JP2003203716A - 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信
号線と基板信号線との接続位置が異なることが原因で所
望のインピーダンスと異なるインピーダンスになり高周
波特性が劣化していた。 【解決手段】 高周波基板信号線１４ａに導通される高
周波同軸コネクタ信号線１３ａと、アースパターン１４
ｃ、１４ｄに導通される高周波同軸コネクタアース１３
ｃとを有し、且つ高周波同軸コネクタアース１３ｃが、
高周波同軸コネクタ信号線１３ａにより伝送された高周
波信号を高周波基板１４に伝送する高周波同軸コネクタ
出力線路１３ｉを有する高周波同軸コネクタ出力基板１
３ｈを備えており、高周波同軸コネクタ出力線路１３ｉ
の高周波基板信号線接触部１３ｉ−１とコネクタアース
１３ｃのアースパターン接触部１３ｃ−１とを同一平面
ａ内に位置させたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、挿入損失が小さ
く、取付性を改善した高周波同軸コネクタと、この高周
波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタ
及びその取付構造を用いた高周波モジュールと、この高
周波同軸コネクタを用いた送信回路と、この高周波同軸
コネクタを用いた受信回路と、この送信回路及び受信回
路を用いた無線通信装置とに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、高周波信号の増幅や変換等の信
号処理を行う回路は高周波基板（プリント基板）上に実
装されている。また、一般に、この処理を行う高周波基
板間の高周波信号の伝送や、無線通信に用いるアンテナ
と高周波基板間の伝送には、伝送による損失増加や信号
の漏洩を防止するために、高周波同軸ケーブルが用いら
れ、高周波同軸ケーブルと高周波基板の接続には高周波
同軸コネクタが用いられている。

【０００３】この高周波同軸コネクタには、高周波基板
への取付性の容易さや、取付強度が求められるととも
に、高周波同軸コネクタの信号の損失が小さいこと、ま
た、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けた状態
において伝送する信号が低損失であることが求められて
いる。

【０００４】特に、近年、移動体通信を始めとした通信
の需要が大きくなり、その通信容量や信号の品質あるい
は装置の移動性を高めるために、より低い雑音指数の通
信装置や電力効率の良い装置が求められており、これら
の装置の入、出力端に存在する高周波同軸コネクタの低
損失化が大きな問題になっている。

【０００５】従来、高周波基板に直接実装する高周波同
軸コネクタにおいて、基板面に対して水平方向に向けら
れたライトアングルタイプと呼ばれる形状の高周波同軸
コネクタが広く用いられてきた。

【０００６】この従来のライトアングルタイプの高周波
同軸コネクタを高周波基板に取付けた状態を図４９の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。

【０００７】図４９の（ａ）は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図４９の
（ｂ）は図４９の（ａ）のＩ−３方向からの矢視図、図
４９の（ｃ）は図４９の（ａ）のＪ−３方向からの矢視
図である。

【０００８】この高周波同軸コネクタ１は、円筒形状の
コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電体）１ｂを有
しており、このコネクタ誘電体１ｂの中心にはコネクタ
信号線（高周波同軸コネクタ信号線）１ａが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体１ｂの周部にはコネクタ同軸
部アース（高周波同軸コネクタ同軸部アース）１ｚが設
けてある。このコネクタ同軸部アース１ｚは、高周波基
板２のアースパターンに接地するための第１〜第４のコ
ネクタアース（高周波同軸コネクタアース）１ｃ〜１ｆ
を有している。

【０００９】高周波基板２は、基板信号線（高周波基板
信号線）２ａと、基板誘電体（高周波基板誘電体）２ｂ
と、第１〜第３のアースパターン２ｃ〜２ｅと、基板信
号線接触ポイント（基板信号線半田付けポイント）２ｇ
と、第１〜４のアースパターン半田付けポイント２ｈ〜
２ｋとを有している。

【００１０】そして、高周波同軸コネクタ１は高周波基
板２に実装されている。すなわち、コネクタ信号線１ａ
と基板信号線２ａとは基板信号線接触ポイント２ｇで半
田付けにより接合されており、また、第１、第２のコネ
クタアース１ｃ、１ｄは第２のアースパターン２ｄに第
１、第２のアースパターン半田付けポイント２ｈ、２ｉ
でそれぞれ半田付けにより接合されているし、また、第
３、第４のコネクタアース１ｅ、１ｆは第１のアースパ
ターン２ｃに第３、第４のアースパターン半田付けポイ
ント２ｊ、２ｋでそれぞれ半田付けにより接合されてい
る。

【００１１】これにより、５ケ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ１と高周波基板２
とは互いに密接して、信号線（コネクタ信号線１ａと基
板信号線２ａ）とアース（第１〜第４のコネクタアース
１ｃ〜１ｆと第１、第２のアースパターン２ｃ、２ｄ）
が接続されているので、低損失で信号が伝送される。

【００１２】また、従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に、この基板面と水平方向に半田付けにより取付け
た状態を図５０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。

【００１３】図５０の（ａ）は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図５０の
（ｂ）は図５０の（ａ）のＫ−３方向からの矢視図、図
５０の（ｃ）は図５０の（ａ）のＬ−３方向からの矢視
図である。

【００１４】この従来の高周波同軸コネクタ３は、円筒
形状のコネクタ誘電体３ｂを有しており、このコネクタ
誘電体３ｂの中心にはコネクタ信号線３ａが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体３ｂの周部にはコネクタ同軸
部アース３ｚが設けてある。このコネクタ同軸部アース
３ｚは、高周波基板４のアースパターンに接地するため
の第１、第２のコネクタアース３ｃ、３ｄを有してい
る。

【００１５】高周波基板４は、基板信号線４ａと、基板
誘電体４ｂと、第１〜第３のアースパターン４ｃ〜４ｅ
と、基板信号線接触ポイント４ｇと、第１、第２のアー
スパターン半田付けポイント４ｈ、４ｉとを有してい
る。

【００１６】そして、高周波同軸コネクタ３は高周波基
板４に実装されている。すなわち、コネクタ信号線３ａ
と基板信号線４ａとは基板信号線接触ポイント４ｇで半
田付けにより接合されており、また、第１、第２のコネ
クタアース３ｃ、３ｄと第１、第２のアースパターン４
ｃ、４ｄとは第、第２のアースパターン半田付けポイン
ト４ｈ、４ｉでそれぞれ半田付けにより接合されてい
る。

【００１７】これにより、３ヶ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ３と高周波基板４
は互いに密接して、信号線（コネクタ信号線３ａと基板
信号線４ａ）とアース（第１、第２のコネクタアース３
ｃ、３ｄと第１、第２のアースパターン４ｃ、４ｄ）が
接続されているので、低損失で信号が伝送される。

【００１８】また、従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に、この基板面と垂直方向に半田付けにより取り付
けた状態を図５２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。

【００１９】図５２の（ａ）は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図５２の
（ｂ）は図５２の（ａ）のＭ−３方向からの矢視図、図
５２の（ｃ）は図５２の（ａ）のＮ−３方向からの矢視
図である。

【００２０】この従来の高周波同軸コネクタ５は円筒形
状のコネクタ誘電体５ｂを有しており、このコネクタ誘
電体５ｂの中心にはコネクタ信号線５ａが配置してあ
り、また、コネクタ誘電体５ｂの周部にはコネクタ同軸
部アース５ｚが設けてある。このコネクタ同軸部アース
５ｚは、高周波基板６のアースパターンに接地するため
の第１〜第４のコネクタアース５ｃ〜５ｆを有してい
る。

【００２１】高周波基板６は、基板信号線６ａと、基板
誘電体６ｂと、第１、第２のアースパターン６ｃ、６ｄ
と、基板信号線接触ポイント６ｇと、第１〜第４のアー
スパターン半田付けポイント６ｈ〜６ｋとを有してい
る。基板信号線６ａは、図中に示したように基板誘電体
６ｂ中にストリップラインで構成して高周波基板６上の
高周波回路に引き出される。

【００２２】そして、高周波同軸コネクタ５は高周波基
板６に実装されている。すなわち、コネクタ信号線５ａ
と基板信号線６ａとは基板信号線接触ポイント６ｇで半
田付けにより接合されている。この場合、コネクタ信号
線６ａと基板信号線５ａの接続点５ｌは基板誘電体６ｂ
のほぼ中央に位置している。また、第１〜第４のコネク
タアース５ｃ〜５ｆと第２のアースパターン６ｄとは第
１〜第４のアースパターン半田付けポイント６ｈ〜６ｋ
で、それぞれ半田付けにより接合されている。

【００２３】これにより、５ヶ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ５と高周波基板６
は互いに密接して、信号線（コネクタ信号線５ａと基板
信号線６ａ）とアース（第１〜第４のコネクタアース５
ｃ〜５ｆと第２のアースパターン６ｄ）が接続されてい
るので、低損失で信号が伝送される。

【００２４】また、従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に、この基板面と垂直方向に半田付けにより取り付
けた状態を図５３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。

【００２５】図５３の（ａ）は従来の高周波同軸コネク
タを高周波基板に実装した状態の平面図、図５３の
（ｂ）は図５３の（ａ）のＯ−３方向からの矢視図、図
５３の（ｃ）は図５３の（ａ）のＰ−３方向からの矢視
図である。

【００２６】この従来の高周波同軸コネクタは図５２の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す高周波同軸コネクタ５と
同構成であり、高周波同軸コネクタ５は高周波基板６に
実装されている。すなわち、コネクタ信号線５ａと基板
信号線６ａとは基板信号線接触ポイント６ｇで半田付け
により接合されており、また、第１〜第４のコネクタア
ース５ｃ〜５ｆと第２のアースパターン６ｄとは第１〜
第４のアースパターン半田付けポイント６ｈ〜６ｋで、
それぞれ半田付けにより接合されている。この場合、コ
ネクタ信号線６ａと基板信号線５ａの接続点５ｌは第２
のアースパターン６ｄ寄りに位置していて、この第２の
アースパターン６ｄ側にマイクロストリップラインで構
成して高周波基板６上の高周波回路に引き出される。

【００２７】これにより、５ヶ所の半田付けで接続の強
度を保ちながら、高周波同軸コネクタ５と高周波基板６
は互いに密接して、信号線（コネクタ信号線５ａと基板
信号線６ａ）とアース（第１〜第４のコネクタアース５
ｃ〜５ｆと第２のアースパターン６ｄ）が接続されてい
るので、低損失で信号が伝送される。

【００２８】また、高周波同軸コネクタと高周波基板上
のマイクロストリップラインとの接合部のインピーダン
ス不整合を防止するために、Ｌ字形の金属ブロックを介
して、高周波同軸コネクタと高周波基板を接続する構造
が特開平５−２９８１０号公報に開示されている。

【００２９】この開示技術は、図５４に示すように金属
を切削加工してなるＬ字形金属ブロック７を介して高周
波基板８に高周波同軸コネクタ９が取り付けてあり、こ
の高周波同軸コネクタ９の中心導体であるコネクタ信号
線９ａとマイクロストリップライン８ａとが接続してあ
る。

【００３０】また、従来の高周波モジュールでは、この
高周波モジュールが備えている高周波基板に高周波同軸
ケーブルを導通させる場合に、従来の高周波同軸コネク
タを用いていた。この状態を図５６乃至図５８に示す。

【００３１】図５６は従来の第１〜第ｎの高周波同軸コ
ネクタを備える第１〜第ｎの高周波モジュールの斜視図
である。図５７の（ａ）は高周波同軸ケーブルを備えた
高周波同軸コネクタの平面図、図５７の（ｂ）は同高周
波同軸コネクタの側面図、図５７の（ｃ）は同高周波同
軸コネクタの正面図である。図５８は第１〜第ｎの高周
波モジュールに第１〜第ｎの高周波同軸ケーブルを接続
した状態の斜視図である。

【００３２】図５６に示すように、従来の第１、第２、
・・・第ｎの高周波モジュール５７ａ、５７ｂ、・・・
５７ｎは、そのモジュール本体５７Ａに第１、第２、・
・・第ｎの高周波同軸コネクタ１ｇ、１ｊ、・・・１ｎ
を備えており、これらの第１、第２、・・・第ｎの高周
波同軸コネクタ１ｇ、１ｊ、・・・１ｎに、第１、第
２、・・・第ｎの高周波同軸ケーブル５８ｅ、５８ｆ、
・・・５８ｎに接続された第１、第２、・・・第ｎのラ
イトアングルケーブルコネクタ５９ｅ、５９ｆ、・・・
５９ｎを結合することで、第１、第２、・・・第ｎの高
周波モジュール５７ａ、５７ｂ、・・・５７ｎに第１、
第２、・・・第ｎの高周波同軸ケーブル５８ｅ〜５８ｎ
が取り付けてある。この場合、第１、第２、・・・第ｎ
の高周波同軸ケーブル５８ｅ、５８ｆ、・・・５８ｎ
は、向きが固定状態でモジュール本体５７Ａに取り付け
てある。

【００３３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波同軸コネクタでは、高周波基板の厚さ等の違いに
よりコネクタ信号線と高周波基板の基板信号線（信号ラ
イン）との接続位置が異なることが原因や、高周波基板
の材質による誘電率の違いにより所望のインピーダンス
と異なるインピーダンスになり、損失の増加等、高周波
特性が劣化するという問題点があった。

【００３４】図５２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す高
周波同軸コネクタ５のコネクタ信号線５ａの接続点５ｌ
を、例えば、図５５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のように
５ｇ〜５ｉと変化させた時のインピーダンスの変化を図
５５の（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）にそれぞれ示す。

【００３５】図５５の（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）のスミス
チャートは５０Ωで正規化したものであり、スミスチャ
ートの中心Ｐｄはインピーダンスが５０Ωであることを
示したものであり、コネクタ信号線５ａの接続点５ｌを
５ｇ〜５ｉと変化させた時における、それぞれのインピ
ーダンスの変化（Ｐｄ→Ｐｅ→Ｐｆ）を示したものであ
る。

【００３６】図５５の（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）から、高
周波同軸コネクタ５においては、接続点５ｌが、コネク
タ誘電体５ｂから離れるほどインピーダンスが５０Ωか
ら変動する、つまり、高周波同軸コネクタ５は、基板信
号線６ａと接続点５ｇにおいて接続すれば最も良好な状
態が得られることが解る。

【００３７】しかし、高周波同軸コネクタ５は一般に、
図５２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のように高周波基板６
に取り付けられる。基板信号線６ａは、図５２の
（ｂ）、（ｃ）に示したように基板誘電体６ｂ中にスト
リップラインで構成する、または、図５３の（ｂ）、
（ｃ）に示したように第２のアースパターン６ｄ側にマ
イクロストリップラインで構成して、高周波基板６上の
高周波回路に引き出される。つまり、コネクタ信号線５
ａと基板信号線６ａとの接続点５ｌは接続点５ｇから離
れて設けられることになる。

【００３８】従って、所望のインピーダンスと異なるイ
ンピーダンスとなり、損失の増加等が発生する。また、
例えば、高周波基板６のアースパターン６ｃ側に基板信
号線６ａとしてマイクロストリップラインを設けても、
従来の高周波同軸コネクタでは、マイクロストリップラ
インの接合点から高周波基板６上へ引き出す際に、高周
波同軸コネクタ５の金属部分によりマイクロストリップ
ラインの特性インピーダンスが変動し、損失の増加等が
発生する。

【００３９】図４９に示す高周波同軸コネクタ１の取付
構造においても、これと同様の問題点がある。

【００４０】また、従来の高周波同軸コネクタでは、こ
の高周波同軸コネクタの入力端から高周波基板の接合点
までの距離が長くなり、高周波同軸コネクタを通過する
信号の損失が増加するという問題点があった。

【００４１】図４９に示す高周波同軸コネクタ１及びそ
の高周波基板２への取付構造においては、高周波同軸コ
ネクタ１に備えるコネクタ信号線１ａの長さは、高周波
基板２に対して水平方向の長さＬｌと、垂直方向の長さ
Ｌ２を加算した距離を高周波信号が伝送されることにな
る。

【００４２】同軸管内の高周波信号の損失は同軸の長さ
に比例するために、水平方向にのみ信号線を引き出す構
造に比べて、信号の損失が大きくなってしまう。

【００４３】また、コネクタ信号線１ａの長さＬ３の部
分は、高周波信号の伝送に対してオープンスタブとして
機能するので、接合点２ｇにおけるインピーダンスが変
動してしまい、損失の増加等、高周波特性が劣化すると
いう問題点があった。

【００４４】また、高周波基板の基板面に水平方向に半
田付けにより取り付けられる従来の高周波同軸コネクタ
では、コネクタ信号線と基板信号線の接触が高周波基板
の厚みに影響され、インピーダンスの変動が発生するな
ど、取付けの信頼性が損なわれるというた問題点があっ
た。

【００４５】また、高周波信号は高周波同軸ケーブル内
ではＴＥＭモードで、マイクロストリップライン等の高
周波基板上の一般的な伝送線路では準ＴＥＭモードで伝
送されるが、従来のコネクタ信号線を高周波基板上のス
ルーホールに挿入するように構成された高周波同軸コネ
クタでは、スルーホール内では信号線と並行して特性イ
ンピーダンスを保つようにグランドを設けることが困難
であり、電磁界分布はＴＥＭモードとならない。そのた
めに、インピーダンスの変動から不要な反射が発生し、
損失が増加するという問題点があった。

【００４６】また、基板面に対して正確な水平方向を確
保できず、インピーダンスの変動が発生するなど、取付
けの信頼性が損なわれるという問題点があった。

【００４７】例えば、図５０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示すように高周波同軸コネクタ３は高周波基板４に取
り付けられるが、一般に、この取付けだけでは図５１の
（ａ）、（ｂ）のように、ストレス等によって高周波同
軸コネクタ３の軸方向が高周波基板４に対して水平な面
からφ方向（−ΔθもしくはΔθ）に傾いてしまう。そ
のため、接合点４ｇにおけるインピーダンスの変動が生
じるなど、取付けの信頼性が損なわれることになる。

【００４８】また、従来の高周波同軸コネクタは高周波
基板に取り付けられる、高周波信号をシールドするシー
ルドケースや装置のパネル（いずれも図示せず）に固定
される場合があるが、機構的な寸法精度の誤差等から同
様の問題点が発生する場合があった。

【００４９】また、図５４に示す特開平５−２９８１０
号公報に示された高周波同軸コネクタでは、Ｌ字状金属
ブロック２４で取付けの垂直方向の位置決めがなされる
ので、高周波基板２２の厚みが変わるとインピーダンス
の変動が発生するなど、取付けの信頼性が損なわれるこ
とになる。また、高周波基板２２の厚みに合わせてＬ字
状金属ブロック２４を設ける必要があり、コストが嵩む
という問題点があった。

【００５０】また、従来の高周波同軸コネクタでは、多
数の半田付けやねじ止めが必要であり、取付けの作業工
数が大きくなるという問題点があった。また、シールド
ケース（図示せず）やフロントパネル等（図示せず）を
取り付けるための半田付けやねじ止めが必要であり、取
付けの作業工数が大きくなるという問題点があった。

【００５１】このように、従来の高周波同軸コネクタは
高周波基板に取付けた時の特性の考慮がなされていな
い、また、その取付性や取付けの信頼性に問題があっ
た。

【００５２】また、従来の高周波同軸コネクタを、その
高周波同軸コネクタ自体のアース部を高周波基板に半田
付けにすることにより実装する場合、高周波同軸コネク
タ自体のアース部の熱容量が大きいために、半田付けを
行う際に、半田が溶け難く、半田付けする個所が多い場
合などは作業性が悪いという問題点があった。

【００５３】また、図５８に示すように従来の第１、第
２、・・・第ｎの高周波同軸コネクタ１ｇ、１ｊ、・・
・１ｎは、高周波モジュール（第１、第２、・・・第ｎ
の高周波モジュール５７ａ、５７ｂ、・・・５７ｎ）の
モジュール本体５７Ａに用いられる際に、第１、第２、
・・・第ｎの高周波同軸ケーブル５８ｅ、５８ｆ、・・
・５８ｎが接続されるが、第１、第２、・・・第ｎの高
周波同軸コネクタ１ｇ、１ｊ、・・・１ｎの向きが固定
状態で実装されている。

【００５４】このために、第１、第２、・・・第ｎの高
周波同軸ケーブル５８ｅ、５８ｆ、・・・５８ｎの接続
時は、それぞれ向きを第１、第２、・・・第ｎの高周波
同軸コネクタ１ｇ、１ｊ、・・・１ｎ側に向けるため
に、図５７の（ａ）に示すように第１、第２、・・・第
ｎの高周波同軸ケーブル５８ｅ、５８ｆ、・・・５８ｎ
にφ方向にねじりのストレスを加える必要があり、作業
性が悪いという問題点があった。

【００５５】また、受信アンテナから受信信号を入力す
る受信回路入力コネクタに従来の高周波同軸コネクタを
用いた受信回路（図示せず）では、高周波同軸コネクタ
による入力の挿入損失の増加による雑音指数の劣化や、
高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動し、受信回
路の雑音指数の最適条件から変動してしまい、受信の信
号の品質が劣化するという問題点があった。

【００５６】また、出力信号を出力する送信回路出力コ
ネクタに従来の高周波同軸コネクタを用いた送信回路
（図示せず）では、高周波同軸コネクタによる出力の挿
入損失を補うために、送信増幅器の出力を上げることに
よる送信回路の電力効率の劣化や、高周波同軸コネクタ
のインピーダンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適
条件から変動してしまい、送信の信号の品質が劣化する
という問題点があった。

【００５７】また、上記した従来の高周波同軸コネクタ
を備えた送、受信回路を用いた無線通信装置（図示せ
ず）では、装置の電力効率の劣化や通信の品質が劣化す
るという問題点があった。

【００５８】本発明は、上記の問題点に着目して成され
たものであって、その第１の目的とするところは、高周
波基板に高周波同軸コネクタを実装する際に、高周波同
軸コネクタアースを確実に高周波基板アースパターンに
設置することができて、高周波基板の厚さ等の違いによ
るインピーダンス不整合の発生を少なくすることがで
き、高周波特性の劣化を防止することができる高周波同
軸コネクタを提供することにある。

【００５９】また、本発明の第２の目的とするところ
は、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との
接続時に生じる特性劣化を少なくすることができる高周
波同軸コネクタの取付構造を提供することにある。

【００６０】また、本発明の第３の目的とするところ
は、高周波同軸ケーブルに無理なねじれのストレスを加
えないで高周波同軸コネクタに接続することができて、
作業性を向上することができる高周波モジュールを提供
することにある。

【００６１】また、本発明の第４の目的とするところ
は、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動して受
信回路の雑音指数が最適となるインピーダンス条件から
変動することによる受信信号の品質劣化が生じない受信
回路を提供することにある。

【００６２】また、本発明の第５の目的とするところ
は、送信回路の出力に用いられる高周波同軸コネクタの
挿入損失を小さくすることにより送信回路の電力効率を
改善することができるし、良好な品質の送信信号を出力
する送信回路を提供することにある。

【００６３】また、本発明の第６の目的とするところ
は、良好な電力効率や、良好な通信品質を有する無線通
信装置を提供することにある。

【００６４】

【課題を解決するための手段】上記の第１の目的を達成
するために、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周
波基板の高周波基板信号線に導通される高周波同軸コネ
クタ信号線と、高周波基板のアースパターンに導通され
る高周波同軸コネクタアースとを有する高周波同軸コネ
クタであって、高周波同軸コネクタアースが、高周波同
軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高周波
基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高
周波同軸コネクタ出力基板を備えており、高周波同軸コ
ネクタ出力線路の高周波基板信号線接触部を周波基板信
号線に接触させた際に、高周波同軸コネクタアースがア
ースパターンに接触するように、高周波基板信号線接触
部と高周波同軸コネクタアースのアースパターン接触部
とを配置するようにしたものである。

【００６５】かかる構成により、高周波基板に高周波同
軸コネクタを実装して高周波同軸コネクタ出力線路の高
周波基板信号線接触部を周波基板信号線に接触させた際
に、高周波同軸コネクタアースを確実に高周波基板アー
スパターンに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。

【００６６】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えていることによ
り、高周波基板信号線に、内層を利用した信号線を使用
する必要がなく、このために、高周波基板の厚さや材質
による厚さの違いによるインピーダンス変動の影響がな
い高周波同軸コネクタが実現できる。

【００６７】また、上記の第１の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周波基板の
高周波基板信号線に導通される高周波同軸コネクタ信号
線と、高周波基板のアースパターンに導通される高周波
同軸コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタであ
って、高周波同軸コネクタアースが、高周波同軸コネク
タ信号線により伝送された高周波信号を高周波基板に伝
送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸
コネクタ出力基板を備えており、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せて、高周波基板信号線接触部を高周波基板信号線に接
触させた際に、アースパターン接触部がアースパターン
に接触するようにしたものである。

【００６８】かかる構成により、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せることにより、高周波基板に高周波同軸コネクタを実
装して高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線
接触部を高周波基板信号線に接触させた際に、高周波同
軸コネクタアースを確実に高周波基板アースパターンに
接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違いに
より、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線と
の接続位置が異なることが原因で生じていたインピーダ
ンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波特
性の劣化を防止することができる。

【００６９】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えていることによ
り、高周波基板信号線が内層を利用した信号線を使用す
る必要がなく、このために、高周波基板の厚さ等の違い
によるインピーダンス変動の影響がない高周波同軸コネ
クタが実現できる。

【００７０】また、上記の第１の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタは、高周波基板の
高周波基板信号線に導通され且つ高周波信号を高周波基
板に伝送する高周波同軸コネクタ信号線と、高周波基板
のアースパターンに導通される高周波同軸コネクタアー
スとを有する高周波同軸コネクタであって、高周波同軸
コネクタ信号線がライトアングル状のコネクタ誘電体の
中心に配置してあり、且つコネクタ誘電体の周部に高周
波同軸コネクタ同軸部アースを有しており、この高周波
同軸コネクタ同軸部アースが高周波同軸コネクタアース
を備えていて、高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
コネクタアースとを同一平面内に位置させて、高周波同
軸コネクタ信号線を高周波基板信号線に接触させた際
に、高周波同軸コネクタアースがアースパターンに接触
するようにしたものである。

【００７１】かかる構成により、ライトアングルタイプ
の高周波同軸コネクタにおいて、高周波基板に高周波同
軸コネクタを実装した際に、高周波同軸コネクタアース
を確実に高周波基板アースパターンに接触させることが
できて、高周波基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸
コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異な
ることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生
を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止す
ることができる。

【００７２】また、上記の第２の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタ信号線を高周波基板信号線に接触さ
せた際に、高周波同軸コネクタアースがアースパターン
に接触するように、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
同軸コネクタアースとを配置して、高周波同軸コネクタ
信号線を高周波基板信号線に導通させると共に、高周波
同軸コネクタアースをアースパターンに導通させて、高
周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるように
したものである。

【００７３】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線が高周波基板信号線に直接接触するために、高周波
基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線との接続位置が異なることが原因で
生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくするこ
とができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号
線との接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
る。

【００７４】また、高周波同軸コネクタを高周波基板に
対し水平方向に精度良く実装することができるために、
インピーダンスの変動少なくなり、取付けの信頼性を向
上することができる。

【００７５】また、上記の第２の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアース
とを同一平面内に位置させて、高周波同軸コネクタ信号
線を高周波基板信号線に導通させた際に、高周波同軸コ
ネクタアースをアースパターンに導通させて、高周波同
軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたもので
ある。

【００７６】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波同軸コネクタアースとを同一平面内に位置
させることにより、高周波同軸コネクタ信号線が高周波
基板信号線に直接接触するために、高周波基板の厚さ等
の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができ、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続時
に生じる特性劣化を少なくすることができる。

【００７７】また、高周波同軸コネクタ信号線を高周波
基板信号線に接触することにより高周波基板信号線に導
通させた場合には、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線の半田付けが不要であるため、半田付けによ
るインピーダンス不整合を少なくすることができる。

【００７８】また、高周波同軸コネクタを高周波基板に
対し水平方向に精度良く実装することができるために、
インピーダンスの変動が少なくなり、取付けの信頼性を
向上することができる。

【００７９】また、上記の第２の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備えていて、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、
高周波同軸コネクタアースが、高周波同軸コネクタ信号
線により伝送された高周波信号を高周波基板に伝送する
高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸コネク
タ出力基板を備えており、高周波同軸コネクタ出力線路
の高周波基板信号線接触部を周波基板信号線に接触させ
た際に、高周波同軸コネクタアースがアースパターンに
接触するように、高周波基板信号線接触部と高周波同軸
コネクタアースのアースパターン接触部とを配置させ
て、高周波基板信号線接触部を高周波基板信号線に導通
させると共に、アースパターン接触部をアースパターン
に導通させて、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り
付けるようにしたものである。

【００８０】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線に導通した高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基
板信号線接触部が高周波基板信号線に直接接触するため
に、高周波基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネ
クタ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異なるこ
とが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少
なくすることができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を少なくする
ことができる。

【００８１】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えているために、高
周波基板信号線に、内層を利用した信号線を使用する必
要がない。このために、高周波基板の厚さ等の違いによ
るインピーダンス変動の影響がものになる。

【００８２】また、上記の第２の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波同軸コネクタの取付構造は、高
周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸コネクタアースと
を有する高周波同軸コネクタと、少なくとも同一面に高
周波基板信号線とアースパターンとが形成された高周波
基板とを備え、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り
付ける高周波同軸コネクタの取付構造であって、高周波
同軸コネクタアースが、高周波同軸コネクタ信号線によ
り伝送された高周波信号を高周波基板に伝送する高周波
同軸コネクタ出力線路を有する高周波同軸コネクタ出力
基板を備えており、高周波同軸コネクタ出力線路の高周
波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタアースのアー
スパターン接触部とを同一平面内に位置させて、高周波
基板信号線接触部を高周波基板信号線に導通させた際
に、アースパターン接触部をアースパターンに導通させ
て、高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるよう
にしたものである。

【００８３】かかる構成により、高周波同軸コネクタ出
力線路の高周波基板信号線接触部と高周波同軸コネクタ
アースのアースパターン接触部とを同一平面内に位置さ
せることによって、高周波同軸コネクタ信号線に接続さ
れた高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
触部が高周波基板信号線に直接接触するために、高周波
基板の厚さ等の違いにより、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線との接続位置が異なることが原因で
生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくするこ
とができ、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板信号
線との接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
る。

【００８４】また、高周波同軸コネクタアースが、高周
波同軸コネクタ信号線により伝送された高周波信号を高
周波基板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有す
る高周波同軸コネクタ出力基板を備えているために、高
周波基板信号線が内層を利用した信号線を使用する必要
がないために、高周波基板の厚さ等の違いによるインピ
ーダンス変動の影響がものになる。

【００８５】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースを爪形
状にし、高周波基板に、高周波同軸コネクタアースが挿
入されるコネクタアース挿入孔部を設け、高周波同軸コ
ネクタアースをコネクタアース挿入孔部に挿入して高周
波同軸コネクタアースを曲げることにより、高周波同軸
コネクタアースを高周波基板に係止して高周波同軸コネ
クタを高周波基板に取り付けるようにした。

【００８６】かかる構成により、アース端子を曲げるだ
けで容易に装着することができるために、半田付けやね
じ止めなどの工程を高効率化することができる。

【００８７】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側孔部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネクタ
信号線と高周波基板信号線とが接触するように位置決め
する位置に基板側孔部を設け、コネクタ側孔部と基板側
孔部とにねじ部材を挿通して、このねじ部材にナット部
材を螺合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付
けるようにしたものである。

【００８８】かかる構成により、ねじ止めにより高周波
同軸コネクタの高周波基板への接続個所の強度を向上す
ることができる。

【００８９】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネ
クタ信号線と高周波基板信号線とが接触するように位置
決めする位置に基板側孔部を設け、基板側孔部にねじ部
材を挿通して、このねじ部材をコネクタ側ねじ孔部に螺
合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるよ
うにしたものである。

【００９０】かかる構成により、ねじ止めの際に別途ナ
ットを必要とせず部品点数を削減することができる。

【００９１】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースを、互
いに隙間を存して対向する２枚のコネクタアース部で構
成し、一方のコネクタアース部にコネクタ側孔部を設け
ると共に、他方のコネクタアース部にコネクタ側ねじ孔
部を設け、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と
高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位置
に基板側孔部を設け、高周波基板をスペーサと共に隙間
に挿入し、基板側孔部及びスペーサにねじ部材を挿通し
て、このねじ部材をコネクタ側ねじ孔部に螺合して高周
波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたも
のである。

【００９２】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に接続作業の際に、高周波基板を裏返す必要
が無く、高周波同軸コネクタ接続工程を高効率化するこ
とができる。

【００９３】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースにコネ
クタ側ねじ孔部とコネクタジョイント用溝部とを設け、
高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と高周波基板
信号線とが接触するように位置決めする位置に基板側孔
部を設け、コネクタジョイント用溝部に、挿通孔部を有
するコネクタジョイントを係脱可能に挿入して、このコ
ネクタジョイントと高周波同軸コネクタアースとで高周
波基板を挟み、コネクタジョイントの挿通孔部から基板
側孔部にねじ部材を挿入して、このねじ部材をコネクタ
側ねじ孔部に螺合することで、高周波同軸コネクタを高
周波基板に取り付けるようにしたものである。

【００９４】かかる構成により、ねじ部材によるコネク
タジョイントの固定と高周波同軸コネクタの固定を同時
に行うことができて実装強度が向上する。また、高周波
同軸コネクタと高周波基板のアースパターンの接触面積
が大きくなるために導電性を強化することができる。

【００９５】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線
と高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
置にアース挿入部を設け、高周波同軸コネクタアースを
アース挿入部に挿入して高周波基板の裏面で半田付けに
より固定して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付
けるようにしたものである。

【００９６】かかる構成により、高周波同軸コネクタと
高周波基板の接続のための半田付けポイントを削減でき
る。また、高周波基板のアース挿入部を、複数のアース
挿入孔、あるいはスリット形状にすることにより、任意
の方向に実装することができる。

【００９７】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースをピン
形状にして、高周波同軸コネクタアースにねじ部を形成
し、高周波基板に、高周波同軸コネクタ信号線と高周波
基板信号線とが接触するように位置決めする位置に基板
側孔部を設け、高周波同軸コネクタアースを基板側孔部
に挿入して高周波基板の裏面側でねじ部にナット部材を
螺合して高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付ける
ようにしたものである。

【００９８】かかる構成により、高周波同軸コネクタア
ースと高周波基板のアースパターンの接続をナットによ
る締め付けだけで実現することができ、容易に実装する
ことができる。

【００９９】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタを高周波基板
に取り付ける際に、高周波同軸コネクタを所定の位置に
位置決めして固定するアタッチメントを用いるようにし
た。

【０１００】かかる構成により、高周波同軸コネクタと
高周波基板を取り付ける際に、工具を使用せずに容易に
所定の位置に取り付けることができる。

【０１０１】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、アタッチメントが、高周波基板に
高周波同軸コネクタアースを位置決めするための実装型
アタッチメントと、高周波基板に高周波同軸コネクタを
固定する固定用アタッチメントとであり、実装型アタッ
チメントで高周波同軸コネクタアースを高周波基板に位
置決めすると共に、固定用アタッチメントで高周波基板
に高周波同軸コネクタを固定して高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線とを接触させるようにしたもの
である。

【０１０２】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に取り付ける場合に、容易に正確な位置に高
周波同軸コネクタが装着できる。

【０１０３】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波基板に、高周波信号をシー
ルドするシールドケースをねじ部材で取り付ける際に、
高周波基板とシールドケースとで高周波同軸コネクタア
ースを挟み込み、高周波基板に、ねじ部材でシールドケ
ースと高周波同軸コネクタアースとを共締めして高周波
同軸コネクタを高周波基板に取り付けるようにしたもの
である。

【０１０４】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に取り付ける場合に、容易に正確な位置に高
周波同軸コネクタが装着できるばかりか、シールドケー
スを止めるねじ部材と、高周波同軸コネクタを止めるね
じ部材とを共用することにより、ねじ止め個所の数を削
減して部品点数の削減と作業工数を削減することができ
る。

【０１０５】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースは、高
周波同軸コネクタとは別の部品で構成してあり、高周波
同軸コネクタと高周波同軸コネクタアースは結合手段に
より結合されるようにした。

【０１０６】かかる構成により、高周波同軸コネクタア
ース部を高周波同軸コネクタとは別部品にすることによ
り、高周波同軸コネクタアースの熱容量を小さくするこ
とができるためにアースの半田付け作業が容易になる。

【０１０７】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタは、高周波基
板の面部に対して傾斜する傾斜方向に向けて、高周波基
板に取り付けるようにしたものである。

【０１０８】かかる構成により、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線の接触強度を強化することがで
き、接触不良を少なくすることができるように、高周波
同軸コネクタ信号線と高周波基板信号線との接続時に生
じる特性劣化を少なくすることができる。

【０１０９】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタがライトアン
グルタイプであり、この高周波同軸コネクタを高周波基
板に対して回転可能に且つ所定方向に固定可能に取り付
けて、高周波同軸コネクタの向きを変化させるようにし
たものである。

【０１１０】かかる構成により、ライトアングルタイプ
の高周波同軸コネクタの向きを任意に変化することがで
き、高周波同軸コネクタに接続される高周波同軸ケーブ
ルにストレスを加えることなく引き回しを容易にするこ
とができる。

【０１１１】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースに高周
波同軸コネクタを回転可能に取り付ける回転取付手段
と、高周波同軸コネクタアースに高周波同軸コネクタを
固定する固定手段とを備え、回転取付手段により高周波
同軸コネクタの向きを任意に調節すると共に、固定手段
で高周波同軸コネクタアースに高周波同軸コネクタを固
定するようにしたものである。

【０１１２】かかる構成により、ライトアングルタイプ
の高周波同軸コネクタの向きを任意の方向で確実に固定
することができ、高周波同軸ケーブル接続時の信頼性を
向上することができる。

【０１１３】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタアースに、高
周波同軸コネクタの実装位置を定める位置決め部を設
け、高周波基板に、位置決め部が挿入される位置決めス
リットを設け、位置決め部を位置決めスリットに挿入し
て高周波同軸コネクタを高周波基板に取り付けるように
したものである。

【０１１４】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
正確な位置に実装することができ、取付位置の信頼性を
向上することができるし、また、高周波同軸コネクタ信
号線と高周波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。

【０１１５】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波基板にフック係合部を設
け、高周波同軸コネクタアースに、フック係合部に係脱
可能に係合するフック部を設け、フック部をフック係合
部に係脱可能に係合して、高周波同軸コネクタを高周波
基板に取り付けるようにしたものである。

【０１１６】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
高周波基板に取り付ける際に、半田付けやねじ止めなど
の工程を必要としない。また、アダプタなどの部品を必
要としないために、高周波同軸コネクタの取付が容易に
なる。

【０１１７】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造は、上記した本発明に係る高周波同軸コネクタ
の取付構造において、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接触、及び高周波同軸コネクタアース
と高周波基板アースとの接触に、それぞれ導電性マット
を介して行うようにしたものである。

【０１１８】かかる構成により、導電性マットにより高
周波同軸コネクタと高周波基板の接触部の接触不良を少
なくすることができる。

【０１１９】また、上記の第３の目的を達成するため
に、本発明に係る高周波モジュールは、モジュール本体
が備える高周波基板に高周波同軸ケーブルを接続するた
めの高周波同軸コネクタに、請求項３に記載の高周波同
軸コネクタを用い、高周波同軸コネクタの取付構造に、
請求項２０又は請求項２１に記載の高周波同軸コネクタ
の取付構造を用いたものである。

【０１２０】かかる構成により、高周波同軸コネクタを
任意の向きに実装することができるために、高周波同軸
ケーブルに無理なねじれのストレスを加えないで高周波
同軸コネクタと接続することができて、作業性を向上す
ることができる。

【０１２１】また、上記の第４の目的を達成するため
に、本発明に係る受信回路は、受信アンテナから受信信
号を入力する受信回路入力コネクタに請求項１乃至請求
項３のいずれかの一に記載の高周波同軸コネクタを用い
るようにしたものである。

【０１２２】かかる構成により、受信回路の入力に用い
られる高周波同軸コネクタのインピーダンス不整合を小
さくすることにより、高周波同軸コネクタのインピーダ
ンスが変動して受信回路の雑音指数が最適となるインピ
ーダンス条件から変動することによる受信信号の品質劣
化が生じない受信回路を実現することができる。

【０１２３】また、上記の第５の目的を達成するため
に、本発明に係る送信回路は、出力信号を出力する送信
回路出力コネクタに請求項１乃至請求項３のいずれかの
一に記載の高周波同軸コネクを用いるようにしたもので
ある。

【０１２４】かかる構成により、送信回路の出力に用い
られる高周波同軸コネクタの挿入損失を小さくすること
により、送信回路の電力効率を改善することができる。
また、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動し、
送信回路の歪み特性の最適条件から変動しないために、
良好な品質の送信信号を出力する送信回路を実現するこ
とができる。

【０１２５】また、上記の第６の目的を達成するため
に、本発明に係る無線通信装置は、それぞれが送、受信
回路を備えた基地局装置及び移動局装置を有し、受信回
路に請求項２６に記載の受信回路を用いると共に、送信
回路に請求項２７に記載の送信回路を用いたものであ
る。

【０１２６】かかる構成により、送信回路は、送信回路
の出力に用いられる高周波同軸コネクタの挿入損失を小
さくすることにより、送信回路の電力効率を改善するこ
とができるし、また、高周波同軸コネクタのインピーダ
ンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適条件から変動
しないために、良好な品質の送信信号を出力する送信回
路を実現することができるし、また、受信回路は、受信
回路の入力に用いられる高周波同軸コネクタのインピー
ダンス不整合を小さくすることにより、高周波同軸コネ
クタのインピーダンスが変動して受信回路の雑音指数が
最適となるインピーダンス条件から変動することによる
受信信号の品質劣化が生じない受信回路を実現すること
ができるために、これら送信回路及び受信回路を有する
無線通信装置は、良好な電力効率や、良好な通信品質を
有するものになる。

【０１２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。

【０１２８】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、高周波同軸コネ
クタの取付構造を図１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照
して説明する。

【０１２９】図１の（ａ）は本発明の第１の実施の形態
における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状
態の平面図、図１の（ｂ）は図１の（ａ）のＧ方向から
の矢視図、図１の（ｃ）は図１の（ａ）のＨ方向からの
矢視図である。

【０１３０】本発明の第１の実施の形態における高周波
同軸コネクタ１３は、円筒状のコネクタ誘電体１３ｂを
有しており、このコネクタ誘電体１３ｂの中心にはコネ
クタ信号線１３ａが配置してあり、また、コネクタ誘電
体１３ｂの周部にはコネクタ同軸部アース１３ｚが設け
てある。このコネクタ同軸部アース１３ｚは、後述する
高周波基板１４のアースパターンに接続されるための台
座形状のコネクタアース１３ｃを備えている。

【０１３１】そして、コネクタ信号線１３ａ、コネクタ
同軸部アース１３ｚ及びコネクタアース１３ｃは電気抵
抗の小さい金属で構成されており、コネクタ誘電体１３
ｂはテフロン（Ｒ）などの誘電体で構成されていて、コ
ネクタ信号線１３ａとコネクタ誘電体１３ｂとコネクタ
同軸部アース１３ｚとにより高周波同軸線路を構成して
いる。

【０１３２】コネクタアース１３ｃには、高周波同軸コ
ネクタ出力基板１３ｈに所望の特性インピーダンスを有
するマイクロストリップラインで形成した高周波同軸コ
ネクタ出力線路１３ｉが設けてあり、コネクタ信号線１
３ａは、出力信号線路変換部１３ｇにおいて高周波同軸
コネクタ出力線路１３ｉに半田付けなどにより接続され
ている。

【０１３３】また、高周波基板１４は、ガラスエポキシ
樹脂やテフロン（Ｒ）などを基盤としたプリント基板で
あり、図示は省略しているが、所要の素子、部品などが
実装されて構成されており、高周波信号を伝送する基板
信号線１４ａ、第１のアースパターン１４ｃ、第２のア
ースパターン１４ｄ及び第３のアースパターン１４ｅを
有している。

【０１３４】基板信号線１４ａ、第１のアースパターン
１４ｃ、第２のアースパターン１４ｄ及び第３のアース
パターン１４ｅは、電気抵抗の小さい金属で構成され、
基板信号線１４ａ、第１のアースパターン１４ｃ及び第
２のアースパターン１４ｄは高周波基板１４の同一面に
形成してあり、基板信号線１４ａと第３のアースパター
ン１４ｅによりマイクロストリップラインを構成してい
る。

【０１３５】第１のアースパターン１４ｃ及び第２のア
ースパターン１４ｄは図示していないが、スルーホール
などによって、第３のアースパターン１４ｅと接続され
ていて、それぞれ同電位になっている。

【０１３６】そして、高周波同軸コネクタ１３におい
て、高周波同軸コネクタ出力線路１３ｉの高周波基板信
号線接触部１３ｉ−１を基板信号線１４ａに接触させた
際に、コネクタアース１３ｃが第１、第２のアースパタ
ーン１４ｃ、１４ｄに接触するように、高周波基板信号
線接触部１３ｉ−１とコネクタアース１３ｃのアースパ
ターン接触部１３ｃ−１とを配置するようにしてある。

【０１３７】すなわち、図１の（ｂ）に示すように高周
波同軸コネクタ出力線路１３ｉの高周波基板信号線接触
部１３ｉ−１とコネクタアース１３ｃのアースパターン
接触部１３ｃ−１とは同一平面ａ内に位置させてあり、
高周波同軸コネクタ出力線路１３ｉは、コネクタアース
１３ｃに干渉されずに基板信号線接触ポイント１４ｇに
おいて基板信号線１４ａに半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されている。

【０１３８】上記のように構成された高周波同軸コネク
タ１３は、そのコネクタアース１３ｃが、第１のアース
パターン半田付けポイント１４ｈと第２のアースパター
ン半田付けポイント１４ｉで半田付けなどにより第１、
第２のアースパターン１４ｃ、１４ｄに固定されること
により、高周波基板１４に実装してある。

【０１３９】この場合、高周波同軸コネクタ１のアース
電位と高周波基板２のアース電位とが同電位になる。そ
して、高周波同軸コネクタ出力線路１３ｉは、基板信号
線接触ポイント１４ｇにおいて基板信号線１４ａに半田
付けなどで接続される。

【０１４０】上記したように、本発明の第１の実施の形
態における高周波同軸コネクタは、高周波同軸コネクタ
出力線路１３ｉの高周波基板信号線接触部１３ｉ−１と
コネクタアース１３ｃのアースパターン接触部１３ｃ−
１とを同一平面ａ内に位置させたことにより、台座形状
のコネクタアース１３ｃを有する高周波同軸コネクタに
おいて、高周波同軸コネクタ出力線路１３ｉは、基板信
号線接触ポイント１４ｇにおいて基板信号線１４ａに半
田付けなどで接続されるようになり、基板信号線１４ａ
に高周波基板１４の内層を利用した信号線を使用する必
要がないために、高周波基板の厚さ等の違いにより高周
波基板信号線と基板信号線との接続位置が異なることが
原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少なく
することができて、高周波特性の劣化を防止することが
できる。

【０１４１】また、上記した第１の実施の形態における
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、高周波基板１
４の厚さ等の違いによるインピーダンス不整合の発生を
少なくすることができるようになり、コネクタ信号線１
３ａと基板信号線１４ａとの接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。

【０１４２】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を
参照して説明する。

【０１４３】図２の（ａ）は本発明の第２の実施の形態
における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状
態の平面図、図２の（ｂ）は図２の（ａ）のＩ方向から
の矢視図、図２の（ｃ）は図２の（ａ）のＪ方向からの
矢視図である。

【０１４４】本発明の第２の実施の形態における高周波
同軸コネクタ１５は、円筒状のコネクタ誘電体１５ｂを
有しており、このコネクタ誘電体１５ｂの中心にはコネ
クタ信号線１５ａが配置してあり、また、コネクタ誘電
体１５ｂの周部にはコネクタ同軸部アース１５ｚが設け
てある。このコネクタ同軸部アース１５ｚは、後述する
高周波基板１６のアースパターンに接続されるための台
座形状のコネクタアース１５ｃを備えている。

【０１４５】そして、コネクタ信号線１５ａ、コネクタ
同軸部アース１５ｚ及びコネクタアース１５ｃは電気抵
抗の小さい金属で構成されていて、コネクタ誘電体１５
ｂはテフロン（Ｒ）などの誘電体で構成されていて、コ
ネクタ信号線１５ａとコネクタ誘電体１５ｂとコネクタ
同軸部アース１５ｚとにより高周波同軸線路を構成して
いる。

【０１４６】また、高周波基板１６はガラスエポキシ樹
脂やテフロン（Ｒ）などを基盤としたプリント基板であ
り、図示は省略しているが、所要の素子、部品などが実
装されて構成されており、高周波信号を伝送する基板信
号線１６ａ、第１のアースパターン１６ｃ、第２のアー
スパターン１６ｄ及び第３のアースパターン１６ｅを有
している。

【０１４７】基板信号線１６ａ、第１のアースパターン
１６ｃ、第２のアースパターン１６ｄ及び第３のアース
パターン１６ｅは電気抵抗の小さい金属で構成され、基
板信号線１６ａ、第１のアースパターン１６ｃ及び第２
のアースパターン１６ｄは高周波基板１６の同一面に形
成してあり、基板信号線１６ａと第３のアースパターン
１６ｅによりマイクロストリップラインを構成してい
る。

【０１４８】第１のアースパターン１６ｃ及び第２のア
ースパターン１６ｄは図示していないが、スルーホール
などによって第３のアースパターン１６ｅに接続されて
いて、それぞれ同電位になっている。

【０１４９】そして、高周波同軸コネクタ１５におい
て、コネクタ信号線１５ａを基板信号線１６ａに接触さ
せた際に、コネクタアース１５ｃが、第１、第２のアー
スパターン１６ｃ、１６ｄに接触するように、コネクタ
信号線１５ａとコネクタアース１５ｃとが配置してあ
る。

【０１５０】すなわち、図２の（ｂ）に示すように、コ
ネクタ信号線１５ａの高周波基板信号線接触部１５ａ−
１とコネクタアース１５ｃのアースパターン接触部１５
ｃ−１とは同一平面ａ内に位置させてあり、コネクタ信
号線１５ａが、コネクタアース１５ｃに干渉されず、基
板信号線接触ポイント１６ｇにおいて基板信号線１６ａ
に半田付けなどによる接続が可能な位置に配置されてい
る。

【０１５１】上記のように構成された高周波同軸コネク
タ１５は、そのコネクタアース１５ｃが、第１のアース
パターン半田付けポイント１６ｈと第２のアースパター
ン半田付けポイント１６ｉとに半田付けなどにより第
１、第２のアースパターン１６ｃ、１６ｄに固定される
ことにより、この高周波基板１６に取り付けられる。

【０１５２】この場合、高周波同軸コネクタ１５のアー
ス電位と高周波基板１６のアース電位とが同電位になる
し、また、コネクタ信号線１５ａは、基板信号線接触ポ
イント１６ｇにおいて基板信号線１６ａに半田付けなど
で接続される。

【０１５３】上記したように、本発明の第２の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線１５ａの高周波基板信号線接触部１５ａ−１とコネク
タアース１５ｃのアースパターン接触部１５ｃ−１とを
同一平面ａ内に位置させたことにより、台座形状のコネ
クタアース１５ｃを有する高周波同軸コネクタにおい
て、基板信号線１６ａに高周波基板１６の内層を利用し
た信号線を使用する必要がないために、高周波基板の厚
さ等の違いにより高周波基板信号線と基板信号線との接
続位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス
不整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の
劣化を防止することができる。

【０１５４】また、上記した第２の実施の形態における
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、高周波基板１
６の厚さ等の違いによるインピーダンス不整合の発生を
少なくすることができるようになり、コネクタ信号線１
５ａと基板信号線１６ａとの接続時に生じる特性劣化を
少なくすることができる。

【０１５５】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）乃
至図６の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０１５６】図３の（ａ）は本発明の第３の実施の形態
における高周波同軸コネクタの平面図、図３の（ｂ）は
図３の（ａ）のＫ方向からの矢視図、図３の（ｃ）は図
３の（ａ）のＬ方向からの矢視図である。また、図４の
（ａ）は高周波基板の平面図、図４の（ｂ）は図４の
（ａ）のＭ方向からの矢視図、図４の（ｃ）は図４の
（ａ）のＮ方向からの矢視図である。

【０１５７】また、図５の（ａ）は本発明の第３の実施
の形態における高周波同軸コネクタの実装過程における
平面図、図５の（ｂ）は図５の（ａ）のＯ方向からの矢
視図、図５の（ｃ）は図５の（ａ）のＰ方向からの矢視
図である。また、図６の（ａ）は、本発明の第３の実施
の形態における高周波同軸コネクタの高周波基板への実
装状態の平面図、図６の（ｂ）は図６の（ａ）のＱ方向
からの矢視図、図６の（ｃ）は図６の（ａ）のＲ方向か
らの矢視図である。

【０１５８】図３の（ａ）において、高周波同軸コネク
タ１７は、本発明の第２の実施の形態における高周波同
軸コネクタ１５のコネクタ同軸アース１５ｚに第１〜第
４のコネクタアース１７ｃ〜１７ｆを備えたものであ
る。

【０１５９】すなわち、高周波同軸コネクタ１７は、円
筒状のコネクタ誘電体１７ｂを有しており、このコネク
タ誘電体１７ｂの中心にはコネクタ信号線１７ａが配置
してあり、また、コネクタ誘電体１７ｂの周部にはコネ
クタ同軸部アース１７ｚが設けてある。このコネクタ同
軸部アース１７ｚは、高周波基板１８のアースパターン
に接続されるための台座形状のコネクタアース１７ｍを
備えている。そして、このコネクタアース１７ｍのアー
スパターン接触面１７ｍ−１の４つの隅角部近傍に第１
〜第４のコネクタアース１７ｃ〜１７ｆが配置してあ
る。

【０１６０】そして、第１〜第４のコネクタアース１７
ｃ〜１７ｆは爪形状をしていて、高周波基板１８の裏面
に対応する部位１７ｃ−１〜１７ｆ−１が外方向に向か
って角度φの傾斜が持たせてある。

【０１６１】そして、コネクタ信号線１７ａとコネクタ
誘電体１７ｂとコネクタ同軸部アース１７ｚにより高周
波同軸線路を構成している。

【０１６２】図３の（ｃ）に示すように、コネクタ信号
線１７ａの高周波同軸コネクタ出力端側の高周波線路接
触部１７ｇとコネクタアース１７ｍのアースパターン接
触面１７ｍ−１とは同一平面ａ内に位置させてあり、コ
ネクタ信号線１７ａが、コネクタアース１７ｃのアース
パターン接触面１７ｍ−１に干渉されず、基板信号線接
触ポイント１８ｌにおいて半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されている。

【０１６３】高周波基板１８は、図４の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示すように第１、第２、第３のアース
パターン１８ｃ、１８ｄ、１８ｅを有しており、高周波
基板１８には第１〜第４のコネクタアース１７ｃ〜１７
ｆを挿入する第１〜第４のコネクタアース挿入孔部１８
ｈ〜１８ｋが形成してある。

【０１６４】そして、上記のように構成された高周波同
軸コネクタ１７は、図５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示
すように第１〜第４のコネクタアース１７ｃ〜１７ｆを
第１〜第４のコネクタアース挿入孔部１８ｈ〜１８ｋに
挿入して高周波基板１８に配置される。

【０１６５】そして、第１〜第４のコネクタアース１７
ｃ〜１７ｆは、第１〜第４のコネクタアース挿入孔部１
８ｈ〜１８ｋへの挿入時に、コネクタ信号線１７ａの高
周波線路接触部１７ｇが、基板信号線接触ポイント１８
ｌで基板信号線１８ａに接触する。

【０１６６】ここで、第１〜第４のコネクタアース１７
ｃ〜１７ｆのそれぞれ基板対応部位１７ｃ−１〜１７ｆ
−１に、角度φの傾斜を持たせているために、図５の
（ａ）に示すように第１〜第４のコネクタアース１７ｃ
〜１７ｆをそれぞれにθ１〜θ４の方向へ曲げることに
より、第１〜第４のコネクタアース１７ｃ〜１７ｆと第
３のアースパターン１８ｅとの間に応力が生じてＦ１方
向に押圧力が生じることにより、高周波同軸コネクタ１
７は高周波基板１８に接触し係止される。

【０１６７】以上により、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示すように高周波同軸コネクタ１７を高周波基板１８
に実装することができる。

【０１６８】上記したように、本発明の第３の実施の形
態における高周波同軸コネクタは、コネクタ信号線１７
ａの高周波線路接触部１７ｇとコネクタアース１７ｍの
アースパターン接触面１７ｍ−１とを同一平面ａ内に位
置させたことにより、コネクタ信号線１７ａがコネクタ
アース１７ｍに干渉されず、基板信号線接触ポイント１
８ｌにおいて半田付けなどによる接続が可能になるし、
高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、
高周波特性の劣化を防止することができる。

【０１６９】また、本発明の第３の実施の形態における
高周波同軸コネクタの取付構造によれば、第１〜第４の
コネクタアース１７ｃ〜１７ｆを曲げるだけで、高周波
同軸コネクタ１７を高周波基板１８に容易に装着するこ
とができるために、半田付けやねじ止めなどの工程を必
要とせず、工程を高効率化することができる。

【０１７０】なお、第１〜第４のコネクタアース１７ｃ
〜１７ｆの数は、高周波同軸コネクタ１７の実装強度及
び高周波同軸コネクタ１７のインピーダンス変動が所望
の性能が得られるように数を増減することも可能であ
る。なお、高周波線路接触部１７ｇが、基板信号線接触
ポイント１８ｌにおいて半田付けにより導通の信頼性を
向上することも可能である。

【０１７１】なお、第１〜第４のコネクタアース１７ｃ
〜１７ｆの基板対向部位１７ｃ−１〜１７ｍ−１はφ方
向に傾斜が設けられているために、第１〜第４のコネク
タアース１７ｃ〜１７ｆを曲げるだけで任意の厚さの高
周波基板１８に装着することができる。

【０１７２】（第４の実施の形態）本発明の第４の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図７の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を
参照して説明する。

【０１７３】図７の（ａ）は本発明の第４の実施の形態
における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態
の平面図、図７の（ｂ）は図７の（ａ）のＳ方向からの
矢視図、図７の（ｃ）は図７の（ａ）のＴ方向からの矢
視図である。

【０１７４】本発明の高周波同軸コネクタ１９は、円筒
状のコネクタ誘電体１９ｂを有しており、このコネクタ
誘電体１９ｂの中心にはコネクタ信号線１９ａが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体１９ｂの周部にはコネク
タ同軸部アース１９ｚが設けてある。このコネクタ同軸
部アース１９ｚは、後述する高周波基板２２のアースパ
ターンに接続されるためのコネクタアース１９ｃ、１９
ｄを備えている。そして、コネクタ信号線１９ａと、コ
ネクタ誘電体１９ｂと、コネクタ同軸部アース１９ｚと
により高周波同軸線路を構成している。

【０１７５】そして、コネクタ信号線１９ａを、後述す
る高周波基板２２の基板信号線２２ａに接触させた際
に、第１、第２のコネクタアース１９ｃ、１９ｄが第
１、第２のアースパターン２２ｃ、２２ｄに接触するよ
うに、コネクタ信号線１９ａと高周波基板２２の第１、
第２のコネクタアース１９ｃ、１９ｄとを配置するよう
にしてある。すなわち、図７の（ｃ）に示すようにコネ
クタ信号線１９ａと第１、第２のコネクタアース１９
ｃ、１９ｄのアースパターン接触面１９ｃ−１、１９ｄ
−１とが同一平面ａ内に位置させてある。

【０１７６】高周波基板２２は、ガラスエポキシ樹脂や
テフロン（Ｒ）などを基盤としたプリント基板であり、
図示は省略しているが、所要の素子、部品などが実装さ
れて構成されていて、高周波信号を伝送する基板信号線
２２ａと、第１のアースパターンパターン２２ｃと、第
２のアースパターン２２ｄと、第３のアースパターン２
２ｅとを備えている。

【０１７７】基板信号線２２ａ、第１のアースパターン
２２ｃ、第２のアースパターン２２ｄ及び第３のアース
パターン２２ｅは電気抵抗の小さい金属で構成されてい
て、基板信号線２２ａ、第１のアースパターン２２ｃ及
び第２のアースパターン２２ｄは高周波基板２２の同一
面に形成してあり、基板信号線２２ａと第３のアースパ
ターン２２ｅによりマイクロストリップラインを構成し
ている。

【０１７８】第１のアースパターン２２ｃ及び第２のア
ースパターン２２ｄは図示していないが、スルーホール
などによって第３のアースパターン２２ｅに接続されて
いて、それぞれ同電位になっている。

【０１７９】第１のコネクタアース１９ｃにはコネクタ
側孔部である第１のねじ挿通孔１９ｏが、第２のコネク
タアース１９ｄにはコネクタ側孔部である第２のねじ挿
通孔１９ｐがそれぞれ設けてあり、また、高周波基板２
２には、高周波同軸コネクタ１９の実装時にコネクタ信
号線１９ａが基板信号線接触ポイント２２ｇに接触する
ように位置付ける基板側孔部である第１のねじ挿入孔２
２ｈ及び第２のねじ挿入孔２２ｉがそれぞれ設けてあ
る。

【０１８０】そして、高周波同軸コネクタ１９の第１、
第２のコネクタアース１９ｃ、１９ｄを高周波基板２２
に沿わせて、第１のねじ部材２０ａを第１のねじ挿通孔
１９ｏから第１のねじ挿入孔２２ｈに挿通させ、また、
第２のねじ部材２０ｂを第２のねじ挿通孔１９ｐから第
２のねじ挿入孔２２ｉに挿通させて、第１のねじ部材２
０ａに第１のナット部材２１ａを螺合させ、また、第２
のねじ部材２０ｂに第２のナット部材２１ｂを螺合させ
て、これらの第１、第２のナット部材２１ａ、２１ｂを
締め付けることにより高周波基板２２に高周波同軸コネ
クタ１９が取り付けてある。

【０１８１】この場合、第１のねじ部材２０ａと第１の
ナット部材２１ａ及び第２のねじ部材２０ｂと第２のナ
ット部材２１ｂとでそれぞれに固定部材を構成してお
り、これらの固定部材による固定により、第１のコネク
タアース１９ｃと第１のアースパターン２２ｃ及び第２
のコネクタアース１９ｄと第２のアースパターン２２ｄ
がそれぞれ圧着されて導通が確保されている。

【０１８２】なお、第１のねじ部材２０ａ、第２のねじ
部材２０ｂ、第１のナット部材２１ａ及び第２のナット
部材２１ｂをそれぞれに電気抵抗の小さい金属で構成す
ることにより、第３のアースパターン２２ｅと高周波同
軸コネクタ１９の導通が確保され、よりインピーダンス
変動の小さい高周波同軸コネクタを実現することができ
る。

【０１８３】なお、第１、第２のねじ部材２０ａ、２０
ｂは、高周波同軸コネクタ１９の実装強度及び高周波同
軸コネクタ１９のインピーダンス変動が所望の性能が得
られるように数を増減することも可能である。なお、高
周波同軸コネクタ１９の高周波基板２２への取付は、第
１、第２のねじ部材２０ａ、２０ｂ及び第１、第２のナ
ット部材２１ａ、２１ｂによる固着に限らず、圧着によ
り形状が変形するピンなどを使用した圧着方法でも可能
である。

【０１８４】上記したように、本発明の第４の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線１９ａと第１、第２のコネクタアース１９ｃ、１９ｄ
のアースパターン接触部１９ｃ−１、１９ｄ−１とを同
一平面ａ内に位置させたことにより、高周波基板２２に
高周波同軸コネクタ１９を実装する際に、高周波同軸コ
ネクタコネクタアース１９ｃ、１９ｄを確実に第１、第
２のアースパターン２２ｃ、２２ｄに接触させることが
できて、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号
線と基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じ
ていたインピーダンス不整合の発生を少なくすることが
できて、高周波特性の劣化を防止することができる。

【０１８５】また、コネクタ信号線１９ａの基板信号線
接触ポイント２２ｇに接触する部分の長さｄ１を短くす
ることにより、基板信号線１９ａに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０１８６】また、第１、第２のコネクタアース１９
ｃ、１９ｄを第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２
ｄに第１、第２のねじ部材２０ａ、２０ｂで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ１９を高周波基板２２
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。

【０１８７】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線１９ａと基板信号線２２
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、ねじ止め、ピンなどを使用した圧着方等に
より高周波基板２２のアース接続個所における強度を向
上することができる。

【０１８８】（第５の実施の形態）本発明の第５の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図８の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を
参照して説明する。

【０１８９】図８の（ａ）は本発明の第５の実施の形態
における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態
の平面図、図８の（ｂ）は図８の（ａ）のＶ方向からの
矢視図、図８の（ｃ）は図８の（ａ）のＷ方向からの矢
視図である。

【０１９０】本発明の高周波同軸コネクタ２３は、上記
した本発明の第４の実施の形態における高周波同軸コネ
クタ１９において、第１のコネクタアース１９ｃに、第
１のねじ挿通孔１９ｏに変えて、コネクタ側ねじ部であ
る第１のねじ孔２３ｈを、第２のコネクタアース１９ｄ
に、第２のねじ挿通孔１９ｐに変えてコネクタ側ねじ部
である第２のねじ孔２３ｉをそれぞれ設けた構成であ
る。

【０１９１】すなわち、高周波同軸コネクタ２３は円筒
状のコネクタ誘電体２３ｂを有しており、このコネクタ
誘電体２３ｂの中心にはコネクタ信号線２３ａが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体２３ｂの周部にはコネク
タ同軸部アース２３ｚが設けてある。このコネクタ同軸
部アース２３ｚは、高周波基板２２のアースと接地する
ための第１のコネクタアース２３ｃ及び第２のコネクタ
アース２３ｄを備えている。

【０１９２】また、高周波基板２２は、上記した本発明
の第４の実施の形態における高周波基板２２と同構成で
あり、基板側孔部である第１のねじ挿入孔２２ｈ及び第
２のねじ挿入孔２２ｉがそれぞれ設けてある。

【０１９３】そして、高周波同軸コネクタ２３の第１、
第２のコネクタアース２３ｃ、２３ｄを高周波基板２２
に沿わせて、第１のねじ部材２０ａを、高周波基板２２
の第３のアースパターン２２ｅ側から第１のねじ挿入孔
２２ｈに挿通させて第１のねじ孔２３ｈに螺合させ、ま
た、第２のねじ部材２０ａを、高周波基板２２の第３の
アースパターン２２ｅ側から第２のねじ挿通孔２２ｉに
挿通させて第２のねじ孔２３ｉに螺合させて、これらの
第１、第２のねじ部材２０ａ、２０ｂを締め付けること
により高周波基板２２に高周波同軸コネクタ２３が取り
付けてある。

【０１９４】このように、第３のアースパターン２２ｅ
側から第１のねじ部材２０ａ及び第２のねじ部材２０ｂ
によりねじ止めすることにより、第１のコネクタアース
２３ｃと第１のアースパターン２２ｃ及び第２のコネク
タアース２３ｄと第２のアースパターン２２ｄがそれぞ
れ圧着され導通が確保される。

【０１９５】上記したように、本発明の第５の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線２３ａと第１、第２のコネクタアース２３ｃ、２３ｄ
のアースパターン接触面２３ｃ−１、２３ｄ−１とを同
一平面ａ内に位置させたことにより、高周波基板２２に
高周波同軸コネクタ２３を実装する際に、コネクタアー
ス２３ｃ、２３ｄが確実にアースパターン２２ｃ、２２
ｄに接触させることができて、高周波基板２２の厚さ等
の違いによりコネクタ信号線２３ａと基板信号線２２ａ
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。

【０１９６】また、コネクタ信号線２３ａの基板信号線
接触ポイント２２ｇに接触する部分の長さｄ１を短くす
ることにより、基板信号線２３ａに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０１９７】また、第１、第２のコネクタアース２３
ｃ、２３ｄを第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２
ｄに第１、第２のねじ部材２０ａ、２０ｂで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ２３を高周波基板２２
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。

【０１９８】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線２３ａと基板信号線２２
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、ねじ止めによる実装の際に、別途、ナット
部材を必要とせず、部品点数を削減することができる。

【０１９９】（第６の実施の形態）本発明の第６の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造を図９の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を
参照して説明する。

【０２００】図９の（ａ）は本発明の第６の実施の形態
における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、図９
の（ｂ）は図９の（ａ）のＡ−１方向からの矢視図、図
９の（ｃ）は図９の（ａ）のＢ−１方向からの矢視図で
ある。

【０２０１】本発明の第６の実施の形態における高周波
同軸コネクタは、上記した本発明の第５の実施の形態に
おける高周波同軸コネクタ２３に第１の導電性マット５
５ａ、第２の導電性マット５５ｂ及び第３の導電性マッ
ト５５ｃをそれぞれ備えたものであり、他の構成は同じ
である。

【０２０２】また、高周波同軸コネクタ２３は、コネク
タ信号線２３ａに対応する第１の導電性マット５５ａ
と、第１のコネクタアース２３ｃに対応する第２の導電
性マット５５ｂと、第２のコネクタアース２３ｄに対応
する第３の導電性マット５５ｃとを備えている。これら
の第１、第２、第３の導電性マット５５ａ、５５ｂ、５
５ｃは、電気抵抗の小さい金属などの粉末を含有させて
導電性を持たせた弾力性のあるゴムなどで形成されてい
る。

【０２０３】また、高周波基板は上記した本発明の第５
の実施の形態における高周波基板２２と同じ構成である
ので、同じ符号を付して説明を省略する。

【０２０４】そして、高周波同軸コネクタ２４は高周波
基板２２に、第１のねじ部材２０ａ及び第２のねじ部材
２０ｂによりねじ止めして取り付けてある。この場合、
基板信号線２２ａは、第１の導電性マット５５ａを介し
てコネクタ信号線２３ａに基板信号線接触ポイント２２
ｌで接触される。また、第１のアースパターン２２ｃ
は、第２の導電性マット５５ｂを介して第１のコネクタ
アース２３ｃに接触される。また、第２のアースパター
ン２２ｄは、第３の導電性マット５５ｃを介して第２の
コネクタアース２３ｄに接触される。

【０２０５】高周波同軸コネクタ２４を高周波基板２２
に第１のねじ部材２０ａ及び第２のねじ部材２０ｂによ
りねじ止めして取り付けることにより、第１の導電性マ
ット５５ａ、第２の導電性マット５５ｂ及び第３の導電
性マット５５ｃのそれぞれの弾力によって適度な圧力が
加わり、それぞれ接触不良を生じることなく確実に接触
することができる。

【０２０６】なお、第１の導電性マット５５ａ、第２の
導電性マット５５ｂ及び第３の導電性マット５５ｃは、
それぞれに高周波基板２２に設けるようにしてもよい。

【０２０７】上記したように、本発明の第６の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線２３ａと第１、第２のコネクタアース２３ｃ、２３ｄ
のアースパターン接触面２３ｃ−１、２３ｄ−１とを同
一平面ａ内に位置させたことにより、高周波基板２２に
高周波同軸コネクタ２３を実装した際に、高周波同軸コ
ネクタコネクタアース２０ｃ、２０ｄが、第２の導電性
マット５５ｂ及び第３の導電性マット５５ｃを介して確
実に第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２ｄに接触
され、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線
と基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じて
いたインピーダンス不整合の発生を少なくすることがで
きて、高周波特性の劣化を防止することができる。

【０２０８】また、コネクタ信号線２３ａの基板信号線
接触ポイント２２ｌに接触する部分の長さｄ１を短くす
ることにより、基板信号線２３ａに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０２０９】また、第１、第２のコネクタアース２３
ｃ、２３ｄを第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２
ｄに第１、第２のねじ部材２０ａ、２０ｂで取り付ける
ことにより、高周波同軸コネクタ２３を高周波基板２２
に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。

【０２１０】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、第１の導電性マット５５ａによりコネク
タ信号線２３ａと基板信号線２２ａとの接触部の接触不
良を少なくすることができ、また、第２の導電性マット
５５ｂ及び第３の導電性マット５５ｃにより高周波同軸
コネクタ２３と高周波基板２２の接触部（第１のコネク
タアース２３ｃと第１のアースパターン２２ｃとの接触
部、第２のコネクタアース２３ｄと第２のアースパター
ン２２ｄとの接触部）の接触不良を少なくすることがで
きて、コネクタ信号線１９ａと基板信号線２２ａとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができる。

【０２１１】（第７の実施の形態）本発明の第７の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造の図１０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
を参照して説明する。

【０２１２】図１０の（ａ）は本発明の第７の実施の形
態における高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状
態の平面図、図１０の（ｂ）は図１０の（ａ）のＣ−１
方向からの矢視図、図１０の（ｃ）は図１０の（ａ）の
Ｄ−１方向からの矢視図である。

【０２１３】本発明の高周波同軸コネクタ２４は、円筒
状のコネクタ誘電体２４ｂを有しており、このコネクタ
誘電体２４ｂの中心にはコネクタ信号線２４ａが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体２４ｂの周部にはコネク
タ同軸部アース２４ｚが設けてある。このコネクタ同軸
部アース２４ｚは、後述する高周波基板２２のアースパ
ターンに接続されるための第１のコネクタアース２４ｃ
と第２のコネクタアース２４ｄとを備えている。

【０２１４】そして、コネクタ信号線２４ａを高周波基
板２２の基板信号線２２ａに接触させた際に、第１、第
２のコネクタアース２４ｃ、２４ｄが高周波基板２２の
第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２ｄに接触する
ように、コネクタ信号線２４ａと第１、第２のコネクタ
アース２４ｃ、２４ｄとを配置するようにしてある。

【０２１５】すなわち、図１０の（ｃ）に示すように、
コネクタ信号線２４ａと、第１のコネクタアース２４ｃ
のアースパターン接触面２４ｃ−１と、第２のコネクタ
アース２４ｄのアースパターン接触面２４ｄ−１とは同
一平面ａ内に位置するようにしてある。

【０２１６】そして、コネクタ同軸部アース２４ｚに、
コネクタアース部である第１のコネクタアース２４ｃに
対して、高周波基板２２を挟んだ反対側にコネクタアー
ス部である第３のコネクタアース２４ｅが、コネクタア
ース部である第２のコネクタアース２４ｄに対して高周
波基板２２を挟んだ反対側にコネクタアース部である第
４のコネクタアース２４ｆがそれぞれ設けてある。

【０２１７】そして、第１のコネクタアース２４ｃには
コネクタ側孔部である第１のねじ挿通孔２４ｈが、第２
のコネクタアース２４ｄにはコネクタ側孔部である第２
のねじ挿通孔２４ｉがそれぞれ設けてあり、また、第３
のコネクタアース２４ｅにはコネクタ側ねじ孔部である
ねじ孔２４ｊが、第４のコネクタアース２４ｆにはコネ
クタ側ねじ孔部であるねじ孔２４ｋがそれぞれ設けてあ
る。

【０２１８】そして、コネクタ信号線２４ａとコネクタ
同軸部アース２４ｚとコネクタ誘電体２４ｂとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０２１９】そして、第３のコネクタアース２４ｅ及び
第４のコネクタアース２４ｆは、それぞれ高周波基板２
２と高周波同軸コネクタ２４の圧着時の圧力を調整する
ための第１のスペーサ２５ａ及び第２のスペーサ２５ｂ
を備えている。

【０２２０】また、高周波基板は、上記した本発明の第
４の実施の形態における高周波基板２２に、基板側孔部
である第１のねじ挿入孔２２ｈと基板側孔部である第２
のねじ挿入孔２２ｉとを設けた構成である。したがっ
て、同じ部位には同じ符号を付して説明を省略する。

【０２２１】そして、図１０の（ａ）に示すように、高
周波同軸コネクタ２４を、高周波基板２２に対してＸ方
向から挿入し、第１のねじ部材２０ａを第１のコネクタ
アース２４ｃの第１のねじ挿通孔２４ｈから第１のねじ
挿入孔２２ｈに挿通させた後に、第３のコネクタアース
２４ｅのねじ孔２４ｊに螺合させ、また、第２のねじ部
材２０ｂを第２のねじ挿通孔２４ｉから第２のねじ挿入
孔２２ｉに挿通させた後に、第４のコネクタアース２４
ｆのねじ孔２４ｋに螺合させて、これらの第１、第２の
ねじ部材２０ａ、２０ｂを締め付けることにより高周波
基板２２に高周波同軸コネクタ２４が取り付けてある。

【０２２２】なお、第１のスペーサ２５ａ及び第２のス
ペーサ２５ｂは、ゴムなどの弾力性のある素材を採用す
ることで高周波基板２２の厚さがばらついた場合におい
ても、ねじ止め時の安定性を向上することができる。な
お、第１のスペーサ２５ａ及び第２のスペーサ２５ｂ
は、第３のコネクタアース２４ｅ及び第４のコネクタア
ース２４ｆにそれぞれ接着されていても、接着されてい
なくてもよい。

【０２２３】上記したように、本発明の第７の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線２４ａと、第１のコネクタアース２４ｃのアースパタ
ーン接触面２４ｃ−１と、第２のコネクタアース２４ｄ
のアースパターン接触面２４ｄ−１とが同一平面ａ内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線２４ａ
が、コネクタアース２４ｃに干渉されずに基板信号線接
触ポイント２２ｇにおいて基板信号線２２ａに半田付け
などによる接続が可能な位置に配置されるし、高周波基
板２２に高周波同軸コネクタ２４を実装した際に、第
１、第２のコネクタアース２４ｃ、２４ｄを確実にアー
スパターン２２ｃ、２２ｄに接触させることができて、
高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板
信号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイ
ンピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、
高周波特性の劣化を防止することができる。

【０２２４】また、第１〜第４のコネクタアース２４ｃ
〜２４ｆにより、高周波同軸コネクタ２４を高周波基板
２２に対し水平方向に精度良く実装することができるた
めに、インピーダンスの変動少なくなり、高周波同軸コ
ネクタの取付けの信頼性を向上させることができる。

【０２２５】また、コネクタ信号線２４ａの基板信号線
接触ポイント２２ｇに接触する部分の長さｄ１を短くす
ることができ、基板信号線２２ａに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０２２６】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線２４ａと基板信号線２２
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ２４を高周波基板２２
に接続する作業の際に、高周波基板２２を裏返す必要が
なく、高周波同軸コネクタ接続工程を高効率化すること
ができる。

【０２２７】（第８の実施の形態）本発明の第８の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造とを図１１の（ａ）、（ｂ），
（ｃ）、図１２及び図１３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を
参照して説明する。

【０２２８】図１１の（ａ）は本発明の第８の実施の形
態における高周波同軸コネクタとコネクタ止めとの分解
状態の説明図、図１１の（ｂ）は図１１の（ａ）のＥ−
１方向からの矢視図、図１１の（ｃ）は図１１の（ａ）
のＦ−１方向からの矢視図である。また、図１２はコネ
クタ止めの平面図である。また、図１３の（ａ）は本発
明の第８の実施の形態における高周波同軸コネクタの高
周波基板への実装状態の平面図、図１３の（ｂ）は図１
３の（ａ）のＧ−１方向からの矢視図、図１３の（ｃ）
は図１３の（ａ）のＨ−１方向からの矢視図である。

【０２２９】本発明の高周波同軸コネクタ２６は、円筒
状のコネクタ誘電体２６ｂを有しており、このコネクタ
誘電体２６ｂの中心にはコネクタ信号線２６ａが配置し
てあり、また、コネクタ誘電体２６ｂの周部にはコネク
タ同軸部アース２６ｚが設けてある。このコネクタ同軸
部アース２６ｚは、後述する高周波基板２２のアースパ
ターンに接続されるための第１のコネクタアース２６ｃ
と第２のコネクタアース２６ｄとを備えている。

【０２３０】そして、コネクタ信号線２６ａを高周波基
板２２の基板信号線２２ａに接触させた際に、第１、第
２のコネクタアース２６ｃ、２６ｄが高周波基板２２の
第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２ｄに接触する
ように、コネクタ信号線２６ａと第１、第２のコネクタ
アース２６ｃ、２６ｄとが配置してある。すなわち、図
１１の（ａ）に示すようにコネクタ信号線２６ａと第１
のコネクタアース２６ｃのアースパターン接触面２６ｃ
−１と第２のコネクタアース２６ｄのアースパターン接
触面２６ｄ−１とは同一平面ａ内に位置するようにして
ある。

【０２３１】そして、第１のコネクタアース２６ｃには
コネクタ側ねじ部である第１のねじ孔２６ｈが、第２の
コネクタアース２６ｄにはコネクタ側ねじ部である第２
のねじ孔２６ｉがそれぞれ設けてあり、コネクタ誘電体
２６ｂの基部には、後述するコネクタ止め２７に備えら
れたコネクタ止めジョイント部２７ｍを挿入するコネク
タジョイント用溝部２６ｍが設けてある。

【０２３２】コネクタ止め２７は、図１２に示すように
高周波同軸コネクタ２６を固定するための第１のねじ部
材２０ａを挿通するための挿通孔部である第１のコネク
タ止め孔２７ａと、第２のねじ部材２０ｂを挿通するた
めの挿通孔部である第２のコネクタ止め孔２７ｂと、コ
ネクタ止めジョイント部２７ｍとをそれぞれ備えてお
り、電気抵抗の小さい金属で製作されている。

【０２３３】また、高周波基板は、上記した本発明の第
４の実施の形態における高周波基板２２に基板側孔部で
ある第１のねじ挿入孔２２ｈ及び第２のねじ挿入孔２２
ｉをそれぞれ設けた構成である。したがって、同じ部位
には同じ符号を付して説明を省略する。

【０２３４】次に、高周波同軸コネクタ２６の取付方法
（実装方法）について説明する。

【０２３５】高周波同軸コネクタ２６を高周波基板２２
の所定の位置に配置して、コネクタ止め２７を第３のア
ースパターン２２ｅ側から高周波基板２２に当接させ
て、このコネクタ止め２７のコネクタ止めジョイント部
２７ｍをコネクタジョイント用溝部２６ｍに挿入し、第
１のねじ部材２０ａをコネクタ止め２７の第１のコネク
タ止め孔２７ａから高周波基板２２の第１のねじ挿入孔
２２ｈに挿通させた後に、第１のコネクタアース２６ｃ
の第１のねじ孔２６ｈに螺合させ、また、第２のねじ部
材２０ｂをコネクタ止め２７の第２のコネクタ止め孔２
７ｂから高周波基板２２の第２のねじ挿入孔２２ｉに挿
通させた後に、第２のコネクタアース１９ｄの第２のね
じ孔２６ｉに螺合させて、高周波同軸コネクタ２６が高
周波基板２２に取り付けてある。

【０２３６】このために、第１のコネクタアース２６ｃ
は第１のアースパターン２２ｃに接続され、第２のコネ
クタアース２６ｄは第２のアースパターン２２ｄに接続
される。また、コネクタ止め２７は第３のアースパター
ン２２ｅに接触する。更に、コネクタ止めジョイント部
２７ｍはコネクタジョイント用溝部２６ｍに接触するた
めに、高周波同軸コネクタ２６と第３のアースパターン
２２ｅとは同電位となる。

【０２３７】上記したように、本発明の第８の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線２６ａと、第１のコネクタアース２６ｃのアースパタ
ーン接触面２６ｃ−１と、第２のコネクタアース２６ｄ
のアースパターン接触面２６ｄ−１とが同一平面ａ内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線２６ａ
が、コネクタアース２６ｃに干渉されずに基板信号線接
触ポイント２２ｇにおいて基板信号線２２ａに半田付け
などによる接続が可能な位置に配置されるし、高周波基
板２２に高周波同軸コネクタ２６を実装する際に、コネ
クタアース２６ｃ、２６ｄを確実に第１、第２のアース
パターン２２ｃ、２２ｄに接触させることができて、高
周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信
号線との接続位置が異なることが原因で生じていたイン
ピーダンス不整合の発生を少なくすることができて、高
周波特性の劣化を防止することができる。

【０２３８】また、第１、第２のコネクタアース２６
ｃ、２６ｄを第１、第２のアースパターン２２ｃ、２２
ｄに接続することにより、高周波同軸コネクタ２６を高
周波基板２２に対して水平方向に精度良く実装すること
ができるために、インピーダンスの変動少なくなり、高
周波同軸コネクタの取付けの信頼性を向上させることが
できる。

【０２３９】また、コネクタ信号線２６ａの基板信号線
接触ポイント２２ｇに接触する部分の長さｄ１を短くす
ることができ、基板信号線２２ａに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０２４０】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線２６ａと基板信号線２２
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ２６をねじ部材２０
ａ、２０ｂにより高周波基板２２に接続することができ
て実装強度が向上する。また、高周波同軸コネクタ２６
と高周波基板２２のアースの接触面積が大きくなるため
に導電性を強化することができる。

【０２４１】（第９の実施の形態）本発明の第９の実施
の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波同軸
コネクタの取付構造とを図１４の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、図１５及び図１６を参照して説明する。

【０２４２】図１４の（ａ）は本発明の第９の実施の形
態における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した
状態の平面図、図１４の（ｂ）は図１４の（ａ）のＩ−
１方向からの矢視図、図１４の（ｃ）は図１４の（ａ）
のＪ−１方向からの矢視図である。また、図１５は高周
波基板がアースピン挿入孔を複数備えた場合であって、
この高周波基板に高周波同軸コネクタを実装した状態の
平面図である。また、図１６は高周波基板がスリット形
状のアースピン挿入孔を備えた場合であって、この高周
波基板に高周波同軸コネクタを実装した状態の平面図で
ある。

【０２４３】本発明の第９の実施の形態における高周波
同軸コネクタ２８は、円筒状のコネクタ誘電体２８ｂを
有しており、このコネクタ誘電体２８ｂの中心にはコネ
クタ信号線２８ａが配置してあり、またコネクタ誘電体
２８ｂの周部にはコネクタ同軸部アース２８ｚが設けて
ある。このコネクタ同軸部アース２８ｚは、後述する高
周波基板２９のアースパターンに接続されるための台座
形状のコネクタアース２８ｃを備えている。

【０２４４】そして、コネクタ信号線２８ａとコネクタ
同軸部アース２８ｚとコネクタ誘電体２８ｂとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０２４５】そして、コネクタ信号線２８ａを高周波基
板２９の基板信号線２９ａに接触させた際に、コネクタ
アース２８ｃが高周波基板２９の第１、第２のアースパ
ターン２９ｃ、２９ｄに接触するように、コネクタ信号
線２８ａとコネクタアース２８ｃとが配置してある。す
なわち、図１４の（ｂ）に示すようにコネクタ信号線２
８ａとコネクタアース２８ｃのアースパターン接触面２
８ｃ−１とは同一平面ａ内に位置するようにしてあるた
めに、コネクタ信号線２８ａが、コネクタアース２８ｃ
に干渉されずに基板信号線接触ポイント２９ｇにおいて
基板信号線２９ａに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置される。

【０２４６】また、コネクタアース２８ｃは高周波基板
２９に半田付けなどにより、固定及びアース接地を行う
ためのピン形状のコネクタアース２８ｄを備えている。

【０２４７】高周波基板２９は、高周波信号を伝送する
基板信号線２９ａ、第１のアースパターン２９ｃ、第２
のアースパターン２９ｄ及び第３のアースパターン２９
ｅとを有しており、ピン形状のコネクタアース２８ｄを
挿入するアース挿入部としてのアースピン挿入孔２９ｉ
を備えている。

【０２４８】基板信号線２９ａ、第１のアースパターン
２９ｃ、第２のアースパターン２９ｄ及び第３のアース
パターン２９ｅは電気抵抗の小さい金属で構成されてお
り、基板信号線２９ａ、第１のアースパターン２９ｃ及
び第２のアースパターン２９ｄは高周波基板２９の同一
面に形成してあり、基板信号線２９ａと第３のアースパ
ターン２９ｅによりマイクロストリップラインを構成し
ている。また、第１のアースパターン２９ｃ及び第２の
アースパターン２９ｄは図示していないが、スルーホー
ルなどによって第３のアースパターン２９ｅに接続され
ていて、それぞれ同電位となっている。

【０２４９】以上のように構成された高周波同軸コネク
タ２８を高周波基板２９に取り付ける（実装する）方法
を説明する。

【０２５０】ピン形状のコネクタアース２８ｄはアース
ピン挿入孔２９ｉに挿入され、高周波基板２９の裏面に
形成された第３のアースパターン２９ｅのコネクタアー
ス半田付けポイント２９ｈにおいて半田付けなどで保持
されており、電気的導通が得られている。また、コネク
タ信号線２８ａは基板信号線接触ポイント２９ｇにおい
て基板信号線２９ａに半田付けあるいは接触により電気
的導通が得られている。

【０２５１】なお、図１５に示すように、高周波基板２
９が、コネクタアース２８ｄが挿入される、例えば、第
１〜第４のアースピン挿入孔２９ｊ〜２９ｍを備えるこ
とにより、第１〜第４のアースピン挿入孔２９ｊ〜２９
ｍのうち、任意のアースピン挿入孔を選択することによ
り高周波同軸コネクタ２８の実装向きを選択して実装す
ることができる。なお、アースピン挿入孔の数は、任意
の数で選択してもよい。なお、コネクタアース２８ｄの
数は、任意の数で選択してもよい。

【０２５２】また、高周波同軸コネクタ２８の向きを限
定するために複数のコネクタアース２８ｄを設けてもよ
い。また、任意の１つ以上のコネクタアース２８ｄのみ
を半田付けなどにより固定してもよい。

【０２５３】なお、図１６に示すように、高周波基板２
９が、コネクタアース２８ｄが挿入されるアース挿入部
としてアースピン挿入スリット２９ｎを備えることによ
り、このアースピン挿入スリット２９ｎにコネクタアー
ス２８ｄを挿入して高周波同軸コネクタ２８の実装向き
を選択して実装することができる。

【０２５４】上記したように、本発明の第９の実施の形
態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信号
線２８ａとコネクタアース２８ｃのアースパターン接触
面２８ｃ−１とは同一平面ａ内に位置するようにしてあ
るために、コネクタ信号線２８ａが、コネクタアース２
８ｃに干渉されずに基板信号線接触ポイント２９ｇにお
いて基板信号線２９ａに半田付けなどによる接続が可能
な位置に配置されるし、また、高周波基板２９に高周波
同軸コネクタ２８を実装する際に、コネクタアース２８
ｃを確実に第１、第２のアースパターン２９ｃ、２９ｄ
に接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違い
によりコネクタ信号線と基板信号線との接続位置が異な
ることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発生
を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止す
ることができる。

【０２５５】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線２８ａと基板信号線２９
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ２８と高周波基板２９
の接続のための半田付けポイントを削減できて、高周波
同軸コネクタ２８を高周波基板２９に容易に実装するこ
とができる。また、高周波基板２９のアースピン挿入孔
を複数備える、あるいはアースピン挿入部をスリット形
状にすることにより、任意の方向に実装することができ
る。

【０２５６】（第１０の実施の形態）本発明の第１０の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図１７の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）を参照して説明する。

【０２５７】図１７の（ａ）は本発明の第１０の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に実装し
た状態の平面図、図１７の（ｂ）は図１７の（ａ）のＫ
−１方向からの矢視図、図１７の（ｃ）は図１７の
（ａ）のＬ−１方向からの矢視図である。

【０２５８】本発明の高周波同軸コネクタ３０は、上記
した本発明の第９の実施の形態における高周波同軸コネ
クタ２８において、ピン形状のコネクタアース２８ｄに
変えてねじ山付きのコネクタアース３０ｄを備えた構成
であり、他の構成は高周波同軸コネクタ２８と同じ構成
であるために、同じ符号を付して説明を省略する。

【０２５９】コネクタアース３０ｄは第１のアースピン
挿入孔２９ｉに挿入され、このコネクタアース３０ｄに
ナット部材２１が螺合されて、このナット部材２１の締
付けにより高周波同軸コネクタ３０は高周波基板２９に
固定されて電気的導通が得られている。そして、ナット
部材２１はコネクタアース３０ｄのねじ山と共に、取付
手段を構成している。

【０２６０】なお、ねじ山付きのコネクタアース３０ｄ
の数は所望の性能が得られる範囲で増減してもよい。な
お、ナット部材２１は電気抵抗の小さい金属で構成する
ことにより、第３のアースパターン２９ｅに接触するた
めに接触抵抗を小さくすることができるので、アースの
接地強度を強化することができる。

【０２６１】上記したように、本発明の第１０の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線２８ａとコネクタアース２８ｃのアースパターン接
触面２８ｃ−１とは同一平面ａ内に位置するようにして
あるために、コネクタ信号線２８ａが、コネクタアース
２８ｃに干渉されずに基板信号線接触ポイント２９ｇに
おいて基板信号線２９ａに半田付けなどによる接続が可
能な位置に配置されるし、また、高周波基板２９に高周
波同軸コネクタ２８を実装する際に、コネクタアース２
８ｃを確実に第１、第２のアースパターン２９ｃ、２９
ｄに接触させることができて、高周波基板の厚さ等の違
いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続位置が異
なることが原因で生じていたインピーダンス不整合の発
生を少なくすることができて、高周波特性の劣化を防止
することができる。

【０２６２】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線２８ａと基板信号線２９
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、コネクタアース３０ｄとアースパターン２
９ｅの接続をナット部材２１により締め付けるだけで実
現することができて、高周波同軸コネクタ３０を高周波
基板２９に容易に実装することができる。

【０２６３】（第１１の実施の形態）本発明の第１１の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図１８の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）、図１９の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び図２０の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０２６４】図１８の（ａ）は本発明の第１１の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に配置し
た状態の平面図、図１８の（ｂ）は図１８の（ａ）のＭ
−１方向からの矢視図、図１８の（ｃ）は図１８の
（ａ）のＮ−１方向からの矢視図である。また、図１９
の（ａ）は本発明の第１１の実施の形態における高周波
同軸コネクタを高周波基板に固定するアタッチメントの
平面図、図１９の（ｂ）は図１９の（ａ）のＯ−１方向
からの矢視図、図１９の（ｃ）は図１９の（ａ）のＰ−
１方向からの矢視図である。

【０２６５】また、図２０の（ａ）は本発明の第１１の
実施の形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に
実装した状態の平面図、図２１の（ｂ）は図２１の
（ａ）のＱ−１方向からの矢視図、図２１の（ｃ）は図
２１の（ａ）のＲ−１方向からの矢視図である。

【０２６６】本発明の第１１の実施の形態における高周
波同軸コネクタ３１は、円筒状のコネクタ誘電体３１ｂ
を有しており、このコネクタ誘電体３１ｂの中心にはコ
ネクタ信号線３１ａが配置してあり、また、コネクタ誘
電体３１ｂの周部にはコネクタ同軸部アース３１ｚが設
けてある。このコネクタ同軸部アース３１ｚは、後述す
る高周波基板３２のアースパターンに接地するための第
１のコネクタアース３１ｃ及び第２のコネクタアース３
１ｄを備えている。

【０２６７】そして、コネクタ信号線３１ａを高周波基
板３２の基板信号線３２ａに接触させた際に、第１、第
２のコネクタアース３１ｃ、３１ｄが高周波基板３２の
第１、第２のアースパターン３１ｃ、３２ｄに接触する
ように、コネクタ信号線３１ａと第１、第２のコネクタ
アース３１ｃ、３１ｄとが配置してある。すなわち、図
１８の（ｃ）に示すようにコネクタ信号線３１ａと第１
のコネクタアース３１ｃのアースパターン接触面３１ｃ
−１と第２のコネクタアース３１ｄのアースパターン接
触面３１ｄ−１とは同一平面ａ内に位置するようにして
ある。

【０２６８】そして、コネクタ信号線３１ａとコネクタ
誘電体３１ｂとコネクタ同軸部アース３１ｚとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０２６９】また、高周波基板３２は、高周波信号を伝
送する基板信号線３２ａ、第１のアースパターン３２
ｃ、第２のアースパターン３２ｄ及び第３のアースパタ
ーン３２ｅとを有している。そして、基板信号線３２
ａ、第１のアースパターン３２ｃ及び第２のアースパタ
ーン３２ｄは高周波基板３２の同一面に形成してある。

【０２７０】図１９の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよ
うに、アタッチメント３３は、先端に係止爪部３３ａ−
１を有する第１のコネクタ押さえ部３３ａと、先端に係
止爪部３３ｂ−１を有する第２のコネクタ押さえ部３３
ｂと、第１のコネクタ押さえ部３３ａに対向する第３の
コネクタ押さえ部３３ｃと、第２のコネクタ押さえ部３
３ｂに対向する第４のコネクタ押さえ部３３ｄとを備え
ている。

【０２７１】そして、アタッチメント３３は、例えば、
電気抵抗の小さい金属や樹脂で形成されたものであり、
電気抵抗の小さい金属で形成することにより接触抵抗を
小さくすることができる。また、樹脂により形成するこ
とにより軽量化や弾力性に富む構造になって装着を容易
にすることができる。

【０２７２】以上の構成において、高周波同軸コネクタ
３１を高周波基板３２にアタッチメント３３を用いて取
り付ける取付方法を述べる。

【０２７３】高周波同軸コネクタ３１は高周波基板３２
の所定の位置に配置される。この場合、第１のコネクタ
アース３１ｃは、第１のアースパターン３２ｃに接触
し、また、同様に、第２のコネクタアース３１ｄは第２
のアースパターン３２ｄに接触して、コネクタ信号線３
１ａは、基板信号線接触ポイント３２ｇにおいて基板信
号線３２ａに半田付けなどで接続される。

【０２７４】このために、高周波同軸コネクタ３１に備
えられた第１のコネクタアース３１ｃ及び第２のコネク
タアース３１ｄは、高周波基板３２に備えられた第１の
アースパターン３２ｃ及び第２のアースパターン３２ｄ
に接触することにより電気導通が得られる。そして、高
周波同軸コネクタ３１のアース電位と高周波基板３２の
アース電位とは同電位になる。

【０２７５】そして、図２０の（ａ）に示すようにＸ方
向から高周波同軸コネクタ３１にアタッチメント３３を
挿入して、第１のコネクタアース３１ｃの係止爪部３３
ａ−１を第１のコネクタアース３１ｃの端縁部に引っ掛
け、また、第２のコネクタアース３１ｄの係止爪部３３
ｄ−１を第２のコネクタアース３１ｄの端縁部に引っ掛
けることにより、第１のコネクタアース３１ｃに第１の
コネクタ押さえ部３３ａを沿わせ、また、第２のコネク
タアース３１ｄに第２のコネクタ押さえ部３３ｂを沿わ
せて、第３のコネクタ押さえ部３３ｃ及び第４のコネク
タ押さえ部３３ｄを第３のアースパターン３２ｅに沿わ
せて、高周波同軸コネクタ３１を高周波基板３２に取り
付け、第１のコネクタアース３１ｃを第１のアースパタ
ーン３２ｃに、第２のコネクタアース３１ｄを第２のア
ースパターン３２ｄにそれぞれ半田付けなどで接続する
ことにより高周波同軸コネクタ３１が高周波基板３２に
接続されている。

【０２７６】この場合、第３のコネクタ押さえ部３３ｃ
及び第４のコネクタ押さえ部３３ｄを第３のアースパタ
ーン３２ｅに接触することにより、高周波同軸コネクタ
３１は高周波基板３２に電気的導通を確保している。

【０２７７】上記したように、本発明の第１１の実施の
形態における高周波同軸コネクによれば、コネクタ信号
線３１ａと、第１のコネクタアース３１ｃのアースパタ
ーン接触面３１ｃ−１と、第２のコネクタアース３１ｄ
のアースパターン接触面３１ｄ−１とは同一平面ａ内に
位置するようにしてあるために、コネクタ信号線３１ａ
が、基板信号線接触ポイント３２ｇにおいて基板信号線
３２ａに半田付けなどによる接続が可能な位置に配置さ
れるし、また、高周波基板３２に高周波同軸コネクタ３
１を実装する際に、第１、第２のコネクタアース３１
ｃ、３１ｄが確実に第１、第２のアースパターン３２
ｃ、３２ｄに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。

【０２７８】また、コネクタ信号線３１ａの基板信号線
接触ポイント３２ｇへの接触部分の長さｄ１を短くする
ことができ、基板信号線３２ａに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０２７９】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線３１ａと基板信号線３２
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、アタッチメント３３を用いることにより、
高周波同軸コネクタ３１を高周波基板３２に接続する際
に、工具を使用せずに容易に所定の位置に接続すること
ができる。

【０２８０】（第１２の実施の形態）本発明の第１２の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造を図２１の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）乃至図２５の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０２８１】図２１の（ａ）は本発明の第１２の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図２１の
（ｂ）は図２１の（ａ）のＳ−１方向からの矢視図、図
２１の（ｃ）は図２１の（ａ）のＴ−１方向からの矢視
図である。

【０２８２】図２２の（ａ）は本発明の第１２の実施の
形態における高周波同軸コネクタを実装する高周波基板
の平面図、図２２の（ｂ）は図２２の（ａ）のＵ−１方
向からの矢視図、図２２の（ｃ）は図２２の（ａ）のＶ
−１方向からの矢視図である。

【０２８３】図２３の（ａ）は本発明の第１２の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に固定す
るアタッチメントの平面図、図２３の（ｂ）は図２３の
（ａ）のＡ−２方向からの矢視図、図２３の（ｃ）は図
２３の（ａ）のＢ−２方向からの矢視図である。

【０２８４】図２４の（ａ）は本発明の第１２の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板に配置し
た状態の平面図、図２４の（ｂ）は図２４の（ａ）のＣ
−２方向からの矢視図、図２４の（ｃ）は図２４の
（ａ）のＤ−２方向からの矢視図である。

【０２８５】図２５の（ａ）は本発明の第１２の実施の
形態における高周波同軸コネクタを実装型アタッチメン
トに挿入し、高周波基板に接触させた状態の平面図、図
２５の（ｂ）は図２５の（ａ）のＥ−２方向からの矢視
図、図２５の（ｃ）は図２５の（ａ）のＦ−２方向から
の矢視図である。

【０２８６】高周波同軸コネクタ３４は円筒状のコネク
タ誘電体３４ｂを有しており、このコネクタ誘電体３４
ｂの中心にはコネクタ信号線３４ａが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体３４ｂの周部にはコネクタ同軸部ア
ース３４ｚが設けてある。このコネクタ同軸部アース３
４ｚは、後述する高周波基板３５のアースパターンと接
地するための第１のコネクタアース３４ｃ及び第２のコ
ネクタアース３４ｄを備えている。

【０２８７】そして、高周波同軸コネクタ３４に備えら
れた第１のコネクタアース３４ｃ及び第２のコネクタア
ース３４ｄは、後述する第１の実装型アタッチメント３
６ａ及び第２の実装型アタッチメント３６ｂに挿入する
ことができるようにＬ字形状にしてある。

【０２８８】そして、コネクタ信号線３４ａとコネクタ
誘電体３４ｂとコネクタ同軸部アース３４ｚとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０２８９】コネクタ信号線３４ａ、第１のコネクタア
ース３４ｃ、第２のコネクタアース３４ｄ及びコネクタ
同軸部アース３４ｚはそれぞれ電気抵抗の小さい金属で
構成されており、また、コネクタ誘電体３４ｂはテフロ
ン（Ｒ）などの誘電体で構成されている。

【０２９０】そして、コネクタ信号線３４ａを高周波基
板３５の基板信号線３５ａに接触させた際に、第１、第
２のコネクタアース３４ｃ、３４ｄが高周波基板３５の
第１、第２のアースパターン３５ｃ、３５ｄに接触する
ように、コネクタ信号線３４ａと第１、第２のコネクタ
アース３４ｃ、３４ｄとが配置してある。すなわち、図
２１の（ｃ）に示すようにコネクタ信号線３４ａと、第
１のコネクタアース３４ｃのアースパターン接触面３４
ｃ−１と、第２のコネクタアース３４ｄのアースパター
ン接触面３４ｄ−１とが同一平面ａ内に位置するように
してある。

【０２９１】また、高周波基板３５には、図２２の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、高周波同軸コネ
クタ３４に備えられた第１のコネクタアース３４ｃを嵌
め込むことができる形状の第１の実装型アタッチメント
３６ａと、第２のコネクタアース３４ｄを嵌め込むこと
ができる形状の第２の実装型アタッチメント３６ｂが実
装してある。

【０２９２】第１の実装型アタッチメント３６ａは第１
のアースパターン３５ｃに実装されており、また、第２
の実装型アタッチメント３６ｂは第２のアースパターン
３５ｄに実装されていて、樹脂などで形成されている。

【０２９３】第１の実装型アタッチメント３６ａと第２
の実装型アタッチメント３６ｂとは、高周波同軸コネク
タ３４を装着した際に、コネクタ信号線３４ａが、信号
線接触ポイント３５ｌにおいて、基板信号線３５ａに精
度良く接触する位置にある。

【０２９４】固定用アタッチメント３３Ａは、上記した
第１０の実施の形態におけるアタッチメント３３を所望
の大きさに変形したものであり、第１〜第４のコネクタ
押さえ部３３ａ〜３３ｄを備えている。そして、固定用
アタッチメント３３Ａは、例えば、電気抵抗の小さい金
属や樹脂で形成されたものであり、電気抵抗の小さい金
属で形成することにより接触抵抗を小さくすることがで
きる。また、樹脂により形成することにより軽量化や弾
力性に富む構造になって装着を容易にすることができ
る。

【０２９５】そして、図２４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示すように、高周波同軸コネクタ３４に備えられた第
１のコネクタアース３４ｃは、高周波基板３５の第１の
実装型アタッチメント３６ａに挿入され、また、第２の
コネクタアース３４ｄは、高周波基板３５の第２の実装
型アタッチメント３６ｂに挿入されている。

【０２９６】そして、図２５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示すように、固定用アタッチメント３３Ａを高周波同
軸コネクタ３４にＸ方向から装着する。そして、第１の
コネクタ押さえ部３３ａの係止爪部３３ａ−１を第１の
コネクタアース３４ｃの端縁部に引っ掛けると共に、第
２のコネクタ押さえ部３３ｂの係止爪部３３ｂ−１を第
２のコネクタアース３４ｄの端縁部に引っ掛けて、第１
のコネクタ押さえ部３３ａと第３のコネクタ押さえ部３
５ｃとで第１のコネクタアース３４ｃを保持し、第２の
コネクタ押さえ部３５ｂと第４のコネクタ押さえ部３５
ｄとで第２のコネクタアース３４ｄを保持する。

【０２９７】この場合、第３のコネクタ押さえ部３５ｃ
及び第４のコネクタ押さえ部３５ｄが第３のアースパタ
ーン３５ｅに接触されており、高周波同軸コネクタ３４
は高周波基板３５に電気的導通を確保しつつ接続され
る。

【０２９８】なお、第１の実装型アタッチメント３６ａ
及び第２の実装型アタッチメント３６ｂはリフローなど
で精度良く実装することにより高周波同軸コネクタ３４
の装着工程を高効率化することができる。なお、実装型
アタッチメントの数は所望の性能が得られる範囲で増減
または形状を変更してもよい。

【０２９９】上記したように、本発明の第１２の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線３４ａ、第１のコネクタアース３４ｃのアースパタ
ーン接触面３４ｃ−１及び第２のコネクタアース３４ｄ
のアースパターン接触面３４ｄ−１のそれぞれが同一平
面ａ内に位置する関係にあるために、コネクタ信号線３
４ａが、基板信号線接触ポイント３５ｌにおいて基板信
号線３５ａに半田付けなどによる接続が可能な位置に配
置されるし、また、高周波基板３５に高周波同軸コネク
タ３４を実装した際に、第１、第２のコネクタアース３
４ｃ、３４ｄを確実に第１、第２のアースパターン３５
ｃ、３５ｄに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。

【０３００】また、コネクタ信号線３４ａの基板信号線
接触ポイント３５ｌに接触する部分の長さｄ１を短くす
ることができ、基板信号線３５ａに接続する際のインピ
ーダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０３０１】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線３４ａと基板信号線３５
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ３４に備えられた第１
のコネクタアース３４ｃが、高周波基板３５の第１の実
装型アタッチメント３６ａに挿入され、また、第２のコ
ネクタアース３４ｄが、高周波基板３５の第２の実装型
アタッチメント３６ｂに挿入され、この状態で、固定用
アタッチメント３３Ａを用いて高周波同軸コネクタ３４
を高周波基板３５に接続するようにしたので、高周波同
軸コネクタ３４を高周波基板３５に対して容易に正確な
位置に装着できるようになる。

【０３０２】（第１３の実施の形態）本発明の第１３の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造とを図２６の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明
する。

【０３０３】図２６の（ａ）は本発明の第１３の実施の
形態における高周波同軸コネクタを高周波基板にシール
ドケースと共に固定して装着した状態の平面図、図２６
の（ｂ）は図２６の（ａ）のＧ−２方向からの矢視図、
図２６の（ｃ）は図２６の（ａ）のＨ−２方向からの矢
視図である。

【０３０４】本発明の第１３の実施の形態における高周
波同軸コネクタは、上記した本発明の第５の実施の形態
における高周波同軸コネクタ２３と同構成であり、この
高周波同軸コネクタ２３は、コネクタ信号線２３ａと、
コネクタ誘電体２３ｂと、コネクタ同軸部アース２３ｚ
とにより高周波同軸線路を構成している。

【０３０５】そして、コネクタ信号線２３ａを後述する
高周波基板３８の基板信号線３８ａに接触させた際に、
第１、第２のコネクタアース２３ｃ、２３ｄが高周波基
板３８の第１、第２のアースパターン３８ｃ、３８ｄに
接触するように、コネクタ信号線２３ａと第１、第２の
コネクタアース２３ｃ、２３ｄとが配置してある。すな
わち、図２６の（ｃ）に示すようにコネクタ信号線２３
ａと、第１のコネクタアース２３ｃのアースパターン接
触面２３ｃ−１と、第２のコネクタアース２３ｄのアー
スパターン接触面２３ｄ−１とが同一平面ａ内に位置す
るようにしてある。

【０３０６】そして、第１のコネクタアース２３ｃには
第１のコネクタ側孔部２３ｈが、第２のコネクタアース
２３ｄには第２のコネクタ側孔部２３ｉがそれぞれ設け
てある。

【０３０７】高周波基板３８の表面には、基板信号線３
８ａと第１のアースパターン３８ｃと第２のアースパタ
ーン３８ｄとが設けてあり、その裏面は第３のアースパ
ターン３８ｅが設けてあって、マイクロストリップライ
ンを形成している。第１のアースパターン３８ｃ及び第
２のアースパターン３８ｄは、基板信号線３８ａと同一
の面に形成されたアースパターンである。

【０３０８】高周波基板３８は、第１の基板側孔部３８
ｈ、第２の基板側孔部３８ｉ、第３の基板側孔部３８ｊ
及び第４の基板側孔部３８ｋとを備えている。また、第
１のアースパターン３８ｃ及び第２のアースパターン３
８ｄは図示していないが、スルーホールなどによって、
第３のアースパターン３８ｅに接続されていて、それぞ
れ同電位となっている。

【０３０９】また、高周波信号をシールドするシールド
ケース３７は、金属や金属が蒸着された樹脂により形成
されたものであり、高周波基板３８に実装された電子部
品などを覆う形状にしてある。そして、シールドケース
３７は、第１のシールドケース側ねじ孔部３７ａ、第２
のシールドケース側ねじ孔部３７ｂ、第３のシールドケ
ース側ねじ孔部３７ｃ及び第４のシールドケース側ねじ
孔部３７ｄを備えている。

【０３１０】また、シールドケース３７には、高周波同
軸コネクタ２３に備えられた第１のコネクタアース２３
ｃ及び第２のコネクタアース２３ｄを挿入する切欠部３
７ｅ、３７ｆが設けてある。そして、切欠部３７ｅ、３
７ｆに第１、第２のコネクタアース２３ｃ、２３ｄを挿
入することで、コネクタ信号線２３ａが基板信号線接触
ポイント３８ｌに正確に接触するようになる。

【０３１１】そして、高周波同軸コネクタ２３は、その
第１のコネクタアース２３ｃを第１のアースパターン３
８ｃに、第２のコネクタアース２３ｄを第２のアースパ
ターン３８ｄにそれぞれ接触させた状態で、高周波基板
３８に配置されており、この高周波基板３８にシールド
ケース３７が搭載されていて、切欠部３７ｅ、３７ｆに
第１、第２のコネクタアース２３ｃ、２３ｃが挿入され
る。

【０３１２】この状態で、第１の基板側孔部３８ｈ、第
１のコネクタ側孔部２３ｈに第１のねじ部材２０ａを挿
入後に、この第１のねじ部材２０ａを第１のシールドケ
ース側ねじ孔部３７ａに螺合し、また、第２の基板側孔
部３８ｉ、第２のコネクタ側孔部２３ｉに第２のねじ部
材２０ｂを挿入後に、この第２のねじ部材２０ｂを第２
のシールドケース側ねじ孔部３７ｂに螺合し、また、第
３の基板側孔部３８ｊに第３のねじ部材２０ｃを挿入後
に、この第３のねじ部材２０ｃを第３のシールドケース
側ねじ孔部３７ｃに螺合し、また、第４の基板側孔部３
８ｋに第４のねじ部材２０ｄを挿入後に、この第４のね
じ部材２０ｄを第４のシールドケース側ねじ孔部３７ｄ
に螺合することで、高周波基板３８に、高周波同軸コネ
クタ１９及びシールドケース３７が高周波基板３８の所
定の位置に装着してある。この場合、シールドケース３
７は、第１のアースパターン３８ｃ及び第２のアースパ
ターン３８ｄに接触する。

【０３１３】このように、第１のねじ部材２０ａ、第２
のねじ部材２０ｂ、第３のねじ部材２０ｃ及び第４のね
じ部材２０ｄを、第１のシールドケース側ねじ孔部３７
ａ、第２のシールドケース側ねじ孔部３７ｂ、第３のシ
ールドケース側ねじ孔部３７ｃ及び第４のシールドケー
ス側ねじ孔部３７に螺合させてシールドケース３７を高
周波基板３８に装着するために、シールドケース３７
は、第１のアースパターン３８ｃ及び第２のアースパタ
ーン３８ｄに接触することになり、電気的に導通して同
電位になる。このために、高周波基板３８に実装された
電子部品や信号線に外部から飛び込む信号を遮断あるい
は内部から放射される信号を遮断することができる。

【０３１４】なお、高周波同軸コネクタ２３はねじ止め
を行う前に両面テープなどで高周波基板３８に仮止めす
ることにより装着工程を容易にすることができる。

【０３１５】上記したように、本発明の第１３の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線２３ａと、第１のコネクタアース２３ｃのアースパ
ターン接触面２３ｃ−１と、第２のコネクタアース２３
ｄのアースパターン接触面２３ｄ−１とのそれぞれが同
一平面ａ内に位置するようにしてあるために、コネクタ
信号線２３ａが、基板信号線接触ポイント３８ｌにおい
て基板信号線３８ａに半田付けなどによる接続が可能な
位置に配置されるし、また、高周波基板３８に高周波同
軸コネクタ２３を実装する際に、第１、第２のコネクタ
アース２３ｃ、２３ｄを確実に第１、第２のアースパタ
ーン３８ｃ、３８ｄに接触させることができて、高周波
基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。

【０３１６】また、第１、第２のコネクタアース２３
ｃ、２３ｄを第１、第２のアースパターン３８ｃ、３８
ｄにねじ部材２０ａ、２０ｂで取り付けることにより、
高周波同軸コネクタ２３を高周波基板３８に対し水平方
向に精度良く実装することができるために、インピーダ
ンスの変動が少なくなり、取付の信頼性を向上すること
ができる。

【０３１７】また、コネクタ信号線２３ａの基板信号線
接触ポイント３８ｌへの接触部分の長さｄ１を短くする
ことができ、基板信号線３８ａに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０３１８】また、上記した高周波同軸コネクタの取付
構造によれば、コネクタ信号線１９ａと基板信号線３８
ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることができ
るばかりか、高周波同軸コネクタ２３を高周波基板３８
に接続する時に、この高周波同軸コネクタ２３を容易に
正確な位置に接続できる。また、シールドケース３７を
止めるねじ部材と、高周波同軸コネクタ２３を止めるね
じ部材とをねじ部材２０ａ、２０ｂで共用することで、
ねじ止め個所の数を削減することにより部品点数の削減
と作業工数を削減することができる。

【０３１９】（第１４の実施の形態）本発明の第１４の
実施の形態における高周波同軸コネクタを図２７の
（ａ）、（ｂ）、図２８の（ａ）、（ｂ）及び図２９の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０３２０】図２７の（ａ）は本発明の第１４の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図２７の
（ｂ）は図２７の（ａ）のＩ−２方向からの矢視図であ
る。また、図２８の（ａ）は本発明の第１４の実施の形
態における高周波同軸コネクタに接続されるねじ式のア
ースアダプタの平面図、図２８の（ｂ）は図２８の
（ａ）のＪ−２方向からの矢視図である。

【０３２１】図２９の（ａ）は本発明の第１４の実施の
形態における高周波同軸コネクタにアースアダプタを装
着した状態の平面図、図２９の（ｂ）は図２９の（ａ）
のＫ−２方向からの矢視図、図２９の（ｃ）は図２９の
（ａ）のＬ−２方向からの矢視図である。

【０３２２】高周波同軸コネクタ３９は、円筒状のコネ
クタ誘電体３９ｂを有しており、このコネクタ誘電体３
９ｂの中心にはコネクタ信号線３９ａが配置してあり、
また、コネクタ誘電体３９ｂの周部にはコネクタ同軸部
アース３９ｚが設けてある。このコネクタ同軸部アース
３９ｚはコネクタアース３９ｃを有している。このコネ
クタアース３９ｃはアースアダプタ４０を装着するため
にねじ部３９ｄを有している。

【０３２３】そして、コネクタ信号線３９ａとコネクタ
誘電体３９ｂとコネクタ同軸部アース３９ｚとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０３２４】図２８の（ａ）、（ｂ）に示すようにアー
スアダプタ４０はアダプタ本体４０Ａを有しており、こ
のアダプタ本体４０Ａの中央部にはねじ孔部４０ｃが形
成してあり、アダプタ本体４０Ａの一端部には第１のア
ダプタアース部４０ａが、他端部には第２のアダプタア
ース部４０ｂがそれぞれ１８０度位相をずらせて設けて
ある。

【０３２５】そして、図２９の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示すように高周波同軸コネクタ３９のコネクタアース
３９ｃのねじ部３９ｄにねじ孔部４０ｃを螺合させて、
高周波同軸コネクタ３９にアースアダプタ４０を装着す
ると、コネクタ信号線３９ａと、第１のアダプタアース
部４０ａのアースパターン接触面４０ａ−１と、第２の
アダプタアース部４０ｂのアースパターン接触面４０ｂ
−１とは同一平面ａ内に位置するように配置される。こ
の場合、コネクタアース３９ｃのねじ部３９ｄとアース
アダプタ４０のねじ孔部４０ｃとで結合手段を構成して
いる。

【０３２６】上記したように、本発明の第１４の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線３９ａと、第１のアダプタアース部４０ａのアース
パターン接触面４０ａ−１と、第２のアダプタアース部
４０ｂのアースパターン接触面４０ｂ−１とは同一平面
ａ内に位置するように配置されるために、コネクタ信号
線３９ａが、基板信号線接触ポイントにおいて基板信号
線に半田付けなどによる接続が可能な位置に配置される
し、また、高周波基板に高周波同軸コネクタを実装する
際に、第１、第２のコネクタアース４０ｃ、４０ｄが確
実にアースパターンに接触させることができて、高周波
基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線
との接続位置が異なることが原因で生じていたインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができて、高周波
特性の劣化を防止することができる。

【０３２７】しかも、高周波同軸コネクタのアース部を
コネクタアース部３９ｃと、このコネクタアース部３９
ｃとは別部品のアースアダプタ４０とで構成することに
より、コネクタアースの熱容量を小さくすることができ
て、アースパターンの半田付け作業が容易となる。

【０３２８】また、コネクタ信号線１９ａの基板信号線
接触ポイントへの接触部分の長さｄ１を短くすることが
でき、基板信号線に接続する際のインピーダンス不整合
の発生を少なくすることができる。

【０３２９】（第１５の実施の形態）本発明の第１５の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、その取付構
造を図３０の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明す
る。

【０３３０】図３０の（ａ）は本発明の第１５の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図３０の（ｂ）は図３０の（ａ）のＭ−２方向からの矢
視図、図３０の（ｃ）は図３０の（ａ）のＮ−２方向か
らの矢視図である。

【０３３１】本発明の第１５の実施の形態における高周
波同軸コネクタは本発明の第１４の実施の形態における
高周波同軸コネクタ３９と同構成であるために、同じ符
号を付して説明を省略する。

【０３３２】アースアダプタ４１はアダプタ本体４１Ａ
を有しており、このアダプタ本体４１Ａの中央部にはア
ダプタ接合部としてのねじ孔部４１ｃが形成してあり、
アダプタ本体４１Ａの面部には第１の傾斜付きアダプタ
アース部４１ａと第２の傾斜付きアダプタアース部４１
ｂとがアダプタ本体４１Ａの面部に対して角度θの傾斜
で取り付けてある。

【０３３３】高周波基板４２はガラスエポキシ樹脂やテ
フロン（Ｒ）などの誘電体を基盤とするプリント基板で
あり、この高周波基板４２に設けられた基板信号線４２
ａは、高周波基板４２の裏面に設けられた第３のアース
パターン４２ｅによりマイクロストリップラインを形成
している。

【０３３４】また、高周波基板４２は第１、第２のアー
スパターン４２ｃ及び第３のアースパターン４２ｅを有
しており、これらの第１、第２のアースパターン４２
ｃ、４２ｄは、図中には記していないが、スルーホール
などにより第３のアースパターン４２ｅに接続されてい
て、それぞれ同電位にされている。

【０３３５】そして、高周波同軸コネクタ３９のコネク
タアース３９ｃのねじ部３９ｄにねじ孔部４１ｃを螺合
させて、高周波同軸コネクタ３９にアースアダプタ４１
が装着してある。この場合、図３０の（ｃ）に示すよう
にコネクタ信号線３９ａと、第１の傾斜付きアダプタア
ース部４１ａのアースパターン接触面４１ａ−１と、第
２の傾斜付きアダプタアース部４１ｂのアースパターン
接触面４１ｂ−１とは同一平面ａ内に位置するように配
置される。そして、コネクタ信号線３９ａが、高周波基
板４２に設けられた基板信号線４２ａに対して角度θの
傾斜で高周波基板４２の基板信号線接触ポイント４２ｌ
で接触する。

【０３３６】そして、アースアダプタ４１を装着した高
周波同軸コネクタ３９は高周波基板４２に搭載される。
この場合、アースアダプタ４１の第１の傾斜付きアダプ
タアース部４１ａ及び第２の傾斜付きアダプタアース部
４１ｂが第１のアースパターン４２ｃ及び第２のアース
パターン４２ｄに半田付けなどにより接続されるし、ま
た、コネクタアース３９ｃと、第１のアースパターン４
２ｃ及び第２のアースパターン４２ｄとは同電位にな
る。

【０３３７】以上の構成により、コネクタ信号線３９ａ
は、基板信号線４２ａに角度θの傾斜で接触することに
より確実にコネクタ信号線３９ａと基板信号線４２ａと
は接触する。

【０３３８】上記したように、本発明の第１５の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線３９ａと、第１の傾斜付きアダプタアース部４１ａ
のアースパターン接触面４１ａ−１と、第２の傾斜付き
アダプタアース部４１ｂのアースパターン接触面４１ｂ
−１とは同一平面ａ内に位置するように配置されるため
に、コネクタ信号線３９ａが、基板信号線接触ポイント
４２ｌおいて基板信号線４２ａに半田付けなどによる接
続が可能な位置に配置されるし、また、高周波基板４２
に高周波同軸コネクタ３９を実装する際に、第１、第２
のコネクタアース３９ｃ、３９ｄを確実に第１、第２の
アースパターン４２ｃ、４２ｄに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。

【０３３９】また、コネクタ信号線３９ａの基板信号線
接触ポイント４２ｇへの接触部分の長さｄ１を短くする
ことができ、基板信号線４２ａに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０３４０】また、高周波同軸コネクタの実装構造によ
れば、コネクタ信号線３９ａと基板信号線４２ａとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、コネクタ信号線３９ａと基板信号線４２ａの接触強
度を強化することができて接触不良を少なくすることが
できる。

【０３４１】（第１６の実施の形態）本発明の本発明の
第１６の実施の形態における高周波同軸コネクタと、こ
の高周波同軸コネクタの取付構造とを図３１の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０３４２】図３１の（ａ）は本発明の第１６の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の正面図、
図３１の（ｂ）は図３１の（ａ）のＯ−２方向からの矢
視図、図３１の（ｃ）は図３１の（ａ）のＰ−２方向か
らの矢視図である。

【０３４３】高周波同軸コネクタ４３は、上記した第１
４の実施の形態における高周波同軸コネクタ３９のライ
トアングルタイプである。すなわち、高周波同軸コネク
タ４３は、ライトアングル状のコネクタ誘電体４３ｂを
有しており、このコネクタ誘電体４３ｂの中心にはコネ
クタ信号線４３ａが配置してあり、また、コネクタ誘電
体４３ｂの周部にはコネクタ同軸部アース４３ｚが設け
てある。このコネクタ同軸部アース４３ｚはアースアダ
プタ４４にアース接地するためのコネクタアース４３ｃ
を有している。このコネクタアース４３ｃはアースアダ
プタ４４を装着するためにねじ部４３ｄを有している。

【０３４４】そして、コネクタ信号線４３ａとコネクタ
誘電体４３ｂとコネクタ同軸部アース４３ｚとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０３４５】アースアダプタ４４は、高周波同軸コネク
タ４３に装着時にアースとなる第１、第２のアダプタア
ース部４４ａ、４４ｂと、コネクタアース４３ｃに形成
されたねじ部４３ｄに螺合するアダプタ接合部となるね
じ孔部４４ｃとを備えている。

【０３４６】高周波基板４２は、その表面に基板信号線
４２ａと第１のアースパターン４２ｃと第２のアースパ
ターン４２ｄとが設けてあり、その裏面は第３のアース
パターン４２ｅが設けてあって、基板信号線４２ａは第
３のアースパターン４２ｅによりマイクロストリップラ
インを形成している。

【０３４７】そして、高周波同軸コネクタ４３のコネク
タアース４３ｃのねじ部４３ｄをねじ孔部４４ｃに螺合
させることで高周波同軸コネクタ４３にアースアダプタ
４４が装着してある。

【０３４８】この場合、コネクタ信号線４３ａを基板信
号線４２ａに接触させた際に、第１、第２のアダプタア
ース部４４ａ、４４ｂが第１、と第２のアースパターン
４２ｃ、４２ｄに接触するように、コネクタ信号線４３
ａと第１、第２のアダプタアース部４４ａ、４４ｂとが
配置してある。すなわち、図３１の（ｃ）に示すように
コネクタ信号線４３ａと、アースアダプタ４４の第１の
アダプタアース部４４ａのアースパターン接触面４４ａ
−１と第２のアダプタアース部４４ｂのアースパターン
接触面４４ｂ−１とは同一平面ａ内に位置する。

【０３４９】そして、アースアダプタ４４の第１のアダ
プタアース部４４ａを高周波基板４２の第１のアースパ
ターン４２ｃに、また、第２のアダプタアース部４４ｂ
を第２のアースパターン４２ｄにそれぞれ半田付けなど
で導通を確保して高周波同軸コネクタ４３が高周波基板
４２に取り付けてある。この場合、コネクタアース４３
ｃのねじ部４３ｄとアースアダプタ４４のねじ孔部４４
ｃとで、回転取付手段及び固定手段を構成している。

【０３５０】このように、高周波同軸コネクタ４３は、
アダプタ接合部であるねじ孔部４４ｃにコネクタアース
４３ｃを挿入して結合することにより、コネクタアース
４３ｃの電位はアースアダプタ４４を介して第３のアー
スパターン４２ｅと同電位になっている。

【０３５１】コネクタ信号線４３ａの基板信号線接触ポ
イント４２ｌへの接触部分の長さｄｌは、高周波同軸コ
ネクタ４３とアースアダプタ４４のアダプタ接合部がね
じ孔部４４であるために、高周波同軸コネクタ４３をφ
方向に回転させると、Ｙ方向に高周波同軸コネクタ４３
の位置がずれることを考慮して、高周波同軸コネクタ４
３の向きをφ方向に回転時に所望の高周波特性を満足す
る範囲の長さにしてある。

【０３５２】上記したように、本発明の第１６の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線４３ａと、アースアダプタ４４の第１のアダプタア
ース部４４ａのアースパターン接触面４４ａ−１と第２
のアダプタアース部４４ｂのアースパターン接触面４４
ｂ−１とが同一平面ａ内に位置するために、コネクタ信
号線４３ａが、基板信号線接触ポイント４２ｌにおいて
基板信号線４２ａに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置されるし、また、高周波基板４２に高周波同軸
コネクタ４３を実装する際に、アースアダプタ４４の第
１、第２のアダプタアース部４４ａ、４４ｂを確実にア
ースパターン４２ｃ、４２ｄに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と
基板信号線との接続位置が異なることが原因で生じてい
たインピーダンス不整合の発生を少なくすることができ
て、高周波特性の劣化を防止することができる。

【０３５３】また、高周波同軸コネクタの取付構造によ
れば、コネクタ信号線４３ａと基板信号線４２ａとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、ライトアングルタイプの高周波同軸コネクタ４３の
向きを任意に変化することができ、それに接続される高
周波同軸ケーブル（図示せず）にストレスを加えること
なく、引き回しを容易にすることができる。また、コネ
クタ信号線４３ａと基板信号線４２ａの接続時に生じる
特性劣化を少なくすることができる。

【０３５４】（第１７の実施の形態）本発明の第１７の
実施の形態における高周波同軸コネクタと、この高周波
同軸コネクタの取付構造とを図３２の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）を参照して説明する。

【０３５５】図３２の（ａ）は本発明の第１７の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の正面図、
図３２の（ｂ）は図３２の（ａ）のＱ−２方向からの矢
視図、図３２の（ｃ）は図３２の（ａ）のＲ−２方向か
らの矢視図である。

【０３５６】高周波同軸コネクタは、上記した本発明の
第１６の実施の形態における高周波同軸コネクタ４３と
同構成であるために、同じ符号を付して説明を省略す
る。

【０３５７】また、コネクタアダプタ５０は、高周波同
軸コネクタ４３に装着時にアースとなる第１のアダプタ
アース部５０ａと第２のアダプタアース部５０ｂと貫通
穴５０ｃとを備えている。

【０３５８】そして、高周波同軸コネクタ４３のコネク
タアース４３ｃを貫通穴５０ａに貫通させて、このコネ
クタアース４３ｃのねじ部４３ｄにナット部材２１を螺
合させて高周波同軸コネクタ４３にコネクタアダプタ５
０が取り付けてある。

【０３５９】この場合、コネクタ信号線４３ａを後述す
る高周波基板４２の基板信号線４２ａに接触させた際
に、第１、第２のアダプタアース部５０ａ、５０ｂが高
周波基板４２の第１、第２のアースパターン４２ｃ、４
２ｄに接触するように、コネクタ信号線４３ａと第１、
第２のアダプタアース部５０ａ、５０ｂとが配置してあ
る。すなわち、図３２の（ｃ）に示すようにコネクタ信
号線４３ａと、アースアダプタ５０の第１のアダプタア
ース部５０ａのアースパターン接触面５０ａ−１と、第
２のアダプタアース部５０ｂのアースパターン接触面５
０ｂ−１とは同一平面ａ内に位置する。

【０３６０】また、高周波基板４２は、その表面に基板
信号線４２ａと第１のアースパターン４２ｃと第２のア
ースパターン４２ｄとが設けてあり、その裏面は第３の
アースパターン４２ｅが設けてあって、基板信号線４２
ａは第３のアースパターン４２ｅによりマイクロストリ
ップラインを形成している。そして、高周波基板４２の
辺縁部の中央には四角形状の切欠部４２ｆが設けてあ
る。

【０３６１】そして、コネクタアダプタ５０は、高周波
基板４２に備えられた第１のアースパターン４２ｃ及び
第２のアースパターン４２ｄに半田付けなどにより電気
的に導通を確保して固定されていて、ナット部材２１に
より確実に固定されることにより電気的導通が得られ
る。

【０３６２】この場合、コネクタアース４３ｃのねじ部
４３ｄとアースアダプタ４４のねじ孔部４４ｃとで回転
取付手段を構成しており、コネクタアース４３ｃのねじ
部４３ｄとナット部材２１とで固定手段を構成してい
る。

【０３６３】ここで、コネクタアース４３ｃは貫通穴５
０ｃを貫通しており、高周波同軸コネクタ４３の向きを
φ方向に任意の向きで回転してもＹ方向に移動しないた
めに、コネクタ信号線４３ａと基板信号線４２ａは基板
信号線接触ポイント４２ｌで確実に電気的導通が得られ
る。

【０３６４】上記したように、本発明の第１７の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線４３ａと、アースアダプタ５０の第１のアダプタア
ース部５０ａのアースパターン接触面５０ａ−１と第２
のアダプタアース部５０ｂのアースパターン接触面５０
ｂ−１とは同一平面ａ内に位置するために、コネクタ信
号線４３ａが、基板信号線接触ポイント４２ｌにおいて
基板信号線４２ａに半田付けなどによる接続が可能な位
置に配置されるし、また、高周波基板４２に高周波同軸
コネクタ４３を実装する際に、アースアダプタ５０の第
１、第２のアダプタアース部５０ａ、５０ｂを確実に第
１、第２のアースパターンに４２ｃ、４２ｄ接触させる
ことができて、高周波基板の厚さ等の違いによりコネク
タ信号線と基板信号線との接続位置が異なることが原因
で生じていたインピーダンス不整合の発生を少なくする
ことができて、高周波特性の劣化を防止することができ
る。

【０３６５】また、コネクタ信号線４３ａの基板信号線
接触ポイント４２ｌへの接触部分の長さｄ１を短くする
ことができ、基板信号線４２ａに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０３６６】また、高周波同軸コネクタの実装構造によ
れば、コネクタ信号線４３ａと基板信号線４２ａとの接
続時に生じる特性劣化を少なくすることができるばかり
か、ライトアングルタイプの高周波同軸コネクタ４３の
向きを任意の方向で確実に固定することができ、ケーブ
ル接続時の信頼性を向上することができる。

【０３６７】（第１８の実施の形態）本発明の本発明の
第１８の実施の形態における高周波同軸コネクタと、こ
の高周波同軸コネクタの取付構造とを図３３の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、図３４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び
図３５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０３６８】図３３の（ａ）は本発明の第１８の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図３３の
（ｂ）は図３３の（ａ）のＳ−２方向からの矢視図、図
３３の（ｃ）は図３３の（ａ）のＴ−２方向からの矢視
図である。また、図３４の（ａ）は高周波基板の平面
図、図３４の（ｂ）は図３４の（ａ）のＵ−２方向から
の矢視図、図３４の（ｃ）は図３４の（ａ）のＶ−２方
向からの矢視図である。

【０３６９】図３５の（ａ）は本発明の第１８の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図３５の（ｂ）は図３５の（ａ）のＡ−３方向からの矢
視図、図３５の（ｃ）は図３５の（ａ）のＢ−３方向か
らの矢視図である。

【０３７０】高周波同軸コネクタ５１は円筒状のコネク
タ誘電体５１ｂを有しており、このコネクタ誘電体５１
ｂの中心にはコネクタ信号線５１ａが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体５１ｂの周部にはコネクタ同軸部ア
ース５１ｚが設けてある。このコネクタ同軸部アース５
１ｚは、後述する高周波基板５２のアースパターンに接
地するための第１のコネクタアース５１ｃ及び第２のコ
ネクタアース５１ｄを備えており、第１のコネクタアー
ス５１ｃは垂直方向に位置決め部である第１の位置決め
用突起部５１ｆを、第２のコネクタアース５１ｄは垂直
方向に位置決め部である第２の位置決め用突起部５１ｇ
をそれぞれ有している。

【０３７１】そして、コネクタ信号線５１ａを高周波基
板５２の基板信号線５２ａに接触させた際に、第１、第
２のコネクタアース５１ａ、５１ｂが高周波基板５２の
第１、第２のアースパターン５２ｃ、５２ｄに接触する
ように、コネクタ信号線５１ａと第１、第２のコネクタ
アース５１ｃ、５１ｄとが配置してある。すなわち、図
３３の（ｃ）に示すように、コネクタ信号線５１ａと、
第１のコネクタアース５１ｃのアースパターン接触面５
１ｃ−１と、第２のコネクタアース５１ｄのアースパタ
ーン接触面５１ｄ−１とはそれぞれ同一平面ａ内に位置
するように配置してあり、コネクタ信号線５１ａとコネ
クタ誘電体５１ｂとコネクタ同軸部アース５１ｚとによ
り高周波同軸線路を構成している。

【０３７２】また、図３４に示すように高周波基板５２
は、その表側に基板信号線５２ａ、第１のアースパター
ン５２ｃと、第２のアースパターン５２ｄとを有してお
り、また、裏側に、第３のアースパターン５２ｅを有し
ている。また、高周波基板５２のコネクタ取付側の辺縁
部には、コネクタ信号線５１ａが基板信号線接触ポイン
ト５２ｌで正確に接触するように第１の位置決め用突起
部５１ｆ及び第２の位置決め用突起部５１ｇを挿入する
ための、第１の位置決めスリット５２ｆ及び第２の位置
決めスリット５２ｇが形成してある。

【０３７３】図３５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよ
うに、高周波同軸コネクタ５１は、その第１の位置決め
用突起部５１ｆを高周波基板５２の第１の位置決めスリ
ット５２ｆに挿入すると共に、第２の位置決め用突起部
５１ｇを第２の位置決めスリット５２ｇに挿入して、第
１のコネクタアース５１ｃを第１のアースパターン５２
ｃに接触させ、第２のコネクタアース５１ｄを第２のア
ースパターン５２ｄに接触させて高周波基板５２に装着
してある。

【０３７４】このように、第１の位置決めスリット５２
ｆに第１の位置決め用突起部５１ｆが挿入され、また、
第２の位置決めスリット５２ｇに第２の位置決め用突起
部５１ｇが挿入されることにより、所定の実装位置に対
してＹ方向にずれることなく、正確に位置決めされる。

【０３７５】なお、第１の位置決め用突起部５１ｆ、第
２の位置決め用突起部５１ｇ、第１の位置決めスリット
５２ｆ及び第２の位置決めスリット５２ｇは、それぞれ
所望の実装精度が得られる数で増減することも可能であ
る。

【０３７６】上記したように、本発明の第１８の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、コネクタ信
号線５１ａと、第１のコネクタアース５１ｃのアースパ
ターン接触面５１ｃ−１と、第２のコネクタアース５１
ｄのアースパターン接触面５１ｄ−１とがそれぞれ同一
平面ａ内に位置するように配置してあるために、コネク
タ信号線５１ａが、基板信号線接触ポイント５２ｌにお
いて基板信号線５２ａに半田付けなどによる接続が可能
な位置に配置されるし、また、高周波基板５２に高周波
同軸コネクタ５１を実装する際に、第１、第２のコネク
タアース５１ｃ、５１ｄを確実にアースパターン５２
ｃ、５２ｄに接触させることができて、高周波基板の厚
さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との接続
位置が異なることが原因で生じていたインピーダンス不
整合の発生を少なくすることができて、高周波特性の劣
化を防止することができる。

【０３７７】また、コネクタ信号線５１ａの基板信号線
接触ポイント５２ｌへの接触部分の長さｄ１を短くする
ことができ、基板信号線５２ａに接続する際のインピー
ダンス不整合の発生を少なくすることができる。

【０３７８】また、高周波同軸コネクタの実装構造によ
れば、第１の位置決めスリット５２ｆに第１の位置決め
用突起部５１ｆを挿入し、また、第２の位置決めスリッ
ト５２ｇに第２の位置決め用突起部５１ｇを挿入して、
第１、第２のコネクタアース５１ｃ、５１ｄを第１、第
２のアースパターン５２ｃ、５２ｄに接触させることが
できるために、高周波同軸コネクタ５１を高周波基板５
２に対し水平方向に精度良く実装することができるため
に、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信頼性
を向上することができる。

【０３７９】また、コネクタ信号線４３ａと基板信号線
４２ａとの接続時に生じる特性劣化を少なくすることが
できるばかりか、高周波同軸コネクタ５１を正確な位置
に実装することができて取付位置の信頼性を向上するこ
とができる。

【０３８０】（第１９の実施の形態）本発明の本発明の
第１９の実施の形態における高周波同軸コネクタとこの
高周波同軸コネクタの取付構造とを図３６の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）、図３７の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び
図３８の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を参照して説明する。

【０３８１】図３６の（ａ）は本発明の第１９の実施の
形態における高周波同軸コネクタの平面図、図３６の
（ｂ）は図３６の（ａ）のＣ−３方向からの矢視図、図
３６の（ｃ）は図３６の（ａ）のＤ−３向からの矢視図
である。また、図３７の（ａ）は高周波基板の平面図、
図３７の（ｂ）は図３７の（ａ）のＥ−３方向からの矢
視図、図３７の（ｃ）は図３７の（ａ）のＦ−３方向か
らの矢視図である。

【０３８２】図３８の（ａ）は本発明の第１９の実施の
形態における高周波同軸コネクタの実装状態の平面図、
図３８の（ｂ）は図３８の（ａ）のＧ−３方向からの矢
視図、図３８の（ｃ）は図３８の（ａ）のＨ−３方向か
らの矢視図である。

【０３８３】高周波同軸コネクタ５３は円筒状のコネク
タ誘電体５３ｂを有しており、このコネクタ誘電体５３
ｂの中心にはコネクタ信号線５３ａが配置してあり、ま
た、コネクタ誘電体５３ｂの周部にはコネクタ同軸部ア
ース５３ｚが設けてある。このコネクタ同軸部アース５
３ｚは、後述する高周波基板５４のアースパターンに接
地するための第１のコネクタアース５３ｃ及び第２のコ
ネクタアース５３ｄを備えており、第１のコネクタアー
ス５３ｃの先端部にはフック５３ｇが設けてあり、第２
のコネクタアース５３ｄの先端部にはフック５３ｈが設
けてある。

【０３８４】そして、コネクタ同軸部アース５３ｚに
は、コネクタ信号線５３ａと同一平面ａ内に位置するよ
うにして基板挿入溝部５３ｆが形成してある。

【０３８５】そして、コネクタ信号線５３ａとコネクタ
誘電体５３ｂとコネクタ同軸部アース５３ｚとにより高
周波同軸線路を構成している。

【０３８６】図３７の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよ
うに、高周波基板５４はガラスエポキシ樹脂やテフロン
（Ｒ）などの誘電体を基盤としたプリント基板であり、
その表側に基板信号線５４ａ、第１のアースパターン５
４ｃと、第２のアースパターン５４ｄとを有しており、
また、裏側に、第３のアースパターン５４ｅを有してい
て、基板信号線５４ａは、第３のアースパターン５４ｅ
によりマイクロストリップラインを形成している。そし
て、図面には記載していないが、第１のアースパターン
５４ｃ及び第２のアースパターン５４ｄは、第３のアー
スパターン５４ｅとスルーホールなどで接続されること
により同電位となるものである。

【０３８７】また、高周波基板５４には、基板信号線５
４ａを挟んだ両側にフック係合部である第１のフック係
合孔５４ｈ及び第２のフック係合孔５４ｉが設けてあ
る。これらの第１、第２のフック係合孔５４ｈ、５４ｉ
は、高周波同軸コネクタ５３を実装時に、基板信号線５
４ａが基板信号線接触ポイント５４ｌにおいて確実に接
触する位置に設けられている。

【０３８８】そして、高周波同軸コネクタ５３を高周波
基板５４に実装した際に、高周波同軸コネクタ５３の基
板挿入溝部５３ｆに高周波基板５４の端部を挿入し、第
１のコネクタアース５３ｃのフック５３ｇを第１のフッ
ク係合孔５４ｈに係合すると共に、第２のコネクタアー
ス５３ｄのフック５３ｈを第２のフック係合孔５４ｉに
係合する。

【０３８９】そして、図３８の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
に示すように、高周波同軸コネクタ５３を高周波基板５
４に実装した状態では、第１のコネクタアース５３ｃ及
び第２のコネクタアース５３ｄは第３のアースパターン
５４ｅに接触して導通を確保する。

【０３９０】上記したように、本発明の第１９の実施の
形態における高周波同軸コネクタによれば、基板挿入溝
部５３ｆは、コネクタ信号線５３ａと同一平面ａ内に位
置するように備えられているために、高周波基板５４に
高周波同軸コネクタ５３を実装する際に、第１、第２の
コネクタアース５３ｃ、５３ｄを確実にアースパターン
５４ｃ、５４ｄに接触させることができて、高周波基板
の厚さ等の違いによりコネクタ信号線と基板信号線との
接続位置が異なることが原因で生じていたインピーダン
ス不整合の発生を少なくすることができて、高周波特性
の劣化を防止することができる。

【０３９１】また、高周波同軸コネクタ５３を高周波基
板５４に対し水平方向に精度良く実装することができる
ために、インピーダンスの変動が少なくなり、取付の信
頼性を向上することができる。

【０３９２】また、高周波同軸コネクタの取付構造によ
れば、基板挿入溝部５３ｆは、コネクタ信号線５３ａと
同一平面ａで接する位置に備えられているために、高周
波基板５４を挿入した際に、図３８の（ｃ）に示すＸ方
向の位置決めを正確に行うことができる。

【０３９３】また、コネクタ信号線５３ａと基板信号線
５４ａの接続時に生じる特性劣化を少なくすることがで
きるばかりか、高周波同軸コネクタ５３の高周波基板５
４への実装時に、半田付けやねじ止めなどの工程を必要
としない。また、アダプタなどの部品を必要としないた
めに、容易に、且つ安価に実現することができる。

【０３９４】（第２０の実施の形態）本発明に係る高周
波モジュールを図３９を参照して説明する。

【０３９５】図３９は本発明に係る高周波モジュールの
外観の斜視図である。

【０３９６】本発明に係る高周波モジュールとしての第
１、第２・・・第ｎの高周波モジュール４７ａ、４７
ｂ、・・・４７ｎは、それぞれのモジュール本体４７ａ
−１、４７ｂ−１、・・・４７ｎ−１が備える高周波基
板（図示せず）に高周波同軸ケーブルを接続するための
高周波同軸コネクタに、本発明の第１６の実施の形態に
おけるライトアングルタイプの高周波同軸コネクタもし
くは本発明の第１７の実施の形態に示す高周波同軸コネ
クタを用いており、これらの高周波同軸コネクタの取付
構造に、本発明の第１６の実施の形態におけるライトア
ングルタイプの高周波同軸コネクタの取付構造もしくは
本発明の第１７の実施の形態に示す高周波同軸コネクタ
の取付構造を用いている。

【０３９７】第１の高周波モジュール４７ａ、第２の高
周波モジュール４７ｂ、・・・第ｎの高周波モジュール
４７ｎは図３９に示すようにそれぞれ近接して設置され
ている。

【０３９８】そして、第１の高周波モジュール４７ａ
は、ライトアングルタイプの第１、第２、第３の高周波
同軸コネクタ４３ｅ、４３ｆ、４３ｇを備えており、第
２の高周波モジュール４７ｂは、ライトアングルタイプ
の第４、第５、第６の高周波同軸コネクタ４３ｈ、４３
ｉ、４３ｊを備えており、また、第ｎの高周波モジュー
ル４７ｎは、ライトアングルタイプの第ｎ−２、第ｎ−
１、第ｎの高周波同軸コネクタ４３ｎ−２、４３ｎ−１
及び４３ｎを備えている。

【０３９９】また、第１、第２、第３、・・・第ｎの高
周波同軸ケーブル４８ｅ、４８ｆ、４８ｇ、・・・４８
ｎは、それぞれ、ケーブル本体４８Ａの延長方向に相手
コネクタ接続側が向けられた形状の第１、第２、第３、
・・・第ｎの高周波同軸ケーブルコネクタ４９ｅ、４９
ｆ、４９ｇ、・・・４９ｎを備えている。

【０４００】そして、第１、第２、第３、・・・第ｎの
高周波同軸ケーブルコネクタ４９ｅ、４９ｆ、４９ｇ、
・・・４９ｎは、第１の高周波同軸ケーブルコネクタ４
９ｅが第１の高周波同軸コネクタ４３ｅに、第２の高周
波同軸ケーブルコネクタ４９ｆが第２の高周波同軸コネ
クタ４３ｆにそれぞれ接続されるようにして、第１、第
２、第３、・・・第ｎの高周波同軸コネクタ４３ｅ、４
３ｆ、４３ｇ、・・・４３ｎに接続される。

【０４０１】第１、第２、第３、・・・第ｎの高周波同
軸コネクタ４３ｅ、４３ｆ、４３ｇ、・・・４３ｎは、
それぞれに任意の方向に向けられて設置されており、第
１、第２、第３、・・・第ｎの高周波同軸ケーブルコネ
クタ４９ｅ、４９ｆ、４９ｇ、・・・４９ｎをＺ方向に
突出させず、且つねじれ等のストレスを加えることな
く、結線することができる。

【０４０２】なお、ｎは任意の数であり、設置される高
周波モジュールの数及び各高周波モジュールが備える高
周波同軸コネクタの数は任意の数である。

【０４０３】上記したように本発明に係る高周波モジュ
ールは、第１、第２、第３、・・・第ｎの高周波同軸コ
ネクタ４３ｅ、４３ｆ、４３ｇ、・・・４３ｎを任意の
向きに実装することができるために、第１、第２、第
３、・・・第ｎの高周波同軸ケーブル４８ｅ、４８ｆ、
４８ｇ、・・・４８ｎに無理なねじれのストレスを加え
ないで第１、第２、第３、・・・第ｎの高周波同軸コネ
クタ４３ｅ、４３ｆ、４３ｇ、・・・４３ｎに接続する
ことができて、作業性を向上することができる。

【０４０４】（第２１の実施の形態）本発明に係る受信
回路の構成を図４０乃至図４３を参照して説明する。

【０４０５】図４０は、本発明に係る受信回路の構成の
ブロック図である。また、図４１は、本発明に係る受信
回路に内蔵された低雑音増幅器の入力負荷のブロック図
である。また、図４２は、本発明に係る受信回路のＮＦ
が最適となる時の低雑音増幅器の入力負荷のインピーダ
ンスΓＯＰＴを図示したスミスチャートである。また、
図４３は、本発明に係る受信回路に内臓された低雑音増
幅器の入力負荷のインピーダンス変化時のインピーダン
スを図示したスミスチャートである。

【０４０６】本発明に係る受信回路では、受信アンテナ
６０が接続された受信回路６４の受信回路入力コネクタ
６１に、上記した本発明に係る第１乃至第１９の実施の
形態における高周波同軸コネクタのいずれかの一つを用
いており、また、受信回路入力コネクタ６１の取付構造
に上記した本発明に係る高周波同軸コネクタに対応した
取付構造を用いている。

【０４０７】したがって、受信回路入力コネクタ６１よ
り受信アンテナ６０から入力された受信信号は、良好な
雑音指数特性（ＮＦ特性）が得られるように低雑音増幅
器入力整合回路６２ｂにより整合が取られた低雑音増幅
器６２ａにより低雑音増幅される。低雑音増幅された受
信信号は、復調回路６３に入力され、受信信号を復調す
る。

【０４０８】図４１において、低雑音増幅器６２の入力
インピーダンスΓｉｎは、低雑音増幅器６２のＮＦ特性
が最良となる入力負荷インピーダンスΓＯＰＴ６５ｃの
近傍となるように設計されている。

【０４０９】図４２において、第１の低雑音増幅器入力
負荷スミスチャート６５ａは、入力負荷インピーダンス
ΓＯＰＴ６５ｃを５０Ωで正規化して図示したスミスチ
ャートを示す。

【０４１０】また、第１の入力負荷サークル６５ｄは、
低雑音増幅器６２ａが所望のＮＦを満足する低雑音増幅
器入力負荷インピーダンスΓｉｎの領域であり、図４０
に示す受信回路６４において、低雑音増幅器入力負荷イ
ンピーダンスΓｉｎは第１の入力負荷サークル６５ｄの
領域となるように設計されている。

【０４１１】図４３において、低雑音増幅器入力負荷イ
ンピーダンスΓｉｎを５０Ωで正規化して図示した第２
の低雑音増幅器入力負荷スミスチャート６５ｂを示す。

【０４１２】第２の低雑音増幅器入力負荷スミスチャー
ト６５ｂにおいて、第２の入力負荷サークル６５ｅは、
第１の入力負荷サークル６５ｄに比べたＮＦの劣化量が
０．５ｄＢ以下となる入力負荷インピーダンスの領域を
示す。

【０４１３】また、第３の入力負荷サークル６５ｆは、
第１の入力負荷サークル６５ｄに比べたＮＦの劣化量が
１ｄＢ以下となる入力負荷インピーダンスの領域を示
し、低雑音増幅器入力負荷インピーダンスΓｉｎが、入
力負荷インピーダンスΓＯＰＴ６５ｃから遠ざかるにつ
れて、ＮＦ特性が劣化する様子を示す。

【０４１４】受信回路入力コネクタ６１の実装時のずれ
などによりインピーダンスが変動すると、低雑音増幅器
入力負荷インピーダンスΓｉｎは低雑音増幅器入力整合
回路６２ｂを介して変動する。そのとき、低雑音増幅器
入力負荷インピーダンスΓｉｎは第１の入力負荷サーク
ル６５ｄの外の領域に変動し、第２の入力負荷サークル
６５ｅの領域に移動する。また、更に大きな負荷変動が
生じると、第３の入力負荷サークル６５ｆの領域に移動
する。

【０４１５】このように、受信回路入力コネクタ６１の
実装時のずれなどによるインピーダンス変動により、受
信回路６４のＮＦ特性が劣化する。

【０４１６】本発明に係る受信回路における受信回路入
力コネクタ６１によれば、受信回路６４の入力に用いら
れる高周波同軸コネクタの挿入損失を小さくすることに
より、従来の高周波同軸コネクタに比べて受信回路入力
コネクタ６１の実装時のずれなどによるインピーダンス
変動を小さくすることができ、低雑音増幅器入力負荷Γ
ｉｎは、第１の入力負荷サークル６５ｄの内部に収める
ことができ、ＮＦ特性が良好な受信回路を提供すること
ができる。

【０４１７】なお、低雑音増幅器６２ａの後段に接続さ
れる復調回路６３を内蔵せず、受信信号を増幅した信号
を出力する回路でもよい。なお、受信回路入力コネクタ
６１の同軸構造部を短く構成することによって、同軸構
造部の挿入損失が小さくできることによりＮＦ特性が良
好な受信回路６４を提供することもできる。

【０４１８】上記したように、本発明に係る受信回路に
よれば、受信回路６４の入力に用いられる高周波同軸コ
ネクタのインピーダンス不整合を小さくすることによ
り、高周波同軸コネクタのインピーダンスが変動して受
信回路６４の雑音指数が最適となるインピーダンス条件
から変動することによる受信信号の品質劣化が生じない
受信回路を実現することができる。

【０４１９】（第２２の実施の形態）本発明に係る送信
回路を図４４乃至図４７を参照して説明する。

【０４２０】図４４は、本発明に係る送信回路の構成の
ブロック図である。また、図４５は同送信回路に内蔵さ
れた送信用増幅器の出力負荷のブロック図である。ま
た、図４６は同送信回路の歪特性が最適となる時の送信
用増幅器の出力負荷のインピーダンスΓＯＰＴを図示し
たスミスチャートである。図４７は同送信回路に内蔵さ
れた送信用増幅器の出力負荷のインピーダンス変化時の
インピーダンスを図示したスミスチャートである。

【０４２１】図４４において、送信回路７０は変調信号
を生成する変調回路６９と、その出力信号を所望の送信
パワーに増幅する送信用増幅器６８ａと、送信用増幅器
６８ａの歪特性が最適となるときの出力負荷インピーダ
ンスΓＯＰＴ７１ｃの近傍に整合を取るための送信用増
幅器出力整合回路６８ｂと、その出力信号である送信信
号を出力する送信回路出力コネクタ６７と、この送信回
路出力コネクタ６７から出力された送信信号を送信する
送信アンテナ６６とにより構成される。そして、送信回
路出力コネクタ６７に、上記した本発明の第１乃至第１
９の実施の形態の高周波同軸コネクタのいずれかの一が
用いられており、その取付構造が適用されている。

【０４２２】図４５に示す送信回路７０の送信用増幅器
出力負荷インピーダンスΓｏｕｔは、送信回路７０の歪
特性が最適となるときの出力負荷インピーダンスΓＯＰ
Ｔ７１ｃの近傍に整合を取ることにより、所望の歪特性
を満足できるように設計される。

【０４２３】図４６に示すように、第１の送信用増幅器
出力負荷スミスチャート７１ａは、出力負荷インピーダ
ンスΓＯＰＴ７１ｃを５０Ωで正規化して図示したスミ
スチャートを示す。また、第１の出力負荷サークル７１
ｄは、送信回路７０が所望の歪特性を満足する送信用増
幅器出力負荷インピーダンスΓｏｕｔの領域であり、送
信回路７０において、送信用増幅器出力負荷インピーダ
ンスΓｏｕｔは第１の出力負荷サークル７１ｄの領域と
なるように設計されている。

【０４２４】図４７において、送信用増幅器出力負荷イ
ンピーダンスΓｏｕｔを５０Ωで正規化して図示した第
２の送信用増幅器出力負荷スミスチャート７１ｂを示
す。第２の送信用増幅器出力負荷スミスチャート７１ｂ
において、第２の出力負荷サークル７１ｅは、第１の出
力負荷サークル７１ｄに比べた歪特性の劣化量が１ｄＢ
以下となる出力負荷インピーダンスの領域を示し、ま
た、第３の出力負荷サークル７１ｆは、第１の出力負荷
サークル７１ｄの領域に比べた歪特性劣化量が２ｄＢ以
下となる出力負荷インピーダンスの領域を示す。

【０４２５】送信回路出力コネクタ６７の実装時のずれ
などによりインピーダンスが変動すると、送信回路７０
の送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓｏｕｔは送信
用増幅器出力整合回路６８ｂを介して変動する。

【０４２６】そのとき、送信回路７０の送信用増幅器出
力負荷インピーダンスΓｏｕｔは、第１の出力負荷サー
クル７１ｄの外の領域に変動し、第２の出力負荷サーク
ル７１ｅの領域に移動する。

【０４２７】また、更に大きな負荷変動が生じると、第
３の出力負荷サークル７１ｆの領域に移動することを示
し、送信用増幅器６８ａの送信用増幅器出力負荷インピ
ーダンスΓｏｕｔが出力負荷インピーダンスΓＯＰＴ７
１ｃから遠ざかるにつれて、歪特性が劣化する様子を示
す。

【０４２８】送信回路出力コネクタ６７の実装時のずれ
などによりインピーダンスが変動すると、送信用増幅器
６８ａの送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓｏｕｔ
は送信用増幅器出力整合回路６８ｂを介して変動する。

【０４２９】そのとき、送信用増幅器６８ａの送信用増
幅器出力負荷インピーダンスΓｏｕｔは、第１の出力負
荷サークル７１ｄの外の領域に変動し、第２の出力負荷
サークル７１ｄの領域に移動する。また、更に大きな負
荷変動が生じると第３の出力負荷サークル７１ｆの領域
移動する。このように、送信回路出力コネクタ６７の実
装時のずれなどによるインピーダンス変動により送信用
増幅器６８ａの歪特性が劣化する。

【０４３０】本発明に係る送信回路によれば、送信回路
出力コネクタ６７の実装時のずれなどによるインピーダ
ンス変動を小さくすることができ、送信用増幅器６８ａ
の送信用増幅器出力負荷インピーダンスΓｏｕｔは、第
１の出力負荷サークル７１ｄの内部に収めることがで
き、歪特性が良好な送信回路を提供することができる。

【０４３１】なお、送信回路出力コネクタ６７の同軸構
造部を短く構成することによって、同軸構造部の挿入損
失が小さくできることにより送信回路の電力効率を改善
することができる送信回路を提供することもできる。

【０４３２】上記したように、本発明に係る送信回路
は、送信回路７０の出力に用いられる高周波同軸コネク
タの挿入損失を小さくすることにより、送信回路７０の
電力効率を改善することができる。また、高周波同軸コ
ネクタのインピーダンスが変動し、送信回路７０の歪み
特性の最適条件から変動し無いために、良好な品質の送
信信号を出力する送信回路７０を実現することができ
る。

【０４３３】（第２３の実施の形態）本発明に係る無線
通信装置の概略を図４８に示す。

【０４３４】本発明に係る無通信線装置は、例えば、携
帯電話基地局装置である基地局装置７２ｂと、例えば、
携帯電話端末である移動局装置７３ｂとを備えており、
基地局装置７２ｂ及び移動局装置７３ｂの受信回路に
は、上記した本発明の第２１の実施の形態の受信回路６
４が、また、送信回路には、上記した本発明の第２２の
実施の形態の送信回路７０がそれぞれ適用されている。

【０４３５】なお、アップリンク信号７４ｂは、移動局
装置７３ｂから基地局装置７２ｂに送信される無線信号
である。また、ダウンリンク信号７５ｂは、基地局装置
７２ｂから移動局装置７３ｂに送信される無線信号であ
る。

【０４３６】また、通信エリア７６ｂは、アップリンク
信号７４ｂが基地局装置７２ｂにおいて通信が可能なレ
ベルの受信レベル以上の電界レベルであり、且つダウン
リンク信号７５ｂが、移動局装置７３ｂにおいて通信が
可能なレベルの受信レベル以上の電界レベルである条件
を満足し、お互いの通信が確保できる限界のエリアを示
す。

【０４３７】本発明に係る無線信線装置では、受信回路
のＮＦ特性が良好であることと、送信回路の歪特性が良
好であることから、通信エリア７６ｂは、従来の無線通
信装置を利用した場合に比べて送信信号のパワーを低く
した場合においても所望の受信性能を得ることができ、
その結果、送信用増幅器の消費電力を小さくすることが
できる。

【０４３８】また、送信時に生じる送信相互変調歪など
により生じる妨害波成分の発生を少なくすることがで
き、良好な通信品質を得ることができる。

【０４３９】このような本発明に係る無線通信装置は、
基地局装置７２ｂ及び移動局装置７３ｂの受信回路に
は、上記した本発明の第２１の実施の形態の受信回路６
４が、また、送信回路には、上記した本発明の第２２の
実施の形態の送信回路７０がそれぞれ適用されているた
めに、良好な電力効率や、良好な通信品質を有する無線
通信装置を提供することができる。

【０４４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る高周
波同軸コネクタによれば、高周波基板に高周波同軸コネ
クタを実装する際に、高周波同軸コネクタアースを確実
に高周波基板アースパターンに接触させることができ
て、高周波基板の厚さ等の違いにより高周波同軸コネク
タ信号線と高周波基板信号線との接続位置が異なること
が原因で生じていたインピーダンス不整合の発生を少な
くすることができて、高周波特性の劣化を防止すること
ができる。

【０４４１】また、本発明に係る高周波同軸コネクタの
取付構造によれば、高周波同軸コネクタ信号線が高周波
基板信号線に接触するために、高周波基板の厚さ等の違
いによるインピーダンス不整合の発生を少なくすること
ができるようになり、高周波同軸コネクタ信号線と高周
波基板信号線との接続時に生じる特性劣化を少なくする
ことができる。

【０４４２】また、高周波同軸コネクタアースにより、
高周波基板に対する水平方向を精度良く実装することが
できるために、インピーダンスの変動少なくなり、取付
けの信頼性を向上することができる。

【０４４３】また、本発明に係る高周波モジュールによ
れば、高周波同軸ケーブルに無理なねじれのストレスを
加えないで高周波同軸コネクタと接続することができ
て、作業性を向上することができる。

【０４４４】また、本発明に係る送信回路によれば、送
信回路の出力に用いられる高周波同軸コネクタの挿入損
失を小さくすることにより、送信回路の電力効率を改善
することができる。また、高周波同軸コネクタのインピ
ーダンスが変動し、送信回路の歪み特性の最適条件から
変動しないために、良好な品質の送信信号を出力する送
信回路を実現することができる。

【０４４５】また、本発明に係る受信回路によれば、受
信回路の入力に用いられる高周波同軸コネクタのインピ
ーダンス不整合を小さくすることにより、高周波同軸コ
ネクタのインピーダンスが変動して受信回路の雑音指数
が最適となるインピーダンス条件から変動することによ
る受信信号の品質劣化が生じない受信回路を実現するこ
とができる。

【０４４６】また、、本発明に係る無線通信装置によれ
ば、良好な電力効率や、良好な通信品質を有するものに
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第１の実施の形態における高
周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面図 （ｂ）は図１の（ａ）のＧ方向からの矢視図 （ｃ）は図１の（ａ）のＨ方向からの矢視図

【図２】（ａ）は本発明の第２の実施の形態における高
周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面図 （ｂ）は図２の（ａ）のＩ方向からの矢視図 （ｃ）は図２の（ａ）のＪ方向からの矢視図

【図３】（ａ）は本発明の第３の実施の形態における高
周波同軸コネクタの平面図 （ｂ）は図３の（ａ）のＫ方向からの矢視図 （ｃ）は図３の（ａ）のＬ方向からの矢視図

【図４】（ａ）は高周波基板の平面図 （ｂ）は図４の（ａ）のＭ方向からの矢視図 （ｃ）は図４の（ａ）のＮ方向からの矢視図

【図５】（ａ）は本発明の第３の実施の形態における高
周波同軸コネクタの実装過程における平面図 （ｂ）は図５の（ａ）のＯ方向からの矢視図 （ｃ）は図５の（ａ）のＰ方向からの矢視図

【図６】（ａ）は、本発明の第３の実施の形態における
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 （ｂ）は図６の（ａ）のＱ方向からの矢視図 （ｃ）は図６の（ａ）のＲ方向からの矢視図

【図７】（ａ）は本発明の第５の実施の形態における高
周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 （ｂ）は図７の（ａ）のＳ方向からの矢視図 （ｃ）は図７の（ａ）のＴ方向からの矢視図

【図８】（ａ）は本発明の第５の実施の形態における高
周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 （ｂ）は図８の（ａ）のＶ方向からの矢視図 （ｃ）は図８の（ａ）のＷ方向からの矢視図

【図９】（ａ）は本発明の第６の実施の形態における高
周波同軸コネクタの実装状態の平面図 （ｂ）は図９の（ａ）のＡ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図９の（ａ）のＢ−１方向からの矢視図

【図１０】（ａ）は本発明の第７の実施の形態における
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 （ｂ）は図１０の（ａ）のＣ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１０の（ａ）のＤ−１方向からの矢視図

【図１１】（ａ）は本発明の第８の実施の形態における
高周波同軸コネクタとコネクタ止めとの分解状態の説明
図 （ｂ）は図１１の（ａ）のＥ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１１の（ａ）のＦ−１方向からの矢視図

【図１２】コネクタ止めの平面図

【図１３】（ａ）は本発明の第８の実施の形態における
高周波同軸コネクタの高周波基板への実装状態の平面図 （ｂ）は図１３の（ａ）のＧ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１３の（ａ）のＨ−１方向からの矢視図

【図１４】（ａ）は本発明の第９の実施の形態における
高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平面
図 （ｂ）は図１４の（ａ）のＩ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１４の（ａ）のＪ−１方向からの矢視図

【図１５】高周波基板がアースピン挿入孔を複数備える
場合であって、この高周波基板に高周波同軸コネクタを
実装した状態の平面図

【図１６】高周波基板がスリット形状のアースピン挿入
孔を備える場合であって、この高周波基板に高周波同軸
コネクタを実装した状態の平面図

【図１７】（ａ）は本発明の第１０の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平
面図 （ｂ）は図１７の（ａ）のＫ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１７の（ａ）のＬ−１方向からの矢視図

【図１８】（ａ）は本発明の第１１の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に配置した状態の平
面図 （ｂ）は図１８の（ａ）のＭ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１８の（ａ）のＮ−１方向からの矢視図

【図１９】（ａ）は本発明の第１１の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に固定するアタッチ
メントの平面図 （ｂ）は図１９の（ａ）のＯ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図１９の（ａ）のＰ−１方向からの矢視図

【図２０】（ａ）は本発明の第１１の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に実装した状態の平
面図 （ｂ）は図２０の（ａ）のＱ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図２０の（ａ）のＲ−１方向からの矢視図

【図２１】（ａ）は本発明の第１２の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 （ｂ）は図２１の（ａ）のＳ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図２１の（ａ）のＴ−１方向からの矢視図

【図２２】（ａ）は本発明の第１２の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを実装する高周波基板の平面図 （ｂ）は図２２の（ａ）のＵ−１方向からの矢視図 （ｃ）は図２２の（ａ）のＶ−１方向からの矢視図

【図２３】（ａ）は本発明の第１２の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に固定する固定用ア
タッチメントの平面図 （ｂ）は図２３の（ａ）のＡ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図２３の（ａ）のＢ−２方向からの矢視図

【図２４】（ａ）は本発明の第１２の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板に配置した状態の平
面図 （ｂ）は図２４の（ａ）のＣ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図２４の（ａ）のＤ−２方向からの矢視図

【図２５】（ａ）は本発明の第１２の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを実装型アタッチメントに挿入
し、高周波基板に接触させた状態の平面図 （ｂ）は図２５の（ａ）のＥ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図２５の（ａ）のＦ−２方向からの矢視図

【図２６】（ａ）は本発明の第１３の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタを高周波基板にシールドケースに
より固定して装着した状態の平面図 （ｂ）は図２６の（ａ）のＧ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図２６の（ａ）のＨ−２方向からの矢視図

【図２７】（ａ）は本発明の第１４の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 （ｂ）は図２７の（ａ）のＩ−２方向からの矢視図

【図２８】（ａ）は本発明の第１４の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタに接続されるねじ式のアースアダ
プタの平面図 （ｂ）は図２８の（ａ）のＪ−２方向からの矢視図

【図２９】（ａ）は本発明の第１４の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタにアースアダプタを装着した状態
の平面図 （ｂ）は図３９の（ａ）のＫ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図３９の（ａ）のＬ−２方向からの矢視図

【図３０】（ａ）は本発明の第１５の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 （ｂ）は図３０の（ａ）のＭ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図３０の（ａ）のＮ−２方向からの矢視図

【図３１】（ａ）は本発明の第１６の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の正面図 （ｂ）は図３１の（ａ）のＯ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図３１の（ａ）のＰ−２方向からの矢視図

【図３２】（ａ）は本発明の第１７の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の正面図 （ｂ）は図３２の（ａ）のＱ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図３２の（ａ）のＲ−２方向からの矢視図

【図３３】（ａ）は本発明の第１８の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 （ｂ）は図３３の（ａ）のＳ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図３３の（ａ）のＴ−２方向からの矢視図

【図３４】（ａ）は高周波基板の平面図 （ｂ）は図３４の（ａ）のＵ−２方向からの矢視図 （ｃ）は図３４の（ａ）のＶ−２方向からの矢視図

【図３５】（ａ）は本発明の第１９の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 （ｂ）は図３５の（ａ）のＡ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図３５の（ａ）のＢ−３方向からの矢視図

【図３６】（ａ）は本発明の第１９の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの平面図 （ｂ）は図３６の（ａ）のＣ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図３６の（ａ）のＤ−３向からの矢視図

【図３７】（ａ）は高周波基板の平面図 （ｂ）は図３７の（ａ）のＥ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図３７の（ａ）のＦ−３方向からの矢視図

【図３８】（ａ）は本発明の第１９の実施の形態におけ
る高周波同軸コネクタの実装状態の平面図 （ｂ）は図３８の（ａ）のＧ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図３８の（ａ）のＨ−３方向からの矢視図

【図３９】本発明に係る高周波モジュールの外観の斜視
図

【図４０】本発明に係る受信回路の構成のブロック図

【図４１】本発明に係る受信回路に内蔵された低雑音増
幅器の入力負荷のブロック図

【図４２】本発明に係る受信回路のＮＦが最適となる時
の低雑音増幅器の入力負荷のインピーダンスΓＯＰＴを
図示したスミスチャート

【図４３】本発明に係る受信回路に内臓された低雑音増
幅器の入力負荷のインピーダンス変化時のインピーダン
スを図示したスミスチャート

【図４４】本発明に係る送信回路の構成のブロック図

【図４５】同送信回路に内蔵された送信用増幅器の出力
負荷のブロック図

【図４６】同送信回路の歪特性が最適となる時の送信用
増幅器の出力負荷のインピーダンスΓＯＰＴを図示した
スミスチャート

【図４７】同送信回路に内蔵された送信用増幅器の出力
負荷のインピーダンス変化時のインピーダンスを図示し
たスミスチャート

【図４８】本発明に係る無線信線装置の構成説明図

【図４９】（ａ）は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 （ｂ）は図４９の（ａ）のＩ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図４９の（ａ）のＪ−３方向からの矢視図であ
る。

【図５０】（ａ）は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 （ｂ）は図５０の（ａ）のＫ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図５０の（ａ）のＬ−３方向からの矢視図であ
る。

【図５１】（ａ）は高周波同軸コネクタが高周波基板に
対してφ方向（−Δθ）に傾いた状態の説明図 （ｂ）は高周波同軸コネクタが高周波基板に対してφ方
向（Δθ）に傾いた状態の説明図

【図５２】（ａ）は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 （ｂ）は図５６の（ａ）のＭ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図５６の（ａ）のＮ−３方向からの矢視図

【図５３】（ａ）は従来の高周波同軸コネクタを高周波
基板に実装した状態の平面図 （ｂ）は図５７の（ａ）のＯ−３方向からの矢視図 （ｃ）は図５７の（ａ）のＰ−３方向からの矢視図

【図５４】高周波基板にＬ字形金属ブロックを介して高
周波同軸コネクタを取り付けた状態の斜視図

【図５５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図５２の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示す高周波同軸コネクタのコネクタ信
号線と基板信号線との接続点を９ｇ〜９ｉと変化させた
場合の説明図（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は図５２の
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す高周波同軸コネクタのコ
ネクタ信号線と基板信号線との接続点を９ｇ〜９ｉと変
化させた場合のインピーダンスの変化を示すスミスチャ
ート

【図５６】従来の第１〜第ｎの高周波同軸コネクタを備
える第１〜第ｎの高周波モジュールの斜視図

【図５７】（ａ）は高周波同軸ケーブルを備えた高周波
同軸コネクタの平面図 （ｂ）は同高周波同軸コネクタの側面図 （ｃ）は同高周波同軸コネクタの正面図

【図５８】第１〜第ｎの高周波モジュールに第１〜第ｎ
の高周波同軸ケーブルを接続した状態の斜視図

【符号の説明】

１３ 高周波同軸コネクタ １３ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） １３ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） １３ｃ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） １３ｃ−１ アースパターン接触面 １３ｈ 高周波同軸コネクタ出力基板 １３ｉ 高周波同軸コネクタ出力線路 １３ｉ−１ 高周波基板信号線接触部 １３ｇ 出力信号線路変換部 １３ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） １４ 高周波基板 １４ａ 基板信号線（高周波基板信号線） １４ｃ 第１のアースパターン １４ｄ 第２のアースパターン １４ｅ 第３のアースパターン １４ｈ 第１のアースパターン半田付けポイント １４ｉ 第２のアースパターン半田付けポイント １４ｇ 基板信号線接触ポイント １５ 高周波同軸コネクタ １５ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） １５ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） １５ｃ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） １５ｃ−１ アースパターン接触面 １５ｈ 高周波同軸コネクタ出力基板 １５ｉ 高周波同軸コネクタ出力線路 １５ｉ−１ 高周波基板信号線接触部 １５ｇ 出力信号線路変換部 １５ｚ コネクタ同軸部（アース高周波同軸コネク
タ同軸部アース） １６ 高周波基板 １６ａ 基板信号線（高周波基板信号線） １６ｃ 第１のアースパターン １６ｄ 第２のアースパターン １６ｅ 第３のアースパターン １６ｈ 第１のアースパターン半田付けポイント １６ｉ 第２のアースパターン半田付けポイント １６ｇ 基板信号線接触ポイント １７ 高周波同軸コネクタ １７ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） １７ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） １７ｃ 第１のコネクタアース（第１の高周波同軸
コネクタアース） １７ｄ 第２のコネクタアース（第２の高周波同軸
コネクタアース） １７ｅ 第３のコネクタアース（第３の高周波同軸
コネクタアース） １７ｆ 第４のコネクタアース（第４の高周波同軸
コネクタアース） １７ｍ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） １７ｍ−１ アースパターン接触面 １７ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） １８ 高周波基板 １８ａ 基板信号線（高周波基板信号線） １８ｃ 第１のアースパターン １８ｄ 第２のアースパターン １８ｅ 第３のアースパターン １８ｈ 第１のコネクタアース挿入孔部 １８ｉ 第２のコネクタアース挿入孔部 １８ｊ 第３のコネクタアース挿入孔部 １８ｋ 第４のコネクタアース挿入孔部 １８ｌ 基板信号線接触ポイント １９ 高周波同軸コネクタ １９ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） １９ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） １９ｃ 第１のコネクタアース（第１の高周波同軸
コネクタアース） １９ｃ−１ アースパターン接触面 １９ｄ 第２のコネクタアース（第２の高周波同軸
コネクタアース） １９ｄ−１ アースパターン接触面 １９ｏ 第１のねじ挿通孔（コネクタ側孔部） １９ｐ 第２のねじ挿通孔（コネクタ側孔部） １９ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ２０ａ 第１のねじ部材（固定部材） ２０ｂ 第２のねじ部材（固定部材） ２１ａ 第１のナット部材（固定部材） ２１ｂ 第２のナット部材（固定部材） ２２ 高周波基板 ２２ａ 基板信号線（高周波基板信号線） ２２ｃ 第１のアースパターン ２２ｄ 第２のアースパターン ２２ｅ 第３のアースパターン ２２ｈ 第１のねじ挿入孔（基板側孔部） ２２ｉ 第２のねじ挿入孔（基板側孔部） ２２ｇ 基板信号線接触ポイント ２３ 高周波同軸コネクタ ２３ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ２３ｃ 第１のコネクタアース（第１の高周波同軸
コネクタアース） ２３ｃ−１ アースパターン接触面 ２３ｄ 第２のコネクタアース（第２の高周波同軸
コネクタアース） ２３ｄ−１ アースパターン接触面 ２３ｈ 第１のねじ孔（コネクタ側ねじ部） ２３ｉ 第２のねじ孔（コネクタ側ねじ部） ２３ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ２４ 高周波同軸コネクタ ２４ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ２４ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） ２４ｃ 第１のコネクタアース（コネクタアース
部）（第１の高周波同軸コネクタアース） ２４ｃ−１ アースパターン接触面 ２４ｄ 第２のコネクタアース（コネクタアース
部）（第２の高周波同軸コネクタアース） ２４ｄ−１ アースパターン接触面 ２４ｅ 第３のコネクタアース（コネクタアース
部）（第３の高周波同軸コネクタアース）２４ｆ
第４のコネクタアース（コネクタアース部）（第４の高
周波同軸コネクタアース） ２４ｈ 第１のねじ挿通孔（コネクタ側孔部） ２４ｉ 第２のねじ挿通孔（コネクタ側孔部） ２４ｊ ねじ孔（コネクタ側ねじ孔部） ２４ｋ ねじ孔（コネクタ側ねじ孔部） ２４ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ２５ａ 第１のスペーサ ２５ｂ 第２のスペーサ ２６ 高周波同軸コネクタ ２６ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ２６ｃ 第１のコネクタアース（第１の高周波同軸
コネクタアース） ２６ｃ−１ アースパターン接触面 ２６ｄ 第２のコネクタアース（第２の高周波同軸
コネクタアース） ２６ｄ−１ アースパターン接触面 ２６ｈ 第１のねじ孔（コネクタ側ねじ部） ２６ｉ 第２のねじ孔（コネクタ側ねじ部） ２６ｍ コネクタジョイント用溝部 ２６ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ２７ コネクタ止め ２７ｍ コネクタ止めジョイント部 ２８ 高周波同軸コネクタ ２８ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ２８ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） ２８ｃ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） ２８ｃ−１ アースパターン接触面 ２８ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ２９ 高周波基板 ２９ａ 基板信号線（高周波基板信号線） ２９ｃ 第１のアースパターン ２９ｄ 第２のアースパターン ２９ｅ 第３のアースパターン ２９ｉ アースピン挿入孔（アース挿入部） ２９ｇ 基板信号線接触ポイント ２９ｎ アースピン挿入スリット（アース挿入部） ３０ 高周波同軸コネクタ ３０ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ３０ｄ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） ３１ 高周波同軸コネクタ ３１ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ３１ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） ３１ｃ 第１のコネクタアース（第１の高周波同軸
コネクタアース） ３１ｃ−１ アースパターン接触面 ３１ｄ 第２のコネクタアース（第２の高周波同軸
コネクタアース） ３１ｄ−１ アースパターン接触面 ３１ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ３２ 高周波基板 ３２ａ 基板信号線（高周波基板信号線） ３２ｃ 第１のアースパターン ３２ｄ 第２のアースパターン ３２ｅ 第３のアースパターン ３２ｇ 基板信号線接触ポイント ３３ アタッチメント ３３ａ 第１のコネクタ押さえ部 ３３ａ−１ 係止爪部 ３３ｂ 第２のコネクタ押さえ部 ３３ｂ−１ 係止爪部 ３３ｃ 第３のコネクタ押さえ部 ３３ｄ 第４のコネクタ押さえ部３３ｄ ３３Ａ 固定用アタッチメント ３４ 高周波同軸コネクタ ３４ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ３４ｄ 第１のコネクタアース（第１の高周波同軸
コネクタアース） ３４ｃ−１ アースパターン接触面 ３４ｄ 第２のコネクタアース（第２の高周波同軸
コネクタアース） ３４ｄ−１ アースパターン接触面 ３４ｚ コネクタ同軸部アース（高周波同軸コネク
タ同軸部アース） ３６ａ 第１の実装型アタッチメント ３６ｂ 第２の実装型アタッチメント ３５ 高周波基板 ３５ａ 基板信号線（高周波基板信号線） ３５ｃ 第１のアースパターン ３５ｄ 第２のアースパターン ３５ｅ 第３のアースパターン ３５ｇ 基板信号線接触ポイント ３７ シールドケース ３７ｅ 切欠部 ３７ｆ 切欠部 ３８ 高周波基板 ３８ｃ 第１のアースパターン ３８ｄ 第２のアースパターン ３９ 高周波同軸コネクタ ３９ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ３９ｃ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） ４０ アースアダプタ ４１ アースアダプタ ４１ａ 第１の傾斜付きアダプタアース部 ４１ｂ 第２の傾斜付きアダプタアース部 ４２ 高周波基板 ４３ 高周波同軸コネクタ ４３ａ コネクタ信号線（高周波同軸コネクタ信号
線） ４３ｂ コネクタ誘電体（高周波同軸コネクタ誘電
体） ４３ｃ コネクタアース（高周波同軸コネクタアー
ス） ４３ｄ ねじ部（回転取付手段）（固定手段） ４３ｅ〜４３ｎ 高周波同軸コネクタ ４４ アースアダプタ ４７ａ〜４７ｎ 高周波モジュール ４９ｅ〜４７ｎ 高周波同軸ケーブル ５０ コネクタアダプタ ５１ 高周波同軸コネクタ ５１ｆ 第１の位置決め用突起部（位置決め部） ５１ｇ 第２の位置決め用突起部（位置決め部） ５２ 高周波基板 ５２ｆ 第１の位置決めスリット ５２ｇ 第２の位置決めスリット ５３ 高周波同軸コネクタ ５３ｈ フック ５３ｇ フック ５３ｆ 基板挿入溝部 ５４ 高周波基板 ５４ｈ 第１のフック係合孔（フック係合部） ５４ｉ 第２のフック係合孔（フック係合部） ５５ａ 第１の導電性マット ５５ｂ 第２の導電性マット ５５ｃ 第３の導電性マット ６０ 受信アンテナ ６１ 受信回路入力コネクタ ６４ 受信回路 ６７ 送信回路出力コネクタ ７０ 送信回路 ７２ｂ 移動局装置（携帯電話基地局装置） ７３ｂ 移動局装置（携帯電話端末）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 貴志 石川県金沢市西念一丁目１番３号 株式会 社松下通信金沢研究所内 (72)発明者 塩原 正史 神奈川県横浜市港北区綱島東四丁目３番１ 号 松下通信工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E077 BB06 BB22 CC14 CC22 CC28 DD01 HH07 HH08 JJ16 (54)【発明の名称】 高周波同軸コネクタと、この高周波同軸コネクタの取付構造と、この高周波同軸コネクタとその 取付構造を用いた高周波モジュールと、この高周波同軸コネクタを用いた受信回路と、この高周 波同軸コネクタを用いた送信回路と、この送信回路及び受信回路を用いた無線通信装置

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波基板の高周波基板信号線に導通さ
   れる高周波同軸コネクタ信号線と、前記高周波基板のア
   ースパターンに導通される高周波同軸コネクタアースと
   を有する高周波同軸コネクタであって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
   クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
   板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
   波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
   触部を前記高周波基板信号線に接触させた際に、前記高
   周波同軸コネクタアースが前記アースパターンに接触す
   るように、前記高周波基板信号線接触部と前記高周波同
   軸コネクタアースのアースパターン接触部とを配置する
   ようにしたことを特徴とする高周波同軸コネクタ。
2. 【請求項２】 高周波基板の高周波基板信号線に導通さ
   れる高周波同軸コネクタ信号線と、前記高周波基板のア
   ースパターンに導通される高周波同軸コネクタアースと
   を有する高周波同軸コネクタであって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
   クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
   板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
   波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
   触部と前記高周波同軸コネクタアースのアースパターン
   接触部とを同一平面内に位置させて、前記高周波基板信
   号線接触部を前記高周波基板信号線に接触させた際に、
   前記アースパターン接触部が前記アースパターンに接触
   するようにしたことを特徴とする高周波同軸コネクタ。
3. 【請求項３】 高周波基板の高周波基板信号線に導通さ
   れ且つ高周波信号を前記高周波基板に伝送する高周波同
   軸コネクタ信号線と、前記高周波基板のアースパターン
   に導通される高周波同軸コネクタアースとを有する高周
   波同軸コネクタであって、 前記高周波同軸コネクタ信号線がライトアングル状のコ
   ネクタ誘電体の中心に配置してあり、且つ前記コネクタ
   誘電体の周部に高周波同軸コネクタ同軸部アースを有し
   ており、この高周波同軸コネクタ同軸部アースが前記高
   周波同軸コネクタアースを備えていて、 前記高周波同軸コネクタ信号線と前記高周波同軸コネク
   タアースとを同一平面内に位置させて、前記高周波同軸
   コネクタ信号線を前記高周波基板信号線に接触させた際
   に、前記高周波同軸コネクタアースが前記アースパター
   ンに接触するようにしたことを特徴とする高周波同軸コ
   ネクタ。
4. 【請求項４】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
   コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
   くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
   形成された高周波基板とを備えていて、前記高周波同軸
   コネクタを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネ
   クタの取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタ信号線を前記高周波基板信号線
   に接触させた際に、前記高周波同軸コネクタアースが前
   記アースパターンに接触するように、前記高周波同軸コ
   ネクタ信号線と前記高周波同軸コネクタアースとを配置
   して、 前記高周波同軸コネクタ信号線を前記高周波基板信号線
   に導通させると共に、前記高周波同軸コネクタアースを
   前記アースパターンに導通させて、前記高周波同軸コネ
   クタを前記高周波基板に取り付けるようにしたことを特
   徴とする高周波同軸コネクタの取付構造。
5. 【請求項５】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
   コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
   くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
   形成された高周波基板とを備えていて、前記高周波同軸
   コネクタを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネ
   クタの取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタ信号線と前記高周波同軸コネク
   タアースとを同一平面内に位置させて、前記高周波同軸
   コネクタ信号線を前記高周波基板信号線に導通させた際
   に、前記高周波同軸コネクタアースを前記アースパター
   ンに導通させて、前記高周波同軸コネクタを前記高周波
   基板に取り付けるようにしたことを特徴とする高周波同
   軸コネクタの取付構造。
6. 【請求項６】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
   コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
   くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
   形成された高周波基板とを備えていて、前記高周波同軸
   コネクタを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネ
   クタの取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
   クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
   板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
   波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
   触部を前記周波基板信号線に接触させた際に、前記高周
   波同軸コネクタアースが前記アースパターンに接触する
   ように、前記高周波基板信号線接触部と前記高周波同軸
   コネクタアースのアースパターン接触部とを配置させ
   て、前記高周波基板信号線接触部を前記高周波基板信号
   線に導通させると共に、前記アースパターン接触部を前
   記アースパターンに導通させて、前記高周波同軸コネク
   タを前記高周波基板に取り付けるようにしたことを特徴
   とする高周波同軸コネクタの取付構造。
7. 【請求項７】 高周波同軸コネクタ信号線と高周波同軸
   コネクタアースとを有する高周波同軸コネクタと、少な
   くとも同一面に高周波基板信号線とアースパターンとが
   形成された高周波基板とを備え、前記高周波同軸コネク
   タを前記高周波基板に取り付ける高周波同軸コネクタの
   取付構造であって、 前記高周波同軸コネクタアースが、前記高周波同軸コネ
   クタ信号線により伝送された高周波信号を前記高周波基
   板に伝送する高周波同軸コネクタ出力線路を有する高周
   波同軸コネクタ出力基板を備えており、 前記高周波同軸コネクタ出力線路の高周波基板信号線接
   触部と高周波同軸コネクタアースのアースパターン接触
   部とを同一平面内に位置させて、前記高周波基板信号線
   接触部を前記高周波基板信号線に導通させた際に、前記
   アースパターン接触部を前記アースパターンに導通させ
   て、前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付
   けるようにしたことを特徴とする高周波同軸コネクタの
   取付構造。
8. 【請求項８】 前記高周波同軸コネクタアースを爪形状
   にし、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタアースが挿
   入されるコネクタアース挿入孔部を設け、 前記高周波同軸コネクタアースを前記コネクタアース挿
   入孔部に挿入して前記高周波同軸コネクタアースを曲げ
   ることにより前記高周波同軸コネクタアースを前記高周
   波基板に係止して前記高周波同軸コネクタを前記高周波
   基板に取り付けるようにしたことを特徴とする請求項４
   又は請求項５に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。
9. 【請求項９】 前記高周波同軸コネクタアースにコネク
   タ側孔部を設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
   記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
   置に基板側孔部を設け、 前記コネクタ側孔部と前記基板側孔部とにねじ部材を挿
   通して、このねじ部材にナット部材を螺合して前記高周
   波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるようにし
   たことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の高周
   波同軸コネクタの基板取付構造。
10. 【請求項１０】 前記高周波同軸コネクタアースにコネ
    クタ側ねじ孔部を設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
    記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
    置に基板側孔部を設け、 前記基板側孔部にねじ部材を挿通して、このねじ部材を
    前記コネクタ側ねじ孔部に螺合して前記高周波同軸コネ
    クタを前記高周波基板に取り付けるようにしたことを特
    徴とする請求項４又は請求項５に記載の高周波同軸コネ
    クタの基板取付構造。
11. 【請求項１１】 前記高周波同軸コネクタアースを、互
    いに隙間を存して対向する２枚のコネクタアース部で構
    成し、前記一方のコネクタアース部にコネクタ側孔部を
    設けると共に、前記他方のコネクタアース部にコネクタ
    側ねじ孔部を設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
    記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
    置に基板側孔部を設け、 前記高周波基板をスペーサと共に前記隙間に挿入し、前
    記基板側孔部及び前記スペーサにねじ部材を挿通して、
    このねじ部材を前記コネクタ側ねじ孔部に螺合して前記
    高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるよう
    にしたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の
    高周波同軸コネクタの取付構造。
12. 【請求項１２】 前記高周波同軸コネクタアースにコネ
    クタ側ねじ孔部とコネクタジョイント用溝部とを設け、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
    記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
    置に基板側孔部を設け、 前記コネクタジョイント用溝部に、挿通孔部を有するコ
    ネクタジョイントを係脱可能に挿入して、このコネクタ
    ジョイントと前記高周波同軸コネクタアースとで前記高
    周波基板を挟み、前記コネクタジョイントの前記挿通孔
    部から前記基板側孔部にねじ部材を挿入して、このねじ
    部材を前記コネクタ側ねじ孔部に螺合することで、前記
    高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるよう
    にしたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の
    高周波同軸コネクタの取付構造。
13. 【請求項１３】 前記高周波同軸コネクタアースをピン
    形状にして、前記高周波基板に、前記高周波同軸コネク
    タ信号線と前記高周波基板信号線とが接触するように位
    置決めする位置にアース挿入部を設け、 前記高周波同軸コネクタアースを前記アース挿入部に挿
    入して前記高周波基板の裏面で半田付けにより固定して
    前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付ける
    ようにしたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記
    載の高周波同軸コネクタの取付構造。
14. 【請求項１４】 前記高周波同軸コネクタアースをピン
    形状にして、この高周波同軸コネクタアースにねじ部を
    形成し、 前記高周波基板に、前記高周波同軸コネクタ信号線と前
    記高周波基板信号線とが接触するように位置決めする位
    置に基板側孔部を設け、 前記高周波同軸コネクタアースを前記基板側孔部に挿入
    して前記高周波基板の裏面側で前記ねじ部にナット部材
    を螺合して前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に
    取り付けるようにしたことを特徴とする請求項４又は請
    求項５に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。
15. 【請求項１５】 前記高周波同軸コネクタを前記高周波
    基板に取り付ける際に、 前記高周波同軸コネクタを所定位置に位置決めして固定
    するアタッチメントを用いるようにしたことを特徴とす
    る請求項４又は請求項５に記載の高周波同軸コネクタの
    取付構造。
16. 【請求項１６】 前記アタッチメントが、前記高周波基
    板に前記高周波同軸コネクタアースを位置決めするため
    の実装型アタッチメントと、前記高周波基板に前記高周
    波同軸コネクタを固定する固定用アタッチメントとであ
    り、 前記実装型アタッチメントで前記高周波同軸コネクタア
    ースを前記高周波基板に位置決めする共に、前記固定用
    アタッチメントで前記高周波基板に前記高周波同軸コネ
    クタを固定して前記高周波同軸コネクタ信号線と前記高
    周波基板信号線とを接触させるようにしたことを特徴と
    する請求項１５に記載の高周波同軸コネクタの取付構
    造。
17. 【請求項１７】 前記高周波基板に、高周波信号をシー
    ルドするシールドケースをねじ部材で取り付ける際に、
    前記高周波基板と前記シールドケースとで前記高周波同
    軸コネクタアースを挟み込み、前記高周波基板に、前記
    ねじ部材で前記シールドケースと前記高周波同軸コネク
    タアースとを共締めして前記高周波同軸コネクタを前記
    高周波基板に取り付けるようにしたことを特徴とする請
    求項４又は請求項５に記載の高周波同軸コネクタの取付
    構造。
18. 【請求項１８】 前記高周波同軸コネクタアースは、前
    記高周波同軸コネクタとは別の部品で構成してあり、前
    記高周波同軸コネクタと前記高周波同軸コネクタアース
    は結合手段により結合されることを特徴とする請求項４
    又は請求項５に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。
19. 【請求項１９】 前記高周波同軸コネクタは、前記高周
    波基板の面部に対して傾斜する傾斜方向に向けて、この
    高周波基板に取り付けてあることを特徴とする請求項１
    ８に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。
20. 【請求項２０】 前記高周波同軸コネクタがライトアン
    グルタイプであり、この高周波同軸コネクタを前記高周
    波基板に対して回転可能に且つ所定方向に固定可能に取
    り付けて、前記高周波同軸コネクタの向きを変化させる
    ようにしたことを特徴とした請求項４又は請求項５に記
    載の高周波同軸コネクタの取付構造。
21. 【請求項２１】 前記高周波同軸コネクタを前記高周波
    基板に回転可能に取り付ける回転取付手段と、前記高周
    波同軸コネクタを前記高周波基板に固定する固定手段と
    を備え、前記回転取付手段により前記高周波同軸コネク
    タの向きを任意に調節すると共に、前記固定手段で前記
    高周波同軸コネクタを前記高周波基板に固定するように
    したことを特徴とする請求項２０に記載の高周波同軸コ
    ネクタの取付構造。
22. 【請求項２２】 前記高周波同軸コネクタアースに、前
    記高周波同軸コネクタの実装位置を定める位置決め部を
    設け、前記高周波基板に、前記位置決め部が挿入される
    位置決めスリットを設け、 前記位置決め部を前記位置決めスリットに挿入して前記
    高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付けるよう
    にしたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の
    高周波同軸コネクタの取付構造。
23. 【請求項２３】 前記高周波基板にフック係合部を設
    け、前記高周波同軸コネクタアースに、前記フック係合
    部に係脱可能に係合するフック部を設け、 前記フック部を前記フック係合部に係脱可能に係合し
    て、前記高周波同軸コネクタを前記高周波基板に取り付
    けるようにしたことを特徴とする請求項４又は請求項５
    に記載の高周波同軸コネクタの取付構造。
24. 【請求項２４】 前記高周波同軸コネクタ信号線と前記
    高周波基板信号線との接触、及び前記高周波同軸コネク
    タアースと前記高周波基板アースとの接触に、それぞれ
    導電性マットを介して行うようにしたことを特徴とする
    請求項４又は請求項５に記載の高周波同軸コネクタの接
    続取付構造。
25. 【請求項２５】 モジュール本体が備える高周波基板に
    高周波同軸ケーブルを接続するための高周波同軸コネク
    タに、請求項３に記載の高周波同軸コネクタを用い、前
    記高周波同軸コネクタの取付構造に、請求項２０又は請
    求項２１に記載の高周波同軸コネクタの取付構造を用い
    たことを特徴とする高周波モジュール。
26. 【請求項２６】 受信アンテナから受信信号を入力する
    受信回路入力コネクタに請求項１乃至請求項３のいずれ
    かの一に記載の高周波同軸コネクタを用いるようにした
    ことを特徴とする受信回路。
27. 【請求項２７】 出力信号を出力する送信回路出力コネ
    クタに請求項１乃至請求項３のいずれかの一に記載の高
    周波同軸コネクを用いるようにしたことを特徴とする送
    信回路。
28. 【請求項２８】 それぞれが送、受信回路を備えた基地
    局装置及び移動局装置を有し、前記受信回路に請求項２
    ６に記載の受信回路を用いると共に、前記送信回路に請
    求項２７に記載の送信回路を用いたことを特徴とする無
    線通信装置。