネクタ信号線39aの基板信号線
接触ポイント42gへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線42aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント42gへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線42aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0340】また、高周波同軸コネクタの実装構造によ
れば、コネクタ信号線39aと基板信号線42aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、コネクタ信号線39aと基板信号線42aの接触強
度を強化することができて接触不良を少なくすることが
できる。
れば、コネクタ信号線39aと基板信号線42aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、コネクタ信号線39aと基板信号線42aの接触強
度を強化することができて接触不良を少なくすることが
できる。
【0341】(第16の実施の形態)本発明の本発明の
第16の実施の形態における高周波同軸コネクタと、こ
の高周波同軸コネクタの取付構造とを図31の(a)、
(b)、(c)を参照して説明する。
第16の実施の形態における高周波同軸コネクタと、こ
の高周波同軸コネクタの取付構造とを図31の(a)、
(b)、(c)を参照して説明する。
【0342】図31の(a)は本発明の第16の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の正面図、
図31の(b)は図31の(a)のO−2方向からの矢
視図、図31の(c)は図31の(a)のP−2方向か
らの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の正面図、
図31の(b)は図31の(a)のO−2方向からの矢
視図、図31の(c)は図31の(a)のP−2方向か
らの矢視図である。
【0343】高周波同軸コネクタ43は、上記した第1
4の実施の形態における高周波同軸コネクタ39のライ
トアングルタイプである。すなわち、高周波同軸コネク
タ43は、ライトアングル状のコネクタ誘電体43bを
有しており、このコネクタ誘電体43bの中心にはコネ
クタ信号線43aが配置してあり、また、コネクタ誘電
体43bの周部にはコネクタ同軸部アース43zが設け
てある。このコネクタ同軸部アース43zはアースアダ
プタ44にアース接地するためのコネクタアース43c
を有している。このコネクタアース43cはアースアダ
プタ44を装着するためにねじ部43dを有している。
4の実施の形態における高周波同軸コネクタ39のライ
トアングルタイプである。すなわち、高周波同軸コネク
タ43は、ライトアングル状のコネクタ誘電体43bを
有しており、このコネクタ誘電体43bの中心にはコネ
クタ信号線43aが配置してあり、また、コネクタ誘電
体43bの周部にはコネクタ同軸部アース43zが設け
てある。このコネクタ同軸部アース43zはアースアダ
プタ44にアース接地するためのコネクタアース43c
を有している。このコネクタアース43cはアースアダ
プタ44を装着するためにねじ部43dを有している。
【0344】そして、コネクタ信号線43aとコネクタ
誘電体43bとコネクタ同軸部アース43zとにより高
周波同軸線路を構成している。
誘電体43bとコネクタ同軸部アース43zとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0345】アースアダプタ44は、高周波同軸コネク
タ43に装着時にアースとなる第1、第2のアダプタア
ース部44a、44bと、コネクタアース43cに形成
されたねじ部43dに螺合するアダプタ接合部となるね
じ孔部44cとを備えている。
タ43に装着時にアースとなる第1、第2のアダプタア
ース部44a、44bと、コネクタアース43cに形成
されたねじ部43dに螺合するアダプタ接合部となるね
じ孔部44cとを備えている。
【0346】高周波基板42は、その表面に基板信号線
42aと第1のアースパターン42cと第2のアースパ
ターン42dとが設けてあり、その裏面は第3のアース
パターン42eが設けてあって、基板信号線42aは第
3のアースパターン42eによりマイクロストリップラ
インを形成している。
42aと第1のアースパターン42cと第2のアースパ
ターン42dとが設けてあり、その裏面は第3のアース
パターン42eが設けてあって、基板信号線42aは第
3のアースパターン42eによりマイクロストリップラ
インを形成している。
【0347】そして、高周波同軸コネクタ43のコネク
タアース43cのねじ部43dをねじ孔部44cに螺合
させることで高周波同軸コネクタ43にアースアダプタ
44が装着してある。
タアース43cのねじ部43dをねじ孔部44cに螺合
させることで高周波同軸コネクタ43にアースアダプタ
44が装着してある。
【0348】この場合、コネクタ信号線43aを基板信
号線42aに接触させた際に、第1、第2のアダプタア
ース部44a、44bが第1、と第2のアースパターン
42c、42dに接触するように、コネクタ信号線43
aと第1、第2のアダプタアース部44a、44bとが
配置してある。すなわち、図31の(c)に示すように
コネクタ信号線43aと、アースアダプタ44の第1の
アダプタアース部44aのアースパターン接触面44a
−1と第2のアダプタアース部44bのアースパターン
接触面44b−1とは同一平面a内に位置する。
号線42aに接触させた際に、第1、第2のアダプタア
ース部44a、44bが第1、と第2のアースパターン
42c、42dに接触するように、コネクタ信号線43
aと第1、第2のアダプタアース部44a、44bとが
配置してある。すなわち、図31の(c)に示すように
コネクタ信号線43aと、アースアダプタ44の第1の
アダプタアース部44aのアースパターン接触面44a
−1と第2のアダプタアース部44bのアースパターン
接触面44b−1とは同一平面a内に位置する。
【0349】そして、アースアダプタ44の第1のアダ
プタアース部44aを高周波基板42の第1のアースパ
ターン42cに、また、第2のアダプタアース部44b
を第2のアースパターン42dにそれぞれ半田付けなど
で導通を確保して高周波同軸コネクタ43が高周波基板
42に取り付けてある。この場合、コネクタアース43
cのねじ部43dとアースアダプタ44のねじ孔部44
cとで、回転取付手段及び固定手段を構成している。
プタアース部44aを高周波基板42の第1のアースパ
ターン42cに、また、第2のアダプタアース部44b
を第2のアースパターン42dにそれぞれ半田付けなど
で導通を確保して高周波同軸コネクタ43が高周波基板
42に取り付けてある。この場合、コネクタアース43
cのねじ部43dとアースアダプタ44のねじ孔部44
cとで、回転取付手段及び固定手段を構成している。
【0350】このように、高周波同軸コネクタ43は、
アダプタ接合部であるねじ孔部44cにコネクタアース
43cを挿入して結合することにより、コネクタアース
43cの電位はアースアダプタ44を介して第3のアー
スパターン42eと同電位になっている。
アダプタ接合部であるねじ孔部44cにコネクタアース
43cを挿入して結合することにより、コネクタアース
43cの電位はアースアダプタ44を介して第3のアー
スパターン42eと同電位になっている。
【0351】コネクタ信号線43aの基板信号線接触ポ
イント42lへの接触部分の長さdlは、高周波同軸コ
ネクタ43とアースアダプタ44のアダプタ接合部がね
じ孔部44であるために、高周波同軸コネクタ43をφ
方向に回転させると、Y方向に高周波同軸コネクタ43
の位置がずれることを考慮して、高周波同軸コネクタ4
3の向きをφ方向に回転時に所望の高周波特性を満足す
る範囲の長さにしてある。
イント42lへの接触部分の長さdlは、高周波同軸コ
ネクタ43とアースアダプタ44のアダプタ接合部がね
じ孔部44であるために、高周波同軸コネクタ43をφ
方向に回転させると、Y方向に高周波同軸コネクタ43
の位置がずれることを考慮して、高周波同軸コネクタ4
3の向きをφ方向に回転時に所望の高周波特性を満足す
る範囲の長さにしてある。
【0352】上記したように、本発明の第16の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線43aと、アースアダプタ44の第1のアダプタア
ース部44aのアースパターン接触面44a−1と第2
のアダプタアース部44bのアースパターン接触面44
b−1とが同一平面a内に位置するために、コネクタ信
号線43aが、基板信号線接触ポイント42lにおいて
基板信号線42aに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置されるし、また、高周波基板42に高周波同軸
コネクタ43を実装する際に、アースアダプタ44の第
1、第2のアダプタアース部44a、44bを確実にア
ースパターン42c、42dに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線43aと、アースアダプタ44の第1のアダプタア
ース部44aのアースパターン接触面44a−1と第2
のアダプタアース部44bのアースパターン接触面44
b−1とが同一平面a内に位置するために、コネクタ信
号線43aが、基板信号線接触ポイント42lにおいて
基板信号線42aに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置されるし、また、高周波基板42に高周波同軸
コネクタ43を実装する際に、アースアダプタ44の第
1、第2のアダプタアース部44a、44bを確実にア
ースパターン42c、42dに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。
【0353】また、高周波同軸コネクタの取付構造によ
れば、コネクタ信号線43aと基板信号線42aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、ライトアングルタイプの高周波同軸コネクタ43の
向きを任意に変化することができ、それに接続される高
周波同軸ケーブル(図示せず)にストレスを加えること
なく、引き回しを容易にすることができる。また、コネ
クタ信号線43aと基板信号線42aの接続時に生じる
特性劣化を少なくすることができる。
れば、コネクタ信号線43aと基板信号線42aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、ライトアングルタイプの高周波同軸コネクタ43の
向きを任意に変化することができ、それに接続される高
周波同軸ケーブル(図示せず)にストレスを加えること
なく、引き回しを容易にすることができる。また、コネ
クタ信号線43aと基板信号線42aの接続時に生じる
特性劣化を少なくすることができる。
【0354】(第17の実施の形態)本発明の第17の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図32の(a)、(b)、
(c)を参照して説明する。
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図32の(a)、(b)、
(c)を参照して説明する。
【0355】図32の(a)は本発明の第17の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の正面図、
図32の(b)は図32の(a)のQ−2方向からの矢
視図、図32の(c)は図32の(a)のR−2方向か
らの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の正面図、
図32の(b)は図32の(a)のQ−2方向からの矢
視図、図32の(c)は図32の(a)のR−2方向か
らの矢視図である。
【0356】高周波同軸コネクタは、上記した本発明の
第16の実施の形態における高周波同軸コネクタ43と
同構成であるために、同じ符号を付して説明を省略す
る。
第16の実施の形態における高周波同軸コネクタ43と
同構成であるために、同じ符号を付して説明を省略す
る。
【0357】また、コネクタアダプタ50は、高周波同
軸コネクタ43に装着時にアースとなる第1のアダプタ
アース部50aと第2のアダプタアース部50bと貫通
穴50cとを備えている。
軸コネクタ43に装着時にアースとなる第1のアダプタ
アース部50aと第2のアダプタアース部50bと貫通
穴50cとを備えている。
【0358】そして、高周波同軸コネクタ43のコネク
タアース43cを貫通穴50aに貫通させて、このコネ
クタアース43cのねじ部43dにナット部材21を螺
合させて高周波同軸コネクタ43にコネクタアダプタ5
0が取り付けてある。
タアース43cを貫通穴50aに貫通させて、このコネ
クタアース43cのねじ部43dにナット部材21を螺
合させて高周波同軸コネクタ43にコネクタアダプタ5
0が取り付けてある。
【0359】この場合、コネクタ信号線43aを後述す
る高周波基板42の基板信号線42aに接触させた際
に、第1、第2のアダプタアース部50a、50bが高
周波基板42の第1、第2のアースパターン42c、4
2dに接触するように、コネクタ信号線43aと第1、
第2のアダプタアース部50a、50bとが配置してあ
る。すなわち、図32の(c)に示すようにコネクタ信
号線43aと、アースアダプタ50の第1のアダプタア
ース部50aのアースパターン接触面50a−1と、第
2のアダプタアース部50bのアースパターン接触面5
0b−1とは同一平面a内に位置する。
る高周波基板42の基板信号線42aに接触させた際
に、第1、第2のアダプタアース部50a、50bが高
周波基板42の第1、第2のアースパターン42c、4
2dに接触するように、コネクタ信号線43aと第1、
第2のアダプタアース部50a、50bとが配置してあ
る。すなわち、図32の(c)に示すようにコネクタ信
号線43aと、アースアダプタ50の第1のアダプタア
ース部50aのアースパターン接触面50a−1と、第
2のアダプタアース部50bのアースパターン接触面5
0b−1とは同一平面a内に位置する。
【0360】また、高周波基板42は、その表面に基板
信号線42aと第1のアースパターン42cと第2のア
ースパターン42dとが設けてあり、その裏面は第3の
アースパターン42eが設けてあって、基板信号線42
aは第3のアースパターン42eによりマイクロストリ
ップラインを形成している。そして、高周波基板42の
辺縁部の中央には四角形状の切欠部42fが設けてあ
る。
信号線42aと第1のアースパターン42cと第2のア
ースパターン42dとが設けてあり、その裏面は第3の
アースパターン42eが設けてあって、基板信号線42
aは第3のアースパターン42eによりマイクロストリ
ップラインを形成している。そして、高周波基板42の
辺縁部の中央には四角形状の切欠部42fが設けてあ
る。
【0361】そして、コネクタアダプタ50は、高周波
基板42に備えられた第1のアースパターン42c及び
第2のアースパターン42dに半田付けなどにより電気
的に導通を確保して固定されていて、ナット部材21に
より確実に固定されることにより電気的導通が得られ
る。
基板42に備えられた第1のアースパターン42c及び
第2のアースパターン42dに半田付けなどにより電気
的に導通を確保して固定されていて、ナット部材21に
より確実に固定されることにより電気的導通が得られ
る。
【0362】この場合、コネクタアース43cのねじ部
43dとアースアダプタ44のねじ孔部44cとで回転
取付手段を構成しており、コネクタアース43cのねじ
部43dとナット部材21とで固定手段を構成してい
る。
43dとアースアダプタ44のねじ孔部44cとで回転
取付手段を構成しており、コネクタアース43cのねじ
部43dとナット部材21とで固定手段を構成してい
る。
【0363】ここで、コネクタアース43cは貫通穴5
0cを貫通しており、高周波同軸コネクタ43の向きを
φ方向に任意の向きで回転してもY方向に移動しないた
めに、コネクタ信号線43aと基板信号線42aは基板
信号線接触ポイント42lで確実に電気的導通が得られ
る。
0cを貫通しており、高周波同軸コネクタ43の向きを
φ方向に任意の向きで回転してもY方向に移動しないた
めに、コネクタ信号線43aと基板信号線42aは基板
信号線接触ポイント42lで確実に電気的導通が得られ
る。
【0364】上記したように、本発明の第17の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線43aと、アースアダプタ50の第1のアダプタア
ース部50aのアースパターン接触面50a−1と第2
のアダプタアース部50bのアースパターン接触面50
b−1とは同一平面a内に位置するために、コネクタ信
号線43aが、基板信号線接触ポイント42lにおいて
基板信号線42aに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置されるし、また、高周波基板42に高周波同軸
コネクタ43を実装する際に、アースアダプタ50の第
1、第2のアダプタアース部50a、50bを確実に第
1、第2のアースパターンに42c、42d接触させる
ことができて、高周波基板の厚さ等の違いによりコネク
タ信号線と基板信号線との接続位置が異なることが原因
で生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくする
ことができて、高周波特性の劣化を防止することができ
る。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線43aと、アースアダプタ50の第1のアダプタア
ース部50aのアースパターン接触面50a−1と第2
のアダプタアース部50bのアースパターン接触面50
b−1とは同一平面a内に位置するために、コネクタ信
号線43aが、基板信号線接触ポイント42lにおいて
基板信号線42aに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置されるし、また、高周波基板42に高周波同軸
コネクタ43を実装する際に、アースアダプタ50の第
1、第2のアダプタアース部50a、50bを確実に第
1、第2のアースパターンに42c、42d接触させる
ことができて、高周波基板の厚さ等の違いによりコネク
タ信号線と基板信号線との接続位置が異なることが原因
で生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくする
ことができて、高周波特性の劣化を防止することができ
る。
【0365】また、コネクタ信号線43aの基板信号線
接触ポイント42lへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線42aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント42lへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線42aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0366】また、高周波同軸コネクタの実装構造によ
れば、コネクタ信号線43aと基板信号線42aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、ライトアングルタイプの高周波同軸コネクタ43の
向きを任意の方向で確実に固定することができ、ケーブ
ル接続時の信頼性を向上することができる。
れば、コネクタ信号線43aと基板信号線42aとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、ライトアングルタイプの高周波同軸コネクタ43の
向きを任意の方向で確実に固定することができ、ケーブ
ル接続時の信頼性を向上することができる。
【0367】(第18の実施の形態)本発明の本発明の
第18の実施の形態における高周波同軸コネクタと、こ
の高周波同軸コネクタの取付構造とを図33の(a)、
(b)、(c)、図34の(a)、(b)、(c)及び
図35の(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
第18の実施の形態における高周波同軸コネクタと、こ
の高周波同軸コネクタの取付構造とを図33の(a)、
(b)、(c)、図34の(a)、(b)、(c)及び
図35の(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
【0368】図33の(a)は本発明の第18の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図33の
(b)は図33の(a)のS−2方向からの矢視図、図
33の(c)は図33の(a)のT−2方向からの矢視
図である。また、図34の(a)は高周波基板の平面
図、図34の(b)は図34の(a)のU−2方向から
の矢視図、図34の(c)は図34の(a)のV−2方
向からの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図33の
(b)は図33の(a)のS−2方向からの矢視図、図
33の(c)は図33の(a)のT−2方向からの矢視
図である。また、図34の(a)は高周波基板の平面
図、図34の(b)は図34の(a)のU−2方向から
の矢視図、図34の(c)は図34の(a)のV−2方
向からの矢視図である。
【0369】図35の(a)は本発明の第18の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図35の(b)は図35の(a)のA−3方向からの矢
視図、図35の(c)は図35の(a)のB−3方向か
らの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図35の(b)は図35の(a)のA−3方向からの矢
視図、図35の(c)は図35の(a)のB−3方向か
らの矢視図である。
【0370】高周波同軸コネクタ51は円筒状のコネク
タ誘電体51bを有しており、このコネクタ誘電体51
bの中心にはコネクタ信号線51aが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体51bの周部にはコネクタ同軸部ア
ース51zが設けてある。このコネクタ同軸部アース5
1zは、後述する高周波基板52のアースパターンに接
地するための第1のコネクタアース51c及び第2のコ
ネクタアース51dを備えており、第1のコネクタアー
ス51cは垂直方向に位置決め部である第1の位置決め
用突起部51fを、第2のコネクタアース51dは垂直
方向に位置決め部である第2の位置決め用突起部51g
をそれぞれ有している。
タ誘電体51bを有しており、このコネクタ誘電体51
bの中心にはコネクタ信号線51aが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体51bの周部にはコネクタ同軸部ア
ース51zが設けてある。このコネクタ同軸部アース5
1zは、後述する高周波基板52のアースパターンに接
地するための第1のコネクタアース51c及び第2のコ
ネクタアース51dを備えており、第1のコネクタアー
ス51cは垂直方向に位置決め部である第1の位置決め
用突起部51fを、第2のコネクタアース51dは垂直
方向に位置決め部である第2の位置決め用突起部51g
をそれぞれ有している。
【0371】そして、コネクタ信号線51aを高周波基
板52の基板信号線52aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース51a、51bが高周波基板52の
第1、第2のアースパターン52c、52dに接触する
ように、コネクタ信号線51aと第1、第2のコネクタ
アース51c、51dとが配置してある。すなわち、図
33の(c)に示すように、コネクタ信号線51aと、
第1のコネクタアース51cのアースパターン接触面5
1c−1と、第2のコネクタアース51dのアースパタ
ーン接触面51d−1とはそれぞれ同一平面a内に位置
するように配置してあり、コネクタ信号線51aとコネ
クタ誘電体51bとコネクタ同軸部アース51zとによ
り高周波同軸線路を構成している。
板52の基板信号線52aに接触させた際に、第1、第
2のコネクタアース51a、51bが高周波基板52の
第1、第2のアースパターン52c、52dに接触する
ように、コネクタ信号線51aと第1、第2のコネクタ
アース51c、51dとが配置してある。すなわち、図
33の(c)に示すように、コネクタ信号線51aと、
第1のコネクタアース51cのアースパターン接触面5
1c−1と、第2のコネクタアース51dのアースパタ
ーン接触面51d−1とはそれぞれ同一平面a内に位置
するように配置してあり、コネクタ信号線51aとコネ
クタ誘電体51bとコネクタ同軸部アース51zとによ
り高周波同軸線路を構成している。
【0372】また、図34に示すように高周波基板52
は、その表側に基板信号線52a、第1のアースパター
ン52cと、第2のアースパターン52dとを有してお
り、また、裏側に、第3のアースパターン52eを有し
ている。また、高周波基板52のコネクタ取付側の辺縁
部には、コネクタ信号線51aが基板信号線接触ポイン
ト52lで正確に接触するように第1の位置決め用突起
部51f及び第2の位置決め用突起部51gを挿入する
ための、第1の位置決めスリット52f及び第2の位置
決めスリット52gが形成してある。
は、その表側に基板信号線52a、第1のアースパター
ン52cと、第2のアースパターン52dとを有してお
り、また、裏側に、第3のアースパターン52eを有し
ている。また、高周波基板52のコネクタ取付側の辺縁
部には、コネクタ信号線51aが基板信号線接触ポイン
ト52lで正確に接触するように第1の位置決め用突起
部51f及び第2の位置決め用突起部51gを挿入する
ための、第1の位置決めスリット52f及び第2の位置
決めスリット52gが形成してある。
【0373】図35の(a)、(b)、(c)に示すよ
うに、高周波同軸コネクタ51は、その第1の位置決め
用突起部51fを高周波基板52の第1の位置決めスリ
ット52fに挿入すると共に、第2の位置決め用突起部
51gを第2の位置決めスリット52gに挿入して、第
1のコネクタアース51cを第1のアースパターン52
cに接触させ、第2のコネクタアース51dを第2のア
ースパターン52dに接触させて高周波基板52に装着
してある。
うに、高周波同軸コネクタ51は、その第1の位置決め
用突起部51fを高周波基板52の第1の位置決めスリ
ット52fに挿入すると共に、第2の位置決め用突起部
51gを第2の位置決めスリット52gに挿入して、第
1のコネクタアース51cを第1のアースパターン52
cに接触させ、第2のコネクタアース51dを第2のア
ースパターン52dに接触させて高周波基板52に装着
してある。
【0374】このように、第1の位置決めスリット52
fに第1の位置決め用突起部51fが挿入され、また、
第2の位置決めスリット52gに第2の位置決め用突起
部51gが挿入されることにより、所定の実装位置に対
してY方向にずれることなく、正確に位置決めされる。
fに第1の位置決め用突起部51fが挿入され、また、
第2の位置決めスリット52gに第2の位置決め用突起
部51gが挿入されることにより、所定の実装位置に対
してY方向にずれることなく、正確に位置決めされる。
【0375】なお、第1の位置決め用突起部51f、第
2の位置決め用突起部51g、第1の位置決めスリット
52f及び第2の位置決めスリット52gは、それぞれ
所望の実装精度が得られる数で増減することも可能であ
る。
2の位置決め用突起部51g、第1の位置決めスリット
52f及び第2の位置決めスリット52gは、それぞれ
所望の実装精度が得られる数で増減することも可能であ
る。
【0376】上記したように、本発明の第18の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線51aと、第1のコネクタアース51cのアースパ
ターン接触面51c−1と、第2のコネクタアース51
dのアースパターン接触面51d−1とがそれぞれ同一
平面a内に位置するように配置してあるために、コネク
タ信号線51aが、基板信号線接触ポイント52lにお
いて基板信号線52aに半田付けなどによる接続が可能
な位置に配置されるし、また、高周波基板52に高周波
同軸コネクタ51を実装する際に、第1、第2のコネク
タアース51c、51dを確実にアースパターン52
c、52dに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線51aと、第1のコネクタアース51cのアースパ
ターン接触面51c−1と、第2のコネクタアース51
dのアースパターン接触面51d−1とがそれぞれ同一
平面a内に位置するように配置してあるために、コネク
タ信号線51aが、基板信号線接触ポイント52lにお
いて基板信号線52aに半田付けなどによる接続が可能
な位置に配置されるし、また、高周波基板52に高周波
同軸コネクタ51を実装する際に、第1、第2のコネク
タアース51c、51dを確実にアースパターン52
c、52dに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。
【0377】また、コネクタ信号線51aの基板信号線
接触ポイント52lへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線52aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
接触ポイント52lへの接触部分の長さd1を短くする
ことができ、基板信号線52aに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。
【0378】また、高周波同軸コネクタの実装構造によ
れば、第1の位置決めスリット52fに第1の位置決め
用突起部51fを挿入し、また、第2の位置決めスリッ
ト52gに第2の位置決め用突起部51gを挿入して、
第1、第2のコネクタアース51c、51dを第1、第
2のアースパターン52c、52dに接触させることが
できるために、高周波同軸コネクタ51を高周波基板5
2に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
れば、第1の位置決めスリット52fに第1の位置決め
用突起部51fを挿入し、また、第2の位置決めスリッ
ト52gに第2の位置決め用突起部51gを挿入して、
第1、第2のコネクタアース51c、51dを第1、第
2のアースパターン52c、52dに接触させることが
できるために、高周波同軸コネクタ51を高周波基板5
2に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。
【0379】また、コネクタ信号線43aと基板信号線
42aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることが
できるばかりか、高周波同軸コネクタ51を正確な位置
に実装することができて取付位置の信頼性を向上するこ
とができる。
42aとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることが
できるばかりか、高周波同軸コネクタ51を正確な位置
に実装することができて取付位置の信頼性を向上するこ
とができる。
【0380】(第19の実施の形態)本発明の本発明の
第19の実施の形態における高周波同軸コネクタとこの
高周波同軸コネクタの取付構造とを図36の(a)、
(b)、(c)、図37の(a)、(b)、(c)及び
図38の(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
第19の実施の形態における高周波同軸コネクタとこの
高周波同軸コネクタの取付構造とを図36の(a)、
(b)、(c)、図37の(a)、(b)、(c)及び
図38の(a)、(b)、(c)を参照して説明する。
【0381】図36の(a)は本発明の第19の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図36の
(b)は図36の(a)のC−3方向からの矢視図、図
36の(c)は図36の(a)のD−3向からの矢視図
である。また、図37の(a)は高周波基板の平面図、
図37の(b)は図37の(a)のE−3方向からの矢
視図、図37の(c)は図37の(a)のF−3方向か
らの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図36の
(b)は図36の(a)のC−3方向からの矢視図、図
36の(c)は図36の(a)のD−3向からの矢視図
である。また、図37の(a)は高周波基板の平面図、
図37の(b)は図37の(a)のE−3方向からの矢
視図、図37の(c)は図37の(a)のF−3方向か
らの矢視図である。
【0382】図38の(a)は本発明の第19の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図38の(b)は図38の(a)のG−3方向からの矢
視図、図38の(c)は図38の(a)のH−3方向か
らの矢視図である。
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図38の(b)は図38の(a)のG−3方向からの矢
視図、図38の(c)は図38の(a)のH−3方向か
らの矢視図である。
【0383】高周波同軸コネクタ53は円筒状のコネク
タ誘電体53bを有しており、このコネクタ誘電体53
bの中心にはコネクタ信号線53aが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体53bの周部にはコネクタ同軸部ア
ース53zが設けてある。このコネクタ同軸部アース5
3zは、後述する高周波基板54のアースパターンに接
地するための第1のコネクタアース53c及び第2のコ
ネクタアース53dを備えており、第1のコネクタアー
ス53cの先端部にはフック53gが設けてあり、第2
のコネクタアース53dの先端部にはフック53hが設
けてある。
タ誘電体53bを有しており、このコネクタ誘電体53
bの中心にはコネクタ信号線53aが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体53bの周部にはコネクタ同軸部ア
ース53zが設けてある。このコネクタ同軸部アース5
3zは、後述する高周波基板54のアースパターンに接
地するための第1のコネクタアース53c及び第2のコ
ネクタアース53dを備えており、第1のコネクタアー
ス53cの先端部にはフック53gが設けてあり、第2
のコネクタアース53dの先端部にはフック53hが設
けてある。
【0384】そして、コネクタ同軸部アース53zに
は、コネクタ信号線53aと同一平面a内に位置するよ
うにして基板挿入溝部53fが形成してある。
は、コネクタ信号線53aと同一平面a内に位置するよ
うにして基板挿入溝部53fが形成してある。
【0385】そして、コネクタ信号線53aとコネクタ
誘電体53bとコネクタ同軸部アース53zとにより高
周波同軸線路を構成している。
誘電体53bとコネクタ同軸部アース53zとにより高
周波同軸線路を構成している。
【0386】図37の(a)、(b)、(c)に示すよ
うに、高周波基板54はガラスエポキシ樹脂やテフロン
(R)などの誘電体を基盤としたプリント基板であり、
その表側に基板信号線54a、第1のアースパターン5
4cと、第2のアースパターン54dとを有しており、
また、裏側に、第3のアースパターン54eを有してい
て、基板信号線54aは、第3のアースパターン54e
によりマイクロストリップラインを形成している。そし
て、図面には記載していないが、第1のアースパターン
54c及び第2のアースパターン54dは、第3のアー
スパターン54eとスルーホールなどで接続されること
により同電位となるものである。
うに、高周波基板54はガラスエポキシ樹脂やテフロン
(R)などの誘電体を基盤としたプリント基板であり、
その表側に基板信号線54a、第1のアースパターン5
4cと、第2のアースパターン54dとを有しており、
また、裏側に、第3のアースパターン54eを有してい
て、基板信号線54aは、第3のアースパターン54e
によりマイクロストリップラインを形成している。そし
て、図面には記載していないが、第1のアースパターン
54c及び第2のアースパターン54dは、第3のアー
スパターン54eとスルーホールなどで接続されること
により同電位となるものである。
【0387】また、高周波基板54には、基板信号線5
4aを挟んだ両側にフック係合部である第1のフック係
合孔54h及び第2のフック係合孔54iが設けてあ
る。これらの第1、第2のフック係合孔54h、54i
は、高周波同軸コネクタ53を実装時に、基板信号線5
4aが基板信号線接触ポイント54lにおいて確実に接
触する位置に設けられている。
4aを挟んだ両側にフック係合部である第1のフック係
合孔54h及び第2のフック係合孔54iが設けてあ
る。これらの第1、第2のフック係合孔54h、54i
は、高周波同軸コネクタ53を実装時に、基板信号線5
4aが基板信号線接触ポイント54lにおいて確実に接
触する位置に設けられている。
【0388】そして、高周波同軸コネクタ53を高周波
基板54に実装した際に、高周波同軸コネクタ53の基
板挿入溝部53fに高周波基板54の端部を挿入し、第
1のコネクタアース53cのフック53gを第1のフッ
ク係合孔54hに係合すると共に、第2のコネクタアー
ス53dのフック53hを第2のフック係合孔54iに
係合する。
基板54に実装した際に、高周波同軸コネクタ53の基
板挿入溝部53fに高周波基板54の端部を挿入し、第
1のコネクタアース53cのフック53gを第1のフッ
ク係合孔54hに係合すると共に、第2のコネクタアー
ス53dのフック53hを第2のフック係合孔54iに
係合する。
【0389】そして、図38の(a)、(b)、(c)
に示すように、高周波同軸コネクタ53を高周波基板5
4に実装した状態では、第1のコネクタアース53c及
び第2のコネクタアース53dは第3のアースパターン
54eに接触して導通を確保する。
に示すように、高周波同軸コネクタ53を高周波基板5
4に実装した状態では、第1のコネクタアース53c及
び第2のコネクタアース53dは第3のアースパターン
54eに接触して導通を確保する。
【0390】上記したように、本発明の第19の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、基板挿入溝
部53fは、コネクタ信号線53aと同一平面a内に位
置するように備えられているために、高周波基板54に
高周波同軸コネクタ53を実装する際に、第1、第2の
コネクタアース53c、53dを確実にアースパターン
54c、54dに接触させることができて、高周波基板
の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との
接続位置が異なることが原因で生じていたインピーダン
ス不整合の発生を少なくすることができて、高周波特性
の劣化を防止することができる。
形態における高周波同軸コネクタによれば、基板挿入溝
部53fは、コネクタ信号線53aと同一平面a内に位
置するように備えられているために、高周波基板54に
高周波同軸コネクタ53を実装する際に、第1、第2の
コネクタアース53c、53dを確実にアースパターン
54c、54dに接触させることができて、高周波基板
の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との
接続位置が異なることが原因で生じていたインピーダン
ス不整合の発生を少なくすることができて、高周波特性
の劣化を防止することができる。
【0391】また、高周波同軸コネクタ53を高周波基
板54に対し水平方向に精度良く実装することができる
ために、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信
頼性を向上することができる。
板54に対し水平方向に精度良く実装することができる
ために、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信
頼性を向上することができる。
【0392】また、高周波同軸コネクタの取付構造によ
れば、基板挿入溝部53fは、コネクタ信号線53aと
同一平面aで接する位置に備えられているために、高周
波基板54を挿入した際に、図38の(c)に示すX方
向の位置決めを正確に行うことができる。
れば、基板挿入溝部53fは、コネクタ信号線53aと
同一平面aで接する位置に備えられているために、高周
波基板54を挿入した際に、図38の(c)に示すX方
向の位置決めを正確に行うことができる。
【0393】また、コネクタ信号線53aと基板信号線
54aの接続時に生じる特性劣化を少なくすることがで
きるばかりか、高周波同軸コネクタ53の高周波基板5
4への実装時に、半田付けやねじ止めなどの工程を必要
としない。また、アダプタなどの部品を必要としないた
めに、容易に、且つ安価に実現することができる。
54aの接続時に生じる特性劣化を少なくすることがで
きるばかりか、高周波同軸コネクタ53の高周波基板5
4への実装時に、半田付けやねじ止めなどの工程を必要
としない。また、アダプタなどの部品を必要としないた
めに、容易に、且つ安価に実現することができる。
【0394】(第20の実施の形態)本発明に係る高周
波モジュールを図39を参照して説明する。
波モジュールを図39を参照して説明する。
【0395】図39は本発明に係る高周波モジュールの
外観の斜視図である。
外観の斜視図である。
【0396】本発明に係る高周波モジュールとしての第
1、第2・・・第nの高周波モジュール47a、47
b、・・・47nは、それぞれのモジュール本体47a
−1、47b−1、・・・47n−1が備える高周波基
板(図示せず)に高周波同軸ケーブルを接続するための
高周波同軸コネクタに、本発明の第16の実施の形態に
おけるライトアングルタイプの高周波同軸コネクタもし
くは本発明の第17の実施の形態に示す高周波同軸コネ
クタを用いており、これらの高周波同軸コネクタの取付
構造に、本発明の第16の実施の形態におけるライトア
ングルタイプの高周波同軸コネクタの取付構造もしくは
本発明の第17の実施の形態に示す高周波同軸コネクタ
の取付構造を用いている。
1、第2・・・第nの高周波モジュール47a、47
b、・・・47nは、それぞれのモジュール本体47a
−1、47b−1、・・・47n−1が備える高周波基
板(図示せず)に高周波同軸ケーブルを接続するための
高周波同軸コネクタに、本発明の第16の実施の形態に
おけるライトアングルタイプの高周波同軸コネクタもし
くは本発明の第17の実施の形態に示す高周波同軸コネ
クタを用いており、これらの高周波同軸コネクタの取付
構造に、本発明の第16の実施の形態におけるライトア
ングルタイプの高周波同軸コネクタの取付構造もしくは
本発明の第17の実施の形態に示す高周波同軸コネクタ
の取付構造を用いている。
【0397】第1の高周波モジュール47a、第2の高
周波モジュール47b、・・・第nの高周波モジュール
47nは図39に示すようにそれぞれ近接して設置され
ている。
周波モジュール47b、・・・第nの高周波モジュール
47nは図39に示すようにそれぞれ近接して設置され
ている。
【0398】そして、第1の高周波モジュール47a
は、ライトアングルタイプの第1、第2、第3の高周波
同軸コネクタ43e、43f、43gを備えており、第
2の高周波モジュール47bは、ライトアングルタイプ
の第4、第5、第6の高周波同軸コネクタ43h、43
i、43jを備えており、また、第nの高周波モジュー
ル47nは、ライトアングルタイプの第n−2、第n−
1、第nの高周波同軸コネクタ43n−2、43n−1
及び43nを備えている。
は、ライトアングルタイプの第1、第2、第3の高周波
同軸コネクタ43e、43f、43gを備えており、第
2の高周波モジュール47bは、ライトアングルタイプ
の第4、第5、第6の高周波同軸コネクタ43h、43
i、43jを備えており、また、第nの高周波モジュー
ル47nは、ライトアングルタイプの第n−2、第n−
1、第nの高周波同軸コネクタ43n−2、43n−1
及び43nを備えている。
【0399】また、第1、第2、第3、・・・第nの高
周波同軸ケーブル48e、48f、48g、・・・48
nは、それぞれ、ケーブル本体48Aの延長方向に相手
コネクタ接続側が向けられた形状の第1、第2、第3、
・・・第nの高周波同軸ケーブルコネクタ49e、49
f、49g、・・・49nを備えている。
周波同軸ケーブル48e、48f、48g、・・・48
nは、それぞれ、ケーブル本体48Aの延長方向に相手
コネクタ接続側が向けられた形状の第1、第2、第3、
・・・第nの高周波同軸ケーブルコネクタ49e、49
f、49g、・・・49nを備えている。
【0400】そして、第1、第2、第3、・・・第nの
高周波同軸ケーブルコネクタ49e、49f、49g、
・・・49nは、第1の高周波同軸ケーブルコネクタ4
9eが第1の高周波同軸コネクタ43eに、第2の高周
波同軸ケーブルコネクタ49fが第2の高周波同軸コネ
クタ43fにそれぞれ接続されるようにして、第1、第
2、第3、・・・第nの高周波同軸コネクタ43e、4
3f、43g、・・・43nに接続される。
高周波同軸ケーブルコネクタ49e、49f、49g、
・・・49nは、第1の高周波同軸ケーブルコネクタ4
9eが第1の高周波同軸コネクタ43eに、第2の高周
波同軸ケーブルコネクタ49fが第2の高周波同軸コネ
クタ43fにそれぞれ接続されるようにして、第1、第
2、第3、・・・第nの高周波同軸コネクタ43e、4
3f、43g、・・・43nに接続される。
【0401】第1、第2、第3、・・・第nの高周波同
軸コネクタ43e、43f、43g、・・・43nは、
それぞれに任意の方向に向けられて設置されており、第
1、第2、第3、・・・第nの高周波同軸ケーブルコネ
クタ49e、49f、49g、・・・49nをZ方向に
突出させず、且つねじれ等のストレスを加えることな
く、結線することができる。
軸コネクタ43e、43f、43g、・・・43nは、
それぞれに任意の方向に向けられて設置されており、第
1、第2、第3、・・・第nの高周波同軸ケーブルコネ
クタ49e、49f、49g、・・・49nをZ方向に
突出させず、且つねじれ等のストレスを加えることな
く、結線することができる。
【0402】なお、nは任意の数であり、設置される高
周波モジュールの数及び各高周波モジュールが備える高
周波同軸コネクタの数は任意の数である。
周波モジュールの数及び各高周波モジュールが備える高
周波同軸コネクタの数は任意の数である。
【0403】上記したように本発明に係る高周波モジュ
ールは、第1、第2、第3、・・・第nの高周波同軸コ
ネクタ43e、43f、43g、・・・43nを任意の
向きに実装することができるために、第1、第2、第
3、・・・第nの高周波同軸ケーブル48e、48f、
48g、・・・48nに無理なねじれのストレスを加え
ないで第1、第2、第3、・・・第nの高周波同軸コネ
クタ43e、43f、43g、・・・43nに接続する
ことができて、作業性を向上することができる。
ールは、第1、第2、第3、・・・第nの高周波同軸コ
ネクタ43e、43f、43g、・・・43nを任意の
向きに実装することができるために、第1、第2、第
3、・・・第nの高周波同軸ケーブル48e、48f、
48g、・・・48nに無理なねじれのストレスを加え
ないで第1、第2、第3、・・・第nの高周波同軸コネ
クタ43e、43f、43g、・・・43nに接続する
ことができて、作業性を向上することができる。
【0404】(第21の実施の形態)本発明に係る受信
回路の構成を図40乃至図43を参照して説明する。
回路の構成を図40乃至図43を参照して説明する。
【0405】図40は、本発明に係る受信回路の構成の
ブロック図である。また、図41は、本発明に係る受信
回路に内蔵された低雑音増幅器の入力負荷のブロック図
である。また、図42は、本発明に係る受信回路のNF
が最適となる時の低雑音増幅器の入力負荷のインピーダ
ンスΓOPTを図示したスミスチャートである。また、
図43は、本発明に係る受信回路に内臓された低雑音増
幅器の入力負荷のインピーダンス変化時のインピーダン
スを図示したスミスチャートである。
ブロック図である。また、図41は、本発明に係る受信
回路に内蔵された低雑音増幅器の入力負荷のブロック図
である。また、図42は、本発明に係る受信回路のNF
が最適となる時の低雑音増幅器の入力負荷のインピーダ
ンスΓOPTを図示したスミスチャートである。また、
図43は、本発明に係る受信回路に内臓された低雑音増
幅器の入力負荷のインピーダンス変化時のインピーダン
スを図示したスミスチャートである。
【0406】本発明に係る受信回路では、受信アンテナ
60が接続された受信回路64の受信回路入力コネクタ
61に、上記した本発明に係る第1乃至第19の実施の
形態における高周波同軸コネクタのいずれかの一つを用
いており、また、受信回路入力コネクタ61の取付構造
に上記した本発明に係る高周波同軸コネクタに対応した
取付構造を用いている。
60が接続された受信回路64の受信回路入力コネクタ
61に、上記した本発明に係る第1乃至第19の実施の
形態における高周波同軸コネクタのいずれかの一つを用
いており、また、受信回路入力コネクタ61の取付構造
に上記した本発明に係る高周波同軸コネクタに対応した
取付構造を用いている。
【0407】したがって、受信回路入力コネクタ61よ
り受信アンテナ60から入力された受信信号は、良好な
雑音指数特性(NF特性)が得られるように低雑音増幅
器入力整合回路62bにより整合が取られた低雑音増幅
器62aにより低雑音増幅される。低雑音増幅された受
信信号は、復調回路63に入力され、受信信号を復調す
る。
り受信アンテナ60から入力された受信信号は、良好な
雑音指数特性(NF特性)が得られるように低雑音増幅
器入力整合回路62bにより整合が取られた低雑音増幅
器62aにより低雑音増幅される。低雑音増幅された受
信信号は、復調回路63に入力され、受信信号を復調す
る。
【0408】図41において、低雑音増幅器62の入力
インピーダンスΓinは、低雑音増幅器62のNF特性
が最良となる入力負荷インピーダンスΓOPT65cの
近傍となるように設計されている。
インピーダンスΓinは、低雑音増幅器62のNF特性
が最良となる入力負荷インピーダンスΓOPT65cの
近傍となるように設計されている。
【0409】図42において、第1の低雑音増幅器入力
負荷スミスチャート65aは、入力負荷インピーダンス
ΓOPT65cを50Ωで正規化して図示したスミスチ
ャートを示す。
負荷スミスチャート65aは、入力負荷インピーダンス
ΓOPT65cを50Ωで正規化して図示したスミスチ
ャートを示す。
【0410】また、第1の入力負荷サークル65dは、
低雑音増幅器62aが所望のNFを満足する低雑音増幅
器入力負荷インピーダンスΓinの領域であり、図40
に示す受信回路64において、低雑音増幅器入力負荷イ
ンピーダンスΓinは第1の入力負荷サークル65dの
領域となるように設計されている。
低雑音増幅器62aが所望のNFを満足する低雑音増幅
器入力負荷インピーダンスΓinの領域であり、図40
に示す受信回路64において、低雑音増幅器入力負荷イ
ンピーダンスΓinは第1の入力負荷サークル65dの
領域となるように設計されている。
【0411】図43において、低雑音増幅器入力負荷イ
ンピーダンスΓinを50Ωで正規化して図示した第2
の低雑音増幅器入力負荷スミスチャート65bを示す。
ンピーダンスΓinを50Ωで正規化して図示した第2
の低雑音増幅器入力負荷スミスチャート65bを示す。
【0412】第2の低雑音増幅器入力負荷スミスチャー
ト65bにおいて、第2の入力負荷サークル65eは、
第1の入力負荷サークル65dに比べたNFの劣化量が
0.5dB以下となる入力負荷インピーダンスの領域を
示す。
ト65bにおいて、第2の入力負荷サークル65eは、
第1の入力負荷サークル65dに比べたNFの劣化量が
0.5dB以下となる入力負荷インピーダンスの領域を
示す。
【0413】また、第3の入力負荷サークル65fは、
第1の入力負荷サークル65dに比べたNFの劣化量が
1dB以下となる入力負荷インピーダンスの領域を示
し、低雑音増幅器入力負荷インピーダンスΓinが、入
力負荷インピーダンスΓOPT65cから遠ざかるにつ
れて、NF特性が劣化する様子を示す。
第1の入力負荷サークル65dに比べたNFの劣化量が
1dB以下となる入力負荷インピーダンスの領域を示
し、低雑音増幅器入力負荷インピーダンスΓinが、入
力負荷インピーダンスΓOPT65cから遠ざかるにつ
れて、NF特性が劣化する様子を示す。
【0414】受信回路入力コネクタ61の実装時のずれ
などによりインピーダンスが変動すると、低雑音増幅器
入力負荷インピーダンスΓinは低雑音増幅器入力整合
回路62bを介して変動する。そのとき、低雑音増幅器
入力負荷インピーダンスΓinは第1の入力負荷サーク
ル65dの外の領域に変動し、第2の入力負荷サークル
65eの領域に移動する。また、更に大きな負荷変動が
生じると、第3の入力負荷サークル65fの領域に移動
する。
などによりインピーダンスが変動すると、低雑音増幅器
入力負荷インピーダンスΓinは低雑音増幅器入力整合
回路62bを介して変動する。そのとき、低雑音増幅器
入力負荷インピーダンスΓinは第1の入力負荷サーク
ル65dの外の領域に変動し、第2の入力負荷サークル
65eの領域に移動する。また、更に大きな負荷変動が
生じると、第3の入力負荷サークル65fの領域に移動
する。
【0415】このように、受信回路入力コネクタ61の
実装時のずれなどによるインピーダンス変動により、受
信回路64のNF特性が劣化する。
実装時のずれなどによるインピーダンス変動により、受
信回路64のNF特性が劣化する。
【0416】本発明に係る受信回路における受信回路入
力コネクタ61によれば、受信回路64の入力に用いら
れる高周波同軸コネクタの挿入損失を小さくすることに
より、従来の高周波同軸コネクタに比べて受信回路入力
コネクタ61の実装時のずれなどによるインピーダンス
変動を小さくすることができ、低雑音増幅器入力負荷Γ
inは、第1の入力負荷サークル65dの内部に収める
ことができ、NF特性が良好な受信回路を提供すること
ができる。
力コネクタ61によれば、受信回路64の入力に用いら
れる高周波同軸コネクタの挿入損失を小さくすることに
より、従来の高周波同軸コネクタに比べて受信回路入力
コネクタ61の実装時のずれなどによるインピーダンス
変動を小さくすることができ、低雑音増幅器入力負荷Γ
inは、第1の入力負荷サークル65dの内部に収める
ことができ、NF特性が良好な受信回路を提供すること
ができる。
【0417】なお、低雑音増幅器62aの後段に接続さ
れる復調回路63を内蔵せず、受信信号を増幅した信号
を出力する回路でもよい。なお、受信回路入力コネクタ
61の同軸構造部を短く構成することによって、同軸構
造部の挿入損失が小さくできることによりNF特性が良
好な受信回路64を提供することもできる。
れる復調回路63を内蔵せず、受信信号を増幅した信号
を出力する回路でもよい。なお、受信回路入力コネクタ
61の同軸構造部を短く構成することによって、同軸構
造部の挿入損失が小さくできることによりNF特性が良
好な受信回路64を提供することもできる。
【0418】上記したように、本発明に係る受信回路に
よれば、受信回路64の入力に用いられる高周波同軸コ
ネクタのインピーダンス不整合を小さくすることによ
り、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動して受
信回路64の雑音指数が最適となるインピーダンス条件
から変動することによる受信信号の品質劣化が生じない
受信回路を実現することができる。
よれば、受信回路64の入力に用いられる高周波同軸コ
ネクタのインピーダンス不整合を小さくすることによ
り、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動して受
信回路64の雑音指数が最適となるインピーダンス条件
から変動することによる受信信号の品質劣化が生じない
受信回路を実現することができる。
【0419】(第22の実施の形態)本発明に係る送信
回路を図44乃至図47を参照して説明する。
回路を図44乃至図47を参照して説明する。
【0420】図44は、本発明に係る送信回路の構成の
ブロック図である。また、図45は同送信回路に内蔵さ
れた送信用増幅器の出力負荷のブロック図である。ま
た、図46は同送信回路の歪特性が最適となる時の送信
用増幅器の出力負荷のインピーダンスΓOPTを図示し
たスミスチャートである。図47は同送信回路に内蔵さ
れた送信用増幅器の出力負荷のインピーダンス変化時の
インピーダンスを図示したスミスチャートである。
ブロック図である。また、図45は同送信回路に内蔵さ
れた送信用増幅器の出力負荷のブロック図である。ま
た、図46は同送信回路の歪特性が最適となる時の送信
用増幅器の出力負荷のインピーダンスΓOPTを図示し
たスミスチャートである。図47は同送信回路に内蔵さ
れた送信用増幅器の出力負荷のインピーダンス変化時の
インピーダンスを図示したスミスチャートである。
【0421】図44において、送信回路70は変調信号
を生成する変調回路69と、その出力信号を所望の送信
パワーに増幅する送信用増幅器68aと、送信用増幅器
68aの歪特性が最適となるときの出力負荷インピーダ
ンスΓOPT71cの近傍に整合を取るための送信用増
幅器出力整合回路68bと、その出力信号である送信信
号を出力する送信回路出力コネクタ67と、この送信回
路出力コネクタ67から出力された送信信号を送信する
送信アンテナ66とにより構成される。そして、送信回
路出力コネクタ67に、上記した本発明の第1乃至第1
9の実施の形態の高周波同軸コネクタのいずれかの一が
用いられており、その取付構造が適用されている。
を生成する変調回路69と、その出力信号を所望の送信
パワーに増幅する送信用増幅器68aと、送信用増幅器
68aの歪特性が最適となるときの出力負荷インピーダ
ンスΓOPT71cの近傍に整合を取るための送信用増
幅器出力整合回路68bと、その出力信号である送信信
号を出力する送信回路出力コネクタ67と、この送信回
路出力コネクタ67から出力された送信信号を送信する
送信アンテナ66とにより構成される。そして、送信回
路出力コネクタ67に、上記した本発明の第1乃至第1
9の実施の形態の高周波同軸コネクタのいずれかの一が
用いられており、その取付構造が適用されている。
【0422】図45に示す送信回路70の送信用増幅器
出力負荷インピーダンスΓoutは、送信回路70の歪
特性が最適となるときの出力負荷インピーダンスΓOP
T71cの近傍に整合を取ることにより、所望の歪特性
を満足できるように設計される。
出力負荷インピーダンスΓoutは、送信回路70の歪
特性が最適となるときの出力負荷インピーダンスΓOP
T71cの近傍に整合を取ることにより、所望の歪特性
を満足できるように設計される。
【0423】図46に示すように、第1の送信用増幅器
出力負荷スミスチャート71aは、出力負荷インピーダ
ンスΓOPT71cを50Ωで正規化して図示したスミ
スチャートを示す。また、第1の出力負荷サークル71
dは、送信回路70が所望の歪特性を満足する送信用増
幅器出力負荷インピーダンスΓoutの領域であり、送
信回路70において、送信用増幅器出力負荷インピーダ
ンスΓoutは第1の出力負荷サークル71dの領域と
なるように設計されている。
出力負荷スミスチャート71aは、出力負荷インピーダ
ンスΓOPT71cを50Ωで正規化して図示したスミ
スチャートを示す。また、第1の出力負荷サークル71
dは、送信回路70が所望の歪特性を満足する送信用増
幅器出力負荷インピーダンスΓoutの領域であり、送
信回路70において、送信用増幅器出力負荷インピーダ
ンスΓoutは第1の出力負荷サークル71dの領域と
なるように設計されている。
【0424】図47において、送信用増幅器出力負荷イ
ンピーダンスΓoutを50Ωで正規化して図示した第
2の送信用増幅器出力負荷スミスチャート71bを示
す。第2の送信用増幅器出力負荷スミスチャート71b
において、第2の出力負荷サークル71eは、第1の出
力負荷サークル71dに比べた歪特性の劣化量が1dB
以下となる出力負荷インピーダンスの領域を示し、ま
た、第3の出力負荷サークル71fは、第1の出力負荷
サークル71dの領域に比べた歪特性劣化量が2dB以
下となる出力負荷インピーダンスの領域を示す。
ンピーダンスΓoutを50Ωで正規化して図示した第
2の送信用増幅器出力負荷スミスチャート71bを示
す。第2の送信用増幅器出力負荷スミスチャート71b
において、第2の出力負荷サークル71eは、第1の出
力負荷サークル71dに比べた歪特性の劣化量が1dB
以下となる出力負荷インピーダンスの領域を示し、ま
た、第3の出力負荷サークル71fは、第1の出力負荷
サークル71dの領域に比べた歪特性劣化量が2dB以
下となる出力負荷インピーダンスの領域を示す。
【0425】送信回路出力コネクタ67の実装時のずれ
などによりインピーダンスが変動すると、送信回路70
の送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓoutは送信
用増幅器出力整合回路68bを介して変動する。
などによりインピーダンスが変動すると、送信回路70
の送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓoutは送信
用増幅器出力整合回路68bを介して変動する。
【0426】そのとき、送信回路70の送信用増幅器出
力負荷インピーダンスΓoutは、第1の出力負荷サー
クル71dの外の領域に変動し、第2の出力負荷サーク
ル71eの領域に移動する。
力負荷インピーダンスΓoutは、第1の出力負荷サー
クル71dの外の領域に変動し、第2の出力負荷サーク
ル71eの領域に移動する。
【0427】また、更に大きな負荷変動が生じると、第
3の出力負荷サークル71fの領域に移動することを示
し、送信用増幅器68aの送信用増幅器出力負荷インピ
ーダンスΓoutが出力負荷インピーダンスΓOPT7
1cから遠ざかるにつれて、歪特性が劣化する様子を示
す。
3の出力負荷サークル71fの領域に移動することを示
し、送信用増幅器68aの送信用増幅器出力負荷インピ
ーダンスΓoutが出力負荷インピーダンスΓOPT7
1cから遠ざかるにつれて、歪特性が劣化する様子を示
す。
【0428】送信回路出力コネクタ67の実装時のずれ
などによりインピーダンスが変動すると、送信用増幅器
68aの送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓout
は送信用増幅器出力整合回路68bを介して変動する。
などによりインピーダンスが変動すると、送信用増幅器
68aの送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓout
は送信用増幅器出力整合回路68bを介して変動する。
【0429】そのとき、送信用増幅器68aの送信用増
幅器出力負荷インピーダンスΓoutは、第1の出力負
荷サークル71dの外の領域に変動し、第2の出力負荷
サークル71dの領域に移動する。また、更に大きな負
荷変動が生じると第3の出力負荷サークル71fの領域
移動する。このように、送信回路出力コネクタ67の実
装時のずれなどによるインピーダンス変動により送信用
増幅器68aの歪特性が劣化する。
幅器出力負荷インピーダンスΓoutは、第1の出力負
荷サークル71dの外の領域に変動し、第2の出力負荷
サークル71dの領域に移動する。また、更に大きな負
荷変動が生じると第3の出力負荷サークル71fの領域
移動する。このように、送信回路出力コネクタ67の実
装時のずれなどによるインピーダンス変動により送信用
増幅器68aの歪特性が劣化する。
【0430】本発明に係る送信回路によれば、送信回路
出力コネクタ67の実装時のずれなどによるインピーダ
ンス変動を小さくすることができ、送信用増幅器68a
の送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓoutは、第
1の出力負荷サークル71dの内部に収めることがで
き、歪特性が良好な送信回路を提供することができる。
出力コネクタ67の実装時のずれなどによるインピーダ
ンス変動を小さくすることができ、送信用増幅器68a
の送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓoutは、第
1の出力負荷サークル71dの内部に収めることがで
き、歪特性が良好な送信回路を提供することができる。
【0431】なお、送信回路出力コネクタ67の同軸構
造部を短く構成することによって、同軸構造部の挿入損
失が小さくできることにより送信回路の電力効率を改善
することができる送信回路を提供することもできる。
造部を短く構成することによって、同軸構造部の挿入損
失が小さくできることにより送信回路の電力効率を改善
することができる送信回路を提供することもできる。
【0432】上記したように、本発明に係る送信回路
は、送信回路70の出力に用いられる高周波同軸コネク
タの挿入損失を小さくすることにより、送信回路70の
電力効率を改善することができる。また、高周波同軸コ
ネクタのインピーダンスが変動し、送信回路70の歪み
特性の最適条件から変動し無いために、良好な品質の送
信信号を出力する送信回路70を実現することができ
る。
は、送信回路70の出力に用いられる高周波同軸コネク
タの挿入損失を小さくすることにより、送信回路70の
電力効率を改善することができる。また、高周波同軸コ
ネクタのインピーダンスが変動し、送信回路70の歪み
特性の最適条件から変動し無いために、良好な品質の送
信信号を出力する送信回路70を実現することができ
る。
【0433】(第23の実施の形態)本発明に係る無線
通信装置の概略を図48に示す。
通信装置の概略を図48に示す。
【0434】本発明に係る無通信線装置は、例えば、携
帯電話基地局装置である基地局装置72bと、例えば、
携帯電話端末である移動局装置73bとを備えており、
基地局装置72b及び移動局装置73bの受信回路に
は、上記した本発明の第21の実施の形態の受信回路6
4が、また、送信回路には、上記した本発明の第22の
実施の形態の送信回路70がそれぞれ適用されている。
帯電話基地局装置である基地局装置72bと、例えば、
携帯電話端末である移動局装置73bとを備えており、
基地局装置72b及び移動局装置73bの受信回路に
は、上記した本発明の第21の実施の形態の受信回路6
4が、また、送信回路には、上記した本発明の第22の
実施の形態の送信回路70がそれぞれ適用されている。
【0435】なお、アップリンク信号74bは、移動局
装置73bから基地局装置72bに送信される無線信号
である。また、ダウンリンク信号75bは、基地局装置
72bから移動局装置73bに送信される無線信号であ
る。
装置73bから基地局装置72bに送信される無線信号
である。また、ダウンリンク信号75bは、基地局装置
72bから移動局装置73bに送信される無線信号であ
る。
【0436】また、通信エリア76bは、アップリンク
信号74bが基地局装置72bにおいて通信が可能なレ
ベルの受信レベル以上の電界レベルであり、且つダウン
リンク信号75bが、移動局装置73bにおいて通信が
可能なレベルの受信レベル以上の電界レベルである条件
を満足し、お互いの通信が確保できる限界のエリアを示
す。
信号74bが基地局装置72bにおいて通信が可能なレ
ベルの受信レベル以上の電界レベルであり、且つダウン
リンク信号75bが、移動局装置73bにおいて通信が
可能なレベルの受信レベル以上の電界レベルである条件
を満足し、お互いの通信が確保できる限界のエリアを示
す。
【0437】本発明に係る無線信線装置では、受信回路
のNF特性が良好であることと、送信回路の歪特性が良
好であることから、通信エリア76bは、従来の無線通
信装置を利用した場合に比べて送信信号のパワーを低く
した場合においても所望の受信性能を得ることができ、
その結果、送信用増幅器の消費電力を小さくすることが
できる。
のNF特性が良好であることと、送信回路の歪特性が良
好であることから、通信エリア76bは、従来の無線通
信装置を利用した場合に比べて送信信号のパワーを低く
した場合においても所望の受信性能を得ることができ、
その結果、送信用増幅器の消費電力を小さくすることが
できる。
【0438】また、送信時に生じる送信相互変調歪など
により生じる妨害波成分の発生を少なくすることがで
き、良好な通信品質を得ることができる。
により生じる妨害波成分の発生を少なくすることがで
き、良好な通信品質を得ることができる。
【0439】このような本発明に係る無線通信装置は、
基地局装置72b及び移動局装置73bの受信回路に
は、上記した本発明の第21の実施の形態の受信回路6
4が、また、送信回路には、上記した本発明の第22の
実施の形態の送信回路70がそれぞれ適用されているた
めに、良好な電力効率や、良好な通信品質を有する無線
通信装置を提供することができる。
基地局装置72b及び移動局装置73bの受信回路に
は、上記した本発明の第21の実施の形態の受信回路6
4が、また、送信回路には、上記した本発明の第22の
実施の形態の送信回路70がそれぞれ適用されているた
めに、良好な電力効率や、良好な通信品質を有する無線
通信装置を提供することができる。
【0440】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波同軸コネクタによれば、高周波基板に高周波同軸コネ
クタを実装する際に、高周波同軸コネクタアースを確実
に高周波基板アースパターンに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いにより高周波同軸コネク
タ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異なること
が原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少な
くすることができて、高周波特性の劣化を防止すること
ができる。
波同軸コネクタによれば、高周波基板に高周波同軸コネ
クタを実装する際に、高周波同軸コネクタアースを確実
に高周波基板アースパターンに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いにより高周波同軸コネク
タ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異なること
が原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少な
くすることができて、高周波特性の劣化を防止すること
ができる。
【0441】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造によれば、高周波同軸コネクタ信号線が高周波
基板信号線に接触するために、高周波基板の厚さ等の違
いによるインピーダンス不整合の発生を少なくすること
ができるようになり、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を少なくする
ことができる。
取付構造によれば、高周波同軸コネクタ信号線が高周波
基板信号線に接触するために、高周波基板の厚さ等の違
いによるインピーダンス不整合の発生を少なくすること
ができるようになり、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を少なくする
ことができる。
【0442】また、高周波同軸コネクタアースにより、
高周波基板に対する水平方向を精度良く実装することが
できるために、インピーダンスの変動少なくなり、取付
けの信頼性を向上することができる。
高周波基板に対する水平方向を精度良く実装することが
できるために、インピーダンスの変動少なくなり、取付
けの信頼性を向上することができる。
【0443】また、本発明に係る高周波モジュールによ
れば、高周波同軸ケーブルに無理なねじれのストレスを
加えないで高周波同軸コネクタと接続することができ
て、作業性を向上することができる。
れば、高周波同軸ケーブルに無理なねじれのストレスを
加えないで高周波同軸コネクタと接続することができ
て、作業性を向上することができる。
【0444】また、本発明に係る送信回路によれば、送
信回路の出力に用いられる高周波同軸コネクタの挿入損
失を小さくすることにより、送信回路の電力効率を改善
することができる。また、高周波同軸コネクタのインピ
ーダンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適条件から
変動しないために、良好な品質の送信信号を出力する送
信回路を実現することができる。
信回路の出力に用いられる高周波同軸コネクタの挿入損
失を小さくすることにより、送信回路の電力効率を改善
することができる。また、高周波同軸コネクタのインピ
ーダンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適条件から
変動しないために、良好な品質の送信信号を出力する送
信回路を実現することができる。
【0445】また、本発明に係る受信回路によれば、受
信回路の入力に用いられる高周波同軸コネクタのインピ
ーダンス不整合を小さくすることにより、高周波同軸コ
ネクタのインピーダンスが変動して受信回路の雑音指数
が最適となるインピーダンス条件から変動することによ
る受信信号の品質劣化が生じない受信回路を実現するこ
とができる。
信回路の入力に用いられる高周波同軸コネクタのインピ
ーダンス不整合を小さくすることにより、高周波同軸コ
ネクタのインピーダンスが変動して受信回路の雑音指数
が最適となるインピーダンス条件から変動することによ
る受信信号の品質劣化が生じない受信回路を実現するこ
とができる。
【0446】また、、本発明に係る無線通信装置によれ
ば、良好な電力効率や、良好な通信品質を有するものに
なる。
ば、良好な電力効率や、良好な通信品質を有するものに
なる。
【図1】(a)は本発明の第1の実施の形態における高
周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面図 (b)は図1の(a)のG方向からの矢視図 (c)は図1の(a)のH方向からの矢視図
周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面図 (b)は図1の(a)のG方向からの矢視図 (c)は図1の(a)のH方向からの矢視図
【図2】(a)は本発明の第2の実施の形態における高
周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面図 (b)は図2の(a)のI方向からの矢視図 (c)は図2の(a)のJ方向からの矢視図
周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面図 (b)は図2の(a)のI方向からの矢視図 (c)は図2の(a)のJ方向からの矢視図
【図3】(a)は本発明の第3の実施の形態における高
周波同軸コネクタの平面図 (b)は図3の(a)のK方向からの矢視図 (c)は図3の(a)のL方向からの矢視図
周波同軸コネクタの平面図 (b)は図3の(a)のK方向からの矢視図 (c)は図3の(a)のL方向からの矢視図
【図4】(a)は高周波基板の平面図
(b)は図4の(a)のM方向からの矢視図
(c)は図4の(a)のN方向からの矢視図
【図5】(a)は本発明の第3の実施の形態における高
周波同軸コネクタの実装過程における平面図 (b)は図5の(a)のO方向からの矢視図 (c)は図5の(a)のP方向からの矢視図
周波同軸コネクタの実装過程における平面図 (b)は図5の(a)のO方向からの矢視図 (c)は図5の(a)のP方向からの矢視図
【図6】(a)は、本発明の第3の実施の形態における
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図6の(a)のQ方向からの矢視図 (c)は図6の(a)のR方向からの矢視図
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図6の(a)のQ方向からの矢視図 (c)は図6の(a)のR方向からの矢視図
【図7】(a)は本発明の第5の実施の形態における高
周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図7の(a)のS方向からの矢視図 (c)は図7の(a)のT方向からの矢視図
周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図7の(a)のS方向からの矢視図 (c)は図7の(a)のT方向からの矢視図
【図8】(a)は本発明の第5の実施の形態における高
周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図8の(a)のV方向からの矢視図 (c)は図8の(a)のW方向からの矢視図
周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図8の(a)のV方向からの矢視図 (c)は図8の(a)のW方向からの矢視図
【図9】(a)は本発明の第6の実施の形態における高
周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図9の(a)のA−1方向からの矢視図 (c)は図9の(a)のB−1方向からの矢視図
周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図9の(a)のA−1方向からの矢視図 (c)は図9の(a)のB−1方向からの矢視図
【図10】(a)は本発明の第7の実施の形態における
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図10の(a)のC−1方向からの矢視図 (c)は図10の(a)のD−1方向からの矢視図
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図10の(a)のC−1方向からの矢視図 (c)は図10の(a)のD−1方向からの矢視図
【図11】(a)は本発明の第8の実施の形態における
高周波同軸コネクタとコネクタ止めとの分解状態の説明
図 (b)は図11の(a)のE−1方向からの矢視図 (c)は図11の(a)のF−1方向からの矢視図
高周波同軸コネクタとコネクタ止めとの分解状態の説明
図 (b)は図11の(a)のE−1方向からの矢視図 (c)は図11の(a)のF−1方向からの矢視図
【図12】コネクタ止めの平面図
【図13】(a)は本発明の第8の実施の形態における
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図13の(a)のG−1方向からの矢視図 (c)は図13の(a)のH−1方向からの矢視図
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 (b)は図13の(a)のG−1方向からの矢視図 (c)は図13の(a)のH−1方向からの矢視図
【図14】(a)は本発明の第9の実施の形態における
高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面
図 (b)は図14の(a)のI−1方向からの矢視図 (c)は図14の(a)のJ−1方向からの矢視図
高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面
図 (b)は図14の(a)のI−1方向からの矢視図 (c)は図14の(a)のJ−1方向からの矢視図
【図15】高周波基板がアースピン挿入孔を複数備える
場合であって、この高周波基板に高周波同軸コネクタを
実装した状態の平面図
場合であって、この高周波基板に高周波同軸コネクタを
実装した状態の平面図
【図16】高周波基板がスリット形状のアースピン挿入
孔を備える場合であって、この高周波基板に高周波同軸
コネクタを実装した状態の平面図
孔を備える場合であって、この高周波基板に高周波同軸
コネクタを実装した状態の平面図
【図17】(a)は本発明の第10の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平
面図 (b)は図17の(a)のK−1方向からの矢視図 (c)は図17の(a)のL−1方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平
面図 (b)は図17の(a)のK−1方向からの矢視図 (c)は図17の(a)のL−1方向からの矢視図
【図18】(a)は本発明の第11の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に配置した状態の平
面図 (b)は図18の(a)のM−1方向からの矢視図 (c)は図18の(a)のN−1方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板に配置した状態の平
面図 (b)は図18の(a)のM−1方向からの矢視図 (c)は図18の(a)のN−1方向からの矢視図
【図19】(a)は本発明の第11の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に固定するアタッチ
メントの平面図 (b)は図19の(a)のO−1方向からの矢視図 (c)は図19の(a)のP−1方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板に固定するアタッチ
メントの平面図 (b)は図19の(a)のO−1方向からの矢視図 (c)は図19の(a)のP−1方向からの矢視図
【図20】(a)は本発明の第11の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平
面図 (b)は図20の(a)のQ−1方向からの矢視図 (c)は図20の(a)のR−1方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平
面図 (b)は図20の(a)のQ−1方向からの矢視図 (c)は図20の(a)のR−1方向からの矢視図
【図21】(a)は本発明の第12の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図21の(a)のS−1方向からの矢視図 (c)は図21の(a)のT−1方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図21の(a)のS−1方向からの矢視図 (c)は図21の(a)のT−1方向からの矢視図
【図22】(a)は本発明の第12の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを実装する高周波基板の平面図 (b)は図22の(a)のU−1方向からの矢視図 (c)は図22の(a)のV−1方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを実装する高周波基板の平面図 (b)は図22の(a)のU−1方向からの矢視図 (c)は図22の(a)のV−1方向からの矢視図
【図23】(a)は本発明の第12の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に固定する固定用ア
タッチメントの平面図 (b)は図23の(a)のA−2方向からの矢視図 (c)は図23の(a)のB−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板に固定する固定用ア
タッチメントの平面図 (b)は図23の(a)のA−2方向からの矢視図 (c)は図23の(a)のB−2方向からの矢視図
【図24】(a)は本発明の第12の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に配置した状態の平
面図 (b)は図24の(a)のC−2方向からの矢視図 (c)は図24の(a)のD−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板に配置した状態の平
面図 (b)は図24の(a)のC−2方向からの矢視図 (c)は図24の(a)のD−2方向からの矢視図
【図25】(a)は本発明の第12の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを実装型アタッチメントに挿入
し、高周波基板に接触させた状態の平面図 (b)は図25の(a)のE−2方向からの矢視図 (c)は図25の(a)のF−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを実装型アタッチメントに挿入
し、高周波基板に接触させた状態の平面図 (b)は図25の(a)のE−2方向からの矢視図 (c)は図25の(a)のF−2方向からの矢視図
【図26】(a)は本発明の第13の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板にシールドケースに
より固定して装着した状態の平面図 (b)は図26の(a)のG−2方向からの矢視図 (c)は図26の(a)のH−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタを高周波基板にシールドケースに
より固定して装着した状態の平面図 (b)は図26の(a)のG−2方向からの矢視図 (c)は図26の(a)のH−2方向からの矢視図
【図27】(a)は本発明の第14の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図27の(a)のI−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図27の(a)のI−2方向からの矢視図
【図28】(a)は本発明の第14の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタに接続されるねじ式のアースアダ
プタの平面図 (b)は図28の(a)のJ−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタに接続されるねじ式のアースアダ
プタの平面図 (b)は図28の(a)のJ−2方向からの矢視図
【図29】(a)は本発明の第14の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタにアースアダプタを装着した状態
の平面図 (b)は図39の(a)のK−2方向からの矢視図 (c)は図39の(a)のL−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタにアースアダプタを装着した状態
の平面図 (b)は図39の(a)のK−2方向からの矢視図 (c)は図39の(a)のL−2方向からの矢視図
【図30】(a)は本発明の第15の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図30の(a)のM−2方向からの矢視図 (c)は図30の(a)のN−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図30の(a)のM−2方向からの矢視図 (c)は図30の(a)のN−2方向からの矢視図
【図31】(a)は本発明の第16の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の正面図 (b)は図31の(a)のO−2方向からの矢視図 (c)は図31の(a)のP−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの実装状態の正面図 (b)は図31の(a)のO−2方向からの矢視図 (c)は図31の(a)のP−2方向からの矢視図
【図32】(a)は本発明の第17の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の正面図 (b)は図32の(a)のQ−2方向からの矢視図 (c)は図32の(a)のR−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの実装状態の正面図 (b)は図32の(a)のQ−2方向からの矢視図 (c)は図32の(a)のR−2方向からの矢視図
【図33】(a)は本発明の第18の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図33の(a)のS−2方向からの矢視図 (c)は図33の(a)のT−2方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図33の(a)のS−2方向からの矢視図 (c)は図33の(a)のT−2方向からの矢視図
【図34】(a)は高周波基板の平面図
(b)は図34の(a)のU−2方向からの矢視図
(c)は図34の(a)のV−2方向からの矢視図
【図35】(a)は本発明の第19の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図35の(a)のA−3方向からの矢視図 (c)は図35の(a)のB−3方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図35の(a)のA−3方向からの矢視図 (c)は図35の(a)のB−3方向からの矢視図
【図36】(a)は本発明の第19の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図36の(a)のC−3方向からの矢視図 (c)は図36の(a)のD−3向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの平面図 (b)は図36の(a)のC−3方向からの矢視図 (c)は図36の(a)のD−3向からの矢視図
【図37】(a)は高周波基板の平面図
(b)は図37の(a)のE−3方向からの矢視図
(c)は図37の(a)のF−3方向からの矢視図
【図38】(a)は本発明の第19の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図38の(a)のG−3方向からの矢視図 (c)は図38の(a)のH−3方向からの矢視図
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 (b)は図38の(a)のG−3方向からの矢視図 (c)は図38の(a)のH−3方向からの矢視図
【図39】本発明に係る高周波モジュールの外観の斜視
図
図
【図40】本発明に係る受信回路の構成のブロック図
【図41】本発明に係る受信回路に内蔵された低雑音増
幅器の入力負荷のブロック図
幅器の入力負荷のブロック図
【図42】本発明に係る受信回路のNFが最適となる時
の低雑音増幅器の入力負荷のインピーダンスΓOPTを
図示したスミスチャート
の低雑音増幅器の入力負荷のインピーダンスΓOPTを
図示したスミスチャート
【図43】本発明に係る受信回路に内臓された低雑音増
幅器の入力負荷のインピーダンス変化時のインピーダン
スを図示したスミスチャート
幅器の入力負荷のインピーダンス変化時のインピーダン
スを図示したスミスチャート
【図44】本発明に係る送信回路の構成のブロック図
【図45】同送信回路に内蔵された送信用増幅器の出力
負荷のブロック図
負荷のブロック図
【図46】同送信回路の歪特性が最適となる時の送信用
増幅器の出力負荷のインピーダンスΓOPTを図示した
スミスチャート
増幅器の出力負荷のインピーダンスΓOPTを図示した
スミスチャート
【図47】同送信回路に内蔵された送信用増幅器の出力
負荷のインピーダンス変化時のインピーダンスを図示し
たスミスチャート
負荷のインピーダンス変化時のインピーダンスを図示し
たスミスチャート
【図48】本発明に係る無線信線装置の構成説明図
【図49】(a)は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 (b)は図49の(a)のI−3方向からの矢視図 (c)は図49の(a)のJ−3方向からの矢視図であ
る。
基板に実装した状態の平面図 (b)は図49の(a)のI−3方向からの矢視図 (c)は図49の(a)のJ−3方向からの矢視図であ
る。
【図50】(a)は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 (b)は図50の(a)のK−3方向からの矢視図 (c)は図50の(a)のL−3方向からの矢視図であ
る。
基板に実装した状態の平面図 (b)は図50の(a)のK−3方向からの矢視図 (c)は図50の(a)のL−3方向からの矢視図であ
る。
【図51】(a)は高周波同軸コネクタが高周波基板に
対してφ方向(−Δθ)に傾いた状態の説明図 (b)は高周波同軸コネクタが高周波基板に対してφ方
向(Δθ)に傾いた状態の説明図
対してφ方向(−Δθ)に傾いた状態の説明図 (b)は高周波同軸コネクタが高周波基板に対してφ方
向(Δθ)に傾いた状態の説明図
【図52】(a)は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 (b)は図56の(a)のM−3方向からの矢視図 (c)は図56の(a)のN−3方向からの矢視図
基板に実装した状態の平面図 (b)は図56の(a)のM−3方向からの矢視図 (c)は図56の(a)のN−3方向からの矢視図
【図53】(a)は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 (b)は図57の(a)のO−3方向からの矢視図 (c)は図57の(a)のP−3方向からの矢視図
基板に実装した状態の平面図 (b)は図57の(a)のO−3方向からの矢視図 (c)は図57の(a)のP−3方向からの矢視図
【図54】高周波基板にL字形金属ブロックを介して高
周波同軸コネクタを取り付けた状態の斜視図
周波同軸コネクタを取り付けた状態の斜視図
【図55】(a)、(b)、(c)は図52の(a)、
(b)、(c)に示す高周波同軸コネクタのコネクタ信
号線と基板信号線との接続点を9g〜9iと変化させた
場合の説明図(d)、(e)、(f)は図52の
(a)、(b)、(c)に示す高周波同軸コネクタのコ
ネクタ信号線と基板信号線との接続点を9g〜9iと変
化させた場合のインピーダンスの変化を示すスミスチャ
ート
(b)、(c)に示す高周波同軸コネクタのコネクタ信
号線と基板信号線との接続点を9g〜9iと変化させた
場合の説明図(d)、(e)、(f)は図52の
(a)、(b)、(c)に示す高周波同軸コネクタのコ
ネクタ信号線と基板信号線との接続点を9g〜9iと変
化させた場合のインピーダンスの変化を示すスミスチャ
ート
【図56】従来の第1〜第nの高周波同軸コネクタを備
える第1〜第nの高周波モジュールの斜視図
える第1〜第nの高周波モジュールの斜視図
【図57】(a)は高周波同軸ケーブルを備えた高周波
同軸コネクタの平面図 (b)は同高周波同軸コネクタの側面図 (c)は同高周波同軸コネクタの正面図
同軸コネクタの平面図 (b)は同高周波同軸コネクタの側面図 (c)は同高周波同軸コネクタの正面図
【図58】第1〜第nの高周波モジュールに第1〜第n
の高周波同軸ケーブルを接続した状態の斜視図
の高周波同軸ケーブルを接続した状態の斜視図
13 高周波同軸コネクタ
13a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 13b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 13c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 13c−1 アースパターン接触面 13h 高周波同軸コネクタ出力基板 13i 高周波同軸コネクタ出力線路 13i−1 高周波基板信号線接触部 13g 出力信号線路変換部 13z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 14 高周波基板 14a 基板信号線(高周波基板信号線) 14c 第1のアースパターン 14d 第2のアースパターン 14e 第3のアースパターン 14h 第1のアースパターン半田付けポイント 14i 第2のアースパターン半田付けポイント 14g 基板信号線接触ポイント 15 高周波同軸コネクタ 15a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 15b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 15c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 15c−1 アースパターン接触面 15h 高周波同軸コネクタ出力基板 15i 高周波同軸コネクタ出力線路 15i−1 高周波基板信号線接触部 15g 出力信号線路変換部 15z コネクタ同軸部(アース高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 16 高周波基板 16a 基板信号線(高周波基板信号線) 16c 第1のアースパターン 16d 第2のアースパターン 16e 第3のアースパターン 16h 第1のアースパターン半田付けポイント 16i 第2のアースパターン半田付けポイント 16g 基板信号線接触ポイント 17 高周波同軸コネクタ 17a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 17b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 17c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 17d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 17e 第3のコネクタアース(第3の高周波同軸
コネクタアース) 17f 第4のコネクタアース(第4の高周波同軸
コネクタアース) 17m コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 17m−1 アースパターン接触面 17z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 18 高周波基板 18a 基板信号線(高周波基板信号線) 18c 第1のアースパターン 18d 第2のアースパターン 18e 第3のアースパターン 18h 第1のコネクタアース挿入孔部 18i 第2のコネクタアース挿入孔部 18j 第3のコネクタアース挿入孔部 18k 第4のコネクタアース挿入孔部 18l 基板信号線接触ポイント 19 高周波同軸コネクタ 19a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 19b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 19c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 19c−1 アースパターン接触面 19d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 19d−1 アースパターン接触面 19o 第1のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 19p 第2のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 19z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 20a 第1のねじ部材(固定部材) 20b 第2のねじ部材(固定部材) 21a 第1のナット部材(固定部材) 21b 第2のナット部材(固定部材) 22 高周波基板 22a 基板信号線(高周波基板信号線) 22c 第1のアースパターン 22d 第2のアースパターン 22e 第3のアースパターン 22h 第1のねじ挿入孔(基板側孔部) 22i 第2のねじ挿入孔(基板側孔部) 22g 基板信号線接触ポイント 23 高周波同軸コネクタ 23a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 23c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 23c−1 アースパターン接触面 23d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 23d−1 アースパターン接触面 23h 第1のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 23i 第2のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 23z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 24 高周波同軸コネクタ 24a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 24b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 24c 第1のコネクタアース(コネクタアース
部)(第1の高周波同軸コネクタアース) 24c−1 アースパターン接触面 24d 第2のコネクタアース(コネクタアース
部)(第2の高周波同軸コネクタアース) 24d−1 アースパターン接触面 24e 第3のコネクタアース(コネクタアース
部)(第3の高周波同軸コネクタアース)24f
第4のコネクタアース(コネクタアース部)(第4の高
周波同軸コネクタアース) 24h 第1のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 24i 第2のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 24j ねじ孔(コネクタ側ねじ孔部) 24k ねじ孔(コネクタ側ねじ孔部) 24z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 25a 第1のスペーサ 25b 第2のスペーサ 26 高周波同軸コネクタ 26a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 26c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 26c−1 アースパターン接触面 26d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 26d−1 アースパターン接触面 26h 第1のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 26i 第2のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 26m コネクタジョイント用溝部 26z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 27 コネクタ止め 27m コネクタ止めジョイント部 28 高周波同軸コネクタ 28a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 28b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 28c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 28c−1 アースパターン接触面 28z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 29 高周波基板 29a 基板信号線(高周波基板信号線) 29c 第1のアースパターン 29d 第2のアースパターン 29e 第3のアースパターン 29i アースピン挿入孔(アース挿入部) 29g 基板信号線接触ポイント 29n アースピン挿入スリット(アース挿入部) 30 高周波同軸コネクタ 30a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 30d コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 31 高周波同軸コネクタ 31a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 31b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 31c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 31c−1 アースパターン接触面 31d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 31d−1 アースパターン接触面 31z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 32 高周波基板 32a 基板信号線(高周波基板信号線) 32c 第1のアースパターン 32d 第2のアースパターン 32e 第3のアースパターン 32g 基板信号線接触ポイント 33 アタッチメント 33a 第1のコネクタ押さえ部 33a−1 係止爪部 33b 第2のコネクタ押さえ部 33b−1 係止爪部 33c 第3のコネクタ押さえ部 33d 第4のコネクタ押さえ部33d 33A 固定用アタッチメント 34 高周波同軸コネクタ 34a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 34d 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 34c−1 アースパターン接触面 34d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 34d−1 アースパターン接触面 34z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 36a 第1の実装型アタッチメント 36b 第2の実装型アタッチメント 35 高周波基板 35a 基板信号線(高周波基板信号線) 35c 第1のアースパターン 35d 第2のアースパターン 35e 第3のアースパターン 35g 基板信号線接触ポイント 37 シールドケース 37e 切欠部 37f 切欠部 38 高周波基板 38c 第1のアースパターン 38d 第2のアースパターン 39 高周波同軸コネクタ 39a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 39c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 40 アースアダプタ 41 アースアダプタ 41a 第1の傾斜付きアダプタアース部 41b 第2の傾斜付きアダプタアース部 42 高周波基板 43 高周波同軸コネクタ 43a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 43b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 43c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 43d ねじ部(回転取付手段)(固定手段) 43e〜43n 高周波同軸コネクタ 44 アースアダプタ 47a〜47n 高周波モジュール 49e〜47n 高周波同軸ケーブル 50 コネクタアダプタ 51 高周波同軸コネクタ 51f 第1の位置決め用突起部(位置決め部) 51g 第2の位置決め用突起部(位置決め部) 52 高周波基板 52f 第1の位置決めスリット 52g 第2の位置決めスリット 53 高周波同軸コネクタ 53h フック 53g フック 53f 基板挿入溝部 54 高周波基板 54h 第1のフック係合孔(フック係合部) 54i 第2のフック係合孔(フック係合部) 55a 第1の導電性マット 55b 第2の導電性マット 55c 第3の導電性マット 60 受信アンテナ 61 受信回路入力コネクタ 64 受信回路 67 送信回路出力コネクタ 70 送信回路 72b 移動局装置(携帯電話基地局装置) 73b 移動局装置(携帯電話端末)
線) 13b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 13c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 13c−1 アースパターン接触面 13h 高周波同軸コネクタ出力基板 13i 高周波同軸コネクタ出力線路 13i−1 高周波基板信号線接触部 13g 出力信号線路変換部 13z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 14 高周波基板 14a 基板信号線(高周波基板信号線) 14c 第1のアースパターン 14d 第2のアースパターン 14e 第3のアースパターン 14h 第1のアースパターン半田付けポイント 14i 第2のアースパターン半田付けポイント 14g 基板信号線接触ポイント 15 高周波同軸コネクタ 15a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 15b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 15c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 15c−1 アースパターン接触面 15h 高周波同軸コネクタ出力基板 15i 高周波同軸コネクタ出力線路 15i−1 高周波基板信号線接触部 15g 出力信号線路変換部 15z コネクタ同軸部(アース高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 16 高周波基板 16a 基板信号線(高周波基板信号線) 16c 第1のアースパターン 16d 第2のアースパターン 16e 第3のアースパターン 16h 第1のアースパターン半田付けポイント 16i 第2のアースパターン半田付けポイント 16g 基板信号線接触ポイント 17 高周波同軸コネクタ 17a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 17b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 17c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 17d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 17e 第3のコネクタアース(第3の高周波同軸
コネクタアース) 17f 第4のコネクタアース(第4の高周波同軸
コネクタアース) 17m コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 17m−1 アースパターン接触面 17z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 18 高周波基板 18a 基板信号線(高周波基板信号線) 18c 第1のアースパターン 18d 第2のアースパターン 18e 第3のアースパターン 18h 第1のコネクタアース挿入孔部 18i 第2のコネクタアース挿入孔部 18j 第3のコネクタアース挿入孔部 18k 第4のコネクタアース挿入孔部 18l 基板信号線接触ポイント 19 高周波同軸コネクタ 19a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 19b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 19c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 19c−1 アースパターン接触面 19d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 19d−1 アースパターン接触面 19o 第1のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 19p 第2のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 19z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 20a 第1のねじ部材(固定部材) 20b 第2のねじ部材(固定部材) 21a 第1のナット部材(固定部材) 21b 第2のナット部材(固定部材) 22 高周波基板 22a 基板信号線(高周波基板信号線) 22c 第1のアースパターン 22d 第2のアースパターン 22e 第3のアースパターン 22h 第1のねじ挿入孔(基板側孔部) 22i 第2のねじ挿入孔(基板側孔部) 22g 基板信号線接触ポイント 23 高周波同軸コネクタ 23a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 23c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 23c−1 アースパターン接触面 23d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 23d−1 アースパターン接触面 23h 第1のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 23i 第2のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 23z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 24 高周波同軸コネクタ 24a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 24b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 24c 第1のコネクタアース(コネクタアース
部)(第1の高周波同軸コネクタアース) 24c−1 アースパターン接触面 24d 第2のコネクタアース(コネクタアース
部)(第2の高周波同軸コネクタアース) 24d−1 アースパターン接触面 24e 第3のコネクタアース(コネクタアース
部)(第3の高周波同軸コネクタアース)24f
第4のコネクタアース(コネクタアース部)(第4の高
周波同軸コネクタアース) 24h 第1のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 24i 第2のねじ挿通孔(コネクタ側孔部) 24j ねじ孔(コネクタ側ねじ孔部) 24k ねじ孔(コネクタ側ねじ孔部) 24z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 25a 第1のスペーサ 25b 第2のスペーサ 26 高周波同軸コネクタ 26a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 26c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 26c−1 アースパターン接触面 26d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 26d−1 アースパターン接触面 26h 第1のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 26i 第2のねじ孔(コネクタ側ねじ部) 26m コネクタジョイント用溝部 26z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 27 コネクタ止め 27m コネクタ止めジョイント部 28 高周波同軸コネクタ 28a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 28b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 28c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 28c−1 アースパターン接触面 28z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 29 高周波基板 29a 基板信号線(高周波基板信号線) 29c 第1のアースパターン 29d 第2のアースパターン 29e 第3のアースパターン 29i アースピン挿入孔(アース挿入部) 29g 基板信号線接触ポイント 29n アースピン挿入スリット(アース挿入部) 30 高周波同軸コネクタ 30a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 30d コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 31 高周波同軸コネクタ 31a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 31b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 31c 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 31c−1 アースパターン接触面 31d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 31d−1 アースパターン接触面 31z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 32 高周波基板 32a 基板信号線(高周波基板信号線) 32c 第1のアースパターン 32d 第2のアースパターン 32e 第3のアースパターン 32g 基板信号線接触ポイント 33 アタッチメント 33a 第1のコネクタ押さえ部 33a−1 係止爪部 33b 第2のコネクタ押さえ部 33b−1 係止爪部 33c 第3のコネクタ押さえ部 33d 第4のコネクタ押さえ部33d 33A 固定用アタッチメント 34 高周波同軸コネクタ 34a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 34d 第1のコネクタアース(第1の高周波同軸
コネクタアース) 34c−1 アースパターン接触面 34d 第2のコネクタアース(第2の高周波同軸
コネクタアース) 34d−1 アースパターン接触面 34z コネクタ同軸部アース(高周波同軸コネク
タ同軸部アース) 36a 第1の実装型アタッチメント 36b 第2の実装型アタッチメント 35 高周波基板 35a 基板信号線(高周波基板信号線) 35c 第1のアースパターン 35d 第2のアースパターン 35e 第3のアースパターン 35g 基板信号線接触ポイント 37 シールドケース 37e 切欠部 37f 切欠部 38 高周波基板 38c 第1のアースパターン 38d 第2のアースパターン 39 高周波同軸コネクタ 39a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 39c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 40 アースアダプタ 41 アースアダプタ 41a 第1の傾斜付きアダプタアース部 41b 第2の傾斜付きアダプタアース部 42 高周波基板 43 高周波同軸コネクタ 43a コネクタ信号線(高周波同軸コネクタ信号
線) 43b コネクタ誘電体(高周波同軸コネクタ誘電
体) 43c コネクタアース(高周波同軸コネクタアー
ス) 43d ねじ部(回転取付手段)(固定手段) 43e〜43n 高周波同軸コネクタ 44 アースアダプタ 47a〜47n 高周波モジュール 49e〜47n 高周波同軸ケーブル 50 コネクタアダプタ 51 高周波同軸コネクタ 51f 第1の位置決め用突起部(位置決め部) 51g 第2の位置決め用突起部(位置決め部) 52 高周波基板 52f 第1の位置決めスリット 52g 第2の位置決めスリット 53 高周波同軸コネクタ 53h フック 53g フック 53f 基板挿入溝部 54 高周波基板 54h 第1のフック係合孔(フック係合部) 54i 第2のフック係合孔(フック係合部) 55a 第1の導電性マット 55b 第2の導電性マット 55c 第3の導電性マット 60 受信アンテナ 61 受信回路入力コネクタ 64 受信回路 67 送信回路出力コネクタ 70 送信回路 72b 移動局装置(携帯電話基地局装置) 73b 移動局装置(携帯電話端末)
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フロントページの続き
(72)発明者 泉 貴志
石川県金沢市西念一丁目1番3号 株式会
社松下通信金沢研究所内
(72)発明者 塩原 正史
神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目3番1
号 松下通信工業株式会社内
Fターム(参考) 5E077 BB06 BB22 CC14 CC22 CC28
DD01 HH07 HH08 JJ16
(54)【発明の名称】 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその
取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周
波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置
Claims (28)
- 【請求項1】 高周波基板の高周波基板信号線に導通さ
れる高周波同軸コネクタ信号線と、前記高周波基板のア
ースパターンに導通される高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタであって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部を前記高周波基板信号線に接触させた際に、前記高
周波同軸コネクタアースが前記アースパターンに接触す
るように、前記高周波基板信号線接触部と前記高周波同
軸コネクタアースのアースパターン接触部とを配置する
ようにしたことを特徴とする高周波同軸コネクタ。 - 【請求項2】 高周波基板の高周波基板信号線に導通さ
れる高周波同軸コネクタ信号線と、前記高周波基板のア
ースパターンに導通される高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタであって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部と前記高周波同軸コネクタアースのアースパターン
接触部とを同一平面内に位置させて、前記高周波基板信
号線接触部を前記高周波基板信号線に接触させた際に、
前記アースパターン接触部が前記アースパターンに接触
するようにしたことを特徴とする高周波同軸コネクタ。 - 【請求項3】 高周波基板の高周波基板信号線に導通さ
れ且つ高周波信号を前記高周波基板に伝送する高周波同
軸コネクタ信号線と、前記高周波基板のアースパターン
に導通される高周波同軸コネクタアースとを有する高周
波同軸コネクタであって、 前記高周波同軸コネクタ信号線がライトアングル状のコ
ネクタ誘電体の中心に配置してあり、且つ前記コネクタ
誘電体の周部に高周波同軸コネクタ同軸部アースを有し
ており、この高周波同軸コネクタ同軸部アースが前記高
周波同軸コネクタアースを備えていて、 前記高周波同軸コネクタ信号線と前記高周波同軸コネク
タアースとを同一平面内に位置させて、前記高周波同軸
コネクタ信号線を前記高周波基板信号線に接触させた際
に、前記高周波同軸コネクタアースが前記アースパター
ンに接触するようにしたことを特徴とする高周波同軸コ
ネクタ。 - 【請求項4】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
形成された高周波基板とを備えていて、前記高周波同軸
コネクタを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネ
クタの取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタ信号線を前記高周波基板信号線
に接触させた際に、前記高周波同軸コネクタアースが前
記アースパターンに接触するように、前記高周波同軸コ
ネクタ信号線と前記高周波同軸コネクタアースとを配置
して、 前記高周波同軸コネクタ信号線を前記高周波基板信号線
に導通させると共に、前記高周波同軸コネクタアースを
前記アースパターンに導通させて、前記高周波同軸コネ
クタを前記高周波基板に取り付けるようにしたことを特
徴とする高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項5】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
形成された高周波基板とを備えていて、前記高周波同軸
コネクタを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネ
クタの取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタ信号線と前記高周波同軸コネク
タアースとを同一平面内に位置させて、前記高周波同軸
コネクタ信号線を前記高周波基板信号線に導通させた際
に、前記高周波同軸コネクタアースを前記アースパター
ンに導通させて、前記高周波同軸コネクタを前記高周波
基板に取り付けるようにしたことを特徴とする高周波同
軸コネクタの取付構造。 - 【請求項6】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
形成された高周波基板とを備えていて、前記高周波同軸
コネクタを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネ
クタの取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部を前記周波基板信号線に接触させた際に、前記高周
波同軸コネクタアースが前記アースパターンに接触する
ように、前記高周波基板信号線接触部と前記高周波同軸
コネクタアースのアースパターン接触部とを配置させ
て、前記高周波基板信号線接触部を前記高周波基板信号
線に導通させると共に、前記アースパターン接触部を前
記アースパターンに導通させて、前記高周波同軸コネク
タを前記高周波基板に取り付けるようにしたことを特徴
とする高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項7】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
形成された高周波基板とを備え、前記高周波同軸コネク
タを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネクタの
取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部と高周波同軸コネクタアースのアースパターン接触
部とを同一平面内に位置させて、前記高周波基板信号線
接触部を前記高周波基板信号線に導通させた際に、前記
アースパターン接触部を前記アースパターンに導通させ
て、前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付
けるようにしたことを特徴とする高周波同軸コネクタの
取付構造。 - 【請求項8】 前記高周波同軸コネクタアースを爪形状
にし、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタアースが挿
入されるコネクタアース挿入孔部を設け、 前記高周波同軸コネクタアースを前記コネクタアース挿
入孔部に挿入して前記高周波同軸コネクタアースを曲げ
ることにより前記高周波同軸コネクタアースを前記高周
波基板に係止して前記高周波同軸コネクタを前記高周波
基板に取り付けるようにしたことを特徴とする請求項4
又は請求項5に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項9】 前記高周波同軸コネクタアースにコネク
タ側孔部を設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置に基板側孔部を設け、 前記コネクタ側孔部と前記基板側孔部とにねじ部材を挿
通して、このねじ部材にナット部材を螺合して前記高周
波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるようにし
たことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の高周
波同軸コネクタの基板取付構造。 - 【請求項10】 前記高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部を設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置に基板側孔部を設け、 前記基板側孔部にねじ部材を挿通して、このねじ部材を
前記コネクタ側ねじ孔部に螺合して前記高周波同軸コネ
クタを前記高周波基板に取り付けるようにしたことを特
徴とする請求項4又は請求項5に記載の高周波同軸コネ
クタの基板取付構造。 - 【請求項11】 前記高周波同軸コネクタアースを、互
いに隙間を存して対向する2枚のコネクタアース部で構
成し、前記一方のコネクタアース部にコネクタ側孔部を
設けると共に、前記他方のコネクタアース部にコネクタ
側ねじ孔部を設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置に基板側孔部を設け、 前記高周波基板をスペーサと共に前記隙間に挿入し、前
記基板側孔部及び前記スペーサにねじ部材を挿通して、
このねじ部材を前記コネクタ側ねじ孔部に螺合して前記
高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるよう
にしたことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の
高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項12】 前記高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部とコネクタジョイント用溝部とを設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置に基板側孔部を設け、 前記コネクタジョイント用溝部に、挿通孔部を有するコ
ネクタジョイントを係脱可能に挿入して、このコネクタ
ジョイントと前記高周波同軸コネクタアースとで前記高
周波基板を挟み、前記コネクタジョイントの前記挿通孔
部から前記基板側孔部にねじ部材を挿入して、このねじ
部材を前記コネクタ側ねじ孔部に螺合することで、前記
高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるよう
にしたことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の
高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項13】 前記高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、前記高周波基板に、前記高周波同軸コネク
タ信号線と前記高周波基板信号線とが接触するように位
置決めする位置にアース挿入部を設け、 前記高周波同軸コネクタアースを前記アース挿入部に挿
入して前記高周波基板の裏面で半田付けにより固定して
前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付ける
ようにしたことを特徴とする請求項4又は請求項5に記
載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項14】 前記高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、この高周波同軸コネクタアースにねじ部を
形成し、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置に基板側孔部を設け、 前記高周波同軸コネクタアースを前記基板側孔部に挿入
して前記高周波基板の裏面側で前記ねじ部にナット部材
を螺合して前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に
取り付けるようにしたことを特徴とする請求項4又は請
求項5に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項15】 前記高周波同軸コネクタを前記高周波
基板に取り付ける際に、 前記高周波同軸コネクタを所定位置に位置決めして固定
するアタッチメントを用いるようにしたことを特徴とす
る請求項4又は請求項5に記載の高周波同軸コネクタの
取付構造。 - 【請求項16】 前記アタッチメントが、前記高周波基
板に前記高周波同軸コネクタアースを位置決めするため
の実装型アタッチメントと、前記高周波基板に前記高周
波同軸コネクタを固定する固定用アタッチメントとであ
り、 前記実装型アタッチメントで前記高周波同軸コネクタア
ースを前記高周波基板に位置決めする共に、前記固定用
アタッチメントで前記高周波基板に前記高周波同軸コネ
クタを固定して前記高周波同軸コネクタ信号線と前記高
周波基板信号線とを接触させるようにしたことを特徴と
する請求項15に記載の高周波同軸コネクタの取付構
造。 - 【請求項17】 前記高周波基板に、高周波信号をシー
ルドするシールドケースをねじ部材で取り付ける際に、
前記高周波基板と前記シールドケースとで前記高周波同
軸コネクタアースを挟み込み、前記高周波基板に、前記
ねじ部材で前記シールドケースと前記高周波同軸コネク
タアースとを共締めして前記高周波同軸コネクタを前記
高周波基板に取り付けるようにしたことを特徴とする請
求項4又は請求項5に記載の高周波同軸コネクタの取付
構造。 - 【請求項18】 前記高周波同軸コネクタアースは、前
記高周波同軸コネクタとは別の部品で構成してあり、前
記高周波同軸コネクタと前記高周波同軸コネクタアース
は結合手段により結合されることを特徴とする請求項4
又は請求項5に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項19】 前記高周波同軸コネクタは、前記高周
波基板の面部に対して傾斜する傾斜方向に向けて、この
高周波基板に取り付けてあることを特徴とする請求項1
8に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項20】 前記高周波同軸コネクタがライトアン
グルタイプであり、この高周波同軸コネクタを前記高周
波基板に対して回転可能に且つ所定方向に固定可能に取
り付けて、前記高周波同軸コネクタの向きを変化させる
ようにしたことを特徴とした請求項4又は請求項5に記
載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項21】 前記高周波同軸コネクタを前記高周波
基板に回転可能に取り付ける回転取付手段と、前記高周
波同軸コネクタを前記高周波基板に固定する固定手段と
を備え、前記回転取付手段により前記高周波同軸コネク
タの向きを任意に調節すると共に、前記固定手段で前記
高周波同軸コネクタを前記高周波基板に固定するように
したことを特徴とする請求項20に記載の高周波同軸コ
ネクタの取付構造。 - 【請求項22】 前記高周波同軸コネクタアースに、前
記高周波同軸コネクタの実装位置を定める位置決め部を
設け、前記高周波基板に、前記位置決め部が挿入される
位置決めスリットを設け、 前記位置決め部を前記位置決めスリットに挿入して前記
高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるよう
にしたことを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の
高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項23】 前記高周波基板にフック係合部を設
け、前記高周波同軸コネクタアースに、前記フック係合
部に係脱可能に係合するフック部を設け、 前記フック部を前記フック係合部に係脱可能に係合し
て、前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付
けるようにしたことを特徴とする請求項4又は請求項5
に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。 - 【請求項24】 前記高周波同軸コネクタ信号線と前記
高周波基板信号線との接触、及び前記高周波同軸コネク
タアースと前記高周波基板アースとの接触に、それぞれ
導電性マットを介して行うようにしたことを特徴とする
請求項4又は請求項5に記載の高周波同軸コネクタの接
続取付構造。 - 【請求項25】 モジュール本体が備える高周波基板に
高周波同軸ケーブルを接続するための高周波同軸コネク
タに、請求項3に記載の高周波同軸コネクタを用い、前
記高周波同軸コネクタの取付構造に、請求項20又は請
求項21に記載の高周波同軸コネクタの取付構造を用い
たことを特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項26】 受信アンテナから受信信号を入力する
受信回路入力コネクタに請求項1乃至請求項3のいずれ
かの一に記載の高周波同軸コネクタを用いるようにした
ことを特徴とする受信回路。 - 【請求項27】 出力信号を出力する送信回路出力コネ
クタに請求項1乃至請求項3のいずれかの一に記載の高
周波同軸コネクを用いるようにしたことを特徴とする送
信回路。 - 【請求項28】 それぞれが送、受信回路を備えた基地
局装置及び移動局装置を有し、前記受信回路に請求項2
6に記載の受信回路を用いると共に、前記送信回路に請
求項27に記載の送信回路を用いたことを特徴とする無
線通信装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000183A JP2003203716A (ja) | 2002-01-04 | 2002-01-04 | 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000183A JP2003203716A (ja) | 2002-01-04 | 2002-01-04 | 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003203716A true JP2003203716A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27640650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002000183A Withdrawn JP2003203716A (ja) | 2002-01-04 | 2002-01-04 | 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003203716A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2034560A1 (en) | 2007-09-04 | 2009-03-11 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Connector unit and connector thereof |
JP2012182143A (ja) * | 2012-05-08 | 2012-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波同軸コネクタの実装構造及び高周波同軸コネクタの接続方法 |
TWI411173B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-10-01 | Molex Inc | 插頭連接、插座連接器及其電連接器組合 |
JP2013258484A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Fujitsu Ltd | 誘電体基板接続構造 |
JP2016046103A (ja) * | 2014-08-22 | 2016-04-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明器具 |
-
2002
- 2002-01-04 JP JP2002000183A patent/JP2003203716A/ja not_active Withdrawn
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EP2034560A1 (en) | 2007-09-04 | 2009-03-11 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Connector unit and connector thereof |
TWI411173B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-10-01 | Molex Inc | 插頭連接、插座連接器及其電連接器組合 |
JP2012182143A (ja) * | 2012-05-08 | 2012-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波同軸コネクタの実装構造及び高周波同軸コネクタの接続方法 |
JP2013258484A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Fujitsu Ltd | 誘電体基板接続構造 |
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