JP2003202810A

JP2003202810A - 表示装置用電磁波シールドフィルタ、プラズマディスプレイパネル用フィルタおよぴプラズマディスプレイパネル表示装置

Info

Publication number: JP2003202810A
Application number: JP2002002228A
Authority: JP
Inventors: Toshitaka Nakamura; 年孝中村; Yoshihiro Hieda; 嘉弘稗田; Shusaku Nakano; 秀作中野
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-01-09
Filing date: 2002-01-09
Publication date: 2003-07-18
Anticipated expiration: 2022-01-09
Also published as: JP3819777B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ディスプレイをはじめとする表示装置に用い
られる電磁波シールドフィルタにおいて、すぐれた電磁
波シールド性を示し、発光光の高透過性、外光の低反射
性を実現できる表示装置用電磁波シールドフィルタを安
価かつ比較的簡潔な構成でもって提供する。【解決手段】表示装置４の観察者側から順に、吸収型
円偏光板１と、電磁波シールド材２と、上記の吸収型円
偏光板１の吸収する円偏光光と同方向の円偏光光を反射
し、それとは逆方向の円偏光光は透過する選択反射型円
偏光板３を具備することを特徴とする電磁波シールドフ
ィルタ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置用電磁波
シールドフィルタと、これを適用したプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰという）用フィルタと、この
フィルタを用いたＰＤＰ表示装置とに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＰＤＰ、ＣＲＴ、フィールドエミッショ
ンディスプレイをはじめとするディスプレイ表示装置
は、その動作原理より、それぞれ大小はあるが、不要電
磁波が放射され、周辺機器の誤動作やノイズ源となるば
かりか、人体への影響も懸念される。このため、なんら
かの電磁波シールドフィルタを設けて、それらをカット
する必要がある。

【０００３】通常の機器の電磁波シールドは、導体でそ
れらを囲むなどして達成されるが、ディスプレイの場合
は、透明性と導電性を兼ね合わせた電磁波シールドフィ
ルタでなければならない。たとえば、透明導電膜である
酸化インジウム錫薄膜などはその一例であるが、表面抵
抗がせいぜい数十Ω／□程度であり、ＰＤＰなどから放
射される強度の電磁波をシールドするには不十分であ
る。

【０００４】このような機器から放射される電磁波につ
いては、ＶＣＣＩ（ＶｏｌｕｎｔａｌｙＣｏｎｔｒｏ
ｌＣｏｕｎｃｉｌｆｏｒＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃ
ｅｂｙｄａｔａｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｅｑｕｉｐ
ｍｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｏｆｆｉｃｅｍａ
ｃｈｉｎｅ）や、ＦＣＣ（ＦｅｄｅｒａｌＣｏｍｍｕ
ｎｉｃａｔｉｏｎＣｏｍｍｉｓｓｉｏｎ）による規制
が設けられている。これらの規制で対象とされる放射電
磁波の周波数範囲は３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚであるが、よ
り低周波領域の電磁波に関しても家庭用ビデオのノイズ
源になるなどの問題が発生しており、より広範囲な周波
数帯域において、電磁波シールド性にすぐれたフィルタ
が要求されている。

【０００５】このような要求に対して、すぐれた電磁波
シールド性、とくに低周波における磁界シールド性が良
好であり、しかも、透明性を確保するため、導電性メッ
シュ状のフィルタが採用されている。すなわち、導電性
メッシュは、導電層の厚みがμｍオーダーと厚いため、
とくに低周波領域の電磁波シールド性が良好であり、容
易に１Ω／□以下、とくに０．１Ω／□以下というよう
な低抵抗な電磁波シールドフィルタが実現できる。

【０００６】しかしながら、メッシュフィルタの場合、
ディスプレイ前面に配置してその視認性を損なわないよ
うなものとするには、メッシュの線径をできるだけ細く
する必要がある。また、ディスプレイの画素との間でモ
アレが発生し、視認性を著しく低下させる場合がある。
たとえば、ポリエステル繊維に金属をメッキした繊維タ
イプのメッシュは、安価でかつ電磁波シールド性は良好
であるが、線径の細線化に限界があり、ディスプレイの
視認性を著しく低下させる。このため、たとえば、半導
体製造技術を応用したホトリソグラフイー技術などを駆
使して、極めてファインなメッシュを、しかも大面積で
製造する必要があり、極めて高価な電磁波シールドフィ
ルタとならざるを得ない。

【０００７】また、上記のメッシュフィルタは、基本的
に、銅などの金属メッシュを用いるため、金属光沢によ
る外光反射が著しく、室内照明の映り込みによる視認性
の低下が著しく、細線化するだけではそれを低減できな
い。したがって、さらに表面上に黒化処理を施す必要が
あり、製造コストが一段と高くなる。また、このような
処理により、外光反射をある程度は抑えることができる
が、さらに高い明室コントラストを実現するのは容易な
ことではない。

【０００８】また、メッシュフィルタとは別に、電磁波
シールド性を付与する手段として、金属薄膜を用いる方
法がある。通常、金属は可視光線に対して透過性がな
く、ディスプレイ用途には用いることができないが、膜
厚が数十ｎｍ以下である場合、可視光線を透過する。な
かでも、銀は金属の中で最も電気伝導度が高いばかり
か、可視光線透過性に極めてすぐれた材料であり、透明
性と導電性を同時に満足できる。しかしながら、数十ｎ
ｍ以下の薄膜でも、金属反射により可視光線反射率が高
くなり、ディスプレイ用途に対し好適に用いることがで
きない。このため、銀薄膜の反射防止も考慮に入れた光
学設計が必要となる。

【０００９】上記の問題を解決する方法として、たとえ
ば、特開２０００−９８１３１号公報に開示されている
ように、高屈折率薄膜と銀薄膜とを交互に積層する方法
が提案されている。各層の屈折率、膜厚、構成、繰り返
し積層数などを適宜選んだ光学設計を行うことにより、
電気伝導性、可視光線透過性、可視光線低反射性を同時
に満足させることができる。光学設計は、古典的な光学
設計手法をもとにした、市販の光学設計ソフトなどを用
いて容易に行うことができる。

【００１０】しかしながら、特許第３００４２２２号に
記載されているように、媒質が空気（屈折率＝１．０）
である場合の可視光線反射率が低くても、その上に屈折
率の異なる隣接層が形成されると、可視光線反射率は変
化する。また、ディスプレイ用フィルタとする場合、最
表面に反射防止層や反射防止フィルムなどを貼り合わせ
て表面の反射を抑える手段がとられているが、たとえ表
面反射を低減しても、電磁波シールド層と隣接層との界
面反射が大きいと、結局、反射率は高くなり、視認性の
著しく悪いフィルタとなる。

【００１１】また、表面抵抗などの値も、可視光線反射
率を低減する光学設計を行うため、おのずとその設計自
由度が制限される。−般的にこのような界面反射を抑制
するような光学設計を行う場合、銀薄膜の膜厚を薄くし
たり、もしくは繰り返し積層数を増やす必要がある。前
者の場合、簡潔な構成で十分な電磁波シールド性を実現
するのは難しく、後者の場合、製造コストが著しく高く
なるばかりか、厳密な光学設計とそれを再現するための
高精度な製造プロセスが要求される。

【００１２】上述のように、従来の技術では、電磁波シ
ールド性にすぐれており、しかも、透明性および可視光
線低反射性にもすぐれた電磁波シールドフィルタを、安
価に提供することは、非常に難しかった。一方、表示装
置用フィルタの外光反射を低減する方法として、最表面
に反射防止層やアンチグレア層を形成したり、別途用意
したそれらの機能を有するフィルムを貼り合わせる方法
が一般的に採用されている。しかしながら、このような
方法により、最表面の反射を低減できたとしても、電磁
波シールド材とその隣接層との界面反射を低減すること
はできなかった。

【００１３】また、表示装置の内部や各層での界面反射
を防止する方法として、最表面に吸収型円偏光板を設置
する方法が提案されており、たとえば、特開平７−１４
２１７０号公報にその適用例が示され、特開平１１−２
４２９３３号公報にはＰＤＰに適用する提案もなされて
いる。この提案では、吸収型円偏光板の作用により、そ
れより内部で発生する外光反射はすべて吸収できるが、
原理的に表示装置自体からの発光光の約５０％が吸収型
円偏光板により吸収され、表示装置の輝度が半減する問
題がある。しかし、吸収型円偏光板による外光反射の防
止と、これによるコントラスト向上効果が極めて大きい
ため、発光光の約５０％を損失することは承知の上で、
この方式が採用される場合も少なくない。

【００１４】液晶ディスプレイでは、特開平１０−３０
１０９７号公報に示されているように、コレステリツク
液晶層や１／４波長位相差板を用い、通常半分は直線偏
光子により吸収されるバックライトの光を、再度、直線
偏光板の吸収軸に直交する直線偏光に変換し、輝度を向
上させる技術も提案されている。液晶ディスプレイの場
合、原理的に直線偏光板が液晶セルを挟んでクロスニコ
ルの状態で放置されているため、装置内部での反射光は
問題とならない。よって、上記のような技術を利用して
ディスプレイの輝度を向上させることが可能である。さ
らに、特開２００１−２１５８８６号公報には、ＰＤＰ
に吸収型偏光子と反射型偏光子とを組み合わせる提案な
どもなされている。

【００１５】しかしながら、これらの提案は、いずれの
場合も、表示装置内部の外光反射の低減についてなされ
た発明であり、電磁波シールド材での反射防止に関して
は、なんら言及されていない。また、ＰＤＰは、発光原
理から、不要電磁波のほかに、８００〜１，１００ｎｍ
の波長範囲の近赤外線も同時に放射される。近赤外線は
人体に悪影響はなく、とくに規制はないが、この波長範
囲の近赤外線は、家庭用機器のリモートコントローラに
用いられているため、家電機器の誤動作を引き起こしや
すい。したがって、可視光線は透過し、近赤外線はカッ
トする機能も付与しなければならない。また、放電ガス
にＮｅを用いているため、波長５８５ｎｍ付近に原理的
にそれに起因したオレンジ色の発光光が生じ、ＰＤＰの
赤色発光の色純度を著しく低下させる問題もあり、それ
らもカットするフィルタが望ましい。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】このように、各種の表
示装置に要求される高い電磁波シールド性、発光光の高
透過性、外光の低反射性、さらにＰＤＰでは、近赤外線
カット性、色純度の向上を同時に満足するような表示装
置用電磁波シールドフィルタを簡単な構成でかつ安価に
提供する手段は提案されていないのが現状である。

【００１７】本発明は、上記の事情に照らし、ディスプ
レイをはじめとする表示装置に用いられる電磁波シール
ドフィルタにおいて、すぐれた電磁波シールド性を示
し、発光光の高透過性、外光の低反射性を実現できる表
示装置用電磁波シールドフィルタを安価かつ比較的簡潔
な構成でもって提供することを目的としている。また、
ＰＤＰ表示装置に用いられるフイルタとして最適な機能
を有するＰＤＰ用フィルタと、さらにＰＤＰ表示装置を
提供することを目的としている。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決するため、鋭意検討した結果、（１）表示装置
の観察者側から順に、吸収型円偏光板と、電磁波シール
ド材と、上記の吸収型円偏光板の吸収する円偏光光と同
方向の円偏光光を反射し、それとは逆方向の円偏光光は
透過する選択反射型円偏光板を具備する構成とすること
で、電磁波シールド材による界面反射をほぼ完全に低減
でき、しかも表示装置から発光する光はその損失を最小
限にとどめて効率よく観察者側に放射させうる表示装置
用電磁波シールドフィルタが得られることを知り、本発
明を完成した。

【００１９】また、上記の表示装置用電磁波シールドフ
ィルタにおいて、（２）選択反射型円偏光板として円偏
光二色性を示すコレステリツク液晶層を具備する構成と
することにより、より簡潔な構成で上記効果を発現でき
ることがわかった。さらに、（３）電磁波シールド材が
導電性メッシュからなり、その線幅が２０μｍ以上、開
口率が８５％以下である構成とすることにより、安価
で、通常は視認性の悪い電磁波シールドメッシュを好適
に利用できることがわかった。また、（４）電磁波シー
ルド材が１層以上の銀系透明導電体薄膜層を含み、その
電磁波シールド材とその面上に形成される隣接層の界面
反射率が０．５〜３０％である構成とすることにより、
銀系透明導電体薄膜をはじめとする多層膜の構成を簡略
化でき、またその光学設計の自由度が大幅に広くなり、
しかも電磁波シールド性に非常にすぐれたものとなるこ
とがわかった。

【００２０】また、本発明者らは、（５）上記各構成の
電磁波シールドフィルタを具備したＰＤＰ用フィルタを
提供でき、その際、（６）吸収型円偏光板と表示装置と
の間に波長８５０〜１，０００ｎｍの近赤外線をカット
する層を挿入する構成とすることにより、近赤外線カッ
ト性を容易に付与できること、（７）選択反射型円偏光
板を、波長５８０〜５９０ｎｍの範囲には選択反射性を
持たないものとすることにより、Ｎｅ発光に起因した５
８５ｎｍ付近のオレンジ色発光光の光線透過率を半減で
き、赤色発光の色純度を向上させうることがわかった。

【００２１】さらに、本発明者らは、（８）ＰＤＰの前
面に、空気層を介して設置される透明成形体に上記各構
成のＰＤＰ用フィルタを付設したＰＤＰ用前面フィルタ
を装着した構成とすることにより、また、（９）ＰＤＰ
本体の前面表示ガラス部に、透明粘着剤ないし透明接着
剤を介して、上記各構成のＰＤＰ用フィルタが直接貼り
合わされている構成とすることにより、上記ＰＤＰ用フ
ィルタを備えたＰＤＰ表示装置を提供できるものである
ことがわかった。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を、
図１および図２を用いて、説明する。図１は、表示装置
に対して、本発明の表示装置用電磁波シールドフィルタ
を、装着した基本構成を示す概略図である。図１におい
て、表示装置用電磁波シールドフィルタＡは、表示装置
４の観測者側から、吸収型円偏光板１、電磁波シールド
材２、選択反射型円偏光板３とが、この順に配置されて
いる。上記の円偏光板１，３は、それぞれ、完全な円偏
光板であることが好ましいが、完全な円偏光板から多少
なりとも楕円偏光板にずれていても、好適に使用でき
る。つまり、上記の円偏光板１，３には、それぞれ、完
全な円偏光板のほかに、楕円偏光板を含むものである。

【００２３】吸収型円偏光板１は、吸収型直線偏光板１
１と複屈折光の位相差が１／４波長である位相差板１２
とを積層したものである。この吸収型円偏光板１は、吸
収型直線偏光板１１の透過軸に対し、上記位相差板１２
の光軸を４５度または１３５度の角度で交差させること
により、形成され、その角度により、右円偏光または左
円偏光のいずれを吸収するかが決まるものである。ま
た、選択反射型円偏光板３は、上記の吸収型円偏光板１
が吸収する円偏光光と同方向の円偏光光を選択反射し、
それとは逆方向の円偏光光は透過する特性を備えてなる
ものである。さらに、電磁波シールド材２は、上記の吸
収型円偏光板１と上記の選択反射型円偏光板３との間に
配置される。

【００２４】上記構成の電磁波シールドフィルタＡの作
用について、図２を用いて、以下に詳しく説明する。な
お、ここでは、吸収型円偏光板１に左円偏光光を吸収す
る円偏光板を採用し、したがって選択反射型円偏光板３
に左円偏光光を選択反射し、右円偏光光を透過する円偏
光板を採用した例を示している。これとは逆に、吸収型
円偏光板１に右円偏光光を吸収する円偏光板を採用し、
したがって選択反射型円偏光板３に右円偏光光を選択反
射し、左円偏光光を透過する円偏光板を採用してもよ
い。この場合も、右円偏光光と左円偏光光とが逆となる
以外は、以下の説明と全く同じである。

【００２５】まず、外光の反射過程について、説明す
る。ランダム偏光の自然光が表示装置に向けて入射する
と、まず、直線偏光板１１により偏光分離され、そのう
ちの一方は吸収、他方は位相差板１２に透過する。この
時点で外光の約５０％は吸収され、反射光として観測者
には見えなくなる。透過した半分の直線偏光光は、位相
差板１２により右円偏光光に変換される。位相差板１２
から出た右円偏光光１２が、電磁波シールド材２に入射
すると、位相差板１２またはそれらを貼り合わせるため
の透明粘着剤層の屈折率よりも高い屈折率を有する各界
面で正反射した円偏光光は、位相が１８０度反転し、入
射した右円偏光光と逆回りの左円偏光光として反射され
る。このため、たとえば、導電性メッシュであれば、金
属線で反射された右円偏光光は、再び位相差板１２によ
り直線偏光板１１の吸収軸に平行な直線偏光に変換さ
れ、直線偏光板１１に吸収される。つまり、円偏光板１
を配置することにより、電磁波シールド材２で反射され
る外光は、その反射率の大小に関係なく、すべて円偏光
板１で吸収され、観測者には見えなくなる。

【００２６】電磁波シールド材２で反射されずに透過し
た右円偏光光は、選択反射型円偏光板３に入射するが、
この円偏光板３は右円偏光光を透過するものであるた
め、光は表示装置４内部に到達する。仮に、表示装置４
内部の平滑性が良好で、きれいに正反射するような構造
のものであれば、反射された右円偏光光は上記説明した
のと同じ原理で左円偏光光に変換される。反射された左
円偏光光が選択反射型円偏光板３に入射すると、今度は
反射され、左円偏光光のままで表示装置４内部に返され
る。同様に、表示装置４内部で正反射した左円偏光光は
さらに再び右円偏光光に位相反転し、今度は選択反射型
円偏光板３を透過し、一部、電磁波シールド材２で反射
されながら、吸収型円偏光板１に入射する。右円偏光は
吸収型円偏光板１を透過し、外光反射として一部が観測
者の目に入ることになるが、この場合、外光反射が問題
となる電磁波シールド材２での反射は完全に低減されて
おり、観測者に入る反射光は大きく低減される。

【００２７】また、実際の表示装置４は、その表面状態
や構造は複雑である。たとえばＰＤＰであれば、隔壁が
形成されたり、蛍光体が塗られたりしている。したがっ
て、上記のようにきれいな正反射は起こらず、拡散反射
してしまったり、内部で吸収してしまったり、また反射
される光も、散乱により偏光解消され、ランダム偏光に
近い状態になっている場合が多い。この場合、図２に模
式的に描いたように、観測者側に戻される反射光はさら
に少なくなり、表示装置の黒表示がより引き締まった、
明室コントラストの高い表示装置とすることができる。

【００２８】つぎに、表示装置からの発光光について、
その過程を説明する。表示装置４から発する発光光は通
常ランダムな自然光である。放射した光は、まず、選択
反射型円偏光板３に入る。その際、この円偏光板３によ
り偏光分離され、右円偏光は電磁波シールド材２に入
り、一部反射され、残りの大部分は右円偏光のまま吸収
型円偏光板１に入る。この場合、右円偏光はそのまま透
過でき、発光光の約５０％が観測者の目に入る。一方、
上記円偏光板３で選択反射された左円偏光光は表示装置
４内部で正反射され、右円偏光に変換される。その後
は、上記同様に吸収型円偏光板１を透過し、観測者の目
に入る。

【００２９】したがって、一部、電磁波シールド材２で
のロスなどはあるものの、大部分の発光光を観測者まで
届けることができる。しかしながら、先の説明と同様、
実際の表示装置では、散乱反射などによる偏光解消が生
じる。たとえば、完全に偏光解消されたとしても、その
半分は選択反射型円偏光板３を透過できる。さらに、反
射されたうちの半分は上記同様の過程を繰り返し、たと
え偏光解消されても、ある程度発光光を戻すことができ
る。また、偏光解消されていても、ある程度偏光度を維
持しておれば、その分、透過できる光は多くなる。

【００３０】このように、通常の吸収型円偏光板のみを
設置する従来の方式では、外光はすべて低減できるが、
発光光も約半分吸収されてしまい、反射防止効果は得ら
れるものの、輝度が低下するという問題があった。これ
に対し、上記の本発明では、最も視認性の低下につなが
りやすい電磁波シールド材の反射光は完全に低減し、ま
た表示装置内部での反射光も少なくとも半分以上は低減
でき、さらに発光光の吸収を極力回避し、その大部分を
観測者側まで導くことができる。仮に表示装置自体が偏
光発光するものであれば、本発明の効果がさらに発揮さ
れる。

【００３１】つぎに、上記電磁波シールドフィルタの材
料構成について、説明する。本発明の電磁波シールドフ
ィルタにおいて、各部材は、実際には、透明粘着剤や透
明接着剤を介して貼り合わせて構成される。また、それ
ら材料を各部材の偏光特性や電磁波シールド性を損なわ
ないように融着してもよく、空気層を隔てて設置しても
よく、その方法は任意である。さらに、色調整層や近赤
外線カット層、バリア層などを任意の層に付加してもよ
い。

【００３２】本発明において重要なことは、これらの粘
着剤層や別の層には光学的異方性が小さいもの、理想的
にはないものを用いることである。仮に、挿入した層に
光学的異方性があると、光の偏光状態が変化し、本発明
の前記効果が阻害されることになる。一般的な粘着剤や
接着剤には光学的異方性がないため、その接合強度や透
明性にすぐれるものであれば、好適に使用できる．ま
た、電磁波シールド材２や選択反射型円偏光板３など
を、基材上に形成する場合は、たとえば、ガラス板、エ
ポキシ樹脂基板、三酢酸セルロースフィルム、ノルボル
ネン系樹脂フィルムや、その他、市販の光学異方性のな
いフィルムなどを好適に使用することができる。さら
に、最表面の吸収型円偏光板１の表面に反射防止層を形
成したり、別途用意した反射防止フィルムやアンチグレ
アフィルムを貼り合わすなどしてもよい。この場合、反
射防止フィルムに光学的異方性があっても、本発明の効
果になんら影響がないことは、図２を用いた前記の説明
から、明らかである。

【００３３】吸収型円偏光板１において、吸収型直線偏
光板１１としては、適宜な偏光板を用いることができ、
とくに限定はない。一般には、ポリビニルアルコールの
ような親水性高分子からなるフィルムに二色性染料やヨ
ウ素を染色して、ホウ酸水溶液中で２〜１０倍程度延伸
した偏光子が用いられる。たとえば、日東電工社製の
「ＮＰＦ」が挙げられる．また、２色性染料を含有する
液晶や液晶ポリマーを配向することにより得られるもの
を、使用してもよい。上記の液晶や液晶ポリマーには限
定はなく、ネマチック型、スメクチック型、コレステリ
ツク型、ディスコチック型、これらの正の材料や負の材
料が用いられる。オプティバ社製の「リオトロピック液
晶」などを利用して、基材フィルム上に塗布することで
得られる偏光素子を用いてもよい。

【００３４】また、入／４波長位相差板１２としては、
可視光波長の１／４波長の位相差遅れを有する複屈折フ
ィルムで、可視光領域において広く１／４波長の位相差
を有する広帯域λ／４板を用いてもよい。広帯域λ／４
板は一般には異なる位相差値を有する複屈折フィルムの
組み合せで実現できる。また、位相差フィルムには高分
子フィルムを延伸、配向したものが挙げられる。上記の
位相差フィルムに用いる高分子フィルムは、とくに限定
はないが、光学的に透明で配向ムラの少ないものが、好
適に用いられる。たとえば、ポリカーボネート、ポリア
リレート、ポリスルホン、ポリオレフィン系、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ノル
ボルネン系、アクリル系、ポリスチレン系、セルロース
系が挙げられる。液晶組成物を高分子フィルムにコーテ
ィングまたは含浸したものであってもよい。

【００３５】電磁波シールド材２は、表示装置４の放射
電磁波を十分にシールドできるものであればよく、なか
でも、金属製の導電性メッシュか、あるいは銀系透明導
電体薄膜を含んだ多層膜タイプのものが好ましい。

【００３６】導電性メッシュでは、本発明の特徴を最大
限に生かすため、線幅が２０μｍ以上、とくに４０μｍ
以上、開口率が８５％以下、とくに７０％以下であり、
表面黒化処理が施されていない、それ自体の反射率が高
い金属光沢を呈するような安価な導電性メッシュが好ま
しい。具体的には、ポリエステル繊維に金属メッキを施
した繊維メッシュや、スクリーン印刷によりロール・ト
ウ・ロール方式で安価に製造されたものなどが挙げられ
るが、とくに限定されない。このような視認性の悪い安
価なメッシュを用いても、本発明の構成とすることによ
り反射光はすべて偏光板により吸収される。したがっ
て、製造コストの高いフォトリソグラフイー技術を適用
したり、表面黒化処理を行う必要は全くない。このよう
な高価で視認性の良い導電性メッシュは、本発明を適用
しなくても比較的視認性の良い電磁波シールドフィルタ
が得られる。

【００３７】銀系透明導電体薄膜の含んだ多層膜タイプ
のものでは、表示装置の放射電磁波を十分にシールドで
きるものであればよく、具体的な構成としては、銀系透
明導電体薄膜層／透明薄膜層、透明薄膜層／銀系透明導
電体薄膜層／透明薄膜層または銀系透明導電体薄膜層／
透明薄膜層／銀系透明導電体薄膜層の構成、あるいはこ
れらをさらに繰り返した構成が挙げられる。これらの銀
系透明導電体薄膜層および透明薄膜層は、各々、すべて
同じ組成もしくは材料であっても、異なるものであって
もよい。これらの銀系透明導電体薄膜層および透明薄膜
層は、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
リング法などの真空プロセスや湿式法などの公知の薄膜
成膜技術により、形成することができる。

【００３８】このような多層膜タイプのものは、この電
磁波シールド材とその面上に形成される隣接層との界面
反射率が０．５〜３０％となるように、光学設計されて
いるのが望ましい。上記の界面反射率が０．５％より小
さいと、本発明を応用しなくても視認性の良い電磁波シ
ールドフィルタが得られるが、銀系透明導電体薄膜の膜
厚を薄くしたり、その繰り返し層数を増やしなどして、
精度の高い光学設計や成膜技術が要求され、安価な電磁
波シールドフィルタを提供しにくい。また、上記の界面
反射率が３０％より大きくなると、外光に対する反射は
低減できるが、表示装置からの発光光も反射されるた
め、発光強度が低下する。

【００３９】なお、本発明にいう反射率は、ＪＩＳＲ
３１０６で定められた、明所での平均視感度反射率であ
る。また、本発明にいう電磁波シールド層とその面に形
成される隣接層との界面反射率とは、厳密には、隣接層
の光学アドミタンスと電磁波シールド材の光学アドミタ
ンスの差により生じる反射である。しかし、電磁波シー
ルド材のような多層膜の光学アドミタンスは、各層の光
学定数を知り、その値から計算上算出されるものである
ため、実測できない。このため、上記界面反射率は、以
下のように測定されるものとする。まず、隣接層単体の
反射率Ｒ₀をその裏面を黒塗りした状態で測定する。つ
ぎに、電磁波シールド材の面上にその隣接層を形成し、
同様に裏面を黒塗りしてその反射率Ｒ₁を測定する。Ｒ
₁−Ｒ₀を本発明にいう上記界面反射率と定義する。

【００４０】銀系透明導電体薄膜層の材料には、８０重
量％以上の銀と、金、銅、パラジウム、白金、マンガ
ン、カドニウムから選択された１つまたは２つ以上の元
素により構成されたものが用いられる。銀は、金属材料
の中で、最も電気導電率が高いばかりか、光吸収が小さ
く、光学的な透明性にもすぐれている。しかしながら、
空気中の湿気、硫黄、塩素などに劣化しやすい。このた
め、電気伝導性、光学的透明性、耐劣化性の観点から、
９０〜９９重量％の銀と上記金属１〜１０重量％を固溶
させた材料が好ましい。銀中に１〜１０重量％の金を固
溶させたものは、銀の劣化防止の観点から、とくに好ま
しい。金を１０重量％以上混入させると、着色のため、
透明性が損なわれやすく、電気伝導率の低下も大きい。
また、金の混入量が１重量％未満では、銀の劣化が起こ
りやすい。

【００４１】透明薄膜層の材料には、光学的な透明性を
有するものであれば使用できる。薄膜層の屈折率は、光
学設計において所望の光学特性を達成しやすいものを選
べばよく、各層の材料や屈折率がそれぞれ異なっていて
もよい。単一の材料でも複数材料を焼結した材料を用い
てもよい。銀系透明導電体薄膜層のマイグレーション防
止効果や水、酸素のバリア効果がある材料なら、さらに
よい。

【００４２】好適な材料には、酸化インジウム、酸化
錫、二酸化チタン、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、
酸化亜鉛、酸化タンタル、五酸化ニオブ、二酸化珪素、
窒化珪素、酸化アルミニウム、フッ化マグネシウム、酸
化マグネシウム、二酸化シリコン、酸化アルミニウム、
フッ化マグネシウム、酸化マグネシウムよりなる群から
選ばれる１または２以上の化合物が挙げられる。酸化イ
ンジウムを主成分とし、二酸化チタンや酸化錫、酸化セ
リウムを少量含有させたものは、金属薄膜層の劣化防止
効果があり、また電気導電性を有するため、金属薄膜層
との聞の電気的導通が取りやすいため、好ましい。これ
ら透明薄膜層の形成には、膜厚の制御性、均一性の点か
ら、スパッタリング法を採用するのが好ましい。

【００４３】選択反射型円偏光板３は、必要な波長域に
円偏光二色性を示す偏光子であればとくに制限なく用い
ることができる。たとえば、光学異方性の異なるフィル
ムを多数積層して、この偏光子を形成してもよいが、コ
レステリック液晶層を用いると、このような偏光子がよ
り簡単に形成できる。コレステリック液晶層としては、
コレステリック液晶性を示す各種化合物を、とくに制限
なく使用できる。たとえば、コレステリック液晶層は、
コレステリック性の液晶配向を示す主鎖型、側鎖型また
はこれらの複合型の各種骨格の液晶ポリマーにより形成
される。

【００４４】主鎖型の液晶ポリマーとしては、芳香族単
位などからなるメソゲン基を結合した構造を有する縮合
系のポリマー、たとえば、ポリエステル系、ポリアミド
系、ポリカーボネート系、ポリエステルイミド系などの
ポリマーが挙げられる。メソゲン基となる前記芳香族単
位としては、フェニル系、ビフェニル系、ナフタレン系
のものが挙げられ、これら芳香族単位は、シアノ基、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基などの置換基を有
していてもよい。

【００４５】側鎖型の液晶ポリマーとしては、ポリアク
リレート系、ポリメタクリレート系、ポリシロキサン
系、ポリマロネート系の主鎖を骨格とし、側鎖に環状単
位などからなるメソゲン基を有するものが挙げられる。
メソゲン基となる前記環状単位としては、たとえば、ビ
フェニル系、フェニルベンゾエート系、フェニルシクロ
ヘキサン系、アゾキシベンゼン系、アゾメチン系、アゾ
ベンゼン系、フェニルピリミジン系、ジフェニルアセチ
レン系、ジフェニルベンゾエート系、ビシクロヘキサン
系、シクロヘキシルベンゼン系、ターフェニル系などが
挙げられる。なお、これら環状単位の末端は、たとえ
ば、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基
などの置換基を有していてもよい。

【００４６】また、上記いずれの液晶ポリマーのメソゲ
ン基も屈曲性を付与するスペーサー部を介して結合して
いてもよい。スペーサー部としては、ポリメチレン鎖、
ポリオキシメチレン鎖などが挙げられる．スペーサー部
を形成する構造単位の繰り返し数は、メソゲン部の化学
構造により適宜に決定されるが、ポリメチレン鎖の繰り
返し単位は０〜２０、好ましくは２〜１２、ポリオキシ
メチレン鎖の繰り返し単位は０〜１０、好ましくは１〜
３である。なお、コレステリック系液晶ポリマーは、ネ
マチック系液晶ポリマーに低分子カイラル剤を含有させ
たり、ポリマー成分中にキラル成分を導入することによ
り、調製することができる。

【００４７】液晶ポリマーの分子量は、とくに制限され
ないが、重量平均分子量に基づき、２千〜１０万程度の
ものが好ましい。液晶ポリマーの重量平均分子量が大き
くなりすぎると、液晶としての配向性、とくにラビング
配向膜などを介した場合におけるモノドメイン化に乏し
くなって、液晶ポリマーが均一な配向状態を形成しにく
くなる傾向があるため、液晶ポリマーの重量平均分子量
は、５万以下とするのがより好ましい。また、液晶ポリ
マーの重量平均分子量が小さくなりすぎると、非流動層
としての成膜性に乏しくなる傾向があるため、液晶ポリ
マーの重量平均分子量は、２．５千以上とするのがより
好ましい。

【００４８】液晶ポリマーのガラス転移温度は、用途目
的により適宜決定されるが、基材の耐熱性の点より、通
常５０〜１５０℃程度であるのがよい。コレステリック
液晶層の形成は、コレステリック液晶ポリマーの溶液を
塗布、乾燥したり、重合性のコレステリック液晶モノマ
ーを熱や光によって重合することにより、行われる。コ
レステリック液晶層において、コレステリック性を示す
キラル成分は、コレステリック液晶ポリマーの調製段階
やコレステリック液晶モノマーの重合段階において、所
望の選択反射帯域に応じて、適宜に調製される．コレス
テリック液晶層の厚みは、１〜２０μｍが望ましく、２
〜１０μｍがより望ましい。

【００４９】なお、コレステリック液晶層を形成するに
あたっては、コレステリック液晶を配向させるため、配
向膜を設ける。配向膜としては、従来知られている各種
のものを使用でき、たとえば、透明な基材上にポリイミ
ドやポリビニルアルコールなどからなる薄膜を形成して
それをラビングする方法により形成したもの、透明なフ
ィルムを延伸処理した延伸フィルム、シンナメート骨格
やアゾベンゼン骨格を有するポリマーまたはポリイミド
に偏光紫外線を照射したものなど、コレステリック液晶
を配向させうる各種のものを使用できる。

【００５０】上記のように、コレステリック液晶を用い
ると、円偏光二色性が発現する選択反射波長域をある程
度任意に設計できる。たとえば、選択反射波長域の異な
るコレステリック液晶層を多層に積層すれば、３８０〜
７８０ｎｍの全可視域で円偏光二色性が発現するような
選択反射型円偏光板を作製できる。

【００５１】電磁波シールド材２での外光反射は、前記
の図２の説明から明らかなように、選択反射型円偏光板
３には関係なく低減される。したがって、選択反射型円
偏光板３の選択反射波長域は、基本的には表示装置４の
発光スペクトルのピーク位置にのみあれば、本発明の効
果は十分に発揮できる。すなわち、発光ピークのない波
長域には、むしろ選択反射性を持たない方が好ましい。
なぜなら、表示装置内部で反射される外光のうち、選択
反射型円偏光板３の選択反射波長域から外れる反射光
は、電磁波シールド材２での反射光と同じ原理で低減さ
れ、観測者に入る光をさらに低減できる。この場合、赤
色、緑色、青色の各発光スペクトルピークの波長域に選
択反射が発現するコレステリック液晶層を重ねて形成す
れば、容易に実現できる。また、表示装置の画素ごと
に、これらコレステリック液晶層をパターニング形成し
てもよい。この場合、視感度の高い緑色の面積を約１／
３に減らせるので、外光反射をさらに低減できる。

【００５２】このように、本発明では、表示装置４の発
光波長域に円偏光二色性が発現する選択反射型円偏光板
３が設置されていることが肝要であり、それ以外の波長
域に関しては、適宜、目的に応じて設計すればよく、と
くに限定されない。

【００５３】本発明の表示装置用電磁波シールドフィル
タは、電磁波シールド性が要求される表示装置であれ
ば、どのような用途にも、好ましく利用することができ
るが、とくに、強度の電磁波が放射されるＰＤＰに好適
に利用できる。すなわち、本発明においては、上記構成
の電磁波シールドフィルタを具備したＰＤＰ用フィルタ
を提供することができる。ＰＤＰは通常の表示装置に要
求される機能のほかに、近赤外線カット性とＮｅ発光カ
ット性がさらに要求される。

【００５４】電磁波シールド材２として、銀系透明導電
体薄膜層と透明薄膜層との多層膜タイプものを使用する
と、電磁波シールド性と近赤外線カット性を同時に満足
することができる。一方、導電性メッシュを使用する場
合や、銀系透明導電体薄膜ではその効果が不十分である
場合、吸収型円偏光板１と表示装置４との間の任意の位
置に、波長８５０〜１，０００ｎｍの近赤外線をカット
する層を、適宜、挿入すればよい。近赤外線カット層は
フタロシアニン系の吸収材料を用いたものでもよいし、
近赤外線波長域に円偏光二色性を示すコレステリック液
晶層２枚を１／２波長位相差板で貼り合せたり、お互い
に振れ方向の直行したコレステリック液晶層同士を貼り
合わせるなどしても好適に用いられる。

【００５５】また、選択反射型円偏光板３として、波長
５８０〜５９０ｎｍの範囲には選択反射性を持たないも
の、つまりＮｅ発光波長域に円偏光二色性を示さないも
のを用いれば、この波長域の発光光は、図２の説明よ
り、約半分が吸収型直線円偏光板１１で吸収されるた
め、Ｎｅ発光カット性を約２倍に向上できる。Ｎｅ発光
は通常５８５ｎｍ付近にあり、その帯域幅は１０ｎｍ程
度であるが、コレステリック液晶層の選択反射波長域を
適宜に選び、複合することにより、上記カット性を実現
できる。こうすることにより、Ｎｅ発光に起因したオレ
ンジ色発光光の光線透過率を半減することができ、赤色
発光の色純度を向上できる。

【００５６】本発明においては、このように構成される
ＰＤＰ用フィルタを、別途用意した透明成型体上に付設
して（上記フィルタを形成／または貼り合わせて）、Ｐ
ＤＰ用全面フィルタを作製し、これをＰＤＰの前面に空
気層を介して装着することにより、ＰＤＰ表示装置とす
ることができる。また、別の形態として、ＰＤＰ本体の
前面表示ガラス部に、透明粘着剤ないし透明接着剤を介
して、上記構成のＰＤＰ用フィルタを直接貼り合わせる
ことで、本発明の特徴をより生かしたＰＤＰ表示装置と
してもよい。この場合、前面表示ガラス部破損時の飛散
防止効果も同時に得られる。その際、前面表ガラス部の
強度不足を補うため、衝撃緩和層を付加して貼り合わせ
るなどしてもよい。

【００５７】

【実施例】つぎに、本発明を実施例により具体的に説明
するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるもので
はない。また、既述のとおり、円偏光とは完全な円偏光
に近い楕円偏光も含めて表現されている。さらに、以下
の実施例および比較例での評価項目およぴ評価方法は、
下記のとおりである。

【００５８】＜表面抵抗値＞電磁波シールド材につい
て、三菱油化社製の「ＬｏｒｅｓｔｅｒＳＰ」を用
い、四探針法にて、表面抵抗値を測定した。

【００５９】＜平均視感度反射率＞大塚電子社製の瞬間
マルチ測光システム「ＭＣＰＤ３０００」を用い、反射
スペクトルを波長３８０〜７８０ｎｍの範囲で１０ｎｍ
おきに測定した。そのデータを元に、ＪＩＳＲ３１０
６にしたがって、平均視感度反射率を算出した。

【００６０】＜界面反射率＞アクリル系粘着剤の片面を
黒塗りし、平均視感度反射率を測定した。つぎに、アク
リル系粘着剤を電磁波シールド材の表面に貼り合わせ、
電磁波シールド材の裏面を黒塗りした状態で、平均視感
度反射率を測定した。電磁波シールド材貼り合わせ後の
平均視感度反射率の増加分を、界面反射率とした。

【００６１】＜フィルタの反射率＞ＰＤＰ表示装置につ
いて、ＰＤＰの表示を全面黒表示とし、その際の平均視
感度反射率を測定した。

【００６２】＜発光強度比＞大塚電子社製の瞬間マルチ
測光システム「ＭＣＰＤ３０００」を用い、ＰＤＰの表
示を全面白表示とし、フィルタを貼り付けていない場合
の緑発光のピーク強度を測定し、それを１とした．同様
の条件で、フィルタを設置した場合の強度を測定し、フ
ィルタなしとの比を求めた。この比は、おおよそフィル
タの透過率に相当する。

【００６３】＜近赤外線カット率＞大塚電子社製の瞬間
マルチ測光システム「ＭＣＰＤ３０００」を使用し、波
長９００ｎｍの透過率を測定し、この測定値を１００％
から引き算して、近赤外線カット率とした。

【００６４】実施例１＜吸収型円偏光板の作製＞厚さ７５μｍのポリビニルア
ルコールフィルムを５重量％瑚酸水溶液（３０℃）中で
３００％延伸処理してなる複屈折性フィルムと、厚さ５
０μｍのポリカーボネートフィルムを１６０℃で３５％
延伸処理してなる複屈折性フィルムを、それらの光軸が
直交するように、透明なアクリル系粘着剤を介して積層
し、１／４波長位相差板を得た。さらに、透明なアクリ
ル系粘着剤を介して、上記構成の位相差板をそのポリビ
ニルアルコールフィルムの光軸が透過軸に対し４５度の
角度で交差するように偏光フィルム（日東電工社製の
「ＮＰＦ−Ｇ１２２５ＤＵ」）と積層し、右円偏光を透
過する吸収型円偏光板を作製した。

【００６５】＜電磁波シールド材の作製＞厚さ５０μｍ
の透明なアクリル系粘着剤を２枚用意し、線径５０μ
ｍ、ピッチ１９０μｍ、開口率６３％、表面抵抗値０．
１Ω／□の繊維メッシュを、上記のアクリル系粘着剤で
サンドイッチして貼り合わせ、オートクレープで脱泡処
理することにより、導電性メッシュからなる電磁波シー
ルド材を作製した。

【００６６】＜選択反射型円偏光板の作製＞（１）光学的異方性を示さない厚さ５０μｍの三酢酸
セルロースフィルムの上に厚さ０．１μｍのポリビニル
アルコール層を設けてレーヨン布でラビング処理して配
向膜を形成し、その配向膜上にアクリル系サーモトロピ
ックコレステリック液晶ポリマーの２０重量％テトラヒ
ドロフラン溶液をワイヤバーにて塗工して乾燥させたの
ち、１５０±２℃で５分間、加熱配向処理後、室温で放
冷して、厚さ１μｍのコレステリック液晶ポリマー層を
形成する方式にて、円偏光二色性を示す波長域が（Ａ）
３５０〜４５０ｎｍ、（Ｂ）４５０〜５５０ｎｍ、
（Ｃ）６００〜７００ｎｍ、（Ｄ）７５０〜８５０ｎｍ
で、左円偏光を反射する４種のコレステリック液晶ポリ
マー層を得た。（２）つぎに、上記の（Ａ）と（Ｂ）のコレステリッ
ク液晶ポリマ一層をその液晶面同士を密着させて１５０
±２℃で２分間、加熱圧着処理後、その（Ｂ）側の三酢
酸セルロースフィルムを剥離し、その液晶ポリマー層の
露出面に（Ｃ）のコレステリック液晶ポリマー層をその
液晶面同士を密着させて、１５０±２℃で２分間加熱圧
着処理したのち、上記に準じ、（Ｄ）のコレステリック
液晶ポリマー層も加熱圧着処理して、厚さ方向に螺旋ピ
ッチが変化して円偏光二色性を示す波長域が４００〜８
００ｎｍの選択反射型円偏光板を作製した。

【００６７】＜電磁波シールドフィルタの作製＞上記の
吸収型円偏光板の位相差板の面と、上記の導電性メッシ
ュからなる電磁波シールド材を貼り合わせ、さらにこの
電磁波シールド材の逆面と上記の選択反射型円偏光板の
コレステリック液晶層の面を貼り合わせた。その後、吸
収型円偏光板の直線偏光板の表面に、反射率が１．０％
の市販の反射防止フィルム（日本油脂社製の商品名「リ
アルック２２００」）を、透明なアクリル系粘着剤を介
して貼り合わせて、電磁波シールドフィルタを作製し
た。

【００６８】＜ＰＤＰ表示装置の作製＞上記の電磁波シ
ールドフィルタをＰＤＰ用フィルタとし、これを１０cm
×１０cmのサイズに切り出し、その選択反射型円偏光板
側を、ＰＤＰ表示装置（パイオニア社製の型名「ＰＤＰ
−５０２ＨＰ」）に設置されている前面板フィルタを取
り外して、その本体表示パネルの前面ガラス部に、透明
なアクリル系粘着剤を介して直接貼り合わせ、ＰＤＰ表
示装置を作製した。

【００６９】比較例１選択反射型円偏光板を用いなかった以外は、実施例１と
同様にして、電磁波シールドフィルタを作製し、またこ
れを用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００７０】比較例２吸収型円偏光板と選択反射型円偏光板をともに用いず、
導電性メッシュからなる電磁波シールド材の片面に反射
防止フィルムを貼り合わせるようにした以外は、実施例
１と同様にして、電磁波シールドフィルタを作製し、ま
たこれを用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００７１】比較例３実施例１において、位相差板を光軸が透過軸に対し１３
５度の角度で交差するように偏光フィルムと積層し、左
円偏光を透過する吸収型円偏光板を作製した。これを使
用した以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールド
フィルタを作製し、またこれを用いて、ＰＤＰ表示装置
を作製した。

【００７２】比較例４実施例１において、フォトリソグラフィー法にて作製し
た、線径１５μｍ、ピッチ１７０μｍ、開口率８７％、
表面抵抗値０．８Ω／□の黒化処理済みのメッシュを用
いて、導電性メッシュからなる電磁波シールド材を作製
した。これを使用した以外は、実施例１と同様にして、
電磁波シールドフィルタを作製し、またこれを用いて、
ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００７３】比較例５吸収型円偏光板と選択反射型円偏光板をともに用いず、
導電性メッシュからなる電磁波シールド材の片面に反射
防止フィルムを貼り合わせるようにした以外は、比較例
４と同様にして、電磁波シールドフィルタを作製し、ま
たこれを用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００７４】上記の実施例１および比較例１〜５のＰＤ
Ｐ表示装置について、電磁波シールド材の表面抵抗値、
発光強度比およびフィルタの反射率を調べた。これらの
結果を、メッシュフィルタの低コスト性の評価ととも
に、表１に示した。上記の低コスト性は、黒化処理およ
びフォトリソ工程が不要で低コストであるものを○、黒
化処理およびフォトリソ工程が必要で高コストであるも
のを×、と評価した。

【００７５】

【００７６】上記の表１の結果から明らかなように、本
発明の実施例１では、電磁波シールド材として安価でか
つ線径の太い導電性メッシュを用いているにもかかわら
ず、発光強度比が高く、黒表示時のフィルタの反射率も
低く抑えられ、画像の引き締まった、明室コントラスト
の高いＰＤＰ表示装置とすることができた。しかも、電
磁波シールド性は、０．１Ω／□という表面抵抗値か
ら、ＰＤＰから発生する電磁波を十分にシールドできる
ものであった。

【００７７】これに対し、選択反射型円偏光板を用いな
かった比較例１では、反射率こそ低い値が得られるが、
発光強度比は０．３０に低下し、暗いＰＤＰ表示装置と
なった。導電性メッシュだけを実装した比較例２では、
発光強度比は高く明るいが、反射率が１５．９％とな
り、明室コントラストが極端に低くなった。吸収型円偏
光板の吸収する円偏光光と逆方向の円偏光を反射する関
係にした比較例３では、ＰＤＰからの発光光のほぼすべ
てが、吸収型円偏光板に吸収され、発光強度比が０．０
１％にまで低下し、ＰＤＰの表示はほとんど見えなくな
った。

【００７８】また、導電性メッシュにフォトリソグラフ
イーを駆使して作製した、ファインなものを用いた比較
例４では、その開口率が高い分、発光強度比は増加した
が、表面抵抗値が０．８Ω／□となり、電磁波シールド
性に劣り、また非常にコストが高くなり、実施例１と比
べて、優位性はみられなかった。さらに、上記ファイン
な導電性メッシュだけを実装した比較例５では、外光が
強くなるとメッシュの反射が気になり、ＰＤＰ自体は明
るいが、明室コントラストが低かった。

【００７９】実施例２電磁波シールド材として、銀系透明導電体薄膜層を含む
多層膜タイプのものを以下のようにして作製した。すな
わち、厚さ７５μｍのノルボルネン系樹脂フィルム（Ｊ
ＳＲ社製の商品名「アートン」）の片面に、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法により、高屈折率透明薄膜、銀系透明
導電体薄膜、高屈折率透明薄膜の順序を繰り返して薄膜
形成する手法により、電磁波シールド材を作製した。高
屈折率透明薄膜を形成するターゲット材料には、Ｉｎ₂
Ｏ₃−１２．６重量％ＴｉＯ₂（以下、ＩＴＯという）
を使用し、銀系透明導電体薄膜を形成するターゲット材
料には、Ａｇ−５重量％Ａｕ（以下、単にＡｇという）
を使用した。膜厚の制御は、厚膜に付けた膜の表面粗さ
計（「ＤＥＫＴＡＫ３」）による膜厚の測定から得られ
た、成膜速度の検量線を用いて行った。

【００８０】このように作製した電磁波シールド材は、
下記の構成を有するものであった。ただし、括弧内は膜
厚（ｎｍ）を示している。アートンフィルム／ＩＴＯ（４０）／Ａｇ（２０）／Ｉ
ＴＯ（４０）この電磁波シールド材を用い、その多層膜側が吸収型円
偏光板の位相差板側になるように、透明なアクリル系粘
着剤を介して貼り合わせるようにした以外は、実施例１
と同様にして、電磁波シールドフィルタを作製し、また
これを用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００８１】実施例３電磁波シールド材の構成を、アートンフィルム／ＩＴＯ（３５）／Ａｇ（１３）／Ｉ
ＴＯ（７０）／Ａｇ（１３）／ＩＴＯ（７０）／Ａｇ
（１３）／ＩＴＯ（３５）とした以外は、実施例２と同様にして、電磁波シールド
フィルタを作製した。ただし、上記の括弧内は膜厚（ｎ
ｍ）を示している。また、この電磁波シールドフィルタ
を用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００８２】比較例６選択反射型円偏光板を用いなかった以外は、実施例２と
同様にして、電磁波シールドフィルタを作製し、またこ
れを用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００８３】比較例７吸収型円偏光板と選択反射型円偏光板をともに用いず、
銀系透明導電体薄膜層を含む多層膜タイプからなる電磁
波シールド材の片面に反射防止フィルムを貼り合わせる
ようにした以外は、実施例２と同様にして、電磁波シー
ルドフィルタを作製し、またこれを用いて、ＰＤＰ表示
装置を作製した。

【００８４】比較例８選択反射型円偏光板として、実施例２とは配向の振れ方
向が逆のコレステリック液晶を用い、右円偏光を反射
し、左円偏光を透過する選択反射型円偏光板を使用した
以外は、実施例２と同様にして、電磁波シールドフィル
タを作製し、またこれを用いて、ＰＤＰ表示装置を作製
した。

【００８５】比較例９電磁波シールド材の構成を、アートンフィルム／ＩＴＯ（４４）／Ａｇ（６．５）／
ＩＴＯ（４４）とした以外は、実施例２と同様にして、電磁波シールド
フィルタを作製した。ただし、上記の括弧内は膜厚（ｎ
ｍ）を示している。また、この電磁波シールドフィルタ
を用いて、ＰＤＰ表示装置を作製した。なお、上記フィ
ルタは、界面反射率を最小にするために、アクリル系粘
着剤の光学アドミタンスと電磁波シールド材の光学アド
ミタンスを一致させるように光学設計し、Ａｇ層の厚さ
を６．５ｎｍに選んだものである。

【００８６】上記の実施例２，３および比較例６〜９の
ＰＤＰ表示装置について、電磁波シールド材とその面上
に形成される隣接層であるアクリル系粘着剤との界面反
射率を調べた。結果は、下記の表２に示されるとおりで
あった。

【００８７】

【００８８】つぎに、上記の実施例２，３および比較例
６〜９のＰＤＰ表示装置について、電磁波シールド材の
表面抵抗値、フィルタの反射率、発光強度比および近赤
外線カット率を調べた。結果は、下記の表３に示される
とおりであった。

【００８９】

【００９０】上記の表２および表３の結果から明らかな
ように、実施例２では、Ａｇが１層の簡単な構成でその
膜厚を２０ｎｍと厚くしたため、比較的低い表面抵抗が
得られたが、この電磁波シールド材と隣接層であるアク
リル系粘着剤との光学アドミタンスを一致させるような
光学設計としていないため、界面反射率が２２．４％と
大きくなった。しかし、本発明の構成とすることによ
り、フィルタの反射率は１．７％まで低減され、しかも
高い発光強度比を達成できた。同様に、実施例３では、
電磁波シールド材をさらに多層構成としたことにより、
より低い表面抵抗とすぐれた近赤外線カット性を両立す
ることができた。

【００９１】これに対して、比較例６〜８では、表１の
結果に類似し、いずれも、表示装置用電磁波シールドフ
ィルタとして好適なものではなかった。また、電磁波シ
ールド材とアクリル系粘着剤との光学アドミタンスを一
致させるように光学設計した比較例９では、簡単なＡｇ
１層構成ではその膜厚を６．５ｎｍと薄くせざるを得
ず、この場合、界面反射率は０．２％に抑えることがで
き、本発明の２種の円偏光板を用いなくても低反射率と
高い発光強度比を実現できたが、表面抵抗値が３０．３
Ω／□と急上昇し、電磁波シールド性が極端に低下し
た。

【００９２】実施例４吸収型円偏光板と導電性メッシュからなる電磁波シール
ド材との間に、下記の近赤外線カットフィルムを挿入し
た以外は、実施例１と同様にして、電磁波シールドフィ
ルタを作製し、またこれを用いて、ＰＤＰ表示装置を作
製した。

【００９３】＜近赤外線カットフィルム＞（１）光学的異方性を示さない厚さ５０μｍの三酢酸
セルロースフィルムの上に、厚さ０．１μｍのポリビニ
ルアルコール層を設けてレーヨン布でラビング処理して
配向膜を形成し、その配向膜上にアクリル系サーモトロ
ピックコレステリック液晶ポリマーの２０重量％テトラ
ヒドロフラン溶液をワイヤバーにて塗工して乾燥させた
のち、１５０±２℃で５分間、加熱配向処理後、室温で
放冷して、厚さ１μｍのコレステリック液晶ポリマー層
を形成する方式にて、円偏光二色性を示す波長域が
（Ａ）８００〜９００ｎｍ、（Ｂ）９００〜１，０００
ｎｍ、（Ｃ）１，０００〜１，１００ｎｍで、左円偏光
を反射する３種のコレステリック液晶ポリマー層を得
た。（２）上記（Ａ）と（Ｂ）のコレステリック液晶ポリ
マー層をその液晶面同士を密着させ、１５０±２℃で２
分間、加熱圧着処理したのち、その（Ｂ）側の三酢酸セ
ルロースフィルムを剥離し、その液晶ポリマー層の露出
面に上記（Ｃ）のコレステリック液晶ポリマー層をその
液晶面同士を密着させ、１５０±２℃で２分間、加熱圧
着処理し、厚さ方向に螺族ピッチが変化して円偏光二色
性を示す波長域が８００〜１，１００ｎｍの選択反射型
円偏光板を作製した。（３）上記と同様の方法で、螺族ピッチが逆振れで、
右円偏光を反射する選択反射型円偏光板を作製した。こ
れら２つの選択反射型円偏光板を、透明なアクリル系粘
着剤を介して貼り合わせ、波長８００〜１，１００ｎｍ
の近赤外線を全反射する近赤外線カットフィルムを作製
した。図３は、この近赤外線カットフィルムの透過スペ
クトルを示したものである。

【００９４】実施例１では、電磁波シールド材に導電性
メッシュを用いているため、ＰＤＰ用フィルタとして必
要な機能である近赤外線カット性は得られなかった。し
かし、上記の実施例４では、近赤外線カットフィルムを
挿入することにより、電磁波シールド性、可視光線低反
射性、可視光線高透過性などの機能を維持したまま、近
赤外線カット性を容易に付与することができた。

【００９５】実施例５選択反射型円偏光板として、下記の方法で作製した選択
反射型円偏光板を使用した以外は、実施例４と同様にし
て、電磁波シールドフィルタを作製し、またこれを用い
て、ＰＤＰ表示装置を作製した。

【００９６】＜選択反射型円偏光板の作製＞（１）光学的異方性を示さない厚さ５０μｍの三酢酸
セルロースフィルムの上に、厚さ０．１μｍのポリビニ
ルアルコール層を設けてレーヨン布でラビング処理して
配向膜を形成し、その配向膜上にアクリル系サーモトロ
ピックコレステリック液晶ポリマーの２０重量％テトラ
ヒドロフラン溶液をワイヤバーにて塗工して乾燥させた
のち、１５０±２℃で５分間、加熱配向処理後、室温で
放冷し、厚さ１μｍのコレステリック液晶ポリマー層を
形成する方式にて、円偏光二色性を示す波長域が（Ａ）
４００〜５００ｎｍ、（Ｂ）４６０〜５６０ｎｍ、
（Ｃ）６００〜７００ｎｍで、左円偏光を反射する３種
のコレステリック液晶ポリマー層を得た。（２）つぎに、上記（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）のフィル
ムを、それぞれアクリル系粘着剤を介して貼り合わせ
て、選択反射型円偏光板を作製した。図４は、このよう
に作製した選択反射型円偏光板の透過スペクトル（曲線
−ａ）と、本実施例５で作製したＰＤＰ表示装置の白色
発光時の発光スペクトル（曲線−ｂ）とを、合わせて示
したものである。

【００９７】この実施例５で用いた選択反射型円偏光板
は、図４に示すように、波長５８０〜５９０ｎｍに現れ
るＮｅ発光波長域には選択反射を示さないように設計さ
れている。ここで、Ｎｅ発光色はオレンジ色の発光であ
り、ＰＤＰ表示装置の赤色の色純度を低下させるため、
カットするのが望ましい。本発明の原理から、上記波長
範囲の光は選択反射型円偏光板の作用を受けず、そのま
ま自然光として吸収型円偏光板に入射し、その少なくと
も５０％は上記円偏光板に吸収される。つまり、必要な
発光色は、本発明の選択反射型円偏光板の作用で、吸収
型円偏光板に吸収されないように働き、不要なＮｅ光は
半減させることができる。その結果、他の発光ピークに
対するＮｅ光のピーク強度が下がり、ＰＤＰの色再現
性、色純度を向上できる。もちろん、電磁波シールド性
やその他の光学特性にはなんら影響がなく、好適に使用
できた。

【００９８】

【発明の効果】以上のように、本発明では、従来、外光
反射は低減できてもその発光強度も半減させてしまう問
題があった円偏光フィルタ方式において、それに伴う発
光強度の低下を最小限に留めることができる。しかも、
選択反射型円偏光板を付与するだけで電磁波シールド性
にすぐれ、表示装置の発光輝度を極力損なわず、外光反
射が少ない、視認性のすぐれた、明室コントラストの高
い表示装置の製造を可能とする電磁波シールドフィルタ
を１枚の複合フィルムとして提供できる。また、このフ
ィルタを用いることで、外部周辺機器に対するノイズ源
になることなく、しかも視認性にすぐれるＰＤＰ表示装
置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の表示装置用電磁波シールドフィルタの
基本構成を示す概略図である。

【図２】上記電磁波シールドフィルタの作用の説明図で
ある。

【図３】実施例４で用いた近赤外線カットフィルムの透
過スペクトルを示す図である。

【図４】実施例５で用いた選択反射型円偏光板の透過ス
ペクトルと、実施例５で作製したＰＤＰ表示装置の白色
発光時の発光スペクトルとを示す図である。

【符号の説明】

Ａ表示装置用電磁波シールドフィルタ１吸収型円偏光板１１吸収型直線偏光板１２１／４波長位相差板２電磁波シールド材３選択反射型円偏光板４表示装置

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０４Ｎ 5/72 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｖ５Ｇ４３５Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ｚ (72)発明者中野秀作大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 2H048 AA06 AA16 AA18 2H049 BA02 BA03 BA05 BA07 BB67 BC22 2K009 CC03 CC14 EE03 5C058 AA11 DA08 5E321 AA04 BB21 BB41 CC16 GG05 GH01 5G435 AA16 BB06 FF02 FF05 GG33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示装置の観察者側から順に、吸収型円
偏光板と、電磁波シールド材と、上記の吸収型円偏光板
の吸収する円偏光光と同方向の円偏光光を反射し、それ
とは逆方向の円偏光光を透過する選択反射型円偏光板を
具備してなることを特徴とする表示装置用電磁波シール
ドフィルタ。
【請求項２】選択反射型円偏光板は、円偏光二色性を
示すコレステリツク液晶層を具備する請求項１に記載の
表示装置用電磁波シールドフィルタ。
【請求項３】電磁波シールド材は、導電性メッシュか
らなり、その線幅が２０μｍ以上、開口率が８５％以下
である請求項１または２に記載の表示装置用電磁波シー
ルドフィルタ。
【請求項４】電磁波シールド材は、１層以上の銀系透
明導電体薄膜層を含み、電磁波シールド材とその面上に
形成される隣接層との界面反射率が０．５〜３０％であ
る請求項１または２に記載の表示装置用電磁波シールド
フィルタ。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波
シールドフィルタを具備することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項６】吸収型円偏光板と表示装置との間に波長
８５０〜１，０００ｎｍの近赤外線をカットする層が挿
入されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパ
ネル用フィルタ。
【請求項７】選択反射型円偏光板は、波長５８０〜５
９０ｎｍの範囲には選択反射性を持たない請求項５また
は６に記載のプラズマディスプレイパネル用フィルタ。
【請求項８】プラズマディスプレイパネルの前面に、
空気層を介して設置される透明成型体に請求項５〜７の
いずれかに記載のプラズマディスプレイパネル用フィル
タを付設したプラズマディスプレイパネル用前面フィル
タを装着したことを特徴とするプラズマディスプレイパ
ネル表示装置。
【請求項９】プラズマディスプレイパネル本体の前面
表示ガラス部に、透明粘着剤ないし透明接着剤を介し
て、請求項５〜７のいずれかに記載のプラズマディスプ
レイパネル用フィルタが直接貼り合わされていることを
特徴とするプラズマディスプレイパネル表示装置。